ABSORBENT Cu2ZnSn(S,Se)4-BASED MATERIAL HAVING A BAND-SEPARATION GRADIENT FOR THIN-FILM PHOTOVOLTAIC APPLICATIONS
Номер патента: US20150214401A1
Опубликовано: 30-07-2015
Автор(ы): Altamura Giovanni, GRENET Louis, Perraud Simon
Принадлежит: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-07-2015
Автор(ы): Altamura Giovanni, GRENET Louis, Perraud Simon
Принадлежит: Commissariat A L'Energie Atomique Et Aux Energies Alternatives
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for producing the P-N junction of a thin-film photovoltaic cell and corresponding method for producing a photovoltaic cell
Номер патента: US09640687B2. Автор: Simon Perraud,Louis Grenet,Giovanni Altamura,Frederic Roux. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-02.