Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Oxygen-free etching of non-volatile metals

Номер патента: US20230420267A1
Опубликовано: 28-12-2023
Автор(ы): Aelan Mosden, Ivo Otto, IV, Qi Wang, Stephanie OYOLA-REYNOSO
Принадлежит: Tokyo Electron Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Oxygen-free etching of non-volatile metals

Номер патента: WO2023230294A1. Автор: Qi Wang,Aelan Mosden,Stephanie OYOLA-REYNOSO,Ivo OTTO IV. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2023-11-30.

Focused ion beam process for selective and clean etching of copper

Номер патента: EP2470688A1. Автор: Vladimir V. Makarov. Владелец: Tiza Lab LLC. Дата публикации: 2012-07-04.

Focused ion beam process for selective and clean etching of copper

Номер патента: WO2011025770A1. Автор: Vladimir V. Makarov. Владелец: Tiza Lab, L.L.C.. Дата публикации: 2011-03-03.

Focused ion beam process for selective and clean etching of copper

Номер патента: SG178505A1. Автор: Vladimir V Makarov. Владелец: Tiza Lab L L C. Дата публикации: 2012-03-29.

Fabricating method of non-volatile memory device

Номер патента: US10026644B2. Автор: Hiroshi Watanabe. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

FABRICATING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150235893A1. Автор: Watanabe Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-20.

Method for fabricating of non-volatile memory device

Номер патента: KR100811280B1. Автор: 김남경,이주엽. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-03-07.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070259496A1. Автор: Chun-Pei Wu,Hsin-Fu Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Interconnects based on subtractive etching of silver

Номер патента: US09911648B2. Автор: Eric A. Joseph,Hiroyuki Miyazoe,Brett C. Baker-O'Neal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Interconnects based on subtractive etching of silver

Номер патента: US09564362B2. Автор: Eric A. Joseph,Hiroyuki Miyazoe,Brett C. Baker-O'Neal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-07.

Chip and method for self-aligned etching of contacts of chips

Номер патента: US20220102524A1. Автор: Dong Zhang,Peng Huang,Shaojun Sun. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

Laser etching of semiconductors

Номер патента: US5486264A. Автор: Osman A. Ghandour. Владелец: Columbia University of New York. Дата публикации: 1996-01-23.

Method for fabricating of Non-volatile memory device

Номер патента: KR101146872B1. Автор: 윤광현. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-05-17.

Simple integration of non-volatile memory and complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US09881930B1. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Fabricating method of non-volatile memory

Номер патента: US20130217218A1. Автор: Ya-Jui Lee,Ying-Chia Lin. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2013-08-22.

MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY STRUCTURE

Номер патента: US20200035698A1. Автор: Wang Zih-Song. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2020-01-30.

SIMPLE INTEGRATION OF NON-VOLATILE MEMORY AND COMPLEMENTARY METAL OXIDE SEMICONDUCTOR

Номер патента: US20180130811A1. Автор: Leobandung Effendi. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-10.

Manufacturing method of non-volatile memory structure

Номер патента: US10600798B2. Автор: Zih-Song Wang. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-03-24.

Creation of a polarizable layer in the buried oxide of silicon-on-insulator substrates for the fabrication of non-volatile memory

Номер патента: US20030082887A1. Автор: Harold Hughes,Patrick McMarr,Reed Lawrence. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2003-05-01.

Controlled dry etch of a film

Номер патента: US7288476B2. Автор: Ronnie P. Varghese. Владелец: Avago Technologies General IP Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2007-10-30.

Chamber for patterning non-volatile metals

Номер патента: US09953843B2. Автор: Thorsten Lill,Meihua Shen,Shuogang Huang,Theo Panagopoulos. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Non-volatile memory with zoned control for limiting programming for different groups of non-volatile memory cells

Номер патента: US12119065B2. Автор: Yi Song,Jiahui Yuan,Jiacen Guo,Xiaochen Zhu,Lito De La RAMA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-15.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8411477B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-02.

Layer-layer etch of non volatile materials

Номер патента: WO2013154867A1. Автор: Joydeep Guha,Jeffrey Marks,Butsurin JINNAI. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-17.

Layer-layer etch of non volatile materials

Номер патента: SG10201608573XA. Автор: Joydeep Guha,Jeffrey Marks,Butsurin JINNAI. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Layer-layer etch of non volatile materials

Номер патента: SG11201406233VA. Автор: Joydeep Guha,Jeffrey Marks,Butsurin JINNAI. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2014-10-30.

Manufacturing method of non-volatile memory devices

Номер патента: KR0150047B1. Автор: 장희현. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-10-01.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US09466605B2. Автор: Kai-Yao Shih,Chi-Kai Feng,Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Fabricating method of non-volatile memory cell

Номер патента: US7749838B2. Автор: Chi-Pin Lu,Shing-Ann Luo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-06.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US20160172367A1. Автор: Kai-Yao Shih,Chi-Kai Feng,Ssu-Ting Wang,Te-Yuan Yin,Tzung-Hua Ying. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-06-16.

Manufacturing method of non-volatile device utilizing implantation process and device thereby

Номер патента: KR100688504B1. Автор: 박찬진,조기현,김정우,최석호,조훈영,한정희,오종수,로버트 지 엘리먼. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-03-02.

MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20160172367A1. Автор: Ying Tzung-Hua,Shih Kai-Yao,Wang Ssu-Ting,Yin Te-Yuan,Feng Chi-Kai. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

Chamber for patterning non-volatile metals

Номер патента: US20170229317A1. Автор: Thorsten Lill,Meihua Shen,Shuogang Huang,Theo Panagopoulos. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Chamber for patterning non-volatile metals

Номер патента: JP6948797B2. Автор: トルステン・リル,メイファ・シェン,シュオガン・ホワン,テオ・パナゴポウロス. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2021-10-13.

Room for patterning non-volatile metal

Номер патента: CN107045969A. Автор: 沈美华,索斯藤·利尔,黄硕刚,西奥·帕纳戈波罗斯. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Integration of non-volatile charge trap memory devices and logic cmos devices

Номер патента: WO2008147529A1. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Sam Geha,Fredrick B. Jenne,Sagy Levy,Igor Kouznetsov,Jeremy Warren,Ravindra Kapre,William W.C. KOUTNY, Jr.. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2008-12-04.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US20140127894A1. Автор: Chun-Lien Su,Shaw-Hung Ku,Chi-Pei Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-08.

Manufacturing method of non-volatile memory and non-volatile memory

Номер патента: US20170250188A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Chien-Hsuan Liu,Chih-Ming Lee,Hung-Che Liao,Kun-Tsang Chuang,Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-31.

Non-volatile memory device, set of non-volatile storage and manufacture method thereof

Номер патента: CN102446922B. Автор: 本田元就,角野润. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-02-24.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: WO2024072806A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

System and method of uv programming of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US20160035737A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

System and method of UV programming of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: US09607999B2. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US09548087B2. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

CO-INTEGRATION OF NON-VOLATILE MEMORY ON GATE-ALL-AROUND FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20210028175A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Zheng,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20140127894A1. Автор: SU Chun-Lien,Ku Shaw-Hung,Lu Chi-Pei. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2014-05-08.

In-Situ Formation of Non-Volatile Lanthanide Thin Film Precursors and Use in ALD and CVD

Номер патента: US20180366322A1. Автор: David Thompson,Jeffrey W. Anthis,Benjamin Schmiege. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Method of forming memory cell of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100196594B1. Автор: 오야마겐이치. Владелец: 닛본 덴기 가부시끼가이샤. Дата публикации: 1999-06-15.

Integration of non-volatile charge trap memory devices and logic CMOS devices

Номер патента: TW201347048A. Автор: Krishnaswamy Ramkumar,Sagy Levy,Fred Jenne. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-11-16.

Anti-fuse and method for forming the same, unit cell of non volatile memory device with the same

Номер патента: TW200943486A. Автор: Chang-Hee Shin,Ki-Seok Cho,Seong-Do Jeon. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2009-10-16.

Method of forming oxide-nitride-oxide stack of non-volatile memory and integration to cmos process flow

Номер патента: US20240107771A1. Автор: Michael Allen,Krishnaswamy Ramkumar. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

SYSTEM AND METHOD OF UV PROGRAMMING OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20160035737A1. Автор: Lin Chih-Hsien,Lu Hsiang-Tai. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-04.

CO-INTEGRATION OF NON-VOLATILE MEMORY ON GATE-ALL-AROUND FIELD EFFECT TRANSISTOR

Номер патента: US20200273861A1. Автор: Cheng Kangguo,Xu Zheng,Bi Zhenxing,Kong Dexin. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-27.

Method of forming gate of non-volatile memory device

Номер патента: KR100460028B1. Автор: 임헌형,김봉현,이현덕,형용우. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-12-03.

Anti-fuse and method for forming the same, unit cell of non volatile memory device with the same

Номер патента: US8513770B2. Автор: Chang-Hee Shin,Ki-Seok Cho,Seong-Do Jeon. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-08-20.

Method to etch non-volatile metal materials

Номер патента: US20150280114A1. Автор: Jeffrey Marks,Prithu Sharma,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Meihua Shen,Wenbing Yang,Samantha S.H. Tan,Richard P. Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

CHAMBER FOR PATTERNING NON-VOLATILE METALS

Номер патента: US20180204738A1. Автор: SHEN MEIHUA,LILL Thorsten,Panagopoulos Theo,Huang Shuogang. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

Method to etch non-volatile metal materials

Номер патента: US20150280114A1. Автор: Jeffrey Marks,Prithu Sharma,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Meihua Shen,Wenbing Yang,Samantha S.H. Tan,Richard P. Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Method to etch non-volatile metal materials

Номер патента: US20150340603A1. Автор: Jeffrey Marks,Prithu Sharma,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Meihua Shen,Wenbing Yang,Samantha S.H. Tan,Richard P. Janek. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2015-11-26.

Method for residue-free anisotropic etching of aluminum and its alloys

Номер патента: WO2000029640A9. Автор: Jeffrey Stokes,Timothy R Webb,Savitha Nanjangud,Marlene Li. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-11-09.

Method of detecting an endpoint during etching of a material within a recess

Номер патента: US20030082919A1. Автор: Meihua Shen,Jeffrey Chinn,Wilfred Pau. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-05-01.

Method for performing selective etching of a semiconductor material in solution

Номер патента: US09831095B2. Автор: Pascal Besson,Virginie Loup. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-11-28.

Wet etch process and method to provide uniform etching of material formed within features having different critical dimension (cd)

Номер патента: WO2024058863A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter D'ELIA. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-21.

Methods to prevent surface charge induced cd-dependent etching of material formed within features on a patterned substrate

Номер патента: US20240096638A1. Автор: Robert Clark,Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Wet etch process and method to provide uniform etching of material formed within features having different critical dimension (CD)

Номер патента: US12100599B2. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods to provide uniform wet etching of material within high aspect ratio features provided on a patterned substrate

Номер патента: US20240105455A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Vapor-phase etch of metal-containing materials

Номер патента: WO2024215408A1. Автор: NGUYEN Vu,Bhushan Zope,Martin MCBRIARTY. Владелец: Versum Materials US, LLC. Дата публикации: 2024-10-17.

Solution based etching of titanium carbide and titanium nitride structures

Номер патента: US09831100B2. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,John Foster,Sean Lin,Ruilong Xie. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2017-11-28.

Vapor phase etching of hafnia and zirconia

Номер патента: US20170352549A1. Автор: Bryan C. Hendrix. Владелец: ENTEGRIS, INC.. Дата публикации: 2017-12-07.

Vapor phase etching of hafnia and zirconia

Номер патента: US10002772B2. Автор: Bryan C. Hendrix. Владелец: Entegris Inc. Дата публикации: 2018-06-19.

Device for liquid chemical etching of semiconductor products

Номер патента: RU2746672C1. Автор: Юлия Валерьевна Сухорослова,Денис Сергеевич Веселов,Юрий Александрович Воронов. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ" (НИЯУ МИФИ). Дата публикации: 2021-04-19.

Determination of etching parameters for pulsed xenon difluoride (xef2) etching of silicon using chamber pressure data

Номер патента: WO2014176405A1. Автор: Zayd LESEMAN,Khawar ABBAS,Mirza ELAHI,Joseph BUTNER,Denise PINON. Владелец: STC. UNM. Дата публикации: 2014-10-30.

Reactor for plasma-based atomic layer etching of materials

Номер патента: US09620382B2. Автор: Gottlieb S. Oehrlein,Dominik Metzler. Владелец: UNIVERSITY OF MARYLAND AT COLLEGE PARK. Дата публикации: 2017-04-11.

System and method for controlling directionality of fast-wet etching of crystalline silicon, c-Si

Номер патента: US11906946B2. Автор: Frank Holsteyns,Michel Bosman,Antoine Pacco,Utkur MIRSAIDOV,Tanmay Ghosh,Zainul Aabdin. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2024-02-20.

Method for highly anisotropic etching of titanium oxide spacer using selective top-deposition

Номер патента: US12009211B2. Автор: Stephanie OYOLA-REYNOSO,Angelique RALEY,Shihsheng Chang,Eric Chih-Fang Liu,Katie Lutker-Lee,Ya-Ming Chen. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

SYSTEM AND METHOD FOR CONTROLLING DIRECTIONALITY OF FAST-WET ETCHING OF CRYSTALLINE SILICON, c-SI

Номер патента: US20220113701A1. Автор: Frank Holsteyns,Michel Bosman,Antoine Pacco,Utkur MIRSAIDOV,Tanmay Ghosh,Zainul Aabdin. Владелец: Agency for Science Technology and Research Singapore. Дата публикации: 2022-04-14.

Method for preventing excessive etching of edges of an insulator layer

Номер патента: US10249508B2. Автор: Xianchao WANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-04-02.

Method for etching of sio2 layers on thin wafers

Номер патента: WO2013092759A2. Автор: Reiner Fischer,Marcello Riva,Gerd Walther. Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2013-06-27.

Method for etching of sio2 layers on thin wafers

Номер патента: WO2013092759A3. Автор: Reiner Fischer,Marcello Riva,Gerd Walther. Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2014-02-20.

Method and system for high precision etching of substrates

Номер патента: US09881804B2. Автор: Merritt Funk,Jianping Zhao. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Methods for high precision etching of substrates

Номер патента: US09768033B2. Автор: Alok Ranjan,Peter L. G. Ventzek,Mingmei Wang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Lateral electrochemical etching of III-nitride materials for microfabrication

Номер патента: US09583353B2. Автор: Jung Han. Владелец: YALE UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-02-28.

Method and apparatus for the etching of photomask substrates using pulsed plasma

Номер патента: EP1444726A1. Автор: David J. Johnson,Christopher Constantine,Shinzo Onishi. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2004-08-11.

Method of anisotropic plasma etching of silicon microstructures in a cyclic two-step oxidation-etching process

Номер патента: RU2691758C1. Автор: Владимир Федорович Лукичев,Константин Васильевич Руденко,Юрий Федорович Семин,Сергей Николаевич Аверкин,Андрей Валерьевич Мяконьких,Александр Павлович Антипов,Алексей Анатольевич Рылов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технологический институт имени К.А. Валиева Российской академии наук (ФТИАН им К.А. Валиева РАН). Дата публикации: 2019-06-18.

Etching of silicon nitride and silica deposition control in 3d nand structures

Номер патента: US20200027891A1. Автор: Derek Bassett,Ihsan Simms,Antonio Rotondaro,Trace Hurd. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Method for the selective dry etching of layers of III-V group semiconductive materials

Номер патента: US4742026A. Автор: Jean Vatus,Jean Chevrier. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1988-05-03.

Anisotropic plasma etching of trenches in silicon by control of substrate temperature

Номер патента: GB2341348A. Автор: Franz Laermer,Andrea Schilp,Volker Becker. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2000-03-15.

Process for the localised etching of silicone crystals

Номер патента: CA1036473A. Автор: Ulrich Schwabe. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1978-08-15.

Selective etching of silicon dioxide compositions

Номер патента: MY147667A. Автор: Stephen Andrew Motika,Glenn Michael Mitchell,Andrew David Johnson. Владелец: Air Prod & Chem. Дата публикации: 2012-12-31.

Electrolytic oxidation and etching of III-V compound semiconductors

Номер патента: US3898141A. Автор: Bertram Schwartz,Felix Ermanis. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1975-08-05.

Device fabrication by plasma etching of aluminum rich surfaces

Номер патента: CA1121306A. Автор: David N. Wang,Hyman J. Levinstein. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-04-06.

Non-Volatile Memory Cell and Layout Structure of Non-Volatile Memory Device

Номер патента: US20110073924A1. Автор: Hui-Fang Tsai,Hung-Lin Shih,Pei-Ching Yin,Bin Chen, JR.. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-03-31.

Erasing method of non-volatile memory

Номер патента: US20090059679A1. Автор: Chih-Lung Hung. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20040135191A1. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-15.

Cell structure of non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US6995421B2. Автор: Tae-jung Lee,Byung-Sun Kim,Joon-Hyung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-07.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: US20070092997A1. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080144395A1. Автор: Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-19.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20210028175A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-28.

Manufacturing method of non-volatile semiconductor memory device and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20170256554A1. Автор: Hiroaki Naito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US20090061582A1. Автор: Chih-Lung Hung. Владелец: Episil Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Co-integration of non-volatile memory on gate-all-around field effect transistor

Номер патента: US20200273861A1. Автор: ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Dexin Kong,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-27.

Method to increase charge retention of non-volatile memory

Номер патента: WO2007089558A3. Автор: Dennis Sinitsky,Wingyu Leung,Gang-feng Fang. Владелец: Monolithic System Tech Inc. Дата публикации: 2007-11-29.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080279001A1. Автор: Chih-Chen Cho,Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Operating method of non-volatile memory

Номер патента: US20080151645A1. Автор: Ching-Sung Yang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

DESIGNING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140146594A1. Автор: Hayakawa Yukio,TSUJI Kiyotaka,Yoneda Shinichi,Kawahara Akifumi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-05-29.

MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT, AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140225054A1. Автор: Ito Satoru,Fujii Satoru,Yoneda Shinichi. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2014-08-14.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8427859B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-04-23.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8542513B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-09-24.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, methods of forming arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells, and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8760910B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, Methods Of Forming Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, And Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20110261607A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-27.

Dual performance trim for optimization of non-volatile memory performance, endurance, and reliability

Номер патента: US11894060B2. Автор: Ajay Shyam Manwani. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Dual performance trim for optimization of non-volatile memory performance, endurance, and reliability

Номер патента: US20230307054A1. Автор: Ajay Shyam Manwani. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Magnetic shielding package of non-volatile magnetic memory element

Номер патента: US9553052B2. Автор: Shinji Watanabe,Hiroaki Matsubara,Toshihiro Iwasaki,Kiminori Ishido,Tomoshige Chikai,Michiaki Tamakawa. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE STORAGE DEVICE, AND NON-VOLATILE STORAGE DEVICE

Номер патента: US20140042383A1. Автор: Yamamoto Kazuhiko,INOKUMA Hideki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-02-13.

DATA STORING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, AND DATA WRITE CIRCUIT OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20150213890A1. Автор: Katoh Yoshikazu. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-30.

MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170256554A1. Автор: NAITO Hiroaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2017-09-07.

Non-volatile memory, memory card and information processing device using same, and software write protect control method of non-volatile memory

Номер патента: KR960009220A. Автор: 마나부 이노우에,다카오 오쿠보,시게루 가도와키,사토루 나카니시,마사미치 키시,시게루 스즈키,야스로 구보타,히로노리 이와사키. Владелец: 히타치 도오부 세미콘덕터 가부시키가이샤. Дата публикации: 1996-03-22.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells and methods of reading a data value stored by an array of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US8743589B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-03.

The manufacture method of non-volatility memorizer and non-volatility memorizer

Номер патента: CN103378105B. Автор: 朴健植,白圭夏. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2016-02-03.

Fabricating method of non-volatile memory structure

Номер патента: US20140209992A1. Автор: Chih-Chieh Cheng,Wen-Jer Tsai,Shih-Guei Yan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

Resistive element and memory cell of non-volatile memory and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150206924A1. Автор: Chrong-Jung Lin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-07-23.

Memory cell of non-volatile memory

Номер патента: US11877456B2. Автор: Wein-Town Sun,Ying-Je Chen,Chun-Hsiao Li,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Method to improve data retention of non-volatile memory in logic processes

Номер патента: US20220415914A1. Автор: Shih-Hsien Chen,Wen-Shun Lo,Tai-Yi Wu,Ying Kit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Array of non-volatile memory cells with floating gates formed of spacers in substrate trenches

Номер патента: TWI375331B. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2012-10-21.

Array of non-volatile memory cells with floating gates formed of spacers in substrate trenches

Номер патента: TW200828597A. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-07-01.

Array of non-volatile memory cells with ROM cells

Номер патента: US09601500B2. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xian Liu,Kai Man Yue,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Structures and Methods of Improving Reliability of Non-Volatile Memory Devices

Номер патента: US20120286348A1. Автор: Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2012-11-15.

Structure and method for healing tunnel dielectric of non-volatile memory cells

Номер патента: US20130194875A1. Автор: Fuchen Mu,Yanzhuo Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-08-01.

Memory cell of non-volatile memory

Номер патента: US20220085038A1. Автор: Wein-Town Sun,Ying-Je Chen,Chun-Hsiao Li,Hsueh-Wei Chen. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Fabricating method of non-volatile memory structure

Номер патента: US20140209992A1. Автор: Chih-Chieh Cheng,Wen-Jer Tsai,Shih-Guei Yan. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-31.

RESISTIVE ELEMENT AND MEMORY CELL OF NON-VOLATILE MEMORY AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20150206924A1. Автор: Lin Chrong-Jung. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-23.

MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20140308791A1. Автор: Yan Shih-Guei,Tsai Wen-Jer,Cheng Chih-Chieh,CHENG CHENG-HSIEN. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-16.

Array Of Non-volatile Memory Cells With ROM Cells

Номер патента: US20160254269A1. Автор: Jinho Kim,Nhan Do,Vipin Tiwari,Xiaozhou QIAN,Xian Liu,Kai Man Yue,Ning BAI. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Daisy chain layout of non-volatile memory

Номер патента: JP5189072B2. Автор: ジン−キ・キム. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-04-24.

Program method of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: KR100223868B1. Автор: 최웅림. Владелец: 엘지반도체주식회사. Дата публикации: 1999-10-15.

A daisy chain arrangement of non-volatile memories

Номер патента: KR101365827B1. Автор: 진기 김. Владелец: 모사이드 테크놀로지스 인코퍼레이티드. Дата публикации: 2014-02-20.

Method for fabricating of non-volatile memory device

Номер патента: KR100594391B1. Автор: 정진효. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-06-30.

Manufacturing method of non-volatile memory device

Номер патента: US9012294B2. Автор: Satoru Fujii,Takumi Mikawa,Haruyuki Sorada. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-21.

Daisy chain arrangement of non-volatile memories

Номер патента: CN101410814B. Автор: 金镇祺. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-07-17.

Method for fabricating of non-volatile memory device

Номер патента: KR100604532B1. Автор: 정진효. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-24.

Last-first mode and method for programming of non-volatile memory of nand type with reduced program disturb

Номер патента: KR100984563B1. Автор: 준 완,제프리 더블유. 룻제. Владелец: 샌디스크 코포레이션. Дата публикации: 2010-10-01.

Manufacture of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH1027890A. Автор: Shoichi Sasaki,正一 佐々木. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-01-27.

Method for fabricating of non-volatile memory device

Номер патента: KR100602938B1. Автор: 정진효. Владелец: 동부일렉트로닉스 주식회사. Дата публикации: 2006-07-19.

Fabrication Method of Non-Volatile Nnano Floating Gate Memory Device having Metal Quantum Dots

Номер патента: KR101105456B1. Автор: 이은정,홍진표,최원준,도영호,윤갑수,양정엽. Владелец: 한양대학교 산학협력단. Дата публикации: 2012-01-17.

Structure and method for healing tunnel dielectric of non-volatile memory cells

Номер патента: US8947940B2. Автор: Fuchen Mu,Yanzhuo Wang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-02-03.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: KR100919891B1. Автор: 항팅 루에,얼쿤 라이,스주 유 왕. Владелец: 매크로닉스 인터내셔널 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2009-09-30.

Method for process integration of non-volatile memory cell transistors with transistors of another type

Номер патента: US7439134B1. Автор: Mehul D. Shroff,Erwin J. Prinz. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2008-10-21.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: TW510048B. Автор: Dau-Jeng Lu,Hung-Suei Lin,Han-Jau Lai. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-11-11.

Self aligned method of forming a semiconductor array of non-volatile memory cells

Номер патента: US20030215999A1. Автор: Chien-Sheng Su,Geeng-Chuan Chern. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-20.

Method for fabricating of non-volatile memory device

Номер патента: KR20050070800A. Автор: 정진효. Владелец: 동부아남반도체 주식회사. Дата публикации: 2005-07-07.

A daisy chain arrangement of non-volatile memories

Номер патента: CA2644593A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Jin-Ki Kim. Дата публикации: 2007-10-04.

A daisy chain arrangement of non-volatile memories

Номер патента: EP1999601A1. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-10.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: KR20070120887A. Автор: 항팅 루에,얼쿤 라이,스주 유 왕. Владелец: 매크로닉스 인터내셔널 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2007-12-26.

Last-first mode and method for programming of non-volatile memory of nand type with reduced program disturb

Номер патента: EP1943652B1. Автор: Jeffrey W. Lutze,Jun Wan. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-10-27.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: EP2553684A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2013-02-06.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: TW201203519A. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2012-01-16.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: IL222207A0. Автор: . Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2012-12-31.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US20140293724A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: IL222207A. Автор: . Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2016-05-31.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: WO2011123583A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2011-10-06.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: EP2966648B1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-07.

Manufacturing of non-volatile resistance variable devices and programmable memory cells

Номер патента: EP1430548B1. Автор: John T. Moore,Kristy A. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-12-20.

Structures and operational methods of non-volatile dynamic random access memory devices

Номер патента: US20140029340A1. Автор: Lee Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-30.

MAGNETIC SHIELDING PACKAGE OF NON-VOLATILE MAGNETIC MEMORY ELEMENT

Номер патента: US20160172580A1. Автор: Watanabe Shinji,Chikai Tomoshige,Matsubara Hiroaki,ISHIDO Kiminori,IWASAKI Toshihiro,TAMAKAWA Michiaki. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-16.

STRUCTURE AND METOHDS OF IMPROVING RELIABILITY OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20140342542A1. Автор: Tan Shyue Seng. Владелец: . Дата публикации: 2014-11-20.

Array Of Non-volatile Memory Cells With ROM Cells

Номер патента: US20160379941A1. Автор: Kim Jinho,Do Nhan,Yue Kai Man,Qian Xiaozhou,Bai Ning,Liu Xian,Tiwari Vipin. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

Manufacturing method of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0138312B1. Автор: 이정형,최정혁. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1998-04-28.

Daisy chain layout of non-volatile memory

Номер патента: JP5575856B2. Автор: ジン−キ・キム. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2014-08-20.

Cell array structure of non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing thereof

Номер патента: KR100242723B1. Автор: 최정혁,김건수. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-02-01.

Cell array structure of non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: KR100777348B1. Автор: 박영우,최정달,박진택,설종선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-11-20.

Erasing and the method for refresh of non-volatile memory part

Номер патента: CN106169304A. Автор: 金汉洙,韩真晚,沈善一,张在薰,孙炳根,沈善. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-30.

Manufacture of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPS5816573A. Автор: Shozo Saito,斎藤　昇三. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-31.

Arrays of vertically stacked tiers of non-volatile cross point memory cells

Номер патента: US9036402B2. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sanh D. Tang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Well structure of non-volatile memory device and method for manufacturing the same

Номер патента: KR100260559B1. Автор: 장동수,김장래. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-07-01.

Fabrication method of non-volatile memory device

Номер патента: KR100247225B1. Автор: 최정혁,이헌규. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-15.

Manufacturing of non-volatile memory cells

Номер патента: JP2005513800A. Автор: ユリアーン、シュミッツ. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-05-12.

Manufacturing method and structure of non-volatile memory

Номер патента: US8389358B2. Автор: Hung-Lin Shih,Chih-Ta Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-03-05.

Operation method of non-volatile memory structure

Номер патента: US20060268607A1. Автор: Fuja Shone. Владелец: Skymedi Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Method for forming a pattern of non-volatile ferroelectric thin film memory

Номер патента: KR100250001B1. Автор: 노부유키 소야마,히로토 우치다,카쯔미 오기,쭈토무 아쭈키,타다시 요네자와. Владелец: 후지무라 마사지카, 아키모토 유미. Дата публикации: 2000-05-01.

A daisy chain arrangement of non-volatile memories

Номер патента: EP2031516A2. Автор: Jin-Ki Kim. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2009-03-04.

Last-first mode, method and apparatus for programming of non-volatile memory with reduced program disturb

Номер патента: TWI312155B. Автор: Jun Wan,Jeffrey W Lutze. Владелец: Sandisk Corporatio. Дата публикации: 2009-07-11.

An array of non-volatile memory cells having ROM cells

Номер патента: KR102003628B1. Автор: 김진호,난 두,시안 리우,비핀 티와리,닝 바이,카이 만 유에,샤오조우 치안. Владелец: 실리콘 스토리지 테크놀로지 인크. Дата публикации: 2019-07-24.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: US20080153231A1. Автор: Saysamone Pittikoun,Houng-Chi Wei. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Process for manufacture of non-volatile semiconductor storage element

Номер патента: WO2012063495A1. Автор: 健生 二宮,三河　巧,早川　幸夫,川島　良男. Владелец: パナソニック株式会社. Дата публикации: 2012-05-18.

Manufacturing of non-volatile resistance variable devices and programmable memory cells

Номер патента: WO2003019691A3. Автор: Kristy A Campbell,John T Moore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-01-08.

Structure and metohds of improving reliability of non-volatile memory devices

Номер патента: US20140342542A1. Автор: Shyue Seng Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2014-11-20.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: US20130163363A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-06-27.

Systems and methods of non-volatile memory sensing including selective/differential threshold voltage features

Номер патента: SG184371A1. Автор: Hieu Van Tran,Samar Saha. Владелец: Silicon Storage Tech Inc. Дата публикации: 2012-11-29.

Manufacturing of non-volatile resistance variable devices and programmable memory cells

Номер патента: EP1430548A2. Автор: John T. Moore,Kristy A. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-06-23.

Production of non-volatile semiconductor memory element

Номер патента: JPS53132277A. Автор: Katsuhiro Tsukamoto,Yoichi Akasaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1978-11-17.

Method of fabricating an array of non-volatile memory cells

Номер патента: US20020182809A1. Автор: Takahiro Fukumoto,Yueh Ma. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2002-12-05.

Fabrication method of non-volatile memory device

Номер патента: TW415102B. Автор: Ta-Lee Yu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2000-12-11.

Memory cell and array structure of non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20240161833A1. Автор: Hsueh-Wei Chen,Wei-Chiang ONG. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

System And Method For Controllable Non-Volatile Metal Removal

Номер патента: US20170159188A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Tsung-Liang Chen,Benjamin Schmiege,Glen Gilchrist. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-06-08.

System and method for controllable non-volatile metal removal

Номер патента: US09611552B2. Автор: Jeffrey W. Anthis,Tsung-Liang Chen,Benjamin Schmiege,Glen Gilchrist. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

System And Method For Controllable Non-Volatile Metal Removal

Номер патента: US20160265121A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Tsung-Liang Chen,Benjamin Schmiege,Glen Gilchrist. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2016-09-15.

System and method for controllable non-volatile metal removal

Номер патента: EP3268984A1. Автор: Jeffrey W. Anthis,Tsung-Liang Chen,Benjamin Schmiege,Glen Gilchrist. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-01-17.

System And Method For Controllable Non-Volatile Metal Removal

Номер патента: US20180265988A1. Автор: Anthis Jeffrey W.,Schmiege Benjamin,Gilchrist Glen,Chen Tsung-Liang. Владелец: . Дата публикации: 2018-09-20.

METHOD TO ETCH NON-VOLATILE METAL MATERIALS

Номер патента: US20150280113A1. Автор: SHEN MEIHUA,LILL Thorsten,Singh Harmeet,Tan Samantha S.H.,Marks Jeffrey,JANEK Richard P.,Yang Wenbing. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-01.

System and method for controllable non-volatile metal removal

Номер патента: EP3268984A4. Автор: Jeffrey W. Anthis,Tsung-Liang Chen,Benjamin Schmiege,Glen Gilchrist. Владелец: Varian Semiconductor Equipment Associates Inc. Дата публикации: 2018-11-14.

Method for producing active structure of non-volatile resistive memory element

Номер патента: RU2749028C1. Автор: Владимир Алексеевич Гриценко,Владимир Алексеевич Володин,Геннадий Николаевич Камаев,Андрей Андреевич Гисматуллин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук (ИФП СО РАН). Дата публикации: 2021-06-03.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: US12051468B2. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-30.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: EP4433892A1. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-25.

Apparatus and architecture of non-volatile memory module in parallel configuration

Номер патента: US12014078B2. Автор: Kong-Chen Chen. Владелец: Entrantech Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Array of non-volatile memory cells to store data in analog form and digital form

Номер патента: US20240220154A1. Автор: Hieu Van Tran. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-07-04.

Solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: CA3207537A1. Автор: Paul B. Giannelia. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2022-08-11.

Solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: AU2022217904A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Found. Дата публикации: 2023-08-31.

Solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: EP4288508A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2023-12-13.

Soft erase process during programming of non-volatile memory

Номер патента: WO2023091186A1. Автор: Deepanshu Dutta,Jiahui Yuan. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-05-25.

Method of the drip etching of the contact platform of the built-in diode of a photo converter

Номер патента: RU2681660C1. Автор: Борис Николаевич Самсоненко. Владелец: Публичное акционерное общество "Сатурн" (ПАО "Сатурн"). Дата публикации: 2019-03-12.

Method and device for preferential etching of dislocation of silicon carbide wafer

Номер патента: US11784038B2. Автор: Jiajun Li,Rong Wang,Deren Yang,Xiaodong Pi. Владелец: ZJU Hangzhou Global Scientific and Technological Innovation Center. Дата публикации: 2023-10-10.

Memory controller and method for accessing a plurality of non-volatile memory arrays

Номер патента: US20120096215A1. Автор: Xingyu Li,Kevin K. Zhang. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2012-04-19.

Improving data retention of last word line of non-volatile memory arrays

Номер патента: EP2340537A1. Автор: Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-07-06.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US09766961B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US9766961B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US09652311B2. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Erasing of a word or a page of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20240312517A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Output block for array of non-volatile memory cells

Номер патента: US20240282351A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Output block for a vector-by-matrix multiplication array of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2024172829A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Duc Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh,Hoa Vu,Nghia Le. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-22.

Enhanced operations of non-volatile memory with shared data transfer latches

Номер патента: US20240282392A1. Автор: Hua-Ling Cynthia Hsu,Frank Wanfang TSAI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Anticorrosive coating compound with high content of non-volatile components, quick-set anticorrosive coating compound with high content of non-volatile components, ship or similar coating process, anticorrosive film with high content of non-volatile components and quick-set anticorrosive film with high content of nonvolatile components after coating, filmy ship and submarine construction

Номер патента: RU2357992C2. Автор: Джиунджи НИИМОТО,Суси КАНАМЕДА,Томохиса СУМИДА,Юкио МИЯЧИ,Хидеюки ТАНАКА. Владелец: Чугоку Марин Пейнтс, Лтд.. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of controlling service life of non-volatile memory

Номер патента: RU2600525C2. Автор: Самюэль ШАРБУЙО,Ив ФУЗЕЛЛА,Стефан РИКАР. Владелец: Старшип. Дата публикации: 2016-10-20.

Methods and apparatus for use in sanitizing a network of non-volatile memory express devices

Номер патента: US20210318828A1. Автор: Markku Valtonen. Владелец: Blancco Technology Group IP Oy. Дата публикации: 2021-10-14.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US20190057737A1. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers

Номер патента: US20240256146A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: EP4128239A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US20160203864A1. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Adaptive configuration of non-volatile memory

Номер патента: US10026475B2. Автор: RAJESH Sundaram,David J. Zimmerman,Blaise Fanning,Shekoufeh Qawami. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-17.

Redundancy for an array of non-volatile memory cells using tag registers and for a redundant array using tag registers

Номер патента: WO2024162977A1. Автор: Hieu Van Tran,Thuan Vu,Stanley Hong,Kha Nguyen,Hien Pham,Stephen Trinh. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2024-08-08.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20180095678A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Local sensing of non-volatile memory

Номер патента: US20020085424A1. Автор: Balaji Srinivasan,Kerry Tedrow,Mark Bauer,Sandeep Guliani,Ritesh Trivedi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Systems and methods for support of non-volatile memory on a DDR memory channel

Номер патента: US09645746B2. Автор: Shawn J. Dube,Stuart Allen Berke. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2017-05-09.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336010A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11915747B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

Erase speed adjustment for endurance of non-volatile storage

Номер патента: US20150200019A1. Автор: Dana Lee,Henry Chin. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-07-16.

Extending shelf life of non-volatile memory devices

Номер патента: US20180210646A1. Автор: Adam J. McPadden,Janani Swaminathan,Trinadhachari Kosuru,Prashanth K. Kasula,Preetham H. Raghavendra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Anti-fouling paint composition with high content of non-volatile components, anti-fouling coating film, base with coating film, anti-fouling base, method of forming coating film on base surface, method of endowing base with anti-fouling properties and set of anti-fouling multi-component paint with high content of non-volatile components

Номер патента: RU2401288C2. Автор: Такахару ДУМАЕ,Масааки ОЙЯ,Джуджи НИИМОТО,Макото ТСУБОЙ,Такахару ДУМАЕ (JP),Масааки ОЙЯ (JP),Джуджи НИИМОТО (JP),Макото ТСУБОЙ (JP). Владелец: Чугоку Марине Пейнтс, Лтд.. Дата публикации: 2010-10-10.

Memories including multiple arrays of non-volatile memory cells selectively connected to sense circuitry using different numbers of data lines

Номер патента: US20180286482A1. Автор: Koji Sakui,Peter Feeley. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US20160117243A1. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US20160117242A1. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for non-real time reprogramming of non-volatile memory to achieve tighter distribution of threshold voltages

Номер патента: EP2030205A2. Автор: Nima Mokhlesi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-03-04.

Starting program voltage shift with cycling of non-volatile memory

Номер патента: US7633812B2. Автор: Jeffrey Lutze. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-12-15.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US11798619B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells in an analog neural memory system

Номер патента: US20220336011A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of compensating charge loss and source line bias in programing of non-volatile memory device

Номер патента: US20200219561A1. Автор: Ming-Chang Tsai,Chun-Yi Tu,Jui-Lung Weng. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Systems for and methods of extending lifetime of non-volatile memory

Номер патента: US09632866B2. Автор: Arthur Robert Calderbank,Daniel J. Sorin,Adam N. Jacobvitz. Владелец: Duke University. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods, storage devices, and systems for promoting the endurance of non-volatile solid-state memory components

Номер патента: US20120166716A1. Автор: Franz Michael Schuette,Anthony Leach. Владелец: OCZ Technology Group Inc. Дата публикации: 2012-06-28.

Bias conditions for repair, program and erase operations of non-volatile memory

Номер патента: US6160737A. Автор: Peter Wung Lee,Fu-Chang Hsu,Hsing-Ya Tsao. Владелец: Aplus Flash Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-12.

Error characterization for control of non-volatile memory

Номер патента: US20190278500A1. Автор: Raghavendra Gopalakrishnan,Vinay Vijendra Kumar Lakshmi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Precision tuning of a page or word of non-volatile memory cells and associated high voltage circuits for an analog neural memory array in an artificial neural network

Номер патента: US20210295907A1. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Thuan Vu,Stanley Hong,Nhan Do,Vipin Tiwari,Stephen Trinh,Steven Lemke. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-23.

Method for partitioning memory area of non-volatile memory

Номер патента: US20190034110A1. Автор: Chao-Chieh Chen,Huan-Chung Hsu,Cheng-Yu Wu,Ming-Yuan Liu,An-Chi CHENG,Chian-Ting Chen. Владелец: Inventec Pudong Technology Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Systems and methods for balancing multiple partitions of non-volatile memory

Номер патента: US20220147258A1. Автор: Andrew W. Vogan,Alexander Paley. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Recovering non-volatile metals from dust containing metal oxides

Номер патента: CA1150518A. Автор: Sven Santén. Владелец: SKF Steel Engineering AB. Дата публикации: 1983-07-26.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L3 Integrated Systems Co. Дата публикации: 2007-02-14.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: EP1751763A4. Автор: Russell D Newell. Владелец: L3 Communications Integrated Systems LP. Дата публикации: 2009-08-12.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: WO2005114668A2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L-3 Integrated Systems Company. Дата публикации: 2005-12-01.

Data decoding method of non-volatile memory device and apparatus for performing the method

Номер патента: US09672942B2. Автор: Jun Jin Kong,Myung Kyu Lee,Kwang Hoon Kim,Beom Kyu Shin,Pil Sang Yoon,Ung Hwan KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242765A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Non-volatile memory device, storage device having the same and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: EP4401079A1. Автор: Sangsoo Park,ChiWeon Yoon,Chihyun Kim,Junehong PARK,Jayang Yoon,Hyeongdo CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Management of non-volatile memory express nodes

Номер патента: WO2022132227A1. Автор: Dejan Vucinic,Marjan Radi. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2022-06-23.

Process for synthesizing halogenated derivatives of fluorescein for use in the production of non-volatile memory devices

Номер патента: US20080061289A1. Автор: Angela Cimmino,Maria Volpe,Alessandro Pezzella,Aniello Palma. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2008-03-13.

Management of non-volatile memory express nodes

Номер патента: US12088470B2. Автор: Dejan Vucinic,Marjan Radi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Adjustment of safe data commit scan based on operational verification of non-volatile memory

Номер патента: US20210073090A1. Автор: Lokesh M. Gupta,Matthew G. Borlick,Brian Anthony Rinaldi,Trung N. NGUYEN,Sean Patrick Riley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Health management of non-volatile memory

Номер патента: US09965345B2. Автор: Yi Chun Liu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Receivers for solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: US12024678B2. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2024-07-02.

Termination of non-volatile memory networking messages at the drive level

Номер патента: WO2020183246A3. Автор: Noam Mizrahi. Владелец: Marvell Asia Pte, Ltd.. Дата публикации: 2020-10-15.

Nibble encoding for improved reliability of non-volatile memory

Номер патента: US20130104000A1. Автор: Christopher J. Bueb. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-25.

Programming method of non-volatile memory cell

Номер патента: US20240055053A1. Автор: Chia-Jung Hsu,Chun-Yuan Lo,Chang-Chun Lung,Chun-Hsiao Li. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-15.

Methods of transporting solid formations of non-volatile bituminous materials and reducing carbon dioxide emissions

Номер патента: WO2022168056A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2022-08-11.

Methods of preparing solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: CA3207545A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2022-08-11.

Methods of preparing solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: EP4288509A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2023-12-13.

Methods of preparing solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: AU2022215957A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Found. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods of transporting solid formations of non-volatile bituminous materials and reducing carbon dioxide emissions

Номер патента: US11912942B2. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2024-02-27.

Methods of transporting solid formations of non-volatile bituminous materials and reducing carbon dioxide emissions

Номер патента: AU2022216539A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Found. Дата публикации: 2023-08-31.

Methods of transporting solid formations of non-volatile bituminous materials and reducing carbon dioxide emissions

Номер патента: CA3207562A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2022-08-11.

Methods of transporting solid formations of non-volatile bituminous materials and reducing carbon dioxide emissions

Номер патента: EP4288353A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2023-12-13.

The method of non-volatile logic circuit and driving non-volatile logic circuit

Номер патента: CN102598511B. Автор: 金子幸广. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-20.

Programming method of non-volatile memory cell and non-volatile memory device

Номер патента: TWI770687B. Автор: 宋承桓. Владелец: 南韓商賽米布萊恩有限公司. Дата публикации: 2022-07-11.

Drive method and the non-volatile logic circuit of non-volatile logic circuit

Номер патента: CN102714497B. Автор: 金子幸广. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-02.

Receivers for solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: AU2022217540A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Found. Дата публикации: 2023-08-31.

Receivers for solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: EP4288507A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2023-12-13.

Receivers for solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: CA3207553A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2022-08-11.

Integrated circuit and method capable of minimizing circuit area of non-volatile memory circuit

Номер патента: US11863209B2. Автор: Ee Wen Chun,Shang Chan Kong. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Implicit discovery controller registration of non-volatile memory express (nvme) elements in an nvme-over-fabrics (nvme-of) system

Номер патента: US20210289027A1. Автор: David Black,Erik Smith,Joseph LaSalle White,Raja Subbiah. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-09-16.

Memory device and method for secure programming of non-volatile memory

Номер патента: EP4318294A1. Автор: Uri Kaluzhny. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: AU2005246819B2. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L3 Communications Integrated Systems LP. Дата публикации: 2008-12-18.

Systems and methods for write protection of non-volatile memory devices

Номер патента: AU2005246819A1. Автор: Russell D. Newell. Владелец: L3 Integrated Systems Co. Дата публикации: 2005-12-01.

Storage of non-volatile memory device and method of forming the same

Номер патента: TW200849566A. Автор: Jang-eun Lee,Jun-Ho Jeong,Se-Chung Oh,Kyung-Tae Nam,Dae-Kyom Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-16.

Identification of non-volatile memory die for use in remedial action

Номер патента: US20140122963A1. Автор: Ravi H. MOTWANI,Kiran Pangal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

ADJUSTMENT OF SAFE DATA COMMIT SCAN BASED ON OPERATIONAL VERIFICATION OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20210073090A1. Автор: GUPTA Lokesh M.,Borlick Matthew G.,NGUYEN Trung N.,Rinaldi Brian Anthony,Riley Sean Patrick. Владелец: . Дата публикации: 2021-03-11.

MANAGEMENT OF NON-VOLATILE MEMORY ARRAYS

Номер патента: US20210263683A1. Автор: BAYAT Farnood Merrikh,PREZIOSO Mirko. Владелец: MENTIUM TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2021-08-26.

Random number generation with unstable bit states of non-volatile memory

Номер патента: US20180287793A1. Автор: Shekoufeh Qawami,Amirali Khatib Zadeh,Abhranil Maiti. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

DATA DECODING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND APPARATUS FOR PERFORMING THE METHOD

Номер патента: US20150303948A1. Автор: KONG Jun Jin,Lee Myung Kyu,KIM Kwang Hoon,SHIN BEOM KYU,YOON PIL SANG,KIM Ung Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

Distributed State Machine for High Availability of Non-Volatile Memory in Cluster Based Computing Systems

Номер патента: US20190334990A1. Автор: Kamath Ashwin,Enz Michael,Ansari Rukhsana. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-31.

Integrated memory with an arrangement of non-volatile memory cells and method for the production and operation of an integrated memory

Номер патента: KR20030051866A. Автор: 뮐러제하르트,쉴로세르틸. Владелец: 인피네온 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2003-06-25.

Fabricating method of non-volatile memory

Номер патента: KR0176169B1. Автор: 이운경. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-03-20.

Integrated memory with a configuration of non-volatile memory cells and method for fabricating and for operating the integrated memory

Номер патента: US20030206465A1. Автор: Gerhard Müller,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-11-06.

Control receiving device for controlling e.g. lamp, has processor carrying out reading of non volatile memory using memory read unit, and restoring device to state possessed before interruption of power supply

Номер патента: FR2877476A1. Автор: Roux Marc Le. Владелец: ETUDE CONCEPT ELECTRONIQUE SA. Дата публикации: 2006-05-05.

A kind of non-volatile bimodulus resistance-variable storing device and preparation method thereof

Номер патента: CN110010762A. Автор: 黄维,刘举庆,王祥静. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-07-12.

Process for manufacturing a byte selection transistor for a matrix of non volatile memory cells and corresponding structure

Номер патента: US20060043461A1. Автор: Paola Zuliani,Roberto Annunziata,Elisabetta Palumbo,Marina Scaravaggi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2006-03-02.

Hierarchical Cross-Point Array of Non-Volatile Memory

Номер патента: US20110007548A1. Автор: Insik Jin,Chulmin Jung,YoungPil Kim,Yong Lu,Harry Hongyue Liu. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-01-13.

Integrated memory with an arrangement of non-volatile memory cells and method for fabricating and for operating the integrated memory

Номер патента: TW535159B. Автор: Gerhard Mueller,Till Schloesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-01.

Methods of preparing solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: US11618856B2. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2023-04-04.

Manufacture of non-volatile memory device

Номер патента: JPH1140784A. Автор: ウン・リム・チョイ,Woong Lim Choi,Kyeong-Man Ra,キョン・マン・ラ. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-02-12.

Method and systems for the management of non volatile items and provisioning files for a communication device with multiple service accounts

Номер патента: CN102939773A. Автор: 约吉施·图纳瓦特,萨米尔·B·塔卡尔,比利·A·奥斯特拉. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-02-20.

Methods of preparing solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: WO2022168059A1. Автор: Paul GIANNELIA. Владелец: Philergos Group Foundation. Дата публикации: 2022-08-11.

Electric drive e.g. for machine tool, has integrated autonomous motor identification arrangement, especially digital unit in form of non-volatile memory in motor, especially in primary part or in active part

Номер патента: DE10037968A1. Автор: Andreas Uhl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2002-02-28.

A kind of non-volatile write-once with universality repeatedly reads memory and preparation method thereof

Номер патента: CN107134526B. Автор: 陈洁,黄维,刘举庆. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2019-10-25.

Apparatus and method for controlling programming of non-volatile memory

Номер патента: TWI542990B. Автор: 劉亦峻. Владелец: 旺宏電子股份有限公司. Дата публикации: 2016-07-21.

Method and systems for the management of non volatile items and provisioning files for a communication device with multiple service accounts

Номер патента: WO2011149831A1. Автор: Yogesh Tugnawat,Samir B. Thakkar,Billy A. Oostra. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-12-01.

Method of non-volatile memory cell

Номер патента: KR0136995B1. Автор: 조병진. Владелец: 김주용. Дата публикации: 1998-04-24.

Hierarchical cross-point array of non-volatile memory

Номер патента: CN102473456A. Автор: J·邱敏,L·勇,J·印斯克,K·扬皮儿,L·哈里. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-05-23.

Solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: IL305060A. Автор: . Владелец: Philergos Group Found. Дата публикации: 2023-10-01.

Hard decision decoding of non-volatile memory using machine learning

Номер патента: US11791840B1. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-17.

Method of manufacturing well pick-up structure of non-volatile memory

Номер патента: TW200812011A. Автор: Pin-Yao Wang,Wei-Zhe Wong. Владелец: Renesas Tech Corp. Дата публикации: 2008-03-01.

Enabling use of non-volatile media - express (nvme) over a network

Номер патента: US20200218678A1. Автор: Amitava Guha,Sunden Chen,Venkatesh Prabhakar,Hiral Patel. Владелец: Diamanti Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Management of non-volatile memory arrays

Номер патента: US20230289103A1. Автор: Mirko Prezioso,Farnood Merrikh Bayat. Владелец: Mentium Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

NIBBLE ENCODING FOR IMPROVED RELIABILITY OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20130104000A1. Автор: Bueb Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2013-04-25.

METHOD OF CONTROLLING ERROR CHECK AND CORRECTION (ECC) OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND MEMORY SYSTEM PERFORMING THE SAME

Номер патента: US20190026181A1. Автор: YOON SANG-YONG,Park Sang-In,PARK Il-Han,KIM JI-SUK,RHIM Gyu-Seon,CHOI Sung-Woon. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

ENABLING USE OF NON-VOLATILE MEDIA - EXPRESS (NVME) OVER A NETWORK

Номер патента: US20180095915A1. Автор: Guha Amitava,CHEN SUNDEN,Prabhakar Venkatesh,Patel Hiral. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

INCREASING THROUGHPUT OF NON-VOLATILE MEMORY EXPRESS OVER FABRIC (NVMEoF) VIA PERIPHERAL COMPONENT INTERCONNECT EXPRESS (PCIe) INTERFACE

Номер патента: US20200097212A1. Автор: Mayya Deepak Srinivas,Lakshman Ravikiran Kaidala,Suresh Tanjore K.,Walker David S.,Borikar Sagar,Vaidya Shrikant. Владелец: . Дата публикации: 2020-03-26.

ENABLING USE OF NON-VOLATILE MEDIA - EXPRESS (NVME) OVER A NETWORK

Номер патента: US20200218678A1. Автор: Guha Amitava,CHEN SUNDEN,Prabhakar Venkatesh,Patel Hiral. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

Configuring parameters of non-volatile memory target subsystems for workload request quality of service

Номер патента: US20200310657A1. Автор: Phil C. Cayton,David B. Minturn,Rajalaxmi ANGADI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Integrated memory with an arrangement of non-volatile memory cells and method for producing and operating the integrated memory

Номер патента: DE10058047A1. Автор: Gerhard Mueller,Till Schloesser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-13.

Method of controlling error check and correction (ECC) of non-volatile memory device and memory system performing the same

Номер патента: KR102326659B1. Автор: 김지석,최성운,윤상용,박상인,박일한,임규선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-11-16.

A kind of non-volatile d type flip flop circuit based on memristor

Номер патента: CN105741870B. Автор: 朱东,曾志刚,朱一东. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2018-02-23.

A kind of adjustable noise jamming suppressor of non-volatile frequency and preparation method thereof

Номер патента: CN105810708B. Автор: 张硕,张怀武,荆玉兰,唐晓莉,苏桦,沈洁,刘保元. Владелец: University of Electronic Science and Technology of China. Дата публикации: 2018-10-16.

Preparation method of non-volatile memory based on metallic oxide thin film transistor

Номер патента: CN105552080A. Автор: 周雷,徐苗,李洪濛. Владелец: GUANGZHOU NEW VISION OPTOELECTRONIC CO Ltd. Дата публикации: 2016-05-04.

Integrated memory with an arrangement of non-volatile memory cells and method for the production and operation of an integrated memory

Номер патента: EP1340229A2. Автор: Gerhard Müller,Till Schlosser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-09-03.

Method for counting beyond endurance limitations of non-volatile memories

Номер патента: CA2513734A1. Автор: Kerry D. Maletsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Re-writing of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: JPH1197557A. Автор: 桂太 高橋,Keita Takahashi. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-04-09.

Integrated circuit and method capable of minimizing circuit area of non-volatile memory circuit

Номер патента: US20230059746A1. Автор: Ee Wen Chun,Shang Chan Kong. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Methods of preparing solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: IL305062A. Автор: . Владелец: Philergos Group Found. Дата публикации: 2023-10-01.

Receivers for solid formations of non-volatile bituminous materials suitable for reducing carbon dioxide emissions during transport

Номер патента: IL305061A. Автор: . Владелец: Philergos Group Found. Дата публикации: 2023-10-01.

Methods of transporting solid formations of non-volatile bituminous materials and reducing carbon dioxide emissions

Номер патента: IL305058A. Автор: . Владелец: Philergos Group Found. Дата публикации: 2023-10-01.

Hard decision decoding of non-volatile memory using machine learning

Номер патента: US20230336188A1. Автор: Amit Berman. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Pre-swelling and etching of plastics for plating

Номер патента: US4941940A. Автор: Durgadas Bolikal,Gordhanbhai N. Patel,Richard A. Bellemare. Владелец: Jp Laboratories Inc. Дата публикации: 1990-07-17.

Apparatus, system, and method of storage and retrieval of local volatile memory content of non-volatile storage memory

Номер патента: US09846468B2. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Reducing power consumption of volatile memory via use of non-volatile memory

Номер патента: US09891694B2. Автор: Ali Taha,Vipul Gandhi,Phani Babu Giddi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09886200B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09875036B2. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Concurrent upgrade and backup of non-volatile memory

Номер патента: US09529543B1. Автор: Saravanan Sethuraman,Kyu-Hyoun Kim,Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Gary A. Tressler. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method for implementing security of non-volatile memory

Номер патента: US09471812B2. Автор: CHEN He. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-18.

Interface of non-volatile memory

Номер патента: RU2623801C1. Автор: Ритеш Б. ТРИВЕДИ,Инг Хун ООЙ,Мл. РОЙЕР Роберт Дж.,Майкл У. УИЛЬЯМС,Джеффри Р. УИЛКОКС,Блэйз ФАННИНГ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2017-06-29.

Method for resetting threshold voltage of non-volatile memory

Номер патента: US20070211539A1. Автор: Chih-Kai Kang,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Shi-Hsien Cheng. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Recovery of nearby data in programming of non-volatile multi-level multiple memory die

Номер патента: EP2948956A1. Автор: Yan Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-02.

Maintaining quality of service of non-volatile memory devices in heterogeneous environment

Номер патента: US12112074B2. Автор: Yaron Klein,Oded Ilan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Technologies for contemporaneous access of non-volatile and volatile memory in a memory device

Номер патента: US20170177244A1. Автор: Richard P. Mangold,Camille C. Raad,Kunal A. Khochare,Shachi K. Thakkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20200192583A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Enhanced erase retry of non-volatile storage device

Номер патента: US20190164614A1. Автор: Swaroop Kaza,Sainath Viswasarai,Divya Prasad,Gopu S,Piyush Anil Dhotre,Chittoor Devarajan Sunilkumar. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Non-volatile memory system, memory card having the same, and operating method of non-volatile memory system

Номер патента: US10095303B2. Автор: Hwa-Seok Oh,Seok-Won Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-09.

Memory apparatus and associated control method for reducing erase disturb of non-volatile memory

Номер патента: US20210366557A1. Автор: Kuen-Long Chang,Su-Chueh Lo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Technologies for contemporaneous access of non-volatile and volatile memory in a memory device

Номер патента: EP3391229A1. Автор: Richard P. Mangold,Camille C. Raad,Kunal A. Khochare,Shachi K. Thakkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-24.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: EP1438666A4. Автор: Daniel H Bax,Richard A Lary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-28.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: WO2003029992A1. Автор: Daniel H. Bax,Richard A. Lary. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2003-04-10.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: EP1438666A1. Автор: Daniel H. Bax,Richard A. Lary. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-07-21.

Proactive allocation of non-volatile data storage to storage objects in a data storage system to anticipate storage object access trends

Номер патента: US20210357135A1. Автор: Nickolay Alexandrovich Dalmatov,Kirill Alexsandrovich Bezugly. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: EP3871096A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-09-01.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: WO2020086264A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-04-30.

Dynamic configuring of reliability and density of non-volatile memories

Номер патента: US20220043745A1. Автор: Yi He,Amichai GIVANT,Amir Rochman,Ori Tirosh. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

Method and System Involving Degradation of Non-Volatile Memory Based on Write Commands and Drive-Writes

Номер патента: US20200342945A1. Автор: Vidyabhushan Mohan,Yao Zhang,Cory Peterson,Jay Sarkar,Amir SANAYEI. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-10-29.

Non-volatile memory device and recovery method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240242770A1. Автор: Jae-Duk Yu,Yohan Lee,Jiho Cho,Hojoon Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Health state of non-volatile memory

Номер патента: US09875812B2. Автор: Christian Schneckenburger,Jan Otterstedt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of determining default read voltage of non-volatile memory device and method of reading data of non-volatile memory device

Номер патента: US09666292B2. Автор: Kyung-Ryun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-30.

Mirroring data in write caches of controller of non-volatile memory

Номер патента: GB2622350A. Автор: Pletka Roman,Papandreou Nikolaos,Pozidis Charalampos,Fisher Timothy,Ioannou Nikolas,STOICA RADU,Yanes Adalberto. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: US20030065893A1. Автор: Richard Lary,Daniel Bax. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Multiple temperature testing of non-volatile memory data retention time

Номер патента: US20180040384A1. Автор: Kalin V. Lazarov,Michael D. Petersen,Timothy D. ROHRER. Владелец: Linear Technology Holding LLC. Дата публикации: 2018-02-08.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: EP2415051A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-02-08.

Information processing device that extends service life of non-volatile semiconductor memory and recording medium

Номер патента: US09875065B2. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Maintaining qualiy of service of non-volatile memory devices in heterogeneous environment

Номер патента: US20230315344A1. Автор: Yaron Klein,Oded Ilan. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: WO2010117654A1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2010-10-14.

Techniques for reducing read disturb in partially written blocks of non-volatile memory

Номер патента: US09978456B2. Автор: Abhijeet Manohar,Dana Lee,Gautam Dusija,Chris Avila,Henry Chin,Daniel Tuers,Cynthia Hsu,Anubhav Khandelwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-05-22.

Invalidating storage area of non-volatile storage medium based on metadata

Номер патента: US8572310B2. Автор: Chanik Park,Sang-Jin Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-10-29.

Variable current sinking for coarse/fine programming of non-volatile memory

Номер патента: WO2005073977A2. Автор: Daniel C. Guterman,Nima Mokhlesi,Yupin Fong. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-08-11.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: WO2012089334A2. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Pasquale Vastano,Vitantonio Di Stasio. Владелец: STMicroelectronics NV. Дата публикации: 2012-07-05.

Circuit for controlling the potential difference between the substrate and the control gate of non-volatile memory and its control method

Номер патента: US20010012218A1. Автор: Ta-Lee Yu,Wei-Fan Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2001-08-09.

Memory cell and array structure of non-volatile memory and associated control method

Номер патента: US20230290414A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Peak and average icc reduction by tier-based sensing during program verify operations of non-volatile memory structures

Номер патента: US20220392552A1. Автор: Ravi Kumar,Deepanshu Dutta,Yu-Chung Lien,Huai-Yuan Tseng,Xue Bai Pitner. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-12-08.

Operation method of non-volatile memory and method of improving coupling interference from nitride-based memory

Номер патента: US20080266966A1. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Method and apparatus for integration of non-volatile memory

Номер патента: US20180181341A1. Автор: Paul Blinzer. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-06-28.

Erroneous operation preventing circuit of non-volatile memory device

Номер патента: US20040264268A1. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2004-12-30.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: EP4416646A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: EP4416583A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-21.

Scalable data structures for control and management of non-volatile storage

Номер патента: US09851910B2. Автор: Earl T. Cohen,Timothy L. Canepa. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2017-12-26.

Enhancing lifetime of non-volatile cache by injecting random replacement policy

Номер патента: US09792228B2. Автор: Yi Xu,Yuan Xie,Zhe Wang,Junli Gu,Ting CAO. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Fermentative production of non-volatile microbial metabolism products in solid form

Номер патента: CA2623588C. Автор: Oskar Zelder,Markus Pompejus,Stephan Freyer,Matthias Boy,Markus Lohscheidt,Edzard Scholten. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2016-06-28.

Data storage device enabling latches of non-volatile memory dies for use as externally-accessible volatile memory

Номер патента: US11816343B2. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling with linear indexing

Номер патента: US11875836B2. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via multi-level wear leveling

Номер патента: US11823725B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling in a round robin fashion

Номер патента: US11869562B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via outlier compensation

Номер патента: US11790969B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling and random swap injection

Номер патента: US11295796B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2022-04-05.

Apparatus and method for endurance of non-volatile memory banks via wear leveling and outlier compensation

Номер патента: US11670352B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-06-06.

Method and apparatus for integration of non-volatile memory

Номер патента: US20180349057A1. Автор: Paul Blinzer,Nima Osqueizadeh. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Akira Okada,Rajdeep Gautam. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US20200294560A1. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Information processing apparatus, method of controlling the same, and storage medium with features for updating code and data areas of non-volatile memory

Номер патента: US11907049B2. Автор: Hidemi Sasaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Data reading method, device, and medium of non-volatile memory

Номер патента: US11152041B2. Автор: XIAO Zheng,Tao Wang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Apparatus for externally timing high voltage cycles of non-volatile memory system

Номер патента: US20020054534A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-05-09.

Operating method of non-volatile memory device

Номер патента: US20240361946A1. Автор: Jaeyong Lee,Jihong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-31.

Testing for threshold voltage and bit cell current of non-volatile memory arrays

Номер патента: US09691501B2. Автор: Daniel Robert Burggraf, III,Nelson Kei Leung,Trevor John Tarsi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, Methods Of Forming Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, And Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20130170284A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-07-04.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, Methods Of Forming Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, And Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20130235650A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh D.. Владелец: Micro Technology, Inc.. Дата публикации: 2013-09-12.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, Methods Of Forming Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells, And Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20140009991A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-01-09.

Threshold voltage verification method and circuit for program and erasure verification of non-volatile memory cell

Номер патента: GB2299190A. Автор: Bok Nam Song. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1996-09-25.

Optimization of non-volatile solid-state memory by moving data based on data generation and memory wear

Номер патента: US20090327580A1. Автор: James R. Hamilton,Michael R. Fortin,Mike Neil,Burton J. Smith. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2009-12-31.

Reading reference current automatic regulation circuit of non-volatile memory

Номер патента: US11205491B1. Автор: LIANG Hong. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-21.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US9159436B2. Автор: Do-Young Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Weak programming method of non-volatile memory

Номер патента: US20040184320A1. Автор: Shih-Hsien Yang,Chien-Min Wu,James Juwn Hsu,Chi-Moon Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-23.

Erase control circuit and method of non-volatile semiconductor memory device, and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20200286565A1. Автор: Mathias Yves Gilbert BAYLE. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-09-10.

Proactive allocation of non-volatile data storage

Номер патента: WO2019209133A1. Автор: Nickolay Alexandrovich Dalmatov,Kirill Aleksandrovich Bezugly. Владелец: EMC IP Holding Company LLC. Дата публикации: 2019-10-31.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: US20200125290A1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-04-23.

Use of data latches in multi-phase programming of non-volatile memories

Номер патента: EP1869681A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-12-26.

Use of data latches in multi-phase programming of non-volatile memories

Номер патента: WO2006107633A1. Автор: Yan Li,Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2006-10-12.

Modeling of Non-Quasi-Static Effects During Hot Carrier Injection Programming of Non-Volatile Memory Cells

Номер патента: US20110282639A1. Автор: Keith Green,Borna Obradovic. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-11-17.

SEPARATION OF NON-VOLATILE METALS FROM DUST CONTAINING METAL OXIDES

Номер патента: FR2483955A1. Автор: Sven Santén. Владелец: SKF Steel Engineering AB. Дата публикации: 1981-12-11.

DYNAMIC UPDATE OF NON-VOLATILE MEMORY IN A COMPUTER SYSTEM

Номер патента: IT1254937B. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 1995-10-11.

Information processing device that extends service life of non-volatile semiconductor memory and recording medium

Номер патента: US20160253097A1. Автор: Takashi Toyoda. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor memory system having volatile memory and non-volatile memory that share bus, and method of controlling operation of non-volatile memory

Номер патента: TW200849008A. Автор: Sei-Jin Kim,Han-Gu Sohn,Hui-Kwon Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-12-16.

Method of concurrent multi-state programming of non-volatile memory with bit line voltage step up

Номер патента: US20210134370A1. Автор: Zhiping Zhang,Deepanshu Dutta,Dengtao Zhao,Huai-Yuan Tseng,Muhammad Masuduzzaman. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-05-06.

Secure updating of non-volatile memory

Номер патента: US6085299A. Автор: Michael F. Angelo,Craig A. Miller,David R. Wooten. Владелец: Compaq Computer Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Circuit and method for adjusting select gate voltage of non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US20180005699A1. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Circuit and method for adjusting select gate voltage of non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US10325662B2. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-18.

Arrays Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells and Methods Of Reading A Data Value Stored By An Array Of Vertically Stacked Tiers Of Non-Volatile Cross Point Memory Cells

Номер патента: US20140226392A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Tang Sanh D.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

DRIVING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY ELEMENT AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20140321197A1. Автор: Ninomiya Takeki,TAKAGI Takeshi,Katayama Koji,WEI Zhiqiang. Владелец: . Дата публикации: 2014-10-30.

METHOD OF CONTROLLING VERIFICATION OPERATIONS FOR ERROR CORRECTION OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE, AND NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210255921A1. Автор: AKAOGI TAKAO,YANG YU-KUO,CHEN PAULING. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-19.

NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM, MEMORY CARD HAVING THE SAME, AND OPERATING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM

Номер патента: US20150301589A1. Автор: Ahn Seok-Won,OH Hwa-seok. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-22.

ERASE CONTROL CIRCUIT AND METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE, AND NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200286565A1. Автор: BAYLE Mathias Yves Gilbert. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corporation. Дата публикации: 2020-09-10.

Non-volatile memory device, memory system and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: KR102210328B1. Автор: 이창섭,송재혁,권대웅. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2021-02-01.

Control device i.e. vehicle controller, for e.g. flash type memory, in re-inscribable non-volatile memory wear managing system, has controller for obtaining information representing wear and lifetime of zone of non-volatile memory

Номер патента: FR2935504A1. Автор: Olivier Chamley. Владелец: Oberthur Technologies SA. Дата публикации: 2010-03-05.

Non-volatile semiconductor memory device, data write-in method of non-volatile semiconductor memory device and memory card

Номер патента: KR100624595B1. Автор: 가즈노리 가네바꼬,유고 이데. Владелец: 가부시끼가이샤 도시바. Дата публикации: 2006-09-15.

Back bias during program verify of non-volatile storage

Номер патента: US8988947B2. Автор: Fumitoshi Ito. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-24.

Non-volatile memory device, and control method of non-volatile memory device

Номер патента: TW200710851A. Автор: Kenta Kato,Mitsuhiro Nagao. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2007-03-16.

Control method of non-volatile semiconductor memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6862217B2. Автор: Shozo Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-03-01.

Include hydrocarbon-based resins, alkyl block copolymer, non-volatile phenyl dimethicones oil（DIMETHICONE OIL）With the cosmetic composition of non-volatile alkymer

Номер патента: CN104349767B. Автор: 清水桃子,R.塔乔恩,石田真纪. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2018-03-30.

Method of controlling verification operations for error correction of non-volatile memory device, and non-volatile memory device

Номер патента: US11119854B2. Автор: Takao Akaogi,Yu-Kuo Yang,Pauling Chen. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

Program method and data read method of non-volatile memory device using six threshold voltage levels, and non-volatile memory device using the same

Номер патента: KR100871694B1. Автор: 박기태,이영택,김두곤. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-12-08.

Non-volatile memory system, and method of non-volatile memory system

Номер патента: KR100888823B1. Автор: 박기태,이영택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2009-03-17.

Method and apparatus for dynamically configuring redundant area of non-volatile memory

Номер патента: US20050002234A1. Автор: Cheng-Chih Yang. Владелец: Genesys Logic Inc. Дата публикации: 2005-01-06.

Erasing method of non-volatile memory, and non-volatile memory

Номер патента: CN105957554A. Автор: 潘荣华,薛子恒,刘奎伟. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2016-09-21.

The operating method of non-volatile memory device and non-volatile memory device

Номер патента: CN109390017A. Автор: 宋泰中,表锡洙,郑铉泽. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-26.

Control method of non-volatile semiconductor memory cell and non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US20040057288A1. Автор: Shozo Kawabata. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-03-25.

Method and apparatus for controlling page buffer of non-volatile memory device

Номер патента: US20110199822A1. Автор: Han Bin YOON,Yeong-Jae WOO,Jung Been IM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-18.

Initialization of non-volatile programmable latches in circuits in which an initialization operation is performed

Номер патента: US6084803A. Автор: Nikolas Sredanovic,Helena Calendar. Владелец: Mosel Vitelic Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Boosting to control programming of non-volatile memory

Номер патента: WO2005112037A1. Автор: Nima Mokhlesi,Yupin Fong,Daniel Guterman. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-11-24.

Non-volatile memory system including a control device to control writing, reading and storage and output operations of non-volatile devices including memory cells and data latches

Номер патента: US6721207B2. Автор: Eiji Yamamoto,Ken Matsubara,Atsushi Nozoe,Tetsuya Tsujikawa,Shoji Kubono,Michitaro Kanamitsu. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-13.

Erroneous operation preventing circuit of non-volatile memory device

Номер патента: US7187582B2. Автор: Katsumi Fukumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2007-03-06.

Non-volatile memory device, memory system and operating method of non-volatile memory device

Номер патента: KR20150116351A. Автор: 변대석,남상완,전병길. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-10-15.

Non-volatile memory system and data read method of non-volatile memory system

Номер патента: US20080175058A1. Автор: Dong-ku Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-24.

Method and circuit for self calibration of non-volatile memories, and non-volatile memory circuit

Номер патента: CN101635173B. Автор: 王楠,姚翔. Владелец: Shanghai Hua Hong NEC Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

Memory cell and array structure of non-volatile memory and associated control method

Номер патента: EP4243022A1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

Hybrid memory management of non-volatile memory (NVM) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US11893244B2. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

Management of non-volatile memory

Номер патента: US20140269074A1. Автор: Chun Hsiung Hung,Han-Sung Chen,Hsin Yi Ho,Shuo-Nan Hung,Shih-Chou Juan,Lung Yi Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: WO2023064006A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-04-20.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US20230114005A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Memory device of non-volatile memory cells

Номер патента: US20230259738A1. Автор: Hieu Van Tran,Dmitri Strukov,Xinjie Guo,Farnood Merrikh Bayat,Nhan Do,Vipin Tiwari,Mark REITEN. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Erase method of non-volatile memory device

Номер патента: US11783900B2. Автор: Sang-Won Park,Won Bo Shim,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Hybrid memory management of non-volatile memory (NVM) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US11755208B2. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: WO2012089334A3. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Pasquale Vastano,Vitantonio Di Stasio. Владелец: STMicroelectronics NV. Дата публикации: 2012-08-23.

Dynamic use of non-volatile ram as memory and storage on a storage system

Номер патента: US11782634B2. Автор: OWEN Martin,Parmeshwr Prasad,Rahul Deo Vishwakarma,Earl Medeiros. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Secure wear levelling of non-volatile memory based on galois field circuit

Номер патента: US20230410867A1. Автор: Martin Hassner,Mark Branstad. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: US20240143194A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Hybrid memory management of non-volatile memory (nvm) devices for use with recurrent neural networks

Номер патента: WO2023064005A1. Автор: Ariel Navon,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Daniel Joseph Linnen. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-04-20.

Reading method of non-volatile memory device

Номер патента: US20130128660A1. Автор: Eun-Seok Choi,Seiichi Aritome,Han-Soo Joo,Sung-Kye Park,Seok-Kiu Lee,Hyun-Seung Yoo,Gyu-Seog Cho,Sung-Joo HONG. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: EP2659490A2. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Pasquale Vastano,Vitantonio Di Stasio. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2013-11-06.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: US20130290617A1. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Vitantonio Distasio,Pasquale Vastano. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2013-10-31.

METHOD OF DETERMINING DEFAULT READ VOLTAGE OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE AND METHOD OF READING DATA OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20160042797A1. Автор: KIM KYUNG-RYUN. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-11.

Non-volatile memory and method of non-volatile memory programming

Номер патента: US6490201B2. Автор: Yoshinori Sakamoto. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-12-03.

REDUCING POWER CONSUMPTION OF VOLATILE MEMORY VIA USE OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20140181558A1. Автор: TAHA Ali,Gandhi Vipul,Giddi Phani Babu. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-06-26.

DATA STORAGE DEVICE ENABLING LATCHES OF NON-VOLATILE MEMORY DIES FOR USE AS EXTERNALLY-ACCESSIBLE VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20220171558A1. Автор: Sharma Amit,Agarwal Dinesh Kumar. Владелец: . Дата публикации: 2022-06-02.

TECHNOLOGIES FOR CONTEMPORANEOUS ACCESS OF NON-VOLATILE AND VOLATILE MEMORY IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170177244A1. Автор: Mangold Richard P.,Thakkar Shachi K.,Khochare Kunal A.,RAAD Camille C.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

TECHNOLOGIES FOR CONTEMPORANEOUS ACCESS OF NON-VOLATILE AND VOLATILE MEMORY IN A MEMORY DEVICE

Номер патента: US20190258414A1. Автор: Mangold Richard P.,Thakkar Shachi K.,Khochare Kunal A.,RAAD Camille C.. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Apparatus, system, and method of storage and retrieval of local volatile memory content of non-volatile storage memory

Номер патента: US20160378621A1. Автор: Mike Hossein Amidi. Владелец: Xitore Inc. Дата публикации: 2016-12-29.

The volatile memory of non-volatile memory device set represents

Номер патента: CN102929786B. Автор: K.梅拉. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-08-03.

Reducing power consumption of volatile memory via use of non-volatile memory

Номер патента: CN104885034A. Автор: A·塔哈,V·甘地,P·B·基迪. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-09-02.

Reducing power consumption of volatile memory via use of non-volatile memory

Номер патента: EP2936272A1. Автор: Ali Taha,Vipul Gandhi,Phani Babu Giddi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-10-28.

Technologies for contemporaneous access of non-volatile and volatile memory in a memory device

Номер патента: EP3391229A4. Автор: Richard P. Mangold,Camille C. Raad,Kunal A. Khochare,Shachi K. Thakkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-08-28.

Technologies for contemporaneous access of non-volatile and volatile memory in a memory device

Номер патента: EP3391229B1. Автор: Richard P. Mangold,Camille C. Raad,Kunal A. Khochare,Shachi K. Thakkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Storage device performing read operation by restoring on cell count (occ) from power loss protection area of non-volatile memory

Номер патента: EP3955255B1. Автор: Sanghyun Choi,Youngdeok SEO,Kangho Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-08.

A method circuit and system for operating an array of non-volatile memory ("nvm") cells and a corresponding nvm device

Номер патента: WO2010131198A3. Автор: Aner Arussi. Владелец: INFINITE MEMORIES LTD.. Дата публикации: 2011-01-20.

Optimizing pass voltage and initial program voltage based on performance of non-volatile memory

Номер патента: EP3084770B1. Автор: Ken Oowada,Shota Murai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2019-10-23.

Method and apparatus standardizing use of non-volatile memory within a bios-rom

Номер патента: AU1813099A. Автор: Laurent Kirk Gharda. Владелец: Phoenix Technologies Ltd. Дата публикации: 1999-06-28.

Random weight initialization of non-volatile memory array

Номер патента: US20230094719A1. Автор: CHENG Chi,Takashi Ando,Praneet Adusumilli,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Method and apparatus of non-volatile memory system having capability of key-value store database

Номер патента: US20180012033A1. Автор: Akio Nakajima. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Optimizing pass voltage and initial program voltage based on performance of non-volatile memory

Номер патента: EP3084770A1. Автор: Ken Oowada,Shota Murai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-10-26.

Variable read method for read time performance improvement of non-volatile memory

Номер патента: US20240282363A1. Автор: Akira Okada,Albert Chen,Jiahui Yuan,Sarath Puthenthermadam. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Efficient sharing of non-volatile memory

Номер патента: US20190187897A1. Автор: Badriddine Khessib,Bikash Sharma,Sriram Govindan,Anirudh Badam,Iyswarya Narayanan,Aishwarya Ganesan. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-06-20.

Granular error reporting on multi-pass programming of non-volatile memory

Номер патента: US20210397509A1. Автор: Sampath K. Ratnam,Jiangang WU,Vamsi Pavan Rayaprolu,Sivagnanam Parthasarathy,Qisong Lin,Sho Chun Shi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Operation method of non-volatile memory and method of improving coupling interference from nitride-based memory

Номер патента: TW200843035A. Автор: Yao-Wen Chang,Tao-Cheng Lu,Guan-Wei Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-01.

Operation method of non-volatile memory and method of improving coupling interference from nitride-based memory

Номер патента: TWI351076B. Автор: Tao Cheng Lu,Yao Wen Chang,Guan Wei Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-21.

Method for resetting threshold voltage of non-volatile memory

Номер патента: TW200735109A. Автор: Chih-Kai Kang,Hann-Ping Hwang,Chih-Ming Chao,Shi-Shien Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-09-16.

Methods and systems for monitoring write operations of non-volatile memory

Номер патента: US20140245084A1. Автор: Matthew J. Byom,Nir J. Wakrat. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Memory cell and array structure of non-volatile memory

Номер патента: EP4243022B1. Автор: Wei-Ming Ku. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-18.

Page buffer for preventing program fail in check board program of non-volatile memory device

Номер патента: TWI290324B. Автор: Eui-Suk Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-11-21.

Hole channel pre-charge to enable large-volume in-place data sanitization of non-volatile memory

Номер патента: US20240319888A1. Автор: Xiang Yang,Wei Cao,Jiacen Guo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for updating data of non-volatile memory

Номер патента: TW200515425A. Автор: Ming-Hung Chang,Hj Yang. Владелец: Prolific Technology Inc. Дата публикации: 2005-05-01.

Programming method of non volatile memory device

Номер патента: US09953703B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU,Joo-kwang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Interleaved all-level programming of non-volatile memory

Номер патента: US09870169B2. Автор: Pranav Kalavade,Anand S. Ramalingam,Dale J. Juenemann. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Operation method of non-volatile memory cell and applications thereof

Номер патента: US09830992B1. Автор: Wei-Liang Lin,Chih-Chieh Cheng,Wen-Jer Tsai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Programming of non-volatile memory subjected to high temperature exposure

Номер патента: US09793003B2. Автор: Yiming Huai,Rajiv Yadav Ranjan,Ebrahim Abedifard,Uday Chandrasekhar. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Detection of non-volatile changes to a resource

Номер патента: US09779237B2. Автор: Roger Glenn Huebner,David Henry Littlejohn,Stuart Richard Kemp. Владелец: NetIQ Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Enhancing lifetime of non-volatile cache by reducing intra-block write variation

Номер патента: US09767043B2. Автор: Yi Xu,Yuan Xie,Zhe Wang,Junli Gu,Ting CAO. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Sensing of non-volatile memory cell having two complementary memory transistors

Номер патента: US09496045B2. Автор: David P. Paulsen,II John E. Sheets,Phil C. Paone,Gregory J. Uhlmann,Robert E. Kilker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Methods and systems including at least two types of non-volatile cells

Номер патента: US09424129B2. Автор: Young Pil Kim,Antoine Khoueir,Rodney Virgil Bowman. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

SUPPORTING NON-DISRUPTIVE MOVEMENT OF A LOGICAL VOLUME OF NON-VOLATILE DATA STORAGE BETWEEN STORAGE APPLIANCES

Номер патента: US20200133584A1. Автор: Hu Kenneth,Haravu Nagasimha,Tylik Dmitry,Long Matthew H.,Cummins Daniel E.,Jean Matthew,Eaton Matthew. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

LIQUID COSMETIC COMPOSITION COMPRISING A HIGH CONTENT OF NON-VOLATILE OILS, NON-IONIC SILICONE SURFACTANT AND METHOD OF TREATING LIP

Номер патента: FR3041531A1. Автор: Veronique Jacques,Stéphane Arditty,Estelle Prud'Homme,Padellec Sylvie Le. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2017-03-31.

LIQUID COSMETIC COMPOSITION COMPRISING A HIGH CONTENT OF NON-VOLATILE OILS, NON-IONIC SILICONE SURFACTANT AND METHOD OF TREATING LIP

Номер патента: FR3041531B1. Автор: Veronique Jacques,Stéphane Arditty,Estelle Prud'Homme,Padellec Sylvie Le. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2018-11-09.

Method for processing errors in e.g. electrically EPROM, of non-volatile memory device, involves reading non-erroneous bits of word during ulterior addressing of memory by reading relocated bit

Номер патента: FR2964483A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2012-03-09.

Supporting non-disruptive movement of a logical volume of non-volatile data storage between storage appliances

Номер патента: US20200133584A1. Автор: Nagasimha Haravu,Daniel E. Cummins,Kenneth Hu,Dmitry Tylik,Matthew Eaton,Matthew Jean,Matthew H. Long. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2020-04-30.

Using Channel-To-Channel Coupling To Compensate Floating Gate-To-Floating Gate Coupling In Programming Of Non-Volatile Memory

Номер патента: US20120287716A1. Автор: Haibo Li,Guirong Liang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2012-11-15.

Estimating temporal degradation of non-volatile solid-state memory

Номер патента: US20130007543A1. Автор: David Scott Seekins,Ryan James Goss,Mark Allen Gaertner. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-01-03.

Dynamic Healing Of Non-Volatile Memory Cells

Номер патента: US20130194874A1. Автор: He Chen,Wang Yanzhuo,Mu Fuchen. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

APPARATUS, METHODS AND ARCHITECTURE TO INCREASE WRITE PERFORMANCE AND ENDURANCE OF NON-VOLATILE SOLID STATE MEMORY COMPONENTS

Номер патента: US20130205076A1. Автор: Schuette Franz Michael,Chung Hyun Mo,Klein Yaron. Владелец: OCZ TECHNOLOGY GROUP INC.. Дата публикации: 2013-08-08.

AUTONOMOUS INITIALIZATION OF NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY IN A COMPUTER SYSTEM

Номер патента: US20130304980A1. Автор: Kumar Mohan,Nachimuthu Murugasamy K.,Ziakas Dimitrios. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-11-14.

Single-read based soft-decision decoding of non-volatile memory

Номер патента: US20140040531A1. Автор: Ning Chen,Zhengang Chen,Yunxiang Wu. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

REFRESH OF NON-VOLATILE MEMORY CELLS BASED ON FATIGUE CONDITIONS

Номер патента: US20140040683A1. Автор: SARIN Vishal,Roohparvar Frankie F.,Hoei Jung S.. Владелец: Mocron Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-02-06.

CONTROL METHOD AND MEMORY SYSTEM OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20140075099A1. Автор: Ooneda Taku. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2014-03-13.

DYNAMIC CONFIGURING OF RELIABILITY AND DENSITY OF NON-VOLATILE MEMORIES

Номер патента: US20220043745A1. Автор: He Yi,Rochman Amir,Tirosh Ori,Givant Amichai. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-02-10.

COMMAND PACKETS FOR THE DIRECT CONTROL OF NON-VOLATILE MEMORY CHANNELS WITHIN A SOLID STATE DRIVE

Номер патента: US20220043761A1. Автор: McVay Jeffrey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-10.

HIGHER ACCURACY OF NON-VOLATILE MEMORY-BASED VECTOR MULTIPLICATION

Номер патента: US20190026251A1. Автор: Sebastian Abu,Le Gallo-Bourdeau Manuel,Bekas Konstantinos,Eleftheriou Evangelos Stavros,Curioni Alessandro,Malossi Adelmo Cristiano Innocenza. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Reporting available physical storage space of non-volatile memory array

Номер патента: US20200026457A1. Автор: Michal Silbermintz,David Haliva,Gadi Vishne. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-01-23.

SEQUENTIAL VOLTAGE RAMP-DOWN OF ACCESS LINES OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20210027839A1. Автор: Liu Haitao,Goda Akira,Fayrushin Albert,Benvenuti Augusto,Laurin Luca. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

STORAGE DEVICE PERFORMING READ OPERATION BY RESTORING ON CELL COUNT (OCC) FROM POWER LOSS PROTECTION AREA OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20220051730A1. Автор: Roh Kangho,CHOI Sanghyun,SEO Youngdeok. Владелец: . Дата публикации: 2022-02-17.

METHOD FOR PARTITIONING MEMORY AREA OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20190034110A1. Автор: CHEN Chian-Ting,HSU HUAN-CHUNG,CHEN CHAO-CHIEH,Wu Cheng-Yu,Liu Ming-Yuan,CHENG An-Chi. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-31.

MULTIPLE TEMPERATURE TESTING OF NON-VOLATILE MEMORY DATA RETENTION TIME

Номер патента: US20180040384A1. Автор: Lazarov Kalin V.,ROHRER Timothy D.,Petersen Michael D.. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

Extended Protection For Embedded Erase Of Non-Volatile Memory Cells

Номер патента: US20150049555A1. Автор: He Chen,Wang Yanzhuo,Mu Fuchen. Владелец: . Дата публикации: 2015-02-19.

Mitigation of voltage threshold drift associated with power down condition of non-volatile memory device

Номер патента: US20210057026A1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Jessica Chen,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

ADAPTIVE CONFIGURATION OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20190057737A1. Автор: Qawami Shekoufeh,Sundaram Rajesh,Zimmerman David J.,Fanning Blaise. Владелец: . Дата публикации: 2019-02-21.

CIRCUIT AND METHOD FOR ADJUSTING SELECT GATE VOLTAGE OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20160064086A1. Автор: Hung Shuo-Nan,Chen Wei-Jen,Shen Shin-Jang. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-03.

INTERLEAVED ALL-LEVEL PROGRAMMING OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20170068482A1. Автор: Kalavade Pranav,Ramalingam Anand S.,Juenemann Dale J.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-09.

Programming of Non-Volatile Memory Subjected to High Temperature Exposure

Номер патента: US20170076818A1. Автор: Ranjan Rajiv Yadav,Huai Yiming,Abedifard Ebrahim,CHANDRASEKHAR UDAY. Владелец: . Дата публикации: 2017-03-16.

HEALTH MANAGEMENT OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20160085612A1. Автор: Liu Yi Chun. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-24.

TRACKING READ ACCESSES TO REGIONS OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20140173180A1. Автор: "DABREU MANUEL ANTONIO",SKALA STEPHEN. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-06-19.

INSPECTION OF NON-VOLATILE MEMORY FOR DISTURB EFFECTS

Номер патента: US20140173382A1. Автор: Huang Jianmin,Avila Chris,Sprouse Steven,Yang Nian Niles,Huang Yichao,Tanpairoj Kulachet. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-06-19.

Enhancing Lifetime of Non-Volatile Cache by Injecting Random Replacement Policy

Номер патента: US20150100739A1. Автор: Yi Xu,Yuan Xie,Zhe Wang,Junli Gu,Ting CAO. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

UTILIZATION OF NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY FOR INFORMATION STORAGE IN RESPONSE TO ERROR CONDITIONS

Номер патента: US20180095681A1. Автор: Swanson Robert C.,Yigzaw Theodros,Baker Tony S.,Ackles Chris,Brown Celeste M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-05.

SYSTEMS AND METHODS FOR BALANCING MULTIPLE PARTITIONS OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20220147258A1. Автор: Paley Alexander,Vogan Andrew W.. Владелец: . Дата публикации: 2022-05-12.

Read-only operation of non-volatile memory module

Номер патента: US20190096489A1. Автор: Mosiolek Stanislaw,Radtke Jakub. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-28.

Systems And Methods For Support Of Non-Volatile Memory On A DDR Memory Channel

Номер патента: US20140181364A1. Автор: Shawn J. Dube,Stuart Allen Berke. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-06-26.

PROGRAMMING METHOD OF NON VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170110185A1. Автор: HAHN WOOK-GHEE,YU Chang-Yeon,LEE Joo-kwang. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

COMMAND PACKETS FOR THE DIRECT CONTROL OF NON-VOLATILE MEMORY CHANNELS WITHIN A SOLID STATE DRIVE

Номер патента: US20170116139A1. Автор: McVay Jeffrey. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

NAMESPACE PLANNING OF NON-VOLATILE MEMORY OF DATA STORAGE DEVICE

Номер патента: US20190114257A1. Автор: LIN Sheng-Liu. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-18.

SYSTEMS AND METHODS FOR FAST ACCESS OF NON-VOLATILE STORAGE DEVICES

Номер патента: US20190121696A1. Автор: Chen Jie,Wu Zining. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-25.

HYBRID USE OF NON-VOLATILE MEMORY AS STORAGE DEVICE AND CACHE

Номер патента: US20200125290A1. Автор: Shah Purvi,Reynya Georgiy,OKS Slava. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-23.

METHOD OF MANAGING THE ENDURANCE OF NON-VOLATILE MEMORIES

Номер патента: US20140223082A1. Автор: Charbouillot Samuel,Fusella Yves,Ricard Stéphane. Владелец: . Дата публикации: 2014-08-07.

AUTOMATIC PROGRAM OF NON-VOLATILE MEMORY AND AUTOMATIC CYCLING METHOD THEREOF

Номер патента: US20160148699A1. Автор: Park Insun. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-26.

ZONED NAMESPACE MANAGEMENT OF NON-VOLATILE STORAGE DEVICES

Номер патента: US20210182166A1. Автор: SHARON ERAN,ALROD IDAN,NAVON Ariel,HAHN JUDAH GAMLIEL,Benisty Shay,Meza Joe. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2021-06-17.

SEQUENTIAL VOLTAGE RAMP-DOWN OF ACCESS LINES OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200143884A1. Автор: Liu Haitao,Goda Akira,Fayrushin Albert,Benvenuti Augusto,Laurin Luca. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-07.

CONCURRENT UPGRADE AND BACKUP OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20170160936A1. Автор: Kim Kyu-Hyoun,Tressler Gary A.,Sethuraman Saravanan,Chinnakkonda Vidyapoornachary Diyanesh B.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

CONCURRENT UPGRADE AND BACKUP OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20170160956A1. Автор: Kim Kyu-Hyoun,Tressler Gary A.,Sethuraman Saravanan,Chinnakkonda Vidyapoornachary Diyanesh B.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

DYNAMIC ERASE DEPTH FOR IMPROVED ENDURANCE OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20140247666A1. Автор: Dutta Deepanshu,Higashitani Masaaki,Oowada Ken,Lai Chun-Hung,Lee Shih-Chung. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2014-09-04.

Techniques for Assessing Pass/Fail Status of Non-Volatile Memory

Номер патента: US20150178150A1. Автор: Totolos George,Silberman Joshua,Strong Richard. Владелец: NETAPP, INC.. Дата публикации: 2015-06-25.

ERASE METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20220310171A1. Автор: PARK Sang-Won,SHIM Won Bo,LIM Bong Soon. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-29.

TRACKING CELL ERASE COUNTS OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20140269069A1. Автор: "DABREU MANUEL ANTONIO",SKALA STEPHEN,PANTELAKIS DIMITRIS. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

Management of non-volatile memory

Номер патента: US20140269074A1. Автор: Chun Hsiung Hung,Han-Sung Chen,Hsin Yi Ho,Shuo-Nan Hung,Shih-Chou Juan,Lung Yi Kuo. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

METHOD AND APPARATUS FOR INTEGRATION OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20180181341A1. Автор: Blinzer Paul. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2018-06-28.

DYNAMIC WRITE CREDIT BUFFER MANAGEMENT OF NON-VOLATILE DUAL INLINE MEMORY MODULE

Номер патента: US20200174696A1. Автор: Sethuraman Saravanan,Natarajan Karthikeyan,McPadden Adam J.,Sarkar Sumantra,Bose Tathagato. Владелец: . Дата публикации: 2020-06-04.

ADAPTIVE REFERENCE TUNING FOR ENDURANCE ENHANCEMENT OF NON-VOLATILE MEMORIES

Номер патента: US20140281162A1. Автор: Lam Chung H.,LI Jing,Dai Bing. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

Detection of non-volatile changes to a resource

Номер патента: US20140283042A1. Автор: Roger Glenn Huebner,David Henry Littlejohn,Stuart Richard Kemp. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

SYSTEMS AND METHODS FOR MANAGING AN ARTIFICIALLY LIMITED LOGICAL SPACE OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20210224186A1. Автор: Vogan Andrew W.. Владелец: . Дата публикации: 2021-07-22.

ADAPTIVE CONFIGURATION OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20160203864A1. Автор: Qawami Shekoufeh,Sundaram Rajesh,Zimmerman David J.,Fanning Blaise. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-07-14.

SYSTEMS, METHODS, AND DEVICES FOR USER CONFIGURABLE WEAR LEVELING OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20200192583A1. Автор: McClain Mark Alan,Obereiner Willy,Hoehler Rainer. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2020-06-18.

METHOD OF COMPENSATING CHARGE LOSS AND SOURCE LINE BIAS IN PROGRAMING OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20200219561A1. Автор: TSAI MING-CHANG,Tu Chun-Yi,Weng Jui-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-09.

SYSTEMS FOR AND METHODS OF EXTENDING LIFETIME OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20150248325A1. Автор: Calderbank Arthur Robert,Sorin Daniel J.,Jacobvitz Adam N.. Владелец: . Дата публикации: 2015-09-03.

MEMORY SYSTEM, MEMORY CONTROLLER AND CONTROL METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20150254011A1. Автор: Ueki Katsuhiko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-10.

PRECISION TUNING OF A PAGE OR WORD OF NON-VOLATILE MEMORY CELLS AND ASSOCIATED HIGH VOLTAGE CIRCUITS FOR AN ANALOG NEURAL MEMORY ARRAY IN AN ARTIFICIAL NEURAL NETWORK

Номер патента: US20210295907A1. Автор: Tran Hieu Van,Ly Anh,Vu Thuan,Do Nhan,Trinh Stephen,Hong Stanley,Tiwari Vipin,Lemke Steven. Владелец: . Дата публикации: 2021-09-23.

LIFETIME EXTENSION OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY FOR DATA STORAGE DEVICE

Номер патента: US20150268872A1. Автор: Guda Chandra M.,Ding Lu,Ong Choo-Bhin,KUTAS MICHAEL C.. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-09-24.

ERROR CHARACTERIZATION FOR CONTROL OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20190278500A1. Автор: GOPALAKRISHNAN RAGHAVENDRA,LAKSHMI VINAY VIJENDRA KUMAR. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2019-09-12.

METHODS AND SYSTEMS INCLUDING AT LEAST TWO TYPES OF NON-VOLATILE CELLS

Номер патента: US20150310937A1. Автор: Khoueir Antoine,Kim Young Pil,Bowman Rodney Virgil. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

TERMINATION OF NON-VOLATILE MEMORY NETWORKING MESSAGES AT THE DRIVE LEVEL

Номер патента: US20200293464A1. Автор: Mizrahi Noam. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

METHODS OF CONTROLLING TEMPERATURE OF NON-VOLATILE STORAGE DEVICE

Номер патента: US20160342346A1. Автор: Shim Eok-soo,Zhao Hu,Ryu Chung-Hyun,Byun Jae-beom,Park Jong-gyu,Kong Do-il. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

METHOD AND APPARATUS FOR PREVENTION OF FRAGMENTATION OF NON-VOLATILE MEMORY FOR BLACK BOX DEVICE

Номер патента: US20150347293A1. Автор: Kim Young Hun,YANG Jin Young,SHIN Dong Kun. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-03.

BUFFERING DATA TO BE WRITTEN TO AN ARRAY OF NON-VOLATILE STORAGE DEVICES

Номер патента: US20160350009A1. Автор: Colgrove John,Kirkpatrick Peter E.,CERRETA WILLIAM P.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

MANAGING DATA USING A NUMBER OF NON-VOLATILE MEMORY ARRAYS

Номер патента: US20160350028A1. Автор: Lesartre Gregg B.,Foltin Martin. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-01.

COMMAND PACKETS FOR THE DIRECT CONTROL OF NON-VOLATILE MEMORY CHANNELS WITHIN A SOLID STATE DRIVE

Номер патента: US20190332555A1. Автор: McVay Jeffrey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-31.

SYSTEM AND METHOD OF INCREASING RELIABILITY OF NON-VOLATILE MEMORY STORAGE

Номер патента: US20150363309A1. Автор: Lai Bosco Chun Sang,Chang Sunny Lai-Ming,Chiu Eric Sin Kwok,Krouglov Alexei. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

REDUCING READ ERRORS BY PERFORMING MITIGATION READS TO BLOCKS OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20190339902A1. Автор: Papandreou Nikolaos,Ma Jason S.,Fisher Timothy,FRY AARON D.,Sallese Kevin E.,Yanes Adalberto G.,Keller Charles A.,Huynh Van. Владелец: . Дата публикации: 2019-11-07.

Programming method of non-volatile memory device having multi-plane structure

Номер патента: KR100713984B1. Автор: 장승호,양중섭. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-05-04.

Polymerization of fluoroolefins in presence of non-volatile polymeric seed

Номер патента: US5019632A. Автор: Robert C. Wheland,Edgar W. Slocum,Aquiles C. Sobrero. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1991-05-28.

Charge pump circuit of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR0176115B1. Автор: 이기종. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-04-15.

Program method of non-volatile memory device

Номер патента: KR100632942B1. Автор: 이준,권오석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-10-12.

Apparatus and method of processing data of non-volatile memory

Номер патента: KR101336258B1. Автор: 인지현,김효준,우남윤. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2013-12-03.

Apparatus and method for preventing data loss of non-volatile memory

Номер патента: KR101300821B1. Автор: 박희선,우경구,이기용,강인선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-08-26.

Erasing method and programming method of non volatile memory device

Номер патента: KR101068496B1. Автор: 원삼규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-09-29.

Partial page data write method of non-volatile memory device

Номер патента: KR100866959B1. Автор: 김영곤,김진혁,최창언. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-11-05.

Pass/fail checking unit of non volatile memory device and programming method using thereof

Номер патента: KR100965075B1. Автор: 양창원,박세천. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-21.

Method for operating page buffer of non-volatile memory device

Номер патента: KR100672149B1. Автор: 주기석. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-01-19.

Write method of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100245413B1. Автор: 염진선. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-03-02.

Apparatus and method for executing garbage collection of non volatile memory according to power state

Номер патента: KR100725410B1. Автор: 신동군. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-07.

The driving method of non-volatile memory device

Номер патента: KR100853964B1. Автор: 최양규,김국환. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2008-08-25.

Read circuit of non-volatile memory

Номер патента: KR960002007B1. Автор: 가즈히코 미키,오사무 마츠모토. Владелец: 가부시키가이샤 도시바. Дата публикации: 1996-02-09.

Programming method of non volatile memory device

Номер патента: KR100967009B1. Автор: 심근수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-30.

Program method of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100268442B1. Автор: 박종민,정휘택. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 2000-10-16.

Wear leveling method of Non-volatile memory device having single level memory cell block and multi level memory cell block

Номер патента: KR101548175B1. Автор: 이양섭. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-08-28.

Salts of non-volatile acids as polymerization catalysts

Номер патента: WO2001057111A1. Автор: Paul Michael Smigelski, Jr.,Timothy Brydon Burnell,Patrick Joseph Mcloskey. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2001-08-09.

Multi-level-control multi-flash device, has smart storage transaction manager managing transactions from host, and set of non-volatile memory blocks storing host data at block location identified by physical block address

Номер патента: DE102009026178A1. Автор: Frank I-Kang Palo Alto Yu,Abraham Chih Kang Fremont Ma,David Q. San Jose Chow,Charles C. Cupertino Lee. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2010-03-25.

A kind of hot air leveling-up scaling powder of non-volatility organic matter and preparation method thereof

Номер патента: CN103551762B. Автор: 陈斌,张强,董洋,郑勇,丁飞,王金玉,朱丽娜,丁璐,赵海林,张潮,牛宗霞,徐彩凤,郎柳春. Владелец: Beijing Xinli Machinery Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-06.

Read compensation for partially programmed blocks of non-volatile storage

Номер патента: WO2013028721A1. Автор: Dana Lee,Ken Oowada. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2013-02-28.

Programming method of non-volatile memory device

Номер патента: KR101722023B1. Автор: 양승진. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2017-03-31.

Erasing method and soft programming method of non volatile memory device

Номер патента: KR101981798B1. Автор: 오해순. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2019-05-23.

method for operating of non-volatile memory device

Номер патента: KR100274750B1. Автор: 이종석,김주영,정종배,주영동,양태흠. Владелец: 현대전자산업주식회사. Дата публикации: 2001-02-01.

System and method for accelerating performance of non-volatile memory RAID stacks

Номер патента: US10628342B1. Автор: Anirban Kundu,Shyamkumar T. Iyer,Srikrishna Ramaswamy. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2020-04-21.

A kind of non-volatile memory medium

Номер патента: CN107168903A. Автор: 郭海涛,常胜,侯新宇. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-15.

Method and controller for collaborative management of non-volatile hierarchical storage system

Номер патента: CN104731523A. Автор: C.J.坎普,A.D.沃尔斯. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-24.

LIQUID COSMETIC COMPOSITION COMPRISING A HIGH CONTENT OF NON-VOLATILE OILS AND METHOD OF TREATING LIP

Номер патента: FR3041532A1. Автор: Veronique Jacques,Stéphane Arditty,Estelle Prud'Homme,Padellec Sylvie Le. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2017-03-31.

Wireless programming of non-volatile memory with near-field uhf coupling

Номер патента: US20090243813A1. Автор: Joshua R. Smith,Daniel Yeager,Sean Eilert,Mostafa N. Abdulla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-10-01.

Read compensation for partially programmed blocks of non-volatile storage

Номер патента: CN103814408A. Автор: 达纳·李,大和田宪. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-05-21.

Variable current sinking for coarse/fine programming of non-volatile memory

Номер патента: CN1930631A. Автор: 丹尼尔·C·古特曼,尼玛·穆赫莱斯,方玉品. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-03-14.

Source controlled operation of non-volatile memories

Номер патента: TW200509134A. Автор: Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-03-01.

Voltage generator circuit capable of generating different voltages based on operating mode of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: CN101136249B. Автор: 李真烨,金镇国. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-01-04.

Voltage control circuit of non-volatile memory and control method of voltage control circuit

Номер патента: CN105336371A. Автор: 张天柱,陈达. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-17.

Programming method of non volatile memory device

Номер патента: KR100965072B1. Автор: 원삼규,차재원,백광호. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-21.

Source controlled operation of non-volatile memories

Номер патента: KR101091581B1. Автор: 라울- 아드리안 세르네아. Владелец: 쌘디스크 코포레이션. Дата публикации: 2011-12-13.

Use of data latches in cache operations of non-volatile memories

Номер патента: EP1864289B1. Автор: Yan Li,Emilio Yero. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-02-17.

High efficacy antiperspirant stick containing low levels of non-volatile organic fluids

Номер патента: CA2521001A1. Автор: David William Walling,Phi Van Chu. Владелец: Phi Van Chu. Дата публикации: 2004-10-21.

Programming method of non-volatile memory device having multi-level cell

Номер патента: KR101080912B1. Автор: 노금환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-11-09.

Method and apparatus for protection of non-volatile memory in presence of out-of-specification operation voltage

Номер патента: TWI423262B. Автор: Chun Hsiung Hung,Kun Lung Chang,Nai Ping Kuo,Ken Hui Chen,yu chen Wang. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-11.

Refresh of non-volatile memory cells based on fatigue conditions

Номер патента: US9158612B2. Автор: Vishal Sarin,Frankie F. Roohparvar,Jung S. Hoei. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-10-13.

Accelerating binary neural networks within latch structure of non-volatile memory devices

Номер патента: US11544547B2. Автор: Martin LUEKER-BODEN,Anand Kulkarni,Won Ho Choi. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-03.

The operating method of non-volatile memory device and data storage device including it

Номер патента: CN107025942A. Автор: 洪志满. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-08-08.

Tracking read accesses to regions of non-volatile memory

Номер патента: US9141534B2. Автор: Manuel Antonio d'Abreu,Stephen Skala. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-09-22.

Variable programming of non-volatile memory

Номер патента: KR100847587B1. Автор: 지앙 첸,치밍 왕. Владелец: 샌디스크 코포레이션. Дата публикации: 2008-07-22.

Method and device for redundancy of non-volatile integrated memories

Номер патента: DE69720103D1. Автор: Tran Hieu Van,Trevor Blyth. Владелец: Information Storage Devices Inc. Дата публикации: 2003-04-30.

Erasing Method of Non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100428849B1. Автор: 츠네사다노부토시. Владелец: 엔이씨 일렉트로닉스 코포레이션. Дата публикации: 2004-04-29.

Programming method of non volatile memory device

Номер патента: KR100996108B1. Автор: 김지환,박성제. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-11-22.

Partition of non-volatile memory array to reduce bit line capacitance

Номер патента: US20060203587A1. Автор: Yan Li,Farookh Moogat. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Programming method of Non-volatile memory device

Номер патента: KR101296289B1. Автор: 박기태,김기남,이영택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-08-14.

Method and apparatus for use in sanitizing a network of non-volatile memory express devices

Номер патента: EP3850473B1. Автор: Markku Valtonen. Владелец: Blancco Technology Group IP Oy. Дата публикации: 2022-09-28.

Method of managing the endurance of non-volatile memories

Номер патента: EP2724237A1. Автор: Stephane Ricard,Yves Fusella,Samuel Charbouillot. Владелец: Starchip SAS. Дата публикации: 2014-04-30.

Data recovery for defective word lines during programming of non-volatile memory arrays

Номер патента: US8775901B2. Автор: Idan Alrod,Eran Sharon. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-07-08.

Page buffer of non-volatile memory device with reduced area and method for prcharging bitline using the same

Номер патента: KR100769803B1. Автор: 박영수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2007-10-23.

Mitigating channel coupling effects during sensing of non-volatile storage elements

Номер патента: USRE45953E1. Автор: Yan Li,Yingda Dong,Cynthia Hsu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-03-29.

OIL COMPOSITES AND PROCESS TO IMPROVE THE VISCOSITY INDEX AND DROP POINT OF NON-VOLATILE NEUTRAL MINERAL OIL COMPOSITES

Номер патента: BR6915304D0. Автор: T Johnston,E Sommers. Владелец: Du Pont. Дата публикации: 1973-01-11.

Circuit for preventing mis-conduct of non-volatile memory by power input/output signal

Номер патента: KR930011347B1. Автор: 황상윤. Владелец: 정용문. Дата публикации: 1993-11-30.

Method and system of low voltage programming of non-volatile memory cells

Номер патента: KR101402076B1. Автор: 다나 이,제프리 루체. Владелец: 샌디스크 테크놀로지스, 인코포레이티드. Дата публикации: 2014-05-30.

Erasing physical memory blocks of non-volatile memory

Номер патента: US9196368B2. Автор: Giulio Marotta,Tommaso Vali,Luca De Santis. Владелец: Round Rock Research LLC. Дата публикации: 2015-11-24.

Improved reliability of non-volatile data tracks of a storage device.

Номер патента: DE69023372D1. Автор: Richard Leo Galbraith,Nyles Norbert Heise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1995-12-14.

Removal of non-volatiles from ammonia-based co2-absorbent solution

Номер патента: CA2934817A1. Автор: Michael Koch,Joseph P. Naumovitz,Peter U. Koss. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2012-03-22.

Erase method and soft programming method of non-volatile memory device

Номер патента: US7855921B2. Автор: Yoo Nam Jeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-21.

Systems and methods for fast access of non-volatile storage devices

Номер патента: WO2019083907A1. Автор: Jie Chen,Zining Wu. Владелец: NYQUIST SEMICONDUCTOR LIMITED. Дата публикации: 2019-05-02.

Starting program voltage shift with cycling of non-volatile memory

Номер патента: CN101213613B. Автор: 杰弗里·W·卢策. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Mitigation of voltage threshold drift associated with power down condition of non-volatile memory device

Номер патента: US10943657B1. Автор: Karthik Sarpatwari,Fabio Pellizzer,Jessica Chen,Nevil Gajera. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-09.

Autonomous initialization of non-volatile random access memory in a computer system

Номер патента: WO2013048485A1. Автор: Mohan Kumar,Dimitrios Ziakas,Murugasamy K. Nachimuthu. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-04-04.

Memory cell of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: US6058051A. Автор: Hiroshi Iwahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-05-02.

Apparatus and method for improving data input/output speed of non-volatile memory device

Номер патента: US11615819B2. Автор: Lee Hyun Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-03-28.

Programming method based on the behaviour of non-volatile memory cenlls

Номер патента: CN1879175A. Автор: 陈建,李彦,田中智晴,丹尼尔·C·古特曼,杰弗里·W·卢策. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-12-13.

METHOD FOR INCREASING THE PROPORTION OF INGREDIENTS OF NON-VOLATILE IN PROCESSING CONDITIONS IN PRIMARY COATING COMPOSITIONS CONTAINING ORGANIC SOLVENTS.

Номер патента: DE3765441D1. Автор: Rudolf Renz,Willy Vesper,Bodo Dr Mueller. Владелец: BASF Lacke und Farben AG. Дата публикации: 1990-11-15.

PESTICID FORMULATIONS OF NON-VOLATILE ORGANIC COMPOUNDS

Номер патента: CU20170110A7. Автор: Gary GORE,Byron Reid,Robert B Baker,Kurt P Vandock. Владелец: BAYER CROPSCIENCE LP. Дата публикации: 2017-10-05.

Management of non-volatile memory systems having large erase blocks

Номер патента: US20050144358A1. Автор: Carlos Gonzalez,Kevin Conley. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2005-06-30.

USE OF AN AQUEOUS DISPERSION OF NON-VOLATILE ORGANOPOLYSILOXANES AND A CROSS-LINKED METHACRYLOYLOXYETHYL TRIMETHYLAMMONIUM AMMONIUM CHLORIDE HOMO OR CO POLYMER WITH ACRYLAMIDE

Номер патента: DE69401125T3. Автор: Claude Dubief,Daniele Cauwet. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2000-11-16.

Programming method of non-volatile memory device

Номер патента: KR101208695B1. Автор: 유현승,황성진,세이이치 아리토메. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2012-12-06.

PROCESS FOR CHANGING A MULTIPLE OF NON-VOLATILE MEMORY LOCATIONS OF A CHIP CARD, IN PARTICULAR A CARD WITHOUT CONTACT

Номер патента: DE69935317T2. Автор: Francois Grieu,Stephane Didier. Владелец: Innovatron Electronique (sa). Дата публикации: 2007-10-31.

Array and pitch of non-volatile memory cells

Номер патента: US7839682B2. Автор: Hieu Van Tran,Anh Ly,Hung Q. Nguyen,Thuan T. Vu. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2010-11-23.

Mitigating channel coupling effects during sensing of non-volatile storage elements

Номер патента: EP2567381B1. Автор: Yan Li,Cynthia Hsu,Yingqa Dong. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-03-18.

Efficient verification for coarse/fine programming of non-volatile memory

Номер патента: WO2005073975A3. Автор: Daniel C Guterman,Nima Mokhlesi,Yupin Fong. Владелец: Yupin Fong. Дата публикации: 2005-10-06.

Autonomous initialization of non-volatile random access memory in a computer system

Номер патента: CN103946814A. Автор: M.K.纳基穆图,M.库马,D.齐亚卡斯. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-07-23.

Lifetime extension of non-volatile semiconductor memory for data storage device

Номер патента: US9348520B2. Автор: Lu Ding,Chandra M. Guda,Choo-Bhin Ong,Michael C. Kutas. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2016-05-24.

System and method for controlling write speed of non-volatile memory

Номер патента: CN104657295B. Автор: 金贤柱,李东起,尹松虎,边炯均,朱原撤. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-07.

Pipelined Programming of Non-Volatile Memories Using Early Data

Номер патента: US20070014153A1. Автор: Yan Li,Sergey Gorobets. Владелец: Gorobets Sergey A. Дата публикации: 2007-01-18.

Method and system for minimizing number of programming pulses used to program rows of non-volatile memory cells

Номер патента: US20080043535A1. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-02-21.

Concurrent programming of non-volatile memory

Номер патента: US7570518B2. Автор: Daniel C. Guterman. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-08-04.

Variable programming of non-volatile memory

Номер патента: EP1738374B1. Автор: Jian Chen,Chi-Ming Wang. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-12-01.

Method for operation of non-volatile memory system and memory controller

Номер патента: CN106847340B. Автор: 朴赞益,朴永昊. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-11.

Secure erase of non-volatile memory

Номер патента: US9779823B2. Автор: Robert W. Ellis,James M. Higgins,Jacob B. Schmier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Page buffer and programming method of non volatile memory device

Номер патента: KR100898664B1. Автор: 노유종,박세천,왕종현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-05-22.

Mapping methods of non-volatile memory system and system for providing the same

Номер патента: KR102168169B1. Автор: 최정식,권오성,임선영,한환수. Владелец: 성균관대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-10-20.

Method and system for minimizing number of programming pulses used to program rows of non-volatile memory cells

Номер патента: US7567461B2. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-07-28.

Variable current sinking for coarse/fine programming of non-volatile memory

Номер патента: US7414887B2. Автор: Daniel C. Guterman,Nima Mokhlesi,Yupin Fong. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-08-19.

The operating method of non-volatile memory device

Номер патента: CN106981306A. Автор: 朱相炫,任琫淳,郑基镐. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Use of data latches in cache operations of non-volatile memories

Номер патента: EP1864289A1. Автор: Yan Li,Emilio Yero. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-12-12.

Starting program voltage shift with cycling of non-volatile memory

Номер патента: CN102385924B. Автор: 杰弗里·W·卢策. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2015-01-14.

Reduced power programming of non-volatile cells

Номер патента: EP1605469A2. Автор: Eduardo Maayan. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2005-12-14.

Management of non-volatile memory systems having large erase blocks

Номер патента: US8745322B2. Автор: Kevin Conley,Carlos J. Gonzalez. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2014-06-03.

Dynamic erase depth for improved endurance of non-volatile memory

Номер патента: EP2965319A2. Автор: Ken Oowada,Masaaki Higashitani,Deepanshu Dutta,Shih-Chung Lee,Chun-Hung Lai. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-01-13.

Granular error reporting for multi-pass programming of non-volatile memory

Номер патента: CN114258531A. Автор: 吴建刚,S·帕塔萨拉蒂,林其松,V·P·拉亚普鲁,S·K·瑞特南,史绍春. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-29.

Data image management via emulation of non-volatile storage device

Номер патента: US20030037202A1. Автор: Salvatore Paxia,Davi Geiger,Zvi Kedem,Arash Baratloo,Peter Wyckoff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.

Novel method and structure for efficient data verification operation of non-volatile memory

Номер патента: JP4129428B2. Автор: エム． コンレー，ケビン,シー． グッターマン，ダニエル,ゴンザレス，カルロス. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-08-06.

Systems and methods for support of non-volatile memory on a DDR memory channel

Номер патента: US9280497B2. Автор: Shawn J. Dube,Stuart Allen Berke. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2016-03-08.

Method of increasing the quantity of non-volatile ingredients present under processing conditions in basic coating compositions mainly containing organic solutions

Номер патента: EP0239796B1. Автор: Rudolf Renz,Willy Vesper,Bodo Dr. Muller. Владелец: BASF Lacke und Farben AG. Дата публикации: 1990-10-10.

Programming method based on the behavior of non-volatile memory cells

Номер патента: EP1678722A1. Автор: Yan Li,Tanaka Tomoharu,Jian Chen,Jeffrey W. Lutze,Daniel C. Guterman. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-07-12.

Compensating for coupling during read operations of non-volatile memory

Номер патента: TWI300929B. Автор: Jian Chen. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Method and device for reduced read latency of non-volatile memory

Номер патента: US20070239926A1. Автор: Kimmo Mylly,Yevgen Gyl,Jussi Hakkinen. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2007-10-11.

The soft-erase method of non-volatile memory device

Номер патента: CN108389601A. Автор: 金斗铉,李宗勋,朴一汉,朴汉. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-08-10.

Method and apparatus for managing data of non-volatile memory in hybrid main memory system

Номер патента: KR102144124B1. Автор: 이동훈,박성근,안나영. Владелец: 고려대학교 산학협력단. Дата публикации: 2020-08-13.

Control the method and system of non-volatile data storage subsystem

Номер патента: CN104571943B. Автор: M·M·弗拉曼,Y·弗兰克,J·M·吉鲁阿德,Y·希兰. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-19.

Thin translation for system access of non volatile semiconductor storage as random access memory

Номер патента: TW201346545A. Автор: Marc T Jones. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2013-11-16.

Programming of Non-Volatile Memory Subjected to High Temperature Exposure

Номер патента: US20170076818A1. Автор: Yiming Huai,Rajiv Yadav Ranjan,Ebrahim Abedifard,Uday Chandrasekhar. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-16.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: WO2023229808A1. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-II MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-11-30.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: US11894051B2. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-il MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-02-06.

Efficient sharing of non-volatile memory

Номер патента: WO2019125706A1. Автор: Badriddine Khessib,Bikash Sharma,Sriram Govindan,Anirudh Badam,Iyswarya Narayanan,Aishwarya Ganesan. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2019-06-27.

Higher accuracy of non-volatile memory-based vector multiplication

Номер патента: US20190026251A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos Stavros Eleftheriou,Konstantinos Bekas,Alessandro Curioni,Manuel Le Gallo-Bourdeau,Adelmo Cristiano Innocenza Malossi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-24.

Sensing module, memory device, and sensing method applied to identify un-programmed/programmed state of non-volatile memory cell

Номер патента: US12002536B2. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Service processor access of non-volatile memory

Номер патента: TW583545B. Автор: Daniel H Bax,Richard A Lary. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-04-11.

Hybrid use of non-volatile memory as storage device and cache

Номер патента: EP3871096B1. Автор: Purvi Shah,Georgiy REYNYA,Slava OKS. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-04-10.

Control apparatus of non-volatile memory and image forming apparatus

Номер патента: US20130290616A1. Автор: Hitoshi Furukawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-10-31.

Method and system for controlling loss of reliability of non-volatile memory

Номер патента: EP2659490B1. Автор: Amedeo Veneroso,Francesco Varone,Pasquale Vastano,Vitantonio Di Stasio. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-03-29.

Control apparatus of non-volatile memory and image forming apparatus

Номер патента: US8493607B2. Автор: Hitoshi Furukawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2013-07-23.

Word line-dependent word line and channel read setup time in first read state of non-volatile memory

Номер патента: US20240212737A1. Автор: Henry Chin,Erika Penzo,Dong-il MOON. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-27.

SYSTEMS AND METHODS OF NON-VOLATILE MEMORY SENSING INCLUDING SELECTIVE/DIFFERENTIAL THRESHOLD VOLTAGE FEATURES

Номер патента: US20130163363A1. Автор: Tran Hieu Van,SAHA Samar. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

Repair method and device for abnormal-erase memory block of non-volatile flash memory

Номер патента: US20130179728A1. Автор: Tao Zhou. Владелец: MStar Semiconductor Inc Taiwan. Дата публикации: 2013-07-11.

SEQUENTIAL PROGRAMMING OF SETS OF NON-VOLATILE ELEMENTS TO IMPROVE BOOST VOLTAGE CLAMPING

Номер патента: US20130223154A1. Автор: Dutta Deepanshu,Lutze Jeffrey W.. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2013-08-29.

Method for implementing security of non-volatile memory

Номер патента: US20130238831A1. Автор: CHEN He. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-09-12.

MECHANISM FOR FACILITATING POWER AND PERFORMANCE MANAGEMENT OF NON-VOLATILE MEMORY IN COMPUTING DEVICES

Номер патента: US20130275781A1. Автор: Hartung Joerg,Mangold Richard P.,Ramage Simon D.,Gittens Curtis A.,Gayman Jason A.. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-10-17.

CONTROL APPARATUS OF NON-VOLATILE MEMORY AND IMAGE FORMING APPARATUS

Номер патента: US20130290616A1. Автор: Furukawa Hitoshi. Владелец: . Дата публикации: 2013-10-31.

METHOD AND SYSTEM FOR CONTROLLING LOSS OF RELIABILITY OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20130290617A1. Автор: VENEROSO Amedeo,VARONE Francesco,Vastano Pasquale,Distasio Vitantonio. Владелец: STMICROELECTRONICS INTERNATIONAL N.V.. Дата публикации: 2013-10-31.

Management of Non-Volatile Memory Systems Having Large Erase Blocks

Номер патента: US20130339585A1. Автор: Conley Kevin M.,Gonzalez Carlos J.. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

ADAPTIVE CONFIGURATION OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20130339589A1. Автор: Qawami Shekoufeh,Sundaram Rajesh,Zimmerman David J.,Fanning Blaise. Владелец: . Дата публикации: 2013-12-19.

Circuit and method for adjusting select gate voltage of non-volatile memory during erasure of memory cells based on a well voltage

Номер патента: US20180005699A1. Автор: Shin-Jang Shen,Wei-Jen Chen,Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

TESTING OF NON-VOLATILE MEMORY ARRAYS

Номер патента: US20150012787A1. Автор: Leung Nelson Kei,Burggraf,III Daniel Robert,TARSI TREVOR JOHN. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-08.

GRACEFUL SHUTDOWN WITH ASYNCHRONOUS DRAM REFRESH OF NON-VOLATILE DUAL IN-LINE MEMORY MODULE

Номер патента: US20180011714A1. Автор: Xu Liang,HAN Donald,SHIAO Rsong-Hsiang. Владелец: SUPER MICRO COMPUTER, INC.. Дата публикации: 2018-01-11.

METHOD AND APPARATUS OF NON-VOLATILE MEMORY SYSTEM HAVING CAPABILITY OF KEY-VALUE STORE DATABASE

Номер патента: US20180012033A1. Автор: NAKAJIMA Akio. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-11.

Methods and Systems for Scalable Reliability Management of Non-Volatile Memory Modules

Номер патента: US20160018998A1. Автор: Frayer Jack Edward,Mohan Vidyabhushan. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-21.

ERASING PHYSICAL MEMORY BLOCKS OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20140133226A1. Автор: VALI Tommaso,De Santis Luca,Marotta Giulio. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

Scalable Data Structures for Control and Management of Non-Volatile Storage

Номер патента: US20160070496A1. Автор: Cohen Earl T.,Canepa Timothy L.. Владелец: . Дата публикации: 2016-03-10.

SELECT GATE BIAS DURING PROGRAM OF NON-VOLATILE STORAGE

Номер патента: US20140160848A1. Автор: SATO Shinji,Dutta Deepanshu,Higashitani Masaaki,Lai Chun-Hung,Yano Fumiko. Владелец: SandDisk Technologies Inc.. Дата публикации: 2014-06-12.

Dynamic use of non-volatile ram as memory and storage on a storage system

Номер патента: US20220100412A1. Автор: OWEN Martin,Parmeshwr Prasad,Rahul Deo Vishwakarma,Earl Medeiros. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2022-03-31.

Enhancing Lifetime of Non-Volatile Cache by Reducing Intra-Block Write Variation

Номер патента: US20150100735A1. Автор: Wang Zhe,Xu Yi,XIE Yuan,GU Junli,CAO Ting. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US20180095678A1. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

READ AND VERIFY METHODOLOGY AND STRUCTURE TO COUNTER GATE SiO2 DEPENDENCE OF NON VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20220148665A1. Автор: Okada Akira,Gautam Rajdeep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-05-12.

BIASING OF UNSELECTED BLOCKS OF NON-VOLATILE MEMORY TO REDUCE LOADING

Номер патента: US20160111161A1. Автор: Nguyen Khanh,Louie Kenneth Se Mon. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-21.

Optimization of non-volatile memory in message queuing

Номер патента: US20160117242A1. Автор: Dinakaran Joseph,Meeta Yadav,Joseph Allen,Gari Singh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

OPTIMIZATION OF NON-VOLATILE MEMORY IN MESSAGE QUEUING

Номер патента: US20160117243A1. Автор: Joseph Dinakaran,Yadav Meeta,Allen Joseph,Singh Gari. Владелец: . Дата публикации: 2016-04-28.

CONFIGURATION OF NON-VOLATILE DUAL IN-LINE MEMORY MODULES

Номер патента: US20210141547A1. Автор: PEREZ Taciano,BERLIN Kimon,MEDAGLIA Diego,Staub Charles,Satos Anellena. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

HEALTH STATE OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20160125959A1. Автор: Otterstedt Jan,Schneckenburger Christian. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-05.

VIRTUALIZATION OF NON-VOLATILE RANDOM ACCESS MEMORY

Номер патента: US20170123685A1. Автор: BARSZCZAK Tomasz,Zuo Xiaoshan. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-04.

SYSTEMS AND METHODS FOR SUPPORT OF NON-VOLATILE MEMORY ON A DDR MEMORY CHANNEL

Номер патента: US20160132240A1. Автор: Berke Stuart Allen,Dube Shawn J.. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-12.

Techniques for Reducing Read Disturb in Partially Written Blocks of Non-Volatile Memory

Номер патента: US20160141046A1. Автор: Avila Chris,Lee Dana,Hsu Cynthia,Khandelwal Anubhav,Chin Henry,Manohar Abhijeet,Dusija Gautam,Tuers Daniel. Владелец: . Дата публикации: 2016-05-19.

SYSTEMS AND METHODS TO UPDATE REFERENCE VOLTAGES OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20140226398A1. Автор: "DABREU MANUEL ANTONIO",SKALA STEPHEN,DESIREDDI SATEESH,NARADASI JAYAPRAKASH,VENKITACHALAM ANAND,GOWDA SACHIN KRISHNE. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-08-14.

Thin translation for system access of non volatile semicondcutor storage as random access memory

Номер патента: US20140229659A1. Автор: Marc T. Jones. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-08-14.

CONCURRENT UPGRADE AND BACKUP OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20170160937A1. Автор: Kim Kyu-Hyoun,Tressler Gary A.,Sethuraman Saravanan,Chinnakkonda Vidyapoornachary Diyanesh B.. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

METHODS AND SYSTEMS FOR MONITORING WRITE OPERATIONS OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20140245084A1. Автор: Byom Matthew J.,Wakrat Nir J.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2014-08-28.

Apparatus and method for improving data input/output speed of non-volatile memory device

Номер патента: US20220301600A1. Автор: Lee Hyun Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Optimizing Pass Voltage And Initial Program Voltage Based On Performance Of Non-Volatile Memory

Номер патента: US20150170746A1. Автор: Oowada Ken,MURAI Shota. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-06-18.

METHOD AND SYSTEM FOR MINIMIZING NUMBER OF PROGRAMMING PULSES USED TO PROGRAM ROWS OF NON-VOLATILE MEMORY CELLS

Номер патента: US20140254273A1. Автор: Roohparvar Fariborz F.. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-09-11.

Enhanced erase retry of non-volatile storage device

Номер патента: US20190164614A1. Автор: Swaroop Kaza,Sainath Viswasarai,Divya Prasad,Gopu S,Piyush Anil Dhotre,Chittoor Devarajan Sunilkumar. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

TRACKING ERASE OPERATIONS TO REGIONS OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20140269067A1. Автор: "DABREU MANUEL ANTONIO",SKALA STEPHEN,PANTELAKIS DIMITRIS. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-09-18.

HIGHER ACCURACY OF NON-VOLATILE MEMORY-BASED VECTOR MULTIPLICATION

Номер патента: US20190179872A1. Автор: Sebastian Abu,Le Gallo-Bourdeau Manuel,Bekas Konstantinos,Eleftheriou Evangelos Stavros,Curioni Alessandro,Malossi Adelmo Cristiano Innocenza. Владелец: . Дата публикации: 2019-06-13.

ERASE SPEED ADJUSTMENT FOR ENDURANCE OF NON-VOLATILE STORAGE

Номер патента: US20150200019A1. Автор: Lee Dana,Chin Henry. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2015-07-16.

ADAPTIVE REFERENCE TUNING FOR ENDURANCE ENHANCEMENT OF NON-VOLATILE MEMORIES

Номер патента: US20140281294A1. Автор: Lam Chung H.,LI Jing,Dai Bing. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

Efficient sharing of non-volatile memory

Номер патента: US20190187897A1. Автор: Badriddine Khessib,Bikash Sharma,Sriram Govindan,Anirudh Badam,Iyswarya Narayanan,Aishwarya Ganesan. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-06-20.

BACK BIAS DURING PROGRAM VERIFY OF NON-VOLATILE STORAGE

Номер патента: US20140286101A1. Автор: Ito Fumitoshi. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-09-25.

Adjusting Control Gate Overdrive Of Select Gate Transistors During Programming Of Non-Volatile Memory

Номер патента: US20140293701A1. Автор: Higashitani Masaaki,Dong Yingda. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES INC.. Дата публикации: 2014-10-02.

SYSTEMS AND METHODS OF NON-VOLATILE MEMORY SENSING INCLUDING SELECTIVE/DIFFERENTIAL THRESHOLD VOLTAGE FEATURES

Номер патента: US20140293724A1. Автор: Tran Hieu Van,SAHA Samar. Владелец: Silicon Storage Technology, Inc.. Дата публикации: 2014-10-02.

OPERATING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20170206124A1. Автор: JOO Sang-Hyun,LIM Bong-soon,JUNG KEE-HO. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-20.

PROGRAMMING METHOD OF NON VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20180204614A1. Автор: HAHN WOOK-GHEE,YU Chang-Yeon,LEE Joo-kwang. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-19.

EXTENDING SHELF LIFE OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICES

Номер патента: US20180210646A1. Автор: Kosuru Trinadhachari,Swaminathan Janani,McPadden Adam J.,KASULA PRASHANTH K.,RAGHAVENDRA PREETHAM H.. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-26.

DEVICE AND METHOD FOR CONTROLLING REFRESH CYCLES OF NON-VOLATILE MEMORIES

Номер патента: US20190221253A1. Автор: Gherman Valentin,SEIF Marcelino. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-18.

INFORMATION PROCESSING DEVICE THAT EXTENDS SERVICE LIFE OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY AND RECORDING MEDIUM

Номер патента: US20160253097A1. Автор: TOYODA TAKASHI. Владелец: KYOCERA Document Solutions Inc.. Дата публикации: 2016-09-01.

MEMORY SYSTEM, MEMORY CONTROLLER AND CONTROL METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20150261448A1. Автор: Kojima Yoshihisa,Ueki Katsuhiko. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2015-09-17.

SYSTEMS AND METHODS FOR BALANCING MULTIPLE PARTITIONS OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20200264792A1. Автор: Paley Alexander,Vogan Andrew W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-08-20.

MEMORIES INCLUDING MULTIPLE ARRAYS OF NON-VOLATILE MEMORY CELLS SELECTIVELY CONNECTED TO SENSE CIRCUITRY USING DIFFERENT NUMBERS OF DATA LINES

Номер патента: US20180286482A1. Автор: Sakui Koji,Feeley Peter. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-10-04.

DATA READING METHOD, DEVICE, AND MEDIUM OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20200294560A1. Автор: WANG TAO,ZHENG Xiao. Владелец: . Дата публикации: 2020-09-17.

TESTING OF NON-VOLATILE MEMORY ARRAYS

Номер патента: US20150357046A1. Автор: Leung Nelson Kei,Burggraf,III Daniel Robert,TARSI TREVOR JOHN. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-10.

METHOD AND APPARATUS FOR INTEGRATION OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20180349057A1. Автор: Blinzer Paul,OSQUEIZADEH Nima. Владелец: . Дата публикации: 2018-12-06.

Method and System Involving Degradation of Non-Volatile Memory Based on Write Commands and Drive-Writes

Номер патента: US20200342945A1. Автор: Zhang Yao,Sarkar Jay,Mohan Vidyabhushan,PETERSON Cory,SANAYEI Amir. Владелец: . Дата публикации: 2020-10-29.

Methods and Systems for Detection of Non-Volatile Solutes

Номер патента: US20160377582A1. Автор: GAMACHE Paul H.. Владелец: . Дата публикации: 2016-12-29.

ADAPTIVE SYSTEM FOR OPTIMIZATION OF NON-VOLATILE STORAGE OPERATIONAL PARAMETERS

Номер патента: US20180373437A1. Автор: SHARON ERAN,NAVON Ariel,HAHN JUDAH GAMLIEL,Bazarsky Alex. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2018-12-27.

SYSTEMS AND METHODS FOR MANAGING AN ARTIFICIALLY LIMITED LOGICAL SPACE OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20200379897A1. Автор: Vogan Andrew W.. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-03.

DATA ERASING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY AND STORAGE DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20200388337A1. Автор: LIU Tsai-Fa. Владелец: SILICON MOTION, INC.. Дата публикации: 2020-12-10.

Apparatus and method of managing mapping table of non-volatile memory

Номер патента: KR101434567B1. Автор: 김효준. Владелец: 삼성전자 주식회사. Дата публикации: 2014-08-27.

Rapid parallel determination of non-volatile analytes in complex combinatorial samples

Номер патента: US6362006B1. Автор: Radislav Alexandrovich Potyrailo,John Patrick Lemmon. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2002-03-26.

Access method of non-volatile memory device

Номер патента: KR101642465B1. Автор: 조경래,송승환,손홍락,유한웅,은희석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2016-07-25.

Programming method of non volatile memory device

Номер патента: KR100953044B1. Автор: 박성제. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-14.

Generator for bitline selecting voltage and method for reading out data of non volatile memory device using the same

Номер патента: KR100865817B1. Автор: 이진행. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-10-28.

Operating method of non volatile memory device

Номер патента: KR101005117B1. Автор: 이정환,박성제. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2011-01-04.

Erasing method and Soft programming method of non volatile memory device

Номер патента: KR100936879B1. Автор: 전유남. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-01-14.

Apparatus and method for improving data input/output speed of non-volatile memory device

Номер патента: KR20220130504A. Автор: 권이현. Владелец: 에스케이하이닉스 주식회사. Дата публикации: 2022-09-27.

Circuit and method for preventing data erase and program about special address of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100197573B1. Автор: 박종민. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Fail bit counter of non volatile memory device

Номер патента: KR100965077B1. Автор: 조명. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-21.

Write-in method of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: JPS5433636A. Автор: Yutaka Hayashi,Yasuo Tarui,Kiyoko Nagai,Fumimaru Okamura. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1979-03-12.

Efficient verification for coarse/fine programming of non-volatile memory

Номер патента: KR100858745B1. Автор: 다니엘 시. 구터만,니마 모크레시,유핀 퐁. Владелец: 샌디스크 코포레이션. Дата публикации: 2008-09-17.

Programming and erasing methods of non-volatile memory having nitride tunneling layer

Номер патента: TW519734B. Автор: Tzuo-Hung Fan,Yan-Hung Ye,Guang-Yang Jan,Mu-Yi Liou,Dau-Jeng Lu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2003-02-01.

Soft program method of non volatile memory device

Номер патента: KR100885784B1. Автор: 박성제. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-02-26.

Detection of non-volatile memory devices using a selection device that retains characteristics

Номер патента: JP5982539B2. Автор: サン ヒョン ジョー，,サン ヒョン ジョー，,ハゴップ ナザリアン，,リン シー リュウ，,リン シー リュウ，. Владелец: Crossbar Inc. Дата публикации: 2016-08-31.

Memory system, abrasion equilibrium method and apparatus of non-volatile memory

Номер патента: CN101354681B. Автор: 王利,李榕,金跃峰. Владелец: MEISHANG WEIRUI ELECTRIC Co. Дата публикации: 2010-12-01.

Multi level cell programming method of non volatile memory device

Номер патента: KR100954949B1. Автор: 주석진,박성제. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-04-27.

Fermentative production of non-volatile microbial metabolism products in solid form

Номер патента: KR101388759B1. Автор: 오스카 첼더,마르쿠스 폼페유스,스테판 프레이어,마르쿠스 로쉐이트,마티아스 보이,에드자르트 숄텐. Владелец: 바스프 에스이. Дата публикации: 2014-04-28.

Method for controlled programming of non-volatile memory exhibiting bit line coupling

Номер патента: KR100966358B1. Автор: 얀 리,제프리 더블유 루체,시우 엘. 챈. Владелец: 샌디스크 코포레이션. Дата публикации: 2010-06-28.

Multi-level-control multi-flash device, has smart storage transaction manager managing transactions from host, and set of non-volatile memory blocks storing host data at block location identified by physical block address

Номер патента: DE102009026189A1. Автор: Frank I-Kang Palo Alto Yu,Charles C. Cupertion Lee,Abraham Chih Kang Fremont Ma. Владелец: Super Talent Electronics Inc. Дата публикации: 2010-02-18.

Unified re-map and cache-index table with dual write-counters for wear-leveling of non-volatile flash RAM mass storage

Номер патента: US6000006A. Автор: Ricardo H. Bruce,Rolando H. Bruce,Earl T. Cohen,Allan J. Christie. Владелец: BIT Microsystems Inc. Дата публикации: 1999-12-07.

Store controlling circuit of non-volatile random access memory

Номер патента: JPS58130490A. Автор: Yoshiro Sakurauchi,桜内　芳郎. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1983-08-03.

Operating method of non volatile memory device

Номер патента: KR100996040B1. Автор: 한정철. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-11-22.

Programming and verifying method of non volatile memory device

Номер патента: KR100960448B1. Автор: 강영수. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-28.

Charge packet metering for coarse/fine programming of non-volatile memory

Номер патента: US7068539B2. Автор: Daniel C. Guterman,Nima Mokhlesi,Yupin Fong. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-06-27.

LIQUID COSMETIC COMPOSITION COMPRISING A HIGH CONTENT OF NON-VOLATILE OILS AND METHOD OF TREATING LIP

Номер патента: FR3041532B1. Автор: Veronique Jacques,Stéphane Arditty,Estelle Prud'Homme,Padellec Sylvie Le. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2017-10-20.

Efficient verification for coarse/fine programming of non-volatile memory

Номер патента: TW200608408A. Автор: Daniel C Guterman,Nima Mokhlesi,Yupin Fong. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-03-01.

Boot management of non-volatile memory

Номер патента: US8473670B2. Автор: Bhrighu Sareen,Dilesh Dhokia. Владелец: Microsoft Corp. Дата публикации: 2013-06-25.

A kind of non-volatile data storage method, apparatus, electronic equipment and medium

Номер патента: CN110442473A. Автор: 刘凯,刘均. Владелец: Shenzhen Launch Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-12.

Maintenance system for an equipment set, especially for aircraft systems where testing is speeded by making use of non- volatile memory integral with the components being tested

Номер патента: FR2812958A1. Автор: Francois Fournier,Peter Howlett. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 2002-02-15.

Wear leveling method of non-volatile memory

Номер патента: US20110238892A1. Автор: Song-Feng Tsai,Wen-Tsung Yang,Jen-Yu Hsu. Владелец: Lite On IT Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Starting program voltage shift with cycling of non-volatile memory

Номер патента: KR100945057B1. Автор: 제프리 더블유. 룻체. Владелец: 샌디스크 코포레이션. Дата публикации: 2010-03-05.

Hole annealing methods of non-volatile memory cells

Номер патента: US7301818B2. Автор: Wenpin Lu,Shaw Hung Ku. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-27.

METHOD FOR INCREASING THE PROPORTION OF INGREDIENTS OF NON-VOLATILE IN PROCESSING CONDITIONS IN PRIMARY COATING COMPOSITIONS CONTAINING ORGANIC SOLVENTS

Номер патента: DE3610765A1. Автор: Bodo Dipl Chem Dr Mueller,Rudolf Renz,Willy Vesper. Владелец: BASF Lacke und Farben AG. Дата публикации: 1987-10-01.

METHOD FOR MANAGING ENDURANCE OF NON-VOLATILE MEMORIES

Номер патента: FR2977047A1. Автор: Stephane Ricard,Yves Fusella,Samuel Charbouillot. Владелец: Starchip SAS. Дата публикации: 2012-12-28.

Method and system for minimizing number of programming pulses used to program rows of non-volatile memory cells

Номер патента: US7961522B2. Автор: Frankie Roohparvar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-06-14.

Program method of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: KR100206696B1. Автор: 박종욱. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1999-07-01.

Boosting to control programming of non-volatile memory

Номер патента: EP1751770A1. Автор: Nima Mokhlesi,Yupin Fong,Daniel Guterman. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2007-02-14.

Hole annealing methods of non-volatile memory cells

Номер патента: TW200713459A. Автор: Wen-Pin Lu,Shaw-Hung Ku. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-01.

METHOD FOR REDUCING THE RESIDUES OF NON-VOLATILE CARBON PRODUCTS RESULTING FROM THE TREATMENT, AT HIGH TEMPERATURE, OF A METAL SUBSTRATE WITH A TREATMENT COMPOSITION

Номер патента: FR2439815A1. Автор: Joseph Alfred Piucci. Владелец: Pennwalt Corp. Дата публикации: 1980-05-23.

Managing data using a number of non-volatile memory arrays

Номер патента: WO2015116100A1. Автор: Gregg B. Lesartre,Martin Foltin. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2015-08-06.

Programming method of non volatile memory device according to program speed of memory cells

Номер патента: US10090045B2. Автор: Wook-ghee Hahn,Chang-Yeon YU,Joo-kwang LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-10-02.

Compensating for coupling during read operations of non-volatile memory

Номер патента: US7315477B2. Автор: Jian Chen. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-01-01.

Memory cell block of non volatile memory device and managing method for additional information thereof

Номер патента: KR100965074B1. Автор: 원삼규. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-06-21.

Source controlled operation of non-volatile memories

Номер патента: EP1636803B1. Автор: Raul-Adrian Cernea. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-12-24.

Program method of non-volatile memory device

Номер патента: US7596026B2. Автор: Oh-Suk Kwon,June Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-29.

Systems and methods for managing an artificially limited logical space of non-volatile memory

Номер патента: US11288184B2. Автор: Andrew W. Vogan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-03-29.

Region-based management method of non-volatile memory

Номер патента: US20110161562A1. Автор: Yuan-Hao Chang,Tei-Wei Kuo. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2011-06-30.

Method for programming of non volatile memory device

Номер патента: KR100960466B1. Автор: 정성재. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-05-28.

Multi-write coding of non-volatile memories

Номер патента: US20110138104A1. Автор: Ashish Jagmohan,Michele M. Franceschini,Luis A. Lastras-Montano. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Method for fail test, method for block management, method for erasing and method for programming of non volatile memory deice

Номер патента: KR100923832B1. Автор: 장채규,박세천,왕종현. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2009-10-27.

Fermentative production of non-volatile microbial metabolism products in solid form

Номер патента: CA2623588A1. Автор: Oskar Zelder,Markus Pompejus,Stephan Freyer,Matthias Boy,Markus Lohscheidt,Edzard Scholten. Владелец: Edzard Scholten. Дата публикации: 2007-03-15.

Mitigating channel coupling effects during sensing of non-volatile storage elements

Номер патента: WO2011140057A8. Автор: Yan Li,Cynthia Hsu,Yingqa Dong. Владелец: SANDISK TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2015-03-12.

Circuit for single bit programming of non-volatile memory words

Номер патента: EP0700051A1. Автор: Luigi Pascucci,Silvia Padoan,Carla Golla. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1996-03-06.

The operating method of non-volatile memory device

Номер патента: CN105786411B. Автор: 赖义麟,徐明同. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2019-04-09.

Bias circuit for a memory line decoder driver of non-volatile memories

Номер патента: EP0662690A1. Автор: Luigi Pascucci,Carla Maria Golla,Marco Maccarrone. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1995-07-12.

Method and system for low voltage programming of non-volatile memory cells

Номер патента: JP5166442B2. Автор: リー，ダナ,ルッツェ，ジェフリー. Владелец: サンディスク テクノロジィース インコーポレイテッド. Дата публикации: 2013-03-21.

The operating method of non-volatile memory device and data storage device including it

Номер патента: CN108257629A. Автор: 李东燮. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-07-06.

Method for maintaining the memory of non-volatile memory cells

Номер патента: EP0987715A1. Автор: Pier Luigi Rolandi,Marco Pasotti,Frank Lhermet. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 2000-03-22.

Programming method of non-volatile memory cell

Номер патента: KR101177278B1. Автор: 이승훈,박주희,박윤동,김영문,조경래,송승환,변성재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2012-08-24.

Process for removing solvents from solutions of non-volatile substances

Номер патента: FR1003968A. Автор: . Владелец: Standard Oil Development Co. Дата публикации: 1952-03-24.

Digital data storage system for use with e.g. digital camera, has adaptor including connector compatible with interface of non-volatile memory card, where adaptor and external unit communicate according to protocol of type AT attachment

Номер патента: FR2866176A1. Автор: Eric Laurent Cabret. Владелец: EURL DV2000. Дата публикации: 2005-08-12.

Multi-pulse programming cycle of non-volatile memory for enhanced de-trapping

Номер патента: US9218874B1. Автор: Man Mui,Yee Lih Koh,Tien-Chien Kuo,Juan Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2015-12-22.

Liquid cosmetic composition comprising a high content of non-volatile oil, and lip treatment procedure

Номер патента: ES2769959T3. Автор: Veronique Jacques,Stéphane Arditty,Estelle Prud'Homme,Padellec Sylvie Le. Владелец: LOreal SA. Дата публикации: 2020-06-29.

Use of data latches in cache operations of non-volatile memories

Номер патента: WO2006107654A1. Автор: Yan Li,Emilio Yero. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2006-10-12.

Fermentative production of non-volatile microbial metabolism products in solid form

Номер патента: WO2007028804A1. Автор: Oskar Zelder,Markus Pompejus,Stephan Freyer,Matthias Boy,Markus Lohscheidt,Edzard Scholten. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2007-03-15.

Method of controlling temperature of non-volatile storage device

Номер патента: US10120593B2. Автор: Hu Zhao,Eok-soo SHIM,Jae-beom Byun,Jong-Gyu PARK,Do-il Kong,Chung-hyun Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-11-06.

Fermentative production of non-volatile microbial metabolites in solid form

Номер патента: JP5199094B2. Автор: ポンペユス，マルクス,ゼルダー，オスカー,フライアー，シュテファン,ローシャイト，マルクス,ボイ，マティアス,ショルテン，エザード. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2013-05-15.

The method of non-volatile memory device and erasable nonvolatile storage device

Номер патента: CN104733041B. Автор: 南尚完,李康斌,崔奇焕. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-26.

Removal of non-volatiles from ammonia-based co2-absorbent solution

Номер патента: CA2934805A1. Автор: Michael Koch,Joseph P. Naumovitz,Peter U. Koss. Владелец: Alstom Technology AG. Дата публикации: 2012-03-22.

Method for using transitional voltage during programming of non-volatile storage

Номер патента: US7656703B2. Автор: Jeffrey W. Lutze,Dana Lee,Yingda Dong. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2010-02-02.

Erasing method of non volatile memory device

Номер патента: KR100936870B1. Автор: 노금환. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2010-01-14.

Adjusting resistance of non-volatile memory using dummy memory cells

Номер патента: WO2008115874A1. Автор: Henry Chen,Nima Mokhlesi,Dengtao Zhao. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2008-09-25.

Estimating wear of non-volatile, solid state memory

Номер патента: WO2012065018A2. Автор: David Scott Seekins,Ryan James Goss,David S Ebsen,Nav Navneeth Kankani. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-05-18.

Utilization of non-volatile random access memory for information storage in response to error conditions

Номер патента: US10157005B2. Автор: Robert C. Swanson,Theodros Yigzaw,Tony S. Baker,Chris Ackles,Celeste M. Brown. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-18.

Low power programming of non-volatile cell

Номер патента: CN1770325A. Автор: 爱德华多·马彦. Владелец: SPANSION ISRAEL LTD. Дата публикации: 2006-05-10.

Row decoder circuit of non-volatile memory device

Номер патента: KR940005695B1. Автор: 이웅무. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1994-06-22.

Apparatus and method for improving write/read endurance of non-volatile memory

Номер патента: KR100725979B1. Автор: 김민규. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2007-06-08.

System, method and computer program product for extending the lifespan of non-volatile memory

Номер патента: CN107436847B. Автор: 李舒. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2021-04-30.

High Voltage Generation And Control In Source-Side Injection Programming Of Non-Volatile Memory

Номер патента: US20110134694A1. Автор: Dana Lee,Hock So. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

EFFICIENT VERIFICATION FOR THE GROB / FINE PROGRAMMING OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: DE602005008713D1. Автор: Daniel C Guterman,Nima Mokhlesi,Yupin Fong. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Systems, methods, and devices for user configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: US10489064B2. Автор: Mark Alan McClain,Rainer Hoehler,Willy Obereiner. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Multiple chip system including a plurality of non-volatile semiconductor memory devices

Номер патента: US20040057297A1. Автор: Cheol-Ung Jang,Young-Joon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-03-25.

Compensation of coupling during read operation of non-volatile memory

Номер патента: JP4665029B2. Автор: ジアン チェン. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-04-06.

Methods and systems that selectively inhibit and enable programming of non-volatile storage elements

Номер патента: US9620238B2. Автор: Dana Lee,Henry Chin,Anubhav Khandelwal,Lanlan Gu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Data write method of non-volatile memory device copying data having logical pages prior to logical page of write data from data block

Номер патента: KR100825802B1. Автор: 정재욱,김영곤,김진혁. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-04-29.

Mirroring data onto disparate types of non-volatile data storage

Номер патента: US20210117094A1. Автор: Marc Cassano,Vamsi K. Vankamamidi,Daniel E. Cummins. Владелец: EMC IP Holding Co LLC. Дата публикации: 2021-04-22.

System, method, and apparatus for user-configurable wear leveling of non-volatile memory

Номер патента: CN115064199A. Автор: 马克·麦克莱恩,威利·奥伯莱纳,瑞纳·赫勒尔. Владелец: Infineon Technology Co ltd. Дата публикации: 2022-09-16.

Method of controlling the operation of non-volatile semiconductor memory chips

Номер патента: US20030103392A1. Автор: Hideaki Kurata,Naoki Kobayashi,Toru Matsushita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-06-05.

Charge packet metering for coarse/fine programming of non-volatile memory

Номер патента: US20060203563A1. Автор: Nima Mokhlesi,Yupin Fong,Daniel Guterman. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2006-09-14.

Programming method of Non-volatile memory device

Номер патента: KR101448851B1. Автор: 박기태,이영택. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2014-10-13.

Word line voltage applying device of non-volatile semiconductor memory device

Номер патента: KR100195196B1. Автор: 박종욱. Владелец: 윤종용. Дата публикации: 1999-06-15.

Method for controlled programming of non-volatile memory exhibiting bit line coupling

Номер патента: CN101371315B. Автор: 李彦,杰弗里·W·卢策,肖·L·詹. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2011-08-24.

Command packets for the direct control of non-volatile memory channels within a solid state drive

Номер патента: US20220043761A1. Автор: Jeffrey McVay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Command packets for the direct control of non-volatile memory channels within a solid state drive

Номер патента: US11169939B2. Автор: Jeffrey McVay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-09.

Command packets for the direct control of non-volatile memory channels within a solid state drive

Номер патента: US20190332555A1. Автор: Jeffrey McVay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Electronic control device and usage of non-volatile memory

Номер патента: US20220197747A1. Автор: Daisuke Teshima,Kenho Ko,Takahito FUJU. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Granular error reporting on multi-pass programming of non-volatile memory

Номер патента: US11868202B2. Автор: Sampath K. Ratnam,Jiangang WU,Vamsi Pavan Rayaprolu,Sivagnanam Parthasarathy,Qisong Lin,Shao Chun Shi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Sequential voltage ramp-down of access lines of non-volatile memory device

Номер патента: US11790991B2. Автор: Haitao Liu,Akira Goda,Augusto Benvenuti,Albert Fayrushin,Luca Laurin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Predictive pre-heating of non-volatile memory cells

Номер патента: EP2415051B1. Автор: Xiaobin Wang,Dimitar V. Dimitrov,Hai Li,Yiran Chen,Harry Hongyue Liu,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2013-10-23.

Mirroring data in write caches of controller of non-volatile memory

Номер патента: GB202400236D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-21.

Method and system for managing data organization, article comprising a storage medium, and device for use with a data storage having a plurality of non-volatile storage units

Номер патента: TWI296757B. Автор: Mark Schmisseur. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-05-11.

System and method for updating firmware of non-volatile storage devices

Номер патента: US11762593B2. Автор: Takashi Furuta. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-19.

Sensing module, memory device, and sensing method applied to identify un-programmed/programmed state of non-volatile memory cell

Номер патента: US20230307014A1. Автор: Chun-Hsiung Hung,Tien-Yen Wang,Yun-Chen Chou. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Erasing method of non-volatile memory

Номер патента: TW200723283A. Автор: Cheng-Yuan Hsu,Kuo-Tung Wang,Yen-Lee Pan,Kuo-Hao Chu. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-06-16.

Control apparatus of non-volatile memory and image forming apparatus

Номер патента: US20090268248A1. Автор: Hitoshi Furukawa. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Temperature-dependent word line voltage and discharge rate for refresh read of non-volatile memory

Номер патента: US20230410901A1. Автор: Wei Zhao,Henry Chin,Dong-il MOON,Abhijith Prakash. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-12-21.

Higher accuracy of non-volatile memory-based vector multiplication

Номер патента: US20190179872A1. Автор: Abu Sebastian,Evangelos Stavros Eleftheriou,Konstantinos Bekas,Alessandro Curioni,Manuel Le Gallo-Bourdeau,Adelmo Cristiano Innocenza Malossi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-13.

Sequential voltage ramp-down of access lines of non-volatile memory device

Номер патента: US20210027839A1. Автор: Haitao Liu,Akira Goda,Augusto Benvenuti,Albert Fayrushin,Luca Laurin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

METHOD AND APPARATUS FOR SIMULTANEOUSLY SEPARATING VOLATILE METALS AND NON-VOLATILE METALS

Номер патента: FR2581396B1. Автор: Richard B Wolanski,Richard R Osterberg,Leonard Fritz,Joseph E Arvay. Владелец: Huron Valley Steel Corp. Дата публикации: 1992-09-18.

METHOD AND APPARATUS FOR SIMULTANEOUSLY SEPARATING VOLATILE METALS AND NON-VOLATILE METALS

Номер патента: FR2581396A1. Автор: Richard B Wolanski,Richard R Osterberg,Leonard Fritz,Joseph E Arvay. Владелец: Huron Valley Steel Corp. Дата публикации: 1986-11-07.

METHOD OF RECOVERING NON-VOLATILE METALS FROM A MATERIAL IN THE FORM OF POWDER CONTAINING METAL OXIDES

Номер патента: ES496766A0. Автор: . Владелец: SKF Steel Engineering AB. Дата публикации: 1981-10-16.

System And Method For Controllable Non-Volatile Metal Removal

Номер патента: US20170159188A1. Автор: Anthis Jeffrey W.,Schmiege Benjamin,Gilchrist Glen,Chen Tsung-Liang. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-08.

System And Method For Controllable Non-Volatile Metal Removal

Номер патента: US20160265121A1. Автор: Anthis Jeffrey W.,Schmiege Benjamin,Gilchrist Glen,Chen Tsung-Liang. Владелец: . Дата публикации: 2016-09-15.

METHOD AND EQUIPMENT FOR SIMULTANEOUS SEPARATION OF VOLATILE AND NON-VOLATILE METALS

Номер патента: BE904703A. Автор: . Владелец: Fritz Entpr Inc. Дата публикации: 1986-08-18.

Method and device for etching of metals

Номер патента: RU2375506C2. Автор: Андреас ШТЕПАН,Хуанито ХОРН. Владелец: СИМЕНС ФАИ МЕТАЛЗ ТЕКНОЛОДЖИЗ ГМБХ УНД КО. Дата публикации: 2009-12-10.

Method of selective etching of steel

Номер патента: RU2709558C1. Автор: Сергей Геннадьевич Каплунов. Владелец: Сергей Геннадьевич Каплунов. Дата публикации: 2019-12-18.

Device for implementation of dynamic chemical etching of sintered metallic foams and determination of their permeability by liquids

Номер патента: RU2631782C1. Автор: Владимир Иосифович БРАИЛОВСКИЙ,Юлия Сергеевна Жукова,Сергей Дмитриевич Прокошкин,Сергей Михайлович Дубинский,Вадим Алексеевич Шереметьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2017-09-26.

Imidazolidinethione-containing compositions for post-ash residue removal and/or for oxidative etching of a layer or mask comprising TiN

Номер патента: US12024693B2. Автор: Andreas Klipp,Jhih Jheng KE,Joannes Theodorus Valentinus Hoogboom,Yi Ping CHENG. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2024-07-02.

Colorimetric detection sensor and colorimetric detection method for detecting cyanide anion by etching of gold nanorods

Номер патента: US09846127B2. Автор: Sujin Lee,InHwan Oh,Yeonhee Lee,Kangbong LEE,Yunsik NAM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for the mask-etching of a piercing element

Номер патента: US09522566B2. Автор: Marzellinus Zipfel,Angel Lopez-Mras. Владелец: Roche Diabetes Care Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Method and device for electrolytic etching of metal strips

Номер патента: RU2205254C2. Автор: Вильхельм КАРНЕР,Йован СТАРЦЕВИЧ. Владелец: Андритц-Патентфервальтунгс-Гезелльшафт М.Б.Х.. Дата публикации: 2003-05-27.

Microscopic scale forming method by selective etching of a doped substrate

Номер патента: WO2001032554A3. Автор: Glenn J Fricano,Mark Lizza,Thomas A Pumo,William S Trimmer. Владелец: Standard Mems Inc. Дата публикации: 2001-11-01.

Method for anti-corrosion processing of metal surface with reduced etching of material

Номер патента: RU2754070C2. Автор: Анна Верена МОР,Михаэль ДРЁГЕ,Даниэль ШАТЦ,Марк РИТТМАЙЕР. Владелец: Хеметалл Гмбх. Дата публикации: 2021-08-25.

Vapor etching of nuclear tracks in dielectric materials

Номер патента: US6033583A. Автор: Robert J. Contolini,Ronald G. Musket,John D. Porter,James M. Yoshiyama. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2000-03-07.

Monitoring system based on etching of metals

Номер патента: RU2507516C2. Автор: Г. Пэйтел. Владелец: Г. Пэйтел. Дата публикации: 2014-02-20.

Etching of stainless steel in oxidative electrolytic bath with acid

Номер патента: RU2583500C2. Автор: Аманда Р. ГЛАСС,Рональд Д. РОДАБАУФ,Дэвид М. ПРАЙС. Владелец: Ак Стил Пропертиз, Инк.. Дата публикации: 2016-05-10.

Solution for chemical etching of copper

Номер патента: RU2729265C1. Автор: Владимир Иванович Егоров,Александра Александровна Косенко,Евгений Иванович Остапенко,Тадеуш Иосифович Сороко. Владелец: Закрытое акционерное общество "ЭЛЕКТРОТЯГА". Дата публикации: 2020-08-05.

Method for etching of fluoropolymer track membranes

Номер патента: RU2753260C1. Автор: Сергей Михайлович Мерков,Геннадий Степанович Жданов,Алексей Геннадьевич Липко. Владелец: Алексей Геннадьевич Липко. Дата публикации: 2021-08-12.

A monitoring system based on etching of metals

Номер патента: CA2726993C. Автор: G. Patel. Владелец: Jp Laboratories Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

A method of differential etching of the subterranean fracture

Номер патента: GB2493299A. Автор: Timothy Lesko,Evgeny Borisovich Barmatov,Alexander Alexandrovich Burukhin,Ksenia Evgenievna Eliseeva,Dean M Willberg. Владелец: Schlumberger Holdings Ltd. Дата публикации: 2013-01-30.

Method and apparatus for decorative etching of surfaces

Номер патента: CA1154257A. Автор: Thomas E. Makus,James B. Hubbard. Владелец: Mak Ard Industries Inc. Дата публикации: 1983-09-27.

Etching of multiple holes of uniform size

Номер патента: CA1137395A. Автор: Robert Hammer,John B. Gunn,James A. Van Vechten,Richard A. Ghez. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1982-12-14.

Formulation for the etching of polymer materials prior to coating of the materials

Номер патента: US11898250B2. Автор: Julio Gómez Cordón,Javier Perez Martinez,Luis y OTAÑO JIMENEZ. Владелец: Avanzare Innovacion Tecnologica SL. Дата публикации: 2024-02-13.

IMIDAZOLIDINETHIONE-CONTAINING COMPOSITIONS FOR POST-ASH RESIDUE REMOVAL AND/OR FOR OXIDATIVE ETCHING OF A LAYER OR MASK COMPRISING TiN

Номер патента: WO2019192866A1. Автор: Andreas Klipp,Jhih Jheng KE,Joannes Theodorus Valentinus Hoogboom,Yi Ping CHENG. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2019-10-10.

Imidazolidinethione-containing compositions for post-ash residue removal and/or for oxidative etching of a layer or mask comprising tin

Номер патента: EP3776083A1. Автор: Andreas Klipp,Jhih Jheng KE,Joannes Theodorus Valentinus Hoogboom,Yi Ping CHENG. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 2021-02-17.

A1n masking for selective etching of sapphire

Номер патента: CA1065746A. Автор: Richard F. Rutz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-11-06.

Etching solution for etching of photopolymeric films

Номер патента: CA1195595A. Автор: Manfred A.J. Sondergeld. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1985-10-22.

Non-volatile memory cell and layout of non-volatile memory device

Номер патента: TW201112406A. Автор: Hui-Fang Tsai,Hung-Lin Shih,Jr-Bin Chen,Pei-Ching Yin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-04-01.

NON-VOLATILE STORAGE DEVICE, INFORMATION PROCESSING SYSTEM AND WRITE CONTROL METHOD OF NON-VOLATILE STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120155167A1. Автор: Uehara Keiichi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-06-21.

NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR STORAGE DEVICE

Номер патента: US20120235109A1. Автор: Nojiri Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-09-20.

Non-volatile memory compatible with CMOS (complementary metal oxide semiconductor) logic process and preparation method of non-volatile memory

Номер патента: CN102709295B. Автор: 方明,方英娇. Владелец: WUXI LAIYAN MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2015-06-17.

Structure of non-volatile memory and the operation method thereof

Номер патента: TW200735376A. Автор: xin-zhang Lin,wen-qian Huang,hao-cheng Zhang,zheng-ying Wu,ming-cang Yang. Владелец: Yield Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-09-16.

Reset method of non-volatile memory

Номер патента: TW200830312A. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-16.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon: the process of non-volatile memory cell

Номер патента: TWI265602B. Автор: Po-Tsun Liu,Kow-Ming Chang,Bo-Chun Lin,Chiung-Hui Lai,Yi-Lung Lai. Владелец: Chiung-Hui Lai. Дата публикации: 2006-11-01.

Using method and refresh method of non-volatile memory

Номер патента: TWI259469B. Автор: Ming-Hsiang Hsueh,Hao-Ming Lien,Chao-I Wu,Cheng-Hsing Hsu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-01.

Manufacture of non-volatile memory cell

Номер патента: TWI270962B. Автор: Chung-Chin Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-01-11.

Layout structure of non-volatile memory

Номер патента: TWI302708B. Автор: Kim Jongoh,Cheng Jye Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-01.

Two bits of non volatile memory cells and method of operating the same

Номер патента: TW200743181A. Автор: Chrong-Jung Lin,Ya-Chin King. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2007-11-16.

Reset method of non-volatile memory

Номер патента: TWI314733B. Автор: Ming Chang Kuo. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-09-11.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: TWI306289B. Автор: Hsin Fu Lin,Chun Pei Wu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2009-02-11.

Silicon-oxide-nitride-oxide-silicon: the process of non-volatile memory cell

Номер патента: TW200608527A. Автор: Po-Tsun Liu,Bo-Chun Lin,Chiung-Hui Lai,Hui Lung Lai. Владелец: Chiung-Hui Lai. Дата публикации: 2006-03-01.

Manufacturing method of non-volatile memory

Номер патента: TW200746368A. Автор: Pin-Yao Wang,Liang-Chuan Lai,Rex Young,Wen-Jen Chen. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-12-16.

Process of non-volatile memory

Номер патента: TW253075B. Автор: Herng-Sheng Hwang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1995-08-01.

Using method and refresh method of non-volatile memory

Номер патента: TW200639863A. Автор: Ming-Hsiang Hsueh,Hao-Ming Lien,Chao-I Wu,Cheng-Hsing Hsu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Manufacture of non-volatile memory cell

Номер патента: TW200638513A. Автор: Chung-Chin Shih. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2006-11-01.

Fabrication method of non-volatile memory

Номер патента: TW200743180A. Автор: Chun-Pei Wu,Hsin-Fu Lin. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-16.

Memory unit and manufacture method of non-volatile devices thereof

Номер патента: TWI348215B. Автор: Ming Chang Kuo. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-01.

Program method and circuit of non-volatile memory

Номер патента: TWI267854B. Автор: Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2006-12-01.

Write-in method of non-volatile ROM

Номер патента: TW498337B. Автор: Han-Sung Chen,Jiun-Shiung Hung,Tzeng-Yi Liou. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2002-08-11.

Memory unit and manufacture method of non-volatile devices thereof

Номер патента: TW200843089A. Автор: Ming-Chang Kuo. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-01.

Program method and circuit of non-volatile memory

Номер патента: TW200713265A. Автор: Chih-Chieh Yeh. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-01.

Structure and fabricating method of non-volatile memory and charge storage layer thereof

Номер патента: TW200701407A. Автор: Chun-Yen Chang,Ting-Chang Chang,Po-Tsun Liu,Chun-Hao Tu. Владелец: Univ Nat Sun Yat Sen. Дата публикации: 2007-01-01.

Structure and fabricating method of non-volatile memory and charge storage layer thereof

Номер патента: TWI268579B. Автор: Chun-Yen Chang,Ting-Chang Chang,Po-Tsun Liu,Chun-Hao Tu. Владелец: National Sun Yat-Sen Univ. Дата публикации: 2006-12-11.

COMPENSATION OF NON-VOLATILE MEMORY CHIP NON-IDEALITIES BY PROGRAM PULSE ADJUSTMENT

Номер патента: US20120327716A1. Автор: Zhao Dengtao,Chin Henry,Mokhlesi Nima,Samaddar Tapan. Владелец: . Дата публикации: 2012-12-27.

LAYER-LAYER ETCH OF NON VOLATILE MATERIALS

Номер патента: US20130270227A1. Автор: GUHA Joydeep,Marks Jeffrey,JINNAI Butsurin. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-17.

LAYER-LAYER ETCH OF NON VOLATILE MATERIALS USING PLASMA

Номер патента: US20130323932A1. Автор: GUHA Joydeep. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2013-12-05.

REFRESH OF NON-VOLATILE MEMORY CELLS BASED ON FATIGUE CONDITIONS

Номер патента: US20120030529A1. Автор: SARIN Vishal,Hoei Jung-Sheng,Roohparvar Frankie F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-02-02.

Hierarchical Cross-Point Array of Non-Volatile Memory

Номер патента: US20120039112A1. Автор: . Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-02-16.

BOOT MANAGEMENT OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20120047323A1. Автор: Sareen Bhrighu,Dhokia Dilesh. Владелец: MICROSOFT CORPORATION. Дата публикации: 2012-02-23.

Estimating Wear of Non-Volatile, Solid State Memory

Номер патента: US20120124273A1. Автор: Goss Ryan J.,Seekins David Scott,Kankani Navneeth,Ebsen David Scott. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-05-17.

PROGRAMMING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120170371A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

WEAR-FOCUSING OF NON-VOLATILE MEMORIES FOR IMPROVED ENDURANCE

Номер патента: US20120226962A1. Автор: Franceschini Michele M.,Jagmohan Ashish. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-09-06.

CONTROL AND OPERATION OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20120317347A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-13.

Data Recovery for Defective Word Lines During Programming of Non-Volatile Memory Arrays

Номер патента: US20130031429A1. Автор: SHARON ERAN,ALROD IDAN. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-31.

READING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130163339A1. Автор: Kim Do-Young. Владелец: . Дата публикации: 2013-06-27.

INTEGRATION OF NON-VOLATILE CHARGE TRAP MEMORY DEVICES AND LOGIC CMOS DEVICES

Номер патента: US20130178031A1. Автор: Ramkumar Krishnaswamy,Jenne Fredrick,Levy Sagy. Владелец: CYPRESS SEMICONDUCTOR CORPORATION. Дата публикации: 2013-07-11.

SYSTEM AND METHOD OF UV PROGRAMMING OF NON-VOLATILE SEMICONDUCTOR MEMORY

Номер патента: US20130248960A1. Автор: Lin Chih-Hsien,Lu Hsiang-Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2013-09-26.

Device for shaping and separating a beam of particles of non-volatile compounds

Номер патента: RU1805505C. Автор: Николай Львович Попов,Валерий Владимирович Ящук,Виктор Артемьевич Князьков. Владелец: Ленинградский Институт Ядерной Физики Им.Б.П.Константинова. Дата публикации: 1993-03-30.

The method for burn-recording of a kind of non-volatile memory chip and system

Номер патента: CN103632724B. Автор: 刘洋,刘洪�,李红京,文义,刘书培. Владелец: Autel Intelligent Technology Corp Ltd. Дата публикации: 2016-08-17.

Manufacturing method of non-volatile memory with high capacitive coupling ratio

Номер патента: TW498503B. Автор: Chao-Ming Koh. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2002-08-11.

Low-voltage fast narrow injection programming method of non-volatility memory

Номер патента: CN102411991A. Автор: 闫锋,徐跃,吴春波,纪晓丽. Владелец: NANJING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-04-11.

Dielctric strength increasing treatment method of non-volatile memory

Номер патента: JPS5358781A. Автор: Shigeru Sato,Kanichi Harima,Haruo Nakayama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1978-05-26.

Programming method of non-volatile memory device

Номер патента: CN102610277B. Автор: 刘明,李冬梅,霍宗亮,张满红,王琴,刘璟,姜丹丹. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2015-02-04.

Method for detecting logical address of non-volatile storage medium

Номер патента: TWI223145B. Автор: Sheng-Jung Shie. Владелец: Megawin Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-01.

Method for controlling test of non-volatile memory

Номер патента: JP2004071078A. Автор: Hisaaki Iwasaki,岩▲崎▼　寿明. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-03-04.

Manufacture of non-volatile semiconductor memory

Номер патента: JPS63312683A. Автор: Satoshi Inoue,聡 井上. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1988-12-21.

Method for forming nano single crystal silicon and making method of non volatile semiconductor memory

Номер патента: CN101106078A. Автор: 肖德元. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2008-01-16.

Manufacture method of non-volatile memory

Номер патента: CN100583400C. Автор: 刘明,陈晨,朱晨昕,王琴,贾锐,李昊峰,李维龙. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2010-01-20.

The health control of non-volatility memorizer

Номер патента: CN106297881A. Автор: 刘亦峻. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-04.

A kind of non-volatile file system of distribution

Номер патента: CN109063103A. Автор: 苏楠. Владелец: Zhengzhou Yunhai Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-21.

A kind of two-sided gate electrode and preparation method thereof of non-volatile 3D nand memory

Номер патента: CN109830482A. Автор: 杨哲,童浩,缪向水,周凌珺. Владелец: HUAZHONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2019-05-31.

Embedded controller/keyboard controller of non-volatile memory for direct read/write and method thereof

Номер патента: TWI273481B. Автор: Ji-Pei Wang,Shu-Yuan Shiu. Владелец: Ene Technology Inc. Дата публикации: 2007-02-11.

Embedded controller/keyboard controller of non-volatile memory for direct read/write and method thereof

Номер патента: TW200620099A. Автор: Shu-Yuan Xu,Ji-Pei Wang. Владелец: Ene Technology Inc. Дата публикации: 2006-06-16.

Formation of non-volatile memory

Номер патента: TW471141B. Автор: Horng-Huei Tseng. Владелец: Vanguard Int Semiconduct Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

METHODS AND SYSTEMS FOR MONITORING WRITE OPERATIONS OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20120023365A1. Автор: Byom Matthew,Wakrat Nir J.. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2012-01-26.

MEMORY CONTROLLER AND METHOD FOR ACCESSING A PLURALITY OF NON-VOLATILE MEMORY ARRAYS

Номер патента: US20120096215A1. Автор: . Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2012-04-19.

MULTI-WRITE ENDURANCE AND ERROR CONTROL CODING OF NON-VOLATILE MEMORIES

Номер патента: US20120096328A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-04-19.

PROGRAMMING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120140566A1. Автор: ARITOME Seiichi,Wi Soo Jin. Владелец: . Дата публикации: 2012-06-07.

METHODS, STORAGE DEVICES, AND SYSTEMS FOR PROMOTING THE ENDURANCE OF NON-VOLATILE SOLID-STATE MEMORY COMPONENTS

Номер патента: US20120166716A1. Автор: Schuette Franz Michael,Leach Anthony. Владелец: OCZ TECHNOLOGY GROUP INC.. Дата публикации: 2012-06-28.

CONTINUOUS PROGRAMMING OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20120287734A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-15.

ADAPTIVE ENDURANCE CODING OF NON-VOLATILE MEMORIES

Номер патента: US20120290898A1. Автор: . Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-11-15.

Balanced Performance for On-Chip Folding of Non-Volatile Memories

Номер патента: US20120311244A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

MANUFACTURING METHOD AND STRUCTURE OF NON-VOLATILE MEMORY

Номер патента: US20130020625A1. Автор: Chen Chih-Ta,Shih Hung-Lin. Владелец: UNITED MICROELECTRONICS CORP.. Дата публикации: 2013-01-24.

READ COMPENSATION FOR PARTIALLY PROGRAMMED BLOCKS OF NON-VOLATILE STORAGE

Номер патента: US20130051148A1. Автор: Lee Dana,Oowada Ken. Владелец: . Дата публикации: 2013-02-28.

SUBSTRATE BIAS DURING PROGRAM OF NON-VOLATILE STORAGE

Номер патента: US20130070531A1. Автор: Dutta Deepanshu,Zhao Dengtao,Liang Guirong. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-21.

PAGE-BUFFER MANAGEMENT OF NON-VOLATILE MEMORY-BASED MASS STORAGE DEVICES

Номер патента: US20130103889A1. Автор: Jeong Soogil. Владелец: OCZ TECHNOLOGY GROUP INC.. Дата публикации: 2013-04-25.

MANUFACTURING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130122651A1. Автор: Sorada Haruyuki,Mikawa Takumi,Fujii Satoru. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2013-05-16.

READING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130128660A1. Автор: ARITOME Seiichi,CHOI Eun-seok,Joo Han-Soo,YOO Hyun-Seung,HONG Sung-Joo,LEE Seok-Kiu,PARK Sung-Kye,CHO Gyu-Seog. Владелец: . Дата публикации: 2013-05-23.

ERASING METHOD OF NON-VOLATILE MEMORY DEVICE

Номер патента: US20130229872A1. Автор: KIM Se-Hyun. Владелец: . Дата публикации: 2013-09-05.

Scalable Data Structures for Control and Management of Non-Volatile Storage

Номер патента: US20140108703A1. Автор: Cohen Earl T.,Canepa Timothy Lawrence. Владелец: LSI Corporation. Дата публикации: 2014-04-17.

Method of determination of non-volatiles in solutions

Номер патента: SU1693457A1. Автор: Байдар Гарифович Валиев,Ольга Петровна Усенко. Владелец: Предприятие П/Я Г-4725. Дата публикации: 1991-11-23.

Manufacture of non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: JPH11265952A. Автор: Koji Kimura,Hiroyasu Kubo,Junichi Matsuda,順一 松田,博靖 久保,広司 木村. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-09-28.

Detection method for detecting interference phenomenon of adjacent blocks of non-volatile storage

Номер патента: CN101770813B. Автор: 王政斌. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2013-01-02.

Protective system for data of non-volatile memory

Номер патента: JPS61173360A. Автор: Eiji Okamura,Yuzuru Koga,譲 古賀,栄治 岡村. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1986-08-05.

Programming method of non-volatile memory device

Номер патента: CN102610277A. Автор: 刘明,李冬梅,霍宗亮,张满红,王琴,刘璟,姜丹丹. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2012-07-25.

Production of non-volatile memory

Номер патента: CN1855441A. Автор: 毕嘉慧. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-11-01.

A kind of active integrated morphology of non-volatile resistance-variable storing device

Номер патента: CN104882462B. Автор: 李树玮,常雨诗,吴曙翔. Владелец: National Sun Yat Sen University. Дата публикации: 2018-03-16.

Manufacture of non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: JPH10154761A. Автор: Kan Ogata,完 緒方. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-06-09.

Novel method for detecting percentage of non-volatile matter in emulsion

Номер патента: CN103018130A. Автор: 洪杰,王东南. Владелец: Skshu Paint Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-03.

Automatic initializing system of non-volatile memory

Номер патента: JPS63221064A. Автор: Kiyoshi Sensui,Yoshiaki Tangesaka,泉水　清,丹下坂　義敬. Владелец: NIPPON DENKI DATA KIKI KK. Дата публикации: 1988-09-14.

The access circuit of non-volatile memory device and data and method thereof

Номер патента: CN100552645C. Автор: 解钧宇. Владелец: Transcend Information Inc. Дата публикации: 2009-10-21.

Content secrete method and layout of non-volatile storage

Номер патента: CN1131476C. Автор: 后健慈. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-12-17.

Manufacturing method of non-volatility memory body

Номер патента: CN101136373B. Автор: 薛铭祥. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2010-11-17.

Data-writing method of non-volatile semiconductor storage

Номер патента: JPH11213681A. Автор: Yutaka Ota,豊 太田. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-06.

Multi-level-cell programming methods of non-volatile memories

Номер патента: TWI297500B. Автор: Chun Hsiung Hung,Kuen Long Chang,Chin Hung Chang,Wen Chiao Ho. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2008-06-01.

Layout structure of non-volatile memory

Номер патента: TW200746158A. Автор: Jong-Oh Kim,Cheng-Jye Liu. Владелец: Macronix Int Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-16.

Manufacturing method for offset-type source and drain of non-volatile memory

Номер патента: TW229322B. Автор: Yeun-Ding Horng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1994-09-01.

Manufacturing method of non-volatile memory and operating method thereof

Номер патента: TW200739921A. Автор: Chih-Wei Hung,Cheng-Yuan Hsu,Hui-Hung Kuo. Владелец: Powerchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

The method for etching non-volatile metal material

Номер патента: CN104953026B. Автор: 沈美华,杨文冰,哈梅特·辛格,索斯藤·利尔,杰弗里·马克斯,萨曼莎·S·H·坦,理查德·P·雅内克. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of determining duration of plasma-chemical etching of surface of semiconductor plates for submicron technology

Номер патента: RU2535228C1. Автор: Степан Степанович Волков,Михаил Юрьевич Тимашев,Дмитрий Владимирович Суворов,Геннадий Владимирович Гололобов,Алевтина Анатольевна Аристархова,Николай Николаевич Бисярин,Юрий Евгеньевич Дмитревский,Татьяна Ивановна Китаева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рязанский государственный радиотехнический университет". Дата публикации: 2014-12-10.

Preferential etch of galvanic tin-and-leaden of coatings from copper basis

Номер патента: RU2351689C1. Автор: Константин Юрьевич Фроленков,Ольга Валерьевна Кирсанова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Орловский государственный технический университет" (ОрелГТУ). Дата публикации: 2009-04-10.

Method of etching of oxidic nonlinear dielectric and optical monocrystals

Номер патента: RU2558898C1. Автор: Борис Борисович Педько,Ирина Ивановна Сорокина,Кристина Николаевна Бойцова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Тверской государственный университет". Дата публикации: 2015-08-10.

Method for etching of langasite single crystals

Номер патента: RU2052546C1. Автор: В.С. Исаев,О.В. Димитрова,В.Б. Грузиненко,Е.Е. Стрелкова,Б.И. Высоцкий,Г.Р. Рошкован,В.В. Безделкин. Владелец: Геологический факультет МГУ им.М.В.Ломоносова. Дата публикации: 1996-01-20.

Method of laser etching of images on articles from noble metals (versions)

Номер патента: RU2416528C2. Автор: Андрей Михайлович Бондарев,Сергей Михайлович Бондарев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ювелирный дом "СОТИС". Дата публикации: 2011-04-20.

Composition for dry etching of silicon dioxide films in photolithographic process

Номер патента: RU2524344C1. Автор: Елена Никифоровна Гудымович. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Национальный исследовательский Томский государственный университет". Дата публикации: 2014-07-27.

Device for chemical-dynamical etching of germanium substrates

Номер патента: RU2520955C1. Автор: Борис Николаевич Самсоненко,Олег Михайлович Пишко,Валерий Геннадьевич Захаров. Владелец: Открытое акционерное общество "Сатурн". Дата публикации: 2014-06-27.

Method for plasmochemical etching of microelectronics material

Номер патента: RU2456702C1. Автор: Александр Дмитриевич Мельников,Владимир Евгеньевич Белецкий. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭСТО-Вакуум". Дата публикации: 2012-07-20.

Method for continuous etching of low-carbon hot-rolled strip steel

Номер патента: RU2248412C1. Автор: Г.С. Сеничев,В.Е. Злов,А.П. Буданов,Н.А. Адамович,П.С. Базанов,В.П. Торохтий. Владелец: Открытое акционерное общество "Магнитогорский металлургический комбинат". Дата публикации: 2005-03-20.

Method for plasmochemical etching of semiconductor and insulating materials

Номер патента: RU2316845C1. Автор: Юрий Владимирович Федоров,Евгений Германович Шустин,Николай Васильевич Исаев. Владелец: ИНСТИТУТ РАДИОТЕХНИКИ И ЭЛЕКТРОНИКИ РОССИЙСКОЙ АКАДЕМИИ НАУК (ИРЭ РАН). Дата публикации: 2008-02-10.

Device for local plasma-chemical etching of substrates

Номер патента: RU2451114C2. Автор: Владимир Александрович Абрамов,Лидия Александровна Аксенова,Андрей Владимирович Климов,Владимир Михайлович Рубинштейн,Анатолий Иванович Сергиенко,Александр Аронович Цукерман,Владимир Кириллович Черных. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт полупроводникового машиностроения" (ОАО "НИИПМ"). Дата публикации: 2012-05-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.