Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor laser device including columns of semiconductor lasers with non-central light emitting regions

Semiconductor laser device including columns of semiconductor lasers with non-central light emitting regions

Номер патента: US5636235A
Опубликовано: 03-06-1997
Автор(ы): Yasunori Miyazaki
Принадлежит: Mitsubishi Electric Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Method and apparatus for driving semiconductor lasers, and method and apparatus for deriving drive current patterns for semiconductor lasers

Номер патента: US20090141754A1. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Method and apparatus for driving semiconductor lasers, and method and apparatus for deriving drive current patterns for semiconductor lasers

Номер патента: US7970029B2. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Method and apparatus for driving semiconductor lasers, and method and apparatus for deriving drive current patterns for semiconductor lasers

Номер патента: WO2007043597A1. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2007-04-19.

Method and Apparatus For Driving Semiconductor Lasers, and Method and Apparatus For Deriving Drive Current Patterns For Semiconductor Lasers

Номер патента: US20080279235A1. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor laser diode array and the method for manufacturing a two-dimensional semiconductor laser diode array

Номер патента: US20240178638A1. Автор: Anna Kafar,Piotr Perlin,Szymon STANCZYK,Krzysztof GIBASIEWICZ,Jacek KACPERSKI,Kiran SABA. Владелец: Instytut Wysokich Cisnien of PAN. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor laser, operating method for a semiconductor laser, and method for determining the optimum fill factor of a semiconductor laser

Номер патента: US11942763B2. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Bernhard Stojetz,Muhammad Ali. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-03-26.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US20230344195A1. Автор: Yutaka Inoue,Masato Hagimoto,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor Laser Equipment

Номер патента: US20080043791A1. Автор: Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima,Masanobu Yamanaka. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-02-21.

Laser light output apparatus, image display apparatus, and semiconductor laser driving control method

Номер патента: US20040240495A1. Автор: Naoki Akamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230387653A1. Автор: Yutaka Inoue,Masato Hagimoto,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor laser light source

Номер патента: CA2928970C. Автор: Hiroyuki Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductor laser apparatus and semiconductor laser device

Номер патента: US12119611B2. Автор: Masayuki Ono,Kazuya Yamada,Mitsuru Nishitsuji,Hiroshi Asaka,Tohru Nishikawa,Katsuya Samonji. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing semiconductor laser device and method for inspecting semiconductor laser bar

Номер патента: US20090053838A1. Автор: Keiji Ito,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Laser device

Номер патента: US20220302675A1. Автор: Mitsuoki Hishida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Laser device

Номер патента: EP4084241A1. Автор: Mitsuoki Hishida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Plurality of light-emitting devices, and light-emitting module

Номер патента: US20240030676A1. Автор: Kiyoshi Enomoto,Eiichiro OKAHISA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor laser body, semiconductor laser element, semiconductor laser substrate, electronic apparatus, and manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor laser device

Номер патента: US20240283219A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Array type semiconductor laser device

Номер патента: US20230054731A1. Автор: Masayuki Hata,Kazuya Yamada,Mitsuru Nishitsuji,Tohru Nishikawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-02-23.

Broadband light source composed of supercontinuum light source and single-wavelength semiconductor laser diodes

Номер патента: US10277000B2. Автор: Weijia Yang,Kangkang CHEN. Владелец: Wuhan Yangtze Soton Laser Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Light-emitting device and light-emitting module

Номер патента: US20230352902A1. Автор: Yusuke Kaide,Shota TAKASE,Masanori Uemura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Light emitting device

Номер патента: EP4199277A1. Автор: Soichiro Miura,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers

Номер патента: WO2005124948A2. Автор: Luis A. Spinelli,Hailong Zhou,Russel R. Austin. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2005-12-29.

Laser support for semiconductor laser fixation and laser support element assembly

Номер патента: US20160141829A1. Автор: Nicolas Abele,Lucio Kilcher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers

Номер патента: WO2005124948A3. Автор: Luis A Spinelli,Hailong Zhou,Russel R Austin. Владелец: Russel R Austin. Дата публикации: 2006-03-30.

Light emitting device

Номер патента: US20240213739A1. Автор: Soichiro Miura,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Single mode semiconductor laser with phase control

Номер патента: US20210376559A1. Автор: Nicolas Koslowski,Tim Koslowski. Владелец: Nanoplus Nanosystems And Technologies Gmbh. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US12107383B2. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1184285A. Автор: Kunio Aiki,Shigeo Yamashita,Yasutoshi Kashiwada,Naoki Chinone. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-03-19.

Semiconductor laser light source device, semiconductor laser light source system, and image display aparatus

Номер патента: CA2979520C. Автор: Hideyuki Murai,Tatsuro Hirose. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Light emitting device

Номер патента: US11984698B2. Автор: Soichiro Miura,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

System for electronically controlling and driving independently addressable semiconductor lasers

Номер патента: US11984701B2. Автор: Joerg Martini,David K. Biegelsen,Sourobh Raychaudhuri,Joseph Lee,Christopher Chua. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Light-emitting module

Номер патента: US20240039249A1. Автор: Masanobu Tanaka,Takafumi Sugiyama,Kazuya Hatakeyama,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230110167A1. Автор: Hideo Yamaguchi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor laser

Номер патента: US5715266A. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Broad-bandwidth laser with reduced mode beating

Номер патента: WO2024182237A1. Автор: Ashok V. Krishnamoorthy,Alexey Kovsh. Владелец: Axalume, Inc.. Дата публикации: 2024-09-06.

Semiconductor laser driving circuit and semiconductor laser driving method therefor

Номер патента: US6920163B2. Автор: Mitsuo Ishii. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-07-19.

Semiconductor laser driving circuit and semiconductor laser driving method therefor

Номер патента: US20030052370A1. Автор: Mitsuo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor laser device and method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240120704A1. Автор: Akitsugu Niwa,Hodaka SHIRATAKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor laser body, semiconductor laser element, semiconductor laser substrate, electronic apparatus, and method and device for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: EP4358323A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Device for providing the cross-section of the radiation emitted by several solid-state and/or semiconductor diode lasers with a specific geometry

Номер патента: US6124973A. Автор: Keming Du,Peter Loosen. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2000-09-26.

Optical information recording/reproducing apparatus supplying a smaller high-frequency current to a first semiconductor laser for generating a light beam to record information than to a second semiconductor laser for reproducing recorded information

Номер патента: US5781222A. Автор: Akira Miyashita,Takeshi Yamawaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Hybrid semiconductor laser/detectors

Номер патента: US4293826A. Автор: Donald R. Scifres,William Streifer,Robert D. Burnham. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1981-10-06.

Bidirectional long cavity semiconductor laser for improved power and efficiency

Номер патента: US20150333472A1. Автор: Matthew Glenn Peters,Abdullah Demir. Владелец: JDS Uniphase Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Diode laser package for bidirectionally emitting semiconductor laser devices

Номер патента: US11824323B1. Автор: Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Cooler, semiconductor laser light source, semiconductor laser light source unit, method for producing semiconductor laser light source unit, and solid laser

Номер патента: EP1253685A4. Автор: Toru Sugiyama,Jiro Kitayama,Mitsuyasu Matsuo,Youichi Hisamori,Kyoko Fukumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-09-20.

Bidirectional long cavity semiconductor laser for improved power and efficiency

Номер патента: US20170093125A1. Автор: Matthew Glenn Peters,Abdullah Demir. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2017-03-30.

Tunable semiconductor laser based on reconstruction-equivalent chirp and series mode or series and parallel hybrid integration, and preparation thereof

Номер патента: US20160134082A1. Автор: Jun Lu,Song Tang,Yunshan ZHANG,Xiangfei Chen,Lianyan LI. Владелец: Nanjing University Science Park Development Co ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor laser mount

Номер патента: US4802177A. Автор: Hiromi Ishikawa,Kazuo Horikawa,Kenichi Yamagishi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1989-01-31.

Semiconductor laser module and laser machining apparatus

Номер патента: US20240128711A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US11843220B2. Автор: Kazuma KOZURU,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor laser device, the manufacturing method thereof, and multi-wavelength integrated semiconductor laser device

Номер патента: TW200417097A. Автор: Hirokazu Tanaka,Akira Tanaka,Minoru Watanabe,Hideo Shiozawa,Koichi Gen-Ei. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2004-09-01.

Semiconductor laser beam combining device

Номер патента: US11784465B2. Автор: Qian Zhang,Quan Zhou,Dashan Li,Yaping Zhao. Владелец: II VI Suwtech Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method of fabricating semiconductor laser diode apparatus and semiconductor laser diode apparatus

Номер патента: US8085825B2. Автор: Masayuki Hata,Yasuyuki Bessho,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-27.

Semiconductor laser light source module, laser light source device, method of manufacturing semiconductor laser light source module, and method of manufacturing laser light source device

Номер патента: JP6718224B2. Автор: 健 笠原,潤 成沢,笠原　健. Владелец: PHOTON R&D, INC.. Дата публикации: 2020-07-08.

SEMICONDUCTOR LASER, OPERATING METHOD FOR A SEMICONDUCTOR LASER, AND METHOD FOR DETERMINING THE OPTIMUM FILL FACTOR OF A SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20210367406A1. Автор: Lell Alfred,König Harald,Ali Muhammad,Stojetz Bernhard. Владелец: . Дата публикации: 2021-11-25.

Method and apparatus for driving semiconductor lasers, and method and apparatus for deriving drive current patterns for semiconductor lasers

Номер патента: WO2007004726A1. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2007-01-11.

Edge-emitting semiconductor laser diodes and method for producing a plurality of edge-emitting semiconductor laser diodes

Номер патента: WO2023052053A1. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-04-06.

Laser device

Номер патента: US20200303890A1. Автор: Jin Tae Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-09-24.

Cooling module for laser, fabricating method thereof, and semiconductor laser fabricated from the module

Номер патента: US20140204968A1. Автор: Xingsheng Liu. Владелец: Xian Focuslight Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US9780526B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

INP-Based Monolithic Integrated Chaotic Semiconductor Laser Chip Capable Of Feeding Back Randomly Diffused Light

Номер патента: US20200412092A1. Автор: Yi Liu,TONG Zhao,Jianzhong Zhang,Mingjiang Zhang,Lijun Qiao,Anbang Wang,Yuncai Wang,Ya'nan Niu. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-31.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US8494019B2. Автор: Yutaka Inoue,Hideki Hara,Hiroshi Moriya,Yoshihiko IGA,Keiichi Miyauchi. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240146035A1. Автор: Seiji Kitamura. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090080483A1. Автор: Kenji Yoshikawa,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09935423B2. Автор: Kyosuke Kuramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070058687A1. Автор: Masaya Mannoh,Toshiya Fukuhisa,Tsutomu Ukai,Yoshiyuki Matsuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Light emitting device

Номер патента: US12113332B2. Автор: Soichiro Miura,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220209507A1. Автор: Yutaka Inoue,Tadashi Okumura,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090017570A1. Автор: Hisashi Nakayama,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Yasuhiro Fujimoto,Satoshi Murasawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110013655A1. Автор: Hiroaki Maehara,Hitoshi Tada,Yoshihiro Hisa,Hitoshi Sakuma,Tadashi Takase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20050169335A1. Автор: Xin Gao,Yujin Zheng. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2005-08-04.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090135878A1. Автор: Tsutomu Yamaguchi,Kenzo Mori,Hiroo Sakamoto,Yoshihisa Tashiro,Takehiro Nishida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Wafer-level etched facet for perpendicular coupling of light from a semiconductor laser device

Номер патента: US20240275123A1. Автор: Stephen B. Krasulick,John Zyskind,Majid Sodagar,Murtaza Askari. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070019698A1. Автор: Hidetoshi Furukawa,Masaya Mannoh,Toshiya Fukuhisa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Method of manufacturing light emitting module, light emitting module, and projector

Номер патента: US11967803B2. Автор: Takuya Hashimoto,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Multiplewavelength semiconductor laser device array and production method

Номер патента: US20010040906A1. Автор: Kenichi Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US20160111857A1. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US9184560B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Method of manufacturing light emitting module, light emitting module, and projector

Номер патента: US20240222940A1. Автор: Takuya Hashimoto,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US20150055670A1. Автор: Yutaka Inoue,Hideki Hara,Shuichi Usuda. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20090285254A1. Автор: Hitoshi Sato,Toru Takayama,Hiroki Nagai,Isao Kidoguchi,Tomoya Satoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Method for manufacturing semiconductor laser device, and semiconductor laser device

Номер патента: US20240283212A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated semiconductor laser with electronic directivity and focusing control

Номер патента: US5233623A. Автор: Sheldon S. L. Chang. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 1993-08-03.

Light emitting device

Номер патента: US20220190553A1. Автор: Tadayuki Kitajima,Tomokazu TAJI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Multi-beam semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230198228A1. Автор: Tadashi Okumura,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230170666A1. Автор: Hideo Yamaguchi,Masaharu Fukakusa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Light emitting device

Номер патента: US20200343689A1. Автор: Toshiaki Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220263288A1. Автор: Shinichiro Nozaki. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Branching optical waveguide for an index-guided semiconductor laser device

Номер патента: US4752932A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Sadayoshi Matsui,Mototaka Taneya. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-06-21.

Semiconductor laser unit and method for manufacturing optical reflection film

Номер патента: US20070071049A1. Автор: Naoki Kohara,Hironari Takehara,Hisatada Yasukawa,Takai Iwai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Method for producing semiconductor lasers and semiconductor lasers

Номер патента: US12057676B2. Автор: Jörg Erich SORG,Andreas Plossl,Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20190027892A1. Автор: Shingo Tanisaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7184456B2. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050243880A1. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor laser element and laser module

Номер патента: US20240120712A1. Автор: Kyogo Kaneko,Kousuke Torii. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor laser light emitting device

Номер патента: US20230396036A1. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Hiroki SHIROZONO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-12-07.

Light-emitting device as well as lighting apparatus and display apparatus using the same

Номер патента: US20090251883A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Yukio Yamasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-10-08.

Light emitting device

Номер патента: US20220209497A1. Автор: Soichiro Miura,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Light emitting device

Номер патента: US11784461B2. Автор: Soichiro Miura,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Optical semiconductor device and semiconductor laser device

Номер патента: US20220344906A1. Автор: Hiroyuki Tarumi,Kenichi Nishi,Yuki Kamata,Yutaka Ohnishi,Keizo Takemasa. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Bar-shaped semiconductor laser chip and method of fabrication thereof

Номер патента: US20100103968A1. Автор: Yasuo Baba,Yasuhiko Matsushita,Yukio Gotoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Semiconductor laser array

Номер патента: US4694461A. Автор: Saburo Yamamoto,Sadayoshi Matsui,Mototaka Taneya,Seiki Yano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-09-15.

Semiconductor laser device including heat sink with pn junction

Номер патента: US5636234A. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Semiconductor laser, semiconductor laser array and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US11870213B2. Автор: Yosuke Suzuki,Yohei HOKAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Manufacturing method of light-emitting device

Номер патента: USRE49645E1. Автор: Seiji Kiyota,Soichiro Miura,Eiichiro OKAHISA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor Laser Diode

Номер патента: US20200194957A1. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-06-18.

Light emitting device

Номер патента: US12107384B2. Автор: Shota Murakami,Soichiro Miura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Light emitting device

Номер патента: US20230253756A1. Автор: Tadayuki Kitajima,Tomokazu TAJI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Light emitting device

Номер патента: US20230369824A1. Автор: Soichiro Miura,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Light emitting device

Номер патента: US11962121B2. Автор: Tadayuki Kitajima,Tomokazu TAJI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor laser

Номер патента: US20050207462A1. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Control of current spread in semiconductor laser devices

Номер патента: US12095232B2. Автор: Evgeny Zibik,Wilfried Maineult. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor laser module and laser machining apparatus

Номер патента: US20240305060A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor laser device and external resonance-type laser device

Номер патента: US20220255293A1. Автор: Takashi Kano,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Light emitting device

Номер патента: US11837845B2. Автор: Shota Murakami,Soichiro Miura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Alingaas/ingaasp/inp edge emitting semiconductor laser including multiple monolithic laser diodes

Номер патента: US20230223742A1. Автор: David M. Bean,Sidi Aboujja. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2023-07-13.

Alingaas/ingaasp/inp edge emitting semiconductor laser including multiple monolithic laser diodes

Номер патента: EP4158741A1. Автор: David M. Bean,Sidi Aboujja. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2023-04-05.

Quantum cascade semiconductor laser

Номер патента: US20200067282A1. Автор: Hiroyuki Yoshinaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Mount member and light emitting device

Номер патента: US20200251881A1. Автор: Soichiro Miura,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Edge-emitting semiconductor laser with photonic-bandgap structure formed by intermixing

Номер патента: US20100142575A1. Автор: Jason P. Watson,Thomas C. Hasenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Light-emitting device

Номер патента: US20240047934A1. Автор: Tadayuki Kitajima. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230108080A1. Автор: Masaharu Fukakusa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US20200227888A1. Автор: Kazuma KOZURU,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor laser with integral spatial mode filter

Номер патента: US5703897A. Автор: Donald R. Scifres,David F. Welch,David G. Mehuys. Владелец: SDL Inc. Дата публикации: 1997-12-30.

Broad-bandwidth laser with reduced mode beating

Номер патента: US20240291237A1. Автор: Ashok V. Krishnamoorthy,Alexey Kovsh. Владелец: Axalume Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor laser apparatus and optical apparatus

Номер патента: US20050232321A1. Автор: Masayuki Hata,Daijiro Inoue,Yasuhiko Nomura,Yasuyuki Bessho. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for assembling array-type semiconductor laser device

Номер патента: US20090042327A1. Автор: Shinichi Nakatsuka. Владелец: Ricoh Printing Systems Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Light emitting device and method for manufacturing light emitting device

Номер патента: US20220376466A1. Автор: Yoshihiro Kimura,Tadaaki Miyata,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Folded waveguide structure semiconductor laser

Номер патента: US20180191133A1. Автор: Ning Cheng. Владелец: FutureWei Technologies Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor laser device and method of making the same

Номер патента: US10063027B2. Автор: Hisayoshi Kitajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductor laser array

Номер патента: CA2875175C. Автор: Toru Yoshihara,Tetsuya Nishimura,Yuki Hasegawa,Mitsuaki Futami,Shinji Yagyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US7149235B2. Автор: Osamu Goto,Masao Ikeda,Shiro Uchida,Tsuyoshi Tojo,Tomonori Hino,Yoshifumi Yabuki,Shinichi Ansai. Владелец: Sony Shiroishi Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Laser device, optical amplifier, optical transmission device, and determination method

Номер патента: US20170141537A1. Автор: Miki Onaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Light-emitting device

Номер патента: US11811190B2. Автор: Tatsuya Kanazawa,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Semiconductor laser epitaxial structure

Номер патента: US20230396040A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai,Chien-Hung Pan,Chun-huang WU. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor laser

Номер патента: WO1992015136A1. Автор: Rodney Stuart Tucker. Владелец: THE UNIVERSITY OF MELBOURNE. Дата публикации: 1992-09-03.

Semiconductor laser device including multiple-quantum wells of different widths that uses carrier redistribution to adjust wavelength of light

Номер патента: US20030193979A1. Автор: Ching-Fuh Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Monolithically integrated tunable semiconductor laser

Номер патента: WO2013030550A3. Автор: Andrew Ward,Sam Davies,Neil David Whitbread. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2013-04-25.

Heat sink material, manufacturing method for the same, and semiconductor laser device

Номер патента: CA2560410C. Автор: Takashi Ishii,Hideaki Morigami. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Phase-locked semiconductor laser device

Номер патента: CA1190635A. Автор: Takashi Kajimura,Takao Kuroda,Jun-Ichi Umeda,Hisao Nakashima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-07-16.

Semiconductor laser device, method for manufacturing a semiconductor laser device and projection device

Номер патента: WO2023088859A1. Автор: Hubert Halbritter,Ann RUSSELL. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-25.

Light-emitting device

Номер патента: US20210184423A1. Автор: Tatsuya Kanazawa,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor laser device, method for manufacturing a semiconductor laser device and projection device

Номер патента: US20230163565A1. Автор: Hubert Halbritter,Ann RUSSELL. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020006710A1. Автор: Michio Ohkubo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor laser

Номер патента: US20050232325A1. Автор: Masahiro Kume,Isao Kidoguchi,Tetsuo Ueda,Toshiya Kawata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-20.

Phase-locked semiconductor laser device

Номер патента: CA1150811A. Автор: Hiroshi Matsuda,Takashi Kajimura,Takao Kuroda,Jun-Ichi Umeda,Hisao Nakashima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-07-26.

Semiconductor laser device capable of emitting laser beams of different wavelengths

Номер патента: US4747110A. Автор: Yasuhito Takahashi,Mototsugu Ogura,Nobuyasu Hase. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-05-24.

Optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device and method for the manufacture thereof

Номер патента: US6954479B2. Автор: Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-10-11.

Dual-wavelength semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US7706423B2. Автор: Masahiro Kume,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Shouichi Takasuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

Semiconductor Laser Device and Method for Fabrication Thereof

Номер патента: US20080247439A1. Автор: Seiji Kawamoto,Kenji Nakashima,Yozo Uchida. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Wafer-level etched facet for perpendicular coupling of light from a semiconductor laser device

Номер патента: US11901692B2. Автор: Stephen B. Krasulick,John Zyskind,Majid Sodagar,Murtaza Askari. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Light-emitting device having self-cooled semiconductor laser

Номер патента: US10770861B1. Автор: Marek Osinski,Gennady A. Smolyakov. Владелец: UNM Rainforest Innovations. Дата публикации: 2020-09-08.

Semiconductor Laser, Laser Assembly and Method of Making a Semiconductor Laser

Номер патента: US20180212404A1. Автор: Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter,Roland Enzmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-07-26.

Laser module and laser device

Номер патента: EP3780299A1. Автор: Yohei Kasai. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Wafer-level etched facet for perpendicular coupling of light from a semiconductor laser device

Номер патента: US20220166183A1. Автор: Stephen B. Krasulick,John Zyskind,Majid Sodagar,Murtaza Askari. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor laser diode and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080291960A1. Автор: Yutaka Inoue,Yasuhisa Semba,Susumu Sorimachi,Kouichi Kouzu. Владелец: Opnext Japan Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor laser chip having a layer structure to reduce the probability of an ungrown region

Номер патента: US4731790A. Автор: Masaaki Sawai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-03-15.

Optically pumpable surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20050259700A1. Автор: Stephan Lutgen,Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder,Werner Späth,Ulrich STEEGMÜLLER. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor laser element, integrated semiconductor laser element, and method for producing semiconductor laser element

Номер патента: US9509121B2. Автор: Go Kobayashi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Method of manufacturing light emitting device, light emitting device, and base member

Номер патента: EP3706262A2. Автор: Tadayuki Kitajima,Tomokazu TAJI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-09-09.

Method of manufacturing light emitting device, light emitting device, and base member

Номер патента: US20200266605A1. Автор: Tadayuki Kitajima,Tomokazu TAJI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20180054038A1. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Phovel Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Tunable laser with multiple in-line sections

Номер патента: WO2014201343A1. Автор: Jun Zheng,I-Lung HO,Yi Wang,Klaus Alexander ANSELM,Huanlin ZHANG,Dion MCINTOSH-DORSEY. Владелец: APPLIED OPTOELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor laser array and semiconductor laser array circuit arrangement

Номер патента: US11228161B2. Автор: Martin Mueller,Guenther Groenninger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-01-18.

Method for manufacturing semiconductor laser apparatus, semiconductor laser apparatus, and optical apparatus

Номер патента: US20120093185A1. Автор: Gen Shimizu,Shinichiro Akiyoshi. Владелец: Sanyo Optec Design Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor laser array and semiconductor laser array circuit arrangement

Номер патента: US20200321753A1. Автор: Martin Mueller,Guenther Groenninger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor laser module

Номер патента: US9203212B2. Автор: Hideaki Hasegawa,Tatsuya Kimoto,Tatsuro Kurobe. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-01.

Semiconductor laser element and semiconductor laser element array

Номер патента: EP1796233A4. Автор: You Wang,Akiyoshi Watanabe,Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2009-03-25.

Automatic power control of a semiconductor laser array

Номер патента: US6115398A. Автор: Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Multi-wavelength semiconductor laser device

Номер патента: GB2470984A. Автор: Yuji Okura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-12-15.

Semiconductor light-emitting device capable of having good stability in fundamental mode of oscillation, decreasing current leakage, and lowering oscillation threshold limit, and method of making the same

Номер патента: US5717709A. Автор: Osamu Yamamoto,Kazuaki Sasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

High-power quantum cascade lasers with active-photonic-crystal structure

Номер патента: US20120201263A1. Автор: Dan Botez,Luke J. Mawst. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4035236A1. Автор: Nobuaki Kaji,Tatsuya Oiwa,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-03.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: US20220344897A1. Автор: Nobuaki Kaji,Tatsuya Oiwa,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20210075192A1. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-03-11.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US11437783B2. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-06.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240079847A1. Автор: Tomoichiro Toyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Electron beam pumped semiconductor laser screen and associated fabrication method

Номер патента: US20040028109A1. Автор: Robert Morgan,Robert Rice,Neil Ruggieri,J. Whiteley,Richard Skogman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-02-12.

Method of designing semiconductor laser device, method of designing raman amplifier, methods of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device, raman amplifier, and optical communication system

Номер патента: US20160285237A1. Автор: Junji Yoshida,Hideaki Hasegawa,Noriyuki Yokouchi,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor laser device and method of controlling light amount of semiconductor laser

Номер патента: US20010048697A1. Автор: Kiyoshi Kondou. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device

Номер патента: US20040053430A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Osamu Hamaoka,Ikuo Kohashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device

Номер патента: US20010002916A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Osamu Hamaoka,Ikuo Kohashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-07.

Surface-emitting type semiconductor laser, optical transmission apparatus, and manufacturing method of surface-emitting type semiconductor laser

Номер патента: US20240250501A1. Автор: Atsushi Mukai,Kazutaka Takeda,Takeshi MINAMIRU,Naoya SEKITA,Yuto IWANE,Koga MIZUNO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor laser diode array and the method for manufacturing a two-dimensional semiconductor laser diode array

Номер патента: EP4309254A1. Автор: Anna Kafar,Piotr Perlin,Szymon STANCZYK,Krzysztof GIBASIEWICZ,Jacek KACPERSKI,Kiran SABA. Владелец: Instytut Wysokich Cisnien of PAN. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5729561A. Автор: Misao Hironaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Light emitting device including light-transmissive member and lens member

Номер патента: US11848533B2. Автор: Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Light emitting device including light-transmissive member and lens member

Номер патента: US20240097398A1. Автор: Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor laser device, method for manufacturing the same and optical pickup apparatus

Номер патента: US7489716B2. Автор: Osamu Hamaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-02-10.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4033619A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Light emitting device

Номер патента: US20180358776A1. Автор: Shinichi Nagahama,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-12-13.

Light emitting device

Номер патента: US20210364134A1. Автор: Shinichi Nagahama,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Solid-state laser apparatus excited by laser light from semiconductor laser unit having increased resonator length

Номер патента: US6795475B1. Автор: Yoji Okazaki,Hisashi Ohtsuka. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-21.

Light emitting device and method of controlling light emitting device

Номер патента: US20130107900A1. Автор: Akinori Hayakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4019895A1. Автор: Takashi Kobayashi,Nobuaki Kaji,Motoi Kimura,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Light emitting device and method of controlling light emitting device

Номер патента: US8654803B2. Автор: Akinori Hayakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-02-18.

Method of manufacturing masked semiconductor laser

Номер патента: US4855256A. Автор: Hiroshi Kobayashi,Haruhiko Machida,Yasushi Ide,Jun Akedo,Makoko Harigaya. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-08-08.

Semiconductor laser device capable of suppressing leakage current in light emitting end surface and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030091079A1. Автор: Makoto Yokota. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Light emitting device

Номер патента: US7164148B2. Автор: Takashi Mizuno,Hiroshi Yoshida,Tadashi Taniguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-01-16.

Forced wavelength chirping in semiconductor lasers

Номер патента: US20080175285A1. Автор: Martin Hai Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: GB201016929D0. Автор: . Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2010-11-24.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8085826B2. Автор: Yuhzoh Tsuda,Masataka Ohta,Yoshie Fujishiro. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Semiconductor laser driving apparatus to be used for optical information recording and reproducing apparatus

Номер патента: US5018155A. Автор: Nobuo Miyairi. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-21.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11962123B2. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240154385A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210143607A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor laser drive device and method for manufacturing same

Номер патента: EP3783759A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-02-24.

Semiconductor laser device and analysis apparatus

Номер патента: US11949210B2. Автор: Shintaro Masuda,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kimihiko Arimoto,Hirotaka ISEKI. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220346288A1. Автор: Masayuki Nagao,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20060140555A1. Автор: Junichi Matsuno,Koji Doi,Keiji Kataoka,Yasuyuki Shibayama,Susumu Monma. Владелец: Ricoh Printing Systems Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor laser shaping device

Номер патента: US20210255467A1. Автор: Huaping Zhang,Shaofeng Zhang,Guanglei Ding,Jianyang Yang,Haocheng Hu,Yawei Yan,Renliang Wan. Владелец: Fujian Haichuang Photoelectric Co ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4040615A1. Автор: Masayuki Nagao,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4007091A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220302674A1. Автор: Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor laser driving device, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor laser driving device

Номер патента: EP4027379A1. Автор: Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-13.

Semiconductor laser device, method for manufacturing the same and optical pickup apparatus

Номер патента: US20070165684A1. Автор: Osamu Hamaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Semiconductor laser source unit

Номер патента: US4953171A. Автор: Tomohiro Nakajima,Kazuyuki Shimada,Katsumi Yamaguchi,Nobuo Sakuma,Seizoh Suzuki. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1990-08-28.

Semiconductor laser driving circuit

Номер патента: US20190027893A1. Автор: Kazuma Watanabe,Ichiro Fukushi,Akiyuki KADOYA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor laser driving circuit

Номер патента: US10361535B2. Автор: Kazuma Watanabe,Ichiro Fukushi,Akiyuki KADOYA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

End-face-processing jig, and method of manufacturing semiconductor laser using end-face-processing jig

Номер патента: US20090181479A1. Автор: Yasuyuki Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Driver circuit for semiconductor light-emitting device

Номер патента: US4900912A. Автор: Takashi Shoji. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1990-02-13.

METHOD OF DESIGNING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, METHOD OF DESIGNING RAMAN AMPLIFIER, METHODS OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, RAMAN AMPLIFIER, AND OPTICAL COMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20160285237A1. Автор: Hasegawa Hideaki,Yokouchi Noriyuki,YOSHIDA Junji,IRINO Satoshi,SAWAMURA Taketsugu. Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor laser modulation control system

Номер патента: CA1281075C. Автор: Hiroshi Nishimoto,Naoki Kuwata,Tadashi Okiyama,Yasunari Arai,Takashi Touge. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-03-05.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US4998256A. Автор: Mitsuko Nakamura,Shigeru Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-03-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20100232468A1. Автор: Takashi Shiota,Takesh Kitatani. Владелец: Opnext Japan Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Jig for Can-Package Semiconductor Laser

Номер патента: US20150349489A1. Автор: Kenichi Tamura,Yoshinori Sunaga. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of and apparatus for controlling wavelength variable semiconductor laser without preparing a high-precision current table

Номер патента: US20040008743A1. Автор: Tetsuya Nishimura,Yoshihito Hirano,Mitsunobu Gotoda,Masao Imaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-15.

Semiconductor device, semiconductor laser device, manufacturing method for semiconductor device, manufacturing method for semiconductor laser device, optical disk device and optical transmission system

Номер патента: US20050176165A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-08-11.

Method of stabilizing compound semiconductor surface, method of manufacturing semiconductor laser device using the same, and semiconductor device such as semiconductor laser device

Номер патента: JP3778769B2. Автор: 昌規 渡辺. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device

Номер патента: TW486847B. Автор: Takeshi Horiguchi,Osamu Hamaoka,Ikuo Kohashi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2002-05-11.

Semiconductor laser device, manufacturing method thereof, and manufacturing method of semiconductor laser device

Номер патента: JP6402549B2. Автор: 享 原田,康博 川田,原田　享. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-10-10.

Semiconductor optical device, semiconductor laser using the semiconductor optical device, and optical transponder using the semiconductor laser

Номер патента: EP2091118A1. Автор: Hiroshi Mori. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2009-08-19.

Semiconductor laser, manufacturing method thereof, optical module and optical communication system using semiconductor laser

Номер патента: JP3339486B2. Автор: 裕幸 山崎. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-10-28.

Method for producing light-emitting device

Номер патента: US09812843B2. Автор: Masaya KUMEI. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12113330B2. Автор: Kenji Sakai,Kazuyoshi Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Light-emitting device

Номер патента: US20230208111A1. Автор: Takeshi Imai,Koji Yuasa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Surface-emitting semiconductor laser and method for manufacturing thereof as well as optical device

Номер патента: EP1528647A3. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-11.

Laser device with adjustable polarisation

Номер патента: RU2659749C2. Автор: Марк КАРПАЙ,Ульрих ВАЙХМАНН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-07-03.

Laser device

Номер патента: US20240275124A1. Автор: Stephan Gronenborn,Holger Joachim MOENCH. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP4207520A1. Автор: Liang Hao,Rui Liu,Xiaoguang He. Владелец: Nanjing Fiber Foton Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device

Номер патента: US7970035B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor laser light-emitting device and method for manufacturing semiconductor laser light-emitting device

Номер патента: US20240006843A1. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Hiroki SHIROZONO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-01-04.

Light emitting device

Номер патента: US20180087726A1. Автор: Toshiaki Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8594145B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20190252851A1. Автор: Shingo Tanisaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Method for manufacturing surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20070202622A1. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220166185A1. Автор: Naoki Nakamura,Naoki Kosaka,Ryosuke MIYAGOSHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor laser device with an inspection window, and an inspection method therefor

Номер патента: US6553047B1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-04-22.

Semiconductor laser excited solid state laser device and laser light output method

Номер патента: US20150078407A1. Автор: Kazuya Inoue,Katsuhiko Tokuda,Mamoru Hisamitsu,Kazutomo Kadokura. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090180505A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110096805A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

External-resonator-type light-emitting device

Номер патента: US09979157B2. Автор: Shoichiro Yamaguchi,Tetsuya Ejiri,Jungo Kondo. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor laser

Номер патента: US5805628A. Автор: Shoichi Karakida,Takashi Nishimura,Tatsuya Kimura,Norio Hayafuji,Hirotaka Kizuki,Motoharu Miyashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-09-08.

Circuit for preventing destruction of semiconductor laser element, and optical disc device provided with the circuit

Номер патента: US20120300605A1. Автор: Tsutomu Asai. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same, and optical transmission module and optical disk apparatus using the semiconductor laser device

Номер патента: US20070243644A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Shuichi Hirukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240275134A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Keiji Hidaka,Junxiong NIU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20190379179A1. Автор: Yasuo Kan,Ryuhichi Sogabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP2642622A3. Автор: Tsuyoshi Hirao,Shingo Masui,Yasuhiro Kawata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-11.

Semiconductor laser device, manufacturing method thereof, and laser bar locking apparatus

Номер патента: US20030122136A1. Автор: Noboru Oshima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8420419B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus

Номер патента: US20060202188A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Takeshi Kamikawa,Mototaka Taneya,Yuhzoh Tsuda,Yoshihiro Ueta,Teruyoshi Takakura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus

Номер патента: US20090236585A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Takeshi Kamikawa,Mototaka Taneya,Yuhzoh Tsuda,Yoshihiro Ueta,Teruyoshi Takakura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Light emitting device

Номер патента: EP4351130A3. Автор: Soichiro Miura,Tatsuya Kanazawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-06-26.

Semiconductor laser device, optical apparatus, and method of controlling semiconductor laser device

Номер патента: US20240250499A1. Автор: Daisuke Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050265413A1. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor Laser Device

Номер патента: US20080285611A1. Автор: Tsuyoshi Fujimoto. Владелец: Optoenergy Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Method for manufacturing semiconductor laser device including wavelength converting member and light transmissive member

Номер патента: US09991672B2. Автор: Yukihiro Hayashi,Naoto Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Light emitting device

Номер патента: US09991668B2. Автор: Toshiaki Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09948060B2. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20050147149A1. Автор: Kazuyoshi Fuse. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Edge emitting semicondcutor laser diode; method for producing a semicondcutor laser device and semicondcutor laser device

Номер патента: WO2024046669A1. Автор: Sven GERHARD,Mariel Grace Jama. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12080990B2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Laser device for projecting structured light pattern onto scene

Номер патента: RU2655475C2. Автор: Стефан ГРОНЕНБОРН,Хольгер МЕНХ,Марк КАРПАЙ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-05-28.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20150023380A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

To-can package semiconductor laser device having a pinless region on the underside of the package

Номер патента: US10804675B2. Автор: Yasushi Takizawa,Shintaro MIYAMOTO,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2020-10-13.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9397472B2. Автор: Kimio Shigihara,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150357789A1. Автор: Kimio Shigihara,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor laser apparatus and method of observing semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20010046770A1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Mounting semiconductor lasers on heat sinks

Номер патента: GB2304995A. Автор: Misao Hironaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-03-26.

Semiconductor laser array

Номер патента: EP1143584A3. Автор: Kunio Ito,Seiichiro Tamai,Masaaki Yuri,Masaru Kazamura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-23.

Nitride semiconductor laser chip, nitride semiconductor laser device, and manufacturing method of nitride semiconductor laser chip

Номер патента: US20090180507A1. Автор: Yasuhiko Matsushita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020196828A1. Автор: Shinji Abe,Tetsuya Yagi,Harumi Nishiguchi,Nobuyuki Kasai,Junji Tanimura,Yoshihisa Tashiro,Motoharu Miyashita,Yuji Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Light emitting device

Номер патента: US20230038900A1. Автор: Shinichi Nagahama,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor laser device, diffraction grating structure, and diffraction grating

Номер патента: US20180351328A1. Автор: Yasumasa Kawakita,Kazuaki Kiyota. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US11128105B2. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Teruyoshi Takakura,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11081857B2. Автор: Nobuhiro Ohkubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090175305A1. Автор: Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor laser device and optical pickup using the same

Номер патента: US20040066813A1. Автор: Kazunori Matsubara,Hideshi Koizumi,Ayumi Yagi,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor laser device and optical pickup using the same

Номер патента: US6983002B2. Автор: Kazunori Matsubara,Hideshi Koizumi,Ayumi Yagi,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-01-03.

Semiconductor laser device and laser module using same

Номер патента: US20040179565A1. Автор: Michio Ohkubo,Satoru Okada,Tsuyoshi Fujimoto,Kiyofumi Muro,Yutaka Ohki,Takeshi Koiso,Atsushi Ohkubo. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and semiconductor laser control method

Номер патента: US20030063646A1. Автор: Junji Yoshida. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module

Номер патента: US20080044936A1. Автор: Toshio Kimura,Takeshi Aikiyo,Masashi Nakae. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: CA3166664C. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: AU2021238958B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: US20200274331A1. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: US11114821B2. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor laser apparatus and method of producing the same

Номер патента: US20030063640A1. Автор: Ikuo Kohashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor laser

Номер патента: US20060239318A1. Автор: Fumie Kunimasa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20200251885A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Teruyoshi Takakura,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: EP3703200A2. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-09-02.

Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200185878A1. Автор: Nobuhiro Ohkubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US10050413B2. Автор: Wei Lin,Shu-Wei Chiu,Yin-Jie Ma. Владелец: LANDMARK OPTOELECTRONICS Corp. Дата публикации: 2018-08-14.

Method, system and apparatus for hybrid optical and electrical pumping of semiconductor lasers and leds for improved reliability at high temperatures

Номер патента: US20150333477A1. Автор: Duane Louderback. Владелец: Zephyr Photonics Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20210005800A1. Автор: Kazuma KOZURU,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220190224A1. Автор: Kazuma KOZURU,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: US11777275B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12040590B2. Автор: Kenji Sakai,Hiroyuki Tajiri,Kazuyoshi Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030202551A1. Автор: Shoji Hirata,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7113532B2. Автор: Shoji Hirata,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-09-26.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070063212A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kouji Ueyama,Shinichirou Akiyoshi. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor laser apparatus and optical pickup apparatus using same

Номер патента: US20030174748A1. Автор: Kazunori Matsubara,Ayumi Yagi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Method for the production of a semiconductor laser device

Номер патента: US5171706A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Masaki Kondo,Kazuaki Sasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Semiconductor laser device manufacturing method and semiconductor laser device

Номер патента: US20060121633A1. Автор: Tadashi Takeoka,Takuroh Ishikura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US20040165627A1. Автор: Kazunori Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080008221A1. Автор: Takashi Ueda,Koji Yamada,Yoshihiko Kobayashi,Tomoki Nozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09979154B2. Автор: Masashi Tatsukawa,Mitsuyuki Mochizuki,Yuichi Shibata. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Surface-emitting semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030016713A1. Автор: Tsuyoshi Kaneko. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-23.

Light emitting device including base and base cap

Номер патента: US20230291181A1. Автор: Tomokazu TAJI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Wavelength Selective and Tunable Semiconductor Laser Device With Coupled Cavities

Номер патента: US20080181265A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor laser device and optoelectronic component

Номер патента: US20240235150A1. Автор: Johann Ramchen,Joerg Erich Sorg. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US8477820B2. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-07-02.

Method of tuning a semiconductor laser device having coupled cavities

Номер патента: US20110019702A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US7088754B2. Автор: Kazunori Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1286440A3. Автор: Masayuki Iwami,Hirotatsu Ishii,Mikihiro Yokozeki,Kaname Saito. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-27.

Method of operating a semiconductor laser as a mode-locked semiconductor laser and devices for implementing the method

Номер патента: CA2069657A1. Автор: Michael Schilling,Olaf Hildebrand,Klaus Wunstel,Dieter Baums,Heinz Schweizer,Kaspar Dütting,Wilfried Idler,Gert Laube. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-01.

Semiconductor laser device and a method of growing a semiconductor laser device

Номер патента: US5828685A. Автор: Geoffrey Duggan. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-10-27.

Semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110292959A1. Автор: Yoshiaki Hasegawa,Naoto Shimada,Toshitaka Shimamoto,Kouji Makita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Nitride-composite semiconductor laser element, its manufacturing method, and semiconductor optical device

Номер патента: US20100278205A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1037342A3. Автор: Masato Ishino,Yoshiaki Nakano,Masahiro Kito,Tomoaki Toda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-05.

Semiconductor laser unit and optical pick-up device using the same

Номер патента: US20020044589A1. Автор: Takahiro Miyake,Kentaro Terashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020187576A1. Автор: Tetsuya Hosoda. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20030092211A1. Автор: Tetsuya Hosoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for producing a waveguide structure in a surface-emitting semiconductor laser and surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20060078029A1. Автор: Markus-Christian Amann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Semiconductor laser and laser radar device having the semiconductor laser

Номер патента: US11817678B2. Автор: Seiichi Takayama,Ryuji Fujii,Ryo Hosoi,Kang GAO. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Light-emitting device, method for producing package, and method for producing light-emitting device

Номер патента: US20230283041A1. Автор: Hidenori Matsuo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor Laser and Laser Radar Device Having the Semiconductor Laser

Номер патента: US20220311217A1. Автор: Seiichi Takayama,Ryuji Fujii,Ryo Hosoi,Kang GAO. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor laser with metal pull-back dbr grating

Номер патента: WO2024107267A1. Автор: Yifan Jiang,Padman Parayanthal,Wolfgang PARZ. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US7912103B2. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor laser drive device and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20120027037A1. Автор: Hiroaki Kyogoku,Daijiroh SUMINO. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US20070115227A1. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Improved semiconductor laser

Номер патента: WO2002011257A1. Автор: John Haig Marsh,Craig James Hamilton,Olek Peter Kowalski. Владелец: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW. Дата публикации: 2002-02-07.

Improved semiconductor laser

Номер патента: EP1413020A1. Автор: John Haig Marsh,Craig James Hamilton,Olek Peter c/o University of Glasgow KOWALSKI. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2004-04-28.

Method and apparatus for semiconductor laser driving capable of stably generating consistent optical pulse widths of laser diodes

Номер патента: US20050141576A1. Автор: Junichi Ikeda,Hiroaki Kyougoku. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Wavelength-stabilized semiconductor laser source

Номер патента: US20190097385A1. Автор: Henry A. Blauvelt. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Laser device, laser display apparatus, laser radiating apparatus, and nonlinear optical element

Номер патента: US8390920B2. Автор: Kaoru Kimura,Michio Oka,Akio Furukawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110051770A1. Автор: Masao Kawaguchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240291227A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor laser and optical amplifier photonic package

Номер патента: AU2023203293B2. Автор: Lei Wang,Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Optical pumping-type solid-state laser apparatus with a semiconductor laser device

Номер патента: US5025449A. Автор: Osamu Yamamoto,Toshihiko Yoshida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-06-18.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5590144A. Автор: Akira Amano,Shoji Kitamura,Yoichi Shindo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-12-31.

Semiconductor laser device and optical fiber amplifier

Номер патента: CA2371504C. Автор: Yasuaki Yoshida,Takeshi Fujita,Kimio Shigihara,Kiyohide Sakai,Tatsuo Hatta,Yuuhiko Hamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

Light source device including laser-excited light source

Номер патента: US11906430B2. Автор: Yuichi Miura,Kiyoyuki Kabuki. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-02-20.

Light-emitting device

Номер патента: US20170345984A1. Автор: Toshiaki Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-11-30.

Light-emitting device

Номер патента: US20190148609A1. Автор: Toshiaki Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor laser driving device and semiconductor laser driving method

Номер патента: US20090232174A1. Автор: Junichi Furukawa,Kiyoshi Tateishi. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US20020001326A1. Автор: Toyoji Chino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: CA3186204A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor laser device with multi-dimensional-photonic-crystallized region

Номер патента: US7248612B2. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-07-24.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: WO2022016281A9. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: TERAXION INC.. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: EP4186131A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2023-05-31.

Nonequilibrium pulsed femtosecond semiconductor disk laser with non-equidistant mqw structure

Номер патента: WO2018093435A3. Автор: Jerome V. Moloney,Stephan W. Koch,Isak RAGNVALD KILEN. Владелец: Arizona Board of Regents on Behalf of the University of Arizona. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US11967802B2. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control

Номер патента: US7781244B2. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: US12040597B2. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: WO2013069301A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US6674779B2. Автор: Toyoji Chino. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-06.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: GB201207790D0. Автор: . Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-13.

Semiconductor laser having protruding portion

Номер патента: US7751454B2. Автор: Akinori Yoneda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Electrically-pumped organic semiconductor laser arrangement

Номер патента: WO2024175876A1. Автор: Ifor Samuel,Kou Yoshida,Graham TURNBULL,Junyi GONG. Владелец: UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF ST ANDREWS. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: US20240356305A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for producing a multiplicity of semiconductor laser chips, and semiconductor laser chip

Номер патента: US20240364073A1. Автор: Norwin von Malm,Martin Rudolf Behringer. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20020172252A1. Автор: Masahiro Kanda,Masahiko Namiwaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20040101010A1. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Ridge-shaped laser structure and surface etched grating semiconductor laser with periodic pumping

Номер патента: US20230216274A1. Автор: Fang Wu,Yury Logvin,Kirill Y. PIMENOV,Christopher D. WATSON,Yongbo TANG. Владелец: Shenzhen Banyan Photonics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240030678A1. Автор: Nobutaka Suzuki,Tadataka Edamura,Naota Akikusa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: EP2777108A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-17.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090116528A1. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20010015991A1. Автор: Akihiko Kasukawa,Mikihiro Yokozeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240283213A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7792172B2. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1130721A3. Автор: Akihiko The Furukawa Electric Co. Ltd. KASUKAWA,Mikihiro The Furukawa Electric Co. Ltd. Yokozeki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-05.

Semiconductor laser apparatus assembly

Номер патента: US09906000B2. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20180138663A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Light-emitting device

Номер патента: US20200066951A1. Автор: Toshiaki Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Light emitting device

Номер патента: US11837843B2. Автор: Soichiro Miura,Tatsuya Kanazawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220231478A1. Автор: Takeshi YAMATOYA,Takashi Nagira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor laser chip and method for fabricating a semiconductor laser chip

Номер патента: US20020102756A1. Автор: Bernd Borchert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Tunable semiconductor laser device and method for operating a tunable semiconductor laser device

Номер патента: EP2647092A1. Автор: Michael Engelmann,Bob Van Someren. Владелец: Euphoenix Bv. Дата публикации: 2013-10-09.

Semiconductor laser drive circuit and photoelectric sensor

Номер патента: EP1494324A3. Автор: Takayuki Takeda,Takayuki Ochiai. Владелец: Sunx Ltd. Дата публикации: 2005-01-12.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: US20180006428A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: Provenance Asset Group LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Driver circuit and method for a semiconductor laser

Номер патента: US20240243547A1. Автор: Jon C. Zeisler. Владелец: Streamlight Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Thermal compensation in semiconductor lasers

Номер патента: EP2062336A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hai Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Thermal compensation in semiconductor lasers

Номер патента: WO2008039313A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hai Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-03.

Heterostructure semiconductor laser diode

Номер патента: US4794610A. Автор: Werner Schairer,Jochen Gerner. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1988-12-27.

Semiconductor laser diode integrated with memristor

Номер патента: US20220069541A1. Автор: Di Liang,John Paul Strachan,Bassem Tossoun. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2022-03-03.

Low noise non-resonant gain structure semiconductor lasers

Номер патента: WO2024121825A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-06-13.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: WO2016116565A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor laser device capable of preventing degradation of characteristics

Номер патента: US20010043634A1. Автор: Takahiro Arakida,Hitoshi Hotta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030193976A1. Автор: Takehiro Shiomoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020024982A1. Автор: Akira Iketani. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20170315311A1. Автор: Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Etsuji Katayama,Toshia KIMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: WO2010065731A3. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: WO2010065731A9. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor light emitting device

Номер патента: US7745895B2. Автор: Hiroshi Inada,Yasuhiro Iguchi,Youichi Nagai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-06-29.

Semiconductor laser driving device, lidar provided with semiconductor laser driving device, and vehicle provided with semiconductor laser driving device

Номер патента: EP4242686A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor laser driving apparatus, lidar including semiconductor laser driving apparatus, and vehicle including semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20240006850A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Light-emitting device

Номер патента: EP3875850A2. Автор: Seiji Kiyota,Eiichiro OKAHISA,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-09-08.

Light-emitting device

Номер патента: EP4346032A1. Автор: Soichiro Miura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor Laser Device and Semiconductor Laser Element Array

Номер патента: US20070230528A1. Автор: Akiyoshi Watanabe,Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2007-10-04.

Light-emitting device

Номер патента: US20240113503A1. Автор: Soichiro Miura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Soldering system of semiconductor laser element

Номер патента: US20170373466A1. Автор: Tetsuhisa Takazane. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020075915A1. Автор: Ayumi Yagi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Process for the production of a semiconductor laser with tape geometry and laser obtained by this process

Номер патента: US4742013A. Автор: Louis Menigaux. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-05-03.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US11133651B2. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20200244041A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor laser device and method of controlling semiconductor laser device

Номер патента: US20230333396A1. Автор: Hideo Yamaguchi,Masaharu Fukakusa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor laser apparatus, information recording/reproduction apparatus and image recording apparatus

Номер патента: US20020057721A1. Автор: Toyoki Taguchi,Tetsuya Nagahama,Masayuki Tazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Driving device for semiconductor laser

Номер патента: US5084887A. Автор: Tsuyoshi Ohashi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1992-01-28.

Monolithically Integrated Tunable Semiconductor Laser

Номер патента: US20150010033A1. Автор: Robert Griffin,Andrew John Ward,Sam Davies,Neil David Whitbread. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor laser with conductive current mask

Номер патента: WO1983001155A1. Автор: Inc. Western Electric Company,Larry Allen Coldren. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1983-03-31.

Semiconductor Laser Diode and Method for Producing a Semiconductor Laser Diode

Номер патента: US20180152002A1. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-31.

Wavelength control in phase region of semiconductor lasers

Номер патента: EP2220732A1. Автор: Jacques Gollier. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Surface emission semiconductor laser device

Номер патента: US20030152121A1. Автор: Kazushi Mori,Ryoji Hiroyama,Koji Tominaga,Atsushi Tajiri,Yasuhiko Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor laser drive circuit and light beam scanning system using semiconductor laser

Номер патента: US6091748A. Автор: Hiroaki Yasuda. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-18.

Method and device for testing semiconductor laser

Номер патента: US20050164415A1. Автор: Yuichiro Okunuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Semiconductor laser device with first order diffraction grating extending to facet

Номер патента: US20230344197A1. Автор: Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor laser device and method for suppressing injection current

Номер патента: EP1284532A3. Автор: Naoki Tsukiji,Junji Yoshida. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-08.

Semiconductor Laser Component and Method for Operating at Least One Semiconductor Laser

Номер патента: US20230198231A1. Автор: Jörg Erich SORG,Harald KÖNIG,Jan Seidenfaden,Markus Reinhard Horn. Владелец: Ams Osram Lnternational GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Tunable laser assembly including tunable semiconductor laser apparatus and photodetector outside of laser housing

Номер патента: US12100933B2. Автор: Liang Luo,Yuzhou SUN,Wenkai Tu,Jinan GU. Владелец: Innolight Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor laser device and method for suppressing injection current

Номер патента: CA2369704A1. Автор: Naoki Tsukiji,Junji Yoshida. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-01-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240291241A1. Автор: Takahiro Nakamura,Yasuhiko Arakawa,Jinkwan Kwoen,Masahiro Kakuda. Владелец: Aio Core Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: EP2371044A2. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2011-10-05.

Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet

Номер патента: EP1060545A1. Автор: Mark McElhinney,Paul Colombo. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Method for manufacturing semiconductor laser diode

Номер патента: RU2205485C1. Автор: А.Н. Алексеев,В.П. Чалый,А.П. Шкурко,А.А. Веденеев,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий,В.М. Щевлюга,К.Н. Ельцов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2003-05-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20100118908A1. Автор: Shingo Kameyama,Yoshiki Murayama. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor laser based on epitaxial heterostructure

Номер патента: RU2582302C1. Автор: Виктор Владимирович Безотосный,Владислав Александрович Олещенко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2016-04-20.

External Resonator Type Light Emitting System

Номер патента: US20150147020A1. Автор: Yukihisa Takeuchi,Takashi Yoshino,Shoichiro Yamaguchi,Jungo Kondo. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor laser element

Номер патента: US6618411B1. Автор: Kyosuke Kuramoto,Tohru Takiguchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-09.

Light-emitting device

Номер патента: US20240113492A1. Автор: Tadayuki Kitajima,Yusuke Mori,Soichiro Miura,Munetake FUKUNAGA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Light-emitting device

Номер патента: US20210180766A1. Автор: Seiji Kiyota,Eiichiro OKAHISA,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Light Emitting Device

Номер патента: US20140226689A1. Автор: Junichi Kinoshita,Yuji Takeda. Владелец: Toshiba Lighting and Technology Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

Light-emitting device

Номер патента: EP4350908A1. Автор: Tadayuki Kitajima,Yusuke Mori,Soichiro Miura,Munetake FUKUNAGA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-10.

Light emitting device and optical device

Номер патента: US20200264500A1. Автор: Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor laser module and three-dimensional laminating and shaping apparatus

Номер патента: US20180231724A1. Автор: Hajime Mori,Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Technology Research Association for Future Additive Manufacturing (TRAFAM). Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1313184A4. Автор: Yasuhiro Watanabe,Shoji Honda,Yasuyuki Bessho,Kentarou Tanaka. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-07.

Semiconductor laser

Номер патента: US10811843B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Clemens Vierheilig,Andreas LOEFFLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080159350A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080304529A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor laser and fabricating method therefor

Номер патента: US20040125842A1. Автор: Masanori Watanabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor laser with integrated heating element and method of manufacturing same

Номер патента: US20060039427A1. Автор: Paul Charles. Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080112449A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Passivation layer for semiconductor laser and semiconductor laser and laser module using the same

Номер патента: US20020021727A1. Автор: Michio Ohkubo,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Semiconductor laser, light source device, image forming apparatus, image display device, object device, and colored-light generation method

Номер патента: EP3449539A1. Автор: Kohji Sakai,Miho HIGUCHI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-06.

Semiconductor laser light source and solid-state laser apparatus

Номер патента: CA2233473C. Автор: Yasuo Oeda,Kouichi Igarashi,Kiyofumi Muro. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2001-09-25.

Method of manufacturing masked semiconductor laser

Номер патента: US4840922A. Автор: Hiroshi Kobayashi,Makoto Harigaya,Hideaki Ema,Haruhiko Machida,Yasushi Ide,Jun Akedo. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-06-20.

Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device

Номер патента: US6377597B1. Автор: Toshiyuki Okumura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Light source arrangement having a plurality of semiconductor laser light sources

Номер патента: US9822935B2. Автор: Martin Daniels. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20230223740A1. Автор: Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20200373733A1. Автор: Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor laser module

Номер патента: US11962120B2. Автор: Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240146020A1. Автор: Takuya Ido,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kosuke TSUKATANI,Kodai Niina. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Light emitting device and method for detecting abnormality in light emitting device

Номер патента: US20190195440A1. Автор: Daisuke Sato. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP4303564A1. Автор: Takuya Ido,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kosuke TSUKATANI,Kodai Niina. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Waveguide heterostructure for dispersion compensation in semiconductor laser

Номер патента: EP3692609A1. Автор: Yves BIDAUX,Jerome Faist,Filippos KAPSALIDIS. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2020-08-12.

Waveguide heterostructure for dispersion compensation in semiconductor laser

Номер патента: US20200287353A1. Автор: Yves BIDAUX,Jerome Faist,Filippos KAPSALIDIS. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2020-09-10.

Semiconductor laser

Номер патента: US20190273362A1. Автор: Christian Lauer,Tomasz Swietlik. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor laser with reduced heat loss

Номер патента: US20080212626A1. Автор: Peter Brick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20210194211A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi. Владелец: Sharp Fukuyama Laser Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Light emitting module

Номер патента: US20230307884A1. Автор: Masami Hatori,Satoshi Nakao,Isao Masukawa. Владелец: Kyocera Soc Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor laser driving circuit

Номер патента: US20190027894A1. Автор: Kazuma Watanabe,Ichiro Fukushi,Akiyuki KADOYA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Wavelength normalization in phase section of semiconductor lasers

Номер патента: WO2010002471A1. Автор: Dragan Pikula,Martin H Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-07.

Method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US9036671B2. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser

Номер патента: US12040588B2. Автор: Peter Jander. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser device and fabrication method therefor

Номер патента: US20070223550A1. Автор: Hisashi Nakayama,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Yasuhiro Fujimoto,Satoshi Murasawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Spatial and temporal adjustment of laser device drive current using asic drives

Номер патента: US20240322529A1. Автор: Lawrence Shah,Paul Orville LEISHER,Jenna Nicole CAMPBELL,Michelle Helena LABRECQUE,Jason Matthew Eichenholz. Владелец: Freedom Photonics Llc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor laser, light source device, image forming apparatus, image display device, object device, and colored-light generation method

Номер патента: WO2017188100A1. Автор: Kohji Sakai,Miho HIGUCHI. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor laser and optical amplifier photonic package

Номер патента: US12085674B2. Автор: Lei Wang,Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Nitride semiconductor laser device and method for producing its electrode

Номер патента: RU2238607C2. Автор: Масахико САНО. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2004-10-20.

Semiconductor laser device having selective absorption qualities over a wide temperature range

Номер патента: EP1289082A2. Автор: Masaki The Furukawa Electric Co. Ltd. Funabashi,Ryosuke The Furukawa Electric Co. Ltd. Yatsu,Akihiko The Furukawa Electric Co. Ltd. KASUKAWA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230246412A1. Автор: Nobuyuki Ogawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Light-emitting device

Номер патента: US10680402B2. Автор: Satoshi Wada,Kento HAYASHI,Yuhki KAWAMURA. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Light-emitting device

Номер патента: EP4312325A1. Автор: Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-31.

Light-emitting device

Номер патента: US20240047946A1. Автор: Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Generating optical pulses via a soliton state of an optical microresonator coupled with a chip based semiconductor laser

Номер патента: US20220050356A1. Автор: Tobias Kippenberg,Hairun GUO,Arslan Sajid Raja,Michael L. Gorodetsky. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2022-02-17.

Light-emitting device

Номер патента: US20190288482A1. Автор: Satoshi Wada,Kento HAYASHI,Yuhki KAWAMURA. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110128986A1. Автор: Shinji Abe,Kimio Shigihara,Akihito Ono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20110268144A1. Автор: Satoshi Tamura,Hideki Kasugai,Kazutoshi Onozawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for controlling a semiconductor-laser-diode-based ss- interferometer system

Номер патента: US20220244178A1. Автор: Thomas Pabst,Manfred Dick,Roland Bergner,Ralf Ebersbach,Rainer Leitgeb. Владелец: CARL ZEISS MEDITEC AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Conformal metallization process for the fabrication of semiconductor laser devices

Номер патента: US20130163631A1. Автор: Jia-Sheng Huang,Phong Thai. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor laser micro-heating element structure

Номер патента: WO2008013712A1. Автор: Martin H. Hu,Chung-En Zah,Xingsheng Liu. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor laser module constituted by optically coupling optical fiber having fiber grating and laser diode

Номер патента: US20020097757A1. Автор: Takeshi Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

Semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190280460A1. Автор: Kazuaki Kaneko,Shigetoshi Ito,Teruyuki Oomatsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Wavelength Tunable Semiconductor Laser Having Multiple Sets of Intercavity Spacings

Номер патента: US20110019703A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor laser wavelength control device

Номер патента: US20050105570A1. Автор: Akio Mukai,Zhigang Peng,Izumi Kawata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor Laser and Optical Transmitter

Номер патента: US20240266799A1. Автор: Takahiko Shindo,Shigeru Kanazawa,Meishin Chin. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of fabricating semiconductor laser

Номер патента: US20100291718A1. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130280837A9. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065336A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor laser emitting apparatus

Номер патента: US20010043631A1. Автор: Yuichi Hamaguchi,Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor laser emitting apparatus

Номер патента: US6628687B2. Автор: Yuichi Hamaguchi,Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-09-30.

Semiconductor laser device including arrow structure precisely formed to suppress P-As interdiffusion and Al oxidation

Номер патента: US20030128731A1. Автор: Toshiaki Fukunaga. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-10.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065337A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

High power semiconductor laser device

Номер патента: US7466737B2. Автор: Byung Jin MA,Seong Ju Bae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

Semiconductor laser diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09997893B2. Автор: Jaesoong LEE,Youngho SONG,Jinwoo JU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor laser module

Номер патента: CA2779062C. Автор: Akira Nakamura,Motoaki Tamaya,Chise Nanba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Light emitting device

Номер патента: EP3621164A2. Автор: Soichiro Miura,Tatsuya Kanazawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-11.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20070138491A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Nitride semiconductor laser diode

Номер патента: US8514904B2. Автор: Takashi Miyoshi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Semiconductor laser device, and optical pickup apparatus using the device

Номер патента: US20030123499A1. Автор: Toshio Takeuchi,Koji Yamashita,Susumu Ishida,Kiyoaki Tsumura,Kenji Kan,Kenji Ohgiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Light emitting device and optical device

Номер патента: US20190103723A1. Автор: Soichiro Miura,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Light emitting device

Номер патента: US20190372312A1. Автор: Soichiro Miura,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Light emitting device

Номер патента: EP4351130A2. Автор: Soichiro Miura,Tatsuya Kanazawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-10.

Light-emitting device

Номер патента: US20190203908A1. Автор: Seiji Kiyota,Eiichiro OKAHISA,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Light-emitting module

Номер патента: US11982441B1. Автор: Masanobu Tanaka,Tatsuya Kanazawa,Takashi Namie. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Light emitting device

Номер патента: US20220102936A1. Автор: Daisuke Sato. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Light-emitting module

Номер патента: US20240142084A1. Автор: Masanobu Tanaka,Tatsuya Kanazawa,Takashi Namie. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Light emitting device

Номер патента: US20170276299A1. Автор: Toshiaki Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: EP1442509A2. Автор: Neal Tsunami Photonics Limited O'GORMAN. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: WO2003038954A3. Автор: Neal O'Gorman. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor laser wavelength control device

Номер патента: US7372881B2. Автор: Akio Mukai,Zhigang Peng,Izumi Kawata. Владелец: Asahi Kasei Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor laser element, testing method, and testing device

Номер патента: US11824326B2. Автор: Hiroki Nagai,Kazumasa Nagano. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor laser device and fabricating method thereof

Номер патента: US20030206566A1. Автор: Yoshihisa Fujii,Keisuke Miyazaki,Yoshinori Ohitsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-11-06.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: EP1897190A2. Автор: Michael Schwarz,Abram Jakubowicz,Nicolai Matuschek,Christoph Harder,Joerg Troger. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2008-03-12.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: WO2007000615A2. Автор: Michael Schwarz,Abram Jakubowicz,Nicolai Matuschek,Christoph Harder,Joerg Troger. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor laser element, laser module using it

Номер патента: EP1437810A4. Автор: Michio Ohkubo,Satoru Okada,Tsuyoshi Fujimoto,Kiyofumi Muro,Yutaka Ohki,Takeshi Koiso,Atsushi Ohkubo. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-23.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: AU2002237484A1. Автор: Neal O'Gorman. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2003-05-12.

Edge Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20110317732A1. Автор: Wolfgang Schmid,Uwe D. ZEITNER,Hans-Christoph Eckstein. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor laser assembly

Номер патента: WO1990010312A1. Автор: Wai-Hon Lee. Владелец: Pencom International Corporation. Дата публикации: 1990-09-07.

Compound semiconductor laser device

Номер патента: US20060239320A1. Автор: Yoshinori Ohitsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: US20020122446A1. Автор: Toshio Kimura,Tomoya Kato,Sadayoshi Kanamaru. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: EP1195862A3. Автор: Toshio c/o The Furukawa Electric Co. Ltd. Kimura,Sadayoshi c/o Furukawa Electric Co. Ltd Kanamaru,Tomoya c/o The Furukawa Electric Co. Ltd Kato. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-02.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: US6804277B2. Автор: Toshio Kimura,Tomoya Kato,Sadayoshi Kanamaru. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Semiconductor laser light source and fabrication method

Номер патента: US09948059B2. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Tokuharu Kimura,Kazumasa Takabayashi,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

High power semiconductor laser system

Номер патента: US5394492A. Автор: Cherng J. Hwang. Владелец: Applied Optronics Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7016386B2. Автор: Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-03-21.

Semiconductor laser module

Номер патента: EP1087477A2. Автор: Yutaka The Furukawa Electric Co. Ltd. Ohki,Takeharu The Furukawa Electric Co. Ltd Yamaguchi,Yuichiro The Furukawa Electric Co. Ltd. IRIE. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-28.

Distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US4648096A. Автор: Kazuo Sakai,Yuichi Matsushima,Shigeyuki Akiba,Katsuyuki Utaka. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1987-03-03.

Solid-state laser device with optical fiber cable connection

Номер патента: US5568503A. Автор: Shigeru Omori. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Surface light emitting type semiconductor laser having a vertical cavity

Номер патента: US20030076864A1. Автор: Jun Ichihara,Hironobu Sai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-04-24.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230275401A1. Автор: Seiji Kitamura,Shintaro MIYAMOTO. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-08-31.

Excessive current input suppressing semiconductor laser light emitting circuit

Номер патента: US20080225916A1. Автор: Junichi Ikeda,Hiroaki Kyougoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Light source module and light source device including the same

Номер патента: US20200194967A1. Автор: Noriaki Fujii,Toshio Kagawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Light emitting device

Номер патента: US11841116B2. Автор: Shinichi Nagahama,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Nitride semiconductor laser and nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20190245322A1. Автор: Osamu Imafuji,Shinichiro Nozaki,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor laser module

Номер патента: EP1363147A3. Автор: Masahiko c/o Nec Corporation Namiwaka,Masahiro c/o NEC Corporation Kanda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-02-18.

Semiconductor laser device with wavelength selection and high-frequency modulation of driving current

Номер патента: US6678306B1. Автор: Shinichiro Sonoda. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-13.

Surface-emitting laser device, surface-emitting laser array, optical scanner, and image forming apparatus

Номер патента: EP2577822A1. Автор: Shunichi Sato,Katsunari Hanaoka,Masahiro Hayashi,Akihiro Itoh,Kazuhiro Harasaka. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-10.

Semiconductor laser

Номер патента: US20240113498A1. Автор: Atsushi Nakamura. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Solar-panel-based power supply system for driving semiconductor laser

Номер патента: NL2029408B1. Автор: Liu Qing,Li Ke,ZHAO Xiaolong,ZHANG Mingxia,Ling Weijun,Dong Zhong,Lu Feiping,Li Xiangbing,Xin Jianyuan. Владелец: Univ Tianshui Normal. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor device and surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20030015726A1. Автор: Norihiro Iwai,Noriyuki Yokouchi,Tatsuyuki Shinagawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Aging in tunable semiconductor lasers

Номер патента: EP1195861A3. Автор: Liming Zhang,Sung-Nee George Chu,David Alan Ackerman,John Evan Johnson,Leonard Jan-Peter Ketelsen,Eric J. Dean. Владелец: Triquint Technology Holding Co. Дата публикации: 2005-01-05.

Semiconductor laser diode device

Номер патента: US20080049803A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Katsumi Kishino,Shigehisa Tanaka,Tsukuru Ohtoshi,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Testing method of semiconductor laser and laser testing device

Номер патента: US20100238426A1. Автор: Isao Baba,Makoto Sugiyama,Haruyoshi Ono. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device and surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US6636543B2. Автор: Norihiro Iwai,Noriyuki Yokouchi,Tatsuyuki Shinagawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-21.

Method for producing a plurality of semiconductor lasers and semiconductor laser

Номер патента: US20240047935A1. Автор: Sven GERHARD,Lars Nähle. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor laser and method of fabricating the same

Номер патента: US20020027934A1. Автор: Yoshihiro Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US20150085889A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US9214785B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-12-15.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US9385507B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US20160099547A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-04-07.

Light-emitting device

Номер патента: US20240250498A1. Автор: Tadaaki Miyata,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor laser and production method thereof

Номер патента: US20020181531A1. Автор: Masakazu Ukita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Semiconductor laser

Номер патента: US7369594B2. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-05-06.

Semiconductor laser

Номер патента: US20060182161A1. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor laser having fabry-perot resonator

Номер патента: US20080240198A1. Автор: Tetsuya Yagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Driver circuit and method for a semiconductor laser

Номер патента: WO2024151859A1. Автор: Jon C. Zeisler. Владелец: STREAMLIGHT, INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Vertical cavity surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission module, optical transmission device, and optical switching method

Номер патента: US20090074025A1. Автор: Takashi Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor laser and method for processing semiconductor laser

Номер патента: US20180212403A1. Автор: Jian Chen,Zhiguang Xu,Jing Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US7414949B2. Автор: Toshihiro Kuroda,Shouichi Takasuka,Makoto Atoji. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Semiconductor laser control device

Номер патента: US5138623A. Автор: Hidetoshi Ema,Masaaki Ishida. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-11.

Semiconductor laser diode with integrated etalon

Номер патента: US5629954A. Автор: Michael Jansen,Dennis P. Bowler,Phillip D. Hayashida,Simon S. Ou. Владелец: TRW Inc. Дата публикации: 1997-05-13.

Method of stacking semiconductor laser devices in a sub-mount and heatsink

Номер патента: US6479325B2. Автор: Masafumi Ozawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-11-12.

Distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US4633474A. Автор: Kazuo Sakai,Yuichi Matsushima,Shigeyuki Akiba,Katsuyuki Utaka. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1986-12-30.

Semiconductor laser device and semiconductor laser module

Номер патента: US5353294A. Автор: Kazuo Shigeno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-10-04.

Semiconductor laser resonator and semiconductor laser device including the same

Номер патента: US10211597B2. Автор: Hyochul KIM,Yeonsang Park,Chanwook BAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-19.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20030133480A1. Автор: Hiroyasu Torazawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Two-wavelength semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7071497B2. Автор: Chong Mann Koh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-04.

Semiconductor laser element

Номер патента: EP2741381A3. Автор: Takashi Miyoshi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-01-13.

Method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US20190195442A1. Автор: Soichiro Miura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7573924B2. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

Semiconductor laser device, submount, submount assembly, and method of testing semiconductor laser device

Номер патента: US20240178632A1. Автор: Yasuo Baba,Tohru Nishikawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-30.

A semiconductor laser

Номер патента: WO1996024972A1. Автор: Gregory Jason Parker. Владелец: British Technology Group Limited. Дата публикации: 1996-08-15.

Stripe waveguide structure type semiconductor laser device and fabricating method therefor

Номер патента: US20030152122A1. Автор: Syuzo Ohbuchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser comprising a feedback element

Номер патента: US20150318669A1. Автор: Lars Nähle,Johannes Koeth. Владелец: Nanoplus Nanosystems And Technologies Gmbh. Дата публикации: 2015-11-05.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050117619A1. Автор: Kenji Yoshikawa,Takayuki Kashima,Hideto Adachi,Kouji Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor laser pump locker incorporating multiple gratings

Номер патента: WO2002075390A2. Автор: Dmitry S. Starobudov. Владелец: Sabeus Photonics, Inc.. Дата публикации: 2002-09-26.

Method and apparatus for efficient operation of a solid-state laser optically pumped by an unstable resonator semiconductor laser

Номер патента: WO1993022809A1. Автор: Brian Baird,Richard DeFreez. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 1993-11-11.

High-power single-mode triple-ridge waveguide semiconductor laser

Номер патента: US20220368109A1. Автор: LIN ZHU,Xiaolei Zhao,Yeyu ZHU,Siwei Zeng. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7558306B2. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Masanori Watanabe,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Semiconductor laser driving apparatus and method and image-forming apparatus

Номер патента: US20010017869A1. Автор: Takuya Takata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor laser

Номер патента: US9099841B2. Автор: Satoshi Uchida,Tsutomu Ishikawa,Tsuguki Noma,Miroru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-08-04.

Multimode semiconductor laser module, wavelength detector, wavelength stabilizer, and raman amplifier

Номер патента: WO2003030310A2. Автор: Goro Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Asia Ltd.. Дата публикации: 2003-04-10.

Ridge-structure DFB semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020064199A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Kiyoshi Takei,Kiyofumi Chikuma,Nong Chen. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Segmented contact for current control in semiconductor lasers and optical amplifiers

Номер патента: EP4406079A1. Автор: Paul Orville LEISHER,Jenna Nicole CAMPBELL,Michelle Helena LABRECQUE. Владелец: Freedom Photonics Llc. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor laser device in which compressive strain active layer is sandwiched between tensile strain optical waveguide layers and average strain is limited

Номер патента: US20020051476A1. Автор: Toshiaki Fukunaga. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Apparatus and method for providing a single-mode grating-outcoupled surface emitting laser with detuned second-order outcoupler grating

Номер патента: US20060140237A1. Автор: Steven Patterson,Gary Evans,Taha Masood,Nuditha Amarasinghe. Владелец: Photodigm Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor laser and semiconductor optical integrated device

Номер патента: US20090059988A1. Автор: Shigeaki Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor laser

Номер патента: US20090185595A1. Автор: Yasuyuki Nakagawa,Yosuke Suzuki,Harumi Nishiguchi,Kyosuke Kuramoto,Masatsugu Kusunoki,Hiromasu Matsuoka,Takeo Shirahama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Distributed feedback semiconductor laser element and method for making the same

Номер патента: US20010039069A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Kiyoshi Takei,Kiyofumi Chikuma,Nong Chen. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

InGaAsP semiconductor laser device

Номер патента: EP1211766A3. Автор: Toshiaki Fuji Photo Film Co. Ltd. Fukunaga. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US12062887B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-13.

Surface light emitting semiconductor laser element

Номер патента: US10578819B2. Автор: Yoshinori Yamauchi,Yoshiyuki Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Hironobu Narui,Yuichi Kuromizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Semiconductor laser and method for fabricating the same

Номер патента: US5850410A. Автор: Akito Kuramata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-12-15.

Method of fabricating semiconductor laser device using the light generated by the laser to disorder its active layer at the end surfaces thereby forming window regions

Номер патента: US5171707A. Автор: Kazuhisa Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Inspection method for semiconductor laser device and inspection device for semiconductor laser device

Номер патента: US20220376465A1. Автор: Akio SHIRASAKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230344196A1. Автор: Hideyuki Fujimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of fabricating semiconductor laser device

Номер патента: CA2051254A1. Автор: Kazuhisa Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-03-14.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110104839A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Daijiro Inoue,Yasuyuki Bessho. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030118070A1. Автор: Won Lim,Shi Leem. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2003-06-26.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20230335973A1. Автор: Takumi Ito,Kunimichi Omae,Mordechai Segev,Gal HARARI,Shinji Tohi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US6021148A. Автор: Eitaro Ishimura,Keisuke Matsumoto,Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20020146857A1. Автор: Jun Ichihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20240235154A9. Автор: Hideki Watanabe,Yasuhiro Kadowaki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor laser

Номер патента: US20040258120A1. Автор: Takashi Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-12-23.

Method for fabricating semiconductor laser

Номер патента: US8551797B2. Автор: Shinji Abe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-08.

High-power edge-emitting semiconductor laser with asymmetric structure

Номер патента: US20230387665A1. Автор: Jung Min Hwang,Chen Yu Chiang,Jin Yuan Hsing. Владелец: Arima Lasers Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor laser

Номер патента: US20090141763A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Katsumi Kishino,Shigehisa Tanaka,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US20190081454A1. Автор: Shinji Saito,Osamu Yamane,Akira Tsumura,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor laser and the method for manufacturing the same

Номер патента: US20060159145A1. Автор: Takahiko Kawahara,Nobuyuki Ikoma. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor laser and method of producing the same

Номер патента: US20020080837A1. Автор: Minoru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor lasers with substrate mode suppression layers

Номер патента: US20240332894A1. Автор: Jun Huang,Xinghe Wang,Xin Cai,Wanjun CHEN,Zihan Liu,Shuiqing Li,Jinjian ZHENG,Hongzhu KAN,Jiangyong ZHANG. Владелец: Anhui Gan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor lasers with substrate mode suppression layers

Номер патента: US12119615B1. Автор: Jun Huang,Xinghe Wang,Xin Cai,Wanjun CHEN,Zihan Liu,Shuiqing Li,Jinjian ZHENG,Hongzhu KAN,Jiangyong ZHANG. Владелец: Anhui Gan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

High speed semiconductor laser with a beam expanding structure

Номер патента: US09966734B2. Автор: Wei Chen,Jianguo Liu,Ninghua Zhu,Jinjin Guo. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor laser element and method of obtaining information from the semiconductor laser element

Номер патента: US09870525B2. Автор: Atsushi Tanaka,Mitsuhiro Nonaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Solid-state laser device capable of stably producing an output laser beam at high power

Номер патента: US5311528A. Автор: Masashi Fujino. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 1994-05-10.

Impurity-doped semiconductor laser device for single wavelength oscillation

Номер патента: US4928285A. Автор: Kazuhiro Eguchi,Mitsuhiro Kushibe,Masahisa Funamizu,Yasuo Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-05-22.

Surface-emission semiconductor laser device

Номер патента: US7881359B2. Автор: Norihiro Iwai,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Light-emitting device

Номер патента: US11892155B2. Автор: Seiji Kiyota,Eiichiro OKAHISA,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20200403380A1. Автор: Shinya Okuda,Takeshi YAMATOYA,Takashi Nagira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Laser device

Номер патента: US7599414B2. Автор: Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2009-10-06.

Laser device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130022066A1. Автор: Akira Sakamoto,Yohei Kasai,Nozomu Toyohara. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Laser device, optical pickup, and optical disk device

Номер патента: US20110194391A1. Автор: Tsutomu Maruyama,Goro Fujita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Laser device, optical pickup, and optical disk device

Номер патента: US8218592B2. Автор: Tsutomu Maruyama,Goro Fujita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Light-emitting device

Номер патента: US20240125455A1. Автор: Seiji Kiyota,Eiichiro OKAHISA,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor laser device, and image display device

Номер патента: US20080192787A1. Автор: Kiminori Mizuuchi,Kazuhisa Yamamoto,Shinichi Kadowaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor laser device and method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240006849A1. Автор: Yutaka Ohki,Yasumasa Kawakita,Yoshito SAIJO. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor laser with a weakly coupled grating

Номер патента: US20090117678A1. Автор: Lars Bach,Johann Peter Reithmaier. Владелец: Nanoplus GmbH. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor laser

Номер патента: EP3993184A1. Автор: Takashi Ito,Takahiro Nakamura,Changsu Kim,Ryunosuke Kuroda,Hidefumi Akiyama,Hidekazu NAKAMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor laser

Номер патента: US20220360049A1. Автор: Takashi Ito,Takahiro Nakamura,Changsu Kim,Ryunosuke Kuroda,Hidefumi Akiyama,Hidekazu NAKAMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20240204481A1. Автор: Chuan-Wei Chen. Владелец: Taiwan Asia Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: US9008141B2. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Submount for semiconductor laser and optical fibers

Номер патента: US20200044412A1. Автор: Jock T. Bovington,Ashley J. MAKER,Kumar Satya Harinadh Potluri. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor laser

Номер патента: WO2012153136A1. Автор: Alf Adams. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2012-11-15.

Semiconductor diffraction grating device and semiconductor laser

Номер патента: US8243768B2. Автор: Michio Murata. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-14.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20230019645A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-01-19.

Bulk avalanche semiconductor laser

Номер патента: WO1989003602A1. Автор: Stephen J. Davis,Larry O. Ragle. Владелец: Power Spectra, Inc.. Дата публикации: 1989-04-20.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20140211821A1. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Harald Koenig,Christian Lauer,Guenther Groenninger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-07-31.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20120263205A1. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Harald Koenig,Christian Lauer,Guenther Groenninger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Method for fabricating semiconductor laser

Номер патента: US20130217157A1. Автор: Shinji Abe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor laser element and method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20160276804A1. Автор: Takeshi Namegaya,Hirotatsu Ishii,Hidehiro Taniguchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Coupled cavity high power semiconductor laser

Номер патента: WO2001067563A9. Автор: Aram Mooradian. Владелец: Novalux Inc. Дата публикации: 2003-01-03.

Nitride based semiconductor laser diode device with a bar mask

Номер патента: US7126972B2. Автор: Wen-How Lan,Yuh-Der Shiang,Jia-Ching Lin,Ker-Jun Lin,Kai-Fung Perng,Ya-Tung Cherng. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2006-10-24.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20100220759A1. Автор: Masahide Kobayashi,Kenji Endo,Kentaro Tada,Tetsuro Okuda,Kazuo Fukagai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US8228966B2. Автор: Masahide Kobayashi,Kenji Endo,Kentaro Tada,Tetsuro Okuda,Kazuo Fukagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

High speed semiconductor laser driver circuits

Номер патента: WO1999001914A2. Автор: Garry N. Link. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 1999-01-14.

Semiconductor laser including N-doped quaternary layer

Номер патента: US20030086458A1. Автор: Kenneth Bacher. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

High speed semiconductor laser driver circuits

Номер патента: WO1999001914A3. Автор: Garry N Link. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS. Дата публикации: 1999-03-25.

Semiconductor laser and method of producing the same

Номер патента: US6683899B2. Автор: Minoru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-01-27.

High-density, independently addressable surface emitting semiconductor laser/light emitting diode array

Номер патента: CA2051223C. Автор: Thomas L. Paoli. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1996-07-09.

Fabrication of cleaved semiconductor lasers

Номер патента: CA1201520A. Автор: Paul A. Kohl,Charles A. Burrus, Jr.,Tien P. Lee,Frederick W. Ostermayer, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-03-04.

Driving apparatus for semiconductor laser

Номер патента: US4523089A. Автор: Takeshi Maeda,Yoshito Tsunoda,Masahiro Takasago,Yasumitsu Mizoguchi,Tokuya Kaneda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-06-11.

Fast polarization-switchable semiconductor lasers

Номер патента: US4612645A. Автор: Jia-Ming Liu,Ying-Chih Chen. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-09-16.

Double heterostructure stripe geometry semiconductor laser device

Номер патента: USRE29866E. Автор: Hiroo Yonezu. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-12-19.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1125898A. Автор: Ryoichi Ito,Satoshi Nakamura,Kunio Aiki,Naoki Chinone,Atsutoshi Doi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-06-15.

Semiconductor laser comprising a plurality of optically active regions

Номер патента: US20040120377A1. Автор: John Marsh,Shin-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230011072A1. Автор: Naoki Nakamura,Kosuke Shinohara,Naoki Kosaka,Ryosuke MIYAGOSHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the semiconductor laser device

Номер патента: US20160285238A1. Автор: Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the semiconductor laser device

Номер патента: US9991666B2. Автор: Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US20150236474A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor laser element and method for manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: EP4318832A1. Автор: Yutaka Ohki,Yasumasa Kawakita,Yoshito SAIJO. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Semiconductor laser device and driving method of the same

Номер патента: US20120147910A1. Автор: Chikara Amano,Nobuyuki Kondo. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor laser comprising a plurality of optically active regions

Номер патента: EP1362395B1. Автор: John Haig Marsh,Shin-Sung Kim. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2005-04-13.

External cavity semiconductor laser

Номер патента: US11962127B2. Автор: Yushi Kaneda. Владелец: Arizona Board of Regents of University of Arizona. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device

Номер патента: US20070228408A1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Two-wavelength semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050224837A1. Автор: Chong Koh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Semiconductor laser with a lattice structure

Номер патента: US20040072379A1. Автор: Alfred Forchel,Martin Kamp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor laser module, method of controlling a semiconductor laser beam and video display apparatus

Номер патента: US20050063436A1. Автор: Nobuyuki Nishimura,Toshitaka Yamada,Tooru Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Semiconductor laser unit having optical guide layers with increased total thickness and employing junction-up configuration

Номер патента: US6665324B1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-16.

Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device

Номер патента: US7635872B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-12-22.

Semiconductor laser with a mode expansion layer

Номер патента: WO2020263747A1. Автор: XIANG Liu,Frank Effenberger,Ning Cheng. Владелец: Futurewei Technologies, Inc.. Дата публикации: 2020-12-30.

Distributed feedback laser with varying electrical resistance for uniform gain inside the optical waveguide

Номер патента: EP1342300A1. Автор: Per Granestrand,Krister Frojdh. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2003-09-10.

Distributed feedback laser with varying electrical resistance for uniform gain inside the optical waveguide

Номер патента: AU2002216524A1. Автор: Krister Frojdh. Владелец: GRANESTRAND. Дата публикации: 2002-06-24.

Distributed-feedback-laser with varying electrical resistance for uniform gain inside the optical waveguide

Номер патента: EP1342300B1. Автор: Per Granestrand,Krister Frojdh. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2009-11-04.

Method and apparatus for wafer-level testing of semiconductor lasers

Номер патента: US20020109520A1. Автор: David Heald,Legardo REYES. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Method of isolating semiconductor laser diodes

Номер патента: US20090155939A1. Автор: Youn Joon Sung,Su Hee Chae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Quantum cascade semiconductor laser

Номер патента: US20180166859A1. Автор: Jun-Ichi Hashimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Nitride semiconductor laser and method for fabricating the same

Номер патента: US20080049806A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Gaku Sugahara,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20240332911A1. Автор: Yoshitaka NAKATSU,Kazutaka Tsukayama. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for producing semiconductor laser element

Номер патента: US09991671B2. Автор: Hiroki Koizumi,Hiroki Sakata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1150808A. Автор: Yutaka Takeda,Michiharu Nakamura,Takao Mori,Shinji Tsuji,Motohisa Hirao,Atsutoshi Doi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-07-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1147045A. Автор: Ryoichi Ito,Kazutoshi Saito,Naoki Chinone,Noriyuki Shige. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-05-24.

Semiconductor light emitting device with vertical light emission

Номер патента: CA1271550C. Автор: Fumio Inaba,Noriaki Onodera,Hiromasa Ito,Akira Mizuyoshi. Владелец: . Дата публикации: 1990-07-10.

Light emitting device

Номер патента: US5481558A. Автор: Masao Ikeda,Toyoharu Ohata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1996-01-02.

Semiconductor laser device having a transparent waveguide and a large second harmonic generation output

Номер патента: US5208827A. Автор: Hiroaki Inoue,Misuzu Sagawa,Masahiro Ojima,Kimio Tatsuno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Semiconductor light emitting device with vertical light emission

Номер патента: US4797890A. Автор: Fumio Inaba,Noriaki Onodera,Hiromasa Ito,Akira Mizuyoshi. Владелец: Mitsubishi Cable Industries Ltd. Дата публикации: 1989-01-10.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5343486A. Автор: Kazuhiko Itaya,Koichi Nitta,Genichi Hatakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-08-30.

Semiconductor light-emitting device and method of making of the same

Номер патента: CA1065461A. Автор: Morio Inoue,Kunio Itoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1979-10-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: GB2369929A. Автор: Arnaud GARNACHE-CREUILLOT. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2002-06-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1105598A. Автор: Michiharu Nakamura,Shigeo Yamashita,Takao Kuroda,Jun-Ichi Umeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-07-21.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4815082A. Автор: Kunihiko Isshiki,Takashi Murakami,Wataru Susaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-03-21.

Semiconductor light emitting device with vertical light emission

Номер патента: CA1271550A. Автор: Fumio Inaba,Noriaki Onodera,Hiromasa Ito,Akira Mizuyoshi. Владелец: Mitsubishi Cable Industries Ltd. Дата публикации: 1990-07-10.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5272712A. Автор: Satoshi Arimoto,Takashi Nishimura,Takashi Motoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4430741A. Автор: Susumu Takahashi,Michiharu Nakamura,Tadashi Fukuzawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-02-07.

n-TYPE MODULATION DOPE MULTIPLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: EP1071180A1. Автор: Hitoshi The Furukawa Electric Co. Ltd. SHIMIZU,Akihiko The Furukawa Electric Co. Ltd. KASUKAWA,Kouji The Furukawa Electric Co. Ltd. KUMADA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4315226A. Автор: Ryoichi Ito,Kazutoshi Saito,Naoki Chinone,Noriyuki Shige. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-02-09.

Two-section semiconductor laser with modulation-independent grating section to reduce chirp

Номер патента: EP3243249A1. Автор: Jun Zheng,Stefan J. Murry,Klaus Alexander Anselm,Huanlin Zhang,Dion McIntosh-Dorsey. Владелец: Applied Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2017-11-15.

Two-section semiconductor laser with modulation-independent grating section to reduce chirp

Номер патента: WO2016112087A1. Автор: Jun Zheng,Stefan J. Murry,Dion McIntosh-Dorsey,Klaus Alexander ANSELM,Huanlin ZHANG. Владелец: APPLIED OPTOELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor laser and optical amplifier photonic package

Номер патента: US20220003845A1. Автор: Lei Wang,Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Ours Technology LLC. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor laser and optical amplifier photonic package

Номер патента: AU2021300366A1. Автор: Lei Wang,Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Ours Technology LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor laser and optical amplifier photonic package

Номер патента: AU2023203293A1. Автор: Lei Wang,Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor laser and optical amplifier photonic package

Номер патента: CA3225181A1. Автор: Lei Wang,Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor laser and optical amplifier photonic package

Номер патента: CA3181896A1. Автор: Lei Wang,Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Ours Technology LLC. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor laser and optical amplifier photonic package

Номер патента: EP4176497A1. Автор: Lei Wang,Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Ours Technology LLC. Дата публикации: 2023-05-10.

Semiconductor laser and optical amplifier photonic package

Номер патента: AU2021300366B2. Автор: Lei Wang,Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor laser and optical amplifier photonic package

Номер патента: WO2022006345A1. Автор: Lei Wang,Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Ours Technology, Llc. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7106767B2. Автор: Tetsuyoshi Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-12.

Group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130308670A1. Автор: Koji Katayama,Hiroshi Nakajima,Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takatoshi Ikegami,Katsunori Yanashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor laser device structures and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20220311206A1. Автор: Richard D. Clayton,William A. Hagley,Lawrence E. TAROF. Владелец: Electrophotonic-Ic Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor laser

Номер патента: US20040233957A1. Автор: Keiji Ito,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Osamu Imafuji. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-25.

Light emitting device

Номер патента: US20220158416A1. Автор: Soichiro Miura,Kazuma KOZURU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20040228378A1. Автор: Tetsuyoshi Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor laser and optical amplifier photonic package

Номер патента: CA3181896C. Автор: Lei Wang,Sen Lin,Andrew Steil MICHAELS. Владелец: Aurora Operations Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor laser

Номер патента: EP3993183A1. Автор: Takashi Ito,Takahiro Nakamura,Changsu Kim,Ryunosuke Kuroda,Hidefumi Akiyama,Hidekazu NAKAMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2022-05-04.

Bonded laser with solder-free laser active stripe in facing relationship with submount

Номер патента: WO2018151950A1. Автор: Mary Nadeau,Mittu Pannala,Jarrett S. NEIMAN. Владелец: CISCO TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-08-23.

Bonded laser with solder-free laser active stripe in facing relationship with submount

Номер патента: EP3583667A1. Автор: Mary Nadeau,Mittu Pannala,Jarrett S. NEIMAN. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-25.

Semiconductor laser device, optical pickup and fabrication method of semiconductor laser device

Номер патента: US20040004983A1. Автор: Masayuki Honda,Takehiro Shiomoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US7372884B2. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-05-13.

Edge-emitting semiconductor laser with high thermal conductivity and low reflection front mirror surface

Номер патента: US20230387656A1. Автор: Jung Min Hwang,Chen Yu Chiang. Владелец: Arima Lasers Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US20090323745A1. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-12-31.

Edge-Emitting Semiconductor Laser Diode and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20220102941A1. Автор: Uwe Strauss,Petrus Sundgren,Jens Ebbecke,Martin Hetzl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-03-31.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20080304530A1. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20040120378A1. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Edge-emitting semiconductor laser and method for the production thereof

Номер патента: US20160141837A1. Автор: Harald KÖNIG,Alvaro Gomez-Iglesias,Christian Lauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-19.

Method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20180316156A1. Автор: Yutaka Ohki,Masafumi TAJIMA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Two-level semiconductor laser driver

Номер патента: WO1999000764A2. Автор: Douglas S. Goodman,William T. Plummer,Marc Thompson,Peter P. Clark. Владелец: Polaroid Corporation. Дата публикации: 1999-01-07.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20100151611A1. Автор: Nozomi Ohashi,Tsuyoshi Fujimoto,Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20130005062A1. Автор: Masaki Yanagisawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Non-collinearly pumped linearly polarized external cavity surface emitting semiconductor lasers

Номер патента: WO2024154091A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-07-25.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US20080285612A1. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Control of current spreading in semiconductor laser diodes

Номер патента: US6931043B2. Автор: John C. Connolly,Louis A. Dimarco. Владелец: Trumpf Photonics Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Semiconductor laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050121680A1. Автор: Ki Kim,Yong Baek,Chul Lee,Jung Song. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-06-09.

Fracture resistant metallization pattern for semiconductor lasers

Номер патента: WO2010123807A1. Автор: Chung-En Zah,Martin H Hu,Lawrence C. Hughes, Jr.,Satish C Chaparala. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4329658A. Автор: Ryoichi Ito,Satoshi Nakamura,Kunio Aiki,Naoki Chinone,Atsutoshi Doi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-05-11.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the nitride semiconductor laser device

Номер патента: EP2287982A1. Автор: Keiji Sakamoto,Hiroaki Matsumura,Tokuya Kozaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Fabry-perot laser with wavelength control

Номер патента: CA2488232C. Автор: Robert J. Mears,Augustin Yiptong,Adam D. Cohen. Владелец: Mears Technologies Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Optical transmission apparatus, semiconductor laser device for use in optical transmission apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20030043454A1. Автор: Youngduk Yoon,Takayuki Okazaki,Sakiko Sugihara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4257011A. Автор: Michiharu Nakamura,Shigeo Yamashita,Takao Kuroda,Jun-Ichi Umeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-03-17.

Semiconductor laser device having a diffraction grating on a light emission side

Номер патента: CA2374602A1. Автор: Naoki Tsukiji,Junji Yoshida,Masaki Funabashi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-01.

Semiconductor laser with low beam divergence

Номер патента: US5815521A. Автор: Daryoosh Vakhshoori,William Scott Hobson. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-09-29.

Method for producing nitride semiconductor laser light source and apparatus for producing nitride semiconductor laser light source

Номер патента: US20060068516A1. Автор: Masaya Ishida,Atsushi Ogawa,Takuro Ishikura,Yoshihiko Tani,Daisuke Hanaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor laser including ridge confining buffer layer

Номер патента: US5426658A. Автор: Hitoshi Tada,Tetsuo Shiba,Norio Hayafuji,Nobuaki Kaneno,Hirotaka Kizuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-06-20.

Method of detecting semiconductor laser mode hopping and semiconductor laser beam source apparatus

Номер патента: US4807992A. Автор: Masaru Noguchi,Kazuo Horikawa,Ichirou Miyagawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-28.

Semiconductor laser with conductive current mask

Номер патента: CA1194971A. Автор: Larry A. Coldren. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-10-08.

Method and device for controlling a semiconductor laser

Номер патента: US5778017A. Автор: Shinichi Sato,Ichiro Shinoda,Isao Iwaguchi,Munenori Ohtsuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220294179A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor laser

Номер патента: US9036673B2. Автор: Kenichi Kawaguchi,Yoshiaki Nakata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Wavelength control in wavelength selective, phase, and gain regions of semiconductor lasers

Номер патента: US20080089370A1. Автор: Jacques Gollier,Daniel Ohen Ricketts,Vikram Bhatia,David August Sniezek Loeber,Martin Hai Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor laser drive system and semiconductor laser driving method

Номер патента: US20090147809A1. Автор: Minoru Yamada. Владелец: Kanazawa University NUC. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110286487A1. Автор: Hitoshi Sato,Masatoshi Sasaki,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Atsushi Higuchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

System and method for modulating a semiconductor laser

Номер патента: US20060159139A1. Автор: Nobuhiko Nishiyama,Chung-En Zah,Martin Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4024627A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

Semiconductor laser

Номер патента: US20220360044A1. Автор: Takashi Ito,Takahiro Nakamura,Changsu Kim,Ryunosuke Kuroda,Hidefumi Akiyama,Hidekazu NAKAMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2022-11-10.

Wavelength control in wavelength selective, phase, and gain regions of semiconductor lasers

Номер патента: WO2008048474A1. Автор: Jacques Gollier,Vikram Bhatia,Martin H. Hu,David A. Loeber,Daniel O. Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor laser drive system and semiconductor laser driving method

Номер патента: US7620083B2. Автор: Minoru Yamada. Владелец: Kanazawa University NUC. Дата публикации: 2009-11-17.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US20120093190A1. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Distributed Feedback Semiconductor Laser for Outputting Beam of Single Wavelength

Номер патента: EP1376789A3. Автор: Hiroshi Mori,Yoshio Takahashi,Tomoyuki Kikugawa,Motoaki Fujita. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2004-06-02.

Method for manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20080050850A1. Автор: Chikara Watatani,Takashi Nagira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor laser

Номер патента: US20210066886A1. Автор: Hideto Iki,Shinya Satou. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method and apparatus for extending and confirming the service life of semiconductor laser of bar code reader by detecting current increase corresponding to temperature of semiconductor laser

Номер патента: US5334826A. Автор: Shinichi Sato,Hiroaki Katoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-08-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA2018928C. Автор: Akihiko Oka,Shinji Sakano,Kazuhisa Uomi,Makoto Okai,Naoki Chinone,Tomonobu Tsuchiya,Tsukuru Ohtoshi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-07-26.

Semiconductor laser control apparatus

Номер патента: US4888777A. Автор: Yoshinobu Takeyama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-12-19.

Semiconductor laser device and method of manufacture

Номер патента: GB1476118A. Автор: . Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-06-10.

Semiconductor laser with light emitting slant plane and method of manufacturing the same

Номер патента: US5862166A. Автор: Chikashi Anayama. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-01-19.

Method for making a semiconductor laser by cleaving a cantilever heterostructure

Номер патента: US4769342A. Автор: Tetsuya Yagi,Hitoshi Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-09-06.

Semiconductor laser device with plural active layers and changing optical properties

Номер патента: US5177758A. Автор: Akihiko Oka,Shinji Sakano,Kazuhisa Uomi,Makoto Okai,Naoki Chinone,Tomonobu Tsuchiya,Tsukuru Ohtoshi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-01-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1253946A. Автор: Masayuki Yamaguchi,Mitsuhiro Kitamura,Ikuo Mito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-05-09.

Semiconductor laser

Номер патента: CA1130903A. Автор: Kazuo Sakai,Shigeyuki Akiba,Yoshio Itaya,Takaya Yamamoto,Yasuharu Suematsu,Kenichi Iga,Shigehisa Arai,Chuichi Ota,Masanobu Kodaira. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1982-08-31.

Surface emitting semiconductor laser device and fabricating method of the same

Номер патента: US5821566A. Автор: Seok-Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-13.

Semiconductor-laser-pumped, solid-state laser

Номер патента: US5257277A. Автор: Takashi Yamamoto,Shigenori Yagi,Mayumi Fujimura,Toyohiro Uchiumi,Akira Ishimori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Buried type semiconductor laser device

Номер патента: US4908830A. Автор: Toshihiko Yoshida,Haruhisa Takiguchi,Hiroaki Kudo,Shinji Kaneiwa,Sadayoshi Matsui. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-03-13.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4974232A. Автор: Nobuo Suzuki,Yuzo Hirayama,Masaru Nakamura,Hajime Okuda,Motoyasu Morinaga,Hideto Furuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-11-27.

Two-section complex coupled distributed feedback semiconductor laser with enhanced wavelength tuning range

Номер патента: US5936994A. Автор: Jin Hong,Hyung B. Kim,Toshi Makino. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Dynamically one-mode semiconductor laser

Номер патента: US4785462A. Автор: Rudolf Keil. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1988-11-15.

Fiber-grating semiconductor laser with tunability

Номер патента: US20030108079A1. Автор: Je Ha Kim,Hyun-Woo Song. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20160352075A1. Автор: Masayuki Iwami,Takuya Ishikawa,Norihiro Iwai,Akihiko Kasukawa,Hirotatsu Ishii,Yasumasa Kawakita,Takeyoshi Matsuda,Eisaku KAJI. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor laser optical waveguide telecommunications module and method of making

Номер патента: EP1192518A2. Автор: Dana C. Bookbinder. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-04-03.

Semiconductor laser device capable of suppressing leakage current in a light emitting and surface and method for manufacturing same

Номер патента: US20020064200A1. Автор: Masahiko Sakata,Noboru Oshima,Makoto Yokota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor laser inspection apparatus

Номер патента: US20230273241A1. Автор: Yohei Mikami,Tetsuhiro Fukao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor light-emitting element and substrate used in formation of the same

Номер патента: US7915635B2. Автор: Hitoshi Kasai,Katsushi Akita,Kensaku Motoki,Yoshiki Miura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-29.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240039248A1. Автор: Daisuke Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor laser, semiconductor laser device, and fabrication method of semiconductor laser

Номер патента: US20110222569A1. Автор: Takashi Kondo,Hideaki Ozawa,Kazutaka Takeda. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20020117678A1. Автор: Michio Ohkubo,Yutaka Ohki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor light-emitting element and substrate used in formation of the same

Номер патента: US20080296610A1. Автор: Hitoshi Kasai,Katsushi Akita,Kensaku Motoki,Yoshiki Miura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor laser

Номер патента: US12027823B2. Автор: Atsushi Nakamura,Shoko Yokokawa. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor laser and electronic device

Номер патента: US20080095205A1. Автор: Tadashi Takeoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor laser

Номер патента: US12027818B2. Автор: Koji Takeda,Shinji Matsuo,Takaaki Kakitsuka,Erina Kanno. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor laser elements and method of making same

Номер патента: US6463087B1. Автор: Satoshi Uchida,Masayoshi Ashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-10-08.

Semiconductor laser producing method

Номер патента: US20020016014A1. Автор: Takashi Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-07.

Electrically driven organic semiconductor laser diode, and method for producing same

Номер патента: EP3939131A1. Автор: Chihaya Adachi,Anthony D'Aleo,Jong Uk Kim,Toshinori Matsushima,Sangarange Don Atula SANDANAYAKA,Fatima BENCHEIKH,Jean-Charles RIBIERRE,Takashi Fujihara,Shinobu TERAKAWA,Ryutaro KOMATSU,Adikari Mudiyanselage Chathuranganie SENEVIRATHNE. Владелец: Koala Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-19.

Light-emitting apparatus

Номер патента: US20220341583A1. Автор: Masahiro Kato,Hiroyoshi Higashisaka,Hiroki Orita. Владелец: Sharp Fukuyama Laser Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20240243553A1. Автор: Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-07-18.

Ridge-type semiconductor laser element fabrication method

Номер патента: US20050084997A1. Автор: Takashi Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-04-21.

Lasers with beam-shape modification

Номер патента: US09865993B2. Автор: Alex A. Behfar,Cristian Stagarescu,Norman Sze-Keung Kwong. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor laser module and method for forming semiconductor laser module

Номер патента: US6836497B1. Автор: Masami Hatori. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-28.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1299718C. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

Semiconductor laser with vertical resonator

Номер патента: US5255278A. Автор: Yutaka Yamanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1993-10-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1298641C. Автор: Shoji Hirata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-04-07.

Distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US4720836A. Автор: Hitoshi Nakamura,Hiroyoshi Matsumura,Shinji Tsuji,Tadashi Fukuzawa,Kenji Hiruma. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-01-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5282218A. Автор: Yukie Nishikawa,Kazuhiko Itaya,Koichi Nitta,Genichi Hatakoshi,Masaki Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-01-25.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7609739B2. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Self-monitoring semiconductor laser device

Номер патента: US5136603A. Автор: Kuochou Tai,Ghulam Hasnain. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1992-08-04.

Semiconductor laser device having an oscillation wavelength in the visible short-wavelength region

Номер патента: US4759024A. Автор: Saburo Yamamoto,Toshiro Hayakawa,Kosei Takahashi,Takahiro Suyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-07-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1152626A. Автор: Antonius A.M. Van Alem,Johan C.J. Finck,Peter W.M. Van De Water. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-08-23.

Semiconductor laser with non-absorbing mirror facet

Номер патента: CA1206572A. Автор: Dan Botez. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1986-06-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: GB2304993A. Автор: Jeremy Burroughes,Angus North. Владелец: Toshiba Cambridge Research Centre Ltd. Дата публикации: 1997-03-26.

Semiconductor laser with aperiodic photonic lattice

Номер патента: WO2008012527A1. Автор: Alexander Giles Davies,Edmund Harold Linfield,Subhasish Chakraborty. Владелец: UNIVERSITY OF LEEDS. Дата публикации: 2008-01-31.

Apparatus and method for adjusting the optical axis of a semiconductor laser apparatus

Номер патента: US5408493A. Автор: Naofumi Aoki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1995-04-18.

Semiconductor laser module and semiconductor laser

Номер патента: EP4235987A1. Автор: Ning Li,Ziwei Wang,Huixuan HU,Mengdi WU,Kunzhong LU,Dapeng Yan. Владелец: Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Photonic crystal semiconductor laser device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4311045A1. Автор: Heonsu Jeon,Myeong Eun Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor laser diode and method for producing a semiconductor laser diode

Номер патента: US10270223B2. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor laser manufacturing method and semiconductor laser

Номер патента: US20120307854A1. Автор: Shunsuke NOZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor laser manufacturing method and semiconductor laser

Номер патента: US8599894B2. Автор: Shunsuke NOZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Circular polarization spin semiconductor laser using magnetic semiconductor and laser beam generating method

Номер патента: EP1478066A4. Автор: Kazunori Sato,Hiroshi Yoshida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2006-12-13.

Semiconductor laser and semiconductor laser device

Номер патента: US20230335972A1. Автор: Hideki Watanabe,Yuichiro Kikuchi,Hidekazu Kawanishi,Yuta Isozaki,Yukio Hoshina. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150085890A1. Автор: Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor laser element, semiconductor laser device, semiconductor laser device manufacturing method, and gas analysis device

Номер патента: EP4261528A1. Автор: Tomoji Terakado,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Integrated semiconductor laser element, semiconductor laser module, and optical transmission system

Номер патента: US20120128375A1. Автор: Tatsuya Kimoto,Toshikazu Mukaihara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor laser device of III-V group compound and fabrication method therefor

Номер патента: US20040037336A1. Автор: Hiroyuki Hosoba. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor laser and semiconductor laser device

Номер патента: US20230261438A1. Автор: Takashi Mizuno,Hideki Watanabe,Hiroyuki Miyahara,Eiji Nakayama,Makoto Oota,Yuichiro Kikuchi,Shinichi Agatuma. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20030231672A1. Автор: Satoshi Komoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor laser, method of designing diffraction grating layer of semiconductor laser, and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: WO2024100836A1. Автор: Shinji Matsuo,Takuma AIHARA,Nikolaos-Panteleimon DIAMANTOPOULOS. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corporation. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor laser and semiconductor laser device

Номер патента: US20230198222A1. Автор: Kosuke Shinohara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Method of manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20190237938A1. Автор: Daiji Kasahara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230253762A1. Автор: Masaki Wakaba. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Photonic crystal semiconductor laser device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240170918A1. Автор: Heonsu Jeon,Myeong Eun Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110164643A1. Автор: Makoto Okada,Osamu Horiuchi,Masaki Tohyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor laser chip and method for fabricating a semiconductor laser chip

Номер патента: US6836500B2. Автор: Bernd Borchert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-28.

Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts

Номер патента: US20240088622A1. Автор: Jörg Erich SORG,Herbert Brunner,Frank Singer,Harald KÖNIG,Alfred Lell,Roland Hüttinger,Karsten Auen,Florian Peskoller,Roland Schulz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120195339A1. Автор: Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064902A1. Автор: Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140105236A1. Автор: Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Semiconductor laser with metal pull-back dbr grating

Номер патента: US20240170920A1. Автор: Yifan Jiang,Padman Parayanthal,Wolfgang PARZ. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor laser element, semiconductor laser device, semiconductor laser device manufacturing method, and gas analysis device

Номер патента: US20240030683A1. Автор: Tomoji Terakado,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for making a high power semiconductor laser diode

Номер патента: US20080123697A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2008-05-29.

High power semiconductor laser diode and method for making such a diode

Номер патента: EP1547216A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Method for making a high power semiconductor laser diode

Номер патента: US20050201438A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2005-09-15.

Distributed Feedback Semiconductor Laser Based on Reconstruction-Equivalent-Chirp Technology and the Manufacture Method of the Same

Номер патента: US20090010295A1. Автор: Xiangfei Chen. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-01-08.

Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US20160064899A1. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Method of frequency-pulse modulation of a semiconductor laser source of optical radiation for optical interferometric sensors

Номер патента: RU2646420C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Михаил Викторович Мехреньгин,Михаил Юрьевич Плотников,Александр Юрьевич Киреенков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA2106596C. Автор: Michio Ohkubo,Toshio Kikuta. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-05.

A semiconductor laser device

Номер патента: GB2351841A. Автор: Stephen Peter Najda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-01-10.

Wavelength control in semiconductor lasers

Номер патента: US7483458B2. Автор: Jacques Gollier,Daniel Ohen Ricketts,Vikram Bhatia,Martin H. Hu,David A. Loeber,Chung-En Zah. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Semiconductor laser element and laser device using the same element

Номер патента: CA2106562C. Автор: YOSHIKAZU Yamada,Yuji Yoshida,Tsuyoshi Fujimoto,Shoji Ishizaka,Kiyofumi Muro. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 1999-05-04.

Semiconductor laser drive circuit with peak detection and control

Номер патента: US4701609A. Автор: Kenji Koishi,Tamotsu Matsuo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-10-20.

High-powered semiconductor laser array apparatus

Номер патента: EP1146617A3. Автор: Kunio Ito,Seiichiro Tamai,Masaru Kazumura,Masaaki Yuri,Toru Takayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-23.

Semiconductor laser device and optical pickup apparatus using the same

Номер патента: US20070091955A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Driving apparatus for semiconductor laser and method for controlling driving of semiconductor laser

Номер патента: US6104736A. Автор: Kweon Kim. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Method and apparatus for stabilizing the spectral characteristics of a semiconductor laser diode

Номер патента: CA1277701C. Автор: Bruce A. Richardson. Владелец: Bell Northern Research Ltd. Дата публикации: 1990-12-11.

Dfb laser with anti-reflection layer

Номер патента: CA1280819C. Автор: Pieter Ids Kuindersma,Henricus C.J. Krekels. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1991-02-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5825794A. Автор: Shoji Kitamura,Yoichi Shindo,Koji Nemoto,Shinji Ogino,Naokazu Sakamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-20.

Semiconductor laser

Номер патента: US5559821A. Автор: Tetsuya Yagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-24.

Semiconductor laser bonding technique

Номер патента: CA1152231A. Автор: Tibor F. I. Kovats,Tibor F. Devenyi,Christopher Michael Look. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1983-08-16.

Semiconductor laser having an active layer buried in a groove

Номер патента: US4723251A. Автор: Yasushi Sakakibara,Hideyo Higuchi,Etsuji Oomura,Hirofumi Namizaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-02-02.

Vertical cavity surface emitting laser with lateral injection

Номер патента: US5164949A. Автор: Donald E. Ackley,Paige M. Holm. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-11-17.

Nitride-based semiconductor laser device

Номер патента: US20080069163A1. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor laser and optical pickup with the same

Номер патента: US6122304A. Автор: Minoru Ohyama. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2000-09-19.

Semiconductor laser apparatus for optical head

Номер патента: CA1277406C. Автор: Yoshiyuki Matsumoto,You Yoshitoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1990-12-04.

Semiconductor laser device with integrated reflector on a (511) tilted lattice plane silicon substrate

Номер патента: US5479426A. Автор: Akio Yoshikawa,Hirokazu Shimizu,Hideyuki Nakanishi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1995-12-26.

Buried-type semiconductor laser device

Номер патента: CA2085337C. Автор: Toshio Kikuta,Akihiko Kasukawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-20.

Method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20170201064A1. Автор: Hitoshi Sakuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Continuous-wave organic thin-film distributed feedback laser and electrically driven organic semiconductor laser diode

Номер патента: US11909177B2. Автор: Chihaya Adachi,Toshinori Matsushima,Sangarange Don Atula SANDANAYAKA,Fatima BENCHEIKH,Kenichi Goushi,Jean-Charles RIBIERRE,Takashi Fujihara,Kou Yoshida. Владелец: Koala Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20120020377A1. Автор: Naoya KONO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Light-emitting device with distributed bragg reflection structure

Номер патента: US20220149234A1. Автор: De-Shan Kuo,Heng-Ying CHO. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160300978A1. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-13.

Light emitting device

Номер патента: US20200144465A1. Автор: Chung Hoon Lee. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Light emitting display device

Номер патента: EP4086888A2. Автор: Hyun Joon Kim,Jun Ki Jeong,Mee Hye JUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-09.

Light emitting display device

Номер патента: US12080724B2. Автор: Hyun Joon Kim,Jun Ki Jeong,Mee Hye JUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Light emitting device for display and display apparatus having the same

Номер патента: US20230387179A1. Автор: Dae Sung Cho,So Ra LEE,Chang Yeon Kim,Jong Min JANG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Light emitting device and display device including the same

Номер патента: US20230180503A1. Автор: Jung Ho Choi,Jae Hoon Hwang,Dong Chan Kim,Ji young Moon,Ha Jin Song,Pilgu Kang,Hakchoong LEE,Yoonseok KA. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Light emitting device

Номер патента: US10305010B2. Автор: Naoki Musashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-05-28.

Light emitting device including frame body with recessed portions

Номер патента: US9966520B2. Автор: Naoki Musashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Light emitting device

Номер патента: US20180301608A1. Автор: Naoki Musashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Light emitting device

Номер патента: US20170155025A1. Автор: Naoki Musashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Light emitting device for display and display apparatus having the same

Номер патента: US11798974B2. Автор: Dae Sung Cho,So Ra LEE,Chang Yeon Kim,Jong Min JANG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Organometallic compound, organic light emitting diode and organic light emitting device including the organometallic compound

Номер патента: US20220199919A1. Автор: Sung-Jin Park,Hyun Kim,Hee-Ryong Kang,Ga-Won Lee,Kyoung-Jin Park,Seung-hyun Yoon,Jae-Min Moon,Hee-Jun Park,Yoo-Jeong JEONG,Ku-Sun Choung. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Organometallic compound and organic light-emitting device including the same

Номер патента: US20210399238A1. Автор: Soobyung Ko,Sungbum Kim,Eunyoung LEE,Jaesung Lee,Haejin Kim,Eunsoo AHN. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Nanostructure semiconductor light emitting device

Номер патента: US20160056331A1. Автор: Byung Kyu Chung,Dong Gun Lee,Soo Jeong Choi,Jung Sub Kim,Yeon Woo Seo,Dae Myung Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-25.

Light emitting device

Номер патента: US20100155771A1. Автор: Yoshitaka Bando. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-06-24.

Light-emitting device with distributed Bragg reflection structure

Номер патента: US11855240B2. Автор: De-Shan Kuo,Heng-Ying CHO. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Organic light emitting display device having a reflective barrier and method of manufacturing the same

Номер патента: US11227903B2. Автор: Jeong-Oh Kim,Seong-Joo Lee,Jung-Sun Beak. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-18.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US6576933B2. Автор: Hirohisa Abe,Kuniaki Konno,Koichi Nitta,Hideto Sugawara,Yasuo Idei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Organic light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US10312308B2. Автор: Masakazu Takata. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2019-06-04.

Bonding methods for light emitting diodes

Номер патента: US20200357952A1. Автор: Stephan Lutgen,Thomas LAUERMANN. Владелец: Facebook Technologies LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Semiconductor light emitting device having patterns

Номер патента: US20150318440A1. Автор: Yohei Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-11-05.

Light emitting device and a method of making the same

Номер патента: US20170194544A1. Автор: Chia-Tai Chen,Ai-Ling Lin,Pen-Yi Liao,Jing-Yi YANG,Wen-Chia TSAI. Владелец: Taiwan Green Point Enterprise Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Lamp using semiconductor light-emitting devices

Номер патента: US20210026056A1. Автор: Jeongin Cheon,Seokhoon KANG,Kisuk Woo,Kwanwoo PARK. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2021-01-28.

Compound and organic light-emitting device comprising same

Номер патента: US11780856B2. Автор: Wanpyo HONG,Sujeong GEUM,Seonwoo KIM,Hye Min CHO. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Composition, light-emitting device, electronic apparatus, consumer product, and organometallic compound

Номер патента: US20230172053A1. Автор: Soobyung Ko,Mina Jeon,Sungbum Kim,Hyunjung Lee,Eunsoo AHN,Sujin SHIN,Jinhee Ju. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Light emitting display device

Номер патента: EP4086888A3. Автор: Hyun Joon Kim,Jun Ki Jeong,Mee Hye JUNG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-25.

Method for producing vertical organic light-emitting transistor device, display

Номер патента: US20230403918A1. Автор: BO LIU,Hiroyuki Yasuda,Hiromitsu Katsui,Maxime LEMAITRE. Владелец: Mattrix Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device including vertical wire bonds

Номер патента: US11749647B2. Автор: Junrong Yan,Xiaofeng Di,Xin Lu,Qi Deng,Cong Zhang,Weili Wang,Chin-Tien Chiu,CheeKeong Chin,Chaur Yang Ng,Chenlin Yang. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Pixel and display device including the same

Номер патента: US20230343295A1. Автор: Gun Hee Kim,Sun Young Jung,Jin Wook Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Pixel and display device including the same

Номер патента: US11862101B2. Автор: Gun Hee Kim,Sun Young Jung,Jin Wook Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

IC package with non-central chip attachment to prevent warpage

Номер патента: TW200816413A. Автор: Chia-Chang Chang. Владелец: Powertech Technology Inc. Дата публикации: 2008-04-01.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020005521A1. Автор: Masayuki Sonobe,Tetsuhiro Tanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Optic coupler with semiconductor laser

Номер патента: RU2752615C1. Автор: Игорь Григорьевич Кирин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Оренбургский государственный университет». Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor layer, process for forming the same, and semiconductor light emitting device

Номер патента: US7727791B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-06-01.

Light emitting substrates and display devices

Номер патента: US11848317B2. Автор: Jing Wang,Min He,XUE Zhao,Xiaodong Xie,Wenjie Xu,Xinxiu ZHANG,Bin PANG,Huayu SANG. Владелец: Hefei BOE Ruisheng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Light emitting device, method for manufacturing light emitting device, and electronic device

Номер патента: US20230063966A1. Автор: Yoshinori Uchida. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Micro light-emitting device display apparatus

Номер патента: US20210327955A1. Автор: Yi-Ching Chen,Yu-Chu Li. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Light-emitting device

Номер патента: US12013089B2. Автор: Tatsuya Hayashi,Yusuke Hayashi,Masahiro Okazaki,Satoshi SHICHIJO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacturing an organic light emitting display device

Номер патента: US09881981B2. Автор: Chun-Gi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Light emitting device and display device including the same

Номер патента: US20240172470A1. Автор: Changwoong CHU,Jaeweon Hur,Jin-Won Sun,Heejoo Ko,Pyungeun JEON,Yoojin Sohn,Eunhye SONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Display device including a fifth transistor connected between the power line and the light emitting diode

Номер патента: US12063830B2. Автор: Jihye Kim,Jin-Wook Yang,Jae-Hyeon JEON,Donggyu LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Display device including light-emitting and light-receiving element

Номер патента: US12052879B2. Автор: Kazunori Watanabe,Susumu Kawashima,Kensuke Yoshizumi,Koji KUSUNOKI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Light-emitting device and electronic apparatus

Номер патента: US20160025302A1. Автор: Koya SHIRATORI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-01-28.

Organometallic complex and light-emitting device

Номер патента: US20240147835A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Hiroki Murakami,Tomoya Yamaguchi,Hiromitsu KIDO,Hideko YOSHIZUMI,Yui Yoshiyasu,Masatoshi TAKABATAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Light-emitting device including organometallic compound, electronic apparatus including the light-emitting device, and the organometallic compound

Номер патента: US20230322831A1. Автор: Mina Jeon,Sungbum Kim,Eunyoung LEE,Sujin SHIN,Iljoon Kang,Jinhee Ju. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Display panel and display device including the same

Номер патента: US20240087504A1. Автор: Hae-Kwan Seo,Bon-Seog Gu,Jaekeun Lim,Jinyoung ROH. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Organic light emitting display device and method of testing the same

Номер патента: US20140197744A1. Автор: Young Woo Choi,Kwangsae Lee. Владелец: Nextin Inc. Дата публикации: 2014-07-17.

Method for producing vertical organic light-emitting transistor device, display

Номер патента: WO2023238765A1. Автор: BO LIU,Hiroyuki Yasuda,Hiromitsu Katsui,Maxime LEMAITRE. Владелец: Mattrix Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-12-14.

Organic light emitting diode display device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12010895B2. Автор: Lei Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor Integrated Circuit Device Including Function for Detecting Degradation of Semiconductor Device And Method of Driving The Same

Номер патента: KR102231519B1. Автор: 황정태. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2021-03-24.

Intercom device based on solid-state laser with pump by laser diode

Номер патента: RU2668359C1. Автор: Сергей Николаевич Григорьев-Фридман. Владелец: Сергей Николаевич Григорьев-Фридман. Дата публикации: 2018-09-28.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20170219951A1. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Method for evenly coating semiconductor laser end faces and frame used in the method

Номер патента: US20020076943A1. Автор: Masayuki Ohta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Organic light-emitting display device

Номер патента: EP3916796A1. Автор: Jun-Ho Choi,Jin-Koo Chung,Seong-Min Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-01.

Semiconductor laser drive control apparatus

Номер патента: US20090129416A1. Автор: Tsuyoshi Moriyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Light emitting display device

Номер патента: EP4418841A2. Автор: Tae-Jong Jun,Soo-Lin Kim,Sung-Jae Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Light emitting display device

Номер патента: US20240284744A1. Автор: Tae-Jong Jun,Soo-Lin Kim,Sung-Jae Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US9983503B2. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Bank transmission pattern of color conversion panel, display device including the same, and method of providing the same

Номер патента: US20240357913A1. Автор: Young Min Kim,Keun Young Park,Hyun-seok Kim,Hye Seung Lee,Hyun Woo Noh,Moon Jung BAEK,Hyo Joon Kim,Hyeong Gyu KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor laser control method and semiconductor laser control device

Номер патента: US20020070329A1. Автор: Kenji Koishi,Makoto Usui,Yasuhiro Ueki,Tomonori Ueno,Yutaka Osada,Toru Fujimoto,Kohjyu Konno,Yoshiyuki Miyabata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Light emitting diode device and backlight module and display device comprising the same

Номер патента: US20210088850A1. Автор: Jian-Ging Chen,Chung-Hwa Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

BALL VALVE WITH NON-CENTRAL P through-channel

Номер патента: NO931730D0. Автор: Giulio Bonetti. Владелец: Bonetti Cesare Spa. Дата публикации: 1993-05-12.

Calibrating cameras with non-central camera models of axial viewpoint offset and computing point projections

Номер патента: CN113744340A. Автор: 拉德卡·特佐尔. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-12-03.

Fluid ejection devices including contact pads

Номер патента: CA3126131C. Автор: Michael W. Cumbie,Anthony M. Fuller,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-11-07.

Fluid ejection devices including contact pads

Номер патента: AU2019428063A1. Автор: Michael W. Cumbie,Anthony M. Fuller,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-09-23.

Fluid ejection devices including contact pads

Номер патента: US20210221133A1. Автор: Michael W. Cumbie,Anthony M. Fuller,James Michael Gardner,Scott A. Linn. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2021-07-22.

Light emitting device

Номер патента: US20110157864A1. Автор: Shinji Saito,Shinya Nunoue,Yasushi Hattori,Rei Hashimoto,Masaki Tohyama,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Optical ranging device, laser light emitting device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210341587A1. Автор: Kenichi Yanai,Yoshihide Tachino,Teiyu Kimura,Shinji Kashiwada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor laser based sensing device

Номер патента: NZ511043A. Автор: Valentin Morozov,Chong Chang Mao,John K Korah,Kristina M Ohnson. Владелец: Univ Technology Corp. Дата публикации: 2003-12-19.

Semiconductor laser and optical system having a collimator lens

Номер патента: US20020008893A1. Автор: Naotaro Nakata,Akihisa Yoshida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-24.

Scanning optical device including first semiconductor laser, second semiconductor laser, first optical sensor, and second optical sensor which are mounted on circuit board

Номер патента: US20240168402A1. Автор: Koji Abe,Junichi Yokoi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Light-emitting device

Номер патента: US20190285248A1. Автор: Satoshi Wada,Masaaki Osawa,Masao Kamiya,Kento HAYASHI,Yuhki KAWAMURA. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Coherent lidar system based on semiconductor laser and amplifier

Номер патента: RU2484500C2. Автор: Христиан ПЕДЕРСЕН,Рене Сков ХАНСЕН. Владелец: Данмаркс Текниске Университет. Дата публикации: 2013-06-10.

Semiconductor laser module and manufacturing method therefor

Номер патента: US20110317735A1. Автор: Jun Miyokawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Gyro Employing Semiconductor Laser

Номер патента: US20080037027A1. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2008-02-14.

Gyro employing semiconductor laser

Номер патента: EP1724552B1. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2012-05-09.

Gyro employing semiconductor laser

Номер патента: US7835008B2. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2010-11-16.

Dual wavelength semiconductor laser source for optical pickup

Номер патента: US6941046B2. Автор: Susumu Koike,Kenichi Matsuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-06.

Semiconductor laser light source device and optical pickup device

Номер патента: US20050047315A1. Автор: Yuichi Atarashi. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Dual wavelength semiconductor laser source for optical pickup

Номер патента: US20030142897A1. Автор: Susumu Koike,Kenichi Matsuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Light emitting apparatus having a plurality of light emitting points

Номер патента: US5018127A. Автор: Hideo Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-05-21.

Optical disk device and luminescent power control method for semiconductor laser

Номер патента: US20030099174A1. Автор: Hisataka Sugiyama,Masataka Ota,Masanori Matsuzaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-29.

Sensor detecting attenuated total reflection angle by using semiconductor laser unit driven with driving current on which high frequency component is superimposed

Номер патента: US20020109846A1. Автор: Masayuki Naya. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for coupling semiconductor laser with optical fiber

Номер патента: US5087109A. Автор: Osamu Kato,Satoshi Ishizuka,Kazuro Toda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1992-02-11.

Optical element utilized for optical storage unit and optical device including the optical element

Номер патента: US5745265A. Автор: Shinya Hasegawa,Hiroyasu Yoshikawa,Kohichi Tezuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-04-28.

Semiconductor laser treatment unit

Номер патента: CA1284186C. Автор: Toshio Ohshiro,Tokuharu Hayashi. Владелец: MEDICAL LASER RESEARCH Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-14.

Dual beam laser device for linear and planar alignment

Номер патента: US6034763A. Автор: David M. Kramer,Dan Slater. Владелец: Nearfield Systems Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Semiconductor laser device and optical pickup apparatus

Номер патента: US20020064107A1. Автор: Hiroki Uemura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Semiconductor laser device and optical pickup apparatus

Номер патента: US6873581B2. Автор: Hiroki Uemura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-29.

Semiconductor laser module

Номер патента: US5584569A. Автор: Chaochi Huang. Владелец: Quarton Inc. Дата публикации: 1996-12-17.

Multi-beam measuring device for 3d scanning of an environment having multiple semiconductor laser arrays and uniform beam distribution

Номер патента: EP3816661A3. Автор: Jürg Hinderling,Simon Bestler,Rainer Wohlgenannt. Владелец: HEXAGON TECHNOLOGY CENTER GMBH. Дата публикации: 2021-09-29.

Semiconductor laser module

Номер патента: US5751877A. Автор: Tetsuo Ishizaka,Manabu Komiyama,Noboru Sonetsuji,Toshio Ohya,Shunichi Satoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-05-12.

Multi-beam measuring device for 3d scanning of an environment having multiple semiconductor laser arrays and uniform beam distribution

Номер патента: EP3816661A2. Автор: Jürg Hinderling,Simon Bestler,Rainer Wohlgenannt. Владелец: HEXAGON TECHNOLOGY CENTER GMBH. Дата публикации: 2021-05-05.

Raman spectroscopic apparatus utilizing internal grating stabilized semiconductor laser with high spectral brightness

Номер патента: US20070146699A1. Автор: Qun Li,Sean Xiaolu Wang. Владелец: BWT Property Inc. Дата публикации: 2007-06-28.

Optical head using semiconductor laser array as light source

Номер патента: US5289313A. Автор: Kazuhiko Matsuoka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-02-22.

Optoelectronic device having a coupling comprising a lens and arranged between an optical transmission fiber and a semiconductor laser diode

Номер патента: US5107537A. Автор: Jan W. Kokkelink,Cornelis G. Schriks,Hermanus A. van de Pas,Hendricus F. J. J. van Tongeren. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1992-04-21.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, EPITAXIAL SUBSTRATE, METHOD OF FABRICATING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE

Номер патента: US20120327967A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

ORGANIC MATERIAL AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120001157A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Room Temperature Silicon-Compatible LED/Laser with Electrically Pumped Field Emission Device

Номер патента: US20120001543A1. Автор: Chen Jianxiao,Cox Charles H.. Владелец: Photonic Systems, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120001223A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Optically pumped semiconductor laser

Номер патента: RU2047935C1. Автор: А.А. Чельный. Владелец: Акционерное общество "Сигма-Плюс". Дата публикации: 1995-11-10.

Vertically emitting laser with bragg mirrors and intracavity metal contacts

Номер патента: RU2554302C2. Автор: Михаил Алексеевич Калитеевский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение высшего профессионального образования и науки Санкт-Петербургский Академический университет - научно-образовательный центр нанотехнологий Российской академии наук. Дата публикации: 2015-06-27.

Method of making semiconductor laser device

Номер патента: CA2103716C. Автор: Hitoshi Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-12-12.

Semiconductor laser driver

Номер патента: RU2529053C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Геннадий Андреевич Гаврилов,Галина Юрьевна Сотникова,Александр Леонович Тер-Мартиросян. Владелец: Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы". Дата публикации: 2014-09-27.

Semiconductor laser unit and its manufacturing process

Номер патента: RU2262171C2. Автор: Хироаки МАТСУМУРА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2005-10-10.

Semiconductor laser (versions)

Номер патента: RU2529450C2. Автор: Борис Николаевич Звонков,Александр Алексеевич Дубинов,Владимир Яковлевич Алешкин,Сергей Михайлович Некоркин,Михаил Николаевич Колесников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН). Дата публикации: 2014-09-27.

Method of heat removal from heat dissipating electronic components on basis of use of semiconductor lasers

Номер патента: RU2562742C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Тимур Декартович Нежведилов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor laser

Номер патента: RU2153745C1. Автор: И.Д. Залевский,В.В. Безотосный. Владелец: Безотосный Виктор Владимирович. Дата публикации: 2000-07-27.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001184A1. Автор: Hwang Young-In,Lee Jong-Hyuk,Kim Keum-Nam,Song Young-Woo,Ha Jae-Heung,Hwang Kyu-Hwan,Yoon Seok-Gyu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of determining amplitude of nanovibrations from spectrum of frequency-modulated semiconductor laser autodyne

Номер патента: RU2520945C1. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Анатолий Владимирович Скрипаль,Елисей Игоревич Астахов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2014-06-27.

METHOD OF PRODUCING ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120003764A1. Автор: Koike Atsushi,Kameyama Makoto. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT-EMITTING MODULE AND LUMINAIRE

Номер патента: US20120002425A1. Автор: Shimizu Keiichi,Sugishita Naoki,Watanabe Hiroaki,Takai Homare. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor laser

Номер патента: RU2535649C1. Автор: Андрей Владимирович Крюков,Андрей Георгиевич Шаврин,Владимир Анатольевич Токарев,Борис Николаевич Звонков,Александр Алексеевич Дубинов,Владимир Яковлевич Алешкин,Сергей Михайлович Некоркин. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2014-12-20.

COMPOSITION FOR LIGHT-EMITTING PARTICLE-POLYMER COMPOSITE, LIGHT-EMITTING PARTICLE-POLYMER COMPOSITE, AND DEVICE INCLUDING THE LIGHT-EMITTING PARTICLE-POLYMER COMPOSITE

Номер патента: US20120001217A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Distributed feedback and distributed bragg reflector semiconductor lasers

Номер патента: SG139547A1. Автор: Chua Soo Jin,Teng Jinghua,DONG Jianrong. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2008-02-29.

Pulse amplifier suitable for use in the semiconductor laser driving device

Номер патента: CA1275149C. Автор: Kazuhiro Suzuki,Masakazu Mori,Takashi Tsuda,Kazuo Yamane,Yoshinori Ohkuma. Владелец: . Дата публикации: 1990-10-09.

Solid-body laser with diode pumping (versions)

Номер патента: RU2339138C2. Автор: Сергей Николаевич Карпухин,Сергей Викторович Рутковский,Валерий Дмитриевич Ноздрачев. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-технический центр "Юпитер-Z". Дата публикации: 2008-11-20.

Method for passivation and protection of resonator end faces of semiconductor lasers

Номер патента: RU2421856C1. Автор: Сергей Олегович Слипченко,Илья Сергеевич Тарасов,Никита Александрович Пихтин,Татьяна Андреевна Налет,Сергей Олегович Слипченко (RU),Илья Сергеевич Тарасов (RU),Никита Александрович Пихтин (RU),Татьяна Андреевна Налет (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Эльфолюм". Дата публикации: 2011-06-20.

Organic Light Emitting Diode Display and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001185A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT EMITTING DIODE DISPLAY

Номер патента: US20120001207A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.