Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: US20200219987A1
Опубликовано: 09-07-2020
Автор(ы): Fabian Radulescu, Kyoung-Keun Lee, Scott Sheppard
Принадлежит: Cree Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: WO2020142345A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2020-07-09.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: EP3906583A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-11-10.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: US11355600B2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-06-07.

High electron mobility transistors having improved drain current drift and/or leakage current performance

Номер патента: US20210134966A1. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyoung-Keun Lee. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Methods of manufacturing high electron mobility transistors having a modified interface region

Номер патента: US12015075B2. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Methods of manufacturing high electron mobility transistors having improved performance

Номер патента: EP4341998A1. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

High-electron-mobility transistor having a buried field plate

Номер патента: US09728630B2. Автор: Oliver Haeberlen,Clemens Ostermaier,Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-08-08.

High Electron Mobility Transistor (HEMT) with a back barrier layer

Номер патента: US11855199B2. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

High electron mobility transistor (hemt) with a back barrier layer

Номер патента: US20220384630A1. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

High electron mobility transistor (hemt) with a back barrier layer

Номер патента: US20240088284A1. Автор: Ching-Yu Chen,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Chia-Ling Yeh,Yu-Shine Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Methods of fabricating semiconductor structures and high electron mobility transistors

Номер патента: US20190207012A1. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fung Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

High electron mobility transistor structure

Номер патента: US20190131427A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240113215A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method for manufacturing nitride-based high electron mobility transistor and nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: US20220037517A1. Автор: Noboru Fukuhara,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12107157B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Method for manufacturing nitride-based high electron mobility transistor and nitride-based high electron mobility transistor

Номер патента: US12002880B2. Автор: Noboru Fukuhara,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240071758A1. Автор: Wen-Jung Liao,Bo-Yu Chen,Chih-Tung Yeh,Ruey-Chyr Lee,You-Jia Chang,Yun-Chun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230361207A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11749748B2. Автор: Zhi-Cheng Lee,Wei-Jen Chen,Kai-Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP4328976A1. Автор: Wen-Jung Liao,Bo-Yu Chen,Chih-Tung Yeh,Ruey-Chyr Lee,You-Jia Chang,Yun-Chun Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Process of forming a high electron mobility transistor including a gate electrode layer spaced apart from a silicon nitride film

Номер патента: US11710773B2. Автор: Yukinori Nose,Kenta Sugawara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-07-25.

High electron mobility transistors and methods for fabricating the same

Номер патента: US20180374944A1. Автор: Francis J. Kub,Karl D. Hobart,Virginia D. Wheeler,Travis J. Anderson. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2018-12-27.

P-gan high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240154021A1. Автор: Ting-Chang Chang,Shih-Kai Lin,Wei-Chen Huang,Chung-Wei Wu,Po-Hsun Chen,Yong-Ci Zhang,Sheng-Yao Chou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2024-05-09.

Elemental semiconductor material contact for high electron mobility transistor

Номер патента: US20140349449A1. Автор: Anirban Basu,Bahman Hekmatshoartabari,Davood Shahrjerdi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-11-27.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US09899493B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09704968B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US09525054B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US11804538B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

High electron mobility transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230369447A1. Автор: Jia-Zhe Liu,Tzu-Yao Lin. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Structure for increasing mobility in a high electron mobility transistor

Номер патента: US11101379B2. Автор: Haoran Li,Stacia Keller,Umesh K. Mishra,Xun Zheng,Brian Romanczyk,Matthew Guidry,Steven WIENECKE,Elaheh Ahmadi. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2021-08-24.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040380B2. Автор: Chen-Wei Pan,Chun-Pin Fang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Multi-channel gate-all-around high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20220131013A1. Автор: YE Lu,Xia Li,Bin Yang,Gengming Tao,Chenjie TANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

A heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: US20240304715A1. Автор: Olof Kordina,Jr-Tai Chen. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-09-12.

Doped gallium nitride high-electron mobility transistor

Номер патента: US09640650B2. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

High electron mobility transistor with periodically carbon doped gallium nitride

Номер патента: US09608103B2. Автор: Jeffrey Craig Ramer,Karl Knieriem. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230395694A1. Автор: Chan-Hong Chern,Yi-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Double continuous graded back barrier group iii-nitride high electron mobility heterostructure

Номер патента: US20240162341A1. Автор: John Andrew Logan,Maher Bishara Tahhan. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-16.

Double continuous graded back barrier group iii-nitride high electron mobility heterostructure

Номер патента: WO2024107467A1. Автор: John Andrew Logan,Maher Bishara Tahhan. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2024-05-23.

High electron mobility transistor (HEMT) device structure

Номер патента: US10014402B1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Kuei-Ming Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

High-electron-mobility transistor with buried interconnect

Номер патента: EP3331027A2. Автор: Yongping Ding,Kyle Terrill,Ayman SHIBIB,Jinman Yang. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-06-06.

A heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: TW201919238A. Автор: 陳志泰,歐羅夫 寇迪那. Владелец: 瑞典商斯維甘公司. Дата публикации: 2019-05-16.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3726585A2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210217885A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-15.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20220416073A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP4216281A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-26.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20200328298A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor structure, high electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11967642B2. Автор: Chih-Yen Chen,Franky Juanda LUMBANTORUAN,Chun-Yang Chen,Tuan-Wei WANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US11894453B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for manufacturing high electron mobility transistor with at least two barrier layers

Номер патента: US11462636B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3726585A3. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-06.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US11810962B2. Автор: Cheng-Wei Chou,Hsin-Chih Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

High electron mobility transistor (hemt) devices and methods

Номер патента: US20210091219A1. Автор: Davide Giuseppe Patti. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-25.

High electron mobility transistor with improved barrier layer

Номер патента: US20240120416A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Heterostructure for a high electron mobility transistor and a method of producing the same

Номер патента: US12002881B2. Автор: Olof Kordina,Jr-Tai Chen. Владелец: SweGaN AB. Дата публикации: 2024-06-04.

High electron mobility transistor, field-effect transistor, epitaxial substrate, method of manufacturing epitaxial substrate, and method of manufacturing group iii nitride transistor

Номер патента: CA2570558A1. Автор: Takashi Sakurada,Makoto Kiyama,Shin Hashimoto,Tatsuya Tanabe,Tomihito Miyazaki,Kouhei Miura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

Access conductivity enhanced high electron mobility transistor

Номер патента: US09679762B2. Автор: Yan Zhu,Xinyu Zhang,Andrew Paul Edwards. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Manufacturing method for forming insulating structure of high electron mobility transistor

Номер патента: US20210074838A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Insulating structure of high electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210013335A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231044A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12080787B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Iii-nitride/gallium oxide based high electron mobility transistors

Номер патента: US20230089714A1. Автор: Manijeh Razeghi. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2023-03-23.

High-electron-mobility transistor with high voltage endurance capability and preparation method thereof

Номер патента: US20210066481A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Gallium nitride-based high electron mobility transistor epitaxial wafer and preparation method therefor

Номер патента: US20230326996A1. Автор: Chen Su,Peng Li,HUI Wang,Jiahui Hu,Yuanyuan JIANG,Wubin Zhang. Владелец: HC Semitek Zhejiang Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Transistor having high withstand voltage and high electron mobility and preparation method therefor

Номер патента: US20220302292A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Transistor having high withstand voltage and high electron mobility and preparation method therefor

Номер патента: EP4006991A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038871A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

High-electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20210134978A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

High electron mobility transistor device and methods for forming the same

Номер патента: US20210057562A1. Автор: Chien-Jen Sun,Chi-Feng HSIEH,Tuan-Wei WANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

High-electron-mobility transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230387282A1. Автор: Wei-Ting Chang,Pravanshu Mohanta,Jiang-He Xie,Ching Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device having improved heat dissipation

Номер патента: US09640632B2. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20160211330A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Chunyen Chang,An-Jye TZOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2016-07-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US9660066B2. Автор: Hao-Chung Kuo,Zhen-Yu Li,Chunyen Chang,An-Jye TZOU. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2017-05-23.

High electron mobility transistor and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: WO2019163163A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-08-29.

Oxide semiconductor having ohmic junction structure, thin-film transistor having same, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240120379A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Ho Jae Lee. Владелец: Iucf Hyu Industry University Cooperation Hanyang Foundation University. Дата публикации: 2024-04-11.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: WO2020236180A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: POWER INTEGRATIONS, INC.. Дата публикации: 2020-11-26.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: US20220254912A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-08-11.

An enhancement mode metal insulator semiconductor high electron mobility transistor

Номер патента: EP3973576A1. Автор: Jamal Ramdani. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

Method for manufacturing field effect transistor having widened trench

Номер патента: US09741825B1. Автор: Yi-Lung Tsai,Po-Wen Yang,Aryadeep Mrinal,Mohammad Amanullah,Shu-Siang Liang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20240222133A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210193824A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240322008A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Source/drain regions for high electron mobility transistors (HEMT) and methods of forming same

Номер патента: US09929248B2. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Source/drain regions for high electron mobility transistors (HEMT) and methods of forming same

Номер патента: US09536962B1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: TW202115909A. Автор: 張峻銘,黃哲弘,廖文榮,侯俊良,葉治東. Владелец: 聯華電子股份有限公司. Дата публикации: 2021-04-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230335614A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11735644B2. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-22.

Source/Drain Regions for High Electron Mobility Transistors (HEMT) and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170084717A1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Source/Drain Regions for High Electron Mobility Transistors (HEMT) and Methods of Forming Same

Номер патента: US20170025507A1. Автор: Chun-Hsiang FAN,Mao-Lin Huang,Chun-Hsiung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3772112A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-03.

Method for fabricating a high electron mobility transistor

Номер патента: EP4210113A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-12.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US20230112917A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

High electron mobility transistor and fabricating method of the same

Номер патента: US12002681B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chih-Tung Yeh,Ming-Hua Chang,Lung-En Kuo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210036138A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12027604B2. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Enhancement-mode high electron mobility transistors with small fin isolation features

Номер патента: US20220344457A1. Автор: Jean Lapointe,Alireza LOGHMANY,Elias AL-ALAM. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-10-27.

Pseudomorphic high electron mobility transistor comprising doped low temperature buffer layer

Номер патента: US20140138746A1. Автор: Hans G. Rohdin,Nathan Perkins,Jonathan Abrokwah,John Stanback,Philbert Marsh. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2014-05-22.

High electron mobility transistor (HEMT) and a method of forming the same

Номер патента: US9831332B2. Автор: Shinya Mizuno. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

P-channel transistor having an increased channel mobility due to a compressive stress-inducing gate electrode

Номер патента: US09978869B2. Автор: Yusuke Nonaka,Akihiro Shimizu,Nagatoshi Ooki,Katsuhiko Ichinose. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Buffer layer for promoting electron mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US20090321744A1. Автор: Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Long-Sheng Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-12-31.

Buffer layer for promoting electron mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US20040140468A1. Автор: Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Long-Sheng Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2004-07-22.

Buffer layer for promoting electron mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US8178882B2. Автор: Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Long-Sheng Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-15.

Buffer layer for promoting electron mobility and thin film transistor having the same

Номер патента: US7608475B2. Автор: Chia-Tien Peng,Kun-Chih Lin,Long-Sheng Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-10-27.

Thin-film transistor having metal oxide semiconductor layers of heterojunction structure, display device comprising same, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230253504A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Hyeon Joo SEUL. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-08-10.

High mobility transistor element resulting from igto oxide semiconductor crystallization, and production method for same

Номер патента: US20240088270A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Bo Kyoung Kim,Nuri ON. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-03-14.

Thin film transistors having multi-layer gate dielectric structures integrated with 2d channel materials

Номер патента: EP4156303A1. Автор: Uygar E. Avci,Scott B. Clendenning,Ashish Verma Penumatcha,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY,Charles Mokhtarzadeh,Kevin OBrien. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

Gallium Nitride high-electron mobility transistors with p-type layers and process for making the same

Номер патента: US12142674B2. Автор: Saptharishi Sriram. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-11-12.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234539A9. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230231021A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12080778B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240371968A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-11-07.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN112652659A. Автор: 张峻铭,侯俊良,黄哲弘,廖文荣. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240128353A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11894441B2. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11784238B2. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210083073A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20230402527A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

High electron mobility transistor

Номер патента: EP3796395A1. Автор: Chun-Hsien Lin,An-Chi Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-03-24.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200111901A1. Автор: Wen-Ying Wen,Chih-hao Chen. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

A high electron mobility field effect transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2013176905A4. Автор: Karim S. Boutros,Sameh Khalil. Владелец: HRL LABORATORIES, LLC. Дата публикации: 2014-01-23.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09893169B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Fabrication of a vertical fin field effect transistor having a consistent channel width

Номер патента: US09837405B1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Enhancement-mode High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20200235218A1. Автор: Brice De Jaeger,Niels Posthuma,Steve Stoffels. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-23.

Electronic device comprising two high electron mobility transistors

Номер патента: US20220328471A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-13.

High electron mobility transistors including lightly doped drain regions and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09443968B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12034071B2. Автор: Yang Du,Chia-Ching HUANG,Shin-Chen Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230299169A1. Автор: Chih-Hung Lu,Yu-Jen Huang,Jih-Wen Chou,Hsin-Hong Chen,Po-Hsien Yeh,Robin Christine Hwang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US12132103B2. Автор: Yu-Chieh Chou,Yung-Fong Lin,Tsung-Hsiang Lin,Li-Wen CHUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11804544B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240014310A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20210013334A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Remote Doped High Performance Transistor Having Improved Subthreshold Characteristics

Номер патента: US20130105910A1. Автор: Prashant Majhi,Kausik Majumdar. Владелец: International SEMATECH. Дата публикации: 2013-05-02.

High electron mobility transistors, methods of manufacturing the same, and electronic devices including the same

Номер патента: US20150048421A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Hyo-ji CHOI,Young-Hwan Park,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-02-19.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09608100B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Jong-Bong Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-28.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US09379227B2. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-06-28.

High electron mobility transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US09859410B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

High electron mobility transistor, preparation method, and power amplifier/switch

Номер патента: EP4254507A1. Автор: Xiaoxiang Wu,Teng JIANG,Sike TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-04.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234559A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4333042A3. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-17.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4333042A2. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240290875A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

High electron mobility transistors having improved performance

Номер патента: US12009417B2. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US11799000B1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US20240213334A1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Gallium nitride high-electron mobility transistors with deep implanted p-type layers in silicon carbide substrates

Номер патента: WO2017223403A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2017-12-28.

High electron mobility transistor, preparation method, and power amplifier/switch

Номер патента: US20230352558A1. Автор: Xiaoxiang Wu,Teng JIANG,Sike TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Gallium Nitride High-Electron Mobility Transistors with Deep Implanted P-Type Layers in Silicon Carbide Substrates for Power Switching and Radio Frequency Applications and Process for Making the Same

Номер патента: US20170373178A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Electronic device provided with a stack of two high electron mobility transistors arranged in a bridge half-arm

Номер патента: US20220359714A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-11-10.

Gallium nitride high-electron mobility transistors with deep implanted p-type layers in silicon carbide substrates

Номер патента: EP3475985A1. Автор: Saptharishi Sriram,Christer Hallin,Alexander Suvorov. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-05-01.

Metamorphic high electron mobility transistor-heterojunction bipolar transistor integration

Номер патента: US20210391321A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US9276098B2. Автор: Hong-Pyo HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-01.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20160126339A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-05-05.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230275147A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079485A1. Автор: Chih-Hung Lu,Jih-Wen Chou,Bo-An Tsai,Zheng-Chang MU,Po-Hsien Yeh,Robin Christine Hwang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Gallium nitride device and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: US20240038847A1. Автор: Chun-Liang Hou,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Gallium nitride device and method for manufacturing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4312276A1. Автор: Chun-Liang Hou,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

High-electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240006511A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

High electron mobility transistor and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2023194211A1. Автор: Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2023-10-12.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230275146A1. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11973133B2. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Multi-gate high electron mobility transistors and methods of fabrication

Номер патента: EP3192101A1. Автор: Patrick Morrow,Sansaptak DASGUPTA,Kimin Jun,Alejandro X. Levander. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-07-19.

Manufacturing of scalable gate length high electron mobility transistors

Номер патента: EP2601678A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2013-06-12.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240079405A1. Автор: Santosh Sharma,Steven Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20220093778A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20230020271A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12009415B2. Автор: Kuo-Yu Liao,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230238445A1. Автор: Chun-Ling Lin,Ko-Wei Lin,Chun-Chieh Chiu,Hsin-Fu Huang,Shu Min Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Manufacturing of scalable gate length high electron mobility transistors

Номер патента: WO2012017389A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-02-09.

Semiconductor memory device with high electron mobility channels and method of manufacturing the same

Номер патента: US11882703B2. Автор: Hyung Jin Choi,Jae Hyeon Shin,Sungmook Lim,In Gon YANG,Gil Bok CHOI,Dae Hwan YUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device having improved gate leakage current

Номер патента: US12040394B2. Автор: Chao Wang,King Yuen Wong,Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qiyue Zhao,Chang An LI. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

High-frequency conductor having improved conductivity

Номер патента: US09735247B2. Автор: Hilde Hardtdegen,Detlev Gruetzmacher,Martin Mikulics. Владелец: FORSCHUNGSZENTRUM JUELICH GMBH. Дата публикации: 2017-08-15.

High electron mobility transistors having barrier liners and integration schemes

Номер патента: US20230155016A1. Автор: Zhong-Xiang He,Anthony Stamper,Ramsey HAZBUN,Pernell Dongmo. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Structures for a high-electron-mobility transistor and related methods

Номер патента: US20210351286A1. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI,Joseph James Jerry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2021-11-11.

High electron mobility transistors

Номер патента: US09425276B2. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

High electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: US09735240B2. Автор: LONG Yang,Dong Lee,William Fenwick. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20190334023A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

High electron mobility transistor with reverse arrangement of channel layer and barrier layer

Номер патента: US20200373423A1. Автор: Ken Nakata. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

RF high-electron-mobility transistors including group III-N stress neutral barrier layers with high breakdown voltages

Номер патента: US11710785B2. Автор: Debdeep Jena,Samuel James Bader,Huili Grace Xing,Reet Chaudhuri,Austin Hickman. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-07-25.

High-electron-mobility transistors

Номер патента: US09525055B2. Автор: Jamal Ramdani,Alexey Kudymov,Linlin Liu. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

High-electron-mobility transistor (hemt)

Номер патента: EP4383345A1. Автор: Mark D. Levy,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240234538A9. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136422A1. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-04-25.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040392B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US12040393B2. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230369448A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240162313A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Ruey-Chyr Lee,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240322030A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240339532A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

High electron mobility transistor (HEMT) device and method of making the same

Номер патента: US09865721B1. Автор: Jinqiao Xie,Edward A. Beam, III. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09793371B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US09419093B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US11757029B2. Автор: Jongseob Kim,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Structures for a high-electron-mobility transistor and related methods

Номер патента: US11888051B2. Автор: Jiacheng LEI,Lawrence Selvaraj SUSAI,Joseph James Jerry. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Gallium Nitride High-Electron Mobility Transistors with Deep Implanted P-Type Layers in Silicon Carbide Substrates for Power Switching and Radio Frequency Applications and Process for Making the Same

Номер патента: US20190229187A1. Автор: Saptharishi Sriram,Thomas Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Rf high-electron-mobility transistors including group iii-n stress neutral barrier layers with high breakdown voltages

Номер патента: US20200388701A1. Автор: Debdeep Jena,Samuel James Bader,Huili Grace Xing,Reet Chaudhuri,Austin Hickman. Владелец: Comell University. Дата публикации: 2020-12-10.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US11489048B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-01.

High electron mobility transistors

Номер патента: US20240088242A1. Автор: Randy L. Wolf,Rebouh Benelbar,Rajendran Krishnasamy,Michel J. Abou-Khalil,Ajay RAMAN,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and high electron mobility transistor

Номер патента: US11942519B2. Автор: Chih-Yen Chen,Franky Juanda LUMBANTORUAN. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230290839A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Ruey-Chyr Lee,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for manufacturing high electron mobility transistor device

Номер патента: US20240006525A1. Автор: Kun-Yuan Liao,Chun-Lung Chen,Bo-Yu Chen,Lung-En Kuo,Yuan Yu Chung,You-Jia Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20160359015A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-08.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20150140745A1. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Po-Chih Chen,King-Yuen Wong,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230378314A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou,Yi-Shan Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Enhancement mode high electron mobility transistor

Номер патента: US11935947B2. Автор: Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Bo-rong CHEN,Shin-Chuan Huang,Chih-Tung Yeh,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for fabricating high electron mobility transistor

Номер патента: US20240072126A1. Автор: Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

High-electron-mobility transistor devices

Номер патента: US20180158940A1. Автор: Kyle Terrill,Ayman SHIBIB. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2018-06-07.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11257939B2. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-22.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230100904A1. Автор: Po-Wen Su,Shui-Yen Lu,Ming-Hua Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Enhancement High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230420498A1. Автор: Han-Chung Tai. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2023-12-28.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240186384A1. Автор: Mark D. Levy,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20210151591A1. Автор: Yu-Chi Wang,Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240194773A1. Автор: Tzu-Wen Wang,Yen-Chun Tseng,Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Double aluminum nitride spacers for nitride high electron-mobility transistors

Номер патента: WO2013185089A1. Автор: Yu Cao,Wayne Johnson,Oleg Laboutin. Владелец: IQE KC, LLC. Дата публикации: 2013-12-12.

High electron mobility transistors having improved passivation structures and reduces drain current drift, as well as methods of fabricating such devices

Номер патента: WO2024039968A3. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyle BOTHE,Jia GUO,Chris Hardiman,Elizabeth Keenan. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and method for preparing high electron mobility transistor

Номер патента: EP4407688A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

High electron mobility transistor, radio frequency transistor, power amplifier, and preparation method for high electron mobility transistor

Номер патента: US20240322029A1. Автор: Bin Hu,Min Zhu,Huantao DUAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

High electron mobility transistors having reduced drain current drift and methods of fabricating such devices

Номер патента: WO2024039968A2. Автор: Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Kyle BOTHE,Jia GUO,Chris Hardiman,Elizabeth Keenan. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-02-22.

High electron mobility transistor and manufacturing method therefor, chip, and electronic device

Номер патента: EP4250368A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Qiang He,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI,Chunhua FAN,Yangyi ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

High electron mobility transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313085A1. Автор: Shang-Hua Tsai. Владелец: Infinity Communication Tech Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Electronic assembly provided with a plurality of high electron mobility transistors

Номер патента: US20220328681A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-13.

High electron mobility transistor and high electron mobility transistor forming method

Номер патента: US20240313084A1. Автор: Wei-Chih Ho. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: US20220181478A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Multi-Channel High Electron Mobility Transistor with Reduced Input Capacitance

Номер патента: US20240304670A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-12.

Multi-channel high electron mobility transistor with reduced input capacitance

Номер патента: EP4428927A1. Автор: Clemens Ostermaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-11.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: US09577064B2. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: Selex ES SpA. Дата публикации: 2017-02-21.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240136432A1. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-04-25.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240234561A9. Автор: Edward Yi Chang,You-Chen WENG,Min-Lu KAO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-11.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20230282740A1. Автор: Chih-Wei Chang,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Yao-Hsien Chung,Shih-Wei Su,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Method for fabricating high electron mobility transistor

Номер патента: US20230238455A1. Автор: Chih-Wei Chang,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Yao-Hsien Chung,Shih-Wei Su,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12034068B2. Автор: Joff Derluyn. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-07-09.

A high electron mobility transistor

Номер патента: EP3642882A1. Автор: Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2020-04-29.

High electron mobility transistor with semiconductor layer having a thickness varying along the transistor width

Номер патента: WO2019077784A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2019-04-25.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20220262939A1. Автор: Chih-Wei Chang,Bin-Siang Tsai,Ting-An Chien,Yao-Hsien Chung,Shih-Wei Su,Hao-Hsuan Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

High electron mobility transistor esd protection structures

Номер патента: EP3599640A8. Автор: Chungchi Gina Liao,Muhammad Ayman Shibib. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

High electron mobility transistor hemt device, wafer, packaging device, and electronic device

Номер патента: EP4210111A1. Автор: Hang Wang,DONGLIANG Zhang,Feng Xie,Jianyun Zhu,Ronghua XIE. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09570597B2. Автор: Jong-Seob Kim,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

High Electron Mobility Transistor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20200203502A1. Автор: David Zhou,Roy Wong,Han-Chin Chiu,Jinhan Zhang,Ming-Hong CHANG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140187003A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-07-03.

High electron mobility transistors and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20110272741A1. Автор: In-jun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-11-10.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US09431511B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-08-30.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4379811A2. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US20140073095A1. Автор: Ken Sato. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

High electron mobility transistor structure and fabrication method thereof

Номер патента: US20240243194A1. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US12051740B2. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

High electron mobility transistor device

Номер патента: US20140253241A1. Автор: Jae-Hoon Lee,Chan-ho Park,Nam-young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-11.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20180294341A1. Автор: Chih-Yen Chen,Hsien-Lung Yang. Владелец: Wavetek Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-10-11.

High electron mobility transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12057490B2. Автор: Ming-Chang Lu,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

High electron mobility transistor (hemt)

Номер патента: EP3767685A1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20220376100A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240258398A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US12100758B2. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

High electron mobility transistor device having a barrier layer with a protruding portion

Номер патента: US12100756B2. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4379811A3. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

High electron mobility transistor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20240347621A1. Автор: Ming-Chang Lu,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Multi-channel high electron mobility transistor with doped gate fins

Номер патента: US20240332409A1. Автор: Clemens Ostermaier,Korbinian Reiser,Lauri Olavi Knuuttila. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-10-03.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240355920A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US20240355917A1. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

High electron mobility transistor device having an aluminum-doped buffer layer

Номер патента: US12074214B2. Автор: José JIMENEZ,Jinqiao Xie,Vipan Kumar. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Sensor-less overcurrent fault detection using high electron mobility transistors

Номер патента: US12074209B2. Автор: Jing Xu,Xiaoqing Song,Pietro CAIROLI,Utkarsh Raheja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2024-08-27.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09960264B1. Автор: Chih-Yen Chen,Hsien-Lung Yang. Владелец: Wavetek Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Surface treatment and passivation for high electron mobility transistors

Номер патента: US09666683B2. Автор: Cheng-Yuan Tsai,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

High electron mobility transistors exhibiting dual depletion and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09660048B2. Автор: Jong-Seob Kim,In-jun Hwang,Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Hyuk-soon Choi,Ki-ha Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Structure for a gallium nitride (GaN) high electron mobility transistor

Номер патента: US09601608B2. Автор: Ming-Wei Tsai,King-Yuen Wong,Han-Chin Chiu,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for manufacturing high-electron-mobility transistor

Номер патента: US20230402526A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

High electron mobility transistor with shortened recovery time

Номер патента: US9117742B2. Автор: Yoshitsugu Yamamoto,Hiroyuki Kinoshita,Tetsuo Kunii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-08-25.

Method for manufacturing high-electron-mobility transistor

Номер патента: EP4290582A1. Автор: Chan-Shin Wu. Владелец: Ultraband Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-13.

High electron mobility transistors with field plate electrode

Номер патента: WO2012017390A1. Автор: Marco Peroni,Paolo Romanini. Владелец: SELEX SISTEMI INTEGRATI S.P.A.. Дата публикации: 2012-02-09.

High electron mobility transistor structure and manufacturing method therefor and application thereof

Номер патента: EP4318596A1. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-02-07.

High electron mobility transistor (HEMT) and forming method thereof

Номер патента: US11296214B2. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-04-05.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: US20220173236A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-06-02.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: US20210020769A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

High-electron-mobility transistor structure as well as fabricating method and use thereof

Номер патента: US20240186405A1. Автор: YU Zhou,QIAN LI,Qian Sun,Hui Yang,Yaozong ZHONG,Jianxun Liu,Xiaoning Zhan,Xinkun ZHANG. Владелец: Suzhou Institute of Nano Tech and Nano Bionics of CAS. Дата публикации: 2024-06-06.

High electron mobility transistor (hemt) and forming method thereof

Номер патента: EP3767683A1. Автор: Yi-Chung Sheng,Chih-Kai Kang,Sheng-Yuan Hsueh,Chien-Liang Wu,Kuo-Hsing Lee,Guan-Kai Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

High electron mobility transistor having conductive plate on passivation layer and method for forming the same

Номер патента: US11855174B2. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

High breakdown enhancement mode gallium nitride based high electron mobility transistors with integrated slant field plate

Номер патента: WO2008021544A3. Автор: Yuvaraj Dora,Chang Soo Suh,Umesh K Mishra. Владелец: Umesh K Mishra. Дата публикации: 2008-06-19.

A high electron mobility transistor

Номер патента: WO2018234338A1. Автор: Joff Derluyn. Владелец: EPIGAN NV. Дата публикации: 2018-12-27.

Normally-off high electron mobility transistor

Номер патента: US8890212B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Young-Hwan Park,Kyoung-Yeon Kim,Joon-Yong Kim,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-11-18.

Monolithic integration of enhancement-mode and depletion-mode galium nitride high electron mobility transistors

Номер патента: US20240014291A1. Автор: Elias AL ALAM,Alireza LOGHMANY. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2024-01-11.

High electron mobility transistor devices having a silicided polysilicon layer

Номер патента: US11923446B2. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu,Johnatan Avraham Kantarovsky,MARK David LEVY,Ephrem Gebreselasie. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

High Electron Mobility Transistor with Varying Semiconductor Layer

Номер патента: US20190115462A1. Автор: Koon Hoo Teo,Nadim CHOWDHURY. Владелец: Mitsubishi Electric Research Laboratories Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Integrated depletion and enhancement mode gallium nitride high-electron mobility transistors

Номер патента: US20240063219A1. Автор: JERRY JOSEPH James,Francois Hebert,Richard J. Rassel,Santosh Sharma,Steven J. Bentley. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

High electron mobility transistor devices having a silicided polysilicon layer

Номер патента: US20240038882A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu,Johnatan Avraham Kantarovsky,MARK David LEVY,Ephrem Gebreselasie. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

High electron mobility transistor (hemt) comprising stacked nanowire or nanosheet heterostructures

Номер патента: US20220328655A1. Автор: Xiuling Li,Shaloo Rakheja. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for epitaxy of high electron mobility transistor

Номер патента: US20240063291A1. Автор: Jia-Zhe Liu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Multi-threshold voltage galium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230420541A1. Автор: Elias AL ALAM,Alireza LOGHMANY. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2023-12-28.

Monolithic integration of enhancement-mode and depletion-mode galium nitride high electron mobility transistors

Номер патента: CA3199022A1. Автор: Alireza LOGHMANY,Elias AL-ALAM. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2022-05-19.

High electron mobility transistor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230290872A1. Автор: Po-Jung Lin,Jia-Zhe Liu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

High electron mobility transistor devices having a silicided polysilicon layer

Номер патента: US20240038881A1. Автор: Vibhor Jain,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu,Johnatan Avraham Kantarovsky,MARK David LEVY,Ephrem Gebreselasie. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method for Producing a Semiconductor Device Comprising a Schottky Diode and a High Electron Mobility Transistor

Номер патента: US20150214327A1. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2015-07-30.

Method for producing a semiconductor device comprising a Schottky diode and a high electron mobility transistor

Номер патента: US9276082B2. Автор: Silvia Lenci,Stefaan Decoutere. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2016-03-01.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140159048A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Tsung-Chieh Hsiao,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang,Po-Chin Peng,Ya-Hsien Liu,K.C. Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-12.

High electron mobility transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US12002879B2. Автор: Younghwan Park,Boram Kim,Dongchul Shin,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Jaejoon Oh,Injun Hwang,Soogine Chong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

High Electron Mobility Transistor and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140061724A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Tsung-Yu Yang,Tsung-Yi Huang,Chih-Fang Huang,Ting-Fu Chang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-03-06.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof, chip, and electronic device

Номер патента: US20230343835A1. Автор: Tao Liu,Wei Lu,Qiang He,Haijun Li,Juncai Ma,Zhili Zhang,Cen TANG,Jin Rao,Shuiming LI,Chunhua FAN,Yangyi ZHU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

High Electron Mobility Transistor ESD Protection Structures

Номер патента: US20200035666A1. Автор: Muhammed Ayman Shibib,Chungchi Gina Liao. Владелец: Vishay Siliconix Inc. Дата публикации: 2020-01-30.

Low power smith-purcell radiation sources based on high electron mobility transistor structures

Номер патента: US20230327011A1. Автор: John S Cetnar,David H Tomich,Shivashankar R Vangala. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 2023-10-12.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240072153A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20230369481A1. Автор: Po-Yu YANG,Hsun-Wen Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240021703A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Complementary high electron mobility transistor

Номер патента: US20230207679A1. Автор: Hsin-Ming Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP4312277A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Lun Chen,Yen-Hsing Chen,Chun-Liang Kuo,Ruei-Hong SHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240038844A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Lun Chen,Yen-Hsing Chen,Chun-Liang Kuo,Ruei-Hong SHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230387280A1. Автор: Wei-Chuan Tsai,Yen-Tsai Yi,Jin-Yan Chiou,Hsiang-Wen Ke. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

High electron mobility transistor (hemt) device and method of forming the same

Номер патента: US20240014307A1. Автор: Wei Jen Chen,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11830941B2. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

High electron mobility transistor (HEMT)

Номер патента: US11843046B2. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Predisposed high electron mobility transistor

Номер патента: WO2014055314A3. Автор: Christer Hallin. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

High-electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20230335630A1. Автор: Ta-Kang Lo,Cheng-Han Wu,Cheng-Guo Chen,Jian-Li Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

High-electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: EP4266374A1. Автор: Ta-Kang Lo,Cheng-Han Wu,Cheng-Guo Chen,Jian-Li Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-25.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US20240097004A1. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Sensor-less overcurrent fault detection using high electron mobility transistors

Номер патента: EP4149000A1. Автор: Jing Xu,Xiaoqing Song,Pietro CAIROLI,Utkarsh Raheja. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2023-03-15.

High electron mobility transistor epitaxial structure

Номер патента: US20240063270A1. Автор: Jia-Zhe Liu,Hong-Che LIN. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230402537A1. Автор: Zhi-Cheng Lee,Huai-Tzu Chiang,Chuang-Han Hsieh,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

High-electron-mobility transistor

Номер патента: US20240178310A1. Автор: Santosh Sharma,Rajendran Krishnasamy,Johnatan A. Kantarovsky. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: US11616135B2. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-28.

High electron mobility transistor and method of forming the same

Номер патента: EP3863064A1. Автор: Tsung-Mu Yang,Yu-Ren Wang,Yen-Hsing Chen,Yu-Ming Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-08-11.

High electron mobility transistor and fabrication method thereof

Номер патента: US20240178285A1. Автор: Hsin-Chang Tsai,Shyh-Chiang Shen,Yi-Wei Lien,Wei-Chih Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

High electron mobility transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20240014309A1. Автор: Chun-Ming Chang,Chih-Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High electron mobility transistor (hemt)

Номер патента: US20210020767A1. Автор: Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Kuan-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

High electron mobility transistor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230129579A1. Автор: Tsai-Fu Chen,Hao-Ming Lee,Shou-Wei Hsieh,Ta Kang Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Method of forming a high electron mobility transistor

Номер патента: US20150087118A1. Автор: Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu,Chen-Hao Chiang,Han-Chin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Transistor having high electron mobility (hemt), transistor assembly, method for controlling an hemt, and method for producing an hemt

Номер патента: US20230395708A1. Автор: Fabian LOFINK,Bernhard Wagner,Holger Kapels,Simon Fichtner. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for producing a transistor with a high degree of electron mobility, and produced transistor

Номер патента: US20230420542A1. Автор: Hans-Joachim Würfl,Elke Meissner. Владелец: Ferdinand Braun Institut GgmbH Leibniz Institut fuer Hoechstfrequenztechnik. Дата публикации: 2023-12-28.

Thin film tunnel field effect transistors having relatively increased width

Номер патента: US20200168636A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Field effect transistor having field plate

Номер патента: AU2020375557B2. Автор: Michael S. Davis,Eduardo M. Chumbes,Brian T. APPLETON JR.. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-09-05.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130187197A1. Автор: Woo Jin Chang,Ho Kyun Ahn,Sung Bum Bae,Chull Won JU,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Seong-Il Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-07-25.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150087142A1. Автор: Woo Jin Chang,Ho Kyun Ahn,Sung Bum Bae,Chull Won JU,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Eun Soo Nam,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Hyung Sup Yoon,Jong-Won Lim,Seong-Il Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-03-26.

Spatial terahertz wave phase modulator based on high electron mobility transistor

Номер патента: US09865692B2. Автор: Yaxin Zhang,Yuncheng Zhao,Shixiong LIANG,Ziqiang YANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-01-09.

Bidirectional device provided with a stack of two high electron mobility transistors connected head-to-tail

Номер патента: US20220336651A1. Автор: Thomas Oheix,Matthieu Nongaillard. Владелец: Exagan SAS. Дата публикации: 2022-10-20.

Pseudomorphic high electron mobility transistor, low noise amplifier, and related apparatus

Номер патента: US20240332412A1. Автор: TENG Teng,Xiaomin ZHOU,Jie Yu,Minglang YU,Jianwei Ye,Yusi XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Pseudomorphic high electron mobility transistor, low-noise amplifier and related device

Номер патента: EP4451341A1. Автор: TENG Teng,Xiaomin ZHOU,Jie Yu,Minglang YU,Jianwei Ye,Yusi XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Reverse direction high-electron-mobility transistor circuit

Номер патента: US20200126970A1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-23.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US20240234560A9. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Gallium nitride high electron mobility transistor and gate structure thereof

Номер патента: US20200212173A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2020-07-02.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: EP4362105A2. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-05-01.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: EP4362105A3. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-31.

High electron mobility transistor

Номер патента: US09627523B2. Автор: Chih-Wei Yang,Chien-Kai Tung,Heng-Kuang Lin,Hsiang-Chun WANG,Hsein-chin CHIU. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Reverse direction high-electron-mobility logic gate

Номер патента: US20200127664A1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-04-23.

Reverse direction high-electron-mobility logic gate

Номер патента: US10651852B1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-05-12.

High electron mobility transistor

Номер патента: US9331154B2. Автор: Chih-Wei Yang,Hsien-Chin Chiu,Chien-Kai Tung,Heng-Kuang Lin,Hsiang-Chun WANG. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Aluminum free group iii-nitride based high electron mobility transistors and methods of fabricating same

Номер патента: EP1875514A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2008-01-09.

Back-barrier for gallium nitride based high electron mobility transistors

Номер патента: US20240136431A1. Автор: Robert Coffie. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

High-electron mobility transistor

Номер патента: WO2010126288A1. Автор: Doyeol Ahn. Владелец: UNIVERSITY OF SEOUL INDUSTRY COOPERATION FOUNDATION. Дата публикации: 2010-11-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12002857B2. Автор: Shin-Cheng Lin,Chia-Ching HUANG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11848376B1. Автор: Yan Lai,Wei-Chen YANG. Владелец: Hiper Semiconductor Inc. Дата публикации: 2023-12-19.

High electron mobility transistors with charge compensation

Номер патента: US20200373383A1. Автор: Yuhao ZHANG. Владелец: Virginia Tech Intellectual Properties Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

Reverse direction high-electron-mobility logic devices

Номер патента: US20200235742A1. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-07-23.

Reverse direction high-electron-mobility logic devices

Номер патента: US10879694B2. Автор: David L. Whitney,Manuel M. Del Arroz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-12-29.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US20230006055A1. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Bipolar transistor having collector with doping concentration discontinuity

Номер патента: US12113125B2. Автор: Andre G. Metzger,Cristian Cismaru,Guoliang Zhou,Kai Hay Kwok. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Bipolar transistor having collector with grading

Номер патента: US09768282B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Structure to increase breakdown voltage of high electron mobility transistor

Номер патента: US11289592B2. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Shan Lin,Wen-Chung Chen,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-03-29.

Structure to increase breakdown voltage of high electron mobility transistor

Номер патента: US20210367068A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Shan Lin,Wen-Chung Chen,Yu-Lin Tsai,Yu-Ching Tsao,Po-Hsun Chen. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2021-11-25.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: US20240363745A1. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

High-frequency group iii-nitride-based high electron mobility transistors with high-aluminum concentration barriers and recessed gates

Номер патента: WO2024226212A2. Автор: Chirag Gupta,Jiahao Chen,Swarnav Mukhopadhyay,Shubhra Shweta Pasayat. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-10-31.

High electron mobility transistor

Номер патента: US12068408B2. Автор: Olivier Trescases,Jaume Roig-Guitart,Peter Moens,Herbert DE VLEESCHOUWER,Mohammad Shawkat ZAMAN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Gallium nitride high electron mobility transistor

Номер патента: US20230411509A1. Автор: Chu-Kuang Liu,Hung-Kun Yang. Владелец: Excelliance Mos Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

High electron mobility transistor device

Номер патента: US20230326980A1. Автор: Tzyy-Ming Cheng,Wei Jen Chen,Chi-Hsiao Chen,Kai Lin Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Field plate biasing of high electron mobility transistor

Номер патента: US20240282827A1. Автор: Marco A. Zuniga,Ashutosh Ravindra Joharapurkar,Thomas William Macelwee,Rohan Samsi,Lucas Andrew Milner,Vineet Unni,Jayasimha S. Prasad,Ramesh G. KARPUR. Владелец: GaN Systems Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Substrate biasing for bidirectional high electron mobility transistor device

Номер патента: US20240072161A1. Автор: Santosh Sharma. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Field plate biasing of high electron mobility transistor

Номер патента: WO2024176174A1. Автор: Marco A. Zuniga,Thomas MacElwee,Jayasimha Prasad,Rohan Samsi,Ramesh Karpur,Vineet Unni,Lucas MILNER,Ashutosh Joharapurkar. Владелец: Infineon Technologies Canada Inc.. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and apparatus for controlling a gate voltage in high electron mobility transistor

Номер патента: US09461637B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Joon-Yong Kim,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-04.

Enhancement mode high-electron-mobility transistor having n-i-p semiconductor junction structure and applications thereof

Номер патента: US20230352574A1. Автор: Yu-Jen Liu,Tsung-Cheng Chang,Chia-Cheng Liu,Ming-Chin Chen,Ya-Yu YANG,Shang-Ju TU,Chung-Chih Tsai,Tien Ching FENG. Владелец: Unikorn Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Aluminum gallium nitride/gallium nitride high electron mobility transistors having a gate contact on a gallium nitride based cap segment and methods of fabricating same

Номер патента: CA2453318C. Автор: Richard Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2014-06-10.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: US11838017B2. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: EP4364205A1. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

High electron mobility transistor

Номер патента: US11251292B2. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-02-15.

Gallium nitride bi-directional high electron mobility transistor substrate voltage management circuit

Номер патента: US20220416784A1. Автор: Michael J. Harrison,Patrick Lyle CHAPMAN,Christiaan Johannes van Antwerpen. Владелец: Enphase Energy Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20200373419A1. Автор: Yu Cao,Yongjie Cui,Andrew Arthur Ketterson. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-11-26.

GaN HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20220123136A1. Автор: Ting-Chang Chang,Yu-Shan Lin,Wen-Chung Chen,Hong-Chih Chen,Yun-Hsuan Lin,Mao-Chou Tai,Hao-Xuan Zheng,Fu-Yuan Jin,Fong-Min Ciou. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2022-04-21.

Capacitance networks for enhancing high voltage operation of a high electron mobility transistor and method therein

Номер патента: EP3997737A1. Автор: Alexey Kudymov,Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang,Kamal VARADARAJAN. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Capacitance networks for enhancing high voltage operation of a high electron mobility transistor and method therein

Номер патента: US20220262941A1. Автор: Alexey Kudymov,Sorin Georgescu,Kuo-Chang Yang,Kamal VARADARAJAN. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Group-III nitride based high electron mobility transistor (HEMT) with barrier/spacer layer

Номер патента: US6849882B2. Автор: Umesh Mishra,Yifeng Wu,Stacia Keller,Prashant Chavarkar,Ioulia P. Smorchkova,Wladyslaw Walukiewicz. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-02-01.

Method for making integrated heterojunction bipolar/high electron mobility transistor

Номер патента: US5920773A. Автор: Julia J. Brown,Madjid Hafizi,William E. Stanchina. Владелец: Hughes Electronics Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Group-iii nitride based high electron mobility transistor (hemt) with barrier/spacer layer

Номер патента: CA2447058C. Автор: Umesh Mishra,Yifeng Wu,Stacia Keller,Prashant Chavarkar,Ioulia P. Smorchkova,Wladyslaw Walukiewicz. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Sensors using aigan/gan high electron mobility transistors

Номер патента: WO2009039298A2. Автор: Fan Ren,Stephen John Pearton,Tanmay Lele,Hung-Ta Wang,Byoung-Sam Kang. Владелец: UNIVERSITY OF FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2009-03-26.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20230335629A1. Автор: Zhibiao Zhou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Method and apparatus for controlling a gate voltage in high electron mobility transistor

Номер патента: US20140240026A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Sun-Kyu Hwang,Jong-Bong Ha,Young-Hwan Park,Joon-Yong Kim,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-28.

P-gan high electron mobility transistor field plating

Номер патента: WO2024030127A1. Автор: Ayman SHIBIB,Saba RAJABI. Владелец: Vishay Siliconix LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

P-GaN HIGH-ELECTRON-MOBILITY TRANSISTOR

Номер патента: US20230378337A1. Автор: Ting-Chang Chang,yu-xuan Wang,Shih-Kai Lin,Wei-Chen Huang,Kai-Chun Chang,Mao-Chou Tai,Ting-Tzu Kuo. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2023-11-23.

High electron mobility transistor

Номер патента: US20240194774A1. Автор: Tzu-Wen Wang,Yen-Chun Tseng,Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Structure of high electron mobility light emitting transistor

Номер патента: US20160190384A1. Автор: Keh-Yung Cheng,Chun-Hung Wu,Yi-Chen Li,Chih-Fang Huang,Yu-Li Wang,Wei-Chen YANG,Shao-Yen Chiu,Ting-Fu Chang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-06-30.

Structure of high electron mobility light emitting transistor

Номер патента: US09502602B2. Автор: Keh-Yung Cheng,Chun-Hung Wu,Yi-Chen Li,Chih-Fang Huang,Yu-Li Wang,Wei-Chen YANG,Shao-Yen Chiu,Ting-Fu Chang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2016-11-22.

Gallium nitride (gan) device with leakage current-based over-voltage protection

Номер патента: US20140054601A1. Автор: Andrew P. Ritenour. Владелец: RF Micro Devices Inc. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for producing a thin film transistor having improved carrier mobility characteristics and leakage current characteristics

Номер патента: US5728610A. Автор: Setsuo Usui,Jonathan Westwater,Dharam Pal Gosain. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Method for fabricating a bipolar transistor having self-aligned emitter contact

Номер патента: US09508824B2. Автор: Alexander Fox,Bernd Heinemann,Steffen Marschmeyer. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2016-11-29.

Mos transistors having inverted t-shaped gate electrodes and fabrication methods thereof

Номер патента: US20070096217A1. Автор: Sung-min Kim,Shin-Ae Lee,Dong-gun Park,Seong-Ho Kim,Chang-Sub Lee,Jeong-Dong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-03.

Thin film transistors having u-shaped features

Номер патента: US20200006575A1. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Seung Hoon Sung,Benjamin Chu-Kung,Van H. Le,Willy Rachmady,Rishabh Mehandru,Nazila Haratipour,Shriram SHIVARAMAN,Aaron Lilak. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Trench isolated IC with transistors having locos gate dielectric

Номер патента: US10014206B1. Автор: Ming-Yeh Chuang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Transistors having optimized source-drain structures and methods for making the same

Номер патента: EP1380049A1. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Philips Semiconductors Inc. Дата публикации: 2004-01-14.

Transistors having optimized source-drain structures and methods for making the same

Номер патента: WO2001075959A1. Автор: Samar K. Saha. Владелец: Philips Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2001-10-11.

DMOS transistor having thick gate oxide and STI and method of fabricating

Номер патента: US12113128B2. Автор: Alexei Sadovnikov,Natalia Lavrovskaya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Transistor having dual work function buried gate electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US09818843B2. Автор: Tae-Kyung Oh,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Trench transistor having a doped semiconductor region

Номер патента: US09711621B2. Автор: Thorsten Meyer,Markus Schmitt,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Carsten Schaeffer,Michael Rüb,Uwe Wahl,Carolin Tolksdorf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-07-18.

Transistor having dual work function buried gate electrode and method for fabricating the same

Номер патента: US09530849B2. Автор: Tae-Kyung Oh,Su-ho Kim,Jin-Yul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Device having improved radiation hardness and high breakdown voltages

Номер патента: US09620586B2. Автор: James Fred Salzman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

High electron mobility transistors and power amplifiers including said transistors having improved performance and reliability

Номер патента: EP3984068A1. Автор: Bruce Schmukler,Evan Jones,Scott Sheppard,Jeremy Fisher,Fabian Radulescu,Terry Alcorn,Kyle BOTHE,Chris Hardiman,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2022-04-20.

High electron mobility transistors and power amplifiers including said transistors having improved performance and reliability

Номер патента: US20200395475A1. Автор: Bruce Schmukler,Evan Jones,Scott Sheppard,Fabian Radulescu,Terry Alcorn,Kyle BOTHE,Chris Hardiman,Dan Namishia. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Structure of high electron mobility transistor growth on si substrate and the method thereof

Номер патента: US20130049070A1. Автор: Edward Yi Chang,Yueh-Chin Lin,Shih-Hsuan Tang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-02-28.

High electron mobility transistor with gate electrode below the channel

Номер патента: US20230197842A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Cezar Bogdan Zota,Eunjung Cha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Composite group III-V and group IV transistor having a switched substrate

Номер патента: US09461034B2. Автор: YANG Pan,Mohamed Imam. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuit with high electron mobility transistor

Номер патента: GB2412238A. Автор: Chul Hong Park. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-09-21.

High Electron Mobility Transistor and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20110156100A1. Автор: Chien-I Kuo,Edward Yi Chang,Heng-Tung Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2011-06-30.

Structure of high electron mobility transistor growth on Si substrate and the method thereof

Номер патента: US8796117B2. Автор: Edward Yi Chang,Yueh-Chin Lin,Shih-Hsuan Tang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-08-05.

Composite Group III-V and Group IV Transistor Having a Switched Substrate

Номер патента: US20150371982A1. Автор: YANG Pan,Mohamed Imam. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-12-24.

High Electron Mobility Transistor and manufacture method thereof

Номер патента: CN103579299B. Автор: 杨宗谕,黄宗义,邱建维,黄智方,张庭辅. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-04-13.

High electron mobility transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: CN103579299A. Автор: 杨宗谕,黄宗义,邱建维,黄智方,张庭辅. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-02-12.

pseudomorphic high electron mobility transistor for suppressing negative differential resistance and method for producing the same

Номер патента: KR100554967B1. Автор: 이진구,오정훈,전병철,설우석,김삼동. Владелец: 김삼동. Дата публикации: 2006-03-03.

High electron mobility transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240136423A1. Автор: Che-Hung Huang,Wen-Jung Liao,Chun-Ming Chang,Chun-Liang Hou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

PSEUDOMORPHIC HIGH ELECTRON MOBILITY TRANSISTOR (pHEMT) COMPRISING LOW TEMPERATURE BUFFER LAYER

Номер патента: US20130285119A1. Автор: Phil Marsh,Hans G. Rohdin,Nate PERKINS,Jonathan Abrokwah,John Stanback. Владелец: Avago Technologies Wireless IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

High mobility transistors in SOI and method for forming

Номер патента: US20030232467A1. Автор: Brent Anderson,Edward Nowak,Jed Rankin,Randy Mann,Xavier Baie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-18.

Field effect transistors having improved breakdown voltages and methods of forming the same

Номер патента: EP2622638A1. Автор: Edward John Coyne,Jagar Singh,William Allan Lane,Patrick Martin McGuinness,Paul Malachy Daly,Seamus Whiston. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2013-08-07.

Thin film transistor having memory function and method for using thin film transistor as memory element

Номер патента: CA2001682A1. Автор: Nobuyuki Yamamura,Hiroyasu Yamada,Hiroshi Matsumoto,Shinichi Shimomaki,Naohiro Konya,Kyuya Baba. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1990-04-28.

Oxide semiconductor transistor having dual gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11843057B2. Автор: Jin Jang,Tae Hun Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-12-12.

DMOS-transistor having improved dielectric strength of drain source voltages

Номер патента: US20090236661A1. Автор: Andreas Roth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Integrated circuit with NMOS and PMOS transistors having different threshold voltages through channel doping and gate material work function schemes

Номер патента: US09985029B2. Автор: François Andrieu. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-05-29.

Field effect transistor having same gate and source doping, cell structure, and preparation method

Номер патента: EP4141960A1. Автор: Xing Huang,Xin Lu CHEN. Владелец: Pn Junction Semiconductor Hangzhou Co ltd. Дата публикации: 2023-03-01.

Thin film transistors having strain-inducing structures integrated with 2d channel materials

Номер патента: EP4152409A1. Автор: Kevin O'Brien,Uygar E. Avci,Ashish Verma Penumatcha,Carl Naylor,Chelsey DOROW,Sudarat Lee,Kirby MAXEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-22.

Thin-film transistor having a vertical structure and an electronic device

Номер патента: US20240234576A1. Автор: Zhifu Li,Guanghui Liu,Dewei SONG,Chengzhi LUO,Fei AI. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Structure of a field effect transistor having metallic silicide and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070158757A1. Автор: Takashi Ichimori,Norio Hirashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-12.

Lateral field-effect transistor having an insulated trench gate electrode

Номер патента: EP1639651A1. Автор: Raymond J. E. Philips Intellectual HUETING,Erwin A. Philips Intellectual Property HIJZEN. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-03-29.

Thin film transistors having double gates

Номер патента: US12125917B2. Автор: Gilbert Dewey,Tahir Ghani,Jack T. Kavalieros,Abhishek A. Sharma,Van H. Le. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

High mobility transistor with opposed-gates

Номер патента: US4839310A. Автор: Mark A. Hollis,William D. Goodhue,Kirby B. Nichols,Normand J. Bergeron, Jr.. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1989-06-13.

Integrated circuit device with transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20130328133A1. Автор: Seung-Chul Lee,In-Kook Jang,Seung-Hyun Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-12-12.

Method for enhancing electron mobility in GaAs

Номер патента: US4383869A. Автор: Shing-gong Liu. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1983-05-17.

Epitaxial oxide high electron mobility transistor

Номер патента: US20230141076A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

InGaAs/GaAs high electron mobility transistor

Номер патента: US6953955B2. Автор: Wei-Chou Hsu,Ching-Sung Lee. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2005-10-11.

High electron mobility transistor, method of manufacturing the same and electronic device including transistor

Номер патента: KR20150017040A. Автор: 김선재,김태상,손경석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-02-16.

Metal oxide semiconductor field effect transistor having a relatively high doped region in the channel for improved linearity

Номер патента: US20020125509A1. Автор: Larry M. Tichauer. Владелец: Ophir RF Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Digital circuits having improved transistors, and methods therefor

Номер патента: US09985631B2. Автор: Lawrence T. Clark,Scott E. Thompson. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Digital circuits having improved transistors, and methods therefor

Номер патента: US09838012B2. Автор: Lawrence T. Clark,Scott E. Thompson. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Digital circuits having improved transistors, and methods therefor

Номер патента: US09680470B2. Автор: Lawrence T. Clark,Scott E. Thompson. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: NL2024135B1. Автор: Valk Patrick. Владелец: Ampleon Netherlands Bv. Дата публикации: 2021-07-19.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: WO2021086189A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Ampleon Netherlands B.V.. Дата публикации: 2021-05-06.

Field-effect transistor having improved layout

Номер патента: EP4052300A1. Автор: Patrick Valk. Владелец: Samba Holdco Netherlands BV. Дата публикации: 2022-09-07.

Transistor having improved turn-off time and second breakdown characteristics with bi-level emitter structure

Номер патента: US4345266A. Автор: King Owyang. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1982-08-17.

Thin film transistor having Schottky barrier

Номер патента: US8410531B2. Автор: Chun-Wei Su,Ming-Tse Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2013-04-02.

Thin film transistor having schottky barrier

Номер патента: US20120146003A1. Автор: Chun-Wei Su,Ming-Tse Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor pillar transistors having channels with different crystal orientations

Номер патента: US9355908B2. Автор: Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Method for fabricating a field-effect transistor having a floating gate

Номер патента: US20030119261A1. Автор: Franz Hofmann,Robert Strenz,Georg Tempel,Robert Wiesner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Composite transistor having a slew-rate control

Номер патента: US20020084497A1. Автор: Kerry Bernstein,Anthony Correale,Terence Hook,Douglas Stout. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Semiconductor pillar transistors having channels with different crystal orientations

Номер патента: US09355908B2. Автор: Masumi SAITOH. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Transistor having increased breakdown voltage

Номер патента: EP2629332A3. Автор: Michael A. Briere,Reenu Garg,Naresh Thapar. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-07-30.

High voltage semiconductor device having improvements to the dv/dt capability and plasma spreading

Номер патента: CA1163020A. Автор: Victor A.K.. Temple. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1984-02-28.

Insulated gate field effect transistor having vertically layered elevated source/drain structure

Номер патента: US5235203A. Автор: Carlos Mazure,Marius Orlowski,Matthew S. Noell. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-08-10.

Insulated gate bipolar transistor having high breakdown voltage

Номер патента: US5331184A. Автор: Masashi Kuwahara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-19.

High power pseudomorphic gallium arsenide high electron mobility transistors

Номер патента: US5262660A. Автор: Po-Hsin Liu,Dwight C. Streit,Kin L. Tan. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1993-11-16.

Multi-function power control circuit using enhancement mode gallium nitride (gan) high electron mobility transistors (hemts)

Номер патента: US20170170731A1. Автор: Anthony G.P. Marini,James L. Larrauri,Simon P. Wainwright,Max Zafrani. Владелец: Freebird Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-15.

Detection sensor comprising a selective high-electron-mobility transistor for detecting a gaseous or liquid component

Номер патента: US11408322B2. Автор: Vincent Aubry,Abdallah Ougazzaden,Yacine Halfaya,Paul Voss,Chris Bishop,Jean-Paul Salvestini. Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2022-08-09.

Component with high electron mobility

Номер патента: US20230307360A1. Автор: Dominique BERGOGNE,Frederic Rothan. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-09-28.

Thin film transistor having memory function and method for using thin film transistor as memory element

Номер патента: US5196912A. Автор: Nobuyuki Yamamura,Hiroyasu Yamada,Hiroshi Matsumoto,Shinichi Shimomaki,Naohiro Konya,Kyuya Baba. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-23.

Thin-film silicon solar cell having improved undercoat

Номер патента: RU2531752C2. Автор: Сунвэй ЛУ. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2014-10-27.

Backlight image sensor chip having improved chip driving performance

Номер патента: US9543348B2. Автор: Min-Suk Ko,Heui Gyun Ahn,Gab-Hwan Cho,Kyoung-Sik Park. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Backlight image sensor chip having improved chip driving performance

Номер патента: US20160204157A1. Автор: Min-Suk Ko,Heui Gyun Ahn,Gab-Hwan Cho,Kyoung-Sik Park. Владелец: Siliconfile Technologies Inc. Дата публикации: 2016-07-14.

Imager having improved thin film transistor and photosensitive device structures

Номер патента: CA2048785A1. Автор: Robert F. Kwasnick. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1992-04-06.

Light emitting display system having improved fire performance

Номер патента: EP3747045A1. Автор: David Miller,Jorge Perez-Bravo,Drew Meincke,Adam Dixon,Wesley Funsch. Владелец: Nanolumens Acquisition Inc. Дата публикации: 2020-12-09.

Light emitting display system having improved fire performance

Номер патента: GB2585542A. Автор: MILLER DAVID,Perez-Bravo Jorge,Dixon Adam,Meincke Drew,Funsch Wesley. Владелец: Nanolumens Acquisition Inc. Дата публикации: 2021-01-13.

Light emitting display system having improved fire performance

Номер патента: WO2019152444A1. Автор: David Miller,Jorge Perez-Bravo,Drew Meincke,Adam Dixon,Wesley FUNCH. Владелец: NanoLumens Acquisition, Inc.. Дата публикации: 2019-08-08.

Light Emitting Display System Having Improved Fire Performance

Номер патента: US20190237447A1. Автор: David Miller,Jorge Perez-Bravo,Drew Meincke,Adam Dixon,Wesley FUNCH. Владелец: Nanolumens Acquisition Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Radio-frequency switching devices having improved voltage handling capability

Номер патента: US12040238B2. Автор: Christophe Masse,Aniruddha B. Joshi,Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Surface-emitting laser diode module having improved focusing performance

Номер патента: US20120177078A1. Автор: Hsin-Chih Tung. Владелец: Lecc Technology Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-12.

Radio-frequency switching devices having improved voltage handling capability

Номер патента: US20240249982A1. Автор: Christophe Masse,Aniruddha B. Joshi,Guillaume Alexandre Blin. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Infrared receiver having improved spatial coverage

Номер патента: EP1057221A1. Автор: Shlomo Yasur. Владелец: Elpas Electro Optic Systems Ltd. Дата публикации: 2000-12-06.

Semiconductor device having improved heat-dissipation characteristics

Номер патента: US09613881B2. Автор: Yong Woon Lee,Sang Wook Ahn,Heui Gyun Ahn,Huy Chan JUNG,Sung Chun Jun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

High density air cooled wafer package having improved thermal dissipation

Номер патента: CA1043469A. Автор: Robert A. Jarvela. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-11-28.

Detection sensor having a sensor cell with a high-electron mobility transistor and ring resonator(s)

Номер патента: US11187671B2. Автор: Vincent Aubry,Abdallah Ougazzaden,Yacine Halfaya,Paul Voss,Jean-Paul Salvestini. Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2021-11-30.

Detection sensor having a sensor cell with a high-electron mobility transistor and ring resonator(s)

Номер патента: US20200278315A1. Автор: Vincent Aubry,Abdallah Ougazzaden,Yacine Halfaya,Paul Voss,Jean-Paul Salvestini. Владелец: Georgia Tech Lorraine. Дата публикации: 2020-09-03.

High electron conduction compound, electrochemical cell electrode incorporating this compound, method for electrode manufacture, and electrochemical cell

Номер патента: RU2279148C2. Автор: ХЁВЕЛЬН Фредерик Хендрик ВАН,Ламбертус ПЛОМП,Герард Доуи ЭЛЬЗИНГА. Владелец: Энергиеондерзоек Сентрум Недерланд. Дата публикации: 2006-06-27.

Apparatus for electrodeless measurement of electron mobility in nano material, apparatus for electrodeless measurement of hole mobility in nano material, method for electrodeless measurement of electron mobility in nano material, and method for electrodeless measurement of hole mobility in nano material

Номер патента: US20200225176A1. Автор: Yong Jin Kim,Jung Sub Lee,Kyu Wook IHM,Mi Hyun YANG. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2020-07-16.

Compositions and methods for energy storage devices having improved performance

Номер патента: AU2024205471A1. Автор: Joon Ho Shin,Haim Feigenbaum,Hieu Minh Duong. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

A high voltage connector assembly having improved female and male housings with a female terminal position assurance (tpa) device, and an improved method for improving clearance and creepage in the high voltage connector assembly

Номер патента: EP4385101A1. Автор: David Demaratos. Владелец: JST Corp. Дата публикации: 2024-06-19.

Coil assembly for a control rod driver having improved thermal resistance, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130335181A1. Автор: Jae Gon Lee,Young Ho Jang,Yang Jo Choi. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

Coil assembly for a control rod driver having improved thermal resistance, and method for manufacturing the same

Номер патента: US9564265B2. Автор: Jae Gon Lee,Young Ho Jang,Yang Jo Choi. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Coil assembly for a control rod driver having improved thermal resistance, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09564265B2. Автор: Jae Gon Lee,Young Ho Jang,Yang Jo Choi. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Compositions and methods for energy storage devices having improved performance

Номер патента: AU2018372708B2. Автор: Joon Ho Shin,Haim Feigenbaum,Hieu Minh Duong. Владелец: Tesla Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Transparent conductive film having improved visibility and method for manufacturing same

Номер патента: US20150279501A1. Автор: Kyung-Taek Kim,Min-Hee Lee,In-sook Kim,Jung Cho,Keun Jung. Владелец: LG HAUSYS LTD. Дата публикации: 2015-10-01.

Electrode having improved electrode tab welding characteristics and secondary battery comprising the same

Номер патента: US12070813B2. Автор: Tae Gon Kim,Nam Kyu Lee,Seung Yeop Seo,Seong Kyun Shin,Ha Neuol Choi. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Cell pouch film having improved formability and method for preparing the same

Номер патента: US20240339700A1. Автор: Hee Sik Han,Sung Chul Shin,Nok Jung Song,Moonkyu Song,Huihun KIM. Владелец: Youlchon Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Electrochemical device and battery module having improved vibration-resistance

Номер патента: US09887398B2. Автор: Cha-Hun Ku,Pil-Kyu Park,Sun-Ju Park,Sook Yun. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Bi-cell for secondary battery having improved stability and method of preparing the same

Номер патента: US09825275B2. Автор: Min Su Kim,Jung Han Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Secondary battery having improved safety

Номер патента: US09799859B2. Автор: Dal Mo Kang,Min Chul Jang,Nan Ji Yun,Yo Jin Kim,Chang Ho Kim,Jun Seok Choi,Chang Moon Jeong,Seung Don Choi,Seung Taek Hong,In Cheol Shin,Yong Kyu Ju,You Rim Yoon,Sang Yoon Jeong,Seung Su Cho,Soul Gie Hong. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Apparatus and methods related to junction ferrite devices having improved insertion loss performance

Номер патента: US09711835B2. Автор: David Bowie Cruickshank,Iain Alexander MACFARLANE. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Mixed cathode active material having improved power characteristics and safety, and lithium secondary battery including the same

Номер патента: US09692053B2. Автор: Song Taek Oh,Geun Chang Chung,Su Rim Lee,Sang Uck Lee,Jae Kook Kim,Jin Sub Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Air circuit breaker having improved chamber for electric arc quenching

Номер патента: RU2720347C2. Автор: Марк Риваль,Микаэль МАРИ,Эрик Пинеро,Брис ЖАКОЛЕН. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2020-04-29.

High pressure sodium lamp having improved coloring rendition

Номер патента: CA1209193A. Автор: Jack M. Strok. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1986-08-05.

Silicon-carbon composite negative-electrode active material for lithium secondary battery having improved electrochemical properties, method for producing the same, and lithium secondary battery including the same

Номер патента: EP4190747A1. Автор: Jung-Hyun Choi,Kwang-Chul Roh,Ji-Su CHAE,Dae-Soo Jung. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2023-06-07.

Method for Manufacturing Secondary Battery Having Improved Resistance

Номер патента: US20220263087A1. Автор: Hyun Min Kim,Ji Hoon Ryu,Song Yi HAN. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Silicon-carbon composite negative-electrode active material for lithium secondary battery having improved electrochemical properties, method for producing the same, and lithium secondary battery including the same

Номер патента: US20230178733A1. Автор: Jung-Hyun Choi,Kwang-Chul Roh,Ji-Su CHAE,Dae-Soo Jung. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2023-06-08.

A high voltage connector assembly having improved female and male housings with a female terminal position assurance (tpa) device, and an improved method for improving clearance and creepage in the high voltage connector assembly

Номер патента: WO2023018417A1. Автор: David Demaratos. Владелец: J.S.T.Corporation. Дата публикации: 2023-02-16.

Semiconductor laser having improved facet reliability

Номер патента: US20240039239A1. Автор: Yifan Jiang,Wolfgang PARZ,Jason Daniel BOWKER,Akshitha Gadde. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Composite cathode active material having improved power characteristics, and secondary battery, battery module, and battery pack including the same

Номер патента: US9614219B2. Автор: Jung Hwan Park,Ki Young Kwon,Min Hee Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Composite cathode active material having improved power characteristics, and secondary battery, battery module, and battery pack including the same

Номер патента: US20130228718A1. Автор: Jung Hwan Park,Ki Young Kwon,Min Hee Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Lithium metal oxide containing batteries having improved rate capability

Номер патента: EP3198669A1. Автор: Hideaki Maeda,Ing-Feng Hu,Ting Han,Yu Hua Kao. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-02.

Transmission line having improved bending durability

Номер патента: US20210242554A1. Автор: Sang Pil Kim,Byung Yeol Kim,Byung Hoon Jo,Hee Seok JUNG,Da Yeon Lee. Владелец: GigaLane Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Transmission line having improved bending durability

Номер патента: US11489241B2. Автор: Sang Pil Kim,Byung Yeol Kim,Byung Hoon Jo,Hee Seok JUNG,Da Yeon Lee. Владелец: GigaLane Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-01.

Method for preparing fuel cell component substrate of flexible graphite material having improved catalytic properties

Номер патента: US20020182477A1. Автор: Robert Reynolds,Robert Mercuri,Ronald Greinke. Владелец: Graftech Inc. Дата публикации: 2002-12-05.

Method for preparing fuel cell component substrate of flexible graphite material having improved catalytic properties

Номер патента: US20040241530A1. Автор: Robert Mercuri,Ronald Greinke,Robert Anderson Reynolds. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Method for preparing fuel cell component substrate of flexible graphite material having improved catalytic properties

Номер патента: EP1405362A1. Автор: Robert Anderson Reynolds, III,Ronald Alfred Greinke,Robert Angelo Mercuri. Владелец: Advanced Energy Technology Inc. Дата публикации: 2004-04-07.

Method for preparing fuel cell component substrate of flexible graphite material having improved catalytic properties

Номер патента: WO2002097912A1. Автор: Robert Anderson Reynolds, III,Ronald Alfred Greinke,Robert Angelo Mercuri. Владелец: Graftech Inc.. Дата публикации: 2002-12-05.

Separator for electrochemical device having improved compression resistance, electrochemical device comprising same, and method for producing same

Номер патента: EP4459777A1. Автор: Seong-Jun Kim,Ji-Eun Kim,Yeo-Ju Yoon,Jin-Young Shin. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-11-06.

Electrode for secondary battery having improved energy density and lithium secondary battery including the same

Номер патента: US09991507B2. Автор: Je Young Kim,In Sung Uhm,Ji Yoon Kwon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Fuel cell vehicle coolant having improved storage stability and method for producing the same

Номер патента: US09929416B2. Автор: Tomoyuki Nakano,Nobukazu Takagi,Kazuhiro Miyajima,Yuichiro Sugiyama,Takumi Otsubo,Youichirou YOSHII. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Full wave dipole array having improved squint performance

Номер патента: US09722321B2. Автор: Peter J. Bisiules,Alireza Shooshtari. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Insulation systems having improved partial discharge resistance, and method for producing same

Номер патента: US09589699B2. Автор: Dieter Heinl,Peter GRÖPPEL,Christian Meichsner,Igor Ritberg. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-03-07.

Positive electrode active material having improved safety and lifetime characteristics and lithium secondary battery comprising the same

Номер патента: US09570742B2. Автор: Song Taek Oh,Ki Suk Kang,Jae Kook Kim,Ji Hyun Hong,Dong Hwa Seo. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-02-14.

Lithium secondary battery having improved lifespan characteristics

Номер патента: US09472830B2. Автор: Kyoung Ho Ahn,Doo Kyung Yang,Chul Haeng Lee,Jung Hoon Lee,Young Min Lim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Color picture tube having improved electron gun

Номер патента: CA1131286A. Автор: Richard H. Hughes. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1982-09-07.

Power converter circuits including high electron mobility transistors for switching and rectification

Номер патента: US09467038B2. Автор: Robert Joseph Callanan. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

High electron mobility transistor-based terahertz wave space external modulator

Номер патента: US09590739B2. Автор: Shen Qiao,Yaxin Zhang,Zhihong FENG,Shixiong LIANG,Ziqiang YANG. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2017-03-07.

High-Voltage Gate Driver that Drives Group III-N High Electron Mobility Transistors

Номер патента: US20120176162A1. Автор: Karl Richard Heck. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2012-07-12.

Power amplifier having depletion mode high electron mobility transistor

Номер патента: US20110037521A1. Автор: Dong-Young Kim,Dong Min Kang,Sang-Heung Lee,Jong-Won Lim,Hae Cheon Kim,Hokyun Ahn,Woojin CHANG,Hong Gu Ji. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2011-02-17.

Power converter circuits including high electron mobility transistors for switching and rectification

Номер патента: US20150049514A1. Автор: Robert Joseph Callanan. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Vehicle electronic mobile device systems

Номер патента: US20170357359A1. Автор: Ida T. Mai-Krist. Владелец: Toyota Motor Engineering and Manufacturing North America Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Electronic mobile device holder

Номер патента: US09942998B1. Автор: John Mayes,George R. McDermand. Владелец: Flight Level Design Partners LLC. Дата публикации: 2018-04-10.

Method in an electronic mobile device, and such a device

Номер патента: US09549055B2. Автор: Martin NYSTROM,Alfred WIDELL. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-17.

Method in an electronic mobile device and such a device

Номер патента: US09398095B2. Автор: Mathias Jensen,Rodrigo Terra Rios. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Bluetooth-based limitation of functionality of motor vehicle drivers' personal electronic mobile smart devices during driving

Номер патента: WO2014072936A1. Автор: Dario DAFRE'. Владелец: FIAT GROUP AUTOMOBILES S.p.A.. Дата публикации: 2014-05-15.

Sram cell having improved polysilicon resistor structures and method for forming the same

Номер патента: WO1997022148A1. Автор: Kuang-Yeh Chang,Yowjuang W. Liu. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 1997-06-19.

Bluetooth-based limitation of functionality of motor vehicle drivers' personal electronic mobile smart devices during driving

Номер патента: EP2918066A1. Автор: Dario DAFRE'. Владелец: FCA Italy SpA. Дата публикации: 2015-09-16.

Amplifier compensating drift after sudden decrease of drain current

Номер патента: US09531331B2. Автор: Shingo Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Tuning optical communications receiver by controlling drain current input to variable transconductance fet stage of variable bandwidth transimpedance amplifier

Номер патента: US5864416A. Автор: Stephen G. Williams. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1999-01-26.

Amplifier compensating drift after sudden decrease of drain current

Номер патента: US20160248385A1. Автор: Shingo Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-25.

Method for providing an electronic ticket on a display of an electronic mobile device

Номер патента: EP4287676A1. Автор: Kai Meier,Ingo Kästner,Kerstin Hack. Владелец: CTS Eventim AG and Co KGaA. Дата публикации: 2023-12-06.

Method in an electronic mobile device and such a device

Номер патента: US20150163304A1. Автор: Mathias Jensen,Rodrigo Terra Rios. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Method in an electronic mobile device, and such a device

Номер патента: EP3066820A1. Автор: Martin NYSTROM,Alfred WIDELL. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-09-14.

Method in an electronic mobile device, and such a device

Номер патента: US20160241693A1. Автор: Martin NYSTROM,Alfred WIDELL. Владелец: Sony Mobile Communications Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Method for regulating electron mobility of zinc oxide

Номер патента: US20240010512A1. Автор: Junjie Li,Tianshuo Zhang,Kai TONG,Longjia WU,Yulin GUO. Владелец: TCL Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Nfc-based limitation of functionality of motor vehicle drivers' personal electronic mobile smart devices during driving

Номер патента: EP2918065A1. Автор: Dario DAFRE'. Владелец: FCA Italy SpA. Дата публикации: 2015-09-16.

Electronic mobile device cover latch mechanism

Номер патента: US20110121584A1. Автор: Cody Allen Balk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-05-26.

Method and system for correlating anatomy using an electronic mobile device transparent display screen

Номер патента: US09801693B1. Автор: Suk K. Kim-Whitty. Владелец: Sk Commercial Construction Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit having improved polysilicon resistor structures

Номер патента: US5838044A. Автор: Kuang-Yeh Chang,Yowjuang W. Liu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-11-17.

Analog circuits having improved transistors, and methods therefor

Номер патента: US20130154739A1. Автор: Lawrence T. Clark,Scott E. Thompson. Владелец: Suvolta Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Analog circuits having improved transistors, and methods therefor

Номер патента: US20120242409A1. Автор: Lawrence T. Clark,Scott E. Thompson. Владелец: Suvolta Inc. Дата публикации: 2012-09-27.

Light sensitive amplifier circuit having improved feedback arrangement

Номер патента: US3670184A. Автор: Saburo Numata,Gijun Idei. Владелец: Fuji Photo Optical Co Ltd. Дата публикации: 1972-06-13.

Pivotable display guide mechanism for an electronic mobile device

Номер патента: CA2769130C. Автор: Douglas Wayne Moskowitz,Martin Earl Holman Iv,Bruce Alan Ivanik. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Freezing system for electronic mobile device repair

Номер патента: CA3150137A1. Автор: Georgios Christodouloy HAJIPETROU,Hans CLAUSSEN,Charalampos KALYVAS. Владелец: Mobile Advanced Technologies LLC. Дата публикации: 2021-03-11.

Josephson memory cells having improved ndro sensing

Номер патента: CA1101546A. Автор: Walter H. Henkels. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-05-19.

Pre-amplifier employing transistors having a diminished breakdown voltage and a disk drive and a thevenin writer employing the same

Номер патента: US20030234689A1. Автор: Hao Fang,Michael O'Brien,John Leighton,Scott O'Brien,Cameron Rabe. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2003-12-25.

Pre-amplifier employing transistors having a diminished breakdown voltage and a disk drive and a Thevenin writer employing the same

Номер патента: US7019923B2. Автор: Hao Fang,Michael J. O'Brien,John D. Leighton,Scott O'Brien,Cameron C. Rabe. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2006-03-28.

Glass articles having improved cracking characteristic

Номер патента: RU2715484C2. Автор: Стивен Эдвард ДеМАРТИНО,Мишель Доун ФАБИАН,Джеффри Тодд КОЛИ,Дженнифер Линн ЛАЙОН,Шарлин Мари СМИТ,Чжунчжи ТАН. Владелец: Корнинг Инкорпорейтед. Дата публикации: 2020-02-28.

Slide and offset pivot display for an electronic mobile device

Номер патента: CA2747713A1. Автор: Albert Murray Pegg. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2012-01-29.

Electronic mobile device having interchangeable covers

Номер патента: US20130231165A1. Автор: Jason Tyler Griffin,Tucker H. Fort,Przemyslaw Godycki. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2013-09-05.

Children's ride-on vehicles having improved motor assemblies

Номер патента: CA2593358A1. Автор: Jeffrey W. Reynolds,Steven Robert Drosendhal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Ship having improved power efficiency

Номер патента: US20180141633A1. Автор: Yun Tae KANG. Владелец: Samsung Heavy Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Power amplifier having improved gate oxide integrity

Номер патента: US20230163726A1. Автор: Baker Scott,George Maxim. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Children's ride-on vehicles having improved motor assemblies

Номер патента: EP1846259A2. Автор: Jeffrey W. Reynolds,Steven Robert Drosendhal. Владелец: Mattel Inc. Дата публикации: 2007-10-24.

Children's ride-on vehicles having improved motor assemblies

Номер патента: WO2006083842A2. Автор: Jeffrey W. Reynolds,Steven Robert Drosendhal. Владелец: MATTEL, INC.. Дата публикации: 2006-08-10.

Touch panel having improved visibility and method of manufacturing the same

Номер патента: US09996201B2. Автор: Jong-woo Kim,Myung-Gon Kim,Hyon-Myong Song,Duck-Yong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Secure migratable architecture having improved performance features

Номер патента: US09965192B2. Автор: David Strong,Andrew Ward Beale. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Touch panel having improved visibility and method of manufacturing the same

Номер патента: US09949397B2. Автор: Jong-woo Kim,Myung-Gon Kim,Hyon-Myong Song,Duck-Yong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Secure migratable architecture having improved performance features

Номер патента: US09817580B2. Автор: David Strong,Andrew Ward Beale. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Digital regenerator having improved noise immunity

Номер патента: CA1078929A. Автор: Peter E. K. Chow. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1980-06-03.

Regenerative motor control having improved field circuit

Номер патента: CA1091293A. Автор: Alan W. Wilkerson. Владелец: Allen Bradley Co LLC. Дата публикации: 1980-12-09.

Compositions and Methods for the Treatment of Intraocular Neovascularization and/or Leakage

Номер патента: US20150196649A1. Автор: Horn Gerald. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

Compositions and methods for the treatment of intraocular neovascularization and/or leakage

Номер патента: CA2936239A1. Автор: Gerald Horn. Владелец: ONTOGENESIS, LLC. Дата публикации: 2015-07-23.

Circuit element or measuring arrangement for capacitive, contact and/or non-contact detection of fill level and/or leakage of conductive media e.g. liquid, has transistor whose collector is connected to transmitter via discharge resistor

Номер патента: DE102011013559B3. Автор: wird später genannt werden Erfinder. Владелец: iSEMcon GmbH. Дата публикации: 2012-08-09.

Wall sealing against pressurized and/or leakage water by a sealing foil

Номер патента: EP0081686A1. Автор: Hans Breuer. Владелец: Huels Troisdorf AG. Дата публикации: 1983-06-22.

Circuit or measuring arrangement for capacitive, touching and / or contactless monitoring of a level and / or leakage of conductive media and method thereof

Номер патента: DE102011013559B8. Автор: Wolfgang Frank. Владелец: iSEMcon GmbH. Дата публикации: 2013-01-10.

Circuit or measuring arrangement for capacitive, touching and / or contactless monitoring of a level and / or leakage of conductive media and method thereof

Номер патента: DE102011013559B9. Автор: wird später genannt werden Erfinder. Владелец: iSEMcon GmbH. Дата публикации: 2012-10-31.

Method and system for diagnosing pressure fluctuations on the supply air side and/or leakage on the outlet side in a controlled double-cone air power booster

Номер патента: DE102021115279B3. Автор: Stefan Kolbenschlag. Владелец: SAMSON AG. Дата публикации: 2022-06-09.

Fuel conveying device for use in common-rail injection system for combustion engine, has return-flow pipe for returning lubricant-, coolant- and/or leakage amount into container or inlet line, and valves arranged in inlet line and/or pipe

Номер патента: DE102011089623A1. Автор: Thomas Koenig,Sascha Ambrock,Francesco Lucarelli. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2013-06-27.

DEVICE FOR GENERATING A DRIFT AND / OR PRESENCE SIGNAL FOR A SATELLITE INTENDED TO BE ORIENTED ON EARTH

Номер патента: FR2575561A1. Автор: Fritz Haberl. Владелец: Messerschmitt Bolkow Blohm AG. Дата публикации: 1986-07-04.

Topside contact device and method for characterization of high electron mobility transistor (hemt) heterostructure on insulating and semi-insulating substrates

Номер патента: WO2022251045A1. Автор: Jacek Lagowski,Marshall Wilson,Alexandre Savtchouk,Dmitriy Marinskiy,Bret Schrayer. Владелец: Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-01.

Topside contact device and method for characterization of high electron mobility transistor (hemt) heterostructure on insulating and semi-insulating substrates

Номер патента: US20220381816A1. Автор: Jacek Lagowski,Marshall Wilson,Alexandre Savtchouk,Dmitriy Marinskiy,Bret Schrayer. Владелец: Semilab Semiconductor Physics Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Parameter extraction method for quasi-physical large-signal model for microwave gallium nitride high-electron-mobility transistors

Номер патента: US20210279379A1. Автор: Bo Yan,Yunqiu Wu,Yuehang Xu,Shuman Mao,Ruimin Xu. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2021-09-09.

Magnetic rotary seal with improved drain back

Номер патента: CA2973622C. Автор: Stephen M. Dawson. Владелец: Dawson Stephen M. Дата публикации: 2022-04-26.

Magnetic Rotary Seal with Improved Drain Back

Номер патента: US20160201803A1. Автор: Stephen M. Dawson. Владелец: Isomag Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Magnetic rotary seal with improved drain back

Номер патента: EP3245431A1. Автор: Stephen M. Dawson. Владелец: Isomag Corp. Дата публикации: 2017-11-22.

Sliding door or sliding window with an improved drain

Номер патента: EP1726765B1. Автор: Michel Van Put. Владелец: Reynaers Aluminium NV. Дата публикации: 2009-10-21.

Method of producing high-strength steel sheet with coating having improved strength, formability, and obtained sheet

Номер патента: RU2686324C2. Автор: Донвей ФАН,Хюнь Дзо ДЗУНЬ,Рашми Ранджан МОХАНТИ,Паван К.С. ВЕНКАТАСУРИЯ. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2019-04-25.

Use of mineral oils containing detergent additive and having improved cold flow characteristics and middle distillate

Номер патента: RU2475517C2. Автор: Роберт ЯНСЕН,Матиас КРУЛЛЬ. Владелец: Клариант Финанс (Бви) Лимитед. Дата публикации: 2013-02-20.

Composite material based on vinyl aromatic polymers, having improved heat-insulation properties, and method for production thereof

Номер патента: RU2476456C2. Автор: Дарио ГИДОНИ,Алессандра СИМОНЕЛЛИ,Алессандро КАЗАЛИНИ,Антонио ПОНТИЧЬЕЛЛО,Риккардо ФЕЛИЗАРИ. Владелец: Полимери Эуропа С.П.А.. Дата публикации: 2013-02-27.

Drill string element having improved refill layer

Номер патента: RU2684265C1. Автор: Тома ДИДРИ. Владелец: Валлурек Дриллинг Продактс Франс. Дата публикации: 2019-04-04.

Apparatus and method for operating an ISFET at multiple drain currents and gate-source voltages allowing for diagnostics and control of isopotential points

Номер патента: US5911873A. Автор: James R. Gray,Robert Tanner McCarron. Владелец: Rosemount Analytical Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Improved drain board for gutter

Номер патента: CA2212788C. Автор: Yu-Pin Tu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-29.

Methods and apparatus to generate electronic mobile measurement census data

Номер патента: US11887133B2. Автор: Stephen S. Bell,Albert Ronald Perez,Tianjue Luo,Kumar Nagaraja Rao. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

Methods and apparatus to generate electronic mobile measurement census data

Номер патента: US20180232748A1. Автор: Stephen S. Bell,Albert Ronald Perez,Tianjue Luo,Kumar Nagaraja Rao. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2018-08-16.

Methods, apparatus and computer readable media to generate electronic mobile measurement census data

Номер патента: US09953330B2. Автор: Stephen S. Bell,Albert Ronald Perez,Tianjue Luo,Kumar Nagaraja Rao. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Process for converting hydrocarbons into fraction having improved octane number and fraction with high cetane number

Номер патента: RU2317317C2. Автор: Венсан КУПАР,Патрик БРИО,Ален ФОРЕСТЬЕР,Эрик ЛЛИДО. Владелец: Энститю Франсэ Дю Петроль. Дата публикации: 2008-02-20.

Napkin articles, having improved properties in transverse machine direction

Номер патента: RU2393284C2. Автор: Ричард АНДЕРХИЛЛ,Джефф СОННЕНБЕРГ,Кевин Дж. ВОГТ,Джефф МЭТЬЮЗ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2010-06-27.

Precipitated calcium carbonate from pulp mill waste having improved brightness, method for production and use thereof

Номер патента: RU2596827C2. Автор: Михаэль ПОЛЬ,Томас ШМЕЛЬЦЕР. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2016-09-10.

Fine granules having improved characteristics in water suspension

Номер патента: RU2488396C2. Автор: Казуаки ЙОСИОКА,Макото НОАМИ,Риудзи ТОМОСИГЕ. Владелец: Сионоги Энд Ко., Лтд.. Дата публикации: 2013-07-27.

Polycarbonates and copolycarbonates having improved adhesion to metal

Номер патента: RU2451035C2. Автор: Хельмут-Вернер ХОЙЕР. Владелец: Байер Матириальсайенс Аг. Дата публикации: 2012-05-20.

Method of producing high-strength steel sheet with coating, having improved strength and ductility, and obtained sheet

Номер патента: RU2687284C2. Автор: Хюнь Цзо ЦЗУНЬ,Донвей ФАН,Рашми Ранджан МОХАНТИ. Владелец: Арселормиттал. Дата публикации: 2019-05-13.

Composition including amlodipine and losartan having improved stability

Номер патента: RU2628538C2. Автор: Беом-Дзин ЛИ,Вон-Тае ДЗУНГ,Йоун-Воонг ЧОИ,Санг-Мин ЧО,Киу-Йеол НАМ,Дзин-Ха ПАРК. Владелец: Корея Юнайтед Фарм. Инк.. Дата публикации: 2017-08-18.

Blow-molded vessel and molded plastic article having improved antistatic properties

Номер патента: RU2268853C2. Автор: Вольфганг Роде,Бернхард ШПРИНГХОЛЬЦ,Андреас ХАУФЕ. Владелец: Базелль Полиолефине Гмбх. Дата публикации: 2006-01-27.

Hot-rolled, cold-rolled and cladded steel plate having improved uniform and local ductility at high deformation rate

Номер патента: RU2543590C2. Автор: Ясуаки ТАНАКА,Тосиро ТОМИДА,Каори КАВАНО. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2015-03-10.

Tire with tread having improved adhesion with snow and dry pavement

Номер патента: RU2561149C1. Автор: Сирил Гишон,Оливье ПИФФАР. Владелец: Компани Женераль Дез Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2015-08-27.

Water-based coating system having improved water resistance and heat resistance

Номер патента: RU2550857C2. Автор: Джеймс ПРЕВОСТ,Т. Ховард КИЛЛИЛЕА,Чаннинг БЬЮДРИ,Фэнг ЧЖАНГ,Дэвид ФОКЬЕТТЕ,Дональд БОЕСПФЛУГ,Уили ВЕТЦЕЛЬ,Вальтер БЛАТТЕР. Владелец: Вэлспар Сорсинг, Инк.. Дата публикации: 2015-05-20.

Pharmaceutical composition containing electrohydrodynamically produced fibers, composition having improved retention time at site of use

Номер патента: RU2701513C2. Автор: Йенс ХАНСЕН,Мартин Эдуардо Сантосильдес РОМЕРО. Владелец: Афикс Терапьютикс А/С. Дата публикации: 2019-09-27.

Container having improved bevelled edge

Номер патента: RU2701849C2. Автор: Эдриан ЭГГЕН,Пох Йоке ТРИЦ,Давид РУДОЛЬФ,Александер ЛОВИНСКИ,Атанасьос КОНДИЛИС,Фредерик ДУРУССЕЛЬ. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor memory device having improved data output circuit

Номер патента: US4761765A. Автор: Kiyokazu Hashimoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-08-02.

Color analysis and control using an electronic mobile device transparent display screen integral with the use of augmented reality glasses

Номер патента: US20190197737A1. Автор: Suk K. Kim-Whitty. Владелец: Sk Commercial Construction Inc. Дата публикации: 2019-06-27.

Pharmaceutical composition for the prevention or treatment of a pulmonary disorder comprising mesenchymal stem cells having improved proliferation and differentiation capacity

Номер патента: US20170360839A1. Автор: Hong Bae Jeon,Yoon Sun Yang,Wonil Oh,Hye Jin Jin,Miyeon KIM. Владелец: Medipost Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Legume protein isolates having improved emulsifiying function

Номер патента: CA3226110A1. Автор: XIN YANG,Christopher Zhang,Leslie Drew,Alexandra CUMMINS. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-02.

Polymeric articles having improved cut-resistance

Номер патента: EP1022963A1. Автор: Gregory J. Johnson,Etheridge Odell Oakley,Herman Leslie Lanieve. Владелец: Hoechst Celanese Corp. Дата публикации: 2000-08-02.

Process for improving waxy-starch cassava variety having improved qualifications and low cyanide

Номер патента: WO2016118091A3. Автор: Chareinsuk ROJANARIDPICHED,Vichan VICHUKIT,Chalermpol PHUMICHAI. Владелец: The Thai Tapioca Development Institute Under The Patronage Of Hrh Princess Maha Chakri Sirindhorn. Дата публикации: 2016-11-24.

Process for improving waxy-starch cassava variety having improved qualifications and low cyanide

Номер патента: WO2016118091A2. Автор: Chareinsuk ROJANARIDPICHED,Vichan VICHUKIT,Chalermpol PHUMICHAI. Владелец: The Thai Tapioca Development Institute Under The Patronage Of Hrh Princess Maha Chakri Sirindhorn. Дата публикации: 2016-07-28.

Asymmetric modified carbon molecular sieve hollow fiber membranes having improved permeance

Номер патента: US11992814B2. Автор: Paul Jason Williams,William John Koros,Nitesh BHUWANIA. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20190266671A1. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Barry Galster,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Uv hardening composition having improved light resistance, three dimensional film and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150104624A1. Автор: Oh-Young Kwon,Seon-Ho JANG. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2015-04-16.

Fc variants having improved ph-dependent fcrn binding capacity and fcgamma-riiia binding selectivity

Номер патента: EP4421090A1. Автор: Sang Taek Jung,Sanghwan Ko,Suyeon Kim,Munsu KYUNG,Migyeong JO,Woo Hyung KO. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-28.

Ferritic stainless steel having improved corrosion resistance and magnetic properties, and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4407061A1. Автор: Kyunghun KIM,Munsoo LEE,Kayoung CHOI. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Archery Arrow Having Improved Flight Characteristics

Номер патента: US20150051030A1. Автор: Martin Connolly. Владелец: ALDILA GOLF CORP. Дата публикации: 2015-02-19.

Archery arrow having improved flight characteristics

Номер патента: US10234250B2. Автор: Martin Connolly. Владелец: ALDILA GOLF CORP. Дата публикации: 2019-03-19.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US12045887B2. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20240273626A1. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Barry Galster,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Gfral-antagonistic antibody having improved affinity, and use thereof

Номер патента: US20240254242A1. Автор: Kyung Moo YEA,Jong Won JEONG,Beom Yong LEE. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-08-01.

Human fc variants having improved fcgamma-riia binding selectivity

Номер патента: EP4421091A1. Автор: Sang Taek Jung,Sanghwan Ko,Suyeon Kim,Munsu KYUNG,Migyeong JO,Woo Hyung KO. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-28.

Antibacterial or antiviral filter having improved coating durability and uv durability

Номер патента: US20240307806A1. Автор: Seung-Hoon Lee,Sunghoon Jung,Jooyoung Park,Dogeun Kim,Eunyeon BYEON,Junyeong YANG. Владелец: Korea Institute of Materials Science KIMS. Дата публикации: 2024-09-19.

Gfral-antagonistic antibody having improved affinity, and use thereof

Номер патента: EP4406972A1. Автор: Kyung Moo YEA,Jong Won JEONG,Beom Yong LEE. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-07-31.

Antibody-drug conjugate having improved affinity, and preparation method therefor and application thereof

Номер патента: EP4445919A1. Автор: Tianyi Ke,Hui Ding,Yan Liu,Xidong ZHANG,Fang Lao,Haiyong Yu,Yunlei XU,Pengfei RONG. Владелец: Kunshan Xinyunda Biotech Co ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Asymmetric modified carbon molecular sieve hollow fiber membranes having improved permeance

Номер патента: US09815030B2. Автор: Paul Jason Williams,William John Koros,Nitesh BHUWANIA. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US09691102B2. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Jacques Doornebos,Frank Kmiec,Barry Galster,Matthew Coffey,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Archery arrow having improved flight characteristics

Номер патента: US09644927B2. Автор: Martin Connolly. Владелец: ALDILA GOLF CORP. Дата публикации: 2017-05-09.

Lubricant composition having improved non-Newtonian viscometrics

Номер патента: US09598658B2. Автор: Jochen Petzoldt,Virginie Bette,Eugene Scanlon,Kevin Desantis. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2017-03-21.

Endoscopic cutting instruments having improved efficiency and reduced manufacturing costs

Номер патента: US09486232B2. Автор: Robert A. Van Wyk,Gary R. Heisler. Владелец: Hanshi LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Porous titanium dioxide coatings and methods of forming porous titanium dioxide coatings having improved photocatalytic activity

Номер патента: RU2470053C1. Автор: Прамод К. ШАРМА. Владелец: Гардиан Индастриз Корп.. Дата публикации: 2012-12-20.

Composition having improved filterability

Номер патента: RU2564030C2. Автор: Франк-Олаф МЭЛИНГ,Рене КОШАБЕК,Брайан ХЕСС,Роберт САЙБЕРТ,Мэри А МАЛИТСКИ,Ронни СОНДЯЯ. Владелец: Эвоник РоМакс Эддитивс ГмбХ. Дата публикации: 2015-09-27.

Method of producing coated adhesive layer with improved optical characteristics, multilayer article and production method thereof, having improved inter-layer adhesion characteristics owing to reduction of air space between layers

Номер патента: RU2431650C2. Автор: Джеймс Т. ХЕЙС. Владелец: Эвери Деннисон Копэрейшн. Дата публикации: 2011-10-20.

POLYMERIC MIXTURES FROM ETHYLENE/α-OLEFIN INTERPOLYMERS HAVING IMPROVED COMPATIBILITY

Номер патента: RU2408622C2. Автор: Юнва Уилсон ЧЕУНГ,Ким Луис УОЛТОН,Морган Марк ХЬЮЗ. Владелец: Дау Глобал Текнолоджиз Инк.. Дата публикации: 2011-01-10.

Non-petroleum foamed polyurethane products having improved technical characteristics and production methods thereof

Номер патента: RU2447991C2. Автор: Вэйхань ЛИ,Патриша Дж. МАККЛАРРЕН,Риоко ЯМАСАКИ,Джеймс Т. МАКЕВОЙ,Терри М. МАКРОБЕРТС. Владелец: Джонсон Контролз Текнолоджи Компани. Дата публикации: 2012-04-20.

Using surface-treated calcium carbonate in tissue paper, method of obtaining tissue paper product having improved softness and obtained tissue paper products having improved softness

Номер патента: RU2478673C2. Автор: Патрик Артур Чарльз ГЕЙН,Кетрин Джейн РИДГВЕЙ,Юве ГИСЕЛЛА,Максимилиан ЛОФМАНН. Владелец: Омйа Девелопмент Аг. Дата публикации: 2013-04-10.

Nickel-based superalloys for producing single crystal articles having improved tolerance to low angle grain boundaries

Номер патента: US5399313A. Автор: Carl S. Wukusick,Earl W. Ross,Warren T. King. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1995-03-21.

Method of producing factor viii, having improved ratio fviii:c/fviii:ag

Номер патента: RU2695428C2. Автор: Стефан ВИНГЕ,Марина ДАДАЯН,Эрика ЙОХАНССОН,Бирте ФУКС. Владелец: Октафарма Аг. Дата публикации: 2019-07-23.

Method for producing strips made of steel, in particular for producing cutting and machining tools having improved service life

Номер патента: RU2664495C2. Автор: Томас ЭВЕРТЦ,Александр РЕДЕНИУС. Владелец: Зальцгиттер Флахшталь Гмбх. Дата публикации: 2018-08-17.

Preparation of phenol having improved clarity when dispersed in water

Номер патента: CA1317905C. Автор: Clifford Moore Gilpin Iii,Saul Lawrence Elishewitz,Larry Bernard Wolf,David Barry Lebowitz,Dodd Steel Smith,Gerald Ernest Hollenbach,John James Ii Santarsiero,William John Moffatt. Владелец: AlliedSignal Inc. Дата публикации: 1993-05-18.

Method for producing oriented silicon steel having improved magnetic properties

Номер патента: CA1198036A. Автор: Amitava Datta,Jack W. Shilling. Владелец: Allegheny Ludlum Corp. Дата публикации: 1985-12-17.

Antimicrobial peptoid having improved selectivity and antimicrobial composition comprising same

Номер патента: US20240226228A1. Автор: Jieun Choi,Dongmin Shin,Minsang Kim,Jiwon SEO. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-07-11.

Freeze-dried, free-flowing, particulate composition having improved palatability

Номер патента: EP1737494A2. Автор: Daniel Kilhoffer,Thierry Plouvier,Eliane Le Peillet-Feuillet,Françoise Tubery. Владелец: Chiesi Farmaceutici SpA. Дата публикации: 2007-01-03.

Ferritic stainless steel having improved magnetic properties and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4394075A1. Автор: Hak Kim,Jieon PARK,Kyunghun KIM,Munsoo LEE. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for producing fillers having improved bulk material stability and pourability

Номер патента: US20030158315A1. Автор: Rene Herbiet,Mario Neuenhaus. Владелец: Albemarle Corp. Дата публикации: 2003-08-21.

Hollow-fibre membrane filter having improved separation properties

Номер патента: AU2022273396A1. Автор: Michael Paul,Franz Kugelmann,Paul Gastauer,Andreas Ruffing,Tobias VEIT. Владелец: FRESENIUS MEDICAL CARE DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2023-11-30.

Compositions containing curcumin having improved bioavailability

Номер патента: US12042520B2. Автор: Antonello FRESU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-23.

A woven fabric having improved tear strength

Номер патента: WO2024105527A1. Автор: Colin Appleyard,Claus SØNDERBORG. Владелец: Nautosphere Technology Limited. Дата публикации: 2024-05-23.

Polyurethane urea elastic yarn having improved dyeability and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3696301A1. Автор: Tae Heon Kim,Yeon Soo Kang,Ho Young Jeong. Владелец: Hyosung Tnc Corp. Дата публикации: 2020-08-19.

Food container having improved oxygen barrier properties and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2819930A1. Автор: Seong Jin Kim,Kyoung Sik Jo,Myoung Woon Moon,Kwang Ryeol Lee,Eun Kyung Song,Tae Kyung Yun. Владелец: Korea Institute of Science and Technology KIST. Дата публикации: 2015-01-07.

Food container having improved oxygen barrier properties and manufacturing methed thereof

Номер патента: US20140332437A1. Автор: Seong Jin Kim,Kyoung Sik Jo,Myoung Woon Moon,Kwang Ryeol Lee,Eun Kyung Song,Tae Kyung Yun. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2014-11-13.

Transparent display having improved visibility

Номер патента: EP4250071A1. Автор: Min Soo Lee,Su Hyun Jung,Jong Chun Park. Владелец: Msway Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

Process for preparing starch suspensions and starch pastes having improved purity, and starch products

Номер патента: CA2609045A1. Автор: Jagannadh V. Satyavolu,Kevin R. Anderson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-23.

Anti-cd154 antibody having improved binding, functional and safety characteristics and use in human immunotherapy

Номер патента: MY196991A. Автор: Robert George Edward Holgate,Jay Rothstein,Arron Hearn. Владелец: Immunext Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Rigid fiber network structures having improved post-yield dimensional recovery, method of making same, and articles incorporating same

Номер патента: AU1468699A. Автор: William E. Bessey,Gerald Peter Rumierz,Clinton Dale Felton. Владелец: HNA Holdings Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Recombinantly-modified adeno-associated virus (raav) having improved packaging efficiency

Номер патента: EP3999648A1. Автор: Qizhao Wang. Владелец: Charles River Laboratories Inc. Дата публикации: 2022-05-25.

Recombinantly-modified adeno-associated virus (raav) having improved packaging efficiency

Номер патента: US20220257678A1. Автор: Qizhao Wang. Владелец: Charles River Laboratories Inc. Дата публикации: 2022-08-18.

Recombinantly-modified adeno-associated virus (raav) having improved packaging efficiency

Номер патента: WO2021011034A1. Автор: Qizhao Wang. Владелец: Vigene Biosciences Inc.. Дата публикации: 2021-01-21.

Plants having improved growth characteristics and a method for making the same

Номер патента: EP1608760A2. Автор: Valerie Frankard,Gabor Horvath,Eva Kondorosi,Sylvie Tarayre. Владелец: CropDesign NV. Дата публикации: 2005-12-28.

Method for screening of a lipase having improved enzymatic activity using yeast surface display vector and the lipase

Номер патента: EP1546405A1. Автор: Jung-Hoon Sohn,Eui-Sung Choi,So-Young Kim. Владелец: Korea Research Institute of Bioscience and Biotechnology KRIBB. Дата публикации: 2005-06-29.

Method for screening of a lipase having improved enzymatic activity using yeast surface display vector and the lipase

Номер патента: EP1546405A4. Автор: Jung-Hoon Sohn,Eui-Sung Choi,So-Young Kim. Владелец: Korea Research Institute of Bioscience and Biotechnology KRIBB. Дата публикации: 2006-01-18.

Method for screening of a lipase having improved enzymatic activity using yeast surface display vector and the lipase

Номер патента: AU2003261629A1. Автор: Jung-Hoon Sohn,Eui-Sung Choi,So-Young Kim. Владелец: Korea Research Institute of Bioscience and Biotechnology KRIBB. Дата публикации: 2004-04-30.

Double-Sided Adhesive Tape Having Improved Impact Strength for Display Device

Номер патента: US20210147716A1. Автор: Tae Ho Kim,Min Soo Park,Cho Won Jo,Tae Wook Koo,Duck Su Kim,Soon Hwa Hong. Владелец: YOUNGWOO CO Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Urethane having improved insulation performance and refrigerator having same applied thereto

Номер патента: US20240263062A1. Автор: Jongsung Park,Sungmin Cho,Youngdeog KOH,Jungsoo LIM,Mingyu JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Rigid fiber network structures having improved post-yield dimensional recovery, method of making same, and articles incorporating same

Номер патента: EP1034071A1. Автор: Joseph S. W. Haas,William E. Bessey,Gerald Peter Rumierz,Clinton Dale Felton. Владелец: HNA Holdings Inc. Дата публикации: 2000-09-13.

Tread rubber compounds having improved abrasion resistance using functionalized liquid polybutadiene

Номер патента: EP2630190A1. Автор: William Hergenrother,Sheel Agarwal,Amy Randall. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2013-08-28.

Polypropylene composition having improved radiation stability

Номер патента: EP4399240A1. Автор: Sarah Van Mierloo,Jacques SAMPERS. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-07-17.

Compositions containing curcumin having improved bioavailability

Номер патента: US20240325471A1. Автор: Antonello FRESU. Владелец: Gianluca Fresu. Дата публикации: 2024-10-03.

Polypropylene composition having improved radiation stability

Номер патента: US20240360294A1. Автор: Sarah Van Mierloo,Jacques SAMPERS. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-10-31.

Anti-cd154 antibody having improved binding, functional and safety characteristics and use in human immunotherapy

Номер патента: NZ739859A. Автор: Jay Rothstein,Arron Hearn,Robert Holgate. Владелец: Immunext Inc. Дата публикации: 2024-08-30.

White inkjet ink composition having improved resin compatibility

Номер патента: US12071553B2. Автор: Kin Man Ho,Kwan Yeung CHIU,Chun Ho YAM,Siu Sun CHAN,Kwai Sang NG. Владелец: Inner Mongolia Xianhong Science Co ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Thermoplastic resin composition having improved weather resistance

Номер патента: US09951216B2. Автор: Chang Min Hong,Ji Eun Park,Kyun Ha Ban,Ja Yoon KIM. Владелец: Lotte Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for synthesising a block copolymer alloy having improved antistatic properties

Номер патента: US09914804B2. Автор: Michael Werth,Eric Gamache,Frédéric MALET,Perrine Babin,Benoît ANDRE. Владелец: Arkema France SA. Дата публикации: 2018-03-13.

Polycarbonate composition having improved optical and thermal properties

Номер патента: US09868817B2. Автор: Franky Bruynseels,Karl-Heinz Kohler. Владелец: Covestro Deutschland AG. Дата публикации: 2018-01-16.

Bio-derived polymers having improved processability and method for the production thereof

Номер патента: US09790335B2. Автор: SONG Cheng,John R. Bartolomucci. Владелец: Pennsylvania College Of Technology. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of making a sandwich-type, compression-molded, composite component having improved surface appearance

Номер патента: US09770849B2. Автор: Darius J. Preisler,Christopher A. Heikkila. Владелец: Global IP Holdings LLC. Дата публикации: 2017-09-26.

Thermoplastic resin composition having improved weather resistance

Номер патента: US09732211B2. Автор: Chang Min Hong,Ji Eun Park,Kyun Ha Ban,Ja Yoon KIM. Владелец: Lotte Advanced Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Compositions having improved SPF

Номер патента: US09642791B2. Автор: Anne-Laure Suzanne Bernard,Susan HALPERN CHIRCH,Anthony Diaz-Santana. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2017-05-09.

Packaged antimicrobial medical device having improved shelf life and method of preparing same

Номер патента: US09474524B2. Автор: Henry Pokropinski, Jr.,Howard Scalzo,Jerry Fischer. Владелец: Ethicon Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Polyethylene compositions, having improved properties

Номер патента: RU2448132C2. Автор: Франсис С. РИКС,Марк Г. ГУД,Чии КУО,Даниел П. ЗИЛКЕР,Райнер КОЛЬБ,Таэ Хунь КВАЛЬК,Донмин ЛИ,Чинтай ЛЮЙ. Владелец: Юнивейшн Текнолоджиз, Ллк. Дата публикации: 2012-04-20.

Processes for making catalyst compositions having improved flowability

Номер патента: RU2656343C2. Автор: Ричард Б. ПЭННЕЛЛ,Чи-И КО,Дэвид М. ГЛОВЧВСКИЙ. Владелец: ЮНИВЕЙШН ТЕКНОЛОДЖИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-06-05.

Bitumen-polymer composition having improved mechanical properties

Номер патента: RU2729649C2. Автор: Кароль РЮО,Ромюаль БОТЕЛЬ. Владелец: Тоталь Маркетин Сервис. Дата публикации: 2020-08-11.

Catalysts for obtaining alkylene oxides, which have improved stability, efficiency and/or activity

Номер патента: RU2360735C2. Автор: Джулиана Г. СЕРАФИН,Альберт Чэн-Юй ЛЮ,Сейед Р. СЕЙЕДМОНИР,Хваили СУ,Томас ШИМАНСКИ. Владелец: Дау Текнолоджи Инвестментс Ллс. Дата публикации: 2009-07-10.

Polyethylene moulding composition for making films through extrusion blowing, having improved processing properties

Номер патента: RU2401285C2. Автор: Герхардус МЕЙЕР,Йоахим БЕРТОЛЬД,Лутц-Герд ХАЙНИККЕ. Владелец: Базелль Полиолефине Гмбх. Дата публикации: 2010-10-10.

Polyethylene moulding composition for making films through extrusion blowing, having improved mechanical properties

Номер патента: RU2401286C2. Автор: Герхардус МЕЙЕР,Йоахим БЕРТОЛЬД,Лутц-Герд ХАЙНИККЕ. Владелец: Базелль Полиолефине Гмбх. Дата публикации: 2010-10-10.

Polyethylene film having improved mechanical properties and impermeability, and method of making said film

Номер патента: RU2447096C2. Автор: Джоэл Л. МАРТИН,Ашиш М. СУКХАДИА,Цин ЯН,Кумудини С. ДЖАЯРАТНЕ,Джерри Т. ЛАНЬЕР. Владелец: Шеврон Филлипс Кемикал Компани Лп. Дата публикации: 2012-04-10.

Polypropylene/ethylene polymer fiber having improved bond performance and composition for marking the same

Номер патента: US20010051267A1. Автор: Rexford Maugans,Kenneth Stewart,Edward Knickerbocker. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 2001-12-13.

Pipes with coating having improved mechanical properties and method of their manufacturing

Номер патента: RU2453570C2. Автор: Мартин Анкер,Петри Реконен,Маркку Вахтери,Сив Бодил ФРЕДРИКСЕН,Пал Кристиан БЕНТЦРОД,Матс БЕКМАН,Лейф ЛЕЙДЕН. Владелец: Бореалис Текнолоджи Ой. Дата публикации: 2012-06-20.

Squeezable vessels for fluid material having improved barrier and mechanical properties

Номер патента: RU2270146C2. Автор: Томас ЛИ,Шад МЮЛЛЕР,Ален ЖУПЕН. Владелец: Пешинэ Амбаллаж Флексибль Юроп. Дата публикации: 2006-02-20.

Heat-curable composition and multilayer composite based on said composition, having improved adhesion

Номер патента: RU2434911C2. Автор: Шанти Сворап,Лоренс Г. АНДЕРСОН,Джейн Н. Валента,Карен А. МОРОУ. Владелец: Ппг Индастриз Огайо, Инк.. Дата публикации: 2011-11-27.

Moulding compositions containing polyaryl ether having improved surface quality

Номер патента: RU2479605C2. Автор: Мартин Вебер,Кристиан МАЛЕТЦКО,Рюдигер БЛЮМ,Герхард ЛАНГЕ,Йорг ЭРБЕС. Владелец: БАСФ СЕ. Дата публикации: 2013-04-20.

Method for producing covering element made from fibers impregnated with bitumen having improved fire properties and composition

Номер патента: RU2676628C2. Автор: Эюп ТОКДЕМИР,Этем САКИОГЛУ,Андадж ГУЗЕЛЬ. Владелец: Ондюлин. Дата публикации: 2019-01-09.

Water-soluble powder polymers having improved dispersibility

Номер патента: RU2638984C2. Автор: Прачур БХАРГАВА,Майкл А. ТЭЛЛОН,Константин А. ВЕЙНБЕРГ. Владелец: Геркулес Инкорпорейтед. Дата публикации: 2017-12-19.

Combined preparations of aminoglycosides and phosphomycin, having improved chemical properties

Номер патента: RU2691658C2. Автор: Алан Брюс МОНТГОМЕРИ. Владелец: Кардис Фарма Корпорейшн. Дата публикации: 2019-06-17.

Medical devices comprising ionically and non-ionically cross-linked polymer hydrogels having improved mechanical properties

Номер патента: WO1998002204A1. Автор: Samuel A. Thompson,John M. Ronan. Владелец: Hercules Incorporated. Дата публикации: 1998-01-22.

Nonwoven stretch film with apertures having improved bonding characteristics

Номер патента: RU2647732C1. Автор: Дэвид А. ПАЛЬЗЕВИЧ,Стивен В. ФИТТИНГ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2018-03-19.

Microorganism having improved level of intracellular energy, and method for producing l-amino acid using thereof

Номер патента: RU2700384C2. Автор: Хе Мин ПАРК,Кван Хо ЛИ,Кын Чоль ЛИ,Джуно ЧЖАН,Хён Пё ХОН. Владелец: Сиджей Чейлджеданг Корп.. Дата публикации: 2019-09-17.

Ionic silicone hydrogels having improved hydrolytic stability

Номер патента: RU2528631C2. Автор: Юнчэн ЛИ,Осман РАТОР,Зохра ФАДЛИ,Марк ЛАДА,Джеймс Д. ФОРД,Азаам АЛЛИ. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2014-09-20.

Bitumen/polymer composition having improved low-temperature mechanical properties

Номер патента: RU2682614C1. Автор: Кароль РЮО,Жюльен ШАМИНАН,Мухамад МУАЗЕН,Ромуаль БОТЕЛЬ,Нур ДРИДИ. Владелец: Тотал Маркетинг Сервисез. Дата публикации: 2019-03-19.

Polyolefin compositions having improved optical and mechanical properties

Номер патента: RU2448992C2. Автор: Бо Мальм,Тоня ШЕДЕНИГ,Йоахим Фибиг,Пирьо ЯСКЕЛЯЙНЕН,Маркус ГАЛЯЙТНЕР. Владелец: Бореалис Текнолоджи Ой. Дата публикации: 2012-04-27.

Absorbent product having improved leakage protection

Номер патента: RU2577710C2. Автор: Мейджиа НГ,Присцилла Энг Чоо ГОХ,ЙеинСце ОНГ,СанВук ЛИ,ДооХон КИМ,Линь МИАО,Чуньлэй ПУ,Сюеэнь Джордж ХАО,Франц АШЕБРЕННЕР. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2016-03-20.

Microorganism having improved l-lysine producing ability and method for producing l-lysine by using said microorganism

Номер патента: RU2663135C2. Автор: Питер Ли,Дзун Ок МООН,Хиунг Дзоон КИМ,Сонг Ги РИУ. Владелец: СиДжей ЧЕИЛДЗЕДАНГ КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2018-08-01.

Absorbing article having improved shaping features

Номер патента: RU2260414C2. Автор: Сольгун ДРЕВИК. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2005-09-20.

Al-Cr-O COATING APPLIED WITH ELECTRIC ARC SPRAYING, CONTAINING Si, HAVING IMPROVED PERFORMANCE

Номер патента: RU2632348C2. Автор: Юрген РАММ,Рихард РАХБАУЭР,Йорг ПАУЛИЧ,Пауль Хайнц МАЙРХОФЕР. Владелец: Эрликон Серфиз Солюшнз Аг, Пфеффикон. Дата публикации: 2017-10-04.

Upper and lower torso garments having improved band

Номер патента: RU2659884C2. Автор: Майкл Д. ЭББОТ,Роджер Д. УОРРЕН. Владелец: ЭЙЧБИАЙ БРЭНДЕД ЭППЭРЭЛ ЭНТЕРПРАЙЗИС, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-07-04.

Device for distribution of absorbent sheet, having improved characteristics of hand sensor

Номер патента: RU2508040C2. Автор: Джон С. ФОРМОН,Скотт ВАГНЕР. Владелец: ЭсСиЭй ТИШЬЮ НОРТ АМЕРИКА ЭлЭлСи. Дата публикации: 2014-02-27.

Thioesterase variants having improved activity for the production of medium-chain fatty acid derivatives

Номер патента: WO2018187389A3. Автор: Alma Itzel RAMOS-SOLIS,Behnaz Behrouzian,Emanuela POPOVA,Donald E. Trimbur,Angelica Zabala BAUTISTA,Min Sun Park,Bernardo Moura TORRES DA COSTA,Qijun HU,Stephen Bralley DE CARDAYRE. Владелец: REG Life Sciences, LLC. Дата публикации: 2019-01-17.

Rubber compositions and articles thereof having improved metal adhesion and metal adhesion retention with bright steel

Номер патента: CA2510568C. Автор: William Hergenrother,Steven Schonfeld,Frederick Ravagnani (Deceased). Владелец: Bridgestone Americas Tire Operations LLC. Дата публикации: 2012-03-06.

Containing an acrylic polymer sheet aircraft glazing, having improved mechanical properties

Номер патента: RU2737368C2. Автор: Мишель РУБИ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2020-11-27.

Aluminum-lithium alloys having improved corrosion resistance and method

Номер патента: US4797165A. Автор: Ralph R. Sawtell,Philip E. Bretz,Warren H. Hunt, Jr.. Владелец: Aluminum Company Of America. Дата публикации: 1989-01-10.

Screen with self-cleaning movable sieving surface, having improved sieve cloth fastening

Номер патента: RU2735479C1. Автор: Маркус КИРХНЕР,Эрнст ГРЮБЛЬ,Рольф КАДЕЛЬ,Маттиас ЗАТТЛЕР,Петер ПАЛЬМЕН. Владелец: Хайн, Леманн Гмбх. Дата публикации: 2020-11-03.

Method for preparing antibodies having improved properties

Номер патента: RU2604811C2. Автор: Терранс А. СТЭДХИМ,Дунсин ЧЖА,Лимин ЛЮ. Владелец: Мерк Шарп Энд Домэ Корп.. Дата публикации: 2016-12-10.

Rubber compositions and articles thereof having improved metal adhesion and metal adhesion retention

Номер патента: US4551391A. Автор: James A. Davis,Jung W. Kang. Владелец: Firestone Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1985-11-05.

Meat products having improved moisture retention and method for making same

Номер патента: CA2100531A1. Автор: Fouad Z. Saleeb,Susan M. Vidal,Gus D. Coccodrilli, Jr.. Владелец: Kraft General Foods Inc. Дата публикации: 1994-02-26.

Pentaerythritol-spiro-bis-phosphite compositions having improved hydrolytic stability

Номер патента: CA1262792A. Автор: Michael H. Fisch,Jamie Blum,Lawrence R. Brecker. Владелец: Argus Chemical Corp. Дата публикации: 1989-11-07.

Sn-based multilayer coated steel strip having improved corrosion resistance, weldability and lacquerability and method for producing same

Номер патента: CA1317858C. Автор: Masao Ikeda,Seizun Higuchi,Tomonari Oga,Hirohumi Nakano. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1993-05-18.

Polycarbonate having improved critical thickness

Номер патента: CA1094738A. Автор: Arthur L. Baron,Parameswar Sivaramakrishnan. Владелец: Mobay Corp. Дата публикации: 1981-01-27.

Compatible polyphenylene ether-linear polyester blends having improved coefficient of thermal expansion

Номер патента: CA1320776C. Автор: John B. Yates, Iii. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1993-07-27.

Detergent having improved color retention properties

Номер патента: US5962389A. Автор: Terrell L. Partee,Charles Varker,Elaine T. Morse,Ronald D. Morgan. Владелец: Dial Corp. Дата публикации: 1999-10-05.

Apparatus for conveying sheets such as veneer having improved wicket construction

Номер патента: CA1169801A. Автор: Timothy F. Corrigan,James W. Chard, Jr.. Владелец: Drying Systems Inc. Дата публикации: 1984-06-26.

Rubber compositions and related articles having improved metal adhesion and metal adhesion retention

Номер патента: US4602054A. Автор: James A. Davis,Jung W. Kang. Владелец: Firestone Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1986-07-22.

Cured rubber skim stock compositions having improved metal adhesion and metal adhesion retention

Номер патента: CA1133199A. Автор: James A. Davis,Jung W. Kang. Владелец: Firestone Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1982-10-05.

Packaging unit, having improved air-tightness

Номер патента: RU2587070C1. Автор: Роберт ПЕРНЕБОРН,Эва-Ли СААРВЕЛИ,Анника ДАЛЬ,Линда ХЕНРИКССОН. Владелец: Ска Хайджин Продактс Аб. Дата публикации: 2016-06-10.

Water soluble polymer powder formulation having improved dispersing properties

Номер патента: RU2598932C2. Автор: Туйен Т. НГУЙЕН,Пракхур БХАРГАВА,Константин А. ВАЙНБЕРГ. Владелец: Геркулес Инкорпорейтед. Дата публикации: 2016-10-10.

Thermoplastic vulcanizate compositions having improved extrusion performance and methods of formation thereof

Номер патента: US20070037931A1. Автор: Trazollah Ouhadi,Oansuk Chung,Eugene Uhl. Владелец: Advanced Elastomer Systems LP. Дата публикации: 2007-02-15.

Hyperplaty clays and their use in paper coating and filling, methods for making same, and paper products having improved brightness

Номер патента: CA2452563C. Автор: Jun Yuan,Robert J. Pruett,Robin Wesley,Bomi M. Bilimoria,Philip J. E. Jones,Michael J. Garska,David O. Cummings. Владелец: Imerys Pigments Inc. Дата публикации: 2016-04-26.

Frypan having improved terminal connection

Номер патента: CA1178318A. Автор: David M. Howie. Владелец: Canadian General Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-11-20.

Biochemical analysis cartridge having improved operability

Номер патента: US9316655B2. Автор: Hakhyun Nam,Jihoon Kim,Geun Sig Cha,Dongxuan Shen,Joo Young Cho. Владелец: I Sens Inc. Дата публикации: 2016-04-19.

Process for forming a paper web having improved bulk and absorptive capacity

Номер патента: CA1075511A. Автор: Wendell J. Morton. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1980-04-15.

Polyester textile material having improved opacity

Номер патента: CA1148803A. Автор: Francis W. Marco. Владелец: Milliken Research Corp. Дата публикации: 1983-06-28.

Plants having improved growth characteristics and method for making the same

Номер патента: EP2035555A2. Автор: Christian Dammann,Stefan Henkes. Владелец: BASF Plant Science GmbH. Дата публикации: 2009-03-18.

Biodegradable resin composition having improved mechanical property, formability, and weatherproof and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220243005A1. Автор: Heon Young Lim,Yoon Cho,Myung Je YOU. Владелец: Ankor Bioplasticsco ltd. Дата публикации: 2022-08-04.

Silicone elastomeric emulsion having improved shelf life

Номер патента: CA1192327A. Автор: Michael G. Elias,Alan L. Freiberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-08-20.

Thermoplastic receptacle having improved high temperature seal

Номер патента: CA1181359A. Автор: Norman D. Bornstein. Владелец: WR Grace and Co. Дата публикации: 1985-01-22.

Granular laundry detergent compositions having improved solubility

Номер патента: CA2022321C. Автор: Eugene Joseph Pancheri,Jeffrey Edward Boucher. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 1995-02-14.

Dye-sensitized photosensitive materials having improved photographic speed

Номер патента: US3666464A. Автор: Juergen H H Keller,Robert Hicks Sprague. Владелец: Itek Corp. Дата публикации: 1972-05-30.

Aqueous latices having improved coating rheology

Номер патента: CA1244583A. Автор: James E. Devona,Gregory D. Shay,James E. Kail. Владелец: DeSoto Inc. Дата публикации: 1988-11-08.

Curable coating compositions having improved compatibility and scratch and mar resistance, cured coated substrates made therewith and methods for obtaining the same

Номер патента: US20030170397A1. Автор: Bruce Oermann,Donald Campbell,Vincent Cook,William Bearyman. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2003-09-11.

Production of plants having improved rooting efficiency and vase life using stress-resistance gene

Номер патента: US20060005281A1. Автор: Kazuko Shinozaki,Naoyuki Umemoto,Toshihiro Toguri,Kanji Mamiya. Владелец: Japan International Research Center for Agricultural Sciences JIRCAS. Дата публикации: 2006-01-05.

Carbamate-functional resins having improved adhesion, method of making the same, and method of improving intercoat adhesion

Номер патента: CA2384441C. Автор: Bruce Oermann,Walter Ohrbom,Donald Campbell,Joseph Borst,Donald St. Aubin,Marvin Green,Michael Gessner. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2008-01-29.

Detergent having improved properties and method of preparing the detergent

Номер патента: US5726142A. Автор: Terrell L. Partee,Charles Varker,Elaine T. Morse. Владелец: Dial Corp. Дата публикации: 1998-03-10.

Contact lens package having improved access features

Номер патента: CA2150528C. Автор: Francis John Lovell. Владелец: NOVARTIS AG. Дата публикации: 2005-02-01.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20200273106A1. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20230024968A1. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Method for producing hsl protein having improved catalytic activity for 2-oxoglutaric acid-dependently oxidizing 4-hppd inhibitor

Номер патента: ZA201905935B. Автор: OSHIMA Masahiro,TOZAWA Yuzuru,TAKEI Satomi,HIROSE Sakiko,KAWATA Motoshige,SEKINO Keisuke,YAMAZAKI Akihiko. Владелец: SDS Biotech Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

Transactionally Deterministic High Speed Financial Exchange Having Improved, Efficiency, Communication, Customization, Performance, Access, Trading Opportunities, Credit Controls, and Fault Tolerance

Номер патента: US20190362424A1. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Jacques Doornebos,Frank Kmiec,Barry Galster,Matthew Coffey,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2019-11-28.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20230419408A1. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Archery arrow having improved flight characteristics

Номер патента: US20170023340A1. Автор: Martin Connolly. Владелец: ALDILA GOLF CORP. Дата публикации: 2017-01-26.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US11836795B2. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Scott Henderson,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US11869085B2. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Barry Galster,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US11798078B2. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Transactionally deterministic high speed exchange having improved efficiency, communication, customization, performance, access, capacity, security, and fault tolerance

Номер патента: WO2015069688A3. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Jacques Doornebos,Frank Kmiec,Barry Galster,Matthew Coffey,Ryan Eavy. Владелец: CHICAGO MERCANTILE EXCHANGE INC.. Дата публикации: 2015-11-19.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20220198564A1. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Barry Galster,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20220374988A1. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20220374985A1. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20220414779A1. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Barry Galster,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20230117483A1. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Barry Galster,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20230153908A1. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2023-05-18.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US11776055B2. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20210272199A1. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2021-09-02.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20200027165A1. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US11935123B2. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Barry Galster,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US11941698B2. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Electronic mobility aid platform and related use method

Номер патента: EP4327795A1. Автор: Diego Bertocchi,Federico Donzello. Владелец: Scen Srl. Дата публикации: 2024-02-28.

Transactionally deterministic high speed exchange having improved efficiency, communication, customization, performance, access, capacity, security, and fault tolerance

Номер патента: EP3066635A2. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Jacques Doornebos,Frank Kmiec,Barry Galster,Matthew Coffey,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20230281713A1. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

UV hardening composition having improved light resistance, three dimensional film and method for manufacturing the same

Номер патента: US9771472B2. Автор: Oh-Young Kwon,Seon-Ho JANG. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-09-26.

Method and system for correlating anatomy using an electronic mobile device transparent display screen

Номер патента: US20180177403A1. Автор: Suk K. Kim-Whitty. Владелец: Sk Commercial Construction Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Curable silicone compositions having improved adhesion to polymeric films

Номер патента: WO2005000983A2. Автор: Roy Melvin Griswold. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2005-01-06.

Coating-free metallic thermoplastic resin composition having improved metallic texture and gloss

Номер патента: US20210179838A1. Автор: Ki Hun Park,Min Jin Choi,Se Jong Hwang,Jin Hyung Jeong. Владелец: Daewon Chemical Co ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Candida tropicalis strain having improved tolerance to the cytotoxicity of substrates, and method for producing dicarboxylic acid using same

Номер патента: US11873517B2. Автор: Jong Hwa Lee,Kyoung Heon Kim,Do Hyoung Kim,Su Han Kim,Jung Moo Lee,Ho Chang LEE,Thirumalaisamy BABU,Sung Ho Oh,Chang Seok HYUN. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-01-16.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20240070781A1. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Scott Henderson,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US11995722B2. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Barry Galster,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Legume protein isolates having improved emulsifiying function

Номер патента: WO2023009375A1. Автор: XIN YANG,Christopher Zhang,Leslie Drew,Alexandra CUMMINS. Владелец: CORN PRODUCTS DEVELOPMENT, INC.. Дата публикации: 2023-02-02.

Legume protein isolates having improved emulsifiying function

Номер патента: EP4376637A1. Автор: XIN YANG,Christopher Zhang,Leslie Drew,Alexandra CUMMINS. Владелец: CORN Products Development Inc. Дата публикации: 2024-06-05.

Coating compositions having improved properties comprising a polymer formed from polymerizable surfactants

Номер патента: WO2024094511A1. Автор: Lichang Zhou,Derek Pakenham,Dongchul Lee,Changheon Kang,Eugene J. Anderson,Celine Burel. Владелец: Specialty Operations France. Дата публикации: 2024-05-10.

Transactionally deterministic high speed exchange having improved efficiency, communication, customization, performance, access, capacity, security, and fault tolerance

Номер патента: WO2015069688A2. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Jacques Doornebos,Frank Kmiec,Barry Galster,Matthew Coffey,Ryan Eavy. Владелец: CHICAGO MERCANTILE EXCHANGE INC.. Дата публикации: 2015-05-14.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20240185343A1. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20240185344A1. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Barry Galster,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20190295175A1. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Barry Galster,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20230351507A1. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Barry Galster,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20210065298A1. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Barry Galster,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

High energy return foam compositions having improved abrasion resistance and uses thereof

Номер патента: US11986044B2. Автор: Eric Lee,Aaron Bender. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Pharmaceutical composition for the prevention or treatment of a pulmonary disorder comprising mesenchymal stem cells having improved proliferation and differentiation capacity

Номер патента: WO2016140547A1. Автор: Hong Bae Jeon,Yoon Sun Yang,Wonil Oh,Hye Jin Jin,Miyeon KIM. Владелец: MEDIPOST CO., LTD.. Дата публикации: 2016-09-09.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20230401638A1. Автор: Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20210065297A1. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Barry Galster,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2021-03-04.

Transactionally deterministic high speed financial exchange having improved, efficiency, communication, customization, performance, access, trading opportunities, credit controls, and fault tolerance

Номер патента: US20230281714A1. Автор: Paul Callaway,Ari Studnitzer,Zachary BONIG,Frank Kmiec,Barry Galster,Ryan Eavy. Владелец: Chicago Mercantile Exchange Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Curable silicone compositions having improved adhesion to polymeric films

Номер патента: EP1636321A2. Автор: Roy Melvin Griswold. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2006-03-22.

Wide-field imaging lens and optical image capturing device for electronic mobile devices

Номер патента: US20210356695A1. Автор: Stepan Evgenievich IVANOV,Viktoria Sergeevna KAIDARAKOVA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Modified release gamma-hydroxybutyrate formulations having improved pharmacokinetics

Номер патента: US20240226051A1. Автор: Jordan DUBOW,Herve Guillard,Claire Mégret,Jean-François DUBUISSON. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Compositions and methods for identifying mutations of genes of multi-gene systems having improved function

Номер патента: WO2020081958A3. Автор: Ryan T. Gill,Marcelo Colika BASSALO. Владелец: The Regents of the University of Colorado, a body corporate. Дата публикации: 2020-07-16.

Gamma-hydroxybutyrate formulations having improved stability after storage

Номер патента: US20240216283A1. Автор: Herve Guillard. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Mineral base oil having improved low temperature property, method for manufacturing same, and lubrication oil product comprising same

Номер патента: US20210403823A1. Автор: Hak Mook Kim,Jun Soo Park,Kyung Seok Noh,Jin Hee Ok,Yong Rae Cho,Seung Eon Lee. Владелец: SK Lubricants Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Mineral base oil having improved low temperature property, method for manufacturing same, and lubrication oil product comprising same

Номер патента: EP3858953A1. Автор: Hak Mook Kim,Jun Soo Park,Kyung Seok Noh,Jin Hee Ok,Yong Rae Cho,Seung Eon Lee. Владелец: SK Lubricants Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-04.

Process for Forming Sintered Ceramic Bodies Having Improved Properties

Номер патента: US20190127284A1. Автор: YAN Yang,Sreeram Balasubramanian,Akash. Владелец: James R Glidewell Dental Ceramics Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Lubricant compositions having improved anti-deposition properties

Номер патента: WO1991002783A1. Автор: Eugene R. Zehler. Владелец: Henkel Corporation. Дата публикации: 1991-03-07.

Antiperspirant cream compositions having improved wash-off and antiperspirant efficacy

Номер патента: EP1037594A1. Автор: Curtis Bobby Motley,Robert Michael Schraer,Christina Marie Troyan. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2000-09-27.

Calcium salt compositions having improved solubility and method for preparing them

Номер патента: WO2000024274A1. Автор: Dani Dizer,Yael Kedem. Владелец: Nutragal Ltd.. Дата публикации: 2000-05-04.

Wax formulations having improved release characteristics

Номер патента: US12037564B2. Автор: Gerald Allison. Владелец: FIRMENICH SA. Дата публикации: 2024-07-16.

Saturated steam sterilization device and process having improved sterilization reliability

Номер патента: WO2014021921A3. Автор: Milton E. PEDRAZZI. Владелец: Pedrazzi Milton E. Дата публикации: 2014-05-08.

Metal products having improved surface properties and methods of making the same

Номер патента: CA3093085A1. Автор: Samuel Robert Wagstaff,Sazol Kumar DAS,Milan FELBERBAUM,Simon William Barker,Tudor PIROTEALA,Rajasekhar TALLA. Владелец: Novelis Inc Canada. Дата публикации: 2019-09-19.

Alfalfa plants having improved standability and methods for producing same

Номер патента: US20060206970A1. Автор: David Johnson,Douglas Miller,Mark Darling,Jonathan Reich. Владелец: Cal West Seeds LLC. Дата публикации: 2006-09-14.

Alfalfa Plants Having Improved Standability and Methods for Producing Same

Номер патента: US20080052788A1. Автор: David Johnson,Douglas Miller,Mark Darling,Jonathan Reich. Владелец: Cal West Seeds LLC. Дата публикации: 2008-02-28.

Pre-mix fuel fired appliances having improved heat exchange interfaces

Номер патента: US20240240827A1. Автор: Darryl Farley. Владелец: Rheem Manufacturing Co. Дата публикации: 2024-07-18.

Intumescent coating having improved low-temperature flexibility

Номер патента: AU2021262414A1. Автор: Alexander Klein,Janos LOTZ. Владелец: Roehm GmbH Darmstadt. Дата публикации: 2023-01-19.

Composite nanofiber catalyst having improved lifespan performance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200261890A1. Автор: Ji Min Lee,Dong Hoon Nam,Joo Hyun Park,Hoon Mo Park,Yong Ho Choa,Kyung Moon Lee,Seung Hyeon CHOI. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2020-08-20.

Calcium salt compositions having improved solubility and method for preparing them

Номер патента: EP1124445A1. Автор: Dani Dizer,Yael Kedem. Владелец: NUTRAGAL Ltd. Дата публикации: 2001-08-22.

Digital speech coder having improved long term lag parameter determination

Номер патента: CA2021508A1. Автор: Reinaldo Augusto Valenzuela Steude,Ronald George Danisewicz. Владелец: Codex Corp. Дата публикации: 1991-03-01.

Titanium dioxide slurries having improved stability

Номер патента: EP1313801A4. Автор: Duen-Wu Hua,Fu-Chu Wen. Владелец: Millennium Inorganic Chemicals Inc. Дата публикации: 2004-12-22.

Titanium dioxide slurries having improved stability

Номер патента: EP1313801B1. Автор: Duen-Wu Hua,Fu-Chu Wen. Владелец: Millennium Inorganic Chemicals Inc. Дата публикации: 2006-10-18.

Migalastat formulations having improved pharmacokinetics

Номер патента: EP4385509A1. Автор: Franklin Johnson. Владелец: Amicus Therapeutics Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Method, system and article for producing a mailpiece envelope having improved seal integrity

Номер патента: US20100089986A1. Автор: John Kline,Jay Reichelsheimer. Владелец: Pitney Bowes Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Mask having improved capability of blocking harmful components

Номер патента: US20220160058A1. Автор: Seon-Young Kim. Владелец: Daeyoung Eng Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Composite laminate having improved impact strength and the use thereof

Номер патента: WO2013056254A2. Автор: Yong Wang,Andy Shen,Patrick Ma. Владелец: E. I. DU PONT DE NEMOURS AND COMPANY. Дата публикации: 2013-04-18.

Diffusion models having improved accuracy and reduced consumption of computational resources

Номер патента: EP4295273A1. Автор: Tim Salimans,Diederik Peter KINGMA. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-27.

Agricultural formulations having improved compatibility with liquid fertilizers

Номер патента: US20230292748A1. Автор: Jinsong Lee,Eric Stephen Oshige. Владелец: Syngenta Crop Protection AG Switzerland. Дата публикации: 2023-09-21.

Stent made of nitinol having improved axial bending stiffness and associated production method

Номер патента: US20090107516A1. Автор: Bernd Block,Daniel Lootz. Владелец: BIOTRONIK VI PATENT AG. Дата публикации: 2009-04-30.

Firearm component having improved grippability

Номер патента: US20180363998A1. Автор: George Collins. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-12-20.

Preparation method for polythiol having improved storage stability

Номер патента: US20210171491A1. Автор: Junghwan Shin,Seung Mo Hong,Hyeon Myeong SEO,Jeongmoo Kim. Владелец: SKC Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Modified release gamma-hydroxybutyrate formulations having improved pharmacokinetics

Номер патента: CA3210888A1. Автор: Herve Guillard,Claire Mégret,Jean-Francois Duibuisson. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Modified release gamma-hydroxybutyrate formulations having improved pharmacokinetics

Номер патента: US11766418B2. Автор: Jordan DUBOW,Herve Guillard,Claire Mégret,Jean-François DUBUISSON. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Liquid cleaning composition having improved grease removal properties

Номер патента: WO2004090086A3. Автор: Gregory Szewczyk,Joan Gambogi. Владелец: Joan Gambogi. Дата публикации: 2007-10-25.

Powerfeed polymers having improved block resistance performance

Номер патента: US20130303674A1. Автор: Arnold S. Brownell,Thomas R. Tepe,Aurelia De La Cuesta Sheppard,Gary W. DOMBROWSKI. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2013-11-14.

Saturated steam sterilization device and process having improved sterilization reliability

Номер патента: WO2014021921A9. Автор: Milton E. PEDRAZZI. Владелец: Pedrazzi Milton E. Дата публикации: 2014-07-17.

Metal products having improved surface properties and methods of making the same

Номер патента: US20240271263A1. Автор: Samuel Robert Wagstaff,Sazol Kumar DAS,Milan FELBERBAUM,Simon William Barker,Tudor PIROTEALA,Rajasekhar TALLA. Владелец: Novelis Inc Canada. Дата публикации: 2024-08-15.

Glycidyl carbamate coatings having improved corrosion resistance

Номер патента: WO2009076609A3. Автор: Dean C. Webster,Roopashree Suryanarayana. Владелец: NDSU RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2009-10-08.

Method of manufacturing a 2xxx-series aluminium alloy plate product having improved fatigue failure resistance

Номер патента: CA3109052C. Автор: Philippe Meyer,Sabine Maria Spangel,Achim Burger,Andreas Harald BACH. Владелец: Novelis Koblenz GmbH. Дата публикации: 2023-09-19.

Liquid composition comprising an aspartic protease having improved enzyme stability.

Номер патента: NL2015883B1. Автор: Kevelam Jan,Stapersma Pietsje. Владелец: CSK Food Enrichment BV. Дата публикации: 2018-05-04.

Segmentation models having improved strong mask generalization

Номер патента: WO2022186834A1. Автор: Siyang LI,Zhichao Lu,Vivek RATHOD,Jonathan Chung-Kuan HUANG,Vighnesh Nandan Birodkar. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2022-09-09.

Digital micro-mirror device having improved contrast and method for the same

Номер патента: US20060092497A1. Автор: Walter Duncan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-05-04.

Polypropylene Composition Having Improved Scratch Resistance Properties

Номер патента: US20230174760A1. Автор: Arun SIKDER,Mohammed Abdulwahab TAYEB,Sahel ALAKEL,Abdiaziz FARAH,Mohammad Abdullah A. ALMAGWESHI. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2023-06-08.

Recombinant acid-resistant yeast having improved lactic-acid-producing ability

Номер патента: EP3929282A3. Автор: Tae Young Lee,Ki Sung Lee,Jae Yeon Park. Владелец: SK Innovation Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-16.

Laminated glazing having improved sound insulation properties

Номер патента: US20240253332A1. Автор: Wenjie Chen. Владелец: Solutia Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Composite laminate having improved impact strength and the use thereof

Номер патента: EP2766173A2. Автор: Yong Wang,Haihua Shen,Yongchao MA. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2014-08-20.

Stringer stiffened composite panels having improved pull-off strength

Номер патента: CA3033583C. Автор: Jiangtian Cheng,Forouzan Behzadpour. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2023-08-15.

Memory array having improved isolation between sense lines

Номер патента: US4312047A. Автор: William J. Donoghue. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1982-01-19.

Melt polycarbonate having improved heat ageing

Номер патента: EP2552995A1. Автор: Heinrich Hahnsen,Daniel Koch,Stephan Konrad,Marc Buts,Karl-Heinz Kohler,Torsten Hagen,Frank Guldentops. Владелец: Bayer Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2013-02-06.

PDGF and VEGF Aptamers Having Improved Stability and Their Use in Treating PDGF and VEGF Mediated Diseases and Disorders

Номер патента: US20160177307A1. Автор: Nebojsa Janjic,Chi Zhang,Amy D. GELINAS,Daniel W. DROLET,Michael VRKLJAN. Владелец: Somalogic Inc. Дата публикации: 2016-06-23.

Novel cinnamaldehyde derivatives having improved solubility in water, a method for preparing the same, a pharmaceutical composition comprising the same and a treatment method of cancer using the same

Номер патента: WO2009157626A1. Автор: Byoung Mog Kwon,Young Min HAN,Hye Nan KIM,Dae Seop SHIN,Yeong Rim Kang,Dong Choi Han. Владелец: Korea Research Institute of Bioscience and Biotechnology. Дата публикации: 2009-12-30.

Molding compositions having improved properties

Номер патента: EP1456288A2. Автор: Thomas Steinhausler,John J. Young,Thomas J. Folda,Thomas C. Kendrick, Jr.. Владелец: AOC LLC. Дата публикации: 2004-09-15.

Molding compositions having improved properties

Номер патента: EP1456288A4. Автор: Thomas Steinhausler,Thomas J Folda,John J Young,Thomas C Kendrick Jr. Владелец: AOC LLC. Дата публикации: 2005-09-28.

Multiple layer interlayer having improved acoustic properties

Номер патента: EP4244058A1. Автор: Hengyi Ju,Keyuan Huang. Владелец: Solutia Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Thin fiber cement roof tiles comprising core-shell emulsions having improved impact resistance

Номер патента: US20230265015A1. Автор: Charles J. Rand,Morris Christopher Wills,Carlos Alfonso Cruz,Luz Adriana Gomez Ortiz,Ricardo Hernández Salas,Eduardo Oliveira Cruz. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2023-08-24.

Oligomer, oligomer-containing composition, and refrigerant composition containing fluorinated-hydrocarbon-containing refrigerant and having improved slidability

Номер патента: EP4417666A1. Автор: Mitsushi Itano,Tatsumi Tsuchiya,Kenji Gobou,Tsubasa NAKAUE. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Oligomer, oligomer-containing composition, and refrigerant composition containing fluorinated-hydrocarbon-containing refrigerant and having improved slidability

Номер патента: US20240263098A1. Автор: Mitsushi Itano,Tatsumi Tsuchiya,Kenji Gobou,Tsubasa NAKAUE. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for Producing a Component Having Improved Elongation at Break Properties

Номер патента: US20110240179A1. Автор: Franz-Josef Lenze,Sascha Sikora,Janko Banik. Владелец: THYSSENKRUPP STEEL EUROPE AG. Дата публикации: 2011-10-06.

Memory system having improved signal integrity

Номер патента: US20110032740A1. Автор: Kwang-soo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-02-10.

Polyester copolymer having improved extrusion processability, comprising recycled monomer

Номер патента: EP4414403A1. Автор: Sangwoo Kim,Boo-youn Lee,Ha-Neul Kim,Da-Young Hwang. Владелец: SK Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Topical anaesthetic composition having improved vasoconstrictor stability

Номер патента: US20240226079A1. Автор: Laurie Batt. Владелец: Animal Ethics Pty Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Multi-layer knit fabrics having improved filter properties and uses thereof

Номер патента: US20240125017A1. Автор: Yong Chul Kim. Владелец: Senlintex Co ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Liquid composition comprising an aspartic protease having improved enzyme stability.

Номер патента: NL2015883A. Автор: Kevelam Jan,Stapersma Pietsje. Владелец: CSK Food Enrichment BV. Дата публикации: 2017-06-02.

Digital micro-mirror device having improved contrast and method for the same

Номер патента: EP1810071A1. Автор: Walter M. Duncan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-07-25.

Memory array having improved isolation between sense lines

Номер патента: WO1981003571A1. Автор: W Donoghue. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1981-12-10.

Film base such as polyester base having improved core-set properties and photographic elements

Номер патента: US3627533A. Автор: Frederick J Jacoby,Robert W Schrader. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1971-12-14.

Packaged modified release gamma-hydroxybutyrate formulations having improved stability

Номер патента: AU2024205227A1. Автор: Herve Guillard. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Preparation of polyvinyl alcohol having improved color properties by treating the polyvinyl ester with an alkaline earth metal hydride

Номер патента: US3679648A. Автор: John E Bristol. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1972-07-25.

Process for forming sintered ceramic bodies having improved properties

Номер патента: US12077477B2. Автор: YAN Yang,Sreeram Balasubramanian,Akash. Владелец: James R Glidewell Dental Ceramics Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Thin fiber cement roof tiles comprising core-shell emulsions having improved impact resistance

Номер патента: EP4229018A1. Автор: Charles J. Rand,Morris Christopher Wills,Carlos Alfonso Cruz,Luz Adriana Gomez Ortiz,Ricardo Hernández Salas,Eduardo Oliveira Cruz. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 2023-08-23.

Topical anaesthetic composition having improved vasoconstrictor stability

Номер патента: AU2022290669A1. Автор: Laurie Batt. Владелец: Animal Ethics Pty Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Topical anaesthetic composition having improved vasoconstrictor stability

Номер патента: CA3215110A1. Автор: Laurie Batt. Владелец: Animal Ethics Pty Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Topical anaesthetic composition having improved vasoconstrictor stability

Номер патента: EP4297751A1. Автор: Laurie Batt. Владелец: Animal Ethics Pty Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Topical anaesthetic composition having improved vasoconstrictor stability

Номер патента: WO2022256878A1. Автор: Laurie Batt. Владелец: Animal Ethics Pty Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Polyol pre-mixes having improved shelf life

Номер патента: US12098260B2. Автор: Laurent Abbas,Benjamin Bin Chen,Sri R. Seshadri,Joseph S. Costa. Владелец: Arkema Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Aqueous formulation comprising at least one aqueous hydrophobizing agent for production of aqueous coating compositions having improved early rain resistance

Номер патента: US20240287324A1. Автор: Philippe Favresse,Oliver Peters,Berend-Jan De Gans,Giuseppe Giuffre,Jonas Niedballa,Laura Hübner,Andrea Sowa,Jasmin Brokamp. Владелец: EVONIK OPERATIONS GMBH. Дата публикации: 2024-08-29.

Porous mullite bodies having improved thermal stability

Номер патента: US20150284294A1. Автор: Paul C. Vosejpka,James J. O'brien,Aleksander J. Pyzik,Michael T. Malanga,Robin P. Ziebarth,Clifford S. Todd,Nicholas M. Shinkel. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2015-10-08.

Ablation-type lithographic printing members having improved exposure sensitivity and related methods

Номер патента: WO2012158318A1. Автор: Kevin Ray,Sonia Rondon. Владелец: Presstek, Inc.. Дата публикации: 2012-11-22.

Security fabric having improved security and identification properties

Номер патента: US12104295B2. Автор: Hyun Jun Kim,Hyun Jin Oh,Hong Keon Kim,Il Hoon CHOI. Владелец: Korea Minting Security Printing & Id Card Operating Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Gamma-hydroxybutyrate compositions having improved pharmacokinetics in the fed state

Номер патента: US20240350438A1. Автор: Julien Grassot,Cendrine Grangeon,Jordan DUBOW. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Gamma-hydroxybutyrate compositions having improved pharmacokinetics in the fed state

Номер патента: US20240350437A1. Автор: Julien Grassot,Cendrine Grangeon,Jordan DUBOW. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Modified release gamma-hydroxybutyrate formulations having improved pharmacokinetics

Номер патента: US12097175B2. Автор: Herve Guillard,Claire Mégret,Jean-François DUBUISSON. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Ablation-type lithographic printing members having improved exposure sensitivity and related methods

Номер патента: EP2709846A1. Автор: Kevin Ray,Sonia Rondon. Владелец: Presstek LLC. Дата публикации: 2014-03-26.

Ablation-type lithographic printing members having improved exposure sensitivity and related methods

Номер патента: US20120291643A1. Автор: Kevin Ray,Sonia Rondon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of manufacturing a 2xxx-series aluminium alloy plate product having improved fatigue failure resistance

Номер патента: US12065721B2. Автор: Philippe Meyer,Sabine Maria Spangel,Achim Burger,Andreas Harald BACH. Владелец: Novelis Koblenz GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Three-dimensional out sole having improved pattern quality and durability, and shoe comprising same

Номер патента: US12048357B2. Автор: Chi-kyun Park,Jae-Jeong Lee,Ji-Sang JANG,Kyoung Kyu Kim,Kyung-seok CHOI,Yong-Hoon Park. Владелец: ASSEMS Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Emulsion from the oxidation products of natural waxes, having improved barrier properties

Номер патента: US20240328090A1. Автор: Simon BODENDORFER,Milena WUNDLECHNER,Daniela True,Halil CAN ARAN. Владелец: CLARIANT INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Anti-human transferrin receptor antibody having improved blood-brain-barrier permeability, and multi-specific antibody and pharmaceutical composition which use same

Номер патента: US20240317877A1. Автор: Sung Ho Park,So Hee Kim,Seong Eon Ryu,Hye Hyeon JANG,Myeongbin KIM,Dabin SONG. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-09-26.

Cellulase having improved enzymatic activity

Номер патента: US10479985B1. Автор: Shan Wu,Chun-Chi Chen,Lilan Zhang,Chin-Yu Chen,Lixin Ma,Rey-Ting Guo,Jian-Wen Huang,Chao Zhai,Longhai Dai,Xuejing Yu,Zhichun Zhan. Владелец: Hubei University. Дата публикации: 2019-11-19.

Modified release gamma-hydroxybutyrate formulations having improved pharmacokinetics

Номер патента: US12115142B2. Автор: Jordan DUBOW,Herve Guillard,Claire Mégret,Jean-François DUBUISSON. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Modified release gamma-hydroxybutyrate formulations having improved pharmacokinetics

Номер патента: US12115145B2. Автор: Jordan DUBOW,Herve Guillard,Claire Mégret,Jean-François DUBUISSON. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Modified release gamma-hydroxybutyrate formulations having improved pharmacokinetics

Номер патента: US12109186B2. Автор: Jordan DUBOW,Herve Guillard,Claire Mégret,Jean-François DUBUISSON. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Modified release gamma-hydroxybutyrate formulations having improved pharmacokinetics

Номер патента: US12097176B2. Автор: Jordan DUBOW,Herve Guillard,Claire Mégret,Jean-François DUBUISSON. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Modified release gamma-hydroxybutyrate formulations having improved pharmacokinetics

Номер патента: US12115144B2. Автор: Jordan DUBOW,Herve Guillard,Claire Mégret,Jean-François DUBUISSON. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Modified release gamma-hydroxybutyrate formulations having improved pharmacokinetics

Номер патента: US12115143B2. Автор: Jordan DUBOW,Herve Guillard,Claire Mégret,Jean-François DUBUISSON. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Modified release gamma-hydroxybutyrate formulations having improved pharmacokinetics

Номер патента: US12128021B1. Автор: Herve Guillard,Claire Mégret,Jean-François DUBUISSON. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Flame resistant fabrics having improved resistance to surface abrasion or pilling and methods for making them

Номер патента: US09994978B2. Автор: Rembert Joseph Truesdale. Владелец: Southern Mills Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

PDGF and VEGF aptamers having improved stability and their use in treating PDGF and VEGF mediated diseases and disorders

Номер патента: US09994857B2. Автор: Nebojsa Janjic,Chi Zhang,Amy D. GELINAS,Daniel W. DROLET,Michael VRKLJAN. Владелец: Somalogic Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

High strength glass having improved mechanical characteristics

Номер патента: US09975801B2. Автор: John Christopher Thomas,Richard Orr Maschmeyer,Kevin Lee Wasson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Paper laminates made from decor paper having improved optical performance comprising treated inorganic particles

Номер патента: US09975318B2. Автор: Mitchell Scott Chinn,Franck Andre VANHECKE. Владелец: Chemours Co FC LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Infant wagon having improved convenience of use

Номер патента: US09950729B2. Автор: Yejin Choi. Владелец: Bran New International. Дата публикации: 2018-04-24.

Cellulase having improved thermostability

Номер патента: US09944915B2. Автор: Tzu-Hui Wu,Hui-Lin Lai,Rey-Ting Guo,Ya-Shan Cheng,Jian-Wen Huang,Cheng-Yen Lin,Tsung-Yu Ko. Владелец: Dongguan APAC Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Décor paper having improved optical performance comprising treated inorganic particles

Номер патента: US09920486B2. Автор: Mitchell Scott Chinn,Franck Andre VANHECKE. Владелец: Chemours Co FC LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Capsid-modified rAAV vector compositions having improved transduction efficiencies, and methods of use

Номер патента: US09920097B2. Автор: Li Zhong,Sergei Zolotukhin,Lakshmanan Govindasamy,Mavis Agbandje-Mckenna,Arun Srivastava. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Bent reinforcement rod having improved mechanical strength at the bending point thereof, and method for producing same

Номер патента: US09885181B2. Автор: Alexandre LALLIER,Danny St-Cyr. Владелец: PULTRALL Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Damper-integrated blower having improved airtightness

Номер патента: US09856881B2. Автор: Mun Su Park. Владелец: CENDORI CO Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Cellulase having improved enzymatic activity

Номер патента: US09809807B1. Автор: Tzu-Hui Wu,Chun-Chi Chen,Hui-Lin Lai,Rey-Ting Guo,Ya-Shan Cheng,Jian-Wen Huang,Cheng-Yen Lin,Tsung-Yu Ko. Владелец: Dongguan APAC Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Fictive temperature in damage-resistant glass having improved mechanical characteristics

Номер патента: US09802853B2. Автор: John Christopher Thomas,Richard Orr Maschmeyer,Kevin Lee Wasson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Ships for navigating in icy waters having improved propulsion performance

Номер патента: US09776691B2. Автор: Gianpiero LAVINI. Владелец: Fincantieri SpA. Дата публикации: 2017-10-03.

Absorbent article and components thereof having improved softness signals, and methods for manufacturing

Номер патента: US09770371B2. Автор: John C. Parsons,Antonius Lambertus De Beer,W. Andrew Coslett,Kevin Ronald Kanya. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-09-26.

PDGF and VEGF aptamers having improved stability and their use in treating PDGF and VEGF mediated diseases and disorders

Номер патента: US09695424B2. Автор: Nebojsa Janjic,Chi Zhang,Amy D. GELINAS,Daniel W. DROLET,Michael VRKLJAN. Владелец: Somalogic Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Absorbent article and components thereof having improved softness signals, and methods for manufacturing

Номер патента: US09629755B2. Автор: John C. Parsons,W. Andrew Coslett,Kevin Ronald Kanya. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-04-25.

Multiport memory cell having improved density area

Номер патента: US09627038B2. Автор: Dennis Wendell. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Composite structures having improved heat aging and interlayer bond strength

Номер патента: US09597861B2. Автор: Olaf Norbert Kirchner,Martyn Douglas Wakeman,Andri E. Elia,Shengmei Yuan. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2017-03-21.

Modified release gamma-hydroxybutyrate formulations having improved pharmacokinetics

Номер патента: US12144793B2. Автор: Jordan DUBOW,Herve Guillard,Claire Mégret,Jean-François DUBUISSON. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

Modified release gamma-hydroxybutyrate formulations having improved pharmacokinetics

Номер патента: US12138239B2. Автор: Jordan DUBOW,Herve Guillard,Claire Mégret,Jean-François DUBUISSON. Владелец: Flamel Ireland Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Porous mullite bodies having improved thermal stability

Номер патента: US09550700B2. Автор: Paul C. Vosejpka,James J. O'brien,Aleksander J. Pyzik,Michael T. Malanga,Robin P. Ziebarth,Clifford S. Todd,Nicholas M. Shinkel. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2017-01-24.

Solvent borne coating composition having improved sag resistance and process for producing coatings therefrom

Номер патента: US09540533B2. Автор: Ayumu Yokoyama,Rajesh Gopalan Saliya. Владелец: AXALTA COATING SYSTEMS IP CO LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Treated inorganic pigments having improved dispersability and use thereof in coating compositions

Номер патента: US09539557B2. Автор: Michael Patrick Diebold,Eric RUSNAK,Agingu SHIH,Daniel C Kraiter. Владелец: Chemours Co TT LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

HFO refrigerant composition having improved slidability

Номер патента: US09518204B2. Автор: Takashi Shibanuma,Tatsumi Tsuchiya. Владелец: Daikin Industries Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Timing controller, source driver, and display driver integrated circuit having improved test efficiency and method of operating display driving circuit

Номер патента: US09514713B2. Автор: Young-hun Lee,Young-Min Choi,Jae-Youl Lee,Dong-Myung Lee,Dong-Hoon Baek,Kil-Hoon Lee,Han-Su Pae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-06.

Oral care compositions having improved rheology

Номер патента: US09498416B2. Автор: Xin Sun,Ross Strand,Haiqiu Tang,Yujun Li. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2016-11-22.

Porous mullite bodies having improved thermal stability

Номер патента: US09481605B2. Автор: Paul C. Vosejpka,James J. O'brien,Aleksander J. Pyzik,Michael T. Malanga,Robin P. Ziebarth,Clifford S. Todd,Nicholas M. Shinkel. Владелец: Dow Global Technologies LLC. Дата публикации: 2016-11-01.

Composite structures having improved heat aging and interlayer bond strength

Номер патента: US09475265B2. Автор: Olaf Norbert Kirchner,Martyn Douglas Wakeman,Andri E. Elia,Shengmei Yuan. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2016-10-25.

Method of producing polyhydroxyalkanoate compounded plastics having improved mechanical properties

Номер патента: US09469746B2. Автор: Bronwyn Glenice Laycock,Alan Gideon Werker,Peter Stig Tomas Johansson,Per Olof Gosta Magnusson,Monica Vanessa Arcos Hernandez,Steven Pratt. Владелец: Veolia Water Solutions and Technologies Support SAS. Дата публикации: 2016-10-18.

Tablet having improved elution properties

Номер патента: US09463164B2. Автор: Hiroyuki Nishii,Makiko Yanagida,Masayuki Nakazono. Владелец: Sumitomo Dainippon Pharma Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Composition of vegetable soft capsule having excellent elasticity and adhesive property, provided in form of thin film, and having improved productivity and disintegration, and method of preparing the same

Номер патента: US09452140B2. Автор: Ju-Su Kim. Владелец: CHANG SUNG SOFTGEL SYSTEM Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Ablation-type lithographic printing members having improved exposure sensitivity and related methods

Номер патента: US09387659B2. Автор: Kevin Ray,Sonia Rondon. Владелец: Presstek LLC. Дата публикации: 2016-07-12.

Exhaust gas after-treatment apparatus having improved durability and exhaust gas after-treatment method

Номер патента: US09346014B2. Автор: Sang Hoon Kim,Kyung Min Park,Ji Hoon Lim,Min Seok Ko,Byoung Gul Oh. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Absorbent article having improved absorption properties

Номер патента: US09345624B2. Автор: Bruno Johannes Ehrnsperger,Marc Jennewein,Marion Michnacs,Andrea Peri,Maike Thomann. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2016-05-24.

Polyolefin plastic compositions having improved transparency

Номер патента: US4419473A. Автор: Robert L. Mahaffey, Jr.. Владелец: Milliken Research Corp. Дата публикации: 1983-12-06.

Propylene polymer compositions having improved impact strength

Номер патента: US5597866A. Автор: Dongming Li,Hsien-Chang Wang,Donald A. White. Владелец: Exxon Chemical Patents Inc. Дата публикации: 1997-01-28.

Oral care composition having improved consumer aesthetic characteristics and containing fusible quartz

Номер патента: RU2479303C2. Автор: Джордж Эндель ДЕКНЕР,Ариф Али БЭЙГ,Иэйн Аллан ХЬЮЗ,Джон Кристиан ХОТ,Эллен Луиза КОЛОН. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2013-04-20.

Plants having improved characteristics and method for making the same

Номер патента: US20100218271A1. Автор: Ana Isabel Sanz Molinero,Christophe Reuzeau,Valerie Frankard,Vladimir Mironov. Владелец: CropDesign NV. Дата публикации: 2010-08-26.

Sound-absorbing and insulating material having improved heat resistance and mouldability and method for producing same

Номер патента: RU2671058C1. Автор: Кеун Йоунг КИМ,Кие Йоун ДЗЕОНГ,Бонг Хиун ПАРК. Владелец: Хендэ Мотор Компани. Дата публикации: 2018-10-29.

Polysaccharide toxin from Group B β-hemolytic Streptococcus (GBS) having improved purity

Номер патента: US5811403A. Автор: Carl G. Hellerqvist. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 1998-09-22.

Combined resonator having improved isochronism

Номер патента: RU2679927C2. Автор: Жан-Жак БОРН,Марк ШТРАНКЦЛЬ,Жером ФАВР. Владелец: Те Свотч Груп Рисерч Энд Дивелопмент Лтд. Дата публикации: 2019-02-14.

Polyurethane and polyisocyanurate foams having improved curing performance and fire behaviour

Номер патента: RU2653540C2. Автор: Паоло ГОЛИНИ. Владелец: ДАУ ГЛОБАЛ ТЕКНОЛОДЖИЗ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2018-05-11.

Method for manufacture of insertion apparatuses having improved characteristics of gripping with fingers

Номер патента: RU2257190C2. Автор: Карлос Г. ЛИНАРЕС,Линда М. ПЕРСОН. Владелец: МакНЕЙЛ-ППС, ИНК.. Дата публикации: 2005-07-27.

Perfluoroelastomeric compositions and seals having improved chemical resistance and methods of making the same

Номер патента: US5444116A. Автор: Carl A. Aufdermarsh,Harshad P. Amin. Владелец: Greene Tweed and Co. Дата публикации: 1995-08-22.

Water-absorbent resin having improved water-absorbency and improved water-dispersibility and process for producing same

Номер патента: US4507438A. Автор: Shigeji Obayashi,Morio Nakamura,Takushi Yamamoto,Masato Fujikake. Владелец: Seitetsu Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 1985-03-26.

Water-absorbent resin having improved water- absorbency and improved water-dispersibility and process for producing same

Номер патента: CA1203039A. Автор: Shigeji Obayashi,Morio Nakamura,Takushi Yamamoto,Masato Fujikake. Владелец: Seitetsu Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 1986-04-08.

Water-absorbent resin having improved water-absorbency and improved water-dispersibility and process for producing same

Номер патента: US4541871A. Автор: Shigeji Obayashi,Morio Nakamura,Takushi Yamamoto,Masato Fujikake. Владелец: Seitetsu Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 1985-09-17.

Thermoplastic film having improved outdoor weatherability

Номер патента: CA1120634A. Автор: David L. Dunkelberger. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 1982-03-23.

Aqueous aminoplast resin compositions having improved storage life

Номер патента: CA1068839A. Автор: Pallavoor R. Lakshmanan. Владелец: Gulf Research and Development Co. Дата публикации: 1979-12-25.

Laminated packaging films and related articles of manufacture having improved resistance to heat treatment

Номер патента: CA1224129A. Автор: Cesare Quacquarella,Paolo Colombo,Ezio Ghirardello,Francesco Pezzana. Владелец: WR Grace and Co. Дата публикации: 1987-07-14.

Formed articles made of polymeric material and having improved surface characteristics and process for producing them

Номер патента: CA2054035A1. Автор: Fabio Garbassi,Ernesto Occhiello,Marco Morra. Владелец: Istituto Guido Donegani S.P.A.. Дата публикации: 1992-04-25.

Textile core having improved start-up groove and grooving blade thereof

Номер патента: CA2156485C. Автор: Tony F. Rummage. Владелец: Sonoco Products Co. Дата публикации: 1999-03-23.

Polyolefin fiber having improved initial elongation and process for preparation thereof

Номер патента: CA1309817C. Автор: Kazuo Yagi,Hiroyuki Takeda. Владелец: Mitsui Petrochemical Industries Ltd. Дата публикации: 1992-11-10.

Elastomeric compositions having improved properties

Номер патента: WO2010016981A1. Автор: Michael Brendan Rodgers,David John Lohse,Jung Hun Lee,Rick Dowell Davis,Scott Christopher Solis. Владелец: ExxonMobil Chemical Patents Inc.. Дата публикации: 2010-02-11.

Vinylidene fluoride polymer having improved melt flow properties

Номер патента: CA1079445A. Автор: Julius E. Dohany. Владелец: Pennwalt Corp. Дата публикации: 1980-06-10.

Thermoplastic resin composition having improved resistance to discoloration from sunlight

Номер патента: US5296533A. Автор: Takashi Sanada,Kenji Nagaoka,Hiroshi Hagimori,Etsuji Okumura,Yasurou Suzuki. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1994-03-22.

Floor polish composition having improved durability

Номер патента: CA1223698A. Автор: Richard E. Zdanowski,Joseph M. Owens. Владелец: Rohm and Haas Co. Дата публикации: 1987-06-30.

Compositions of polyphenylene ether resin and high impact polystyrene resin having improved ultraviolet light resistance

Номер патента: CA1266147A. Автор: Peter Hua-Cheng Shu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1990-02-20.

Process of making a waferboard panel having improved dimensional stability and the panel manufactured thereby

Номер патента: CA1294522C. Автор: Lars Bach. Владелец: Alberta Research Council. Дата публикации: 1992-01-21.

Process for making a dehydrogenation catalyst having improved moisture stability

Номер патента: US4684619A. Автор: Stanley E. Moore. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1987-08-04.

Iron-base amorphous alloys having improved fatigue and toughness characteristics

Номер патента: CA1231558A. Автор: Akio Nakamura,Michiaki Hagiwara,Akira Menju,Kouhachi Nomura. Владелец: Unitika Ltd. Дата публикации: 1988-01-19.

Confectionery products having improved shelf life and methods for their production

Номер патента: US6562382B1. Автор: Christine L. Corriveau,Michael Mchale,Gregory J. Milosch,Timothy Guydan,S. Kristine Cahill. Владелец: Wm Wrigley Jr Co. Дата публикации: 2003-05-13.

Silicone emulsion having improved freeze/thaw resistance

Номер патента: CA1313284C. Автор: Kathy Lynn Bakken. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1993-01-26.

Thermoplastic compositions having improved mechanical properties

Номер патента: CA1261988A. Автор: James Y.J. Chung,Dieter Neuray. Владелец: Mobay Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Process for the manufacture of suspension polyvinyl chloride free of dust-fine particles and having improved properties

Номер патента: CA1161195A. Автор: Johann Bauer,Alex Sabel,Manfred Heisler. Владелец: Wacker Chemie AG. Дата публикации: 1984-01-24.

Polymeric intraocular lens material having improved surface properties

Номер патента: CA1299941C. Автор: Buddy D. Ratner,Nancy B. Mateo. Владелец: Washington Research Foundation. Дата публикации: 1992-05-05.

Thermoplastic film structures having improved barrier and mechanical properties

Номер патента: CA2408770C. Автор: Chad Mueller,Roger Kaas,Bertrand Fillon,Sandrine Tournier,Jean-Jacques Lerda. Владелец: Pechiney Emballage Flexible Europe SAS. Дата публикации: 2009-04-14.

Ferrite stainless steel having improved weldability and oxidation resistance

Номер патента: CA1086538A. Автор: Hisao Fujikawa,Hirofumi Makiura,Taishi Moroishi,Yuji Shoji,Isamu Koizumi. Владелец: Nippon Stainless Steel Co Ltd. Дата публикации: 1980-09-30.

Polyester containers having improved gas barrier properties

Номер патента: CA1220890A. Автор: Robert B. Barbee,Thomas H. Wicker, Jr.. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1987-04-21.

Age-hardenable stainless steel having improved machinability

Номер патента: CA1330629C. Автор: Kenneth E. Pinnow,Geoffrey O. Rhodes,John J. Eckenrod,Walter T. Haswell, Jr.. Владелец: Crucible Materials Corp. Дата публикации: 1994-07-12.

Coating compositions having improved "direct to metal" adhesion

Номер патента: CA2401264A1. Автор: David Newton. Владелец: David Newton. Дата публикации: 2001-12-27.

Zeolite catalyst composition having improved stability

Номер патента: CA1255284A. Автор: David H. Olson,Emmerson Bowes. Владелец: Mobil Oil Corp. Дата публикации: 1989-06-06.

Iron-base amorphous alloys having improved fatigue and toughness characteristics

Номер патента: US4584034A. Автор: Akio Nakamura,Michiaki Hagiwara,Akira Menju,Kouhachi Nomura. Владелец: Unitika Ltd. Дата публикации: 1986-04-22.

Dockboard having improved lip lifting mechanism

Номер патента: CA1048212A. Автор: Thomas G. Artzberger. Владелец: KELLEY CO Inc. Дата публикации: 1979-02-13.

Coating compositions having improved stability

Номер патента: AU2005280153B2. Автор: Shui-Jen Raymond Hsu,Prashant Patel,Tina R. Dame. Владелец: Noveon Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Expandable tubular having improved polished bore receptacle protection

Номер патента: CA2448691C. Автор: J. Eric Lauritzen,Alexander Craig Mackay,Patrick G. Maguire,Robert Joe Coon,Neil Andrew Abercrombie Simpson,Khai Tran. Владелец: Weatherford Lamb Inc. Дата публикации: 2008-01-29.

Bio-derived polymers having improved processability and method for the production thereof

Номер патента: WO2011143519A1. Автор: SONG Cheng,John R. Barolomucci. Владелец: Sterigenics U.S., Llc. Дата публикации: 2011-11-17.

Silicone elastomeric emulsion having improved shelf life

Номер патента: US4427811A. Автор: Michael G. Elias,Alan L. Freiberg. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1984-01-24.

Fault indicator having improved trip inhibit circuit

Номер патента: CA1266703A. Автор: Edmund O. Schweitzer, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-03-13.

Mannanase PMAN5A mutant having improved heat resistance, gene thereof, and application

Номер патента: US11407987B2. Автор: Yuan Gu,Kun Meng,Yuan Wang,Bin Yao,Tao Tu,Huiying Luo,Weina LIU,Yaru Wang,Huoqing Huang,Yingguo Bai,Xiaoyun Su. Владелец: Institute of Animal Science of CAAS. Дата публикации: 2022-08-09.

Absorbent articles having improved stretchability

Номер патента: EP1458319A2. Автор: Betsy Johnson,Bernadette M. Gibbs. Владелец: Paragon Trade Brands LLC. Дата публикации: 2004-09-22.

Cross-linked double base propellant having improved low temperature mechanical properties

Номер патента: US4659402A. Автор: Theodore F. Comfort. Владелец: HERCULES LLC. Дата публикации: 1987-04-21.

Absorbent articles having improved stretchability

Номер патента: CA2466926A1. Автор: Betsy Johnson,Bernadette M. Gibbs. Владелец: Bernadette M. Gibbs. Дата публикации: 2003-05-30.

Acrylic fiber having improved basic dyeability

Номер патента: US4293613A. Автор: Hartwig C. Bach,Helmuth E. Hinderer. Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1981-10-06.

Copolymers for acrylic fibers having improved receptivity for basic dyes

Номер патента: GB981281A. Автор: . Владелец: Monsanto Co. Дата публикации: 1965-01-20.

Process for preparing acid dyeable acrylonitrile polymer having improved whiteness

Номер патента: CA1227600A. Автор: William K. Wilkinson. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1987-09-29.

Polyester-polyurethane hybrid resin systems containing low levels of unsaturation having improved low profiling behavior

Номер патента: CA2100410C. Автор: Michael S. Heise,Janet L. Zuffa. Владелец: Cook Composites and Polymers Co. Дата публикации: 2006-01-10.

Paperboards having improved bending stiffness and method for making same

Номер патента: CA2923065C. Автор: David V. Reed,David A. Dyer. Владелец: International Paper Co. Дата публикации: 2017-11-14.

Photosensitive elastomeric element having improved solvent resistance

Номер патента: CA2050628A1. Автор: David William Swatton. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-03-06.

Containers having improved vacuum resistance

Номер патента: US9434499B2. Автор: Lise Zeboudj,Jean-François MEYER,Nicolas Dabrowski,Seung-Yeol Hong,Cedric Boulay. Владелец: Nestec SA. Дата публикации: 2016-09-06.

Copper-tin alloys having improved wear properties

Номер патента: US4511410A. Автор: Eugene Shapiro,Frank N. Mandigo. Владелец: Olin Corp. Дата публикации: 1985-04-16.

Nacreous pigments having improved light-fastness, a process for their preparation, and their use

Номер патента: CA1184003A. Автор: Horst Bernhard. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 1985-03-19.

Preparation of injectable suspensions having improved injectability

Номер патента: CA2406536C. Автор: Olufunmi L. Johnson,Stephen E. Zale,M. Gary I. Riley,J. Michael Ramstack,Joyce M. Hotz. Владелец: Alkermes Controlled Therapeutics Inc. Дата публикации: 2009-12-22.

Process for producing a malt beverage having improved foaming propertiesand product produced therefrom

Номер патента: CA1302922C. Автор: Joseph L. Owades. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-06-09.

Hand-held labeler having improved web position sensing and print head control

Номер патента: CA1236338A. Автор: James M. Bain,James L. Vanderpool. Владелец: Monarch Marking Systems Inc. Дата публикации: 1988-05-10.

Reverse transcriptase having improved thermostability

Номер патента: EP2902486A1. Автор: Han Oh Park,Sung Jun Yang,Sung Mo Joo,Byoung Oh Hwang. Владелец: Bioneer Corp. Дата публикации: 2015-08-05.

Fibers having improved sinusoidal configuration, concrete reinforced therewith and related method

Номер патента: CA2316920C. Автор: Ashish Dubey,Nemkumar Banthia,Richard E. Hingson. Владелец: SI CONCRETE SYSTEMS Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Plastic containers having improved physical properties fabricated from a composite billet

Номер патента: CA1045064A. Автор: Donald J. Roth. Владелец: Continental Can Co Inc. Дата публикации: 1978-12-26.

Process for preparing algae having improved biological effects

Номер патента: CA1310927C. Автор: Peter Literati-Nagy,Miklos Fabian,Jeno Szilbereki,Bozoki Gabor,Nee Rether Edit Szabo,Nee Hegedus Erzsebet Radvany. Владелец: CAOLA KOZMETIKAIES HAZTARTASVEGYIPARI VALLALAT. Дата публикации: 1992-12-01.

Polyester-polyurethane hybrid resin systems containing low levels of unsaturation having improved low profiling behavior

Номер патента: US5296544A. Автор: Michael S. Heise,Janet L. Zuffa. Владелец: Cook Composites and Polymers Co. Дата публикации: 1994-03-22.

Ball valve having improved inherent rangeability

Номер патента: US5074522A. Автор: David C. Reynolds,Robert H. Osthues. Владелец: Worcester Controls Corp. Дата публикации: 1991-12-24.

Superalloys having improved resistance to hydrogen embrittlement

Номер патента: CA1144402A. Автор: Russell D. Kane,Barry J. Berkowitz. Владелец: Exxon Production Research Co. Дата публикации: 1983-04-12.

Containers having improved barrier and mechanical properties

Номер патента: CA2408741C. Автор: Chad Mueller,Robert Knoll. Владелец: Pechiney Emballage Flexible Europe SAS. Дата публикации: 2008-11-18.

Modified creatinine amide hydrolase having improved affinity for substrate, and reagent composition for determination of creatinine

Номер патента: US20090170145A1. Автор: Yoshiaki Nishiya,Masao Kitabayashi,Rie Nagai. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Elastomeric pavement marker having improved configuration

Номер патента: CA1243643A. Автор: David C. May,Thomas D. Krech. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1988-10-25.

Radiation curable compositions having improved moisture resistance

Номер патента: US5811472A. Автор: Gautam Ambalal Patel. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1998-09-22.

Continuous loop stuffer cartridge having improved moebius loop device

Номер патента: CA1101355A. Автор: Ross H. Casey. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1981-05-19.

An ergonomic snack piece having improved dip containment

Номер патента: CA2405831A1. Автор: Lee Michael Teras,Stephen Paul Zimmerman,Benito Alberto Romanach,Charles Edward Jones,John Russell Herring. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Silicone-modified epoxy resins having improved impact resistance

Номер патента: CA1263782A. Автор: Joseph W. Keil. Владелец: Dow Corning Corp. Дата публикации: 1989-12-05.

Thermoplastic resin composition having improved flowability

Номер патента: US8119720B2. Автор: Seong Ho KONG,Hye Jin Lee,Sung Hee Ahn,In Hwan Oh,Se Bum SON,Sung Duk HWANG. Владелец: Cheil Industries Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Cured rubber skim stock compositions having improved metal adhesion and metal adhesion retention

Номер патента: CA1155606A. Автор: James A. Davis,Jung W. Kang,Robert C. Koch. Владелец: Firestone Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1983-10-25.

Polybutadiene rubber compositions having improved green strength

Номер патента: CA1228697A. Автор: Mitsuhiko Sakakibara,Yasumasa Takeuchi,Masaki Ogawa,Yasushi Hirata,Nobuo Tagata,Shigeru Tomihira. Владелец: Japan Synthetic Rubber Co Ltd. Дата публикации: 1987-10-27.

Fuel oil additive and fuel oil having improved flowability

Номер патента: US4802892A. Автор: Takeo Shimada,Noriyuki Okada,Tsutomu Isaka,Iwao Ishino,Nobuhiro Usami. Владелец: Mitsubishi Petrochemical Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-07.

Polycarbonate compositions having improved impact performance

Номер патента: CA1241487A. Автор: Gerard E. Reinert,Mark W. Witman. Владелец: Mobay Corp. Дата публикации: 1988-08-30.

Packaged antimicrobial medical device having improved shelf life and method of preparing same

Номер патента: CA2766789C. Автор: Henry Pokropinski, Jr.,Howard Scalzo,Jerry Fischer. Владелец: Ethicon Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

High-voltage gallium nitride high-electron mobility transistor

Номер патента: RU2534002C1. Автор: Николай Иванович Каргин,Роман Валериевич Рыжук,Руслан Иванович Иванов,Павел Игоревич Блинов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2014-11-27.

BIPOLAR TRANSISTOR HAVING SELF-ADJUSTED EMITTER CONTACT

Номер патента: US20120001192A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Field effect transistor having improved threshold stability

Номер патента: CA1063251A. Автор: Ingrid E. Magdo,Richard C. Joy,Alfred Phillips (Jr.). Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-09-25.

Dispozitiv electronic mobil, sistem şi metodă pentru efectuarea operaţiunilor bancare online

Номер патента: RO134589A2. Автор: Neculai Agavriloaei. Владелец: Neculai Agavriloaei. Дата публикации: 2020-11-27.

LAYER STRUCTURE AND FILMS FOR ID DOCUMENTS HAVING IMPROVED PROPERTIES FOR LASER ENGRAVING

Номер патента: US20120001413A1. Автор: Meyer Klaus,PUDLEINER Heinz,Tziovaras Georgios,Nickel Joerg,Yesildag Mehmet-Cengiz. Владелец: BAYER MATERIALSCIENCE AG. Дата публикации: 2012-01-05.

Multimodal polyethylene moulding composition for making tubes having improved mechanical properties

Номер патента: RU2454443C2. Автор: Хайнц ФОГТ,Йоахим БЕРТОЛЬД,Хансйорг НИТЦ,Вернер РОТХЁФТ,Ульрих ШУЛЬТЕ. Владелец: Базелль Полиолефине Гмбх. Дата публикации: 2012-06-27.

Method of producing asphaltenes having improved electronic properties

Номер патента: RU2566377C1. Автор: Алексей Михайлович Петров,Сергей Владиславович Дезорцев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Башкирский государственный университет". Дата публикации: 2015-10-27.

Plants having improved growth characteristics and a method for making the same

Номер патента: CA2628785A1. Автор: Ana Isabel Sanz Molinero,Christophe Reuzeau,Vladimir Mironov,Yves Hatzfeld,Dirk Inze,Lieven De Veylder,Veronique Boudolf. Владелец: Veronique Boudolf. Дата публикации: 2007-05-10.

High dropping-point lithium-complex grease composition having improved anti-noise properties

Номер патента: CA1197232A. Автор: Norimitsu Tanaka,Hiroshi Tajiri. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 1985-11-26.

Fexible polyvinyl chloride plastics having improved flame retardancy and reduced smoke generating properties

Номер патента: CA1101582A. Автор: John J. Kracklauer,Charles J. Sparkes. Владелец: Syntex USA LLC. Дата публикации: 1981-05-19.

Composition Of Vegetable Soft Capsule Having Excellent Elasticity And Adhesive Property, Provided In Form Of Thin Film, And Having Improved Productivity And Disintegration, And Method Of Preparing The Same

Номер патента: NZ706345A. Автор: KIM Jusu. Владелец: CHANG SUNG SOFTGEL SYSTEM Ltd. Дата публикации: 2014-12-03.

Vehicle having improved coupling system and system for absorption of shock on coupling

Номер патента: CA1172910A. Автор: Eugene B. White, Jr.. Владелец: WHITE MACHINERY CORP. Дата публикации: 1984-08-21.

Tillage apparatus having improved cutting and drive structure

Номер патента: CA1107149A. Автор: David H. Bucher,Donald T. Sorlie,Gail R. Sutherland. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 1981-08-18.

Double tubular time-lag fuse having improved breaking capacity

Номер патента: CA1125819A. Автор: Fumitake Akiyama. Владелец: SAN-O INDUSTRIAL Co Ltd. Дата публикации: 1982-06-15.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.