Method and device for a finfet
Номер патента: US20160204105A1
Опубликовано: 14-07-2016
Автор(ы): Yizhi Zeng
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 14-07-2016
Автор(ы): Yizhi Zeng
Принадлежит: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for electrochemically structuring a conductive or semiconductor material, and device for implementing it
Номер патента: US20090255820A1. Автор: Denis Buttard. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2009-10-15.