Method for manufacturing a polysilicon SOI substrate including a cavity
Номер патента: US11978658B2
Опубликовано: 07-05-2024
Автор(ы): Jochen Reinmuth, Peter Schmollngruber
Принадлежит: ROBERT BOSCH GMBH
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-05-2024
Автор(ы): Jochen Reinmuth, Peter Schmollngruber
Принадлежит: ROBERT BOSCH GMBH
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods for generation of a trap-rich layer in a soi substrate
Номер патента: WO2023159077A1. Автор: Simon Edward Willard,Sebastien Kouassi,Sinan Goktepeli. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2023-08-24.