Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Ultra-low noise, highly stable single-mode operation, high power, Bragg grating based semiconductor laser

Ultra-low noise, highly stable single-mode operation, high power, Bragg grating based semiconductor laser

Номер патента: US11005233B2
Опубликовано: 11-05-2021
Автор(ы): Paul A. Morton
Принадлежит: Morton Hybrid Lasers LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Ultra-low noise, highly stable single-mode operation, high power, bragg grating based semiconductor laser

Номер патента: US20190372307A1. Автор: Paul A. Morton. Владелец: Morton Photonics Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Ultra-low noise, highly stable single-mode operation, high power, bragg grating based semiconductor laser

Номер патента: US20190372307A1. Автор: Paul A. Morton. Владелец: Morton Photonics Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

ULTRA-LOW NOISE, HIGHLY STABLE SINGLE-MODE OPERATION, HIGH POWER, BRAGG GRATING BASED SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20180054040A1. Автор: MORTON Paul A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-22.

ULTRA-LOW NOISE, HIGHLY STABLE SINGLE-MODE OPERATION, HIGH POWER, BRAGG GRATING BASED SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20190157840A1. Автор: MORTON Paul. Владелец: Morton Photonics, Inc.. Дата публикации: 2019-05-23.

ULTRA-LOW NOISE, HIGHLY STABLE SINGLE-MODE OPERATION, HIGH POWER, BRAGG GRATING BASED SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20190157841A1. Автор: MORTON Paul. Владелец: Morton Photonics, Inc.. Дата публикации: 2019-05-23.

Tunable laser assembly including tunable semiconductor laser apparatus and photodetector outside of laser housing

Номер патента: US12100933B2. Автор: Liang Luo,Yuzhou SUN,Wenkai Tu,Jinan GU. Владелец: Innolight Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor laser body, semiconductor laser element, semiconductor laser substrate, electronic apparatus, and manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor laser device

Номер патента: US20240283219A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Narrow linewidth semiconductor laser device

Номер патента: US11848539B2. Автор: Georgios Margaritis. Владелец: Ioptis Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Monolithically integrated tunable semiconductor laser

Номер патента: WO2013030550A3. Автор: Andrew Ward,Sam Davies,Neil David Whitbread. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2013-04-25.

Monolithically Integrated Tunable Semiconductor Laser

Номер патента: US20140301416A1. Автор: Andrew Ward,Sam Davies,Neil David Whitbread. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2014-10-09.

High power, kink-free, single mode laser diodes

Номер патента: CA2341085A1. Автор: Jo S. Major,Victor Rossin,Ross Parke. Владелец: SDL Inc. Дата публикации: 2002-09-16.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

Silicon-photonics-based semiconductor optical amplifier with N-doped active layer

Номер патента: US11929592B2. Автор: Radhakrishnan L. Nagarajan,Xiaoguang He. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Edge emitting semiconductor laser

Номер патента: US09559494B2. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Christian Lauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-01-31.

Tunable semiconductor laser based on reconstruction-equivalent chirp and series mode or series and parallel hybrid integration, and preparation thereof

Номер патента: US09742152B2. Автор: Jun Lu,Song Tang,Yunshan ZHANG,Xiangfei Chen,Lianyan LI. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-22.

Tunable semiconductor laser based on reconstruction-equivalent chirp and series mode or series and parallel hybrid integration, and preparation thereof

Номер патента: US20160134082A1. Автор: Jun Lu,Song Tang,Yunshan ZHANG,Xiangfei Chen,Lianyan LI. Владелец: Nanjing University Science Park Development Co ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Narrow linewidth semiconductor laser

Номер патента: US20230411929A1. Автор: Georgios Margaritis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-21.

Optically pumpable surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20050259700A1. Автор: Stephan Lutgen,Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder,Werner Späth,Ulrich STEEGMÜLLER. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-11-24.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: US11777275B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: CA3166664C. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: AU2021238958B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor laser module constituted by optically coupling optical fiber having fiber grating and laser diode

Номер патента: US20020097757A1. Автор: Takeshi Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor laser element, laser module using it

Номер патента: EP1437810A4. Автор: Michio Ohkubo,Satoru Okada,Tsuyoshi Fujimoto,Kiyofumi Muro,Yutaka Ohki,Takeshi Koiso,Atsushi Ohkubo. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-23.

Semiconductor laser device and laser module using same

Номер патента: US20040179565A1. Автор: Michio Ohkubo,Satoru Okada,Tsuyoshi Fujimoto,Kiyofumi Muro,Yutaka Ohki,Takeshi Koiso,Atsushi Ohkubo. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-16.

Edge Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20110317732A1. Автор: Wolfgang Schmid,Uwe D. ZEITNER,Hans-Christoph Eckstein. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor laser device, diffraction grating structure, and diffraction grating

Номер патента: US20180351328A1. Автор: Yasumasa Kawakita,Kazuaki Kiyota. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor laser with integrated heating element and method of manufacturing same

Номер патента: US20060039427A1. Автор: Paul Charles. Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: WO2010065731A3. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: EP2371044A2. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2011-10-05.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: WO2010065731A9. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor laser device having a transparent waveguide and a large second harmonic generation output

Номер патента: US5208827A. Автор: Hiroaki Inoue,Misuzu Sagawa,Masahiro Ojima,Kimio Tatsuno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050265413A1. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

To-can package semiconductor laser device having a pinless region on the underside of the package

Номер патента: US10804675B2. Автор: Yasushi Takizawa,Shintaro MIYAMOTO,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2020-10-13.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20020172252A1. Автор: Masahiro Kanda,Masahiko Namiwaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220294179A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4024627A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

INP-Based Monolithic Integrated Chaotic Semiconductor Laser Chip Capable Of Feeding Back Randomly Diffused Light

Номер патента: US20200412092A1. Автор: Yi Liu,TONG Zhao,Jianzhong Zhang,Mingjiang Zhang,Lijun Qiao,Anbang Wang,Yuncai Wang,Ya'nan Niu. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-31.

Semiconductor laser body, semiconductor laser element, semiconductor laser substrate, electronic apparatus, and method and device for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: EP4358323A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220166185A1. Автор: Naoki Nakamura,Naoki Kosaka,Ryosuke MIYAGOSHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor laser device and method of controlling light amount of semiconductor laser

Номер патента: US20010048697A1. Автор: Kiyoshi Kondou. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12113330B2. Автор: Kenji Sakai,Kazuyoshi Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Ultra fast semiconductor laser

Номер патента: US09601895B2. Автор: Konstantinos Papadopoulos,Idan Mandelbaum. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Soldering system of semiconductor laser element

Номер патента: US20170373466A1. Автор: Tetsuhisa Takazane. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor laser micro-heating element structure

Номер патента: WO2008013712A1. Автор: Martin H. Hu,Chung-En Zah,Xingsheng Liu. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-01-31.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: US20180006428A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: Provenance Asset Group LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: WO2016116565A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: CA3186204A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: WO2022016281A9. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: TERAXION INC.. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: EP4186131A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2023-05-31.

System for electronically controlling and driving independently addressable semiconductor lasers

Номер патента: US11984701B2. Автор: Joerg Martini,David K. Biegelsen,Sourobh Raychaudhuri,Joseph Lee,Christopher Chua. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: US12040597B2. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser device, optical apparatus, and method of controlling semiconductor laser device

Номер патента: US20240250499A1. Автор: Daisuke Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Monolithically Integrated Tunable Semiconductor Laser

Номер патента: US20150010033A1. Автор: Robert Griffin,Andrew John Ward,Sam Davies,Neil David Whitbread. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2015-01-08.

Multimode semiconductor laser module, wavelength detector, wavelength stabilizer, and raman amplifier

Номер патента: WO2003030310A2. Автор: Goro Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Asia Ltd.. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: US20240356305A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Two-section semiconductor laser with modulation-independent grating section to reduce chirp

Номер патента: US09762028B2. Автор: Jun Zheng,Klaus Alexander Anselm,Stefan Murry,Huanlin Zhang,Dion McIntosh-Dorsey. Владелец: Applied Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor laser device, light source device, method of producing semiconductor laser device, and method of producing light source device

Номер патента: US09559489B2. Автор: Eiichiro OKAHISA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Optical pumping-type solid-state laser apparatus with a semiconductor laser device

Номер патента: US5025449A. Автор: Osamu Yamamoto,Toshihiko Yoshida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-06-18.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220231478A1. Автор: Takeshi YAMATOYA,Takashi Nagira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1313184A4. Автор: Yasuhiro Watanabe,Shoji Honda,Yasuyuki Bessho,Kentarou Tanaka. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-07.

Semiconductor laser module

Номер патента: US9203212B2. Автор: Hideaki Hasegawa,Tatsuya Kimoto,Tatsuro Kurobe. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-01.

Semiconductor laser device including heat sink with pn junction

Номер патента: US5636234A. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Generating optical pulses via a soliton state of an optical microresonator coupled with a chip based semiconductor laser

Номер патента: US20220050356A1. Автор: Tobias Kippenberg,Hairun GUO,Arslan Sajid Raja,Michael L. Gorodetsky. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor laser excited solid state laser device and laser light output method

Номер патента: US20150078407A1. Автор: Kazuya Inoue,Katsuhiko Tokuda,Mamoru Hisamitsu,Kazutomo Kadokura. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of designing semiconductor laser device, method of designing raman amplifier, methods of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device, raman amplifier, and optical communication system

Номер патента: US20160285237A1. Автор: Junji Yoshida,Hideaki Hasegawa,Noriyuki Yokouchi,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12080990B2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of designing semiconductor laser device, method of designing raman amplifier, methods of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device, raman amplifier, and optical communication system

Номер патента: US09711945B2. Автор: Junji Yoshida,Hideaki Hasegawa,Noriyuki Yokouchi,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080008221A1. Автор: Takashi Ueda,Koji Yamada,Yoshihiko Kobayashi,Tomoki Nozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240030678A1. Автор: Nobutaka Suzuki,Tadataka Edamura,Naota Akikusa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor laser having fabry-perot resonator

Номер патента: US20080240198A1. Автор: Tetsuya Yagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Induction of force performed by the semiconductor laser diodes

Номер патента: US09882348B2. Автор: Elio Battista Porcelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor laser device and optical fiber amplifier

Номер патента: CA2371504C. Автор: Yasuaki Yoshida,Takeshi Fujita,Kimio Shigihara,Kiyohide Sakai,Tatsuo Hatta,Yuuhiko Hamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

Inspection method for semiconductor laser device and inspection device for semiconductor laser device

Номер патента: US20220376465A1. Автор: Akio SHIRASAKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4035236A1. Автор: Nobuaki Kaji,Tatsuya Oiwa,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-03.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4007091A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: US20220344897A1. Автор: Nobuaki Kaji,Tatsuya Oiwa,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Automatic power control of a semiconductor laser array

Номер патента: US6115398A. Автор: Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Low noise, high power, multiple-microresonator based laser

Номер патента: US09559484B2. Автор: Paul A. Morton,Jacob Khurgin. Владелец: Morton Photonics Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

High power bragg grating based semiconductor laser

Номер патента: CA3044018C. Автор: Paul A. Morton. Владелец: Morton Hybrid Lasers LLC. Дата публикации: 2024-01-02.

Wavelength Selective and Tunable Semiconductor Laser Device With Coupled Cavities

Номер патента: US20080181265A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2008-07-31.

Method of tuning a semiconductor laser device having coupled cavities

Номер патента: US20110019702A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Wavelength Tunable Semiconductor Laser Having Multiple Sets of Intercavity Spacings

Номер патента: US20110019703A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: WO2013069301A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09935423B2. Автор: Kyosuke Kuramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: EP2777108A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-17.

Single mode semiconductor laser with phase control

Номер патента: US20210376559A1. Автор: Nicolas Koslowski,Tim Koslowski. Владелец: Nanoplus Nanosystems And Technologies Gmbh. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor laser apparatus assembly

Номер патента: US09906000B2. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US09531163B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US09722394B2. Автор: Harald KÖNIG,Alexander Bachmann,Christian Lauer,Uwe Strauβ. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US09419411B2. Автор: Toshiyuki Taguchi. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor laser module and method for forming semiconductor laser module

Номер патента: US6836497B1. Автор: Masami Hatori. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-28.

External cavity laser having improved single mode operation

Номер патента: EP1427077B1. Автор: Barbara Paldus,Chris Rella,Eric Crosson,Serguei Koulikov,Grzegorz Pakulski. Владелец: NEWPORT Corp. Дата публикации: 2007-04-18.

Nitride semiconductor laser chip, nitride semiconductor laser device, and manufacturing method of nitride semiconductor laser chip

Номер патента: US20090180507A1. Автор: Yasuhiko Matsushita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Method for producing a multiplicity of semiconductor laser chips, and semiconductor laser chip

Номер патента: US20240364073A1. Автор: Norwin von Malm,Martin Rudolf Behringer. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor Laser Diode and Method for Producing a Semiconductor Laser Diode

Номер патента: US20180152002A1. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-31.

Low noise non-resonant gain structure semiconductor lasers

Номер патента: WO2024121825A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor laser

Номер патента: US20240113498A1. Автор: Atsushi Nakamura. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09882354B2. Автор: Hirofumi Kan,Yujin Zheng. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-01-30.

Self-monitoring semiconductor laser device

Номер патента: US5136603A. Автор: Kuochou Tai,Ghulam Hasnain. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1992-08-04.

Semiconductor laser light source with photocurrent feedback control for single mode operation

Номер патента: US6795470B1. Автор: Riyopoulos Spilios. Владелец: Science Applications International Corp SAIC. Дата публикации: 2004-09-21.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US9780526B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US09780526B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: EP1897190A2. Автор: Michael Schwarz,Abram Jakubowicz,Nicolai Matuschek,Christoph Harder,Joerg Troger. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2008-03-12.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: WO2007000615A2. Автор: Michael Schwarz,Abram Jakubowicz,Nicolai Matuschek,Christoph Harder,Joerg Troger. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US20160111857A1. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US9184560B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Tilted semiconductor laser

Номер патента: WO2023227189A1. Автор: Wang Haibo,Xin Chen,QI JIANG,Bo Zhou,Chaoyi WANG. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-30.

Coupled cavity high power semiconductor laser

Номер патента: WO2001067563A9. Автор: Aram Mooradian. Владелец: Novalux Inc. Дата публикации: 2003-01-03.

Bidirectional long cavity semiconductor laser for improved power and efficiency

Номер патента: US20170093125A1. Автор: Matthew Glenn Peters,Abdullah Demir. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-03-30.

Improved semiconductor laser

Номер патента: WO2002011257A1. Автор: John Haig Marsh,Craig James Hamilton,Olek Peter Kowalski. Владелец: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW. Дата публикации: 2002-02-07.

Improved semiconductor laser

Номер патента: EP1413020A1. Автор: John Haig Marsh,Craig James Hamilton,Olek Peter c/o University of Glasgow KOWALSKI. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2004-04-28.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: WO2007057715A1. Автор: Berthold Schmidt,Susanne Pawlik. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and semiconductor laser control method

Номер патента: US20030063646A1. Автор: Junji Yoshida. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20050169335A1. Автор: Xin Gao,Yujin Zheng. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2005-08-04.

Method of operating a semiconductor laser as a mode-locked semiconductor laser and devices for implementing the method

Номер патента: CA2069657A1. Автор: Michael Schilling,Olaf Hildebrand,Klaus Wunstel,Dieter Baums,Heinz Schweizer,Kaspar Dütting,Wilfried Idler,Gert Laube. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-01.

Semiconductor Laser and Optical Transmitter

Номер патента: US20240266799A1. Автор: Takahiko Shindo,Shigeru Kanazawa,Meishin Chin. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor laser emitting apparatus

Номер патента: US20010043631A1. Автор: Yuichi Hamaguchi,Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor laser emitting apparatus

Номер патента: US6628687B2. Автор: Yuichi Hamaguchi,Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-09-30.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8420419B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8594145B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Dfb laser with lateral bragg gratings and facet bragg reflectors etches in one step

Номер патента: WO2005124951A8. Автор: Richard Hogg,Kristian Groom. Владелец: Kristian Groom. Дата публикации: 2006-04-27.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser comprising a feedback element

Номер патента: US20150318669A1. Автор: Lars Nähle,Johannes Koeth. Владелец: Nanoplus Nanosystems And Technologies Gmbh. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for producing a plurality of semiconductor lasers and semiconductor laser

Номер патента: US20240047935A1. Автор: Sven GERHARD,Lars Nähle. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor Laser Diode

Номер патента: US20200194957A1. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9397472B2. Автор: Kimio Shigihara,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150357789A1. Автор: Kimio Shigihara,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor laser

Номер патента: WO1992015136A1. Автор: Rodney Stuart Tucker. Владелец: THE UNIVERSITY OF MELBOURNE. Дата публикации: 1992-09-03.

Segmented contact for current control in semiconductor lasers and optical amplifiers

Номер патента: EP4406079A1. Автор: Paul Orville LEISHER,Jenna Nicole CAMPBELL,Michelle Helena LABRECQUE. Владелец: Freedom Photonics Llc. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor laser light source and fabrication method

Номер патента: US09948059B2. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Tokuharu Kimura,Kazumasa Takabayashi,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US09537288B2. Автор: Hideki Watanabe,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Integrated semiconductor laser with electronic directivity and focusing control

Номер патента: US5233623A. Автор: Sheldon S. L. Chang. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 1993-08-03.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20240235154A9. Автор: Hideki Watanabe,Yasuhiro Kadowaki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor laser with reduced heat loss

Номер патента: US20080212626A1. Автор: Peter Brick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US20150085889A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US9214785B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-12-15.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US9385507B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US20160099547A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09800021B2. Автор: Masami Ishiura. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor laser diode with shortened cavity length

Номер патента: US09466947B2. Автор: Nobumasa Okada. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Wavelength tunable semiconductor laser

Номер патента: US09450372B1. Автор: Leonard Jan-Peter Ketelsen. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor laser and projector

Номер патента: US20210057884A1. Автор: Jan Marfeld,Andreas Löffler,Sven GERHARD,Andre SOMERS. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-02-25.

Aging in tunable semiconductor lasers

Номер патента: EP1195861A3. Автор: Liming Zhang,Sung-Nee George Chu,David Alan Ackerman,John Evan Johnson,Leonard Jan-Peter Ketelsen,Eric J. Dean. Владелец: Triquint Technology Holding Co. Дата публикации: 2005-01-05.

Fiber-grating semiconductor laser with tunability

Номер патента: US20030108079A1. Автор: Je Ha Kim,Hyun-Woo Song. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2003-06-12.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: EP1442509A2. Автор: Neal Tsunami Photonics Limited O'GORMAN. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

Thermal compensation in semiconductor lasers

Номер патента: EP2062336A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hai Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Thermal compensation in semiconductor lasers

Номер патента: WO2008039313A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hai Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-03.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: AU2002237484A1. Автор: Neal O'Gorman. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2003-05-12.

Independently-addressable high power surface-emitting laser array with tight-pitch packing

Номер патента: EP4142076A3. Автор: Joerg Martini,Zhihong Yang,Peter Kiesel,Christopher L Chua,Patrick Y Maeda,Noble M Johnson. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2023-07-26.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: WO2003038954A3. Автор: Neal O'Gorman. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2004-01-22.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20210075192A1. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-03-11.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US11437783B2. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-06.

Semiconductor Laser, Laser Assembly and Method of Making a Semiconductor Laser

Номер патента: US20180212404A1. Автор: Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter,Roland Enzmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-07-26.

Driver circuit and method for a semiconductor laser

Номер патента: US20240243547A1. Автор: Jon C. Zeisler. Владелец: Streamlight Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-collinearly pumped linearly polarized external cavity surface emitting semiconductor lasers

Номер патента: WO2024154091A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-07-25.

Distributed feedback semiconductor laser element

Номер патента: US09859683B2. Автор: Yutaka Takagi,Takahiro Sugiyama,Masahiro HITAKA. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor laser module

Номер патента: EP1087477A2. Автор: Yutaka The Furukawa Electric Co. Ltd. Ohki,Takeharu The Furukawa Electric Co. Ltd Yamaguchi,Yuichiro The Furukawa Electric Co. Ltd. IRIE. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-28.

High-power single-mode triple-ridge waveguide semiconductor laser

Номер патента: US20220368109A1. Автор: LIN ZHU,Xiaolei Zhao,Yeyu ZHU,Siwei Zeng. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor laser and projector

Номер патента: US11973317B2. Автор: Jan Marfeld,Andreas Löffler,Sven GERHARD,Andre SOMERS. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor laser pump locker incorporating multiple gratings

Номер патента: WO2002075390A2. Автор: Dmitry S. Starobudov. Владелец: Sabeus Photonics, Inc.. Дата публикации: 2002-09-26.

High-power external-cavity optically-pumped semiconductor lasers

Номер патента: US20020024987A1. Автор: Andrea Caprara,Luis Spinelli,Juan Chilla. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Electrically-pumped organic semiconductor laser arrangement

Номер патента: WO2024175876A1. Автор: Ifor Samuel,Kou Yoshida,Graham TURNBULL,Junyi GONG. Владелец: UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF ST ANDREWS. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030118070A1. Автор: Won Lim,Shi Leem. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2003-06-26.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US20230344195A1. Автор: Yutaka Inoue,Masato Hagimoto,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-10-26.

Electron beam pumped semiconductor laser screen and associated fabrication method

Номер патента: US20040028109A1. Автор: Robert Morgan,Robert Rice,Neil Ruggieri,J. Whiteley,Richard Skogman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-02-12.

Semiconductor laser device, method for manufacturing the same and optical pickup apparatus

Номер патента: US7489716B2. Автор: Osamu Hamaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-02-10.

Semiconductor laser assembly

Номер патента: WO1990010312A1. Автор: Wai-Hon Lee. Владелец: Pencom International Corporation. Дата публикации: 1990-09-07.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: EP1195862A3. Автор: Toshio c/o The Furukawa Electric Co. Ltd. Kimura,Sadayoshi c/o Furukawa Electric Co. Ltd Kanamaru,Tomoya c/o The Furukawa Electric Co. Ltd Kato. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-02.

Semiconductor laser apparatus and semiconductor laser device

Номер патента: US12119611B2. Автор: Masayuki Ono,Kazuya Yamada,Mitsuru Nishitsuji,Hiroshi Asaka,Tohru Nishikawa,Katsuya Samonji. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor laser device and optoelectronic component

Номер патента: US20240235150A1. Автор: Johann Ramchen,Joerg Erich Sorg. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20190379179A1. Автор: Yasuo Kan,Ryuhichi Sogabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Quantum cascade semiconductor laser

Номер патента: US20200067282A1. Автор: Hiroyuki Yoshinaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor laser with conductive current mask

Номер патента: WO1983001155A1. Автор: Inc. Western Electric Company,Larry Allen Coldren. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1983-03-31.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: GB201207790D0. Автор: . Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-13.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: US20020122446A1. Автор: Toshio Kimura,Tomoya Kato,Sadayoshi Kanamaru. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030193976A1. Автор: Takehiro Shiomoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Semiconductor laser and method for processing semiconductor laser

Номер патента: US20180212403A1. Автор: Jian Chen,Zhiguang Xu,Jing Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: US6804277B2. Автор: Toshio Kimura,Tomoya Kato,Sadayoshi Kanamaru. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09979154B2. Автор: Masashi Tatsukawa,Mitsuyuki Mochizuki,Yuichi Shibata. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09780523B2. Автор: Hideyuki Fujimoto,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor laser module and laser machining apparatus

Номер патента: US20240128711A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4019895A1. Автор: Takashi Kobayashi,Nobuaki Kaji,Motoi Kimura,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Tunable laser with a distributed bragg grating comprising a bragg section made of strained bulk material

Номер патента: EP2067221A1. Автор: François Lelarge,Jean Decobert,Helene Debregeas-Sillard. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2009-06-10.

Tunable laser with a distributed bragg grating comprising a bragg section made of strained bulk material

Номер патента: EP2067221B1. Автор: François Lelarge,Jean Decobert,Helene Debregeas-Sillard. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2010-11-17.

Tunable semiconductor laser device and method for operating a tunable semiconductor laser device

Номер патента: EP2647092A1. Автор: Michael Engelmann,Bob Van Someren. Владелец: Euphoenix Bv. Дата публикации: 2013-10-09.

Semiconductor laser device with first order diffraction grating extending to facet

Номер патента: US20230344197A1. Автор: Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor laser and semiconductor optical integrated device

Номер патента: US20090059988A1. Автор: Shigeaki Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor laser element and method of making semiconductor laser device

Номер патента: US09692204B2. Автор: Shintaro MIYAMOTO,Koichi Kozu,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof, and submount manufacturing method

Номер патента: US09496680B2. Автор: Hiroki Sakata,Eiichiro OKAHISA,Kazuma KOZURU,Hiroaki YUTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor external cavity laser with integrated planar waveguide bragg grating and wide-bandwidth frequency modulation

Номер патента: US09478937B1. Автор: Vladimir Kupershmidt,Lew Stolpner,Mazin Alalusi,Steve Yiqiang Li. Владелец: Optasense Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Optical transmission apparatus, semiconductor laser device for use in optical transmission apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20030043454A1. Автор: Youngduk Yoon,Takayuki Okazaki,Sakiko Sugihara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US6845112B2. Автор: Takeshi Yamamoto,Masayoshi Muranishi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-01-18.

Bidirectional long cavity semiconductor laser for improved power and efficiency

Номер патента: US09647416B2. Автор: Matthew Glenn Peters,Abdullah Demir. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-05-09.

Broadband light source composed of supercontinuum light source and single-wavelength semiconductor laser diodes

Номер патента: US10277000B2. Автор: Weijia Yang,Kangkang CHEN. Владелец: Wuhan Yangtze Soton Laser Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor laser assembly and packaging system

Номер патента: US09537284B2. Автор: David M. Bean,John J. Callahan. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same, and optical transmission module and optical disk apparatus using the semiconductor laser device

Номер патента: US20070243644A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Shuichi Hirukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1286440A3. Автор: Masayuki Iwami,Hirotatsu Ishii,Mikihiro Yokozeki,Kaname Saito. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-27.

Bidirectional long cavity semiconductor laser for improved power and efficiency

Номер патента: US20150333472A1. Автор: Matthew Glenn Peters,Abdullah Demir. Владелец: JDS Uniphase Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor laser

Номер патента: US20130182735A1. Автор: Shinji Sasaki,Satoshi Kawanaka,Masato Hagimoto,Haruki Fukai,Tsutomu KIYOSUMI. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Semiconductor laser

Номер патента: US20150003483A1. Автор: Shinji Sasaki,Satoshi Kawanaka,Masato Hagimoto,Haruki Fukai,Tsutomu KIYOSUMI. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

AlGaInP-BASED SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20170012410A1. Автор: Shinji Sasaki,Satoshi Kawanaka,Masato Hagimoto,Haruki Fukai,Tsutomu KIYOSUMI. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2017-01-12.

AlGaInP-based semiconductor laser

Номер патента: US9425583B2. Автор: Shinji Sasaki,Satoshi Kawanaka,Masato Hagimoto,Haruki Fukai,Tsutomu KIYOSUMI. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

AlGaInP-based semiconductor laser

Номер патента: US10170891B2. Автор: Shinji Sasaki,Satoshi Kawanaka,Masato Hagimoto,Haruki Fukai,Tsutomu KIYOSUMI. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2019-01-01.

Semiconductor laser assembly and packaging system

Номер патента: US20140322840A1. Автор: David M. Bean,John J. Callahan. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2014-10-30.

Solid-state laser device capable of stably producing an output laser beam at high power

Номер патента: US5311528A. Автор: Masashi Fujino. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 1994-05-10.

Semiconductor Laser Equipment

Номер патента: US20080043791A1. Автор: Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima,Masanobu Yamanaka. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor laser drive circuit and photoelectric sensor

Номер патента: EP1494324A3. Автор: Takayuki Takeda,Takayuki Ochiai. Владелец: Sunx Ltd. Дата публикации: 2005-01-12.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4033619A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Driving device for semiconductor laser

Номер патента: US5084887A. Автор: Tsuyoshi Ohashi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1992-01-28.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240146035A1. Автор: Seiji Kitamura. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-05-02.

Wavelength control in phase region of semiconductor lasers

Номер патента: EP2220732A1. Автор: Jacques Gollier. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser

Номер патента: US12040588B2. Автор: Peter Jander. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for producing semiconductor lasers and semiconductor lasers

Номер патента: US12057676B2. Автор: Jörg Erich SORG,Andreas Plossl,Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP4207520A1. Автор: Liang Hao,Rui Liu,Xiaoguang He. Владелец: Nanjing Fiber Foton Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Laser support for semiconductor laser fixation and laser support element assembly

Номер патента: US20160141829A1. Автор: Nicolas Abele,Lucio Kilcher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor laser light source device, semiconductor laser light source system, and image display apparatus

Номер патента: US09899795B2. Автор: Hideyuki Murai,Tatsuro Hirose. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor laser module, laser oscillator, and laser machining apparatus

Номер патента: US20240339809A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor laser based on epitaxial heterostructure

Номер патента: RU2582302C1. Автор: Виктор Владимирович Безотосный,Владислав Александрович Олещенко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2016-04-20.

Packaging of high power semiconductor lasers

Номер патента: CA2128068C. Автор: Douglas Warren Hall,Julia Alyson Sharps,Roger F. Bartholomew,Paul Anthony Jakobson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 1998-12-15.

High-power quantum cascade lasers with active-photonic-crystal structure

Номер патента: US20120201263A1. Автор: Dan Botez,Luke J. Mawst. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-08-09.

Packaging of High Power Semiconductor Lasers

Номер патента: CA2128068A1. Автор: Douglas Warren Hall,Julia Alyson Sharps,Roger F. Bartholomew,Paul Anthony Jakobson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 1995-01-15.

High-power quantum cascade lasers with active-photonic-crystal structure

Номер патента: EP2514050A1. Автор: Dan Botez,Luke J. Mawst. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-10-24.

High-power quantum cascade lasers with active-photonic-crystal structure

Номер патента: WO2011084201A1. Автор: Dan Botez,Luke J. Mawst. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20050147149A1. Автор: Kazuyoshi Fuse. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor laser wavelength control device

Номер патента: US7372881B2. Автор: Akio Mukai,Zhigang Peng,Izumi Kawata. Владелец: Asahi Kasei Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor laser light-emitting device and method for manufacturing semiconductor laser light-emitting device

Номер патента: US20240006843A1. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Hiroki SHIROZONO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-01-04.

Alingaas/ingaasp/inp edge emitting semiconductor laser including multiple monolithic laser diodes

Номер патента: US20230223742A1. Автор: David M. Bean,Sidi Aboujja. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2023-07-13.

Alingaas/ingaasp/inp edge emitting semiconductor laser including multiple monolithic laser diodes

Номер патента: EP4158741A1. Автор: David M. Bean,Sidi Aboujja. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2023-04-05.

Circuit for preventing destruction of semiconductor laser element, and optical disc device provided with the circuit

Номер патента: US20120300605A1. Автор: Tsutomu Asai. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070063212A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kouji Ueyama,Shinichirou Akiyoshi. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor laser apparatus, information recording/reproduction apparatus and image recording apparatus

Номер патента: US20020057721A1. Автор: Toyoki Taguchi,Tetsuya Nagahama,Masayuki Tazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Semiconductor laser apparatus and optical pickup apparatus using same

Номер патента: US20030174748A1. Автор: Kazunori Matsubara,Ayumi Yagi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor laser device and optical pickup using the same

Номер патента: US20040066813A1. Автор: Kazunori Matsubara,Hideshi Koizumi,Ayumi Yagi,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor laser device and optical pickup using the same

Номер патента: US6983002B2. Автор: Kazunori Matsubara,Hideshi Koizumi,Ayumi Yagi,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-01-03.

Semiconductor laser wavelength control device

Номер патента: US20050105570A1. Автор: Akio Mukai,Zhigang Peng,Izumi Kawata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP2642622A3. Автор: Tsuyoshi Hirao,Shingo Masui,Yasuhiro Kawata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-11.

Semiconductor laser driving circuit

Номер патента: US20190027894A1. Автор: Kazuma Watanabe,Ichiro Fukushi,Akiyuki KADOYA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Method and apparatus for semiconductor laser driving capable of stably generating consistent optical pulse widths of laser diodes

Номер патента: US20050141576A1. Автор: Junichi Ikeda,Hiroaki Kyougoku. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20090285254A1. Автор: Hitoshi Sato,Toru Takayama,Hiroki Nagai,Isao Kidoguchi,Tomoya Satoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor Laser Component and Method for Operating at Least One Semiconductor Laser

Номер патента: US20230198231A1. Автор: Jörg Erich SORG,Harald KÖNIG,Jan Seidenfaden,Markus Reinhard Horn. Владелец: Ams Osram Lnternational GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor laser module and laser machining apparatus

Номер патента: US20240305060A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US12107383B2. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor laser device and backlight device using the semiconductor laser device

Номер патента: US09748733B2. Автор: Eiichiro OKAHISA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for producing semiconductor laser elements and semi-conductor laser element

Номер патента: US09608401B2. Автор: Thomas Veit,Markus Horn,Roland Enzmann,Markus Arzberger,Stefan Listl,Markus Graul,Juergen Dachs. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor laser apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484711B2. Автор: Babu Dayal PADULLAPARTHI. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor laser light source

Номер патента: US09450380B2. Автор: Akira Nakamura,Shuhei Yamamoto,Kazutaka Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Forced wavelength chirping in semiconductor lasers

Номер патента: US20080175285A1. Автор: Martin Hai Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11081857B2. Автор: Nobuhiro Ohkubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US7912103B2. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12040590B2. Автор: Kenji Sakai,Hiroyuki Tajiri,Kazuyoshi Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US20070115227A1. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US7088754B2. Автор: Kazunori Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200185878A1. Автор: Nobuhiro Ohkubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor laser driving apparatus and method and image-forming apparatus

Номер патента: US20010017869A1. Автор: Takuya Takata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US20040165627A1. Автор: Kazunori Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Semiconductor laser unit and optical pick-up device using the same

Номер патента: US20020044589A1. Автор: Takahiro Miyake,Kentaro Terashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US8494019B2. Автор: Yutaka Inoue,Hideki Hara,Hiroshi Moriya,Yoshihiko IGA,Keiichi Miyauchi. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09853415B2. Автор: Takayuki Yoshida,Jing-bo WANG. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Quantum cascade semiconductor laser

Номер патента: US09774168B2. Автор: Jun-Ichi Hashimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Method for producing nitride semiconductor laser light source and apparatus for producing nitride semiconductor laser light source

Номер патента: US20060068516A1. Автор: Masaya Ishida,Atsushi Ogawa,Takuro Ishikura,Yoshihiko Tani,Daisuke Hanaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor laser driving apparatus to be used for optical information recording and reproducing apparatus

Номер патента: US5018155A. Автор: Nobuo Miyairi. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-21.

Semiconductor laser light source device, semiconductor laser light source system, and image display aparatus

Номер патента: CA2979520C. Автор: Hideyuki Murai,Tatsuro Hirose. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Method of detecting semiconductor laser mode hopping and semiconductor laser beam source apparatus

Номер патента: US4807992A. Автор: Masaru Noguchi,Kazuo Horikawa,Ichirou Miyagawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-28.

Wavelength Fixing Device Using Fiber Bragg Grating Filter

Номер патента: KR19980084012A. Автор: 정구홍. Владелец: 엘지정보통신 주식회사. Дата публикации: 1998-12-05.

Method and device for controlling a semiconductor laser

Номер патента: US5778017A. Автор: Shinichi Sato,Ichiro Shinoda,Isao Iwaguchi,Munenori Ohtsuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Semiconductor laser drive system and semiconductor laser driving method

Номер патента: US20090147809A1. Автор: Minoru Yamada. Владелец: Kanazawa University NUC. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20200373733A1. Автор: Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor laser module

Номер патента: US11962120B2. Автор: Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230108080A1. Автор: Masaharu Fukakusa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor laser drive system and semiconductor laser driving method

Номер патента: US7620083B2. Автор: Minoru Yamada. Владелец: Kanazawa University NUC. Дата публикации: 2009-11-17.

Submount for semiconductor laser and optical fibers

Номер патента: US20200044412A1. Автор: Jock T. Bovington,Ashley J. MAKER,Kumar Satya Harinadh Potluri. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020075915A1. Автор: Ayumi Yagi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US11133651B2. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20200244041A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor laser device and method of controlling semiconductor laser device

Номер патента: US20230333396A1. Автор: Hideo Yamaguchi,Masaharu Fukakusa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor laser

Номер патента: US20060239318A1. Автор: Fumie Kunimasa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Wafer-level etched facet for perpendicular coupling of light from a semiconductor laser device

Номер патента: US20240275123A1. Автор: Stephen B. Krasulick,John Zyskind,Majid Sodagar,Murtaza Askari. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor laser element and laser module

Номер патента: US20240120712A1. Автор: Kyogo Kaneko,Kousuke Torii. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor laser element and semiconductor laser device

Номер патента: US09735548B2. Автор: Susumu Harada,Yasuhiro Kawata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09685759B2. Автор: Takashi Nakagawa,Naoto Morizumi,Daisuke Komoda,Takashi Namie,Hiroaki Shozui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Solderless mounting for semiconductor lasers

Номер патента: US09646949B2. Автор: Gabi Neubauer,Alfred Feitisch,Mathias Schrempel. Владелец: SpectraSensors Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US09331457B2. Автор: Satoshi Nishida,Susumu Konno,Shuichi Fujikawa,Naoki Miyamoto,Kenji Kumamoto,Tomotaka Katsura,Daiji Morita,Hiroaki Kurokawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Operating safety maintenance system of high-power fiber laser

Номер патента: RU2661450C2. Автор: Валентин ВОЛОДЕН,Сергей ГУСЬКОВ. Владелец: АЙПИДЖИ ФОТОНИКС КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2018-07-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5729561A. Автор: Misao Hironaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Mounting semiconductor lasers on heat sinks

Номер патента: GB2304995A. Автор: Misao Hironaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-03-26.

Semiconductor laser module

Номер патента: CA2779062C. Автор: Akira Nakamura,Motoaki Tamaya,Chise Nanba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Method and apparatus for extending and confirming the service life of semiconductor laser of bar code reader by detecting current increase corresponding to temperature of semiconductor laser

Номер патента: US5334826A. Автор: Shinichi Sato,Hiroaki Katoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-08-02.

Wavelength control in semiconductor lasers

Номер патента: US7483458B2. Автор: Jacques Gollier,Daniel Ohen Ricketts,Vikram Bhatia,Martin H. Hu,David A. Loeber,Chung-En Zah. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Semiconductor laser drive circuit with peak detection and control

Номер патента: US4701609A. Автор: Kenji Koishi,Tamotsu Matsuo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-10-20.

Semiconductor laser light source

Номер патента: CA2928970C. Автор: Hiroyuki Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5590144A. Автор: Akira Amano,Shoji Kitamura,Yoichi Shindo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-12-31.

Driving apparatus for semiconductor laser and method for controlling driving of semiconductor laser

Номер патента: US6104736A. Автор: Kweon Kim. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Nitride based semiconductor laser diode device with a bar mask

Номер патента: US7126972B2. Автор: Wen-How Lan,Yuh-Der Shiang,Jia-Ching Lin,Ker-Jun Lin,Kai-Fung Perng,Ya-Tung Cherng. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2006-10-24.

Semiconductor laser

Номер патента: US20040258120A1. Автор: Takashi Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet

Номер патента: EP1060545A1. Автор: Mark McElhinney,Paul Colombo. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Method for making a high power semiconductor laser diode

Номер патента: US20080123697A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2008-05-29.

High power semiconductor laser diode and method for making such a diode

Номер патента: EP1547216A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Method for making a high power semiconductor laser diode

Номер патента: US20050201438A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2005-09-15.

High-power edge-emitting semiconductor laser with asymmetric structure

Номер патента: US20230387665A1. Автор: Jung Min Hwang,Chen Yu Chiang,Jin Yuan Hsing. Владелец: Arima Lasers Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride-based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030173560A1. Автор: Takashi Kano,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-09-18.

Heat-transfer apparatus for high-power semiconductor lasers

Номер патента: RU2169977C2. Автор: А.М. Прохоров,В.В. Аполлонов,С.И. Державин,В.В. Кузьминов,Д.А. Машковский,В.Н. Тимошкин,В.А. Филоненко. Владелец: ЗАО "Энергомаштехника". Дата публикации: 2001-06-27.

Semiconductor laser chip and method for fabricating a semiconductor laser chip

Номер патента: US20020102756A1. Автор: Bernd Borchert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Laser light output apparatus, image display apparatus, and semiconductor laser driving control method

Номер патента: US20040240495A1. Автор: Naoki Akamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor laser unit and method for manufacturing optical reflection film

Номер патента: US20070071049A1. Автор: Naoki Kohara,Hironari Takehara,Hisatada Yasukawa,Takai Iwai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110013655A1. Автор: Hiroaki Maehara,Hitoshi Tada,Yoshihiro Hisa,Hitoshi Sakuma,Tadashi Takase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Wavelength-stabilized semiconductor laser source

Номер патента: US20190097385A1. Автор: Henry A. Blauvelt. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor laser apparatus and method of observing semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20010046770A1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09746627B2. Автор: Toshio Kimura,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09692205B2. Автор: Toshio Kimura,Tetsuya Matsuyama,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Jun Miyokawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor laser array

Номер патента: US09466946B2. Автор: Toru Yoshihara,Tetsuya Nishimura,Yuki Hasegawa,Mitsuaki Futami,Shinji Yagyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09373932B2. Автор: Toshio Kimura,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Method for manufacturing semiconductor laser diode

Номер патента: RU2205485C1. Автор: А.Н. Алексеев,В.П. Чалый,А.П. Шкурко,А.А. Веденеев,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий,В.М. Щевлюга,К.Н. Ельцов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2003-05-27.

Mode locked laser diode in a high power solid state regenerative amplifier and mount mechanism

Номер патента: US5469454A. Автор: Peter J. Delfyett, Jr.. Владелец: UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA. Дата публикации: 1995-11-21.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20190252851A1. Автор: Shingo Tanisaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor laser apparatus and method of producing the same

Номер патента: US20030063640A1. Автор: Ikuo Kohashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor laser drive device and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20120027037A1. Автор: Hiroaki Kyogoku,Daijiroh SUMINO. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor laser

Номер патента: US10811843B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Clemens Vierheilig,Andreas LOEFFLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-20.

Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device

Номер патента: US7970035B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor laser

Номер патента: US20060182161A1. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor laser device, manufacturing method thereof, and laser bar locking apparatus

Номер патента: US20030122136A1. Автор: Noboru Oshima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Method for manufacturing semiconductor laser device and method for inspecting semiconductor laser bar

Номер патента: US20090053838A1. Автор: Keiji Ito,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Passivation layer for semiconductor laser and semiconductor laser and laser module using the same

Номер патента: US20020021727A1. Автор: Michio Ohkubo,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Wavelength locking multimode diode lasers with fiber Bragg grating in large mode area core

Номер патента: US09673591B2. Автор: Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor laser element, testing method, and testing device

Номер патента: US11824326B2. Автор: Hiroki Nagai,Kazumasa Nagano. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor laser device

Номер патента: US11967802B2. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control

Номер патента: US7781244B2. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Method for the production of a semiconductor laser device

Номер патента: US5171706A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Masaki Kondo,Kazuaki Sasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Semiconductor laser and production method thereof

Номер патента: US20020181531A1. Автор: Masakazu Ukita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor laser

Номер патента: US7369594B2. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-05-06.

Method of fabricating semiconductor laser

Номер патента: US20100291718A1. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-18.

Nitride-composite semiconductor laser element, its manufacturing method, and semiconductor optical device

Номер патента: US20100278205A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor laser

Номер патента: US20090185595A1. Автор: Yasuyuki Nakagawa,Yosuke Suzuki,Harumi Nishiguchi,Kyosuke Kuramoto,Masatsugu Kusunoki,Hiromasu Matsuoka,Takeo Shirahama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240283213A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor laser oscillator

Номер патента: US09917416B2. Автор: Minoru Ogata,Kaori USUDA. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor laser module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09647421B2. Автор: Naoki Kimura,Susumu Nakaya. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor laser array

Номер патента: CA2875175C. Автор: Toru Yoshihara,Tetsuya Nishimura,Yuki Hasegawa,Mitsuaki Futami,Shinji Yagyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US7149235B2. Автор: Osamu Goto,Masao Ikeda,Shiro Uchida,Tsuyoshi Tojo,Tomonori Hino,Yoshifumi Yabuki,Shinichi Ansai. Владелец: Sony Shiroishi Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Method for making a semiconductor laser by cleaving a cantilever heterostructure

Номер патента: US4769342A. Автор: Tetsuya Yagi,Hitoshi Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-09-06.

Semiconductor-laser-pumped, solid-state laser

Номер патента: US5257277A. Автор: Takashi Yamamoto,Shigenori Yagi,Mayumi Fujimura,Toyohiro Uchiumi,Akira Ishimori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Semiconductor laser element, integrated semiconductor laser element, and method for producing semiconductor laser element

Номер патента: US9509121B2. Автор: Go Kobayashi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of characterizing bistable semiconductor lasers

Номер патента: US5007735A. Автор: Riccardo Calvani,Renato Caponi. Владелец: CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA. Дата публикации: 1991-04-16.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20180054038A1. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Phovel Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor laser and laser radar device having the semiconductor laser

Номер патента: US11817678B2. Автор: Seiichi Takayama,Ryuji Fujii,Ryo Hosoi,Kang GAO. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030179795A1. Автор: Mamoru Morita,Hiroshi Moriya,Kisho Ashida,Toshinori Hirataka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1347548A3. Автор: Hiroshi Hitachi Ltd. Int. Prop. Gp. Moriya,Kisho Hitachi Ltd. Int. Prop. Gp. Ashida,Toshinori c/o OpNext Japan Inc. Hirataka,Mamoru OpNext Japan Inc. Morita. Владелец: Opnext Japan Inc. Дата публикации: 2006-02-01.

Semiconductor Laser and Laser Radar Device Having the Semiconductor Laser

Номер патента: US20220311217A1. Автор: Seiichi Takayama,Ryuji Fujii,Ryo Hosoi,Kang GAO. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor laser device

Номер патента: US6937631B2. Автор: Mamoru Morita,Hiroshi Moriya,Kisho Ashida,Toshinori Hirataka. Владелец: Opnext Japan Inc. Дата публикации: 2005-08-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US6021148A. Автор: Eitaro Ishimura,Keisuke Matsumoto,Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20040120378A1. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20230019645A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor laser and method of fabricating the same

Номер патента: US20020027934A1. Автор: Yoshihiro Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Method and apparatus for wafer-level testing of semiconductor lasers

Номер патента: US20020109520A1. Автор: David Heald,Legardo REYES. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor laser

Номер патента: US20090141763A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Katsumi Kishino,Shigehisa Tanaka,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Control of current spreading in semiconductor laser diodes

Номер патента: US6931043B2. Автор: John C. Connolly,Louis A. Dimarco. Владелец: Trumpf Photonics Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130280837A9. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065336A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US9036671B2. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Fracture resistant metallization pattern for semiconductor lasers

Номер патента: WO2010123807A1. Автор: Chung-En Zah,Martin H Hu,Lawrence C. Hughes, Jr.,Satish C Chaparala. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-10-28.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090116528A1. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for manufacturing semiconductor laser device, and semiconductor laser device

Номер патента: US20240283212A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065337A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7792172B2. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240291227A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor laser element and method of obtaining information from the semiconductor laser element

Номер патента: US09870525B2. Автор: Atsushi Tanaka,Mitsuhiro Nonaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of characterizing bistable semiconductor lasers

Номер патента: CA1321484C. Автор: Riccardo Calvani,Renato Caponi. Владелец: CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA. Дата публикации: 1993-08-24.

Semiconductor laser structures

Номер патента: CA1295722C. Автор: Leslie David Westbrook,Michael John Adams. Владелец: British Telecommunications plc. Дата публикации: 1992-02-11.

Fabrication of cleaved semiconductor lasers

Номер патента: CA1201520A. Автор: Paul A. Kohl,Charles A. Burrus, Jr.,Tien P. Lee,Frederick W. Ostermayer, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-03-04.

Semiconductor laser control apparatus

Номер патента: US4888777A. Автор: Yoshinobu Takeyama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-12-19.

Method of fabricating semiconductor laser diode apparatus and semiconductor laser diode apparatus

Номер патента: US8085825B2. Автор: Masayuki Hata,Yasuyuki Bessho,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-27.

Semiconductor laser comprising a plurality of optically active regions

Номер патента: US20040120377A1. Автор: John Marsh,Shin-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor laser comprising a plurality of optically active regions

Номер патента: EP1362395B1. Автор: John Haig Marsh,Shin-Sung Kim. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2005-04-13.

Semiconductor laser having improved facet reliability

Номер патента: US20240039239A1. Автор: Yifan Jiang,Wolfgang PARZ,Jason Daniel BOWKER,Akshitha Gadde. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Waveguide heterostructure for dispersion compensation in semiconductor laser

Номер патента: EP3692609A1. Автор: Yves BIDAUX,Jerome Faist,Filippos KAPSALIDIS. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2020-08-12.

Waveguide heterostructure for dispersion compensation in semiconductor laser

Номер патента: US20200287353A1. Автор: Yves BIDAUX,Jerome Faist,Filippos KAPSALIDIS. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US12062887B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-13.

Resonating cavity system for broadly tunable multi-wavelength semiconductor lasers

Номер патента: US6687275B2. Автор: Ching-Fuh Lin. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Ultra-low noise mode-locked laser, methods, and applications

Номер патента: US10326251B2. Автор: Peter Delfyett,Anthony Klee,Kristina Bagnell. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2019-06-18.

Vertical cavity surface emitting laser for high power single mode operation and method of fabrication

Номер патента: US6021146A. Автор: Michael S. Lebby,Jamal Ramdani,Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-02-01.

Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers

Номер патента: WO2005124948A2. Автор: Luis A. Spinelli,Hailong Zhou,Russel R. Austin. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2005-12-29.

Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers

Номер патента: WO2005124948A3. Автор: Luis A Spinelli,Hailong Zhou,Russel R Austin. Владелец: Russel R Austin. Дата публикации: 2006-03-30.

Method, system and apparatus for hybrid optical and electrical pumping of semiconductor lasers and leds for improved reliability at high temperatures

Номер патента: US20150333477A1. Автор: Duane Louderback. Владелец: Zephyr Photonics Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Ridge-shaped laser structure and surface etched grating semiconductor laser with periodic pumping

Номер патента: US20230216274A1. Автор: Fang Wu,Yury Logvin,Kirill Y. PIMENOV,Christopher D. WATSON,Yongbo TANG. Владелец: Shenzhen Banyan Photonics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Method, system and apparatus for hybrid optical and electrical pumping of semiconductor lasers and LEDs for improved reliability at high temperatures

Номер патента: US09728936B2. Автор: Duane Louderback. Владелец: Zephyr Photonics Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Method and device for testing semiconductor laser

Номер патента: US20050164415A1. Автор: Yuichiro Okunuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Ridge-structure DFB semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020064199A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Kiyoshi Takei,Kiyofumi Chikuma,Nong Chen. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US20190081454A1. Автор: Shinji Saito,Osamu Yamane,Akira Tsumura,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Method and apparatus for linewidth narrowing and single mode operation in lasers by intra-cavity nonlinear wave mixing

Номер патента: US5646951A. Автор: Moshe Horowitz,Baruch Fischer,Ron Daisy. Владелец: Technion Research and Development Foundation Ltd. Дата публикации: 1997-07-08.

Optical device having unidirectional microring resonator laser capable of single-mode operation

Номер патента: US20240113490A1. Автор: Yuan Yuan,Raymond G. Beausoleil,Di Liang,Wayne Victor Sorin,Stanley Cheung. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2024-04-04.

Robust pigtail system for high power laser modules

Номер патента: WO2012098456A1. Автор: Reinhard Brunner,Markus Lützelschwab,Jorg Pierer,Bernhard Valk. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-07-26.

Robust pigtail system for high power laser modules

Номер патента: WO2012098456A4. Автор: Reinhard Brunner,Markus Lützelschwab,Jorg Pierer,Bernhard Valk. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-09-13.

High power semiconductor laser device

Номер патента: US7466737B2. Автор: Byung Jin MA,Seong Ju Bae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

High power, high pulse repetition frequency, compact, pulsed laser diode driver

Номер патента: US5406572A. Автор: Hyung D. Chung. Владелец: Chung; Hyung D.. Дата публикации: 1995-04-11.

Semiconductor laser array

Номер патента: EP1143584A3. Автор: Kunio Ito,Seiichiro Tamai,Masaaki Yuri,Masaru Kazamura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-23.

High-powered semiconductor laser array apparatus

Номер патента: EP1146617A3. Автор: Kunio Ito,Seiichiro Tamai,Masaru Kazumura,Masaaki Yuri,Toru Takayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-23.

Optical semiconductor element, semiconductor laser, and method of manufacturing optical semiconductor element

Номер патента: US20120236394A1. Автор: Akinori Hayakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Radiant beam combining of multiple multimode semiconductor laser diodes for directional laser beam delivery applications

Номер патента: US11973319B2. Автор: Augustinas VIZBARAS,Kristijonas Vizbaras,Edgaras Dvinelis. Владелец: Uab Brolis Semiconductors. Дата публикации: 2024-04-30.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7184456B2. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050243880A1. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor laser drive circuit and light beam scanning system using semiconductor laser

Номер патента: US6091748A. Автор: Hiroaki Yasuda. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-18.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20170315311A1. Автор: Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Etsuji Katayama,Toshia KIMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module

Номер патента: US20080044936A1. Автор: Toshio Kimura,Takeshi Aikiyo,Masashi Nakae. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor laser module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859679B2. Автор: Naoki Kimura. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09766466B2. Автор: Arne Heinrich,Clemens HAGEN. Владелец: Pantec Engineering AG. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US09735538B2. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor laser system for laser medical cosmetology

Номер патента: US09510908B2. Автор: Yao Sun,Di Wu,Xingsheng Liu,Lei CAI,Ye Dai,Hengjun ZONG,Lishun TONG. Владелец: Focuslight Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

A semiconductor laser

Номер патента: WO1996024972A1. Автор: Gregory Jason Parker. Владелец: British Technology Group Limited. Дата публикации: 1996-08-15.

Solar-panel-based power supply system for driving semiconductor laser

Номер патента: NL2029408B1. Автор: Liu Qing,Li Ke,ZHAO Xiaolong,ZHANG Mingxia,Ling Weijun,Dong Zhong,Lu Feiping,Li Xiangbing,Xin Jianyuan. Владелец: Univ Tianshui Normal. Дата публикации: 2023-05-11.

Testing method of semiconductor laser and laser testing device

Номер патента: US20100238426A1. Автор: Isao Baba,Makoto Sugiyama,Haruyoshi Ono. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor laser device manufacturing method and semiconductor laser device

Номер патента: US20060121633A1. Автор: Tadashi Takeoka,Takuroh Ishikura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Bar-shaped semiconductor laser chip and method of fabrication thereof

Номер патента: US20100103968A1. Автор: Yasuo Baba,Yasuhiko Matsushita,Yukio Gotoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090180505A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110096805A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

High speed semiconductor laser driver circuits

Номер патента: WO1999001914A2. Автор: Garry N. Link. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 1999-01-14.

Semiconductor Laser Device

Номер патента: US20080285611A1. Автор: Tsuyoshi Fujimoto. Владелец: Optoenergy Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor laser device with an inspection window, and an inspection method therefor

Номер патента: US6553047B1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-04-22.

High speed semiconductor laser driver circuits

Номер патента: WO1999001914A3. Автор: Garry N Link. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS. Дата публикации: 1999-03-25.

Nitride-based semiconductor light-emitting element and manufacturing method thereof, and manufacturing method of nitride-based semiconductor crystal

Номер патента: US12119618B2. Автор: Shinji Yoshida,Isao Kidoguchi,Shuichi Nakazawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor laser diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09997893B2. Автор: Jaesoong LEE,Youngho SONG,Jinwoo JU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor laser light source and solid-state laser apparatus

Номер патента: CA2233473C. Автор: Yasuo Oeda,Kouichi Igarashi,Kiyofumi Muro. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2001-09-25.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220302674A1. Автор: Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor laser driving device, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor laser driving device

Номер патента: EP4027379A1. Автор: Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-13.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20210005800A1. Автор: Kazuma KOZURU,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220190224A1. Автор: Kazuma KOZURU,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: US20200274331A1. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: US11114821B2. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Two-level semiconductor laser driver

Номер патента: WO1999000764A2. Автор: Douglas S. Goodman,William T. Plummer,Marc Thompson,Peter P. Clark. Владелец: Polaroid Corporation. Дата публикации: 1999-01-07.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: EP3703200A2. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-09-02.

Semiconductor laser element and method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20160276804A1. Автор: Takeshi Namegaya,Hirotatsu Ishii,Hidehiro Taniguchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Chirped Bragg grating elements

Номер патента: US09793674B2. Автор: Vladimir Sinisa Ban,Boris Leonidovich Volodin. Владелец: Necsel Intellectual Property Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor laser element and method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US09478944B2. Автор: Takeshi Namegaya,Hirotatsu Ishii,Hidehiro Taniguchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor laser source unit

Номер патента: US4953171A. Автор: Tomohiro Nakajima,Kazuyuki Shimada,Katsumi Yamaguchi,Nobuo Sakuma,Seizoh Suzuki. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1990-08-28.

Active complex spatial light modulation method and device for ultra-low noise holographic display

Номер патента: EP3933464A1. Автор: Hwi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-05.

Active complex spatial light modulation method and apparatus for an ultra-low noise holographic display

Номер патента: US20200278642A1. Автор: Hwi Kim,Joonku Hahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-09-03.

Distributed Feedback Semiconductor Laser Based on Reconstruction-Equivalent-Chirp Technology and the Manufacture Method of the Same

Номер патента: US20090010295A1. Автор: Xiangfei Chen. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-01-08.

Method for producing a waveguide structure in a surface-emitting semiconductor laser and surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20060078029A1. Автор: Markus-Christian Amann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

A vertical-cavity surface-emitting laser with enhanced transverse mode stability and polarization stable single mode output

Номер патента: EP1276188A2. Автор: Fabrice Monti Di Sopra,Michael Dr. Moser. Владелец: Avalon Photonics AG. Дата публикации: 2003-01-15.

Ultra-low noise cryogenic microwave amplification

Номер патента: US20200287343A1. Автор: Petr MOROSHKIN,Yuimaru Kubo,Jason Robert BALL,Denis KONSTANTINOV. Владелец: Okinawa Institute of Science and Technology School Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Ultra-low noise mode-locked laser, methods, and applications

Номер патента: US20180115136A1. Автор: Delfyett Peter,Klee Anthony,Bagnell Kristina. Владелец: University of Central Florida Research Foundation, Inc.. Дата публикации: 2018-04-26.

ULTRA-LOW NOISE CRYOGENIC MICROWAVE AMPLIFICATION

Номер патента: US20200287343A1. Автор: MOROSHKIN Petr,KUBO Yuimaru,BALL Jason Robert,KONSTANTINOV Denis. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-10.

Ultra-low noise electro-optical frequency comb generating device

Номер патента: CN114361931A. Автор: 邵晓东,韩海年,马骏逸,魏志义. Владелец: Institute of Physics of CAS. Дата публикации: 2022-04-15.

A kind of 0.9 mu m waveband ultra-low noise narrow-linewidth single frequency fiber laser light source

Номер патента: CN107946878A. Автор: 杨中民,徐善辉,冯洲明,杨昌盛,黄振鹏. Владелец: Hengqin Donghui Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-20.

Ultra-low noise cryogenic microwave amplification

Номер патента: US11677206B2. Автор: Petr MOROSHKIN,Yuimaru Kubo,Jason Robert BALL,Denis KONSTANTINOV. Владелец: Okinawa Institute of Science and Technology School Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Ultra-low noise cryogenic microwave amplification

Номер патента: US20230327388A1. Автор: Petr MOROSHKIN,Yuimaru Kubo,Jason Robert BALL,Denis KONSTANTINOV. Владелец: Okinawa Institute of Science and Technology School Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for finding and tracking single-mode operation point of external cavity diode lasers

Номер патента: US20120287491A1. Автор: Paul C. Smith,Keith W. Malang,Paul A. Morrison,Jason R. Ensher,Roger Shepherd,William G. Creech. Владелец: Inphase Technologies Inc. Дата публикации: 2012-11-15.

Method and apparatus for linewidth narrowing and single mode operation in lasers by intracavity nonlinear wave mixing

Номер патента: IL109102A0. Автор: . Владелец: Technion Res & Dev Foundation. Дата публикации: 1994-06-24.

Fiber that provides double-clad gain with increased cladding absorption while maintaining single-mode operation

Номер патента: JP6306624B2. Автор: エフ．トーネー ティエリー. Владелец: オーエフエス ファイテル，エルエルシー. Дата публикации: 2018-04-04.

Method and apparatus for linewidth narrowing and single mode operation in lasers by intracavity nonlinear wave mixing

Номер патента: IL109102A. Автор: Moshe Horowitz,Baruch Fischer,Ron Daisy. Владелец: Technion Res & Dev Foundation. Дата публикации: 1998-06-15.

Method and apparatus for efficient operation of a solid-state laser optically pumped by an unstable resonator semiconductor laser

Номер патента: WO1993022809A1. Автор: Brian Baird,Richard DeFreez. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 1993-11-11.

Single frequency high power semiconductor laser

Номер патента: US4856017A. Автор: Jeffrey E. Ungar. Владелец: Ortel Corp. Дата публикации: 1989-08-08.

High-power, single-spatial-mode quantum cascade lasers

Номер патента: US20240097404A1. Автор: Dan Botez,Thomas L. Earles,Luke J. Mawst,Christopher A. Sigler. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor laser

Номер патента: US20190273362A1. Автор: Christian Lauer,Tomasz Swietlik. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20040101010A1. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Semiconductor laser device with multi-dimensional-photonic-crystallized region

Номер патента: US7248612B2. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-07-24.

Semiconductor laser

Номер патента: US20050232325A1. Автор: Masahiro Kume,Isao Kidoguchi,Tetsuo Ueda,Toshiya Kawata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-20.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20100220759A1. Автор: Masahide Kobayashi,Kenji Endo,Kentaro Tada,Tetsuro Okuda,Kazuo Fukagai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US8228966B2. Автор: Masahide Kobayashi,Kenji Endo,Kentaro Tada,Tetsuro Okuda,Kazuo Fukagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Edge emitter semiconductor laser type of device with end segments for mirrors protection

Номер патента: US09755402B2. Автор: Iulian Basarab Petrescu-Prahova. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-05.

Tunable semiconductor laser light source

Номер патента: US6295306B1. Автор: Keisuke Asami. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-25.

Method for manufacturing surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20070202622A1. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Surface-emitting semiconductor laser and method for manufacturing thereof as well as optical device

Номер патента: EP1528647A3. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-11.

Narrow spectral width high power distributed feedback semiconductor lasers

Номер патента: CA2329416C. Автор: Dan Botez,Thomas L. Earles,Luke J. Mawst. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2005-05-17.

Heterostructure semiconductor laser diode

Номер патента: US4794610A. Автор: Werner Schairer,Jochen Gerner. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1988-12-27.

High power semiconductor laser by means of lattice mismatch stress

Номер патента: US4769821A. Автор: Yukio Gotoh. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-09-06.

Semiconductor laser with integrated phototransistor

Номер патента: US09735546B2. Автор: Marcel Franz Christian Schemmann. Владелец: Koninklijke Philips NV. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020196828A1. Автор: Shinji Abe,Tetsuya Yagi,Harumi Nishiguchi,Nobuyuki Kasai,Junji Tanimura,Yoshihisa Tashiro,Motoharu Miyashita,Yuji Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Distributed feedback semiconductor laser element and method for making the same

Номер патента: US20010039069A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Kiyoshi Takei,Kiyofumi Chikuma,Nong Chen. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20240332901A1. Автор: Lutz Hoeppel,Sven GERHARD,Hubert Halbritter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

High powered laser diode

Номер патента: CA2242853C. Автор: Vilhelm Oskarsson. Владелец: Mitel Semiconductor AB. Дата публикации: 2002-05-14.

Bragg grating and method for manufacturing the same and distributed feedback laser device

Номер патента: US20220393432A1. Автор: Xun Li,Weizhong Sun,Sangzhi ZHAO. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20020146857A1. Автор: Jun Ichihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor laser

Номер патента: WO2012153136A1. Автор: Alf Adams. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2012-11-15.

Method for fabricating semiconductor laser

Номер патента: US8551797B2. Автор: Shinji Abe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-08.

Surface-emitting type semiconductor laser, optical transmission apparatus, and manufacturing method of surface-emitting type semiconductor laser

Номер патента: US20240250501A1. Автор: Atsushi Mukai,Kazutaka Takeda,Takeshi MINAMIRU,Naoya SEKITA,Yuto IWANE,Koga MIZUNO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for fabricating semiconductor laser

Номер патента: US20130217157A1. Автор: Shinji Abe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Surface emission semiconductor laser device

Номер патента: US20030152121A1. Автор: Kazushi Mori,Ryoji Hiroyama,Koji Tominaga,Atsushi Tajiri,Yasuhiko Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1037342A3. Автор: Masato Ishino,Yoshiaki Nakano,Masahiro Kito,Tomoaki Toda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-05.

Edge-emitting semiconductor laser with photonic-bandgap structure formed by intermixing

Номер патента: US20100142575A1. Автор: Jason P. Watson,Thomas C. Hasenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240291241A1. Автор: Takahiro Nakamura,Yasuhiko Arakawa,Jinkwan Kwoen,Masahiro Kakuda. Владелец: Aio Core Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US4648096A. Автор: Kazuo Sakai,Yuichi Matsushima,Shigeyuki Akiba,Katsuyuki Utaka. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1987-03-03.

HIGH-POWER FIBRE PUMPING SOURCE WITH HIGH-BRIGHTNESS LOW NOISE OUTPUT RADIATION IN WAVELENGTH RANGE 974-1030 nm

Номер патента: RU2591586C2. Автор: Валентин ГАПОНЦЕВ,Игорь САМАРЦЕВ. Владелец: Ай-Пи-Джи Фоутоникс Корпорейшн. Дата публикации: 2016-07-20.

Pumping system for high-power holmium-doped optic fibre laser

Номер патента: EP4407817A1. Автор: Antonio Diez Cremades,Jose Luis Cruz Muñoz,Miguel Vicente Andres Bou,Yury BARMENKOV,Alexander KIRIYANOV,Enrique SILVESTRE MORA. Владелец: Centro De Investigaciones En Optica Ac. Дата публикации: 2024-07-31.

High power ultrashort pulsed fiber laser

Номер патента: EP3103166A1. Автор: Valentin Gapontsev,Igor Samartsev,Alex Yusim,Bruce Jenket. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2016-12-14.

High power ultrashort pulsed fiber laser

Номер патента: WO2015117128A1. Автор: Valentin Gapontsev,Igor Samartsev,Alex Yusim,Bruce Jenket. Владелец: IPG Photonics Corporation. Дата публикации: 2015-08-06.

High power laser system with multiport circulator

Номер патента: EP2486633A2. Автор: Dmitry Starodubov,Hongbo Yu,Alex Yusim. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2012-08-15.

High Power Ultra-Compact, Lightweight Multi-Kilowatt Fiber Laser System Based on Coherent & Spectral Beam Combining

Номер патента: US20150043597A1. Автор: Roman Yagodkin,Alex Yusim. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Fiber bragg grating dfb-dbr interactive laser and related fiber laser sources

Номер патента: WO2000003462A9. Автор: Yuan Shi,Jing-Jong Pan. Владелец: E Tek Dynamics Inc. Дата публикации: 2000-10-26.

Fiber bragg grating dfb-dbr interactive laser and related fiber laser sources

Номер патента: EP1097493A1. Автор: Yuan Shi,Jing-Jong Pan. Владелец: E Tek Dynamics Inc. Дата публикации: 2001-05-09.

Fiber bragg grating dfb-dbr interactive laser and related fiber laser sources

Номер патента: WO2000003462A1. Автор: Yuan Shi,Jing-Jong Pan. Владелец: E-Tek Dynamics, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

High power short pulse fiber laser

Номер патента: US09640940B2. Автор: Martin E. Fermann,Xinhua Gu,Gyu Cheon Cho,Mark Bendett. Владелец: IMRA America Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

High power semiconductor laser system

Номер патента: US5394492A. Автор: Cherng J. Hwang. Владелец: Applied Optronics Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

High power semiconductor laser with a large optical superlattice waveguide

Номер патента: US20040208213A1. Автор: Norbert Lichtenstein,Arnaud Fily,Bertoit Reid. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-21.

Improved far-field nitride based semiconductor device

Номер патента: WO2000024097A1. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Yawara Kaneko,Norihide Yamada. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2000-04-27.

High-power injection laser diode structure

Номер патента: US4578791A. Автор: Bor-Uei Chen. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1986-03-25.

Middle-infrared volumetric bragg grating based on alkali halide color center crystals

Номер патента: US20140348200A1. Автор: Sergey B. Mirov,David J. Hilton,Vladimir V. Fedorov,Anitha Arumugam,Dmitry V. Martyshkin. Владелец: UAB RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2014-11-27.

Middle-infrared volumetric bragg grating based on alkalihalide color center crystals

Номер патента: WO2013106867A3. Автор: Vladimir V Fedorov,Sergey B. Mirov,Dmitry V MARTYSHKIN,David J HILTON,Anitha ARUMUGAN. Владелец: THE UAB RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2013-10-10.

Middle-infrared volumetric bragg grating based on alkalihalide color center crystals

Номер патента: EP2803119A2. Автор: Vladimir V Fedorov,Sergey B. Mirov,Anitha Arumugam,Dmitry V MARTYSHKIN,David J HILTON. Владелец: UAB RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2014-11-19.

Optical waveguide laser comprising bragg gratings

Номер патента: EP1350289A1. Автор: Jon Thomas Kringlebotn,Sigurd Weidemann LØVSETH. Владелец: Optoplan AS. Дата публикации: 2003-10-08.

Optical waveguide laser comprising bragg gratings

Номер патента: WO2002049169A1. Автор: Jon Thomas Kringlebotn,Sigurd Weidemann LØVSETH. Владелец: Optoplan AS. Дата публикации: 2002-06-20.

High-power optical fibre laser

Номер патента: US8928971B2. Автор: THIERRY Robin,Benoit Cadier,Sylvain Girard,Herve Gilles,Mathieu Laroche. Владелец: CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE CNRS. Дата публикации: 2015-01-06.

Solid-state laser apparatus excited by laser light from semiconductor laser unit having increased resonator length

Номер патента: US6795475B1. Автор: Yoji Okazaki,Hisashi Ohtsuka. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-21.

Systems and methods using a pair of rotated volume bragg gratings for laser amplification

Номер патента: WO2024124068A1. Автор: Leonid Glebov,Ivan Divliansky,Oussama MHIBIK,Ayman Abouraddy,Murat Yessenov. Владелец: UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Fabrication method of gesn alloys with high tin composition and semiconductor laser realized with such method

Номер патента: EP3895206A1. Автор: Claude MEYLAN. Владелец: Iris Industries SA. Дата публикации: 2021-10-20.

Gaas based semiconductor laser and method of producing the same

Номер патента: KR100550923B1. Автор: 이태원,김태형,황성민,이수열,한상헌,오화섭,김남승. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-02-13.

Nitride-based semiconductor laser device

Номер патента: US20080069163A1. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor laser diode with narrow lateral beam divergence

Номер патента: US7602828B2. Автор: Matthew Glenn Peters,Victor Rossin,Erik Paul Zucker. Владелец: JDS Uniphase Corp. Дата публикации: 2009-10-13.

High power short pulse fiber laser

Номер патента: US20150085885A1. Автор: Martin E. Fermann,Xinhua Gu,Gyu Cheon Cho,Mark Bendett. Владелец: IMRA America Inc. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor laser module and three-dimensional laminating and shaping apparatus

Номер патента: US20180231724A1. Автор: Hajime Mori,Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Technology Research Association for Future Additive Manufacturing (TRAFAM). Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor laser driving device and semiconductor laser driving method

Номер патента: US20090232174A1. Автор: Junichi Furukawa,Kiyoshi Tateishi. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Outcoupler with bragg grating and system and method using same

Номер патента: EP1624545A3. Автор: Alexander A. Betin,Oleg Efimov. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2007-09-19.

Method for setting heating condition, method for manufacturing fiber bragg grating, and method for manufacturing fiber laser system

Номер патента: CA3074046A1. Автор: Kenichi Ohmori,Tomoki Funatsu. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070058687A1. Автор: Masaya Mannoh,Toshiya Fukuhisa,Tsutomu Ukai,Yoshiyuki Matsuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor laser arrays using leaky wave interarray coupling

Номер патента: US5063570A. Автор: Dan Botez,Luke J. Mawst,Gary L. Peterson. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1991-11-05.

Semiconductor laser structure

Номер патента: US4631729A. Автор: Luis Figueroa,Charles B. Morrison,Frank E. Goodwin,Hsiang-Yi D. Law. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1986-12-23.

Full aperture semiconductor laser

Номер патента: US5031183A. Автор: Robert G. Waters. Владелец: McDonnell Douglas Corp. Дата публикации: 1991-07-09.

High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure

Номер патента: EP1104057A2. Автор: Toshiaki Fukunaga,Mitsugu Wada. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-30.

High power distributed feedback ridge waveguide laser

Номер патента: WO2001054240A1. Автор: Joseph H. Abeles. Владелец: PRINCETON LIGHTWAVE, INC.. Дата публикации: 2001-07-26.

High power distributed feedback ridge waveguide laser

Номер патента: US20030147438A1. Автор: Joseph Abeles. Владелец: Trumpf Photonics Inc. Дата публикации: 2003-08-07.

Semiconductor laser device and process for manufacturing the same

Номер патента: US6333946B1. Автор: Akihiro Shima,Harumi Nishiguchi,Motoharu Miyashita,Yuji Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-25.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5272712A. Автор: Satoshi Arimoto,Takashi Nishimura,Takashi Motoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110286487A1. Автор: Hitoshi Sato,Masatoshi Sasaki,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Atsushi Higuchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Long period bragg grating optical signal attenuation

Номер патента: WO2005053120A1. Автор: George Pavlath. Владелец: NORTHROP GRUMMAN CORPORATION. Дата публикации: 2005-06-09.

Systems and methods using a pair of rotated volume bragg gratings for laser amplification

Номер патента: US20240195139A1. Автор: Leonid Glebov,Ivan Divliansky,Oussama MHIBIK,Ayman Abouraddy,Murat Yessenov. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for controlling a semiconductor-laser-diode-based ss- interferometer system

Номер патента: US20220244178A1. Автор: Thomas Pabst,Manfred Dick,Roland Bergner,Ralf Ebersbach,Rainer Leitgeb. Владелец: CARL ZEISS MEDITEC AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Nitride-based semiconductor element and method of forming nitride-based semiconductor

Номер патента: US20070001192A1. Автор: Tsutomu Yamaguchi,Nobuhiko Hayashi,Tatsuya Kunisato,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030202551A1. Автор: Shoji Hirata,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7113532B2. Автор: Shoji Hirata,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-09-26.

Apparatus and method for an optical resonator with an integrated bragg grating

Номер патента: US20180358772A1. Автор: Matthew Wade Puckett,Jianfeng Wu,Karl D. Nelson. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-12-13.

Nitride-based semiconductor element and method of forming nitride-based semiconductor

Номер патента: US20020123162A1. Автор: Tsutomu Yamaguchi,Nobuhiko Hayashi,Tatsuya Kunisato,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Wavelength normalization in phase section of semiconductor lasers

Номер патента: WO2010002471A1. Автор: Dragan Pikula,Martin H Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-07.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090080483A1. Автор: Kenji Yoshikawa,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor laser, light source device, image forming apparatus, image display device, object device, and colored-light generation method

Номер патента: WO2017188100A1. Автор: Kohji Sakai,Miho HIGUCHI. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor laser, light source device, image forming apparatus, image display device, object device, and colored-light generation method

Номер патента: EP3449539A1. Автор: Kohji Sakai,Miho HIGUCHI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09948060B2. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09793681B2. Автор: Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09660415B2. Автор: Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-05-23.

Gallium nitride based semiconductor light emitting device

Номер патента: US6515311B1. Автор: Kiyofumi Chikuma,Mitsuru Nishitsuka. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2003-02-04.

Gallium nitride based semiconductor light emitting device

Номер патента: EP1054491A3. Автор: Kiyofumi Chikuma,Mitsuru Nishitsuka. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2004-01-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20150023380A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor laser diode device

Номер патента: US20080049803A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Katsumi Kishino,Shigehisa Tanaka,Tsukuru Ohtoshi,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Branching optical waveguide for an index-guided semiconductor laser device

Номер патента: US4752932A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Sadayoshi Matsui,Mototaka Taneya. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-06-21.

Process for the production of a semiconductor laser with tape geometry and laser obtained by this process

Номер патента: US4742013A. Автор: Louis Menigaux. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-05-03.

Semiconductor laser

Номер патента: US20050207462A1. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Nitride-based semiconductor element and method of forming nitride-based semiconductor

Номер патента: US20040169193A1. Автор: Tsutomu Yamaguchi,Nobuhiko Hayashi,Tatsuya Kunisato,Hiroki Ohbo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-02.

Semiconductor laser

Номер патента: US9099841B2. Автор: Satoshi Uchida,Tsutomu Ishikawa,Tsuguki Noma,Miroru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-08-04.

Semiconductor laser including N-doped quaternary layer

Номер патента: US20030086458A1. Автор: Kenneth Bacher. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Device comprising a high brightness broad-area edge-emitting semiconductor laser and method of making the same

Номер патента: US09705285B2. Автор: Dieter Bimberg,Vladimir Kalosha. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor laser structure

Номер патента: US09653382B2. Автор: Jui-Ying Lin,Chia-Hsin Chao,Yao-Jun Tsai,Yen-Hsiang Fang,Yi-Chen Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor laser

Номер патента: US09407065B2. Автор: Shigeyuki Takagi,Takayoshi Fujii,Akira Maekawa,Yasutomo Shiomi,Hidehiko Yabuhara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor laser and method of making the same

Номер патента: CA1237513A. Автор: Masaru Wada,Kunio Itoh,Ken Hamada. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-05-31.

Optical information recording/reproducing apparatus supplying a smaller high-frequency current to a first semiconductor laser for generating a light beam to record information than to a second semiconductor laser for reproducing recorded information

Номер патента: US5781222A. Автор: Akira Miyashita,Takeshi Yamawaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Semiconductor laser device including columns of semiconductor lasers with non-central light emitting regions

Номер патента: US5636235A. Автор: Yasunori Miyazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Semiconductor laser module and semiconductor laser

Номер патента: EP4235987A1. Автор: Ning Li,Ziwei Wang,Huixuan HU,Mengdi WU,Kunzhong LU,Dapeng Yan. Владелец: Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220346288A1. Автор: Masayuki Nagao,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Low scattering loss high temperature stable fiber bragg grating sensor based on micropore formation and method for producing same

Номер патента: US20240012195A1. Автор: PING Lu,Robert Walker,Huimin Ding,Dan Grobnic,Cyril Hnatovsky,Stephen Mihailov,Kasthuri DE SILVA,David COULAS,Nurmemet ABDUKERIM. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2024-01-11.

Wavelength control in wavelength selective, phase, and gain regions of semiconductor lasers

Номер патента: US20080089370A1. Автор: Jacques Gollier,Daniel Ohen Ricketts,Vikram Bhatia,David August Sniezek Loeber,Martin Hai Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11962123B2. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Passively double-passed chirped-fiber-bragg-grating

Номер патента: WO2024009082A1. Автор: Ian MACGILLIVRAY,Luke MAIDMENT. Владелец: Coherent Scotland Limited. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor laser

Номер патента: US5715266A. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Raman fiber laser employing ultra-low reflectance fiber bragg grating

Номер патента: US20230216264A1. Автор: Yanxin Li,Xuewen Shu,Jiancheng Deng. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-06.

Passively double-passed chirped-fiber-bragg-grating

Номер патента: US20240014624A1. Автор: Ian MACGILLIVRAY,Luke MAIDMENT. Владелец: Coherent Scotland Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240154385A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4040615A1. Автор: Masayuki Nagao,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210143607A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor laser drive device and method for manufacturing same

Номер патента: EP3783759A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-02-24.

Low scattering loss high temperature stable fiber bragg grating sensor based on micropore formation and method for producing same

Номер патента: CA3200760A1. Автор: PING Lu,Robert Walker,Huimin Ding,Dan Grobnic,Cyril Hnatovsky,Stephen Mihailov,Kasthuri DE SILVA,David COULAS,Nurmemet ABDUKERIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-06-09.

Wavelength control in wavelength selective, phase, and gain regions of semiconductor lasers

Номер патента: WO2008048474A1. Автор: Jacques Gollier,Vikram Bhatia,Martin H. Hu,David A. Loeber,Daniel O. Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-24.

Bulk avalanche semiconductor laser

Номер патента: WO1989003602A1. Автор: Stephen J. Davis,Larry O. Ragle. Владелец: Power Spectra, Inc.. Дата публикации: 1989-04-20.

Active optical device component with large area bragg grating

Номер патента: WO2011160234A3. Автор: Serge Doucet,Bertrand Morasse,Marc-André LAPOINTE. Владелец: CORACTIVE HIGH-TECH INC.. Дата публикации: 2012-02-16.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20140211821A1. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Harald Koenig,Christian Lauer,Guenther Groenninger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-07-31.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20120263205A1. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Harald Koenig,Christian Lauer,Guenther Groenninger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor laser device and a method of growing a semiconductor laser device

Номер патента: US5828685A. Автор: Geoffrey Duggan. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-10-27.

Nitride based semiconductor light emitting element

Номер патента: US6555847B2. Автор: Toshio Hata,Kensaku Yamamoto,Masaki Tatsumi,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-29.

Semiconductor laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050121680A1. Автор: Ki Kim,Yong Baek,Chul Lee,Jung Song. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-06-09.

WDM fiber amplifiers using sampled bragg gratings

Номер патента: US20020167722A1. Автор: Yong Xie,Zhongqi Pan,Alan Willner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-14.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020187576A1. Автор: Tetsuya Hosoda. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20030092211A1. Автор: Tetsuya Hosoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor laser and method of producing the same

Номер патента: US20020080837A1. Автор: Minoru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20010015991A1. Автор: Akihiko Kasukawa,Mikihiro Yokozeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1130721A3. Автор: Akihiko The Furukawa Electric Co. Ltd. KASUKAWA,Mikihiro The Furukawa Electric Co. Ltd. Yokozeki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-05.

Semiconductor laser and method of producing the same

Номер патента: US6683899B2. Автор: Minoru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-01-27.

Semiconductor laser array

Номер патента: US4694461A. Автор: Saburo Yamamoto,Sadayoshi Matsui,Mototaka Taneya,Seiki Yano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-09-15.

Gain-flattening fiber bragg grating written into gain media of optical amplifier system

Номер патента: US20240372309A1. Автор: Josh P. Kemp. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2024-11-07.

Optical phase-sensitive amplifier with fiber bragg grating phase shifter

Номер патента: US09997887B1. Автор: Youichi Akasaka,Tadashi Ikeuchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09564739B2. Автор: Tsuguki Noma,Minoru Akutsu,Yoshito NISHIOKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Optical system including multiplexed volume Bragg grating, methods, and applications

Номер патента: US09551830B1. Автор: Daniel Ott,Leonid Glebov,Brian Anderson,Ivan Divliansky,George Venus,Evan Hale. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2017-01-24.

Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US09502863B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Tunable bragg gratings and devices employing the same

Номер патента: CA2320107C. Автор: Ravinder Jain,Balaji Srinivasan. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2009-05-12.

Device for transmission of high-power light radiation

Номер патента: RU2644448C1. Автор: Григорий Николаевич Качалин,Николай Александрович Кирдяев,Сергей Андреевич Кунин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2018-02-12.

Tunable bragg gratings and devices employing the same

Номер патента: CA2320107A1. Автор: Ravinder Jain,Balaji Srinivasan. Владелец: The University Of New Mexico. Дата публикации: 1999-08-12.

Method for increasing the repetition rate of ultrashort high-power laser pulses in a limited sequence

Номер патента: RU2703937C1. Автор: Иван Игоревич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2019-10-22.

Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device

Номер патента: US6377597B1. Автор: Toshiyuki Okumura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Semiconductor Laser Pumped molecular gas lasers

Номер патента: US5506857A. Автор: Richard A. Meinzer. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1996-04-09.

Phase-locked semiconductor laser device

Номер патента: CA1190635A. Автор: Takashi Kajimura,Takao Kuroda,Jun-Ichi Umeda,Hisao Nakashima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-07-16.

Active complex spatial light modulation apparatus for an ultra-low noise holographic display

Номер патента: EP3933464B1. Автор: Hwi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-30.

Ultra low noise materials and devices for cryogenic superconductors and quantum bits

Номер патента: US11727296B2. Автор: Sergey Pereverzev. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2023-08-15.

Ultra low noise materials and devices for cryogenic superconductors and quantum bits

Номер патента: US20190236476A1. Автор: Sergey Pereverzev. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Ultra low noise floated high voltage supply for mass spectrometer ion detector

Номер патента: EP4035199A1. Автор: Manuel Faur,Ernesto Gradin. Владелец: DH TECHNOLOGIES DEVELOPMENT PTE LTD. Дата публикации: 2022-08-03.

Ultra low noise floated high voltage supply for mass spectrometer ion detector

Номер патента: WO2021059194A1. Автор: Manuel Faur,Ernesto Gradin. Владелец: DH Technologies Development Pte. Ltd.. Дата публикации: 2021-04-01.

Extended dynamic range cis pixel achieving ultra-low noise

Номер патента: US20180184021A1. Автор: R Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Ultra low noise materials and devices for cryogenic superconductors and quantum bits

Номер патента: US20190236476A1. Автор: Sergey Pereverzev. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2019-08-01.

Ultra low noise materials and devices for cryogenic superconductors and quantum bits

Номер патента: US20160335559A1. Автор: Sergey Pereverzev. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2016-11-17.

Active complex spatial light modulation method and device for ultra-low noise holographic display

Номер патента: EP3933464A4. Автор: Hwi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-10-26.

Extended dynamic range cis pixel achieving ultra-low noise

Номер патента: EP3560189A4. Автор: R. Daniel Mcgrath. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Extended dynamic range cis pixel achieving ultra-low noise

Номер патента: WO2018119107A1. Автор: R. Daniel Mcgrath. Владелец: Bae System Information And Electronic Systems Integration Inc.. Дата публикации: 2018-06-28.

Extended dynamic range cis pixel achieving ultra-low noise

Номер патента: US20180184021A1. Автор: R Daniel McGrath. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Ultra low noise travelling wave tube having a grid voltage arrangement that includes a pre-set potentiometer

Номер патента: USRE26384E. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1968-04-23.

Compact ultra-low noise high-bandwidth pixel amplifier for single-photon readout of photodetectors

Номер патента: EP1323229A2. Автор: Lester J. Kozlowski. Владелец: Innovative Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2003-07-02.

Compact ultra-low noise high-bandwidth pixel amplifier for single-photon readout of photodetectors

Номер патента: WO2002029823A3. Автор: Lester J Kozlowski. Владелец: Innovative Tech Licensing Llc. Дата публикации: 2002-07-11.

Ultra low noise CMOS imager

Номер патента: US8334917B2. Автор: Eugene Atlas,Sarit Neter,Kim Loren Johnson. Владелец: Imagerlabs Inc. Дата публикации: 2012-12-18.

Ultra-low-noise quartz oscillator

Номер патента: RU2748218C1. Автор: Алексей Валерьевич Голубев,Александр Александрович Добровольский,Олег Алексеевич Борисенко. Владелец: Алексей Валерьевич Голубев. Дата публикации: 2021-05-21.

Ultra-low noise quantum frequency conversion for trapped ion quantum network

Номер патента: WO2024059496A1. Автор: Edo Waks,Uday SAHA. Владелец: University of Maryland, College Park. Дата публикации: 2024-03-21.

Novel highly stable aqueous solution, nano-coated electrode for preparing said solution and method of making said electrode

Номер патента: RU2472713C2. Автор: Юнгэ ЧЭНЬ,НОНИ Роберто ДЕ. Владелец: Акуатек С.Р.Л.. Дата публикации: 2013-01-20.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing thereof

Номер патента: WO2024098356A1. Автор: Jianping Zhang,Kai Cao,Ergang Xu. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride-based semiconductor device

Номер патента: US20140021514A1. Автор: Jai-Kwang Shin,Jae-joon Oh,Woo-Chul JEON,Young-Hwan Park,Ki-Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-23.

Bilateral cooling type semiconductor laser system for medical beauty use

Номер патента: US09510907B2. Автор: Yao Sun,Di Wu,Xingsheng Liu,Lei CAI,Ye Dai,Hengjun ZONG,Lishun TONG. Владелец: Focuslight Technologies Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Optic coupler with semiconductor laser

Номер патента: RU2752615C1. Автор: Игорь Григорьевич Кирин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Оренбургский государственный университет». Дата публикации: 2021-07-29.

Phase shifter using tunable bragg gratings and method for providing a tunable phase shift function thereof

Номер патента: US20050179507A1. Автор: Jin Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-18.

Phase shifter using tunable Bragg gratings and method for providing a tunable phase shift function thereof

Номер патента: US7161445B2. Автор: Jin-Ho Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-09.

Nitride-based semiconductor carrier and method for calibrating the same

Номер патента: WO2024113356A1. Автор: Wei Huang,Ming Tan,Zhihao Wang. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-06.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Method of forming bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor film on base material, bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor film, and bismuth-containing gallium oxide-based semiconductor component

Номер патента: US20240055253A1. Автор: Hayate Yamano. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for manufacturing semiconductor device having gallium oxide-based semiconductor layer

Номер патента: US11862477B2. Автор: Hiroki Miyake,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20110111578A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20100279495A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Nitride-based semiconductor circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024103312A1. Автор: Kai Cao,Yifeng Zhu,Bangxing CHEN. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: EP4398318A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-10.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234628A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nitride-based semiconductor device and method for operating the same

Номер патента: US20240096726A1. Автор: Hui Yan,Sichao LI,Haohua MA,Hehong WU. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2024092419A1. Автор: Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Zhuhai) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-10.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2023184199A1. Автор: Peng-Yi Wu,Chuan Gang LI,Yuanyu WU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-10-05.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074202B2. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Qingyuan HE,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240234629A1. Автор: Junhee Choi,Younghwan Park,Dongchul Shin,Joosung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure comprising p-type N-face GAN-based semiconductor layer and manufacturing method for the same

Номер патента: US12080786B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Zno-based semiconductor and zno-based semiconductor device

Номер патента: US20100230671A1. Автор: Masashi Kawasaki,Hiroyuki Yuji,Ken Nakahara,Atsushi Tsukazaki,Shunsuke Akasaka,Akira Ohtomo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2010-09-16.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094875B2. Автор: Xin Zhang,Jianjian SHENG,Zhenzhe LI,Junyuan LV. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for passivating silicon-based semiconductor device, and silicon-based semiconductor device

Номер патента: US12125936B2. Автор: Xinyu Zhang,Xueting Yuan. Владелец: Jinko Green Energy Shanghai Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12125847B2. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Jinhan Zhang,Qingyuan HE,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Hetero-substrate, nitride-based semiconductor light emitting device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09680055B2. Автор: Kiseong Jeon,Hojun Lee,Kyejin Lee. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-06-13.

Nitride-based semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09524869B2. Автор: Chang-Hua HSIEH,Wen Hsiang LIN. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Three-dimensional germanium-based semiconductor devices formed on globally or locally isolated substrates

Номер патента: US09472399B2. Автор: Abhijit Jayant Pethe,Annalisa Cappellani,Bruce E. Beattie,Pragyansri Pathi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12148801B2. Автор: Chuan He,King Yuen Wong,Ronghui Hao,Xiaoqing PU. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-19.

High power integrated composite cable

Номер патента: RU2550251C2. Автор: Арве ФЬЕЛЛЬНЕР,Оле А. ХЕГГДАЛЬ. Владелец: Акер Сабси АС. Дата публикации: 2015-05-10.

Switching board on aluminum nitride for power and high-power microwave semiconductor devices, mounted on the base of the device housing

Номер патента: RU2696369C1. Автор: Игорь Петрович Смирнов,Александр Александрович Тевяшов,Андрей Сергеевич Корпухин. Владелец: Акционерное общество "Российская корпорация ракетно-космического приборостроения и информационных систем" (АО "Российские космические системы"). Дата публикации: 2019-08-01.

Low noise, high power pseudomorphic HEMT

Номер патента: US5811844A. Автор: Yu-Chi Wang,Jenn-Ming Kuo. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-09-22.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240213197A1. Автор: Sichao LI,Haohua MA. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Aluminum nitride-based semiconductor deep ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US10622530B2. Автор: Yoshihiro Ueta,Shuhichiroh YAMAMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-04-14.

GaAs-based semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US20030006426A1. Автор: Akiyoshi Kudo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

High voltage tolerant bonding pad structure for trench-based semiconductor devices

Номер патента: US20170263580A1. Автор: Steven Kosier,Tatsuya Kamimura,Don Rankila,Peter West. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2017-09-14.

Aluminum nitride-based semiconductor deep ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US20180083173A1. Автор: Yoshihiro Ueta,Shuhichiroh YAMAMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2022252146A1. Автор: Fu Chen,King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience (Suzhou) Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-12-08.

Dense linear ramp bragg grating pattern for quench detection in high temperature superconducting magnets

Номер патента: WO2024173669A1. Автор: Matthew Hicks,Owen Beals Duke,Erica Elizabeth Salazar. Владелец: Commonwealth Fusion Systems LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Nitride-based semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140021481A1. Автор: Jae Hoon Lee,Young Sun KWAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-23.

Gallium nitride based semiconductor light emitting diode and process for preparing the same

Номер патента: US20080286894A1. Автор: Jun Ho Seo,Seung Wan Chae,Hyoun Soo Shin,Jun Sub KWAK. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

GaN-BASED SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD FOR THE FABRICATION THEREOF

Номер патента: EP1984955A1. Автор: Hiroshi c/o Showa Denko K.K. OSAWA,Takashi c/o Showa Denko K.K. HODOTA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-29.

Wire and stranded wire for high-power electric vehicle charging cable, and high-power electric vehicle charging cable

Номер патента: EP4181157A1. Автор: Sang Hyun Seo. Владелец: Vlatchain. Дата публикации: 2023-05-17.

High voltage tolerant bonding pad structure for trench-based semiconductor devices

Номер патента: US09899343B2. Автор: Steven Kosier,Tatsuya Kamimura,Don Rankila,Peter West. Владелец: Polar Semiconductor LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of operating fuel cell with high power and high power fuel cell system

Номер патента: US09780396B2. Автор: Won-Ho Lee,Tae-Geun Noh. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

System with a high power chip and a low power chip having low interconnect parasitics

Номер патента: US09728481B2. Автор: Jun Zhai,John Y. Chen,Abraham F. Yee,Joe Greco,Joseph Minacapelli. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Detachable interface for high powered electronic modules

Номер патента: US09627864B2. Автор: Jared P. Majcher,Timothy M. Dresser,Kevin W. Sliech. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

GaN-based semiconductor transistor

Номер патента: US09620599B2. Автор: Hisashi Saito,Miki Yumoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Integrated heat exchanger and power delivery system for high powered electronic modules

Номер патента: US09538692B2. Автор: Jared P. Majcher,Stephen A. Hedges,Kevin W. Sliech. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for performing activation of dopants in a GaN-base semiconductor layer by successive implantations and heat treatments

Номер патента: US09536741B2. Автор: Claire Agraffeil. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-01-03.

Method for performing activation of dopants in a GaN-base semiconductor layer

Номер патента: US09514962B2. Автор: Claire Agraffeil. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-12-06.

Method of growing gallium nitride based semiconductor layers and method of fabricating light emitting device therewith

Номер патента: US09449815B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

High-power broadband coaxial-waveguide junction

Номер патента: RU2725702C1. Автор: Александр Константинович Васильев. Владелец: Акционерное общество "Калужский научно-исследовательский радиотехнический институт". Дата публикации: 2020-07-03.

Connection bar architecture for high-power converter

Номер патента: RU2653846C2. Автор: Филипп ЖОСС,Жоэль ДЕВОТУР,Рафаэль БЕЛАНКУР. Владелец: АЛЬСТОМ ТЕКНОЛОДЖИ ЛТД. Дата публикации: 2018-05-15.

High-power microwave field transistor on semiconductor heterostructure

Номер патента: RU2599275C1. Автор: Константин Сергеевич Журавлев,Владимир Михайлович Лукашин,Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Андрей Борисович Пашковский. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2016-10-10.

Ultra low noise high linearity lna for multi-mode transceiver

Номер патента: US20100182090A1. Автор: Bo Sun,Chiewcharn Narathong,Zixiang Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2010-07-22.

An ultra-low-power ultra-low-noise microphone

Номер патента: US20180206043A1. Автор: Oz Gabai. Владелец: Wizedsp Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Adaptive-snr ultra-low-power ultra-low-noise microphone

Номер патента: WO2017009774A2. Автор: Oz Gabai. Владелец: WIZEDSP LTD.. Дата публикации: 2017-01-19.

Compact ultra-low noise high-bandwidth pixel amplifier for single-photon readout of photodetectors

Номер патента: AU2001292991A1. Автор: Lester J. Kozlowski. Владелец: Innovative Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2002-04-15.

Wideband ultra low noise amplifier

Номер патента: WO2007109498A2. Автор: Aly Ismail,Edward Youssoufian. Владелец: NEWPORT MEDIA, INC.. Дата публикации: 2007-09-27.

Multichannel ultra-low noise amplifier

Номер патента: US20170332973A1. Автор: Dominique M. Durand. Владелец: CASE WESTERN RESERVE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-23.

Adaptive-snr ultra-low-power ultra-low-noise microphone

Номер патента: WO2017009774A3. Автор: Oz Gabai. Владелец: WIZEDSP LTD.. Дата публикации: 2017-03-23.

AN ULTRA-LOW-POWER ULTRA-LOW-NOISE MICROPHONE

Номер патента: US20180206043A1. Автор: GABAI OZ. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Adaptive-snr ultra-low-power ultra-low-noise microphone

Номер патента: US20180375482A1. Автор: Oz Gabai. Владелец: Wizedsp Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Ultra low noise high linearity LNA for multi-mode transceiver

Номер патента: US7911269B2. Автор: Bo Sun,Chiewcharn Narathong,Zixiang Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2011-03-22.

Wideband ultra low noise amplifier

Номер патента: US20070216486A1. Автор: Aly Ismail,Edward Youssoufian. Владелец: Newport Media Inc. Дата публикации: 2007-09-20.

Wideband ultra low noise amplifier

Номер патента: TW200737694A. Автор: Aly Ismail,Edward Youssoufian. Владелец: Newport Media Inc. Дата публикации: 2007-10-01.

Ultra low noise cmos imager

Номер патента: EP2135443B1. Автор: Eugene Atlas,Sarit Neter,Kim Loren Johnson. Владелец: Imagerlabs Inc. Дата публикации: 2018-06-27.

An ultra low noise mixer

Номер патента: TWI234353B. Автор: Sheng-Hann Lee. Владелец: RALINK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2005-06-11.

ULTRA-LOW NOISE PHOTONIC PHASE NOISE MEASUREMENT SYSTEM FOR MICROWAVE SIGNALS

Номер патента: US20180180655A1. Автор: FERMANN Martin E.,Kuse Naoya,Rolland Antoine Jean Gilbert. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-28.

Ultra low noise photonic phase noise measurement system for microwave signal

Номер патента: WO2018044500A1. Автор: Martin E. Fermann,Naoya Kuse. Владелец: IMRA AMERICA, INC.. Дата публикации: 2018-03-08.

Ultra-low noise amplifier adapted for cmos imaging sensors

Номер патента: US20200228731A1. Автор: Hung T. Do,Chenguang GONG,Alberto M. MAGNANI. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

MULTICHANNEL ULTRA-LOW NOISE AMPLIFIER

Номер патента: US20170332973A1. Автор: DURAND Dominique M.. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Ultra-Low Noise Mains DC Power Supply

Номер патента: US20190379206A1. Автор: Bacon Tom Alexander Paston. Владелец: Quest Electronics Limited. Дата публикации: 2019-12-12.

Ultra-low noise amplifier suitable for CMOS imaging sensor

Номер патента: CN110832847B. Автор: H·T·杜,宫晨光,A·M·麦格纳尼. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2022-07-12.

Ultra-low noise amplifier adapted for CMOS imaging sensors

Номер патента: JP6922003B2. Автор: ドゥ、ハン・ティー．,ゴン、チェンウアン,マグナニ、アルベルト・エム．. Владелец: ビーエイイー・システムズ・イメージング・ソリューションズ・インコーポレイテッド. Дата публикации: 2021-08-18.

Ultra-low noise amplifier adapted for cmos imaging sensors

Номер патента: EP3646582A4. Автор: Hung T. Do,Chenguang GONG,Alberto M. MAGNANI. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2021-03-17.

Ultra-low-noise amplifier

Номер патента: WO2020108175A1. Автор: 宋佳颖,蒋一帆. Владелец: 南京米乐为微电子科技有限公司. Дата публикации: 2020-06-04.

Housing for an ultra-low-noise electric motor

Номер патента: DE69810248D1. Автор: Haran K Periyathamby,Marek Horski. Владелец: Siemens Canada Ltd. Дата публикации: 2003-01-30.

Voltage-domain quantization error cancellation technique for ultra-low noise fractional-N sub-sampling phase-locked loop

Номер патента: KR20230075327A. Автор: 최재혁,김주엽,조용우,임영현. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2023-05-31.

Ultra-low noise VCO

Номер патента: US8830007B1. Автор: Doron Gamliel. Владелец: Scientific Components Corp. Дата публикации: 2014-09-09.

Current efficient, ultra low noise differential gain amplifier architecture

Номер патента: US6259322B1. Автор: John M. Muza. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-07-10.

Ultra-low noise amplifier adapted for cmos imaging sensors

Номер патента: EP3646582B1. Автор: Hung T. Do,Chenguang GONG,Alberto M. MAGNANI. Владелец: BAE Systems Imaging Solutions Inc. Дата публикации: 2024-05-01.

OPTICAL FIBER FOR BOTH MULTIMODE AND SINGLE-MODE OPERATION AND TRANSMISSION SYSTEM THEREFOR

Номер патента: US20170336559A1. Автор: Chen Xin,Li Ming-Jun,Bookbinder Dana Craig,Coleman John Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-23.

Device and method of measuring spectral characteristics of fiber-optic bragg gratings

Номер патента: RU2700736C1. Автор: Азат Маратович Низаметдинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-09-19.

Compression-tuned grating-based optical add/drop multiplexer

Номер патента: CA2402309A1. Автор: Martin A. Putnam,Mark R. Fernald,Alan D. Kersey,Timothy J. Bailey,Trevor W. MacDougall,Paul E. Sanders. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-13.

Compression-tuned grating-based optical add/drop multiplexer

Номер патента: EP1261888A2. Автор: Martin A. Putnam,Mark R. Fernald,Alan D. Kersey,Timothy Bailey,Paul E. Sanders,Trevor Macdougall. Владелец: Cidra Corp. Дата публикации: 2002-12-04.

Method of controlling spectral parameters fibre bragg grating

Номер патента: RU2602998C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Игорь Касьянович Мешковский,Андрей Владимирович Куликов,Михаил Николаевич Беликин. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики". Дата публикации: 2016-11-20.

Chirped bragg grating reflectors and adjustable dispersion apparatus incorporating such gratings

Номер патента: EP1342116A1. Автор: Richard Epworth,Julian Fells. Владелец: Nortel Networks Ltd. Дата публикации: 2003-09-10.

Chirped Bragg grating reflectors and adjustable dispersion apparatus incorporating such gratings

Номер патента: US20020094164A1. Автор: Richard Epworth,Julian Fells. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Passive, temperature compensated techniques for tunable filter calibration in Bragg-grating interrogation systems

Номер патента: US20030218124A1. Автор: Gregg Johnson,Sandeep Vohra,Bryan Althouse,Greg Nau. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2003-11-27.

Multiple stage bragg gratings in multiplexing applications

Номер патента: US20200400878A1. Автор: TAO Ling,Mark A. Webster,Ravi S. TUMMIDI,Yi Ho Lee. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Multiple stage bragg gratings in multiplexing applications

Номер патента: WO2020257149A1. Автор: TAO Ling,Mark A. Webster,Ravi S. TUMMIDI,Yi Ho Lee. Владелец: CISCO TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

Multiple stage bragg gratings in multiplexing applications

Номер патента: EP3987328A1. Автор: TAO Ling,Mark A. Webster,Ravi S. TUMMIDI,Yi Ho Lee. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-27.

Multiple stage bragg gratings in multiplexing applications

Номер патента: US20210109281A1. Автор: TAO Ling,Mark A. Webster,Ravi S. TUMMIDI,Yi Ho Lee. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20170219951A1. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Acousto-optic tunable apparatus having a fiber bragg grating and an offset core

Номер патента: WO2003058303A3. Автор: Wayne V Sorin,Byoung Yoon Kim. Владелец: Novera Opticc Inc. Дата публикации: 2003-10-02.

Acousto-optic tunable apparatus having a fiber bragg grating and an offset core

Номер патента: WO2003058303A2. Автор: Wayne V. Sorin,Byoung Yoon Kim. Владелец: Novera Opticc, Inc.. Дата публикации: 2003-07-17.

Controlled high-stable voltage source with arbitrary-shaped signal generator function with isolated output

Номер патента: RU2744936C1. Автор: Николай Васильевич Краснов,Максим Николаевич Краснов,Александр Николаевич Арсеньев,Александр Георгиевич Монаков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Эйч Ви Девайсес" (ООО "Эйч Ви Девайсес"). Дата публикации: 2021-03-17.

Optical system steering via bragg grating shear

Номер патента: US20180338122A1. Автор: Adrian Travis. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-11-22.

Self-healing fiber Bragg grating sensor system

Номер патента: US20050249448A1. Автор: Sien Chi,Peng-Chun Peng,Wen-Piao Lin. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2005-11-10.

Method of producing high-stable tensoresistor pressure sensor based on thin-film nano- and micro-electromechanical system

Номер патента: RU2601204C1. Автор: Валерий Анатольевич Васильев,Евгений Михайлович Белозубов,Нина Евгеньевна Белозубова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пензенский государственный университет" (ФГБОУ ВО "Пензенский государственный университет"). Дата публикации: 2016-10-27.

Cascaded arrangement of two-mode bragg gratings in multiplexing applications

Номер патента: US20210286190A1. Автор: TAO Ling,Mark A. Webster,Ravi S. TUMMIDI,Yi Ho Lee. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Cascaded arrangement of two-mode bragg gratings in multiplexing applications

Номер патента: EP4118762A1. Автор: TAO Ling,Mark A. Webster,Ravi S. TUMMIDI,Yi Ho Lee. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-18.

Method for evenly coating semiconductor laser end faces and frame used in the method

Номер патента: US20020076943A1. Автор: Masayuki Ohta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Combined system for start-up and smoothing of loads diagrams of autonomous gas piston and diesel-generator sets using high-power accumulator batteries

Номер патента: RU2736272C1. Автор: Александр Иванович Федотов,Камиль Равилевич Бахтеев,Ринат Шаукатович Мисбахов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский государственный энергетический университет". Дата публикации: 2020-11-13.

Combined glaze ice melting system and load curve smoothing using energy accumulators based on storage batteries and high-power supercapacitors contained in autonomous power plant assembly

Номер патента: RU2729200C1. Автор: Александр Иванович Федотов,Камиль Равилевич Бахтеев,Ринат Шаукатович Мисбахов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВО "КГЭУ"). Дата публикации: 2020-08-05.

A device for measuring the reflectance spectrum of a fiber Bragg grating

Номер патента: RU210292U1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Андрей Владимирович Куликов,Дарья Андреевна Егорова,Сергей Александрович Волковский,Дарья Андреевна Лаврова,Владимир Сергеевич Лавров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АДМ Фотоникс" (ООО "АДМ Фотоникс"). Дата публикации: 2022-04-06.

Arrangement and method for rf high power generation

Номер патента: RU2652458C2. Автор: Александр Юрьевич Смирнов,Степан Александрович Полихов,Евгений Валерьевич Иванов,Андрей Александрович Краснов,Константин Игоревич Никольский,Георгий Борисович Шарков. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Сименс". Дата публикации: 2018-04-26.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US9983503B2. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Method and apparatus for providing high power in a wireless power system

Номер патента: EP4395127A1. Автор: Hatem Zeine. Владелец: Ossia Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Spatially multiplexed volume bragg gratings with varied refractive index modulations for waveguide display

Номер патента: EP4400896A2. Автор: Yang Yang,Pasi Saarikko,Ningfeng Huang,Wanli Chi,Wai Sze Tiffany Lam,Dominic Meiser. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-17.

Method and apparatus for providing high power in a wireless power system

Номер патента: EP4404429A2. Автор: Hatem Zeine. Владелец: Ossia Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

High power supply to control an abnormal load

Номер патента: US20070071478A1. Автор: Hyung-won Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-29.

Semiconductor laser drive control apparatus

Номер патента: US20090129416A1. Автор: Tsuyoshi Moriyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Method and apparatus for providing high power in a wireless power system

Номер патента: EP4404429A3. Автор: Hatem Zeine. Владелец: Ossia Inc. Дата публикации: 2024-09-11.

Spatially multiplexed volume bragg gratings with varied refractive index modulations for waveguide display

Номер патента: EP4400896A3. Автор: Yang Yang,Pasi Saarikko,Ningfeng Huang,Wanli Chi,Wai Sze Tiffany Lam,Dominic Meiser. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-23.

Phase-cut dimmable power supply with high power factor

Номер патента: US09961724B1. Автор: Dehua Zheng,Xianyun Zhao. Владелец: Zhuhai Shengchang Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Radio communication system, low-power base station, high-power base station, radio terminal, and radio communication method

Номер патента: US09794835B2. Автор: Chiharu Yamazaki,Kenta Okino. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Two-color signature simulation using mid-infrared test source semiconductor lasers

Номер патента: US09791558B2. Автор: Steven C. Tidwell. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

High-power nanosecond pulse generator (versions)

Номер патента: RU2580787C1. Автор: Михаил Владимирович Ефанов,Арсений Вадимович Краснов,Сергей Валентинович Зазулин. Владелец: Михаил Владимирович Ефанов. Дата публикации: 2016-04-10.

High-power radio transmitter harmonics filter

Номер патента: RU2693650C1. Автор: Алексей Григорьевич Зиновьев,Алексей Викторович Богданов. Владелец: Акционерное общество "Омский научно-исследовательский институт приборостроения" (АО "ОНИИП"). Дата публикации: 2019-07-03.

Method for generating high-power pulses of nanosecond microwave radiation

Номер патента: RU2753420C1. Автор: Илья Викторович Романченко,Владимир Юрьевич Конев,Павел Владимирович Припутнев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт сильноточной электроники Сибирского отделения Российской академии наук (ИСЭ СО РАН). Дата публикации: 2021-08-16.

Heavy particles high-power high-energy beam electrostatic accelerator

Номер патента: RU2660146C1. Автор: Александр Сергеевич Кузнецов. Владелец: Александр Сергеевич Кузнецов. Дата публикации: 2018-07-05.

Ultra low noise data acquisition circuit

Номер патента: US09440751B2. Автор: John C. Garcia,Douglas Edward Smith,Callen Gordon. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Ultra-Low Noise, High Voltage, Adjustable DC-DC Converter Using Photoelectric Effect

Номер патента: US20130278064A1. Автор: Turqueti Marcos de Azambuja. Владелец: CREATIVE ELECTRON, INC.. Дата публикации: 2013-10-24.

Ultra-low noise MEMS piezoelectric accelerometers

Номер патента: US20090078044A1. Автор: Li-Peng Wang,Friedel Gerfers,Ming-Yuan He. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Ultra-low-noise, on-chip quantum devices

Номер патента: US20220179283A1. Автор: Sergey V. Polyakov,Ivan A. Burenkov. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2022-06-09.

ULTRA-LOW NOISE VOLTAGE REFERENCE CIRCUIT

Номер патента: US20130200878A1. Автор: Kalb Arthur J.,Shafran John Sawa. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2013-08-08.

ULTRA-LOW-NOISE, ON-CHIP QUANTUM DEVICES

Номер патента: US20220179283A1. Автор: BURENKOV Ivan A.,POLYAKOV Sergey V.. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-09.

ACTIVE COMPLEX SPATIAL LIGHT MODULATION METHOD AND APPARATUS FOR AN ULTRA-LOW NOISE HOLOGRAPHIC DISPLAY

Номер патента: US20200278642A1. Автор: Kim Hwi,Hahn Joonku. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-03.

ULTRA LOW NOISE DATA ACQUISITION CIRCUIT

Номер патента: US20150338216A1. Автор: Smith Douglas Edward,Garcia John C.,Gordon Callen. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2015-11-26.

A miniature air compressor having ultra-low noise

Номер патента: KR200341721Y1. Автор: 김영래. Владелец: 김영래. Дата публикации: 2004-02-14.

Manufacturing method of powder metallurgy ultra-low-noise long-service-life oil-retaining bearing

Номер патента: CN104889409A. Автор: 陈璐璐,王春官,杨帧智. Владелец: JIANGSU YINGQIU GROUP CO Ltd. Дата публикации: 2015-09-09.

A kind of ultra-low noise quo of local Fan for Mine

Номер патента: CN106321474B. Автор: 李春萍,谢海军,李世龙,吕存栓,张和义,张晋凤. Владелец: Shanxi Julong Fan & Blowers Co ltd. Дата публикации: 2018-10-09.

Ultra-low noise voltage reference circuit

Номер патента: CN104094180A. Автор: A·J·卡尔布,J·S·沙弗兰. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2014-10-08.

Ultra-low-noise, on-chip quantum devices

Номер патента: US11940714B2. Автор: Sergey V. Polyakov,Ivan A. Burenkov. Владелец: US Department of Commerce. Дата публикации: 2024-03-26.

High-Power Fully-Integrated Frequency Comb Generation Using Multimode Gain Chips

Номер патента: US20230393446A1. Автор: Michal Lipson,Min Chul Shin,Bok Young Kim,Yair ANTMAN,Xingchen JI,Gaurang R Bhatt,Yoshitomo Okawachi,Alexander L Gaeta,Andres Gil-Molina,Ohad Westreich. Владелец: Columbia University in the City of New York. Дата публикации: 2023-12-07.

LOW CROSS-TALK MULTICORE OPTICAL FIBER FOR SINGLE MODE OPERATION

Номер патента: US20220026629A1. Автор: Tandon Pushkar,Mishra Snigdharaj Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2022-01-27.

DOUBLE-CLAD, GAIN-PRODUCING FIBERS WITH INCREASED CLADDING ABSORPTION WHILE MAINTAINING SINGLE-MODE OPERATION

Номер патента: US20140212103A1. Автор: Taunay Thierry F.. Владелец: . Дата публикации: 2014-07-31.

GAIN-PRODUCING FIBERS WITH INCREASED CLADDING ABSORPTION WHILE MAINTAINING SINGLE-MODE OPERATION

Номер патента: US20150260910A1. Автор: Taunay Thierry F.. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

Methods, apparatuses and computer program products for providing transmission chirped volume bragg grating based compact waveguide in-couplers for light sources

Номер патента: US12147047B1. Автор: Jian Xu. Владелец: Meta Platforms Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

System and method for measuring liquid levels having a fiber with a strain layer around a Bragg grating

Номер патента: US09952081B2. Автор: Tyler C. Staudinger,Jacob D. Delaney. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2018-04-24.

Optical fiber grating based sensor

Номер патента: US5394488A. Автор: Mark R. Fernald,Bruce D. Hockaday. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: US20040215176A1. Автор: Jong-Yoon Bahk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Optical fiber for recording the bragg grating with laser with a wave length in the near and middle uv range, method of producing the protective fluoropolymer coating of optical fiber and method of applying the coating to quartz fiber

Номер патента: RU2650787C1. Автор: Игорь Касьянович Мешковский,Андрей Владимирович Куликов,Алексей Владимирович Токарев,Гордей Глебович Анчуткин,Сергей Владимирович Варжель. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-04-17.

Method of forming fiber bragg grating with phase shift

Номер патента: RU2676191C1. Автор: Сергей Владимирович Варжель,Алексей Иванович Грибаев,Кирилл Александрович Коннов,Виктория Александровна Новикова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-12-26.

Bragg grating chip

Номер патента: US11796842B2. Автор: Ting YAN,Yifan Chen. Владелец: Irixi Photonics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Phase structure on volume Bragg grating-based waveguide display

Номер патента: US11885967B2. Автор: Yang Yang,Wanli Chi,Wai Sze Tiffany Lam,Dominic Meiser. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-30.

System and method for generating optical frequency combs using an optical waveguide including chirped Bragg gratings

Номер патента: US12019353B2. Автор: Jianfeng Wu,Chad Hoyt,Karl Nelson,Matthew W. Puckett. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Fiber bragg grating sensor

Номер патента: WO2001038827A9. Автор: Alan D Kersey. Владелец: Cidra Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Fiber bragg grating sensor

Номер патента: EP1234161A2. Автор: Alan D. Kersey. Владелец: Cidra Corp. Дата публикации: 2002-08-28.

Pressure-isolated bragg grating temperature sensor

Номер патента: WO2000033034A9. Автор: Alan D Kersey,Timothy J Bailey,Christopher J Wright,Mark R Fernald,James M Sullivan,Martin A Putnam,Robert N Brucato,Paul E Sanders,Richard T Jones. Владелец: Cidra Corp. Дата публикации: 2001-04-05.

Spectrometer with fiber bragg grating

Номер патента: EP3755979A1. Автор: Thomas Kruspe,Sebastian Jung. Владелец: Baker Hughes Holdings LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Spectrometer with fiber bragg grating

Номер патента: WO2019164862A1. Автор: Thomas Kruspe,Sebastian Jung. Владелец: Baker Hughes, a GE company, LLC. Дата публикации: 2019-08-29.

Bulk internal Bragg gratings and optical devices

Номер патента: US20030068129A1. Автор: Nicholas Borrelli,Edward Murphy,Venkata Bhagavatula,Monica Davis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-10.

Fiber bragg grating reference sensor for precise reference temperature measurement

Номер патента: WO2001038838A9. Автор: Michael A Davis,David R Fournier,Richard T Jones. Владелец: Cidra Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Method for writing high power resistant bragg gratings using short wavelength ultrafast pulses

Номер патента: EP2460038A1. Автор: Real Vallee,Martin Bernier. Владелец: UNIVERSITE LAVAL. Дата публикации: 2012-06-06.

Fiber bragg grating sensor system

Номер патента: EP4281735A1. Автор: Marcel Schemmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-29.

Athermal fiber bragg grating

Номер патента: EP1846787A1. Автор: David W. Wang,John C. Tsai,Joseph A. Methe,Pey Schuan Jian,Peiti Su. Владелец: Fibera Inc. Дата публикации: 2007-10-24.

Bragg grating optical fiber sensor associated with a scattering structure and methods for locating and installing such a sensor

Номер патента: US11733450B2. Автор: Nicolas Roussel,Guillaume Laffont,Romain Cotillard. Владелец: Safran SA. Дата публикации: 2023-08-22.

Planar bragg grating

Номер патента: WO2005019888A1. Автор: Stanislav Petrovich Tarnavskii. Владелец: Redfern Integrated Optics Pty Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Display area force sensing using Bragg grating based wave guide sensors

Номер патента: US09638591B1. Автор: Sam R. Sarcia. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Apparatus for measuring convergence and ceiling subsidence using fiber bragg grating sensor

Номер патента: US09574957B1. Автор: Geum Suk Lee. Владелец: FBG Korea Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Methods and apparatuses for manufacturing ultralong fiber Bragg gratings with arbitrary reflection wavelength

Номер патента: US09488960B2. Автор: Lijun Wang,Yuhang Li,Zhongyang Xu. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-11-08.

Subassembly of karman vortex flow metre, having fibre bragg grating sensor and method of measuring flow rate of fluid medium

Номер патента: RU2454633C2. Автор: Лунь Кай ЧЭН,Маринус Каролус Адрианус Мария ПЕТЕРС,Ваутер СХИФЕРЛИ. Владелец: Недерландсе Органисати Вор Тугепаст-Натюрветенсхаппелейк Ондерзук Тно. Дата публикации: 2012-06-27.

Compression-tuned bragg grating and laser

Номер патента: CA2353504C. Автор: Martin A. Putnam,Mark R. Fernald,Alan D. Kersey,Michael A. Davis,Timothy J. Bailey,Robert N. Brucato,Paul E. Sanders,James M. Sullivan,Matthew B. Miller. Владелец: Cidra Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Bragg grating pressure sensor

Номер патента: CA2353567C. Автор: Martin A. Putnam,Mark R. Fernald,Alan D. Kersey,Michael A. Davis,James R. Dunphy,Timothy J. Bailey,Robert N. Brucato,Paul E. Sanders,James M. Sullivan,Matthew B. Miller,Christopher J. Wright. Владелец: Weatherford Lamb Inc. Дата публикации: 2007-11-20.

Fiber grating-based detection system for wavelength encoded fiber sensors

Номер патента: US5410404A. Автор: Alan D. Kersey,Charles Askins,E. Joseph Friebele. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1995-04-25.

Rainfall measuring apparatus using fiber bragg grating sensor

Номер патента: US20220091301A1. Автор: Geum Suk Lee,Geum Jun LEE. Владелец: FBG Korea Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Bragg grating erosion sensor for harsh environment

Номер патента: US20230213362A1. Автор: Nicolas Roussel,Guillaume Laffont,Romain Cotillard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-07-06.

Integrated optical waveguide chemical sensor with bragg grating

Номер патента: EP1117988A1. Автор: Eishi Igata,Neil Blackie,Noori Marconi Caswell Ltd. NOURSHARGH,Thomas Electronic & Elec. Eng. Dept. BUTLER,Stephen John Sheard,Peter Alfred Dpt. of I.& A. Sci. UMIST PAYNE. Владелец: Marconi Electronic Devices Ltd. Дата публикации: 2001-07-25.

Rainfall measuring apparatus using fiber bragg grating sensor

Номер патента: EP3974874A1. Автор: Geum Suk Lee,Geum Jun LEE. Владелец: FBG Korea Inc. Дата публикации: 2022-03-30.

A tunable filter device comprising a waveguide containing a bragg grating, and a planer substrate

Номер патента: WO2006106305A1. Автор: Gregory Daniel Emmerson,Peter George Robin Smith,Ian James Grayston Sparrow,Malgorzata Kaczmarek,Andriy Heorhiyovych Dyadyusha. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2006-10-12.

A tunable filter device comprising a waveguide containing a bragg grating, and a planer substrate

Номер патента: EP1866683A1. Автор: Gregory Daniel Emmerson,Peter George Robin Smith,Ian James Grayston Sparrow,Malgorzata Kaczmarek,Andriy Heorhiyovych Dyadyusha. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2007-12-19.

Thianthrene derivatized monomers and polymers for volume bragg gratings

Номер патента: EP3966202A1. Автор: Matthew E. Colburn,Austin Lane,Lafe Purvis. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-16.

High-stable t-cell receptor and method for its obtaining and application

Номер патента: RU2645256C2. Автор: И Ли. Владелец: Гуандун Сянсюэ Лайф Сайенсис, Лтд.. Дата публикации: 2018-02-19.

Device for precision calibration of fiber-optic sensors with bragg grating

Номер патента: RU2728725C1. Автор: Юрий Александрович Старков,Игорь Леонидович Дробот,Владимир Игоревич Дудковский,Алла Михайловна Либо,Анатолий Викторович Ямцов,Андрей Валентинович Крашенинников,Виктор Титович Терешин,Игорь Михайлович Низов,Анатолий Михайлович Шанаурин. Владелец: Некоммерческая организация "Фонд развития цифровых технологий". Дата публикации: 2020-07-30.

Optical communication system having short period reflective Bragg gratings

Номер патента: US5953471A. Автор: Jefferson Lynn Wagener,Rolando Patricio Espindola,Ashish Madhukar Vengsarkar. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Method for reducing strain on bragg gratings

Номер патента: WO2001069303A3. Автор: Grieg A Olson. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2002-05-16.

Fiber bragg grating sensor system

Номер патента: US20070058897A1. Автор: Jae Kim,Jae Yong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Tunable fiber bragg gratings and wavelength-locked loops for dispersion compensation

Номер патента: US20030072528A1. Автор: Casimer DeCusatis,Lawrence Jacobowitz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-04-17.

Method and system for interrogating a birefringent fiber bragg grating sensor, employing heterodyne optical detection

Номер патента: EP4267917A1. Автор: Fabrizio Di Pasquale,Stefano Faralli,Francesco CAMOZZI,Yonas Seifu MUANENDA,Lorenzo TOZZETTI. Владелец: Brembo SpA. Дата публикации: 2023-11-01.

System and method for generating optical frequency combs using an optical waveguide including chirped bragg gratings

Номер патента: US20240126138A1. Автор: Jianfeng Wu,Chad Hoyt,Karl Nelson,Matthew W. Puckett. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Apparatus for spectrally combining broadband laser beams by volume bragg gratings

Номер патента: US20240019708A1. Автор: Leonid Glebov,Ivan Divliansky,Oussama MHIBIK,Vadim Smirnov,Elena SHIRSHNEVA. Владелец: IPG Photonics Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Aromatic substituted alkane-core monomers and polymers thereof for volume Bragg gratings

Номер патента: US11780819B2. Автор: Matthew E. Colburn,Austin Lane,Lafe Purvis. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

System and method for generating optical frequency combs using an optical waveguide including chirped bragg gratings

Номер патента: EP4354218A1. Автор: Jianfeng Wu,Chad Hoyt,Karl Nelson,Matthew W. Puckett. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2024-04-17.

Fiber bragg grating sensor system

Номер патента: WO2022157740A1. Автор: Marcel Schemmann. Владелец: Marcel Schemmann. Дата публикации: 2022-07-28.

Method and system for interrogating a birefringent fiber bragg grating sensor, employing heterodyne optical detection

Номер патента: WO2022137027A1. Автор: Fabrizio Di Pasquale,Stefano Faralli,Francesco CAMOZZI,Yonas Seifu MUANENDA,Lorenzo TOZZETTI. Владелец: Scuola Superiore Di Studi Universitari E Di Perfezionamento Sant'anna. Дата публикации: 2022-06-30.

Scanning optical device including first semiconductor laser, second semiconductor laser, first optical sensor, and second optical sensor which are mounted on circuit board

Номер патента: US20240168402A1. Автор: Koji Abe,Junichi Yokoi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

A waveguide, a production method of bragg grating, and a bragg grating obtained by the method

Номер патента: WO2024112311A2. Автор: Bulend Ortac,Ali KARATUTLU,Timucin Emre TABARU. Владелец: Sivas Bilim Ve Teknoloji Universitesi Idari Ve Mali Isler Dairesi Baskanligi. Дата публикации: 2024-05-30.

Beam combining using rotated volume bragg gratings

Номер патента: WO2024124059A1. Автор: Ivan Divliansky,Oussama MHIBIK. Владелец: UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Gyro Employing Semiconductor Laser

Номер патента: US20080037027A1. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2008-02-14.

Gyro employing semiconductor laser

Номер патента: EP1724552B1. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2012-05-09.

Gyro employing semiconductor laser

Номер патента: US7835008B2. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2010-11-16.

Beam combining using rotated volume bragg gratings

Номер патента: US20240192514A1. Автор: Ivan Divliansky,Oussama MHIBIK. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2024-06-13.

Spectrometer with rotated volume bragg grating

Номер патента: US20240192129A1. Автор: Leonid Glebov,Ivan Divliansky,Oussama MHIBIK,Ayman Abouraddy,Murat Yessenov. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor laser based sensing device

Номер патента: NZ511043A. Автор: Valentin Morozov,Chong Chang Mao,John K Korah,Kristina M Ohnson. Владелец: Univ Technology Corp. Дата публикации: 2003-12-19.

Spectrometer with rotated volume bragg grating

Номер патента: WO2024124058A1. Автор: Leonid Glebov,Ivan Divliansky,Oussama MHIBIK,Ayman Abouraddy,Murat Yessenov. Владелец: UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Transducer mandrel with attachment for holding fiber bragg grating mounting collar

Номер патента: WO2008013595B1. Автор: John Mansell,Akbar Arab-Sadeghabadi,Sanan Shaibani,Joseph Krystokowiak. Владелец: Joseph Krystokowiak. Дата публикации: 2008-05-22.

High stable non-ionic n-vinyl butyrolactam iodine and preparation method thereof

Номер патента: US20130296576A1. Автор: Zhan Chen,Yu Wang. Владелец: SHANGHAI YUKING WATER SOLUBLE MATERIAL Tech CO Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Method and apparatus for measuring the refractive index of a material with bragg gratings

Номер патента: EP2147294A2. Автор: Francesco Simoni,Riccardo Castagna,Daniele Eugenio Lucchetta,Luigino Criante,Francesco Vita. Владелец: Universita Politechnica delle Marche. Дата публикации: 2010-01-27.

Semiconductor laser control method and semiconductor laser control device

Номер патента: US20020070329A1. Автор: Kenji Koishi,Makoto Usui,Yasuhiro Ueki,Tomonori Ueno,Yutaka Osada,Toru Fujimoto,Kohjyu Konno,Yoshiyuki Miyabata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor laser and optical system having a collimator lens

Номер патента: US20020008893A1. Автор: Naotaro Nakata,Akihisa Yoshida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-24.

Security component with fiber bragg grating

Номер патента: US20210312837A1. Автор: James R. Younkin,Klaus-Peter Ziock,William R. Ray,Brandon R. Longmire. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2021-10-07.

Method and apparatus for measuring the refractive index of a material with Bragg gratings

Номер патента: US8279427B2. Автор: Francesco Simoni,Riccardo Castagna,Daniele Eugenio Lucchetta,Luigino Criante,Francesco Vita. Владелец: Universita Politechnica delle Marche. Дата публикации: 2012-10-02.

Fiber bragg grating sensor with resonant cavity led

Номер патента: US20240302230A1. Автор: Devin SULLIVAN,Xiaoxiao Lu,Carlos Mateo Gutierrez,Anthony James Hoffman,Milan Palei. Владелец: CTS Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Fiber bragg grating sensor with resonant cavity led

Номер патента: WO2024186516A1. Автор: Devin SULLIVAN,Xiaoxiao Lu,Carlos Mateo Gutierrez,Anthony James Hoffman,Milan Palei. Владелец: CTS Corporation. Дата публикации: 2024-09-12.

High-temperature-resistant metal-packaged fiber bragg grating sensor and manufacturing method therefor

Номер патента: US09551596B2. Автор: Peng Han,Shandong Tu,Fuzhen Xuan,Xiancheng Zhang,Yun Tu,Yihua Qi. Владелец: EAST CHINA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-01-24.

System for measuring three-dimensional linear and angular acceleration and movement of an object in space using fiber bragg gratings

Номер патента: RU2716867C1. Автор: Михаил Анатольевич Киселев,Игорь Леонидович Дробот,Ярослав Владимирович Морошкин,Андрей Юрьевич Чекин,Дмитрий Евгеньевич Бородулин,Андрей Валентинович Крашенинников,Константин Николаевич Губернаторов,Сергей Алексеевич Полосин,Виктор Титович Терешин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ИТ-инжиниринг". Дата публикации: 2020-03-17.

Method for fabricating chirped fiber bragg gratings

Номер патента: CA2458886C. Автор: James Owen Unruh. Владелец: Photronics Inc. Дата публикации: 2010-02-16.

Aromatic substituted ethane-core monomers and polymers thereof for volume bragg gratings

Номер патента: WO2021108204A1. Автор: Matthew E. Colburn,Austin Lane,Lafe Purvis. Владелец: Facebook Technologies, LLC. Дата публикации: 2021-06-03.

Process for writing bragg gratings, apparatus for the use of this process and bragg grating devices obtained by this process

Номер патента: CA2331487C. Автор: Christophe Martinez,Pierre Ferdinand,Sylvain Magne. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2007-09-25.

Method for forming a bragg grating in an optical medium

Номер патента: CA2111808C. Автор: Turan Erdogan,Victor Mizrahi,Dana Zachary Anderson. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1999-11-23.

Strain sensor with optical fibre bragg gratings

Номер патента: CA2336193C. Автор: Alfredo Carlo Lucia,Robert Patrick Kenny,Maurice Patrick Whelan. Владелец: European Community EC Luxemburg. Дата публикации: 2007-11-06.

Halogenated monomers and polymers for volume bragg gratings

Номер патента: EP4315330A1. Автор: Ankit Vora,Austin Lane,Lafe Joseph PURVIS II,Marvin Dion ALIM. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-07.

A fiber bragg grating optical sensor having a nanoporous coating

Номер патента: EP3149432A1. Автор: Arjen Boersma,Dennis Johannes Maria SNELDERS. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2017-04-05.

Low insertion loss high temperature stable fiber bragg grating sensor and method for producing same

Номер патента: US20210072050A1. Автор: PING Lu,Robert Walker,Huimin Ding,Dan Grobnic,Cyril Hnatovsky,Stephen Mihailov,David COULAS. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2021-03-11.

Low insertion loss high temperature stable fiber bragg grating sensor and method for producing same

Номер патента: CA3014508C. Автор: PING Lu,Robert Walker,Huimin Ding,Dan Grobnic,Cyril Hnatovsky,Stephen Mihailov,David COULAS. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2024-04-09.

Substituted mono- and poly-phenyl-core monomers and polymers thereof for volume bragg gratings

Номер патента: EP4244204A1. Автор: Matthew E. Colburn,Austin Lane,Lafe Joseph II PURVIS. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-20.

Substituted propane-core monomers and polymers thereof for volume bragg gratings

Номер патента: EP4244203A1. Автор: Matthew E. Colburn,Austin Lane,Lafe Joseph PURVIS II. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-20.

Novel multimode fiber for narrowband bragg gratings

Номер патента: US20020186945A1. Автор: Peter Smith,Thomas Szkopek,John Sipe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Automatic calibration device and method for substrate-type fiber bragg grating strain sensor

Номер патента: NL2037339A. Автор: Feng Gang,Zhai Chuanwei,Hu Zhongchun. Владелец: Cnbm Tech Innovation Academy Shandong Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Writing a bragg grating in optical waveguide

Номер патента: AU707421B2. Автор: Pierre Sansonetti,Isabelle Riant,Jose Chesnoy. Владелец: Alcatel SA. Дата публикации: 1999-07-08.

Phase-shifted, chirped volume Bragg gratings

Номер патента: US12013557B1. Автор: Leonid Glebov,Ivan Divliansky,Lam Mach. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2024-06-18.

Thiophosphate and phosphine sulfide derivatized monomers and polymers for volume bragg gratings

Номер патента: EP4065589A1. Автор: Matthew E. Colburn,Austin Lane,Lafe Joseph PURVIS II. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2022-10-05.

Guided wave-based system for cure monitoring of composites using piezoelectric discs and fiber bragg gratings/phase-shifted bragg gratings

Номер патента: US20200061874A1. Автор: Frank L. Palmieri,Tyler B. Hudson,Fuh-Gwo Yuan,Nicolas Auwaijan. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2020-02-27.

Method and system for producing a coated fiber bragg grating optical fiber

Номер патента: EP2766763A1. Автор: Robert M. Harman,Daniel S. Homa,Christopher H. LAMBERT,Ajit BALAGOPAL. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2014-08-20.

Device for adjustable chirping in-fiber bragg gratings and method for producing same

Номер патента: US20020018619A1. Автор: Hiroyuki Hoshino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Optical isolator based on volume bragg gratings

Номер патента: WO2024124051A1. Автор: Ivan Divliansky,Oussama MHIBIK,Axel Schulzgen. Владелец: UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Systems and methods using a pair of rotated volume bragg gratings for spectral phase modulation

Номер патента: WO2024124066A1. Автор: Leonid Glebov,Oussama MHIBIK,Ayman Abouraddy,Murat Yessenov,Ivan DIVILIANSKY. Владелец: UNIVERSITY OF CENTRAL FLORIDA RESEARCH FOUNDATION, INC.. Дата публикации: 2024-06-13.

Dual wavelength semiconductor laser source for optical pickup

Номер патента: US20030142897A1. Автор: Susumu Koike,Kenichi Matsuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Dual wavelength semiconductor laser source for optical pickup

Номер патента: US6941046B2. Автор: Susumu Koike,Kenichi Matsuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-06.

Semiconductor laser light source device and optical pickup device

Номер патента: US20050047315A1. Автор: Yuichi Atarashi. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Method of distributed temperature sensing during thermal tumour ablation using a fiber optic temperature sensor with a linearly chirped bragg grating

Номер патента: US20190113395A1. Автор: Daniele Tosi,Nurlan Sabitovich Zhakin,Sanzhar Botabekovich Korganbayev. Владелец: Private Institution "nazarbayev University Research And Innovation System". Дата публикации: 2019-04-18.

High-temperature-resistant Bragg grating optical fibre sensor and method for manufacturing same

Номер патента: US11709078B2. Автор: Guillaume Laffont,Rudy Desmarchelier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2023-07-25.

Long length fibre bragg grating and its fabrication method

Номер патента: WO2004095094A1. Автор: James F. Brennan. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2004-11-04.

Wide-bandwidth chirped fiber bragg gratings with low delay ripple amplitude

Номер патента: US20030133659A1. Автор: James Brennan,Michael Matthews,Pranay SINHA,Edward Hernandez,Dale Elder,John Valenti,Gerald Beauchesne,Chad Byrd. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2003-07-17.

Double-layered antisymmetric two mode bragg gratings

Номер патента: US20240272363A1. Автор: TAO Ling,Shiyi Chen,Ravi S. TUMMIDI. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for fabricating Fiber Bragg Grating elements and planar light circuits made thereof

Номер патента: US7092600B2. Автор: Chao-Ming Koh,Hao-Cheng Hung,Jia-Ching Doong,Hsien-Tzu Chang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-08-15.

A process and system for manufacturing stable fiber bragg gratings (fbgs)

Номер патента: WO2010084513A3. Автор: Balaji Srinivasan,Nirmal Kumar Viswanathan. Владелец: Secretary, Department Of Information Technology (Dit). Дата публикации: 2010-10-28.

A process and system for manufacturing stable fiber bragg gratings (fbgs)

Номер патента: WO2010084513A8. Автор: Balaji Srinivasan,Nirmal Kumar Viswanathan. Владелец: Secretary, Department Of Information Technology (Dit). Дата публикации: 2010-08-26.

Method for fabricating fiber bragg grating elements and planar light circuits made thereof

Номер патента: US6978066B2. Автор: Chao-Ming Koh,Hao-Cheng Hung,Jia-Ching Doong,Hsien-Tzu Chang. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2005-12-20.

Device for characterizing a physical phenomenon by ablation of an optical fiber with bragg gratings having a total flux of reflected radiation measurement

Номер патента: US09897470B2. Автор: Jacky Benier. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated fiber bragg grating accelerometer in a surgical instrument

Номер патента: US09817019B2. Автор: Stephen J. Blumenkranz,Lawton N. Verner. Владелец: Intuitive Surgical Operations Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Volume Moiré Bragg gratings in a photosensitive material

Номер патента: US09696476B1. Автор: Julien Lumeau,Vadim Smirnov,Leonid B. Glebov,Boris Zeldovich,Sergiy Mokhov. Владелец: Optigrate Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Linearized Bragg grating assisted electro-optic modulator

Номер патента: US09507238B2. Автор: Paul A. Morton,Jacob Khurgin. Владелец: Morton Photonics Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Optical sensor system utilizing bragg grating sensors

Номер патента: US5680489A. Автор: Alan D. Kersey. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1997-10-21.

Coherent lidar system based on semiconductor laser and amplifier

Номер патента: RU2484500C2. Автор: Христиан ПЕДЕРСЕН,Рене Сков ХАНСЕН. Владелец: Данмаркс Текниске Университет. Дата публикации: 2013-06-10.

Monitoring and correcting Bragg gratings during fabrication

Номер патента: GB2392513A. Автор: Anders Grunnet-Jepsen,John N Sweetser. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-03-03.

Ridge waveguide optical sensor incorporating a bragg grating

Номер патента: CA2638561C. Автор: PING Lu,Xiaoli Dai,Stephen J. Mihailov,Robert B. Walker,Chantal Blanchetiere,Huimin Ding,Dan Grobnic,Christopher W. Smelser,Gino Cuglietta,Claire L. Callender. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2016-05-03.

Bearing monitoring using a fiber bragg grating

Номер патента: WO2011066927A1. Автор: Adam Victor Creyke Reedman. Владелец: Aktiebolaget SKF (publ). Дата публикации: 2011-06-09.

Highly stable compositions of orally active nucleotide analogues or orally active nucleotide analogue prodrugs

Номер патента: RU2606845C2. Автор: Спиридон Спиреас,Ишари ПАИЯ,Ракеш ГРОВЕР,Санил СЭДЖИ,Рэм К. КЭЛЛУР. Владелец: СИГМАФАРМ ЛЭБОРЭТОРИЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-01-10.

Low reflectivity fiber bragg grating with rectangular reflection function

Номер патента: CA2255061A1. Автор: Robert A. Modavis,Donald B. Keck. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-08-21.

Thermally compensated fiber bragg grating mount

Номер патента: US7302139B1. Автор: Gregory H. Ames. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2007-11-27.

Chirped distributed Bragg grating optical fibre filters

Номер патента: US5602949A. Автор: Richard E. Epworth. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1997-02-11.

System and method for fabricating bragg gratings

Номер патента: CA2440199C. Автор: Bengt Sahlgren,Ingemar Peterman. Владелец: Proximion Fiber Systems AB. Дата публикации: 2010-08-17.

Package for an optical bragg grating fiber for reducing the temperature dependence of its reflection wavelength

Номер патента: US6233382B1. Автор: William W. Morey,Grieg A. Olson. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2001-05-15.

Optical fiber bragg grating polarizer

Номер патента: CA2449931A1. Автор: Luiz Carlos Guedes Valente,Pedro Ignacio Torres Trujillo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-27.

Monitoring and correcting Bragg gratings during their fabrication

Номер патента: GB2392513B. Автор: Anders Grunnet-Jepsen,John N Sweetser. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-01-18.

Method and device for time domain demultiplexing of serial fiber bragg grating sensor arrays

Номер патента: CA2285708C. Автор: David J.F. Cooper,Peter W.E. Smith. Владелец: Peter W.E. Smith. Дата публикации: 2010-09-28.

Volume bragg grating in a cylindrical bulk medium

Номер патента: EP4305473A1. Автор: Francois Trepanier,Sylvain Boudreau,Alain Mailloux,Guillaume Brochu. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Fiber Bragg grating displacement sensor with positive and negative bidirectional measurement and free from vibration

Номер патента: US11796310B1. Автор: Li Xiong,Wanhuan Zhou,Yongxing Guo. Владелец: UNIVERSITY OF MACAU. Дата публикации: 2023-10-24.

Multi-laser illuminated mixed waveguide display with volume bragg grating (vbg) and mirror

Номер патента: US20240069346A1. Автор: Yang Yang,Ningfeng Huang,Wanli Chi,Wai Sze Tiffany Lam,Dominic Meiser. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Multi-laser illuminated mixed waveguide display with volume Bragg grating (VBG) and mirror

Номер патента: US11927758B1. Автор: Yang Yang,Ningfeng Huang,Wanli Chi,Wai Sze Tiffany Lam,Dominic Meiser. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-12.

High-temperature-resistant metal-packaged fiber bragg grating sensor and manufacturing method therefor

Номер патента: US20150247744A1. Автор: Peng Han,Shandong Tu,Fuzhen Xuan,Xiancheng Zhang,Yun Tu,Yihua Qi. Владелец: EAST CHINA UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-09-03.

Latent imaging for volume bragg gratings

Номер патента: EP3966633A1. Автор: Matthew E. Colburn,Austin Lane. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-16.

High stable non-ionic n-vinyl butyrolactam iodine and preparation method thereof

Номер патента: US20130280203A1. Автор: Zhan Chen,Yu Wang. Владелец: SHANGHAI YUKING WATER SOLUBLE MATERIAL Tech CO Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Preparation method for high stable supersaturated solutions of hydrophilic substrates in ionic liquids

Номер патента: WO2008030033A1. Автор: Sang Hyun Lee,Yoon-Mo Koo,Sung ho Ha,Thanh Dang Dung. Владелец: INHA-INDUSTRY PARTNERSHIP INSTITUTE. Дата публикации: 2008-03-13.

Wind-power station of high power efficiency

Номер патента: RU2518786C2. Автор: Геннадий Александрович Копков,Александр Викторович Шостак. Владелец: Геннадий Александрович Копков. Дата публикации: 2014-06-10.

System and method for fabricating blazed bragg gratings

Номер патента: CA2440198C. Автор: Bengt Sahlgren. Владелец: Proximion Fiber Systems AB. Дата публикации: 2013-10-08.

A method of and a device for making bragg gratings in optical fibres or waveguides

Номер патента: CA2237963C. Автор: Luigi Tallone,Laura Boschis,Oriana Rossotto. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2002-07-09.

Semiconductor laser treatment unit

Номер патента: CA1284186C. Автор: Toshio Ohshiro,Tokuharu Hayashi. Владелец: MEDICAL LASER RESEARCH Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-14.

Optical wavelength selective device including at least one bragg-grating structure

Номер патента: CA2282421C. Автор: Torsten Augustsson. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2007-05-22.

Fiber bragg gratings in chalcogenide or chalcohalid based infrared optical fibers

Номер патента: CA2271127C. Автор: Jasbinder S. Sanghera,Ishwar D. Aggarwal,John A. Moon,Lynda E. Busse. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2004-12-07.

Accelerometer featuring fiber optic bragg grating sensor for providing multiplexed multi-axis acceleration sensing

Номер патента: CA2319347C. Автор: Robert J. Maron,Guy A. Daigle,Richard T. Jones. Владелец: Weatherford Lamb Inc. Дата публикации: 2004-09-21.

Optical waveguide comprising Bragg grating coupling means

Номер патента: US5195161A. Автор: Rodney C. Kistler,Renen Adar,Charles H. Henry,Rudolf F. Kazarinov. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1993-03-16.

Method to monitor structural damage occurrence and progression in monolithic composite structures using fibre bragg grating sensors

Номер патента: AU2005244556B2. Автор: José Manuel Menéndez Martin,Alfredo Güemes Gordo. Владелец: AIRBUS OPERATIONS SL. Дата публикации: 2011-05-26.

Distributed acoustic sensing with fiber bragg gratings

Номер патента: CA2777069C. Автор: Dennis Edward Dria,Jeremiah Glen Pearce,Frederick Henry Rambow. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2018-04-03.

Apparatus and method for producing fibre bragg gratings in a waveguide

Номер патента: CA2452694C. Автор: Erlend Ronnekleiv. Владелец: Optoplan AS. Дата публикации: 2009-02-03.

Combined bragg grating wavelength interrogator and brillouin backscattering measuring instrument

Номер патента: CA2486265C. Автор: Trevor Macdougall. Владелец: Weatherford Lamb Inc. Дата публикации: 2010-05-11.

Method to monitor structural damage occurrence and progression in monolithic composite structures using fibre bragg grating sensors

Номер патента: IL172470A. Автор: . Владелец: Airbus Espana SL. Дата публикации: 2010-11-30.

Coupled-core optical fiber with fiber bragg grating and sensing device

Номер патента: EP4334685A1. Автор: Agustín Joel VILLATORO BERNARDO,Salvador Sales Maicas,Javier Madrigal Madrigal. Владелец: Euskal Herriko Unibertsitatea. Дата публикации: 2024-03-13.

Measurement system using fiber Bragg grating sensor

Номер патента: US11892329B2. Автор: Geum Suk Lee,Geum Jun LEE. Владелец: FBG Korea Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Integrated fiber bragg grating accelerometer in a surgical instrument

Номер патента: US20190383851A1. Автор: Stephen J. Blumenkranz,Lawton N. Verner. Владелец: Intuitive Surgical Operations Inc. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor laser driving apparatus and laser scanner

Номер патента: US20020180862A1. Автор: Tadaaki Suda. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Phase-shifted fiber bragg grating sensor and method for producing same

Номер патента: US20230333313A1. Автор: PING Lu,Robert Walker,Huimin Ding,Dan Grobnic,Cyril Hnatovsky,Stephen Mihailov,Kasthuri DE SILVA,David COULAS. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2023-10-19.

Integrated Fiber Bragg Grating Accelerometer in a Surgical Instrument

Номер патента: US20180031600A1. Автор: Stephen J. Blumenkranz,Lawton N. Verner. Владелец: Intuitive Surgical Operations Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Method and system for interrogating a birefringent fiber bragg grating sensor, employing heterodyne optical detection

Номер патента: US20240044731A1. Автор: Fabrizio Di Pasquale,Stefano Faralli,Francesco CAMOZZI,Yonas Seifu MUANENDA,Lorenzo TOZZETTI. Владелец: Brembo SpA. Дата публикации: 2024-02-08.

Waveguide tunable bragg grating using compliant microelectromechanical system (MEMS) technology

Номер патента: US20020003925A1. Автор: John Bailey,Michael Little. Владелец: Solus Micro Technologies Inc. Дата публикации: 2002-01-10.

Guided wave-based system for cure monitoring of composites using piezoelectric discs and fiber Bragg gratings/phase-shifted Bragg gratings

Номер патента: US11590676B2. Автор: Frank L. Palmieri,Tyler B. Hudson,Fuh-Gwo Yuan,Nicolas Auwaijan. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 2023-02-28.

Fizeau reference arm using a chirped fiber bragg grating

Номер патента: US20120274943A1. Автор: Alexandre R. Tumlinson. Владелец: Carl Zeiss Meditec Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Waveguide tunable bragg grating using compliant microelectromechanical system (mems) technology

Номер патента: WO2001088582A1. Автор: Michael J. Little,John Terry 19 Mustang Lane BAILEY. Владелец: Solus Micro Technologies, Inc.. Дата публикации: 2001-11-22.

Optical isolator based on volume bragg gratings

Номер патента: US20240192420A1. Автор: Ivan Divliansky,Oussama MHIBIK,Axel Schulzgen. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2024-06-13.

Systems and methods using a pair of rotated volume bragg gratings for spectral phase modulation

Номер патента: US20240192412A1. Автор: Leonid Glebov,Ivan Divliansky,Oussama MHIBIK,Ayman Abouraddy,Murat Yessenov. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2024-06-13.

Fixer for fiber bragg grating sensor

Номер патента: US20060204199A1. Автор: Geum-Suk Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Tools and methods for use with a high power laser transmission system

Номер патента: WO2012116189A3. Автор: Mark S. Land,Mark S. Zediker,Charles C. Rinzler,Joel F. Moxley,Paul D. Deutch,Ronald A. De Witt,Brian O. Faircloth,William C. Gray. Владелец: FORO ENERGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-24.

Semiconductor laser module and manufacturing method therefor

Номер патента: US20110317735A1. Автор: Jun Miyokawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Machine aided combination of an NIR material concentration measurement with a temperature profile measurement based on fiber Bragg gratings in optical fibers

Номер патента: US7728960B2. Автор: Wolfgang Borchers. Владелец: BAYER TECHNOLOGY SERVICES GMBH. Дата публикации: 2010-06-01.

Fiber Bragg grating device

Номер патента: US20060115195A1. Автор: Akihiko Nishiki,Shuko Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-01.

Fiber bragg grating earth pressure sensor

Номер патента: LU502781B1. Автор: Xiaolong Ma. Владелец: Univ Zhengzhou Aeronautics. Дата публикации: 2023-03-09.

Single fiber bragg grating as delay line interferometer

Номер патента: WO2014174256A1. Автор: Miguel Angel Preciado,Xuewen Shu. Владелец: Aston University. Дата публикации: 2014-10-30.

Downhole optical fiber with array of fiber bragg gratings and carbon-coating

Номер патента: WO2018147969A1. Автор: Daniel Scott Homa,Ajit BALAGOPAL,Paul Francis Wysocki,Christopher Howard LAMBERT. Владелец: Baker Hughes, a GE company, LLC. Дата публикации: 2018-08-16.

Method for detection of minerals using fiber bragg grating-geoelectric hybrid sensing

Номер патента: WO2023158297A1. Автор: Noorhana Yahya. Владелец: Noorhana Yahya. Дата публикации: 2023-08-24.

Machine Aided Combination of an Nir Material Concentration Measurement With a Temperature Profile Measurement Based on Fiber Bragg Gratings in Optical Fibers

Номер патента: US20080088822A1. Автор: Wolfgang Borchers. Владелец: BAYER TECHNOLOGY SERVICES GMBH. Дата публикации: 2008-04-17.

Optical systems and apparatuses including bragg gratings and methods of making

Номер патента: EP1163546A1. Автор: Thomas J. Cullen,Timothy E. Hammon,John M. Stockhausen. Владелец: Acme Grating Ventures LLC. Дата публикации: 2001-12-19.

Optical systems and apparatuses including bragg gratings and methods of making

Номер патента: AU3772400A. Автор: Thomas J. Cullen,Timothy E. Hammon,John M. Stockhausen. Владелец: Acme Grating Ventures LLC. Дата публикации: 2000-10-09.

Optical systems and apparatuses including bragg gratings and methods of making

Номер патента: AU773400B2. Автор: Thomas J. Cullen,Timothy E. Hammon,John M. Stockhausen. Владелец: Acme Grating Ventures LLC. Дата публикации: 2004-05-27.

Optical systems and apparatuses including bragg gratings and methods of making

Номер патента: EP1163546B1. Автор: Thomas J. Cullen,Timothy E. Hammon,John M. Stockhausen. Владелец: Acme Grating Ventures LLC. Дата публикации: 2004-07-14.

Sensors with fiber bragg gratings and carbon nanotubes

Номер патента: WO2010120729A1. Автор: Sanjay Gupta,Tushar K. Shah,John J. Morber,Pierre Kabro. Владелец: LOCKHEED MARTIN CORPORATION. Дата публикации: 2010-10-21.

Optical interrogator for performing interferometry using bragg gratings

Номер патента: US20190346295A1. Автор: Viet Hoang,Walter Jeffrey Shakespeare,Phillip William Wallace,Brian H. Moore,Tom Clement. Владелец: Hifi Engineering Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Single fiber bragg grating as delay line interferometer

Номер патента: US20160109657A1. Автор: Miguel Angel Preciado,Xuewen Shu. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-04-21.

Single fiber bragg grating as delay line interferometer

Номер патента: US9709745B2. Автор: Miguel Angel Preciado,Xuewen Shu. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-07-18.

Optical disk device and luminescent power control method for semiconductor laser

Номер патента: US20030099174A1. Автор: Hisataka Sugiyama,Masataka Ota,Masanori Matsuzaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-29.

Optical fiber with bragg grating and thin film coating and connector

Номер патента: EP3320382A1. Автор: DING Wang,Raman K. Selli. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2018-05-16.

Method and system for real-time monitoring of wall thinning and ascertaining of wall attributes using fiber bragg grating (fbg) sensors

Номер патента: EP4065927A1. Автор: WEN Chen,Hui Dong,Ouyang Liu,Kai Wu,Yixin Wang,Wenyu Jiang,Yongwei Zhu,Jianzhong Hao,Haiyan Shu,Jun Long LIM,Aayush MADAN,Shili XIANG,Jiliang Eugene PHUA,Rebecca Yen-Ni WONG,Muralidharan S/O PARAMSOTHY,Chuen Yuen Henry WONG. Владелец: SEMBCORP INDUSTRIES LTD. Дата публикации: 2022-10-05.

Method and system for real-time monitoring of wall thinning and ascertaining of wall attributes using fiber bragg grating (fbg) sensors

Номер патента: WO2021137748A1. Автор: WEN Chen,Hui Dong,Ouyang Liu,Kai Wu,Yixin Wang,Wenyu Jiang,Yongwei Zhu,Jianzhong Hao,Haiyan Shu,Jun Long LIM,Aayush MADAN,Shili XIANG,Jiliang Eugene PHUA,Rebecca Yen-Ni WONG,Muralidharan S/O PARAMSOTHY,Chuen Yuen Henry WONG. Владелец: Sembcorp Industries Ltd.. Дата публикации: 2021-07-08.

Sensor detecting attenuated total reflection angle by using semiconductor laser unit driven with driving current on which high frequency component is superimposed

Номер патента: US20020109846A1. Автор: Masayuki Naya. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Systems, devices, and methods for miniaturization of fiber bragg grating interrogation for integration into implantable devices

Номер патента: US20240272023A1. Автор: CHEN CHEN,Jie Cheng,Siu Chun M. HO,Dhanunjaya R. LAKKIREDDY. Владелец: Chelak Medical Solutions Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and apparatus for real time respiratory gating signal generation and detection of body deformation using embedded fiber bragg gratings

Номер патента: US20240210218A1. Автор: Manojeet Bhattacharya. Владелец: Empnia Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Guidewire With Fiber Bragg Grating Strain Sensors

Номер патента: US20220113204A1. Автор: John Michael Hayes. Владелец: Lake Region Manufacturing Inc. Дата публикации: 2022-04-14.

Plasma cutter having high power density

Номер патента: WO2009085370A1. Автор: Anthony Van Bergen Salsich. Владелец: ILLINOIS TOOL WORKS INC.. Дата публикации: 2009-07-09.

Method and apparatus for real time respiratory gating signal generation and detection of body deformation using embedded fiber bragg gratings

Номер патента: WO2021127233A8. Автор: Manojeet Bhattacharya. Владелец: EmpNia Inc.. Дата публикации: 2024-04-18.

Environmental monitoring method and system for crops with fiber bragg grating sensors

Номер патента: WO2022118195A1. Автор: Massimo Platini,Tullio Angheben. Владелец: Peak Fiber Innovations S.R.L.. Дата публикации: 2022-06-09.

Dynamic multifactor authentication using low-power and high-power monitoring

Номер патента: US12072960B2. Автор: Sandy Collins,Mark Christopher Heidenfeldt,Aravind Senthil Murugan,Mark Summerville,Justin Michael Riguette. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and apparatus for real time respiratory gating signal generation and detection of body deformation using embedded fiber Bragg gratings

Номер патента: US12044556B2. Автор: Manojeet Bhattacharya. Владелец: Empnia Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Ablation catheter with fiber bragg grating strain sensors

Номер патента: US20200330158A1. Автор: John Michael Hayes. Владелец: Lake Region Manufacturing Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Sensor fiber having a multicore optical waveguide including fiber Bragg gratings

Номер патента: US09976880B2. Автор: Lothar Brehm,Robert Hanf,Jürgen Rosenkranz,Otto Bernauer,Ralitsa Rosenow,Armin Landers,Katrin Roessner. Владелец: S-Fiber GmbH. Дата публикации: 2018-05-22.

Fiber Bragg Grating hearing device

Номер патента: US09883973B1. Автор: Behzad Moslehi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-06.

Apparatus and method for sensing parameters using Fiber Bragg Grating (FBG) sensor and comparator

Номер патента: US09726538B2. Автор: Henry H. Hung. Владелец: Optilab LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Single fiber bragg grating as delay line interferometer

Номер патента: US09709745B2. Автор: Miguel Angel Preciado,Xuewen Shu. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-07-18.

Fiber sensing system based on a bragg grating and optical time domain reflectometry

Номер патента: US09651418B2. Автор: Luc Thevenaz,Sang Hoon Chin. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2017-05-16.

Synchronous pre-tensionable sensing screw with fiber Bragg grating devices

Номер патента: US09645025B2. Автор: Chun-Chu Yang. Владелец: JINN HER ENTERPRISE CO Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method and systems of high-speed and high-power laser engraving

Номер патента: RU2473414C2. Автор: Дэррил Дж. КОСТИН,мл. Дэррил Дж. КОСТИН,Кимберли Л. КОСТИН. Владелец: ТЕКНОЛАЙНЗ, ЭлЭлСи. Дата публикации: 2013-01-27.

High-power wind-energy plant equipped with pyramidal-type wind motor

Номер патента: RU2272172C2. Автор: Аркадий Николаевич Степанчук. Владелец: Аркадий Николаевич Степанчук. Дата публикации: 2006-03-20.

Highly stable non-vesicular nanoparticles and use thereof in treating a microbial infection

Номер патента: RU2733320C2. Автор: Ган Ван,Юнь ТАНЬ. Владелец: Алая (Шанхай) Биосайенс Ко., Лтд. Дата публикации: 2020-10-01.

Structural monitoring of wind turbine with fibre bragg grating sensors in each blade

Номер патента: US8545179B2. Автор: Mark Volanthen,Philip Mark Rhead,Martin Peter William Jones,Glynn David Lloyd. Владелец: Moog Insensys Ltd. Дата публикации: 2013-10-01.

Structural monitoring of wind turbine with fibre bragg grating sensors in each blade

Номер патента: WO2008020239A1. Автор: Mark Volanthen,Philip Mark Rhead,Martin Peter William Jones,Glynn David Lloyd. Владелец: Insensys Limited. Дата публикации: 2008-02-21.

Multiplexed Bragg grating sensors

Номер патента: US5426297A. Автор: James R. Dunphy,Kenneth P. Falkowich. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 1995-06-20.

Optical valve with mono crystallographic magnetooptical element for high-power lasers

Номер патента: RU2601390C1. Автор: Олег Валентинович Палашов,Илья Львович Снетков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт прикладной физики Российской академии наук (ИПФ РАН). Дата публикации: 2016-11-10.

Method for coupling semiconductor laser with optical fiber

Номер патента: US5087109A. Автор: Osamu Kato,Satoshi Ishizuka,Kazuro Toda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1992-02-11.

High-stable electrolytic water with reduced width of nuclear magnetic resonance peak at half height

Номер патента: RU2494748C2. Автор: Юнгэ ЧЭНЬ,НОНИ Роберто ДЕ. Владелец: Акуатек С.Р.Л.. Дата публикации: 2013-10-10.

Semiconductor laser module

Номер патента: US5751877A. Автор: Tetsuo Ishizaka,Manabu Komiyama,Noboru Sonetsuji,Toshio Ohya,Shunichi Satoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-05-12.

Optical head using semiconductor laser array as light source

Номер патента: US5289313A. Автор: Kazuhiko Matsuoka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-02-22.

Optoelectronic device having a coupling comprising a lens and arranged between an optical transmission fiber and a semiconductor laser diode

Номер патента: US5107537A. Автор: Jan W. Kokkelink,Cornelis G. Schriks,Hermanus A. van de Pas,Hendricus F. J. J. van Tongeren. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1992-04-21.

Automated system for trans-jacket fibre Bragg grating inscription and manufacturing

Номер патента: US10520669B2. Автор: PING Lu,Robert Walker,Huimin Ding,Dan Grobnic,Cyril Hnatovsky,Stephen Mihailov,David COULAS,Rune LAUSTEN. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2019-12-31.

Fabry Perot/fiber Bragg grating multi-wavelength reference

Номер патента: US5892582A. Автор: David Daugherty,Calvin M. Miller,Kevin Hsu,Yufei Bao,Tom Q. Y. Li,Jeffrey W. Miller. Владелец: Micron Optics Inc. Дата публикации: 1999-04-06.

Temperature compensating fiber bragg grating module

Номер патента: KR20140013605A. Автор: 백세종. Владелец: 에스제이포토닉스 주식회사. Дата публикации: 2014-02-05.

Optical interrogator for performing interferometry using fiber bragg gratings

Номер патента: CA2970205A1. Автор: Thomas Clement,Viet Hoang,Walter Jeffrey Shakespeare,Seyed Ehsan Jalilian,Ajay SANDHU,Phillip William Wallace,Dongliang Huang,Brian H. Moore,Chris Henrikson,Adrian Dumitru. Владелец: Hifi Engineering Inc. Дата публикации: 2018-12-08.

Ultra low noise optical receiver

Номер патента: CA2172524A1. Автор: Daniel A. Tazartes,John G. Mark,John E. Higbee,Jacques A. Tazartes,Juergen K. P. Flamm. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-02-08.

Ultra low noise air conditioner

Номер патента: JP2546185B2. Автор: 清滝多門. Владелец: Kimura Kohki Co Ltd. Дата публикации: 1996-10-23.

Ultra low noise air conditioner

Номер патента: JP3556087B2. Автор: 正 鈴木,州三 秋田,▲隆▼文 和田,圭二 渡辺. Владелец: Kubota Air Conditioner Ltd. Дата публикации: 2004-08-18.

Ultra -low noise matrix fan cooling tower

Номер патента: CN204757733U. Автор: 黎英姿,黎建良,王晓芸. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-11-11.

A kind of high power distribution feedback Bragg grating laser device for silicon photonic circuit

Номер патента: CN109802299A. Автор: 马军涛,梁海波,章力明,劳燕峰. Владелец: Hisense Broadband Multimedia Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-24.

METHOD FOR FINDING AND TRACKING SINGLE-MODE OPERATION POINT OF EXTERNAL CAVITY DIODE LASERS

Номер патента: US20120287491A1. Автор: Malang Keith W.,Smith Paul C.,Ensher Jason R.,Morrison Paul A.,Shepherd Roger,Creech William G.. Владелец: INPHASE TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2012-11-15.

Semiconductor laser

Номер патента: RU2153745C1. Автор: И.Д. Залевский,В.В. Безотосный. Владелец: Безотосный Виктор Владимирович. Дата публикации: 2000-07-27.

Method of detecting signals of measuring transducers based on bragg gratings, recorded in single fibre optical guide

Номер патента: RU2413259C1. Автор: Юрий Николаевич Кульчин,Сергей Алексеевич Бабин,Иван Сергеевич Шелемба,Анатолий Михайлович Шалагин,Олег Борисович Витрик,Антон Владимирович Дышлюк,Сергей Алексеевич Бабин (RU),Юрий Николаевич Кульчин (RU),Олег Борисович Витрик (RU),Антон Владимирович Дышлюк (RU),Анатолий Михайлович Шалагин (RU),Иван Сергеевич Шелемба (RU). Владелец: Институт автоматики и процессов управления Дальневосточного отделения Российской академии наук (статус государственного учреждения) (ИАПУ ДВО РАН). Дата публикации: 2011-02-27.

Semiconductor laser driver

Номер патента: RU2529053C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Геннадий Андреевич Гаврилов,Галина Юрьевна Сотникова,Александр Леонович Тер-Мартиросян. Владелец: Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы". Дата публикации: 2014-09-27.

Method of determining amplitude of nanovibrations from spectrum of frequency-modulated semiconductor laser autodyne

Номер патента: RU2520945C1. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Анатолий Владимирович Скрипаль,Елисей Игоревич Астахов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2014-06-27.

Injection semiconductor laser

Номер патента: RU2110874C1. Автор: Д.М. Демидов,А.Л. Тер-Мартиросян,В.П. Чалый,А.П. Шкурко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы". Дата публикации: 1998-05-10.

Semiconductor laser unit and its manufacturing process

Номер патента: RU2262171C2. Автор: Хироаки МАТСУМУРА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2005-10-10.

Co2 laser radiation heating technique for regenerated fiber bragg grating fabrication

Номер патента: MY194543A. Автор: Lim Kok Sing Dr,Man Hong Lai,Dr Harith Bin Ahmad Prof. Владелец: Univ Malaya. Дата публикации: 2022-11-30.

Method of heat removal from heat dissipating electronic components on basis of use of semiconductor lasers

Номер патента: RU2562742C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Тимур Декартович Нежведилов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-09-10.

Method of dehydrating highly stable water-hydrocarbon emulsions of natural and technogenic origin and device therefor

Номер патента: RU2581584C1. Автор: Исмагил Шакирович Хуснутдинов,Руслан Раисович Заббаров,Алия Габделфаязовна Сафиулина,Азат Ильдарович Гаффаров,Сулейман Исмагилович Хуснутдинов. Владелец: Исмагил Шакирович Хуснутдинов. Дата публикации: 2016-04-20.

Semiconductor laser (versions)

Номер патента: RU2529450C2. Автор: Борис Николаевич Звонков,Александр Алексеевич Дубинов,Владимир Яковлевич Алешкин,Сергей Михайлович Некоркин,Михаил Николаевич Колесников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН). Дата публикации: 2014-09-27.

Bragg grating and method of producing a bragg grating using an ultrafast laser

Номер патента: CA2461368C. Автор: PING Lu,George Henderson,Robert Walker,Xiaoli Dai,Stephen J. Mihailov,Huimin Ding,Dan Grobnic,Christopher Smelser. Владелец: Communications Research Centre Canada. Дата публикации: 2012-07-31.

Optically pumped semiconductor laser

Номер патента: RU2047935C1. Автор: А.А. Чельный. Владелец: Акционерное общество "Сигма-Плюс". Дата публикации: 1995-11-10.

Semiconductor laser

Номер патента: RU2535649C1. Автор: Андрей Владимирович Крюков,Андрей Георгиевич Шаврин,Владимир Анатольевич Токарев,Борис Николаевич Звонков,Александр Алексеевич Дубинов,Владимир Яковлевич Алешкин,Сергей Михайлович Некоркин. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2014-12-20.

Method of making semiconductor laser device

Номер патента: CA2103716C. Автор: Hitoshi Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-12-12.

Package for High Power Devices

Номер патента: US20120001316A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Procedure for de-hydration of high stable water-hydrocarbon emulsions and unified complex for its realisation

Номер патента: RU2417245C2. Автор: Исмагил Шакирович Хуснутдинов,Руслан Раисович Заббаров,Александр Юрьевич Копылов,Алия Габделфаязовна Ханова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр технологического сервиса". Дата публикации: 2011-04-27.

Method for passivation and protection of resonator end faces of semiconductor lasers

Номер патента: RU2421856C1. Автор: Сергей Олегович Слипченко,Илья Сергеевич Тарасов,Никита Александрович Пихтин,Татьяна Андреевна Налет,Сергей Олегович Слипченко (RU),Илья Сергеевич Тарасов (RU),Никита Александрович Пихтин (RU),Татьяна Андреевна Налет (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Эльфолюм". Дата публикации: 2011-06-20.

Distributed feedback and distributed bragg reflector semiconductor lasers

Номер патента: SG139547A1. Автор: Chua Soo Jin,Teng Jinghua,DONG Jianrong. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2008-02-29.

Pulse amplifier suitable for use in the semiconductor laser driving device

Номер патента: CA1275149C. Автор: Kazuhiro Suzuki,Masakazu Mori,Takashi Tsuda,Kazuo Yamane,Yoshinori Ohkuma. Владелец: . Дата публикации: 1990-10-09.

High-stable pharmaceutical formulation of lyophilisate of 3-oxypyridine and methylpyridine derivatives and pharmaceutically acceptable salts thereof

Номер патента: RU2504376C1. Автор: Галина Викторовна Сукоян,Людмила Дмитриевна Лукьянова. Владелец: Людмила Дмитриевна Лукьянова. Дата публикации: 2014-01-20.

Semiconductor laser

Номер патента: RU2119704C1. Автор: В.В. Безотосный. Владелец: Физический институт им.П.Н.Лебедева РАН. Дата публикации: 1998-09-27.

Faraday isolator with inhomogeneous magnetic field for high-power lasers

Номер патента: RU2598623C1. Автор: Александр Владимирович Войтович,Олег Валентинович Палашов,Евгений Александрович Миронов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук" (ИПФ РАН). Дата публикации: 2016-09-27.

High-power radio-frequency transistor

Номер патента: RU2403651C1. Автор: Семен Александрович Петров,Борис Константинович Петров,Олег Митрофанович Булгаков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный университет". Дата публикации: 2010-11-10.

Measuring method of direct losses of ferrite circulator at high power level

Номер патента: RU2544782C1. Автор: Валентин Александрович Крылов. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный Рязанский приборный завод". Дата публикации: 2015-03-20.

Method of blasting high-power ammunition and ammunition to this end

Номер патента: RU2399864C2. Автор: Виктор Германович Зотин. Владелец: Виктор Германович Зотин. Дата публикации: 2010-09-20.

Highly stable angular-rate sensor

Номер патента: RU2286581C2. Автор: Дмитрий Николаевич Дудин,Александр Александрович Калик,Фарид Николаевич Абузяров,Владимир Устинович Годлевский,ров Фарид Николаевич Абуз,Дмитрий Анатольевич Дмитриев,Иль с Жоф рович Хабибрахманов,Ильяс Жофярович Хабибрахманов. Владелец: ОАО "Уральский приборостроительный завод". Дата публикации: 2006-10-27.

Faraday isolator based on permanent magnets for high-power lasers

Номер патента: RU2559863C2. Автор: Александр Владимирович Войтович,Олег Валентинович Палашов,Евгений Александрович Миронов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт прикладной физики Российской академии наук (ИПФ РАН). Дата публикации: 2015-08-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.