Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8085826B2
Опубликовано: 27-12-2011
Автор(ы): Masataka Ohta, Yoshie Fujishiro, Yuhzoh Tsuda
Принадлежит: Sharp Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nitride semiconductor crystal producing method, nitride semiconductor epitaxial wafer, and nitride semiconductor freestanding substrate

Номер патента: US20130069075A1. Автор: Yuichi Oshima,Hajime Fujikura,Taichiroo Konno. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Method of growing nitride semiconductor device

Номер патента: US20150279658A1. Автор: Ken Nakata,Isao Makabe,Keiichi Yui,Tsuyoshi Kouchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Group III nitride semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US11955581B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240071756A1. Автор: Toshiaki Ono,Koji Matsumoto,Hiroshi Amano,Yoshio Honda. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: US09558938B2. Автор: Yosuke Shimada,Hideyuki GONO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Growth of Nitride Semiconductor Crystals

Номер патента: US20070256626A1. Автор: Hideki Hashimoto,Hideo Kawanishi,Akihiko Horiuchi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US6562701B2. Автор: Masaaki Yuri,Daisuke Ueda,Masahiro Ishida. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-13.

Group iii-v nitride semiconductor growth method and vapor phase growth apparatus

Номер патента: CA2313155C. Автор: Masami Tatsumi,Ryu Hirota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-09-30.

Epitaxial growth of compound nitride semiconductor structures

Номер патента: US20070240631A1. Автор: David Eaglesham,Sandeep Nijhawan,Lori Washington,Jacob Smith,David Bour,Ronald Stevens. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11935744B2. Автор: Ken Nakata,Isao Makabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Nitride semiconductor growth method, nitride semiconductor substrate, and nitride semiconductor device

Номер патента: CA2258080C. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2007-06-05.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: US6153010A. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor device, and method for fabricating the device

Номер патента: US12100936B2. Автор: Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

III nitride semiconductor epitaxial substrate and III nitride semiconductor light emitting device, and methods of producing the same

Номер патента: US09543469B2. Автор: Masatoshi Iwata,Yoshikazu Ooshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20090233423A1. Автор: Takayuki Suzuki,Takeshi Meguro,Ken Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US9779934B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor light emitting element, group iii nitride semiconductor substrate and method for manufacturing such group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP1981093A1. Автор: Hisashi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. MINEMOTO,Yasuo c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KITAOKA,Yasutoshi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KAWAGUCHI,Yasuhito c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. TAKAHASHI,Yoshiaki c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. HASEGAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Template for epitaxial growth, a method for producing it and a nitride semiconductor device

Номер патента: RU2653118C1. Автор: Акира ХИРАНО,Сирил ПЕРНО. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-07.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device, group III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US8669129B2. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal, and method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal substrate

Номер патента: US20100233870A1. Автор: Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20100181577A1. Автор: Chih-Ming Lai,Po-Chun Liu,Yih-Der Guo,Jenq-Dar Tsay. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-07-22.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20150125982A1. Автор: Sung-soo Park,Moon-sang Lee,Dae-ho Yoon,Bong-Kyun KANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2015-05-07.

Group iii nitride semiconductor

Номер патента: EP3712925A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200075810A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US20110108944A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200006049A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of forming nitride semiconductor epitaxial layer and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8349078B2. Автор: Makoto Kiyama,Hiromu Shiomi,Seiji Nakahata,Akihiro Hachigo,Yu Saitoh,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Methods of growing nitride semiconductors and methods of manufacturing nitride semiconductor substrates

Номер патента: US20150115280A1. Автор: Sung-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4407657A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240297224A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Nitride semiconductor wafer production method and nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP4411032A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4394093A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Structure for growth of nitride semiconductor layer, stacked structure, nitride-based semiconductor element, light source, and manufacturing method for same

Номер патента: US20140124816A1. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Toshiya Yokogawa,Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Group III nitride semiconductor and method for producing same

Номер патента: US10923346B2. Автор: Hiroshi Ono,Akihiko Ishibashi,Kenya Yamashita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Method of growing nitride semiconductor layer, nitride semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09728404B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jae Hoon Song,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Group-iii element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20230246132A1. Автор: Takayuki Hirao,Katsuhiro Imai,Kentaro Nonaka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semipolar nitride semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583340B2. Автор: Young-soo Park,Jun-Youn Kim,Young-jo Tak,Jae-Kyun Kim,Joo-sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

Номер патента: US12071707B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of producing periodic table group 13 metal nitride semiconductor crystal and periodic table group 13 metal nitride semiconductor crystal produced by this production method

Номер патента: US09899568B2. Автор: Shigeru Terada,Hiromitsu Kimura,Yuya Saito,Sumitaka Itoh. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

Номер патента: US20240368804A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4386116A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Group-III element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US12057307B2. Автор: Masahiro Sakai,Shohei Oue. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

P-Type Group III Nitride Semiconductor and Production Method Thereof

Номер патента: US20080246053A1. Автор: Hitoshi Takeda,Hisayuki Miki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-09.

Nitride semiconductor substrate, laminated structure, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US12091774B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4442868A1. Автор: Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Keisuke Mihara,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240355620A1. Автор: Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Keisuke Mihara,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09711685B2. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09530846B2. Автор: Hiroshi Oishi,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for depositing a group III nitride semiconductor film

Номер патента: US09478420B2. Автор: Heinz Felzer,Lorenzo CASTALDI,Martin Kratzer,Robert MAMAZZA, Jr.. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Group iii nitride crystal substrate, method for producing same, and group iii nitride semiconductor device

Номер патента: EP1736572B1. Автор: Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki,Ryu c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. HIROTA,Seiji c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. NAKAHATA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Group-III nitride structure including a fine wall-shaped structure containing a group-III nitridesemiconductor crystal and method for producing a group-III nitride structure including a fine wall-shaped structure containing a group-III nitride semiconductor crystal

Номер патента: US09680058B2. Автор: Katsumi Kishino,Akihiko Kikuchi. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor apparatus, method for growing nitride semiconductor and method for producing semiconductor apparatus

Номер патента: US20060145166A1. Автор: Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Toshiya Matsuda,Takanori Yasuda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

N-type aluminum nitride single-crystal substrate and vertical nitride semiconductor device

Номер патента: US09748410B2. Автор: Toru Kinoshita,Toru Nagashima,Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Group-iii element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20230282711A1. Автор: Masahiro Sakai,Hiroki Kobayashi,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Nitride semiconductor substrate, laminated structure, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240302302A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240321576A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Group iii element nitride semiconductor substrate and bonded substrate

Номер патента: US20240347674A1. Автор: Tomohiko Sugiyama,Ayumi Saito. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: US09812607B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20130252401A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20110068434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Nitride Semiconductor Crystal Manufacturing Apparatus, Nitride Semiconductor Crystal Manufacturing Method, and Nitride Semiconductor Crystal

Номер патента: US20110171462A1. Автор: Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Michimasa Miyanaga,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Nitride semiconductor and nitride semiconductor crystal growth method

Номер патента: US20140318441A1. Автор: Hideyoshi Horie,Kaori Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-30.

Method for producing self-supporting nitride semiconductor substrate and self-supporting nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP2119815A1. Автор: Masataka Watanabe,Shoichi Takamizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Method for manufacturing nitride semiconductor self-supporting substrate and nitride semiconductor self-supporting substrate

Номер патента: US9127376B2. Автор: Masataka Watanabe,Shoichi Takamizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4289994A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4289995A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240079412A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor laminate, program for selecting substrate, program for outputting substrate data, nitride semiconductor substrate with program for outputting substrate data, off-angle coordinate map, nitride semiconductor substrate with off-angle coordinate map, program for selecting semiconductor device, method for producing nitride semiconductor substrate, method for producing semiconductor laminate, method for producing semiconductor device, and method for...

Номер патента: US20210184003A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Gallium nitride substrate and manufacturing method of nitride semiconductor crystal

Номер патента: US09673046B2. Автор: Shuichi Kubo,Hajime Matsumoto,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada,Tatsuhiro OHATA. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Base, nitride semiconductor emitting ultraviolet radiation element and method for production of base

Номер патента: RU2702948C1. Автор: Акира ХИРАНО,Йосуке НАГАСАВА. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-10-14.

Group iii nitride semiconductor single crystal, method for producing the same, self-standing substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20140070370A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP4321658A1. Автор: Junya Ishizaki,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140061661A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for fabricating a nitride semiconductor device

Номер патента: US6764871B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Ayumu Tsujimura,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US11873578B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150115307A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20240162041A1. Автор: Junya Ishizaki,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4299802A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Keitaro Tsuchiya,Kazutoshi Nagata,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Nitride semiconductor substrate and method for producing the same

Номер патента: US20240117525A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Keitaro Tsuchiya,Kazutoshi Nagata,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Group iii nitride semiconductor substrate and method of manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200032418A1. Автор: HIROKI Goto,Yujiro Ishihara. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Nitride semiconductor wafer and method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20230290835A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method for Fabrication Group III Nitride Semiconductor

Номер патента: US20080076200A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: EP1794780A1. Автор: Masato c/o Showa Denko K.K. KOBAYAKAWA,Hisayuki c/o SHOWA DENKO K.K. MIKI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-06-13.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: WO2006030918A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-03-23.

Nitride semiconductor epitaxial substrate, method for producing same, and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240112909A1. Автор: Manabu Yanagihara,Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita,Hisayoshi Matsuo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Group iii element nitride semiconductor substrate, epitaxial substrate, and functional element

Номер патента: US20240347604A1. Автор: Katsuhiro Imai,Sota Maehara,Yoshitaka Kuraoka,Kentaro Nonaka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for producing a group III nitride semiconductor single crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09567693B2. Автор: Shiro Yamazaki,Seiji Nagai,Miki Moriyama,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor laminate, laminated structure, method for manufacturing nitride semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor laminate

Номер патента: US20190198312A1. Автор: Takehiro Yoshida,Masatomo Shibata,Hajime Fujikura,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Group-iii element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20230395373A1. Автор: Masahiro Sakai,Hiroki Kobayashi,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Mbe growth of p-type nitride semiconductor materials

Номер патента: WO2004051719A1. Автор: Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Katherine L. Johnson. Владелец: Bousquet, Valerie. Дата публикации: 2004-06-17.

Method and apparatus for producing group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20240153765A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Kei Suzuki,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US09691940B2. Автор: Chih-Wei Hu,Jung Hsuan,Jin-Ji Dai. Владелец: Episil-Precision Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nitride semiconductor template for light emitting diode and preparation thereof

Номер патента: US20050133798A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jae-hee Cho,Cheol-soo Sone,Hyun-Min Jung,Hae-Yong Lee,Hyun-Min Shin,Choon-Kon Kim,Jeong-Wook Lee. Владелец: Samsung Corning Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-23.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate and layered structure

Номер патента: US11908688B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20160293710A1. Автор: Hiroshi Oishi,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2016-10-06.

Method for producing nitride semiconductor laminate, silicon semiconductor product, method for inspecting film quality and method for inspecting semiconductor growth device

Номер патента: US11946874B2. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Method for manufacturing a semiconductor substrate and device by bonding an epitaxial substrate to a first support substrate, forming a first and second protective thin film layer, and exposing and bonding a nitride semiconductor layer to a second support substrate

Номер патента: US11961765B2. Автор: Yuki Takiguchi,Masahiro Fujikawa,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190067512A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Nitride semiconductor component layer structure on a group iv substrate surface

Номер патента: US20100133658A1. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2010-06-03.

Method for heteroepitaxial growth of iii metal-face polarity iii-nitrides on substrates with diamond crystal structure and iii-nitride semiconductors

Номер патента: EP2842154A1. Автор: Alexandros Georgakilas,Kleopatra ARETOULI,Katerina TSAGARAKI. Владелец: FOUNDATION FOR RES AND Technology. Дата публикации: 2015-03-04.

Method for Producing Group III Nitride Semiconductor, Seed Substrate and Group III Nitride Semiconductor Crystal

Номер патента: US20180097142A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Group-III element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US11862689B2. Автор: Masahiro Sakai,Hiroki Kobayashi,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Nitride semiconductor substrate, method for manufacturing nitride semiconductor substrate, and laminated structure

Номер патента: US11970784B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Group-iii element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20230352298A1. Автор: Katsuhiro Imai,Tomohiko Sugiyama. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Nitride semiconductor substrate, laminate, substrate selection program, substrate data output program, off-angle coordinate map, and methods thereof

Номер патента: US11967617B2. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: US20170263807A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: US20170256677A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Nitride semiconductor component layer structure on a group iv substrate surface and fabrication method

Номер патента: MY149217A. Автор: Dadgar Armin,Krost Alois. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2013-07-31.

Methodology for annealing group III-nitride semiconductor device structures using novel weighted cover systems

Номер патента: US10460955B2. Автор: Michael A. Derenge. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2019-10-29.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US8759837B2. Автор: Masakazu Kuwabara,Harumasa Yoshida,Yasufumi Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2014-06-24.

Method for diffusing impurities into nitride semiconductor crystals

Номер патента: CA1037840A. Автор: Jacques I. Pankove. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-05.

Group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20070105258A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-10.

N-type gan crystal, gan wafer, and gan crystal, gan wafer and nitride semiconductor device production method

Номер патента: EP3839108A1. Автор: Tatsuya Takahashi,Kenji Iso,Tae Mochizuki,Yuuki ENATSU. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2021-06-23.

Group-iii nitride semiconductor nanoparticles, core-shell-type particles, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230357011A1. Автор: Kenji Moriyama,Atsushi Muramatsu,Yasuyuki Miyake,Kiyoshi Kanie,Wataru Tamura,Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190081203A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180166604A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of Manufacturing Nitride Semiconductor Substrate

Номер патента: US20120034763A1. Автор: Fumitake Nakanishi,Hideki Osada,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Methods for improved growth of group III nitride semiconductor compounds

Номер патента: US8980002B2. Автор: Lu Chen,Hidehiro Kojiri,Yuriy Melnik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Method of forming nitride semiconductor film

Номер патента: US12094710B2. Автор: Nobuaki Takahashi,Yusuke Mori,Hitoshi Miura,Masayuki Imanishi,Ryuji KATAYAMA,Koji Neishi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-09-17.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160163928A1. Автор: Kohei Miyoshi,Massashi TSUKIHARA. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2016-06-09.

Nitride semiconductor material and heat flow switching device comprising same

Номер патента: EP4299517A1. Автор: Masaki Adachi,Toshiaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Nitride semiconductor material and heat flow switching element including the same

Номер патента: US20240140797A1. Автор: Masaki Adachi,Toshiaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor layer, method for manufacturing group iii nitride semiconductor light-emitting device, and group iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20110163350A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-07-07.

Method of manufacturing group iii-nitride semiconductor

Номер патента: US20240266168A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Masahiro Miyagi,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing aluminum-containing nitride intermediate layer, method for manufacturing nitride layer, and method for manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20110062016A1. Автор: Masahiko Sakata,Masahiro Araki,Takaaki Utsumi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: MY193073A. Автор: Andreas Walter. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2022-09-26.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: EP3504355A1. Автор: Andreas Walter. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-07-03.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: US20190242017A1. Автор: Andreas Walter. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-08-08.

III-nitride semiconductor light-emitting device and method of producing the same

Номер патента: US11804567B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of forming nitride semiconductor film

Номер патента: US20210217618A1. Автор: Nobuaki Takahashi,Yusuke Mori,Hitoshi Miura,Masayuki Imanishi,Ryuji KATAYAMA,Koji Neishi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2021-07-15.

Process of forming nitride semiconductor layers

Номер патента: US20180061632A1. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for producing a group III nitride semiconductor

Номер патента: US9214336B2. Автор: Naoyuki Nakada. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Method for producing group iii-nitride semiconductor

Номер патента: EP4379775A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Masahiro Miyagi,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-06-05.

Single crystalline a-plane nitride semiconductor wafer having orientation flat

Номер патента: EP1777325A2. Автор: Ki Soo Lee,Hyun Min Shin. Владелец: Samsung Corning Precision Glass Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-25.

III-nitride semiconductor device fabrication

Номер патента: US8168000B2. Автор: Robert Beach,Mike Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-05-01.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US7986030B2. Автор: Takeshi Meguro. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-07-26.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090175305A1. Автор: Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09444225B2. Автор: Shinya Takado,Junichi Kashiwagi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-09-13.

Method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US9036671B2. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130280837A9. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065336A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065337A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130308670A1. Автор: Koji Katayama,Hiroshi Nakajima,Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takatoshi Ikegami,Katsunori Yanashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor laser element

Номер патента: EP2741381A3. Автор: Takashi Miyoshi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-01-13.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20110268144A1. Автор: Satoshi Tamura,Hideki Kasugai,Kazutoshi Onozawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20140294029A1. Автор: Shingo Masui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Nitride semiconductor laser diode

Номер патента: US8432946B2. Автор: Masashi Kubota. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Semiconductor laser element and method for manufacturing the same

Номер патента: US11881684B2. Автор: Yoshitaka NAKATSU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090130790A1. Автор: Shinji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Group III nitride semiconductor optical device, epitaxial substrate, and method of making group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8148716B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-03.

Nitride semiconductor vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20070036186A1. Автор: David Bour,Scott Corzine. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Improved semiconductor laser

Номер патента: WO2002011257A1. Автор: John Haig Marsh,Craig James Hamilton,Olek Peter Kowalski. Владелец: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1286440A3. Автор: Masayuki Iwami,Hirotatsu Ishii,Mikihiro Yokozeki,Kaname Saito. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-27.

Improved semiconductor laser

Номер патента: EP1413020A1. Автор: John Haig Marsh,Craig James Hamilton,Olek Peter c/o University of Glasgow KOWALSKI. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2004-04-28.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20100151658A1. Автор: Shinji Abe,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor laser device and a method of growing a semiconductor laser device

Номер патента: US5828685A. Автор: Geoffrey Duggan. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-10-27.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1037342A3. Автор: Masato Ishino,Yoshiaki Nakano,Masahiro Kito,Tomoaki Toda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09564739B2. Автор: Tsuguki Noma,Minoru Akutsu,Yoshito NISHIOKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Vertical cavity surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission module, optical transmission device, and optical switching method

Номер патента: US20090074025A1. Автор: Takashi Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090017570A1. Автор: Hisashi Nakayama,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Yasuhiro Fujimoto,Satoshi Murasawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7558306B2. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Masanori Watanabe,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080304529A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080159350A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

InGaAsP semiconductor laser device

Номер патента: EP1211766A3. Автор: Toshiaki Fuji Photo Film Co. Ltd. Fukunaga. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor laser device including arrow structure precisely formed to suppress P-As interdiffusion and Al oxidation

Номер патента: US20030128731A1. Автор: Toshiaki Fukunaga. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-10.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4455375A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Daichi Kitazume,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200299857A1. Автор: Takayuki Sato,Shiro Yamazaki,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Apparatus for manufacturing Group III nitride semiconductor and method for manufacturing Group III nitride semiconductor

Номер патента: US20080295763A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20230257902A1. Автор: Takayuki Sato,Miki Moriyama,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Group III nitride semiconductor manufacturing system

Номер патента: US20090106959A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Apparatus for manufacturing group III nitride semiconductor

Номер патента: US20080299020A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090180505A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110096805A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus

Номер патента: US20060202188A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Takeshi Kamikawa,Mototaka Taneya,Yuhzoh Tsuda,Yoshihiro Ueta,Teruyoshi Takakura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus

Номер патента: US20090236585A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Takeshi Kamikawa,Mototaka Taneya,Yuhzoh Tsuda,Yoshihiro Ueta,Teruyoshi Takakura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device

Номер патента: US7970035B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20240332911A1. Автор: Yoshitaka NAKATSU,Kazutaka Tsukayama. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20080304530A1. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the nitride semiconductor laser device

Номер патента: EP2287982A1. Автор: Keiji Sakamoto,Hiroaki Matsumura,Tokuya Kozaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Nitride semiconductor laser diode

Номер патента: US8514904B2. Автор: Takashi Miyoshi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20110026554A1. Автор: Shingo Masui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20230178959A1. Автор: Tomonori Morizumi,Teruyuki MORITO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Nitride semiconductor laser diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110182310A1. Автор: Akihiko Ishibashi,Akio Ueta,Yasutoshi Kawaguchi,Tomohito YABUSHITA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Nitride semiconductor laser device and method of producing the same

Номер патента: US20090103584A1. Автор: Yuhzoh Tsuda,Pablo Vaccaro. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Method of manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20190237938A1. Автор: Daiji Kasahara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor laser element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180331505A1. Автор: Masanao Ochiai. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20210006042A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Junichi TAKINO,Tomoaki Sumi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor laser element and method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US9774169B2. Автор: Yoshitaka NAKATSU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor laser manufacturing method and semiconductor laser

Номер патента: US20120307854A1. Автор: Shunsuke NOZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor laser manufacturing method and semiconductor laser

Номер патента: US8599894B2. Автор: Shunsuke NOZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Semiconductor laser element and method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20170155230A1. Автор: Yoshitaka NAKATSU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20180131161A1. Автор: Masao Kawaguchi,Osamu Imafuji,Shinichiro Nozaki,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same, and optical transmission module and optical disk apparatus using the semiconductor laser device

Номер патента: US20070243644A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Shuichi Hirukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Edge emitting semicondcutor laser diode; method for producing a semicondcutor laser device and semicondcutor laser device

Номер патента: WO2024046669A1. Автор: Sven GERHARD,Mariel Grace Jama. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-03-07.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250505A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP2642622A3. Автор: Tsuyoshi Hirao,Shingo Masui,Yasuhiro Kawata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-11.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090080483A1. Автор: Kenji Yoshikawa,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20150023380A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20040101010A1. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Semiconductor laser device with multi-dimensional-photonic-crystallized region

Номер патента: US7248612B2. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-07-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US11967802B2. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP2955763A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230402821A1. Автор: Shinji Yoshida,Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-12-14.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230387352A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-30.

Control of current spread in semiconductor laser devices

Номер патента: US12095232B2. Автор: Evgeny Zibik,Wilfried Maineult. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

High power semiconductor laser device

Номер патента: US7466737B2. Автор: Byung Jin MA,Seong Ju Bae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

Edge emitter semiconductor laser type of device with end segments for mirrors protection

Номер патента: US09755402B2. Автор: Iulian Basarab Petrescu-Prahova. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110292959A1. Автор: Yoshiaki Hasegawa,Naoto Shimada,Toshitaka Shimamoto,Kouji Makita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor laser device and fabrication method therefor

Номер патента: US20070223550A1. Автор: Hisashi Nakayama,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Yasuhiro Fujimoto,Satoshi Murasawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080112449A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110051770A1. Автор: Masao Kawaguchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020024982A1. Автор: Akira Iketani. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-28.

Stripe waveguide structure type semiconductor laser device and fabricating method therefor

Номер патента: US20030152122A1. Автор: Syuzo Ohbuchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US20020001326A1. Автор: Toyoji Chino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US6674779B2. Автор: Toyoji Chino. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240275134A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Keiji Hidaka,Junxiong NIU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor laser device in which compressive strain active layer is sandwiched between tensile strain optical waveguide layers and average strain is limited

Номер патента: US20020051476A1. Автор: Toshiaki Fukunaga. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Surface-emitting semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US09466945B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Integrated semiconductor laser with electronic directivity and focusing control

Номер патента: US5233623A. Автор: Sheldon S. L. Chang. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 1993-08-03.

Semiconductor laser array

Номер патента: US09466946B2. Автор: Toru Yoshihara,Tetsuya Nishimura,Yuki Hasegawa,Mitsuaki Futami,Shinji Yagyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor laser unit having optical guide layers with increased total thickness and employing junction-up configuration

Номер патента: US6665324B1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-16.

Semiconductor laser device, method for manufacturing a semiconductor laser device and projection device

Номер патента: WO2023088859A1. Автор: Hubert Halbritter,Ann RUSSELL. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor laser

Номер патента: US20040233957A1. Автор: Keiji Ito,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Osamu Imafuji. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-25.

Semiconductor laser device, method for manufacturing a semiconductor laser device and projection device

Номер патента: US20230163565A1. Автор: Hubert Halbritter,Ann RUSSELL. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: EP1897190A2. Автор: Michael Schwarz,Abram Jakubowicz,Nicolai Matuschek,Christoph Harder,Joerg Troger. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2008-03-12.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: WO2007000615A2. Автор: Michael Schwarz,Abram Jakubowicz,Nicolai Matuschek,Christoph Harder,Joerg Troger. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7016386B2. Автор: Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-03-21.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230275401A1. Автор: Seiji Kitamura,Shintaro MIYAMOTO. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-08-31.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8594145B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Nitride semiconductor laser chip, nitride semiconductor laser device, and manufacturing method of nitride semiconductor laser chip

Номер патента: US20090180507A1. Автор: Yasuhiko Matsushita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8420419B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7792172B2. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090116528A1. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US11133651B2. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20200244041A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Nitride semiconductor laser and method for fabricating the same

Номер патента: US20080049806A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Gaku Sugahara,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20230019645A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for producing semiconductor laser element

Номер патента: US09991671B2. Автор: Hiroki Koizumi,Hiroki Sakata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device

Номер патента: US6377597B1. Автор: Toshiyuki Okumura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Nitride semiconductor laser and nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20190245322A1. Автор: Osamu Imafuji,Shinichiro Nozaki,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20070138491A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20240243553A1. Автор: Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor laser element

Номер патента: US11848540B2. Автор: Yoji Nagao. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-19.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20230163572A1. Автор: Yoji Nagao. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09385277B2. Автор: Shinji Yoshida,Kazuhiko Yamanaka,Katsuya Samonji,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20200076165A1. Автор: Yoji Nagao. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP1246264A3. Автор: Hirokazu Pioneer Corporation Takahashi,Hiroyuki Pioneer Corporation Ota,Atsushi Pioneer Corporation Watanabe. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Method of producing microstructure of nitride semiconductor and photonic crystal prepared according to the method

Номер патента: US09437684B2. Автор: Takeshi Kawashima,Shoichi Kawashima,Yasuhiro Nagatomo,Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20100080257A1. Автор: Jae Woong Han,Seong Suk Lee,Hee Seok Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200021083A1. Автор: Hideo Kitagawa,Osamu Tomita,Masayuki Ono,Daisuke Ikeda,Gen Shimizu,Toru Takayama,Satoko Kawasaki,Katsuya Samonji. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09444011B2. Автор: Tokuya Kozaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Nitride semiconductor and a method thereof, a nitride semiconductor device and a method thereof

Номер патента: US20020098607A1. Автор: Hiroyuki Okuyama,Hiroshi Nakajima,Fumihiko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Nitride semiconductor surface emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US09356428B2. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8093606B2. Автор: Norikazu Ito,Masayuki Sonobe,Mitsuhiko Sakai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-01-10.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US9735314B2. Автор: Shinji Yoshida,Kazuhiko Yamanaka,Katsuya Samonji,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09660413B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070058687A1. Автор: Masaya Mannoh,Toshiya Fukuhisa,Tsutomu Ukai,Yoshiyuki Matsuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2376453C. Автор: Koji Tanizawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP2113974B1. Автор: Tokuya Kozaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-03-13.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2529996C. Автор: Shuji Nakamura,Shinichi Nagahama,Masayuki Senoh. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20130134434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hideki Osada,Yusuke Yoshizumi,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Semiconductor laser device and laser module using same

Номер патента: US20040179565A1. Автор: Michio Ohkubo,Satoru Okada,Tsuyoshi Fujimoto,Kiyofumi Muro,Yutaka Ohki,Takeshi Koiso,Atsushi Ohkubo. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7113532B2. Автор: Shoji Hirata,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-09-26.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US20230344195A1. Автор: Yutaka Inoue,Masato Hagimoto,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030202551A1. Автор: Shoji Hirata,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module

Номер патента: US20080044936A1. Автор: Toshio Kimura,Takeshi Aikiyo,Masashi Nakae. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor Laser Device

Номер патента: US20080285611A1. Автор: Tsuyoshi Fujimoto. Владелец: Optoenergy Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240283213A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020196828A1. Автор: Shinji Abe,Tetsuya Yagi,Harumi Nishiguchi,Nobuyuki Kasai,Junji Tanimura,Yoshihisa Tashiro,Motoharu Miyashita,Yuji Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor laser device, optical apparatus, and method of controlling semiconductor laser device

Номер патента: US20240250499A1. Автор: Daisuke Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for manufacturing semiconductor laser device, and semiconductor laser device

Номер патента: US20240283212A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor laser device with an inspection window, and an inspection method therefor

Номер патента: US6553047B1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-04-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20090285254A1. Автор: Hitoshi Sato,Toru Takayama,Hiroki Nagai,Isao Kidoguchi,Tomoya Satoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09935423B2. Автор: Kyosuke Kuramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for manufacturing semiconductor laser device and method for inspecting semiconductor laser bar

Номер патента: US20090053838A1. Автор: Keiji Ito,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Nitride semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US7846820B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Yoshiaki Hasegawa,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Toshitaka Shimamoto,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8697466B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Group III Nitride Semiconductor Device and Method for Manufacturing Group III Nitride Semiconductor Device

Номер патента: US20090257467A1. Автор: Koichi Naniwae,Ichiro Masumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US09537288B2. Автор: Hideki Watanabe,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Branching optical waveguide for an index-guided semiconductor laser device

Номер патента: US4752932A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Sadayoshi Matsui,Mototaka Taneya. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-06-21.

Tunable semiconductor laser device and method for operating a tunable semiconductor laser device

Номер патента: EP2647092A1. Автор: Michael Engelmann,Bob Van Someren. Владелец: Euphoenix Bv. Дата публикации: 2013-10-09.

Semiconductor laser device with first order diffraction grating extending to facet

Номер патента: US20230344197A1. Автор: Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1130721A3. Автор: Akihiko The Furukawa Electric Co. Ltd. KASUKAWA,Mikihiro The Furukawa Electric Co. Ltd. Yokozeki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240291241A1. Автор: Takahiro Nakamura,Yasuhiko Arakawa,Jinkwan Kwoen,Masahiro Kakuda. Владелец: Aio Core Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09800021B2. Автор: Masami Ishiura. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2458134A1. Автор: Yasunobu Sugimoto,Akinori Yoneda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2458134C. Автор: Yasunobu Sugimoto,Akinori Yoneda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120119240A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020187576A1. Автор: Tetsuya Hosoda. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20030092211A1. Автор: Tetsuya Hosoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20010015991A1. Автор: Akihiko Kasukawa,Mikihiro Yokozeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor laser with metal pull-back dbr grating

Номер патента: WO2024107267A1. Автор: Yifan Jiang,Padman Parayanthal,Wolfgang PARZ. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: WO2013069301A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor laser apparatus assembly

Номер патента: US09906000B2. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09564738B2. Автор: Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: EP2777108A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-17.

Nitride semiconductor light emitting devices

Номер патента: GB2432715A. Автор: Stewart Edward Hooper,Valerie Bousquet. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US20140097456A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Nitride semiconductor device

Номер патента: WO2009148183A1. Автор: Katherine Louise Smith,Stewart Edward Hooper,Mathieu Xavier Senes,Victoria Broadley. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor laser device and fabricating method thereof

Номер патента: US20030206566A1. Автор: Yoshihisa Fujii,Keisuke Miyazaki,Yoshinori Ohitsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-11-06.

Compound semiconductor laser device

Номер патента: US20060239320A1. Автор: Yoshinori Ohitsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Array type semiconductor laser device

Номер патента: US20230054731A1. Автор: Masayuki Hata,Kazuya Yamada,Mitsuru Nishitsuji,Tohru Nishikawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-02-23.

Conformal metallization process for the fabrication of semiconductor laser devices

Номер патента: US20130163631A1. Автор: Jia-Sheng Huang,Phong Thai. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050117619A1. Автор: Kenji Yoshikawa,Takayuki Kashima,Hideto Adachi,Kouji Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US8477820B2. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-07-02.

Semiconductor laser device capable of preventing degradation of characteristics

Номер патента: US20010043634A1. Автор: Takahiro Arakida,Hitoshi Hotta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09831636B2. Автор: Hidehiko Yabuhara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor laser element and method of making semiconductor laser device

Номер патента: US09692204B2. Автор: Shintaro MIYAMOTO,Koichi Kozu,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-06-27.

Surface-emitting semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US09444223B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Masaya KUMEI,Junichiro Hayakawa. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor laser element and semiconductor laser device

Номер патента: US09735548B2. Автор: Susumu Harada,Yasuhiro Kawata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor laser apparatus and optical apparatus

Номер патента: US20050232321A1. Автор: Masayuki Hata,Daijiro Inoue,Yasuhiko Nomura,Yasuyuki Bessho. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: US6021148A. Автор: Eitaro Ishimura,Keisuke Matsumoto,Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7184456B2. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Heterostructure semiconductor laser diode

Номер патента: US4794610A. Автор: Werner Schairer,Jochen Gerner. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1988-12-27.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050243880A1. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

A semiconductor laser device

Номер патента: GB2351841A. Автор: Stephen Peter Najda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-01-10.

Semiconductor laser device and optical fiber amplifier

Номер патента: CA2371504C. Автор: Yasuaki Yoshida,Takeshi Fujita,Kimio Shigihara,Kiyohide Sakai,Tatsuo Hatta,Yuuhiko Hamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor laser device and method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240120704A1. Автор: Akitsugu Niwa,Hodaka SHIRATAKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor laser having protruding portion

Номер патента: US7751454B2. Автор: Akinori Yoneda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Semiconductor laser apparatus and method of observing semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20010046770A1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220231478A1. Автор: Takeshi YAMATOYA,Takashi Nagira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor laser module and three-dimensional laminating and shaping apparatus

Номер патента: US20180231724A1. Автор: Hajime Mori,Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Technology Research Association for Future Additive Manufacturing (TRAFAM). Дата публикации: 2018-08-16.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: US11777275B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: CA3166664C. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: AU2021238958B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers

Номер патента: WO2005124948A2. Автор: Luis A. Spinelli,Hailong Zhou,Russel R. Austin. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2005-12-29.

Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers

Номер патента: WO2005124948A3. Автор: Luis A Spinelli,Hailong Zhou,Russel R Austin. Владелец: Russel R Austin. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor laser module, laser oscillator, and laser machining apparatus

Номер патента: US20240339809A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Surface emitting semiconductor laser device and fabricating method of the same

Номер патента: US5821566A. Автор: Seok-Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-13.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1125898A. Автор: Ryoichi Ito,Satoshi Nakamura,Kunio Aiki,Naoki Chinone,Atsutoshi Doi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-06-15.

n-TYPE MODULATION DOPE MULTIPLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: EP1071180A1. Автор: Hitoshi The Furukawa Electric Co. Ltd. SHIMIZU,Akihiko The Furukawa Electric Co. Ltd. KASUKAWA,Kouji The Furukawa Electric Co. Ltd. KUMADA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230246412A1. Автор: Nobuyuki Ogawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050265413A1. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nitride-composite semiconductor laser element, its manufacturing method, and semiconductor optical device

Номер патента: US20100278205A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control

Номер патента: US7781244B2. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Nitride semiconductor laser device and method for producing its electrode

Номер патента: RU2238607C2. Автор: Масахико САНО. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2004-10-20.

Bar-shaped semiconductor laser chip and method of fabrication thereof

Номер патента: US20100103968A1. Автор: Yasuo Baba,Yasuhiko Matsushita,Yukio Gotoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7573924B2. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

Method for producing nitride semiconductor laser light source and apparatus for producing nitride semiconductor laser light source

Номер патента: US20060068516A1. Автор: Masaya Ishida,Atsushi Ogawa,Takuro Ishikura,Yoshihiko Tani,Daisuke Hanaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: CA2400121C. Автор: Masahiko Sano. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-09-21.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US9379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Group iii nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20150255958A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Nitride semiconductor structure, electronic device including the nitride semiconductor structure, light-emitting device including the nitride semiconductor structure, and method for producing the nitride semiconductor structure

Номер патента: US09627581B2. Автор: Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing same

Номер патента: US8654808B2. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190305520A1. Автор: Kohei Miyoshi,Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing same

Номер патента: EP2416460A3. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-08-27.

Nitride semiconductor structure, light emitting element, light source device, and method of manufacturing nitride semiconductor structure

Номер патента: US20240322079A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-26.

Nitride semiconductor structure, light emitting element, light source device, and method of manufacturing nitride semiconductor structure

Номер патента: EP4443673A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Nitride semiconductor laser and method for fabricating the same

Номер патента: EP1104947A3. Автор: ATSUSHI Watanabe,Toshiyuki Tanaka,Hiroyuki Ota,Yoshinori Kimura,Mamoru Miyachi. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2004-04-14.

Group iii nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09917004B2. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

P type nitride semiconductor layer doped with carbon and devices including the p type nitride semiconductor layer doped with carbon

Номер патента: US20140225153A1. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Nitride semiconductor element

Номер патента: US12020930B2. Автор: Kosuke Sato,Motoaki Iwaya. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Nitride semiconductor light-emitting device with periodic gain active layers

Номер патента: US09847449B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Sho Iwayama,Motoaki Iwaya,Takanobu Akagi,Kenjo MATSUI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method of fabricating a P type nitride semiconductor layer doped with carbon

Номер патента: US09705287B2. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US09508804B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US11979001B2. Автор: Hiroshi Nakajima,Rintaro Koda,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250209A1. Автор: Shinji Yoshida,Shigeo Hayashi,Masayuki Hata,Shuichi Nakazawa,Yasutoshi Kawaguchi,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Laser device with adjustable polarisation

Номер патента: RU2659749C2. Автор: Марк КАРПАЙ,Ульрих ВАЙХМАНН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-07-03.

Nitride semiconductor multilayer structure, light emitting element, light source apparatus, and method for producing nitride semiconductor multilayer structure

Номер патента: US20200244043A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

P-type group III-nitride semiconductor device

Номер патента: US6150672A. Автор: Yawara Kaneko. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2000-11-21.

Fabrication of gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from trench sidewalls

Номер патента: CA2331893C. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Tsvetanka Zheleva,Scott A. Smith. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2007-01-23.

Semiconductor laser excited solid state laser device and laser light output method

Номер патента: US20150078407A1. Автор: Kazuya Inoue,Katsuhiko Tokuda,Mamoru Hisamitsu,Kazutomo Kadokura. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Group 3-5 nitride semiconductor multilayer substrate, method for manufacturing group 3-5 nitride semiconductor free-standing substrate

Номер патента: GB2440484A. Автор: Yoshihiko Tsuchida,Naohiro Nishikawa,Kazumasa Hiramatsu,Hideto Miyake. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2008-01-30.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240038932A1. Автор: Toshihiko Fukamachi. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of designing semiconductor laser device, method of designing raman amplifier, methods of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device, raman amplifier, and optical communication system

Номер патента: US20160285237A1. Автор: Junji Yoshida,Hideaki Hasegawa,Noriyuki Yokouchi,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Method of designing semiconductor laser device, method of designing raman amplifier, methods of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device, raman amplifier, and optical communication system

Номер патента: US09711945B2. Автор: Junji Yoshida,Hideaki Hasegawa,Noriyuki Yokouchi,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Laser device for projecting structured light pattern onto scene

Номер патента: RU2655475C2. Автор: Стефан ГРОНЕНБОРН,Хольгер МЕНХ,Марк КАРПАЙ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-05-28.

Gallium nitride semiconductor device

Номер патента: CA2444273C. Автор: Kimihiro Kawagoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US8466449B2. Автор: Jae Woong Han,Seong Suk Lee,Soo Min Lee,Hee Seok Park,Cheol Soo Sone. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US5777350A. Автор: Shuji Nakamura,Shinichi Nagahama,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP4207520A1. Автор: Liang Hao,Rui Liu,Xiaoguang He. Владелец: Nanjing Fiber Foton Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12080990B2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Narrow bandwidth laser device with wavelength stabilizer

Номер патента: US09515454B2. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Phovel Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor laser apparatus and semiconductor laser device

Номер патента: US12119611B2. Автор: Masayuki Ono,Kazuya Yamada,Mitsuru Nishitsuji,Hiroshi Asaka,Tohru Nishikawa,Katsuya Samonji. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor laser device and backlight device using the semiconductor laser device

Номер патента: US09748733B2. Автор: Eiichiro OKAHISA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US09735538B2. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of manufacture of group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200365462A1. Автор: Yoshio Okayama,Takatoshi Okamoto,Ayako Iwasawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2298491C. Автор: Shuji Nakamura,Takashi Mukai,Koji Tanizawa,Tomotsugu Mitani,Hiromitsu Marui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Semiconductor laser device and optical pickup using the same

Номер патента: US20040066813A1. Автор: Kazunori Matsubara,Hideshi Koizumi,Ayumi Yagi,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor laser device and optical pickup using the same

Номер патента: US6983002B2. Автор: Kazunori Matsubara,Hideshi Koizumi,Ayumi Yagi,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-01-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110013655A1. Автор: Hiroaki Maehara,Hitoshi Tada,Yoshihiro Hisa,Hitoshi Sakuma,Tadashi Takase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Laser device with optical isolator

Номер патента: US09865991B2. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Phovel Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor laser device, light source device, method of producing semiconductor laser device, and method of producing light source device

Номер патента: US09559489B2. Автор: Eiichiro OKAHISA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240146035A1. Автор: Seiji Kitamura. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220166185A1. Автор: Naoki Nakamura,Naoki Kosaka,Ryosuke MIYAGOSHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US20040165627A1. Автор: Kazunori Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US7088754B2. Автор: Kazunori Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and semiconductor laser control method

Номер патента: US20030063646A1. Автор: Junji Yoshida. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US9780526B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12113330B2. Автор: Kenji Sakai,Kazuyoshi Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US09780526B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Wavelength Selective and Tunable Semiconductor Laser Device With Coupled Cavities

Номер патента: US20080181265A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12040590B2. Автор: Kenji Sakai,Hiroyuki Tajiri,Kazuyoshi Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser apparatus and optical pickup apparatus using same

Номер патента: US20030174748A1. Автор: Kazunori Matsubara,Ayumi Yagi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Method for the production of a semiconductor laser device

Номер патента: US5171706A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Masaki Kondo,Kazuaki Sasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Semiconductor laser device manufacturing method and semiconductor laser device

Номер патента: US20060121633A1. Автор: Tadashi Takeoka,Takuroh Ishikura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor laser device and method of controlling light amount of semiconductor laser

Номер патента: US20010048697A1. Автор: Kiyoshi Kondou. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Laser device

Номер патента: US20240275124A1. Автор: Stephan Gronenborn,Holger Joachim MOENCH. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09979154B2. Автор: Masashi Tatsukawa,Mitsuyuki Mochizuki,Yuichi Shibata. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of tuning a semiconductor laser device having coupled cavities

Номер патента: US20110019702A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor laser device, diffraction grating structure, and diffraction grating

Номер патента: US20180351328A1. Автор: Yasumasa Kawakita,Kazuaki Kiyota. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20050147149A1. Автор: Kazuyoshi Fuse. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070063212A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kouji Ueyama,Shinichirou Akiyoshi. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240291227A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor laser module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859679B2. Автор: Naoki Kimura. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09793681B2. Автор: Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09660415B2. Автор: Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2017-05-23.

To-can package semiconductor laser device having a pinless region on the underside of the package

Номер патента: US10804675B2. Автор: Yasushi Takizawa,Shintaro MIYAMOTO,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2020-10-13.

Laser device, laser display apparatus, laser radiating apparatus, and nonlinear optical element

Номер патента: US8390920B2. Автор: Kaoru Kimura,Michio Oka,Akio Furukawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080008221A1. Автор: Takashi Ueda,Koji Yamada,Yoshihiko Kobayashi,Tomoki Nozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090026440A1. Автор: Takashi Kyono,Katsushi Akita,Hideki Hirayama. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2009-01-29.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4366099A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-08.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240128406A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20160163803A1. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor laser device and optoelectronic component

Номер патента: US20240235150A1. Автор: Johann Ramchen,Joerg Erich Sorg. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20190252851A1. Автор: Shingo Tanisaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030193976A1. Автор: Takehiro Shiomoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US8494019B2. Автор: Yutaka Inoue,Hideki Hara,Hiroshi Moriya,Yoshihiko IGA,Keiichi Miyauchi. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09948060B2. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09853415B2. Автор: Takayuki Yoshida,Jing-bo WANG. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020075915A1. Автор: Ayumi Yagi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11081857B2. Автор: Nobuhiro Ohkubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240030678A1. Автор: Nobutaka Suzuki,Tadataka Edamura,Naota Akikusa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200185878A1. Автор: Nobuhiro Ohkubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: GB201207790D0. Автор: . Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-13.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9397472B2. Автор: Kimio Shigihara,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150357789A1. Автор: Kimio Shigihara,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Surface emission semiconductor laser device

Номер патента: US20030152121A1. Автор: Kazushi Mori,Ryoji Hiroyama,Koji Tominaga,Atsushi Tajiri,Yasuhiko Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09882354B2. Автор: Hirofumi Kan,Yujin Zheng. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09780523B2. Автор: Hideyuki Fujimoto,Masatoshi Nakagaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US09502863B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor laser device and method of controlling semiconductor laser device

Номер патента: US20230333396A1. Автор: Hideo Yamaguchi,Masaharu Fukakusa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor laser device, manufacturing method thereof, and laser bar locking apparatus

Номер патента: US20030122136A1. Автор: Noboru Oshima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Wafer-level etched facet for perpendicular coupling of light from a semiconductor laser device

Номер патента: US20240275123A1. Автор: Stephen B. Krasulick,John Zyskind,Majid Sodagar,Murtaza Askari. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Spatial and temporal adjustment of laser device drive current using asic drives

Номер патента: US20240322529A1. Автор: Lawrence Shah,Paul Orville LEISHER,Jenna Nicole CAMPBELL,Michelle Helena LABRECQUE,Jason Matthew Eichenholz. Владелец: Freedom Photonics Llc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor laser device, method for manufacturing the same and optical pickup apparatus

Номер патента: US7489716B2. Автор: Osamu Hamaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-02-10.

Nitride semiconductor light emitting device including buffer layer and method of forming the same

Номер патента: US20180337307A1. Автор: Sun Woon Kim,Jong Sun Maeng,Jung Taek Han,Jeen Seok CHO,Yong Hee JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20210005800A1. Автор: Kazuma KOZURU,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220190224A1. Автор: Kazuma KOZURU,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Laser device

Номер патента: US20220302675A1. Автор: Mitsuoki Hishida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Laser device

Номер патента: EP4084241A1. Автор: Mitsuoki Hishida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1313184A4. Автор: Yasuhiro Watanabe,Shoji Honda,Yasuyuki Bessho,Kentarou Tanaka. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-07.

Semiconductor laser body, semiconductor laser element, semiconductor laser substrate, electronic apparatus, and manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor laser device

Номер патента: US20240283219A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09685759B2. Автор: Takashi Nakagawa,Naoto Morizumi,Daisuke Komoda,Takashi Namie,Hiroaki Shozui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor laser module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09647421B2. Автор: Naoki Kimura,Susumu Nakaya. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof, and submount manufacturing method

Номер патента: US09496680B2. Автор: Hiroki Sakata,Eiichiro OKAHISA,Kazuma KOZURU,Hiroaki YUTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for forming a groove on a surface of flat plate formed of a nitride semiconductor crystal

Номер патента: US20140370685A1. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Nitride semiconductor and method for manufacturing same

Номер патента: US8004065B2. Автор: Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-23.

Obverse/reverse discriminative rectangular nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20040188804A1. Автор: Tetsuya Hirano,Masahiro Nakayama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Methods for forming group III-V arsenide-nitride semiconductor materials

Номер патента: US6130147A. Автор: Donald R. Scifres,David F. Welch,Jo S. Major. Владелец: SDL Inc. Дата публикации: 2000-10-10.

Nitride semiconductor and method for manufacturing same

Номер патента: US20090101935A1. Автор: Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Method for forming a groove on a surface of flat plate formed of a nitride semiconductor crystal

Номер патента: US8962363B2. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US11128105B2. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Teruyoshi Takakura,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20210194211A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi. Владелец: Sharp Fukuyama Laser Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20200251885A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Teruyoshi Takakura,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Coupled cavity high power semiconductor laser

Номер патента: WO2001067563A9. Автор: Aram Mooradian. Владелец: Novalux Inc. Дата публикации: 2003-01-03.

Solid-state laser device capable of stably producing an output laser beam at high power

Номер патента: US5311528A. Автор: Masashi Fujino. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 1994-05-10.

Optical pumping-type solid-state laser apparatus with a semiconductor laser device

Номер патента: US5025449A. Автор: Osamu Yamamoto,Toshihiko Yoshida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-06-18.

Semiconductor laser array

Номер патента: EP1143584A3. Автор: Kunio Ito,Seiichiro Tamai,Masaaki Yuri,Masaru Kazamura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-23.

Solid-state laser device with optical fiber cable connection

Номер патента: US5568503A. Автор: Shigeru Omori. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US7149235B2. Автор: Osamu Goto,Masao Ikeda,Shiro Uchida,Tsuyoshi Tojo,Tomonori Hino,Yoshifumi Yabuki,Shinichi Ansai. Владелец: Sony Shiroishi Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Inspection method for semiconductor laser device and inspection device for semiconductor laser device

Номер патента: US20220376465A1. Автор: Akio SHIRASAKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Laser device

Номер патента: US7599414B2. Автор: Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2009-10-06.

Electrically-pumped organic semiconductor laser arrangement

Номер патента: WO2024175876A1. Автор: Ifor Samuel,Kou Yoshida,Graham TURNBULL,Junyi GONG. Владелец: UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF ST ANDREWS. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor laser device including columns of semiconductor lasers with non-central light emitting regions

Номер патента: US5636235A. Автор: Yasunori Miyazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Multiplewavelength semiconductor laser device array and production method

Номер патента: US20010040906A1. Автор: Kenichi Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Generating optical pulses via a soliton state of an optical microresonator coupled with a chip based semiconductor laser

Номер патента: US20220050356A1. Автор: Tobias Kippenberg,Hairun GUO,Arslan Sajid Raja,Michael L. Gorodetsky. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor laser driving device and semiconductor laser driving method

Номер патента: US20090232174A1. Автор: Junichi Furukawa,Kiyoshi Tateishi. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US20150236474A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

External cavity semiconductor laser

Номер патента: US11962127B2. Автор: Yushi Kaneda. Владелец: Arizona Board of Regents of University of Arizona. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor laser device, and image display device

Номер патента: US20080192787A1. Автор: Kiminori Mizuuchi,Kazuhisa Yamamoto,Shinichi Kadowaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-14.

Laser light output apparatus, image display apparatus, and semiconductor laser driving control method

Номер патента: US20040240495A1. Автор: Naoki Akamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4033619A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Method for producing semiconductor lasers and semiconductor lasers

Номер патента: US12057676B2. Автор: Jörg Erich SORG,Andreas Plossl,Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Wavelength-stabilized semiconductor laser source

Номер патента: US20190097385A1. Автор: Henry A. Blauvelt. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Laser support for semiconductor laser fixation and laser support element assembly

Номер патента: US20160141829A1. Автор: Nicolas Abele,Lucio Kilcher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Method for producing a multiplicity of semiconductor laser chips, and semiconductor laser chip

Номер патента: US20240364073A1. Автор: Norwin von Malm,Martin Rudolf Behringer. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor laser light source device, semiconductor laser light source system, and image display apparatus

Номер патента: US09899795B2. Автор: Hideyuki Murai,Tatsuro Hirose. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Fast polarization-switchable semiconductor lasers

Номер патента: US4612645A. Автор: Jia-Ming Liu,Ying-Chih Chen. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-09-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: GB2369929A. Автор: Arnaud GARNACHE-CREUILLOT. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2002-06-12.

Semiconductor laser driving circuit and semiconductor laser driving method therefor

Номер патента: US6920163B2. Автор: Mitsuo Ishii. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-07-19.

Laser module and laser device

Номер патента: EP3780299A1. Автор: Yohei Kasai. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240146020A1. Автор: Takuya Ido,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kosuke TSUKATANI,Kodai Niina. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device

Номер патента: US20040053430A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Osamu Hamaoka,Ikuo Kohashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device

Номер патента: US20010002916A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Osamu Hamaoka,Ikuo Kohashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230108080A1. Автор: Masaharu Fukakusa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor laser driving circuit and semiconductor laser driving method therefor

Номер патента: US20030052370A1. Автор: Mitsuo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP4303564A1. Автор: Takuya Ido,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kosuke TSUKATANI,Kodai Niina. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Semiconductor Laser Equipment

Номер патента: US20080043791A1. Автор: Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima,Masanobu Yamanaka. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor laser chip and method for fabricating a semiconductor laser chip

Номер патента: US20020102756A1. Автор: Bernd Borchert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor laser unit and method for manufacturing optical reflection film

Номер патента: US20070071049A1. Автор: Naoki Kohara,Hironari Takehara,Hisatada Yasukawa,Takai Iwai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Driving device for semiconductor laser

Номер патента: US5084887A. Автор: Tsuyoshi Ohashi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1992-01-28.

Thermal compensation in semiconductor lasers

Номер патента: EP2062336A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hai Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Thermal compensation in semiconductor lasers

Номер патента: WO2008039313A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hai Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-03.

Broadband light source composed of supercontinuum light source and single-wavelength semiconductor laser diodes

Номер патента: US10277000B2. Автор: Weijia Yang,Kangkang CHEN. Владелец: Wuhan Yangtze Soton Laser Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Electron beam pumped semiconductor laser screen and associated fabrication method

Номер патента: US20040028109A1. Автор: Robert Morgan,Robert Rice,Neil Ruggieri,J. Whiteley,Richard Skogman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-02-12.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20170315311A1. Автор: Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Etsuji Katayama,Toshia KIMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09746627B2. Автор: Toshio Kimura,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Tunable semiconductor laser based on reconstruction-equivalent chirp and series mode or series and parallel hybrid integration, and preparation thereof

Номер патента: US09742152B2. Автор: Jun Lu,Song Tang,Yunshan ZHANG,Xiangfei Chen,Lianyan LI. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-08-22.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US09653883B2. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09373932B2. Автор: Toshio Kimura,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Method of stacking semiconductor laser devices in a sub-mount and heatsink

Номер патента: US6479325B2. Автор: Masafumi Ozawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-11-12.

Semiconductor laser device and analysis apparatus

Номер патента: US11949210B2. Автор: Shintaro Masuda,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kimihiko Arimoto,Hirotaka ISEKI. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7106767B2. Автор: Tetsuyoshi Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-12.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US20160111857A1. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US9184560B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230110167A1. Автор: Hideo Yamaguchi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20040228378A1. Автор: Tetsuyoshi Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Two-wavelength semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050224837A1. Автор: Chong Koh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Semiconductor laser module, method of controlling a semiconductor laser beam and video display apparatus

Номер патента: US20050063436A1. Автор: Nobuyuki Nishimura,Toshitaka Yamada,Tooru Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Semiconductor laser device, optical pickup and fabrication method of semiconductor laser device

Номер патента: US20040004983A1. Автор: Masayuki Honda,Takehiro Shiomoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: EP1442509A2. Автор: Neal Tsunami Photonics Limited O'GORMAN. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

Semiconductor laser drive circuit and photoelectric sensor

Номер патента: EP1494324A3. Автор: Takayuki Takeda,Takayuki Ochiai. Владелец: Sunx Ltd. Дата публикации: 2005-01-12.

Wavelength control in phase region of semiconductor lasers

Номер патента: EP2220732A1. Автор: Jacques Gollier. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: AU2002237484A1. Автор: Neal O'Gorman. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2003-05-12.

Semiconductor laser drive circuit and light beam scanning system using semiconductor laser

Номер патента: US6091748A. Автор: Hiroaki Yasuda. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-18.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser

Номер патента: US12040588B2. Автор: Peter Jander. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-16.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: WO2016116565A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2016-07-28.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20050169335A1. Автор: Xin Gao,Yujin Zheng. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2005-08-04.

Tunable laser assembly including tunable semiconductor laser apparatus and photodetector outside of laser housing

Номер патента: US12100933B2. Автор: Liang Luo,Yuzhou SUN,Wenkai Tu,Jinan GU. Владелец: Innolight Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor laser module

Номер патента: US09692205B2. Автор: Toshio Kimura,Tetsuya Matsuyama,Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Jun Miyokawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Ultra fast semiconductor laser

Номер патента: US09601895B2. Автор: Konstantinos Papadopoulos,Idan Mandelbaum. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for manufacturing semiconductor laser diode

Номер патента: RU2205485C1. Автор: А.Н. Алексеев,В.П. Чалый,А.П. Шкурко,А.А. Веденеев,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий,В.М. Щевлюга,К.Н. Ельцов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2003-05-27.

Semiconductor laser based on epitaxial heterostructure

Номер патента: RU2582302C1. Автор: Виктор Владимирович Безотосный,Владислав Александрович Олещенко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2016-04-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5590144A. Автор: Akira Amano,Shoji Kitamura,Yoichi Shindo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-12-31.

Phase-locked semiconductor laser device

Номер патента: CA1190635A. Автор: Takashi Kajimura,Takao Kuroda,Jun-Ichi Umeda,Hisao Nakashima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-07-16.

Semiconductor laser device, and optical pickup apparatus using the device

Номер патента: US20030123499A1. Автор: Toshio Takeuchi,Koji Yamashita,Susumu Ishida,Kiyoaki Tsumura,Kenji Kan,Kenji Ohgiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Semiconductor laser device and external resonance-type laser device

Номер патента: US20220255293A1. Автор: Takashi Kano,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030118070A1. Автор: Won Lim,Shi Leem. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2003-06-26.

Soldering system of semiconductor laser element

Номер патента: US20170373466A1. Автор: Tetsuhisa Takazane. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Method, system and apparatus for hybrid optical and electrical pumping of semiconductor lasers and leds for improved reliability at high temperatures

Номер патента: US20150333477A1. Автор: Duane Louderback. Владелец: Zephyr Photonics Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: WO2003038954A3. Автор: Neal O'Gorman. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2004-01-22.

Circuit for preventing destruction of semiconductor laser element, and optical disc device provided with the circuit

Номер патента: US20120300605A1. Автор: Tsutomu Asai. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Wavelength Tunable Semiconductor Laser Having Multiple Sets of Intercavity Spacings

Номер патента: US20110019703A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor laser apparatus, information recording/reproduction apparatus and image recording apparatus

Номер патента: US20020057721A1. Автор: Toyoki Taguchi,Tetsuya Nagahama,Masayuki Tazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: US20180006428A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: Provenance Asset Group LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Method of operating a semiconductor laser as a mode-locked semiconductor laser and devices for implementing the method

Номер патента: CA2069657A1. Автор: Michael Schilling,Olaf Hildebrand,Klaus Wunstel,Dieter Baums,Heinz Schweizer,Kaspar Dütting,Wilfried Idler,Gert Laube. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-01.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Group III nitride semiconductor device which can be used as a power transistor

Номер патента: US09412858B2. Автор: Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20140097443A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao,Hsun-Chih Liu,Yi-Keng Fu,Chien-Pin Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-04-10.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871130B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09865774B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240128366A1. Автор: Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411679A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Nitride semiconductor device comprising nitride semiconductor regrowth layer

Номер патента: US09536949B2. Автор: Asamira Suzuki,Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09685549B2. Автор: Takahiro Sato,Yasuhiro Uemoto,Hidenori Takeda,Masahiro Hikita,Akihiko Nishio,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Nitride semiconductor polarization controlled device

Номер патента: US09660134B1. Автор: Thomas Wunderer,John E. Northrup,Jeng Ping Lu,Noble M Johnson. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US12068375B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naohiro Tsurumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240332372A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naoki Torii,Naohiro Tsurumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200381580A1. Автор: Hiroki Kondo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer

Номер патента: US09905433B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Akira Uedono. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Manufacturing method of semiconductor device that includes forming plural nitride semiconductor layers of identical material

Номер патента: US09543146B2. Автор: Hung Hung,Naoharu Sugiyama,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09401402B2. Автор: Masahiro Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Nitride semiconductor epitaxial substrate and semiconductor device

Номер патента: US10483388B2. Автор: Takeshi Tanaka. Владелец: Sciocs Co Llmited. Дата публикации: 2019-11-19.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: US20050224831A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of forming a P-type ohmic contact in group-III nitride semiconductors

Номер патента: US09947537B2. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09911868B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A4. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

Semiconductor device including gate electrode provided over active region in p-type nitride semiconductor layer and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20150187907A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060273332A1. Автор: Dong Jeon,Pil Kang,Tae Jang,Bong Yi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A1. Автор: Toshiki NTT Intellectual Prop. Center MAKIMOTO,Kazuhide NTT Intellectual Prop. Center KUMAKURA,Naoki NTT Intellectual Prop. Center KOBAYASHI. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US12087762B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09583608B2. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240234563A9. Автор: Taojun FANG. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nitride semiconductor substrate, and method for producing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4435833A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09741900B2. Автор: Masayuki Nagata,Takashi KURISU,Susumu Ohmi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Group III nitride semiconductor device, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09425348B2. Автор: Koji Katayama,Takashi Kyono,Katsunori Yanashima,Shinji Tokuyama,Nobuhiro Saga,Tatsushi Hamaguchi,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20190157080A1. Автор: Yu-Lin Hsiao,Kun-Chuan Lin,Jin-Hsiang Liu. Владелец: Elite Advanced Laser Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20210005742A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Shinji Ujita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Nitride semiconductor template and ultraviolet LED

Номер патента: US09520527B1. Автор: Hideki Hirayama,Yoshikatsu Morishima. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Nitride semiconductor light emitting chip, and nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09379284B2. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US09419160B2. Автор: Chih-Wei Hu,Yi-Jen Chan,Jung Hsuan. Владелец: Episil-Precision Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Nitride semiconductor crystal with surface texture

Номер патента: US20120077298A1. Автор: Masahiko Tsuchiya,Takako Chinone,Masataka Kajikawa,Ji-Hao Liang. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040244B2. Автор: Lei Zhang,King Yuen Wong,Chunhua ZHOU,Kai Cao,Yifeng Zhu. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240105828A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Wafer marking method, nitride semiconductor device manufacturing method, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4354492A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Production method for group III nitride semiconductor and group III nitride semiconductor

Номер патента: US09837494B2. Автор: Hiroshi Amano,Koji Okuno,Naoki Shibata,Takahide Oshio. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666580B1. Автор: Masakazu Kanechika,Hidemoto Tomita,Yoshitaka Nagasato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4462465A1. Автор: Keitaro Tsuchiya,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US09406845B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20240162339A1. Автор: Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170154885A1. Автор: Masakazu Kanechika,Hidemoto Tomita,Yoshitaka Nagasato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device and method of making including cap layer and nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160163822A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Nitride semiconductor crystal with surface texture

Номер патента: US8658440B2. Автор: Masahiko Tsuchiya,Takako Chinone,Masataka Kajikawa,Ji-Hao Liang. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-25.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20170117441A1. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US9842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120295373A1. Автор: Yasuhiro Miki,Masahiko Onishi,Hirofumi NISHIYAMA,Shusaku BANDO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20090246945A1. Автор: Toru Takasone. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Nitride semiconductor substrate having recesses at interface between base substrate and initial nitride

Номер патента: US09748344B2. Автор: Hiroshi Oishi,Tomoko Watanabe,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-08-29.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US09620671B2. Автор: Hiroshi Nakatsu,Yoshihiko Tani,Tadashi Takeoka,Toshiaki Asai,Tomoya Inoue,Kentaro Nonaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09312436B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: EP4391065A1. Автор: Hu Liang,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Nitride semiconductor laminate, method for manufacturing nitride semiconductor laminate, method for manufacturing semiconductor laminate, and method for inspecting semiconductor laminate

Номер патента: US20190148247A1. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: WO2024132524A1. Автор: Hu Liang,Jens Baringhaus,Kevin Dannecker,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-06-27.

Nitride semiconductor substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210184004A1. Автор: Hiroshi Oishi,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2021-06-17.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09536955B2. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-01-03.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09502549B2. Автор: Hiroto YAMAGIWA,Ayanori Ikoshi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120187413A1. Автор: Hidetoshi Fujimoto,Wataru Saito,Akira Yoshioka,Tetsuya Ohno,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20170011919A1. Автор: Hiroshi Oishi,Tomoko Watanabe,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-01-12.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240304674A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: EP4456117A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US09673284B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Nitride semiconductor layer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09515146B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09412857B2. Автор: Toru Sugiyama,Hidetoshi Fujimoto,Wataru Saito,Akira Yoshioka,Tetsuya Ohno,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240030336A1. Автор: Norikazu Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor module

Номер патента: US20240313059A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09871108B2. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element and nitride semiconductor ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US09812611B2. Автор: Akira Hirano,Masamichi Ippommatsu. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method of fabricating III-nitride semiconductor dies

Номер патента: US09721791B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor wafer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US09679974B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09530932B2. Автор: RYU Kaihara,Satoshi Komada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Clamping circuit integrated on gallium nitride semiconductor device and related semiconductor device

Номер патента: US12027514B2. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240332370A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110042711A1. Автор: Yu-Hang Choi,Chae-Seok Lim,Keuk Kim,Chi-Kwon Park. Владелец: WOOREE LST Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20140103354A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-04-17.

Nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US09899507B2. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-20.

III-Nitride semiconductors with recess regions and methods of manufacture

Номер патента: US09614069B1. Автор: Bin Lu,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US09559253B2. Автор: Junya Narita,Yohei Wakai,Kazuto OKAMOTO,Mizuki Nishioka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11837656B2. Автор: Katsunori Ueno,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US20120292593A1. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Group iii nitride semiconductor multilayer structure

Номер патента: EP1709670A1. Автор: Yasuhito Showa Denko K.K. URASHIMA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-10-11.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor package

Номер патента: US11769825B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20210028284A1. Автор: Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2021-01-28.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240282826A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Wafer marking method, method of producing nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240274452A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10825895B2. Автор: Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2020-11-03.

N-side electrode, nitride semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20110042681A1. Автор: Keishi Kohno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Method of manufacturing iii-nitride semiconductor light emitting structure

Номер патента: US20240250213A1. Автор: Sung Min Hwang,Doo Soo Kim,In Seong Cho,Hyung Kyu Choi,Sung Woon HEO,Sung Ju MUN,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Field Reducing Structures for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240304702A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Near-ultraviolet light-emitting semiconductor light-emitting element and group iii nitride semiconductor template used therefor

Номер патента: US20190140140A1. Автор: Sung Min Hwang,In Sung Cho,Doo Soo Kim,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200194545A1. Автор: Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2020-06-18.

Field reducing structures for nitrogen-polar group iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2024186528A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09755107B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of growing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09741560B2. Автор: Sung-soo Park,Young-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor package

Номер патента: US09472623B2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Norikazu Ito,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of growing nitride semiconductor layer and nitride semiconductor formed by the same

Номер патента: US09412588B2. Автор: Sung-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12057525B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240313061A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naoki Torii. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09640712B2. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240088280A1. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240332450A1. Автор: Yoshitaka KAWATA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09780255B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Yu-Chu Li. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230105525A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240322076A1. Автор: Yusuke Matsukura,Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09947530B2. Автор: Mi Hyun Kim,Young Soo Park,Jun Youn KIM,Sam Mook KANG,Young Jo TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Nitride semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859465B2. Автор: Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09647170B2. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for fabricating nitride semiconductor device with silicon layer

Номер патента: US09627222B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Nitride semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09525105B2. Автор: Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Nitride semiconductor device with multi-layer structure electrode having different work functions

Номер патента: US09461135B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20160260868A1. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

III-nitride semiconductor structures with strain absorbing interlayers

Номер патента: US09837495B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09711684B2. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for producing same

Номер патента: US9331245B2. Автор: Eiji Yamada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230411506A1. Автор: Manabu Yanagihara,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and epitaxial wafer

Номер патента: EP2144306A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-01-13.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US9515219B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Group III Nitride Semiconductor Light Emitting Element And Wafer Containing Element Structure

Номер патента: US20180040770A1. Автор: Toshiyuki Obata,Tomoaki Satou. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Method for manufactuing non-emitting iii-nitride semiconductor stacked structure

Номер патента: US20240282883A1. Автор: June O Song. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Nitride semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09806232B2. Автор: Naoki Azuma,Masahiko Sano,Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element having thick metal bump

Номер патента: US09530950B2. Автор: Hirofumi Kawaguchi,Akinori Yoneda,Kouichiroh Deguchi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nitride semiconductor device

Номер патента: RU2426197C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Джае Воонг ХАН. Владелец: Самсунг Лед Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-08-10.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11908927B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8860087B2. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US9165999B2. Автор: Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Vertical nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US20210226019A1. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-22.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11799051B2. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Nitride semiconductor transistor

Номер патента: US20130043492A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Non-polar, III-nitride semiconductor fin field-effect transistor

Номер патента: US09978872B1. Автор: Heinz Schmid,Utz Herwig Hahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for producing a group III nitride semiconductor crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09691610B2. Автор: Seiji Nagai,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Method of producing nitride semiconductor emitting ultraviolet radiation element and nitride semiconductor emitting ultraviolet radiation element

Номер патента: RU2719339C1. Автор: Акира ХИРАНО,Йосуке НАГАСАВА,Сигефуса ТИТИБУ,Казунобу КОДЗИМА. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-17.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20230009662A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230009662A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130082277A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384632A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Group-III nitride semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09722042B2. Автор: Wen-Jang Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09666753B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Daisuke Komori,Motoaki Iwaya,Kaku TAKARABE. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-30.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09570656B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element

Номер патента: US09502606B2. Автор: Akira Hirano,Cyril Pernot. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387288A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Hiroyuki Handa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride semiconductor device and method for fabricating nitride semiconductor device

Номер патента: US11862687B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US11876148B2. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210193865A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Method of manufacturing group III nitride semiconductor layer bonded substrate

Номер патента: EP2154709A3. Автор: Akihiro Hachigo. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200176595A1. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Nitride semiconductor material, semiconductor element, and Manufacturing method thereof

Номер патента: US20080121896A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Toshiyuki Takizawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190296140A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20160380091A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Nitride semiconductor epitaxial substrate and semiconductor device

Номер патента: US20180366572A1. Автор: Takeshi Tanaka. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device and Method for Producing the Same

Номер патента: US20140264415A1. Автор: Koji Okuno,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for producing p-type nitride semiconductor layer

Номер патента: US20140147995A1. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160247962A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09972745B2. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09496453B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Nitride semiconductor element and method of making same

Номер патента: RU2566383C1. Автор: Норитака НИВА,Тецухико ИНАДЗУ. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-10-27.

Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element

Номер патента: RU2561761C1. Автор: Акира ХИРАНО,Сирил ПЕРНО. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-09-10.

Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral overgrowth through masks, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby

Номер патента: CA2321118C. Автор: Robert F. Davis,Ok-Hyun Nam,Tsvetanka Zheleva,Michael D. Bremser. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2008-06-03.

Nitride semiconductor structures with interlayer structures

Номер патента: US7825432B2. Автор: Adam William Saxler,Albert Augustus Burk, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-11-02.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240136434A1. Автор: Taojun FANG. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347603A1. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA,Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Nitride semiconductor epitaxial wafer and field effect nitride transistor

Номер патента: US09780175B2. Автор: Takeshi Tanaka,Naoki Kaneda,Yoshinobu NARITA. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Nitride semiconductor light emitting device including electrodes of a multilayer structure

Номер патента: US7868344B2. Автор: Pil Geun Kang,Bong Il Yi,Jae Ho Han,Dong Min Jeon. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US8884333B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Shibata,Hidetoshi Ishida,Masahiro Hikita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: EP2306529A2. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-06.

Nitride semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor

Номер патента: US20230049717A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20170092493A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20220165874A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20150311331A1. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emmiting device

Номер патента: US20120315719A1. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element

Номер патента: US20210119083A1. Автор: Tomohiro Morishita,Akira Yoshikawa,Ryosuke Hasegawa,Ziyi Zhang,Aya Yokoyama,Yoshihito HAGIHARA. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor wafer and semiconductor device having multilayered nitride semiconductor layer

Номер патента: US8569796B2. Автор: Tetsuji Matsuo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285503A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor wafer and semiconductor device having multilayered nitride semiconductor layer

Номер патента: US20120181577A1. Автор: Tetsuji Matsuo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Method of forming nitride semiconductor substrate and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20180174822A1. Автор: Junyoun Kim,Youngjo TAK,MiHyun Kim,Sammook KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285504A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240274672A1. Автор: Zichen WANG,Guanying HUANG,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Yihang LIANG. Владелец: San'an Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method for high temperature annealing of a nitride semiconductor layer

Номер патента: US10121876B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-06.

III group nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10516042B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8735196B2. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element

Номер патента: US20190140141A1. Автор: Tomohiro Morishita,Akira Yoshikawa,Ryosuke Hasegawa,Ziyi Zhang,Aya Yokoyama,Yoshihito HAGIHARA. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Nitride semiconductor with multiple nitride regions of different impurity concentrations, wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240096969A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20230317796A1. Автор: Hajime Nago,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Process of forming nitride semiconductor device

Номер патента: US20170117132A1. Автор: Masatoshi Koyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075795A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20160020346A1. Автор: Chih-Wei Hu,Yi-Jen Chan,Jung Hsuan. Владелец: Episil-Precision Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Process of forming nitride semiconductor device

Номер патента: US9799508B2. Автор: Masatoshi Koyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Nitride semiconductor device having aluminum oxide film and a process for producing the same

Номер патента: US20160260828A1. Автор: Chihoko Mizue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09577156B2. Автор: Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9053931B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411642A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20230290857A1. Автор: Hajime Nago,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Low-defect density gallium nitride semiconductor structures and fabrication methods

Номер патента: US20100171124A1. Автор: Pankaj B. Shah,Michael A. Derenge,Daniel J. Ewing,Tsvetanka S. Zheleva. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2010-07-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11881479B2. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US20150021653A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Nitride semiconductor with multiple nitride regions of different impurity concentrations, wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11955520B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20240154004A1. Автор: Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230378393A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230253471A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Nitride semiconductor transistor and electronic device

Номер патента: EP4080581A1. Автор: Zhibin Chen,Qimeng JIANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Nitride semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing the nitride semiconductor

Номер патента: US20230138962A1. Автор: Hajime Nago,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US9287378B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283070A1. Автор: Dong Ju Lee,Sun Woon Kim,Dong Joon Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: US8969849B2. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US8759851B2. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Nitride semiconductor device, production method thereof, diode, and field effect transistor

Номер патента: US9911842B2. Автор: JIANG LI,Shusuke Kaya,Masayuki Iwami,Shinya Otomo,Hirotatsu Ishii,Ryosuke Tamura,Takuya Kokawa,Kazuyuki UMENO,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: CA2578443C. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor device and method of forming p-type nitride semiconductor layer

Номер патента: US20230326976A1. Автор: Yoichi Kawakami,Kunimichi Omae,Mitsuru Funato,Katsuhiro KISHIMOTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of manufacturing nitrogen-face nitride semiconductor and nitrogen-face nitride semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20240153766A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230047842A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20140124833A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao,Hsun-Chih Liu,Yi-Keng Fu,Chien-Pin Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-05-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240128263A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20150187886A1. Автор: Sang Choon KO,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Woojin CHANG,Sung-Bum BAE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-07-02.

Nitride semiconductor light emitting chip and light emitting device having the same

Номер патента: WO2016085297A1. Автор: Jung-Sub Song. Владелец: ILJIN LED CO., LTD.. Дата публикации: 2016-06-02.

Nitride semiconductor laminate, method for manufacturing nitride semiconductor laminate, method for manufacturing semiconductor laminate, and method for inspecting semiconductor laminate

Номер патента: US11508629B2. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-22.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2005122292A1. Автор: Eun Hyun Park,Tae Kyung Yoo. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2005-12-22.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240014094A1. Автор: Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor device with buffer layer made of nitride semiconductor

Номер патента: US20150076509A1. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20140319535A1. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Nitride semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20230395650A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Nitride semiconductor device with a hole extraction electrode

Номер патента: US7737467B2. Автор: Wataru Saito,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

III nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9537053B2. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee. Владелец: BBSA Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9391145B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Nitride semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230420517A1. Автор: Manabu Yanagihara,Kazuya Nagase,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for producing a nitride semiconductor component, and a nitride semiconductor component

Номер патента: US20180175243A1. Автор: Werner Bergbauer,Bastian Galler,Thomas Lehnhardt,Juergen Off,Tobias Gotschke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-06-21.

Group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10868124B2. Автор: Tetsuo Narita,Hiroko Iguchi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20190181230A1. Автор: Tetsuo Narita,Hiroko Iguchi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20100155699A1. Автор: Youn Joon Sung,Jeong Wook Lee,Tan Sakong. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20170047412A1. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Nitride semiconductor device with element isolation area

Номер патента: US20240047533A1. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride semiconductor apparatus

Номер патента: US20220165875A1. Автор: Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Nitride semiconductor device with element isolation area

Номер патента: US11830916B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Method of manufacturing nitride semiconductor and nitride semiconductor thin film prepared using the same

Номер патента: US20240154001A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitride semiconductor device and manufacturing method of nitride semiconductor device

Номер патента: US20230268434A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4354489A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Stacked layers of nitride semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8502350B2. Автор: Hideto Sugawara,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

PROCESS OF DEPOSITING SILICON NITRIDE (SiN) FILM ON NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180286661A1. Автор: Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US10763333B2. Автор: Kazuyoshi Tomita,Tetsuo Narita. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240162385A1. Автор: Tomoya Yamada. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Group iii nitride semiconductor crystal, group iii nitride semiconductor substrate, group iii nitride semiconductor freestanding substrate, nitride semiconductor device, and rectifier diode

Номер патента: US20140070371A1. Автор: TADAYOSHI TSUCHIYA,Naoki Kaneda. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11152502B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240096968A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device

Номер патента: EP4297070A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20190305090A1. Автор: Kazuyoshi Tomita,Tetsuo Narita. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Stacked layers of nitride semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8796111B2. Автор: Hideto Sugawara,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Stacked layers of nitride semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120153439A1. Автор: Hideto Sugawara,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200365725A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US9401403B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Ueda,Masahiro Ishida,Hidekazu Umeda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Lattice polarity control in iii-nitride semiconductor heterostructures

Номер патента: WO2023154510A1. Автор: PING Wang,DING Wang,Zetian Mi. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2023-08-17.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387286A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Manabu Yanagihara. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride semiconductor buffer structure and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230343830A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light Emitting Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20180277723A1. Автор: Akira Hirano,Ko Aosaki. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US20230006047A1. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030047741A1. Автор: Toshio Hata,Mayuko Fudeta,Daigaku Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Nitride Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20150179780A1. Автор: Tomoyoshi Mishima,Akihisa Terano,Naoki Kaneda,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150041758A1. Автор: Yoshiki Saito,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240120387A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150083997A1. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Laser-induced flaw formation in nitride semiconductors

Номер патента: US20140038334A1. Автор: Christopher L. Chua,William S. Wong,Clifford F. Knollenberg. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Laser-induced flaw formation in nitride semiconductors

Номер патента: US8852980B2. Автор: Christopher L. Chua,William S. Wong,Clifford F. Knollenberg. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-10-07.

Manufacturing method of nitride semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20120214266A1. Автор: Mamoru Miyachi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20150137173A1. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Manufacturing method of nitride semiconductor structure

Номер патента: US20230162975A1. Автор: Yu-Chi CHIAO,Yung-Li Huang,Chun I Chu,Sheng Wei Chou. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09923069B1. Автор: Manabu Yanagihara,Saichirou Kaneko,Hiroto YAMAGIWA,Ayanori Ikoshi,Ryusuke Kanomata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905669B2. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859413B2. Автор: Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita,Hisayoshi Matsuo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09564552B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Ohmic contact structure for group III nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features

Номер патента: US09548206B2. Автор: Helmut Hagleitner,Jason Gurganus. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09515228B2. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09508895B2. Автор: Ryo Nakamura,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertically structured group III nitride semiconductor LED chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502603B2. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee,Pil Guk Jang. Владелец: Wavesquare Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Nitride semiconductor device having a silicon-containing layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US8163576B2. Автор: Yuji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220271144A1. Автор: Li Liu,Takashi Okawa,Hidemoto Tomita,Toshiyuki Kawaharamura. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10770554B2. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US8637960B2. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2014-01-28.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1829118A1. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200127101A1. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240021756A1. Автор: Donggun Lee,Youngjin Choi,Punjae CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Clamping circuit integrated on gallium nitride semiconductor device and related semiconductor device

Номер патента: US20230178541A1. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20130082355A1. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Micro-LED array device based on III-nitride semiconductors and method for fabricating same

Номер патента: US11721674B2. Автор: Tao Tao,Xuan Wang,Bin Liu,Rong Zhang,Ting Zhi,Feifan XU. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240266431A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530858B2. Автор: Tomoyoshi Mishima,Akihisa Terano,Naoki Kaneda,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09450150B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Group iii nitride semiconductor device and epitaxial substrate

Номер патента: EP1876649A1. Автор: Kouhei c/o Osaka Works of Sum.Elec.Ind Ltd. MIURA,Makoto c/o Itami Works of Sum.Ele.Ind. Ltd KIYAMA,Takashi c/o Osaka Works of S.E.I. Ltd SAKURADA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-01-09.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10818757B2. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Nitride semiconductor element and method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US11843075B2. Автор: Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Nitride semiconductor element and method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20240063332A1. Автор: Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200127100A1. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200357953A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190237550A1. Автор: Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Flip chip type nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US7297988B2. Автор: Bong Il Yi,Kun Yoo Ko,Seung Wan Chae,Suk Kil YOON,Hyun Wook Shim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-20.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: EP1768194B1. Автор: Kunio Takeuchi,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor element, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9184242B2. Автор: Shinji Yamada,Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US8816321B2. Автор: Kazuya Araki,Yoshihiko Tani,Tadashi Takeoka,Yoshihiro Ueta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Method for growing group-III nitride semiconductor heterostructure on silicon substrate

Номер патента: US20050106849A1. Автор: Shangir Gwo. Владелец: Shangir Gwo. Дата публикации: 2005-05-19.

Nitride semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20230411508A1. Автор: Kenji Yamamoto,Norikazu Ito,Tetsuya Fujiwara,Ken Nakahara,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Nitride semiconductor module

Номер патента: US20240039523A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Nitride semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US11777024B2. Автор: Kenji Yamamoto,Norikazu Ito,Tetsuya Fujiwara,Ken Nakahara,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Improving the performance of nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2011163465A3. Автор: Jinwook Chung,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2012-03-08.

Improving the performance of nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2011163465A2. Автор: Jinwook Chung,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2011-12-29.

Performance of nitride semiconductor devices

Номер патента: US20120012894A1. Автор: Jinwook Chung,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2012-01-19.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131043A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Nitride semiconductor and fabricating method thereof

Номер патента: US20140103352A1. Автор: Jung-Hee Lee,Hee-Sung Kang,Dong-Seok Kim,Ki-Sik Im,Dong-hyeok SON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2014-04-17.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186382A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Nitride Semiconductor Transistor Device

Номер патента: US20170194474A1. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-06.

Method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20150118775A1. Автор: Junya Narita,Yohei Wakai,Kazuto OKAMOTO,Mizuki Nishioka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240162300A1. Автор: Hirotaka Otake,Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Group III Nitride Semiconductor Multilayer Structure

Номер патента: US20080230780A1. Автор: Yasuhito Urashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-25.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20220140134A1. Автор: Katsunori Ueno,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11495671B2. Автор: Takuma Nakano. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor element, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9472720B2. Автор: Shinji Yamada,Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Nitride semiconductor element

Номер патента: US20170025578A1. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9882088B2. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080142846A1. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2008-06-19.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device and iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20170338378A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131042A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Gallium nitride semiconductor structure and process for fabricating thereof

Номер патента: SG10201802435TA. Автор: KAPLUN Joseph,HOULI ARBIV Bilha. Владелец: ELTA SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

III-nitride semiconductor light-emitting device comprising barrier layers and well layers and method of producing the same

Номер патента: US11984535B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US8729558B2. Автор: Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Method for Producing Group III Nitride Semiconductor and Group III Nitride Semiconductor

Номер патента: US20140353804A1. Автор: Hiroshi Amano,Koji Okuno,Naoki Shibata,Takahide Oshio. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrates having a base substrate with parallel trenches

Номер патента: US8138003B2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2012-03-20.

Method for manufacturing gallium nitride semiconductor device

Номер патента: US11784039B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-10-10.

Method For Producing Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150236193A1. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11862686B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387292A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Tsurugi KONDO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180182914A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230105852A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US10475952B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220384681A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US9099594B2. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Substrate for nitride semiconductor device and production method thereof, and red light emitting semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US9455376B2. Автор: Atsushi Koizumi,Yasufumi Fujiwara,Yoshikazu Terai. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2016-09-27.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US8053756B2. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US11824140B2. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for treating group III nitride semiconductor

Номер патента: US8563437B2. Автор: Kuei-Ming Chen,Wei-I Lee,Yen-Hsien Yeh,Ying-Chia Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-10-22.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387285A1. Автор: Kentaro Chikamatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated Circuit Structure of Group III Nitride Semiconductor, Manufacturing Method Thereof, and Use Thereof

Номер патента: US20230044911A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20090200563A1. Автор: Koichi Goshonoo,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20130072010A1. Автор: Shunsuke Minato,Kentaro Watanabe,Giichi Marutsuki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Nitride semiconductor device comprising layered structure of active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230290836A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20140103537A1. Автор: Kazuhiro Kaibara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Gallium nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11810783B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-11-07.

Nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US8093625B2. Автор: Sang Kyun SHIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-10.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light-Emitting Element

Номер патента: US20230261139A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light-Emitting Element and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230299232A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Group iii nitride semiconductor light-emitting element and wafer including such element configuration

Номер патента: US20190198714A1. Автор: Tomoaki Sato. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220123174A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200411723A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20220181523A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Method for treating group III nitride semiconductor

Номер патента: US20120052691A1. Автор: Kuei-Ming Chen,Wei-I Lee,Yen-Hsien Yeh,Ying-Chia Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2012-03-01.

Vertical nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US11489050B2. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-01.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230326959A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230114315A1. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210399162A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420600A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12009457B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20130119486A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Hidetoshi Ishida,Kazuhiro Kaibara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11830915B2. Автор: Katsunori Ueno,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230387351A1. Автор: Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150083993A1. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140070255A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240038884A1. Автор: Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Gallium nitride semiconductor device on soi and process for making same

Номер патента: EP2210284A1. Автор: Kishor Purushottam Gadkaree,Linda R Pinckney,Rajaram Bhat,Jérôme Napierala,Chung-En Zah. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light Emitting Element

Номер патента: US20230307578A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162165A1. Автор: Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride semiconductor device including a horizontal switching device

Номер патента: US10403745B2. Автор: Yasushi Higuchi,Kazuhiro Oyama,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Nitride semiconductor led and fabrication method thereof

Номер патента: CA2599881C. Автор: Suk-Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Nitride semiconductor substrate and method for manufactuing the same

Номер патента: EP3364463A3. Автор: Yoshihisa Abe,Shintaro MIYAMOTO,Masashi Kobata. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2018-11-14.

Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100649496B1. Автор: 이재훈,오정탁,박진섭. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-11-24.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240021717A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240030333A1. Автор: Kazuya Nagase. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170104093A1. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180190790A1. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230361179A1. Автор: Masayuki Kuroda,Manabu Yanagihara,Masahiro Hikita,Hiroto YAMAGIWA,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Iii-v nitride semiconductor device

Номер патента: US20170104074A1. Автор: Chia-Lung Tsai,Wei-Hung Kuo,Kun-Fong Lin,Suh-Fang Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-04-13.

Ohmic contact structure for group iii nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features

Номер патента: US20170077254A1. Автор: Helmut Hagleitner,Jason Gurganus. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20220302262A1. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20170229609A1. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190280101A1. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230411553A1. Автор: Tomoya Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

III-Nitride Semiconductor Device Fabrication

Номер патента: US20150132933A1. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Zhi He. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-05-14.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20180287014A1. Автор: Koji Asada,Tokutaro Okabe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Nitride semiconductor epitaxial stack structure and power device thereof

Номер патента: US20180240901A1. Автор: Chia Cheng Liu,Shang Ju Tu,Ya Yu Yang,Tsung Cheng Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Nitride semiconductor epitaxial stack structure and power device thereof

Номер патента: US10361295B2. Автор: Chia Cheng Liu,Shang Ju Tu,Ya Yu Yang,Tsung Cheng Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190305187A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20190081212A1. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200365694A1. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-11-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190027426A1. Автор: Heng-Kuang Lin,Kuei-Yi Chu. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11990542B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210043802A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170117403A1. Автор: Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita,Hisayoshi Matsuo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride Semiconductor Light Emitting Element

Номер патента: US20180358511A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Vertically structured group iii nitride semiconductor led chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140001511A1. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee,Pil Guk Jang,Tatsunori Toyota. Владелец: Wavesquare Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Method for growing iii-nitride semiconductor layer

Номер патента: WO2016028079A1. Автор: 조인성,김두수,노민수,황성민,임원택,신선혜. Владелец: 주식회사 소프트에피. Дата публикации: 2016-02-25.

Nitride semiconductor led and fabrication method thereof

Номер патента: US20110042645A1. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Nitride semiconductor light-emitting diode

Номер патента: US20150357522A1. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230238475A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot,Miho MATSUZAKI. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10340360B2. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-07-02.

Nitride semiconductor light emitting element having light emitting layer including INxGa1-xN well layer and LED system

Номер патента: US9318659B2. Автор: Akira Inoue,Shunji Yoshida,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8367445B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7714439B2. Автор: Toshiyuki Oishi,Hitoshi Sakuma,Toshihiko Shiga,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060108596A1. Автор: Yuji Abe,Toshiyuki Oishi,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7842962B2. Автор: Yuji Abe,Toshiyuki Oishi,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140087508A1. Автор: Atsushi Miyazaki,Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190371968A1. Автор: Koji Asada,Tokutaro Okabe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200388725A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240213402A1. Автор: Yusuke Matsukura,Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film and Method for Manufacturing Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film

Номер патента: US20230201810A1. Автор: Takeshi Komatsu,Yoko Ono,Yuya Uzumaki,Sayumi Sato. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20170219951A1. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Nitride semiconductor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US8120059B2. Автор: Takehiro Yoshida,Kazutoshi Watanabe. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2012-02-21.

Nitride semiconductor sustrate and method of fabricating the same.

Номер патента: US20100096728A1. Автор: Takehiro Yoshida,Kazutoshi Watanabe. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

Method of analyzing nitride semiconductor layer and method of manufacturing nitride semiconductor substrate using the analysis method

Номер патента: US20140055783A1. Автор: Hiroshi Oishi,Hiroshi Shirai,Jun Komiyama,Yoshihata Yanase. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Semiconductor laser based sensing device

Номер патента: NZ511043A. Автор: Valentin Morozov,Chong Chang Mao,John K Korah,Kristina M Ohnson. Владелец: Univ Technology Corp. Дата публикации: 2003-12-19.

Gyro Employing Semiconductor Laser

Номер патента: US20080037027A1. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2008-02-14.

Gyro employing semiconductor laser

Номер патента: EP1724552B1. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2012-05-09.

Gyro employing semiconductor laser

Номер патента: US7835008B2. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2010-11-16.

Semiconductor laser and optical system having a collimator lens

Номер патента: US20020008893A1. Автор: Naotaro Nakata,Akihisa Yoshida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-24.

Dual beam laser device for linear and planar alignment

Номер патента: US6034763A. Автор: David M. Kramer,Dan Slater. Владелец: Nearfield Systems Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Scanning optical device including first semiconductor laser, second semiconductor laser, first optical sensor, and second optical sensor which are mounted on circuit board

Номер патента: US20240168402A1. Автор: Koji Abe,Junichi Yokoi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor laser control method and semiconductor laser control device

Номер патента: US20020070329A1. Автор: Kenji Koishi,Makoto Usui,Yasuhiro Ueki,Tomonori Ueno,Yutaka Osada,Toru Fujimoto,Kohjyu Konno,Yoshiyuki Miyabata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor laser light source device and optical pickup device

Номер патента: US20050047315A1. Автор: Yuichi Atarashi. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120001223A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PULSED GROWTH OF CATALYST-FREE GROWTH OF GaN NANOWIRES AND APPLICATION IN GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR BULK MATERIAL

Номер патента: US20120001153A1. Автор: . Владелец: STC. UNM. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Wafer Guide, MOCVD Equipment, and Nitride Semiconductor Growth Method

Номер патента: US20120003822A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Light-emitting instrument based on nitride semiconductor

Номер патента: RU2369942C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-10.

Method of making semiconductor laser device

Номер патента: CA2103716C. Автор: Hitoshi Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-12-12.

Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same

Номер патента: KR100771792B1. Автор: 김동준,박수영,오방원,이규한,포민 알렉산더. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-10-30.

Semiconductor laser driver

Номер патента: RU2529053C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Геннадий Андреевич Гаврилов,Галина Юрьевна Сотникова,Александр Леонович Тер-Мартиросян. Владелец: Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы". Дата публикации: 2014-09-27.

Method of determining amplitude of nanovibrations from spectrum of frequency-modulated semiconductor laser autodyne

Номер патента: RU2520945C1. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Анатолий Владимирович Скрипаль,Елисей Игоревич Астахов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2014-06-27.

Semiconductor laser

Номер патента: RU2153745C1. Автор: И.Д. Залевский,В.В. Безотосный. Владелец: Безотосный Виктор Владимирович. Дата публикации: 2000-07-27.

Semiconductor laser unit and its manufacturing process

Номер патента: RU2262171C2. Автор: Хироаки МАТСУМУРА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2005-10-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.