Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Wafer dicing method and method of manufacturing semiconductor devices by using the wafer dicing method

Wafer dicing method and method of manufacturing semiconductor devices by using the wafer dicing method

Номер патента: US20240096703A1
Опубликовано: 21-03-2024
Автор(ы): Deoksuk JANG, Youngchul KWON
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

LASER BEAM IRRADIATION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20200061737A1. Автор: LEE Jung-Min,Gehlen Elmar,Olowinsky Alexander,Gillner Arnold,KIND Heidrun. Владелец: . Дата публикации: 2020-02-27.

LASER BEAM IRRADIATION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20140356987A1. Автор: LEE Jung-Min,Gehlen Elmar,Olowinsky Alexander,Gillner Arnold,KIND Heidrun. Владелец: . Дата публикации: 2014-12-04.

Radio frequency semiconductor device package and method for manufacturing same, and radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20150262901A1. Автор: Kazutaka Takagi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US10886248B2. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-05.

Laser bonding apparatus, method of bonding semiconductor devices, and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20190214362A1. Автор: Satoshi Inada,Jun-Su Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-11.

Laser beam irradiation apparatus for substrate sealing, and method of manufacturing organic light emitting display device by using the laser beam irradiation apparatus

Номер патента: TW201213031A. Автор: Alexander Voronov,Cheol-Lae Roh,Tae-Wook Kang,Gyoo-wan Han. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-04-01.

Laser beam irradiation apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US20180264589A1. Автор: Jung-Min Lee,Elmar GEHLEN,Arnold Gillner,Alexander Olowinsky,Heidrun KIND. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-20.

Laser beam irradiation apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: CN104347823A. Автор: 李廷敏,亚历山大·奥洛温斯基,埃尔马·格伦,海德龙·金德. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-11.

Laser beam irradiation apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US10010973B2. Автор: Jung-Min Lee,Elmar GEHLEN,Arnold Gillner,Alexander Olowinsky,Heidrun KIND. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Method of manufacturing high-integrated semiconductor device and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: TW201007928A. Автор: Young-Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-16.

Method of manufacturing high-integrated semiconductor device and semiconductor device manufactured using the same

Номер патента: US8119509B2. Автор: Young Man Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-21.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20150207074A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20130109170A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Shintaro Sato,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Method of manufacturing interconnection and semiconductor device

Номер патента: US8940628B2. Автор: Tadashi Sakai,Yuichi Yamazaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-27.

Methods of forming hydrophobic surfaces on semiconductor device structures, methods of forming semiconductor device structures, and semiconductor device structures

Номер патента: US20130292647A1. Автор: Prashant Raghu,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-11-07.

Group-iii nitride semiconductor device, epitaxial substrate, and method of fabricating group-iii nitride semiconductor device

Номер патента: US20120299010A1. Автор: Masaki Ueno,Takao Nakamura,Takashi Kyono,Katsushi Akita,Yusuke Yoshizumi,Takamichi Sumitomo,Yohei Enya. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of forming a nano-FET semiconductor device

Номер патента: US12040382B2. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Method of forming a nano-fet semiconductor device

Номер патента: US20240332401A1. Автор: Yee-Chia Yeo,Sen-Hong Syue,Huicheng Chang,Yi-Rui Chen,Wen-Kai Lin,Chen-Fong Tsai,Li-Chi Yu,Yoh-Rong Liu,Cheng-I Chu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of producing epoxy resin encapsulated semiconductor device

Номер патента: MY112215A. Автор: ITO Hideo,MINAMI Katsunori. Владелец: Sumitomo Bakelite Co. Дата публикации: 2001-04-30.

Method of forming a pattern in semiconductor device manufacturing process

Номер патента: US5236547A. Автор: Shigeki Takahashi,Yasuhiro Shiraki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1993-08-17.

Method of preparing quantum dot, optical member including the quantum dot prepared using the method, and electronic device including the quantum dot

Номер патента: US20230323203A1. Автор: Yunku JUNG,Yunhyuk KO,Changyeol Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: EP1380418A3. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-21.

Semiconductor device and liquid jetting device using the same

Номер патента: US20040007767A1. Автор: Yukihiro Hayakawa,Mineo Shimotsusa,Kei Fujita. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-01-15.

Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods

Номер патента: US20240274437A1. Автор: Xin Sun,Joe Margetis,Dieter Pierreux,David Kohen,Amir Kajbafvala. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-08-15.

Materials, structures, and methods for optical and electrical III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US09978894B2. Автор: Robbie J. Jorgenson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-05-22.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing radiation-emitting semiconductor devices

Номер патента: US5358897A. Автор: Adriaan Valster,Coen T. H. F. Liedenbaum. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1994-10-25.

Screen printing apparatus, screen printing method, and electrode formation method of solar battery

Номер патента: US20180219111A1. Автор: Hiroyuki Otsuka,Norifumi Takahashi,Shintarou Tsukigata. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-02.

Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods

Номер патента: US11996289B2. Автор: Xin Sun,Joe Margetis,Dieter Pierreux,David Kohen,Amir Kajbafvala. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-05-28.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US11967532B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of estimating state of charge for battery and battery management system using the same

Номер патента: US20070090803A1. Автор: Se-Wook Seo,Han-Seok Yun,Gye-Jong Lim. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-26.

Method of improving fuel efficiency of fuel cell electric vehicle by using navigation information, and apparatus and system therefor

Номер патента: US11628838B2. Автор: Young Woo Jung,Ki Chang Kim,Yu Han Kim,Soon Oh Kwon. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2023-04-18.

Method of improving fuel efficiency of fuel cell electric vehicle by using navigation information, and apparatus and system therefor

Номер патента: US20210179108A1. Автор: Young Woo Jung,Ki Chang Kim,Yu Han Kim,Soon Oh Kwon. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Discharge control method and charge control method of battery pack control system

Номер патента: US20230344246A1. Автор: Wei Ye,Yongchao Li,Bo Zeng,Shuting SUN,Jihai XIE. Владелец: Contemporary Amperex Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Method and apparatus for manufacturing a packaged semiconductor device, packaged semiconductor device obtained with such a method and metal carrier suitable for use in such a method

Номер патента: AU2003255956A1. Автор: Frederik H. In 't Veld,Johannes H. Savenije. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-02-25.

Semiconductor device with at least one truncated corner and/or side cut-out

Номер патента: US20160211219A1. Автор: Petko Nedelev,Luc BUYDENS,Sam Maddalena. Владелец: MELEXIS TECHNOLOGIES NV. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20200152577A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor device including conductive structure having nucleation structure and method of forming the same

Номер патента: US20190295958A1. Автор: Ji Won Kang,Tae Yeol Kim,Sang Jin HYUN,Jin Il Lee,Chung Hwan Shin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of manufacturing stacked-type semiconductor device

Номер патента: US20090191666A1. Автор: Souu Kumagai. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-07-30.

Optical semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1812972A1. Автор: Yoshitsugu Dow Corning Toray Co. Ltd. MORITA,Tomoko Dow Corning Toray Co. Ltd. KATO. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-01.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: US20230343683A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Crispulo Estira Lictao, JR.,Dominic (PohMeng) Koey. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device with embedded battery and method therefor

Номер патента: EP4269330A1. Автор: Stephen Ryan Hooper,Chayathorn Saklang,Chanon Suwankasab,Amornthep Saiyajitara,Jr. Crispulo Estira Lictao,Dominic Koey (Pohmeng). Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-11-01.

Post-type apparatus for containing and charging unmanned vertical take-off and landing aircraft and method of containing and charging unmanned vertical take-off and landing aircraft using the same

Номер патента: US09975442B2. Автор: Hae-Dong Kim,Sang-Cherl Lee,Hyeon-Cheol GONG,Gi-Hyuk CHOI,In-Hee HWANG,Byong-Suk SUK. Владелец: Korea Aerospace Research Institute KARI. Дата публикации: 2018-05-22.

Method and system for real-time monitoring and controlling height of deposit by using image photographing and image processing technology in laser cladding and laser-aided direct metal manufacturing process

Номер патента: CA2467221C. Автор: Jeong-Hun Suh. Владелец: INSSTEK Inc. Дата публикации: 2010-07-20.

Organic light-emitting display apparatus, organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing the organic light-emitting display apparatus by using the organic layer deposition apparatus

Номер патента: US20170040537A1. Автор: Muhyun Kim,Dongkyu LEE,Suhwan Lee,Eunho Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US8697466B2. Автор: Satoshi Komada. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-04-15.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US20040127035A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US6787371B2. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-09-07.

Method of forming isolation structure of semiconductor device for preventing excessive loss during recess gate formation

Номер патента: US20090029521A1. Автор: Dong Sun Sheen,Sang Tae Ahn,Seok Pyo Song,Hyeon Ju An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of manufacturing 3-D semiconductor device

Номер патента: US10636699B2. Автор: Zongliang Huo. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2020-04-28.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20240098986A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US20220415902A1. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-29.

Method of forming contact included in semiconductor device

Номер патента: US11871563B2. Автор: Donghyun Lee,Uihyoung LEE,Suncheul KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-09.

Method of forming openings in a semiconductor device and a semiconductor device fabricated by the method

Номер патента: US20100291770A1. Автор: Massud Abubaker Aminpur,Scott Warrick,Lionel Riviere-Cazeaux,Will Conley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: EP3504734A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-07-03.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Method of forming insulating film in semiconductor device

Номер патента: US20050014389A1. Автор: Sung Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-20.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: EP1535342A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2005-06-01.

Method of making a vertical gate semiconductor device

Номер патента: WO2004017414A1. Автор: Gordon M. Grivna. Владелец: Semiconductor Components Industries L.L.C.. Дата публикации: 2004-02-26.

Methods of forming conductive elements of semiconductor devices and of forming memory cells

Номер патента: US09865812B2. Автор: Nishant Sinha,Scott E. Sills,Sanh D. Tang,Whitney L. West,Rob B. Goodwin. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method and system of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20190371784A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Method of manufacturing conductors for semiconductor device

Номер патента: US20230335545A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing conductors and semiconductor device which includes conductors

Номер патента: US20180151552A1. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Chih-Liang Chen,Ko-Bin Kao,Charles Chew-Yuen Young,Kam-Tou SIO,Shun Li CHEN,Hui-Ting Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same semiconductor device

Номер патента: US20160268163A1. Автор: Kenro Nakamura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US20050186795A1. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Silicon carbide semiconductor device, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and method of designing silicon carbide semiconductor device.

Номер патента: US20160254356A1. Автор: Shunichi Nakamura,Akihiko Sugai,Tetsuto INOUE. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220302251A1. Автор: Masanobu IWAYA,Kensuke HATA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Method of manufacturing a power semiconductor device having source region and body contact region formed between trench-type gate electrodes

Номер патента: US11855184B2. Автор: Soo Chang Kang,Seong Jo HONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of forming fine pattern of semiconductor device using SiGe layer as sacrificial layer, and method of forming self-aligned contacts using the same

Номер патента: US20050282363A1. Автор: Chang-jin Kang,Kyeong-koo Chi,Cheol-kyu Lee,Keun-Hee Bai. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-22.

Method of multiple patterning to form semiconductor devices

Номер патента: US20140024191A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Kuang-Jung Chen,Sen Liu,Steven J. Holmes. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074863A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210111250A1. Автор: Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Method of forming bit line in semiconductor device

Номер патента: US20060240673A1. Автор: Sung Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US20220045222A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-10.

A semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: EP3951884A1. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2022-02-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11942517B2. Автор: Takeyoshi Masuda. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and a method of manufacture of a semiconductor device

Номер патента: US11984515B2. Автор: VASANTHA KUMAR Vaddagere Nagaraju,Hans-Martin Ritter,Steffen Holland,Joachim Utzig,Guido Notermans. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-14.

Method of forming isolation film of semiconductor device

Номер патента: US7060630B2. Автор: Sung Hoon Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-13.

Method of forming isolation layer of semiconductor device

Номер патента: US7682928B2. Автор: Myung IL Kang. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-23.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US20120040527A1. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-16.

Process of manufacturing trench gate semiconductor device

Номер патента: EP2020681A3. Автор: Richard K. Williams,Wayne B. Grabowski. Владелец: Advanced Analogic Technologies Inc. Дата публикации: 2009-06-10.

Method of forming metal lines of semiconductor device

Номер патента: US8193088B2. Автор: Suk Joong Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Method of forming contacts to a semiconductor device

Номер патента: CA2011235A1. Автор: Kathleen A. Perry,San-Mei Ku. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1990-11-15.

Method and system for providing a contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US6764929B1. Автор: Mark Chang,Chi Chang,Angela Hui. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-07-20.

Method of forming metal line in semiconductor device

Номер патента: US7790609B2. Автор: Ji-Ho Hong. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-09-07.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US20120189781A1. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-07-26.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8173542B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-05-08.

Method of forming conductive layer and semiconductor device

Номер патента: US8273656B2. Автор: Takashi Sakaki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2012-09-25.

Methods of forming a device having semiconductor devices on two sides of a buried dielectric layer

Номер патента: WO2018038865A1. Автор: Sinan Goktepeli,Stephen Alan Fanelli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

Method of forming wiring layer of semiconductor device

Номер патента: US20090227101A1. Автор: Sun-jung Lee,Mu-Kyeng Jung,Ki-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-10.

Method of forming isolation layer for semiconductor device

Номер патента: US5913133A. Автор: Byung Seok Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 1999-06-15.

Method of Fabricating Landing Plug in Semiconductor Device

Номер патента: US20100330801A1. Автор: Kyoung Bong Rouh. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US9564286B2. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method of forming patterns for a semiconductor device

Номер патента: US20200144391A1. Автор: Dae Sung EOM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-07.

Method of bevel trimming three dimensional semiconductor device

Номер патента: US20120270394A1. Автор: Yi-Nan Chen,Hsien-Wen Liu,Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-10-25.

Method of forming thin film of semiconductor device

Номер патента: US20160049291A1. Автор: Peter Schindler,Friedrich B. Prinz,Ki-Hyun Kim,Sam Hyung Sam KIM,Andrei Teodor IANCU,Michael C. Langston,Stephen P. WALCH,Takane Usui. Владелец: Leland Stanford Junior University. Дата публикации: 2016-02-18.

Method of forming contacts for a semiconductor device

Номер патента: US20120094485A1. Автор: Shih-Chang Chen,Huan-Just Lin,Tsai-Chun Li,Yuan-Tien Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-04-19.

Method of forming metal contact for semiconductor device

Номер патента: US11715763B2. Автор: Sung-Li Wang,Yasutoshi Okuno,Mrunal A. Khaderbad. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Method of forming conductive layer of semiconductor device

Номер патента: US20240038545A1. Автор: Yu Shu Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Methods of forming metal wiring of semiconductor devices

Номер патента: US20040132283A1. Автор: Dong-Ki Jeon,Jae-Won Han. Владелец: Anam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2004-07-08.

Systems and Methods for a Semicdonductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20170287773A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of forming buried wiring in semiconductor device

Номер патента: US6903020B2. Автор: Kazuhide Abe. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-07.

Systems and Methods for a Semiconductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20180374742A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-12-27.

Systems and Methods for a Semiconductor Structure Having Multiple Semiconductor-Device Layers

Номер патента: US20200126845A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US12002756B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, and method of evaluating manufacturing process of semiconductor device

Номер патента: CN1306586C. Автор: 清水和宏. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2007-03-21.

Semiconductor device having superlattice semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1505698B1. Автор: Won-seok Lee,Joon-seop Kwak,Kyoung-ho Ha,Ho-sun Paek,Sung-nam Lee,Tan B-502 Stbobo 2-cha Sakong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-09-09.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20160293472A1. Автор: Chang Seok-Rak,Hong Jong-Won,Nam Myeng-Woo,Kang Hee-Cheol,Kim Jong-Heon,Chang Uno. Владелец: . Дата публикации: 2016-10-06.

Ink-jet printing method and manufacturing method of OLED display device

Номер патента: US09929342B2. Автор: Qing Dai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Arito Ogawa. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2014-03-27.

Method and system for etch depth control in iii-v semiconductor devices

Номер патента: US20240242969A1. Автор: Wayne Chen,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device including forming an electric field control region by a laser doping technology

Номер патента: US09825145B2. Автор: Haruo Nakazawa,Yasukazu Seki,Kenichi Iguchi,Koh Yoshikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Ceramic film and method of manufacturing the same, semiconductor device, and piezoelectric device

Номер патента: US20030213426A1. Автор: Eiji Natori,Koichi Furuyama,Yuzo Tasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240234496A1. Автор: Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7989231B2. Автор: Yuuichi Takeuchi,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-08-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240339323A1. Автор: Hidenori Satou,Atsushi Yoshimoto,Takahito Kojima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240154031A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12046642B2. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11469303B2. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240290842A1. Автор: Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220231128A1. Автор: Shinji Fujikake. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11114560B2. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-07.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US20240249955A1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-25.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12080762B2. Автор: Makoto Utsumi,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09941362B2. Автор: Masayuki Miyazaki,Hidenao Kuribayashi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of fabricating a metal gate semiconductor device

Номер патента: US20130260547A1. Автор: Ming Zhu,Bao-Ru Young,Hak-Lay Chuang,Sheng-Chen Chung,Jyun-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-10-03.

Method of forming ferroelectric film, ferroelectric memory, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20040080991A1. Автор: Tatsuo Sawasaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Method of making a charge compensation semiconductor device using direct bonding and corresponding device

Номер патента: EP1119871A1. Автор: Raymond J. Grover. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2001-08-01.

Silicon carbide semiconductor device, silicon carbide semiconductor assembly, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200152594A1. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Method of manufacturing high-voltage semiconductor device and low-voltage semiconductor device

Номер патента: US7910466B2. Автор: Choul Joo Ko. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-22.

Method and system of junction termination extension in high voltage semiconductor devices

Номер патента: US20220013626A1. Автор: Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Kedar Patel,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Method and system of junction termination extension in high voltage semiconductor devices

Номер патента: US12113101B2. Автор: Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Kedar Patel,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-10-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09978598B2. Автор: Makoto Utsumi,Yoshiyuki Sakai. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09887270B2. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of Forming Gate Insulating Film, Semiconductor Device and Computer Recording Medium

Номер патента: US20070290247A1. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2007-12-20.

Method of forming gate insulation film, semiconductor device, and computer recording medium

Номер патента: US20100130023A1. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2010-05-27.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210028010A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Method of forming oxide film including two non-oxygen elements, method of manufacturing semiconductor device, method of forming dielectric film, and semiconductor device

Номер патента: US20210343524A1. Автор: Seungmin Ryu,Younjoung CHO,Younsoo Kim,Sunmin Moon,Haeryong Kim,Kyooho JUNG,Jeonggyu SONG,Changsu WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Film pv-structure obtained using room temperature method and room temperature method of producing film pv-structure

Номер патента: RU2698739C2. Автор: Патрик ЛИНДЕР,Даниль ЛИНДЕР. Владелец: Дайнемик Солар Системс Аг. Дата публикации: 2019-08-29.

Method of manufacturing a multilayer semiconductor device

Номер патента: US4596604A. Автор: Shin-ichi Ogawa,Yasuaki Terui,Shigenobu Akiyama. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 1986-06-24.

Method of forming a pattern of semiconductor device of a semiconductor device on a semiconductor substrate by using an extreme ultraviolet mask

Номер патента: US20230106148A1. Автор: Kisung Kim,Sangoh PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Methods of reinforcing integrated circuitry of semiconductor devices and related semiconductor devices and packages

Номер патента: US20190393110A1. Автор: AJAY Kumar,John House,Hyunsoo Yeom. Владелец: Microchip Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Method of manufacturing GaN-based semiconductor device

Номер патента: US8633087B2. Автор: Hideki Matsubara,Kuniaki Ishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-21.

Method of Forming a Super Junction Semiconductor Device Having Stripe-Shaped Regions of the Opposite Conductivity Types

Номер патента: US20160104768A1. Автор: Markus Schmitt,Hans Weber,Rolf Weis,Franz Hirler,Armin Willmeroth,Thomas Wahls. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices and corresponding multi-die semiconductor device

Номер патента: US11948806B2. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-02.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210328025A1. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200279947A1. Автор: Fumitoshi Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: EP1784857A1. Автор: Robertus A. M. Wolters,Robert Lander,Jacob C. Hooker. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-05-16.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180090320A1. Автор: Mitsuo Okamoto,Takashi Tsutsumi,Kenji Fukuda,Masaki Miyazato,Youichi Makifuchi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11929400B2. Автор: Takahito Kojima,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device package using photoresist or pre-peg lead frame dam bars

Номер патента: US5258331A. Автор: Takashi Nakashima,Kenji Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1993-11-02.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2667247A1. Автор: Takeyoshi Masuda,Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-05-08.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160240380A1. Автор: Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190157398A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Method and system for etch depth control in III-V semiconductor devices

Номер патента: US11948801B2. Автор: Wayne Chen,Andrew P. Edwards,Clifford Drowley,Subhash Srinivas Pidaparthi. Владелец: Nexgen Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Method of manufacturing nitride semiconductor and nitride semiconductor thin film prepared using the same

Номер патента: US20240154001A1. Автор: Min Ho Kim,Ok Hyun Nam,Uiho Choi. Владелец: Tech University Of Korea Industry Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-05-09.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220336219A1. Автор: Daisuke Taniguchi,Toshikazu Tanioka,Junya MIWA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Method of Manufacturing a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190157401A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Christoph Weiss,Daniel Schloegl,Matthias Kuenle. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-23.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230154999A1. Автор: Hidemoto Tomita. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20160314973A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-27.

Method and apparatus for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20010008750A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,Husam Al-Shareef,Daniel Gealy,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-07-19.

Method and apparatus for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20010044219A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Method and apparatus for stabilizing high pressure oxidation of a semiconductor device

Номер патента: US20020192978A1. Автор: Scott DeBoer,Randhir Thakur,F. Gealy,Husam Al-Shareef,Dave Chapek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-19.

Resin-sealed semiconductor device, circuit member for use therein and method of manufacturing resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US6025640A. Автор: Hiroshi Yagi,Masato Sasaki,Kazuyoshi Togashi. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2000-02-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10236372B2. Автор: Keiji Okumura,Setsuko Wakimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-19.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230253491A1. Автор: Manabu Takei,Shinsuke Harada,Masakazu Baba. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200303541A1. Автор: Keiji Okumura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210217852A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200343345A1. Автор: Makoto Utsumi,Tsuyoshi ARAOKA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230326960A1. Автор: Keishirou KUMADA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11600702B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180138273A1. Автор: Takashi Tsuji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240047532A1. Автор: Shingo Hayashi,Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of manufacturing III-nitride semiconductor devices

Номер патента: US6486050B1. Автор: Ching-ting Lee. Владелец: Opto Tech Corp. Дата публикации: 2002-11-26.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210175369A1. Автор: Takafumi Uchida,Takahito Kojima,Yuichi HASHIZUME,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180301536A1. Автор: Makoto Utsumi,Fumikazu Imai,Yasuhiko OONISHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-18.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220013641A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-13.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200144371A1. Автор: Takeshi Tawara,Mina OHSE. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210167173A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CA2669949A1. Автор: Kazuhiro Fujikawa. Владелец: Kazuhiro Fujikawa. Дата публикации: 2008-06-05.

Method of forming gate electrode in semiconductor device

Номер патента: US20040259369A1. Автор: Cha Dong,Ho Son. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-23.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170271468A1. Автор: Fumikazu Imai,Takuya Komatsu,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240021737A1. Автор: Yuichi HASHIZUME. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods of forming patterns of a semiconductor device

Номер патента: US20150076617A1. Автор: Jong-wook Lee,Myeong-Cheol Kim,Cheol Kim,Si-Young Choi,Choong-ho Lee,Jong-Chan Shin,Jong-Seo Hong,Il-Sup Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-19.

Method of manufacturing and inspecting semiconductor devices

Номер патента: CA2126292A1. Автор: Takashi Iwasaki,Yasuhiro Iguchi,Nobuhisa Tanaka,Shun-Ichi Yoneyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1994-12-24.

Method of forming gate insulation film, semiconductor device, and computer recording medium

Номер патента: US7915177B2. Автор: Yoshihiro Sato,Toshio Nakanishi,Yutaka Fujino,Tatsuo Nishita,Shuuichi Ishizuka. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2011-03-29.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20130252401A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-09-26.

Nitride semiconductor substrate, semiconductor device, and methods for manufacturing nitride semiconductor substrate and semiconductor device

Номер патента: US20110068434A1. Автор: Naoki Matsumoto,Hidenori Mikami,Sayuri Yamaguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2011-03-24.

Method of fabrication of adjacent coplanar semiconductor devices

Номер патента: US5376229A. Автор: Steven D. Lester,Jeffrey N. Miller,Danny E. Mars. Владелец: Hewlett Packard Co. Дата публикации: 1994-12-27.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: CA1038329A. Автор: Robert B. Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1978-09-12.

Low cost method of fabricating shallow junction, Schottky semiconductor devices

Номер патента: US5635414A. Автор: Jun Wu,Joseph Chan,Gregory Zakaluk,Dennis Garbis,Willem Einthoven,Jack Eng,John Amato. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-06-03.

Method of forming beam leads on semiconductor devices and integrated circuits

Номер патента: US3653999A. Автор: Clyde Rhea Fuller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Method of selectively depositing glass on semiconductor devices

Номер патента: US3895127A. Автор: Robert Benedict Comizzoli. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1975-07-15.

Methods of designing and fabricating a semiconductor device based on determining a least common multiple between select layout pitches

Номер патента: US11854976B2. Автор: Seung Young Lee,Sanghoon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Method of forming metal silicide layer, semiconductor device and method of fabricating same

Номер патента: US10490647B1. Автор: Yugui Zhang,Jianzhi Fang,Kangjun Peng,Qunzheng Lin. Владелец: Nexchip Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Method of forming gate line of semiconductor device

Номер патента: US20100048014A1. Автор: Chang Ki Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-02-25.

Methods of making passivating layers for semiconductor devices

Номер патента: GB1532456A. Автор: . Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-11-15.

Methods of forming silicide layer of semiconductor device

Номер патента: US20050142727A1. Автор: Jin Jung. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of making beam leads for semiconductor devices

Номер патента: US3765970A. Автор: T Athanas,A Anastasio. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1973-10-16.

Method of making silicon-on-sapphire semiconductor devices

Номер патента: US4775641A. Автор: Glenn W. Cullen,Michael T. Duffy. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1988-10-04.

Method of fabricating gate oxide of semiconductor device

Номер патента: US20190096682A1. Автор: Yasutoshi Okuno,Andrew Joseph Kelly,Yusuke Oniki,Ta-Chun Ma. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Method of forming gate pattern and semiconductor device

Номер патента: US20120276727A1. Автор: QIYANG He,YIYING Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-11-01.

Method of fabricating hybrid impact-ionization semiconductor device

Номер патента: US20110227161A1. Автор: Ming Zhu,Lee-Wee Teo,Harry Hak-Lay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Semiconducting graphene structures, methods of forming such structures and semiconductor devices including such structures

Номер патента: WO2015017117A1. Автор: Roy E. Meade,Sumeet C. Pandey. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-02-05.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: EP4375400A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-29.

Fabrication method of layer structure for mounting semiconductor device

Номер патента: US20180233442A1. Автор: Hung-Chi Chen,Fang-Lin Tsai,Yi-Feng Chang,Yi-Min Fu,Cheng-Jen Liu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of detecting failure of a semiconductor device

Номер патента: US20190385918A1. Автор: ZHAN Zhan,Ji-Young Choi,Ju-Hyun Kim,Hwa-Sung Rhee,Sung-Gun Kang,Min-Seob KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-19.

Crystalline inzno oxide semiconductor, method of forming the same, and semiconductor device including the crystalline inzno oxide semiconductor

Номер патента: US20240178324A1. Автор: Seonghwan Ryu,Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Jinseong PARK,Hyemi KIM. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2024-05-30.

Method of producing a complementary-type semiconductor device

Номер патента: US5036019A. Автор: Yasushi Higuchi,Hiroyuki Yamane. Владелец: NipponDenso Co Ltd. Дата публикации: 1991-07-30.

Methods of fabricating a capacitor and semiconductor device

Номер патента: US20230107346A1. Автор: Hyunjun Kim,Yukyung Shin,Cheoljin Cho,Changhwa JUNG,Jongbeom SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-06.

Systems and methods for forming additional metal routing in semiconductor devices

Номер патента: EP1977447A2. Автор: James Green,Mark Fischer,Terry McDaniel. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-08.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US20160379994A1. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-29.

Structure for a semiconductor device and method for producing a structure for a semiconductor device

Номер патента: WO2022128913A1. Автор: Chiara Corvasce,Munaf Rahimo,Elizabeth BUITRAGO,Charalampos Papadopoulos. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2022-06-23.

Methods of forming ohmic contacts on semiconductor devices with trench/mesa structures

Номер патента: US20230420536A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Rahul R. Potera,Madankumar Sampath. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-12-28.

Organic silica film and method for forming same, composition for forming insulating film of semiconductor device and method for producing same, wiring structure and semiconductor device

Номер патента: US20100007025A1. Автор: Tatsuya Yamanaka,Masahiro Akiyama,Hisashi Nakagawa,Terukazu Kokubo,Youhei Nobe. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2010-01-14.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11043450B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-22.

Apparatus and method for fabricating a high reverse voltage semiconductor device

Номер патента: US20040046228A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-11.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US11798881B2. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Anti-fuse structure and method for fabricating same, as well as semiconductor device

Номер патента: US20200357741A1. Автор: Chih Cheng LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2020-11-12.

Apparatus and method for fabricating a high reverse voltage semiconductor device

Номер патента: US20030030069A1. Автор: Roman Hamerski,Walter Buchanan. Владелец: FabTech Inc. Дата публикации: 2003-02-13.

Method of manufacturing a supported catalyst and supported catalyst manufactured using same

Номер патента: US11654427B2. Автор: Ju Hee Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-05-23.

Method of Manufacturing a Supported Catalyst and Supported Catalyst Manufactured Using Same

Номер патента: US20220280931A1. Автор: Ju Hee Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5977615A. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Manufacturing apparatus of semiconductor device and management method of manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09958794B2. Автор: Eishi Shiobara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Optoelectronic Semiconductor Device and Method of Manufacturing an Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20190348568A1. Автор: Harald KÖNIG,Alfred Lell,Sven GERHARD,Jens Ebbecke,Clemens Vierheilig. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-14.

Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US8920563B2. Автор: Mu-gyeom Kim,Chang-Mo Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-30.

Substrate for semiconductor devices, method of manufacturing substrate for semiconductor devices, and solid-state imaging device

Номер патента: US20150263212A1. Автор: Hideo Numata,Mokuji Kageyama,Shinji Uya,Nagataka Tanaka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11742392B2. Автор: Shingo Hayashi,Takumi Fujimoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Optical semiconductor device, optoelectronic device and method of manufacturing an optical semiconductor device

Номер патента: WO2023165869A1. Автор: Jens Hofrichter. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of fabricating memory cell in semiconductor device

Номер патента: US20050189581A1. Автор: Tae Park. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-09-01.

Optoelectronic semiconductor device comprising an al-containing layer and method of manufacturing the optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024184358A1. Автор: Xiaojun Chen,Jong Ho Na,Noor Afifa MOHD HANAFIAH,Muhammad Esmed Alif SAMSUDIN,Azharul Ariff KAMARULZAMAN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of manufacturing method a semiconductor device, a semiconductor device manufactured using this method and a mosfet device manufactured according to the method

Номер патента: US20240162334A1. Автор: Kilian ONG,Aryadeep Mrinal,Dnyanesh Havaldar. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-16.

Methods of forming 3-d integrated semiconductor devices having intermediate heat spreading capabilities

Номер патента: US20160190104A1. Автор: Thomas Werner,Frank Feustel,Michael Grillberger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20170199957A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Semiconductor device and power supply device using the same

Номер патента: US20090154209A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Masaki Shiraishi,Tetsuya Kawashima,Nobuyoshi Matsuura,Yukihiro Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device and power supply device using the same

Номер патента: US20120014155A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Masaki Shiraishi,Tetsuya Kawashima,Nobuyoshi Matsuura,Yukihiro Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-19.

Method of making a low noise semiconductor device comprising a screening measurement

Номер патента: US5683917A. Автор: Cuong Tran,Ralph Francis Trambarulo,Samuel Suresh Martin. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1997-11-04.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same, and solid-state image pickup device using the same

Номер патента: US20140239360A1. Автор: Ryosuke Nakamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20190171789A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor device carrier and semiconductor package using the same

Номер патента: US9219027B2. Автор: Hwee-Seng Jimmy Chew,Shoa-Siong Raymond Lim,Kian-Hock Lim,Oviso Dominador Jr Fortaleza. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2015-12-22.

Metal film and manufacturing method of the metal film, and semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20230411320A1. Автор: Tadashi Yamaguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Method of determining colorability of a semiconductor device and system for implementing the same

Номер патента: US20200117848A1. Автор: Chin-Chang Hsu,Hsien-Hsin Sean LEE,Jian-Yi Li,Wen-Ju Yang,Li-Sheng Ke,Chung-Yun CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of wire bonding of a semiconductor device for resolving oxidation of copper bonding pad

Номер патента: US20040082174A1. Автор: Yu-Chun Huang,Ning Huang,Wen-Tsung Weng,Wen-Lo Shieh,Hui-Pin Chen,Fu-Yu Huang,Chia-Ling Lu,Chih-Yu Tsai,Shu-Wan Lu,Mei-Hua Chen,Yu-Ju Wang,Ya-Hsin Tseng,Zhe-Sung Wu,Tzu-Lin Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Fabricating method of trench-gate metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140094013A1. Автор: Kuan-Ling LIU,Shih-Yuan UENG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Method of producing a radiation sensor semiconductor device comprising a multiple colour filter

Номер патента: WO2014127988A1. Автор: Rainer Minixhofer. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8624276B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor light emitting device, method of manufacturing the same, and semiconductor light emitting device package using the same

Номер патента: US8981395B2. Автор: Ki Yeol Park,Pun Jae Choi,Jin Hyun Lee,Myong Soo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-17.

Organic light emitting device, method of manufacturing the same, and organic light emitting display apparatus using the same

Номер патента: US20160190499A1. Автор: Sung Soo Park,Hee Jin Kim,Hak Min LEE. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-30.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20210328141A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method and apparatus for providing multiple power domains a programmable semiconductor device

Номер патента: US20210376834A1. Автор: Jinghui Zhu,Grant Thomas Jennings. Владелец: Gowin Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Method of alignment mark protection and semiconductor device formed thereby

Номер патента: US20110304006A1. Автор: Chih-Hao Huang,Chiao-Wen Yeh. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Method of manufacturing integrated circuit semiconductor device

Номер патента: US4806457A. Автор: Masayuki Yanagisawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1989-02-21.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287598A1. Автор: Takayuki SHIMATOU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: US20110287617A1. Автор: Naoko Kodama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-24.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240063269A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor Device Including a Transistor Array and a Termination Region and Method of Manufacturing Such a Semiconductor Device

Номер патента: US20180026133A1. Автор: Till Schloesser,Andreas Peter Meiser. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor Device and a Method of Manufacturing of a Semiconductor Device

Номер патента: US20240079494A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220254917A1. Автор: Masaki Miyazato,Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Method of manufacturing trench type semiconductor device

Номер патента: US20220157958A1. Автор: Jau-Yan Lin. Владелец: Advanced Power Electronics Corp USA. Дата публикации: 2022-05-19.

Epoxy resin composition for optical semiconductor device, and lead frame for optical semiconductor device, encapsulation type optical semiconductor element unit and optical semiconductor device each obtainable by using the epoxy resin composition

Номер патента: US20160111611A1. Автор: Naoko Yoshida,Hidenori Onishi,Kazuhiro Fuke,Ryusuke Naito,Yuichi Fukamichi. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-04-21.

System and method of determining pulse properties of semiconductor device

Номер патента: US7495456B2. Автор: Hideki Horii,Yong-ho Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-24.

A semiconductor device and a method of manufacturing of a semiconductor device

Номер патента: EP4333074A1. Автор: Manoj Kumar,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-03-06.

Method of manufacturing capacitors for semiconductor devices

Номер патента: US7163859B2. Автор: Dong-Woo Kim,Jae-hee Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-16.

Methods of manufacturing vertical channel semiconductor devices

Номер патента: US7781287B2. Автор: Dong-gun Park,Choong-ho Lee,Jae-Man Yoon,Seong-Goo Kim,Seung-Bae Park,Won-sok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-08-24.

Method of manufacturing a tab semiconductor device

Номер патента: US5972739A. Автор: Koji Matsui,Yoshitsugu Funada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-10-26.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: US20200212182A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-02.

Systems and methods for integrated diode field-effect transistor semiconductor devices

Номер патента: EP3903351A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-11-03.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US20100322285A1. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-23.

Apparatus and method for measuring local surface temperature of semiconductor device

Номер патента: US8215830B2. Автор: Rolf-Peter Vollertsen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-07-10.

Semiconductor device and power conversion apparatus using the same

Номер патента: EP1758440A3. Автор: Katsunori c/o Hitachi Ltd Azuma,Toshiaki c/o Hitachi Ltd Morita,Hiroshi c/o Hitachi Ltd Hozoji,Kazuhiro c/o Hitachi Ltd Suzuki,Toshiya c/o Hitachi Ltd Satoh,Osamu c/o Hitachi Ltd Otsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-01-11.

Semiconductor device and motor driver circuit using the same

Номер патента: US5631487A. Автор: Masayuki Hattori. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-05-20.

Power semiconductor device and power conversion device using the same

Номер патента: EP1793423A3. Автор: Taiga Hitachi Ltd. Int.Prop.Group Arai,Mutsuhiro Hitachi Ltd. Int.Prop.Group Mori. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2008-09-03.

Semiconductor device and power supply device using the same

Номер патента: US20070090814A1. Автор: Takayuki Hashimoto,Masaki Shiraishi,Tetsuya Kawashima,Nobuyoshi Matsuura,Yukihiro Satou. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Surface mountable optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing a surface mountable optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US12068281B2. Автор: Michael Schumann,Christian Leirer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: US20100270587A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-10-28.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: EP2223341A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2010-09-01.

Reverse-conducting semiconductor device and method for manufacturing such a reverse-conducting semiconductor device

Номер патента: WO2009077583A1. Автор: Munaf Rahimo,Wolfgang Janisch,Eustachio Faggiano. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2009-06-25.

Semiconductor device and power conversion device using the same

Номер патента: US9537486B2. Автор: Masaharu Yamaji,Hideaki KATAKURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Method of reducing reliability degradation of nonvolatile memory device, nonvolatile memory device using the same and method of testing nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US11915770B2. Автор: Minseok Kim,Junyong PARK,Ilhan Park,Doohyun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-27.

Method of controlling performance boosting of semiconductor device and semiconductor device performing the method

Номер патента: US20210057420A1. Автор: Sangkyu Kim,Jungwook Kim,Jonglae Park,Hyunju KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of fabricating vertical structure compound semiconductor devices

Номер патента: US20060148115A1. Автор: Myung Yoo. Владелец: Supergate Technology USA Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Stack type semiconductor device and method of testing the stack type semiconductor device

Номер патента: US20230307420A1. Автор: Seong Hwi Song. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Methods and apparatus for depositing a metal layer on a semiconductor device

Номер патента: US20150292100A1. Автор: Wolfgang-Michael Schulz,Matthias Spang. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2015-10-15.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: US11763855B2. Автор: Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Method of preventing dielectric breakdown of semiconductor device and semiconductor device preventing dielectric breakdown

Номер патента: US20070253276A1. Автор: Tsuneo Ochi. Владелец: Kawasaki Microelectronics Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: WO2019190709A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2019-10-03.

Methods and apparatuses for aligning read data in a stacked semiconductor device

Номер патента: US20210264955A1. Автор: Seiji Narui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-08-26.

Image processing apparatus and method for inspecting defects of enclosures of semiconductor devices

Номер патента: US5568564A. Автор: Takayuki Ozaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Wavelet system and method for ameliorating misregistration and asymmetry of semiconductor devices

Номер патента: US12080610B2. Автор: Daria Negri,Lilach SALTOUN. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US11784179B2. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Structure and method of power supply routing in semiconductor device

Номер патента: US20230369310A1. Автор: Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods of forming connection bump of semiconductor device

Номер патента: US20130082090A1. Автор: Sun-Hee Park,Moon-Gi Cho,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-04.

Bending and forming method of fabricating exposed leadframes for semiconductor devices

Номер патента: SG71148A1. Автор: David R Kee,Buford H Carter Jr,Jesse E Clark. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2000-03-21.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20220255000A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Structure and method of forming a multiple leadframe semiconductor device

Номер патента: US20030209804A1. Автор: James Knapp,Stephen Germain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2003-11-13.

Methods of removing photoresist and fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20070093031A1. Автор: Min-Chieh Yang,Wen-Hsien Huang,Jiunn-Hsing Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Semiconductor element mounting member, method of producing the same, and semiconductor device

Номер патента: US20120292769A1. Автор: Eiji Kamijo,Kouichi Takashima,Yoshifumi Aoi. Владелец: ALMT Corp. Дата публикации: 2012-11-22.

Semiconductor device including crack detection structure and method of detecting progressive crack in semiconductor device

Номер патента: US20240222205A1. Автор: Sungho Park,Younggu KANG,Chulhee JEON,Inho LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Structures and methods for improving solder bump connections in semiconductor devices

Номер патента: US20100167522A1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Timothy H. Daubenspeck,Christopher D. Muzzy,Wolfgang Sauter,Timothty D. SULLIVAN. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Method of making metal electrode of semiconductor device

Номер патента: US4293637A. Автор: Kenzo Hatada,Takao Kajiwara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1981-10-06.

Method of making a thin film semiconductor device

Номер патента: US5897344A. Автор: Satoshi Teramoto,Yasuhiko Takemura,Hongyong Zhang. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1999-04-27.

Curable liquid composition, method of coating, inorganic substrate, and semiconductor device

Номер патента: EP2118175A2. Автор: Maki Itoh,Yukinari Harimoto,Elias Dimitris Katsoulis. Владелец: Dow Corning Toray Co Ltd. Дата публикации: 2009-11-18.

Systems and methods for distributing I/O in a semiconductor device

Номер патента: US7271485B1. Автор: Parag N. Madhani,Paul F. Barnes,Donald E. Hawk, Jr.,Kandaswamy Prabakaran. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-18.

System and methods for optically measuring dielectric thickness in semiconductor devices

Номер патента: US6166819A. Автор: Rainer Florian Schnabel. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2000-12-26.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: US20140097441A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-04-10.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: WO2014055277A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2014-04-10.

Devices, systems, and methods related to removing parasitic conduction in semiconductor devices

Номер патента: EP2904642A1. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Thomas Gehrke. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-08-12.

Polymers for hard masks, hard mask compositions including the same, and methods for forming a pattern of a semiconductor device using a hard mask composition

Номер патента: US20160266494A1. Автор: Songse YI,Jungsik CHOI,Myeong koo Kim,Ahreum CHOI,Boodeuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-15.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: US20230252211A1. Автор: David M. Fried,William J. Egan,Anshuman Kunwar,Kenneth Greiner. Владелец: Coventor Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A1. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-01-20.

Systems and methods for determining specification limits in a semiconductor device virtual fabrication environment

Номер патента: WO2022015897A9. Автор: David M. Fried,Kenneth B. Greiner,William J. Egan,Anshuman Kunwar. Владелец: Coventor, Inc.. Дата публикации: 2022-03-10.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US11757254B2. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-09-12.

Optoelectronic semiconductor device and method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2021144377A1. Автор: Peter Fuchs,Thomas Falck,Hubert Halbritter,Christian Lauer,Ann RUSSELL,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of fabricating nanowire and graphene-sheet hybrid structure and transparent electrode using the same

Номер патента: US20150200031A1. Автор: Doo Hyeb Youn,Jin Soo Kim,Young Jun Yu,Jin Sik Choi,Choon Gi Choi,Hong Kyw CHOI. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-07-16.

Method of manufacturing membrane-electrode assembly and membrane-electrode assembly manufactured using the same

Номер патента: US11495812B2. Автор: Yong Min Kim. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2022-11-08.

Method and apparatus for preventing damage to a temperature-sensitive semiconductor device

Номер патента: US5073838A. Автор: Stephen J. Ames. Владелец: NCR Corp. Дата публикации: 1991-12-17.

Solvent-free methods of forming solid-state electrodes having polymeric fiber networks by using fibrillation processing additives and solid-state electrodes made therefrom

Номер патента: US20240079594A1. Автор: Zhe Li,Yong Lu,Haijing Liu,Qili Su. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of connecting a contact with a solder and an electronic device using the method

Номер патента: US20050287836A1. Автор: Ted Ju. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of preparing carbon-silicon composite powder, carbon-silicon composite powder prepared using the same, and lithium secondary battery including the same

Номер патента: US20240120464A1. Автор: Huijin KIM,Hyunki Park,JungSu Park. Владелец: Grapsil Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Metal collector foil for electric double layer capacitor, method of producing the metal collector foil, and electric double layer capacitor using the metal collector foil

Номер патента: US20040130850A1. Автор: Hiroyuki Saito,Koichi Yoshida,Hiroto Kobayashi,Kenichi Murakami,Manabu Iwaida,Shigeki Oyama. Владелец: Nippon Chemi Con Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Learning method and testing method for monitoring blind spot of vehicle, and learning device and testing device using the same

Номер патента: EP3633558A1. Автор: Kye-Hyeon Kim,Hak-Kyoung Kim,Sukhoon Boo,Myungchul Sung,Donghun Yeo,Wooju Ryu,Taewoong Jang,Kyungjoong Jeong,Hongmo Je,Hojin Cho,Yongjoong Kim,Insu Kim,Woonhyun Nam. Владелец: Stradvision Inc. Дата публикации: 2020-04-08.

Method and apparatus for preparing boron nitride nanotubes by heat treating boron precursor prepared by using air-jet

Номер патента: US11618685B2. Автор: JaeWoo Kim,Hee Jin Kim,Min Kyung ZO,Duck Bong SEO. Владелец: Naieel Technology. Дата публикации: 2023-04-04.

A method of dyeing a plastic lens, a plastic lens obtained by use of the dyeing method, and a dyeing system, a dyeing device, and a dyeing jig for a plastic lens

Номер патента: EP1237035A1. Автор: Yasuhiro Inagaki,Minoru Inuzuka. Владелец: Nidek Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-04.

Device and method for decreasing oxygen consumption of a person during steady walking by use of a load-carrying exoskeleton

Номер патента: WO2010019300A1. Автор: Nathan Harding,Homayoon Kazerooni,Russdon Angold,Kurt Amundson. Владелец: University Of California At Berkeley. Дата публикации: 2010-02-18.

An edible multilayered material, a relative production method and a packaging method of food products using the material

Номер патента: EP3721721A1. Автор: Cosimo Maria Palopoli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-10-14.

Method and apparatus for manufacturing articles of manufacture from sheets having a highly inorganically filled organic polymer matrix

Номер патента: US5709913A. Автор: Per Just Andersen,Simon K. Hodson. Владелец: E Khashoggi Industries LLC. Дата публикации: 1998-01-20.

Method of forming a head plate and formation of oral care implement using the same

Номер патента: PH12014501846A1. Автор: Moskovich Robert,Rooney Michael. Владелец: Colgate Palmolive Co. Дата публикации: 2014-11-17.

Method of riveting in a blind hole and a friction clutch produced using the method

Номер патента: EP1122001A3. Автор: Ronald Dennis Carpenter. Владелец: Automotive Products PLC. Дата публикации: 2002-02-06.

Method of coating with fluorocarbon resin, sliding member and gas compressor coated using the same

Номер патента: EP1306139A2. Автор: Toru c/o Seiko Instruments Inc. Takahashi,Toshio c/o Seiko Instruments Inc. Watakabe,Akira c/o Seiko Instruments Inc. Matsuno. Владелец: Calsonic Compressor Manufacturing Inc. Дата публикации: 2003-05-02.

Synthesis method of ultra-small silver nanoparticles and silver nanoparticles obtained by using this method

Номер патента: WO2023172232A1. Автор: Gurkan Yesiloz,Iqra MUNIR. Владелец: Bilkent Universitesi Ulusal Nanoteknoloji Arastirma Merkezi. Дата публикации: 2023-09-14.

Method of roll-forming high-strength aluminum alloy and roll-formed product using the same

Номер патента: US20180171454A1. Автор: Kyu-Hwan Oh. Владелец: Kia Motors Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Ruthenium complex and method of conducting olefin metathesis reactions with formation of an internal bond using the ruthenium complex as a catalyst

Номер патента: WO2021130622A2. Автор: Krzysztof Skowerski,Michal CHWALBA,Anna GAWIN. Владелец: APEIRON SYNTHESIS S.A.. Дата публикации: 2021-07-01.

Human-Robot Collaborative Flexible Manufacturing System and Method

Номер патента: US20230086122A1. Автор: Michael J. Johnson,Nakul Gopalan,Matthew C. Gombolay,Ruisen Liu. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

High throughput epitaxial liftoff for releasing multiple semiconductor device layers from a single base substrate

Номер патента: US20130295750A1. Автор: Ning Li,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-11-07.

SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, ELECTRICAL POWER CONVERSION DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING SILICON CARBIDE SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING ELECTRICAL POWER CONVERSION DEVICE

Номер патента: DE112018001989B4. Автор: Kazunari Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Methods and systems for implementing distributed ledger manufacturing history

Номер патента: US20200233398A1. Автор: Arvind Rangarajan,Richard Paul Messmer,David Robert Safford,John Joseph FREER. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-07-23.

Thermally caulked combined structure, method of thermal caulking, and image sensor unit and image reading apparatus using the same

Номер патента: US20110297304A1. Автор: Hideo Kiyota. Владелец: Canon Components Inc. Дата публикации: 2011-12-08.

Method of rinsing and drying semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150287590A1. Автор: Hyosan Lee,Yongsun Ko,Kwangsu Kim,Seokhoon Kim,Kuntack Lee,Yong-jhin Cho,Jihoon Jeong,Jung-min Oh,ChangSup Mun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-10-08.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: US20110186820A1. Автор: Un-Cheol Sung,Jung-Yeon Kim. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-04.

Methods and tools for preventing the counterfeiting and tampering of semiconductor devices

Номер патента: US20240054502A1. Автор: Saikumar Jayaraman,William F. Herrington,Michael A. Schroeder,Erasenthiran Poonjolai,Fariaz KARIM,Sarah Shahraini,Sean BUSHELL,Hannah ROWE,Ryan PATE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Method of channel coding for digital communication system and channel coding device using the same

Номер патента: US20070171989A1. Автор: Kwy-Ro Lee,Young Hwan Kim,Mi-Hyun Son,Sang-Min Han,Seong Soo Lee,Dae Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-07-26.

Mobility supporting method of mobile terminal based on prefix binding and mobility supporting system using the method

Номер патента: US20080089301A1. Автор: Hee-Jin Jang,Jin-Hyeock Choi,Young Don Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-04-17.

Mobility supporting method of mobile terminal based on prefix binding and mobility supporting system using the method

Номер патента: WO2008044820A1. Автор: Jin Hyeock Choi,Hee Jin Jang,Young Don Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2008-04-17.

Mobility supporting method of mobile terminal based on prefix binding and mobility supporting system using the method

Номер патента: EP2078354A1. Автор: Jin Hyeock Choi,Hee Jin Jang,Young Don Chung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-07-15.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US10410332B2. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-10.

Method of analyzing lattice strain of semiconductor device

Номер патента: US20180012348A1. Автор: Gwang-Seon Byun,Myoung-Ki Ahn,Han-Saem Park,Hyun-koo KWAK,Su-Bong Shon,Ung-Keun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-11.

Ceramic composition for piezoelectric actuator and method of manufacturing the same, and piezoelectric actuator manufactured by using the same

Номер патента: US20120169183A1. Автор: Eun Tae Park,Boum Seock Kim,Seung Gyo Jeong. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Memory device, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11737287B2. Автор: Yu-Chao Lin,Jung-Piao Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Apparatus and method for generating spreading code using jacket matrix and code channel spreading device using the same

Номер патента: US20060171444A1. Автор: Moon-Ho Lee,Jia Hou. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Chonbuk National University. Дата публикации: 2006-08-03.

Power factor adjustment method and apparatus in waveguide circuit or transmission line circuit, and power generating transmission line system using the same

Номер патента: US20240004414A1. Автор: Won Don Lee,Hijung Chai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-04.

Power factor adjustment method and apparatus in waveguide circuit or transmission line circuit, and power generating transmission line system using the same

Номер патента: US11966243B2. Автор: Won Don Lee,Hijung Chai. Владелец: Phasetown LLC. Дата публикации: 2024-04-23.

Power factor adjustment method and apparatus in waveguide circuit or transmission line circuit, and power generating transmission line system using the same

Номер патента: WO2021100979A1. Автор: Won Don Lee,Hijung Chai. Владелец: LEE, Inhye. Дата публикации: 2021-05-27.

Power factor adjustment method and apparatus in waveguide circuit or transmission line circuit, and power generating transmission line system using the same

Номер патента: EP4062512A1. Автор: Won Don Lee,Hijung Chai. Владелец: Phasetown LLC. Дата публикации: 2022-09-28.

An electronic system and method for marking highlights in a multimedia file and manipulating the multimedia file using the highlights

Номер патента: WO2015162548A1. Автор: Sumana Batchu Krishnaiahsetty,Rishab OMPRAKASH MAKAM,Rajani K N. Владелец: BATCHU KRISHNAIAHSETTY Sumana. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020019129A1. Автор: Masahiro Shimizu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-14.

Method of manufacturing electroluminescent device having light emitting layer by using transfer printing process

Номер патента: US11785830B2. Автор: Yao-Tang Chang,Tzu Yu Lin. Владелец: Hongyi Optical Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Method and apparatus to control interference in multi-hop network and relay node and node pair using the method

Номер патента: US9698928B2. Автор: IBRAHIM Issa,Kyung Hun Jang,Won Jong Noh,Jong Bu Lim,Won-Jae Shin,Silas L. FONG,A. Salman AVESTIMEHR. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-04.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US11864477B2. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Data storage method and mail relay method of storage system in mail system

Номер патента: US20160087926A1. Автор: Masafumi Kinoshita. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2016-03-24.

Signal transmission method and signal reception method of heterogeneous systems sharing frequency band

Номер патента: US20240333574A1. Автор: Chung Sup Kim,Hyuk Je KIM,Kwonhue CHOI,Sung Woong Choi,Kwanwoong RYU,Hyung-seop Son. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of sharing and receiving information based on sound signal and apparatus using the same

Номер патента: US09979492B2. Автор: Ho Jin,Jong-baek KIM,Sung-Ho Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of generating adaptive codebook and multiple input multiple output communication system using the adaptive codebook

Номер патента: US20120140834A1. Автор: BRUNO Clerckx,Ki Il Kim,Jun Il Choi,Taejoon KIM,David J. Love. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-06-07.

Method of wirelessly connecting at least two devices and wirelessly connectable device using the method

Номер патента: US20170027005A1. Автор: Pan-jun SUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-26.

Method and device for restoring blockchain network with its credibility on backup data maintained by using delayed synchronization

Номер патента: US11436198B2. Автор: Gye Han Song,I Goo Lee. Владелец: Metabora Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Method and Device for Restoring Blockchain Network with its Credibility on Backup Data Maintained by Using Delayed Synchronization

Номер патента: US20200334212A1. Автор: Dong Jin Seo,Gye Han Song,I Goo Lee. Владелец: Way2bit Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

System and methods of diagnosing and repairing a smart mobile device by disabling components

Номер патента: US20180181461A1. Автор: Amit Gross. Владелец: CELLEBRITE MOBILE SYNCHRONIZATION Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

System and methods of diagnosing and repairing a smart mobile device by disabling components

Номер патента: US10684912B2. Автор: Amit Gross. Владелец: ESW Holdings Inc. Дата публикации: 2020-06-16.

Method of manufacture for a silicon-on-plastic semiconductor device with interfacial adhesion layer

Номер патента: US09812350B2. Автор: Julio C. Costa. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20010049191A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-12-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20030124811A1. Автор: Hiroaki Uchida. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

A method of controlling initial power ramp-up in cdma systems by using short codes

Номер патента: CA2578405C. Автор: Fatih M. Ozluturk,Gary R. Lomp. Владелец: InterDigital Technology Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

A method of controlling initial power ramp-up in cdma systems by using short codes.

Номер патента: CA2413937A1. Автор: Fatih M. Ozluturk,Gary R. Lomp,John W. Haim. Владелец: John W. Haim. Дата публикации: 1997-12-31.

Semiconductor Device and Ultrasonic Diagnostic Apparatus Using the Same

Номер патента: US20120108963A1. Автор: Kenji Hara,Junichi Sakano. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-05-03.

Semiconductor device and ultrasonic diagnostic apparatus using the same

Номер патента: US9190992B2. Автор: Kenji Hara,Junichi Sakano. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Method and system for wireless communication between transmitter devices and a receiver device by means of a repeater device with simultaneous repetition

Номер патента: US11936461B2. Автор: Arnaud Mansuy,Loic Hubert,Nicolas Chalbos. Владелец: Sigfox SA. Дата публикации: 2024-03-19.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200294815A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190237343A1. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2019-08-01.

Semiconductor device with tiered pillar and manufacturing method thereof

Номер патента: US10748786B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,Michael G. Kelly,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-18.

Method of manufacturing a semiconductor device having a multi-layered wiring structure

Номер патента: US7189637B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-13.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20190097581A1. Автор: Kyu Dong HWANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Method and device for directing lighting effect that induces dynamic effect of direction object by using masking layer

Номер патента: US20230201738A1. Автор: Jung Min Choi,Hyun Gil Kim,Kyung Il Choi. Владелец: Fanlight Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-29.

Method of transmitting and receiving data channel for new radio and apparatus using the same

Номер патента: US20230379082A1. Автор: Woo-Jin Choi,Kyujin Park. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Methods and systems for data collection, learning, and streaming of machine signals for analytics and maintenance using the industrial internet of things

Номер патента: US20200159206A1. Автор: Mehul Desai,Charles Howard CELLA,Gerald William Duffy, Jr.,Jeffrey P. MCGUCKIN. Владелец: Strong Force IoT Portfolio 2016 LLC. Дата публикации: 2020-05-21.

Method of managing programs in image forming apparatus and image forming apparatus using the same

Номер патента: US9578197B2. Автор: Do-soon LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Organic semiconductor structure, manufacturing method of the same, and organic semiconductor device

Номер патента: US20060113526A1. Автор: Hiroki Maeda,Junichi Hanna,Hiroaki Iino. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2006-06-01.

Apparatus and method for switching RF signal in hybrid switching scheme and broadcast receiving apparatus using the same

Номер патента: EP2031870A3. Автор: Young-ho 506-806 Sindong-a Daewon Apt. Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20190334505A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Method and apparatus for discovering internet protocol television service (IPTV) provider and IPTV service by using session initiation protocol

Номер патента: US9264781B2. Автор: Eun-Hee Rhim,In-Chul Hwang,Mun-Jo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-02-16.

System and methods of diagnosing and repairing a smart mobile device by disabling components

Номер патента: IL249816B. Автор: GROSS Amit. Владелец: ESW Holdings Inc. Дата публикации: 2019-03-31.

Memory cell, method of forming the same, and semiconductor device having the same

Номер патента: US20240090354A1. Автор: Tung-Ying Lee,Yu-Chao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of measuring trench depth of semiconductor device

Номер патента: US6500683B1. Автор: Masakazu Nakabayashi,Tadayuki Yoshiyama. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-31.

Method and apparatus to control interference in multi-hop network and relay node and node pair using the method

Номер патента: US20140355513A1. Автор: IBRAHIM Issa,Kyung Hun Jang,Won Jong Noh,Jong Bu Lim,Won-Jae Shin,Silas L. FONG,A. Salman AVESTIMEHR. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-04.

Method and apparatus to control interference in multi-hop network and relay node and node pair using the method

Номер патента: US20160323042A9. Автор: IBRAHIM Issa,Kyung Hun Jang,Won Jong Noh,Jong Bu Lim,Won-Jae Shin,Silas L. FONG,A. Salman AVESTIMEHR. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-03.

Method and device for determining an item of reliability information concerning a received bit by using cartesian metrics

Номер патента: IL190492A0. Автор: . Владелец: Rohde & Schwarz. Дата публикации: 2008-11-03.

Method and device for determining an item of reliability information concerning a received bit by using cartesian metrics

Номер патента: IL190492A. Автор: . Владелец: Rohde & Schwarz. Дата публикации: 2012-01-31.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20170047243A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunjun Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-16.

Through silicon buried power rail implemented backside power distribution network semiconductor architecture and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125788B2. Автор: KANG Ill Seo,Byounghak Hong,Hoonseok Seo,Saehan Park,Gil Hwan Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of fabrication of an amorphous semiconductor device on a substrate

Номер патента: US4167806A. Автор: Pierre Kumurdjian. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 1979-09-18.

Methods of correcting data errors and semiconductor devices used therein

Номер патента: US20170371746A1. Автор: Chang Hyun Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-28.

Apparatuses and methods for identifying memory devices of a semiconductor device sharing an external resistance

Номер патента: US20240030922A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-01-25.

Boot rom update method and boot-up method of embedded system

Номер патента: EP3663910A1. Автор: Hyun Sook Hong,Ji Soo Kim,Seung Jae Lee,Seok Gi Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080142901A1. Автор: Yutaka Takeshima,Yasuko Yoshida,Shuji Matsuo,Kota Funayama,Katsuhiro Uchimura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-19.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: WO2020106823A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2020-05-28.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US20220149828A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-05-12.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: US11955977B2. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-09.

Apparatuses and methods for duty cycle adjustment of a semiconductor device

Номер патента: EP3884489A1. Автор: Dean D. Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-09-29.

Decoding method and error correction method of a cyclic code decoder

Номер патента: US8250445B2. Автор: Tsung-Ching Lin,Hsin-Chiu Chang,Trieu-Kien Truong,Hung-Peng Lee. Владелец: I Shou University. Дата публикации: 2012-08-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6787430B2. Автор: Jun Kanamori. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-07.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11424325B2. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-23.

System and method for determining a position of a mobile wireless device by accessing access points alamanacs database

Номер патента: US8548495B2. Автор: Deric W. Waters,Sthanunathan RAMAKRISHNAN. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-10-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US11916527B2. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-02-27.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: EP3552203A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-16.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20180167055A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20210099160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: WO2018107076A1. Автор: Dean Gans. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-06-14.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20230137651A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-04.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240154605A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-05-09.

Apparatuses and methods for calibrating adjustable impedances of a semiconductor device

Номер патента: US20240223160A1. Автор: Dean Gans. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12027617B2. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Manufacturing method for filling a trench or contact hole in a semiconductor device

Номер патента: US5824562A. Автор: Tai-su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-10-20.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10978308B2. Автор: Masaaki Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-13.

Method of manufacturing multilayer structured semiconductor device

Номер патента: US20040067636A1. Автор: Motoki Kobayashi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-04-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5889335A. Автор: Takashi Kuroi,Hirokazu Sayama,Maiko Sakai,Katsuyuki Horita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Semiconductor device having polysilicon bit line contact

Номер патента: US7884441B2. Автор: Nam Yoon Kim. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2011-02-08.

Method of forming patterns for semiconductor device

Номер патента: US20140191405A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Sang-Yong Park,Kyung-Lyul Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor device with fully self-aligned local interconnects, and method for fabricating the device

Номер патента: US20020098672A1. Автор: Theodore Houston. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-25.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US20230395425A1. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of forming junction of semiconductor device

Номер патента: US20090111233A1. Автор: Dong Ho Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20010000914A1. Автор: Young Park,Jong Lee,Hyeok Lee. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-10.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20170025519A1. Автор: Yikun Chen,Duan Quan Liao,Ching Hwa Tey. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Device isolation method of semiconductor memory device and flash memory device fabricating method using the same

Номер патента: US20050142796A1. Автор: Sung Jung,Jum Kim. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-06-30.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20200105765A1. Автор: Yoosang Hwang,Keunnam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-02.

Contact via structures of semiconductor devices

Номер патента: US11776844B2. Автор: Yung Fu Chong,Rui Tze TOH,Fangyue Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20230032528A1. Автор: Chien-Hao Huang,Katherine H. Chiang,Ming-Yen Chuang,Yun-Feng KAO,Gao-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Detection of seed layers on a semiconductor device

Номер патента: US20070087530A1. Автор: Jae Kim,Ji Young Yim. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-19.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US11314919B2. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20230223306A1. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-13.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20200075398A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-05.

Gap-fill layers, methods of forming the same, and semiconductor devices manufactured by the methods of forming the same

Номер патента: US20220139766A1. Автор: Gihwan KIM,Hyo-Jung Kim,Geunwon LIM,Miso SHIN,Chungki MIN,Sanghyeok KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12100624B2. Автор: Wei-Lun Huang,Chia-Ling Wang,Ping-Hung Chiang,Ta-wei Chiu,Chia-Wen Lu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240265188A1. Автор: Bonghyun LEE,Yongdeok Kim,Munjun Seo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09905464B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for forming insulating film, method for forming multilayer structure and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20060178017A1. Автор: Yoshihiro Nakata,Tamotsu Owada,Hirofumi Watatani,Shun-ichi Fukuyama,Shirou Ozaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-08-10.

Semiconductor device for low-power applications and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US7985673B2. Автор: Viet Nguyen Hoang,Phillip Christie,Julien M. M. Michelon. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-07-26.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20100323520A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-23.

Methods of forming and operating semiconductor device

Номер патента: US20110194356A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor device and methods of forming and operating the same

Номер патента: US20100001339A1. Автор: Yoon Kim,Byung-gook Park,Wook-Hyun Kwon,Yun-Heub Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-01-07.

Method of Forming Patterns of Semiconductor Device

Номер патента: US20120086134A1. Автор: Tae Kyung Kim. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-04-12.

Semiconductor device interconnection pattern with rim

Номер патента: CA1203643A. Автор: Johannes A. Appels,Henricus G.R. Maas. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1986-04-22.

Semiconductor device having aluminum contacts or vias and method of manufacture therefor

Номер патента: US5913146A. Автор: Sailesh M. Merchant,Binh Nguyenphu. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 1999-06-15.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US7303986B2. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-04.

Reduced Size Semiconductor Device And Method For Manufacture Thereof

Номер патента: US20160005468A1. Автор: Ya Jui Lee,Kaun Fu Chen. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20070066050A1. Автор: Kazuhiko Sato,Katsuhiko Hotta,Naokatsu Suwanai,Masashi Sahara,Atsushi Tachigami,Ken Uchikoshi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Method for via formation in a semiconductor device

Номер патента: US20120302062A1. Автор: Yi Nan Chen,Hsien Wen Liu,Chih Ching Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2012-11-29.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US20170194193A1. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for fabricating semiconductor device including fin shaped structure

Номер патента: US9881831B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chung-Yi Chiu,Shih-Fang Hong. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device having capped air caps between buried bit lines and buried gate

Номер патента: US10854676B2. Автор: Li-Wei Feng,Ying-Chiao Wang,Chien-Ting Ho,Tsung-Ying Tsai,Tzu-Tsen Liu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-01.

Method of manufacturing high voltage semiconductor device and the high voltage semiconductor device using the same

Номер патента: KR100836766B1. Автор: 강미현. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2008-06-10.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US4425700A. Автор: Nobuo Sasaki,Motoo Nakano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1984-01-17.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: EP1768194B1. Автор: Kunio Takeuchi,Yasumitsu Kunoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-07-27.

Semiconductor devices having isolation insulating layers and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190148216A1. Автор: Sungmin Kim,Heonjong Shin,Byungseo Kim,Sunhom Steve Paak,Hyunju BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: USRE41696E1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6642124B1. Автор: Michiko Yamauchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-04.

Method of manufacturing a semiconductor device using a halo implantation

Номер патента: EP1234335B1. Автор: Zoran Krivokapic,Brian Swanson,Ahmad Ghaemmaghami. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2006-11-15.

GaN Single-Crystal Mass and Method of Its Manufacture, and Semiconductor Device and Method of Its Manufacture

Номер патента: US20100314625A1. Автор: Takashi Sakurada,Hideaki Nakahata,Yoshiyuki Yamamoto,Shinsuke Fujiwara,Seiji Nakahata,Tomoki Uemura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2010-12-16.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2660296C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-07-05.

Nand flash memory array with cut-off gate line and methods for operating and fabricating the same

Номер патента: US20110256680A1. Автор: Byung-gook Park,Seongjae Cho. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY INDUSTRY FOUNDATION. Дата публикации: 2011-10-20.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20030062575A1. Автор: Masakatsu Tsuchiaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US20210091231A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2021-03-25.

Silicon carbide semiconductor substrate, method of manufacturing silicon carbide semiconductor substrate, silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240204051A1. Автор: Takeshi Tawara,Shinsuke Harada,Kensuke Takenaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Field effect transistor and method of manufacturing the same as well as liquid crystal display using the same and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030025161A1. Автор: Kenji Sera. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-02-06.

Field effect transistor and method of manufacturing the same as well as liquid crystal display using the same as well as method of manufacturing the same

Номер патента: EP1282173A3. Автор: Kenji Sera. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2005-01-12.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20130143373A1. Автор: Ki Yeol Park,Young Hwan Park,Woo Chul Jeon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-06.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20170372894A1. Автор: Naofumi Ohashi,Tsuyoshi Takeda,Yukinori Aburatani,Shin Hiyama. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC. Дата публикации: 2017-12-28.

Method and apparatus for plating a semiconductor package

Номер патента: US20080299756A1. Автор: Somchai Nondhasitthichai,Chalermsak Sumithpibul,Apichart Phaowongsa. Владелец: UTAC Thai Ltd. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2680989C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-03-01.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-07.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: EP4099367A3. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-12-28.

Silicon carbide epitaxial substrate, method of manufacturing silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240332364A1. Автор: Taro Nishiguchi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device packaging warpage control

Номер патента: US12125716B2. Автор: Vivek Gupta,Michael B. Vincent,Scott M. Hayes,Zhiwei Gong,Richard Te GAN. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20130001549A1. Автор: Amane Oishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

SiC SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130237043A1. Автор: Yoichiro Tarui,Noriaki Tsuchiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190237547A1. Автор: Koichi Murata,Takeshi Tawara,Hidekazu Tsuchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20210074849A1. Автор: Akimasa Kinoshita. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220393002A1. Автор: Takafumi Uchida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-08.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180308937A1. Автор: Akira Saito,Takayuki Hirose,Yutaka Terao,Hideaki Teranishi,Aki Takigawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-25.

Joining electrode, method of manufacturing the same, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8884439B2. Автор: Kenichi Aoyagi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-11-11.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US09893162B2. Автор: Takumi Fujimoto,Yoshiyuki Sakai,Naoyuki Ohse. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of manufacturing semiconductor device, method of manufacturing electronic device, semiconductor device and electronic device

Номер патента: TW201939610A. Автор: 小泉翔平. Владелец: 日商尼康股份有限公司. Дата публикации: 2019-10-01.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230031422A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-02-02.

Methods and apparatus for minimizing substrate backside damage

Номер патента: US11756819B2. Автор: Yoichi Suzuki,Prashant Kumar KULSHRESHTHA,Abdul Aziz KHAJA,Sarah Michelle Bobek,Liangfa Hu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Lead frame, method of manufacturing the same, semiconductor device using lead frame and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: KR101007595B1. Автор: 타케시 코바야시,히사오 스고우. Владелец: 파나소닉 주식회사. Дата публикации: 2011-01-12.

Method of manufacturing silicon carbide substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20130017683A1. Автор: Shin Harada,Kyoko Okita,Tsubasa HONKE. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2013-01-17.

Substrate for semiconductor device, method of manufacturing substrate for semiconductor device, substrate for electro-optical device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TW200607077A. Автор: Minoru Moriwaki. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-02-16.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240274434A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9130039B2. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-08.

Semiconductor device and manufactruing method of the same

Номер патента: US20140042529A1. Автор: Toshiaki Iwamatsu,Yoshiki Yamamoto,Hideki Makiyama,Takaaki Tsunomura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20170200805A1. Автор: Manabu Takei. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20150371856A1. Автор: Hiroyuki Kitabayashi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-12-24.

Electric connection terminal and method of manufacturing the same, semiconductor device and method of mounting the same

Номер патента: US20050104213A1. Автор: Akiyoshi Aoyagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-19.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20190221647A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20180323262A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20200287000A1. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10998406B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Silicon carbide single crystal substrate, silicon carbide epitaxial substrate, and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US10700169B2. Автор: Tsutomu Hori. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-06-30.

METHOD OF FORMING OXIDE FILM INCLUDING TWO NON-OXYGEN ELEMENTS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210028010A1. Автор: KIM Younsoo,KIM Haeryong,RYU Seungmin,MOON Sunmin,SONG Jeonggyu,WOO Changsu,JUNG Kyooho,CHO Younjoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-01-28.

METHOD OF FORMING OXIDE FILM INCLUDING TWO NON-OXYGEN ELEMENTS, METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FORMING DIELECTRIC FILM, AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210343524A1. Автор: KIM Younsoo,KIM Haeryong,RYU Seungmin,MOON Sunmin,SONG Jeonggyu,WOO Changsu,JUNG Kyooho,CHO Younjoung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2021-11-04.

Electrostatic chuck system and method of manufacturing organic light-emitting display apparatus by using the electrostatic chuck system

Номер патента: US20160285052A1. Автор: Duckjung Lee,Jungsun PARK,Kiyoung Yun. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Connector Formation Methods and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20220359436A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Connector Formation Methods and Packaged Semiconductor Devices

Номер патента: US20170352632A1. Автор: Chien-Hsun Lee,Tsung-Ding Wang,Jung Wei Cheng,Hao-Cheng Hou,Hai-Ming Chen,Hung-Jen Lin,Chun-Chih Chuang,Ming-Che Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Method of manufacturing substrates for semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4125121B1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-28.

Method and system for creating self-aligned twin wells with co-planar surfaces in a semiconductor device

Номер патента: US20080166862A1. Автор: Gayle W. Miller,Bryan D. Sendelweck. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-07-10.

Non-volatile memory and devices that use the same

Номер патента: US09837397B2. Автор: Junji Tanaka,Masanori Onodera,Kouichi Meguro. Владелец: VALLEY DEVICE MANAGEMENT. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US10373876B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-08-06.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US20180233416A1. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-16.

Vertical semiconductor device in narrow slots within trench

Номер патента: US20230178599A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Layout of semiconductor device, semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US10553577B2. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Method for preventing dishing during the manufacture of semiconductor devices

Номер патента: US09978647B2. Автор: Kuan-Liang Liu,Shih-Yin Hsiao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

DEPOSITION SUBSTRATE TRANSFERRING UNIT, ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20140346467A1. Автор: Yun Ki-Young,LIM JONG-HEE. Владелец: Samsung Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2014-11-27.

Deposition substrate transferring unit, organic layer deposition apparatus including the same, and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: CN104183529A. Автор: 尹基泳,林钟熙. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-03.

Deposition substrate transferring unit, organic layer deposition apparatus including the same, and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US9570716B2. Автор: Ki-Young Yun,Jong-Hee Lim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Leadframe, method of manufacturing the same, semiconductor device using the same, and method of manufacturing the device

Номер патента: TW577157B. Автор: Akinobu Abe. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2004-02-21.

Monolithic array of semiconductor devices, template wafer, method of manufacturing a template wafer, and method of manufacturing an array of semiconductor devices

Номер патента: WO2024062256A1. Автор: Tongtong ZHU. Владелец: Poro Technologies Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Manufacturing method of vertical GaN-based semiconductor device and vertical GaN-based semiconductor device

Номер патента: US10903352B2. Автор: Katsunori Ueno,Masaharu Edo,Shinya Takashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-26.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20210391327A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw,Chun-Sheng Liang,Hsin-Che Chiang,Kuo-Hua Pan,Yu-San Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Method of manufacturing multi-die semiconductor devices

Номер патента: EP4016614B1. Автор: Paolo Crema. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-03-13.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US9093547B2. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-28.

Vertical type semiconductor devices including a metal gate and methods of forming the same

Номер патента: US20140203346A1. Автор: Chang-Hyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-07-24.

Method of manufacturing a lateral semiconductor device

Номер патента: EP1914797B1. Автор: Puo-Yu Chiang,Shun-Liang Hsu,Tsung-Yi Huang,Ruey-Hsien Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-08-12.

Method of manufacturing base for semiconductor device

Номер патента: JPS5270764A. Автор: Tokuo Satou. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-06-13.

Semiconductor device including separation pattern penetrating gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12132046B2. Автор: Mirco Cantoro,Dong Il Bae,Ho-jun Kim,Beomjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: JP2011219866A. Автор: Yong-Sup Choi,鎔 燮 崔,Myeng-Woo Nam,命 佑 南,Jong-Won Hong,鍾 元 洪,Seok-Rak Chang,錫 洛 張,Eun-Sun Choi,銀 善 催. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-04.

Method of forming gete electrode in semiconductor device and method of forming cell gete electrode in non-volatile memory device by using the same

Номер патента: KR100425666B1. Автор: 김봉현,강만석,이재덕,안재영. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2004-04-03.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313097A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Plasma processing device, plasma processing method and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US09978593B2. Автор: Tomohiro Okumura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor inspecting apparatus and method of inspecting and manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20150270182A1. Автор: Jaehong Kim,Seung Hyeon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20200274332A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2020-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: WO2019020871A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Polishing composition, production method of the same, polishing method and a manufacturing method of a semiconductor substrate

Номер патента: US12077680B2. Автор: Akiko Soumiya. Владелец: Fujimi Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and formation thereof

Номер патента: US09991169B2. Автор: Mark Van Dal,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

WIRING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR DEVICE, MULTILAYER WIRING STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, SEMICONDUCTOR ELEMENT MOUNTING SUBSTRATE, METHOD OF FORMING PATTERN STRUCTURE, IMPRINT MOLD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, IMPRINT MOLD SET, AND METHOD OF MANUFACTURING MULTILAYER WIRING BOARD

Номер патента: US20180310413A1. Автор: Furukawa Tadashi,FURUSE Ayako,SOTODA Teppei,KASAI Ryohei,FURUGEN Ryo,HOSODA Tetsushi. Владелец: Dai Nippon Printing Co., Ltd.. Дата публикации: 2018-10-25.

Optical semiconductor device and method of manufacturing optical semiconductor device

Номер патента: US8798110B2. Автор: Tatsuya Takeuchi,Taro Hasegawa. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2014-08-05.

Multiple well device and process of manufacture

Номер патента: US5698458A. Автор: Chen-Chiu Hsue,Ming-Tzong Yang,Sun-Chieh Chien,Chung-Yuan Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Trench MOSFET with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US10832915B2. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-10.

Method of manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US20170092493A1. Автор: Tohru Oka,Takahiro Fujii,Masayoshi Kosaki,Takaki Niwa. Владелец: Toyoda Gosei Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: WO2019020869A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jouko LÅNG,Johnny Dahl. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2019-01-31.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170012111A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-12.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20190115218A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2019-04-18.

Method of fabricating high voltage semiconductor device

Номер патента: US6180471B1. Автор: Gary Hong,Peter Chang,Joe Ko. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100327356A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2010-12-30.

Semiconductor device and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US20100201429A1. Автор: Takayuki Kawahara,Masanao Yamaoka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210143182A1. Автор: Dong Min Kang,Hyung Sup Yoon,Sung-Bum BAE,Kyu Jun CHO,Sung-Jae Chang. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-13.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US09972539B2. Автор: Chih-Chung Wang,Wen-Fang Lee,Shin-Hung Li,Nien-Chung Li,Kuan-Chuan Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

METHOD OF FORMING FINE PATTERNS OF SEMICONDUCTOR DEVICE BY USING DOUBLE PATTERNING PROCESS WHICH USES ACID DIFFUSION

Номер патента: US20140004705A1. Автор: Kang Yool,Lee Suk-Joo,Yi Shi-Yong,Lee Jung-hyeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2014-01-02.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2674413C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2018-12-07.

Method for manufacturing substrate for semiconductor device production, method for manufacturing semiconductor device, and method for cleaning apparatus for manufacturing semiconductor device

Номер патента: AU2003284448A1. Автор: Hikaru Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-06-18.

Method of forming fine patterns of semiconductor device by using double patterning process which uses acid diffusion

Номер патента: US8431331B2. Автор: Suk-joo Lee,Jung-Hyeon Lee,Yool Kang,Shi-Yong Yi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-04-30.

The manufacture method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: CN106796956A. Автор: 大西泰彦,原田信介,酒井善行,熊谷直树,堤岳志,藤本卓巳,福田宪司,岡本光央. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-31.

Organic light-emitting display apparatus, organic layer deposition apparatus, and method of manufacturing the organic light-emitting display apparatus by using the organic layer deposition apparatus

Номер патента: US10424735B2. Автор: Muhyun Kim,Dongkyu LEE,Suhwan Lee,Eunho Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-24.

Method of manufacturing silicon carbide semiconductor device by forming metal-free protection film

Номер патента: US9653297B2. Автор: Tomoaki Ishida,Taku Horii. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device, substrate for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JPWO2006009029A1. Автор: 永 知加雄 池,永 知加雄 池,謙太朗 関,川 和 人 細,川 和 人 細,結 卓 司 桶,結 卓 司 桶,川 桂 介 吉,川 桂 介 吉,村 和 弘 池,村 和 弘 池. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2008-05-01.

The manufacture method of manufacturing silicon carbide semiconductor device and the manufacturing silicon carbide semiconductor device manufactured by this method

Номер патента: CN104335328B. Автор: 木下明将,福田宪司,辻崇. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method of manufacturing capacitor of semiconductor device by two-step thermal treatment

Номер патента: KR20060084988A. Автор: 송민우,원석준,정용국,권대진,김원홍. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2006-07-26.

Semiconductor device, substrate for manufacturing semiconductor device, and method for manufacturing substrate for manufacturing semiconductor device

Номер патента: JP4818109B2. Автор: 永 知加雄 池,謙太朗 関,川 和 人 細,結 卓 司 桶,川 桂 介 吉,村 和 弘 池. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2011-11-16.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20180012815A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor device package and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20170278763A1. Автор: Li Li,Lakshminarayan Viswanathan,Jaynal A. Molla. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-09-28.

Heterojunction semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US20160020296A1. Автор: Andreas Bernardus Maria Jansman,Markus Mueller,Tim BOETTCHER,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Jan Sonsky,Stephan Heil,Godefridus Adrianus Maria Hurkx,Jeroen Antoon CROON,Stephen John SQUE. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-01-21.

Silicon carbide semiconductor device, power converter, method of manufacturing silicon carbide semiconductor device, and method of manufacturing power converter

Номер патента: US20200194554A1. Автор: Yutaka Fukui,Kohei Adachi,Katsutoshi Sugawara,Rina Tanaka,Hideyuki HATTA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Vertical semiconductor devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200312878A1. Автор: Yong-Seok Kim,Tae-Young Kim,Sung-Il Chang,Su-Jin Ahn,Jae-Sung SIM,Jun-Hee Lim,Ji-Yeong HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110233563A1. Автор: Yasuyuki Sakaguchi,Akihiko Sugai. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2011-09-29.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor manufacturing apparatus, and method for controlling transfer in production line

Номер патента: US20030204280A1. Автор: Yoshiaki Kobayashi. Владелец: Trecenti Technologies Inc. Дата публикации: 2003-10-30.

A leadframe and a method of manufacturing a semiconductor device device by use of it

Номер патента: GB9805912D0. Автор: . Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1998-05-13.

Method of making silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US7947555B2. Автор: Eiichi Okuno,Atsuya Akiba. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Compound semiconductor device and method of manufacturing compound semiconductor device

Номер патента: US20230036228A1. Автор: Yoshikazu Motoyama,Akito Iwao. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-02-02.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20170179277A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Thin semiconductor device and method of manufacturing thin semiconductor device

Номер патента: US20240355719A1. Автор: Shun-Hsing Liao. Владелец: Shunsin Technology Zhongshan Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Superjunction semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20230223436A1. Автор: Myeong Bum PYUN,Min Gi JO,Jin Young Goh. Владелец: DB HiTek Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-13.

Method of manufacturing organic semiconductor device

Номер патента: US20200176697A1. Автор: Lixuan Chen. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Method of manufacturing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US12113155B2. Автор: Takashi Araki,Tsukasa Maruyama,Takehiro Miyaji. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor

Номер патента: US5183773A. Автор: Kazuaki Miyata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1993-02-02.

Stackable semiconductor device with 2d material layer and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230231058A1. Автор: Mark I. Gardner,H. Jim Fulford. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20230055755A1. Автор: Yasuyuki Kawada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

THIN FILM DEPOSITION APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE APPARATUS, AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE MANUFACTURED BY USING THE METHOD

Номер патента: US20150171148A1. Автор: CHOI Beohm-Rock,Song Jung-Bae,Lee Sang-Pil,Song Young-Rok. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-18.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: US9136310B2. Автор: Sang-Pil Lee,Beohm-Rock Choi,Jung-Bae Song,Young-Rok SONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-15.

Power semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US8450183B2. Автор: Atsushi Narazaki,Kaoru Motonami,Ryoichi Fujii,Shigeto Honda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US6225146B1. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2001-05-01.

Silicon carbide epitaxial substrate and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20240363696A1. Автор: Tsubasa HONKE,Takaya MIYASE,Taro Enokizono,Hiroki Nishihara. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

High hole mobility transistor (HHMT) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12136669B2. Автор: Zilan Li. Владелец: Guangdong Zhineng Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Method of Manufacturing Semiconductor Device, Substrate Processing Method and Apparatus, Non-Transitory Computer Readable Recording Medium, and Semiconductor Device

Номер патента: US20140084389A1. Автор: Ogawa Arito. Владелец: HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of manufacturing thin film semiconductor device, thin film semiconductor device, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: TWI294688B. Автор: Tsukasa Eguchi,Hiroshi Sera. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-11.

Method of forming fine holes in semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: JPH0618185B2. Автор: 徹志 酒井,邦彦 渡辺,俊彦 高倉,重雄 黒田,幹規 河路,裕幸 西沢. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 1994-03-09.

Method of manufacturing semiconductor apparatus, the semiconductor apparatus, and ignitor using the semiconductor apparatus

Номер патента: EP2477223A3. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-03-06.

Method of manufacturing semiconductor apparatus, the semiconductor apparatus, and ignitor using the semiconductor apparatus

Номер патента: EP2477223A2. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163653A1. Автор: Coenraad Cornelis Tak,Jeroen Antoon CROON. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20190123139A1. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device and method of operation

Номер патента: US20200066840A9. Автор: Adam Richard Brown,Steven Waterhouse,Saurabh Pandey,Phil Rutter,Jim Brett PARKIN. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2020-02-27.

Testing of semiconductor devices and devices, and designs thereof

Номер патента: US09945899B2. Автор: Stefano Aresu,Michael Roehner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing super-junction semiconductor device

Номер патента: TW201145361A. Автор: Hitoshi Kuribayashi,Ayako YAJIMA,Akihiko Ohi,Masanobu IWAYA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-16.

Method and apparatus for characterizing a semiconductor device

Номер патента: EP1208591A1. Автор: Gary Gene Putnam,Jennifer Meng-Tsu Cheng,Chin-Yang Sun. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2002-05-29.

Semiconductor Device and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240194731A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and method of producing thereof

Номер патента: US20240113216A1. Автор: Carsten Schaeffer,Yuliya Lisunova,Andreas Frank Behrendt,Simon Paul Sindermann,Adriana Mercedes Sanchez Lotero,Silke Liebscher. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of manufacturing point contact semiconductor devices

Номер патента: US3127659A. Автор: John V Jenkinson. Владелец: Microwave Associates Inc. Дата публикации: 1964-04-07.

Transistors and methods of forming transistors using vertical nanowires

Номер патента: US20180233583A1. Автор: Alexander Reznicek,Dominic J. Schepis. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-08-16.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE, APPARATUS FOR DEPOSITING ORGANIC LAYER, AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20170117475A1. Автор: KIM Minsoo,Prushinskiy Valeriy,Kim Muhyun,Kim Mugyeom,LEE Dongkyu,Lee Byungkook,Ha Jaesoo. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

THIN FILM DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20150155489A1. Автор: Lee Choong-Ho,LEE Jung-Min,Oh Jun-Sik. Владелец: . Дата публикации: 2015-06-04.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the organic layer deposition apparatus

Номер патента: US20140370633A1. Автор: Jong-Won Hong,Yun-Ho Chang,Sang-Su Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-18.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the organic layer deposition apparatus

Номер патента: US8962360B2. Автор: Jong-Won Hong,Yun-Ho Chang,Sang-Su Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US20160005830A1. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2016-01-07.

Method to produce a 3d multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US20240274534A1. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Method to produce a 3D multilayer semiconductor device and structure

Номер патента: US12100658B2. Автор: Zvi Or-Bach,Jin-Woo Han. Владелец: Monolithic 3D Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4432340A1. Автор: Taehyun Kim,Junggil YANG,Taewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-18.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US12132106B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US09978932B2. Автор: KEN Tokashiki,Vladimir Urazaev,Jongchul Park,Sangmin Lee,Gwang-Hyun Baek,Sechung Oh,Jaehun SEO,Hyungjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method of formation

Номер патента: US09917169B2. Автор: Ming-Han Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09837540B2. Автор: Chien-Hao Chen,En-Chiuan Liou,Tang-Chun Weng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

SEMICONDUCTOR TEST EQUIPMENT AND METHOD OF TESTING AND MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20130323864A1. Автор: Kim Jin-su,Mo Jae-Bum,Kim Byoung-Joo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-05.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and power conversion device using the same

Номер патента: JP2017139393A. Автор: Tomoyasu Furukawa,智康 古川,Tomoyuki Miyoshi,智之 三好,悠次郎 竹内,Yujiro Takeuchi. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2017-08-10.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190296190A1. Автор: Yoshinori Miyamoto,Keisuke HIGASHITANI,Tokutaro Okabe,Yuya KAGOSHIMA,Chiaki OZAKI. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor structure, preparation method of same, and semiconductor device

Номер патента: US20220238639A1. Автор: Xianlei CAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: EP4386844A2. Автор: Jeongho Lee,Junsun HWANG,Sewoong PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US4937645A. Автор: Osamu Tsuchiya,Fumio Ootsuka. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1990-06-26.

Semiconductor device having a non-volatile memory and method of manufacturing such a semiconductor device

Номер патента: US5895950A. Автор: Andrew J. Walker,Roger Cuppens,Alwin N. Kronert. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor device including a field effect transistor and a bipolar transistor and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5471083A. Автор: Tatsuhiko Ikeda,Kazuhito Niwano. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1995-11-28.

Ferroelectric semiconductor device and method of manufacture

Номер патента: US5874755A. Автор: Daniel S. Marshall,William J. Ooms,Jerald A. Hallmark. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1999-02-23.

Trench mosfet with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US20190123194A1. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Renesas Electronics America Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Trench MOSFET with depleted gate shield and method of manufacture

Номер патента: US10825926B2. Автор: Patrick M. Shea. Владелец: Great Wall Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-11-03.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: US20200279955A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND A METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE PICKUP DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20140239360A1. Автор: Nakamura Ryosuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2014-08-28.

MANUFACTURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANAGEMENT METHOD OF MANUFACTURING APPARATUS OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20160204040A1. Автор: SHIOBARA Eishi. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor bond pad structures and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US7157734B2. Автор: Chao-Yuan Su,Pei-Haw Tsao,Chender Huang,Shang-Yu Hou,Chia-Hsiung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-01-02.

Chip carrier film, method of manufacturing the chip carrier film and liquid crystal display using the chip carrier film

Номер патента: US6674155B2. Автор: Hitoshi Morishita,Kouki Nakahara. Владелец: Advanced Display Inc. Дата публикации: 2004-01-06.

Fuel cell vehicle, and hydrogen discharge valve/drain valve fault diagnosis method and apparatus

Номер патента: EP4428962A1. Автор: Longhai ZHANG,Shangfeng JIANG,Yangyang YU,Deshui MENG,Guoqian CHEN,Yaxin ZHAO. Владелец: Yutong Bus Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-11.

Stage-Fused Transformer Loop System and Method of Rapid Diagnosis of Fault Cable or Transformer Failure Within The System

Номер патента: US20090039894A1. Автор: Gregory P. Whyte. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-12.

Method of forming a dielectric film and plasma display panel using the dielectric film

Номер патента: US20050093451A1. Автор: Tae-Joung Kweon. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-05.

Indium tin oxide target, method of manufacturing the same and transparent electrode manufactured by using the same

Номер патента: KR100787635B1. Автор: 이상철,최준호,정준희,강신혁. Владелец: 삼성코닝 주식회사. Дата публикации: 2007-12-21.

Indium tin oxide target, method of manufacturing the same and transparent electrode manufactured by using the same

Номер патента: CN101231431B. Автор: 郑俊熙,崔畯皓,李相彻,姜信赫. Владелец: Samsung Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-23.

Indium tin oxide target, method of manufacturing the same and transparent electrode manufactured by using the same

Номер патента: TW200831690A. Автор: Jun-Ho Choi,Sang-Chul Lee,Joon-Hee Jeong,Shin-Hyuk Kang. Владелец: Samsung Corning Prec Glass Co. Дата публикации: 2008-08-01.

Method of manufacturing an optoelectronic semiconductor device, in particular a semiconductor diode laser

Номер патента: WO1996033537A3. Автор: Roijen Raymond Van,Petrus Johannes Adrianus Thijs,Gestel Patrick Henricus Van. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1996-12-27.

Electron emission device, production method of the same, and display apparatus using the same

Номер патента: US20030015958A1. Автор: Ichiro Saito,Koichi Iida,Tokiko Takahashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-23.

Display device having display panel and method of disassembling the same

Номер патента: US20070247807A1. Автор: Takashi Sasaki,Nobuyoshi Kondo. Владелец: Fujitsu Hitachi Plasma Display Ltd. Дата публикации: 2007-10-25.

Selection method and production method of nickel-cobalt-manganese-based active material for positive electrode

Номер патента: US20240347721A1. Автор: Masaya Saito. Владелец: Prime Planet Energy and Solutions Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Apparatus and method of receiving power wirelessly, and system for supplying power wirelessly using the same

Номер патента: US20160118807A1. Автор: Sang Ho Cho,Jae Suk Sung,Hyung Wook CHO,Sung Heum Park,Ki Won CHANG,Chang Mok Han,Jeong Man Han. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-28.

Method of designing and manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080256496A1. Автор: Hiroshi Watanabe,Toshitake Yaegashi,Shigeyuki Takagi,Shigeru Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Method for preventing or treating obesity by using a composition including hoga1-inhibiting substance and method of screening a preventive or therapeutic agent for obesity by using the composition

Номер патента: US20190136243A1. Автор: Chu Won Nho,Myung Suk Kim,Chang Ho JHIN,Yoon Shin CHO,Yeongseon AHN. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Hallym University. Дата публикации: 2019-05-09.

Nano-ligand for promoting cell adhesion and differentiation of stem cells and method of promoting cell adhesion and differentiation of stem cells by using the same

Номер патента: US20210270765A1. Автор: Hee-Min KANG,Chandra KHATUA,Gun-Hyu BAE,Hyo-Jun CHOI,Sun-Hong MIN. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of generating image data for dangerous object detection and imaging system using the same

Номер патента: US20240104801A1. Автор: Jungsoo Kim,Kyung Hyun Park,Sungwoo JO,Il Min LEE,Mugeon KIM,Eui Su LEE,Da Hye Choi. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-03-28.

Method and device for providing help to a user in using a device by using a robot

Номер патента: WO2006120636A3. Автор: Elmo Marcus Attila Diederiks,Albertus Josephus Nico Breemen,Henriette Christine M Hoonhout. Владелец: Henriette Christine M Hoonhout. Дата публикации: 2007-05-03.

Computing device executing program performing method of analyzing power noise in semiconductor device, semiconductor device design method, and program storage medium storing program

Номер патента: US09958495B2. Автор: Young Hoe Cheon,Chan Seok Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Optimisation-based scheduling method and system for a plurality of manufacturing machines

Номер патента: EP4449216A1. Автор: Dionysios XENOS,Ioannis KONSTANTELOS,Ruaridh WILLIAMSON. Владелец: Flexciton Ltd. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device and data reading method using the same

Номер патента: US20210057030A1. Автор: Daehyun Kim,Dongsoo Lee,Guyeon WEI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Apparatus and method of exposing light to a semiconductor device having a curved surface

Номер патента: WO2004063813A1. Автор: Nobuo Takeda,Ikuo Nishimoto,Ichitaroh Satoh. Владелец: YAMATAKE CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-29.

Image processing method and device, training method of neural network, and storage medium

Номер патента: US11908102B2. Автор: Pablo NAVARRETE MICHELINI,Dan Zhu,Lijie Zhang,Hanwen Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of controlling servo in optical disc device and servo control device using the same

Номер патента: US20090059743A1. Автор: Soo-Yong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Method for preparing bone-marrow-derived endothelial progenitor cells having increased vasculogenesis by using pdgf-bb, and method for preparing cell therapeutic agent for treating anangioplasia-related diseases by using method

Номер патента: EP4282952A1. Автор: Doyoung Kim,Suna Kim,Youngsook Son. Владелец: Elphis Cell Therapeutics. Дата публикации: 2023-11-29.

Method of controlling mobile electronic device through a cover, mobile electronic device using the same and non-transitory storage medium thereof

Номер патента: US20180150104A1. Автор: Sheng-Hsin Huang,Chun-Ta Chen,Wei-Chia Yen,Fang-Ju Lin,Tai-Hsin Ku,Chia-Mo Chien,Jen-Hou Huang. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2018-05-31.

Method of Controlling Recording of Optical Disc Device and Optical Disc Device Using the Method

Номер патента: US20090059756A1. Автор: Soo-Yong Kim,Seok-Min Yun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-03-05.

Ball-pitching control method of pitching machine in baseball practice system and baseball practice system using the same

Номер патента: US20190321684A1. Автор: Se Hwan Kim,Sang Hyun Joo,Bong Kyung KO. Владелец: Newdin Contents Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-24.

Method and device for method of magnetic control

Номер патента: RU2684949C1. Автор: Михаил Евгеньевич Федосовский,Даниил Витальевич Иванов,Михаил Владимирович Соколов. Владелец: Акционерное общество "Диаконт". Дата публикации: 2019-04-16.

Method of manufacturing liquid food/beverage and liquid food/beverage manufactured using the method

Номер патента: US20170006891A1. Автор: Tatsuya Konishi,Masataka Sakata,Masami Sasame. Владелец: Ito En Ltd. Дата публикации: 2017-01-12.

Image processing method and device, training method of neural network, image processing method based on combined neural network model, constructing method of combined neural network model, neural network processor, and storage medium

Номер патента: US20240233074A9. Автор: Pablo NAVARRETE MICHELINI,Dan Zhu,Wenbin Chen,Hanwen Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Setting method of sale matchmaking system for business categories and computer program product using the same

Номер патента: US20170076373A1. Автор: Charles Li,Jim Song,Yun-Feng ZOU,Chi-Ming Jason CHANG. Владелец: Silver Connection LLC. Дата публикации: 2017-03-16.

Method and system for method of forecasting economic trends using transactional data

Номер патента: NZ584511A. Автор: Ghosh Debashis,Kurt Newman,David Joa,Mark Krein,Aaron Lai,Tim Bendel. Владелец: Bank of America. Дата публикации: 2011-10-28.

Kit for extracting drug residues from livestock or poultry aquatic products and method of obtaining primary test liquid from livestock or poultry aquatic products using the same

Номер патента: US11480505B2. Автор: Yi-Jia Ku,Hung-Ta Hua. Владелец: Great Engineering Technology Corp. Дата публикации: 2022-10-25.

Detecting method and positioning analysis method of human functional joint rotation center

Номер патента: US11707209B2. Автор: He Zhao,Xin Zhang,Hongqi XU,Huimin Hu,Linghua RAN,Zijian ZHOU,Chaoyi Zhao. Владелец: CHINA NATIONAL INSTITUTE OF STANDARDIZATION. Дата публикации: 2023-07-25.

Kit for extracting drug residues from livestock or poultry aquatic products and method of obtaining primary test liquid from livestock or poultry aquatic products using the same

Номер патента: US20200292425A1. Автор: Yi-Jia Ku,Hung-Ta Hua. Владелец: Great Engineering Technology Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Novel microorganism of serratia family, isolation method and the preparation method of lignin lyases using this

Номер патента: US20040241846A1. Автор: Dong Shin,Ki Kim,Ho Yong Park. Владелец: Insect Biotech Co Ltd. Дата публикации: 2004-12-02.

Detecting method and positioning analysis method of human functional joint rotation center

Номер патента: US20220400981A1. Автор: He Zhao,Xin Zhang,Hongqi XU,Huimin Hu,Linghua RAN,Zijian ZHOU,Chaoyi Zhao. Владелец: CHINA NATIONAL INSTITUTE OF STANDARDIZATION. Дата публикации: 2022-12-22.

A novel microorganism of serratia family, isolation method and the preparation method of lignin lyases using this

Номер патента: WO2002102995A1. Автор: Ki Duk Kim,Ho Yong Park,Dong Ha Shin. Владелец: INSECT BIOTECH CO., LTD.. Дата публикации: 2002-12-27.

Cu-based alloy and method of manufacturing high strength and high thermal conductive forged article using the same

Номер патента: CA2418492C. Автор: Kazuaki Mino. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2007-09-11.

Method and system for dynamic exposition of manufacturing operation data from a data warehouse

Номер патента: EP4365752A1. Автор: Matteo Gentile,Alessio Dellacha',Fabio Panero,Alessio Mura,Stefano Rulli,Gabriele De Maglie. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-05-08.

Two-way fluid sensing device, two-way fluid sensing method, and the manufacturing method of the fluid sensing device

Номер патента: US20240219341A1. Автор: Sajal Biring,Rahim Bakash KOLARU. Владелец: Ming Chi University of Technology. Дата публикации: 2024-07-04.

System for and method of designing and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020045280A1. Автор: Keith Strickland,Arshad Madni,Lance Trodd,Chris Powell. Владелец: Zarlink Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2002-04-18.

Method of accessing word line in semiconductor device

Номер патента: US20050232064A1. Автор: Yin Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Pattern correcting method of mask for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20080212869A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Kei Yoshikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of displaying information in booting, and electronic apparatus and mobile terminal using the same

Номер патента: US09928078B2. Автор: Ji-su JUNG,Say Jang,Young-Ah Seong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Load balanced pressure regulator and method and apparatus for delivering process gas for manufacturing semiconductor devices employing same

Номер патента: US5950652A. Автор: Daniel P. Morgan. Владелец: Parker Hannifin Corp. Дата публикации: 1999-09-14.

Method of measuring the depth of full-cut dicing grooves by using an ultrasonic detector and a dicing apparatus for carrying out the same

Номер патента: US5501104A. Автор: Masaharu Nakamura,Hotaka Ikeda. Владелец: Tokyo Seimitsu Co Ltd. Дата публикации: 1996-03-26.

Method and system for improved performance of manufacturing processes

Номер патента: US20070255440A1. Автор: Patrick Varekamp,Richard Burda,Aseem Joshi,Sameer Shikalgar,Susan van Oss. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-11-01.

Method and apparatus for pattern exposure, mask used therefor, and semiconductor integrated circuit produced by using them

Номер патента: US5677755A. Автор: Minoru Yoshida,Masahiro Watanabe,Yoshitada Oshida,Yasuhiko Nakayama,Kenichirou Fukuda. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1997-10-14.

Method of attaching radiopaque markers to intraluminal medical devices, and devices formed using the same

Номер патента: WO2008140985A1. Автор: Michael L. Davis,Paul F. Chouinard,James F. Hemerick,Brian Finander,Thyna Chau,Steve Anderl. Владелец: BOSTON SCIENTIFIC LIMITED. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of securing a bathroom door with a lock informed by use of the bathroom sink

Номер патента: US20230151640A1. Автор: Dartangnan Walker. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-05-18.

Method of preparing a liquid, containing proteins for subsequent separation, by using one or more protein-complexing agents

Номер патента: CA2567240C. Автор: Pierre Adam,Patrick Haselaars,Philippe Janssens. Владелец: Anheuser Busch InBev SA. Дата публикации: 2011-12-13.

Method and apparatus for the simultaneous electrical testing of multiple semiconductor devices

Номер патента: US20020050835A1. Автор: Jed Foy,Cleston Messick,David Lotourette. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-05-02.

Nano-ligand for promoting cell adhesion and differentiation of stem cells and method of promoting cell adhesion and differentiation of stem cells by using the same

Номер патента: EP3871697A1. Автор: Hee-Min KANG,Gun-Hyu BAE,Hyo-Jun CHOI,Sun-Hong MIN,Khatua Chandra. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2021-09-01.

Nano-ligand for promoting cell adhesion and differentiation of stem cells and method of promoting cell adhesion and differentiation of stem cells by using the same

Номер патента: US20230324326A1. Автор: Hee-Min KANG,Chandra KHATUA,Gun-Hyu BAE,Hyo-Jun CHOI,Sun-Hong MIN. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-10-12.

Nano-ligand for promoting cell adhesion and differentiation of stem cells and method of promoting cell adhesion and differentiation of stem cells by using the same

Номер патента: US11828719B2. Автор: Hee-Min KANG,Chandra KHATUA,Gun-Hyu BAE,Hyo-Jun CHOI,Sun-Hong MIN. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-11-28.

Control system and method for controlling the sled of the optical storage device by using stepping motor

Номер патента: US6785197B2. Автор: Chi-Mou Chao,Jan-Tang Wu,Chih-Yu Fan. Владелец: Acer Laboratories Inc. Дата публикации: 2004-08-31.

Methods and apparatus to perform computer-based monitoring of audiences of network-based media by using information theory to estimate intermediate level unions

Номер патента: US11790397B2. Автор: Edward Murphy,Michael R. Sheppard,DongBo Cui,David Forteguerre,Jessica Lynn White. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Methods and apparatus to perform computer-based monitoring of audiences of network-based media by using information theory to estimate intermediate level unions

Номер патента: US20240104586A1. Автор: Edward Murphy,Michael R. Sheppard,DongBo Cui,David Forteguerre,Jessica Lynn White. Владелец: Nielsen Co US LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of managing loading, unloading, and routing of trackless vehicles and system using the same

Номер патента: CA2890341C. Автор: Michael Wayne Boshears,Andrew Scott Grant,Frank Peter Hass,Michael David Russell, Jr.. Владелец: Oceaneering International Inc. Дата публикации: 2021-08-17.

Animal ectoparasite-controlling agent and method for preventing or treating infection in animals caused by parasites by using the controlling agent

Номер патента: WO2013015429A1. Автор: Yasuhiro Endo,Yuichi Shirai. Владелец: OTSUKA AGRITECHNO CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-31.

Method for preparing bone-marrow-derived endothelial progenitor cells having increased vasculogenesis by using pdgf-bb, and method for preparing cell therapeutic agent for treating anangioplasia-related diseases by using method

Номер патента: US20240052320A1. Автор: Doyoung Kim,Suna Kim,Youngsook Son. Владелец: Elphis Cell Therapeutics. Дата публикации: 2024-02-15.

Optimisation-based scheduling method and system for a plurality of manufacturing machines

Номер патента: WO2023111526A1. Автор: Dionysios XENOS,Ioannis KONSTANTELOS,Ruaridh WILLIAMSON. Владелец: FLEXCITON LIMITED. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods of detecting fast reuse memory blocks and memory block management methods using the same

Номер патента: US20170351459A1. Автор: Hee-Won Lee,Seong-jun AHN,Sang-Kwon Moon,Jong-Youl Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-07.

Apparatus and method for controlling die force in a semiconductor device testing assembly

Номер патента: WO2006138655A9. Автор: Troy Taylor,Steve Wetzel. Владелец: Steve Wetzel. Дата публикации: 2007-04-19.

Highly custom and scalable design system and method for articles of manufacture

Номер патента: WO2019067629A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siege Tek Llc. Дата публикации: 2019-04-04.

Semiconductor device and data reading method using the same

Номер патента: EP3963585A1. Автор: Daehyun Kim,Dongsoo Lee,Guyeon WEI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-09.

Egg collection device for bagworm moth and breeding method and egg collection method of bagworm moth using the same

Номер патента: US20240016131A1. Автор: Takayuki Matsuda,Atsushi Ito,Tsunenori Kameda,Taiyo Yoshioka,Akimune ASANUMA,Ryoko ICHIKI. Владелец: Kowa Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method for tracing a memory of a semiconductor device

Номер патента: US8738969B2. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-05-27.

Semiconductor Device and Method for Tracing a Memory of a Semiconductor Device

Номер патента: US20130024733A1. Автор: Rainer Troppmann,Frank Noha. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2013-01-24.

Methods and system for the identification and characterization of peptides and their functional relationships by use of measures of correlation

Номер патента: CA2553172A1. Автор: Hans-Dieter Zucht,Jens Lamerz,Valery Khamenia. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-07-28.

Method of use time management for semiconductor device and semiconductor device including use time managing circuit

Номер патента: US20160104522A1. Автор: Chul-woo Park,Young-Soo Sohn,Jong-Pil Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-14.

Method of selecting and separating normal cells and specific cells by using ultrasonic waves

Номер патента: US20110020858A1. Автор: Sang Mo Shin. Владелец: GWANGJU INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2011-01-27.

Automated landing method of a scanning probe microscopy system and scanning probe microscopy system using the same

Номер патента: US20240110939A1. Автор: Jianfei Yang,Hamed Sadeghian Marnani. Владелец: Nearfield Instruments BV. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of storing system data, and memory controller and memory storage apparatus using the same

Номер патента: US20140331107A1. Автор: Shun-Bin Cheng. Владелец: Phison Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Automated landing method of a scanning probe microscopy system and scanning probe microscopy system using the same

Номер патента: WO2022173294A1. Автор: Jianfei Yang,Hamed Sadeghian Marnani. Владелец: Nearfield Instruments B.V.. Дата публикации: 2022-08-18.

Apparatus and method for controlling traffic signals of traffic lights in sub-area by using reinforcement learning model

Номер патента: US20240013654A1. Автор: Seong Jin Lee,Jin Won YOON,Seung Eon BAEK. Владелец: Nota Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

System and method to achieve a desired white point in display devices by combining a tinted native white color with a complementary primary color

Номер патента: WO2016191082A1. Автор: John Hyunchul Hong,Jian Jim Ma,Shen-ge Wang,Tallis Young CHANG. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2016-12-01.

Method of determining and applying adaptive track zero position and disc drive using the same

Номер патента: US20050073915A1. Автор: Seok Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-04-07.

Method of eliminating home-in noise in optical disc drive by using variable step counter

Номер патента: US7453773B2. Автор: Jae-Bum Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-11-18.

Method and device for differential determination of the radius of curvature of large-sized optical parts using the wavefront sensor

Номер патента: RU2667323C1. Автор: Валерий Ефимович Карасик,Николай Васильевич Барышников,Илья Вадимович Животовский,Дмитрий Геннадьевич Денисов,Елена Евгеньевна Мухина,Алексей Александрович Сахаров,Василий Александрович Соколовский. Владелец: Некоммерческое партнерство "Научный центр "Лазерные информационные технологии" Сокращенное название: НП НЦ "ЛИТ". Дата публикации: 2018-09-18.

Reticle for use in exposing semiconductor, method of producing the reticle, and semiconductor device

Номер патента: US6352800B1. Автор: Toshifumi Suganaga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-05.

Method of generating power from naturally occurring heat without fuels and motors using the same

Номер патента: US20060196185A1. Автор: Wen-Show Ou. Владелец: HSU YI-LUN PHYLLIS. Дата публикации: 2006-09-07.

A recording medium, method of configuring control information thereof, method for recording or reproducing data using the same, and apparatus thereof

Номер патента: CA2472364C. Автор: Jin Yong Kim,Sang Woon Suh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2012-07-17.

Beam steering apparatus, method of driving the beam steering apparatus, and spatial information acquisition apparatus using the beam steering apparatus

Номер патента: US10503045B2. Автор: Jinmyoung Kim,Jungwoo Kim,Jaehyuk Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-10.

Method and device for regulating a voltage supply to a semiconductor device

Номер патента: WO2005050425B1. Автор: Boris Bobrov,Michael Priel,Anton Rozen,Leonid Smolyansky. Владелец: Leonid Smolyansky. Дата публикации: 2005-09-29.

Method and system for dynamic exposition of manufacturing operation data from a data warehouse

Номер патента: US20240143618A1. Автор: Matteo Gentile,Alessio Dellacha',Fabio Panero,Alessio Mura,Stefano Rulli,Gabriele De Maglie. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Apparatuses and methods for refreshing memory cells of a semiconductor device

Номер патента: US09984738B2. Автор: Kenji Yoshida,Hiroki Fujisawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of forming resist pattern and semiconductor device manufactured with the same

Номер патента: US20080241489A1. Автор: Takeo Ishibashi,Mamoru Terai,Atsumi Yamaguchi,Takuya Hagiwara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Method and apparatus for determining power supply wirings of a semiconductor device

Номер патента: US5502649A. Автор: Yukio Hirata. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1996-03-26.

Method and system for magnifying and displaying local image of touch display device by detecting approaching object

Номер патента: US20090225100A1. Автор: Yu-Chieh Lee,Peng-Yueh Hsieh. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Image processing method and device, training method of neural network, image processing method based on combined neural network model, constructing method of combined neural network model, neural network processor, and storage medium

Номер патента: US11954822B2. Автор: Pablo NAVARRETE MICHELINI,Dan Zhu,Wenbin Chen,Hanwen Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Generation method and index condensation method of embedding table

Номер патента: US20230325374A1. Автор: Juinn-Dar Huang,Yu-Da Chu,Ching-Yun Kao. Владелец: Neuchips Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Methods of testing cell arrays and semiconductor devices executing the same

Номер патента: US20180102183A1. Автор: Young Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Image processing method and device, training method of neural network, image processing method based on combined neural network model, constructing method of combined neural network model, neural network processor, and storage medium

Номер патента: US20240135490A1. Автор: Pablo NAVARRETE MICHELINI,Dan Zhu,Wenbin Chen,Hanwen Liu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Device and method for measuring thickness and refractive index of multilayer thin film by using angle-resolved spectral reflectometry

Номер патента: US11906281B2. Автор: Hyug-Gyo Rhee,Young-Sik GHIM. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2024-02-20.

Apparatus and method for inspecting interface between ground layer and substrate of microstrip by using scattering parameters

Номер патента: US20050127892A1. Автор: Seong-Pal Lee,Jong-Won Eun,Sung-Tek Kahng. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2005-06-16.

Apparatus and method for inspecting interface between ground layer and substrate of microstrip by using scattering parameters

Номер патента: US7170300B2. Автор: Seong-Pal Lee,Jong-Won Eun,Sung-Tek Kahng. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2007-01-30.

Method for making semiconductor device

Номер патента: RU2677500C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2019-01-17.

Method of manufacture of the molded laminated formed component and the press used in the method

Номер патента: RU2270756C2. Автор: ВИНТЕР Хюго ДЕ,Иван ВАНЛЮЧЕН. Владелец: Ректисель. Дата публикации: 2006-02-27.

Printing material with protection against forgery with thermally transferred pattern, special foil for thermal transfer and manufacturing method of such material

Номер патента: RU2539342C1. Автор: Фэй ЧЭНЬ,Минфа ЧЭНЬ. Владелец: Ханьнань Ппк Нетворк Текнолоджи Ко. Лтд. Дата публикации: 2015-01-20.

Method of laser-assisted metal-plastic hybrid 3d printing and multilayered structure by using thereof

Номер патента: US20230079537A1. Автор: Junyeon HWANG,Siwon Yu,Byeongguk Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-03-16.

Method of producing high-purity 2-pyrone-4,6-dicarboxylic acid and method of producing intermediate for same

Номер патента: EP3909947A2. Автор: Dong Yeop Oh,Min Woo Lee,Hee Taek Kim,Jeyoung Park,Sung Yeon Hwang,Hyun Gil Cha,Jeong Chan Joo,Kyung An Kim,Myung Jong Kang. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2021-11-17.

Method for monitoring blind spot of vehicle and blind spot monitor using the same

Номер патента: US09947228B1. Автор: Sukhoon Boo,Myungchul Sung,Donghun Yeo,Wooju Ryu,Taewoong Jang,Kyungjoong Jeong,Hongmo Je,Hojin Cho,Yongjoong Kim,Woonhyun Nam. Владелец: Stradvision Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Method of transporting saponified ethylene-vinyl ester-based copolymer pellets

Номер патента: US09938030B2. Автор: Shinta Miyazumi,Yasufumi Beniya. Владелец: Nippon Synthetic Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method and device for checking plane's entry into a dive and anti-dive devices for planes using the same

Номер патента: US7515070B2. Автор: Yu Tian,Wenyan Jiang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-07.

Control apparatus, robot system, and method of detecting object

Номер патента: US20190278991A1. Автор: Masaki Hayashi,tomonori Mano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Method and system for handling components of an offshore wind turbine

Номер патента: EP4419417A1. Автор: Adrian Botwright,Claus Hald Therkildsen,Rasmus Clark MARKER. Владелец: Vestas Wind Systems AS. Дата публикации: 2024-08-28.

Method of manufacture of the molded laminated formed component and the press used in the method

Номер патента: RU2270756C9. Автор: ВИНТЕР Хюго ДЕ,Иван ВАНЛЮЧЕН. Владелец: Ректисель. Дата публикации: 2006-06-20.

Method of the functionalized diene elastomer continuous synthesis

Номер патента: RU2653851C2. Автор: Элен ПАРОЛА,Гаэль КУРБЕ,Жером ДЮССИЙОЛЬ,Орели ТРИГЮЭЛЬ. Владелец: Компани Женераль Дэз Этаблиссман Мишлен. Дата публикации: 2018-05-15.

Method and apparatus for producing filler-containing substrate, and substrate produced using method

Номер патента: US12023231B2. Автор: Wanxiang Liu. Владелец: Jofo New Material Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Apparatus and method of automatically braking in a stop state of a vehicle

Номер патента: WO2002076799A1. Автор: Won-Bum Lee. Владелец: Won-Bum Lee. Дата публикации: 2002-10-03.

Method of simultaneously estimating movement and shape of target vehicle using preliminary distribution model of tracklet

Номер патента: US12065147B2. Автор: Seul Ki HAN,Boyoung Jung,Dahye Ham,Won-Sang Ra,Ui-Suk Suh. Владелец: Handong Global University Industry-Academic Cooperation Foundation. Дата публикации: 2024-08-20.

Single phase hyprophilic polyimide composite film, the method of manufacturing the film and filter separator manufactured by using the same

Номер патента: KR100989826B1. Автор: 김창근,김주헌. Владелец: 중앙대학교 산학협력단. Дата публикации: 2010-10-29.

Glass powder and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130210603A1. Автор: Jeongwook KIM,Sungyong AN,Jinwoo HAHN. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-15.

Glass powder and method of manufacturing the same

Номер патента: US8618005B2. Автор: Jeongwook KIM,Sungyong AN,Sungbum SOHN,Jinwoo HAHN,Soonmo SONG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-31.

Method of detecting missing nozzle and ink jet print head using the same

Номер патента: US20090002427A1. Автор: O hyun Beak,Jae Sik MIN,Jae Young Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-01.

Gold nonoclusters, dopamine biosensors including them, and methods for diagnosing neurological diseases using the same

Номер патента: US20230341420A1. Автор: Hongmei Xu,Soomin Ahn,Dongil LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of cleaning, support, and cleaning apparatus

Номер патента: US20240278295A1. Автор: Ker-Hsun LIAO,Yi-Chen Ho,Chih Ping Liao,Chi-Hsun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Non-ionic foam composition for treating asbestos-containing materials and method of using same

Номер патента: US20020115900A1. Автор: Lawrence Kindt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-22.

Vehicle simulation model modeling method and examination judgment method

Номер патента: US20240242621A1. Автор: Yuyuan PENG,Yubao PENG. Владелец: Guilin University of Aerospace Technology. Дата публикации: 2024-07-18.

Matrix and method of using an aliphatic alcohol coated silica glass matrix

Номер патента: US4534929A. Автор: Johannes J. Ponjee,Christiaan J. A. Verwijlen. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1985-08-13.

Method of laser-assisted metal-plastic hybrid 3D printing and multilayered structure by using thereof

Номер патента: US11938538B2. Автор: Junyeon HWANG,Siwon Yu,Byeongguk Kim. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2024-03-26.

Method of manufacture of custom cranial remodeling devices by additive manufacturing

Номер патента: US20210170737A1. Автор: Jerold N. Luisi,George E. Kechter,Timothy R. Littlrfield. Владелец: Cranial Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-10.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Method for preparing, in situ, metal-organic framework by using control of diffusion within ionic polymer

Номер патента: US11697104B2. Автор: Jeong Ho Lim,Eun Ji Lee,Nak Cheon Jeong. Владелец: DAEGU GYEONGBUK INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2023-07-11.

Sequence-based signal processing method and apparatus

Номер патента: US11757688B2. Автор: HAO SUN,Bingyu Qu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Signal processing method and electronic device

Номер патента: EP4207186A1. Автор: Lei Huang,Liwen Chen,Guangzhao BAO. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-05.

Signal processing system and method thereof

Номер патента: US10236830B2. Автор: Ming-Tang Su. Владелец: Lyra Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-03-19.

Method of radio resource scheduling in unlicensed spectrum and related apparatuses using the same

Номер патента: US09936393B2. Автор: Yung-Lan TSENG,Ching-Wen Cheng,Wei-Chen Pao,Tzu-Jane Tsai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2018-04-03.

Method and system for accessing device by a user

Номер патента: US09866387B2. Автор: Jens-Matthias Bohli,Wenting LI,Jan Seedorf. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Methods and Apparatuses for Information Transmission and Reception

Номер патента: US20240275656A1. Автор: Jian Zhang,Lei Zhang,XIN Wang,Pengyu JI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Monitoring method and monitoring arrangement

Номер патента: WO2000056003A1. Автор: Juha Sundelin. Владелец: Nokia Networks Oy. Дата публикации: 2000-09-21.

Semiconductor device, and programming method and programming system therefor

Номер патента: US8106681B2. Автор: Tadashi Fujita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-31.

System and method for establishing communication services between different users

Номер патента: US20050153744A1. Автор: Deepak Ahya,Jose Korneluk,Ketan Desai,Rohit Talwalkar,Swetal Patel,Amit Ramani. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2005-07-14.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: US20150299843A1. Автор: Sang-Pil Lee,Jung-Bae Song,Young-Rok SONG,I Beohm-Rock CHOI. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-22.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: CN102286727A. Автор: 崔凡洛,宋泳录,宋正培,李相泌. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-21.

Organic layer deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US8859043B2. Автор: Mu-Hyun Kim,Sang-Pil Lee,Jung-Bae Song,Young-Rok SONG,Jong-Heon Kim,Dong-Kyu Lee,Yun-Mi Lee,Byung-Su Kim,Jae-Kwang Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-14.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: US20110042659A1. Автор: Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Hyun-Sook Park,Ji-Sook Oh,Jae-Kwang Ryu. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-24.

Method and device for enhancing uplink signal transmission

Номер патента: EP4441971A1. Автор: Qi Xiong,Feifei SUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-09.

Communication method and device of terminal in wireless communication system

Номер патента: US09955524B2. Автор: Daesung HWANG,Joonkui Ahn,Yunjung Yi,Dongyoun Seo,Hyangsun YOU,Bonghoe Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-04-24.

Method of transmitting content between apparatuses and content transmission apparatus

Номер патента: US09900447B2. Автор: Yoo-jin Choi,Hyun-cheol Park,Chang-Seog Ko,Young-sun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Electronic device and method for performing ranging through uwb

Номер патента: EP4005251A1. Автор: Mingyu Lee,Kangjin YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Automatic time zone updating method and system for bluetooth watch

Номер патента: US20180253067A1. Автор: Peng Zeng. Владелец: Huizhou TCL Mobile Communication Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-06.

Method and system of audio quality and latency adjustment for audio processing by using audio feedback

Номер патента: US09928844B2. Автор: Sean J Lawrence. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Method and apparatus for performing encoding/decoding by using region-based inter/intra prediction technique

Номер патента: US20230362356A1. Автор: Gun Bang,Hui Yong Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2023-11-09.

Method and system of accessing information

Номер патента: EP2223244A1. Автор: Brad Bostic,Chris Lenzo. Владелец: ChaCha Search Inc. Дата публикации: 2010-09-01.

Systems and methods of network access

Номер патента: RU2628486C2. Автор: Вэйшэн ЦЗИНЬ,Каиппаллималил Метью ДЖОН,Вэньжо ЧЖУ. Владелец: Хуавей Текнолоджиз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2017-08-17.

Method and device for data transmission

Номер патента: RU2763397C1. Автор: Ксиаоханг ЧЕН,Ксюеминг ПАН,Жи ЛЮ. Владелец: Виво Мобайл Комьюникэйшн Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-12-28.

Method and system for wireless communication between transmitter devices and a receiver device by means of a repeater device with simultaneous repetition

Номер патента: AU2020214288A1. Автор: Arnaud Mansuy,Loic Hubert,Nicolas Chalbos. Владелец: Unabiz. Дата публикации: 2021-08-19.

Method of recognizing proximity using proximity sensor and mobile terminal using the same

Номер патента: US8395105B2. Автор: Min Ho Song,Won Woo SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-03-12.

Method of securely transitioning a life cycle stage of a product to a next stage throughout a forward-only life cycle and of verifying the integrity of data and product statuses

Номер патента: WO2023052201A1. Автор: Marc Sebastian Patric Stöttinger,Yi Estelle WANG. Владелец: Continental Automotive Technologies GmbH. Дата публикации: 2023-04-06.

Intra prediction method of chrominance block using luminance sample, and apparatus using same

Номер патента: US20230276071A1. Автор: Jae Hyun Lim,Seung Wook Park,Byeong Moon Jeon,Young Hee Choi,Yong Joon Jeon,Jung Sun Kim,Joon Young Park,Jae Won Sung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2023-08-31.

Method and system of text improvement at digital copying of printed documents

Номер патента: RU2520407C1. Автор: Илья Владимирович Сафонов,Илья Васильевич Курилин. Владелец: Корпорация "САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС Ко., Лтд.". Дата публикации: 2014-06-27.

Data transmitting message, method of transmitting multiple messages, content regionalizing method (versions) and method of regionalizing regional bouquet signaling

Номер патента: RU2621063C1. Автор: Сергей Юрьевич Матвеев,ФАРИЯ ДЕ СОУЗА НЕВЕС Жерар,Дмитрий Валерьевич Никитин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Российская телевизионная и радиовещательная сеть". Дата публикации: 2017-05-31.

Thin film depositon apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: EP2281917A3. Автор: Yong-Sup Choi,Chang-Mog Jo,Jong-Heon Kim,Hee-Cheol Kang,Ji-Sook Oh,Yun-Mi Lee. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-22.

Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US20110053300A1. Автор: Sang-soo Kim,Jong-Heon Kim,Hyun-Sook Park,Ji-Sook Oh,Yun-Mi Lee,Jae-Kwang Ryu. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-03.

Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using the same

Номер патента: US8486737B2. Автор: Yong-Sup Choi,Jong-Heon Kim,Young-Mook Choi,Hyun-Sook Park,Yun-Mi Lee,Jae-Kwang Ryu. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-16.

Methods and systems for data collection, learning, and streaming of machine signals for analytics and maintenance using the industrial internet of things

Номер патента: EP3791236A1. Автор: Mehul Desai,Charles Howard CELLA,Jeffrey P. MCGUCKIN,Jr. Gerald William Duffy. Владелец: Strong Force IoT Portfolio 2016 LLC. Дата публикации: 2021-03-17.

Method of handling data packets through a state transition table and apparatus using the same

Номер патента: WO2015136432A1. Автор: Giuseppe Bianchi,Antonio Capone,Marco BONOLA,Carmelo CASCONE. Владелец: Antonio Capone. Дата публикации: 2015-09-17.

Method of handling data packets through a state transition table and apparatus using the same

Номер патента: EP3117572A1. Автор: Giuseppe Bianchi,Antonio Capone,Marco BONOLA,Carmelo CASCONE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-18.

Method of extending pbx communication functions and connectivity

Номер патента: US20230231888A1. Автор: Charles Lap San Chan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-07-20.

Methods and apparatus for identifying communication service availability for a mobile device using breadcrumbs

Номер патента: US20170086022A1. Автор: Stephen Francis Triano,James Gordon Beattie, JR.. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2017-03-23.

Methods and apparatus for identifying communication service availability for a mobile device using breadcrumbs

Номер патента: US09992621B2. Автор: Stephen Francis Triano,James Gordon Beattie, JR.. Владелец: AT&T INTELLECTUAL PROPERTY I LP. Дата публикации: 2018-06-05.

Method of providing broadcasting service and playing broadcast by using object state transmitting method

Номер патента: US09906818B2. Автор: Tae Woo Kim,Dong Hwal Lee,Won Gil Ryim. Владелец: Minkonet Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Video processing method and apparatus, and terminal and storage medium

Номер патента: US11997409B2. Автор: Chi Fang,Dong Wang,Wei Gao,Lili Wang,Haizhou ZHU. Владелец: Beijing ByteDance Network Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Methods and apparatus for testing inaccessible interface circuits in a semiconductor device

Номер патента: US20130321022A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2013-12-05.

Methods and apparatus for testing inaccessible interface circuits in a semiconductor device

Номер патента: US10254331B2. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2019-04-09.

Methods and apparatus for testing inaccessible interface circuits in a semiconductor device

Номер патента: US20230266385A1. Автор: Frederick A. Ware. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-08-24.

Method and apparatus for high-speed edge-programmable timing signal generation

Номер патента: US6326813B2. Автор: Brent Lindsay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-12-04.

Method and base station for optimizing transmission power of antenna array by using feedback signal

Номер патента: EP4406154A1. Автор: Magnus Nilsson,Leonard Rexberg. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2024-07-31.

Media file encapsulating method, media file decapsulating method, and related devices

Номер патента: US12107908B2. Автор: Ying Hu. Владелец: Tencent Technology Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Thin film deposition apparatus and method of manufacturing organic light-emitting display device by using thin film deposition apparatus

Номер патента: US20120186517A1. Автор: Jong-Woo Lee,Tae-Seung Kim,Chang-Soon Ji,Chengguo An. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-26.

Method for obtaining information about a content, image display apparatus using this method and a server system for providing information about the content

Номер патента: RU2656227C2. Автор: Хак-Суп СОНГ,Гиу-тае ПАРК. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2018-06-04.

Crosslinkable polyamic acid composition and method of manufacturing the same, and polyimide film prepared by using the same, and electronic device comprising the polyimide film

Номер патента: TW201934615A. Автор: 李翼祥,黃仁煥,金周映,林鉉才. Владелец: 南韓商愛思開希可隆Ｐｉ股份有限公司. Дата публикации: 2019-09-01.

Method and system for accessing device by a user

Номер патента: EP2984782A1. Автор: Jens-Matthias Bohli,Wenting LI,Jan Seedorf. Владелец: NEC EUROPE LTD. Дата публикации: 2016-02-17.

Crosslinkable polyamic acid composition and method of manufacturing the same, and polyimide film prepared by using the same, and electronic device comprising the polyimide film

Номер патента: TWI705987B. Автор: 李翼祥,黃仁煥,金周映,林鉉才. Владелец: 南韓商聚酰亞胺先端材料有限公司. Дата публикации: 2020-10-01.

Signal processing system and method thereof

Номер патента: US20190068125A1. Автор: Ming-Tang Su. Владелец: Lyra Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Methods and systems facilitating generation of digital representations of objects

Номер патента: US20170111530A1. Автор: Sainarayanan Gopalakrishnan,Anand Arokia Raj Antony Muthu Rayar,Dhevendra alagan Palanivel,Sudhagar Subbaian. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2017-04-20.

Method of reducing transmission of data in a communications network by using machine learning

Номер патента: US20230180039A1. Автор: Ursula CHALLITA,Roman ZHOHOV. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-06-08.

Information processing apparatus, information processing method, and program

Номер патента: US20240281901A1. Автор: Takuma Suzuki,Eiji KAMINO. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

System and Method for Joint Dynamic Forwarding and Caching in Content Distribution Networks

Номер патента: US20160234333A1. Автор: Ying Cui,Edmund Meng YEH,Derek Leong,Tracey Ho,Ran Liu,Michael BURD. Владелец: Northeastern University Boston. Дата публикации: 2016-08-11.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: AU2024204675A1. Автор: Ki Baek Kim. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: AU2024204674A1. Автор: Ki Baek Kim. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: AU2024204670A1. Автор: Ki Baek Kim. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Image data encoding/decoding method and apparatus

Номер патента: AU2024204676A1. Автор: Ki Baek Kim. Владелец: B1 Institute of Image Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of indirectly coverting into electric enegy and using it by using as energy source motion of electrons permanently rotating around outside of atomic nucleus, and no-fuel power source and power device

Номер патента: AU2003289295A1. Автор: Kango Iida. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-07-14.

Systems and methods for device specification design and verification by error vector magnitude prediction

Номер патента: WO2022119948A2. Автор: Tero Ranta,Peter Bacon,Marc Facchini,Allen GROENKE. Владелец: pSemi Corporation. Дата публикации: 2022-06-09.

Organic semiconductor sturcture and methodd of manufacturing the same organic thin film transistor using the organic semiconductor sturcture and method of manufacturing the organic thin film transistor and display apparatus using the same

Номер патента: KR101279296B1. Автор: 김민주,최낙봉. Владелец: 엘지디스플레이 주식회사. Дата публикации: 2013-06-26.

Signal processing system and method thereof

Номер патента: US20190052229A1. Автор: Ming-Tang Su. Владелец: Lyra Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Sequence-based signal processing method and apparatus

Номер патента: US20240073075A1. Автор: HAO SUN,Bingyu Qu. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Network congestion processing method and related device

Номер патента: EP4024764A1. Автор: Hewen Zheng,Liang Zhang,Weiqing Kong,Xitong Jia. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Incoming-call reminding method and electronic device

Номер патента: EP4344180A1. Автор: Xin Zhang,Jinlong Zhao,Weijie GAO. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-27.

Methods and apparatuses for transmission and reception of demodulation reference signal

Номер патента: US12009958B2. Автор: Jian Zhang,Lei Zhang,XIN Wang,Pengyu JI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

System and method of enabling additional functions or services of device by use of transparent gateway or proxy

Номер патента: US20160234306A1. Автор: Michael Edward Smith Luna. Владелец: AliphCom LLC. Дата публикации: 2016-08-11.

Method and apparatus for measurement of processor-utilization

Номер патента: US20050259592A1. Автор: Vikas Prasad. Владелец: Ittiam Systems Pvt Ltd. Дата публикации: 2005-11-24.

Optimised hydrocarbon mixtures and methods of using optimised hydrocarbon mixtures

Номер патента: RU2389870C2. Автор: Рональд Дж. ДАСТЕРХОФТ,Гари П. ФАНКХАУЗЕР,Роберт С. ТЭЙЛОР,Роберт С. ЛЕСЦ,Одис К. БЕРД,Дэвид Брайан АТТАУЭЙ. Владелец: Хэллибертон Энерджи Сервисиз Инк.. Дата публикации: 2010-05-20.

Minimally invasive skin patch, method of manufacturing same, and blood glucose measuring apparatus using same

Номер патента: US20220125351A1. Автор: Kwang Soo CHO,Hoe Sung Yang,Kang Bok Lee,Kyu Won HAN. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2022-04-28.

Method of determining focus, inspection apparatus, patterning device, substrate and device manufacturing method

Номер патента: US09939735B2. Автор: Christian Marinus Leewis,Paul Christiaan Hinnen,Shu-jin WANG,Kuo-Feng PAO. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of correcting design layout of semiconductor device, computing device performing the same, and method of fabricating semiconductor device using the same

Номер патента: US20240202424A1. Автор: Bok-yeon Won,Jichang SIM,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Observation device, observation method, and program

Номер патента: EP3865893A1. Автор: Toshihiro Sezai. Владелец: Japan Aerospace Exploration Agency JAXA. Дата публикации: 2021-08-18.

Multichannel magnetic head, method of manufacturing a multichannel magnetic head, and a card reader using the same

Номер патента: US20020158125A1. Автор: Yukihiko Takita. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Method and apparatus for isolating faulty semiconductor devices in a multiple stream graphics system

Номер патента: US20040073857A1. Автор: Tyvis Cheung,Nathaniel Naegle. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-04-15.

Method of producing n-propyl acetate and allyl acetate

Номер патента: WO2009064012A1. Автор: Masayuki Fujimoto,Shigeru Hatanaka. Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2009-05-22.

Wildfire detection system and method using array of co2 sensors and artificial intelligence

Номер патента: WO2019244094A4. Автор: João LADEIRA. Владелец: Ladeira Joao. Дата публикации: 2020-03-19.

Method of manufacturing false-twisted processed yarn

Номер патента: EP4417740A1. Автор: Hiroshi Nomura,Takahiro Tsuji,Yasushi Hayashi,Kinzo Hashimoto,Yoshimitsu Demizu,Koki KIMURA,Ryosuke SAKUHANA. Владелец: TMT Machinery Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Method of producing n-propyl acetate and allyl acetate

Номер патента: EP2220025A1. Автор: Masayuki Fujimoto,Shigeru Hatanaka. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2010-08-25.

Method of vibration measurement and interferometer

Номер патента: US09964432B2. Автор: Eiolf Vikhagen. Владелец: OPTONOR AS. Дата публикации: 2018-05-08.

MICROORGANISM CAPABLE OF PRODUCING gamma-L-PGA, METHOD FOR PRODUCTION OF gamma-L-PGA USING THE MICROORGANISM, CROSSLINKED PRODUCT, AND AGENT FOR EXTERNAL APPLICATION TO THE SKIN

Номер патента: EP2019133A8. Автор: Shuhei c/o Toyo Boseki Kabushiki Kaisha YAMAMOTO,Masaru c/o Toyo Boseki Kabushiki Kaisha KITAGAWA,Michiko c/o Toyo Boseki Kabushiki Kaisha SUZUKI,Atsushi c/o Toyo Boseki Kabushiki Kaisha SOGABE,Makoto c/o National University Corporation Kochi University Faculty of Agriculture ASHIUCHI. Владелец: Toyobo Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-20.

Thin film deposition apparatus, method of manufacturing organic light-emitting display device by using the apparatus, and organic light-emitting display device manufactured by using the method

Номер патента: US9279177B2. Автор: Yong-Sup Choi,Myeng-Woo Nam. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-08.

Systems and Method for nutrition analytics for robotic kitchens

Номер патента: US20220115113A1. Автор: Ofer ZINGER,David Ben David. Владелец: Kitchen Robotics Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Method and system for data tracking and exchange

Номер патента: US20180336646A1. Автор: Manu Jacob Kurian. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2018-11-22.

Analyses and methods with application of biomarkers

Номер патента: RU2431676C2. Автор: Клаус В. ВАГНЕР. Владелец: Дженентек, Инк.. Дата публикации: 2011-10-20.

System and method of adding stylized properties to image

Номер патента: RU2677573C2. Автор: Антон Васильевич КОРЗУНОВ,Роман Борисович Токарев,Антон Викторович Слесарев. Владелец: Общество С Ограниченной Ответственностью "Яндекс". Дата публикации: 2019-01-17.

Method of correcting a design layout of a semiconductor device, a computing device performing the same and a method of fabricating a semiconductor device using the same

Номер патента: US20230229073A1. Автор: Jongmin Lee,Cheolhwan Kim,Jichang SIM,Sangeun GO,Ohhun KWON,Hyuckjoon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-20.

Method of positioning by means of an actuator having three bridges

Номер патента: US20010013259A1. Автор: Jan Post,Norbert Jansen,Erik VERHOEVEN. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Compositions and methods for sample processing

Номер патента: EP4357493A3. Автор: YUAN Li,Benjamin Hindson,Mirna Jarosz,Paul Hardenbol,Michael Schnall-Levin,Kevin Ness,Serge Saxonov,Donald Masquelier,Christopher Hindson,Andrew Price,Landon Merrill. Владелец: 10X Genomics Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Methods and systems for processing polynucleotides

Номер патента: US12098423B2. Автор: Benjamin Hindson,Mirna Jarosz,Michael Schnall-Levin,Kevin Ness,Serge Saxonov,Christopher Hindson. Владелец: 10X Genomics Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Compositions and methods of treating colitis

Номер патента: RU2518416C2. Автор: Роберт ШАЛВИЦ,Джозеф Х. ГАРДНЕР. Владелец: Аэрпио Терапьютикс Инк.. Дата публикации: 2014-06-10.

Inhibitor composition for reducing the speed of corrosion processes of equipment and pipelines of sewerage treatment facilities and method of its application

Номер патента: RU2762071C1. Автор: Владимир Владимирович Дмитрук,Андрей Александрович Касьяненко,Владислав Борисович Ульянов,Сергей Викторович Полтавский,Дмитрий Вячеславович Иванов. Владелец: Открытое акционерное общество "Севернефтегазпром". Дата публикации: 2021-12-15.

Way of learning using the students' potential within the pedagogical interaction

Номер патента: RU2673612C2. Автор: Ольга Владимировна Ершова. Владелец: Ольга Владимировна Ершова. Дата публикации: 2018-11-28.

Method of bun goods production with enhanced food value

Номер патента: RU2681876C1. Автор: Татьяна Николаевна Сафронова,Ольга Михайловна Евтухова. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2019-03-13.

Method of correcting trajectory of artillery rotating projectiles

Номер патента: RU2707616C1. Автор: Николай Сергеевич Кузнецов. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Дельта". Дата публикации: 2019-11-28.

Method of treating nonresectable and potentially resectable metastases of colorectal cancer in liver

Номер патента: RU2722349C2. Автор: Андрей Дмитриевич Каприн,Сергей Анатольевич Иванов,Леонид Олегович Петров,Игорь Александрович Гулидов,Наталья Борисовна Борышева,Георгий Отарович Рухадзе,Дмитрий Валерьевич Ерыгин,Виталий Юрьевич Скоропад,Наталья Константиновна Силантьева,Дмитрий Борисович Санин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Национальный медицинский исследовательский центр радиологии" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НМИЦ радиологии" Минздрава России). Дата публикации: 2020-05-29.

Method and apparatus for data inversion in memory device

Номер патента: US20030151953A1. Автор: Osamu Nagashima,Grigori Temkine,Joseph Macri,Olge Drapkin. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2003-08-14.

Programmable optical displacement sensor and method of measuring shift with automatic correction of measurement error

Номер патента: RU2711244C2. Автор: Алексей Олегович Беляев,Олег Александрович Харьянов,Роман Николаевич Пономаренко,Аскер Муаедович Табухов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Севкаврентген-Д". Дата публикации: 2020-01-15.

Speech audio encoding device, speech audio decoding device, speech audio encoding method and speech audio decoding method

Номер патента: RU2678657C1. Автор: Масахиро ОСИКИРИ,Такуя КАВАСИМА. Владелец: Панасоник Интеллекчуал Проперти Корпорэйшн оф Америка. Дата публикации: 2019-01-30.

Methods of producing non-alcoholic mouthwash with biologically active essential oils

Номер патента: RU2582222C2. Автор: Кэролин Дж. МОРДАС,Дэниел Р. КЕЙРОС,Патрик Б. ЦАЙ. Владелец: МакНЕЙЛ-ППС, ИНК.. Дата публикации: 2016-04-20.

Polythioether polymer with two mercaptan ring groups, production method and use thereof

Номер патента: RU2391357C2. Автор: Майкл А. КОСМАН,Чандра Б. РАО,Суреш Г. САВАНТ. Владелец: Прк-Десото Интернэшнл, Инк.. Дата публикации: 2010-06-10.

Method and apparatus for diagnosing colon plyp using machine learning model

Номер патента: US20230215570A1. Автор: Yo Sep JI,So Young PARK. Владелец: Hem Pharma Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Method and apparatus for determining molecular crystal structures

Номер патента: WO1999006824A1. Автор: William Ian Fraser David,Kenneth Shankland. Владелец: Council for the Central Laboratory of the Research Councils. Дата публикации: 1999-02-11.

Liquid crystal light-adjusting film, backlight module and manufacturing method of liquid crystal light-adjusting film

Номер патента: US20190302345A1. Автор: Chong-Yang Fang,Ping-Yeng Chen,Chih-Jen Tsang,Hsiung-Chun Hsu. Владелец: Coretronic Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method and apparatus for precharge and refresh control

Номер патента: WO2018217311A1. Автор: Michael Richter. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2018-11-29.

Structure and method of repairing SDRAM by generating slicing table of fault distribution

Номер патента: US20030074612A1. Автор: Chien-Tzu Hou,Hsiu-Ying Hsu. Владелец: Geneticware Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-17.

Method and apparatus for precharge and refresh control

Номер патента: US20190378563A1. Автор: Michael Richter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Method and apparatus for precharge and refresh control

Номер патента: US20190066767A1. Автор: Michael Richter. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Method and system for determining an operating voltage using a source/drain to gate overlap induced scaling factor

Номер патента: US6737876B1. Автор: Hyeon-Seag Kim. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-05-18.

Stop valve, machining method, and assembly method

Номер патента: EP4417843A1. Автор: Bin Luo,Feng LOU,Diyong CHEN,Guanghua FENG,Weineng Chen,Jie Shou,Xingyang YUAN. Владелец: Zhejiang Dunan Artificial Environment Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Methods and systems for shopping in a retail store

Номер патента: US20240281829A1. Автор: Michael Garel,Jim Wang. Владелец: Alpha Modus Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Learning method and testing method for r-cnn based object detector, and learning device and testing device using the same

Номер патента: EP3633550A1. Автор: Kye-Hyeon Kim,Hak-Kyoung Kim,Sukhoon Boo,Myungchul Sung,Donghun Yeo,Wooju Ryu,Taewoong Jang,Kyungjoong Jeong,Hongmo Je,Hojin Cho,Yongjoong Kim,Insu Kim,Woonhyun Nam. Владелец: Stradvision Inc. Дата публикации: 2020-04-08.

File management apparatus and method, and storage system

Номер патента: US20070156703A1. Автор: TETSUYA Abe,Akira Murotani. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2007-07-05.

File management apparatus and method, and storage system

Номер патента: US20090276423A1. Автор: TETSUYA Abe,Akira Murotani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Carbon nanotubes and preparation method thereof by using PET

Номер патента: US10947118B2. Автор: Yan Li,Xing Zhou,Rong Yang,Changqing Fang,Shaofei Pan,Wanqing Lei. Владелец: Xian University of Technology. Дата публикации: 2021-03-16.

Compositions and diagnostic techniques for tumour and methods of treating it

Номер патента: RU2430112C2. Автор: Марк ДЕННИС,Уилльям МАЛЛЕТ,Пол ПОЛЕЙКИС. Владелец: Дженентек, Инк.. Дата публикации: 2011-09-27.

Method of obtaining and processing images formed using proton radiation

Номер патента: RU2722620C1. Автор: Константин Леонидович Михайлюков,Татьяна Игоревна Дементьева. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Государственная корпорация по атомной энергии "Росатом" (Госкорпорация "Росатом"). Дата публикации: 2020-06-02.

Method Of Fabricating Mask And Method Of Fabricating Semiconductor Device Using The Mask

Номер патента: US20230288795A1. Автор: Sung-hwan Bae,Se Jin Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Text-to-speech synthesis method and system, a method of training a text-to-speech synthesis system, and a method of calculating an expressivity score

Номер патента: US12046226B2. Автор: John Flynn,Zeenat QURESHI. Владелец: SPOTIFY AB. Дата публикации: 2024-07-23.

Benzimidazole compound or salt thereof, canine filariasis control agent containing same, and method of use thereof

Номер патента: EP4349830A1. Автор: Ryosuke Tanaka,Hirokazu Fujihara,Kosuke Fukatsu. Владелец: Nihon Nohyaku Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Benzimidazole compound or salt thereof, canine filariasis control agent containing same, and method of use thereof

Номер патента: EP4349824A1. Автор: Ryosuke Tanaka,Hirokazu Fujihara,Shunsuke Fuchi,Kosuke Fukatsu. Владелец: Nihon Nohyaku Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-10.

Method for producing alpha-form crystal of reduced glutathione, and method for storing said crystal

Номер патента: EP4406960A2. Автор: Hiroshi Nagano,Kazunari Fukumoto,Maya IGUCHI. Владелец: Kyowa Hakko Bio Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Method and apparatus for representing executable content within a barcode (scanlet)

Номер патента: WO2002021264A3. Автор: James T Connors,Craig S Ellis. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device test system and method

Номер патента: US20080246505A1. Автор: Carsten Ohlhoff,Markus Kollwitz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2008-10-09.

Benzimidazole compound or salt thereof, canine filariasis control agent containing same, and method of use thereof

Номер патента: US20240270712A1. Автор: Ryosuke Tanaka,Hirokazu Fujihara,Shunsuke Fuchi,Kosuke Fukatsu. Владелец: Nihon Nohyaku Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Method and system for assessment of cognitive load from bio-potentials measured using wearable endosomatic device

Номер патента: EP3925534A1. Автор: Rajesh Ranjan,Arpan Pal,Debatri CHATTERJEE,Dibyanshu JAISWAL,Ramesh Kumar RAMAKRISHNAN,Ratna GHOSH,Madhurima MOULICK. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2021-12-22.

Circuit constant analysis method and circuit simulation method of equivalent circuit model of multilayer chip inductor

Номер патента: US20110313749A1. Автор: Xiangying WU. Владелец: TAIYO YUDEN CO LTD. Дата публикации: 2011-12-22.

Information recording medium, optical information recording and reproducing apparatus, optical information recording and reproducing method and manufacturing method of information recording medium

Номер патента: US20120113772A1. Автор: Noboru Yamada,Teruhiro Shiono. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-05-10.

High throughput screening method of binding inhibitor between caspase3 and xiap, and binding inhibitor screened thereby

Номер патента: WO2007145453A1. Автор: Bong Hyun Chung,Kwang-Hee Son,Byoung-Mog Kwon,Dong Cho Han,Kyoungsook Park,Moonil Kim,Hyun Jung Junn,Sun-Hee Jeon. Владелец: Korea Research Institute of Bioscience and Biotechnology. Дата публикации: 2007-12-21.

Systems and methods for automatic blood vessel extraction

Номер патента: US20240303927A1. Автор: Ariel Birenbaum,Guy Alexandroni,Ofer Barasofsky,Irina SHEVLEV. Владелец: COVIDIEN LP. Дата публикации: 2024-09-12.

Polyester resin composition, method of preparing the same, and molded article manufactured using the same

Номер патента: US20240317993A1. Автор: Jae Chan Park,Chang Hee Song,Tae Hun Kwon,Ran Hee Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Indium tin oxide target, method of manufacturing the same and transparent electrode manufactured by using the same

Номер патента: KR101294328B1. Автор: 조우석,이상철,최준호,정준희,박주옥,강신혁. Владелец: 삼성코닝정밀소재 주식회사. Дата публикации: 2013-08-07.

Method of controlling mobile terminal using fingerprint recognition and mobile terminal using the same

Номер патента: EP3143485A1. Автор: Seong-hyun Kim,Dong-Jin Jung,Seon-Jeong LEE,Sung-ki Jin,Il-Kwon PARK,Woo-ram SON,Soon-ae Kim,Pil-soo Kim,Myoung-kyoung Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-22.

Method of producing magnetic storage medium, magnetic storage medium and information storage device

Номер патента: US20110242700A1. Автор: Kazuhiro Watanabe,Kenji Sato,Tsutomu Tanaka,Takuya Uzumaki,Tadashi Morita,Tsutomu Nishihashi. Владелец: Ulvac Inc. Дата публикации: 2011-10-06.

Method and system for computerized searching and matching using emotional preference

Номер патента: WO2007117980A4. Автор: Alex Willcock. Владелец: Imagini Holdings Ltd. Дата публикации: 2008-12-31.

Method of detecting residual genomic DNA and a kit thereof

Номер патента: US9512475B2. Автор: Reena Nichinmetla RAGHUNANDAN,Rahul Sharad Fadnis. Владелец: Biocon Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method and apparatus for non-invasive estimation of glycated hemoglobin or blood glucose by using machine learning

Номер патента: US20240148282A1. Автор: Tae Ho Kwon,Ki Doo KIM. Владелец: Korea ITS Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Antibody-cd4 conjugates and methods of using the same

Номер патента: EP4351647A1. Автор: Andrés FINZI,Marzena PAZGIER,William D. TOLBERT,Dung N. NGUYEN,Jonathan Richard. Владелец: Centre Hospitalier de lUniversite de Montreal CHUM. Дата публикации: 2024-04-17.

Yeast cell having decreased rgt1 activity, method of producing the same, and method of producing product using the same

Номер патента: US20160208270A1. Автор: Changduk KANG,Kwangmyung Cho,Seunghyun Lee,Jinsuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-21.

Antibody-cd4 conjugates and methods of using the same

Номер патента: US20240285790A1. Автор: Andrés FINZI,Marzena PAZGIER,William D. TOLBERT,Dung N. NGUYEN,Jonathan Richard. Владелец: Centre Hospitalier de lUniversite de Montreal CHUM. Дата публикации: 2024-08-29.

Crosslinked hyaluronic acid, hyaluronic acid hydrogel, and method for producing crosslinked hyaluronic acid and hyaluronic acid hydrogel

Номер патента: US20220040374A1. Автор: Hyo Seung Park,Jun Young Kim,Yong Woo Kim,Soo Jin Kim,Se Kweon KIM,Chung Leol SHIN,Back Ho LEE. Владелец: Hanmi Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-10.

Tray movement speed control method and apparatus

Номер патента: EP1630806A3. Автор: Byung-In Ma,Myoung-wook Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-09-03.

Tray movement speed control method and apparatus

Номер патента: US20060048172A1. Автор: Myoung-wook Lee,Byung Ma. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-03-02.

Manufacturing method of 1,4-dioxane derivative, 1,4-dioxane derivative, composition containing 1,4-dioxane derivative, and manufacturing method of (1,3-dioxolane)-2- carboxylic acid derivative, (1,3-dioxolane)-2-carboxylic acid derivative, and composition containing (1,3-dioxolane)-2-carboxylic acid derivative

Номер патента: US20240246925A1. Автор: Daisuke Inoue,Hiroaki Adachi,Yusuke SESOKO,Munenori Inoue,Tatsuya Ueji. Владелец: Sagami Chemical Research Institute. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of speeding up secure boot process and electronic device using the same

Номер патента: US20240070285A1. Автор: Wen-Hung Huang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Tissue culture method and propagation method of cathaya argyrophylla

Номер патента: US20230404005A1. Автор: Kun Qin,Rongzhen Li,Lixin Feng,Jianhua Lan,Kaile MAI,Changsan ZHU,Yuanchang LU,Xianzhao LIU,Jienan SU,Debao LIAO. Владелец: Gx Eco Engineering Vocational & Technical College. Дата публикации: 2023-12-21.

Devices and methods for measuring viscoelastic changes of a sample

Номер патента: US20230251175A1. Автор: Harald LEYSER. Владелец: Enicor GmbH. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of embedding a tracking device in a jewel and tracking method therefor

Номер патента: US12086671B2. Автор: Avel Lenttan. Владелец: Inspiredring Srl. Дата публикации: 2024-09-10.

Method and arrangement for producing gravel columns

Номер патента: EP2834419A1. Автор: Olivier Haye,Ian Howard Carton. Владелец: Vibro Equipment of Parts Far East Co. Дата публикации: 2015-02-11.

Crosslinked hyaluronic acid, hyaluronic acid hydrogel, and method for producing crosslinked hyaluronic acid and hyaluronic acid hydrogel

Номер патента: US12090248B2. Автор: Hyo Seung Park,Jun Young Kim,Yong Woo Kim,Soo Jin Kim,Se Kweon KIM,Chung Leol SHIN,Back Ho LEE. Владелец: Hanmi Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Design method and manufacturing method of multi-linkage planetary gear speed changing mechanism, and multi-linkage planetary gear speed changing mechanism

Номер патента: US20240289512A1. Автор: Guofu Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-08-29.

Method and manufacturing method of multi-linkage planetary gear speed changing mechanism, and multi-linkage planetary gear speed changing mechanism

Номер патента: US12099780B2. Автор: Guofu Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-24.

Methods and systems for generating alternative content using generative adversarial networks implemented in an application programming interface layer

Номер патента: US20240354489A1. Автор: Galen Rafferty,Austin Walters,Anh Truong,Ernest Kwak,Vincent Pham,Jeremy Goodsitt,Alvin Hua. Владелец: Capital One Services LLC. Дата публикации: 2024-10-24.

Devices and methods for measuring viscoelastic changes of a sample

Номер патента: AU2017396320B2. Автор: Harald LEYSER. Владелец: Enicor GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Method and apparatus for cooling air and water

Номер патента: US6122922A. Автор: Leo B. Conner. Владелец: Conner; Leo B.. Дата публикации: 2000-09-26.

Non-linear optical material, method of manufacturing the same and optical wavelength converter

Номер патента: US5460754A. Автор: Tatsurou Kawamura,Katsuya Wakita,Tetsuji Kawakami,Nobuo Sonoda,Yusuke Ozaki,Hisashi Minemoto. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-24.

Stamper, method of manufacturing the stamper, and magnetic recording medium manufacturing method using the stamper

Номер патента: US8308965B2. Автор: Satoshi Shirotori,Masatoshi Sakurai,Yoshiyuki Kamata,Seiji Morita,Takuya Shimada,Shinobu Sugimura. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-11-13.

Tubular roller, method of manufacturing the same, and electrophotographic image forming apparatus

Номер патента: EP1693715A3. Автор: Tae-hyun Kim,Jong-Moon Eun,In Kim,Hee-Won Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-28.

Battery diagnosis method and device therefor

Номер патента: US20240210482A1. Автор: Chang Hee Song. Владелец: Mona Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Antispermatogenic, spermicidal and/or antifungal composition and methods of using the same

Номер патента: WO2007124353A2. Автор: Clarence Edgar Cook,Brian Frazier Thomas,Hernan Andres Navarro,Clyde Ray Tallent. Владелец: Cook, Kevin, M.. Дата публикации: 2007-11-01.

Methods and Apparatuses Relating to Cell Culture Media

Номер патента: US20100184219A1. Автор: Nicholas Robert Forsyth. Владелец: KEELE UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-07-22.

Medium for breeding hermetia illucens larva that produces highly active antimicrobial peptide (amp), breeding method, and extraction method of amp

Номер патента: US20240180131A1. Автор: HUI Wang,Xiaofang Wang,Fei Wang,Jia WU,Qihui Zhang,Yuliang Chen,Chaozhong ZHENG,Leiyu Wang. Владелец: Agricultural Products Processing Research Institute of CATAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Methods and apparatuses relating to cell culture media

Номер патента: EP2173850A2. Автор: Nicholas Robert Forsyth. Владелец: KEELE UNIVERSITY. Дата публикации: 2010-04-14.

Battery diagnosis method and device therefor

Номер патента: EP4443180A1. Автор: Chang Hee Song. Владелец: Mona Inc. Дата публикации: 2024-10-09.

Methods and Systems for Predicting Risk of Cardiovascular Disease

Номер патента: US20240347203A1. Автор: Yennun Huang,Wei-Lun Chang,Yeong-Sung Lin,Hao-Min Cheng,Chiu-Han Hsiao,Chia-Ying Hsieh,Po-Chun Yu. Владелец: National Taiwan University NTU. Дата публикации: 2024-10-17.

Method and system for providing roughness haptic sense of virtual object by using space-time encoding

Номер патента: US12056281B2. Автор: Young Jun Kim,Yae Sol Kim,Uran Oh. Владелец: Industry Collaboration Foundation of Ewha University. Дата публикации: 2024-08-06.

METHOD AND DEVICE FOR DETERMINING DEFECTS OF MANUFACTURE, ASSEMBLY AND INSTALLATION OF MAGNETIC SYSTEMS

Номер патента: RU2009141919A. Автор: Владимир Георгиевич Ивкин,Сергей Александрович Егоров,Владимир Александрович Коротков,Вячеслав Николаевич Васильев,Виктор Михайлович Амосков,Валерий Аркадьевич Беляков,Владимир Петрович Кухтин,Евгений Анатольевич Ламзин,Андрей Анатольевич Ланцетов,Михаил Сергеевич Ларионов,Нина Александровна Максименкова,Игорь Юрьевич Родин,Сергей Евгеньевич Сычевский,Олег Геннадьевич Филатов,Алексей Анатольевич Фирсов,Николай Александрович Шатиль,Владимир Александрович Коротков (RU),Виктор Михайлович Амосков (RU),Владимир Петрович Кухтин (RU),Евгений Анатольевич Ламзин (RU),Михаил Сергеевич Ларионов (RU),Сергей Евгеньевич Сычевский (RU),Алексей Анатольевич Фирсов (RU),Николай Александрович Шатиль (RU),Сергей Александрович Егоров (RU),Валерий Аркадьевич Беляков (RU),Вячеслав Николаевич Васильев (RU),Владимир Георгиевич Ивкин (RU),Андрей Анатольевич Ланцетов (RU),Нина Александровна Максименкова (RU),Игорь Юрьевич Родин (RU),Олег Геннадьевич Филатов (RU). Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт электрофизической аппаратуры им. Д.В. Ефремова" (. Дата публикации: 2011-05-27.

Novel macromolecule transduction domains and methods for identification and uses thereof

Номер патента: EP2837636A2. Автор: Jin Sook Kim,Dae Woong Jo,Jae Sun Ko,Kyung Mi Park,Jin Kyung Song,Jung Hee Lim,Thi Thuy Nga Do,Thi Lan Phuong Do,Minh Tam Duong. Владелец: Procell Therapeutics Inc. Дата публикации: 2015-02-18.

Portable programmer for time-of-day metering register system and method of using same

Номер патента: US4093997A. Автор: Warren R. Germer. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1978-06-06.

Panel system for composing a floor covering or wall covering, panel, and method

Номер патента: NL2032732B1. Автор: Alberic Boucké Eddy,Renaat Karel Devos Pieter. Владелец: I4F Licensing NV. Дата публикации: 2024-02-16.

METHOD OF MANUFACTURING HIGH-INTEGRATED SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURED USING THE SAME

Номер патента: US20120077337A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-03-29.

STAMPER, METHOD OF MANUFACTURING THE STAMPER, AND MAGNETIC RECORDING MEDIUM MANUFACTURING METHOD USING THE STAMPER

Номер патента: US20120000885A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF ARRANGING PADS IN SEMICONDUCTOR DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE USING THE METHOD, AND PROCESSING SYSTEM HAVING MOUNTED THEREIN THE SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE

Номер патента: US20120002456A1. Автор: OH Chi-sung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and Apparatus For Inspecting Defect Of Pattern Formed On Semiconductor Device

Номер патента: US20120002861A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593415C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Method of manufacturing interconnections for semiconductor devices

Номер патента: RU2593416C1. Автор: Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Евгений Александрович Лебедев,Борис Николаевич Рыгалин,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ). Дата публикации: 2016-08-10.

Acid composition for treatment of low-permeable terrigenous headers with high carbonate content and method of acid treatment of bottom-hole formation zone with by using it

Номер патента: RU2407769C1. Автор: Михаил Александрович Силин,Любовь Абдулаевна Магадова,Евгений Геннадьевич Гаевой,Михаил Иванович Рудь,Михаил Дмитриевич Пахомов,Михаил Михайлович Мухин,Виктория Валерьевна Пономарева,Михаил Александрович Силин (RU),Любовь Абдулаевна Магадова (RU),Михаил Дмитриевич Пахомов (RU),Евгений Геннадьевич Гаевой (RU),Михаил Иванович Рудь (RU),Михаил Михайлович Мухин (RU),Виктория Валерьевна Пономарева (RU). Владелец: ЗАО "Химеко-ГАНГ". Дата публикации: 2010-12-27.

Means, method for producing the same and method for controlling of difficult-to-eradicate quarantine weeds such as russian centaury using the same means

Номер патента: RU2308833C2. Автор: Юрий Николаевич Плескачев,Анатолий Александрович Астахов,Анатолий Вениаминович Ломтев,Татьяна Леонидовна Карпова,Татьяна Викторовна Иванченко,Ольга Николаевна Гурова,Анатолий Александрович Астахов (RU),Анатолий Вениаминович Ломтев (RU),Юрий Николаевич Плескачев (RU),Тать на Леонидовна Карпова (RU),Тать на Викторовна Иванченко (RU),Ольга Николаевна Гурова (RU). Владелец: Государственное научное учреждение Нижне-Волжский научно-исследовательский институт сельского хозяйства РАСХН (ГНУ НВ НИИСХ). Дата публикации: 2007-10-27.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTING MATERIAL, METHOD FOR MANUFACTURING CONNECTING MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120000965A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20120001304A1. Автор: . Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method and System for Correcting the Linearity Error in Electrophotographic Devices

Номер патента: US20120002986A1. Автор: Hadady Craig Eric,Jones Christopher Dane,Lemaster John. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING WAX-CONTAINING POLYMER PARTICLES

Номер патента: US20120003581A1. Автор: Yang Xiqiang,Bennett James R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

On-line alternate dicing method and cutter polishing method of wafer dicing machine

Номер патента: TWI257665B. Автор: Yu-Min Hung,Ching-Yi Tsai,De-En Pan,Yun-Jin Lai. Владелец: Uni Tek System Inc. Дата публикации: 2006-07-01.

On-line alternate dicing method and cutter polishing method of wafer dicing machine

Номер патента: TW200507090A. Автор: yu-min Hong,Te-En Pan,Ching-I Tsai,Yun-Chin Lai. Владелец: Uni Tek System Inc. Дата публикации: 2005-02-16.

DEVICES AND METHODS FOR CUTTING AND EVACUATING TISSUE

Номер патента: US20120004595A1. Автор: DUBOIS Brian R.,NIELSEN James T.,GORDON Alexander. Владелец: LAURIMED, LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001194A1. Автор: Kitamura Takamitsu,Nakata Ken,Makabe Isao,Yui Keiichi. Владелец: Sumitomo Electric Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

System, Method and Computer Accessible Medium for Providing Real-Time Diffusional Kurtosis Imaging and for Facilitating Estimation of Tensors and Tensor- Derived Measures in Diffusional Kurtosis Imaging

Номер патента: US20120002851A1. Автор: . Владелец: New York University. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods and Kits for Measuring Von Willebrand Factor

Номер патента: US20120003670A1. Автор: Montgomery Robert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Single-crystal emitter shell and method of its manufacture

Номер патента: RU2550744C1. Автор: Александр Степанович Гонтарь,Валерий Иванович Выбыванец,Виктор Анатольевич Зазноба,Михаил Васильевич Нелидов,Виктор Петрович Смирнов,Николай Алексеевич Бочков,Леонид Евгеньевич Кошкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский институт Научно-производственное объединение "ЛУЧ" (ФГУП "НИИ НПО "ЛУЧ"). Дата публикации: 2015-05-10.

ELECTROLYTIC METHOD OF FUEL

Номер патента: US20120000788A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

BATTERY TAB JOINTS AND METHODS OF MAKING

Номер патента: US20120000964A1. Автор: . Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Low-waste die mould and method for production of parts with its help

Номер патента: RU2400360C2. Автор: Евгений Иванович Андряков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АТР-ХОЛДИНГ". Дата публикации: 2010-09-27.

THIN FILM DEPOSITION APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE APPARATUS, AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE MANUFACTURED BY USING THE METHOD

Номер патента: US20120009706A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

THIN FILM DEPOSITION APPARATUS, METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE THIN FILM DEPOSITION APPARATUS, AND ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE MANUFACTURED BY USING THE METHOD

Номер патента: US20120068199A1. Автор: SUNG Un-Cheol,JEONG Dong-Seob,KIM Jung-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

Thin Film Deposition Apparatus, Method of Manufacturing Organic Light-Emitting Display Device by Using the Apparatus, and Organic Light-Emitting Display Device Manufactured by Using the Method

Номер патента: US20120068201A1. Автор: SUNG Un-Cheol,Choi Beom Rak. Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR APPARATUS, THE SEMICONDUCTOR APPARATUS, AND IGNITOR USING THE SEMICONDUCTOR APPARATUS

Номер патента: US20120175757A1. Автор: Katsuki Takashi. Владелец: FUJI ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-07-12.

Method of making interconnections for semiconductor device

Номер патента: RU2421847C1. Автор: Сергей Александрович Гаврилов,Сергей Владимирович Дубков,Дмитрий Геннадьевич Громов,Андрей Евгеньевич Миронов,Алексей Сергеевич Шулятьев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Московский государственный институт электронной техники (технический университет) (МИЭТ). Дата публикации: 2011-06-20.

Method of operating control of main fan unit for shaft ventilation

Номер патента: RU2537427C1. Автор: Виктор Александрович Николаев,Александр Викторович Николаев,Николай Иванович Алыменко,Галина Борисовна Лялькина. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2015-01-10.

Method of automatic measurement of thickness of layer with fuzzy boundaries using image

Номер патента: RU2550534C1. Автор: Ирина Николаевна Паламарь,Павел Вадимович Сизов,Константин Александрович Рыбаков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Рыбинский государственный авиационный технический университет имени П.А. Соловьева". Дата публикации: 2015-05-10.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL239947A1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1984-07-16.

IMPROVEMENTS IN OR RELATING TO METHODS OF X'v MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: AU270812B2. Автор: ADRIAAN GROENEWEGEN and NAHUM DEMIROVSKI MARTINIS. Владелец: . Дата публикации: 1964-03-05.

Method of manufacture of mos semiconductor devices

Номер патента: PL136425B1. Автор: Tadeusz Piotrowski,Wojciech Jung,Marek Rozental. Владелец: Inst Tech Elektronowej. Дата публикации: 1986-02-28.

Method of increasing vertical take-off pulse jet engine thrust (versions)

Номер патента: RU2333378C2. Автор: Константин Валентинович Мигалин,Алексей Ильич Сиденко,Кирилл Константинович Мигалин. Владелец: Кирилл Константинович Мигалин. Дата публикации: 2008-09-10.

The method of setting up the locomotive recorder and system setting by using the two - dimensional bar code

Номер патента: TWI558587B. Автор: Chun Kai Chang,Liang Yi Chien,Fang Chui Chou. Владелец: Papago Inc. Дата публикации: 2016-11-21.

Methods of manufacturing housings for semiconductor devices

Номер патента: CA903930A. Автор: Diel Burkhart,Gregor Kurt,Huber Walther. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1972-06-27.

THIN FILM DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20120009328A1. Автор: Jo Chang-Mog,Kang Hee-Cheol,Ryu Jae-Kwang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-12.

THIN FILM DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20120070928A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-03-22.

THIN FILM DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20120083061A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-04-05.

ORGANIC FILM DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20120100282A1. Автор: Park Hyun-Sook,Lee Yun-Mi,Chang Seok-Rak,Kim Jong-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2012-04-26.

THIN FILM DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20120156818A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-06-21.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20120299023A1. Автор: LEE Dong-kyu,Kim Mu-Hyun,Lee Yun-Mi,Song Jung-Bae,Lee Sang-Pil,Song Young-Rok,Kim Jong-Heon,Ryu Jae-Kwang,Kim Byung-Su. Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

ORGANIC LAYER DEPOSITION APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE BY USING THE SAME

Номер патента: US20130009177A1. Автор: Chang Seok-Rak,Hong Jong-Won,Nam Myeng-Woo,Kang Hee-Cheol,Kim Jong-Heon,Chang Uno. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-10.

ANTIBODY CONTAINING Fc-VERSION COMPONENT (VERSIONS), PHARMACEUTICAL COMPOSITION CONTAINING ANTIBODY, AND METHOD OF TREATING MAMMAL

Номер патента: RU2390527C2. Автор: Шер Бахадур КАРКИ,Грегори Алан ЛАЗАР,Артур Дж. ЧИРИНО,Вэй ДАНГ,Джон Рудолф ДИСДЖАРЛЕЙС,Стивен Коль ДОБЕРСТЕЙН,Роберт Дж. ХЭЙЕС,Омид ВАФА. Владелец: Ксенкор, Инк.. Дата публикации: 2010-05-27.

Mark detection apparatus, exposure apparatus having the same, and method of manufacturing semiconductor element or liquid crystal display element using the exposure apparatus

Номер патента: JP3448812B2. Автор: 健爾 西. Владелец: Nikon Corp. Дата публикации: 2003-09-22.

CERAMIC COMPOSITION FOR PIEZOELECTRIC ACTUATOR AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND PIEZOELECTRIC ACTUATOR MANUFACTURED BY USING THE SAME

Номер патента: US20120169183A1. Автор: Kim Boum Seock,Park Eun Tae,Jeong Seung Gyo. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-05.

Method of ladle treatment of high-carbon steel

Номер патента: RU2145639C1. Автор: Дмитрий Александрович Дюдкин,Василий Павлович Фетисов,Владимир Васильевич Кисиленко,Виталий Прохорович Онищук,Михаил Павлович Гуляев,Александр Петрович Фоменко,Юрий Израилевич Бать,Анатолий Николаевич Паршиков. Владелец: Белорусский Металлургический Завод. Дата публикации: 2000-02-20.

Improved Method of Regulating the Speed of Series Electric Motors.

Номер патента: GB189707096A. Автор: Horace Field Parshall. Владелец: Individual. Дата публикации: 1897-05-29.

Method of communication through images and handheld devices

Номер патента: PH22017000525Y1. Автор: Chavez Marian Elaine R De. Владелец: Chavez Marian Elaine R De. Дата публикации: 2018-09-05.

Method of and system for getting semiconductor devices of improved properties and preliminary selection of avalanche devices

Номер патента: PL131247B1. Автор: Henryk Rzepa,Jerzy Kuchta. Владелец: Politechnika Gdanska. Дата публикации: 1984-10-31.

Method of communication through images and handheld devices

Номер патента: PH22017000525U1. Автор: Chavez Marian Elaine R De. Владелец: Chavez Marian Elaine R De. Дата публикации: 2018-09-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.