Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9362298B2
Опубликовано: 07-06-2016
Автор(ы): Ryota Katsumata, Yoshihiro AKUTSU
Принадлежит: Toshiba Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12063779B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09768185B2. Автор: Ryota Katsumata,Yoshihiro AKUTSU. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

3d nand memory device devices and related electronic systems

Номер патента: US20230361083A1. Автор: Kunal R. Parekh,Akira Goda,Paolo Tessariol. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2023-11-09.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20190074284A1. Автор: AKUTSU Yoshihiro,KATSUMATA Ryota. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-03-07.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20200350327A1. Автор: AKUTSU Yoshihiro,KATSUMATA Ryota. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-11-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160079250A1. Автор: AKUTSU Yoshihiro,KATSUMATA Ryota. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-03-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210296353A1. Автор: Hikari TAJIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US11495614B2. Автор: Hikari TAJIMA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170373080A1. Автор: AKUTSU Yoshihiro,KATSUMATA Ryota. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2017-12-28.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8466518B2. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-06-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120038000A1. Автор: Tomoyuki Kirimura. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030080374A1. Автор: Hajime Arai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of making the same

Номер патента: WO2008096802A1. Автор: Masaru Kito,Mitsuru Sato,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2008-08-14.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8723242B2. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233618A1. Автор: Kazuhiro Asada. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US10418377B2. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2019-09-17.

Three-dimensional non-volatile semiconductor memory device having replacement gate

Номер патента: US20180233512A1. Автор: Jan Van Houdt,Pieter Blomme. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-08-16.

3D non-volatile semiconductor device and manufacturing method of the device

Номер патента: US11889697B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020127869A1. Автор: Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20020013066A1. Автор: Kazuo Maeda,Taizo Oku,Junichi Aoki,Youichi Yamamoto,Takashi Koromokawa. Владелец: Canon Marketing Japan Inc. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US09865639B2. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: EP2575174A3. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2013-08-21.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US20200161362A1. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US20180130842A1. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device and semiconductor-device manufacturing method

Номер патента: US10586823B2. Автор: Kan Shimizu,Keishi Inoue. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-03-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US10068910B2. Автор: Kazuhiro Tsumura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-09-04.

Semiconductor devices and semiconductor device manufacturing methods

Номер патента: US8541841B2. Автор: Tae-Hee Lee,Won-joo Kim,Sang-Moo Choi,Yoon-dong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210210430A1. Автор: Chien Cheng Liu,Yun Chih Chang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-07-08.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09748332B1. Автор: Chen Yu Cheng,Tzung-Ting Han,Shih Chin Lee,Chih Kai Yang,Ching Hung Wang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11758725B2. Автор: Nam Jae LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130240973A1. Автор: Koichi Matsuno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP2012109450A. Автор: Mitsuhiko Noda,光彦 野田,Yukinobu Nagashima,幸延 永島. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-06-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8399322B2. Автор: Takuji Kuniya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-19.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabrication the same

Номер патента: KR100673007B1. Автор: 이승준,한동균. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-01-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7785964B2. Автор: Jin-Jun Park,Beom-jun Jin,Hee-Jin Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-31.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080283898A1. Автор: Takuji Kuniya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Nand-Type Non-Volatile Semiconductor Memory Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20080191270A1. Автор: Hideyuki Kinoshita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-14.

THREE-DIMENSIONAL NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING REPLACEMENT GATE

Номер патента: US20200006380A1. Автор: Blomme Pieter,Van Houdt Jan. Владелец: . Дата публикации: 2020-01-02.

THREE-DIMENSIONAL NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE HAVING REPLACEMENT GATE

Номер патента: US20180233512A1. Автор: Blomme Pieter,Van Houdt Jan. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-16.

Non-volatile semiconductor memory device having oxynitride film for preventing charge in floating gate from loss

Номер патента: US5306936A. Автор: Yoshiro Goto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-04-26.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: TW522551B. Автор: Shu Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120132985A1. Автор: Satoshi Nagashima,Naoki Kai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF p-CHANNEL MOS TRANSISTOR

Номер патента: US20150255475A1. Автор: Noguchi Mitsuhiro,TOMINO Hirokazu. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing same

Номер патента: US7259433B2. Автор: Shinji Tanaka,Ichiro Fujiwara,Hiroshi Aozasa,Kazumasa Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-08-21.

Non-volatile semiconductor memory device, and manufacture method for non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100001338A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: US20100123183A1. Автор: Katsuhiko Yamamoto,Tadashi Terasaki,Hirotaka Hamamura,Yoshiki Yonamoto. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2010-05-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090179257A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-07-16.

Non-volatile semiconductor memory with nitride sidewall contacting nitride layer of ONO gate stack and methods for producing the same

Номер патента: US09461138B2. Автор: Takaoki Sasaki,Yohei Fukumoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09928925B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09613719B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-04.

Multi-chip non-volatile semiconductor memory package including heater and sensor elements

Номер патента: US09548126B1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-17.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090325351A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-12-31.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20070126047A1. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7608887B2. Автор: Junya Maneki,Toshiyuki Orita. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-10-27.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130069118A1. Автор: Shinji Mori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09478670B2. Автор: Masayuki Tanaka,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Stacked non-volatile semiconductor memory device with buried source line and method of manufacture

Номер патента: US09761606B1. Автор: Takashi Ishida,Hideaki Aochi,Fumitaka Arai,Jun Fujiki,Shinya Arai,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device

Номер патента: US20170133391A1. Автор: TANIGUCHI YASUHIRO,Kasai Hideo,SHINAGAWA Yutaka,SAKURAI Ryotaro,KAWASHIMA Yasuhiko,OKUYAMA Kosuke. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

STACKED NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH BURIED SOURCE LINE AND METHOD OF MANUFACTURE

Номер патента: US20170263636A1. Автор: Aochi Hideaki,Fujiki Jun,ARAI Fumitaka,Arai Shinya,ISHIDA Takashi,FUJII Kotaro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09741587B2. Автор: Yoshikazu Takahashi,Tsunehiro Nakajima,Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20220392822A1. Автор: Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-08.

Anti-fuse non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09406397B1. Автор: Donghyuk Ju. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-08-02.

Non-volatile semiconductor memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20020145155A1. Автор: Kenji Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-10.

Data erasure device for erasing data from non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20190325967A1. Автор: Yoshiaki Nakayama,Koichi Yako. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20020146884A1. Автор: Kuniko Kikuta,Masato Kawata. Владелец: Masato Kawata. Дата публикации: 2002-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20020000603A1. Автор: Kiyohiko Sakakibara,Hirotada Kuriyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-01-03.

Non-Volatile Semiconductor Storage Device

Номер патента: US20150311219A1. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2015-10-29.

Non-volatile semiconductor memory device having multiple different sized floating gates

Номер патента: US6188102B1. Автор: Masaru Tsukiji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9646979B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9252289B2. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2016-02-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130153985A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120256249A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8217444B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-07-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing same

Номер патента: US20100193855A1. Автор: Kenichiro Nakagawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09990987B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09734899B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09646979B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110284944A1. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device having depletion-type and enhancement-type channel regions

Номер патента: US09424924B2. Автор: Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130187216A1. Автор: Ayako Inoue,Kazuhiro Tsumura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2013-07-25.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20010021133A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-09-13.

Non-volatile semiconductor memory adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US09508422B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: EP1423879A2. Автор: Jose Solo De Zaldivar. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-06-02.

Method for manufacturing non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufactured thereby

Номер патента: US20030008488A1. Автор: Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: US6809966B2. Автор: Hung-Jin Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2004-10-26.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010019150A1. Автор: Hajime Kimura,Kenji Kawai,Kazuyuki Ohmi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-09-06.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050161730A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060249771A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09502109B2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Kosuke Okuyama. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150263277A1. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8461638B2. Автор: Masakuni Shimizu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09685607B2. Автор: Yoshio Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09859446B2. Автор: Takashi Hayashi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile semiconductor storage apparatus and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010054735A1. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-27.

Non-volatile semiconductor memory device with alternative metal gate material

Номер патента: US20080217677A1. Автор: Sang-Hun Jeon,Chung-woo Kim,Jeong-hee Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140374691A1. Автор: Hiroyuki Nansei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Non-volatile semiconductor storage device including contact plug

Номер патента: US8363472B2. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-29.

Non-volatile semiconductor memory device and its manufacturing method

Номер патента: US20140183617A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Toshitake Yaegashi,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Non-volatile semiconductor memory device, drive method and manufacturing method

Номер патента: US7531866B2. Автор: Takashi Yuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-12.

Non-volatile semiconductor memory device, drive method and manufacturing method

Номер патента: US20060180849A1. Автор: Takashi Yuda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-17.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070194370A1. Автор: Yoshihiro Ikeda,Hiroshi Ishida. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5394357A. Автор: Shih-Chiang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-02-28.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory cell with a separate tunnel window

Номер патента: US20020119626A1. Автор: Kai Huckels,Olaf Heitzsch,Peter Wawer,Christoph Ludwig,Christoph Kutter,Konrad Wolf,Oliver Springmann,Reinhold Rennekamp,Mayk Röhrich,Elard Von Kamienski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-29.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180082750A1. Автор: Tsutomu Tezuka,Keiji Ikeda,Chika Tanaka,Toshinori Numata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Non-volatile semiconductor memory using charge-accumulation insulating film

Номер патента: US20130062686A1. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-03-14.

Non-volatile semiconductor memory using charge-accumulation insulating film

Номер патента: US8759896B2. Автор: Tatsuo Shimizu,Koichi Muraoka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-06-24.

Non-volatile semiconductor memory device capable of high-speed data reading

Номер патента: US20030210570A1. Автор: Hiroshi Kato,Tsukasa Ooishi,Jun Ohtani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-11-13.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: WO2003019664A3. Автор: De Zaldivar Jose Solo. Владелец: De Zaldivar Jose Solo. Дата публикации: 2003-10-02.

Non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing the same, and semiconductor integrated circuit device including the non-volatile semiconductor memory element

Номер патента: US20070114594A1. Автор: Mizuki Ono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-24.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140061756A1. Автор: Masayuki Tanaka,Kenichiro TORATANI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130099348A1. Автор: Hiroyuki Nagashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-25.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120135595A1. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8426276B2. Автор: Masaru Kito,Yasuyuki Matsuoka,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-23.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12058862B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09985050B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741738B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9171623B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Yoshiaki Fukuzumi,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-27.

Method for fabricating a non-volatile semiconductor memory device having storage cell array and peripheral circuit, and a structure therefore

Номер патента: US5656527A. Автор: Keon-Soo Kim,Jeong-Hyeok Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-08-12.

Non-volatile semiconductor memory cell with control gate and floating gate and select gate located above the channel

Номер патента: US5859455A. Автор: Shih-Chiang Yu. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-01-12.

Non-volatile semiconductor memory device with intrinsic charge trapping layer

Номер патента: US20130105884A1. Автор: Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu,Shih-Chen Wang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-02.

Non-volatile semiconductor memory device with intrinsic charge trapping layer

Номер патента: US20120018794A1. Автор: Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu,Shih-Chen Wang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

Structure of split gate transistor for use in a non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing such a split gate transistor

Номер патента: US5691937A. Автор: Noriyuki Ohta. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Non-volatile semiconductor device, and method of operating the same

Номер патента: US8837227B2. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2014-09-16.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8138489B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-20.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100117047A1. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11844218B2. Автор: Masaru Kito,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Yoshiaki Fukuzumi,Masaru Kidoh,Yosuke Komori,Megumi Ishiduki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20110299319A1. Автор: Fumihiro Kono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US7933151B2. Автор: Takashi Maeda,Yoshihisa Iwata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-26.

Non-volatile semiconductor storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140016398A1. Автор: Takuya Konno,Kazuhiko Yamamoto,Yasuyuki Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Three-dimensional memory devices having hydrogen blocking layer and fabrication methods thereof

Номер патента: US11728236B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09691777B2. Автор: Shoichi Miyazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

System and method of uv programming of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20160035737A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

System and method of UV programming of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09607999B2. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor devices having fin field effect transistor (FinFET) structures and manufacturing and design methods thereof

Номер патента: US09818745B2. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09799758B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09502546B2. Автор: Tatsuya Naito. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor memory device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200075622A1. Автор: Satoshi Nagashima,Yumi Nakajima,Kotaro Fujii. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20180350802A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor Devices having Fin Field Effect Transistor (FinFET) Structures and Manufacturing and Design Methods Thereof

Номер патента: US20200111782A1. Автор: Tung Ying Lee,Chih-Hao Chang,Shou-Zen Chang,Wen-Huei Guo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Integrated device, semiconductor device, and integrated device manufacturing method

Номер патента: EP4325581A1. Автор: Gaofei TANG,Dongfa OUYANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Integrated device, semiconductor device, and integrated device manufacturing method

Номер патента: US20240113103A1. Автор: Gaofei TANG,Dongfa OUYANG,Qimeng JIANG,Hanxing WANG,Qilong Bao. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Gas injection device and solar cell manufacturing method using the same

Номер патента: US20120094424A1. Автор: Sang-Cheol Park,Jung-Gyu Nam,In-Ki Kim,Woo-Su Lee,Seoung-Jin SEO,Seong-Ryong HWANG. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Gas injection device and solar cell manufacturing method using the same

Номер патента: US20140061338A1. Автор: Sang-Cheol Park,Jung-Gyu Nam,In-Ki Kim,Woo-Su Lee,Seoung-Jin SEO,Seong-Ryong HWANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-06.

Gas injection device and solar cell manufacturing method using the same

Номер патента: US8586401B2. Автор: Sang-Cheol Park,Jung-Gyu Nam,In-Ki Kim,Woo-Su Lee,Seoung-Jin SEO,Seong-Ryong HWANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-19.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160254271A1. Автор: AKUTSU Yoshihiro,KATSUMATA Ryota. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-01.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: EP3780109A1. Автор: Yong Hoon Kwon,Jung Hyun Kim,Woo Suk SEO,Si Joon SONG,Eui Jeong KANG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-17.

Non-volatile semiconductor memory and erasing method thereof

Номер патента: US09870828B2. Автор: Riichiro Shirota,Katsutoshi Suito. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Non-volatile semiconductor memory device and method for fabricating the same

Номер патента: EP1263037A3. Автор: Toru Nasu,Yoshihisa Nagano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-07-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20210057028A1. Автор: Yoshikazu HOSOMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Floating trap non-volatile semiconductor memory devices including high dielectric constant blocking insulating layers and methods

Номер патента: US20030047755A1. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee,Byoung-Woo Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-03-13.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6078522A. Автор: Jong-Min Park,Dong-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device having thin film memory transistors stacked over associated selecting transistors

Номер патента: US5321286A. Автор: Tatsuro Inoue,Shoji Koyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1994-06-14.

Memory device, memory circuit and manufacturing method of memory circuit

Номер патента: US20230189499A1. Автор: Chen-Shuo Huang. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Array substrate and manufacturing and repairing method thereof, display device

Номер патента: US09502438B2. Автор: Jaikwang Kim,Yongjun Yoon. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Display device and display device manufacturing method

Номер патента: EP4436348A1. Автор: Huei-Siou CHEN,Yi-Cheng Liu,Maochung LIN,Chiu Yen SU. Владелец: Taizhou Guanyu Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Resistive switching memory device including dual active layer, manufacturing method thereof, and array including same

Номер патента: US20230097791A1. Автор: Dong Su Kim,Hee Won Suh,Hyung Koun Cho. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-03-30.

Memory device including double pn junctions and driving method thereof, and capacitor-less memory device including double pn junctions and control gates and operation method thereof

Номер патента: US20220028857A1. Автор: Gayoung KIM,Chang-Ki Baek,Byoung-don Kong,Hyangwoo KIM. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2022-01-27.

Memory device including double PN junctions and driving method thereof, and capacitor-less memory device including double PN junctions and control gates and operation method thereof

Номер патента: US11664382B2. Автор: Gayoung KIM,Chang-Ki Baek,Byoung-don Kong,Hyangwoo KIM. Владелец: POSTECH Research and Business Development Foundation. Дата публикации: 2023-05-30.

Electronic device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20230269913A1. Автор: Kumiko YOSHINAGA. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20120217478A1. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device, optical sensor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09818895B2. Автор: Hiroshi Inada,Takashi Ishizuka,Hideaki Nakahata,Yasuhiro Iguchi,Katsushi Akita,Youichi Nagai,Kei Fujii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Flexible display panel, display device, and display device manufacturing method

Номер патента: US20210249628A1. Автор: Chunmei He,Haochun LEE. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Memory device for performing temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: US20220068399A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20170365629A1. Автор: Koichi Kaneko,Hirokazu Fujimaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-21.

Memory device including alignment layer and semiconductor process method thereof

Номер патента: US20200365722A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Memory device including alignment layer and semiconductor process method thereof

Номер патента: US11508720B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Wein-Town Sun,Wei-Ren Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-22.

Nonvolatile memory device having stacked cell transistors and operating method thereof

Номер патента: US20200203427A1. Автор: Jong-ho Lee,Yoo-Hyun NOH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Display screen, electronic device, and display screen manufacturing method

Номер патента: EP3905226A1. Автор: Yanfeng JIA. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20150171129A1. Автор: Hirofumi Watanabe,Kazuhiro Yoneda,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: EP2884537A3. Автор: Kazuhiro Yoneda,Hirobumi Watanabe,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-08.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US09412750B2. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor memory

Номер патента: US20060258108A1. Автор: Shinichi Sato,Katsuya Hironaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2006-11-16.

A non volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: GB9709777D0. Автор: . Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-07-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE, NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20170077108A1. Автор: Fujita Masanari,Watanabe Makoto,WADA Hideo,Imamura Takeshi,FUJII Kenichi,INOKUMA Hideki,KANEKO Hajime,MATSUURA Osamu,KAWAGUCHI Genki,ITOH Takanobu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-03-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF.

Номер патента: FR2670951A1. Автор: Jeong-Hyeok Choi,Geon-Su Kim,Yun-Seong Sin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-06-26.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF.

Номер патента: FR2670951B1. Автор: CHOI Jeong-Hyeok,Kim Geon-Su,Sin Yun-Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-03-09.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100879183B1. Автор: 마사유끼 다나까,가쯔아끼 나또리,다이스께 니시다,아끼히또 야마모또. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2009-01-16.

Non-volatile semiconductor memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: KR20050072064A. Автор: 오자와요시오. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2005-07-08.

Non-volatile semiconductor memory cell and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100665161B1. Автор: 오자와요시오. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2007-01-09.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method therefor.

Номер патента: EP0096062A1. Автор: Yung-Chau Yen. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1983-12-21.

A non-volatile semiconductor memory device and a manufacturing method thereof

Номер патента: KR100214474B1. Автор: 최태호. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method therefor

Номер патента: DE3271603D1. Автор: Yung-Chau Yen. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1986-07-10.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND METHOD FOR PRODUCING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20150008500A1. Автор: Fukumoto Yohei,Sasaki Takaoki. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

Non-volatile semiconductor memory, and production method for non-volatile semiconductor memory

Номер патента: WO2013128864A1. Автор: 隆興 佐々木,洋平 福本. Владелец: セイコーエプソン株式会社. Дата публикации: 2013-09-06.

METHOD FOR MANUFACTURING A FIELD EFFECT TRANSISTOR, METHOD FOR MANUFACTURING A VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING A DISPLAY ELEMENT, METHOD FOR MANUFACTURING AN IMAGE DISPLAY DEVICE, AND METHOD FOR MANUFACTURING A SYSTEM

Номер патента: US20170271381A1. Автор: Nakamura Yuki,Sone Yuji,Ueda Naoyuki,Abe Yukiko,Matsumoto Shinji,Saotome Ryoichi,ARAE Sadanori,KUSAYANAGI Minehide. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for manufacturing a field effect transistor, method for manufacturing a volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a non-volatile semiconductor memory element, method for manufacturing a display element, method for manufacturing an image display device, and method for manufacturing a system

Номер патента: US10818705B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-27.

Non-volatile semiconductor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080283839A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Fumitaka Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-20.

Non-volatile semiconductor memory device and process of manufacturing the same

Номер патента: US20120248524A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Koki Ueno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-04.

Non-volatile semiconductor memory device in which selection gate transistors and memory cells have different structures

Номер патента: US6835987B2. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-12-28.

Method of forming memory cell of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100196594B1. Автор: 오야마겐이치. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-06-15.

Non-volatile semiconductor memory and manufacture thereof

Номер патента: JPH118367A. Автор: Riichiro Shirata,Shinji Sato,Hirohisa Iizuka,田 理一郎 白,塚 裕 久 飯,藤 信 司 佐. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-01-12.

Non-volatile semiconductor memory device including memory transistor with a composite gate structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US6232182B1. Автор: Fumitaka Sugaya. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 2001-05-15.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130164929A1. Автор: KUNIYA Takuji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-06-27.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20160260815A1. Автор: OHBA Ryuji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-09-08.

Non-volatile semiconductor memory device and depletion-type mos transistor

Номер патента: US20110300680A1. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Kenji Gomikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-12-08.

Non-volatile semiconductor memory device and method for its production.

Номер патента: DE68916297D1. Автор: Kiyomi Naruke. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080012080A1. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshitake Yaegashi. Дата публикации: 2008-01-17.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8338252B2. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-12-25.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020100930A1. Автор: Toshitake Yaegashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device and process of manufacturing the same

Номер патента: US20070029578A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Koki Ueno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-02-08.

Non-volatile semiconductor memory device and process of manufacturing the same

Номер патента: US20140017875A1. Автор: Toshitake Yaegashi,Koki Ueno. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-01-16.

Non-volatile semiconductor memory device and its production process

Номер патента: JP2009277770A. Автор: 勝典 矢橋,Katsunori Yahashi,Katsuro Ishikawa,勝朗 石川. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-26.

Non-volatile semiconductor memory device and its making method

Номер патента: KR960000724B1. Автор: 히토시 아라키,히로유키 사사키,가즈노리 가네바코. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1996-01-11.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180090506A1. Автор: TSUMURA Kazuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-29.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210296353A1. Автор: TAJIMA Hikari. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100964759B1. Автор: 간 야스이,데쯔야 이시마루,야스히로 시마모또. Владелец: 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지. Дата публикации: 2010-06-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN101290800B. Автор: 石丸哲也,岛本泰洋,安井感. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-21.

Fabrication method of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100213199B1. Автор: 정칠희,안근옥,손문. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN101290800A. Автор: 石丸哲也,岛本泰洋,安井感. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-22.

Fabrication method of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100211767B1. Автор: 김장래. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-08-02.

Battery cell, battery, electric device, and battery cell manufacturing method and system

Номер патента: AU2020470348C1. Автор: PENG Wang,Huasheng Su,Quankun Li,Yuqun Zeng,Chengyou Xing,Wenzhong Liu,Wenlong KANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Battery module manufacturing device and battery module manufacturing method

Номер патента: US20240145754A1. Автор: Lu Wu,Hong Zhu,Yue Cui,Sitong CHEN. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Winding mandrel, battery core manufacturing device and battery core manufacturing method

Номер патента: EP4213257A1. Автор: Jiang Lin,Xiaowei Zhang,Minghao Tang,Shengwu Zhang,Zhenqiang Cui,Wenfa LIN. Владелец: Jiangsu Contemporary Amperex Technology Ltd. Дата публикации: 2023-07-19.

Battery cell, battery, electrical device, and battery cell manufacturing method and device

Номер патента: EP4358242A1. Автор: Rui Yang,Yuqian WEN,Wenqi ZHU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-24.

Pole piece, assembly, cell, battery, device, and pole piece manufacturing method and system

Номер патента: EP4246610A1. Автор: Lei Zhang,Yanhuang FAN,Hongfeng YANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-20.

Extreme ultraviolet light generation chamber device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240241448A1. Автор: Atsushi Ueda. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-07-18.

Extreme ultraviolet light generation chamber device and electronic device manufacturing method

Номер патента: NL2036440A. Автор: UEDA Atsushi. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-07-22.

Battery cell, battery, electrical device, and battery cell manufacturing method

Номер патента: EP4318740A1. Автор: Xiaoming Ge,Manman Wang,Yulei FAN. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-07.

Phase Shifter, Electrically Regulated Antenna, Network Device, and Phase Shifter Manufacturing Method

Номер патента: US20240055742A1. Автор: FENG Yang,Lei Chen,LIANG Liu,Lijun Yang,Yulong KANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Battery cell, battery, electric device, and battery cell manufacturing method and system

Номер патента: AU2020470348B2. Автор: PENG Wang,Huasheng Su,Quankun Li,Yuqun Zeng,Chengyou Xing,Wenzhong Liu,Wenlong KANG. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Battery cell, battery, power consumption device, and battery cell manufacturing method and device

Номер патента: US20240154282A1. Автор: PENG Wang,Lulu BAI,Quankun Li,Wenlin Zhou,Haibo KE,Ningsheng WU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Battery cell, battery, electrical device, and battery cell manufacturing method and device

Номер патента: US12009547B2. Автор: PENG Wang,Haizu Jin,Yulian ZHENG,Xinxiang CHEN,Wenlin Zhou,Liangfan XU. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Micro-small cell assembly device and electrode stack manufacturing method using same

Номер патента: EP4391132A1. Автор: Min Jung Kim,Tai Joon Seo,Ha Ye Lin CHOI. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-06-26.

Battery cell, battery, electrical device, and battery cell manufacturing method and apparatus

Номер патента: EP4277012A1. Автор: Feng Pan,Jun Ni,Minghao Tang,Shengwu Zhang,Yuqian WEN,Kanglin Xiong. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-15.

Gas laser device and electronic device manufacturing method

Номер патента: US20240146011A1. Автор: Shinichi Matsumoto,Koji ASHIKAWA. Владелец: GIGAPHOTON INC. Дата публикации: 2024-05-02.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240282832A1. Автор: Yangbeom KANG. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100176439A1. Автор: Yoshiki Yonamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-15.

Manufacturing method of non-volatile semiconductor memory device and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170256554A1. Автор: Hiroaki Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20130228845A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20160197091A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20150221664A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Fabrication method and structure of semiconductor non-volatile memory device

Номер патента: US20120086070A1. Автор: Kan Yasui,Shinichiro Kimura,Digh Hisamoto,Nozomu Matsuzaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the semiconductor memory device

Номер патента: US7338863B2. Автор: Young-sun Kim,Jong-Cheol Lee,Han-mei Choi,Jae-Hyoung Choi,Gab-jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-04.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same, volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same, and semiconductor memory device incorporating the non-volatile semiconductor memory device with the volatile semiconductor memory device and method of manufacturing thereof

Номер патента: KR100391559B1. Автор: 요시카와구니요시. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2003-07-12.

Semiconductor device with integrated flash memory and peripheral circuit and its manufacture method

Номер патента: US20060226469A1. Автор: Shinichi Nakagawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-10-12.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09711518B2. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20110073935A1. Автор: Yoshio Ozawa,Masaaki Higuchi,Akiko Sekihara,Tesuya Kai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-31.

Non-volatile semiconductor memory device having memory cell array suitable for high density and high integration

Номер патента: US20070241391A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Fumitaka Arai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-10-18.

Non-volatile semiconductor memory device and operating method for a non-volatile semiconductor memory device and method for programming information into a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE4311358C2. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya,Natsuo Ajika,Hiroshi Onoda,Atsushi Fukumoto,Makoto Ohi,Yuichi Kunori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-07-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120068256A1. Автор: Yoshihisa Iwata,Ryo Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-22.

Adjustment of avalanche voltage in DIFMOS memory devices by control of impurity doping

Номер патента: US4131983A. Автор: Walter T. Matzen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1979-01-02.

Semiconductor memory and method of writing data into the semiconductor memory

Номер патента: US20080144359A1. Автор: Keiichi Hashimoto. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-19.

MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170256554A1. Автор: NAITO Hiroaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-09-07.

Split gate type non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: TWI368330B. Автор: Takaaki Nagai. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-11.

DATA ERASURE DEVICE FOR ERASING DATA FROM NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190325967A1. Автор: YAKO Koichi,NAKAYAMA Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-24.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR100438242B1. Автор: 츠지나오키. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-07-02.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: KR940009644B1. Автор: 임형규,김건수. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: CN1505156A. Автор: ,�˱�Т,小林孝,笹子佳孝,金光贤司,С��Т,有金刚,池田良广. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-16.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: JPH10189920A. Автор: Naoyuki Shigyo,直之 執行. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-07-21.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: FR2725309B1. Автор: Toshiharu Katayama,Naoko Otani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-22.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130237029A1. Автор: NANSEI Hiroyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-12.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140077285A1. Автор: KUNIYA Takuji,NODA Homuro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140374691A1. Автор: Hiroyuki Nansei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150372079A1. Автор: FUKUMURA Tatsuya,NAITO Hiroaki. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-24.

Method of erasing non-volatile semiconductor memory device and such non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6717860B1. Автор: Ichiro Fujiwara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-04-06.

Non-volatile semiconductor memory device, non-volatile memory string and non-volatile memory array

Номер патента: TW201104845A. Автор: Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu,Shih-Chen Wang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2011-02-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5712178A. Автор: Jeong-Hyuk Choi,Myoung-kwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-01-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US9007845B2. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-14.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120295413A1. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Method of manufacturing non-volatile semiconductor memory element and method of manufacturing non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8450182B2. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TWI645543B. Автор: 葛西秀男,品川裕,谷口泰弘,櫻井良多郎,川島泰彥. Владелец: 日商芙洛提亞股份有限公司. Дата публикации: 2018-12-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW201236141A. Автор: Hiroaki Takasu. Владелец: Seiko Instr Inc. Дата публикации: 2012-09-01.

Non-volatile SRAM memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW201707148A. Автор: 葛西秀男,品川裕,谷口泰弘,櫻井良多郎,川嶋泰彥,戶谷達郎,奧山幸祐. Владелец: 芙洛提亞股份有限公司. Дата публикации: 2017-02-16.

Non-volatile semiconductor memory device and the driving method, operation method and manufacturing method of the same

Номер патента: TW451427B. Автор: Kiyohiko Sakakibara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2001-08-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW557579B. Автор: Satoshi Shimizu,Natsuo Ajika,Tatsuya Shiromoto. Владелец: Mitsubishi Electric Copr. Дата публикации: 2003-10-11.

Non-volatile semiconductor memory and manufacturing method thereof

Номер патента: KR19990088349A. Автор: 가와따마사또. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-12-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20160163719A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170309633A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Non-volatile sram memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TWI607529B. Автор: 葛西秀男,品川裕,谷口泰弘,櫻井良多郎,川嶋泰彥,戶谷達郎,奧山幸祐. Владелец: 芙洛提亞股份有限公司. Дата публикации: 2017-12-01.

Non-volatile semiconductor memory and method for fabricating a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20060049449A1. Автор: Yasuhiko Matsunaga,Fumitaka Arai,Naohisa Iino. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-03-09.

Nonvolatile semiconductor memory with a plurality of erase decoders connected to erase gates

Номер патента: US5761119A. Автор: Masamichi Asano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8502300B2. Автор: Yoshihisa Iwata,Ryo Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: KR100390889B1. Автор: 김흥진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-07-10.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacture thereof

Номер патента: JPH1197560A. Автор: Seiichi Ishige,清一 石毛. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-09.

Non-volatile semiconductor memory device and fabricating method thereof

Номер патента: KR100376864B1. Автор: 김용국. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2003-03-19.

Non-volatile semiconductor memory device and fabrication method thereof

Номер патента: KR100525256B1. Автор: 나까가와신이찌. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2005-11-02.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacture thereof

Номер патента: JPH1187539A. Автор: Hajime Arai,肇 新井. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing thereof

Номер патента: KR960012303B1. Автор: 최정혁,조명관. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-09-18.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20240170547A1. Автор: Minkuck Cho. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Non-volatile semiconductor memory and manufacturing method of the same

Номер патента: KR100367804B1. Автор: 가즈미 구로오까,도시하루 오야. Владелец: 산요 덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2003-04-21.

Non-volatile semiconductor memory and methods of driving operating, and manufacturing this memory

Номер патента: KR100357644B1. Автор: 사카키바라기요히코. Владелец: 미쓰비시덴키 가부시키가이샤. Дата публикации: 2002-10-25.

Non-volatile semiconductor memory device, fabricating method of the same, and semiconductor memory system

Номер патента: US20070075352A1. Автор: Yasuo Irie. Владелец: Citizen Watch Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Non-volatile semiconductor memory device for increasing a coupling ratio and fabrication method thereof

Номер патента: KR100734261B1. Автор: 김성균,박지훈,강성택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-07-02.

Non-volatile semiconductor memory and process of fabricating the same

Номер патента: TWI276217B. Автор: Naoki Ueda,Yoshimitsu Yamauchi,Yasuhiro Sugita. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2007-03-11.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: TW200306011A. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-11-01.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030042529A1. Автор: Koji Takahashi,Hiroshi Hashimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-06.

Non-volatile semiconductor memory and manufacturing method therefor

Номер патента: KR100271341B1. Автор: 준이찌 미야모또,구니요시 요시까와,기요미 나루께. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2000-11-01.

Non-volatile semiconductor memory device and its manufacturing method

Номер патента: US20140183617A1. Автор: Kazuhiro Shimizu,Toshitake Yaegashi,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-07-03.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20190172530A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-06.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20180261283A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-13.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20200294582A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20170309329A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2017-10-26.

Cell array structure of multi-bit non-volatile semiconductor memory and fabrication method thereof

Номер патента: KR100206709B1. Автор: 최정달. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-07-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050281087A1. Автор: Riichiro Shirota,Kikuko Sugimae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-22.

Non-volatile semiconductor storage and manufacturing method thereof

Номер патента: JP2003243544A. Автор: 順 大谷,司 大石,Tsukasa Oishi,Jun Otani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-08-29.

Non-volatile semiconductor memory device having thin film memory transistor stacked over associated selecting transistors

Номер патента: KR960012059B1. Автор: 소지 고야마,타쯔로 이노우에. Владелец: 세끼모토 타다히로. Дата публикации: 1996-09-11.

Method of fabricating non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5449634A. Автор: Tatsuro Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130099348A1. Автор: Nagashima Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130153985A1. Автор: MURAOKA Koichi,YASUDA Naoki,NAKASAKI Yasushi,Kikuchi Shoko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-06-20.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130277640A1. Автор: YASUTAKE Nobuaki,Sakamoto Kei,Nishimura Jun,OKAMURA Takayuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-10-24.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20150060994A1. Автор: Kato Tatsuya,OKAMOTO Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-03-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20160079255A1. Автор: KITO Masaru,AKUTSU Yoshihiro,Shimizu Takashi,SONEHARA Takeshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-03-17.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND ERASING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170092368A1. Автор: Shirota Riichiro,Suito Katsutoshi. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2017-03-30.

Manufacturing method of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0138312B1. Автор: 이정형,최정혁. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-28.

Non volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR100697291B1. Автор: 박병국,송기환. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: KR100330948B1. Автор: 기따무라다꾸야,고가히로끼. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-04-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing same

Номер патента: KR19990083606A. Автор: 기따무라다꾸야,고가히로끼. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-11-25.

Split gate type non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR100539247B1. Автор: 김용태,전희석,윤승범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-12-27.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: KR100829034B1. Автор: 하시모토히로시,다카하시코지. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2008-05-16.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100364519B1. Автор: 나카가와겐이치로. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-12-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: FR2725309A1. Автор: Toshiharu Katayama,Naoko Otani. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-04-05.

Split gate type non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: KR100546405B1. Автор: 최용석,김용태,전희석,윤승범. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-01-26.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: TW200401438A. Автор: Koji Takahashi,Hiroshi Hashimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-01-16.

Non-volatile semiconductor memory device and making method of the same

Номер патента: KR100197029B1. Автор: 토시하루 카타야마,나오꼬 오오타니. Владелец: 다니구찌 이찌로오, 기타오카 다카시. Дата публикации: 1999-06-15.

Non-volatile semiconductor memory device and package

Номер патента: KR100440697B1. Автор: 다나까도모하루,스께가와히로시. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2004-07-21.

Non-volatile semiconductor memory device and process for fabricating the same

Номер патента: US7038271B2. Автор: Toshio Kobayashi,Kazumasa Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-05-02.

Non-volatile semiconductor memory device and fabrication process thereof

Номер патента: US6492677B2. Автор: Koji Takahashi,Hiroshi Hashimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-12-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method for its production

Номер патента: DE10203762B4. Автор: Jin-Ho Kim,Eui-Youl Ryu,Dong-jun Suwon Kim,Yong-Kyu Suwon Lee,Min-Soo Sungnam Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-19.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacture

Номер патента: DE69428658D1. Автор: Daisuke Tohyama,Junichiro Noda. Владелец: Toshiba Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-11-22.

Non-volatile semiconductor memory and method of making same, and semiconductor device and method of making device

Номер патента: US7528036B2. Автор: Takashi Kobayashi,Masataka Kato,Tetsuo Adachi,Toshiaki Nishimoto,Toshiyuki Mine,Nozomu Matsuzaki,Yoshimi Sudou. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-05-05.

Non-volatile semiconductor memory device and fabrication method of the same

Номер патента: KR100744586B1. Автор: 하시모토히로시,다카하시고지. Владелец: 후지쯔 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2007-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8013380B2. Автор: Yasushi Nakasaki,Naoki Yasuda,Koichi Muraoka,Shoko Kikuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Non-volatile semiconductor memory device and process for fabricating the same

Номер патента: US7074675B2. Автор: Toshio Kobayashi,Kazumasa Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-07-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: TW200414514A. Автор: Satoshi Shimizu,Jun Sumino. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: TWI325171B. Автор: SUMINO JUN,Satoshi Shimizu. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2010-05-21.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: TW529129B. Автор: Tatsuro Inoue. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-04-21.

Cell array structure of non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100242723B1. Автор: 최정혁,김건수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-02-01.

Non‑volatile storage element, non‑volatile storage device, and non‑volatile semiconductor device

Номер патента: WO2009147790A1. Автор: 神澤好彦,三谷覚,魏志強,高木剛. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2009-12-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating thereof

Номер патента: US6940120B2. Автор: Koji Takahashi,Hiroshi Hashimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-09-06.

Non-volatile semiconductor memory device and process for fabricating the same

Номер патента: US7034356B2. Автор: Toshio Kobayashi,Kazumasa Nomoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2006-04-25.

Non-volatile semiconductor memory device having a two-layer gate electrode transistor and method of manufacturing the device

Номер патента: US20060278916A1. Автор: Fumitaka Arai,Naohisa Iino. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Non-volatile semiconductor memory device with intrinsic charge trapping layer

Номер патента: US20120018794A1. Автор: Ching-Sung Yang,Hau-yan Lu,Shih-Chen Wang. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2012-01-26.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH INTRINSIC CHARGE TRAPPING LAYER

Номер патента: US20130105884A1. Автор: Wang Shih-Chen,Lu Hau-Yan,Yang Ching-Sung. Владелец: eMemory Technology Inc.. Дата публикации: 2013-05-02.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130187216A1. Автор: INOUE Ayako,TSUMURA Kazuhiro. Владелец: SEIKO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2013-07-25.

VARIABLE RESISTIVE ELEMENT, AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130193396A1. Автор: NAKANO Takashi,ASANO Isamu,TAMAI Yukio,AIZAWA Kazuo. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

METHOD OF MANUFACTURING NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130252388A1. Автор: Matsuno Koichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-26.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210020646A1. Автор: KANAYA Toshiyuki. Владелец: ROHM CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-21.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210057028A1. Автор: HOSOMURA Yoshikazu. Владелец: Kioxia Corporation. Дата публикации: 2021-02-25.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140138597A1. Автор: Nojiri Yasuhiro,KOBAYASHI Shigeki,Fukumizu Hiroyuki,Yamato Masaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-05-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170062621A1. Автор: Takashi Hayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180082750A1. Автор: Ikeda Keiji,Numata Toshinori,Tezuka Tsutomu,Tanaka Chika. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2018-03-22.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150102399A1. Автор: FUKUZUMI Yoshiaki,YASUDA Naoki,Saitoh Masumi,SAKUMA Haruka,TORIYAMA Shuichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-04-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140203345A1. Автор: TANIGUCHI YASUHIRO,Kasai Hideo,SHINAGAWA Yutaka. Владелец: Floadia Corporation a japanese corporation. Дата публикации: 2014-07-24.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160163719A1. Автор: Sakuma Kiwamu,Kiyotoshi Masahiro,SAKUMA Haruka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-06-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150200200A1. Автор: Masahiro Kiyotoshi,Kiwamu Sakuma,Haruka SAKUMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140284677A1. Автор: TANIGUCHI YASUHIRO,OKUYAMA Kosuke. Владелец: Floadia Corporation. Дата публикации: 2014-09-25.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140291746A1. Автор: TANIGUCHI YASUHIRO,OKUYAMA Kosuke. Владелец: Floadia Corporation. Дата публикации: 2014-10-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140332752A1. Автор: Takanori Ueda,Kazuyuki Kouno. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150263013A1. Автор: FURUHASHI Takashi,TANAKA Masayuki,Toratani Kenichiro,MURAKOSHI Atsushi,Ozawa Yoshio. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150263277A1. Автор: Ozawa Yoshio. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-17.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170263779A1. Автор: HAYASHI Takashi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-09-14.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170309633A1. Автор: Sakuma Kiwamu,Kiyotoshi Masahiro,SAKUMA Haruka. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-10-26.

Method of fabrication non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0139188B1. Автор: 다쯔로 이노우에. Владелец: 니뽄 덴끼 가부시끼 가이샤. Дата публикации: 1998-04-27.

Non-volatile semiconductor memory device array and method of manufacturing the same

Номер патента: JP2905769B2. Автор: ウン リム チョイ. Владелец: ERU JII SEMIKON CO Ltd. Дата публикации: 1999-06-14.

Manufacture of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS5816573A. Автор: Shozo Saito,斎藤　昇三. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-31.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100855861B1. Автор: 강희복. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-09-01.

Non-volatile semiconductor memory device & the fabrication method

Номер патента: KR0147405B1. Автор: 김영관. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1998-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR970000715B1. Автор: 황현상. Владелец: 엘지반도체 주식회사. Дата публикации: 1997-01-18.

Manufacture of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH1027890A. Автор: Shoichi Sasaki,正一 佐々木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR19990077914A. Автор: 나카가와켄-이치로. Владелец: 닛폰 덴키 주식회사. Дата публикации: 1999-10-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS61252669A. Автор: Yoshihisa Mizutani,Hisahiro Matsukawa,尚弘 松川,水谷　嘉久. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1986-11-10.

Non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US7804120B2. Автор: Jung-Dal Choi,Chang-Hyun Lee,Byoung-Woo Ye. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0170680B1. Автор: 오석영,박원호. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-02-01.

Method of manufacturing a floating gate and method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device comprising the same

Номер патента: US20040171217A1. Автор: Chang-Rok Moon,Jin-Kuk Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-09-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070176228A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7297594B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-11-20.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050164427A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7432154B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070212835A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-09-13.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110195558A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100144115A1. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US7678663B2. Автор: Eiji Kamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US12075617B2. Автор: Toshiyuki Kanaya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100230742A1. Автор: Yukihiro Yamashita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-09-16.

Method of manufacturing a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050186734A1. Автор: Nae-in Lee,Sung-Ho Kim,Jin-Hee Kim,Ki-chul Kim,Kwang-Wook Koh,Sang-Su Kim,In-Wook Cho,Geun-Jong Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-08-25.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: EP1425756A1. Автор: Woong-Lim Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-09.

Non-volatile semiconductor memory device comprising capacitive coupling program inhibit circuitry

Номер патента: US8107300B2. Автор: Taku Ogura,Natsuo Ajika. Владелец: Genusion Inc. Дата публикации: 2012-01-31.

Method of fabricating a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US7553728B2. Автор: Makoto Mizukami,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-30.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140286103A1. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Yu Suzuki,Masayuki Akou,Akimichi Goyo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of making non-volatile semiconductor memory arrays

Номер патента: US5966601A. Автор: Chen Ling,Siu-han Liao. Владелец: Holtek Microelectronics Inc. Дата публикации: 1999-10-12.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US7911844B2. Автор: Koji Hosono,Takashi Aoi,Masaru Koyanagi,Mitsuhiro Noguchi,Kenji Gomikawa,Dai Nakamura,Hiroyuki Kutsukake,Takeshi Shimane. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020033517A1. Автор: Bohumil Lojek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-21.

A non-volatile semiconductor memory device with temporary data retention cells and control method thereof

Номер патента: US20160148657A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Po-Han Huang,Keng-Yu Lin,Wei-Xiang TANG. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor memory device performing recursive zq calibration and calibration method thereof

Номер патента: US20240223187A1. Автор: Taesung Lee,Tongsung KIM,Seungjun Bae,Seonkyoo Lee,Younggyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory device, integrated circuit and manufacturing method of the same

Номер патента: US20240357805A1. Автор: Te-Hsun Hsu. Владелец: Ipcell Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Wearable device, and notification system and notification method thereof

Номер патента: US11086275B2. Автор: Kai-Yi Chen,Ting-Wei Wu,Ruei-Hong Hong,Cheng-Yuan Wei,Chun-Yu Yang,Yu-Hao Wu. Владелец: Compal Electronics Inc. Дата публикации: 2021-08-10.

Wireless communication device and digital self-interference estimation method thereof

Номер патента: US09893847B1. Автор: Youn-Tai Lee,You-Hsien Lin,Terng-Yin Hsu,Jian-Cheng Li,Yuan-Te Liao. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2018-02-13.

Portable electronic device and one-hand touch operation method thereof

Номер патента: US12056350B2. Автор: Chih-Hsien Yang. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Lighting device and voice broadcasting system and method thereof

Номер патента: US09990175B2. Автор: Jinxiang Shen,ShuYu Cao,Zhen XIE,Weisheng Zhou,Zonggen Zhang. Владелец: Zhejiang Shenghui Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Mobile communication devices and context-based geofence control methods thereof

Номер патента: US09712969B2. Автор: Chih-Hsiang Hsiao,Tsung-Yu CHIOU. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Electronic device and wlan relay function control method thereof

Номер патента: EP3769575A1. Автор: Madhan Raj Kanagarathinam,Hongshik Kim,Sungin KIM,Harikrishnan NATARAJAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-27.

Imaging module, electronic device, and imaging-module manufacturing method

Номер патента: US09674443B2. Автор: Yukihiro Kaneko,Kenji Yamakawa,Yoshiyuki Takase,Manabu Tobise,Tatsuya Fujinami. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for transmitting stream between electronic devices and electronic device for the method thereof

Номер патента: US09954923B2. Автор: Jong-Kyu Kim,Soung-Kwan Kim,Gil-Yoon Kim,Jong-Kyu Lim,Heung-Ki LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory device for performing temperature compensation and operating method thereof

Номер патента: EP3961629A1. Автор: Yongsung CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-02.

True wireless multichannel-speakers device and multiple sound source voicing method thereof

Номер патента: US20210219057A1. Автор: KUO-PING YANG,Kuan-Li Chao,Ho-Hsin Liao,Wei-Ming Chen,Kuo-Wei Kao,Jian-Ying Li,Wei-Lin Chang,Kai-Yuan Hsiao,I-Ting LEE. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

True wireless multichannel-speakers device and multiple sound source voicing method thereof

Номер патента: US11843929B2. Автор: KUO-PING YANG,Kuan-Li Chao,Ho-Hsin Liao,Wei-Ming Chen,Kuo-Wei Kao,Jian-Ying Li,Wei-Lin Chang,Kai-Yuan Hsiao,I-Ting LEE. Владелец: Airoha Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-12.

Mobile device and instant messaging record operating method thereof

Номер патента: US20180123991A1. Автор: Yi-Chin Lee,Yi-Chang Tsai. Владелец: INSTITUTE FOR INFORMATION INDUSTRY. Дата публикации: 2018-05-03.

Non-volatile memory device for improving data reliability and operating method thereof

Номер патента: US20190172544A1. Автор: Seung-Bum Kim,Dong-Hun Kwak,Deok-Woo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-06.

Wearable device, and notification system and notification method thereof

Номер патента: US20190339652A1. Автор: Kai-Yi Chen,Ting-Wei Wu,Ruei-Hong Hong,Cheng-Yuan Wei,Chun-Yu Yang,Yu-Hao Wu. Владелец: Compal Electronics Inc. Дата публикации: 2019-11-07.

Magnetic memory device with enhanced write performance and operation method thereof

Номер патента: US20180268889A1. Автор: Hongil Yoon,Sachin PATHAK,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2018-09-20.

Magnetic memory device with enhanced write performance and operation method thereof

Номер патента: US10650874B2. Автор: Hongil Yoon,Sachin PATHAK,Kangwook JO,Jongil HONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2020-05-12.

Protective case for electronic device and protective case manufacturing method

Номер патента: US20240097732A1. Автор: Bo Zhang. Владелец: Shenzhen Zhangla Innovation Technology Co ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Electronic device, electronic component, contactless electronic device, and electronic device manufacturing method

Номер патента: EP4095591A1. Автор: Manabu Furuya,Taku Kinoshita. Владелец: Seed Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-30.

Charge trap-type 3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US20070030756A1. Автор: Jung-Dal Choi,Ki-tae Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-08.

Non-volatile semiconductor memory device and erasing method thereof

Номер патента: US09786376B2. Автор: Pin-Yao Wang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Non-volatile semiconductor memory device and a programming method thereof

Номер патента: US20110228610A1. Автор: Naoyuki Shigyo,Kunihiro Yamada,Hideto Horii,Michiru Hogyoku. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Non-volatile semiconductor memory device and writing method thereof

Номер патента: US09424934B2. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US20060077712A1. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method for non-volatile semiconductor memory device that includes charging of data latch input node prior to latching of sensed data

Номер патента: US09543029B2. Автор: Takuyo Kodama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Non-volatile semiconductor memory device and erase method thereof

Номер патента: US09779830B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: US20040071023A1. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-04-15.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system in which write operation is resumed after being suspended for an interrupt operation

Номер патента: US09583200B2. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040213066A1. Автор: Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-10-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050029051A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Three-dimensional (3D) non-volatile semiconductor memory device for loading improvement

Номер патента: US09805768B2. Автор: Sung Lae OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120002475A1. Автор: Hiroyuki Nagashima,Koki Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040027859A1. Автор: Jun Ohtani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Non-volatile semiconductor memory device and its writing method

Номер патента: US20090244981A1. Автор: Kazuya Matsuzawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Circuit for the switching of supply voltages in electrically programmable and cancelable non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US5754473A. Автор: Luigi Pascucci. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-05-19.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US20070280003A1. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20070230246A1. Автор: Akira Umezawa,Jin Kashiwagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-04.

Non-volatile semiconductor memory device having different erase pass voltages for respective memory sectors and associated erase method

Номер патента: US7372733B2. Автор: Jong In Choi,Jae Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-05-13.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09741439B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09437301B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09424915B2. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Apparatus and method for generating descriptors to reaccess a non-volatile semiconductor memory of a storage drive due to an error

Номер патента: WO2014144043A4. Автор: Wei Xu,Fei Sun. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2014-11-20.

File storage type non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20030185054A1. Автор: Teruhiko Kamei. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-10-02.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: US09715935B2. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20020071313A1. Автор: Toru Tanzawa,Yoshinori Takano,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20130308384A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-21.

Method of erasing data in non-volatile semiconductor memory device while suppressing variation

Номер патента: US20060158939A1. Автор: Takashi Ito,Hidenori Mitani. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-20.

Non-volatile semiconductor memory apparatus

Номер патента: US20100091579A1. Автор: Tae Su Jang,Sung Joo Hong,Sung Woong Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Non-volatile semiconductor memory device capable of improving failure-relief efficiency

Номер патента: US20150098273A1. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-09.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09672922B2. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20080043531A1. Автор: Yasushi Kameda,Ken Takeuchi,Koichi Kawai,Takuya Futatsuyama,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130229873A1. Автор: Koki Ueno,Yasuhiro Shiino,Shigefumi Irieda,Eietsu Takahashi,Manabu Sakaniwa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Non-volatile semiconductor memory segregating sequential, random, and system data to reduce garbage collection for page based mapping

Номер патента: US09753847B2. Автор: Mei-Man Syu. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile semiconductor memory and data processing method in non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20130182488A1. Автор: Shigeki Kobayashi,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: US6990018B2. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker N. Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-01-24.

Non-volatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20210012854A1. Автор: Daisuke Uchida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170221567A1. Автор: Kazuki Yamauchi,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-03.

Method of preventing coupling noises for a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100302884A1. Автор: Kwang-Jin Lee,Woo-Yeong Cho,Yong-Jun Lee,Du-Eung Kim,Joon-Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-02.

Non-volatile semiconductor memory device capable of suppressing writing and erasure failure rate

Номер патента: US20020036921A1. Автор: Tatsuya Saeki,Satoru Tamada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US09947410B2. Автор: Kazuki Yamauchi,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Electrically modifiable, non-volatile, semiconductor memory which can keep a datum stored until an operation to modify the datum is completed

Номер патента: US20020130334A1. Автор: Marco Pasotti,Roberto Gastaldi,Federico Pio,Gianbattsista Giudice. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device with improved layout

Номер патента: US5166900A. Автор: Ichirou Kondo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1992-11-24.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6049482A. Автор: Kazuhiro Shimizu,Seiichi Aritome. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-04-11.

Non-volatile semiconductor memory device and method of controlling the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masahiro Yoshihara,Hiroyuki Kaga,Naofumi ABIKO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Information processing device that extends service life of non-volatile semiconductor memory and recording medium

Номер патента: US09875065B2. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile semiconductor memory device having a low defective rate

Номер патента: US6577534B2. Автор: Takahiro Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-06-10.

Input circuit of a non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7710791B2. Автор: Qi Wang,Hye-jin Kim,Kwang-Jin Lee,Won-seok Lee,Joon Yong Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-04.

Erase control circuit and method of non-volatile semiconductor memory device, and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200286565A1. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20210271615A1. Автор: Kensuke Yamamoto,Masaru Koyanagi,Ryo Fukuda,Junya Matsuno,Masato Dome,Kenro Kubota. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Non-volatile semiconductor memory device for selectively re-checking word lines

Номер патента: US20030012052A1. Автор: Toshihiro Tanaka,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Kazuyoshi Shiba,Nozomu Matsuzaki. Владелец: HITACHI Ltd AND HITACHI ULSI SYSTEMS CO Ltd. Дата публикации: 2003-01-16.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor memory device

Номер патента: US7672173B2. Автор: Tsukasa Ooishi,Shinya Miyazaki,Tomohiro Uchiyama. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-02.

Non-volatile semiconductor storage device and method of testing the same

Номер патента: US09875154B2. Автор: Masanori Miyagi,Taro Yamasaki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Non-volatile semiconductor memory device and information apparatus

Номер патента: US20030016573A1. Автор: Yuji Tanaka,Ken Sumitani,Yasumichi Mori,Haruyasu Fukui. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20050243620A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040233720A1. Автор: Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-11-25.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20190139610A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device and data programming method

Номер патента: US6091639A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Non-volatile semiconductor memory device and a method of using the same

Номер патента: US5491656A. Автор: Kikuzo Sawada. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-02-13.

Apparatus and method for generating descriptors to reaccess a non-volatile semiconductor memory of a storage drive due to an error

Номер патента: US20140195727A1. Автор: Wei Xu,Fei Sun. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20210233590A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7929348B2. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-19.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20150294728A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20160203869A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20180204622A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20170076804A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system

Номер патента: US20230360707A1. Автор: Yasushi Nagadomi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Non-volatile semiconductor memory device with function of bringing memory cell transistors to overerased state, and method of writing data in the device

Номер патента: US5438544A. Автор: Takami Makino. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1995-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5428569A. Автор: Hideo Kato,Masamichi Asano,Hiroto Nakai,Kaoru Tokushige. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-06-27.

Digital to analog converter including a ferroelectric non-volatile semiconductor memory, and method for converting digital data to analog data

Номер патента: US6950329B2. Автор: Masahiro Tanaka,Toshiyuki Nishihara,Yukihisa Tsuneda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-09-27.

Digital to analog converter including a ferroelectric non-volatile semiconductor memory, and method for converting digital data to analog data

Номер патента: US20040239539A1. Автор: Masahiro Tanaka,Toshiyuki Nishihara,Yukihisa Tsuneda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Non-volatile semiconductor memory device including application of different voltages to memory cells based on their proximity to a selected memory cell

Номер патента: USRE50025E1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5554868A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Masanori Hayashikoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-09-10.

Non-volatile semiconductor memory device detachable deterioration of memory cells

Номер патента: US5450354A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-09-12.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: US20160099064A1. Автор: Riichiro Shirota. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Non-Volatile Semiconductor Memory

Номер патента: US20100061149A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-11.

Non-volatile semiconductor memory device performing multi-level storage operation

Номер патента: US8799748B2. Автор: Toshihiko Suzuki,Atsushi Uchida,Hidenori Takahashi,Terumasa Haneda. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-08-05.

Non-volatile semiconductor memory device capable of pre-conditioning memory cells prior to a data erasure

Номер патента: US6078525A. Автор: Hidetoshi Saito,Masao Kuriyama,Tadayuki Taura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-06-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120243317A1. Автор: Satoshi Inoue,Yuya Suzuki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100027352A1. Автор: Kazuyuki Kouno,Masayoshi Nakayama,Reiji Mochida,Hoshihide Haruyama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-02-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170117046A1. Автор: Masaru Yano. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20090129156A1. Автор: Takahiro Suzuki,Yasuhiko Honda,Takamichi Kasai,Shinya Fujisawa,Yuji Komine,Ryu Hondai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Non-volatile semiconductor memory including a high voltage switching circuit

Номер патента: US4924438A. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-05-08.

Timing circuitry and method for controlling automated programming and erasing of a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US5333300A. Автор: Mickey L. Fandrich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1994-07-26.

Non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20120195127A1. Автор: Yoshihiro Nakatake. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Information processing device that extends service life of non-volatile semiconductor memory and recording medium

Номер патента: US20160253097A1. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Non-volatile semiconductor memory system

Номер патента: US4597062A. Автор: Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-06-24.

Non-volatile semiconductor storage apparatus

Номер патента: US20070086246A1. Автор: Kazuhiro Suzuki,Koji Sakui. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-04-19.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140043917A1. Автор: Wataru Sakamoto,Akio Kaneko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20120236636A1. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Method of securely erasing a non-volatile semiconductor mass memory, computer system, and computer program product

Номер патента: US09671964B2. Автор: Thorsten Höhnke. Владелец: Fujitsu Technology Solutions Intellectual Property GmbH. Дата публикации: 2017-06-06.

Information processing apparatus and non-volatile semiconductor memory drive

Номер патента: WO2009110144A1. Автор: Takehiko Kurashige. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-09-11.

Non-volatile semiconductor memory circuits

Номер патента: US4475177A. Автор: Kenelm G. D. Murray. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1984-10-02.

Systems and methods for compressing data in non-volatile semiconductor memory drives

Номер патента: WO2011028802A1. Автор: Xueshi Yang,Gregory Burd. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2011-03-10.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US10762969B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9953716B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9666299B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US9466370B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20170236593A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-17.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US8804435B2. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20200381062A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20210343348A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-11-04.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20140328129A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20160372209A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20230260578A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20190214097A1. Автор: Naoki Matsunaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20120218821A1. Автор: Takashi Maeda,Akihiro Nitayama,Masaru Kito,Yoshihisa Iwata,Hiroyasu Tanaka,Hideaki Aochi,Ryota Katsumata,Masaru Kidoh,Kiyotaro Itagaki,Tomoo Hishida. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-30.

Non-volatile semiconductor storage apparatus

Номер патента: US09940192B2. Автор: Yasuyuki Ozawa,Hiroyuki Suto,Fubito Igari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Non-volatile semiconductor storage device and method of testing the same

Номер патента: US20150301889A1. Автор: Masanori Miyagi,Taro Yamasaki. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-10-22.

Non-volatile semiconductor storage device and method of controlling the same

Номер патента: US20110075483A1. Автор: Mutsuo Morikado. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Power failure protection method and circuit for non- volatile semiconductor storage device

Номер патента: EP2171721A1. Автор: HE Huang. Владелец: Memoright Memoritech Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-07.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180261290A1. Автор: Junichi Sato,Yoshikazu Harada,Akio SUGAHARA,Kazuto Uehara,Kenta SHIBASAKI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-13.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20180315465A1. Автор: Takashi Yamada. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-01.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US8576623B2. Автор: Hidefumi Nawata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-05.

Manufacturing method for non-volatile semiconductor memory device and the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW200410373A. Автор: Hiroaki Tsunoda,Tadashi Iguchi. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2004-06-16.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20060065920A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-03-30.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US20070257306A1. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-11-08.

Semiconductor memory device and method for producing the same

Номер патента: US7238570B2. Автор: Taro Osabe,Takeshi Sakata,Hideaki Kurata,Tomoyuki Ishii. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-07-03.

Semiconductor memory device and method of fabrication and operation

Номер патента: US20130170302A1. Автор: Tae-Kyung Kim,Sung-min Hong,Woosung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-07-04.

Method of manufacturing semiconductor memory device

Номер патента: US8624313B2. Автор: Kazuhiko Kajigaya. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-01-07.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140301144A1. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Non-volatile semiconductor memory device and its reading method

Номер патента: US20100080054A1. Автор: Keiko Abe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-04-01.

Simplified process for defining the tunnel area in non-aligned, non-volatile semiconductor memory cells

Номер патента: US6444526B1. Автор: Bruno Vajana,Matteo Patelmo,Giovanna Dalla Libera,Nadia Galbiati. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-09-03.

Semiconductor storage device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080311734A1. Автор: Masayuki Tanaka,Hirokazu Ishida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-18.

Manufacturing method for non-volatile semiconductor memory device and the non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TWI238497B. Автор: Hiroaki Tsunoda,Sunao Iguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-21.

Non-volatile semiconductor memory device and method of fabricating the same

Номер патента: TW465098B. Автор: Masahito Kawada. Владелец: Nippon Electric Co. Дата публикации: 2001-11-21.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method thereof

Номер патента: US7018890B2. Автор: Nobuyuki Tamura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US8797801B2. Автор: Hiroshi Maejima,Natsuki Sakaguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW434551B. Автор: Lojek Bohumil. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2001-05-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW471155B. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Sakui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Non-volatile memory element, non-volatile memory device, non-volatile semiconductor device, and non-volatile memory element manufacturing method

Номер патента: WO2010087211A1. Автор: 三河巧,有田浩二,三谷覚,藤井覚. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2010-08-05.

Non-volatile memory element, non-volatile memory device, non-volatile semiconductor device, and non-volatile memory element manufacturing method

Номер патента: CN102292814A. Автор: 三河巧,有田浩二,藤井觉,三谷觉. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-21.

Non-volatile memory element, non-volatile memory device, non-volatile semiconductor device, and non-volatile memory element manufacturing method

Номер патента: CN102292814B. Автор: 三河巧,有田浩二,藤井觉,三谷觉. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-23.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20040159879A1. Автор: Kenichi Tanaka,Kenji Hakozaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-08-19.

Non-volatile semiconductor memory device and its reading method

Номер патента: US7948813B2. Автор: Keiko Abe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

One-time uv-programmable non-volatile semiconductor memory and method of programming such a semiconductor memory

Номер патента: EP1281204A1. Автор: Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-02-05.

One-time uv-programmable non-volatile semiconductor memory and method of programming such a semiconductor memory

Номер патента: WO2001084632A1. Автор: Franciscus P. Widdershoven. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2001-11-08.

Non-volatile semiconductor memory device and system capable of fast rogramming and read method thereof

Номер патента: KR101397549B1. Автор: 조성규,임용태. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-05-26.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacture thereof

Номер патента: JPH1032270A. Автор: Yukihiro Otani,幸弘 大谷. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1998-02-03.

Nonvolatile memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040114428A1. Автор: Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-06-17.

Ferrodielectric non-volatile semiconductor memory

Номер патента: TWI230381B. Автор: Toshiyuki Nishihara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2005-04-01.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system including the same

Номер патента: KR101469105B1. Автор: 이운경,오동연. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-12-05.

Non-volatile semiconductor memory apparatus and the manufacture method thereof

Номер патента: TW409428B. Автор: Tomoyuki Furuhata. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-10-21.

Non-volatile semiconductor memory device with a memory array preventing generation of a through current path

Номер патента: US6618286B2. Автор: Hiroshi Kato,Tsukasa Ooishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-09.

Non-volatile semiconductor memory device allowing shrinking of memory cell

Номер патента: US7208751B2. Автор: Tsukasa Ooishi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-24.

A non-volatile semiconductor memory device having nand-type memory cell array and method for producing the same

Номер патента: KR100224761B1. Автор: 김동준,최정달. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-10-15.

Electrically erasable programmable non-volatile semiconductor memory device having select gates and small number of contact holes

Номер патента: US5589699A. Автор: Hitoshi Araki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-12-31.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued data in a single memory cell

Номер патента: US7672168B2. Автор: Jian Chen,Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-02.

Non-volatile semiconductor memory device and method of writing and reading the same

Номер патента: CN101458962A. Автор: 津村和宏. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2009-06-17.

Non-volatile semiconductor memory device and process for producing the same

Номер патента: CN1129189C. Автор: 岩崎正资. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-11-26.

Non-volatile semiconductor memory device and producing method therefor

Номер патента: JP2001274366A. Автор: Yasushi Sakui,Toshiharu Watanabe,井 康 司 作,辺 寿 治 渡. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-05.

Non-volatile semiconductor memory device and its fabrication method

Номер патента: KR100206712B1. Автор: 최정달,김홍수,신왕철. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-07-01.

Non-volatile semiconductor memory device and process for producing the same

Номер патента: KR100380773B1. Автор: 이와사끼쇼따. Владелец: 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2003-04-18.

Non-volatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: KR20020090905A. Автор: 쯔노다히로아끼,고바야시히데유끼. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2002-12-05.

Magnetoresistive element and non-volatile semiconductor memory device using same

Номер патента: KR101789837B1. Автор: 야스시 오기모토,미치야 야마다. Владелец: 아이아이아이 홀딩스 3, 엘엘씨. Дата публикации: 2017-10-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR20010106934A. Автор: 선정민. Владелец: 박종섭. Дата публикации: 2001-12-07.

Variable resistive element, and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN103227282A. Автор: 中野贵司,浅野勇,玉井幸夫,相泽一雄. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-07-31.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100244406B1. Автор: 나쯔오 아지까,아끼노리 마쯔오. Владелец: 히다 찌 유엘에스아이 엔지니어링 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2000-02-01.

Non-volatile semiconductor memory device using weak cells as reading identifier

Номер патента: KR100827695B1. Автор: 김후성,한의규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-05-07.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR960007636B1. Автор: 리이치로 시로타,도모하루 다나카. Владелец: 가부시키가이샤 도시바. Дата публикации: 1996-06-07.

Non-volatile semiconductor memory device with multi-layer gate structure

Номер патента: US20020175364A1. Автор: Riichiro Shirota,Yuji Takeuchi,Masayuki Ichige,Michiharu Matsui,Atsuhiro Sato,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Non-volatile semiconductor memory device and improved verification and programming method for the same

Номер патента: US09646701B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Non-volatile semiconductor memory device with multiple pass voltage and improved verification and programming operating method thereof

Номер патента: US09761313B2. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Non-volatile semiconductor memory device capable of preventing over-programming

Номер патента: US20110157973A1. Автор: Yoshikazu Harada,Masaki Fujiu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-30.

Non-volatile semiconductor memory having multiple external power supplies

Номер патента: US09928918B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile semiconductor memory having multiple external power supplies

Номер патента: US09576675B2. Автор: Jin-Ki Kim,Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor disk device

Номер патента: US20040165450A1. Автор: Hideaki Kurata,Naoki Kobayashi,Shunichi Saeki. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-08-26.

Non-volatile semiconductor memory device having disturb verify function

Номер патента: US5490110A. Автор: Kikuzo Sawada,Yoshikazu Sugawara. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1996-02-06.

Non-volatile semiconductor memory that is based on a virtual ground method

Номер патента: US6914824B2. Автор: Minoru Yamashita,Kazunari Kido,Yuichi Einaga. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-05.

Semiconductor memory device including multi-level cell and programming method thereof

Номер патента: US09859014B2. Автор: Sung Ho Kim,Min Sang Park,Gil Bok CHOI,Kyong Taek LEE,Yun Bong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Non-volatile semiconductor memory device having a memory cell group operative as a redundant memory cell group for replacement of another group

Номер патента: US5523976A. Автор: Takeshi Okazawa,Kenji Saitoh. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-06-04.

Non-volatile semiconductor memory device with improved erase algorithm

Номер патента: US6442071B2. Автор: Ki-hwan Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6046941A. Автор: Hiroyuki Kobatake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20100067299A1. Автор: Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Proactively correcting behavior that may affect I/O performance in a non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09684460B1. Автор: Feng Wang,Bo Hong,John Hayes,John Colgrove,Ethan MILLER,Craig Harmer. Владелец: Pure Storage Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor memory device having dummy word lines and operating method thereof

Номер патента: US09741408B2. Автор: Yeonghun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor memory column decoder device and method

Номер патента: US09466380B2. Автор: Tomoharu Tanaka,Shigekazu Yamada. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor memory device outputting status fail signal and operating method thereof

Номер патента: US09959938B2. Автор: Chan Woo Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US20230266893A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-24.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: US12079491B2. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Dongguk University. Дата публикации: 2024-09-03.

Nonvolatile memory device with reduced coupling noise and driving method thereof

Номер патента: US09570168B2. Автор: Kwang-Jin Lee,Beak-Hyung Cho,Dong-Hoon Jeong,Woo-Jung SUN,Jae-Yun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Bit line sense amplifier, semiconductor memory device and multi bit data sensing method thereof

Номер патента: US20190189192A1. Автор: Kyungryun Kim,Younghun Seo,Soobong Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-20.

Semiconductor memory device performing command merge operation and operation method thereof

Номер патента: US20200341686A1. Автор: Hyun Kim,Hyuk-Jae Lee,Moonsoo KIM,Hyokeun LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Semiconductor memory device storing refresh period information and operating method thereof

Номер патента: US9082504B2. Автор: Jung-Bae Lee,Jung-Sik Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-14.

Multi-bit memory device and on-chip buffered program method thereof

Номер патента: US09847122B2. Автор: Jae-hwa Lee,Wan-soo Choi,Sang-Wook Nam,Taec-Jun KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US20240251926A1. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Decorative nail tip and manufacturing system and method thereof

Номер патента: US12102206B2. Автор: Jingbiao DENG. Владелец: Shanghai Huizi Cosmetics Co ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor memory device and detection clock pattern generating method thereof

Номер патента: US20190180806A1. Автор: Hosung Song,Sihong Kim,Seungjun Bae,Su Yeon Doo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-06-13.

An automatic goaf plugging device and construction method and application method thereof

Номер патента: ZA202304760B. Автор: Liu Chang,Li Zhen,Zhao Liang,Qin Min,HUANG CONG,LI Weiming,MA Ruifeng,Guo Yuning,Guo Zeyang,He Huansha,Lv Guanying,Qi Guanglu. Владелец: Changsha Inst Mining Res Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-20.

Semiconductor memory device including address generation circuit and operating method thereof

Номер патента: US20210375346A1. Автор: Jung Ho LIM,Ja Beom KOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Welding devices and welding, installation and debugging methods thereof

Номер патента: US20230415254A1. Автор: QIN Pan,Fuke QIN. Владелец: Quick Intelligent Equipment Co ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory storage device and memory controller and access method thereof

Номер патента: US09514040B2. Автор: Chia-Jung Hsu,Shih-Hsien HSU. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Cigarette filter manufacturing device and cigarette filter manufacturing method

Номер патента: RU2723770C2. Автор: Иван ЭУСЕПИ,Массимо САРТОНИ,Эрос СТИВАНИ,Никола БАЛЬДАНЦА. Владелец: Г.Д С.П.А.. Дата публикации: 2020-06-17.

Memory device receiving data clock signals and operation method thereof

Номер патента: US20210043242A1. Автор: Joungyeal Kim,Seongheon Yu,Doowon Bong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-11.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09711235B2. Автор: Won-Tae Kim,Jin-Yub Lee,Yohan Lee,Venkataramana Gangasani,Sungwhan SEO,Dojeon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Nonvolatile memory device, storage device having the same, operating method thereof

Номер патента: US09570176B2. Автор: Ohsuk Kwon,Won-Taeck JUNG,Tae-Hong Kwon,Tae-Min Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Glass type portable device and information projecting side searching method thereof

Номер патента: US09569894B2. Автор: Jongkyeong Park. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-02-14.

Rod-shaped stud clamping device and studded tire manufacturing method

Номер патента: RU2703397C1. Автор: Юкихиса ТАКАХАСИ. Владелец: Дзе Йокогама Раббер Компани, Лимитед. Дата публикации: 2019-10-16.

Current detection device and related devices, systems and methods thereof

Номер патента: US12032004B2. Автор: Ian Palmer,Warren Gordon Pettigrew,Brendon David Hale. Владелец: Basis Nz Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Memory device for supporting cache read operation, operating method thereof, and memory system including the same

Номер патента: US20220342817A1. Автор: Gwan Park,Jeong Gil CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Resistive memory device having reduced chip size and operation method thereof

Номер патента: US20190311755A1. Автор: Tae-Joong Song,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-10-10.

Memory devices performing repair operations and repair operation methods thereof

Номер патента: US20200111541A1. Автор: Kyungryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-09.

Memory device with low power consumption and operation method thereof

Номер патента: US12040011B2. Автор: Meng-Fan Chang,Jui-Jen Wu,Win-San Khwa,Yen-Cheng Chiu,Yi-Lun Lu,Je-Min Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Memory device with flexible data pin configuration and method thereof

Номер патента: US20240241652A1. Автор: Minho Yoon. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Page buffer, memory device including the page buffer and operating method thereof

Номер патента: US11776657B2. Автор: Tae Ho Kim,Jae Hyeon Shin,Sungmook Lim,In Gon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Resistive memory device having reduced chip size and operation method thereof

Номер патента: US10600466B2. Автор: Tae-Joong Song,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-24.

Memory device with flexible data pin configuration and method thereof

Номер патента: US12079492B2. Автор: Minho Yoon. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device for performing read operation and operating method thereof

Номер патента: US20240282388A1. Автор: Byoung In JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Memory device compressing soft decision data and operating method thereof

Номер патента: US20240319874A1. Автор: Ilhan Park,Suyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Current detection device and related devices, systems and methods thereof

Номер патента: US20240319233A1. Автор: Ian Palmer,Warren Gordon Pettigrew,Brendon David Hale. Владелец: Basis Nz Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Memory device including row-hammer cells and operating method thereof

Номер патента: US20240339147A1. Автор: Saeng Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Electronic device and text-input interface displaying method thereof

Номер патента: US09875018B2. Автор: Yu-Jui LIN. Владелец: Wistron Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Static random access memory device including write assist circuit and writing method thereof

Номер патента: US09496027B2. Автор: Taejoong Song,Seong Ook Jung,Woojin Rim,Hanwool Jeong,Gyuhong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor memory card, access device and method

Номер патента: US8161225B2. Автор: Takuji Maeda,Masahiro Nakanishi,Jun Ohara,Shinji Inoue,Manabu Inoue,Tomoaki Izumi,Koichi Horiuchi,Tetsushi Kasahara,Makoto Ochi,Yoshiho Gotoh,Kazuaki Tamura,Kiminori Matsuno,Shoichi Tsujita. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-04-17.

Data storage device and flash memory voltage protection method thereof

Номер патента: US09997249B2. Автор: Yi-Hua Pao. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Touch panel, display device, and touch panel manufacturing method

Номер патента: US09952713B2. Автор: Yuji Takahashi. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Memory device including bitline sense amplifier and operating method thereof

Номер патента: US20220020423A1. Автор: Jong-Ho Moon,Sung-hwan Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-20.

Test signal generating device, semiconductor memory apparatus using the same and multi-bit test method thereof

Номер патента: US20120002491A1. Автор: Hong Sok Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-01-05.

Display panel, display device and display panel manufacturing method

Номер патента: US20210405444A1. Автор: Qin Liu. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Touch-sensitive device and touch-based folder control method thereof

Номер патента: US09535600B2. Автор: Wan Soo Lim,Sang Ki Lee,Su Jung Youn,Kyoung Ae Lim,Su Mi Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-03.

Granulating Device Die, Granulating Device Cutter Blade Holder, Granulating Device Cutter Blade Unit, Resin-Cutting Device, Granulating Device, and Resin Pellet Manufacturing Method

Номер патента: US20240227242A9. Автор: Masao Kurihara,Mitsuhiro Seo. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Page buffer, memory device including the page buffer and operating method thereof

Номер патента: US11948645B2. Автор: Yeong Jo MUN,Dong Hun Kwak. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Memory system including memory device and memory controller, and operating method thereof

Номер патента: EP4231162A1. Автор: Taehun Kim,Wooil Kim,Taewoo HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-23.

eFUSE OTP MEMORY DEVICE INCLUDING SERIAL INTERFACE LOGIC AND OPERATION METHOD THEREOF

Номер патента: US20230307075A1. Автор: Seongjun Park,Keesik AHN,Wan-Chul KONG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Memory device for data searching and data searching method thereof

Номер патента: US20230022008A1. Автор: Yu-Hsuan Lin,Ming-Hsiu Lee,Po-Hao Tseng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-26.

Memory device having selectively decoupleable memory portions and method thereof

Номер патента: US7679974B2. Автор: Ryan R. Ross. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-03-16.

Data storage device and selecting bad data block method thereof

Номер патента: US11803312B2. Автор: Sheng-Yuan Huang. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Welding devices and welding, installation and debugging methods thereof

Номер патента: US11969829B2. Автор: QIN Pan,Fuke QIN. Владелец: Quick Intelligent Equipment Co ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Memory device receiving data clock signals and operation method thereof

Номер патента: US20210280233A1. Автор: Joungyeal Kim,Seongheon Yu,Doowon Bong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-09-09.

Touch display device and light sensor module recovery method thereof

Номер патента: US9417736B2. Автор: Hyun-Woo Jang,Shi-Cheol Song. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Display device and luminance and color compensation method thereof

Номер патента: US11990077B1. Автор: Chun-Han TAI. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Dual-motor lens actuating device and dual-motor lens actuating method thereof

Номер патента: US20130235469A1. Автор: Ming-Shan Chan. Владелец: Altek Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Memory device including three-dimensional racetrack and operating method thereof

Номер патента: US20240079040A1. Автор: Youngnam HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Display device and luminance and color compensation method thereof

Номер патента: US20240177644A1. Автор: Chun-Han TAI. Владелец: AUO Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Memory device including risky mapping table and controlling method thereof

Номер патента: US9959044B2. Автор: Yi-Chun Liu,Nai-Ping Kuo,Ting-Yu Liu,Jian-Shing LIU. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Portable electronic device and one-hand touch operation method thereof

Номер патента: US11893229B2. Автор: I-Hsi WU,Chih-Hsien Yang,Chen-Yu Hsu,Hsin-Yi PU,Meng Chen Hsieh. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Realistic tactile haptic feedback device and realistic tactile haptic feedback method thereof

Номер патента: US8902051B2. Автор: Gregory C. Smith,Shana S. Smith,Ji-Liang Lee. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2014-12-02.

Memory device including multi-bit cell and operating method thereof

Номер патента: US20230352068A1. Автор: Chanho LEE,Duhwi Kim,Junghak SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory device with redundant memory circuit and repair method thereof

Номер патента: US11829605B2. Автор: Toshio Sunaga,Jui-Jen Wu,Tzu-Hao YANG. Владелец: Siloam Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Memory device having twin cell mode and refresh method thereof

Номер патента: US20190130959A1. Автор: Jung-Hyun Kim,Hong-ki Moon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Memory device performing target refresh operation and operating method thereof

Номер патента: US20240161861A1. Автор: Jung Taek You. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Resistive memory device having reduced chip size and operation method thereof

Номер патента: US20190074045A1. Автор: Tae-Joong Song,Hyun-Taek Jung,Suk-Soo Pyo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-07.

Current detection device and related devices, systems and methods thereof

Номер патента: US20240118319A1. Автор: Ian Palmer,Warren Gordon Pettigrew,Brendon David Hale. Владелец: Basis Nz Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Current detection device and related devices, systems and methods thereof

Номер патента: WO2024062401A1. Автор: Ian Palmer,Warren Gordon Pettigrew,Brendon David Hale. Владелец: Basis NZ Limited. Дата публикации: 2024-03-28.

Image forming device and printed matter manufacturing method

Номер патента: EP4094945A1. Автор: Jun Yamanobe. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2022-11-30.

Granulating Device Die, Granulating Device Cutter Blade Holder, Granulating Device Cutter Blade Unit, Resin-Cutting Device, Granulating Device, and Resin Pellet Manufacturing Method

Номер патента: US20240131750A1. Автор: Masao Kurihara,Mitsuhiro Seo. Владелец: Japan Steel Works Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Non-valatile semiconductor memory device and location based erasure methods

Номер патента: US09704579B1. Автор: Mathias Bayle. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor memory device and driving method of the same

Номер патента: US09606743B2. Автор: Ryousuke Takizawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor memory device that applies an initial pass voltage followed by a final pass voltage to non-selected word lines during a write operation

Номер патента: US09767908B2. Автор: SANAD Bushnaq,Masanobu Shirakawa,Hidehiro Shiga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Nonvolatile semiconductor memory device having multi-level memory cells and page buffer used therefor

Номер патента: US20070195636A1. Автор: Ho Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Non-volatile semiconductor memory device and method for reprogramming thereof

Номер патента: US20190371419A1. Автор: Makoto Yasuda,Taiji Ema. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US7903460B2. Автор: Takeshi Kajimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-03-08.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same

Номер патента: EP1316963A3. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Yutaka Okamoto,Riichiro Shirota,Hideo Kato,Masamichi Asano,Seiichi Aritome,Hiroto Nakai,Yoshihisa Iwata,Kaoru Tokushige,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Hideko Odaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-06.

Nonvolatile semiconductor memory device having divided bit lines

Номер патента: US20030053339A1. Автор: Ching-Hsiang Hsu,Ching-Song Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Non-volatile semiconductor memory device and memory system using the same

Номер патента: EP1315171A3. Автор: Masamichi Asano,Kaoru Tokushige,Tomoharu Toshiba Corporation Tanaka,Masaki Toshiba Corporation Momodori,Hideo c/o Toshiba Corporation Kato,Hiroto c/o Toshiba Corporation Nakai,Yoshiyuki c/o Toshiba Corporation Tanaka,Riichiro Int. Prop. Division Shirota,Seiichi Int. Prop. Division Aritome,Yasuo Int. Prop. Division Itoh,Yoshihisa Int. Prop. Division Iwata,Hiroshi c/o Toshiba Corporation Nakamura,Hideko c/o Toshiba Corporation Odaira,Yutaka c/o Toshiba Corporation Okamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-06.

Non-volatile semiconductor memory including memory cells having different charge exhange capability

Номер патента: US20020001230A1. Автор: Ikuto Fukuoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-03.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US11269766B2. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-08.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20240256442A1. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Non-volatile semiconductor memory and method for writing data into a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: TWI304986B. Автор: De Ambroggi Luca,Maria Brani Francesco. Владелец: Infineon Technologies Flash Gm. Дата публикации: 2009-01-01.

Non-volatile semiconductor memory device with memory transistor

Номер патента: US20050083737A1. Автор: Yoshikazu Miyawaki,Satoru Kishida,Hiromi Okimoto,Daisuke Agawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-04-21.

Non-volatile semiconductor memory device and method of reading data thereof

Номер патента: US20130100754A1. Автор: Norichika ASAOKA,Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20080205142A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20070183221A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-09.

Nonvolatile semiconductor memory device, non-volatile semiconductor memory device erasing method, and non-volatile semiconductor memory device testing method

Номер патента: JP4983096B2. Автор: 順子 大河原,光晴 榊原,直人 江見,智晴 相馬. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2012-07-25.

Sector protection circuit for non-volatile semiconductor memory, sector protection method and non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20050237800A1. Автор: Kazuhide Kurosaki. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2005-10-27.

Non-volatile semiconductor memory device with writing sequence enabling early-stage judgement of writing

Номер патента: US20020176278A1. Автор: Takahiro Tsuruda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-11-28.

Non-volatile semiconductor memory device, data write-in method of non-volatile semiconductor memory device and memory card

Номер патента: KR100624595B1. Автор: 가즈노리 가네바꼬,유고 이데. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-09-15.

Non-volatile semiconductor memory device and information apparatus

Номер патента: TW559817B. Автор: Yuji Tanaka,Ken Sumitani,Yasumichi Mori,Haruyasu Fukui. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-11-01.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: TW200414200A. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2004-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: TWI297498B. Автор: TANAKA Hidehiko. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2008-06-01.

Non-volatile semiconductor memory device and rewriting method

Номер патента: EP1396862B1. Автор: Hidehiko Tanaka. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

ERASE CONTROL CIRCUIT AND METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200286565A1. Автор: BAYLE Mathias Yves Gilbert. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2020-09-10.

Non-volatile semiconductor memory device and method of rewriting data stored in non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100342903B1. Автор: 고다마노리아끼. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-07-04.

Non-volatile semiconductor memory device having a stable read margin

Номер патента: US20020018369A1. Автор: Taku Ogura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Magnetic disk device and method

Номер патента: US20210043230A1. Автор: Kazuo Fukuta. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-02-11.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140269097A1. Автор: Abiko Naofumi,HARADA Yoshikazu,YOSHIHARA Masahiro,KAGA Hiroyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-18.

Non-volatile semiconductor memory device and method of writing data in non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US20090262579A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Non-volatile memory device adapted to reduce coupling effect between storage elements and related methods

Номер патента: US20080084746A1. Автор: Yeong-Taek Lee,Ki-nam Kim,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-10.

Threshold voltage compacting for non-volatile semiconductor memory designs

Номер патента: WO2002091387A1. Автор: Xin Guo,Sameer Haddad,Richard M. Fastow. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2002-11-14.

Non-volatilization semiconductor memory and the write-in method thereof

Номер патента: TW201017671A. Автор: Mathias Bayle. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-05-01.

Storage device and memory controller

Номер патента: US8949515B2. Автор: Koji Matsuda,Masataka Nishi,Masahiro Shiraishi,Ryo Fujita,Takuma Nishimura,Ryoichi Inada. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2015-02-03.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060258100A1. Автор: Toshio Mukunoki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-16.

Control method of non-volatile semiconductor memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6862217B2. Автор: Shozo Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-03-01.

Non-volatile semiconductor memory device and method for operating a non-volatile memory device

Номер патента: US7403417B2. Автор: Zeev Cohen. Владелец: Qimonda Flash GmbH. Дата публикации: 2008-07-22.

Control method of non-volatile semiconductor memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040057288A1. Автор: Shozo Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Non-volatile semiconductor memory device with accelerated column scanning scheme

Номер патента: TWI267853B. Автор: June Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-12-01.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: TWI237270B. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker N Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW200414211A. Автор: Taku Ogura,Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TWI227896B. Автор: Taku Ogura,Tomoshi Futatsuya,Takashi Hayasaka. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2005-02-11.

A non-volatile semiconductor memory device having mono bit and multiple bit mode

Номер патента: TW371791B. Автор: Jong-Wook Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-10-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW200531069A. Автор: Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2005-09-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TWI265524B. Автор: Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-11-01.

Electrically programmable non-volatile semiconductor memory¹device

Номер патента: IE813036L. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-06-23.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW200407890A. Автор: Masaaki Mihara. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2004-05-16.

Non-volatile semiconductor memory device and non-volatile memory system using the same

Номер патента: KR100862765B1. Автор: 마사쯔구 고지마. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2008-10-13.

Semiconductor memory device

Номер патента: US20060203547A1. Автор: Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US5920507A. Автор: Tomoharu Tanaka,Ken Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-07-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: EP3203479B1. Автор: Kazuki Yamauchi,Naoaki Sudo. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2019-08-28.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card using the same and electronic apparatus

Номер патента: TW200425147A. Автор: Atsushi Inoue,Tomoharu Tanaka,Takeaki Sato,Khandker N Quader,Hiroyuki Dohmae. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2004-11-16.

Data protection for non-volatile semiconductor memory using block protection flags

Номер патента: US7822914B2. Автор: Hitoshi Kurosawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW522400B. Автор: Takahiro Saeki. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-03-01.

Writing method for nonvolatile semiconductor memory with soft-write repair for over-erased cells

Номер патента: US5742541A. Автор: Shinichi Sato,Takuji Tanigami. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-04-21.

Non-volatile semiconductor memory device with nand type memory cell arrays

Номер патента: US5978265A. Автор: Fujio Masuoka,Riichiro Shirota,Seiichi Aritome,Ryozo Nakayama,Yasuo Itoh,Masaki Momodomi,Ryouhei Kirisawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor memory apparatus, data transmission device, and recording method

Номер патента: US20140016412A1. Автор: Gen Ohshima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-16.

Semiconductor memory apparatus, data transmission device, and recording method

Номер патента: US20150235709A1. Автор: Gen Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor memory apparatus, data transmission device, and recording method

Номер патента: US9412457B2. Автор: Gen Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Non-volatile semiconductor memory device in which data can be erased on a block basis and method of erasing data on a block basis in non-voltile semiconductor memory device

Номер патента: KR950004862B1. Автор: 와단 고바야시,세이 야마모도. Владелец: 미쓰비시 뎅끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-05-15.

Circuit for checking memory cells of programmable MOS-integrated semiconductor memories

Номер патента: US4458338A. Автор: Burkhard Giebel,Lothar Schrader,Hans Moormann. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1984-07-03.

Non-volatile semiconductor memory and data processing method in non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US8711604B2. Автор: Shigeki Kobayashi,Hideyuki Tabata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-29.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US11977481B2. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US8982623B2. Автор: Masanobu Shirakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-17.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND DATA PROCESSING METHOD IN NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20130182488A1. Автор: KOBAYASHI Shigeki,Tabata Hideyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-07-18.

Non-volatile semiconductor memory device having a memory cell capable of establishing multi-level information and data writing method thereof

Номер патента: KR100281668B1. Автор: 도시오 다께시마. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2001-02-15.

Sector protection circuit and sector protection method for non-volatile semiconductor storage device, and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: GB2427494A. Автор: Kazuhide Kurosaki. Владелец: Spansion Japan Ltd. Дата публикации: 2006-12-27.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20220156182A1. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20230267075A1. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Controller for controlling non-volatile semiconductor memory and method of controlling non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US11675697B2. Автор: Shigehiro Asano,Kenichiro Yoshii,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Method and device for erasing non-volatile semiconductor memory with smaller erase variation

Номер патента: US5862079A. Автор: Toshikatsu Jinbo. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-01-19.

Non-volatile semiconductor memory circuits

Номер патента: US4558432A. Автор: Kenelm G. D. Murray,Colin W. Edwards. Владелец: Hughes Microelectronics Ltd. Дата публикации: 1985-12-10.

Non-volatile semiconductor latch using hot-electron injection devices

Номер патента: US7746695B2. Автор: Hartmut Liebing,Valeri Dimitrov Ivanov. Владелец: X Fab Semiconductor Foundries GmbH. Дата публикации: 2010-06-29.

Non-volatile SRAM memory cell, and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09842650B2. Автор: Hideo Kasai,Yutaka Shinagawa,Yasuhiro Taniguchi,Yasuhiko Kawashima,Kosuke Okuyama,Ryotaro Sakurai,Tatsuro Toya. Владелец: Floadia Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND READOUT METHOD THEREOF

Номер патента: US20140022845A1. Автор: Oishi Masayuki,ITO Nobuhiko. Владелец: POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-01-23.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ERASE METHOD THEREOF

Номер патента: US20170047123A1. Автор: Yano Masaru. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ERASING METHOD THEREOF

Номер патента: US20170133094A1. Автор: Wang Pin-Yao. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-11.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND WRITING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150325299A1. Автор: BAYLE Mathias Yves Gilbert. Владелец: POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2015-11-12.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method thereof

Номер патента: US10062440B1. Автор: Pil-Sang Ryoo,Wen-Chiao Ho. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Non-volatile semiconductor memory device and data erasing method thereof

Номер патента: KR950008674B1. Автор: 마고도 야마모도,나고오 고바야시. Владелец: 시기 · 모리야. Дата публикации: 1995-08-04.

Non-volatile semiconductor memory device and multi-block erase method thereof

Номер патента: KR100634433B1. Автор: 이진엽,박대식. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-16.

Non-volatile semiconductor memory device and multi-block erase method thereof

Номер патента: KR100632941B1. Автор: 최영준,김태균,이석헌. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-12.

Low-voltage non-volatile semiconductor memory device and read method thereof

Номер патента: KR100453853B1. Автор: 김명재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-10-20.

Non-volatile semiconductor memory device and reading method thereof

Номер патента: TW201905927A. Автор: 柳弼相,何文喬. Владелец: 華邦電子股份有限公司. Дата публикации: 2019-02-01.

Non-volatile semiconductor memory device and data writing method thereof

Номер патента: KR100533297B1. Автор: 다나까도모하루. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2005-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device and power-up to read method thereof

Номер патента: KR100420125B1. Автор: 이승근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-03-02.

Non-volatile semiconductor memory device and program method thereof

Номер патента: KR100502412B1. Автор: 이창현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2005-07-19.

Page buffer for non-volatilization semiconductor memory devices and the control method thereof

Номер патента: TWI415131B. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2013-11-11.

Multi-level non-volatile semiconductor memory device having improved multi-level data storing circuits

Номер патента: US5847992A. Автор: Tomoharu Tanaka,Koji Sakui,Junichi Miyamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-12-08.

Method of controlling nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US20240126433A1. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-04-18.

Method of controlling nonvolatile semiconductor memory

Номер патента: US11893238B2. Автор: Hiroshi Yao,Kazuhiro Fukutomi,Shinichi Kanno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-06.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20140219037A1. Автор: WATANABE Kotaro,MITANI Makoto. Владелец: SEIKO INSTRUMENTS INC.. Дата публикации: 2014-08-07.

A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH TEMPORARY DATA RETENTION CELLS AND CONTROL METHOD THEREOF

Номер патента: US20160148657A1. Автор: Hsu Chih-Wei,Huang Po-Han,LIN Keng-Yu,TANG Wei-Xiang. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

Nonvolatile semi-conductor memory device and method for calculating read voltage non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR101516577B1. Автор: 김재홍,김용준,김종한,조경래,송승환,공준진. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-05-06.

Non-volatile semiconductor memory device with time-division sense function and read method thereof

Номер патента: KR100399353B1. Автор: 조태희,임영호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2003-09-26.

Non-volatile semiconductor memory device capable of preventing program disturb due to noise voltage induced at a string select line and program method thereof

Номер патента: US20020075727A1. Автор: Sung-Soo Lee,Jae-Yong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-06-20.

Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: GB9118735D0. Автор: . Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1991-10-16.

Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: SG27995G. Автор: Kurt Brian Robinson,Gerald S Holzhammer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-06-16.

Disk emulation for a non-volatile semiconductor memory.

Номер патента: HK56895A. Автор: Kurt Brian Robinson,Gerald S Holzhammer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-04-21.

Non-volatile semiconductor memory comprising power fail circuitry for flushing write data in response to a power fail signal

Номер патента: HK1152794A1. Автор: ‧坎恩. Владелец: 西部數據技術公司. Дата публикации: 2012-03-09.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: TWI237894B. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2005-08-11.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: TW200301555A. Автор: Yoshimitsu Yamauchi. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2003-07-01.

Non-volatile semiconductor memory circuit

Номер патента: TW201037709A. Автор: Dong-Keun Kim,Yoon-Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-10-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20170076804A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-03-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20200118633A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2020-04-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20190139610A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2019-05-09.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20160203869A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-07-14.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20210233590A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: Toshiba Memory Corporation. Дата публикации: 2021-07-29.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150294728A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor disk apparatus

Номер патента: KR100661419B1. Автор: 고바야시나오끼,사에끼순이찌,구라따히데아끼. Владелец: 히다치디바이스 엔지니어링가부시키가이샤. Дата публикации: 2006-12-27.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5986930A. Автор: Sadao Yoshikawa,Shigenori Shibata. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-11-16.

Non-volatile semiconductor memory device and semiconductor disk apparatus

Номер патента: KR20010102826A. Автор: 고바야시나오끼,사에끼순이찌,구라따히데아끼. Владелец: 히다치디바이스 엔지니어링가부시키가이샤. Дата публикации: 2001-11-16.

Circuitry and method for programming and erasing a non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US5448712A. Автор: Virgil N. Kynett,Mickey L. Fandrich. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1995-09-05.

Non-volatile semiconductor memory device, in particular flash memory device

Номер патента: DE102004019200B4. Автор: June Lee. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2012-11-08.

Method of programming an electrically programmable non-volatile semiconductor memory

Номер патента: EP1426968A3. Автор: Rino Micheloni,Roberto Ravasio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2007-06-20.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US7382663B2. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Semiconductor memory device detecting defect, and operating method thereof

Номер патента: US12100463B2. Автор: Sangwan Nam,KeeHo JUNG,Bongkil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-24.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09928915B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Shigefumi Irieda,Eietsu Takahashi,Daisuke Kouno,Kenri Nakai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US09508442B2. Автор: Yasuhiro Shiino,Shigefumi Irieda,Eietsu Takahashi,Daisuke Kouno,Kenri Nakai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE ADAPTED TO STORE A MULTI-VALUED DATA IN A SINGLE MEMORY CELL

Номер патента: US20140063976A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2014-03-06.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DATA READING METHOD THEREOF

Номер патента: US20140104947A1. Автор: Michael Oron,Suito Katsutoshi,YAMAUCHI Kazuki,KIM Jongjun,SHIN Youn-Cherl. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2014-04-17.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Adapted to Store a Multi-Valued Data in a Single Memory Cell

Номер патента: US20170040053A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-09.

Non-volatile semiconductor memory device using a differential cell in a memory cell

Номер патента: US5291045A. Автор: Shigeru Atsumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1994-03-01.

Non-volatile semiconductor memory device with magnetic memory cell array

Номер патента: KR100451096B1. Автор: 오카자와다케시. Владелец: 엔이씨 일렉트로닉스 가부시키가이샤. Дата публикации: 2004-10-02.

non-volatile semiconductor memory device having spare memory array address capable of moving and read operation therefore

Номер патента: KR100418522B1. Автор: 조태희,이영택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-02-14.

Non-volatile semiconductor memory device and electronic device using the same

Номер патента: KR100597914B1. Автор: 이마미야겐이찌,나까무라히로시,고지 호소노. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-07-10.

non-volatile semiconductor memory device having spare memory array address capable of moving

Номер патента: KR20020094356A. Автор: 조태희,이영택. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-12-18.

Non-volatile semiconductor memory device using a differential cell in a memory cell

Номер патента: EP0506989B1. Автор: Shigeru C/O Intellectual Property Div. Atsumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-07-09.

Non-volatile semiconductor memory device capable of supplying an erasable voltage to a flash memory cell in simple structure on erasing operation

Номер патента: KR100242517B1. Автор: 마사까즈 아마나이. Владелец: 닛본 덴기 가부시키가이샤. Дата публикации: 2000-02-01.

Non-volatile semiconductor memory device incorporating data latch and address counter for page mode programming

Номер патента: US5521863A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-28.

Non-volatile semiconductor memory device using a differential cell in a memory cell

Номер патента: EP0506989A1. Автор: Shigeru C/O Intellectual Property Div. Atsumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-10-07.

Non-volatile semiconductor memory device adapted to store a multi-valued in a single memory cell

Номер патента: US20050024944A1. Автор: Tomoharu Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-03.

Programming method for non-volatile semiconductor memory device comprising twin-memory cells

Номер патента: EP1256959A2. Автор: Masahiro Kanai,Teruhiko Kamei. Владелец: Halo LSI Design and Device Technology Inc. Дата публикации: 2002-11-13.

Non-volatile semiconductor memory and program verification method thereof

Номер патента: CN1243318A. Автор: 蛇岛浩史. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-02-02.

Method for reading nonvolatile semiconductor memory configurations

Номер патента: US20020018366A1. Автор: Oskar Kowarik,Franz Schuler,Andreas von Schwerin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-14.

Non-volatile semiconductor memory device incorporating data latch and address counter for page mode programming

Номер патента: US5485421A. Автор: Shinichi Kobayashi,Yasushi Terada,Takeshi Nakayama,Yoshikazu Miyawaki,Tomoshi Futatsuya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-01-16.

Non-volatile semiconductor memory device and electric device with the same

Номер патента: US20060104114A1. Автор: Haruki Toda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Non-volatile semiconductor memory device having a function for controlling the range of distribution of memory cell threshold voltages

Номер патента: US20020080654A1. Автор: Toru Tanzawa,Masanobu Saito,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-06-27.

Non-volatile semiconductor memory device having ferroelectric memory cells

Номер патента: KR100306823B1. Автор: 전병길,정연배. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-11-30.

Memory cell of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6058051A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

Non-volatile semiconductor memory device controlling the range of distribution of memory cell threshold voltages

Номер патента: US6434054B1. Автор: Toru Tanzawa,Masanobu Saito,Hitoshi Shiga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-08-13.

Non-volatile semiconductor memory device for supporting high speed search in cache memory function

Номер патента: KR100880425B1. Автор: 박찬익,이진욱,이병국. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-01-29.

Non-volatile semiconductor memory device in which one page is set for a plurality of memory cell arrays

Номер патента: US20040170065A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-09-02.

Non-volatile semiconductor memory and data reading method thereof

Номер патента: US20130145093A1. Автор: Masaru Yano,Takehiro Kaminaga. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF READING DATA THEREFROM

Номер патента: US20130258776A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-10-03.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND READING-OUT METHOD THEREFORE

Номер патента: US20140036597A1. Автор: NAKAYAMA Akitomo. Владелец: POWERCHIP TECHNOLOGY CORPORATION. Дата публикации: 2014-02-06.

Non-volatile semiconductor memory device and method for driving the same

Номер патента: US20210012854A1. Автор: Daisuke Uchida. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-01-14.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND READING METHOD

Номер патента: US20160042798A1. Автор: Kodama Takuyo. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY WITH HIGH RELIABILITY AND DATA ERASING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160099064A1. Автор: Shirota Riichiro. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-07.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF PROGRAMMING THE SAME

Номер патента: US20140269096A1. Автор: TABATA Koji,KAMATA Yoshihiko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-18.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND IMPROVED VERFICATION AND PROGRAMMING METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20160300615A1. Автор: LEE Hee Youl. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-13.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD FOR REPROGRAMMING THEREOF

Номер патента: US20190371419A1. Автор: Ema Taiji,Yasuda Makoto. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Limited. Дата публикации: 2019-12-05.

Non-volatile semiconductor memory device and optimal write method

Номер патента: KR950000273B1. Автор: 김진기,서강덕. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-01-12.

Non-volatile semiconductor memory device and data erasing method therefor

Номер патента: KR0184093B1. Автор: 시게루 아츠미,노부아키 오츠카,마사오 구리야마,히로노리 반바,아키라 우메자와. Владелец: 가부시키가이샤 도시바. Дата публикации: 1999-04-15.

Non-volatile semiconductor memory device and data writing method

Номер патента: KR100224134B1. Автор: 이찌로 콘도. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device and its word line driving method

Номер патента: KR0176116B1. Автор: 이승근,김산홍. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-15.

Non-volatile semiconductor memory device and reading-out method therefore

Номер патента: CN103578541A. Автор: 中山晶智. Владелец: Powerflash Technology Corp. Дата публикации: 2014-02-12.

Non-volatile semiconductor memory device and method of reading the same

Номер патента: KR101618063B1. Автор: 김재호,오현실. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-05-04.

Non-volatile semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: CN101383187B. Автор: 金田义宣. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-02.

Non-volatile semiconductor memory system and data write method thereof

Номер патента: US20080155182A1. Автор: Yasuo Kudo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Non-volatile semiconductor memory system and data write method thereof

Номер патента: KR100939146B1. Автор: 야스오 구도. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2010-01-28.

Non-volatile semiconductor memory system for e.g. cellular telephone, has buffer memory storing set of data to be programmed in selected memory cells, and backup memory storing another set of data that is previously programmed

Номер патента: DE102007046401A1. Автор: Jin-Hyeok Yongin Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-24.

3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: EP1750279B1. Автор: Ki Tae Park,Jung Dal Choi,Sung Kyu Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-13.

Non-volatile semiconductor memory capable of storing 1-bit data or multi-bit data

Номер патента: US6122193A. Автор: Tomoharu Tanaka,Susumu Fujimura,Noboru Shibata,Hiroto Nakai,Toshio Yamamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Non-volatile semiconductor memory device and method for verifying operationg of the same

Номер патента: KR100215762B1. Автор: 시게까즈 야마다. Владелец: 후지쓰 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-08-16.

Non-volatile semiconductor memory device and method of writing data therein

Номер патента: US20100182818A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-07-22.

High voltage level optimization circuit in a non-volatile semiconductor memory device and method therefor

Номер патента: TW391008B. Автор: Jin-Ki Kim,Sung-Soo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-05-21.

3-Level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: EP2043104A1. Автор: Ki Tae Park,Jung Dal Choi,Sung Kyu Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-01.

CIRCUIT FOR THE ACTIVATION OF A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY PROVISION.

Номер патента: ES2157666T3. Автор: Thomas Zettler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-08-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS OPTIMIZED PROGRAMMING METHOD.

Номер патента: ITMI921000D0. Автор: Jin-Ki Kim,Kang-Deog Suh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-04-28.

Flash non-volatile semiconductor memory device and driving control circuit thereof

Номер патента: KR960000619B1. Автор: 마사노부 요시다,다카오 아카오지,야수시게 오가와,야수시 가시,쇼우이시 가와무라. Владелец: 세끼사와 요시. Дата публикации: 1996-01-10.

3-level non-volatile semiconductor memory device and method of driving the same

Номер патента: US8085607B2. Автор: Jung-Dal Choi,Sung-Kyu JO,Ki-tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-12-27.

Non-volatile semiconductor memory device and controlling method of the same

Номер патента: CN100426416C. Автор: 金田义宣. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-15.

Non-volatile semiconductor memory device and operation method therefor

Номер патента: JP2022124738A. Автор: Yukio Komatsu,幸生 小松. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-26.

Non-volatile semiconductor memory device and method for reading the same

Номер патента: US7254063B2. Автор: Toshiki Mori. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-07.

Non-volatile semiconductor memory device, and method of reading the same

Номер патента: CN101847440A. Автор: 太田毅. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2010-09-29.

Non-volatile semiconductor memory device and controlling method of the same

Номер патента: US20050002235A1. Автор: Yoshinobu Kaneda. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-01-06.

Non-volatile semiconductor memory device and electronic equipment using it

Номер патента: KR100794827B1. Автор: 고지마마사쯔구. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2008-01-15.

Non-volatile semiconductor memory device and data programming method

Номер патента: US20020041518A1. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2002-04-11.

Non-volatile semiconductor memory device and driving method for word line thereof

Номер патента: US20170365325A1. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-21.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card and electronic device

Номер патента: US20050058011A1. Автор: Koji Hosono,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-03-17.

Non volatile semiconductor memory, method for controlling the same, memory card and memory system

Номер патента: KR100307114B1. Автор: 세이이찌 아리또메. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2001-10-19.

Non-volatile semiconductor memory device and method for controlling the same

Номер патента: CN101383187A. Автор: 金田义宣. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2009-03-11.

Non-volatile semiconductor memory device, electronic card, and electronic device

Номер патента: TW200507246A. Автор: Koji Hosono,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2005-02-16.

Electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory with automatic write-verify controller

Номер патента: US5627782A. Автор: Hiroshi Nakamura,Yoshiyuki Tanaka,Tomoharu Tanaka,Hideko Odaira. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-05-06.

Non-volatile semiconductor memory device, method for sub-block erase and electric device with the same

Номер патента: US20050041515A1. Автор: Koji Hosono,Kenichi Imamiya,Noboru Shibata,Takuya Futatsuyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-02-24.

Sector protection circuit and sector protection method for non-volatile semiconductor storage device, and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: GB0620686D0. Автор: . Владелец: Spansion Japan Ltd. Дата публикации: 2006-11-29.

Flash non-volatile semiconductor memory device and its operating mode controlling method

Номер патента: KR100248868B1. Автор: 정태성,김명재,최병순. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-15.

Word line voltage applying device of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100195196B1. Автор: 박종욱. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Data Protection for Non-Volatile Semiconductor Memory Using Block Protection Flags

Номер патента: US20080288735A1. Автор: Hitoshi Kurosawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-20.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20120198297A1. Автор: Kenji Sawamura,Takeshi Kamigaichi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-08-02.

Non-volatile semiconductor memory device with power-saving feature

Номер патента: US20130010563A1. Автор: Hakjune Oh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-01-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20130051132A1. Автор: Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-28.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE RELATED METHOD OF OPERATION

Номер патента: US20130159610A1. Автор: Kawamura Shoichi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-20.

Non-Volatile Semiconductor Memory Device Using Mats with Error Detection and Correction and Methods of Managing the Same

Номер патента: US20130166991A1. Автор: Shimada Toshiki. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-27.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130229871A1. Автор: LI Xu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130229873A1. Автор: SHIINO Yasuhiro,Takahashi Eietsu,Irieda Shigefumi,Ueno Koki,SAKANIWA Manabu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130235662A1. Автор: FUJIU Masaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-12.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130242651A1. Автор: Hioka Takeshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-19.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130250654A1. Автор: SUGIMAE Kikuko,Ichihara Reika. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-26.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130250655A1. Автор: SUGIMAE Kikuko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-26.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130294168A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-07.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF IMPROVING FAILURE-RELIEF EFFICIENCY

Номер патента: US20130308384A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130336062A1. Автор: MAEJIMA Hiroshi,SAKAGUCHI Natsuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-12-19.

METHOD OF PREVENTING PROGRAM-DISTURBANCES FOR A NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140043896A1. Автор: Kim Min-Su,PARK Sang-Hoon,Jeon Hee-Seog,Park Ji-Hoon,Kim Min-sup,Park Weon-Ho,Kwon Hyok-Ki,Kim Byoung-Ho,Kim Eui-Yeol,Sung Min-Jee,Sim Hyo-Soung,Jeon Chang-Min. Владелец: . Дата публикации: 2014-02-13.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180012655A1. Автор: SENOO Makoto,Lim Seow-Fong. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2018-01-11.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150063027A1. Автор: HASHIMOTO Toshifumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-03-05.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150078109A1. Автор: Osamu KAMIBEPPU. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-19.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180074952A1. Автор: Sudo Naoaki. Владелец: WINBOND ELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2018-03-15.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160078959A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu,SUZUKI Yuya,BUSHNAQ Sanad. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-17.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF IMPROVING FAILURE-RELIEF EFFICIENCY

Номер патента: US20150098273A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-04-09.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170117046A1. Автор: Yano Masaru. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160141039A1. Автор: ARAKAWA KENICHI. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140269084A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu,Itagaki Kiyotaro,ASAOKA Norichika. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-18.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150200012A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-07-16.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140286095A1. Автор: FUKUZUMI Yoshiaki,Iwata Yoshihisa,HISHIDA Tomoo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140286103A1. Автор: Noguchi Mitsuhiro,AKOU Masayuki,SUZUKI Yu,GOYO Akimichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140286104A1. Автор: TABATA Koji,KAMATA Yoshihiko,HAMANO Tomoyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-09-25.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140301144A1. Автор: MAEJIMA Hiroshi,SAKAGUCHI Natsuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-10-09.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170221567A1. Автор: Sudo Naoaki,YAMAUCHI Kazuki. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140328107A1. Автор: Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20140328110A1. Автор: Reika Ichihara,Kikuko Sugimae. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20150262681A1. Автор: Koji Hosono. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160267990A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu,Shiga Hidehiro,BUSHNAQ Sanad. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

THREE-DIMENSIONAL (3D) NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR LOADING IMPROVEMENT

Номер патента: US20160275994A1. Автор: OH Sung Lae. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-22.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20180268878A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-20.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180268898A1. Автор: Suzuki Yoshinori,Miyazaki Takayuki. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160343445A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-11-24.

Fast accessible non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US5757696A. Автор: Ryuichi Matsuo,Makoto Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Non-volatile semiconductor memory device allowing fast verifying operation

Номер патента: US5521864A. Автор: Shinichi Kobayashi,Tomoshi Futatsuya,Hiroaki Nakai,Motoharu Ishii,Atsushi Ohba,Akira Hosogane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1996-05-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR950011965B1. Автор: 김진기,임형규. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1995-10-12.

Charge pump circuit of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0176115B1. Автор: 이기종. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-15.

A non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100301932B1. Автор: 권석천. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2001-10-29.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100253868B1. Автор: 도모하루 다나카,켄 다케우치. Владелец: 니시무로 타이죠. Дата публикации: 2000-05-01.

non-volatile semiconductor memory devices having hierarchical sector structure

Номер патента: KR100418521B1. Автор: 이승근. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-02-11.

Non - volatile semiconductor memory devices

Номер патента: KR900006144B1. Автор: 시게루 아츠미,스미오 다나카,신지 사이토,노부아키 오츠카. Владелец: 와타리 스기이치로. Дата публикации: 1990-08-24.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100359357B1. Автор: 가시무라마사히꼬. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for programming non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100474626B1. Автор: 가나이마사히로,가메이데루히꼬. Владелец: 세이코 엡슨 가부시키가이샤. Дата публикации: 2005-03-08.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0172378B1. Автор: 이형곤,임흥수,서강덕. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-30.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0172366B1. Автор: 김진기. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-30.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR970002068B1. Автор: 노부아키 오츠카,준이치 미야모토. Владелец: 가부시키가이샤 도시바. Дата публикации: 1997-02-21.

Electrically and flash erasable non volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR960007638B1. Автор: 아까오기 다까오,다까시나 노부아끼,가사 야수시,이따노 기요시,가와시마 히로미,야마시따 미노루,가와무라 소우이치. Владелец: 세끼사와 다까시. Дата публикации: 1996-06-07.

Non-volatile semiconductor memory device with dummy cells and method for adjusting threshold voltage of dummy cells

Номер патента: KR101405405B1. Автор: 박기태. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-06-12.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0183776B1. Автор: 이정형,최정달,전성부. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR960010960B1. Автор: 히데오 가토,마사미치 아사노,히로토 나카이,도시오 야마무라,가오루 토쿠시게. Владелец: 가부시키가이샤 도시바. Дата публикации: 1996-08-14.

Flash electrically erasable and programmable non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR950006211B1. Автор: 가즈오 고바야시,다께시 나까야마,야스시 데라다,마사노리 하야시고시,요시가즈 미야와끼. Владелец: 미쓰비시뎅끼가부시끼가이샤. Дата публикации: 1995-06-12.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN1249518A. Автор: 樫村雅彦. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-04-05.

Non-volatile semiconductor memory device with reduced area

Номер патента: KR100197553B1. Автор: 한욱기,용명식. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Circuit and method for preventing data erase and program about special address of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100197573B1. Автор: 박종민. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR920002122B1. Автор: 마사키 모모도미,후지오 마스오카,리이치로 시로타,야스오 이토,료우헤이 기리사와,사토시 이노우에,료죠 나카야마. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1992-03-12.

Write method of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100245413B1. Автор: 염진선. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-02.

Non-volatile semiconductor memory device with cache function and program, read and page copy-back operations thereof

Номер патента: KR100454119B1. Автор: 변대석,임영호. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-10-26.

Non-volatile semiconductor memory device allowing efficient programming operation and erasing operation in short period of time

Номер патента: KR100566848B1. Автор: 미따니히데노리,니따후미히꼬,야마우찌다다아끼,오구라다꾸. Владелец: 가부시끼가이샤 르네사스 테크놀로지. Дата публикации: 2006-04-03.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN101331553B. Автор: 森本英德. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-07-18.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR960000616B1. Автор: 김진기,최정혁,서강덕. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1996-01-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH11121721A. Автор: Jin-Ki Kim,定▲赫▼ 崔,Kang-Deog Suh,康徳 徐,鎭祺 金,Jeong-Hyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-04-30.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR19990077906A. Автор: 오쿠사토루,코바타케히로유키,아마나이마사카즈,카토카즈아키,카네코마사키. Владелец: 닛폰 덴키 주식회사. Дата публикации: 1999-10-25.

Program method of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100268442B1. Автор: 박종민,정휘택. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100458408B1. Автор: 나까무라히로시,호소노고지,다께우찌겡,이마미야겐이지. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2004-11-26.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS6231094A. Автор: Shigeru Atsumi,Sumio Tanaka,田中　寿実夫,渥美　滋. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-02-10.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS57150192A. Автор: Hiroshi Iwahashi,Masamichi Asano. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1982-09-16.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH11265585A. Автор: Masaaki Ohashi,雅昭 大橋. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-28.

Non volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100714485B1. Автор: 김재현,최정운. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-05-07.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100518494B1. Автор: 뱅크스제랄드제이. Владелец: 비티지 인터내셔널 인크.. Дата публикации: 2005-10-05.

Non-volatile semiconductor memory device with signle-bit and multi-bit modes of operation and method for perporming programming and reading operations therein

Номер патента: KR100332950B1. Автор: 유태화. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2002-08-21.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0172440B1. Автор: 임영호,최병순. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-30.

Non-volatile semiconductor memory device for storing multi-value data

Номер патента: KR100785185B1. Автор: 마사오 구리야마,야스히꼬 혼다. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2007-12-11.

Non-volatile semiconductor memory device including an erroneous bit generating circuit

Номер патента: FR2641641A1. Автор: Jin-Ki Kim,Hyung-Kyu Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1990-07-13.

Non volatile semiconductor memory device having a multi-bit cell array

Номер патента: US7269085B2. Автор: Sei-Jin Kim,Han-Gu Sohn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-09-11.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE69232210T2. Автор: Takao Akaogi,Yasushige Ogawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Non-volatile semiconductor memory device with nand cell structure

Номер патента: KR950004865B1. Автор: 히로시 이와하시,마사키 모모도미,후지오 마스오카,리이치로 시로타,야스오 이토,가즈노리 오우치,료우헤이 기리사와,요시히사 이와타,시게요시 와타나베,마사히코 치바,사토시 이노우에,료죠 나카야마. Владелец: 아오이 죠이치. Дата публикации: 1995-05-15.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TWI480873B. Автор: Makoto Kitagawa,Tsunenori Shiimoto. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-04-11.

Method of programming non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6614688B2. Автор: Sung-Soo Lee,Jae-Yong Jeong,Jin-Seon Yeom. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-09-02.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: EP0944092A2. Автор: Hidekazu Takata. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1999-09-22.

Voltage generator circuit capable of generating different voltages based on operating mode of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN101136249B. Автор: 李真烨,金镇国. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-04.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH01133291A. Автор: Kiyonori Tamura,清則 田村,雅文 西野,Tomohiko Ikeda,Yoshitaka Kakumoto,佳隆 角本,友彦 池田,Masafumi Nishino. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1989-05-25.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: DE69819961T2. Автор: Koji Minato-ku Naganawa. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-05-27.

Write data optimization methods for non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US10061691B2. Автор: Tokumasa Hara,Hironori Uchikawa,Keiri NAKANISHI,Sho Kodama,Kejen Lin,Juan Shi,Akira Yamaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100411849B1. Автор: 스게가와히로시. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2003-12-24.

Non-volatile semiconductor memory device permitting data-read operation performed during data-write/erase operation

Номер патента: EP1052646B1. Автор: Kazuhiro Kitazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-07-14.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002475A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002478A1. Автор: Isobe Katsuaki,Kojima Masatsugu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002472A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002470A1. Автор: Honma Mitsuaki,Futatsuyama Takuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Self-tuning voltage generator for non-volatile semiconductor memory unit, non-volatile semiconductor memory unit, and method for self- tuning generation of voltage in said memory unit

Номер патента: RU2146398C1. Автор: Ким Джин-ки,Лим Хьюнг-Кью,Ли Сунг-Соо. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2000-03-10.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION DEVICE AND METHOD FOR EMBEDDING DATA SYMBOLS IN A LUMINANCE OUTPUT

Номер патента: US20120002974A1. Автор: Wendt Matthias,Radermacher Harald Josef Günther,SCHENK Tim Corneel Wilhelmus,Kuppen Johan Wilhelmus Hermanus. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST MODE CONTROL CIRCUIT IN SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND TEST MODE ENTERING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002494A1. Автор: Jo Jun-Ho,PARK Kyu-Min,KIM BYOUNGSUL,LEE Hakyong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacture method of double-sided erasable electrode of shrinkable non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: TW466701B. Автор: Chi-Yuan Chin,Guo-Hua Jang,Hung-Yu Chiou,You-Wei Tzeng. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-01.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120181500A1. Автор: Mikawa Takumi,TSUJI Kiyotaka,Tominaga Kenji. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.

NON VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120287709A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-11-15.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120319071A1. Автор: NAKANO Takashi,Tabuchi Yoshiaki,TAMAI Yukio,Inoue Yushi,Awaya Nobuyoshi,Shibuya Takahiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-20.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING EMBEDDED NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH SIDEWALL GATE

Номер патента: US20130065368A1. Автор: Yasui Kan,HISAMOTO Digh,ISHIMARU Tetsuya,KIMURA Shin-ichiro. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2013-03-14.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS52146586A. Автор: Yuji Takeshita,Masanori Ihara. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-12-06.

Non-volatile semiconductor memory cell structure and its manufacturing method

Номер патента: TW507358B. Автор: Ching-Sung Yang,Ching-Shiang Shiu,Shr-Jie Shen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2002-10-21.

불휘발성 반도체 메모리 장치(non volatile semiconductor memory device)

Номер патента: KR980011495A. Автор: 정휘택,이승근. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-30.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND A MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120241867A1. Автор: Ono Hitohisa,NISHIKAWA Kazunori. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-09-27.

Non-volatile semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: TW388993B. Автор: Weon-Ho Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-05-01.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120235109A1. Автор: Nojiri Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-09-20.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND READING METHOD THEREOF

Номер патента: US20130308380A1. Автор: KIM Hyung-Seok. Владелец: . Дата публикации: 2013-11-21.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacture thereof

Номер патента: JPH11102976A. Автор: Masahiro Ono,正寛 小野,貴重 尾形,Takashige Ogata. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-13.

Non volatile semiconductor memory device and manufacture thereof

Номер патента: JPH11176954A. Автор: 俊彦 近藤,Toshihiko Kondo,Tomoyuki Furuhata,智之 古畑,孝介 増澤,Kosuke Masuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 1999-07-02.

Non-volatile semiconductor memory device and manufacture thereof

Номер патента: JPH1027857A. Автор: Machio Yamagishi,万千雄 山岸. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Semiconductor device and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH10308461A. Автор: Nobuyoshi Takeuchi,信善 竹内. Владелец: Nippon Kokan Ltd. Дата публикации: 1998-11-17.

Non-volatile semiconductor memory and method of operating the same

Номер патента: AU2002222717A1. Автор: Woong-Lim Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-10.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20130016577A1. Автор: NAGADOMI Yasushi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-01-17.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, METHOD OF WRITING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120106246A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-05-03.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20130248975A1. Автор: Iwata Yoshihisa,HISHIDA Tomoo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-09-26.

Non-volatile semiconductor memory device and its manufacturing method

Номер патента: JPH1050945A. Автор: Yuichi Egawa,雄一 江川. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1998-02-20.

Non-volatile semiconductor memory device and its manufacturing method

Номер патента: JP2006319352A. Автор: Masatoshi Arai,雅利 荒井,Takahiko Hashizume,貴彦 橋爪. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-24.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE ADAPTED TO STORE A MULTI-VALUED DATA IN A SINGLE MEMORY CELL

Номер патента: US20120236657A1. Автор: Chen Jian,Tanaka Tomoharu. Владелец: . Дата публикации: 2012-09-20.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120149187A1. Автор: Kamiya Eiji. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-14.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND PROCESS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120248524A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-10-04.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICES AND ERROR CORRECTION METHODS

Номер патента: US20120254686A1. Автор: ESUMI Atsushi,Li Kai. Владелец: SIGLEAD Inc.. Дата публикации: 2012-10-04.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120256249A1. Автор: MURAOKA Koichi,YASUDA Naoki,NAKASAKI Yasushi,Kikuchi Shoko. Владелец: . Дата публикации: 2012-10-11.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND ELECTRONIC APPARATUS

Номер патента: US20120268995A1. Автор: Sugimoto Akira,KOUNO Kazuyuki,TOKI Masahiro,MISHIMA Satoshi,Kikukawa Hirohito,Mukunoki Toshio. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-10-25.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120280303A1. Автор: Sakuma Kiwamu,KUSAI Haruka,Kiyotoshi Masahiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-11-08.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130069118A1. Автор: MORI Shinji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-03-21.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF WRITING DATA THEREIN

Номер патента: US20130077402A1. Автор: IZUMI Tatsuo. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-03-28.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF READING DATA THEREOF

Номер патента: US20130100754A1. Автор: SHIRAKAWA Masanobu,ASAOKA Norichika. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-04-25.

Non-volatile semiconductor memory with high reliability and data erasing method thereof

Номер патента: TW201628006A. Автор: 白田里一郎. Владелец: 華邦電子股份有限公司. Дата публикации: 2016-08-01.

SPLIT GATE TYPE NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120164823A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-06-28.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120068256A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-22.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120075913A1. Автор: Murooka Kenichi,KUNITAKE Tetsuji. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-29.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120079354A1. Автор: Honma Mitsuaki,Uchikawa Hironori,ISHIKAWA Tatsuyuki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-03-29.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120112265A1. Автор: AJIKA Natsuo,SHUKURI Shoji,SHIMIZU Satoshi,OGURA Taku. Владелец: Genusion, Inc.. Дата публикации: 2012-05-10.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120140558A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-06-07.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120144273A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-06-07.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE WITH POWER SAVING FEATURE

Номер патента: US20120159055A1. Автор: OH HakJune. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-21.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120176836A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-12.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE CAPABLE OF IMPROVING FAILURE-RELIEF EFFICIENCY

Номер патента: US20120182803A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-19.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE FOR SUPPRESSING DETERIORATION IN JUNCTION BREAKDOWN VOLTAGE AND SURFACE BREAKDOWN VOLTAGE OF TRANSISTOR

Номер патента: US20120199896A1. Автор: ENDO Masato,Noguchi Mitsuhiro,KUTSUKAKE Hiroyuki. Владелец: . Дата публикации: 2012-08-09.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120243309A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-09-27.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120243317A1. Автор: INOUE Satoshi,SUZUKI Yuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-09-27.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120250420A1. Автор: SUKEGAWA Hiroshi,SHIRAKAWA Masanobu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-10-04.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120269001A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-10-25.

METHOD OF FORMING PROCESS FOR VARIABLE RESISTIVE ELEMENT AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120300532A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120320678A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-12-20.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120320697A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-12-20.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130003454A1. Автор: Edahiro Toshiaki,Noguchi Masahiro,Ueno Koki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-01-03.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130026566A1. Автор: KUTSUKAKE Hiroyuki,SUGIMAE Kikuko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-01-31.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130042164A1. Автор: TAKAHASHI Hidenori,Suzuki Toshihiko,Haneda Terumasa,Uchida Atsushi. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2013-02-14.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130088910A1. Автор: MATSUNAMI Junya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-04-11.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130088918A1. Автор: MAEJIMA Hiroshi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-04-11.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, PRODUCTION METHOD FOR SAME, AND CHARGE STORAGE FILM

Номер патента: US20130113034A1. Автор: Watanabe Hiroaki,Zama Hideaki,Takagi Makiko,Kobayashi Kiyoteru,Takahara Yu. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-09.

REVERSIBLE WRITE-PROTECTION FOR NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130117499A1. Автор: Shao Dan,Hao Qingshan,Xu Hongru. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-09.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130194868A1. Автор: HASHIMOTO Toshifumi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-08-01.

Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS62165370A. Автор: Toshiki Tsushima,対馬　敏樹. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1987-07-21.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.