Semiconductor laser device
Номер патента: US20030193976A1
Опубликовано: 16-10-2003
Автор(ы): Takehiro Shiomoto
Принадлежит: Sharp Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 16-10-2003
Автор(ы): Takehiro Shiomoto
Принадлежит: Sharp Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Nitride semiconductor laser device
Номер патента: US20050265413A1. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.