Semiconductor storage device and method for manufacturing semiconductor storage device
Номер патента: US11889698B2
Опубликовано: 30-01-2024
Автор(ы): Hiroshi Nakaki, Kazuaki Nakajima, Yasuhito Yoshimizu
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 30-01-2024
Автор(ы): Hiroshi Nakaki, Kazuaki Nakajima, Yasuhito Yoshimizu
Принадлежит: Kioxia Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Nonvolatile trench memory device and self-aligned method for making such a device
Номер патента: US5229312A. Автор: Satyendranath Mukherjee,Manjin Kim. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1993-07-20.