Semiconductor chip, semiconductor integrated circuit including the semiconductor chip, semiconductor system including the semiconductor integrated circuit and method of driving the semiconductor system.

Semiconductor chip, semiconductor integrated circuit including the semiconductor chip, semiconductor system including the semiconductor integrated circuit and method of driving the semiconductor system

Номер патента: US9177625B2
Опубликовано: 03-11-2015
Автор(ы): Jae-Bum Ko
Принадлежит: SK hynix Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Integrated circuit with asymmetric arrangements of memory arrays

Номер патента: US20230290395A1. Автор: Ching-Wei Wu,He-Zhou Wan,Xiu-Li Yang,Kuan Cheng. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device for a ram disposed on chip so as to minimize distances of signal paths between the logic circuits and memory circuit

Номер патента: US5014242A. Автор: Hiroshi Murayama,Hitoshi Abe,Katsumi Ogiue,Masamori Kashiyama,Masami Usami,Kinya Mitsumoto,Satoru Isomura,Yoshikuni Kobayashi,Kazuhiro Akimoto. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1991-05-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140321223A1. Автор: Yoshiro Riho. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-10-30.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240268092A1. Автор: Tatsuya Onuki,Yuto Yakubo,Seiya SAITO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor system

Номер патента: US20120320654A1. Автор: Hideyuki Yoko. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Semiconductor system

Номер патента: US20120320653A1. Автор: Hideyuki Yoko. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2012-12-20.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Command Protocol for Integrated Circuits

Номер патента: US20090158010A1. Автор: Andreas GÄRTNER,Georg Braun,Maurizio Skerlj,Johannes Stecker. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Integrated circuit, memory device including the integrated circuit, and method of operating the same

Номер патента: US20240310437A1. Автор: Seaeun PARK,Saeeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Reconfigurable switched-capacitor voltage converter circuit, integrated circuit (ic) chip including the circuit and method of switching voltage on chip

Номер патента: US20140152382A1. Автор: Leland Chang,Jae-sun Seo,Robert Montoye. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Test systems and methods

Номер патента: WO2004102216A3. Автор: Ahmed R Syed. Владелец: Ahmed R Syed. Дата публикации: 2005-04-07.

Semiconductor integrated circuit, a method for testing the semiconductor integrated circuit, and a semiconductor system

Номер патента: US20230096746A1. Автор: Jehyun PARK,Sungcheol PARK,Hyungil WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-30.

Semiconductor chips, semiconductor chip packages including the same, and semiconductor systems including the same

Номер патента: US09600424B2. Автор: Dong Kyun Kim,Bok Rim KO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Intergrated semiconductor circuit with a semiconductor memory configuration embedded in a semiconductor chip

Номер патента: US20020047167A1. Автор: Andreas Bänisch,Marco Troost. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-25.

Adjustable timing circuit of an integrated circuit

Номер патента: US20050286338A1. Автор: Frankie Roohparvar,Dean Nobunaga. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-12-29.

Equalizer and semiconductor memory device including the same

Номер патента: US09424897B2. Автор: Dae-Hyun Kim,Seung-Jun Bae,Kyung-Soo Ha. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: EP4333060A1. Автор: Jiyoung Kim,Dawoon JEONG,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Semiconductor devices and data storage systems including the same

Номер патента: US20240079323A1. Автор: Jiyoung Kim,Dawoon JEONG,Sukkang SUNG,Woosung YANG,Joonyoung KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-07.

Method of operating an integrated circuit and integrated circuit

Номер патента: US20230238057A1. Автор: Shih-Lien Linus Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Integrated Circuit with Analog or Multilevel Storage Cells and User-Selectable Sampling Frequency

Номер патента: US20080049498A1. Автор: Andreas Haeberli,Carl Werner,Leon Wong,Cheng-Yuan Wang,Hock So,Sau Wong. Владелец: Wong Sau C. Дата публикации: 2008-02-28.

Semiconductor integrated circuit device capable of securing gate performance and channel length

Номер патента: US20110255324A1. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240237348A1. Автор: Hwayeong LEE,Seulji SONG,Hunmo Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Front photo detector having no gain selection switch, optical pick-up including the front photo detector, and optical recording and/or playing apparatus including the front photo detector

Номер патента: US20050025023A1. Автор: Pyong-Yong Seong,Hong-Kyu Lee,Hee-Dong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-03.

Signal transmission method of semiconductor integrated circuit for transmitting signal to a plurality of stacked semiconductor chips

Номер патента: US09680460B2. Автор: Chun-Seok Jeong. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Current-mode semiconductor integrated circuit device operating in voltage mode during test mode

Номер патента: US20070176610A1. Автор: Yong-Weon Jeon,Jan-Jin Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-08-02.

System and method for disconnecting a portion of an integrated circuit

Номер патента: US20030034825A1. Автор: Louis Hsu,Rajiv Joshi,Paul Parries,Toshiaki Kirihata,Chorng-Lii Hwang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20150194436A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9184171B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2015-11-10.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US20160104714A1. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-04-14.

Semiconductor integrated circuit device including test pads

Номер патента: US20180294043A1. Автор: Kwi Dong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-10-11.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US8258604B2. Автор: Akira Yamazaki,Koji Bando,Tatsuhiko Akiyama,Kazuyuki Misumi,Naoki Izumi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-04.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20120309131A1. Автор: Akira Yamazaki,Koji Bando,Tatsuhiko Akiyama,Kazuyuki Misumi,Naoki Izumi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-12-06.

Integrated circuit comprising a test circuit, related method and computer-program product

Номер патента: US20240295604A1. Автор: Mario Barone,Gianluca TORTORA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor integrated circuit and method of production of same

Номер патента: US7646209B2. Автор: Mitsuhiro Oomori,Tomofumi Arakawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-01-12.

Bootstrapping circuit, sampling apparatuses, receiver, base station, mobile device and method of operating a bootstrapping circuit

Номер патента: EP4020806A1. Автор: Christian Lindholm,Daniel Gruber,Martin Clara,Giacomo Cascio. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Semiconductor integrated circuit and method of producing the same

Номер патента: US9466607B2. Автор: SEO Moon-Sik,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-10-11.

Circuit and method for generating reference voltage based on temperature coefficient

Номер патента: US09874886B2. Автор: Jong-Cheol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060238216A1. Автор: Katsunori Koike,Yasuyuki Saito,Mitsuhiko Okutsu,Naoki Yada,Yasushi Shibatsuka. Владелец: Hitachi Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-26.

Integrated circuits including magnetic random access memory structures having reduced switching energy barriers for dual bit operation and methods for fabricating the same

Номер патента: US20190259809A1. Автор: Jaiswal Akhilesh,Ajey Poovannummoottil Jacob. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-08-22.

Semiconductor integrated circuit with voltage limiter having different output ranges for normal operation and performing of aging tests

Номер патента: US5493572A. Автор: Hitoshi Tanaka,Ryoichi Hori,Kiyoo Itoh. Владелец: Hitachi Microcomputer Engineering Ltd. Дата публикации: 1996-02-20.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: TW202232501A. Автор: 山際貴志. Владелец: 日商鎧俠股份有限公司. Дата публикации: 2022-08-16.

Integrated circuit operation adjustment using redundant elements

Номер патента: US20190278741A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Robert James Ray,Andres Felipe Hernandez,Peter A. Atkinson. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2019-09-12.

Reliability Screening of Ferroelectric Memories in Integrated Circuits

Номер патента: US20150357050A1. Автор: John A. Rodriguez,Richard Bailey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Reliability screening of ferroelectric memories in integrated circuits

Номер патента: US09607717B2. Автор: John A. Rodriguez,Richard Bailey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Programmable read only memory integrated circuit device

Номер патента: US4045784A. Автор: Hiroshi Mayumi,Yoshinobu Natsui,Norio Kusunose. Владелец: Nippon Electric Co Ltd. Дата публикации: 1977-08-30.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US20230352089A1. Автор: Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming thereof

Номер патента: WO2023029142A1. Автор: WEI Liu,Simon Shi-ning Yang,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-09.

Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit

Номер патента: US09997514B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Driver circuit, method of manufacturing the driver circuit, and display device including the driver circuit

Номер патента: US09515065B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor cell for photomask data verification and semiconductor chip

Номер патента: US20090193386A1. Автор: Takayasu Hirai. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-07-30.

Semiconductor chip, method of manufacturing the semiconductor chip, and semiconductor package and display apparatus including the semiconductor chip

Номер патента: US09935056B2. Автор: Myoung-Soo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Single-chip semiconductor integrated circuit device and microcomputer integrated on a semiconductor chip

Номер патента: US5784637A. Автор: Hideo Nakamura,Shiro Baba,Terumi Sawase,Yoshimune Hagiwara,Yasushi Akao,Kouki Noguchi. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1998-07-21.

I/O cell configuration for a differential amplifier on a semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: EP2930745A3. Автор: Shohei Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-06.

Driving integrated circuit, display device including the same, and method of measuring bonding resistance

Номер патента: US9772514B2. Автор: Jong-Won Moon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Carrying member for semiconductor chip designed for building into integrated-circuit card

Номер патента: RU2216042C2. Автор: Франк ПЮШНЕР,Юрген ФИШЕР,Йозеф ХАЙТЦЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2003-11-10.

Semiconductor chip and semiconductor package

Номер патента: US20150262964A1. Автор: Shohei Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Integrated circuit for estimating power of at least one node using temperature and a system including the same

Номер патента: US09903764B2. Автор: Wook Kim,Kyungsoo Lee,Sridhar Sundaram,Jichul Kim,MyungKyoon YIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor chip probe and the conducted eme measurement apparatus with the semiconductor chip probe

Номер патента: US20140292364A1. Автор: Yin-Cheng CHANG,Da-Chiang Chang. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2014-10-02.

Integrated circuit, electronic device including the same, and operating method thereof

Номер патента: US20220014208A1. Автор: Jaehyouk Choi,Yongsun Lee,Taeho SEONG,Chanwoong HWANG,Hangi PARK. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20020049927A1. Автор: Takeshi Yamamura,Kazuhiro Kobayashi,Tadahiro Saitoh. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-04-25.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US20170052082A1. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-23.

Electrically conductive barriers for integrated circuits

Номер патента: US09714879B2. Автор: Andrew C. McNeil,Jinbang Tang,Chad S. Dawson. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

System and method for depositing underfill material

Номер патента: US20240038716A1. Автор: Choo Par Tan,Ee May Lim,Chee Ern NG. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20150198653A1. Автор: Heat-Bit PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Solid-state image sensor and imaging apparatus including the same

Номер патента: US09808159B2. Автор: Makoto Shizukuishi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor chip package and method for fabricating the same

Номер патента: US20050253279A1. Автор: Qwan Ho Chung. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2005-11-17.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140080260A1. Автор: Tamaki Wada,Kazuya Tsuboi,Yuichi Morinaga,Tomoko Higashino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Gas Sensor Module and Method of Manufacturing Gas Sensor Module

Номер патента: US20190383761A1. Автор: Hiroaki Suzuki,Teppei KIMURA. Владелец: Nissha Co Ltd. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor chip, stack chip including the same, and testing method thereof

Номер патента: US09459318B2. Автор: Tae Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Strip-shaped substrate for producing chip carriers, electronic module with a chip carrier of this type, electronic device with a module of this type, and method for producing a substrate

Номер патента: US09941197B2. Автор: Siegfried Walter,Udo Becker,Eckhard Ditzel,Michael Benedikt. Владелец: Heraeus Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-04-10.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10998246B2. Автор: Noriaki MINETA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Control circuit, information processing device, and method of controlling information processing device

Номер патента: US8428208B2. Автор: Hideyuki Sakamaki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-04-23.

Method of making a current sensor and current sensor

Номер патента: US09810721B2. Автор: Robert Racz,Bruno Boury,Mathieu Ackermann,Laurent Coulot. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US09721941B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Manufacturing method of semiconductor device and test socket for use in the same

Номер патента: US20240201223A1. Автор: Toshitsugu Ishii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20170294431A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20180358349A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20210265337A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Optoelectronic component and method of manufacturing an optoelectronic component

Номер патента: US20230305250A1. Автор: Elad Mentovich,Dimitrios Kalavrouziotis,Paraskevas BAKOPOULOS,Boaz Atias,Anna Sandomirsky,James Steven Fields, Jr.. Владелец: MELLANOX TECHNOLOGIES LTD. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US12057442B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Flow sensor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09580303B2. Автор: Noboru Tokuyasu,Tsutomu Kono,Keiji Hanzawa,Shinobu Tashiro. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Removal apparatuses for semiconductor chips

Номер патента: US09768141B2. Автор: Jaeyong Park,Junyoung Ko,Whasu Sin,Kyhyun Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor chip test socket

Номер патента: US11953520B2. Автор: Kyung Hoon Yoo. Владелец: Micro Contact Solution Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Heat sink for a semiconductor chip device

Номер патента: US09859186B2. Автор: Nathan A. Nuttall. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2018-01-02.

Heat sink for a semiconductor chip device

Номер патента: US09543226B1. Автор: Nathan A. Nuttall. Владелец: Coriant Advanced Technology LLC. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device and method for controlling the same

Номер патента: US09531388B2. Автор: Tetsuya Suzuki,Takahiko GOMI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Method and apparatus for parallel processing of semiconductor chip designs

Номер патента: US8020134B2. Автор: Ruchir Puri,Louise H. Trevillyan,Michael W. Dotson,Anthony DeGroff Drumm,Dazhuang J. Ma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Method and apparatus for parallel processing of semiconductor chip designs

Номер патента: US20090217227A1. Автор: Ruchir Puri,Louise H. Trevillyan,Michael W. Dotson,Anthony DeGroff Drumm,Dazhuang J. Ma. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-08-27.

Semiconductor chip package having optical interface

Номер патента: US20190170950A1. Автор: Sang Don Lee. Владелец: Giparang Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Integrated circuit heater for reducing stress in the integrated circuit material and chip leads of the integrated circit, and for optimizing performance of devices of the integrated circuit

Номер патента: US20160093549A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Douglas M. Reber. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-03-31.

Micro semiconductor chip, micro semiconductor structure, and display device

Номер патента: US20210083156A1. Автор: Gwo-Jiun Sheu,Tzu-Yang Lin,Yi-Min Su,Sheng-Chieh Liang,Chih-Ling Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Data card and method of manufacturing same

Номер патента: US4649418A. Автор: Edward Uden. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1987-03-10.

Arrangement comprising a first semiconductor chip and a second semiconductor chip connected thereto

Номер патента: US20040225418A1. Автор: Herman Roozenbeek,Peter Rohm,Jens Barrenscheen,Axel Aue,Jens Graf. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-11-11.

Semiconductor chip

Номер патента: US09984945B2. Автор: Hyung-Gil Baek,Yun-rae Cho,Sun-Dae KIM,Nam-Gyu BAEK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

SEMICONDUCTOR CHIP, METHOD OF MANUFACTURING THE SEMICONDUCTOR CHIP, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE AND DISPLAY APPARATUS INCLUDING THE SEMICONDUCTOR CHIP

Номер патента: US20170148742A1. Автор: Kim Myoung-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2017-05-25.

Liquid crystal display device having dummy channels and channel selection unit and method of driving the same

Номер патента: GB2409096A. Автор: Hong Sung Song,Jin Cheol Hong,Sin Ho Kang,Seung Kuk An. Владелец: LG Philips LCD Co Ltd. Дата публикации: 2005-06-15.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20110244605A1. Автор: Yuta YAMAMORI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09625524B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Efficient method of retesting integrated circuits

Номер патента: US09494650B2. Автор: Teck Seng Eng,Michael Russell Uy Gonzales,Louie Que Hermosura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrated circuit

Номер патента: US20240007126A1. Автор: Takeshi Koike. Владелец: Wacom Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

System and method for simplifying clock construction and analysis

Номер патента: US20030149950A1. Автор: Edgardo Lopez,Laurent Pinot,Guy Humphrey,Gayvin Stong,Kristin Richling,Richard Krzyzkowski. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2003-08-07.

Display driving integrated circuit, display device including the same, display system including the same, and method for driving the same

Номер патента: US20240355262A1. Автор: Seung Ho Park,Jin Ho Lee,Sung Jae Park,Nam Jae LIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Method of manufacturing a display device comprising a step of simultaneously polishing a second substrate and a semiconductor chip to have the same thickness as each other

Номер патента: US8804089B2. Автор: Masumitsu Ino. Владелец: Japan Display West Inc. Дата публикации: 2014-08-12.

Method to test the measurement accuracy of at least one magnetic field sensor using a semiconductor chip having a measurement coil

Номер патента: US8558537B2. Автор: Martin Bayer,Hans-Jörg Fink. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2013-10-15.

System and method for evaluating the electromagnetic compatibility of integrated circuits in an in-situ environment

Номер патента: US8803543B2. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2014-08-12.

System and Method for Evaluating the Electromagnetic Compatibility of Integrated Circuits in an In-Situ Environment

Номер патента: US20120068730A1. Автор: Jeffrey C. Hailey,Todd W. Steigerwald. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2012-03-22.

Magnetic sensor devices, systems and methods, and a force sensor

Номер патента: EP4399489A1. Автор: Nicolas DUPRE,Gael Close,Theo LE SIGNOR. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2024-07-17.

Drive integrated circuit package and display device including the same

Номер патента: US09679507B2. Автор: Byung Hyuk Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Flow Sensor and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20150107353A1. Автор: Noboru Tokuyasu,Tsutomu Kono,Keiji Hanzawa,Shinobu Tashiro. Владелец: HITACHI AUTOMOTIVE SYSTEMS LTD. Дата публикации: 2015-04-23.

Semiconductor chip test apparatus and testing method

Номер патента: US20090167340A1. Автор: Sang Yoon YIM. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2009-07-02.

Integrated circuit packages having electrical and optical connectivity and methods of making the same

Номер патента: US12032216B2. Автор: Jin Su Kim,Lars Martin Otfried BRUSBERG,Aramais Robert Zakharian. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Photonics integrated circuit device including metalens structure and system including same

Номер патента: US20240027698A1. Автор: Pooya Tadayon,Nicholas D. Psaila. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-25.

Packaging for fingerprint sensors and methods of manufacture

Номер патента: US09754852B2. Автор: Ronald Patrick Huemoeller,David Bolognia,Robert Francis Darveaux,Brett Arnold Dunlap. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Non-volatile memory packaging system with caching and method of operation thereof

Номер патента: US09424188B2. Автор: Alessandro Fin,Mike H. Amidi,Michael Rubino. Владелец: Smart Modular Technologies Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor chip with fracture detection

Номер патента: US10281517B2. Автор: Thomas Zettler,Dirk Hammerschmidt,Friedrich Rasbornig,Hans-Joerg Wagner,Wolfgang Scheibenzuber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-07.

Semiconductor chip with fracture detection

Номер патента: US20170227597A1. Автор: Thomas Zettler,Dirk Hammerschmidt,Friedrich Rasbornig,Hans-Joerg Wagner,Wolfgang Scheibenzuber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-10.

Optically effective element, method of producing an optically effective element, and optoelectronic component

Номер патента: US11892651B2. Автор: Frank Singer,Matthias Sabathil,Hubert Halbritter,Andreas Ploessl,Bernd Boehm,Roland Enzmann,Markus Arzberger,Roland Schulz,Georg Roßbach. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-02-06.

Optically effective element, method of producing an optically effective element, and optoelectronic component

Номер патента: US20210223559A1. Автор: Frank Singer,Matthias Sabathil,Hubert Halbritter,Andreas Ploessl,Bernd Boehm,Roland Enzmann,Markus Arzberger,Roland Schulz,Georg Roßbach. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-07-22.

Integrated circuit chip, information processing device, program module control method, information processing system and method

Номер патента: RU2530353C2. Автор: Хироказу СУГИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-10-10.

Method of generating electron-beam data for creating a mask

Номер патента: US6189135B1. Автор: Kenichiro Chisaka. Владелец: Renesas Design Corp. Дата публикации: 2001-02-13.

Micro semiconductor chip, micro semiconductor structure, and display device

Номер патента: US10998475B2. Автор: Gwo-Jiun Sheu,Tzu-Yang Lin,Yi-Min Su,Sheng-Chieh Liang,Chih-Ling Wu. Владелец: PlayNitride Display Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-04.

Semiconductor integrated circuit and signal processing method

Номер патента: US10782330B2. Автор: Shigetaka Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2020-09-22.

Semiconductor integrated circuit and signal processing method

Номер патента: US20190049498A1. Автор: Shigetaka Mori. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-02-14.

Test substrate, test apparatus, and test method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240192269A1. Автор: Taisuke ICHIKAWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Sensing device and method for manufacturing sensing device

Номер патента: US12024420B2. Автор: Taketomo Nakane,Etsuji Hayakawa. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Power supply switching circuit, real time clock device, electronic apparatus, mobile unit, and method of controlling power supply switching circuit

Номер патента: US09438073B2. Автор: Masayuki Kamiyama,Hiroshi Kiya. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

System and Method of Multiprotocol Publisher and Subscriber Services

Номер патента: US20190079989A1. Автор: SANJAY Yadav,Prashant Rathi. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Machine-learning accelerator (MLA) integrated circuit for extracting features from signals and performing inference computations

Номер патента: US09691034B2. Автор: Kyong Ho Lee,Naveen Verma. Владелец: PRINCETON UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-27.

Testing apparatus and testing method for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6593765B1. Автор: Takahiro Yamaguchi,Masahiro Ishida,Yoshihiro Hashimoto. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2003-07-15.

Clock distribution networks and conductive lines in semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20050051887A1. Автор: Oleg Siniaguine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Model-based refinement of the placement process in integrated circuit generation

Номер патента: US20200104453A1. Автор: Gi-Joon Nam,Myung-Chul Kim,Paul G. Villarrubia,Shyam Ramji,Benjamin N. Trombley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Systems and methods for isolating an accelerated function unit and/or an accelerated function context

Номер патента: US20240248792A1. Автор: Pratik M. Marolia,Utkarsh Y. Kakaiya,David A. Munday,Sundar Nadathur,Henry M. Mitchel,Joseph J. Grecco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of optimizing wire RC for device performance and reliability

Номер патента: US09997408B2. Автор: Lawrence A. Clevenger,Baozhen Li,Terry A. Spooner,II John E. Sheets,Kirk D. Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Modifying implant regions in an integrated circuit to meet minimum width design rules

Номер патента: US09830419B2. Автор: David Lyndell Brown,Sreedhar PRATTY. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

At least one die produced, at least in part, from wafer, and including at least one replicated integrated circuit

Номер патента: US20140198440A1. Автор: Ygdal Naouri. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

At least one die produced, at least in part, from wafer, and including at least one replicated integrated circuit

Номер патента: WO2013137895A1. Автор: Ygdal Naouri. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2013-09-19.

Method for reducing non-volatile memory fragmentation in integrated circuit cards, corresponding card and apparatus

Номер патента: US20230019427A1. Автор: Francesco CASERTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-19.

Package, optical device, and manufacturing method of package

Номер патента: US20210239904A1. Автор: Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Handling Engineering Change Orders for Integrated Circuits in a Design

Номер патента: US20230195992A1. Автор: Wilson Li,Roydan N. Ongie,Mackenzie Peterson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2023-06-22.

Methods and systems for performing timing sign-off of an integrated circuit design

Номер патента: US20120089383A1. Автор: Rajkumar Agrawal. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-04-12.

Handling engineering change orders for integrated circuits in a design

Номер патента: US12124788B2. Автор: Wilson Li,Roydan N. Ongie,Mackenzie Peterson. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for optimizing an integrated circuit layout design

Номер патента: US09747404B2. Автор: Shih-Ming Kuo,Te-Hsien Hsieh,Ming-Jui Chen,Ping-I Hsieh,Jing-Yi Lee,Yan-Chun Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

System and method of multiprotocol publisher and subscriber services

Номер патента: US20210326363A1. Автор: SANJAY Yadav,Prashant Rathi. Владелец: Bank of America Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

SEMICONDUCTOR CHIP PROBE AND THE CONDUCTED EME MEASUREMENT APPARATUS WITH THE SEMICONDUCTOR CHIP PROBE

Номер патента: US20140292364A1. Автор: CHANG Yin-Cheng,CHANG Da-Chiang. Владелец: NATIONAL APPLIED RESEARCH LABORATORIES. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor chip having an arrayed waveguide grating and module containing the semiconductor chip

Номер патента: US6707133B2. Автор: Shinya Watanabe,Hiroyuki Katou. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-03-16.

Interconnect layer of a modularly designed analog integrated circuit

Номер патента: US20080083936A1. Автор: Steven Huynh,David Kunst. Владелец: Active Semi International Inc USA. Дата публикации: 2008-04-10.

Sensor data processing module and method thereof

Номер патента: EP4224880A1. Автор: Peter Fischer,Michael RITZERT. Владелец: UNIVERSITAET HEIDELBERG. Дата публикации: 2023-08-09.

Low dropout regulator circuits, input/output device, and methods for operating a low dropout regulator

Номер патента: US20240255977A1. Автор: Chia-Wei Hsu,Chang-Fen Hu,Huan-Neng CHEN,Bo-Ting Chen,Jo-Yu Wu,Yen-Lin Liu,Shao-Yu Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method and system for generating an integrated circuit chip facility waveform from a series of chip snapshots

Номер патента: US20100070232A1. Автор: Christopher Smith,Andreas Koenig,Rolf Fritz,Manfred Walz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Method of measuring thermal resistance of transition-case of power semiconductor devices

Номер патента: RU2724148C1. Автор: Владимир Яковлевич Хорольский,Андрей Борисович Ершов,Султан Шарифидинович Байрамалиев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ставропольский государственный аграрный университет". Дата публикации: 2020-06-22.

Integrated Circuit Layouts with Fill Feature Shapes

Номер патента: US20220277128A1. Автор: Ming-Yi Lin,Yen-Sen Wang,Yu-Cheng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Tensor mapping unit for a hardware integrated circuit

Номер патента: WO2024167500A1. Автор: Yang Yang,Vishal Anand,Suyog Gupta,Temitayo Fadelu,Xiaoxiao LONG. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-08-15.

Apparatus and method for controlling experimental inventory

Номер патента: US6052319A. Автор: Marc A. Jacobs. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Semiconductor integrated fluxgate device shielded by discrete magnetic plate

Номер патента: US11921134B2. Автор: Dok Won Lee. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-05.

RECONFIGURABLE SWITCHED-CAPACITOR VOLTAGE CONVERTER CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP INCLUDING THE CIRCUIT AND METHOD OF SWITCHING VOLTAGE ON CHIP

Номер патента: US20140152381A1. Автор: Chang Leland,Seo Jae-sun,Montoye Robert. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

RECONFIGURABLE SWITCHED-CAPACITOR VOLTAGE CONVERTER CIRCUIT, INTEGRATED CIRCUIT (IC) CHIP INCLUDING THE CIRCUIT AND METHOD OF SWITCHING VOLTAGE ON CHIP

Номер патента: US20140152382A1. Автор: Chang Leland,Seo Jae-sun,Montoye Robert. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-06-05.

Auto-addressing method for series circuit and auto-detecting method for detecting the number of circuits connected in series

Номер патента: US20090267875A1. Автор: Lee-Chun Guo,Ming-Hsun Sung. Владелец: ITE Tech Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Method of performing an operation on an integrated circuit

Номер патента: US5977784A. Автор: Deepak K. Pai. Владелец: General Dynamics Information Systems Inc. Дата публикации: 1999-11-02.

Insertion of error detection circuits based on error propagation within integrated circuits

Номер патента: GB2439854A. Автор: Daryl Wayne Bradley,Krisztian Flautner,Jason Andrew Blome. Владелец: Advanced Risc Machines Ltd. Дата публикации: 2008-01-09.

System and method for semiconductor device compact modeling using multiple specialized artificial neural networks for each semiconductor device operation region

Номер патента: US20230385494A1. Автор: Jung Hwan Park,Chan Woo Park. Владелец: Alsemy Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Storage system and data management method of storage system

Номер патента: US20240004575A1. Автор: Hirotaka Nakagawa,Yu Yoshizawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

System and method for generating canvas representations reflecting solar installation potential of a geographic area

Номер патента: US20180135983A1. Автор: Ofer Sadka. Владелец: Solview Systems Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

FRAMEWORK AND METHOD FOR DYNAMIC CHANNEL SELECTION FOR IEEE 802.15.4z

Номер патента: US20220167218A1. Автор: Boon Loong Ng,Zheda Li,Aditya V. Padaki,Seongah JEONG,Mingyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-26.

Framework and method for dynamic channel selection for ieee 802.15.4z

Номер патента: EP3967089A1. Автор: Boon Loong Ng,Zheda Li,Aditya V. Padaki,Seongah JEONG,Mingyu Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-16.

Electronic device and method for transmitting uwb signal in electronic device

Номер патента: US20240267080A1. Автор: Namjun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09939692B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuit package including floating package stiffener

Номер патента: US09900976B1. Автор: Chung-Hao Chen,Min Keen Tang,Li-Sheng WENG. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09494830B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device including memory circuit and logic array

Номер патента: US09494644B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Audio signal processing circuit and electronic device using the same

Номер патента: US09466311B2. Автор: Shinji Yamagami,Katsuyuki Ono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Transceiving circuit, chip using transceiving circuit, and terminal apparatus

Номер патента: EP3982627A1. Автор: Wei Song,Kai Li,Furong XIONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-13.

Transceiver Circuit, and Chip and Terminal Device That Use Transceiver Circuit

Номер патента: US20220123743A1. Автор: Wei Song,Kai Li,Furong XIONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Transceiver Circuit, and Chip and Terminal Device That Use Transceiver Circuit

Номер патента: US20240072789A1. Автор: Wei Song,Kai Li,Furong XIONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Transceiver circuit, and chip and terminal device that use transceiver circuit

Номер патента: US11831304B2. Автор: Wei Song,Kai Li,Furong XIONG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Diagnosis method of battery, diagnosis apparatus of battery, management system of battery, and non-transitory storage medium

Номер патента: US20230400526A1. Автор: Wataru Uno,Norihiro Yoshinaga,Ryosuke YAGI,Yuta KANAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Methods of the ultra-clean transfer of two-dimensional materials

Номер патента: US20230373810A1. Автор: Haijun LIU,Thuc Hue LY. Владелец: City University of Hong Kong CityU. Дата публикации: 2023-11-23.

System and Method for a Transducer in an eWLB Package

Номер патента: US20190148253A1. Автор: Alfons Dehe,Dominic Maier,Stephan Pindl,Daniel Lugauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-05-16.

Communication systems and methods for distributed power system measurement

Номер патента: US09667408B2. Автор: Donald Jeffrey DIONNE,Jennifer Marie Mccann. Владелец: Smart Energy Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Radio frequency identification integrated circuit for reducing pin counts and rfid providing method thereof

Номер патента: US11900196B2. Автор: Li Sheng Lo,Hsin Chou Lee,Hsien-Yao Li. Владелец: Generalplus Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

Method and system for recording integrated circuit version

Номер патента: US20220269843A1. Автор: Chung-Chang Lin. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2022-08-25.

Method of surface preparation and imaging for integrated circuits

Номер патента: US7019530B1. Автор: Terrence Harold Brown,Larry Gene Ferguson. Владелец: National Security Agency. Дата публикации: 2006-03-28.

System and Method of Integrated Circuit Control for in Situ Impedance Measurement

Номер патента: US20080224714A1. Автор: Sungjun Chun,Timothy M. Skergan,Roger D. Weekly,Tanit Virutchapunt. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Method and system for recording integrated circuit version

Номер патента: US11636243B2. Автор: Chung-Chang Lin. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-25.

Integrated circuits capable of generating test mode control signals for scan tests

Номер патента: WO2013173192A1. Автор: Rubin Ajit Parekhji,Rajesh Mittal,Prakash Narayanan,Puneet Sabbarwal. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-11-21.

Electronic ballast-based device for controlling electronic control circuit and lighting lamp

Номер патента: US20190174590A1. Автор: Wei Wen. Владелец: Opple Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Display apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US12082448B2. Автор: Hyuntae Kim,Changwoo SHIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method and apparatus providing optical input/output through the back side of an integrated circuit die

Номер патента: WO1999032910A1. Автор: Mario J. Paniccia,Valluri R. M. Rao. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 1999-07-01.

Multipath selection circuit and display device

Номер патента: US09847049B2. Автор: Liu Wang,Lei Zhang,Hanyu GU. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Combined integrated injection logic and transistor-transistor logic microprocessor integrated circuit design

Номер патента: US4396980A. Автор: Hemraj K. Hingarh. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1983-08-02.

Measuring apparatus for performing positional analysis on an integrated circuit carrier

Номер патента: WO2010019980A1. Автор: Joseph Tharion,William Granger,Jason Mark Thelander,Graeme Kenneth Bowyer,Ralph Lewis Ranger. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2010-02-25.

Magnetic sensor devices, systems and methods, and a force sensor

Номер патента: US11797043B2. Автор: Nicolas DUPRE,Gael Close,Theo LE SIGNOR. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2023-10-24.

Device and method for evaluating electrostatic discharge protection capabilities

Номер патента: US20100225346A1. Автор: Sergey Sofer,Yehim-Haim Fefer. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-09-09.

Apparatus, system, and method for an integrated circuit

Номер патента: WO2018165303A1. Автор: Michael G. Kane,Richard Sita. Владелец: SRI INTERNATIONAL. Дата публикации: 2018-09-13.

Magnetic sensor devices, systems and methods, and a force sensor

Номер патента: EP4148395A9. Автор: Nicolas DUPRE,Gael Close,Theo LE SIGNOR. Владелец: Melexis Technologies SA. Дата публикации: 2023-05-03.

Optical Integrated Circuit Systems, Devices, and Methods of Fabrication

Номер патента: US20200013771A1. Автор: Luca Maggi,Piero ORLANDI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-01-09.

Gray Scale Data Bit Allocation Processing Method Within a Light-Emitting Diode Driving Integrated Circuit Device

Номер патента: US20110227953A1. Автор: Shar-Ming Lin,Ching-Pao Chou. Владелец: Formolight Technologies Inc. Дата публикации: 2011-09-22.

Optical integrated circuit systems, devices, and methods of fabrication

Номер патента: US10714468B2. Автор: Luca Maggi,Piero ORLANDI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2020-07-14.

Integrated circuit device having optically coupled layers

Номер патента: WO2007002449A1. Автор: Raymond G. Beausoleil,Sean M. Spillane. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2007-01-04.

Method of preparing quantum dot, optical member including the quantum dot prepared using the method, and electronic device including the quantum dot

Номер патента: US20230323203A1. Автор: Yunku JUNG,Yunhyuk KO,Changyeol Han. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240233663A9. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for adjusting signal of display panel, time controller integrated circuit, display panel, and storage medium

Номер патента: US20240135892A1. Автор: Yu Quan,Liu He,Jun Wang,Qing Li,Kun Yang,Yanting Huang,Jiantao Liu,Liugang Zhou,Changcheng Liu,Bingbing Yan,Jianwei Sun,Yunyun LIANG,Yunlu CHEN,Zhengru PAN. Владелец: Hefei BOE Display Lighting Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

System and method for predicting associated failure of machine components

Номер патента: WO2016040658A1. Автор: Subrat Sahu. Владелец: CATERPILLAR INC.. Дата публикации: 2016-03-17.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US12050341B2. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-07-30.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: WO2022035850A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2022-02-17.

Systems and methods for object detection

Номер патента: EP4135157A1. Автор: John Walley,Mark Rutherford,Yongjie JIANG. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2023-02-15.

Photonic integrated circuit distance measuring interferometer

Номер патента: US20240272353A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2024-08-15.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: US20220049945A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2022-02-17.

Swept frequency photonic integrated circuit for absolute metrology

Номер патента: EP4196744A1. Автор: Joseph Marron,Richard Lee Kendrick. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2023-06-21.

OPTICAL INTEGRATED CIRCUITS, SEMICONDUCTOR DEVICES INCLUDING THE SAME, AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20130343696A1. Автор: HA Kyoung-Ho,Shin Dong-Jae,CHOI YOUNG,KIM Seong-gu,SHIN Yong-hwack. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-12-26.

Method of and apparatus for simulating integrated circuit

Номер патента: US5822567A. Автор: Noriko Takeuchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-10-13.

Radio Frequency Integrated Circuit with On-Chip Noise Source for Self-Test

Номер патента: US20090190640A1. Автор: Scott Kevin Reynolds,Brian Allan Floyd,David Ross Greenberg,Ramana Murty Malladi,Bradley Alan Orner. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-30.

Wafer-level burn-in testing of integrated circuits

Номер патента: US5047711A. Автор: William H. Smith,Chau-Shiong Chen. Владелец: Silicon Connections Corp. Дата публикации: 1991-09-10.

Method of optimizing wire rc for device performance and reliability

Номер патента: US20170098577A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Baozhen Li,Terry A. Spooner,II John E. Sheets,Kirk D. Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

System and method for automatic extraction of integrated circuit component data

Номер патента: CA3148567A1. Автор: Michael Green,Alexei Ioudovski,Christopher Pawlowicz. Владелец: TechInsights Inc. Дата публикации: 2023-08-10.

Automatic optical inspection system and method

Номер патента: US20230351577A1. Автор: Hu-Wei Lin,I-Hsuan Chen,Chien-Lung Chen,Ying-Hao Wang,Chien-Chi Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-02.

Systems and methods for isolating an accelerated function unit and/or an accelerated function context

Номер патента: US11966281B2. Автор: Pratik M. Marolia,Utkarsh Y. Kakaiya,David A. Munday,Sundar Nadathur,Henry M. Mitchel,Joseph J. Grecco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Method of optimizing wire rc for device performance and reliability

Номер патента: US20180158731A1. Автор: Lawrence A. Clevenger,Baozhen Li,Terry A. Spooner,II John E. Sheets,Kirk D. Peterson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Systems and methods for isolating an accelerated function unit and/or an accelerated function context

Номер патента: US20190042350A1. Автор: Pratik M. Marolia,Utkarsh Y. Kakaiya,David A. Munday,Sundar Nadathur,Henry M. Mitchel,Joseph J. Grecco. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

System and method for automatic extraction of integrated circuit component data

Номер патента: WO2023150881A1. Автор: Michael Green,Alexei Ioudovski,Christopher Pawlowicz,Bruno Machado Trindade. Владелец: Techinsights Inc.. Дата публикации: 2023-08-17.

Pixel drive circuit and display panel

Номер патента: US20240153454A1. Автор: Renjie Zhou,Haoxuan ZHENG. Владелец: HKC Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Radio frequency power amplifier circuit and gain control method

Номер патента: US11757419B2. Автор: Qiang Su,Zhenfei PENG,Kun XIANG. Владелец: Smarter Microelectronics Guangzhou Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Calibrating an integrated circuit to an electronic device

Номер патента: WO2005052771A1. Автор: Dexter Tamio Chun,Raghu Sankuratri,Rajeev Prabhakaran,Sanat Kapoor,Gregory Bullard,Jagrut V. Patel. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2005-06-09.

Method and apparatus for making an integrated circuit using polarization properties of light

Номер патента: US20020068227A1. Автор: Ruoping Wang,Warren Grobman,James Clingan. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-06-06.

Temperature responsive back bias control for integrated circuit

Номер патента: US20110043255A1. Автор: Andrew Marshall,Theodore W. Houston. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-02-24.

Determining a predicted soft error rate for an integrated circuit device design

Номер патента: US20110191741A1. Автор: Cristian Constantinescu. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2011-08-04.

Hierarchical visualization-based analysis of integrated circuits

Номер патента: US09984195B1. Автор: William Wai Yan Ho. Владелец: Worldwide Pro Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Computer program product for timing analysis of integrated circuit

Номер патента: US09858382B2. Автор: Ying-Chieh Chen,Mei-Li Yu,Yu-Lan Lo,Ting-Hsiung Wang,Shu-Yi Kao. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Emulation of synchronous pipeline registers in integrated circuits with asynchronous interconnection resources

Номер патента: US09665670B1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Method and system for extending the lifetime of multi-core integrated circuit devices

Номер патента: US09488998B2. Автор: Ghiath Al-Kadi,Rinze Ida Mechtildis Peter Meijer. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2016-11-08.

Integrated circuit device having power domains and partitions based on use case power optimization

Номер патента: US09411390B2. Автор: Brian Smith,Parthasarathy Sriram,Stephane Le Provost. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

DRIVING INTEGRATED CIRCUIT, DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME, AND METHOD OF MEASURING BONDING RESISTANCE

Номер патента: US20150198641A1. Автор: Moon Jong-Won. Владелец: . Дата публикации: 2015-07-16.

System and method for inserting chunks of bits into a bit stream

Номер патента: US9954677B2. Автор: Patrick D. Ross. Владелец: CASSY HOLDINGS LLC. Дата публикации: 2018-04-24.

Rotational positioner and methods for semiconductor wafer test systems

Номер патента: US20080174330A1. Автор: Frank Parrish. Владелец: Teradyne Inc. Дата публикации: 2008-07-24.

Method for reducing non-volatile memory fragmentation in integrated circuit cards, corresponding card and apparatus

Номер патента: US11995333B2. Автор: Francesco CASERTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-28.

Methods of constructing a construction, and related systems and computer program products

Номер патента: WO2019234447A1. Автор: Alan MOSCA. Владелец: nPlan Limited. Дата публикации: 2019-12-12.

Methods of constructing a construction, and related systems and computer program products

Номер патента: EP3803732A1. Автор: Alan MOSCA. Владелец: Nplan Ltd. Дата публикации: 2021-04-14.

Rotational positioner and methods for semiconductor wafer test systems

Номер патента: WO2008091550A1. Автор: Frank Parrish. Владелец: Teradyne, Inc.. Дата публикации: 2008-07-31.

System and method for collecting clean and dirty exhaust samples

Номер патента: US20190391044A1. Автор: James Patrick Williamson. Владелец: AVL Test Systems Inc. Дата публикации: 2019-12-26.

System and method for overcoming in-band interrupt starvation with dynamic address remapping

Номер патента: US11144486B2. Автор: Timothy M. Lambert,Nihit S. Bhavsar. Владелец: Dell Products LP. Дата публикации: 2021-10-12.

Method for generating information for a window view of an integrated circuit from layout-formatted data

Номер патента: US20020166102A1. Автор: Yu Du,Kuo-Chun Lee,Tsung-Yen Chen,Ke-Qin Gu. Владелец: Oridus Inc. Дата публикации: 2002-11-07.

Embedded air core inductors for integrated circuit package substrates with thermal conductor

Номер патента: US09515003B1. Автор: William Lambert,Thomas Fitzgerald,Shrenik Kothari,Aravindha Antoniswamy,Punita Sullhan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

HIGH FREQUENCY ATTENUATOR FOR INTEGRATED CIRCUIT, CIRCUIT AND METHOD FOR ACCURATE REDUCTION OF THE AMPLITUDE OF AN INPUT SIGNAL

Номер патента: FR2647284A1. Автор: Stuart B Shacter. Владелец: Burr Brown Corp. Дата публикации: 1990-11-23.

Optical coupling adaptor for optical signal coupling between photonic integrated circuit and optical fiber

Номер патента: WO2017054683A1. Автор: Jia Jiang. Владелец: Huawei Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-04-06.

Electron beam test probe system for analyzing integrated circuits

Номер патента: CA1256587A. Автор: Neil Richardson. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1989-06-27.

A kind of encryption method of single-chip microcomputer integrated circuit, circuit and device

Номер патента: CN104272312B. Автор: 韩性峰,郑玮琨. Владелец: SHENZHEN HIGFENG TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Signaling of time for communication between integrated circuits using multi-drop bus

Номер патента: US11863346B2. Автор: Helena Deirdre O'Shea,Matthias Sauer,Jorge L. Rivera Espinoza. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-01-02.

System and method for mode control using an input of an analog-to-digital converter

Номер патента: US10771080B1. Автор: Tommaso Giovanni Bacigalupo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-09-08.

Methods for reducing delay on integrated circuits

Номер патента: EP3343413A3. Автор: Mahesh A. Iyer,Saurabh Adya,Shounak Dhar,Love Singhal,Nikolay Rubanov. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-07-11.

Signaling of time for communication between integrated circuits using multi-drop bus

Номер патента: US20240097937A1. Автор: Helena Deirdre O'Shea,Matthias Sauer,Jorge L. Rivera Espinoza. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Signaling of time for communication between integrated circuits using multi-drop bus

Номер патента: US20220337452A1. Автор: Helena Deirdre O'Shea,Matthias Sauer,Jorge L. Rivera Espinoza. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2022-10-20.

Signaling of time for communication between integrated circuits using multi-drop bus

Номер патента: US20210250201A1. Автор: Helena Deirdre O'Shea,Matthias Sauer,Jorge L. Rivera Espinoza. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Data processing system and method of operating the same.

Номер патента: NL2012396C2. Автор: Woo Hyuk Jang,Jae Hun Kim,Na Kyoung YOO,Ho Seok Shin,Gun Seo Koo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor structure and method for fabricating a semiconductor structure

Номер патента: US20240219651A1. Автор: Lars Zimmermann,Stefan LISCHKE,Florian Goetz,Canan BARISTIRAN-KAYNAK. Владелец: Ihp Innovations For High Performance Microelectronics/leibniz Instit fur GmbH. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for fabricating a semiconductor structure

Номер патента: EP4394463A1. Автор: Lars Zimmermann,Stefan LISCHKE,Florian Goetz,Canan Baristiran Kaynak. Владелец: IHP GMBH. Дата публикации: 2024-07-03.

Substrate processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20240310739A1. Автор: Jaehong Lee,Ho Young Kim,Sunghwan Kim,Kyoungwhan OH,Jaekyung PARK,Yohan CHOE. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-09-19.

Substrate for integrated circuit package

Номер патента: US20170243799A1. Автор: Jae Young Choi,Hyung Soo Moon,Joon Soo Kim. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor chip, method for producing a semiconductor chip and method for soldering a semiconductor chip to a carrier

Номер патента: US09741639B2. Автор: Kirill Trunov,Frank Umbach,Niels Oeschler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-22.

Terminal protection circuit of semiconductor chip

Номер патента: US20210225833A1. Автор: Hiroshi Maruyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor chip including through electrode, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234255A1. Автор: Ho Young SON,Sung Kyu Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor chip including through electrodes, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240297121A1. Автор: Ho Young SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor chip, semiconductor device, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240096840A1. Автор: JongBo Shim,Eunsu LEE,Sungeun PYO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor chip, semiconductor device, and semiconductor package including the semiconductor chip

Номер патента: US11784168B2. Автор: Yongwon Choi,Inyoung LEE,Wonkeun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor chip including penetrating electrodes, and semiconductor package including the semiconductor chip

Номер патента: US20220020690A1. Автор: Ki Bum Kim,Bok Kyu CHOI. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Semiconductor chip including through electrode, and semiconductor package including the same

Номер патента: US11823982B2. Автор: Ho Young SON,Sung Kyu Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor chip including through electrode, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230386977A1. Автор: Seung Hwan Kim,Hyeong Seok Choi,Hyun Chul Seo,Moon Un HYUN. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor chip including through electrode, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240071874A1. Автор: Ho Young SON,Sung Kyu Kim,Mi Seon Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor chip including through electrodes, and semiconductor package including the same

Номер патента: US12009308B2. Автор: Ho Young SON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Nanorod semiconductor layer having flat upper surface, micro-LED including the nanorod semiconductor layer, pixel plate including micro-LED, display device including the pixel plate, and electronic devices including the pixel plate

Номер патента: US11688827B2. Автор: Nakhyun Kim,Junhee Choi,Jinjoo Park,Joohun HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-27.

Amine-based compound, light-emitting device including the amine-based compound, and electronic device and electronic apparatus each including the light-emitting device

Номер патента: US20240224792A1. Автор: Minji Kim,Byeongwook Yoo,Jeongmin Lee,Hyunbin Park,Sohee Jo,Hankyu PAK. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Nanorod semiconductor layer having flat upper surface, micro-LED including the nanorod semiconductor layer, pixel plate including micro-LED, display device including the pixel plate, and electronic devices including the pixel plate

Номер патента: US12095005B2. Автор: Nakhyun Kim,Junhee Choi,Jinjoo Park,Joohun HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Polymeric ionic liquid, intermediate polymer for making the polymeric ionic liquid, process for producing the polymeric ionic liquid, process for producing a polymer membrane including the polymeric ionic liquid, process for preparing a gel polymer electrolyte including the polymer membrane, and binder including the polymeric ionic liquid

Номер патента: US20170092982A1. Автор: Ping-Lin Kuo,Szu-Ting Chen,Chih-Hao Tsao,Chun-Han HSU,Huang-Ming HSU,Li-Hsuan CHIEN. Владелец: Rising Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-30.

Coating solution for inkjet recording apparatus, ink set including the coating solution and ink composition, and ink jet recording apparatus including the ink set

Номер патента: US20110054097A1. Автор: Sung-Hui PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-03.

Coating solution for inkjet recording apparatus, ink set including the coating solution and ink composition, and ink jet recording apparatus including the ink set

Номер патента: US8314171B2. Автор: Sung-Hui PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2012-11-20.

Metal oxide nanoparticle dispersible in non-polar solvent, electron transport layer-forming ink composition for inkjet printing including the same, preparation method thereof, and light-emitting device and display including the same

Номер патента: US20240352268A1. Автор: Kyungnam Kim,Somang Kim,Yeseul PARK,Sungmin HA,Chunrae NAM,Dohyeong Kim,Sanghyun Sohn,Jaehong NOH,Gyucheol YOON,Deahee LEE. Владелец: Hansol Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device comprising a transistor cell including a source contact in a trench, method for manufacturing the semiconductor device and integrated circuit

Номер патента: US09859418B2. Автор: Till Schloesser,Andreas Meiser,Detlef Weber,Karl-Heinz Gebhardt. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2018-01-02.

Crosslinked Structure-Containing Polyolefin Porous Support, Crosslinked Structure-Containing Separator For Lithium Secondary Battery Including The Same, Method For Manufacturing The Same, And Lithium Secondary Battery Including The Separator

Номер патента: US20240222710A1. Автор: Joo-Sung Lee,Sung-Jae Han,Sung Cik Mun. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Nanorod semiconductor layer having flat upper surface, mirco-led including the nanorod semiconductor layer , pixel plate including micro-led, display device including the pixel plate, and electronic devices including the pixel plate

Номер патента: US20230290904A1. Автор: Nakhyun Kim,Junhee Choi,Jinjoo Park,Joohun HAN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor integrated circuit and method for designing the same

Номер патента: US20080210979A1. Автор: Rika SUWAKI. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Method of producing semiconductor device

Номер патента: US09748217B2. Автор: Takayuki Ohba. Владелец: University of Tokyo NUC. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09576947B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Semiconductor stack packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20140335656A1. Автор: Tac Keun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-11-13.

Semiconductor chips with seal rings and electronic test structures, semiconductor wafers including the semiconductor chips, and methods for fabricating the same

Номер патента: US09728474B1. Автор: Danny Pak-Chum Shum,Juan Boon Tan,Mahesh BHATKAR,Wanbing YI. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240234254A9. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US09496228B2. Автор: Joachim Mahler,Edward Fuergut,Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-11-15.

Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof

Номер патента: US20230317555A1. Автор: Li Yuan,Jiang Zhi,ZHOU JIE,Xiao Yangyang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor package including a double-faced semiconductor chip having integrated circuitry on both sides thereof and a method of fabricating the semiconductor package

Номер патента: US20030189250A1. Автор: Heui-Seog Kim,Ho-Tae Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2003-10-09.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US20010000754A1. Автор: Hiroshi Nomura,Takahito Nakazawa,Yumiko Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-05-03.

Apparatus and method for manufacturing a semiconductor package

Номер патента: US6191024B1. Автор: Hiroshi Nomura,Takahito Nakazawa,Yumiko Ohshima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-02-20.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240332268A1. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20070128833A1. Автор: Tomoyuki Aoki,Takuya Tsurume,Tomoko Tamura,Koji Dairiki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2007-06-07.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12119323B2. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601466B2. Автор: Hyunsuk CHUN,Boin Noh,Jeongwon Yoon,Baikwoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240006344A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Toshiyuki Hata,Hiroshi Yanagigawa,Tomohisa Sekiguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160148891A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Kuo-Chin Chang,Huang-Ting Hsiao,An-Tai Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor chips and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09978756B2. Автор: Hyuk Kim,Seung-pil Chung,Jae-Ho Min. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US09955097B2. Автор: Makoto Motoyoshi,Shin Iwabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US12002786B2. Автор: Young Lyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20180005927A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240290756A1. Автор: Young Lyong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20220068887A1. Автор: Hyunsoo Chung,YoungLyong KIM,Myungkee CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020146864A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Kunihiko Nishi,Kazunari Suzuki,Yoshinori Miyaki. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor chip with varying thickness profile

Номер патента: US20240249950A1. Автор: BO Yang,Ning Ye,Yangming Liu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US09780019B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09653397B2. Автор: Yong-Tae Kwon,Jun-Kyu Lee. Владелец: Nepes Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09589947B2. Автор: Jung-Hwan Kim,Tae Hong Min,Kwang-chul Choi,Jihwan HWANG,Young Kun JEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Chip package and semiconductor arrangement having thermally conductive material in contact with a semiconductor chip and methods of forming thereof

Номер патента: US12068213B2. Автор: Ralf Otremba,Sanjay Kumar Murugan,Thai Kee Gan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor package including underfill and method of forming the same

Номер патента: US20230154885A1. Автор: Jinyoung Kim,Okseon YOON,Jiyeong Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, and method for controlling semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240292126A1. Автор: Takashi Nakamura,Junichiro Shirai,Ushio Mameuda. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor package having through electrodes that reduce leakage current and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120045895A1. Автор: Sung Min Kim,Sung Cheol Kim,Seung Hee JO. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2012-02-23.

Capacitance device in a stacked scheme and methods of forming the same

Номер патента: US09613994B2. Автор: Yuichiro Yamashita. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for dicing semiconductor chips and corresponding semiconductor chip system

Номер патента: US20050087843A1. Автор: Hubert Benzel,Julian Gonska. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-28.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230154819A1. Автор: YoungLyong KIM,Myungkee CHUNG,Aenee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200388549A1. Автор: YoungLyong KIM,Myungkee CHUNG,Aenee JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-12-10.

Semiconductor package and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20240304599A1. Автор: Gunho CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor chip metal alloy thermal interface material

Номер патента: US09780067B2. Автор: Daniel Cavasin,Kaushik Mysore Srinivasa Setty. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor manufacturing device and method of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US09633888B2. Автор: Kenji Yamazaki,Eitoku Sonoda,Hirokazu Matsuzaki,Tomoki Umezawa,Takeshi MINAMIRU,Saori NISHIZAKI,Tatsumi INOMOTO. Владелец: Fuji Xerox Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09466546B2. Автор: Koichi Hatakeyama,Mitsuhisa Watanabe,Keiyo Kusanagi. Владелец: PS4 Luxco SARL. Дата публикации: 2016-10-11.

Double cavity semiconductor chip carrier

Номер патента: CA1142260A. Автор: John F. Gogal. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1983-03-01.

Semiconductor integrated circuit device and method for designing the same

Номер патента: US20110309515A1. Автор: Kenji Yokoyama. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5543651A. Автор: Kazuo Sato. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1996-08-06.

Multi-stack semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20120217658A1. Автор: Tadahiro Kuroda. Владелец: KEIO UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor integrated circuit device with reservoir capacitors and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170236825A1. Автор: Jong Su Kim,Dong Kun Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device having external connection terminals and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090026615A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160260668A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069594A1. Автор: Hirokazu Kato,Tadatoshi Danno,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160133549A1. Автор: Hirokazu Kato,Tadatoshi Danno,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Lead frame, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20080224280A1. Автор: Naoto Kimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020121708A1. Автор: Masao Matsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4435855A1. Автор: Inwon O,Dongchul Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321826A1. Автор: Inwon O,Dongchul Yang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US09818699B2. Автор: Bongchan Kim,Young-ja KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of forming heat sink and semiconductor chip assemblies

Номер патента: US20020090760A1. Автор: Joseph Brand. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-11.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060163719A1. Автор: Tetsuya Kaji,Megumi Yamamura,Toshihide Shimmei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09640414B2. Автор: Nobuhiro Kinoshita,Michiaki Sugiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Power module and method of packaging the same

Номер патента: US09520369B2. Автор: Jae Hyun Ko. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202303A1. Автор: Dowan KIM,Doohwan Lee,Seunghwan Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: US20140131855A1. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor package and manufacturing method of the same

Номер патента: US20100155928A1. Автор: Masahiro Sunohara,Hideaki Sakaguchi,Akinori Shiraishi,Yuichi Taguchi,Mitsutoshi Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-24.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972555B2. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805937B2. Автор: Tomoya KASHIWAZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240136255A1. Автор: Junho Huh,Bongwee YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230111343A1. Автор: Jin-woo Park,Ji Hwang Kim,Jong Bo Shim,Choong Bin Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-13.

Interconnection structure of a semiconductor chip and semiconductor package including the interconnection structure

Номер патента: US20220093521A1. Автор: Keumhee Ma,ChulYong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-24.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding device

Номер патента: US11901250B2. Автор: Pierangelo Magni,Michele DERAI. Владелец: Stmicroelectron Srl. Дата публикации: 2024-02-13.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: WO2014078138A1. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230395567A1. Автор: Hyeran Lee,Changyong Um. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-07.

Method of splitting semiconductor chip using mechanical machining and semiconductor chip split by the same

Номер патента: US20240312823A1. Автор: Yeongkwon Ko,Seunghun SHIN,Jihun JUNG,Junyeong HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: US09966364B2. Автор: Jong Bo Shim,Cha Je Jo,Gun Ho CHANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US09905550B2. Автор: Sang-uk Han,Un-Byoung Kang,Taeje Cho,Seungwon PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Method of producing an optoelectronic component

Номер патента: US09748450B2. Автор: Martin Brandl,Markus Burger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20070184634A1. Автор: Shinya Suzuki,Masatoshi Iwasaki,Toshiaki Sawada. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-08-09.

Device including semiconductor chips and method for producing such device

Номер патента: US12027481B2. Автор: Thorsten Scharf,Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of soldering a semiconductor chip to a chip carrier

Номер патента: US20240055376A1. Автор: Michael Stadler,Paul Armand Asentista Calo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Power module for vehicle and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230282549A1. Автор: Jun Hee Park,Tae Hwa Kim,Nam Sik KONG. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110159644A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Method and apparatus for manufacturing semiconductor chip with chip outline of various shapes at wafer level

Номер патента: US20240266181A1. Автор: Taehyun Kim,Kwangyeul Choi. Владелец: SEOUL NATIONAL UNIVERSITY R&DB FOUNDATION. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of soldering a semiconductor chip to a chip carrier

Номер патента: US12132017B2. Автор: Michael Stadler,Paul Armand Asentista Calo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-10-29.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US09997477B2. Автор: Chien-Cheng Lin,Tsung-Hsien Tsai,Chih-Hsien Chiu,Yude Chu,Hsin-Lung Chung,Heng-Cheng Chu. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Full-color light emitting diode (LED) display panel, method of manufacturing full-color LED display panel, display device

Номер патента: US09704833B2. Автор: Qi Yao,Zhanfeng CAO,Xiangchun Kong,Luke Ding. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor package and semiconductor device including the same

Номер патента: US09679874B2. Автор: Jae Choon Kim,Kyol PARK,Chajea JO,Jin-kwon Bae,Jichul Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-13.

Method of manufacturing a semiconductor device including removing a relief layer from back surface of semiconductor chip

Номер патента: US09646856B2. Автор: Thorsten Meyer,Klaus Reingruber,David O'Sullivan. Владелец: INTEL DEUTSCHLAND GMBH. Дата публикации: 2017-05-09.

Bonding method, bonding apparatus, and method for manufacturing substrate

Номер патента: US09640507B2. Автор: Youngjoo Lee,Ilyoung Han,Byunggon Kim,Kyoungran KIM,Donggil Shim,Byeongkap Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of manufacturing semiconductor devices with a paddle and electrically conductive clip and corresponding semiconductor device

Номер патента: US12033926B2. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-09.

Power module and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131975B2. Автор: Sung Won Park,Hyun Koo Lee,Hyeon Uk KIM. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Device and method for bonding semiconductor chip

Номер патента: US20240332245A1. Автор: Woon Chun Kim,Dae Seo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-03.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09923130B2. Автор: Lorenzo Zini,Tobias Meyer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor chip with thermal interface tape

Номер патента: US09627281B2. Автор: Bryan Black,Joseph Siegel,Michael Z. Su,Gamal Refai-Ahmed,Dales Kent,Seth Prejean,Ronnie Brandon,Michael Bienek. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09613930B2. Автор: Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-04-04.

Process for adhesively bonding a semiconductor chip to a carrier film

Номер патента: US5897337A. Автор: Shuichi Matsuda,Keiichiro Kata. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Semiconductor integrated circuit and wiring method

Номер патента: US5960309A. Автор: Midori Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Method of producing an optoelectronic semiconductor chip and an optoelectronic semiconductor chip

Номер патента: US09806225B2. Автор: Alexander Pfeuffer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of fabricating a circuit board structure

Номер патента: US09484224B2. Автор: Shih-Ping Hsu. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and method of making

Номер патента: US5919713A. Автор: Masanori Ishii,Yoji Suzuki,Hidetake Suzuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1999-07-06.

Semiconductor stack packages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20130154074A1. Автор: Tac Keun OH. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2013-06-20.

Three-dimensional integrated circuit having stabilization structure for power supply voltage, and method for manufacturing same

Номер патента: US20140151882A1. Автор: Takashi Morimoto. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234268A9. Автор: Jung Hyun Lee,Junghoon Kang,Seungwan Shin,Byungmin YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3745449A1. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Takuo Koyama,Masaharu Muramatsu,Shinichi Nakata,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-12-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12080692B2. Автор: Hiroyuki Masumoto,Keisuke EGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11482555B2. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Takuo Koyama,Masaharu Muramatsu,Shinichi Nakata,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2022-10-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11705436B2. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda,Yuusuke Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Номер патента: US20230170341A1. Автор: Daniel Richter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-06-01.

Integrated fan-out package and method of fabricating the same

Номер патента: US09870997B2. Автор: Hao-Yi Tsai,Chih-Hao Chang,Tin-Hao Kuo,Chien-Ling Hwang,Hsin-Hung Liao,Tsung-Hsien Chiang,Wei-Sen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859194B2. Автор: Akihiro Kimura,Tsunemori Yamaguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, in-millimeter-wave dielectric transmission device, method of manufacturing the same, and in-millimeter-wave dielectric transmission system

Номер патента: US09705202B2. Автор: Yasuhiro Okada,Hirofumi Kawamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09691739B2. Автор: Takashi Akazawa,Yasuhiro Yoshimura,Michihiro Kawashita,Takahiro Naito,Naotaka Tanaka. Владелец: Tessera Advanced Technologies Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US09576849B2. Автор: Ki Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09406591B2. Автор: Akihiro Kimura,Tsunemori Yamaguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2016-08-02.

Interconnection structure of a semiconductor chip and method of manufacturing the interconnection structure, and semiconductor package including the interconnection structure and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20230253336A1. Автор: Keumhee Ma,ChulYong JANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2023-08-10.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20180090437A1. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-03-29.

Method of manufacturing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US10014253B2. Автор: Hirofumi Harada. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-07-03.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110183473A1. Автор: Naoto Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230335476A1. Автор: Sung Bum Kim,Yun Seok Choi,Dae Hun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20220238473A1. Автор: Michele DERAI,Dario Vitello. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230260966A1. Автор: Masayuki Miura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Thinned wafer having stress dispersion parts and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US20090001520A1. Автор: Sung Ho Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2009-01-01.

Semiconductor packages and method for fabricating the same

Номер патента: US20240128145A1. Автор: Dongkyu Kim,Hyeonjeong Hwang,Hyeonseok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Thinned wafer having stress dispersion parts and method for manufacturing semiconductor package using the same

Номер патента: US7800201B2. Автор: Sung Ho Hyun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-21.

Device and method for tuning the wavelength of the light in an external cavity laser

Номер патента: EP1159775A1. Автор: Kennet Vilhelmsson,Thomas Lock. Владелец: Radians Innova AB. Дата публикации: 2001-12-05.

Semiconductor packages with heat dissipation layers and pillars and methods for fabricating the same

Номер патента: US09991245B2. Автор: Mitsuo Umemoto,Inho Choi,Donghan Kim,Jae Choon Kim,Jikho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09601441B2. Автор: Osamu Miyata,Shingo Higuchi,Masaki Kasai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Microelectronic package with stacked microelectronic units and method for manufacture thereof

Номер патента: US09583475B2. Автор: Ilyas Mohammed,Terrence Caskey. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2017-02-28.

Optoelectronic semiconductor component and method for producing optoelectronic semiconductor components

Номер патента: US12027656B2. Автор: Michael Zitzlsperger,Matthias Goldbach,Benjamin Höflinger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-07-02.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4016590A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana,Michele DERAI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US20240282675A1. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347461A1. Автор: Chun-Wei Wang,Jen-I Lai,Rou-Wei Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US09960103B2. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of manufacturing microphone improving sound sensitivity

Номер патента: US09736575B2. Автор: Hyunsoo Kim,Sang Gyu Park,Ilseon Yoo,Sang Hyeok Yang. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device including filling material provided in space defined by three semiconductor chips

Номер патента: US09443823B2. Автор: Norio Hatakeyama. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110304043A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Free-edge semiconductor chip bending

Номер патента: EP3278363A1. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-02-07.

Free-edge semiconductor chip bending

Номер патента: WO2016161223A1. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2016-10-06.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: US20170309586A1. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor die package and methods of formation

Номер патента: US20240258302A1. Автор: Shu-Hui SU,Hsin-Li Cheng,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor chip mounting substrate and semiconductor device using the same

Номер патента: US20020140110A1. Автор: Kazuhiro Yamamoto,Takuya Takahashi,Tadaharu Hashiguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: US20160093585A1. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-03-31.

Wireless bonded semiconductor device and method for packaging the same

Номер патента: US20030095393A1. Автор: Kou-Way Tu,You-Ren Li,Feng-Tso Chien,Jen-Huei Dung. Владелец: Chino Excel Tech Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030045033A1. Автор: Takashi Hosaka. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Electronic component having stacked semiconductor chips in parallel, and a method for producing the component

Номер патента: US20040108585A1. Автор: Jochen Thomas,Wolfgang Hetzel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-06-10.

Semiconductor device and method for assembling the same

Номер патента: US20020024125A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Adhesive transfer stamp and method for transferring a semiconductor chip using an adhesive transfer stamp

Номер патента: US12106980B2. Автор: Alexander Pfeuffer,Hubert Halbritter,Mikko Peraelae. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: US09972580B2. Автор: Seung-Kwan Ryu,Yonghwan Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-15.

Free-edge semiconductor chip bending

Номер патента: US09870927B2. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device with plated lead frame, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09847235B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Andre Brockmeier,Ulrike Fastner,Peter Zorn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Thermocompression for semiconductor chip assembly

Номер патента: US09735125B2. Автор: Julien Sylvestre. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Integrated Circuit Distributed Oscillator

Номер патента: US20090072916A1. Автор: George P. Bilionis,Alexios N. Birbas,Michael K. Birbas,John C. Kikidis. Владелец: ANALOGIES SA. Дата публикации: 2009-03-19.

Semiconductor integrated circuit device having short signal paths to terminals and process of fabrication thereof

Номер патента: US6037656A. Автор: Kenji Sugahara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-03-14.

Methods of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US20210057278A1. Автор: Yun-Hee Kim,Jung-Ho Choi,Jun-ho Yoon,Byung-Moon Bae,Yoon-sung Kim,Hyun-Su Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Methods of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US20200058551A1. Автор: Yun-Hee Kim,Jung-Ho Choi,Jun-ho Yoon,Byung-Moon Bae,Yoon-sung Kim,Hyun-Su Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Methods of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US11967529B2. Автор: Yun-Hee Kim,Jung-Ho Choi,Jun-ho Yoon,Byung-Moon Bae,Yoon-sung Kim,Hyun-Su Sim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor chip shape alteration

Номер патента: WO2008079662A1. Автор: Mukta G. Farooq,Dae-Young Jung,Ian D. Melville. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-07-03.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips

Номер патента: US12057441B2. Автор: Manho Lee,Eunseok Song,Kyungsuk Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20060006493A1. Автор: Tsutomu Tashiro,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Integrated circuits using high aspect ratio vias through a semiconductor wafer and method for forming same

Номер патента: US20020127835A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn,Joseph Geusic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Semiconductor chip and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240120295A1. Автор: Szu-Hsien Lee,Pei-Wei Lee,Jhao-Yi Wang,Fu Wei Liu,Yun-Chung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4411815A1. Автор: Yoshito Nakamura,Kanji Ishibashi,Kazushi Miyata,Naomi Fujiwara,Yudai Takamori,Syuho HANASAKA. Владелец: Towa Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09831204B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Apparatuses for bonding semiconductor chips

Номер патента: US09704732B2. Автор: Jaehong Kim,Jungchul Lee,Taegyeong Chung,Yisung HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuits and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09620589B2. Автор: Kun-Hsien LIN,Ran Yan,Jan Hoentschel,Nicolas Sassiat. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-04-11.

Bottom package having routing paths connected to top package and method of manufacturing the same

Номер патента: US09502355B2. Автор: Leilei Zhang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Device including two power semiconductor chips and manufacturing thereof

Номер патента: US09331060B2. Автор: Ralf Otremba,Joachim Mahler,Josef Hoeglauer,Johannes Lodermeyer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-05-03.

Ferrite Electro-Magnetic Interference (EMI) Shield Between an Integrated-Circuit (IC) Chip and an Air-Core Inductor All Inside a Hybrid Lead-Frame Package

Номер патента: US20230290735A1. Автор: Chik Wai (David) Ng,Wai Kit (Victor) SO,Kwun Yuan (Godwin) HO,Ki Hin (Gary) CHOI,Tin Ho (Andy) Wu. Владелец: High Tech Technology Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Apparatus for bonding semiconductor chip and method for bonding semiconductor chip

Номер патента: US20180366433A1. Автор: Geunsik Ahn. Владелец: Protec Co Ltd Korea. Дата публикации: 2018-12-20.

Apparatuses for forming wire bonds from circuitry on a substrate to a semiconductor chip, and methods of forming semiconductor chip assemblies

Номер патента: WO2001013431A9. Автор: Tracy Reynolds,Ronald W Ellis,Michael Bettinger. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-08-15.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20110008932A1. Автор: Woo-pyo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-01-13.

Ferrite electro-magnetic interference (EMI) shield between an integrated-circuit (IC) chip and an air-core inductor all inside a hybrid lead-frame package

Номер патента: US11990422B2. Автор: Chik Wai (David) Ng,Wai Kit (Victor) SO,Kwun Yuan (Godwin) HO,Ki Hin (Gary) CHOI,Tin Ho (Andy) Wu. Владелец: High Tech Technology Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240128225A1. Автор: Hajung Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing same, and management system of semiconductor device

Номер патента: US20130234339A1. Автор: Kazuyuki Higashi,Yoshiaki Sugizaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor chip shape alteration

Номер патента: EP2095419A1. Автор: Mukta G. Farooq,Dae-Young Jung,Ian D. Melville. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-02.

Semiconductor integrated circuit for power supply, and power supply system

Номер патента: US12095349B2. Автор: Kazuhiro Murakami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of processing a semiconductor substrate and semiconductor chip

Номер патента: US09831127B2. Автор: Franco Mariani,Korbinian Kaspar. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-11-28.

Method of manufacturing stacked semiconductor package

Номер патента: US09673185B2. Автор: Young-ho JOUNG,Jong-Gyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240096851A1. Автор: Jeonggi Jin,Unbyoung Kang,Juil Choi,Gilman Kang,DongChul Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20230378130A1. Автор: Szu-Wei Lu,Li-Hui Cheng,Pu Wang,An-Jhih Su,Chih-Chien Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170317034A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Jo-Lin Lan,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-02.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240145366A1. Автор: Hyunchul Jung,Dongjoon Oh,Jumyong Park,Solji Song,Hyunsu Hwang,Sanghoo Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Interface circuit and semiconductor output circuit device including the same

Номер патента: US20240014818A1. Автор: Seung Ho Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-01-11.

Multi-chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140110831A1. Автор: Yong-Hoon Kim,Jong-Joo Lee,Tae-Hong Min,Un-Byoung Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-24.

Inverted trapezoidal heat dissipating solder structure and method of making the same

Номер патента: US20230386964A1. Автор: Ming-Da Cheng,Wei-Hung Lin,Chang-Jung Hsueh,Cheng-Nan Lin,Yen Wei Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Method of Manufacturing Semiconductor Device

Номер патента: US20210217719A1. Автор: Ichiro Kono. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210021776A1. Автор: Makoto Motoyoshi,Shin Iwabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180054583A1. Автор: Makoto Motoyoshi,Shin Iwabuchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11476230B2. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-10-18.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240162195A1. Автор: Yongjin PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160071824A1. Автор: Hyunsuk CHUN,Boin Noh,Jeongwon Yoon,Baikwoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-03-10.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240047425A1. Автор: Yeong Beom Ko,Jun Yun KWEON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230005879A1. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-01-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220020722A1. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-20.

Method for manufacturing a semiconductor chip stack device

Номер патента: US8957457B2. Автор: Richard Fournel,Pierre Dautriche. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2015-02-17.

Semiconductor chip fabrication method

Номер патента: US20090209088A1. Автор: Tadato Nagasawa. Владелец: Disco Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Integrated circuit packaging

Номер патента: US20200251440A1. Автор: Jason Chien,Byron Lovell Williams,Jeffrey Alan West,Honglin Guo,Arvin Nono VERDEFLOR,Anderson LI. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-08-06.

Noise and temperature shield for an integrated circuit

Номер патента: WO2000003439A1. Автор: Akira Ishikawa. Владелец: Ball Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2000-01-20.

Semiconductor chip package and fabrication method therefor

Номер патента: US20010045632A1. Автор: Dong-You Kim. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2001-11-29.

Method of fabricating package structure

Номер патента: US09806050B2. Автор: Chih-Hao Hsu,Pao-Hung Chou. Владелец: Unimicron Technology Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US9640513B2. Автор: JONGHO LEE,Chul-Yong JANG,Seokhyun Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US11901385B2. Автор: ByoungRim SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor module and power module including the same

Номер патента: US20230395458A1. Автор: Yuu YAMAHIRA,Masashi MASUMOTO. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20220044987A9. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11854946B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20210074609A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor component and method of manufacture

Номер патента: US20170025339A1. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123035A1. Автор: ByoungRim SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor chip manufacturing device and method of manufacturing semiconductor chips

Номер патента: US11973309B2. Автор: Masato Suzuki,Ayumi FUCHIDA,Tetsuya Uetsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Semiconductor image sensor module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220124270A1. Автор: Makoto Motoyoshi,Shin Iwabuchi. Владелец: Sony Group Corp. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor packages and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20240136341A1. Автор: Seokhyun Lee,Daewoo Kim,Seokgeun Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Thermally enhanced thin plastic package and method of fabrication

Номер патента: SG54391A1. Автор: Walter H Schroen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-11-16.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240162193A1. Автор: Un-Byoung Kang,Sang-sick Park,Hanmin Lee,Seongyo KIM,Seungyoon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US12009350B2. Автор: Seokhyun Lee,Kyoung Lim SUK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230317657A1. Автор: Wonil SEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240105694A1. Автор: Jae Moon Lim,Jung Hoo YUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Antenna packaging structure and method for forming the same

Номер патента: US20210391637A1. Автор: Han Xu,Yenheng CHEN,Chengchung LIN,Chengtar WU,Yayuan XUE. Владелец: SJ Semiconductor Jiangyin Corp. Дата публикации: 2021-12-16.

Integrated circuit (IC) with offset gate sidewall contacts and method of manufacture

Номер патента: US09704760B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Soon-Cheon Seo,Injo OK,Charan V. Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180247883A1. Автор: Kenji Yamada,Yoshihisa Imori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US10340207B2. Автор: Kenji Yamada,Yoshihisa Imori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-07-02.

Semiconductor package including an image sensor chip and a method of fabricating the same

Номер патента: US20220254827A1. Автор: Yoonha JUNG,Chajea JO,Chungsun Lee,Yonghoe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor package including an image sensor chip and a method of fabricating the same

Номер патента: US11824076B2. Автор: Yoonha JUNG,Chajea JO,Chungsun Lee,Yonghoe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor package including an image sensor chip and a method of fabricating the same

Номер патента: US20210028217A1. Автор: Yoonha JUNG,Chajea JO,Chungsun Lee,Yonghoe Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220165638A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yusuke TANUMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190333889A1. Автор: Kohei Kurogi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-31.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190273035A1. Автор: Kenji Yamada,Yoshihisa Imori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-09-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic instrument

Номер патента: US20050156311A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-07-21.

Semiconductor package and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20240145360A1. Автор: Taehwan Kim,Sunggu Kang,Jonggyu Lee,Hwanjoo PARK,Jaechoon Kim,Eunho CHO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20110254150A1. Автор: Yoshimi Takahashi,Masazumi Amagai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Antenna module and electronic system including the same

Номер патента: US20210036413A1. Автор: Heeseok Lee,Junghwa KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4002444A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yusuke TANUMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-25.

Semiconductor chip, a method, an apparatus and a computer program product for image capturing

Номер патента: US10205902B2. Автор: Kim Gronholm,Markku Vaara. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2019-02-12.

A semiconductor chip, a method, an apparatus and a computer program product for image capturing

Номер патента: WO2016083664A1. Автор: Kim Gronholm,Markku Vaara. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2016-06-02.

A semiconductor chip, a method, an apparatus and a computer program product for image capturing

Номер патента: US20170339364A1. Автор: Kim Gronholm,Markku Vaara. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2017-11-23.

Integrated circuit device having through-silicon-via structure

Номер патента: US09496218B2. Автор: Gil-heyun Choi,Byung-lyul Park,Do-Sun LEE,Kun-Sang Park,Seong-min Son. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-15.

Electronic package for electronic components and method of making same

Номер патента: MY124761A. Автор: S Kresge John,D Sebesta Robert,B Stone David,R Wilcox James. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2006-07-31.

Chip package and method of manufacturing the same

Номер патента: US9269837B2. Автор: Shu-Ming Chang,Tsang-Yu Liu,Po-Han Lee. Владелец: XinTec Inc. Дата публикации: 2016-02-23.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: EP1028459A3. Автор: Takayuki Tani,Takao Shibuya,Haruo Hyoudo. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-22.

Bond pad configurations for controlling semiconductor chip package interactions

Номер патента: US20140145330A1. Автор: Vivian W. Ryan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-05-29.

Method of hybrid packaging a lead frame based multi-chip semiconductor device with multiple interconnecting structures

Номер патента: US9425181B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of Hybrid Packaging a Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20150236005A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-20.

Method of manufacturing semiconductor resin molding and resin member employed therefor

Номер патента: US20030235938A1. Автор: Michio Osada. Владелец: Towa Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor package and method for its manufacture

Номер патента: US20060017148A1. Автор: Min-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-01-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20100068853A1. Автор: Wataru TAKAMATSU. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-03-18.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20240047319A1. Автор: Jongho Park,Sung Keun Park,Gyuho KANG,Seong-Hoon BAE,Jaemok JUNG,Ju-ll Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor package including interposer and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20230075292A1. Автор: ChoongBin YIM,JongBo Shim,Jihwang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor package and method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20230361054A1. Автор: Younghun Jung,Jungeun Koo,Yongjin Seol,Tongsuk KIM,Youngjun Yoon,Mijeong Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-11-09.

Semiconductor package including interposer and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US12021036B2. Автор: ChoongBin YIM,JongBo Shim,Jihwang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Semiconductor package including interposer and method of manufacturing the semiconductor package

Номер патента: US20220013464A1. Автор: ChoongBin YIM,JongBo Shim,Jihwang Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-13.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Hybrid tsv and method for forming the same

Номер патента: US20150179547A1. Автор: Zhao Feng,Liu Huang,Yu Hong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2015-06-25.

Integrated Circuit and Method of Forming an Integrated Circuit

Номер патента: US20190198380A1. Автор: Uwe Rudolph,Marc Probst,Torsten HELM. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor chip with surface cover

Номер патента: US20010028094A1. Автор: Michael Smola,Eric-Roger Brucklmeier. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-11.

Semiconductor chip including a reference element having reference coordinates

Номер патента: US20020088973A1. Автор: Takayuki Susami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-07-11.

Heat dissipation in integrated circuits

Номер патента: US20070064398A1. Автор: Cynthia Lee,Sidhartha Sen. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-03-22.

Electrostatic discharge protection apparatus and method for data transceiver

Номер патента: US12088090B1. Автор: Shaowu HUANG,Dance Wu. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Optoelectronic component and method for producing an optoelectronic component

Номер патента: US20210273144A1. Автор: Daniel Richter,Michael Forster,Konrad Wagner,Gunnar Petersen,Nicole Berner. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2021-09-02.

Optoelectronic component with a magnetic structure and method for producing same

Номер патента: US11888097B2. Автор: Daniel Richter,Michael Forster,Konrad Wagner,Gunnar Petersen,Nicole Berner. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-01-30.

III-V field effect transistor (FET) with reduced short channel leakage, integrated circuit (IC) chip and method of manufacture

Номер патента: US09515165B1. Автор: Effendi Leobandung,Cheng-Wei Cheng,Amlan Majumdar,Pranita Kerber. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Integrated circuits having improved gate structures and methods for fabricating same

Номер патента: US09490129B2. Автор: Huang Liu,Xiang Hu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

SEMICONDUCTOR CHIP, PRINTED CIRCUIT BOARD, MULTI-CHIP PACKAGE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR CHIP AND PRINTED CIRCUIT BOARD, AND METHOD OF MANUFACTURING THE MULTI-CHIP PACKAGE

Номер патента: US20190295975A1. Автор: BAEK Jin Ho. Владелец: SK HYNIX INC.. Дата публикации: 2019-09-26.

Device including semiconductor chips and method for producing such device

Номер патента: US9941229B2. Автор: Thorsten Scharf,Petteri Palm. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Multiple-chip semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US5313095A. Автор: Takashi Takahashi,Takayoshi Kawakami,Tomohide Tagawa. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-05-17.

Method of manufacturing wafer-level chip-size package and molding apparatus used in the method

Номер патента: US20080187613A1. Автор: Tae-Sung Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7629687B2. Автор: Toshiyuki Fukuda,Kazuhiko Matsumura,Nozomi Shimoishizaka,Yukihiro Kozaka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2009-12-08.

Semiconductor device, imaging apparatus, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11942495B2. Автор: Atsushi Tsukada,Hirotaka Kobayashi,Hiroyuki Shigeta,Koyo Hosokawa,Shigekazu Ishii,Daisuke Chino,Hirohisa Yasukawa,Kosuke Hareyama,Mitsuhito Kanatake,Kiyohisa Sakai,Ninao Sato,Yutaka OOTAKI,Yuki Yamane. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor chip and semiconductor package including the same

Номер патента: US20240055378A1. Автор: Yongho Kim,Jeonghoon Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same

Номер патента: US11810821B2. Автор: Shoichi Onda,Masatake Nagaya,Daisuke Kawaguchi,Toshiki Yui,Jun Kojima,Kazukuni Hara,Chiaki Sasaoka. Владелец: Tokai National Higher Education and Research System NUC. Дата публикации: 2023-11-07.

Circuit manufacturing apparatus and method of manufacturing a semiconductor circuit

Номер патента: US20100115763A1. Автор: Kwang Yong Lee,Taegyeong Chung,Minill Kim,Jonggi Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-05-13.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20140070389A1. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor package including an electromagnetic shield and method of fabricating the same

Номер патента: US11942437B2. Автор: Youngwoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-26.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US9425070B2. Автор: Takuya Nakamura,Takayuki Tanaka,Makoto Murai,Yoshimichi Harada,Kana Nagayoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110175239A1. Автор: Takuya Nakamura,Takayuki Tanaka,Makoto Murai,Yoshimichi Harada,Kana Nagayoshi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Optoelectronic component and method of producing an optoelectronic component

Номер патента: US20190157525A1. Автор: Thomas Reeswinkel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240128155A1. Автор: Jongyoun KIM,Minjun BAE,Eungkyu Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-18.

Semiconductor package including an electromagnetic shield and method of fabricating the same

Номер патента: US20230245981A1. Автор: Youngwoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor Arrangement and Method for Producing a Semiconductor Arrangement

Номер патента: US20200266141A1. Автор: Michael Stadler. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor chip, method for producing a plurality of semiconductor chips and method for producing an electronic or optoelectronic device and electronic or optoelectronic device

Номер патента: US20170365736A1. Автор: Bernd Barchmann,Andreas Ploessl,Fabian Eigenmann. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-12-21.

Wire bonding system and method of use

Номер патента: US20070141754A1. Автор: Won-Chul Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor package including an electromagnetic shield and method of fabricating the same

Номер патента: US20240203903A1. Автор: Youngwoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding device

Номер патента: US20240186198A1. Автор: Pierangelo Magni,Michele DERAI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor chip and manufacturing method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4425568A1. Автор: Xi Liu,John Ye,Jun Lin,Kehao Zhang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Light-proof chip packaging structure and method for its manufacture

Номер патента: US20090289376A1. Автор: Ming-Chih Chien,Jung-Hsiu Chen. Владелец: SiPix Technology Inc. Дата публикации: 2009-11-26.

Semiconductor package and method of assembling a semiconductor package

Номер патента: WO2007129132A1. Автор: Steffen Jordan,Edmund Riedl,Christof Matthias Schilz,Fee Hoon Wong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-15.

Electronic circuit board with semiconductor chip mounted thereon, and manufacturing method therefor

Номер патента: US5854740A. Автор: Gi-Bon Cha. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1998-12-29.

Semiconductor chips having heat conductive layer with vias

Номер патента: GB2523870A. Автор: Kenneth Joseph Goodnow,Clarence Rosser Ogilvie,Sebastian Theodore Ventrone,Charles Woodruff,Richard Stephen Graf. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-09-09.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210202362A1. Автор: Bernd Karl Appelt,You-Lung Yen. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor chips with reduced stress from underfill at edge of chip

Номер патента: US7871920B2. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Wolfgang Sauter,Timothy Harrison Daubenspeck,Christopher David Muzzy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-01-18.

Package structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US20200043881A1. Автор: Shiau-Shi LIN. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Method of manufacturing laminate

Номер патента: EP3998127A1. Автор: Hidekazu Nakayama,Yosuke Sato,Isao Ichikawa. Владелец: Lintec Corp. Дата публикации: 2022-05-18.

Semiconductor package and method for fabricating same

Номер патента: US11894403B2. Автор: Dong Kwan Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-06.

Semiconductor package and method for forming the same

Номер патента: US20170117232A1. Автор: Tieh-Chiang Wu,Shing-Yih Shih. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210057477A1. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Takuo Koyama,Masaharu Muramatsu,Shinichi Nakata,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2021-02-25.

Package structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210043582A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chia-Hsiang Chen,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-11.

Devices including coax-like electrical connections and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US11837565B2. Автор: Pietro Brenner,Saqib Kaleem,Martin Dechant,Jonas Eric Sebastian Fritzin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180033709A1. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of fabricating a semiconductor package

Номер патента: US20190067235A1. Автор: Kwang-Seong Choi,Hyun-Cheol Bae,Yong-sung Eom,Seok Hwan Moon,Keon-Soo Jang,leeseul Jeong,Wagno Alves Braganca Junior. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2019-02-28.

Method of fabricating resin-encapsulated semiconductor device

Номер патента: US6653218B2. Автор: Yasushi Shiraishi,Harufumi Kobayashi,Shinji Ohuchi. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-25.

Methods for manufacturing semiconductor chips, methods for manufacturing semiconductor devices, semiconductor chips, semiconductor devices, connection substrates and electronic devices

Номер патента: US20010021582A1. Автор: Eiichi Sato,Tadashi Komiyama,Akitoshi Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor package including stacked semiconductor chips

Номер патента: US11996392B2. Автор: Jong Hoon Kim,Eun Hye DO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-05-28.

Semiconductor chips with reduced stress from underfill at edge of chip

Номер патента: US20100203685A1. Автор: Jeffrey Peter Gambino,Wolfgang Sauter,Timothy Harrison Daubenspeck,Christopher David Muzzy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230154882A1. Автор: Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210225740A1. Автор: Tatsuya Kawase,Yuji Imoto,Yosuke Nakata,Kei Hayashi,Hiroya Sannai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Optoelectronic Component and Method for Producing an Optoelectronic Component

Номер патента: US20230317874A1. Автор: Dirk Becker,Martin Haushalter. Владелец: Ams Osram International GmbH. Дата публикации: 2023-10-05.

Wire bonding system and method of use

Номер патента: US20050236705A1. Автор: Won-Chul Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-10-27.

Semiconductor chip alignment apparatus and method for packaging

Номер патента: US20240079258A1. Автор: Su Jin Kim,Jeong Min Park,Chang Goo Kang. Владелец: Korea Atomic Energy Research Institute KAERI. Дата публикации: 2024-03-07.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Light-Emitting Semiconductor Chip and Display Device

Номер патента: US20200273907A1. Автор: Peter Brick,Frank Singer,Hubert Halbritter,Mikko Perala. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2020-08-27.

Integrated circuit packaging system with conductive pillars and method of manufacture thereof

Номер патента: US09748203B2. Автор: Kyunghwan Kim,DeokKyung Yang,In Sang Yoon,SeongHun Mun. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of fabricating integrated circuits having a recessed molding package and corresponding package

Номер патента: US09698027B2. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-07-04.

Carrierless chip package for integrated circuit devices, and methods of making same

Номер патента: US09673121B2. Автор: Lee Choon Kuan,Chong Chin Hui,David J. Corisis. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor package and method for fabricating same

Номер патента: US5933709A. Автор: Dong-Seok Chun. Владелец: LG Semicon Co Ltd. Дата публикации: 1999-08-03.

Microelectronic package with stacked microelectronic units and method for manufacture thereof

Номер патента: US9876002B2. Автор: Ilyas Mohammed,Terrence Caskey. Владелец: Invensas LLC. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of manufacturing a semiconductor package including a pcb substrate

Номер патента: US20220392778A1. Автор: Bong Su Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-12-08.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050054142A1. Автор: Hiroshi Kawano,Yoshihiko Ino. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-10.

Thermal interfacial material film, semiconductor package, method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20240063085A1. Автор: Chiwoo LEE,Mihyae PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor-chip bonding apparatus

Номер патента: SG185242A1. Автор: Su Jin Lee. Владелец: Ips System Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Method of producing a semiconductor device

Номер патента: US20010006830A1. Автор: Volker Strutz,Rüdiger Uhlmann,Stephan Wege,Achim Neu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-07-05.

Semiconductor Device and Method for Producing a Plurality of Semiconductor Devices

Номер патента: US20170338384A1. Автор: Thomas Schwarz,Frank Singer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2017-11-23.

Power module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220415746A1. Автор: Sung Won Park,Hyun Koo Lee,Hyeon Uk KIM. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Semiconductor devices comprising electrical redistribution layer along with ground line and signal line and methods for manufacturing thereof

Номер патента: US11798874B2. Автор: Christoph Wagner,Walter Hartner,Helmut Kollmann,Vincenzo Fiore,Tuncay Erdoel,Francesca Arcioni,Arif Roni,Emanuele Stavagna. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor package with curing layer between semiconductor chips

Номер патента: US11842982B2. Автор: Seon Ho Lee,Hwail Jin,Jongpa Hong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Power module for vehicle and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4239670A1. Автор: Jun Hee Park,Tae Hwa Kim,Nam Sik KONG. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2023-09-06.

Using a time invariant statistical process variable of a semiconductor chip as the chip identifier

Номер патента: US20060063286A1. Автор: Michael Frank,William Bidermann. Владелец: Pixim Inc. Дата публикации: 2006-03-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180277466A1. Автор: Toyokazu Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Radiation-emitting semiconductor chip with reflective inner surface and anti-reflective coating and method for producing thereof

Номер патента: US11942756B2. Автор: Alexander Tonkikh,Bruno Jentzsch. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-03-26.

Laminated semiconductor device and manufacturing method of laminated semiconductor device

Номер патента: US20170207199A1. Автор: Norio Kainuma,Hidehiko Kira. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor chip carrier having partially buried conductive pattern and semiconductor device using the same

Номер патента: US6191482B1. Автор: Nobuaki Takahashi,Naoji Senba. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-02-20.

Electronic Module with a Semiconductor Chip and a Component Housing and Methods for Producing the Same

Номер патента: US20070268674A1. Автор: Michael Bauer,Alfred Haimerl,Joachim Mahler,Angela Kessler,Wolfgang Schober. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-11-22.

Hybrid Packaged Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20160315039A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150123288A1. Автор: Ki Yong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-05-07.

Method of producing a semiconductor device comprising a cleaning process for removing silicon-containing material

Номер патента: US6436731B2. Автор: Volker Strutz,Rüdiger Uhlmann,Stephan Wege,Achim Neu. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-20.

Method of fabricating semiconductor package

Номер патента: US20240030176A1. Автор: Ji-Yong Park,Jeong Hyun Lee,Choon Bin Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-25.

Free-Edge Semiconductor Chip Bending

Номер патента: US20160293429A1. Автор: Andrew Keefe,Guillermo Herrera,Geoffrey P. Mcknight. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device designed to produce no resonance of loop due to ultrasonic vibration, semiconductor design apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20050212103A1. Автор: Yasuki Takata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Power module and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240145371A1. Автор: Suk Hyun LIM,So Eun Jeong. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-05-02.

Semiconductor integrated circuit device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20020158277A1. Автор: Jun Osanai,Hirofumi Harada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Dual encapsulation integration scheme for fabricating integrated circuits with magnetic random access memory structures

Номер патента: US09564575B2. Автор: HAI Cong,Danny Pak-Chum Shum,Yi Jiang,Juan Boon Tan. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

Integrated circuit packaging system with chip stacking and method of manufacture thereof

Номер патента: US09530753B2. Автор: Daesik Choi,YoungJoon Kim,DaeSup Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Method of semiconductor device protection, package of semiconductor device

Номер патента: US20050072972A1. Автор: Shigeyuki Maruyama,Kazuhiro Tashiro,Keisuke Fukuda,Naohito Kohashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-04-07.

Method of manufacturing an electronic system

Номер патента: US8928140B2. Автор: Ivan Nikitin. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US11842972B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor packages and methods for fabricating the same

Номер патента: US20160204080A1. Автор: Mitsuo Umemoto,Inho Choi,Donghan Kim,Jae Choon Kim,Jikho Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor package and method of fabricating the same

Номер патента: US20230411275A1. Автор: Myungsam Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor package including a plurality of semiconductor chips

Номер патента: US20220352128A1. Автор: Manho Lee,Eunseok Song,Kyungsuk Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200006206A1. Автор: Toyokazu Shibata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Optoelectronic Semiconductor Chip, Display Comprising a Semiconductor Chip of this Type, and Use of a Semiconductor Chip of this Type or of a Display

Номер патента: US20140210348A1. Автор: Martin Rudolf Behringer,Oliver Guenther. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2014-07-31.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9837339B2. Автор: Tsukasa Matsushita,Tadatoshi Danno,Atsushi Nishikizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US11967543B2. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-23.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US11973007B2. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Chip-on-film package and display device including the same

Номер патента: US20240096904A1. Автор: Seung Hyun Cho,Jae-Min Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-21.

Optoelectronic device and method for producing an optoelectronic device

Номер патента: WO2023227324A1. Автор: Alexander Wilm,Thomas Schlereth,Kean Khuan KOO,Tsu Pin CHNG,Ee Lian LEE,Hui Yuen PENG,Wee Kie TANG. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor Chip Flipping Assembly and Apparatus For Bonding Semiconductor Chip Using The Same

Номер патента: US20070296445A1. Автор: Sung Chul Kim. Владелец: Sigo Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-27.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US20240047311A1. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US20240055384A1. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor package and method for fabricating the same

Номер патента: US8680685B2. Автор: JONGHO LEE,SunWon Kang,Hwan-Sik Lim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-03-25.

Semiconductor chip, production method

Номер патента: EP4213188A1. Автор: Shogo Ono. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-07-19.

Semiconductor chip and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230307409A1. Автор: Shogo Ono. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Resonator device and method for manufacturing resonator device

Номер патента: US11728782B2. Автор: Koji Kitahara,Masahiro Fujii. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Method for manufacturing integrated circuits from a semiconductor substrate wafer

Номер патента: US20230223358A1. Автор: Alexandre Malherbe,David Parker,Stephan Niel,Carlos Augusto Suarez Segovia,Chantal TROUILLER. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2023-07-13.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010015482A1. Автор: Kenichi Itoh,Shuichi Ogata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor chip package structure for achieving electrical connection without using a wire-bonding process and method for making the same

Номер патента: US20090206465A1. Автор: Bily Wang,Hung-Chou Yang,Jeng-Ru Chang. Владелец: Harvatek Corp. Дата публикации: 2009-08-20.

Adhesive Transfer Stamp and Method for Transferring a Semiconductor Chip Using an Adhesive Transfer Stamp

Номер патента: US20220216076A1. Автор: Alexander Pfeuffer,Hubert Halbritter,Mikko Peraelae. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-07-07.

Optoelectronic device, mold for producing a molded body for an optoelectronic device and method for producing an optoelectronic device

Номер патента: WO2024061878A1. Автор: Joo Ding NGU,Guan Liang Lee. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor chip delamination apparatus device

Номер патента: US20230158790A1. Автор: Jae Won Cho. Владелец: ENGION Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-25.

Semiconductor device, electronic device, electronic equipment, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200328138A1. Автор: Tsuyoshi Yamamoto,Michimasa Aoki,Keizou Takemura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2020-10-15.

Package structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230361050A1. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chia-Hsiang Chen,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Package structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11749617B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Chia-Hsiang Chen,Tien-Wei Chiang,Ching-Huang Wang,Meng-Chun Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor chip package

Номер патента: US20100164115A1. Автор: Jung-Hyun Yo. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240136261A1. Автор: Jung Hyun Lee,Junghoon Kang,Seungwan Shin,Byungmin YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-25.

Electronic device and manufacturing method of electronic device

Номер патента: US20190019767A1. Автор: Daijiro Ishibashi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor packages and methods for fabricating the same

Номер патента: US20240203855A1. Автор: Jongho Park,Dowan KIM,Sung Keun Park,Un-Byoung Kang,Ju-Il Choi,Jaemok JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor chip having bumps of different heights and semiconductor package including the same

Номер патента: TW200824080A. Автор: Dong-Han Kim,Chul-Woo Kim,Kwang-Jin Bae,Sang-Heui LEE,Ji-hwan HWANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-01.

Multichip module with built in repeaters and method

Номер патента: US6306681B1. Автор: Leonard Forbes,Kie Y. Ahn. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-10-23.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Resin-molded semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010045640A1. Автор: Yukio Yamaguchi,Seishi Oida,Nobuhiro Suematsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-29.

Opto-electronic semiconductor chip with a wavelength conversion material, opto-electronic semiconductor element with the semiconductor chip and manufacturing method of the opto-electronic semiconductor chip

Номер патента: TW200802994A. Автор: Frank Jermann,Dirk Berben. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2008-01-01.

Semiconductor package having logic semiconductor chip and memory packages on interposer

Номер патента: US11217503B2. Автор: Chul Woo Kim,Yun Seok Choi,Hyo-Chang Ryu,Seung-Kwan Ryu,Yang Gyoo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-01-04.

Optoelectronic device with light emitter and detector and method for manufacturing an optoelectronic device

Номер патента: WO2021037371A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-03-04.

Semiconductor chip splitting method using a laser and semiconductor chip split by the same

Номер патента: US20240157481A1. Автор: Yeongkwon Ko,Chungsun Lee,Jihun JUNG,Soyeon Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-16.

Optoelectronic component and method of producing an optoelectronic component

Номер патента: US20190355882A1. Автор: Martin Brandl,Markus Pindl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2019-11-21.

Die Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240079391A1. Автор: Sung-Feng Yeh,Chia-Hao Hsu,Kuo-Chiang Ting,Jian-Wei Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

SEMICONDUCTOR CHIP, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR CHIP

Номер патента: US20220278079A1. Автор: Choi Yongwon,Kim Wonkeun,LEE Inyoung. Владелец: . Дата публикации: 2022-09-01.

SEMICONDUCTOR CHIP, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SEMICONDUCTOR PACKAGE INCLUDING THE SEMICONDUCTOR CHIP

Номер патента: US20210384162A1. Автор: Choi Yongwon,Kim Wonkeun,LEE Inyoung. Владелец: . Дата публикации: 2021-12-09.

Chip-on-film package and semiconductor chip each having a readout circuit for a touch driving signal and a source channel circuit for outputting a pixel driving signal

Номер патента: US11830801B2. Автор: Young Uk CHANG. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Radiation-emitting component and method for producing a radiation-emitting component

Номер патента: US20240047625A1. Автор: Luca Haiberger,Sam Chou. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210098344A1. Автор: Daisuke Murata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device comprising sealing members with different elastic modulus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11362019B2. Автор: Daisuke Murata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Redistribution layer structure with support features and methods

Номер патента: US20230395481A1. Автор: Shin-puu Jeng,Shuo-Mao Chen,Monsen Liu,Shang-Lun Tsai. Владелец: Rom Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Dividing circuit, PLL circuit including the same, and semiconductor integrated circuit including the same

Номер патента: TW201223154A. Автор: Takeshi Mitsunaka,Shigenari TAGUCHI. Владелец: Sharp Kk. Дата публикации: 2012-06-01.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190051579A1. Автор: Naoya Okamoto,Yuichi Minoura,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-02-14.

Image capturing unit and method for manufacturing the same

Номер патента: US11990495B2. Автор: Takafumi Kishi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2024-05-21.

Apparatus for assembling semiconductor chip module

Номер патента: US7891083B2. Автор: Chun-Chi Tsai,Jian-Hua Xiang,Yao-Zhong Chen. Владелец: Hongfujin Precision Industry Shenzhen Co Ltd. Дата публикации: 2011-02-22.

Substrate, electronic device, and method for manufacturing substrate

Номер патента: US20220238463A1. Автор: Hirofumi Makino. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Optoelectronic device with light emitter and detector and method for manufacturing an optoelectronic device

Номер патента: EP4022676A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-07-06.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US10483185B2. Автор: Naoya Okamoto,Yuichi Minoura,Toshihiro Ohki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2019-11-19.

Integrated circuit

Номер патента: US20210375520A1. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ka-Un Chan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Secondary battery positive electrode including ferroelectric component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240332487A1. Автор: Jun Ki Rhee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor package having an interposer in which one or more dies are formed and method of forming the same

Номер патента: US12136597B2. Автор: Wen-Sung Hsu,Nai-wei LIU,Yi-Lin Tsai. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Integrated circuit

Номер патента: US12112875B2. Автор: Hsiao-Tsung Yen,Ka-Un Chan. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

System and method for a switched capacitor circuit

Номер патента: US09787291B1. Автор: Peter Bogner,Michael Kropfitsch,Christian Reindl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131377A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Integrated circuit device having an improved package structure

Номер патента: US5041899A. Автор: Tetsushi Wakabayashi,Souichi Aonuma,Akihiro Oku. Владелец: Fujitsu Vlsi Ltd. Дата публикации: 1991-08-20.

Semiconductor chip and electronic component

Номер патента: US20160056137A1. Автор: Masakazu Kobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor chip and light-emitting device

Номер патента: US20220302349A1. Автор: Shiou-Yi Kuo. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230095867A1. Автор: Chun-Wei Wang,Jen-I Lai,Rou-Wei Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-03-30.

Television tuner using integrated circuit

Номер патента: US20050110908A1. Автор: Masaki Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Monitoring device, electronic device control system and method

Номер патента: US20240250842A1. Автор: Chia-Liang Wei. Владелец: Chicony Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of manufacturing a device comprising an integrated circuit and photovoltaic cells

Номер патента: US09647161B2. Автор: Julien Buckley,Haykel Ben Jamaa. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-05-09.

Level shifters and integrated circuits thereof

Номер патента: US09634665B2. Автор: Bo-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of forming source/drain contacts in unmerged FinFETs

Номер патента: US09379025B1. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor chip, wiring substrate for semiconductor package, semiconductor package having the semiconductor chip and display device having the semiconductor package

Номер патента: KR101524186B1. Автор: 최윤석,이희석. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2015-06-01.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding device and system

Номер патента: US20230360927A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-09.

Integrated circuits and methods for forming integrated circuits

Номер патента: US20210351105A1. Автор: Mauro Kobrinsky,Kevin Lin,Ashish Agrawal,Christopher Jezewski,Carl Naylor,Abhishek Anil Sharma,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Integrated circuits and methods for forming integrated circuits

Номер патента: US11830788B2. Автор: Mauro Kobrinsky,Kevin Lin,Ashish Agrawal,Christopher Jezewski,Carl Naylor,Abhishek Anil Sharma,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Integrated circuits and methods for forming integrated circuits

Номер патента: US20200194338A1. Автор: ABHISHEK Sharma,Mauro Kobrinsky,Kevin Lin,Ashish Agrawal,Christopher Jezewski,Carl Naylor,Urusa ALAAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Integrated circuit device including integrated insulator and methods of fabrication the same

Номер патента: EP4333039A1. Автор: Kang-ill Seo,Seungchan Yun,Seungmin Song,MyungHoon JUNG,Keumseok PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-06.

Voip apparatus and method for detecting a pstn service provided thereto

Номер патента: US20070047521A1. Автор: Yu-Cheng Lin,Irawan Kuncoro. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-03-01.

Conductive elastomeric foam materials and methods of use

Номер патента: US20240092987A1. Автор: Li Yao,Ziyan Liu,Fang He,Thomas John Farrell Wallin,Kristopher ERICKSON,Wenyang PAN,Shawn Reese,Zhenzhen Shen,Robert Cole Bolger-Cruz,Sudhanshu Rathod. Владелец: Meta Platforms Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Method of source/drain height control in dual epi finFET formation

Номер патента: US09627278B2. Автор: Veeraraghavan Basker,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor integrated circuit device having reduced unit cell area

Номер патента: US09461162B2. Автор: Myoung Jin LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Device and method for radiation image retrieval and radiation image retrieval system

Номер патента: RU2325780C2. Автор: Минору ВАТАНАБЕ,Тиори МОТИЗУКИ,Кейити НОМУРА,Такамаса ИСИИ,Масаказу МОРИСИТА. Владелец: Кэнон Кабусики Кайся. Дата публикации: 2008-05-27.

Interposer including voltage regulator and method therefor

Номер патента: US8193799B2. Автор: Stephen V. Kosonocky,Samuel D. Naffziger,Visvesh S. Sathe. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2012-06-05.

Electronic Light Emitting Device and Method for Fabricating the Same

Номер патента: US20110180837A1. Автор: Adolf Koller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2011-07-28.

Method of bonding selected integrated circuit to adhesive substrate

Номер патента: US20100151600A1. Автор: Kia Silverbrook,Roger Mervyn Lloyd Foote. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2010-06-17.

Radiation-emitting component having a converter layer and method for producing a radiation-emitting component having a converter layer

Номер патента: US20230080796A1. Автор: Markus Burger,Britta Goeoetz. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2023-03-16.

Light emitting device and method of manufacturing light emitting device

Номер патента: US09705053B2. Автор: Hiroto Tamaki,Takeshi Ikegami. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of manufacturing an electronic component comprising an integrated circuit and a winding assembly

Номер патента: US20080111251A1. Автор: Frank Bajahr,Ruprecht WISKOTT,Markus Spreng. Владелец: Sokymat Automotive GmbH. Дата публикации: 2008-05-15.

ZnOSSe compound semiconductor, integrated circuit using the semiconductor and method of manufacturing the semiconductor and the integrated circuit

Номер патента: EP1291930B1. Автор: K. Nat. Inst. AIST Tsukuba Central 2 Iwata,S. Nat. Inst. AIST Tsukuba Central 2 Niki,P. Nat. Inst. AIST Tsukuba Central 2 Fons,A. Nat. Inst. AIST Tsukuba Central 2 Yamada,K. Nat. Inst. AIST Tsukuba Central 2 Matsubara. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2009-05-06.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US7282413B2. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-16.

Semiconductor device including nonvolatile memory and method for fabricating the same

Номер патента: US20090283815A1. Автор: Masataka Takebuchi,Fumitaka Arai. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Apparatus for manufacturing semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12051604B2. Автор: MASATO Kajinami,SHINJI Ueyama,Takahiro Tokumiya,Fumitaka Moroishi,Tatsuya Ishimoto,Takamasa Sugiura,Daisuke NAGATOMO,Masanori Izumita. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-30.

Methods of forming spin on glass layers by curing remaining portions thereof

Номер патента: US20020111032A1. Автор: Min-Hee Cho,Hong-Sik Jeong,Soo-Ho Shin,Chang-Hyun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-08-15.

Chip-on-film (COF) package, COF package array including the same, and display device including the same

Номер патента: US09691814B2. Автор: Dong-Ho Kim. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Logic circuit and method for controlling a setting circuit

Номер патента: US09621167B2. Автор: Tsugio Takahashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor chip including through electrode, and semiconductor package including the same

Номер патента: US20220084968A1. Автор: Ho Young SON,Sung Kyu Kim,Ju Heon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Power semiconductor chip and power semiconductor system

Номер патента: KR102460422B1. Автор: 박태영. Владелец: 현대모비스 주식회사. Дата публикации: 2022-10-31.

Semiconductor chip including through electrode, and semiconductor package including the same

Номер патента: US11502051B2. Автор: Ho Young SON,Sung Kyu Kim,Ju Heon YANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-11-15.

Semiconductor chip including through electrode, and semiconductor package including the same

Номер патента: TW202236561A. Автор: 金成圭,孫晧榮,李美仙. Владелец: 南韓商愛思開海力士有限公司. Дата публикации: 2022-09-16.

Integrated circuits with dual silicide contacts and methods for fabricating same

Номер патента: US20160049490A1. Автор: Guillaume Bouche,Andy Wei,Jeremy A. Wahl,Shao Ming Koh. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-18.

Method for adjusting a layout of an integrated circuit

Номер патента: US20140053122A1. Автор: Tsung-Wei Chang,Mango C.-T. CHAO,Kuo-an Chen. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2014-02-20.

Integrated circuit device and related manufacturing method

Номер патента: US20150214221A1. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit with a reduced pad bump area and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080093737A1. Автор: Ming-Cheng Chiu,Chien-Pin Chen,Chan-Liang Wu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuit comprising an output transistor with a controlled fall time

Номер патента: US20010017559A1. Автор: Jean Devin,Bertrand Bertrand. Владелец: STMICROELECTRONICS SA. Дата публикации: 2001-08-30.

Apparatus and methods for creating environmentally protective coating for integrated circuit assemblies

Номер патента: US09601451B2. Автор: Jing Zhang,Joseph Kuczynski,Melissa K. Miller,Heidi D. Williams. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Methods of forming printable integrated circuit devices and devices formed thereby

Номер патента: US09443883B2. Автор: Joseph Carr,Etienne Menard,Matthew Meitl,Christopher Bower. Владелец: Semprius Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Method of obtaining aryl ethers

Номер патента: RU2330012C2. Автор: Матеуш ЦЕБУЛА,Кевин Эдвард ХЕНЕГАР. Владелец: Фармация Энд Апджон Компани Ллс. Дата публикации: 2008-07-27.

Integrated circuit packaging system with dual side connection and method of manufacture thereof

Номер патента: US8421210B2. Автор: HeeJo Chi,Junwoo Myung,Soo Jung Park. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-04-16.

Integrated circuit and electronic circuit comprising the same

Номер патента: US11081439B2. Автор: Kentaro Watanabe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-08-03.

Integrated circuit and electronic circuit comprising the same

Номер патента: US20200168539A1. Автор: Kentaro Watanabe. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Electronic apparatus and method for assembling thereof

Номер патента: US20170290183A1. Автор: Po-Sheng Lee,Yu-Jan LIN. Владелец: Chicony Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Protection of an integrated circuit against electrostatic discharges

Номер патента: US20240170960A1. Автор: Francois Tailliet. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor circuits and devices on germanium substrates

Номер патента: US20020168809A1. Автор: Moran Haddad,Dimitri Krut,Nasser Karam,Karim Boutros. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2002-11-14.

Electronic apparatus and method for assembling thereof

Номер патента: US9795047B1. Автор: Po-Sheng Lee,Yu-Jan LIN. Владелец: Chicony Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of packaging integrated circuits

Номер патента: US09806056B2. Автор: Dominic Maier,Ulrich Wachter,Thomas Kilger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-10-31.

Integrated circuit having a staggered fishbone power network

Номер патента: US09799602B2. Автор: Wen-Hao Chen,Yuan-Te Hou,Kuang-Hung Chang,Kumar Lalgudi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Electronic apparatus and method for assembling thereof

Номер патента: US09795047B1. Автор: Po-Sheng Lee,Yu-Jan LIN. Владелец: Chicony Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Stacked structure of integrated circuits

Номер патента: US20060006549A1. Автор: Potter Chien. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor structure and method for forming thereof

Номер патента: US11854969B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Level shifters and integrated circuits thereof

Номер патента: US20130181741A1. Автор: Bo-Ting Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-07-18.

Field effect transistor (fet) with self-aligned contacts, integrated circuit (ic) chip and method of manufacture

Номер патента: US20160035743A1. Автор: Szu-Lin Cheng,Isaac Lauer,Jack O. Chu,Jeng-Bang Yau. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor structure and method for forming thereof

Номер патента: US20220367351A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Method of reducing charging damage to integrated circuits during semiconductor manufacturing

Номер патента: US20060270161A1. Автор: Ko-Ting Chen,Wen-Bin Lu,Chao-Hu Liang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-30.

A method of manufacturing an organic light emitting diode display device

Номер патента: US20130295816A1. Автор: Woo-Suk Jung,Duk-Jin Lee,Noh-Min Kwak,Sang-Hun Park,Kyu-Ho Jung. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-11-07.

Buried metal track and methods forming same

Номер патента: US12125850B2. Автор: Ru-Gun Liu,Chih-Ming Lai,Yu-Jung Chang,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Ting-Wei Chiang,Shih-Ming Chang,Yi-Hsiung Lin,Jung-Chan YANG,Ya-Chi CHOU,Yu-Xuan Huang,Pochun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Method for designing an electronic integrated circuit with optical inputs and outputs

Номер патента: US5605856A. Автор: James A. Walker,David A. B. Miller,Ashok V. Krishnamoorthy,Keith W. Goosen,Fouad E. Kiamilev. Владелец: University of North Carolina System. Дата публикации: 1997-02-25.

Integrated circuit with bottom dielectric insulators and fin sidewall spacers for reducing source/drain leakage currents

Номер патента: US20230420513A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Zhi-Chang Lin,Jung-Hung CHANG,Shih-Cheng Chen,Tsung-Han CHUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method of fabricating conductive straps to interconnect contacts to corresponding digit lines by employing an angled sidewall implant and semiconductor devices fabricated thereby

Номер патента: US20010028092A1. Автор: Shubneesh Batra,Tyler Lowrey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-11.

Method of manufacturing semiconductor package

Номер патента: US20200135673A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Jyun-Siang Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09899275B2. Автор: Kenzo Naito. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Method of assembling semiconductor devices of varying thicknesses

Номер патента: US09812339B1. Автор: Pitak Seantumpol,Pimpa Boonyatee,Paradee Jitrungruang. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2017-11-07.

Electrically conductive coating materials, electrically conductive coating systems, and methods including the same

Номер патента: US09793024B2. Автор: David L. Hammon,Russell Patrick Mott,Andrew Paul Nowak,Oleg Efimov. Владелец: Boeing Co. Дата публикации: 2017-10-17.

High frequency power amplifier, high frequency front-end circuit, and radio communication device

Номер патента: US09787334B2. Автор: Shinya HITOMI,Takaya Wada,Hisao Hayafuji,Hidenori OBIYA. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

3d integration structure and method using bonded metal planes

Номер патента: US20100289144A1. Автор: Mukta G. Farooq,Subramanian S. Lyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-11-18.

Integrated device comprising flexible connector between integrated circuit (IC) packages

Номер патента: US9633950B1. Автор: Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-04-25.

Integrated device comprising flexible connector between integrated circuit (ic) packages

Номер патента: WO2017139285A1. Автор: Dong Wook Kim,Jae Sik Lee,Hong Bok We. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-08-17.

Die Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20240079364A1. Автор: Sung-Feng Yeh,Chia-Hao Hsu,Kuo-Chiang Ting,Jian-Wei Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Semiconductor package and methods of manufacturing

Номер патента: US20230395443A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Yu-Sheng Lin,Po-Chen LAI,Li-Ling Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated circuit packaging system with chip stacking and method of manufacture thereof

Номер патента: US20130075915A1. Автор: Daesik Choi,YoungJoon Kim,DaeSup Kim. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2013-03-28.

Mechanisms for forming radio frequency (rf) area of integrated circuit structure

Номер патента: US20150115381A1. Автор: Chung-Long Chang,Chun-Hung Chen,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Keng-Yu CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-04-30.

Semiconductor substrate, semiconductor wafer, and method for manufacturing semiconductor wafer

Номер патента: EP4383315A1. Автор: Kohei Sasaki,Chia-hung Lin. Владелец: Novel Crystal Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-12.

Wiring board and manufacturing method of the wiring board

Номер патента: US12028972B2. Автор: Hiroshi Mawatari,Hiroki Furushou,Atsuko Chigira,Toshio SASAO. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Sloped finFET with methods of forming same

Номер патента: US10629703B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-21.

Integrated circuit with an embedded inductor or transformer

Номер патента: US20200365532A1. Автор: Rajarshi Mukhopadhyay,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor substrate, method of fabricating the same, method of fabricating semiconductor device, and method of fabricating image sensor

Номер патента: US20110193189A1. Автор: Joon-Young Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-08-11.

Semiconductor substrate, method of fabricating the same, method of fabricating semiconductor device, and method of fabricating image sensor

Номер патента: US8525236B2. Автор: Joon-Young Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US5698891A. Автор: Hiroshi Tomita,Kikuo Yamabe,Mami Saito. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Sloped finfet with methods of forming same

Номер патента: US20180158924A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Sloped finfet with methods of forming same

Номер патента: US20180138286A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Sloped finFET with methods of forming same

Номер патента: US09985112B2. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor devices including a support for an electrode and methods of forming semiconductor devices including a support for an electrode

Номер патента: US09647056B2. Автор: Jaehong Park,Je-woo Han,Gyungjin Min,Junho Yoon,Yongmoon Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit with cavity-based electrical insulation of a photodiode

Номер патента: US09536918B2. Автор: Thoralf Kautzsch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor Integrated Circuit Outputting Detection Signal Based on Detection Result of a Detecting Device and Electronic Device Including the Same

Номер патента: US20080030258A1. Автор: Kunihiro Komiya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2008-02-07.

Case of powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit

Номер патента: RU2659304C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Михаил Сергеевич Попов,Михаил Миронович Крымко,Андрей Анатольевич Пронин,Вадим Владимирович Груздов,Александр Дмитриевич Першин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-29.

Integrated circuit including a FET device and Schottky diode

Номер патента: US5665993A. Автор: Rajiv R. Shah,Stephen A. Keller. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-09-09.

Semiconductor package and methods of manufacturing

Номер патента: US20230361045A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Meng-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Systems and methods for transcatheter treatment of valve regurgitation

Номер патента: CA2934182C. Автор: Michael D. Lesh,Alexander K. Khairkhahan,Alan R. Klenk. Владелец: Polares Medical Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240266227A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Jian-Hsuan Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated assemblies having thicker semiconductor material along one region of a conductive structure than along another region, and methods of forming integrated assemblies

Номер патента: US10756111B2. Автор: Kunal R. Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-08-25.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Integrated circuit assemblies having metal foam structures

Номер патента: US11721607B2. Автор: Je-Young Chang,Aastha Uppal. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Power detector for digital integrated circuits

Номер патента: US20020145455A1. Автор: Kai Wang. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2002-10-10.

Exhaust Emission Control Device for Internal Combustion Engine, Method of Controlling the Exhaust Emission Control Device, and Engine Control Unit

Номер патента: US20090084087A1. Автор: Isao Kaneko,Akira Odajima,Akio Yamanaka,Toshiyuki Kabashima. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2009-04-02.

Semiconductor processing apparatus and method of manufacturing semiconductor device using semiconductor processing apparatus

Номер патента: US20240282604A1. Автор: SunWoo PARK,Seungdon Lee,Hyunjin Lee,Minwoo Rhee,Kyeongbin LIM,Bumki Moon,Sujie Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Silicon-containing negative electrode active material, method of preparing silicon-containing negative electrode active material, negative electrode including silicon-containing negative electrode active material, and secondary battery including negative electrode

Номер патента: US20240356017A1. Автор: Yong Ju Lee,Hyun Min Jun,Dong Hyuk Kim. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Integrated circuit packages with detachable interconnect structures

Номер патента: US09893034B2. Автор: Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09837545B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

UPS electricity supply control circuit and UPS electricity supply

Номер патента: US09570930B2. Автор: Tong NI. Владелец: Emerson Netwrok Power Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Systems and methods for treating medical conditions by stimulation of medial thalamic region

Номер патента: US09539425B2. Автор: Ali Rezai,Nicholas Schiff,Andre Machado,Scott Kokones,Sierra Farris. Владелец: Intelect Medical Inc. Дата публикации: 2017-01-10.

Thin film solar module and method for production of the same

Номер патента: US09425339B2. Автор: Frank Becker,Michael Bauer,Jochen Fritsche,Matthias Huchel. Владелец: CALYXO GMBH. Дата публикации: 2016-08-23.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09287407B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Specialized integrated circuit for aerosol delivery device

Номер патента: RU2711465C9. Автор: Родни Оуэн УИЛЬЯМС,Реймонд Чарльз Мл. ГЕНРИ,Уилсон Кристофер ЛЭМБ,Фредерик Филипп ЭМПОЛИНИ. Владелец: РАИ СТРЕТЕДЖИК ХОЛДИНГС, ИНК.. Дата публикации: 2020-11-24.

Method of manufacturing a known good die utilizing a substrate

Номер патента: US6103553A. Автор: Kyei Chan Park. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2000-08-15.

Apparatus and method for heating a gun barrel bore

Номер патента: US4006337A. Автор: John H. Maxim. Владелец: Park Ohio Industries Inc. Дата публикации: 1977-02-01.

Stacked high density interconnected integrated circuit system

Номер патента: US5481134A. Автор: Mohi Sobhani,John M. Brauninger. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1996-01-02.

Method for forming stacked metal contact in electrical communication with aluminum wiring in semiconductor wafer of integrated circuit

Номер патента: US9331033B1. Автор: Chi-Chou Lin,Zheng-Ping HE. Владелец: Sunasic Technologies Inc. Дата публикации: 2016-05-03.

Integrated circuit lead frame with improved power dissipation

Номер патента: CA1200619A. Автор: William S. Phy. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1986-02-11.

Integrated circuit having a staggered fishbone power network

Номер патента: US20170194252A1. Автор: Wen-Hao Chen,Yuan-Te Hou,Kuang-Hung Chang,Kumar Lalgudi. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Structure and method of integrated circuit having decouple capacitance

Номер патента: US11756959B2. Автор: Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chun-Fu CHENG,Yu-Xuan Huang,Chung-Wei Wu,Wei Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Process for optically erasing charge buildup during fabrication of an integrated circuit

Номер патента: US20030104644A1. Автор: Ivan Berry,Kevin Stewart,Alan Janos,Anthony Sinnot. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Process for optically erasing charge buildup during fabrication of an integrated circuit

Номер патента: US20030180976A1. Автор: Ivan Berry,Kevin Stewart,Robert Mohondro,Alan Janos,Anthony Sinnot. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2003-09-25.

Process for optically erasing charge buildup during fabrication of an integrated circuit

Номер патента: US6803319B2. Автор: Ivan Berry,Kevin Stewart,Alan C. Janos,Anthony Sinnot,Robert Douglas Mohondro. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2004-10-12.

Process for optically erasing charge buildup during fabrication of an integrated circuit

Номер патента: EP1451868A2. Автор: Ivan Berry,Kevin Stewart,Alan Janos,Anthony Sinnott. Владелец: Axcelis Technologies Inc. Дата публикации: 2004-09-01.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor package and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200111760A1. Автор: Ching-Han Huang,Yu-Che Huang,An-Nong Wen,Po-Ming Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12040385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Conductive feature of a semiconductor device and method of forming same

Номер патента: US11996324B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Chun-Neng LIN,Yu-Shih Wang,U-Ting Chiu,Po-Nan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Packaging integrated circuits

Номер патента: EP1854143A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-11-14.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor substrate, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US7326603B2. Автор: Kei Kanemoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-02-05.

Semiconductor device structure and methods of forming the same

Номер патента: US20240266424A1. Автор: Hsu Ming Hsiao,Hsiu-Hao Tsao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

System and method for compensating for non-linear behavior for an acoustic transducer based on magnetic flux

Номер патента: EP3734994A1. Автор: John Barry French. Владелец: Harman International Industries Inc. Дата публикации: 2020-11-04.

Battery management system, method of battery management and wireless communication device for battery management systems

Номер патента: US20240178463A1. Автор: Manamohan D. Mysore,Victor Zhodzishsky,Sang Je Lee,Joon Ha Park,Haram KIM. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Apparatus and method for contactless transportation of a carrier

Номер патента: WO2024129278A1. Автор: Thorsten Meiss,Alexander Sendobry. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-06-20.

Integrated circuit package with improved electro-static discharge protection

Номер патента: US20050242415A1. Автор: Robert Abraham. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-11-03.

Semiconductor package including cap layer and dam structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11133278B2. Автор: Ching-Han Huang,Yu-Che Huang,An-Nong Wen,Po-Ming Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Structure of tag integrated circuit flexible board

Номер патента: US7705461B2. Автор: Pei-Choa Wang. Владелец: Pyroswift Holding Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-27.

Packaging integrated circuits

Номер патента: WO2006092725A1. Автор: Jian Chen. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2006-09-08.

Structure of tag integrated circuit flexible board

Номер патента: US20080310129A1. Автор: Pei-Choa Wang. Владелец: Pyroswift Holding Co Ltd. Дата публикации: 2008-12-18.

Apparatus and method for contactless transportation of a carrier

Номер патента: US20240204697A1. Автор: Thorsten Meiss,Alexander Sendobry. Владелец: Mecatronix GmbH. Дата публикации: 2024-06-20.

Apparatus and method for contactless transportation of a carrier

Номер патента: US20240204696A1. Автор: Thorsten Meiss,Alexander Sendobry. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Device, system, and method with an adaptive leaflet

Номер патента: US20240366379A1. Автор: Alexander K. Khairkhahan,Roberto de Filippo. Владелец: Polares Medical Inc. Дата публикации: 2024-11-07.

Device, system, and method with an adaptive leaflet

Номер патента: WO2024229113A1. Автор: Alexander K. Khairkhahan,Roberto de Filippo. Владелец: Polares Medical Inc.. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuit package with embedded passive structures

Номер патента: US09673173B1. Автор: Zhe Li,Yuanlin Xie. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Device, system, and method for transcatheter treatment of valve regurgitation

Номер патента: US09592118B2. Автор: Michael D. Lesh,Alex Khairkhahan. Владелец: MIDDLE PEAK MEDICAL Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

System and method for enabling maximum performance operation within an extended ambient temperature range

Номер патента: US09432033B2. Автор: Jaideep Dastidar. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Dual band RFID device and method of formulation

Номер патента: US8917214B2. Автор: Ian J. Forster. Владелец: Avery Dennison Corp. Дата публикации: 2014-12-23.

Integrated circuit, cable assembly including the same, and operating method of the integrated circuit

Номер патента: KR102413931B1. Автор: 김제국,유진혁,천유소. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2022-06-29.

Memory card systems comprising flexible integrated circuit element packages, and methods for manufacturing said memory card systems

Номер патента: US9572247B2. Автор: Ju-Hyung Kim,Jae-Sung Lim. Владелец: Hana Micron Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device, method for manufacturing the semiconductor device, and integrated circuit including the semiconductor device

Номер патента: US20050199951A1. Автор: Akira Shimizu,Takaaki Negoro. Владелец: Takaaki Negoro. Дата публикации: 2005-09-15.

Integrated circuit contact structure having gate electrode protection for self-aligned contacts with zero enclosure

Номер патента: US6057604A. Автор: Loi N. Nguyen. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2000-05-02.

Apparatus and method for flat circuit assembly

Номер патента: US5729053A. Автор: Kurt Orthmann. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1998-03-17.

Methods for forming integrated circuit isolation layers using oxygen diffusing layers

Номер патента: US5814551A. Автор: Sung-Han Lee,Jae-kyung Lee,Chan-Sik Park,Kyung-hwan Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1998-09-29.

Method of fabricating integrated circuits, providing improved so-called 'saw bow' conductive tracks

Номер патента: WO2002009153A2. Автор: Josef Preishuber-Pfluegl,Ewald Bergler,Reinhard Fetzer,Klepzig Haiko. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-01-31.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230117072A1. Автор: Namhoon Kim,Chajea JO,Hyoeun Kim,Seunghoon Yeon,Ohguk KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-04-20.

Method for forming a memory integrated circuit

Номер патента: US6617211B1. Автор: Takayuki Niuya. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2003-09-09.

Integrated Circuit Package and Method

Номер патента: US20210151408A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Wei Ling Chang,Chieh-Yen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Method of fabricating integrated circuits, providing improved so-called "saw bow" conductive tracks

Номер патента: EP1360724A2. Автор: Josef Preishuber-Pfluegl,Ewald Bergler,Reinhard Fetzer,Klepzig Haiko. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-11-12.

Method of fabricating integrated circuits, providing improved so-called saw bows

Номер патента: US20020016033A1. Автор: Josef Preishuber-Pfluegl,Ewald Bergler,Reinhard Fetzer,Haiko Klepzig. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Method of fabricating integrated circuits, providing improved so-called 'saw bow' conductive tracks

Номер патента: WO2002009153A3. Автор: Josef Preishuber-Pfluegl,Ewald Bergler,Reinhard Fetzer,Klepzig Haiko. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-09-04.

Integrated circuit comprising a capacitive transistor

Номер патента: US20240186318A1. Автор: Christian Rivero,Brice Arrazat,Joel Metz. Владелец: STMICROELECTRONICS ROUSSET SAS. Дата публикации: 2024-06-06.

Pixel circuit and drive method thereof, and detector

Номер патента: US20190238778A1. Автор: Xiaohui Liu,Liye Duan,Kui Liang,Yongming SHI,Chunqian ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-01.

Pixel circuit and drive method thereof, and detector

Номер патента: US20200260040A9. Автор: Xiaohui Liu,Liye Duan,Kui Liang,Yongming SHI,Chunqian ZHANG. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-13.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20210407890A1. Автор: Namhoon Kim,Chajea JO,Hyoeun Kim,Seunghoon Yeon,Ohguk KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-12-30.

Integrated circuit device and semiconductor package including the same

Номер патента: US11887913B2. Автор: Namhoon Kim,Chajea JO,Hyoeun Kim,Seunghoon Yeon,Ohguk KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-30.

Integrated circuit device with radio frequency (RF) switches and controller

Номер патента: US9589884B2. Автор: Herb He Huang,Clifford Ian Drowley. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Thin semiconductor device packages and methods of manufacture

Номер патента: US20160284628A1. Автор: Maria Cristina Estacio,Margie Rios,Aira Lourdes VILLAMOR,Armand Vincent Jereza. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US7541245B2. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-06-02.

Method of obtaining and using tunneling information for packets in a computer network

Номер патента: WO2023164314A3. Автор: Haoyu Song,Iii Donald E. Eastlake. Владелец: Futurewei Technologies, Inc.. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit formed with microphone transducer

Номер патента: WO2011081998A2. Автор: Marie Denison,Wei-Yan Shih,Brian E. Goodlin,Lance W. Barron. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2011-07-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20030034550A1. Автор: Goro Nakatani. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-02-20.

Method of removing harmful substances

Номер патента: US20100291661A1. Автор: Yoshinori Kubota. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-11-18.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP1552559A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2005-07-13.

Integrated circuit incorporating flip chip and wire bonding

Номер патента: US20050073054A1. Автор: Michael Kelly,Ravindhar Kaw. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-04-07.

Semiconductor Device and Method of Using Partial Wafer Singulation for Improved Wafer Level Embedded System in Package

Номер патента: US20140264817A1. Автор: Daesik Choi,KyungHoon Lee,SangMi Park,KyoungIl Huh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2014-09-18.

Wafer holding apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230207375A1. Автор: Kenichi Noguchi,Daishi Morisaki,Kazuki Nakashima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Etchant composition for indium oxide film or silver-containing metal film and method for preparing the same

Номер патента: US20230167360A1. Автор: Jonghee PARK,Sehoon Kim,Wonho Noh,Hyoungsik Kim,Boyeon Lee,Yangryeong Kim,Seokil Jung,Ikjoon Kim,Sangseung Park,Mingyeong Jeong. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Compensation semiconductor component and method of fabricating the semiconductor component

Номер патента: US20020074567A1. Автор: Gerald Deboy,Helmut Strack. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-06-20.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20230230938A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US20210375800A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-12-02.

Semiconductor device and method of manufacturing thereof

Номер патента: WO2004032233A1. Автор: Jozeph P. K. Hoefsmit. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-04-15.

Method for fabricating an integrated circuit device

Номер патента: US12087712B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang,Chu-Chun Chang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Non-volatile storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09929176B2. Автор: Masaru Kito,Masaaki Higuchi,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method of using partial wafer singulation for improved wafer level embedded system in package

Номер патента: US09799590B2. Автор: Daesik Choi,KyungHoon Lee,SangMi Park,KyoungIl Huh. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Nonplanar device with thinned lower body portion and method of fabrication

Номер патента: US09741809B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Thomas A. Letson. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method of bonding semiconductor die to substrate in reconstituted wafer form

Номер патента: US09721921B2. Автор: Lan Hoang,Steve Anderson,HeeJo Chi,Pandi C. Marimuthu,KyungMoon Kim,HunTeak Lee,YoungChul KIM,KooHong Lee,JaeHak Yee. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method of using a standardized carrier to form embedded wafer level chip scale packages

Номер патента: US09721862B2. Автор: Il Kwon Shim,Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Byung Joon Han. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Enhanced channel mobility three-dimensional memory structure and method of making thereof

Номер патента: US09627395B2. Автор: Yanli Zhang,Raghuveer S. Makala,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601664B2. Автор: Tatsuma Saito,Takanobu Akagi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method of forming UBM structure on back surface of TSV semiconductor wafer

Номер патента: US09601462B2. Автор: Won Kyoung Choi,Jae Hun Ku,Chang Beom Yong. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Non-volatile storage device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583504B2. Автор: Masaru Kito,Masaaki Higuchi,Masao Shingu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Packaged semiconductor devices and methods of manufacturing

Номер патента: US09536800B2. Автор: Ahmad R. Ashrafzadeh,Chung-Lin Wu,Maria Cristina Estacio,Adrian Mikolajczak. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method of depositing encapsulant along sides and surface edge of semiconductor die in embedded WLCSP

Номер патента: US09496195B2. Автор: Yaojian Lin,Pandi C. Marimuthu,Heinz-Peter Wirtz,Seung Wook Yoon. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09391027B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-07-12.

Method of fabricating silicon-based carriers

Номер патента: US5196377A. Автор: John J. Wagner,Thomas P. Chojnacki,Delvin D. Eberlein. Владелец: Cray Research LLC. Дата публикации: 1993-03-23.

Integrated circuit/packet switching system

Номер патента: US4569041A. Автор: Takao Takeuchi,Takehiko Yamaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1986-02-04.

Integrated circuit, mobile terminal including the same, and method of controlling mobile terminal

Номер патента: EP2736289A2. Автор: Tah Joon Park,Koon Shik Cho,Jae Goon Aum. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-28.

Static pulsed cross-coupled level shifter and method therefor

Номер патента: US5896045A. Автор: Hector Sanchez,Joshua Siegel,Chai-Chin Chao. Владелец: Individual. Дата публикации: 1999-04-20.

Semiconductor packages and methods for forming the same

Номер патента: US20230361079A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Integrated circuit with an embedded inductor or transformer

Номер патента: US20190057942A1. Автор: Rajarshi Mukhopadhyay,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-02-21.

Apparatus and methods for creating environmentally protective coating for integrated circuit assemblies

Номер патента: US20170047304A1. Автор: Jing Zhang,Joseph Kuczynski,Melissa K. Miller,Heidi D. Williams. Владелец: Lenovo Enterprise Solutions Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Integrated Circuit Having Die Attach Materials with Channels and Process of Implementing the Same

Номер патента: US20210351113A1. Автор: Alexander Komposch,Erwin Cohen,Mitch Flowers. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Systems for providing thermal management to integrated circuits

Номер патента: US11810836B2. Автор: Tiong Khai SOO,Robert Morris Wilcox,Richard Neville Hibbs,Tiffany Doria,Ernest M. Thurlow,Zidong Lin. Владелец: Arista Networks Inc. Дата публикации: 2023-11-07.

Power source device, and method for controlling totem-pole pfc circuit

Номер патента: EP4325707A1. Автор: Ken Chin,Liangyun Kang,Shanglin MO,Yuanjun Liu. Владелец: Huawei Digital Power Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-21.

Semiconductor packages and methods for forming the same

Номер патента: US11749643B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Shin-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit with an embedded inductor or transformer

Номер патента: US11538771B2. Автор: Rajarshi Mukhopadhyay,Barry Jon Male. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Systems in packages including wide-band phased-array antennas and methods of assembling same

Номер патента: US20200168592A1. Автор: Bok Eng Cheah,Jackson Chung Peng Kong,Kooi Chi Ooi,Boon Ping Koh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US11923428B2. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Ying-Liang Chuang,Yu-Chi Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Semiconductor device with silicon-film fins and method of manufacturing the same

Номер патента: US20070090468A1. Автор: Hirohisa Kawasaki,Kazunari Ishimaru. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-04-26.

Integrated electronic circuit including non-linear devices

Номер патента: US20030058024A1. Автор: Maurizio Zuffada,Martin Hassner,Giorgio Betti,Francesco Chrappan Soldavini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-03-27.

Integrated electronic circuit including non-linear inductor devices

Номер патента: US20030058025A1. Автор: Maurizio Zuffada,Martin Hassner,Giorgio Betti,Francesco Chrappan Soldavini. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2003-03-27.

Soi substrate, method of manufacturing the soi substrate, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20120193714A1. Автор: Masao Okihara. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-08-02.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20070075380A1. Автор: Juri Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-04-05.

Epitaxial semiconductor liner for enhancing uniformity of a charged layer in a deep trench and methods of forming the same

Номер патента: US20210391362A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Gate-all-around integrated circuit structures having backside contact with enhanced area relative to epitaxial source

Номер патента: US20230307514A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Joseph D'silva,Leonard P. GULER,Nafees A. Kabir,Shaun MILLS,Makram Abd El Qader. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Epitaxial semiconductor liner for enhancing uniformity of a charged layer in a deep trench and methods of forming the same

Номер патента: US20220328538A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Output level stabilization circuit and cml circuit using the same

Номер патента: US20080218199A1. Автор: Yusuke Matsushima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130234259A1. Автор: Young Ho Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-09-12.

An integrated circuit provided with esd protection means

Номер патента: EP1046193A1. Автор: Hans U. SCHRÖDER. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2000-10-25.

Integrated circuit (IC) structure protection scheme

Номер патента: US12068257B1. Автор: Yun Wu,Myongseob Kim,Henley Liu,Cheang Whang CHANG. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Signal isolator integrated circuit package

Номер патента: EP3682476A1. Автор: Robert A. Briano. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2020-07-22.

Multi-height & multi-width interconnect line metallization for integrated circuit structures

Номер патента: US20240304549A1. Автор: Hui Jae Yoo,Kevin L. Lin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor strips with undercuts and methods for forming the same

Номер патента: US09865708B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chao-Cheng Chen,Chia-Wei Chang,Tai-Chun Huang,Chih-tang Peng,Hao-Ming Lien,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor devices including a conductive pattern contacting a channel pattern and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09859296B2. Автор: Zhiliang Xia,Sung-Min Hwang,Se-Jun Park,Jang-Gn Yun,Ahn-Sik Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Backside illuminated image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09812488B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor light-emitting device and method for forming the same

Номер патента: US09627577B2. Автор: Min-Hsun Hsieh,Chia-Fen Tsai. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device having backside interconnect structure through substrate via and method of forming the same

Номер патента: US09449898B2. Автор: Ku-Feng Yang,Wen-Chih Chiou,Hsin-Yu Chen,Yung-Chi Lin,Tsang-Jiuh Wu,Ming-Tsu Chung,Hong-Ye Shih,Chia-Yin Chen,HsiaoYun Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor strips with undercuts and methods for forming the same

Номер патента: US09443961B2. Автор: Tze-Liang Lee,Chao-Cheng Chen,Chia-Wei Chang,Tai-Chun Huang,Chih-tang Peng,Hao-Ming Lien,Ming-Hua Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Apparatus for dissipating heat from an integrated circuit

Номер патента: US5590026A. Автор: James D. Warren,Carl R. Vogt,Charles D. Klooz. Владелец: Borg Warner Automotive Inc. Дата публикации: 1996-12-31.

Integrated circuit having formed therein low contact leakage and low contact resistance integrated circuit device electrode

Номер патента: US6025634A. Автор: Su Ping Teong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2000-02-15.

Method and device for post-processing of encapsulated integrated circuits

Номер патента: WO2023217697A1. Автор: Hubert Wilhelm Petrus CLAASSEN,Frans Joseph DERKSEN,Erik BROUWER. Владелец: Tfa Europe B.V.. Дата публикации: 2023-11-16.

Play mute circuit and method

Номер патента: US20230378923A1. Автор: Jian Wen,Mei Yang,Qiyu Liu,Davide Luigi Brambilla,Shuming Tong,Francesco STILGENBAUER. Владелец: STMicroelectronics Shenzhen R&D Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Secondary battery positive electrode including ferroelectric component and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220149343A1. Автор: Jun Ki Rhee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-05-12.

Device and method for cooling a thermal member in an automobile

Номер патента: US20120129066A1. Автор: Fehd Ben-Aicha,Karim Bencherif. Владелец: RENAULT SAS. Дата публикации: 2012-05-24.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: US11823972B2. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device having a lightly doped semiconductor gate and method for fabricating same

Номер патента: US20110186926A1. Автор: Akira Ito,Xiangdong Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Electronic device and method for transmitting UWB signal in electronic device

Номер патента: US11956007B2. Автор: Namjun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Quad state logic design methods, circuits, and systems

Номер патента: US20030034802A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-20.

Electronic device, and method for transmitting uwb signal in electronic device

Номер патента: EP4362340A1. Автор: Namjun Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069601A1. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Memory devices having vertical transistors and methods for forming the same

Номер патента: US20230069096A1. Автор: WEI Liu,Simon Shi-ning Yang,Hongbin Zhu,Wenyu HUA. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor package fixture and methods of manufacturing

Номер патента: US20240096732A1. Автор: Ying-Ching Shih,Chih-hao Chen,Li-Hui Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices using jumping drops vapor chambers

Номер патента: US20190393193A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Antenna-on-package integrated circuit device

Номер патента: US12015191B2. Автор: Meysam Moallem. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing bonding sheet

Номер патента: US20060263941A1. Автор: Shinsuke Suzuki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-23.

Method of manufacturing semiconductor device and method of manufacturing bonding sheet

Номер патента: US7709351B2. Автор: Shinsuke Suzuki. Владелец: Oki Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-05-04.

Source/drain spacer with air gap in semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US11837631B2. Автор: Chang-Miao Liu,Ming-Lung Cheng,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Solar cell and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140326303A1. Автор: Satoshi Nakamura,Masato Yoshikawa,Yukiko Yamamoto,Mari Miyano,Kenji Okino,Osamu Shiino. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2014-11-06.

Process for assembling and connecting integrated circuits to circuit units and apparatus for carrying out the process

Номер патента: US4672742A. Автор: Alain Juan. Владелец: ETA Manufacture Horlogere Suisse SA. Дата публикации: 1987-06-16.

Vacuum package fabrication of microelectromechanical system devices with integrated circuit components

Номер патента: WO2001056921A2. Автор: Roland W. Gooch,Thomas R. Schimert. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2001-08-09.

Increased propagation speed across integrated circuits

Номер патента: US6271795B1. Автор: Robert O. Conn,Austin H. Lesea. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2001-08-07.

Method for suppressing parasitic effects in a junction-isolation integrated circuit

Номер патента: US6248616B1. Автор: Giulio Ricotti,Massimo Pozzoni,Giorgio Pedrazzini,Enrico Maria Ravanelli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2001-06-19.

Method for encapsulating an integrated circuit using a removable heatsink support block

Номер патента: US5344795A. Автор: Richard D. Nelson,Michael A. Olla,Thomas P. Dolbear,Seyed H. Hashemi. Владелец: Microelectronics and Computer Technology Corp. Дата публикации: 1994-09-06.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR MODULES AND SEMICONDUCTOR MODULE

Номер патента: US20120001349A1. Автор: Suzuki Yoshikazu,KANEKO Takahisa,HARADA Daisuke,ISHIYAMA Hiroshi. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing printed circuit board having flow preventing dam

Номер патента: US20120000067A1. Автор: CHOI Jin Won,KIM Seung Wan. Владелец: SAMSUNG ELLECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR DRIVING LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002133A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,Hirakata Yoshiharu. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of producing display device, display device, method of producing thin-film transistor substrate, and thin-film transistor substrate

Номер патента: US20120001183A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

OVERVOLTAGE CIRCUIT, AND MOTOR STARTER, OVERLOAD RELAY AND LOW-POWER SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002332A1. Автор: Riley Joseph D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DRIVING METHOD OF LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120001881A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE STRUCTURES AND METHOD OF FABRICATING SAME

Номер патента: US20120001266A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY SYSTEM, MEMORY TEST SYSTEM AND METHOD OF TESTING MEMORY SYSTEM AND MEMORY TEST SYSTEM

Номер патента: US20120002495A1. Автор: SUH Sung-Dong,HA Kyoung-Ho,Song Ki-Jae,KIM Seong-gu,JOE In-sung,Cho Soo-Haeng,Kim Yeoung-kum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS AND METHOD FOR SHIFT INVARIANT DIFFERENTIAL (SID) IMAGE DATA INTERPOLATION IN FULLY POPULATED SHIFT INVARIANT MATRIX

Номер патента: US20120002874A1. Автор: Dosluoglu Taner. Владелец: YOULIZA, GEHTS B.V. LIMITED LIABILITY COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Номер патента: RU2556271C1. Автор: Юрий Михайлович Богданов,Константин Владимирович Дудинов,Александр Михайлович Темнов. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-07-10.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor chip, semiconductor integrated circuit including the semiconductor chip, semiconductor system including the semiconductor integrated circuit and method of driving the semiconductor system

Вам могут быть интересны следующие патенты

Главная

Проекты и услуги

Контакты