Multiplexed Multi-stage Low Noise Amplifier Uses Gallium Arsenide and CMOS Dice.

Multiplexed Multi-stage Low Noise Amplifier Uses Gallium Arsenide and CMOS Dice

Номер патента: US20170237403A1
Опубликовано: 17-08-2017
Автор(ы): Lin Kun-You, Lin Yuh-Min, Wang James
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Low noise amplifier with noise and linearity improvement

Номер патента: US09641130B2. Автор: Chih-Wen Huang,Fan-Hsiu Huang,Jui-Chieh CHIU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Low noise amplifier

Номер патента: US09800215B2. Автор: Ruofan DAI. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Low noise amplifier with improved linearity in low gain mode

Номер патента: US20210091730A1. Автор: Sergey Anderson. Владелец: DSP GROUP LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Low noise amplifier having transformer feedback and method of using the same

Номер патента: US09831832B2. Автор: Tzu-Jin Yeh,Hsieh-Hung HSIEH,Yi-Hsuan Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Ultra low noise high linearity lna for multi-mode transceiver

Номер патента: US20100182090A1. Автор: Bo Sun,Chiewcharn Narathong,Zixiang Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-07-22.

Reconfigurable low-noise amplifier (LNA)

Номер патента: US10396714B2. Автор: Charles Forrest Campbell,Kevin Wesley Kobayashi. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2019-08-27.

System and method for a low noise amplifier module

Номер патента: US09742364B2. Автор: Nikolay Ilkov,Daniel Kehrer,Paulo Oliveira. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Low noise amplifier topology

Номер патента: US20220385242A1. Автор: Xudong Wang,William B. Beckwith. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Low noise amplifier (LNA) system

Номер патента: US09948251B2. Автор: Baker Scott,Dirk Robert Walter Leipold,George Maxim,Kelvin Kai Tuan Yan. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Low noise amplifier circuit having multiple gains

Номер патента: US20210135632A1. Автор: Chia-Jun Chang,Ka-Un Chan,Chia-Yi Lee,Ping-Hsuan Tsai. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-06.

Distortion cancellation for low noise amplifier (lna) non-linear second order products

Номер патента: EP3084957A1. Автор: Janakiram Ganesh Sankaranarayanan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-10-26.

Out-of-band blocker removing calibration-free wide-band low-noise amplifier structure and method

Номер патента: US20240022214A1. Автор: Junghwan Han,Pillseong KANG,Juhui JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chungnam National University. Дата публикации: 2024-01-18.

Amplitude modulation-phase modulation (am-pm) linearization in a power amplifier using bias circuitry

Номер патента: US20230336128A1. Автор: Baker Scott,George Maxim. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Low Noise Amplifier With Noise And Linearity Improvement

Номер патента: US20160344345A1. Автор: Chih-Wen Huang,Fan-Hsiu Huang,Jui-Chieh CHIU. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2016-11-24.

Wideband high dynamic range low noise amplifier

Номер патента: US20170366143A1. Автор: James J. Komiak. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2017-12-21.

Wideband high dynamic range low noise amplifier

Номер патента: US09899966B2. Автор: James J. Komiak. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Low noise amplifier (lna) with distortion and noise cancellation

Номер патента: US20230378920A1. Автор: Baker Scott,George Maxim,Padmmasini Desikan,Mostafa Savadi Osgooei. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Low noise amplifier (lna) with distortion and noise cancellation

Номер патента: EP4280456A1. Автор: Baker Scott,George Maxim,Padmmasini Desikan,Mostafa Savadi Osgooei. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

Current Re-Using Wideband Low-Noise Active Balun

Номер патента: US20140266469A1. Автор: Vadim Issakov. Владелец: Intel Mobile Communications GmbH. Дата публикации: 2014-09-18.

Current re-using wideband low-noise active balun

Номер патента: US20150263682A1. Автор: Vadim Issakov. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2015-09-17.

USING A MULTI-TONE SIGNAL TO TUNE A MULTI-STAGE LOW-NOISE AMPLIFIER

Номер патента: US20200220526A1. Автор: Testi Nicolo. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Low-noise amplifier with segmented core and tunable resistive feedback

Номер патента: US20240305248A1. Автор: Jeppe Korshøj Bendixen,Christian Drud Larsen. Владелец: Qorvo And Withrow and Terranova. Дата публикации: 2024-09-12.

System and Method for Providing a Configurable Inductor Less Multi-Stage Low-Noise Amplifier

Номер патента: US20090160556A1. Автор: Magnus O. Wiklund. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

Noise reduction in high frequency amplifiers using transmission lines to provide feedback

Номер патента: US11736074B2. Автор: Kenneth Pedrotti,Tianchi Zeng. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2023-08-22.

Low-noise amplifier having high linearity for multi-band

Номер патента: US09692369B2. Автор: Dong Hyun Ko,Myung Woon HWANG. Владелец: FCI Inc Korea. Дата публикации: 2017-06-27.

Low-noise amplifier circuit including band-stop filter

Номер патента: US20090108944A1. Автор: Chih-Hung Chen,Ming-Ching Kuo,Hsiao-Wen Kao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-04-30.

Low noise amplifier including current bleeding circuit

Номер патента: US20180316314A1. Автор: Ku Duck Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2018-11-01.

Low noise amplifier and operation method of low noise amplifier

Номер патента: US20220200537A1. Автор: Youngsik Hur,Gyu-Suck KIM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Low noise amplifier and operation method of low noise amplifier

Номер патента: US11984856B2. Автор: Youngsik Hur,Gyu-Suck KIM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Hybrid concurrent and switched dual-band low noise amplifier

Номер патента: US20080258817A1. Автор: LIN Zhou,Shih Mo. Владелец: Reddot Wireless Inc. Дата публикации: 2008-10-23.

Multiplexed Multi-stage Low Noise Amplifier Uses Gallium Arsenide and CMOS Dies

Номер патента: US20170104457A1. Автор: James Wang,Yuh-Min Lin,Kun-You Lin. Владелец: Kacst. Дата публикации: 2017-04-13.

Low noise amplifier and radio frequency amplification method using the same

Номер патента: US20190123696A1. Автор: Wenyong Liu,Weijiang WANG. Владелец: Maxscend Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Dual-frequency low-noise amplifier circuit

Номер патента: US20230104189A1. Автор: Ping Li,Yaohua ZHENG,Minjun HE. Владелец: Smarter Microelectronics Guangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Bias circuit for a low noise amplifier of a front end interface of a radio frequency communication device that enables fast transitions between different operating modes

Номер патента: US11811446B2. Автор: Yu Su,Mustafa H. Koroglu,Luigi Panseri. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Low Noise Amplifier Bypass Structure

Номер патента: LU500903B1. Автор: Zhihao Zhang. Владелец: Univ Guangdong Technology. Дата публикации: 2022-05-25.

Broadband low noise amplifiers with integrated limiters and fast recovery time

Номер патента: US20240305252A1. Автор: Song Lin,Christopher Hay,Mohammed Ehteshamuddin. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Programmable low noise amplifier

Номер патента: US09716475B1. Автор: Hossein Noori. Владелец: Peregrine Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Radio frequency low noise amplifiers

Номер патента: US20230370025A1. Автор: Matthew Miller,William Roeckner,Terrie Mccain. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Radio frequency low noise amplifiers

Номер патента: US20230370030A1. Автор: Matthew Miller,William Roeckner,Terrie Mccain. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Low-noise amplifier (lna) input impedance adjustment circuit

Номер патента: WO2023076179A1. Автор: Amjath Husain,Girish KOPPASSERY,Madhukar Vallabhaneni. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-05-04.

Wide-range low-noise amplifier

Номер патента: EP2148433B1. Автор: Kazuhiro Uehara,Kenjiro Nishikawa,Munenari Kawashima,You Yamaguchi. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2011-08-17.

Wideband low-noise amplifier

Номер патента: US20100066452A1. Автор: Kazuhiro Uehara,Kenjiro Nishikawa,Yo Yamaguchi,Munenari Kawashima. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Low noise amplification circuit

Номер патента: US20240088837A1. Автор: Jianxing NI,Nan SONG,Tuanjie Ding. Владелец: Radrock Shenzhen Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

A low noise, high frequency, amplifier using a common base input stage and a White's cascode output stage

Номер патента: GB2314223A. Автор: Nikolay Tchamov,Petri Jarske. Владелец: Micronas Oy. Дата публикации: 1997-12-17.

Circuit for improving linearity of low noise amplifier by adopting multi-amplifier tube array

Номер патента: CN114244290A. Автор: 张旭,徐文华,王玉娇,谢婷婷,倪文海,管剑铃,周德杭,张博涛. Владелец: Canaantek Co ltd. Дата публикации: 2022-03-25.

Low noise amplifier and differential amplifier

Номер патента: US20090108937A1. Автор: Kouichiro Yamaguchi. Владелец: Icom Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Method and system for a pseudo-differential low-noise amplifier at ku-band

Номер патента: US20140320206A1. Автор: Vamsi Paidi,Abhishek Jajoo. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2014-10-30.

Method And System For A Pseudo-Differential Low-Noise Amplifier At KU-Band

Номер патента: US20190173441A1. Автор: Vamsi Paidi,Abhishek Jajoo. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Method And System For A Pseudo-Differential Low-Noise Amplifier At Ku-Band

Номер патента: US20160352295A1. Автор: Vamsi Paidi,Abhishek Jajoo. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Method and system for a pseudo-differential low-noise amplifier at Ku-band

Номер патента: US9819319B2. Автор: Vamsi Paidi,Abhishek Jajoo. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Radio frequency low noise amplifiers

Номер патента: US20230370029A1. Автор: Matthew Miller,William Roeckner,Terrie Mccain. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Switchable multi-output low-noise amplifier with distortion cancellation

Номер патента: US20150171798A1. Автор: Shafiullah Syed,Jiun How Ng. Владелец: Motorola Solutions Inc. Дата публикации: 2015-06-18.

Low noise amplifier

Номер патента: US09748900B2. Автор: En-Hsiang Yeh,Tzu-Jin Yeh,An-Hsun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

LOW-NOISE AMPLIFIER, FOLDED LOW-NOISE AMPLIFIER AND AMPLIFIER CIRCUIT MODULE

Номер патента: US20170170788A1. Автор: Lin Heng-Chih,Lee Chien-Kuang,Chiu Yao-Te. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Linearization of low gain low-noise amplifiers through third-order distortion cancellation

Номер патента: EP4427334A1. Автор: Mehmet Uzunkol,Amjath Husain,Girish KOPPASSERY,Madhukar Vallabhaneni,Abhay Shankar GAIKWAD,Rishab MAHESHWARI,Samiran Dasgupta. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Impedance matching low noise amplifier having a bypass switch

Номер патента: CA2361298C. Автор: Jose A. Macedo. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Systems and methods providing multi-path low noise amplifiers with seamless switching

Номер патента: US20110133833A1. Автор: Jan-Michael Stevenson. Владелец: Microtune Inc. Дата публикации: 2011-06-09.

Systems and methods for automatically biasing power amplifiers using a controllable current source

Номер патента: US20200358404A1. Автор: Elie A. Maalouf,Xu Jason Ma. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Low-noise amplifier

Номер патента: TW200818694A. Автор: Kazuhisa Ishiguro. Владелец: Niigata Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 2008-04-16.

Concurrent multi-band low noise amplifier architecture

Номер патента: WO2001073942A3. Автор: Seyed-Ali Hajimiri,Seyed-Hossein Hashemi. Владелец: California Inst Of Techn. Дата публикации: 2002-04-25.

Concurrent multi-band low noise amplifier architecture

Номер патента: EP1275198A2. Автор: Hossein Hashemi,Seyed-Ali Hajimiri. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2003-01-15.

Using a multi-tone signal to tune a multi-stage low-noise amplifier

Номер патента: US20200220526A1. Автор: Nicolo Testi. Владелец: Innophase Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Low noise amplifier and operating method thereof

Номер патента: US20230179152A1. Автор: Nackgyun SEONG,Hyungoo JEON. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Low noise amplifier

Номер патента: US09608578B2. Автор: Yo-Sheng Lin,Sin-Chen Lin. Владелец: National Chi Nan University. Дата публикации: 2017-03-28.

Multi-mode broadband low noise amplifier

Номер патента: US12074573B2. Автор: Bipul Agarwal,Junhyung Lee,Rimal Deep Singh,Aravind Kumar Padyana. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Low noise microwave amplifier having optimal stability, gain, and noise control

Номер патента: CA1284360C. Автор: Joseph S. Wong. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1991-05-21.

Tunable high-linearity low noise amplifier

Номер патента: US20240291440A1. Автор: Dominic Koehler,Julian W. Zuber,Christian F. Tanzer. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus and methods for biasing low noise amplifiers

Номер патента: US20190158028A1. Автор: Engin Ibrahim Pehlivanoglu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

High-linearity low noise amplifier and method

Номер патента: US20080278220A1. Автор: Stewart S. Taylor,Jon S. Duster. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-13.

Wideband ultra low noise amplifier

Номер патента: WO2007109498A2. Автор: Aly Ismail,Edward Youssoufian. Владелец: NEWPORT MEDIA, INC.. Дата публикации: 2007-09-27.

Multi-mode broadband low noise amplifier

Номер патента: US20240097623A1. Автор: Bipul Agarwal,Junhyung Lee,Rimal Deep Singh,Aravind Kumar Padyana. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Multi-mode broadband low noise amplifier

Номер патента: US11817829B2. Автор: Bipul Agarwal,Junhyung Lee,Rimal Deep Singh,Aravind Kumar Padyana. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Low noise amplifier with improved sensitivity

Номер патента: KR100818475B1. Автор: 김남민. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2008-04-02.

Wideband ultra low noise amplifier

Номер патента: US20070216486A1. Автор: Aly Ismail,Edward Youssoufian. Владелец: Newport Media Inc. Дата публикации: 2007-09-20.

Linear amplifier using nonlinear amplifying stage

Номер патента: US09660595B2. Автор: Jong Hoon Park,Chang Kun Park. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-05-23.

NOISE CANCELING LOW-NOISE AMPLIFIER

Номер патента: US20150035602A1. Автор: Andersson Stefan,Mattisson Sven. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

SWITCH AND MATCHING NOISE CANCELLING FOR SWITCH LOW NOISE AMPLIFIER

Номер патента: US20180175805A1. Автор: Wang Chuan,Chang Li-Chung,WANG Kevin Hsi Huai,Sayilir Serkan. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-21.

High-gain broadband low-noise amplifier based on noise elimination

Номер патента: CN112583361A. Автор: 马建国,刘亚轩. Владелец: Tianjin University Marine Technology Research Institute. Дата публикации: 2021-03-30.

Re-configurable low noise amplifier utilizing capacitors for feedback

Номер патента: TW200935724A. Автор: Jae-Woo Park,Chang-sik Yoo. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2009-08-16.

Wideband ultra low noise amplifier

Номер патента: TW200737694A. Автор: Aly Ismail,Edward Youssoufian. Владелец: Newport Media Inc. Дата публикации: 2007-10-01.

Low-noise amplifier circuit including band-stop filter

Номер патента: TWI361557B. Автор: Chih Hung Chen,Shiau Wen Kao,Ming Ching Kuo. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2012-04-01.

Low-noise amplifier circuit including band-stop filter

Номер патента: TW200922117A. Автор: Chih-Hung Chen,Shiau-Wen Kao,Ming-Ching Kuo. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2009-05-16.

Multipath linear low noise amplifier

Номер патента: US09866179B1. Автор: Saeid Mehrmanesh,Marzieh Veyseh,Vahid M. Toosi. Владелец: SiTune Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Low noise amplifier and mixer

Номер патента: WO2010136862A1. Автор: Bharadwaj Amrutur,Kannan Aryaperumal Sankaragomathi. Владелец: INDIAN INSTITUTE OF SCIENCE. Дата публикации: 2010-12-02.

Low Noise Amplifier

Номер патента: US20090167440A1. Автор: Ricardo dos Santos REIS. Владелец: Chipldea Microelectronica SA. Дата публикации: 2009-07-02.

High-frequency, multistage, low-noise amplifier

Номер патента: US20230066275A1. Автор: Takaaki Yoshioka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Low noise amplifier

Номер патента: WO2012080126A1. Автор: Fenghao Mu. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2012-06-21.

Low noise amplifier

Номер патента: US12119791B2. Автор: Jarkko Jussila,Pete Sivonen. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2024-10-15.

Wideband low-noise amplifier

Номер патента: WO2022203860A1. Автор: Francesco Gatta,Alaaeldien Mohamed Abdelrazek Medra. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-29.

Wideband auxiliary input for low noise amplifiers

Номер патента: US20230291368A1. Автор: Rong Jiang,Khushali Shah. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

MULTI-PATH LOW-NOISE AMPLIFIER AND ASSOCIATED LOW-NOISE AMPLIFIER MODULE AND RECEIVER

Номер патента: US20170047956A1. Автор: Lu Ying-Tsang. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

Broadband low noise amplifier using multiple cascode stages

Номер патента: US20230030709A1. Автор: Junhyung Lee,Johannes Jacobus Emile Maria Hageraats,Rimal Deep Singh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-02-02.

Wideband low-noise amplifier

Номер патента: US11888453B2. Автор: Francesco Gatta,Alaaeldien Mohamed Abdelrazek Medra. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Wideband low-noise amplifier

Номер патента: US20220311391A1. Автор: Francesco Gatta,Alaaeldien Mohamed Abdelrazek Medra. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Method and apparatus to provide wideband low noise amplification

Номер патента: US20050280472A1. Автор: Guruprasad Revanna. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-12-22.

Method And System For Accurate Gain Adjustment Of A Transimpedance Amplifier Using A Dual Replica And Servo Loop

Номер патента: US20190109572A1. Автор: Stefan Barabas,Joseph Balardeta,Scott Denton,Simon Pang. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2019-04-11.

Method and system for accurate gain adjustment of a transimpedance amplifier using a dual replica and servo loop

Номер патента: US09768747B2. Автор: Stefan Barabas,Joseph Balardeta,Scott Denton,Simon Pang. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Method And System for Accurate Gain Adjustment Of A Transimpedance Amplifier Using A Dual Replica And Servo Loop

Номер патента: US20180026597A1. Автор: Stefan Barabas,Joseph Balardeta,Scott Denton,Simon Pang. Владелец: Luxtera LLC. Дата публикации: 2018-01-25.

Multiplexed Multi-stage Low Noise Amplifier Uses Gallium Arsenide and CMOS Dice

Номер патента: US20180278215A1. Автор: James Wang,Yuh-Min Lin,Kun-You Lin. Владелец: Kun-You Lin. Дата публикации: 2018-09-27.

Non-linear feedback circuit and low-noise amplifier using the same

Номер патента: US12088261B2. Автор: Yifan Jiang,Jiaying SONG. Владелец: Nanjing Milliway Microelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Low noise amplifier with parasitic capacitance neutralization

Номер патента: EP4266575A1. Автор: Baker Scott,George Maxim,Padmmasini Desikan,Mihai Murgulescu. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Low noise amplifier architecture for carrier aggregation receivers

Номер патента: US09831838B2. Автор: Frank Zhang,Abdellatif Bellaouar,Sherif Embabi,Sherif ABDELHALEM. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

High-gain low noise figure complementary metal oxide semiconductor amplifier with low current consumption

Номер патента: US09735737B2. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Low noise amplifier and corresponding radio frequency front-end module, method, and mobile terminal

Номер патента: US20240283414A1. Автор: Jun Zhang,Jiefu WANG. Владелец: Vanchip Tianjin Electronic Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

High frequency low noise amplifier

Номер патента: WO2007132274A2. Автор: Nandi Loganathan. Владелец: University of Bradford. Дата публикации: 2007-11-22.

High frequency low noise amplifier

Номер патента: WO2007132274A3. Автор: Nandi Loganathan. Владелец: Nandi Loganathan. Дата публикации: 2008-02-21.

Low noise amplifier with parasitic capacitance neutralization

Номер патента: US20230344392A1. Автор: Baker Scott,George Maxim,Padmmasini Desikan,Mihai Murgulescu. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Apparatus and methods for biasing of low noise amplifiers

Номер патента: GB2610911A. Автор: Liu Wei,CHOI Yunyoung,G Balteanu Florinel,Nagarajan Sachin,Tej Thoomu Kiran,Song Christopher,Davaraj Abhishekh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-03-22.

Low-noise amplifier (lna) input impedance adjustment circuit

Номер патента: EP4423907A1. Автор: Amjath Husain,Girish KOPPASSERY,Madhukar Vallabhaneni. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-04.

Low noise amplifier circuit

Номер патента: US09899968B2. Автор: Nam Heung Kim,Sung Hwan Park,Sang Hee Kim,Sang Wook Park,Sang Hoon Ha,Nack Gyun SEONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

High-gain low noise figure complementary metal oxide semiconductor amplifier with low current consumption

Номер патента: US10250191B2. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-04-02.

Low noise amplifiers

Номер патента: WO2002082639A8. Автор: Pietro Andreani,Henrik Sjoeland. Владелец: Henrik Sjoeland. Дата публикации: 2003-03-13.

Low noise amplifier

Номер патента: US09735740B2. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Multi-band low noise amplifier system

Номер патента: EP1756941A2. Автор: Chih-Ming Hung,Dirk Leipold,Yo-Chuol Ho. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Apparatus and methods for low noise amplifiers with mid-node impedance networks

Номер патента: US20200366256A1. Автор: Engin Ibrahim Pehlivanoglu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Apparatus and methods for low noise amplifiers with mid-node impedance networks

Номер патента: US20210159860A1. Автор: Engin Ibrahim Pehlivanoglu. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Positive feedback common gate low noise amplifier

Номер патента: US20120286874A1. Автор: Namsoo Kim,Joseph Patrick Burke. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Apparatus and methods for biasing of low noise amplifiers

Номер патента: US20230023111A1. Автор: WEI Liu,Florinel G. Balteanu,Sachin Nagarajan,Abhishekh Devaraj,Yunyoung Choi,Kiran Tej Thoomu,Christopher Song. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-01-26.

Compact monolithic wide band HEMT low noise amplifiers with regulated self-bias

Номер патента: US5387880A. Автор: Kevin W. Kobayashi. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1995-02-07.

Low noise amplifiers

Номер патента: WO2002082639A1. Автор: Henrik Sjöland,Pietro Andreani. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2002-10-17.

Low Noise Amplifier

Номер патента: US20170346449A1. Автор: Jun-De JIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Inductorless self-tuned input-matching low-noise amplifier with very low noise figure and gm boost

Номер патента: EP4280455A1. Автор: Mostafa Savadi Osgooei. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-11-22.

INDUCTORLESS SELF-TUNED INPUT-MATCHING LOW-NOISE AMPLIFIER WITH VERY LOW NOISE FIGURE AND Gm BOOST

Номер патента: US20230378913A1. Автор: Mostafa Savadi Osgooei. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Multi-band low noise amplifier system

Номер патента: EP1756941A4. Автор: Chih-Ming Hung,Dirk Leipold,Yo-Chuol Ho. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-08-01.

Multi-band low noise amplifier system

Номер патента: WO2005104351A2. Автор: Chih-Ming Hung,Dirk Leipold,Yo-Chuol Ho. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2005-11-03.

Area-efficient degenerative inductance for a low noise amplifier (lna)

Номер патента: US20150207482A1. Автор: ZHANG Jin,Sang Hyun Woo,Li-Chung Chang,Wingching Vincent Leung,Ehab Ahmed Sobhy Abdel Ghany. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-07-23.

Precision low-noise current mode biasing scheme for BJT with inductive emitter degeneration

Номер патента: US6271695B1. Автор: Giuseppe Gramegna,Antonio Magazzu'. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-08-07.

Low noise multi-stage type amplifier

Номер патента: CA2043103C. Автор: Nobuo Shiga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-12-17.

Method and system for linearizing an amplifier using transistor-level dynamic feedback

Номер патента: US09871491B2. Автор: Ali Mohamed Darwish. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-16.

Method and system for linearizing an amplifier using transistor-level dynamic feedback

Номер патента: US20170040954A1. Автор: Ali Mohamed Darwish. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-02-09.

Method and system for linearizing an amplifier using transistor-level dynamic feedback

Номер патента: US20190280654A1. Автор: Ali Mohamed Darwish. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-09-12.

Low-noise block

Номер патента: US20090163169A1. Автор: Kuo Tien Chang,Jia Lun Chen. Владелец: Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 2009-06-25.

Low-noise block

Номер патента: EP2073379A3. Автор: Kuo Tien Chang,Jia Lun Chen. Владелец: Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 2010-06-09.

Ultra-wideband low noise amplifier and amplification method thereof

Номер патента: US20080315957A1. Автор: Shey Shi Lu,Yu Tso Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Gain-controlled low noise amplifier means

Номер патента: WO2007135622A1. Автор: Leonardus H. M. Hesen,Edwin A. J. Beekmans. Владелец: NXP B.V.. Дата публикации: 2007-11-29.

High-linearity low noise amplifier

Номер патента: WO2010120594A2. Автор: Stewart S. Taylor,Jon S. Duster. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2010-10-21.

Low-noise amplifier and auxiliary monolithic integral circuit for this amplifier

Номер патента: RU2435292C2. Автор: Дейвид Брэдбери. Владелец: Зетекс Семикондакторс Плк. Дата публикации: 2011-11-27.

Blocking signal cancellation low noise amplifier system

Номер патента: US11888454B2. Автор: Xiaoping Wu,Liang Wu,Shiyuan Zheng,Yifu Li. Владелец: Chinese University of Hong Kong Shenzhen. Дата публикации: 2024-01-30.

Blocking signal cancellation low noise amplifier system

Номер патента: US20230353104A1. Автор: Xiaoping Wu,Liang Wu,Shiyuan Zheng,Yifu Li. Владелец: Chinese University of Hong Kong Shenzhen. Дата публикации: 2023-11-02.

Low noise amplifier circuit with multiple-input multiple-output (mimo) structure

Номер патента: US20190334488A1. Автор: Yoo Sam Na,Hyun Hwan Yoo,Hyun Jin YOO,Yoo Hwan KIM,Jong Mo LIM,Hyung Jun CHO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Variable gain low noise amplifier and method for controlling gain of variable gain low noise amplifier

Номер патента: US20230318556A1. Автор: Li Gao,Zhiming Deng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Low noise amplifier

Номер патента: US20100219890A1. Автор: Oliver Crand. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2010-09-02.

Variable gain low noise amplifier and method for controlling gain of variable gain low noise amplifier

Номер патента: EP4254789A1. Автор: Li Gao,Zhiming Deng. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-10-04.

Low-noise amplifier having programmable-phase gain stage

Номер патента: GB2576805A. Автор: Lee Junhyung,Jacobus Emile Maria Hageraats Johannes,Haeseok Cho Joshua. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Apparatus and method for high-efficiency envelope amplifier using adjustment of switch current

Номер патента: US09685912B2. Автор: Dong Su Kim,Joo Seung KIM,Bum Man Kim. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-06-20.

Apparatus and method for high-efficiency envelope amplifier using adjustment of switch current

Номер патента: US20160134246A1. Автор: Dong Su Kim,Joo Seung KIM,Bum Man Kim. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2016-05-12.

Low noise amplifier

Номер патента: GB2627020A. Автор: Wilson Paul. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Compact low noise amplifier system

Номер патента: EP4266576A1. Автор: Baker Scott,George Maxim,Padmmasini Desikan,Mihai Murgulescu. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Linear low noise amplifier

Номер патента: WO2017112209A1. Автор: Mohammad Emadi,Mazhareddin Taghivand,Amir Hossein Masnadi Shirazi Nejad,Sayed Hossein MIRI LAVASANI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-06-29.

Linear low noise amplifier

Номер патента: US20170179896A1. Автор: Mohammad Emadi,Seyed Hossein Miri Lavasani,Mazhareddin Taghivand,Amir Hossein Masnadi Shirazi Nejad. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-22.

Low noise amplifier

Номер патента: US20230155557A1. Автор: Kang Yoon Lee,Jong Wan Jo,Young Gun Pu,Behnam SAMADPOOR RIKAN. Владелец: Skaichips Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Circuits for low noise amplifiers with interferer reflecting loops

Номер патента: US09954497B2. Автор: Peter R. Kinget,Harish Krishnaswamy,Jianxun Zhu. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2018-04-24.

Gain control method for a broadband inductorless low noise amplifier

Номер патента: US09893693B2. Автор: Robert Grant Irvine,Zhihang Zhang,Ping Yin,Chengfang Liao. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Linear low noise amplifier

Номер патента: US09887678B2. Автор: Mohammad Emadi,Seyed Hossein Miri Lavasani,Mazhareddin Taghivand,Amir Hossein Masnadi Shirazi Nejad. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Low-noise amplifier for intra-band non contiguous carrier agregation

Номер патента: US09774303B1. Автор: Emre Ayranci,Shahrzad Tadjpour,Marco Garampazzi. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Compact low noise amplifier system

Номер патента: US20230344391A1. Автор: Baker Scott,George Maxim,Padmmasini Desikan,Mihai Murgulescu. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Low-noise amplifier, receiver and method in a low-noise amplifier

Номер патента: US09853607B1. Автор: Dawei Guo,Jiazhou Liu. Владелец: Beken Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Multiple output low noise amplifier circuit, chip, and electronic device

Номер патента: US11742805B2. Автор: Jun Xu,Shunfang Wu,Shawn SI. Владелец: Montage LZ Technologies Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Low-noise amplifier and electronic device

Номер патента: US20180102745A1. Автор: Saneaki Ariumi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Low-noise amplifier supporting beam-forming function and receiver including the same

Номер патента: US11855589B2. Автор: Young-Min Kim,Jae-Seung Lee,Pil-Sung JANG,Jung-seok Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Low noise amplifier and reception circuit

Номер патента: US20220278655A1. Автор: Toru Yoshioka. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Low noise amplifier and method of controlling amplifier circuit

Номер патента: US20230318540A1. Автор: Toru Yoshioka. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Low-noise amplifier supporting beam-forming function and receiver including the same

Номер патента: US20190115880A1. Автор: Young-Min Kim,Jae-Seung Lee,Pil-Sung JANG,Jung-seok Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-18.

Low-noise amplifier supporting beam-forming function and receiver including the same

Номер патента: US20200336121A1. Автор: Young-Min Kim,Jae-Seung Lee,Pil-Sung JANG,Jung-seok Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Gain control method for a broadband inductorless low noise amplifier

Номер патента: WO2014086308A1. Автор: Zhihang Zhang,Ping Yin,Chengfang Liao,RobertGrant IRVINE. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-06-12.

System and method for a low noise amplifier

Номер патента: US09866177B2. Автор: Thomas Leitner,Daniel Kehrer,Paulo Oliveira. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-09.

Compact architecture for multipath low noise amplifier

Номер патента: US12101066B2. Автор: Jonathan James Klaren. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Tunable bandpass low noise amplifier

Номер патента: EP4333295A1. Автор: Ashoke Ravi,Ofir Degani,Sashank Krishnamurthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Tunable bandpass low noise amplifier

Номер патента: US20240056120A1. Автор: Ashoke Ravi,Ofir Degani,Sashank Krishnamurthy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Gain Control Method for a Broadband Inductorless Low Noise Amplifier

Номер патента: US20180131340A1. Автор: Robert Grant Irvine,Zhihang Zhang,Ping Yin,Chengfang Liao. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2018-05-10.

System and Method for a Low Noise Amplifier

Номер патента: US20160233836A1. Автор: Thomas Leitner,Daniel Kehrer,Paulo Oliveira. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-08-11.

Compact Architecture for Multipath Low Noise Amplifier

Номер патента: US20210273616A1. Автор: Jonathan James Klaren. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Compact architecture for multipath low noise amplifier

Номер патента: EP3853996A1. Автор: Jonathan James Klaren. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2021-07-28.

Compact architecture for multipath low noise amplifier

Номер патента: WO2020060878A1. Автор: Jonathan James Klaren. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2020-03-26.

Compact Architecture for Multipath Low Noise Amplifier

Номер патента: US20230208365A1. Автор: Jonathan James Klaren. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Radio Frequency Low Noise Amplifiers

Номер патента: US20230361797A1. Автор: Matthew Miller,William Roeckner,Terrie Mccain,Ramesh Chadalawada. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Radio frequency low noise amplifiers

Номер патента: EP4272312A1. Автор: Matthew Miller,William Roeckner,Terrie Mccain,Ramesh Chadalawada. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Compact ultra-low noise high-bandwidth pixel amplifier for single-photon readout of photodetectors

Номер патента: EP1323229A2. Автор: Lester J. Kozlowski. Владелец: Innovative Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2003-07-02.

Low noise transconductance amplifiers

Номер патента: US09755678B2. Автор: Sivanendra Selvanayagam,Shane A. O'mahony,Michael J. Deeney,Niall Kevin Kearney. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-09-05.

Low-noise video amplifier

Номер патента: US3582800A. Автор: Manfred Kreuzer,Klaus Lehmann,Emil Siegel. Владелец: Fernseh GmbH. Дата публикации: 1971-06-01.

Compact ultra-low noise high-bandwidth pixel amplifier for single-photon readout of photodetectors

Номер патента: WO2002029823A3. Автор: Lester J Kozlowski. Владелец: Innovative Tech Licensing Llc. Дата публикации: 2002-07-11.

Power amplifier using multi-path common-mode feedback loop

Номер патента: EP4231524A2. Автор: Baker Scott,George Maxim,Stephen James Franck. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-08-23.

Power amplifier using multi-path common-mode feedback loop

Номер патента: EP4231524A3. Автор: Baker Scott,George Maxim,Stephen James Franck. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Gallium Arsenide Radio Frequency Circuit and Millimeter Wave Front-End Module

Номер патента: US20210257319A1. Автор: Chih-Wen Huang,Jui-Chieh CHIU,Po-Kie Tseng,Shao-Cheng Hsiao. Владелец: WIN Semiconductors Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Low noise amplifier

Номер патента: US20210203281A1. Автор: Shen Feng,Jun Xu,Mingfu Shi,Shunfang Wu,Xinwu Cai,Taibo Dong. Владелец: Montage LZ Technologies Chengdu Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Method and system for a configurable low-noise amplifier with programmable band-selection filters

Номер патента: US09887719B2. Автор: Raja Pullela,Wenjian Chen,Vamsi Paidi. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Low noise amplifier gain adaption based on a received signal strength indication of Bluetooth and WLAN signals

Номер патента: US8254866B1. Автор: Sameer Bidichandani,Ronak Anjan Chokshi. Владелец: Marvell International Ltd. Дата публикации: 2012-08-28.

System and method for providing a switchless selectable input balanced low noise amplifier

Номер патента: US09722551B1. Автор: Eugene Fischer,William Scott McKinley. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Low noise amplifier and chip

Номер патента: US09564857B2. Автор: Jingjing Tao,Xu Zhang,Ruijin Liu. Владелец: Shanghai Eastsoft Microelectronics Co ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Impedance transformation circuit and overload protection for low noise amplifier

Номер патента: US20180026592A1. Автор: Leslie Paul WALLIS. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-25.

Impedance transformation circuit and overload protection for low noise amplifier

Номер патента: US20190181815A1. Автор: Leslie Paul WALLIS. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Wideband low noise amplifier (lna) with a reconfigurable bandwidth for millimeter-wave 5g communication

Номер патента: EP3804131A1. Автор: Thomas Chen,Hua Wang,Min-Yu Huang,Taiyun CHI. Владелец: Swiftlink Technologies Inc. Дата публикации: 2021-04-14.

Wideband low noise amplifier (lna) with a reconfigurable bandwidth for millimeter-wave 5g communication

Номер патента: CA3101658A1. Автор: Thomas Chen,Hua Wang,Min-Yu Huang,Taiyun CHI. Владелец: Swiftlink Technologies Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Apparatus and method for adjusting level of low-noise amplifier (LNA), and terminal device

Номер патента: US12047102B2. Автор: Mingwei CAO. Владелец: Spreadtrum Communications Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Low noise amplifier

Номер патента: GB2624260A. Автор: Lahbib Imène,U'ren Gregory,Sow Ousmane. Владелец: X Fab France SAS. Дата публикации: 2024-05-15.

Low noise amplifier structure

Номер патента: US5861778A. Автор: Filip Marcel Louagie,Jean-Philippe Robert Cornil. Владелец: Alcatel Alsthom Compagnie Generale dElectricite. Дата публикации: 1999-01-19.

Programmable gain low noise amplifier

Номер патента: US11936346B2. Автор: Rahul Sharma,Jagannathan Venkataraman,Sandeep Oswal,Visvesvaraya Appala Pentakota. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-19.

Low noise amplifier and method for carrier aggregation and non-carrier aggregation

Номер патента: US20160065264A1. Автор: Jianxin Wu,Xiaohua Yu,Sangwon Son,Naveen Alluri. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

High linearity low noise amplifier

Номер патента: WO2004068700A9. Автор: Bo Sun. Владелец: Bo Sun. Дата публикации: 2009-04-30.

Carrier aggregation low-noise amplifier with tunable integrated power splitter

Номер патента: WO2017123363A2. Автор: Chuan Wang,Chiewcharn Narathong,Kevin Hsi Huai Wang,Mehmet Uzunkol,Prakash Thoppay Egambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-07-20.

Carrier aggregation low-noise amplifier with tunable integrated power splitter

Номер патента: WO2017123363A3. Автор: Chuan Wang,Chiewcharn Narathong,Kevin Hsi Huai Wang,Mehmet Uzunkol,Prakash Thoppay Egambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-08-17.

Cross-coupled low noise amplifier for cellular applications

Номер патента: US20090102562A1. Автор: Hooman Darabi,Yuyu Chang. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Low noise amplifier

Номер патента: US7495514B2. Автор: Da-Rong Huang,Huey-Ru Chuang,Yuan-Kai Chu. Владелец: NCKU Research and Development Foundation. Дата публикации: 2009-02-24.

Radio frequency signal splitting with differential filter and low noise amplifiers

Номер патента: US20240106476A1. Автор: David Richard Pehlke. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Low noise amplifier

Номер патента: US20240154576A1. Автор: Imène Lahbib,Ousmane SOW,Gregory U’REN. Владелец: X Fab France SAS. Дата публикации: 2024-05-09.

Wideband low noise amplifier (lna) with a reconfigurable bandwidth for millimeter-wave 5g communication

Номер патента: US20190372533A1. Автор: Thomas Chen,Hua Wang,Min-Yu Huang,Taiyun CHI. Владелец: Speedlink Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Multiple multi-mode low-noise amplifier receiver with shared degenerative inductors

Номер патента: WO2010141908A1. Автор: Marco Cassia,Aleksandar M. Tasic. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2010-12-09.

Input Third Order Intercept Point in Low Noise Amplifier with Degeneration Tank Circuit

Номер патента: US20190288649A1. Автор: Michael P. Gaynor. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Low Noise Amplifiers and Monolithic Microwave Integrated Circuits

Номер патента: KR970060674A. Автор: 케빈 더블유 고바야시. Владелец: 윌리엄 이. 갈라스. Дата публикации: 1997-08-12.

Method for configuring low-noise integrated amplifier circuits

Номер патента: US6504434B2. Автор: Stéphane CATALA. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-07.

Method for configuring low-noise integrated amplifier circuits

Номер патента: US20020125953A1. Автор: Stephene Catala. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Low noise switching voltage regulator

Номер патента: WO2004036331A3. Автор: Jaleh Komaili,Chris Levesque,Jason D Millard. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2004-11-04.

Low noise switching voltage regulator

Номер патента: WO2004036331A2. Автор: Jaleh Komaili,Chris Levesque,Jason D. Millard. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2004-04-29.

Low noise switching voltage regulator

Номер патента: EP1552618A2. Автор: Jaleh Komaili,Chris Levesque,Jason D. Millard. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-13.

Low noise switching voltage regulator

Номер патента: EP1552618A4. Автор: Jaleh Komaili,Chris Levesque,Jason D Millard. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2008-03-19.

Low-noise differential bias circuit and differential signal processing apparatus

Номер патента: EP1557949A1. Автор: Toshifumi Nakatani,Jyunji Itoh,Shinichi Osako. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-27.

Low-noise josephson junction-based directional amplifier

Номер патента: US20190190474A1. Автор: Baleegh ABDO,Luigi FRUNZIO,Michel Devoret,Robert J. Schoelkopf, Iii,Katrina SLIWA. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-06-20.

Low-noise josephson junction-based directional amplifier

Номер патента: CA2927326C. Автор: Baleegh ABDO,Luigi FRUNZIO,Michel Devoret,Katrina SLIWA,Robert John Schoelkopf, Iii. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-27.

Circuit to achieve low noise figure

Номер патента: US3973214A. Автор: William A. Rheinfelder. Владелец: Alpha Engineering Corp. Дата публикации: 1976-08-03.

Low noise, low power, high linearity differential amplifier with a capacitive input impedance

Номер патента: US7592870B2. Автор: Hassan Elwan,Dejun Wang. Владелец: Newport Media Inc. Дата публикации: 2009-09-22.

Power amplifier with low noise figure and voltage variable gain

Номер патента: WO2011131625A1. Автор: Pascal Roux,Muriel Gohn,Yves Baeyens. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2011-10-27.

Low noise receiving apparatus

Номер патента: US20090298455A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-03.

Low noise switching voltage regulator

Номер патента: EP1552618B1. Автор: Jaleh Komaili,Chris Levesque,Jason D. Millard. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2011-05-11.

Settling time reduction for low noise amplifier

Номер патента: US09755595B1. Автор: Saihua LIN. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Low-noise amplifier

Номер патента: WO2013113636A2. Автор: Stefan Andersson,Sven Mattisson. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2013-08-08.

Cryogenic low-noise microwave amplifier

Номер патента: RU209911U1. Автор: Алексей Геннадьевич Вострецов,Дмитрий Игоревич Вольхин,Илья Леонидович Новиков. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Образования "Новосибирский Государственный Технический Университет". Дата публикации: 2022-03-23.

High gain, impedance matching low noise rf amplifier circuit

Номер патента: EP1099301A1. Автор: Thomas Byunghak Cho. Владелец: Level One Communications Inc. Дата публикации: 2001-05-16.

Variable gain low noise amplifier

Номер патента: US6933779B2. Автор: Tae Wook Kim,Kwyro Lee. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2005-08-23.

Method and apparatus for controlling and maintaining a tower top low noise amplifier

Номер патента: US6560465B1. Автор: Dong-Soo Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-05-06.

Multi-band low noise amplifier

Номер патента: US20040232993A1. Автор: En-Hsiang Yeh. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2004-11-25.

Gallium arsenide buffer amplifier

Номер патента: RU2766868C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Алексей Евгеньевич Титов,Владислав Евгеньевич Чумаков,Алексей Вадимович Кунц. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-16.

Single-Ended Input to Differential-Ended Output Low Noise Amplifier Implemented with Cascode and Cascade Topology

Номер патента: US20070188238A1. Автор: Tsyr-Shyang Liou,Chih-Wei Chen,Jiong-Guang Su,Shao-Hua Chen,Ja-Hao Chen,Han-Hau Wu. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-16.

Dual gain amplification low noise amplifier

Номер патента: WO2003063345A2. Автор: Jonathan Cheah,Eng Chuan Low. Владелец: Microtune (Texas), L.P.. Дата публикации: 2003-07-31.

Parallelized low noise amplifiers for a quantum computer

Номер патента: US20230268890A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Pier Andrea Francese,Marcel A. Kossel,Mridula Prathapan,Bogdan Cezar Zota. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Parallelized low noise amplifiers for a quantum computer

Номер патента: WO2023156515A1. Автор: Peter Mueller,Thomas Morf,Pier Andrea Francese,Mridula Prathapan,Bogdan Cezar Zota,Marcel Kossel. Владелец: IBM Deutschland GmbH. Дата публикации: 2023-08-24.

Method and device using ccd-based low noise parametric amplifier

Номер патента: EP1759526A2. Автор: Ed Wuori,Frank John Bohac, Jr.. Владелец: Transoma Medical Inc. Дата публикации: 2007-03-07.

Method and device using ccd-based low noise parametric amplifier

Номер патента: CA2568503A1. Автор: Ed Wuori,Frank John Bohac, Jr.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Modular low noise preamplifier

Номер патента: CA1069189A. Автор: Orest Z. Bluy,Harold M. Merklinger. Владелец: Minister of National Defence of Canada. Дата публикации: 1980-01-01.

Wide-band low noise amplifier

Номер патента: KR100998758B1. Автор: 장승현,이승식,최상성,박봉혁. Владелец: 한국전자통신연구원. Дата публикации: 2010-12-07.

Device and control method of base station using low noise amplifying device of tower top

Номер патента: KR100203568B1. Автор: 이상근,조형식. Владелец: 한솔피씨에스주식회사. Дата публикации: 1999-06-15.

Low-noise source

Номер патента: US8014967B2. Автор: Todd Wangsness,Eugene Rzyski. Владелец: OMNIPHASE RESEARCH LABORATORIES Inc. Дата публикации: 2011-09-06.

Low-noise source

Номер патента: EP2069812A2. Автор: Todd Wangsness,Eugene Rzyski. Владелец: OMNIPHASE RESEARCH LABORATORIES Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Low noise trans-impedance amplifier

Номер патента: US11996807B2. Автор: Jiazhou Liu,Haiyan Zhou,Ronghui Kong. Владелец: Beken Corp. Дата публикации: 2024-05-28.

Low noise trans-impedance amplifier

Номер патента: US20230318535A1. Автор: Jiazhou Liu,Haiyan Zhou,Ronghui Kong. Владелец: Beken Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Dual op amp IC with single low noise op amp configuration

Номер патента: US20070252652A1. Автор: Derek Bowers. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Low-noise millimeter-wave fractional-n frequency synthesizer

Номер патента: US20230387925A1. Автор: Zheng Wang,Yao XIAO,Qian Xie,Xinlin GENG,Zonglin YE. Владелец: Univ Electronic Science And Technology Of China. Дата публикации: 2023-11-30.

Low-noise transmitter system and method

Номер патента: US20050046475A1. Автор: David Sobel,Augustine Kuo. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Method and circuit for low-noise reference signal generation

Номер патента: US20190158065A1. Автор: Sung-Han Wen,Chuan-Hung Hsiao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Apparatus for controlling modulation of an alternating waveform on a DC voltage signal within a low-noise block controller

Номер патента: US20060152278A1. Автор: Scott Woodford. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

Apparatus for controlling modulation of an alternating waveform on a DC voltage signal within a low-noise block controller

Номер патента: US7239201B2. Автор: Scott Allan Woodford. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2007-07-03.

Class-D power amplifier nested inside low-noise differential op-amp feedback loop

Номер патента: US10340859B2. Автор: Sebastiaan DE VRIES. Владелец: Tymphany Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2019-07-02.

Low noise amplifier

Номер патента: US20190074802A1. Автор: Jose Silva-Martinez,Chadi Daher GEHA,Cam V. NGUYEN. Владелец: Qatar Foundation for Education Science and Community Development. Дата публикации: 2019-03-07.

Low noise amplifier

Номер патента: WO2017072533A1. Автор: Jose Silva-Martinez,Chadi Daher GEHA,Cam V. NGUYEN. Владелец: Hoarton, Lloyd. Дата публикации: 2017-05-04.

Dual-band low noise amplifier

Номер патента: US09692368B2. Автор: Anup Savla,Saihua LIN,Mounir Youssef Bohsali. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Low noise amplifier circuit for a thermal varying resistance

Номер патента: US11894810B2. Автор: Paolo Pulici,Mattia Fausto Moretti,Alessio Facen. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-02-06.

RECONFIGURABLE BROADBAND AND NOISE CANCELLATION LOW NOISE AMPLIFIER (LNA) WITH INTRA-CARRIER AGGREGATION (CA) CAPABILITY

Номер патента: US20200106394A1. Автор: CHOKSI Ojas,THOPPAY EGAMBARAM Prakash. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-02.

High linearity low noise amplifier

Номер патента: US20220045650A1. Автор: Ahmed Emira,Mostafa Elmala,Mohamed Aboudina. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Pi-coupled low-noise amplifier

Номер патента: US3641452A. Автор: Willie L Steed. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-02-08.

Low-noise amplifier and the method that single ended signal is enlarged into differential output signal using low-noise amplifier

Номер патента: CN104796101B. Автор: 白洪全. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2018-04-10.

Enhanced low noise amplifier

Номер патента: WO2007069060A2. Автор: Jonas Jonsson,Martin Sanden. Владелец: Dibcom. Дата публикации: 2007-06-21.

Resistive wideband low noise amplifier with noise canceller

Номер патента: KR102262208B1. Автор: 최광석. Владелец: 조선대학교 산학협력단. Дата публикации: 2021-06-07.

Low noise amplifier using common gate amplifer sturcture

Номер патента: KR101128830B1. Автор: 박현규,이지영,윤태열. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-03-23.

Low noise amplifier and method for amplifying input signal

Номер патента: CN115708313A. Автор: A·赫比,奥努尔·卡赞科. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-02-21.

Low-noise amplifier control circuit therefor and a mobile communication terminal

Номер патента: GB2335558B. Автор: Akihiro Kirisawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-05-10.

Apparatus and methods for biasing of low noise amplifiers

Номер патента: GB202408974D0. Автор: . Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Apparatus and methods for biasing of low noise amplifiers

Номер патента: GB2610911B. Автор: Liu Wei,CHOI Yunyoung,G Balteanu Florinel,Nagarajan Sachin,Tej Thoomu Kiran,Song Christopher,Davaraj Abhishekh. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Low-noise amplifier control circuit therefor and a mobile communication terminal

Номер патента: GB9906290D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-05-12.

Method and apparatus for realizing a low noise amplifier

Номер патента: EP1678819A1. Автор: Robert Ian Gresham,Alan Jenkins,Ratana Wohlert. Владелец: MA Com Inc. Дата публикации: 2006-07-12.

Method and apparatus for realizing a low noise amplifier

Номер патента: WO2005039040A1. Автор: Robert Ian Gresham,Alan Jenkins,Ratana Wohlert. Владелец: M/A-Com, Inc.. Дата публикации: 2005-04-28.

Dual stage low noise amplifier for multiband receiver

Номер патента: US09755591B2. Автор: Chuan Wang,Dongling Pan,Wing Fat Andy Lau,Jorge Andres Garcia,David Zixiang YANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Dual stage low noise amplifier for multiband receiver

Номер патента: US20160373075A1. Автор: Chuan Wang,Dongling Pan,Wing Fat Andy Lau,Jorge Andres Garcia,David Zixiang YANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-22.

MATCHING CIRCUIT FOR LOW NOISE AMPLIFIER AND LOW NOISE AMPLIFIER COMPRISING SUCH A CIRCUIT

Номер патента: US20180076777A1. Автор: HOFHEINZ Max,JEBARI Salha. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

Dual stage low noise amplifier for multiband receiver

Номер патента: EP3195482A1. Автор: Chuan Wang,Zixiang Yang,Dongling Pan,Wing Fat Andy Lau,Jorge Andres Garcia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-26.

Ultrawideband Very Low Noise Amplifier With Noise Reduction And Current Reuse

Номер патента: US20190207563A1. Автор: Robert Bogdan Staszewski,Amirhossein Ansari Bozorg. Владелец: Short Circuit Technologies LLC. Дата публикации: 2019-07-04.

Wideband low noise amplifier with noise cancellation

Номер патента: US10715088B1. Автор: Timothy R. LaRocca,Manouchehr Ghanevati. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2020-07-14.

Wideband low noise amplifier with noise cancellation

Номер патента: WO2020222969A1. Автор: Timothy R. LaRocca,Manouchehr Ghanevati. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2020-11-05.

High-linearity low noise amplifier

Номер патента: TW201136144A. Автор: Stewart S Taylor,Jon S Duster. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2011-10-16.

Low noise amplifier

Номер патента: GB201022115D0. Автор: . Владелец: Genasic Design Systems Ltd. Дата публикации: 2011-02-02.

Transmitter using gallium arsenide fet with means for controlling gate bias voltage of the fet for suppressing undesired signal at a start condition of the transmitter

Номер патента: CA2008594C. Автор: Tatsuru Kojima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-01-04.

Low noise amplifier

Номер патента: US20070105523A1. Автор: Tadahiro Ohmi,Shigetoshi Sugawa,Hiroshi Miyagi,Akinobu Teramoto,Takefumi Nishimuta. Владелец: Nigata Semitsu Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-10.

Push-pull low noise amplifier with variable gain, push-pull low noise amplifier with common gate bias circuit and amplifier with auxiliary matching

Номер патента: US20120154045A1. Автор: Yu-Hsin Lin,Ming-Da Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Versatile low noise amplifier and method therefor

Номер патента: US20230060050A1. Автор: Onur KAZANC,Alexander Heubi,Noureddine Senouci. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-02-23.

Millimeter-wave fully-integrated full duplexer modules with and without internal low noise amplifier and power amplifier for 5G applications

Номер патента: US12074830B2. Автор: Cam V. NGUYEN,Meng-Jie Hsiao. Владелец: TEXAS A&M UNIVERSITY SYSTEM. Дата публикации: 2024-08-27.

Multi-path low-noise amplifier and associated low-noise amplifier module and receiver

Номер патента: US09859930B2. Автор: Ying-Tsang Lu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Low-noise amplifier with low-loss bypass mode

Номер патента: US20180062231A1. Автор: Haki Cebi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Low noise amplifiers with combined outputs

Номер патента: US12081243B2. Автор: Gurkanwal Singh Sahota,Aristotele Hadjichristos. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Multichannel ultra-low noise amplifier

Номер патента: US20170332973A1. Автор: Dominique M. Durand. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-23.

Low noise amplifier protection

Номер патента: EP3665783A1. Автор: Jun Ji,Lihuan CHEN,Sumin YUAN. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2020-06-17.

Low noise amplifiers with low noise figure

Номер патента: US20210218373A1. Автор: Kai Jiang,Gregory Edward Babcock,Haoran YU,Sanjeev Jain,Nan Sen Lin,Hassan SARBISHAEI. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Low noise amplifiers with low noise figure

Номер патента: US11923808B2. Автор: Kai Jiang,Gregory Edward Babcock,Haoran YU,Sanjeev Jain,Nan Sen Lin,Hassan SARBISHAEI. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Low-noise amplifier supporting beam-forming function and receiver including the same

Номер патента: US20240080002A1. Автор: Young-Min Kim,Jae-Seung Lee,Pil-Sung JANG,Jung-seok Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Low noise amplifiers with low noise figure

Номер патента: US20240171128A1. Автор: Kai Jiang,Gregory Edward Babcock,Haoran YU,Sanjeev Jain,Nan Sen Lin,Hassan SARBISHAEI. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Current-efficient low noise amplifier (lna)

Номер патента: WO2015123368A1. Автор: Muhammad Hassan,Chuan Wang,Klaas Van Zalinge,Dongling Pan,Yiwu Tang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-08-20.

Current-efficient low noise amplifier (lna)

Номер патента: EP3105851A1. Автор: Muhammad Hassan,Chuan Wang,Klaas Van Zalinge,Dongling Pan,Yiwu Tang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-21.

Low noise amplifier and notch filter

Номер патента: EP3342051A1. Автор: Li-Chung Chang,Milad Darvishi,Hajir HEDAYATI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-07-04.

Low noise amplifier and notch filter

Номер патента: WO2017034724A1. Автор: Li-Chung Chang,Milad Darvishi,Hajir HEDAYATI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-02.

Pseudomorphic high electron mobility transistor, low noise amplifier, and related apparatus

Номер патента: US20240332412A1. Автор: TENG Teng,Xiaomin ZHOU,Jie Yu,Minglang YU,Jianwei Ye,Yusi XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Pseudomorphic high electron mobility transistor, low-noise amplifier and related device

Номер патента: EP4451341A1. Автор: TENG Teng,Xiaomin ZHOU,Jie Yu,Minglang YU,Jianwei Ye,Yusi XU. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Low noise amplifier and notch filter

Номер патента: US09692470B2. Автор: Li-Chung Chang,Milad Darvishi,Hajir HEDAYATI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Gallium arsenide power amplifier output stage

Номер патента: RU2767976C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Илья Викторович Пахомов,Алексей Андреевич Жук,Алексей Арсеньевич Павлючик. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Донской государственный технический университет» (ДГТУ). Дата публикации: 2022-03-22.

Multi-path low-noise amplifier and associated low-noise amplifier module and receiver

Номер патента: US20170047956A1. Автор: Ying-Tsang Lu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-02-16.

Multi-path low-noise amplifier and associated low-noise amplifier module and receiver

Номер патента: EP3131205A3. Автор: Ying-Tsang Lu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-03-22.

Low noise amplifiers with combined outputs

Номер патента: EP2745407A1. Автор: Gurkanwal Singh Sahota,Aristotele Hadjichristos. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-06-25.

Dual reactive shunt low noise amplifier

Номер патента: US20090021295A1. Автор: Stewart S. Taylor,Chang-Tsung Fu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Large gain range, high linearity, low noise MOS VGA

Номер патента: US7132888B2. Автор: Arya R. Behzad. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-11-07.

Techniques for managing a shared low noise amplifier automatic gain control in dual sim dual active deployments

Номер патента: EP4315603A1. Автор: Reza Shahidi,Thawatt Gopal,Tsai-Chen Huang,Ketan HUMNABADKAR,Rimal PATEL,Vineet Cherian. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Low noise amplifier and notch filter

Номер патента: US20170063414A1. Автор: Li-Chung Chang,Milad Darvishi,Hajir HEDAYATI. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-02.

Low noise amplifier saturation mitigation

Номер патента: EP4381632A1. Автор: Tao Luo,Peter Gaal,Junyi Li,Navid Abedini,Igor Gutman. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Gallium arsenide differential amplifier with closed loop bias stabilization

Номер патента: US4616189A. Автор: M. Louis Pengue, Jr.. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 1986-10-07.

Optical differential low-noise receivers and related methods

Номер патента: US20200228077A1. Автор: Michael Gould,Nicholas C. HARRIS,Omer Ozgur Yildirim. Владелец: Lightmatter Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Low noise analog electronic circuit design for recording peripheral nerve activity

Номер патента: US09662025B2. Автор: Ranu Jung,Adeline Zbrzeski. Владелец: Florida International University FIU. Дата публикации: 2017-05-30.

Nmos amplifier using unimplanted transistors

Номер патента: CA1161965A. Автор: Ian A. Young. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1984-02-07.

Low-noise switched-capacitor circuit

Номер патента: US20240235569A1. Автор: Jesper Steensgaard-Madsen. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Low-noise switched-capacitor circuit

Номер патента: US12015420B2. Автор: Jesper Steensgaard-Madsen. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Low noise broadband amplifier with resistive matching

Номер патента: WO2019215502A4. Автор: Andrew Terry. Владелец: Morse Micro Pty Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Quadrature output low noise transconductance amplifier having differential input

Номер патента: EP2263310A1. Автор: Russell Fagg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-12-22.

Quadrature output low noise transconductance amplifier having differential input

Номер патента: WO2009117713A1. Автор: Russell Fagg. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2009-09-24.

Quadrature output low noise transconductance amplifier having differential input

Номер патента: EP2263310B1. Автор: Russell Fagg. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-09-07.

Broadband, upper sideband terminated, low-noise parametric amplifier

Номер патента: US3992675A. Автор: Edward C. Niehenke,Aldo E. Linsenbardt. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1976-11-16.

Low-noise microwave amplifier utilizing superconductor-insulator-superconductor junction

Номер патента: US10680567B2. Автор: Takafumi Kojima,Yoshinori Uzawa. Владелец: Inter University Research Institute Corp National Institutes Oe Natural Sciences. Дата публикации: 2020-06-09.

Low noise binary-coded gain amplifier and method for time-gain compensation in medical ultrasound imaging

Номер патента: US7948315B2. Автор: Lazar A. Shifrin. Владелец: Supertex LLC. Дата публикации: 2011-05-24.

Photodiode circuit using a low noise artificial load resistor

Номер патента: US4352982A. Автор: Robert L. Forward,Gary D. Thurmond. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1982-10-05.

Optical differential low-noise receivers and related methods

Номер патента: US20220085777A1. Автор: Michael Gould,Nicholas C. HARRIS,Omer Ozgur Yildirim. Владелец: Lightmatter Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Low noise readout interface for capacitive sensors with negative capacitance

Номер патента: US20230408564A1. Автор: Stefano Valle,Tomasz E. Hanzlik. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Low-noise switched-capacitor circuit

Номер патента: US20220052704A1. Автор: Jesper Steensgaard-Madsen. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Low-noise switched-capacitor circuit

Номер патента: US20230378968A1. Автор: Jesper Steensgaard-Madsen. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Low-noise switched-capacitor circuit

Номер патента: US20220368339A1. Автор: Jesper Steensgaard-Madsen. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2022-11-17.

Low noise broadband amplifier with resistive matching

Номер патента: EP3791471A1. Автор: Andrew Terry. Владелец: Morse Micro Pty Ltd. Дата публикации: 2021-03-17.

Low noise broadband amplifier with resistive matching

Номер патента: AU2019266400A1. Автор: Andrew Terry. Владелец: Morse Micro Pty Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Low noise broadband amplifier with resistive matching

Номер патента: WO2019215502A1. Автор: Andrew Terry. Владелец: Morse Micro Pty Ltd. Дата публикации: 2019-11-14.

Low noise broadband amplifier with resistive matching

Номер патента: AU2019266400B2. Автор: Andrew Terry. Владелец: Morse Micro Pty Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Power supply for limited power sources and audio amplifier using power supply

Номер патента: US20090016549A1. Автор: John B. French,Andrew John Mason. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-15.

Automatically gain controllable linear differential amplifier using variable degeneration resistor

Номер патента: US20030102916A1. Автор: Yong-Sik Youn,Nam-Soo Kim,Sang-Gug Lee,Hyun Yu,Seong-Do Kim,Seon-Ho Han,Mun Park. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2003-06-05.

Low noise amplifier

Номер патента: WO2024161100A1. Автор: Paul Wilson. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Limited. Дата публикации: 2024-08-08.

Noise canceling low-noise amplifier

Номер патента: US20150035602A1. Автор: Stefan Andersson,Sven Mattisson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2015-02-05.

Low-noise amplifier (lna) with capacitive attenuator

Номер патента: US20180198428A1. Автор: Hasnain Lakdawala,Bassel Hanafi,Sherif ABDELHALEM. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-07-12.

Low noise amplifier with reactive feedback

Номер патента: WO2018033743A1. Автор: Kristian Granhaug,Sumit Bagga. Владелец: Gardiner, Stephen. Дата публикации: 2018-02-22.

Low noise amplifier with reactive feedback

Номер патента: EP3501101A1. Автор: Kristian Granhaug,Sumit Bagga. Владелец: Novelda AS. Дата публикации: 2019-06-26.

Low noise amplifier for carrier aggregation and apparatus including the same

Номер патента: US09917614B1. Автор: Byoung-Joong KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-13.

Scaleable RF tuned low noise amplifier

Номер патента: US09819315B2. Автор: Anthony Kresimir STAMPALIA. Владелец: Sunrise Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Low noise amplifier circuit

Номер патента: US09948248B2. Автор: Jarkko Jussila,Pete Sivonen,Sami Vilhonen. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2018-04-17.

Low noise amplifier with reactive feedback

Номер патента: US20190356280A1. Автор: Kristian Granhaug,Sumit Bagga. Владелец: Novelda AS. Дата публикации: 2019-11-21.

Tunable radio frequency low noise amplifier

Номер патента: WO2015014303A1. Автор: William Roeckner,Terrie Mccain,Lawrence Connell. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-02-05.

Tunable radio frequency low noise amplifier

Номер патента: US09705545B2. Автор: William Roeckner,Terrie Mccain,Lawrence Connell. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

LOW NOISE AMPLIFIER AND SAW-LESS RECEIVER WITH LOW-NOISE AMPLIFIER

Номер патента: US20130314160A1. Автор: Tsai Ming-Da,Liao Chih-Fan. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2013-11-28.

Low noise amplifier and saw-less receiver with low-noise amplifier

Номер патента: US8725105B2. Автор: Ming-Da Tsai,Chih-Fan Liao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2014-05-13.

Low noise amplifier circuit

Номер патента: US20230361723A1. Автор: Jarkko Jussila,Pete Sivonen,Sami Vilhonen. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-11-09.

Amplification circuit, apparatus for amplifying, low noise amplifier, radio receiver, mobile terminal, base station, and method for amplifying

Номер патента: US20200036349A1. Автор: Herbert Stockinger,Ashkan Naeini,Robert Kostack. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Low noise amplifier for wideband and method for amplifying RF signal using the amplifier

Номер патента: CN1893261A. Автор: 柳载永,姜贤求,金大渊,孙周浩,李廷浩. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-10.

Amplifying circuit, low-noise amplifier, the apparatus and method for being amplified

Номер патента: CN107493078A. Автор: 阿什坎·纳伊尼,罗伯特·科斯塔克,赫伯特·施托金格. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Radio frequency low noise amplifier load circuit

Номер патента: WO2014139376A1. Автор: Matthew Miller,William Roeckner,Terrie Mccain,Lawrence Connell. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-09-18.

Low noise amplifier using load line having negative resistance structure

Номер патента: KR101204162B1. Автор: 임원규,이지영,최승운,윤태열. Владелец: 한국항공우주연구원. Дата публикации: 2012-11-22.

Low noise amplifier with noise cancellation

Номер патента: JP2022531283A. Автор: ガネヴァティ、マヌーチェフル,ラロッカ、ティモシー、アール．,エム．トリペット、ジョン. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

Low noise amplifier using differential superposition circuit

Номер патента: KR102113922B1. Автор: 김정현,윤태열,임창우. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-05-28.

Low noise amplifier with noise cancellation

Номер патента: EP3963714A1. Автор: John M. Trippett,Timothy R. LaRocca,Manouchehr Ghanevati. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2022-03-09.

Gain Control Apparatus of Low Noise Amplifier Using Detection of FM RSSI and Method Therefor

Номер патента: KR101232096B1. Автор: 이동훈. Владелец: 주식회사 마이크로알에프. Дата публикации: 2013-02-12.

Wide-band single-ended-to-differential low-noise amplifier using complementary push-pull structure

Номер патента: US9444410B1. Автор: Renjie Zhou,Xiang Guan. Владелец: Altobeam Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Low noise amplifier

Номер патента: US09559644B2. Автор: Baker Scott,Dirk Robert Walter Leipold,George Maxim,Ralph Christopher Nieri. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Noise canceling low-noise amplifier

Номер патента: WO2013113637A1. Автор: Stefan Andersson,Sven Mattisson. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2013-08-08.

Cross-connected cascode low noise amplifier for carrier aggregation

Номер патента: US20150351131A1. Автор: Sang Hyun Woo,Li-Chung Chang,Wingching Vincent Leung. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-03.

Cross-connected cascode low noise amplifier for carrier aggregation

Номер патента: WO2015183569A1. Автор: Sang Hyun Woo,Li-Chung Chang,Wingching Vincent Leung. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-12-03.

Radio frequency low noise amplifier with on-chip matching and built-in tunable filter

Номер патента: US09712195B2. Автор: Cheng-han WANG,Jesse Aaron RICHMOND,Jin-Su Ko,Conor Donovan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

AMPLIFICATION CIRCUIT, APPARATUS FOR AMPLIFYING, LOW NOISE AMPLIFIER, RADIO RECEIVER, MOBILE TERMINAL, BASE STATION, AND METHOD FOR AMPLIFYING

Номер патента: US20170359040A1. Автор: Stockinger Herbert,Naeini Ashkan,Kostack Robert. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Merged low-noise amplifier and balun

Номер патента: WO2008068141A1. Автор: Henrik Sjöland. Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2008-06-12.

Merged low-noise amplifier and balun

Номер патента: EP2087549A1. Автор: Henrik Sjöland. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2009-08-12.

FAST SWITCHING POWER AMPLIFIER, LOW NOISE AMPLIFIER, AND RADIO FREQUENCY SWITCH CIRCUITS

Номер патента: US20170163226A1. Автор: Gorbachov Oleksandr,Zhang Lisette L.,MUSIOL LOTHAR. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

NON-LINEAR FEEDBACK CIRCUIT AND LOW-NOISE AMPLIFIER USING THE SAME

Номер патента: US20210399696A1. Автор: Jiang Yifan,SONG Jiaying. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-23.

LOW NOISE AMPLIFIER WITH NOISE CANCELLATION

Номер патента: US20200350870A1. Автор: Ghanevati Manouchehr,LaRocca Timothy R.,Trippett John M.. Владелец: . Дата публикации: 2020-11-05.

Low noise amplifier and gain control circuit for amplifier

Номер патента: KR101145347B1. Автор: 이원태,정지채. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-05-14.

Low noise-low distortion HEMT low noise amplifier (LNA) with monolithic tunable HBT active feedback

Номер патента: EP0785617A2. Автор: Kevin W. Kobayashi. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1997-07-23.

Self-biasing, low noise amplifier of extended dynamic range

Номер патента: US5097224A. Автор: Michael J. Wurtz,Peter L. Madaffari. Владелец: Telex Communications Inc. Дата публикации: 1992-03-17.

Noise canceling low-noise amplifier

Номер патента: MY167850A. Автор: Stefan Andersson,Sven Mattisson. Владелец: Ericsson Telefon Ab L M. Дата публикации: 2018-09-26.

Wideband low noise amplifier (lna) with a reconfigurable bandwidth for millimeter-wave 5g communication

Номер патента: EP3804131A4. Автор: Thomas Chen,Hua Wang,Min-Yu Huang,Taiyun CHI. Владелец: Swiftlink Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-02.

Multi-band low-noise amplifier

Номер патента: TW200428755A. Автор: Ming-Ching Kuo,Shin-Fu Chen,June-Ming Hsu,Tz-Heng Fu. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2004-12-16.

COMPARATOR HAVING A HIGH-SPEED AMPLIFIER AND A LOW-NOISE AMPLIFIER

Номер патента: US20180097487A1. Автор: JR. Michael A.,Ashburn,Shabra Ayman. Владелец: MEDIATEK INC.. Дата публикации: 2018-04-05.

Low noise amplifier circuit and amplifying method therof

Номер патента: KR102026557B1. Автор: 배준성. Владелец: 강원대학교산학협력단. Дата публикации: 2019-09-27.

High performance tunable filter using gallium arsenide

Номер патента: WO2022010576A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-01-13.

High performance tunable filter using gallium arsenide

Номер патента: EP4179624A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Low noise oscillator

Номер патента: CA1261411A. Автор: Larry R. Lockwood. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1989-09-26.

Low-noise amplifier with reversible amplification in a cascode circuit

Номер патента: US5459433A. Автор: Josef Fenk,Siegfried Ganser. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1995-10-17.

Low Noise Amplifier Tuner

Номер патента: KR970031275A. Автор: 권시영. Владелец: 삼성전기 주식회사. Дата публикации: 1997-06-26.

Low-noise sigma-delta analog-to-digital converter

Номер патента: US6160506A. Автор: Leopold Ernest Pellon. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2000-12-12.

Gallium arsenide depletion made MESFIT logic cell

Номер патента: US4965863A. Автор: Seymour R. Cray. Владелец: Cray Computer Corp. Дата публикации: 1990-10-23.

Techniques for managing a shared low noise amplifier automatic gain control in dual sim dual active deployments

Номер патента: US20220312347A1. Автор: Reza Shahidi,Thawatt Gopal,Tsai-Chen Huang,Ketan HUMNABADKAR,Rimal PATEL,Vineet Cherian. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Low noise variable gain amplifier utilizing variable feedback techniques with constant input/output impedance

Номер патента: US09853616B2. Автор: Jean-Marc Mourant,Feng-Jung Huang. Владелец: Integrated Device Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Logic circuit including combined pass transistor and CMOS circuits and a method of synthesizing the logic circuit

Номер патента: US20020180486A1. Автор: Kazuo Yano,Shunzo Yamashita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Low-noise arrangement for very-large-scale integration differential input/output structures

Номер патента: US20160134262A1. Автор: Robert P. Masleid,Laura Kocubinski,Eben Kunz,Donald Arthur Draper. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Low-noise microwave generator

Номер патента: RU2758283C1. Автор: Александр Сергеевич Котов,Анатолий Васильевич Поляков,Сергей Викторович Тимошенко,Евгения Александровна Гришина. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-10-28.

Network for simulating low-noise-temperature resistors

Номер патента: US4176331A. Автор: Robert L. Forward,Gary D. Thurmond. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1979-11-27.

Low noise synthesiser

Номер патента: WO2003052937A1. Автор: David Paul Owen,Adrian Mark Jones. Владелец: Ifr Limited. Дата публикации: 2003-06-26.

Low noise synthesiser

Номер патента: EP1456953A1. Автор: David Paul Owen,Adrian Mark Jones. Владелец: IFR Ltd. Дата публикации: 2004-09-15.

Techniques for generating multiple low noise reference voltages

Номер патента: US20200036366A1. Автор: Gaurav Gupta,Arthur J. Kalb. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2020-01-30.

Low noise logic gate

Номер патента: US20010052799A1. Автор: Daren Allee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-20.

Low noise current steering dac

Номер патента: US20100253561A1. Автор: Samala Sreekiran,Vineet Mishra. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Ultra-low-noise quartz oscillator

Номер патента: RU2748218C1. Автор: Алексей Валерьевич Голубев,Александр Александрович Добровольский,Олег Алексеевич Борисенко. Владелец: Алексей Валерьевич Голубев. Дата публикации: 2021-05-21.

Low noise frequency synthesizer using half integer dividers and analog gain compensation

Номер патента: CA2093252C. Автор: Keith P. Arnold,Joel C. Blumke. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1996-08-06.

Integrated circuit and method for low noise frequency synthesis

Номер патента: US6107891A. Автор: Bruce H. Coy. Владелец: Applied Micro Circuits Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Microwave frequency synthesizer using plural switchable low noise oscillators

Номер патента: US4516085A. Автор: David D. Effinger,Richard Docter. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1985-05-07.

System And Method For Low Noise Output Divider And Buffer Having Low Current Consumption

Номер патента: US20090042517A1. Автор: Rajasekhar Pullela,Sohrab Samadian. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2009-02-12.

Image sensors having data converters with low noise comparators

Номер патента: US20240171875A1. Автор: Shankar Ramakrishnan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-23.

Low-noise block converter for a satellite broadcasting system

Номер патента: US5263182A. Автор: Hyun-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-11-16.

Multiple-Input Multiple-Output Low-Noise Block Downconverter and Low-Noise Module

Номер патента: US20130070876A1. Автор: Jui-Yu Chang,Hsin-Ta Wu,Jau-Jr Lin. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

High linearity and low noise mixer

Номер патента: WO2009042769A4. Автор: Ann P Shen,Nianwei Xing,David H Shen. Владелец: David H Shen. Дата публикации: 2009-05-22.

Low-noise reference voltages distribution circuit

Номер патента: WO2013135480A1. Автор: Germano Nicollini,Andrea Barbieri. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2013-09-19.

Low noise reference oscillator with fast start-up

Номер патента: WO2007070166A1. Автор: Lawrence E. Connell,Michael L. Bushman,Daniel P. Mccarthy. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-06-21.

Low noise reference oscillator with fast start-up

Номер патента: EP1943736A1. Автор: Lawrence E. Connell,Michael L. Bushman,Daniel P. Mccarthy. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-07-16.

Dual-channel low current low noise block downconverter

Номер патента: WO1995006361A1. Автор: Robert J. Bayruns,Phillip W. Wallace,Thomas D. Denigris. Владелец: Anadigics. Дата публикации: 1995-03-02.

Voltage controlled oscillator for flipped and complementary low noise

Номер патента: US12057810B2. Автор: Jiangbo Chen,Zhiwei Xu,Shengjie Wang,Quanyong Li,Chunyi Song,Likang DU. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-08-06.

Low noise logic amplifier with nondifferential to differential conversion

Номер патента: US5343094A. Автор: Thai M. Nguyen. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1994-08-30.

Low noise detection system using log detector amplifier

Номер патента: EP2941797A1. Автор: Forrest James Brown,Patrick Rada. Владелец: DOCKON AG. Дата публикации: 2015-11-11.

Cascaded low-noise wideband active phase shifter

Номер патента: US11979129B2. Автор: Steven M. Lardizabal. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-05-07.

Low noise oscillators and tracking filters

Номер патента: CA2162469C. Автор: Anthony Kevin Dale Brown. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1999-06-29.

Low noise and low phase hits tunable oscillator

Номер патента: US7636021B2. Автор: Hua Zhang,Klaus Juergen Schoepf,Reimund Rebel,Ulrich L. Rohde,Ajay Kumar Poddar. Владелец: Synergy Microwave Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

Wide band, low noise, fine step tuning, phase locked loop frequency synthesizer

Номер патента: US5317284A. Автор: Steve S. Yang. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-05-31.

Low noise converter

Номер патента: CA1283709C. Автор: Mitsuhiro Noboru. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-04-30.

Low noise output buffer circuit

Номер патента: US5001369A. Автор: Terry R. Lee. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1991-03-19.

FM discriminator having low noise characteristics

Номер патента: US4035736A. Автор: Drew R. Lance,John E. Altstatt. Владелец: California Microwave Inc. Дата публикации: 1977-07-12.

Low noise converter

Номер патента: US4955076A. Автор: Mitsuhiro Noboru. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-09-04.

Control circuit for low noise frequency agile oscillator

Номер патента: CA1196395A. Автор: Richard A. Campbell. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1985-11-05.

Low noise block-downconverter system

Номер патента: WO2023077226A2. Автор: Serguei KHOUDIAKOV,Alexei GOUTERMAN,Mehdi REZVANI ABKENARI. Владелец: Orbital Research Ltd.. Дата публикации: 2023-05-11.

Low noise t-coil pair design for differential input/output (i/o) circuits

Номер патента: US20200280295A1. Автор: LI Sun,Miao Li,Jie Xu,Dong Ren,Siqi Fan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Voltage controlled oscillator for flipped and complementary low noise

Номер патента: US20230378909A1. Автор: Jiangbo Chen,Zhiwei Xu,Shengjie Wang,Quanyong Li,Chunyi Song,Likang DU. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2023-11-23.

Low noise charge pumps

Номер патента: US20230283178A1. Автор: Lui Ray Lam. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Low noise block-downconverter system

Номер патента: CA3236663A1. Автор: Serguei KHOUDIAKOV,Alexei GOUTERMAN,Mehdi REZVANI ABKENARI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-11.

Low noise block-downconverter system

Номер патента: WO2023077226A3. Автор: Serguei KHOUDIAKOV,Alexei GOUTERMAN,Mehdi REZVANI ABKENARI. Владелец: Orbital Research Ltd.. Дата публикации: 2023-07-13.

Low noise block down-converter having temperature characteristic compensating circuit

Номер патента: US20020061728A1. Автор: Koji Motoyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-23.

Method and apparatus for supplying voltage to amplifier using multiple linear regulators

Номер патента: US12027764B2. Автор: Hyunseok Choi,Hyoseok NA,Jooseung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

A slice amplifier using fet's

Номер патента: WO1987004027A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Tetsuo Wada,Masakazu Mori,Yuji Miyaki,Kazuo Yamane,Yoshinori Ohkuma. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 1987-07-02.

A slice amplifier using fet's

Номер патента: WO1989000359A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Tetsuo Wada,Yuji Miyaki,Kazuo Yamane,Yoshinori Ohkuma,Masakuzu Mori. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 1989-01-12.

Integration-based low noise amplifiers for sensors

Номер патента: US10892723B2. Автор: Johan Raman,Pieter Rombouts. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2021-01-12.

Low noise amplifier arrangement

Номер патента: AU7886900A. Автор: Barend Visser,Ockert Cornelis De Jager. Владелец: Potchefstroom University for Christian Higher Education. Дата публикации: 2001-04-17.

High Performance Low Noise Amplifier

Номер патента: US20080125072A1. Автор: Herve Jean Francois Marie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

High performance low noise amplifier

Номер патента: EP1668775A1. Автор: Hervé Jean François Société Civile SPID MARIE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-06-14.

Low noise amplifier and low noise amplifying method

Номер патента: US20070229164A1. Автор: Ying-Yao Lin,Ying-Hsi Lin,Chao-Cheng Lee. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Low noise amplifier and low noise amplifying method of dynamically adjusting a bias voltage when switching gain modes to improve linearity

Номер патента: TW200740106A. Автор: Ying-Yao Lin,Ying-Hsi Lin,Chao-Cheng Lee. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

RF low noise amplifier

Номер патента: US6150882A. Автор: Nikolaus Klemmer. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2000-11-21.

Integration-based low noise amplifiers for sensors

Номер патента: US20190068146A1. Автор: Johan Raman,Pieter Rombouts. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2019-02-28.

Low noise and high gain low noise amplifier

Номер патента: TWI269524B. Автор: Tsyr-Shyang Liou,Jiong-Guang Su,Shyh-Chyi Wong. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2006-12-21.

Low noise and high gain low noise amplifier

Номер патента: US20060097786A1. Автор: Tsyr-Shyang Liou,Jiong-Guang Su,Shyh-Chyi Wong. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Low-noise amplifier using cascade topology to realize single terminal input to differential-pair output

Номер патента: TWI249912B. Автор: Tsyr-Shyang Liou,Jiong-Guang Su,Shyh-Chyi Wong. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2006-02-21.

Low noise amplifier for multiple channels

Номер патента: US9041463B2. Автор: Howard R. Samuels. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2015-05-26.

Push-pull low noise amplifier with variable gain, push-pull low noise amplifier with common gate bias circuit and amplifier with auxiliary matching

Номер патента: TW201228219A. Автор: Yu-Hsin Lin,Ming-Da Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2012-07-01.

Bypassable low noise amplifier topology with multi-tap transformer

Номер патента: US20080081590A1. Автор: Amitava Das. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-03.

Low noise amplifier module with output coupler

Номер патента: US09515749B2. Автор: Chiewcharn Narathong,Kevin Hsi Huai Wang,Lai Kan Leung,Dongling Pan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Low noise amplifier for multiple channels

Номер патента: US9531330B2. Автор: Howard R. Samuels. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Low noise amplifier for multiple channels

Номер патента: EP2792069A1. Автор: Howard R. Samuels. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-10-22.

Low Noise Amplifier for Multiple Channels

Номер патента: US20150256133A1. Автор: Howard R. Samuels. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2015-09-10.

Low noise amplifiers with shields for nanopore applications

Номер патента: US20240142399A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Low noise amplifier for MEMS capacitive transducers

Номер патента: US09729114B2. Автор: Santosh Astgimath. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Transmitter using gallium arsenide fet with means for controlling gate bias voltage of the fet for suppressing undesired signal at a start condition of the transmitter

Номер патента: CA2008594A1. Автор: Tatsuru Kojima. Владелец: Tatsuru Kojima. Дата публикации: 1990-07-26.

Bypassable low noise amplifier topology with multi-tap transformer

Номер патента: US7508260B2. Автор: Amitava Das. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2009-03-24.

Push-pull low noise amplifier with variable gain, push-pull low noise amplifier with common gate bias circuit and amplifier with auxiliary matching

Номер патента: US20120154045A1. Автор: Yu-Hsin Lin,Ming-Da Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2012-06-21.

Push-pull low noise amplifier with variable gain, push-pull low noise amplifier with common gate bias circuit and amplifier with auxiliary matching

Номер патента: US8441318B2. Автор: Yu-Hsin Lin,Ming-Da Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2013-05-14.

Low noise amplifier module with output coupler

Номер патента: EP3292629A1. Автор: Chiewcharn Narathong,Kevin Hsi Huai Wang,Lai Kan Leung,Dongling Pan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-14.

Push-pull low-noise amplifier with area-efficient implementation

Номер патента: WO2010132340A1. Автор: Sehat Sutardja,Gregory Uehara,Brian Brunn,Xiaohua Fan. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2010-11-18.

Low noise amplifier protection

Номер патента: US20210159937A1. Автор: Jun Ji,Lihuan CHEN,Sumin YUAN. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2021-05-27.

Low noise amplifier protection

Номер патента: US20200259518A1. Автор: Jun Ji,Lihuan CHEN,Sumin YUAN. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2020-08-13.

Low noise amplifiers with shields for nanopore Applications

Номер патента: US11940404B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Low noise amplifiers with shields for nanopore applications

Номер патента: WO2023158452A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-24.

Low noise amplifier

Номер патента: GB2434494B. Автор: Ganesh Kathiresan,Kritsapon Leelavattananon. Владелец: Future Waves UK Ltd. Дата публикации: 2008-02-06.

Low noise amplifiers with low noise figure

Wide-band low noise amplifier and amplifying method using it

Номер патента: KR101387203B1. Автор: 김유환,김규석,나유삼,유현환,황현석. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2014-04-21.

Wide-band low noise amplifier and amplifying method using it

Номер патента: CN103457543A. Автор: 金奎锡,金裕桓,罗裕森,黄铉奭,刘显焕. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-18.

Low noise amplifier arbiter for license assisted access systems

Номер патента: US20180331709A1. Автор: William J. Noellert,Daniel C. Kong,Ali Ghoreishi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Low noise amplifier circuit

Номер патента: US10148237B2. Автор: Johan Raman,Pieter Rombouts. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2018-12-04.

Low noise amplifier

Номер патента: EP2218176A2. Автор: Oystein Moldsvor. Владелец: ARCTIC SILICON DEVICES AS. Дата публикации: 2010-08-18.

Low noise amplifier

Номер патента: WO2009087482A3. Автор: Oystein Moldsvor. Владелец: ARCTIC SILICON DEVICES AS. Дата публикации: 2009-09-03.

Low noise amplifier circuit

Номер патента: EP3193446B1. Автор: Johan Raman,Pieter Rombouts. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2019-10-23.

Low-noise amplifier

Номер патента: TWI279076B. Автор: Tadahiro Ohmi,Shigetoshi Sugawa,Hiroshi Miyagi,Akinobu Teramoto,Takefumi Nishimuta. Владелец: Niigata Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-11.

Low-noise amplifier

Номер патента: TW200509522A. Автор: Tadahiro Ohmi,Shigetoshi Sugawa,Hiroshi Miyagi,Akinobu Teramoto,Takefumi Nishimuta. Владелец: Niigata Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-01.

Low noise amplifier and differential amplifier with variable gain mode

Номер патента: JP2006279963A. Автор: Bonkee Kim,キム・ボンギ,チョ・ヨンホ,Youngho Cho,Seong-Ho Park,パク・ソンホ. Владелец: Integrant Technologies Inc. Дата публикации: 2006-10-12.

Variable capacity semiconductor and frequency multiplier circuit - is grown as series of diodes spaced by N-type layers and uses gallium:arsenide as implantation substance

Номер патента: FR2441924A1. Автор: John Magarshack. Владелец: Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee. Дата публикации: 1980-06-13.

ELEMENTARY LOGIC CIRCUIT REALIZED USING GALLIUM ARSENIDE FIELD EFFECT TRANSISTORS AND COMPATIBLE WITH ECL 100 K TECHNOLOGY

Номер патента: FR2559323B1. Автор: Bernard Chantepie. Владелец: Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee. Дата публикации: 1986-06-20.

ELEMENTARY LOGIC CIRCUIT REALIZED USING GALLIUM ARSENIDE FIELD EFFECT TRANSISTORS AND COMPATIBLE WITH ECL 100 K TECHNOLOGY

Номер патента: FR2559323A1. Автор: Bernard Chantepie. Владелец: Laboratoires dElectronique et de Physique Appliquee. Дата публикации: 1985-08-09.

Method and system for low noise amplifier (LNA) and power amplifier (PA) gain control

Номер патента: US20060091957A1. Автор: Hooman Darabi,Janice Chiu. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Amplifier circuit, especially low-noise amplifier, with passive gain-step stage has device for switching off amplifier and switching on coupler if level of input signal exceeds threshold value

Номер патента: DE10307315B3. Автор: Chih-I Dr. Lin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-09-16.

Receiver with colpitts differential oscillator, colpitts quadrature oscillator, and common-gate low noise amplifier

Номер патента: US7755442B2. Автор: Xiaoyong Li,David J. Allstot. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2010-07-13.

Low noise amplifiers with feedback for nanopore applications

Номер патента: WO2023158451A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-08-24.

Low noise amplifiers with feedback for nanopore applications

Номер патента: US20230258593A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Low noise amplifiers with feedback for nanopore applications

Номер патента: US20240201120A1. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Adaptive configuration to achieve low noise and low distortion in an analog system

Номер патента: US09831884B2. Автор: Dan Shen,Lorenzo Crespi. Владелец: Synaptics Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Low noise amplifiers with feedback for nanopore applications

Номер патента: US11946894B2. Автор: Daniel Bedau. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Circular stripline package incorporating a low noise amplifier

Номер патента: WO1998042170A1. Автор: John J. Halliday,George P. Torgeson,Allen H. Gordon. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 1998-09-24.

Circular stripline package incorporating a mmic low noise amplifier

Номер патента: IL126926A. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2001-11-25.

Circular stripline package incorporating a MMIC low noise amplifier

Номер патента: US5986505A. Автор: John J. Halliday,George P. Torgeson,Allen H. Gordon. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1999-11-16.

Internal gain semiconductor detector based on semi-insulating gallium arsenide and preparation method thereof

Номер патента: RU2586081C1. Автор: Олег Петрович Толбанов,Андрей Николаевич Зарубин,Антон Владимирович Тяжев,Анастасия Дмитриевна Лозинская. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет" (ТГУ, НИ ТГУ). Дата публикации: 2016-06-10.

Split low noise amplifier

Номер патента: US09705537B1. Автор: Nadim Khlat,Ruediger Bauder,Todd Gillenwater,Bob Sowell. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacture of integral elements of microcircuits on the epitaxial structures of gallium arsenide

Номер патента: RU2665368C1. Автор: Александр Сергеевич Федоров,Григорий Юрьевич Вечерко. Владелец: Открытое акционерное общество "ОКБ-Планета" ОАО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2018-08-29.

Low noise amplification circuit

Номер патента: US7596361B2. Автор: Yuji Nakagawa,Shiro Koide,Sadao Matsushima,Toshihide Fukuchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-29.

Low noise amplification circuit

Номер патента: US20060270380A1. Автор: Yuji Nakagawa,Shiro Koide,Sadao Matsushima,Toshihide Fukuchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-30.

CMOS transceiver analog front end having a combined power amplifier and low noise amplifier

Номер патента: US8099062B1. Автор: Manolis Terrovitis. Владелец: Qualcomm Atheros Inc. Дата публикации: 2012-01-17.

Method of increasing the purity and resistivity of gallium arsenide

Номер патента: GB1368297A. Автор: . Владелец: Plessey Co Ltd. Дата публикации: 1974-09-25.

Method for controlling gain of low noise amplifier and broadcast reception apparatus for performing same

Номер патента: US20240030949A1. Автор: Moonsoo KIM,Sungju KIM,Ijou SHIN. Владелец: Telechips Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Protecting shared low noise amplifiers by limiting transmission power

Номер патента: US20210160792A1. Автор: Harish Venkatachari,Thawatt Gopal,Qingxin Chen,Shriram Gurumoorthy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-05-27.

Techniques to configure low noise amplifier for dual-subscriber dual-active user equipment

Номер патента: WO2024123454A1. Автор: Qingxin Chen,Sandeep Rao,Bo WEN,Paolo Minero,Siavash Ekbatani,Yuanning Yu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-13.

Indium gallium arsenide surface passivation by sulfur vapor treatment

Номер патента: US20190043713A1. Автор: Talia S. Gershon,Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Low noise amplifier and receiver using same in wireless communication system

Номер патента: US20240333321A1. Автор: JungSik Kim,Heesung LEE,Daeyoung LEE,Hyohyun NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Low noise amplifier and receiver using same in wireless communication system

Номер патента: WO2024205146A1. Автор: JungSik Kim,Heesung LEE,Daeyoung LEE,Hyohyun NAM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-10-03.

Radio frequency (rf) front end having multiple low noise amplifier modules

Номер патента: WO2015175349A1. Автор: Chiewcharn Narathong,Aleksandar Miodrag Tasic,Lai Kan Leung,Rajagopalan Rangarajan,Dongling Pan,Yiwu Tang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-19.

Radio frequency (rf) front end having multiple low noise amplifier modules

Номер патента: EP3143700A1. Автор: Chiewcharn Narathong,Aleksandar Miodrag Tasic,Lai Kan Leung,Rajagopalan Rangarajan,Dongling Pan,Yiwu Tang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-22.

Radio frequency (rf) front end having multiple low noise amplifier modules

Номер патента: US20150333941A1. Автор: Chiewcharn Narathong,Aleksandar Miodrag Tasic,Lai Kan Leung,Rajagopalan Rangarajan,Dongling Pan,Yiwu Tang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Gallium arsenide hbt having increased performance and method for its fabrication

Номер патента: WO2004077504A3. Автор: Kevin Choi,Peter J Zampardi,Lance G Rushing. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2005-01-13.

Gallium arsenide hbt having increased performance and method for its fabrication

Номер патента: WO2004077504A2. Автор: Peter J. Zampardi,Kevin Choi,Lance G. Rushing. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2004-09-10.

Indium gallium arsenide surface passivation by sulfur vapor treatment

Номер патента: US20190043715A1. Автор: Talia S. Gershon,Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Indium gallium arsenide surface passivation by sulfur vapor treatment

Номер патента: US20190043714A1. Автор: Talia S. Gershon,Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Indium gallium arsenide surface passivation by sulfur vapor treatment

Номер патента: US10541130B2. Автор: Talia S. Gershon,Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-21.

Gallium arsenide hbt having increased performance and method for its fabrication

Номер патента: EP1636855A4. Автор: Kevin Choi,Peter J Zampardi,Lance G Rushing. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2007-10-03.

Gallium arsenide hbt having increased performance and method for its fabrication

Номер патента: WO2004077504B1. Автор: Kevin Choi,Peter J Zampardi,Lance G Rushing. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2005-03-24.

Method of manufacturing rectifying contacts to gallium arsenide by electrochemical deposition of ruthenium

Номер патента: RU2666180C2. Автор: Владимир Григорьевич Божков,Татьяна Петровна Бекезина,Антон Владимирович Шмаргунов,Маргарита Николаевна Лещева,Анна Ивановна Орехова,Анастасия Викторовна Белоножко. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (АО "НИИПП"). Дата публикации: 2018-09-06.

Gallium arsenide substrate and method for its surface characterization

Номер патента: EP4057322A2. Автор: Stefan Eichler,Berndt Weinert,Andre Kleinwechter,Max Scheffer-Czygan,Michael Mader,Wolfram Fliegel,Christoph Klement,Christa Willnauer. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2022-09-14.

Process for producing a gallium arsenide substrate, gallium arsenide substrate and use thereof

Номер патента: US20150371844A1. Автор: Stefan Eichler,Berndt Weinert,Andre Kleinwechter,Max Scheffer-Czygan,Michael Mader,Wolfram Fliegel,Christoph Klement,Christa Willnauer. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2015-12-24.

Process for producing a gallium arsenide substrate, gallium arsenide substrate and use thereof

Номер патента: EP2929556A2. Автор: Stefan Eichler,Berndt Weinert,Andre Kleinwechter,Max Scheffer-Czygan,Michael Mader,Wolfram Fliegel,Christoph Klement,Christa Willnauer. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2015-10-14.

Process for producing a gallium arsenide substrate, gallium arsenide substrate and use thereof

Номер патента: WO2014124980A2. Автор: Stefan Eichler,Berndt Weinert,Andre Kleinwechter,Max Scheffer-Czygan,Michael Mader,Wolfram Fliegel,Christoph Klement,Christa Willnauer. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2014-08-21.

Gallium arsenide hbt having increased performance and method for its fabrication

Номер патента: EP1636855A2. Автор: Peter J. Zampardi,Kevin Choi,Lance G. Rushing. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2006-03-22.

Elevated temperature gallium arsenide field effect transistor with aluminum arsenide to aluminum gallium arsenide mole fractioned buffer layer

Номер патента: US5594262A. Автор: Chris Ito,Hyong Y. Lee,Belinda Johnson,Rocky Reston,Gerald Trombley,Charles Havasy. Владелец: US Air Force. Дата публикации: 1997-01-14.

Bond type diode utilizing tin-doped gallium arsenide

Номер патента: US3660734A. Автор: Hitoshi Sato,Shinya Iida,Yutaka Takeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1972-05-02.

Gallium arsenide solar cell system

Номер патента: WO1987001513A3. Автор: George Wolff,M Edmund Ellion. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1987-05-21.

Self-bypass diode function for gallium arsenide photovoltaic devices

Номер патента: US20170323987A1. Автор: Isik C. Kizilyalli,Hui Nie,Brendan M. Kayes. Владелец: Awbscqemgk Inc. Дата публикации: 2017-11-09.

Gallium arsenide heterojunction semiconductor structure

Номер патента: US09761678B2. Автор: Brian G. Moser,Michael T. Fresina. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Radio over optical fiver remote station and cable relaying method using low noise amplifier as common amplifier of up and down link

Номер патента: KR20080093746A. Автор: 김상호,황성택,오윤제,송기욱,이한림. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-10-22.

Self-bypass diode function for gallium arsenide photovoltaic devices

Номер патента: US20190181281A1. Автор: Hui Nie,Andrew J. RITENOUR,Brendan M. Kayes,Isik Kizilyalli. Владелец: Awbscqemgk Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Gallium arsenide monolithic microwave integrated circuits employing thermally bumped devices

Номер патента: EP1008180A1. Автор: James M. Harris,S. Doug Tonomura,Christopher A. Moye. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2000-06-14.

Low etch pit density 6 inch semi-insulating gallium arsenide wafers

Номер патента: US12084790B2. Автор: Rajaram Shetty,Weiguo Liu,Morris Young. Владелец: AXT Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Self-bypass diode function for gallium arsenide photovoltaic devices

Номер патента: US09716196B2. Автор: Isik C. Kizilyalli,Hui Nie,Brendan M. Kayes. Владелец: Awbscqemgk Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Liquid phase deposition method for growing a titanium dioxide on a gallium arsenide substrate

Номер патента: US6153539A. Автор: Wen-Han Hung,Ming-Kwei Lee. Владелец: National Science Council. Дата публикации: 2000-11-28.

APPARATUSES AND METHODS FOR CO-RECEPTION (CO-RX) OPERATION OF MULTIPLE TRANSCEIVER RADIOS SHARING THE SAME ANTENNA AND LOW NOISE AMPLIFIER (LNA)

Номер патента: US20230012045A1. Автор: Li-Wei Chen,Chia-Hung Hsu,Tsai-Yuan Hsu,Chen-Feng Liu,Yu-Lin Tsai,Wen-Ying Chien. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Low-noise active fiber optical amplifier with pumping power reflector

Номер патента: US5138483A. Автор: Giorgio Grasso,Aldo Righetti,Flavio Fontana. Владелец: Cavi Pirelli SpA. Дата публикации: 1992-08-11.

Method of fabricating hemt device with selective etching of gallium arsenide antimonide

Номер патента: US5118637A. Автор: Tomonori Ishikawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1992-06-02.

Process for the Oxidation of Gallium-Arsenide

Номер патента: GB1176928A. Автор: . Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1970-01-07.

Gallium arsenide monolithic microwave integrated circuits employing thermally bumped devices

Номер патента: EP1008180B1. Автор: James M. Harris,S. Doug Tonomura,Christopher A. Moye. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2002-09-11.

Techniques to configure low noise amplifier for dual-subscriber dual-active user equipment

Номер патента: US20240196190A1. Автор: Qingxin Chen,Sandeep Rao,Bo WEN,Paolo Minero,Siavash Ekbatani,Yuanning Yu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Gallium arsenide monolithic microwave integrated circuits employing thermally bumped devices

Номер патента: WO1999063595A1. Автор: James M. Harris,S. Doug Tonomura,Christopher A. Moye. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 1999-12-09.

纳米cmos工艺下一种基于dice版图交织加固单元的sram实现方法

Номер патента: CN117831586. Автор: 陈建军,郭昊,梁斌,郭阳,沈凡,王珣,罗登,池雅庆,赵强国. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-04-05.

纳米cmos工艺下一种基于dice版图交织加固单元的sram实现方法

Номер патента: CN117831586A. Автор: 陈建军,郭昊,梁斌,郭阳,沈凡,王珣,罗登,池雅庆,赵强国. Владелец: NATIONAL UNIVERSITY OF DEFENSE TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-04-05.

Fabrication of self-aligned gallium arsenide MOSFETs using damascene gate methods

Номер патента: US7435636B1. Автор: Hussein I. Hanafi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-14.

Ion implant mask and cap for gallium arsenide structures

Номер патента: US4494997A. Автор: Zachary J. Lemnios,He B. Kim. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1985-01-22.

Gallium arsenide based materials used in thin film transistor applications

Номер патента: US9780223B2. Автор: Robert Jan Visser,Kaushal K. Singh,Bhaskar Kumar. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Gallium arsenide substrate and use thereof

Номер патента: US20180158673A1. Автор: Stefan Eichler,Berndt Weinert,Andre Kleinwechter,Max Scheffer-Czygan,Michael Mader,Wolfram Fliegel,Christoph Klement,Christa Willnauer. Владелец: FREIBERGER COMPOUND MATERIALS GMBH. Дата публикации: 2018-06-07.

Method and system for vertical gradient freeze 8 inch gallium arsenide substrates

Номер патента: EP4313887A1. Автор: Rajaram Shetty,Wei Zhang,Weiguo Liu. Владелец: AXT Inc. Дата публикации: 2024-02-07.

Method and system for vertical gradient freeze 8 inch gallium arsenide substrates

Номер патента: US20230416941A1. Автор: Rajaram Shetty,Wei Zhang,Weiguo Liu. Владелец: AXT Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Low etch pit density 6 inch semi-insulating gallium arsenide wafers

Номер патента: US20230407522A1. Автор: Rajaram Shetty,Weiguo Liu,Morris Young. Владелец: AXT Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Gallium arsenide solar cell having a fused silica cover

Номер патента: US20200313013A1. Автор: Frank F. Ho,Eric M. Rehder,Joel A. Schwartz. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2020-10-01.

Method and system for vertical gradient freeze 8 inch gallium arsenide substrates

Номер патента: WO2022204106A1. Автор: Rajaram Shetty,Wei Zhang,Weiguo Liu. Владелец: Axt, Inc.. Дата публикации: 2022-09-29.

Hermetic sealing of gallium arsenide components

Номер патента: CA1207173A. Автор: Bertil Hok,Christer Ovren,Chantal Dubon. Владелец: ASEA AB. Дата публикации: 1986-07-08.

Low temperature cofired ceramic packages for microwave and millimeter wave gallium arsenide integrated circuits

Номер патента: WO1990007793A1. Автор: Paul W. Polinski, Sr.. Владелец: Hughes Aircraft Company. Дата публикации: 1990-07-12.

Method for cleaning and passivating gallium arsenide surface autologous oxide and depositing AL203 dielectric

Номер патента: US8455372B2. Автор: Wei Zhang,Wen Yang,Pengfei Wang,Qingqing Sun,Runchen Fang. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-06-04.

Method for producing a long wavelength indium gallium arsenide nitride (InGaAsN) active region

Номер патента: EP1361601A3. Автор: YING-LAN Chang,Tetsuya Takeuchi,David P. Bour,Scott Corzine,Michael R.T. Tan,Ashish Tandon. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2005-07-27.

Method of Forming Gallium Arsenide-On-Insulator

Номер патента: US20090220782A1. Автор: Dongzhi Chi,Jianrong Dong,Ching Kean CHIA,Aaditya SRIDHARA. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2009-09-03.

Devices and methods related to a gallium arsenide Schottky diode having low turn-on voltage

Номер патента: US09847407B2. Автор: Peter J. Zampardi, JR.,Cristian Cismaru. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

HIGH-POWER FIBRE PUMPING SOURCE WITH HIGH-BRIGHTNESS LOW NOISE OUTPUT RADIATION IN WAVELENGTH RANGE 974-1030 nm

Номер патента: RU2591586C2. Автор: Валентин ГАПОНЦЕВ,Игорь САМАРЦЕВ. Владелец: Ай-Пи-Джи Фоутоникс Корпорейшн. Дата публикации: 2016-07-20.

Tantalum-gallium arsenide schottky barrier semiconductor device

Номер патента: US3886580A. Автор: Joseph A Calviello. Владелец: Cutler Hammer Inc. Дата публикации: 1975-05-27.

Method for producing monolithic integration of piezoelectric micromachined ultrasonic transducers and CMOS

Номер патента: US12037239B2. Автор: You Qian,Rakesh Kumar,Humberto CAMPANELLA-PINEDA. Владелец: Vanguard International Semiconductor SIngapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Gallium arsenide devices with copper backside for direct die solder attach

Номер патента: US9666508B2. Автор: HONG Shen. Владелец: Woburn Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

High power gallium arsenide schottky barrier field effect transistor

Номер патента: US4104672A. Автор: Joseph Michael Moran,James Vincent DiLorenzo,Gerard Edward Mahoney. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1978-08-01.

Subsurface gallium arsenide schottkytype diode and method of fabricating same

Номер патента: GB1322369A. Автор: . Владелец: Varian Associates Inc. Дата публикации: 1973-07-04.

Thin film capacitors on gallium arsenide substrate and process for making the same

Номер патента: CA2163130C. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Michael C. Scott,Masamichi Azuma,Toshiyuki Ueda. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 2005-05-24.

Passivation of gallium arsenide electron devices

Номер патента: CA1299982C. Автор: Richard N. Nottenburg,Claude J. Sandroff. Владелец: Bell Communications Research Inc. Дата публикации: 1992-05-05.

Monolithic integration of piezoelectric micromachined ultrasonic transducers and cmos and method for producing the same

Номер патента: US20190177160A1. Автор: You Qian,Rakesh Kumar,Humberto CAMPANELLA-PINEDA. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for producing monolithic integration of piezoelectric micromachined ultrasonic transducers and cmos

Номер патента: US20210206630A1. Автор: You Qian,Rakesh Kumar,Humberto CAMPANELLA-PINEDA. Владелец: Vanguard International Semiconductor SIngapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Multilayer structures made of indium phosphide or gallium arsenide

Номер патента: WO2022235615A1. Автор: Jung Han,Bingjun Li,Jin-Ho Kang. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-11-10.

Multilayer structures made of indium phosphide or gallium arsenide

Номер патента: EP4334763A1. Автор: Jung Han,Bingjun Li,Jin-Ho Kang. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-03-13.

Multilayer structures made of indium phosphide or gallium arsenide

Номер патента: US20240222937A1. Автор: Jung Han,Bingjun Li,Jin-Ho Kang. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-07-04.

Assembly of a low-noise block converter and a filter for a satellite antenna system, and connecting component thereof

Номер патента: US20100136901A1. Автор: Tzong-Jyh Chen,Chien-Heng Wu,Wei-Jim Yeh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-03.

Assembly of a low-noise block converter and a filter for a satellite antenna system, and connecting component thereof

Номер патента: US8260196B2. Автор: Tzong-Jyh Chen,Chien-Heng Wu,Wei-Jim Yeh. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2012-09-04.

Product from textured silicon steel with low losses in iron for transformer with low noise level and method of production thereof

Номер патента: RU2721969C1. Автор: Гобао ЛИ,Яньли СУН,Вэйюн СЕ,Чэнь ЛИН,Цзыпэн ЧЗАО,Чанцзюнь ХОУ,Банлинь СЯН,Каньи ШЕНЬ. Владелец: Баошан Айрон Энд Стил Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-05-25.

Low-noise electric motor

Номер патента: RU2660442C2. Автор: Марк Леонидович Ивлев,Евгений Николаевич Коптяев,Дмитрий Николаевич Семенов. Владелец: Евгений Николаевич Коптяев. Дата публикации: 2018-07-06.

Consolidation of staircase area etch and cmos contact area etch in 3d nand

Номер патента: WO2023206158A1. Автор: Liu Liu,Chuan Sun,Jianze ZHAO. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for assigning a communication channel between a low-noise block and a set-top box in a domestic television system

Номер патента: EP2392134A1. Автор: Enzo FENOGLIO. Владелец: Sky Italia Srl. Дата публикации: 2011-12-07.

Electrical steel sheet for low-noise transformer and low-noise transformer

Номер патента: US20020140537A1. Автор: Osamu Akisue,Shuichi Yamazaki,Hisashi Mogi,Masahiro Fujikura,Masato Mizokami,Masao Yabumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Electrical steel sheet for low-noise transformer and low-noise transformer

Номер патента: EP1220243A3. Автор: Osamu Nippon Steel Corporation Akisue,Hisashi Nippon Steel Corporation Mogi,Masahiro Nippon Steel Corporation Fujikura,Shuichi Nippon Steel Corporation Yamazaki,Masato Nippon Steel Corporation Mizokami,Masao Nippon Steel Corporation Yabumoto. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2003-03-05.

Method and system for producing low-noise acoustical impulse responses at high sampling rate

Номер патента: US09959883B2. Автор: Edgar Y. Choueiri,Joseph TYLKA,Rahulram SRIDHAR,Braxton BOREN. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-01.

Ultra low noise CMOS imager

Номер патента: US8334917B2. Автор: Eugene Atlas,Sarit Neter,Kim Loren Johnson. Владелец: Imagerlabs Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Compact active pixel with low-noise image formation

Номер патента: WO2002060174A9. Автор: Lester J Kozlowski. Владелец: Rockwell Scient Company Llc. Дата публикации: 2003-07-17.

Compact active pixel with low-noise image formation

Номер патента: EP1329096B1. Автор: Lester J. Kozlowski. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2007-12-05.

Low noise charge amplification ccd

Номер патента: EP1673811A2. Автор: Mark Wadsworth,Eugene Atlas,Sarit Neter,Richard H. Kullman. Владелец: Imagerlabs Inc. Дата публикации: 2006-06-28.

Low noise charge amplification ccd

Номер патента: WO2005067443A2. Автор: Mark Wadsworth,Eugene Atlas,Sarit Neter,Richard H. Kullman. Владелец: Imagerlabs, Inc.. Дата публикации: 2005-07-28.

Compact active pixel with low-noise image formation

Номер патента: EP1329096A4. Автор: Lester J Kozlowski. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Compact active pixel with low-noise image formation

Номер патента: EP1329096A1. Автор: Lester J. Kozlowski. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2003-07-23.

Low noise cable core and manufacturing method thereof and low noise cable using the same

Номер патента: US20240347230A1. Автор: Yang Zhou,Wen-Cheng Wu,Shi-Wen Huang. Владелец: Dongguan Ching Tai Electric Wire & Cable Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Low noise device and method of forming the same

Номер патента: US09947701B2. Автор: Chi-Feng Huang,Fang-Ting KUO,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Meng-Chang HO,Yu-Lin Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Vacuum sealed MEMS and CMOS package

Номер патента: US09776856B2. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng,Yi-Chuan Teng,Hung-Chia Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Enclosed-type low-noise electro transforming substation

Номер патента: RU2634589C2. Автор: Михаил Ильич Фесина,Александр Валентинович Краснов,Лариса Николаевна Горина,Станислав Александрович Жданов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Тольяттинский государственный университет". Дата публикации: 2017-11-01.

Automatic low noise frequency selection

Номер патента: US9036650B2. Автор: Christoph Horst Krah,Thomas James Wilson. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

CCD and CMOS image pickup module

Номер патента: US20020097453A1. Автор: Wen-Ching Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Low-noise power device, noise reduction mechanism, and noise reduction method

Номер патента: EP4262062A1. Автор: Long Li,CHENG Chen. Владелец: Dewertokin Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Low-noise block down-converter and satellite television system

Номер патента: US9113224B2. Автор: Che-Ming Wang,Chih-Chang Ko. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2015-08-18.

Low noise non-resonant gain structure semiconductor lasers

Номер патента: WO2024121825A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-06-13.

Motor controller having low noise high frequency signal injection

Номер патента: US12107528B2. Автор: LU Wang,Andrea Foletto,Kamyar Khosravi,Masahira KURIHARA. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

A Narrow-band, Low-noise Raman Fiber Laser with A Random Fiber Laser Pump

Номер патента: US20240339799A1. Автор: Bing Han,Han Wu,Yunjiang Rao. Владелец: Sichuan Guangsheng Iot Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Charge injection device with low noise readout

Номер патента: US4843473A. Автор: Jerome J. Tiemann,Gerald J. Michon,Selim S. Bencuya,James R. Toker,Thomas L. Vogelsong. Владелец: Polaroid Corp. Дата публикации: 1989-06-27.

High power, high gain, low noise, two-stage optical amplifier

Номер патента: US5430572A. Автор: James W. Sulhoff,John L. Zyskind,Jonathan A. Nagel,David J. DiGiovanni,Joseph D. Evankow,Richard G. Smart. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1995-07-04.

Low noise ccd output

Номер патента: CA1191910A. Автор: Sidney L. Bendell,Peter A. Levine. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1985-08-13.

Low-noise, crossed-field devices such as a microwave magnetron having an azimuthally-varying axial magnetic field and microwave oven utilizing same

Номер патента: WO2004097885A1. Автор: Ronald M. Gilgenbach,Yue-Ying Lau,Vasile B. Neculaes. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2004-11-11.

Method for assigning a communication channel between a low-noise block and a set-top box in a domestic television system

Номер патента: WO2010086884A1. Автор: Enzo FENOGLIO. Владелец: SKY ITALIA S.r.l.. Дата публикации: 2010-08-05.

Very low noise figure optical amplifier devices

Номер патента: US20020159136A1. Автор: Vincent So,Zhenguo Lu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Packaging optoelectronic components and cmos circuitry using silicon-on-insulator substrates for photonics applications

Номер патента: US20170186739A1. Автор: Russell A. Budd,Jean-Olivier Plouchart,Mounir Meghelli,Jason Scott ORCUTT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Packaging optoelectronic components and cmos circuitry using silicon-on-insulator substrates for photonics applications

Номер патента: US20180114785A1. Автор: Russell A. Budd,Jean-Olivier Plouchart,Mounir Meghelli,Jason Scott ORCUTT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-26.

Packaging optoelectronic components and CMOS circuitry using silicon-on-insulator substrates for photonics applications

Номер патента: US09935089B2. Автор: Russell A. Budd,Jean-Olivier Plouchart,Mounir Meghelli,Jason Scott ORCUTT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Packaging optoelectronic components and CMOS circuitry using silicon-on-insulator substrates for photonics applications

Номер патента: US09935088B2. Автор: Russell A. Budd,Jean-Olivier Plouchart,Mounir Meghelli,Jason Scott ORCUTT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Packaging optoelectronic components and CMOS circuitry using silicon-on-insulator substrates for photonics applications

Номер патента: US09786641B2. Автор: Russell A. Budd,Jean-Olivier Plouchart,Mounir Meghelli,Jason Scott ORCUTT. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Method of making truly complementary and self-aligned bipolar and CMOS transistor structures with minimized base and gate resistances and parasitic capacitance

Номер патента: US5439833A. Автор: Rashid Bashir,Francois Hebert,Datong Chen. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 1995-08-08.

Low noise device and method of forming the same

Номер патента: US20170345855A1. Автор: Chi-Feng Huang,Fang-Ting KUO,Victor Chiang Liang,Fu-Huan TSAI,Meng-Chang HO,Yu-Lin Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

Low noise silicon germanium image sensor

Номер патента: US20210343882A1. Автор: Sohei Manabe,Mamoru Iesaka,Woon Il Choi. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Image sensor apparatus and method for obtaining low-noise, high-speed captures of a photographic scene

Номер патента: EP3216202A1. Автор: Adam Feder,William Rivard,Brian Kindle. Владелец: Duelight LLC. Дата публикации: 2017-09-13.

Image sensor apparatus and method for obtaining low-noise, high-speed captures of a photographic scene

Номер патента: WO2016073646A1. Автор: Adam Feder,William Rivard,Brian Kindle. Владелец: Duelight LLC. Дата публикации: 2016-05-12.

Dual-wavelength pumped low noise fiber laser

Номер патента: WO1996027927A1. Автор: Gary A. Ball. Владелец: UNITED TECHNOLOGIES CORPORATION. Дата публикации: 1996-09-12.

Low noise cable providing communication between electronic sensor components and patient monitor

Номер патента: US20160284441A1. Автор: Cristiano Dalvi,Hung Vo. Владелец: Masimo Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Low noise hybrid circuit for communications systems using time division mulitiplexing

Номер патента: US20040202193A1. Автор: Dongtai Liu. Владелец: UTStarcom Inc. Дата публикации: 2004-10-14.

Low noise circuit and applications thereof

Номер патента: US20050286662A1. Автор: Jacob Rael. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Dual-mode low-noise block controller

Номер патента: US20140256246A1. Автор: Alecsander P. Eitan,Avigdor Brillant. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Alternating current chopper circuit with low noise

Номер патента: US8547053B2. Автор: Chin-Hsiung Chang,Yu-Kai Chen. Владелец: NATIONAL FORMOSA UNIVERSITY. Дата публикации: 2013-10-01.

Low noise hybrid circuit for communications systems using time division multiplexing

Номер патента: WO2004082193A3. Автор: Dongtai Liu. Владелец: UTStarcom Inc. Дата публикации: 2005-06-09.

Low noise hybrid circuit for communications systems using time division multiplexing

Номер патента: EP1606892A2. Автор: Dongtai Liu. Владелец: UTStarcom Inc. Дата публикации: 2005-12-21.

Low noise hybrid circuit for communications systems using time division multiplexing

Номер патента: WO2004082193A2. Автор: Dongtai Liu. Владелец: Utstarcom, Inc.. Дата публикации: 2004-09-23.

Magnetic powder suitable for low-noise media

Номер патента: US20070042230A1. Автор: Hiroshi Kimura,Yuzo Ishikawa,Kenji Masada. Владелец: Dowa Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-22.

Magnetic powder suitable for low-noise media

Номер патента: US20110123426A1. Автор: Hiroshi Kimura,Yuzo Ishikawa,Kenji Masada. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-26.

Low noise blockdown converter

Номер патента: US20030225945A1. Автор: Tetsuhide Okahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-04.

Low-noise easy-to-clean facsimile machine

Номер патента: LU100213B1. Автор: Dongliang Lin. Владелец: Shenzhen Leye Tech Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Low noise blockdown converter

Номер патента: US7111082B2. Автор: Tetsuhide Okahashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-19.

Low-noise current source including one or more current generator modules

Номер патента: US09939829B2. Автор: Paolo De Natale,Saverio BARTALINI,Alessio MONTORI,Marco DE PAS,Mauro Giuntini. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 2018-04-10.

High-temperature, low-noise coaxial cable assembly with high strength reinforcement braid

Номер патента: US5214243A. Автор: Robert B. Johnson. Владелец: Endevco Corp. Дата публикации: 1993-05-25.

Encapsulated low-noise ultra-high frequency semiconductor device

Номер патента: US4872049A. Автор: Daniel Delagebeaudeuf,Didier Adam,Henri Derewonko,Patrick Resneau. Владелец: Thomson Hybrides et Microondes. Дата публикации: 1989-10-03.

Solid state imaging device having high-sensitivity and low-noise characteristics by reducing electrostatic capacity of interconnection

Номер патента: US5357129A. Автор: Shinya Kamimura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1994-10-18.

Method for producing low noise, high grade constant semiconductor junctions

Номер патента: US4732866A. Автор: Syd R. Wilson,Jerry L. Chruma,William E. Gandy, Jr.,Tommie R. Huffman. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1988-03-22.

Low noise multistage avalanche photodetector

Номер патента: CA1135823A. Автор: Robert E. Nahory,James P. Gordon,John M. Worlock,Martin A. Pollack. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-11-16.

Low-noise computer heat dissipation device

Номер патента: EP2818968A1. Автор: Zheming ZHOU,Faming ZHOU. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-12-31.

Low-noise transformer device

Номер патента: US3629757A. Автор: Hideo Katayama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1971-12-21.

Oriented silicon steel product with low iron loss for low-noise transformer, and manufacturing method thereof

Номер патента: CA3036289C. Автор: Chen Ling,Yanli Song,Guobao Li,Kanyi Shen,Zipeng Zhao,Changjun HOU,Banglin Xiang,Weiyong XIE. Владелец: Baoshan Iron and Steel Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-14.

Low Noise Capacitors

Номер патента: US20190244755A1. Автор: Andrew P. Ritter,Carl L. Eggerding. Владелец: AVX Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Electret condenser microphone with low noise figure and method for producing the same

Номер патента: US20200236468A1. Автор: Yu Zhang,Huming Zheng,Tseng-feng Wen,Feng Tong. Владелец: Transound Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-23.

Electret condenser microphone with low noise figure and method for producing the same

Номер патента: US10873815B2. Автор: Yu Zhang,Huming Zheng,Tseng-feng Wen,Feng Tong. Владелец: Transound Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-22.

Low noise capacitors

Номер патента: US20150364254A1. Автор: Andrew P. Ritter,Carl L. Eggerding. Владелец: AVX Corp. Дата публикации: 2015-12-17.

Low noise block converter and outdoor unit

Номер патента: US9419342B2. Автор: Wen Chi Fu,Ruei Yuen Chen,Hsiang Hao Sung. Владелец: Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Automatic camera angle switching in response to low noise audio to create combined audiovisual file

Номер патента: US20230091194A1. Автор: Roman Olshansky. Владелец: On Time Staffing Inc. Дата публикации: 2023-03-23.

Low noise capacitors

Номер патента: US11817262B2. Автор: Andrew P. Ritter,Carl L. Eggerding. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2023-11-14.

Automatic camera angle switching in response to low noise audio to create combined audiovisual file

Номер патента: US11863858B2. Автор: Roman Olshansky. Владелец: On Time Staffing Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Low noise preamplification stage

Номер патента: WO1988001124A1. Автор: Paul R. Norton. Владелец: Santa Barbara Research Center. Дата публикации: 1988-02-11.

Methods and systems for utilizing ultra-efficiency low noise configurations for phased array antennas

Номер патента: US20210075455A1. Автор: Ran Soffer,Eran Ridel,Roman Rainov,Uri Kanari,Nati Mizrahi,Kobi STURKOVICH,Moche Cohen. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Low-noise key switch and keyboard thereof

Номер патента: US20030127309A1. Автор: Tong-Hsueh Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Printed circuit board with low noise

Номер патента: US7129419B2. Автор: Chih-Wen Huang,Shih-Chieh Chao,Chuh-Lin Liao. Владелец: Tatung Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-31.

Low noise jfet

Номер патента: US20100155789A1. Автор: Imran Khan,Joe Trogolo,Pinghai Hao. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-24.

Low noise block downconverter with high isolation

Номер патента: US20130214874A1. Автор: Wen-Chao Shen,Wen-Yen Shen,Cheng-Nien Su. Владелец: Azure Shine International Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Low Noise Capacitors

Номер патента: US20210166873A1. Автор: Andrew P. Ritter,Carl L. Eggerding. Владелец: AVX Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Motor controller having low noise high frequency signal injection

Номер патента: US20240186921A1. Автор: LU Wang,Andrea Foletto,Kamyar Khosravi,Masahira KURIHARA. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Low noise block converter and outdoor unit

Номер патента: US20160099503A1. Автор: Wen Chi Fu,Ruei Yuen Chen,Hsiang Hao Sung. Владелец: Microelectronics Technology Inc. Дата публикации: 2016-04-07.

Motor controller having low noise high frequency signal injection

Номер патента: WO2024118235A1. Автор: LU Wang,Andrea Foletto,Kamyar Khosravi,Masahira KURIHARA. Владелец: Allegro Microsystems, LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Low-Noise Block Down-Converter and Satellite Television System

Номер патента: US20140089991A1. Автор: Che-Ming Wang,Chih-Chang Ko. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2014-03-27.

Low noise vertical take-off and landing (vtol) unmanned air vehicle (uav)

Номер патента: US20230382569A1. Автор: Tomas A. Pribanic. Владелец: Undefined Technologies Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Ultra-low noise quantum frequency conversion for trapped ion quantum network

Номер патента: WO2024059496A1. Автор: Edo Waks,Uday SAHA. Владелец: University of Maryland, College Park. Дата публикации: 2024-03-21.

Compact low noise low power dual mode battery charging circuit

Номер патента: US5304917A. Автор: Thomas A. Somerville. Владелец: Burr Brown Corp. Дата публикации: 1994-04-19.

Low-noise transmitting receiving earset or earpiece

Номер патента: GB2429600A. Автор: Jin-Chou Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-28.

Low noise, high efficiency, induction heating apparatus

Номер патента: CA1047121A. Автор: Toshio Ito,Masahiro Hibino,Tetsuya Kohya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1979-01-23.

Low noise miniature electric motor

Номер патента: US5262703A. Автор: Fritz Schmider,Thomas Von Der Heydt. Владелец: Papst Licensing GmbH and Co KG. Дата публикации: 1993-11-16.

Low-noise, high-speed, high precision and high-thrust flux reversal motor for linear or rotary motion system

Номер патента: EP2012414A3. Автор: Ji Young Lee,Ji Won Kim,Shi Uk Chung,Do Hyun Kang,Jung Hwan Chang. Владелец: Korea Electrotechnology Research Institute KERI. Дата публикации: 2016-04-06.

Low-noise cryogenic MOSFET

Номер патента: US5357130A. Автор: Frank J. Scholz,James W. Roach,Wing Y. Lum. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-10-18.

Transmitting and receiving arrangement with at least two pairs of respectively one transmitting power amplifier and one low noise input amplifier

Номер патента: CA2476363A1. Автор: Matthias Bopp,Stephan Gerlach. Владелец: Stephan Gerlach. Дата публикации: 2005-02-01.

Low noise serial interfaces with gated clock

Номер патента: US10437774B2. Автор: Thomas Obkircher,Guillaume Alexandre Blin,James Henry Ross,Bryan J. Roll. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Low noise, high power pseudomorphic HEMT

Номер патента: US5811844A. Автор: Yu-Chi Wang,Jenn-Ming Kuo. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-09-22.

Low-noise downconverter for use with flat antenna receiving dual polarized electromagnetic waves

Номер патента: US5630226A. Автор: Yoshitaka Kimura,Minoru Kanda,Mikio Komatsu,Kyoji Masamoto,Naoki Ao. Владелец: Matsushita Electric Works Ltd. Дата публикации: 1997-05-13.

Low noise electron gun

Номер патента: GB842967A. Автор: . Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1960-08-04.

Low noise Ge-JFETs

Номер патента: US5907168A. Автор: Timothy T. Childs. Владелец: TLC Precision Wafer Technology Inc. Дата публикации: 1999-05-25.

System and method for improved determination of universal low noise block satellite interface type

Номер патента: US20240089556A1. Автор: Paul Richard PRATT,Robert Michael PAYNE. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Low noise block (lnb) mounting system

Номер патента: WO1999060658A1. Автор: Derek Arthur Henry Grice,Simon Paul Wilson. Владелец: Cambridge Industries Limited. Дата публикации: 1999-11-25.

Low noise jfet

Номер патента: WO2008128007A2. Автор: Imran Khan,Joe Trogolo,Pinghai Hao. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2008-10-23.

Low noise ecg cable and electrical assembly

Номер патента: WO2012009141A2. Автор: Kirk Mikkelsen,David Wandler. Владелец: Technical Services for Electronics, Inc.. Дата публикации: 2012-01-19.

Three-phase low noise charge pump and method

Номер патента: WO2007028087A3. Автор: Sergey Alenin. Владелец: Sergey Alenin. Дата публикации: 2007-05-31.

Ultra-low noise, highly stable single-mode operation, high power, bragg grating based semiconductor laser

Номер патента: US20190372307A1. Автор: Paul A. Morton. Владелец: Morton Photonics Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Low noise piezoelectric sensors

Номер патента: US20230422624A1. Автор: Craig Core,Robert John Littrell. Владелец: Qualcomm Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Rf signal transmission over a low noise factor fiber

Номер патента: WO2023121625A3. Автор: Ibrahim Tuna Ozdur. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2023-08-03.

Ultra-low noise, highly stable single-mode operation, high power, Bragg grating based semiconductor laser

Номер патента: US11005233B2. Автор: Paul A. Morton. Владелец: Morton Hybrid Lasers LLC. Дата публикации: 2021-05-11.

Rf signal transmission over a low noise factor fiber

Номер патента: WO2023121625A2. Автор: Ibrahim Tuna Ozdur. Владелец: Tobb Ekonomi Ve Teknoloji Universitesi. Дата публикации: 2023-06-29.

Low noise jfet

Номер патента: WO2008128007A8. Автор: Imran Khan,Joe Trogolo,Pinghai Hao. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2011-03-10.

Low noise ecg cable and electrical assembly

Номер патента: WO2012009141A3. Автор: Kirk Mikkelsen,David Wandler. Владелец: Technical Services for Electronics, Inc.. Дата публикации: 2012-04-05.

Three-phase low noise charge pump and method

Номер патента: EP2036194A2. Автор: Sergey Alenin. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-18.

Three-phase low noise charge pump and method

Номер патента: WO2007028087A2. Автор: Sergey Alenin. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2007-03-08.

Methods and systems for utilizing low gain low noise signal amplification and ideal taps in coaxial networks

Номер патента: US20190081661A1. Автор: Sridhar Ramesh,Steven John Krapp. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Active complex spatial light modulation method and device for ultra-low noise holographic display

Номер патента: EP3933464A1. Автор: Hwi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-05.

Active complex spatial light modulation method and apparatus for an ultra-low noise holographic display

Номер патента: US20200278642A1. Автор: Hwi Kim,Joonku Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-03.

Low noise piezoelectric sensors

Номер патента: EP4256628A1. Автор: Robert J. Littrell,Craig Core. Владелец: Qualcomm Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-11.

Low noise block converter feedhorn

Номер патента: US20100001816A1. Автор: Wen-Tsai Tsai,Tsan-Chou Wu,Chen-Yueh Chen. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2010-01-07.

Low Noise Relay

Номер патента: US20200395181A1. Автор: Jong Joo Kim,In Sic Kim,Su Mi Son,Jong Hyuk Jung. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

High Force And Low Noise Linear Fine-Tooth Motor

Номер патента: US20200266692A1. Автор: David L. Trumper,Jun Young Yoon. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2020-08-20.

Optical amplifier using optical fiber

Номер патента: US09806492B2. Автор: Woo Jin Shin. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-10-31.

Nonlinear fiber amplifiers used for a 1430-1530nm low-loss window in optical fibers

Номер патента: US6101024A. Автор: Mohammed Nazrul Islam,Hayden Henry Harris. Владелец: Xtera Communications Inc. Дата публикации: 2000-08-08.

Doped optical fiber having core and clad structure for increasing the amplification band of an optical amplifier using the optical fiber

Номер патента: US5778129A. Автор: Shinya Inagaki,Norifumi Shukunami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Temperature compensating method in automatic diaphragm control amplifier used with objective for CCTV camera

Номер патента: US4755759A. Автор: Masayuki Arai,Terumi Ogasawara. Владелец: Asahi Seimitsu KK. Дата публикации: 1988-07-05.

Optical fiber, and optical module and Raman amplifier using the optical fiber

Номер патента: US20050146781A1. Автор: Takeshi Yagi,Ryuichi Sugizaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Multi-stage low noise integrated object and system cooling solution

Номер патента: EP1644808A2. Автор: Daryl Nelson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-04-12.

Multi-stage low noise integrated object and system cooling solution

Номер патента: TWI243638B. Автор: Daryl Nelson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-11-11.

Multi-stage low noise integrated object and system cooling solution

Номер патента: TW200509779A. Автор: Daryl Nelson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-03-01.

Multi-stage low noise integrated object and system cooling solution

Номер патента: WO2005013109A3. Автор: Daryl Nelson. Владелец: Daryl Nelson. Дата публикации: 2005-04-14.

Multi-stage low gwp air conditioning system

Номер патента: EP4365513A3. Автор: Ankit SETHI,Elizabet Del Carmen Vera Becerra,Samuel Yana Motta. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-08-07.

Multi-stage low gwp air conditioning system

Номер патента: EP4365513A2. Автор: Ankit SETHI,Elizabet Del Carmen Vera Becerra,Samuel Yana Motta. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Controlled Power Up and Power Down of Multi-Stage Low Drop-Out Regulators

Номер патента: US20220057822A1. Автор: Zamarreno Ramos Carlos,Vangara Satish. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-24.

MULTI-STAGE LOW GWP AIR CONDITIONING SYSTEM

Номер патента: US20170191705A1. Автор: Yana Motta Samuel F.,VERA BECERRA ELIZABET del CARMEN,SETHI Ankit. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-06.

Multi-stage low pressure drop muffler

Номер патента: WO2011162924A3. Автор: Gang Wang,William B. Rockwood,Ferdy Martinus,Thomas J. Benedict,Brad A. Boecker. Владелец: TRANE INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2012-04-12.

Multi-stage, low-temperature washing process for the purification of raw gases rich in sulfur and carbonic acid

Номер патента: FR1071907A. Автор: . Владелец: Gesellschaft fuer Lindes Eismaschinen AG. Дата публикации: 1954-09-07.

Two-stage Stirling and single-stage pulse tube gas coupling cascaded multi-stage low temperature refrigerator

Номер патента: CN102313395A. Автор: 王博,邱利民,甘智华. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2012-01-11.

Multi-stage low bed-depth catalytic reactor having internal heat exchange, and use thereof

Номер патента: EP1236506A1. Автор: Frederic Hoffmann,Eric Lenglet,Philippe Mege. Владелец: IFP Energies Nouvelles IFPEN. Дата публикации: 2002-09-04.

Multi-stage low-temperature refrigerator

Номер патента: JP2000507684A. Автор: ヘフナーハンス―ウルリッヒ,ハイデンクリストフ,トゥメスギュンター. Владелец: Leybold Vakuum GmbH. Дата публикации: 2000-06-20.

Controlled Power Up and Power Down of Multi-Stage Low Drop-Out Regulators

Номер патента: US20230004178A1. Автор: Carlos Zamarreno Ramos,Satish Vangara. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Multi-stage low gwp air conditioning system

Номер патента: EP3417215A4. Автор: Ankit SETHI,Samuel F. Yana Motta,Elizabet Del Carmen Vera Becerra. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2019-10-02.

Multi-stage low GWP air conditioning system

Номер патента: CN114061163A. Автор: A·塞蒂,S·F·亚纳莫塔,E·d·C·贝拉韦塞拉. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2022-02-18.

Multi-stage low-temperature sludge drying device and method coupling internal and external heat and mass transfer

Номер патента: CN111977937A. Автор: 张绪坤,甘茂云,傅伟良,张城镇,邹雪平,陈仕,陈屹林. Владелец: NANCHANG HANGKONG UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-11-24.

Extraction of gallium and/or arsenic from gallium arsenide

Номер патента: US09611521B2. Автор: Michael R. Sievers. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Vacuum apparatus for processing semiconductor wastes containing gallium arsenide

Номер патента: RU2653893C2. Автор: Виталий Евгеньевич Дьяков. Владелец: Виталий Евгеньевич Дьяков. Дата публикации: 2018-05-15.

Novel gallium arsenide precursor and low temperature method of preparing gallium arsenide therefrom

Номер патента: US4879397A. Автор: Klaus H. Theopold,Erin K. Byrne. Владелец: Cornell Research Foundation Inc. Дата публикации: 1989-11-07.

Oxidative dissolution of gallium arsenide and separation of gallium from arsenic

Номер патента: CA1338030C. Автор: James Patrick Coleman,Bruce Francis Monzyk. Владелец: Met Tech Systems Ltd. Дата публикации: 1996-02-06.

Extraction of gallium and/or arsenic from gallium arsenide

Номер патента: US20140061982A1. Автор: Michael R. Sievers. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2014-03-06.

Gallium arsenide single crystal, and gallium arsenide single crystal substrate

Номер патента: EP3835465A1. Автор: Yukio Ishikawa,Hidetoshi Takayama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-06-16.

Gallium arsenide crystal substrate

Номер патента: EP3757261A1. Автор: Hidetoshi Takayama,Masanori Morishita,Yasuaki Higuchi,Yoshiaki Hagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-12-30.

Gallium arsenide crystal substrate

Номер патента: US20200131668A1. Автор: Hidetoshi Takayama,Masanori Morishita,Yasuaki Higuchi,Yoshiaki Hagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Gallium arsenide single crystal substrate and method for producing gallium arsenide single crystal substrate

Номер патента: US11891720B2. Автор: Fumitake Nakanishi,Koji Uematsu,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Method for low noise biopotential signal measurement

Номер патента: US20190380654A1. Автор: Jason Felix,Leslie A. Chertok,Vandana Verma. Владелец: Vandana Verma. Дата публикации: 2019-12-19.

Low-noise technical room

Номер патента: RU2670309C2. Автор: Михаил Ильич Фесина,Лариса Николаевна Горина,Игорь Викторович Дерябин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тольяттинский государственный университет". Дата публикации: 2018-10-22.

Indium doped gallium arsenide crystals and method of preparation

Номер патента: US4594173A. Автор: Richard N. Thomas,Donovan L. Barrett,Hudson M. Hobgood. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1986-06-10.

Low-noise technical room

Номер патента: RU2684942C1. Автор: Михаил Ильич Фесина,Лариса Николаевна Горина,Игорь Викторович Дерябин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тольяттинский государственный университет". Дата публикации: 2019-04-16.

Layered electrophotographic imaging element, apparatus and method sensitive to gallium arsenide laser, the element including two charge generation layers and a polycarbonate adhesive layer

Номер патента: US4390610A. Автор: Larry D. Bowden,Albert H. Miyashita,Charles I. Ravenelle. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-06-28.

Method of growing gallium arsenide crystals using boron oxide encapsulant

Номер патента: CA1214381A. Автор: Roelof P. Bult,Ted E. Schroeder,James G. Needham. Владелец: Teck Metals Ltd. Дата публикации: 1986-11-25.

Semi-insulating gallium arsenide single crystal, preparation method and growth device therefor

Номер патента: US20240093402A1. Автор: Youjun Gao. Владелец: Shanxi China Crystal Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Low-noise earthquake-resistant industrial building

Номер патента: RU2655710C2. Автор: Мария Михайловна Стареева. Владелец: Мария Михайловна Стареева. Дата публикации: 2018-05-29.

Kochetov low-noise building

Номер патента: RU2582686C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2016-04-27.

Low-noise earthquake-resistant industrial building

Номер патента: RU2644792C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-02-14.

Low noise screw propeller

Номер патента: RU2710142C1. Автор: Александр Александрович Петров,Елена Владимировна Яковлева,Валентин Викторович Савенко,Игорь Викторович Грушецкий,Юрий Фёдорович Шлемов,Иван Олегович Малинин,Дмитрий Геннадьевич Добрынин,Василий Юрьевич Смольников. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2019-12-24.

Low noise correlated double sampling amplifier for 4t technology

Номер патента: US20100109711A1. Автор: John Stevens,Adam Lee,Stefan C. Lauxtermann. Владелец: Teledyne Scientific and Imaging LLC. Дата публикации: 2010-05-06.

Low-noise pocket-type wheel guard

Номер патента: US11724656B2. Автор: Jong-Hyun Lee,Byung-Chul Son,Eric Jin Ser Lee,Ju-Wan Yi,Dong-Gwan Roh. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Low-noise vibrational spectroscopy

Номер патента: US20220228969A1. Автор: Paul Reed Smith,William G. Nelson,Eric K. Pritchard,Sandor Szalay,Frederick M. Slay,Shane G.W. Morris,Jonathan B. Coulter. Владелец: Digital Harmonic LLC. Дата публикации: 2022-07-21.

Low-noise, gas-type, instantaneous water heater

Номер патента: US20150090200A1. Автор: Bu Qiu,Dayan Bi,Ya ZHAO. Владелец: AO Smith Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Low Noise Bandgap References

Номер патента: US20110241646A1. Автор: Robert L. Vyne. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Structure of low noise saw and low noise diamond sawc

Номер патента: WO2007078058A1. Автор: Seung-Hee Han,Jun-Hyun Han,Kwang-Koo Jee,Yoon-Bae Kim. Владелец: KOREA INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2007-07-12.

Low-noise adjustable throttle device

Номер патента: RU2764488C1. Автор: Александр Сергеевич Голиков,Александр Андреевич Марущенко,Максим Николаевич Дурапов. Владелец: Акционерное общество "Производственное объединение "Северное машиностроительное предприятие". Дата публикации: 2022-01-17.

Low-noise earthquake-resistant industrial building

Номер патента: RU2656425C2. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-06-05.

Low-noise ship cabin

Номер патента: RU2669813C2. Автор: Мария Михайловна Стареева. Владелец: Мария Михайловна Стареева. Дата публикации: 2018-10-16.

Three-axis pre-modulated low noise magnetoresistive sensor

Номер патента: EP3748305A1. Автор: James Geza Deak,Zhimin Zhou. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-09.

Thin-wall-long-shaft-low-noise transmission mechanism for pedestal pumps

Номер патента: US20190360494A1. Автор: Xian Wang. Владелец: GP Enterprises Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-28.

Low-noise screw device

Номер патента: US20090293658A1. Автор: Katsuya Iida,Hiroshi Niwa,Hidekazu Michioka,Yoshiaki Saitoh. Владелец: THK Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-03.

Low noise fast stable voltage regulator circuit

Номер патента: US20040232895A1. Автор: Chi-Ming Hsiao,Chi-Kun Chiu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2004-11-25.

Low-noise ro water purifier

Номер патента: WO2022029002A1. Автор: Lei Zhang,Xiaofei Lu,Junbo GUO,Miaoquan HUANG,Kunhai Liu. Владелец: Zhejiang Qinyuan Water Treatment S. T. Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-02-10.

Railway or tramway track with modular panels of a low noise barrier

Номер патента: EP3436639A1. Автор: Jan Eisenreich. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-06.

Hand-held low-noise shock-absorbing electric massager

Номер патента: US20220339061A1. Автор: Shengxiong Chen,Jianguang HE,Zhimin MAI. Владелец: Guangdong Lemark Electronics Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Low drag low noise devices using jet flow control

Номер патента: US09676427B2. Автор: Gecheng Zha. Владелец: Dialectic Flow Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-13.

Aircraft with low noise at take-off and landing

Номер патента: RU2388651C2. Автор: Кристоф КРО. Владелец: Эрбюс Франс. Дата публикации: 2010-05-10.

Low-noise technical room

Номер патента: RU2715727C1. Автор: Михаил Ильич Фесина,Лариса Николаевна Горина,Игорь Викторович Дерябин,Михаил Дмитриевич Пономарев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тольяттинский государственный университет". Дата публикации: 2020-03-03.

Kochetov low-noise aseismic production building

Номер патента: RU2606887C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2017-01-10.

Low noise seismic resistance industrial building

Номер патента: RU2611650C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2017-02-28.

Low noise punch tool

Номер патента: US5410927A. Автор: Oriya Fujita,Hitoshi Omata. Владелец: Amada Metrecs Co Ltd. Дата публикации: 1995-05-02.

Low noise and high efficiency blade for axial fans and rotors and axial fan or rotor comprising said blade

Номер патента: US11795975B2. Автор: Roberto Eduardo Mosiewicz. Владелец: REM Holding Srl. Дата публикации: 2023-10-24.

Low noise and anti-cavitation rotary control valve

Номер патента: WO2024026303A1. Автор: Mathew Varghese,Pramod B. Kumar,Sarath Ks,Sreeharsha Paramashivaiah. Владелец: Bray International, Inc.. Дата публикации: 2024-02-01.

Low noise and wide range wavelength tuning on metamaterial absorber for cooled and uncooled thermal detectors

Номер патента: WO2022055462A1. Автор: Hasan GOKTAS. Владелец: Goektas Hasan. Дата публикации: 2022-03-17.

Low-noise lifting device

Номер патента: US20210123516A1. Автор: Wen-Pin Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-04-29.

Thin-wall-long-shaft-low-noise transmission mechanism for pedestal pumps

Номер патента: US10774836B2. Автор: Xian Wang. Владелец: GP Enterprises Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-15.

Hair dryer with low noise impact

Номер патента: WO2023139453A1. Автор: Anna Franciosi,Felice Andrea Totaro. Владелец: Anna Franciosi Di Anna Franciosi & C. Sas. Дата публикации: 2023-07-27.

Lightweight and low noise gear assembly

Номер патента: EP4399420A1. Автор: Carlos Henrique WINK,Bruno Cesar MUSSULINI,André Luís DE ARAUJO MARQUES LEÃO,Natasha Queiroz NOGUEIRA DE SOUZA,Paulo Roberto TEIXEIRA DA SILVA,Marco Aurélio LUIZ DE OLIVERIA. Владелец: Eaton Intelligent Power Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

High-speed hair dryer with low noise and high air pressure

Номер патента: US20240335020A1. Автор: Zhen Huang,Pingxian ZHONG,Jingwen Cheng,Gangyao KUANG. Владелец: China Drive Motors (shenzhen) Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Drainage device with a low-noise drainage shell for air-conditioning equipment

Номер патента: US09777943B2. Автор: Yu-Ming Hsiao. Владелец: Holimay Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Low noise pulley

Номер патента: US09671007B2. Автор: Kevin G. Dutil,James Kevin Lindstrom,Jeffrey A. Swane,Zachary Fittro,Donald B. Brown,Robert James Crist. Владелец: Dayco IP Holdings LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Low-noise throttle

Номер патента: RU2633742C1. Автор: Алексей Николаевич Лобанов,Николай Владимирович Пялов,Николай Николаевич Ромашов. Владелец: Акционерное общество "Концерн "Научно-производственное объединение "Аврора". Дата публикации: 2017-10-17.

Low-noise axial fan impeller blade

Номер патента: RU2763630C1. Автор: Юрий Васильевич Холодников,Сергей Владимирович Сметанин,Сергей Юрьевич Замараев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Специальное Конструкторское Бюро "Мысль". Дата публикации: 2021-12-30.

Kochetov low-noise aseismic production building

Номер патента: RU2656432C2. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-06-05.

Low-noise self-propelled underwater vehicle

Номер патента: RU2747689C1. Автор: Александр Александрович Горшков. Владелец: Александр Александрович Горшков. Дата публикации: 2021-05-12.

Low-noise production building

Номер патента: RU2651559C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-04-20.

Low noise ventilation unit

Номер патента: RU2635780C2. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2017-11-15.

Aircraft with low noise at take-off and landing

Номер патента: RU2388658C2. Автор: Кристоф КРО. Владелец: Эрбюс Франс. Дата публикации: 2010-05-10.

Diffuser wind-driven power plant with low noise level

Номер патента: RU2501975C1. Автор: Лев Алексеевич Маслов,Виктор Владимирович Митрофович,Александр Юрьевич Онин,Александр Евгеньевич Усачов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственное предприятие "ВЭС". Дата публикации: 2013-12-20.

Low-noise technical room

Номер патента: RU2716043C1. Автор: Михаил Ильич Фесина,Александр Валентинович Краснов,Лариса Николаевна Горина,Игорь Викторович Дерябин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тольяттинский государственный университет". Дата публикации: 2020-03-05.

Kochetov low-noise structure for earthquake-resistant industrial buildings

Номер патента: RU2600236C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2016-10-20.

Method for inhibiting growth of P. aeruginosa using gallium-containing compounds

Номер патента: US5997912A. Автор: Bradley E. Britigan,Larry S. Schlesinger. Владелец: University of Iowa Research Foundation UIRF. Дата публикации: 1999-12-07.

Low Noise and Anti-Cavitation Rotary Control Valve

Номер патента: US20240035590A1. Автор: Mathew Varghese,Pramod B. Kumar,Sarath Ks,Sreeharsha Paramashivaiah. Владелец: Bray International Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Low noise pneumatic tire

Номер патента: US20140020801A1. Автор: Atsushi Tanno. Владелец: Yokohama Rubber Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-23.

Low noise gas turbine engine

Номер патента: US11988148B2. Автор: Alastair D Moore,Robert J Telling. Владелец: Rolls Royce PLC. Дата публикации: 2024-05-21.

Low-noise pocket-type wheel guard

Номер патента: US20210206332A1. Автор: Jong-Hyun Lee,Byung-Chul Son,Eric Jin Ser Lee,Ju-Wan Yi,Dong-Gwan Roh. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Power tool configured to operate in low-noise mode

Номер патента: US20190275657A1. Автор: Pierre Lanquist. Владелец: HUSQVARNA AB. Дата публикации: 2019-09-12.

Low-noise reverse osmosis demineralisation unit

Номер патента: RU2748192C1. Автор: Владимир Фёдорович Фомин. Владелец: Владимир Фёдорович Фомин. Дата публикации: 2021-05-20.

Low-noise low-frequency analogue signal recorder

Номер патента: RU2685067C1. Автор: Сергей Львович Арутюнов,Юрий Владимирович Сиротинский,Алексей Евгеньевич Кременецкий,Алексей Григорьевич Мехнин,Андрей Евгениевич Сунцов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НАУЧНО-ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЙ КОМПЛЕКС АНЧАР". Дата публикации: 2019-04-16.

Low-noise fan by kochetov

Номер патента: RU2630048C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2017-09-05.

Low-noise earthquake-resistant industrial building

Номер патента: RU2655667C2. Автор: Анна Михайловна Стареева. Владелец: Анна Михайловна Стареева. Дата публикации: 2018-05-29.

Low noise level internal combustion engine

Номер патента: US5404847A. Автор: Jeiwon Han. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 1995-04-11.

Low-noise gear wheel

Номер патента: RU2652941C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2018-05-03.

Detection of low noise frequencies for multiple frequency sensor panel stimulation

Номер патента: US20080309628A1. Автор: Christoph Horst Krah,Steve Porter Hotelling,Wayne Carl Westerman,Sean Erik O'Connor. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2008-12-18.

Low noise toilet tank valve

Номер патента: CA2024272C. Автор: Adolf Schoepe,Oscar Dufau. Владелец: Fluidmaster Inc. Дата публикации: 1993-10-19.

Supersonic low-noise aircraft with tandem wings

Номер патента: RU2605585C1. Автор: Дмитрий Сергеевич Дуров. Владелец: Дмитрий Сергеевич Дуров. Дата публикации: 2016-12-20.

Low-noise control valve

Номер патента: US4693450A. Автор: Herbert K. Paetzel. Владелец: Masoneilan International Inc. Дата публикации: 1987-09-15.

Low noise roller chain

Номер патента: US5921880A. Автор: Eiji Ishimoto,Masatoshi Sonoda. Владелец: Tsubakimoto Chain Co. Дата публикации: 1999-07-13.

Low noise power systems and associated method

Номер патента: CA3126806C. Автор: Nathan Joe Jochman. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC. Дата публикации: 2024-01-16.

Low-noise breathing mask

Номер патента: US11975149B1. Автор: David Luo. Владелец: Dcstar Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Low noise response detection using optical probe

Номер патента: WO2024011089A1. Автор: Rebecca C. Bradley,Jr. James V. Coe. Владелец: Ir Medtek LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Three-axis upstream-modulated low-noise magnetoresistive sensor

Номер патента: US20210103009A1. Автор: James Geza Deak,Zhimin Zhou. Владелец: MultiDimension Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-08.

Low noise response detection using optical probe

Номер патента: US11607135B1. Автор: James V. Coe, Jr.,Rebecca C. Bradley. Владелец: Ir Memtek LLC. Дата публикации: 2023-03-21.

Low-noise optical frequency converter

Номер патента: US20040085620A1. Автор: Masayuki Izutsu,Tetsuya Kawanishi. Владелец: Communications Research Laboratory. Дата публикации: 2004-05-06.

Method and optical fiber device for production of low-noise continuum

Номер патента: WO2006066093A2. Автор: Fei Lu,Wayne H. Knox. Владелец: UNIVERSITY OF ROCHESTER. Дата публикации: 2006-06-22.

Hand-held power screwdriver with a low-noise torque clutch

Номер патента: US20050126802A1. Автор: Manfred Ludwig,Reinhard Riedl. Владелец: Hilti AG. Дата публикации: 2005-06-16.

Efficient low-noise aircraft propulsion system

Номер патента: US20190283888A1. Автор: James Paul Hines. Владелец: U S Aeronautics Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Low-noise air nozzle

Номер патента: US20020000484A1. Автор: Frederic Berg. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2002-01-03.

Method and optical fiber device for production of low-noise continuum

Номер патента: WO2006066093A3. Автор: Fei Lu,Wayne H Knox. Владелец: Wayne H Knox. Дата публикации: 2007-03-01.

Integrated low-noise sensing circuit with efficient bias stabilization

Номер патента: US20140132284A1. Автор: Siew-Seong Tan,Yung-Jane Hsu. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-05-15.

Electronic devices with low-noise pressure sensors

Номер патента: US09671300B2. Автор: Stuart K. Neubarth,Michael A. Lehr,Henry H. Yang,David Macneil. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Active probe card for high resolution/low noise wafer level testing

Номер патента: US4780670A. Автор: Robert S. Cherry. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1988-10-25.

Low noise hydraulic pump with check valve timing device

Номер патента: US5634776A. Автор: Richard S. Leemhuis,Don G. Olmstead. Владелец: Trinova Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

New low noise grease gelling agents

Номер патента: WO2004074413A3. Автор: Carl E Ward,Carlos E Littlefield. Владелец: Carlos E Littlefield. Дата публикации: 2004-10-14.

Low noise active tracking mechanism

Номер патента: CA2132242C. Автор: Walter J. Sanborn,Chee-Chiu J. Wong. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1997-12-09.

Squid magnetivity having a totally enclosing electromagnetic shield with a predeterminded sheet resistance for low noise

Номер патента: US5475306A. Автор: Jurgen Kohler,Kai-Michael Lüdeke,Olaf Dossel. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-12-12.

Low noise railroad retarder brake shoe structure

Номер патента: CA1166976A. Автор: Michael B. Mazur,Emil M. Punko. Владелец: AAA Sales and Engineering Inc. Дата публикации: 1984-05-08.

Low noise timing belt

Номер патента: CA2061079C. Автор: Chee-Chiu Joseph Wong,Walter J. Sanborn. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2001-04-10.

Low-noise rotary control valve

Номер патента: CA2145173C. Автор: Chris M. Leinen. Владелец: Dresser LLC. Дата публикации: 2003-07-01.

Low-noise reset control system for lamp

Номер патента: EP4273444A1. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Lightweight and low noise gear assembly

Номер патента: WO2023036468A1. Автор: Carlos Henrique WINK,Bruno Cesar MUSSULINI,André Luís DE ARAUJO MARQUES LEÃO,Natasha Queiroz NOGUEIRA DE SOUZA,Paulo Roberto TEIXEIRA DA SILVA,Marco Aurélio LUIZ DE OLIVERIA. Владелец: Eaton Intelligent Power Limited. Дата публикации: 2023-03-16.

Low noise vertical take-off and landing (vtol) unmanned air vehicle (uav)

Номер патента: WO2022086667A3. Автор: Tomas A. Pribanic. Владелец: Undefined Technologies Corp.. Дата публикации: 2022-06-23.

Low-noise sensor system

Номер патента: US11864922B2. Автор: Cristiano Dalvi,Jeroen Poeze. Владелец: Cercacor Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Low-noise, large dynamic-range sensor for measuring current

Номер патента: US20210132120A1. Автор: James William Masten, JR.. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-06.

Press water drop head device convenient for cleaning and having low noise

Номер патента: US20200130028A1. Автор: Mingzi Zhang,Qianfeng Peng,Kunhua ZHONG,Yaling Chen. Владелец: Guangzhou Seagull Kitchen and Bath Products Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Low-noise self-capacitor sensing for capacitive touch panels

Номер патента: US11954286B1. Автор: Chao Yang,Dazhi Wei. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Low noise vertical take-off and landing (vtol) unmanned air vehicle (uav)

Номер патента: CA3193570A1. Автор: Tomas A. Pribanic. Владелец: Undefined Technologies Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Low noise vertical take-off and landing (vtol) unmanned air vehicle (uav)

Номер патента: EP4217275A2. Автор: Tomas A. Pribanic. Владелец: Undefined Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-02.

Low-noise sensor system

Номер патента: US20240164723A1. Автор: Cristiano Dalvi,Jeroen Poeze. Владелец: Willow Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Low-noise sensor system

Номер патента: US20230240617A1. Автор: Cristiano Dalvi,Jeroen Poeze. Владелец: Cercacor Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Kochetov low-noise manufacturing building

Номер патента: RU2610013C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2017-02-07.

Cooling device with low noise level

Номер патента: RU2501982C2. Автор: Окке АУВЕЛТЬЕС,Клеменс Й.М. ЛАСАНСЕ,Йорис А.М. НИУВЕНДЕЙК,Роналдус М. АРТС. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2013-12-20.

Low noise industrial building

Номер патента: RU2611768C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2017-03-01.

Earthquake-resistant low noise building

Номер патента: RU2658940C2. Автор: Мария Михайловна Стареева. Владелец: Мария Михайловна Стареева. Дата публикации: 2018-06-26.

Method and apparatus for providing high bandwidth, low noise mechanical I/O for computer systems

Номер патента: US5731804A. Автор: Louis B. Rosenberg. Владелец: Immersion Human Interface Corp. Дата публикации: 1998-03-24.

Testing stiffness based on acoustic emission with low noise coefficients

Номер патента: RU2582896C2. Автор: Федерико БЕЛЛИН. Владелец: Варел Интернэшнл Инд., Л.П.. Дата публикации: 2016-04-27.

Amphibious, pressurizable and low noise twin-engine aircraft configuration

Номер патента: CA3063562A1. Автор: Antoine Moreau. Владелец: Mad Aerospace Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Low noise fluid distributor

Номер патента: US4109563A. Автор: George W. Schleicher. Владелец: Vapor Corp. Дата публикации: 1978-08-29.

Unrolling low-noise self-adhesive tape and process for the preparation thereof

Номер патента: CA1338132C. Автор: Giuseppe Pellegrini. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1996-03-12.

Low-noise blower

Номер патента: CA2916683A1. Автор: Steven Duquette. Владелец: CareFusion 303 Inc. Дата публикации: 2014-12-31.

Amphibious, pressurizable and low noise twin-engine aircraft configuration

Номер патента: CA3063562C. Автор: Antoine Moreau. Владелец: Mad Aerospace Corp. Дата публикации: 2020-07-21.

Low noise cooker hood

Номер патента: US5983888A. Автор: Guolian Wu,Jeffery John Anselmino. Владелец: Whirlpool Corp. Дата публикации: 1999-11-16.

Low-noise process for pavement fragmentation

Номер патента: US3778109A. Автор: P Anderson,J Dally. Владелец: Institute of Gas Technology. Дата публикации: 1973-12-11.

Low-noise-level internal combustion Vee-engines

Номер патента: US4278055A. Автор: Hans List,Johann Wagner,Othmar Skatsche,Josef Greier,Gerhard Thien,Heinz Fachbach. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-07-14.

Low noise 3V/5V CMOS bias circuit

Номер патента: US5705921A. Автор: Ping Xu. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-01-06.

Low noise fluid pressure reducer

Номер патента: CA1112981A. Автор: John R. Marshall,John M. Zabsky. Владелец: Dresser Industries Inc. Дата публикации: 1981-11-24.

Commercial air cooled apparatuses incorporating axial flow fans comprising super low noise fan blades

Номер патента: CA2793456C. Автор: John D. Moore. Владелец: Moore Fans Llc. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of producing low iron loss grain-oriented silicon steel sheet having low-noise and superior shape characteristics

Номер патента: US5296051A. Автор: Kazuhiro Suzuki,Yukio Inokuti. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1994-03-22.

Low noise solid-state thermostat with microprocessor controlled fault detection and reporting, and programmable set points

Номер патента: CA2491544A1. Автор: Jon D. Shearer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-09.

Low-noise speed reduction for a one-track bottle flow, especially for bottling plants

Номер патента: US4308944A. Автор: Wolfgang Probst. Владелец: Seitz-Werke GmbH. Дата публикации: 1982-01-05.

Low noise blower for CPAP devices with a shield to isolate the stator vane from the impeller pressure pulse

Номер патента: NZ589602A. Автор: Barton John Kenyon,Peter John Sweeney. Владелец: ResMed Motor Technologies Inc. Дата публикации: 2012-02-24.

Small, low-noise side channel compressor, in particular for devices in ventilation therapy

Номер патента: CA2889744C. Автор: Dietmar Eberhard,Ewald Anger. Владелец: Tni Medical Ag. Дата публикации: 2018-05-22.

Easy access low noise granulator

Номер патента: CA1086700A. Автор: William J. Walker,Henri A. Boulay. Владелец: Leesona Corp. Дата публикации: 1980-09-30.

Low-Noise Multi-Propeller System

Номер патента: US20200108913A1. Автор: Noah H. Schiller,Kyle A. Pascioni,Stephen A. Rizzi,Nikolas S. Zawodny. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2020-04-09.

Efficient low-noise aircraft propulsion system

Номер патента: US11878805B2. Автор: James Paul Hines. Владелец: Us Aeronautics Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Notebook computer with low-noise keyboard

Номер патента: US20030223186A1. Автор: Yung-Shun Chen. Владелец: QUANTA COMPUTER INC. Дата публикации: 2003-12-04.

Power-efficient, low-noise, and process/voltage/temperature (pvt)-insensitive regulator for a voltage-controlled oscillator (vco)

Номер патента: EP3126924A1. Автор: Mohammad Bagher VAHID FAR,Abbas Komijani,Chan Hong Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-02-08.

System and method for low noise electromagnetic radiation measurement enabling to measure weak signals

Номер патента: US20210018363A1. Автор: Felipe Ernesto Besser Pimentel,Ernest Alexander Michael. Владелец: Universidad De Chile. Дата публикации: 2021-01-21.

Low Noise Voltage Regulator

Номер патента: US20220291705A1. Автор: Gireesh Rajendran,Alok Prakash Joshi. Владелец: Steradian Semiconductors Pvt Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Low-noise reset control system of light fixture

Номер патента: US11774074B2. Автор: Weikai JIANG. Владелец: Guangzhou Haoyang Electronic Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Low-noise main bearing cap for internal combustion engine

Номер патента: US11215138B1. Автор: Xinyu Zhang,Ye Wang,Wenping Zhang,Jie Guo. Владелец: Harbin Engineering University. Дата публикации: 2022-01-04.

Voltage regulator having a low noise discharge switch for non-volatile memories, in particular for discharging word lines from negative voltages

Номер патента: US20070242520A1. Автор: Carmelo Chiavetta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-10-18.

Voltage regulator having a low noise discharge switch for non-volatile memories, in particular for discharging word lines from negative voltages

Номер патента: US7502265B2. Автор: Carmelo Chiavetta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2009-03-10.

Power-efficient, low-noise, and process/voltage/temperature (pvt)-insensitive regulator for a voltage-controlled oscillator (vco)

Номер патента: EP3796124A1. Автор: Mohammad Bagher VAHID FAR,Abbas Komijani,Chan Hong Park. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

System for controlling the speed of a voice coil motor (VCM) in order to provide a low noise ramp loading of a hard disk head

Номер патента: US7106546B2. Автор: Ezio Galbiati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-09-12.

Low-noise multi-axis mems accelerometer

Номер патента: US20210072280A1. Автор: Ville-Pekka RYTKÖNEN,Matti LIUKKU,Anssi Blomqvist. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Methods and devices for low noise current source with dynamic power distribution

Номер патента: WO2005101633A3. Автор: Adrian S Nastase. Владелец: Adrian S Nastase. Дата публикации: 2008-03-27.

Low-noise cooling apparatus

Номер патента: US20120252678A1. Автор: Yong-Ho Lee,Ki-Woong Kim,Seong-Joo Lee,Seong-Min Hwang,Chan Seok Kang. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2012-10-04.

Enhanced low noise, low leakage relief valve

Номер патента: US20240084907A1. Автор: Anthony F. White,II Gerard G. Betz,David Walter Zuk. Владелец: Parker Hannifin Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Low noise gear pump

Номер патента: WO2007106500A3. Автор: James A Ii O'brien. Владелец: James A Ii O'brien. Дата публикации: 2008-01-03.

Methods and devices for low noise current source with dynamic power distribution

Номер патента: US20050226019A1. Автор: Adrian Nastase. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-13.

Sense amplifier used in electrically erasable programmable read-only memory and the implementing method thereof

Номер патента: US20100014356A1. Автор: LIANG Xu,Xiang Yao,Nan Wang,Zi WANG,Li Zhaogui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-21.

Reference voltage generating circuit of sense amplifier using residual data line

Номер патента: US6002616A. Автор: Bong-Hwa Jeong. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-14.

Double heterostructure injection laser - with ribbon shaped junction using gallium arsenide substrate and gallium aluminium arsenide layers

Номер патента: FR2440616A1. Автор: . Владелец: Bouley Jean Claude. Дата публикации: 1980-05-30.

Low noise amplifier transistors with decreased noise figure and leakage in silicon-on-insulator technology

Номер патента: US20210184046A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang,Lothar Musiol. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Boron, bismuth co-doping of gallium arsenide and other compounds for photonic and heterojunction bipolar transistor devices

Номер патента: US09722122B2. Автор: Angelo Mascarenhas. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2017-08-01.

Laminated body of gallium arsenide and boron arsenide and manufacture thereof

Номер патента: JPS6047424A. Автор: Hidechika Yokoyama,Moriatsu Kondou,横山　英親,近藤　守厚. Владелец: KOUJIYUNDO KAGAKU KENKYUSHO KK. Дата публикации: 1985-03-14.

LOW NOISE AMPLIFIER TRANSISTORS WITH DECREASED NOISE FIGURE AND LEAKAGE IN SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGY

Номер патента: US20210184046A1. Автор: Gorbachov Oleksandr,Zhang Lisette L.,MUSIOL LOTHAR. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

LOW NOISE AMPLIFIER TRANSISTORS WITH DECREASED NOISE FIGURE AND LEAKAGE IN SILICON-ON-INSULATOR TECHNOLOGY

Номер патента: US20170162705A1. Автор: Gorbachov Oleksandr,Zhang Lisette L.,MUSIOL LOTHAR,MARTIROSYAN ASHOT. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

LOW NOISE AMPLIFIER PROVIDING VARIABLE GAINS AND NOISE CANCELLATION FOR CARRIER AGGREGATION

Номер патента: US20160173145A1. Автор: Zhang Frank,Bellaouar Abdellatif,Fang Sher Jiun,Abdelhalem Sherif,Forbes Travis. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Front end systems with multi-mode power amplifier stage and overload protection of low noise amplifier

Номер патента: US20210217713A1. Автор: Yasser Khairat Soliman,Leslie Paul WALLIS. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Front end systems with linearized low noise amplifier and injection-locked oscillator power amplifier stage

Номер патента: US20190214354A1. Автор: Yasser Khairat Soliman,Leslie Paul WALLIS. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Compact step-programmable optimization of low-noise amplifier signal-to-noise

Номер патента: US20140354389A1. Автор: Cliff Richard. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Mobile communication relay system and method sharing power amplifier and low noise amplifier

Номер патента: KR20050009002A. Автор: 장재선. Владелец: 주식회사 케이티프리텔. Дата публикации: 2005-01-24.

Microstrip antenna with integral low-noise amplifier for use in global positioning system (GPS) receivers

Номер патента: US5272485A. Автор: Arthur N. Woo,Stanley L. Mason,Eugene Tom. Владелец: TRIMBLE NAVIGATION LTD. Дата публикации: 1993-12-21.

Heterogeneous integration of low noise amplifiers with power amplifiers or switches

Номер патента: US20110143518A1. Автор: Gerard J. Sullivan,Gabor Nagy,Berinder Brar,Joshua I. Bergman,Amal Ikhlassi. Владелец: Teledyne Licensing LLC. Дата публикации: 2011-06-16.

Low noise amplifier transistors with decreased noise figure and leakage in silicon-on-insulator technology

Номер патента: WO2017100416A1. Автор: Oleksandr Gorbachov,Lisette L. Zhang,Lothar Musiol,Ashot MARTIROSYAN. Владелец: SKYWORKS SOLUTIONS, INC.. Дата публикации: 2017-06-15.

One kind adjusts xenon lamp drive circuit based on IGBT and CMOS double loops

Номер патента: CN107949135A. Автор: 刘海波,袁驰. Владелец: Wuhan Love Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-20.

FET with high cut-off frequency - comprising gallium arsenide and aluminium gallium arsenide layers on semi-insulating substrate

Номер патента: FR2452791A1. Автор: Daniel Delagebeaudeuf,Trong Linh Nuyen. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1980-10-24.

Front end systems with multi-mode power amplifier stage and overload protection of low noise amplifier

Номер патента: US11576248B2. Автор: Yasser Khairat Soliman,Leslie Paul WALLIS. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2023-02-07.

In situ etching of gallium arsenide during vapor phase growth of epitaxial gallium arsenide

Номер патента: CA966764A. Автор: James V. Dilorenzo. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1975-04-29.

Beam refrigeration by means of large cathode magnetic fields used in resistive load and/or with low noise amplifier

Номер патента: US3315173A. Автор: Adler Robert. Владелец: Zenith Radio Corp. Дата публикации: 1967-04-18.

Current mode signal interconnects and CMOS amplifier

Номер патента: US20010043080A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-22.

Circular stripline package incorporating a mmic low noise amplifier

Номер патента: IL126926A0. Автор: . Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1999-09-22.

Circular stripline package incorporating a low noise amplifier

Номер патента: AU6939098A. Автор: John J. Halliday,George P. Torgeson,Allen H. Gordon. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 1998-10-12.

Circular stripline package incorporating a MMIC low noise amplifier

Номер патента: TW431072B. Автор: John J Halliday,George P Torgeson,Allen H Gordon. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2001-04-21.

Circular stripline package incorporating a MMIC low noise amplifier

Номер патента: NZ332009A. Автор: John J Halliday,George P Torgeson,Allen H Gordon. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2000-10-27.

Low-noise optical phase sensitive amplifier using a semiconductor nonlinear optical device

Номер патента: US09843410B2. Автор: Inwoong Kim,Youichi Akasaka,Jeng-yuan Yang,Motoyoshi Sekiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

EPITAXIAL GROWTH ON A GALLIUM ARSENIDE PHOSPHIDE CAPPED MATERIAL ON A GALLIUM ARSENIDE SUBSTRATE

Номер патента: US20210159669A1. Автор: Wang Jiaxing,Chang-Hasnain Constance J.,Kapraun Jonas H.,Kolev Emil. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2021-05-27.

GALLIUM ARSENIDE CRYSTAL BODY AND GALLIUM ARSENIDE CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20190264348A1. Автор: Akita Katsushi,Fukunaga Hiroshi,Ishikawa Yukio. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2019-08-29.

PROCESS FOR PRODUCING A GALLIUM ARSENIDE SUBSTRATE, GALLIUM ARSENIDE SUBSTRATE AND USE THEREOF

Номер патента: US20150371844A1. Автор: EICHLER Stefan,SCHEFFER-CZYGAN Max,WEINERT Berndt,FLIEGEL Wolfram,KLEMENT Christoph,WILLNAUER Christa,KLEINWECHTER André,MÄDER Michael. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Methods of bonding targets to backing plate members using gallium based solder pastes and target/backing plate assemblies bonded thereby

Номер патента: US5653856A. Автор: Eugene Y. Ivanov,Tatyana F. Grigoriva,Vladimir V. Boldyrev. Владелец: Tosoh SMD Inc. Дата публикации: 1997-08-05.

Electrical energy from solar radiation - with gallium arsenide crystal- gallium aluminium arsenide crystal transition

Номер патента: FR2234666A1. Автор: . Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1975-01-17.

GALLIUM ARSENIDE EPITAXIAL GROWTH PROCESS AND GALLIUM ARSENIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: FR2386904A1. Автор: . Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1978-11-03.

FET mfg. process esp. with sub-micron quantum wire channel - using two-level electron beam resist system, with different electron exposure sensitivities in resist layers, and forming gate recess in gallium arsenide layer with holes dry etched in aluminium gallium arsenide channel layer

Номер патента: FR2693030A1. Автор: Collot Philippe,Schmidt Poul Erik,Adam Didier. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1993-12-31.

Direct die solder of gallium arsenide integrated circuit dies and methods of manufacturing gallium arsenide wafers

Номер патента: US9530719B2. Автор: HONG Shen. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Bipolar light source with temporally and spatially uniform current supply, based on e.g. aluminum gallium arsenide-gallium arsenide structure, includes luminescent and non-luminescent columns

Номер патента: DE19963550A1. Автор: Bernd Kloth,Michael Humeniuk,Hartwin Obernik,Valery Michailovits Marakhonow. Владелец: EPIGAP OPTOELEKTRONIK GmbH. Дата публикации: 2001-07-05.

SINGLE-SLOPE COMPARISON DEVICE WITH LOW-NOISE, AND ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSION DEVICE AND CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190124284A1. Автор: Kim Min-Kyu,KIM Hyeon-June. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

SINGLE-SLOPE COMPARISON DEVICE WITH LOW-NOISE, AND ANALOG-TO-DIGITAL CONVERSION DEVICE AND CMOS IMAGE SENSOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20190158772A1. Автор: KIM Hyeon-June. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-23.

CMOS complementary metal oxide semiconductor contact hole etching method and CMOS complementary metal oxide semiconductor manufacturing method

Номер патента: CN103560082A. Автор: 吴敏,秦伟,李程,黄海辉,高慧慧,杨渝书. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

DEVICE FOR PRODUCING SINGLE CRYSTALLINE GALLIUM ARSENIDE AND SINGLE CRYSTALLINE GALLIUM ARSENIDE MANUFACTURED BY THIS DEVICE.

Номер патента: DE3481324D1. Автор: Masao C O Osaka Works Of Kishi,Yoshiyuki C O Osaka Work Banba. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1990-03-15.

Methods for preventing or treating infectious diseases caused by extracellular microorganisms, including antimicrobial-resistant strains thereof, using gallium compounds

Номер патента: CA2682745C. Автор: Daniel P. Perl,Sharon Moalem. Владелец: Mount Sinai School of Medicine. Дата публикации: 2014-12-23.

METHOD FOR OBTAINING OXYBENZOPHENONOXYMES1 The invention relates to methods for producing organic compounds that can be used as complexing agents for the recovery of various valuable metals from aqueous solutions of their salts. A known method of producing oxybenzopheno-oximes by reacting benzoic acid chlorides with para-substituted phenols, followed by rearrangement of the resulting esters to oxybenzophenones, which are converted to the corresponding oximes by hydroxylamine hydrochloride in the presence of hydrogen chloride acceptors. And this method is its multi-stage, low yield of ketones at the rearrangement stage, the need to use hydroxylamine hydrochloride, aluminum chloride, and benzyl chloride. zoyl, pyridine, alkali. The purpose of the invention is to simplify the process. According to the proposed method for producing substituted hydroxybenzophenone oximes of the general formula: where R is OH; R2, R "- H, alkyl or alkoxy benzylphenol are photochemically oxidized with nitrosyl chloride or with a mixture of chlorine, nitric oxide and hydrogen chloride, in an inert solvent, followed by isolation of the target product in a known manner. Example 1020 Preparation 5-

Номер патента: SU363693A1. Автор: А. М. Мирохин В. В. Якшин. Владелец: . Дата публикации: 1972-12-25.

Substrate for growing gallium arsenide epitaxial layers

Номер патента: RU2308784C1. Автор: Сабир Абенович Айтхожин. Владелец: ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИРЭ РАН). Дата публикации: 2007-10-20.

Electrolyte for electrochemical sedimentation of iridium on gallium arsenide and method of preparing thereof

Номер патента: RU2530963C2. Автор: Николай Анатольевич Торхов,Геннадий Михайлович Мокроусов,Владимир Григорьевич Божков,Татьяна Петровна Бекезина,Виктория Андреевна Бурмистрова,Антон Владимирович Шмаргунов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводниковых приборов" (ОАО "НИИПП"). Дата публикации: 2014-10-20.

High-efficiency low-noise low-pressure compressor of high bypass ratio gas turbine engine

Номер патента: RU2350787C2. Автор: Михаил Леонидович Кузменко,Альберт Рудольфович Кривоногов,Георгий Петрович Матвеенко,Александр Александрович Элькес. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "Сатурн". Дата публикации: 2009-03-27.

Номер патента: RU2319288C1. Автор: Николай Николаевич Прокопенко,Сергей Владимирович Крюков,Андрей Васильевич Хорунжий. Владелец: ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС). Дата публикации: 2008-03-10.

Automated design method of ultra wide band CMOS (complementary metal oxide semiconductor) low noise amplifier and CMOS LNA (low noise amplifier) equipment

Номер патента: CN103956978A. Автор: 王巍,袁军,赵辰,徐巍,钟武,梁耀,冯世娟. Владелец: Chongqing University of Post and Telecommunications. Дата публикации: 2014-07-30.

Method for producing gallium arsenide layer and method for producing gallium arsenide / aluminum gallium arsenide laminate

Номер патента: JP2747823B2. Автор: 和人小笠原. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-05-06.

CMOS complementary metal oxide semiconductor contact hole etching method and CMOS complementary metal oxide semiconductor manufacturing method

Номер патента: CN103560137A. Автор: 吴敏,秦伟,李程,黄海辉,高慧慧,杨渝书. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

Multiplexed Multi-stage Low Noise Amplifier Uses Gallium Arsenide and CMOS Dice

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты