Apparatus for plasma chemical vapor deposition and method for fabricating semiconductor device by using the same
Номер патента: US20080194104A1
Опубликовано: 14-08-2008
Автор(ы): Dong-Sun Sheen, Sang-Tae Ahn, Seok-Pyo Song
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-08-2008
Автор(ы): Dong-Sun Sheen, Sang-Tae Ahn, Seok-Pyo Song
Принадлежит: Hynix Semiconductor Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method and apparatus for low temperature, low pressure chemical vapor deposition of epitaxial silicon layers
Номер патента: CA1328796C. Автор: Bernard Steele Meyerson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-04-26.