Split gate type non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same
Номер патента: KR100539247B1
Опубликовано: 27-12-2005
Автор(ы): 김용태, 윤승범, 전희석
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 27-12-2005
Автор(ы): 김용태, 윤승범, 전희석
Принадлежит: 삼성전자주식회사
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same
Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.