Method for Reading Data Stored in a Flash Memory According to a Voltage Characteristic and Memory Controller Thereof
Номер патента: US20210257030A1
Опубликовано: 19-08-2021
Автор(ы): Yang Tsung-Chieh
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-08-2021
Автор(ы): Yang Tsung-Chieh
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for configuring compensation for coupling between adjacent storage elements in a nonvolatile memory
Номер патента: WO2008011441A3. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-17.