Nitride semiconductor template and ultraviolet LED.

Nitride semiconductor template and ultraviolet LED

Номер патента: US09520527B1
Опубликовано: 13-12-2016
Автор(ы): Hideki Hirayama, Yoshikatsu Morishima
Принадлежит: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research, Tamura Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nitride semiconductor layer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09515146B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Iii-v nitride semiconductor device

Номер патента: US20170104074A1. Автор: Chia-Lung Tsai,Wei-Hung Kuo,Kun-Fong Lin,Suh-Fang Lin. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-04-13.

Three-dimensional semiconductor template for making high efficiency solar cells

Номер патента: US9590035B2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Trench Formation Method For Releasing A Thin-Film Substrate From A Reusable Semiconductor Template

Номер патента: US20100203711A1. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad Moslehi. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2010-08-12.

Trench Formation Method For Releasing A Thin-Film Substrate From A Reusable Semiconductor Template

Номер патента: MY162405A. Автор: Mehrdad Moslehi,David Xuan Qi Wang. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2017-06-15.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20150380495A1. Автор: Hikosaka Toshiki,Nunoue Shinya,Ono Hiroshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-12-31.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2376453C. Автор: Koji Tanizawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Photodiode and ultraviolet sensor

Номер патента: US09530909B2. Автор: Kazutaka Nakamura. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Releasing apparatus for separating a semiconductor substrate from a semiconductor template

Номер патента: US9397250B2. Автор: David Xuan-Qi Wang,Mehrdad M. Moslehi,Sam Tone Tor,Karl-Josef Kramer. Владелец: Solexel Inc. Дата публикации: 2016-07-19.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09865774B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nitride semiconductor structure, electronic device including the nitride semiconductor structure, light-emitting device including the nitride semiconductor structure, and method for producing the nitride semiconductor structure

Номер патента: US09627581B2. Автор: Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Methods of growing nitride semiconductors and methods of manufacturing nitride semiconductor substrates

Номер патента: US20150115280A1. Автор: Sung-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US09419160B2. Автор: Chih-Wei Hu,Yi-Jen Chan,Jung Hsuan. Владелец: Episil-Precision Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

P type nitride semiconductor layer doped with carbon and devices including the p type nitride semiconductor layer doped with carbon

Номер патента: US20140225153A1. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-14.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US9515219B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Nitride semiconductor element

Номер патента: US12020930B2. Автор: Kosuke Sato,Motoaki Iwaya. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Method of fabricating a P type nitride semiconductor layer doped with carbon

Номер патента: US09705287B2. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of producing nitride semiconductor emitting ultraviolet radiation element and nitride semiconductor emitting ultraviolet radiation element

Номер патента: RU2719339C1. Автор: Акира ХИРАНО,Йосуке НАГАСАВА,Сигефуса ТИТИБУ,Казунобу КОДЗИМА. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2020-04-17.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160247962A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09496453B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20160020346A1. Автор: Chih-Wei Hu,Yi-Jen Chan,Jung Hsuan. Владелец: Episil-Precision Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US8759851B2. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2529996C. Автор: Shuji Nakamura,Shinichi Nagahama,Masayuki Senoh. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor element, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9184242B2. Автор: Shinji Yamada,Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-10.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor element, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9472720B2. Автор: Shinji Yamada,Mitsuhiro Kushibe,Hiroshi Katsuno,Yasuo Ohba,Kei Kaneko,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

III-nitride semiconductor light-emitting device comprising barrier layers and well layers and method of producing the same

Номер патента: US11984535B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Substrate for nitride semiconductor device and production method thereof, and red light emitting semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US9455376B2. Автор: Atsushi Koizumi,Yasufumi Fujiwara,Yoshikazu Terai. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2016-09-27.

Method for Producing Group III Nitride Semiconductor, Seed Substrate and Group III Nitride Semiconductor Crystal

Номер патента: US20180097142A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190305520A1. Автор: Kohei Miyoshi,Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Structure for growth of nitride semiconductor layer, stacked structure, nitride-based semiconductor element, light source, and manufacturing method for same

Номер патента: US20140124816A1. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Toshiya Yokogawa,Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Production method for group III nitride semiconductor and group III nitride semiconductor

Номер патента: US09837494B2. Автор: Hiroshi Amano,Koji Okuno,Naoki Shibata,Takahide Oshio. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09312436B2. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Toshiyuki Oka,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-12.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US09673284B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20140103354A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-04-17.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US20120292593A1. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Nitride semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859465B2. Автор: Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Nitride semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09525105B2. Автор: Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-20.

Group iii element nitride semiconductor substrate and bonded substrate

Номер патента: US20240347674A1. Автор: Tomohiko Sugiyama,Ayumi Saito. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US09508804B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Nitride semiconductor device

Номер патента: RU2426197C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Джае Воонг ХАН. Владелец: Самсунг Лед Ко., Лтд.. Дата публикации: 2011-08-10.

Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element

Номер патента: US09502606B2. Автор: Akira Hirano,Cyril Pernot. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element

Номер патента: RU2561761C1. Автор: Акира ХИРАНО,Сирил ПЕРНО. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device and method of forming p-type nitride semiconductor layer

Номер патента: US20230326976A1. Автор: Yoichi Kawakami,Kunimichi Omae,Mitsuru Funato,Katsuhiro KISHIMOTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US09691940B2. Автор: Chih-Wei Hu,Jung Hsuan,Jin-Ji Dai. Владелец: Episil-Precision Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20160163803A1. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Nitride semiconductor light emitting element having light emitting layer including INxGa1-xN well layer and LED system

Номер патента: US9318659B2. Автор: Akira Inoue,Shunji Yoshida,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Nitride semiconductor template for light emitting diode and preparation thereof

Номер патента: US20050133798A1. Автор: Chang-Ho Lee,Jae-hee Cho,Cheol-soo Sone,Hyun-Min Jung,Hae-Yong Lee,Hyun-Min Shin,Choon-Kon Kim,Jeong-Wook Lee. Владелец: Samsung Corning Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-23.

Manufacturing method of semiconductor device that includes forming plural nitride semiconductor layers of identical material

Номер патента: US09543146B2. Автор: Hung Hung,Naoharu Sugiyama,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Group iii nitride semiconductor multilayer structure

Номер патента: EP1709670A1. Автор: Yasuhito Showa Denko K.K. URASHIMA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2006-10-11.

Method for manufactuing non-emitting iii-nitride semiconductor stacked structure

Номер патента: US20240282883A1. Автор: June O Song. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device and Method for Producing the Same

Номер патента: US20140264415A1. Автор: Koji Okuno,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Methods of fabricating gallium nitride semiconductor layers by lateral overgrowth through masks, and gallium nitride semiconductor structures fabricated thereby

Номер патента: CA2321118C. Автор: Robert F. Davis,Ok-Hyun Nam,Tsvetanka Zheleva,Michael D. Bremser. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2008-06-03.

Group 3-5 nitride semiconductor multilayer substrate, method for manufacturing group 3-5 nitride semiconductor free-standing substrate

Номер патента: GB2440484A. Автор: Yoshihiko Tsuchida,Naohiro Nishikawa,Kazumasa Hiramatsu,Hideto Miyake. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2008-01-30.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9053931B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-09.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: WO2006030918A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-03-23.

Stacked layers of nitride semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8502350B2. Автор: Hideto Sugawara,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Method for Fabrication Group III Nitride Semiconductor

Номер патента: US20080076200A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: EP1794780A1. Автор: Masato c/o Showa Denko K.K. KOBAYAKAWA,Hisayuki c/o SHOWA DENKO K.K. MIKI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-06-13.

Stacked layers of nitride semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8796111B2. Автор: Hideto Sugawara,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Stacked layers of nitride semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120153439A1. Автор: Hideto Sugawara,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Group III Nitride Semiconductor Multilayer Structure

Номер патента: US20080230780A1. Автор: Yasuhito Urashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-25.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8697466B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Nitride semiconductor and method for manufacturing same

Номер патента: US8004065B2. Автор: Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-23.

Nitride semiconductor and method for manufacturing same

Номер патента: US20090101935A1. Автор: Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Method of manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: US09558938B2. Автор: Yosuke Shimada,Hideyuki GONO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nitride semiconductor epitaxial substrate and semiconductor device

Номер патента: US10483388B2. Автор: Takeshi Tanaka. Владелец: Sciocs Co Llmited. Дата публикации: 2019-11-19.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4407657A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20190157080A1. Автор: Yu-Lin Hsiao,Kun-Chuan Lin,Jin-Hsiang Liu. Владелец: Elite Advanced Laser Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4394093A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20090246945A1. Автор: Toru Takasone. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Nitride semiconductor substrate having recesses at interface between base substrate and initial nitride

Номер патента: US09748344B2. Автор: Hiroshi Oishi,Tomoko Watanabe,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-08-29.

Nitride semiconductor laminate, method for manufacturing nitride semiconductor laminate, method for manufacturing semiconductor laminate, and method for inspecting semiconductor laminate

Номер патента: US20190148247A1. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-16.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20170011919A1. Автор: Hiroshi Oishi,Tomoko Watanabe,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-01-12.

Nitride semiconductor substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210184004A1. Автор: Hiroshi Oishi,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2021-06-17.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09536955B2. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-01-03.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240030336A1. Автор: Norikazu Ito. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: EP4456117A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Method of growing nitride semiconductor layer, nitride semiconductor device, and method of fabricating the same

Номер патента: US09728404B2. Автор: Seung Kyu Choi,Chae Hon KIM,Woo Chul Kwak,Jae Hoon Song,Jung Whan JUNG. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor wafer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US09679974B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20210028284A1. Автор: Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09947530B2. Автор: Mi Hyun Kim,Young Soo Park,Jun Youn KIM,Sam Mook KANG,Young Jo TAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Method for producing a group III nitride semiconductor crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09691610B2. Автор: Seiji Nagai,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Fabrication of gallium nitride semiconductor layers by lateral growth from trench sidewalls

Номер патента: CA2331893C. Автор: Robert F. Davis,Kevin J. Linthicum,Thomas Gehrke,Darren B. Thomson,Tsvetanka Zheleva,Scott A. Smith. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2007-01-23.

Nitride semiconductor epitaxial substrate and semiconductor device

Номер патента: US20180366572A1. Автор: Takeshi Tanaka. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-20.

Method for producing p-type nitride semiconductor layer

Номер патента: US20140147995A1. Автор: Hideo Kawanishi. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-29.

Nitride semiconductor epitaxial wafer and field effect nitride transistor

Номер патента: US09780175B2. Автор: Takeshi Tanaka,Naoki Kaneda,Yoshinobu NARITA. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Nitride semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor

Номер патента: US20230049717A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4289994A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Method of forming nitride semiconductor substrate and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20180174822A1. Автор: Junyoun Kim,Youngjo TAK,MiHyun Kim,Sammook KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Nitride semiconductor with multiple nitride regions of different impurity concentrations, wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11955520B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Nitride semiconductor with multiple nitride regions of different impurity concentrations, wafer, semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240096969A1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20230290857A1. Автор: Hajime Nago,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Low-defect density gallium nitride semiconductor structures and fabrication methods

Номер патента: US20100171124A1. Автор: Pankaj B. Shah,Michael A. Derenge,Daniel J. Ewing,Tsvetanka S. Zheleva. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2010-07-08.

Method of manufacturing nitrogen-face nitride semiconductor and nitrogen-face nitride semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20240153766A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal, and method of fabricating group III nitride semiconductor single crystal substrate

Номер патента: US20100233870A1. Автор: Yuichi Oshima. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-09-16.

Nitride semiconductor laminate, method for manufacturing nitride semiconductor laminate, method for manufacturing semiconductor laminate, and method for inspecting semiconductor laminate

Номер патента: US11508629B2. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-22.

Semiconductor device with buffer layer made of nitride semiconductor

Номер патента: US20150076509A1. Автор: Norikazu Nakamura,Junji Kotani,Tetsuro ISHIGURO. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-03-19.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4299802A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Keitaro Tsuchiya,Kazutoshi Nagata,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Nitride semiconductor substrate and method for producing the same

Номер патента: US20240117525A1. Автор: Yoshihiro Kubota,Keitaro Tsuchiya,Kazutoshi Nagata,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20140319535A1. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Method of manufacturing nitride semiconductor and nitride semiconductor thin film prepared using the same

Номер патента: US20240154001A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4354489A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Group iii nitride semiconductor crystal, group iii nitride semiconductor substrate, group iii nitride semiconductor freestanding substrate, nitride semiconductor device, and rectifier diode

Номер патента: US20140070371A1. Автор: TADAYOSHI TSUCHIYA,Naoki Kaneda. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Manufacturing method of nitride semiconductor structure

Номер патента: US20230162975A1. Автор: Yu-Chi CHIAO,Yung-Li Huang,Chun I Chu,Sheng Wei Chou. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Group iii element nitride semiconductor substrate, epitaxial substrate, and functional element

Номер патента: US20240347604A1. Автор: Katsuhiro Imai,Sota Maehara,Yoshitaka Kuraoka,Kentaro Nonaka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for producing a group III nitride semiconductor single crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09567693B2. Автор: Shiro Yamazaki,Seiji Nagai,Miki Moriyama,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10818757B2. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200127101A1. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Mbe growth of p-type nitride semiconductor materials

Номер патента: WO2004051719A1. Автор: Jonathan Heffernan,Stewart Edward Hooper,Katherine L. Johnson. Владелец: Bousquet, Valerie. Дата публикации: 2004-06-17.

Method of manufacturing group iii-nitride semiconductor

Номер патента: US20240266168A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Masahiro Miyagi,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing aluminum-containing nitride intermediate layer, method for manufacturing nitride layer, and method for manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20110062016A1. Автор: Masahiko Sakata,Masahiro Araki,Takaaki Utsumi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-03-17.

Method for Producing Group III Nitride Semiconductor and Group III Nitride Semiconductor

Номер патента: US20140353804A1. Автор: Hiroshi Amano,Koji Okuno,Naoki Shibata,Takahide Oshio. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Method for heteroepitaxial growth of iii metal-face polarity iii-nitrides on substrates with diamond crystal structure and iii-nitride semiconductors

Номер патента: EP2842154A1. Автор: Alexandros Georgakilas,Kleopatra ARETOULI,Katerina TSAGARAKI. Владелец: FOUNDATION FOR RES AND Technology. Дата публикации: 2015-03-04.

Nitride semiconductor substrate, method for manufacturing nitride semiconductor substrate, and laminated structure

Номер патента: US11970784B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Nitride semiconductor substrate and method for manufactuing the same

Номер патента: EP3364463A3. Автор: Yoshihisa Abe,Shintaro MIYAMOTO,Masashi Kobata. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2018-11-14.

Method for producing a group III nitride semiconductor

Номер патента: US9214336B2. Автор: Naoyuki Nakada. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Method for producing group iii-nitride semiconductor

Номер патента: EP4379775A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Masahiro Miyagi,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-06-05.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US9379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Group III nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09379523B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Group iii nitride semiconductor device, p-type contact structure, and method for fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20150255958A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Matsuura,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Yohei Enya,Yuji Furushima,Tatsushi Hamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Semipolar nitride semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583340B2. Автор: Young-soo Park,Jun-Youn Kim,Young-jo Tak,Jae-Kyun Kim,Joo-sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Group iii nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09917004B2. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for depositing a group III nitride semiconductor film

Номер патента: US09478420B2. Автор: Heinz Felzer,Lorenzo CASTALDI,Martin Kratzer,Robert MAMAZZA, Jr.. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09711685B2. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of growing nitride semiconductor layer and nitride semiconductor formed by the same

Номер патента: US09412588B2. Автор: Sung-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US9779934B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor apparatus, method for growing nitride semiconductor and method for producing semiconductor apparatus

Номер патента: US20060145166A1. Автор: Satoshi Kamiyama,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Toshiya Matsuda,Takanori Yasuda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2006-07-06.

Nitride semiconductor and nitride semiconductor crystal growth method

Номер патента: US20140318441A1. Автор: Hideyoshi Horie,Kaori Kurihara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-10-30.

Gallium nitride substrate and manufacturing method of nitride semiconductor crystal

Номер патента: US09673046B2. Автор: Shuichi Kubo,Hajime Matsumoto,Yutaka Mikawa,Hideo Fujisawa,Hirotaka Ikeda,Yusuke Tsukada,Kazunori Kamada,Tatsuhiro OHATA. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Base, nitride semiconductor emitting ultraviolet radiation element and method for production of base

Номер патента: RU2702948C1. Автор: Акира ХИРАНО,Йосуке НАГАСАВА. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2019-10-14.

Method for fabricating a nitride semiconductor device

Номер патента: US6764871B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Ayumu Tsujimura,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20150115307A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20140061661A1. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

III nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9537053B2. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee. Владелец: BBSA Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9391145B2. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-12.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US6562701B2. Автор: Masaaki Yuri,Daisuke Ueda,Masahiro Ishida. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-13.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20100181577A1. Автор: Chih-Ming Lai,Po-Chun Liu,Yih-Der Guo,Jenq-Dar Tsay. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2010-07-22.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor layer, method for manufacturing group iii nitride semiconductor light-emitting device, and group iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20110163350A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-07-07.

Laser-induced flaw formation in nitride semiconductors

Номер патента: US20140038334A1. Автор: Christopher L. Chua,William S. Wong,Clifford F. Knollenberg. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-02-06.

Laser-induced flaw formation in nitride semiconductors

Номер патента: US8852980B2. Автор: Christopher L. Chua,William S. Wong,Clifford F. Knollenberg. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-10-07.

Group-iii element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20230395373A1. Автор: Masahiro Sakai,Hiroki Kobayashi,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Gallium nitride semiconductor structure and process for fabricating thereof

Номер патента: SG10201802435TA. Автор: KAPLUN Joseph,HOULI ARBIV Bilha. Владелец: ELTA SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190067512A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20150125982A1. Автор: Sung-soo Park,Moon-sang Lee,Dae-ho Yoon,Bong-Kyun KANG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2015-05-07.

Nitride semiconductor component layer structure on a group iv substrate surface

Номер патента: US20100133658A1. Автор: Alois Krost,Armin Dadgar. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2010-06-03.

Nitride semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US7846820B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Yoshiaki Hasegawa,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Toshitaka Shimamoto,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-12-07.

III-nitride semiconductor light-emitting device and method of producing the same

Номер патента: US11804567B2. Автор: Yasuhiro Watanabe. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Gallium nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11810783B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-11-07.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US20110108944A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Nitride semiconductor component layer structure on a group iv substrate surface and fabrication method

Номер патента: MY149217A. Автор: Dadgar Armin,Krost Alois. Владелец: Azzurro Semiconductors AG. Дата публикации: 2013-07-31.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8367445B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220393005A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200006049A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Method of forming nitride semiconductor epitaxial layer and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8349078B2. Автор: Makoto Kiyama,Hiromu Shiomi,Seiji Nakahata,Akihiro Hachigo,Yu Saitoh,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09401402B2. Автор: Masahiro Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Semiconductor device including gate electrode provided over active region in p-type nitride semiconductor layer and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20150187907A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09583608B2. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240297224A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Nitride semiconductor substrate, and method for producing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4435833A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Nitride semiconductor wafer production method and nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP4411032A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Group III nitride semiconductor and method for producing same

Номер патента: US10923346B2. Автор: Hiroshi Ono,Akihiko Ishibashi,Kenya Yamashita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170154885A1. Автор: Masakazu Kanechika,Hidemoto Tomita,Yoshitaka Nagasato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Wafer marking method, nitride semiconductor device manufacturing method, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4354492A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666580B1. Автор: Masakazu Kanechika,Hidemoto Tomita,Yoshitaka Nagasato. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: EP4391065A1. Автор: Hu Liang,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-06-26.

Shielding structure for a vertical iii-nitride semiconductor device

Номер патента: WO2024132524A1. Автор: Hu Liang,Jens Baringhaus,Kevin Dannecker,Stefaan Decoutere,Karen GEENS. Владелец: IMEC VZW. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20090233423A1. Автор: Takayuki Suzuki,Takeshi Meguro,Ken Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method of fabricating III-nitride semiconductor dies

Номер патента: US09721791B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

Номер патента: US12071707B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate, and laminate structure

Номер патента: US20240368804A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240355620A1. Автор: Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Keisuke Mihara,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4386116A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Group-III element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US12057307B2. Автор: Masahiro Sakai,Shohei Oue. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Wafer marking method, method of producing nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240274452A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4442868A1. Автор: Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Keisuke Mihara,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Method of growing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09741560B2. Автор: Sung-soo Park,Young-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US09530846B2. Автор: Hiroshi Oishi,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2016-12-27.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor package

Номер патента: US09472623B2. Автор: Atsushi Yamaguchi,Norikazu Ito,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-18.

III-nitride semiconductor structures with strain absorbing interlayers

Номер патента: US09837495B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

N-type aluminum nitride single-crystal substrate and vertical nitride semiconductor device

Номер патента: US09748410B2. Автор: Toru Kinoshita,Toru Nagashima,Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Group-iii element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20230282711A1. Автор: Masahiro Sakai,Hiroki Kobayashi,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Growth of Nitride Semiconductor Crystals

Номер патента: US20070256626A1. Автор: Hideki Hashimoto,Hideo Kawanishi,Akihiko Horiuchi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Nitride semiconductor substrate, laminated structure, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240302302A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240321576A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-polar, III-nitride semiconductor fin field-effect transistor

Номер патента: US09978872B1. Автор: Heinz Schmid,Utz Herwig Hahn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of forming nitride semiconductor film

Номер патента: US12094710B2. Автор: Nobuaki Takahashi,Yusuke Mori,Hitoshi Miura,Masayuki Imanishi,Ryuji KATAYAMA,Koji Neishi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-09-17.

Nitride semiconductor material, semiconductor element, and Manufacturing method thereof

Номер патента: US20080121896A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Toshiyuki Takizawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Nitride Semiconductor Crystal Manufacturing Apparatus, Nitride Semiconductor Crystal Manufacturing Method, and Nitride Semiconductor Crystal

Номер патента: US20110171462A1. Автор: Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Michimasa Miyanaga,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Nitride semiconductor structures with interlayer structures

Номер патента: US7825432B2. Автор: Adam William Saxler,Albert Augustus Burk, Jr.. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2010-11-02.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20130252401A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190296140A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20160380091A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20110068434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method for producing self-supporting nitride semiconductor substrate and self-supporting nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP2119815A1. Автор: Masataka Watanabe,Shoichi Takamizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Method for manufacturing nitride semiconductor self-supporting substrate and nitride semiconductor self-supporting substrate

Номер патента: US9127376B2. Автор: Masataka Watanabe,Shoichi Takamizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20170092493A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20150311331A1. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4289995A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240079412A1. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285503A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor laminate, program for selecting substrate, program for outputting substrate data, nitride semiconductor substrate with program for outputting substrate data, off-angle coordinate map, nitride semiconductor substrate with off-angle coordinate map, program for selecting semiconductor device, method for producing nitride semiconductor substrate, method for producing semiconductor laminate, method for producing semiconductor device, and method for...

Номер патента: US20210184003A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285504A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347603A1. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA,Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-17.

Method for high temperature annealing of a nitride semiconductor layer

Номер патента: US10121876B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-06.

III group nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US10516042B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Process of forming nitride semiconductor device

Номер патента: US20170117132A1. Автор: Masatoshi Koyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Process of forming nitride semiconductor device

Номер патента: US9799508B2. Автор: Masatoshi Koyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Nitride semiconductor device having aluminum oxide film and a process for producing the same

Номер патента: US20160260828A1. Автор: Chihoko Mizue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US11873578B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP4321658A1. Автор: Junya Ishizaki,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20140124833A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao,Hsun-Chih Liu,Yi-Keng Fu,Chien-Pin Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20240162041A1. Автор: Junya Ishizaki,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride semiconductor material and heat flow switching device comprising same

Номер патента: EP4299517A1. Автор: Masaki Adachi,Toshiaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Nitride semiconductor material and heat flow switching element including the same

Номер патента: US20240140797A1. Автор: Masaki Adachi,Toshiaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US9401403B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Ueda,Masahiro Ishida,Hidekazu Umeda. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Lattice polarity control in iii-nitride semiconductor heterostructures

Номер патента: WO2023154510A1. Автор: PING Wang,DING Wang,Zetian Mi. Владелец: THE REGENTS OF THE UNIVERSITY OF MICHIGAN. Дата публикации: 2023-08-17.

Group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10868124B2. Автор: Tetsuo Narita,Hiroko Iguchi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2020-12-15.

Group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20190181230A1. Автор: Tetsuo Narita,Hiroko Iguchi. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Group iii nitride semiconductor substrate and method of manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200032418A1. Автор: HIROKI Goto,Yujiro Ishihara. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Nitride semiconductor wafer and method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20230290835A1. Автор: Masaru Shinomiya,Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of manufacture of group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200365462A1. Автор: Yoshio Okayama,Takatoshi Okamoto,Ayako Iwasawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

PROCESS OF DEPOSITING SILICON NITRIDE (SiN) FILM ON NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180286661A1. Автор: Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US10763333B2. Автор: Kazuyoshi Tomita,Tetsuo Narita. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240096968A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device

Номер патента: EP4297070A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20190305090A1. Автор: Kazuyoshi Tomita,Tetsuo Narita. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Nitride semiconductor epitaxial substrate, method for producing same, and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240112909A1. Автор: Manabu Yanagihara,Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita,Hisayoshi Matsuo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220271144A1. Автор: Li Liu,Takashi Okawa,Hidemoto Tomita,Toshiyuki Kawaharamura. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10770554B2. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-08.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor laminate, laminated structure, method for manufacturing nitride semiconductor substrate and method for manufacturing semiconductor laminate

Номер патента: US20190198312A1. Автор: Takehiro Yoshida,Masatomo Shibata,Hajime Fujikura,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200127100A1. Автор: Yoshinobu NARITA. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Method and apparatus for producing group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20240153765A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Kei Suzuki,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-05-09.

Method for growing group-III nitride semiconductor heterostructure on silicon substrate

Номер патента: US20050106849A1. Автор: Shangir Gwo. Владелец: Shangir Gwo. Дата публикации: 2005-05-19.

Nitride semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20230411508A1. Автор: Kenji Yamamoto,Norikazu Ito,Tetsuya Fujiwara,Ken Nakahara,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate, nitride semiconductor substrate and layered structure

Номер патента: US11908688B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Nitride semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US11777024B2. Автор: Kenji Yamamoto,Norikazu Ito,Tetsuya Fujiwara,Ken Nakahara,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Nitride semiconductor and fabricating method thereof

Номер патента: US20140103352A1. Автор: Jung-Hee Lee,Hee-Sung Kang,Dong-Seok Kim,Ki-Sik Im,Dong-hyeok SON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2014-04-17.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20160293710A1. Автор: Hiroshi Oishi,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2016-10-06.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240186382A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11495671B2. Автор: Takuma Nakano. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2022-11-08.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrates having a base substrate with parallel trenches

Номер патента: US8138003B2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2012-03-20.

Nitride semiconductor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080142846A1. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2008-06-19.

Method for manufacturing a semiconductor substrate and device by bonding an epitaxial substrate to a first support substrate, forming a first and second protective thin film layer, and exposing and bonding a nitride semiconductor layer to a second support substrate

Номер патента: US11961765B2. Автор: Yuki Takiguchi,Masahiro Fujikawa,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Method for manufacturing gallium nitride semiconductor device

Номер патента: US11784039B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-10-10.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11862686B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240071756A1. Автор: Toshiaki Ono,Koji Matsumoto,Hiroshi Amano,Yoshio Honda. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for treating group III nitride semiconductor

Номер патента: US8563437B2. Автор: Kuei-Ming Chen,Wei-I Lee,Yen-Hsien Yeh,Ying-Chia Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2013-10-22.

Group-III element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US11862689B2. Автор: Masahiro Sakai,Hiroki Kobayashi,Katsuhiro Imai. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of forming nitride semiconductor film

Номер патента: US20210217618A1. Автор: Nobuaki Takahashi,Yusuke Mori,Hitoshi Miura,Masayuki Imanishi,Ryuji KATAYAMA,Koji Neishi. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2021-07-15.

Group-iii element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20230352298A1. Автор: Katsuhiro Imai,Tomohiko Sugiyama. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Method for treating group III nitride semiconductor

Номер патента: US20120052691A1. Автор: Kuei-Ming Chen,Wei-I Lee,Yen-Hsien Yeh,Ying-Chia Hsu. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2012-03-01.

Nitride semiconductor substrate, laminate, substrate selection program, substrate data output program, off-angle coordinate map, and methods thereof

Номер патента: US11967617B2. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Methodology for annealing group III-nitride semiconductor device structures using novel weighted cover systems

Номер патента: US10460955B2. Автор: Michael A. Derenge. Владелец: US Department of Army. Дата публикации: 2019-10-29.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240038884A1. Автор: Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Process of forming nitride semiconductor layers

Номер патента: US20180061632A1. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240162165A1. Автор: Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Epitaxial growth of compound nitride semiconductor structures

Номер патента: US20070240631A1. Автор: David Eaglesham,Sandeep Nijhawan,Lori Washington,Jacob Smith,David Bour,Ronald Stevens. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11935744B2. Автор: Ken Nakata,Isao Makabe. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

III-Nitride Semiconductor Device Fabrication

Номер патента: US20150132933A1. Автор: Robert Beach,Jianjun Cao,Zhi He. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2015-05-14.

Nitride semiconductor epitaxial stack structure and power device thereof

Номер патента: US20180240901A1. Автор: Chia Cheng Liu,Shang Ju Tu,Ya Yu Yang,Tsung Cheng Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2018-08-23.

Nitride semiconductor epitaxial stack structure and power device thereof

Номер патента: US10361295B2. Автор: Chia Cheng Liu,Shang Ju Tu,Ya Yu Yang,Tsung Cheng Chang. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Method of growing nitride semiconductor device

Номер патента: US20150279658A1. Автор: Ken Nakata,Isao Makabe,Keiichi Yui,Tsuyoshi Kouchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20070105258A1. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-10.

Semiconductor templates and fabrication methods

Номер патента: EP3292565A1. Автор: Tao Wang. Владелец: Seren Photonics Ltd. Дата публикации: 2018-03-14.

Semiconductor templates and fabrication methods

Номер патента: WO2016178024A1. Автор: Tao Wang. Владелец: SEREN PHOTONICS LIMITED. Дата публикации: 2016-11-10.

Monolithic integrated lattice mismatched crystal template and preparation method thereof

Номер патента: US09890472B2. Автор: Shumin Wang. Владелец: Shanghai Institute of Microsystem and Information Technology of CAS. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of preparing a surface of a single crystal wafer as an epitaxial template, epitaxial template and device

Номер патента: US20240287707A1. Автор: Wolfgang Braun,Alexander Everardus Maria SMINK,Johannes BOSCHKER,Lena Nadine MAJER. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of preparing a surface of a single crystal wafer as an epitaxial template, epitaxial template and device

Номер патента: EP4320295A1. Автор: Wolfgang Braun,Alexander Everardus Maria SMINK,Johannes BOSCHKER,Lena Nadine MAJER. Владелец: Max Planck Gesellschaft zur Foerderung der Wissenschaften eV. Дата публикации: 2024-02-14.

Nitride semiconductor ultraviolet light-emitting element and nitride semiconductor ultraviolet light-emitting device

Номер патента: US09812611B2. Автор: Akira Hirano,Masamichi Ippommatsu. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240162385A1. Автор: Tomoya Yamada. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: MY193073A. Автор: Andreas Walter. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2022-09-26.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: EP3504355A1. Автор: Andreas Walter. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-07-03.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: US20190242017A1. Автор: Andreas Walter. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-08-08.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20090200563A1. Автор: Koichi Goshonoo,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20130072010A1. Автор: Shunsuke Minato,Kentaro Watanabe,Giichi Marutsuki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2458134A1. Автор: Yasunobu Sugimoto,Akinori Yoneda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2458134C. Автор: Yasunobu Sugimoto,Akinori Yoneda. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060108596A1. Автор: Yuji Abe,Toshiyuki Oishi,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2006-05-25.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7842962B2. Автор: Yuji Abe,Toshiyuki Oishi,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-11-30.

Group iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group iii nitride semiconductor device

Номер патента: TW201034054A. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2010-09-16.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor substrate, method for manufacturing nitride semiconductor element, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: JPWO2017221519A1. Автор: 雄介中山,中山　雄介. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-04-11.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor substrate, method for manufacturing nitride semiconductor element, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: WO2017221519A1. Автор: 中山　雄介. Владелец: ソニー株式会社. Дата публикации: 2017-12-28.

Gallium nitride semiconductor light-emitting element and method for producing the same, gallium nitride light-emitting diode, epitaxial wafer, and method for producing gallium nitride light-emitting diode

Номер патента: TW201027802A. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2010-07-16.

NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20160247968A1. Автор: Yamada Shinji,KATSUNO Hiroshi,Ohba Yasuo,Kaneko Kei,Kushibe Mitsuhiro,Tajima Jumpei. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-08-25.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US8525194B2. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-03.

Method for fabricating nitride semiconductor, method for fabricating nitride semiconductor device, and nitride semiconductor device

Номер патента: EP1220304A3. Автор: Ryoko Miyanaga,Nobuyuki Otsuka,Yoshiaki Hasegawa,Akihiko Ishibashi,Kenji Harafuji,Kiyoshi Ohnaka,Gaku Sugahara,Ayumu Tsujimura,Toshitaka Shimamoto,Yuzaburoji Ban. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-08.

Method of fabricating nitride semiconductor, method of fabricating nitride semiconductor device and nitride semiconductor device using the same

Номер патента: KR100814587B1. Автор: 오츠카노부유키,이시바시아키히코,츠지무라아유무,하세가와요시아키,스가하라가쿠,미야나가료코,시마모토도시타카,하라후지겐지,반유자부로,오나카기요시. Владелец: 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-03-17.

Method for fabricating nitride semiconductor, method for fabricating nitride semiconductor device, and nitride semiconductor device

Номер патента: EP1220304A2. Автор: Ryoko Miyanaga,Nobuyuki Otsuka,Yoshiaki Hasegawa,Akihiko Ishibashi,Kenji Harafuji,Kiyoshi Ohnaka,Gaku Sugahara,Ayumu Tsujimura,Toshitaka Shimamoto,Yuzaburoji Ban. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2002-07-03.

Near-ultraviolet light-emitting semiconductor light-emitting element and group iii nitride semiconductor template used therefor

Номер патента: US20190140140A1. Автор: Sung Min Hwang,In Sung Cho,Doo Soo Kim,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20140097443A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao,Hsun-Chih Liu,Yi-Keng Fu,Chien-Pin Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-04-10.

Nitride semiconductor polarization controlled device

Номер патента: US09660134B1. Автор: Thomas Wunderer,John E. Northrup,Jeng Ping Lu,Noble M Johnson. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09385277B2. Автор: Shinji Yoshida,Kazuhiko Yamanaka,Katsuya Samonji,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200381580A1. Автор: Hiroki Kondo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8594145B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-26.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060273332A1. Автор: Dong Jeon,Pil Kang,Tae Jang,Bong Yi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Group III nitride semiconductor device, and method for fabricating group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09425348B2. Автор: Koji Katayama,Takashi Kyono,Katsunori Yanashima,Shinji Tokuyama,Nobuhiro Saga,Tatsushi Hamaguchi,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP1246264A3. Автор: Hirokazu Pioneer Corporation Takahashi,Hiroyuki Pioneer Corporation Ota,Atsushi Pioneer Corporation Watanabe. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09741900B2. Автор: Masayuki Nagata,Takashi KURISU,Susumu Ohmi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Nitride semiconductor light emitting chip, and nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09379284B2. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Nitride semiconductor structure, light emitting element, light source device, and method of manufacturing nitride semiconductor structure

Номер патента: EP4443673A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Nitride semiconductor crystal with surface texture

Номер патента: US20120077298A1. Автор: Masahiko Tsuchiya,Takako Chinone,Masataka Kajikawa,Ji-Hao Liang. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-29.

Nitride semiconductor crystal with surface texture

Номер патента: US8658440B2. Автор: Masahiko Tsuchiya,Takako Chinone,Masataka Kajikawa,Ji-Hao Liang. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-25.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20170117441A1. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US9842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Group-III nitride semiconductor laser device, and method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8420419B2. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Yusuke Yoshizumi,Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Nitride semiconductor structure, light emitting element, light source device, and method of manufacturing nitride semiconductor structure

Номер патента: US20240322079A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-26.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US09620671B2. Автор: Hiroshi Nakatsu,Yoshihiko Tani,Tadashi Takeoka,Toshiaki Asai,Tomoya Inoue,Kentaro Nonaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US09406845B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu. Владелец: PlayNitride Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090130790A1. Автор: Shinji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Group-iii element nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20230246132A1. Автор: Takayuki Hirao,Katsuhiro Imai,Kentaro Nonaka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US09530932B2. Автор: RYU Kaihara,Satoshi Komada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09444011B2. Автор: Tokuya Kozaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Iii-nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US20110042711A1. Автор: Yu-Hang Choi,Chae-Seok Lim,Keuk Kim,Chi-Kwon Park. Владелец: WOOREE LST Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Method of producing periodic table group 13 metal nitride semiconductor crystal and periodic table group 13 metal nitride semiconductor crystal produced by this production method

Номер патента: US09899568B2. Автор: Shigeru Terada,Hiromitsu Kimura,Yuya Saito,Sumitaka Itoh. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Nitride semiconductor and a method thereof, a nitride semiconductor device and a method thereof

Номер патента: US20020098607A1. Автор: Hiroyuki Okuyama,Hiroshi Nakajima,Fumihiko Nakamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

N-side electrode, nitride semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20110042681A1. Автор: Keishi Kohno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Method of manufacturing iii-nitride semiconductor light emitting structure

Номер патента: US20240250213A1. Автор: Sung Min Hwang,Doo Soo Kim,In Seong Cho,Hyung Kyu Choi,Sung Woon HEO,Sung Ju MUN,Won Taeg Lim. Владелец: SOFT-EPI Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of manufacturing n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device, and n-p-n nitride-semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9716209B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Motoaki Iwaya,Yuka Kuwano. Владелец: Melio University. Дата публикации: 2017-07-25.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09755107B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12057525B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09640712B2. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230105525A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240322076A1. Автор: Yusuke Matsukura,Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240332450A1. Автор: Yoshitaka KAWATA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09780255B2. Автор: Yen-Lin LAI,Jyun-De Wu,Yu-Chu Li. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-10-03.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for producing same

Номер патента: US9331245B2. Автор: Eiji Yamada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Group III nitride semiconductor optical device, epitaxial substrate, and method of making group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8148716B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-03.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20160260868A1. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09711684B2. Автор: Yoshiki Saito,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and epitaxial wafer

Номер патента: EP2144306A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-01-13.

Group III Nitride Semiconductor Light Emitting Element And Wafer Containing Element Structure

Номер патента: US20180040770A1. Автор: Toshiyuki Obata,Tomoaki Satou. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Nitride semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US09806232B2. Автор: Naoki Azuma,Masahiko Sano,Tomohiro Shimooka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element having thick metal bump

Номер патента: US09530950B2. Автор: Hirofumi Kawaguchi,Akinori Yoneda,Kouichiroh Deguchi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11799051B2. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250209A1. Автор: Shinji Yoshida,Shigeo Hayashi,Masayuki Hata,Shuichi Nakazawa,Yasutoshi Kawaguchi,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US9735314B2. Автор: Shinji Yoshida,Kazuhiko Yamanaka,Katsuya Samonji,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Nitride semiconductor multilayer structure, light emitting element, light source apparatus, and method for producing nitride semiconductor multilayer structure

Номер патента: US20200244043A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US11876148B2. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210193865A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating the same

Номер патента: US09666753B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Daisuke Komori,Motoaki Iwaya,Kaku TAKARABE. Владелец: MEIJO UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-05-30.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09570656B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

P-type group III-nitride semiconductor device

Номер патента: US6150672A. Автор: Yawara Kaneko. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2000-11-21.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09972745B2. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Nitride semiconductor light emitting device including electrodes of a multilayer structure

Номер патента: US7868344B2. Автор: Pil Geun Kang,Bong Il Yi,Jae Ho Han,Dong Min Jeon. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: EP2306529A2. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-06.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240038932A1. Автор: Toshihiko Fukamachi. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element

Номер патента: US20210119083A1. Автор: Tomohiro Morishita,Akira Yoshikawa,Ryosuke Hasegawa,Ziyi Zhang,Aya Yokoyama,Yoshihito HAGIHARA. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor wafer and semiconductor device having multilayered nitride semiconductor layer

Номер патента: US8569796B2. Автор: Tetsuji Matsuo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

Semiconductor wafer and semiconductor device having multilayered nitride semiconductor layer

Номер патента: US20120181577A1. Автор: Tetsuji Matsuo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor light emitting element, ultraviolet light emitting element

Номер патента: US20190140141A1. Автор: Tomohiro Morishita,Akira Yoshikawa,Ryosuke Hasegawa,Ziyi Zhang,Aya Yokoyama,Yoshihito HAGIHARA. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075795A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09577156B2. Автор: Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Gallium nitride semiconductor device

Номер патента: CA2444273C. Автор: Kimihiro Kawagoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: US8969849B2. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-03.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US8466449B2. Автор: Jae Woong Han,Seong Suk Lee,Soo Min Lee,Hee Seok Park,Cheol Soo Sone. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: CA2578443C. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US20150021653A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230378393A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US9287378B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US5777350A. Автор: Shuji Nakamura,Shinichi Nagahama,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1998-07-07.

Nitride semiconductor device

Номер патента: EP2113974B1. Автор: Tokuya Kozaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-03-13.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2005122292A1. Автор: Eun Hyun Park,Tae Kyung Yoo. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2005-12-22.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20100155699A1. Автор: Youn Joon Sung,Jeong Wook Lee,Tan Sakong. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Nitride semiconductor buffer structure and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230343830A1. Автор: Boram Kim,Junhyuk Park,Sunkyu Hwang,Jongseob Kim,Joonyong Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh,Injun Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-26.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light Emitting Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20180277723A1. Автор: Akira Hirano,Ko Aosaki. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030047741A1. Автор: Toshio Hata,Mayuko Fudeta,Daigaku Kimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150041758A1. Автор: Yoshiki Saito,Yohei Samura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20150083997A1. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20150137173A1. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-05-21.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09564552B2. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09515228B2. Автор: Naoki Nakajo,Masashi Deguchi,Shingo Totani. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US09508895B2. Автор: Ryo Nakamura,Misato Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Vertically structured group III nitride semiconductor LED chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502603B2. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee,Pil Guk Jang. Владелец: Wavesquare Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2298491C. Автор: Shuji Nakamura,Takashi Mukai,Koji Tanizawa,Tomotsugu Mitani,Hiromitsu Marui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2009-10-06.

Nitride semiconductor device having a silicon-containing layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US8163576B2. Автор: Yuji Abe,Hitoshi Sakuma,Kyozo Kanamoto,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Nitride semiconductor element and method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US11843075B2. Автор: Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: EP1829118A1. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2007-09-05.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240021756A1. Автор: Donggun Lee,Youngjin Choi,Punjae CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200357953A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Micro-LED array device based on III-nitride semiconductors and method for fabricating same

Номер патента: US11721674B2. Автор: Tao Tao,Xuan Wang,Bin Liu,Rong Zhang,Ting Zhi,Feifan XU. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-08-08.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US09450150B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Gallium nitride semiconductor light emitting element with active layer having multiplex quantum well structure and semiconductor laser light source device

Номер патента: US6377597B1. Автор: Toshiyuki Okumura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-04-23.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US8816321B2. Автор: Kazuya Araki,Yoshihiko Tani,Tadashi Takeoka,Yoshihiro Ueta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131043A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Nitride semiconductor element and method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20240063332A1. Автор: Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Nitride semiconductor element

Номер патента: US20170025578A1. Автор: Hiroshi Ono,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device and iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20170338378A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9882088B2. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131042A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220384681A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230105852A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP2955763A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2015-12-16.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090026440A1. Автор: Takashi Kyono,Katsushi Akita,Hideki Hirayama. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2009-01-29.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US8053756B2. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Kazuaki Tsutsumi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-11-08.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8093606B2. Автор: Norikazu Ito,Masayuki Sonobe,Mitsuhiko Sakai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2012-01-10.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US11824140B2. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: EP4366099A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-05-08.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light-Emitting Element

Номер патента: US20230261139A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light-Emitting Element and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20230299232A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240128406A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida,takahiro Okaguchi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-04-18.

Group iii nitride semiconductor light-emitting element and wafer including such element configuration

Номер патента: US20190198714A1. Автор: Tomoaki Sato. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220123174A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200411723A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20220181523A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2022-06-09.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210399162A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420600A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12009457B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230387351A1. Автор: Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150083993A1. Автор: Ryo Nakamura,Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-26.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20120119240A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-05-17.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230387352A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light Emitting Element

Номер патента: US20230307578A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Nitride semiconductor light emitting device including buffer layer and method of forming the same

Номер патента: US20180337307A1. Автор: Sun Woon Kim,Jong Sun Maeng,Jung Taek Han,Jeen Seok CHO,Yong Hee JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-22.

Nitride semiconductor light emitting devices

Номер патента: GB2432715A. Автор: Stewart Edward Hooper,Valerie Bousquet. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-30.

Nitride semiconductor led and fabrication method thereof

Номер патента: CA2599881C. Автор: Suk-Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100649496B1. Автор: 이재훈,오정탁,박진섭. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2006-11-24.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20170229609A1. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20180287014A1. Автор: Koji Asada,Tokutaro Okabe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190305187A1. Автор: Takumi Otsuka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20190081212A1. Автор: Kengo Nagata. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210043802A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Nitride Semiconductor Light Emitting Element

Номер патента: US20180358511A1. Автор: Toshiyuki Obata. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Vertically structured group iii nitride semiconductor led chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140001511A1. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Meoung Whan Cho,Seog Woo Lee,Pil Guk Jang,Tatsunori Toyota. Владелец: Wavesquare Inc. Дата публикации: 2014-01-02.

Methods for forming group III-V arsenide-nitride semiconductor materials

Номер патента: US6130147A. Автор: Donald R. Scifres,David F. Welch,Jo S. Major. Владелец: SDL Inc. Дата публикации: 2000-10-10.

Method for growing iii-nitride semiconductor layer

Номер патента: WO2016028079A1. Автор: 조인성,김두수,노민수,황성민,임원택,신선혜. Владелец: 주식회사 소프트에피. Дата публикации: 2016-02-25.

Nitride semiconductor led and fabrication method thereof

Номер патента: US20110042645A1. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Nitride semiconductor light-emitting diode

Номер патента: US20150357522A1. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230238475A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot,Miho MATSUZAKI. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Nitride semiconductor light-emitting device and method for producing the same

Номер патента: US20140097456A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20190371968A1. Автор: Koji Asada,Tokutaro Okabe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200388725A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-10.

Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929317B2. Автор: Mitsunori Kokubo,Hideki Hirayama,Yukio Kashima,Eriko MATSUURA,Takaharu Tashiro,Takafumi Ookawa,Ryuichiro Kamimura,Yamato OSADA,Satoshi Shimatani,Noritoshi Maeda,Masafumi Jo. Владелец: MARUBUN CORP. Дата публикации: 2018-03-27.

Deep ultraviolet LED and method for manufacturing the same

Номер патента: US09806229B2. Автор: Mitsunori Kokubo,Hideki Hirayama,Yukio Kashima,Eriko MATSUURA,Takaharu Tashiro,Takafumi Ookawa,Ryuichiro Kamimura,Yamato OSADA,Satoshi Shimatani. Владелец: MARUBUN CORP. Дата публикации: 2017-10-31.

Nitride semiconductor structure, electronic device including the nitride semiconductor structure, light-emitting device including the nitride semiconductor structure, and method for producing the nitride semiconductor structure

Номер патента: US20150357521A1. Автор: Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-10.

Nitride semiconductor device, method for manufacturing nitride semiconductor device, method for manufacturing nitride semiconductor layer, and nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: JP5489117B2. Автор: 聡駒田. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-05-14.

Nitride semiconductor template manufacturing method

Номер патента: JP6810406B2. Автор: 藤倉　序章,序章藤倉,泰一郎今野,今野　泰一郎,秀人三宅,三宅　秀人. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2021-01-06.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: KR101615822B1. Автор: 신야 누노우에,도시키 히코사카,요시유키 하라다,히사시 요시다,나오하루 스기야마. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2016-04-26.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: CN103839979A. Автор: 布上真也,彦坂年辉,原田佳幸,吉田学史,杉山直治. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-04.

Nitride semiconductor element, nitride semiconductor wafer, and method of manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: JP5127978B1. Автор: 真也布上,洪洪,倫也塩田,鐘日黄,直治杉山,学史吉田. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-23.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20120295373A1. Автор: Yasuhiro Miki,Masahiko Onishi,Hirofumi NISHIYAMA,Shusaku BANDO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200021083A1. Автор: Hideo Kitagawa,Osamu Tomita,Masayuki Ono,Daisuke Ikeda,Gen Shimizu,Toru Takayama,Satoko Kawasaki,Katsuya Samonji. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Ultraviolet led epitaxial production method and ultraviolet led

Номер патента: US20200185567A1. Автор: Jian Kang,Xiangdong Chen,Xudong Liang,Xiaohui HUANG,Yuanzhi Zheng. Владелец: EPITOP OPTOELECTRONIC Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Nitride semiconductor light emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100283070A1. Автор: Dong Ju Lee,Sun Woon Kim,Dong Joon Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-11.

Manufacturing method of nitride semiconductor light emitting elements

Номер патента: US20120214266A1. Автор: Mamoru Miyachi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-23.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: EP1768194B1. Автор: Kunio Takeuchi,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US9099594B2. Автор: Akira Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Gallium nitride semiconductor device on soi and process for making same

Номер патента: EP2210284A1. Автор: Kishor Purushottam Gadkaree,Linda R Pinckney,Rajaram Bhat,Jérôme Napierala,Chung-En Zah. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871130B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US12068375B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naohiro Tsurumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer

Номер патента: US09905433B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Akira Uedono. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: US20050224831A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

Method of forming a P-type ohmic contact in group-III nitride semiconductors

Номер патента: US09947537B2. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A4. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2009-05-06.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A1. Автор: Toshiki NTT Intellectual Prop. Center MAKIMOTO,Kazuhide NTT Intellectual Prop. Center KUMAKURA,Naoki NTT Intellectual Prop. Center KOBAYASHI. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US12087762B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240234563A9. Автор: Taojun FANG. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20210005742A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Shinji Ujita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2021-01-07.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4462465A1. Автор: Keitaro Tsuchiya,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Semiconductor device and method of making including cap layer and nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160163822A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12040244B2. Автор: Lei Zhang,King Yuen Wong,Chunhua ZHOU,Kai Cao,Yifeng Zhu. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Group iii nitride crystal substrate, method for producing same, and group iii nitride semiconductor device

Номер патента: EP1736572B1. Автор: Fumio Kawamura,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Takatomo Sasaki,Ryu c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. HIROTA,Seiji c/o Itami Works of Sumitomo Electric Ind. Ltd. NAKAHATA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-06-20.

Method for fabricating nitride semiconductor device with silicon layer

Номер патента: US09627222B2. Автор: Takeshi Araya,Tsutomu Komatani. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09691875B2. Автор: Hajime Sasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11908927B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130082277A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8860087B2. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Nitride semiconductor device and method for fabricating nitride semiconductor device

Номер патента: US11862687B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Method of manufacturing group III nitride semiconductor layer bonded substrate

Номер патента: EP2154709A3. Автор: Akihiro Hachigo. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11881479B2. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-23.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230253471A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-08-10.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240128263A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387286A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Manabu Yanagihara. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride semiconductor device and manufacturing method of nitride semiconductor device

Номер патента: US20230268434A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Ohmic contact structure for group III nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features

Номер патента: US09548206B2. Автор: Helmut Hagleitner,Jason Gurganus. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Group iii nitride semiconductor device and epitaxial substrate

Номер патента: EP1876649A1. Автор: Kouhei c/o Osaka Works of Sum.Elec.Ind Ltd. MIURA,Makoto c/o Itami Works of Sum.Ele.Ind. Ltd KIYAMA,Takashi c/o Osaka Works of S.E.I. Ltd SAKURADA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2008-01-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387292A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Tsurugi KONDO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Group iii-v nitride semiconductor growth method and vapor phase growth apparatus

Номер патента: CA2313155C. Автор: Masami Tatsumi,Ryu Hirota. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2003-09-30.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230326959A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230114315A1. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11830915B2. Автор: Katsunori Ueno,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240021717A1. Автор: Isamu Nishimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Method for forming a groove on a surface of flat plate formed of a nitride semiconductor crystal

Номер патента: US20140370685A1. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170104093A1. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-04-13.

Ohmic contact structure for group iii nitride semiconductor device having improved surface morphology and well-defined edge features

Номер патента: US20170077254A1. Автор: Helmut Hagleitner,Jason Gurganus. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for diffusing impurities into nitride semiconductor crystals

Номер патента: CA1037840A. Автор: Jacques I. Pankove. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-05.

Method for forming a groove on a surface of flat plate formed of a nitride semiconductor crystal

Номер патента: US8962363B2. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Nano-imprint template and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200033721A1. Автор: Kang GUO,Xin Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE, NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180158680A1. Автор: FUJIKURA Hajime,KONNO Taichiro,MIYAKE Hideto. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE, NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180158681A1. Автор: FUJIKURA Hajime,KONNO Taichiro,MIYAKE Hideto. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-07.

Nitride semiconductor template manufacturing method, nitride semiconductor template and nitride semiconductor device

Номер патента: JP6995304B2. Автор: 序章藤倉,泰一郎今野,秀人三宅. Владелец: Mie University NUC. Дата публикации: 2022-01-14.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20110111578A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

METHOD OF FORMING p-TYPE GALLIUM NITRIDE BASED SEMICONDUCTOR, METHOD OF FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF FORMING EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20100279495A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Yusuke Yoshizumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-11-04.

Method for manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: US09812607B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor device, and method for fabricating the device

Номер патента: US12100936B2. Автор: Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: US20170263807A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Method for manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: US20170256677A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor light emitting device, nitride semiconductor transistor device, method for manufacturing nitride semiconductor structure, and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: JPWO2012090818A1. Автор: 慎也吉田,治久瀧口,淳小河,正浩荒木,暢行布袋田,多賀雄木下,徹村田,荒木　正浩,吉田　慎也,村田　徹,毅舩木. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

III nitride semiconductor epitaxial substrate and III nitride semiconductor light emitting device, and methods of producing the same

Номер патента: US09543469B2. Автор: Masatoshi Iwata,Yoshikazu Ooshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US09559253B2. Автор: Junya Narita,Yohei Wakai,Kazuto OKAMOTO,Mizuki Nishioka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

P-Type Group III Nitride Semiconductor and Production Method Thereof

Номер патента: US20080246053A1. Автор: Hitoshi Takeda,Hisayuki Miki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-09.

Nitride semiconductor template for light emitting element and its manufacturing method

Номер патента: JP2005183997A. Автор: Chang-Ho Lee,Jae-hee Cho,昌浩李,Cheol-soo Sone,Hyun-Min Jung,賢敏鄭,Hae-Yong Lee,恵龍李,Hyun-Min Shin,鉉敏申,Choon-Kon Kim,春坤金,Jeong-Wook Lee,庭旭李,哲守孫,濟煕趙. Владелец: Samsung Corning Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-07.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09647170B2. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20140084296A1. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-03-27.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer

Номер патента: CN103682008A. Автор: 布上真也,彦坂年辉,原田佳幸,吉田学史,杉山直治. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-26.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US9397167B2. Автор: Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Yoshiyuki Harada,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-19.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor light emitting device, group III nitride semiconductor light emitting device and lamp, and method for reducing variation in emission wavelength distribution of group III nitride semiconductor light emitting device wafer

Номер патента: JPWO2010032423A1. Автор: 浩光酒井,猛志原田. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-02-02.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for manufacturing nitride semiconductor wafer

Номер патента: KR101497823B1. Автор: 신야 누노우에,도시키 히코사카,요시유키 하라다,히사시 요시다,나오하루 스기야마. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2015-03-02.

Group iii nitride semiconductor crystal growing method, group iii nitride semiconductor crystal substrate fabrication method, and group iii nitride semiconductor crystal substrate

Номер патента: KR101467579B1. Автор: 도모히로 가와세,도모키 우에무라,다쿠지 오카히사,사토시 아라카와,무네유키 니시오카. Владелец: 스미토모덴키고교가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-12-01.

Group-III nitride structure including a fine wall-shaped structure containing a group-III nitridesemiconductor crystal and method for producing a group-III nitride structure including a fine wall-shaped structure containing a group-III nitride semiconductor crystal

Номер патента: US09680058B2. Автор: Katsumi Kishino,Akihiko Kikuchi. Владелец: Sophia School Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Nitride semiconductor light-emitting device with periodic gain active layers

Номер патента: US09847449B2. Автор: Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Sho Iwayama,Motoaki Iwaya,Takanobu Akagi,Kenjo MATSUI. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor light emitting element, group iii nitride semiconductor substrate and method for manufacturing such group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP1981093A1. Автор: Hisashi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. MINEMOTO,Yasuo c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KITAOKA,Yasutoshi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KAWAGUCHI,Yasuhito c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. TAKAHASHI,Yoshiaki c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. HASEGAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160163928A1. Автор: Kohei Miyoshi,Massashi TSUKIHARA. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2016-06-09.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Nitride semiconductor element and method of making same

Номер патента: RU2566383C1. Автор: Норитака НИВА,Тецухико ИНАДЗУ. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-10-27.

Template for epitaxial growth, a method for producing it and a nitride semiconductor device

Номер патента: RU2653118C1. Автор: Акира ХИРАНО,Сирил ПЕРНО. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-07.

Nitride semiconductor growth method, nitride semiconductor substrate, and nitride semiconductor device

Номер патента: CA2258080C. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2007-06-05.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emmiting device

Номер патента: US20120315719A1. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09660413B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: US6153010A. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2000-11-28.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device, group III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US8669129B2. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8735196B2. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Group iii nitride semiconductor single crystal, method for producing the same, self-standing substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20140070370A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Nitride semiconductor light emitting chip and light emitting device having the same

Номер патента: WO2016085297A1. Автор: Jung-Sub Song. Владелец: ILJIN LED CO., LTD.. Дата публикации: 2016-06-02.

Method for producing a nitride semiconductor component, and a nitride semiconductor component

Номер патента: US20180175243A1. Автор: Werner Bergbauer,Bastian Galler,Thomas Lehnhardt,Juergen Off,Tobias Gotschke. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-06-21.

Group III nitride semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US11955581B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Nitride semiconductor light emitting device and method of fabricating nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20070138491A1. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Flip chip type nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US7297988B2. Автор: Bong Il Yi,Kun Yoo Ko,Seung Wan Chae,Suk Kil YOON,Hyun Wook Shim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-20.

Method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20150118775A1. Автор: Junya Narita,Yohei Wakai,Kazuto OKAMOTO,Mizuki Nishioka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Method For Producing Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150236193A1. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US10475952B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180182914A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US8093625B2. Автор: Sang Kyun SHIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-10.

Group iii nitride semiconductor

Номер патента: EP3712925A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-09-23.

Group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200075810A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140070255A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190081203A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-14.

Method of producing iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20180166604A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US8759837B2. Автор: Masakazu Kuwabara,Harumasa Yoshida,Yasufumi Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2014-06-24.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230411553A1. Автор: Tomoya Yamashita. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

N-type gan crystal, gan wafer, and gan crystal, gan wafer and nitride semiconductor device production method

Номер патента: EP3839108A1. Автор: Tatsuya Takahashi,Kenji Iso,Tae Mochizuki,Yuuki ENATSU. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2021-06-23.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140087508A1. Автор: Atsushi Miyazaki,Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

Method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240213402A1. Автор: Yusuke Matsukura,Kazufumi Takao,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Ultraviolet led device

Номер патента: US20220293824A1. Автор: Fusheng Chen,Yaohua Zhang,Yuanbao Du,Qinghao ZHANG,Xiaoning CAI. Владелец: Ningbo Sunpu Led Co ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

Deep ultraviolet LED inorganic module packaging device including double-sided microlens array

Номер патента: US12125955B2. Автор: Li Chen,Miao He,Deping Xiong,Kunhua WEN,Zuyong FENG,Jiongjian GAO,Xuelan FENG. Владелец: Shenzhen Shuangma Xingguang Electronic Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Ultraviolet led device and preparation method therefor

Номер патента: US20240266481A1. Автор: Yan Chen,Yurong LI,Mingjun Zhu,Danwei Li,Zishan LU,Haojie GUO. Владелец: Foshan NationStar Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Inorganic ultraviolet led device and preparation method

Номер патента: US20220254971A1. Автор: Yong Tang,Hong Wang,Kai Cao,Zongtao Li,Longshi RAO,Xinrui DING,Hanguang LU. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2022-08-11.

Group III nitride semiconductor device which can be used as a power transistor

Номер патента: US09412858B2. Автор: Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240128366A1. Автор: Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411679A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Nitride semiconductor device comprising nitride semiconductor regrowth layer

Номер патента: US09536949B2. Автор: Asamira Suzuki,Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09685549B2. Автор: Takahiro Sato,Yasuhiro Uemoto,Hidenori Takeda,Masahiro Hikita,Akihiko Nishio,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240332372A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naoki Torii,Naohiro Tsurumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Nitride semiconductor laser chip, nitride semiconductor laser device, and manufacturing method of nitride semiconductor laser chip

Номер патента: US20090180507A1. Автор: Yasuhiko Matsushita. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-16.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09911868B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Device with Isolation Implant Regions

Номер патента: US20240290876A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20240162339A1. Автор: Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240105828A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of producing microstructure of nitride semiconductor and photonic crystal prepared according to the method

Номер патента: US09437684B2. Автор: Takeshi Kawashima,Shoichi Kawashima,Yasuhiro Nagatomo,Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09502549B2. Автор: Hiroto YAMAGIWA,Ayanori Ikoshi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Nitride semiconductor laser device and method for producing its electrode

Номер патента: RU2238607C2. Автор: Масахико САНО. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2004-10-20.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20120187413A1. Автор: Hidetoshi Fujimoto,Wataru Saito,Akira Yoshioka,Tetsuya Ohno,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090180505A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-16.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110096805A1. Автор: Yuji Ishida,Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2011-04-28.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240304674A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor module

Номер патента: US20240313059A1. Автор: Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09871108B2. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09412857B2. Автор: Toru Sugiyama,Hidetoshi Fujimoto,Wataru Saito,Akira Yoshioka,Tetsuya Ohno,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Clamping circuit integrated on gallium nitride semiconductor device and related semiconductor device

Номер патента: US12027514B2. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US12113110B2. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240332370A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Nitride semiconductor device and nitride semiconductor package

Номер патента: US11769825B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-26.

Field Reducing Structures for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240304702A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor substrate, laminated structure, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US12091774B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US09899507B2. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-20.

III-Nitride semiconductors with recess regions and methods of manufacture

Номер патента: US09614069B1. Автор: Bin Lu,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11837656B2. Автор: Katsunori Ueno,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240282826A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US10825895B2. Автор: Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2020-11-03.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200194545A1. Автор: Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2020-06-18.

Field reducing structures for nitrogen-polar group iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2024186528A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240313061A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naoki Torii. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240088280A1. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Nitride semiconductor device with multi-layer structure electrode having different work functions

Номер патента: US09461135B2. Автор: Masahito Kanamura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230411506A1. Автор: Manabu Yanagihara,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Methods of forming group III-nitride semiconductor devices including implanting ions directly into source and drain regions and annealing to activate the implanted ions

Номер патента: US09711633B2. Автор: Sten Heikman,Scott T. Sheppard,Yifeng Wu,Matthew Jacob-Mitos,R. Peter Smith. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20230009662A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230009662A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-01-12.

Nitride semiconductor crystal producing method, nitride semiconductor epitaxial wafer, and nitride semiconductor freestanding substrate

Номер патента: US20130069075A1. Автор: Yuichi Oshima,Hajime Fujikura,Taichiroo Konno. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US9165999B2. Автор: Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Vertical nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US20210226019A1. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-07-22.

Nitride semiconductor transistor

Номер патента: US20130043492A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-02-21.

Group-III nitride semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09722042B2. Автор: Wen-Jang Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-01.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387288A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Hiroyuki Handa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220384632A1. Автор: Wen-Jung Liao,Chih Tung Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200176595A1. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US8884333B2. Автор: Tetsuzo Ueda,Daisuke Shibata,Hidetoshi Ishida,Masahiro Hikita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20220165874A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Nitride semiconductor element and nitride semiconductor device

Номер патента: US20240136434A1. Автор: Taojun FANG. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240274672A1. Автор: Zichen WANG,Guanying HUANG,Shenghou LIU,Xiguo SUN,Yihang LIANG. Владелец: San'an Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: CA2400121C. Автор: Masahiko Sano. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-09-21.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20240154004A1. Автор: Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Infrastructure Systems and Solutions Corp. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20230317796A1. Автор: Hajime Nago,Hisashi Yoshida,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Nitride semiconductor, semiconductor device, and method for manufacturing the nitride semiconductor

Номер патента: US20230138962A1. Автор: Hajime Nago,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-05-04.

Nitride semiconductor device, production method thereof, diode, and field effect transistor

Номер патента: US9911842B2. Автор: JIANG LI,Shusuke Kaya,Masayuki Iwami,Shinya Otomo,Hirotatsu Ishii,Ryosuke Tamura,Takuya Kokawa,Kazuyuki UMENO,Keishi Takaki. Владелец: Furukawa Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411642A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230047842A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Nitride semiconductor transistor and electronic device

Номер патента: EP4080581A1. Автор: Zhibin Chen,Qimeng JIANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20150187886A1. Автор: Sang Choon KO,Young Rak PARK,Jae Kyoung Mun,Woojin CHANG,Sung-Bum BAE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-07-02.

Nitride semiconductor device with a hole extraction electrode

Номер патента: US7737467B2. Автор: Wataru Saito,Masaaki Onomura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-06-15.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240014094A1. Автор: Keita Shikata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20170047412A1. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Nitride semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20230395650A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Nitride semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230420517A1. Автор: Manabu Yanagihara,Kazuya Nagase,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Nitride semiconductor device with element isolation area

Номер патента: US20240047533A1. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride semiconductor apparatus

Номер патента: US20220165875A1. Автор: Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Nitride semiconductor device with element isolation area

Номер патента: US11830916B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Nitride semiconductor device with field effect gate

Номер патента: US20230006047A1. Автор: Younghwan Park,Jongseob Kim,Woochul Jeon,Jaejoon Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11152502B2. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200365725A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20130134434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hideki Osada,Yusuke Yoshizumi,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Nitride Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20150179780A1. Автор: Tomoyoshi Mishima,Akihisa Terano,Naoki Kaneda,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240120387A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09923069B1. Автор: Manabu Yanagihara,Saichirou Kaneko,Hiroto YAMAGIWA,Ayanori Ikoshi,Ryusuke Kanomata. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905669B2. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09859413B2. Автор: Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita,Hisayoshi Matsuo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US8637960B2. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2014-01-28.

Clamping circuit integrated on gallium nitride semiconductor device and related semiconductor device

Номер патента: US20230178541A1. Автор: Jianjian SHENG,Yaobin GUAN. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20130082355A1. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190237550A1. Автор: Toshiki Hikosaka,Shigeya Kimura,Kenjiro Uesugi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240266431A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09530858B2. Автор: Tomoyoshi Mishima,Akihisa Terano,Naoki Kaneda,Tomonobu Tsuchiya. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Nitride semiconductor module

Номер патента: US20240039523A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-01.

Improving the performance of nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2011163465A3. Автор: Jinwook Chung,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2012-03-08.

Improving the performance of nitride semiconductor devices

Номер патента: WO2011163465A2. Автор: Jinwook Chung,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2011-12-29.

Performance of nitride semiconductor devices

Номер патента: US20120012894A1. Автор: Jinwook Chung,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2012-01-19.

Nitride Semiconductor Transistor Device

Номер патента: US20170194474A1. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-06.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240162300A1. Автор: Hirotaka Otake,Tsuyoshi Tachi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20220140134A1. Автор: Katsunori Ueno,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for producing nitride semiconductor laminate, silicon semiconductor product, method for inspecting film quality and method for inspecting semiconductor growth device

Номер патента: US11946874B2. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US8729558B2. Автор: Masahiko Kuraguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-20.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20230387285A1. Автор: Kentaro Chikamatsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated Circuit Structure of Group III Nitride Semiconductor, Manufacturing Method Thereof, and Use Thereof

Номер патента: US20230044911A1. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Nitride semiconductor device comprising layered structure of active region and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230290836A1. Автор: Yosuke Hata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20140103537A1. Автор: Kazuhiro Kaibara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Vertical nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US11489050B2. Автор: Riichiro Shirota,Shinichiro Takatani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-11-01.

Group-iii nitride semiconductor nanoparticles, core-shell-type particles, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230357011A1. Автор: Kenji Moriyama,Atsushi Muramatsu,Yasuyuki Miyake,Kiyoshi Kanie,Wataru Tamura,Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20130119486A1. Автор: Tetsuzo Ueda,Hidetoshi Ishida,Kazuhiro Kaibara. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-16.

Nitride semiconductor device including a horizontal switching device

Номер патента: US10403745B2. Автор: Yasushi Higuchi,Kazuhiro Oyama,Shinichi Hoshi. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-09-03.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240030333A1. Автор: Kazuya Nagase. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180190790A1. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-07-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230361179A1. Автор: Masayuki Kuroda,Manabu Yanagihara,Masahiro Hikita,Hiroto YAMAGIWA,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20220302262A1. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-09-22.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190280101A1. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-09-12.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200365694A1. Автор: Norikazu Ito,Ken Nakahara,Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-11-19.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190027426A1. Автор: Heng-Kuang Lin,Kuei-Yi Chu. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11990542B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Obverse/reverse discriminative rectangular nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20040188804A1. Автор: Tetsuya Hirano,Masahiro Nakayama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-09-30.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170117403A1. Автор: Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita,Hisayoshi Matsuo. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10340360B2. Автор: Norikazu Ito,Shinya Takado,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-07-02.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7714439B2. Автор: Toshiyuki Oishi,Hitoshi Sakuma,Toshihiko Shiga,Katsuomi Shiozawa,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Low dislocation density III-nitride semiconductor component

Номер патента: US09954089B2. Автор: Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Chan Kyung Choi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Nitride semiconductor laminate, method for manufacturing nitride semiconductor laminate, method for manufacturing semiconductor laminate, and method for testing semiconductor laminate

Номер патента: EP3477687A4. Автор: Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-08.

Ultraviolet LED light source and curing and packaging device and method for OLED device

Номер патента: US09899628B2. Автор: Kui Nl. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Epitaxial layers with discontinued aluminium content for III-nitride semiconductor

Номер патента: US11942521B2. Автор: Peng-Yi Wu. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Ultraviolet led optical member

Номер патента: US20230251477A1. Автор: Nobuyuki Tomizawa,Yuta Ito,Takeru KAWAGUCHI,Masutugu TASAKI. Владелец: Asahi Rubber Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

APPARATUS FOR PRODUCING METAL CHLORIDE GAS AND METHOD FOR PRODUCING METAL CHLORIDE GAS, AND APPARATUS FOR HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, WAFER FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE, METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR FREESTANIDNG SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL

Номер патента: US20150140791A1. Автор: FUJIKURA Hajime. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Group iii nitride semiconductor laser diode, and method for producing group iii nitride semiconductor laser diode

Номер патента: TW201114128A. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2011-04-16.

Nitride semiconductor element and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: EP2824693B1. Автор: Hajime Nago,Shinya Nunoue,Hisashi Yoshida,Naoharu Sugiyama,Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Method for manufacturing nitride semiconductor wafer, and nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP4202088A4. Автор: Masaru Shinomiya,Keitaro Tsuchiya,Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Low Dislocation Density III-Nitride Semiconductor Component

Номер патента: US20170365699A1. Автор: Mihir Tungare,Peter Wook Kim,Chan Kyung Choi. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Nanowire cluster and template and method for nanowire cluster formation

Номер патента: US09834847B2. Автор: Philippe Vereecken,Cedric Huyghebaert,Alaa Abd-Elnaiem. Владелец: King Abdulaziz City for Science and Technology KACST. Дата публикации: 2017-12-05.

Nitride semiconductor crystal, manufacturing method of the nitride semiconductor freestanding substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: CN102154704A. Автор: 藤仓序章. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-08-17.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: JP4927121B2. Автор: 剛神川,征孝太田. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-05-09.

FIN shaping using templates and integrated circuit structures resulting therefrom

Номер патента: US11749733B2. Автор: Tahir Ghani,William Hsu,Mark Armstrong,Swaminathan Sivakumar,Biswajeet Guha,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Systems and methods for assembling and developing an soc efficiently using templates and designer input data

Номер патента: US20200159981A1. Автор: Mohamed K. Kassem,Michael S. Wishart,Jeffrey Dicorpo,Mohamed A. Shalan. Владелец: Efabless Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, laminated group III nitride composite substrate, and group III nitride semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09923063B2. Автор: Keiji Ishibashi,Yoshiyuki Yamamoto,Koji Uematsu,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of growing nitride single crystal and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09871162B2. Автор: Min Ho Kim,William SOLARI,Heon Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Iii-v arsenide nitride semiconductor substrate

Номер патента: WO2003009344A2. Автор: Jamal Ramdani,Lyndee L. Hilt. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-01-30.

Nitride semiconductor multilayer structure, method for producing same, and nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: TW201126752A. Автор: Hideki Hirayama,Kenji Tsubaki,Takayoshi Takano,Sachie Fujikawa. Владелец: Panasonic Elec Works Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-01.

A method of producing a group III nitride semiconductor crystal, a method of manufacturing a gallium nitride-based compound semiconductor, a gallium nitride-based compound semiconductor, a gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and a light source using the semiconductor light-emitting device

Номер патента: DE10196361T5. Автор: Yusuhito Chiba Urashima,Mineo Chiba Okuyama,Tetsuo Chiba Sakurai,Hisayuki Chiba Miki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-05-25.

Method of fabricating group-iii nitride semiconductor crystal, method of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor light-emitting device, and light source using the semiconductor light-emitting device

Номер патента: US6852161B2. Автор: Tetsuo Sakurai,Mineo Okuyama,Hisayuki Miki,Yasuhito Urashima. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2005-02-08.

A group III nitride semiconductor semiconductor substrate, a group III nitride semiconductor device, and a group III nitride semiconductor device, and a group III nitride semiconductor self-supporting substrate, and a method of manufacturing the same

Номер патента: TWI479541B. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Masahito MIYASHITA,Tatsunori Toyota. Владелец: Dowa Electronics Materials Co. Дата публикации: 2015-04-01.

Substrate for growing group-iii nitride semiconductors, epitaxial substrate for group-iii nitride semiconductors, group-iii nitride semiconductor element, stand-alone substrate for group-iii nitride semiconductors, and methods for manufacturing the preceding

Номер патента: KR101321654B1. Автор: 류이치 토바,마사히토 미야시타,타츠노리 토요타,요시타카 카도와키. Владелец: 도와 홀딩스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2013-10-23.

Nitride semiconductor template and method for manufacturing same

Номер патента: WO2016136446A1. Автор: 倉又　朗人,秀樹平山,嘉克森島,飯塚　和幸. Владелец: 国立研究開発法人理化学研究所. Дата публикации: 2016-09-01.

Apparatus for manufacturing group-iii nitride semiconductor layer, method of manufacturing group-iii nitride semiconductor layer, group-iii nitride semiconductor light-emitting device, method of manufacturing group-iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20090114942A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama,Takehiko OKABE. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-05-07.

Substrate for growing group-iii nitride semiconductors, epitaxial substrate for group-iii nitride semiconductors, group-iii nitride semiconductor element, stand-alone substrate for group-iii nitride semiconductors, and methods for manufacturing the preceding

Номер патента: WO2010110489A1. Автор: 嘉孝門脇,豊田　達憲,鳥羽　隆一,雅仁宮下. Владелец: Ｄｏｗａホールディングス株式会社. Дата публикации: 2010-09-30.

Group iii nitride semiconductor, and method for producing same

Номер патента: US20170338101A1. Автор: Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Group III nitride semiconductor, and method for producing same

Номер патента: US09899213B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of fabricating group-III nitride semiconductor crystal, method of fabricating gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based compound semiconductor, gallium nitride-based c

Номер патента: CN100341115C. Автор: 浦岛泰人,奥山峰夫,桜井哲朗,三木久幸. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-10-03.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for growing nitride semiconductor crystal

Номер патента: US20130087762A1. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-11.

NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20150325428A1. Автор: Yamada Shinji,KATSUNO Hiroshi,Ohba Yasuo,Kaneko Kei,Kushibe Mitsuhiro,Tajima Jumpei. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-11-12.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for growing nitride semiconductor crystal

Номер патента: JP5117609B1. Автор: 真也布上,洪洪,倫也塩田,鐘日黄,直治杉山. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-16.

Nitride semiconductor, nitride semiconductor crystal growth method, and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: KR101502195B1. Автор: 히데요시 호리에,가오리 구리하라. Владелец: 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-03-12.

Nitride semiconductor substrate, method for forming a nitride semiconductor layer and method for separating the nitride semiconductor layer from the substrate

Номер патента: US20080054292A1. Автор: Chih-Ming Lai,Po-Chun Liu,Yih-Der Guo,Jenq-Dar Tsay. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for producing nitride semiconductor optical device and epitaxial wafer

Номер патента: US8183071B2. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-05-22.

III-nitride semiconductor device with doped epi structures

Номер патента: US09608075B1. Автор: Srinivasan Kannan,Peter Kim,Scott Nelson,Mihir Tungare,Jianwei Wan,Seong-Eun Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Nitride semiconductor template and method of manufacturing the same

Номер патента: TW201122164A. Автор: Po-Chun Liu,Jenq-Dar Tsay. Владелец: Ind Tech Res Inst. Дата публикации: 2011-07-01.

NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE, NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT, NITRIDE SEMICONDUCTOR TRANSISTOR ELEMENT, METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE, AND METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20130277684A1. Автор: Ogawa Atsushi,YOSHIDA Shinya,Araki Masahiro,Takiguchi Haruhisa,Kinoshita Takao,Murata Tohru,Funaki Takeshi,Hoteida Masayuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-24.

Nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US09502551B2. Автор: Takashi Inoue,Yasuhiro Okamoto,Tatsuo Nakayama,Hironobu Miyamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR LAMINATE, PROGRAM FOR SELECTING SUBSTRATE, PROGRAM FOR OUTPUTTING SUBSTRATE DATA, NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH PROGRAM FOR OUTPUTTING SUBSTRATE DATA, OFF-ANGLE COORDINATE MAP, NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH OFF-ANGLE COORDINATE MAP, PROGRAM FOR SELECTING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR...

Номер патента: US20210184003A1. Автор: HORIKIRI Fumimasa,Yoshida Takehiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Group iii nitride semiconductor substrate and production method for group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP3556912B1. Автор: HIROKI Goto,Takuya Nakagawa,Yujiro Ishihara,Yasunobu Sumida,Yasuharu FUJIYAMA. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Nitride semiconductor wafer and method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP4191639A4. Автор: Masaru Shinomiya,Kosei Sugawara,Keitaro Tsuchiya. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Iii-nitride semiconductor substrate, and method for producing iii-nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP3604632A4. Автор: HIROKI Goto,Yujiro Ishihara. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

Metal chloride gas generator, hydride vapor phase epitaxy growth apparatus, and nitride semiconductor template

Номер патента: US20130043442A1. Автор: Hajime Fujikura,Taichiroo Konno,Michiko Matsuda. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2013-02-21.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATE, SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAMINATE, METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR FREE-STANDING SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200219983A1. Автор: FUJIKURA Hajime. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Metal chloride gas generator, hydride vapor phase epitaxy growth apparatus, and nitride semiconductor template

Номер патента: US10418241B2. Автор: Hajime Fujikura,Taichiroo Konno,Michiko Matsuda. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-17.

Metal chloride gas generating unit, hydrite vapor phase grower and nitride semiconductor template

Номер патента: CN102956446B. Автор: 今野泰一郎,藤仓序章,今野泰郎,松田三智子. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-21.

Method and apparatus for preparing nitride semiconductor surfaces

Номер патента: US20020123239A1. Автор: Christopher Burns,Dirk Jordan,R. Doak. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20150001547A1. Автор: Nago Hajime,Hikosaka Toshiki,Nunoue Shinya,Sugiyama Naoharu,YOSHIDA Hisashi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-01-01.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20140138699A1. Автор: Hikosaka Toshiki,Nunoue Shinya,Harada Yoshiyuki,Sugiyama Naoharu,YOSHIDA Hisashi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-05-22.

NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20140361345A1. Автор: Yamada Shinji,KATSUNO Hiroshi,Ohba Yasuo,Kaneko Kei,Kushibe Mitsuhiro,Tajima Jumpei. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-12-11.

Apparatus for producing nitride semiconductor crystal, method for producing nitride semiconductor crystal, and nitride semiconductor crystal

Номер патента: EP2383373A4. Автор: Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Michimasa Miyanaga,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-09.

Method for producing nitride semiconductor crystal, nitride semiconductor crystal, and apparatus for producing nitride semiconductor crystal

Номер патента: WO2010082574A1. Автор: 喜之山本,一成佐藤,宮永　倫正. Владелец: 住友電気工業株式会社. Дата публикации: 2010-07-22.

Ultraviolet light emitting nitride semiconductor element and ultraviolet light emitting nitride semiconductor device

Номер патента: RU2664755C1. Автор: Акира ХИРАНО,Масамити ИППОММАЦУ. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-08-22.

Materials and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US20210296516A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-23.

Materials and structures for optical and electrical III-nitride semiconductor devices and methods

Номер патента: US11631775B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-04-18.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Methods, materials, and structures for optical and electrical iii-nitride semiconductor devices

Номер патента: US20190067499A1. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-28.

NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE, MANUFACTURING METHOD THEREOF, AND EPITAXIAL WAFER

Номер патента: US20180010246A1. Автор: FUJIKURA Hajime,NEMOTO Shusei,KONNO Taichiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

Nitride semiconductor laser and method for fabricating the same

Номер патента: US20080049806A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Akihiko Ishibashi,Isao Kidoguchi,Gaku Sugahara,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-28.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20080304530A1. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090175305A1. Автор: Shinichi Kohda. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2009-07-09.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090116528A1. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7792172B2. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus

Номер патента: US20060202188A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Takeshi Kamikawa,Mototaka Taneya,Yuhzoh Tsuda,Yoshihiro Ueta,Teruyoshi Takakura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus

Номер патента: US20090236585A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Takeshi Kamikawa,Mototaka Taneya,Yuhzoh Tsuda,Yoshihiro Ueta,Teruyoshi Takakura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050265413A1. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20100080257A1. Автор: Jae Woong Han,Seong Suk Lee,Hee Seok Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Nitride semiconductor laser element and external-cavity semiconductor laser device

Номер патента: US7970035B2. Автор: Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-06-28.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Nitride semiconductor surface emitting laser and method of manufacturing the same

Номер патента: US09356428B2. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Nitride semiconductor laser diode

Номер патента: US8514904B2. Автор: Takashi Miyoshi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20230178959A1. Автор: Tomonori Morizumi,Teruyuki MORITO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20230019645A1. Автор: Hideo Kitagawa,Shinji Yoshida. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-01-19.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the nitride semiconductor laser device

Номер патента: EP2287982A1. Автор: Keiji Sakamoto,Hiroaki Matsumura,Tokuya Kozaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Nitride semiconductor laser and nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20190245322A1. Автор: Osamu Imafuji,Shinichiro Nozaki,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US11133651B2. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20200244041A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Method for producing nitride semiconductor laser light source and apparatus for producing nitride semiconductor laser light source

Номер патента: US20060068516A1. Автор: Masaya Ishida,Atsushi Ogawa,Takuro Ishikura,Yoshihiko Tani,Daisuke Hanaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20240243553A1. Автор: Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-07-18.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20110026554A1. Автор: Shingo Masui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-02-03.

Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing same

Номер патента: US8654808B2. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7573924B2. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing same

Номер патента: EP2416460A3. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-08-27.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130280837A9. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US9036671B2. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Nitride semiconductor laser diode and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110182310A1. Автор: Akihiko Ishibashi,Akio Ueta,Yasutoshi Kawaguchi,Tomohito YABUSHITA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20240250505A1. Автор: Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2024-07-25.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20140294029A1. Автор: Shingo Masui. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130308670A1. Автор: Koji Katayama,Hiroshi Nakajima,Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takatoshi Ikegami,Katsunori Yanashima. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065336A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065337A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Nitride semiconductor vertical cavity surface emitting laser

Номер патента: US20070036186A1. Автор: David Bour,Scott Corzine. Владелец: Avago Technologies ECBU IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-02-15.

Nitride semiconductor laser diode

Номер патента: US8432946B2. Автор: Masashi Kubota. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US8085826B2. Автор: Yuhzoh Tsuda,Masataka Ohta,Yoshie Fujishiro. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-12-27.

Nitride semiconductor laser device and method of producing the same

Номер патента: US20090103584A1. Автор: Yuhzoh Tsuda,Pablo Vaccaro. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-04-23.

Nitride semiconductor laser and method for fabricating the same

Номер патента: EP1104947A3. Автор: ATSUSHI Watanabe,Toshiyuki Tanaka,Hiroyuki Ota,Yoshinori Kimura,Mamoru Miyachi. Владелец: Pioneer Corp. Дата публикации: 2004-04-14.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230402821A1. Автор: Shinji Yoshida,Toru Takayama. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2023-12-14.

Group III Nitride Semiconductor Device and Method for Manufacturing Group III Nitride Semiconductor Device

Номер патента: US20090257467A1. Автор: Koichi Naniwae,Ichiro Masumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20110268144A1. Автор: Satoshi Tamura,Hideki Kasugai,Kazutoshi Onozawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-11-03.

Method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20100151658A1. Автор: Shinji Abe,Kazushige Kawasaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-06-17.

Ultraviolet irradiator and ultraviolet irradiating apparatus using the same

Номер патента: US20120235060A1. Автор: Kazuhiro Sakai,Takuya Miyamae,Kenichirou Ono,Takanobu Fujima,Ryuichi Iwazaki. Владелец: Iwasaki Denki KK. Дата публикации: 2012-09-20.

Group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20210006042A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akihiko Ishibashi,Junichi TAKINO,Tomoaki Sumi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20180131161A1. Автор: Masao Kawaguchi,Osamu Imafuji,Shinichiro Nozaki,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Nitride semiconductor device

Номер патента: WO2009148183A1. Автор: Katherine Louise Smith,Stewart Edward Hooper,Mathieu Xavier Senes,Victoria Broadley. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-12-10.

NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE AND ULTRAVIOLET LED

Номер патента: US20160380152A1. Автор: Hirayama Hideki,Morishima Yoshikatsu. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Iii-nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: WO2007049946A1. Автор: Tae-Kyung Yoo,Eun-Hyun Park. Владелец: Epivalley Co., Ltd.. Дата публикации: 2007-05-03.

Ultraviolet light emitting devices having a dielectric layer and a transparent electrode layer disposed in between patterned nitride semiconductor layers

Номер патента: US20190189841A1. Автор: Mi Hyun Kim,Young Hwan Park,Joo Sung KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Nitride semiconductor template, light emitting device, and method of manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: JP6454712B2. Автор: 藤倉　序章,序章藤倉,泰一郎今野,今野　泰一郎,秀聖根本. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-16.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor wafer, and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09478706B2. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Nitride semiconductor light-emitting element, illuminating device, liquid crystal display device, method for producing nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing illuminating device

Номер патента: US8791473B2. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Tadashi Yano,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer, and method for forming nitride semiconductor layer

Номер патента: US09601662B2. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Near-Ultraviolet Light-Emitting Semiconductor Light-Emitting Element And Group III Nitride Semiconductor Template Used Therefor

Номер патента: US20200058827A1. Автор: HWANG Sung Min,KIM Doo Soo,CHO In Sung,LIM Won Taeg. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

NEAR-ULTRAVIOLET LIGHT-EMITTING SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE USED THEREFOR

Номер патента: US20190140140A1. Автор: HWANG Sung Min,KIM Doo Soo,CHO In Sung,LIM Won Taeg. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-09.

Nitride semiconductor element and method for manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: EP4213227A4. Автор: Ryota FUNAKOSHI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-16.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US8895419B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20180033907A1. Автор: Hirayama Hideki,Iizuka Kazuyuki,Kuramata Akito,Morishima Yoshikatsu. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-01.

NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE AND LIGHT EMITTING ELEMENT

Номер патента: US20170141269A1. Автор: FUJIKURA Hajime,NEMOTO Shusei,KONNO Taichiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-18.

The preparation method and ultraviolet LED of ultraviolet LED

Номер патента: CN107195742A. Автор: 黄小辉,梁旭东,康建,周德保. Владелец: EPITOP PHOTOELECTRIC TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-22.

Ultraviolet LED preparation method and ultraviolet LED

Номер патента: CN110504339B. Автор: 黄小辉,梁旭东,康建,郑远志. Владелец: Maanshan Jiesheng Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE

Номер патента: US20160093764A1. Автор: GONO Hideyuki,SHIMADA Yosuke. Владелец: NICHIA CORPORATION. Дата публикации: 2016-03-31.

METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE

Номер патента: US20170263807A1. Автор: FUJIKURA Hajime. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2017-09-14.

Nitride semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US20130214288A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa,Junko Iwanaga. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20130228745A1. Автор: Nunoue Shinya,Ono Hiroshi,SHIODA Tomonari,Sugiyama Naoharu,OKA Toshiyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20140231824A1. Автор: Nunoue Shinya,SHIODA Tomonari,Sugiyama Naoharu,SATO Taisuke,Hung Hung,Hwang Jongil. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-08-21.

Nitride Semiconductor Wafer, Manufacturing Method Thereof, Nitride Semiconductor Ultraviolet Light-Emitting Element, and Nitride Semiconductor Ultraviolet Light-Emitting Device

Номер патента: US20180190877A1. Автор: Hirano Akira,AOSAKI Ko. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-05.

Nitride semiconductor light-emitting chip, nitride semiconductor light-emitting device, and method for manufacturing nitride semiconductor chip

Номер патента: CN103493224A. Автор: 藤田稔之,井上彰,藤金正树,横川俊哉. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-01.

METHOD OF FABRICATING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR, METHOD OF FABRICATING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130285066A1. Автор: UENO Masaki,ENYA Yohei,Yoshizumi Yusuke,Sumitomo Takamichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-10-31.

Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device

Surface treatment method of group iii nitride semiconductor, group iii nitride semiconductor, manufacturing method of the same and group iii nitride semiconductor structure

Номер патента: US20100090247A1. Автор: Sang Bum Lee,Sang Yeob Song,Jong In Yang,Tae Hyung Kim,Si Hyuk Lee. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Multi-layer silicon/gallium nitride semiconductor

Номер патента: US20200227396A1. Автор: Paul B. Fischer,Robert S. Chau,Ravi Pillarisetty,Patrick Morrow,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Kimin Jun,Valluri R. Rao,Sansaptak W. DASGUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Vertical III-nitride semiconductor device with a vertically formed two dimensional electron gas

Номер патента: US09490357B2. Автор: Karim S. Boutros,Andrea Corrion,Sameh G. Khalil. Владелец: HRL LABORATORIES LLC. Дата публикации: 2016-11-08.

Liquid composition for removing titanium nitride, semiconductor-element cleaning method using same, and semiconductor-element manufacturing method

Номер патента: US09777251B2. Автор: Kenji Shimada,Satoshi Tamai. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

III-Nitride Semiconductor Device with Stepped Gate

Номер патента: US20140034959A1. Автор: Paul Bridger,Jianjun Cao,Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-02-06.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor substrate, and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: WO2023007781A1. Автор: 浩天野,善央本田,敦之田中,佑太伊藤,真斗出来,順陸. Владелец: 国立大学法人東海国立大学機構. Дата публикации: 2023-02-02.

NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE, METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR FREE-STANDING SUBSTRATE

Номер патента: US20200127163A1. Автор: FUJIKURA Hajime,KONNO Taichiro. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

Method of Manufacturing Nitride Semiconductor Light Emitting Element

Номер патента: US20090087934A1. Автор: Katsunori Kontani. Владелец: Tottori Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Integrated heterostructures of group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact comprising multiple quantum well

Номер патента: US6046464A. Автор: Jan Frederick Schetzina. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 2000-04-04.

Gallium nitride semiconductor structures with compositionally-graded transition layer

Номер патента: US8344417B2. Автор: Edwin L. Piner,Kevin J. Linthicum,T. Warren Weeks, Jr.,Thomas Gehrke. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-01-01.

Manufacturing Method of Semiconductor Template having Nano-Structure Nitride Semiconductor for High Quality Semiconductor Device

Номер патента: KR101512958B1. Автор: 이경재,김진완,전민환,남옥현,엄대용. Владелец: 한국산업기술대학교산학협력단. Дата публикации: 2015-04-21.

Semiconductor component having group III nitride semiconductor device mounted on substrate and interconnected to lead frame

Номер патента: US09818677B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated heterostructures of Group III-V nitride semiconductor materials including epitaxial ohmic contact, non-nitride buffer layer and methods of fabricating same

Номер патента: US5679965A. Автор: Jan Frederick Schetzina. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1997-10-21.

Method of processing of nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor wafer, method of producing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20120043645A1. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-02-23.

NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE AND LIGHT-EMITTING DIODE

Номер патента: US20130153858A1. Автор: KONNO Taichiroo,FUJIKURA Hajime. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

Method for machining nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor wafer, process for producing nitride semiconductor device, and nitride semiconductor device

Номер патента: EP2246877A4. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-30.

Nitride semiconductor template, manufacturing method thereof, and epitaxial wafer

Номер патента: JP6704386B2. Автор: 藤倉　序章,序章藤倉,泰一郎今野,今野　泰一郎,秀聖根本. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-03.

METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE

Номер патента: US20170256677A1. Автор: FUJIKURA Hajime. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2017-09-07.

NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR GROWING NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL

Номер патента: US20140048770A1. Автор: Nunoue Shinya,SHIODA Tomonari,Sugiyama Naoharu,Hung Hung,Hwang Jongil. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-02-20.

Nitride semiconductor growth method, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: US6940103B2. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2005-09-06.

Nitride semiconductor growth method, nitride semiconductor substrate, and nitride semiconductor device

Номер патента: CA2258080A1. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-10-22.

Nitride semiconductor light-emitting element, nitride semiconductor light-emitting device, and method of manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: CN102956770A. Автор: 翁宇峰. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-03-06.

Nitride semiconductor light-emitting element, nitride semiconductor light-emitting device and nitride semiconductor light-emitting element manufacturing method

Номер патента: JP2013045846A. Автор: 宇峰翁,Yufeng Weng. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-03-04.

Method of growing nitride semiconductors, nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor device

Номер патента: CN1159750C. Автор: , ,Ҳ,岩佐成人,中村修二,清久裕之,小崎德也,蝶蝶一幸. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2004-07-28.

Nitride semiconductor light-emitting element, nitride semiconductor light-emitting device, and method of manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US8772790B2. Автор: Yufeng Weng. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-07-08.

Nitride semiconductor growth method, nitride semiconductor substrate, and nitride semiconductor device

Номер патента: US20020046693A1. Автор: Shuji Nakamura,Naruhito Iwasa,Hiroyuki Kiyoku,Tokuya Kozaki,Kazuyuki Chocho. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Patterned back-barrier for III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09559161B2. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device with silicon nitride film on nitride semiconductor layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US09761682B2. Автор: Yasuhiro Okamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Gallium nitride semiconductor substrate with semiconductor film formed therein

Номер патента: US09472629B2. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Group iii-nitride semiconductor array with heterogeneous electrodes for radio frequency processing

Номер патента: EP4156245A1. Автор: Walid M. Hafez,Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic,Rahul RAMASWAMY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-03-29.

III-nitride semiconductor structures comprising spatially patterned implanted species

Номер патента: US09773898B2. Автор: John Claassen Roberts,Kevin J. Linthicum,Allen W. Hanson. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Group iii nitride crystal, group iii nitride semiconductor, group iii nitride substrate, and method for producing group iii nitride crystal

Номер патента: US20230399770A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Method of fabricating single crystal gallium nitride semiconductor substrate, nitride gallium semiconductor substrate and nitride semiconductor epitaxial substrate

Номер патента: US20100251865A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-10-07.

Method of fabricating single crystal gallium nitride semiconductor substrate, nitride gallium semiconductor substrate and nitride semiconductor epitaxial substrate

Номер патента: US20080029783A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

III-V nitride semiconductor device and production method thereof

Номер патента: EP1699085A3. Автор: Masahito c/o Fujitsu Limited Kanamura,Toshihiro c/o Fujitsu Limited Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-04-29.

III-nitride semiconductor device

Номер патента: US8860085B2. Автор: Michael A. Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2014-10-14.

Method for manufacturing group iii-nitride semiconductor substrate, group iii-nitride semiconductor substrate, and bulk crystal

Номер патента: EP3604631A4. Автор: HIROKI Goto,Hitoshi Sasaki,Tomohiro Kobayashi,Yujiro Ishihara,Shoichi Fuda. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR FREESTANDING SUBSTRATE, NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND RECTIFIER DIODE

Номер патента: US20140070371A1. Автор: TSUCHIYA Tadayoshi,KANEDA Naoki. Владелец: HITACHI METALS, LTD.. Дата публикации: 2014-03-13.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20210313462A1. Автор: Oliver Haeberlen,Walter Rieger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-10-07.

Methods and materials for growing iii-nitride semiconductor compounds containing aluminum

Номер патента: WO2007133512A3. Автор: Shuji Nakamura,Tadao Hashimoto,Benjamin A Haskell,Derrick S Kamber. Владелец: Derrick S Kamber. Дата публикации: 2008-01-17.

METAL CHLORIDE GAS GENERATOR, HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY GROWTH APPARATUS, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE

Номер патента: US20150357416A1. Автор: KONNO Taichiroo,FUJIKURA Hajime,MATSUDA Michiko. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

Gallium nitride semiconductor substrate with semiconductor film formed therein

Номер патента: US20130292688A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Gallium nitride semiconductor substrate with semiconductor film formed therein

Номер патента: US20160087048A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-03-24.

Gallium nitride semiconductor substrate with semiconductor film formed therein

Номер патента: US20150137136A1. Автор: Masaki Ueno. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Nitride semiconductor crystal producing method, nitride semiconductor epitaxial wafer, and nitride semiconductor freestanding substrate

Номер патента: US20130069075A1. Автор: Yuichi Oshima,Hajime Fujikura,Taichiroo Konno. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20130306981A1. Автор: Nunoue Shinya,SHIODA Tomonari,Sugiyama Naoharu,SATO Taisuke,Hung Hung,Hwang Jongil. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-11-21.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR FORMING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20150221728A1. Автор: Hikosaka Toshiki,Nunoue Shinya,Harada Yoshiyuki,Sugiyama Naoharu,YOSHIDA Hisashi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-08-06.

Group iii-v nitride semiconductor substrate and its manufacturing method, group iii-v nitride semiconductor device, and lot of group iii-v nitride semiconductor substrate

Номер патента: JP2009132613A. Автор: 真佐知柴田,Masatomo Shibata. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Automatic lamp replacement device and ultraviolet curing equipment

Номер патента: US9791135B2. Автор: Yangkun Jing. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Group-III nitride semiconductor device and group-III nitride semiconductor substrate

Номер патента: TW531908B. Автор: Chiaki Sasaoka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-11.

Iii nitride semiconductor laser element and method for manufacturing iii nitride semiconductor laser element

Номер патента: TW201101624A. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Masahiro Adachi,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Takatoshi Ikegami,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Shinji Tokuyama,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2011-01-01.

Enhanced block-request streaming using url templates and construction rules

Номер патента: RU2577473C2. Автор: Бинь Ван,Томас ШТОКХАММЕР,Марк УОТСОН,Майкл Дж. ЛУБИ,Лоренцо ВИЧИЗАНО,Паям ПАКЗАД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2016-03-20.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, METHOD FOR PRODUCING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, METHOD FOR EVALUATING END FACET FOR OPTICAL CAVITY OF GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LASER DEVICE, AND METHOD FOR EVALUATING SCRIBE GROOVE

Номер патента: US20150270686A1. Автор: TAKAGI Shimpei. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-24.

Group III nitride semiconductor laser device, method of manufacturing group III nitride semiconductor laser device, method of evaluating end face for optical resonator of group III nitride semiconductor laser device, method of evaluating scribe groove

Номер патента: JP5664627B2. Автор: 慎平高木,高木　慎平. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-02-04.

Nitride semiconductor light emitting element, nitride semiconductor light emitting device and method for manufacturing such nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: CN101356701A. Автор: 横川俊哉,长谷川義晃,菅原岳. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-28.

Generating and utilizing templates and logical paths to deploy network equipment

Номер патента: US20220407782A1. Автор: Jeff Johnson,Jiyuan Wang,Allison Whittaker,Mohammad Nikain,Vahid Tavassoli,Abdelmajid Belhareth,Keith Dorking,Jayant V Ragde. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2022-12-22.

Templates and events for customizable notifications on websites

Номер патента: WO2019023404A1. Автор: Ryan Kulp,Chris BACON. Владелец: Solstice Equity Partners, Inc.. Дата публикации: 2019-01-31.

Generating and utilizing templates and logical paths to deploy network equipment

Номер патента: US20240056360A1. Автор: Jeff Johnson,Jiyuan Wang,Allison Whittaker,Mohammad Nikain,Vahid Tavassoli,Abdelmajid Belhareth,Jayant V. Ragde,Keith Dorking. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2024-02-15.

Rapid network traffic telemetry exports with split templates and flow records

Номер патента: US20210328940A1. Автор: Dhananjay Shrikrishna Patki,Ralu Johny,Alexander M. Thuijs. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Nitride semiconductor substrate and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4455375A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Daichi Kitazume,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Optical disc unit for ultraviolet sterilizer, method of manufacturing the same, and ultraviolet sterilizer including the same

Номер патента: US20240231117A1. Автор: Sang-Ki Lee,Kwan-Woo LEE,Jin-Won Lee,Woo-Young Choi,Tae-Yoon Kim,Hong-Sik Chang,Heon-cheol Kim,Han-Joo Jang,Hyeon-Seok Lee,Young-Ho Cha,Jae-Gyun Sa. Владелец: HATBIT ILLUCOM CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200299857A1. Автор: Takayuki Sato,Shiro Yamazaki,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of Manufacturing Nitride Semiconductor Substrate

Номер патента: US20120034763A1. Автор: Fumitake Nakanishi,Hideki Osada,Seiji Nakahata,Koji Uematsu. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20230257902A1. Автор: Takayuki Sato,Miki Moriyama,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Apparatus for manufacturing Group III nitride semiconductor and method for manufacturing Group III nitride semiconductor

Номер патента: US20080295763A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film and Method for Manufacturing Nitride Semiconductor Photocatalytic Thin Film

Номер патента: US20230201810A1. Автор: Takeshi Komatsu,Yoko Ono,Yuya Uzumaki,Sayumi Sato. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of analyzing nitride semiconductor layer and method of manufacturing nitride semiconductor substrate using the analysis method

Номер патента: US20140055783A1. Автор: Hiroshi Oishi,Hiroshi Shirai,Jun Komiyama,Yoshihata Yanase. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

Nitride semiconductor substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US8120059B2. Автор: Takehiro Yoshida,Kazutoshi Watanabe. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2012-02-21.

Nitride semiconductor sustrate and method of fabricating the same.

Номер патента: US20100096728A1. Автор: Takehiro Yoshida,Kazutoshi Watanabe. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-04-22.

Group III nitride semiconductor manufacturing system

Номер патента: US20090106959A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-30.

Single crystalline a-plane nitride semiconductor wafer having orientation flat

Номер патента: EP1777325A2. Автор: Ki Soo Lee,Hyun Min Shin. Владелец: Samsung Corning Precision Glass Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-25.

III-nitride semiconductor device fabrication

Номер патента: US8168000B2. Автор: Robert Beach,Mike Briere. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-05-01.

Methods for improved growth of group III nitride semiconductor compounds

Номер патента: US8980002B2. Автор: Lu Chen,Hidehiro Kojiri,Yuriy Melnik. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2015-03-17.

Apparatus for manufacturing group III nitride semiconductor

Номер патента: US20080299020A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for wood processing by combined exposure to energy of electromagnetic field of ultra-high frequency and ultraviolet radiation

Номер патента: RU2755439C1. Автор: Ольга Александровна Поварова,Тимофей Александрович Поляков,Надежда Андреевна Полуэктова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования «Череповецкий государственный университет». Дата публикации: 2021-09-16.

Method for producing a composite photocatalyst based on carbon nitride and titanium dioxide, active under the action of electromagnetic radiation in the visible and ultraviolet range

Номер патента: RU2758946C1. Автор: Сергей Алексеевич Кулаков,Валентин Александрович Кутвицкий,Марат Фатыхович Булатов,Павел Валентинович Зинин,Александр Борисович Богомолов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Научно-технологический центр уникального приборостроения Российской академии наук (НТЦ УП РАН. Дата публикации: 2021-11-03.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US7986030B2. Автор: Takeshi Meguro. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-07-26.

A method and an automatic device for disinfecting books using heat and ultraviolet rays

Номер патента: AU2020103336A4. Автор: Sudip Paul,Ashit k. Baruah,Richman Kharwanniang,Vinayak Majhi,J. P. Nongbri,Aseem Sinha,F. R. Sumer,B. J. D. Wahlang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-01-21.

Infrared and ultraviolet radiation absorbing glass

Номер патента: US20030050174A1. Автор: Yukihito Nagashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-13.

Infrared and ultraviolet radiation absorbing glass

Номер патента: EP1165453A1. Автор: Yukihito Nippon Sheet Glass Co. Ltd. Nagashima. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2002-01-02.

Ultraviolet protection factor calculating apparatus and ultraviolet protection factor calculating method

Номер патента: US20220067031A1. Автор: Sun Gyoo Park,Ji Yong SHIM. Владелец: LG Household and Health Care Ltd. Дата публикации: 2022-03-03.

Sterilization apparatus using plasma and ultraviolet light and sterilization system comprising the same

Номер патента: US11992568B2. Автор: Jin Oh Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-05-28.

Novel pet comb with illumination and ultraviolet sterilization lamp

Номер патента: CA3090632A1. Автор: Ki Churk Ng. Владелец: Jiangmen Furong Electrical Products Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-08.

An integrated system for gas sensing and ultraviolet detecting

Номер патента: AU2020103964A4. Автор: Jin CHU,Xiaoyan PENG,Lidan Wang,Shukai Duan. Владелец: SOUTHWEST UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-03-18.

New triazine derivative and ultraviolet absorber

Номер патента: US20140213703A1. Автор: Keizo Kimura,Ichiro Amasaki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-07-31.

Impact and ultraviolet aging-resistant PLA filament for 3D printing and method for making same

Номер патента: AU2019206102A1. Автор: Yan Zhu,Lei Fu,Zhong Wang,Ligui CHEN,Shikui JIA. Владелец: Shaanxi University of Technology. Дата публикации: 2020-02-27.

System for controlled modulation of light emission in the infrared and ultraviolet range by means of a gas-discharge tube, intended for a therapeutic effect

Номер патента: RU2754764C1. Автор: Хачатур Давидович Мкртчян,Наталья Александровна Глазова. Владелец: Хачатур Давидович Мкртчян. Дата публикации: 2021-09-07.

Infrared and ultraviolet radiation absorbing green glass composition

Номер патента: CA2200767C. Автор: Larry J. Shelestak,Andrew Calabrese. Владелец: PPG Industries Ohio Inc. Дата публикации: 2001-10-23.

Batch composition for making infrared and ultraviolet radiation absorbing green glass

Номер патента: CA2035268A1. Автор: J. Joseph Cheng,Geoffrey Evans,Richard R. Snow,Charles R. Bamford,Harold B. Milnes. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-07-31.

Glass having low solar radiation and ultraviolet ray transmittance

Номер патента: CA2161379C. Автор: Takashi Kijima,Mizuki Ito,Toru Kudo. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2004-01-13.

Ultraviolet LED module and container having the same

Номер патента: US10871279B1. Автор: Chia-Te Lin,Chun-Hung Lu. Владелец: HERGY LIGHTING Tech CORP. Дата публикации: 2020-12-22.

Infra-red and ultraviolet absorbing glass containing iron

Номер патента: GB2315265A. Автор: Kenneth Melvin Fyles,Andrew Thomas Stanley. Владелец: PILKINGTON PLC. Дата публикации: 1998-01-28.

Leak locating device using an ultraviolet LED

Номер патента: US20040079903A1. Автор: Peter Sosinsky. Владелец: J L Sales and Marketing Inc. Дата публикации: 2004-04-29.

Method for Measuring Thermo-Optically Induced Material Phase-Change Response in a Multiple Layer Thin Film Structure Using Visible and Ultraviolet Spectroscopy

Номер патента: US20100318212A1. Автор: Lei Zhong,Robert J. McClelland,John Mccormack,Carlos L. Ygartua. Владелец: KLA Tencor Technologies Corp. Дата публикации: 2010-12-16.

Apparatus for curing ultraviolet ink using ultraviolet led

Номер патента: WO2008018725A1. Автор: Oe-Suk Ha. Владелец: Com. Design Open Co. Ltd.. Дата публикации: 2008-02-14.

Ultraviolet led light sanitizer and devices sanitized thereby

Номер патента: US11779667B2. Автор: Richard I. Stillman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for installation of orthodontic apparatus, template and orthodontic apparatus

Номер патента: RU2698047C1. Автор: Сергей Викторович Борзов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ортосмайл". Дата публикации: 2019-08-21.

Method for producing alumina template of nanorods, aluminia template, and nanorods

Номер патента: US20130327741A1. Автор: Hsyi-en CHENG,Bo-jiun YEH. Владелец: SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2013-12-12.

Query templates and labeled search tip system, methods and techniques

Номер патента: US09934313B2. Автор: Navdeep S. Dhillon,Carsten Tusk,Jonathan Reichhold. Владелец: Fiver LLC. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for producing alumina template of nanorods, aluminia template, and nanorods

Номер патента: US09458548B2. Автор: Hsyi-en CHENG,Bo-jiun YEH. Владелец: SOUTHERN TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2016-10-04.

Template and method of manufacturing the same, and semiconductor device manufacturing method using the template

Номер патента: US20110237086A1. Автор: Ikuo Yoneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Imprinting mother-template and manufacturing method therefor

Номер патента: EP4394505A1. Автор: Ying Li,Lu Cai,Yuliang Zhang,Yi Rao,Weixiang Wang,Xingjun HAN,Peiliang Guo. Владелец: Goertek Optical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Hardware accelerator template and design framework for implementing recurrent neural networks

Номер патента: US20220121917A1. Автор: Eriko Nurvitadhi,Deborah Marr. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Real-time road flare detection using templates and appropriate color spaces

Номер патента: US09727795B1. Автор: Abhijit Ogale,Wan-Yen Lo,David Ian Franklin Ferguson. Владелец: Waymo LLC. Дата публикации: 2017-08-08.

Identification of query templates and associated aggregate statistics among search queries

Номер патента: RU2726728C2. Автор: Майк БЕНДЕРСКИ,Дональд МЕТЦЛЕР,Марк Александер НЕЙДЖОРК,Дор НАВЕХ,Влад ПАНАИТ,Сюаньхой ВАН. Владелец: ГУГЛ ЭлЭлСи. Дата публикации: 2020-07-15.

Customized brachytherapy needle template and method

Номер патента: CA3221690A1. Автор: Emily Lin,Kevin Kelley,Byron STUCK. Владелец: Cowles Ventures LLC. Дата публикации: 2022-12-15.

A method for updating a biometric template and an electronic device thereof

Номер патента: SE1950088A1. Автор: Fredrik Rosqvist. Владелец: PRECISE BIOMETRICS AB. Дата публикации: 2020-07-25.

Recording device, control method, and program product specifying specific template and process executed in specified template area

Номер патента: US9058556B2. Автор: Kenji Asada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2015-06-16.

A method for updating a biometric template and an electronic device thereof

Номер патента: SE543217C2. Автор: Fredrik Rosqvist. Владелец: PRECISE BIOMETRICS AB. Дата публикации: 2020-10-27.

Dental device comprising surgical template and false teeth set and related methods

Номер патента: US12042345B2. Автор: Jason Watson. Владелец: Institut Straumann AG. Дата публикации: 2024-07-23.

System of relevant statistics for games of prediction using templates and presented in the form of tables

Номер патента: US20030200053A1. Автор: Renato Gianella. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Imprinting master-template and manufacturing method therefor

Номер патента: US20240345476A1. Автор: Ying Li,Lu Cai,Yuliang Zhang,Yi Rao,Weixiang Wang,Peiliang Guo,Xingiun Han. Владелец: Goertek Optical Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Transparent template and positioning device with overlapping lines forming a halo effect

Номер патента: US09809051B2. Автор: Elmer J. Norgard. Владелец: RULERSMITH IP Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Adjustable allograft templates and methods of use

Номер патента: US09668746B2. Автор: Shannon M. Rush,James Rohl,Michael S. Lee,Jordan P. GROSSMAN. Владелец: ALLOTEMPLATE LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Managing, importing, and exporting teamspace templates and teamspaces in content repositories

Номер патента: US09454592B2. Автор: Michael J. Mitchell,Scott P. Mills,Brett E. Morris. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-27.

Adhesive penile construction template and urethra scaffold tube for neophallus surgery

Номер патента: AU2023263444A1. Автор: Elizabeth Felton Jessica,Roydon JOHNSON Aaron. Владелец: Boston Scientific Scimed Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

A printer having a configurable template and methods for configuring a printer template

Номер патента: CA2544615A1. Автор: Stephen R. Payne. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Pattern data creating method, template, and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09971342B2. Автор: Sachiko Kobayashi,Mitsuko Shimizu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Multipurpose template and needles for the delivery and monitoring of multiple minimally invasive therapies

Номер патента: CA2343557A1. Автор: Majid L. Riaziat,Steve Bandy,George A. Zdasiuk,Robert M. Sutherland,Andrew G. Jeung. Владелец: Varian Medical Systems Inc. Дата публикации: 2001-10-06.

Quilting template and methods

Номер патента: US7730842B1. Автор: Sharon Sebrow. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-08.

Template and process for drilling and completing multiple wells

Номер патента: US5330007A. Автор: John L. Baugh,Gary J. Collins,Wilhelm E. Benker. Владелец: Marathon Oil Co. Дата публикации: 1994-07-19.

Engineered templates and their use in single primer amplification

Номер патента: CA2460639C. Автор: Katherine S. Bowdish,Toshiaki Maruyama,Mark Renshaw,Ying-Chi Lin,Shana Frederickson. Владелец: Alexion Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2013-07-16.

Guidance and tracking system for templated and targeted biopsy and treatment

Номер патента: EP3937793A1. Автор: Samsun Lampotang,David Erik Lizdas. Владелец: University Of Florida. Дата публикации: 2022-01-19.

Support device particularly useful for drafting templates and the like

Номер патента: US4522362A. Автор: KELLY Owen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-06-11.

Engineered templates and their use in single primer amplification

Номер патента: AU2002341752B2. Автор: Katherine S. Bowdish,Toshiaki Maruyama,Mark Renshaw,Ying-Chi Lin,Shana Frederickson. Владелец: Alexion Pharmaceuticals Inc. Дата публикации: 2008-04-03.

Lithographic template and method of formation and use

Номер патента: US20020142229A1. Автор: Doug Resnick,Kevin Nordquist. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Template and workpiece holder

Номер патента: CA1264479A. Автор: Richard A. Weaver. Владелец: La Weaver Company Inc. Дата публикации: 1990-01-16.

Hierarchical building and conditioning of geological models with machine learning parameterized templates and methods for using the same

Номер патента: WO2021127670A1. Автор: Amr S. El-Bakry,Xiao-Hui Wu,Matthias Imhof,Ratnanabha SAIN,Fahim FOROUZANFAR,Mulin CHENG,Matthew W. HARRIS. Владелец: EXXONMOBIL UPSTREAM RESEARCH COMPANY. Дата публикации: 2021-06-24.

Automatic Template and Logic Generation from a Codified User Experience Design

Номер патента: US20230334227A1. Автор: Sumedh Sathaye,Patrick East,Reut Kovetz,Jennifer Minarik,Kelly Lisai. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-10-19.

Two-way synchronization of infrastructure-as-code templates and instances

Номер патента: US20230297366A1. Автор: Miguel Jimenez,Joseph Paul Wigglesworth,Gabriel Tamura,Hans Albert Muller,Ian Fraser Watts,Hugh Edward Hockett. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Automatic template and logic generation from a codified user experience design

Номер патента: US11816420B2. Автор: Sumedh Sathaye,Patrick East,Reut Kovetz,Jennifer Minarik,Kelly Lisai. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-11-14.

Pigment particle template and method of fabricating same, and method of fabricating pigment dispersion liquid

Номер патента: US20220119642A1. Автор: Hsiaohsien Chen,Bao ZHA. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Two-way synchronization of infrastructure-as-code templates and instances

Номер патента: US12001837B2. Автор: Joseph Paul Wigglesworth,Gabriel Tamura,Hans Albert Muller,Ian Fraser Watts,Hugh Edward Hockett,Miguel Angel Jimenez Achinte. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Method for measuring template and method for evaluating same

Номер патента: US20180264620A1. Автор: Michito Sato. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Imprint lithography template and method to facilitate control of liquid movement

Номер патента: WO2006084118A3. Автор: Nicholas A Stacey,Michael N Miller,Frank Y Xu,Wesley Martin,Van N Truskett,Ian M Mcmackin,Edward B Fletcher,Pankaj B Lad,Christopher J Mackay. Владелец: Molecular Imprints Inc. Дата публикации: 2008-01-31.

Method for making a dental implant template, and use of such templates on partially edentulous patients

Номер патента: EP2266490A1. Автор: Rodrigo Martinez Orcajo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-29.

Preparation method of splicing imprint template and cavity template

Номер патента: US20200361123A1. Автор: Kang GUO,Wei Tan,Xiao Zhang,Xin Gu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Chemically amplified positive-type photosensitive resin composition, method for manufacturing substrate with template, and method for manufacturing plated article

Номер патента: US20190278178A1. Автор: Yuta Yamamoto,Yasushi Kuroiwa. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2019-09-12.

Adjustable brachytherapy template and template holder

Номер патента: AU2018230771B2. Автор: Sean Cavanaugh. Владелец: Coh Holdco Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Nanoimprint Lithography Template with Peripheral Pockets, System of Using the Template, and Method of Using the Template

Номер патента: US20230120053A1. Автор: Anshuman Cherala. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Microneedle template and microneedle prepared using the same

Номер патента: US20200009363A1. Автор: Jeong Gun Lee,Shin Hee Cho,Bo Young SHIN. Владелец: S-Skin Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Microneedle template and microneedle prepared using the same

Номер патента: US10898703B2. Автор: Jeong Gun Lee,Shin Hee Cho,Bo Young SHIN. Владелец: S-Skin Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Assessment template and plan generation for activity management

Номер патента: US20230144983A1. Автор: Robert Atlas,Robert Clymer. Владелец: Rational Alliance Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Systems and methods of generating a design based on a design template and another design

Номер патента: AU2020230268A1. Автор: William Radford,Melanie Joy Perkins,Tristan Martin,Sam PARKINSON,Stanislav SALNIKOV,Adam SCHUCK,Lynneal SANTOS. Владелец: Canva Pty Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Systems and methods of generating a design based on a design template and another design

Номер патента: EP3956803A1. Автор: William Radford,Melanie Joy Perkins,Tristan Martin,Sam PARKINSON,Stanislav SALNIKOV,Adam SCHUCK,Lynneal SANTOS. Владелец: Canva Pty Ltd. Дата публикации: 2022-02-23.

Adjustable brachytherapy template and template holder

Номер патента: US11883682B2. Автор: Sean Cavanaugh. Владелец: CITY OF HOPE. Дата публикации: 2024-01-30.

Adjustable brachytherapy template and template holder

Номер патента: EP3592236A1. Автор: Sean Cavanaugh. Владелец: International Private Bank LLC. Дата публикации: 2020-01-15.

Assessment template and plan generation for activity management

Номер патента: US20230142726A1. Автор: Robert Atlas,Robert Clymer. Владелец: Rational Alliance Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

Aptamer template and method for preparing aptamer by using same

Номер патента: US20230340496A1. Автор: Sunghak Lee,Hoyoung Kang,Dohyung Kim,Yewon YOUK. Владелец: Nuclixbio. Дата публикации: 2023-10-26.

Manufacture method of nano-imprint lithography template and nano-imprint lithography template

Номер патента: US20180101093A1. Автор: Lixuan Chen,Yungjui LEE. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-12.

Customized brachytherapy needle template and method

Номер патента: US20240100356A1. Автор: Emily Lin,Kevin Kelley,Byron STUCK. Владелец: Cowles Ventures LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Group 13 element nitride crystal layer growth method, nitride semiconductor ingot and sputtering target

Номер патента: US20230250555A1. Автор: Yoshitaka Kuraoka,Kentaro Nonaka. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Optical fiber winding framework with ultraviolet LED array and ultraviolet curing method of optical fiber ring

Номер патента: CN113884084B. Автор: 马骏,马林,李茂春,李凡,罗巍,赵小明,颜苗,梁鹄,刘伯晗. Владелец: 707th Research Institute of CSIC. Дата публикации: 2023-04-28.

Metal chloride gas generator, hydride vapor phase growth apparatus, and nitride semiconductor template manufacturing method

Номер патента: JP6091886B2. Автор: 藤倉　序章,序章藤倉,泰一郎今野,今野　泰一郎. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-08.

METAL CHLORIDE GAS GENERATOR, HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY GROWTH APPARATUS, AND METHOD FOR FABRICATING A NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE

Номер патента: US20130247817A1. Автор: KONNO Taichiroo,FUJIKURA Hajime. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2013-09-26.

Method for producing nitride semiconductor crystal, and nitride semiconductor wafer and nitride semiconductor device

Номер патента: US20030183160A1. Автор: Kazuyuki Iizuka,Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120001223A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Wafer Guide, MOCVD Equipment, and Nitride Semiconductor Growth Method

Номер патента: US20120003822A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Light-emitting instrument based on nitride semiconductor

Номер патента: RU2369942C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-10.

Nitride semiconductor light emitting device and manufacturing method of the same

Номер патента: KR100771792B1. Автор: 김동준,박수영,오방원,이규한,포민 알렉산더. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-10-30.

Self-contained x-ray and ultraviolet radiation receiver

Номер патента: RU2522737C1. Автор: Вадим Аркадьевич Жмудь,Неъматжон Рахимович Рахимов,Донёрбек Дилшодович Алижанов,Шерзод Ильхомович Мадумаров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Новосибирский государственный технический университет". Дата публикации: 2014-07-20.

Application of musk deer musk tincture and ultraviolet irradiation of blood for treatment of spermatogenic failure in men of reproductive age

Номер патента: RU2418581C1. Автор: Любовь Ильинична Колесникова,Сергей Иванович Колесников,Владимир Валентинович Долгих,Елена Юрьевна Загарских,Елена Валерьевна Яковлева,Зоя Степановна Фролова,Александр Юрьевич Загарских,Надежда Александровна Курашова. Владелец: Учреждение Российской академии медицинских наук Научный центр проблем здоровья семьи и репродукции человека Сибирского отделения РАМН. Дата публикации: 2011-05-20.

Modular unit for processing liquid with thin layer of infrared and ultraviolet radiation

Номер патента: RU2396059C1. Автор: Александр Корнилович Лямцов,Алексей Васильевич Кузьмичев,Дмитрий Анатольевич Тихомиров,Николай Григорьевич Ламонов. Владелец: Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2010-08-10.

Modular combined unit for processing liquid with thin layer of infrared and ultraviolet radiation

Номер патента: RU2396060C1. Автор: Алексей Васильевич Кузьмичев,Дмитрий Анатольевич Тихомиров,Николай Григорьевич Ламонов. Владелец: Российская Академия сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ РОССЕЛЬХОЗАКАДЕМИИ). Дата публикации: 2010-08-10.

Method for modulating optical travel difference in michelson interferometer for fourier spectrometry and fourier spectrometer for infrared, visible, and ultraviolet spectral ranges

Номер патента: RU2239801C2. Автор: С.В. Яковлев,Ю.Н. Шилин,С.П. Палто,Л.М. Блинов,В.И. Вологин. Владелец: Институт кристаллографии им. А.В. Шубникова РАН. Дата публикации: 2004-11-10.

X-ray lithographic template and method for production thereof

Номер патента: RU2469369C2. Автор: Александр Николаевич Генцелев. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт ядерной физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения РАН (ИЯФ СО РАН). Дата публикации: 2012-12-10.

Methods and systems that generates an online picture dictionary which creates various customizable activity template and printable materials

Номер патента: PH12014000191A1. Автор: London Jeannie. Владелец: London Jeannie. Дата публикации: 2016-01-25.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ILLUMINATING DEVICE

Номер патента: US20120002134A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,OYA Mitsuaki,YANO Tadashi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS FOR PRODUCING METAL CHLORIDE GAS AND METHOD FOR PRODUCING METAL CHLORIDE GAS, AND APPARATUS FOR HYDRIDE VAPOR PHASE EPITAXY, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, WAFER FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DIODE, METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR FREESTANIDNG SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL

Номер патента: US20120305935A1. Автор: FUJIKURA Hajime. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-12-06.

NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE AND LIGHT-EMITTING DIODE

Номер патента: US20130048942A1. Автор: KONNO Taichiroo,FUJIKURA Hajime. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2013-02-28.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR GROWTH SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR FREE-STANDING SUBSTRATE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120061683A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

NITRIDE SEMICONDUCTOR TEMPLATE AND FABRICATING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120146190A1. Автор: Chao Chu-Li,Fang Yen-Hsiang,LIU Hsun-Chih,Liao Chen-Zi,Xuan Rong. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-06-14.

METHOD OF PROCESSING OF NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, METHOD OF PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120184108A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.

Nitride semiconductor light emitting device, method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device, and nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US20120015465A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-19.

METHOD OF FABRICATING SINGLE CRYSTAL GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, NITRIDE GALLIUM SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE

Номер патента: US20120184090A1. Автор: UENO Masaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-07-19.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

Номер патента: US20130049050A1. Автор: WENG Yufeng. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2013-02-28.

NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20130062612A1. Автор: Nunoue Shinya,SHIODA Tomonari,Sugiyama Naoharu,YOSHIDA Hisashi,Hung Hung,Hwang Jongil. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-03-14.

NITRIDE SEMICONDUCTOR GROWTH SUBSTRATE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME, NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20130092950A1. Автор: KONNO Taichiroo,FUJIKURA Hajime,MATSUDA Michiko. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2013-04-18.

NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20140061693A1. Автор: Hikosaka Toshiki,Nunoue Shinya,Harada Yoshiyuki,Sugiyama Naoharu,YOSHIDA Hisashi. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Nitride semiconductor substrate, method of manufacturing the same, and nitride semiconductor device using the nitride semiconductor substrate

Номер патента: JP3589200B2. Автор: 裕之清久,徳也小崎,仁志前川,一幸蝶々. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2004-11-17.

Nitride semiconductor light emitting device and gallium nitride compound semiconductor laser device including the nitride semiconductor light emitting device.

Номер патента: JP5090192B2. Автор: 剛神川,晋近江. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Nitride semiconductor base substrate, nitride semiconductor multilayer substrate, and method of manufacturing nitride semiconductor base substrate

Номер патента: JP5056299B2. Автор: 智中山. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2012-10-24.

Nitride semiconductor multilayer substrate and nitride semiconductor device and nitride semiconductor laser device using the same

Номер патента: JP4423969B2. Автор: 敦生道上,拓明松村. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2010-03-03.

Nitride semiconductor wafer, nitride semiconductor device, and method for growing nitride semiconductor crystal

Номер патента: JP5705179B2. Автор: 真也布上,洪洪,倫也塩田,鐘日黄,直治杉山,布上　真也. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Nitride semiconductor growth method, nitride semiconductor device manufacturing method using the same, and nitride semiconductor laser device manufacturing method

Номер патента: JP3791246B2. Автор: 孝夫山田. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2006-06-28.

Nitride semiconductor template and ultraviolet LED

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты