Semiconductor device and method for fabricating the same
Номер патента: US11837548B2
Опубликовано: 05-12-2023
Автор(ы): Seo Woo NAM, Seon Bae Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-12-2023
Автор(ы): Seo Woo NAM, Seon Bae Kim
Принадлежит: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device including via structures with undercut portions and semiconductor package including the same
Номер патента: US11798866B2. Автор: Sangjun Park,Eunji Kim,Sungdong CHO,Hakseung LEE,Kwangwuk Park,Daesuk Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.