Method of making integrated circuit (ic) including at least one storage cell
Номер патента: US20080248624A1
Опубликовано: 09-10-2008
Автор(ы): Chung H. Lam, David V. Horak, Hon-Sum P. Wong
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 09-10-2008
Автор(ы): Chung H. Lam, David V. Horak, Hon-Sum P. Wong
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Methods of forming magnetoresistive devices and integrated circuits
Номер патента: US12075630B2. Автор: THOMAS Andre,Sanjeev Aggarwal,Sarin A. Deshpande,Kerry Joseph NAGEL. Владелец: Everspin Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.