Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Semiconductor laser device

Номер патента: CA2208999C
Опубликовано: 13-02-2001
Автор(ы): Tsuyoshi Fujimoto, Yumi Naito
Принадлежит: Mitsui Chemicals Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090175305A1. Автор: Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Semiconductor laser device and a method of growing a semiconductor laser device

Номер патента: US5828685A. Автор: Geoffrey Duggan. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-10-27.

Semiconductor laser emitting apparatus

Номер патента: US20010043631A1. Автор: Yuichi Hamaguchi,Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Semiconductor laser emitting apparatus

Номер патента: US6628687B2. Автор: Yuichi Hamaguchi,Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-09-30.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20240332911A1. Автор: Yoshitaka NAKATSU,Kazutaka Tsukayama. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110128986A1. Автор: Shinji Abe,Kimio Shigihara,Akihito Ono. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-06-02.

Semiconductor laser element

Номер патента: EP2741381A3. Автор: Takashi Miyoshi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-01-13.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240039248A1. Автор: Daisuke Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Electrode, semiconductor laser element, and chip on submount

Номер патента: EP3926768A1. Автор: Yutaka Ohki,Kazuyuki UMENO. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Method for manufacturing semiconductor laser device, and semiconductor laser device

Номер патента: US20240283212A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Control of current spread in semiconductor laser devices

Номер патента: US12095232B2. Автор: Evgeny Zibik,Wilfried Maineult. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor laser element and method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20160276804A1. Автор: Takeshi Namegaya,Hirotatsu Ishii,Hidehiro Taniguchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20190123514A1. Автор: Tomoya Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-04-25.

Multi-beam semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230198228A1. Автор: Tadashi Okumura,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US20200395737A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai,Hung-Chi Hsiao,Jhao-Hang He. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20140294029A1. Автор: Shingo Masui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor laser manufacturing method and semiconductor laser

Номер патента: US20120307854A1. Автор: Shunsuke NOZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor laser manufacturing method and semiconductor laser

Номер патента: US8599894B2. Автор: Shunsuke NOZU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-03.

Compound semiconductor laser device

Номер патента: US20060239320A1. Автор: Yoshinori Ohitsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Impurity-doped semiconductor laser device for single wavelength oscillation

Номер патента: US4928285A. Автор: Kazuhiro Eguchi,Mitsuhiro Kushibe,Masahisa Funamizu,Yasuo Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-05-22.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050117619A1. Автор: Kenji Yoshikawa,Takayuki Kashima,Hideto Adachi,Kouji Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Method for producing semiconductor laser element

Номер патента: US09991671B2. Автор: Hiroki Koizumi,Hiroki Sakata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the nitride semiconductor laser device

Номер патента: EP2287982A1. Автор: Keiji Sakamoto,Hiroaki Matsumura,Tokuya Kozaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Semiconductor laser and optical communication system using the same

Номер патента: US20060222029A1. Автор: Tsuyoshi Ohgoh. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor laser including tunnel diode for reducing contact resistance

Номер патента: US5751754A. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-12.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20230387662A1. Автор: Atsushi Yamada,Masayuki Hata,Hiroki Nagai,Yasumitsu Kunoh,Togo NAKATANI,Naoto YANAGITA. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7139298B2. Автор: Kenji Yoshikawa,Takayuki Kashima,Hideto Adachi,Kouji Makita. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-21.

Semiconductor laser device of III-V group compound and fabrication method therefor

Номер патента: US20040037336A1. Автор: Hiroyuki Hosoba. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080112449A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Semiconductor laser and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050121680A1. Автор: Ki Kim,Yong Baek,Chul Lee,Jung Song. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-06-09.

Method for fabricating a semiconductor laser device in which the p-type clad layer and the active layer are grown at different rates

Номер патента: US5190891A. Автор: Tomoko Suzuki,Akira Takamori,Masato Nakajima,Tatsuo Yokotsuka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1993-03-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20150023380A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor laser device

Номер патента: US11967802B2. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US11133651B2. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20200244041A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20210194211A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi. Владелец: Sharp Fukuyama Laser Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Nitride semiconductor laser device and method for producing its electrode

Номер патента: RU2238607C2. Автор: Масахико САНО. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2004-10-20.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130280837A9. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065336A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US9036671B2. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090017570A1. Автор: Hisashi Nakayama,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Yasuhiro Fujimoto,Satoshi Murasawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Stripe waveguide structure type semiconductor laser device and fabricating method therefor

Номер патента: US20030152122A1. Автор: Syuzo Ohbuchi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7558306B2. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Masanori Watanabe,Shinichi Kawato. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080159350A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080304529A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor laser element, testing method, and testing device

Номер патента: US11824326B2. Автор: Hiroki Nagai,Kazumasa Nagano. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-21.

A semiconductor laser

Номер патента: WO1996024972A1. Автор: Gregory Jason Parker. Владелец: British Technology Group Limited. Дата публикации: 1996-08-15.

Edge-emitting semiconductor laser and method for the production thereof

Номер патента: US20160141837A1. Автор: Harald KÖNIG,Alvaro Gomez-Iglesias,Christian Lauer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-05-19.

n-TYPE MODULATION DOPE MULTIPLE QUANTUM WELL SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: EP1071180A1. Автор: Hitoshi The Furukawa Electric Co. Ltd. SHIMIZU,Akihiko The Furukawa Electric Co. Ltd. KASUKAWA,Kouji The Furukawa Electric Co. Ltd. KUMADA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-01-24.

Bulk avalanche semiconductor laser

Номер патента: WO1989003602A1. Автор: Stephen J. Davis,Larry O. Ragle. Владелец: Power Spectra, Inc.. Дата публикации: 1989-04-20.

Semiconductor laser device and external resonance-type laser device

Номер патента: US20220255293A1. Автор: Takashi Kano,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor laser device

Номер патента: US9008141B2. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Semiconductor laser resonator and semiconductor laser device including the same

Номер патента: US10211597B2. Автор: Hyochul KIM,Yeonsang Park,Chanwook BAIK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-19.

Semiconductor laser

Номер патента: US12027823B2. Автор: Atsushi Nakamura,Shoko Yokokawa. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor laser device and method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240006849A1. Автор: Yutaka Ohki,Yasumasa Kawakita,Yoshito SAIJO. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: CA2400121C. Автор: Masahiko Sano. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-09-21.

Circular polarization spin semiconductor laser using magnetic semiconductor and laser beam generating method

Номер патента: EP1478066A4. Автор: Kazunori Sato,Hiroshi Yoshida. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2006-12-13.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110286487A1. Автор: Hitoshi Sato,Masatoshi Sasaki,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Atsushi Higuchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-24.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20230223740A1. Автор: Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor laser, method of designing diffraction grating layer of semiconductor laser, and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: WO2024100836A1. Автор: Shinji Matsuo,Takuma AIHARA,Nikolaos-Panteleimon DIAMANTOPOULOS. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corporation. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor laser device and optical information recording apparatus provided therewith

Номер патента: US7372885B2. Автор: Yukio Yamasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor laser element and laser device using the same element

Номер патента: CA2106562C. Автор: YOSHIKAZU Yamada,Yuji Yoshida,Tsuyoshi Fujimoto,Shoji Ishizaka,Kiyofumi Muro. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 1999-05-04.

Semiconductor laser with a mode expansion layer

Номер патента: WO2020263747A1. Автор: XIANG Liu,Frank Effenberger,Ning Cheng. Владелец: Futurewei Technologies, Inc.. Дата публикации: 2020-12-30.

High-power edge-emitting semiconductor laser with asymmetric structure

Номер патента: US20230387665A1. Автор: Jung Min Hwang,Chen Yu Chiang,Jin Yuan Hsing. Владелец: Arima Lasers Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor laser incorporating an electron barrier with low aluminum content

Номер патента: EP3417517A1. Автор: Mark Crowley. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2018-12-26.

Semiconductor laser element and method for manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: EP4318832A1. Автор: Yutaka Ohki,Yasumasa Kawakita,Yoshito SAIJO. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

A semiconductor laser device

Номер патента: GB2351841A. Автор: Stephen Peter Najda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2001-01-10.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5588016A. Автор: Mario Fuse,Hideo Nakayama,Nobuaki Ueki,Yasuji Seko,Hideki Fukunaga,Hiromi Otoma. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 1996-12-24.

Semiconductor laser device and process for manufacturing the same

Номер патента: US6333946B1. Автор: Akihiro Shima,Harumi Nishiguchi,Motoharu Miyashita,Yuji Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-12-25.

Emitter semiconductor laser type of device

Номер патента: EP3304659A1. Автор: Iulian Basarab Petrescu-Prahova. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-11.

Semiconductor laser with low beam divergence

Номер патента: US5815521A. Автор: Daryoosh Vakhshoori,William Scott Hobson. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1998-09-29.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230075645A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor laser element, testing method, and testing device

Номер патента: US20240055830A1. Автор: Hiroki Nagai,Kazumasa Nagano. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP4106118A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-21.

Semiconductor laser diode and integrated semiconductor optical waveguide device

Номер патента: US7463663B2. Автор: Masahiro Aoki,Takafumi Taniguchi,Shigeki Makino,Toshihiko Fukamachi. Владелец: Opnext Japan Inc. Дата публикации: 2008-12-09.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20230387664A1. Автор: Tsuyoshi Tanaka,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5282218A. Автор: Yukie Nishikawa,Kazuhiko Itaya,Koichi Nitta,Genichi Hatakoshi,Masaki Okajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-01-25.

Semiconductor laser element and method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US9774169B2. Автор: Yoshitaka NAKATSU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor laser element and method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20170155230A1. Автор: Yoshitaka NAKATSU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Edge emitting semicondcutor laser diode; method for producing a semicondcutor laser device and semicondcutor laser device

Номер патента: WO2024046669A1. Автор: Sven GERHARD,Mariel Grace Jama. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor laser device with first order diffraction grating extending to facet

Номер патента: US20230344197A1. Автор: Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240275134A1. Автор: Yoshinori Tanaka,Keiji Hidaka,Junxiong NIU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor laser device and fabrication method therefor

Номер патента: US20070223550A1. Автор: Hisashi Nakayama,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Yasuhiro Fujimoto,Satoshi Murasawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-27.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065337A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor laser

Номер патента: US20190273362A1. Автор: Christian Lauer,Tomasz Swietlik. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor laser diode and method of fabricating the same

Номер патента: US09997893B2. Автор: Jaesoong LEE,Youngho SONG,Jinwoo JU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

InGaAsP semiconductor laser device

Номер патента: EP1211766A3. Автор: Toshiaki Fuji Photo Film Co. Ltd. Fukunaga. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-14.

Semiconductor laser

Номер патента: US20050207462A1. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-22.

Semiconductor laser diode device

Номер патента: US20080049803A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Katsumi Kishino,Shigehisa Tanaka,Tsukuru Ohtoshi,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US12062887B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20240235154A9. Автор: Hideki Watanabe,Yasuhiro Kadowaki. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1147045A. Автор: Ryoichi Ito,Kazutoshi Saito,Naoki Chinone,Noriyuki Shige. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-05-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4315226A. Автор: Ryoichi Ito,Kazutoshi Saito,Naoki Chinone,Noriyuki Shige. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-02-09.

Semiconductor laser device, method for manufacturing a semiconductor laser device and projection device

Номер патента: WO2023088859A1. Автор: Hubert Halbritter,Ann RUSSELL. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor laser device, method for manufacturing a semiconductor laser device and projection device

Номер патента: US20230163565A1. Автор: Hubert Halbritter,Ann RUSSELL. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7016386B2. Автор: Tomoyuki Kitamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-03-21.

Group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130308670A1. Автор: Koji Katayama,Hiroshi Nakajima,Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takatoshi Ikegami,Katsunori Yanashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20100118908A1. Автор: Shingo Kameyama,Yoshiki Murayama. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-13.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20200403380A1. Автор: Shinya Okuda,Takeshi YAMATOYA,Takashi Nagira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the semiconductor laser device

Номер патента: US20160285238A1. Автор: Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor laser element and laser module

Номер патента: US20240120712A1. Автор: Kyogo Kaneko,Kousuke Torii. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA2106596C. Автор: Michio Ohkubo,Toshio Kikuta. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-06-05.

Semiconductor laser and the method for manufacturing the same

Номер патента: US20060159145A1. Автор: Takahiko Kawahara,Nobuyuki Ikoma. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor laser

Номер патента: US12027818B2. Автор: Koji Takeda,Shinji Matsuo,Takaaki Kakitsuka,Erina Kanno. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20110268144A1. Автор: Satoshi Tamura,Hideki Kasugai,Kazutoshi Onozawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor laser device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030059969A1. Автор: Takahiro Ono,Ryuichiro Minato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20180138663A1. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor laser

Номер патента: US5715266A. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-02-03.

Semiconductor laser, semiconductor laser array and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US11870213B2. Автор: Yosuke Suzuki,Yohei HOKAMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor laser element including optical waveguide layers which have gradually varying bandgaps so as to reduce electrical resistance at interfaces

Номер патента: US20050047463A1. Автор: Toshiaki Fukunaga,Fujio Akinaga. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-03.

Nitride semiconductor laser diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110182310A1. Автор: Akihiko Ishibashi,Akio Ueta,Yasutoshi Kawaguchi,Tomohito YABUSHITA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Surface-emitting semiconductor laser based on a triple-lattice photonic crystal structure

Номер патента: US20230231363A1. Автор: Lijun Wang,Huanyu Lu,Ziye WANG,Cunzhu Tong,Pinyao WANG. Владелец: Changchun Institute Of Optics Fine Mechanics And Physics Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor laser having improved index guiding

Номер патента: US09899801B2. Автор: Alfred Lell,Jens Mueller. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5272712A. Автор: Satoshi Arimoto,Takashi Nishimura,Takashi Motoda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-12-21.

Semiconductor laser element with optical waveguide layer having increased thickness

Номер патента: US20050195878A1. Автор: Tsuyoshi Ohgoh. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-08.

Semiconductor laser device, and method of manufacturing the same

Номер патента: CA2411445C. Автор: Hiroaki Matsumura. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-08-16.

Semiconductor laser epitaxial structure

Номер патента: US20230396040A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truong Dai,Chien-Hung Pan,Chun-huang WU. Владелец: Visual Photonics Epitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1347548A3. Автор: Hiroshi Hitachi Ltd. Int. Prop. Gp. Moriya,Kisho Hitachi Ltd. Int. Prop. Gp. Ashida,Toshinori c/o OpNext Japan Inc. Hirataka,Mamoru OpNext Japan Inc. Morita. Владелец: Opnext Japan Inc. Дата публикации: 2006-02-01.

Semiconductor laser device

Номер патента: US6937631B2. Автор: Mamoru Morita,Hiroshi Moriya,Kisho Ashida,Toshinori Hirataka. Владелец: Opnext Japan Inc. Дата публикации: 2005-08-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030179795A1. Автор: Mamoru Morita,Hiroshi Moriya,Kisho Ashida,Toshinori Hirataka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-09-25.

Semiconductor laser structure and manufacture

Номер патента: CA1128634A. Автор: Peter Marschall,Ewald Schlosser,Claus Wolk. Владелец: Licentia Patent Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 1982-07-27.

Semiconductor laser

Номер патента: US20130182735A1. Автор: Shinji Sasaki,Satoshi Kawanaka,Masato Hagimoto,Haruki Fukai,Tsutomu KIYOSUMI. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2013-07-18.

Semiconductor laser

Номер патента: US20150003483A1. Автор: Shinji Sasaki,Satoshi Kawanaka,Masato Hagimoto,Haruki Fukai,Tsutomu KIYOSUMI. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2015-01-01.

AlGaInP-BASED SEMICONDUCTOR LASER

Номер патента: US20170012410A1. Автор: Shinji Sasaki,Satoshi Kawanaka,Masato Hagimoto,Haruki Fukai,Tsutomu KIYOSUMI. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2017-01-12.

AlGaInP-based semiconductor laser

Номер патента: US9425583B2. Автор: Shinji Sasaki,Satoshi Kawanaka,Masato Hagimoto,Haruki Fukai,Tsutomu KIYOSUMI. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

AlGaInP-based semiconductor laser

Номер патента: US10170891B2. Автор: Shinji Sasaki,Satoshi Kawanaka,Masato Hagimoto,Haruki Fukai,Tsutomu KIYOSUMI. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2019-01-01.

Surface-emitting semiconductor laser and method for producing a surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20240097401A1. Автор: Hubert Halbritter,Laura KREINER. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor laser with aperiodic photonic lattice

Номер патента: WO2008012527A1. Автор: Alexander Giles Davies,Edmund Harold Linfield,Subhasish Chakraborty. Владелец: UNIVERSITY OF LEEDS. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor laser

Номер патента: CA1241422A. Автор: Adriaan Valster,Lambertus J. Meuleman. Владелец: Uniphase Opto Holdings, Inc.. Дата публикации: 1988-08-30.

Semiconductor laser diode

Номер патента: US20230299562A1. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bemhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor laser and method of manufacturing same

Номер патента: US20230352909A1. Автор: Susumu Noda,Shunsuke Minato,Kunimichi Omae,Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Semiconductor laser and fabrication method thereof

Номер патента: US20200203924A1. Автор: Xin Zhang,Lijun Wang,Lijie Wang,Cunzhu Tong,Shili Shu,Sicong Tian,Jiaxin XU. Владелец: Changchun Institute of Optics Fine Mechanics and Physics of CAS. Дата публикации: 2020-06-25.

Nitride-based semiconductor laser device

Номер патента: US20080069163A1. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor laser element and method for manufacturing the same

Номер патента: US11881684B2. Автор: Yoshitaka NAKATSU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device, semiconductor laser, and method of producing a semiconductor device

Номер патента: US11876349B2. Автор: Masahiro Murayama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20210006042A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Junichi TAKINO,Tomoaki Sumi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Nitride based semiconductor laser diode device with a bar mask

Номер патента: US7126972B2. Автор: Wen-How Lan,Yuh-Der Shiang,Jia-Ching Lin,Ker-Jun Lin,Kai-Fung Perng,Ya-Tung Cherng. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2006-10-24.

Semiconductor laser having a lateral p-n junction utilizing inclined surface and method of manufacturing same

Номер патента: US4932033A. Автор: Seiichi Miyazawa,Mitsuru Ohtsuka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1990-06-05.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090180505A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110096805A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090116528A1. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7792172B2. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20020187576A1. Автор: Tetsuya Hosoda. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2002-12-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240291241A1. Автор: Takahiro Nakamura,Yasuhiko Arakawa,Jinkwan Kwoen,Masahiro Kakuda. Владелец: Aio Core Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor laser device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20030092211A1. Автор: Tetsuya Hosoda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20090285254A1. Автор: Hitoshi Sato,Toru Takayama,Hiroki Nagai,Isao Kidoguchi,Tomoya Satoh. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110051770A1. Автор: Masao Kawaguchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-03-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020024982A1. Автор: Akira Iketani. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor laser

Номер патента: US10811843B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Clemens Vierheilig,Andreas LOEFFLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-20.

Semiconductor laser device in which compressive strain active layer is sandwiched between tensile strain optical waveguide layers and average strain is limited

Номер патента: US20020051476A1. Автор: Toshiaki Fukunaga. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20190379179A1. Автор: Yasuo Kan,Ryuhichi Sogabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: CA3186204A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: EP4186131A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2023-05-31.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: US12040597B2. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser

Номер патента: US7369594B2. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-05-06.

Semiconductor laser

Номер патента: US20060182161A1. Автор: Shiro Uchida,Shinichi Agatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-08-17.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: US20240356305A1. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: Teraxion Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Waveguide heterostructure for dispersion compensation in semiconductor laser

Номер патента: EP3692609A1. Автор: Yves BIDAUX,Jerome Faist,Filippos KAPSALIDIS. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2020-08-12.

Semiconductor lasers with improved frequency modulation response

Номер патента: WO2022016281A9. Автор: Michel Morin,Andre Babin,Sylvain Boudreau,Simon Ayotte,Keven BEDARD,Francois Costin. Владелец: TERAXION INC.. Дата публикации: 2022-09-22.

Waveguide heterostructure for dispersion compensation in semiconductor laser

Номер патента: US20200287353A1. Автор: Yves BIDAUX,Jerome Faist,Filippos KAPSALIDIS. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2020-09-10.

Nitride semiconductor laser and method for fabricating the same

Номер патента: US20080049806A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Gaku Sugahara,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor laser device capable of emitting laser beams of different wavelengths

Номер патента: US4747110A. Автор: Yasuhito Takahashi,Mototsugu Ogura,Nobuyasu Hase. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1988-05-24.

Semiconductor laser

Номер патента: WO2012153136A1. Автор: Alf Adams. Владелец: UNIVERSITY OF SURREY. Дата публикации: 2012-11-15.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20100151611A1. Автор: Nozomi Ohashi,Tsuyoshi Fujimoto,Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220263288A1. Автор: Shinichiro Nozaki. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4974232A. Автор: Nobuo Suzuki,Yuzo Hirayama,Masaru Nakamura,Hajime Okuda,Motoyasu Morinaga,Hideto Furuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1990-11-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1253946A. Автор: Masayuki Yamaguchi,Mitsuhiro Kitamura,Ikuo Mito. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-05-09.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20240243553A1. Автор: Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-07-18.

Ridge-type semiconductor laser element fabrication method

Номер патента: US20050084997A1. Автор: Takashi Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-04-21.

Buried-type semiconductor laser device

Номер патента: CA2085337C. Автор: Toshio Kikuta,Akihiko Kasukawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-20.

Semiconductor laser producing method

Номер патента: US20020016014A1. Автор: Takashi Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US20070019698A1. Автор: Hidetoshi Furukawa,Masaya Mannoh,Toshiya Fukuhisa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5343486A. Автор: Kazuhiko Itaya,Koichi Nitta,Genichi Hatakoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-08-30.

Method of fabricating semiconductor laser diode apparatus and semiconductor laser diode apparatus

Номер патента: US8085825B2. Автор: Masayuki Hata,Yasuyuki Bessho,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4858241A. Автор: Nobuo Suzuki,Yuzo Hirayama,Masaru Nakamura,Hajime Okuda,Motoyasu Morinaga,Hideto Furuyama,Nawoto Motegi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1989-08-15.

Semiconductor laser element and method of making semiconductor laser device

Номер патента: US20170077674A1. Автор: Shintaro MIYAMOTO,Koichi Kozu,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1298641C. Автор: Shoji Hirata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1992-04-07.

High-power semiconductor laser device having current confinement structure and index-guided structure

Номер патента: EP1104057A2. Автор: Toshiaki Fukunaga,Mitsugu Wada. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-30.

Tunable semiconductor laser

Номер патента: US20020064197A1. Автор: Anthony Kelly,Craig Tombling. Владелец: Kamelian Ltd. Дата публикации: 2002-05-30.

Tunable semiconductor laser

Номер патента: WO2002045216A3. Автор: Craig Tombling,Anthony Edward Kelly. Владелец: Kamelian Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Tunable semiconductor laser

Номер патента: WO2002045216A2. Автор: Craig Tombling,Anthony Edward Kelly. Владелец: Kamelian Limited. Дата публикации: 2002-06-06.

Nitride semiconductor laser diode

Номер патента: US8514904B2. Автор: Takashi Miyoshi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Nitride semiconductor laser device and method of producing the same

Номер патента: US20090103584A1. Автор: Yuhzoh Tsuda,Pablo Vaccaro. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Semiconductor laser

Номер патента: US20190393676A1. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Clemens Vierheilig,Andreas LOEFFLER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-12-26.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser

Номер патента: US20200144794A1. Автор: Frank Singer,Norwin von Malm,Thomas Kippes,Tilman Ruegheimer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor laser diode and semiconductor laser diode assembly containing the same

Номер патента: US20040174918A1. Автор: Su-hee Chae,Joon-seop Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor laser and production method for a semiconductor laser

Номер патента: US12009632B2. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Muhammad Ali. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150085890A1. Автор: Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-03-26.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120195339A1. Автор: Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160064902A1. Автор: Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140105236A1. Автор: Tsuguki Noma,Yoshito NISHIOKA,Yoichi Mugino. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-04-17.

Gallium nitride group compound semiconductor laser diode

Номер патента: US5247533A. Автор: Nobuo Okazaki,Katsuhide Manabe,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 1993-09-21.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: WO2007057715A1. Автор: Berthold Schmidt,Susanne Pawlik. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2007-05-24.

Waveguide heterostructure for dispersion compensation in semiconductor laser

Номер патента: WO2019068554A1. Автор: Yves BIDAUX,Jerome Faist,Filippos KAPSALIDIS. Владелец: ETH Zurich. Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor laser element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050281299A1. Автор: Takahiro Hashimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-12-22.

Photonic crystal semiconductor laser device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4311045A1. Автор: Heonsu Jeon,Myeong Eun Kim. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-01-24.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20120020377A1. Автор: Naoya KONO. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070058687A1. Автор: Masaya Mannoh,Toshiya Fukuhisa,Tsutomu Ukai,Yoshiyuki Matsuki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Semiconductor laser apparatus and semiconductor laser device

Номер патента: US12119611B2. Автор: Masayuki Ono,Kazuya Yamada,Mitsuru Nishitsuji,Hiroshi Asaka,Tohru Nishikawa,Katsuya Samonji. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240291227A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-29.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050265413A1. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nitride-composite semiconductor laser element, its manufacturing method, and semiconductor optical device

Номер патента: US20100278205A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-11-04.

Method of manufacturing nitride-composite semiconductor laser element, with disclocation control

Номер патента: US7781244B2. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Yoshihiro Ueta,Zenpei Tani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-08-24.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: WO2013069301A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2013-05-16.

Semiconductor laser apparatus assembly

Номер патента: US09906000B2. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Mode-locked semiconductor laser diode with dispersion-compensated external cavity

Номер патента: EP2777108A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-09-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US11128105B2. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Teruyoshi Takakura,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-09-21.

Semiconductor Laser Diode and Method for Producing a Semiconductor Laser Diode

Номер патента: US20180152002A1. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20200251885A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Teruyoshi Takakura,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-08-06.

Semiconductor laser based on epitaxial heterostructure

Номер патента: RU2582302C1. Автор: Виктор Владимирович Безотосный,Владислав Александрович Олещенко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский ядерный университет МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2016-04-20.

INP-Based Monolithic Integrated Chaotic Semiconductor Laser Chip Capable Of Feeding Back Randomly Diffused Light

Номер патента: US20200412092A1. Автор: Yi Liu,TONG Zhao,Jianzhong Zhang,Mingjiang Zhang,Lijun Qiao,Anbang Wang,Yuncai Wang,Ya'nan Niu. Владелец: TAIYUAN UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2020-12-31.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20210075192A1. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-03-11.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US11437783B2. Автор: Masashi Yamamoto,Minoru Murayama,Yuji Tsuji,Daiju TAKAMIZU. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-06.

Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device

Номер патента: US20010002916A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Osamu Hamaoka,Ikuo Kohashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-06-07.

Semiconductor laser device, fabricating method thereof and optical pickup employing the semiconductor laser device

Номер патента: US20040053430A1. Автор: Takeshi Horiguchi,Osamu Hamaoka,Ikuo Kohashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-03-18.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US7149235B2. Автор: Osamu Goto,Masao Ikeda,Shiro Uchida,Tsuyoshi Tojo,Tomonori Hino,Yoshifumi Yabuki,Shinichi Ansai. Владелец: Sony Shiroishi Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device

Номер патента: US6377597B1. Автор: Toshiyuki Okumura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Alingaas/ingaasp/inp edge emitting semiconductor laser including multiple monolithic laser diodes

Номер патента: US20230223742A1. Автор: David M. Bean,Sidi Aboujja. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2023-07-13.

Fast polarization-switchable semiconductor lasers

Номер патента: US4612645A. Автор: Jia-Ming Liu,Ying-Chih Chen. Владелец: GTE Laboratories Inc. Дата публикации: 1986-09-16.

Semiconductor laser device assembly

Номер патента: US20150236474A1. Автор: Rintaro Koda,Hideki Watanabe,Takao Miyajima,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Alingaas/ingaasp/inp edge emitting semiconductor laser including multiple monolithic laser diodes

Номер патента: EP4158741A1. Автор: David M. Bean,Sidi Aboujja. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2023-04-05.

Surface emitting semiconductor laser

Номер патента: US20080285612A1. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor laser device including heat sink with pn junction

Номер патента: US5636234A. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Semiconductor laser body, semiconductor laser element, semiconductor laser substrate, electronic apparatus, and method and device for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: EP4358323A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-04-24.

Semiconductor laser

Номер патента: US20090185595A1. Автор: Yasuyuki Nakagawa,Yosuke Suzuki,Harumi Nishiguchi,Kyosuke Kuramoto,Masatsugu Kusunoki,Hiromasu Matsuoka,Takeo Shirahama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-07-23.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7573924B2. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

Semiconductor laser including N-doped quaternary layer

Номер патента: US20030086458A1. Автор: Kenneth Bacher. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030118070A1. Автор: Won Lim,Shi Leem. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2003-06-26.

Method of stacking semiconductor laser devices in a sub-mount and heatsink

Номер патента: US6479325B2. Автор: Masafumi Ozawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-11-12.

Method for manufacturing semiconductor laser apparatus, semiconductor laser apparatus, and optical apparatus

Номер патента: US20120093185A1. Автор: Gen Shimizu,Shinichiro Akiyoshi. Владелец: Sanyo Optec Design Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor laser and electronic device

Номер патента: US20080095205A1. Автор: Tadashi Takeoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-04-24.

Semiconductor Laser, Laser Assembly and Method of Making a Semiconductor Laser

Номер патента: US20180212404A1. Автор: Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter,Roland Enzmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-07-26.

Method for producing nitride semiconductor laser light source and apparatus for producing nitride semiconductor laser light source

Номер патента: US20060068516A1. Автор: Masaya Ishida,Atsushi Ogawa,Takuro Ishikura,Yoshihiko Tani,Daisuke Hanaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor laser array and semiconductor laser array circuit arrangement

Номер патента: US11228161B2. Автор: Martin Mueller,Guenther Groenninger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2022-01-18.

Semiconductor laser array and semiconductor laser array circuit arrangement

Номер патента: US20200321753A1. Автор: Martin Mueller,Guenther Groenninger. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-10-08.

Semiconductor laser device with integrated reflector on a (511) tilted lattice plane silicon substrate

Номер патента: US5479426A. Автор: Akio Yoshikawa,Hirokazu Shimizu,Hideyuki Nakanishi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1995-12-26.

Semiconductor laser diode and method for producing a semiconductor laser diode

Номер патента: US10270223B2. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-04-23.

Method and Apparatus For Driving Semiconductor Lasers, and Method and Apparatus For Deriving Drive Current Patterns For Semiconductor Lasers

Номер патента: US20080279235A1. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Tunable Semiconductor Lasers

Номер патента: US20150244144A1. Автор: Lu Li,Matthew B. Johnson,Rui Q. Yang,Yuchao Jiang,Michael B. Santos,Zhaobing Tian. Владелец: University of Oklahoma . Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor lasers with substrate mode suppression layers

Номер патента: US12119615B1. Автор: Jun Huang,Xinghe Wang,Xin Cai,Wanjun CHEN,Zihan Liu,Shuiqing Li,Jinjian ZHENG,Hongzhu KAN,Jiangyong ZHANG. Владелец: Anhui Gan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof, and submount manufacturing method

Номер патента: US20160181760A1. Автор: Hiroki Sakata,Eiichiro OKAHISA,Kazuma KOZURU,Hiroaki YUTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor laser and method for fabricating the same

Номер патента: US5850410A. Автор: Akito Kuramata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-12-15.

Semiconductor laser and lidar system and also laser system with the semiconductor laser

Номер патента: US20230208110A1. Автор: Peter Fuchs,Alvaro Gomez-Iglesias,Martin Rudolf Behringer,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Bruno Jentzsch,Tomasz Swietlik,Dean Maximilian SCHOKE. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-06-29.

Surface emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20160276808A1. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-22.

Semiconductor laser element and laser beam deflecting device

Номер патента: US9048624B2. Автор: Susumu Noda,Akiyoshi Watanabe,Takahiro Sugiyama,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2015-06-02.

Semiconductor laser and projector

Номер патента: US20210057884A1. Автор: Jan Marfeld,Andreas Löffler,Sven GERHARD,Andre SOMERS. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-02-25.

Semiconductor laser and projector

Номер патента: US11973317B2. Автор: Jan Marfeld,Andreas Löffler,Sven GERHARD,Andre SOMERS. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for manufacturing an edge emitting semiconductor laser diode

Номер патента: WO2024017553A1. Автор: Peter Fuchs,Teresa Langer,Markus CHRZASCIEL,Solveig PUTZSCHKE. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor laser diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US5445993A. Автор: MIN Yang,Hyung S. Ahn,Min S. No,Sang K. Si,Won T. Choi,Joo O. Seo,Jin H. Lim. Владелец: Gold Star Co Ltd. Дата публикации: 1995-08-29.

Semiconductor laser light emitting device

Номер патента: US20230396036A1. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Hiroki SHIROZONO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor laser device having an inn contact layer and a method of fabricating the same

Номер патента: US5995527A. Автор: Takayuki Yuasa,Kazuhiko Inoguchi,Yoshihiro Ueta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-11-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5923690A. Автор: Nobuyuki Uemura,Masahiro Kume,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Yuuzaburou Ban,Hidemi Takeisi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-13.

Semiconductor laser device

Номер патента: US11764546B2. Автор: Koichi Oyama,Hiroyuki Tarumi,Kenichi Nishi,Yutaka Onishi,Yuki Kamata,Keizo Takemasa. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP2642622A3. Автор: Tsuyoshi Hirao,Shingo Masui,Yasuhiro Kawata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-11.

Improved semiconductor laser

Номер патента: WO2002011257A1. Автор: John Haig Marsh,Craig James Hamilton,Olek Peter Kowalski. Владелец: THE UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF GLASGOW. Дата публикации: 2002-02-07.

Improved semiconductor laser

Номер патента: EP1413020A1. Автор: John Haig Marsh,Craig James Hamilton,Olek Peter c/o University of Glasgow KOWALSKI. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2004-04-28.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1037342A3. Автор: Masato Ishino,Yoshiaki Nakano,Masahiro Kito,Tomoaki Toda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-05.

Vertical cavity surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission module, optical transmission device, and optical switching method

Номер патента: US20090074025A1. Автор: Takashi Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor laser and production method thereof

Номер патента: US20020181531A1. Автор: Masakazu Ukita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor laser device including arrow structure precisely formed to suppress P-As interdiffusion and Al oxidation

Номер патента: US20030128731A1. Автор: Toshiaki Fukunaga. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser comprising a feedback element

Номер патента: US20150318669A1. Автор: Lars Nähle,Johannes Koeth. Владелец: Nanoplus Nanosystems And Technologies Gmbh. Дата публикации: 2015-11-05.

Method for fabricating semiconductor laser

Номер патента: US8551797B2. Автор: Shinji Abe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-10-08.

Method for fabricating semiconductor laser

Номер патента: US20130217157A1. Автор: Shinji Abe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor laser

Номер патента: US9099841B2. Автор: Satoshi Uchida,Tsutomu Ishikawa,Tsuguki Noma,Miroru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-08-04.

Edge-Emitting Semiconductor Laser Diode and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20220102941A1. Автор: Uwe Strauss,Petrus Sundgren,Jens Ebbecke,Martin Hetzl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-03-31.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20140211821A1. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Harald Koenig,Christian Lauer,Guenther Groenninger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-07-31.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20120263205A1. Автор: Alvaro Gomez-Iglesias,Harald Koenig,Christian Lauer,Guenther Groenninger. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-18.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110104839A1. Автор: Masayuki Hata,Ryoji Hiroyama,Daijiro Inoue,Yasuyuki Bessho. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230275401A1. Автор: Seiji Kitamura,Shintaro MIYAMOTO. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-08-31.

Method for manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20080050850A1. Автор: Chikara Watatani,Takashi Nagira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor laser comprising a plurality of optically active regions

Номер патента: US20040120377A1. Автор: John Marsh,Shin-Sung Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor laser comprising a plurality of optically active regions

Номер патента: EP1362395B1. Автор: John Haig Marsh,Shin-Sung Kim. Владелец: University of Glasgow. Дата публикации: 2005-04-13.

Semiconductor laser elements and method of making same

Номер патента: US6463087B1. Автор: Satoshi Uchida,Masayoshi Ashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-10-08.

Semiconductor laser and semiconductor laser device

Номер патента: US20230335972A1. Автор: Hideki Watanabe,Yuichiro Kikuchi,Hidekazu Kawanishi,Yuta Isozaki,Yukio Hoshina. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor laser

Номер патента: US5805628A. Автор: Shoichi Karakida,Takashi Nishimura,Tatsuya Kimura,Norio Hayafuji,Hirotaka Kizuki,Motoharu Miyashita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-09-08.

Ridge waveguide type semiconductor laser device

Номер патента: US6731663B1. Автор: Akihiko Kasukawa,Takeshi Namegaya. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-04.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA2203117C. Автор: YOSHIKAZU Yamada,Satoru Okada,Tsuyoshi Fujimoto,Atsushi Okubo,Yumi Naito,Kiyofumi Muro. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2001-12-25.

Edge-Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20120201262A1. Автор: Christoph Eichler,Marc Schillgalies,Teresa Lermer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-09.

High speed semiconductor laser with a beam expanding structure

Номер патента: US09966734B2. Автор: Wei Chen,Jianguo Liu,Ninghua Zhu,Jinjin Guo. Владелец: Institute of Semiconductors of CAS. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230361535A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Edge-emitting semiconductor laser

Номер патента: US8625648B2. Автор: Christoph Eichler,Marc Schillgalies,Teresa Lermer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-01-07.

Method of manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20190237938A1. Автор: Daiji Kasahara. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor laser device

Номер патента: US6084901A. Автор: Naofumi Suzuki. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20090034567A1. Автор: Tsuyoshi Fujimoto,Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240088626A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method distributed feedback semiconductor laser for fabricating

Номер патента: US5960257A. Автор: Nobuyuki Otsuka,Yasushi Matsui,Masato Ishino,Masahiro Kitoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-28.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20230402820A1. Автор: Tsuyoshi Tanaka,Takuma Katayama,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7609739B2. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-27.

Semiconductor laser element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180331505A1. Автор: Masanao Ochiai. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor laser device having InGaAs compressive-strain active layer, GaAsP tensile-strain barrier layers and InGaP optical waveguide layers

Номер патента: EP1220393A3. Автор: Toshiaki c/o Fuji Photo Film Co. Ltd. Fukunaga,Tsuyoshi c/o Fuji Photo Film Co. Ltd. Ohgoh. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-02.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same, and optical transmission module and optical disk apparatus using the semiconductor laser device

Номер патента: US20070243644A1. Автор: Katsuhiko Kishimoto,Shuichi Hirukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device

Номер патента: US7970035B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20090080483A1. Автор: Kenji Yoshikawa,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-26.

Semiconductor laser with metal pull-back dbr grating

Номер патента: WO2024107267A1. Автор: Yifan Jiang,Padman Parayanthal,Wolfgang PARZ. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110292959A1. Автор: Yoshiaki Hasegawa,Naoto Shimada,Toshitaka Shimamoto,Kouji Makita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: US20200274331A1. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: US11114821B2. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-09-07.

Semiconductor laser wafer and semiconductor laser

Номер патента: EP3703200A2. Автор: Shinji Saito,Tomohiro Takase,Rei Hashimoto,Yuichiro Yamamoto,Kei Kaneko,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-09-02.

Semiconductor laser light source and fabrication method

Номер патента: US09948059B2. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Tokuharu Kimura,Kazumasa Takabayashi,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor Laser and Optical Transmitter

Номер патента: US20240266799A1. Автор: Takahiko Shindo,Shigeru Kanazawa,Meishin Chin. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor laser

Номер патента: US20240113498A1. Автор: Atsushi Nakamura. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Quantum cascade semiconductor laser

Номер патента: US20200067282A1. Автор: Hiroyuki Yoshinaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Ridge-structure DFB semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020064199A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Kiyoshi Takei,Kiyofumi Chikuma,Nong Chen. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2002-05-30.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20080304530A1. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Semiconductor laser

Номер патента: US20040233957A1. Автор: Keiji Ito,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Osamu Imafuji. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-25.

Ridge-shaped laser structure and surface etched grating semiconductor laser with periodic pumping

Номер патента: US20230216274A1. Автор: Fang Wu,Yury Logvin,Kirill Y. PIMENOV,Christopher D. WATSON,Yongbo TANG. Владелец: Shenzhen Banyan Photonics Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-06.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20230019645A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20100220759A1. Автор: Masahide Kobayashi,Kenji Endo,Kentaro Tada,Tetsuro Okuda,Kazuo Fukagai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-09-02.

Semiconductor laser and method of manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US8228966B2. Автор: Masahide Kobayashi,Kenji Endo,Kentaro Tada,Tetsuro Okuda,Kazuo Fukagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-24.

Single mode semiconductor laser with phase control

Номер патента: US20210376559A1. Автор: Nicolas Koslowski,Tim Koslowski. Владелец: Nanoplus Nanosystems And Technologies Gmbh. Дата публикации: 2021-12-02.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US20150055670A1. Автор: Yutaka Inoue,Hideki Hara,Shuichi Usuda. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA2018928C. Автор: Akihiko Oka,Shinji Sakano,Kazuhisa Uomi,Makoto Okai,Naoki Chinone,Tomonobu Tsuchiya,Tsukuru Ohtoshi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1994-07-26.

Semiconductor laser device with plural active layers and changing optical properties

Номер патента: US5177758A. Автор: Akihiko Oka,Shinji Sakano,Kazuhisa Uomi,Makoto Okai,Naoki Chinone,Tomonobu Tsuchiya,Tsukuru Ohtoshi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-01-05.

Semiconductor laser

Номер патента: US20050232325A1. Автор: Masahiro Kume,Isao Kidoguchi,Tetsuo Ueda,Toshiya Kawata. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor laser and semiconductor laser device

Номер патента: US20230261438A1. Автор: Takashi Mizuno,Hideki Watanabe,Hiroyuki Miyahara,Eiji Nakayama,Makoto Oota,Yuichiro Kikuchi,Shinichi Agatuma. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Nitride semiconductor laser and nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20190245322A1. Автор: Osamu Imafuji,Shinichiro Nozaki,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

A semiconductor laser device and a method for fabricating a semiconductor laser device

Номер патента: WO2006103643A1. Автор: Woon-ho Seo,Canice Gerard O'brien,Guan-Hong Wu,John Francis Donegan. Владелец: The Provost, Fellows And Scholars Of The College Of The Holy And Undivided Trinity Of Queen Elizabeth Near Dublin. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20100232468A1. Автор: Takashi Shiota,Takesh Kitatani. Владелец: Opnext Japan Inc. Дата публикации: 2010-09-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA2058505C. Автор: Michinori Irikawa,Masayuki Iwase. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-24.

Semiconductor laser with metal pull-back dbr grating

Номер патента: US20240170920A1. Автор: Yifan Jiang,Padman Parayanthal,Wolfgang PARZ. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20110026554A1. Автор: Shingo Masui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor laser

Номер патента: US4961196A. Автор: Kenji Endo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-10-02.

Semiconductor laser light source and fabrication method

Номер патента: US20170104309A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Tokuharu Kimura,Kazumasa Takabayashi,Ayahito Uetake. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-04-13.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20230335973A1. Автор: Takumi Ito,Kunimichi Omae,Mordechai Segev,Gal HARARI,Shinji Tohi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor laser element and manufacturing method of the same

Номер патента: US8588265B2. Автор: Koji Fukumoto,Kazuhiro Hongo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-19.

Semiconductor laser

Номер патента: EP3993183A1. Автор: Takashi Ito,Takahiro Nakamura,Changsu Kim,Ryunosuke Kuroda,Hidefumi Akiyama,Hidekazu NAKAMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor laser

Номер патента: US20220360044A1. Автор: Takashi Ito,Takahiro Nakamura,Changsu Kim,Ryunosuke Kuroda,Hidefumi Akiyama,Hidekazu NAKAMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor laser

Номер патента: EP3993184A1. Автор: Takashi Ito,Takahiro Nakamura,Changsu Kim,Ryunosuke Kuroda,Hidefumi Akiyama,Hidekazu NAKAMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2022-05-04.

Semiconductor laser

Номер патента: US20220360049A1. Автор: Takashi Ito,Takahiro Nakamura,Changsu Kim,Ryunosuke Kuroda,Hidefumi Akiyama,Hidekazu NAKAMAE. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2022-11-10.

Complex-coupled distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US20070053404A1. Автор: Toshihiko Makino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-08.

Long semiconductor laser cavity in a compact chip

Номер патента: EP2643907A1. Автор: Alex Behfar,Cristian Stagarescu. Владелец: BinOptics LLC. Дата публикации: 2013-10-02.

Quantum cascade semiconductor laser

Номер патента: US20130329761A1. Автор: Takashi Kato,Hiroshi Inada,Michio Murata,Jun-Ichi Hashimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Semiconductor laser device and a method of producing same

Номер патента: US4937835A. Автор: Etsuji Omura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-06-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030151043A1. Автор: Kei Yamamoto,Toshihiko Yoshida,Hidenori Kawanishi,Fumihiro Konushi,Yoshie Fujishiro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Nitride semiconductor laser chip, nitride semiconductor laser device, and manufacturing method of nitride semiconductor laser chip

Номер патента: US20090180507A1. Автор: Yasuhiko Matsushita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Semiconductor laser device and laser module using same

Номер патента: US20040179565A1. Автор: Michio Ohkubo,Satoru Okada,Tsuyoshi Fujimoto,Kiyofumi Muro,Yutaka Ohki,Takeshi Koiso,Atsushi Ohkubo. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030202551A1. Автор: Shoji Hirata,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2003-10-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7113532B2. Автор: Shoji Hirata,Tsuyoshi Nagatake. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-09-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020196828A1. Автор: Shinji Abe,Tetsuya Yagi,Harumi Nishiguchi,Nobuyuki Kasai,Junji Tanimura,Yoshihisa Tashiro,Motoharu Miyashita,Yuji Ohkura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor laser device, diffraction grating structure, and diffraction grating

Номер патента: US20180351328A1. Автор: Yasumasa Kawakita,Kazuaki Kiyota. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240030678A1. Автор: Nobutaka Suzuki,Tadataka Edamura,Naota Akikusa. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor Laser Diode

Номер патента: US20200194957A1. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Bernhard Stojetz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-06-18.

Low noise non-resonant gain structure semiconductor lasers

Номер патента: WO2024121825A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor laser element, laser module using it

Номер патента: EP1437810A4. Автор: Michio Ohkubo,Satoru Okada,Tsuyoshi Fujimoto,Kiyofumi Muro,Yutaka Ohki,Takeshi Koiso,Atsushi Ohkubo. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-23.

Semiconductor laser having fabry-perot resonator

Номер патента: US20080240198A1. Автор: Tetsuya Yagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor laser with reduced heat loss

Номер патента: US20080212626A1. Автор: Peter Brick. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-04.

Distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US20190081454A1. Автор: Shinji Saito,Osamu Yamane,Akira Tsumura,Tsutomu Kakuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Semiconductor laser device and optical fiber amplifier

Номер патента: CA2371504C. Автор: Yasuaki Yoshida,Takeshi Fujita,Kimio Shigihara,Kiyohide Sakai,Tatsuo Hatta,Yuuhiko Hamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-06-17.

Semiconductor laser

Номер патента: US20090141763A1. Автор: Hitoshi Nakamura,Ichiro Nomura,Katsumi Kishino,Shigehisa Tanaka,Tsunenori Asatsuma,Sumiko Fujisaki,Takeshi Kikawa. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Quantum cascade semiconductor laser

Номер патента: US20180166859A1. Автор: Jun-Ichi Hashimoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: WO2010065731A3. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: EP2371044A2. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2011-10-05.

Semiconductor laser with low relative intensity noise of individual longitudinal modes and optical transmission system incorporating the laser

Номер патента: WO2010065731A9. Автор: Alexey Gubenko,Daniil Livshits,Sergey Mikhrin,Igor Krestnikov,Greg Wojcik,Alexey Kovsh. Владелец: Innolume GmbH. Дата публикации: 2010-07-29.

Method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20180316156A1. Автор: Yutaka Ohki,Masafumi TAJIMA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20040120378A1. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-06-24.

Semiconductor laser device having an oscillation wavelength in the visible short-wavelength region

Номер патента: US4759024A. Автор: Saburo Yamamoto,Toshiro Hayakawa,Kosei Takahashi,Takahiro Suyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-07-19.

Semiconductor laser device including multiple-quantum wells of different widths that uses carrier redistribution to adjust wavelength of light

Номер патента: US20030193979A1. Автор: Ching-Fuh Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-16.

Surface-emission semiconductor laser device

Номер патента: US7881359B2. Автор: Norihiro Iwai,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-01.

Semiconductor laser device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090067466A1. Автор: Keisuke Miyazaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-12.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20070138491A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor laser and laser radar device having the semiconductor laser

Номер патента: US11817678B2. Автор: Seiichi Takayama,Ryuji Fujii,Ryo Hosoi,Kang GAO. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor Laser and Laser Radar Device Having the Semiconductor Laser

Номер патента: US20220311217A1. Автор: Seiichi Takayama,Ryuji Fujii,Ryo Hosoi,Kang GAO. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Multiple quantum well distributed feedback semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US5450437A. Автор: Mitsuhiro Kitamura,Jong-In Shim. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Semiconductor laser element having tensile-strained quantum-well active layer

Номер патента: US7362786B2. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2008-04-22.

Surface-emitting semiconductor laser and sensing module

Номер патента: EP3611812A1. Автор: Yuji Masui,Hidehiko Nakata,Yuji Furushima. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2020-02-19.

Infrared semiconductor laser

Номер патента: US20110013658A1. Автор: Joachim Wagner,Nicola Schulz,Marcel Rattunde,Benno RÖSENER. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-01-20.

Tunable semiconductor laser and operation method thereof

Номер патента: US20200212653A1. Автор: Won Seok Han,Tae-soo Kim,Shinmo AN,O-Kyun Kwon,Namje Kim,Miran PARK. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2020-07-02.

Semiconductor lasers with substrate mode suppression layers

Номер патента: US20240332894A1. Автор: Jun Huang,Xinghe Wang,Xin Cai,Wanjun CHEN,Zihan Liu,Shuiqing Li,Jinjian ZHENG,Hongzhu KAN,Jiangyong ZHANG. Владелец: Anhui Gan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220209507A1. Автор: Yutaka Inoue,Tadashi Okumura,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2022-06-30.

Strained quantum well type semiconductor laser device

Номер патента: CA2083026C. Автор: Toshio Kikuta,Akihiko Kasukawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1997-06-24.

Strained quantum well type semiconductor laser device

Номер патента: CA2083026A1. Автор: Toshio Kikuta,Akihiko Kasukawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-05-19.

Wavelength-tunable distributed-feedback semiconductor laser device

Номер патента: US5274649A. Автор: Yuzo Hirayama,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-12-28.

Quantum-well type semiconductor laser device

Номер патента: US5327445A. Автор: Hiroshi Okamoto,Akihiko Kasukawa,Takeshi Namegaya,Narihito Matsumoto. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 1994-07-05.

Tunable semiconductor laser based on reconstruction-equivalent chirp and series mode or series and parallel hybrid integration, and preparation thereof

Номер патента: US20160134082A1. Автор: Jun Lu,Song Tang,Yunshan ZHANG,Xiangfei Chen,Lianyan LI. Владелец: Nanjing University Science Park Development Co ltd. Дата публикации: 2016-05-12.

Quantum well semiconductor laser device

Номер патента: US4860297A. Автор: Saburo Yamamoto,Toshiro Hayakawa,Masafumi Kondo,Kohsei Takahashi,Takahiro Suyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1989-08-22.

Deterioration-resistant superlattice semiconductor laser device

Номер патента: US4887274A. Автор: Toshiro Hayakawa,Masafumi Kondo,Kosei Takahashi,Takahiro Suyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1989-12-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1286440A3. Автор: Masayuki Iwami,Hirotatsu Ishii,Mikihiro Yokozeki,Kaname Saito. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-04-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20040101010A1. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Semiconductor laser device with multi-dimensional-photonic-crystallized region

Номер патента: US7248612B2. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-07-24.

High power semiconductor laser device

Номер патента: US7466737B2. Автор: Byung Jin MA,Seong Ju Bae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-16.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US20020001326A1. Автор: Toyoji Chino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US6674779B2. Автор: Toyoji Chino. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-06.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US9214785B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-12-15.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US9385507B2. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US20160099547A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor laser light source having an edge-emitting semiconductor body

Номер патента: US20150085889A1. Автор: Alfred Lell,Christoph Eichler,Andreas Breidenassel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2015-03-26.

Method of manufacturing semiconductor laser, semiconductor laser, optical pickup, optical disk device, method of manufacturing semiconductor device, semiconductor device, and method of growing nitride type group iii-v compound semiconductor layer

Номер патента: US20120207185A1. Автор: Eiji Nakayama,Masaru Kuramoto,Yoshitsugu Ohizumi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Edge Emitting Semiconductor Laser

Номер патента: US20110317732A1. Автор: Wolfgang Schmid,Uwe D. ZEITNER,Hans-Christoph Eckstein. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2011-12-29.

Integrated semiconductor laser with electronic directivity and focusing control

Номер патента: US5233623A. Автор: Sheldon S. L. Chang. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 1993-08-03.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: EP1897190A2. Автор: Michael Schwarz,Abram Jakubowicz,Nicolai Matuschek,Christoph Harder,Joerg Troger. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2008-03-12.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: WO2007000615A2. Автор: Michael Schwarz,Abram Jakubowicz,Nicolai Matuschek,Christoph Harder,Joerg Troger. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor laser and method of producing the same

Номер патента: US20020080837A1. Автор: Minoru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Semiconductor laser unit having optical guide layers with increased total thickness and employing junction-up configuration

Номер патента: US6665324B1. Автор: Hideki Asano. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-16.

Semiconductor laser and method of producing the same

Номер патента: US6683899B2. Автор: Minoru Murayama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-01-27.

High-power single-mode triple-ridge waveguide semiconductor laser

Номер патента: US20220368109A1. Автор: LIN ZHU,Xiaolei Zhao,Yeyu ZHU,Siwei Zeng. Владелец: Clemson University. Дата публикации: 2022-11-17.

Segmented contact for current control in semiconductor lasers and optical amplifiers

Номер патента: EP4406079A1. Автор: Paul Orville LEISHER,Jenna Nicole CAMPBELL,Michelle Helena LABRECQUE. Владелец: Freedom Photonics Llc. Дата публикации: 2024-07-31.

Distributed feedback semiconductor laser element and method for making the same

Номер патента: US20010039069A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Kiyoshi Takei,Kiyofumi Chikuma,Nong Chen. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20130005062A1. Автор: Masaki Yanagisawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Dual-wavelength semiconductor laser device and method for fabricating the same

Номер патента: US7706423B2. Автор: Masahiro Kume,Toru Takayama,Isao Kidoguchi,Shouichi Takasuka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

Semiconductor laser

Номер патента: US20210066886A1. Автор: Hideto Iki,Shinya Satou. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Double heterostructure stripe geometry semiconductor laser device

Номер патента: USRE29866E. Автор: Hiroo Yonezu. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-12-19.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the semiconductor laser device

Номер патента: US9991666B2. Автор: Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Control of current spreading in semiconductor laser diodes

Номер патента: US6931043B2. Автор: John C. Connolly,Louis A. Dimarco. Владелец: Trumpf Photonics Inc. Дата публикации: 2005-08-16.

Edge-emitting semiconductor laser with photonic-bandgap structure formed by intermixing

Номер патента: US20100142575A1. Автор: Jason P. Watson,Thomas C. Hasenberg. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Semiconductor laser device having selective absorption qualities over a wide temperature range

Номер патента: EP1289082A2. Автор: Masaki The Furukawa Electric Co. Ltd. Funabashi,Ryosuke The Furukawa Electric Co. Ltd. Yatsu,Akihiko The Furukawa Electric Co. Ltd. KASUKAWA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-05.

Semiconductor laser device and method of making the same

Номер патента: US10063027B2. Автор: Hisayoshi Kitajima. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductro laser device

Номер патента: US20090137078A1. Автор: Shoji Hirata,Tsunenori Asatsuma. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor laser

Номер патента: US20020172248A1. Автор: Masahiro Kito. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-21.

Semiconductor laser

Номер патента: US12068579B2. Автор: Koji Takeda,Shinji Matsuo,Takaaki Kakitsuka,Erina Kanno. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor laser

Номер патента: US7397833B2. Автор: Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2008-07-08.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4163976A. Автор: Nobuo Matsumoto. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1979-08-07.

Method for making a high power semiconductor laser diode

Номер патента: US20080123697A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2008-05-29.

High power semiconductor laser diode and method for making such a diode

Номер патента: EP1547216A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2005-06-29.

Method for making a high power semiconductor laser diode

Номер патента: US20050201438A1. Автор: Boris Sverdlov,Berthold Schmidt,Achim Thies,Silke Traut. Владелец: Bookham Technology PLC. Дата публикации: 2005-09-15.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8085826B2. Автор: Yuhzoh Tsuda,Masataka Ohta,Yoshie Fujishiro. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20140294028A1. Автор: Kimio Shigihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Method for manufacturing monolithic semiconductor laser

Номер патента: US20090093076A1. Автор: Nobuyuki Kasai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-04-09.

Method for manufacturing monolithic semiconductor laser

Номер патента: US7678596B2. Автор: Nobuyuki Kasai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Distributed-feedback semiconductor laser device

Номер патента: US4775980A. Автор: Akio Oishi,Hitoshi Nakamura,Yoshihisa Fujisaki,Shinji Tsuji,Tadashi Fukuzawa,Yasutoshi Kashiwada,Naoki Chinone,Motohisa Hirao,Kenji Hiruma,Hiroyoshi Matumura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1988-10-04.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20070153854A1. Автор: Shigetoshi Ito,Mototaka Taneya,Yukio Yamasaki. Владелец: Yukio Yamasaki. Дата публикации: 2007-07-05.

Semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US6810059B2. Автор: Toyoji Chino. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-26.

Semiconductor laser diode and method for producing a semiconductor laser diode

Номер патента: US20230063982A1. Автор: Jens Ebbecke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor laser and method of production of the same

Номер патента: US20040097000A1. Автор: Kazuhiko Nemoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-20.

Grazing incidence slab semiconductor laser system and method

Номер патента: WO2007100341A2. Автор: Robin Huang,Anish Goyal. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2007-09-07.

Semiconductor laser array

Номер патента: CA2875175C. Автор: Toru Yoshihara,Tetsuya Nishimura,Yuki Hasegawa,Mitsuaki Futami,Shinji Yagyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor laser device with small variation of the oscillation wavelength

Номер патента: US20070171950A1. Автор: Kazuhisa Takagi,Chikara Watatani,Takeshi YAMATOYA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-07-26.

Heterostructure semiconductor laser diode

Номер патента: US4796268A. Автор: Werner Schairer. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1989-01-03.

Tilted cavity semiconductor laser (tcsl) and method of making same

Номер патента: WO2003069737A2. Автор: Nikolai Nikolaevich Ledentsov,Vitaly Alexandrovich Shchukin. Владелец: Vitaly Alexandrovich Shchukin. Дата публикации: 2003-08-21.

Fundamental-transverse-mode index-guided semiconductor laser device having upper optical waveguide layer thinner than lower optical waveguide layer

Номер патента: US6778573B2. Автор: Toshiaki Fukunaga,Toshiro Hayakawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-17.

Semiconductor laser device including ARROW structure formed without P-As interdiffusion and Al oxidation

Номер патента: US20020172246A1. Автор: Toshiaki Fukunaga. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-21.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US20230344195A1. Автор: Yutaka Inoue,Masato Hagimoto,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor Laser Device

Номер патента: US20080285611A1. Автор: Tsuyoshi Fujimoto. Владелец: Optoenergy Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09935423B2. Автор: Kyosuke Kuramoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for manufacturing semiconductor laser device and method for inspecting semiconductor laser bar

Номер патента: US20090053838A1. Автор: Keiji Ito,Takayuki Kashima,Kouji Makita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor laser device with an inspection window, and an inspection method therefor

Номер патента: US6553047B1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-04-22.

Semiconductor laser device, optical apparatus, and method of controlling semiconductor laser device

Номер патента: US20240250499A1. Автор: Daisuke Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20010015991A1. Автор: Akihiko Kasukawa,Mikihiro Yokozeki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1130721A3. Автор: Akihiko The Furukawa Electric Co. Ltd. KASUKAWA,Mikihiro The Furukawa Electric Co. Ltd. Yokozeki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-05.

Tunable semiconductor laser device and method for operating a tunable semiconductor laser device

Номер патента: EP2647092A1. Автор: Michael Engelmann,Bob Van Someren. Владелец: Euphoenix Bv. Дата публикации: 2013-10-09.

Method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240283213A1. Автор: Atsushi Sugiyama,Satoru OKAWARA,Keita Furuoka,Takehito Nagakura. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2024-08-22.

Array type semiconductor laser device

Номер патента: US20230054731A1. Автор: Masayuki Hata,Kazuya Yamada,Mitsuru Nishitsuji,Tohru Nishikawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US8477820B2. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-07-02.

Conformal metallization process for the fabrication of semiconductor laser devices

Номер патента: US20130163631A1. Автор: Jia-Sheng Huang,Phong Thai. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Branching optical waveguide for an index-guided semiconductor laser device

Номер патента: US4752932A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Sadayoshi Matsui,Mototaka Taneya. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-06-21.

Semiconductor laser apparatus and method of observing semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20010046770A1. Автор: Shigemitsu Shiba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Heterostructure semiconductor laser diode

Номер патента: US4794610A. Автор: Werner Schairer,Jochen Gerner. Владелец: Telefunken Electronic GmbH. Дата публикации: 1988-12-27.

Semiconductor laser having protruding portion

Номер патента: US7751454B2. Автор: Akinori Yoneda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-07-06.

Semiconductor laser device and fabricating method thereof

Номер патента: US20030206566A1. Автор: Yoshihisa Fujii,Keisuke Miyazaki,Yoshinori Ohitsu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor laser device capable of preventing degradation of characteristics

Номер патента: US20010043634A1. Автор: Takahiro Arakida,Hitoshi Hotta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: US11777275B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: CA3166664C. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-02.

Augmented semiconductor lasers with spontaneous emissions blockage

Номер патента: AU2021238958B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US7184456B2. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2007-02-27.

Semiconductor laser micro-heating element structure

Номер патента: WO2008013712A1. Автор: Martin H. Hu,Chung-En Zah,Xingsheng Liu. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-01-31.

Semiconductor laser and method of fabricating the same

Номер патента: US20020027934A1. Автор: Yoshihiro Sasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Dual wavelength semiconductor laser emitting apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20050243880A1. Автор: Chih-Sung Chang,Shu-Wei Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Method for producing a plurality of semiconductor lasers and semiconductor laser

Номер патента: US20240047935A1. Автор: Sven GERHARD,Lars Nähle. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor laser apparatus and optical apparatus

Номер патента: US20050232321A1. Автор: Masayuki Hata,Daijiro Inoue,Yasuhiko Nomura,Yasuyuki Bessho. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-20.

Semiconductor laser device

Номер патента: US6021148A. Автор: Eitaro Ishimura,Keisuke Matsumoto,Kazuhisa Takagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-02-01.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1125898A. Автор: Ryoichi Ito,Satoshi Nakamura,Kunio Aiki,Naoki Chinone,Atsutoshi Doi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-06-15.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230246412A1. Автор: Nobuyuki Ogawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor laser

Номер патента: US20040258120A1. Автор: Takashi Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2004-12-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1105598A. Автор: Michiharu Nakamura,Shigeo Yamashita,Takao Kuroda,Jun-Ichi Umeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-07-21.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230387653A1. Автор: Yutaka Inoue,Masato Hagimoto,Shigeta Sakai. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor laser device and method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20240120704A1. Автор: Akitsugu Niwa,Hodaka SHIRATAKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4257011A. Автор: Michiharu Nakamura,Shigeo Yamashita,Takao Kuroda,Jun-Ichi Umeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1981-03-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4430741A. Автор: Susumu Takahashi,Michiharu Nakamura,Tadashi Fukuzawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-02-07.

Semiconductor laser

Номер патента: US20060239318A1. Автор: Fumie Kunimasa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Phase-locked semiconductor laser device

Номер патента: CA1150811A. Автор: Hiroshi Matsuda,Takashi Kajimura,Takao Kuroda,Jun-Ichi Umeda,Hisao Nakashima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-07-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4329658A. Автор: Ryoichi Ito,Satoshi Nakamura,Kunio Aiki,Naoki Chinone,Atsutoshi Doi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1982-05-11.

Semiconductor laser device having a transparent waveguide and a large second harmonic generation output

Номер патента: US5208827A. Автор: Hiroaki Inoue,Misuzu Sagawa,Masahiro Ojima,Kimio Tatsuno. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-05-04.

Semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: CA1299718C. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-04-28.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220231478A1. Автор: Takeshi YAMATOYA,Takashi Nagira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-07-21.

Semiconductor laser diode and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080291960A1. Автор: Yutaka Inoue,Yasuhisa Semba,Susumu Sorimachi,Kouichi Kouzu. Владелец: Opnext Japan Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor Laser Device and Semiconductor Laser Element Array

Номер патента: US20070230528A1. Автор: Akiyoshi Watanabe,Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2007-10-04.

Semiconductor laser array

Номер патента: US4694461A. Автор: Saburo Yamamoto,Sadayoshi Matsui,Mototaka Taneya,Seiki Yano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-09-15.

Semiconductor laser device and method of manufacture

Номер патента: GB1476118A. Автор: . Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-06-10.

Buried type semiconductor laser device

Номер патента: US4908830A. Автор: Toshihiko Yoshida,Haruhisa Takiguchi,Hiroaki Kudo,Shinji Kaneiwa,Sadayoshi Matsui. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-03-13.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1150808A. Автор: Yutaka Takeda,Michiharu Nakamura,Takao Mori,Shinji Tsuji,Motohisa Hirao,Atsutoshi Doi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-07-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1184285A. Автор: Kunio Aiki,Shigeo Yamashita,Yasutoshi Kashiwada,Naoki Chinone. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-03-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020006710A1. Автор: Michio Ohkubo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-17.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20020117678A1. Автор: Michio Ohkubo,Yutaka Ohki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-29.

Semiconductor laser and semiconductor laser device

Номер патента: US20230198222A1. Автор: Kosuke Shinohara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Surface emitting semiconductor laser device and fabricating method of the same

Номер патента: US5821566A. Автор: Seok-Jin Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-13.

Tunable semiconductor laser device and method for operating a tunable semiconductor laser device

Номер патента: WO2012074382A1. Автор: Michael Engelmann,Bob Van Someren. Владелец: EUPhoenix B.V.. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for manufacturing semiconductor laser device having current blocking layers

Номер патента: US5543355A. Автор: Mitsuyoshi Ookubo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-06.

Semiconductor laser device and method for producing the same

Номер патента: US20120093190A1. Автор: Yutaka Onishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Semiconductor laser for preventing hole burning effect

Номер патента: US20240022042A1. Автор: Atsushi Nakamura. Владелец: Lumentum Japan Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor laser and manufacturing method for a semiconductor laser

Номер патента: US20210257812A1. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Muhammad Ali. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor laser and manufacturing method for a semiconductor laser

Номер патента: US11804696B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Christoph Eichler,Muhammad Ali. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor laser with a weakly coupled grating

Номер патента: US20090117678A1. Автор: Lars Bach,Johann Peter Reithmaier. Владелец: Nanoplus GmbH. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor laser and semiconductor laser module

Номер патента: US20030231685A1. Автор: Atsushi Nakamura,Shoichi Takahashi,Kiyomi Ikemoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor laser having improved facet reliability

Номер патента: US20240039239A1. Автор: Yifan Jiang,Wolfgang PARZ,Jason Daniel BOWKER,Akshitha Gadde. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of fabricating buried crescent semiconductor laser device by removing a surface portion of substrate around a groove therein

Номер патента: US4728625A. Автор: Yasushi Sakakibara,Hirofumi Namizaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-03-01.

Method of manufacturing semiconductor laser element

Номер патента: US20170201064A1. Автор: Hitoshi Sakuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor laser micro-heating element structure

Номер патента: EP2044662A1. Автор: Martin H. Hu,Chung-En Zah,Xingsheng Liu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-04-08.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4815082A. Автор: Kunihiko Isshiki,Takashi Murakami,Wataru Susaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-03-21.

Semiconductor laser device having substriped channels for forming an active layer which is thin in an inside portion

Номер патента: US4819245A. Автор: Hiroshi Hayashi,Saburo Yamamoto,Taiji Morimoto,Mototaka Taneya. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1989-04-04.

Method of producing stripe-structure semiconductor laser

Номер патента: US4948753A. Автор: Takashi Sugino,Akio Yoshikawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1990-08-14.

Widely tunable, single mode emission semiconductor laser

Номер патента: US11862934B2. Автор: Nicolas Koslowski,Johannes Koeth,Tim Koslowski. Владелец: Automotive Coalition For Traffic Safety Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Widely tunable, single mode emission semiconductor laser

Номер патента: EP4128453A1. Автор: Nicolas Koslowski,Johannes Koeth,Tim Koslowski. Владелец: Automotive Coalition For Traffic Safety Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Hybrid semiconductor laser component and method for manufacturing such a component

Номер патента: US20210151950A1. Автор: Sylvie Menezo,Olivier Girard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-05-20.

Widely tunable, single mode emission semiconductor laser

Номер патента: WO2021203095A1. Автор: Nicolas Koslowski,Johannes Koeth,Tim Koslowski. Владелец: Automotive Coalition For Traffic Safety, Inc.. Дата публикации: 2021-10-07.

Semiconductor laser

Номер патента: US4791647A. Автор: Shigeo Sugou. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1988-12-13.

Semiconductor laser having an active layer buried in a groove

Номер патента: US4723251A. Автор: Yasushi Sakakibara,Hideyo Higuchi,Etsuji Oomura,Hirofumi Namizaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-02-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: US4757510A. Автор: Kenji Ikeda,Nobuaki Kaneno. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-07-12.

Semiconductor laser, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20240170922A1. Автор: Takashi Mizuno,Yuichiro Kikuchi,Hidekazu Kawanishi,Yuta Isozaki,Shinsuke Nozawa. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-05-23.

Method for producing a plurality of semiconductor lasers, and semiconductor laser

Номер патента: US20230420908A1. Автор: Sven GERHARD. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor laser diode and semiconductor component

Номер патента: US20200295533A1. Автор: Michael Muller,Roland Heinrich Enzmann,Alexander Bachmann. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor laser and method of producing a semiconductor laser and wafer

Номер патента: US20180323573A1. Автор: Sven GERHARD,Clemens Vierheilig,Andreas LOEFFLER. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-11-08.

Techniques for providing curved facet semiconductor lasers

Номер патента: US20190148911A1. Автор: Youxi Lin,Cristian Stagarescu,Wolfgang PARZ,Nathan BICKEL. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Non-refrigerated tunable semiconductor laser based on multi-wavelength array and preparation method

Номер патента: US20210336415A1. Автор: Jun Lu,Tao FANG,Xiangfei Chen,Rulei XIAO,Yuechun Shi. Владелец: Nanjing Huafei Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-28.

Semiconductor laser device, method of fabricating the same and optical system of utilizing the same

Номер патента: US5179567A. Автор: Masahiro Aoki,Kazuhisa Uomi,Naoki Chinone. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1993-01-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: US6426967B1. Автор: Tetsuhiro Tanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-07-30.

Interferometric semiconductor laser device

Номер патента: US4777637A. Автор: Hiroshi Hayashi,Osamu Yamamoto,Saburo Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1988-10-11.

Method of designing semiconductor laser device, method of designing raman amplifier, methods of manufacturing semiconductor laser device, semiconductor laser device, raman amplifier, and optical communication system

Номер патента: US20160285237A1. Автор: Junji Yoshida,Hideaki Hasegawa,Noriyuki Yokouchi,Satoshi Irino,Taketsugu SAWAMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor laser excited solid state laser device and laser light output method

Номер патента: US20150078407A1. Автор: Kazuya Inoue,Katsuhiko Tokuda,Mamoru Hisamitsu,Kazutomo Kadokura. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12080990B2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Koki Sakamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8594145B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Laser device for projecting structured light pattern onto scene

Номер патента: RU2655475C2. Автор: Стефан ГРОНЕНБОРН,Хольгер МЕНХ,Марк КАРПАЙ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-05-28.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240146035A1. Автор: Seiji Kitamura. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220166185A1. Автор: Naoki Nakamura,Naoki Kosaka,Ryosuke MIYAGOSHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US9780526B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor laser device and optical pickup using the same

Номер патента: US20040066813A1. Автор: Kazunori Matsubara,Hideshi Koizumi,Ayumi Yagi,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-08.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8420419B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor laser module, optical amplifier, and method of manufacturing the semiconductor laser module

Номер патента: US20080044936A1. Автор: Toshio Kimura,Takeshi Aikiyo,Masashi Nakae. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor laser device and optical pickup using the same

Номер патента: US6983002B2. Автор: Kazunori Matsubara,Hideshi Koizumi,Ayumi Yagi,Nobumasa Kaneko. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-01-03.

Semiconductor laser device and method for stabilising the wavelength of a semiconductor laser device

Номер патента: WO2012046079A1. Автор: Nadhum Kadhum Zayer. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor laser device and method of controlling light amount of semiconductor laser

Номер патента: US20010048697A1. Автор: Kiyoshi Kondou. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor laser device, semiconductor laser module, and semiconductor laser control method

Номер патента: US20030063646A1. Автор: Junji Yoshida. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12113330B2. Автор: Kenji Sakai,Kazuyoshi Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20110013655A1. Автор: Hiroaki Maehara,Hitoshi Tada,Yoshihiro Hisa,Hitoshi Sakuma,Tadashi Takase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2011-01-20.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20040240499A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: US12040590B2. Автор: Kenji Sakai,Hiroyuki Tajiri,Kazuyoshi Izumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US7399997B2. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-07-15.

Semiconductor laser apparatus and optical pickup apparatus using same

Номер патента: US20030174748A1. Автор: Kazunori Matsubara,Ayumi Yagi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-09-18.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US7088754B2. Автор: Kazunori Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Method for the production of a semiconductor laser device

Номер патента: US5171706A. Автор: Mitsuhiro Matsumoto,Masaki Kondo,Kazuaki Sasaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Semiconductor laser device manufacturing method and semiconductor laser device

Номер патента: US20060121633A1. Автор: Tadashi Takeoka,Takuroh Ishikura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-06-08.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US20040165627A1. Автор: Kazunori Matsubara. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Laser device

Номер патента: US20240275124A1. Автор: Stephan Gronenborn,Holger Joachim MOENCH. Владелец: Trumpf Photonic Components GmbH. Дата публикации: 2024-08-15.

Multi-beam semiconductor laser device

Номер патента: US8494019B2. Автор: Yutaka Inoue,Hideki Hara,Hiroshi Moriya,Yoshihiko IGA,Keiichi Miyauchi. Владелец: Oclaro Japan Inc. Дата публикации: 2013-07-23.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09979154B2. Автор: Masashi Tatsukawa,Mitsuyuki Mochizuki,Yuichi Shibata. Владелец: Koito Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor laser device and fabrication method thereof

Номер патента: US20070096138A1. Автор: Makoto Tsuji. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-03.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20080008221A1. Автор: Takashi Ueda,Koji Yamada,Yoshihiko Kobayashi,Tomoki Nozawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20050147149A1. Автор: Kazuyoshi Fuse. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-07-07.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20070063212A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Kouji Ueyama,Shinichirou Akiyoshi. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-22.

Semiconductor laser device and optoelectronic component

Номер патента: US20240235150A1. Автор: Johann Ramchen,Joerg Erich Sorg. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP4207520A1. Автор: Liang Hao,Rui Liu,Xiaoguang He. Владелец: Nanjing Fiber Foton Technologies Corp Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09948060B2. Автор: Takahiro Sugiyama,Yuu Takiguchi,Yoshiro Nomoto,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor laser body, semiconductor laser element, semiconductor laser substrate, electronic apparatus, and manufacturing method and manufacturing apparatus of semiconductor laser device

Номер патента: US20240283219A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa,Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor laser module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859679B2. Автор: Naoki Kimura. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Wavelength Selective and Tunable Semiconductor Laser Device With Coupled Cavities

Номер патента: US20080181265A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2008-07-31.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20190252851A1. Автор: Shingo Tanisaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-08-15.

Laser device with adjustable polarisation

Номер патента: RU2659749C2. Автор: Марк КАРПАЙ,Ульрих ВАЙХМАНН. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2018-07-03.

Method of tuning a semiconductor laser device having coupled cavities

Номер патента: US20110019702A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: GB201207790D0. Автор: . Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2012-06-13.

Semiconductor laser device, method for manufacturing the same and optical pickup apparatus

Номер патента: US7489716B2. Автор: Osamu Hamaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-02-10.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9397472B2. Автор: Kimio Shigihara,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Semiconductor laser device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150357789A1. Автор: Kimio Shigihara,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

Номер патента: US11081857B2. Автор: Nobuhiro Ohkubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Semiconductor laser device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20200185878A1. Автор: Nobuhiro Ohkubo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20020075915A1. Автор: Ayumi Yagi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Surface emission semiconductor laser device

Номер патента: US20030152121A1. Автор: Kazushi Mori,Ryoji Hiroyama,Koji Tominaga,Atsushi Tajiri,Yasuhiko Nomura. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor laser device

Номер патента: US09882354B2. Автор: Hirofumi Kan,Yujin Zheng. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor laser device and method of controlling semiconductor laser device

Номер патента: US20230333396A1. Автор: Hideo Yamaguchi,Masaharu Fukakusa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Wafer-level etched facet for perpendicular coupling of light from a semiconductor laser device

Номер патента: US20240275123A1. Автор: Stephen B. Krasulick,John Zyskind,Majid Sodagar,Murtaza Askari. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

To-can package semiconductor laser device having a pinless region on the underside of the package

Номер патента: US10804675B2. Автор: Yasushi Takizawa,Shintaro MIYAMOTO,Masato Hagimoto. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2020-10-13.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20030193976A1. Автор: Takehiro Shiomoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-10-16.

Method for producing a multiplicity of semiconductor laser chips, and semiconductor laser chip

Номер патента: US20240364073A1. Автор: Norwin von Malm,Martin Rudolf Behringer. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20210005800A1. Автор: Kazuma KOZURU,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220190224A1. Автор: Kazuma KOZURU,Ryota OKUNO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor laser driving device and semiconductor laser driving method

Номер патента: US20090232174A1. Автор: Junichi Furukawa,Kiyoshi Tateishi. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP1313184A4. Автор: Yasuhiro Watanabe,Shoji Honda,Yasuyuki Bessho,Kentarou Tanaka. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-07.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4033619A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-27.

Semiconductor laser light source device, semiconductor laser light source system, and image display apparatus

Номер патента: US09899795B2. Автор: Hideyuki Murai,Tatsuro Hirose. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Laser device with optical isolator

Номер патента: US09865991B2. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Phovel Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor Laser Equipment

Номер патента: US20080043791A1. Автор: Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima,Masanobu Yamanaka. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2008-02-21.

Laser light output apparatus, image display apparatus, and semiconductor laser driving control method

Номер патента: US20040240495A1. Автор: Naoki Akamatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-02.

Broadband light source composed of supercontinuum light source and single-wavelength semiconductor laser diodes

Номер патента: US10277000B2. Автор: Weijia Yang,Kangkang CHEN. Владелец: Wuhan Yangtze Soton Laser Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-30.

Semiconductor laser device, manufacturing method thereof, and laser bar locking apparatus

Номер патента: US20030122136A1. Автор: Noboru Oshima. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: WO2016116565A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: ALCATEL LUCENT. Дата публикации: 2016-07-28.

Electrically-pumped organic semiconductor laser arrangement

Номер патента: WO2024175876A1. Автор: Ifor Samuel,Kou Yoshida,Graham TURNBULL,Junyi GONG. Владелец: UNIVERSITY COURT OF THE UNIVERSITY OF ST ANDREWS. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor laser chip and method for fabricating a semiconductor laser chip

Номер патента: US20020102756A1. Автор: Bernd Borchert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-01.

Transient wavelength drift reduction in semiconductor lasers

Номер патента: US20180006428A1. Автор: Thomas Pfeiffer,Romain Brenot,Hélène Debregeas,Jean-Guy Provost. Владелец: Provenance Asset Group LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Thermal compensation in semiconductor lasers

Номер патента: WO2008039313A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hai Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-03.

Semiconductor laser drive circuit and photoelectric sensor

Номер патента: EP1494324A3. Автор: Takayuki Takeda,Takayuki Ochiai. Владелец: Sunx Ltd. Дата публикации: 2005-01-12.

Thermal compensation in semiconductor lasers

Номер патента: EP2062336A1. Автор: Chung-En Zah,Martin Hai Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-05-27.

Soldering system of semiconductor laser element

Номер патента: US20170373466A1. Автор: Tetsuhisa Takazane. Владелец: FANUC Corp. Дата публикации: 2017-12-28.

Method of operating a semiconductor laser as a mode-locked semiconductor laser and devices for implementing the method

Номер патента: CA2069657A1. Автор: Michael Schilling,Olaf Hildebrand,Klaus Wunstel,Dieter Baums,Heinz Schweizer,Kaspar Dütting,Wilfried Idler,Gert Laube. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-12-01.

Circuit for preventing destruction of semiconductor laser element, and optical disc device provided with the circuit

Номер патента: US20120300605A1. Автор: Tsutomu Asai. Владелец: Funai Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Semiconductor laser drive circuit and light beam scanning system using semiconductor laser

Номер патента: US6091748A. Автор: Hiroaki Yasuda. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2000-07-18.

Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers

Номер патента: WO2005124948A2. Автор: Luis A. Spinelli,Hailong Zhou,Russel R. Austin. Владелец: Coherent, Inc.. Дата публикации: 2005-12-29.

Semiconductor Laser Component and Method for Operating at Least One Semiconductor Laser

Номер патента: US20230198231A1. Автор: Jörg Erich SORG,Harald KÖNIG,Jan Seidenfaden,Markus Reinhard Horn. Владелец: Ams Osram Lnternational GmbH. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20170315311A1. Автор: Naoki Hayamizu,Yuta Ishige,Etsuji Katayama,Toshia KIMURA. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Ingan diode-laser pumped ii-vi semiconductor lasers

Номер патента: WO2005124948A3. Автор: Luis A Spinelli,Hailong Zhou,Russel R Austin. Владелец: Russel R Austin. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor laser apparatus, information recording/reproduction apparatus and image recording apparatus

Номер патента: US20020057721A1. Автор: Toyoki Taguchi,Tetsuya Nagahama,Masayuki Tazawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-16.

Driving device for semiconductor laser

Номер патента: US5084887A. Автор: Tsuyoshi Ohashi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 1992-01-28.

Wavelength control in phase region of semiconductor lasers

Номер патента: EP2220732A1. Автор: Jacques Gollier. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-08-25.

Electron beam pumped semiconductor laser screen and associated fabrication method

Номер патента: US20040028109A1. Автор: Robert Morgan,Robert Rice,Neil Ruggieri,J. Whiteley,Richard Skogman. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2004-02-12.

Method for manufacturing semiconductor laser diode

Номер патента: RU2205485C1. Автор: А.Н. Алексеев,В.П. Чалый,А.П. Шкурко,А.А. Веденеев,Ю.В. Погорельский,Д.М. Красовицкий,В.М. Щевлюга,К.Н. Ельцов. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научное и технологическое оборудование". Дата публикации: 2003-05-27.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20050169335A1. Автор: Xin Gao,Yujin Zheng. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2005-08-04.

Passivation layer for semiconductor laser and semiconductor laser and laser module using the same

Номер патента: US20020021727A1. Автор: Michio Ohkubo,Noriyuki Yokouchi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Tunable laser assembly including tunable semiconductor laser apparatus and photodetector outside of laser housing

Номер патента: US12100933B2. Автор: Liang Luo,Yuzhou SUN,Wenkai Tu,Jinan GU. Владелец: Innolight Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor laser drive device and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20120027037A1. Автор: Hiroaki Kyogoku,Daijiroh SUMINO. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor laser unit and method for manufacturing optical reflection film

Номер патента: US20070071049A1. Автор: Naoki Kohara,Hironari Takehara,Hisatada Yasukawa,Takai Iwai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-29.

Bar-shaped semiconductor laser chip and method of fabrication thereof

Номер патента: US20100103968A1. Автор: Yasuo Baba,Yasuhiko Matsushita,Yukio Gotoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Method for producing semiconductor lasers and semiconductor lasers

Номер патента: US12057676B2. Автор: Jörg Erich SORG,Andreas Plossl,Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-06.

Laser device, laser display apparatus, laser radiating apparatus, and nonlinear optical element

Номер патента: US8390920B2. Автор: Kaoru Kimura,Michio Oka,Akio Furukawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Laser support for semiconductor laser fixation and laser support element assembly

Номер патента: US20160141829A1. Автор: Nicolas Abele,Lucio Kilcher. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor laser apparatus and method of producing the same

Номер патента: US20030063640A1. Автор: Ikuo Kohashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Surface-emitting semiconductor laser and method for manufacturing thereof as well as optical device

Номер патента: EP1528647A3. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-11.

Semiconductor laser, light source device, image forming apparatus, image display device, object device, and colored-light generation method

Номер патента: WO2017188100A1. Автор: Kohji Sakai,Miho HIGUCHI. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor laser, light source device, image forming apparatus, image display device, object device, and colored-light generation method

Номер патента: EP3449539A1. Автор: Kohji Sakai,Miho HIGUCHI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-06.

Semiconductor laser module and three-dimensional laminating and shaping apparatus

Номер патента: US20180231724A1. Автор: Hajime Mori,Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Technology Research Association for Future Additive Manufacturing (TRAFAM). Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor laser driving circuit

Номер патента: US20190027894A1. Автор: Kazuma Watanabe,Ichiro Fukushi,Akiyuki KADOYA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor laser light-emitting device and method for manufacturing semiconductor laser light-emitting device

Номер патента: US20240006843A1. Автор: Masanori Hiroki,Shigeo Hayashi,Hiroki SHIROZONO. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-01-04.

Wavelength normalization in phase section of semiconductor lasers

Номер патента: WO2010002471A1. Автор: Dragan Pikula,Martin H Hu,Daniel O Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-01-07.

Method of fabricating semiconductor laser

Номер патента: US20100291718A1. Автор: Kenji Hiratsuka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-18.

Method for manufacturing surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20070202622A1. Автор: Atsushi Matsuzono,Satoshi Sasaki,Toshihiko Baba,Akio Furukawa,Mitsunari Hoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-30.

Spatial and temporal adjustment of laser device drive current using asic drives

Номер патента: US20240322529A1. Автор: Lawrence Shah,Paul Orville LEISHER,Jenna Nicole CAMPBELL,Michelle Helena LABRECQUE,Jason Matthew Eichenholz. Владелец: Freedom Photonics Llc. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for controlling a semiconductor-laser-diode-based ss- interferometer system

Номер патента: US20220244178A1. Автор: Thomas Pabst,Manfred Dick,Roland Bergner,Ralf Ebersbach,Rainer Leitgeb. Владелец: CARL ZEISS MEDITEC AG. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor laser and method for producing a semiconductor laser

Номер патента: US12040588B2. Автор: Peter Jander. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: EP1195862A3. Автор: Toshio c/o The Furukawa Electric Co. Ltd. Kimura,Sadayoshi c/o Furukawa Electric Co. Ltd Kanamaru,Tomoya c/o The Furukawa Electric Co. Ltd Kato. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-02.

Method, system and apparatus for hybrid optical and electrical pumping of semiconductor lasers and leds for improved reliability at high temperatures

Номер патента: US20150333477A1. Автор: Duane Louderback. Владелец: Zephyr Photonics Inc. Дата публикации: 2015-11-19.

Semiconductor laser module constituted by optically coupling optical fiber having fiber grating and laser diode

Номер патента: US20020097757A1. Автор: Takeshi Fujita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-25.

System for electronically controlling and driving independently addressable semiconductor lasers

Номер патента: US11984701B2. Автор: Joerg Martini,David K. Biegelsen,Sourobh Raychaudhuri,Joseph Lee,Christopher Chua. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Wavelength Tunable Semiconductor Laser Having Multiple Sets of Intercavity Spacings

Номер патента: US20110019703A1. Автор: David S. McCallum,Alan R. Sugg. Владелец: VEGA WAVE SYSTEMS Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: US20020122446A1. Автор: Toshio Kimura,Tomoya Kato,Sadayoshi Kanamaru. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor laser unit and optical pick-up device using the same

Номер патента: US20020044589A1. Автор: Takahiro Miyake,Kentaro Terashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-18.

Semiconductor laser module and method of making the same

Номер патента: US6804277B2. Автор: Toshio Kimura,Tomoya Kato,Sadayoshi Kanamaru. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-12.

Laser device

Номер патента: EP4084241A1. Автор: Mitsuoki Hishida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor laser wavelength control device

Номер патента: US20050105570A1. Автор: Akio Mukai,Zhigang Peng,Izumi Kawata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-05-19.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US12107383B2. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor laser device including columns of semiconductor lasers with non-central light emitting regions

Номер патента: US5636235A. Автор: Yasunori Miyazaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-06-03.

Inspection method for semiconductor laser device and inspection device for semiconductor laser device

Номер патента: US20220376465A1. Автор: Akio SHIRASAKI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor laser wavelength control device

Номер патента: US7372881B2. Автор: Akio Mukai,Zhigang Peng,Izumi Kawata. Владелец: Asahi Kasei Microsystems Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-13.

Laser device

Номер патента: US20220302675A1. Автор: Mitsuoki Hishida. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor laser array

Номер патента: EP1143584A3. Автор: Kunio Ito,Seiichiro Tamai,Masaaki Yuri,Masaru Kazamura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-23.

Solar-panel-based power supply system for driving semiconductor laser

Номер патента: NL2029408B1. Автор: Liu Qing,Li Ke,ZHAO Xiaolong,ZHANG Mingxia,Ling Weijun,Dong Zhong,Lu Feiping,Li Xiangbing,Xin Jianyuan. Владелец: Univ Tianshui Normal. Дата публикации: 2023-05-11.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US7912103B2. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-03-22.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US20070115227A1. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-05-24.

Method and device for testing semiconductor laser

Номер патента: US20050164415A1. Автор: Yuichiro Okunuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2005-07-28.

Semiconductor laser and semiconductor optical integrated device

Номер патента: US20090059988A1. Автор: Shigeaki Sekiguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Semiconductor laser and method for processing semiconductor laser

Номер патента: US20180212403A1. Автор: Jian Chen,Zhiguang Xu,Jing Hu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-26.

Optical pumping-type solid-state laser apparatus with a semiconductor laser device

Номер патента: US5025449A. Автор: Osamu Yamamoto,Toshihiko Yoshida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1991-06-18.

Multiplewavelength semiconductor laser device array and production method

Номер патента: US20010040906A1. Автор: Kenichi Kikuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Method for manufacturing semiconductor laser

Номер патента: US20020146857A1. Автор: Jun Ichihara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-10-10.

Testing method of semiconductor laser and laser testing device

Номер патента: US20100238426A1. Автор: Isao Baba,Makoto Sugiyama,Haruyoshi Ono. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor laser with conductive current mask

Номер патента: WO1983001155A1. Автор: Inc. Western Electric Company,Larry Allen Coldren. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1983-03-31.

Wavelength-stabilized semiconductor laser source

Номер патента: US20190097385A1. Автор: Henry A. Blauvelt. Владелец: Emcore Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor laser oscillator

Номер патента: US09917416B2. Автор: Minoru Ogata,Kaori USUDA. Владелец: Lumentum Operations LLC. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor laser element and method of obtaining information from the semiconductor laser element

Номер патента: US09870525B2. Автор: Atsushi Tanaka,Mitsuhiro Nonaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: EP1442509A2. Автор: Neal Tsunami Photonics Limited O'GORMAN. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2004-08-04.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: WO2003038954A3. Автор: Neal O'Gorman. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2004-01-22.

Stability factors for tuneable multi-section semiconductor lasers

Номер патента: AU2002237484A1. Автор: Neal O'Gorman. Владелец: Tsunami Photonics Ltd. Дата публикации: 2003-05-12.

Semiconductor laser driving circuit and semiconductor laser driving method therefor

Номер патента: US6920163B2. Автор: Mitsuo Ishii. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-07-19.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US20160111857A1. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor-laser-device assembly

Номер патента: US9184560B2. Автор: Rintaro Koda,Masaru Kuramoto,Shunsuke Kono. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Forced wavelength chirping in semiconductor lasers

Номер патента: US20080175285A1. Автор: Martin Hai Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Method of isolating semiconductor laser diodes

Номер патента: US20090155939A1. Автор: Youn Joon Sung,Su Hee Chae. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor laser assembly

Номер патента: WO1990010312A1. Автор: Wai-Hon Lee. Владелец: Pencom International Corporation. Дата публикации: 1990-09-07.

Semiconductor laser driving apparatus and method and image-forming apparatus

Номер патента: US20010017869A1. Автор: Takuya Takata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-30.

Semiconductor laser module and laser machining apparatus

Номер патента: US20240305060A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Solid-state laser device capable of stably producing an output laser beam at high power

Номер патента: US5311528A. Автор: Masashi Fujino. Владелец: Hoya Corp. Дата публикации: 1994-05-10.

Semiconductor laser driving circuit and semiconductor laser driving method therefor

Номер патента: US20030052370A1. Автор: Mitsuo Ishii. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor laser device, and image display device

Номер патента: US20080192787A1. Автор: Kiminori Mizuuchi,Kazuhisa Yamamoto,Shinichi Kadowaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-14.

Semiconductor laser device

Номер патента: EP4303564A1. Автор: Takuya Ido,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kosuke TSUKATANI,Kodai Niina. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-01-10.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20020172252A1. Автор: Masahiro Kanda,Masahiko Namiwaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-11-21.

Induction of force performed by the semiconductor laser diodes

Номер патента: US09882348B2. Автор: Elio Battista Porcelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor laser device and analysis apparatus

Номер патента: US11949210B2. Автор: Shintaro Masuda,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kimihiko Arimoto,Hirotaka ISEKI. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Laser device

Номер патента: US7599414B2. Автор: Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2009-10-06.

External cavity semiconductor laser

Номер патента: US11962127B2. Автор: Yushi Kaneda. Владелец: Arizona Board of Regents of University of Arizona. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20240146020A1. Автор: Takuya Ido,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE,Kosuke TSUKATANI,Kodai Niina. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Two-wavelength semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050224837A1. Автор: Chong Koh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-13.

Coupled cavity high power semiconductor laser

Номер патента: WO2001067563A9. Автор: Aram Mooradian. Владелец: Novalux Inc. Дата публикации: 2003-01-03.

Method and apparatus for semiconductor laser driving capable of stably generating consistent optical pulse widths of laser diodes

Номер патента: US20050141576A1. Автор: Junichi Ikeda,Hiroaki Kyougoku. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230110167A1. Автор: Hideo Yamaguchi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Generating optical pulses via a soliton state of an optical microresonator coupled with a chip based semiconductor laser

Номер патента: US20220050356A1. Автор: Tobias Kippenberg,Hairun GUO,Arslan Sajid Raja,Michael L. Gorodetsky. Владелец: Ecole Polytechnique Federale de Lausanne EPFL. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5729561A. Автор: Misao Hironaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-03-17.

Phase-locked semiconductor laser device

Номер патента: CA1190635A. Автор: Takashi Kajimura,Takao Kuroda,Jun-Ichi Umeda,Hisao Nakashima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1985-07-16.

Semiconductor laser device and driving method of the same

Номер патента: US20120147910A1. Автор: Chikara Amano,Nobuyuki Kondo. Владелец: NTT Electronics Corp. Дата публикации: 2012-06-14.

Semiconductor laser module, method of controlling a semiconductor laser beam and video display apparatus

Номер патента: US20050063436A1. Автор: Nobuyuki Nishimura,Toshitaka Yamada,Tooru Sugiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-24.

Semiconductor laser pump locker incorporating multiple gratings

Номер патента: WO2002075390A2. Автор: Dmitry S. Starobudov. Владелец: Sabeus Photonics, Inc.. Дата публикации: 2002-09-26.

Method and apparatus for efficient operation of a solid-state laser optically pumped by an unstable resonator semiconductor laser

Номер патента: WO1993022809A1. Автор: Brian Baird,Richard DeFreez. Владелец: ELECTRO SCIENTIFIC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 1993-11-11.

Multimode semiconductor laser module, wavelength detector, wavelength stabilizer, and raman amplifier

Номер патента: WO2003030310A2. Автор: Goro Sasaki. Владелец: Sumitomo Electric Asia Ltd.. Дата публикации: 2003-04-10.

Semiconductor laser with integrated heating element and method of manufacturing same

Номер патента: US20060039427A1. Автор: Paul Charles. Владелец: Avago Technologies Fiber IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor lasers having single crystal mirror layers grown directly on facet

Номер патента: EP1060545A1. Автор: Mark McElhinney,Paul Colombo. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Submount for semiconductor laser and optical fibers

Номер патента: US20200044412A1. Автор: Jock T. Bovington,Ashley J. MAKER,Kumar Satya Harinadh Potluri. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Process for the production of a semiconductor laser with tape geometry and laser obtained by this process

Номер патента: US4742013A. Автор: Louis Menigaux. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-05-03.

Driver circuit and method for a semiconductor laser

Номер патента: US20240243547A1. Автор: Jon C. Zeisler. Владелец: Streamlight Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Surface-emitting type semiconductor laser, optical transmission apparatus, and manufacturing method of surface-emitting type semiconductor laser

Номер патента: US20240250501A1. Автор: Atsushi Mukai,Kazutaka Takeda,Takeshi MINAMIRU,Naoya SEKITA,Yuto IWANE,Koga MIZUNO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor Laser Device and Method for Fabrication Thereof

Номер патента: US20080247439A1. Автор: Seiji Kawamoto,Kenji Nakashima,Yozo Uchida. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor laser device, and optical pickup apparatus using the device

Номер патента: US20030123499A1. Автор: Toshio Takeuchi,Koji Yamashita,Susumu Ishida,Kiyoaki Tsumura,Kenji Kan,Kenji Ohgiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-07-03.

Two-wavelength semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7071497B2. Автор: Chong Mann Koh. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-07-04.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7106767B2. Автор: Tetsuyoshi Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20040228378A1. Автор: Tetsuyoshi Inoue. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-11-18.

Semiconductor laser device, optical pickup and fabrication method of semiconductor laser device

Номер патента: US20040004983A1. Автор: Masayuki Honda,Takehiro Shiomoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-08.

Method and apparatus for wafer-level testing of semiconductor lasers

Номер патента: US20020109520A1. Автор: David Heald,Legardo REYES. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor laser device and optical pickup device

Номер патента: US7414949B2. Автор: Toshihiro Kuroda,Shouichi Takasuka,Makoto Atoji. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-19.

Optically pumped, surface-emitting semiconductor laser device and method for the manufacture thereof

Номер патента: US6954479B2. Автор: Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-10-11.

Solid-state laser device with optical fiber cable connection

Номер патента: US5568503A. Автор: Shigeru Omori. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Semiconductor laser device and semiconductor laser module

Номер патента: US5353294A. Автор: Kazuo Shigeno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-10-04.

Semiconductor laser device, submount, submount assembly, and method of testing semiconductor laser device

Номер патента: US20240178632A1. Автор: Yasuo Baba,Tohru Nishikawa. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-30.

Monolithically Integrated Tunable Semiconductor Laser

Номер патента: US20150010033A1. Автор: Robert Griffin,Andrew John Ward,Sam Davies,Neil David Whitbread. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor laser device

Номер патента: GB2369929A. Автор: Arnaud GARNACHE-CREUILLOT. Владелец: University of Southampton. Дата публикации: 2002-06-12.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230108080A1. Автор: Masaharu Fukakusa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-04-06.

Semiconductor laser device with wavelength selection and high-frequency modulation of driving current

Номер патента: US6678306B1. Автор: Shinichiro Sonoda. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-13.

Surface-emitting semiconductor laser, surface-emitting semiconductor laser device, optical transmission device, and information processing device

Номер патента: US20160064899A1. Автор: Takashi Kondo,Jun Sakurai,Akemi Murakami,Kazutaka Takeda,Junichiro Hayakawa,Naoki Jogan. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-03.

Semiconductor laser

Номер патента: WO1992015136A1. Автор: Rodney Stuart Tucker. Владелец: THE UNIVERSITY OF MELBOURNE. Дата публикации: 1992-09-03.

High speed semiconductor laser driver circuits

Номер патента: WO1999001914A2. Автор: Garry N. Link. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS, INC.. Дата публикации: 1999-01-14.

High speed semiconductor laser driver circuits

Номер патента: WO1999001914A3. Автор: Garry N Link. Владелец: MAXIM INTEGRATED PRODUCTS. Дата публикации: 1999-03-25.

Optically pumpable surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US20050259700A1. Автор: Stephan Lutgen,Tony Albrecht,Johann Luft,Norbert Linder,Werner Späth,Ulrich STEEGMÜLLER. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2005-11-24.

Method of fabricating semiconductor laser device using the light generated by the laser to disorder its active layer at the end surfaces thereby forming window regions

Номер патента: US5171707A. Автор: Kazuhisa Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-12-15.

Semiconductor laser inspection apparatus

Номер патента: US20230273241A1. Автор: Yohei Mikami,Tetsuhiro Fukao. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Distributed Feedback Semiconductor Laser for Outputting Beam of Single Wavelength

Номер патента: EP1376789A3. Автор: Hiroshi Mori,Yoshio Takahashi,Tomoyuki Kikugawa,Motoaki Fujita. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2004-06-02.

Method of fabricating semiconductor laser device

Номер патента: CA2051254A1. Автор: Kazuhisa Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-03-14.

Semiconductor laser, semiconductor laser device, and fabrication method of semiconductor laser

Номер патента: US20110222569A1. Автор: Takashi Kondo,Hideaki Ozawa,Kazutaka Takeda. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-15.

Mounting semiconductor lasers on heat sinks

Номер патента: GB2304995A. Автор: Misao Hironaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-03-26.

Semiconductor laser device, method for manufacturing the same and optical pickup apparatus

Номер патента: US20070165684A1. Автор: Osamu Hamaoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-07-19.

Optical transmission apparatus, semiconductor laser device for use in optical transmission apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser device

Номер патента: US20030043454A1. Автор: Youngduk Yoon,Takayuki Okazaki,Sakiko Sugihara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20190027892A1. Автор: Shingo Tanisaka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220346288A1. Автор: Masayuki Nagao,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor laser element, semiconductor laser device, semiconductor laser device manufacturing method, and gas analysis device

Номер патента: EP4261528A1. Автор: Tomoji Terakado,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Laser device, optical pickup, and optical disk device

Номер патента: US20110194391A1. Автор: Tsutomu Maruyama,Goro Fujita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

A method of monitoring the performance of a semiconductor laser diode arrangement

Номер патента: WO2010113066A1. Автор: Jens Pollmann-Retsch,Pavel Pekarski. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2010-10-07.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4040615A1. Автор: Masayuki Nagao,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-10.

Semiconductor laser element, semiconductor laser device, semiconductor laser device manufacturing method, and gas analysis device

Номер патента: US20240030683A1. Автор: Tomoji Terakado,Makoto Matsuhama,Yusuke AWANE. Владелец: Horiba Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Two-level semiconductor laser driver

Номер патента: WO1999000764A2. Автор: Douglas S. Goodman,William T. Plummer,Marc Thompson,Peter P. Clark. Владелец: Polaroid Corporation. Дата публикации: 1999-01-07.

Non-collinearly pumped linearly polarized external cavity surface emitting semiconductor lasers

Номер патента: WO2024154091A1. Автор: Ningyi Luo,Haiwen Wang,Jihchuang Robin Huang. Владелец: Pavilion Integration Corporation. Дата публикации: 2024-07-25.

Fracture resistant metallization pattern for semiconductor lasers

Номер патента: WO2010123807A1. Автор: Chung-En Zah,Martin H Hu,Lawrence C. Hughes, Jr.,Satish C Chaparala. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2010-10-28.

Laser device, optical amplifier, optical transmission device, and determination method

Номер патента: US20170141537A1. Автор: Miki Onaka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Laser module and laser device

Номер патента: EP3780299A1. Автор: Yohei Kasai. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Diode laser package for bidirectionally emitting semiconductor laser devices

Номер патента: US11824323B1. Автор: Manoj Kanskar. Владелец: NLight Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

A semiconductor laser device and a method for manufacturing a semiconductor laser device

Номер патента: EP2748903A2. Автор: Silke Traut,Stephanie Saintenoy. Владелец: II VI Laser Enterprise GmbH. Дата публикации: 2014-07-02.

A semiconductor laser device and a method for manufacturing a semiconductor laser device

Номер патента: WO2013027041A2. Автор: Silke Traut,Stephanie Saintenoy. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LIMITED. Дата публикации: 2013-02-28.

Laser device, optical pickup, and optical disk device

Номер патента: US8218592B2. Автор: Tsutomu Maruyama,Goro Fujita. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4019895A1. Автор: Takashi Kobayashi,Nobuaki Kaji,Motoi Kimura,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Semiconductor laser driving device, electronic equipment, and method of manufacturing semiconductor laser driving device

Номер патента: EP4027379A1. Автор: Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-13.

Electrically driven organic semiconductor laser diode, and method for producing same

Номер патента: EP3939131A1. Автор: Chihaya Adachi,Anthony D'Aleo,Jong Uk Kim,Toshinori Matsushima,Sangarange Don Atula SANDANAYAKA,Fatima BENCHEIKH,Jean-Charles RIBIERRE,Takashi Fujihara,Shinobu TERAKAWA,Ryutaro KOMATSU,Adikari Mudiyanselage Chathuranganie SENEVIRATHNE. Владелец: Koala Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-19.

Semiconductor laser driving apparatus to be used for optical information recording and reproducing apparatus

Номер патента: US5018155A. Автор: Nobuo Miyairi. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-21.

Optical information recording/reproducing apparatus supplying a smaller high-frequency current to a first semiconductor laser for generating a light beam to record information than to a second semiconductor laser for reproducing recorded information

Номер патента: US5781222A. Автор: Akira Miyashita,Takeshi Yamawaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1998-07-14.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4035236A1. Автор: Nobuaki Kaji,Tatsuya Oiwa,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-08-03.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4007091A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220302674A1. Автор: Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor laser drive device, electronic equipment, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: US20220344897A1. Автор: Nobuaki Kaji,Tatsuya Oiwa,Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor laser drive system and semiconductor laser driving method

Номер патента: US20090147809A1. Автор: Minoru Yamada. Владелец: Kanazawa University NUC. Дата публикации: 2009-06-11.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240154385A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor laser drive system and semiconductor laser driving method

Номер патента: US7620083B2. Автор: Minoru Yamada. Владелец: Kanazawa University NUC. Дата публикации: 2009-11-17.

Self-monitoring semiconductor laser device

Номер патента: US5136603A. Автор: Kuochou Tai,Ghulam Hasnain. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1992-08-04.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1152626A. Автор: Antonius A.M. Van Alem,Johan C.J. Finck,Peter W.M. Van De Water. Владелец: Individual. Дата публикации: 1983-08-23.

Semiconductor laser light source device, semiconductor laser light source system, and image display aparatus

Номер патента: CA2979520C. Автор: Hideyuki Murai,Tatsuro Hirose. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-12-01.

Method and device for controlling a semiconductor laser

Номер патента: US5778017A. Автор: Shinichi Sato,Ichiro Shinoda,Isao Iwaguchi,Munenori Ohtsuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230344196A1. Автор: Hideyuki Fujimoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor laser driving apparatus, electronic equipment, and manufacturing method of semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20220294179A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11962123B2. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Solid-state laser apparatus excited by laser light from semiconductor laser unit having increased resonator length

Номер патента: US6795475B1. Автор: Yoji Okazaki,Hisashi Ohtsuka. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-21.

Semiconductor laser drive device, electronic apparatus, and method for manufacturing semiconductor laser drive device

Номер патента: EP4024627A1. Автор: Nobuaki Kaji,Hirohisa Yasukawa,Kiyohisa Sakai. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-06.

Semiconductor laser drive device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210143607A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor laser drive device and method for manufacturing same

Номер патента: EP3783759A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-02-24.

Semiconductor laser light source

Номер патента: CA2928970C. Автор: Hiroyuki Watanabe. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Semiconductor laser device and optical pickup apparatus using the same

Номер патента: US20070091955A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5590144A. Автор: Akira Amano,Shoji Kitamura,Yoichi Shindo. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1996-12-31.

Semiconductor laser driving device, lidar provided with semiconductor laser driving device, and vehicle provided with semiconductor laser driving device

Номер патента: EP4242686A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-13.

Semiconductor laser driving circuit

Номер патента: US20190027893A1. Автор: Kazuma Watanabe,Ichiro Fukushi,Akiyuki KADOYA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Semiconductor laser driving circuit

Номер патента: US10361535B2. Автор: Kazuma Watanabe,Ichiro Fukushi,Akiyuki KADOYA. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Cooler, semiconductor laser light source, semiconductor laser light source unit, method for producing semiconductor laser light source unit, and solid laser

Номер патента: EP1253685A4. Автор: Toru Sugiyama,Jiro Kitayama,Mitsuyasu Matsuo,Youichi Hisamori,Kyoko Fukumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-09-20.

Wavelength control in wavelength selective, phase, and gain regions of semiconductor lasers

Номер патента: US20080089370A1. Автор: Jacques Gollier,Daniel Ohen Ricketts,Vikram Bhatia,David August Sniezek Loeber,Martin Hai Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20200373733A1. Автор: Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor laser module

Номер патента: US11962120B2. Автор: Yuta Ishige,Etsuji Katayama. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

End-face-processing jig, and method of manufacturing semiconductor laser using end-face-processing jig

Номер патента: US20090181479A1. Автор: Yasuyuki Nakagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Wavelength control in wavelength selective, phase, and gain regions of semiconductor lasers

Номер патента: WO2008048474A1. Автор: Jacques Gollier,Vikram Bhatia,Martin H. Hu,David A. Loeber,Daniel O. Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-04-24.

Method and apparatus for extending and confirming the service life of semiconductor laser of bar code reader by detecting current increase corresponding to temperature of semiconductor laser

Номер патента: US5334826A. Автор: Shinichi Sato,Hiroaki Katoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-08-02.

Semiconductor laser device

Номер патента: CA1167572A. Автор: Takashi Kajimura,Kunio Aiki,Takao Kuroda,Yasutoshi Kashiwada,Naoki Chinone,Jun-Ichi Umeda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-05-15.

Semiconductor laser control apparatus

Номер патента: US4888777A. Автор: Yoshinobu Takeyama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-12-19.

Semiconductor laser source unit

Номер патента: US4953171A. Автор: Tomohiro Nakajima,Kazuyuki Shimada,Katsumi Yamaguchi,Nobuo Sakuma,Seizoh Suzuki. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1990-08-28.

Method for making a semiconductor laser by cleaving a cantilever heterostructure

Номер патента: US4769342A. Автор: Tetsuya Yagi,Hitoshi Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-09-06.

Method of detecting semiconductor laser mode hopping and semiconductor laser beam source apparatus

Номер патента: US4807992A. Автор: Masaru Noguchi,Kazuo Horikawa,Ichirou Miyagawa. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1989-02-28.

Semiconductor laser driving apparatus, lidar including semiconductor laser driving apparatus, and vehicle including semiconductor laser driving apparatus

Номер патента: US20240006850A1. Автор: Hirohisa Yasukawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor laser module

Номер патента: US9203212B2. Автор: Hideaki Hasegawa,Tatsuya Kimoto,Tatsuro Kurobe. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-01.

Semiconductor laser device

Номер патента: GB2304993A. Автор: Jeremy Burroughes,Angus North. Владелец: Toshiba Cambridge Research Centre Ltd. Дата публикации: 1997-03-26.

Semiconductor laser optical waveguide telecommunications module and method of making

Номер патента: EP1192518A2. Автор: Dana C. Bookbinder. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2002-04-03.

Method and apparatus for driving semiconductor lasers, and method and apparatus for deriving drive current patterns for semiconductor lasers

Номер патента: US20090141754A1. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2009-06-04.

Laser device and method for manufacturing same

Номер патента: US20130022066A1. Автор: Akira Sakamoto,Yohei Kasai,Nozomu Toyohara. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2013-01-24.

Method and apparatus for driving semiconductor lasers, and method and apparatus for deriving drive current patterns for semiconductor lasers

Номер патента: US7970029B2. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Method and apparatus for driving semiconductor lasers, and method and apparatus for deriving drive current patterns for semiconductor lasers

Номер патента: WO2007043597A1. Автор: Yuichi Teramura. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2007-04-19.

Distributed Feedback Semiconductor Laser Based on Reconstruction-Equivalent-Chirp Technology and the Manufacture Method of the Same

Номер патента: US20090010295A1. Автор: Xiangfei Chen. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2009-01-08.

Semiconductor laser module

Номер патента: CA2779062C. Автор: Akira Nakamura,Motoaki Tamaya,Chise Nanba. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-10-13.

Semiconductor laser module and method for forming semiconductor laser module

Номер патента: US6836497B1. Автор: Masami Hatori. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-28.

Multi-wavelength semiconductor laser device

Номер патента: GB2470984A. Автор: Yuji Okura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-12-15.

Semiconductor-laser-pumped, solid-state laser

Номер патента: US5257277A. Автор: Takashi Yamamoto,Shigenori Yagi,Mayumi Fujimura,Toyohiro Uchiumi,Akira Ishimori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-10-26.

Semiconductor laser element, integrated semiconductor laser element, and method for producing semiconductor laser element

Номер патента: US9509121B2. Автор: Go Kobayashi. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Gain-coupled semiconductor laser device lowering blue shift

Номер патента: EP1363368A3. Автор: Ekawa Mitsuru. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-06.

Wafer-level etched facet for perpendicular coupling of light from a semiconductor laser device

Номер патента: US11901692B2. Автор: Stephen B. Krasulick,John Zyskind,Majid Sodagar,Murtaza Askari. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor laser device capable of suppressing leakage current in light emitting end surface and method for manufacturing the same

Номер патента: US20030091079A1. Автор: Makoto Yokota. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Wafer-level etched facet for perpendicular coupling of light from a semiconductor laser device

Номер патента: US20220166183A1. Автор: Stephen B. Krasulick,John Zyskind,Majid Sodagar,Murtaza Askari. Владелец: Skorpios Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Integrated semiconductor laser element, semiconductor laser module, and optical transmission system

Номер патента: US20120128375A1. Автор: Tatsuya Kimoto,Toshikazu Mukaihara. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor laser device protection circuit, optical pickup apparatus, and information recording/reproducing apparatus

Номер патента: US20090109831A1. Автор: Hirofumi Suzuki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-04-30.

Protection circuit for semiconductor laser device

Номер патента: US6894880B2. Автор: Atsushi Chida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-05-17.

Semiconductor laser light source and solid-state laser apparatus

Номер патента: CA2233473C. Автор: Yasuo Oeda,Kouichi Igarashi,Kiyofumi Muro. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2001-09-25.

Fabrication of cleaved semiconductor lasers

Номер патента: CA1201520A. Автор: Paul A. Kohl,Charles A. Burrus, Jr.,Tien P. Lee,Frederick W. Ostermayer, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1986-03-04.

Semiconductor laser mount

Номер патента: US4802177A. Автор: Hiromi Ishikawa,Kazuo Horikawa,Kenichi Yamagishi. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1989-01-31.

Semiconductor laser device

Номер патента: US5825794A. Автор: Shoji Kitamura,Yoichi Shindo,Koji Nemoto,Shinji Ogino,Naokazu Sakamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-10-20.

Light source arrangement having a plurality of semiconductor laser light sources

Номер патента: US9822935B2. Автор: Martin Daniels. Владелец: OSRAM GMBH. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor laser, operating method for a semiconductor laser, and method for determining the optimum fill factor of a semiconductor laser

Номер патента: US11942763B2. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Bernhard Stojetz,Muhammad Ali. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-03-26.

Cooling module for laser, fabricating method thereof, and semiconductor laser fabricated from the module

Номер патента: US20140204968A1. Автор: Xingsheng Liu. Владелец: Xian Focuslight Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Wavelength-controlled semiconductor laser device

Номер патента: EP2327128A2. Автор: Mark Carpaij,Alexander M. Van Der Lee,Holger M. Moench,Philipp G. Gerlach. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2011-06-01.

Method for assembling array-type semiconductor laser device

Номер патента: US20090042327A1. Автор: Shinichi Nakatsuka. Владелец: Ricoh Printing Systems Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20030231672A1. Автор: Satoshi Komoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-12-18.

Semiconductor laser chip and method for fabricating a semiconductor laser chip

Номер патента: US6836500B2. Автор: Bernd Borchert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-28.

Method to drive semiconductor laser diode and method to assemble optical transceiver implemented with the same

Номер патента: US20130272331A1. Автор: Kentaro Kitagawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2013-10-17.

A semiconductor laser diode bar assembly

Номер патента: WO1999017411A1. Автор: Peter Hutchinson Hall. Владелец: Gec-Marconi Avionics (Holdings) Ltd. Дата публикации: 1999-04-08.

Vertical-cavity surface-emitting semiconductor laser diode with the mode filter

Номер патента: US20230116144A1. Автор: Yu-Chung Chin,Chao-Hsing Huang,Van-Truoung Dai,Van-Chien Nguyen. Владелец: Visual Photonics Expitaxy Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-13.

Method for forming a coating film on a facet of a semiconductor laser diode

Номер патента: US20080089377A1. Автор: Chie Fukuda,Hiroyuki Ichikawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US20230246420A1. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor laser diode with advanced window structure

Номер патента: EP1903646A3. Автор: Matthew Glenn Peters,Victor Rossin,Erik Paul Zucker. Владелец: JDS Uniphase Corp. Дата публикации: 2009-09-09.

Method of manufacturing semiconductor lasers

Номер патента: US8936951B2. Автор: Sang Hoon Kim,Gyungock Kim,In Gyoo Kim,Ki Seok Jang,JiHo JOO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-01-20.

Semiconductor laser element

Номер патента: US20160020581A1. Автор: Susumu Noda,Akiyoshi Watanabe,Takahiro Sugiyama,Yoshitaka Kurosaka,Kazuyoshi Hirose. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2016-01-21.

Surface-emitting semiconductor laser

Номер патента: US12068581B2. Автор: Yoshiaki Watanabe,Takayuki Kawasumi. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Monolithically integrated tunable semiconductor laser

Номер патента: WO2013030550A3. Автор: Andrew Ward,Sam Davies,Neil David Whitbread. Владелец: OCLARO TECHNOLOGY LTD. Дата публикации: 2013-04-25.

Driver circuit and method for a semiconductor laser

Номер патента: WO2024151859A1. Автор: Jon C. Zeisler. Владелец: STREAMLIGHT, INC.. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor laser with integral spatial mode filter

Номер патента: US5703897A. Автор: Donald R. Scifres,David F. Welch,David G. Mehuys. Владелец: SDL Inc. Дата публикации: 1997-12-30.

Method for assembling a semiconductor laser module

Номер патента: US20070287210A1. Автор: Toshiaki Kihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Improved semiconductor laser

Номер патента: EP1104945A3. Автор: Hiroyuki Yamazaki. Владелец: NEC Compound Semiconductor Devices Ltd. Дата публикации: 2004-11-17.

Semiconductor laser device equipped with a silicon heat sink

Номер патента: US4092614A. Автор: Isamu Sakuma,Katsuhiko Nishida,Toshio Uji,Yasuo Nannichi,Hiroo Yonezu,Masayasu Ueno,Izuo Hayashi,Taibun Kamejima,Tonao Yuasa. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1978-05-30.

Semiconductor laser device

Номер патента: US7397830B2. Автор: Takatoshi Yukimasa,Makoto Ichinose,Kenzo Ishibashi,Katsumi Gotoh. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-08.

Submount for semiconductor laser device

Номер патента: US5016083A. Автор: Mitsuo Ishii,Hidenori Nishihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-05-14.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20030133480A1. Автор: Hiroyasu Torazawa. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor laser module and semiconductor laser

Номер патента: EP4235987A1. Автор: Ning Li,Ziwei Wang,Huixuan HU,Mengdi WU,Kunzhong LU,Dapeng Yan. Владелец: Wuhan Raycus Fiber Laser Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-30.

Semiconductor laser element and semiconductor laser element array

Номер патента: EP1796233A4. Автор: You Wang,Akiyoshi Watanabe,Hirofumi Kan,Hirofumi Miyajima. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2009-03-25.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20230170666A1. Автор: Hideo Yamaguchi,Masaharu Fukakusa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor laser with a lattice structure

Номер патента: US20040072379A1. Автор: Alfred Forchel,Martin Kamp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-15.

Semiconductor laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140105235A1. Автор: Sang Hoon Kim,Gyungock Kim,In Gyoo Kim,Ki Seok Jang,JiHo JOO. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2014-04-17.

Optically assisted magnetic recording device with semiconductor laser, optically assisted magnetic recording head and magnetic disk device

Номер патента: US20090129213A1. Автор: Kiichi Ueyanagi. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Method of frequency-pulse modulation of a semiconductor laser source of optical radiation for optical interferometric sensors

Номер патента: RU2646420C1. Автор: Артем Сергеевич Алейник,Михаил Викторович Мехреньгин,Михаил Юрьевич Плотников,Александр Юрьевич Киреенков. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-03-05.

Semiconductor laser drive circuit with peak detection and control

Номер патента: US4701609A. Автор: Kenji Koishi,Tamotsu Matsuo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1987-10-20.

Semiconductor laser module

Номер патента: EP1087477A2. Автор: Yutaka The Furukawa Electric Co. Ltd. Ohki,Takeharu The Furukawa Electric Co. Ltd Yamaguchi,Yuichiro The Furukawa Electric Co. Ltd. IRIE. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-03-28.

Semiconductor laser including ridge confining buffer layer

Номер патента: US5426658A. Автор: Hitoshi Tada,Tetsuo Shiba,Norio Hayafuji,Nobuaki Kaneno,Hirotaka Kizuki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-06-20.

Semiconductor laser apparatus for optical head

Номер патента: CA1277406C. Автор: Yoshiyuki Matsumoto,You Yoshitoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1990-12-04.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20160352075A1. Автор: Masayuki Iwami,Takuya Ishikawa,Norihiro Iwai,Akihiko Kasukawa,Hirotatsu Ishii,Yasumasa Kawakita,Takeyoshi Matsuda,Eisaku KAJI. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts

Номер патента: US11870214B2. Автор: Jörg Erich SORG,Herbert Brunner,Frank Singer,Harald KÖNIG,Alfred Lell,Roland Hüttinger,Karsten Auen,Florian Peskoller,Roland Schulz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor laser device having a lens-like refractive index distribution within the stripe

Номер патента: US4872175A. Автор: Takashi Kajimura,Shinichi Nakatsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1989-10-03.

Semiconductor laser beam combining device

Номер патента: US11784465B2. Автор: Qian Zhang,Quan Zhou,Dashan Li,Yaping Zhao. Владелец: II VI Suwtech Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor laser shaping device

Номер патента: US20210255467A1. Автор: Huaping Zhang,Shaofeng Zhang,Guanglei Ding,Jianyang Yang,Haocheng Hu,Yawei Yan,Renliang Wan. Владелец: Fujian Haichuang Photoelectric Co ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts

Номер патента: US20240088622A1. Автор: Jörg Erich SORG,Herbert Brunner,Frank Singer,Harald KÖNIG,Alfred Lell,Roland Hüttinger,Karsten Auen,Florian Peskoller,Roland Schulz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor laser and method of production for optoelectronic semiconductor parts

Номер патента: US20230068945A1. Автор: Jörg Erich SORG,Herbert Brunner,Frank Singer,Harald KÖNIG,Alfred Lell,Roland Hüttinger,Karsten Auen,Florian Peskoller,Roland Schulz. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-03-02.

Automatic power control of a semiconductor laser array

Номер патента: US6115398A. Автор: Wenbin Jiang. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2000-09-05.

Semiconductor laser and optical pickup with the same

Номер патента: US6122304A. Автор: Minoru Ohyama. Владелец: Victor Company of Japan Ltd. Дата публикации: 2000-09-19.

Wavelength control in semiconductor lasers

Номер патента: US7483458B2. Автор: Jacques Gollier,Daniel Ohen Ricketts,Vikram Bhatia,Martin H. Hu,David A. Loeber,Chung-En Zah. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-01-27.

Semiconductor laser including a reflection film

Номер патента: US4914668A. Автор: Kenji Ikeda,Yoichiro Ota,Yutaka Mihashi,Yutaka Nagai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1990-04-03.

Driving apparatus for semiconductor laser and method for controlling driving of semiconductor laser

Номер патента: US6104736A. Автор: Kweon Kim. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Apparatus for driving a semiconductor laser device

Номер патента: US4912714A. Автор: Takashi Ohno,Kazuomi Hatanaka,Kenji Ogou. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1990-03-27.

Semiconductor laser optical integrated semiconductor device

Номер патента: US20090201964A1. Автор: Takashi Kato. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Control system for a semiconductor laser

Номер патента: WO2004093271A2. Автор: Robert L. Thornton. Владелец: Thornton Robert L. Дата публикации: 2004-10-28.

Fiber extended, semiconductor laser

Номер патента: WO2004093270A3. Автор: Robert L Thornton. Владелец: Robert L Thornton. Дата публикации: 2005-01-06.

Semiconductor laser module

Номер патента: EP1363147A3. Автор: Masahiko c/o Nec Corporation Namiwaka,Masahiro c/o NEC Corporation Kanda. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-02-18.

Optical Interference Light Source Device of Current-Temperature Controlled Semiconductor Laser and Measurement System Including the Same

Номер патента: US20200313388A1. Автор: Haochuan Zhang,Shengli Xie,Kan Xie,Yanzhou Zhou. Владелец: Duangdong University Of Technology. Дата публикации: 2020-10-01.

Alignment method in wavelength-converted, wavelength-modulated semiconductor lasers

Номер патента: EP2179481A1. Автор: Jacques Gollier,Dragan Pikula,Etienne Almoric,Vikram Bhatia,Daniel O Ricketts. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-04-28.

Alignment method in wavelength-converted, wavelength-modulated semiconductor lasers

Номер патента: WO2009014662A1. Автор: Jacques Gollier,Dragan Pikula,Etienne Almoric,Vikram Bhatia,Daniel O. Ricketts. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor laser modulation control system

Номер патента: CA1281075C. Автор: Hiroshi Nishimoto,Naoki Kuwata,Tadashi Okiyama,Yasunari Arai,Takashi Touge. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-03-05.

Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser

Номер патента: EP1125350B2. Автор: Luis A. Spinelli,Juan L. Chilla,Andrea Caprara. Владелец: Coherent Inc. Дата публикации: 2008-12-03.

Method of manufacturing masked semiconductor laser

Номер патента: US4840922A. Автор: Hiroshi Kobayashi,Makoto Harigaya,Hideaki Ema,Haruhiko Machida,Yasushi Ide,Jun Akedo. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-06-20.

Method and apparatus for stabilizing the spectral characteristics of a semiconductor laser diode

Номер патента: CA1277701C. Автор: Bruce A. Richardson. Владелец: Bell Northern Research Ltd. Дата публикации: 1990-12-11.

Intracavity frequency-converted optically-pumped semiconductor laser

Номер патента: US6167068A. Автор: Luis A. Spinelli,Juan L. Chilla,Andrea Caprara. Владелец: Coherent Inc. Дата публикации: 2000-12-26.

Semiconductor laser with conductive current mask

Номер патента: CA1194971A. Автор: Larry A. Coldren. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1985-10-08.

Continuous-wave organic thin-film distributed feedback laser and electrically driven organic semiconductor laser diode

Номер патента: US11909177B2. Автор: Chihaya Adachi,Toshinori Matsushima,Sangarange Don Atula SANDANAYAKA,Fatima BENCHEIKH,Kenichi Goushi,Jean-Charles RIBIERRE,Takashi Fujihara,Kou Yoshida. Владелец: Koala Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor laser, semiconductor laser set and display device

Номер патента: US10429664B2. Автор: Shinichi Komura,Toshihiko FUKUMA,Ken Onoda,Youichi ASAKAWA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2019-10-01.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20110228034A1. Автор: Hiroaki Kyogoku. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US8559476B2. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-15.

Jig for Can-Package Semiconductor Laser

Номер патента: US20150349489A1. Автор: Kenichi Tamura,Yoshinori Sunaga. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor laser, semiconductor laser set and display device

Номер патента: US20180329224A1. Автор: Shinichi Komura,Toshihiko FUKUMA,Ken Onoda,Youichi ASAKAWA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Signs-of-deterioration detector for semiconductor laser

Номер патента: US20130056621A1. Автор: Takeshi Uchida,Takako Suga. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-03-07.

Folded adjustable optical path in a frequency doubled semiconductor laser

Номер патента: EP2288950A1. Автор: Jacques Gollier,Etienne Almoric,Garrett A. Piech,Lawrence C. Hughes, Jr.. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2011-03-02.

Folded adjustable optical path in a frequency doubled semiconductor laser

Номер патента: WO2009151559A1. Автор: Jacques Gollier,Etienne Almoric,Garrett A. Piech,Lawrence C. Hughes, Jr.. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2009-12-17.

Semiconductor Laser Using External Resonator

Номер патента: US20110211602A1. Автор: Jeong Soo Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-01.

Method of and apparatus for controlling wavelength variable semiconductor laser without preparing a high-precision current table

Номер патента: US20040008743A1. Автор: Tetsuya Nishimura,Yoshihito Hirano,Mitsunobu Gotoda,Masao Imaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-15.

Edge-emitting semiconductor laser with high thermal conductivity and low reflection front mirror surface

Номер патента: US20230387656A1. Автор: Jung Min Hwang,Chen Yu Chiang. Владелец: Arima Lasers Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Continuous-wave organic thin-film distributed feedback laser and electrically driven organic semiconductor laser diode

Номер патента: US12015248B2. Автор: Chihaya Adachi,Toshinori Matsushima,Sangarange Don Atula SANDANAYAKA,Fatima BENCHEIKH,Kenichi Goushi,Jean-Charles RIBIERRE,Takashi Fujihara,Kou Yoshida. Владелец: Koala Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

High-power external-cavity optically-pumped semiconductor lasers

Номер патента: US20020024987A1. Автор: Andrea Caprara,Luis Spinelli,Juan Chilla. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-28.

Heat sink material, manufacturing method for the same, and semiconductor laser device

Номер патента: CA2560410C. Автор: Takashi Ishii,Hideaki Morigami. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Semiconductor laser element, method of manufacturing semiconductor laser element, and laser diode module

Номер патента: US5852624A. Автор: Chisato Furukawa,Takayuki Matsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-12-22.

Semiconductor laser bonding technique

Номер патента: CA1152231A. Автор: Tibor F. I. Kovats,Tibor F. Devenyi,Christopher Michael Look. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1983-08-16.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20220224071A1. Автор: Masaaki Shimada,Tadashi Takase,Ayumi FUCHIDA,Naoki Kosaka,Go Sakaino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-07-14.

Method of producing a semiconductor laser and semiconductor laser

Номер патента: US11935755B2. Автор: Alfred Lell,Sven GERHARD,Muhammad Ali,Georg Brüderl,John Bruckner,Thomas Adlhoch. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor laser device

Номер патента: US11973312B2. Автор: Masaaki Shimada,Tadashi Takase,Ayumi FUCHIDA,Naoki Kosaka,Go Sakaino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor laser module and laser machining apparatus

Номер патента: US20240128711A1. Автор: Yuki Okamoto,Daisuke Morita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Surface emitting semiconductor laser and method of manufacture thereof

Номер патента: EP2550711A1. Автор: Hans Zogg,Mohamed Rahim,Ferdinand Felder,Matthias Fill,Martin Arnild. Владелец: Eidgenoessische Technische Hochschule Zurich ETHZ. Дата публикации: 2013-01-30.

Optical amplifier using semiconductor laser as multiplexer

Номер патента: US5235604A. Автор: Koyu Chinen. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-10.

Resonating cavity system for broadly tunable multi-wavelength semiconductor lasers

Номер патента: US6687275B2. Автор: Ching-Fuh Lin. Владелец: Arima Optoelectronics Corp. Дата публикации: 2004-02-03.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US4998256A. Автор: Mitsuko Nakamura,Shigeru Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1991-03-05.

Apparatus and method for adjusting the optical axis of a semiconductor laser apparatus

Номер патента: US5408493A. Автор: Naofumi Aoki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1995-04-18.

Semiconductor lasers

Номер патента: EP4309252A1. Автор: Yifan Jiang,Lihua Hu,Malcolm R. Green,Wolfgang PARZ. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-01-24.

Two-section semiconductor laser with modulation-independent grating section to reduce chirp

Номер патента: EP3243249A1. Автор: Jun Zheng,Stefan J. Murry,Klaus Alexander Anselm,Huanlin Zhang,Dion McIntosh-Dorsey. Владелец: Applied Optoelectronics Inc. Дата публикации: 2017-11-15.

Two-section semiconductor laser with modulation-independent grating section to reduce chirp

Номер патента: WO2016112087A1. Автор: Jun Zheng,Stefan J. Murry,Dion McIntosh-Dorsey,Klaus Alexander ANSELM,Huanlin ZHANG. Владелец: APPLIED OPTOELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2016-07-14.

Electronic driver circuit for directly modulated semiconductor lasers

Номер патента: US20040081212A1. Автор: Karl SCHRÖDINGER. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Semiconductor laser, surface emitting semiconductor laser, semiconductor laser module, and non-linear optical device

Номер патента: US20120320447A1. Автор: Norihiro Iwai,Hirotatsu Ishii,Shinya Ootomo,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor lasers

Номер патента: WO2022197646A1. Автор: Yifan Jiang,Lihua Hu,Malcolm R. Green,Wolfgang PARZ. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor laser chip and preperation method therefor

Номер патента: US20220059986A1. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Laser Institute. Дата публикации: 2022-02-24.

High-powered semiconductor laser array apparatus

Номер патента: EP1146617A3. Автор: Kunio Ito,Seiichiro Tamai,Masaru Kazumura,Masaaki Yuri,Toru Takayama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-23.

Laser device, laser system, and extreme ultraviolet light generation apparatus

Номер патента: EP2542936A1. Автор: Osamu Wakabayashi,Masato Moriya,Krzysztof Nowak. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2013-01-09.

Tapered semiconductor laser gain structure with cavity spoiling grooves

Номер патента: CA2128204C. Автор: Christine A. Wang,Stephen R. Chinn,James N. Walpole,Emily S. Kintzer,Leo J. Missaggia. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2002-11-26.

Semiconductor laser array

Номер патента: US4799229A. Автор: Toshitami Hara,Sotomitsu Ikeda,Seiichi Miyazawa,Mitsutoshi Hasegawa,Yoshinobu Sekiguchi,Hidetoshi Nojiri. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1989-01-17.

Method of packaging a semiconductor laser and photosensitive semiconductor device

Номер патента: US4877756A. Автор: Isamu Yamamoto,Jiro Fukushima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-10-31.

Excessive current input suppressing semiconductor laser light emitting circuit

Номер патента: US20080225916A1. Автор: Junichi Ikeda,Hiroaki Kyougoku. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Radiant beam combining of multiple multimode semiconductor laser diodes for directional laser beam delivery applications

Номер патента: US11973319B2. Автор: Augustinas VIZBARAS,Kristijonas Vizbaras,Edgaras Dvinelis. Владелец: Uab Brolis Semiconductors. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor laser, electronic device and method of manufacturing a semiconductor laser

Номер патента: WO2023224546A1. Автор: Feng Zhao,Qing Wang,Jean Francois Seurin,Baiming Guo,Wei Ting Chen,Amtout ABDENOUR. Владелец: Ams-Osram Asia Pacific Pte. Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor laser assembly and packaging system

Номер патента: US20140322840A1. Автор: David M. Bean,John J. Callahan. Владелец: SEMINEX CORP. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor Laser and Method of Producing a Semiconductor Laser

Номер патента: US20240022044A1. Автор: Peter Fuchs,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Bruno Jentzsch. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor laser device

Номер патента: US20140177659A1. Автор: Jan-Olof Wesstrom,Urban Eriksson,Edgard Goobar. Владелец: FINISAR SWEDEN AB. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor laser and fabrication method therefor

Номер патента: US20220247147A1. Автор: Chao-Chen Cheng,Anh Chuong Tran. Владелец: Shenzhen Lighting Institute. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor laser module and optical transmission apparatus using the semiconductor laser module

Номер патента: US7593448B2. Автор: Junji Yoshida,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-22.

Semiconductor laser module and optical transmission apparatus using the semiconductor laser module

Номер патента: US20050249259A1. Автор: Junji Yoshida,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-10.

Multiple-cavity semiconductor laser capable of generating ultrashort light pulse train with ultrahigh repetition rate

Номер патента: US5586138A. Автор: Hiroyuki Yokoyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-12-17.

Surface light emitting semiconductor laser element

Номер патента: US10578819B2. Автор: Yoshinori Yamauchi,Yoshiyuki Tanaka,Yoshiaki Watanabe,Hironobu Narui,Yuichi Kuromizu. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-03-03.

Distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US4648096A. Автор: Kazuo Sakai,Yuichi Matsushima,Shigeyuki Akiba,Katsuyuki Utaka. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1987-03-03.

Method of characterizing bistable semiconductor lasers

Номер патента: US5007735A. Автор: Riccardo Calvani,Renato Caponi. Владелец: CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA. Дата публикации: 1991-04-16.

Fiber-grating semiconductor laser with tunability

Номер патента: US20030108079A1. Автор: Je Ha Kim,Hyun-Woo Song. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2003-06-12.

Semiconductor laser light source module, semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20220109285A1. Автор: Hitoshi Yamada,Yoshiaki Hoashi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor laser diode with integrated heating region

Номер патента: WO2016054143A1. Автор: Jun Zheng,Klaus Alexander Anselm,Hung-Lun Chang,Huanlin Zhang. Владелец: APPLIED OPTOELECTRONICS, INC.. Дата публикации: 2016-04-07.

High power semiconductor laser system

Номер патента: US5394492A. Автор: Cherng J. Hwang. Владелец: Applied Optronics Corp. Дата публикации: 1995-02-28.

Method of characterizing bistable semiconductor lasers

Номер патента: CA1321484C. Автор: Riccardo Calvani,Renato Caponi. Владелец: CSELT Centro Studi e Laboratori Telecomunicazioni SpA. Дата публикации: 1993-08-24.

Semiconductor laser element with excellent high-temperature characteristic and capable of being readily mounted on an optical circuit board

Номер патента: US5511089A. Автор: Hirohito Yamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-04-23.

Focusing optical system for semiconductor lasers

Номер патента: US5465178A. Автор: Koji Ishikawa,Tsuyoshi Sato,Sadao Nakai,Kimiaki Yamamoto,Masanobu Yamanaka,Mikihiko Terashima. Владелец: Kimnon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-11-07.

Semiconductor laser control device

Номер патента: US5138623A. Автор: Hidetoshi Ema,Masaaki Ishida. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1992-08-11.

Semiconductor laser package including a lead frame and plastic resin housing

Номер патента: US5939773A. Автор: Michael S. Lebby,Wenbin Jiang,Craig A. Gaw. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-08-17.

Method of stabilizing the frequency of semiconductor laser and apparatus therefor

Номер патента: CA2012262C. Автор: Shoichi Sudo,Yoshihisa Sakai,Itaru Yokohama,Kenichi Kubodera,Yuzo Yoshikuni,Hiroshi Yasaka,Tetsuhiko Ikegami. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1997-02-11.

Method of manufacturing masked semiconductor laser

Номер патента: US4855256A. Автор: Hiroshi Kobayashi,Haruhiko Machida,Yasushi Ide,Jun Akedo,Makoko Harigaya. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1989-08-08.

Distributed feedback semiconductor laser

Номер патента: US4633474A. Автор: Kazuo Sakai,Yuichi Matsushima,Shigeyuki Akiba,Katsuyuki Utaka. Владелец: Kokusai Denshin Denwa KK. Дата публикации: 1986-12-30.

Semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20180054038A1. Автор: Jeong-Soo Kim. Владелец: Phovel Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor laser device and projection device

Номер патента: WO2022223365A3. Автор: Hubert Halbritter,Ann RUSSELL. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-12-08.

Tunable semiconductor laser light source

Номер патента: US6295306B1. Автор: Keisuke Asami. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-25.

Semiconductor laser module

Номер патента: US20060140555A1. Автор: Junichi Matsuno,Koji Doi,Keiji Kataoka,Yasuyuki Shibayama,Susumu Monma. Владелец: Ricoh Printing Systems Ltd. Дата публикации: 2006-06-29.

Semiconductor Laser Module and Method for Controlling the Same

Номер патента: US20070242712A1. Автор: Tomoyuki Funada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2007-10-18.

Laser oscillation amplifier comprising semiconductor laser shaping device

Номер патента: US20230253752A1. Автор: Huaping Zhang,Shaofeng Zhang,Xingduan Huang,Guanglei Ding,Jianyang Yang,Haocheng Hu,Chengkai Ding,Jiwu Ling. Владелец: Fujian Hitronics Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

High kappa semiconductor lasers

Номер патента: EP4295453A1. Автор: Malcolm R. Green. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2023-12-27.

High kappa semiconductor lasers

Номер патента: WO2022177847A1. Автор: Malcolm R. Green. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings, Inc.. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US7372884B2. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-05-13.

Semiconductor laser driving circuit, light emitting device, and disk drive

Номер патента: US20090323745A1. Автор: Toshio Nishida,Sho Maruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-12-31.

Two-section complex coupled distributed feedback semiconductor laser with enhanced wavelength tuning range

Номер патента: US5936994A. Автор: Jin Hong,Hyung B. Kim,Toshi Makino. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1999-08-10.

Article comprising a wavelength-stabilized semiconductor laser

Номер патента: US5299212A. Автор: Sheryl L. Woodward,Thomas L. Koch. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1994-03-29.

Seminconductor laser and method for producing a semiconductor laser

Номер патента: US20220013979A1. Автор: Peter Jander. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor laser

Номер патента: US20210281041A1. Автор: Jörg Erich SORG,Frank Singer,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-09.

Variable wavelength semiconductor laser element, method for fabricating the same and gas detector employing it

Номер патента: EP1737089B1. Автор: Hiroshi Mori. Владелец: Anritsu Corp. Дата публикации: 2011-12-21.

Semiconductor laser

Номер патента: US11749959B2. Автор: Jörg Erich SORG,Frank Singer,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2023-09-05.

System and method for modulating a semiconductor laser

Номер патента: US20060159139A1. Автор: Nobuhiko Nishiyama,Chung-En Zah,Martin Hu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2006-07-20.

Semiconductor laser

Номер патента: US20240030677A1. Автор: Jörg Erich SORG,Frank Singer,Christoph KOLLER. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-01-25.

Semiconductor laser and method of fabricating the same

Номер патента: US20150146755A1. Автор: Sang Hoon Kim,Gyungock Kim,In Gyoo Kim,Ki Seok Jang,Jaegyu PARK. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-05-28.

Surface-emitting semiconductor laser device

Номер патента: US4847844A. Автор: Keisuke Kojima,Susumu Noda,Kazuo Kyuma. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1989-07-11.

Narrow linewidth semiconductor laser

Номер патента: US20230411929A1. Автор: Georgios Margaritis. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-21.

Tunable semiconductor laser having cavity with ring resonator mirror and mach-zehnder interferometer

Номер патента: US20020085609A1. Автор: Alexander Ksendzov,Randy May. Владелец: Tunable Photonics Corp. Дата публикации: 2002-07-04.

Optic coupler with semiconductor laser

Номер патента: RU2752615C1. Автор: Игорь Григорьевич Кирин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Оренбургский государственный университет». Дата публикации: 2021-07-29.

Optical head with semiconductor laser

Номер патента: US5406543A. Автор: Takeshi Yamazaki,Masato Miyata,Shohei Kobayashi. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1995-04-11.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US20170219951A1. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Method for evenly coating semiconductor laser end faces and frame used in the method

Номер патента: US20020076943A1. Автор: Masayuki Ohta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor laser drive control apparatus

Номер патента: US20090129416A1. Автор: Tsuyoshi Moriyama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Semiconductor laser driver and image forming apparatus incorporating same

Номер патента: US9983503B2. Автор: Tomohiko Kamatani. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor laser based sensing device

Номер патента: NZ511043A. Автор: Valentin Morozov,Chong Chang Mao,John K Korah,Kristina M Ohnson. Владелец: Univ Technology Corp. Дата публикации: 2003-12-19.

Scanning optical device including first semiconductor laser, second semiconductor laser, first optical sensor, and second optical sensor which are mounted on circuit board

Номер патента: US20240168402A1. Автор: Koji Abe,Junichi Yokoi. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor laser control method and semiconductor laser control device

Номер патента: US20020070329A1. Автор: Kenji Koishi,Makoto Usui,Yasuhiro Ueki,Tomonori Ueno,Yutaka Osada,Toru Fujimoto,Kohjyu Konno,Yoshiyuki Miyabata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor laser and optical system having a collimator lens

Номер патента: US20020008893A1. Автор: Naotaro Nakata,Akihisa Yoshida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-24.

Gyro employing semiconductor laser

Номер патента: US7835008B2. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2010-11-16.

Gyro Employing Semiconductor Laser

Номер патента: US20080037027A1. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2008-02-14.

Gyro employing semiconductor laser

Номер патента: EP1724552B1. Автор: Takahisa Harayama,Takehiro Fukushima. Владелец: ATR Advanced Telecommunications Research Institute International. Дата публикации: 2012-05-09.

Semiconductor laser light source device and optical pickup device

Номер патента: US20050047315A1. Автор: Yuichi Atarashi. Владелец: Konica Minolta Opto Inc. Дата публикации: 2005-03-03.

Dual wavelength semiconductor laser source for optical pickup

Номер патента: US6941046B2. Автор: Susumu Koike,Kenichi Matsuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-06.

Dual wavelength semiconductor laser source for optical pickup

Номер патента: US20030142897A1. Автор: Susumu Koike,Kenichi Matsuda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-31.

Coherent lidar system based on semiconductor laser and amplifier

Номер патента: RU2484500C2. Автор: Христиан ПЕДЕРСЕН,Рене Сков ХАНСЕН. Владелец: Данмаркс Текниске Университет. Дата публикации: 2013-06-10.

Semiconductor laser module and manufacturing method therefor

Номер патента: US20110317735A1. Автор: Jun Miyokawa. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Optical disk device and luminescent power control method for semiconductor laser

Номер патента: US20030099174A1. Автор: Hisataka Sugiyama,Masataka Ota,Masanori Matsuzaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-05-29.

Sensor detecting attenuated total reflection angle by using semiconductor laser unit driven with driving current on which high frequency component is superimposed

Номер патента: US20020109846A1. Автор: Masayuki Naya. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Semiconductor laser treatment unit

Номер патента: CA1284186C. Автор: Toshio Ohshiro,Tokuharu Hayashi. Владелец: MEDICAL LASER RESEARCH Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-14.

Dual beam laser device for linear and planar alignment

Номер патента: US6034763A. Автор: David M. Kramer,Dan Slater. Владелец: Nearfield Systems Inc. Дата публикации: 2000-03-07.

Semiconductor laser module

Номер патента: US5584569A. Автор: Chaochi Huang. Владелец: Quarton Inc. Дата публикации: 1996-12-17.

Semiconductor laser module

Номер патента: US5751877A. Автор: Tetsuo Ishizaka,Manabu Komiyama,Noboru Sonetsuji,Toshio Ohya,Shunichi Satoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1998-05-12.

Semiconductor laser device and optical pickup apparatus

Номер патента: US20020064107A1. Автор: Hiroki Uemura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Multi-beam measuring device for 3d scanning of an environment having multiple semiconductor laser arrays and uniform beam distribution

Номер патента: EP3816661A2. Автор: Jürg Hinderling,Simon Bestler,Rainer Wohlgenannt. Владелец: HEXAGON TECHNOLOGY CENTER GMBH. Дата публикации: 2021-05-05.

Multi-beam measuring device for 3d scanning of an environment having multiple semiconductor laser arrays and uniform beam distribution

Номер патента: EP3816661A3. Автор: Jürg Hinderling,Simon Bestler,Rainer Wohlgenannt. Владелец: HEXAGON TECHNOLOGY CENTER GMBH. Дата публикации: 2021-09-29.

Semiconductor laser device and optical pickup apparatus

Номер патента: US6873581B2. Автор: Hiroki Uemura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-29.

Method for coupling semiconductor laser with optical fiber

Номер патента: US5087109A. Автор: Osamu Kato,Satoshi Ishizuka,Kazuro Toda. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1992-02-11.

Optical head using semiconductor laser array as light source

Номер патента: US5289313A. Автор: Kazuhiko Matsuoka. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 1994-02-22.

Optoelectronic device having a coupling comprising a lens and arranged between an optical transmission fiber and a semiconductor laser diode

Номер патента: US5107537A. Автор: Jan W. Kokkelink,Cornelis G. Schriks,Hermanus A. van de Pas,Hendricus F. J. J. van Tongeren. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1992-04-21.

High power semiconductor laser diode

Номер патента: US20040215176A1. Автор: Jong-Yoon Bahk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor laser driving apparatus and laser scanner

Номер патента: US20020180862A1. Автор: Tadaaki Suda. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Method of making semiconductor laser device

Номер патента: CA2103716C. Автор: Hitoshi Kagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-12-12.

Semiconductor laser (versions)

Номер патента: RU2529450C2. Автор: Борис Николаевич Звонков,Александр Алексеевич Дубинов,Владимир Яковлевич Алешкин,Сергей Михайлович Некоркин,Михаил Николаевич Колесников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики микроструктур Российской академии наук (ИФМ РАН). Дата публикации: 2014-09-27.

Semiconductor laser unit and its manufacturing process

Номер патента: RU2262171C2. Автор: Хироаки МАТСУМУРА. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2005-10-10.

Semiconductor laser driver

Номер патента: RU2529053C1. Автор: Сергей Евгеньевич Александров,Геннадий Андреевич Гаврилов,Галина Юрьевна Сотникова,Александр Леонович Тер-Мартиросян. Владелец: Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы". Дата публикации: 2014-09-27.

Method of heat removal from heat dissipating electronic components on basis of use of semiconductor lasers

Номер патента: RU2562742C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Хаджимурат Магомедович Гаджиев,Татьяна Алексеевна Челушкина,Тимур Декартович Нежведилов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor laser

Номер патента: RU2153745C1. Автор: И.Д. Залевский,В.В. Безотосный. Владелец: Безотосный Виктор Владимирович. Дата публикации: 2000-07-27.

Method of determining amplitude of nanovibrations from spectrum of frequency-modulated semiconductor laser autodyne

Номер патента: RU2520945C1. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Анатолий Владимирович Скрипаль,Елисей Игоревич Астахов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Саратовский Государственный Университет Имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2014-06-27.

Semiconductor laser

Номер патента: RU2535649C1. Автор: Андрей Владимирович Крюков,Андрей Георгиевич Шаврин,Владимир Анатольевич Токарев,Борис Николаевич Звонков,Александр Алексеевич Дубинов,Владимир Яковлевич Алешкин,Сергей Михайлович Некоркин. Владелец: Федеральное Государственное унитарное предприятие "Российский Федеральный ядерный центр-Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики-ФГУП "РФЯЦ-ВНИИЭФ". Дата публикации: 2014-12-20.

Distributed feedback and distributed bragg reflector semiconductor lasers

Номер патента: SG139547A1. Автор: Chua Soo Jin,Teng Jinghua,DONG Jianrong. Владелец: Agency Science Tech & Res. Дата публикации: 2008-02-29.

Pulse amplifier suitable for use in the semiconductor laser driving device

Номер патента: CA1275149C. Автор: Kazuhiro Suzuki,Masakazu Mori,Takashi Tsuda,Kazuo Yamane,Yoshinori Ohkuma. Владелец: . Дата публикации: 1990-10-09.

Optically pumped semiconductor laser

Номер патента: RU2047935C1. Автор: А.А. Чельный. Владелец: Акционерное общество "Сигма-Плюс". Дата публикации: 1995-11-10.

Method for passivation and protection of resonator end faces of semiconductor lasers

Номер патента: RU2421856C1. Автор: Сергей Олегович Слипченко,Илья Сергеевич Тарасов,Никита Александрович Пихтин,Татьяна Андреевна Налет,Сергей Олегович Слипченко (RU),Илья Сергеевич Тарасов (RU),Никита Александрович Пихтин (RU),Татьяна Андреевна Налет (RU). Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Эльфолюм". Дата публикации: 2011-06-20.

Semiconductor laser gyroscope (versions)

Номер патента: RU2451906C1. Автор: Вячеслав Константинович Сахаров. Владелец: Закрытое акционерное общество "Центр волоконно-оптических систем передачи информации" (ЗАО "Центр ВОСПИ"). Дата публикации: 2012-05-27.

Medical laser device

Номер патента: RU2053815C1. Автор: В.В. Бутуханов,В.Р. Дубешко,В.М. Хулугуров,В.Т. Николаенко,Д.В. Иншаков. Владелец: Инновационный медицинский центр "Корпсан". Дата публикации: 1996-02-10.

Injection semiconductor laser

Номер патента: RU2110874C1. Автор: Д.М. Демидов,А.Л. Тер-Мартиросян,В.П. Чалый,А.П. Шкурко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Полупроводниковые приборы". Дата публикации: 1998-05-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.