Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION FOR MEMORY APPLICATIONS

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION FOR MEMORY APPLICATIONS

Номер патента: US20200251495A1
Опубликовано: 06-08-2020
Автор(ы): AHN Jaesoo, KWON Thomas, PAKALA MAHENDRA
Принадлежит:
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220068722A1. Автор: Marcello Mariani,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Method for producing three-dimensional structure, method for producing vertical transistor, vertical transistor wafer, and vertical transistor substrate

Номер патента: US11887845B2. Автор: Takashi Ishikawa,Moriya Miyashita,Takao Sakamoto,Etsuo Fukuda,Tetsuo Endoh,Koji Izunome,Kazutaka Kamijo. Владелец: GlobalWafers Japan Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Devices including vertical transistors

Номер патента: US20240363763A1. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Devices including vertical transistors, and related methods

Номер патента: US12040411B2. Автор: Haitao Liu,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Vertical transistor devices for embedded memory and logic technologies

Номер патента: US09871117B2. Автор: Brian S. Doyle,Uday Shah,Roza Kotlyar,Charles C. Kuo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Fabrication method for forming vertical transistor on hemispherical or polygonal patterned semiconductor substrate

Номер патента: US09647107B1. Автор: Richard Chang,Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US10957783B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-03-23.

Vertical transistor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20180342480A1. Автор: Chih-Chieh Yeh,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-11-29.

Vertical transistor having uniform bottom spacers

Номер патента: US09627511B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Fin cut etch process for vertical transistor devices

Номер патента: US20200083355A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-12.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363090A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Thin Film Transistor, Fabrication Method Thereof, and Display Apparatus Comprising the Same

Номер патента: US20240204076A1. Автор: Daehwan Kim,Min-Gu Kang,Seoyeon IM,Seungchan CHOI,Kyungchul OK,Jaeman JANG,Uyhyun Choi. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Vertical transistor having a vertical gate structure having a top or upper surface defining a facet formed between a vertical source and a vertical drain

Номер патента: US09685536B2. Автор: Er-Xuan Ping,Jeffrey A. McKee. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220068722A1. Автор: Mariani Marcello,Rigano Antonino,Calabrese Marcello. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

Array Of Vertical Transistors, An Array Of Memory Cells Comprising An Array Of Vertical Transistors, And A Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors

Номер патента: US20220278001A1. Автор: Marcello Mariani,Antonino Rigano,Marcello Calabrese. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-01.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240079468A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Transistor fabrication technique including sacrificial protective layer for source/drain at contact location

Номер патента: US09633835B2. Автор: Glenn A. Glass,Anand S. Murthy,Subhash M. Joshi,Michael L. Hattendorf,Michael J. Jackson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Single-crystal transistors for memory devices

Номер патента: US11862668B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Masihhur R. Laskar,Nicholas R. Tapias,Darwin Franseda Fan,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Single-crystal transistors for memory devices

Номер патента: US20240105766A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Masihhur R. Laskar,Nicholas R. Tapias,Darwin Franseda Fan,Manuj Nahar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: US12108604B2. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Thomas Kwon. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: WO2020159663A1. Автор: Mahendra Pakala,Jaesoo AHN,Thomas Kwon. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2020-08-06.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20210151449A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Stacked vertical transistor erasable programmable read-only memory and programmable inverter devices

Номер патента: US20200303388A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Methods of forming gate electrodes on a vertical transistor device

Номер патента: US09966456B1. Автор: Hoon Kim,Ruilong Xie,Chanro Park,Min Gyu Sung,Steven Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Vertical transistors having uniform channel length

Номер патента: US20200312722A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Vertical transistor device with halo pocket contacting source

Номер патента: US09496390B2. Автор: Hao Su,Hong Liao,Hang HU. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Vertical transistors having different gate lengths

Номер патента: US9653465B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Method and structure for improving vertical transistor

Номер патента: US09935102B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Method and structure for forming vertical transistors with various gate lengths

Номер патента: US20200052114A1. Автор: Kangguo Cheng,Shogo Mochizuki,ChoongHyun Lee,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Self aligned top extension formation for vertical transistors

Номер патента: US20190386137A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-19.

Self aligned top extension formation for vertical transistors

Номер патента: US20180331216A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Self aligned top extension formation for vertical transistors

Номер патента: US09748382B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Structures for nitride vertical transistors

Номер патента: US10256352B2. Автор: Min Sun,Tomas Apostol Palacios. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2019-04-09.

Method and structure for improving vertical transistor

Номер патента: US20180096996A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Method and structure for improving vertical transistor

Номер патента: US20180097000A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Methods of forming replacement gate structures and bottom and top source/drain regions on a vertical transistor device

Номер патента: US09640636B1. Автор: John H. Zhang,Kwan-Yong Lim,Hiroaki Niimi,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Vertical transistor, integrated circuitry, method of forming a vertical transistor, and method of forming integrated circuitry

Номер патента: US11871582B2. Автор: Masihhur R. Laskar,Darwin Franseda Fan,Albert Liao,Ashonita A. Chavan,Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Vassil N. Antonov,Jeffery B. Hull,Xue-Feng Lin,Manuj Nahar,Irina V. Vasilyeva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Vertical Transistor, Integrated Circuitry, Method Of Forming A Vertical Transistor, And Method Of Forming Integrated Circuitry

Номер патента: US20240164114A1. Автор: Masihhur R. Laskar,Darwin Franseda Fan,Albert Liao,Ashonita A. Chavan,Anish A. Khandekar,Hung-Wei Liu,Vassil N. Antonov,Jeffery B. Hull,Xue-Feng Lin,Manuj Nahar,Irina V. Vasilyeva. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US09954109B2. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Vertical transistor and method of making

Номер патента: US7041556B2. Автор: Fernando Gonzalez. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2006-05-09.

Vertical transistor with a body contact for back-biasing

Номер патента: US09653575B1. Автор: Theodorus E. Standaert,Kangguo Cheng,Junli Wang,Veeraraghavan S. Basker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Non-floating vertical transistor structure

Номер патента: US09466713B2. Автор: Tzung-Han Lee. Владелец: Inotera Memories Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for forming impurity region of vertical transistor and method for fabricating vertical transistor using the same

Номер патента: US20110306192A1. Автор: Eun Shil Park,Tae Kyun Kim,Yong Seok Eun,Kyong Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-15.

Vertical transistor including controlled gate length and a self-aligned junction

Номер патента: US20180175212A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Isolation structure for stacked vertical transistors

Номер патента: US20200335581A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Isolation structure for stacked vertical transistors

Номер патента: US11908890B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-20.

Double-gate vertical transistor semiconductor device

Номер патента: US10355128B2. Автор: Praveen Raghavan,Odysseas Zografos. Владелец: KU Leuven Research and Development. Дата публикации: 2019-07-16.

Process for fabricating a uniform gate oxide of a vertical transistor

Номер патента: US6150670A. Автор: Ulrike Gruening,Rajarao Jammy,Suryanarayan G. Hegde,Johnathan E. Faltermeier,Brian S. Lee,Helmut H. Tews. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Devices and electronic systems including vertical transistors, and related methods

Номер патента: EP3864704A1. Автор: Scott E. Sills,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-18.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09837409B2. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Integration of vertical transistors with 3D long channel transistors

Номер патента: US09607899B1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Integration of vertical transistors with 3d long channel transistors

Номер патента: US20170317080A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-02.

Top metal pads as local interconnectors of vertical transistors

Номер патента: US09911855B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Top metal pads as local interconnectors of vertical transistors

Номер патента: US09524907B2. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths and the resulting devices

Номер патента: US20180240715A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor devices including vertical transistors, electronic systems including the same and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20130334583A1. Автор: Ki Ho Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-12-19.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US11728433B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Vertical transistor with self-aligned gate

Номер патента: US20210057565A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US9899373B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US09812443B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Top Metal Pads as Local Interconnectors of Vertical Transistors

Номер патента: US20170084753A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Top Metal Pads as Local Interconnectors of Vertical Transistors

Номер патента: US20160247720A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jia-Chuan You,Wai-Yi Lien,Yi-Hsun CHIU,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-25.

Methods of forming vertical transistor devices with different effective gate lengths

Номер патента: US09935018B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Gate length control for vertical transistors and integration with replacement gate flow

Номер патента: US09685537B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-20.

Top metal contact for vertical transistor structures

Номер патента: US09685409B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Vertical transistor transmission gate with adjacent nfet and pfet

Номер патента: US20180233502A1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Apparatuses comprising vertical transistors having gate electrodes at least partially recessed within channel regions, and related methods and systems

Номер патента: US11908932B2. Автор: Kevin J. Torek,Kamal M. Karda,Fatma Arzum Simsek-Ege,Yunfei GAO,Kamal K. Muthukrishnan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-20.

Forming vertical transistors and metal-insulator-metal capacitors on the same chip

Номер патента: US20180204833A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Vertical transistor with uniform fin thickness

Номер патента: US20200035828A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-30.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US20170294537A1. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-12.

Vertical transistor including a bottom source/drain region, a gate structure, and an air gap formed between the bottom source/drain region and the gate structure

Номер патента: US09748380B1. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US09735253B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09698245B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Vertical transistor with air-gap spacer

Номер патента: US09691850B2. Автор: Kangguo Cheng,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

Product that includes a plurality of vertical transistors with a shared conductive gate plug

Номер патента: US20200013684A1. Автор: Steven Bentley,Steven Soss. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Vertical transistors with improved top source/drain junctions

Номер патента: US20180204950A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-19.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20200066882A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180323283A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US10096695B2. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Closely packed vertical transistors with reduced contact resistance

Номер патента: US20180061967A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Bottom contact formation for vertical transistor devices

Номер патента: US20200111895A1. Автор: Sivananda K. Kanakasabapathy,Su Chen Fan,Ekmini A. De Silva. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-09.

Vertical transistor with self-align backside contact

Номер патента: WO2024046738A1. Автор: Brent Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2024-03-07.

Vertical transistor with self- align backside contact

Номер патента: US20240079461A1. Автор: Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Su Chen Fan,Jay William Strane. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Transistor, semiconductor device and transistor fabrication process

Номер патента: US20110241129A1. Автор: Michihiro Ebe. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Fabrication of a vertical transistor with self-aligned bottom source/drain

Номер патента: US20180350691A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Array of vertical transistors having channel regions connected by an elongated conductor line

Номер патента: US12119269B2. Автор: Haitao Liu,Kamal M. Karda,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Tight pitch inverter using vertical transistors

Номер патента: US09876015B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Vertical transistor and variable resistive memory device including the same

Номер патента: US09691819B2. Автор: Nam Kyun PARK,Dong Yean Oh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Integrated circuit having vertical transistor and semiconductor device including the integrated circuit

Номер патента: US20180175024A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Sang-hoon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Integrated circuit having vertical transistor and semiconductor device including the integrated circuit

Номер патента: US20200135721A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Sang-hoon BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-30.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286977A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Vertical transistor with back bias and reduced parasitic capacitance

Номер патента: US20180286978A1. Автор: Chen Zhang,Peng Xu,Kangguo Cheng,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same

Номер патента: US20200006383A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-01-02.

Content addressable memory using threshold-adjustable vertical transistors and methods of forming the same

Номер патента: EP3685382A1. Автор: Christopher J. Petti. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-29.

Uniform work function metal recess for vertical transistor complementary metal oxide semiconductor technology

Номер патента: US20200350313A1. Автор: Muthumanickam Sankarapandian,Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Chanro Park. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-11-05.

Transistor fabrication method

Номер патента: US20030119290A1. Автор: Cheol Soo Park. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-26.

Vertical transistor with extended drain region

Номер патента: US20200135916A1. Автор: Saumitra Raj Mehrotra,Bernhard Grote,Ljubo Radic. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Vertical transistors with top spacers

Номер патента: US20200335605A1. Автор: Alexander Reznicek,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Vertical transistor and transistor fabrication method

Номер патента: US20030080346A1. Автор: Rolf Weis. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-05-01.

Vertical transistors for ultra-dense logic and memory applications

Номер патента: US11777029B2. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Jack Kavalieros,Matthew V. Metz,Van Le,Nazila Haratipour,I-Cheng Tung,Arnab SEN GUPTA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Vertical transistor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09911848B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kai-Chieh Yang,Wai-Yi Lien,Carlos H. Diaz,Hao-Ling Tang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US09947789B1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Programmable device compatible with vertical transistor flow

Номер патента: US20190189625A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Diode connected vertical transistor

Номер патента: US09953973B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Memory Cells, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, Methods Used In Forming An Array Of Vertical Transistors, And Methods Used In Forming An Array Of Capacitors

Номер патента: US20220173109A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Vertical transistors stressed from various directions

Номер патента: US20180108776A1. Автор: Puneet Harischandra Suvarna. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130126964A1. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-23.

Vertical Transistors With Backside Power Delivery

Номер патента: US20240105617A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Methods of simultaneously forming bottom and top spacers on a vertical transistor device

Номер патента: US20180114850A1. Автор: John H. Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-26.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12127393B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20220130963A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Methods of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240154013A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Structures of Gate Contact Formation for Vertical Transistors

Номер патента: US20240021689A1. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Array of Memory Cells, Methods Used in Forming an Array of Memory Cells, Methods Used in Forming an Array of Vertical Transistors, Methods Used in Forming an Array of Vertical Transistors, and Methods Used in Forming an Array of Capacitors

Номер патента: US20240107747A1. Автор: Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Structures of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11769809B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Methods of gate contact formation for vertical transistors

Номер патента: US11978777B2. Автор: Sang-Yun Lee. Владелец: BeSang Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Vertical transistor structures having vertical-surrounding-gates with self-aligned features

Номер патента: US20070020819A1. Автор: Sanh Tang,Grant Huglin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-01-25.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US11961908B2. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240222502A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method to form a vertical transistor by selective epitaxial growth and delta doped silicon layers

Номер патента: US20020102784A1. Автор: YELEHANKA Pradeep,YANG Pan,JIA Zheng,James Lee,Lap Chan,Elgin Quek,Ravi Sundaresan,Ying Leung. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2002-08-01.

Techniques for forming vertical transistor architectures

Номер патента: EP3158588A1. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-26.

Devices including vertical transistors, and related methods and electronic systems

Номер патента: US20200111907A1. Автор: Hong Li,Haitao Liu,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Kamal M. Karda,Ramanathan GANDHI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Vertical transistor devices and techniques

Номер патента: US20200058798A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Ravi Pillarisetty,Van H. Le,Willy Rachmady,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023029142A1. Автор: WEI Liu,Simon Shi-ning Yang,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Vertical transistor with uniform bottom spacer formed by selective oxidation

Номер патента: US09741626B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09577091B2. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Vertical transistor with air gap spacers

Номер патента: US09443982B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: EP4278387A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-11-22.

Vertical transistors with gate connection grid

Номер патента: WO2022192830A1. Автор: Thomas Neyer,Herbert DE VLEESCHOUWER,Fredrik Allerstam. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device including vertical transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US8759892B2. Автор: Kyoung Han LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Vertical transistor having first and second tensile layers

Номер патента: US8569832B2. Автор: Eun Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-10-29.

Vertical transistor and memory cell

Номер патента: US6018176A. Автор: Byung-hak Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-01-25.

Vertical transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150076588A1. Автор: Ted-Hong Shinn,Chia-Chun Yeh,Cheng-Hang Hsu,Wei-Tsung Chen. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Integrated circuit structures having vertical transistor

Номер патента: US20240006531A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Memory arrays with vertical transistors and the formation thereof

Номер патента: US20210028308A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Scott J. Derner,Toby D. Robbs,Steve V. Cole. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Vertical transistor with enhanced drive current

Номер патента: US20180342617A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Vertical transistor with enhanced drive current

Номер патента: US20180212054A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-26.

Vertical transistor structure with buried channel and resurf regions and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093784A1. Автор: Vipindas Pala,Sundarsan UPPILI. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

DRAM Arrays, Vertical Transistor Structures, and Methods of Forming Transistor Structures and DRAM Arrays

Номер патента: US20110018045A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200075A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Self-aligned sigma extension regions for vertical transistors

Номер патента: US09647123B1. Автор: Kangguo Cheng,Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Sidewall processes using alkylsilane precursors for MOS transistor fabrication

Номер патента: US20040063260A1. Автор: Haowen Bu,Malcolm Bevan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-04-01.

Method for introducing channel stress and field effect transistor fabricated by the same

Номер патента: US20120032239A1. Автор: Xing Zhang,Ru Huang,Xia An,Quanxin Yun. Владелец: PEKING UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-02-09.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: EP4449835A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor

Номер патента: US7557406B2. Автор: Vijay Parthasarathy,Wayne Bryan Grabowski. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2009-07-07.

Segmented pillar layout for a high-voltage vertical transistor

Номер патента: US20090134457A1. Автор: Vijay Parthasarathy,Wayne Bryan Grabowski. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2009-05-28.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240332232A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-23.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023221915A9. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-02-15.

Vertical semiconductor component, in particular vertical transistor, with minimized source-drain leakage currents

Номер патента: US20240234491A1. Автор: Daniel Krebs,Muhammad Alshahed,Dragos Costachescu,Humberto Rodriguez Alvarez. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-07-11.

Checkerboarded High-Voltage Vertical Transistor Layout

Номер патента: US20130234243A1. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee,Martin H. Manley. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-09-12.

Vertical transistors with merged active area regions

Номер патента: US09761712B1. Автор: Brent A. Anderson,Albert M. Chu,Terence B. Hook,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: WO2024005789A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-01-04.

Vertical transistor with field region structure

Номер патента: US20070117328A1. Автор: Jenn-Yu Lin,Ta-Yung Yang,Chih-Feng Huang,Tuo-Hsin Chien. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-24.

Logic circuits using vertical transistors with backside source or drain regions

Номер патента: US20230422496A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Rishabh Mehandru,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230065806A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230066312A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12033967B2. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Vertical transistors and method for producing the same

Номер патента: US20240213366A1. Автор: Christian Huber,Roland Puesche,Jens Baringhaus. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2024-06-27.

Vertical transistor with edram

Номер патента: US20190363092A1. Автор: Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-28.

Vertical transistor component

Номер патента: US8093654B2. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2012-01-10.

Method for producing a vertical transistor component

Номер патента: US20100270612A1. Автор: Walter Rieger,Martin Poelzl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US11948974B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Semiconductor device including vertical transistor with back side power structure

Номер патента: US20240194734A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Memory devices with vertical transistors

Номер патента: US20230276615A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-31.

Producing a vertical transistor including reentrant profile

Номер патента: US20130084681A1. Автор: David H. Levy,Lee W. Tutt,Shelby F. Nelson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-04-04.

Thin film transistor fabrication method, active matrix substrate fabrication method, and liquid crystal display device

Номер патента: US6150283A. Автор: Hideto Ishiguro. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Thin film transistor fabricating method

Номер патента: US20130078760A1. Автор: Jian-Shihn Tsang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Vertical transistor fabrication for memory applications

Номер патента: WO2021015895A1. Автор: Mahendra Pakala,Ellie Y. Yieh,Arvind Kumar,Sanjeev MANHAS. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2021-01-28.

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION FOR MEMORY APPLICATIONS

Номер патента: US20210028282A1. Автор: Kumar Arvind,PAKALA MAHENDRA,YIEH Ellie Y.,MANHAS Sanjeev. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-28.

Vertical transistor for resistive memory

Номер патента: US09559297B2. Автор: Philippe Boivin,Julien Delalleau. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2017-01-31.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: WO2017103752A1. Автор: Edward Nowak,Brent Alan Anderson. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2017-06-22.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: US20190318965A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: US20180277444A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Variable gate lengths for vertical transistors

Номер патента: US20170178970A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Self-aligned vertical transistor with local interconnect

Номер патента: US09917059B2. Автор: Effendi Leobandung. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Vertical transistor having an asymmetric gate

Номер патента: WO2013054212A1. Автор: Keith Kwong Hon Wong,Dechao Guo,Shu-Jen Han,Jun Yuan. Владелец: IBM Japan Limited. Дата публикации: 2013-04-18.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230008902A1. Автор: Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Vertical transistor contact for cross-coupling in a memory cell

Номер патента: US20200161472A1. Автор: Brent A. Anderson,Terence B. Hook,Junli Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Vertical transistor and method of forming the vertical transistor

Номер патента: US12046673B2. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Embedded bottom metal contact formed by a self-aligned contact process for vertical transistors

Номер патента: US10319835B2. Автор: Tenko Yamashita,Heng Wu,Zuoguang Liu,Su Chen Fan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-11.

Methods of forming vertical transistor devices with self-aligned replacement gate structures

Номер патента: US09530863B1. Автор: Carl Radens,John H. Zhang,Brian A. Cohen,Kwan-Yong Lim,Steven J. Bentley. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Stacked vertical transistor memory cell

Номер патента: WO2021094856A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Heng Wu. Владелец: Ibm (China) Investment Company Limited. Дата публикации: 2021-05-20.

Stacked vertical transistor memory cell

Номер патента: GB2604510A. Автор: Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Zhang Chen,Wu Heng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-09-07.

Series connected stacked vertical transistors for high voltage applications

Номер патента: US11901449B2. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Vertical transistor floating body one transistor dram memory cell

Номер патента: US20220093794A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Clint Jason Oteri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20150262643A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Vertical transistor, memory cell, device, system and method of forming same

Номер патента: US20130258756A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-10-03.

Series connected stacked vertical transistors for high voltage applications

Номер патента: US20200312999A1. Автор: Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-10-01.

Vertical transistor structure

Номер патента: US4811071A. Автор: Herbert F. Roloff. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-03-07.

Vertical transistor fabrication and devices

Номер патента: US09985115B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Brent A. Anderson,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Vertical transistor fabrication and devices

Номер патента: US09941411B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Brent A. Anderson,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical transistor fabrication and devices

Номер патента: US09793374B2. Автор: Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Brent A. Anderson,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

High performance 3D vertical transistor device enhancement design

Номер патента: US12087817B2. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Vertical transistor fabrication and devices

Номер патента: GB2556260A. Автор: Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong,DORIS Bruce,A Anderson Brent. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-23.

Vertical transistor devices with composite high-k and low-k spacers with a controlled top junction

Номер патента: US20210119043A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Wenyu Xu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-22.

Vertical transistors with multiple gate lengths

Номер патента: US20190140053A1. Автор: Peng Xu,ZHENG Xu,Kangguo Cheng,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-09.

Vertical transistor and local interconnect structure

Номер патента: US09583615B2. Автор: Yung-Tin Chen,Christopher Petti,Guangle ZHOU. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Resistive random access memory integrated with stacked vertical transistors

Номер патента: AU2021234176B2. Автор: Takashi Ando,Karthik Balakrishnan,Alexander Reznicek,Bahman Hekmatshoartabari. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

High performance 3d vertical transistor device enhancement design

Номер патента: US20220238652A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2022-07-28.

Vertical transistor with flashover protection

Номер патента: US09524960B2. Автор: Bishnu Gogoi. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-12-20.

Asymmetrical vertical transistor

Номер патента: US20180090489A1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-29.

Large area electrostatic dischage for vertical transistor structures

Номер патента: US09947649B1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Jeng-Bang Yau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Asymmetrical vertical transistor

Номер патента: US09837403B1. Автор: Peng Xu,Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Vertical Transistors with Different Gate Lengths

Номер патента: US20190148372A1. Автор: Chen Zhang,Kangguo Cheng,Xin Miao,Juntao Li. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Vertical transistor device structure with cylindrically-shaped regions

Номер патента: US9543396B2. Автор: LIN ZHU,Kamal Raj Varadarajan,Sorin Stefan Georgescu,Wayne Byran Grabowski,Kuo-Chang Robert Yang. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor Device with Vertical Transistor Channels and a Compensation Structure

Номер патента: US20150008517A1. Автор: Anton Mauder,Rolf Weis,Katarzyna Kowalik-Seidl,Uwe Wahl. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-01-08.

Bottom spacer formation for vertical transistor

Номер патента: US09954103B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Methods of simultaneously forming bottom and top spacers on a vertical transistor device

Номер патента: US09882025B1. Автор: John H. Zhang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Bottom spacer formation for vertical transistor

Номер патента: US09773901B1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Reduced capacitance in vertical transistors by preventing excessive overlap between the gate and the source/drain

Номер патента: US09716170B1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION AND DEVICES

Номер патента: US20170179259A1. Автор: Doris Bruce B.,ANDERSON Brent A.,Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION AND DEVICES

Номер патента: US20170179303A1. Автор: Doris Bruce B.,ANDERSON Brent A.,Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-22.

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION AND DEVICES

Номер патента: US20180226494A1. Автор: Doris Bruce B.,ANDERSON Brent A.,Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-09.

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION AND DEVICES

Номер патента: US20170263781A1. Автор: Doris Bruce B.,ANDERSON Brent A.,Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-14.

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION AND DEVICES

Номер патента: US20170271481A1. Автор: Doris Bruce B.,ANDERSON Brent A.,Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2017-09-21.

VERTICAL TRANSISTOR FABRICATION AND DEVICES

Номер патента: US20170358689A1. Автор: Doris Bruce B.,ANDERSON Brent A.,Venigalla Rajasekhar,Kim Seong-Dong. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-14.

Vertical transistor with flashover protection

Номер патента: WO2015152904A1. Автор: Bishnu Gogoi. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2015-10-08.

Vertical transistor fabrication and devices

Номер патента: US9431305B1. Автор: Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Brent A. Anderson,Seong-Dong Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

High dielectric TiO2 -SiN composite films for memory applications

Номер патента: US6014310A. Автор: David Mark Dobuzinsky,Herbert Lei Ho,Stephan Alan Cohen,Jeffrey Peter Gambino,Gary Bela Bronner,Karen Popek Madden. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-01-11.

Silicon-silicon-germanium heterojunction bipolar transistor fabrication method

Номер патента: US5668022A. Автор: Kwang-Eui Pyun,Byung-Ryul Ryum,Tae-Hyeon Han,Deok-Ho Cho,Soo-Min Lee. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 1997-09-16.

Method for producing semiconductor substrate for memory elements

Номер патента: US20240170278A1. Автор: Toshiyuki Oie,Tomoyuki Adaniya. Владелец: Mitsubishi Gas Chemical Co Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391073A1. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-06-26.

Nonlinear gate vertical transistor

Номер патента: EP4391075A3. Автор: Chih-Wei Hsu,Deepak Chandra Pandey. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-07-17.

Variable channel doping in vertical transistor

Номер патента: US20230021938A1. Автор: Hiu Yung Wong. Владелец: San Jose State University Research Foundation. Дата публикации: 2023-01-26.

Variable channel doping in vertical transistor

Номер патента: WO2023004292A1. Автор: Hiu Yung Wong. Владелец: San Jose State University Research Foundation. Дата публикации: 2023-01-26.

Vertical transistor with improved robustness

Номер патента: US09431484B2. Автор: Markus Winkler,Rainald Sander,Matthias Stecher,Michael Asam. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-08-30.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230369505A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230378366A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford,Partha MUKHOPADHYAY. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

HIGH-DENSITY FIELD-ENHANCED ReRAM INTEGRATED WITH VERTICAL TRANSISTORS

Номер патента: US20200203428A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-25.

Vertical transistor trench capacitor memory cell and method of making the same

Номер патента: WO2002086904A3. Автор: Carl J Radens,Thomas W Dyer,Stephan P Kudelka,Venkatachaiam C Jaiprakash. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-11-06.

Self-aligned etching techniques for memory formation

Номер патента: US20230395704A1. Автор: John Hopkins,Jordan D. GREENLEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Metal hybrid charge storage structure for memory

Номер патента: WO2022267007A1. Автор: Fei Wang,Jie Li,Xingui ZHANG,Dipanjan Basu,Meng-Wei Kuo,Minsheng Wang,Guangyu Huang,Qun Gao,Randy Koval,Henok MEBRAHTU,Guanjie LI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-12-29.

Metal hybrid charge storage structure for memory

Номер патента: US20220415908A1. Автор: Fei Wang,Jie Li,Xingui ZHANG,Dipanjan Basu,Meng-Wei Kuo,Minsheng Wang,Guangyu Huang,Qun Gao,Randy Koval,Henok MEBRAHTU,Guanjie LI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of manufacturing vertical transistors

Номер патента: US8613861B2. Автор: Masahiko Ohuchi,Chien-Hua Tsai,Sheng-Chang Liang,Hsiao-chia Chen. Владелец: Rexchip Electronics Corp. Дата публикации: 2013-12-24.

Pillars for vertical transistors

Номер патента: US20140097479A1. Автор: Patrick Thomas. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US09941391B2. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20180190794A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-07-05.

Method of forming vertical transistor having dual bottom spacers

Номер патента: US20190172928A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Shogo Mochizuki,Alexander Reznicek,Sanjay C. Mehta. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-06.

Method of forming a MOS transistor in a semiconductor device and a MOS transistor fabricated thereby

Номер патента: US20020195666A1. Автор: Jae-Kyu Lee,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-12-26.

Manufacturing method for memory and memory

Номер патента: US11895831B2. Автор: Tao Chen,Junchao Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-06.

METHOD FOR PRODUCING THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING VERTICAL TRANSISTOR, VERTICAL TRANSISTOR WAFER, AND VERTICAL TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20220093396A1. Автор: Ishikawa Takashi,Endoh Tetsuo,SAKAMOTO Takao,KAMIJO Kazutaka,FUKUDA Etsuo,IZUNOME Koji,MIYASHITA Moriya. Владелец: . Дата публикации: 2022-03-24.

METHOD FOR PRODUCING THREE-DIMENSIONAL STRUCTURE, METHOD FOR PRODUCING VERTICAL TRANSISTOR, VERTICAL TRANSISTOR WAFER, AND VERTICAL TRANSISTOR SUBSTRATE

Номер патента: US20200211840A1. Автор: Ishikawa Takashi,Endoh Tetsuo,SAKAMOTO Takao,KAMIJO Kazutaka,FUKUDA Etsuo,IZUNOME Koji,MIYASHITA Moriya. Владелец: . Дата публикации: 2020-07-02.

High performance integrated vertical transistors and method of making the same

Номер патента: US20070001264A1. Автор: Jeffrey Johnson,David Sheridan,Peter Gray,Qizhi Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-01-04.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: EP4449503A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: WO2023216884A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: WO2023217069A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230069096A1. Автор: WEI Liu,Simon Shi-ning Yang,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230380142A1. Автор: He Chen,WEI Liu,Yanhong Wang,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US20160202132A1. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Load sensor using vertical transistor

Номер патента: US9658121B2. Автор: Takashi Inoue,Kenichi Sakai,Tetsuya Katoh,Junichi Takeya,Mayumi Uno,Kensuke HATA. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Bipolar transistor fabrication process with an ion implanted emitter

Номер патента: CA1139015A. Автор: James S. Makris,Raj K. Raheja,George R. Goth,Arunachala Nagarajan,Conrad A. Barile. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-01-04.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062141A1. Автор: WEI Liu,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors And Method Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Vertical Transistor And A Storage Device Above The Vertical Transistor

Номер патента: US20220068934A1. Автор: Guangjun Yang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Three-dimensional monolithic vertical transistor memory cell with unified inter-tier cross-couple

Номер патента: US20200066732A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Vertical Transistor Cell Structures Utilizing Topside and Backside Resources

Номер патента: US20240105727A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Vertical transistor cell structures utilizing topside and backside resources

Номер патента: WO2024063901A1. Автор: Thomas Hoffmann,Xin Miao,Praveen Raghavan,Saurabh P. Sinha. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Three-dimensional monolithic vertical transistor memory cell with unified inter-tier cross-couple

Номер патента: US20200144274A1. Автор: Joshua M. Rubin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Contact for memory cell

Номер патента: US8361832B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-29.

Continuous film transistor fabrication process

Номер патента: US3950843A. Автор: Paul R. Smith,Arthur E. Horton,Jordan W. Brantley,Cecil W. Lightfoot,Richard L. Hanneman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-04-20.

Folded staircase via routing for memory

Номер патента: US20240071902A1. Автор: Lifang Xu,Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Contact for memory cell

Номер патента: US20100068879A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-18.

Contact for memory cell

Номер патента: US20130149861A1. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-06-13.

Contact for memory cell

Номер патента: US8728932B2. Автор: Jun Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-05-20.

Plasma-doped trenches for memory

Номер патента: US20240105510A1. Автор: Yiping Wang,Wesley O. McKinsey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Flat bottom electrode via (BEVA) top surface for memory

Номер патента: US11844286B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG,Jen-Sheng Yang,Sheng-Hung SHIH,Tung-Sheng Hsiao,I-Ching Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Flat bottom electrode via (BEVA) top surface for memory

Номер патента: US11751485B2. Автор: Chih-Yang Chang,Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Chin-Chieh YANG,Jen-Sheng Yang,Sheng-Hung SHIH,Tung-Sheng Hsiao,I-Ching Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: US09908115B2. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Self-aligned vertical transistor dram structure and its manufacturing methods

Номер патента: US20040036519A1. Автор: Ching-Yuan Wu. Владелец: Intelligent Sources Development Corp. Дата публикации: 2004-02-26.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US12080665B2. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Vertical transistor fuse latches

Номер патента: US12113015B2. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230380137A1. Автор: WEI Liu,Ya Wang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu,Fandong LIU,Wenyu HUA,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002109A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Programmable logic array with vertical transistors

Номер патента: US20010002108A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-05-31.

Vertical transistor with hardening implantation

Номер патента: US20140097400A1. Автор: Young Pil Kim,Maroun Georges Khoury,Peter Nicholas Manos,Chulmin Jung,Dadi Setiadi,Hyung-Kew Lee. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2014-04-10.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230064388A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Field programmable logic arrays with vertical transistors

Номер патента: US6124729A. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Microfluidic device comprising lateral/vertical transistor structures and process of making and using same

Номер патента: CA2970174C. Автор: Justin K. Valley,Eric D. Hobbs. Владелец: Berkeley Lights Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Diagonal memory with vertical transistors and wrap-around control lines

Номер патента: US20230200084A1. Автор: Abhishek A. Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230060149A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Yanhong Wang,Hongbin Zhu. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230062524A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of making dynamic random access memory having a vertical transistor

Номер патента: US5376575A. Автор: Jong S. Kim,Hee-Koo Yoon,Chung G. Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1994-12-27.

Staggered horizontal cell architecture for memory devices

Номер патента: US20240107748A1. Автор: Christopher Locke,William M. Brewer,Kyle B. Campbell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

For memory on package with reduced thickness

Номер патента: US20240334715A1. Автор: Phani Alaparthi,Samarth Alva,Navneet Kumar SINGH,Gaurav HADA,Aiswarya M. Pious,Ritu Bawa. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Heat dissipating device for memory modules and method of manufacturing the same

Номер патента: WO2009020265A1. Автор: Yun Kyung Myung. Владелец: Il Chang Precision Co., Ltd. Дата публикации: 2009-02-12.

Sidewall structures for memory cells in vertical structures

Номер патента: US20240298553A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Apparatuses and methods for memory including ferroelectric memory cells and dielectric memory cells

Номер патента: US11901005B2. Автор: Scott J. Derner,Michael A. Shore. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Read-assist circuits for memory bit cells employing a p-type field-effect transistor (pfet) read port(s), and related memory systems and methods

Номер патента: US20190057757A1. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Membrane dielectric isolation transistor fabrication

Номер патента: US5592007A. Автор: Glenn J. Leedy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-01-07.

Decoding architecture for memory tiles

Номер патента: US20220336015A1. Автор: Andrea Martinelli,Claudio Nava,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Formation for memory cells

Номер патента: US20230397431A1. Автор: Marcello Mariani,Durai Vishak Nirmal Ramaswamy,Giorgio Servalli. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Compensating for memory input capacitance

Номер патента: US20190229075A1. Автор: Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-07-25.

Semiconductor structure and layout structure for memory devices

Номер патента: US20150206894A1. Автор: Wei Cheng,Zhen Chen,Yi-Shan Chiu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

On-package die-to-die (d2d) interconnect for memory using universal chiplet interconnect express (ucie) phy

Номер патента: WO2024196389A1. Автор: Debendra Das Sharma,Zuoguo Wu,Dimitrios Ziakas,Gerald Pasdast,Sridhar Muthrasanallur,Swadesh CHOUDHARY,Peter Onufryk,Narasimha LANKA. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2024-09-26.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US09735200B2. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US09425390B2. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Methods of forming pillars for memory cells using sequential sidewall patterning

Номер патента: WO2011056534A2. Автор: Roy E. Scheuerlein,Yoichiro Tanaka,Christopher J. Petti. Владелец: SANDISK 3D, LLC. Дата публикации: 2011-05-12.

Configurable inputs and outputs for memory stacking system and method

Номер патента: EP1969600A2. Автор: Jeffery Janzen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-09-17.

Configurable inputs and outputs for memory stacking system and method

Номер патента: WO2007078994A2. Автор: Jeffery Janzen. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-07-12.

Technologies for current biasing for memory cells

Номер патента: US20230307043A1. Автор: Ashraf B. Islam,Yasir Mohsin Husain,Jonathan Y. Wang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Hybrid manufacturing of access transistors for memory

Номер патента: US20240098965A1. Автор: Tahir Ghani,Abhishek A. Sharma,Anand S. Murthy,Sagar SUTHRAM,Wilfred Gomes,Pushkar Sharad RANADE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Connection designs for memory systems

Номер патента: US20240039185A1. Автор: Wei Yu,Ling Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Split pillar architectures for memory devices

Номер патента: US20210005665A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Sidewall structures for memory cells in vertical structures

Номер патента: EP4348715A1. Автор: Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Module unit for memory modules and method for its production

Номер патента: US20030012001A1. Автор: Jürgen Högerl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-01-16.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20160329377A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-11-10.

Divider and contact formation for memory cells

Номер патента: US20230354601A1. Автор: Shuangqiang Luo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20190006420A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-01-03.

Select device for memory cell applications

Номер патента: US20170358627A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

VARYING ENERGY BARRIERS OF MAGNETIC TUNNEL JUNCTIONS (MTJs) IN DIFFERENT MAGNETO-RESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY (MRAM) ARRAYS IN A SEMICONDUCTOR DIE TO FACILITATE USE OF MRAM FOR DIFFERENT MEMORY APPLICATIONS

Номер патента: US20190147930A1. Автор: Xia Li,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Wah Nam Hsu. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-05-16.

Wafer level fabrication for multiple chip light-emitting devices

Номер патента: US20240047606A1. Автор: Jesse Reiherzer,David Suich,Colin Blakely,Michael Check,Steven Wuester,Thomas Celano. Владелец: Creeled Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Wafer level fabrication for multiple chip light-emitting devices

Номер патента: WO2024030891A1. Автор: Jesse Reiherzer,David Suich,Colin Blakely,Michael Check,Steven Wuester,Thomas Celano. Владелец: CREELED, INC.. Дата публикации: 2024-02-08.

Integrated circuit memory devices having vertical transistor arrays therein and methods of forming same

Номер патента: US20140015032A1. Автор: Ji-Young Kim,Kang L. Wang,Yong-Jik Park,Jeong-hee Han,Augustin Jinwoo Hong. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-01-16.

Method for fabricating a vertical transistor in a trench, and vertical transistor

Номер патента: TW579578B. Автор: Albert Birner,Joern Luetzen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-03-11.

Signal referencing for memory

Номер патента: US09614331B2. Автор: Gregory M. Daly. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Connector for memory card

Номер патента: EP1229611A4. Автор: Isao Suzuki,Takashi Kawasaki,Atsushi Nishio. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-21.

Magneto-optic thin film for memory devices

Номер патента: US4170689A. Автор: Kazumichi Egashira,Akinori Katsui. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1979-10-09.

PET nonwoven fabric for separator for secondary battery and separator for secondary battery comprising the same

Номер патента: US09508974B2. Автор: Hyun Sook Kim,Hyang Doo Lee,Suk Hwa You,Chun Gi Kang,Seung Yong Jee,Do Hyeuk Hwang,Chang Gyu Ahn,Byoung Min Kwon. Владелец: Toptec Hns Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Pet nonwoven fabric for separator for secondary battery and separator for secondary battery comprising the same

Номер патента: MY178133A. Автор: Hyun Sook Kim,Hyang Doo Lee,Suk Hwa You,Chun Gi Kang,Seung Yong Jee,Do Hyeuk Hwang,Chang Gyu Ahn,Byoung Min Kwon. Владелец: Toptec Hns Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-05.

Three-dimensional woven fabric for battery

Номер патента: US5242768A. Автор: EIJI Aoki,Takeshi Kitano,Yoshihiro Nagatsuka. Владелец: Japan International Trade and Industry Ministry of. Дата публикации: 1993-09-07.

Non-woven fabric for separator of non-aqueous electrolyte battery and non-aqueous electrolyte battery using the same

Номер патента: CA2215622C. Автор: Tetsuya Ashida,Takahiro Tsukuda. Владелец: Mitsubishi Paper Mills Ltd. Дата публикации: 2003-09-02.

Read-only memory with vertical transistors

Номер патента: US20230076056A1. Автор: Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-03-09.

Method Used In Forming An Array Of Vertical Transistors And Method Used In Forming An Array Of Memory Cells Individually Comprising A Vertical Transistor And A Storage Device Above The Vertical Transistor

Номер патента: US20220068934A1. Автор: YANG Guangjun. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-03.

CMOS image sensors including vertical transistor

Номер патента: US09806113B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Hee-Geun Jeong,Jung-Chak Ahn,Young-Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

CMOS image sensors including vertical transistor

Номер патента: US09647016B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Hee-Geun Jeong,Jung-Chak Ahn,Young-Sun Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

High density stacked vertical transistor static random access memory structure

Номер патента: WO2023186507A1. Автор: Brent Anderson,Albert Chu,Junli Wang,Hemanth Jagannathan. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2023-10-05.

High density stacked vertical transistor static random access memory structure

Номер патента: US20230320055A1. Автор: Junli Wang,Hemanth Jagannathan,Brent A Anderson,Albert M Chu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Layout and wiring scheme for memory cells with vertical transistors

Номер патента: EP1186045B1. Автор: Roland Radius. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2012-07-11.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20240381620A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2023028869A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Ziqun HUA,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US7445986B2. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-11-04.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060175650A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-08-10.

Memory cells with vertical transistor and capacitor and fabrication methods thereof

Номер патента: US20060270144A1. Автор: Cheng-Chih Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-11-30.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20020053689A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell P. Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-09.

Vertical transistor trench capacitor dram cell and method of making the same

Номер патента: EP1320885A2. Автор: Andreas Knorr,Laertis Economikos,Thomas W. Dyer,Scott Halle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: US12082399B2. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Memory device having vertical transistors and method for forming the same

Номер патента: US20230371244A1. Автор: He Chen,Ziqun HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Circuit and method for an open bit line memory cell with a vertical transistor and trench plate trench capacitor

Номер патента: US20010000918A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-05-10.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: WO2024103343A1. Автор: WEI Liu,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Wenyu HUA,Zichen LIU,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-05-23.

Vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20240172415A1. Автор: WEI Liu,Weihua Cheng,Hongbin Zhu,Wenyu HUA,Zichen LIU,Bingjie Yan. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Memory devices having vertical transistors and fabricating methods thereof

Номер патента: US20230371241A1. Автор: WEI Liu,Ning Jiang,Chao Sun. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Memory devices having vertical transistors in staggered layouts

Номер патента: WO2023070640A1. Автор: Tao Yang,Zhiliang Xia,Zongliang Huo,Yuancheng YANG,Dongxue Zhao. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-05-04.

Method for computer-assisted operation of a memory unit and execution of application programs having memory checking for memory errors

Номер патента: AU2023202494B2. Автор: Andreas Schallenberg,Stefan Gerken,Markus Seemann. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for computer-assisted operation of a memory unit and execution of application programs having memory checking for memory errors

Номер патента: AU2023202494A1. Автор: Andreas Schallenberg,Stefan Gerken,Markus Seemann. Владелец: Siemens Mobility GmbH. Дата публикации: 2023-11-09.

System and method for memory compression for deep learning networks

Номер патента: US12118212B2. Автор: Andreas Moshovos,Alberto DELMAS LASCORZ,Sayeh SHARIFYMOGHADDAM,Isak Edo Vivancos. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2024-10-15.

System and method for memory compression for deep learning networks

Номер патента: CA3178577A1. Автор: Andreas Moshovos,Alberto DELMAS LASCORZ,Sayeh SHARIFYMOGHADDAM,Isak Edo Vivancos. Владелец: University of Toronto. Дата публикации: 2021-11-18.

Read-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) read port(s), and related memory systems and methods

Номер патента: US09741452B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Method and device for memory size adapted serial data transfer

Номер патента: RU2597502C2. Автор: Флориан ХАРТВИХ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2016-09-10.

Methods and device to reduce the requirements for memory for software applications in the process control systems

Номер патента: RU2634220C2. Автор: Дэвид Кёртис ИНГРЭМ. Владелец: ФИШЕР КОНТРОЛЗ ИНТЕРНЕШНЕЛ ЛЛС. Дата публикации: 2017-10-24.

An apparatus and method for memory encryption with reduced decryption latency

Номер патента: EP1654661A2. Автор: Carlos Rozas,Gary Graunke. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2006-05-10.

Technologies for memory replay prevention using compressive encryption

Номер патента: US11775332B2. Автор: David M. Durham,Siddhartha Chhabra,Michael E. Kounavis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods and systems for memory initialization of an integrated circuit

Номер патента: US09891683B2. Автор: KODAVALLA Vijay Kumar. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Data invalidation for memory

Номер патента: WO2022251777A1. Автор: Simon J. Lovett,Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-12-01.

Data invalidation for memory

Номер патента: EP4348431A1. Автор: Simon J. Lovett,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Method and device for memory size adapted serial data transfer

Номер патента: RU2596582C2. Автор: Флориан ХАРТВИХ. Владелец: Роберт Бош Гмбх. Дата публикации: 2016-09-10.

Techniques to adapt dc bias of voltage regulators for memory devices as a function of bandwidth demand

Номер патента: EP3767430A1. Автор: Setul M. Shah,William SHELUNG,Ohruval PATEL. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-01-20.

Control circuitry for memory cells

Номер патента: US20120314508A1. Автор: Luca Milani,Rainer Herberholz,Justin Penfold,Kwangseok Han. Владелец: Cambridge Silicon Radio Ltd. Дата публикации: 2012-12-13.

Technologies for memory confidentiality, integrity, and replay protection

Номер патента: EP3314522A1. Автор: Men Long,David M. Durham,Siddhartha Chhabra,Eugene M. KISHINEVSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-02.

Memory systems and devices including examples of generating access codes for memory regions using authentication logic

Номер патента: US11899829B2. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Memory systems and devices including examples of generating access codes for memory regions using authentication logic

Номер патента: US20240176916A1. Автор: Jeremy Chritz,David Hulton. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US11869577B2. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Read-assist circuits for memory bit cells employing a p-type field-effect transistor (pfet) read port(s), and related memory systems and methods

Номер патента: EP3262650A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-01-03.

Read-assist circuits for memory bit cells employing a p-type field-effect transistor (pfet) read port(s), and related memory systems and methods

Номер патента: WO2016137685A2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2016-09-01.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US20230238050A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Measurement command for memory systems

Номер патента: US20240070089A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Decoding architecture for memory devices

Номер патента: US20240203481A1. Автор: Fabio Pellizzer,Enrico Varesi,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Thermal isolation for memory systems

Номер патента: US20240196569A1. Автор: Suresh Reddy Yarragunta,Deepu Narasimiah Subhash. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Technologies for memory replay prevention using compressive encryption

Номер патента: US20190004843A1. Автор: David M. Durham,Siddhartha Chhabra,Michael E. Kounavis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Remote provisioning of certificates for memory system provenance

Номер патента: US20230353391A1. Автор: Lance W. Dover. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Technologies for memory replay prevention using compressive encryption

Номер патента: US20240069955A1. Автор: David M. Durham,Siddhartha Chhabra,Michael E. Kounavis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Decoding architecture for memory tiles

Номер патента: US11804264B2. Автор: Andrea Martinelli,Claudio Nava,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-31.

Safety and security for memory

Номер патента: WO2022039981A1. Автор: Lance W. Dover,Steffen Buch,Aaron P. Boehm. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-02-24.

Data invalidation for memory

Номер патента: US20220385451A1. Автор: Simon J. Lovett,Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-01.

Remote attestation model for secure memory applications

Номер патента: US20180150411A1. Автор: Lei Kou,Simon Leet,Pushkar Vijay Chitnis. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-05-31.

Magnetic random access memory cell with dual junction for ternary content addressable memory applications

Номер патента: RU2572464C2. Автор: Бертран КАМБУ. Владелец: Крокус Текнолоджи Са. Дата публикации: 2016-01-10.

Apparatuses, systems, and methods for memory initiated calibration

Номер патента: US20240063794A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Apparatuses, systems, and methods for memory initiated calibration

Номер патента: US11979147B2. Автор: Sujeet Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Method and device for memory management in digital data transfer

Номер патента: US20010023477A1. Автор: Petri Jarske. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-09-20.

Decoder for memory system and method thereof

Номер патента: US20210103494A1. Автор: Fan Zhang,Xuanxuan Lu. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Variable modulation scheme for memory device access or operation

Номер патента: US20240303194A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-09-12.

Technologies for memory confidentiality, integrity, and replay protection

Номер патента: WO2016209488A1. Автор: Men Long,David M. Durham,Siddhartha Chhabra,Eugene M. KISHINEVSKY. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2016-12-29.

Liquid cooling heat exchange apparatus for memory modules

Номер патента: US11825629B2. Автор: Ting-Jui Chang. Владелец: Cooler Master Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Split pillar architectures for memory devices

Номер патента: WO2021002992A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-01-07.

Split pillar architectures for memory devices

Номер патента: EP3994738A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Paolo Fantini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-11.

Input-shaping method and input-shaping unit for group-modulated input scheme in computing-in-memory applications

Номер патента: US20220291963A1. Автор: Meng-Fan Chang,Ta-Wei Liu,Yen-Hsiang Huang,Cheng-Xin Xue,Sheng-Po Huang,Fu-Chun CHANG. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-09-15.

Variable modulation scheme for memory device access or operation

Номер патента: EP3692447A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Timothy M. Hollis,Jeffery P. Wright. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-12.

Variable modulation scheme for memory device access or operation

Номер патента: US20200327057A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Variable modulation scheme for memory device access or operation

Номер патента: US20230004492A1. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Systems and methods for memory-efficient storage and extraction of maximum power reduction (mpr) values in two-carrier wireless data systems

Номер патента: US20130343249A1. Автор: Mei Chen,Jinhua Jiang,Zae Yong Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-12-26.

Manufacturing method for memory

Номер патента: US20230363137A1. Автор: Jiayun Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Manufacturing method for memory

Номер патента: US11956941B2. Автор: Jiayun Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Variable modulation scheme for memory device access or operation

Номер патента: US11971820B2. Автор: Robert Nasry Hasbun,Dean D. Gans,Jeffrey P. Wright,Timothy M. Hollis. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-30.

Select device for memory cell applications

Номер патента: EP3207575A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-23.

Select device for memory cell applications

Номер патента: WO2016060973A1. Автор: David H. Wells,Caner Onal,Christopher D. Cardon. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2016-04-21.

Memory unit with time domain edge delay accumulation for computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US20230238047A1. Автор: Meng-Fan Chang,Jian-Wei Su,Ping-Chun Wu,Li-Yang Hong,Jin-Sheng Ren. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-07-27.

Memory unit with time domain edge delay accumulation for computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US11967357B2. Автор: Meng-Fan Chang,Jian-Wei Su,Ping-Chun Wu,Li-Yang Hong,Jin-Sheng Ren. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-04-23.

Memory unit with asymmetric group-modulated input scheme and current-to-voltage signal stacking scheme for non-volatile computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US20220223197A1. Автор: Meng-Fan Chang,Hui-Yao Kao,Yen-Hsiang Huang,Cheng-Xin Xue,Sheng-Po Huang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-07-14.

Heatable garment, fabrics for such garments, and methods of manufacture

Номер патента: EP4419587A1. Автор: Elliot Owen JONES,Thomas Harry HOWE. Владелец: Haydale Graphene Industries PLC. Дата публикации: 2024-08-28.

Modular switched fabric for data storage systems

Номер патента: US09645902B2. Автор: Jason Breakstone,Christopher R. Long,James Scott Cannata. Владелец: Liqid Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Graph-based network fabric for a network visibility appliance

Номер патента: US12068905B2. Автор: Anil Rao. Владелец: Gigamon Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Converged fabric for FCoE

Номер патента: US09455906B2. Автор: Siamack Ayandeh. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of fabrication for josephson tunnel junction

Номер патента: CA1168762A. Автор: Keiichi Tanabe,Hisataka Takenaka,Shizuka Yoshii,Osamu Michikami,Yujiro Katoh. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1984-06-05.

Nonwoven fabric for shielding terahertz frequencies

Номер патента: CA3074767A1. Автор: Edgar-Johannes VAN HATTUM. Владелец: Sze Hagenuk GmbH. Дата публикации: 2019-03-14.

Router fabric for switching broadcast signals in a media processing network

Номер патента: US11848873B2. Автор: Charles S. Meyer,Ken BUTTLE. Владелец: Grass Valley Canada ULC. Дата публикации: 2023-12-19.

Heatable garment, fabrics for such garments, and methods of manufacture

Номер патента: CA3233573A1. Автор: Elliot Owen JONES,Thomas Harry HOWE. Владелец: Haydale Graphene Industries PLC. Дата публикации: 2023-04-27.

Memory address decode array with vertical transistors

Номер патента: US20030087495A1. Автор: Leonard Forbes,Wendell Noble. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2003-05-08.

N, n '-substituted 3, 7-diazabicyclo[3,3,1]nonane drug for memory regeneration in health and disease in patients of all age groups, based pharmaceutical composition and method of application thereof

Номер патента: RU2417082C2. Автор: Сергей Олегович Бачурин,Николай Серафимович Зефиров,Владимир Викторович Григорьев,Мстислав Игоревич Лавров,Владимир Александрович Палюлин,Константин Владимирович Анохин,Наталья Викторовна Комисарова,Анна Александровна Тиунова. Владелец: Учреждение Российской Академии Наук Институт Физиологически Активных Веществ Ран (Ифав Ран). Дата публикации: 2011-04-27.

OPTIMIZING fuseROM USAGE FOR MEMORY REPAIR

Номер патента: US20150012786A1. Автор: Devanathan Varadarajan,Harsharaj Ellur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Optimizing fuseROM usage for memory repair

Номер патента: US09852810B2. Автор: Devanathan Varadarajan,Harsharaj Ellur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Memory controller for memory with mixed cell array and method of controlling the memory

Номер патента: US09606908B2. Автор: Jing Li,Bing Dai,Chung H. Lam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Response control for memory modules that include or interface with non-compliant memory technologies

Номер патента: EP3025238A1. Автор: Gregg B. Lesartre,Andrew R. Wheeler,John E. Tillema,Alan J. WADE. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2016-06-01.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US12039189B2. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Inspection method for memory integrity, nonvolatile memory and electronic device

Номер патента: US10762970B2. Автор: Jun-Lin Yeh. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2020-09-01.

Read-write control method for memory, and corresponding memory and server

Номер патента: US09990276B2. Автор: Ming Xie,Jianfeng Xu,Yue Wu,Wenzheng Li,Chaoyu ZHONG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Protection for memory deduplication by copy-on-write

Номер патента: US09836240B2. Автор: Michael Tsirkin,Andrea Arcangeli. Владелец: Red Hat Israel Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Systems and methods for memory system management based on thermal information of a memory system

Номер патента: US09767012B2. Автор: David A. Roberts,Robert Walker. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Allocation technique for memory diagnostics

Номер патента: US09691503B2. Автор: Arnold S. Weksler,Rafael Rodrigues Machado,Maurício de Moraes Barros Neto,Fernando José Vieira da Silva,Fernando Ferraz Silva,Dênis Alberto Silverio,Rafael Teodoro. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Frequency monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022066439A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-03-31.

Dynamic power allocation for memory using multiple interleaving patterns

Номер патента: WO2024112431A1. Автор: Vincent Vacquerie,Alexis Lefebvre. Владелец: GoPro, Inc.. Дата публикации: 2024-05-30.

Reducing processor resource consumption for memory access and enabling shared memory access

Номер патента: US20210056055A1. Автор: Sumanta K. Bahali,Peter R. Seidel,Jeffrey R. Hamilton,Juan Q. Hernandez,Brian E. Bigelow. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Serial communication method and system for memory access

Номер патента: US12019568B2. Автор: Yongseok Choi. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-25.

Initialization techniques for memory devices

Номер патента: US20220223211A1. Автор: Antonino Pollio,Alessandro Magnavacca,Giuseppe Vito Portacci,Mauro Luigi Sali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-07-14.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US20240256187A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Techniques for memory cell refresh

Номер патента: US20230317134A1. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-05.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US12067257B2. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US20240281371A1. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Testing for memory devices using dedicated command and address channels

Номер патента: US20240281350A1. Автор: Stephen Hanna. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Frequency regulation for memory management commands

Номер патента: US12086415B2. Автор: Donald Martin Morgan,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Error rates for memory with built in error correction and detection

Номер патента: US12111726B2. Автор: Monish Shah. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Method and system for memory management and memory storage device thereof

Номер патента: US09940021B2. Автор: Chun-Yang Hu. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Apparatus and method for memory calibration averaging

Номер патента: US09666264B1. Автор: Robert E. Jeter,Rakesh L. Notani,Xingchao C. Yuan,Kai Lun Hsiung. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Systems, devices and methods for memory operations

Номер патента: US09502122B2. Автор: Cheng-Hsiung Kuo,Yue-Der Chih,Gu-Huan Li,Chung-chieh Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

System and method of performing memory data collection for memory forensics in a computing device

Номер патента: WO2018136154A1. Автор: Saumitra Mohan Das,Nayeem Islam,Mastooreh Salajegheh,Sudha Anil Kumar GATHALA. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-07-26.

Systems and methods for memory serviceability mitigation

Номер патента: US20240078158A1. Автор: Vivek Viswanathan Iyer,Michael Wayne Arms,Balasingh Ponraj Samuel. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-03-07.

Completion flag for memory operations

Номер патента: US12050773B2. Автор: Jonathan S. Parry,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Techniques for memory cell reset using dummy word lines

Номер патента: US20230395123A1. Автор: Yuan He,Wenlun Zhang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Interface protocol configuration for memory

Номер патента: US11749318B2. Автор: Glen E. Hush,Richard C. Murphy,Honglin Sun. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Data storage device and method for memory-die-state-aware host command submission

Номер патента: US12067289B2. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-20.

Techniques for memory error correction

Номер патента: US20230043306A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Techniques for memory system standby mode control

Номер патента: US20240281158A1. Автор: Junam Kim. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods and apparatus to select addresses for memory training

Номер патента: US20240257890A1. Автор: Zhiguo Wei,Yanyang Tan,John Vancleve Lovelace. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Dynamic additive attention adaption for memory-efficient multi-domain on-device learning

Номер патента: US20230342604A1. Автор: LI YANG,Deliang Fan,Adnan Siraj Rakin. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2023-10-26.

Systems and methods for memory representation and management

Номер патента: US20240303191A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Method and apparatus for memory integrated management of cluster system

Номер патента: US12118394B2. Автор: Kang Ho Kim,Taehoon Kim,Kwang-Won Koh,Changdae KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-10-15.

Access operation status signaling for memory systems

Номер патента: US12124322B2. Автор: Qing Liang,Jonathan S. Parry,Deping He,Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Techniques for memory error correction

Номер патента: US12124333B2. Автор: Kai Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Systems and methods for memory representation and management

Номер патента: EP4432066A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US12141029B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

System and methods for memory expansion

Номер патента: US09405698B2. Автор: Satyanarayana Nishtala,Luca Cafiero,Mario Mazzola,Philip Manela. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US20240086338A1. Автор: Nathaniel J. Meier. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-14.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: US12019506B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210319843A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-14.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20230187010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20230395114A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US20240096390A1. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Method and system for memory attack mitigation

Номер патента: US20220197827A1. Автор: Vilas K. SRIDHARAN,Sudhanva Gurumurthi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Method and system for memory attack mitigation

Номер патента: EP4264474A1. Автор: Vilas K. SRIDHARAN,Sudhanva Gurumurthi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-25.

Quick activate for memory sensing

Номер патента: US20210149573A1. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-05-20.

Quick activate for memory sensing

Номер патента: US20220011957A1. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US12040038B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-16.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20220199155A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Unauthorized access command logging for memory

Номер патента: WO2020139540A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-07-02.

Method and computer program product for memory management in a mass storage device

Номер патента: WO2009072970A1. Автор: Mikael Sundstrom. Владелец: Oricane Ab. Дата публикации: 2009-06-11.

Arbitration for memory diagnostics

Номер патента: US20190035486A1. Автор: Kevin W. Gorman,Michael R. Ouellette,Aravindan J. BUSI,Kiran K. Narayan,Deepak I. Hanagandi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-01-31.

Receiver architecture for memory reads

Номер патента: US20150106538A1. Автор: Li Pan,Nan Chen,Narasimhan Vasudevan,Michael Thomas Fertsch. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-04-16.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US11748276B2. Автор: Nathaniel J. Meier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Scalable prediction failure analysis for memory used in modern computers

Номер патента: US9196383B2. Автор: Challis L. Purrington, Sr.,Tu T. Dang,Michael C. Elles,Juan Q. Hernandez,Dwayne A. Lowe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-11-24.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US12056063B2. Автор: Nathaniel J. Meier. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Method and computer program product for memory management in a mass storage device

Номер патента: EP2218007A1. Автор: Mikael Sundstrom. Владелец: Oricane Ab. Дата публикации: 2010-08-18.

Scalable prediction failure analysis for memory used in modern computers

Номер патента: US20140013170A1. Автор: Challis L. Purrington, Sr.,Tu T. Dang,Michael C. Elles,Juan Q. Hernandez,Dwayne A. Lowe. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Systems and methods for memory representation and tracking

Номер патента: US20240311297A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Systems and methods for memory representation and tracking

Номер патента: EP4432100A1. Автор: Changho Choi,Ramzi Ammari,Mukesh Garg. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Flexible counter system for memory protection

Номер патента: US09798900B2. Автор: Siddhartha Chhabra,Jungju Oh,David M Durham. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Linear programming based decoding for memory devices

Номер патента: US09424945B2. Автор: Xudong Ma. Владелец: EMPIRE TECHNOLOGY DEVELOPMENT LLC. Дата публикации: 2016-08-23.

Page coloring with color inheritance for memory pages

Номер патента: US20080055617A1. Автор: Uday Savagaonkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2008-03-06.

Realm identifiers for realms for memory access control

Номер патента: US20200142839A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Martin WEIDMANN. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Realm identifiers for realms for memory access control

Номер патента: WO2019002817A1. Автор: Jason Parker,Matthew Lucien EVANS,Gareth Rhys STOCKWELL,Martin WEIDMANN. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2019-01-03.

Methods and devices for determining writing current for memory cells

Номер патента: US20060203537A1. Автор: Hung-Cheng Sung,Der-Shin Shyu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Data masking for memory

Номер патента: US12050784B2. Автор: Daniele Vimercati,Jahanshir Javanifard,Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: WO2013033375A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2013-03-07.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: EP3833380A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2021-06-16.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: CA3109141A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2020-02-13.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: AU2019320099A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2021-04-01.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: US20210322451A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University NYU. Дата публикации: 2021-10-21.

Use of mannose 6 phosphate and modifications thereof for memory enhancement and reducing memory impairment

Номер патента: WO2020033972A1. Автор: Dirk Trauner,Cristina Maria Alberini,Christopher James ARP. Владелец: New York University. Дата публикации: 2020-02-13.

Data type identification schemes for memory systems

Номер патента: US20240289053A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US8687419B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-01.

Method, apparatus and computer program for memory retention

Номер патента: WO2011020902A1. Автор: Anders Carlsson,Thomas Olsson. Владелец: TELEFONAKTIEBOLAGET L M ERICSSON (PUBL). Дата публикации: 2011-02-24.

Word line drivers for memory devices

Номер патента: US20240194256A1. Автор: Fatma Arzum Simsek-Ege,Mingdong Cui,Brenton P. Van Leeuwen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and optical network unit router for memory access control

Номер патента: US20240289171A1. Автор: Fei Yan,Weihua Huang. Владелец: Airoha Technology Suzhou Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Data separation configurations for memory systems

Номер патента: US20240289031A1. Автор: Nicola Colella,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Dynamic logical page sizes for memory devices

Номер патента: US12130747B2. Автор: Sushil Kumar,David Aaron Palmer,Venkata Kiran Kumar Matturi,Sharath Chandra Ambula,Sri Ramya Pinisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Negative supply rail positive boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09984730B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Wordline negative boost write-assist circuits for memory bit cells employing a P-type field-effect transistor (PFET) write port(s), and related systems and methods

Номер патента: US09842634B2. Автор: Francois Ibrahim Atallah,Jihoon Jeong,Keith Alan Bowman,David Joseph Winston Hansquine,Hoan Huu Nguyen. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Multi-pass programming process for memory device which omits verify test in first program pass

Номер патента: EP3711053A1. Автор: Yingda Dong,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-09-23.

Lifetime markers for memory devices

Номер патента: US20110242901A1. Автор: Todd Marquart. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Apparatuses and methods for decoding addresses for memory

Номер патента: US11869592B2. Автор: Gary L. Howe,Scott E. Smith. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-09.

Apparatuses and methods for decoding addresses for memory

Номер патента: US20200227118A1. Автор: Gary L. Howe,Scott E. Smith. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Decoder architecture for memory device

Номер патента: US12051463B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Jeffrey E. Koelling,Hari Giduturi,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Memory and a data path architecture for memory addressing

Номер патента: EP4224325A1. Автор: Shuo-Nan Hung. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-09.

On chip characterization of timing parameters for memory ports

Номер патента: US09570195B2. Автор: Abhijith Ramesh Kashyap,Shrikrishna Pundoor. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for memory management in virtual machines, and corresponding system and computer program product

Номер патента: WO2015132753A1. Автор: Giovanni Lupi,Giuseppe PAPUZZO,Raffaele GIORDANELLI,Carlo MASTROIANNI,Agostino FORESTIERO. Владелец: ECO4CLOUD S.R.L.. Дата публикации: 2015-09-11.

Memory capacity detecting device for memory cards

Номер патента: US4982378A. Автор: Tsuyoshi Matsushita. Владелец: Tokyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1991-01-01.

Virtual memory mapping method and system for memory management of pools of logical partitions for bat and TLB entries in a data processing system

Номер патента: US5721858A. Автор: Steven W. White,G. Jeannette McWilliams,Jack Wayne Kemp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1998-02-24.

Technologies for memory tagging

Номер патента: US11940927B2. Автор: David M. Durham,Michael D. LeMay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Method, apparatus, and manufacture for staggered start for memory module

Номер патента: US20140092687A1. Автор: Kenneth Alan Okin,Gregory Charles Yancey,Bradley Edman SUNDAHL,Sean Michael O'Mullan. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-04-03.

OPTIMIZING fuseROM USAGE FOR MEMORY REPAIR

Номер патента: EP2994915A1. Автор: Devanathan Varadarajan,Harsharaj Ellur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-03-16.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: US11749330B2. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20210193211A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US20230253024A1. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Error control for memory device

Номер патента: US20220310189A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US10937483B2. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-02.

Current separation for memory sensing

Номер патента: WO2019125797A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-06-27.

Idle mode temperature control for memory systems

Номер патента: US20240069784A1. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Antonino Pollio. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Real time profile switching for memory overclocking

Номер патента: US11977757B2. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight,Jayesh Hari Joshi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Generating patterns for memory threshold voltage difference

Номер патента: US11978513B2. Автор: Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

OPTIMIZING fuseROM USAGE FOR MEMORY REPAIR

Номер патента: WO2014124218A1. Автор: Devanathan Varadarajan,Harsharaj Ellur. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2014-08-14.

Technologies for memory tagging

Номер патента: EP4293523A1. Автор: David M. Durham,Michael D. LeMay. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-20.

Error control for memory device

Номер патента: WO2021252163A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-16.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: EP4115420A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-11.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: WO2021178109A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-09-10.

Integrated circuit and processing method for memory access, electronic device, and medium

Номер патента: US20240053888A1. Автор: Yi Zhou,Jing Li,Qingyu LIU,Bo DENG,Wenxing Li,Juncheng Shen. Владелец: Horizon Shanghai Artificial Intelligence Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: EP4128237A1. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-08.

Charge leakage detection for memory system reliability

Номер патента: US20230114735A1. Автор: Angelo Visconti,Riccardo Pazzocco,Jonathan J. Strand,Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-04-13.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20190287601A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Current separation for memory sensing

Номер патента: EP3729434A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-28.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20230005551A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-05.

Dynamically coalescing atomic memory operations for memory-local computing

Номер патента: WO2023278338A1. Автор: Johnathan Alsop,Nuwan Jayasena,Shaizeen AGA,Alexandru Dutu. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2023-01-05.

Providing variable interpretation of usefulness indicators for memory tables in processor-based systems

Номер патента: EP3682334A1. Автор: Gregory Michael WRIGHT,Eric Rotenberg,Vignyan Reddy KOTHINTI NARESH,Anil Krishna,Yongseok Yi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Method and system for memory management on the basis of zone allocations and optimization using improved lmk

Номер патента: WO2022139990A1. Автор: Sundaramoorthy BALASUBRAMANIAN. Владелец: ARRIS Enterprises LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Error control for memory device

Номер патента: US20210383888A1. Автор: Victor Wong,Nobuo Yamamoto,Jongtae Kwak,Donald Martin Morgan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Time to live for memory access by processors

Номер патента: EP4062274A1. Автор: Justin M. Eno. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-28.

Real Time Profile Switching for Memory Overclocking

Номер патента: US20230350591A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight,Jayesh Hari Joshi. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Robust functionality for memory management associated with high-temperature storage and other conditions

Номер патента: US20230395115A1. Автор: Angelo Visconti,Jonathan J. Strand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20240096425A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Maximum row active time enforcement for memory devices

Номер патента: US20240231635A1. Автор: Donald M. Morgan,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method and system for memory protection by processor carrier based access control

Номер патента: US8555013B1. Автор: Yuguang Wu,Christopher A. Vick,Olaf Manczak,Michael H. Paleczny,Jay R. Freeman,Phyllis E. Gustafson. Владелец: Oracle America Inc. Дата публикации: 2013-10-08.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: US20210280244A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Storage System and Method for Memory Backlog Hinting for Variable Capacity

Номер патента: US20200401341A1. Автор: Ramanathan Muthiah. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-12-24.

Frequency regulation for memory management commands

Номер патента: US20230359361A1. Автор: Donald Martin Morgan,Bryan David Kerstetter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Electronic device, over-erase detection and elimination methods for memory cells

Номер патента: US11862259B2. Автор: Ying Sun,Hong Nie. Владелец: China Flash Co Ltd Shanghai. Дата публикации: 2024-01-02.

Modified write voltage for memory devices

Номер патента: US20220068385A1. Автор: Sanjay Rangan,Mase J. Taub,Kiran Pangal,Koushik Banerjee,Nevil Gajera,Sandeepan DasGupta. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-03.

Memory cell access techniques for memory systems

Номер патента: US11880595B2. Автор: Benjamin Rivera,Joseph A. DE LA CERDA,Nicolas Soberanes,Bruce J. Ford. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

A system and method for memory allocation and management in non-uniform memory access architecture computing environments

Номер патента: US20230325239A1. Автор: XIN ZHAO,Tongping LIU,Hanmei Yang. Владелец: University of Massachusetts UMass. Дата публикации: 2023-10-12.

Selective refresh for memory devices

Номер патента: WO2023215063A1. Автор: Bohuslav Rychlik,Andrew Edmund Turner,George PATSILARAS,Matthew Severson,Jeffrey GEMAR,Behnam Dashtipour,Michael Hawjing Lo,Engin Ipek,Hamza Omar,Saumya Ranjan KUANR. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-11-09.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: WO2021112956A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-06-10.

Techniques for memory access in a reduced power state

Номер патента: US20230400908A1. Автор: Binata Bhattacharyya,Paul S. Diefenbaugh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Techniques for memory cell refresh

Номер патента: US11929107B2. Автор: Vincenzo Reina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Selective refresh for memory devices

Номер патента: US20230359373A1. Автор: Bohuslav Rychlik,Andrew Edmund Turner,George PATSILARAS,Matthew Severson,Jeffrey GEMAR,Behnam Dashtipour,Michael Hawjing Lo,Engin Ipek,Hamza Omar,Saumya Ranjan KUANR. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20180151202A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-05-31.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20170162233A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-06-08.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US20120294100A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-11-22.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: EP2712445A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2014-04-02.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: WO2012158223A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Vadim Smolyakov. Владелец: Gulak, Glenn. Дата публикации: 2012-11-22.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US20150023122A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2015-01-22.

Method And Apparatus For Memory Power And/Or Area Reduction

Номер патента: US20190139584A1. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US9881653B2. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Method and apparatus for memory power and/or area reduction

Номер патента: US9576614B2. Автор: Curtis Ling,Timothy Gallagher,Glenn Gulak,Vadim Smolyakov. Владелец: Maxlinear Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Initialization techniques for memory devices

Номер патента: US11657878B2. Автор: Antonino Pollio,Alessandro Magnavacca,Giuseppe Vito Portacci,Mauro Luigi Sali. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-23.

Dynamic switch for memory devices

Номер патента: US20240028531A1. Автор: Shigeki Tomishima,James A. McCall,Jun Liao,Min Suet LIM,John R. DREW,Tongyan Zhai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Read threshold adjustment techniques for memory

Номер патента: US11854641B2. Автор: Robert B. Eisenhuth. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Serial communication method and system for memory access

Номер патента: US20220318166A1. Автор: Yongseok Choi. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-10-06.

Method for memory management

Номер патента: US20120159111A1. Автор: Chae Deok Lim,Ik-Soon KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2012-06-21.

Redundancy array column decoder for memory

Номер патента: SG11201901209VA. Автор: Daniele Vimercati,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Testing operations for memory systems

Номер патента: US20240094921A1. Автор: Yuan He,Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Techniques to utilize near memory compute circuitry for memory-bound workloads

Номер патента: WO2023184224A1. Автор: XIAO Hu,Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Sujoy Sen,Ravishankar Iyer,Ananthan Ayyasamy,Nagabhushan Chitlur,Nilesh Jain,Mariano Tepper,Suresh Thirumandas,Theodore Willke,Gopi Krishna Jha,Maria Cecilia AGUERREBERE OTEGUI. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2023-10-05.

Error rates for memory with built in error correction and detection

Номер патента: EP4341814A1. Автор: Monish Shah. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-03-27.

Techniques for memory system refresh

Номер патента: US11961547B2. Автор: QI Dong,Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Usage level identification for memory device addresses

Номер патента: US11921627B2. Автор: Luca Porzio,Giuseppe Cariello,Roberto IZZI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

Error rates for memory with built in error correction and detection

Номер патента: US20220374307A1. Автор: Monish Shah. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-11-24.

Temperature monitoring for memory devices

Номер патента: US11977772B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Storage system and method for memory backlog hinting for variable capacity

Номер патента: WO2020256782A1. Автор: Ramanathan Muthiah. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2020-12-24.

Integrated circuit and processing method for memory access, electronic device, and medium

Номер патента: EP4322008A1. Автор: Yi Zhou,Jing Li,Qingyu LIU,Bo DENG,Wenxing Li,Juncheng Shen. Владелец: Horizon Shanghai Artificial Intelligence Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Determining read voltages for memory systems

Номер патента: US20230153198A1. Автор: Yu-Ming Huang,Yung-Chun Li. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Power regulation for memory systems

Номер патента: US20210217482A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: US20210166746A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-06-03.

Read-write control method for memory, and corresponding memory and server

Номер патента: US20180260318A1. Автор: Ming Xie,Jianfeng Xu,Yue Wu,Wenzheng Li,Chaoyu ZHONG. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-13.

Light hibernation mode for memory

Номер патента: US20240078024A1. Автор: Liang Ge. Владелец: Micron Technoloty Inc. Дата публикации: 2024-03-07.

Current separation for memory sensing

Номер патента: US20190189178A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Dynamically coalescing atomic memory operations for memory-local computing

Номер патента: EP4363984A1. Автор: Johnathan Alsop,Nuwan Jayasena,Shaizeen AGA,Alexandru Dutu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-08.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: US20220130444A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Activate commands for memory preparation

Номер патента: WO2023023454A1. Автор: Peter Mayer,Nobuyuki Umeda,Andreas Schneider,Martin Brox,Casto Salobrena Garcia,Rethin Raj. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2023-02-23.

Write operation techniques for memory systems

Номер патента: EP4070314A1. Автор: Hongmei Wang,Christina Papagianni,Zhongyuan Lu,Robert J. Gleixner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Activate commands for memory preparation

Номер патента: US20230162771A1. Автор: Peter Mayer,Nobuyuki Umeda,Andreas Schneider,Martin Brox,Casto Salobrena Garcia,Rethin Raj. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-25.

Method and apparatus for memory management in memory disaggregation environment

Номер патента: US20230305721A1. Автор: Tae-hoon Kim,Kang-Ho Kim,Kwang-Won Koh,Chang-Dae KIM,Sang-Ho EOM. Владелец: Sysgear Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

System and method for memory allocation in a multiclass memory system

Номер патента: US20150324131A1. Автор: Michael Ignatowski,Mark Nutter,Gabriel Loh,Mitesh Meswani. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-11-12.

Dynamic power allocation for memory using multiple interleaving patterns

Номер патента: US20240168535A1. Автор: Vincent Vacquerie,Alexis Lefebvre. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

System and method for memory allocation in a multiclass memory system

Номер патента: EP3140746A1. Автор: Michael Ignatowski,Mark Nutter,Gabriel Loh,Mitesh Meswani. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-03-15.

Power regulation for memory systems

Номер патента: EP4073797A1. Автор: Thomas H. Kinsley,Fuad Badrieh,Baekkyu Choi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-19.

Configuring command/address channel for memory

Номер патента: WO2020112463A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-06-04.

Bias voltage generation circuit for memory devices

Номер патента: US20230253017A1. Автор: Ming Yin,Bipul C. Paul,Shashank Nemawarkar,Nishtha Gaul. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

System and method for memory bandwidth reduction using a programmable cache line

Номер патента: WO2024127046A1. Автор: Georgios Keramidas,Iakovos Stamoulis,Chrysa Kokkala,Nikolaos MITAS. Владелец: Think Silicon Research and Technology Single Member S.A.. Дата публикации: 2024-06-20.

Configuring command/address channel for memory

Номер патента: US20220391114A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-08.

Efficient data management for memory system error handling

Номер патента: US20240289236A1. Автор: Jonathan S. Parry,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Bias voltage generation circuit for memory devices

Номер патента: US12087384B2. Автор: Ming Yin,Bipul C. Paul,Shashank Nemawarkar,Nishtha Gaul. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Methods and apparatuses for memory testing with data compression

Номер патента: US09443615B2. Автор: Jason M. Johnson,Justin Wood,Gregory S. Hendrix,Mark D. Franklin,Daniel F. Eichenberger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Data migration method for memory module in server and server

Номер патента: CA2922578A1. Автор: Gang Liu,Ben Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Data migration method for memory module in server and server

Номер патента: CA2922578C. Автор: Gang Liu,Ben Chen. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-31.

Performance attributes for memory

Номер патента: US10180793B2. Автор: Vincent Nguyen,David Engler,Thierry Fevrier. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2019-01-15.

Counter management for memory systems

Номер патента: US20240096436A1. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Reconfigurable channel interfaces for memory devices

Номер патента: EP3977453A1. Автор: Michael Dieter RICHTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-04-06.

Reconfigurable channel interfaces for memory devices

Номер патента: US20200379936A1. Автор: Michael Dieter RICHTER. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Reconfigurable channel interfaces for memory devices

Номер патента: WO2020242693A1. Автор: Michael Dieter RICHTER. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-12-03.

Interface for memory having a cache and multiple independent arrays

Номер патента: EP3769204A1. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Gianfranco Ferrante,Emanuele Confalonieri,Antonino Caprì. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-27.

Interface for memory having a cache and multiple independent arrays

Номер патента: US20190286586A1. Автор: Dionisio Minopoli,Daniele Balluchi,Gianfranco Ferrante,Emanuele Confalonieri,Antonino Caprì. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US20220358010A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US20210248033A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Counter management for memory systems

Номер патента: US11948656B1. Автор: Yuan He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Techniques for memory scrubbing associated with reliability availability and serviceability features

Номер патента: US20240118970A1. Автор: Ricardo SANDOVAL TORRES,Jose De Jesus PEREZ SEVILLA,Jorge HERRERA FIGUEROA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Internal error correction for memory devices

Номер патента: US20240028454A1. Автор: Aaron P. Boehm. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Apparatus for memory control

Номер патента: US20200066322A1. Автор: Masazumi Maeda,Kazuko HIGURASHI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-02-27.

Dynamic error control configuration for memory systems

Номер патента: US11782787B2. Автор: Zhengang Chen,Deping He. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Interrupt mode or polling mode for memory devices

Номер патента: US11886749B2. Автор: Federica Cresci,Nicola Del Gatto,Massimiliano Turconi,Massimiliano Patriarca. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Life expectancy monitoring for memory devices

Номер патента: US20220035535A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott D. VAN DE GRAAFF. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Error information signaling for memory

Номер патента: US11782608B1. Автор: Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Casto Salobrena Garcia. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-10.

Resource management for memory die-specific operations

Номер патента: US20210287750A1. Автор: Yun Li,Jiangang WU,James P. CROWLEY. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-16.

Life expectancy monitoring for memory devices

Номер патента: US11947806B2. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Scott D. VAN DE GRAAFF,Todd J. Plum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Techniques for memory system configuration using queue refill time

Номер патента: US11768629B2. Автор: Jonathan S. Parry,Luca Porzio,Roberto IZZI,Nadav Grosz. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Stability Testing for Memory Overclocking

Номер патента: US20240143445A1. Автор: Amitabh Mehra,Anil Harwani,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight,Jayesh Hari Joshi,Alicia Wen Ju Yurie Leong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Low-power boot-up for memory systems

Номер патента: US20240045596A1. Автор: Jonathan S. Parry,Luca Porzio,Stephen Hanna,Giuseppe Cariello,David Aaron Palmer,Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Systems and methods for memory serviceability mitigation

Номер патента: US12001302B2. Автор: Vivek Viswanathan Iyer,Michael Wayne Arms,Balasingh Ponraj Samuel. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-06-04.

Techniques for memory error correction

Номер патента: US20230039002A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-09.

Life expectancy monitoring for memory devices

Номер патента: WO2022098515A1. Автор: Scott E. Schaefer,Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Todd Jackson Plum,Scott E. VAN DE GRAAFF. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-05-12.

Data storage device and method for memory-die-state-aware host command submission

Номер патента: WO2023132857A1. Автор: Amit Sharma,Dinesh Kumar Agarwal. Владелец: WESTERN DIGITAL TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2023-07-13.

Adaptive data relocation for improved data management for memory

Номер патента: US20230048133A1. Автор: Luigi Esposito,Massimo Iaculo,Paolo Papa,Alberto Sassara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-16.

Instruction and logic for memory access in a clustered wide-execution machine

Номер патента: RU2662394C2. Автор: Антон У. ЛЕШЕНКО,Андрей Ефимов,Сергей И. Шишлов,Джайеш Иер,Борис А. БАБАЯН. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2018-07-25.

Power supply control system for memory systems

Номер патента: US4151611A. Автор: Keiji Namimoto,Mutsuo Sugawara. Владелец: Tokyo Shibaura Electric Co Ltd. Дата публикации: 1979-04-24.

Data masking for memory

Номер патента: US20230350582A1. Автор: Daniele Vimercati,Jahanshir Javanifard,Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Inter-device communications for memory health monitoring

Номер патента: EP4071617A1. Автор: Aaron P. Boehm,Mark D. INGRAM,Scott. E. SCHAEFER,Scott. D. VAN DE GRAAFF,Todd J. Plum. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-12.

Unauthorized access command logging for memory

Номер патента: EP3903195A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Unauthorized access command logging for memory

Номер патента: WO2020139540A9. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-11-11.

External power functionality techniques for memory devices

Номер патента: US11823747B2. Автор: Lei Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Address obfuscation for memory

Номер патента: US11853230B2. Автор: Donald M. Morgan,Bryce D. Cook,Sean S. Eilert. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Imprint management for memory

Номер патента: WO2021061359A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Techniques for memory system rebuild

Номер патента: US20230376225A1. Автор: Giuseppe Cariello. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-23.

Read disturb management for memory

Номер патента: US20240086070A1. Автор: Francesco Basso,Francesco Falanga,Massimo Iaculo,Alberto Sassara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Dynamic row hammering threshold for memory

Номер патента: US20230395120A1. Автор: Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US9117524B2. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-25.

Technologies for memory management of neural networks with sparse connectivity

Номер патента: WO2017165041A1. Автор: Somnath Paul,Muhammad M. Khellah,Charles Augustine,Sadique Ul Ameen Sheik. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-09-28.

Imprint recovery for memory arrays

Номер патента: US20210090641A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

System level test device for memory

Номер патента: US20220236320A1. Автор: Taek Seon LEE. Владелец: Ateco Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

System and method for memory management

Номер патента: WO2021162950A1. Автор: Dimin Niu,Hongzhong Zheng,Shuangchen Li,Jilan Lin. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2021-08-19.

Apparatuses, systems, and methods for memory module data drivers

Номер патента: US20220408886A1. Автор: Sujeet Ayyapureddi,Junyong PARK,Brian Dennis Paschke,Jens Mitchell Nielsen,Cédric Eric Jean-Edouard Bernard,Jr-Jay Jhang,Henry Michael Lubowe,Edison Tam King Miguel,Matthew Joseph Kane,Stephanie Lydia Renee Choplin,Mark Woodhiser Huang. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Unauthorized access command logging for memory

Номер патента: US20200210078A1. Автор: Brent Keeth,Naveh Malihi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Apparatuses and methods for storing redundancy repair information for memories

Номер патента: US20190055895A1. Автор: Christopher Morzano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Dynamic row hammering threshold for memory

Номер патента: US11990173B2. Автор: Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Refresh and access modes for memory

Номер патента: US20210042244A1. Автор: Nathaniel J. Meier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Latency reduction of boot procedures for memory systems

Номер патента: US20240176549A1. Автор: Luca Porzio,Roberto IZZI,Marco Onorato,Massimo Zucchinali,Andrea Vigilante,Sean L. Manion,Bryan D. Butler,Alfredo Palazzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Switch and hold biasing for memory cell imprint recovery

Номер патента: US11862221B2. Автор: Angelo Visconti. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Apparatuses and methods for storing redundancy repair information for memories

Номер патента: US20190264629A1. Автор: Christopher Morzano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US11557371B2. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-01-17.

Imprint management for memory

Номер патента: US20220044759A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-10.

Imprint management for memory

Номер патента: EP4035158A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Imprint management for memory

Номер патента: US20210090680A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Imprint management for memory

Номер патента: US20230253064A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Power management for memory subsystems

Номер патента: US20190317679A1. Автор: Diyanesh B. Chinnakkonda Vidyapoornachary,Arindam Raychaudhuri,Anil Lingambudi,Sridhar Rangarajan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Quick activate for memory sensing

Номер патента: US11740814B2. Автор: Kevin T. Majerus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US20240177792A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: EP4035010A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-03.

Imprint recovery management for memory systems

Номер патента: WO2021061365A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-04-01.

Imprint recovery for memory cells

Номер патента: US20210090681A1. Автор: Jonathan D. Harms,Jonathan J. Strand,Shashank Bangalore Lakshman,Sukneet Singh BASUTA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Receiver architecture for memory reads

Номер патента: EP3058468A1. Автор: Li Pan,Nan Chen,Narasimhan Vasudevan,Michael Thomas Fertsch. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-08-24.

Receiver architecture for memory reads

Номер патента: WO2015057878A1. Автор: Li Pan,Nan Chen,Narasimhan Vasudevan,Michael Thomas Fertsch. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-04-23.

Point-of-load power conditioning for memory modules

Номер патента: WO2007002531A3. Автор: Robert F Mcclanahan,Robert D Washburn. Владелец: Robert D Washburn. Дата публикации: 2009-04-16.

Method, electronic device, and computer program product for memory fault prediction

Номер патента: US20230222024A1. Автор: Bing Liu. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2023-07-13.

Power-efficient access line operation for memory

Номер патента: US20230368833A1. Автор: Martin Brox,Manfred Hans Plan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Adaptive data encoding for memory systems

Номер патента: WO2023211613A1. Автор: Jungwon Suh,Bohuslav Rychlik,Matthew Severson,Jeffrey GEMAR,Michael Hawjing Lo,Engin Ipek,Hamza Omar. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-11-02.

Counter-based sense amplifier method for memory cells

Номер патента: US11842783B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Adjusting operational parameters for memory cells

Номер патента: US20140211569A1. Автор: Seong Je Park. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-31.

Method for instruction transmission for memory devices and storage system

Номер патента: US20240004586A1. Автор: Jie Chen,Tao Wei,Moyang CHEN. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Method, electronic device, and computer program product for memory fault prediction

Номер патента: US11947406B2. Автор: Bing Liu. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2024-04-02.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: US8762630B2. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-06-24.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: US20130311714A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-21.

Cache architectures with address delay registers for memory devices

Номер патента: US11954035B2. Автор: Nicola Del Gatto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Channel architecture for memory devices

Номер патента: US12001696B2. Автор: Reshmi Basu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Dynamic logical page sizes for memory devices

Номер патента: US20220188244A1. Автор: Sushil Kumar,David Aaron Palmer,Venkata Kiran Kumar Matturi,Sharath Chandra Ambula,Sri Ramya Pinisetty. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Power stabilization for memory systems

Номер патента: US20240143201A1. Автор: YANG LU,Junxian Ding. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatuses and methods for high speed writing test mode for memories

Номер патента: US20180204630A1. Автор: Wolfgang Spirkl,Stefan Dietrich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-07-19.

Apparatuses and methods of operating for memory endurance

Номер патента: EP2751659A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-07-09.

Extended Training for Memory

Номер патента: US20240211142A1. Автор: Amitabh Mehra,William Robert Alverson,Jerry Anton Ahrens,Grant Evan Ley,Joshua Taylor Knight,Jayesh Hari Joshi,Alicia Wen Ju Yurie Leong. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Cache architectures for memory devices

Номер патента: US20230100015A1. Автор: Nicola Del Gatto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Method, apparatus, and system for memory bandwidth aware data prefetching

Номер патента: WO2020046845A1. Автор: Joseph Gerald McDonald,Brian Michael Stempel,David Scott Ray,Thomas Philip Speier,Harold Wade Cain Iii,Niket Choudhary,Eric Robinson,Garrett Michael Drapala,Nikhil Narendradev SHARMA. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2020-03-05.

Determining offsets for memory read operations

Номер патента: US12027213B2. Автор: Jie Zhou,Xiangang Luo,Guang Hu,Min Rui MA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-02.

Hardware based accelerator for memory sub-system operations

Номер патента: WO2021011237A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-01-21.

Methods and apparatus to profile page tables for memory management

Номер патента: EP4064060A1. Автор: Sandeep Kumar,Sreenivas Subramoney,Aravinda Prasad,Andy Rudoff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-09-28.

Method for memory address arrangement

Номер патента: US20090006807A1. Автор: Shang-I Liu. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2009-01-01.

Current Magnitude Compensation for Memory Cells in a Data Storage Array

Номер патента: US20110007550A1. Автор: Markus Jan Peter Siegert,Andrew John Carter,Michael Xuefei Tang,Alan Xuguang Wang. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2011-01-13.

Method and apparatus for memory testing

Номер патента: US20240312556A1. Автор: Shih-Hung Chen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

On-on-package die-to-die (d2d) interconnect for memory using universal chiplet interconnect express (ucie) phy

Номер патента: US20240311330A1. Автор: Debendra Das Sharma,Zuoguo Wu,Dimitrios Ziakas,Gerald Pasdast,Sridhar Muthrasanallur,Swadesh CHOUDHARY,Peter Onufryk,Narasimha LANKA. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for memorializing a sports jersey

Номер патента: US09937745B1. Автор: John Peter Van Bogaert. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-04-10.

Multipath nutritional supplement for memory, cognition, and coordination

Номер патента: US09744204B1. Автор: Bryant Richard Villeponteau,Cristina Rizza. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-29.

Methods and Apparatus for Soft Data Generation for Memory Devices Based Using Reference Cells

Номер патента: US20110225350A1. Автор: Milos Ivkovic,Andrei Vityaev,Victor Krachkovsky,Nenad Miladinovic,Johnson Yen,Erich F. Haratsch,Harley F. Burger, Jr.. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-09-15.

Management system for memory resident computer programs

Номер патента: US5274819A. Автор: Christopher Blomfield-Brown. Владелец: Central Point Software Inc. Дата публикации: 1993-12-28.

Apparatuses and methods for providing power for memory refresh operations

Номер патента: US10438646B1. Автор: Harish N. Venkata,Jason M. Brown. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-08.

Reduced signal level support for memory devices

Номер патента: US20090003112A1. Автор: Jeffrey E. Smith,John F. Zumkehr,James E. Chandler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-01.

Capability messaging for memory operations across banks with multiple page access

Номер патента: US20240061584A1. Автор: Sujeet V. Ayyapureddi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US11887661B2. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-30.

Selectable error control for memory device

Номер патента: US11816339B2. Автор: Scott E. Schaefer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Control chip for memory power sequence

Номер патента: US20180032285A1. Автор: Ming-Che Hung,Hsin-Lung Yang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Dynamic voltage supply for memory circuit

Номер патента: US20240126685A1. Автор: Hua Tan,Junjun Wang,De Hua Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-18.

Reliability, availability, and serviceability solution for memory technology

Номер патента: US20120131414A1. Автор: Joseph H. Salmon,Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Reliability, availability, and serviceability solutions for memory technology

Номер патента: EP2068245A3. Автор: Joseph H. Salmon,Kuljit S. Bains. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2009-07-22.

Power saving techniques for memory systems by consolidating data in data lanes of a memory bus

Номер патента: US20190179399A1. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Michael Hawjing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-06-13.

Power saving techniques for memory systems

Номер патента: EP3423947A1. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Michael Hawjing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-01-09.

Power saving techniques for memory systems

Номер патента: US20170255394A1. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Michael Hawjing Lo. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Power saving techniques for memory systems

Номер патента: WO2017152005A1. Автор: Jungwon Suh,Dexter Tamio Chun,Michael Hawjing Lo. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-09-08.

Decoder architecture for memory device

Номер патента: US20220399055A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Corrado Villa,Jeffrey E. Koelling,Hari Giduturi,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-12-15.

Multi-pass programming process for memory device which omits verify test in first program pass

Номер патента: WO2020139423A1. Автор: Yingda Dong,Ashish Baraskar,Ching-Huang Lu,Vinh Diep. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-07-02.

Cross-point pillar architecture for memory arrays

Номер патента: US20240221829A1. Автор: Fabio Pellizzer,Innocenzo Tortorelli,Mattia Robustelli,Alessandro Sebastiani. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Self-test device for memories, decoders, etc.

Номер патента: US5574690A. Автор: Eberhard Boehl,Frank Kesel. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1996-11-12.

Method and apparatus for memory management in an electronic device

Номер патента: CA2568286C. Автор: Piotr K. Tysowski,Michael T. Hardy. Владелец: Research in Motion Ltd. Дата публикации: 2011-05-17.

Socket of card reader (1) for memory card with connecting terminals following specification of USB

Номер патента: US20060226222A1. Автор: CHUANG PING-YANG,YEH Ching-Yi,An-Yu Yu,Lin Tseng-Shyang,Chang Chi-Sen. Владелец: Northstar Systems Corp. Дата публикации: 2006-10-12.

Input/output line sharing for memory arrays

Номер патента: US11830570B2. Автор: Andrea Martinelli,Christopher Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US20150006599A1. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US9760110B2. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Hardware based status collector acceleration engine for memory sub-system operations

Номер патента: US20210019089A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Ying Yu Tai,Jiangli Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-21.

Configuring command/address channel for memory

Номер патента: US20200167088A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Counter integrity tree for memory security

Номер патента: US20190251275A1. Автор: Roberto Avanzi,Prakash S. RAMRAKHYANI,Wendy Arnott ELSASSER. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2019-08-15.

Extending circuit for memory and transmitting-receiving device using extending circuit for memory

Номер патента: US20040111542A1. Автор: Hiroyasu Noda. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-10.

Shaping codes for memory

Номер патента: WO2014081632A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-05-30.

Methods and systems for memory management of kernel and user spaces

Номер патента: US20190057040A1. Автор: Shu Li,Xiaowei Jiang. Владелец: Alibaba Group Holding Ltd. Дата публикации: 2019-02-21.

Input/output line sharing for memory subarrays

Номер патента: WO2021006970A1. Автор: Andrea Martinelli,Christopher Vincent Antoine Laurent. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-01-14.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US20150006600A1. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US20160161976A1. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-09.

Lookup table sharing for memory-based computing

Номер патента: US9851743B2. Автор: Minsik Cho,Ruchir Puri. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Hardware based status collector acceleration engine for memory sub-system operations

Номер патента: US20220283744A1. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Ying Tai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-08.

Programmable finite field generator for memory

Номер патента: US20240012616A1. Автор: Keith A. Benjamin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Configuring command/address channel for memory

Номер патента: EP3888087A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Thomas Hein,Michael Dieter RICHTER,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-06.

Input/output line sharing for memory arrays

Номер патента: US20210012817A1. Автор: Andrea Martinelli,Christopher Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Input/output line sharing for memory subarrays

Номер патента: EP3997701A1. Автор: Andrea Martinelli,Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-18.

Shaping codes for memory

Номер патента: US20150178158A1. Автор: Chandra C. Varanasi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-06-25.

Simple fault tolerance for memory

Номер патента: WO2002057920A3. Автор: Kevin Driscoll. Владелец: Honeywell Int Inc. Дата публикации: 2004-02-26.

Simple fault tolerance for memory

Номер патента: US20020138708A1. Автор: Kevin Driscoll. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2002-09-26.

Simple fault tolerance for memory

Номер патента: EP1410208A2. Автор: Kevin Driscoll. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2004-04-21.

Enhanced read performance for memory data word decoding using power allocation based on error pattern detection

Номер патента: US20240176701A1. Автор: Jonathan S. Parry,Jameer Mulani,Nitul Gohain. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-30.

Hardware based status collector acceleration engine for memory sub-system operations

Номер патента: US12019915B2. Автор: Wei Wang,Fangfang Zhu,Jiangli Zhu,Ying Tai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-25.

Methods and systems for memory management of kernel and user spaces

Номер патента: WO2019040417A1. Автор: Shu Li,Xiaowei Jiang. Владелец: ALIBABA GROUP HOLDING LIMITED. Дата публикации: 2019-02-28.

Memory application tester having vertically-mounted motherboard

Номер патента: US20060242468A1. Автор: Jong Kang. Владелец: UniTest Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Transpose memory unit for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, transpose memory array structure for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US11392820B2. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Chi Chou,Jian-Wei Su,Ru-Hui LIU. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-07-19.

Reference-free multi-level sensing circuit for computing-in-memory applications, reference-free memory unit for computing-in-memory applications and sensing method thereof

Номер патента: US10410690B1. Автор: Meng-Fan Chang,Jia-Jing Chen. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2019-09-10.

Polishing method for memory hard disks

Номер патента: GB2384003A. Автор: Katsumi Tani. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2003-07-16.

Write protection circuit for memory and display apparatus

Номер патента: US11386943B2. Автор: Beizhou HUANG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Readout system for memories comprising matrices of photosensitive elements

Номер патента: US3641513A. Автор: Jean Edgar Picquendar,Roger Torguet. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1972-02-08.

Systems, apparatuses, and methods for memory recall and reactivation by targeted stimulation

Номер патента: US20190103034A1. Автор: Timothy J. Walter,Uma Marar. Владелец: Lotus Magnus LLC. Дата публикации: 2019-04-04.

Methods and apparatus for intra-set wear-leveling for memories with limited write endurance

Номер патента: EP2959391A1. Автор: Xiangyu Dong. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2015-12-30.

Methods and apparatus for intra-set wear-leveling for memories with limited write endurance

Номер патента: WO2014130483A1. Автор: Xiangyu Dong. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-08-28.

Efficiently generating effective address translations for memory management test cases

Номер патента: US10713179B2. Автор: Shakti Kapoor,Manoj Dusanapudi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-07-14.

Determining offsets for memory read operations

Номер патента: US20240120011A1. Автор: Jie Zhou,Xiangang Luo,Guang Hu,Min Rui MA. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Logging Guest Physical Address for Memory Access Faults

Номер патента: US20230195647A1. Автор: Andrew Waterman,John Ingalls. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Efficiently generating effective address translations for memory management test cases

Номер патента: US20180039579A1. Автор: Shakti Kapoor,Manoj Dusanapudi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-08.

Efficiently generating effective address translations for memory management test cases

Номер патента: US20190227945A1. Автор: Shakti Kapoor,Manoj Dusanapudi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-25.

Methods and apparatus to profile page tables for memory management

Номер патента: US20210232312A1. Автор: Sandeep Kumar,Sreenivas Subramoney,Aravinda Prasad,Andy Rudoff. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Hybrid structure for computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US20240220743A1. Автор: Meng-Fan Chang,Ping-Chun Wu,Li-Yang Hong,Jin-Sheng Ren,Ho-Yu CHEN. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-07-04.

Memory structure with input-aware maximum multiply-and-accumulate value zone prediction for computing-in-memory applications and operating method thereof

Номер патента: US11416146B1. Автор: Meng-Fan Chang,Jian-Wei Su,Ping-Chun Wu,Jin-Sheng Ren,Je-Min Hung,Chuan-Jia Jhang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2022-08-16.

Non-woven fabric for articles of fibre cement and methods used

Номер патента: RU2549978C1. Автор: Ханс-Петер БРОЙЕР,Энглеберт ДИАБЛ. Владелец: Хуик Лайсенско Инк.. Дата публикации: 2015-05-10.

Method for changing width of knitted fabric for making articles containing conical shapes

Номер патента: RU2718824C1. Автор: Зоя Петровна Анохина. Владелец: Зоя Петровна Анохина. Дата публикации: 2020-04-14.

Transpose memory unit for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications, transpose memory array structure for multi-bit convolutional neural network based computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US20210216846A1. Автор: Meng-Fan Chang,Yen-Chi Chou,Jian-Wei Su,Ru-Hui LIU. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2021-07-15.

Memory array structure with dynamic differential-reference based readout scheme for computing-in-memory applications, dynamic differential-reference time-to-digital converter for computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US20230259331A1. Автор: Meng-Fan Chang,Ping-Chun Wu,Li-Yang Hong,Jin-Sheng Ren,Ho-Yu CHEN. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2023-08-17.

Cord hybrid fabric for multilayer tire carcass

Номер патента: RU2729526C1. Автор: Александр Борисович Ненахов,Роман Александрович Скороход,Владимир Филиппович Доровской. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Холдинговая компания ЛОйлНефтехим». Дата публикации: 2020-08-07.

Seam for fabric for paper production and industrial fabric and method of its manufacture

Номер патента: RU2482233C2. Автор: Дана ИГЛС. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2013-05-20.

Three-layer fabric for paper-making machine

Номер патента: RU2703570C2. Автор: Клара РОССЕТТИ. Владелец: Фельтри Мароне С.П.А.. Дата публикации: 2019-10-21.

A fabric for a paper or pulp technology and a method for manufacturing a fabric for a paper or pulp technology

Номер патента: FI20195744A1. Автор: Juha Nieminen,Jorma NAAMANKA. Владелец: Valmet Technologies Oy. Дата публикации: 2021-03-10.

Non-woven fabric for a vehicle interior material, manufacturing method of the same and cargo screen for a vehicle using the non-woven fabric for a vehicle interior material

Номер патента: US11945407B2. Автор: Se Young Jung,Eun Kyung Kim,Wonjong Lee,Myoung Ryoul LEE,Hongchan JEON,Yong Kgil JUNG. Владелец: Korea Vilene Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Polyester base fabric for airbags

Номер патента: US20220372697A1. Автор: Masahiro Sakai,Shuhei Takeuchi. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Frame assembly for mounting a fabric and the fabric for mounting thereon

Номер патента: AU2020202617A1. Автор: Yuandi WANG. Владелец: PRINTALY PTY LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Fluted perforated layer applied in fabric for paper-making machine

Номер патента: RU2363797C2. Автор: Джон ХЭВИС. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2009-08-10.

Fabric for outwear

Номер патента: RU2670068C1. Автор: Марина Петровна Михайлова,Екатерина Петровна Лаврентьева,Нина Александровна Власова,Виктор Сергеевич Колтунчиков,Татьяна Викторовна Силина,Лидия Васильевна Паринова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Балтекс". Дата публикации: 2018-10-17.

Structure with air-permeable fabric for protection against firearms and cold weapons

Номер патента: RU2696457C2. Автор: Читтерио ДЖОРДЖО,Читтерио ФИЛИППО. Владелец: Сочиета' Пер Ациони Фрателли Читтерио. Дата публикации: 2019-08-01.

Multilayer fabric for paper-making machine with depressions, formed by difference in levels of at least two threads of weft yarn of upper layer

Номер патента: RU2349694C2. Автор: Джон Дж. ЛаФонд,Синти Рэуз МАТЕ,Синтия Рэуз МАТЕ,Джефри Джозеф КОЛЛЕГНОН,Брюс СТОУ. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2009-03-20.

Fabric for drying with continuous air flow

Номер патента: RU2399710C2. Автор: Линн Фэй КРОЛЛ,Джеффри Б. ХЕРМАН,Роналд БЭЙН. Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2010-09-20.

Multi-layer fabric for paper-making machine, where threads arranged across fabric feed in machine are made of material that prevents curling of edges

Номер патента: RU2407839C2. Автор: Мэниш ДЖЕЙН,Луис Джей ДЖАНДРИС,Дэвид С. РУЖВЬЕ,Хэйвард Брэдфорд АРТУР,Дэвид С. РУЖВЬЕ (US),Хэйвард Брэдфорд АРТУР (US),Луис Джей ДЖАНДРИС (US),Мэниш ДЖЕЙН (US). Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2010-12-27.

Three-layer fabric for papermaking machine

Номер патента: RU2507333C2. Автор: Клара РОССЕТТИ. Владелец: Фельтри Мароне С.П.А.. Дата публикации: 2014-02-20.

Biaxiisotropic industrial fabric for elastomer coating

Номер патента: RU2619922C2. Автор: Лев Николаевич Попов,Софром Гусейнович Керимов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт технических тканей". Дата публикации: 2017-05-19.

Fabric for use in composite materials and method of producing fabric and element from composite material

Номер патента: RU2587554C2. Автор: Томас БИШОФФ,Мелике АФСАР. Владелец: Гроц-Беккерт Кг. Дата публикации: 2016-06-20.

Non-woven fabric for paper-making machine

Номер патента: RU2352701C2. Автор: Роберт А. ХАНСЕН,Роберт А. ХАНСЕН (DE). Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2009-04-20.

Fabric for usage in papermaking industry

Номер патента: RU2294996C2. Автор: Грегори Д. ЗИЛКЕР. Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2007-03-10.

Floating point pre-alignment structure for computing-in-memory applications and computing method thereof

Номер патента: US20240152321A1. Автор: Meng-Fan Chang,Ping-Chun Wu,Li-Yang Hong,Jin-Sheng Ren,Ho-Yu CHEN. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2024-05-09.

A fabric for a paper or pulp technology and a method for manufacturing a fabric for a paper or pulp technology

Номер патента: CA3144906A1. Автор: Jorma NAAMANKA,Juha Tapio NIEMINEN. Владелец: Valmet Technologies Oy. Дата публикации: 2021-03-18.

A fabric for a paper or pulp technology and a method for manufacturing a fabric for a paper or pulp technology

Номер патента: WO2021048464A1. Автор: Jorma NAAMANKA,Juha Tapio NIEMINEN. Владелец: Valmet Technologies Oy. Дата публикации: 2021-03-18.

Fabric for a paper or pulp technology and a method for manufacturing a fabric for a paper or pulp technology

Номер патента: US11859345B2. Автор: Juha Nieminen,Jorma NAAMANKA. Владелец: Valmet Technologies Oy. Дата публикации: 2024-01-02.

Coated fabric for airbag

Номер патента: US20160207492A1. Автор: Takahiro Kuramoto,Tsutomu Akechi. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Coated base fabric for airbag and method for manufacturing same

Номер патента: US20200024798A1. Автор: Tsutomu Akechi. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-23.

Fabric for airbag and method for manufacturing the same

Номер патента: US12060028B2. Автор: Gi-Woong Kim,Sang-Mok Lee,Ki Jeong Kim,Jin Wook Heo. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-08-13.

Flame-retardant fabric for ink-jet recording and process for manufacturing the same

Номер патента: US20020164462A1. Автор: Takahiro Kohsaka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-11-07.

Frame assembly for mounting a fabric and the fabric for mounting thereon

Номер патента: GB2588269A. Автор: WANG YUANDI. Владелец: PRINTALY PTY LTD. Дата публикации: 2021-04-21.

Flame-retardant fabric for ink-jet recording and process for manufacturing the same

Номер патента: EP1234910A3. Автор: Takahiro Seiren Co. Ltd. Kohsaka. Владелец: Seiren Co Ltd. Дата публикации: 2004-05-12.

Frame assembly for mounting a fabric and the fabric for mounting thereon

Номер патента: AU2020100590A4. Автор: Yuandi WANG. Владелец: PRINTALY PTY LTD. Дата публикации: 2020-05-28.

Preparation and use of seedling-strengthening agent-added fertilizer solution-impregnated base fabric for rice mechanical transplanting and seedling raising in tray

Номер патента: AU2021101979A4. Автор: Tingting Liu,Xia An,Changli CHEN,Daoyou HUANG,Guanrong JIN,Wenlue LI,Xiahong LUO,Guanlin ZHU,Qihong ZHU. Владелец: Zhejiang Institute of Garden Plants and Flowers Zhejiang Xiaoshan Institute of Cotton and Bast Fiber Crops Research. Дата публикации: 2021-06-03.

Polyamide cord fabric for multilayer tire carcass

Номер патента: RU2731702C1. Автор: Александр Борисович Ненахов,Роман Александрович Скороход,Владимир Филиппович Доровской. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Холдинговая компания "ЛОйлНефтехим". Дата публикации: 2020-09-08.

Textile net fabric for reinforcing bitumen bonded layers (versions)

Номер патента: RU2166019C2. Автор: Юрген КАССНЕР,Хайко ПИНТЦ,ФРАНСЕЦКИ Ульрих ФОН. Владелец: Хюскер Зюнтетик ГмбХ унд Ко.. Дата публикации: 2001-04-27.

Fabric for forming three-dimensional structures and method of its making

Номер патента: RU2274686C2. Автор: Джонатан ГИРИНГ,Джеймс КРОУФОРД,Брюс БОНД. Владелец: Олбэни Интернэшнл Текниуив, Инк.. Дата публикации: 2006-04-20.

Nonwoven fabric for skincare product

Номер патента: EP3643825A1. Автор: Makoto Nakahara,Hiroshi Kajiyama,Kumi OYAMA. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2020-04-29.

Non-coated polyester base fabric for airbag

Номер патента: EP4239114A1. Автор: Shuhei Takeuchi. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Fabric for electric-arc protective clothing, and electric-arc protective clothing

Номер патента: US20180371647A1. Автор: Wataru Mio,Yasunori Tanaka,Motohiro Sato,Tatsuro Ohzeki,Yoshitomo Matsumoto,Yuto Utsunomiya,Tomoya Matsushima. Владелец: Kaneka Corp. Дата публикации: 2018-12-27.

Non-woven fabric for medical use and process for the preparation thereof

Номер патента: EP2496177A1. Автор: Christoph Classen,Frank Willems,Stefanie BRUCKER-VOIGT. Владелец: NonWoTecc Medical GmbH. Дата публикации: 2012-09-12.

Base fabric for airbag, manufacturing method for base fabric for airbag, and airbag

Номер патента: US20220134992A1. Автор: Taiki HOSAKA,Akira Tsujie. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2022-05-05.

Method for manufacturing a reinforced fabric for sustitution of vinyl

Номер патента: US09708756B2. Автор: Geon Yong Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-07-18.

Coated fabric for airbag, and process for producing coated fabric for airbag

Номер патента: US09650729B2. Автор: Mamoru Kitamura,Tsutomu Akechi. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of manufacturing a synthetic fiber fabric for sausage casings

Номер патента: US20140150921A1. Автор: Juergen Thiele. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-06-05.

Synthetic fiber fabric for the manufacture of sausage casings

Номер патента: US20100021663A1. Автор: Jurgen Thiele. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-28.

Nonwoven fabric for cabin air filter comprising low melting point polyester fiber

Номер патента: EP3808429A1. Автор: Min Sung Lee,Jae Min Choi,Hyun Wook Shin,Sung Yeol Kim. Владелец: Huvis Corp. Дата публикации: 2021-04-21.

Structured fabric for use in a papermaking machine and the fibrous web produced thereon

Номер патента: WO2012104378A1. Автор: Scott Quigley. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2012-08-09.

Waterproof cleaning fabric for daily use and composite production process therefor

Номер патента: US20220265112A1. Автор: Xunyi Gao. Владелец: Ningbo Tex Bonded Fabric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Method of non-woven fabric for base cloth of carpet

Номер патента: US20190186061A1. Автор: Min-Ho Lee,Woo-Seok Choi,Hee-jung CHO,Hyok-jin SEO. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2019-06-20.

Nonwoven fabric for liners of floppy disk and process for producing the same

Номер патента: US5695374A. Автор: Tadashi Sakuma,Hiroshi Ikeda,Keizo Takahashi,Zenbei Meiwa,Mami Murata. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 1997-12-09.

Non-coated base fabric for airbag, airbag, and manufacturing method of non-coated base fabric for airbag

Номер патента: US11761126B2. Автор: Taiki HOSAKA. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-09-19.

Fabric for wetsuit and wetsuit comprising said fabric

Номер патента: AU2018441273A1. Автор: Ietoshi Ueda,Norio Nakashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

Coating fabric for airbags and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170327979A1. Автор: Mamoru Kitamura,Tsutomu Akechi. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

Structured fabric for use in a papermaking machine and the fibrous web produced thereon

Номер патента: EP2670910A1. Автор: Scott Quigley. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2013-12-11.

Inorganic-fiber woven fabric for construction film material, and construction film material

Номер патента: US20240271339A1. Автор: Tetsuya Adachi,Shunichi Hikino,Yusaku HAKOISHI. Владелец: Nitto Boseki Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Frame assembly for mounting a fabric and the fabric for mounting thereon

Номер патента: CA3085076A1. Автор: Yuandi WANG. Владелец: PRINTALY PTY LTD. Дата публикации: 2021-02-13.

Fabric for wetsuit and wetsuit comprising said fabric

Номер патента: AU2018441273B2. Автор: Ietoshi Ueda,Norio Nakashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-19.

Spunbond nonwoven fabric for use in filters, and manufacturing method thereof

Номер патента: US12104303B2. Автор: Hiroyuki Matsuura,Ryoichi Hane,Shinobu Mizogami. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-10-01.

Flame retardant non-woven fabric for mattress and manufaturing method thereof

Номер патента: US12042055B2. Автор: Soon-Yong Park,Yong-Seok Park,Hyo-sup CHANG,Woo-Hyung Lee,Jae-ryong MOON,Yong-dug CHOI,Bo-gyeong CHA. Владелец: Ditgreen Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Fabric for an air bag that maintains air permeability during high-pressure deployment at high speed

Номер патента: US09868413B2. Автор: Fumiaki Ise. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Coating fabric for airbags and method for manufacturing the same

Номер патента: US09790624B2. Автор: Mamoru Kitamura,Tsutomu Akechi. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Multilayer nonwoven fabric for foam molding, method of producing multilayer nonwoven fabric for foam molding, urethane-foam molded complex using multilayer nonwoven fabric, vehicle seat, and chair

Номер патента: US09694558B2. Автор: Taro Ichikawa,Norihito Saza. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Cord fabric for tire reinforcement

Номер патента: EP3860865A1. Автор: Sadettin Fidan,Bekir Anil Mertol,Yücel AYYILDIZ,Caner Ihtiyar. Владелец: Kordsa Teknik Tekstil AS. Дата публикации: 2021-08-11.

Knitted durable fabrics for use on vehicle seats

Номер патента: US20200047453A1. Автор: Nancy L. Johnson,Anthony L. Smith,Janet C. Robincheck,Marie A. Powers. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2020-02-13.

Wet compacting of fabrics for orthopedic casting tapes

Номер патента: WO1995011648A1. Автор: Matthew T. Scholz,Jacquelyn A. Schmidt. Владелец: Minnesota Mining And Manufacturing Company. Дата публикации: 1995-05-04.

Flame resistant fabric for protective clothing

Номер патента: EP2643508A1. Автор: Alexander Gstettner,Tom Burrow,Ulf Mathes. Владелец: Chemiefaser Lenzing AG. Дата публикации: 2013-10-02.

Pile knit fabric for interior materials of vehicles, method of manufacturing the same and manufacturing machine of pile knit fabric

Номер патента: US20200208309A1. Автор: Mi Jung Yun,Hyun Dae Cho,Oh Deok KWON,Hong Mo Koo,Hong Chan JEON,Joon Yong SONG,Hyung Joon YOUN,Hyun Joung JUN. Владелец: Kolon Glotech Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Coated barrier fabric for a reusable medical product

Номер патента: CA3143677A1. Автор: Richard Stewart,Bradley J. Bushman. Владелец: Standard Textile Co Inc. Дата публикации: 2022-06-28.

Steel mesh fabric for making a piece of garment

Номер патента: EP2731741A2. Автор: Olivier Husson,Xavier BOILLOT. Владелец: Honeywell Safety Products Franche Comte SAS. Дата публикации: 2014-05-21.

Pretreating natural fiber fabrics for dye sublimation ink printing

Номер патента: US20240200266A1. Автор: Amir A. AJANEE,Graham A. DRACUP,Carlos J. Hernandez,Travis T. CALHOUN. Владелец: Prism Inks Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Fabric for curtain applications and its production method

Номер патента: WO2024144747A1. Автор: Ahmet Düngel. Владелец: Kucukcalik Tekstil Sanayi Ve Ticaret A.S.. Дата публикации: 2024-07-04.

Knitted fabric for sportswear

Номер патента: WO2021028953A1. Автор: Giacomo RUZZA. Владелец: Yoxoi SRL. Дата публикации: 2021-02-18.

Preparation method of sm non-woven fabrics for roof anti-slip

Номер патента: US20240263371A1. Автор: Weidong Zhang,Yujia Liu,Wensheng Huang,Zhiguo Huang,Weifeng Sun,Guodong Xie,Jinjing QIU. Владелец: Dongying Jofo Filtration Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Fabric for Wetsuit and Wetsuit Employing Said Fabric

Номер патента: US20200146369A1. Автор: Ietoshi Ueda,Norio Nakashima. Владелец: Nankaigosen Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Fabric for Toothed Power Transmission Belt and Belt

Номер патента: US20210199176A9. Автор: Shawn Xiang Wu,Kevin Ward,Clifford WALKER. Владелец: Gates Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Knitted fabric for sportswear

Номер патента: EP4010521A1. Автор: Giacomo RUZZA. Владелец: Yoxoi SRL. Дата публикации: 2022-06-15.

Microcapsule fabric for absorption and release

Номер патента: US20180272273A1. Автор: Eric B. Duoss,John J. VERICELLA,Roger D. Aines,William L. Bourcier,Joshuah K. STOLAROFF. Владелец: Lawrence Livermore National Security LLC. Дата публикации: 2018-09-27.

Fabric for a machine to produce a fiber web and method of producing a fiber web

Номер патента: US09982388B2. Автор: Torsten Wich. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2018-05-29.

Non-coated woven fabric for air bag

Номер патента: US09889816B2. Автор: Miho Yamamoto,Yoshihiro Matsui,Hirokazu Nishimura,Kenichi Funaki,Toshio Owari,Shingo SOGABE,Yusuke KOJYO. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Structured forming fabric for a papermaking machine, and papermaking machine

Номер патента: US09879376B2. Автор: Scott D. Quigley. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2018-01-30.

Woven fabric for airbags having superior suppression of air permeability, high tear strength, and excellent reliability

Номер патента: US09822471B2. Автор: Fumiaki Ise. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Hollow weave fabric for an air bag and method of producing the same

Номер патента: US09751486B2. Автор: Toshihiro Nagaoka. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Flame resistant fabric for aviation airbags

Номер патента: US09745693B2. Автор: Michael H. Schindzielorz,Akira Kokeguchi. Владелец: SCHROTH SAFETY PRODUCTS LLC. Дата публикации: 2017-08-29.

Woven fabric for mop cloth

Номер патента: US09730569B2. Автор: yuan-hou Huang,Ta-Fu LIN. Владелец: DYNA-MOP Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Method of producing ballistic fabric for making bulletproof material and bulletproof material

Номер патента: RU2725198C1. Автор: Никита Михайлович Сильников,Александр Иванович Спивак,Михаил Владимирович Сильников,Дмитрий Дмитриевич Барков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение специальных материалов" (ЗАО "НПО СМ"). Дата публикации: 2020-06-30.

Knitted fabric for use in self-defense in combat contacts and arts

Номер патента: RU2734546C1. Автор: Роман Валерьевич Платонов. Владелец: Роман Валерьевич Платонов. Дата публикации: 2020-10-20.

Improved stitch connectable fabric for papermaking machine (versions)

Номер патента: RU2255161C2. Автор: Стивен С. ЮК,Филип Р. ЭЛКИНС. Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2005-06-27.

Mesh fabric for reinforcing the radial tires shielding layer

Номер патента: RU2743290C1. Автор: Александр Борисович Ненахов,Роман Александрович Скороход,Владимир Филиппович Доровской,Сергей Леонидович Соколов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Холдинговая компания "ЛОйлНефтехим". Дата публикации: 2021-02-16.

Method of producing ballistic fabric for making bulletproof material and bulletproof material

Номер патента: RU2701717C1. Автор: Николай Николаевич Васильев,Никита Михайлович Сильников,Александр Иванович Спивак,Михаил Владимирович Сильников,Дмитрий Дмитриевич Барков. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение специальных материалов" (ЗАО "НПО СМ"). Дата публикации: 2019-09-30.

Technical fabric for manufacture of nonwoven materials and method of its manufacture

Номер патента: RU2519923C2. Автор: Йонас КАРЛССОН,Сабри МУРАД. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2014-06-20.

Improved seam for multiaxial fabric for paper-making machines

Номер патента: RU2363793C2. Автор: Гленн КОРНЕТТ,Бьорн РЮДИН,Бодиль ЙОНАССОН,Сандра РЭЙ,Фрэнк ОКСЛИ,Дейв КРЕБС. Владелец: Олбэни Интернэшнл Корп.. Дата публикации: 2009-08-10.

Quasi-directed fabric for ballistic use

Номер патента: RU2295107C2. Автор: Дейвид Верлин КАННИНГХЭМ,Лора И. ПРИТЧАРД. Владелец: Баррдэй, Инк.. Дата публикации: 2007-03-10.

Base fabrics for polyurethane-coated fabrics, polyurethane-coated fabrics and processes for their production

Номер патента: US4425395A. Автор: Isamu Negishi,Kazumi Hunyu. Владелец: Fujikura Rubber Works Ltd. Дата публикации: 1984-01-10.

Fabric for papermaking machine, designed for production of paper napkins and paper towels, and method of its manufacture

Номер патента: RU2526681C2. Автор: Йонас КАРЛССОН,Сабри МУРАД. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2014-08-27.

Fabric for papermaking machine and associated methods

Номер патента: RU2508427C2. Автор: Стейси Р. ДЕДЕ,Джозеф Р. ПИЛСБУРИ. Владелец: Олбани Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2014-02-27.

Textile fabric for structural material

Номер патента: RU2711882C1. Автор: Марат Васильевич Шаблыгин,Марина Петровна Михайлова,Екатерина Петровна Лаврентьева,Нина Александровна Власова,Мария Александровна Кочеткова,Никита Александрович Нардюжев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Силуэт" (ООО "Силуэт"). Дата публикации: 2020-01-23.

Multivariable sewing fabric for paper production

Номер патента: RU2350706C1. Автор: Генри ЛИ. Владелец: Астенджонсон, Инк.. Дата публикации: 2009-03-27.

Mesh fabric for lightning-resistant coating of polymer composite

Номер патента: RU2769023C1. Автор: Марк Евгеньевич Казаков,Андрей Владимирович Рассказов,Татьяна Петровна Сахарова,Леон Романович Вишняков,Наталья Викторовна Овчинникова,Анатолий Георгиевич Бураев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-производственный центр "Углеродные волокна и композиты" (ООО "НПЦ "УВИКОМ"). Дата публикации: 2022-03-28.

Composite fabric for coverstock having separate liquid pervious and impervious regions

Номер патента: US6049024A. Автор: Harold Edward Thomas,James O. Reeder. Владелец: BBA Nonwovens Simpsonville Inc. Дата публикации: 2000-04-11.

Base fabric for disposable textile product and disposable textile product using same

Номер патента: MY177893A. Автор: YAMADA Kikuo. Владелец: YAMADA Kikuo. Дата публикации: 2020-09-24.

Machine for converting a fabric from a rolled fabric into a superimposingly folded fabric for delivery to a dyeing machine

Номер патента: US7703756B2. Автор: Frank Catallo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-27.

Base fabric for disposable textile product and disposable textile product using same

Номер патента: CA2935070C. Автор: Kikuo Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-07.

Method of making a reinforcing fabric for power transmission belts, hoses and the like

Номер патента: US5068000A. Автор: Harold L. Lauderdale. Владелец: Westpoint Pepperell Inc. Дата публикации: 1991-11-26.

Improvements in metal reinforcing fabric for concrete roadway foundations and the like

Номер патента: GB248579A. Автор: . Владелец: ERNEST BYFIELD HALL. Дата публикации: 1926-03-11.

Apparatus for manufacturing double-layer fabric for down products having pattern joining line formed by high-frequency bonding

Номер патента: EP3202973A1. Автор: Young Chul Park,Soo Han Chae. Владелец: HOJEON Ltd. Дата публикации: 2017-08-09.

Addition of resins to latex bonded nonwoven fabrics for improved strength

Номер патента: CA1242543A. Автор: Beryl M. Kuhn. Владелец: HERCULES LLC. Дата публикации: 1988-09-27.

Improved manufacture of breaker fabric for rubber tire casings

Номер патента: GB259540A. Автор: . Владелец: Hartford Rubber Works Co. Дата публикации: 1927-06-09.

An apparatus for producing webs of rubberised, diagonally cut cord fabric for pneumatic tyres

Номер патента: GB1245446A. Автор: Karlheinz Klabunde,Richard Kerl. Владелец: Continental Gummi Werke AG. Дата публикации: 1971-09-08.

Method for making a wadded fabric for cloth articles, furnishings articles and the like

Номер патента: CA2002124A1. Автор: Lucio Siniscalchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-05-11.

Fabric for an architectural covering and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2174915C. Автор: Paul G. Swiszcz,Wendell B. Colson,Ricardo Ramirez,Dwight Greenough. Владелец: HUNTER DOUGLAS INC. Дата публикации: 1999-06-15.

Open-ended base fabric for papermaking press felt and papermaking press felt

Номер патента: US7059358B2. Автор: Yasuyuki Ogiwara. Владелец: Ichikawa Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-13.

Spunbond nonwoven fabric for filter and method for manufacturing said fabric

Номер патента: EP3395426A1. Автор: Takuji Kobayashi,Yohei Nakano,Daiki Shimada,Hitoshi MIZOGAMI. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2018-10-31.

Compression knitted fabric and method for producing a compression knitted fabric for prosthetic stockings

Номер патента: CA3209528A1. Автор: Siegfried LECHNER. Владелец: Julius Zorn Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Fabric for a fiber web producing machine and a method for making the same

Номер патента: US20240068166A1. Автор: Torsten Wich,Tina Goodwin. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2024-02-29.

Polyamide coating slurry and its preparing method, and process for preparing polyamide-coated fabric for printing

Номер патента: US20240010858A1. Автор: Xianghong Wang,Zhijie Chen,Dongming Qi,Wenchang Lang. Владелец: Wenzhou Polytechnic. Дата публикации: 2024-01-11.

Flexible fabric for an interior of a vehicle, seat cover for a vehicle seat, vehicle seat and vehicle

Номер патента: US20230273364A1. Автор: Thomas Dillinger. Владелец: Adient US LLC. Дата публикации: 2023-08-31.

Base fabric for airbag and airbag

Номер патента: US20170158159A1. Автор: Fumiaki Ise. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Base fabric for airbag and airbag

Номер патента: US20190232913A1. Автор: Fumiaki Ise. Владелец: Asahi Kasei Corp. Дата публикации: 2019-08-01.

Nonwoven fabric for curtain and method for manufacture thereof

Номер патента: US11814764B2. Автор: Hiroyuki Matsuura,Ryoichi Hane,Shinobu Mizogami. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-11-14.

Static dissipative fabric for flexible containers for bulk material

Номер патента: US20020039631A1. Автор: Andreas Grewe,Siegfried Hartmann,Egon Wurr,Bruce Boyd,Stephan Grewe. Владелец: EUREA VERPACKUNGS & Co KG GmbH. Дата публикации: 2002-04-04.

Fabric for modular chair

Номер патента: US11930936B2. Автор: Torsten Fritze. Владелец: Dv8 Id Srl. Дата публикации: 2024-03-19.

Two-layer fabric for unwoven fabric

Номер патента: US11970796B2. Автор: Toru Egawa. Владелец: Nippon Filcon Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Coated fabric for air bag and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150247283A1. Автор: Tsutomu Akechi. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Nonwoven fabric for skin care products, face mask and cleansing sheet

Номер патента: US20240074947A1. Автор: Tomoko Takano,Taira OMORI,Kumi OYAMA. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-03-07.

Nonwoven fabric for skin care products, face mask, and cleansing sheet

Номер патента: US20220040050A1. Автор: Makoto Nakahara,Hiroshi Kajiyama,Kumi OYAMA. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2022-02-10.

Filament web type precursor fabric for activated carbon fiber fabric and method for preparing same

Номер патента: US20170136443A1. Автор: Eun Jeong Cho,Joon Young Yoon,Tae Sang Lee. Владелец: KOLON INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2017-05-18.

Nonwoven fabric for separation membrane and method of producing the same

Номер патента: US20230321611A1. Автор: Yoshiki Mizuno,Izumi Ichinose,Masataka Sakamoto,Edhuan BIN ISMAIL,Takako TSUBATA. Владелец: Hirose Paper Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Fabric for a fiber web producing machine and a method for making the same

Номер патента: WO2024046642A1. Автор: Torsten Wich,Tina Goodwin. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2024-03-07.

Sponge fabric for absorbing water or other liquid in general and procedure for manufacturing the same

Номер патента: WO2011141156A1. Автор: Riccardo Ruggeri. Владелец: Errerre S.R.L.. Дата публикации: 2011-11-17.

Polyester base fabric for airbags

Номер патента: US11982049B2. Автор: Masahiro Sakai,Shuhei Takeuchi. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Base fabric for airbag and manufacturing method for base fabric for airbag

Номер патента: US11781251B2. Автор: Taiki HOSAKA,Yusuke EGAWA. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2023-10-10.

Knitted fabric for hook and loop fastener and method for manufacturing

Номер патента: WO2020012333A3. Автор: Kenichiro Morishita. Владелец: 3M INNOVATIVE PROPERTIES COMPANY. Дата публикации: 2020-03-05.

Titanium matrix based on a tension-free metal warp knit fabric for guided tissue regeneration

Номер патента: US20210154360A1. Автор: Anton Anatolevich KAZANTSEV,Ajrat Auhatovich YUSUPOV,Vladimir Andreevich ZAVARUEV,Elena Nikolaevna KOLESNIKOVA. Владелец: Elastic Titanium Implants LLC. Дата публикации: 2021-05-27.

A Fabric for a Paper or Pulp Technology and a Method for Manufacturing a Fabric for a Paper or Pulp Technology

Номер патента: US20220251782A1. Автор: Juha Nieminen,Jorma NAAMANKA. Владелец: Valmet Technologies Oy. Дата публикации: 2022-08-11.

Nonwoven fabric for sterilization packaging material

Номер патента: US12017442B2. Автор: Takashi Komatsu,Masaaki Mori,Yusuke Sasaki,Junichi KUSAKABE. Владелец: Mitsui Chemicals Asahi Life Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Non-coated polyester base fabric for airbag

Номер патента: US20240026578A1. Автор: Shuhei Takeuchi. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Fabric for perspiration exhaust pajamas and underclothing and preparing method thereof

Номер патента: US20210054553A1. Автор: Youbing JIA. Владелец: Shanghai Xiaolanxiang Garment Co ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Fabric for airbag

Номер патента: US5902672A. Автор: Peter Swoboda,Peter Krix. Владелец: Hoechst Trevira GmbH and Co KG. Дата публикации: 1999-05-11.

Fabric for protective working clothes manufacture

Номер патента: RU2623908C2. Автор: Бритта Смелдерс. Владелец: Ибена Текстильверке Гмбх. Дата публикации: 2017-06-29.

Waterproof, breathable fabric for outdoor athletic apparel

Номер патента: US5415924A. Автор: Daniel J. Herlihy, Jr.. Владелец: Aquatic Design. Дата публикации: 1995-05-16.

Endless belt or fabric for use in process control loop

Номер патента: US6158576A. Автор: David A. Dunn,William A. Luciano,Dana Burton Eagles,Jeffrey Scott Denton. Владелец: Albany International Corp. Дата публикации: 2000-12-12.

Multi-layer fabric for paper-making

Номер патента: CA1284082C. Автор: Takuo Tate. Владелец: Nippon Filcon Co Ltd. Дата публикации: 1991-05-14.

Microcreping of fabrics for orthopedic casting tapes

Номер патента: CA2152377C. Автор: Matthew T. Scholz. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 2005-07-12.

Uncoated fabric for manufacturing air bags

Номер патента: US5508073A. Автор: Volker Siejak,Dieter Kaiser,Wolf R. Krummheuer,Hans A. Graefe. Владелец: Akzo NV. Дата публикации: 1996-04-16.

Fabric for use in the manufacture of tissue products having visually discernable background texture regions bordered by curvilinear decorative elements and method thereof

Номер патента: CA2463897C. Автор: Jeffrey D. Lindsay,Mark Alan Burazin. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2011-03-22.

Woven polyester fabric for airbags

Номер патента: CA2674892C. Автор: Thomas Edward Schmitt,Mach A. Debenedictis. Владелец: Invista Technologies SARL Switzerland. Дата публикации: 2013-03-19.

Waterproof, breathable fabric for outdoor athletic apparel

Номер патента: CA2128195C. Автор: Daniel Joseph Herlihy, Jr.. Владелец: Aquatic Design. Дата публикации: 2000-04-18.

Bonded-fibre fabric for producing clean-room protective clothing

Номер патента: CA2380220A1. Автор: Robert Groten,Holger Schilling,Hartwig Von Der Mühlen,Arnold Bremann. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-02-01.

Cord and fabric for a power transmission belt

Номер патента: USRE36870E. Автор: Masami Sato,Shigehiro Isshiki,Yasuyuki Tatsumi,Yutaka Yoshimi. Владелец: Unitta Co Ltd. Дата публикации: 2000-09-12.

Improvements in or relating to wire-rope fabrics for use in conveying belts

Номер патента: GB346654A. Автор: . Владелец: STUMM KONZERN GES MIT BESCHRAE. Дата публикации: 1931-04-02.

Mechanically compacted fabrics for orthopedic casting tapes

Номер патента: CA2112782A1. Автор: Matthew T. Scholz,Rafael M. Yasis,Scott A. Neamy. Владелец: Scott A. Neamy. Дата публикации: 1994-07-26.

Cylindrical covering fabric for a damping form roller of an offset printing machine

Номер патента: US4400418A. Автор: Hirobumi Suzuki,Hirofumi Takeda. Владелец: MMT Inc. Дата публикации: 1983-08-23.

Improvements in knitted metallic fabric for belting and other uses

Номер патента: GB551595A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1943-03-02.

Method of making a textured glass yarn fabric for use in wallcoverings acoustical panels and ceiling tiles

Номер патента: US5545441A. Автор: Frank J. Land. Владелец: Land; Frank J.. Дата публикации: 1996-08-13.

High performance fabrics for cartridge filters

Номер патента: US6103643A. Автор: Herman Hans Forsten. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 2000-08-15.

Forming fabric for use in a papermaking machine

Номер патента: US4640741A. Автор: Ishino Tsuneo. Владелец: Nippon Filcon Co Ltd. Дата публикации: 1987-02-03.

Composite woven fabric for endoluminal devices

Номер патента: AU2011265360B2. Автор: William K. Dierking,Erik E. Rasmussen,Shyam S. V. Kuppurathanam. Владелец: Cook Medical Technologies LLC. Дата публикации: 2014-03-06.

Fabric for horizontal belt filter

Номер патента: CA2504079C. Автор: Ichihiro Kitamura,Senri Ito,Kazuyuki Kanda. Владелец: Nippon Filcon Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-22.

Fabric for airbag

Номер патента: CA2066003C. Автор: Peter Swoboda,Peter Krix. Владелец: Arteva Technologies SARL. Дата публикации: 2003-02-18.

Press fabric for pulp machine

Номер патента: CA2593724C. Автор: Tatsutoshi Nakajima. Владелец: Nippon Filcon Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-21.

Composite nonwoven fabric for surgical uses

Номер патента: CA1128411A. Автор: Joseph Israel,Richard P. Kitson,Richard L. Gilbert, Jr.. Владелец: Buckeye Cellulose Corp. Дата публикации: 1982-07-27.

Non-woven through air dryer and transfer fabrics for tissue making

Номер патента: CA2508806C. Автор: Jeffrey Dean Lindsay,Mark Alan Burazin,Andrew Peter Bakken. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2012-11-20.

Fabric for wire wound flexible ducts

Номер патента: US5888912A. Автор: Vincent J. Piemonte. Владелец: Worthen Industries Inc. Дата публикации: 1999-03-30.

Treated polyester fabric for use in flexible abrasives

Номер патента: US4386943A. Автор: Gunter Bigorajski,Harald Gumbel. Владелец: Vereinigte Schmirgel und Maschinen Fabriken AG. Дата публикации: 1983-06-07.

Circularly knitted fabric for fashioning clothes

Номер патента: US20050016223A1. Автор: Kazuo Furuya. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-27.

Non-Woven Fabric for Use in Removing Oil Pollutants

Номер патента: GB2062713A. Автор: . Владелец: ILSLEY P. Дата публикации: 1981-05-28.

Nonwoven fabric for filter and filter for engine

Номер патента: EP1378283B1. Автор: Hiroyuki Nakajima. Владелец: Kureha Ltd. Дата публикации: 2007-04-04.

Endless fabric for condensing paper material and method of making thereof

Номер патента: US5840378A. Автор: Hiroyuki Nagura,Takehito Kuji. Владелец: Nippon Filcon Co Ltd. Дата публикации: 1998-11-24.

Non-coated fabric for outdoor applications

Номер патента: CA2492753A1. Автор: Joey Underwood,Jacques Cantin. Владелец: Safety Components Fabric Technologies Inc. Дата публикации: 2006-07-17.

Reinforced fabric for substitution of vinyl and its manufacturing method

Номер патента: CA2839789C. Автор: Geon Yong Baek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-08.

Improvements in Wire Fabrics for Spring Mattresses and the like.

Номер патента: GB190918942A. Автор: Charles Hurlbert Gail. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-12-09.

Fabric for ink jet recording

Номер патента: US6025063A. Автор: Takuya Nakao,Isamu Takeshita. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-15.

Double layer forming fabrics for use in paper making machines

Номер патента: CA1152791A. Автор: Robert Karm. Владелец: MARTEL CATALA ET CIE. Дата публикации: 1983-08-30.

Single layer woven fabric for paper-making

Номер патента: US5632310A. Автор: Tatsuhiko Yasuoka. Владелец: Nippon Filcon Co Ltd. Дата публикации: 1997-05-27.

Fabric for strengthening and/or reinforcing flat-shaped articles

Номер патента: US5851638A. Автор: Friedrich Mathias,Bernd Lagemann. Владелец: Synteen Gewebe Technik GmbH. Дата публикации: 1998-12-22.

Net fabric for trawling

Номер патента: US4521986A. Автор: Tatsumi Koga. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-06-11.

Titanium matrix based on a tension-free metal warp knit fabric for guided tissue regeneration

Номер патента: CA3096015C. Автор: Anton Anatolevich KAZANTSEV,Ajrat Auhatovich YUSUPOV,Vladimir Andreevich ZAVARUEV,Elena Nikolaevna KOLESNIKOVA. Владелец: Titanium Textiles AG. Дата публикации: 2023-09-12.

Nonwoven Fabric For Absorbent Article

Номер патента: MY196357A. Автор: Taniguchi Masahiro,SETO Yoshihiko,KINUGASA Yoshihiko. Владелец: Kao Corp. Дата публикации: 2023-03-24.

Heatable garment, fabrics for such garments, and methods of manufacture

Номер патента: US11918061B2. Автор: Davide DEGANELLO,Youmna MOUHAMAD,Andrew CLAYPOLE. Владелец: Haydale Graphene Industries PLC. Дата публикации: 2024-03-05.

Fibre-reinforcement fabric for a wind turbine blade component

Номер патента: US20240084779A1. Автор: Henrik BARSLEV,Michael Schølarth Koefoed,Jens ZANGENBERG HANSEN,Mahdi BAVILOLIAIE. Владелец: LM Wind Power AS. Дата публикации: 2024-03-14.

Nonwoven fabric for oral pouched product, and methods of manufacturing a nonwoven fabric

Номер патента: EP4288594A1. Автор: David Hill,Adrian Bisson,Giovanni Gentilcore. Владелец: Nonwovenn Ltd. Дата публикации: 2023-12-13.

Rovings and fabrics for fiber-reinforced composites

Номер патента: EP3962726A1. Автор: Lance Johnson. Владелец: Pda Ecolab. Дата публикации: 2022-03-09.

Fibre-reinforcement fabric for a wind turbine blade component

Номер патента: EP4301979A1. Автор: Henrik BARSLEV,Michael Schølarth Koefoed,Jens ZANGENBERG HANSEN,Mahdi BAVILOLIAIE. Владелец: LM Wind Power AS. Дата публикации: 2024-01-10.

Tension-free titanium metal knitted fabric for surgically shaping soft tissues

Номер патента: CA3096014A1. Автор: Anton Anatolevich KAZANTSEV,Ajrat Auhatovich YUSUPOV,Alexandr Ivanovich ALEHIN,Vladimir Andreevich ZAVARUEV. Владелец: Elastic Titanium Implants LLC. Дата публикации: 2019-09-06.

Soft absorbent sheets, structuring fabrics for making soft absorbent sheets, and methods of making soft absorbent sheets

Номер патента: CA3212334A1. Автор: Taiye Philips Oriaran,Hung-Liang Chou,Farminder Singh Anand,Dean Joseph Baumgartner,Xiaolin Fan,Joseph Henry Miller,Daniel Hue Ming Sze. Владелец: GPCP IP Holdings LLC. Дата публикации: 2016-12-15.

Soft absorbent sheets, structuring fabrics for making soft absorbent sheets, and methods of making soft absorbent sheets

Номер патента: CA3212243A1. Автор: Taiye Philips Oriaran,Hung-Liang Chou,Farminder Singh Anand,Dean Joseph Baumgartner,Xiaolin Fan,Joseph Henry Miller,Daniel Hue Ming Sze. Владелец: GPCP IP Holdings LLC. Дата публикации: 2016-12-15.

Fabric for Toothed Power Transmission Belt and Belt

Номер патента: US20190376579A1. Автор: Shawn Xiang Wu,Kevin Ward,Clifford WALKER. Владелец: Gates Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Wet-laid non-woven fabric for hydrocarbon trap of air cleaner for gasoline engine and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200139291A1. Автор: Jae Min Lee,Young Seop Lee,Kwang Jin Joo,Hye-Joon Park. Владелец: SUNG CHANG AUTOTECH CO Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Hybrid solvents and fabrics for antimicrobial application

Номер патента: US20220408734A1. Автор: Pranay RANJAN,Md. Zishan Akhter,Jeyaganesh DEVARAJ. Владелец: UNITED ARAB EMIRATES UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-12-29.

Heat generating fabric for curing outer wall concrete and outer wall concrete curing method using same

Номер патента: US20230332422A1. Автор: Dong Ho Lee,Sung Man Lee,Jeong Hwa Lee,Weon Cheol SONG,Dong Rae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-19.

Unified data fabric for managing data lifecycles and data flows

Номер патента: US11861037B2. Автор: Claus T. Jensen,John A. Pierce, JR.,Igor B. BORD,Dale J. IANNI. Владелец: Aetna Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

Nonwoven fabric for oral pouched product, and methods of manufacturing a nonwoven fabric

Номер патента: EP4142524A1. Автор: Dave Hill,Adrian Bisson,Giovanni Gentilcore. Владелец: Nonwovenn Ltd. Дата публикации: 2023-03-08.

Coated fabric for air bag and method for manufacturing the same

Номер патента: US9732465B2. Автор: Tsutomu Akechi. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Fabric for a machine to produce a fiber web and method of producing a fiber web

Номер патента: US20170044716A1. Автор: Torsten Wich. Владелец: VOITH PATENT GMBH. Дата публикации: 2017-02-16.

Woven Fabric for Air Bag

Номер патента: US20150368834A1. Автор: Fumiaki Ise. Владелец: Asahi Kasei Fibers Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Woven fabric for airbags

Номер патента: US20240158959A1. Автор: Daisuke Yokoi,Hiroki Motomura,Yusuke EGAWA,Yuta Suganuma. Владелец: TORAY INDUSTRIES INC. Дата публикации: 2024-05-16.

Polyester fabric for a boat traction structure

Номер патента: US20240084504A1. Автор: Stephane Veran. Владелец: Porcher Industries SA. Дата публикации: 2024-03-14.

Nonwoven fabric for oral pouched product, and methods of manufacturing a nonwoven fabric

Номер патента: US20240074480A1. Автор: David Hill,Adrian Bisson,Giovanni Gentilcore. Владелец: Nonwovenn Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Stereoscopic weft knitted fabric for vamp

Номер патента: US20170211214A1. Автор: Ming-Sheng Kuo. Владелец: Aknit International Ltd. Дата публикации: 2017-07-27.

Tension-free titanium metal warp knit fabric for surgically shaping soft tissues

Номер патента: EP3760241A1. Автор: Anton Anatolevich KAZANTSEV,Ajrat Auhatovich YUSUPOV,Alexandr Ivanovich ALEHIN,Vladimir Andreevich ZAVARUEV. Владелец: Elastic Titanium Implants LLC. Дата публикации: 2021-01-06.

Titanium matrix based on a tension-free metal warp knit fabric for guided tissue regeneration

Номер патента: EP3760239A1. Автор: Anton Anatolevich KAZANTSEV,Ajrat Auhatovich YUSUPOV,Vladimir Andreevich ZAVARUEV,Elena Nikolaevna KOLESNIKOVA. Владелец: Elastic Titanium Implants LLC. Дата публикации: 2021-01-06.

Titanium matrix based on a tension-free metal warp knit fabric for guided tissue regeneration

Номер патента: CA3096015A1. Автор: Anton Anatolevich KAZANTSEV,Ajrat Auhatovich YUSUPOV,Vladimir Andreevich ZAVARUEV,Elena Nikolaevna KOLESNIKOVA. Владелец: Elastic Titanium Implants LLC. Дата публикации: 2019-08-15.

Endless woven dryer fabric for papermaking machine

Номер патента: AU2021402831A1. Автор: Klaus Haiden,Friedrich Postl. Владелец: Huyck Licensco Inc. Дата публикации: 2023-06-01.

Endless woven dryer fabric for papermaking machine

Номер патента: EP4217537A1. Автор: Klaus Haiden,Friedrich Postl. Владелец: Huyck Licensco Inc. Дата публикации: 2023-08-02.

Basic fabric for an adhered fabric of a high-performance belt and process for the manufacture thereof

Номер патента: US20240200239A1. Автор: Giuliano COSTA,Fabio Danilo MARINONI,Giovanni MAZZUCCO. Владелец: Tessitura Marinoni Srl. Дата публикации: 2024-06-20.

Fabric for welding

Номер патента: US20010008822A1. Автор: Yuzo Kikuchi. Владелец: Mathui Tape Kougyousho KK. Дата публикации: 2001-07-19.

Reinforcing base fabric for urethane-foamed product

Номер патента: US20160214358A1. Автор: Yoshiyuki Murata,Jun Yamagami,Kensuke INUZUKA,Toshio Iwasawa. Владелец: Valutec International Inc. Дата публикации: 2016-07-28.

Inorganic-fiber woven fabric for construction film material, and construction film material

Номер патента: EP4265832A1. Автор: Tetsuya Adachi,Shunichi Hikino,Yusaku HAKOISHI. Владелец: Nitto Boseki Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-25.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: EP1340254A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-06-13.

Vertical transistor with hardening implatation

Номер патента: US20120074488A1. Автор: Young Pil Kim,Maroun Georges Khoury,Hyung-Kyu Lee,Peter Nicholas Manos,Chulmin Jung,Dadi Setiadi. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2012-03-29.

Trench capacitor dram cell with vertical transistor

Номер патента: EP1186043A1. Автор: Lothar Risch,Matthias Ilg,Gerhard Enders,Helga Widmann. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A3. Автор: Norbert Arnold,V C Jaiprakash,Michel Seitz. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Trench capacitor dram cell with vertical transistor

Номер патента: WO2000067326A1. Автор: Lothar Risch,Matthias Ilg,Gerhard Enders,Dietrich Widmann. Владелец: Widmann, Helga. Дата публикации: 2000-11-09.

Method for forming a vertical transistor with a stacked capacitor DRAM cell

Номер патента: US5429977A. Автор: Horng-Huei Tseng,Chin-Yuan Lu. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 1995-07-04.

Method for fabricating vertical transistor device and memory device with vertical transistor and method for fabricating the same

Номер патента: TW200816387A. Автор: Chung-Yuan Lee,Sheng-Tsung Chen,Shian-Tyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-04-01.

Self- aligned diffused source vertical transistors with stack capacitors in a 4f- square memory cell array

Номер патента: MY118306A. Автор: Howard Leo Kalter,Stuart Mcallister Burns Jr,Hussein Ibrahim Hanafi,Waldemar Walter Kocon,Jeffrey J Welser. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2004-09-30.

Integrated voltage regulator circuit with vertical transistor

Номер патента: US5909110A. Автор: Han-Tzong Yuan,Albert H. Taddiken,Donald L. Plumton,Jau-Yuann Yang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

OPERATION METHODS FOR MEMORY CELL AND ARRAY FOR REDUCING PUNCH THROUGH LEAKAGE

Номер патента: US20120002484A1. Автор: Tsai Wen-Jer,HUANG JYUN-SIANG,OU TIEN-FAN,CHONG LIT-HO. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for memory addressing and control with reversal of higher and lower address

Номер патента: CA1318413C. Автор: Jeffrey Inskeep. Владелец: Hayes Microcomputer Products Inc. Дата публикации: 1993-05-25.

Two-layer reinforcing fabric for elastomeric coating

Номер патента: RU2507324C1. Автор: Лев Николаевич Попов,Софром Гусейнович Керимов,Вадим Васильевич Жеглов,Евгений Борисович Карпов,Владимир Сергеевич Логинов,Алексей Александрович Москвин. Владелец: Закрытое акционерное общество "КОРД". Дата публикации: 2014-02-20.

Hollow industrial fabric for support layer of safety sleeve

Номер патента: RU2370577C1. Автор: Лев Николаевич Попов,Софром Гусейнович Керимов,Алексей Львович Попов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт технических тканей") (ОАО "НИИТТ"). Дата публикации: 2009-10-20.

Method of obtaining cotton fabric for technical use with complex of protective properties against acids and oil-products

Номер патента: RU2471906C2. Автор: Людмила Сергеевна Ковальчук,Людмила Константиновна Акулова,Людмила Ивановна Гаврикова,Наталия Степановна Афтаева,Надежда Михайловна Думнова. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2013-01-10.

Hose fabric for reinforcement of endless transmission belts

Номер патента: RU2525813C1. Автор: Лев Николаевич Попов,Софром Гусейнович Керимов,Ольга Львовна Бабаева. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт технических тканей". Дата публикации: 2014-08-20.

Fabric for protective clothes

Номер патента: RU2113566C1. Автор: Л.Н. Попов,С.Г. Керимов,Е.Ф. Харченко,И.А. Курмашова,С.С. Абрамчук. Владелец: Научно-производственное объединение "АРМОТЕКС". Дата публикации: 1998-06-20.

Technical polyamide fabric for manufacturing soil-filling constructions

Номер патента: RU2447210C1. Автор: Вадим Эдуардович Карташян,Иван Александрович Миронов,Юрий Валентинович Анкудинов,Вячеслав Алексеевич Родионов. Владелец: Юрий Валентинович Анкудинов. Дата публикации: 2012-04-10.

An Improved Elastic Fabric for Use as a Bandage and for other purposes.

Номер патента: GB189915061A. Автор: Theresa Eicksen. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-09-30.

Improvements in or relating to Looms for the Manufacture of Textile Fabric for Forming the Outer Covers of Pneumatic Tyres or other Similarly Shaped Articles.

Номер патента: GB190005138A. Автор: . Владелец: RADAX PNEUMATIC TYRE Co L. Дата публикации: 1901-02-01.

Improvements in and relating to the Manufacture of Knitted Fabrics for Incandescent Mantles.

Номер патента: GB190601411A. Автор: . Владелец: Gasgluehlicht Ges Hamburg M B. Дата публикации: 1906-09-20.

A New or Improved Woven Fabric for use as Blanketing in Printing and other Machines and for Analogous Purposes.

Номер патента: GB190002569A. Автор: John William Hargreaves. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-12-15.

A Waterproof or Impermeable and Washable Fabric for Hangings or Decorative Purposes.

Номер патента: GB190701383A. Автор: Emile Merou. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-09-05.

The Manufacture of Textile Fabric for Forming the Outer Covers of Pneumatic Tyres or for other similarly Shaped Articles and Apparatus therefor.

Номер патента: GB189809631A. Автор: William Caldwell,Thomas Caldwell. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-03-25.

Improvements in or relating to the Link-work of Wire Fabrics for Mattresses, Bed-bottoms and other uses.

Номер патента: GB190823745A. Автор: Augustus Fenn. Владелец: Individual. Дата публикации: 1909-09-09.

Improvements in the Construction of the Supporting Frame Works of Wire Mattresses and Fabrics, for Bedsteads, Cots, & like Articles of Furniture.

Номер патента: GB190221844A. Автор: Robert Percy Taunton,Robert Evan Llewellyn Evans. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-08-13.

Improvements relating to the Manufacture of Stiffening Fabrics for Use in Making Skirts and other Articles of Dress.

Номер патента: GB189707119A. Автор: Nathan Hirsch. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-06-26.

Method of obtaining coloured decorative coating on technical fabric for exploitation under outer space conditions

Номер патента: RU2533139C1. Автор: Валентина Александровна Новикова,Ирина Игоревна Попкова,Юлия Валерьевна Поручикова. Владелец: Открытое акционерное общество "Ракетно-космическая корпорация "Энергия" имени С.П. Королева". Дата публикации: 2014-11-20.

Nonwoven filter fabric for bacterial-viral respiratory filters and method for its production (versions)

Номер патента: RU2461675C1. Автор: Николай Михайлович Шишов,Надежда Алексеевна Демина,Павел Анатольевич Бутягин,Галина Семеновна Мажирина,Наталья Михайловна Поручкина,Игорь Артемович Швец,Иван Александрович Чивилев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью Научно-исследовательский центр химических волокон "ВИСКОЗА" (ООО "НИЦ "ВИСКОЗА"). Дата публикации: 2012-09-20.

Fabric for protection against electromagnet radiations

Номер патента: RU2411315C1. Автор: Дмитрий Николаевич Владимиров,Елена Николаевна Хандогина,Валентина Александровна Грищенкова,Елена Ивановна Шаповалова,Вера Александровна Фукина. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Центральный Научно-Исследовательский Институт Комплексной Автоматизации Лёгкой Промышленности". Дата публикации: 2011-02-10.

Biaxiisotropic duck fabric for polymeric covering

Номер патента: RU2259430C1. Автор: Л.Н. Попов,С.Г. Керимов. Владелец: Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт технических тканей" (ОАО "НИИТТ"). Дата публикации: 2005-08-27.

Filtration fabric for filtrating air and gaseous systems (versions)

Номер патента: RU2592341C2. Автор: Людмила Александровна Новикова,Владимир Юрьевич Лакунин,Галина Борисовна Склярова,Марат Васильевич Шаблыгин,Марина Петровна Михайлова,Любовь Викторовна Ткачева,Евгения Витальевна Любегина,Виктор Сергеевич Колтунчиков. Владелец: Акционерное общество "Каменскволокно". Дата публикации: 2016-07-20.

Fabric for retractable shade

Номер патента: CA113046S. Автор: . Владелец: HUNTER DOUGLAS INC. Дата публикации: 2007-07-16.

Uncoated woven fabric for air bags, and its production process and system

Номер патента: MY122749A. Автор: Kitamura Mamoru,Konisha Tatsuo. Владелец: Toyo Boseki. Дата публикации: 2006-05-31.

Synthetic fabric for making sack or the likes

Номер патента: MY107603A. Автор: Samuel Ong David. Владелец: Hypak Sdn Bhd. Дата публикации: 1996-05-15.

Improvements in the Manufacture of Decorative Fabrics for Use as Wall-hangings and the like.

Номер патента: GB189911279A. Автор: Louis Preaubert. Владелец: Individual. Дата публикации: 1900-03-31.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.