Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER

NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER, NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20140361345A1
Опубликовано: 11-12-2014
Автор(ы): Kaneko Kei, KATSUNO Hiroshi, Kushibe Mitsuhiro, Ohba Yasuo, Tajima Jumpei, Yamada Shinji
Принадлежит: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nitride semiconductor substrate having recesses at interface between base substrate and initial nitride

Номер патента: US09748344B2. Автор: Hiroshi Oishi,Tomoko Watanabe,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-08-29.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20170011919A1. Автор: Hiroshi Oishi,Tomoko Watanabe,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Noriko Omori,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2017-01-12.

COMPOSITE GaN SUBSTRATE, METHOD FOR MANUFACTURING COMPOSITE GaN SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130175543A1. Автор: Okahisa Takuji,Matsubara Hideki,Kiyama Makoto. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-07-11.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140225229A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Hachigo Akihiro. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2014-08-14.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200058490A1. Автор: SUMIDA Yasunobu,FUJIYAMA Yasuharu. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-20.

Method of manufacturing nitrogen-face nitride semiconductor and nitrogen-face nitride semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US20240153766A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20140124833A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao,Hsun-Chih Liu,Yi-Keng Fu,Chien-Pin Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-05-08.

Nitride semiconductor device, nitride semiconductor wafer and method for manufacturing nitride semiconductor layer

Номер патента: US8759851B2. Автор: Hung Hung,Shinya Nunoue,Taisuke Sato,Naoharu Sugiyama,Tomonari SHIODA,Jongil Hwang. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device including gate electrode provided over active region in p-type nitride semiconductor layer and method of manufacturing the same, and power supply apparatus

Номер патента: US20150187907A1. Автор: Atsushi Yamada. Владелец: Transphorm Japan Inc. Дата публикации: 2015-07-02.

Production method for group III nitride semiconductor and group III nitride semiconductor

Номер патента: US09837494B2. Автор: Hiroshi Amano,Koji Okuno,Naoki Shibata,Takahide Oshio. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing nitride semiconductor device using laminated cap layers

Номер патента: US09805930B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9673377B2. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160149118A1. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Method of growing nitride semiconductor layer

Номер патента: US09741560B2. Автор: Sung-soo Park,Young-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20160380091A1. Автор: Takashi Okawa. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

RAMO4 SUBSTRATE AND METHOD OF MANUFACTURE THEREOF, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20200181801A1. Автор: ISHIBASHI Akihiko,Nobuoka Masaki,RYOKI NAOYA,Miyano Kentaro. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-11.

Method for manufactuing non-emitting iii-nitride semiconductor stacked structure

Номер патента: US20240282883A1. Автор: June O Song. Владелец: Wavelord Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Nitride semiconductor wafer production method and nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP4411032A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Group III nitride semiconductor and method for producing same

Номер патента: US10923346B2. Автор: Hiroshi Ono,Akihiko Ishibashi,Kenya Yamashita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Nitride semiconductor structure, electronic device including the nitride semiconductor structure, light-emitting device including the nitride semiconductor structure, and method for producing the nitride semiconductor structure

Номер патента: US09627581B2. Автор: Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190355580A1. Автор: Shinya Nunoue,Toshiki Hikosaka,Jumpei Tajima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240128326A1. Автор: Takahide Hirasaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for manufacturing semiconductor epitaxial crystal substrate

Номер патента: US7951685B2. Автор: Naohiro Nishikawa,Masahiko Hata,Hiroyuki Sazawa. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-31.

Method for manufacturing nitride semiconductor device and nitride semiconductor device

Номер патента: US20220285503A1. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Shinya Takashima,Yuki Ohuchi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20240096968A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Method for manufacturing epitaxial substrate, and epitaxial substrate

Номер патента: US20230005736A1. Автор: Takeshi Kishi,Takumi YONEMURA,Kohei MIYASHITA. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device and method of forming p-type nitride semiconductor layer

Номер патента: US20230326976A1. Автор: Yoichi Kawakami,Kunimichi Omae,Mitsuru Funato,Katsuhiro KISHIMOTO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240030055A1. Автор: Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Nitride semiconductor device and method for producing nitride semiconductor device

Номер патента: EP4297070A1. Автор: Ken Imamura,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-27.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20190348504A1. Автор: Goto Hiroki,Nakagawa Takuya,SUMIDA Yasunobu,FUJIYAMA Yasuharu,ISHIHARA Yujira. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-14.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190296140A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US10763333B2. Автор: Kazuyoshi Tomita,Tetsuo Narita. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Nitride semiconductor device and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20190305090A1. Автор: Kazuyoshi Tomita,Tetsuo Narita. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor device and group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: JP6828697B2. Автор: 恵太 片岡,哲生 成田. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2021-02-10.

Ramo4 substrate and method of manufacture thereof, and group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200181801A1. Автор: Akihiko Ishibashi,Masaki Nobuoka,Kentaro Miyano,Naoya Ryoki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-11.

Semiconductor device and method of making including cap layer and nitride semiconductor layer

Номер патента: US20160163822A1. Автор: Kohji Ishikura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640647B2. Автор: Hiroyuki Okazaki,Hidetoshi Koyama,Yoshitaka Kamo,Toshiaki Kitano,Kenichiro Kurahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170077275A1. Автор: Hiroyuki Okazaki,Hidetoshi Koyama,Yoshitaka Kamo,Toshiaki Kitano,Kenichiro Kurahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Method for producing a group III nitride semiconductor crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09691610B2. Автор: Seiji Nagai,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Wafer marking method, nitride semiconductor device manufacturing method, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4354492A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor layer, method for manufacturing group iii nitride semiconductor light-emitting device, and group iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20110163350A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-07-07.

Resistance element and electrical power amplifier circuit

Номер патента: EP3817049A1. Автор: Yoshiaki Katou,Akihiko Nishio,Kenichi Miyajima,Kaname Motoyoshi. Владелец: Nuvoton Technology Corp Japan. Дата публикации: 2021-05-05.

Method for producing a group III nitride semiconductor

Номер патента: US9214336B2. Автор: Naoyuki Nakada. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-15.

Optical semiconductor element, semiconductor laser, and method of manufacturing optical semiconductor element

Номер патента: US20120236394A1. Автор: Akinori Hayakawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12087851B2. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213346A1. Автор: Hiroaki Kato. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device having via hole coated in side surfaces with heat treated nitride metal and method to form the same

Номер патента: US09673094B2. Автор: Tadashi Watanabe,Hajime Matsuda. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: WO2022116036A1. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Junhui Ma. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-06-09.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09871130B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Manufacturing method of semiconductor device including a nitride semiconductor layer

Номер патента: US09905433B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima,Akira Uedono. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: US20050224831A1. Автор: Naoki Kobayashi,Toshiki Makimoto,Kazuhide Kumakura. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-13.

P-type nitride semiconductor structure and bipolar transistor

Номер патента: EP1583154A1. Автор: Toshiki NTT Intellectual Prop. Center MAKIMOTO,Kazuhide NTT Intellectual Prop. Center KUMAKURA,Naoki NTT Intellectual Prop. Center KOBAYASHI. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2005-10-05.

Method of forming a P-type ohmic contact in group-III nitride semiconductors

Номер патента: US09947537B2. Автор: Hideaki Matsuyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Nitride semiconductor device and method for fabricating nitride semiconductor device

Номер патента: US11862687B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Hideaki Matsuyama,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220085197A1. Автор: Hisashi Saito,Eiji Yagyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160190001A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Hachigo Akihiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-30.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20130082277A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-04.

Nitride semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US8860087B2. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon,Seok Yoon HONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Thick nitride semiconductor structure having an intermediate layer structure and method for manufacturing a thick nitride semiconductor structure

Номер патента: JP4954298B2. Автор: ウィリアム サクスラー アダム,アウグストゥス バーク ジュニア アルバート. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2012-06-13.

Nitride semiconductor device and manufacturing method of nitride semiconductor device

Номер патента: US20230268434A1. Автор: Kazuki IKEYAMA. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for Forming III-Nitride Semiconductor Device and the III-Nitride Semiconductor Device

Номер патента: US20200052076A1. Автор: HE Wei,Ni Xian-Feng,Fan Qian. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-13.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MAKING INCLUDING CAP LAYER AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER

Номер патента: US20160163822A1. Автор: ISHIKURA Kohji. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2016-06-09.

Group iii nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Group III nitride composite substrate and method for manufacturing the same, and method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: US09917004B2. Автор: Keiji Ishibashi,Naoki Matsumoto,Yoshiyuki Yamamoto,Fumitake Nakanishi,Yusuke Yoshizumi,Seiji Nakahata,Koji Uematsu,Akihiro Hachigo,Takuya Yanagisawa,Yuki Seki,Yuki Hiromura,Hidenori Mikami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Structure for growth of nitride semiconductor layer, stacked structure, nitride-based semiconductor element, light source, and manufacturing method for same

Номер патента: US20140124816A1. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Toshiya Yokogawa,Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Method for producing a group III nitride semiconductor single crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: US09567693B2. Автор: Shiro Yamazaki,Seiji Nagai,Miki Moriyama,Shohei Kumegawa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Nitride Semiconductor Crystal Manufacturing Apparatus, Nitride Semiconductor Crystal Manufacturing Method, and Nitride Semiconductor Crystal

Номер патента: US20110171462A1. Автор: Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Michimasa Miyanaga,Issei Satoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-07-14.

Method for manufacturing nitride semiconductor self-supporting substrate and nitride semiconductor self-supporting substrate

Номер патента: US9127376B2. Автор: Masataka Watanabe,Shoichi Takamizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-08.

Method for producing self-supporting nitride semiconductor substrate and self-supporting nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP2119815A1. Автор: Masataka Watanabe,Shoichi Takamizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Method for depositing a group III nitride semiconductor film

Номер патента: US09478420B2. Автор: Heinz Felzer,Lorenzo CASTALDI,Martin Kratzer,Robert MAMAZZA, Jr.. Владелец: EVATEC AG. Дата публикации: 2016-10-25.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor laminate, program for selecting substrate, program for outputting substrate data, nitride semiconductor substrate with program for outputting substrate data, off-angle coordinate map, nitride semiconductor substrate with off-angle coordinate map, program for selecting semiconductor device, method for producing nitride semiconductor substrate, method for producing semiconductor laminate, method for producing semiconductor device, and method for...

Номер патента: US20210184003A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Silicon nitride film for semiconductor element, and method and apparatus for manufacturing silicon nitride film

Номер патента: US20130071671A1. Автор: Seiji Nishikawa,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240071756A1. Автор: Toshiaki Ono,Koji Matsumoto,Hiroshi Amano,Yoshio Honda. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: EP1794780A1. Автор: Masato c/o Showa Denko K.K. KOBAYAKAWA,Hisayuki c/o SHOWA DENKO K.K. MIKI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-06-13.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: WO2006030918A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor Device and Method of Applying a Single Liquid Photoresist Material to Semiconductor Wafer

Номер патента: US20230259033A1. Автор: JungHwan Jang,Giwoong Nam,Inhee Hwang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for supplying inert gas to STB in semiconductor wafer production system and semiconductor wafer production system using the same

Номер патента: US09496162B2. Автор: Jae Hyun Lee,Jun Han Lee,Dong Gyu Yoo,Ui Han Jeong. Владелец: Daifuku Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for converting a reclaim wafer into a semiconductor wafer

Номер патента: US20010039101A1. Автор: Guido Wenski. Владелец: Wacker Siltronic AG. Дата публикации: 2001-11-08.

Apparatus and method for in-situ deep ultraviolet photon-assisted semiconductor wafer processing

Номер патента: US5217559A. Автор: Mehrdad M. Moslehi,Cecil J. Davis,Ajit P. Paranjpe. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-06-08.

Method for reducing corrosion in openings on a semiconductor wafer

Номер патента: US5650356A. Автор: Thomas S. Roche,Gordon M. Grivna,Gregory W. Grynkewich. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-07-22.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4394093A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Nitride semiconductor substrate, and method for producing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4435833A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210343839A1. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12094931B2. Автор: King Yuen Wong,Ronghui Hao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200006049A1. Автор: Takehiro Yoshida,Fumimasa Horikiri. Владелец: Sciocs Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09412857B2. Автор: Toru Sugiyama,Hidetoshi Fujimoto,Wataru Saito,Akira Yoshioka,Tetsuya Ohno,Yasunobu Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Method of manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20090233423A1. Автор: Takayuki Suzuki,Takeshi Meguro,Ken Ikeda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-17.

Nitride semiconductor substrate, laminated structure, and method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US12091774B2. Автор: Takehiro Yoshida. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09355852B2. Автор: Takahiro Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Methods of growing nitride semiconductors and methods of manufacturing nitride semiconductor substrates

Номер патента: US20150115280A1. Автор: Sung-soo Park,Moon-sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-30.

Method for producing group III nitride semiconductor single crystal

Номер патента: US09932688B2. Автор: Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor wafer and semiconductor device having multilayered nitride semiconductor layer

Номер патента: US8569796B2. Автор: Tetsuji Matsuo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-29.

Semiconductor wafer and semiconductor device having multilayered nitride semiconductor layer

Номер патента: US20120181577A1. Автор: Tetsuji Matsuo. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-19.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20240332380A1. Автор: Yulong Zhang,Ming-Hong CHANG,Jian Rao. Владелец: Innoscience Suzhou Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240266429A1. Автор: Takahiro Yamada,Yuki Takiguchi,Masanao Ito,Marika NAKAMURA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240128352A1. Автор: Akihiro Hayasaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12021121B2. Автор: Han-Chin Chiu. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor substrate, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP4383315A1. Автор: Kohei Sasaki,Chia-hung Lin. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Bar-shaped semiconductor laser chip and method of fabrication thereof

Номер патента: US20100103968A1. Автор: Yasuo Baba,Yasuhiko Matsushita,Yukio Gotoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Group III nitride semiconductor device which can be used as a power transistor

Номер патента: US09412858B2. Автор: Yasuhiro Uemoto,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20240128366A1. Автор: Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411679A1. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Masahiro Ogawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Nitride semiconductor device comprising nitride semiconductor regrowth layer

Номер патента: US09536949B2. Автор: Asamira Suzuki,Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US12068375B2. Автор: Satoshi Tamura,Daisuke Shibata,Naohiro Tsurumi. Владелец: Panasonic Holdings Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213355A1. Автор: Yukinori Nose,Atsuya SASAKI. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190305520A1. Автор: Kohei Miyoshi,Koichi Naniwae. Владелец: Ushio Opto Semiconductors Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device that includes forming plural nitride semiconductor layers of identical material

Номер патента: US09543146B2. Автор: Hung Hung,Naoharu Sugiyama,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Electric Field Modification for Nitrogen-Polar Group III-Nitride Semiconductor Devices

Номер патента: US20240290847A1. Автор: Scott Sheppard,Kyle BOTHE,Chris Hardiman. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09911868B2. Автор: Taketoshi TANAKA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US09419160B2. Автор: Chih-Wei Hu,Yi-Jen Chan,Jung Hsuan. Владелец: Episil-Precision Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device, power circuit, computer, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20180026107A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Hisashi Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Method of manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: US09558938B2. Автор: Yosuke Shimada,Hideyuki GONO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US09502549B2. Автор: Hiroto YAMAGIWA,Ayanori Ikoshi. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Apparatus for manufacturing group-iii nitride semiconductor layer, method of manufacturing group-iii nitride semiconductor layer, group-iii nitride semiconductor light-emitting device, method of manufacturing group-iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US20090114942A1. Автор: Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama,Takehiko OKABE. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-05-07.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor light emitting device, group III nitride semiconductor light emitting device and lamp, and method for reducing variation in emission wavelength distribution of group III nitride semiconductor light emitting device wafer

Номер патента: JPWO2010032423A1. Автор: 浩光 酒井,猛志 原田. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-02-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2024055294A1. Автор: Hui Yan,Chunhua ZHOU,Sichao LI. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor wafer

Номер патента: EP3751023A1. Автор: Taiki Yamamoto,Keitaro Ikejiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-16.

Semiconductor wafer

Номер патента: US20210242017A1. Автор: Taiki Yamamoto,Keitaro Ikejiri. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Wafer marking method, method of producing nitride semiconductor device and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240274452A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Shouzaburo GOTO. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Group-iii nitride semiconductor element, epitaxial substrate, and method for fabricating a group-iii nitride semiconductor element

Номер патента: EP2456025A4. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-21.

Method of forming nitride semiconductor substrate and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20180174822A1. Автор: Junyoun Kim,Youngjo TAK,MiHyun Kim,Sammook KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230411506A1. Автор: Manabu Yanagihara,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20150194442A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Uematsu Koji,Yamamoto Yoshiyuki,Hachigo Akihiro,Mikami Hidenori,Yoshizumi Yusuke,NAKAHATA Seiji,Seki Yuki,NAKANISHI Fumitake,YANAGISAWA Takuya,Hiromura Yuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd. Дата публикации: 2015-07-09.

Nitride semiconductor element manufacturing method, nitride semiconductor light emitting element, and light emitting device

Номер патента: JP5399552B2. Автор: 正浩 荒木,孝昭 内海,昌彦 阪田. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-01-29.

Process for production of nitride semiconductor element, nitride semiconductor light-emitting element, and light-emitting device

Номер патента: EP2544250A4. Автор: Masahiko Sakata,Masahiro Araki,Takaaki Utsumi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-12-10.

Process for production of nitride semiconductor element, nitride semiconductor light-emitting element, and light-emitting device

Номер патента: TW201547057A. Автор: Masahiko Sakata,Masahiro Araki,Takaaki Utsumi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2015-12-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11908927B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US9165999B2. Автор: Kentaro Ikeda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-20.

Transistor having nitride semiconductor used therein and method for manufacturing transistor having nitride semiconductor used therein

Номер патента: US20150249150A1. Автор: Hiroshi Otsuka,Toshiyuki Oishi,Koji Yamanaka,Yutaro YAMAGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Transistor having nitride semiconductor used therein and method for manufacturing transistor having nitride semiconductor used therein

Номер патента: US9570599B2. Автор: Hiroshi Otsuka,Toshiyuki Oishi,Koji Yamanaka,Yutaro YAMAGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Nitride semiconductor stacked structure and method for manufacturing same and nitride semiconductor device

Номер патента: US8541772B2. Автор: Hideto Sugawara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-24.

Farication of high quality oxides by controlling spacing between semiconductor wafers during processing

Номер патента: US20020019143A1. Автор: Sunil D. Mehta,Hyeon-Seag Kim,Qxiao-Yu Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-14.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411642A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20160020346A1. Автор: Chih-Wei Hu,Yi-Jen Chan,Jung Hsuan. Владелец: Episil-Precision Inc. Дата публикации: 2016-01-21.

Semiconductor structure and method

Номер патента: US09945048B2. Автор: Sen-Hong Syue,Shiang-Bau Wang,Pu-Fang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Nitride semiconductor device and semiconductor package

Номер патента: US20230395650A1. Автор: Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Nitride semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230420517A1. Автор: Manabu Yanagihara,Kazuya Nagase,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20170047412A1. Автор: Norikazu Ito,Taketoshi TANAKA,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Nitride semiconductor device with element isolation area

Номер патента: US20240047533A1. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Nitride semiconductor device with element isolation area

Номер патента: US11830916B2. Автор: Hung Hung,Toru Sugiyama,Hitoshi Kobayashi,Akira Yoshioka,Yasuhiro Isobe,Tetsuya Ohno. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for Etching a Group III Nitride Semiconductor, Method for Producing a Group III Nitride Semiconductor Crystal, and Method for Producing a GaN Substrate

Номер патента: US20140363954A1. Автор: NAGAI Seiji,Moriyama Miki,Kumegawa Shohei,YAKUSHI Yasuhide. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-11.

Method for producing group III-V nitride semiconductor crystal and method for producing group III-V nitride semiconductor substrate

Номер патента: JP4735949B2. Автор: 祐一 大島. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Nitride semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US11777024B2. Автор: Kenji Yamamoto,Norikazu Ito,Tetsuya Fujiwara,Ken Nakahara,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor element, semiconductor device and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US09553063B2. Автор: Akira Yamada,Takeharu Kuroiwa,Masayoshi Tarutani,Kenji Ohtsu,Taku Kusunoki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120305934A1. Автор: Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Method for producing group III nitride semiconductor light emitting element and group III nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: CN103098241A. Автор: 吉本晋,三桥史典. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-05-08.

Semiconductor integrated circuit device with a surface and method of manufacturing the same

Номер патента: US09947546B2. Автор: Keun Kyu Kong,Min Seok Son,Jae Hee SIM,Jeong Hoon AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

THICK NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH INTERLAYER STRUCTURES AND METHODS OF FABRICATING THICK NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURES

Номер патента: US20130221327A1. Автор: Burk,JR. Albert Augustus,Saxler Adam William. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2013-08-29.

Group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8367445B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-05.

Method for manufacturing an iii-nitride semiconductor structure

Номер патента: EP3813096A1. Автор: Hu Liang,Steve Stoffels. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-04-28.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: JP5136615B2. Автор: 史典 三橋,晋 吉本. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-02-06.

Nitride semiconductor substrate manufacturing method and nitride semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4284188B2. Автор: 博之 古屋,俊哉 横川,明彦 石橋,義晃 長谷川. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-06-24.

method for producing a Group III nitride semiconductor crystal and method for producing a GaN substrate

Номер патента: CN104233457A. Автор: 守山实希,久米川尚平,药师康英,永井诚二. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-24.

MATERIALS, STRUCTURES, AND METHODS FOR OPTICAL AND ELECTRICAL III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20140008660A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2014-01-09.

Method for producing a group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20130017639A1. Автор: Yasuhisa Ushida,Shinya Boyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

METHOD FOR DEPOSITING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR FILM

Номер патента: US20150140792A1. Автор: JR. Robert,Mamazza,Kratzer Martin,Felzer Heinz,Castaldi Lorenzo. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-21.

Method for fabricating a group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: WO2010064837A2. Автор: 이재완,오재응,김문덕. Владелец: 우리엘에스티 주식회사. Дата публикации: 2010-06-10.

Nitride semiconductor light emitting element and epitaxial substrate

Номер патента: EP2432084A1. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-03-21.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: CN103700579A. Автор: 中田尚幸. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-02.

Method for forming thin film of nitride semiconductor

Номер патента: KR100425680B1. Автор: 이재형,홍창희,김민홍. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2004-04-03.

Method for fabricating a semi-polar nitride semiconductor

Номер патента: TW201108328A. Автор: zhen-ying Qi,xue-xing Liu,Jin-Ji Wu. Владелец: Univ Nat Central. Дата публикации: 2011-03-01.

Semiconductor integrated circuit device with a surface and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170207098A1. Автор: Keun Kyu Kong,Min Seok Son,Jae Hee SIM,Jeong Hoon AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-20.

Method for manufacturing light emitting element, compound semiconductor wafer, and light emitting element

Номер патента: CN101410996B. Автор: 久米史高,筱原政幸. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-29.

Semiconductor film, semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120132907A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tetsunori Maruyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-31.

Method and device for measuring a semiconductor element with bumps, and method and device for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: EP0522572A1. Автор: Masanori C/O Yokohama Works Of Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1993-01-13.

Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP4400636A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-17.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20240371628A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US09865774B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Nitride semiconductor element and method of making same

Номер патента: RU2566383C1. Автор: Норитака НИВА,Тецухико ИНАДЗУ. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-10-27.

Method of forming nitride semiconductor epitaxial layer and method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8349078B2. Автор: Makoto Kiyama,Hiromu Shiomi,Seiji Nakahata,Akihiro Hachigo,Yu Saitoh,Kazuhide Sumiyoshi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-08.

Gallium nitride semiconductor light-emitting element and method for producing the same, gallium nitride light-emitting diode, epitaxial wafer, and method for producing gallium nitride light-emitting diode

Номер патента: TW201027802A. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2010-07-16.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240243029A1. Автор: Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qingyuan HE. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Waveguide element, light-emitting device, and method for manufacturing waveguide element

Номер патента: US20180329236A1. Автор: Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Method for forming III-V semiconductor structures including aluminum-silicon nitride passivation

Номер патента: US09991360B2. Автор: Richard Brown,James R. Shealy. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US11972996B2. Автор: Hang Liao,Chunhua ZHOU,Qingyuan HE. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Group iii nitride crystal, group iii nitride semiconductor, group iii nitride substrate, and method for producing group iii nitride crystal

Номер патента: US20230399770A1. Автор: Hiroshi Ohno,Akio Ueta. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Nitride semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US9515219B2. Автор: Atsuo Michiue. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Nitride semiconductor template and ultraviolet LED

Номер патента: US09520527B1. Автор: Hideki Hirayama,Yoshikatsu Morishima. Владелец: Tamura Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Method for fabricating p-type gallium nitride semiconductor and method of heat treatment

Номер патента: US20200066532A1. Автор: Shinichi Kato,Takahiro Yamada,Takayuki Aoyama,Hideaki TANIMURA. Владелец: Screen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20160247962A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09496453B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, SEMICONDUCTOR LAMINATE, PROGRAM FOR SELECTING SUBSTRATE, PROGRAM FOR OUTPUTTING SUBSTRATE DATA, NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH PROGRAM FOR OUTPUTTING SUBSTRATE DATA, OFF-ANGLE COORDINATE MAP, NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE WITH OFF-ANGLE COORDINATE MAP, PROGRAM FOR SELECTING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR LAMINATE, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR...

Номер патента: US20210184003A1. Автор: HORIKIRI Fumimasa,Yoshida Takehiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Method for manufacturing gallium nitride semiconductor device

Номер патента: US11784039B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-10-10.

Hybrid Bonding Systems and Methods for Semiconductor Wafers

Номер патента: US20150287694A1. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Shih-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-08.

Hybrid bonding systems and methods for semiconductor wafers

Номер патента: US09748198B2. Автор: Ping-Yin Liu,Xin-Hua Huang,Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Shih-Wei Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing free standing nitride semiconductor and free standing semiconductor wafer using it

Номер патента: KR101034667B1. Автор: 박종철,이상욱,조학동. Владелец: 주식회사 나노케이. Дата публикации: 2011-05-16.

Method and apparatus for producing group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20240153765A1. Автор: Masaru Hori,Osamu Oda,Kei Suzuki,Masaki Inaba,Kazuki Kodama. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2024-05-09.

Nitride semiconductor material and heat flow switching device comprising same

Номер патента: EP4299517A1. Автор: Masaki Adachi,Toshiaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-01-03.

Nitride semiconductor material and heat flow switching element including the same

Номер патента: US20240140797A1. Автор: Masaki Adachi,Toshiaki Fujita. Владелец: Mitsubishi Materials Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20200176305A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Uematsu Koji,Yamamoto Yoshiyuki,Hachigo Akihiro,Mikami Hidenori,Yoshizumi Yusuke,NAKAHATA Seiji,Seki Yuki,NAKANISHI Fumitake,YANAGISAWA Takuya,Hiromura Yuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2020-06-04.

Method for fabricating a nitride semiconductor device

Номер патента: US6764871B2. Автор: Akihiko Ishibashi,Ayumu Tsujimura,Yasutoshi Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-20.

Nitride semiconductor crystal producing method, nitride semiconductor epitaxial wafer, and nitride semiconductor freestanding substrate

Номер патента: US20130069075A1. Автор: Yuichi Oshima,Hajime Fujikura,Taichiroo Konno. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.

Group iii nitride semiconductor substrate, and method for manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: WO2020162346A1. Автор: 裕次郎 石原,裕輝 後藤,将一 布田. Владелец: 古河機械金属株式会社. Дата публикации: 2020-08-13.

Group iii nitride semiconductor substrate and method of manufacturing group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20200032418A1. Автор: HIROKI Goto,Yujiro Ishihara. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device, method for manufacturing group iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: WO2007111255A1. Автор: Hiromitsu Sakai,Hisayuki Miki. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2007-10-04.

Group iii nitride semiconductor light-emitting device, method for manufacturing group iii nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: EP2006919A4. Автор: Hiromitsu Sakai,Hisayuki Miki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-07.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190067512A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor epitaxial wafer and method of producing the same, and method of producing solid-state image sensing device

Номер патента: US20170256668A1. Автор: Takeshi Kadono,Kazunari Kurita,Ryosuke Okuyama. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: KR101422452B1. Автор: 신야 누노우에,하지메 나고,시게야 기무라,고이찌 다찌바나,도시유끼 오까. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2014-07-22.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: TW200840095A. Автор: Kuniyoshi Okamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-10-01.

Method for manufacturing backside metalized compound semiconductor wafer

Номер патента: US20200152445A1. Автор: Houng-Chi Wei,Tsung-Te CHIU,Bing-Han CHUANG. Владелец: Xiamen Sanan Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Silicon nitride film for semiconductor element, and method and apparatus for manufacturing silicon nitride film

Номер патента: TW201207945A. Автор: Seiji Nishikawa,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Ind Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Nitride semiconductor, nitride semiconductor crystal growth method, and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: KR101502195B1. Автор: 히데요시 호리에,가오리 구리하라. Владелец: 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤. Дата публикации: 2015-03-12.

Non-polar substrate having hetero-structure and method for manufacturing the same, nitride semiconductor light emitting device using the same

Номер патента: KR102140741B1. Автор: 김형구,정석구,전지나. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2020-08-03.

Epitaxial growth of compound nitride semiconductor structures

Номер патента: US20070240631A1. Автор: David Eaglesham,Sandeep Nijhawan,Lori Washington,Jacob Smith,David Bour,Ronald Stevens. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2007-10-18.

Nitride-semiconductor luminescent element, epitaxial substrate, and method of producing nitride-semiconductor luminescent element

Номер патента: EP2390972A4. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-18.

Method for producing self-supporting nitride semiconductor substrate and self-supporting nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP2119815A4. Автор: Masataka Watanabe,Shoichi Takamizawa. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-26.

Method for producing self-supporting nitride semiconductor substrate and self-supporting nitride semiconductor substrate

Номер патента: KR20090101208A. Автор: 마사타카 와타나베,쇼이치 타카미자와. Владелец: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤. Дата публикации: 2009-09-24.

Method for producing Group III nitride semiconductor including growing Group III nitride semiconductor through flux method

Номер патента: US10329687B2. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR CRYSTAL SUBSTRATE

Номер патента: US20180038010A1. Автор: Mori Yusuke,Yoshimura Masashi,Yoshida Takehiro,IMADE Mamoru,SHIBATA Masatomo. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: JPWO2019123763A1. Автор: 光二 松本,浩 天野,敏昭 小野,小野　敏昭,天野　浩,本田　善央,善央 本田. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2020-12-17.

Method for manufacturing group-III nitride semiconductor crystal substrate

Номер патента: US10309036B2. Автор: Takehiro Yoshida,Masatomo Shibata,Yusuke Mori,Masashi Yoshimura,Mamoru Imade. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2019-06-04.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor

Номер патента: JP7262027B2. Автор: 芳央 岡山,綾子 岩澤,貴敏 岡本. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-21.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: TW202003894A. Автор: 天野浩,小野敏昭,本田善央,松本光二. Владелец: 日商Ｓｕｍｃｏ股份有限公司. Дата публикации: 2020-01-16.

Nitride semiconductor free-standing substrate and nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: JP4816277B2. Автор: 丈洋 吉田. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-11-16.

Nitride semiconductor crystal growth method and nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: JP5589278B2. Автор: 香 栗原,秀善 堀江. Владелец: Mitsubishi Chemical Corp. Дата публикации: 2014-09-17.

Systems and methods for producing epitaxial wafers

Номер патента: US20230268186A1. Автор: Chih-Yuan Hsu,Shih-Chiang Chen,Chun-Chin Tu,Yau-Ching Yang. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Nitride semiconductor free-standing substrate and nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: CN101090096A. Автор: 吉田丈洋. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2007-12-19.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING A GaN SUBSTRATE

Номер патента: US20170081780A1. Автор: NAGAI Seiji,Moriyama Miki,Kumegawa Shohei,Yamazaki Shiro. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-23.

Method for Producing a Group III Nitride Semiconductor Crystal and Method for Producing a GaN Substrate

Номер патента: US20140360426A1. Автор: NAGAI Seiji,Moriyama Miki,Kumegawa Shohei,YAKUSHI Yasuhide. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2014-12-11.

Group iii nitride semiconductor light emitting element and method for producing same

Номер патента: TW201841385A. Автор: 渡邉康弘. Владелец: 日商同和電子科技股份有限公司. Дата публикации: 2018-11-16.

Method for polishing a semiconductor wafer and polished semiconductor wafer producible according to the method

Номер патента: SG141306A1. Автор: Klaus Roettger,Leszek Mistur,Vladimir Dutschke. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2008-04-28.

MATERIALS, STRUCTURES, AND METHODS FOR OPTICAL AND ELECTRICAL III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20170263794A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor wafer and method and apparatus for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: JPS5958827A. Автор: Kiyoshi Hisatomi,Shinzaburo Iwabuchi,岩「淵」　真三郎,久富　清志. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1984-04-04.

Device and method to promote thickness uniformity in spin-coating

Номер патента: US20230229085A1. Автор: Yung-Yao Lee,Yung-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for manufacturing semiconductor chips, involves providing semiconductor wafers with multiple lines and columns arranged in semiconductor chip positions, where semiconductor wafers have integrated circuits

Номер патента: DE102007004284A1. Автор: Manfred Dipl.-Chem. Dr.Rer.Nat. Mengel,Joachim Dipl.-Chem. Dr.Rer.Nat. Mahler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-07-31.

Template, nitride semiconductor ultraviolet light emitting device and method of manufacturing the template

Номер патента: KR102054094B1. Автор: 아키라 히라노,요스케 나가사와. Владелец: 소코 가가쿠 가부시키가이샤. Дата публикации: 2019-12-09.

Treatment Liquid for Semiconductor Wafers, Which Contains Hypochlorite Ions

Номер патента: US20210062115A1. Автор: Takafumi Shimoda,Yuki Kikkawa,Takayuki Negishi,Seiji Tono. Владелец: Tokuyama Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20140087545A1. Автор: NAKADA Naoyuki. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2014-03-27.

P-type algan layerm, method for producing same and group ⅲ nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: KR101454980B1. Автор: 요시카즈 오오시카,테츠야 마츠라. Владелец: 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-10-27.

Method for depositing a group iii nitride semiconductor film

Номер патента: TWI575772B. Автор: 羅倫佐 卡斯塔迪,馬汀 克拉策,海恩茲 費爾澤,羅伯特Ｊｒ 瑪瑪薩. Владелец: 艾維特股份有限公司. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for depositing a group iii nitride semiconductor film

Номер патента: WO2013186749A1. Автор: Heinz Felzer,Martin Kratzer,Lorenzo CASTALDI (deceased),Robert MAMAZZA, Jr.. Владелец: OC OERLIKON BALZERS AG. Дата публикации: 2013-12-19.

Methods for processing semiconductor wafers having a polycrystalline finish

Номер патента: US20180323079A1. Автор: HUI Wang,Alexis Grabbe,Alex Chu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Laminated film, structure including laminated film, semiconductor element, electronic device, and method for producing laminated film

Номер патента: EP4130331A1. Автор: Masami Mesuda,Yoshihiro Ueoka,Yuya Suemoto. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2023-02-08.

Laminated film, structure including laminated film, semiconductor element, electronic device, and method for producing laminated film

Номер патента: EP4130331A4. Автор: Masami Mesuda,Yoshihiro Ueoka,Yuya Suemoto. Владелец: Tosoh Corp. Дата публикации: 2023-08-16.

Method for manufacturing gate oxide film on semiconductor wafer by wet process

Номер патента: KR100914606B1. Автор: 김인정,배소익. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2009-08-31.

Method for manufacturing gate oxide film on semiconductor wafer by wet process

Номер патента: KR20090044812A. Автор: 김인정,배소익. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2009-05-07.

SILICON NITRIDE FILM FOR SEMICONDUCTOR ELEMENT, AND METHOD AND APPARATUS FOR MANUFACTURING SILICON NITRIDE FILM

Номер патента: US20130071671A1. Автор: Kafuku Hidetaka,Nishikawa Seiji. Владелец: MITSUBISHI HEAVY INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2013-03-21.

WOVEN MESH SUBSTRATE WITH SEMICONDUCTOR ELEMENTS, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130145588A1. Автор: Nakata Josuke. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-13.

Woven mesh substrate with semiconductor elements, and method and device for manufacturing the same

Номер патента: CA2808264A1. Автор: Josuke Nakata. Владелец: Kyosemi Corp. Дата публикации: 2012-03-01.

Systems and methods for deposition of molybdenum for source/drain contacts

Номер патента: US20230298902A1. Автор: Dong Li,Petri Raisanen,Eric James Shero,Jiyeon Kim. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-09-21.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20170323981A1. Автор: SHIMIZU Makoto,Ishibashi Tadao,ITOH Hiroki,KOTAKA Isamu. Владелец: . Дата публикации: 2017-11-09.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20190312150A1. Автор: SHIMIZU Makoto,Ishibashi Tadao,ITOH Hiroki,KOTAKA Isamu. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-10.

Method for applying inert gas to stb in semiconductor wafer product system and semiconductor wafer product system using the same

Номер патента: KR101418733B1. Автор: 이재현,유동규,이준한,정의한. Владелец: 크린팩토메이션 주식회사. Дата публикации: 2014-08-13.

METHOD FOR THE VAPOUR PHASE ETCHING OF A SEMICONDUCTOR WAFER FOR TRACE METAL ANALYSIS

Номер патента: US20190051534A1. Автор: HOELZLWIMMER Franz. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2019-02-14.

Method for exposing the edge areas of a semiconductor wafer, and device for carrying out the method

Номер патента: DE69702272D1. Автор: Yoshiki Mimura,Takeshi Minobe,Isamu Shibuya. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2000-07-20.

Method for reducing nonuniformity of forward voltage of semiconductor wafer

Номер патента: US20160005622A1. Автор: Shinya Iwasaki. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: KR101444629B1. Автор: 아키라 야마다,마사요시 다루타니,다케하루 구로이와,겐지 오츠,다쿠 구스노키. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-09-26.

Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200021083A1. Автор: Hideo Kitagawa,Osamu Tomita,Masayuki Ono,Daisuke Ikeda,Gen Shimizu,Toru Takayama,Satoko Kawasaki,Katsuya Samonji. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US11876148B2. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210193865A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US20150021653A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-22.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200075795A1. Автор: Takuya Okada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US9287378B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor element, semiconductor device and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US20120238085A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Group iii nitride semiconductor light-emitting element and wafer including such element configuration

Номер патента: US20190198714A1. Автор: Tomoaki Sato. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Electronic component embedded connector, and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US20110189893A1. Автор: Shinji Yamaguchi,Kenichi Abe,Tetsu Hirose. Владелец: Union Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Method for manufacturing semiconductor device by backgrinding semiconductor wafer using an adhesive film

Номер патента: US11482441B2. Автор: Hiroyoshi Kurihara,Hideki Fukumoto. Владелец: Mitsui Chemicals Tohcello Inc. Дата публикации: 2022-10-25.

Support ring for supporting a semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon during a thermal treatment, method for the thermal treatment of such a semiconductor wafer, and thermally treated semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon

Номер патента: SG180109A1. Автор: Daub Erich,Kaiss Raimund,Kloesler Michael,Loch Thomas. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-05-30.

Support Ring For Supporting A Semiconductor Wafer Composed Of Monocrystalline Silicon During A Thermal Treatment, Method For The Thermal Treatment of Such A Semiconductor Wafer, and Thermally Treated Semiconductor Wafer Composed of Monocrystalline Silicon

Номер патента: US20120098100A1. Автор: Thomas Loch,Erich Daub,Raimund Kaiss,Michael Kloesler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-04-26.

Method for determining corrective film pattern to reduce semiconductor wafer bow

Номер патента: EP4364190A1. Автор: Matt Mclaughlin,Jonathan L. Herlocker,Ryan J. STODDARD. Владелец: Tignis Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Semiconductor Device and Method of Forming Guard Ring Around Conductive TSV through Semiconductor Wafer

Номер патента: US20130147055A1. Автор: Duk Ju Na,Chang Beom Yong,Lai Yee Chia. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-06-13.

Semiconductor Device and Method of Forming Hybrid Substrate with IPD Over Active Semiconductor Wafer

Номер патента: US20240047386A1. Автор: YongTaek Lee,OhYoung Kwon,SeungMan Hong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor wafer, panel and electronic component with stacked semiconductor chips, and also method for producing same

Номер патента: US7701066B2. Автор: Bernd Goller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-04-20.

Metal chalcogenide film and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US20230313365A1. Автор: Hyeonjin Shin,Kyung-Eun Byun,Taejin Park,Hyoungsub Kim,Hoijoon KIM,Wonsik AHN,Mirine LEEM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-10-05.

Electronic component embedded connector, and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US8458901B2. Автор: Shinji Yamaguchi,Kenichi Abe,Tetsu Hirose. Владелец: Union Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-11.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: US09620671B2. Автор: Hiroshi Nakatsu,Yoshihiko Tani,Tadashi Takeoka,Toshiaki Asai,Tomoya Inoue,Kentaro Nonaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Nitride semiconductor light-emitting element and method of making same

Номер патента: RU2586452C2. Автор: Акинори ЁНЭДА,Хирофуми КАВАГУТИ,Коитирох ДЭГУТИ. Владелец: Нития Корпорейшн. Дата публикации: 2016-06-10.

N-side electrode, nitride semiconductor light-emitting element, and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20110042681A1. Автор: Keishi Kohno. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US12057525B2. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US11799051B2. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09608145B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-03-28.

Nitride semiconductor light-emitting element, illuminating device, liquid crystal display device, method for producing nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing illuminating device

Номер патента: US8791473B2. Автор: Atsushi Yamada,Akira Inoue,Tadashi Yano,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane,Mitsuaki Oya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-07-29.

III nitride semiconductor epitaxial substrate and III nitride semiconductor light emitting device, and methods of producing the same

Номер патента: US09543469B2. Автор: Masatoshi Iwata,Yoshikazu Ooshika. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160163928A1. Автор: Kohei Miyoshi,Massashi TSUKIHARA. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2016-06-09.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for producing same

Номер патента: US9331245B2. Автор: Eiji Yamada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Group III Nitride Semiconductor Light Emitting Element And Wafer Containing Element Structure

Номер патента: US20180040770A1. Автор: Toshiyuki Obata,Tomoaki Satou. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-08.

Template for epitaxial growth, a method for producing it and a nitride semiconductor device

Номер патента: RU2653118C1. Автор: Акира ХИРАНО,Сирил ПЕРНО. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-05-07.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131043A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Nitride semiconductor light emitting chip, and nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09379284B2. Автор: Akira Inoue,Toshiyuki Fujita,Toshiya Yokogawa,Masaki Fujikane. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20220131042A1. Автор: Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light Emitting Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20180277723A1. Автор: Akira Hirano,Ko Aosaki. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20210399162A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-23.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20230420600A1. Автор: Tetsuhiko Inazu,Yusuke Matsukura,Cyril Pernot. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Group III nitride semiconductor optical device, epitaxial substrate, and method of making group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US8148716B2. Автор: Masaki Ueno,Takashi Kyono,Yusuke Yoshizumi,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-04-03.

Structure and method for determining edges of regions in a semiconductor wafer

Номер патента: EP1374299A2. Автор: Tobias Mono,Thomas Schafbauer,Andreas Von Ehrenwall. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2004-01-02.

Template for epitaxial growth, method for producing the same, and nitride semiconductor device

Номер патента: US09556535B2. Автор: Akira Hirano,Cyril Pernot. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same

Номер патента: WO2009060425A3. Автор: Oded Bashan,Guy Shafran. Владелец: ON TRACK INNOVATIONS LTD.. Дата публикации: 2010-03-11.

Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same

Номер патента: US09773201B2. Автор: Oded Bashan,Guy Shafran. Владелец: Smartrac IP BV. Дата публикации: 2017-09-26.

System and methods for a radiant heat cap in a semiconductor wafer reactor

Номер патента: WO2022147235A1. Автор: Chieh Hu,Chun-Chin Tu,Lunghsing Hsu. Владелец: GlobalWafers Co., Ltd.. Дата публикации: 2022-07-07.

System and methods for a radiant heat cap in a semiconductor wafer reactor

Номер патента: EP4271865A1. Автор: Chieh Hu,Chun-Chin Tu,Lunghsing Hsu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20230378223A1. Автор: Kentaro Akiyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Method for structuring an insulating layer on a semiconductor wafer

Номер патента: US11830962B2. Автор: Alexander Frey,Benjamin HAGEDORN. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2023-11-28.

Method for structuring an insulating layer on a semiconductor wafer

Номер патента: US20240079515A1. Автор: Alexander Frey,Benjamin HAGEDORN. Владелец: AZUR SPACE SOLAR POWER GMBH. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for determining suitability of a resist in semiconductor wafer fabrication

Номер патента: US20090011524A1. Автор: Thomas Wallow,Bruno M. LaFontaine. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2009-01-08.

Light emitting device, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: EP2257999A2. Автор: Hideo Tamura,Reiji Ono,Kuniaki Konno,Tetsuro Komatsu,Hiroaki Oshio. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-12-08.

Light emitting device, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: WO2009118985A4. Автор: Hideo Tamura,Reiji Ono,Kuniaki Konno,Tetsuro Komatsu,Hiroaki Oshio. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for operating a benchmark device on a semiconductor wafer with fuse element

Номер патента: US11876024B2. Автор: Yi-Ju Chen,Jui-Hsiu JAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-16.

Photosensitive assembly, imaging module, smart terminal, and method and mould for manufacturing photosensitive assembly

Номер патента: US11843009B2. Автор: TAKEHIKO Tanaka,Zhenyu Chen,Zhewen Mei. Владелец: Ningbo Sunny Opotech Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Electronic interface apparatus and method and system for manufacturing same

Номер патента: US20100200661A1. Автор: Oded Bashan,Guy Shafran. Владелец: Smartrac IP BV. Дата публикации: 2010-08-12.

Inductors Embedded in Package Substrate and Board and Method and System for Manufacturing the Same

Номер патента: US20230395305A1. Автор: Michael Su,Bryan Black,Michael Alfano,Siddharth Ravichandran. Владелец: Chipletz Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor element, method for manufacturing semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4084043A4. Автор: Nobuo Machida. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-03.

Wafer holding apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230207375A1. Автор: Kenichi Noguchi,Daishi Morisaki,Kazuki Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor element, method for manufacturing semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP4084043A1. Автор: Nobuo Machida. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-02.

Semiconductor wafer suitable for forming a semiconductor junction diode device and method of forming same

Номер патента: US7560355B2. Автор: Lung-ching Kao,Pu-Ju Kung. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-07-14.

Semiconductor wafer suitable for forming a semiconductor junction diode device and method of forming same

Номер патента: CN101536177A. Автор: 高隆庆,邝普如. Владелец: VISHAY GENERAL SEMICONDUCTOR LLC. Дата публикации: 2009-09-16.

Nitride semiconductor structure, nitride semiconductor device, and method for fabricating the device

Номер патента: US12100936B2. Автор: Toshiyuki Takizawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for manufacturing light emitting element

Номер патента: MY198985A. Автор: NARITA Junya,Inoue Yoshiki,KITAHAMA Shun,NAGAMINE Kazuhiro. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-10-06.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4462465A1. Автор: Keitaro Tsuchiya,Weifeng Qu. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Method for manufacturing semiconductor die

Номер патента: US20240355631A1. Автор: Kang Sup Shin,Yang Beom KANG,Dal Jin LEE. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Laser scribe on front side of semiconductor wafer

Номер патента: US20040211750A1. Автор: Byron Palla. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-10-28.

Semiconductor Wafer Composed Of Monocrystalline Silicon And Method For Producing It

Номер патента: US20160053405A1. Автор: Timo Mueller,Gudrun Kissinger,Andreas Sattler,Dawid Kot. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor wafer composed of monocrystalline silicon and method for producing it

Номер патента: US09458554B2. Автор: Timo Mueller,Gudrun Kissinger,Andreas Sattler,Dawid Kot. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-10-04.

Nitride semiconductor light-emitting element, method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element, and nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20200021083A1. Автор: Hideo Kitagawa,Osamu Tomita,Masayuki Ono,Daisuke Ikeda,Gen Shimizu,Toru Takayama,Satoko Kawasaki,Katsuya Samonji. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

System and method for obtaining text

Номер патента: US20100046838A1. Автор: Uri Vekstein. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-02-25.

Method for manufacturing an optoelectronic light emitting device

Номер патента: US12074145B2. Автор: Simeon Katz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-08-27.

GROUP III NITRIDE COMPOSITE SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20180166325A1. Автор: Matsumoto Naoki,ISHIBASHI Keiji,Uematsu Koji,Yamamoto Yoshiyuki,Hachigo Akihiro,Mikami Hidenori,Yoshizumi Yusuke,NAKAHATA Seiji,Seki Yuki,NAKANISHI Fumitake,YANAGISAWA Takuya,Hiromura Yuki. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2018-06-14.

Group iii nitride semiconductor single crystal, method for producing the same, self-standing substrate, and semiconductor device

Номер патента: US20140070370A1. Автор: Shiro Yamazaki,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor manufacturing apparatus and method for manufacturing a semiconductor

Номер патента: US20100323528A1. Автор: Hiroyuki Baba,Tomoyasu Kai. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

STRUCTURE FOR GROWTH OF NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, STACKED STRUCTURE, NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT, LIGHT SOURCE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20140077223A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,CHOE Songbaek. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-03-20.

Protecting adhesive film for a semiconductor wafer

Номер патента: EP1215722A3. Автор: Makoto Kataoka,Yoshihisa Saimoto,Yasuhisa Fujii,Kentaro Hirai,Hideki Fukumoto,Takanobu Koshimizu. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2007-09-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020061642A1. Автор: Hiroshi Haji,Shoji Sakemi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-05-23.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: MY193073A. Автор: Andreas Walter. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2022-09-26.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: EP3504355A1. Автор: Andreas Walter. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-07-03.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: US20190242017A1. Автор: Andreas Walter. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2019-08-08.

Method for manufacturing group iii nitride semiconductor substrate, and group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: TW201724377A. Автор: Toshiaki Ono,Koji Matsumoto,Hiroshi Amano,Yoshio Honda. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2017-07-01.

Thermal processing system and method of using

Номер патента: US20120266425A1. Автор: Andrew Wallmueller. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using semiconductor processing apparatus

Номер патента: US20240282604A1. Автор: SunWoo PARK,Seungdon Lee,Hyunjin Lee,Minwoo Rhee,Kyeongbin LIM,Bumki Moon,Sujie Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for wafer bonding and compound semiconductor wafer

Номер патента: US12068296B2. Автор: Stefan Hampl,Kerstin Kaemmer,Marco Haubold,Norbert Thyssen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Integrated circuit including a first semiconductor wafer and a second semiconductor wafer, semiconductor device including a first semiconductor wafer and a second semiconductor wafer and method of manufacturing same

Номер патента: US12062641B2. Автор: Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chih-Lin Chen,Hui-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Nitride semiconductor light emitting element and method for producing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: WO2007055202A1. Автор: Atsushi Yamaguchi,Ken Nakahara. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2007-05-18.

Group III nitride semiconductor light-emitting device and production method therefor

Номер патента: US20090200563A1. Автор: Koichi Goshonoo,Miki Moriyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-13.

Systems and methods for manufacturing microelectronic devices

Номер патента: EP3874537A1. Автор: Carlos A. Fonseca,Nathan Ip. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2021-09-08.

Methods for forming shallow junctions in semiconductor wafers

Номер патента: EP1019952A1. Автор: Daniel F. Downey. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2000-07-19.

Radiation detector manufactured by dicing a semiconductor wafer and dicing method therefor

Номер патента: US09755098B2. Автор: Hiroyuki Shiraki,Masaya Yamamoto,Noriyuki Kishi,Mitsuru TAMASHIRO,Tatsuhiro Koizumi. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2017-09-05.

COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20210047720A1. Автор: FUJIOKA Hiroshi,UENO Kohei. Владелец: . Дата публикации: 2021-02-18.

COMPOUND SEMICONDUCTOR, METHOD FOR MANUFACTURING SAME, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20190194796A1. Автор: FUJIOKA Hiroshi,UENO Kohei. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-27.

Group III nitride semiconductor free-standing substrate and method of manufacturing the same, group III nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: CN101949058B. Автор: 藤仓序章,江利健. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

Cross-hair cell devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20130015521A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-17.

Method of grinding back surface of semiconductor wafer and semiconductor wafer grinding apparatus

Номер патента: SG131917A1. Автор: Tomoo Hayashi,Motoi Nezu. Владелец: Tokyo Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-28.

Semiconductor device and method of forming sacrificial protective layer to protect semiconductor die edge during singulation

Номер патента: US09558958B2. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing gan-based nitride semiconductor self-supporting substrate

Номер патента: CN101680114B. Автор: 八百隆文,曹明焕. Владелец: A E Tech CORP. Дата публикации: 2013-02-27.

Method for manufacturing gan-based nitride semiconductor self-supporting substrate

Номер патента: KR101040852B1. Автор: 조명환,다카후미 야오. Владелец: 에이.이. 테크 가부시키가이샤. Дата публикации: 2011-06-14.

Adhesive sheet for grinding back surface of semiconductor wafer and method for grinding back surface of semiconductor wafer using the same

Номер патента: US20090221215A1. Автор: Fumiteru Asai,Noriyoshi Kawashima. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2009-09-03.

System and method for wet cleaning a semiconductor wafer

Номер патента: US20040132318A1. Автор: Yong Kim,Yong Lee,In Jeong,Jungyup Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-08.

Protecting method for semiconductor wafer and surface protecting adhesive film for semiconductor wafer used said method

Номер патента: US20020106868A1. Автор: Makoto Kataoka,Yoshihisa Saimoto,Yasuhisa Fujii,Kentaro Hirai,Hideki Fukumoto,Takanobu Koshimizu. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2002-08-08.

Semiconductor device and method of forming protective material between semiconductor die stacked on semiconductor wafer to reduce defects during singulation

Номер патента: SG189742A1. Автор: JaEun Yun,Sungyoon Lee,Taegki Lim. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2013-05-31.

System and method for heating semiconductor wafers

Номер патента: US20230298916A1. Автор: Yen-Yu Chen,Wen-hao Cheng,Hsuan-Chih Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Apparatus and method for removing particles from wafer pods

Номер патента: US20030178046A1. Автор: Hong-Yi Chen,Wuei-Lung Hou,Chi-Lung Yang,Ming-Chi Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-09-25.

Method for correcting wafer bow from overlay

Номер патента: US09824894B2. Автор: Anton J. deVilliers. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

METHOD FOR FABRICATING P-TYPE GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR AND METHOD OF HEAT TREATMENT

Номер патента: US20200066532A1. Автор: Yamada Takahiro,Kato Shinichi,AOYAMA Takayuki,TANIMURA Hideaki. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

Process for manufacturing semiconductor bicmos devices

Номер патента: CA1273128A. Автор: Tzu-Yin Chiu,Gen Man Chin,Ronald Curtis Hanson,Kwing Fai Lee,Maureen Y. Lau,Mark D. Morris,Alexander Michael Voshchenkov. Владелец: American Telephone and Telegraph Co Inc. Дата публикации: 1990-08-21.

Integrated circuit, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230299052A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chih-Lin Chen,Hui-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method of formingreconstituted wafer with larger carrier to achieve more ewlb packages per wafer with encapsulant deposited under temperature and pressure

Номер патента: SG189618A1. Автор: Yung Kuan Hsiao,Yoke Hur Phua. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2013-05-31.

Method and device for determining information relating to the mass of a semiconductor wafer

Номер патента: EP3042164A1. Автор: Robert John Wilby,Adrian Kiermasz. Владелец: Metryx Ltd. Дата публикации: 2016-07-13.

Semiconductor wafer placement position determination method and semiconductor epitaxial wafer production method

Номер патента: US20190172739A1. Автор: Keiichi Takanashi,Ikuhiro NAKAMURA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor wafer placement position determination method and semiconductor epitaxial wafer production method

Номер патента: US10903099B2. Автор: Keiichi Takanashi,Ikuhiro NAKAMURA. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-01-26.

Method and device for determining information relating to the mass of a semiconductor wafer

Номер патента: US09903750B2. Автор: Robert John Wilby,Adrian Kiermasz. Владелец: Metryx Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200075795A1. Автор: Okada Takuya. Владелец: NICHIA CORPORATION. Дата публикации: 2020-03-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210193865A1. Автор: Okada Takuya. Владелец: NICHIA CORPORATION. Дата публикации: 2021-06-24.

Method for determining pretreatment conditions of heat treatment furnace, pretreatment method for heat treatment furnace, heat treatment apparatus, and method and apparatus for manufacturing semiconductor wafer subjected to heat treatment

Номер патента: CN113196456A. Автор: 桑野嘉宏. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-07-30.

Method for forming scribe line on semiconductor wafer, and scribe line forming device

Номер патента: US20040214408A1. Автор: Haruo Wakayama. Владелец: Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Integrated circuit, semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20200126952A1. Автор: Fong-Yuan Chang,Chin-Chou Liu,Po-Hsiang Huang,Chih-Lin Chen,Hui-Yu Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Method for cleaning semiconductor wafer

Номер патента: US11823945B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Chun-Hsiang FAN,Chun-Liang Tai,Wang-Hua Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method of formingreconstituted wafer with larger carrier to achieve more ewlbpackages per wafer with encapsulant deposited under temperatureand pressure

Номер патента: SG10201907336TA. Автор: Yung Kuan Hsiao,Yoke Hur Phua. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2019-09-27.

Semiconductor Device and Method of Forming Reconstituted Wafer with Larger Carrier to Achieve More EWLB Packages per Wafer with Encapsulant Deposited Under Temperature and Pressure

Номер патента: US20130292673A1. Автор: Yung Kuan Hsiao,Yoke Hor Phua. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-11-07.

Photonic semiconductor device and method

Номер патента: US11830864B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chih-Chieh Chang,Hsing-Kuo Hsia,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Methods for coating the backside of semiconductor wafers

Номер патента: EP2304781A1. Автор: Hoseung Yoo. Владелец: Henkel Corp. Дата публикации: 2011-04-06.

Device and method for aligning disk-shaped substrates

Номер патента: US7004716B2. Автор: Ottmar Graf,Paul Mantz. Владелец: Steag RTP Systems GmbH. Дата публикации: 2006-02-28.

Semiconductor device and method of forming sacrificial protective layer to protect semiconductor die edge during singulation

Номер патента: SG186012A1. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Ltd. Дата публикации: 2012-12-28.

Semiconductor structure containing pre-polymerized protective layer and method of making thereof

Номер патента: US11776922B2. Автор: Hajime Arai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor wafer processing system

Номер патента: US11769673B2. Автор: Wieland Pethe,Dirk Noack. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Method for testing semiconductor wafers using temporary sacrificial bond pads

Номер патента: MY193922A. Автор: Howard H Roberts Jr. Владелец: Celerint LLC. Дата публикации: 2022-11-01.

Impurity diffusion composition, method for manufacturing semiconductor element using same, and method for manufacturing solar cell

Номер патента: CN111771258A. Автор: 弓场智之,北田刚. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2020-10-13.

Method for the double-side polishing of a semiconductor wafer

Номер патента: US9308619B2. Автор: Juergen Schwandner. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2016-04-12.

Method for mounting a wafer to a submount

Номер патента: US5300175A. Автор: Michael P. Norman,Lawrence R. Gardner,Robert W. Griffith, Jr.. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1994-04-05.

Impurity diffusion composition, method for manufacturing semiconductor element using same, and method for manufacturing solar cell

Номер патента: CN114342101A. Автор: 弓场智之,北田刚,秋本旭. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2022-04-12.

Stationary and pivotable trays for semiconductor wafer transfer

Номер патента: US20030094212A1. Автор: Yin-Cheng Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20140312361A1. Автор: Yamada Akira,Kuroiwa Takeharu,Tarutani Masayoshi,Ohtsu Kenji,Kusunoki Taku. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2014-10-23.

Semiconductor wafer

Номер патента: US5147824A. Автор: Takao Yasue. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1992-09-15.

Semiconductor wafer transport method and semiconductor wafer transport apparatus

Номер патента: EP2458627A3. Автор: Masayuki Yamamoto,Yukitoshi Hase. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-09-03.

Method for forming shallow junctions in semiconductor wafers using controlled, low level oxygen ambients during annealing

Номер патента: WO1999039381A1. Автор: Daniel F. Downey. Владелец: VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 1999-08-05.

Semiconductor wafer transport method and semiconductor wafer transport apparatus

Номер патента: SG181262A1. Автор: YAMAMOTO Masayuki,Hase Yukitoshi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Semiconductor Device and Method of Forming Sacrificial Protective Layer to Protect Semiconductor Die Edge During Singulation

Номер патента: US20150008597A1. Автор: Xia Feng,KANG Chen,Yaojian Lin,Jianmin Fang. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Electrostatic discharge (esd) protection circuit and method of operating the same

Номер патента: US20210305802A1. Автор: Jam-Wem Lee,Wun-Jie Lin,Yu-Hung YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Method for forming shallow junctions in semiconductor wafers using controlled, low level oxygen ambients during annealing

Номер патента: EP1051742A1. Автор: Daniel F. Downey. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2000-11-15.

Method for conserving a resource by flow interruption

Номер патента: US20010041500A1. Автор: Michael Ball. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-11-15.

Support Ring For Supporting A Semiconductor Wafer Composed Of Monocrystalline Silicon During A Thermal Treatment, Method For The Thermal Treatment of Such A Semiconductor Wafer, and Thermally Treated Semiconductor Wafer Composed of Monocrystalline Silicon

Номер патента: US20120098100A1. Автор: Thomas Loch,Erich Daub,Raimund Kaiss,Michael Kloesler. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2012-04-26.

Apparatus having a static eliminator for manufacturing semiconductor devices and a method for eliminating a static electricity on a semiconductor wafer

Номер патента: US20020137364A1. Автор: Akihiro Sonoda. Владелец: Akihiro Sonoda. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor wafer cassette transportation apparatus and stocker used therein

Номер патента: US6129496A. Автор: Junji Iwasaki,Junichi Katsube,Yasushi Itami. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-10-10.

Apparatus having a static eliminator for manufacturing semiconductor devices and a method for eliminating a static electricity on a semiconductor wafer

Номер патента: US6909587B2. Автор: Akihiro Sonoda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-21.

Laser induced semiconductor wafer patterning

Номер патента: US20220406601A1. Автор: Sudarsan Uppili,Carl Johnson,Vipindas Pala,Chan Wu,John Trepl II. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-12-22.

Method and device for determining information relating to the mass of a semiconductor wafer

Номер патента: WO2015033108A1. Автор: Robert John Wilby,Adrian Kiermasz. Владелец: METRYX LIMITED. Дата публикации: 2015-03-12.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR CHIPS FROM A SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20130178017A1. Автор: Hougron Patrick,Touzet Dominique,Jarry Vincent,Mendez José. Владелец: STMicroelectronics (Tours) SAS. Дата публикации: 2013-07-11.

METHOD FOR MANUFACTURING A HYBRID SOI/BULK SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20140170834A1. Автор: Loubet Nicolas,Liu Qing,Fenouillet-Beranger Claire,Denorme Stéphane,Richard Emmanuel,PERREAU Pierre. Владелец: . Дата публикации: 2014-06-19.

Method for manufacturing dicing adhesive tape and semiconductor wafer

Номер патента: TWI631202B. Автор: 増田晃良,高城梨夏. Владелец: 麥克賽爾控股股份有限公司. Дата публикации: 2018-08-01.

Method for manufacturing semiconductor chips from a semiconductor wafer

Номер патента: US8772134B2. Автор: Vincent Jarry,Patrick Hougron,Dominique Touzet,Jose Mendez. Владелец: STMicroelectronics Tours SAS. Дата публикации: 2014-07-08.

Method for applying resin film to face of semiconductor wafer

Номер патента: TW200725720A. Автор: Kentaro Iizuka,Nobuyasu Kitahara,Yohei Yamashita,Takashi Sampei. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2007-07-01.

Semiconductor Element, Semiconductor Device, And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20140027767A1. Автор: Suzawa Hideomi,KURATA Motomu,MIKAMI Mayumi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-30.

Semiconductor Element, Semiconductor Device, And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20140367678A1. Автор: Suzawa Hideomi,KURATA Motomu,MIKAMI Mayumi. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-18.

Semiconductor Element, Semiconductor Device, And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20110133177A1. Автор: Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Mayumi MIKAMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI767677B. Автор: 倉田求,三上真弓,須澤英臣. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2022-06-11.

Apparatus for semiconductor wafer processing, method for determining a reference angular position and semiconductor wafers

Номер патента: DE112008001104T5. Автор: Yoshinori Yokohama-shi Hayashi,Hideki Yokohama-shi Mori. Владелец: Shibaura Mechatronics Corp. Дата публикации: 2010-02-18.

Method for forming a passivation layer using polyimide layer as a mask

Номер патента: US6589712B1. Автор: Yi-Ren Hsu. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2003-07-08.

Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: TWI727684B. Автор: 倉田求,三上真弓,須澤英臣. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2021-05-11.

Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing the same

Номер патента: TW202306163A. Автор: 倉田求,三上真弓,須澤英臣. Владелец: 日商半導體能源研究所股份有限公司. Дата публикации: 2023-02-01.

Method for reducing thermal stresses during processing of semiconductor wafers with height-developed topography and semiconductor wafer with protective structure for this method (variants)

Номер патента: RU2753840C1. Автор: Денис Георгиевич Шамирян,Кирилл Аркадьевич Курыгин,Валерий Олегович Шестак. Владелец: Обществом с ограниченной ответственностью "Маппер". Дата публикации: 2021-08-24.

METHOD FOR SUPPLYING INERT GAS TO STB IN SEMICONDUCTOR WAFER PRODUCTION SYSTEM AND SEMICONDUCTOR WAFER PRODUCTION SYSTEM USING THE SAME

Номер патента: US20150303086A1. Автор: LEE Jae Hyun,LEE Jun Han,Yoo Dong Gyu,Jeong Ui Han. Владелец: DAIFUKU CO., LTD.. Дата публикации: 2015-10-22.

Apparatus and methods for capacitively coupled plasma vapor processing of semiconductor wafers

Номер патента: US20130154479A1. Автор: Mark Kiehlbauch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Processing apparatus and method for controlled two-sided processing of a semiconductor wafer

Номер патента: DE102015118068B3. Автор: Martin SCHÖNLEBER. Владелец: PRECITEC OPTRONIK GMBH. Дата публикации: 2016-11-24.

Apparatus and method for depositing and planarizing thin films of semiconductor wafers

Номер патента: US20040178060A1. Автор: John Boyd,Yezdi Dordi,Fred Redeker,John de Larios,Mike Ravkin. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Apparatus and method for applying a protective tape to a semiconductor wafer

Номер патента: DE112018007513T5. Автор: Karl Heinz Priewasser,Yosuke Ishimatsu,Yoshinori KAKINUMA,Ken Ikehata. Владелец: Disco Hi Tec Europe GmbH. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor Device and Method of Forming Guard Ring Around Conductive TSV Through Semiconductor Wafer

Номер патента: US20130299998A1. Автор: Duk Ju Na,Chang Beom Yong,Lai Yee Chia. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Method for formation of a contact in a semiconductor wafer

Номер патента: US20060110903A1. Автор: Uwe Schröder,Jochen Schacht. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-05-25.

Method for fabricating a group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050048682A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Mototaka Taneya,Kunihiro Takatani. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-03-03.

Group III Nitride Semiconductor Device and Method for Manufacturing Group III Nitride Semiconductor Device

Номер патента: US20090257467A1. Автор: Koichi Naniwae,Ichiro Masumoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-10-15.

Battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20240204317A1. Автор: Xing Li,HU XU,Haizu Jin,Shaojun Niu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Case of battery, battery, power consumption device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: CA3227987A1. Автор: Yao Li,Xiaobo Chen,Jinru YUE,Piaopiao YANG,Mingguang GU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Battery protective structure, battery, power consuming device, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20240339709A1. Автор: Qingpeng Ke. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Crimp terminal, and method and apparatus for manufacturing a crimp terminal

Номер патента: US09548545B2. Автор: Yasushi Kihara,Yukihiro Kawamura,Saburo Yagi. Владелец: Furukawa Automotive Systems Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Stepped battery and method and device for manufacturing the same

Номер патента: US09882233B2. Автор: Young Hoon Kim,Ki Woong Kim,Dong Myung Kim,Sung Jin Kwon. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Battery cell, battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4407758A1. Автор: Xing Li,HU XU,Shaojun Niu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Battery cell, battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4418445A1. Автор: PENG Wang,Long Chen,Haizu Jin,Yulian ZHENG,Shoujun HUANG,Xinxiang CHEN,Denghua LIN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Battery, power consuming device, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230387559A1. Автор: Aifang Huang,Qifeng Chen. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

System and method of measuring for manufacture and deployment of distribution cable assemblies

Номер патента: EP4252057A1. Автор: Terry Lee Cooke,Lars Kristian Nielsen,Michael Todd Faulkner. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2023-10-04.

Energy storage container and method and device for manufacturing energy storage container

Номер патента: US20240204330A1. Автор: Hao Luo,Zengzhong Wang,Haoran PENG,Haibin SU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Battery, electric device, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: EP4372864A1. Автор: PENG Wang,Xiaoteng Huang,Zhanyu SUN,Haiqi Yang,Langchao Hu,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-22.

Case body assembly, battery, electrical device, and method and apparatus for manufacturing case body assembly

Номер патента: EP4239772A1. Автор: Yangzhi HUANG,Qifeng Chen,Xiping LIAO. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Battery cell, battery, electrical device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4398406A1. Автор: ZHEN Li,MENG Li,Zhixin LUO. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Battery cell, battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240304965A1. Автор: PENG Wang,Long Chen,Haizu Jin,Yulian ZHENG,Shoujun HUANG,Xinxiang CHEN,Denghua LIN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Battery protection structure, battery, electric device, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: EP4435944A1. Автор: Qingpeng Ke. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Battery cell, battery, electrical device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240322407A1. Автор: Jun Xiao,Caiying SUN,Song DUAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Negative electrode pole piece, electrode assembly, battery cell, battery, electrical device, and method and device for manufacturing negative electrode pole piece

Номер патента: EP4447169A1. Автор: Yujie Chen,Xiaoming Ge,Yulei FAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Enclosure frame, battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing enclosure frame

Номер патента: EP4447208A1. Автор: Pengfei Lv,Guangyue Zhong,Ruilian NIE,Zhaoyu SHANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery

Номер патента: US20240363960A1. Автор: Yao Li,Mingguang GU,Pengcheng YAO,Bingfeng LI,Zequan LU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Battery module, battery pack, apparatus, and method and device for manufacturing battery module

Номер патента: US12132217B2. Автор: Wei Li,Chengdu Liang,Qian Liu,Haizu Jin,Yonghuang YE,Quanguo LI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Enclosure frame, battery, electric device, and method and device for manufacturing enclosure frame

Номер патента: US20240372205A1. Автор: Pengfei Lv,Guangyue Zhong,Ruilian NIE,Zhaoyu SHANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Battery module and method and equipment for manufacturing the same, battery pack, and apparatus

Номер патента: US12062812B2. Автор: Wei Li,Chengdu Liang,Xia Hu,Qian Liu,Yonghuang YE,Quanguo LI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Pole piece, electrode assembly, battery cell, battery, electrical device, and method and device for manufacturing pole piece

Номер патента: EP4462520A1. Автор: Yujie Chen,Xiaoming Ge,Yulei FAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-13.

Method and device for manufacturing of sealed panel and method and device for manufacturing of plasma display panel

Номер патента: RU2435246C2. Автор: Эйити ИИДЗИМА,Мунето ХАКОМОРИ,Тосихару КУРАУТИ,Таканобу ЯНО,Юити ОРИИ. Владелец: Улвак, Инк.. Дата публикации: 2011-11-27.

Battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230411761A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Electromagnetic insulation wire, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20050006131A1. Автор: Takanori Yamazaki,Matahiro Komuro,Naofumi Chiwata,Masato Miyataki. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2005-01-13.

Battery cell and method and equipment for manufacturing same, battery, and electrical device

Номер патента: US20230361439A1. Автор: Chao Liu,Ying Li,Qingkui Chi. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Base station antenna, sealing member, and method and device for manufacturing the sealing member

Номер патента: US11557832B2. Автор: Peng Xiao,Hong Ye,JIN Xu,Lei Ju,Qingyun Chen,Junfeng Yu,Yingin Shao. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2023-01-17.

Base station antenna, sealing member, and method and device for manufacturing the sealing member

Номер патента: US20200313290A1. Автор: Peng Xiao,Hong Ye,JIN Xu,Lei Ju,Qingyun Chen,Junfeng Yu,Yingin Shao. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2020-10-01.

Discharge lamp with a base and method and fixture for manufacturing the same

Номер патента: EP1439569A3. Автор: István Mudra,Pal Garamvolgyi,Szabolcs Bella. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2007-08-29.

Unit Cell and Method and Apparatus for Manufacturing A Unit Cell

Номер патента: US20230402640A1. Автор: Sang Wook Kim,Sung Chul Park,Dong Hyeuk PARK,Hyeon Jin LEE,Gi Yang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Unit cell, and method and device for manufacturing same

Номер патента: EP4270568A2. Автор: Sang Wook Kim,Sung Chul Park,Dong Hyeuk PARK,Hyeon Jin LEE,Gi Yang. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2023-11-01.

System and method of measuring for manufacture and deployment of distribution cable assemblies

Номер патента: US20230282391A1. Автор: Terry Lee Cooke,Lars Kristian Nielsen,Michael Todd Faulkner. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Battery cell, battery, power consuming device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4152491A1. Автор: Huasheng Su,Quankun Li,Chengyou Xing,Kun FANG,Wenqi ZHU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-22.

Battery cell, battery, electrical apparatus, and method and system for manufacturing battery cell

Номер патента: US20230327243A1. Автор: Xiaomei Liu,Yichen Wu,Limei YANG,Qineng Zhong. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4300702A1. Автор: Rui Yang,Kun FANG,Yuqian WEN,Wenqi ZHU. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4300673A1. Автор: Guodong DU,Yiming Li,Yanpeng LI,Yizhen Wu,Jianxiong YANG,Yongtao ZUO. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-03.

Battery, electric apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230420798A1. Автор: PENG Wang,Xiaoteng Huang,Zhanyu SUN,Xiaozhi Wu,Haiqi Yang,Langchao Hu,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230411756A1. Автор: HU XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20220376360A1. Автор: Tingting ZHU,Liwen Jiang,Rulai Cai,Fuping Luo,Wumei FANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Battery cell, battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240055705A1. Автор: PENG Wang,Lulu BAI,Quankun Li,Wenlin Zhou,Shengwang CHEN,Ningsheng WU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230369698A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Battery box, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230361408A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Battery cell, and method and device for manufacturing battery cell, battery, and power consuming device

Номер патента: EP4354642A1. Автор: HU XU,Haizu Jin,Siying HUANG,Wenqi ZHU,Shaojun Niu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230335845A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Battery cell, battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240055693A1. Автор: Xing Li,Quankun Li,Wenlin Zhou,Liangfan XU,Wenwei Chen. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230344059A1. Автор: Yongguang Wang,Yangzhi HUANG,Jinfeng Li,Cunrui Liu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Battery cell, battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240154281A1. Автор: Huasheng Su. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Battery cell and method and system for manufacturing same, and battery and electric device

Номер патента: EP4358277A1. Автор: Yuqian WEN,Wenqi ZHU,Zhenfei Yang. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Battery cell, battery, power consumption apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4354649A1. Автор: Huasheng Su. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4369510A1. Автор: Wenqi ZHU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-15.

Battery casing, battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4266462A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Battery cell and method and apparatus for manufacturing same, battery, and electrical device

Номер патента: EP4333193A1. Автор: HU XU,Haizu Jin,Fenggang Zhao,Siying HUANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-06.

Adapter component, battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4181307A1. Автор: WEI ZHONG,Qiang Liu,Xiaowen Zhang,Xigen Zhou,Haihe XIAO,Mingxiang LIN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Battery, power consuming device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230344033A1. Автор: Yao Li,Xiaobo Chen,Xianda Li,Piaopiao YANG,Mingguang GU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Electrode assembly, battery cell, battery, and method and device for manufacturing electrode assembly

Номер патента: EP4053960A1. Автор: Xing Li,HU XU,Chengdu Liang,Haizu Jin,Yuqun Zeng,Xinxin DU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-07.

Case of battery, battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230369714A1. Автор: PENG Wang,Yu Tang,Xiaoteng Huang,Haiqi Yang,Zhimin ZENG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Battery cell, battery, electrical device, and method and equipment for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240178531A1. Автор: Wenqi ZHU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US12002992B2. Автор: Tingting ZHU,Liwen Jiang,Rulai Cai,Fuping Luo,Wumei FANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4096009A1. Автор: HU XU,Chengdu Liang,Haizu Jin,Yuqun Zeng. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4258457A1. Автор: Junrong Li. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-11.

Battery cell, battery, power consuming device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4391166A1. Автор: Lulu BAI,Quankun Li,Ting Zheng,Wenlin Zhou,Ningsheng WU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Battery cell, battery, power consuming device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4354601A1. Автор: Yang Zou,Qingkui Chi,Zhisheng CHAI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-17.

Wound Electrode Assembly for an Electrochemical Cell, and Methods and Devices for Manufacture of same

Номер патента: US20170279156A1. Автор: Mark KOTIK,Eugene Levin,Paul Frick,Mehul BOTADRA. Владелец: Robert Bosch Battery Systems LLC. Дата публикации: 2017-09-28.

Wound Electrode Assembly for an Electrochemical Cell, and Methods and Devices for Manufacture of Same

Номер патента: US20190131661A1. Автор: Mark KOTIK,Eugene Levin,Paul Frick,Mehul BOTADRA. Владелец: Robert Bosch Battery Systems LLC. Дата публикации: 2019-05-02.

Method for producing nitride light-emitting diode

Номер патента: RU2747132C1. Автор: Ирина Павловна Смирнова,Лев Константинович Марков,Алексей Сергеевич Павлюченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2021-04-28.

Method for production of nitride light-emitting diode

Номер патента: RU2690036C1. Автор: Ирина Павловна Смирнова,Дмитрий Александрович Закгейм,Лев Константинович Марков,Алексей Сергеевич Павлюченко. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for producing a semiconductor layer sequence

Номер патента: US09842964B2. Автор: Werner Bergbauer,Joachim Hertkorn. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024040563A1. Автор: Yi He,Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device and method for producing the same, power supply device, and high-frequency amplifier

Номер патента: US09755061B2. Автор: Naoya Okamoto,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20140097443A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao,Hsun-Chih Liu,Yi-Keng Fu,Chien-Pin Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-04-10.

Method for manufacturing group iii-nitride semiconductor substrate, group iii-nitride semiconductor substrate, and bulk crystal

Номер патента: EP3604631A4. Автор: HIROKI Goto,Hitoshi Sasaki,Tomohiro Kobayashi,Yujiro Ishihara,Shoichi Fuda. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-23.

P-Type Group III Nitride Semiconductor and Production Method Thereof

Номер патента: US20080246053A1. Автор: Hitoshi Takeda,Hisayuki Miki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-09.

Semiconductor light emitting element, group iii nitride semiconductor substrate and method for manufacturing such group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP1981093A1. Автор: Hisashi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. MINEMOTO,Yasuo c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KITAOKA,Yasutoshi c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. KAWAGUCHI,Yasuhito c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. TAKAHASHI,Yoshiaki c/o Matsushita Electric Ind. Co. Ltd. HASEGAWA. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2008-10-15.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20200381580A1. Автор: Hiroki Kondo. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US09647170B2. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US09385277B2. Автор: Shinji Yoshida,Kazuhiko Yamanaka,Katsuya Samonji,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Semiconductor light emitting diode and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070145382A1. Автор: Suk Youn Hong,Pun Jae Choi,Sang Yeob Song. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20060273332A1. Автор: Dong Jeon,Pil Kang,Tae Jang,Bong Yi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-07.

Light emitting element and light emitting device

Номер патента: US20240355968A1. Автор: Koichi Goshonoo. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method for passivating a through hole of a semiconductor plate

Номер патента: RU2745656C1. Автор: Александер ФРЕЙ. Владелец: АЦУР СПЭЙС Золяр Пауер ГмбХ. Дата публикации: 2021-03-30.

Method for manufacturing light-emitting element

Номер патента: US20210328095A1. Автор: Seiichi Hayashi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09741900B2. Автор: Masayuki Nagata,Takashi KURISU,Susumu Ohmi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Group-iii nitride semiconductor nanoparticles, core-shell-type particles, and method for manufacturing same

Номер патента: US20230357011A1. Автор: Kenji Moriyama,Atsushi Muramatsu,Yasuyuki Miyake,Kiyoshi Kanie,Wataru Tamura,Takuya Kazama. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20170117441A1. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US9842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Wafer for solar cell, method of producing wafer for solar cell, method of producing solar cell, and method of producing solar cell module

Номер патента: US09935216B2. Автор: Shigeru Okuuchi. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method for producing group III nitride semiconductor light-emitting device, group III nitride semiconductor light-emitting device, and lamp

Номер патента: US8669129B2. Автор: Kenzo Hanawa,Hisayuki Miki,Yasunori Yokoyama,Takehiko OKABE. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-11.

Gallium nitride compound semiconductor element

Номер патента: EP1387453A1. Автор: Kimihiro c/o NICHIA CORPORATION KAWAGOE. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2004-02-04.

Gallium nitride compound semiconductor element

Номер патента: EP1387453B1. Автор: Kimihiro c/o NICHIA CORPORATION KAWAGOE. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2009-11-11.

Nitride semiconductor multilayer structure, light emitting element, light source apparatus, and method for producing nitride semiconductor multilayer structure

Номер патента: US20200244043A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer growth substrate, and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20140319460A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer growth substrate, and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20150236200A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US8895419B2. Автор: Toshiya Yokogawa,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-11-25.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT

Номер патента: US20140225062A1. Автор: WENG Yufeng. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-08-14.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER GROWTH SUBSTRATE, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20150236200A1. Автор: Hikosaka Toshiki,Nunoue Shinya,Harada Yoshiyuki,Sugai Maki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor light emitting device, nitride semiconductor layer growth substrate, and nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20140319460A1. Автор: Shinya Nunoue,Yoshiyuki Harada,Toshiki Hikosaka,Maki Sugai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

Номер патента: US20200227590A1. Автор: Pernot Cyril,MATSUKURA Yusuke,WADA Mitsugu,FURUSAWA Yuta. Владелец: NIKKISO CO., LTD.. Дата публикации: 2020-07-16.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: JP2022082182A. Автор: Yusuke Matsukura,一史 ▲高▼尾,Kazufumi Takao,勇介 松倉. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-01.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: CN111095579B. Автор: 希利尔·贝诺,古泽优太,和田贡,松仓勇介. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: WO2019054053A1. Автор: シリル ペルノ,勇介 松倉,和田　貢,優太 古澤. Владелец: 日機装株式会社. Дата публикации: 2019-03-21.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: CN111066161A. Автор: 希利尔·贝诺,古泽优太,和田贡,松仓勇介. Владелец: Nikkiso Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-24.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US11984528B2. Автор: Toshihiko KISHINO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

METHOD FOR MANUFACTURING A NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE MANUFACTURED THEREBY

Номер патента: US20140197374A1. Автор: LEE JIN BOCK,JANG Tae Sung,Hwang Seok Min,WOO Jong Gun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-17.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20210180211A1. Автор: Goto Hiroki,Nakagawa Takuya,SUMIDA Yasunobu,FUJIYAMA Yasuharu,ISHIHARA Yujiro. Владелец: . Дата публикации: 2021-06-17.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US9735314B2. Автор: Shinji Yoshida,Kazuhiko Yamanaka,Katsuya Samonji,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Group III nitride semiconductor epitaxial substrate, group III nitride semiconductor light emitting device, and method for manufacturing the same

Номер патента: JP5698321B2. Автор: 雅年 岩田,嘉和 大鹿,大鹿　嘉和. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-08.

P-type group III-nitride semiconductor device

Номер патента: US6150672A. Автор: Yawara Kaneko. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2000-11-21.

Nitride semiconductor light emitting device including electrodes of a multilayer structure

Номер патента: US7868344B2. Автор: Pil Geun Kang,Bong Il Yi,Jae Ho Han,Dong Min Jeon. Владелец: Samsung LED Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-11.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: EP2306529A2. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2011-04-06.

Group III nitride semiconductor laser device and method for manufacturing group III nitride semiconductor laser device

Номер патента: JP5494259B2. Автор: 浩二 片山,慎平 高木,昌紀 上野,祐介 善積,隆俊 池上. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-05-14.

METHOD FOR MANUFACTURING n-p-n NITRIDE-SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND n-p-n NITRIDE-SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

Номер патента: WO2015129610A1. Автор: 素顕 岩谷,竹内　哲也,赤▲崎▼　勇,侑香 桑野. Владелец: 学校法人名城大学. Дата публикации: 2015-09-03.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240038932A1. Автор: Toshihiko Fukamachi. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emmiting device

Номер патента: US20120315719A1. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Group III nitride semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US11955581B2. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

STRUCTURE FOR GROWTH OF NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER, STACKED STRUCTURE, NITRIDE-BASED SEMICONDUCTOR ELEMENT, LIGHT SOURCE, AND MANUFACTURING METHOD FOR SAME

Номер патента: US20140124816A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,CHOE Songbaek. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-05-08.

Gallium nitride semiconductor device

Номер патента: CA2444273C. Автор: Kimihiro Kawagoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US8466449B2. Автор: Jae Woong Han,Seong Suk Lee,Soo Min Lee,Hee Seok Park,Cheol Soo Sone. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20190244821A1. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8735196B2. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20170345661A1. Автор: Naoya Okamoto,Kozo Makiyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-11-30.

METHOD FOR MANUFACTURING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, LAMP, AND RETICLE

Номер патента: US20130221388A1. Автор: TANAKA Kazufumi. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-29.

Group III nitride semiconductor light emitting device, method for manufacturing group III nitride semiconductor light emitting device, and lamp

Номер патента: JP5094493B2. Автор: 隆 宇田川,久幸 三木. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-12-12.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor substrate, group III nitride semiconductor substrate, and bulk crystal

Номер патента: JP7046496B2. Автор: 斉 佐々木,裕次郎 石原,裕輝 後藤,将一 布田,智浩 小林. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-04.

Nitride semiconductor light emitting device and method for fabricating the same

Номер патента: US8093625B2. Автор: Sang Kyun SHIM. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-10.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2376453C. Автор: Koji Tanizawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-07-19.

Nitride semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US20130214288A1. Автор: Akira Inoue,Toshiya Yokogawa,Junko Iwanaga. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

Method For Producing Group III Nitride Semiconductor Light-Emitting Device

Номер патента: US20150236193A1. Автор: Masato Aoki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Manufacturing method of semiconductor substrative and method and apparatus for inspecting defects of patterns on an object to be inspected

Номер патента: US5774222A. Автор: Minoru Yoshida,Hitoshi Kubota,Shunji Maeda,Yasuhiko Nakayama,Kenji Oka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-06-30.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

Номер патента: US20130134388A1. Автор: UEDA Masaya,UETA Yoshihiro,SANO Yuichi,OKUMURA Toshiyuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-30.

Light-emitting devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190123237A1. Автор: Byoung-kyun KIM,Tan Sakong,Jin-young Lim,Jae-sung HYUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160163928A1. Автор: Miyoshi Kohei,TSUKIHARA Massashi. Владелец: USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2016-06-09.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20150171263A1. Автор: Takeoka Tadashi,Tani Yoshihiko,Inoue Tomoya,Asai Toshiaki,Nonaka Kentaro,Nakatsu Hiroshi. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-06-18.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20170222091A1. Автор: Sugiyama Toru,Tsukihara Masashi,Miyoshi Kohei. Владелец: USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2017-08-03.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20210296527A1. Автор: Pernot Cyril,MATSUKURA Yusuke. Владелец: NIKKISO CO., LTD.. Дата публикации: 2021-09-23.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: WO2013187171A1. Автор: 谷　善彦,知也 井上,浅井　俊晶,中津　弘志,健太朗 野中,忠士 竹岡. Владелец: シャープ株式会社. Дата публикации: 2013-12-19.

Nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: WO2006131990A1. Автор: Masahiko Hata,Yoshinobu Ono,Sadanori Yamanaka. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2006-12-14.

III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9882088B2. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Iii nitride semiconductor light emitting element and method for manufacturing same

Номер патента: CN104603961A. Автор: 门胁嘉孝,丰田达宪. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-06.

Method for producing group 3-5 nitride semiconductor and method for manufacturing light-emitting device

Номер патента: WO2007037504A1. Автор: Kazumasa Ueda,Yoshihiko Tsuchida,Sadanori Yamanaka. Владелец: Sumitomo Chemical Company, Limited. Дата публикации: 2007-04-05.

METHOD OF FABRICATING GALLIUM NITRIDE SEMICONDUCTOR, METHOD OF FABRICATING GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20130285066A1. Автор: UENO Masaki,ENYA Yohei,Yoshizumi Yusuke,Sumitomo Takamichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2013-10-31.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light Emitting Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20180277723A1. Автор: Hirano Akira,AOSAKI Ko. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PRODUCTION METHOD FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

Номер патента: US20200279971A1. Автор: Pernot Cyril,MATSUKURA Yusuke,WADA Mitsugu,FURUSAWA Yuta. Владелец: NIKKISO CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-03.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PRODUCTION METHOD FOR NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

Номер патента: US20200279973A1. Автор: Pernot Cyril,MATSUKURA Yusuke,WADA Mitsugu,FURUSAWA Yuta. Владелец: NIKKISO CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-03.

NITRIDE SEMICONDUCTOR ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20200321491A1. Автор: Hirano Akira,AOSAKI Ko,Yamada Kiho. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Light emitting device having plurality of non-polar light emitting cells and method of fabricating the same

Номер патента: US8183072B2. Автор: Won Cheol Seo,Kyung Hee Ye,Kwang Choong Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2012-05-22.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20090026440A1. Автор: Takashi Kyono,Katsushi Akita,Hideki Hirayama. Владелец: RIKEN Institute of Physical and Chemical Research. Дата публикации: 2009-01-29.

Nitride semiconductor light-emitting element and production method for nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: TW201924090A. Автор: 古澤優太,和田貢,松倉勇介,西里爾 佩爾諾. Владелец: 日商日機裝股份有限公司. Дата публикации: 2019-06-16.

Nitride semiconductor light-emitting element, nitride semiconductor light-emitting device and nitride semiconductor light-emitting element manufacturing method

Номер патента: JP2013045846A. Автор: 宇峰 翁,Yufeng Weng. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-03-04.

Light emitting device having plurality of non-polar light emitting cells and method of fabricating the same

Номер патента: US20100163900A1. Автор: Won Cheol Seo,Kyung Hee Ye,Kwang Choong Kim. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Nitride semiconductor ultraviolet light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: WO2017208535A1. Автор: 耕 青崎,平野　光,貴穂 山田. Владелец: 創光科学株式会社. Дата публикации: 2017-12-07.

Nitride semiconductor based optical integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: KR102258441B1. Автор: 성준호. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2021-05-31.

Nitride semiconductor ultraviolet light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: WO2017072859A1. Автор: 耕 青崎,平野　光. Владелец: 創光科学株式会社. Дата публикации: 2017-05-04.

III NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE AND III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, AND METHODS OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20160172534A1. Автор: OOSHIKA Yoshikazu,IWATA Masatoshi. Владелец: DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2016-06-16.

Nitride semiconductor template, light emitting device, and method of manufacturing nitride semiconductor template

Номер патента: JP6454712B2. Автор: 藤倉　序章,序章 藤倉,泰一郎 今野,今野　泰一郎,秀聖 根本. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-16.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20140087508A1. Автор: Atsushi Miyazaki,Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-27.

The nitride semiconductor light emitting element and its manufacturing method

Номер патента: TW398083B. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2000-07-11.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

Номер патента: US20190326475A1. Автор: Sato Kosuke. Владелец: ASAHI KASEI KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2019-10-24.

MANUFACTURING METHOD FOR GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20180337306A1. Автор: Matsumoto Koji,Amano Hiroshi,Ono Toshiaki,HONDA Yoshio. Владелец: SUMCO CORPORATION. Дата публикации: 2018-11-22.

System and method for manufacturing an integrated circuit anti-fuse in conjunction with a tungsten plug process

Номер патента: US20110221031A1. Автор: David Tucker,Sergei Drizlikh,Thomas James Moutinho,Ashish Kushwaha. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Method for manufacturing group 3 nitride semiconductor device

Номер патента: JP3606015B2. Автор: 正好 小池,典克 小出. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-05.

Method for manufacturing microstructure of nitride semiconductor

Номер патента: JP4647020B2. Автор: 靖浩 長友,祥一 川島,毅士 川島,勝之 星野. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-03-09.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: JP6002109B2. Автор: 片山　浩二,浩二 片山,宣弘 嵯峨,克典 簗嶋,孝史 京野,慎司 徳山,達史 濱口,簗嶋　克典,和英 住吉,嵯峨　宣弘. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-10-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING CHIP, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE

Номер патента: US20140042456A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,Fujita Toshiyuki. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-02-13.

SIDE-EMITTING TYPE NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING CHIP AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20150188011A1. Автор: KANG Pil-Geun. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-02.

Nitride semiconductor layer structure and a nitride semiconductor laser incorporating a portion of same

Номер патента: KR100705886B1. Автор: 와타나베사토시,다케우치데츠야,가네코야와라,야마다노리히데,아마노히로시,아카사키이사무. Владелец: 아바고 테크놀로지스 이씨비유 아이피 (싱가포르) 피티이 리미티드. Дата публикации: 2007-04-09.

Iii nitride semiconductor light-emitting element, and process for manufacturing same

Номер патента: KR101441833B1. Автор: 타츠노리 토요타,토모히코 시바타. Владелец: 도와 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2014-09-18.

Nitride semiconductor device manufacturing method and nitride semiconductor device manufacturing apparatus

Номер патента: JP4049723B2. Автор: 典彦 戸田. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-20.

Iii nitride semiconductor light-emitting element, and process for manufacturing same

Номер патента: CN103140947A. Автор: 丰田达宪,柴田智彦. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-05.

Nitride semiconductor structure, multilayer structure, and nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US9324913B2. Автор: Shunji Yoshida,Toshiya Yokogawa,Songbaek CHOE. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-26.

NITRIDE SEMICONDUCTOR STRUCTURE, MULTILAYER STRUCTURE, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT

Номер патента: US20140269801A1. Автор: YOSHIDA Shunji,CHOE Songbaek,YOKOGAWA Toshiya Bonar. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-09-18.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20130240945A1. Автор: WADA Satoshi,AOKI Masato,GOSHONOO Koichi. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2013-09-19.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: US20140054636A1. Автор: Toshiya Yokogawa,Naomi Anzue. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-02-27.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20150021653A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,OYA Mitsuaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20140183580A1. Автор: Udagawa Takashi. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2014-07-03.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20140231840A1. Автор: Yamada Eiji,FUDETA Mayuko. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2014-08-21.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20150228848A1. Автор: Tsukihara Masashi,Miyoshi Kohei. Владелец: USHIO DENKI KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2015-08-13.

Group III nitride semiconductor light-emitting element and method for producing the same

Номер патента: US8889449B2. Автор: Satoshi Wada,Masato Aoki,Koichi Goshonoo. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Nitride semiconductor light emitting element and method for fabricating the same

Номер патента: CN100583475C. Автор: 赖志铭. Владелец: Foxsemicon Integrated Technology Inc. Дата публикации: 2010-01-20.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20190006558A1. Автор: Watanabe Yasuhiro,FUJITA Takehiko. Владелец: DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2019-01-03.

Group iii nitride semiconductor light-emitting element and method of manufacturing same

Номер патента: US20200006599A1. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20220045239A1. Автор: Watanabe Yasuhiro. Владелец: DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2022-02-10.

MATERIALS, STRUCTURES, AND METHODS FOR OPTICAL AND ELECTRICAL III-NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20150034902A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20210193874A1. Автор: Watanabe Yasuhiro,FUJITA Takehiko. Владелец: DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-24.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20200287087A1. Автор: Watanabe Yasuhiro. Владелец: DOWA ELECTRONICS MATERIALS CO., LTD.. Дата публикации: 2020-09-10.

Plasma pinch system and method of using same

Номер патента: WO1989005515A1. Автор: Keith Boyer,Ralph H. Lovberg,John F. Asmus. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 1989-06-15.

Nitride semiconductor light emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: EP2518784A2. Автор: Hirofumi Kawaguchi,Akinori Yoneda,Kouichiroh Deguchi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-10-31.

Method for quantifying uniformity patterns and inclusion of expert knowledge for tool development and control

Номер патента: WO2004030084A2. Автор: Andrew D. Bailey, III,Pratik Misra,Puneet Yadav. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2004-04-08.

Methods for semiconductor wafer processing using a radiant heat cap in a semiconductor wafer reactor

Номер патента: US20230354478A1. Автор: Chieh Hu,Chun-Chin Tu,Lunghsing Hsu. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Circuit and Method for Internally Assessing Dielectric Reliability of a Semiconductor Technology

Номер патента: US20150194358A1. Автор: Marco Faricelli,Stefano Aresu,Michael Rohner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-07-09.

Process for manufacturing lead-free bumps of semiconductor wafer

Номер патента: TWI253733B. Автор: Feng-Lung Chien,Huang-Chuan Chang,Chuk-Sheng Ho. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2006-04-21.

Process for manufacturing lead-free bumps of semiconductor wafer

Номер патента: TW200509344A. Автор: Feng-Lung Chien,Huang-Chuan Chang,Chuk-Sheng Ho. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-01.

Template for Epitaxial Growth, Method for Producing the Same, and Nitride Semiconductor Device

Номер патента: US20160265138A1. Автор: Pernot Cyril,Hirano Akira. Владелец: SOKO KAGAKU CO., LTD.. Дата публикации: 2016-09-15.

Nitride semiconductor light-emitting diode chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050093016A1. Автор: Toshio Hata,Kensaku Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Nitride semiconductor light-emitting diode chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US7105859B2. Автор: Toshio Hata,Kensaku Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-12.

Nitride semiconductor light-emitting diode chip and method of manufacturing the same

Номер патента: CN1314135C. Автор: 幡俊雄,山本健作. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-02.

Charge storage target and method of manufacture

Номер патента: US3973270A. Автор: Dieter K. Schroder,Robert A. Wickstrom. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1976-08-03.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20130214288A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-08-22.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND LED SYSTEM

Номер патента: US20130334986A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,YOSHIDA Shunji,Inoue Akira. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-12-19.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, AND LIGHT SOURCE

Номер патента: US20140048771A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,YOSHIDA Shunji,Takahashi Kunimasa. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-02-20.

Group III Nitride Semiconductor Light Emitting Element And Wafer Containing Element Structure

Номер патента: US20180040770A1. Автор: OBATA Toshiyuki,SATOU Tomoaki. Владелец: STANLEY ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2018-02-08.

GROUP-III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20140231853A1. Автор: UEMURA Toshiya. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2014-08-21.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND WAFER INCLUDING SUCH ELEMENT CONFIGURATION

Номер патента: US20190198714A1. Автор: SATO Tomoaki. Владелец: STANLEY ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2019-06-27.

Nitride semiconductor light emitting element, and light emitting device and optical pickup device using the same

Номер патента: JP4416297B2. Автор: 有三 津田,茂稔 伊藤. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-02-17.

Nitride Semiconductor Light Emitting Element and Optical Device Containing it

Номер патента: KR100591705B1. Автор: 유조 츠다,시게토시 이토,마사히로 아라키. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-06-20.

Light-emitting device, method for making the same, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20060237732A1. Автор: Koji Katayama,Hiroyuki Kitabayashi,Youichi Nagai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Light-emitting device, method for making the same, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP1717870A3. Автор: Koji Katayama,Hiroyuki Kitabayashi,Youichi Nagai. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-05-04.

Group-III nitride semiconductor light-emitting element and manufacturing method therefor

Номер патента: US9368687B2. Автор: Toshiya Uemura. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-14.

Nitride semiconductor light-emitting element and its manufacturing method

Номер патента: JP2003309289A. Автор: 俊雄 幡,Toshio Hata,Hiroaki Kimura,大覚 木村. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-10-31.

Nitride semiconductor light-emitting diode chip and method of manufacturing the same

Номер патента: TW200529469A. Автор: Toshio Hata,Kensaku Yamamoto. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-09-01.

Nitride semiconductor light emitting element and optical device containing it

Номер патента: KR20050075456A. Автор: 유조 츠다,시게토시 이토,마사히로 아라키. Владелец: 샤프 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-07-20.

Light-emitting device, method for making the same, and nitride semiconductor substrate

Номер патента: EP1724845A3. Автор: Youchi Nagai,Koji c/o of Itami Works Katayama,Hiroyuki c/o of Itami Works Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-09.

Light-emitting device, method for making the same,and nitride semiconductor substrate

Номер патента: SG127832A1. Автор: Koji Katayama,Hiroyuki Kitabayashi,Youichi Nagai. Владелец: Sumitomo Electric Industries. Дата публикации: 2006-12-29.

Vertical group iii nitride semiconductor light-emitting element and production method therefor

Номер патента: TW201140880A. Автор: Ryuichi Toba,Yoshitaka Kadowaki,Tatsunori Toyota. Владелец: Dowa Electronics Materials Co. Дата публикации: 2011-11-16.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20200291292A9. Автор: SHIOJI Shuji. Владелец: NICHIA CORPORATION. Дата публикации: 2020-09-17.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20170331009A1. Автор: SHIOJI Shuji. Владелец: NICHIA CORPORATION. Дата публикации: 2017-11-16.

Plasma pinch system and method of using same

Номер патента: CA1307356C. Автор: Keith Boyer,Ralph H. Lovberg,John F. Asmus. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1992-09-08.

Semiconductor element, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor element

Номер патента: JP6683003B2. Автор: 修司 塩路. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2020-04-15.

Semiconductor wafer evaluation apparatus and semiconductor wafer manufacturing method

Номер патента: US20220146564A1. Автор: Koichi Murata,Akira Miyasaka,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2022-05-12.

Semiconductor wafer evaluation apparatus and semiconductor wafer manufacturing method

Номер патента: US11906569B2. Автор: Koichi Murata,Akira Miyasaka,Isaho Kamata,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2024-02-20.

Light-emitting diode packaging structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11769861B2. Автор: Ai Sen Liu,Hsiang An Feng,Ya Li Chen,CHENG YU CHUNG,Chia Wei Tu. Владелец: Ingentec Corp. Дата публикации: 2023-09-26.

Silicon-based thin film photoelectric converter, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: TW200721520A. Автор: KATSUSHI Kishimoto. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2007-06-01.

Electronic component and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: TW200413567A. Автор: Kenta Ogawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-08-01.

Sanitary article capable of improved fit against the body and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: MY123747A. Автор: Costa Rogerio,Brisebois Henri,Hsieh Tong-Ho,E Salerno Catherine,Ulman John. Владелец: Johnson & Johnson Inc. Дата публикации: 2006-06-30.

Structure and method for parallel testing of dies on a semiconductor wafer

Номер патента: US20030219913A1. Автор: Eungjoon Park,Ali Pourkeramati. Владелец: Azalea Microelectronics Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Structure and method for determining edges of regions in a semiconductor wafer

Номер патента: WO2002082531A2. Автор: Tobias Mono,Thomas Schafbauer,Andreas Von Ehrenwall. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-10-17.

Structure and method for parallel testing of dies on a semiconductor wafer

Номер патента: US20070099312A1. Автор: Eungjoon Park,Ali Pourkeramati. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-03.

SEMICONDUCTOR ELEMENT FOR A THERMOELECTRIC MODULE, METHOD FOR PRODUCING THE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND THERMOELECTRIC MODULE

Номер патента: US20130160807A1. Автор: BRUECK ROLF. Владелец: EMITEC GESELLSCHAFT FUER EMISSIONSTECHNOLOGIE MBH. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor wafer including a low dielectric constant thermosetting polymer film and method of making same

Номер патента: US20040013887A1. Автор: Kelly Malone,Habib Hichri,Arthur Martin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-01-22.

Semiconductor wafer including a low dielectric constant thermosetting polymer film and method of making same

Номер патента: US6764873B2. Автор: Kelly Malone,Habib Hichri,Arthur Martin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-07-20.

Method for making a structured metalization for a semiconductor wafer

Номер патента: KR100325925B1. Автор: 아쉔브렌네르롤프,아즈다쉬트가셈,자켈엘케,오스트만안드리아스,모툴라게랄드. Владелец: 파크 테크-패키징 테크놀로지스 겜바하. Дата публикации: 2002-02-27.

Semiconductor element, semiconductor element mounting body, and method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: JP5599276B2. Автор: 孝 栗原,直 荒井,和貴 小林. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-01.

Method for evaluating gate oxide integrity in a semiconductor wafer and structure for the same

Номер патента: KR20090071994A. Автор: 김자영. Владелец: 주식회사 실트론. Дата публикации: 2009-07-02.

Method for producing semiconductor laser element

Номер патента: US09991671B2. Автор: Hiroki Koizumi,Hiroki Sakata. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Nitride semiconductor laser element and method for manufacturing same

Номер патента: US8654808B2. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-02-18.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20080304530A1. Автор: Tomonori Morizumi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090116528A1. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7792172B2. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20050265413A1. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus

Номер патента: US20060202188A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Takeshi Kamikawa,Mototaka Taneya,Yuhzoh Tsuda,Yoshihiro Ueta,Teruyoshi Takakura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Nitride semiconductor light-emitting device, method of fabricating it, and semiconductor optical apparatus

Номер патента: US20090236585A1. Автор: Shigetoshi Ito,Takayuki Yuasa,Kensaku Motoki,Takeshi Kamikawa,Mototaka Taneya,Yuhzoh Tsuda,Yoshihiro Ueta,Teruyoshi Takakura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-09-24.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20100080257A1. Автор: Jae Woong Han,Seong Suk Lee,Hee Seok Park. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-01.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130280837A9. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-10-24.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065336A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Method for fabricating group-III nitride semiconductor laser device

Номер патента: US9036671B2. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Method for fabricating group-iii nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20130065337A1. Автор: Shimpei Takagi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-14.

Group iii nitride semiconductor laser element, and method for manufacturing group iii nitride semiconductor laser element

Номер патента: EP2509174A4. Автор: Koji Katayama,Masaki Ueno,Takatoshi Ikegami,Shimpei Takagi,Yusuke Yoshizume. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-21.

Nitride semiconductor laser device and method of manufacturing the nitride semiconductor laser device

Номер патента: EP2287982A1. Автор: Keiji Sakamoto,Hiroaki Matsumura,Tokuya Kozaki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2011-02-23.

Nitride semiconductor laser diode

Номер патента: US8514904B2. Автор: Takashi Miyoshi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Nitride semiconductor laser element

Номер патента: US20230178959A1. Автор: Tomonori Morizumi,Teruyuki MORITO. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Nitride semiconductor laser and nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20190245322A1. Автор: Osamu Imafuji,Shinichiro Nozaki,Hiroyuki HAGINO. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7573924B2. Автор: Masaya Ishida,Daisuke Hanaoka,Yuhzoh Tsuda. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-08-11.

Group-III nitride semiconductor device and group-III nitride semiconductor substrate

Номер патента: TW531908B. Автор: Chiaki Sasaoka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-11.

Nitride semiconductor layer structure and a nitride semiconductor laser incorporating a portion of same

Номер патента: US20020094002A1. Автор: Satoshi Watanabe,Tetsuya Takeuchi,Isamu Akasaki,Hiroshi Amano,Yawara Kaneko,Norihide Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Accumulator arrangement, busbar element therefor and method for producing an accumulator arrangement

Номер патента: US09755211B2. Автор: Martin Wiegmann,Markus Hoh,Helge Brenner,Henning Eisermann,Kristina BRETTSCHNEIDER,Marco JANSEN. Владелец: Johnson Controls Technology Co. Дата публикации: 2017-09-05.

Battery cell, battery, electric device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4231434A1. Автор: Zhijun Guo,Qingkui Chi,Hui GU,Kun FANG,Dongsheng SUN,Zhisheng CHAI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Light-emitting element, semiconductor laser element, and method and device for manufacturing same

Номер патента: EP4283803A4. Автор: Kentaro Murakawa. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2024-08-28.

METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURE OF A SEALED PANEL AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURE OF A PLASMA DISPLAY PANEL

Номер патента: RU2009144978A. Автор: Эйити ИИДЗИМА,Мунето ХАКОМОРИ,Тосихару КУРАУТИ,Таканобу ЯНО,Юити ОРИИ,Эйити ИИДЗИМА (JP),Мунето ХАКОМОРИ (JP),Тосихару КУРАУТИ (JP),Таканобу ЯНО (JP),Юити ОРИИ (JP). Владелец: Улвак, Инк. (Jp). Дата публикации: 2011-06-10.

Battery cell, battery, electric device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4287386A1. Автор: Yizhen Wu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-06.

Battery cell, battery, power consuming device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4178028A1. Автор: PENG Wang,Jing Zhang,Huasheng Su,Quankun Li,Haizu Jin,Chengyou Xing. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-10.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4418444A1. Автор: PENG Wang,Lulu BAI,Quankun Li,Wenlin Zhou,Haibo KE,Ningsheng WU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Battery, electrical apparatus, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4425676A1. Автор: PENG Wang,Feng Qin,Runyong HE. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Battery, electrical apparatus, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4451456A1. Автор: PENG Wang,Feng Qin,Runyong HE. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Plasma pinch system and method of using same

Номер патента: US4994715A. Автор: Keith Boyer,Ralph H. Lovberg,John F. Asmus. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1991-02-19.

Antenna pattern frame and method and mold for manufacturing the same

Номер патента: US09705188B2. Автор: Jae Suk Sung,Duk Woo Lee,Dae Ki Lim,Sang Woo Bae,Dae Seong Jeon,Sung Eun Cho,Yong Shik NA,Dae Kyu Lee,Ha Ryong HONG,Nam Il Seo. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Battery cell, battery, electric device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4099461A1. Автор: HU XU,Chengdu Liang,Haizu Jin,Xiaomei Liu. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2022-12-07.

Battery, electrical apparatus, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230040343A1. Автор: Xiaobo Chen,Xiongwei Gao. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Battery, electrical device, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20240113385A1. Автор: PENG Wang,Xiaoteng Huang,Zhanyu SUN,Haiqi Yang,Langchao Hu,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Battery cell, battery, electric device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4099461B1. Автор: HU XU,Chengdu Liang,Haizu Jin,Xiaomei Liu. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Battery cell, battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4178007A4. Автор: Xing Li,Quankun Li,Wenlin Zhou,Liangfan XU,Wenwei Chen. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-22.

Tab terminal for electronic components and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: TW200405368A. Автор: Shuhei Yoshizawa,Yoshio Yokohama,Futoshi Ishii,Hiroyuki Fujinaka,Kiyoharu Taira. Владелец: Kohoku Kogyo Kk. Дата публикации: 2004-04-01.

Battery cell, battery, electrical device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240145828A1. Автор: Yang Zou,Qingkui Chi,Zhisheng CHAI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20230361423A1. Автор: PENG Wang,Xiaoteng Huang,Zhanyu SUN,Xiaozhi Wu,Haiqi Yang,Langchao Hu,Chenyi XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Electrode assembly, battery cell, battery, and method and apparatus for manufacturing electrode assembly

Номер патента: EP4075563A4. Автор: Bing Chen,Haizu Jin,Honggang YU,Xinxin DU,Songjun SHI,Shutao SONG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

Battery, power consuming apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: US20230361424A1. Автор: OU Qian,Yufeng Zhang,Xiaobo Chen,Piaopiao YANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Battery cell, battery, power consuming device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4148896A4. Автор: Jing Zhang,Huasheng Su,Quankun Li,Haizu Jin,Chengyou Xing. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Battery module, battery pack, electric apparatus, and method and device for manufacturing battery module

Номер патента: US20220393311A1. Автор: Chengdu Liang,Qian Liu,Haizu Jin,Yonghuang YE. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Adapter component, battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4181307A4. Автор: WEI ZHONG,Qiang Liu,Xiaowen Zhang,Xigen Zhou,Haihe XIAO,Mingxiang LIN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Battery cell, battery, electric device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4231434A4. Автор: Zhijun Guo,Qingkui Chi,Hui GU,Kun FANG,Dongsheng SUN,Zhisheng CHAI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Tab terminal for electrolytic capacitor and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: TW200403699A. Автор: Shuhei Yoshizawa,Futoshi Ishii,Hiroyuki Fujinaka,Kiyoharu Taira. Владелец: Kohoku Kogyo Kk. Дата публикации: 2004-03-01.

Battery cell, battery, apparatus, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: US20230307740A1. Автор: Xing Li,PENG Wang,Haizu Jin,Xinxiang CHEN,Xiangyan BU,Wenlin Zhou. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4318789A4. Автор: Zhiming Wang,Minghao Tang,Caixia HUANG,Siyu MIAO,Guanzhou LI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Laminate tiles for an MRI system and method and apparatus for manufacturing the laminate tiles

Номер патента: EP1004888B1. Автор: Evangelos Trifon Laskaris,Bulent Aksel,William Daniel Barber,Richard Andrew Ranze. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2006-03-22.

Battery cell, battery, power consumption device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: US20240297422A1. Автор: Lulu BAI,Quankun Li,Ting Zheng,Wenlin Zhou,Ningsheng WU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Battery, electric device, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: EP4300690A4. Автор: ZHI Wang. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Battery, electrical device, and method and apparatus for manufacturing battery

Номер патента: EP4216349A4. Автор: Xing Li,Zhenhua Li,Yu Tang,Wenzhong Liu,Jingjing Yu,Xiayi WU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-07.

Tab terminal for electrolytic capacitor, and method and equipment for manufacturing the tab terminal

Номер патента: AU2003235899A1. Автор: Shuhei Yoshizawa,Futoshi Ishii,Hiroyuki Fujinaka,Kiyoharu Taira. Владелец: Kohoku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 2003-12-12.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4163992A4. Автор: Tao Zhang,Qian Liu,Haizu Jin,Yonghuang YE,Jianfu HE,Xueyang SUN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Battery cell, battery, power consumption apparatus, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4354649A4. Автор: Huasheng Su. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Battery, electricity consumption device and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US20240297403A1. Автор: Linshan Wu. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Energy storage container, and method and device for manufacturing energy storage container

Номер патента: EP4228056A4. Автор: Hao Luo,Zengzhong Wang,Haoran PENG,Haibin SU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4254641A4. Автор: Ning Huang,Wenfa LIN,Mingxi YU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Display, and method and device for manufacturing the same

Номер патента: TWI247333B. Автор: Hiroshi Koeda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-01-11.

Pressure relief mechanism, battery, apparatus, and method and equipment for manufacturing battery

Номер патента: US20240309959A1. Автор: Zhijie Huang,Huimin MIAO,Xiaoyin YU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Battery cell, battery, electric device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4220824A4. Автор: Long Zhang,Biao Huang. Владелец: Contemporary Amperex Tech Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Battery cell, battery, power consuming device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4354601A4. Автор: Yang Zou,Qingkui Chi,Zhisheng CHAI. Владелец: . Дата публикации: 2024-10-02.

Battery cell, battery, power consumption device, and method and device for manufacturing battery cell

Номер патента: US12132230B2. Автор: Lulu BAI,Quankun Li,Ting Zheng,Wenlin Zhou,Ningsheng WU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Case body assembly, battery, electrical device, and method and apparatus for manufacturing case body assembly

Номер патента: EP4239772A4. Автор: Yangzhi HUANG,Qifeng Chen,Xiping LIAO. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2024-10-16.

Battery cell, battery, power consuming device, and method and apparatus for manufacturing battery cell

Номер патента: EP4376180A4. Автор: Zhijun Guo,Kun FANG. Владелец: Contemporary Amperex Tech Hong Kong Ltd. Дата публикации: 2024-10-30.

Battery comprising first-type battery cell group and second-type battery cell group which are connected in series, apparatus, and method and device for manufacturing battery

Номер патента: US12113162B2. Автор: Chengdu Liang,Qian Liu,Haizu Jin,Yonghuang YE,Quanguo LI. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Porous base layer and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20240344215A1. Автор: Sung Won Lee,Seung Ho Yang,Young June Park,Jae Gwan Shin,Pil Young Lee,Sun Ki Hong,Hyeon Jeong JO,Hyo Yoon PARK. Владелец: LT Metal Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Prefabricated electric cable, plug connector assembly, and method and apparatus for manufacturing an electric cable

Номер патента: US12107365B2. Автор: Johannes Schmid,Till BREDBECK,Thomas MIEDL. Владелец: Rosenberger Hochfrequenztechnik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-10-01.

Deterioration detector for non-aqueous electrolyte power storage element, power storage device, deterioration detection system for non-aqueous electrolyte power storage element, and deterioration detection method for non-aqueous electrolyte power storage element

Номер патента: US20180080996A1. Автор: Masashi Takano,Taro Yamafuku,Masaki Masuda,Kazuki Kawaguchi. Владелец: GS YUASA INTERNATIONAL LTD. Дата публикации: 2018-03-22.

Method for manufacturing BAW resonators on a semiconductor wafer

Номер патента: US09647625B2. Автор: Jean-François Carpentier,Pierre Bar,Sylvain Joblot,David Petit,Pierre Dautriche. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor element, method for manufacturing the semiconductor element, electronic device and method for manufacturing the electronic device

Номер патента: US20090194763A1. Автор: Norihisa Mino,Yasuo Kitaoka,Takayuki Takeuchi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-08-06.

MoSi2 ARC-SHAPED HEATER, AND METHOD AND DEVICE FOR MANUFACTURING THE HEATER

Номер патента: EP1383355B1. Автор: Hiroshi TAKAMURA,Daisuke TAKAGAKI. Владелец: Nippon Mining and Metals Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-29.

Composition, organic conductive layer including composition, method for manufacturing organic conductive layers, organic El element including organic conductive layer, method for manufacturing organic El elements, semiconductor element including organic conductive layer, method for manufacturing semiconductor elements, electronic device, and electronic apparatus

Номер патента: US20040144975A1. Автор: Shunichi Seki,Hideyuki Kimura,Seiichi Tanabe,Shingo Kuwashiro. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-07-29.

Rotor assembly and method of manufacture for electric machines having multiple magnet lengths

Номер патента: US09847704B2. Автор: Khwaja M. Rahman,Peter J. Savagian,Edward L. Kaiser. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-12-19.

Monolithic CMOS-MEMS microphones and method of manufacturing

Номер патента: US09758370B2. Автор: Jochen Hoffmann,Brett Diamond,John Zinn. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-09-12.

Monolithic CMOS-MEMS microphones and method of manufacturing

Номер патента: US09481569B2. Автор: Jochen Hoffmann,Brett Diamond,John Zinn. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing baw resonators on a semiconductor wafer

Номер патента: US20140075726A1. Автор: Jean-François Carpentier,Pierre Bar,Sylvain Joblot,David Petit,Pierre Dautriche. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2014-03-20.

METHOD FOR MANUFACTURING BAW RESONATORS ON A SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: FR2951026B1. Автор: Jean-François Carpentier,Pierre Bar,Sylvain Joblot,David Petit,Pierre Dautriche. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-12-02.

METHOD FOR MANUFACTURING BAW RESONATORS ON A SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: FR2951026A1. Автор: Jean-François Carpentier,Pierre Bar,Sylvain Joblot,David Petit,Pierre Dautriche. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-04-08.

Method for manufacturing baw resonators on a semiconductor wafer

Номер патента: US20110080233A1. Автор: Jean-François Carpentier,Pierre Bar,Sylvain Joblot,David Petit,Pierre Dautriche. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2011-04-07.

Heating element and method for the manufacture thereof

Номер патента: US4808470A. Автор: Georges Geuskens,Robert Deltour,Thierry Vallier. Владелец: Internationale de Participation et D'investissement Cipari SA. Дата публикации: 1989-02-28.

Printed wiring board, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20020020557A1. Автор: Shinji Nakamura,Hidenori Hayashi,Toshiharu Okada,Toshihiro Nishii,Toru Fujimoto,Izuru Nakai,Shigeru Yamane. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-21.

Piezoelectric element and method for manufacturing piezoelectric element

Номер патента: EP4318620A1. Автор: Hideaki Tanaka,Hiroyuki Kobayashi,Kenichiro Inoue,Seigo Nakamura,Fumihiko Mochizuki,Yasushi Toyoshima. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Drive unit for a lighting element and operating method therefor

Номер патента: US09648689B2. Автор: Jie Fu,Harald Josef Günther RADERMACHER,Junhu LIU,Xiao Sun. Владелец: Philips Lighting Holding BV. Дата публикации: 2017-05-09.

Piezoelectric element and method for manufacturing piezoelectric element

Номер патента: EP4318621A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Seigo Nakamura,Fumihiko Mochizuki. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Portable electronic device display assemblies and methods and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20140347824A1. Автор: Weihong Zhang,Francis C. Cheo,Jason P. Wojack,David K. Lim,Anthony P. Gallagher. Владелец: MOTOROLA MOBILITY LLC. Дата публикации: 2014-11-27.

Motor and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20050001506A1. Автор: Shigeyuki Haga. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Recyclable electronic device, and method and apparatus for manufacturing and recycling the device

Номер патента: WO2024225894A1. Автор: Stephan Harkema,Cornelis Hermanus Arnoldus Rentrop. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-10-31.

Recyclable electronic device, and method and apparatus for manufacturing and recycling the device

Номер патента: EP4456679A1. Автор: Stephan Harkema,Cornelis Hermanus Arnoldus Rentrop. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2024-10-30.

Method for cleaning a vacuum system used for manufacturing an OLED, and method and apparatus for manufacturing an OLED

Номер патента: CN112575309B. Автор: 乔斯·曼纽尔·迭格斯-坎波,戴特尔·哈斯,斯特凡·凯勒,李宰源,安治高志. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-03-07.

A DEVICE FOR THE MANUFACTURE AND / OR STORAGE OF ORGANIC LIGHT DIODES OR THE SAME SOLAR ELEMENTS, AND ALSO A METHOD FOR MANUFACTURING A DEVICE

Номер патента: EA201000553A1. Автор: Михаэль Кий,Вольфганг Ловассер. Владелец: Алкан Текнолоджи Энд Мэниджмент Лтд.. Дата публикации: 2010-10-29.

Apparatus for manufacturing Group III nitride semiconductor and method for manufacturing Group III nitride semiconductor

Номер патента: US20080295763A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20200299857A1. Автор: Takayuki Sato,Shiro Yamazaki,Miki Moriyama,Yasuhide YAKUSHI,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20230257902A1. Автор: Takayuki Sato,Miki Moriyama,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Valvular closure element, closure cap comprising valvular closure element and method and apparatus for manufacturing valvular closure element

Номер патента: RU2660059C2. Автор: Михай РИДЕГ. Владелец: ФАЗЕКАШ, Габор. Дата публикации: 2018-07-04.

Apparatus for manufacturing group III nitride semiconductor

Номер патента: US20080299020A1. Автор: Koji Hirata,Shiro Yamazaki. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Nanocellulose composite sheet for use as dermatological treatment or medical device and methods and devices for manufacture thereof

Номер патента: WO2021096742A1. Автор: Raghuram Dhumpa,Ali DARKAZALLI. Владелец: Innovatech Engineering, LLC. Дата публикации: 2021-05-20.

Method and apparatus for electrolytic surface roughening treatment of aluminium and method and apparatus for manufacturing planographic printing plate precursor

Номер патента: EP2551385A3. Автор: Hiroshi Komatsu,Hisashi Hotta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-07-02.

Transparent composite material and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20150190992A1. Автор: JongWon Lee,Kyungho JUNG,Eunseck Kang,Deokhai Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2015-07-09.

Rod for a smoking article and method and apparatus for manufacture

Номер патента: US09770052B2. Автор: Edward Awty,William David Lewis,Paulo Oliveira,Andy Davis. Владелец: British American Tobacco Investments Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Spray diffusers and method and mold for manufacture of same

Номер патента: US20020180100A1. Автор: Juergen Speier,Rudolf Notz. Владелец: Lechler GmbH. Дата публикации: 2002-12-05.

Carbon nanostructure, and method and apparatus for manufacturing carbon nanostructure

Номер патента: US20160002041A1. Автор: Takeshi Hikata,Soichiro Okubo,Jun-Ichi Fujita,Risa Utsunomiya,Yugo Higashi,Katsuhisa Murakami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Carbon nanostructure, and method and apparatus for manufacturing carbon nanostructure

Номер патента: US09493354B2. Автор: Takeshi Hikata,Soichiro Okubo,Jun-Ichi Fujita,Risa Utsunomiya,Yugo Higashi,Katsuhisa Murakami. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Thin-walled elastic products and methods and systems for manufacturing same

Номер патента: US09943995B1. Автор: Fielding B. STATON,David STRUMPF. Владелец: Newtonoid Technologies LLC. Дата публикации: 2018-04-17.

Hollow silica glass microneedle arrays and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US09962535B2. Автор: Robert M. Pricone. Владелец: 10X Technology LLC. Дата публикации: 2018-05-08.

Prism film and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US09885811B2. Автор: Rui Li,Junguo Liu. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Nondestructive method for profiling imperfection levels in high resistivity semiconductor wafers

Номер патента: US4581576A. Автор: Faa-Ching Wang. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1986-04-08.

Packing and/or transport unit for insulation slabs of mineral wool and method and device for manufacturing such

Номер патента: EP2289807A3. Автор: Erik ÅSTRAND,Bjarne Walli. Владелец: Paroc Oy Ab. Дата публикации: 2013-10-09.

A cover and method and device for manufacturing the same

Номер патента: WO1995006566A1. Автор: Urpo Latvakangas,Jan Sabelstrom. Владелец: BINDOMATIC AB. Дата публикации: 1995-03-09.

Rfid tag and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20090066517A1. Автор: Kenneth R. Erikson. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2009-03-12.

Scaffold board and method and device for manufacturing thereof

Номер патента: WO1995021976A1. Автор: Waltherus Joseph Maria Van Erven. Владелец: Zodiac Europe S.A.. Дата публикации: 1995-08-17.

Rare-earth doped phosphor based on alkali-earth element and silicon nitride, method for production thereof and radiation converting device containing said phosphor

Номер патента: RU2470980C2. Автор: Детлеф ШТАРИК,Свен РЁСЛЕР,Ченг-Джун ДУАН,Зильке РЕСЛЕР,Хубертус Терезия ХИНТЦЕН,Анна Шарлотта Ануанетта ДЕЛСИНГ. Владелец: Ледон Лайтинг Йеннерсдорф Гмбх. Дата публикации: 2012-12-27.

Individual dental implant and method and system for manufacturing individual dental implant

Номер патента: RU2768469C1. Автор: Джереми Э. ДЖО. Владелец: Дентсплай Сирона Инк.. Дата публикации: 2022-03-24.

Laminated glass, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: SG167651A1. Автор: Hyung Gyu Jang,Hwang Doo Ha. Владелец: P & H Glass Co Ltd. Дата публикации: 2011-01-28.

Coated paper product and method and apparatus for manufacture thereof

Номер патента: EP1831463A1. Автор: Markku Leskelä,Stina Nygard,Juha Koponen. Владелец: M Real Oyj. Дата публикации: 2007-09-12.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US09896206B2. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US09457902B2. Автор: Matthew J. Medlin,Greg J. Konczal,Rory T. Mcdonnell,Jeffrey J Potter. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Immobilisation element and additive manufacturing method for making same

Номер патента: CA2972191C. Автор: Steven Cuypers,Bogdan Bogdanov,Simon DE GRUYTERE. Владелец: Orfit Industries NV. Дата публикации: 2023-08-15.

Plastic and Wood Fiber Based Composite Product and Method and Apparatus for Manufacturing Said Plastic and Wood Fiber Based Composite Product

Номер патента: US20230241828A1. Автор: Dirk Van Dijk,Wilhelmus Johannes Maria DERKSEN,Albert TEN BUSSCHEN. Владелец: Aviplast Wfc BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Rolling-element bearing, and method and apparatus for manufacturing rolling-element bearing

Номер патента: US20120275740A1. Автор: Kazuyuki Hirata. Владелец: Toyota Boshoku Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Decorative food and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: CA2274347C. Автор: Tokuji Akutagawa. Владелец: Akutagawa Confectionery Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-10.

Method and apparatus for electrolytic surface roughening treatment and method and apparatus for manufacturing planographic printing plate precursor

Номер патента: US20130026047A1. Автор: Hiroshi Komatsu,Hisashi Hotta. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Coat made from synthetic film and method and device for manufacture of such coat

Номер патента: RU2244599C2. Автор: Клаус ВИЛЬБУЕР,Хельмут ХОРСТЕМКЕ,Манфред ГУГАУ,Торстен ТРОССМАНН. Владелец: Металлферэдлунг Гмбх Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2005-01-20.

Container provided with metallic cover and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US5584634A. Автор: Hideto Akiba,Sadao Kuramochi,Mitsuo Okabe,Junichi Hashikawa,Kimiaki Hyakutome. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 1996-12-17.

Pipe element having shoulder, groove and bead and methods and apparatus for manufacture thereof

Номер патента: CA3090856C. Автор: Douglas R. Dole,Anthony J. Cuvo,Scott D. Madara,Charles E. Wilk, Jr.,Michael R. Novitsky,Earl Haas. Владелец: Victaulic Co. Дата публикации: 2023-01-31.

Rod for a smoking article and method and apparatus for manufacture

Номер патента: US9380809B2. Автор: Edward Awty,William David Lewis,Paulo Oliveira,Andy Davis. Владелец: British American Tobacco Investments Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Magnetic tape cassette accommodating case and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US5323904A. Автор: Kiyoo Morita,Teruo Ashikawa,Shingo Katagiri. Владелец: Fuji Photo Film Co Ltd. Дата публикации: 1994-06-28.

Tobacco smoke filter contoured to provide undiluted air flow and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: CA1190114A. Автор: Richard M. Berger. Владелец: American Filtrona Corp. Дата публикации: 1985-07-09.

Abradable material feedstock and methods and apparatus for manufacture

Номер патента: EP3685938A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2020-07-29.

Abradable Material Feedstock and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20190143404A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Abradable Material Feedstock and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20180029120A1. Автор: Christopher W. STROCK. Владелец: United Technologies Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Extruded and Co-extruded High-Altitude Balloons and Methods and Apparatus for Manufacture

Номер патента: US20190039709A1. Автор: Austyn Daniel Crites. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-02-07.

Method and device for manufacturing a mould, and method and device for manufacturing a product using the mould

Номер патента: EP1871581A1. Автор: Bernardus L.L. Hijlkema. Владелец: Hijlkema Bernardus LL. Дата публикации: 2008-01-02.

Porous flexible sheet and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20140308481A1. Автор: Satoshi Mitsui. Владелец: Casio Electronics Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-16.

Pre-assembled, two-part merchandise display hook and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: CA1303006C. Автор: Thomas O. Nagel. Владелец: Trion Industries Inc. Дата публикации: 1992-06-09.

Gasket for heat exchanger and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: EP1110016B1. Автор: Steven M. Suggs,Reid M. Meyer. Владелец: Acadia Elastomers Corp. Дата публикации: 2005-12-21.

Thin-walled elastic products and methods and systems for manufacturing same

Номер патента: CA3001220C. Автор: Fielding B. STATON,David STRUMPF. Владелец: Newtonoid Technologies LLC. Дата публикации: 2019-02-26.

Method for filling liquid-discharge-head cartridge with liquid, and method and apparatus for manufacturing liquid-discharge-head cartridge

Номер патента: US8485650B2. Автор: Yoshinori Misumi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-07-16.

Method for filling liquid-discharge-head cartridge with liquid, and method and apparatus for manufacturing liquid-discharge-head cartridge

Номер патента: US20100149290A1. Автор: Yoshinori Misumi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-06-17.

Elastic steel band for sun cap or hat and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20060143786A1. Автор: Soon Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-06.

A composite brake disc and method and apparatus for manufacture of the same

Номер патента: CA2926866C. Автор: Daniel Dériaz. Владелец: Ernst Grob AG. Дата публикации: 2021-10-19.

Paper cigarette filter and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: EP4327670A1. Автор: Sung Hyun Cho,Sung Jae Cho,Ki Sik Lee,Jong Guk Yoon,In Kyu Jung,Hyun Chan Jeong. Владелец: Taeyoung Industry Corp. Дата публикации: 2024-02-28.

Reinforcing woven fabric and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US5783278A. Автор: Akira Nishimura,Kiyoshi Homma,Ikuo Horibe. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 1998-07-21.

Wet waste compostable bag and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: CA2408989C. Автор: George P. Colgan. Владелец: Bag to Earth Inc. Дата публикации: 2009-11-17.

Hermetically sealed package, and method and machine for manufacturing it

Номер патента: CA2259904A1. Автор: Luca Cerani. Владелец: Luca Cerani. Дата публикации: 1998-01-15.

Slide fastener chain with wide gap and method and apparatus for manufacture

Номер патента: CA1066882A. Автор: George B. Moertel,James R. Johnston. Владелец: Textron Inc. Дата публикации: 1979-11-27.

Cigarette package, wrapping paper for cigarette package, and method and machine for manufacturing wrapping paper

Номер патента: CA2586653C. Автор: Hitoshi Tanbo,Kanji Yukifune,Kinya Onimaru. Владелец: Japan Tobacco Inc. Дата публикации: 2010-03-30.

Cushioning material for packaging and method and device for manufacturing the cushioning material

Номер патента: CA2377847C. Автор: Yoshihito Miyazaki,Toshiyuki Hashiuchi. Владелец: PTM Packaging Tools Machinery Pte Ltd. Дата публикации: 2008-06-10.

Light guide plate, and method and mold for manufacturing the same

Номер патента: US20140104884A1. Автор: Kun Lu,Kai Yan,Zhanchang Bu. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Gait-related devices and methods including articles for manufacture of sensors

Номер патента: WO2021035113A1. Автор: Timothy Hess,Stacy J. Morris Bamberg,Joseph A. Juratovac,David E. Huizenga,James Wesley CAPPER. Владелец: Moterum Technologies, Inc.. Дата публикации: 2021-02-25.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: WO2021149076A1. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Limited. Дата публикации: 2021-07-29.

Floor board, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20200392742A1. Автор: Xiao FANG,Fuyou WANG. Владелец: Nantong Cimc Eco New Material Development Co ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: ZA202209336B. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2023-09-27.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: AU2021210697A1. Автор: Tarun Jami. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2022-09-15.

A vegetal concrete masonry unit and method and system for manufacture thereof

Номер патента: GB2607775A. Автор: Jami Tarun. Владелец: Greenjams Buildtech Private Ltd. Дата публикации: 2022-12-14.

Confection and method and apparatus for manufacturing it

Номер патента: CA1327483C. Автор: Vijay Arjun Sawant. Владелец: UNILEVER PLC. Дата публикации: 1994-03-08.

Elastic and non-elastic narrow fabric and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US3685549A. Автор: Antonio Schiappa,Richard E Goff. Владелец: Individual. Дата публикации: 1972-08-22.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: CA2809033C. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2015-12-22.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: CA2867122C. Автор: Jeffrey J. Potter,Matthew J. Medlin,Greg J. Konczal,Rory T. Mcdonnell. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US20180178913A1. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Supply Packs and Methods and Systems for Manufacturing Supply Packs

Номер патента: US20160257402A1. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US20140319280A1. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SkyLife Tech Holdings LLC. Дата публикации: 2014-10-30.

Supply packs and methods and systems for manufacturing supply packs

Номер патента: US20190047708A1. Автор: Jeffrey J. Potter,Iain A. Mcneil,Terry C. Potter,Andrew E. Potter,Matthew J. Medlin. Владелец: SKYLIFE COMPANY Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Particle concentrating device, concentrator element and assembly thereof, method for increasing concentration, method for directional drilling and use of the assembly

Номер патента: US20230390897A1. Автор: Jan Jette Blange. Владелец: Canopus Drilling Solutions Holding BV. Дата публикации: 2023-12-07.

Particle concentrating device, concentrator element and assembly thereof, method for increasing concentration, method for directional drilling and use of the assembly

Номер патента: EP4232682A1. Автор: Jan Jette Blange. Владелец: Canopus Drilling Solutions Holding BV. Дата публикации: 2023-08-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090130603A1. Автор: Tomohiko Yamamoto. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

Apparatus and method for sequentially polishing and loading/unloading semiconductor wafers

Номер патента: US20080038992A1. Автор: In Jeong. Владелец: Oriol Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Method for manufacturing lithium hydroxide and method using same for manufacturing lithium carbonate

Номер патента: US09598291B2. Автор: Ki Young Kim,Chang Ho Song,Uong Chon,Im Chang Lee,Gi-Chun Han,So Ra Jung. Владелец: MPPLY Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Flexible tooling system and method for manufacturing of composite structures

Номер патента: US20190337245A1. Автор: Jon Paul Gunner,Antonio Bernerd MARTINEZ,Ian Hawthorn ASHDOWN,Thomas Samuel Bowden, JR.. Владелец: Divergent Technologies Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Reduced material content fasteners and systems and methods for manufacturing the same

Номер патента: EP2521627A1. Автор: Terry Randall Elkins,Kurt Vinton Dunagan,Timothy Douglas Busching,David Wayne Swingle. Владелец: Ohio Rod Products. Дата публикации: 2012-11-14.

Vehicle interior covering and a method for its manufacture

Номер патента: US20110278872A1. Автор: Ralf EIDT,Wolfgang PLEGGE. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2011-11-17.

Apparatus and method for protecting a magnetic head coil during pole notch processing

Номер патента: US20040237288A1. Автор: Edward Lee,Wenchein Hsiao,Bradley Webb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Displaceable maintenance device, displaceable assembly device, and method

Номер патента: US20210172424A1. Автор: Harro Harms,Hendrik JANSSEN,Markus Longeru. Владелец: Wobben Properties GMBH. Дата публикации: 2021-06-10.

Method for removing particles on semiconductor wafers

Номер патента: US20020166571A1. Автор: Kazutaka Nakayama,Toshihito Tsuga,Minoru Fube. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2002-11-14.

Systems and methods for forming and using an adhesive tape

Номер патента: US20220195262A1. Автор: Daryl Johnson,Man Fai Lo,Stephen Topper,Jared Ide. Владелец: Bemis Associates Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Systems and methods for forming and using an adhesive tape

Номер патента: US20230348760A1. Автор: Daryl Johnson,Man Fai Lo,Stephen Topper,Jared Ide. Владелец: Bemis Associates Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Systems and methods for forming and using an adhesive tape and related articles

Номер патента: US12084607B2. Автор: Daryl Johnson,Man Fai Lo,Stephen Topper,Jared Ide. Владелец: Bemis Associates Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Systems and methods for forming and using an adhesive tape

Номер патента: US20200087548A1. Автор: Daryl Johnson,Man Fai Lo,Stephen Topper,Jared Ide. Владелец: Bemis Associates Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR SINGLE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING A GaN SUBSTRATE

Номер патента: US20130199438A1. Автор: NAGAI Seiji,Moriyama Miki,Kumegawa Shohei,Yamazaki Shiro. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2013-08-08.

Method for manufacturing zinc oxide thin film, method for manufacturing semiconductor element substrate using the same, method for manufacturing photoelectric conversion element, zinc oxide thin film, semiconductor element substrate, and photoelectric conversion element

Номер патента: JP3445132B2. Автор: 深照 松山. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-09-08.

Wafer test head architecture and method of use

Номер патента: US20080088326A1. Автор: Ajay Khoche,Erik Volkerink,Duncan Gurley. Владелец: Verigy Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2008-04-17.

Semiconductor wafer testing system and related method for improving external magnetic field wafer testing

Номер патента: US10877089B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-29.

Semiconductor wafer testing system and related method for improving external magnetic field wafer testing

Номер патента: US20210109152A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor wafer testing system and related method for improving external magnetic field wafer testing

Номер патента: US20230333157A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chih-Yang Chang,Chia Yu Wang,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method and device for electrically contacting components in a semiconductor wafer

Номер патента: US11796567B2. Автор: Roland Zeisel,Michael Bergler. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-10-24.

Adhesive tape and methods of manufacture

Номер патента: US20200263062A1. Автор: Daryl Johnson,Man Fai Lo,Stephen Topper,Jared Ide. Владелец: Bemis Associates Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Adhesive tape and methods of manufacture

Номер патента: US20210079274A1. Автор: Daryl Johnson,Man Fai Lo,Stephen Topper,Jared Ide. Владелец: Bemis Associates Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20220081800A1. Автор: Sato Takayuki,Moriyama Miki,YAMAZAKI Masateru,FUJIMORI Taku. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-17.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20200299857A1. Автор: Sato Takayuki,Moriyama Miki,Yamazaki Shiro,YAMAZAKI Masateru,FUJIMORI Taku,YAKUSHI Yasuhide. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-24.

Transparent composite material and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20130280478A1. Автор: JongWon Lee,Kyungho JUNG,Eunseck Kang,Deokhai Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2013-10-24.

Multifunctional filter medium, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20190009202A1. Автор: Jeong Hoon Byeon. Владелец: Research Cooperation Foundation of Yeungnam University. Дата публикации: 2019-01-10.

Article of footwear formed from two preforms and method and mold for manufacturing same

Номер патента: US09950447B2. Автор: Tee L. WAN,Thienchai CHAISUMREJ,Chia-Yi Wu,Gjermund Haugbro. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Article of footwear formed from two preforms and method and mold for manufacturing same

Номер патента: US09884463B2. Автор: Tee L. WAN,Thienchai CHAISUMREJ,Chia-Yi Wu,Gjermund Haugbro. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Article of footwear formed from two preforms and method and mold for manufacturing same

Номер патента: US09731464B2. Автор: Tee L. WAN,Thienchai CHAISUMREJ,Chia-Yi Wu,Gjermund Haugbro. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Radiation source for nondestructive inspection, and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20220189650A1. Автор: Takashi Saito,Takashi Ishii,Hiroshi Kawamura,Hidetaka KANAZAWA. Владелец: Chiyoda Technol Corp. Дата публикации: 2022-06-16.

Method of measuring semiconductor wafers with an oxide enhanced probe

Номер патента: US20060219658A1. Автор: William Howland. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Method and apparatus for grinding notches of semiconductor wafer

Номер патента: US5185965A. Автор: Haruo Ozaki. Владелец: Emtec Co Ltd. Дата публикации: 1993-02-16.

Single crystal made of silicon, semiconductor wafer obtained from the single crystal, and method and apparatus for manufacturing the single crystal

Номер патента: JP4808922B2. Автор: フォン アモン ヴィルフリート,シュミット ヘルベルト,ヴェーバー マーティン,ヴィルブリス ヤニス,ゲルフガト ユーリ,ゴルブノフ レオニード. Владелец: SILTRONIC AG. Дата публикации: 2011-11-02.

Continuous roll molding system and method; frangible cap strip and method of making using continuous roll molding

Номер патента: US20240316836A1. Автор: Frederick William Lamb,Charles Shepherd,Ii Frederick William Lamb,Robert Striegler. Владелец: Pneu Tools Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Non-invasive electrical measurement of semiconductor wafers

Номер патента: AU2117101A. Автор: Robert G. Mazur,Robert J. Hillard. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2001-04-30.

Non-invasive electrical measurement of semiconductor wafers

Номер патента: EP1256006A1. Автор: Robert G. Mazur,Robert J. Hillard. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2002-11-13.

Non-invasive electrical measurement of semiconductor wafers

Номер патента: EP1256006A4. Автор: Robert G Mazur,Robert J Hillard. Владелец: Solid State Measurements Inc. Дата публикации: 2005-05-11.

Waterbed mattress with hexagonal baffle structure, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US5172437A. Автор: John B. Johenning. Владелец: Strata Flotation Inc. Дата публикации: 1992-12-22.

Die assembly and method of use for manufacturing backing plates of friction assemblies

Номер патента: CA3089410A1. Автор: Raj Thalappath. Владелец: Util Canada Ltd. Дата публикации: 2022-02-07.

Three-dimensional net-shaped structure and method and apparatus for manufacturing thereof

Номер патента: US09528209B2. Автор: Nobuyuki Takaoka. Владелец: C Eng Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Methods for applying a foamable reaction mixture, high pressure device and device for producing sandwich composite elements

Номер патента: US09381542B2. Автор: Uwe Kuenzel,Thomas Rüb. Владелец: Covestro Deutschland AG. Дата публикации: 2016-07-05.

Cellulosic and lignocellulosic structural materials and methods and systems for manufacturing such materials

Номер патента: US09487915B2. Автор: Marshall Medoff. Владелец: Xyleco Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Photonic spectrometry device and method, method for calibrating the device, and use of the device

Номер патента: US09400336B2. Автор: Eric Berruyer. Владелец: AREVA NP SAS. Дата публикации: 2016-07-26.

Method for determining oxygen and carbon in silicon semiconductor wafer having rough surface

Номер патента: US4590574A. Автор: Murlidhar V. Kulkarni,Harold D. Edmonds. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1986-05-20.

Method for manufacturing window and method for manufacturing display device

Номер патента: US12000978B2. Автор: Hyun Chul Jung,Byoungyul Shim,Jaeseung Jeon,Seungyo Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Cleaning device and method for cleaning polishing cloths used for polishing semiconductor wafers

Номер патента: US20030216112A1. Автор: Veit Gotze,Rudiger Hunger. Владелец: Rudiger Hunger. Дата публикации: 2003-11-20.

Apparatus and method for performing a chemical-mechanical polishing for semiconductor wafer

Номер патента: TW201034071A. Автор: Zin-Chang Wei,Kun-Ku Hung,Chyi-Shyuan Chern,Soon-Kang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-09-16.

Fiber and lens grippers, optical devices and methods of manufacture

Номер патента: WO2003079079A1. Автор: Stephen J. Caracci,Cheng-Chung Li,Adam J. Fusco. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2003-09-25.

System and method for manufacturing pallet with embedded support structures

Номер патента: CA3073510A1. Автор: Gary W. Morris,Brian D. KIVISTO. Владелец: Paradigm Plastic Pallets Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Fiber and lens grippers, optical devices and methods of manufacture

Номер патента: EP1483606A1. Автор: Stephen J. Caracci,Cheng-Chung Li,Adam J. Fusco. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2004-12-08.

System and method for manufacturing pallet with embedded support structures

Номер патента: EP3672887A1. Автор: Gary W. Morris,Brian D. KIVISTO. Владелец: Paradigm Plastic Pallets Inc. Дата публикации: 2020-07-01.

Compact infrared spectrometer, and methods and systems for manufacture and assembly of components used in same

Номер патента: US20060215166A1. Автор: Mei-Wei Tsao. Владелец: Wilmington Infrared Tech Inc. Дата публикации: 2006-09-28.

Compact infrared spectrometer, and methods and system for manufacture and assembly of components used in same

Номер патента: TWI269869B. Автор: Mei-Wei Tsao. Владелец: Mei-Wei Tsao. Дата публикации: 2007-01-01.

Hot stamping molded article and method and device for manufacturing hot stamping molded article

Номер патента: EP3680036B1. Автор: Yoshiyuki Kaseda,Kenichiro Otsuka,Yoshiaki Nakazawa. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Mattress for bedding, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: EP1168948A4. Автор: Jung-Soo Chae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-16.

Non-woven composite fabric and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: EP1274558A1. Автор: Paul G. Swiszcz,Wendell B. Colson. Владелец: Hunter Douglas NV. Дата публикации: 2003-01-15.

Non-woven composite fabric and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: AU7595700A. Автор: Paul G. Swiszcz,Wendell B. Colson. Владелец: Hunter Douglas Industries BV. Дата публикации: 2001-04-24.

Thermoplastic resin-coated aluminum alloy plate and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20010051278A1. Автор: Keiichi Shimizu,Jun-Ichi Tanabe,Masao Komai,Ayumu Taniguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-13.

Heat exchanger and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: EP2829835B1. Автор: Sung Jhee,Jangseok Lee,Hyunsoo Song. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-10.

Supporting or tension cable with a sheath, and method and apparatus for manufacturing such a cable

Номер патента: GR3000935T3. Автор: Xaver Lipp. Владелец: Xaver Lipp. Дата публикации: 1991-12-10.

A comestible capsule and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: EP3532032B1. Автор: Tobias Johan LOUW. Владелец: Combocap Inc. Дата публикации: 2024-05-29.

Optical film assembly and method and apparatus for manufacturing optical films

Номер патента: TW200700819A. Автор: Chi-Chen Cheng. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2007-01-01.

Tablet, medicine, and method and kit for manufacturing said tablet and medicine

Номер патента: EP4129342A1. Автор: Shusuke Sano,Futoshi SHIKATA,Shuntaro Arase. Владелец: Eisai R&D Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Tablet, medicine, and method and kit for manufacturing said tablet and medicine

Номер патента: AU2021250160A1. Автор: Shusuke Sano,Futoshi SHIKATA,Shuntaro Arase. Владелец: Eisai R&D Management Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-06.

Cord pellet and method and device for manufacturing cord pellet

Номер патента: EP1754819A4. Автор: Masatoshi Nakagawa,Masahiro Okamoto,Kazunori Shinohara. Владелец: Maruyasu Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-02.

Stretch layered sheet, disposable wearing article, and method and device for manufacturing stretch layered sheet

Номер патента: EP4245516A1. Автор: Kazutoshi Makimura,Miwa Koshijima. Владелец: Zuiko Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

An external male urinary catheter and method and apparatus for manufacturing such a catheter

Номер патента: GB8907253D0. Автор: . Владелец: Coloplast AS. Дата публикации: 1989-05-17.

Self-tapping threaded fasteners having lobular work-entering ends and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: CA737687A. Автор: Harvey F. Phipard, Jr.. Владелец: Research Engineering and Manufacturing Inc. Дата публикации: 1966-07-05.

A cover and method and device for manufacturing the same

Номер патента: AU7627294A. Автор: Urpo Latvakangas,Jan Sabelstrom. Владелец: Bind O Matic AB. Дата публикации: 1995-03-22.

Toric contact lens with axis offset compensation and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: AU6527999A. Автор: Derek Smith,Susan Neadle,Jan Windey. Владелец: Johnson and Johnson Vision Products Inc. Дата публикации: 2000-06-22.

Toric contact lens with axis offset compensation and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: TW525005B. Автор: Derek Smith,Susan Neadle,Jan Windey. Владелец: Johnson & Amp Johnson Vision P. Дата публикации: 2003-03-21.

Foamed sheets, and methods and apparatuses for manufacturing the same

Номер патента: TW200615317A. Автор: Toshiya Nishibayashi. Владелец: DUELLER CORP. Дата публикации: 2006-05-16.

A comestible capsule and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20190298613A1. Автор: Tobias Johan LOUW. Владелец: Combocap Inc. Дата публикации: 2019-10-03.

A comestible capsule and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: EP3532032A1. Автор: Tobias Johan LOUW. Владелец: Combocap Inc. Дата публикации: 2019-09-04.

Colloidal crystal and method and device for manufacturing colloidal crystal gel

Номер патента: EP1647843A4. Автор: Tsutomu Sawada,Akiko Toyotama,Toshimitsu Kanai. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2009-05-27.

Colloidal crystals and method and device for manufacturing colloidal crystal gel

Номер патента: US20060183807A1. Автор: Tsutomu Sawada,Akiko Toyotama,Toshimitsu Kanai. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2006-08-17.

Colloidal crystals and method and device for manufacturing colloidal crystal gel

Номер патента: US7772289B2. Автор: Tsutomu Sawada,Akiko Toyotama,Toshimitsu Kanai. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2010-08-10.

Plastic lens and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: US20060238901A1. Автор: Eiji Ito. Владелец: Fujinon Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Scaffold board and method and device for manufacturing thereof

Номер патента: AU1808995A. Автор: Waltherus Joseph Maria Van Erven. Владелец: Zodiac Europe SA. Дата публикации: 1995-08-29.

Magnetic recording medium, recording apparatus, and method and apparatus for manufacturing magnetic recording medium

Номер патента: US20080081218A1. Автор: Akira Kikuchi,Yuki Yoshida,Jun Taguchi,Noriyuki Asakura,Kazuhisa Shida. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-04-03.

Workpiece formed with pattern and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US20020014191A1. Автор: Yasuhiro Shimizu. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Flexible, stackable container and method and system for manufacturing same

Номер патента: WO2009061959A1. Автор: James J. Sanfilippo,John E. Sanfilippo,Jeanne M. Skaggs,Roy Speer. Владелец: CLEAR LAM PACKAGING, INC.. Дата публикации: 2009-05-14.

Flexible, stackable container and method and system for manufacturing same

Номер патента: EP2376338A2. Автор: James J. Sanfilippo,John E. Sanfilippo,Jeanne M. Skaggs,Roy Speer. Владелец: Clear Lam Packaging Inc. Дата публикации: 2011-10-19.

Instrusion warning wire-lattice, and method and device for manufacturing same

Номер патента: ZA804778B. Автор: J Ciordinik,A Penzo. Владелец: CI KA RA Srl. Дата публикации: 1981-08-26.

A reclosable flexible pouch and method and apparatus for manufacturing reclosable flexible pouches

Номер патента: EP4444623A1. Автор: Diego Gualtieri. Владелец: Fameccanica Data SpA. Дата публикации: 2024-10-16.

Rotor for a fluid pump, and method and mold for manufacturing same

Номер патента: US20240301888A1. Автор: Thorsten Siess. Владелец: ECP Entwicklungs GmbH. Дата публикации: 2024-09-12.

Portable electronic device display assemblies and methods and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: US09796147B2. Автор: Weihong Zhang,Francis C. Cheo,Jason P. Wojack,David K. Lim,Anthony P. Gallagher. Владелец: Google Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2017-10-24.

Press component and method and device for manufacturing same

Номер патента: US09718499B2. Автор: Takashi Miyagi,Yasuharu Tanaka,Shinobu Yamamoto,Toshimitsu Aso,Misao Ogawa,Kazuyuki Kawano,Kazunori Oooka. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for Manufacturing Lithium Hydroxide and Method Using Same for Manufacturing Lithium Carbonate

Номер патента: US20150071837A1. Автор: KIM Ki Young,CHON Uong,Song Chang Ho,HAN Gi-Chun,LEE Im Chang,Jung So Ra. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-12.

System and method for directional grinding on backside of a semiconductor wafer

Номер патента: US8994196B2. Автор: Sungyoon Lee,Junghoon Shin,BoHan Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2015-03-31.

System and method for manufacturing a tower structure

Номер патента: US11939762B2. Автор: Norman Arnold Turnquist,Biao Fang,Pascal Meyer,Xiaopeng Li,Gregory Edward Cooper,Christopher James Kenny. Владелец: GE Infrastructure Technology LLC. Дата публикации: 2024-03-26.

Apparatus and method for evenly flowing processing gas onto a semiconductor wafer

Номер патента: TW561569B. Автор: Thomas P H F Wendling. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-11-11.

System and method for manufacturing polymer coated controlled release fertilizers

Номер патента: US20230373878A1. Автор: Santosh Kumar YADAV. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-11-23.

Reduced material content fasteners and systems and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2011081676A1. Автор: Terry Randall Elkins,Kurt Vinton Dunagan,Timothy Douglas Busching,David Wayne Swingle. Владелец: Ohio Rod Products. Дата публикации: 2011-07-07.

System and method for manufacturing a tower structure

Номер патента: EP4083347A1. Автор: Norman Arnold Turnquist,Biao Fang,Pascal Meyer,Xiaopeng Li,Gregory Edward Cooper,Christopher James Kenny. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2022-11-02.

Polymeric liner ply for tubular containers and methods and apparatus for manufacturing same

Номер патента: CA2228829C. Автор: Glenda J. Cahill,W. Gerald Gainey. Владелец: Sonoco Products Co. Дата публикации: 2002-11-12.

For manufacturing winding core and method, the mold for manufacturing rear section and method of blade tip, wind energy plant, rotor blade group, rotor blade and its manufacturing method

Номер патента: CN109219509A. Автор: 亚历山大·霍夫曼. Владелец: Wobben Properties GMBH. Дата публикации: 2019-01-15.

A grinding method for grinding the back surface of a semiconductor wafer and a grinding apparatus used for grinding the back surface of a semiconductor

Номер патента: DE102009011491A1. Автор: Shigeharu Mitaka-shi Arisa,Toshiyuki Mitaka-shi Ozawa. Владелец: Tokyo Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-01.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT, ILLUMINATING DEVICE, LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE, METHOD FOR PRODUCING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING ILLUMINATING DEVICE

Номер патента: US20120002134A1. Автор: Yamada Atsushi,YOKOGAWA Toshiya,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,OYA Mitsuaki,YANO Tadashi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND PROCESS FOR PRODUCTION THEREOF

Номер патента: US20120001223A1. Автор: YOKOGAWA Toshiya,KATO Ryou,Inoue Akira,FUJIKANE Masaki,IWANAGA Junko. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Scaffold board and method and device for manufacturing thereof

Номер патента: WO1995021976B1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-08-31.

Confection and method and apparatus for manufacturing it

Номер патента: CA1336828C. Автор: Vijay Arjun Sawant. Владелец: UNILEVER PLC. Дата публикации: 1995-08-29.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Light-emitting instrument based on nitride semiconductor

Номер патента: RU2369942C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-10.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR GROWTH SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR EPITAXIAL SUBSTRATE, GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR ELEMENT AND GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR FREE-STANDING SUBSTRATE, AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120061683A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-15.

SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING DEVICE, NITRIDE SEMICONDUCTOR LAYER GROWTH SUBSTRATE, AND NITRIDE SEMICONDUCTOR WAFER

Номер патента: US20120299014A1. Автор: Hikosaka Toshiki,Nunoue Shinya,Harada Yoshiyuki,Sugai Maki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-11-29.

NITRIDE SEMICONDUCTOR STACKED STRUCTURE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME AND NITRIDE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120211784A1. Автор: Sugawara Hideto. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-08-23.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20130009195A1. Автор: KAWAGUCHI Hirofumi,YONEDA Akinori,DOI Hiroshi. Владелец: NICHIA CORPORATION. Дата публикации: 2013-01-10.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: JP2022101442A. Автор: Kenji Uchida,弘喜 安倍,Hiroki Abe,智也 山下,Tomoya Yamashita,賢司 打田. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for manufacturing the same

Номер патента: JP2015109383A. Автор: Eiji Yamada,英司 山田,勝次 井口,Kazuya Araki,和也 荒木,Katsuji Iguchi,筆田　麻祐子,Mayuko Fudeta,麻祐子 筆田,山田　英司,章紘 浦田,Akihiro Urata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-06-11.

Nitride semiconductor light emitting device, method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device, and nitride semiconductor transistor device

Номер патента: US20120015465A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-19.

Method for manufacturing group 3 nitride semiconductor and semiconductor device

Номер патента: JP3712770B2. Автор: 正好 小池,勇 赤崎,史郎 山崎,浩 天野,誠二 永井,茂雄 森. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2005-11-02.

Nitride semiconductor light emitting device and gallium nitride compound semiconductor laser device including the nitride semiconductor light emitting device.

Номер патента: JP5090192B2. Автор: 剛 神川,晋 近江. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-12-05.

Method for producing group iii nitride semiconductor substrate and group iii nitride semiconductor substrate

Номер патента: JP2008120670A. Автор: Kazutomi Yamamoto,一富 山本,Haruo Sunakawa,晴夫 砂川,Yujiro Ishihara,裕次郎 石原,Norihiko Washimi,紀彦 鷲見. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-29.

Epitaxial gallium arsenide semiconductor wafer and method of producing the same

Номер патента: CA1322040C. Автор: Shiro Sakai,Shinichiro Yahagi,Masayoshi Umeno. Владелец: Nagoya Institute of Technology NUC. Дата публикации: 1993-09-07.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor

Номер патента: JP7063293B2. Автор: 史郎 山崎,康英 薬師,峻之 佐藤,実希 守山. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-09.

Method for manufacturing group 3 nitride semiconductor device

Номер патента: JP3646502B2. Автор: 正好 小池,典克 小出,慎也 浅見,直樹 兼山,誠 浅井,勝久 澤崎. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-11.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor

Номер патента: JP6848242B2. Автор: 史郎 山崎,実希 守山,山崎　史郎. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-24.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor substrate

Номер патента: JP4885997B2. Автор: 一富 山本,晴夫 砂川,紀彦 鷲見. Владелец: Furukawa Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-29.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: JP4277361B2. Автор: 隆 宇田川. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2009-06-10.

Method for manufacturing group III nitride semiconductor device

Номер патента: JP4929677B2. Автор: 誠 木山,達也 田辺. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-05-09.

Nitride semiconductor crystal manufacturing method and nitride semiconductor substrate manufacturing method

Номер патента: JP4513326B2. Автор: 祐一 大島. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2010-07-28.

Nitride semiconductor device manufacturing method and nitride semiconductor device

Номер патента: JP4043087B2. Автор: 修二 中村,徳也 小崎. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2008-02-06.

Nitride semiconductor substrate manufacturing method and nitride semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP3992628B2. Автор: 雅幸 畑,康彦 野村. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2007-10-17.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR PRODUCING SAME

Номер патента: US20120319080A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120273823A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-01.

Nitride semiconductor light emitting element and method of manufacturing same

Номер патента: CN101263609A. Автор: 大泽弘,程田高史. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-09-10.

Gallium nitride semiconductor light-emitting element and semiconductor laser beam source device

Номер патента: JPH10261838A. Автор: 敏之 奥村,Toshiyuki Okumura. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

A method for evaluating the gettering ability of a semiconductor wafer and a method for manufacturing a semiconductor wafer using the evaluation method.

Номер патента: JP6848900B2. Автор: 敏昭 小野,小野　敏昭,和尚 鳥越. Владелец: Sumco Corp. Дата публикации: 2021-03-24.

Nitride semiconductor light emitting element structure, and method of forming the same

Номер патента: JP2011029218A. Автор: Satoshi Komada,聡 駒田. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING ELEMENT AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR

Номер патента: US20120091463A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-04-19.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120309124A1. Автор: Okuno Koji,MIYAZAKI Atsushi. Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-06.

METHOD FOR PRODUCING A GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE

Номер патента: US20120322189A1. Автор: . Владелец: TOYODA GOSEI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-12-20.

Nitride semiconductor light-emitting element and light-emitting device

Номер патента: JPH11330552A. Автор: Shuji Nakamura,修二 中村,慎一 長濱,Shinichi Nagahama. Владелец: Nichia Chemical Industries Ltd. Дата публикации: 1999-11-30.

Nitride semiconductor light-emitting element, and electron beam excitation type light source device

Номер патента: JP2015046415A. Автор: Masanori Yamaguchi,真典 山口,研 片岡,Ken Kataoka. Владелец: Ushio Inc. Дата публикации: 2015-03-12.

Iii nitride semiconductor light-emitting element and manufacture thereof

Номер патента: JPH1197802A. Автор: Hiroshi Kanamaru,浩 金丸,Toshiyuki Matsui,洋 上條,Hiroshi Kamijo,俊之 松井. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-09.

Nitride semiconductor light-emitting element and manufacturing method of the same

Номер патента: JP2013135016A. Автор: Shoichi Kawashima,祥一 川島. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-07-08.

Nitride semiconductor light emitting element and light emitting device using it

Номер патента: AU2002311299A1. Автор: Masashi Yamamoto,Shinichi Nagahama,Tomotsugu Mitani,Tomoya Yanamoto. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2003-01-02.

Semiconductor wafer having alignment marks for a tungsten plug process and method of manufacture therefore

Номер патента: SG74674A1. Автор: YANG Tungsheng,Williams John Dale,Liu Ruichen,Ryan John Louis,Stone Douglas Roy. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2000-08-22.

Continuous roll molding system and method; frangible cap strip and method of making using continuous roll molding

Номер патента: WO2024197272A2. Автор: Frederick William Lamb,Frederick William LAMB II. Владелец: Pneu-Tools, Inc.. Дата публикации: 2024-09-26.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120238085A1. Автор: Ishikawa Akira. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-09-20.

Method and device for manufacturing color filter, method for manufacturing liquid crystal display device having color filter, and method and device for manufacturing panel for display device

Номер патента: JP2003232911A. Автор: Makoto Akahira,誠 赤平,Takahiro Ogushi,卓広 大串. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2003-08-22.

Belt and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: AU3995258A. Автор: John Joseph Young and Harold Edward Collins Joseph Conrad Geist. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1959-01-29.

Belt and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: AU230448B2. Автор: John Joseph Young and Harold Edward Collins Joseph Conrad Geist. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 1959-01-29.

Improved mop and method and means for manufacturing thesame

Номер патента: AU458526A. Автор: . Владелец: Frederick Wilkes. Дата публикации: 1927-11-15.

Double contact fluid seal and method and apparatus for manufacture

Номер патента: CA656260A. Автор: F. Smith Paul. Владелец: Individual. Дата публикации: 1963-01-22.

Ceramic fiber products and method and apparatus for manufacture thereof

Номер патента: CA723192A. Автор: A. Campbell Robert. Владелец: Carborundum Co. Дата публикации: 1965-12-07.

Self-locking nut and method and apparatus for manufacture thereof

Номер патента: CA758288A. Автор: W. Chantler Samuel. Владелец: Allen Manufacturing Co. Дата публикации: 1967-05-09.

Crosslaminate of oriented films and methods and apparatus for manufacturing same

Номер патента: ZA200709555B. Автор: Rasmussen Ole-Bendt. Владелец: Rasmussen Ole-Bendt. Дата публикации: 2009-06-24.

Plastic Venetian blind tape and method and apparatus for manufacturing

Номер патента: AU74051A. Автор: . Владелец: HUNTER DOUGLAS INC. Дата публикации: 1951-04-12.

Plastic Venetian blind tape and method and apparatus for manufacturing

Номер патента: AU152405B2. Автор: . Владелец: HUNTER DOUGLAS INC. Дата публикации: 1951-04-12.

Article having a non-woven pile, and method and apparatus for manufacturing said article

Номер патента: CA820262A. Автор: Hurtes Walter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1969-08-12.

Self-tapping threaded fasteners having lobular work-entering ends and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: AU286998B2. Автор: . Владелец: Research Engineering and Manufacturing Inc. Дата публикации: 1965-12-02.

Improvements in and relating to annular springs and methods and apparatus for manufacturing same

Номер патента: AU1892256A. Автор: Utvitch Jovan. Владелец: INTERNATIONAL ENGINEERING GENERAL RESEARCH AND LICENSING Co. Дата публикации: 1956-12-13.

Conveyor shaft to which rubber roller is mounted and method and apparatus for manufacturing said conveyor shaft

Номер патента: JPS5777106A. Автор: Karorusu Deruhesu Yohanesu. Владелец: RUBAA-EN KUNSUTOSUTOFUFUABURIIKU ENBI BV. Дата публикации: 1982-05-14.

Molded surface fastener, and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: AU691129C. Автор: Mitsuru Akeno,Ryuichi Murasaki. Владелец: YKK Corp. Дата публикации: 1998-12-03.

Kovel photographic product and methods and apparatus for manufacturing same

Номер патента: AU3952964A. Автор: . Владелец: International Polaroid Corp. Дата публикации: 1965-07-08.

Improvements in and relating to flat grids for cathode ray tubes and method and apparatus for manufacturing thesame

Номер патента: AU6050565A. Автор: RAYMOND CAHEN and JEANPIERRE DRILLON ROGER. Владелец: Franciase De Television Cie. Дата публикации: 1967-01-05.

Improvements in and relating to flat grids for cathode ray tubes and method and apparatus for manufacturing thesame

Номер патента: AU286267B2. Автор: RAYMOND CAHEN and JEANPIERRE DRILLON ROGER. Владелец: Franciase De Television Cie. Дата публикации: 1967-01-05.

Non woven fabrics and methods and apparatus for manufacturing them

Номер патента: GB9415778D0. Автор: . Владелец: UNIVERSITY OF LEEDS. Дата публикации: 1994-09-28.

Self-tapping threaded fasteners having lobular work-entering ends and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: AU4509164A. Автор: . Владелец: Research Engineering and Manufacturing Inc. Дата публикации: 1965-12-02.

An improved flexible relief screen for displaying cinematographic andother pictures and method and means for manufacturing thesame

Номер патента: AU1141913B. Автор: Manfield Newton Perceval. Владелец: And Nominee Of. Дата публикации: 1914-03-24.

An improved flexible relief screen for displaying cinematographic andother pictures and method and means for manufacturing thesame

Номер патента: AU1141913A. Автор: Manfield Newton Perceval. Владелец: And Nominee Of. Дата публикации: 1914-03-24.

Container and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: ZA863163B. Автор: Torsten Nilsson. Владелец: Petainer SA. Дата публикации: 1987-01-28.

Container and method and apparatus for manufacturing the same

Номер патента: IL78635A. Автор: . Владелец: Petainer SA. Дата публикации: 1991-01-31.

Improved fuel briquettes and method and apparatus for manufacturing thesame

Номер патента: AU1700744A. Автор: Francis McCarthy Hubert. Владелец: KAURI TIMBER CO Ltd. Дата публикации: 1947-01-16.

Improved fuel briquettes and method and apparatus for manufacturing thesame

Номер патента: AU123170B2. Автор: Francis McCarthy Hubert. Владелец: KAURI TIMBER CO Ltd. Дата публикации: 1947-01-16.

Detachable inner mold for a cheese mold, and method and installation for manufacturing same

Номер патента: CA845035A. Автор: Rijke Teunis. Владелец: Nv Hollandse Plastic Industrie Rotterdam. Дата публикации: 1970-06-23.

Absorbent pad and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: AU2591930A. Автор: . Владелец: Harbison Robert Williams. Дата публикации: 1931-04-02.

Welded helical lock seam pipe and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: AU4634664A. Автор: Henby Timmers John. Владелец: Armco Inc. Дата публикации: 1966-01-06.

Welded helical lock seam pipe and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: AU287308B2. Автор: Henby Timmers John. Владелец: Armco Inc. Дата публикации: 1966-01-06.

Metal Tablet with Celluloid or like Cover and Method and Apparatus for Manufacturing the same.

Номер патента: GB190605107A. Автор: Max Winkelstroeter. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-05-02.

Detachable inner mould for a cheese mould,and method and apparatus for manufacturing same

Номер патента: IE32371B1. Автор: . Владелец: Hollandsche Plastic Ind Nv. Дата публикации: 1973-07-11.

Detachable inner mold for a cheese mold, and method and installation for manufacturing same

Номер патента: AU2625767A. Автор: DUBBELD and THEODORUS RILKE WILLEM. Владелец: N V Hollander Plastic Industrie Rotterdam. Дата публикации: 1969-02-27.

Detachable inner mold for a cheese mold, and method and installation for manufacturing same

Номер патента: AU424227B2. Автор: DUBBELD and THEODORUS RILKE WILLEM. Владелец: N V Hollander Plastic Industrie Rotterdam. Дата публикации: 1969-02-27.

Cleaning apparatus and method for cleaning a substrate such as a semiconductor wafer using the same

Номер патента: JP3185387B2. Автор: 実 水野. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-07-09.

Medallion-like articles, lamp lenses and method for their manufacture

Номер патента: CA1096217A. Автор: Robert W. Reed. Владелец: DL Auld Co. Дата публикации: 1981-02-24.

SEMICONDUCTOR ELEMENT, SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTED BOARD, AND METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR ELEMENT

Номер патента: US20120074578A1. Автор: . Владелец: SHINKO ELECTRIC INDUSTRIES CO., LTD.. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor Device and Method of Forming Guard Ring Around Conductive TSV through Semiconductor Wafer

Номер патента: US20130147055A1. Автор: Na Duk Ju,Chia Lai Yee,Yong Chang Beom. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2013-06-13.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.