• Главная
  • Nitride semiconductor substrate, method for forming a nitride semiconductor layer and method for separating the nitride semiconductor layer from the substrate

Nitride semiconductor substrate, method for forming a nitride semiconductor layer and method for separating the nitride semiconductor layer from the substrate

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US9779934B2. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Nitride semiconductor free-standing substrate, method of manufacturing the same and nitride semiconductor device

Номер патента: US20110108944A1. Автор: Hajime Fujikura. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for producing group iii nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20190067512A1. Автор: Koji Okuno. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2019-02-28.

Method for Fabrication Group III Nitride Semiconductor

Номер патента: US20080076200A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-03-27.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: EP1794780A1. Автор: Masato c/o Showa Denko K.K. KOBAYAKAWA,Hisayuki c/o SHOWA DENKO K.K. MIKI. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-06-13.

Method for fabrication of group iii nitride semiconductor

Номер патента: WO2006030918A1. Автор: Hisayuki Miki,Masato Kobayakawa. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2006-03-23.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4407657A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4386116A1. Автор: Kazunori Hagimoto,Ippei Kubono. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Nitride semiconductor substrate and method for producing same

Номер патента: EP4394093A1. Автор: Kazunori Hagimoto. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Method for production of silicon carbide layer, gallium nitride semiconductor device and silicon substrate

Номер патента: TW200735183A. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2007-09-16.

Method for production of silicon carbide layer, gallium nitride semiconductor device and silicon substrate

Номер патента: US8216367B2. Автор: Takashi Udagawa. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2012-07-10.

Method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: EP4321658A1. Автор: Junya Ishizaki,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Method for producing nitride semiconductor wafer

Номер патента: US20240162041A1. Автор: Junya Ishizaki,Kazunori Hagimoto,Tsuyoshi Ohtsuki. Владелец: Shin Etsu Handotai Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for producing a semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09754783B2. Автор: Katsunori Ueno,Ryo Tanaka,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Large-area, laterally-grown epitaxial semiconductor layers

Номер патента: US09711352B2. Автор: Jung Han,Jie Song,Danti Chen. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-07-18.

Methods of forming a stack of multiple deposited semiconductor layers

Номер патента: EP3649670A1. Автор: LONG Lin,Chentsau Ying,Xinhai Han,Liyan Miao. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-05-13.

Method for Stress Reduced Manufacturing Semiconductor Devices

Номер патента: US20140141592A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Peter Irsigler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2014-05-22.

P-Type Group III Nitride Semiconductor and Production Method Thereof

Номер патента: US20080246053A1. Автор: Hitoshi Takeda,Hisayuki Miki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09355852B2. Автор: Takahiro Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: WO2011099772A2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2011-08-18.

Semiconductor substrate, semiconductor device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: EP2534705A2. Автор: Shiro Sakai. Владелец: Seoul Optodevice Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-19.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020005521A1. Автор: Masayuki Sonobe,Tetsuhiro Tanabe. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-17.

Method for high temperature annealing of a nitride semiconductor layer

Номер патента: US10121876B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-06.

Method for preparing a p-type semiconductor layer, enhanced device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210143264A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

Methods of forming a silicon nitride film, a capacitor dielectric layer and a capacitor

Номер патента: US6077754A. Автор: Sujit Sharan,Gurtej S. Sandhu,Anand Srinivasan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-20.

Nitride semiconductor device

Номер патента: CA2529996C. Автор: Shuji Nakamura,Shinichi Nagahama,Masayuki Senoh. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2014-08-26.

Gallium nitride semiconductor structure and process for fabricating thereof

Номер патента: SG10201802435TA. Автор: KAPLUN Joseph,HOULI ARBIV Bilha. Владелец: ELTA SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2019-02-27.

Method for directly depositing palladium onto a non-activated surface of a gallium nitride semiconductor

Номер патента: MY193073A. Автор: Andreas Walter. Владелец: ATOTECH DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2022-09-26.

Methods for controlling density, porosity, and/or gap size within nanotube fabric layers and films

Номер патента: US09617151B2. Автор: Feng Gu,Rahul Sen,J. Thomas Kocab. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light Emitting Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20180277723A1. Автор: Akira Hirano,Ko Aosaki. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor substrate

Номер патента: US09905656B2. Автор: Ho-Jun Lee,Young-Jae Choi,Jung-Hyun EUM,Kye-Jin Lee,Chung-Hyun Lee. Владелец: SK Siltron Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor substrate

Номер патента: US09583575B2. Автор: Ho-Jun Lee,Young-Jae Choi,Jung-Hyun EUM,Kye-Jin Lee,Chung-Hyun Lee. Владелец: LG Siltron Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for manufacturing nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20090246945A1. Автор: Toru Takasone. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Nitride semiconductor structure

Номер патента: US20190157080A1. Автор: Yu-Lin Hsiao,Kun-Chuan Lin,Jin-Hsiang Liu. Владелец: Elite Advanced Laser Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Bar-shaped semiconductor laser chip and method of fabrication thereof

Номер патента: US20100103968A1. Автор: Yasuo Baba,Yasuhiko Matsushita,Yukio Gotoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-29.

Nitride semiconductor substrate and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210184004A1. Автор: Hiroshi Oishi,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: CoorsTek KK. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20170092493A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Method for forming quantum dot, quantum semiconductor device, and its manufacturing method

Номер патента: EP1507293A1. Автор: Toshio Ohshima,Hai-zhi Fujitsu Limited SONG. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-02-16.

Method for producing group III nitride compounds semiconductor

Номер патента: US20040169192A1. Автор: Makoto Asai,Hisaki Kato,Katsuhisa Sawazaki,Naoki Kaneyama. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754974B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for forming quantum dot

Номер патента: US20040053469A1. Автор: Sung-Eon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-03-18.

Method for forming quantum dot

Номер патента: US6730531B2. Автор: Sung-Eon Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-05-04.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US9673377B2. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Compound semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160149118A1. Автор: Naoya Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20190296140A1. Автор: Kenichi Yoshimochi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170179145A1. Автор: Boon Jiew CHEE. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for manufacturing metal structure having different heights

Номер патента: US20050136636A1. Автор: Hyung Choi,Dong-sik Shim,Hoon Song,Chan-bong Jun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-06-23.

Manufacturing method for thin film transistor and array substrate

Номер патента: US20180350843A1. Автор: Jinming LI. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Fabrication method for a 3-dimensional nor memory array

Номер патента: US20200328228A1. Автор: Scott Brad Herner,Eli Harari,Wu-Yi Chien. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2020-10-15.

Method for forming a trench in a first semiconductor layer of a multi-layer system

Номер патента: US20220230886A1. Автор: Nicolas Schorr,Christof Schwenk. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-07-21.

Method for forming a trench in a first semiconductor layer of a multi-layer system

Номер патента: US12094717B2. Автор: Nicolas Schorr,Christof Schwenk. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-09-17.

Nitride semiconductor device and fabrication method therefor

Номер патента: US20230411508A1. Автор: Kenji Yamamoto,Norikazu Ito,Tetsuya Fujiwara,Ken Nakahara,Minoru Akutsu. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: US12062540B2. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09412621B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor arrangement and method of manufacture

Номер патента: US20200176323A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Ni(Al)O p-type semiconductor via selective oxidation of NiAl and methods of forming the same

Номер патента: US12021137B2. Автор: Oreste Madia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140353663A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Method for fabricating a gate dielectric layer and for fabricating a gate structure

Номер патента: US20120276731A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Kuo Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230274948A1. Автор: Mann Ho CHO,Gi Hyeon KWON. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods for forming tungsten-containing layers

Номер патента: US20120003833A1. Автор: Avgerinos V. Gelatos,Kai Wu,Emily Renuart,Amit Khandelwal,Jinqiu Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240312915A1. Автор: Koichiro Nishizawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor layer structure

Номер патента: EP4362104A3. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-10-16.

Method for forming thin film

Номер патента: US20230260794A1. Автор: Young Woon Kim,Il Hyong CHO. Владелец: Jusung Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Apparatus for forming thin film

Номер патента: US5372647A. Автор: Tadahiro Ohmi. Владелец: Ohmi; Tadahiro. Дата публикации: 1994-12-13.

Method for forming semiconductor device structure

Номер патента: US20200058661A1. Автор: Shih-Lu HSU,Cheng-Ming Wu,Ching-Yen HSAIO,Chien-Hsian WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-20.

Method for forming metal lines

Номер патента: US20040266172A1. Автор: Tae Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-12-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583622B2. Автор: Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9231065B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150214310A1. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11462486B2. Автор: Hitoshi Kobayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210013157A1. Автор: Hitoshi Kobayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Multi-Gate Devices And Method Of Fabrication Thereof

Номер патента: US20210066477A1. Автор: Zhiqiang Wu,Chun-Fu CHENG,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20150028453A1. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US9024414B2. Автор: Jae Bum Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140151779A1. Автор: Eun Joo Jung,Jong Moo Choi,Jung Il Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20150287828A1. Автор: Miao Xu,Huilong Zhu,Qingqing Liang,Haizhou Yin. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-10-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230155351A1. Автор: Shinya Nishimura,Eiji Yagyu,Kunihiko Nishimura,Shuichi Hiza. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film

Номер патента: US09899291B2. Автор: Akinori Nakano,Kunitoshi Namba,Yuya Nonaka,Richika Kato,Seiji Okuro. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11972945B2. Автор: Kenichi Okazaki,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210005738A1. Автор: Kenichi Okazaki,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-07.

Method for manufacturing dual damascene structure

Номер патента: US09859150B2. Автор: Jin-Gi JUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit device and method for forming the same

Номер патента: US20230009266A1. Автор: Chih-I Wu,Jin-Bin Yang,Ya-Ting Chang,Jian-Zhi Huang,I-Chih NI. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2023-01-12.

High electron mobility transistor and method for forming the same

Номер патента: US11810962B2. Автор: Cheng-Wei Chou,Hsin-Chih Lin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-11-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of manufacturing photonic crystal and method of manufacturing surface-emitting laser

Номер патента: US20130252360A1. Автор: Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor layer structure

Номер патента: US20230327009A1. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor layer structure

Номер патента: EP4362104A2. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20190341487A1. Автор: Feng-Yi Chang,Yu-Cheng Tung,Fu-Che Lee. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Mim capacitor and method for making the same

Номер патента: US20210083043A1. Автор: Yongji MAO. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230048781A1. Автор: Hiroyuki Yamashita,Yuta Saito,Shinji Mori. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-16.

Integrated circuit structure and method for forming the same

Номер патента: US20240105779A1. Автор: Shih-Yen Lin,Che-Jia CHANG. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220359724A1. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US11929424B2. Автор: Pinyen Lin,Li-Te Lin,Yi-Chen Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050066887A1. Автор: Minoru Kubo,Katsuya Nozawa,Tohru Saitoh,Shigetaka Aoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-31.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190295882A1. Автор: Takahito Nakajima,Shinya Ito. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Dual isolation fin and method of making

Номер патента: US09711617B2. Автор: SANGHOON Lee,Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for enhancing hydrogenation of thin film transistors using a metal capping layer and method for batch hydrogenation

Номер патента: US5899711A. Автор: Donald L. Smith. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 1999-05-04.

Methods for forming group III-V arsenide-nitride semiconductor materials

Номер патента: US6130147A. Автор: Donald R. Scifres,David F. Welch,Jo S. Major. Владелец: SDL Inc. Дата публикации: 2000-10-10.

Method for forming sealing film, and sealing film

Номер патента: US10793952B2. Автор: Masaki Mori,Masamichi Yamashita,Takayoshi Fujimoto. Владелец: Toray Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-06.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor Devices and Methods of Making the Same

Номер патента: US20200020533A1. Автор: Wai Tien Chan,Wing Chong Tony CHAU,Wing Kit CHEUNG. Владелец: Alpha Power Solutions Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20140097443A1. Автор: Rong Xuan,Yen-Hsiang Fang,Chih-Wei Hu,Chen-Zi Liao,Hsun-Chih Liu,Yi-Keng Fu,Chien-Pin Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2014-04-10.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US20170117441A1. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-04-27.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US9842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09842967B2. Автор: Toru Sugiyama,Kohei Miyoshi,Masashi Tsukihara. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2017-12-12.

Method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US09559253B2. Автор: Junya Narita,Yohei Wakai,Kazuto OKAMOTO,Mizuki Nishioka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Nitride semiconductor element and method of making same

Номер патента: RU2566383C1. Автор: Норитака НИВА,Тецухико ИНАДЗУ. Владелец: Соко Кагаку Ко., Лтд.. Дата публикации: 2015-10-27.

Nitride semiconductor light-emitting element and method for producing same

Номер патента: US9331245B2. Автор: Eiji Yamada,Mayuko Fudeta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

III nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US9882088B2. Автор: Yasuhiro Watanabe,Takehiko Fujita. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Nitride semiconductor light-emitting device

Номер патента: US20240038932A1. Автор: Toshihiko Fukamachi. Владелец: Ushio Denki KK. Дата публикации: 2024-02-01.

Nitride semiconductor light-emitting element

Номер патента: US20200357953A1. Автор: Akira Hirano,Yosuke Nagasawa. Владелец: Soko Kagaku Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-12.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09640712B2. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing nitride semiconductor element

Номер патента: US20150118775A1. Автор: Junya Narita,Yohei Wakai,Kazuto OKAMOTO,Mizuki Nishioka. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2015-04-30.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US8735196B2. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-27.

Method of manufacturing nitride semiconductor light emmiting device

Номер патента: US20120315719A1. Автор: Masanobu Ando. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-13.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09780078B2. Автор: Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-03.

Light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: US09478722B2. Автор: Hideki Shibata,Akihiro Kojima,Hideo Tamura,Masayuki Ishikawa,Yoshiaki Sugizaki,Tetsuro Komatsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for fracturing and forming a pattern using shaped beam charged particle beam lithography

Номер патента: US09448473B2. Автор: Michael Tucker,Akira Fujimura. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Light emitting diode structure having resonant cavity and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258466A1. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Micro light emitting diode display device and method for manufacturing same

Номер патента: US20240339566A1. Автор: Wing Cheung CHONG. Владелец: Raysolve Optoelectronics Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Light-emitting diode and method of manufacturing the same, and display device

Номер патента: US11870011B2. Автор: HU Meng. Владелец: Beijing BOE Technology Development Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Nitride Semiconductor Ultraviolet Light Emitting Device and Method for Manufacturing Same

Номер патента: US20180277723A1. Автор: Hirano Akira,AOSAKI Ko. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-27.

NITRIDE SEMICONDUCTOR ULTRAVIOLET LIGHT EMITTING DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20200321491A1. Автор: Hirano Akira,AOSAKI Ko,Yamada Kiho. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-08.

Nitride semiconductor ultraviolet light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: WO2017208535A1. Автор: 耕 青崎,平野 光,貴穂 山田. Владелец: 創光科学株式会社. Дата публикации: 2017-12-07.

Nitride semiconductor ultraviolet light emitting device and method for manufacturing same

Номер патента: WO2017072859A1. Автор: 耕 青崎,平野 光. Владелец: 創光科学株式会社. Дата публикации: 2017-05-04.

Nitride semiconductor light-emitting diode chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050093016A1. Автор: Toshio Hata,Kensaku Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-05-05.

Nitride semiconductor light-emitting diode chip and method of manufacturing the same

Номер патента: US7105859B2. Автор: Toshio Hata,Kensaku Yamamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-12.

Nitride semiconductor light-emitting diode chip and method of manufacturing the same

Номер патента: CN1314135C. Автор: 幡俊雄,山本健作. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-05-02.

Nitride semiconductor light-emitting diode chip and method of manufacturing the same

Номер патента: TW200529469A. Автор: Toshio Hata,Kensaku Yamamoto. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-09-01.

Method For Fracturing And Forming A Pattern Using Shaped Beam Charged Particle Beam Lithography

Номер патента: US20160103390A1. Автор: Michael Tucker,Akira Fujimura. Владелец: D2S Inc. Дата публикации: 2016-04-14.

Method for forming self-aligned double pattern and semiconductor structures

Номер патента: US12100593B2. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Method for forming fine patterns of semiconductor device

Номер патента: US09666434B2. Автор: DAE-YONG KANG,Jaehee Kim,Joonsoo PARK,Soonmok Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20230015991A1. Автор: Yuanhao Gao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Method for forming self-aligned double pattern, and semiconductor structure

Номер патента: EP4181172A1. Автор: Zhongming Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Method for forming connecting pad and semiconductor structure

Номер патента: US20230005757A1. Автор: Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Method for forming connecting pad and semiconductor structure

Номер патента: US11784060B2. Автор: Yulei Wu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Method for preparing semiconductor device structure with energy removable spacers

Номер патента: US20230260799A1. Автор: Li-Han Lu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Molded product, metal-clad laminate, printed wiring board, and methods for their production

Номер патента: US20200198310A1. Автор: Tomoya Hosoda,Wataru Kasai. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-25.

Contact pins for glass seals and methods for their production

Номер патента: US09741461B2. Автор: Rolf Kirchhoff,Erhard Altstadt,Katja NICOLAI. Владелец: IL Metronic Sensortechnik GmbH. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for gluing components, forming a temperature-resistant adhesive layer

Номер патента: US20110221308A1. Автор: Roland Mueller,Gerhard Hueftle,Irene Jennrich,Patrick Stihler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-15.

Nitride semiconductor light emitting device and fabrication method thereof

Номер патента: CA2578443C. Автор: Suk Hun Lee. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Semiconductor laser element and method for manufacturing the same

Номер патента: US11881684B2. Автор: Yoshitaka NAKATSU. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Nitride semiconductor light emitting device

Номер патента: US20240021756A1. Автор: Donggun Lee,Youngjin Choi,Punjae CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-18.

Gallium nitride semiconductor device

Номер патента: CA2444273C. Автор: Kimihiro Kawagoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2012-05-22.

Method of manufacturing group III nitride semiconductor layer bonded substrate

Номер патента: EP2154709A3. Автор: Akihiro Hachigo. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Transistor and method for forming the same

Номер патента: US20120104486A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijong Luo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090230502A1. Автор: Yoji Kitano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-09-17.

Method for forming a dielectric zone in a semiconductor substrate

Номер патента: US20020052092A1. Автор: Rudolf Lachner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-02.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US11908927B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of manufacturing semiconductor substrate and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060115935A1. Автор: Toshiki Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-06-01.

Method for forming recess-free interconnect structure

Номер патента: US09385029B2. Автор: Shau-Lin Shue,Chao-Hsien Peng,Hsiang-Huan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-05.

Substrate and method of forming the same

Номер патента: EP3143640A1. Автор: Chin-Kwan Kim,Omar James Bchir,Kuiwon Kang,Houssam Wafic Jomaa. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-22.

Substrate and method of forming the same

Номер патента: US09679841B2. Автор: Chin-Kwan Kim,Omar James Bchir,Kuiwon Kang,Houssam Wafic Jomaa. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220085197A1. Автор: Hisashi Saito,Eiji Yagyu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Solid-state imaging apparatus and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240258344A1. Автор: Susumu Tonegawa,Akiko Honjo,Hiroaki Ammo. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Methods for fabricating integrated circuits with a high-voltage MOSFET

Номер патента: US09431408B2. Автор: Bing Li,Sung Mun Jung,Yi Tat Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US20240008258A1. Автор: Chang-Hung Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443870B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Hidekazu Oda,Hirofumi Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US12051618B2. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Ohmic contacts and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20200350175A1. Автор: Jean-francois SEURIN,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2020-11-05.

Ohmic contacts and methods for manufacturing the same

Номер патента: EP3740966A1. Автор: Jean-francois SEURIN,Chuni Ghosh,Guoyang Xu. Владелец: Princeton Optronics Inc. Дата публикации: 2020-11-25.

Methods for forming fin field-effect transistors

Номер патента: US12068199B2. Автор: Chao-Cheng Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Chia Tai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09613979B2. Автор: Toshihiko Iinuma. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for fabricating floating gate

Номер патента: US20040110342A1. Автор: Yu-Chi Sun,Tse-Yao Huang,Chao-Wen Lay. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-10.

Method for preparing semiconductor device structure with manganese-containing lining layer

Номер патента: US11776912B2. Автор: Kuo-Hui Su. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100148254A1. Автор: Cho Eung Park. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for fabricating interconnections with carbon nanotubes

Номер патента: US20120135598A1. Автор: Tri-Rung Yew,Hsin-Wei Wu,Chung-Min Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-31.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (BEOL) regions

Номер патента: US09978683B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (BEOL) regions

Номер патента: US09806022B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (BEOL) regions

Номер патента: US09660015B2. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09548259B2. Автор: Keiji Kuroki. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09331079B2. Автор: Qiuhua Han. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-05-03.

Method for forming metal wire of semiconductor device

Номер патента: US5780356A. Автор: Jeong Tae Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1998-07-14.

Preparation method for semiconductor device

Номер патента: US20220037211A1. Автор: Yuanbao LIAO. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7326603B2. Автор: Kei Kanemoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Method for preparing semiconductor device structure with silicide portion between conductive plugs

Номер патента: US12080598B2. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for filling of a shallow trench isolation

Номер патента: US20020106864A1. Автор: Hua-Chou Tseng,Tai-Ju Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-08.

Guided path for forming a conductive filament in RRAM

Номер патента: US09972778B2. Автор: Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09929244B2. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570353B1. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama,Yuki YAKUSHIGAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-02-14.

Production method for a semiconductor device

Номер патента: US09530672B2. Автор: Takashi Yoshimura,Yusuke Kobayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for forming twin-tub wells in substrate

Номер патента: US5773335A. Автор: Fang-Ching Chao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1998-06-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120244657A1. Автор: Tadashi Iijima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor arrangement and method of manufacture

Номер патента: US20200135576A1. Автор: Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor arrangement and method of manufacture

Номер патента: US20230268232A1. Автор: Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Kuo-Cheng Ching. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Substrate and method of forming the same

Номер патента: WO2015175197A1. Автор: Chin-Kwan Kim,Omar James Bchir,Kuiwon Kang,Houssam Wafic Jomaa. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-11-19.

Process for forming a shallow trench isolation

Номер патента: US6350660B1. Автор: Chun-Hung Lee,Ming-Chung Liang,Shiuh-Sheng Yu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-26.

Methods for fabricating integrated circuits with a high-voltage MOSFET

Номер патента: US9054135B2. Автор: Bing Li,Sung Mun Jung,Yi Tat Lim. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-06-09.

Method for forming semiconductor device with composite dielectric structure

Номер патента: US11937417B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for preparing a shallow trench isolation

Номер патента: US7781303B2. Автор: Hai Jun Zhao. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2010-08-24.

Method for forming asymmetric flash EEPROM with a pocket to focus electron injections

Номер патента: US6130134A. Автор: Chia-Shing Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2000-10-10.

Structure and Method for Forming a Planar Schottky Contact

Номер патента: US20120098061A1. Автор: Fred Session. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-26.

Structure and method for forming a planar schottky contact

Номер патента: WO2008070491A2. Автор: Fred Session. Владелец: Fairchild Semiconductor Corporation. Дата публикации: 2008-06-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110291242A1. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8610168B2. Автор: Mitsuru Soma. Владелец: ON SEMICONDUCTOR TRADING LTD. Дата публикации: 2013-12-17.

Method of processing a semiconductor substrate and semiconductor chip

Номер патента: US09831127B2. Автор: Franco Mariani,Korbinian Kaspar. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190214458A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Methods for manufacturing semiconductor devices, and semiconductor devices

Номер патента: US12114483B2. Автор: Dandan He. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for preparing trench isolation structure

Номер патента: US09972525B2. Автор: HUA Song,Huan Yang,Jiao Wang. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Methods for Forming Fin Field-Effect Transistors

Номер патента: US20200043797A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Chia Tai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-02-06.

Methods for Forming Fin Field-Effect Transistors

Номер патента: US20180323108A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Chia Tai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Methods for Forming Fin Field-Effect Transistors

Номер патента: US20230260843A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Chia Tai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods for Forming Fin Field-Effect Transistors

Номер патента: US20170229348A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Chia Tai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Methods for Forming Fin Field-Effect Transistors

Номер патента: US20210242088A1. Автор: Chao-Cheng Chen,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Chia Tai Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230064487A1. Автор: Chi-Wen Chen,Chun-Huai Li. Владелец: Naidun Tech Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of forming a dram bit line contact

Номер патента: EP1063698A3. Автор: Charles H. Dennison,Kunal Parekh,Mark Jost. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-01-03.

Interconnect structure and method

Номер патента: US12094771B2. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Bo-Jiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Interconnect structure and method

Номер патента: US20240363402A1. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Bo-Jiun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Vertical channel oxide semiconductor field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09806191B1. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09728455B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09711603B2. Автор: Tae-Wan Lim,Hojong KANG,Joowon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583388B2. Автор: Kun-Yuan Liao,Chieh-Te Chen,Feng-Yi Chang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Method for fabricating recessed lightly doped drain field effect transistors

Номер патента: US20020187603A1. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09859158B2. Автор: Youngmok KIM,Kyoung-Eun Uhm,Kyunglyong KANG,Hodae OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Hybrid interconnects and method of forming the same

Номер патента: US09748173B1. Автор: Chih-Chao Yang,Conal E. Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device with air gap and method for fabricating the same

Номер патента: US09514980B2. Автор: Seung-Hee Hong,Seung-Jin Yeom,Sung-won Lim,Nam-Yeal Lee,Hyo-Seok Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for fabricating metal wiring

Номер патента: US7087520B2. Автор: Jae-Suk Lee. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-08.

Method of manufacturing semiconductor substrate

Номер патента: US5352625A. Автор: Tadahide Hoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-10-04.

Thin Film Transistor, Manufacturing Method for Array Substrate, Array Substrate and Display Device

Номер патента: US20180166562A1. Автор: WEI YANG,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor structure and manufacturing method for the same

Номер патента: US20210083041A1. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for manufacturing semiconductor devices using self-aligned process to increase device packing density

Номер патента: US9263548B2. Автор: Tzu-Yin Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-02-16.

Methods for forming semiconductor structures and semiconductor structures

Номер патента: US20230116971A1. Автор: Yuchen Wang,Nianwang YANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for forming a gate electrode

Номер патента: US20120135594A1. Автор: ZHONGSHAN Hong. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Beijing Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20220085208A1. Автор: Kouta Tomita,Kohei Oasa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Method for manufacturing semiconductor devices using self-aligned process to increase device packing density

Номер патента: US20080254587A1. Автор: Tzu-Yin Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Method of forming a semiconductor device

Номер патента: US20110294235A1. Автор: Takuro Maede. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

System and method of uv programming of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20160035737A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

System and method of UV programming of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09607999B2. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Method for forming a narrow dimensioned mask opening on a silicon body

Номер патента: CA1120609A. Автор: Jacob Riseman,Irving T. Ho. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-03-23.

Device with an etch stop layer and method therefor

Номер патента: US20220122903A1. Автор: Bruce McRae Green,Yuanzheng Yue,James Allen Teplik,Fred Reece Clayton. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-04-21.

Chip package structure and method for forming the same

Номер патента: US20200075350A1. Автор: Shih-Ting Hung,Shin-puu Jeng,Po-Hao Tsai,Techi WONG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20230098026A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US11854867B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for Forming Trench Isolated Capacitor and Substrate Contact

Номер патента: US20180061932A1. Автор: Hideaki Kawahara,Sameer Pendharkar,Binghua Hu. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Semiconductor structure and method for forming ihe same

Номер патента: US11380582B2. Автор: Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2022-07-05.

Method for treating the surface of a bit line conductive layer

Номер патента: US20020110978A1. Автор: King-Lung Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Method for forming chip package structure

Номер патента: US20190115306A1. Автор: Jing-Cheng Lin,Po-Hao Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20210159119A1. Автор: Che-Fu Chuang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170025310A1. Автор: Shinya Iwasaki,Satoru Kameyama,Yuki YAKUSHIGAWA. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

HDP-CVD method for spacer formation

Номер патента: US6133151A. Автор: Ching-Fu Lin. Владелец: Worldwide Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2000-10-17.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US11791335B2. Автор: Chung-Te Lin,Feng-Cheng Yang,Wei-Yuan Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for passivating gate dielectric films

Номер патента: US20080242071A1. Автор: Denny Tang,Wen-Chin Lee,Ching-Ya Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-10-02.

Method for etching substrate

Номер патента: US20130109171A1. Автор: Manfred Engelhardt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-05-02.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US5525532A. Автор: Jae K. Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-06-11.

Guided path for forming a conductive filament in RRAM

Номер патента: US8946046B1. Автор: Sung Hyun Jo. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7439161B2. Автор: Seok Su Kim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-21.

Method for fabricating semiconductor device structure with manganese-containing conductive plug

Номер патента: US11824004B2. Автор: Teng-Yen Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method for preparing semiconductor device including conductive contact having tapering profile

Номер патента: US11791264B2. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-17.

Method for preparing semiconductor device including conductive contact having tapering profile

Номер патента: US20220148966A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Manufacturing methods of semiconductor substrate, package and device

Номер патента: US20140134806A1. Автор: Shoa-Siong Lim,Kian-Hock Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2014-05-15.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (beol) regions

Номер патента: US20160254343A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-01.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (beol) regions

Номер патента: US20180040554A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-02-08.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (beol) regions

Номер патента: US20170229391A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for making semiconductor device with stacked analog components in back end of line (beol) regions

Номер патента: US20180315701A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-01.

Method of manufacturing semiconductor device and support structure for semiconductor substrate

Номер патента: US20050263907A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-01.

Manufacturing method of semiconductor device including forming a recess filling pattern

Номер патента: US20230260828A1. Автор: Jonghyuk Park,Youngin Kim,Byoungho Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240266188A1. Автор: Kiseok Kim,Jihye SHIM,Okseon YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Vertical field-effect transistor (vfet) devices and methods of forming the same

Номер патента: US20210111269A1. Автор: Kang-ill Seo,Hwi Chan Jun,Jeong Hyuk YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220216141A1. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Parasitic capacitance reduction structure for nanowire transistors and method of manufacturing

Номер патента: US09893161B2. Автор: Genji Nakamura,Kandabara N. Tapily. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

P-type group III-nitride semiconductor device

Номер патента: US6150672A. Автор: Yawara Kaneko. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2000-11-21.

Nitride semiconductor based optical integrated circuit and method for manufacturing the same

Номер патента: KR102258441B1. Автор: 성준호. Владелец: 엘지전자 주식회사. Дата публикации: 2021-05-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09437724B2. Автор: Hiroaki Ueno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for forming Schottky Diodes and Ohmic Contacts in the Same Integrated Circuit

Номер патента: US20070281451A1. Автор: Schyi-Yi Wu. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor device structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2024040563A1. Автор: Yi He,Jheng-Sheng You,Weixing DU. Владелец: Innoscience (suzhou) Semiconductor Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-29.

LTPS array substrate and method for producing the same

Номер патента: US09893097B2. Автор: Peng Du,Cong Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20230411506A1. Автор: Manabu Yanagihara,Masahiro Hikita,Hideyuki Okita. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213355A1. Автор: Yukinori Nose,Atsuya SASAKI. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for forming Zener Zap Diodes and Ohmic Contacts in the Same Integrated Circuit

Номер патента: US20090093116A1. Автор: Schyi-Yi Wu. Владелец: Micrel Inc. Дата публикации: 2009-04-09.

Methods for forming a memory cell having a top oxide spacer

Номер патента: US20120181601A1. Автор: Gang Xue,Kashmir Sahota,Chun Chen,Scott Bell,Wai Lo,Alexander Nickel,Shenqing Fang,Angela Hui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-19.

Methods for forming a memory cell having a top oxide spacer

Номер патента: US20110233647A1. Автор: Gang Xue,Kashmir Sahota,Chun Chen,Scott Bell,Wai Lo,Alexander Nickel,Shenqing Fang,Angela Hui. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2011-09-29.

Nitride semiconductor device

Номер патента: US20200411642A1. Автор: Katsunori Ueno. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-31.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US8637960B2. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2014-01-28.

Nitride semiconductor substrate

Номер патента: US20130082355A1. Автор: Akira Yoshida,Hiroshi Oishi,Shunichi Suzuki,Yoshihisa Abe,Jun Komiyama,Kenichi Eriguchi. Владелец: Covalent Materials Corp. Дата публикации: 2013-04-04.

Photodetector device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010052566A1. Автор: Jun-Young Kim,Woong-Lin Hwang,Dong-Hoon Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-12-20.

MISFET Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20150035021A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ming-Chyi Liu,Chung-Yen Chou,Sheng-De Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Nitride semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230420517A1. Автор: Manabu Yanagihara,Kazuya Nagase,Hirotaka Otake,Shinya Takado. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-28.

Nitride semiconductor transistor and electronic device

Номер патента: EP4080581A1. Автор: Zhibin Chen,Qimeng JIANG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-26.

Method for producing semiconductor light receiving device and semiconductor light receiving device

Номер патента: US09548330B2. Автор: Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Tft array substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150311233A1. Автор: Lung Pao Hsin,Tianwang HUANG. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Method for forming semiconductor device

Номер патента: US09960167B1. Автор: Yu-Chieh Lin,Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12041784B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Method for producing a vertical transistor component

Номер патента: US20100270612A1. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240334710A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for manufacturing ESD protection device

Номер патента: US09929137B2. Автор: Shijun Wang,Fei Yao,Dengping Yin. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Manufacturing method for solar cell and solar cell manufacturing system

Номер патента: US20140162383A1. Автор: Shoichi Karakida. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Waveguide element, light-emitting device, and method for manufacturing waveguide element

Номер патента: US20180329236A1. Автор: Toshiki Hikosaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Capacitor and method for fabricating the same

Номер патента: US09530834B1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for manufacturing oxide thin film transistor (TFT) array substrate

Номер патента: US09484360B2. Автор: XIANG Liu,Wei Qin,Heecheol KIM. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20230225101A1. Автор: Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US12120862B2. Автор: Liang Zhao,Wenfeng Wang,Jinping Sun. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240243165A1. Автор: Hsin-cheng Lin,Chee-Wee Liu,Tao Chou. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and method

Номер патента: US09450063B2. Автор: Gerhard Prechtl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20110151649A1. Автор: James A. Cooper,Xiaokun Wang. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2011-06-23.

Array substrate and method of fabricating the same

Номер патента: US09842934B2. Автор: Sang-Hyun Bae,Ju-Yeon Kim,Yong-Woo Yoo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Optoelectronic device, photonic detector and method of producing an optoelectronic device

Номер патента: US12027559B2. Автор: Urs Denier,Andreas Fitzi. Владелец: ams International AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Packaging conductive structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110143531A1. Автор: J. B. Chyi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-16.

Array substrate, method of fabricating the same, display panel and display device

Номер патента: US09793366B2. Автор: Dong Li,Zheng Liu,Xiaolong Li. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for fabricating a semiconductor device having a multi-bridge-channel

Номер патента: US20070161168A1. Автор: Sung-min Kim,Sung-Young Lee,Eun-Jung Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-12.

Method for forming a semiconductor device having a fin and structure thereof

Номер патента: WO2007127533A2. Автор: Marius K. Orlowski. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-11-08.

Image sensor and method for manufacturing image sensor

Номер патента: US20190221601A1. Автор: Yosuke Kitamura,Xiaolu Huang,Xiangnan LV. Владелец: Huaian Imaging Device Manufacturer Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor layer structure

Номер патента: US12148821B2. Автор: Martin Andreas OLSSON. Владелец: Epinovatech AB. Дата публикации: 2024-11-19.

Light receiving device and method for manufacturing light receiving device

Номер патента: US09525087B2. Автор: Hiroshi Inada,Yukihiro Tsuji. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Solar cell and method for manufacturing the same, and solar cell module

Номер патента: US09490375B2. Автор: Yoichiro Nishimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US8901622B2. Автор: Hiroshi Kono,Takashi Shinohe,Chiharu Ota,Kazuto Takao. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-02.

Methods for forming semiconductor devices including thermal processing

Номер патента: US20040102015A1. Автор: Wan-Don Kim,Cha-young Yoo,Suk-Jin Chung,Jae-Hyoung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-05-27.

Radially stacked solar cells based on 2D atomic crystals and methods for their production

Номер патента: US10680129B1. Автор: Francesca Cavallo,Vijay Saradhi Mangu. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2020-06-09.

Nanotube permeable base transistor and method of making same

Номер патента: EP1537605A1. Автор: Thomas Rueckes,Brent M. Segal,Bernhard Vogeli. Владелец: Nantero Inc. Дата публикации: 2005-06-08.

Method for manufacturing back-contact cell

Номер патента: EP4386867A1. Автор: Hua Li,Weiming Lu,Yupeng JIN,Zhonglan LI. Владелец: Taizhou Longi Solar Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230343851A1. Автор: Huilong Zhu,Weixing Huang. Владелец: Beijing Superstring Academy of Memory Technology. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor structures utilizing thin film resistors and tungsten plug connectors and methods for making the same

Номер патента: WO2006071617A3. Автор: Ralph B Danzl. Владелец: Ralph B Danzl. Дата публикации: 2006-09-08.

Methods for manufacturing magnetic memory devices

Номер патента: US09954164B2. Автор: Yoonjong Song,Daeeun JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

TFT substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09645459B2. Автор: YUAN Xiong,Shui-Chih Lien. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09502519B2. Автор: Hsin-Yu Chen,Sheng-Hao Lin,Huai-Tzu Chiang,Hao-Ming Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Process for forming thin film transistor

Номер патента: US20020048867A1. Автор: Shih-Ming Chen,Chih-Yu Peng,In-Cha Hsieh,Chia-Sheng Ho. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2002-04-25.

Bipolar junction transistor guard ring structures and method of fabricating thereof

Номер патента: EP2589083A1. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2013-05-08.

Bipolar junction transistor guard ring structures and method of fabricating thereof

Номер патента: WO2012002999A1. Автор: John V. Veliadis. Владелец: Northrop Grumman Systems Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Thin film transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20020076862A1. Автор: Jr-Hong Chen,I-Min Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2002-06-20.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12082396B2. Автор: Kun Young Lee,Seo Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US12114501B2. Автор: Jin-Ha Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US09818936B2. Автор: Sang-soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor substrate and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653416B2. Автор: Yoshiaki Takemoto,Hisashi Ishida,Chihiro Migita. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230066509A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Image sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100108973A1. Автор: Byung-Ho Lee. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-05-06.

Method for making a pedestal fuse

Номер патента: US20010034084A1. Автор: William Motsiff,Timothy Daubenspeck,Dennis Bouldin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-10-25.

Colorless transparent semiconductor substrate and method for manufacturing same

Номер патента: US11894476B2. Автор: Kang Min Lee,Kwan Yong Seo. Владелец: UNIST Academy Industry Research Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030034550A1. Автор: Goro Nakatani. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for producing two n-type buried layers in an integrated circuit

Номер патента: WO2018049336A1. Автор: Tony Phan,Billy Alan WOFFORD. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2018-03-15.

Solar cell apparatus and method of fabricating the same

Номер патента: US09954122B2. Автор: Chin Woo Lim. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Method for manufacturing oxide thin film transistor (tft) array substrate

Номер патента: US20150348996A1. Автор: XIANG Liu,Wei Qin,Heecheol KIM. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-03.

Method of patterning a semiconductor layer

Номер патента: US20230371293A1. Автор: Yi-Ming Chang. Владелец: Raynergy Tek Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240224495A1. Автор: Seung Hwan Kim,Gil Seop KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Lens assembly and method for forming the same

Номер патента: US20110069395A1. Автор: Chieh-Yuan Cheng,Tzy-Ying Lin. Владелец: VisEra Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Semiconductor device having two insulated gates and capable of thyristor function and method for operating the same

Номер патента: US5608238A. Автор: Hideo Matsuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

System and method for cmos image sensing

Номер патента: US20110070677A1. Автор: Hong Zhu,Jim Yang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2011-03-24.

Method for Forming Sidewall in Forksheet Structure and Forksheet Semiconductor Device

Номер патента: US20230261081A1. Автор: Guangxing Wan,Waisum Wong. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for making a stressed non-volatile memory device

Номер патента: US20100248466A1. Автор: Brian A. Winstead,Konstantin V. Loiko,Taras A. Kirichenko. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-09-30.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20050186771A1. Автор: Yoshihiko Nemoto,Kazumasa Tanida,Mitsuo Umemoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-25.

Double-sided capacitor structure and method for forming the same

Номер патента: US11984472B2. Автор: Yong Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for preparing the same

Номер патента: US20240047520A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-08.

Pixel, associated image sensor, and method

Номер патента: US11843019B2. Автор: Gang Chen,Hui Zang,Cunyu Yang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Nitride-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240055509A1. Автор: Chao Yang,Chunhua ZHOU,Jingyu SHEN,Qiyue Zhao. Владелец: Innoscience Suzhou Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Method for forming stacked structure

Номер патента: US20160118586A1. Автор: HE Qian,YUE BAI,Huaqiang Wu,Minghao WU. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for preparing the same

Номер патента: US20230352524A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Image sensor and method for manufacturing image sensor

Номер патента: US10741603B2. Автор: Yosuke Kitamura,Xiaolu Huang,Xiangnan LV. Владелец: Huaian Imaging Device Manufacturer Corp. Дата публикации: 2020-08-11.

Pixel, associated image sensor, and method

Номер патента: US20210151494A1. Автор: Gang Chen,Hui Zang,Cunyu Yang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Gate cut method for replacement metal gate integration

Номер патента: US09818836B1. Автор: Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Dong-Ick Lee. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of fabricating switching element and method of manufacturing resistive memory device

Номер патента: US20170352807A1. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240194768A1. Автор: Taegon Kim,Gilhwan Son,Jihye Yi,Sihyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Systems and Methods for Conversion of Solar Energy to Electric Power

Номер патента: US20190222166A1. Автор: Mathew M. Zuckerman. Владелец: Nex-Gen Solar Technologies LLC. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US12100732B2. Автор: Chia-Wei Hsu,Jam-Wem Lee,Bo-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of fabricating switching element and method of manufacturing resistive memory device

Номер патента: US09960350B2. Автор: Tae Jung Ha. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Organic light-emitting diode display and method of manufacturing the same

Номер патента: US09640761B2. Автор: Chungi You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12142588B2. Автор: Jaehyung Park,Hoonjoo NA,Seokho KIM,Joohee Jang,Kyuha Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-12.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US7792172B2. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-09-07.

Nitride semiconductor laser device

Номер патента: US20090116528A1. Автор: Shigetoshi Ito,Yoshinobu Kawaguchi,Takeshi Kamikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-05-07.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US20200244041A1. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Nitride semiconductor laser device and semiconductor laser apparatus

Номер патента: US11133651B2. Автор: Yoshihiko Tani,Yuhzoh Tsuda,Akinori Noguchi,Yoshimi TANIMOTO. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2021-09-28.

Nitride semiconductor laser diode

Номер патента: US8514904B2. Автор: Takashi Miyoshi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2013-08-20.

Semiconductor laser elements and method of making same

Номер патента: US6463087B1. Автор: Satoshi Uchida,Masayoshi Ashida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-10-08.

Method for producing a group iii nitride semiconductor

Номер патента: US20230257902A1. Автор: Takayuki Sato,Miki Moriyama,Masateru YAMAZAKI,Taku Fujimori. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Blank for forming a wrap-around, pack made out of this blank, and method of forming a series of such blanks

Номер патента: EP3129216A1. Автор: Adam Lunn,Kevin DUDMAN. Владелец: Coveris Flexibles UK Ltd. Дата публикации: 2017-02-15.

A hot press forming apparatus and a method for hot press forming a blank

Номер патента: EP3962673A1. Автор: Lars Sandberg,Joakim INNALA,Petter ULFBERG. Владелец: Autotech Engineering SL. Дата публикации: 2022-03-09.

Apparatus and method for high speed forming a hinged carton

Номер патента: US4549876A. Автор: Thomas R. Baker,William H. Hittenberger,Boris J. Posen. Владелец: Kliklok LLC. Дата публикации: 1985-10-29.

Photonic spectrometry device and method, method for calibrating the device, and use of the device

Номер патента: US09400336B2. Автор: Eric Berruyer. Владелец: AREVA NP SAS. Дата публикации: 2016-07-26.

Systems and methods for dynamic blocks forming a passageway

Номер патента: US9795866B2. Автор: Jeb Belcher,Earl Wilson Belcher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for laminating and forming a composite laminate in a single operation

Номер патента: EP1401647A2. Автор: David D'arcy Clifford. Владелец: Dofasco Inc. Дата публикации: 2004-03-31.

Method for forming a semiconductor device contact structure comprising a contour

Номер патента: US6077740A. Автор: Nanseng Jeng,Paul J. Schuele,Steven T. Harshfield. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US20030092275A1. Автор: Chun Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Method for implanting and coding a read-only memory with automatic alignment at four corners

Номер патента: US6649526B2. Автор: Chun Yi Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-18.

Circuit board and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080158836A1. Автор: Chien Hao WANG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2008-07-03.

Surface acoustic wave device and method for fabricating the same

Номер патента: US20230009982A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Shih-Hung Tsai,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20070020848A1. Автор: Nobuyoshi Takahashi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315050A1. Автор: Che-Wei Chang,Hui-Lin WANG,Chen-Yi Weng,Ching-Hua Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Dynamic random access memory and method for forming the same

Номер патента: US20240121936A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240315151A1. Автор: Yong Hun SUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for forming a capacitor using a hemispherical-grain structure

Номер патента: US5837581A. Автор: Chih-Hsiung Cheng. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 1998-11-17.

System and method for processing image data

Номер патента: WO2005059827A3. Автор: Jeff Glickman. Владелец: Jeff Glickman. Дата публикации: 2006-05-11.

Method for decoding and encoding a video signal

Номер патента: WO2007040370A1. Автор: Seung Wook Park,Byeong Moon Jeon,Ji Ho Park,Dong Seok Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2007-04-12.

Flexible pressure sensors, conductive transfers, and methods of manufacture for such

Номер патента: GB2628117A. Автор: Austin Andrew,Rawcliffe Nick,Jelen Jacob. Владелец: Infi Tex Ltd. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240251542A1. Автор: Wen-Chieh Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method for coating and forming novel material layer structure of high-frequency circuit board and article thereof

Номер патента: US20240244763A1. Автор: LongKai LI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-18.

Display panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240268199A1. Автор: Hyuneok Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor data storage devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11690231B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12089420B2. Автор: Yongjae Kim,Seung Pil KO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Systems And Methods For Leukoreducing A Red Blood Cell-Containing Fluid And Concentrated Red Blood Cells

Номер патента: US20160289638A1. Автор: Daryl R. Calhoun,Daniel R. Lynn. Владелец: Fenwal Inc. Дата публикации: 2016-10-06.

A method for fabricating a glass assembly, a glass assembly and a window assembly

Номер патента: WO2024208164A1. Автор: LU Wang,Daming Li,Yiheng Zhang. Владелец: SAINT-GOBAIN GLASS FRANCE. Дата публикации: 2024-10-10.

Devices and methods for electric field driven on-demand separation of liquid-liquid mixtures

Номер патента: US09834459B2. Автор: Anish Tuteja,Arun Kumar Kota,Gibum Kwon. Владелец: University of Michigan. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for manufacturing stamper, stamper and optical recording medium

Номер патента: EP1510599A3. Автор: Morio Tomiyama,Yuuko Kawaguchi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-03.

System and method for separating high value by-products from grains used for alcohol production

Номер патента: US09732302B2. Автор: Chie Ying Lee. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-15.

Luster pigment and method for producing the same

Номер патента: US20200148887A1. Автор: Takao TSUKIMORI,Akika Kamei,Tomoe HORI. Владелец: Oike and Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor chip with embedded microfluidic channels and method of fabricating the same

Номер патента: US20240208806A1. Автор: Wei-Yang WENG,Jun-Chau Chien. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-06-27.

Systems and methods for leukoreducing a red blood cell-containing fluid and concentrated red blood cells

Номер патента: WO2016160198A1. Автор: Daryl R. Calhoun,Daniel R. Lynn. Владелец: Fenwal, Inc.. Дата публикации: 2016-10-06.

Systems and methods for leukoreducing a red blood cell-containing fluid and concentrated red blood cells

Номер патента: EP3277335A1. Автор: Daryl R. Calhoun,Daniel R. Lynn. Владелец: Fenwal Inc. Дата публикации: 2018-02-07.

Apparatus, system, and method for separating minerals from mineral feedstock

Номер патента: WO2007056670A3. Автор: Jay Duke,Shane Duke. Владелец: Shane Duke. Дата публикации: 2007-11-01.

Method for producing a tin-zinc alloy film

Номер патента: US20030026913A1. Автор: Takeo Oki,Yoshihiko Masuo,Hideyuki Kanematsu,Hirohiko Ohmura. Владелец: Suzuka National College of Technology. Дата публикации: 2003-02-06.

Method for producing a tin-nickel alloy film

Номер патента: US20020069943A1. Автор: Takeo Oki,Yoshihiko Masuo,Hideyuki Kanematsu. Владелец: Suzuka National College of Technology. Дата публикации: 2002-06-13.

Method for synthesis of n-substituted salicylamides

Номер патента: RU2411234C2. Автор: Бернхар РИСС. Владелец: НОВАРТИС АГ. Дата публикации: 2011-02-10.

Method for Producing Diaryl Carbonate

Номер патента: US20120316357A1. Автор: Nobuhisa Miyake,Budianto Nishiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-12-13.

System and method for forming bone, ligament and bone-ligament constructs

Номер патента: WO2008097906A3. Автор: Ellen M Arruda,Fatima N Syed-Picard,Lisa M Larkin. Владелец: Lisa M Larkin. Дата публикации: 2008-11-06.

Method for isolating and/or purifying nucleic acid(s)

Номер патента: EP2576779A1. Автор: Roland Fabis,Jan Petzel. Владелец: QIAGEN GmbH. Дата публикации: 2013-04-10.

Plating method for printed layer

Номер патента: US09951424B2. Автор: Joseph Huang. Владелец: Hoey Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

System and method for separation of particles

Номер патента: WO1999036111A1. Автор: Raymond P. Goodrich,Todd Curtis Green. Владелец: Cobe Laboratories, Inc.. Дата публикации: 1999-07-22.

Method for forming three-dimensional object

Номер патента: US20180147775A1. Автор: Hirofumi Hara,Masaya Nagahari. Владелец: MIMAKI ENGINEERING CO LTD. Дата публикации: 2018-05-31.

Method for forming pattern and method for fabricating LCD device using the same

Номер патента: US20070148603A1. Автор: Jae Oh,Hye Lee. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Systems and methods for forming corrugated boards with ultrasound

Номер патента: US12023891B2. Автор: Hanko Kiessner. Владелец: PACKSIZE LLC. Дата публикации: 2024-07-02.

Systems and methods for forming corrugated boards with ultrasound

Номер патента: AU2021430299A1. Автор: Hanko Kiessner. Владелец: PACKSIZE LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Systems and methods for forming corrugated boards with ultrasound

Номер патента: US20230294376A1. Автор: Hanko Kiessner. Владелец: PACKSIZE LLC. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for detecting target particle

Номер патента: US09841418B2. Автор: Takuya Hanashi. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Manufacturing method for separation film and separation film

Номер патента: EP4309770A1. Автор: Kensuke Tani,Hisae Shimizu,Shunsuke SAYAMA,Daiki IWASAKI. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2024-01-24.

Method, device and system for forming fusion model, medium, processor and terminal

Номер патента: EP3828735A1. Автор: He Yu,Qi Wang,Wenjing Zhou. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2021-06-02.

Apparatus and method for forming an article

Номер патента: US20010048185A1. Автор: Donald Weder,Frank Craig,Michael King. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Apparatus for forming an article

Номер патента: US6296466B2. Автор: Donald E. Weder,Frank Craig,Michael J. King. Владелец: Southpac Trust International Inc, Highland. Дата публикации: 2001-10-02.

Fabricating method for micro gas sensor and the same

Номер патента: WO2009084871A1. Автор: Seong Dong Kim,Kwang Bum Park,Min Ho Lee,Joon Shik Park. Владелец: KOREA ELECTRONICS TECHNOLOGY INSTITUTE. Дата публикации: 2009-07-09.

System and method for separation of particles

Номер патента: EP1493459A1. Автор: Raymond P. Goodrich,Todd Curtis Green. Владелец: Gambro Inc. Дата публикации: 2005-01-05.

Pressure sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09719873B2. Автор: Takeshi Murata,Masao Yamada,Naoki Fujimoto,Katsunori Tanida. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Systems and methods for separating and/or isolating nanoparticles within a gaseous medium

Номер патента: US20230321572A1. Автор: Kui-Chiu Kwok,Andrew G. PLATT,Lenny Pompeo. Владелец: Lms Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Systems and methods for separating and/or isolating nanoparticles within a gaseous medium

Номер патента: WO2023196646A1. Автор: Kui-Chiu Kwok,Andrew G. PLATT,Lenny Pompeo. Владелец: Swm Luxembourg. Дата публикации: 2023-10-12.

Photomask and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130316269A1. Автор: LIANG Xu,Dong Ye. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Method for manufacturing optical information recording medium

Номер патента: US09905260B2. Автор: Tatsuo Mikami. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of data write therein

Номер патента: US20130021848A1. Автор: Masaru Kito,Hitoshi Iwai,Hideaki Aochi,Tomoko Fujiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Method for manufacturing liquid crystal device

Номер патента: US09823513B2. Автор: Hyeon Gu Cho. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for producing object

Номер патента: US09802363B2. Автор: Atsushi Denda,Kenji Kitada,Maki Nariai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Data management system and method for membrane separation systems

Номер патента: US09764075B2. Автор: Kyungyoon Min,William H. Cork,Bryan Blickhan. Владелец: Fenwal Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Balloon with dividing fabric layers and method for braiding over three-dimensional forms

Номер патента: US09422650B2. Автор: Charles L. Simpson. Владелец: CR Bard Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Device and method for separating components of a fluid sample

Номер патента: US7972578B2. Автор: Paul C. DiCesare,Richmond Cohen. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2011-07-05.

Device and method for separating individual fluids from a mixture of fluids

Номер патента: US4707267A. Автор: Homer K. Johnson. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1987-11-17.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US7816160B2. Автор: Chikara Watatani,Takashi Nagira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20090246903A1. Автор: Chikara Watatani,Takashi Nagira. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Method for preventing TMR MRR drop of slider and micro-texture forming method in same process

Номер патента: US20080000075A1. Автор: Hongtao Ma,Hongxin Fang,Baohua Chen. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2008-01-03.

System and method for synchronised cutting and filling

Номер патента: RU2561743C2. Автор: Еудженио БОРТОНЕ. Владелец: Фрито-Лэй Норт Америка, Инк.. Дата публикации: 2015-09-10.

Apparatus and method for separating the pulp from the skin of fruit such as tomatoes

Номер патента: CA1167729A. Автор: Jesus A. Silvestrini. Владелец: Imdec Srl. Дата публикации: 1984-05-22.

Planar buried optical waveguides in semiconductor substrate and methods of forming

Номер патента: US20240019632A1. Автор: Young-Kai Chen. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Planar buried optical waveguides in semiconductor substrate and methods of forming

Номер патента: EP4307034A1. Автор: Young-Kai Chen. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Apparatus and method for separating plants

Номер патента: US09358586B2. Автор: Bob Tipton,Claude Edward BROWN,Darrell Mintz,Glenn Sakuma,Tom Loftus,Joseph Oran Shannon. Владелец: Agricultural Robotics LLC. Дата публикации: 2016-06-07.

Ravioli analogs and methods for making such analogs

Номер патента: RU2650389C2. Автор: Линн Энн Герхарт. Владелец: НЕСТЕК СА. Дата публикации: 2018-04-11.

Device for separating components of a fluid sample

Номер патента: US6516953B1. Автор: Jeffrey Karg,Jeffrey P. Radziunas,Paul C. DiCesare,Fu-Chung Lin. Владелец: Becton Dickinson and Co. Дата публикации: 2003-02-11.

Systems and methods for forming corrugated boards with ultrasound

Номер патента: CA3209134A1. Автор: Hanko Kiessner. Владелец: PACKSIZE LLC. Дата публикации: 2022-09-01.

Systems and methods for forming corrugated boards with ultrasound

Номер патента: EP4281283A1. Автор: Hanko Kiessner. Владелец: PACKSIZE LLC. Дата публикации: 2023-11-29.

Flexible touch screen panel and method of manufacturing the same

Номер патента: US09582087B2. Автор: Sung-ku Kang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Device and method of decorating metal container using digital printing on conveyor belt

Номер патента: RU2721500C1. Автор: Адам П.С. СТОУВИТС. Владелец: Бол Корпорейшн. Дата публикации: 2020-05-19.

Method for manufacturing separation membrane and separation membrane

Номер патента: US20240189779A1. Автор: Kensuke Tani,Hisae Shimizu,Shunsuke SAYAMA,Daiki IWASAKI. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Method for regenerating adsorption media using carbon dioxide

Номер патента: CA3203639A1. Автор: Linjie Hu,Haiqing Liu,Shazam S. Williams. Владелец: Granitefuel Engineering Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method for regenerating adsorption media using carbon dioxide

Номер патента: EP4263046A1. Автор: Linjie Hu,Haiqing Liu,Shazam S. Williams. Владелец: Granitefuel Engineering Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Apparatus and method for eliminating noise

Номер патента: US9123347B2. Автор: Ji Hun Park,Hong Kook Kim,Woo Kyeong SEONG. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2015-09-01.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRAHIGH DENSITY VERTICAL NAND MEMORY DEVICE AND METHOD OF MAKING THEREOF

Номер патента: US20120001247A1. Автор: Alsmeier Johann. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR FORMING A PHOTOVOLTAIC CELL AND A PHOTOVOLTAIC CELL

Номер патента: US20120000529A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR. Дата публикации: 2012-01-05.

DECORATION DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING DECORATION DEVICE

Номер патента: US20120003426A1. Автор: . Владелец: SIPIX CHEMICAL INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20120003811A1. Автор: . Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR SPUTTERING A RESISTIVE TRANSPARENT BUFFER THIN FILM FOR USE IN CADMIUM TELLURIDE BASED PHOTOVOLTAIC DEVICES

Номер патента: US20120000768A1. Автор: . Владелец: PRIMESTAR SOLAR, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Formation of III-V Based Devices on Semiconductor Substrates

Номер патента: US20120001239A1. Автор: Wann Clement Hsingjen,KO Chih-Hsin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR PRODUCING A SOLUBLE COCOA PRODUCT FROM COCOA POWDER

Номер патента: US20120003355A1. Автор: . Владелец: BARRY CALLEBAUT AG. Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD FOR SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120003778A1. Автор: OOTAKE Hajime. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING POWER STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120003139A1. Автор: Kawakami Takahiro,Miwa Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

System and Method of Making Tapered Looped Suture

Номер патента: US20120004686A1. Автор: Maiorino Nicholas,Bowns William R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DEVICE FOR USE WITH MEASURING SOIL GAS AND METHOD OF USE

Номер патента: US20120000298A1. Автор: Cox Craig A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS FOR APCDD1 MEDIATED REGULATION OF HAIR GROWTH AND PIGMENTATION AND MUTANTS THEREOF

Номер патента: US20120003244A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR COMPUTING NECESSARY TIME FOR TRAVEL BASED ON WAITING TIME

Номер патента: US20120004840A1. Автор: . Владелец: NHN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for forming involute plastic articles from thermoplastic sheet material

Номер патента: CA1077668A. Автор: Robert F. Mulvany (Jr.). Владелец: Individual. Дата публикации: 1980-05-20.

Methods for forming fine patterns in semiconductor substrates

Номер патента: MY129097A. Автор: Sang-jun Choi,Joo-tae Moon,Yool Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-30.

Method for forming electrode of group III nitride semiconductor

Номер патента: JP4627850B2. Автор: 晋 近江,邦啓 高谷. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-02-09.

Method for forming a mold

Номер патента: CA2048973C. Автор: Luis Alejandro AMATO MARTÍNEZ GARZA. Владелец: Vidrio Plano de Mexico SA de CV. Дата публикации: 1995-08-29.

CONTROL SYSTEM AND METHOD OF USE FOR CONTROLLING CONCENTRATIONS OF ELECTROLYZED WATER IN CIP APPLICATIONS

Номер патента: US20120000488A1. Автор: Herdt Brandon,Ryther Robert. Владелец: ECOLAB USA INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITIONS AND METHODS OF DELIVERY OF PHARMACOLOGICAL AGENTS

Номер патента: US20120004177A1. Автор: Trieu Vuong,Desai Neil P.,Soon-Shiong Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Nitride semiconductor light emitting element structure, and method of forming the same

Номер патента: JP2011029218A. Автор: Satoshi Komada,聡 駒田. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-02-10.

Semiconductor substrate and the method for processing a semiconductor substrate

Номер патента: TW200943497A. Автор: Yuan-Chang Su,Kun-Ting TSAI,Geng-Lin Lee. Владелец: Advanced Semiconductor Eng. Дата публикации: 2009-10-16.

Method for making silver chloride electrode

Номер патента: GEP20237549B. Автор: Elgudja Butskhrikidze,Vladimer Fadiurashvili,Tamaz Dzagania,Archil Frangishvili. Владелец: Saqartvelos Teqnikuri Univ. Дата публикации: 2023-10-10.