Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Gamma reference voltages generating circuit

Номер патента: US20090207062A1
Опубликовано: 20-08-2009
Автор(ы): Chi-Lun Hung, Yao-Jen Tsai
Принадлежит: Himax Display Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Gamma reference voltages generating circuit

Номер патента: US7642941B2. Автор: Yao-Jen Tsai,Chi-Lun Hung. Владелец: Himax Display Inc. Дата публикации: 2010-01-05.

Display device and display driver with sequential transfer of gray scale reference voltages

Номер патента: US9601043B2. Автор: Toshiyuki Hikichi,Yasuhito Kurokawa,Shutaro Ichikawa,Masashi Takata. Владелец: Synaptics Japan GK. Дата публикации: 2017-03-21.

Reference voltage generation circuit and method, display driver circuit and liquid crystal display device

Номер патента: EP1335347A1. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-08-13.

Gamma reference voltage generating circuit, liquid crystal display panel driving circuit and method thereof

Номер патента: US20200082778A1. Автор: Xue Hu,Leli PENG. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-12.

Source driver integrated circuit and gamma reference voltage generator

Номер патента: US10013903B2. Автор: Yongsuk Kim,HunYong LIM. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Variable tap gamma amplifier, gamma voltage generator, and display driving integrated circuit

Номер патента: EP4300475A1. Автор: Taek Su KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-03.

Gamma reference voltages generating circuit with output offset and display apparatus

Номер патента: US20150009240A1. Автор: Toshiaki Matsuoka,Chia Cheng Lei. Владелец: Integrated Solutions Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-08.

Gray-scale voltage generating circuit and display unit

Номер патента: US09953582B2. Автор: Junichi Yamashita,Kei Kimura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Gray-scale voltage generating circuit to control luminance of the display unit

Номер патента: US09940877B2. Автор: Junichi Yamashita,Kei Kimura,Yusuke Onoyama. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Display device with reduced scanning time by using separate reference voltage line

Номер патента: WO2022240777A1. Автор: Cheonhong Kim,Min Hyuk Choi,Wenhao Qiao. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2022-11-17.

Gamma voltage generator, source driver and display apparatus

Номер патента: US20230316975A1. Автор: Chi-Yi Lo. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2023-10-05.

Gamma voltage generation circuit and drive apparatus

Номер патента: US20180197492A1. Автор: Wei Chen,Xingling Guo,Xiaoping Tan. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-12.

Gamma reference voltage output circuit of display device

Номер патента: US20210193009A1. Автор: Kyoung Tae Kim,Jun Sik WOO. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Gamma voltage generator and display device including the same

Номер патента: US20200312215A1. Автор: Jinyoung You. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Current generating circuit, semiconductor integrated circuit, electro-optical device, and electronic apparatus

Номер патента: EP1288905A3. Автор: Toshiyuki Kasai. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2004-07-07.

Set-voltage generation unit, set-voltage generation method and display device

Номер патента: US20210241692A1. Автор: Wei Chen,Min He,Chun Cao,Wenchao Bao. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Variable tap gamma amplifier, gamma voltage generator, and display driving integrated circuit

Номер патента: US20240005877A1. Автор: Taek Su KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Reference voltage generation circuit and its generation method, display device

Номер патента: US20220415229A1. Автор: Haoran Li,Jianfeng Xiao. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-29.

Display device and vcom signal generation circuit

Номер патента: US20200372848A1. Автор: Meng-Chieh Tsai,Wei-Chien Liao. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2020-11-26.

Gamma reference voltage ripple filter circuit and liquid crystal display

Номер патента: US9966020B2. Автор: Li Zhou,Dan Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Source driver integrated circuit and gamma reference voltage generator

Номер патента: US20170018249A1. Автор: Yongsuk Kim,HunYong LIM. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-19.

Gamma voltage generator, display driver, display device and method of generating a gamma voltage

Номер патента: US11847951B2. Автор: Dae-Sik Lee,Sanghyun Lee,Songyi Han,Keunoh Kang,Siduk Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Gamma voltage generator, display driver, display device and method of generating a gamma voltage

Номер патента: US20230368719A1. Автор: Dae-Sik Lee,Sanghyun Lee,Songyi Han,Keunoh Kang,Siduk Sung. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Reference voltage generator, display device including the same, and method of driving display device

Номер патента: US11741868B2. Автор: Jin-Taek Hong,Hyungrae Nam. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Display device for adjusting current output of a common voltage generating circuit

Номер патента: US09805677B2. Автор: Katsuki Ochiai. Владелец: Panasonic Liquid Crystal Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Common Voltage Generation Circuit and Generation Method, and Display Device

Номер патента: US20200013324A1. Автор: Yifei ZHAN,Dayu ZHANG,Xiaohan LING. Владелец: Hefei BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Power voltage generator, driver ic, and display device

Номер патента: US20240177648A1. Автор: Se-Byung Chae,Hyunchang KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Reference voltage generator, display device including the same, and method of driving display device

Номер патента: US20230230514A1. Автор: Jin-Taek Hong,Hyungrae Nam. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-07-20.

Power voltage generating circuit and display apparatus including the same

Номер патента: US20180144680A1. Автор: Seunghwan Moon,Kyunho Kim,Sung-In Kang,Shimho Yi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Gamma standard voltage generating circuit, gamma driving voltage generating circuit and display device

Номер патента: US11955068B2. Автор: Hui Zhao,Zebang GUO,Baoyun WU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor integrated circuit with voltage generation circuit, liquid crystal display controller and mobile electric equipment

Номер патента: US20070211508A1. Автор: Toshio Mizuno,Kazuya Endo,Naoki Miyamoto,Yoshikazu Yokota,Takayuki Nakaji,Takatoshi Uchida,Kazuo Ookado. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Power voltage generating circuit and display apparatus having the same and method of protecting data driver using the same

Номер патента: US20190318705A1. Автор: Dae-Sik Lee,Yanguk NAM,Songyi Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Power voltage generating circuit and display apparatus including the same

Номер патента: US10607530B2. Автор: Seunghwan Moon,Kyunho Kim,Sung-In Kang,Shimho Yi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-03-31.

Dynamic reference voltage control in display devices

Номер патента: US20230005404A1. Автор: Yi-Fan Lin,Kai-Chieh Chang,Chang-Chih Yeh. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2023-01-05.

Driving voltage generating device, display device including the same, and method of generating driving voltage

Номер патента: US09747861B2. Автор: Jong Jae Lee,Se Young HEO,Jun Ki Hong,Yang Uk NAM,Bon-Sung KOO,Jun Dal Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Data current generation circuit, driving method, driver chip and display panel

Номер патента: US20220208098A1. Автор: Ping-Lin Liu,Haodong ZHANG. Владелец: Seeya Optronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Data current generation circuit including a compensation control circuit, driving method, driver chip and display panel

Номер патента: US11521550B2. Автор: Ping-Lin Liu,Haodong ZHANG. Владелец: Seeya Optronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

OLED display device with variable gamma reference voltage

Номер патента: US09824634B2. Автор: Junghyun Lee,Koichi Miwa,Seong-Eok Han,Yonghan Jo. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Gamma voltage generating device and display device including the same

Номер патента: US11393398B2. Автор: Dong Su Lee. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-19.

Gamma voltage generation circuit and display device including the same

Номер патента: US11763723B2. Автор: Su Bin Kim,Jin Young Jeon,Se Byung CHAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Gamma voltage generation circuit and display device including the same

Номер патента: US20230387472A1. Автор: Su Bin Kim,Jin Young Jeon,Se Byung CHAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Gamma voltage generating circuit for use in display device having first and second pixel areas, and display device including the same

Номер патента: US11830442B2. Автор: Seung Taek Oh,Kyu Jin Kim,Bo Yun JUNG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Pixel circuit and display device that sets a data line to a reference voltage to remove a residual data voltage

Номер патента: US09984629B2. Автор: YING Wang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Display device having a reference voltage for outputting to a subpixel

Номер патента: US11847977B2. Автор: Kwangmo PARK,Mookyoung Hong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-19.

Gamma-voltage generation module and liquid crystalline panel

Номер патента: RU2667383C2. Автор: Чжи-цзун КАН,Люсиань ЧЭНЬ. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-09-19.

Voltage generator

Номер патента: US20140361967A1. Автор: Wei-Kai Tseng. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2014-12-11.

Reference voltage generation system and method

Номер патента: US20210325923A1. Автор: Xiaoyu Huang. Владелец: Chongqing HKC Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Voltage generator, display device including the same and voltage generation method

Номер патента: US20170148413A1. Автор: Sanghyun Park,Yong-Sik Hwang,Kyungmo Lee,Hyejung HONG. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-25.

Gradation voltage generator and display device having the same

Номер патента: US20120169779A1. Автор: Kwang-Sae Lee. Владелец: Samsung Mobile Display Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Common voltage generation circuit and liquid crystal display

Номер патента: EP3644304A1. Автор: Dan Cao. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

Signal generating circuit and display device

Номер патента: US20210142710A1. Автор: Yu-Cheng Lin,Chien-Ting Chan,Chih-Hsuan Lee. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2021-05-13.

Ramp signal generating circuit and signal generator, array substrate and display apparatus

Номер патента: US09755624B2. Автор: Zhongyuan Wu,Liye Duan,Lirong WANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Voltage generation circuit and liquid crystal television

Номер патента: US9898994B1. Автор: Mingliang Wang,Dongsheng Guo. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Voltage generation circuit and liquid crystal television

Номер патента: US20180047363A1. Автор: Mingliang Wang,Dongsheng Guo. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

Gamma reference voltage generating device and display with temperature compensation

Номер патента: US09997097B2. Автор: Huijuan Chen,Qian Wang,Hyungkyu Kim. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Organic light emitting display device, and method of generating a gamma reference voltage for the same

Номер патента: US20140111402A1. Автор: Min-Weun Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Driving voltage generating circuit, liquid crystal display having the same and method of generating driving voltage

Номер патента: US20070085806A1. Автор: Seung-Hwan Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-19.

Set-up voltage generating circuit and plasma display panel driving circuit using same

Номер патента: US20060202916A1. Автор: Tae Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2006-09-14.

Power voltage generating circuit and display apparatus including the same

Номер патента: US20200020297A1. Автор: Dae-Sik Lee,Yanguk NAM,Taegon Im. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Data driver with multilevel voltage generating circuit, and liquid crystal display apparatus

Номер патента: US20080122776A1. Автор: Hiroshi Tsuchi,Junichirou Ishii. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Timing sequences generation circuits and liquid crystal devices

Номер патента: US09978333B2. Автор: Dan Cao,Xianming Zhang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Offset compensation gamma buffer and gray scale voltage generation circuit using the same

Номер патента: WO2009066882A2. Автор: Dae Seong Kim,Joon Ho Na,An Young Kim,Dae Keun Han,Man Jeong Ko. Владелец: SILICON WORKS CO., LTD. Дата публикации: 2009-05-28.

Reference voltage generating circuit for liquid crystal display

Номер патента: US20040183707A1. Автор: Yong Kim,Hwa Lee. Владелец: Boe Hydis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-23.

Multi-Level Voltage Generator

Номер патента: US20080303587A1. Автор: Sang Wook Ahn. Владелец: Syncoam Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-11.

Gamma voltage generation circuit, method and data driver

Номер патента: US09799299B2. Автор: Yiqiang LAI. Владелец: Beijing BOE Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Gamma voltage generating circuit, source driver and display device including the same

Номер патента: US12118959B2. Автор: Su Bin Kim,Se Byung CHAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Gamma voltage generating circuit and display driving device including the same

Номер патента: US12020664B2. Автор: In Suk Kim,Jee Hwal Kim,Ki Ho Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Gamma voltage generating circuit, source driver and display device including the same

Номер патента: US20230252956A1. Автор: Su Bin Kim,Se Byung CHAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Gamma voltage generating circuit, source driver and display device including the same

Номер патента: US20200286448A1. Автор: Su Bin Kim,Se Byung CHAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Gamma voltage generating circuit, source driver and display device including the same

Номер патента: US20220351703A1. Автор: Su Bin Kim,Se Byung CHAE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

Control signal generating circuit and circuit system

Номер патента: US09728113B2. Автор: Qibing DAI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Gamma voltage generating circuit and display driving device including the same

Номер патента: US20210358448A1. Автор: In Suk Kim,Jee Hwal Kim,Ki Ho Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-11-18.

Gamma voltage generating circuit and display driving device including the same

Номер патента: US20230078111A1. Автор: In Suk Kim,Jee Hwal Kim,Ki Ho Kong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-16.

Display driver integrated circuit architecture with shared reference voltages

Номер патента: US09952264B2. Автор: Hopil Bae,Kingsuk Brahma,David A. STRONKS,Wei H. Yao. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Display device and gamma unit including first and second reference voltage generators for display panel

Номер патента: US11790851B2. Автор: Kwanghee HAN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Drive module, voltage generation method thereof and display device

Номер патента: US20220189362A1. Автор: Yang Yang,Xiangzi KONG,Bojia LV. Владелец: Shanghai Tianma AM OLED Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-16.

Drive module, voltage generation method thereof and display device

Номер патента: US11417258B2. Автор: Yang Yang,Xiangzi KONG,Bojia LV. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-16.

Pixel circuit, display panel, and compensation method of reference voltage of pixel circuit

Номер патента: US20210407416A1. Автор: Xiang Xiao,Yan Xue. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-30.

Power voltage generator and display device having the same

Номер патента: US20240258922A1. Автор: Yanguk NAM,Sungchun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Gamma voltage generator and dac having gamma voltage generator

Номер патента: US20110133972A1. Автор: Joon Ho Na,Soo Woo Kim,An Young Kim,Yong Icc Jung. Владелец: Silicon Works Co Ltd. Дата публикации: 2011-06-09.

Gate-on voltage generation circuit, display panel driving device and display device

Номер патента: US11749174B2. Автор: Mingliang Wang. Владелец: Chongqing Advance Display Technology Research. Дата публикации: 2023-09-05.

Drive module, voltage generation method thereof, and display device

Номер патента: US20230326391A1. Автор: Yang Yang,Lei Suo,Chaoqun Zhu. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Drive module, voltage generation method thereof, and display device

Номер патента: US11875731B2. Автор: Yang Yang,Lei Suo,Chaoqun Zhu. Владелец: Wuhan Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

VCOM generation circuit and liquid crystal display

Номер патента: US9696570B2. Автор: Dongsheng Guo,Zhaolin Fang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Vcom generation circuit and liquid crystal display

Номер патента: US20170038624A1. Автор: Dongsheng Guo,Zhaolin Fang. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Voltage generation integrated circuit and display apparatus having the same

Номер патента: US9830848B2. Автор: Young-Su Kim,Jae-Won Jeong,Kyung-Uk Choi,Hyun Seok Hong,Hyelim Kim,Jinhyun KO,Sangyoung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Voltage generation integrated circuit and display apparatus having the same

Номер патента: US09830848B2. Автор: Young-Su Kim,Jae-Won Jeong,Kyung-Uk Choi,Hyun Seok Hong,Hyelim Kim,Jinhyun KO,Sangyoung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Operational amplifier, load driving apparatus and grayscale voltage generating circuit

Номер патента: US10621905B2. Автор: Ji-Ting Chen,Wei-Hsiang Hung. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2020-04-14.

Operational amplifier, load driving apparatus and grayscale voltage generating circuit

Номер патента: US20180005554A1. Автор: Ji-Ting Chen,Wei-Hsiang Hung. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-01-04.

Load driving apparatus and grayscale voltage generating circuit

Номер патента: US09792843B2. Автор: Ji-Ting Chen,Wei-Hsiang Hung. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2017-10-17.

Liquid crystal display and common voltage generating circuit thereof

Номер патента: US20080074410A1. Автор: Ki-Bum Kim,Jae-Goo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-03-27.

Reference voltage circuit, reference voltage supply main circuit, and display device

Номер патента: US20190164464A1. Автор: Ling Wang,Baoxia ZHANG,Cuili Gai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Voltage generation integrated circuit and display apparatus having the same

Номер патента: US20150116298A1. Автор: Young-Su Kim,Jae-Won Jeong,Kyung-Uk Choi,Hyun Seok Hong,Hyelim Kim,Jinhyun KO,Sangyoung Lee. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Digital pixel clock generation circuit and method employing independent clock

Номер патента: US20060256102A1. Автор: Philip Swan. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2006-11-16.

Reference voltage circuit, reference voltage supply main circuit, and display device

Номер патента: US10657865B2. Автор: Ling Wang,Baoxia ZHANG,Cuili Gai. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-19.

Voltage generating system, voltage generating circuit and associated method

Номер патента: US20200019206A1. Автор: Yi-Chun Shih,Yen-An Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Midpoint potential generating circuit for use in a semiconductor device

Номер патента: US20070216473A1. Автор: Atsushi Takeuchi,Masafumi Yamazaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2007-09-20.

Reference voltage generator circuit such as band gap reference voltage generator circuit, and method of generating reference voltage

Номер патента: US11977405B2. Автор: Kaoru Nakano,Yohkoh HIROSE. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

REFERENCE VOLTAGE GENERATOR CIRCUIT SUCH AS BAND GAP REFERENCE VOLTAGE GENERATOR CIRCUIT, AND METHOD OF GENERATING REFERENCE VOLTAGE (as amended)

Номер патента: US20230333587A1. Автор: Kaoru Nakano,Yohkoh HIROSE. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Bias generator circuit, voltage generator circuit, communications device, and radar device

Номер патента: US09996099B2. Автор: Hiroshi Kimura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Generator and method for generating reference voltage and reference current

Номер патента: US20100117721A1. Автор: Chih-Yuan Hsieh,Maung Maung Win. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-05-13.

Reference voltage generation circuits and related methods

Номер патента: US20210376718A1. Автор: Michael Lueders,Bernhard Wicht,Maik Peter Kaufmann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-12-02.

Internal voltage generation circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US12068019B2. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Reference voltage generating circuit and offset-compensated current-voltage converting circuit using the same

Номер патента: US20090027113A1. Автор: Ha Woong JUNG. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-29.

Reference-voltage circuit

Номер патента: US09910452B2. Автор: Masakazu Sugiura,Kosuke Takada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Variable voltage generation circuit and memory device including the same

Номер патента: US09859848B2. Автор: Chung-Ho Yu,Gyo-Soo Choo,Pil-Seon Yoo,Duk-Min Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device outputting reference voltages

Номер патента: US09742356B2. Автор: Kei Takahashi,Yoshifumi Tanada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Reference voltage circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20210294366A1. Автор: Hiroyuki Watanabe. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: US8947159B2. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2015-02-03.

Voltage generating circuit

Номер патента: GB9216841D0. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1992-09-23.

Internal voltage generation circuit and semiconductor memory apparatus including the same

Номер патента: US20230298656A1. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Internal voltage generator circuit and semiconductor memory device using the same

Номер патента: US20110051533A1. Автор: Young-Hoon Kim,Nam-jong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Pre-charge control circuit and voltage generation circuit including the same

Номер патента: US20240355376A1. Автор: Ji Young Lee,Jung Yeop Lee,Dong Wook Jang,Keun Seon AHN,Bon Kwang Koo,Eun Ji CHOI,Soon Sung AN,Gwan Woo KIM,Sun Ki CHO,In Seok Kong,Sung Hwa Ok,Jae Hyeong Hong,Heon Ki KIM,Jun Seo Jang,Beom Kyu SEO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-24.

Reference voltage generation device

Номер патента: US20240329682A1. Автор: Satoshi Suzuki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Small-circuit-scale reference voltage generating circuit

Номер патента: US09785176B2. Автор: Kenji Furusawa,Mitsuya FUKAZAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: US20240077901A1. Автор: Yoshikazu Furuta,Masaya Kondo,Tomohiro Nezuka. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Internal power supply voltage generation circuit

Номер патента: US20110234309A1. Автор: Masakazu Sugiura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-09-29.

Circuit and method for generating reference voltage based on temperature coefficient

Номер патента: US09874886B2. Автор: Jong-Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Voltage generating circuit and semiconductor device for suppressing leakage current

Номер патента: US12032396B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Reference voltage generator circuit for nonvolatile memory

Номер патента: EP1211691A3. Автор: Yasuhiro NEC Micro Systems Ltd. Tonda,Gou NEC Micro Systems Ltd. Tamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2004-01-28.

Reference voltage generator

Номер патента: US20180284833A1. Автор: Hideo Yoshino,Masahiro HATAKENAKA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Voltage generation circuit and input buffer including the voltage generation circuit

Номер патента: US20210103306A1. Автор: Jin Ha Hwang,Soon Sung AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Negative reference voltage generating circuit and negative reference voltage generating system using the same

Номер патента: US20150355665A1. Автор: Nobuhiko Ito,Teruaki Maeda. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2015-12-10.

Band gap reference voltage generation circuit

Номер патента: US20070146059A1. Автор: Eun JO. Владелец: Dongbu Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-28.

Correction current output circuit and reference voltage circuit with correction function

Номер патента: US20200333821A1. Автор: Yukihiro Tomonaga,Kazutaka Honda. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Temperature voltage generator

Номер патента: US09791327B2. Автор: Suhwan Kim,Hyunjoong LEE,Cyu-Yeol RHEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Voltage generation circuit which is capable of executing high-speed boost operation

Номер патента: US20230352103A1. Автор: Masami Masuda,Tatsuro MIDORIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Voltage generation circuit which is capable of executing high-speed boost operation

Номер патента: US20240274208A1. Автор: Masami Masuda,Tatsuro MIDORIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Low power consumption and high precision resistance-free CMOS reference voltage source

Номер патента: US12093067B1. Автор: Jun Lu,Haibo Huang,Yi Zhao,Shuo CAI,Fan SUN,Shiwei Xiao,Huizhe Chen,Jixiang Sui,Shiqing Cheng,Yulin Kong,Wenju Lv,Zihan Lv. Владелец: Hubei University of Automotive Technology. Дата публикации: 2024-09-17.

Reference voltage generator circuit and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240361796A1. Автор: Yuta IIDA,Kengo KOMIYA. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Fractional bandgap reference voltage generator

Номер патента: US09898030B2. Автор: Abhirup LAHIRI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2018-02-20.

CONSTANT VOLTAGE GENERATOR CIRCUIT OPERATING AT LOW VOLTAGE POTENTIAL DIFFERENCE BETWEEN INPUT VOLTAGE AND OUTPUT VOLTAGE (as amended)

Номер патента: US20240231401A1. Автор: Kohji Yoshii,Kenji MII. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Voltage generating circuit and memory

Номер патента: US20240071463A1. Автор: Jianyong QIN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Internal voltage generating apparatus adaptive to temperature change

Номер патента: US20060220633A1. Автор: Seok-Cheol Yoon,Sang-Jin Byeon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-05.

Distributed cell plate and/or digit equilibrate voltage generator

Номер патента: US20030053341A1. Автор: Steve Porter,Scott Graaff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-20.

Reference voltage generator circuit with reduced manufacturing steps

Номер патента: US20240248501A1. Автор: Li Lin,Chien-Yu Chen,Shao-Hung Lu,Ting-Wei Liao,Cheng-Kuang Lin,Yue-Hung Tang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-07-25.

Reference voltage generator

Номер патента: US09971373B1. Автор: Teh-Shang Lu. Владелец: Aucmos Technologies USA Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Reference voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US09906124B2. Автор: Yanzheng ZHANG. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Device for analyzing failure in semiconductor device provided with internal voltage generating circuit

Номер патента: US20040012406A1. Автор: Kensaku Naito. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-01-22.

Constant voltage generating circuit

Номер патента: EP1798627B1. Автор: Masahiko CITIZEN WATCH CO. LTD. HITOMI,Masashi CITIZEN WATCH CO. LTD. SHIMOZURU. Владелец: Citizen Holdings Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-26.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US09843256B2. Автор: Ji-Yong UM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: US09829901B2. Автор: Kenichi Watanabe,Norimasa Hane. Владелец: Torex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Clock generation circuit and voltage generation circuit including the clock generation circuit

Номер патента: US20240235560A1. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Reference voltage generation circuit including resistor arrangements

Номер патента: US09886047B2. Автор: Yuki Inoue,Yusuke YOSHII. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Reference voltage generating circuit and power supply device using the same

Номер патента: WO2007116780A1. Автор: Masaaki Yoshida,Hiroaki Nakanishi. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2007-10-18.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US7961036B2. Автор: Jae-Boum Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-06-14.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US20100289557A1. Автор: Jae-Boum Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Voltage generation circuit

Номер патента: US09985519B2. Автор: Michio Nakagawa,Yoshinao Suzuki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Reference voltage generation circuit and method for driving the same

Номер патента: US09946291B2. Автор: Tae-Gyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Slope wave generation circuit and digital-to-analog conversion circuit thereof, fingerprint identification system

Номер патента: US09953203B2. Автор: Songtao Chen. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Body bias voltage generator and semiconductor device including the same preliminary class

Номер патента: US12015024B2. Автор: Youngjae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-18.

Reference voltage generator circuit

Номер патента: US10585446B2. Автор: Ivan Jesus Rebollo Pimentel,Gerhard Martin Landauer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-03-10.

Reference voltage generating apparatus and method

Номер патента: US20190041889A1. Автор: Sang Joon Kim,Seungchul Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-02-07.

Reference voltage generating apparatus and method

Номер патента: US10404163B2. Автор: Sang Joon Kim,Seungchul Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-03.

Reference voltage generation circuit and DCDC converter having the same

Номер патента: US09941787B2. Автор: Akihiro Kawano,Katsuya Goto. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Constant voltage generating circuit

Номер патента: US20180259991A1. Автор: Kiyotaka Umemoto,Genki Tsuruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-09-13.

Constant voltage generating circuit

Номер патента: US10379564B2. Автор: Kiyotaka Umemoto,Genki Tsuruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2019-08-13.

Constant voltage generating circuit

Номер патента: US09996097B2. Автор: Kiyotaka Umemoto,Genki Tsuruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-12.

Bias generator circuit, voltage generator circuit, communications device, and radar device

Номер патента: US20170192447A1. Автор: Hiroshi Kimura. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-07-06.

Voltage generating circuit

Номер патента: US7113026B2. Автор: Seiji Yamahira. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-26.

Clock-generating circuit

Номер патента: US20240013841A1. Автор: Liang-Hsiang Chiu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Clock-generating circuit

Номер патента: US11961569B2. Автор: Liang-Hsiang Chiu. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-16.

Band gap reference voltage generator

Номер патента: US20100308789A1. Автор: Seong-Heon Jeong,Sung-ho Beck. Владелец: Silicon Motion Inc. Дата публикации: 2010-12-09.

Variable voltage generation circuit and memory device including the same

Номер патента: US20160352223A1. Автор: Chung-Ho Yu,Gyo-Soo Choo,Pil-Seon Yoo,Duk-Min Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-01.

Internal voltage generation circuit and memory device including the internal voltage generation circuit

Номер патента: US20190355395A1. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Reference voltage generating circuit

Номер патента: US8988137B2. Автор: Kenji Furusawa,Mitsuya FUKAZAWA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: US20140240038A1. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Control circuit of power converter and reference voltage adjusting method thereof

Номер патента: US20220050487A1. Автор: Chih-Lien Chang,Min-Rui Lai,Wei-Hsiu Hung. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Integrated circuit and reference voltage generation circuit

Номер патента: US10547320B1. Автор: Young-Suk Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-28.

Integrated circuit and reference voltage generation circuit

Номер патента: US20200021303A1. Автор: Young-Suk Seo. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Memory controller, information processing device, and reference voltage adjustment method

Номер патента: US09747972B2. Автор: Michitaka Hashimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Reference voltage generating circuit

Номер патента: US5798637A. Автор: Daejeong Kim,Sungho Wang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-25.

Voltage generating circuit capable of supplying stable output voltage regardless of external input voltage

Номер патента: US6980048B2. Автор: Kee-won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-12-27.

Internal power supply voltage generating circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US6281745B1. Автор: Hoon Ryu,Jae Hoon Kim,Hyun Soon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-08-28.

Semiconductor device having internal power supply voltage generation circuit

Номер патента: US20070024349A1. Автор: Masaki Tsukude. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-02-01.

Voltage generating circuit capable of supplying stable output voltage regardless of external input voltage

Номер патента: US20030184362A1. Автор: Kee-won Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-02.

Memory cell voltage regulator with temperature correlated voltage generator circuit

Номер патента: US6184670B1. Автор: Andrea Ghilardelli,Jacopo Mulatti,Matteo Zammattio,Marcello Carrera. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-02-06.

Reference power generating circuit and electronic circuit using the same

Номер патента: US20150261234A1. Автор: Muh-rong Yang. Владелец: MIDASTEK MICROELECTRONIC Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Reference voltage generating circuit and low power consumption sensor

Номер патента: US20220171419A1. Автор: Yu-Te Liao,Cheng-Ze SHAO,Shih-Che KUO. Владелец: National Yang Ming Chiao Tung University NYCU. Дата публикации: 2022-06-02.

Voltage detection circuit and internal voltage generating circuit comprising it

Номер патента: US20040257148A1. Автор: Youichi Tobita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-12-23.

Reference voltage generator

Номер патента: US20190204863A1. Автор: Hwey-Ching Chien. Владелец: Richwave Technology Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor memory apparatus, and reference voltage control circuit and internal voltage generation circuit therefor

Номер патента: US20150228311A1. Автор: Jae Boum Park,Cheol Hoe KIM,Na Yeon CHO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-13.

Voltage generation circuit capable of supplying stable power supply voltage to load operating in response to timing signal

Номер патента: US6084386A. Автор: Tadaaki Yamauchi,Mitsuya Kinoshita,Mitsue Takahashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-07-04.

Boost voltage generating circuit and method thereof

Номер патента: US20070201283A1. Автор: Se-Eun O. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-30.

Voltage generation circuit and input buffer including the voltage generation circuit

Номер патента: US11550347B2. Автор: Jin Ha Hwang,Soon Sung AN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Electronic device with a reference voltage generator circuit and an adaptive cascode circuit

Номер патента: US11797040B2. Автор: Tae-hwang Kong,Junhyeok YANG,Jooseong Kim,Jeongpyo PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor device having a reference voltage generating circuit

Номер патента: US4994688A. Автор: Masakazu Aoki,Yoshinobu Nakagome,Hitoshi Tanaka,Masashi Horiguchi,Norio Miyake,Takaaki Noda,Kiyoo Itoh,Jun Etoh,Shin'ichi Ikenaga. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1991-02-19.

Voltage generation circuit and semiconductor circuit including the voltage generation circuit

Номер патента: US11264097B2. Автор: Chan Hui Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-01.

Receivers for performing reference voltage training and memory systems including the same

Номер патента: US20220199126A1. Автор: Byungsuk Woo,Changkyu Seol,SuCheol Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-23.

Reference voltage generating device and circuit system using the same

Номер патента: US20240264622A1. Автор: Cheng-Tao Li,Chih Ming Li. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Sampled band-gap reference voltage generators

Номер патента: US12085972B1. Автор: Rakesh Kumar Palani,Srikar Bhagavatula. Владелец: Mixed Signal Devices Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Half power supply voltage generating circuit for a semiconductor device

Номер патента: US5592119A. Автор: Seung-Moon Yoo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-01-07.

Internal supply voltage generating circuit

Номер патента: US6034519A. Автор: Dong Jun Yang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-03-07.

Reference voltage generating circuit

Номер патента: US9098102B2. Автор: Akihiro Tanaka,Hirokazu Kadowaki,Hideaki Miyoshi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-08-04.

Voltage generation circuit which is capable of executing high-speed boost operation

Номер патента: US12002520B2. Автор: Masami Masuda,Tatsuro MIDORIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Microcontroller including a reference voltage generator circuit

Номер патента: US20240210984A1. Автор: Cedric THOMAS,Ayoub Hagrou. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-27.

Bias generation circuit and memory circuit

Номер патента: US20230290385A1. Автор: Zhonglai LIU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Internal voltage generator and contactless ic card including the same

Номер патента: US20140266414A1. Автор: Jun-Ho Kim,Jong-Pil Cho,Il-Jong Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-09-18.

Reference voltage with a reduced noise level generation device

Номер патента: RU2676755C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2019-01-11.

Internal voltage generation circuit for semiconductor device

Номер патента: US5942933A. Автор: Dong Jun Yang. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-24.

Plate voltage generation circuit capable controlling dead band

Номер патента: US7176752B2. Автор: Takeshi Hashimoto,Hiromitsu Kojima. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2007-02-13.

Reference voltage generating circuit and analog circuit using the same

Номер патента: US8416012B2. Автор: Keiichi Ashida. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2013-04-09.

Internal voltage generation circuits

Номер патента: US20140145690A1. Автор: Jae Wook Lee,Chang Ho Do. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Reference voltage generation circuit with startup circuit

Номер патента: US9864394B2. Автор: Yousuke Katsushima. Владелец: Torex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: US11940823B2. Автор: Seiichi Yamamoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US20130121069A1. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-05-16.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US20140104940A1. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-04-17.

Internal voltage generating circuit of phase change random access memory device and method thereof

Номер патента: US8345502B2. Автор: Yoon-Jae Shin. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2013-01-01.

Reference voltage generating circuit and receiver circuit

Номер патента: US20110115528A1. Автор: Tomomitsu Ohara,Takafumi Goto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-19.

Reference voltage generating circuit and receiver circuit

Номер патента: US8314650B2. Автор: Tomomitsu Ohara,Takafumi Goto. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-20.

Reference voltage generation within a temperature range

Номер патента: WO2024091584A1. Автор: Markus Georg Rommel,Konrad Wagensohner,Annabelle Arnold. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-02.

Constant internal voltage generation circuit

Номер патента: US20020030537A1. Автор: Mako Kobayashi,Fukashi Morishita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

Reference voltage circuit

Номер патента: US11709519B2. Автор: Yoshiomi Shiina. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2023-07-25.

Reference Voltage Generation Circuit

Номер патента: US20170199541A1. Автор: Yousuke Katsushima. Владелец: Torex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-07-13.

Core voltage generation circuit

Номер патента: US20090058513A1. Автор: Jae-Boum Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Sub-bandgap compensated reference voltage generation circuit

Номер патента: US11775001B2. Автор: Pijush Kanti Panja,Gautam Dey KANUNGO. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2023-10-03.

Voltage generation circuit

Номер патента: US20140062445A1. Автор: Jong Man IM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-03-06.

Low line-sensitivity and process-portable reference voltage generator circuit

Номер патента: US20240077903A1. Автор: Martin LUEKER-BODEN,Mohammad Reza Mahmoodi. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-07.

Reference Voltage Circuit

Номер патента: US20240321877A1. Автор: Yasuo Matsumura. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Reference Voltage Circuit

Номер патента: US20240321878A1. Автор: Yasuo Matsumura. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Reference voltage circuit

Номер патента: EP4435554A1. Автор: Yasuo Matsumura. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Reference voltage circuit

Номер патента: EP4435555A1. Автор: Yasuo Matsumura. Владелец: Nexperia Technology Shanghai Ltd. Дата публикации: 2024-09-25.

Reference voltage generating circuit capable of suppressing spurious voltage

Номер патента: US5831473A. Автор: Noriko Ishii. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1998-11-03.

Reference voltage generating circuit

Номер патента: US7990129B2. Автор: Yoon-hee Choi,Jin-Yub Lee,Bo-Geun Kim,Joon Young Kwak,You-Sang Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-08-02.

Clock generation circuit and voltage generation circuit including the clock generation circuit

Номер патента: US11967961B2. Автор: Hyun Chul Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Voltage Generation Circuit

Номер патента: US20150108957A1. Автор: Shingo Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-23.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US20120274380A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-11-01.

Programmable reference voltage generating circuit

Номер патента: US20030001661A1. Автор: Nam-Seog Kim,Jin-ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-01-02.

Internal reference voltage generating circuit, particularly of the CMOS type

Номер патента: US20020014912A1. Автор: Laura Varisco,Ettore Riccio. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor storage memory having a reference voltage generation circuit generating the word line voltage

Номер патента: US6181625B1. Автор: Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-01-30.

Reference voltage generation circuit, and constant voltage circuit using the reference voltage generation circuit

Номер патента: US20070057291A1. Автор: Hideyuki Aota. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-15.

Voltage generator and methods thereof

Номер патента: US20070189085A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Hyo-Sang Lee,Hoon-Jin Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-16.

Reference voltage generation circuit, power-on detection circuit, and semiconductor device for preventing internal circuit from operating incorrectly at low voltage

Номер патента: US10990119B2. Автор: Hiroki Murakami. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2021-04-27.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US20130169353A1. Автор: Jae Hoon Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-07-04.

Reference voltage generation circuit and method for driving the same

Номер патента: US20170351290A1. Автор: Tae-Gyu Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-07.

Internal supply voltage generator capable of reducing latch-up and semiconductor device having the same

Номер патента: US20090315528A1. Автор: Jae-Youn Lee,Byung-Ho Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-12-24.

Reference voltage generator having at least one bipolar junction transistor biased by negative base voltage and associated reference voltage generating method

Номер патента: US09755507B2. Автор: Ta-Hsin Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Reference voltage generating circuit

Номер патента: US4446383A. Автор: Charles K. Erdelyi,Michael P. Concannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-05-01.

Electrically programmable internal power voltage generating circuit

Номер патента: US5396113A. Автор: Hyung-Kyu Lim,Yong-Bo Park,Byeong-Yun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-03-07.

Reference voltage generating circuit of sense amplifier using residual data line

Номер патента: US6002616A. Автор: Bong-Hwa Jeong. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-12-14.

Device of generating reference voltages for multi-level signaling and memory system including the same

Номер патента: US20230386526A1. Автор: Sang-Hoon Kim,Sungyong Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-30.

Reference voltage generating circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230307067A1. Автор: Osamu Hirabayashi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Apparatus for providing adjustable reference voltage for sensing read-out data for memory

Номер патента: US09859000B1. Автор: Chi-Shun Lin,Douk-Hyoun Ryu,Seow-Fong Lim,Ngatik Cheung,Koying Huang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Apparatus for reference voltage generation for I/O interface circuit

Номер патента: US09762243B2. Автор: VINOD KUMAR,Saiyid Mohammad Irshad Rizvi. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-09-12.

Shaping device of bipolar reference voltage with reduced noise level

Номер патента: RU2669375C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2018-10-11.

Charge pump type of negative voltage generator circuit and method

Номер патента: US5841314A. Автор: Marc Guedj,Alessandro Brigati,Maxence Aulas,Nicolas Demange. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1998-11-24.

Reference voltage controlling circuit and analog-to-digital converter

Номер патента: US20210250037A1. Автор: Erkan Alpman,Ning Zhang,Xiaofeng Guo,Haigang Feng,Yulin Tan,Jon Sweat DUSTER. Владелец: Radiawave Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-12.

Reference voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US10845838B2. Автор: Hiroyuki Tanikawa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-24.

Semiconductor device including negative bias voltage generation circuit

Номер патента: US20140010027A1. Автор: Hidehiro Fujiwara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-09.

Fast reference voltage training for i/o interface

Номер патента: US20240185900A1. Автор: Tianyu Tang. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-06.

Body bias voltage generator and semiconductor device including the same

Номер патента: US20230317710A1. Автор: Youngjae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Voltage generator with multiple voltage vs. temperature slope domains

Номер патента: EP3977228A1. Автор: Esmail Babakrpur Nalousi,Hassan Osama Elwan. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-06.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: EP4043992A1. Автор: Mukul Pancholi,Sushil Kumar Gupta. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-08-17.

Battery charger, voltage monitoring device and self-diagnosis method of reference voltage circuit

Номер патента: US20140176053A1. Автор: Yukihiro Kita. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Enable signal generation circuit

Номер патента: US20180095493A1. Автор: Makoto Yasusaka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-05.

Reference voltage generator with bootstrapping effect

Номер патента: US20090009151A1. Автор: Matthias Arnold. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2009-01-08.

Reference voltage generating circuit

Номер патента: US5061862A. Автор: Akio Tamagawa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-10-29.

Reference voltage generating circuit capable of generating stable reference voltage independent of operating environment

Номер патента: US6043638A. Автор: Youichi Tobita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Reference voltage generator

Номер патента: US5384740A. Автор: Masakazu Aoki,Yoshinobu Nakagome,Hitoshi Tanaka,Koji Kawamoto,Jun Etoh. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1995-01-24.

Reference voltage generating device

Номер патента: GB2016801A. Автор: . Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1979-09-26.

Reference voltage generator

Номер патента: US5455797A. Автор: Masakazu Aoki,Yoshinobu Nakagome,Hitoshi Tanaka,Koji Kawamoto,Jun Etoh. Владелец: Hitachi ULSI Engineering Corp. Дата публикации: 1995-10-03.

Clock signal generating circuit

Номер патента: US20220163994A1. Автор: Keun Jin CHANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Input stage apparatus and method having a variable reference voltage

Номер патента: US20030043641A1. Автор: Scott Smith,Kallol Mazumder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-03-06.

Retention voltage generation circuit and electronic apparatus

Номер патента: US20180137911A1. Автор: Lei Wu,Simon To-Ming SZETO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Retention voltage generation circuit and electronic apparatus

Номер патента: US10283192B2. Автор: Lei Wu,Simon To-Ming SZETO. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2019-05-07.

Low-voltage power supply reference generator circuit

Номер патента: US12055962B2. Автор: Mansour Keramat,Soheil GOLARA,Seyedeh Sedigheh Hashemi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Reference voltage generator circuit

Номер патента: US20180224879A1. Автор: Ivan Jesus Rebollo Pimentel,Gerhard Martin Landauer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-08-09.

Circuit having a plurality of receivers using the same reference voltage

Номер патента: US20200411074A1. Автор: Chung-Hwa Wu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2020-12-31.

Reference voltage generator based on threshold voltage difference of field effect transistors

Номер патента: WO2023132918A1. Автор: HUI Wang,John ABCARIUS,Debesh BHATTA,Shitong ZHAO,Sulin LI. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-07-13.

Internal voltage generation device

Номер патента: US09874892B2. Автор: Yeon Uk KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Reference voltage generation circuit

Номер патента: EP1237063A1. Автор: Koji Oka,Yoshitsugu Inagaki. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-04.

Constant voltage generating circuit

Номер патента: US20160224049A1. Автор: Kiyotaka Umemoto,Genki Tsuruyama. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor Temperature Sensor Using Bandgap Generator Circuit

Номер патента: US20100283530A1. Автор: David Zimlich. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Reference voltage optimization for flash memory

Номер патента: WO2010141650A2. Автор: Xueshi Yang. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2010-12-09.

Reference voltage generator

Номер патента: US09804628B2. Автор: Yoshitsugu Hirose,Masayuki Hashitani. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Device and method for calibrating reference voltage

Номер патента: US20240194241A1. Автор: Su-Jin Park,Min-hyung Cho,Young-Su Kwon,Young-Deuk Jeon,Jae-Woong Choi,Yi-Gyeong KIM. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2024-06-13.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20240274212A1. Автор: Jungyu Lee,Jihyun Park,ChiWeon Yoon,Yumin KIM,Eunchan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US20220172752A1. Автор: Seok In Hong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-06-02.

Reference-Voltage-Generators Within Integrated Assemblies

Номер патента: US20220301610A1. Автор: Yasuo Satoh,Takamasa Suzuki,Yuan He,Hyunui LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Programmable temperature compensated voltage generator

Номер патента: US09857823B2. Автор: James Anderson,Eric Blom,Anatoliy Tsyrganovich. Владелец: IXYS LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Bias current generator circuit for a sense amplifier

Номер патента: US5168466A. Автор: Thomas R. Toms,Clinton C. Kuo,Mark S. Weidner. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1992-12-01.

Gallium nitride reference voltage generation circuit

Номер патента: US20240045454A1. Автор: Tao Liu,Songming Zhou. Владелец: Navitas Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Reference voltage generator capable of reducing hot carrier stress

Номер патента: US20200159273A1. Автор: Chun-Hung Lin,Cheng-Da Huang,Jen-Yu Peng. Владелец: eMemory Technology Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US12013712B2. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Biasing voltage generating circuit for avalanche photodiode and related control circuit

Номер патента: US09882069B2. Автор: Shih-Wei Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Reference voltage generating circuit of nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20030026154A1. Автор: Hee Kang,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Internal voltage generating apparatus for a semiconductor memory device

Номер патента: US20030179618A1. Автор: Tae Kim,Jun Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US09853641B2. Автор: Bong Hwa Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Reference voltage generation device

Номер патента: US10886267B2. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2021-01-05.

Reference voltage generation device

Номер патента: US20190244956A1. Автор: Hideo Yoshino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-08-08.

Internal power supply voltage generation circuit

Номер патента: US20120206172A1. Автор: Masakazu Sugiura. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2012-08-16.

Supply voltage generating circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US20140185373A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-07-03.

Supply voltage generating circuit and semiconductor device having the same

Номер патента: US20130215676A1. Автор: Shuichi Tsukada. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-08-22.

Voltage control for clock generating circuit

Номер патента: US20030206072A1. Автор: Greg Taylor,Keng Wong,Hong-Piao Ma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-11-06.

Reference voltage generator for resistive memory array

Номер патента: EP3704697A1. Автор: Nicholas T. Hendrickson. Владелец: Numem Inc. Дата публикации: 2020-09-09.

Reference voltage generator for resistive memory array

Номер патента: EP4235668A2. Автор: Nicholas T. Hendrickson. Владелец: Numem Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Reference voltage generator for resistive memory array

Номер патента: EP4235668A3. Автор: Nicholas T. Hendrickson. Владелец: Numem Inc. Дата публикации: 2023-12-06.

Reference voltage generator system for reducing noise

Номер патента: US9811104B2. Автор: Jerry L. Doorenbos. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Reference voltage generator system

Номер патента: US20150261246A1. Автор: Jerry L. Doorenbos. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-17.

Protection voltage generating circuit with monotonic and stable power supply voltage behavior

Номер патента: GB2626648A. Автор: Thomsen Axel,Angel C Abusleme Hoffman. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Reference voltage generator

Номер патента: US10545527B2. Автор: Samuli HALLIKAINEN. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2020-01-28.

Reference voltage generator

Номер патента: WO2018100390A1. Автор: Samuli HALLIKAINEN. Владелец: Samuels, Adrian James. Дата публикации: 2018-06-07.

Reference Voltage Generator System

Номер патента: US20180059703A1. Автор: Jerry L. Doorenbos. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20080122523A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyoung-Ryol Hwang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-05-29.

Device and method for calibrating reference voltage

Номер патента: US20210151091A1. Автор: Jin Kyu Kim,Joo Hyun Lee,Min-hyung Cho,Seong Min Kim,Young-Deuk Jeon,Jin Ho Han. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2021-05-20.

Temperature-compensated reference voltage generator that impresses controlled voltages across resistors

Номер патента: US09898029B2. Автор: Todd Morgan Rasmus. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Reference voltage generating device and method

Номер патента: US09787308B2. Автор: Ming-Yi Yu,Ping-Hsing Chen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Local reference voltage generator for non-volatile memory

Номер патента: US20230267983A1. Автор: Kapil Jain,Alan D. Devilbiss,Shan Sun,Fan Chu,Edwin Kim,Franklin Brodsky,Patrick F. O'Connell. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2023-08-24.

Local reference voltage generator for non-volatile memory

Номер патента: US11978494B2. Автор: Kapil Jain,Alan D. Devilbiss,Shan Sun,Fan Chu,Edwin Kim,Franklin Brodsky,Patrick F. O'Connell. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2024-05-07.

Voltage generation circuits, semiconductor devices including the same, and methods of generating voltages

Номер патента: US20180091120A1. Автор: Byung Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US20060120179A1. Автор: Young-Hyun Jun,Hyong-Ryol Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-06-08.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US11755045B1. Автор: Chang Hyun Lee,Jin Hoon Hyun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Methods and apparatus for reduced hardware multiple variable voltage generator

Номер патента: US20070216470A1. Автор: Joseph Anidjar. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-09-20.

Internal-voltage generating circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20090116329A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Koichiro Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-05-07.

Reference voltage generator of analog-to-digital converter

Номер патента: US20090160490A1. Автор: Jung-Ho Lee,Jung-eun Lee,Michael Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-06-25.

Current generation circuit, drive circuit, and current adjustment method

Номер патента: US20210389788A1. Автор: Takahiro Mori. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Bandgap voltage generator and method

Номер патента: US09933797B1. Автор: Frederic Lebon. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2018-04-03.

Current generation circuits and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09836074B2. Автор: Hae Rang Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Reference voltage generation apparatuses and methods

Номер патента: US20160314836A1. Автор: Fabio Pellizzer. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-10-27.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20080205142A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-08-28.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US20070183221A1. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-09.

Internal voltage generation circuits

Номер патента: US20140292397A1. Автор: Min Seok Choi. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-10-02.

Voltage generating circuit and a nonvolatile memory apparatus using the voltage generating circuit

Номер патента: US20210257006A1. Автор: Jun Ho Cheon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Image forming apparatus and voltage generation circuit

Номер патента: US20110020028A1. Автор: Yasuhiko Okumura. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2011-01-27.

Semiconductor integrated circuit device having internal voltage generating circuit

Номер патента: US20080122527A1. Автор: Toshiharu Okamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-29.

Temperature sensing circuit, voltage generation circuit, and semiconductor storage device

Номер патента: US20070121404A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-05-31.

Reference voltage generator with extended operating temperature range

Номер патента: US20230107389A1. Автор: Hsien-Hung Wu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-06.

Tunable DC voltage generating circuit

Номер патента: US09958886B2. Автор: Kuo-Chi Liu,Wei-Hsin Wei. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2018-05-01.

Tunable DC voltage generating circuit

Номер патента: US09823675B2. Автор: Kuo-Chi Liu,Wei-Hsin Wei. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-11-21.

Write voltage generating circuit and method

Номер патента: US20090046518A1. Автор: Takuya Ariki,Yuichiro Nakagaki. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-19.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20240282356A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Apparatus for generating reference voltage in semiconductor memory apparatus

Номер патента: US7532063B2. Автор: Ki-won Lee. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-05-12.

Reference voltage generating circuit for a semiconductor device formed in a semiconductor substrate which generates a reference voltage with a positive temperature coefficient

Номер патента: US5239256A. Автор: Makoto Yoshida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1993-08-24.

Current mirror type bandgap reference voltage generator

Номер патента: US6501299B2. Автор: Young Hee Kim,Jong Doo Joo. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-12-31.

Systems and apparatuses for a configurable temperature dependent reference voltage generator

Номер патента: US20180314279A1. Автор: Yuanzhong Wan,Dong Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-11-01.

Supply voltage generating circuit

Номер патента: US20130265103A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Koichiro Hayashi. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-10.

Bias voltage generation circuit for memory devices

Номер патента: US20230253017A1. Автор: Ming Yin,Bipul C. Paul,Shashank Nemawarkar,Nishtha Gaul. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Pumping voltage generating circuit in nonvolatile semiconductor memory device

Номер патента: US20060098487A1. Автор: Hui-Kwon Seo,Woo-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Systems and apparatuses for a configurable temperature dependent reference voltage generator

Номер патента: US20180095486A1. Автор: Yuanzhong Wan,Dong Pan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-04-05.

Pre-charge voltage generation circuit for random memory and random memory

Номер патента: US20240257859A1. Автор: Miaomiao Wu,Meifeng WANG. Владелец: GigaDevice Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Bias voltage generation circuit for memory devices

Номер патента: US12087384B2. Автор: Ming Yin,Bipul C. Paul,Shashank Nemawarkar,Nishtha Gaul. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Voltage generation circuit and integrated circuit including the same

Номер патента: US09996098B2. Автор: Chang-Hyun Lee,Jae-Boum Park,Kyeong-tae Kim,Saeng-Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Word line voltage generator for multiple-time programmable memory

Номер патента: US09990963B2. Автор: YU Cheng,Zijian Zhao,Hao Ni,Yijin Kwon. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Memory device, voltage generating device and voltage generating method thereof

Номер патента: US20240021221A1. Автор: Chih-Jen Chen,Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Memory device, voltage generating device and voltage generating method thereof

Номер патента: US11955196B2. Автор: Chih-Jen Chen,Ting-Shuo Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-09.

Reference voltage generation within a temperature range

Номер патента: US20240143012A1. Автор: Markus Georg Rommel,Konrad Wagensohner,Annabelle Arnold. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-05-02.

Level detector, voltage generator, and semiconductor device

Номер патента: US20100219880A1. Автор: Byung-Chul Kim,Whi-Young Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-02.

Power-up signal generation circuit

Номер патента: US20150244356A1. Автор: Hyun-Ju HAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-08-27.

Internal voltage generation circuit

Номер патента: US20160233765A1. Автор: Jae-ho Lee,Chi-hyun KIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-11.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240295894A1. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Internal voltage generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US9740231B2. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Structure and method to ground reference voltage generator

Номер патента: US20240274161A1. Автор: Dzung T. Tran,Navneet K. Jain. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Internal voltage generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09939836B2. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Internal voltage generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09740231B2. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Power conserving CMOS reference voltage source

Номер патента: US4628250A. Автор: Robert D. Lee. Владелец: Thomson Components-Mostek Corp. Дата публикации: 1986-12-09.

Negative voltage generator circuit, light receiver module, and lidar

Номер патента: WO2024125661A1. Автор: Shaoqing Xiang,Xue ZHANG,Zhenliang Chen,Jianxiong Zhu,Luying QIANG. Владелец: Hesai Technology Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Voltage generation circuit and integrated circuit including the same

Номер патента: US09712154B1. Автор: Jung-Ung Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-18.

Programmable reference voltage generator for a read only memory

Номер патента: CA1250954A. Автор: Qazi Mahmood,Cecil Conkle. Владелец: American Microsystems Holding Corp. Дата публикации: 1989-03-07.

Reference voltage generator device

Номер патента: CA1149081A. Автор: Osamu Yamashiro,Kanji Yoh. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1983-06-28.

CMOS reference voltage generator employing separate reference circuits for each output transistor

Номер патента: US4788455A. Автор: Shigeru Mori,Hiroshi Miyamoto,Michihiro Yamada,Kazutami Arimoto,Tadato Yamagata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1988-11-29.

Random-number-generating circuit

Номер патента: US20240028300A1. Автор: Chih-Feng Lin. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Programmable reference voltage generator for a read only memory

Номер патента: US4754167A. Автор: Cecil Conkle,Qazi A. S. M. Mahmood. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-06-28.

Reference voltage circuit and image-capture circuit

Номер патента: US20150256782A1. Автор: Hayato Wakabayashi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-09-10.

Voltage generator and nonvolatile memory device including the same

Номер патента: US8792290B2. Автор: Yu Jong Noh. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-07-29.

Voltage generating apparatus, current generating apparatus, and test apparatus

Номер патента: US7456627B2. Автор: Hironori Tanaka,Hiroki Andoh. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2008-11-25.

Reference voltage generator

Номер патента: US20190113939A1. Автор: Shen-Iuan Liu,Tzu-Chien Tzeng,Ju-Lin Huang,Che-Wei Yeh,Yu-Hsiang Wang,Keko-Chun Liang,Yong-Ren Fang. Владелец: NOVATEK MICROELECTRONICS CORP. Дата публикации: 2019-04-18.

Distributed global and local reference voltage generation

Номер патента: US11978496B2. Автор: Jaewon Lee,Jiwang LEE,Hsuche Nee,Po-Chien Chiang,Wen-Hung Lo,Abhishek Dhir,Michael Ivan Halfen. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Reference voltage generator with bootstrapping effect

Номер патента: EP2165244A1. Автор: Matthias Arnold. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2010-03-24.

Voltage generating apparatus, current generating apparatus, and test apparatus

Номер патента: US20070296400A1. Автор: Hironori Tanaka,Hiroki Andoh. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Voltage generating apparatus, current generating apparatus, and test apparatus

Номер патента: US20080088287A1. Автор: Hironori Tanaka,Hiroki Andoh. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: US20220253087A1. Автор: Mukul Pancholi,Sushil Kumar Gupta. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2022-08-11.

Programmable DC voltage generator

Номер патента: US20030006924A1. Автор: Gordon Roberts,Mohamed Hafed,Sebastien Laberge. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-09.

Semiconductor memory device including bulk voltage generation circuit

Номер патента: US20140219040A1. Автор: Mi Hyun Hwang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Internal power voltage generating circuit in semiconductor memory device

Номер патента: US7613063B2. Автор: Hyong-Ryol Hwang,Ki-Ho Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-11-03.

Methods of operating voltage generation circuits

Номер патента: US20190051333A1. Автор: Agostino Macerola,Marco-Domenico Tiburzi,Stefano Perugini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Bias voltage generator circuit

Номер патента: US7129776B2. Автор: Shinichi Watanabe. Владелец: Seiko NPC Corp. Дата публикации: 2006-10-31.

Bias voltage generator circuit

Номер патента: US20050116766A1. Автор: Shinichi Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-06-02.

Current tracking bulk voltage generator

Номер патента: US12132451B2. Автор: Dong Pan,Wei Lu CHU. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Vision sensor including a voltage generation circuit for outputting a test bias voltage to a transistor and operating method thereof

Номер патента: US12111206B2. Автор: Seol Namgung,Jeongseok Kim,Yunjae Suh,Junseok Kim,Jongwoo Bong,Seungnam Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Write voltage generation circuit and memory apparatus

Номер патента: US09887012B2. Автор: Katsuaki Matsui,Akira Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Reference voltage generator with low impedance

Номер патента: RU2592719C2. Автор: Ричард И. ЦЕНГ. Владелец: Интел Корпорейшн. Дата публикации: 2016-07-27.

Reference voltage generator

Номер патента: EP1727016A1. Автор: Alexandre Heubi,Noureddine Senouci. Владелец: Emma Mixed Signal CV. Дата публикации: 2006-11-29.

High voltage generator and related flash memory device

Номер патента: US20080031078A1. Автор: Yong Hoon KANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-07.

Reference voltage generators and sensing circuits

Номер патента: US20130028014A1. Автор: Xinwei Guo,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-01-31.

Voltage generator

Номер патента: US20130038315A1. Автор: Chih-Jen Chen,Kuang-Wei Chao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2013-02-14.

Reference voltage generators and sensing circuits

Номер патента: US20140254258A1. Автор: Xinwei Guo,Mingdong Cui. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2014-09-11.

Sram including reference voltage generator and read method thereof

Номер патента: US20240071479A1. Автор: Chanho LEE,Kyuwon CHOI,Hyeongcheol KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-29.

Piezoelectric transformer driving device controlled by variable reference voltage values and image forming device

Номер патента: US8476889B2. Автор: Toru Kosaka. Владелец: Oki Data Corp. Дата публикации: 2013-07-02.

Training and configuration of reference voltage generators in a multi-rank circuit system

Номер патента: US20230352078A1. Автор: Jaewon Lee,Jiwang LEE,Hsuche Nee,Po-Chien Chiang,Wen-Hung Lo,Abhishek Dhir,Michael Ivan Halfen. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Distributed global and local reference voltage generation

Номер патента: US20230352077A1. Автор: Jaewon Lee,Jiwang LEE,Hsuche Nee,Po-Chien Chiang,Wen-Hung Lo,Abhishek Dhir,Michael Ivan Halfen. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Voltage generation circuit and method thereof

Номер патента: US7605643B2. Автор: Masao Kuriyama. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-20.

Resistance hybrid, and voltage detection and constant voltage generating circuits incorporating such resistance hybrid

Номер патента: US20020180453A1. Автор: Kohzoh Itoh. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-05.

Bit line clamp voltage generator for STT MRAM sensing

Номер патента: US09852784B2. Автор: John K. DeBrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Reference voltage generator for a ferroelectric material memory device

Номер патента: US6078530A. Автор: Ja Moon Choi. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-06-20.

Reference voltage generator with fast start-up and low stand-by power

Номер патента: US5703475A. Автор: Jai-Hoon Sim,Kyu-Chan Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1997-12-30.

High precision reference voltage generator

Номер патента: US6091281A. Автор: Haruo Yoshida. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2000-07-18.

Voltage generator and flash memory thereof

Номер патента: US20180322934A1. Автор: Shih-Ming Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2018-11-08.

Reference voltage control in a power supply

Номер патента: US20190271998A1. Автор: Keng Chen,Paul Sisson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-09-05.

Circuit for generating a centered reference voltage for a 1T/1C ferroelectric memory

Номер патента: US20060098470A1. Автор: Shan Sun,Fan Chu,Xiao-Hong Du,Bob Sommervold. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-05-11.

Dual reference voltage generator, equalizer circuit, and memory

Номер патента: US11881281B2. Автор: Zhiqiang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Average inductor current control using variable reference voltage

Номер патента: US20130069609A1. Автор: Yung-I Chang. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-03-21.

Circuit for generating a centered reference voltage for a 1t/1c ferroelectric memory

Номер патента: US20060245286A1. Автор: Shan Sun,Fan Chu,Xiao-Hong Du,Bob Sommervold. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-02.

Low-voltage Power Supply Reference Generator Circuit

Номер патента: US20230083084A1. Автор: Mansour Keramat,Soheil GOLARA,Seyedeh Sedigheh Hashemi. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2023-03-16.

Variable reference voltage source

Номер патента: US11714437B2. Автор: Kenichi Matsunaga,Tadashi Minotani. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2023-08-01.

Variable Reference Voltage Source

Номер патента: US20220236753A1. Автор: Kenichi Matsunaga,Tadashi Minotani. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Low dropout regulator, clock generating circuit, and memory device

Номер патента: US20240184320A1. Автор: TAKAHIRO Nomiyama,Yongmin Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Current-voltage convertor, reference voltage generator and non-volatile semiconductor storage device

Номер патента: US20200278714A1. Автор: Tomofumi Kitani. Владелец: Powerchip Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2020-09-03.

Positive and negative full-range back-bias generator circuit structure

Номер патента: US20200117226A1. Автор: Juhan Kim,Mahbub Rashed,Arif A. Siddiqi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-16.

Resistive memory apparatus and voltage generating circuit therefor

Номер патента: US20170243641A1. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-24.

Resistive memory apparatus and voltage generating circuit therefor

Номер патента: US09881672B2. Автор: Tae Ho Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Dynamic read reference voltage generator

Номер патента: CA1189620A. Автор: Warren R. Ong. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-06-25.

Reference voltage circuit and method of generating a reference voltage

Номер патента: US20030234680A1. Автор: Ricardo Erckert. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-25.

Memory with reference voltage generator

Номер патента: US4449203A. Автор: Richard H. Adlhoch. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-05-15.

Random number generating circuit

Номер патента: US7979481B2. Автор: Yutaka Sato. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2011-07-12.

Reference voltage generator for biasing an amplifier

Номер патента: US20120126892A1. Автор: Vincent Rabary,Robert Cittadini,Alexandre Huffenus,Gael Pillonnet,Frederic Goutti. Владелец: STMicroelectronics Grenoble 2 SAS. Дата публикации: 2012-05-24.

Reference signal generating circuit

Номер патента: US20130057246A1. Автор: Hiroyuki Kobayashi,Yuji Satoh,Shouhei Kousai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-07.

Temperature sensor capable of determining whether to convert reference voltage to voltage digital code based on condition, and devices having the same

Номер патента: US20230273073A1. Автор: Kwangho Kim,Cheolhwan LIM,Junhee Shin,Haejung CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor memory device having a develop reference voltage generator for sense amplifiers

Номер патента: US20070047331A1. Автор: Dong-Su Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-03-01.

Reference voltage generator and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190158109A1. Автор: Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Young-don Choi,Seon-Kyoo Lee,Anil KAVALA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-23.

Cell-based reference voltage generation

Номер патента: US11238913B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-01.

Reference-Voltage-Generators Within Integrated Assemblies

Номер патента: US20220246193A1. Автор: Yasuo Satoh,Takamasa Suzuki,Yuan He,Hyunui LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-08-04.

Symmetrical positive and negative reference voltage generation

Номер патента: US09785177B1. Автор: Javier Mauricio OLARTE GONZALEZ,Ricardo Coimbra. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Cell-based reference voltage generation

Номер патента: US09734886B1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Substrate voltage generator and method therefor in a semiconductor device having selectively activated internal stepped-down power supply voltages

Номер патента: US5315166A. Автор: Kazutami Arimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-05-24.

Programmable power generation circuit for flash EEPROM memory systems

Номер патента: US5508971A. Автор: Raul-Adrian Cernea,Douglas J. Lee,Sanjay Mehrotra,Mehrdad Mofidi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 1996-04-16.

Programmable power generation circuit for flash EEPROM memory systems

Номер патента: US5568424A. Автор: Raul-Adrian Cernea,Douglas J. Lee,Sanjay Mehrotra,Mehrdad Mofidi. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

CMOS comparator bias voltage generator

Номер патента: US4859928A. Автор: Eric P. Etheridge. Владелец: Tektronix Inc. Дата публикации: 1989-08-22.

Dynamic mos memory reference voltage generator

Номер патента: CA1233565A. Автор: Robert A. Penchuk. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1988-03-01.

Reference voltage generator using flash memory cells

Номер патента: US5953256A. Автор: Michael S. Briner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-09-14.

Regulated dram cell plate and precharge voltage generator

Номер патента: CA2236336C. Автор: Gurpreet Bhullar,Ki-Jun Lee,Michael B. Vladescu. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2006-07-18.

Method and circuit for self-training of a reference voltage and memory system including the same

Номер патента: US20170287535A1. Автор: Jeong-Don IHM,Byung-Hoon Jeong,Seon-Kyoo Lee,Dae-Woon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-05.

Bias generation circuit, buffer circuit including the bias generation circuit and semiconductor system including the buffer circuit

Номер патента: US20210384894A1. Автор: Gi Moon HONG,Dae Han Kwon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-12-09.

Bandgap reference circuit and method for providing a reference voltage

Номер патента: WO2018121917A1. Автор: Lei Zou,Gino Rocca. Владелец: EPCOS AG. Дата публикации: 2018-07-05.

Voltage generation circuit for sram

Номер патента: EP4328914A1. Автор: Hubert Martin Bode,Alexander Hoefler,Glenn Charles Abeln. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-02-28.

Voltage generation circuit having a temperature compensation function

Номер патента: US20180181155A1. Автор: SHINICHI IIZUKA,Jong Ok HA,Jeong Hoon Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Variable reference voltage source

Номер патента: US11984903B2. Автор: Kenichi Matsunaga,Tadashi Minotani. Владелец: Nippon Telegraph and Telephone Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Voltage generation circuit for sram

Номер патента: US20240062791A1. Автор: Hubert Martin Bode,Alexander Hoefler,Glenn Charles Abeln. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-02-22.

Constant voltage generating circuit

Номер патента: US20230176603A1. Автор: Hironori Sumitomo. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Voltage generating circuit

Номер патента: US09989985B2. Автор: Shinya Sano,Masashi Horiguchi,Takahiro Miki,Mitsuru Hiraki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Reference voltage generators including first and second transistors of same conductivity type

Номер патента: US6040735A. Автор: Jong-Min Park,Tae-Sung Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-03-21.

Common-Mode Voltage Generator for a Battery-Supplied Handset Apparatus

Номер патента: US20090167277A1. Автор: Guillaume De Cremoux. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2009-07-02.

Power supply generating circuit, capacitive array sensing apparatus and terminal device

Номер патента: US20190025091A1. Автор: Chengzuo Wang. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-24.

Reference voltage generator and related method

Номер патента: US20170199538A1. Автор: Jie Chen,Kai Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Reference voltage generator and related method

Номер патента: US9864388B2. Автор: Jie Chen,Kai Zhu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Relaxation oscillator that samples voltage difference between voltages generated by resistor-capacitor charging and discharging for controlling output clock frequency of controllable oscillator and associated relaxation oscillation method

Номер патента: US20220360220A1. Автор: Fan-Wei Liao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor device and voltage generation method

Номер патента: US11714440B2. Автор: Tetsuo OOMORI. Владелец: Lapis Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-01.

Common-mode voltage generator for a battery-supplied handset apparatus

Номер патента: EP1769299A1. Автор: Guillaume De Cremoux. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-04-04.

SRAM Regulating Retention Scheme with Discrete Switch Control and Instant Reference Voltage Generation

Номер патента: US20140380068A1. Автор: Bo Tang,Ajay Kumar Bhatia. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2014-12-25.

Voltage generating circuit

Номер патента: US20050024031A1. Автор: Yasuhiko Inagaki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-02-03.

Relaxation oscillator that samples voltage difference between voltages generated by resistor-capacitor charging and discharging for controlling output clock frequency of controllable oscillator and associated relaxation oscillation method

Номер патента: EP4087133A1. Автор: Fan-Wei Liao. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2022-11-09.

True random number generator circuit

Номер патента: US11500616B1. Автор: Xuan Wang,Guangjun He,Tianwei Liu,Hejia Yan. Владелец: Ambarella International LP. Дата публикации: 2022-11-15.

High voltage generator circuit

Номер патента: US5642072A. Автор: Shigeru Atsumi,Junichi Miyamoto,Yasuo Itoh. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-06-24.

High voltage generation and regulation circuit in a memory device

Номер патента: US7372739B2. Автор: Agostino Macerola. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-05-13.

Integrated circuit for generating a reference voltage

Номер патента: US4362985A. Автор: Chikara Tsuchiya. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1982-12-07.

Reference voltage generator of a band-gap regulator type used in CMOS transistor circuit

Номер патента: US5568045A. Автор: Shin-ichi Koazechi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-10-22.

Semiconductor device having a reverse bias voltage generator

Номер патента: US4996446A. Автор: Kazuhiro Nakada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1991-02-26.

Voltage generation circuit and associated capacitor charging method and system

Номер патента: US11520366B2. Автор: Chun-I Kuo. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-12-06.

Internal voltage generation device and method for generating internal voltage

Номер патента: US20200202902A1. Автор: Sang-Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Multi-voltage generation circuit

Номер патента: EP4167478A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-04-19.

Internal voltage generation device and method for generating internal voltage

Номер патента: US20210193192A1. Автор: Sang-Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Internal voltage generation device and method for generating internal voltage

Номер патента: US20210193193A1. Автор: Sang-Hoon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Reference voltage generator for resistive memory array

Номер патента: US20190130945A1. Автор: Nicholas T. Hendrickson. Владелец: Numem Inc. Дата публикации: 2019-05-02.

Local Reference Voltage Generator for Non-Volatile Memory

Номер патента: US20220101904A1. Автор: Kapil Jain,Shan Sun,Patrick O'connell,Fan Chu,Edwin Kim,Alan DeVilbiss,Franklin Brodsky. Владелец: Infineon Technologies LLC. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device having a test-voltage generation circuit

Номер патента: US20070296602A1. Автор: Tatsuya Matano. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-12-27.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US20220300024A1. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US20230236618A1. Автор: Koji OOIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-27.

Voltage generator circuit generating stable negative potential

Номер патента: US5532640A. Автор: Kazuo Okunaga. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-07-02.

Circuit and method for bias voltage generation

Номер патента: US20070063687A1. Автор: Dacheng Zhou,Jeffry Yetter,Daniel Berkram. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-22.

Voltage generator circuit

Номер патента: US6043637A. Автор: Takayuki Suzu. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-28.

Constant voltage generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US6734719B2. Автор: Toru Tanzawa,Yoshinori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2004-05-11.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: CA1172315A. Автор: John F. Holloway,Salvatore R. Riggio, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-08-07.

Constant voltage generating circuit for selectively generating a constant voltage at a high-speed

Номер патента: US4933627A. Автор: Yoshiko Hara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1990-06-12.

Voltage generator and method of operating the same

Номер патента: US20200185041A1. Автор: Se-heon BAEK,Dae-Seok Byeon,Ki-Chang Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-06-11.

Voltage generator and method of operating the same

Номер патента: US10910071B2. Автор: Se-heon BAEK,Dae-Seok Byeon,Ki-Chang Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-02.

Internal voltage generation circuit of smart card and smart card including the same

Номер патента: US20240232564A9. Автор: Junho Kim,Eunsang JANG,Inhyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Internal voltage generation circuit of smart card and smart card including the same

Номер патента: US20210406631A1. Автор: Junho Kim,Eunsang JANG,lnhyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Voltage generation circuits

Номер патента: US20190051334A1. Автор: Agostino Macerola,Marco-Domenico Tiburzi,Stefano Perugini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-02-14.

Voltage generation circuits

Номер патента: US10515669B2. Автор: Agostino Macerola,Marco-Domenico Tiburzi,Stefano Perugini. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-12-24.

Apparatus and method for detecting leakage current of semiconductor memory device, and internal voltage generating circuit using the same

Номер патента: US20080219061A1. Автор: Yoon-Jae Shin,Jun-Gi Choi. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2008-09-11.

Reference voltage generator for dynamic random access memory

Номер патента: CA2096627C. Автор: Richard Stephen Phillips. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1997-08-19.

Pulse generating circuit and a semiconductor memory device provided with the same

Номер патента: US5691661A. Автор: Shigeru Mori,Masanori Hayashikoshi,Tatsuya Fukuda,Seiji Sawada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1997-11-25.

Reference voltage generator for dynamic random access memory

Номер патента: US5187429A. Автор: Richard S. Phillips. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1993-02-16.

Reference voltage generator

Номер патента: US20030025551A1. Автор: Hideaki Kurata,Naoki Kobayashi,Takayuki Kawahara,Takahiro Onai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-02-06.

Protection voltage generating circuit with monotonic and stable power supply voltage behavior

Номер патента: US20240192715A1. Автор: Axel Thomsen,Angel C. Abusleme Hoffman. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Voltage generating circuit

Номер патента: US5534817A. Автор: Tomohiro Suzuki,Toshiyuki Sakuta. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-07-09.

CMOS power-on reset pulse generating circuit with extended reset pulse duration

Номер патента: US4558233A. Автор: Tutomu Nakamori. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1985-12-10.

Reference voltage generator

Номер патента: US4453121A. Автор: Glenn E. Noufer. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1984-06-05.

High voltage generation circuit and method for generating high voltage

Номер патента: US20080191786A1. Автор: Oh Suk Kwon,Ki Hwan CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-14.

Internal power voltage generating circuit

Номер патента: US20030085754A1. Автор: Kyu-Nam Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-05-08.

Cell-based reference voltage generation

Номер патента: SG11201806413WA. Автор: Scott Derner,Christopher Kawamura. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-30.

Voltage generating circuits based on a power-on control signal

Номер патента: US20140002172A1. Автор: Wen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Internal voltage generator scheme and power management method

Номер патента: EP1761931A2. Автор: Myung Chan Choi. Владелец: ZMOS Technology Inc. Дата публикации: 2007-03-14.

Stabilized voltage generation circuit and semiconductor device

Номер патента: US20240094758A1. Автор: Hiroshi Yoshikawa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Proportional to absolute temperature (ptat) voltage generating circuit for generating a ptat voltage and acts as a temperature sensor

Номер патента: US20230273632A1. Автор: Arpan Jain,Zia Abbas,Abhishek Pullela,Ashfakh Ali. Владелец: International Institute of Information Technology Hyderabad. Дата публикации: 2023-08-31.

Dynamically switchable reference voltage generator

Номер патента: US5331599A. Автор: Emilio Yero. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SA. Дата публикации: 1994-07-19.

Zero drift, limitless and adjustable reference voltage generation

Номер патента: US9552003B2. Автор: Dan Vinge Madsen,Stig Alnøe Lindemann. Владелец: PR Electronics AS. Дата публикации: 2017-01-24.

High voltage generation circuit

Номер патента: US6784723B2. Автор: Joon-Ho Kim,Sang-Kwon Lee,Young-Jun Nam,Kwang-Rae Cho,Byung-Jae Lee. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2004-08-31.

Rapid on chip voltage generation for low power integrated circuits

Номер патента: WO2000029919A1. Автор: Kuen-Long Chang,Chun-Hsiung Hung,Ken-Hui Chen,Ray-Lin Wan,I-Long Lee,Tien-Shin Ho,Tzeng-Hei Shiau. Владелец: MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.. Дата публикации: 2000-05-25.

Voltage generator circuit for use in a semiconductor device

Номер патента: US20030107362A1. Автор: Shinichiro Shiratake,Daisaburo Takashima,Kohei Oikawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-12.

Tunable dc voltage generating circuit

Номер патента: US20170227974A1. Автор: Kuo-Chi Liu,Wei-Hsin Wei. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-08-10.

Tunable dc voltage generating circuit

Номер патента: US20170351281A1. Автор: Kuo-Chi Liu,Wei-Hsin Wei. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-12-07.

Voltage generating circuit and a nonvolatile memory apparatus using the voltage generating circuit

Номер патента: US11790957B2. Автор: Jun Ho Cheon. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-10-17.

Internal voltage generator and control method thereof, and semiconductor memory device and system including the same

Номер патента: US20090021985A1. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-01-22.

Tunable DC voltage generating circuit

Номер патента: US9825525B2. Автор: Kuo-Chi Liu,Wei-Hsin Wei. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-11-21.

Tunable dc voltage generating circuit

Номер патента: US20170237341A1. Автор: Kuo-Chi Liu,Wei-Hsin Wei. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-08-17.

Pulse generator circuit and semiconductor memory provided with the same

Номер патента: US20010036110A1. Автор: Hideo Kato,Takafumi Ikeda,Naoto Tomita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Erase voltage generator circuit for providing uniform erase execution time and nonvolatile memory device having the same

Номер патента: US7382663B2. Автор: Jin-Yub Lee,Dae-Sik Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-03.

Internal reference voltage generation device

Номер патента: US20240184318A1. Автор: Seung Yeop Lee,Young Jo Park,Jung Yeop Lee,Keun Seon AHN,Bon Kwang Koo,Se Min Lee,Soon Sung AN,Sung Hwa Ok,Jae Hyeong Hong,Heon Ki KIM,Young Seok NAM,Nam Hea JANG,Jun Seo Jang,Ji Eun JOO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-06.

Voltage generation circuit for multivalued cell type mask ROM

Номер патента: US6108247A. Автор: Takayuki Suzu,Kenji Hibino. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-22.

Internal voltage generator and control method thereof, and semiconductor memory device and system including the same

Номер патента: US7724583B2. Автор: Dae-Seok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-25.

Internal source voltage generating circuit of semiconductor memory device

Номер патента: US20100097867A1. Автор: Young-Sun Min,Ki-Seok OH. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Back bias voltage generator circuit of a semiconductor memory device

Номер патента: US5434820A. Автор: Tae-hoon Kim. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-07-18.

Voltage generating circuit and semiconductor memory device having the same

Номер патента: US20060098501A1. Автор: Dong-Su Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-05-11.

Internal voltage generating circuit

Номер патента: US20160254034A1. Автор: Ho Uk Song,A Ram RIM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-09-01.

Internal voltage generation circuit of semiconductor memory device, and semiconductor memory device

Номер патента: US20130188432A1. Автор: Takahiko Sato. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-07-25.

Bandgap reference voltage generator

Номер патента: US4396883A. Автор: John F. Holloway,Salvatore R. Riggio, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1983-08-02.

Voltage generating circuit in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US5633825A. Автор: Tomohiro Suzuki,Toshiyuki Sakuta,Yuriko Iizuka. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-05-27.

Power-up signal generation circuit

Номер патента: US20110026335A1. Автор: Kyoung Hwan Kwon. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Supply voltage generating circuit

Номер патента: US20080238536A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Koichiro Hayashi. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-10-02.

Bandgap Reference Circuit and Method for Providing a Reference Voltage

Номер патента: US20190324491A1. Автор: Lei Zou,Gino Rocca. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Internal voltage generation circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US20160224050A1. Автор: Yeon-Uk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-08-04.

Method and electronic device for generating a reference voltage

Номер патента: US09746890B2. Автор: Hsin-Ting Chen,Jian-Tzuo Chen. Владелец: ASUSTeK Computer Inc. Дата публикации: 2017-08-29.

Reference voltage source

Номер патента: RU2767980C1. Автор: Юрий Павлович Иванов,Павел Юрьевич Иванов. Владелец: Павел Юрьевич Иванов. Дата публикации: 2022-03-22.

Reference voltage generator

Номер патента: US4367437A. Автор: Tsukasa Mikami. Владелец: Takeda Riken Industries Co Ltd. Дата публикации: 1983-01-04.

Low-Noise High Efficiency Bias Generation Circuits and Method

Номер патента: US20230384811A1. Автор: Tae Youn Kim,Robert Mark Englekirk. Владелец: PSemi Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

High voltage generating circuit and method

Номер патента: US20020118589A1. Автор: Kyu-Nam Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-29.

Voltage generating circuit

Номер патента: US20080191792A1. Автор: Daisaburo Takashima,Ryu Ogiwara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-08-14.

Voltage generation circuit

Номер патента: US20230186955A1. Автор: Takaya Yasuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Dynamic random access memory device and μBGA package using multiple reference voltage pads

Номер патента: US6310796B1. Автор: Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-10-30.

Voltage reduction circuit for bandgap reference voltage circuit

Номер патента: US20220011804A1. Автор: Han-Hsiang Huang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Regulator circuitry capable of tracking reference voltages

Номер патента: US20150070086A1. Автор: Chuan Khye Chai,Kok Siang Tan,Wilfred Wee Kee King. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Memory controllers comparing a difference between measured voltages with a reference voltage difference

Номер патента: US09934854B2. Автор: James S. Ignowski,Yoocharn Jeon. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2018-04-03.

Reference voltage source with calibration of output voltage

Номер патента: RU2715215C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Александр Андреевич Щекин. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы". Дата публикации: 2020-02-26.

Low power regulator for a voltage generator circuit

Номер патента: US5260646A. Автор: Adrian H. Ong. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1993-11-09.

Voltage generation circuit and nonvolatile memory device using the same

Номер патента: US20100302881A1. Автор: Byung Ryul Kim,Duck Ju Kim,You Sung Kim,Se Chun Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-12-02.

Constant current source, ramp voltage generation circuit, and a/d converter

Номер патента: US20090079603A1. Автор: Masahiko Maruyama. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2009-03-26.

Voltage generation circuit

Номер патента: US20170069370A1. Автор: Hyun Kyu Park. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor devices having voltage generators using weighted combination of feedback voltages

Номер патента: US20190129457A1. Автор: Min-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-05-02.

Dummy data-based read reference voltage search of nand memory

Номер патента: US20240233813A1. Автор: Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Low-noise reference voltages distribution circuit

Номер патента: WO2013135480A1. Автор: Germano Nicollini,Andrea Barbieri. Владелец: ST-Ericsson SA. Дата публикации: 2013-09-19.

Method and apparatus for determining a reference voltage

Номер патента: US20210020251A1. Автор: Ke Wei,Tao Wei,Zhengtian FENG. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Dummy data-based read reference voltage search of nand memory

Номер патента: WO2024148459A1. Автор: Lu GUO. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-07-18.

Reference voltage circuit

Номер патента: US20060091875A1. Автор: Katsuji Kimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-05-04.

Reference voltage pre-processing circuit and reference voltage pre-processing method for a reference voltage buffer

Номер патента: US09997230B1. Автор: Min-Chung Chou. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Period signal generation circuits

Номер патента: US9130544B2. Автор: Hyun Ju HAM. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-09-08.

Programmable low drift reference voltage generator

Номер патента: US5852360A. Автор: Roger Levinson. Владелец: Exar Corp. Дата публикации: 1998-12-22.

Substrate voltage generation circuit

Номер патента: US6104234A. Автор: Youn-Cherl Shin,Dae-Jeong Kim. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Substrate bias voltage generating circuit for use in a semiconductor memory device

Номер патента: US7298199B2. Автор: Chi-wook Kim,Han-Gyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-11-20.

Tri-level voltage generator circuit

Номер патента: US3604952A. Автор: William M Regitz. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1971-09-14.

Impulse voltage generator circuit

Номер патента: AU4109397A. Автор: Jürgen Wolf. Владелец: Haefely Trench AG. Дата публикации: 1998-04-17.

Reference-voltage-generators within integrated assemblies

Номер патента: US11646073B2. Автор: Yasuo Satoh,Takamasa Suzuki,Yuan He,Hyunui LEE. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-05-09.

Dual back-bias voltage generating circuit with switched outputs

Номер патента: US5444362A. Автор: Jin Y. Chung,Deog Y. Kwak. Владелец: Goldstar Electron Co Ltd. Дата публикации: 1995-08-22.

Bit Line Clamp Voltage Generator for STT MRAM Sensing

Номер патента: US20170125080A1. Автор: John K. DeBrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Cell-based reference voltage generation

Номер патента: US20200202917A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-25.

Cell-based reference voltage generation

Номер патента: US20190074046A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-07.

Cell-based reference voltage generation

Номер патента: US20170221542A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-08-03.

Cell-based reference voltage generation

Номер патента: EP3411878A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-12.

Cell-based reference voltage generation

Номер патента: US20170358339A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Cell-based reference voltage generation

Номер патента: US20180144783A1. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Cell-based reference voltage generation

Номер патента: US9892777B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Cell-based reference voltage generation

Номер патента: US10607677B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-31.

Cell-based reference voltage generation

Номер патента: US10153023B2. Автор: Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-11.

Semiconductor storage device including a voltage generator for applying first and second intermediate voltages to an adjacent word line in a program operation

Номер патента: US11869597B2. Автор: Junichi Sato,Takeshi Nakano,Hideyuki Kataoka,Hiroki Date,Yuzuru SHIBAZAKI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-09.

High voltage generator having separate voltage supply circuit

Номер патента: US20050099830A1. Автор: Won-Chang Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-12.

Memory device including voltage generating circuit

Номер патента: US20200160915A1. Автор: Hee Youl Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Bit Line Clamp Voltage Generator for STT MRAM Sensing

Номер патента: US20170047102A1. Автор: John K. DeBrosse. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-16.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US20240242760A1. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for finding common optimal reference voltage and memory storage system

Номер патента: US20230317201A1. Автор: Youngjoon Choi,Goyo CHIANG. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Best read reference voltage search of 3d nand memory

Номер патента: EP4405951A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Determining reference voltage offsets for read operations in a memory system

Номер патента: US20240272798A1. Автор: Jianying Zhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Circuit and method for a circuit of selecting reference voltage

Номер патента: US20040178842A1. Автор: Chuan-Jen Chang. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Configuration for trimming reference voltages in semiconductor chips, in particular semiconductor memories

Номер патента: US20010004126A1. Автор: Carsten Ohlhoff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-06-21.

Techniques for generating multiple low noise reference voltages

Номер патента: US20200036366A1. Автор: Gaurav Gupta,Arthur J. Kalb. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2020-01-30.

Method and circuit for generating reference voltages for reading a multilevel memory cell

Номер патента: US20020192892A1. Автор: Giovanni Campardo,Rino Micheloni. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2002-12-19.

Tracking a reference voltage after boot-up

Номер патента: US12086005B2. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Andrea Sorrentino,Thomas Hein,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Circuits for setting reference voltages and semiconductor devices including the same

Номер патента: US09785158B2. Автор: Seung Hun Lee,Won Kyung CHUNG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Regulator applied on output terminal of power source to adjust adjusting current for increasing reference voltage when sensing decrease of reference voltage and decreasing reference voltage when sensing increase of reference voltage and regulating method

Номер патента: US09665114B2. Автор: Yan-Bin Luo,Chih-Chien Hung. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Voltage generation circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230307066A1. Автор: Takumi Fujimoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Universal CMOS single input, low swing sense amplifier without reference voltage

Номер патента: US20020125916A1. Автор: Mark Matson,Robert Dupcak,Randy Allmon. Владелец: Compaq Information Technologies Group LP. Дата публикации: 2002-09-12.

Soft decoding correctable page assisted reference voltage tracking

Номер патента: US20240013849A1. Автор: Jie Chen,Chenrong Xiong. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Device for determining read reference voltage of a memory device and operating method thereof

Номер патента: US20230298677A1. Автор: Sang Ho Yun,Jaekyun Moon,Younghyun Park,Sunyoung JO,Jungwuk PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2023-09-21.

Reference voltage regulator for edram with vss-sensing

Номер патента: US20120020170A1. Автор: Sergiy Romanovskyy,Muhammad NUMMER. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-01-26.

Reference voltage circuit

Номер патента: US20090045870A1. Автор: Takashi Imura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-02-19.

Power supply rejection circuit for capacitively-stored reference voltages

Номер патента: US20030103302A1. Автор: Jason Chilcote,Perry Holman. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2003-06-05.

Soft decoding correctable page assisted reference voltage tracking

Номер патента: US12136464B2. Автор: Jie Chen,Chenrong Xiong. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Reference voltage circuit

Номер патента: US09811105B2. Автор: Masakazu Sugiura,Tsutomu Tomioka. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Internal voltage generator

Номер патента: US6150860A. Автор: Jun-Hyun Chun. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-11-21.

Clock Generation Circuit and Semiconductor Device Including the Same

Номер патента: US20120173915A1. Автор: Takayuki Ikeda,Yoshiyuki Kurokawa,Masami Endo,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-07-05.

Temperature independent low reference voltage source

Номер патента: US20060176041A1. Автор: Anton Pletersek. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-10.

Reference voltage regulator for edram with vss-sensing

Номер патента: US20100322019A1. Автор: Sergiy Romanovskyy,Muhammad NUMMER. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Band-gap reference voltage source

Номер патента: US5942887A. Автор: Anne J. Annema. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Reference voltage regulator for eDRAM with VSS-sensing

Номер патента: US8363488B2. Автор: Sergiy Romanovskyy,Muhammad NUMMER. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-01-29.

Setting of Reference Voltage for Data Sensing in Ferroelectric Memories

Номер патента: US20160240238A1. Автор: Keith A. Remack,John A. Rodriguez,Carl Z. Zhou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Power supply rejection circuit for capacitively-stored reference voltages

Номер патента: EP1478991A2. Автор: Jason M. Chilcote,Perry A. Holman. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2004-11-24.

Temperature compensated reference voltage circuit

Номер патента: US09864389B1. Автор: Sharad Vijaykumar. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2018-01-09.

Memory apparatus and reference voltage setting method thereof

Номер патента: US09842648B1. Автор: Chang Yong AHN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Setting of reference voltage for data sensing in ferroelectric memories

Номер патента: US09767879B2. Автор: Keith A. Remack,John A. Rodriguez,Carl Z. Zhou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Voltage reference source and method for generating a reference voltage

Номер патента: US09753482B2. Автор: Thomas Mueller,Mark Niederberger. Владелец: ams AG. Дата публикации: 2017-09-05.

Electronic circuit comprising a reference voltage circuit and a start check circuit

Номер патента: US20240231410A9. Автор: Nicolas Goux,Julien Goulier,Marc Joisson. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-07-11.

Output control signal generating circuit

Номер патента: US20070064517A1. Автор: Hiroki Fujisawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-03-22.

Reference voltage circuit

Номер патента: US20170199540A1. Автор: Wei-Chan Hsu,Yeh-Tai Hung,Te-Ming Tseng,Wen-Yi LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2017-07-13.

Producing reference voltages using transistors

Номер патента: US20060238234A1. Автор: Rebouh Benelbar,Walter Wohlmuth. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-10-26.

Reset signal generating circuit

Номер патента: US8026751B2. Автор: Chun-Te Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-27.

Reset signal generating circuit

Номер патента: US20100237912A1. Автор: Chun-Te Wu. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-23.

Voltage reference circuit and method for providing reference voltage

Номер патента: US12072726B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Eric Soenen,Alan Roth,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo,Yen-Ting WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

System and method for testing reference voltage circuit

Номер патента: US20190041433A1. Автор: Yeh-Tai Hung,Te-Ming Tseng,Wen-Yi LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Method for adjusting a reference voltage based on a band-gap circuit

Номер патента: US20130043859A1. Автор: Yves Theoduloz,Richard Stary,Petr Drechsler. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2013-02-21.

Accessing memory using reference voltages

Номер патента: US20130229869A1. Автор: Xueshi Yang,Zining Wu. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD.. Дата публикации: 2013-09-05.

Reference voltage circuit and method for designing the same

Номер патента: US20240219944A1. Автор: Zhou Yu,Zhengping Zhang,Jianan Wang,Rongbin HU,Can Zhu,Guangbing Chen,Dongbing Fu,Min Gong,Zhimei YANG. Владелец: Chongqing Gigachip Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Voltage reference circuit and method for providing reference voltage

Номер патента: US20240361795A1. Автор: Alexander Kalnitsky,Eric Soenen,Alan Roth,Hsin-Li Cheng,Liang-Tai Kuo,Yen-Ting WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Controlling a reference voltage for a clock and data recovery circuit

Номер патента: US09998277B2. Автор: Obaida Mohammed Khaled Abu Hilal,Rex Wong Tak Ying,Ricky Setiawan,Hua Beng Chan. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Reference voltage circuit

Номер патента: US09989984B2. Автор: Wei-Chan Hsu,Yeh-Tai Hung,Te-Ming Tseng,Wen-Yi LI. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Clock generating circuit and associated method

Номер патента: US09977459B1. Автор: Szu-chun TSAO,Chin-Tung Chan,Deng-Yao SHIH. Владелец: Elite Semiconductor Memory Technology Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Simulating reference voltage response in digital simulation environments

Номер патента: US09940417B2. Автор: John S. Bialas, Jr.,Stephen P. Glancy,Siva Pr. BOOSA,Yelena M. Tsyrkina. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-10.

Dynamic reference voltage determination

Номер патента: US09847117B1. Автор: Charles L. Ingalls,Christopher John Kawamura,Scott James Derner. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

On-die input reference voltage with self-calibrating duty cycle correction

Номер патента: US09711189B1. Автор: Joseph Huang,Xiaobao Wang,Yan Chong,Chiakang Sung,Bonnie I. Wang,Khai Nguyen,Pradeep Nagarajan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Internal voltage generator

Номер патента: KR100792370B1. Автор: 변상진. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2008-01-09.

Internal voltage generating circuit of semiconductor device

Номер патента: US8299846B2. Автор: Chang-Ho Do. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-30.

Precision regulation, frequency modulated substrate voltage generator

Номер патента: US4547682A. Автор: Richard J. Daniels,John S. Bialas, Jr.,William J. Mruk. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-10-15.

Internal voltage generation circuit of smart card and smart card including the same

Номер патента: US11893435B2. Автор: Junho Kim,Eunsang JANG,Inhyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Internal voltage generation circuit of smart card and smart card including the same

Номер патента: US20240135131A1. Автор: Junho Kim,Eunsang JANG,Inhyuk Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Signaling method using constant reference voltage and devices thereof

Номер патента: US20150097606A1. Автор: Kyung Hoi Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-04-09.

Gated clock generating circuit and method of modifying the circuit

Номер патента: US20020188911A1. Автор: Junki Asai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-12.

Internal power supply generating circuit without a dead band

Номер патента: US20070206427A1. Автор: Atsunori Hirobe. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-09-06.

Clock generating circuit and method for generating clock signal

Номер патента: US12028080B2. Автор: Tsung-Ming Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Signal generating circuit and method, and semiconductor memory

Номер патента: US11769536B2. Автор: Zequn Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Clock signal generation circuit

Номер патента: US20120249207A1. Автор: Kenichi Natsume. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Provisioning a reference voltage based on an evaluation of a pseudo-precision resistor of an IC die

Номер патента: US12066959B2. Автор: Mingming Xu,Dror Lazar,Vijayalakshmi Ramachandran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Signal generating circuit and optical pickup device provided therewith

Номер патента: US20050185525A1. Автор: Koji Nishikawa,Hiroyuki Funahashi,Ayumu Ibusuki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2005-08-25.

Random number generating circuit

Номер патента: US7111029B2. Автор: Ken Uchida,Shinobu Fujita,Junji Koga,Ryuji Ohba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-09-19.

Reference voltage stabilizing circuit and integrated circuit provided with same

Номер патента: US20190068213A1. Автор: Takashi Morie,Daisuke Nomasaki. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-02-28.

Bias current generation circuit and flash memory

Номер патента: US12130649B2. Автор: Youhui LI,Lijuan Zhu. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Internal strobe signal generating circuit capable of selecting data rate and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09990980B2. Автор: Kwang Hun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Clamp circuit to suppress reference voltage variation in a voltage regulator

Номер патента: US09952610B1. Автор: Yoichi Takano,Katsuhiro Yokoyama. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Electronic device and signal generating circuit

Номер патента: US09851435B2. Автор: Wei-Chih Chang,Yen-Hsun Chen,Chung-Ming Tseng,Shen-Chun FAN,Mu-Shiuan Lin. Владелец: HTC Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Signaling method using constant reference voltage and devices thereof

Номер патента: US09786355B2. Автор: Kyung Hoi Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-10.

Internal voltage generator

Номер патента: US7936207B2. Автор: Jae-Hyuk Im. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-05-03.

Voltage bin calibration based on a voltage distribution reference voltage

Номер патента: US20220300186A1. Автор: Peter Feeley,Xiangang Luo,Kishore Kumar Muchherla,Sampath Ratnam,Shane Nowell,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Devin M. Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Clock generation circuit and integrated circuit for reproducing an audio signal comprising such a clock generation circuit

Номер патента: EP1342320A2. Автор: Steven H. De Cuyper. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-09-10.

Digital calibration method and apparatus, and true random number generator circuit

Номер патента: EP3836404A1. Автор: Yuan Su,ZHENG Li,Xiang Fang. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-16.

Device including a clock generation circuit and a method of generating a clock signal

Номер патента: US20130278310A1. Автор: Hiroki Fujisawa,Yoshio Mizukane. Владелец: PS5 Luxco SARL. Дата публикации: 2013-10-24.

Device including a clock generation circuit and a method of generating a clock signal

Номер патента: US8618853B2. Автор: Hiroki Fujisawa,Yoshio Mizukane. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2013-12-31.

Synchronization signal generating circuit, chip and synchronization method and device, based on multi-core architecture

Номер патента: US12072730B2. Автор: Fei Luo,Weiwei Wang. Владелец: Stream Computing Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Method and logic decision device for generating ferro-electric capacitor reference voltage

Номер патента: US20030094957A1. Автор: Chin-Hsi Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-22.

Refresh period generating circuit

Номер патента: US20070253271A1. Автор: Yutaka Ito,Nobuhiro Odaira. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-11-01.

Timing generation circuit for electro-optic sampling oscilloscope

Номер патента: US6310507B1. Автор: Jun Kikuchi,Mitsuru Shinagawa,Tadao Nagatsuma,Kazuyoshi Matsuhiro,Nobuaki Takeuchi,Yoshiki Yanagisawa,Yoshio Endou. Владелец: Ando Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-30.

Signal generation circuit having minimum delay, semiconductor apparatus using the same, and signal generation method

Номер патента: US12119822B2. Автор: Gyu Tae Park,Young Ouk Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Clock generation circuit that tracks critical path across process, voltage and temperature variation

Номер патента: US09912322B2. Автор: Tezaswi Raja,Kalyana BOLLAPALLI. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

System and method for minimizing power consumption of a reference voltage circuit

Номер патента: US7567063B1. Автор: Hidenori Kobayashi,Hidehiko Suzuki,Nicky Miles Johnson. Владелец: National Semiconductor Corp. Дата публикации: 2009-07-28.

Voltage detection circuit using threshold as reference voltage for detecting input voltage

Номер патента: US4607174A. Автор: Masashi Shoji,Haruo Niki. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1986-08-19.

Flash memories with adaptive reference voltages

Номер патента: US7463516B2. Автор: Amir Ban. Владелец: Sandisk IL Ltd. Дата публикации: 2008-12-09.

Reference voltage circuit

Номер патента: US4498040A. Автор: Asakawa Tatsushi,Morozumi Shinji. Владелец: Suwa Seikosha KK. Дата публикации: 1985-02-05.

Power supply device provided with voltage controller using reference voltage circuit and current controller, and electronic apparatus with the power supply device

Номер патента: US11853093B2. Автор: Takahiro Hino,Hiroki Okuda. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Reference voltage management

Номер патента: US20200327919A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Memory system performing reference voltage training operation and operating method of memory system

Номер патента: US20200020362A1. Автор: Sang-Geun Bae. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-01-16.

Reference Voltage Circuit with Low Temperature Drift

Номер патента: US20190361476A1. Автор: Liang Zhang,Jia Zhou,Yuming Feng,Shirong Fan,Yijun Xu,Jianxun Li,Wenjie Yang,Xinchao PENG,Yuhua Xie. Владелец: Gree Electric Appliances Inc of Zhuhai. Дата публикации: 2019-11-28.

Voltage bin calibration based on a voltage distribution reference voltage

Номер патента: US11966616B2. Автор: Peter Feeley,Xiangang Luo,Kishore Kumar Muchherla,Sampath Ratnam,Shane Nowell,Mustafa N. Kaynak,Sivagnanam Parthasarathy,Devin M. Batutis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor apparatus for generating a reference voltage

Номер патента: US20210096588A1. Автор: Gang Sik Lee,Kyu Bong KONG,Jae Hyeok YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-04-01.

Clock generation circuit and integrated circuit for reproducing an audio signal comprising such a clock generation circuit

Номер патента: WO2002043245A3. Автор: Cuyper Steven H De. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2002-11-14.

Digital Calibration Method, Digital Calibration Device And True Random Number Generator Circuit

Номер патента: US20210167788A1. Автор: Yuan Su,ZHENG Li,Xiang Fang. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-03.

Reference current generating circuit with process variation compensation

Номер патента: US20190072993A1. Автор: Byeong Hak Jo,Jong Ok HA,Jeong Hoon Kim,Kyu Jin Choi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-07.

Reference current generating circuit with process variation compensation

Номер патента: US10429876B2. Автор: Byeong Hak Jo,Jong Ok HA,Jeong Hoon Kim,Kyu Jin Choi. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-01.

Voltage generation apparatus

Номер патента: US9564888B2. Автор: Hyun Ju HAM,Kee Teok Park,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-07.

Voltage generation apparatus

Номер патента: US20160164513A1. Автор: Hyun Ju HAM,Kee Teok Park,Hyung Sik WON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-06-09.

Clock generation circuit and integrated circuit for reproducing an audio signal comprising such a clock generation circuit

Номер патента: WO2002043245A2. Автор: Steven H. De Cuyper. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-05-30.

Clock generation circuit

Номер патента: US20090284297A1. Автор: Tsuyoshi Ebuchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-19.

Programmable RAS/CAS generation circuit

Номер патента: US5754834A. Автор: Seiji Yanagita. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-05-19.

Clock signal generation circuit, DC/DC converter, PWM signal generator, and vehicle

Номер патента: US12079026B2. Автор: Takayuki Sudo,Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Reset signal generating circuit and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: US20130069698A1. Автор: Masaya Fukazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Current generation circuit, and bandgap reference circuit and semiconductor device including the same

Номер патента: US09891650B2. Автор: Yuichi Okuda,Atsushi Motozawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Device for forming reference voltage with a reduced noise level

Номер патента: RU2672474C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2018-11-15.

Shaping device of bipolar reference voltage with reduced noise level

Номер патента: RU2675796C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2018-12-25.

System for providing a reference voltage to a semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20080150615A1. Автор: Yong-Hwan Noh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-26.

Reference voltage distribution system

Номер патента: US4990797A. Автор: David H. Robertson,Christopher W. Mangelsdorf,Peter Real,Theodore Tewksbury. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 1991-02-05.

Reference voltage circuit

Номер патента: US4359680A. Автор: Michael B. Terry,James R. Hellums. Владелец: Mostek Corp. Дата публикации: 1982-11-16.

Programmable logic device input/output circuit configurable as reference voltage input circuit

Номер патента: US6335636B1. Автор: Joseph Huang,Xiaobao Wang,Chiakang Sung,Bonnie I. Wang,Myron W. Wong,Khai Nguyen,Wayne Yeung,Im Whan Kim. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2002-01-01.

Circuit for the generation of a reference voltage

Номер патента: GB1453706A. Автор: . Владелец: ITT Industries Inc. Дата публикации: 1976-10-27.

Reference voltage stabilization system and method for fixing reference voltages, independent of sampling rate

Номер патента: US6118265A. Автор: Nianxiong Tan,Frode Larsen. Владелец: Globespan Inc. Дата публикации: 2000-09-12.

Reference voltage source circuit operating with low voltage

Номер патента: US20030197552A1. Автор: Hirofumi Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-23.

Techniques for read operations using switched reference voltages

Номер патента: US11869587B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Umberto Di Vincenzo,Riccardo Muzzetto. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Reference voltage management

Номер патента: US11810609B2. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US20230245695A1. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-03.

Reference voltage adjustment based on post-decoding and pre-decoding state information

Номер патента: US11923028B2. Автор: Jie Chen,Chenrong Xiong. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Reference voltage adjustment for word line groups

Номер патента: US11900992B2. Автор: Tao Jiang,Bo Zhou,Guang Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Multiple output programmable reference voltage source

Номер патента: EP1025476A4. Автор: Garry C Gillette. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2005-07-13.

Reference voltage management

Номер патента: US20220199140A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-06-23.

Reference voltage management

Номер патента: EP3953933A1. Автор: Ferdinando Bedeschi,Efrem Bolandrina. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-02-16.

Best read reference voltage search of 3d nand memory

Номер патента: WO2024124417A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2024-06-20.

Best read reference voltage search of 3d nand memory

Номер патента: US20240201853A1. Автор: Yufei FENG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Selecting read reference voltage using historical decoding information

Номер патента: US20230098775A1. Автор: Jie Chen,Bo Fu,Zining Wu. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-30.

Driving voltage generating device

Номер патента: US20240102868A1. Автор: Wei-Fan Chen,Kuo-Chi Tsai. Владелец: Leap Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Touch sensing circuit that selectively couples a sensing electrode to a reference voltage in a response to an assertion of synchronization signal and touch sensitive device

Номер патента: US20220075499A1. Автор: Yaw-Guang Chang,Yi-Yang Tsai,Yu-Chun Lin,Jia-Ming He. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Sense Amplifier Reference Voltage Through Sense Amplifier Latch Devices

Номер патента: US20230395131A1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Timing generation circuit, semiconductor storage device and timing generation method

Номер патента: US20120127811A1. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Selecting read reference voltage using historical decoding information

Номер патента: US11735286B2. Автор: Jie Chen,Bo Fu,Zining Wu. Владелец: Innogrit Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Power source generation circuit and integrated circuit

Номер патента: US20130342175A1. Автор: Eiichi Sadayuki,Kazuki Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-12-26.

Twiddle factor generating circuit for an ntt processor

Номер патента: US20210334334A1. Автор: Renaud Sirdey,Nicolas Ventroux,Alexandre CARBON,Joel Cathebras. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2021-10-28.

Improvements in zener diode reference voltage standards

Номер патента: EP1036353A1. Автор: John Robert Pickering. Владелец: Metron Designs Ltd. Дата публикации: 2000-09-20.

Internal power generation circuit

Номер патента: US12105545B2. Автор: Lixin Zhang,Haisong Li,Yangbo Yi,Jiawei GUAN,Wenting SHI. Владелец: WUXI CHIPOWN MICROELECTRONICS CO Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Sense amplifier reference voltage through sense amplifier latch devices

Номер патента: US12131771B2. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Memory device, read clock generation circuit, and method for controlling read operation in memory device

Номер патента: US20240339140A1. Автор: Sanjeev Kumar Jain,Atul Katoch. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Reference voltage temperature coefficient calibration circuit and method

Номер патента: US09977111B2. Автор: Haojiong LI. Владелец: KT MICRO Inc. Дата публикации: 2018-05-22.

Memory device including memory cell for generating reference voltage

Номер патента: US09972371B2. Автор: Soo-ho Cha,Chankyung Kim,Sungchul Park,Kwangchol CHOE,Hoyoung SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Signal generation circuit and temperature sensor

Номер патента: US09891116B2. Автор: Masataka Minami,Shigeki Obayashi,Hiroji Ozaki,Hiroki Shimano. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Power source generation circuit and integrated circuit

Номер патента: US09882399B2. Автор: Eiichi Sadayuki,Kazuki Yoshioka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Ramp voltage generator, image sensing device including the same and method for driving the image sensing device

Номер патента: US09781368B2. Автор: Jung-Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Device for forming reference voltage with a reduced noise level

Номер патента: RU2671856C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2018-11-07.

Reference voltage circuits in microcontroller systems

Номер патента: US10203743B2. Автор: Marc Laurent,Olivier Husson,Thierry Gourbilleau,Stefan SCHÄBEL,Patrice Menard,Mickael Le Dily,Ronan Barzic. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

Semiconductor integrated circuit device including means for reducing the amount of potential variation on a reference voltage line

Номер патента: US4477736A. Автор: Yoshiaki Onishi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1984-10-16.

Circuit for establishing a reference voltage in bar code readers

Номер патента: US3909594A. Автор: David C Allais,Rudolph P Host. Владелец: Intermec Inc. Дата публикации: 1975-09-30.

Reference Voltage Prediction in Memory Subsystem

Номер патента: US20190187189A1. Автор: Robert E. Jeter,Rakesh L. Notani,Fabien S. Faure. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-06-20.

Reference voltage auto-switching mechanism used in regulator for saving more power in low-power mode

Номер патента: EP4236046A1. Автор: Chih-Chien Huang,Chuan-Chang Lee. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Multiple output programmable reference voltage source

Номер патента: EP1025476A1. Автор: Garry C. Gillette. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2000-08-09.

Nominal distance reference voltage calibration

Номер патента: US11960739B1. Автор: Robert E. Jeter,Rahul Ranjan,Venkata Ramana Malladi,Kai Lun Hsiung,Jingkui Zheng,David A. Knopf,Satish B. Dulam. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-04-16.

Tracking a reference voltage after boot-up

Номер патента: US20230341915A1. Автор: Peter Mayer,Martin Brox,Andrea Sorrentino,Thomas Hein,Wolfgang Anton SPIRKL. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Setting of reference voltage for data sensing in ferroelectric memories

Номер патента: US20170345478A1. Автор: Keith A. Remack,John A. Rodriguez,Carl Z. Zhou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Image forming apparatus configured to modify a reference voltage correction amount

Номер патента: US9436117B2. Автор: EISUKE Shimizu,Kazuhiko Watanabe,Hisashi Kikuchi,Takaaki Tawada. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Reference voltage circuit

Номер патента: US20220197324A1. Автор: Yeh-Tai Hung,Tu-Yiin Chang. Владелец: Nuvoton Technology Corp. Дата публикации: 2022-06-23.

Bias voltage generator

Номер патента: WO2023234775A1. Автор: Fabio Sebastiano,Masoud Babaie,Lucas Alexander ENTHOVEN. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2023-12-07.

Voltage generator arrangement

Номер патента: US20040130310A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Stephan Schroder,Manfred Pröll. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-07-08.

Distributed DC voltage generator for system on chip

Номер патента: US20030189460A1. Автор: Louis Hsu,Li-Kong Wang,Fanchieh Yee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Control signals generator circuit

Номер патента: RU2664014C1. Автор: Владимир Владимирович Шубин,Александр Викторович Глухов,Михаил Александрович Примак,Андрей Витальевич Егоркин. Владелец: Акционерное общество "Новосибирский завод полупроводниковых приборов с ОКБ". Дата публикации: 2018-08-14.

System and method for verifying a reference voltage for battery cell monitoring

Номер патента: US9618544B2. Автор: John H. Floros,Paul W. Firehammer. Владелец: A123 Systems LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

A bandgap reference voltage source with high power supply rejection ratio

Номер патента: GB2541287A. Автор: He Xiaoyong,Li Mengshi,CAI Min,Wu Qinghua,He Junliang. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-02-15.

CMOS integrated mid-supply voltage generator

Номер патента: US5302888A. Автор: James R. Hellums,Henry T. Yung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1994-04-12.

Reference voltage ciruit with temperature compensation

Номер патента: US20230336174A1. Автор: Yuan-Kai Cheng,Chung-Jye Hsu. Владелец: Infsitronix Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

Internal voltage generator and operation method thereof

Номер патента: US20120261987A1. Автор: Joo-Yun HA. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-10-18.

Reference voltage buffer circuit

Номер патента: US11824549B2. Автор: Zhengfeng Wang,Junxi CHEN. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Bandgap Reference Voltage Failure Detection

Номер патента: US20190278315A1. Автор: Johannes Gerber,Matthias Arnold,Frank Dornseifer. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor memory apparatus, and method for training reference voltage

Номер патента: US20170092338A1. Автор: Young Mok Jung. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-30.

Voltage generator and memory device having the voltage generator

Номер патента: US20210366555A1. Автор: Won Jae Choi,Hyun Chul Cho. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Sampling clock generator circuit and data receiver using the same

Номер патента: US20070195918A1. Автор: Nobuya Sumiyoshi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2007-08-23.

Random number generation circuit and semiconductor system including the same

Номер патента: US9704602B2. Автор: Kyung Hoon Kim,In Sik YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Multiphase clock generator circuit

Номер патента: US7675340B2. Автор: Kouichi Suzuki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2010-03-09.

Generator circuit for generating large numbers

Номер патента: US20040034674A1. Автор: Leonard Benschop. Владелец: Safenet BV. Дата публикации: 2004-02-19.

Control signal generation circuit and method for generating control signal controlled in units of bit time

Номер патента: US20040135616A1. Автор: Jang-Seok Choi,Sang-Gyu Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-15.

Current generation circuit

Номер патента: US20240338045A1. Автор: Naohiro Nomura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-10-10.

Calibration data generation circuit and associated method

Номер патента: US12032020B2. Автор: Chun-Yi Kuo,Ying-Yen CHEN,Hsiao Tzu Liu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device including control signal generating circuit

Номер патента: US09986172B2. Автор: Yasutoshi Aibara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Reference current generating circuit and memory device

Номер патента: US09870807B2. Автор: Tetsuya Ono. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Operation instruction generating circuit and consumable chip

Номер патента: US09865314B2. Автор: Huiling Yang,Wanli Sun,Xiongwei Wang,Ruyan Xue. Владелец: Apex Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Ramp voltage generator and image sensing device including the same

Номер патента: US09774318B2. Автор: Jung-Eun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Ic temperature sensor with reference voltages supplied to transistor bases

Номер патента: US5094546A. Автор: Takahiro Tsuji. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1992-03-10.

Semiconductor circuit of MOS transistors for generation of reference voltage

Номер патента: US4641081A. Автор: Ryoichi Sato,Toshio Mimoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1987-02-03.

Reference voltage source

Номер патента: US4281281A. Автор: Toom A. Pungas,Toomas E. Parve,Mart V. Min. Владелец: Individual. Дата публикации: 1981-07-28.

Reference voltage circuit having a substantially zero temperature coefficient

Номер патента: US5666046A. Автор: David F. Mietus. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1997-09-09.

Temperature compensated reference voltage source

Номер патента: US5808507A. Автор: Abraham L. Melse,Hendrikus J. Janssen,Johan C. Halberstadt. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-09-15.

Power supply rejection circuit for capacitively-stored reference voltages

Номер патента: WO2003050951A2. Автор: Jason M. Chilcote,Perry A. Holman. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2003-06-19.

Reference voltage modification in a memory device

Номер патента: US20150228328A1. Автор: Kyu-Hyoun Kim,Joab D. Henderson,Edgar R. Cordero,Anuwat Saetow,Jeffrey A. Sabrowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-13.

Circuit for generating reference voltage

Номер патента: US20140232453A1. Автор: Michael Choi,Marutha Muthu Muthuveeran. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-08-21.

Flash memory reference voltage detection with tracking of cross-points of cell voltage distributions using histograms

Номер патента: US20150092489A1. Автор: Zhengang Chen,Erich F. Haratsch,Sundararajan Sankaranarayanan,Yunxiang Wu,Abdel-Hakim Alhussien. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2015-04-02.

Automatic reference voltage controller of intergral analog/digital converter.

Номер патента: MY107275A. Автор: Yong Bang Sam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1995-10-31.

Electronic circuit comprising a reference voltage circuit and a start check circuit

Номер патента: US20240134406A1. Автор: Nicolas Goux,Julien Goulier,Marc Joisson. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-04-25.

Receiver training of reference voltage and equalizer coefficients

Номер патента: US11810633B2. Автор: Phalguni Bala,Navin Kumar Mishra,Anirudha Shelke,Kiran Baby,Sudhir Kumar Katla Shetty,Ashwin S. M.,Younus Syed. Владелец: Cadence Design Systems Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

High-voltage generator device, x-ray generator and method for manufacturing a high-voltage generator device

Номер патента: US20240098865A1. Автор: Aaron Reichert,Johannes Zenner,Michael Freiburghaus. Владелец: Comet AG. Дата публикации: 2024-03-21.

Mid-Bus Voltage Generation via Idle Phases in a Linear Motor Track System

Номер патента: US20190348899A1. Автор: Jonathan D. Hoffman,Patrick E. Ozimek. Владелец: Rockwell Automation Technologies Inc. Дата публикации: 2019-11-14.

Scalable protection voltage generator

Номер патента: US09831764B2. Автор: Hiten Advani,Phalguni Bala. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-11-28.

Timing signal generator circuit for use in signal waveform measurement system for measuring multi-channel on-chip signals flowing on vlsi

Номер патента: US20120001785A1. Автор: Makoto Nagata,Takushi Hashida. Владелец: Semiconductor Technology Academic Research Center. Дата публикации: 2012-01-05.

Voltage Generation Module and Power Supply Management Chip

Номер патента: US20230253880A1. Автор: Yonghua Zhou. Владелец: Hefei Eswin IC Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Voltage generating circuits based on a power-on control signal

Номер патента: US09806611B2. Автор: Wen-Han Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Residual signal generating circuit, successive approximation ad converter, pipelined ad converter, and radio receiver

Номер патента: US20130183920A1. Автор: Masanori Furuta,Hirotomo Ishii. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-07-18.

Gate-source voltage generation for pull-up and pull-down devices in i/o designs

Номер патента: US20200076429A1. Автор: Prasant Kumar Vallur,Jagadeesh Anathahalli Singrigowda,Girish Anathahalli Singrigowda,Rajesh Mangalore Anand. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2020-03-05.

Reference voltage generator circuit

Номер патента: US20020047794A1. Автор: Katsuyoshi Yamamoto,Toshitaka Mizuguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Reference voltage generator circuit

Номер патента: US20010002820A1. Автор: Katsuyoshi Yamamoto,Toshitaka Mizuguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-06-07.

Negative reference voltage generating circuit

Номер патента: US20160211744A1. Автор: Hideki Arakawa,Tomofumi Kitani. Владелец: Powerchip Technology Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device having input buffers to which internally-generated reference voltages are applied

Номер патента: US20030214328A1. Автор: Takashi Oguri. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-11-20.

Extracting an embedded DC signal to provide a reference voltage for an optical receiver

Номер патента: US09819421B1. Автор: Kannan Raj,Ashok V. Krishnamoorthy,John E. Cunningham,Xuezhe Zheng,Hiren D. Thacker,Jingqiong Xie,Jeffrey W. Denq. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Cascode voltage generating circuit and method

Номер патента: US09755632B2. Автор: Vikas RANA,Fabio De Santis. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2017-09-05.

Temperature dependent constant-current generating circuit and light emitting semiconductor element driving circuit using the same

Номер патента: US6037832A. Автор: Katsuji Kaminishi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Voltage generation module and power supply management chip

Номер патента: US11942862B2. Автор: Yonghua Zhou. Владелец: Hefei Eswin IC Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Signal generation circuit, switching device, and switching power supply device

Номер патента: US20240162817A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Daichi Yuruki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Active load generation circuit and filter using same

Номер патента: US20190149146A1. Автор: Wei-Cheng Tang,Kuohsi Wu. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

DC offset cancellation circuit, differential amplification circuit with DC offset cancellation circuit, photo-electric pulse conversion circuit, pulse shaping circuit, and pulse generation circuit

Номер патента: US20020109075A1. Автор: Akihiko Ono. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-08-15.

Dcdc converter, integrated circuit, and target voltage generation circuit

Номер патента: US20230402911A1. Автор: Masaru Nakamura,Kenji AKATSUKI,Takaaki NOJIMA. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Reference voltage generator using two fine resistor ladders

Номер патента: US6204791B1. Автор: Katsuyoshi Yamamoto,Toshitaka Mizuguchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2001-03-20.

Charge-pump circuitry and a method for high voltage generation with improved psrr

Номер патента: US20210159786A1. Автор: Lasse Aaltonen. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Pulse width modulation signal generation circuit and lamp control system including the same

Номер патента: EP4395174A1. Автор: Ji Seok Kim,Nak Hun KIM,Won Joon Hwang. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-03.

Pulse width modulation signal generation circuit and lamp control system including the same

Номер патента: US20240196492A1. Автор: Ji Seok Kim,Nak Hun KIM,Won Joon Hwang. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Voltage generating circuit with timing skipping control

Номер патента: US20210281180A1. Автор: Yu-Hsuan Liu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Analog-to-digital converter integrated with reference voltage generation, and calibration method

Номер патента: EP4391389A1. Автор: Zhong Tang,Nianxiong Tan,Yuyan Liu. Владелец: Hangzhou Vango Technologies Inc. Дата публикации: 2024-06-26.

Reference voltage generator and voltage regulator incorporating same

Номер патента: US20080297132A1. Автор: Hideyuki Aota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

High-voltage generation circuit for a plasma-based gas-treatment apparatus

Номер патента: WO2022098244A1. Автор: Bjarte Kvingedal,Frode Vik. Владелец: Seid As. Дата публикации: 2022-05-12.

Bias voltage generating circuit, signal generator circuit and power amplifier

Номер патента: US20240291441A1. Автор: Yu-Jiu Wang,Ta-Shun Chu,Yue Ming WU,Hao-Chung Chou. Владелец: Tron Future Tech Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Reference voltage generator for logic elements providing stable and predefined gate propagation time

Номер патента: WO2003100973A3. Автор: Igor Anatolievich Abrosimov. Владелец: Igor Anatolievich Abrosimov. Дата публикации: 2004-02-12.

Reference voltage control in a power supply

Номер патента: US20200021193A1. Автор: Keng Chen,Anthony B. Candage,Paul Sisson. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Reference voltage control in a power supply

Номер патента: US20190273435A1. Автор: Keng Chen,Anthony B. Candage,Paul Sisson. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-09-05.

High-speed and low-power pipelined ADC using dynamic reference voltage and 2-stage sample-and-hold

Номер патента: US10411722B2. Автор: Hayun Cecillia Chung. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2019-09-10.

High-speed and low-power pipelined adc using dynamic reference voltage and 2-stage sample-and-hold

Номер патента: US20190131994A1. Автор: Hayun Cecillia Chung. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2019-05-02.

Supply voltage generating method

Номер патента: US09966843B2. Автор: Jian Deng. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Amplification circuit, power amplification circuit, and bias generation circuit

Номер патента: US20240283408A1. Автор: Makoto Tabei. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Multi-voltage generation circuit

Номер патента: US20230118768A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-04-20.

High voltage generation circuit

Номер патента: US10097104B2. Автор: Tomokazu Hariya,Naoto Sasada,Takayuki Toshida. Владелец: SMC Corp. Дата публикации: 2018-10-09.

Driving current generation circuit, led power supply module and led lamp

Номер патента: US20130009559A1. Автор: Satoshi Yamada,Masamichi IWAKI,Kazuaki Kitaga,Eiichiro Niikura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-01-10.

Bias voltage generating circuit

Номер патента: US20240283405A1. Автор: Po-Chih Wang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Driving current generation circuit, LED power supply module and LED lamp

Номер патента: US09888538B2. Автор: Satoshi Yamada,Masamichi IWAKI,Kazuaki Kitaga,Eiichiro Niikura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Drive signal generating circuit and power supply circuit

Номер патента: US20200251989A1. Автор: Ryuji Yamada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-06.

High voltage generation circuit

Номер патента: US20170257036A1. Автор: Tomokazu Hariya,Naoto Sasada,Takayuki Toshida. Владелец: SMC Corp. Дата публикации: 2017-09-07.

Oscillation circuit using comparator with temperature compensated reference voltages

Номер патента: US6300843B1. Автор: Hidetaka Kodama. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2001-10-09.

Reference voltage control in a power supply

Номер патента: US20200220448A1. Автор: Luca Petruzzi,Keng Chen. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-07-09.

Reference voltage control in a power supply

Номер патента: US20200007021A1. Автор: Luca Petruzzi,Keng Chen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2020-01-02.

Time signal generating circuit and time signal generating method

Номер патента: US20160277016A1. Автор: Kun-Min Huang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Reference Voltage Generation

Номер патента: US20190199206A1. Автор: Suhwan Kim,Vaibhav Vaidya,Christopher SCHAEF. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Reference voltage generator and analog-to-digital converter

Номер патента: US09819354B2. Автор: Ying-Zu Lin,Chihhou Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

High voltage generation apparatus, x-ray ct apparatus, and power supply apparatus

Номер патента: US20170209114A1. Автор: Kimio Tanaka. Владелец: Toshiba Medical Systems Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Resistance circuit, and voltage detection and constant voltage generating circuits incorporating such resistance circuit

Номер патента: US20070075825A1. Автор: Hidenori Kato. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-05.

Analog-to-digital converting circuit receiving reference voltage from alternatively switched reference voltage generators and reference voltage capacitors and operating method thereof

Номер патента: US11984907B2. Автор: Yong Lim,Jaehoon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-14.

Image forming apparatus and drive-voltage generating circuit

Номер патента: US20120306952A1. Автор: Yuji Ieiri. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

High-voltage transformer and generation circuit for a plasma-based gas-treatment apparatus

Номер патента: WO2022098245A1. Автор: Bjarte Kvingedal,Frode Vik. Владелец: Seid As. Дата публикации: 2022-05-12.

Voltage generation circuit

Номер патента: US09893612B2. Автор: Ki Soo Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Voltage generating system

Номер патента: CA1052920A. Автор: Yukio Koyanagi. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 1979-04-17.

Tuning voltage generating apparatus of voltage synthesizer type

Номер патента: CA1171563A. Автор: Isao Fujimoto. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-07-24.

Trapezoid signal generating circuit

Номер патента: US20060152258A1. Автор: Akio Kojima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

AC coupling circuit integrated with receiver with hybrid stable common-mode voltage generation and baseline-wander compensation

Номер патента: US20080063091A1. Автор: Yikui (Jen) Dong,Cathy Ye Liu,Freeman Yingquan Zhong,Shao Ming Hsu. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

High-voltage generating circuit for catheter and ablation tool

Номер патента: EP4385435A1. Автор: Chenggang Zhao. Владелец: Accupulse Medical Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Voltage generator with voltage multiplier

Номер патента: CA2014657A1. Автор: Takaaki Ishii,Masayuki Sakanishi,Katsuhiko Kita. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-10-17.

High-voltage generating circuit for catheter and ablation tool

Номер патента: US20240277398A1. Автор: Chenggang Zhao. Владелец: Accupulse Medical Technology Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Reference voltage generation in imaging sensors

Номер патента: US20090141156A1. Автор: Ying Huang,Giuseppe Rossi,Laurent Blanquart. Владелец: Altasens Inc. Дата публикации: 2009-06-04.

Multichannel biphasic signal generator circuit

Номер патента: US20170095668A1. Автор: Michael Goldfarb,Don TRUEX,Kevin Ha. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-06.

Multichannel biphasic signal generator circuit

Номер патента: EP3157621A1. Автор: Michael Goldfarb,Don TRUEX,Kevin Ha. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-26.

Luminance signal generation circuit with single clamp in closed loop configuration

Номер патента: US6141064A. Автор: Mehrdad Nayebi,Duc Ngo. Владелец: Sony Electronics Inc. Дата публикации: 2000-10-31.

Improvements relating to electronic square wave generator circuits

Номер патента: GB1041195A. Автор: Eric Bowater,Henry Arnold Richardson. Владелец: Associated Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1966-09-01.

Sawtooth voltage generator

Номер патента: US4495476A. Автор: Helmut Steinmann. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 1985-01-22.

Reference voltage generator for use in and a/d or d/a converter

Номер патента: CA1164536A. Автор: Takayoshi Makabe,Yoshiaki Kuraishi. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1984-03-27.

Clock Generating Circuit

Номер патента: US20100182066A1. Автор: Tomoaki Nishi,Mitsuru Ooyagi. Владелец: Sanyo Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-07-22.

Clock generation circuit and image sensor

Номер патента: US20240114256A1. Автор: Poh Weng Yem. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Multi-voltage generation circuit and related envelope tracking amplifier apparatus

Номер патента: US20210006206A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Multi-voltage generation circuit and related envelope tracking amplifier apparatus

Номер патента: US20200127607A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2020-04-23.

Reference voltage generator and light emitting diode device comprising the same

Номер патента: US09900948B2. Автор: Minwoo Lee,Moonsik SONG. Владелец: Fairchild Korea Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Device for generating a reference voltage for a switching circuit including a capacitive bootstrap circuit

Номер патента: USRE35745E. Автор: Claudio Diazzi,Andrea Barsanti,Fabio Vio. Владелец: SGS Thomson Microelectronics SRL. Дата публикации: 1998-03-17.

High-side gate drive voltage generation circuit and semiconductor module

Номер патента: US11757347B2. Автор: Narumi Matsushita. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Vertical ramp wave generating circuit.

Номер патента: MY122820A. Автор: Nakajima Kenichi. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2006-05-31.

Voltage generation circuit, image sensor, scope, and voltage generation method

Номер патента: US20230353141A1. Автор: Yoshio Hagihara. Владелец: OLYMPUS MEDICAL SYSTEMS CORP. Дата публикации: 2023-11-02.

Multi-voltage generation circuit

Номер патента: EP4167477A1. Автор: Nadim Khlat. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-04-19.

Amplifier circuit with variable temperature coefficient of gain, and circuit for generating voltage with variable temperature coefficient, which becomes reference potential at reference temperature, direct voltage generating circuit, and circuit for compensating for temperature drift of another amplifier circuit, which use the amplifier circuit

Номер патента: CA3192418A1. Автор: Shingo Sobukawa,Takehito Kamimura,Tatsuru Tamori. Владелец: NF Holdings Corp. Дата публикации: 2023-09-09.

Radio-frequency voltage generator

Номер патента: US09773655B2. Автор: Ikuo Konishi. Владелец: Shimadzu Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Precise reference voltage generator for feedforward compensated amplifiers

Номер патента: US5148119A. Автор: Robert C. Dobkin,John W. Wright. Владелец: Linear Technology LLC. Дата публикации: 1992-09-15.

Signal generation circuit, electric power conversion control circuit and LSI for electric power conversion control

Номер патента: US8085023B2. Автор: Fujio Kurokawa. Владелец: Nagasaki University NUC. Дата публикации: 2011-12-27.

Signal converting circuit and bias voltage generation circuit thereof

Номер патента: US20230291398A1. Автор: Yi-Chun HSIEH,Hsi-En Liu,Chien-Tsu YEH. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Pulse-width modulation controller and tri-state voltage generation method

Номер патента: US20190288675A1. Автор: Chih-Lien Chang,Min-Rui Lai. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Reference voltage generator and analog-to-digital converter

Номер патента: US20170257110A1. Автор: Ying-Zu Lin,Chihhou Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-09-07.

Amplifier bias voltage generating circuit and method

Номер патента: US6441687B1. Автор: Thomas R. Apel. Владелец: Triquint Semiconductor Inc. Дата публикации: 2002-08-27.

Triangular-wave voltage generator and corresponding class-d amplifier circuit

Номер патента: US20180234062A1. Автор: Germano Nicollini,Alberto Cattani,Stefano Ramorini,Alessandro Gasparini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2018-08-16.

Voltage generation circuit

Номер патента: US7907136B2. Автор: Hironori Kobayashi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Dropout voltage generation circuit, switching power supply and dropout voltage generation method

Номер патента: US20230412075A1. Автор: Yin Zhou. Владелец: Joulwatt Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Inverter with control voltage generating circuit capable of withstanding high voltage

Номер патента: US10784843B2. Автор: Hsin-Cheng HSU,Po-Ching Lin,Tay-Her Tsaur. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Clock generating circuit and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09780767B2. Автор: Myeong Jae PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Sweep generator circuit for a streak camera

Номер патента: US5949065A. Автор: Daniel Kaplan,Marcel A. Bouvier. Владелец: Fastlite SARL. Дата публикации: 1999-09-07.

Constant voltage generation circuit

Номер патента: US6064327A. Автор: Fumihiro Ryoho,Taiki Nishiuchi,Terunori Kubo. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2000-05-16.

Dynamic focus adjusting voltage generating circuit

Номер патента: US5043638A. Автор: Shigeo Yamashita. Владелец: Pioneer Electronic Corp. Дата публикации: 1991-08-27.

Photodiode matrix, method for determining reference voltage and method for determining recommended operating voltage

Номер патента: RU2567089C2. Автор: Кенити САТО,Сого КАМАКУРА,Сигеюки НАКАМУРА,Цуйоси ОХТА,Митито ХИРАЯНАГИ,Хироки СУЗУКИ,Сунсуке АДАТИ. Владелец: Хамамацу Фотоникс К.К.. Дата публикации: 2015-10-27.

Control circuit for power converter apparatus of DC to DC converter for converting reference voltage to DC voltage

Номер патента: US12015347B2. Автор: Masayuki Imura. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Synchronizing signal generating circuit for optical scanning device

Номер патента: US5793036A. Автор: Tadashi Minakuchi. Владелец: Asahi Kogaku Kogyo Co Ltd. Дата публикации: 1998-08-11.

Ramp voltage generating circuits

Номер патента: GB1350216A. Автор: . Владелец: Iwatsu Electric Co Ltd. Дата публикации: 1974-04-18.

Controlled squarewave voltage generating electronic circuit

Номер патента: US3795827A. Автор: W Greger. Владелец: NORTEC ELECTRONICS CORP. Дата публикации: 1974-03-05.

Threshold voltage generator circuit and corresponding receiver device

Номер патента: EP4312378A1. Автор: Giulio Ricotti,Eleonora Franchi Scarselli,Antonio Gnudi,Matteo D'addato,Alessia Maria ELGANI,Luca Perilli,Roberto Antonio CANEGALLO. Владелец: Universita di Bologna. Дата публикации: 2024-01-31.

Parabolic voltage generating circuit

Номер патента: CA2040252C. Автор: James Albert Wilber,Lawrence Edward Smith. Владелец: Thomson Consumer Electronics Inc. Дата публикации: 1994-08-23.

Impedance code generation circuit, semiconductor device including the same, and method for setting termination impedance

Номер патента: US20110291699A1. Автор: Jin-Hee Cho. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-12-01.

Negative voltage generating circuit

Номер патента: US20090154207A1. Автор: Jin-Liang Xiong. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2009-06-18.

Controlling a voltage source inverter to synthesise a reference voltage

Номер патента: GB2613668A. Автор: Stone David,Foster Martin. Владелец: Nissan Motor Manufacturing UK Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Switched mode power supplies with adaptive reference voltage for controlling output transistor

Номер патента: US09893638B1. Автор: Joan Wichard Strijker. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2018-02-13.

Control circuits and methods for regulating output voltages based on adjustable references voltages

Номер патента: US09698694B2. Автор: YuanDong He,Honglian FANG,Mao Xi Xiang,Jian Zhen Ma. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

High voltage generating circuit

Номер патента: US4027200A. Автор: Tamiji Nagai,Hiroshi Sahara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1977-05-31.

High voltage generating circuit

Номер патента: CA1044364A. Автор: Tamiji Nagai,Hiroshi Sahara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1978-12-12.

Voltage generator, analog-to-digital converter, and image sensor system

Номер патента: US20080296473A1. Автор: Yuusuke Yamaoka. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Voltage generation circuit

Номер патента: US20240186997A1. Автор: Koji Saito,Ryoichi KUROKAWA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-06-06.

Stable Low-Power Analog-to-Digital Converter (ADC) Reference Voltage

Номер патента: US20230261666A1. Автор: Christopher A. Menkus,Robert W. Kim. Владелец: AyDeeKay LLC. Дата публикации: 2023-08-17.

Stable low-power analog-to-digital converter reference voltage

Номер патента: EP4275280A1. Автор: Christopher A. Menkus,Robert W. Kim. Владелец: AyDeeKay LLC. Дата публикации: 2023-11-15.

Reference Voltage Controlled Equalization Input Data Buffer Circuit Capable of Automatically Controlling Power Gain and Providing Equalization Effect

Номер патента: US20240250653A1. Автор: Minho Park. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Stable low-power analog-to-digital converter (ADC) reference voltage

Номер патента: US12040815B2. Автор: Christopher A. Menkus,Robert W. Kim. Владелец: Ay Dee Kay LLC. Дата публикации: 2024-07-16.

Forcing and sensing dacs sharing reference voltage

Номер патента: US20200287561A1. Автор: Kirubakaran RAMALINGAM,Ayan Das,Hrishikesh Ravi Mathukkarumukku,Mahesh Madhavan Kumbaranthodiyil. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2020-09-10.

Stable Low-Power Analog-to-Digital Converter (ADC) Reference Voltage

Номер патента: US20240340019A1. Автор: Christopher A. Menkus,Robert W. Kim. Владелец: AyDeeKay LLC. Дата публикации: 2024-10-10.

Control circuits and methods for regulating output voltages using multiple and/or adjustable reference voltages

Номер патента: US09979307B2. Автор: Kim Ly Kha. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Constant on-time switching converter with reference voltage adjusting circuit and controller thereof

Номер патента: US09923463B2. Автор: Qian Ouyang,Wei Yuan. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Control circuits and methods for regulating output voltages using multiple and/or adjustable reference voltages

Номер патента: US09866134B2. Автор: Kim Ly Kha. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Control circuits and methods for regulating output voltages using multiple and/or adjustable reference voltages

Номер патента: US09866133B2. Автор: Kim Ly Kha. Владелец: Astec International Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Digital pixel exposure method by using multiple ramp voltage as reference voltage

Номер патента: US09986181B2. Автор: Jing Gao,Zaifeng Shi,Jiangtao Xu,Zhiyuan Gao,Suying Yao. Владелец: TIANJIN UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-29.

Receiver with adjustable reference voltages

Номер патента: US09742422B2. Автор: Yu Kou,Danfeng Xu,Kai Keung Chan. Владелец: Etopus Technology Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Commutator of bipolar source of reference voltage with temperature compensation

Номер патента: RU2738346C1. Автор: Александр Сергеевич Анохин,Дмитрий Витальевич Гребенщиков. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственный центр автоматики и приборостроения имени академика Н.А. Пилюгина" (ФГУП "НПЦАП"). Дата публикации: 2020-12-11.

High voltage generation circuit and method

Номер патента: CA3070394C. Автор: Yi Liao,Saijun Mao,Stewart Blake Brazil,Yunzheng CHEN,Xinhong HAN. Владелец: GE Oil and Gas ESP Inc. Дата публикации: 2022-12-13.

Photomultiplier tube module having high-voltage generating circuit and digital circuit

Номер патента: US7649163B2. Автор: Takanori Nakaya. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2010-01-19.

Voltage generator with low clock feedthrough

Номер патента: US20240022164A1. Автор: Jingfeng Gong,William Frede,Yeung Bun Choi. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Short pulse generating circuit

Номер патента: US20190326889A1. Автор: Chun-Hung Pan,Hsing-Lu Chen,Yu-Lang Wang. Владелец: Avision Inc. Дата публикации: 2019-10-24.

Ion-generating circuit capable of adjusting ion amount

Номер патента: WO2015150125A1. Автор: Fang Jiang,Yinhua TANG,Tieming YAO,Qingjie ZENG. Владелец: LUFTMED GMBH. Дата публикации: 2015-10-08.

Start up method for switching converters using the same reference voltage in the error amplifier and PWM comparator

Номер патента: US09641073B2. Автор: James Thomas DOYLE,Farsheed Mahmoudi,Amirali Shayan. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Signal inverting device, power transmission device, and negative-voltage generating circuit

Номер патента: US20160211840A1. Автор: Yasufumi Kawai. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Reference voltage output circuit

Номер патента: US20100321093A1. Автор: Shigeru Nagatomo. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-23.

Reference voltage control circuit for a two-step flash analog-to-digital converter

Номер патента: US20190207619A1. Автор: Neeraj Shrivastava,Jafar Sadique Kaviladath. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-04.

Multi-bit gray code generation circuit

Номер патента: US11757453B2. Автор: Yoshinao Morikawa. Владелец: Sharp Semiconductor Innovation Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Method and apparatus for training the reference voltage level and data sample timing in a receiver

Номер патента: US20090110116A1. Автор: Timothy M. Hollis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Time signal generating circuit of power converter and contorl method thereof

Номер патента: US20210194363A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Chih-Lien Chang. Владелец: uPI Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Clock generation circuit

Номер патента: WO2013010901A1. Автор: Holger Kropp,Stefan Abeling,Herbert Schütze. Владелец: THOMSON LICENSING. Дата публикации: 2013-01-24.

Delay time generation circuit, semiconductor device for protecting secondary batteries using delay time generation circuit, battery pack, and electronic device

Номер патента: US20080061743A1. Автор: Tomoyuki Goto. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-13.

Clock generation circuit

Номер патента: EP2732553A1. Автор: Holger Kropp,Stefan Abeling,Herbert Schütze. Владелец: Thomson Licensing SAS. Дата публикации: 2014-05-21.

100BASE-TX transceiver with transmit clock selected from output clock of clock generator circuit and receive recovered clock of clock and data recovery circuit and associated method

Номер патента: US12120213B2. Автор: Chia-Hsing Hsu,Chun-Chia Huang. Владелец: Airoha Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Battery protection system with reference voltage control system

Номер патента: US09906015B2. Автор: Mutsuki Niki,Hiroshi Saito,Yasuaki Hayashi,Keiji AMEMIYA. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-02-27.

Composite adc with a plurality of reference voltages

Номер патента: EP3345303A1. Автор: Andrzej Radecki,Hashem ZARE HOSEINI. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-11.

Substrate including a reference voltage layer having an impedance calibrator

Номер патента: US20240196515A1. Автор: Jae Hoon Lee,Jong Wook Kim,Ju Il Eom. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Switching regulator and operation clock signal generator circuit and control method thereof

Номер патента: US20240128868A1. Автор: Chia-Jung Chang,Shao-Ming Chang,Yu-Pin Tseng,Jiing-Horng Wang,Tsan-He Wang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2024-04-18.

Generator circuit breaker control method based on short-circuit fault current symmetry

Номер патента: US20240235180A1. Автор: YI WU,FEI Yang,Jun Wang,Yifei Wu,Mingzhe RONG,Chunping NIU,Jinru Sun. Владелец: Xian Jiaotong University. Дата публикации: 2024-07-11.

Solid-state imaging device with ramp generator circuit

Номер патента: WO2023143981A1. Автор: Naoki Kawazu,Jae-sung AN. Владелец: Sony Europe B. V.. Дата публикации: 2023-08-03.

Phase tracking pulse generation circuit and power supply device

Номер патента: US20210305970A1. Автор: Guoliang TANG,Dexiang ZUO. Владелец: Shenzhen TCL New Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Phase tracking pulse generation circuit and power supply device

Номер патента: US11444604B2. Автор: Guoliang TANG,Dexiang ZUO. Владелец: Shenzhen TCL New Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-13.

Signal generating circuits for generating fan driving signal

Номер патента: US8829956B2. Автор: Yueh-Lung Huang,Chin-Hsin Wu. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2014-09-09.

Dual-pfd feedback delay generation circuit

Номер патента: US20180091157A1. Автор: THEERTHAM Srinivas,Jagdish Chand Goyal,Peeyoosh Mirajkar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

High gain pulse generator circuit for clocking

Номер патента: WO1999034508A1. Автор: Terry I. Chappell,Thomas D. Fletcher,Mark S. Milshtein. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-07-08.

Methods for controlling a frequency synthesizer circuit and a frequency-generating circuit utilizing the same

Номер патента: US09966986B1. Автор: Chi-Hsueh Wang,Chun-Ming Kuo,Shao-Wei Feng,Shih-Chi Shen,Ang-Sheng Lin. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

CONTROL CIRCUIT FOR POWER CONVERTER APPARATUS OF DC TO DC CONVERTER FOR CONVERTING REFERENCE VOLTAGE TO DC VOLTAGE (as amended)

Номер патента: US20220416654A1. Автор: Masayuki Imura. Владелец: Nisshinbo Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Pulse width modulation signal generation circuit and lamp control system including the same

Номер патента: EP4398484A2. Автор: Ju Hyun Lee,Nak Hun KIM,Won Joon Hwang,Byung Jun SEO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-10.

Circuit regulator and synchronous timing pulse generation circuit thereof

Номер патента: EP2416474A3. Автор: Chang-Yu Wu,Lon-Kou Chang,Hsing-Fu Liu. Владелец: Macroblock Inc. Дата публикации: 2014-10-29.

Pulse width modulation signal generation circuit and lamp control system including the same

Номер патента: US20240196493A1. Автор: Ju Hyun Lee,Nak Hun KIM,Won Joon Hwang,Byung Jun SEO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Self-calibration of reference voltage drop in digital to analog converter

Номер патента: US11757463B2. Автор: Jean CauXuan Le,Ranga Seshu Paladugu,Ronak Prakashchandra Trivedi,Hanqing Xing,See-Hoi Wong. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Clock generation circuit and semiconductor apparatus using the clock generation circuit

Номер патента: US12057847B2. Автор: Young Suk SEO,Sung Hyun SONG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Clock generation circuit

Номер патента: US09831860B2. Автор: Ming-Chieh Huang,Chih-Chang Lin,Tien-Chun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Flash analog-to-digital converter employing least significant bit-representative comparative reference voltage

Номер патента: US5194867A. Автор: Gregory J. Fisher. Владелец: HARRIS CORP. Дата публикации: 1993-03-16.

Display substrate including first reference voltage line being electrically coupled to first reference voltage auxiliary line through via holes penetrating through insulation layer therebetween, and display device having the same

Номер патента: US11903279B2. Автор: LI Wang,Libin LIU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-13.

Pfc signal generation circuit, pfc control system using the same, and pfc control method

Номер патента: US20170163149A1. Автор: Yasuhiro Takata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-08.

Offset correction circuit and transconductance proportional current generation circuit

Номер патента: US20170272038A1. Автор: Motomitsu IWAMOTO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Pfc signal generation circuit, pfc control system using the same, and pfc control method

Номер патента: US20140042992A1. Автор: Yasuhiro Takata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Pulse width modulation signal generation circuit and lamp control system including the same

Номер патента: US20240196494A1. Автор: Ju Pyo Hong,Ji Seok Kim,Hai Feng JIN,Won Joon Hwang. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Pulse current generation circuit for neural stimulation, charge compensation circuit and method, and implantable electrical retina stimulator

Номер патента: US20190224483A1. Автор: Yu Lin,Yu Zhao,Zhi Chen,Bin Xia,Xianwen FANG. Владелец: Shenzhen Sibionics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

Timing generation circuit and method for timing generation

Номер патента: US20020140483A1. Автор: Yasuo Miyamoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Oscillation signal generation circuit

Номер патента: US09966962B2. Автор: Takayuki Abe,Junji Sato. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Offset correction circuit and transconductance proportional current generation circuit

Номер патента: US09917552B2. Автор: Motomitsu IWAMOTO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Systems and methods for measuring a current output by a current generation circuit included in a cochlear implant

Номер патента: US09717906B2. Автор: R. Tissa Karunasiri. Владелец: ADVANCED BIONICS AG. Дата публикации: 2017-08-01.

High voltage generator

Номер патента: RU2488016C2. Автор: Клеман НУВЕЛЬ,Паоло БАРРОСО. Владелец: Рено С.А.С.. Дата публикации: 2013-07-20.

Sinusoidal voltage generator based on nuclear power plant

Номер патента: RU2735021C1. Автор: Леонид Петрович Гаврилов. Владелец: Леонид Петрович Гаврилов. Дата публикации: 2020-10-27.

Electronic voltage regulator protected against failure due to overload, or due to loss of a reference voltage

Номер патента: US5325044A. Автор: Luis E. Bartol. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-06-28.

Forcing and sensing DACs sharing reference voltage

Номер патента: US10848172B2. Автор: Kirubakaran RAMALINGAM,Ayan Das,Hrishikesh Ravi Mathukkarumukku,Mahesh Madhavan Kumbaranthodiyil. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2020-11-24.

Stable low-power analog-to-digital converter reference voltage

Номер патента: WO2022150179A1. Автор: Christopher A. Menkus,Robert W. Kim. Владелец: AyDeeKay LLC dba Indie Semiconductor. Дата публикации: 2022-07-14.

Reduced-noise reference voltage platform for a voltage converter device

Номер патента: US20150214073A1. Автор: Dev Alok Girdhar. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-07-30.

Reduced-noise reference voltage platform for a voltage converter device

Номер патента: US20140003179A1. Автор: Dev Alok Girdhar. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2014-01-02.

Pll circuit for increasing potential difference between ground voltage and reference voltage or power source voltage of oscillation circuit

Номер патента: US20080291770A1. Автор: Toru Ishikawa. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-11-27.

Low-power high-speed cmos clock generation circuit

Номер патента: WO2023048957A1. Автор: Cheng Zhong,Bo Sun,Jianwen YE. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-30.

MEMS image forming element with built-in voltage generator

Номер патента: US12030772B2. Автор: Qian Zhang,Yongxin Wang,Rui-Ling Lai. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-07-09.

Pfc signal generation circuit, pfc control system using the same, and pfc control method

Номер патента: US20170271978A1. Автор: Yasuhiro Takata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Voltage generating apparatus and x-ray generating apparatus having the same

Номер патента: US20240237182A1. Автор: Hyun Jun Kim,Sung Ho Cho,Young Hwan Kim,Re Na Lee. Владелец: Remedi Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Spread frequency spectrum waveform generating circuit

Номер патента: WO2006039290A2. Автор: Takashi Kimura,Akira Yasuda. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2006-04-13.

Clock generator circuit for near field communication device

Номер патента: US20240014809A1. Автор: Marc Houdebine,Laurent Jean Garcia. Владелец: STMicroelectronics France SAS. Дата публикации: 2024-01-11.

Frequency generating circuit using quartz crystal resonator

Номер патента: US20170111051A1. Автор: Ping-Ying Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-04-20.

Cmos image sensor with internal reference voltage and current detecting circuit and method

Номер патента: US20240022841A1. Автор: JING Yang,Guang Yang,Yaowu Mo,Guanjing Ren,Jinjian Hou. Владелец: SmartSens Technology HK Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Low-power high-speed cmos clock generation circuit

Номер патента: EP4406120A1. Автор: Cheng Zhong,Bo Sun,Jianwen YE. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-31.

Pulse width modulation signal generation circuit and lamp control system including the same

Номер патента: EP4387099A2. Автор: Ju Pyo Hong,Ji Seok Kim,Hai Feng JIN,Won Joon Hwang. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-19.

Method and apparatus for providing a clock generation circuit for digitally controlled frequency or spread spectrum clocking

Номер патента: WO2001063768A1. Автор: John P. Richey,John B. Berry,James R. Booth,Keith B. Hardin. Владелец: Lexmark International, Inc.. Дата публикации: 2001-08-30.

CMOS image sensor with internal reference voltage and current detecting circuit and method

Номер патента: US12022223B2. Автор: JING Yang,Guang Yang,Yaowu Mo,Guanjing Ren,Jinjian Hou. Владелец: Smart Sens Technology Hk Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Pulse current generation circuit

Номер патента: US20220032057A1. Автор: Yu Lin,Yu Zhao,Zhi Chen,Bin Xia,Xianwen FANG. Владелец: Shenzhen Sibionics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-03.

Pulse current generation circuit

Номер патента: US12076551B2. Автор: Yu Lin,Yu Zhao,Zhi Chen,Bin Xia. Владелец: Shenzhen Sibionics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Adaptively controlled duty cycle clock generation circuit

Номер патента: US09838029B1. Автор: Ting Gao. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2017-12-05.

Successive approximation A/D converter comparing analog input voltage to reference voltages

Номер патента: US7477179B2. Автор: Harumi Kawano. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-13.

Voltage generation method

Номер патента: RU2720353C2. Автор: Геннадий Леонидович Багич. Владелец: Геннадий Леонидович Багич. Дата публикации: 2020-04-29.

Circuit for stabilizing a digital-to-analog converter reference voltage

Номер патента: US9800258B2. Автор: Jan Craninckx,Ewout Martens. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2017-10-24.

Battery system balancing control method for performing balancing control with aid of reference voltage information and battery system thereof

Номер патента: US20140239899A1. Автор: Fu-Sheng Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-08-28.

Switching converter control loop and dynamic reference voltage adjustment

Номер патента: US11881774B2. Автор: Preetam Charan Anand Tadeparthy,Muthusubramanian Venkateswaran,Siddaram Mathapathi,Bikash Kumar PRADHAN,Venkatesh Wadeyar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-23.

Switching converter control loop and dynamic reference voltage adjustment

Номер патента: WO2022192786A1. Автор: Preetam Charan Anand Tadeparthy,Muthusubramanian Venkateswaran,Siddaram Mathapathi,Bikash Kumar PRADHAN,Venkatesh Wadeyar. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-15.

Battery system balancing control method for performing balancing control with aid of reference voltage information and battery system thereof

Номер патента: US9214820B2. Автор: Fu-Sheng Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-12-15.

Switching converter control loop and dynamic reference voltage adjustment

Номер патента: US20240113623A1. Автор: Preetam Charan Anand Tadeparthy,Muthusubramanian Venkateswaran,Siddaram Mathapathi,Bikash Kumar PRADHAN,Venkatesh Wadeyar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Digital-to-analog converter with reference voltage selection switch

Номер патента: US20210351781A1. Автор: Vikas Singh,Denis Clarke Daly. Владелец: Omni Design Technologies Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Overmodulation of reference voltage

Номер патента: WO2023233184A1. Автор: Chandrasekhar Nagaraj. Владелец: VOLVO TRUCK CORPORATION. Дата публикации: 2023-12-07.

Systems and methods for high voltage generation

Номер патента: US11330696B2. Автор: XU Chu,Guoping Zhu,Jinglin Wu,Tieshan ZHANG,Bobin TONG. Владелец: Shanghai United Imaging Healthcare Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

Reference voltage driving circuit and pipelined analog to digital converter including same

Номер патента: US7248198B2. Автор: Jung Woong Moon. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2007-07-24.

Single-signal receiver including active inductor continuous time linear equalizer and reference voltage selection equalizer, and method for operating the same

Номер патента: US11979160B2. Автор: Chulwoo Kim,Jong-Hyuck CHOI. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2024-05-07.

PWM signal generator circuit and related integrated circuit

Номер патента: US12015406B2. Автор: Domenico Tripodi,Luca Giussani,Simone Ludwig Dalla Stella. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-06-18.

High-voltage generator

Номер патента: US20080037292A1. Автор: Geu-Cheng Hu,Hsiang-Yuan Yu. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2008-02-14.

Sampling clock generator circuit, and image reader and electronic device incorporating the same

Номер патента: EP2686956A1. Автор: Tohru Kanno,Isamu Miyanishi. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2014-01-22.

Pulse generating circuit

Номер патента: US3924535A. Автор: Dewey A Roos,Erwin I Abadie,Kenneth A Lawlor. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 1975-12-09.

Reset signal generating circuit

Номер патента: US20100013529A1. Автор: Kenichi Kawakita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-01-21.

Signal generator circuit having multiple output frequencies

Номер патента: US20080002799A1. Автор: Dale H. Nelson. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2008-01-03.

Sinusoidal waveform generation circuit

Номер патента: US20100244910A1. Автор: Yukinori Harada,Hiroshi Ogura,Ryoji Kawaai. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2010-09-30.

Pwm signal generator circuit and related integrated circuit

Номер патента: US20240297640A1. Автор: Domenico Tripodi,Luca Giussani,Simone Ludwig Dalla Stella. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-05.

Voltage generator with charge pump and related methods and apparatus

Номер патента: US09837993B2. Автор: Jonathan Christian Crandall. Владелец: Skyworks Solutions Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

Recirculating A/D or D/A converter with single reference voltage

Номер патента: US6016115A. Автор: Alexandre Heubi. Владелец: Soprintel SA. Дата публикации: 2000-01-18.

High-voltage generator with voltage control on the basis of the discharge current

Номер патента: WO1998019962A1. Автор: Gerardus Nicolaas Anna Hoogendijk. Владелец: Philips Norden Ab. Дата публикации: 1998-05-14.

Circuit arrangement for reducing the maximum electrical field strength, high voltage generation unit with such a circuit arrangement and x-ray generator with such a high voltage generation unit

Номер патента: US09967970B2. Автор: Walter Beyerlein,Richard Eichhorn,Christian Hoffmann,Norbert Hoffmann,Rashid Karimi. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Booster apparatus for a direct current voltage generator

Номер патента: US09882469B2. Автор: Atsushi Sakurai,Hiroshi Saito. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

BATTERY CHARGER, VOLTAGE MONITORING DEVICE AND SELF-DIAGNOSIS METHOD OF REFERENCE VOLTAGE CIRCUIT

Номер патента: US20120001588A1. Автор: . Владелец: OKI SEMICONDUCTOR CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Source of reference voltage

Номер патента: RU2332702C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Александр Иванович Гавлицкий,Иван Евгеньевич Старченко. Владелец: ГОУ ВПО "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ЮРГУЭС). Дата публикации: 2008-08-27.

Self-tuning voltage generator for non-volatile semiconductor memory unit, non-volatile semiconductor memory unit, and method for self- tuning generation of voltage in said memory unit

Номер патента: RU2146398C1. Автор: Ким Джин-ки,Лим Хьюнг-Кью,Ли Сунг-Соо. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2000-03-10.

Source of reference voltage

Номер патента: RU2473951C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов,Павел Сергеевич Кузнецов,Александр Владимирович Сукманов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2013-01-27.

Reference voltage source

Номер патента: RU2514930C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов,Павел Сергеевич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2014-05-10.

Definite-polarity supply voltage generator with safe polarised element for switching critical circuits

Номер патента: RU2461483C1. Автор: Николай Иосифович Пивоварчик,Александр Фёдорович Кирсанов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Российские Железные Дороги". Дата публикации: 2012-09-20.

Reference voltage source

Номер патента: RU2580458C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2016-04-10.

Reference voltage source

Номер патента: RU2523956C2. Автор: Евгений Иванович Старченко,Алексей Сергеевич Будяков,Павел Сергеевич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2014-07-27.

Source of reference voltage

Номер патента: RU2475807C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Павел Сергеевич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2013-02-20.

Shaping device of bipolar reference voltage with reduced noise level

Номер патента: RU2549509C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: ОБЩЕСТВО С ОГРАНИЧЕННОЙ ОТВЕТСТВЕННОСТЬЮ НАУЧНО-ПРОИЗВОДСТВЕННОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ "Дельта". Дата публикации: 2015-04-27.

Reference voltage source

Номер патента: RU2461048C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов,Павел Сергеевич Кузнецов,Иван Васильевич Барилов (RU),Евгений Иванович Старченко (RU),Павел Сергеевич Кузнецов (RU). Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2012-09-10.

Reference-voltage source

Номер патента: RU2449342C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Павел Сергеевич Кузнецов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2012-04-27.

Source of reference voltage

Номер патента: RU2504817C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов,Павел Сергеевич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2014-01-20.

Source of reference voltage

Номер патента: RU2518974C2. Автор: Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов,Павел Сергеевич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2014-06-10.

Reference voltage source based on double width of silicon inhibited zone

Номер патента: RU2547227C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов,Дмитрий Юрьевич Чернышов,Максим Владимирович Клименко. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

Shaping device of reference voltage with reduced noise level

Номер патента: RU2496132C1. Автор: Сергей Николаевич Бондарь,Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2013-10-20.

Temperature stable radiation-resistant reference-voltage source based on differential pair of field-effect transistors

Номер патента: RU2546083C1. Автор: Олег Владимирович Дворников,Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

Method to generate reference voltage

Номер патента: RU2466493C1. Автор: Мария Сергеевна Жаворонкова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2012-11-10.

System of voltage generation

Номер патента: RU2474941C1. Автор: Сергей Федорович Коняхин,Андрей Михайлович Нагорнов. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Агрегатное Конструкторское Бюро "Якорь". Дата публикации: 2013-02-10.

Source of reference voltage

Номер патента: RU2480899C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Павел Сергеевич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2013-04-27.

Reference voltage source based on triple width of silicon inhibited zone

Номер патента: RU2546079C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов,Дмитрий Юрьевич Чернышов,Максим Владимирович Клименко. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Донской Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2015-04-10.

Source of reference voltage

Номер патента: RU2519270C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Иван Васильевич Барилов,Павел Сергеевич Кузнецов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ФГБОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2014-06-10.

Device to generate reference voltage with reduced noise level

Номер патента: RU2422874C1. Автор: Мария Сергеевна Бондарь. Владелец: Федеральное государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2011-06-27.

Commutator-free dc voltage generator

Номер патента: RU2226736C2. Автор: А.Т. Синг. Владелец: Синг Аркадий Тэдивич. Дата публикации: 2004-04-10.

Reference-voltage source

Номер патента: RU2447477C1. Автор: Евгений Иванович Старченко,Павел Сергеевич Кузнецов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный университет экономики и сервиса" (ГОУ ВПО "ЮРГУЭС"). Дата публикации: 2012-04-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.