Feroelectric ceramics and method for manufacturing the same
Номер патента: US20160049577A1
Опубликовано: 18-02-2016
Автор(ы): Takeshi Kijima
Принадлежит: Youtec Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 18-02-2016
Автор(ы): Takeshi Kijima
Принадлежит: Youtec Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Silicon nitride film for semiconductor element, and method and apparatus for manufacturing silicon nitride film
Номер патента: US20130071671A1. Автор: Seiji Nishikawa,Hidetaka Kafuku. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2013-03-21.