Method for performing lithography process with post treatment
Номер патента: US11281107B2
Опубликовано: 22-03-2022
Автор(ы): Chin-Hsiang Lin, Ching-Yu Chang, Ming-Hui Weng
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 22-03-2022
Автор(ы): Chin-Hsiang Lin, Ching-Yu Chang, Ming-Hui Weng
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Method for performing lithography process with post treatment
Номер патента: US20200319560A1. Автор: Ching-Yu Chang,Chin-Hsiang Lin,Ming-Hui Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-08.