METHOD FOR FABRICATING VERTICALLY STACKED NANOWIRES FOR SEMICONDUCTOR APPLICATIONS
Номер патента: US20150371868A1
Опубликовано: 24-12-2015
Автор(ы): Chung Hua, ZHANG YING
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 24-12-2015
Автор(ы): Chung Hua, ZHANG YING
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Manufacturing method for semiconductor device
Номер патента: US09761685B2. Автор: Toshikazu HANAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.