Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20210074609A1
Опубликовано: 11-03-2021
Автор(ы): Isao Ozawa
Принадлежит: Toshiba Memory Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US7919837B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-04-05.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US10366942B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20190295928A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US8970019B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-03.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20150155225A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11424176B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-23.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20110133323A1. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-06-09.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US20220044987A9. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2022-02-10.

Semiconductor device with sealed semiconductor chip

Номер патента: US11854946B2. Автор: Isao Ozawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20030062620A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor device and method for assembling the same

Номер патента: US20020024125A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-02-28.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US5757080A. Автор: Yoshiki Sota. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Compact semiconductor device capable of mounting a plurality of semiconductor chips with high density and method of manufacturing the same

Номер патента: KR100511728B1. Автор: 다고마사모또. Владелец: 닛뽕덴끼 가부시끼가이샤. Дата публикации: 2005-08-31.

Semiconductor device having two-phase cooling structure

Номер патента: US20240203821A1. Автор: Seogwoo Hong,Sungchan Kang,Daehyuk SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with an improved lead-chip adhesion structure and lead frame to be used therefor

Номер патента: CA2240589C. Автор: Michihiko Ichinose. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2002-02-05.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And semiconductor device using noble metal-coated silver wire for ball bonding and method for Producing The Same

Номер патента: MY195984A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-02-27.

Semiconductor device having a flat jumper lead

Номер патента: US5389817A. Автор: Tsutomu Imamura,Isao Baba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1995-02-14.

Lead frame, method of manufacturing lead frame, semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US5977615A. Автор: Yukio Yamaguchi,Toru Nomura,Masanori Minamio,Akira Oga. Владелец: Matsushita Electronics Corp. Дата публикации: 1999-11-02.

Semiconductor device with 2-phase cooling structure

Номер патента: US20240321680A1. Автор: Seogwoo Hong,Sungchan Kang,Daehyuk SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20140167280A1. Автор: Chang Il Kim,Seon Kwang Jeon,Sung Soo RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2014-06-19.

Semiconductor device including an encapsulation material defining notches

Номер патента: US20180190557A1. Автор: Upendra Balehithlu Manjappaiah,Kok Kiat Koo,Khai Seen Yong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20040173885A1. Автор: Motonobu Nishimura,Katsuhiko Shishido,Hisakazu Kotani. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2004-09-09.

Semiconductor device package having a semiconductor chip on wiring board connected to plurality of leads including power MOSFETs

Номер патента: US8779575B2. Автор: Minoru Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-07-15.

Semiconductor device including semiconductor chip mounted on lead frame

Номер патента: US20140084437A1. Автор: Tetsuo Fujii,Masao Yamada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Semiconductor Device

Номер патента: US20080290477A1. Автор: Kazuo Hara,Hidetoshi Suzuki,Tomoyuki Sato,Hirofumi Yamaguchi,Shuichi Muramatsu,Motoki Yamazaki,Masaki Asari. Владелец: Kokusan Denki Co Ltd. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device and a memory system including a plurality of IC chips in a common package

Номер патента: US20050184380A1. Автор: Yasushi Takahashi,Hirotaka Nishizawa,Toshio Sugano,Masachika Masuda,Tamaki Wada,Michiaki Sugiyama,Masayasu Kawamura,Kazuki Sakuma. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-08-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234261A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20220399253A1. Автор: Kenpei NAKAMURA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20070145570A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Fujio Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-06-28.

Semiconductor device

Номер патента: GB9911965D0. Автор: . Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1999-07-21.

Semiconductor device having leadless package structure

Номер патента: US20030102542A1. Автор: Yutaka Ueno. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-06-05.

Semiconductor device including spacer element

Номер патента: US20100230798A1. Автор: Joachim Mahler,Ivan Nikitin,Thomas Behrens. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-09-16.

A method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4379788A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230411239A1. Автор: Yuichi Sano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230154882A1. Автор: Ryotaro Tsuruoka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Semiconductor device with galvanically isolated semiconductor chips

Номер патента: US20220384319A1. Автор: Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-12-01.

Semiconductor device with galvanically isolated semiconductor chips

Номер патента: US11837531B2. Автор: Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US11855013B2. Автор: Seongho Shin,Se-Ho YOU,Bangweon Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20200350236A1. Автор: Atsushi Kyutoku,Soichiro UMEDA. Владелец: Shindengen Electric Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: NL2023711A. Автор: UMEDA Soichiro,KYUTOKU Atsushi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2020-07-08.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: NL2023711B1. Автор: UMEDA Soichiro,KYUTOKU Atsushi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2020-08-27.

Sealed semiconductor device and lead frame used for the same

Номер патента: US20020070431A1. Автор: Yoshihiro Hirata,Kazuyuki Misumi,Kazunari Michii. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Semiconductor device, method of manufacturing a semiconductor device, and positioning jig

Номер патента: US09991242B2. Автор: Kenichiro Sato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321813A1. Автор: Hiroaki Yamashita,Hisao Ichijo,Syotaro Ono. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Stack-type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100255637A1. Автор: Katsuhiro Ishida,Ryoji Matsushima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-10-07.

Resin mold semiconductor device

Номер патента: US20030047815A1. Автор: Yasuo Yamaguchi,Makoto Nakanishi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859194B2. Автор: Akihiro Kimura,Tsunemori Yamaguchi. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-01-02.

Lead frame, semiconductor device, and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20080224280A1. Автор: Naoto Kimura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-09-18.

Leadframes for improved moisture reliability and enhanced solderability of semiconductor devices

Номер патента: US20070120233A1. Автор: John Tellkamp. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-05-31.

Semiconductor device and production method therefor

Номер патента: US09837373B2. Автор: Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Conductive hardening resin for a semiconductor device and semiconductor device using the same

Номер патента: US20030214032A1. Автор: Akira Fukuizumi,Kazuto Oonami. Владелец: Sumitomo Bakelite Co Ltd. Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor device having multiple contact clips

Номер патента: US09837380B2. Автор: Theng Chao Long,Tian San Tan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-12-05.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20110183473A1. Автор: Naoto Kimura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20210225743A1. Автор: Takahiko Murakami,Ryoji MURAI,Naohiro Oogushi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-07-22.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20010016371A1. Автор: Atsushi Nakamura,Kunihiro Tsubosaki,Masachika Masuda,Akihiko Iwaya,Chikako Imura,Toshihiro Shiotsuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312875A1. Автор: Kazuki Matsuo,Masaru Izumisawa,Rie ARIMA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Packaged semiconductor device with interior polygonal pads

Номер патента: EP2881984A3. Автор: Roelf Anco Jacob Groenhuis,Kan Wae Lam,Fei-ying WONG,Clifford John Lloyd,Chi Hoo Wan. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2015-07-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20220059495A1. Автор: Taizo Tatsumi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device

Номер патента: EP4246572A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20230298976A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20080067647A1. Автор: Koichi Fukuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2008-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US12062595B2. Автор: Shunsuke MORIMOTO. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US9070659B2. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20180130725A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20170162485A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-06-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20150255369A1. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09905499B2. Автор: Mamoru Yamagami,Shoji Yasunaga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device with good thermal behavior

Номер патента: US5982028A. Автор: Heinz Pape,Frank Hubrich. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1999-11-09.

Semiconductor device

Номер патента: EP1347514A3. Автор: Koichi Hirata,Osamu Isaki,Toshikazu Hirai,Tetsuro Asano,Tsutomu Aono. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-10-19.

Semiconductor device with leadframe configured to facilitate reduced burr formation

Номер патента: US09704725B1. Автор: Hyun Jun Kim,Hong Bae Kim,Hyung Kook Chung. Владелец: Amkor Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device, a mobile communication device, and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US8890334B2. Автор: Toru Narita,Joichi Saito,Teruhito Takeuchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor packaging device comprising a semiconductor chip including a MOSFET

Номер патента: US7586180B2. Автор: Hiroshi Sato,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-09-08.

Semiconductor device

Номер патента: US11476197B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2022-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20240087969A1. Автор: Shinya Ozawa,Masaru Izumisawa,Shunsuke Kamiya,Shuji Eguma. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20030085458A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Takashi Yui,Yoshinobu Kunitomo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20030085457A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Takashi Yui,Yoshinobu Kunitomo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20030089972A1. Автор: Hiroaki Fujimoto,Takashi Yui,Yoshinobu Kunitomo. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09972555B2. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Resin-encapsulated semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US09991213B2. Автор: Shoji Yasunaga,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US9711481B2. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US20150155253A1. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-06-04.

Semiconductor device and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US8963304B2. Автор: Yasufumi Matsuoka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2015-02-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09887150B2. Автор: Akihiro Koga,Taro Nishioka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09793195B1. Автор: Akihiro Koga,Taro Nishioka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-17.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US9305870B2. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-04-05.

Power semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20150249045A1. Автор: Jun Lu,Hamza Yilmaz,Yueh-Se Ho,Yan Xun Xue. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20180012847A1. Автор: Kenji Onoda,Syoichirou Oomae. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2018-01-11.

Semiconductor package, method for fabricating the same, and semiconductor device

Номер патента: US7402898B2. Автор: Katsutoshi Shimizu,Tatsuya Hirano,Hisaho Inao. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-07-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09806035B2. Автор: Yoshiharu Shimizu,Tadatoshi Danno,Hiroyoshi Taya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20200395303A1. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2020-12-17.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150104904A1. Автор: Eiji Osugi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US8922015B2. Автор: Eiji Osugi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-30.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180033709A1. Автор: Soshi KURODA,Tatsuya Kobayashi,Takanori Aoki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device having spherical terminals attached to the lead frame embedded within the package body

Номер патента: US5293072A. Автор: Tsuyoshi Aoki,Kazuto Tsuji,Junichi Kasai,Tetsuya Hiraoka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1994-03-08.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240079491A1. Автор: Hiroshi Kono,Takahiro Ogata,Teruyuki Ohashi,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Leadframe of semiconductor device

Номер патента: MY138096A. Автор: Kazumitsu Seki,Harunobu Sato,Muneaki Kure. Владелец: Shinko Electric Ind Co. Дата публикации: 2009-04-30.

Resin-sealed semiconductor device, manufacturing method thereof, base material for the semiconductor device, and layered and resin-sealed semiconductor device

Номер патента: US20090140411A1. Автор: Koji Tomita,Chikao Ikenaga,Masachika Masuda. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2009-06-04.

Electronic device and power device with a transistor arrangement with semiconductor chips between two substrates and method for their production

Номер патента: DE102014113787B4. Автор: Ralf Otremba,Chooi Mei Chong,Josef Hoeglauer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-12-19.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210098344A1. Автор: Daisuke Murata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device comprising sealing members with different elastic modulus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11362019B2. Автор: Daisuke Murata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20030052394A1. Автор: Namiki Moriga,Yasuhito Suzuki,Akira Takaki,Hiroshi Horibe,Fumiaki Aga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: USRE41826E1. Автор: Hiroyuki Juso,Yoshiki Sota,Hisashige Nishida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Semiconductor chip mounting substrate and semiconductor device using the same

Номер патента: US20020140110A1. Автор: Kazuhiro Yamamoto,Takuya Takahashi,Tadaharu Hashiguchi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-03.

Package-on-package type semiconductor device which is realized through applying not a TSV technology but a fan-out wafer level package technology

Номер патента: US09793217B2. Автор: Sang Eun Lee,Seung Taek Yang. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: EP4379790A1. Автор: Yuji Nishida,Kazutoshi Yokoyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-06-05.

Semiconductor device having function circuits selectively connected to bonding wire

Номер патента: US20090302451A1. Автор: Yoshihisa Matsubara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20020137254A1. Автор: Toshiyuki Fukuda,Hiroaki Fujimoto,Toru Nomura,Masanori Minamio,Ryuichi Sahara. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20180277498A1. Автор: Masato Sugita,Gen Watari. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266274A1. Автор: Noriyoshi SUDA. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20240304526A1. Автор: Youichi Abe,Masato Numazaki,Tatsuaki Tsukuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Leadframe and semiconductor device

Номер патента: US09984958B2. Автор: Shintaro Hayashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09824957B2. Автор: Koshun SAITO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Method of manufacturing resin-encapsulated semiconductor device, and lead frame

Номер патента: US09679835B2. Автор: Shinya Kubota,Masaru Akino. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20070224805A1. Автор: Mitsuru Oota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2007-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20060220231A1. Автор: Mitsuru Oota. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device including a package substrate and a semiconductor chip

Номер патента: US11335571B2. Автор: Akira Matsumoto,Hideaki Tsuchiya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-05-17.

Semiconductor device and manufacturing method

Номер патента: US6022757A. Автор: Mamoru Andoh. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2000-02-08.

Semiconductor device with a semiconductor chip bonded between a first, plate-shaped electrode with a groove and a second electrode

Номер патента: EP4156247A3. Автор: Masato Nakamura,Naoki Takeda,Tomohiro Onda,Hisashi Tanie,Kisho Ashida,Yu Harubeppu. Владелец: Hitachi Power Semiconductor Device Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Power Semiconductor Devices Having Integrated Inductor

Номер патента: US20100197045A1. Автор: Sreenivasan K. Koduri. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-08-05.

Manufacturing method for semiconductor devices

Номер патента: US8017440B2. Автор: Yuichi Machida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20220059428A1. Автор: Daisuke Nakaya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12027438B2. Автор: Daisuke Nakaya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor package having electrode on side surface, and semiconductor device

Номер патента: US20120326293A1. Автор: Hiroyuki Tanaka,Shouichi Kobayashi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-12-27.

Semiconductor Device

Номер патента: US20200294922A1. Автор: Yasuo Otsuka. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20240332238A1. Автор: Guendalina Catalano,Claudio ZAFFERONI,Antonio BELLIZZI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and method of providing chipset

Номер патента: US20240312968A1. Автор: Toshiyuki Hata,Zen Tomizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4439661A1. Автор: Guendalina Catalano,Claudio ZAFFERONI,Antonio BELLIZZI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09905536B2. Автор: Makoto MODA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: US20070257374A1. Автор: Yoshihiro Saeki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-11-08.

Leadframe, semiconductor device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US8164203B2. Автор: Kenji Nishikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-04-24.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20090152697A1. Автор: Kazuo Kudo,Takumi Soba,Hideaki Tamimoto,Toru Ueguri. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Power semiconductor device

Номер патента: US20240297104A1. Автор: Yukimasa Hayashida,Daisuke Oya,Tetsuo Motomiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor devices with double-sided fanout chip packages

Номер патента: US20240363503A1. Автор: LI Sun,Dingyou Zhang. Владелец: Avago Technologies International Sales Pte Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device with inductor

Номер патента: US20080186008A1. Автор: Tomonori Seki,Osamu Hirohashi. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2008-08-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230187308A1. Автор: Koji Tanaka,Koichi Nishi,Norikazu Sakai,Taketoshi Shikano,Shinya SONEDA,Masanori Tsukuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Multichip packaged semiconductor device

Номер патента: US12057377B2. Автор: Hyun Dong Kim. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and an electronic device

Номер патента: US20050029648A1. Автор: Atsushi Nakamura,Hideshi Fukumoto,Motoo Suwa,Yuichi Mabuchi. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2005-02-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09831166B2. Автор: Eiji Hayashi,Kozo Harada,Shinji Baba,Kyo Go. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11804464B2. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20240038643A1. Автор: Ryusuke Kato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240006287A1. Автор: Akira Hirao,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20230178491A1. Автор: Hitoshi Ishii,Masayuki Miura,Yasuo Takemoto. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device, semiconductor device group, and power conversion apparatus

Номер патента: US20230411253A1. Автор: Kiyoshi Arai,Taketoshi Shikano,Shinya SONEDA,Kotaro Nishihara. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device with chips on isolated mount regions

Номер патента: US8759955B2. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-06-24.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US09831204B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING PENETRATING ELECTRODES EACH PENETRATING THROUGH SEMICONDUCTOR CHIP

Номер патента: US20130249085A1. Автор: IDE Akira. Владелец: ELPIDA MEMORY, INC.. Дата публикации: 2013-09-26.

Semiconductor component having group III nitride semiconductor device mounted on substrate and interconnected to lead frame

Номер патента: US09818677B2. Автор: Chun-Li Liu,Ali Salih,Mingjiao Liu,Balaji Padmanabhan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234267A1. Автор: Ryosuke Fukuda,Yuta Kawamoto,Shinya Umeki. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20130187261A1. Автор: Isao Ochiai,Hideyuki Iwamura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US12136589B2. Автор: Taro Nishioka,Tomohira Kikuchi,Yoshizo OSUMI,Tsunehisa Ono. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210125976A1. Автор: Toma TAKAO. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding device

Номер патента: US11901250B2. Автор: Pierangelo Magni,Michele DERAI. Владелец: Stmicroelectron Srl. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20150069634A1. Автор: Masatoshi Fukuda,Hideko Mukaida,Satoshi Tsukiyama,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and method of production of same

Номер патента: US20020041033A1. Автор: Kei Murayama,Mitsutoshi Higashi. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150069594A1. Автор: Hirokazu Kato,Tadatoshi Danno,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-03-12.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160133549A1. Автор: Hirokazu Kato,Tadatoshi Danno,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Semiconductor device including a sealing region

Номер патента: US09852968B2. Автор: Norihiro NASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device comprising a semiconductor chip mounted over a metal plate having an inclined surface

Номер патента: US09831162B2. Автор: Shoji Hashizume. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method, semiconductor device mounting structure and power semiconductor device

Номер патента: US20130062745A1. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-03-14.

Positional relationship among components of semiconductor device

Номер патента: US20200013702A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20150262922A1. Автор: Noriyuki Takahashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-17.

Semiconductor device, semiconductor device manufacturing method and semiconductor device mounting structure

Номер патента: US09892996B2. Автор: Akihiro Kimura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US9824950B2. Автор: Kyohei Fukuda,Tatsuo Nishizawa,Eiji Mochizuki,Yuhei Nishida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20150187671A1. Автор: Kyohei Fukuda,Tatsuo Nishizawa,Eiji Mochizuki,Yuhei Nishida. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20220293485A1. Автор: Shohei Nagai. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2022-09-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12100638B2. Автор: Shohei Nagai. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09847282B2. Автор: Akihiro Koga,Toichi Nagahara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20240234266A1. Автор: Masaharu Yamaji. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and lead frame

Номер патента: US20230238309A1. Автор: Wu Wei,Yang Xiaorui. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and corresponding method of manufacture

Номер патента: US12068276B2. Автор: Giovanni Graziosi,Michele DERAI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-08-20.

Fan-out semiconductor device

Номер патента: US20180350747A1. Автор: Ki Jung SUNG,Jun Oh Hwang,Kwang Yun KIM. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2018-12-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20230090448A1. Автор: Shigeru Harada. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: US8803303B2. Автор: Koichi Kanemoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-08-12.

Semiconductor device

Номер патента: US8637966B2. Автор: Koichi Kanemoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20130154075A1. Автор: Koichi Kanemoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20140103515A1. Автор: Koichi Kanemoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-04-17.

Packaged semiconductor device having an encapsulated semiconductor chip

Номер патента: US09852961B2. Автор: Chong Yee Tong. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US20240055384A1. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-02-15.

A semiconductor device and a method for manufacturing such semiconductor device

Номер патента: EP4362084A1. Автор: Ricardo Yandoc,Antonio Dimaano,Arnel Taduran,Homer Malveda. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-05-01.

Sealing sheet, method for producing semiconductor device, and substrate with sealing sheet

Номер патента: US20160056123A1. Автор: Kosuke Morita,Naohide Takamoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device having a chip mounting portion on which a separated plated layer is disposed

Номер патента: US9478483B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001342A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20130147064A1. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-13.

Internal packaging of a semiconductor device mounted on die pads

Номер патента: US8395364B2. Автор: Yukihiro Sato,Tomoaki Uno. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Manufacturing method for semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190006268A1. Автор: Masatoshi Sugiura,Hiroi Oka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09922905B2. Автор: Hiroi Oka,Yuichi Yato,Keita Takada,Noriko OKUNISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12080692B2. Автор: Hiroyuki Masumoto,Keisuke EGUCHI. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device, semiconductor module and manufacturing method

Номер патента: WO2023138873A1. Автор: Chunlei Liu,Juergen Schuderer,Fabian MOHN,Giovanni SALVATORE. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20020146864A1. Автор: Hiromichi Suzuki,Kunihiko Nishi,Kazunari Suzuki,Yoshinori Miyaki. Владелец: Hitachi ULSI Systems Co Ltd. Дата публикации: 2002-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20130062758A1. Автор: Jun Tanaka,Shogo Watanabe,Koichi Miyashita,Naoto Takebe,Yuichi Sano,Takashi Imoto,Hideo Taguchi,Akira Tanimoto,Katsuhiro Ishida,Yoriyasu Ando,Yasuo Takemoto,Masaji Iwamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-03-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09812388B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060163719A1. Автор: Tetsuya Kaji,Megumi Yamamura,Toshihide Shimmei. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09831212B2. Автор: Kenji Fujii,Mamoru Yamagami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing semiconductor devices having a glass substrate

Номер патента: US20130228905A1. Автор: Carsten Von Koblinski,Gerald Lackner,Markus Ottowitz,Karin Schrettlinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321696A1. Автор: Takeyuki Suzuki,Hideharu Kojima,Riku KATAMAWARI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20200365498A1. Автор: Yasuhiro Ogawa,Takuya Kadoguchi,Takanori Kawashima,Kohji URAMOTO. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2020-11-19.

Wireless bonded semiconductor device and method for packaging the same

Номер патента: US20030095393A1. Автор: Kou-Way Tu,You-Ren Li,Feng-Tso Chien,Jen-Huei Dung. Владелец: Chino Excel Tech Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20220238473A1. Автор: Michele DERAI,Dario Vitello. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device including a clip

Номер патента: US20160358843A1. Автор: Xavier Arokiasamy,Chun Ching Liew. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-12-08.

Semiconductor chip, semiconductor package including the same, and method of fabricating the same

Номер патента: US09911688B2. Автор: Seungmo Kang,Sang-Ki Kim,Yooncheol BANG,Kyo-Seon CHOI. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and wire bonding method

Номер патента: US20210288019A1. Автор: Tsutomu Sano,Kazuya Maruyama. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: WO2019136743A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-07-18.

Wire ball bonding in semiconductor devices

Номер патента: US20190221537A1. Автор: HAN Zhong,CHEN XIONG,Xi Lin Li,Zi Qi Wang,Yong Qiang Tang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-07-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09847280B2. Автор: Motoharu Haga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

A method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4447094A1. Автор: Guendalina Catalano,Antonio BELLIZZI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20090152709A1. Автор: Minoru Shinohara. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor Device

Номер патента: US20110140285A1. Автор: Minoru Shinohara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-16.

Semiconductor device with metal film having openings

Номер патента: US11784167B2. Автор: Kazuki Matsuo,Shunsuke Nitta. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Semiconductor device and an electronic device

Номер патента: US20160155833A1. Автор: Yasuyuki YOSHINAGA,Kenta Sadakata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-06-02.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9899301B2. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180019189A1. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-18.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US9806007B2. Автор: Katsuhito Kamachi,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: US20240332250A1. Автор: Guendalina Catalano,Antonio BELLIZZI. Владелец: STMicroelectronics International NV Switzerland. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09991195B2. Автор: Hiromitsu Takeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device with lead structure on principal surface of chip

Номер патента: US5869888A. Автор: Michio Tanimoto,Masamichi Ishihara,Shunji Koike,Kunihiko Nishi,Kazunari Suzuki,Kunihiro Tsubosaki,Junichi Arita,Masahiro Ichitani,Ryosuke Kimoto,Gen Murakami,Akihiko Iwaya,Ichiro Anjoh,Taisei Jin. Владелец: Hitachi Microcomputer System Ltd. Дата публикации: 1999-02-09.

Method of manufacturing semiconductor devices with a paddle and electrically conductive clip and corresponding semiconductor device

Номер патента: US12033926B2. Автор: Federico Giovanni Ziglioli. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20230065171A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Miyaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09805937B2. Автор: Tomoya KASHIWAZAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09735127B2. Автор: Tadatoshi Danno,Atsushi Nishikizawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240266277A1. Автор: Yoshiaki Aizawa,Katsuhiro TAKAO,Atsushi KUROHA. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and electronic apparatus of a cascode-coupled system

Номер патента: US09960153B2. Автор: Satoru Akiyama,Hiroyoshi Kobayashi,Hisao Inomata,Sei SAITOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240203811A1. Автор: Nobuyuki Kato,Yutaka Tomatsu. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with reduced thermal resistance for improved heat dissipation

Номер патента: US12087672B2. Автор: Daisuke Koike. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09947553B2. Автор: Mamoru Yamagami,Yasuhiro Fuwa. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely

Номер патента: US09812382B2. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and measurement device

Номер патента: US20180006604A1. Автор: Yuichi Yoshida,Kazuya Yamada,Toshihisa Sone,Akihiro Takei,Kengo Takemasa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20190318939A1. Автор: Shoji Hashizume,Keita Takada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-10-17.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170309547A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device and measurement device

Номер патента: US09787250B2. Автор: Yuichi Yoshida,Kazuya Yamada,Toshihisa Sone,Akihiro Takei,Kengo Takemasa. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and lead frame member

Номер патента: NL2025196B1. Автор: UMEDA Soichiro,KYUTOKU Atsushi. Владелец: Shindengen Electric Mfg. Дата публикации: 2020-10-30.

Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device

Номер патента: US12074129B2. Автор: Takukazu Otsuka. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-27.

Method of manufacturing a semiconductor device and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220692A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20190221503A1. Автор: Hidekazu Nakamura,Manabu Yanagihara,Takeshi Kawabata,Tomohiko Nakamura,Katsumi Otani,Yusuke Katagiri. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11189549B2. Автор: Hidekazu Nakamura,Manabu Yanagihara,Takeshi Kawabata,Tomohiko Nakamura,Katsumi Otani,Yusuke Katagiri. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-30.

Ultra-thin semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US9337127B2. Автор: Yan Huo. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2016-05-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20080220568A1. Автор: Hiroshi Sato,Akira Muto,Masahiko Osaka,Hiroyuki Nakamura,Katsuo Arai,Takuya Nakajo,Ichio Shimizu,Hidemasa Kagii,Keiichi Okawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-11.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same and an electronic device

Номер патента: US20020014686A1. Автор: Masachika Masuda,Tamaki Wada,Mikako Kimura,Michiaki Sugiyama,Kouichi Kanemoto. Владелец: HITACHI Ltd AND HITACHI ULSI SYSTEMS CO Ltd. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258208A1. Автор: Hajime Okuda,Adrian JOITA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Ultra-thin semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20150255377A1. Автор: Yan Huo. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2015-09-10.

Ultra-thin semiconductor device and preparation method thereof

Номер патента: US20150325500A1. Автор: Yan - Huo. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device and production method thereof

Номер патента: US20140091447A1. Автор: Hiroshi Yamada,Kazuhiko Itaya,Yutaka Onozuka. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor device with surface mounting terminals

Номер патента: US20080315378A1. Автор: Takeshi Otani,Toshiyuki Hata,Ichio Shimizu. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09887151B2. Автор: Akira Muto,Yukihiro Sato,Ryo Kanda,Takamitsu Kanazawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9018745B2. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12125774B2. Автор: Hisashi Shimura,Yoshiyasu Kuwabara. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Connectable package extender for semiconductor device package

Номер патента: US09892991B2. Автор: Theng Chao Long,Tian San Tan,Ming Kai Benny Goh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20210280537A1. Автор: Daisuke Kimura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20160372441A1. Автор: Hiroshi Kobayashi,Tetsuya Takahashi,Kimio Nakamura,Shuichi Takeuchi,Naoki Ishikawa,Takatoyo Yamakami. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170271249A1. Автор: Yasumasa Kasuya. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20110207263A1. Автор: Mitsuru Watanabe,Tetsuya Fukui. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-08-25.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170236772A1. Автор: Mamoru Yamagami. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210257332A1. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-08-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11502057B2. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-11-15.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US11699692B2. Автор: Takamitsu Noda. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-07-11.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20080105959A1. Автор: Shigeki Tanaka. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US9076777B2. Автор: Yoshiharu Kaneda,Naoko Taniguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20150214137A1. Автор: Jin-Hyung Lee,Gil-Yong Chang,Youn-seung LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09780069B2. Автор: Kenji Fujii,Shingo Yoshida,Akihiro Kimura,Yasumasa Kasuya,Motoharu Haga,Toichi Nagahara. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and interface unit

Номер патента: US20180294208A1. Автор: Motohito Hori,Yuki Inaba,Yoshinari Ikeda,Michihiro Inaba,Tetsuya Sunago. Владелец: Kojin Co Ltd. Дата публикации: 2018-10-11.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20150194368A1. Автор: Akito Shimizu,Sadayuki Moroi,Kenji Nishikawa,Tomoo Imura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-09.

Semiconductor device and an electronic device

Номер патента: US09997620B2. Автор: Akira Muto,Yukihiro Narita,Nobuya Koike,Masaki Kotsuji. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09871036B2. Автор: Yasutaka Nakashiba,Yutaka Akiyama. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device with lead terminals having portions thereof extending obliquely

Номер патента: US8421209B2. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2013-04-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088086A1. Автор: Masatoshi Arai,Kazuki Matsuo,Masaru Izumisawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10998246B2. Автор: Noriaki MINETA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-05-04.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US20230282582A1. Автор: Ju-Il Choi,Dongjoon Oh,Chungsun Lee,Hyunsu Hwang,Gyuho KANG,Seong-Hoon BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240222255A1. Автор: Soonho KWON,In-Suk Kim,Jooyaung EOM,Ki-Myung Yoon,Taekkeun LEE. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Packaged semiconductor devices

Номер патента: US20160111349A1. Автор: Mark A. Gerber. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Packaged semiconductor devices

Номер патента: US09929072B2. Автор: Mark A. Gerber. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230378032A1. Автор: Takehiko Maeda,Masatoshi Sugiura,Yoshitaka Kyougoku,Keita Takada,Kosuke KITAICHI,Hideaki Tamimoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20140217569A1. Автор: Yoshihiro Yamaguchi,Naoki Yoshimatsu,Hidetoshi Ishibashi,Hidehiro Koga. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2014-08-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105562A1. Автор: Toshihiro TSUJIMURA,Taira Tabakoya. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method of manufacturing semiconductor devices and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4016590A1. Автор: Fulvio Vittorio Fontana,Michele DERAI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US11251137B2. Автор: Yoshitaka Kimura,Satoshi Suzuki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2022-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20170077020A1. Автор: Hide MABUCHI,Kazumichi HADA,Keiji Hamoda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20200266154A1. Автор: Yoshitaka Kimura,Satoshi Suzuki. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2020-08-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200043847A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Shinichi Kuwabara,Teruhiro KUWAJIMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-06.

Semiconductor device including semiconductor chips electrically connected via a metal plate

Номер патента: US09953902B2. Автор: Hiroshi Matsuyama,Shigeaki Hayase. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20130127033A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Kenta Ogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20140361422A1. Автор: Masato Numazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20130140714A1. Автор: Masato Numazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-06-06.

Semiconductor device

Номер патента: US9443794B2. Автор: Masato Numazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US8836106B2. Автор: Masato Numazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-09-16.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20130130442A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Kenta Ogawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09966329B2. Автор: Fukumi Shimizu,Haruhiko Harada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

A semiconductor device

Номер патента: EP4350759A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Sönke HABENICHT,Nam Khong Then. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240178107A1. Автор: Tetsuya Yamamoto,Katsuya Sato. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312947A1. Автор: Izuru Komatsu,Hiroyuki Matsuo,Shogo Minami,Tomohiro Iguchi,Tatsuya Hirakawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: EP4432333A2. Автор: Izuru Komatsu,Hiroyuki Matsuo,Shogo Minami,Tomohiro Iguchi,Tatsuya Hirakawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-18.

Selective planishing method for making a semiconductor device

Номер патента: US09972506B2. Автор: Donald C. Abbott. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method of fabricating semiconductor device and encapsulant

Номер патента: US20210111040A1. Автор: Takahiro Tokumiya,Tatsuya Ishimoto. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-04-15.

Manufacturing method of semiconductor device and test socket for use in the same

Номер патента: US20240201223A1. Автор: Toshitsugu Ishii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device, corresponding manufacturing methods and component

Номер патента: US20220173021A1. Автор: Antonio CANNAVACCIUOLO. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2022-06-02.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230197470A1. Автор: Takashi Katsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor device

Номер патента: US12094826B2. Автор: Kentaro Chikamatsu,Hirotaka Otake. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: EP4411815A1. Автор: Yoshito Nakamura,Kanji Ishibashi,Kazushi Miyata,Naomi Fujiwara,Yudai Takamori,Syuho HANASAKA. Владелец: Towa Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Semiconductor device including Schottky barrier diode and power MOSFETs and a manufacturing method of the same

Номер патента: US09793265B2. Автор: Tomoaki Uno,Masaki Shiraishi,Nobuyoshi Matsuura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Compound semiconductor device including a sensing lead

Номер патента: US09952273B2. Автор: Klaus Schiess,Ralf Otremba. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20180342443A1. Автор: Masafumi SUZUHARA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2018-11-29.

Semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20200152555A1. Автор: Masafumi SUZUHARA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10559523B2. Автор: Masafumi SUZUHARA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2020-02-11.

Semiconductor package and a method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US10062638B2. Автор: Masafumi SUZUHARA. Владелец: J Devices Corp. Дата публикации: 2018-08-28.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4451327A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-10-23.

Method of hybrid packaging a lead frame based multi-chip semiconductor device with multiple interconnecting structures

Номер патента: US9425181B2. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-23.

Hybrid Packaged Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20160315039A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-10-27.

Method of Hybrid Packaging a Lead Frame Based Multi-Chip Semiconductor Device with Multiple Interconnecting Structures

Номер патента: US20150236005A1. Автор: Yan Huo,Jun Lu,Hamza Yilmaz,Peter Wilson,Yan Xun Xue,Zhiqiang Niu,Ming-Chen Lu. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296214A1. Автор: Seiichi Kamiyama. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor Device

Номер патента: US20240120250A1. Автор: Hans-Juergen Funke,Sönke HABENICHT,Nam Khong Then. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: EP4383318A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-06-12.

Method of manufacturing semiconductor devices, corresponding substrate and semiconductor device

Номер патента: US20230005825A1. Автор: Mauro Mazzola. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-05.

Resin encapsulated semiconductor device with an electrically insulating support and distortion preventing member

Номер патента: US5471097A. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 1995-11-28.

Semiconductor device with front and back side resin layers having different thermal expansion coefficient and elasticity modulus

Номер патента: US20140070413A1. Автор: Osamu Miyata,Masaki Kasai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2014-03-13.

Semiconductor Device with Metallization Structure on Opposite Sides of a Semiconductor Portion

Номер патента: US20180138120A1. Автор: Martin Poelzl,Paul Ganitzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-17.

Strap bonding machine and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20060016855A1. Автор: Shigeru Tanabe,Kaoru Nakamura,Masataka Namba,Kosuke Tosa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2006-01-26.

Face-to-face semiconductor device with fan-out porch

Номер патента: US12051684B2. Автор: Jong Sik Paek,Yeongbeom Ko. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20070284707A1. Автор: Fumihiko Ooka,Masahiko Sugihara. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-13.

Semiconductor device with plated lead frame, and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09847235B2. Автор: Carsten Von Koblinski,Andre Brockmeier,Ulrike Fastner,Peter Zorn. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and stacked semiconductor device

Номер патента: US20130093083A1. Автор: Mitsuaki Katagiri,Dai Sasaki,Hisashi Tanie. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2013-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12119323B2. Автор: Soichi Homma. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20080073798A1. Автор: Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09831209B2. Автор: Motoo Suwa,Takafumi Betsui. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220285320A1. Автор: Masayuki Miura,Yuichi Sano,Kazuma Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11721672B2. Автор: Masayuki Miura,Yuichi Sano,Kazuma Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-08.

Semiconductor device including semiconductor chips mounted over both surfaces of substrate

Номер патента: US09799611B2. Автор: Koji Hosokawa,Sensho USAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170309589A1. Автор: Gyungock Kim,JiHo JOO,Jaegyu PARK,Jin Hyuk OH,Myungjoon Kwack. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2017-10-26.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20110159644A1. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-06-30.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US20090302469A1. Автор: Naomi Masuda,Masataka Hoshino,Ryota Fukuyama. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2009-12-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20220302083A1. Автор: Soichiro Ibaraki. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US7772697B2. Автор: Kazuhiko Matsumura,Nozomi Shimoishizaka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240284685A1. Автор: Ryoya Hasebe,Tomoki AKIMOTO. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US8637986B2. Автор: Naomi Masuda,Masataka Hoshino,Ryota Fukuyama. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-01-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20220285319A1. Автор: Masayuki Miura,Yuichi Sano,Kazuma Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-09-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20110233794A1. Автор: Yasuaki Iwata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-09-29.

Semiconductor device and method for making the same

Номер патента: US20220208698A1. Автор: Yu-Hsien Lin,Chao-Cheng Ting,Yu-An Li. Владелец: Pure Metallica Co Ltd. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20210287992A1. Автор: Hitoshi Ishii. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-09-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20190198462A1. Автор: Yoshiaki Sato,Yutaka Uematsu,Kazuyuki Nakagawa,Masayoshi Yagyu,Shuuichi Kariyazaki,Norio Chujo,Keita TSUCHIYA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device fabrication method and semiconductor device

Номер патента: US20120306068A1. Автор: Hirokazu Saito. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09991229B2. Автор: Yoshihiko Shimanuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device having a semiconductor chip, and method for the production thereof

Номер патента: US20120028382A1. Автор: Michael Bauer,Edward Fuergut. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2012-02-02.

Multirow semiconductor chip connections

Номер патента: US20220189879A1. Автор: Rahul Agarwal,Milind S. Bhagavat. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor device having an inductor

Номер патента: US20140374876A1. Автор: Yasutaka Nakashiba. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-12-25.

Semiconductor device, substrate, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230170321A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20140175678A1. Автор: Masatoshi Yasunaga,Hironori Matsushima,Kenya Hironaga,Soshi KURODA,Akira Yamazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device and method of wire bonding for semiconductor device

Номер патента: US20040188858A1. Автор: Yoshifumi Watanabe. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2004-09-30.

Semiconductor device, its manufacturing method, circuit board, and electronic unit

Номер патента: US20050110141A1. Автор: Hideo Miyasaka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same, apparatus for manufacturing semiconductor device, circuit board, and electronic instrument

Номер патента: US20030013229A1. Автор: Nobuaki Hashimoto. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-01-16.

Semiconductor devices including thick pad

Номер патента: US20220262757A1. Автор: Taeho Ko,Daehee Lee,Hyunchul Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-18.

Semiconductor device having non-circular connectors

Номер патента: US20150371963A1. Автор: Mark A. Gerber,Abram M. Castro. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-24.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20010036685A1. Автор: Michiyoshi Takano. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-11-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09905529B2. Автор: Yoshihiro Ono,Kenji Sakata,Tsuyoshi Kida. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100123244A1. Автор: Kunihiro Takeda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-20.

Heat dissipation structure of semiconductor device

Номер патента: US09997430B2. Автор: Eiichi Omura. Владелец: Omron Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device with a semiconductor chip connected in a flip chip manner

Номер патента: US11842972B2. Автор: Osamu Miyata,Kazumasa Tanida. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180204813A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09824944B2. Автор: Fumio Tsuchiya,Masanao Sato,Hisanori Ito,Bunji Yasumura,Takuji Ide,Naoki Kawanabe. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: RU2678509C1. Автор: Акинори САКАКИБАРА. Владелец: Тойота Дзидося Кабусики Кайся. Дата публикации: 2019-01-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20200294925A1. Автор: Takafumi Yamada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor device including plural semiconductor chips stacked on substrate

Номер патента: US20150340311A1. Автор: Sensho USAMI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device with semiconductor chip on flexible tape

Номер патента: US20010050418A1. Автор: Chikara Yamashita. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-12-13.

Semiconductor device and semiconductor module including semiconductor devices

Номер патента: US20090184430A1. Автор: Mitsuhisa Watanabe,Ichiro Anjoh. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-07-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230299066A1. Автор: Hongfei Lu. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240194647A1. Автор: Yuki Sato,Tsukasa Konno. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device including protective film over a substrate

Номер патента: US09972600B2. Автор: Hideko Mukaida,Yoichiro Kurita,Satoshi Tsukiyama. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device having a plurality of semiconductor elements interconnected by a redistribution layer

Номер патента: US20020050639A1. Автор: Yoshitaka Aiba,Toshio Hamano,Mitsutaka Sato. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2002-05-02.

Resin sealing-type semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20040201082A1. Автор: Isao Ochiai,Masato Take. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-14.

Semiconductor device and circuit device

Номер патента: US20230291401A1. Автор: Kazuhisa Mori,Toshiyuki Hata. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220059493A1. Автор: Yoshiharu Okada,Masatoshi Kawato,Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device, semiconductor module and vehicle

Номер патента: EP3761361A1. Автор: Akihiro Osawa,Tomoya Nakayama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-06.

Semiconductor device, electronic system, and electrostatic discharge protection method for semiconductor device thereof

Номер патента: US20230290774A1. Автор: Chun-Lu LEE. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-14.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: EP4421866A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-28.

Radio frequency semiconductor device and method for fabricating a radio frequency semiconductor device

Номер патента: US20240290733A1. Автор: Walter Hartner,Simon Kornprobst,Tuncay ERDOL. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and test method of semiconductor device

Номер патента: US20230296669A1. Автор: Kazunori Masuda,Makoto Iwai,Takuya Kusaka,Hirosuke NARAI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device, semiconductor module, and vehicle

Номер патента: US20210013141A1. Автор: Akihiro Osawa,Tomoya Nakayama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09853002B2. Автор: Shuuichi Kariyazaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140080260A1. Автор: Tamaki Wada,Kazuya Tsuboi,Yuichi Morinaga,Tomoko Higashino. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230089223A1. Автор: Soichi Homma,Kazuma Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240047329A1. Автор: Naohiro Mashino. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor device and semiconductor package comprising the same

Номер патента: US09966317B2. Автор: Jong-Hyun Choi,Joung-yeal Kim,Mi-Young Woo,Dae-Hyun KWON,Joon-Sun YOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US20160293564A1. Автор: Tamaki Wada,Yuichi Morinaga,Kenji Oyachi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20180005888A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20020008318A1. Автор: Kazutaka Shibata. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2002-01-24.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230269868A1. Автор: Tomomi Nonaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12033984B2. Автор: Hiroaki Ichikawa,Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20190088583A1. Автор: Naoki Kimura,Hiroshi Ashikaga. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device and semiconductor package including the same

Номер патента: US12040278B2. Автор: Kiwon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321834A1. Автор: Hiroaki Ichikawa,Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20080111249A1. Автор: Takashi Miyazaki. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-05-15.

Method of manufacturing a semiconductor device and the corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4220693A1. Автор: Mauro Mazzola,Fabio Marchisi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-02.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240284684A1. Автор: Masahiro Inohara,Masayuki Miura,Shinya Watanabe,Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200098679A1. Автор: Yoshiaki Sato,Junichi Arita,Yoshinori Miyaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230298984A1. Автор: Atsushi Maeda,Tatsuya Kawase. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230021125A1. Автор: Takayuki Ohba,Shinji Sugatani. Владелец: Advantest Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US20240282675A1. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Power module semiconductor device and inverter equipment, and fabrication method of the power module semiconductor device, and metallic mold

Номер патента: US09960103B2. Автор: Toshio Hanada. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-01.

Packaged multi-chip semiconductor devices and methods of fabricating same

Номер патента: US12132019B2. Автор: SANGHOON Lee,JONGHO LEE,Taehun Kim,Jihoon Kim,Jinkyeong SEOL,Hyuekjae Lee,Sangcheon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11756868B2. Автор: Motoyoshi KUBOUCHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-12.

Semiconductor device, electric power conversion apparatus and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200161233A1. Автор: Hiroshi Yoshida,Daisuke Murata,Hidetoshi Ishibashi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303290A1. Автор: Shinji Yamashita,Takeshi Fujimori,Soichiro Ibaraki. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US10446460B2. Автор: Yoshitaka Nishimura,Tatsuo Nishizawa,Kohei YAMAUCHI,Shinji Tada,Hiromichi Gohara. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20180277514A1. Автор: Masaji IWAMOTO.. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-27.

Semiconductor devices

Номер патента: US12080691B2. Автор: Wonil Lee,Sungwoo Park,Heonwoo KIM,Sangcheon Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US20160315052A1. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20090020867A1. Автор: Yoshikatsu Soma,Yoshiharu Ogata,Munehide Saimen,Hiroharu KONDO. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-01-22.

Semiconductor device having conductive via and manufacturing process for same

Номер патента: US09960121B2. Автор: Yi-Chuan Ding,Yung-Jen Chen,Min-Lung Huang. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09922959B2. Автор: Seok-Cheol Yoon,Seok-Bo Shim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09907175B2. Автор: Atsushi Tomohiro. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device including semiconductor chip, wiring, conductive material, and contact part

Номер патента: US09842821B2. Автор: Masatoshi Tagaki,Takeshi Yuzawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor devices having a conductive pillar and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12027495B2. Автор: Dong Kwan Kim,Kun Sil Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor package and semiconductor device including the same

Номер патента: US11764182B2. Автор: Heeseok Lee,Junghwa KIM,Jun So PAK,Moonseob JEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20210242144A1. Автор: Katsumi Miyawaki,Takao Moriwaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-08-05.

Board for mounting BGA semiconductor chip thereon, semiconductor device, and methods of fabricating such board and semiconductor device

Номер патента: US20050156326A1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: NEC Toppan Circuit Solutions Inc. Дата публикации: 2005-07-21.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10551432B2. Автор: Toshitsugu Ishii,Hidekazu Iwasaki,Jun MATSUHASHI,Naohiro Makihira. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09837369B2. Автор: Kazuyuki Nakagawa,Shinji Baba,Toshihiro Iwasaki,Yoshikazu Shimote. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20160126155A1. Автор: Kotaro Watanabe,Yukimasa Minami,Yoichi Mimuro. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2016-05-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20160007465A1. Автор: Young-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-01-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20130032943A1. Автор: Young-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-07.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11901337B2. Автор: Yasuo Otsuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20200091118A1. Автор: Hiroshi Matsuyama. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20200243490A1. Автор: Hiroshi Matsuyama. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US10658344B2. Автор: Hiroshi Matsuyama. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220238490A1. Автор: Yasuo Otsuka. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-28.

Semiconductor device

Номер патента: US12126330B2. Автор: Yuki KUMAZAWA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363475A1. Автор: Soichiro Ibaraki,Ryujiro Bando. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09807881B2. Автор: Young-Jin Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-31.

Tape wiring board and semiconductor device

Номер патента: US20190380207A1. Автор: Nobuaki ASAYAMA. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09905494B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: EP1589570A4. Автор: Ayumi Senda. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2007-05-02.

Semiconductor device

Номер патента: US9728487B2. Автор: Yumi Imamura,Takashi Karashima,Yosuke Imazeki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor packaging structure and semiconductor device

Номер патента: US20190252314A1. Автор: Shufeng Zhao. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Semiconductor packaging structure and semiconductor device

Номер патента: US10825767B2. Автор: Shufeng Zhao. Владелец: Gpower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-11-03.

Semiconductor device and semiconductor system including the same

Номер патента: US20150198653A1. Автор: Heat-Bit PARK. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2015-07-16.

Semiconductor device with an embedded active device

Номер патента: EP4454015A1. Автор: Rahul Agarwal,Gabriel H. Loh,Brett P. Wilkerson,Raja Swaminathan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-10-30.

Semiconductor device with combined passive device on chip back side

Номер патента: US20150311149A1. Автор: Martin Gruber,Andreas Munding. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device with semiconductor chips mounted on mounting board via conductive anaotubes

Номер патента: US7633148B2. Автор: Tomoji Nakamura,Masataka Mizukoshi,Taisuke Iwai,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2009-12-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266309A1. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Jeonggi Jin,Jinho Chun,Solji Song,Taehwa Jeong,Juil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device

Номер патента: US8018048B2. Автор: Kazuo Tamaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20080237838A1. Автор: Kazuo Tamaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2008-10-02.

Semiconductor device and method of forming PoP semiconductor device with RDL over top package

Номер патента: US09786623B2. Автор: Yaojian Lin. Владелец: Stats Chippac Pte Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20190006278A1. Автор: Takafumi Betsui,Tetsushi Hada,Nobuyuki MORIKOSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Method for producing a semiconductor device by consecutively sinter-bonding a plurality of semiconductor chips to a substrate upon application of pressure and heat and corresponding semiconductor device

Номер патента: EP4047641A3. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita,Mayu Sato. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: US20170033045A1. Автор: Takafumi Betsui,Tetsushi Hada,Nobuyuki MORIKOSHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Dense mounting of semiconductor chip packages

Номер патента: IE54790B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1990-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220013477A1. Автор: Susumu Yamamoto,Kazuhiro Kato,Masayuki Miura,Soichi Homma,Takeori Maeda,Tatsuo Migita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-01-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150380274A1. Автор: Naoki Yoshimatsu,Taketoshi Shikano,Kiyohiro Uchida,Masayoshi Shinkai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device having stacked semiconductor chips interconnected via TSV and method of fabricating the same

Номер патента: US09721926B2. Автор: Sang-uk Han,Tae-Hong Min,Young-Kun Jee,Tae-Joo Hwang,Yeong-Hwan CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device having a built-in heat sink and process of manufacturing same

Номер патента: US20010024838A1. Автор: Manny Kin Ma. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-09-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20170092609A1. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor device

Номер патента: US9806049B2. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20180033757A1. Автор: Akira Yajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-01.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US8928002B2. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2015-01-06.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140001482A1. Автор: Satoshi Hatsukawa. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2014-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240186296A1. Автор: Akio Watanabe,Hideko Mukaida,Yusuke Akada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device having a fine pitch bondpad

Номер патента: US20090108447A1. Автор: Seung-Kon Mok,Sang-Gui Jo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-04-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20100164053A1. Автор: Yoshihiro Nakagawa,Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Masayuki Furumiya,Hiroaki Ohkubo,Fuyuki Okamoto,Yoshio Kameda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-07-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7786580B2. Автор: Yoshihiro Machida,Takaharu Yamano. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-31.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200135687A1. Автор: Takehiko Maeda,Hideki Ishii,Kenji IKURA,Takeumi KATO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Method of Manufacturing a Semiconductor Device

Номер патента: US20110254150A1. Автор: Yoshimi Takahashi,Masazumi Amagai. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor device and manufacture thereof

Номер патента: EP1069618B1. Автор: Akira Nakamura,Satoshi Takeda,Masami Takai,Tatsuya 201 Juness Miyazakidai MATSUKI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-07.

Semiconductor device

Номер патента: US10658305B2. Автор: Motoshi SETO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-05-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20200075505A1. Автор: Motoshi SETO. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-03-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Manabu Yanagihara,Yasuhiro Uemoto,Tatsuo Morita,Ayanori Ikoshi. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20110057328A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Semiconductor device and semiconductor package having the same

Номер патента: US20100237473A1. Автор: Kyoung Sook PARK,Qwan Ho Chung,Yeo Song Yun. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2010-09-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20240282650A1. Автор: Yuji Iwai,Takahiro KUMA. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor devices with embedded filler particles and associated methods for their production

Номер патента: US20240234227A9. Автор: Martin Mayer,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor devices with embedded filler particles and associated methods for their production

Номер патента: US20240136240A1. Автор: Martin Mayer,Rainer Markus Schaller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device with magnetically aligned chips and method for fabricating the same

Номер патента: US09773758B2. Автор: Ji Young Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device and power source device

Номер патента: US20140203444A1. Автор: Keiji Watanabe,Tadahiro Imada,Nobuhiro Imaizumi,Kozo Shimizu,Keishiro Okamoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2014-07-24.

Resin-sealed semiconductor device

Номер патента: GB9024722D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-01-02.

Semiconductor package and semiconductor device including the same

Номер патента: US20240355770A1. Автор: Mi-Na Choi,Heejung Hwang,Young-Deuk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device having stacked chips, a re-distribution layer, and penetration electrodes

Номер патента: US09917066B2. Автор: Toshio Fujii,Masaru Sasago,Yoshihiro Mori,Nobuo Aoi,Takeshi Kawabata,Takashi Yui. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor chip, semiconductor package including the same, and method of manufacturing semiconductor chip

Номер патента: US20170229412A1. Автор: Tae-Je Cho,Sun-Kyoung SEO,Cha-Jea JO,Seung-Kwan Ryu. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device

Номер патента: US12068280B2. Автор: Hideaki Kitazawa. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20050062146A1. Автор: Takashi Noma,Tetsuya Miwa,Takayuki Kaida,Mitsuru Okigawa,Ryu Shimizu. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12113040B2. Автор: Tomoyuki Asada,Daisuke Tsunami,Eri Fukuda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09984990B2. Автор: Kiyotaka Umemoto. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20210280543A1. Автор: Taiichi Ogumi. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20090152729A1. Автор: Tomoki Kato,Mitsuru Ohta. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20120074551A1. Автор: Tomoki Kato,Mitsuru Ohta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Semiconductor device

Номер патента: US8044521B2. Автор: Tomoki Kato,Mitsuru Ohta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-10-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20060186553A1. Автор: Tomoki Kato,Mitsuru Ohta. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-08-24.

Semiconductor Device with Metallization Structure and Method for Manufacturing Thereof

Номер патента: US20180301338A1. Автор: Jochen Hilsenbeck. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: US20240339433A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor device with a through dielectric via

Номер патента: WO2024215492A1. Автор: Bharat Bhushan,Kunal R. Parekh,Nevil N. Gajera,Akshay N. Singh. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-10-17.

Interface for a semiconductor chip with adaptive via region arrangement and semiconductor device with stacked semiconductor chips

Номер патента: US20240014174A1. Автор: Yung-Chih Chen,Chih-Kang Chiu,Igor Elkanovich,Kun-Ti Lee. Владелец: Global Unichip Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US20160372435A1. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20150171021A1. Автор: Takeshi Watanabe,Takashi Imoto,Soichi Homma,Yuusuke Takano,Katsunori Shibuya. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Semiconductor device with improved heat dissipation and method for making the same

Номер патента: US20240332114A1. Автор: Heesoo Lee,Seunghyun Lee,YongMoo SHIN. Владелец: Jcet Stats Chippac Korea Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor devices with ball strength improvement

Номер патента: US09978704B2. Автор: Hsien-Wei Chen,Shih-Wei Liang,Ying-Ju Chen,Tsung-Yuan Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210066249A1. Автор: Keiichi NIWA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Method for mounting a semiconductor chip on a substrate and semiconductor device adapted for mounting on a substrate

Номер патента: US20010038152A1. Автор: I-Ming Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method for the same

Номер патента: US20060208349A1. Автор: Toshiyuki Fukuda,Hiroaki Fujimoto,Mutsuo Tsuji,Takashi Yui,Yoshiaki Takeoka. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-21.

Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same, And Semiconductor Device using Noble Metal-Coated Silver Wire for Ball Bonding and Method for Producing The Same

Номер патента: MY195404A. Автор: Jun Chiba,Yuki Antoku,Shota KAWANO. Владелец: Tanaka Electronics Ind. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device having a buffer material and stiffener

Номер патента: US20140306337A1. Автор: Peter R. Harper,Amit S. Kelkar,Vivek S. Sridharan. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2014-10-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20150279802A1. Автор: Hiroshi Yamada,Tadahiro Sasaki,Yutaka Onozuka,Nobuto Managaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-10-01.

Benefit and semiconductor device made of a composite board with semiconductor chips and plastic housing composition and method for producing the same

Номер патента: DE102005026098B3. Автор: Michael Dipl.-Ing. Bauer,Kai Chong Chan. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-04.

Semiconductor device with backside inductor using through silicon vias

Номер патента: US20210098370A1. Автор: Daniel L. Stasiak,Hassan Naser,Matthew A. Cooke,Calist Friedman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-04-01.

Semiconductor device with separated main terminals

Номер патента: US09966344B2. Автор: Shin Soyano. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device including crack detection circuit

Номер патента: US20240258180A1. Автор: Daeseok Byeon,Taehong KWON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device with heat information mark

Номер патента: US09870977B2. Автор: Young-Deuk KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and control method thereof

Номер патента: US20210280234A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20200303009A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2020-09-24.

Semiconductor device with sealed through-substrate via and method for producing thereof

Номер патента: WO2022218610A1. Автор: Georg Parteder,Peter JERABEK. Владелец: Ams-Osram Ag. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230042190A1. Автор: Yutaka Moriyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Semiconductor device

Номер патента: US11742256B2. Автор: Tomomi Okumura,Masanori OOSHIMA,Takahiro Hirano. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US12087735B2. Автор: Atsushi Okamoto,Hirotaka Takeno,Wenzhen Wang. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Bonding structure, semiconductor chip and fabricating method thereof

Номер патента: US20240321686A1. Автор: Ming-Hsiu Lee,Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu,Wei-Lun Weng. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device, imaging device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3940766A1. Автор: Tsuyoshi Watanabe,Hirotaka Kobayashi,Hitoshi Shibue,Hirokazu Nakayama,Hiroyuki Shigeta,Kosuke Hareyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2022-01-19.

Semiconductor device with 2-phase cooling structure

Номер патента: EP4435850A1. Автор: Seogwoo Hong,Sungchan Kang,Daehyuk SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-25.

Semiconductor device, imaging device, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12132061B2. Автор: Tsuyoshi Watanabe,Hirotaka Kobayashi,Hitoshi Shibue,Hirokazu Nakayama,Hiroyuki Shigeta,Kosuke Hareyama. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and semiconductor module with improved heat dissipation

Номер патента: US12033916B2. Автор: Hiroyuki Masumoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20200135607A1. Автор: TAKASHI KIKUCHI,Shuuichi Kariyazaki,Michiaki Sugiyama,Keita TSUCHIYA,Yusuke TANUMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device

Номер патента: US11049786B2. Автор: TAKASHI KIKUCHI,Shuuichi Kariyazaki,Michiaki Sugiyama,Keita TSUCHIYA,Yusuke TANUMA. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2021-06-29.

Semiconductor device and method for controlling semiconductor device

Номер патента: US20170026036A1. Автор: Akihiro Chiyonobu,Hironori KAWAMINAMI. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor chip contact structure, device assembly, and method of fabrication

Номер патента: US20210090972A1. Автор: Stefan Steinhoff. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device, control device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200058600A1. Автор: Katsuji Ando,Takahiko Murakami,Ryoji MURAI,Arata Iizuka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2020-02-20.

Semiconductor device having two-phase cooling structure

Номер патента: EP4386832A2. Автор: Seogwoo Hong,Sungchan Kang,Daehyuk SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Semiconductor device having two-phase cooling structure

Номер патента: EP4386832A3. Автор: Seogwoo Hong,Sungchan Kang,Daehyuk SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Power semiconductor device and method for manufacturing power semiconductor device

Номер патента: US20240234237A1. Автор: Mitsunori Aiko,Nobuyoshi Kimoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US9123696B2. Автор: Yujin OKAMOTO. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-01.

Semiconductor devices with shielding structures

Номер патента: US11688695B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Shiqi HUANG. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-27.

Semiconductor device and method for determining deterioration of semiconductor device

Номер патента: US20230369142A1. Автор: Takaaki Tanaka,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda,Qichen Wang. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Methods for manufacturing semiconductor chips, methods for manufacturing semiconductor devices, semiconductor chips, semiconductor devices, connection substrates and electronic devices

Номер патента: US20010021582A1. Автор: Eiichi Sato,Tadashi Komiyama,Akitoshi Hara. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09929185B2. Автор: Shinya Suzuki,Akihiko Yoshioka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20150008582A1. Автор: Masaru Koyanagi,Yasuhiro Suematsu. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-01-08.

Semiconductor device

Номер патента: US11749597B2. Автор: Ryuichi Oikawa. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020121708A1. Автор: Masao Matsuura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-05.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230253275A1. Автор: Nobuhiro HIGASHI. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor device, power conversion apparatus, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20220301956A1. Автор: Masayuki Mafune. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-09-22.

Semiconductor device, and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240304607A1. Автор: Kazuma Hasegawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20180025993A1. Автор: Manabu Matsumoto,Yasutaka Shimizu,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09960126B2. Автор: Manabu Matsumoto,Yasutaka Shimizu,Yoshitaka Otsubo. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device having semiconductor chip with large and small irregularities on upper and lower side surface portions thereof

Номер патента: US09887171B2. Автор: Makoto TAKESAWA. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20030089968A1. Автор: Shinya Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20110024913A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2011-02-03.

Semiconductor device having chip scale package

Номер патента: US20030094681A1. Автор: Kazuyuki Noshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20230170324A1. Автор: Kousuke Hirata,Ryousuke Kouda. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-01.

Flip chip semiconductor device in a moulded chip scale package (csp) and method of assembly

Номер патента: EP1229577A3. Автор: Anthony L. Colye. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-02-02.

Method of manufacturing a semiconductor device having a heat spreader

Номер патента: US20110104872A1. Автор: Yuko Sato,Takehiko Maeda,Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-05-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321812A1. Автор: Takeshi MURASAKI. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of fabricating semiconductor device

Номер патента: US20160118299A1. Автор: Seung-Yeol YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240282660A1. Автор: Kenshi Terashima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Method for producing semiconductor device

Номер патента: US8906746B2. Автор: Takashi Oda,Eiji Toyoda,Kosuke Morita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2014-12-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12057362B2. Автор: Osamu Miyata,Shingo Higuchi,Masaki Kasai. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Packaged semiconductor devices having spacer chips with protective groove patterns therein

Номер патента: US11705405B2. Автор: Jiwoo Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130005085A1. Автор: Akinobu Shibuya,Koichi Takemura,Akira Ouchi,Tomoo Murakami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-01-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US8669138B2. Автор: Akinobu Shibuya,Koichi Takemura,Akira Ouchi,Tomoo Murakami. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-03-11.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210233781A1. Автор: Yuki Sugo,Satoru Takaku,Satoshi Tsukiyama,Ayana Amano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240274442A1. Автор: Yuki Sugo,Satoru Takaku,Satoshi Tsukiyama,Ayana Amano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with two-phase cooling structure

Номер патента: US20240203825A1. Автор: Jeongyub Lee,Seogwoo Hong,Sungchan Kang,Daehyuk SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20180076187A1. Автор: Masatoshi Fukuda,Naoyuki Komuta,Soichi Homma,Yukifumi Oyama,Yuji Karakane. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20190254160A1. Автор: Sensho USAMI. Владелец: Longitude Licensing Ltd. Дата публикации: 2019-08-15.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: EP1569270A3. Автор: Daisuke Ito,Toshimi Kawahara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2010-09-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20050191772A1. Автор: Daisuke Ito,Toshimi Kawahara. Владелец: Shinko Electric Industries Co Ltd. Дата публикации: 2005-09-01.

SEALING SHEET, METHOD FOR PRODUCING SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SUBSTRATE WITH SEALING SHEET

Номер патента: US20160056123A1. Автор: TAKAMOTO Naohide,Morita Kosuke. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Thermosetting resin composition (versions), construction of attachment of semiconductor device and method of manufacture of semiconductor device with use of thermosetting resin composition

Номер патента: RU2195474C2. Автор: Марк КОНАРСКИЙ,Збигнев А. ЩЕПАНЯК. Владелец: Локтайт Корпорейшн. Дата публикации: 2002-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20240213107A1. Автор: Hiroki Hidaka. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: GB2629261A. Автор: MIYAWAKI Katsumi,NAGAMINE Takumi,Abe Shunichi,Higashide Seiu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-23.

Semiconductor device with two-phase cooling structure

Номер патента: US20240203824A1. Автор: Seogwoo Hong,Sungchan Kang,Daehyuk SON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Method for producing semiconductor device and intermediate for semiconductor device

Номер патента: US20200168476A1. Автор: Yoichi Kodama,Jun Kamada,Kazuo Kohmura,Yasuhisa Kayaba,Kaichiro Haruta. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2020-05-28.

Method for manufacturing semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20170077040A1. Автор: Takeshi Watanabe,Yuusuke Takano. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-16.

Adhesive for mounting flip chip for use in a method for producing a semiconductor device

Номер патента: US09748195B2. Автор: Yoshio Nishimura,Hiroaki Nakagawa,Sayaka Wakioka,Shujiro Sadanaga. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20020135074A1. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-09-26.

Semiconductor device and adhesive sheet

Номер патента: US8294282B2. Автор: Hiroshi Tomita,Hidekazu Hayashi,Tetsuya Kurosawa,Shinya Takyu,Yukiko Kitajima,Junya Sagara,Norihiro Togasaki. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-10-23.

Optoelectronic semiconductor device

Номер патента: WO2024156585A1. Автор: Thomas Schwarz. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor device comprising an excess resin portion, manufacturing method thereof, and apparatus for manufacturing semiconductor device comprising a excess resin portion

Номер патента: US20080029857A1. Автор: Yoshiharu Kaneda,Yoshikazu Takada,Toshinori Kiyohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20010015445A1. Автор: Michio Nemoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2001-08-23.

Semiconductor device which prevents light from entering therein

Номер патента: US7015576B2. Автор: Tae Yamane. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Semiconductor device and method of fabrication of the same

Номер патента: US20030197270A1. Автор: Tae Yamane. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-23.

Layered semiconductor device, and production method therefor

Номер патента: US20190043537A1. Автор: Yasutoshi Yamada,Takao Adachi,Kouji Uemura. Владелец: Ultramemory Inc. Дата публикации: 2019-02-07.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20230268310A1. Автор: Satoru Itakura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Method for manufacturing semiconductor device and adhesive for mounting flip chip

Номер патента: US20160056120A1. Автор: Yoshio Nishimura,Hiroaki Nakagawa,Sayaka Wakioka,Shujiro Sadanaga. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US6475829B2. Автор: Haruo Shimamoto,Kazushi Hatauchi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-11-05.

Semiconductor device and adhesive sheet

Номер патента: US20110068480A1. Автор: Hiroshi Tomita,Hidekazu Hayashi,Tetsuya Kurosawa,Shinya Takyu,Yukiko Kitajima,Junya Sagara,Norihiro Togasaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-03-24.

Heat-resistant pressure-sensitive adhesive tape for use in manufacturing a semiconductor device and the method of manufacturing a semiconductor chip using the tape

Номер патента: TW201241132A. Автор: Kazuki Soejima,Daisuke Shimokawa,Takamasa Hirayama,Yuta Shimazaki,Eiichi Imoto. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Semiconductor device and manufacturing method of imaging device and semiconductor device

Номер патента: US20210090964A1. Автор: Nobutaka Atago. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2021-03-25.

Method for Producing Optoelectronic Semiconductor Devices and Optoelectronic Semiconductor Device

Номер патента: US20220140216A1. Автор: Martin Rudolf Behringer,Christoph Klemp. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor device, inverter circuit, driving device, vehicle, and elevator

Номер патента: US20240079453A1. Автор: Hiroshi Kono,Takahiro Ogata,Teruyuki Ohashi,Shunsuke Asaba. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2024-03-07.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US7781258B2. Автор: Susumu Toba,Akira Morozumi,Kazuo Furihata. Владелец: Fuji Electric Systems Co Ltd. Дата публикации: 2010-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20230411313A1. Автор: Akira Hirao,Motohito Hori,Yoshinari Ikeda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20090130800A1. Автор: Susumu Toba,Akira Morozumi,Kazuo Furihata. Владелец: Fuji Electric Device Technology Co Ltd. Дата публикации: 2009-05-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE, MAGNETORESISTIVE RANDOM ACCESS MEMORY DEVICE, AND SEMICONDUCTOR CHIP INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20200395536A1. Автор: Kim Dae-Shik,KOH Gwan-hyeob,Park Jeong-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20180182737A1. Автор: Takayuki Okinaga,Shuichiro Azuma,Kazuki Makuni,Yu NAKASE,Takeshi Kotegawa,Noriaki Sugahara. Владелец: Buffalo Memory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20170069588A1. Автор: Yoshihiro MONMA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312958A1. Автор: Toshimitsu Arai. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09997499B2. Автор: Hiroshi Kuroda,Hideo Koike. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: EP3745449A1. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Takuo Koyama,Masaharu Muramatsu,Shinichi Nakata,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2020-12-02.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11482555B2. Автор: Hirokazu Yamamoto,Nao Inoue,Takuo Koyama,Masaharu Muramatsu,Shinichi Nakata,Yasuhito Yoneta,Shin-Ichiro Takagi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2022-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20030129836A1. Автор: Takashi Sato. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240379485A1. Автор: Takuya Yamamoto,Shinichi Masuda. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Optical semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP1983580A3. Автор: Takaaki Fujii,Aki Hiramoto,Hiroaki Okuma,Kazuhisa Ishi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-06.

Resin-molded type semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US5757066A. Автор: Tsutomu Nakazawa,Yumi Inoue. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-05-26.

Semiconductor device having external connection terminals and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090026615A1. Автор: Fumiyoshi Kawashiro. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190393181A1. Автор: Masakazu Fujiwara. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2019-12-26.

Controlling Flip-Chip Techniques for Concurrent Ball Bonds in Semiconductor Devices

Номер патента: US20090269883A1. Автор: Mark A. Gerber,Duy-Loan T. Le,David N. Walter. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20090200629A1. Автор: Akihiro Morimoto,Hiroshi Asami,Yoshihiro Nabe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2009-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290759A1. Автор: Soonho KWON,In-Suk Kim,Jooyaung EOM,Ki-Myung Yoon,Taekkeun LEE. Владелец: Power Master Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090096111A1. Автор: Akihiko Hatasawa,Fumitomo Watanabe,Reiko Fujiwara. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2009-04-16.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20040140558A1. Автор: Yasuo Tanaka. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Semiconductor device having wire formed with loop portion and method for producing the semiconductor device

Номер патента: US09812423B2. Автор: Naoki Fukue. Владелец: Aoi Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device, its manufacturing method, and radio communication device

Номер патента: US20040245655A1. Автор: Yoshihiko Kobayashi,Sakae Kikuchi,Tsutomu Ida,Masakazu Hashizume,Yoshinori Shiokawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258192A1. Автор: Yangang WANG,Robin Adam Simpson,Michael David Nicholson. Владелец: Dynex Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Shielding elements for packages of semiconductor devices

Номер патента: US20230056509A1. Автор: Ranjan Rajoo,Venkata Narayana Rao Vanukuru. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-02-23.

Method of fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20100178736A1. Автор: Gottfried Beer,Irmgard Escher-Poeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2010-07-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20060071346A1. Автор: ATSUSHI Watanabe. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2006-04-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20240164118A1. Автор: Kazuaki TSUCHIYAMA,Tatsuaki Tsukuda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor package and semiconductor device including an electromagnetic wave shielding member

Номер патента: US09887164B2. Автор: Dong-Woo Shin,Chang-Yong Park,Jae-Hoon Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US11887933B2. Автор: Yuji Sato,Yosuke Nakata. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Plastic package type semiconductor device

Номер патента: US5616957A. Автор: Mamoru Kajihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1997-04-01.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20080217744A1. Автор: Yoshinori Murakami. Владелец: Nissan Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-09-11.

3d-stacked semiconductor device with improved alignment using carrier wafer patterning

Номер патента: US20230275063A1. Автор: Kang-ill Seo,Jason MARTINEAU,Byounghak Hong,Buhyun Ham. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-08-31.

Semiconductor device

Номер патента: US20240186273A1. Автор: Takashi Matsuo,Hitoshi Ikei,Tsunehiro Kita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20110304043A1. Автор: Shinji Wakisaka. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, circuit board, and electronic appliance

Номер патента: US20050199997A1. Автор: Terunao Hanaoka. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240014146A1. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Electric power semiconductor device

Номер патента: US20100096758A1. Автор: Junji Yamada,Seiji Saiki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11804449B2. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246539A1. Автор: Akihito SAWANOBORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Stacked layer type semiconductor device and its manufacturing method

Номер патента: US20040130017A1. Автор: Takakazu Fukumoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-07-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210296272A1. Автор: Seiichi Tsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US09799609B2. Автор: Toshiaki Sawada,Masami Koketsu. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device with improved encapsulating resin

Номер патента: US5959363A. Автор: Hiroshi Yamada,Masayuki Saito,Miki Mori,Soichi Honma,Takasi Togasaki,Kazuki Tateyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Structure and method of batch-packaging low pin count embedded semiconductor chips

Номер патента: EP3164887A1. Автор: Mutsumi Masumoto. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-05-10.

Semiconductor device with interconnect structure having graphene layer and method for preparing the same

Номер патента: US20230268303A1. Автор: Chun-Cheng Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12082350B2. Автор: Shingo Inoue. Владелец: Sumitomo Electric Device Innovations Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device with a porous air vent

Номер патента: US20240063067A1. Автор: Jong Sik Paek. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09659888B2. Автор: Takehiko Maeda,Makio Okada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and inverter device

Номер патента: US20230010169A1. Автор: Takeshi Ogawa,Takuro Mori,Masaru Furukawa,Hideki Tsukamoto,Seiji Saiki,Korehide Okamoto,Takamasa ODA,Yosuke Miyagi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2023-01-12.

Multi-chip semiconductor device

Номер патента: US20140084488A1. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Multi-chip semiconductor device

Номер патента: US9281294B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-03-08.

Multi-chip semiconductor device

Номер патента: US09905534B2. Автор: Masato Mikami,Takanori Sekido. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20040026777A1. Автор: Kazuo Yokoyama,Shigeki Kageyama,Jun Otsuji. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2004-02-12.

Semiconductor device having shielding member

Номер патента: US20230282598A1. Автор: Hyun Soo Shin,Sung Lae OH,Seung Pil LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Method of vacuum packaging a semiconductor device assembly

Номер патента: US20030052403A1. Автор: Ting Ang,Sang Loong,Shyue-Fong Quek,Duay Ong. Владелец: Chartered Semiconductor Manufacturing Pte Ltd. Дата публикации: 2003-03-20.

Semiconductor device including semiconductor chips stacked in a multi-layer structure by a flip-chip bonding method

Номер патента: US20230299111A1. Автор: Hyeokjong Lee,KyongSoon Cho,MinHO Kwon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device and imaging device

Номер патента: US11069735B2. Автор: Kaoru Koike,Kengo Kotoo. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2021-07-20.

Semiconductor device, semiconductor device storage method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US8623701B2. Автор: Hisanori NAGANO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2014-01-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20180240784A1. Автор: Motoaki Saito. Владелец: Pezy Computing KK. Дата публикации: 2018-08-23.

Semiconductor device, semiconductor device storage method, semiconductor device manufacturing method, and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20110304033A1. Автор: Hisanori NAGANO. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20180096944A1. Автор: Kentaro Mori,Chiaki Takubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20230260966A1. Автор: Masayuki Miura. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09852995B1. Автор: Kentaro Mori,Chiaki Takubo. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US8394673B2. Автор: Irmgard Escher-Poeppel,Gerhard Josef Poeppel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-03-12.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20150364458A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Wen-De Wang,Cheng-Ying Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09773527B2. Автор: Hiroaki Nakano,Itaru Yamaguchi,Masaru Koyanagi. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20210296197A1. Автор: Yuuichi Fujita. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor device having a reduced wiring area in and out of data path zone

Номер патента: US5583374A. Автор: Hisao Harigai. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-12-10.

Semiconductor device having a chip under package

Номер патента: US09859251B2. Автор: Gottfried Beer,Peter Ossimitz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20160079134A1. Автор: Hideaki Kitazawa,Eitaro Miyake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Flip-chip mounted semiconductor device

Номер патента: US9704771B2. Автор: Kotaro Watanabe,Yukimasa Minami,Yoichi Mimuro. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device

Номер патента: US9847271B2. Автор: Yoshihiro Morita,Yasushi Masuda,Satoshi Ohsawa,Yohei Miura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device with dynamic array section

Номер патента: WO2009017828A2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations, Inc.. Дата публикации: 2009-02-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09847271B2. Автор: Yoshihiro Morita,Yasushi Masuda,Satoshi Ohsawa,Yohei Miura. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170098662A1. Автор: Hiroshi Sunamura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor chip including low-k dielectric layer

Номер патента: US11776894B2. Автор: Junghoon Han,Junyong NOH,Yeonjin Lee,Minjung Choi,Yunrae Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US12062587B2. Автор: Masatake Harada. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230063204A1. Автор: Eiji Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-03-02.

Macro-cell block and semiconductor device

Номер патента: US20080258292A1. Автор: Atsuhisa Fukuoka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device with air gaps between adjacent conductive lines

Номер патента: US20220165662A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09875963B2. Автор: Hidefumi Kushibe,Masayuki USUDA,Hiroyuki Ideno. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor chip and method for manufacturing the same and semiconductor device

Номер патента: US20060006493A1. Автор: Tsutomu Tashiro,Masaya Kawano,Yoichiro Kurita. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-01-12.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20030218238A1. Автор: Takashi Kubo,Hiroshi Kikuchi,Norio Nakazato,Hiroyasu Sasaki,Takashi Suga,Masanori Fukuhara,Satoru Isomura,Hideko Ando,Naotaka Tanaka,Fujiaki Nose. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-11-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09911699B2. Автор: Michio Inoue,Yorio Takada. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device with contact structures

Номер патента: US20200020584A1. Автор: Yi-Hsun CHIU,Yi-Hsiung Lin,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-16.

Method of designing semiconductor device

Номер патента: US20090134495A1. Автор: Keiichirou Kondou. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-05-28.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240304682A1. Автор: Kosaku Adachi,Shota IZUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Microelectronic devices with through-substrate interconnects and associated methods of manufacturing

Номер патента: EP4322215A3. Автор: Kyle K. Kirby,Kunal R. Parekh,Sarah A. Niroumand. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-03.

Semiconductor device with fuse and anti-fuse structures and method for forming the same

Номер патента: US20220157717A1. Автор: Chin-Ling Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-05-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09960097B2. Автор: Yo Sakamoto. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for manufacturing semiconductor device, semiconductor device and apparatus comprising same

Номер патента: US20070069362A1. Автор: Mitsuaki Katagiri,Satoshi Isa,Hiroki Fujisawa,Fumiyuki Osanai,Satoshi Itaya. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2007-03-29.

Ultra-thin embedded semiconductor device package and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09806051B2. Автор: Arun Virupaksha Gowda,Paul Alan McConnelee,Shakti Singh Chauhan. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-10-31.

Silicon carbide semiconductor device including a resin covering a silicon carbide semiconductor chip

Номер патента: US11387156B2. Автор: So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2022-07-12.

Metal cuboid semiconductor device and method

Номер патента: WO2007051142A3. Автор: Donald C Abbott. Владелец: Donald C Abbott. Дата публикации: 2008-09-25.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US20160197050A1. Автор: Toshihiko Akiba,Yuki YAGYU,Akihiro Tobita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-07-07.

Semiconductor device and method for producing semiconductor device

Номер патента: US20230299038A1. Автор: Tomohiro Iguchi. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Semiconductor device with copper wire ball bonding

Номер патента: US5023697A. Автор: Kiyoaki Tsumura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1991-06-11.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US09911673B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device with bond pad wiring lead-out arrangement avoiding bond pad probe mark area

Номер патента: US20170229359A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US8987903B2. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2015-03-24.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US20140151873A1. Автор: Takayuki Tanaka,Kana Iwami. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2014-06-05.

Method and apparatus for manufacturing a semiconductor device including a plurality of semiconductor chips connected with bumps

Номер патента: US20170069551A1. Автор: Hiroshi Watabe,Naoyuki Komuta,Shinya Fukayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

Method for manufacturing semiconductor device, cleaning device, cleaning method, and semiconductor device

Номер патента: US20240321818A1. Автор: Tomoaki Shibata,Shizu FUKUZUMI,Toshiaki Shirasaka. Владелец: Resonac Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Manufacturing method of semiconductor device using a heat-resistant adhesive sheet

Номер патента: MY164683A. Автор: Chang-Hoon Sim,Ki-Jeong Moon,Sung-Hwan Choi,Hae-Sang Jeon,Yun-Min Park. Владелец: Toray Advanced Mat Korea Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the same, circuit board, and electronic device

Номер патента: US20030052410A1. Автор: Yoshihiro Sugiura. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-03-20.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030090004A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-15.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20120077310A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-03-29.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20180145001A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20160336244A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-11-17.

Manufacturing Method of Semiconductor Device

Номер патента: US20160035636A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-02-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8415199B2. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Semiconductor device having semiconductor chip on base through solder layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060087043A1. Автор: Naoki Hirasawa,Sadahisa Onimaru,Hirohito Matsui,Naohiko Hirano,Kuniaki Mamitsu. Владелец: Nippon Soken Inc. Дата публикации: 2006-04-27.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US20210193523A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: EP3817034A1. Автор: Tomoaki Ichikawa,Ryota Mita. Владелец: Nitto Denko Corp. Дата публикации: 2021-05-05.

Semiconductor chip designing method, semiconductor chip designing program, semiconductor device production method, and arithmetic device

Номер патента: US20200175218A1. Автор: Youzou Fukagawa. Владелец: Suugakuya Honpo LLC. Дата публикации: 2020-06-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20010010406A1. Автор: Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20180158795A1. Автор: Yasuhiko Tanaka,Masaki Nakayama,Takashi Matsui,Motoji Shiota,Seiji Muraoka,Hiroki Miyazaki. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Semiconductor device, method of positioning semiconductor device, and positioning apparatus for semiconductor device

Номер патента: US20140339711A1. Автор: Masato Mikami. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device having a plurality of adhesion area patterns and one or more non-adhesion area patterns

Номер патента: US8269353B2. Автор: Koji Miyata,Masahiro Okita,Hiroyuki Nakanishi,Kazuaki Tatsumi,Masato Yokobayashi. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2012-09-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20100148311A1. Автор: Koji Miyata,Masahiro Okita,Hiroyuki Nakanishi,Kazuaki Tatsumi,Masato Yokobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US20030098471A1. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Method for manufacturing a low-profile semiconductor device

Номер патента: US6677180B2. Автор: I-Ming Chen,Ming-Tung Shen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-13.

Semiconductor device and control method for the same

Номер патента: US09847321B2. Автор: Yusuke Hamada. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US20170186725A1. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Semiconductor chip scale package and manufacturing method thereof

Номер патента: US09941240B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Chun-Lin Lu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Ching-Feng Yang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device manufacturing method and semiconductor wafer

Номер патента: US09786630B2. Автор: Takehiro Oura,Yuichi Ota,Kohei Yoshida,Kentaro Kita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20170271452A1. Автор: Takeyoshi Nishimura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconducter device

Номер патента: US20110187008A1. Автор: Hiroki Yamamoto. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor manufacturing apparatus and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230054378A1. Автор: Tetsuya Kurosawa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-02-23.

Semiconductor device and power conversion device

Номер патента: US11990447B2. Автор: Isao Oshima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-05-21.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US20220037206A1. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US11621193B2. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-04-04.

Method for producing semiconductor device, semiconductor package, and method for producing semiconductor package

Номер патента: US20230207391A1. Автор: Toyoji Sawada. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-06-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20110254094A1. Автор: Takayuki Yoshida,Toshiyuki Fukuda,Kimihito Kuwabara,Takuma Motofuji. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-10-20.

Semiconductor devices with duplicated die bond pads and associated device packages and methods of manufacture

Номер патента: US09875993B2. Автор: Nathan J. Sirocka,Trismardawi Tanadi,Andrew D. Proescholdt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-23.

Test architecture of semiconductor device, test system, and method of testing semicondurctor devices at wafer level

Номер патента: US09824946B2. Автор: Young-Yong Byun,Chi-wook Kim,Ho-sung Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device with tall and slender interconnecting bumps and corresponding manufacturing method

Номер патента: EP4163965A2. Автор: Gang Duan,Steve Cho,Edvin Cetegen,Nicholas Haehn,Onur OZCAN,Jacob VEHONSKY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-04-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240321808A1. Автор: Masatoshi Arai,Kazuki Matsuo,Rie Fujimoto. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US8692384B2. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2014-04-08.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor device with the same

Номер патента: US20090031053A1. Автор: Kenichi Osada,Makoto Saen,Itaru Nonomura. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2009-01-29.

Semiconductor device with through silicon via and alignment mark

Номер патента: US20140183705A1. Автор: Nobuyuki Nakamura. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2014-07-03.

Method of mounting semiconductor chips on a gold-coated surface

Номер патента: RU2714538C1. Автор: Александр Сергеевич Ионов,Нина Демьяновна Худякова,Татьяна Николаевна Забегина. Владелец: Акционерное общество "ОКБ-Планета" АО "ОКБ-Планета". Дата публикации: 2020-02-18.

Manufacturing method of semiconductor device and semiconductor manufacturing apparatus

Номер патента: US20160079102A1. Автор: Kazuhiro Murakami,Shinya Fukayama,Yukifumi Oyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Method for operating an optoelectronic semiconductor device and optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US20210385918A1. Автор: Uli Hiller,Martin Moritz,Sebastian Stigler,Benjamin Höflinger. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for fabricating a semiconductor device using a wafer inspection apparatus

Номер патента: US20240304501A1. Автор: Ki Hun Kim,Yong Ju Jeon,Jeong-su Ha,Jhong Kwon KIM,Da Young MYOUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US20180217203A1. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-08-02.

Semiconductor chip, semiconductor device, and process for producing a semiconductor device

Номер патента: US20020093014A1. Автор: Shigeki Tomishima. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20230369253A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Hiroshi Miyaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US09812490B2. Автор: Kazuichiroh Itonaga,Machiko Horiike. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20240243071A1. Автор: Shota Yamamoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and imaging apparatus

Номер патента: US20190013419A1. Автор: Makoto Murai. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2019-01-10.

Method for producing optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US09966370B2. Автор: Simon Jerebic,Frank Singer,Jürgen Moosburger,Markus Pindl. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor chip, semiconductor wafer, semiconductor device and method of manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US20020013012A1. Автор: Masao Mitani,Jin Murayama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-31.

Pressure-contact-type semiconductor device

Номер патента: US12051671B2. Автор: Jun Okada,Kazunori Taguchi,Tetsuo Motomiya. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20210090663A1. Автор: Dae Seok Byeon,Jae Ick Son,Bong Soon LIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11705436B2. Автор: Soichi Homma,Takeori Maeda,Yuusuke Takano. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-07-18.

Optoelectronic semiconductor device and method for producing an optoelectronic semiconductor device

Номер патента: US09923130B2. Автор: Lorenzo Zini,Tobias Meyer. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor encapsulation material and semiconductor device

Номер патента: US12033907B2. Автор: Chika Arayama. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for fabricating a semiconductor device

Номер патента: US20200098637A1. Автор: Tae Gyu Kang,Sang-Il Choi,Seong Gi Jeon,Hee Seok Nho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-03-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20210225427A1. Автор: Koji Sakui,Takayuki Ohba. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2021-07-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240006344A1. Автор: Yasutaka Nakashiba,Toshiyuki Hata,Hiroshi Yanagigawa,Tomohisa Sekiguchi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200105681A1. Автор: Ching-Hung Chang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12015204B2. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20190057913A1. Автор: Hiromi Abe,Toshihiko Akiba,Masanao Sato,Bunji Yasumura. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-02-21.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240258371A1. Автор: Kosaku Adachi,Nobuyuki OTSUBO. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device, communication system, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297445A1. Автор: Hiroji Akahori. Владелец: Lapis Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20130203238A1. Автор: Akira Tamenori. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20090283895A1. Автор: Shintaro Yamamichi,Takehiko Maeda,Kentaro Mori,Hideya Murai,Katsumi Maeda,Katsumi Kikuchi,Masaya Kawano,Takuo Funaya,Yuuji Kayashima. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2009-11-19.

Semiconductor device and semiconductor chip

Номер патента: US20060097808A1. Автор: Kazuya Kawamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-05-11.

Architecture of image sensor with application of one or more devices with floating gate

Номер патента: RU2418383C2. Автор: Фань ХЭ,Карл Л. ШУРБОФФ. Владелец: Моторола Инк.. Дата публикации: 2011-05-10.

Semiconductor device with a substrate having depressions formed thereon

Номер патента: US11521941B2. Автор: Yoshinori Oda,Yoshinori Uezato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Semiconductor device, method of manufacturing the same, and camera

Номер патента: US20140008753A1. Автор: Yasushi Kurihara,Koji Tsuduki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-01-09.

Silicone-based adhesive sheet, multilayer structure including same, and method for producing semiconductor device

Номер патента: PH12020550712A1. Автор: Manabu Sutoh,Nohno TODA. Владелец: Dow Toray Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US8815652B2. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2014-08-26.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180286827A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2018-10-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US10177035B2. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2019-01-08.

Resin-encapsulated semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20190333888A1. Автор: Noriyuki Kimura. Владелец: Ablic Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Insulated-gate semiconductor device

Номер патента: US20190288064A1. Автор: Shigemi Miyazawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9728460B2. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for producing a package for a semiconductor chip, package for a semiconductor chip and semiconductor device

Номер патента: WO2023083461A1. Автор: Mohd Fauzi ZAINORDIN,Mazwan MANSOR,Ismail ITHNAIN. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-05-19.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170125295A1. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-05-04.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170338155A1. Автор: Shinichi Maeda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Semiconductor device having improved alignment of an electrode terminal on a semiconductor chip and a conductor coupled to the electrode terminal

Номер патента: US6867478B2. Автор: Mitsuo Usami. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-03-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20200395343A1. Автор: Hiroaki Ichikawa,Mitsuhiro KAKEFU. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20170294431A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20180358349A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-12-13.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (esd) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US20210265337A1. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-08-26.

Method of manufacturing optical semiconductor device and optical semiconductor device

Номер патента: US12113155B2. Автор: Takashi Araki,Tsukasa Maruyama,Takehiro Miyaji. Владелец: Dowa Electronics Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device in a level shifter with electrostatic discharge (ESD) protection circuit and semiconductor chip

Номер патента: US12057442B2. Автор: Kyong Jin HWANG,Hyun Kwang JEONG. Владелец: MagnaChip Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09805980B2. Автор: Tadashi Munakata,Noriyuki Takahashi,Yoshihiko Yamaguchi,Shingo Oosaka,Mitsuru Kinoshita. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor chip with graphene based devices in an interconnect structure of the chip

Номер патента: US20130203246A1. Автор: Guy Cohen,Alfred Grill,Timothy J. McArdle,Stephen M. Gates,Chun-Yung Sung,Christos D. Dimitrakopoulos. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-08-08.

Optoelectronic semiconductor apparatus including an optoelectronic semiconductor device having a carrier with a roughened first main surface and method for manufacturing thereof

Номер патента: US12087893B2. Автор: Attila Molnar,Lutz Hoeppel. Владелец: OSRAM Opto Semiconductors GmbH. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with built-in contacts (versions) and method of making semiconductor devices with built-in contacts (versions)

Номер патента: RU2394305C2. Автор: Кеннет Скотт Александр БАТЧЕР,Эп ФУКЕ Мари-Пьер Франсуаз ВИНТРЕБЕР,Аланна Хулия Хуне ФЕРНАНДЕС. Владелец: Гэлиэм Энтерпрайзис Пти Лтд. Дата публикации: 2010-07-10.

Surface mountable optoelectronic semiconductor device and method for manufacturing a surface mountable optoelectronic semiconductor devices

Номер патента: US12068281B2. Автор: Michael Schumann,Christian Leirer. Владелец: OSRAM OLED GmbH. Дата публикации: 2024-08-20.

Manufacturing method for semiconductor chips and semiconductor wafer

Номер патента: WO2006075725A3. Автор: Kiyoshi Arita,Teruaki Nishinaka. Владелец: Teruaki Nishinaka. Дата публикации: 2007-02-08.

Optically aligned hybrid semiconductor device and method

Номер патента: US09817197B2. Автор: Michael J. Hochberg,Ari Jason NOVACK,Ruizhi Shi,Daniel J. Blumenthal,Kishor V. Desai,Nathan A. Nuttall,David Henry Kinghorn,Holger N. Klein. Владелец: Elenion Technologies LLC. Дата публикации: 2017-11-14.

Method of manufacturing semiconductor device and method of testing the same

Номер патента: US20140248721A1. Автор: Hideaki Kobayashi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2014-09-04.

Semiconductor device

Номер патента: US8325452B2. Автор: Hiroaki Ichikawa. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-04.

Semiconductor device having semiconductor chip and antenna

Номер патента: US20080296745A1. Автор: Kazuya Kawamura. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Semiconductor device and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20080153205A1. Автор: Kenji Osawa,Hirotaka Nishizawa,Tamaki Wada,Michiaki Sugiyama,Junichiro Osako. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240297071A1. Автор: Shota IZUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20210217673A1. Автор: Kiyoshi Kansaku. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20080064146A1. Автор: Shigehisa Tajimi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-03-13.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240282762A1. Автор: Shota IZUMI. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of manufacturing a semiconductor package having a semiconductor chip and a microwave component

Номер патента: US09922946B2. Автор: Walter Hartner,Josef Boeck,Ernst Seler,Maciej Wojnowski. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device

Номер патента: WO2007037142A9. Автор: Kohzoh Itoh. Владелец: Ricoh Kk. Дата публикации: 2007-05-24.

Semiconductor device performing refresh operation

Номер патента: US20150063050A1. Автор: Toru Ishikawa,Kenichi Sakakibara. Владелец: Longitude Semiconductor SARL. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20180253375A1. Автор: Toshimitsu Arai. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2018-09-06.

Method of making a semiconductor chip assembly with a post/base heat spreader with a thermal via

Номер патента: US20110275180A1. Автор: Charles W.C. Lin,Chia-Chung Wang,Ming Yu Shih. Владелец: Bridge Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-11-10.

Silicon carbide semiconductor device and method of manufacturing silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12132084B2. Автор: Yohei Kagoyama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and fabrication method for same

Номер патента: US09812621B2. Автор: Masamichi Ishihara,Kenshu Oyama,Shoji Murakami,Hitonobu Onosaka. Владелец: Shikoku Instrumentation Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Vertical structure of semiconductor devices using nanotubes and method of making them

Номер патента: RU2342315C2. Автор: Тошихару ФУРУКАВА,Марк Чарлз ХЕЙКИ,Стивен Джон ХОЛМС,Дейвид Вацлав ХОРАК,Чарлз Уилль м КОУБУРГЕР III,Чарлз Уилльям КОУБУРГЕР III. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2008-12-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2745589C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: федеральное государственное бюджетно образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2021-03-29.

Methods for producing semiconductor devices

Номер патента: US20170053833A1. Автор: Andreas Voerckel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-02-23.

Methods for producing semiconductor devices

Номер патента: US20180076090A1. Автор: Andreas Voerckel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-03-15.

Methods for producing semiconductor devices

Номер патента: US09824927B2. Автор: Andreas Voerckel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for manufacturing a semiconductor device with multilayer conductors

Номер патента: RU2757176C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2021-10-11.

Semiconductor device

Номер патента: WO2009147753A1. Автор: Shigehiro Asano,Junji Yano,Shinichi Kanno. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2009-12-10.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929044B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: RU2726904C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Руслан Азаевич Кутуев,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-07-16.

Esd protection device with reduced harmonic distortion

Номер патента: US20240204516A1. Автор: Joost Adriaan Willemen,Egle Tylaite. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2024-06-20.

Process for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20090148997A1. Автор: Kazuhiro Fukuchi. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-06-11.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240234578A9. Автор: Kenichi Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with an image sensor and method for the manufacture of such a device

Номер патента: EP1878055A1. Автор: Willem Hoekstra,Willem-Jan Toren,Daniel W. E. Verbugt,Hein O. Folkerts,Daniel H. J. M. Hermes,Joris P. V. Maas,Willem H. Maes. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2008-01-16.

Thermoplastic resin composition for semiconductor, adhesion film, lead frame, and semiconductor device using the same, and method of producing semiconductor device

Номер патента: MY140876A. Автор: Tomohiro Nagoya,Yoshiyuki Tanabe,Toshiyasu Kawai,Naoko Tomoda,Kiyohide Tateoka. Владелец: Hitachi Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2010-01-29.

Semiconductor device

Номер патента: US12100747B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masataka Nakada,Takumi SHIGENOBU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US12136674B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09893020B2. Автор: Young-Jae Kim,Baik-Woo Lee,Jae-gwon JANG,Eun-Seok Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and semiconductor circuit including the semiconductor device with enhanced current-voltage characteristics

Номер патента: US09825026B2. Автор: John Twynam. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Method for producing a radiation emitting semiconductor device and radiation emitting semiconductor device

Номер патента: WO2023241864A1. Автор: Harald Jager,Gregory Bellynck,Tsu Pin CHNG. Владелец: Ams-Osram International Gmbh. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240249975A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device with air gap and boron nitride cap and method for forming the same

Номер патента: US20220028970A1. Автор: Yuan-Yuan Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US12125744B2. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09954111B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Manufacturing method and program of semiconductor device

Номер патента: US09945902B2. Автор: Tomoaki Tamura,Yoshiyuki Nakamura,Kouichi KUMAKI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Porous film made of polyparaxililine and its substitutes, method of the porous film manufacture and semiconductor device with its use

Номер патента: RU2218365C2. Автор: С.Н. Чвалун,Акио ТАКАХАСИ,И.Е. Кардаш,А.В. Пебалк,К.А. Маилян,Юичи САТСУ,Харуказу НАКАЙ. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-исследовательский физико-химический институт им. Л.Я.Карпова". Дата публикации: 2003-12-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190151999A1. Автор: Masato Negishi,Masato Suzuki,Kenji Hirano,Katsumi Ono,Tatsuro Yoshino. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2019-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317856A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Seiji Yasumoto,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device with diffusion suppression and ldd implants and an embedded non-ldd semiconductor device

Номер патента: US20230230975A1. Автор: Mahalingam Nandakumar,Brian Edward Hornung. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor devices with conductive lines that are laterally offset relative to corresponding contacts

Номер патента: US6903401B2. Автор: Tyler A. Lowrey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-07.

Semiconductor wafers and methods of fabricating semiconductor devices

Номер патента: US20090050885A1. Автор: Shin Kim,Young-Min Lee,Yun-rae Cho,Min-Keun Kwak. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-26.

Energy harvest and storage device for semiconductor chips and methods for forming the same

Номер патента: US12057516B2. Автор: Kuo-Ching Huang,Yi Ching Ong,Fu-Hai Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor

Номер патента: US09812467B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Method to manufacture power semiconductor device

Номер патента: RU2510099C2. Автор: Арност КОПТА,Мунаф РАХИМО. Владелец: АББ ТЕКНОЛОДЖИ АГ. Дата публикации: 2014-03-20.

Semiconductor device for surface mounting

Номер патента: RU2635338C2. Автор: Йозеф Андреас ШУГ. Владелец: КОНИНКЛЕЙКЕ ФИЛИПС Н.В.. Дата публикации: 2017-11-10.

Semiconductor chip, semiconductor package, and wafer dicing method

Номер патента: US20240203946A1. Автор: Sera Lee,Unbyoung Kang,Junyeong HEO,Jihoon JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device and method for operating semiconductor device

Номер патента: US11727873B2. Автор: Takayuki Ikeda,Kiyotaka Kimura,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-15.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20030045033A1. Автор: Takashi Hosaka. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2003-03-06.

Method for fabricating silicon carbide semiconductor device and power conversion device using the silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US12131906B2. Автор: Shiro Hino,Koji Sadamatsu. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer

Номер патента: US09859114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Solid-state transducer devices with optically-transmissive carrier substrates and related systems, methods, and devices

Номер патента: US09812606B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov,Scott D. Schellhammer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor devices with a mixed crystal region

Номер патента: EP3840058A1. Автор: Jan Willem Slotboom,Johannes Josephus Theodorus Marinus Donkers,Tony Vanhoucke,Mahmoud Shehab Mohammad Al-Sa di. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor Device with Different Contact Regions

Номер патента: US20160043237A1. Автор: Anton Mauder,Hans-Joachim Schulze,Wolfgang Rosner,Holger Schulze,Holger Hüsken. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-02-11.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20190287856A1. Автор: Takashi Shimada. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190172796A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Jo-Lin Lan,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor element, electronic device comprising semiconductor element, and semiconductor chip

Номер патента: US20240222552A1. Автор: Hao-Chung Kuo,Tsau-Hua Hsieh,Chun-Hui Huang,Wei-Ta HUANG,Tzu-Yi Lee. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20150187756A1. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-02.

Curved semiconductor chip and method for forming the same

Номер патента: US20240063338A1. Автор: Chia-Wei Liu,Jheng-Hong Jiang,Shing-Huang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor devices with integrated test structures

Номер патента: US20240321651A1. Автор: Rahul R. Potera,In-Hwan Ji. Владелец: Woflspeed Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device with metal silicide blocking region and method of manufacturing the same

Номер патента: US09871035B2. Автор: Ching-Chen Hao,I-Hsiang Hung,Wei-Der Sun. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Multi-chip semiconductor device with high withstand voltage, and a fabrication method of the same

Номер патента: US20060220618A1. Автор: Hiroshi Fujito,Yasuhiro Takamori. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2006-10-05.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20240234506A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device with doped structure

Номер патента: US20210234000A1. Автор: Ching-Hua Lee,Pei-Wei Lee,Miao-Syuan Fan,Jung-Wei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device with graphene conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US20220051936A1. Автор: Ching-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Low stress semiconductor devices with thermal oxide isolation

Номер патента: US20020093060A1. Автор: Hideo Miura,Makoto Ogasawara,Jun Murata,Hiroo Masuda,Noriaki Okamoto,Eiji Wakimoto,Shinji Sakata,Yasunobu Tanizaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-18.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US20020190264A1. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for making semiconductor device with selective etching of superlattice to accumulate non-semiconductor atoms

Номер патента: US20240194482A1. Автор: Marek Hytha,Keith Doran Weeks,Nyles Wynn Cody. Владелец: Atomera Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Isolation Structures Of Semiconductor Devices

Номер патента: US20240250122A1. Автор: I-Sheng Chen,Chao-Ching Cheng,Tzu-Chiang CHEN,Hung-Li Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

High-frequency semiconductor device with protection device

Номер патента: US5719428A. Автор: Wilhelmus G. Voncken,Louis Praamsma. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1998-02-17.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device with integrated delay chain

Номер патента: US20100164585A1. Автор: Carlo Alberto Romani,Massimo Scipioni,Corrado Giorgio Castiglione,Elvio Romanucci,Donato Tancredi. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2010-07-01.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US20230142940A1. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Manufacturing method of semiconductor substrate and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20110244660A1. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-10-06.

Composite Semiconductor Device with Active Oscillation Prevention

Номер патента: EP2503693B1. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2013-11-20.

Light-emitting device with quantum dots and holes, and its fabricating method

Номер патента: US6753545B2. Автор: Hoon Kim. Владелец: NMCTek Co Ltd. Дата публикации: 2004-06-22.

Power semiconductor device and power semiconductor chip

Номер патента: US12094961B2. Автор: Ju Hwan Lee. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor devices with wider field gates for reduced gate resistance

Номер патента: US09941377B2. Автор: Xiangdong Chen,Haining Yang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: EP2041785A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-04-01.

Semiconductor device with composite conductive features and method for preparing the same

Номер патента: US20240258159A1. Автор: Tzu-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Improved cmos devices with stressed channel regions, and methods for fabricating the same

Номер патента: WO2008000556A1. Автор: Thomas Dyer,Xiangdong Chen,Haining Yang,Kenneth Settlemeyer. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2008-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20210126132A1. Автор: Takashi Shiraishi,Masami Jintyou,Masayoshi Dobashi,Rai Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Semiconductor device with integrated heat distribution and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240290761A1. Автор: Ron Huemoeller,Bora Baloglu,Curtis Zwenger. Владелец: Amkor Technology Singapore Holding Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device, display system, and electronic device

Номер патента: US20180033696A1. Автор: Takashi Nakagawa,Yuki Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-01.

Method of forming a semiconductor device with a multi-layer WSix film with small grain size structure, and a semiconductor device having a polysilicon layer with a multi-layer WSix film formed thereon

Номер патента: US20030100184A1. Автор: Hsiao-Che Wu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-05-29.

Epitaxial oxide device with impact ionization

Номер патента: US12095006B2. Автор: Petar Atanackovic. Владелец: Silanna UV Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09923000B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09905555B2. Автор: Tatsuya Naito,Masahito Otsuki. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09842940B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Daisuke Matsubayashi,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device comprising a memory portion and a peripheral circuit portion

Номер патента: US7696609B2. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2010-04-13.

Semiconductor device with improved heat dissipation

Номер патента: US20060113647A1. Автор: Manfred Moser,Ulrich Kasberger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-06-01.

Semiconductor device with a charge carrier compensation structure in a semiconductor body and method for its production

Номер патента: US20090267174A1. Автор: Armin Willmeroth,Michael Rueb. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2009-10-29.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220123137A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200312851A1. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-10-01.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: EP3568870A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-11-20.

Method of and system for determining an overlay or alignment error between a first and a second device layer of a multilayer semiconductor device

Номер патента: US20190378769A1. Автор: Hamed Sadeghian Marnani,Violeta NAVARRO PAREDES,Maarten Hubertus VAN ES. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2019-12-12.

A semiconductor device with an improved gate electrode pattern and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20020030236A1. Автор: Hisato Oyamatsu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-14.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20150311352A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device, semiconductor wafer, memory device, and electronic device

Номер патента: US20240298448A1. Автор: Hajime Kimura,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Structure and formation method of semiconductor device with metal gate

Номер патента: US10014394B2. Автор: Che-Cheng Chang,Yu-Cheng Liu,Wei-Ting Chen,Chen-Hsiang LU,Jui-Ping Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-07-03.

Semiconductor device with multichannel heterostructure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240297231A1. Автор: HAO LI,Jian Wang,King Yuen Wong,Anbang ZHANG,Haoning ZHENG. Владелец: Innoscience Zhuhai Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device with transistors including oxide semiconductors and capacitor elements

Номер патента: US12132057B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12075635B2. Автор: Yoshiyuki Kurokawa,Yasuhiko Takemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

n-channel bipolar power semiconductor device with p-layer in the drift volume

Номер патента: US09978851B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Roman Baburske,Markus Bina,Oana Julia Spulber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2018-05-22.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Transistors, semiconductor devices, and electronic devices including transistor gates with conductive elements including cobalt silicide

Номер патента: US09882015B2. Автор: Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Stacked nanosheet field effect transistor device with substrate isolation

Номер патента: US09881998B1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Juntao Li,Qintao Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Bipolar semiconductor device with sub-cathode enhancement regions

Номер патента: US09871128B2. Автор: Yi Tang,Florin Udrea,Chiu Ng,Alice Pei-Shan Hsieh,Gianluca Camuso,Rajeev Krishna Vytla,Canhua Li. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-16.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Structure and formation method of semiconductor device with channel layer

Номер патента: US09847334B1. Автор: Shih-Chieh Chang,Tsung-Lin Lee,Shahaji B. More,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor chip, and manufacturing method and application of the chip

Номер патента: US20060125060A1. Автор: Kiyonori Oyu. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2006-06-15.

Method of inspecting silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220214392A1. Автор: Makoto Utsumi,Masaki Miyazato. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for producing a semiconductor device with a semiconductor body

Номер патента: US20110189839A1. Автор: Franz Hirler,Armin Willmeroth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2011-08-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Semiconductor device and radiation detector employing it

Номер патента: US20060231961A1. Автор: Masahiro Hayashi,Katsumi Shibayama,Yutaka Kusuyama. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2006-10-19.

Semiconductor device with first and second electrodes forming schottky junction with silicon carbide semiconductor layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US9577044B2. Автор: Masashi Hayashi,Masao Uchida,Koutarou Tanaka. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180095336A1. Автор: Takahiro Fukutome. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-05.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20110260251A1. Автор: Harry Chuang,Mong-Song Liang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device and method of designing the same

Номер патента: US20080055806A1. Автор: Fujiyuki Minesaki. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-06.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US9893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having die ring conductor

Номер патента: US20240213183A1. Автор: Teppei MIYAJI. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

A three dimensional memory device with epitaxial semiconductor pedestal for peripheral transistors

Номер патента: EP3286785A1. Автор: Zhenyu Lu,Daxin Mao,Koji Miyata,Johann Alsmeier,Andrew Lin,George Matamis,Jixin Yu,Wenguang Shi,Junichi Ariyoshi,Xiaolong Hu,Jiyin Xu. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2018-02-28.

Semiconductor device with air gaps between metal gates and method of forming the same

Номер патента: US12100625B2. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Wei-Lun Min. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor Device and Method of Fabricating Same

Номер патента: US20130316504A1. Автор: Mong-Song Liang,Harry-Hak-Lay Chuang,Kong-Beng Thei,Sheng-Chen Chung,Chung Long Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-11-28.

Compositions for removing photoresists and methods of manufacturing semiconductor devices and semiconductor packages using the compositions

Номер патента: US20240337948A1. Автор: Taeyoung Kim,YunSeok Choi,Hoon Han,Moonyoung KIM,Hyojin Yun,Woojung Park,SeungWon Kim,Jinhye Bae,Hyunseop Shin,Mintae Lee,Moonchang Kim,Cheolmo Yang. Владелец: KPX CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Compositions for removing photoresists and methods of manufacturing semiconductor devices and semiconductor packages using the compositions

Номер патента: US12044974B2. Автор: Taeyoung Kim,YunSeok Choi,Hoon Han,Moonyoung KIM,Hyojin Yun,Woojung Park,SeungWon Kim,Jinhye Bae,Hyunseop Shin,Mintae Lee,Moonchang Kim,Cheolmo Yang. Владелец: KPX CHEMICAL CO Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Method and apparatus for semiconductor device with reduced device footprint

Номер патента: US09978635B2. Автор: Chien-Hsien Song. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09893108B2. Автор: Toshifumi Iwasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Techniques providing metal gate devices with multiple barrier layers

Номер патента: US09831243B2. Автор: Kuang-Yuan Hsu,Xiong-Fei Yu,Jeff J. Xu,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device with well resistor and alternated insulating and active regions between input and output terminals

Номер патента: US09786738B2. Автор: Kiyoshi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-10-10.

Methods, devices, and systems related to forming semiconductor power devices with a handle substrate

Номер патента: US09768271B2. Автор: Cem Basceri,Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20120001243A1. Автор: Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

Improved semiconductor device with the schottky diode

Номер патента: RU2683377C1. Автор: Михаэль РЕШКЕ. Владелец: Диотек Семикондактор Аг. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor Device with Fault Detection Function

Номер патента: US20090174426A1. Автор: Kei Kobayashi,Chiaki Matoba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-07-09.

Batteries of tubular biomedical devices with chemically deposited seal

Номер патента: RU2672572C1. Автор: Адам ТОНЕР,Рэндалл Б. ПЬЮ,Фредерик А. ФЛИТШ,Стюарт Майкл ДЭВИС,Миллберн Эбензер МУТУ,Лоуренс ВАЙНШТЕЙН. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2018-11-16.

Semiconductor device and method of manufacturing the same and semiconductor manufacturing device

Номер патента: US20080316790A1. Автор: Fumihiko Inoue,Kentaro Sera. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20160071566A1. Автор: Shintaro Sakai,Hiromi Noro. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-03-10.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641849C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Thermoelectric semiconductor device for massaging neck-collar zone

Номер патента: RU2634688C1. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2017-11-02.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641848C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Джамиля Кадировна Рамазанова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-22.

Semiconductor device and information processing system for encrypted communication

Номер патента: US09960914B2. Автор: Daisuke Oshida,Shigemasa Shiota. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device

Номер патента: US10547170B2. Автор: Makoto Tanaka,Akihiro Nakahara. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2020-01-28.

Semiconductor device, memory and storage system

Номер патента: US20240164086A1. Автор: HAO Zhang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor chip and test method of the same

Номер патента: US20230176112A1. Автор: Jae Ho Lee,Jae Seung Choi,Chan Wook Park,Yeon Ho Jung,Hwang Ho Choi,Jong Wook Kye,Min Woo Kwak,Mi Joung Kim,Do Hoon Byun,Kwan Seong Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-06-08.

Semiconductor device with buried bit line and preparation method thereof

Номер патента: US12120868B2. Автор: RAN Li,Xing Jin,Ming Cheng. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

High voltage composite semiconductor device with protection for a low voltage device

Номер патента: US09859882B2. Автор: Jason Zhang,Tony Bramian. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and process for producing the same

Номер патента: US20020101483A1. Автор: Ryoichi Yamamoto,Masao Mitani. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-01.

Semiconductor device comprising a pressure sensor and a semiconductor chip

Номер патента: EP1003021B1. Автор: Günter Dipl.-Ing. Igel. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2001-08-08.

Semiconductor device comprising a pressure sensor and a semiconductor chip

Номер патента: EP1003021A3. Автор: Günter Dipl.-Ing. Igel. Владелец: TDK Micronas GmbH. Дата публикации: 2000-11-02.

Current detection method of semiconductor device and semiconductor device

Номер патента: US09835660B2. Автор: Akira Uemura,Osamu Soma,Kenji Amada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and system

Номер патента: US20150204926A1. Автор: Daisuke Nakata. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-07-23.

Semiconductor device and electronic apparatus using the same

Номер патента: US20060038277A1. Автор: Tetsuya Katoh. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-02-23.

Semiconductor device and electronic apparatus

Номер патента: US20150268101A1. Автор: Chiaki Kumahara,Akira Tsurugasaki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: WO2022223101A1. Автор: Paul Taylor,Tong Sun,Kenneth Thomas Victor GRATTAN,Yangang WANG,Michael Nicholson,Daniel Bell,Robin Adam Simpson,Matthias FABIAN,Bruno Cerqueira Rente Ribeiro,Callum Tarr. Владелец: Zhuzhou Crrc Times Semiconductor Co. Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Semiconductor device and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20240230751A9. Автор: Yoshiaki Tanaka,Kouji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device and inspection method for semiconductor device

Номер патента: US20240133944A1. Автор: Yoshiaki Tanaka,Kouji Nakajima. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US11392478B2. Автор: Masashi Niimura,Kenshi Fukuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-07-19.

Semiconductor device

Номер патента: US11726895B2. Автор: Masashi Niimura,Kenshi Fukuda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Semiconductor device with phase comparator comparing phases between internal signal and external signal

Номер патента: US6833723B2. Автор: Takeo Miki,Takeshi Hamamoto. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-21.

Multi-chip semiconductor device providing enhanced redundancy capabilities

Номер патента: US20090257297A1. Автор: Ki Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-10-15.

Test circuit for 3d semiconductor device and method for testing thereof

Номер патента: US20170300392A1. Автор: Sung Ho Kang,In Geol LEE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2017-10-19.

Method for automated monitoring of thermal resistances of semiconductor devices

Номер патента: RU2698512C1. Автор: Леонид Алексеевич Потапов,Игорь Юрьевич Бутарев,Алексей Николаевич Школин. Владелец: ФЕДЕРАЛЬНОЕ ГОСУДАРСТВЕННОЕ БЮДЖЕТНОЕ ОБРАЗОВАТЕЛЬНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ВЫСШЕГО ОБРАЗОВАНИЯ "Брянский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-28.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection device

Номер патента: US20230184825A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device verification system and method

Номер патента: US20040125675A1. Автор: Hong Kim,Ajaykumar Thadhlani. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-07-01.

Semiconductor devices with cavities and methods for fabricating semiconductor devices with cavities

Номер патента: US09932224B2. Автор: Rakesh Kumar,Pradeep Yelehanka,Siddharth Chakravarty. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device inspection method and semiconductor device inspection apparatus

Номер патента: US20230184827A1. Автор: Tomonori Nakamura,Akira Shimase,Shigeru EURA,Norimichi Chinone. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor device, nonvolatile semiconductor memory, system including a plurality of semiconductor devices or nonvolatile semiconductor memories, electric card including semiconductor device or nonvolatile semiconductor memory, and electric device with which this electric card can be used

Номер патента: US20030133338A1. Автор: Hiroshi Nakamura,Kenichi Imamiya,Koichi Kawai,Kazushige Kanda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-07-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20080054379A1. Автор: Tsutomu Hara,Yutaka Uematsu,Hideki Osaka,Yoji Nishio,Seiji Funaba. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-03-06.

Simulation device for semiconductor device, and short-circuit determination method for semiconductor device

Номер патента: US20170068757A1. Автор: Ryota NIHEI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001315A1. Автор: Kikuchi Hiroshi,MOCHIZUKI Chihiro,SHIMA Yasuo,KOBAYASHI Yoichiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

RECEIVER, SEMICONDUCTOR DEVICE, AND SIGNAL TRANSMISSION METHOD

Номер патента: US20120002771A1. Автор: . Владелец: NEC Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SURFACE-MOUNTABLE MAGNETIC FIELD SENSOR HAVING A SEMICONDUCTOR CHIP AND METHOD FOR PRODUCING A CIRCUIT BOARD HAVING A MAGNETIC FIELD SENSOR

Номер патента: US20120001627A1. Автор: STEGER Jürgen,Flock Stefan,Krella Uwe. Владелец: Conti Temic Microeletronic GMBH. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising Through Hole Vias Having a Stress Relaxation Mechanism

Номер патента: US20120001330A1. Автор: Huisinga Torsten,Grillberger Michael,Hahn Jens. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR ENCAPSULATING SEMICONDUCTOR AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001350A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001177A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Including Ultra Low-K (ULK) Metallization Stacks with Reduced Chip-Package Interaction

Номер патента: US20120001323A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Heavy-load-current semiconductor device package

Номер патента: RU2322729C1. Автор: Анатолий Михайлович Заика,Сергей Валентинович Офицеров,Фазол Канифуллович Насибулин,Виктор Алексеевич Черных,Тамара Ивановна Попова. Владелец: Открытое акционерное общество "Донской завод радиодеталей". Дата публикации: 2008-04-20.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of forming contact to drain region of semiconductor device

Номер патента: RU2534439C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Айшат Расуловна Шахмаева,Патимат Расуловна Захарова. Владелец: Федеральное Государственное Бюджетное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Дагестанский Государственный Технический Университет" (Дгту). Дата публикации: 2014-11-27.

Semiconductor device assembling method

Номер патента: RU2171520C2. Автор: В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-07-27.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device Comprising High-K Metal Gate Electrode Structures and Precision eFuses Formed in the Active Semiconductor Material

Номер патента: US20120001295A1. Автор: . Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Multi-gate semiconductor devices

Номер патента: US20120001230A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF REDUCING EROSION OF A METAL CAP LAYER DURING VIA PATTERNING IN SEMICONDUCTOR DEVICES

Номер патента: US20120003832A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE HAVING REDUCED SUB-THRESHOLD LEAKAGE

Номер патента: US20120003810A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE CAPABLE OF SUPPRESSING A COUPLING EFFECT OF A TEST-DISABLE TRANSMISSION LINE

Номер патента: US20120001175A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for lead-free resistance-reactance soldering of semiconductor chip to package

Номер патента: RU2313156C1. Автор: Виктор Васильевич Зенин,Александр Владимирович Рягузов,Дмитрий Игоревич Бокарев,Александр Николаевич Кастрюлев,Ольга Владимировна Хишко,Виктор Васильевич Зенин (RU),гузов Александр Владимирович Р (RU),Дмитрий Игоревич Бокарев (RU),Александр Николаевич Кастрюлев (RU),Ольга Владимировна Хишко (RU). Владелец: ОАО "Воронежский завод полупроводниковых приборов-Сборка". Дата публикации: 2007-12-20.

POWER SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001199A1. Автор: Bauer Friedhelm. Владелец: ABB RESEARCH LTD. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for soldering semiconductor chip to case

Номер патента: RU2167469C2. Автор: Б.А. Спиридонов,В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал,Ю.Л. Фоменко,А.А. Колбенков. Владелец: АООТ "Воронежский завод полупроводниковых приборов". Дата публикации: 2001-05-20.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C1. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Александр Валерьевич Старцев,Анатолий Александрович Черников. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2006-07-10.

Semiconductor device with inbuilt protection from overvoltage

Номер патента: RU2279735C9. Автор: Пантелей Георгиевич Дерменжи,Юрий Михайлович Локтаев,Анатолий Александрович Черников,Александр Валерьевич Ставцев. Владелец: Государственное унитарное предприятие "Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина". Дата публикации: 2007-01-27.

Method of making nitride semiconductor and p-type nitride semiconductor device

Номер патента: RU2371806C1. Автор: Хее Сеок ПАРК,Андрей Евгеньевич Николаев,Андрей Федорович Цацульников,Алексей Валентинович Сахаров,Всеволод Владимирович Лундин,Евгений Евгеньевич Заварин,Сеонг Сук ЛИ,Михаил Алексеевич СИНИЦЫН. Владелец: Самсунг Электро-Меканикс Ко., Лтд.. Дата публикации: 2009-10-27.

Method for manufacturing tab connectors on semiconductor chip

Номер патента: RU2207660C1. Автор: В.Н. Беляев,ев В.Н. Бел,В.В. Зенин,Ю.Е. Сегал. Владелец: ООО Консультационно-технический центр "Электроника". Дата публикации: 2003-06-27.

Power semiconductor device of tablet structure

Номер патента: RU2231862C1. Автор: А.В. Новиков,А.И. Савкин. Владелец: Савкин Анатолий Иванович. Дата публикации: 2004-06-27.

Thermoelectric semiconductor device for neck-collar zone massage

Номер патента: RU2641066C2. Автор: Тагир Абдурашидович Исмаилов,Мадина Абдулаевна Хазамова,Тамила Арслановна Рагимова,Елена Гасанбековна Кациева,Тамара Азаматовна Рагимова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Дагестанский государственный технический университет". Дата публикации: 2018-01-15.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.