Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • System and method of UV programming of non-volatile semiconductor memory

System and method of UV programming of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09607999B2
Опубликовано: 28-03-2017
Автор(ы): Chih-Hsien Lin, Hsiang-Tai Lu
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

System and method of uv programming of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20160035737A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

SYSTEM AND METHOD OF UV PROGRAMMING OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20160035737A1. Автор: Lin Chih-Hsien,Lu Hsiang-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

Non-volatile semiconductor memory device and method of making the same

Номер патента: WO2008096802A1. Автор: Masaru Kito,Mitsuru Sato,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2008-08-14.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8411477B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Non-Volatile Semiconductor Storage Device

Номер патента: US20150311219A1. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9646979B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252289B2. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09646979B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20030008488A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20010021133A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device having depletion-type and enhancement-type channel regions

Номер патента: US09424924B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12058862B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130187216A1. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09985050B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741738B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180082750A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Non-volatile semiconductor memory device with alternative metal gate material

Номер патента: US20080217677A1. Автор: Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-11.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09502109B2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US6809966B2. Автор: Hung-Jin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-26.

Non-volatile semiconductor memory cell with control gate and floating gate and select gate located above the channel

Номер патента: US5859455A. Автор: Shih-Chiang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-01-12.

Non-volatile semiconductor memory device, drive method and manufacturing method

Номер патента: US7531866B2. Автор: Takashi Yuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Non-volatile semiconductor memory device, drive method and manufacturing method

Номер патента: US20060180849A1. Автор: Takashi Yuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5394357A. Автор: Shih-Chiang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-02-28.

Non-volatile semiconductor memory device capable of high-speed data reading

Номер патента: US20030210570A1. Автор: Hiroshi Kato,Tsukasa Ooishi,Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9171623B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-27.

Non-volatile semiconductor device, and method of operating the same

Номер патента: US8837227B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-09-16.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11844218B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US7933151B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-26.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US09548087B2. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210057028A1. Автор: Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070194370A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Hiroshi Ishida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09928925B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09613719B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09548126B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-17.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8427859B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-23.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8542513B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-24.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8760910B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, Methods Of Forming Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, And Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20110261607A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit device including the non-volatile semiconductor memory element

Номер патента: US20070114594A1. Автор: Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8461638B2. Автор: Masakuni Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Non-volatile semiconductor memory device and its manufacturing method

Номер патента: US20140183617A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Toshitake Yaegashi,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8138489B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-20.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100117047A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140016398A1. Автор: Takuya Konno,Kazuhiko Yamamoto,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20110299319A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Fabricating method of non-volatile memory device

Номер патента: US10026644B2. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US10068910B2. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070092997A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US20130163363A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US20140293724A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: WO2011123583A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2011-10-06.

A daisy chain arrangement of non-volatile memories

Номер патента: EP1999601A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-10.

Manufacturing method of non-volatile semiconductor memory device and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170256554A1. Автор: Hiroaki Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor memory device and structure

Номер патента: US09953994B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170256554A1. Автор: NAITO Hiroaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-09-07.

Device and method for improved threshold voltage distribution for non-volatile memory

Номер патента: US09524784B1. Автор: Cheng-Hsien Cheng,Chih-Wei Lee,Wen-Pin Lu,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor memory and method of writing data into the semiconductor memory

Номер патента: US20080144359A1. Автор: Keiichi Hashimoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Non-volatile memory cell devices and methods, having a storage cell with two sidewall bit cells

Номер патента: US09390799B2. Автор: Yue-Der Chih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080279001A1. Автор: Chih-Chen Cho,Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080144395A1. Автор: Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

System and method for minimizing floating gate to floating gate coupling effects during programming in flash memory

Номер патента: EP3729276A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

System and method for minimizing floating gate to floating gate coupling effects during programming in flash memory

Номер патента: US20200176060A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-04.

System and method for minimizing floating gate to floating gate coupling effects during programming in flash memory

Номер патента: US20190189214A1. Автор: Hieu Van Tran,Nhan Do,Vipin Tiwari. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120068256A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Ryo Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Non-volatile semiconductor memory device and operating method for a non-volatile semiconductor memory device and method for programming information into a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE4311358C2. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya,Natsuo Ajika,Hiroshi Onoda,Atsushi Fukumoto,Makoto Ohi,Yuichi Kunori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-07-22.

The manufacture method of non-volatility memorizer and non-volatility memorizer

Номер патента: CN103378105B. Автор: 朴健植,白圭夏. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-02-03.

Program method of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: KR100223868B1. Автор: 최웅림. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US12075617B2. Автор: Toshiyuki Kanaya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of fabricating a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US7553728B2. Автор: Makoto Mizukami,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: EP1425756A1. Автор: Woong-Lim Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-09.

Method of making non-volatile semiconductor memory arrays

Номер патента: US5966601A. Автор: Chen Ling,Siu-han Liao. Владелец: Holtek Microelectronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Non-volatile semiconductor memory device comprising capacitive coupling program inhibit circuitry

Номер патента: US8107300B2. Автор: Taku Ogura,Natsuo Ajika. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2012-01-31.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140286103A1. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Yu Suzuki,Masayuki Akou,Akimichi Goyo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US7911844B2. Автор: Koji Hosono,Takashi Aoi,Masaru Koyanagi,Mitsuhiro Noguchi,Kenji Gomikawa,Dai Nakamura,Hiroyuki Kutsukake,Takeshi Shimane. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-22.

Non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: US09646700B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Method of forming pairs of three-gate non-volatile flash memory cells using two polysilicon deposition steps

Номер патента: US20230238453A1. Автор: FENG Zhou,Chunming Wang,Nhan Do,Xian Liu,Chien-Sheng Su. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20240249784A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor memory devices with diode-connected mos

Номер патента: US20230307074A1. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor memory devices with diode-connected MOS

Номер патента: US11955191B2. Автор: Yih Wang,Perng-Fei Yuh,Chia-En HUANG,Tung-Cheng Chang,Chun-Ying Lee,Gu-Huan Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

DESIGNING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140146594A1. Автор: Hayakawa Yukio,TSUJI Kiyotaka,Yoneda Shinichi,Kawahara Akifumi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-05-29.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8743589B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-03.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: EP2553684A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-06.

Dual performance trim for optimization of non-volatile memory performance, endurance, and reliability

Номер патента: US11894060B2. Автор: Ajay Shyam Manwani. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: TW201203519A. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2012-01-16.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: IL222207A0. Автор: . Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2012-12-31.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: SG184371A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: IL222207A. Автор: . Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: EP2966648B1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-07.

Dual performance trim for optimization of non-volatile memory performance, endurance, and reliability

Номер патента: US20230307054A1. Автор: Ajay Shyam Manwani. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

DATA STORING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, AND DATA WRITE CIRCUIT OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150213890A1. Автор: Katoh Yoshikazu. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

Non-volatile memory, memory card and information processing device using same, and software write protect control method of non-volatile memory

Номер патента: KR960009220A. Автор: 마나부 이노우에,다카오 오쿠보,시게루 가도와키,사토루 나카니시,마사미치 키시,시게루 스즈키,야스로 구보타,히로노리 이와사키. Владелец: 히타치 도오부 세미콘덕터 가부시키가이샤. Дата публикации: 1996-03-22.

Physical unclonable function device and method

Номер патента: US20240296253A1. Автор: Francesco La Rosa. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-09-05.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: US12051468B2. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: EP4433892A1. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: WO2023091186A1. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-05-25.

METHOD OF CONTROLLING ERROR CHECK AND CORRECTION (ECC) OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20190026181A1. Автор: YOON SANG-YONG,Park Sang-In,PARK Il-Han,KIM JI-SUK,RHIM Gyu-Seon,CHOI Sung-Woon. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Method for producing active structure of non-volatile resistive memory element

Номер патента: RU2749028C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Алексеевич Володин,Геннадий Николаевич Камаев,Андрей Андреевич Гисматуллин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2021-06-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09741439B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09437301B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Apparatus and architecture of non-volatile memory module in parallel configuration

Номер патента: US12014078B2. Автор: Kong-Chen Chen. Владелец: Entrantech Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Array of non-volatile memory cells to store data in analog form and digital form

Номер патента: US20240220154A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of controlling error check and correction (ECC) of non-volatile memory device and memory system performing the same

Номер патента: KR102326659B1. Автор: 김지석,최성운,윤상용,박상인,박일한,임규선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-11-16.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120002475A1. Автор: Hiroyuki Nagashima,Koki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for non-real time reprogramming of non-volatile memory to achieve tighter distribution of threshold voltages

Номер патента: EP2030205A2. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-03-04.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US20070280003A1. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070230246A1. Автор: Akira Umezawa,Jin Kashiwagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US7372733B2. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-13.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20130308384A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20150098273A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

One-time uv-programmable non-volatile semiconductor memory and method of programming such a semiconductor memory

Номер патента: WO2001084632A1. Автор: Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-11-08.

One-time uv-programmable non-volatile semiconductor memory and method of programming such a semiconductor memory

Номер патента: EP1281204A1. Автор: Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-02-05.

Data decoding method of non-volatile memory device and apparatus for performing the method

Номер патента: US09672942B2. Автор: Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Kwang Hoon Kim,Beom Kyu Shin,Pil Sang Yoon,Ung Hwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Programming method of non-volatile memory cell

Номер патента: US20240055053A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chun-Yuan Lo,Chang-Chun Lung,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Integrated circuit and method capable of minimizing circuit area of non-volatile memory circuit

Номер патента: US11863209B2. Автор: Ee Wen Chun,Shang Chan Kong. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Health management of non-volatile memory

Номер патента: US09965345B2. Автор: Yi Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Memory system and error correcting method of the same

Номер патента: US20180165151A1. Автор: Jung-Hyun Kwon,Sung-Eun Lee,Sang-Gu JO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of controlling service life of non-volatile memory

Номер патента: RU2600525C2. Автор: Самюэль ШАРБУЙО,Ив ФУЗЕЛЛА,Стефан РИКАР. Владелец: Старшип. Дата публикации: 2016-10-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5428569A. Автор: Hideo Kato,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Kaoru Tokushige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US6990018B2. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker N. Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-01-24.

Non-volatile semiconductor memory device with improved layout

Номер патента: US5166900A. Автор: Ichirou Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-11-24.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers

Номер патента: US20240256146A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Erase control circuit and method of non-volatile semiconductor memory device, and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200286565A1. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Improving data retention of last word line of non-volatile memory arrays

Номер патента: EP2340537A1. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-07-06.

Erasing of a word or a page of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20240312517A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11798619B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336011A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Output block for a vector-by-matrix multiplication array of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2024172829A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Enhanced operations of non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US20240282392A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,Frank Wanfang TSAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile semiconductor memory with nitride sidewall contacting nitride layer of ONO gate stack and methods for producing the same

Номер патента: US09461138B2. Автор: Takaoki Sasaki,Yohei Fukumoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336010A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11915747B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Erase speed adjustment for endurance of non-volatile storage

Номер патента: US20150200019A1. Автор: Dana Lee,Henry Chin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-07-16.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: EP4128239A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Non-volatile semiconductor memory device, and manufacture method for non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100001338A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: US09715935B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Memories including multiple arrays of non-volatile memory cells selectively connected to sense circuitry using different numbers of data lines

Номер патента: US20180286482A1. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

File storage type non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030185054A1. Автор: Teruhiko Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Starting program voltage shift with cycling of non-volatile memory

Номер патента: US7633812B2. Автор: Jeffrey Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-12-15.

Non-volatile semiconductor memory device and method of controlling the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Hiroyuki Kaga,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040027859A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Non-volatile semiconductor memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09786376B2. Автор: Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672922B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210296353A1. Автор: Hikari TAJIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Non-volatile semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US09424934B2. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Bias conditions for repair, program and erase operations of non-volatile memory

Номер патента: US6160737A. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: US20210295907A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170221567A1. Автор: Kazuki Yamauchi,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09947410B2. Автор: Kazuki Yamauchi,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20210271615A1. Автор: Kensuke Yamamoto,Masaru Koyanagi,Ryo Fukuda,Junya Matsuno,Masato Dome,Kenro Kubota. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Non-volatile semiconductor memory device and data programming method

Номер патента: US6091639A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Non-Volatile Semiconductor Memory

Номер патента: US20100061149A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20120195127A1. Автор: Yoshihiro Nakatake. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device including application of different voltages to memory cells based on their proximity to a selected memory cell

Номер патента: USRE50025E1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile semiconductor memory device performing multi-level storage operation

Номер патента: US8799748B2. Автор: Toshihiko Suzuki,Atsushi Uchida,Hidenori Takahashi,Terumasa Haneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20210233590A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7929348B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: US20160099064A1. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294728A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20190139610A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160203869A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20180204622A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170076804A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230360707A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120243317A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170117046A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US11495614B2. Автор: Hikari TAJIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09478670B2. Автор: Masayuki Tanaka,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140043917A1. Автор: Wataru Sakamoto,Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Non-volatile semiconductor storage device and method of controlling the same

Номер патента: US20110075483A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Non-volatile semiconductor storage apparatus

Номер патента: US20070086246A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Koji Sakui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20120236636A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20120218821A1. Автор: Takashi Maeda,Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Yoshihisa Iwata,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Kiyotaro Itagaki,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US10762969B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9953716B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9666299B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9466370B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180261290A1. Автор: Junichi Sato,Yoshikazu Harada,Akio SUGAHARA,Kazuto Uehara,Kenta SHIBASAKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170236593A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US8804435B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US8576623B2. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-05.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20200381062A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20210343348A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140328129A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20160372209A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20230260578A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20190214097A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8723242B2. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233618A1. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Non-volatile semiconductor memory system

Номер патента: US4597062A. Автор: Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-06-24.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240282378A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory device and method of fabrication and operation

Номер патента: US20130170302A1. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-min Hong,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: EP4401079A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140301144A1. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Programming method of non-volatile memory cell and non-volatile memory device

Номер патента: TWI770687B. Автор: 宋承桓. Владелец: 南韓商賽米布萊恩有限公司. Дата публикации: 2022-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020071313A1. Автор: Toru Tanzawa,Yoshinori Takano,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US7672173B2. Автор: Tsukasa Ooishi,Shinya Miyazaki,Tomohiro Uchiyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Non-volatile semiconductor memory device for selectively re-checking word lines

Номер патента: US20030012052A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Kazuyoshi Shiba,Nozomu Matsuzaki. Владелец: HITACHI Ltd AND HITACHI ULSI SYSTEMS CO Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Non-volatile semiconductor memory device and information apparatus

Номер патента: US20030016573A1. Автор: Yuji Tanaka,Ken Sumitani,Yasumichi Mori,Haruyasu Fukui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Non-volatile semiconductor memory device having a low defective rate

Номер патента: US6577534B2. Автор: Takahiro Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Non-volatile semiconductor memory including a high voltage switching circuit

Номер патента: US4924438A. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-05-08.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050243620A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040233720A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Methods, storage devices, and systems for promoting the endurance of non-volatile solid-state memory components

Номер патента: US20120166716A1. Автор: Franz Michael Schuette,Anthony Leach. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2012-06-28.

Systems for and methods of extending lifetime of non-volatile memory

Номер патента: US09632866B2. Автор: Arthur Robert Calderbank,Daniel J. Sorin,Adam N. Jacobvitz. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2017-04-25.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers and for a redundant array using tag registers

Номер патента: WO2024162977A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Operation method of non-volatile memory and method of improving coupling interference from nitride-based memory

Номер патента: US20080266966A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20090129156A1. Автор: Takahiro Suzuki,Yasuhiko Honda,Takamichi Kasai,Shinya Fujisawa,Yuji Komine,Ryu Hondai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Local sensing of non-volatile memory

Номер патента: US20020085424A1. Автор: Balaji Srinivasan,Kerry Tedrow,Mark Bauer,Sandeep Guliani,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US20140127894A1. Автор: Chun-Lien Su,Shaw-Hung Ku,Chi-Pei Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Method of compensating charge loss and source line bias in programing of non-volatile memory device

Номер патента: US20200219561A1. Автор: Ming-Chang Tsai,Chun-Yi Tu,Jui-Lung Weng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device while suppressing variation

Номер патента: US20060158939A1. Автор: Takashi Ito,Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Method of concurrent multi-state programming of non-volatile memory with bit line voltage step up

Номер патента: US20210134370A1. Автор: Zhiping Zhang,Deepanshu Dutta,Dengtao Zhao,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Output block for array of non-volatile memory cells

Номер патента: US20240282351A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of preventing coupling noises for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100302884A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Yong-Jun Lee,Du-Eung Kim,Joon-Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-02.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device capable of preventing over-programming

Номер патента: US20110157973A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masaki Fujiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Programming method of non volatile memory device

Номер патента: US09953703B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU,Joo-kwang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: US20040071023A1. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Electrically modifiable, non-volatile, semiconductor memory which can keep a datum stored until an operation to modify the datum is completed

Номер патента: US20020130334A1. Автор: Marco Pasotti,Roberto Gastaldi,Federico Pio,Gianbattsista Giudice. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-09-19.

Non-volatile semiconductor storage device and method of testing the same

Номер патента: US09875154B2. Автор: Masanori Miyagi,Taro Yamasaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US10418377B2. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-09-17.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US20180233512A1. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-08-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09691777B2. Автор: Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile semiconductor memory device with function of bringing memory cell transistors to overerased state, and method of writing data in the device

Номер патента: US5438544A. Автор: Takami Makino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-01.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US20130128660A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seiichi Aritome,Han-Soo Joo,Sung-Kye Park,Seok-Kiu Lee,Hyun-Seung Yoo,Gyu-Seog Cho,Sung-Joo HONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Non-volatile semiconductor memory that is based on a virtual ground method

Номер патента: US6914824B2. Автор: Minoru Yamashita,Kazunari Kido,Yuichi Einaga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-05.

Operation method of non-volatile memory cell and applications thereof

Номер патента: US09830992B1. Автор: Wei-Liang Lin,Chih-Chieh Cheng,Wen-Jer Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130069118A1. Автор: Shinji Mori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Timing circuitry and method for controlling automated programming and erasing of a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US5333300A. Автор: Mickey L. Fandrich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-07-26.

Circuit for the switching of supply voltages in electrically programmable and cancelable non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US5754473A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080043531A1. Автор: Yasushi Kameda,Ken Takeuchi,Koichi Kawai,Takuya Futatsuyama,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130229873A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Shigefumi Irieda,Eietsu Takahashi,Manabu Sakaniwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040213066A1. Автор: Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20210012854A1. Автор: Daisuke Uchida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6049482A. Автор: Kazuhiro Shimizu,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Non-volatile semiconductor memory device and a method of using the same

Номер патента: US5491656A. Автор: Kikuzo Sawada. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-02-13.

Method of controlling verification operations for error correction of non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US11119854B2. Автор: Takao Akaogi,Yu-Kuo Yang,Pauling Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

Non-volatile semiconductor memory device capable of suppressing writing and erasure failure rate

Номер патента: US20020036921A1. Автор: Tatsuya Saeki,Satoru Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Non-volatile semiconductor memory device and its writing method

Номер патента: US20090244981A1. Автор: Kazuya Matsuzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: WO2023229808A1. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-II MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: US11894051B2. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-il MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Sequential voltage ramp-down of access lines of non-volatile memory device

Номер патента: US11790991B2. Автор: Haitao Liu,Akira Goda,Augusto Benvenuti,Albert Fayrushin,Luca Laurin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: US20230410901A1. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-il MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Sequential voltage ramp-down of access lines of non-volatile memory device

Номер патента: US20210027839A1. Автор: Haitao Liu,Akira Goda,Augusto Benvenuti,Albert Fayrushin,Luca Laurin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Input circuit of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7710791B2. Автор: Qi Wang,Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Won-seok Lee,Joon Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-04.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090325351A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070126047A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7608887B2. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5554868A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Masanori Hayashikoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Non-volatile semiconductor memory device capable of pre-conditioning memory cells prior to a data erasure

Номер патента: US6078525A. Автор: Hidetoshi Saito,Masao Kuriyama,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100027352A1. Автор: Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Hoshihide Haruyama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6046941A. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Non-volatile semiconductor storage device and method of testing the same

Номер патента: US20150301889A1. Автор: Masanori Miyagi,Taro Yamasaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Method of controlling the resistance in a variable resistive element and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7558099B2. Автор: Hidenori Morimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Power failure protection method and circuit for non- volatile semiconductor storage device

Номер патента: EP2171721A1. Автор: HE Huang. Владелец: Memoright Memoritech Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-07.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180315465A1. Автор: Takashi Yamada. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Non-volatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20100091579A1. Автор: Tae Su Jang,Sung Joo Hong,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140374691A1. Автор: Hiroyuki Nansei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050161730A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060249771A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20100193855A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284944A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153985A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120256249A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8217444B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Extending shelf life of non-volatile memory devices

Номер патента: US20180210646A1. Автор: Adam J. McPadden,Janani Swaminathan,Trinadhachari Kosuru,Prashanth K. Kasula,Preetham H. Raghavendra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Error characterization for control of non-volatile memory

Номер патента: US20190278500A1. Автор: Raghavendra Gopalakrishnan,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, Methods Of Forming Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, And Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20130170284A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, Methods Of Forming Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, And Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20130235650A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh D.. Владелец: Micro Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, Methods Of Forming Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, And Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20140009991A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-09.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US20160203864A1. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US10026475B2. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20180095678A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Non-volatile semiconductor memory and data processing method in non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20130182488A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US20190057737A1. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09424915B2. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: EP1423879A2. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-02.

Three-dimensional (3D) non-volatile semiconductor memory device for loading improvement

Номер патента: US09805768B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135595A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8426276B2. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-23.

Structure of split gate transistor for use in a non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing such a split gate transistor

Номер патента: US5691937A. Автор: Noriyuki Ohta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263277A1. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09685607B2. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Digital to analog converter including a ferroelectric non-volatile semiconductor memory, and method for converting digital data to analog data

Номер патента: US6950329B2. Автор: Masahiro Tanaka,Toshiyuki Nishihara,Yukihisa Tsuneda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-27.

Digital to analog converter including a ferroelectric non-volatile semiconductor memory, and method for converting digital data to analog data

Номер патента: US20040239539A1. Автор: Masahiro Tanaka,Toshiyuki Nishihara,Yukihisa Tsuneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09859446B2. Автор: Takashi Hayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130099348A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-25.

Non-volatile semiconductor memory using charge-accumulation insulating film

Номер патента: US20130062686A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Non-volatile semiconductor memory using charge-accumulation insulating film

Номер патента: US8759896B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Non-volatile semiconductor storage device including contact plug

Номер патента: US8363472B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Non-volatile semiconductor memory device detachable deterioration of memory cells

Номер патента: US5450354A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020146884A1. Автор: Kuniko Kikuta,Masato Kawata. Владелец: Masato Kawata. Дата публикации: 2002-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010019150A1. Автор: Hajime Kimura,Kenji Kawai,Kazuyuki Ohmi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-06.

Method for partitioning memory area of non-volatile memory

Номер патента: US20190034110A1. Автор: Chao-Chieh Chen,Huan-Chung Hsu,Cheng-Yu Wu,Ming-Yuan Liu,An-Chi CHENG,Chian-Ting Chen. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: WO2003019664A3. Автор: De Zaldivar Jose Solo. Владелец: De Zaldivar Jose Solo. Дата публикации: 2003-10-02.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory device having storage cell array and peripheral circuit, and a structure therefore

Номер патента: US5656527A. Автор: Keon-Soo Kim,Jeong-Hyeok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Non-volatile semiconductor memory circuits

Номер патента: US4475177A. Автор: Kenelm G. D. Murray. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1984-10-02.

Non-volatile semiconductor memory device with intrinsic charge trapping layer

Номер патента: US20130105884A1. Автор: Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu,Shih-Chen Wang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Non-volatile semiconductor memory device with intrinsic charge trapping layer

Номер патента: US20120018794A1. Автор: Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu,Shih-Chen Wang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140061756A1. Автор: Masayuki Tanaka,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Non-volatile semiconductor storage apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010054735A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Non-volatile semiconductor storage apparatus

Номер патента: US09940192B2. Автор: Yasuyuki Ozawa,Hiroyuki Suto,Fubito Igari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US09466605B2. Автор: Kai-Yao Shih,Chi-Kai Feng,Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Testing for threshold voltage and bit cell current of non-volatile memory arrays

Номер патента: US09691501B2. Автор: Daniel Robert Burggraf, III,Nelson Kei Leung,Trevor John Tarsi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US20160172367A1. Автор: Kai-Yao Shih,Chi-Kai Feng,Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: WO2013085676A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-06-13.

A non-volatile memory device and a method of programming such device

Номер патента: EP2788987A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-15.

Re-writing of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH1197557A. Автор: 桂太 高橋,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-04-09.

Memory device and method for secure programming of non-volatile memory

Номер патента: EP4318294A1. Автор: Uri Kaluzhny. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

METHOD FOR MANUFACTURING A FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING A VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING A DISPLAY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING A SYSTEM

Номер патента: US20170271381A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for manufacturing a field effect transistor, method for manufacturing a volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a display element, method for manufacturing an image display device, and method for manufacturing a system

Номер патента: US10818705B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L3 Integrated Systems Co. Дата публикации: 2007-02-14.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A4. Автор: Russell D Newell. Владелец: L3 Communications Integrated Systems LP. Дата публикации: 2009-08-12.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: WO2005114668A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L-3 Integrated Systems Company. Дата публикации: 2005-12-01.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US20240355385A1. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor memory devices with different word lines

Номер патента: US12051464B2. Автор: Chia-En HUANG,Gu-Huan Li,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory device including interface circuit and method of operating the same

Номер патента: US20240329886A1. Автор: Jangwoo Lee,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm,Daehoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

In-memory computing architecture and methods for performing MAC operations

Номер патента: US12045714B2. Автор: Vijay Raghavan,Hans Van Antwerpen,Ramesh Chettuvetty. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-23.

Apparatus and method for handling a data error in a memory system

Номер патента: US11762734B2. Автор: Jaeyoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US8624313B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-01-07.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: AU2005246819B2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L3 Communications Integrated Systems LP. Дата публикации: 2008-12-18.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: AU2005246819A1. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L3 Integrated Systems Co. Дата публикации: 2005-12-01.

Memory device including interface circuit and method of operating the same

Номер патента: US20220350541A1. Автор: Jangwoo Lee,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm,Daehoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-03.

Memory device including interface circuit and method of operating the same

Номер патента: US20210134336A1. Автор: Jangwoo Lee,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm,Daehoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-06.

Memory device including interface circuit and method of operating the same

Номер патента: US12008268B2. Автор: Jangwoo Lee,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm,Daehoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Memory device including interface circuit and method of operating the same

Номер патента: US20210103407A1. Автор: Jangwoo Lee,Byunghoon Jeong,Jeongdon Ihm,Daehoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-08.

Process for synthesizing halogenated derivatives of fluorescein for use in the production of non-volatile memory devices

Номер патента: US20080061289A1. Автор: Angela Cimmino,Maria Volpe,Alessandro Pezzella,Aniello Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-03-13.

Non-volatile semiconductor memory device and its reading method

Номер патента: US20100080054A1. Автор: Keiko Abe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

The method of non-volatile logic circuit and driving non-volatile logic circuit

Номер патента: CN102598511B. Автор: 金子幸广. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-20.

Recovery of nearby data in programming of non-volatile multi-level multiple memory die

Номер патента: EP2948956A1. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-02.

Method of determining default read voltage of non-volatile memory device and method of reading data of non-volatile memory device

Номер патента: US09666292B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Integration of non-volatile charge trap memory devices and logic cmos devices

Номер патента: WO2008147529A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Sam Geha,Fredrick B. Jenne,Sagy Levy,Igor Kouznetsov,Jeremy Warren,Ravindra Kapre,William W.C. KOUTNY, Jr.. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-04.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US9159436B2. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Weak programming method of non-volatile memory

Номер патента: US20040184320A1. Автор: Shih-Hsien Yang,Chien-Min Wu,James Juwn Hsu,Chi-Moon Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: WO2024072806A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Circuitry and method for programming and erasing a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US5448712A. Автор: Virgil N. Kynett,Mickey L. Fandrich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Method and apparatus for controlling page buffer of non-volatile memory device

Номер патента: US20110199822A1. Автор: Han Bin YOON,Yeong-Jae WOO,Jung Been IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Oxygen-free etching of non-volatile metals

Номер патента: US20230420267A1. Автор: Qi Wang,Aelan Mosden,Stephanie OYOLA-REYNOSO,Ivo Otto, IV. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Oxygen-free etching of non-volatile metals

Номер патента: WO2023230294A1. Автор: Qi Wang,Aelan Mosden,Stephanie OYOLA-REYNOSO,Ivo OTTO IV. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of programming an electrically programmable non-volatile semiconductor memory

Номер патента: EP1426968A3. Автор: Rino Micheloni,Roberto Ravasio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device having a memory cell group operative as a redundant memory cell group for replacement of another group

Номер патента: US5523976A. Автор: Takeshi Okazawa,Kenji Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-04.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: US20240107771A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Granular error reporting on multi-pass programming of non-volatile memory

Номер патента: US20210397509A1. Автор: Sampath K. Ratnam,Jiangang WU,Vamsi Pavan Rayaprolu,Sivagnanam Parthasarathy,Qisong Lin,Sho Chun Shi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

3D non-volatile semiconductor device and manufacturing method of the device

Номер патента: US11889697B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Method and System Involving Degradation of Non-Volatile Memory Based on Write Commands and Drive-Writes

Номер патента: US20200342945A1. Автор: Vidyabhushan Mohan,Yao Zhang,Cory Peterson,Jay Sarkar,Amir SANAYEI. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Erasing method of non-volatile memory

Номер патента: US20090059679A1. Автор: Chih-Lung Hung. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Variable read method for read time performance improvement of non-volatile memory

Номер патента: US20240282363A1. Автор: Akira Okada,Albert Chen,Jiahui Yuan,Sarath Puthenthermadam. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20210028175A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US20090061582A1. Автор: Chih-Lung Hung. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20200273861A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Non-volatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1263037A3. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Non-volatile semiconductor memory device having disturb verify function

Номер патента: US5490110A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-02-06.

Floating trap non-volatile semiconductor memory devices including high dielectric constant blocking insulating layers and methods

Номер патента: US20030047755A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee,Byoung-Woo Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-13.

Word line-dependent word line and channel read setup time in first read state of non-volatile memory

Номер патента: US20240212737A1. Автор: Henry Chin,Erika Penzo,Dong-il MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

Configuration and method for increasing the retention time and the storage security in a ferroelectric or ferromagnetic semiconductor memory

Номер патента: US6661694B2. Автор: Michael Kund,Reinhard Salchner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-09.

Configuration and method for increasing the retention time and the storage security in a ferroelectric or ferromagnetic semiconductor memory

Номер патента: US20020071303A1. Автор: Michael Kund,Reinhard Salchner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-13.

Non-volatile semiconductor memory device, data write-in method of non-volatile semiconductor memory device and memory card

Номер патента: KR100624595B1. Автор: 가즈노리 가네바꼬,유고 이데. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-09-15.

System and computer implemented method of personal monitoring

Номер патента: US09467521B2. Автор: David S. Owens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-10-11.

System and computer-implemented method of machine-to-machine authentication of the device

Номер патента: RU2763779C2. Автор: Виктор ПЕРЕС ВИЛЬЯР,Гжегож М. КАВЕЦКИЙ. Владелец: Зе Боинг Компани. Дата публикации: 2022-01-11.

Control system and a control method of intelligent toilets

Номер патента: US20240344311A1. Автор: Rui Liu,GuangQi Xu. Владелец: Zhejiang Ikahe Sanitary Ware Co ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Frequency synthesis system and frequency generation method of microwave photons based on photoelectric synergy

Номер патента: US12057849B2. Автор: HAO Zhang,Pengfei QU,Botao Wang,Siyu Tian,Genyuan Yang. Владелец: CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP Corp NO 44 RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2024-08-06.

Wireless intercom system and group pairing method of wireless intercom system

Номер патента: EP3869839A1. Автор: Sung Won Yoon. Владелец: SENA Tech Inc. Дата публикации: 2021-08-25.

Malicious attack detection system and an associated method of use

Номер патента: EP2036060A2. Автор: Hojae Lee,Prudhvi Nadh NOONEY,Indra Gunawan Harijono,Uooyeol Yoon. Владелец: Connect Technologies Corp. Дата публикации: 2009-03-18.

System and method for data interrogation and/or remote programming of a medical device

Номер патента: US20240245922A1. Автор: James Lowry,James Horton,Alan Fryer,Lauren Kraiter,Dean Bergstrom,Rainer Joerg Grosskopf,Dawn Gayle FLAKNE,Yarisa JAROCH GONZALEZ. Владелец: Biotronik SE and Co KG. Дата публикации: 2024-07-25.

An interactive real time system and real time method of use thereof in conveyance industry segments

Номер патента: AU2018309617A1. Автор: Vince Coletti,Alexis DaCosta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-02-13.

Frequency synthesis system and frequency generation method of microwave photons based on photoelectric synergy

Номер патента: US20240118136A1. Автор: HAO Zhang,Pengfei QU,Botao Wang,Siyu Tian,Genyuan Yang. Владелец: CHINA ELECTRONICS TECHNOLOGY GROUP Corp NO 44 RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2024-04-11.

Wireless intercom system and group pairing method of wireless intercom system

Номер патента: US11943394B2. Автор: Sung Won Yoon. Владелец: SENA TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2024-03-26.

Projection system and wireless charging method of projection system

Номер патента: US20210044134A1. Автор: Hui-Chung Hung. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

Projection system and wireless charging method of projection system

Номер патента: US11750017B2. Автор: Hui-Chung Hung. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

System and method for data interrogation and/or remote programming of a medical device

Номер патента: CA3217695A1. Автор: James Lowry,James Horton,Alan Fryer,Lauren Kraiter,Dean Bergstrom,Rainer Joerg Grosskopf,Dawn Gayle FLAKNE,Yarisa JAROCH GONZALEZ. Владелец: Biotronik SE and Co KG. Дата публикации: 2022-12-08.

Logistics device, logistics control system, and theft prevention method of the same

Номер патента: US11995963B2. Автор: Hang Seok Choi,Byung Kang Park. Владелец: HYUNSUNG CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

System and method for data interrogation and/or remote programming of a medical device

Номер патента: EP4347006A1. Автор: James Lowry,James Horton,Alan Fryer,Lauren Kraiter,Dean Bergstrom,Rainer Joerg Grosskopf,Dawn Gayle FLAKNE,Yarisa JAROCH GONZALEZ. Владелец: Biotronik SE and Co KG. Дата публикации: 2024-04-10.

System and method for data interrogation and/or remote programming of a medical device

Номер патента: AU2022285809A1. Автор: James Lowry,James Horton,Alan Fryer,Lauren Kraiter,Dean Bergstrom,Rainer Joerg Grosskopf,Dawn Gayle FLAKNE,Yarisa JAROCH GONZALEZ. Владелец: Biotronik SE and Co KG. Дата публикации: 2023-11-30.

Camera, display control method of camera, and display control program of camera

Номер патента: US20190199936A1. Автор: Yuichi Fujimura,Atsushi Misawa,Takeshi Misawa,Hirofumi Horii,Kentaro Tokiwa. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Electronic apparatus, control method of electronic apparatus, and control program of electronic apparatus

Номер патента: US20160231922A1. Автор: Sunao Hashimoto,Hideki Morita,Yasuhiro Ueno,Shigeki Tanabe,Isao MASUIKE,Daisuke Tsuiki,Atsuo Chiba,Daisuke Ibuki. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP3799384A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-31.

Repairing line system and repair method thereof

Номер патента: US9217886B2. Автор: Chun Liu,Junbo Xing. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-22.

Repairing line system and repair method thereof

Номер патента: US20150036091A1. Автор: Chun Liu,Junbo Xing. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Battery cluster topology and control method of battery cluster for lithium-ion battery energy storage system

Номер патента: EP4415198A1. Автор: Ivan TAN,Shawn Song,Dias ZHANG. Владелец: Vilion Shenzhen New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-14.

Battery Cluster Topology And Control Method Of Battery Cluster For Lithium-ion Battery Energy Storage System

Номер патента: US20240275199A1. Автор: Ivan TAN,Shawn Song,Dias ZHANG. Владелец: Vilion Shenzhen New Energy Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Management system and management method of battery and battery charger, and battery charger

Номер патента: US09931955B2. Автор: Junichi Hatano,Shinji Hirose,Mamoru Kuraishi,Kenji Nishigaki. Владелец: Toyota Industries Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Threshold voltage verification method and circuit for program and erasure verification of non-volatile memory cell

Номер патента: GB2299190A. Автор: Bok Nam Song. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-25.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060258100A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Systems and methods to wake up memory array

Номер патента: US20200279611A1. Автор: Gautam Dusija,Phil Reusswig,Sahil Sharma. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

ERASE CONTROL CIRCUIT AND METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200286565A1. Автор: BAYLE Mathias Yves Gilbert. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2020-09-10.

Non-volatile memory device and recovery method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242770A1. Автор: Jae-Duk Yu,Yohan Lee,Jiho Cho,Hojoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Apparatus and method for selectively reducing charge pump speed during erase operations

Номер патента: US20240257878A1. Автор: Mark Shlick,Shemmer Choresh,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-01.

Apparatus and method for selectively reducing charge pump speed during erase operations

Номер патента: WO2024158450A1. Автор: Mark Shlick,Shemmer Choresh,Jiahui Yuan,Abu Naser Zainuddin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-02.

Apparatus and method for programming and verifying data in a non-volatile memory device

Номер патента: US20220328113A1. Автор: Jin Haeng Lee,Sung Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for resetting threshold voltage of non-volatile memory

Номер патента: US20070211539A1. Автор: Chih-Kai Kang,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Shi-Hsien Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Soft erase and programming of nonvolatile memory

Номер патента: US20200395087A1. Автор: Saugata Das Purkayastha,Amiya Banerjee,Shreesha Prabhu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-17.

Enhanced erase retry of non-volatile storage device

Номер патента: US20190164614A1. Автор: Swaroop Kaza,Sainath Viswasarai,Divya Prasad,Gopu S,Piyush Anil Dhotre,Chittoor Devarajan Sunilkumar. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Operation method of non-volatile memory and method of improving coupling interference from nitride-based memory

Номер патента: TW200843035A. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-01.

Operation method of non-volatile memory and method of improving coupling interference from nitride-based memory

Номер патента: TWI351076B. Автор: Tao Cheng Lu,Yao Wen Chang,Guan Wei Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-21.

Non-volatile semiconductor memory including memory cells having different charge exhange capability

Номер патента: US20020001230A1. Автор: Ikuto Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Non-volatile memory system, and method of non-volatile memory system

Номер патента: KR100888823B1. Автор: 박기태,이영택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-03-17.

Memory cell of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6058051A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

Circuit and method for preventing data erase and program about special address of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100197573B1. Автор: 박종민. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Write-in method of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: JPS5433636A. Автор: Yutaka Hayashi,Yasuo Tarui,Kiyoko Nagai,Fumimaru Okamura. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1979-03-12.

Program method of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: KR100206696B1. Автор: 박종욱. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-07-01.

Erasing Method of Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100428849B1. Автор: 츠네사다노부토시. Владелец: 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2004-04-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method of reading data thereof

Номер патента: US20130100754A1. Автор: Norichika ASAOKA,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Non-volatile semiconductor memory device and method for reprogramming thereof

Номер патента: US20190371419A1. Автор: Makoto Yasuda,Taiji Ema. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Voltage generator circuit capable of generating different voltages based on operating mode of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN101136249B. Автор: 李真烨,金镇国. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-04.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Non-volatile semiconductor memory and method for writing data into a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: TWI304986B. Автор: De Ambroggi Luca,Maria Brani Francesco. Владелец: Infineon Technologies Flash Gm. Дата публикации: 2009-01-01.

Non-volatile memory device, memory system and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: KR102210328B1. Автор: 이창섭,송재혁,권대웅. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-02-01.

Techniques for reducing read disturb in partially written blocks of non-volatile memory

Номер патента: US09978456B2. Автор: Abhijeet Manohar,Dana Lee,Gautam Dusija,Chris Avila,Henry Chin,Daniel Tuers,Cynthia Hsu,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Non-valatile semiconductor memory device and location based erasure methods

Номер патента: US09704579B1. Автор: Mathias Bayle. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of erasing information and device for performing same

Номер патента: US09633739B2. Автор: Stefan Metzger,Jochen KUHNHENN,Stefan HOEFFGEN,Michael JOESTER,Tobias KUENDGEN. Владелец: Fraunhofer Gesellschaft zur Forderung der Angewandten Forschung eV. Дата публикации: 2017-04-25.

Cell deterioration warning apparatus and method

Номер патента: US20120002468A1. Автор: Vishal Sarin,Jung-Sheng Hoei,Frankie F. Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Data storage device enabling latches of non-volatile memory dies for use as externally-accessible volatile memory

Номер патента: US11816343B2. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Memory cell and array structure of non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20230290414A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Peak and average icc reduction by tier-based sensing during program verify operations of non-volatile memory structures

Номер патента: US20220392552A1. Автор: Ravi Kumar,Deepanshu Dutta,Yu-Chung Lien,Huai-Yuan Tseng,Xue Bai Pitner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: TWI237894B. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-08-11.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: TW200301555A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-07-01.

Simple integration of non-volatile memory and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US09881930B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Circuit and method for adjusting select gate voltage of non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US20180005699A1. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Erase method of non-volatile memory device

Номер патента: US11783900B2. Автор: Sang-Won Park,Won Bo Shim,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Non-volatile semiconductor memory having multiple external power supplies

Номер патента: US09928918B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile semiconductor memory having multiple external power supplies

Номер патента: US09576675B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Circuit and method for adjusting select gate voltage of non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US10325662B2. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-18.

Memory system and operating method of the memory system

Номер патента: US20210098071A1. Автор: Ju Hyeon HAN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12124718B2. Автор: Heung Tae Jin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Manufacturing method of non-volatile memory and non-volatile memory

Номер патента: US20170250188A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Chien-Hsuan Liu,Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Non-volatile memory device, and control method of non-volatile memory device

Номер патента: TW200710851A. Автор: Kenta Kato,Mitsuhiro Nagao. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-16.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Back bias during program verify of non-volatile storage

Номер патента: US8988947B2. Автор: Fumitoshi Ito. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-24.

Non-volatile semiconductor memory device with nand type memory cell arrays

Номер патента: US5978265A. Автор: Fujio Masuoka,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Ryozo Nakayama,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Non-volatile semiconductor memory device in which data can be erased on a block basis and method of erasing data on a block basis in non-voltile semiconductor memory device

Номер патента: KR950004862B1. Автор: 와단 고바야시,세이 야마모도. Владелец: 미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-05-15.

Boosting to control programming of non-volatile memory

Номер патента: WO2005112037A1. Автор: Nima Mokhlesi,Yupin Fong,Daniel Guterman. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

Memory system including nonvolatile memory and method of operating nonvolatile memory

Номер патента: US20140119108A1. Автор: Jung Hyuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-05-01.

Reading reference current automatic regulation circuit of non-volatile memory

Номер патента: US11205491B1. Автор: LIANG Hong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Systems and methods for support of non-volatile memory on a DDR memory channel

Номер патента: US09645746B2. Автор: Shawn J. Dube,Stuart Allen Berke. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-05-09.

Information processing device that extends service life of non-volatile semiconductor memory and recording medium

Номер патента: US09875065B2. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Information processing device that extends service life of non-volatile semiconductor memory and recording medium

Номер патента: US20160253097A1. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Memory controller and method for accessing a plurality of non-volatile memory arrays

Номер патента: US20120096215A1. Автор: Xingyu Li,Kevin K. Zhang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-04-19.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US09766961B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US9766961B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Apparatus and method for generating descriptors to reaccess a non-volatile semiconductor memory of a storage drive due to an error

Номер патента: WO2014144043A4. Автор: Wei Xu,Fei Sun. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-11-20.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US09652311B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of securely erasing a non-volatile semiconductor mass memory, computer system, and computer program product

Номер патента: US09671964B2. Автор: Thorsten Höhnke. Владелец: Fujitsu Technology Solutions Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050186734A1. Автор: Nae-in Lee,Sung-Ho Kim,Jin-Hee Kim,Ki-chul Kim,Kwang-Wook Koh,Sang-Su Kim,In-Wook Cho,Geun-Jong Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-25.

Methods and apparatus for use in sanitizing a network of non-volatile memory express devices

Номер патента: US20210318828A1. Автор: Markku Valtonen. Владелец: Blancco Technology Group IP Oy. Дата публикации: 2021-10-14.

Systems and methods for balancing multiple partitions of non-volatile memory

Номер патента: US20220147258A1. Автор: Andrew W. Vogan,Alexander Paley. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US20160117243A1. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US20160117242A1. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100230742A1. Автор: Yukihiro Yamashita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Non-volatile semiconductor memory segregating sequential, random, and system data to reduce garbage collection for page based mapping

Номер патента: US09753847B2. Автор: Mei-Man Syu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Systems and methods for compressing data in non-volatile semiconductor memory drives

Номер патента: WO2011028802A1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2011-03-10.

Apparatus and method for generating descriptors to reaccess a non-volatile semiconductor memory of a storage drive due to an error

Номер патента: US20140195727A1. Автор: Wei Xu,Fei Sun. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

METHOD OF CONTROLLING VERIFICATION OPERATIONS FOR ERROR CORRECTION OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210255921A1. Автор: AKAOGI TAKAO,YANG YU-KUO,CHEN PAULING. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

Solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: CA3207537A1. Автор: Paul B. Giannelia. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2022-08-11.

Solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: AU2022217904A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Found. Дата публикации: 2023-08-31.

Solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: EP4288508A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2023-12-13.

SYSTEM AND METHOD FOR BOOTING UP A COMPUTER BASED ON DATA CAPTURED IN A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DURING A LEARN MODE

Номер патента: US20130219160A1. Автор: Zhao Qun,Kang Xinhai. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2013-08-22.

Information processing apparatus and non-volatile semiconductor memory drive

Номер патента: WO2009110144A1. Автор: Takehiko Kurashige. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-09-11.

Semiconductor memory system having volatile memory and non-volatile memory that share bus, and method of controlling operation of non-volatile memory

Номер патента: TW200849008A. Автор: Sei-Jin Kim,Han-Gu Sohn,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-16.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca Fasoli,Thomas Yan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor memory with improved memory block switching

Номер патента: EP2465116A1. Автор: Roy E. Scheuerlein,Luca Fasoli,Thomas Yan. Владелец: SanDisk 3D LLC. Дата публикации: 2012-06-20.

Non-volatile memory array and method of using same for fractional word programming

Номер патента: EP2907137A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Hung Quoc Nguyen. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-19.

Method of forming memory cell of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100196594B1. Автор: 오야마겐이치. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of controlling the operation of non-volatile semiconductor memory chips

Номер патента: US20030103392A1. Автор: Hideaki Kurata,Naoki Kobayashi,Toru Matsushita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-06-05.

Program method of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100268442B1. Автор: 박종민,정휘택. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Multiple chip system including a plurality of non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US20040057297A1. Автор: Cheol-Ung Jang,Young-Joon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-25.

Word line voltage applying device of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100195196B1. Автор: 박종욱. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Non-volatile memory device, memory system and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: KR20150116351A. Автор: 변대석,남상완,전병길. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-10-15.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: EP2415051A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2010117654A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-10-14.

SYSTEM AND METHOD OF INCREASING RELIABILITY OF NON-VOLATILE MEMORY STORAGE

Номер патента: US20150363309A1. Автор: Lai Bosco Chun Sang,Chang Sunny Lai-Ming,Chiu Eric Sin Kwok,Krouglov Alexei. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Word line drivers in non-volatile memory device and method having a shared power bank and processor-based systems using same

Номер патента: US20110110163A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-05-12.

Semiconductor memory apparatus, data transmission device, and recording method

Номер патента: US20140016412A1. Автор: Gen Ohshima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor memory apparatus, data transmission device, and recording method

Номер патента: US20150235709A1. Автор: Gen Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor memory apparatus, data transmission device, and recording method

Номер патента: US9412457B2. Автор: Gen Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

SYSTEMS AND METHODS TO UPDATE REFERENCE VOLTAGES OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20140226398A1. Автор: "DABREU MANUEL ANTONIO",SKALA STEPHEN,DESIREDDI SATEESH,NARADASI JAYAPRAKASH,VENKITACHALAM ANAND,GOWDA SACHIN KRISHNE. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

Non-volatile semiconductor memory device and method of writing data in non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US20090262579A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Health state of non-volatile memory

Номер патента: US09875812B2. Автор: Christian Schneckenburger,Jan Otterstedt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

System and method for initiating a bad block disable process in a non-volatile memory

Номер патента: US20090091994A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-09.

Systems and methods for managing non-volatile memory based on temperature

Номер патента: US09891859B1. Автор: Charan Srinivasan,Andrew W. Vogan,Matthew J. Byom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Systems and methods for error injection in data storage systems

Номер патента: US09542287B1. Автор: Sebastien A. Jean. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of managing semiconductor memories, corresponding interface, memory and device

Номер патента: US20180240523A1. Автор: Michele Alessandro CARRANO,Daniele Mangano,Gaetano Di Stefano,Roberto Sebastiano RUGGIRELLO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-08-23.

Non-Volatile Memory Device with Plural Reference Cells, and Method of Setting the Reference Cells

Номер патента: US20100254207A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-10-07.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20120257465A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile Memory Device With Plural Reference Cells, And Method Of Setting The Reference Cells

Номер патента: US20140104961A1. Автор: Jack Edward Frayer,Xian Liu,Thuan T. Vu,Eugene Jinglun Tam,Alexander Kotov,Tho Ngoc Dang,Jung Hee Yun,Michael James Heinz,Michael K. Doan. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Circuits, systems and methods for driving high and low voltages on bit lines in non-volatile memory

Номер патента: US20120014185A1. Автор: Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-19.

Method and apparatus for maintaining topographical uniformity of a semiconductor memory array

Номер патента: US20070082449A1. Автор: Gowrishankar Chindalore. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2007-04-12.

Method, system and device for power-up operation

Номер патента: US09972388B2. Автор: Piyush Agarwal,Shidhartha Das,Akshay Kumar,Azeez Jennudin Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Control method of non-volatile semiconductor memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6862217B2. Автор: Shozo Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-03-01.

Control method of non-volatile semiconductor memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040057288A1. Автор: Shozo Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Write circuit, non-volatile data storage, method for writing to a plurality of memory cells and method for operating a non-volatile data memory

Номер патента: US20210272610A1. Автор: Thomas Roehr,Volker Pissors. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2021-09-02.

Non-volatile, programmable semiconductor memory having reduced testing time

Номер патента: US4862418A. Автор: Roger Cuppens,Joannes J. M. Koomen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1989-08-29.

Systems and methods for high-performance write operations

Номер патента: US10878926B2. Автор: Mohan DUNGA,Pitamber Shukla,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-29.

Systems and methods for high-performance write operations

Номер патента: WO2019112675A1. Автор: Pitamber Shukla,Mohan V. Dunga,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-13.

Systems and methods for managing non-volatile memory based on temperature

Номер патента: US20180046402A1. Автор: Charan Srinivasan,Andrew W. Vogan,Matthew J. Byom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-02-15.

Systems and methods for managing non-volatile memory based on temperature

Номер патента: US20180121131A1. Автор: Charan Srinivasan,Andrew W. Vogan,Matthew J. Byom. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-05-03.

Method of Programming and Erasing a Non-Volatile Memory Array

Номер патента: US20090016116A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Su-Chueh Lo,Chi-Ling Chu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

A software method of emulation of eeprom memory

Номер патента: WO2005055244A1. Автор: Piotr Przybylek. Владелец: Advanced Digital Broadcast Polska Sp. Z O.O.. Дата публикации: 2005-06-16.

A software method of emulation of eeprom memory

Номер патента: EP1702339B1. Автор: Piotr Przybylek. Владелец: Advanced Digital Broadcast Ltd. Дата публикации: 2008-03-19.

Memory apparatus and associated control method for reducing erase disturb of non-volatile memory

Номер патента: US20210366557A1. Автор: Kuen-Long Chang,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09748332B1. Автор: Chen Yu Cheng,Tzung-Ting Han,Shih Chin Lee,Chih Kai Yang,Ching Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Write method of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100245413B1. Автор: 염진선. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-02.

Non-volatile memory system and data read method of non-volatile memory system

Номер патента: US20080175058A1. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-24.

Charge pump circuit of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0176115B1. Автор: 이기종. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-15.

Multiple temperature testing of non-volatile memory data retention time

Номер патента: US20180040384A1. Автор: Kalin V. Lazarov,Michael D. Petersen,Timothy D. ROHRER. Владелец: Linear Technology Holding LLC. Дата публикации: 2018-02-08.

Apparatus and methods for smart verify with adaptive voltage offset

Номер патента: US20240203512A1. Автор: Jiahui Yuan,Sarath Puthenthermadam,Longju LIU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling with linear indexing

Номер патента: US11875836B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via multi-level wear leveling

Номер патента: US11823725B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling in a round robin fashion

Номер патента: US11869562B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via outlier compensation

Номер патента: US11790969B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling and random swap injection

Номер патента: US11295796B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling and outlier compensation

Номер патента: US11670352B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

METHOD OF DETERMINING DEFAULT READ VOLTAGE OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF READING DATA OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160042797A1. Автор: KIM KYUNG-RYUN. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Variable current sinking for coarse/fine programming of non-volatile memory

Номер патента: WO2005073977A2. Автор: Daniel C. Guterman,Nima Mokhlesi,Yupin Fong. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-08-11.

Circuit for controlling the potential difference between the substrate and the control gate of non-volatile memory and its control method

Номер патента: US20010012218A1. Автор: Ta-Lee Yu,Wei-Fan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: TW522551B. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-01.

A non volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: GB9709777D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-09.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Apparatus for externally timing high voltage cycles of non-volatile memory system

Номер патента: US20020054534A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-09.

Non-volatile memory and method of non-volatile memory programming

Номер патента: US6490201B2. Автор: Yoshinori Sakamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-03.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070259496A1. Автор: Chun-Pei Wu,Hsin-Fu Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Detecting over programmed memory cells after programming of adjacent memory cells

Номер патента: EP1652191A1. Автор: Yan Li,Jian Chen,Jeffrey W. Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-05-03.

Circuit for checking memory cells of programmable MOS-integrated semiconductor memories

Номер патента: US4458338A. Автор: Burkhard Giebel,Lothar Schrader,Hans Moormann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-07-03.

Optimization of non-volatile solid-state memory by moving data based on data generation and memory wear

Номер патента: US20090327580A1. Автор: James R. Hamilton,Michael R. Fortin,Mike Neil,Burton J. Smith. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Use of data latches in multi-phase programming of non-volatile memories

Номер патента: EP1869681A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-12-26.

Use of data latches in multi-phase programming of non-volatile memories

Номер патента: WO2006107633A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2006-10-12.

Threshold voltage compacting for non-volatile semiconductor memory designs

Номер патента: WO2002091387A1. Автор: Xin Guo,Sameer Haddad,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-14.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7903460B2. Автор: Takeshi Kajimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Program method and data read method of non-volatile memory device using six threshold voltage levels, and non-volatile memory device using the same

Номер патента: KR100871694B1. Автор: 박기태,이영택,김두곤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-12-08.

Erasing method of non-volatile memory, and non-volatile memory

Номер патента: CN105957554A. Автор: 潘荣华,薛子恒,刘奎伟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2016-09-21.

Fabricating method of non-volatile memory cell

Номер патента: US7749838B2. Автор: Chi-Pin Lu,Shing-Ann Luo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-06.

Reference sense amplifier and method for compensated sensing in non-volatile memory

Номер патента: WO2007076414A3. Автор: Raul-Adrian Cernea,Siu Lung Chan. Владелец: Siu Lung Chan. Дата публикации: 2007-09-27.

Non-volatile memory circuit and method

Номер патента: US20230386591A1. Автор: Yu-Der Chih,Gu-Huan Li,Chen-Ming Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Reference sense amplifier and method for compensated sensing in non-volatile memory

Номер патента: EP1966801A2. Автор: Raul-Adrian Cernea,Siu Lung Chan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-09-10.

Non-volatile semiconductor memory device with memory transistor

Номер патента: US20050083737A1. Автор: Yoshikazu Miyawaki,Satoru Kishida,Hiromi Okimoto,Daisuke Agawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Systems and methods for high-performance write operations

Номер патента: US20200035313A1. Автор: Mohan DUNGA,Pitamber Shukla,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-30.

Systems and methods for high-performance write operations

Номер патента: US20190180831A1. Автор: Mohan DUNGA,Pitamber Shukla,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-06-13.

Semiconductor memory

Номер патента: US20060258108A1. Автор: Shinichi Sato,Katsuya Hironaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same

Номер патента: EP1316963A3. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Yutaka Okamoto,Riichiro Shirota,Hideo Kato,Masamichi Asano,Seiichi Aritome,Hiroto Nakai,Yoshihisa Iwata,Kaoru Tokushige,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Hideko Odaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-06.

Conveyance system and temporary storage method of articles in conveyance system

Номер патента: US09520313B2. Автор: Tatsuji Ota. Владелец: Murata Machinery Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120132985A1. Автор: Satoshi Nagashima,Naoki Kai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Abiko Naofumi,HARADA Yoshikazu,YOSHIHARA Masahiro,KAGA Hiroyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-18.

Method and apparatus for dynamically configuring redundant area of non-volatile memory

Номер патента: US20050002234A1. Автор: Cheng-Chih Yang. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2005-01-06.

Apparatus, system, and method of storage and retrieval of local volatile memory content of non-volatile storage memory

Номер патента: US09846468B2. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Memory system and method of controlling the same

Номер патента: US7596048B2. Автор: Yohei Kamiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-09-29.

Memory system, operating method of the memory system, and interface circuit of the memory system

Номер патента: US20240257850A1. Автор: ChiWeon Yoon,Anil KAVALA,Youngmin Jo,Jungjune PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20190051349A1. Автор: George McNeil Lattimore,Bal S. Sandhu,Cezary Pietrzyk. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-02-14.

System and method for managing data in a memory device

Номер патента: US09690491B2. Автор: Alan Welsh Sinclair. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-27.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US09548118B1. Автор: Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Method, system and device for non-volatile memory device state detection

Номер патента: US09997242B2. Автор: Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Mudit Bhargava. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US09589636B1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051176A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US09792984B1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Azeez Jennudin Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100176439A1. Автор: Yoshiki Yonamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180254084A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180114574A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-04-26.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2018078349A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US09990992B2. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Lucian Shifren,Azeez Jennudin Bhavnagarwala,Robert Campbell Aitken. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US7338863B2. Автор: Young-sun Kim,Jong-Cheol Lee,Han-mei Choi,Jae-Hyoung Choi,Gab-jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Flash memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7238574B1. Автор: Kwon Hong,Min Sik Jang,Eun Shil Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-07-03.

System and method for MRAM having controlled averagable and isolatable voltage reference

Номер патента: US09455031B2. Автор: Jung Pill Kim,Taehyun Kim. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09886200B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09875036B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09529543B1. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor memory device and driving method of the same

Номер патента: US09606743B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Stacked non-volatile semiconductor memory device with buried source line and method of manufacture

Номер патента: US09761606B1. Автор: Takashi Ishida,Hideaki Aochi,Fumitaka Arai,Jun Fujiki,Shinya Arai,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040135191A1. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-15.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6995421B2. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-07.

Method, system and device for non-volatile memory device state detection

Номер патента: US20180254082A1. Автор: Shidhartha Das,Glen Arnold Rosendale,Mudit Bhargava. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-09-06.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: WO2017051175A1. Автор: Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-30.

Method, system and device for complementary non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180366195A1. Автор: Lucian Shifren,Robert Campbell Aitken,Azeez Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-12-20.

System and method for enabling non-volatile memory to execute code while operating as a data storage/processing device

Номер патента: EP1305713A1. Автор: Amir Ban,Moshe Gefen,Shuka Zernovizky. Владелец: M Systems Flash Disk Pionners Ltd. Дата публикации: 2003-05-02.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080151645A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor memory device and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11956964B2. Автор: Ken Komiya. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20200192583A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Re-programmable integrated circuit architecture and method of manufacture

Номер патента: US20230116065A1. Автор: Anand Seshadri,Michael Allen Ball. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Method of utilizing a plurality of voltage pulses to program non-volatile memory elements and related embedded memories

Номер патента: US6816427B2. Автор: David Novosel,Gary S. Craig. Владелец: Novocell Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-11-09.

Circuit and method for storing information in non-volatile memory during a loss of power event

Номер патента: US20210133052A1. Автор: Juan Manuel Cesaretti,Alejandro Gabriel Milesi. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Circuit and method for storing information in non-volatile memory during a loss of power event

Номер патента: US20190370125A1. Автор: Juan Manuel Cesaretti,Alejandro Gabriel Milesi. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2019-12-05.

Method, system and device for non-volatile memory device operation

Номер патента: US20180122463A1. Автор: Piyush Agarwal,Akshay Kumar,Azeez Jennudin Bhavnagarwala. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-05-03.

Systems and methods capable of bypassing non-volatile memory when storing firmware in execution memory

Номер патента: US11775038B2. Автор: Ashok Kumar YADAV,Shalu Agrawal,Shaileshkumar Vasu,Vismay Ajaykumar Desai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Manufacturing method of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0138312B1. Автор: 이정형,최정혁. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-28.

Cell array structure of non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100242723B1. Автор: 최정혁,김건수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-02-01.

Semiconductor memory sensing architecture

Номер патента: US9633703B2. Автор: Steve Wang,Jeong-Duk Sohn,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Non-Volatile Memory Cell and Layout Structure of Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20110073924A1. Автор: Hui-Fang Tsai,Hung-Lin Shih,Pei-Ching Yin,Bin Chen, JR.. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Semiconductor Memory Sensing Architecture

Номер патента: US20170011781A1. Автор: Steve Wang,Jeong-Duk Sohn,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-12.

Storage controller, storage device, storage system and method of operating the storage controller

Номер патента: US09846542B2. Автор: Jung-Min Seo,Ju-Pyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor memory sensing architecture

Номер патента: US09633703B2. Автор: Steve Wang,Jeong-Duk Sohn,Charlie Cheng. Владелец: Kilopass Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Apparatus, system, and method of storage and retrieval of local volatile memory content of non-volatile storage memory

Номер патента: US20160378621A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same, volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same, and semiconductor memory device incorporating the non-volatile semiconductor memory device with the volatile semiconductor memory device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR100391559B1. Автор: 요시카와구니요시. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2003-07-12.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09711518B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Manufacture of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS5816573A. Автор: Shozo Saito,斎藤　昇三. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-31.

Manufacture of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH1027890A. Автор: Shoichi Sasaki,正一 佐々木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Production of non-volatile semiconductor memory element

Номер патента: JPS53132277A. Автор: Katsuhiro Tsukamoto,Yoichi Akasaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1978-11-17.

Non-volatile semiconductor memory device having memory cell array suitable for high density and high integration

Номер патента: US20070241391A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Fumitaka Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells and Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20140226392A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140225054A1. Автор: Ito Satoru,Fujii Satoru,Yoneda Shinichi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-08-14.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: WO2012089334A2. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Pasquale Vastano,Vitantonio Di Stasio. Владелец: STMicroelectronics NV. Дата публикации: 2012-07-05.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US20200294560A1. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method to increase charge retention of non-volatile memory

Номер патента: WO2007089558A3. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Monolithic System Tech Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US11152041B2. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Erroneous operation preventing circuit of non-volatile memory device

Номер патента: US20040264268A1. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110073935A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Akiko Sekihara,Tesuya Kai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Split gate type non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: TWI368330B. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12093554B2. Автор: Hee Chan Shin,Young Ho AHN,Jae Gwang Lee,Gi Gyun Yoo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: TW200306011A. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-11-01.

Peripheral circuit assemblies, memory systems and fabrication methods of memory systems

Номер патента: US20240315056A1. Автор: Lei Ren,Yuxuan Ren,Hu DING,Yanwei Shi,Xuelian Yu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

SYSTEMS AND METHODS OF NON-VOLATILE MEMORY SENSING INCLUDING SELECTIVE/DIFFERENTIAL THRESHOLD VOLTAGE FEATURES

Номер патента: US20130163363A1. Автор: Tran Hieu Van,SAHA Samar. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

SYSTEMS AND METHODS OF NON-VOLATILE MEMORY SENSING INCLUDING SELECTIVE/DIFFERENTIAL THRESHOLD VOLTAGE FEATURES

Номер патента: US20140293724A1. Автор: Tran Hieu Van,SAHA Samar. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-10-02.

Storage System with Multiple Components and Method for Use Therewith

Номер патента: US20220076776A1. Автор: Daniel L. Helmick,Martin V. Lueker-Boden. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-10.

Storage System with Multiple Components and Method for Use Therewith

Номер патента: US20200294616A1. Автор: Daniel L. Helmick,Martin V. Lueker-Boden. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-17.

Fabricating method of non-volatile memory structure

Номер патента: US20140209992A1. Автор: Chih-Chieh Cheng,Wen-Jer Tsai,Shih-Guei Yan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Magnetic shielding package of non-volatile magnetic memory element

Номер патента: US9553052B2. Автор: Shinji Watanabe,Hiroaki Matsubara,Toshihiro Iwasaki,Kiminori Ishido,Tomoshige Chikai,Michiaki Tamakawa. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE STORAGE DEVICE, AND NON-VOLATILE STORAGE DEVICE

Номер патента: US20140042383A1. Автор: Yamamoto Kazuhiko,INOKUMA Hideki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-02-13.

DRIVING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140321197A1. Автор: Ninomiya Takeki,TAKAGI Takeshi,Katayama Koji,WEI Zhiqiang. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM, MEMORY CARD HAVING THE SAME, AND OPERATING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150301589A1. Автор: Ahn Seok-Won,OH Hwa-seok. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5712178A. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Myoung-kwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-27.

The operating method of non-volatile memory device and non-volatile memory device

Номер патента: CN109390017A. Автор: 宋泰中,表锡洙,郑铉泽. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Apparatus and methods for approximate neural network inference

Номер патента: WO2023187782A1. Автор: Konstantin Anatolievich ZVEZDIN,Dmitry Roaldovich LESHCHINER,Sergey Yurievich SEDYKH. Владелец: Spinedge Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120295413A1. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8450182B2. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160163719A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170309633A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130237029A1. Автор: NANSEI Hiroyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-12.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140374691A1. Автор: Hiroyuki Nansei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150372079A1. Автор: FUKUMURA Tatsuya,NAITO Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Methods and systems for monitoring write operations of non-volatile memory

Номер патента: US20140245084A1. Автор: Matthew J. Byom,Nir J. Wakrat. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Enhancing lifetime of non-volatile cache by injecting random replacement policy

Номер патента: US09792228B2. Автор: Yi Xu,Yuan Xie,Zhe Wang,Junli Gu,Ting CAO. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

LED lighting system and controller, a method of controlling a plurality of LEDs, and a computer program therefor

Номер патента: US09723669B2. Автор: Aliaksei Vladimirovich Sedzin,Marc Vlemmings. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-08-01.

Enhancing lifetime of non-volatile cache by reducing intra-block write variation

Номер патента: US09767043B2. Автор: Yi Xu,Yuan Xie,Zhe Wang,Junli Gu,Ting CAO. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Proactively correcting behavior that may affect I/O performance in a non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09684460B1. Автор: Feng Wang,Bo Hong,John Hayes,John Colgrove,Ethan MILLER,Craig Harmer. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

System for generation and infusion introduction of radio pharmaceutical preparations (options), method of working with system and air blowing method of system piping layout

Номер патента: RU2671939C2. Автор: Джанет Л. ГЕЛБАХ,Джулиус П. ЗОДДА,Катрин М. ХАНТЕР,Рольф Э. СВЕНСОН,Аарон М. ФОНТЭН,Стефен Э. ХАЙДЕМ,Патрик М. МАКДОНАЛД. Владелец: Бракко Дайэгностикс Инк.. Дата публикации: 2018-11-07.

Calorimeters for testing energy storage systems and power electronics, methods of making the same and methods of use

Номер патента: EP2684016A1. Автор: John Ireland,Matthew Allen KEYSER,Ahmad Pesaran,Mark Alan MIHALIC. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2014-01-15.

Calorimeters for testing energy storage systems and power electronics methods of making the same and methods of use

Номер патента: US09476780B2. Автор: John Ireland,Matthew Allen KEYSER,Ahmad Pesaran,Mark Alan MIHALIC. Владелец: Alliance for Sustainable Energy LLC. Дата публикации: 2016-10-25.

Methods of transporting solid formations of non-volatile bituminous materials and reducing carbon dioxide emissions

Номер патента: WO2022168056A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2022-08-11.

Methods of preparing solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: CA3207545A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2022-08-11.

Methods of preparing solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: EP4288509A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2023-12-13.

Methods of preparing solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: AU2022215957A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Found. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods of transporting solid formations of non-volatile bituminous materials and reducing carbon dioxide emissions

Номер патента: US11912942B2. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2024-02-27.

Methods of transporting solid formations of non-volatile bituminous materials and reducing carbon dioxide emissions

Номер патента: AU2022216539A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Found. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods of transporting solid formations of non-volatile bituminous materials and reducing carbon dioxide emissions

Номер патента: CA3207562A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2022-08-11.

Methods of transporting solid formations of non-volatile bituminous materials and reducing carbon dioxide emissions

Номер патента: EP4288353A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2023-12-13.

Data classification method using quantum computer, quantum computer system, and classifier training method of quantum computer system

Номер патента: US12099573B2. Автор: Shengyu ZHANG,Changyu HSIEH,Songlian OU. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Multi-material inspection system and velocity measurement method of critically refracted longitudinal wave based on single-angle wedges

Номер патента: US20220268739A1. Автор: Li Lin,Song Zhang,Hong Wang,Zhiyuan Ma,Shijie Jin,Zhongbing Luo. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2022-08-25.

Agricultural system and computer implemented method of controlling such

Номер патента: EP4413842A1. Автор: Grant J. Wonderlich,Timothy A. Wilcox,Bradley W. Van de Woestyne,Zimin Vilar. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-08-14.

Artificial intelligence core, artificial intelligence core system, and loading/storing method of artificial intelligence core system

Номер патента: EP4206999A1. Автор: Jin Seok Kim,Dong Han Kim,Kyeong Ryeol BONG,Jin Wook Oh. Владелец: Rebellions Inc. Дата публикации: 2023-07-05.

Mobility management system and mobility management method of a base station

Номер патента: US20240323782A1. Автор: Jie Deng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Apparatus for controlling wide-band signal transmission gain in wireless communication systems and signal processing method of the same

Номер патента: US09634699B2. Автор: Yong Su LEE. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-04-25.

Classified display system and classified display method of centralized market activity

Номер патента: US20240233217A1. Автор: Chih-Hung Chiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-11.

Command packets for the direct control of non-volatile memory channels within a solid state drive

Номер патента: US20220043761A1. Автор: Jeffrey McVay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Command packets for the direct control of non-volatile memory channels within a solid state drive

Номер патента: US11169939B2. Автор: Jeffrey McVay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-09.

Command packets for the direct control of non-volatile memory channels within a solid state drive

Номер патента: US20190332555A1. Автор: Jeffrey McVay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Maintenance computer of plant monitoring and control system and non-transitory computer-readable recording medium storing maintenance program of plant monitoring and control system

Номер патента: US10663962B2. Автор: Masashi HIRAHATAKE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-26.

Maintenance computer of plant monitoring and control system and non-transitory computer-readable recording medium storing maintenance program of plant monitoring and control system

Номер патента: US20180341256A1. Автор: Masashi HIRAHATAKE. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Data storing system and data processing method of informational household appliance

Номер патента: US20100153437A1. Автор: Jianming Zhou,Congxing Ouyang,Guanghai Zhang. Владелец: China Mobile Communications Group Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Satellite navigation system and attitude determination method of object using the same

Номер патента: WO2003017018A1. Автор: Sangjeong LEE,Chansik Park,Seokbo Son,Byungyeun Kim. Владелец: Navicom Co., Ltd.. Дата публикации: 2003-02-27.

Storage system and data management method of storage system

Номер патента: US11073997B2. Автор: Yuki Kuroda,Kozue Fujii,Yoshio SONOKAWA,Hirokazu Ogasawara. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2021-07-27.

Controller for at least one heater utilized in a hot runner injection molding system and an associated method of use

Номер патента: CA2642362C. Автор: Jim Pilavdzic. Владелец: HUSKY INJECTION MOLDING SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2013-04-09.

Multi-node storage system and queue control method of multi-node storage system

Номер патента: US20200174673A1. Автор: Atsushi Sato,Hajime Ikeda,Takafumi Maruyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2020-06-04.

Data processing system and memory management method of data processing system

Номер патента: US20240095179A1. Автор: Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Shuangchen Li,Tianchan GUAN,Yijin GUAN. Владелец: Alibaba China Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Wireless intercommunication system and group pairing method of intercommunication system

Номер патента: US11889573B2. Автор: Sung Won Yoon. Владелец: SENA TECHNOLOGIES Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Air-conditioning system and program update method of air-conditioning system

Номер патента: US11859841B2. Автор: Tomohide OTA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Program module management system and method thereof and storing medium of management programs of the system

Номер патента: US20020023196A1. Автор: Nobuyuki Hirai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-21.

Agricultural system and computer implemented method of controlling such

Номер патента: EP4371382A1. Автор: Elijah B Garner,Cary S Hubner,Kelby J Krueger,Michael C Steele,Bradley A Wackerle. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-05-22.

Device for generating verification vector for circuit design verification, circuit design system, and reinforcement learning method of the device and the circuit design system

Номер патента: US11861280B2. Автор: Kwang-Il Park,Tae-Ho Lee,Jeong-Hoon Ko,Youn-Sik Park,Seung-ju Kim,Chang-Wook Jeong,Joon-Wan Chai,Jun-Haeng Lee,Hyun-Sun Park,In HUH,Young-Min Oh,Hyo-Jin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Device for generating verification vector for circuit design verification, circuit design system, and reinforcement learning method of the device and the circuit design system

Номер патента: US20240086603A1. Автор: Tae-Ho Lee,Jeong-Hoon Ko,Kwang-II Park,Youn-Sik Park,Seung-ju Kim,Chang-Wook Jeong,Joon-Wan Chai,Jun-Haeng Lee,Hyun-Sun Park,In HUH,Young-Min Oh,Hyo-Jin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-14.

Analyzing method of spot welded portion, analyzing program of spot welded portion, recording medium and analyzing apparatus of spot welded portion

Номер патента: US09816904B2. Автор: Akira Shirai,Satoshi Hirose,Toshiyuki Niwa,Shunji Hiwatashi,Akihiro Uenishi,Yusuke Kamada. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

System of paper sheet manipulation, device of paper sheet recognition, device of paper sheet manipulation, method of paper sheet manipulation and program of paper sheet manipulation

Номер патента: RU2471242C2. Автор: Гуи ФУ,Тосио НУМАТА,Содзи ТОМИЯ,Хадзиме МОРИНО. Владелец: Глори Лтд.. Дата публикации: 2012-12-27.

Analyzing method of spot welded portion, analyzing program of spot welded portion, recording medium and analyzing apparatus of spot welded portion

Номер патента: US20150330881A1. Автор: Akira Shirai,Satoshi Hirose,Toshiyuki Niwa,Shunji Hiwatashi,Akihiro Uenishi,Yusuke Kamada. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2015-11-19.

Apparatus, system, and method for solid-state storage as cache for high-capacity, non-volatile storage

Номер патента: US09519594B2. Автор: David Flynn,Jonathan Thatcher,Michael Zappe,John Strasser. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-13.

Eyezon system and method of obtaining advice on product or service on demand in online broadcast

Номер патента: RU2739706C1. Автор: Кнези Драгорад,Любохинец Антон,Климук Владислав. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Репорт". Дата публикации: 2020-12-28.

System and method of leveraging gpu resources to increase performance of an interact-able content browsing service

Номер патента: US20170039985A1. Автор: Jung Chang Kuo. Владелец: Ubitus Inc. Дата публикации: 2017-02-09.

Communication system and method of autonomous vehicle and terminal device

Номер патента: US20200077242A1. Автор: Lei Fang,JI Tao,Yifeng Shi,Xing Hu,Haisong Wang. Владелец: Baidu Online Network Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-05.

Communication system and method of autonomous vehicle and terminal device

Номер патента: EP3618470A2. Автор: Lei Fang,JI Tao,Yifeng Shi,Xing Hu,Haisong Wang. Владелец: Baidu Online Network Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-04.

Computer-based platforms and systems for asynchronous parallel network operations and methods of use thereof

Номер патента: WO2023150659A1. Автор: Kevin Lupowitz,Andre Frank,Eric Couillard,Sanjaya Kulkarni,Joe Grastara,Glendy Kam. Владелец: Tassat Group Inc.. Дата публикации: 2023-08-10.

System and method for arbitrating encrypted electronic transactions among intermediary and authoring users only when an interaction occurs between authoring and candidate users who was exposed by the intermediary user to data published by authoring user

Номер патента: US20190220912A1. Автор: Robert William Archibald,Frederick Harold Reffsin,Brian Ross Lurie. Владелец: Aliro Group. Дата публикации: 2019-07-18.

System and method for arbitrating encrypted electronic transactions among intermediary and authoring users only when an interaction occurs between authoring and candidate users who was exposed by the intermediary user to data published by authoring user

Номер патента: US20170364980A1. Автор: Robert William Archibald,Frederick Harold Reffsin,Brian Ross Lurie. Владелец: Aliro Group. Дата публикации: 2017-12-21.

Computer-based platforms and systems for asynchronous parallel network operations and methods of use thereof

Номер патента: WO2023150659A8. Автор: Kevin Lupowitz,Andre Frank,Eric Couillard,Sanjaya Kulkarni,Joe Grastara,Glendy Kam. Владелец: Tassat Group Inc.. Дата публикации: 2024-02-15.

System and method of leveraging GPU resources to increase performance of an interact-able content browsing service

Номер патента: US09483996B2. Автор: Jung Chang Kuo,Wei Hao Peng. Владелец: Ubitus Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Adjustment of safe data commit scan based on operational verification of non-volatile memory

Номер патента: US20210073090A1. Автор: Lokesh M. Gupta,Matthew G. Borlick,Brian Anthony Rinaldi,Trung N. NGUYEN,Sean Patrick Riley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Termination of non-volatile memory networking messages at the drive level

Номер патента: WO2020183246A3. Автор: Noam Mizrahi. Владелец: Marvell Asia Pte, Ltd.. Дата публикации: 2020-10-15.

Content delivery system, method of operating content delivery system, mobile object, method of operating mobile object, terminal device, method of operating terminal device, and program

Номер патента: EP4460009A1. Автор: Tetsugoro Ihara. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-11-06.

Nibble encoding for improved reliability of non-volatile memory

Номер патента: US20130104000A1. Автор: Christopher J. Bueb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-25.

Structurally-Embedded Construction, Design, and Maintenance Record Data Management System and Related Method

Номер патента: US20140330788A1. Автор: Taeho Um. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-11-06.

Projection system and control method of the same

Номер патента: US20070263178A1. Автор: Jong-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-15.

Display system and self-checking method of the display system

Номер патента: US09867256B2. Автор: Sang-on Choi,Sung-Han Lee,Chang-won Son,Kun-sok KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory device, memory system, and operating method of memory system

Номер патента: US09569371B2. Автор: Jun-Jin Kong,Pil-Sang Yoon,Chang-kyu Seol,Seong-Hyeog CHOI,Hong-rak Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

System and Operating Method of a Questionnaire Sticker Applying to Various Communication Software Programs

Номер патента: US20180158083A1. Автор: Nen-Fu Huang,Wei-Kuan Shih. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-07.

Positioning system and calibration method of object location

Номер патента: US11854221B2. Автор: Yu-Cheng Lee. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Control system and control method of unmanned engineering machinery

Номер патента: US20200213396A1. Автор: Hao Xu,Feixiang LU,Ruigang Yang,Xinjing Cheng,Yajue Yang. Владелец: Beijing Baidu Netcom Science And Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

Monitoring system and monitoring method of network latency

Номер патента: US20240089188A1. Автор: Te-Yen Liu,Chia Hung Lai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2024-03-14.

System and method for data interrogation and/or remote programming of a medical device

Номер патента: US20240185996A1. Автор: Andrew B. Kibler,James Horton,Lauren Kraiter,Rainer Joerg Grosskopf,Thorsten WENZLAFF,Dirk KLEEBLATT. Владелец: Biotronik SE and Co KG. Дата публикации: 2024-06-06.

Image forming apparatus, control system, and control method using a detachable part

Номер патента: US11805214B2. Автор: YU HUANG,Baoxu JIANG. Владелец: Zhuhai Pantum Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-31.

Manufacturing line computer system and network setup method of the same

Номер патента: US20180332002A1. Автор: Takashi Nakamura,Tsutomu Hoshi. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2018-11-15.

Manufacturing line computer system and network setup method of the same

Номер патента: US20210306297A1. Автор: Takashi Nakamura,Tsutomu Hoshi. Владелец: Sony Interactive Entertainment Inc. Дата публикации: 2021-09-30.

System and computer method for visually guiding a user to a current interest

Номер патента: CA2958764C. Автор: Sydney Nicole EPSTEIN,Luka MARIC,Paul Lawrence EPSTEIN. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-08-08.

Saliva detection device, saliva detection system and operation method thereof

Номер патента: US12048421B2. Автор: Zheng Wu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Calibration device of camera, camera system, and calibration method of camera

Номер патента: US09800867B2. Автор: Masaya Itoh,So SASATANI. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2017-10-24.

Thin battery separators and methods

Номер патента: US20240194956A1. Автор: Xiaomin Zhang,Paul M. Halmo,Lie Shi,Zhengming Zhang,Paul D. VIDO,Daniel R. ALEXANDER,Jill V. Watson. Владелец: Celgard LLC. Дата публикации: 2024-06-13.

Thin battery separators and methods

Номер патента: US09666847B2. Автор: Xiaomin Zhang,Paul M. Halmo,Lie Shi,Zhengming Zhang,Paul D. VIDO,Daniel R. ALEXANDER,Jill V. Watson. Владелец: Celgard LLC. Дата публикации: 2017-05-30.

Lithium battery system and charge-discharge method of the same

Номер патента: US20230238594A1. Автор: Kuo-Chih Yu,Chun-hsien Cho,Li-Ting Cai. Владелец: Hongfujin Precision Industry Wuhan Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Thermal battery system and ignition method of the same

Номер патента: US20220190358A1. Автор: Jae In Lee,Jang Hyeon CHO,Chaenam IM,Hyunki Yoon,Yusong Choi. Владелец: Agency for Defence Development. Дата публикации: 2022-06-16.

Thermal battery system and ignition method of the same

Номер патента: US11916261B2. Автор: Jae In Lee,Jang Hyeon CHO,Chaenam IM,Hyunki Yoon,Yusong Choi. Владелец: Agency for Defence Development. Дата публикации: 2024-02-27.

Physiology detecting garment, physiology detecting monitoring system and manufacturing method of textile antenna

Номер патента: US20170265743A1. Автор: Yen-Hsien Lee,Hong-Dun Lin,Chih-Lung Chen,Yong-Syuan Chen,Jing-Wen Tang,Wen-Hsien Sun,Pei-Fen Zhen. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2017-09-21.

Anti-fouling paint composition with high content of non-volatile components, anti-fouling coating film, base with coating film, anti-fouling base, method of forming coating film on base surface, method of endowing base with anti-fouling properties and set of anti-fouling multi-component paint with high content of non-volatile components

Номер патента: RU2401288C2. Автор: Такахару ДУМАЕ,Масааки ОЙЯ,Джуджи НИИМОТО,Макото ТСУБОЙ,Такахару ДУМАЕ (JP),Масааки ОЙЯ (JP),Джуджи НИИМОТО (JP),Макото ТСУБОЙ (JP). Владелец: Чугоку Марине Пейнтс, Лтд.. Дата публикации: 2010-10-10.

Anticorrosive coating compound with high content of non-volatile components, quick-set anticorrosive coating compound with high content of non-volatile components, ship or similar coating process, anticorrosive film with high content of non-volatile components and quick-set anticorrosive film with high content of nonvolatile components after coating, filmy ship and submarine construction

Номер патента: RU2357992C2. Автор: Джиунджи НИИМОТО,Суси КАНАМЕДА,Томохиса СУМИДА,Юкио МИЯЧИ,Хидеюки ТАНАКА. Владелец: Чугоку Марин Пейнтс, Лтд.. Дата публикации: 2009-06-10.

Improved system and method for delivery of uv laser energy for phototherapy

Номер патента: WO2024186703A1. Автор: James Morris,Shmuel GOV. Владелец: Strata Skin Sciences, Inc.. Дата публикации: 2024-09-12.

Fermentative production of non-volatile microbial metabolism products in solid form

Номер патента: CA2623588C. Автор: Oskar Zelder,Markus Pompejus,Stephan Freyer,Matthias Boy,Markus Lohscheidt,Edzard Scholten. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-06-28.

Full safe hydro-mechanical lock system and the operation method of this system

Номер патента: WO2021242210A1. Автор: Birol Ozer. Владелец: Özkoç Hidrolik Makina San Ve Tic A.Ş. Дата публикации: 2021-12-02.

Full safe hydro-mechanical lock system and the operation method of this system

Номер патента: EP4157622A1. Автор: Birol Ozer. Владелец: Ozkoc Hidrolik Makina San Ve Tic AS. Дата публикации: 2023-04-05.

An improved mechanical turbine system and an associated method of working thereof

Номер патента: WO2022208510A1. Автор: Rishi Gupta. Владелец: Rishi Gupta. Дата публикации: 2022-10-06.

Clothes dryer wireless moisture data transfer systems and energy-efficient methods of operation

Номер патента: US09915023B2. Автор: Ashutosh Kulkarni,Dongsoo Shin,Jaeseok Noh,Younghoon Kim,Jaeyoung Jang,Jaebong LEE. Владелец: Haier US Appliance Solutions Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Movable partition systems and components thereof, methods of installing movable partition systems, and methods of moving a movable partition

Номер патента: US20120325414A1. Автор: W. Michael Coleman,Michael D. George,John G. Garrett, Iii,Paul Saccomanno. Владелец: Won-Door Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Characteristic table generation system, method of generating characteristic table, and program of generating characteristic table

Номер патента: US11919291B2. Автор: Masakazu Hirata,Takayuki Shimizu. Владелец: SII Printek Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Clean room module, clean room system and self-locking method of clean room module

Номер патента: EP4355970A1. Автор: Ho Chi WONG,Ka Wai CHAN,Tak Man LEUNG,Lap Fung CHAN,Fei Long CHEN. Владелец: Intelligent Precision Micro Systems Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Agricultural system and computer implemented method of controlling such

Номер патента: EP4371385A1. Автор: Elijah B Garner,Cary S Hubner,Kelby J Krueger. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-05-22.

Agricultural system and computer implemented method of controlling such

Номер патента: EP4371386A1. Автор: Elijah B Garner,Cary S Hubner,Kelby J Krueger. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2024-05-22.

Characteristic table generation system, method of generating characteristic table, and program of generating characteristic table

Номер патента: US20220184941A1. Автор: Masakazu Hirata,Takayuki Shimizu. Владелец: SII Printek Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Agricultural system and computer implemented method of controlling such

Номер патента: EP4257379A1. Автор: Mark D Klein,Benjamin C Potter,Eric A Keen,Lee A Johnson. Владелец: Deere and Co. Дата публикации: 2023-10-11.

Apparatus, System, and Method of Look-Ahead Address Scheduling and Autonomous Broadcasting Operation to Non-Volatile Storage Memory

Номер патента: US20160378402A1. Автор: Mike Hossein Amidi,Vahab Alemzadeh. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

Apparatus, system, and method of look-ahead address scheduling and autonomous broadcasting operation to non-volatile storage memory

Номер патента: US09990159B2. Автор: Mike Hossein Amidi,Vahab Alemzadeh. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Systems and methods for load-balancing cache flushes to non-volatile memory

Номер патента: US20190236029A1. Автор: Stuart Allen Berke,Vadhiraj Sankaranarayanan,Wade Andrew Butcher. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2019-08-01.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20180188963A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

System and method for using free space to improve erasure code locality

Номер патента: US20200348855A1. Автор: Yogev VAKNIN. Владелец: Vast Data Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Memory system and method of controlling memory system

Номер патента: US20200409555A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Database management system based on in-page logging and method using the system

Номер патента: WO2008133373A1. Автор: Sang-Won Lee,Sang Lyul MIN,Bongki Moon. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2008-11-06.

Systems and methods of implementing content validation of microcomputer based circuits

Номер патента: WO2012154398A1. Автор: Iser B. Flaum,George Bernard LA FEVER. Владелец: ELECTRONIC WARFARE ASSOCIATES, INC.. Дата публикации: 2012-11-15.

Systems and methods of implementing content validation of microcomputer based circuits

Номер патента: EP2707735A1. Автор: Iser B. Flaum,George Bernard LA FEVER. Владелец: Electronic Warfare Associates Inc. Дата публикации: 2014-03-19.

System and method for power management in solid state storage systems

Номер патента: US20240264754A1. Автор: Lin Chen,Ming Lu,Gang Zhao. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Computed tomography (ct) imaging system, radiation imaging system, and method of acquiring ct imaging data

Номер патента: US20230110667A1. Автор: Akira Nishijima,Takashi Ohshima,John Baumgart,Thomas Labno,Kevin Zimmerman,James Lawrence Begelman. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

System and method for allocating memory space

Номер патента: EP4386566A1. Автор: Peng Xu,CHAOHONG HU,HUI Zhang,Fei Liu,Ping Zhou,Kan Frankie Fan,Longxiao Li. Владелец: Lemon Inc. Дата публикации: 2024-06-19.

Method of securing communication in wireless network and resource-restricted device therefor

Номер патента: RU2553072C2. Автор: Божена ЭРДМАНН,МОРЧОН Оскар ГАРСИЯ,Филип Эндрю РУДЛЭНД,Клаус КУРЗАВЕ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС ЭЛЕКТРОНИКС Н.В.. Дата публикации: 2015-06-10.

System and method for processing large datasets

Номер патента: US20220137960A1. Автор: FENG ZHU,Fei Xue,Hongzhong Zheng,Shuangchen Li. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Flash memory file system and method using different types of storage media

Номер патента: US09804961B2. Автор: Zhengning Zhou,Yu Feng Liao. Владелец: Aupera Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Hardware apparatuses and methods for distributed durable and atomic transactions in non-volatile memory

Номер патента: US09645939B2. Автор: Sanjay Kumar,Subramanya R. DULLOOR,Rajesh M Sankaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Storage system and method of controlling storage system

Номер патента: US20230297249A1. Автор: Junji Ogawa,Tomohiro Miyabe,Hiroshi Otsuru,Toshiaki Hayano. Владелец: Hitachi Information and Telecommunication Engineering Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP4283508A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-29.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Systems and methods of processing access requests at a data storage device

Номер патента: WO2015026578A1. Автор: Sergey Anatolievich Gorobets,Robert Jackson,Gary Lin,Daniel Edward Tuers. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-02-26.

Reducing power consumption of volatile memory via use of non-volatile memory

Номер патента: US09891694B2. Автор: Ali Taha,Vipul Gandhi,Phani Babu Giddi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US11269766B2. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20240256442A1. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Cache memory system and processor system

Номер патента: US09740613B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for implementing security of non-volatile memory

Номер патента: US09471812B2. Автор: CHEN He. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor memory device

Номер патента: US09471257B2. Автор: Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Interface of non-volatile memory

Номер патента: RU2623801C1. Автор: Ритеш Б. ТРИВЕДИ,Инг Хун ООЙ,Мл. РОЙЕР Роберт Дж.,Майкл У. УИЛЬЯМС,Джеффри Р. УИЛКОКС,Блэйз ФАННИНГ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-06-29.

System and methods of determining acceleration of a shaft

Номер патента: CA3051342A1. Автор: Gabriel Meunier,Michael Conciatori. Владелец: Pratt and Whitney Canada Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Systems and methods for interactive learning

Номер патента: WO2024047671A1. Автор: Navin Agarwal,Sumantra MITRA,Nishad INGLE,Nilam PATEL,Pravin THAKUR. Владелец: Glenmark Life Sciences Limited. Дата публикации: 2024-03-07.

Information processing apparatus, method of controlling the same, and storage medium with features for updating code and data areas of non-volatile memory

Номер патента: US11907049B2. Автор: Hidemi Sasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Maintaining quality of service of non-volatile memory devices in heterogeneous environment

Номер патента: US12112074B2. Автор: Yaron Klein,Oded Ilan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Systems and methods for determining the cleanliness of a surface

Номер патента: US09839712B2. Автор: G. Marco Bommarito. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-12-12.

System and method for power management in solid state storage systems

Номер патента: US20230350585A1. Автор: Lin Chen,Ming Lu,Gang Zhao. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

System and method for power management in solid state storage systems

Номер патента: US11989426B2. Автор: Lin Chen,Ming Lu,Gang Zhao. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Technologies for contemporaneous access of non-volatile and volatile memory in a memory device

Номер патента: US20170177244A1. Автор: Richard P. Mangold,Camille C. Raad,Kunal A. Khochare,Shachi K. Thakkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Data storage device, non-volatile memory operating method, and method for executing operational commands to operate a data storage medium

Номер патента: US20200272330A1. Автор: Ming-Hung Chang,Shu-Lei CHEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Technologies for contemporaneous access of non-volatile and volatile memory in a memory device

Номер патента: EP3391229A1. Автор: Richard P. Mangold,Camille C. Raad,Kunal A. Khochare,Shachi K. Thakkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Method of forming low-resistivity connections in non-volatile memories

Номер патента: US20010049176A1. Автор: Alfonso Maurelli,Nicola Zatelli,Massimo Ati. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-06.

Apparatus, system, and method for managing industrial software configurations

Номер патента: WO2012135568A1. Автор: Timothy Aaron STORER,Michael Wayne OGDEN. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2012-10-04.

Methods for characterizing infections and methods for developing tests for the same

Номер патента: EP4388136A1. Автор: Ephraim L. TSALIK,Ricardo HENAO GIRALDO,Benjamin Charles SCHNELLER,Donna G. CRENSHAW. Владелец: Biomeme Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Methods for characterizing infections and methods for developing tests for the same

Номер патента: US20240363197A1. Автор: Ephraim L. TSALIK,Ricardo HENAO GIRALDO,Christopher Woods,Benjamin Charles SCHNELLER,Donna G. CRENSHAW. Владелец: Predigen Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

CONTROL METHOD AND MEMORY SYSTEM OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20140075099A1. Автор: Ooneda Taku. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-13.

Computing Device with Automated Page Based RAM Shadowing, and Method of Operation

Номер патента: US20090063810A1. Автор: Charles Garcia-Tobin. Владелец: Symbian Software Ltd. Дата публикации: 2009-03-05.

Computing device with automated page based ram shadowing, and method of operation

Номер патента: EP1861782A1. Автор: Charles Symbian Software Limited GARCIA-TOBIN. Владелец: Symbian Software Ltd. Дата публикации: 2007-12-05.

Computing device with automated page based ram shadowing, and method of operation

Номер патента: WO2006097726A1. Автор: Charles Garcia-Tobin. Владелец: Symbian Software Limited. Дата публикации: 2006-09-21.

Data storage device, non-volatile memory operating method, and method for executing operational commands to operate a data storage medium

Номер патента: US20190004702A1. Автор: Ming-Hung Chang,Shu-Lei CHEN. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

System and method of controlling marine vessels

Номер патента: US12030598B2. Автор: Amir Eyal,Ofer Sela,Lawrence NATAN,Yaron Shlomo CARMON,Yehonatan OFIR. Владелец: Aqua Marina Yachts 1995 Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatus and method for detecting false alarm of decryption in wireless communication system

Номер патента: US12068852B2. Автор: Jonghwan KIM,Min Jang,Hongsil JEONG,Sanghyo Kim,Hyunjae Lee,Hyosang Ju,Hyuntack LIM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-20.

Enhanced physiological monitoring devices and computer-implemented systems and methods of remote physiological monitoring of subjects

Номер патента: US12089914B2. Автор: Kurt Stump. Владелец: Sempulse Corp. Дата публикации: 2024-09-17.

Base board architecture for a server computer and method therefor

Номер патента: US09904330B2. Автор: Franz Michael Schuette,Ritesh Kumar,Lawrence Allan Freymuth. Владелец: Sanmina Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Computer-implemented systems and methods of automated physiological monitoring, prognosis, and triage

Номер патента: US09883801B2. Автор: Kurt Stump,Chilezie Nnadi,Alexander Martini. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-02-06.

Hardware apparatuses and methods for distributed durable and atomic transactions in non-volatile memory

Номер патента: US10203910B2. Автор: Sanjay Kumar,Rajesh M. Sankaran,Subramanya R. DULLOOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: EP1438666A4. Автор: Daniel H Bax,Richard A Lary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-28.

Hardware apparatuses and methods for distributed durable and atomic transactions in non-volatile memory

Номер патента: US20170242628A1. Автор: Sanjay Kumar,Rajesh M. Sankaran,Subramanya R. DULLOOR. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-24.

System and method for allocating memory space

Номер патента: US20230122533A1. Автор: Peng Xu,CHAOHONG HU,HUI Zhang,Fei Liu,Ping Zhou,Kan Frankie Fan,Longxiao Li. Владелец: Lemon Inc USA. Дата публикации: 2023-04-20.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: WO2003029992A1. Автор: Daniel H. Bax,Richard A. Lary. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2003-04-10.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: EP1438666A1. Автор: Daniel H. Bax,Richard A. Lary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-07-21.

Proactive allocation of non-volatile data storage to storage objects in a data storage system to anticipate storage object access trends

Номер патента: US20210357135A1. Автор: Nickolay Alexandrovich Dalmatov,Kirill Alexsandrovich Bezugly. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: EP3871096A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-09-01.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: WO2020086264A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-04-30.

Dynamic configuring of reliability and density of non-volatile memories

Номер патента: US20220043745A1. Автор: Yi He,Amichai GIVANT,Amir Rochman,Ori Tirosh. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

Systems and methods for modeling and displaying sweetener synergy

Номер патента: US20240185945A1. Автор: Xiaoqun Mo,Chia-Hua April HSU. Владелец: Wm Wrigley Jr Co. Дата публикации: 2024-06-06.

Systems and methods for modeling and displaying sweetener synergy

Номер патента: WO2024107878A9. Автор: Xiaoqun Mo,Chia-Hua April HSU. Владелец: WM. WRIGLEY JR. COMPANY. Дата публикации: 2024-07-18.

System and method of estimating vital signs of user using artificial intelligence

Номер патента: US20230293113A1. Автор: Nikhil Sehgal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-21.

A gaming system and method of gaming

Номер патента: AU2024205620A1. Автор: Hung Ngoc Nguyen. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Apparatus and method for switching wireless access technology in wireless communication system

Номер патента: US20210007026A1. Автор: Moonyoung JEONG,Jaehyun HWANG,Youngsung KHO,Kyuho HAN,Joonseo LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-07.

Mirroring data in write caches of controller of non-volatile memory

Номер патента: GB2622350A. Автор: Pletka Roman,Papandreou Nikolaos,Pozidis Charalampos,Fisher Timothy,Ioannou Nikolas,STOICA RADU,Yanes Adalberto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: US20030065893A1. Автор: Richard Lary,Daniel Bax. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Non-invasive systems and methods for detecting mental impairment

Номер патента: US20200029880A1. Автор: Daniel Sobek,Antonio H. LARA,Husam Katnani. Владелец: HI LLC. Дата публикации: 2020-01-30.

System and method of identification and authentication for tracing agricultural assets, identification element for secure identification of agricultural assets and corresponding computer programs

Номер патента: CA3078193A1. Автор: Roberto MIYANO NETO,Marcos PONTE SOARES. Владелец: SICPA HOLDING SA. Дата публикации: 2019-06-06.

Device and method for managing connections in wireless communication system

Номер патента: US20210160946A1. Автор: Jisoo SONG,Jeongyeob OAK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-05-27.

System and method of identification and authentication for tracing agricultural assets, identification element for secure identification of agricultural assets and corresponding computer programs

Номер патента: US12045838B2. Автор: Roberto MIYANO NETO,Marcos PONTE SOARES. Владелец: SICPA HOLDING SA. Дата публикации: 2024-07-23.

Fault alarm system and method for transmitting fault messages

Номер патента: MY140764A. Автор: Claus-Markus Pfeffer. Владелец: Continental Automotive GmbH. Дата публикации: 2010-01-15.

Storage of non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: TW200849566A. Автор: Jang-eun Lee,Jun-Ho Jeong,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam,Dae-Kyom Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-16.

INFORMATION PROCESSING DEVICE THAT EXTENDS SERVICE LIFE OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20160253097A1. Автор: TOYODA TAKASHI. Владелец: KYOCERA Document Solutions Inc.. Дата публикации: 2016-09-01.

LIFETIME EXTENSION OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY FOR DATA STORAGE DEVICE

Номер патента: US20150268872A1. Автор: Guda Chandra M.,Ding Lu,Ong Choo-Bhin,KUTAS MICHAEL C.. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-09-24.

Lifetime extension of non-volatile semiconductor memory for data storage device

Номер патента: US9348520B2. Автор: Lu Ding,Chandra M. Guda,Choo-Bhin Ong,Michael C. Kutas. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

System and method for indexing source code

Номер патента: US20240184549A1. Автор: Zdenek Tronicek. Владелец: Research Foundation of State University of New York. Дата публикации: 2024-06-06.

A gaming system and method of gaming

Номер патента: AU2024204619A1. Автор: Antoon Visser. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Gaming system and method of gaming

Номер патента: US20180308318A1. Автор: Antoon Christiaan Visser. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2018-10-25.

Gaming system and method of gaming

Номер патента: US20190295379A1. Автор: Antoon Christiaan Visser. Владелец: ARISTOCRAT TECHNOLOGIES AUSTRALIA PTY LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Real-time cargo condition management system and method based on remote real-time vehicle OBD monitoring

Номер патента: US09886799B2. Автор: Sung Bok Kwak. Владелец: TrueLite Trace Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Methods of assembly of a computer system with randomly accessible non-volatile memory

Номер патента: US8370548B2. Автор: Kumar Ganapathy,Vijay Karamcheti,Kenneth Alan Okin,Rajesh Parekh. Владелец: Virident Systems LLC. Дата публикации: 2013-02-05.

Maintaining qualiy of service of non-volatile memory devices in heterogeneous environment

Номер патента: US20230315344A1. Автор: Yaron Klein,Oded Ilan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Wired communication system and configuration method of device id in wired communication system

Номер патента: US20240356892A1. Автор: Mingxue Xu,Lingjun Kong,Yinhua LIU. Владелец: Hangzhou Shixin Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Invalidating storage area of non-volatile storage medium based on metadata

Номер патента: US8572310B2. Автор: Chanik Park,Sang-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-29.

Method and apparatus for integration of non-volatile memory

Номер патента: US20180349057A1. Автор: Paul Blinzer,Nima Osqueizadeh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of configuring a water electrolysis system

Номер патента: AU2019228699A1. Автор: Jayakrishnan Harikumaran,Jeffrey Brendan Martin,Charudatta Subhash PATIL. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2020-08-20.

Management of non-volatile memory express nodes

Номер патента: WO2022132227A1. Автор: Dejan Vucinic,Marjan Radi. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Method and apparatus for integration of non-volatile memory

Номер патента: US20180181341A1. Автор: Paul Blinzer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: TW465098B. Автор: Masahito Kawada. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2001-11-21.

Management of non-volatile memory express nodes

Номер патента: US12088470B2. Автор: Dejan Vucinic,Marjan Radi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of configuring a water electrolysis system

Номер патента: EP3759264A1. Автор: Jayakrishnan Harikumaran,Jeffrey Brendan Martin,Charudatta Subhash PATIL. Владелец: Shell Internationale Research Maatschappij BV. Дата публикации: 2021-01-06.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: EP4416646A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: EP4416583A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Receivers for solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: US12024678B2. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2024-07-02.

Scalable data structures for control and management of non-volatile storage

Номер патента: US09851910B2. Автор: Earl T. Cohen,Timothy L. Canepa. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Low latency swap device, system and method

Номер патента: WO2020154530A1. Автор: Engling Yeo. Владелец: Goke US Research Laboratory. Дата публикации: 2020-07-30.

Projection system and projection method

Номер патента: US20230057458A1. Автор: Po-Yen Wu,Yu-Hsuan Hsieh,Yun-Shih Chen. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Time division multiplexing communication system, time division multiplexing communication switch system, and communication control method of a communication system

Номер патента: US20050286548A1. Автор: Hiroyuki Watanabe,Osamu Tanaka,Akihiro Tatsuta,Masahiko Nagoshi,Tomonori Shiomi,Nobuhiko Arashin. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-12-29.

Memory system and operating method of memory system

Номер патента: US12050533B2. Автор: In Jong Jang,Kyu Min LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Storage system and data management method of storage system

Номер патента: US20240004575A1. Автор: Hirotaka Nakagawa,Yu Yoshizawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Electronic whiteboard system and operation method

Номер патента: US20200133476A1. Автор: Nan-Jiun Yin,Pen-Ning Kuo. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Simplified process for defining the tunnel area in non-aligned, non-volatile semiconductor memory cells

Номер патента: US6444526B1. Автор: Bruno Vajana,Matteo Patelmo,Giovanna Dalla Libera,Nadia Galbiati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-09-03.

Detection system and detection method of genomic carcinogenesis information based on cell-free dna

Номер патента: US20240060137A1. Автор: Qi Zhang,Weizhi Chen,Yulong Li,Yuanyuan HONG,Fang Lv,Tiancheng Han,Shunli YANG,Peiyao NIE. Владелец: Genecast (beijing) Biotechnology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Measuring system and measuring method of antenna pattern based on near field to far field transformation

Номер патента: US20240329108A1. Автор: Chang-Fa Yang,Wen-Jiao Liao,Chang-Lun Liao,yuan-chang Hou,Bo-Cheng YOU,You-Hua Lin,Jiahn-Wei Lin,De-Xian Song,Tswen-Jiann Huang. Владелец: Chunghwa Telecom Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Ultrasound diagnostic system and control method of ultrasound diagnostic system

Номер патента: US20240324993A1. Автор: Rika TASHIRO. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Driving system and driving method of display panel

Номер патента: US12067926B2. Автор: BO XIAO. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Debugging system and debugging method of multi-core processor

Номер патента: US09852038B2. Автор: Yu-Feng Kang,Qian-Zhi Wang. Владелец: Ali Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Data frame structure and operation method for sharing unlicensed spectrum in wireless communication system and apparatus thereof

Номер патента: US09814093B2. Автор: Byung Jang Jeong,Jung Sun Um,Jae Ick Choi,Sung Jin Yoo,Hoi Yoon Jung. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-11-07.

Wireless system and control method of wireless system

Номер патента: US09642081B2. Автор: Ken Tanaka,Daisuke Inoue,Kenichi Maruhashi,Kouji KOBUKATA,Tadashi TAKAHAMA,Shuuya YAMAMOTO. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Structurally-embedded construction, design, and maintenance record data management system and related method

Номер патента: US09445522B2. Автор: Taeho Um. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of controlling nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20240126433A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of controlling nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US11893238B2. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Circuits, systems and methods for information privatization in personal electronic appliances

Номер патента: EP1256041A2. Автор: Gregory Allen North,Matthew Richard Perry,Brian Christopher Kircher. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2002-11-13.

Proactive allocation of non-volatile data storage

Номер патента: WO2019209133A1. Автор: Nickolay Alexandrovich Dalmatov,Kirill Aleksandrovich Bezugly. Владелец: EMC IP Holding Company LLC. Дата публикации: 2019-10-31.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: US20200125290A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-04-23.

Training system and training method of reinforcement learning

Номер патента: US20220215288A1. Автор: Chieh-Lin CHUANG,Chi-Hsuan Lee,Chin-Feng Lai,Yen-I Ouyang,Cheng-Ping TSENG,Wei-Zhong HSU. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of remediating operations performed by a program and system thereof

Номер патента: EP3885951A1. Автор: Almog Cohen,Tomer Weingarten,Shlomi Salem,Asaf KARELSBAD. Владелец: Sentinel Labs Israel Ltd. Дата публикации: 2021-09-29.

Modeling of Non-Quasi-Static Effects During Hot Carrier Injection Programming of Non-Volatile Memory Cells

Номер патента: US20110282639A1. Автор: Keith Green,Borna Obradovic. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-11-17.

Fluid-powered imaging system and inspection device, method of operating an imaging device and method of operating an imaging taking device using fluid

Номер патента: TWI223564B. Автор: Peter Woodstock. Владелец: Imaging & Sensing Tech Corp. Дата публикации: 2004-11-01.

Purification method, system and detection method of n-methylmorpholine n-oxide, and n-methylmorpholine n-oxide obtained thereof

Номер патента: US20240279192A1. Автор: Wanli Lu,Jie Ma. Владелец: B Fctl Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Base station for processing plurality of cells in wireless communication system and operating method thereof

Номер патента: US20210120453A1. Автор: SEUNGHEE HAN,Seungjoo MAENG,JinHyuk Lee,Chanho An,Myonghee PARK,Myoungwon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-22.

Call centre having operator workstations, a switching device and a call distribution system, and a method of operating a call centre of this kind

Номер патента: US20070041563A1. Автор: Christian Maierhofer,Bernhard Plakolm. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2007-02-22.

Cooling system and control method of cooling system

Номер патента: US20240200766A1. Автор: Chih-Ming Chang,Li-Wei Sung,You-Ren Liou,Ke-Chin Chang. Владелец: Carux Technology Pte Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor memory device and operating method thereof

Номер патента: US20240302982A1. Автор: Jae Woong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Memory system and operating method supporting fast boot using host memory buffer and default enabled information

Номер патента: US12118239B2. Автор: Jeong Hyun Kim,Sung Ju Yoo,Ji Hun Choi,Byong Woo Ryu,Son Hong MIN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Storage system and data management method of journaling and storing remote copies

Номер патента: US09983962B2. Автор: Toru Suzuki,Naoko Ikegaya,Hideo Saito,Azusa Jin,Kensuke Narita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Welding portion inspection system and the control method of inspection system

Номер патента: US09759612B2. Автор: Jae Hun Song. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-09-12.

Converting system and converting method of three-color data to four-color data

Номер патента: US09659517B2. Автор: Jinjun Wu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

DYNAMIC UPDATE OF NON-VOLATILE MEMORY IN A COMPUTER SYSTEM

Номер патента: IT1254937B. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-10-11.

Mapping methods of non-volatile memory system and system for providing the same

Номер патента: KR102168169B1. Автор: 최정식,권오성,임선영,한환수. Владелец: 성균관대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-10-20.

Imaging system and data acquisition method and structure thereof

Номер патента: US11921058B2. Автор: John Baumgart,Thomas Labno,Kevin Zimmerman,James Lawrence Begelman. Владелец: Canon Medical Systems Corp. Дата публикации: 2024-03-05.

Manufacturing method for non-volatile semiconductor memory device and the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW200410373A. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2004-06-16.

Photomask protection device, photomask protection system, and use method of photomask protection system

Номер патента: US20220269164A1. Автор: Fei Sun. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-08-25.

Devices and methods for genome sequencing

Номер патента: US20210398618A1. Автор: Daniel Bedau,Tung Thanh Hoang,Wen Ma,Justin KINNEY. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Ultrasound system and control method of ultrasound system

Номер патента: US20230190238A1. Автор: Tsuyoshi Matsumoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Persistent memory devices and methods

Номер патента: WO2024132113A1. Автор: Guy Cohen,Hillel Avni,Ron Gabor. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-27.

Air conditioning system and controlling method thereof

Номер патента: US09441849B2. Автор: Duck Gu Jeon,Jae Sik Jung,Jong Hyun Han,Byoung Keun Cha. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2016-09-13.

Secure updating of non-volatile memory

Номер патента: US6085299A. Автор: Michael F. Angelo,Craig A. Miller,David R. Wooten. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20220156182A1. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20230267075A1. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US11675697B2. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US11977481B2. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Cache memory system and processor system

Номер патента: US20160196210A1. Автор: Hiroki Noguchi,Shinobu Fujita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Sound processing system and sound processing method of sound processing system

Номер патента: US20230290324A1. Автор: Yoshimasa Isozaki,Ryotaro Aoki,Akihiko Suyama. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Computer system and the working method of this computer system of artificial intelligence of a cyborg or an android

Номер патента: US20080040300A1. Автор: Boris Kaplan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-14.

Storage system performing overwrite, host system controlling storage system, and operating method for storage system

Номер патента: US12061816B2. Автор: Byungki Lee,Jeonguk Kang,Junhee Kim,Jekyeom JEON,JooYoung HWANG,Keunsan Park,Sunghyun Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

X-ray imaging system and positioning method of the same

Номер патента: US20120207274A1. Автор: Jong Hwan Park,Soo Sang Yang,Seung Hoon Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-08-16.

Inspection system and inspection method of bare circuit board

Номер патента: US20240310428A1. Автор: Hsin-Hung Lee,Chun-Hsien Chien,Hsuan-Yu Lai,Yu-Chung Hsieh. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Medical endoscope system and operation method thereof

Номер патента: EP4424226A1. Автор: Katsuyuki HIGA. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-09-04.

Storage system and storage control method of data deduplication between virtual devices

Номер патента: US12105972B2. Автор: Naoyuki Masuda,Takaki Matsushita,Tomohiro Yoshihara,Ryosuke Tatsumi,Yusuke Yamaga. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor systems and computer-implemented methods of probabilistic inference data processing

Номер патента: EP4439276A1. Автор: Raphael Laurent,Abdelkarim Cherkaoui,Marie Bernert,Jean SIMATIC. Владелец: HawaiTech. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor systems and computer-implemented methods of probabilistic inference data processing

Номер патента: WO2024200720A1. Автор: Raphael Laurent,Abdelkarim Cherkaoui,Marie Bernert,Jean SIMATIC. Владелец: Hawai.Tech. Дата публикации: 2024-10-03.

Blur detection method of images, monitoring device, and monitoring system

Номер патента: US09456127B2. Автор: Chih-Wei Chen,Chieh-Jen Lee,Li-Shan SHIH,Ming-Feng Yang. Владелец: Vivotek Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

SYSTEMS AND METHODS FOR BALANCING MULTIPLE PARTITIONS OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20220147258A1. Автор: Paley Alexander,Vogan Andrew W.. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Systems And Methods For Support Of Non-Volatile Memory On A DDR Memory Channel

Номер патента: US20140181364A1. Автор: Shawn J. Dube,Stuart Allen Berke. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-06-26.

SYSTEMS AND METHODS FOR FAST ACCESS OF NON-VOLATILE STORAGE DEVICES

Номер патента: US20190121696A1. Автор: Chen Jie,Wu Zining. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

SYSTEMS AND METHODS FOR SUPPORT OF NON-VOLATILE MEMORY ON A DDR MEMORY CHANNEL

Номер патента: US20160132240A1. Автор: Berke Stuart Allen,Dube Shawn J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

SYSTEMS AND METHODS FOR MANAGING AN ARTIFICIALLY LIMITED LOGICAL SPACE OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20210224186A1. Автор: Vogan Andrew W.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

SYSTEMS AND METHODS FOR BALANCING MULTIPLE PARTITIONS OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20200264792A1. Автор: Paley Alexander,Vogan Andrew W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

SYSTEMS AND METHODS FOR MANAGING AN ARTIFICIALLY LIMITED LOGICAL SPACE OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20200379897A1. Автор: Vogan Andrew W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

Control device i.e. vehicle controller, for e.g. flash type memory, in re-inscribable non-volatile memory wear managing system, has controller for obtaining information representing wear and lifetime of zone of non-volatile memory

Номер патента: FR2935504A1. Автор: Olivier Chamley. Владелец: Oberthur Technologies SA. Дата публикации: 2010-03-05.

System and method for accelerating performance of non-volatile memory RAID stacks

Номер патента: US10628342B1. Автор: Anirban Kundu,Shyamkumar T. Iyer,Srikrishna Ramaswamy. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2020-04-21.

Systems and methods for managing an artificially limited logical space of non-volatile memory

Номер патента: US11288184B2. Автор: Andrew W. Vogan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-03-29.

Systems and methods for fast access of non-volatile storage devices

Номер патента: WO2019083907A1. Автор: Jie Chen,Zining Wu. Владелец: NYQUIST SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2019-05-02.

System for separate supply of air flow for electrically heated smoking system and method of air flow direction inside electrically heated smoking system

Номер патента: RU2690638C2. Автор: Олег МИРОНОВ,Ихар Николаевич ЗИНОВИК,Китан Даснавис ФЕРНАНДО,Эрик ФОРС. Владелец: ФИЛИП МОРРИС ПРОДАКТС С.А.. Дата публикации: 2019-06-04.

Systems and methods of controlling texturing of metal substrate surface during rolling with low pressure

Номер патента: RU2741438C1. Автор: Мехди ШАФИЭИ,Стивен Л. МИК,Эндрю Джеймс ХОББИС,Джеффри Эдвард ГЕХО,Дэвид Энтони ГЕНСБАУЭР. Владелец: Новелис Инк.. Дата публикации: 2021-01-26.

Catalytic system and method of nox reduction

Номер патента: RU2355470C2. Автор: Григорий Лев Соловейчик,Джонатан Ллойд МЭЙЛ,Элисон Лиана ПАЛМАТЬЕ,Тереза Гросела РОША,Дан ХАНКУ,Грегори Ли УОРНЕР,Эрик Джордж БУДЕШЕЙМ,Стенли Тереза БАДДЛ,Дженифер Кэтлин РЕДЛАЙН,Григорий Лев Соловейчик (US),Дан ХАНКУ (US),Джонатан Ллойд МЭЙЛ (US),Элисон Лиана ПАЛМАТЬЕ (US),Грегори Ли УОРНЕР (US),Дженифер Кэтлин РЕДЛАЙН (US),Эрик Джордж БУДЕШЕЙМ (US),Тереза Гросела РОША (US),Стенли Тереза БАДДЛ (US). Владелец: Дженерал Электрик Компани. Дата публикации: 2009-05-20.

Roof attachment systems and methods

Номер патента: US20210115686A1. Автор: Todd MEINHOLD,Cody Jenkins. Владелец: Taaaza Llc. Дата публикации: 2021-04-22.

System and method for controlling electric bicycle, and electric bicycle having the same

Номер патента: EP4450377A1. Автор: Hanbyul Chung. Владелец: HL Mando Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Reinforcement system for a tower of a wind turbine, tower of a wind turbine and method of reinforcing a tower of a wind turbine

Номер патента: EP4431679A1. Автор: Iván García Maestre,Teresa Arlabán Gabeiras,Jose Serna Garcia-Conde,Arnau Teruel Sicart. Владелец: Nordex Energy Spain SA. Дата публикации: 2024-09-18.

Flat panel contactors and methods

Номер патента: US09541302B2. Автор: C. Glen Wensley,Amitava Sengupta,Gareth P. Taylor,Paul A. Peterson,Timothy D. Price. Владелец: 3M Innovative Properties Co. Дата публикации: 2017-01-10.

Method of producing mineral wool

Номер патента: RU2742026C2. Автор: Лионель Кифер,Жоэль АЗЕВЕДО. Владелец: СЭН-ГОБЭН ИЗОВЕР. Дата публикации: 2021-02-01.

Personal care compositions and methods-high internal phase water-in-volatile silicone oil systems

Номер патента: CA2376864A1. Автор: Bozena Nogaj,Zhuning Ma,Loralei Marie Brandt,Paul Howard Neill,Gerald Patrick Newell,Anthony Aloysius Scafidi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-01-04.

Method of preparing food beverage in capsule by centrifugation and system using this method

Номер патента: RU2515438C2. Автор: Кристиан ЖАРИШ,Александр ПЕРАНТЕ. Владелец: НЕСТЕК С.А.. Дата публикации: 2014-05-10.

Ultrasound diagnostic system and control method of ultrasound diagnostic system

Номер патента: US20240325000A1. Автор: Hidetoshi Takayama. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of producing water-borne alkyd pentaphthalic lacquer vpf-050

Номер патента: RU2650141C2. Автор: Дмитрий Александрович Малюта,Наталья Александровна Мельник. Владелец: Наталья Александровна Мельник. Дата публикации: 2018-04-09.

Heat management system and heat management method of an internal combustion engine

Номер патента: US12085007B2. Автор: Frank Will. Владелец: Ino8 Pty Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Ecological restoration unit, restoration system and construction method for high-steep rock slopes

Номер патента: ZA202306546B. Автор: Tao Liu,Guoxin Zhang,Ziqiang Zhou,Yunxing Wang,Xiaohua Bai,Xuemei Jia,Jiakai Tang. Владелец: Inst Of Geological Hazards Prevention Gansu Academy Of Sciences. Дата публикации: 2024-01-31.

Wind turbine system, an assembling method of a wind turbine system, an inspecting method of a wind turbine system, and an operation method of a wind turbine system

Номер патента: US09429137B2. Автор: Ikuo Tobinaga. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Control system and control method for refrigerator

Номер патента: EP4130619A1. Автор: Changzhi Wang,JIAN Ma,Peng Liu,Xiaobing Zhu,Bin Fei,Weijie Li,Mengcheng LI. Владелец: Qingdao Haier Refrigerator Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-08.

Control system and control method of refrigerator

Номер патента: US20240085086A1. Автор: Changzhi Wang,JIAN Ma,Peng Liu,Xiaobing Zhu,Bin Fei,Weijie Li,Mengcheng LI. Владелец: Qingdao Haier Refrigerator Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Ultrasound diagnostic system and control method of ultrasound diagnostic system

Номер патента: US20240324994A1. Автор: Ryo SHINTATE. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Production system and production method of potassium manganate

Номер патента: US12050027B2. Автор: GUAN Yang,Junliang Zhao,Liangqin LIN. Владелец: Shenzhen Hangxin Trading Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

LIQUID COSMETIC COMPOSITION COMPRISING A HIGH CONTENT OF NON-VOLATILE OILS, NON-IONIC SILICONE SURFACTANT AND METHOD OF TREATING LIP

Номер патента: FR3041531A1. Автор: Veronique Jacques,Stéphane Arditty,Estelle Prud'Homme,Padellec Sylvie Le. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2017-03-31.

LIQUID COSMETIC COMPOSITION COMPRISING A HIGH CONTENT OF NON-VOLATILE OILS, NON-IONIC SILICONE SURFACTANT AND METHOD OF TREATING LIP

Номер патента: FR3041531B1. Автор: Veronique Jacques,Stéphane Arditty,Estelle Prud'Homme,Padellec Sylvie Le. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2018-11-09.

Personal mobility device system and control method thereof

Номер патента: US20240285451A1. Автор: Youngjin Kwon. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-08-29.

Valve and a method of operating a valve

Номер патента: US09822904B2. Автор: Claus Thybo,Daniel Jilderos,Anders Engelbrektsson. Владелец: IMI HYDRONIC ENGINEERING INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2017-11-21.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Self-tuning voltage generator for non-volatile semiconductor memory unit, non-volatile semiconductor memory unit, and method for self- tuning generation of voltage in said memory unit

Номер патента: RU2146398C1. Автор: Ким Джин-ки,Лим Хьюнг-Кью,Ли Сунг-Соо. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2000-03-10.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

HYBRID POWER DRIVE SYSTEM AND A DRIVE METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120004073A1. Автор: Zhang Xinxin,TANG Xiaohua,LUO Fei,Xiao Zhigao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Memory With Improved Block Switching

Номер патента: US20120002476A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Memory And Method With Reduced Neighboring Field Errors

Номер патента: US20120002483A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE COMMUNICATION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120002640A1. Автор: BALUJA Shumeet,Chu Michael,Matsuno Mayumi. Владелец: GOOGLE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD FOR OPERATING RFID DEVICES ON SINGLE-USE CONNECTORS

Номер патента: US20120001731A1. Автор: . Владелец: GE HEALTHCARE BIOSCIENCE BIOPROCESS CORP.. Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION DEVICE AND METHOD FOR EMBEDDING DATA SYMBOLS IN A LUMINANCE OUTPUT

Номер патента: US20120002974A1. Автор: Wendt Matthias,Radermacher Harald Josef Günther,SCHENK Tim Corneel Wilhelmus,Kuppen Johan Wilhelmus Hermanus. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY CONTROL APPARATUS AND METHOD

Номер патента: US20120004785A1. Автор: OH Jung Hwan,Park Jae Seong,SON Dong Min. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells, Non-Volatile Resistive Oxide Memory Arrays, And Methods Of Forming Non-Volatile Resistive Oxide Memory Cells And Memory Arrays

Номер патента: US20120001147A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SIGNAL PROCESSING SYSTEM AND SIGNAL PROCESSING METHOD

Номер патента: US20120002827A1. Автор: . Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF UV PROGRAMMING OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20130248960A1. Автор: Lin Chih-Hsien,Lu Hsiang-Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002485A1. Автор: Ono Takashi,MARUYAMA Takafumi,NISHIKAWA Kazuyo,Suwa Hitoshi,Nitta Tadashi,Ueminami Masahiro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of obtaining isotopes of gold without carrier

Номер патента: RU2361303C2. Автор: Владимир Пантелеймович Доманов,Виктор Николаевич Дугинов,Тхи Тху Ми Чинь. Владелец: Объединенный Институт Ядерных Исследований. Дата публикации: 2009-07-10.

METHOD OF ASSESSING PEOPLE'S SELF-PRESENTATION AND ACTIONS TO EVALUATE PERSONALITY TYPE, BEHAVIORAL TENDENCIES, CREDIBILITY, MOTIVATIONS AND OTHER INSIGHTS THROUGH FACIAL MUSCLE ACTIVITY AND EXPRESSIONS

Номер патента: US20120002848A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GAMING SYSTEM AND A METHOD OF GAMING

Номер патента: US20120004021A1. Автор: Shai-Hee Michael A.. Владелец: Aristocrat Technologies Australia Pty Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing thin films of chemical compounds

Номер патента: RU2469124C1. Автор: Валентина Владимировна Уточникова,Наталия Петровна Кузьмина,Алена Сергеевна Калякина. Владелец: Государственное учебно-научное учреждение Факультет наук о материалах Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова (ФНМ МГУ). Дата публикации: 2012-12-10.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120235109A1. Автор: Nojiri Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-09-20.

System and method for treating haemorrhagic fluid for autotransfusion

Номер патента: AU2018398377B2. Автор: Francis Gadrat,Stephane Chollet,Sylvain Picot,Patricia Forest-Villegas. Владелец: I Sep SAS. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for forming nano single crystal silicon and making method of non volatile semiconductor memory

Номер патента: CN101106078A. Автор: 肖德元. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

Two bits of non volatile memory cells and method of operating the same

Номер патента: TW200743181A. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-11-16.

Manufacture of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: JPS63312683A. Автор: Satoshi Inoue,聡 井上. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-12-21.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE STORAGE DEVICE, INFORMATION PROCESSING SYSTEM AND WRITE CONTROL METHOD OF NON-VOLATILE STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120155167A1. Автор: Uehara Keiichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-06-21.

Non-volatile memory cell and layout of non-volatile memory device

Номер патента: TW201112406A. Автор: Hui-Fang Tsai,Hung-Lin Shih,Jr-Bin Chen,Pei-Ching Yin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-04-01.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: AU2002222717A1. Автор: Woong-Lim Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-10.

Method of determining electrophysical parameters of capacitor structure of memristor characterising moulding process

Номер патента: RU2585963C1. Автор: Александр Николаевич Шарапов,Иван Николаевич Антонов,Олег Николаевич Горшков,Станислав Викторович Тихов,Александр Петрович Касаткин,Мария Николаевна Коряжкина. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского". Дата публикации: 2016-06-10.

Radio method of objects detection

Номер патента: RU2348980C2. Автор: Евгений Юрьевич Андрианов. Владелец: Евгений Юрьевич Андрианов. Дата публикации: 2009-03-10.

Method of making-up gas and liquid mixtures

Номер патента: RU2381499C2. Автор: Анатолий Алексеевич Фомкин,Андрей Вячеславович Школин. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт физической химии и электрохимии им. А.Н.Фрумкина РАН (ИФХЭ РАН). Дата публикации: 2010-02-10.

Dry type electrical coil and method of making same

Номер патента: CA1147409A. Автор: John M. Ghinazzi,Theodore O. Sokoly. Владелец: Electric Power Research Institute Inc. Дата публикации: 1983-05-31.

Student engagement information system and method thereof

Номер патента: PH12019000361A1. Автор: Adrian J Furca. Владелец: Guimaras State College. Дата публикации: 2021-03-29.

Non-volatile memory compatible with CMOS (complementary metal oxide semiconductor) logic process and preparation method of non-volatile memory

Номер патента: CN102709295B. Автор: 方明,方英娇. Владелец: WUXI LAIYAN MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2015-06-17.

Data-writing method of non-volatile semiconductor storage

Номер патента: JPH11213681A. Автор: Yutaka Ota,豊 太田. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-06.

Reset method of non-volatile memory

Номер патента: TW200830312A. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Reset method of non-volatile memory

Номер патента: TWI314733B. Автор: Ming Chang Kuo. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-11.

Using method and refresh method of non-volatile memory

Номер патента: TW200639863A. Автор: Ming-Hsiang Hsueh,Hao-Ming Lien,Chao-I Wu,Cheng-Hsing Hsu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Memory unit and manufacture method of non-volatile devices thereof

Номер патента: TWI348215B. Автор: Ming Chang Kuo. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Memory unit and manufacture method of non-volatile devices thereof

Номер патента: TW200843089A. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-01.

Structure and fabricating method of non-volatile memory and charge storage layer thereof

Номер патента: TW200701407A. Автор: Chun-Yen Chang,Ting-Chang Chang,Po-Tsun Liu,Chun-Hao Tu. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2007-01-01.

Structure and fabricating method of non-volatile memory and charge storage layer thereof

Номер патента: TWI268579B. Автор: Chun-Yen Chang,Ting-Chang Chang,Po-Tsun Liu,Chun-Hao Tu. Владелец: National Sun Yat-Sen Univ. Дата публикации: 2006-12-11.

Using method and refresh method of non-volatile memory

Номер патента: TWI259469B. Автор: Ming-Hsiang Hsueh,Hao-Ming Lien,Chao-I Wu,Cheng-Hsing Hsu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-01.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: TWI306289B. Автор: Hsin Fu Lin,Chun Pei Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-11.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: TW200746368A. Автор: Pin-Yao Wang,Liang-Chuan Lai,Rex Young,Wen-Jen Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-12-16.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: TW200743180A. Автор: Chun-Pei Wu,Hsin-Fu Lin. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-16.

Write-in method of non-volatile ROM

Номер патента: TW498337B. Автор: Han-Sung Chen,Jiun-Shiung Hung,Tzeng-Yi Liou. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-11.

Manufacture method of double-sided erasable electrode of shrinkable non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW466701B. Автор: Chi-Yuan Chin,Guo-Hua Jang,Hung-Yu Chiou,You-Wei Tzeng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-01.

Manufacture of non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: JPH11265952A. Автор: Koji Kimura,Hiroyasu Kubo,Junichi Matsuda,順一 松田,博靖 久保,広司 木村. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-28.

Manufacture of non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: JPH10154761A. Автор: Kan Ogata,完 緒方. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.