Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Nitride semiconductor crystal with surface texture

Номер патента: US8658440B2
Опубликовано: 25-02-2014
Автор(ы): Ji-Hao Liang, Masahiko Tsuchiya, Masataka Kajikawa, Takako Chinone
Принадлежит: Stanley Electric Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nitride semiconductor crystal with surface texture

Номер патента: US20120077298A1. Автор: Masahiko Tsuchiya,Takako Chinone,Masataka Kajikawa,Ji-Hao Liang. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Nitride semiconductor light-emitting diode

Номер патента: US20150357522A1. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20160260868A1. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Nitride semiconductor element and method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US11843075B2. Автор: Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Nitride semiconductor element and method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20240063332A1. Автор: Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230238475A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot,Miho MATSUZAKI. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110042711A1. Автор: Yu-Hang Choi,Chae-Seok Lim,Keuk Kim,Chi-Kwon Park. Владелец: WOOREE LST Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Near-ultraviolet light-emitting semiconductor light-emitting element and group iii nitride semiconductor template used therefor

Номер патента: US20190140140A1. Автор: Sung Min Hwang,In Sung Cho,Doo Soo Kim,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Nitride semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859465B2. Автор: Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09711684B2. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Nitride semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09806232B2. Автор: Naoki Azuma,Masahiko Sano,Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09972745B2. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20150137173A1. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200357953A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light-Emitting Element

Номер патента: US20230261139A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150083993A1. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09865774B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09741900B2. Автор: Masayuki Nagata,Takashi KURISU,Susumu Ohmi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Nitride semiconductor structure, light emitting element, light source device, and method of manufacturing nitride semiconductor structure

Номер патента: US20240322079A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-26.

Nitride semiconductor structure, light emitting element, light source device, and method of manufacturing nitride semiconductor structure

Номер патента: EP4443673A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element and nitride semiconductor ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US09812611B2. Автор: Akira Hirano,Masamichi Ippommatsu. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

P type nitride semiconductor layer doped with carbon and devices including the p type nitride semiconductor layer doped with carbon

Номер патента: US20140225153A1. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09755107B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12057525B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for producing same

Номер патента: US9331245B2. Автор: Eiji Yamada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11799051B2. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US9515219B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Nitride semiconductor multilayer structure, light emitting element, light source apparatus, and method for producing nitride semiconductor multilayer structure

Номер патента: US20200244043A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US11876148B2. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210193865A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160247962A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240038932A1. Автор: Toshihiko Fukamachi. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075795A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and method of forming p-type nitride semiconductor layer

Номер патента: US20230326976A1. Автор: Yoichi Kawakami,Kunimichi Omae,Mitsuru Funato,Katsuhiro KISHIMOTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US20150021653A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131043A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

III-nitride semiconductor light-emitting device comprising barrier layers and well layers and method of producing the same

Номер патента: US11984535B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131042A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Substrate for nitride semiconductor device and production method thereof, and red light emitting semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US9455376B2. Автор: Atsushi Koizumi,Yasufumi Fujiwara,Yoshikazu Terai. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US11824140B2. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light-Emitting Element and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230299232A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200411723A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20220181523A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210399162A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420600A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Nitride semiconductor light emitting device including buffer layer and method of forming the same

Номер патента: US20180337307A1. Автор: Sun Woon Kim,Jong Sun Maeng,Jung Taek Han,Jeen Seok CHO,Yong Hee JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-22.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190305187A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200388725A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20140097443A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao,Hsun-Chih Liu,Yi-Keng Fu,Chien-Pin Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200381580A1. Автор: Hiroki Kondo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Structure for growth of nitride semiconductor layer, stacked structure, nitride-based semiconductor element, light source, and manufacturing method for same

Номер патента: US20140124816A1. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Toshiya Yokogawa,Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Production method for group III nitride semiconductor and group III nitride semiconductor

Номер патента: US09837494B2. Автор: Hiroshi Amano,Koji Okuno,Naoki Shibata,Takahide Oshio. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20140103354A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of manufacturing iii-nitride semiconductor light emitting structure

Номер патента: US20240250213A1. Автор: Sung Min Hwang,Doo Soo Kim,In Seong Cho,Hyung Kyu Choi,Sung Woon HEO,Sung Ju MUN,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US20120292593A1. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Group iii element nitride semiconductor substrate and bonded substrate

Номер патента: US20240347674A1. Автор: Tomohiko Sugiyama,Ayumi Saito. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of producing nitride semiconductor emitting ultraviolet radiation element and nitride semiconductor emitting ultraviolet radiation element

Номер патента: RU2719339C1. Автор: Акира ХИРАНО,Йосуке НАГАСАВА,Сигефуса ТИТИБУ,Казунобу КОДЗИМА. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-17.

Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element

Номер патента: RU2561761C1. Автор: Акира ХИРАНО,Сирил ПЕРНО. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-09-10.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US8759851B2. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150041758A1. Автор: Yoshiki Saito,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light Emitting Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20180277723A1. Автор: Akira Hirano,Ko Aosaki. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030047741A1. Автор: Toshio Hata,Mayuko Fudeta,Daigaku Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Micro-LED array device based on III-nitride semiconductors and method for fabricating same

Номер патента: US11721674B2. Автор: Tao Tao,Xuan Wang,Bin Liu,Rong Zhang,Ting Zhi,Feifan XU. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor element, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9184242B2. Автор: Shinji Yamada,Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: MY193073A. Автор: Andreas Walter. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2022-09-26.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: EP3504355A1. Автор: Andreas Walter. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-07-03.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: US20190242017A1. Автор: Andreas Walter. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-08-08.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor element, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9472720B2. Автор: Shinji Yamada,Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device and iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20170338378A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9882088B2. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US20140097456A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Method for producing a nitride semiconductor component, and a nitride semiconductor component

Номер патента: US20180175243A1. Автор: Werner Bergbauer,Bastian Galler,Thomas Lehnhardt,Juergen Off,Tobias Gotschke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-06-21.

Nitride semiconductor polarization controlled device

Номер патента: US09660134B1. Автор: Thomas Wunderer,John E. Northrup,Jeng Ping Lu,Noble M Johnson. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8594145B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20170117441A1. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US9842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8420419B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09780255B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Yu-Chu Li. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of fabricating a P type nitride semiconductor layer doped with carbon

Номер патента: US09705287B2. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device and Method for Producing the Same

Номер патента: US20140264415A1. Автор: Koji Okuno,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emmiting device

Номер патента: US20120315719A1. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8735196B2. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US9287378B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US5777350A. Автор: Shuji Nakamura,Shinichi Nagahama,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150083997A1. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Manufacturing method of nitride semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20120214266A1. Автор: Mamoru Miyachi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US10475952B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180182914A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP2955763A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20130072010A1. Автор: Shunsuke Minato,Kentaro Watanabe,Giichi Marutsuki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Nitride semiconductor light emitting devices

Номер патента: GB2432715A. Автор: Stewart Edward Hooper,Valerie Bousquet. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20180287014A1. Автор: Koji Asada,Tokutaro Okabe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210043802A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Vertically structured group iii nitride semiconductor led chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140001511A1. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee,Pil Guk Jang,Tatsunori Toyota. Владелец: Wavesquare Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Nitride semiconductor light emitting element having light emitting layer including INxGa1-xN well layer and LED system

Номер патента: US9318659B2. Автор: Akira Inoue,Shunji Yoshida,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190371968A1. Автор: Koji Asada,Tokutaro Okabe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Nitride semiconductor and nitride semiconductor crystal growth method

Номер патента: US20140318441A1. Автор: Hideyoshi Horie,Kaori Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-30.

Laser-induced flaw formation in nitride semiconductors

Номер патента: US20140038334A1. Автор: Christopher L. Chua,William S. Wong,Clifford F. Knollenberg. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Laser-induced flaw formation in nitride semiconductors

Номер патента: US8852980B2. Автор: Christopher L. Chua,William S. Wong,Clifford F. Knollenberg. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-10-07.

Method For Producing Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150236193A1. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Nitride semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US7846820B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Yoshiaki Hasegawa,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Toshitaka Shimamoto,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

Nitride semiconductor and method for manufacturing same

Номер патента: US8004065B2. Автор: Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-23.

Nitride semiconductor and method for manufacturing same

Номер патента: US20090101935A1. Автор: Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140087508A1. Автор: Atsushi Miyazaki,Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240213402A1. Автор: Yusuke Matsukura,Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US9379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Group iii nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20150255958A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Nitride semiconductor growth method, nitride semiconductor substrate, and nitride semiconductor device

Номер патента: CA2258080C. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2007-06-05.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: US6153010A. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200021083A1. Автор: Hideo Kitagawa,Osamu Tomita,Masayuki Ono,Daisuke Ikeda,Gen Shimizu,Toru Takayama,Satoko Kawasaki,Katsuya Samonji. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

N-type conductive aluminum nitride semiconductor crystal and manufacturing method thereof

Номер патента: CA2677414C. Автор: Hiroyuki Yanagi,Kazuya Takada,Akinori Koukitu,Yoshinao Kumagai,Toru Nagashima. Владелец: Tokyo University of Agriculture and Technology NUC. Дата публикации: 2012-12-18.

Base, nitride semiconductor emitting ultraviolet radiation element and method for production of base

Номер патента: RU2702948C1. Автор: Акира ХИРАНО,Йосуке НАГАСАВА. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-10-14.

Group iii nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09917004B2. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Group iii nitride semiconductor multilayer structure

Номер патента: EP1709670A1. Автор: Yasuhito Showa Denko K.K. URASHIMA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-10-11.

P-Type Group III Nitride Semiconductor and Production Method Thereof

Номер патента: US20080246053A1. Автор: Hitoshi Takeda,Hisayuki Miki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-09.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09711685B2. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US9779934B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for manufactuing non-emitting iii-nitride semiconductor stacked structure

Номер патента: US20240282883A1. Автор: June O Song. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor apparatus, method for growing nitride semiconductor and method for producing semiconductor apparatus

Номер патента: US20060145166A1. Автор: Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Toshiya Matsuda,Takanori Yasuda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Method for manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: US09812607B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor light emitting element, group iii nitride semiconductor substrate and method for manufacturing such group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP1981093A1. Автор: Hisashi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. MINEMOTO,Yasuo c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KITAOKA,Yasutoshi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KAWAGUCHI,Yasuhito c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. TAKAHASHI,Yoshiaki c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. HASEGAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160163928A1. Автор: Kohei Miyoshi,Massashi TSUKIHARA. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Nitride semiconductor element and method of making same

Номер патента: RU2566383C1. Автор: Норитака НИВА,Тецухико ИНАДЗУ. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-10-27.

Template for epitaxial growth, a method for producing it and a nitride semiconductor device

Номер патента: RU2653118C1. Автор: Акира ХИРАНО,Сирил ПЕРНО. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-07.

Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral overgrowth through masks, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby

Номер патента: CA2321118C. Автор: Robert F. Davis,Ok-Hyun Nam,Tsvetanka Zheleva,Michael D. Bremser. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2008-06-03.

Group 3-5 nitride semiconductor multilayer substrate, method for manufacturing group 3-5 nitride semiconductor free-standing substrate

Номер патента: GB2440484A. Автор: Yoshihiko Tsuchida,Naohiro Nishikawa,Kazumasa Hiramatsu,Hideto Miyake. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2008-01-30.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device, group III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US8669129B2. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9053931B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-09.

Method for fabricating a nitride semiconductor device

Номер патента: US6764871B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Ayumu Tsujimura,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150115307A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140061661A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

III nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9537053B2. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee. Владелец: BBSA Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Group III nitride semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US11955581B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: WO2006030918A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-03-23.

Stacked layers of nitride semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8502350B2. Автор: Hideto Sugawara,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9391145B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor layer, method for manufacturing group iii nitride semiconductor light-emitting device, and group iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20110163350A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-07-07.

Method for Fabrication Group III Nitride Semiconductor

Номер патента: US20080076200A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: EP1794780A1. Автор: Masato c/o Showa Denko K.K. KOBAYAKAWA,Hisayuki c/o SHOWA DENKO K.K. MIKI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-06-13.

Stacked layers of nitride semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8796111B2. Автор: Hideto Sugawara,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Stacked layers of nitride semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120153439A1. Автор: Hideto Sugawara,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Group-iii element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20230395373A1. Автор: Masahiro Sakai,Hiroki Kobayashi,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Nitride semiconductor template for light emitting diode and preparation thereof

Номер патента: US20050133798A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jae-hee Cho,Cheol-soo Sone,Hyun-Min Jung,Hae-Yong Lee,Hyun-Min Shin,Choon-Kon Kim,Jeong-Wook Lee. Владелец: Samsung Corning Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-23.

Group III Nitride Semiconductor Multilayer Structure

Номер патента: US20080230780A1. Автор: Yasuhito Urashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-25.

Gallium nitride semiconductor structure and process for fabricating thereof

Номер патента: SG10201802435TA. Автор: KAPLUN Joseph,HOULI ARBIV Bilha. Владелец: ELTA SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190067512A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20150125982A1. Автор: Sung-soo Park,Moon-sang Lee,Dae-ho Yoon,Bong-Kyun KANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2015-05-07.

Nitride semiconductor component layer structure on a group iv substrate surface

Номер патента: US20100133658A1. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2010-06-03.

III-nitride semiconductor light-emitting device and method of producing the same

Номер патента: US11804567B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8697466B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US8093625B2. Автор: Sang Kyun SHIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-10.

Group iii nitride semiconductor

Номер патента: EP3712925A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200075810A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US20110108944A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: US20170263807A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: US20170256677A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Nitride semiconductor component layer structure on a group iv substrate surface and fabrication method

Номер патента: MY149217A. Автор: Dadgar Armin,Krost Alois. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2013-07-31.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190081203A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180166604A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US8759837B2. Автор: Masakazu Kuwabara,Harumasa Yoshida,Yasufumi Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2014-06-24.

Gallium nitride semiconductor device on soi and process for making same

Номер патента: EP2210284A1. Автор: Kishor Purushottam Gadkaree,Linda R Pinckney,Rajaram Bhat,Jérôme Napierala,Chung-En Zah. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230411553A1. Автор: Tomoya Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8367445B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

N-type gan crystal, gan wafer, and gan crystal, gan wafer and nitride semiconductor device production method

Номер патента: EP3839108A1. Автор: Tatsuya Takahashi,Kenji Iso,Tae Mochizuki,Yuuki ENATSU. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2021-06-23.

Method for producing compound semiconductor crystal, method for producing electronic device, and semiconductor wafer

Номер патента: US20120228627A1. Автор: Hiroyuki Sazawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Production method for semiconductor crystal and semiconductor luminous element

Номер патента: US20040123796A1. Автор: Kazuyoshi Tomita,Shiro Yamazaki,Seiji Nagai,Toshio Hiramatsu,Yuta Tezen. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor laminated substrate, semiconductor crystal substrate and semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020088979A1. Автор: Hiroji Kawai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Production method for semiconductor crystal and semiconductor luminous element

Номер патента: US7052979B2. Автор: Kazuyoshi Tomita,Shiro Yamazaki,Seiji Nagai,Toshio Hiramatsu,Yuta Tezen. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-30.

Ultraviolet light emitting devices having a dielectric layer and a transparent electrode layer disposed in between patterned nitride semiconductor layers

Номер патента: US20190189841A1. Автор: Mi Hyun Kim,Young Hwan Park,Joo Sung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor device, and method for fabricating the device

Номер патента: US12100936B2. Автор: Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240332450A1. Автор: Yoshitaka KAWATA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element

Номер патента: US20210119083A1. Автор: Tomohiro Morishita,Akira Yoshikawa,Ryosuke Hasegawa,Ziyi Zhang,Aya Yokoyama,Yoshihito HAGIHARA. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element

Номер патента: US20190140141A1. Автор: Tomohiro Morishita,Akira Yoshikawa,Ryosuke Hasegawa,Ziyi Zhang,Aya Yokoyama,Yoshihito HAGIHARA. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: CA2578443C. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Group iii nitride semiconductor single crystal, method for producing the same, self-standing substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20140070370A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230378393A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US6562701B2. Автор: Masaaki Yuri,Daisuke Ueda,Masahiro Ishida. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-13.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20100181577A1. Автор: Chih-Ming Lai,Po-Chun Liu,Yih-Der Guo,Jenq-Dar Tsay. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-07-22.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: EP1768194B1. Автор: Kunio Takeuchi,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20150118775A1. Автор: Junya Narita,Yohei Wakai,Kazuto OKAMOTO,Mizuki Nishioka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Gallium nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11810783B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-11-07.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230387351A1. Автор: Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Growing method of gallium nitride related compound semiconductor crystal and gallium nitride related compound semiconductor device

Номер патента: US5716450A. Автор: Hitoshi Okazaki,Seiji Togawa. Владелец: Japan Energy Corp. Дата публикации: 1998-02-10.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Group-iii element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20230246132A1. Автор: Takayuki Hirao,Katsuhiro Imai,Kentaro Nonaka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240322076A1. Автор: Yusuke Matsukura,Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Group III Nitride Semiconductor Light Emitting Element And Wafer Containing Element Structure

Номер патента: US20180040770A1. Автор: Toshiyuki Obata,Tomoaki Satou. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and epitaxial wafer

Номер патента: EP2144306A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-01-13.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250209A1. Автор: Shinji Yoshida,Shigeo Hayashi,Masayuki Hata,Shuichi Nakazawa,Yasutoshi Kawaguchi,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Nitride semiconductor device

Номер патента: RU2426197C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Джае Воонг ХАН. Владелец: Самсунг Лед Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-08-10.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US9735314B2. Автор: Shinji Yoshida,Kazuhiko Yamanaka,Katsuya Samonji,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: EP2306529A2. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-06.

Semiconductor wafer and semiconductor device having multilayered nitride semiconductor layer

Номер патента: US8569796B2. Автор: Tetsuji Matsuo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

Semiconductor wafer and semiconductor device having multilayered nitride semiconductor layer

Номер патента: US20120181577A1. Автор: Tetsuji Matsuo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Gallium nitride semiconductor device

Номер патента: CA2444273C. Автор: Kimihiro Kawagoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283070A1. Автор: Dong Ju Lee,Sun Woon Kim,Dong Joon Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: US8969849B2. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US8466449B2. Автор: Jae Woong Han,Seong Suk Lee,Soo Min Lee,Hee Seok Park,Cheol Soo Sone. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP2113974B1. Автор: Tokuya Kozaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-03-13.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2005122292A1. Автор: Eun Hyun Park,Tae Kyung Yoo. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2005-12-22.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2529996C. Автор: Shuji Nakamura,Shinichi Nagahama,Masayuki Senoh. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20100155699A1. Автор: Youn Joon Sung,Jeong Wook Lee,Tan Sakong. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Nitride semiconductor buffer structure and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230343830A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2298491C. Автор: Shuji Nakamura,Takashi Mukai,Koji Tanizawa,Tomotsugu Mitani,Hiromitsu Marui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1829118A1. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240021756A1. Автор: Donggun Lee,Youngjin Choi,Punjae CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device

Номер патента: US6377597B1. Автор: Toshiyuki Okumura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US8816321B2. Автор: Kazuya Araki,Yoshihiko Tani,Tadashi Takeoka,Yoshihiro Ueta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220384681A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230105852A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US9099594B2. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090026440A1. Автор: Takashi Kyono,Katsushi Akita,Hideki Hirayama. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2009-01-29.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US8053756B2. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220123174A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20160163803A1. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12009457B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230387352A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light Emitting Element

Номер патента: US20230307578A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Nitride semiconductor led and fabrication method thereof

Номер патента: CA2599881C. Автор: Suk-Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20170229609A1. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Nitride semiconductor led and fabrication method thereof

Номер патента: US20110042645A1. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

A method of producing a group III nitride semiconductor crystal, a method of manufacturing a gallium nitride-based compound semiconductor, a gallium nitride-based compound semiconductor, a gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and a light source using the semiconductor light-emitting device

Номер патента: DE10196361T5. Автор: Yusuhito Chiba Urashima,Mineo Chiba Okuyama,Tetsuo Chiba Sakurai,Hisayuki Chiba Miki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-05-25.

Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, method of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting device

Номер патента: US6852161B2. Автор: Tetsuo Sakurai,Mineo Okuyama,Hisayuki Miki,Yasuhito Urashima. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-02-08.

Method of fabricating group-III nitride semiconductor crystal, method of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based c

Номер патента: CN100341115C. Автор: 浦岛泰人,奥山峰夫,桜井哲朗,三木久幸. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-10-03.

Nitride semiconductor, nitride semiconductor crystal growth method, and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: KR101502195B1. Автор: 히데요시 호리에,가오리 구리하라. Владелец: 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-03-12.

Method of fabricating group-III nitride semiconductor crystal,metho of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor,gallium nitride-based compound

Номер патента: GB0208076D0. Автор: . Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2002-05-22.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20110111578A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20100279495A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of Manufacturing Nitride Semiconductor Light Emitting Element

Номер патента: US20090087934A1. Автор: Katsunori Kontani. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for growing nitride semiconductor crystal

Номер патента: US20130087762A1. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for growing nitride semiconductor crystal

Номер патента: JP5117609B1. Автор: 真也 布上,洪 洪,倫也 塩田,鐘日 黄,直治 杉山. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

Nitride semiconductor element

Номер патента: US12020930B2. Автор: Kosuke Sato,Motoaki Iwaya. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Nitride semiconductor light-emitting device with periodic gain active layers

Номер патента: US09847449B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Sho Iwayama,Motoaki Iwaya,Takanobu Akagi,Kenjo MATSUI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2376453C. Автор: Koji Tanizawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Nitride semiconductor element

Номер патента: US20170025578A1. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240162385A1. Автор: Tomoya Yamada. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20090200563A1. Автор: Koichi Goshonoo,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Group iii nitride semiconductor light-emitting element and wafer including such element configuration

Номер патента: US20190198714A1. Автор: Tomoaki Sato. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Method of producing periodic table group 13 metal nitride semiconductor crystal and periodic table group 13 metal nitride semiconductor crystal produced by this production method

Номер патента: US09899568B2. Автор: Shigeru Terada,Hiromitsu Kimura,Yuya Saito,Sumitaka Itoh. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190305520A1. Автор: Kohei Miyoshi,Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Methods of growing nitride semiconductors and methods of manufacturing nitride semiconductor substrates

Номер патента: US20150115280A1. Автор: Sung-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060273332A1. Автор: Dong Jeon,Pil Kang,Tae Jang,Bong Yi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP1246264A3. Автор: Hirokazu Pioneer Corporation Takahashi,Hiroyuki Pioneer Corporation Ota,Atsushi Pioneer Corporation Watanabe. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090130790A1. Автор: Shinji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Nitride semiconductor and a method thereof, a nitride semiconductor device and a method thereof

Номер патента: US20020098607A1. Автор: Hiroyuki Okuyama,Hiroshi Nakajima,Fumihiko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

N-side electrode, nitride semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20110042681A1. Автор: Keishi Kohno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230105525A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Group III nitride semiconductor optical device, epitaxial substrate, and method of making group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8148716B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-03.

P-type group III-nitride semiconductor device

Номер патента: US6150672A. Автор: Yawara Kaneko. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2000-11-21.

Nitride semiconductor light emitting device including electrodes of a multilayer structure

Номер патента: US7868344B2. Автор: Pil Geun Kang,Bong Il Yi,Jae Ho Han,Dong Min Jeon. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Nitride semiconductor device having a silicon-containing layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US8163576B2. Автор: Yuji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8093606B2. Автор: Norikazu Ito,Masayuki Sonobe,Mitsuhiko Sakai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-01-10.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4366099A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-08.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240128406A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2458134A1. Автор: Yasunobu Sugimoto,Akinori Yoneda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2458134C. Автор: Yasunobu Sugimoto,Akinori Yoneda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120119240A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100649496B1. Автор: 이재훈,오정탁,박진섭. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-11-24.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20190081212A1. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Nitride Semiconductor Light Emitting Element

Номер патента: US20180358511A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Methods for forming group III-V arsenide-nitride semiconductor materials

Номер патента: US6130147A. Автор: Donald R. Scifres,David F. Welch,Jo S. Major. Владелец: SDL Inc. Дата публикации: 2000-10-10.

Method for growing iii-nitride semiconductor layer

Номер патента: WO2016028079A1. Автор: 조인성,김두수,노민수,황성민,임원택,신선혜. Владелец: 주식회사 소프트에피. Дата публикации: 2016-02-25.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060108596A1. Автор: Yuji Abe,Toshiyuki Oishi,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7842962B2. Автор: Yuji Abe,Toshiyuki Oishi,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120295373A1. Автор: Yasuhiro Miki,Masahiko Onishi,Hirofumi NISHIYAMA,Shusaku BANDO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Iii-v nitride semiconductor device

Номер патента: US20170104074A1. Автор: Chia-Lung Tsai,Wei-Hung Kuo,Kun-Fong Lin,Suh-Fang Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-04-13.

Nitride semiconductor light emitting chip and light emitting device having the same

Номер патента: WO2016085297A1. Автор: Jung-Sub Song. Владелец: ILJIN LED CO., LTD.. Дата публикации: 2016-06-02.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20070138491A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Flip chip type nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US7297988B2. Автор: Bong Il Yi,Kun Yoo Ko,Seung Wan Chae,Suk Kil YOON,Hyun Wook Shim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-20.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140070255A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

LED package with surface textures and methods of formation

Номер патента: US11217735B2. Автор: Tao Tong,Hongtao Ma,Saijin Liu. Владелец: Luminus Inc. Дата публикации: 2022-01-04.

Surface-textured encapsulations for use with light emitting diodes

Номер патента: US20160343919A1. Автор: Tao Xu. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2016-11-24.

Surface-textured encapsulations for use with light emitting diodes

Номер патента: US20160155910A9. Автор: Tao Xu. Владелец: Bridgelux Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

Cooling device for cooling of semiconductor crystal

Номер патента: RU2521785C2. Автор: Барт-Хендрик ХЕЙСМАН,Николя МИНЬО,Хендрик Й. ЭГГИНК,М. ЛАСАНСЕ Клеменс Й.. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2014-07-10.

Group iii nitride semiconductor crystal growing method, group iii nitride semiconductor crystal substrate fabrication method, and group iii nitride semiconductor crystal substrate

Номер патента: KR101467579B1. Автор: 도모히로 가와세,도모키 우에무라,다쿠지 오카히사,사토시 아라카와,무네유키 니시오카. Владелец: 스미토모덴키고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-12-01.

NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL

Номер патента: US20140048770A1. Автор: Nunoue Shinya,SHIODA Tomonari,Sugiyama Naoharu,Hung Hung,Hwang Jongil. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-02-20.

Group III nitride semiconductor crystal growth method and group III nitride semiconductor crystal substrate manufacturing method

Номер патента: JP5045388B2. Автор: 智博 川瀬,拓司 岡久,智喜 上村,志行 西岡,聡 荒川. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-10-10.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2007049946A1. Автор: Tae-Kyung Yoo,Eun-Hyun Park. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-05-03.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200006049A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Nitride semiconductor light-emitting element, illuminating device, liquid crystal display device, method for producing nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing illuminating device

Номер патента: US8791473B2. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Tadashi Yano,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

METHOD OF PRODUCING PERIODIC TABLE GROUP 13 METAL NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL AND PERIODIC TABLE GROUP 13 METAL NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL PRODUCED BY THIS PRODUCTION METHOD

Номер патента: US20140294713A1. Автор: Kimura Hiromitsu,Saito Yuya,Itoh Sumitaka,Terada Shigeru. Владелец: MITSUBISHI CHEMICAL CORPORATION. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for producing nitride semiconductor crystal of group 13 metal of periodic table, and nitride semiconductor crystal of group 13 metal of periodic table produced by said production method

Номер патента: EP2770089A4. Автор: Shigeru Terada,Yuya Saito,Sumitaka Itoh,Hiromitu Kimura. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2015-09-02.

Method for producing a group III nitride semiconductor crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09691610B2. Автор: Seiji Nagai,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Growth of Nitride Semiconductor Crystals

Номер патента: US20070256626A1. Автор: Hideki Hashimoto,Hideo Kawanishi,Akihiko Horiuchi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Nitride semiconductor crystal producing method, nitride semiconductor epitaxial wafer, and nitride semiconductor freestanding substrate

Номер патента: US20130069075A1. Автор: Yuichi Oshima,Hajime Fujikura,Taichiroo Konno. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Nitride Semiconductor Crystal Manufacturing Apparatus, Nitride Semiconductor Crystal Manufacturing Method, and Nitride Semiconductor Crystal

Номер патента: US20110171462A1. Автор: Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Michimasa Miyanaga,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871130B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240128366A1. Автор: Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411679A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor laminate, program for selecting substrate, program for outputting substrate data, nitride semiconductor substrate with program for outputting substrate data, off-angle coordinate map, nitride semiconductor substrate with off-angle coordinate map, program for selecting semiconductor device, method for producing nitride semiconductor substrate, method for producing semiconductor laminate, method for producing semiconductor device, and method for...

Номер патента: US20210184003A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of forming nitride semiconductor epitaxial layer and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8349078B2. Автор: Makoto Kiyama,Hiromu Shiomi,Seiji Nakahata,Akihiro Hachigo,Yu Saitoh,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US12068375B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naohiro Tsurumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09685549B2. Автор: Takahiro Sato,Yasuhiro Uemoto,Hidenori Takeda,Masahiro Hikita,Akihiko Nishio,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Group iii nitride semiconductor crystal, group iii nitride semiconductor substrate, group iii nitride semiconductor freestanding substrate, nitride semiconductor device, and rectifier diode

Номер патента: US20140070371A1. Автор: TADAYOSHI TSUCHIYA,Naoki Kaneda. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240332372A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naoki Torii,Naohiro Tsurumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer

Номер патента: US09905433B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Akira Uedono. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Nitride semiconductor laser chip, nitride semiconductor laser device, and manufacturing method of nitride semiconductor laser chip

Номер патента: US20090180507A1. Автор: Yasuhiko Matsushita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4407657A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor device including gate electrode provided over active region in p-type nitride semiconductor layer and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20150187907A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Nitride semiconductor epitaxial substrate and semiconductor device

Номер патента: US10483388B2. Автор: Takeshi Tanaka. Владелец: Sciocs Co Llmited. Дата публикации: 2019-11-19.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: US20050224831A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A1. Автор: Toshiki NTT Intellectual Prop. Center MAKIMOTO,Kazuhide NTT Intellectual Prop. Center KUMAKURA,Naoki NTT Intellectual Prop. Center KOBAYASHI. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US12087762B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of forming a P-type ohmic contact in group-III nitride semiconductors

Номер патента: US09947537B2. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09911868B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11908927B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor crystal substrate with Fe doping

Номер патента: US10431656B2. Автор: Atsushi Yamada,Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240234563A9. Автор: Taojun FANG. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A4. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20210005742A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Shinji Ujita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Nitride semiconductor substrate, and method for producing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4435833A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Group iii nitride semiconductor substrate and method of manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200032418A1. Автор: HIROKI Goto,Yujiro Ishihara. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20190157080A1. Автор: Yu-Lin Hsiao,Kun-Chuan Lin,Jin-Hsiang Liu. Владелец: Elite Advanced Laser Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4394093A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240297224A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Nitride semiconductor wafer production method and nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP4411032A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor laminate, laminated structure, method for manufacturing nitride semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor laminate

Номер патента: US20190198312A1. Автор: Takehiro Yoshida,Masatomo Shibata,Hajime Fujikura,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040244B2. Автор: Lei Zhang,King Yuen Wong,Chunhua ZHOU,Kai Cao,Yifeng Zhu. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240105828A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Group III nitride semiconductor and method for producing same

Номер патента: US10923346B2. Автор: Hiroshi Ono,Akihiko Ishibashi,Kenya Yamashita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Wafer marking method, nitride semiconductor device manufacturing method, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4354492A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20090246945A1. Автор: Toru Takasone. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20240162339A1. Автор: Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170154885A1. Автор: Masakazu Kanechika,Hidemoto Tomita,Yoshitaka Nagasato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Semiconductor device and method of making including cap layer and nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160163822A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Nitride semiconductor laminate, method for manufacturing nitride semiconductor laminate, method for manufacturing semiconductor laminate, and method for inspecting semiconductor laminate

Номер патента: US20190148247A1. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Nitride semiconductor substrate having recesses at interface between base substrate and initial nitride

Номер патента: US09748344B2. Автор: Hiroshi Oishi,Tomoko Watanabe,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-08-29.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: EP4391065A1. Автор: Hu Liang,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: WO2024132524A1. Автор: Hu Liang,Jens Baringhaus,Kevin Dannecker,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-06-27.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110096805A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20170011919A1. Автор: Hiroshi Oishi,Tomoko Watanabe,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-01-12.

Nitride semiconductor substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210184004A1. Автор: Hiroshi Oishi,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2021-06-17.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: EP4456117A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Nitride semiconductor laser device and method for producing its electrode

Номер патента: RU2238607C2. Автор: Масахико САНО. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2004-10-20.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240030336A1. Автор: Norikazu Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120187413A1. Автор: Hidetoshi Fujimoto,Wataru Saito,Akira Yoshioka,Tetsuya Ohno,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090180505A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20090233423A1. Автор: Takayuki Suzuki,Takeshi Meguro,Ken Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240304674A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor module

Номер патента: US20240313059A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240332370A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09871108B2. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Method of growing nitride semiconductor layer, nitride semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09728404B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jae Hoon Song,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of fabricating III-nitride semiconductor dies

Номер патента: US09721791B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Clamping circuit integrated on gallium nitride semiconductor device and related semiconductor device

Номер патента: US12027514B2. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

Номер патента: US12071707B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

Номер патента: US20240368804A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for Producing Group III Nitride Semiconductor, Seed Substrate and Group III Nitride Semiconductor Crystal

Номер патента: US20180097142A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Nitride semiconductor substrate, laminate, substrate selection program, substrate data output program, off-angle coordinate map, and methods thereof

Номер патента: US11967617B2. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4386116A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor package

Номер патента: US11769825B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Group-III element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US12057307B2. Автор: Masahiro Sakai,Shohei Oue. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Wafer marking method, method of producing nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240274452A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Field Reducing Structures for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240304702A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor substrate, laminated structure, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US12091774B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200194545A1. Автор: Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2020-06-18.

Field reducing structures for nitrogen-polar group iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2024186528A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4442868A1. Автор: Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Keisuke Mihara,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240355620A1. Автор: Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Keisuke Mihara,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US09899507B2. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of growing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09741560B2. Автор: Sung-soo Park,Young-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11837656B2. Автор: Katsunori Ueno,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20210028284A1. Автор: Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2021-01-28.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240282826A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10825895B2. Автор: Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2020-11-03.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240313061A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naoki Torii. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for diffusing impurities into nitride semiconductor crystals

Номер патента: CA1037840A. Автор: Jacques I. Pankove. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-05.

Method for producing nitride semiconductor laminate, silicon semiconductor product, method for inspecting film quality and method for inspecting semiconductor growth device

Номер патента: US11946874B2. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240088280A1. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Group iii nitride crystal substrate, method for producing same, and group iii nitride semiconductor device

Номер патента: EP1736572B1. Автор: Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki,Ryu c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. HIROTA,Seiji c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. NAKAHATA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09947530B2. Автор: Mi Hyun Kim,Young Soo Park,Jun Youn KIM,Sam Mook KANG,Young Jo TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

III-nitride semiconductor structures with strain absorbing interlayers

Номер патента: US09837495B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

N-type aluminum nitride single-crystal substrate and vertical nitride semiconductor device

Номер патента: US09748410B2. Автор: Toru Kinoshita,Toru Nagashima,Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Group-iii element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20230282711A1. Автор: Masahiro Sakai,Hiroki Kobayashi,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Nitride semiconductor substrate, laminated structure, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240302302A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240321576A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230411506A1. Автор: Manabu Yanagihara,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for forming a groove on a surface of flat plate formed of a nitride semiconductor crystal

Номер патента: US20140370685A1. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Method for forming a groove on a surface of flat plate formed of a nitride semiconductor crystal

Номер патента: US8962363B2. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Vertical nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US20210226019A1. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-22.

Nitride semiconductor transistor

Номер патента: US20130043492A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Non-polar, III-nitride semiconductor fin field-effect transistor

Номер патента: US09978872B1. Автор: Heinz Schmid,Utz Herwig Hahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20230009662A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230009662A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130082277A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8860087B2. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US9165999B2. Автор: Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387288A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Hiroyuki Handa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride semiconductor device and method for fabricating nitride semiconductor device

Номер патента: US11862687B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384632A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Method of manufacturing group III nitride semiconductor layer bonded substrate

Номер патента: EP2154709A3. Автор: Akihiro Hachigo. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200176595A1. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for producing p-type nitride semiconductor layer

Номер патента: US20140147995A1. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Fabrication of gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from trench sidewalls

Номер патента: CA2331893C. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Tsvetanka Zheleva,Scott A. Smith. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2007-01-23.

Nitride semiconductor material, semiconductor element, and Manufacturing method thereof

Номер патента: US20080121896A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Toshiyuki Takizawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Nitride semiconductor structures with interlayer structures

Номер патента: US7825432B2. Автор: Adam William Saxler,Albert Augustus Burk, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-11-02.

Method for heteroepitaxial growth of iii metal-face polarity iii-nitrides on substrates with diamond crystal structure and iii-nitride semiconductors

Номер патента: EP2842154A1. Автор: Alexandros Georgakilas,Kleopatra ARETOULI,Katerina TSAGARAKI. Владелец: FOUNDATION FOR RES AND Technology. Дата публикации: 2015-03-04.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20130252401A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190296140A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20160380091A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20110068434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Nitride semiconductor epitaxial substrate and semiconductor device

Номер патента: US20180366572A1. Автор: Takeshi Tanaka. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240274672A1. Автор: Zichen WANG,Guanying HUANG,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Yihang LIANG. Владелец: San'an Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347603A1. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA,Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Nitride semiconductor epitaxial wafer and field effect nitride transistor

Номер патента: US09780175B2. Автор: Takeshi Tanaka,Naoki Kaneda,Yoshinobu NARITA. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for producing self-supporting nitride semiconductor substrate and self-supporting nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP2119815A1. Автор: Masataka Watanabe,Shoichi Takamizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Method for manufacturing nitride semiconductor self-supporting substrate and nitride semiconductor self-supporting substrate

Номер патента: US9127376B2. Автор: Masataka Watanabe,Shoichi Takamizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US8884333B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Shibata,Hidetoshi Ishida,Masahiro Hikita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Nitride semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor

Номер патента: US20230049717A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20170092493A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20220165874A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20150311331A1. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4289994A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240136434A1. Автор: Taojun FANG. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4289995A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240079412A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285503A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Method of forming nitride semiconductor substrate and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20180174822A1. Автор: Junyoun Kim,Youngjo TAK,MiHyun Kim,Sammook KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285504A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Nitride semiconductor device having aluminum oxide film and a process for producing the same

Номер патента: US20160260828A1. Автор: Chihoko Mizue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: CA2400121C. Автор: Masahiko Sano. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-09-21.

Method for high temperature annealing of a nitride semiconductor layer

Номер патента: US10121876B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-06.

III group nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10516042B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Nitride semiconductor with multiple nitride regions of different impurity concentrations, wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11955520B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Nitride semiconductor with multiple nitride regions of different impurity concentrations, wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240096969A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20240154004A1. Автор: Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20230317796A1. Автор: Hajime Nago,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Nitride semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing the nitride semiconductor

Номер патента: US20230138962A1. Автор: Hajime Nago,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Process of forming nitride semiconductor device

Номер патента: US20170117132A1. Автор: Masatoshi Koyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20160020346A1. Автор: Chih-Wei Hu,Yi-Jen Chan,Jung Hsuan. Владелец: Episil-Precision Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Process of forming nitride semiconductor device

Номер патента: US9799508B2. Автор: Masatoshi Koyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Nitride semiconductor device, production method thereof, diode, and field effect transistor

Номер патента: US9911842B2. Автор: JIANG LI,Shusuke Kaya,Masayuki Iwami,Shinya Otomo,Hirotatsu Ishii,Ryosuke Tamura,Takuya Kokawa,Kazuyuki UMENO,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US11873578B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411642A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20230290857A1. Автор: Hajime Nago,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Low-defect density gallium nitride semiconductor structures and fabrication methods

Номер патента: US20100171124A1. Автор: Pankaj B. Shah,Michael A. Derenge,Daniel J. Ewing,Tsvetanka S. Zheleva. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2010-07-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11881479B2. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP4321658A1. Автор: Junya Ishizaki,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Method of manufacturing nitrogen-face nitride semiconductor and nitrogen-face nitride semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20240153766A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230047842A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal, and method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal substrate

Номер патента: US20100233870A1. Автор: Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230253471A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20140124833A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao,Hsun-Chih Liu,Yi-Keng Fu,Chien-Pin Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-05-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240128263A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride semiconductor transistor and electronic device

Номер патента: EP4080581A1. Автор: Zhibin Chen,Qimeng JIANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20240162041A1. Автор: Junya Ishizaki,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20150187886A1. Автор: Sang Choon KO,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Woojin CHANG,Sung-Bum BAE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-07-02.

Nitride semiconductor material and heat flow switching device comprising same

Номер патента: EP4299517A1. Автор: Masaki Adachi,Toshiaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Nitride semiconductor material and heat flow switching element including the same

Номер патента: US20240140797A1. Автор: Masaki Adachi,Toshiaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Nitride semiconductor device with a hole extraction electrode

Номер патента: US7737467B2. Автор: Wataru Saito,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Nitride semiconductor laminate, method for manufacturing nitride semiconductor laminate, method for manufacturing semiconductor laminate, and method for inspecting semiconductor laminate

Номер патента: US11508629B2. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-22.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240014094A1. Автор: Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20170047412A1. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device with buffer layer made of nitride semiconductor

Номер патента: US20150076509A1. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4299802A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Keitaro Tsuchiya,Kazutoshi Nagata,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Nitride semiconductor substrate and method for producing the same

Номер патента: US20240117525A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Keitaro Tsuchiya,Kazutoshi Nagata,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20140319535A1. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Nitride semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20230395650A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20130134434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hideki Osada,Yusuke Yoshizumi,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Nitride Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20150179780A1. Автор: Tomoyoshi Mishima,Akihisa Terano,Naoki Kaneda,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240120387A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Manufacturing method of nitride semiconductor structure

Номер патента: US20230162975A1. Автор: Yu-Chi CHIAO,Yung-Li Huang,Chun I Chu,Sheng Wei Chou. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Group iii element nitride semiconductor substrate, epitaxial substrate, and functional element

Номер патента: US20240347604A1. Автор: Katsuhiro Imai,Sota Maehara,Yoshitaka Kuraoka,Kentaro Nonaka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09923069B1. Автор: Manabu Yanagihara,Saichirou Kaneko,Hiroto YAMAGIWA,Ayanori Ikoshi,Ryusuke Kanomata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905669B2. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859413B2. Автор: Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita,Hisayoshi Matsuo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US9401403B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Ueda,Masahiro Ishida,Hidekazu Umeda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Nitride semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230420517A1. Автор: Manabu Yanagihara,Kazuya Nagase,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Lattice polarity control in iii-nitride semiconductor heterostructures

Номер патента: WO2023154510A1. Автор: PING Wang,DING Wang,Zetian Mi. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2023-08-17.

Group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10868124B2. Автор: Tetsuo Narita,Hiroko Iguchi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20190181230A1. Автор: Tetsuo Narita,Hiroko Iguchi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387286A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Manabu Yanagihara. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride semiconductor device with element isolation area

Номер патента: US20240047533A1. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride semiconductor apparatus

Номер патента: US20220165875A1. Автор: Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Nitride semiconductor device with element isolation area

Номер патента: US11830916B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Nitride semiconductor wafer and method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20230290835A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of manufacture of group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200365462A1. Автор: Yoshio Okayama,Takatoshi Okamoto,Ayako Iwasawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Method of manufacturing nitride semiconductor and nitride semiconductor thin film prepared using the same

Номер патента: US20240154001A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitride semiconductor device and manufacturing method of nitride semiconductor device

Номер патента: US20230268434A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4354489A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US20230006047A1. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

PROCESS OF DEPOSITING SILICON NITRIDE (SiN) FILM ON NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180286661A1. Автор: Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US10763333B2. Автор: Kazuyoshi Tomita,Tetsuo Narita. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11152502B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240096968A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device

Номер патента: EP4297070A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20190305090A1. Автор: Kazuyoshi Tomita,Tetsuo Narita. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Nitride semiconductor epitaxial substrate, method for producing same, and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240112909A1. Автор: Manabu Yanagihara,Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita,Hisayoshi Matsuo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200365725A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Mbe growth of p-type nitride semiconductor materials

Номер патента: WO2004051719A1. Автор: Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Katherine L. Johnson. Владелец: Bousquet, Valerie. Дата публикации: 2004-06-17.

Method and apparatus for producing group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20240153765A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Kei Suzuki,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing group iii-nitride semiconductor

Номер патента: US20240266168A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Masahiro Miyagi,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-08-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240266431A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Group iii nitride semiconductor device and epitaxial substrate

Номер патента: EP1876649A1. Автор: Kouhei c/o Osaka Works of Sum.Elec.Ind Ltd. MIURA,Makoto c/o Itami Works of Sum.Ele.Ind. Ltd KIYAMA,Takashi c/o Osaka Works of S.E.I. Ltd SAKURADA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-01-09.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10818757B2. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220271144A1. Автор: Li Liu,Takashi Okawa,Hidemoto Tomita,Toshiyuki Kawaharamura. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10770554B2. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US8637960B2. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2014-01-28.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200127100A1. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200127101A1. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Clamping circuit integrated on gallium nitride semiconductor device and related semiconductor device

Номер патента: US20230178541A1. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20130082355A1. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190237550A1. Автор: Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Method for growing group-III nitride semiconductor heterostructure on silicon substrate

Номер патента: US20050106849A1. Автор: Shangir Gwo. Владелец: Shangir Gwo. Дата публикации: 2005-05-19.

Method for manufacturing aluminum-containing nitride intermediate layer, method for manufacturing nitride layer, and method for manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20110062016A1. Автор: Masahiko Sakata,Masahiro Araki,Takaaki Utsumi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Nitride semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20230411508A1. Автор: Kenji Yamamoto,Norikazu Ito,Tetsuya Fujiwara,Ken Nakahara,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate and layered structure

Номер патента: US11908688B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Nitride semiconductor module

Номер патента: US20240039523A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Nitride semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US11777024B2. Автор: Kenji Yamamoto,Norikazu Ito,Tetsuya Fujiwara,Ken Nakahara,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Improving the performance of nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2011163465A3. Автор: Jinwook Chung,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2012-03-08.

Improving the performance of nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2011163465A2. Автор: Jinwook Chung,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2011-12-29.

Performance of nitride semiconductor devices

Номер патента: US20120012894A1. Автор: Jinwook Chung,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2012-01-19.

Nitride semiconductor and fabricating method thereof

Номер патента: US20140103352A1. Автор: Jung-Hee Lee,Hee-Sung Kang,Dong-Seok Kim,Ki-Sik Im,Dong-hyeok SON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2014-04-17.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20160293710A1. Автор: Hiroshi Oishi,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2016-10-06.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186382A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Nitride Semiconductor Transistor Device

Номер патента: US20170194474A1. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-06.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240162300A1. Автор: Hirotaka Otake,Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20220140134A1. Автор: Katsunori Ueno,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11495671B2. Автор: Takuma Nakano. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

Method for Producing Group III Nitride Semiconductor and Group III Nitride Semiconductor

Номер патента: US20140353804A1. Автор: Hiroshi Amano,Koji Okuno,Naoki Shibata,Takahide Oshio. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrates having a base substrate with parallel trenches

Номер патента: US8138003B2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2012-03-20.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080142846A1. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for manufacturing a semiconductor substrate and device by bonding an epitaxial substrate to a first support substrate, forming a first and second protective thin film layer, and exposing and bonding a nitride semiconductor layer to a second support substrate

Номер патента: US11961765B2. Автор: Yuki Takiguchi,Masahiro Fujikawa,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US8729558B2. Автор: Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Method for manufacturing gallium nitride semiconductor device

Номер патента: US11784039B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-10-10.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11862686B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387292A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Tsurugi KONDO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Group iii-v nitride semiconductor growth method and vapor phase growth apparatus

Номер патента: CA2313155C. Автор: Masami Tatsumi,Ryu Hirota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-09-30.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240071756A1. Автор: Toshiaki Ono,Koji Matsumoto,Hiroshi Amano,Yoshio Honda. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for treating group III nitride semiconductor

Номер патента: US8563437B2. Автор: Kuei-Ming Chen,Wei-I Lee,Yen-Hsien Yeh,Ying-Chia Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-10-22.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387285A1. Автор: Kentaro Chikamatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated Circuit Structure of Group III Nitride Semiconductor, Manufacturing Method Thereof, and Use Thereof

Номер патента: US20230044911A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Group-III element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US11862689B2. Автор: Masahiro Sakai,Hiroki Kobayashi,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of forming nitride semiconductor film

Номер патента: US20210217618A1. Автор: Nobuaki Takahashi,Yusuke Mori,Hitoshi Miura,Masayuki Imanishi,Ryuji KATAYAMA,Koji Neishi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2021-07-15.

Nitride semiconductor device comprising layered structure of active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230290836A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20140103537A1. Автор: Kazuhiro Kaibara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Nitride semiconductor substrate, method for manufacturing nitride semiconductor substrate, and laminated structure

Номер патента: US11970784B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Group-iii element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20230352298A1. Автор: Katsuhiro Imai,Tomohiko Sugiyama. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for treating group III nitride semiconductor

Номер патента: US20120052691A1. Автор: Kuei-Ming Chen,Wei-I Lee,Yen-Hsien Yeh,Ying-Chia Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2012-03-01.

Vertical nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US11489050B2. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-01.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230326959A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Group-iii nitride semiconductor nanoparticles, core-shell-type particles, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230357011A1. Автор: Kenji Moriyama,Atsushi Muramatsu,Yasuyuki Miyake,Kiyoshi Kanie,Wataru Tamura,Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230114315A1. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20130119486A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Hidetoshi Ishida,Kazuhiro Kaibara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Methodology for annealing group III-nitride semiconductor device structures using novel weighted cover systems

Номер патента: US10460955B2. Автор: Michael A. Derenge. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2019-10-29.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11830915B2. Автор: Katsunori Ueno,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240038884A1. Автор: Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Process of forming nitride semiconductor layers

Номер патента: US20180061632A1. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162165A1. Автор: Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride semiconductor device including a horizontal switching device

Номер патента: US10403745B2. Автор: Yasushi Higuchi,Kazuhiro Oyama,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Epitaxial growth of compound nitride semiconductor structures

Номер патента: US20070240631A1. Автор: David Eaglesham,Sandeep Nijhawan,Lori Washington,Jacob Smith,David Bour,Ronald Stevens. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Nitride semiconductor substrate and method for manufactuing the same

Номер патента: EP3364463A3. Автор: Yoshihisa Abe,Shintaro MIYAMOTO,Masashi Kobata. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2018-11-14.

Method for producing a group III nitride semiconductor

Номер патента: US9214336B2. Автор: Naoyuki Nakada. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240021717A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240030333A1. Автор: Kazuya Nagase. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170104093A1. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180190790A1. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230361179A1. Автор: Masayuki Kuroda,Manabu Yanagihara,Masahiro Hikita,Hiroto YAMAGIWA,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Ohmic contact structure for group iii nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features

Номер патента: US20170077254A1. Автор: Helmut Hagleitner,Jason Gurganus. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20220302262A1. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190280101A1. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11935744B2. Автор: Ken Nakata,Isao Makabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

III-Nitride Semiconductor Device Fabrication

Номер патента: US20150132933A1. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Zhi He. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-05-14.

Nitride semiconductor epitaxial stack structure and power device thereof

Номер патента: US20180240901A1. Автор: Chia Cheng Liu,Shang Ju Tu,Ya Yu Yang,Tsung Cheng Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Nitride semiconductor epitaxial stack structure and power device thereof

Номер патента: US10361295B2. Автор: Chia Cheng Liu,Shang Ju Tu,Ya Yu Yang,Tsung Cheng Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Method of growing nitride semiconductor device

Номер патента: US20150279658A1. Автор: Ken Nakata,Isao Makabe,Keiichi Yui,Tsuyoshi Kouchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200365694A1. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-11-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190027426A1. Автор: Heng-Kuang Lin,Kuei-Yi Chu. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11990542B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Obverse/reverse discriminative rectangular nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20040188804A1. Автор: Tetsuya Hirano,Masahiro Nakayama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170117403A1. Автор: Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita,Hisayoshi Matsuo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10340360B2. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-07-02.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7714439B2. Автор: Toshiyuki Oishi,Hitoshi Sakuma,Toshihiko Shiga,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20070105258A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-10.

Method for producing group iii-nitride semiconductor

Номер патента: EP4379775A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Masahiro Miyagi,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-06-05.

Method of producing zinc oxide semiconductor crystal

Номер патента: US20090260563A1. Автор: Akihiko Yoshikawa,Munehisa Fujimaki,Koji Omichi,Yoshikazu Kaifuchi. Владелец: Chiba University NUC. Дата публикации: 2009-10-22.

Method and apparatus for surface texturing of semiconductor substrate

Номер патента: WO2019223805A1. Автор: Wolfgang Jooss,Peter Fath,Ihor Melnyk,Jan JUNG-KOENIG,Andreas TEPPPE,Sukumar MADUGULA. Владелец: RCT SOLUTIONS GmbH. Дата публикации: 2019-11-28.

Surface texturization method

Номер патента: US20100147798A1. Автор: Chen-Hsun Du,Chung-Wen Lan,Ching-hsi Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor crystal based radiation detector and method of producing the same

Номер патента: WO2011025631A2. Автор: Yanfeng Du,John Eric Tkaczyk,Zhaoping Wu,Ira Blevis,Minglong Zhang. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2011-03-03.

Photovoltaic device with surface perturbations configured for resonant and diffusive coupling

Номер патента: WO2012148767A3. Автор: Daniel Aloysius Nolan,Karl W Koch Iii. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2013-08-29.

Photovoltaic device with surface perturbations configured for resonant and diffusive coupling

Номер патента: EP2702612A2. Автор: Daniel Aloysius Nolan,Karl W Koch Iii. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2014-03-05.

Photovoltaic device with surface perturbations configured for resonant and diffusive coupling

Номер патента: WO2012148767A2. Автор: Daniel Aloysius Nolan,Karl W Koch Iii. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor crystal substrate, infrared detector, method for producing semiconductor crystal substrate, and method for producing infrared detector

Номер патента: US20200295059A1. Автор: Ryo Suzuki,Shigekazu Okumura,Shuichi Tomabechi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Method and device for manufacturing spherical semiconductor crystals

Номер патента: US6319314B1. Автор: Kurosaka Shoei. Владелец: Komatsu Electronic Metals Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-20.

Semiconductor crystal wafer manufacturing device and manufacturing method

Номер патента: EP4451314A1. Автор: Shinsuke Sakai,Tetsuya Chiba. Владелец: Success Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Crystal support for a semiconductor crystal

Номер патента: US3707358A. Автор: Martinus Antonius Maria Bakker,Annegien Masselink,Bauke Visser. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1972-12-26.

Assymetric surface texturing for use in a photovoltaic cell and method of making

Номер патента: US20110162688A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: Twin Creeks Technologies Inc. Дата публикации: 2011-07-07.

Method of heat-treating semiconductor crystal of a group II-group VI compound

Номер патента: US5707900A. Автор: Michihiro Sano,Keizo Kawaguchi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-01-13.

Method for preparing gan based compound semiconductor crystal

Номер патента: US20040171253A1. Автор: Shinichi Sasaki,Keiji Kainosho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-02.

Apparatus and methods related to ground paths implemented with surface mount devices

Номер патента: US09788466B2. Автор: Howard E. CHEN. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Manufacture method for ZnO based compound semiconductor crystal and ZnO based compound semiconductor substrate

Номер патента: US20070152233A1. Автор: Hiroyuki Kato,Takafumi YAO,Hiroshi Yoneyama,Katsumi Maeda,Michihiro Sano,Meoung Cho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-07-05.

Method of implanting ions of different mass numbers in semiconductor crystals

Номер патента: US3897276A. Автор: Motoki Kondo. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1975-07-29.

Semiconductor device and method for growing semiconductor crystal

Номер патента: WO2012102539A3. Автор: Moo Seong Kim,Yeong Deuk Jo,Bum Sup Kim,Chang Hyun Son. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor device and method for growing semiconductor crystal

Номер патента: EP2668662A2. Автор: Moo Seong Kim,Yeong Deuk Jo,Bum Sup Kim,Chang Hyun Son. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-04.

Vapour phase epitaxial growth of thick II-VI semiconductor crystals

Номер патента: GB2435715A. Автор: Arnab Basu,Max Robinson,Ben Cantwell,Andy Brinkman. Владелец: Durham Scientific Crystals Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Epitaxially grown compound-semiconductor crystal

Номер патента: CA2067578C. Автор: Takayoshi Maeda,Masahiko Hata,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-03.

Epitaxially grown compound-semiconductor crystal

Номер патента: US5332451A. Автор: Takayoshi Maeda,Masahiko Hata,Noboru Fukuhara. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-26.

High mobility transistor element resulting from igto oxide semiconductor crystallization, and production method for same

Номер патента: US20240088270A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Bo Kyoung Kim,Nuri ON. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-03-14.

Nitride crystal with removable surface layer and methods of manufacture

Номер патента: US8148801B2. Автор: Mark P. D'Evelyn. Владелец: Soraa Inc. Дата публикации: 2012-04-03.

Large aluminum nitride crystals with reduced defects and methods of making them

Номер патента: US20170145592A1. Автор: Leo J. Schowalter,Glen A. Slack,Kenneth E. Morgan,Robert Bondokov. Владелец: Crystal IS Inc. Дата публикации: 2017-05-25.

Nitride semiconductor laser and method for fabricating the same

Номер патента: US20080049806A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Gaku Sugahara,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20080304530A1. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090175305A1. Автор: Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090116528A1. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7792172B2. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050265413A1. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus

Номер патента: US20060202188A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Takeshi Kamikawa,Mototaka Taneya,Yuhzoh Tsuda,Yoshihiro Ueta,Teruyoshi Takakura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus

Номер патента: US20090236585A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Takeshi Kamikawa,Mototaka Taneya,Yuhzoh Tsuda,Yoshihiro Ueta,Teruyoshi Takakura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20100080257A1. Автор: Jae Woong Han,Seong Suk Lee,Hee Seok Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device

Номер патента: US7970035B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20230019645A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-01-19.

Nitride semiconductor laser diode

Номер патента: US8514904B2. Автор: Takashi Miyoshi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20230178959A1. Автор: Tomonori Morizumi,Teruyuki MORITO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US11133651B2. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20200244041A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the nitride semiconductor laser device

Номер патента: EP2287982A1. Автор: Keiji Sakamoto,Hiroaki Matsumura,Tokuya Kozaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Nitride semiconductor laser and nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20190245322A1. Автор: Osamu Imafuji,Shinichiro Nozaki,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20240243553A1. Автор: Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-07-18.

Electrical contact element for an electrical connector with surface texture and method of surface treatment of an electrical contact element

Номер патента: EP4429033A1. Автор: Helge Schmidt,Esteban SANCHEZ,Stefan THOSS,Felix Greiner,Michael Leidner,Martin VIERT,Matthias CASSEL,Haythem KHILA. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-09-11.

Electrical contact element for an electrical connector with surface texture and method of surface treatment of an electrical contact element

Номер патента: US20240305028A1. Автор: Helge Schmidt,Esteban SANCHEZ,Stefan THOSS,Felix Greiner,Michael Leidner,Martin VIERT,Matthias CASSEL,Haythem KHILA. Владелец: TE Connectivity Solutions GMBH. Дата публикации: 2024-09-12.

Method for producing nitride semiconductor laser light source and apparatus for producing nitride semiconductor laser light source

Номер патента: US20060068516A1. Автор: Masaya Ishida,Atsushi Ogawa,Takuro Ishikura,Yoshihiko Tani,Daisuke Hanaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20110026554A1. Автор: Shingo Masui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing same

Номер патента: US8654808B2. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7573924B2. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing same

Номер патента: EP2416460A3. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-08-27.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130280837A9. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US9036671B2. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250505A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Battery contact with a surface texture

Номер патента: US20170271645A1. Автор: William S. Miller,Brent M. Willey,James Brush,Mao Zhen Guo. Владелец: TTI Macao Commercial Offshore Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065336A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Nitride semiconductor laser diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110182310A1. Автор: Akihiko Ishibashi,Akio Ueta,Yasutoshi Kawaguchi,Tomohito YABUSHITA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065337A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20140294029A1. Автор: Shingo Masui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130308670A1. Автор: Koji Katayama,Hiroshi Nakajima,Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takatoshi Ikegami,Katsunori Yanashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Nitride semiconductor vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20070036186A1. Автор: David Bour,Scott Corzine. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Nitride semiconductor laser diode

Номер патента: US8432946B2. Автор: Masashi Kubota. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8085826B2. Автор: Yuhzoh Tsuda,Masataka Ohta,Yoshie Fujishiro. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Nitride semiconductor laser device and method of producing the same

Номер патента: US20090103584A1. Автор: Yuhzoh Tsuda,Pablo Vaccaro. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Nitride semiconductor laser and method for fabricating the same

Номер патента: EP1104947A3. Автор: ATSUSHI Watanabe,Toshiyuki Tanaka,Hiroyuki Ota,Yoshinori Kimura,Mamoru Miyachi. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2004-04-14.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230402821A1. Автор: Shinji Yoshida,Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-12-14.

Group III Nitride Semiconductor Device and Method for Manufacturing Group III Nitride Semiconductor Device

Номер патента: US20090257467A1. Автор: Koichi Naniwae,Ichiro Masumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20110268144A1. Автор: Satoshi Tamura,Hideki Kasugai,Kazutoshi Onozawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20100151658A1. Автор: Shinji Abe,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20210006042A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Junichi TAKINO,Tomoaki Sumi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20180131161A1. Автор: Masao Kawaguchi,Osamu Imafuji,Shinichiro Nozaki,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Nitride semiconductor device

Номер патента: WO2009148183A1. Автор: Katherine Louise Smith,Stewart Edward Hooper,Mathieu Xavier Senes,Victoria Broadley. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-12-10.

Preparation of li and na foils with {110} or {100} surface texturing

Номер патента: US20230231105A1. Автор: Quan Li,Xitao HU. Владелец: Chinese University of Hong Kong CUHK. Дата публикации: 2023-07-20.

Process chamber component and method of forming a surface texture

Номер патента: EP3648913A1. Автор: Olivier MARCHAND. Владелец: Cleanpart Group GmbH. Дата публикации: 2020-05-13.

Process chamber component and method of forming a surface texture

Номер патента: US20200176225A1. Автор: Olivier MARCHAND. Владелец: Cleanpart Group GmbH. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of manufacturing of a membrane with surface fibre structure, membrane manufactured by this method and use of such membrane

Номер патента: US20220045347A1. Автор: Peter Kus,Vladimir Matolin,Yurii YAKOVLEV. Владелец: Karlova Univerzita v Praze. Дата публикации: 2022-02-10.

Method of manufacturing of a membrane with surface fibre structure, membrane manufactured by this method and use of such membrane

Номер патента: EP3857633A1. Автор: Peter Kus,Vladimir Matolin,Yurii YAKOVLEV. Владелец: Karlova Univerzita v Praze. Дата публикации: 2021-08-04.

Titanium-based material or a titanium alloy-based material with surface electrical conductivity, and its methods of manufacturing, and fuel cell separator, fuel cell using it

Номер патента: RU2636651C1. Автор: Дзунко ИМАМУРА,Кадзухиро Такахаси,Масанари Кимото,Таку КАГАВА,Кийонори ТОКУНО,Ацухико КУРОДА. Владелец: Ниппон Стил Энд Сумитомо Метал Корпорейшн. Дата публикации: 2017-11-27.

Oxygen carrying materials with surface modification for redox-based catalysis and methods of making and uses thereof

Номер патента: WO2018232133A1. Автор: Fanxing Li,Yunfei GAO,Luke Michael NEAL. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2018-12-20.

Oxygen carrying materials with surface modification for redox-based catalysis and methods of making and uses thereof

Номер патента: US20230415124A1. Автор: Fanxing Li,Yunfei GAO,Luke Michael NEAL,Seif Yusuf,Ryan Dudek. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2023-12-28.

Oxygen carrying materials with surface modification for redox-based catalysis and methods of making and uses thereof

Номер патента: US11813592B2. Автор: Fanxing Li,Yunfei GAO,Luke Michael NEAL,Seif Yusuf,Ryan Dudek. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2023-11-14.

Barium titanate particles with surface deposition of rare earth element

Номер патента: US6447910B1. Автор: Kazuhiro Wataya. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-10.

Graphite materials and devices with surface micro-texturing

Номер патента: US20240083101A1. Автор: John Kenna. Владелец: Matthew International Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Graphite materials and devices with surface micro-texturing

Номер патента: US11840013B2. Автор: John Kenna. Владелец: Matthews International Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Apparatus for producing nitride semiconductor crystal, method for producing nitride semiconductor crystal, and nitride semiconductor crystal

Номер патента: EP2383373A4. Автор: Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Michimasa Miyanaga,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-09.

Method for producing nitride semiconductor crystal, nitride semiconductor crystal, and apparatus for producing nitride semiconductor crystal

Номер патента: WO2010082574A1. Автор: 喜之 山本,一成 佐藤,宮永　倫正. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2010-07-22.

APPARATUS FOR PRODUCING METAL CHLORIDE GAS AND METHOD FOR PRODUCING METAL CHLORIDE GAS, AND APPARATUS FOR HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, WAFER FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE, METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR FREESTANIDNG SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL

Номер патента: US20150140791A1. Автор: FUJIKURA Hajime. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR FREESTANDING SUBSTRATE, NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECTIFIER DIODE

Номер патента: US20140070371A1. Автор: TSUCHIYA Tadayoshi,KANEDA Naoki. Владелец: HITACHI METALS, LTD.. Дата публикации: 2014-03-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE, NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL

Номер патента: US20130248872A1. Автор: Nakamura Norikazu,Yamada Atsushi,Imanishi Kenji,ISHIGURO Tetsuro,MIYAJIMA TOYOO. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2013-09-26.

Low dislocation density III-nitride semiconductor component

Номер патента: US09954089B2. Автор: Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Chan Kyung Choi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Nitride semiconductor crystal producing method, nitride semiconductor epitaxial wafer, and nitride semiconductor freestanding substrate

Номер патента: US20130069075A1. Автор: Yuichi Oshima,Hajime Fujikura,Taichiroo Konno. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Nitride semiconductor crystal, manufacturing method of the nitride semiconductor freestanding substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: CN102154704A. Автор: 藤仓序章. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-08-17.

Method for the growth of nitride semiconductor crystal with voids and Method for the manufacturing of nitride semiconductor substrate thereof

Номер патента: KR101635530B1. Автор: 이현재. Владелец: 주식회사 루미스탈. Дата публикации: 2016-07-04.

Method for processing nitride semiconductor crystal surface and nitride semiconductor crystal obtained by such method

Номер патента: KR20060024772A. Автор: 세이지 나카하타,케이지 이시바시,유스케 모리,류 히로타,타카토모 사사키. Владелец: 유스케 모리. Дата публикации: 2006-03-17.

Method for processing nitride semiconductor crystal surface and nitride semiconductor crystal obtained by such method

Номер патента: CN1723548A. Автор: 石桥惠二,中畑成二,森勇介,佐佐木孝友,弘田龙. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-01-18.

Multi-layer silicon/gallium nitride semiconductor

Номер патента: US20200227396A1. Автор: Paul B. Fischer,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Patrick Morrow,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Kimin Jun,Valluri R. Rao,Sansaptak W. DASGUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Estimating a surface texture of a tooth

Номер патента: US09801698B2. Автор: Adi Levin. Владелец: Align Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Systems and methods for surface texturing objects during additive manufacturing

Номер патента: US20220305731A1. Автор: Alexander D. Denmark. Владелец: Carbon Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Organic light-emitting diode with surface modification layer

Номер патента: RU2686583C2. Автор: Гарри БЬЮХЕЙ,Джон Д. БЭЗИЛ,Мехран АРБАБ,Абхинав БХАНДАРИ,Гэри Дж. МАРИЕТТИ. Владелец: Витро, С.А.Б. Де С.В.. Дата публикации: 2019-04-29.

Heating with magnetic metal suspension with surface quality control

Номер патента: RU2721970C1. Автор: Роджер Браун,Роберт Брюс ВАГСТАФФ,Эндрю Джеймс ХОББИС,Антуан Жан Вилли ПРАЛОНГ,Дэвид Энтони ГЕНСБАУЭР,Дэвид ГАНТЦЕР,Тереза Элизабет МАКФАРЛЕЙН. Владелец: Новелис Инк.. Дата публикации: 2020-05-25.

Inner rotor with surface mounted permanent magnets

Номер патента: WO2024162905A1. Автор: Jakob ŠUŠTAR,Danijel RODIĆ. Владелец: Domel, D.O.O.. Дата публикации: 2024-08-08.

Organic light-emitting diode with surface modification layer

Номер патента: RU2663085C2. Автор: Гарри БЬЮХЕЙ,Джон Д. БЭЗИЛ,Мехран АРБАБ,Абхинав БХАНДАРИ,Гэри Дж. МАРИЕТТИ. Владелец: Витро, С.А.Б. Де С.В.. Дата публикации: 2018-08-01.

Analog-digital conversion device with surface elastic waves

Номер патента: CA1145050A. Автор: Jeannine Henaff,Michel Feldmann. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-04-19.

Resonator Filter Working With Surface Acoustic Waves

Номер патента: US20100045397A1. Автор: Armin Schober,Gerhard Kloska. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2010-02-25.

Apparatus for manufacturing Group III nitride semiconductor and method for manufacturing Group III nitride semiconductor

Номер патента: US20080295763A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for producing semiconductor crystal, apparatus for crystal production and group 13 element nitride semiconductor crystal

Номер патента: US20120164057A1. Автор: Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4455375A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Daichi Kitazume,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200299857A1. Автор: Takayuki Sato,Shiro Yamazaki,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of Manufacturing Nitride Semiconductor Substrate

Номер патента: US20120034763A1. Автор: Fumitake Nakanishi,Hideki Osada,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20230257902A1. Автор: Takayuki Sato,Miki Moriyama,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Group III nitride semiconductor manufacturing system

Номер патента: US20090106959A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Container with surface for tactile sensation

Номер патента: RU2522096C2. Автор: Жолт ИГО,Бодо-Вернер Лутциг. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2014-07-10.

Dimple patterns with surface texture for golf balls

Номер патента: US09844701B2. Автор: Nicholas M. Nardacci,Michael R. Madson,Chris Hixenbaugh. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2017-12-19.

Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film and Method for Manufacturing Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film

Номер патента: US20230201810A1. Автор: Takeshi Komatsu,Yoko Ono,Yuya Uzumaki,Sayumi Sato. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Nitride semiconductor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US8120059B2. Автор: Takehiro Yoshida,Kazutoshi Watanabe. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2012-02-21.

Nitride semiconductor sustrate and method of fabricating the same.

Номер патента: US20100096728A1. Автор: Takehiro Yoshida,Kazutoshi Watanabe. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

Method of analyzing nitride semiconductor layer and method of manufacturing nitride semiconductor substrate using the analysis method

Номер патента: US20140055783A1. Автор: Hiroshi Oishi,Hiroshi Shirai,Jun Komiyama,Yoshihata Yanase. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Method for preparing compound semiconductor crystal by combining continuous lec and vgf after injection synthesis

Номер патента: US20240209545A1. Автор: Yang Wang,Zheng Liu,Shujie Wang,Xiaolan Li,Niefeng SUN,Tongnian SUN,Yanlei SHI,Huimin SHAO,Lijie FU,Senfeng XU,Aimin BU. Владелец: CETC 13 Research Institute. Дата публикации: 2024-06-27.

Single crystalline a-plane nitride semiconductor wafer having orientation flat

Номер патента: EP1777325A2. Автор: Ki Soo Lee,Hyun Min Shin. Владелец: Samsung Corning Precision Glass Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-25.

Dimple patterns with surface texture for golf balls

Номер патента: US20160166884A1. Автор: Nicholas M. Nardacci,Michael R. Madson,Chris Hixenbaugh. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2016-06-16.

III-nitride semiconductor device fabrication

Номер патента: US8168000B2. Автор: Robert Beach,Mike Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-05-01.

Systems and methods to achieve tailored fluid and energy interaction through surface texturing

Номер патента: US20180293339A1. Автор: Christopher A. Corey,Erin K. Sharma. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 2018-10-11.

Three-dimensional surface texturing

Номер патента: US09934601B2. Автор: Mark Palmer,Quynh Dinh,Benjamin R. McCallum,Andrew J. Askedall. Владелец: MakerBot Industries LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods for improved growth of group III nitride semiconductor compounds

Номер патента: US8980002B2. Автор: Lu Chen,Hidehiro Kojiri,Yuriy Melnik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Apparatus for manufacturing group III nitride semiconductor

Номер патента: US20080299020A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US7986030B2. Автор: Takeshi Meguro. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-07-26.

Component surface with three-dimensional surface texture and method for the creation of a component surface with three-dimensional surface texture

Номер патента: US20070139434A1. Автор: Bernd Krause,Cordula Ulbrich. Владелец: Linde GmbH. Дата публикации: 2007-06-21.

Protection of surface textures from abrasion

Номер патента: WO2021097013A1. Автор: Christopher Joseph JONES,Kevin Lee BALLARD,Megan Lee CARRICK,Ryan Eugene Stoneberg. Владелец: Sharklet Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of Characterizing a Surface Texture and Texture Characterization Tool

Номер патента: US20240087148A1. Автор: Rachel Z. Pytel,Brice Dubost,Simon Mazoyer,Sidath S. Wijesooriya. Владелец: Certainteed Gypsum Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Surface texture measurement device, controller for surface texture measurement device, and method for controlling the same

Номер патента: US20130238281A1. Автор: Toshihiro Kanematsu,Hiroomi Honda. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Surface texture measuring machine and surface texture judgment method

Номер патента: US20220373316A1. Автор: Hiroomi Honda. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor crystal removal apparatus and production method for semiconductor crystal

Номер патента: US20140000509A1. Автор: Shiro Yamazaki,Seiji Nagai,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Technique of discrete semiconductor crystals brazing to case

Номер патента: RU2636034C1. Автор: Анатолий Хананилович Давыдов,Алексей Олегович Климов,Геннадий Демидович Кравчук,Никита Александрович Павлюк-Мороз. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Пульсар". Дата публикации: 2017-11-20.

A method and apparatus for modifying the surface texture of a block before curing thereof

Номер патента: CA2518188A1. Автор: Horacio Correia. Владелец: Rinox Inc. Дата публикации: 2006-12-02.

Surface texture identification display device and surface texture identification method

Номер патента: US20190114460A1. Автор: HAO Zhang,Jianchao Zhu. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Surface texture identification display device and surface texture identification method

Номер патента: US10679025B2. Автор: HAO Zhang,Jianchao Zhu. Владелец: Ordos Yuansheng Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Semiconductor crystal growth using source powder from crucible wall

Номер патента: US20240150926A1. Автор: Lukas Valek,Radek Jesko,Jan Tesik. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Calibration method for surface texture measuring instrument, calibration program for surface texture measuring instrument, recording medium storing the calibration program and surface texture measuring instrument

Номер патента: US7162383B2. Автор: Isamu Takemura. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2007-01-09.

Implantable medical device with modified surface texture

Номер патента: EP3337560A1. Автор: Bryan J. Swackhamer,Brian L. Schmidt. Владелец: Cardiac Pacemakers Inc. Дата публикации: 2018-06-27.

Surface texture measuring device, surface texture measuring method and surface texture measuring program

Номер патента: EP2017572A3. Автор: Hiroyuki Hidaka,Tsukasa Kojima. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2009-03-18.

A method and apparatus for modifying the surface texture of a block before curing thereof

Номер патента: EP1885534A1. Автор: Horacio Correia. Владелец: Rinox Inc. Дата публикации: 2008-02-13.

Component surface with three-dimensional surface texture and method for the creation of a component surface with three-dimensional surface texture

Номер патента: US7989031B2. Автор: Bernd Krause,Cordula Ulbrich. Владелец: LINDE MATERIAL HANDLING GMBH. Дата публикации: 2011-08-02.

Reduced skin-friction drag surface textures and materials, designs, methods and systems

Номер патента: WO2024073158A9. Автор: Anita PENKOVA,Francisco Jose Del Campo MELCHOR,Boris FRITZ,Marty BRADLEY. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-04.

Exercise mat having a three-dimensional surface texture

Номер патента: US12076611B2. Автор: Glenn Malcolm Boghosian,Chen I. Kao,Stephen Thomas Caulton Morris,Colton Kai Yu,Warren Christopher Howren Cheng. Владелец: Lululemon Athletica Canada Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Laser assisted casting of surface texture and related system

Номер патента: US09636745B2. Автор: Zhaoli Hu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-05-02.

Surface texture measuring device, surface texture measuring system, and program

Номер патента: US20180372473A1. Автор: Shinsaku ABE. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Neutron imaging systems utilizing lithium-containing semiconductor crystals

Номер патента: US9632190B2. Автор: Arnold Burger,Ashley C. STOWE. Владелец: Consolidates Nuclear Security LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Time of flight positron emission tomography with direct conversion semiconductor crystal detectors

Номер патента: WO2020193283A1. Автор: Ira Micah Blevis. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS N.V.. Дата публикации: 2020-10-01.

BROADBAND THz RECEIVER USING THICK PATTERNED SEMICONDUCTOR CRYSTALS

Номер патента: US20200191710A1. Автор: WEI Cui,Jean-Michel Ménard,Alexei Halpin. Владелец: OZ Optics Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

A broadband thz receiver using thick patterned semiconductor crystals

Номер патента: CA3064701A1. Автор: WEI Cui,Jean-Michel Ménard,Alexei Halpin. Владелец: OZ Optics Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

Broadband THz receiver using thick patterned semiconductor crystals

Номер патента: US11422088B2. Автор: WEI Cui,Jean-Michel Ménard,Alexei Halpin. Владелец: OZ Optics Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

Absorbing product with visible surface texture

Номер патента: RU2555680C2. Автор: Кит Джозеф СТОУН,Рональд Босман ВИСШЕР,Дигвиджай РАВАТ,Кэтрин Ребекка ЭИНК,Пьетро КЕЧЕТТО,Фредрик Уильям ГИБСОН. Владелец: Дзе Проктер Энд Гэмбл Компани. Дата публикации: 2015-07-10.

Spray-on wall surface texture dispenser

Номер патента: CA2065534C. Автор: John R. Woods. Владелец: Spraytex Inc. Дата публикации: 2003-08-19.

Method of creating a golf ball with a secondary surface texture feature

Номер патента: US8329081B2. Автор: William E. Morgan,Nicholas M. Nardacci. Владелец: Acushnet Co. Дата публикации: 2012-12-11.

Metal substrate with a surface texture

Номер патента: WO2021053088A1. Автор: Pieter BAART,Derk Jan Wentink. Владелец: TATA STEEL NEDERLAND TECHNOLOGY B.V.. Дата публикации: 2021-03-25.

Surface texture measuring machine and a surface texture measuring method

Номер патента: EP2450659A1. Автор: Yoshiyuki Omori,Yasushi Fukumoto,Sadayuki Matsumiya,Koichi Komatsu,Fumihiro Takemura,Kotaro Hirano,Sadaharu Arita. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2012-05-09.

Metal substrate with a surface texture

Номер патента: US11826980B2. Автор: Pieter BAART,Derk Jan Wentink. Владелец: TATA STEEL NEDERLAND TECHNOLOGY BV. Дата публикации: 2023-11-28.

Surface texturing using energy pulses

Номер патента: US20230120034A1. Автор: David A. Ruben,Xiangnan HE. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2023-04-20.

Metal surface texturing method

Номер патента: RU2721245C1. Автор: Евгений Сергеевич Шлыков,Луиза Евгеньевна Макарова,Тимур Ризович Абляз,Карим Равилевич Муратов,Егор Юрьевич Кочергин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2020-05-18.

Mechanical Surface Texturing of Fabrics

Номер патента: GB1171990A. Автор: . Владелец: Canton Textile Mills Inc. Дата публикации: 1969-11-26.

Surface texture measuring instrument

Номер патента: US8549899B2. Автор: Masaoki Yamagata,Shiro Igasaki. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2013-10-08.

Exercise mat having a three-dimensional surface texture

Номер патента: US11826606B2. Автор: Glenn Malcolm Boghosian,Chen I. Kao,Stephen Thomas Caulton Morris,Colton Kai Yu,Warren Christopher Howren Cheng. Владелец: Lululemon Athletica Canada Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Exercise mat having a three-dimensional surface texture

Номер патента: CA3096727A1. Автор: Glenn Malcolm Boghosian,Chen I. Kao,Stephen Thomas Caulton Morris,Colton Kai Yu,Warren Christopher Howren Cheng. Владелец: Lululemon Athletica Canada Inc. Дата публикации: 2021-04-28.

Three-dimensional surface texturing

Номер патента: US20160121551A1. Автор: Adam G. Mayer. Владелец: MakerBot Industries LLC. Дата публикации: 2016-05-05.

Reduced skin-friction drag surface textures and materials, designs, methods and systems

Номер патента: WO2024073158A2. Автор: Anita PENKOVA,Francisco Jose Del Campo MELCHOR,Boris FRITZ,Marty BRADLEY,Paul MATT. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-04-04.

Surface texture measuring device, surface texture measuring method, and program

Номер патента: US20100286961A1. Автор: Tsukasa Kojima. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2010-11-11.

Research apparatus for polymer cylinder surface texture forming and experimental method thereof

Номер патента: LU102234B1. Автор: Peng Zhou,Xiangming Yu,Haixia Hu,Limin Meng. Владелец: Univ Anhui Sci & Technology. Дата публикации: 2021-05-28.

Exercise mat having a three-dimensional surface texture

Номер патента: US20240042267A1. Автор: Glenn Malcolm Boghosian,Chen I. Kao,Stephen Thomas Caulton Morris,Colton Kai Yu,Warren Christopher Howren Cheng. Владелец: Lululemon Athletica Canada Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Reduced skin-friction drag surface textures and materials, designs, methods and systems

Номер патента: WO2024073158A3. Автор: Anita PENKOVA,Francisco Jose Del Campo MELCHOR,Boris FRITZ,Marty BRADLEY. Владелец: UNIVERSITY OF SOUTHERN CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-05-16.

Systems and methods for providing adaptive surface texture in auto-drafted patent documents

Номер патента: US20200234000A1. Автор: Kevin Knight,Xing Shi,Ian C. Schick,Jay Priyadarshi. Владелец: Specifio Inc. Дата публикации: 2020-07-23.

Surface texturing using energy pulses

Номер патента: US20190283176A1. Автор: David A. Ruben,Xiangnan HE. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2019-09-19.

Surface texture measuring machine and method of correcting a measured value for the machine

Номер патента: US20010051857A1. Автор: Minoru Katayama,Nobuyuki Hama,Kazushige Ishibashi. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Methods and devices for selectively controlling and varying surface texture and/or force levels on a mobile device using haptic feedback

Номер патента: WO2013138769A1. Автор: Robert S. TARTZ,Huihui WANG,Dimosthenis Kaleas,Roger M. Ruuspakka. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2013-09-19.

Methods and devices for selectively controlling and varying surface texture and/or force levels on a mobile device using haptic feedback

Номер патента: EP2828726A1. Автор: Robert S. TARTZ,Huihui WANG,Dimosthenis Kaleas,Roger M. Ruuspakka. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-01-28.

Method of laser beam writing with shifted laser surface texturing

Номер патента: US20180162142A1. Автор: Martin Kucera,Denys Moskal,Jirí MARTAN. Владелец: University of West Bohemia. Дата публикации: 2018-06-14.

A device to maintain and improve the surface texture and structure of mounted card wire

Номер патента: WO2004070096A1. Автор: Ramasubramoniaiyer Kalyanaraman Arikudy,Harishankar Santharam. Владелец: Lakshmi Card Clothing Manufacturing Company Private Limited. Дата публикации: 2004-08-19.

Additive manufacturing method with pulsed irradiation for a component having a defined surface texture

Номер патента: US20240367234A1. Автор: Ole Geisen,Timo Heitmann. Владелец: Siemens Energy Global GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-11-07.

Crucible for preparing compound semiconductor crystal

Номер патента: US5656077A. Автор: Tomohiro Kawase. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-08-12.

Method for cleaning exhaust passage for semiconductor crystal manufacturing device

Номер патента: US20170314162A1. Автор: Kenji Okita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

A broadband thz receiver using thick patterned semiconductor crystals

Номер патента: CA3027228A1. Автор: WEI Cui,Jean-Michel Ménard,Alexei Halpin. Владелец: OZ Optics Ltd. Дата публикации: 2020-06-12.

Apparatus for growing a semiconductor crystal and method of growing the same

Номер патента: US20010018889A1. Автор: Masahito Watanabe,Minoru Eguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-06.

Apparatus for cleaning exhaust passage for semiconductor crystal manufacturing device

Номер патента: US09738992B2. Автор: Kenji Okita. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method of determining coupling frame of wheel with surface and device for its implementation

Номер патента: RU2626581C1. Автор: Анатолий Васильевич Низовой,Алексей Викторович Власичев,Сергей Витальевич Захаренко,Леонтий Леонтьевич Филичев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Опытно-конструкторское предприятие "ВЕКТОР". Дата публикации: 2017-07-28.

Plate heat exchanger with surface projections and method to form higher heat transfer surface

Номер патента: RU2320946C2. Автор: Стивен Майкл ВЭНД,Брайен Джеймс ЭМЕРИ,Джеймс Эрик БОГАРТ. Владелец: Флэтплейт, Инк.. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for growing compound semiconductor crystal

Номер патента: US4853066A. Автор: Toshio Kikuta,Seikoh Yoshida,Yuzo Kashiwayanagi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-08-01.

Programmed digital-computer-controlled system for automatic growth of semiconductor crystals

Номер патента: US3621213A. Автор: Carl R Valentino,Dian P Jen,Richard A Slocum. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-11-16.

Semiconductor crystal growth using source powder from crucible wall

Номер патента: EP4368752A1. Автор: Lukas Valek,Radek Jesko,Jan Tesik. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor crystal removal apparatus and production method for semiconductor crystal

Номер патента: US9388506B2. Автор: Shiro Yamazaki,Seiji Nagai,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Medical device with surface containing gallous oxide

Номер патента: RU2636515C1. Автор: Андерс ЙОХАНССОН,Анна АРВИДССОН,Мортен РОТ. Владелец: Дентспли Их Аб. Дата публикации: 2017-11-23.

Workpiece with surface pre-treated prior to sputtering, pre-treatment method of workpiece surface prior to sputtering and pre-treatment device of workpiece surface prior to sputtering

Номер патента: RU2500832C2. Автор: Кийоси ХАСЕГАВА,Такахиро ИВАСАКИ,Суудзи АДАТИ,Мицуо УТИЯМА,Йосироу НОГУТИ,Кимио НИСИМУРА. Владелец: Ниссан Мотор Ко., Лтд. Дата публикации: 2013-12-10.

Utilisation of surface textures as a random marking or unique identity

Номер патента: GB2097979A. Автор: . Владелец: European Atomic Energy Community Euratom. Дата публикации: 1982-11-10.

Machine part with improved surface texture for rolling contact and/or sliding contact

Номер патента: US5643054A. Автор: Peter Bach,Ernst Strian,Ludwig Kern. Владелец: INA Waelzlager Schaeffler oHG. Дата публикации: 1997-07-01.

Magnesium alloy with dense surface texture and surface treatment method thereof

Номер патента: CA2823304A1. Автор: Young-Hee Park. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Material measures for use in evaluating performance of measuring instrument for measuring surface texture

Номер патента: EP2287561A1. Автор: Akihiro Fujii,Takahiko Kakemizu. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Displacement detector, surface texture measurement instrument, and roundness measurement instrument

Номер патента: GB2596225A. Автор: Morii Hideki. Владелец: Tokyo Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Surface texture measuring device

Номер патента: US20110197665A1. Автор: Yukihiro Sakata,Hiroyuki Hidaka,Hiroomi Honda. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2011-08-18.

Method for reducing impact of surface texture in an optical scan and devices thereof

Номер патента: WO2019006320A1. Автор: James F. Munro,Chase R. OLLE. Владелец: Adcole Corporation. Дата публикации: 2019-01-03.

Elastomeric roll for an electrophotographic image forming device having compressive hollow microparticles defining a surface texture of the roll

Номер патента: US9827722B2. Автор: Kelly Ann Killeen,James Joseph Semler. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Surface Texture Recording With Microphone

Номер патента: US20120237043A1. Автор: Piers Andrew,Chris Bower,Zoran Radivojevic,Paul Beecher. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2012-09-20.

Surface texturing using energy pulses

Номер патента: US11969821B2. Автор: David A. Ruben,Xiangnan HE. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2024-04-30.

Dorsal medulla surface texture as an imaging metric to distinguish between neurological disorders systems and methods

Номер патента: WO2023164562A1. Автор: Darin T. Okuda. Владелец: The Board of Regents of the University of Texas System. Дата публикации: 2023-08-31.

Environmentally safe steel sheet with surface finish for electronic components with excellent solder wettability, whisker-proof properties and exterior stability, and method of sheet production

Номер патента: RU2391445C2. Автор: Кендзи ИМАИ,Реуити ЕСИХАРА,Ясухико МИУРА,Казухиде ХИДАКА. Владелец: Ниппон Стил Корпорейшн. Дата публикации: 2010-06-10.

Apparatus for performing solution growth of group ii- vi compound semiconductor crystal

Номер патента: CA1212019A. Автор: Jun-ichi Nishizawa. Владелец: Zaidan Hojin Handotai Kenkyu Shinkokai. Дата публикации: 1986-09-30.

Method and apparatus for large-area electrical contacting of a semiconductor crystal body with the assistance of electrolytes

Номер патента: US5209833A. Автор: Volker Lehmann,Helmut Foell. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1993-05-11.

Compound semiconductor crystal

Номер патента: US5612014A. Автор: Tetsuya Inoue,Yoshiaki Hagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-03-18.

Method of manufacture of large-sized bodies of rotation with surface of variable curvature of a multi-layer designed construction from polymer composite materials

Номер патента: RU2664942C1. Автор: Олег Владимирович Козлов,Алексей Генрихович Захаров,Дмитрий Анатольевич Лаптев,Нурия Зафаровна Герасимова. Владелец: Акционерное общество "Пермский завод "Машиностроитель". Дата публикации: 2018-08-23.

Method for the growth of a compound semiconductor crystal

Номер патента: US4869776A. Автор: Shigeo Nakajima,Masahiko Kitagawa,Yoshitaka Tomomura,Satoshi Yamaue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1989-09-26.

Process for the growth of III-V group compound semiconductor crystal on a Si substrate

Номер патента: US4840921A. Автор: Takashi Matsumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-06-20.

Semiconductor crystal growth method and device

Номер патента: US12000060B2. Автор: Gang Wang,Yun Liu,Weimin Shen,Hanyi Huang. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Composite fabric with surface and back layers and process for producing the same

Номер патента: EP1167015A3. Автор: Keisuke Kimura. Владелец: SANKURIA CO Ltd. Дата публикации: 2004-06-16.

Pipe joint with wedge-type thread with surface coating

Номер патента: RU2534255C2. Автор: Адриан Хосе НУНЕС. Владелец: Тенарис Коннекшнс Лимитед. Дата публикации: 2014-11-27.

Vapor-phase epitaxial growth method for semiconductor crystal layers

Номер патента: US5213654A. Автор: Masahiro Sasaki,Masao Mashita,Hironori Ishikawa,Yoshito Kawakyu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-05-25.

Semiconductor crystal growth apparatus

Номер патента: US20210010154A1. Автор: Gang Wang,Weimin Shen,Xianliang Deng,Hanyi Huang,Wee Teck Tan. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Method for manufacturing flexible substrate with surface structure copying from a template

Номер патента: US20130034698A1. Автор: Si-Chen Lee,Chieh-Hung Yang,Chun-Yuan Hsueh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2013-02-07.

Thin film stack with surface-conditioning buffer layers and related methods

Номер патента: US20140036340A1. Автор: John Hyunchul Hong,Yaoling Pan,Edward Keat Leem Chan,Tallis Young CHANG,Chong Uk Lee,Isak Clark REINES. Владелец: Qualcomm Mems Technologies Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Method for preparing 3d polymer objects with surface microstructures

Номер патента: US20170217079A1. Автор: Qian Zhao,Tao Xie,Jingjun Wu,Zizheng Fang. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2017-08-03.

Sheets of thermoplastic with surface coating reinforced by fibers

Номер патента: RU2471889C2. Автор: Венкаткришна РАГАВЕНДРАН,Томас Арнольд ИБЕЛИНГ. Владелец: Ханва Эздель, Инк.. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of striking aerial target with surface-to-air guided missiles

Номер патента: RU2603025C1. Автор: Тимерхан Мусагитович Хакимов,Александр Анатольевич Болкунов,Александр Викторович Белоусов,Василий Федорович Ивойлов,Михаил Федорович Пашук,Александр Павлович Саркисьян. Владелец: ОАО "Научно-технический центр радиоэлектронной борьбы". Дата публикации: 2016-11-20.

Method of depositing a gallium nitride-based III-V group compound semiconductor crystal layer

Номер патента: US5433169A. Автор: Shuji Nakamura. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1995-07-18.

Method of laser cutting and processing of clad steel plate, product obtained by laser cutting and processing, method of thermal cutting and processing, product obtained by thermal cutting and treatment, steel sheet with surface treatment, method of laser cutting and laser processing head

Номер патента: RU2724253C1. Автор: Масахито ИТО,Хидео ХАРА,Масанори УЕХАРА,Хироси АСАДА,Хирокадзу САСАКИ,Хироси ХОРИКАВА. Владелец: Ниссин Стил Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-06-22.

Tool holder having receptacle for receiving insert with surfaces for relieving stresses

Номер патента: RU2736469C2. Автор: Ассаф БАЛЛАС. Владелец: Искар Лтд.. Дата публикации: 2020-11-17.

End plates with surface structure for plate heat exchangers

Номер патента: RU2721950C2. Автор: Герберт АЙГНЕР,Гюнтер МАТЕ. Владелец: Линде Акциенгезельшафт. Дата публикации: 2020-05-25.

Shaving article with surface modification

Номер патента: US20180236678A1. Автор: Alison Mary Riches,Robert Barrett Yates,Wuge Henry BRISCOE,Philip Thomas Cresswell. Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2018-08-23.

Shaving article with surface modification

Номер патента: WO2018151961A1. Автор: Alison Mary Riches,Robert Barrett Yates,Wuge Henry BRISCOE,Philip Thomas Cresswell. Владелец: The Gillette Company LLC. Дата публикации: 2018-08-23.

Pump stator tie-layer with surface roughness

Номер патента: WO2024137902A1. Автор: Jason Holzmueller,Peter HONDRED,William Goertzen,Maxim Pushkarev. Владелец: Schlumberger Technology B.V.. Дата публикации: 2024-06-27.

Procedure for manufacture of surfaces of high quality and item with surface of high quality

Номер патента: RU2435871C2. Автор: Реийо ЛАППАЛАИНЕН,Веса МЮЛЛЮМЯКИ,Лассе ПУЛЛИ,Юха МЯКИТАЛО. Владелец: Пикодеон Лтд Ой. Дата публикации: 2011-12-10.

Medical device with surface containing antimicrobial metal

Номер патента: RU2651463C1. Автор: Анна АРВИДССОН. Владелец: Дентспли Их Аб. Дата публикации: 2018-04-19.

Multilayer intermediate layers with surface of damaged melt

Номер патента: RU2469863C2. Автор: Гари МАТИС,Давид Поль БОРСЬЕР,Джон Джозеф Д'ЭРРИКО,Жан-Пьер ЭТИЕНН. Владелец: Солютиа Инкорпорейтед. Дата публикации: 2012-12-20.

Liquid surface-active compositions, cohering with surfaces, hardening and swelling in presence of water, and products, which they are applied in

Номер патента: RU2538755C2. Автор: Скотт В. ВЕНЦЕЛЬ,Дэвид Уильям КЕНИГ,Джеффри Ричард ЗАЙДЛИНГ. Владелец: Кимберли-Кларк Ворлдвайд, Инк.. Дата публикации: 2015-01-10.

Method of obtaining calcium carbonate with surface subjected to reaction processing, with application of weak acid, final products and their application

Номер патента: RU2520452C2. Автор: Патрик А. С. ГЕЙН,Дэниел ДЖЕРАРД. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2014-06-27.

Apparatus for positively doping semiconductor crystals during zone melting

Номер патента: US3954416A. Автор: Wolfgang Keller. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-05-04.

Glass substrate with a textured surface with surface features having a certain ratio of height-to-width to provide anti-glare properties and increased resistance to scratches

Номер патента: US11926556B2. Автор: Yuhui Jin,Aize LI,Jaymin Amin,Robert Randall Hancock, JR.,Raymond Chih Chung Hsiao,Jared Hilliard SEAMAN. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

A method for obtaining mesoporous silica particles with surface functionalisation

Номер патента: EP3743376A1. Автор: Maria COLMENARES,Tomos HARRIS,Javier SILVA,Julien SIALELLI. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2020-12-02.

A method for obtaining mesoporous silica particles with surface functionalisation

Номер патента: CA3088713A1. Автор: Maria COLMENARES,Tomos HARRIS,Javier SILVA,Julien SIALELLI. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2019-08-01.

Belt used in paper industry with surface structure that contains porous membrane

Номер патента: RU2360057C2. Автор: Кейт ФИЦПАТРИК,Кейт ФИЦПАТРИК (NL). Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2009-06-27.

Method of article made with surface recesses and ledges linear sizes measuring

Номер патента: RU2603516C1. Автор: Евгений Владимирович Леун. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Измираль". Дата публикации: 2016-11-27.

Method of electromagnetic stirring of liquid core in crystallizer with continuous casting

Номер патента: RU2656904C1. Автор: Владимир Кузьмич Ильин,Диана Абдулаевна Мусаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Казанский государственный энергетический университет" (ФГБОУ ВО "КГЭУ"). Дата публикации: 2018-06-07.

Method of determining optical crystals with high electric conductivity electrooptical coefficient

Номер патента: RU2604117C1. Автор: Станислав Михайлович Шандаров,Виталий Иванович Быков,Константин Петрович Мельник. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники" (ТУСУР). Дата публикации: 2016-12-10.

Marine multihole gas well for operation of offshore deposits arctic zone with surface arrangement of wellhead equipment

Номер патента: RU2584706C1. Автор: Игорь Александрович Кустышев,Александр Васильевич Кустышев,Алексей Владимирович Немков,Максим Дмитриевич Антонов,Александр Викторович Красовский,Сергей Александрович Петров. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ТюменНИИгипрогаз". Дата публикации: 2016-05-20.

Bioconditioning device for objects with surfaces susceptible of making contact with body parts

Номер патента: US5403065A. Автор: Antonio Callerio. Владелец: F I M A C Fabbrica Italiana Macchine Aria Compressa SpA. Дата публикации: 1995-04-04.

Tool for communication with control system and for fixation of lock element in open position; method of fixation safety valve in open position and of communicating with surface

Номер патента: RU2370634C2. Автор: Скотт С. СТРАТТАН,Томас С. МАЙЕРЛИ. Владелец: Бейкер Хьюз Инкорпорейтед. Дата публикации: 2009-10-20.

Concrete non-cure coating material, as well as concrete products or concrete structural products with surface pattern or decoration using said material and production process therefore

Номер патента: CA2017938A1. Автор: Sukeyoshi Sekine. Владелец: Zokei KK. Дата публикации: 1990-12-01.

Natural stone panel with surface lighting properties and respective manufacturing process

Номер патента: WO2024018291A1. Автор: José Fernando OLIVEIRA DA SILVA,André Filipe FERNANDES DA SILVA ANDRADE LEITE,Daniela Cristina RODRIGUES CAMPANHÃ,Samuel COSTA DELGADO,Nelson Manuel PAULINO DA SILVA. Владелец: Solancis-Sociedade Exploradora De Pedreiras, S.A.. Дата публикации: 2024-01-25.

Natural stone panel with surface lighting properties and respective manufacturing process

Номер патента: EP4310392A1. Автор: José Fernando OLIVEIRA DA SILVA,André Filipe FERNANDES DA SILVA ANDRADE LEITE,Daniela Cristina RODRIGUES CAMPANHÃ,Samuel COSTA DELGADO,Nelson Manuel PAULINO DA SILVA. Владелец: Solancis Exploradora De Pedreiras SA Soc. Дата публикации: 2024-01-24.

Noise damping fibre with surface grooves

Номер патента: EP4286230A1. Автор: Miklos TANCZOS,Szabolcs Sovago,Richard SOMODI. Владелец: Knorr Bremse Systeme fuer Nutzfahrzeuge GmbH. Дата публикации: 2023-12-06.

Technologies for detecting interactions with surfaces from a spherical view of a room

Номер патента: US20180285634A1. Автор: Giuseppe Raffa,Carl Marshall,Omesh Tickoo,Srenivas Varadarajan,Selvakumar Panneer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for obtaining mesoporous silica particles with surface functionalization

Номер патента: US20210031172A1. Автор: Maria COLMENARES,Tomos HARRIS,Julien SIALELLI,Javier SILVA MORA. Владелец: TECHNISCHE UNIVERSITAET BERLIN. Дата публикации: 2021-02-04.

Noise damping fibre with surface grooves

Номер патента: WO2023232760A1. Автор: Miklos TANCZOS,Szabolcs Sovago,Richard SOMODI. Владелец: KNORR-BREMSE SYSTEME FÜR NUTZFAHRZEUGE GMBH. Дата публикации: 2023-12-07.

Method for manufacturing flexible substrate with surface structure copying from a template

Номер патента: US9346196B2. Автор: Si-Chen Lee,Chieh-Hung Yang,Chun-Yuan Hsueh. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-05-24.

Production of calcium carbonate with surface subjected to reactive processing and it application

Номер патента: RU2519037C2. Автор: Патрик А. С. ГЕЙН,Дэниел ДЖЕРАРД,Йоахим Шелкопф. Владелец: Омиа Интернэшнл Аг. Дата публикации: 2014-06-10.

Thermo-plastic sheets with surface coating reinforced with fibres

Номер патента: RU2397871C2. Автор: Дэниел Скотт ВУДМАН,Венкаткришна РАГАВЕНДРАН,Эрих Отто ТОЙТЧ,Ральф Роберт БЬЮНИКОНТИ,Скотт Майкл ДЭВИС,Пол Энтони БРИСТОУ,Минкуан ЧЕНГ,Дейвид Уорделл СОУЛ,Бенни Эзикиел ДЕЙВИД. Владелец: Эздель, Инк.. Дата публикации: 2010-08-27.

Nuclear magnetic resonance apparatus with surface coil detection

Номер патента: CA1248585A. Автор: Eddy B. Boskamp,Rudolf Kemner. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1989-01-10.

Methods for detecting interaction of molecules with surface-bound reagents

Номер патента: US20020102596A1. Автор: Lloyd Davis. Владелец: UNIVERSITY OF TENNESSEE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2002-08-01.

Support system, board with surface configured for writing and related preparation method

Номер патента: WO2023158328A1. Автор: André VASCONCELOS. Владелец: Bi-Silque, S.A.. Дата публикации: 2023-08-24.

Device for curing and/or for drying object in connection with surface treatment

Номер патента: WO2015060777A1. Автор: Patrik Lindgren. Владелец: Caraway Ab. Дата публикации: 2015-04-30.

Scroll type fluid displacement apparatus with surface treated spiral element

Номер патента: CA1231864A. Автор: Fumiyoshi Saito. Владелец: Sanden Corp. Дата публикации: 1988-01-26.

Spreader assembly with surface-clearing blower

Номер патента: US20100133365A1. Автор: Mark Glenn Bailey,Cole Daniel Bailey. Владелец: MASTER Manufacturing LLC. Дата публикации: 2010-06-03.

Acoustic telemetry systems and methods with surface noise cancellation

Номер патента: CA2580691C. Автор: Vimal V. Shah,Wallace R. Gardner,Don Herrick Johnson. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Process for the production of glycine enriched NaCl crystals with improved flow

Номер патента: US20050136131A1. Автор: Pushpito Ghosh,Amitava Pramanik,Parthasarathi Dastidar,Amar Ballabh,Darshak Trivedi,Velayudhan Kumar. Владелец: Hindustan Lever Ltd. Дата публикации: 2005-06-23.

Method for spectral diagnosis of optical axes and types of oscillatory centers in crystals with hydrogen bonds

Номер патента: RU2697425C1. Автор: Владимир Михайлович Гармаш,Виктор Михайлович Тимохин,Валентин Алексеевич Теджетов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Государственный морской университет имени адмирала Ф.Ф. Ушакова". Дата публикации: 2019-08-14.

Synthesis of zsm-5 crystals with improved morphology

Номер патента: RU2615689C2. Автор: Веньих Фрэнк ЛАИ,Николас С. РОЛЛМЭН. Владелец: ЭкссонМобил Рисерч энд Энджиниринг Компани. Дата публикации: 2017-04-06.

Large-volume CaF2 single crystals with reduced scattering and improved laser stability, and uses thereof

Номер патента: US20080292535A1. Автор: Matthias Mueller,Lutz Parthier,Joerg Kandler,Andreas Menzel,Lars Ortmann,Gordon von der Goenna. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Aluminum diethylphosphinate crystal with low fine powder content, and preparation method therefor and use thereof

Номер патента: EP4414370A1. Автор: Hua Lei,Jinzhong Li. Владелец: Jiangsu Liside New Material Co ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Tube with surface-enlarging elements attached to the inside, method and apparatus for manufacturing such tube

Номер патента: CA1116381A. Автор: Bertil H. Sjoholm. Владелец: Gotaverken Angteknik AB. Дата публикации: 1982-01-19.

Method of engineering polar drug particles with surface-trapped hydrofluoroalkane-philes

Номер патента: WO2009059219A3. Автор: Libo Wu,Rocha Sandro R P Da. Владелец: Rocha Sandro R P Da. Дата публикации: 2009-08-20.

Emulsion template method to form small particles of hydrophobic agents with surface enriched hydrophilicity by ultra rapid freezing

Номер патента: WO2011057266A3. Автор: Robert O. Williams,Keat Teng Chow. Владелец: BOARD OF REGENTS, THE UNIVERSITY OF TEXAS SYSTEM. Дата публикации: 2011-09-29.

Emulsion template method to form small particles of hydrophobic agents with surface enriched hydrophilicity by ultra rapid freezing

Номер патента: EP2498903A2. Автор: Robert O. Williams,Keat Theng CHOW. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2012-09-19.

Twinned two-dimensional tellurium crystals with co-existing opposite chirality

Номер патента: US20220098038A1. Автор: Yixiu Wang,Wenzhuo WU. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-03-31.

Synthesis of zsm-5 crystals with improved morphology

Номер патента: CA2891025C. Автор: Wenyih Frank Lai,Nicholas S. ROLLMAN. Владелец: ExxonMobil Research and Engineering Co. Дата публикации: 2019-07-30.

Method for preparing lycopene crystals with high purity and low harm

Номер патента: US20200347234A1. Автор: Wei Gao,Zhiming Zhang,Yunhe Lian,Xiaodong AN,Qingguo Lu,Qianli Li. Владелец: Chenguang Biotech Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Method and apparatus for tilted alignment of liquid crystals with improved photostability

Номер патента: CA1328380C. Автор: Anna M. Lackner,J. David Margerum,Leroy J. Miller,Willis H. Smith, Jr.. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1994-04-12.

Process for production of glycine enriched nacl crystals with improved flow

Номер патента: CA2551051C. Автор: Velayudhan Nair Gopa Kumar,Pushpito Kumar Ghosh,Amitava Pramanik,Parthasarathi Dastidar,Amar Ballabh,Darshak Rameshbhai Trivedi. Владелец: Hindustan Lever Ltd. Дата публикации: 2011-08-02.

Gallium arsenide single crystals with low dislocation density and high purity

Номер патента: CA1277576C. Автор: Adriano Mattera,Roberto Fornari,Renato Magnanini,Carlo Paorici,Lucio Zanotti,Giovanni Zuccalli. Владелец: Consiglio Nazionale delle Richerche CNR. Дата публикации: 1990-12-11.

Method and apparatus for forming long single crystals with good uniformity

Номер патента: US20060021566A1. Автор: Chung-Wen Lan. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2006-02-02.

Process for producing hexagonal nitride single crystal, hexagonal nitride semiconductor crystal, and process for producing hexagonal nitride single-crystal wafer

Номер патента: WO2007029655A1. Автор: Yasuo Kitaoka,Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Takatomo Sasaki,Hisashi Minemoto,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.. Дата публикации: 2007-03-15.

Method for producing nitride semiconductor crystal, and nitride semiconductor wafer and nitride semiconductor device

Номер патента: US20030183160A1. Автор: Kazuyuki Iizuka,Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for growing group iii nitride semiconductor crystal and growing device for group iii nitride semiconductor crystal

Номер патента: KR101507169B1. Автор: 나호 미즈하라,미치마사 미야나가,히사오 다케우치,게이스케 다니자키,잇세이 사토,히데아키 나카하타. Владелец: 스미토모덴키고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-03-30.

Method for growing group iii nitride semiconductor crystal and growing device for group iii nitride semiconductor crystal

Номер патента: US20090158994A1. Автор: Hideaki Nakahata,Hisao Takeuchi,Michimasa Miyanaga,Naho Mizuhara,Keisuke Tanizaki,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-06-25.

GROWTH OF LARGE ALUMINUM NITRIDE SINGLE CRYSTALS WITH THERMAL-GRADIENT CONTROL

Номер патента: US20120000414A1. Автор: Schowalter Leo J.,Bondokov Robert T.,Rao Shailaja P.,Gibb Shawn Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120001223A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Wafer Guide, MOCVD Equipment, and Nitride Semiconductor Growth Method

Номер патента: US20120003822A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Light-emitting instrument based on nitride semiconductor

Номер патента: RU2369942C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-10.

Rail cover half panel with surface texture

Номер патента: AU350416S. Автор: . Владелец: Magpul Industries Corp. Дата публикации: 2013-08-27.

Fiber Optic Cassette with Surface Ornamentation

Номер патента: AU201612570S. Автор: . Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2016-07-21.

Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same

Номер патента: KR100771792B1. Автор: 김동준,박수영,오방원,이규한,포민 알렉산더. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-10-30.

Rail cover panel with surface texture

Номер патента: AU350851S. Автор: . Владелец: Magpul Industries Corp. Дата публикации: 2013-09-16.

System to attach semiconductor crystal to body base

Номер патента: RU2480860C2. Автор: Владимир Иванович Бойко,Борис Анатольевич Спиридонов,Виктор Васильевич Зенин,Александр Валерьевич Кочергин,Андрей Владимирович Строгонов. Владелец: ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов - Сборка". Дата публикации: 2013-04-27.

Sheet rolling mill working roll surface texturing after grinding to required surface roughness

Номер патента: RU2533243C2. Автор: Валерий Константинович Белов,Андрей Викторович Горбунов,Сергей Алексеевич Ласьков,Нуржан Изитгалиевич Жумаргалиев,Елена Валерьевна Александрова. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2014-11-20.

Method for measuring surface texture properties and mechanical properties of the materials

Номер патента: RU2442131C1. Автор: Кирилл Валерьевич Гоголинский,Вячеслав Викторович Мещеряков,Владимир Николаевич Решетов,Эдуард Владимирович Мелекесов,Алексей Серверович Усеинов,Кирилл Валерьевич Гоголинский (RU),Владимир Николаевич Решетов (RU),Вячеслав Викторович Мещеряков (RU),Эдуард Владимирович Мелекесов (RU),Алексей Серверович Усеинов (RU). Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2012-02-10.

Fiber Optic Cassette with Surface Ornamentation

Номер патента: AU201613839S. Автор: . Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2016-07-25.

Material with a surface texture pattern for a de-icing mat

Номер патента: CA174190S. Автор: . Владелец: Pistesarjat Oy. Дата публикации: 2018-12-05.

Mode of static-impulse processing of shaped surfaces with surface plastic deformation

Номер патента: RU2317886C1. Автор: Юрий Сергеевич Степанов,Андрей Викторович Киричек,Борис Иванович Афанасьев,Дмитрий Сергеевич Фомин,Николай Николаевич Самойлов,Дмитрий Львович Соловьев,Константин Федорович Селеменев,Андрей Николаевич Афонин,Алексей Владимирович Поляков,ков Алексей Владимирович Пол. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2008-02-27.

Oral care packaging with surface ornamentation

Номер патента: CA162831S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2015-07-07.

Oral care packaging with surface ornamentation

Номер патента: CA156907S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2015-07-07.

Method of growing epitaxial layers of semiconductor crystals of group three nitrides on layered crystalline structure

Номер патента: RU2543215C2. Автор: Юрий Георгиевич Шретер,Юрий Тоомасович Ребане,Алексей Владимирович Миронов. Владелец: Алексей Владимирович Миронов. Дата публикации: 2015-02-27.

Oral care packaging with surface ornamentation

Номер патента: CA162836S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2015-07-07.

Oral care packaging with surface ornamentation

Номер патента: CA162834S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2015-07-07.

Oral care packaging with surface ornamentation

Номер патента: CA162832S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2015-07-07.

Oral care packaging with surface ornamentation

Номер патента: CA162833S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2015-07-07.

Method of treating infectious diseases caused by influenza virus with h1n1 surface antigen type in domestic animals and poultry, and medication for treating infectious diseases caused by influenza virus with surface antigen of h1n1type

Номер патента: RU2571488C2. Автор: Олег Ильич Эпштейн,Светлана Александровна Сергеева. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Научно-Производственная Фирма "Материа Медика Холдинг". Дата публикации: 2015-12-20.

Method of outer corner over-etching compensation in figures etched on silicon plates with surface orientation (100)

Номер патента: RU2331137C1. Автор: Вадим Николаевич Лапенко,Сергей Петрович Тимошенков,Валерий Федорович Шилов,Юрий Александрович Чаплыгин,Владимир Николаевич Максимов,Елена Сергеевна Морозова,Вадим Григорьевич Рубчиц,Вячеслав Евгеньевич Плеханов,Виктор Владимирович Калугин,Степан Александрович Анчутин,В чеслав Евгеньевич Плеханов,Сергей Александрович Зотов,Олег Михайлович Бритков,Владимир Николаевич Балычев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет). Дата публикации: 2008-08-10.

Method of repairing metal structures with surface cracks and device to this end

Номер патента: RU2446932C2. Автор: Анатолий Сергеевич Пермикин,Илья Александрович Осокин,Андрей Петрович Котельников,Раиса Шайхулловна Касимова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Уральский государственный университет путей сообщения" (УрГУПС). Дата публикации: 2012-04-10.

Toothpaste product package with surface indicia

Номер патента: CA154500S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2014-10-06.

Container having a label with surface ornamentation

Номер патента: CA143807S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2013-10-21.

Container having a label with surface ornamentation

Номер патента: CA143826S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2013-10-29.

Container with surface ornamentation

Номер патента: CA133799S. Автор: . Владелец: Stokely Van Camp Inc. Дата публикации: 2011-10-31.

Fabrication of cardio implant from titanium nickelid-based alloy with surface layer modified by ion-plasma processing

Номер патента: RU2508130C1. Автор: Сергей Григорьевич Псахье,Людмила Леонидовна Мейснер,Александр Иванович Лотков,Станислав Николаевич Мейснер,Елена Георгиевна Бармина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2014-02-27.

Container with surface ornamentation

Номер патента: CA134845S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-03-22.

Container with surface ornamentation

Номер патента: CA133798S. Автор: . Владелец: Stokely Van Camp Inc. Дата публикации: 2011-10-31.

Shaving product package with surface indicia

Номер патента: CA138092S. Автор: . Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2011-11-22.

Disposable diaper product package with surface indicia

Номер патента: CA137194S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-05-27.

Method of making polyfunctional photonic crystals with inverted opal structure

Номер патента: RU2383082C1. Автор: Александр Сергеевич Гусев,Николай Иванович Каргин,Леонид Васильевич Михнев,Евгений Алексеевич Бондаренко,Сергей Алексеевич Бондаренко,Александр Сергеевич Синицкий,Сергей Олегович Климонский,Вера Владимировна Абрамова,Елена Валерьевна Самсонова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Северо-Кавказский государственный технический университет". Дата публикации: 2010-02-27.

Container with surface ornamentation

Номер патента: CA135990S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-06-16.

Method of obtaining of arrays of nanodimensional filamentary silicon crystals with controlled surface density

Номер патента: RU2568217C2. Автор: Александр Юрьевич Воробьев,Валерий Александрович Небольсин,Александр Игоревич Дунаев,Максим Алексеевич Завалишин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-технологический центр микро- и нанотехнологий". Дата публикации: 2015-11-10.

Method of creating through micro channels with diameters of micron and submicron sizes in silicon crystal with help of laser pulses

Номер патента: RU2592732C1. Автор: Андрей Владимирович Овчинников,Михаил Борисович Агранат,Сергей Игоревич Ашитков,Сергей Андреевич Ромашевский. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2016-07-27.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: CA182389S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2021-03-19.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: CA176720S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2018-08-10.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: CA176718S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2018-08-10.

Universal mould for shaping sheet part with surface bicurvature

Номер патента: RU2522973C1. Автор: Олег Сергеевич Куклин,Василий Иванович Попов,Роман Дмитриевич Буланов,Елизавета Андреевна Иванушкова,Леонид Матвеевич Рябенький,Владимир Юрьевич Шуньгин. Владелец: Российская Федерация в лице Министерства промышленности и торговли РФ (МИНПРОМТОРГ РОССИИ). Дата публикации: 2014-07-20.

Method for restoration of steel item with surface cracks

Номер патента: RU2375165C1. Автор: Сергей Григорьевич Псахье,Петр Петрович Каминский,Ольга Владимировна Сизова,Александр Григорьевич Мельников,Василий Сергеевич Плешанов,Андрей Викторович Димаки. Владелец: Институт физики прочности и материаловедения Сибирское отделение Российской академии наук (ИФПМ СО РАН). Дата публикации: 2009-12-10.

Method for binding of diamond single crystal with metal

Номер патента: RU2347651C2. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Вячеслав Максимович Прохоров,Рустэм Хамитович Баграмов,Владимир Давыдович Бланк (RU),Рустэм Хамитович Баграмов (RU),В чеслав Максимович Прохоров (RU). Владелец: Федеральное государственное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2009-02-27.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: CA188674S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2021-03-19.

Method for intercalation of fullerene c60 crystals with caesium

Номер патента: RU2446096C1. Автор: Вадим Георгиевич Глебовский,Николай Сергеевич Сидоров,Андрей Вячеславович Пальниченко. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физики твердого тела РАН (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2012-03-27.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: CA188675S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2021-03-19.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: CA182392S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2021-03-19.

Toothpaste product package with surface indicia

Номер патента: CA154503S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2014-10-06.

Container with surface ornamentation

Номер патента: CA150790S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2015-05-05.

Fiber optic cassette with surface ornamentation

Номер патента: CA168551S. Автор: . Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2020-05-26.

Fiber optic cassette with surface ornamentation

Номер патента: CA172723S. Автор: . Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2020-05-26.

Container with surface ornamentation

Номер патента: AU339421S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-11-14.

Container with surface ornamentation

Номер патента: AU339420S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-11-14.

Package with surface ornamentation

Номер патента: AU339490S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-11-18.

Container with surface ornamentation

Номер патента: CA159488S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2015-05-05.

Packaging container with surface ornamentation

Номер патента: AU336687S. Автор: . Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2011-05-23.

Bottle with surface ornamentation

Номер патента: AU335835S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-04-05.

Container with surface ornamentation

Номер патента: AU340568S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2012-01-24.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: AU201814131S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2018-08-15.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: AU201814132S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2018-08-16.

Container with surface ornamentation

Номер патента: CA150791S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2015-05-05.

Container with surface ornamentation

Номер патента: AU340569S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2012-01-24.

Plate fence panel with surface application of notes and its manufacturing

Номер патента: SK6091Y1. Автор: Ladislav Lukac. Владелец: Lukabeton S R O. Дата публикации: 2012-04-03.

Device for electromechanical measurement of friction coefficient of wheel with surface of aerodrome pavement

Номер патента: RU2434093C1. Автор: Анатолий Васильевич Низовой,Валерий Николаевич Макаенко,Борис Сергеевич Богданов. Владелец: Анатолий Васильевич Низовой. Дата публикации: 2011-11-20.

Method of bottomhole communication with surface during well drilling

Номер патента: RU2551602C1. Автор: Рустам Мидхатович Исмагилов,Алексей Юрьевич Дмитрюков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Нефтяная научно-производственная компания "ЭХО". Дата публикации: 2015-05-27.

Container with surface ornamentation

Номер патента: CA158007S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2015-06-25.

Package with surface ornamentation

Номер патента: CA169008S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-01-26.

Supplement container with surface ornamentation

Номер патента: CA176820S. Автор: . Владелец: New Chapter Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Supplement container with surface ornamentation

Номер патента: CA176818S. Автор: . Владелец: New Chapter Inc. Дата публикации: 2018-07-31.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: CA146552S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2013-04-18.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: CA142262S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2013-04-18.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: CA146129S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2014-01-28.

Hook with surface pattern

Номер патента: CA183923S. Автор: . Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2019-10-29.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: CA171659S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-09-01.

CONTROL METHOD OF PULSE GENERATION MODE OF LASER EMISSION IN LASER UNIT BASED ON SOLID-STATE LASER ON Nd:YAG CRYSTAL WITH DIODE PUMPING OF ACTIVE MEDIUM

Номер патента: RU2573619C1. Автор: Александр Павлович Савикин,Олег Николаевич Еремейкин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "МеЛСиТек". Дата публикации: 2016-01-20.

Over the counter supplement container with surface ornamentation

Номер патента: CA170061S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-11-06.

Over the counter supplement container with surface ornamentation

Номер патента: CA170075S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-11-06.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: CA144791S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2013-01-23.

Clipper with surface ornamentation

Номер патента: CA158268S. Автор: . Владелец: Medline Industries LP. Дата публикации: 2015-10-02.

Blister package with surface ornamentation

Номер патента: CA170260S. Автор: . Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Over the counter supplemental container with surface ornamentation

Номер патента: CA169055S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-03-28.

Over the counter supplement container with surface ornamentation

Номер патента: CA169114S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-03-28.

Container with surface ornamentation

Номер патента: CA137206S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-03-22.

Supplement container with surface ornamentation

Номер патента: CA163581S. Автор: . Владелец: New Chapter Inc. Дата публикации: 2016-04-13.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: CA146553S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2013-04-18.

Disposable diaper product package with surface indicia

Номер патента: CA132544S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-05-27.

Disposable diaper product package with surface indicia

Номер патента: CA139678S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-05-27.

Disposable diaper product package with surface indicia

Номер патента: CA139679S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-05-27.

Over the counter supplement container with surface ornamentation

Номер патента: CA170074S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2017-11-06.

Blister package with surface ornamentation

Номер патента: CA174343S. Автор: . Владелец: Gillette Co LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Disposable diaper product package with surface indicia

Номер патента: CA132545S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-05-27.

Disposable diaper product package with surface indicia

Номер патента: CA137193S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-05-27.

Production method of nanopowder of zinc oxide with surface modification for use in building sealers

Номер патента: RU2505379C1. Автор: Денис Валерьевич Кузнецов,Андрей Григорьевич Юдин,Дмитрий Сергеевич Муратов,Виктор Викторович Чердынцев,Сергей Дмитриевич Калошкин,Михаил Владимирович Горшенков,Дмитрий Викторович Лысов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2014-01-27.

Distribution Point Unit with Surface Ornamentation

Номер патента: AU201615818S. Автор: . Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Box Packaging with Surface Ornamentation

Номер патента: AU201614044S. Автор: . Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2016-08-01.

Supplement container with surface ornamentation

Номер патента: CA163582S. Автор: . Владелец: New Chapter Inc. Дата публикации: 2016-04-13.

Packaging container with surface ornamentation

Номер патента: AU332595S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2010-09-03.

Outdoor cabinet with surface ornamentation

Номер патента: CA179224S. Автор: . Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2020-05-26.

Packaging container with surface ornamentation

Номер патента: AU335922S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-04-12.

Rack mountable hardware with surface ornamentation

Номер патента: CA169417S. Автор: . Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2020-05-26.

Packaging container with surface ornamentation

Номер патента: AU336836S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-05-30.

Hair color packaging with surface ornamentation

Номер патента: CA160714S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2015-11-12.

Over the counter medicinal container with surface ornamentation

Номер патента: AU201814126S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2018-08-15.

Packaging container with surface ornamentation

Номер патента: AU336629S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-05-20.

Packaging container with surface ornamentation

Номер патента: AU334023S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2010-12-08.

Network Interface Device with Surface Ornamentation

Номер патента: AU201615820S. Автор: . Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2016-11-15.

Network interface device with surface ornamentation

Номер патента: CA170063S. Автор: . Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2020-05-26.

Package with surface ornamentation

Номер патента: AU339491S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-11-18.

Bottle with surface ornamentation

Номер патента: AU335837S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-04-05.

Oral care packaging with surface ornamentation

Номер патента: AU356137S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2014-06-26.

Packaging with surface ornamentation

Номер патента: CA170938S. Автор: . Владелец: PHILIP MORRIS PRODUCTS SA. Дата публикации: 2017-10-10.

Container with surface ornamentation

Номер патента: AU339367S. Автор: . Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2011-11-10.

Fiber optic closure with surface ornamentation

Номер патента: CA169418S. Автор: . Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2020-05-26.

Box packaging with surface ornamentation

Номер патента: CA168559S. Автор: . Владелец: CORNING OPTICAL COMMUNICATIONS LLC. Дата публикации: 2020-05-26.

Procedure for growing mono-crystals with specified distribution of additives along its whole length

Номер патента: RU2402646C1. Автор: Валерий Викторович Галуцкий,Елена Валерьевна Строганова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет" (ГОУ ВПО "КубГУ"). Дата публикации: 2010-10-27.

Crystallizer with non-fitted electrodes for electroslag remelting of metals

Номер патента: GEP20197044B. Автор: Tedore Pkhakadze,Marlen Shalamberidze,Tamar Tskipurishvili,Akaki Kakauridze. Владелец: Akaki Kakauridze. Дата публикации: 2019-11-25.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ILLUMINATING DEVICE

Номер патента: US20120002134A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,OYA Mitsuaki,YANO Tadashi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL WITH SURFACE TEXTURE

Номер патента: US20120077298A1. Автор: Liang Ji-Hao,Chinone Takako,Tsuchiya Masahiko,Kajikawa Masataka. Владелец: STANLEY ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-29.

PULSED GROWTH OF CATALYST-FREE GROWTH OF GaN NANOWIRES AND APPLICATION IN GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR BULK MATERIAL

Номер патента: US20120001153A1. Автор: . Владелец: STC. UNM. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR PRODUCING METAL CHLORIDE GAS AND METHOD FOR PRODUCING METAL CHLORIDE GAS, AND APPARATUS FOR HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, WAFER FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE, METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR FREESTANIDNG SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL

Номер патента: US20120305935A1. Автор: FUJIKURA Hajime. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-12-06.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for growing nitride semiconductor crystal

Номер патента: JP5705179B2. Автор: 真也 布上,洪 洪,倫也 塩田,鐘日 黄,直治 杉山,布上　真也. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

The growing method of the nitride semiconductor, nitride semiconductor substrate and the nitride semiconductor device

Номер патента: TW406445B. Автор: Shuji Nakamura,Hiroyuki Kiyohisa,Naruhito Iwasa,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Kagaku Kogyo Kk. Дата публикации: 2000-09-21.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.