Non-volatile semiconductor memory device.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7929348B2
Опубликовано: 19-04-2011
Автор(ы): Koji Hosono
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100624590B1. Автор: 이마미야겐이찌,호소노고지,후꾸다야스유끼,고지마마사쯔구. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-09-18.

Non-volatile semiconductor memory device and electronic device using the same

Номер патента: KR100597914B1. Автор: 이마미야겐이찌,나까무라히로시,고지 호소노. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-07-10.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Non-volatile semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US09424934B2. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-volatile semiconductor memory device and method of controlling the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Hiroyuki Kaga,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: US09715935B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Erase control circuit and method of non-volatile semiconductor memory device, and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200286565A1. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120243317A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: US20160099064A1. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20120236636A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120002475A1. Автор: Hiroyuki Nagashima,Koki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09741439B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09437301B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US20070280003A1. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US7372733B2. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-13.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile semiconductor memory device capable of preventing over-programming

Номер патента: US20110157973A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masaki Fujiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile memory device adapted to reduce coupling effect between storage elements and related methods

Номер патента: US20080084746A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-nam Kim,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170221567A1. Автор: Kazuki Yamauchi,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09947410B2. Автор: Kazuki Yamauchi,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Non-volatile semiconductor memory device including application of different voltages to memory cells based on their proximity to a selected memory cell

Номер патента: USRE50025E1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-Volatile Semiconductor Memory

Номер патента: US20100061149A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20210233590A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294728A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20190139610A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160203869A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20180204622A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170076804A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230360707A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Non-volatile semiconductor memory device capable of preventing program disturb due to noise voltage induced at a string select line and program method thereof

Номер патента: US20020075727A1. Автор: Sung-Soo Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180261290A1. Автор: Junichi Sato,Yoshikazu Harada,Akio SUGAHARA,Kazuto Uehara,Kenta SHIBASAKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US8576623B2. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-05.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5920507A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100253868B1. Автор: 도모하루 다나카,켄 다케우치. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2000-05-01.

Non-volatile semiconductor memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09786376B2. Автор: Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device for selectively re-checking word lines

Номер патента: US20030012052A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Kazuyoshi Shiba,Nozomu Matsuzaki. Владелец: HITACHI Ltd AND HITACHI ULSI SYSTEMS CO Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20120218821A1. Автор: Takashi Maeda,Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Yoshihisa Iwata,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Kiyotaro Itagaki,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Non-volatile semiconductor storage device and method of controlling the same

Номер патента: US20110075483A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Non-volatile semiconductor memory device with improved erase algorithm

Номер патента: US6442071B2. Автор: Ki-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100067299A1. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW200531069A. Автор: Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2005-09-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TWI265524B. Автор: Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-01.

Non-volatile semiconductor memory device, in particular flash memory device

Номер патента: DE102004019200B4. Автор: June Lee. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Non-volatile semiconductor memory device and program method thereof

Номер патента: KR100502412B1. Автор: 이창현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-07-19.

Non-volatile semiconductor memory device and electronic equipment using it

Номер патента: KR100794827B1. Автор: 고지마마사쯔구. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2008-01-15.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Non-volatile semiconductor memory device and data programming method

Номер патента: US6091639A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US7933151B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-26.

Non-volatile semiconductor memory having multiple external power supplies

Номер патента: US09928918B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile semiconductor memory having multiple external power supplies

Номер патента: US09576675B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Non-volatile semiconductor memory device and method for reprogramming thereof

Номер патента: US20190371419A1. Автор: Makoto Yasuda,Taiji Ema. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

ERASE CONTROL CIRCUIT AND METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200286565A1. Автор: BAYLE Mathias Yves Gilbert. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2020-09-10.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: TWI237894B. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-08-11.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: TW200301555A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-07-01.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: KR101469105B1. Автор: 이운경,오동연. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device with a memory array preventing generation of a through current path

Номер патента: US6618286B2. Автор: Hiroshi Kato,Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-09.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US7672168B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20170040053A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120198297A1. Автор: Kenji Sawamura,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ERASE METHOD THEREOF

Номер патента: US20170047123A1. Автор: Yano Masaru. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND IMPROVED VERFICATION AND PROGRAMMING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20160300615A1. Автор: LEE Hee Youl. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

Non-volatile semiconductor memory device and multi-block erase method thereof

Номер патента: KR100634433B1. Автор: 이진엽,박대식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-16.

Non-volatile semiconductor memory device and multi-block erase method thereof

Номер патента: KR100632941B1. Автор: 최영준,김태균,이석헌. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-12.

Flash non-volatile semiconductor memory device and its operating mode controlling method

Номер патента: KR100248868B1. Автор: 정태성,김명재,최병순. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE102009051109B4. Автор: Kazunori Kasuga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US12075617B2. Автор: Toshiyuki Kanaya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: US20040071023A1. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020071313A1. Автор: Toru Tanzawa,Yoshinori Takano,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180082750A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Non-volatile semiconductor memory device with function of bringing memory cell transistors to overerased state, and method of writing data in the device

Номер патента: US5438544A. Автор: Takami Makino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5428569A. Автор: Hideo Kato,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Kaoru Tokushige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Non-volatile semiconductor memory system

Номер патента: US4597062A. Автор: Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-06-24.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140043917A1. Автор: Wataru Sakamoto,Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Non-valatile semiconductor memory device and location based erasure methods

Номер патента: US09704579B1. Автор: Mathias Bayle. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Non-volatile semiconductor memory device, data write-in method of non-volatile semiconductor memory device and memory card

Номер патента: KR100624595B1. Автор: 가즈노리 가네바꼬,유고 이데. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-09-15.

Non-volatile semiconductor memory device and method of reading data thereof

Номер патента: US20130100754A1. Автор: Norichika ASAOKA,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: EP3203479B1. Автор: Kazuki Yamauchi,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-28.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170076804A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-03-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200118633A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-04-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20190139610A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-05-09.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20180261283A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20170309329A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Memory cell of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6058051A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20130308384A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device while suppressing variation

Номер патента: US20060158939A1. Автор: Takashi Ito,Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20190172530A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20210233590A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2021-07-29.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20200294582A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Non-volatile semiconductor memory device in which one page is set for a plurality of memory cell arrays

Номер патента: US20040170065A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-02.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20150098273A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672922B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130229873A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Shigefumi Irieda,Eietsu Takahashi,Manabu Sakaniwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Non-volatile semiconductor memory device, method for sub-block erase and electric device with the same

Номер патента: US20050041515A1. Автор: Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Noboru Shibata,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Electrically and flash erasable non volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR960007638B1. Автор: 아까오기 다까오,다까시나 노부아끼,가사 야수시,이따노 기요시,가와시마 히로미,야마시따 미노루,가와무라 소우이치. Владелец: 세끼사와 다까시. Дата публикации: 1996-06-07.

Voltage generator circuit capable of generating different voltages based on operating mode of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN101136249B. Автор: 李真烨,金镇国. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070008781A1. Автор: Takashi Kono,Yusuke Jono,Tadaaki Yamauchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-01-11.

Non-volatilization semiconductor memory device

Номер патента: KR910005973B1. Автор: 히로시 이와하시. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1991-08-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6822926B2. Автор: Masahiro Kanai,Teruhiko Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-11-23.

DRAM connected non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE19615956A1. Автор: SYED ALI,Tae-Sung Jung,Do-Chan Choi,Woung-Moo Lee,Ejaz Haq. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1996-11-14.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US6990018B2. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker N. Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-01-24.

MEMORY SYSTEM AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20200013470A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu,Nishikawa Suguru,Kojima Yoshihisa. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-01-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100458408B1. Автор: 나까무라히로시,호소노고지,다께우찌겡,이마미야겐이지. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2004-11-26.

High voltage level optimization circuit in a non-volatile semiconductor memory device and method therefor

Номер патента: TW391008B. Автор: Jin-Ki Kim,Sung-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-05-21.

Method for erasing data from a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6404681B1. Автор: Yasuaki Hirano. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2002-06-11.

Three-Level Non-Volatile Semiconductor Memory Devices with Lower and Upper Bit Lines Sharing a Voltage Control Block

Номер патента: US20070183203A1. Автор: Min Gun Park,Jong Yeol Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR101678599B1. Автор: 겐이치 아라카와. Владелец: 윈본드 일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2016-11-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN103858173B. Автор: 葛西秀男,品川裕,谷口泰弘. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-02-15.

Method for controlling a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW200929255A. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2009-07-01.

Non-volatile semiconductor memory device capable of pre-conditioning memory cells prior to a data erasure

Номер патента: US6078525A. Автор: Hidetoshi Saito,Masao Kuriyama,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device performing multi-level storage operation

Номер патента: US8799748B2. Автор: Toshihiko Suzuki,Atsushi Uchida,Hidenori Takahashi,Terumasa Haneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9171623B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100027352A1. Автор: Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Hoshihide Haruyama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170117046A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20090129156A1. Автор: Takahiro Suzuki,Yasuhiko Honda,Takamichi Kasai,Shinya Fujisawa,Yuji Komine,Ryu Hondai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140286103A1. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Yu Suzuki,Masayuki Akou,Akimichi Goyo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of fabricating a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US7553728B2. Автор: Makoto Mizukami,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Non-volatile semiconductor storage apparatus

Номер патента: US20070086246A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Koji Sakui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12058862B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US7911844B2. Автор: Koji Hosono,Takashi Aoi,Masaru Koyanagi,Mitsuhiro Noguchi,Kenji Gomikawa,Dai Nakamura,Hiroyuki Kutsukake,Takeshi Shimane. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-22.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11844218B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180315465A1. Автор: Takashi Yamada. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Non volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100714485B1. Автор: 김재현,최정운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-07.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE60332081D1. Автор: Nobuaki Matsuoka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-05-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252289B2. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Non-Volatile Semiconductor Storage Device

Номер патента: US20150311219A1. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9646979B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09646979B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device having depletion-type and enhancement-type channel regions

Номер патента: US09424924B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130187216A1. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040027859A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070230246A1. Автор: Akira Umezawa,Jin Kashiwagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09502109B2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

File storage type non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030185054A1. Автор: Teruhiko Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of making the same

Номер патента: WO2008096802A1. Автор: Masaru Kito,Mitsuru Sato,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2008-08-14.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20010021133A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20030008488A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Non-volatile semiconductor memory device with alternative metal gate material

Номер патента: US20080217677A1. Автор: Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-11.

Non-volatile semiconductor memory device capable of suppressing writing and erasure failure rate

Номер патента: US20020036921A1. Автор: Tatsuya Saeki,Satoru Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Non-volatile semiconductor memory device with improved layout

Номер патента: US5166900A. Автор: Ichirou Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US6809966B2. Автор: Hung-Jin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-26.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5394357A. Автор: Shih-Chiang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-02-28.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20210271615A1. Автор: Kensuke Yamamoto,Masaru Koyanagi,Ryo Fukuda,Junya Matsuno,Masato Dome,Kenro Kubota. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: EP1425756A1. Автор: Woong-Lim Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-09.

Non-volatile semiconductor memory device comprising capacitive coupling program inhibit circuitry

Номер патента: US8107300B2. Автор: Taku Ogura,Natsuo Ajika. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2012-01-31.

Non-volatile semiconductor memory device capable of high-speed data reading

Номер патента: US20030210570A1. Автор: Hiroshi Kato,Tsukasa Ooishi,Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US7672173B2. Автор: Tsukasa Ooishi,Shinya Miyazaki,Tomohiro Uchiyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5554868A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Masanori Hayashikoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Non-volatile semiconductor memory device, drive method and manufacturing method

Номер патента: US20060180849A1. Автор: Takashi Yuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-17.

Non-volatile semiconductor memory device, drive method and manufacturing method

Номер патента: US7531866B2. Автор: Takashi Yuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Non-volatile semiconductor memory cell with control gate and floating gate and select gate located above the channel

Номер патента: US5859455A. Автор: Shih-Chiang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-01-12.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20120195127A1. Автор: Yoshihiro Nakatake. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Method of making non-volatile semiconductor memory arrays

Номер патента: US5966601A. Автор: Chen Ling,Siu-han Liao. Владелец: Holtek Microelectronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741738B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09985050B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US10762969B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9953716B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9666299B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9466370B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170236593A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US8804435B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20200381062A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20210343348A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140328129A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20160372209A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20230260578A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20190214097A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Non-volatile semiconductor device, and method of operating the same

Номер патента: US8837227B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-09-16.

Non-volatile semiconductor memory device with accelerated column scanning scheme

Номер патента: TWI267853B. Автор: June Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-01.

Non-volatile semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20060104114A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR REPROGRAMMING THEREOF

Номер патента: US20190371419A1. Автор: Ema Taiji,Yasuda Makoto. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Limited. Дата публикации: 2019-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method thereof

Номер патента: US10062440B1. Автор: Pil-Sang Ryoo,Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method thereof

Номер патента: TW201905927A. Автор: 柳弼相,何文喬. Владелец: 華邦電子股份有限公司. Дата публикации: 2019-02-01.

Erasing Method of Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100428849B1. Автор: 츠네사다노부토시. Владелец: 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2004-04-29.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: USRE46203E1. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Non-volatile semiconductor memory device allowing fast verifying operation

Номер патента: US5521864A. Автор: Shinichi Kobayashi,Tomoshi Futatsuya,Hiroaki Nakai,Motoharu Ishii,Atsushi Ohba,Akira Hosogane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-28.

Non - volatile semiconductor memory devices

Номер патента: KR900006144B1. Автор: 시게루 아츠미,스미오 다나카,신지 사이토,노부아키 오츠카. Владелец: 와타리 스기이치로. Дата публикации: 1990-08-24.

Non-volatile semiconductor memory device using weak cells as reading identifier

Номер патента: KR100827695B1. Автор: 김후성,한의규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-07.

Non-volatile semiconductor memory device for storing multi-value data

Номер патента: KR100785185B1. Автор: 마사오 구리야마,야스히꼬 혼다. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2007-12-11.

Non-volatile semiconductor memory device with expected value comparison capability

Номер патента: KR100603872B1. Автор: 미따니히데노리. Владелец: 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지. Дата публикации: 2006-07-24.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6046941A. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210057028A1. Автор: Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

System and method of uv programming of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20160035737A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

System and method of UV programming of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09607999B2. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Non-volatile semiconductor memory that is based on a virtual ground method

Номер патента: US6914824B2. Автор: Minoru Yamashita,Kazunari Kido,Yuichi Einaga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-05.

Non-volatile semiconductor memory device having thin film memory transistors stacked over associated selecting transistors

Номер патента: US5321286A. Автор: Tatsuro Inoue,Shoji Koyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-06-14.

Non-volatile semiconductor memory device and method of writing data in non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US20090262579A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW200414211A. Автор: Taku Ogura,Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TWI227896B. Автор: Taku Ogura,Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2005-02-11.

Semiconductor memory apparatus, data transmission device, and recording method

Номер патента: US20140016412A1. Автор: Gen Ohshima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor memory apparatus, data transmission device, and recording method

Номер патента: US20150235709A1. Автор: Gen Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor memory apparatus, data transmission device, and recording method

Номер патента: US9412457B2. Автор: Gen Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE3855736D1. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-02-13.

Non-volatile semiconductor memory device that can be fabricated with erasure unit modified

Номер патента: US6760259B1. Автор: Taku Ogura,Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-06.

Non-volatile semiconductor memory device and data programming method

Номер патента: US20020041518A1. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-11.

Non-volatile semiconductor memory device and optimal write method

Номер патента: KR950000273B1. Автор: 김진기,서강덕. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-01-12.

Non-volatile semiconductor memory device and data erasing method therefor

Номер патента: KR0184093B1. Автор: 시게루 아츠미,노부아키 오츠카,마사오 구리야마,히로노리 반바,아키라 우메자와. Владелец: 가부시키가이샤 도시바. Дата публикации: 1999-04-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0183776B1. Автор: 이정형,최정달,전성부. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-15.

Method of programming non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6614688B2. Автор: Sung-Soo Lee,Jae-Yong Jeong,Jin-Seon Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-02.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS OPTIMIZED PROGRAMMING METHOD.

Номер патента: ITMI921000D0. Автор: Jin-Ki Kim,Kang-Deog Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-04-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW201633312A. Автор: 葛西秀男,品川裕,谷口泰弘,櫻井良多郎,川嶋泰彥,奧山幸祐. Владелец: 芙洛提亞股份有限公司. Дата публикации: 2016-09-16.

Three-dimensional (3D) non-volatile semiconductor memory device for loading improvement

Номер патента: US09805768B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Circuit for the switching of supply voltages in electrically programmable and cancelable non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US5754473A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Method of preventing coupling noises for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100302884A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Yong-Jun Lee,Du-Eung Kim,Joon-Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050243620A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040233720A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Non-volatile semiconductor memory device and information apparatus

Номер патента: US20030016573A1. Автор: Yuji Tanaka,Ken Sumitani,Yasumichi Mori,Haruyasu Fukui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Non-volatile semiconductor memory including a high voltage switching circuit

Номер патента: US4924438A. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-05-08.

Non-volatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20210012854A1. Автор: Daisuke Uchida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor disk device

Номер патента: US20040165450A1. Автор: Hideaki Kurata,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Non-volatile semiconductor memory device with writing sequence enabling early-stage judgement of writing

Номер патента: US20020176278A1. Автор: Takahiro Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of rewriting data stored in non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100342903B1. Автор: 고다마노리아끼. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-07-04.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: TW200414200A. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: TWI297498B. Автор: TANAKA Hidehiko. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2008-06-01.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: EP1396862B1. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW471155B. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Sakui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW522400B. Автор: Takahiro Saeki. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-03-01.

Non-volatile semiconductor memory device with nand type memory cell arrays

Номер патента: US5978265A. Автор: Fujio Masuoka,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Ryozo Nakayama,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE ADAPTED TO STORE A MULTI-VALUED DATA IN A SINGLE MEMORY CELL

Номер патента: US20140063976A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card and electronic device

Номер патента: US20050058011A1. Автор: Koji Hosono,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

Non volatile semiconductor memory, method for controlling the same, memory card and memory system

Номер патента: KR100307114B1. Автор: 세이이찌 아리또메. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2001-10-19.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card, and electronic device

Номер патента: TW200507246A. Автор: Koji Hosono,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2005-02-16.

Electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory with automatic write-verify controller

Номер патента: US5627782A. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Hideko Odaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262681A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Non-volatile semiconductor memory device having NAND structure cells

Номер патента: EP0777235A2. Автор: Takahiko Urai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-06-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE4018118C2. Автор: Tomoharu Tanaka,Yoshihisa Iwata,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Hideko Odaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-12-12.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170117046A1. Автор: Yano Masaru. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ERASING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170133094A1. Автор: Wang Pin-Yao. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160141039A1. Автор: ARAKAWA KENICHI. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND WRITING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150325299A1. Автор: BAYLE Mathias Yves Gilbert. Владелец: POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-12.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160343445A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device and driving method for word line thereof

Номер патента: US20170365325A1. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Non-volatile semiconductor memory device and data erasing method thereof

Номер патента: KR950008674B1. Автор: 마고도 야마모도,나고오 고바야시. Владелец: 시기 · 모리야. Дата публикации: 1995-08-04.

Non-volatile semiconductor memory device and data writing method

Номер патента: KR100224134B1. Автор: 이찌로 콘도. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-10-15.

Circuit and method for preventing data erase and program about special address of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100197573B1. Автор: 박종민. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Non-volatile semiconductor memory device allowing efficient programming operation and erasing operation in short period of time

Номер патента: KR100566848B1. Автор: 미따니히데노리,니따후미히꼬,야마우찌다다아끼,오구라다꾸. Владелец: 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지. Дата публикации: 2006-04-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR960000616B1. Автор: 김진기,최정혁,서강덕. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-01-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH11121721A. Автор: Jin-Ki Kim,定▲赫▼ 崔,Kang-Deog Suh,康徳徐,鎭祺金,Jeong-Hyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-04-30.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100518494B1. Автор: 뱅크스제랄드제이. Владелец: 비티지 인터내셔널 인크.. Дата публикации: 2005-10-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method for verifying operationg of the same

Номер патента: KR100215762B1. Автор: 시게까즈 야마다. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-08-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6621740B2. Автор: Akira Hosogane,Yoshitsugu Dohi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-16.

Method of writing to non-volatile semiconductor memory device storing information depending on variation in level of threshold voltage

Номер патента: US7376016B2. Автор: Shinichi Kobayashi,Takashi Kono,Takeshi Nakayama,Takeshi Kajimoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW531879B. Автор: Toshitake Yaegashi,Riichiro Shirota,Yasuhiko Matsunaga,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-05-11.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: EP2351075A1. Автор: Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Yoshihisa Iwata,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Kiyotaro Itagaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080043531A1. Автор: Yasushi Kameda,Ken Takeuchi,Koichi Kawai,Takuya Futatsuyama,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Non-volatile semiconductor memory device and its writing method

Номер патента: US20090244981A1. Автор: Kazuya Matsuzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Electrically modifiable, non-volatile, semiconductor memory which can keep a datum stored until an operation to modify the datum is completed

Номер патента: US20020130334A1. Автор: Marco Pasotti,Roberto Gastaldi,Federico Pio,Gianbattsista Giudice. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6049482A. Автор: Kazuhiro Shimizu,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070194370A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Hiroshi Ishida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

Input circuit of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7710791B2. Автор: Qi Wang,Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Won-seok Lee,Joon Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-04.

Non-volatile semiconductor memory device and a method of using the same

Номер патента: US5491656A. Автор: Kikuzo Sawada. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-02-13.

Timing circuitry and method for controlling automated programming and erasing of a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US5333300A. Автор: Mickey L. Fandrich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-07-26.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040213066A1. Автор: Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Power failure protection method and circuit for non- volatile semiconductor storage device

Номер патента: EP2171721A1. Автор: HE Huang. Владелец: Memoright Memoritech Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-07.

Manufacturing method of non-volatile semiconductor memory device and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170256554A1. Автор: Hiroaki Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140301144A1. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Semiconductor memory device and method of fabrication and operation

Номер патента: US20130170302A1. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-min Hong,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Non-volatile semiconductor memory and method for writing data into a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: TWI304986B. Автор: De Ambroggi Luca,Maria Brani Francesco. Владелец: Infineon Technologies Flash Gm. Дата публикации: 2009-01-01.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same

Номер патента: EP1316963A3. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Yutaka Okamoto,Riichiro Shirota,Hideo Kato,Masamichi Asano,Seiichi Aritome,Hiroto Nakai,Yoshihisa Iwata,Kaoru Tokushige,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Hideko Odaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-06.

Semiconductor memory and method of writing data into the semiconductor memory

Номер патента: US20080144359A1. Автор: Keiichi Hashimoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same

Номер патента: EP1315171A3. Автор: Masamichi Asano,Kaoru Tokushige,Tomoharu Toshiba Corporation Tanaka,Masaki Toshiba Corporation Momodori,Hideo c/o Toshiba Corporation Kato,Hiroto c/o Toshiba Corporation Nakai,Yoshiyuki c/o Toshiba Corporation Tanaka,Riichiro Int. Prop. Division Shirota,Seiichi Int. Prop. Division Aritome,Yasuo Int. Prop. Division Itoh,Yoshihisa Int. Prop. Division Iwata,Hiroshi c/o Toshiba Corporation Nakamura,Hideko c/o Toshiba Corporation Odaira,Yutaka c/o Toshiba Corporation Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-06.

Nonvolatile semiconductor memory device, non-volatile semiconductor memory device erasing method, and non-volatile semiconductor memory device testing method

Номер патента: JP4983096B2. Автор: 順子大河原,光晴榊原,直人江見,智晴相馬. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-07-25.

Method of erasing non-volatile semiconductor memory device and such non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6717860B1. Автор: Ichiro Fujiwara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-04-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8797801B2. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9007845B2. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Control method of non-volatile semiconductor memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6862217B2. Автор: Shozo Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-03-01.

Control method of non-volatile semiconductor memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040057288A1. Автор: Shozo Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TWI645543B. Автор: 葛西秀男,品川裕,谷口泰弘,櫻井良多郎,川島泰彥. Владелец: 日商芙洛提亞股份有限公司. Дата публикации: 2018-12-21.

A non-volatile semiconductor memory device having mono bit and multiple bit mode

Номер патента: TW371791B. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: TW200425147A. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker N Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: TWI237270B. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker N Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-08-01.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060203547A1. Автор: Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8982623B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

Non-volatile semiconductor memory device in which data can be erased on a block basis and method of erasing data on a block basis in non-voltile semiconductor memory device

Номер патента: KR950004862B1. Автор: 와단 고바야시,세이 야마모도. Владелец: 미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-05-15.

One-time uv-programmable non-volatile semiconductor memory and method of programming such a semiconductor memory

Номер патента: WO2001084632A1. Автор: Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-11-08.

One-time uv-programmable non-volatile semiconductor memory and method of programming such a semiconductor memory

Номер патента: EP1281204A1. Автор: Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-02-05.

Multi-level non-volatile semiconductor memory device having improved multi-level data storing circuits

Номер патента: US5847992A. Автор: Tomoharu Tanaka,Koji Sakui,Junichi Miyamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Non-volatilization semiconductor memory and the write-in method thereof

Номер патента: TW201017671A. Автор: Mathias Bayle. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-05-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5986930A. Автор: Sadao Yoshikawa,Shigenori Shibata. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-16.

Method of programming an electrically programmable non-volatile semiconductor memory

Номер патента: EP1426968A3. Автор: Rino Micheloni,Roberto Ravasio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-06-20.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09928915B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Shigefumi Irieda,Eietsu Takahashi,Daisuke Kouno,Kenri Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09508442B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Shigefumi Irieda,Eietsu Takahashi,Daisuke Kouno,Kenri Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Circuitry and method for programming and erasing a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US5448712A. Автор: Virgil N. Kynett,Mickey L. Fandrich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Non-volatile semiconductor memory device having a function for controlling the range of distribution of memory cell threshold voltages

Номер патента: US20020080654A1. Автор: Toru Tanzawa,Masanobu Saito,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Non-volatile semiconductor memory device controlling the range of distribution of memory cell threshold voltages

Номер патента: US6434054B1. Автор: Toru Tanzawa,Masanobu Saito,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

Electrically erasable programmable non-volatile semiconductor memory device having select gates and small number of contact holes

Номер патента: US5589699A. Автор: Hitoshi Araki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-12-31.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued in a single memory cell

Номер патента: US20050024944A1. Автор: Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Programming method for non-volatile semiconductor memory device comprising twin-memory cells

Номер патента: EP1256959A2. Автор: Masahiro Kanai,Teruhiko Kamei. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-13.

Non-volatile semiconductor memory capable of storing 1-bit data or multi-bit data

Номер патента: US6122193A. Автор: Tomoharu Tanaka,Susumu Fujimura,Noboru Shibata,Hiroto Nakai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND READOUT METHOD THEREOF

Номер патента: US20140022845A1. Автор: Oishi Masayuki,ITO Nobuhiko. Владелец: POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-23.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210057028A1. Автор: HOSOMURA Yoshikazu. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-02-25.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150200012A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-07-16.

Non-volatile semiconductor memory device and its word line driving method

Номер патента: KR0176116B1. Автор: 이승근,김산홍. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR920002122B1. Автор: 마사키 모모도미,후지오 마스오카,리이치로 시로타,야스오 이토,료우헤이 기리사와,사토시 이노우에,료죠 나카야마. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1992-03-12.

Non-volatile semiconductor memory device with multi-layer gate structure

Номер патента: US20020175364A1. Автор: Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi,Masayuki Ichige,Michiharu Matsui,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Non-volatile semiconductor memory device with multi-layer gate structure

Номер патента: US20050104120A1. Автор: Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi,Masayuki Ichige,Michiharu Matsui,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Kikuko Sugimae. Дата публикации: 2005-05-19.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7911845B2. Автор: Naoya Tokiwa,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH10320985A. Автор: 弘之小畑,Hiroyuki Obata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-12-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2011111290A1. Автор: 持田礼司,中山雅義,小野貴史. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2011-09-15.

Non-volatile semiconductor memory device and the driving method, operation method and manufacturing method of the same

Номер патента: TW451427B. Автор: Kiyohiko Sakakibara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-21.

Non-volatile semiconductor memory device with verification function

Номер патента: DE69418522T2. Автор: Yoshihisa Iwata,Junichi Miyamoto,Yasuo Itoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-10-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR960016106B1. Автор: 다쯔로 이노우에. Владелец: 닛본덴기 가부시끼기아샤. Дата публикации: 1996-11-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW439255B. Автор: Kazuhiro Shimizu,Seiichi Aritome,Shinji Satoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-06-07.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130336062A1. Автор: MAEJIMA Hiroshi,SAKAGUCHI Natsuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-12-19.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180082750A1. Автор: Ikeda Keiji,Numata Toshinori,Tezuka Tsutomu,Tanaka Chika. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-03-22.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF IMPROVING FAILURE-RELIEF EFFICIENCY

Номер патента: US20150098273A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-04-09.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140269084A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu,Itagaki Kiyotaro,ASAOKA Norichika. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-18.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140301144A1. Автор: MAEJIMA Hiroshi,SAKAGUCHI Natsuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-10-09.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170221567A1. Автор: Sudo Naoaki,YAMAUCHI Kazuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Method for programming non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100474626B1. Автор: 가나이마사히로,가메이데루히꼬. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-03-08.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR960010960B1. Автор: 히데오 가토,마사미치 아사노,히로토 나카이,도시오 야마무라,가오루 토쿠시게. Владелец: 가부시키가이샤 도시바. Дата публикации: 1996-08-14.

Write method of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100245413B1. Автор: 염진선. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-02.

Non-volatile semiconductor memory device and reading-out method therefore

Номер патента: CN103578541A. Автор: 中山晶智. Владелец: Powerflash Technology Corp. Дата публикации: 2014-02-12.

Program method of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100268442B1. Автор: 박종민,정휘택. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Non-volatile semiconductor memory device with signle-bit and multi-bit modes of operation and method for perporming programming and reading operations therein

Номер патента: KR100332950B1. Автор: 유태화. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-08-21.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: JPH10189920A. Автор: Naoyuki Shigyo,直之執行. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-07-21.

Write data optimization methods for non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US10061691B2. Автор: Tokumasa Hara,Hironori Uchikawa,Keiri NAKANISHI,Sho Kodama,Kejen Lin,Juan Shi,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Non-volatile semiconductor memory and ic memory card using it

Номер патента: JPH11224491A. Автор: Hiromi Nobukata,浩美信方,Tadahachi Naiki,唯八内貴,Yoshikane Kosaka,嘉財小坂. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1999-08-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070253254A1. Автор: Koichi Fukuda,Midori Morooka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020131299A1. Автор: Takeo Kanai,Yoshiaki Kamigaki,Kozo Katayama,Takanori Yamazoe,Shinichi Minami,Hiroshi Yoshigi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7286403B2. Автор: Hiroshi Maejima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-23.

Non-volatile semiconductor memory and methods of driving operating, and manufacturing this memory

Номер патента: KR100357644B1. Автор: 사카키바라기요히코. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2002-10-25.

Non-volatile semiconductor memory device and package

Номер патента: KR100440697B1. Автор: 다나까도모하루,스께가와히로시. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2004-07-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN1870274A. Автор: 前岛洋. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-29.

Non-volatile semiconductor memory device and producing method therefor

Номер патента: JP2001274366A. Автор: Yasushi Sakui,Toshiharu Watanabe,井康司作,辺寿治渡. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TWI669807B. Автор: 鈴木都文,山本和彥. Владелец: 日商東芝記憶體股份有限公司. Дата публикации: 2019-08-21.

A non-volatile semiconductor memory device with temporary data retention cells and control method thereof

Номер патента: US20160148657A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Po-Han Huang,Keng-Yu Lin,Wei-Xiang TANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Non-volatile semiconductor memory including memory cells having different charge exhange capability

Номер патента: US20020001230A1. Автор: Ikuto Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120068256A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Ryo Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Non-volatile semiconductor memory device and operating method for a non-volatile semiconductor memory device and method for programming information into a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE4311358C2. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya,Natsuo Ajika,Hiroshi Onoda,Atsushi Fukumoto,Makoto Ohi,Yuichi Kunori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-07-22.

Sector protection circuit for non-volatile semiconductor memory, sector protection method and non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20050237800A1. Автор: Kazuhide Kurosaki. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2005-10-27.

Threshold voltage compacting for non-volatile semiconductor memory designs

Номер патента: WO2002091387A1. Автор: Xin Guo,Sameer Haddad,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-14.

MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170256554A1. Автор: NAITO Hiroaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060258100A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW200407890A. Автор: Masaaki Mihara. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-05-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW557579B. Автор: Satoshi Shimizu,Natsuo Ajika,Tatsuya Shiromoto. Владелец: Mitsubishi Electric Copr. Дата публикации: 2003-10-11.

Non-volatile SRAM memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW201707148A. Автор: 葛西秀男,品川裕,谷口泰弘,櫻井良多郎,川嶋泰彥,戶谷達郎,奧山幸祐. Владелец: 芙洛提亞股份有限公司. Дата публикации: 2017-02-16.

Non-volatile sram memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TWI607529B. Автор: 葛西秀男,品川裕,谷口泰弘,櫻井良多郎,川嶋泰彥,戶谷達郎,奧山幸祐. Владелец: 芙洛提亞股份有限公司. Дата публикации: 2017-12-01.

Non-volatile semiconductor memory device and non-volatile memory system using the same

Номер патента: KR100862765B1. Автор: 마사쯔구 고지마. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2008-10-13.

Non-volatile semiconductor memory and method for fabricating a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20060049449A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Fumitaka Arai,Naohisa Iino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8502300B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Ryo Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Sector protection circuit and sector protection method for non-volatile semiconductor storage device, and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: GB2427494A. Автор: Kazuhide Kurosaki. Владелец: Spansion Japan Ltd. Дата публикации: 2006-12-27.

Non-volatile semiconductor memory device, fabricating method of the same, and semiconductor memory system

Номер патента: US20070075352A1. Автор: Yasuo Irie. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Nonvolatile semi-conductor memory device and method for calculating read voltage non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR101516577B1. Автор: 김재홍,김용준,김종한,조경래,송승환,공준진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-05-06.

Non-volatile semiconductor memory device having a memory cell capable of establishing multi-level information and data writing method thereof

Номер патента: KR100281668B1. Автор: 도시오 다께시마. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2001-02-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050281087A1. Автор: Riichiro Shirota,Kikuko Sugimae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Non-volatile semiconductor memory device having thin film memory transistor stacked over associated selecting transistors

Номер патента: KR960012059B1. Автор: 소지 고야마,타쯔로 이노우에. Владелец: 세끼모토 타다히로. Дата публикации: 1996-09-11.

Method for reading nonvolatile semiconductor memory configurations

Номер патента: US20020018366A1. Автор: Oskar Kowarik,Franz Schuler,Andreas von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-14.

Word line voltage applying device of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100195196B1. Автор: 박종욱. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Fast accessible non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5757696A. Автор: Ryuichi Matsuo,Makoto Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR950011965B1. Автор: 김진기,임형규. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-10-12.

Charge pump circuit of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0176115B1. Автор: 이기종. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-15.

non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: KR100390889B1. Автор: 김흥진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100359357B1. Автор: 가시무라마사히꼬. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-10-31.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0172378B1. Автор: 이형곤,임흥수,서강덕. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-30.

Non-volatile semiconductor memory device permitting data-read operation performed during data-write/erase operation

Номер патента: EP1052646B1. Автор: Kazuhiro Kitazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-07-14.

Page buffer for non-volatilization semiconductor memory devices and the control method thereof

Номер патента: TWI415131B. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2013-11-11.

Flash non-volatile semiconductor memory device and driving control circuit thereof

Номер патента: KR960000619B1. Автор: 마사노부 요시다,다카오 아카오지,야수시게 오가와,야수시 가시,쇼우이시 가와무라. Владелец: 세끼사와 요시. Дата публикации: 1996-01-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9437736B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Controller and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110038212A1. Автор: Hironori Uchikawa,Kenji Sakurada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-02-17.

Non-volatile semiconductor memory device and controlling method of the same

Номер патента: CN100426416C. Автор: 金田义宣. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device, and method of reading the same

Номер патента: CN101847440A. Автор: 太田毅. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6868008B2. Автор: Masahiro Kanai,Teruhiko Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

Non-Volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060262600A1. Автор: Riichiro Shirota,Kikuko Sugimae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7123510B2. Автор: Makoto Kojima,Takafumi Maruyama. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-17.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130235662A1. Автор: FUJIU Masaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-12.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130294168A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

METHOD OF PREVENTING PROGRAM-DISTURBANCES FOR A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140043896A1. Автор: Kim Min-Su,PARK Sang-Hoon,Jeon Hee-Seog,Park Ji-Hoon,Kim Min-sup,Park Weon-Ho,Kwon Hyok-Ki,Kim Byoung-Ho,Kim Eui-Yeol,Sung Min-Jee,Sim Hyo-Soung,Jeon Chang-Min. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210020646A1. Автор: KANAYA Toshiyuki. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150078109A1. Автор: Osamu KAMIBEPPU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF PROGRAMMING THE SAME

Номер патента: US20140269096A1. Автор: TABATA Koji,KAMATA Yoshihiko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-18.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140286095A1. Автор: FUKUZUMI Yoshiaki,Iwata Yoshihisa,HISHIDA Tomoo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

Non-volatile semiconductor memory and method for reading a memory cell

Номер патента: US7233514B2. Автор: Giacomo Curatolo,Carlo Borromeo. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2007-06-19.

non-volatile semiconductor memory devices having hierarchical sector structure

Номер патента: KR100418521B1. Автор: 이승근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-02-11.

Non-volatile semiconductor memory device with dummy cells and method for adjusting threshold voltage of dummy cells

Номер патента: KR101405405B1. Автор: 박기태. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-06-12.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN1249518A. Автор: 樫村雅彦. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-05.

Non-volatile semiconductor memory device with reduced area

Номер патента: KR100197553B1. Автор: 한욱기,용명식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Non-volatile semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: CN101383187B. Автор: 金田义宣. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-02.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR940009644B1. Автор: 임형규,김건수. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN1505156A. Автор: ,�˱�Т,小林孝,笹子佳孝,金光贤司,С��Т,有金刚,池田良广. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2725309A1. Автор: Toshiharu Katayama,Naoko Otani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-04-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS61252669A. Автор: Yoshihisa Mizutani,Hisahiro Matsukawa,尚弘松川,水谷　嘉久. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-11-10.

Non-volatile semiconductor memory device and system capable of fast rogramming and read method thereof

Номер патента: KR101397549B1. Автор: 조성규,임용태. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-05-26.

Non-volatile semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: CN101383187A. Автор: 金田义宣. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-11.

Reference scheme for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7259993B2. Автор: Marco Redaelli,Luca De Ambroggi. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2007-08-21.

Method of making multi-level type non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6596590B1. Автор: Yasuo Sato,Hirotomo Miura. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2003-07-22.

Non-volatile semiconductor memory device and making method of the same

Номер патента: KR100197029B1. Автор: 토시하루 카타야마,나오꼬 오오타니. Владелец: 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시. Дата публикации: 1999-06-15.

Non-volatile semiconductor memory device.

Номер патента: DE69012457T2. Автор: Seiichiro Yokokura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-03-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7453118B2. Автор: Toshio Kobayashi,Toshio Terano,Hideto Tomiie. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2008-11-18.

Non-volatile semiconductor memory arrangement with thin-film memory transistors stacked over the correspondingly linked selection transistors

Номер патента: DE69229467T2. Автор: Tatsuro Inoue,Shoji Koyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-01-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE19819439C2. Автор: Natsuo Ajika,Takahiro Onakado. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-01-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN1658330A. Автор: 小岛诚,圆山敬史. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-24.

Non-volatile semiconductor memory device and operation method therefor

Номер патента: JP2022124738A. Автор: Yukio Komatsu,幸生小松. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-26.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2725309B1. Автор: Toshiharu Katayama,Naoko Otani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-22.

Non-volatile semiconductor memory device and controlling method of the same

Номер патента: US20050002235A1. Автор: Yoshinobu Kaneda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8239730B2. Автор: Mitsuaki Honma,Tatsuyuki Ishikawa,Hironori Uchikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-07.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN1181555C. Автор: ,金井正博. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-12-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW449751B. Автор: Minoru Yamashita. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-08-11.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: DE112020003656T5. Автор: Goro Shimizu,Tadayuki YAMAZAKI,Yasunobu Hayashi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9093138B2. Автор: Osamu KAMIBEPPU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-28.

non-volatile semiconductor memory devices having row decoder reduced layout size

Номер патента: KR20020089588A. Автор: 이병훈,이승근. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-11-30.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030021167A1. Автор: Teruhiko Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-30.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020024850A1. Автор: Satoru Tamada,Hidenori Mitani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor integrated circuit device with non-volatile semiconductor memory cells

Номер патента: DE3062950D1. Автор: Sumio Tanaka,Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano,Yuichi Kawasaki,Shinichi Maekawa,Masazi Mito. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-06-09.

Sector protection circuit and sector protection method for non-volatile semiconductor storage device, and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: GB0620686D0. Автор: . Владелец: Spansion Japan Ltd. Дата публикации: 2006-11-29.

Non-Volatile Semiconductor Memory with Page Erase

Номер патента: US20130336063A1. Автор: KIM Jin-Ki. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2013-12-19.

METHOD FOR OPERATING A SERIAL NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20180019016A1. Автор: STUHLFELNER FRIEDBERT. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-18.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09424915B2. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-volatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20100091579A1. Автор: Tae Su Jang,Sung Joo Hong,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8461638B2. Автор: Masakuni Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Non-volatile semiconductor memory and data processing method in non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20130182488A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09928925B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09613719B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09548126B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-17.

Non-volatile semiconductor memory device having a low defective rate

Номер патента: US6577534B2. Автор: Takahiro Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and its manufacturing method

Номер патента: US20140183617A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Toshitake Yaegashi,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Digital to analog converter including a ferroelectric non-volatile semiconductor memory, and method for converting digital data to analog data

Номер патента: US6950329B2. Автор: Masahiro Tanaka,Toshiyuki Nishihara,Yukihisa Tsuneda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-27.

Non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit device including the non-volatile semiconductor memory element

Номер патента: US20070114594A1. Автор: Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Digital to analog converter including a ferroelectric non-volatile semiconductor memory, and method for converting digital data to analog data

Номер патента: US20040239539A1. Автор: Masahiro Tanaka,Toshiyuki Nishihara,Yukihisa Tsuneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Non-volatile semiconductor memory device detachable deterioration of memory cells

Номер патента: US5450354A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Non-volatile semiconductor storage device and method of testing the same

Номер патента: US09875154B2. Автор: Masanori Miyagi,Taro Yamasaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile semiconductor memory circuits

Номер патента: US4475177A. Автор: Kenelm G. D. Murray. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1984-10-02.

Non-volatile semiconductor storage apparatus

Номер патента: US09940192B2. Автор: Yasuyuki Ozawa,Hiroyuki Suto,Fubito Igari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Non-volatile semiconductor storage device and method of testing the same

Номер патента: US20150301889A1. Автор: Masanori Miyagi,Taro Yamasaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20110299319A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8138489B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-20.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100117047A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140016398A1. Автор: Takuya Konno,Kazuhiko Yamamoto,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Method and device for erasing non-volatile semiconductor memory with smaller erase variation

Номер патента: US5862079A. Автор: Toshikatsu Jinbo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-19.

Nonvolatile semiconductor memory with a plurality of erase decoders connected to erase gates

Номер патента: US5761119A. Автор: Masamichi Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor disk apparatus

Номер патента: KR100661419B1. Автор: 고바야시나오끼,사에끼순이찌,구라따히데아끼. Владелец: 히다치디바이스 엔지니어링가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-12-27.

Non-volatile semiconductor memory device capable of supplying an erasable voltage to a flash memory cell in simple structure on erasing operation

Номер патента: KR100242517B1. Автор: 마사까즈 아마나이. Владелец: 닛본 덴기 가부시키가이샤. Дата публикации: 2000-02-01.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor disk apparatus

Номер патента: KR20010102826A. Автор: 고바야시나오끼,사에끼순이찌,구라따히데아끼. Владелец: 히다치디바이스 엔지니어링가부시키가이샤. Дата публикации: 2001-11-16.

CIRCUIT FOR THE ACTIVATION OF A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY PROVISION.

Номер патента: ES2157666T3. Автор: Thomas Zettler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-08-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE60122045D1. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-09-21.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160078959A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu,SUZUKI Yuya,BUSHNAQ Sanad. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR970002068B1. Автор: 노부아키 오츠카,준이치 미야모토. Владелец: 가부시키가이샤 도시바. Дата публикации: 1997-02-21.

Flash electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR950006211B1. Автор: 가즈오 고바야시,다께시 나까야마,야스시 데라다,마사노리 하야시고시,요시가즈 미야와끼. Владелец: 미쓰비시뎅끼가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-06-12.

Non-volatile semiconductor memory device with cache function and program, read and page copy-back operations thereof

Номер патента: KR100454119B1. Автор: 변대석,임영호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-10-26.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR960007636B1. Автор: 리이치로 시로타,도모하루 다나카. Владелец: 가부시키가이샤 도시바. Дата публикации: 1996-06-07.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH11273388A. Автор: Sadao Yoshikawa,定男吉川,Toshiki Rai,俊樹 ▲らい▼. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-10-08.

A microcomputer having a non-volatile semiconductor memory having a first block storing a program and a second block for storing data which is selectively erased under predetermined conditions if data is found written in that block

Номер патента: US20020087781A1. Автор: Kiyoshi Matsubara,Hirofumi Mukai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Non-volatile semiconductor memory device and information apparatus

Номер патента: TW559817B. Автор: Yuji Tanaka,Ken Sumitani,Yasumichi Mori,Haruyasu Fukui. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-11-01.

Non-volatile semiconductor memory circuits

Номер патента: US4558432A. Автор: Kenelm G. D. Murray,Colin W. Edwards. Владелец: Hughes Microelectronics Ltd. Дата публикации: 1985-12-10.

non-volatile semiconductor memory device having spare memory array address capable of moving and read operation therefore

Номер патента: KR100418522B1. Автор: 조태희,이영택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-02-14.

non-volatile semiconductor memory device having spare memory array address capable of moving

Номер патента: KR20020094356A. Автор: 조태희,이영택. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-12-18.

Non-volatile semiconductor memory device incorporating data latch and address counter for page mode programming

Номер патента: US5485421A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-01-16.

Non-volatile semiconductor memory device incorporating data latch and address counter for page mode programming

Номер патента: US5521863A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-28.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130229871A1. Автор: LI Xu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF IMPROVING FAILURE-RELIEF EFFICIENCY

Номер патента: US20130308384A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180090506A1. Автор: TSUMURA Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method of reading the same

Номер патента: KR101618063B1. Автор: 김재호,오현실. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-05-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080123424A1. Автор: Akira Umezawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

The non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR920008245B1. Автор: 시게루 아츠미,수미오 다나카,신지 사이도. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1992-09-25.

Low-voltage non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6888756B2. Автор: Dae-Seok Byeon,June Lee,Gyung-Han Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-03.

Non-volatile semiconductor memory device.

Номер патента: DE3886795T2. Автор: Yuji Shimamune. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-06-16.

Non-volatile semiconductor memory device and method of writing and reading the same

Номер патента: CN101458962A. Автор: 津村和宏. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0184635B1. Автор: 하라다 데루히로. Владелец: 오끼뎅끼 고오교오가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-04-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8059465B2. Автор: Katsuaki Isobe,Masatsugu Kojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-11-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW331639B. Автор: Naoki Yamada,Kazuyuki Miyazawa,Hiroshi Satou,Tetsuya Tsujigawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-05-11.

A non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100301932B1. Автор: 권석천. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-29.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR19990077906A. Автор: 오쿠사토루,코바타케히로유키,아마나이마사카즈,카토카즈아키,카네코마사키. Владелец: 닛폰 덴키 주식회사. Дата публикации: 1999-10-25.

Low-voltage non-volatile semiconductor memory device and read method thereof

Номер патента: KR100453853B1. Автор: 김명재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-10-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE69232210T2. Автор: Takao Akaogi,Yasushige Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TWI480873B. Автор: Makoto Kitagawa,Tsunenori Shiimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-04-11.

Non-volatile semiconductor memory device and data writing method thereof

Номер патента: KR100533297B1. Автор: 다나까도모하루. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2005-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device having EEPROM cell, dummy cell and sense circuit for increasing reliability and enabling one-bit operation

Номер патента: EP0454579A2. Автор: Takumi Miyashita,Haruo Koizumi,Toshiyuki Rumine Kajigaya 506 Teramoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-10-30.

Non-volatile semiconductor memory device with reduced coupling

Номер патента: KR960002005B1. Автор: 고지 사꾸이,히로시 나까무라,리이찌로 시로따,마사끼 모모도미. Владелец: 아오이 죠이찌. Дата публикации: 1996-02-09.

Non-volatile semiconductor memory device and power-up to read method thereof

Номер патента: KR100420125B1. Автор: 이승근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-03-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE60239899D1. Автор: Takaaki Furuyama,Koji Shimbayashi. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Voltage generation circuit for non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6801455B2. Автор: Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-10-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100587549B1. Автор: 가와마타준야. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2006-06-08.

Method of preventing coupling noises for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8102704B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Yong-Jun Lee,Du-Eung Kim,Joon-Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-24.

Booster circuit for non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030146450A1. Автор: Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-08-07.

Multiple chip system including a plurality of non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US20040057297A1. Автор: Cheol-Ung Jang,Young-Joon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100613798B1. Автор: 간다가즈시게,나까무라히로시. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device with EEPROM cell, dummy cell and sensor circuit to increase the reliability and enable one-bit operation

Номер патента: DE69122649D1. Автор: Takumi Miyashita,Haruo Koizumi,Toshiyuki Teramoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1996-11-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TWI235381B. Автор: Makoto Kojima,Hisakazu Kotani. Владелец: Matsushita Electric Ind Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-01.

Non-volatile semiconductor memory and data reading method thereof

Номер патента: US20130145093A1. Автор: Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY HAVING MULTIPLE EXTERNAL POWER SUPPLIES

Номер патента: US20140104954A1. Автор: KIM Jin-Ki,GILLINGHAM Peter. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2014-04-17.

Non-volatile semiconductor memory device having disturb verify function

Номер патента: US5490110A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-02-06.

Non-volatile semiconductor memory device having a memory cell group operative as a redundant memory cell group for replacement of another group

Номер патента: US5523976A. Автор: Takeshi Okazawa,Kenji Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US10068910B2. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Non-volatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20210012854A1. Автор: Daisuke Uchida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH TEMPORARY DATA RETENTION CELLS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20160148657A1. Автор: Hsu Chih-Wei,Huang Po-Han,LIN Keng-Yu,TANG Wei-Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

THREE-DIMENSIONAL (3D) NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR LOADING IMPROVEMENT

Номер патента: US20160275994A1. Автор: OH Sung Lae. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: WO2012105164A1. Автор: 河野　和幸. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2012-08-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7903460B2. Автор: Takeshi Kajimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Non-volatile semiconductor memory device with memory transistor

Номер патента: US20050083737A1. Автор: Yoshikazu Miyawaki,Satoru Kishida,Hiromi Okimoto,Daisuke Agawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

DATA ERASURE DEVICE FOR ERASING DATA FROM NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190325967A1. Автор: YAKO Koichi,NAKAYAMA Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160203869A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-07-14.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150294728A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE69819961T2. Автор: Koji Minato-ku Naganawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Non-volatile semiconductor memory device for selectively re-checking word lines

Номер патента: KR101160634B1. Автор: 테츠후미 카와무라,요시타카 사사고. Владелец: 르네사스 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2012-07-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6968435B2. Автор: Hiroshi Shimoda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2005-11-22.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130229873A1. Автор: SHIINO Yasuhiro,Takahashi Eietsu,Irieda Shigefumi,Ueno Koki,SAKANIWA Manabu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-05.

Non-Volatile Semiconductor Memory Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20150078092A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160267990A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu,Shiga Hidehiro,BUSHNAQ Sanad. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

Non-volatile semiconductor memory controller for processing one request first before completing another request Memory system having the same and Method there-of

Номер патента: KR101571693B1. Автор: 이창희,송동현,임정빈,윤정연,고영구. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-11-26.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0172366B1. Автор: 김진기. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-30.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100244406B1. Автор: 나쯔오 아지까,아끼노리 마쯔오. Владелец: 히다 찌 유엘에스아이 엔지니어링 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-02-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS57150192A. Автор: Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-09-16.

3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: EP1750279B1. Автор: Ki Tae Park,Jung Dal Choi,Sung Kyu Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-13.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100411849B1. Автор: 스게가와히로시. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2003-12-24.

3-Level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: EP2043104A1. Автор: Ki Tae Park,Jung Dal Choi,Sung Kyu Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE69326370T2. Автор: Hideo Kato,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Kazuhisa Kanazawa,Kaoru Tokushige,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-01-20.

3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US8085607B2. Автор: Jung-Dal Choi,Sung-Kyu JO,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-27.

Re-writing of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH1197557A. Автор: 桂太高橋,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-04-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060087887A1. Автор: Yasushi Kameda,Ken Takeuchi,Takuya Futatsuyama,Hitoshi Shiga,Koichi Kawal. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-04-27.

METHOD FOR CONTROLLING A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY, AND SEMICONDUCTOR STORAGE SYSTEM

Номер патента: US20150255159A1. Автор: TANAKA Yoshiyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-10.

Non-volatile semiconductor memory and method of making same, and semiconductor device and method of making device

Номер патента: US7528036B2. Автор: Takashi Kobayashi,Masataka Kato,Tetsuo Adachi,Toshiaki Nishimoto,Toshiyuki Mine,Nozomu Matsuzaki,Yoshimi Sudou. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20140104950A1. Автор: Yano Masaru. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-04-17.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Non-volatile semiconductor memory device having a stable read margin

Номер патента: US20020018369A1. Автор: Taku Ogura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Abiko Naofumi,HARADA Yoshikazu,YOSHIHARA Masahiro,KAGA Hiroyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-18.

Data protection for non-volatile semiconductor memory using block protection flags

Номер патента: US7822914B2. Автор: Hitoshi Kurosawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Non-volatile semiconductor memory comprising power fail circuitry for flushing write data in response to a power fail signal

Номер патента: HK1152794A1. Автор: ‧坎恩. Владелец: 西部數據技術公司. Дата публикации: 2012-03-09.

Non-volatile semiconductor memory device using a differential cell in a memory cell

Номер патента: US5291045A. Автор: Shigeru Atsumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-03-01.

Non-volatile semiconductor memory device using a differential cell in a memory cell

Номер патента: EP0506989B1. Автор: Shigeru C/O Intellectual Property Div. Atsumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-07-09.

Non-volatile semiconductor memory device using a differential cell in a memory cell

Номер патента: EP0506989A1. Автор: Shigeru C/O Intellectual Property Div. Atsumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-10-07.

Data Protection for Non-Volatile Semiconductor Memory Using Block Protection Flags

Номер патента: US20080288735A1. Автор: Hitoshi Kurosawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND READING-OUT METHOD THEREFORE

Номер патента: US20140036597A1. Автор: NAKAYAMA Akitomo. Владелец: POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9183909B2. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method for reading the same

Номер патента: US7254063B2. Автор: Toshiki Mori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-07.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130051132A1. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF READING DATA THEREFROM

Номер патента: US20130258776A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-10-03.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND READING METHOD

Номер патента: US20160042798A1. Автор: Kodama Takuyo. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150063027A1. Автор: HASHIMOTO Toshifumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-03-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140286103A1. Автор: Noguchi Mitsuhiro,AKOU Masayuki,SUZUKI Yu,GOYO Akimichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140286104A1. Автор: TABATA Koji,KAMATA Yoshihiko,HAMANO Tomoyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS6231094A. Автор: Shigeru Atsumi,Sumio Tanaka,田中　寿実夫,渥美　滋. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-02-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH11265585A. Автор: Masaaki Ohashi,雅昭大橋. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-28.

Non-volatile semiconductor memory device with time-division sense function and read method thereof

Номер патента: KR100399353B1. Автор: 조태희,임영호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-09-26.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0172440B1. Автор: 임영호,최병순. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-30.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN1905066A. Автор: 森俊树. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-31.

Non-volatile semiconductor memory device having lockable cell

Номер патента: JPH10116494A. Автор: 昇根李,Shokon Ri,Shinzen Ren,軫善廉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-05-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7450427B2. Автор: Junichi Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-11-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070025147A1. Автор: Toshiki Mori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-01.

Data reading circuit of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE69630268T2. Автор: Hyong-Gon Suwon-city Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-26.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW594764B. Автор: Yoshinori Takase,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu. Владелец: Hitachi Ulsi Sys Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7864586B2. Автор: Naoya Tokiwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-01-04.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DATA READING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140104947A1. Автор: Michael Oron,Suito Katsutoshi,YAMAUCHI Kazuki,KIM Jongjun,SHIN Youn-Cherl. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-04-17.

Non-volatile semiconductor memory device allowing shrinking of memory cell

Номер патента: US7208751B2. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100855861B1. Автор: 강희복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-09-01.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US8624313B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor memory device and driving method of the same

Номер патента: US09606743B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Non-volatile semiconductor memory device and its reading method

Номер патента: US20100080054A1. Автор: Keiko Abe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20080205142A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20070183221A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-09.

Electrically programmable non-volatile semiconductor memory¹device

Номер патента: IE813036L. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-06-23.

Non-volatile semiconductor memory device and method for operating a non-volatile memory device

Номер патента: US7403417B2. Автор: Zeev Cohen. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2008-07-22.

Circuit for checking memory cells of programmable MOS-integrated semiconductor memories

Номер патента: US4458338A. Автор: Burkhard Giebel,Lothar Schrader,Hans Moormann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-07-03.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND DATA PROCESSING METHOD IN NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20130182488A1. Автор: KOBAYASHI Shigeki,Tabata Hideyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-07-18.

Non-volatile semiconductor memory and data processing method in non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US8711604B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-29.

Anti-fuse non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09406397B1. Автор: Donghyuk Ju. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-02.

Non-volatile SRAM memory cell, and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09842650B2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai,Tatsuro Toya. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Non-volatile semiconductor latch using hot-electron injection devices

Номер патента: US7746695B2. Автор: Hartmut Liebing,Valeri Dimitrov Ivanov. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2010-06-29.

Non-volatile semiconductor memory device and its reading method

Номер патента: US7948813B2. Автор: Keiko Abe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Nonvolatile memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040114428A1. Автор: Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Ferrodielectric non-volatile semiconductor memory

Номер патента: TWI230381B. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-04-01.

Non-volatile semiconductor memory circuit

Номер патента: TW201037709A. Автор: Dong-Keun Kim,Yoon-Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140219037A1. Автор: WATANABE Kotaro,MITANI Makoto. Владелец: SEIKO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US7382663B2. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Non-volatile semiconductor memory device having ferroelectric memory cells

Номер патента: KR100306823B1. Автор: 전병길,정연배. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-30.

Non-volatile semiconductor memory device with magnetic memory cell array

Номер патента: KR100451096B1. Автор: 오카자와다케시. Владелец: 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-10-02.

Non-volatile semiconductor memory system for e.g. cellular telephone, has buffer memory storing set of data to be programmed in selected memory cells, and backup memory storing another set of data that is previously programmed

Номер патента: DE102007046401A1. Автор: Jin-Hyeok Yongin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180074952A1. Автор: Sudo Naoaki. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2018-03-15.

Non-volatile semiconductor memory device and its manufacturing method

Номер патента: US20140183617A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Toshitake Yaegashi,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140328107A1. Автор: Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100964759B1. Автор: 간 야스이,데쯔야 이시마루,야스히로 시마모또. Владелец: 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지. Дата публикации: 2010-06-21.

Magnetoresistive element and non-volatile semiconductor memory device using same

Номер патента: KR101789837B1. Автор: 야스시 오기모토,미치야 야마다. Владелец: 아이아이아이 홀딩스 3, 엘엘씨. Дата публикации: 2017-10-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN101331553B. Автор: 森本英德. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-07-18.

Non volatile semiconductor memory device having a multi-bit cell array

Номер патента: US7269085B2. Автор: Sei-Jin Kim,Han-Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: EP0944092A2. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-09-22.

Non-volatile semiconductor memory device with power-saving feature

Номер патента: US20130010563A1. Автор: Hakjune Oh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130242651A1. Автор: Hioka Takeshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-19.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130250654A1. Автор: SUGIMAE Kikuko,Ichihara Reika. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-26.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130250655A1. Автор: SUGIMAE Kikuko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-26.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180012655A1. Автор: SENOO Makoto,Lim Seow-Fong. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2018-01-11.

Non-Volatile Semiconductor Memory Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20160111147A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140328110A1. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140332752A1. Автор: Takanori Ueda,Kazuyuki Kouno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180268878A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180268898A1. Автор: Suzuki Yoshinori,Miyazaki Takayuki. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

Non-volatile semiconductor memory device array and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2905769B2. Автор: ウンリムチョイ. Владелец: ERU JII SEMIKON CO Ltd. Дата публикации: 1999-06-14.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN101290800B. Автор: 石丸哲也,岛本泰洋,安井感. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN101290800A. Автор: 石丸哲也,岛本泰洋,安井感. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Non-volatile semiconductor memory device including an erroneous bit generating circuit

Номер патента: FR2641641A1. Автор: Jin-Ki Kim,Hyung-Kyu Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-07-13.

Non-volatile semiconductor memory device with nand cell structure

Номер патента: KR950004865B1. Автор: 히로시 이와하시,마사키 모모도미,후지오 마스오카,리이치로 시로타,야스오 이토,가즈노리 오우치,료우헤이 기리사와,요시히사 이와타,시게요시 와타나베,마사히코 치바,사토시 이노우에,료죠 나카야마. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1995-05-15.

Non-volatile semiconductor memory device and method of writing data therein

Номер патента: US20100182818A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8045414B2. Автор: Toshimasa Namekawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-25.

Ferroelectric non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0177781B1. Автор: 박철성,전병길. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-15.

Programmable non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN1720591A. Автор: D·恩古延,C·B·普哈姆,A·G·J·斯伦特,G·G·卡拉尔特斯,M·C·赫明格斯. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100866749B1. Автор: 강희복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-11-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE69826955T2. Автор: Yoshiji Kashiwara-shi Osaka Ohta. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2005-12-01.

Method of controlling the resistance in a variable resistive element and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7558099B2. Автор: Hidenori Morimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-07-07.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100315933B1. Автор: 타카타히데카즈. Владелец: 마찌다 가쯔히꼬. Дата публикации: 2001-12-12.

Non-volatile semiconductor memory device with power-saving feature

Номер патента: US9213389B2. Автор: Hakjune Oh. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2015-12-15.

Non-volatile memory element and non-volatile semiconductor device using the non-volatile memory element

Номер патента: WO2009050833A1. Автор: Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Yoshihiko Kanzawa,Satoru Mitani,Zhiqiang Wei. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2009-04-23.

Non‑volatile storage element, non‑volatile storage device, and non‑volatile semiconductor device

Номер патента: WO2009147790A1. Автор: 神澤好彦,三谷覚,魏志強,高木剛. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2009-12-10.

NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, METHOD FOR THE PRODUCTION THEREOF, AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THE NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT

Номер патента: DE602008006652D1. Автор: Satoru Fujii,Takeshi Takagi,Shunsaku Muraoka,Koichi Osano,Kazuhiko Shimakawa,Yoshihiko Kanzawa,Koji Katayama,Satoru Mitani,Ryoko Miyanaga. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Non-volatile semiconductor latch using hot-electron injection devices

Номер патента: WO2005059922A1. Автор: Hartmut Liebing,Valeri Dimitrov Ivanov. Владелец: X-Fab Semiconductor Foundries AG. Дата публикации: 2005-06-30.

Non-volatile semiconductor latch using hot-electron injection devices

Номер патента: US20090147577A1. Автор: Hartmut Liebing,Valeri Dimitrov Ivanov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Resistance-change type non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20130242638A1. Автор: Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

Apparatus and method for generating descriptors to reaccess a non-volatile semiconductor memory of a storage drive due to an error

Номер патента: WO2014144043A4. Автор: Wei Xu,Fei Sun. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-11-20.

Non-volatile semiconductor memory segregating sequential, random, and system data to reduce garbage collection for page based mapping

Номер патента: US09753847B2. Автор: Mei-Man Syu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Information processing device that extends service life of non-volatile semiconductor memory and recording medium

Номер патента: US09875065B2. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Apparatus and method for generating descriptors to reaccess a non-volatile semiconductor memory of a storage drive due to an error

Номер патента: US20140195727A1. Автор: Wei Xu,Fei Sun. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Information processing device that extends service life of non-volatile semiconductor memory and recording medium

Номер патента: US20160253097A1. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Method of securely erasing a non-volatile semiconductor mass memory, computer system, and computer program product

Номер патента: US09671964B2. Автор: Thorsten Höhnke. Владелец: Fujitsu Technology Solutions Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2017-06-06.

Information processing apparatus and non-volatile semiconductor memory drive

Номер патента: WO2009110144A1. Автор: Takehiko Kurashige. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-09-11.

Systems and methods for compressing data in non-volatile semiconductor memory drives

Номер патента: WO2011028802A1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2011-03-10.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device, and manufacture method for non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100001338A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050161730A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060249771A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100230742A1. Автор: Yukihiro Yamashita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20100193855A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263277A1. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284944A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153985A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120256249A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8217444B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09685607B2. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210296353A1. Автор: Hikari TAJIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09859446B2. Автор: Takashi Hayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: EP1423879A2. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-02.

Non-volatile semiconductor storage device including contact plug

Номер патента: US8363472B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050186734A1. Автор: Nae-in Lee,Sung-Ho Kim,Jin-Hee Kim,Ki-chul Kim,Kwang-Wook Koh,Sang-Su Kim,In-Wook Cho,Geun-Jong Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-25.

Non-volatile semiconductor memory with nitride sidewall contacting nitride layer of ONO gate stack and methods for producing the same

Номер патента: US09461138B2. Автор: Takaoki Sasaki,Yohei Fukumoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140374691A1. Автор: Hiroyuki Nansei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020146884A1. Автор: Kuniko Kikuta,Masato Kawata. Владелец: Masato Kawata. Дата публикации: 2002-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8723242B2. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233618A1. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Non-volatile semiconductor memory using charge-accumulation insulating film

Номер патента: US8759896B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Non-volatile semiconductor memory using charge-accumulation insulating film

Номер патента: US20130062686A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140061756A1. Автор: Masayuki Tanaka,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09478670B2. Автор: Masayuki Tanaka,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130069118A1. Автор: Shinji Mori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070126047A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090325351A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7608887B2. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: WO2003019664A3. Автор: De Zaldivar Jose Solo. Владелец: De Zaldivar Jose Solo. Дата публикации: 2003-10-02.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010019150A1. Автор: Hajime Kimura,Kenji Kawai,Kazuyuki Ohmi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-06.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory device having storage cell array and peripheral circuit, and a structure therefore

Номер патента: US5656527A. Автор: Keon-Soo Kim,Jeong-Hyeok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130099348A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US11495614B2. Автор: Hikari TAJIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Non-volatile semiconductor memory device with intrinsic charge trapping layer

Номер патента: US20130105884A1. Автор: Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu,Shih-Chen Wang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Non-volatile semiconductor memory device with intrinsic charge trapping layer

Номер патента: US20120018794A1. Автор: Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu,Shih-Chen Wang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Structure of split gate transistor for use in a non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing such a split gate transistor

Номер патента: US5691937A. Автор: Noriyuki Ohta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135595A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8426276B2. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-23.

Non-volatile semiconductor storage apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010054735A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20240256442A1. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US11269766B2. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20220156182A1. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20230267075A1. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US11675697B2. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US11977481B2. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

METHOD FOR MANUFACTURING A FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING A VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING A DISPLAY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING A SYSTEM

Номер патента: US20170271381A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for manufacturing a field effect transistor, method for manufacturing a volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a display element, method for manufacturing an image display device, and method for manufacturing a system

Номер патента: US10818705B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Method of controlling nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20240126433A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of controlling nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US11893238B2. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: GB9118735D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1991-10-16.

Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: SG27995G. Автор: Kurt Brian Robinson,Gerald S Holzhammer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-06-16.

Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory.

Номер патента: HK56895A. Автор: Kurt Brian Robinson,Gerald S Holzhammer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-04-21.

Non-volatile semiconductor memory device for supporting high speed search in cache memory function

Номер патента: KR100880425B1. Автор: 박찬익,이진욱,이병국. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-01-29.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE RELATED METHOD OF OPERATION

Номер патента: US20130159610A1. Автор: Kawamura Shoichi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Using Mats with Error Detection and Correction and Methods of Managing the Same

Номер патента: US20130166991A1. Автор: Shimada Toshiki. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-27.

CONTROL METHOD AND MEMORY SYSTEM OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20140075099A1. Автор: Ooneda Taku. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-13.

SYSTEM AND METHOD FOR BOOTING UP A COMPUTER BASED ON DATA CAPTURED IN A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DURING A LEARN MODE

Номер патента: US20130219160A1. Автор: Zhao Qun,Kang Xinhai. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2013-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09691777B2. Автор: Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Non-volatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1263037A3. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US10418377B2. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-09-17.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US20180233512A1. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-08-16.

Floating trap non-volatile semiconductor memory devices including high dielectric constant blocking insulating layers and methods

Номер патента: US20030047755A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee,Byoung-Woo Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-13.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6078522A. Автор: Jong-Min Park,Dong-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device having oxynitride film for preventing charge in floating gate from loss

Номер патента: US5306936A. Автор: Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100176439A1. Автор: Yoshiki Yonamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20160197091A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20150221664A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20120086070A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US09412750B2. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20130228845A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Manufacturing method for non-volatile semiconductor memory device and the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW200410373A. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2004-06-16.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US7338863B2. Автор: Young-sun Kim,Jong-Cheol Lee,Han-mei Choi,Jae-Hyoung Choi,Gab-jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09711518B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110073935A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Akiko Sekihara,Tesuya Kai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Non-volatile semiconductor memory device having memory cell array suitable for high density and high integration

Номер патента: US20070241391A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Fumitaka Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same, volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same, and semiconductor memory device incorporating the non-volatile semiconductor memory device with the volatile semiconductor memory device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR100391559B1. Автор: 요시카와구니요시. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2003-07-12.

Stacked non-volatile semiconductor memory device with buried source line and method of manufacture

Номер патента: US09761606B1. Автор: Takashi Ishida,Hideaki Aochi,Fumitaka Arai,Jun Fujiki,Shinya Arai,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09748332B1. Автор: Chen Yu Cheng,Tzung-Ting Han,Shih Chin Lee,Chih Kai Yang,Ching Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Simplified process for defining the tunnel area in non-aligned, non-volatile semiconductor memory cells

Номер патента: US6444526B1. Автор: Bruno Vajana,Matteo Patelmo,Giovanna Dalla Libera,Nadia Galbiati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-09-03.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282832A1. Автор: Yangbeom KANG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor memory

Номер патента: US20060258108A1. Автор: Shinichi Sato,Katsuya Hironaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

Adjustment of avalanche voltage in DIFMOS memory devices by control of impurity doping

Номер патента: US4131983A. Автор: Walter T. Matzen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-01-02.

Non-volatile semiconductor memory device, non-volatile memory string and non-volatile memory array

Номер патента: TW201104845A. Автор: Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu,Shih-Chen Wang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-02-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120132985A1. Автор: Satoshi Nagashima,Naoki Kai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130237029A1. Автор: NANSEI Hiroyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-12.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140077285A1. Автор: KUNIYA Takuji,NODA Homuro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140374691A1. Автор: Hiroyuki Nansei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150372079A1. Автор: FUKUMURA Tatsuya,NAITO Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Manufacturing method for non-volatile semiconductor memory device and the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TWI238497B. Автор: Hiroaki Tsunoda,Sunao Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-21.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120295413A1. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8450182B2. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: TW522551B. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW201236141A. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instr Inc. Дата публикации: 2012-09-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW434551B. Автор: Lojek Bohumil. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2001-05-16.

A non volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: GB9709777D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-09.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: TW465098B. Автор: Masahito Kawada. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2001-11-21.

Split gate type non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: TWI368330B. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160163719A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170309633A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5712178A. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Myoung-kwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-27.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR PRODUCING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20150008500A1. Автор: Fukumoto Yohei,Sasaki Takaoki. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

Non-volatile semiconductor memory, and production method for non-volatile semiconductor memory

Номер патента: WO2013128864A1. Автор: 隆興佐々木,洋平福本. Владелец: セイコーエプソン株式会社. Дата публикации: 2013-09-06.

SEMICONDUCTOR DEVICE, NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170077108A1. Автор: Fujita Masanari,Watanabe Makoto,WADA Hideo,Imamura Takeshi,FUJII Kenichi,INOKUMA Hideki,KANEKO Hajime,MATSUURA Osamu,KAWAGUCHI Genki,ITOH Takanobu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-03-16.

Non-volatile memory element, non-volatile memory device, non-volatile semiconductor device, and non-volatile memory element manufacturing method

Номер патента: WO2010087211A1. Автор: 三河巧,有田浩二,三谷覚,藤井覚. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2010-08-05.

Non-volatile memory element, non-volatile memory device, non-volatile semiconductor device, and non-volatile memory element manufacturing method

Номер патента: CN102292814A. Автор: 三河巧,有田浩二,藤井觉,三谷觉. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-21.

Non-volatile memory element, non-volatile memory device, non-volatile semiconductor device, and non-volatile memory element manufacturing method

Номер патента: CN102292814B. Автор: 三河巧,有田浩二,藤井觉,三谷觉. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-23.

Non-volatile semiconductor memory and process of fabricating the same

Номер патента: TWI276217B. Автор: Naoki Ueda,Yoshimitsu Yamauchi,Yasuhiro Sugita. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2007-03-11.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: TW200306011A. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-11-01.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20240170547A1. Автор: Minkuck Cho. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Non-volatile semiconductor memory device in which selection gate transistors and memory cells have different structures

Номер патента: US6835987B2. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-28.

Method of forming memory cell of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100196594B1. Автор: 오야마겐이치. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-06-15.

Non-volatile semiconductor memory device including memory transistor with a composite gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US6232182B1. Автор: Fumitaka Sugaya. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-05-15.

A non-volatile semiconductor memory device having nand-type memory cell array and method for producing the same

Номер патента: KR100224761B1. Автор: 김동준,최정달. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

Method of fabricating non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5449634A. Автор: Tatsuro Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030042529A1. Автор: Koji Takahashi,Hiroshi Hashimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Non-volatile semiconductor memory device and process of manufacturing the same

Номер патента: US20120248524A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Koki Ueno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-04.

Non-volatile semiconductor memory device having a two-layer gate electrode transistor and method of manufacturing the device

Номер патента: US20060278916A1. Автор: Fumitaka Arai,Naohisa Iino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130099348A1. Автор: Nagashima Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170062621A1. Автор: Takashi Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160079250A1. Автор: AKUTSU Yoshihiro,KATSUMATA Ryota. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-03-17.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140203345A1. Автор: TANIGUCHI YASUHIRO,Kasai Hideo,SHINAGAWA Yutaka. Владелец: Floadia Corporation a japanese corporation. Дата публикации: 2014-07-24.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160163719A1. Автор: Sakuma Kiwamu,Kiyotoshi Masahiro,SAKUMA Haruka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-06-09.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140291746A1. Автор: TANIGUCHI YASUHIRO,OKUYAMA Kosuke. Владелец: Floadia Corporation. Дата публикации: 2014-10-02.

THREE-DIMENSIONAL NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING REPLACEMENT GATE

Номер патента: US20180233512A1. Автор: Blomme Pieter,Van Houdt Jan. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160254271A1. Автор: AKUTSU Yoshihiro,KATSUMATA Ryota. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-01.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150263277A1. Автор: Ozawa Yoshio. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210296353A1. Автор: TAJIMA Hikari. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170263779A1. Автор: HAYASHI Takashi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-09-14.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200350327A1. Автор: AKUTSU Yoshihiro,KATSUMATA Ryota. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of fabrication non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0139188B1. Автор: 다쯔로 이노우에. Владелец: 니뽄 덴끼 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 1998-04-27.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacture thereof

Номер патента: JPH1197560A. Автор: Seiichi Ishige,清一石毛. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-09.

Non volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR100697291B1. Автор: 박병국,송기환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR20010106934A. Автор: 선정민. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-07.

Variable resistive element, and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN103227282A. Автор: 中野贵司,浅野勇,玉井幸夫,相泽一雄. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-07-31.

Manufacture of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH1027890A. Автор: Shoichi Sasaki,正一佐々木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100364519B1. Автор: 나카가와겐이치로. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-12-16.

Split gate type non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR100546405B1. Автор: 최용석,김용태,전희석,윤승범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0170680B1. Автор: 오석영,박원호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-02-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: TW200401438A. Автор: Koji Takahashi,Hiroshi Hashimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-16.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacture thereof

Номер патента: JPH1187539A. Автор: Hajime Arai,肇新井. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Non-volatile semiconductor memory devices with control gates overlapping pairs of floating gates

Номер патента: US6486508B1. Автор: Yong-kyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-11-26.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE69511320T2. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Jeong-Hyong Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-13.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20090278188A1. Автор: Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-12.

Cell matrix for non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: DE69132402T2. Автор: Taiji Ema. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-04-05.

Non-volatile semiconductor memory device and method for its production.

Номер патента: DE68916297D1. Автор: Kiyomi Naruke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9362298B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-07.

Non-volatile semiconductor memory device and process for fabricating the same

Номер патента: US7038271B2. Автор: Toshio Kobayashi,Kazumasa Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8338252B2. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Non-volatile semiconductor memory device and process for producing the same

Номер патента: KR100380773B1. Автор: 이와사끼쇼따. Владелец: 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2003-04-18.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS6260266A. Автор: Hiroshi Iwahashi,岩橋　弘. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-03-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: EP0053013B1. Автор: Ryoiku Togei. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-03-05.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100879183B1. Автор: 마사유끼 다나까,가쯔아끼 나또리,다이스께 니시다,아끼히또 야마모또. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2009-01-16.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing thereof

Номер патента: KR960012303B1. Автор: 최정혁,조명관. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-09-18.

Non-volatile semiconductor memory device and process of manufacturing the same

Номер патента: US20070029578A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Koki Ueno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-02-08.

Method of forming a highly integrated non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030030145A1. Автор: Hiroki Shirai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device storing charge in gate insulating layer therein

Номер патента: US20010041434A1. Автор: Akihiro Nakamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2001-11-15.

Non-volatile semiconductor memory device with intrinsic charge trapping layer

Номер патента: US20120018794A1. Автор: Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu,Shih-Chen Wang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH INTRINSIC CHARGE TRAPPING LAYER

Номер патента: US20130105884A1. Автор: Wang Shih-Chen,Lu Hau-Yan,Yang Ching-Sung. Владелец: eMemory Technology Inc.. Дата публикации: 2013-05-02.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130153985A1. Автор: MURAOKA Koichi,YASUDA Naoki,NAKASAKI Yasushi,Kikuchi Shoko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-06-20.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130164929A1. Автор: KUNIYA Takuji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-06-27.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130187216A1. Автор: INOUE Ayako,TSUMURA Kazuhiro. Владелец: SEIKO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

VARIABLE RESISTIVE ELEMENT, AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130193396A1. Автор: NAKANO Takashi,ASANO Isamu,TAMAI Yukio,AIZAWA Kazuo. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130240973A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130252388A1. Автор: Matsuno Koichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-26.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130277640A1. Автор: YASUTAKE Nobuaki,Sakamoto Kei,Nishimura Jun,OKAMURA Takayuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-10-24.

Non-volatile semiconductor memory device and process of manufacturing the same

Номер патента: US20140017875A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Koki Ueno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

THREE-DIMENSIONAL NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING REPLACEMENT GATE

Номер патента: US20200006380A1. Автор: Blomme Pieter,Van Houdt Jan. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20150060994A1. Автор: Kato Tatsuya,OKAMOTO Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-03-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140138597A1. Автор: Nojiri Yasuhiro,KOBAYASHI Shigeki,Fukumizu Hiroyuki,Yamato Masaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-05-22.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190074284A1. Автор: AKUTSU Yoshihiro,KATSUMATA Ryota. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-03-07.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20160079255A1. Автор: KITO Masaru,AKUTSU Yoshihiro,Shimizu Takashi,SONEHARA Takeshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-03-17.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150102399A1. Автор: FUKUZUMI Yoshiaki,YASUDA Naoki,Saitoh Masumi,SAKUMA Haruka,TORIYAMA Shuichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-04-16.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20170133391A1. Автор: TANIGUCHI YASUHIRO,Kasai Hideo,SHINAGAWA Yutaka,SAKURAI Ryotaro,KAWASHIMA Yasuhiko,OKUYAMA Kosuke. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150200200A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140284677A1. Автор: TANIGUCHI YASUHIRO,OKUYAMA Kosuke. Владелец: Floadia Corporation. Дата публикации: 2014-09-25.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF p-CHANNEL MOS TRANSISTOR

Номер патента: US20150255475A1. Автор: Noguchi Mitsuhiro,TOMINO Hirokazu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150263013A1. Автор: FURUHASHI Takashi,TANAKA Masayuki,Toratani Kenichiro,MURAKOSHI Atsushi,Ozawa Yoshio. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160260815A1. Автор: OHBA Ryuji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-08.

STACKED NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH BURIED SOURCE LINE AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20170263636A1. Автор: Aochi Hideaki,Fujiki Jun,ARAI Fumitaka,Arai Shinya,ISHIDA Takashi,FUJII Kotaro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-09-14.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170309633A1. Автор: Sakuma Kiwamu,Kiyotoshi Masahiro,SAKUMA Haruka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-10-26.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170373080A1. Автор: AKUTSU Yoshihiro,KATSUMATA Ryota. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2017-12-28.

Manufacturing method of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0138312B1. Автор: 이정형,최정혁. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-28.

Cell array structure of non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100242723B1. Автор: 최정혁,김건수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-02-01.

Non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: KR100376864B1. Автор: 김용국. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-19.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: KR100330948B1. Автор: 기따무라다꾸야,고가히로끼. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-04-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: KR19990083606A. Автор: 기따무라다꾸야,고가히로끼. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-11-25.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100438242B1. Автор: 츠지나오키. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-07-02.

Split gate type non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR100539247B1. Автор: 김용태,전희석,윤승범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-27.

Fabrication method of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100213199B1. Автор: 정칠희,안근옥,손문. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-08-02.

Manufacture of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS5816573A. Автор: Shozo Saito,斎藤　昇三. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-31.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: KR100829034B1. Автор: 하시모토히로시,다카하시코지. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2008-05-16.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP2012109450A. Автор: Mitsuhiko Noda,光彦野田,Yukinobu Nagashima,幸延永島. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Non-volatile semiconductor memory device & the fabrication method

Номер патента: KR0147405B1. Автор: 김영관. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1998-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: KR100525256B1. Автор: 나까가와신이찌. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2005-11-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR970000715B1. Автор: 황현상. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1997-01-18.

Non-volatile semiconductor memory device and its production process

Номер патента: JP2009277770A. Автор: 勝典矢橋,Katsunori Yahashi,Katsuro Ishikawa,勝朗石川. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR19990077914A. Автор: 나카가와켄-이치로. Владелец: 닛폰 덴키 주식회사. Дата публикации: 1999-10-25.

Non-volatile semiconductor memory device and its making method

Номер патента: KR960000724B1. Автор: 히토시 아라키,히로유키 사사키,가즈노리 가네바코. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1996-01-11.

Non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US7804120B2. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee,Byoung-Woo Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-28.

Non-volatile semiconductor memory device and depletion-type mos transistor

Номер патента: US20110300680A1. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Kenji Gomikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH01133291A. Автор: Kiyonori Tamura,清則田村,雅文西野,Tomohiko Ikeda,Yoshitaka Kakumoto,佳隆角本,友彦池田,Masafumi Nishino. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-25.

Method of manufacturing a floating gate and method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device comprising the same

Номер патента: US20040171217A1. Автор: Chang-Rok Moon,Jin-Kuk Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method therefor.

Номер патента: EP0096062A1. Автор: Yung-Chau Yen. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1983-12-21.

Non-volatile semiconductor memory cell having a metal oxide dielectric, and method for fabricating the memory cell

Номер патента: US6580118B2. Автор: Christoph Ludwig,Martin Schrems. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-17.

Fabrication method of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100211767B1. Автор: 김장래. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS6252971A. Автор: Kazuo Kobayashi,和男小林,武志中山,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,寺田　康. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1987-03-07.

Mfg. method of semiconductor integrated circuit device contg. non-volatility semiconductor memory

Номер патента: CN1252813C. Автор: 虾名昭彦,丸尾丰. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-04-19.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100573328B1. Автор: 기요떼루 고바야시,오사무 사까모또. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-04-24.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH088318B2. Автор: 邦良吉川. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-01-29.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS5453876A. Автор: Hiroshi Nozawa. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-04-27.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: US6940120B2. Автор: Koji Takahashi,Hiroshi Hashimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-06.

Non volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110073932A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Hideto Horii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacture thereof

Номер патента: JPH1032270A. Автор: Yukihiro Otani,幸弘大谷. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JP2009224468A. Автор: 英明青地,Masaru Kito,嘉晃福住,竜太勝又,大木藤,傑鬼頭,啓安田中,Yasuyuki Matsuoka,Ryuta Katsumata,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,泰之松岡,Yoshiaki Fukuzumi,Takashi Kito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR101099860B1. Автор: 도시따께 야에가시. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2011-12-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100224926A1. Автор: Osamu Ikeda,Masanori Hatakeyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-09-09.

Method of manufacturing a floating gate and method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device comprising the same

Номер патента: US7118969B2. Автор: Chang-Rok Moon,Jin-Kuk Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing same

Номер патента: US7259433B2. Автор: Shinji Tanaka,Ichiro Fujiwara,Hiroshi Aozasa,Kazumasa Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-21.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8399322B2. Автор: Takuji Kuniya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabrication the same

Номер патента: KR100673007B1. Автор: 이승준,한동균. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-24.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20040159879A1. Автор: Kenichi Tanaka,Kenji Hakozaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080012080A1. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshitake Yaegashi. Дата публикации: 2008-01-17.

Non-volatile semiconductor memory device having thin film silicon gate

Номер патента: KR100188178B1. Автор: 김용태. Владелец: 주식회사삼성전자. Дата публикации: 1999-06-01.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7018890B2. Автор: Nobuyuki Tamura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-28.

Non-volatile semiconductor memory device and fabrication process thereof

Номер патента: US6492677B2. Автор: Koji Takahashi,Hiroshi Hashimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS55156371A. Автор: Yukimasa Uchida. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1980-12-05.

A non-volatile semiconductor memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: KR100214474B1. Автор: 최태호. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100205785B1. Автор: 최병순. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-07-01.

Non-volatile semiconductor memory device and process for fabricating the same

Номер патента: US7034356B2. Автор: Toshio Kobayashi,Kazumasa Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-04-25.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: EP0827197A3. Автор: Akihiro Nakamura,Masanori Noda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-03-11.

Non-volatile semiconductor memory device and process for producing the same

Номер патента: CN1129189C. Автор: 岩崎正资. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-11-26.

Method and apparatus for using cobalt silicided polycrystalline silicon for a one time programmable non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US7180102B2. Автор: Frank Yauchee Hui. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-02-20.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: DE3271603D1. Автор: Yung-Chau Yen. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1986-07-10.

A non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: HK73886A. Автор: Yasunori Nakazaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1986-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device with a gate electrode section arranged in a trench and its production method

Номер патента: DE19619705C2. Автор: Toshiharu Katayama,Naoko Otani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-06.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF.

Номер патента: FR2670951A1. Автор: Jeong-Hyeok Choi,Geon-Su Kim,Yun-Seong Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-06-26.

Non-volatile semiconductor memory device and method for its production

Номер патента: DE10203762B4. Автор: Jin-Ho Kim,Eui-Youl Ryu,Dong-jun Suwon Kim,Yong-Kyu Suwon Lee,Min-Soo Sungnam Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-19.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS59121880A. Автор: Masashi Wada,和田　正志. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1984-07-14.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE19813457C2. Автор: Woong-Lim Choi,Kyeong-Man Ra. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-09-27.

Non-volatile semiconductor memory device and its fabrication method

Номер патента: KR100206712B1. Автор: 최정달,김홍수,신왕철. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-07-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacture

Номер патента: DE69428658D1. Автор: Daisuke Tohyama,Junichiro Noda. Владелец: Toshiba Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF.

Номер патента: FR2670951B1. Автор: CHOI Jeong-Hyeok,Kim Geon-Su,Sin Yun-Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-03-09.

Non-volatile semiconductor memory device and fabrication method of the same

Номер патента: KR100744586B1. Автор: 하시모토히로시,다카하시고지. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20020090905A. Автор: 쯔노다히로아끼,고바야시히데유끼. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2002-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9825184B2. Автор: Takashi Hayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7785964B2. Автор: Jin-Jun Park,Beom-jun Jin,Hee-Jin Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-31.

Method for fabricating non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100289736B1. Автор: 오석영,박원호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-06-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8013380B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE102004003597A1. Автор: Motoharu Ishii,Seiichi Endo. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS6386470A. Автор: Ryohei Kirisawa,桐澤　亮平. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-04-16.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6593186B1. Автор: Takuya Kitamura,Hiroki Koga. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-07-15.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6756272B1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-06-29.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020100930A1. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Split gate type non-volatile semiconductor memory device having double-floating gate structure and process for manufacturing the same

Номер патента: KR100518588B1. Автор: 양정환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-10-04.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283898A1. Автор: Takuji Kuniya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Nand-Type Non-Volatile Semiconductor Memory Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20080191270A1. Автор: Hideyuki Kinoshita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-14.

Non-volatile semiconductor memory device and process for fabricating the same

Номер патента: US7074675B2. Автор: Toshio Kobayashi,Kazumasa Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-07-11.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030119262A1. Автор: Fumihiko Hayashi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Non-volatile semiconductor memory device for increasing a coupling ratio and fabrication method thereof

Номер патента: KR100734261B1. Автор: 김성균,박지훈,강성택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: TW200414514A. Автор: Satoshi Shimizu,Jun Sumino. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: TWI325171B. Автор: SUMINO JUN,Satoshi Shimizu. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2010-05-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140138597A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hiroyuki Fukumizu,Yasuhiro Nojiri,Masaki Yamato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-22.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: TW529129B. Автор: Tatsuro Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-04-21.

Non-volatile semiconductor memory device, production method for same, and charge storage film

Номер патента: TW201220408A. Автор: Hiroaki Watanabe,Kiyoteru Kobayashi,Yu Takahara,Hideaki Zama,Makiko Takagi. Владелец: Univ Tokai Educational System. Дата публикации: 2012-05-16.

Semiconductor integrated circuit having a non-volatile semiconductor memory and a capacitor

Номер патента: US20020149046A1. Автор: Koji Takahashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-10-17.

Non-volatile semiconductor devices

Номер патента: US09754959B2. Автор: Jae-Young Ahn,Dong-Chul Yoo,Young-Jin Noh,Kwang-Min Park,Hun-Hyeong Lim,Jeon-Il Lee,Guk-Hyon Yon,Ju-Mi YUN,Joong-Yun RA,Young-Seon Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile semiconductor devices and methods of manufacturing non-volatile semiconductor devices

Номер патента: US20110233653A1. Автор: Hak-sun Lee,Kyoung-sub Shin. Владелец: Lee Hak-Sun. Дата публикации: 2011-09-29.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor storage element and method for manufacturing non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: WO2011089682A1. Автор: 藤井　覚,三河　巧. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2011-07-28.

Unit cell structure, method of manufacturing the same, non-volatile semiconductor device having the unit cell structure and method of manufacturing the non-volatile semiconductor device

Номер патента: US20070018219A1. Автор: Sung-Ho Park,Jung-hyun Lee,Han-jin Lim,Kyu-Ho Cho,Jin-Il Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-25.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20130270506A1. Автор: MIZUSHIMA Ichiro,BABA Masanobu,TAKAHASHI Kensuke,Ogihara Hirotaka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-10-17.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Self-tuning voltage generator for non-volatile semiconductor memory unit, non-volatile semiconductor memory unit, and method for self- tuning generation of voltage in said memory unit

Номер патента: RU2146398C1. Автор: Ким Джин-ки,Лим Хьюнг-Кью,Ли Сунг-Соо. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2000-03-10.

Manufacture method of double-sided erasable electrode of shrinkable non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW466701B. Автор: Chi-Yuan Chin,Guo-Hua Jang,Hung-Yu Chiou,You-Wei Tzeng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-01.

불휘발성 반도체 메모리 장치(non volatile semiconductor memory device)

Номер патента: KR980011495A. Автор: 정휘택,이승근. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS52146586A. Автор: Yuji Takeshita,Masanori Ihara. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-12-06.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING EMBEDDED NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH SIDEWALL GATE

Номер патента: US20130065368A1. Автор: Yasui Kan,HISAMOTO Digh,ISHIMARU Tetsuya,KIMURA Shin-ichiro. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR SUPPRESSING DETERIORATION IN JUNCTION BREAKDOWN VOLTAGE AND SURFACE BREAKDOWN VOLTAGE OF TRANSISTOR

Номер патента: US20120199896A1. Автор: ENDO Masato,Noguchi Mitsuhiro,KUTSUKAKE Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты