Method and Apparatus for Increasing the Reliability of an Access Transistor Coupled to a Magnetic Tunnel Junction (MTJ)
Номер патента: US20160254042A1
Опубликовано: 01-09-2016
Автор(ы): Abedifard Ebrahim
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 01-09-2016
Автор(ы): Abedifard Ebrahim
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Multilayer magnetic tunnel junction etching method and MRAM device
Номер патента: US12063866B2. Автор: Lu Chen,Ziming Liu,Dongdong HU,Kaidong Xu,Hushan Cui,Dongchen CHE,Juebin WANG,Zhongyuan Jiang,Dajian HAN,Zhiwen ZOU. Владелец: Jiangsu Leuven Instruments Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.