Nanostructure with various widths and methods for manufacturing the same
Номер патента: US20200328123A1
Опубликовано: 15-10-2020
Автор(ы): Chih-Hao Wang, Hsiao-Han Liu, Kuan-Lun Cheng, Kuo-Cheng Chiang, Shi-Ning Ju
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-10-2020
Автор(ы): Chih-Hao Wang, Hsiao-Han Liu, Kuan-Lun Cheng, Kuo-Cheng Chiang, Shi-Ning Ju
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Thin film transistor substrate, method of manufacturing the same, and method of manufacturing a display device including the same
Номер патента: US20190074303A1. Автор: Junhyung LIM,Taesang Kim,Hyunjae Kim,Youngjun Tak. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2019-03-07.