Nitride semiconductor substrate, method for forming a nitride semiconductor layer and method for separating the nitride semiconductor layer from the substrate
Номер патента: US20080054292A1
Опубликовано: 06-03-2008
Автор(ы): Chih-Ming Lai, Jenq-Dar Tsay, Po-Chun Liu, Yih-Der Guo
Принадлежит: Industrial Technology Research Institute ITRI
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 06-03-2008
Автор(ы): Chih-Ming Lai, Jenq-Dar Tsay, Po-Chun Liu, Yih-Der Guo
Принадлежит: Industrial Technology Research Institute ITRI
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Nitride semiconductor device and substrate thereof, method for forming rare earth element-added nitride layer, and red-light emitting device and method for manufacturing the same
Номер патента: US12074254B2. Автор: Jun Tatebayashi,Yasufumi Fujiwara,Shuhei ICHIKAWA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2024-08-27.