Silicon carbide powder, method for manufacturing the same and method for manufacturing silicon carbide ingot using the same
Номер патента: EP4328181A1
Опубликовано: 28-02-2024
Автор(ы): Jong Hwi Park, Myung Ok Kyun
Принадлежит: Senic Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 28-02-2024
Автор(ы): Jong Hwi Park, Myung Ok Kyun
Принадлежит: Senic Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for producing a vanadium-doped silicon carbide volume monocrystal, and vanadium-doped silicon carbide substrate
Номер патента: US9732438B2. Автор: Ralf Mueller,Michael Vogel,Matthias Stockmeier. Владелец: SiCrystal AG. Дата публикации: 2017-08-15.