Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Reliability screening of ferroelectric memories in integrated circuits

Reliability screening of ferroelectric memories in integrated circuits

Номер патента: US09607717B2
Опубликовано: 28-03-2017
Автор(ы): John A. Rodriguez, Richard Bailey
Принадлежит: Texas Instruments Inc
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Reliability Screening of Ferroelectric Memories in Integrated Circuits

Номер патента: US20150357050A1. Автор: John A. Rodriguez,Richard Bailey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Screening for data retention loss in ferroelectric memories

Номер патента: US09842662B2. Автор: John A. Rodriguez,Richard A. Bailey,Carl Z. Zhou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Screening for Data Retention Loss in Ferroelectric Memories

Номер патента: US20180102184A1. Автор: John A. Rodriguez,Richard A. Bailey,Carl Z. Zhou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-04-12.

Process monitoring for ferroelectric memory devices with in-line retention test

Номер патента: US20060146588A1. Автор: Richard Bailey,John Rodriguez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-07-06.

Process monitoring for ferroelectric memory devices with in-line retention test

Номер патента: US7149137B2. Автор: John Anthony Rodriguez,Richard Allen Bailey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2006-12-12.

Screening for later life stuck bits in ferroelectric memories

Номер патента: US09552880B2. Автор: John A. Rodriguez,Richard A. Bailey,Carl Z. Zhou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Circuit and method for testing a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1333446A3. Автор: David C. McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2004-08-18.

Ferroelectric random access memory devices having short-lived cell detector available for life test for ferroelectric capacitor and method for testing ferroelectric memory cells

Номер патента: US5991189A. Автор: Tohru Miwa. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

Integrated circuit device provided with series-connected TC parallel unit ferroelectric memory and method for testing the same

Номер патента: US7218546B2. Автор: Shinichiro Shiratake,Tadashi Miyakawa,Daisaburo Takashima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-05-15.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060239061A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: McDermott Will and Emery LLP. Дата публикации: 2006-10-26.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20070279960A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2007-12-06.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20090016093A1. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2009-01-15.

Setting of Reference Voltage for Data Sensing in Ferroelectric Memories

Номер патента: US20160240238A1. Автор: Keith A. Remack,John A. Rodriguez,Carl Z. Zhou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-18.

Setting of reference voltage for data sensing in ferroelectric memories

Номер патента: US09767879B2. Автор: Keith A. Remack,John A. Rodriguez,Carl Z. Zhou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Memory system and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7697315B2. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-13.

Memory system and semiconductor integrated circuit in which operation timings can be set externally

Номер патента: US6865101B2. Автор: Shunichi Iwanari. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-03-08.

Ferroelectric memory

Номер патента: US20020024839A1. Автор: Yoshitaka Mano. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-02-28.

Setting of reference voltage for data sensing in ferroelectric memories

Номер патента: US20170345478A1. Автор: Keith A. Remack,John A. Rodriguez,Carl Z. Zhou. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-30.

Ferroelectric memory and method of testing the same

Номер патента: US20040179385A1. Автор: Ryu Ogiwara. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-16.

Cross-point ferroelectric memory that reduces the effects of bit line to word line shorts

Номер патента: US20060002178A1. Автор: Richard Womack. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2006-01-05.

Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability

Номер патента: US09805788B2. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability

Номер патента: US09576643B2. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability

Номер патента: US09466356B2. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Array power supply-based screening of static random access memory cells for bias temperature instability

Номер патента: US09455021B2. Автор: Xiaowei Deng,Wah Kit Loh. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-09-27.

Ferroelectric memory and a test method thereof

Номер патента: US20030063488A1. Автор: Masanori Kasai. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-04-03.

Semiconductor integrated circuit and test system for testing the same

Номер патента: US7222279B2. Автор: Masaaki Tanimura. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-22.

Method for efficiently waking up ferroelectric memory

Номер патента: US20240363155A1. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Apparatus and method for controlling erasing data in ferroelectric memory cells

Номер патента: US20190287602A1. Автор: Yasushi Matsubara,Kiyotake Sakurai. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-09-19.

Method for efficiently waking up ferroelectric memory

Номер патента: US12057154B2. Автор: Tzu-Yu Chen,Fu-Chen Chang,Wen-Ting Chu,Kuo-Chi Tu,Sheng-Hung SHIH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Operation methods of ferroelectric memory

Номер патента: US20210142838A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-13.

Ferroelectric memory plate power reduction

Номер патента: US20200211613A1. Автор: David L. Pinney,Adam S. El-Mansouri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Operation methods of ferroelectric memory

Номер патента: WO2021093263A1. Автор: Feng Pan. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2021-05-20.

Three-dimensional ferroelectric memory devices

Номер патента: WO2020034809A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Feng Pan,Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co., Ltd.. Дата публикации: 2020-02-20.

Three-dimensional ferroelectric memory devices

Номер патента: EP3827432A1. Автор: Qian Tao,Zhenyu Lu,Feng Pan,Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-02.

Ferroelectric memory and storage device

Номер патента: EP4227999A1. Автор: Yu Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ying Wu,Heng Zhang,Yichen FANG,Weiliang JING,Zhaozhao HOU,Sitong BU,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-16.

Ferroelectric memory and storage device

Номер патента: US20230276636A1. Автор: Yu Zhang,Jeffrey Junhao XU,Ying Wu,Heng Zhang,Yichen FANG,Weiliang JING,Zhaozhao HOU,Sitong BU,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-31.

Ferroelectric memory expansion for firmware updates

Номер патента: US20190087171A1. Автор: Ralf Brederlow,Peter Wongeun Chung,Oscar Miguel Guillen-Hernandez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-03-21.

Ferroelectric memory plate power reduction

Номер патента: US20210312967A1. Автор: David L. Pinney,Adam S. El-Mansouri. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-10-07.

Bimodal operation mode of ferroelectric and electret memory cells and memory units on their basis

Номер патента: RU2329553C1. Автор: Гейрр И. Лейстад,Ханс Гуде Гудесен,Гёран ГУСТАФССОН,Исак ЭНГКУИСТ. Владелец: Тин Филм Электроникс Аса. Дата публикации: 2008-07-20.

Ferroelectric memory expansion for firmware updates

Номер патента: US10545752B2. Автор: Ralf Brederlow,Peter Wongeun Chung,Oscar Miguel Guillen-Hernandez. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-01-28.

Ferroelectric memory cell access

Номер патента: US12062389B2. Автор: Umberto Di Vincenzo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096466A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Charge extraction from ferroelectric memory cell

Номер патента: US20190096467A1. Автор: Daniele Vimercati. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

System on chip (SOC) with processor and integrated ferroelectric memory

Номер патента: US12125513B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of manufacture of ferroelectric memory

Номер патента: US20030203511A1. Автор: Kinya Ashikaga. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2003-10-30.

Ferroelectric memories based on arrays of autonomous memory bits

Номер патента: WO2011156525A2. Автор: Joseph Tate Evans. Владелец: Radiant Technologies, Inc.. Дата публикации: 2011-12-15.

Systems and methods for reading ferroelectric memories

Номер патента: US20140085962A1. Автор: David Eric Schwartz. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2014-03-27.

Ferroelectric memory device

Номер патента: US9190136B2. Автор: Naoharu Shinozaki,Keizo Morita,Tomohisa Hirayama. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Memory cell array having ferroelectric capacitors, method of fabricating the same, and ferroelectric memory device.

Номер патента: US6617627B2. Автор: Eiji Natori,Tatsuya Shimoda,Koichi Oguchi,Kazumasa Hasegawa,Takao Nishikawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2003-09-09.

Non-volatile memory cell with multiple ferroelectric memory elements (FMEs)

Номер патента: US11996144B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-05-28.

Ferroelectric memory and electronic apparatus

Номер патента: US20020154554A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Method and related circuit for accessing locations of a ferroelectric memory

Номер патента: US20040015643A1. Автор: Salvatore Torrisi,Nicolas Demange,Giampiero Sberno. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2004-01-22.

Ferroelectric memory devices having expanded plate lines

Номер патента: US20080025065A1. Автор: Hyun-Ho Kim,Kyu-Mann Lee,Dong-Jin Jung,Ki-nam Kim,Sang-don Nam. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-31.

Ferroelectric memory devices having expanded plate lines

Номер патента: US20050035384A1. Автор: Hyun-Ho Kim,Kyu-Mann Lee,Dong-Jin Jung,Ki-nam Kim,Sang-don Nam. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-02-17.

Ferroelectric memory

Номер патента: US7139187B2. Автор: Hideaki Suzuki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-21.

Ferroelectric memory devices with reduced edge defects and methods for forming the same

Номер патента: US11839087B2. Автор: Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20060139986A1. Автор: Hee Kang,Jin Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-06-29.

Nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US7164594B2. Автор: Hee Bok Kang,Jin Hong Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-16.

Column select circuit of ferroelectric memory

Номер патента: US20040208045A1. Автор: Shinichiro Shiratake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-10-21.

Writing to ferroelectric memory devices

Номер патента: US20050231996A1. Автор: Craig Salling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-10-20.

Method for mitigating imprint in a ferroelectric memory

Номер патента: EP2237280A3. Автор: Craig Taylor,Shan Sun,Fan Chu. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 2010-11-17.

Reference voltage generating circuit of nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20030026154A1. Автор: Hee Kang,Duck Kim,Hun Kye,Je Park. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2003-02-06.

Wake-up of ferroelectric thin films for probe storage

Номер патента: SG130122A1. Автор: Joachim Walter Ahner,Martin Gerard Forrester,Andreas Karl Roelofs. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2007-03-20.

Methods and apparatuses including one or more interrupted integrated circuit operations for characterizing radiation effects in integrated circuits

Номер патента: US09620242B1. Автор: Adam Duncan,Matthew Gadlage,Matthew Kay,James David Ingalls,Austin H. Roach. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-04-11.

Circuit and method for specifying performance parameters in integrated circuits

Номер патента: WO1999044752A3. Автор: Troy A Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-10-21.

Circuit and method for specifying performance parameters in integrated circuits

Номер патента: EP1060027A2. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Circuit and method for specifying performance parameters in integrated circuits

Номер патента: US20010002461A1. Автор: Troy Manning. Владелец: Manning Troy A.. Дата публикации: 2001-05-31.

Method for writing and reading a ferroelectric memory

Номер патента: US20010005326A1. Автор: Georg Braun. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-06-28.

Ferroelectric memory and non-volatile memory cell for same

Номер патента: US5541870A. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Hitoshi Watanabe,Takashi Mihara,Larry D. McMillan,Hiroyuki Yoshimori. Владелец: Olympus Optical Co Ltd. Дата публикации: 1996-07-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6937498B2. Автор: Shinichiro Shiratake. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-08-30.

Signal skew correction in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20240055068A1. Автор: Panduka Wijetunga,Srinivas Satish Babu Bamdhamravuri. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-02-15.

Signal skew correction in integrated circuit memory devices

Номер патента: EP4264298A1. Автор: Panduka Wijetunga,Srinivas Satish Babu Bamdhamravuri. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-10-25.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US20200388317A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US20190333564A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US20170358338A1. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-14.

Half density ferroelectric memory and operation

Номер патента: US09892776B2. Автор: Scott J. Derner,Charles L. Ingalls. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Self-referencing ferroelectric memory

Номер патента: EP1119861A1. Автор: David A. Kamp. Владелец: Celis Semiconductor Corp. Дата публикации: 2001-08-01.

Processing system with a ferroelectric memory

Номер патента: US5424976A. Автор: Roger Cuppens. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1995-06-13.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: EP3143650A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-03-22.

Non-volatile ferroelectric memory cells with multilevel operation

Номер патента: US20170249983A1. Автор: Ji Hoon Park,Ihab N. Odeh,Husam N. Alshareef,Mohd A. KHAN. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2017-08-31.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09899072B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Ferroelectric memory cell apparatuses and methods of operating ferroelectric memory cells

Номер патента: US09767880B1. Автор: Eric Carman. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells and capacitors

Номер патента: US09697881B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Methods of operating ferroelectric memory cells, and related ferroelectric memory cells

Номер патента: US09460770B1. Автор: Matthew N. Rocklein,Steven C. Nicholes,Ashonita A. Chavan. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-04.

Method for writing and reading a ferroelectric memory

Номер патента: US6327173B2. Автор: Georg Braun. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-12-04.

Memory configuration including a plurality of resistive ferroelectric memory cells

Номер патента: US20010033516A1. Автор: Kurt Hoffmann,Oskar Kowarik. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-25.

Circuit and method for asynchronously accessing a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1225594A3. Автор: David C. McClure. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2003-12-03.

Method for operating a ferroelectric memory configuration and a ferroelectric memory configuration

Номер патента: US6538913B2. Автор: Thomas Rohr,Heinz Hönigschmid. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-03-25.

Ferroelectric memory cell with shunted ferroelectric capacitor and method of making same

Номер патента: EP1016088A1. Автор: David A. Kamp. Владелец: CELIS SEMICONDUCTER Corp. Дата публикации: 2000-07-05.

Method for operating a ferroelectric memory configuration and a ferroelectric memory configuration

Номер патента: US20010036099A1. Автор: Thomas Rohr,Heinz Hönigschmid. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-11-01.

Non-destructive readout ferroelectric memory as well as method of preparing the same and method of operating the same

Номер патента: US09685216B2. Автор: Jun Jiang,Anquan Jiang,Zilong BAI,Wenping GENG. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-06-20.

Methods and apparatus for detecting memory bit corruption on an integrated circuit

Номер патента: US09582349B1. Автор: David Lewis,Herman Henry Schmit. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Methods and circuits for disrupting integrated circuit function

Номер патента: US20140201579A1. Автор: Igor Arsovski,Sebastian T. Ventrone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-17.

EMBEDDED MEMORY IN THREE-DIMENSIONAL INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20190304978A1. Автор: Wang Yih. Владелец: . Дата публикации: 2019-10-03.

Integrated circuit having a timing circuit, and method for adjustment of an output signal from the timing circuit

Номер патента: US20020027462A1. Автор: Robert Kaiser,Thilo Schaffroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-03-07.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Reduced power consumption in integrated circuits with fuse controlled redundant circuits

Номер патента: WO2005017913A1. Автор: Wolfgang Hokenmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-24.

Methods and devices for regulating the timing of control signals in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20070280033A1. Автор: Chi-wook Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Semiconductor integrated circuit with bist circuit

Номер патента: US09443611B2. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-13.

Systems and methods for executing precharge commands using posted precharge in integrated circuit memory devices with memory banks each including local precharge control circuits

Номер патента: US6661721B2. Автор: Gunther Lehmann,Thomas Boehler,Juei Lung Chen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-09.

Redundant rows in integrated circuit memories

Номер патента: CA1215471A. Автор: Kalyanasundaram Venkateswaran. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1986-12-16.

Testing embedded memory in an integrated circuit

Номер патента: US20060059386A1. Автор: WEI Han,Loren McLaury. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2006-03-16.

Method and BIST architecture for fast memory testing in platform-based integrated circuit

Номер патента: US20060156088A1. Автор: Anatoli Bolotov,Alexander Andreev,Raoko Scepanovic. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-07-13.

In-situ detection of anomalies in integrated circuits using machine learning models

Номер патента: US20220101625A1. Автор: Farzin G. Guilak,Vivek K. De,Narayan Srinivasa,Miguel Bautista Gabriel,Sriram R. Vangal,Hyochan An,Pratik Dasharathkumar Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Integrated circuit including programmable circuit

Номер патента: CA2010122A1. Автор: Makoto Sakamoto. Владелец: Kawasaki Steel Corp. Дата публикации: 1990-12-21.

Memory test circuit, semiconductor integrated circuit and memory test method

Номер патента: US8289792B2. Автор: Kazuya KUDOU. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-16.

Semiconductor integrated circuit and method for controlling the same

Номер патента: US7716545B2. Автор: Masaaki Shimooka. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-05-11.

Semiconductor Integrated Circuit with Bist Circuit

Номер патента: US20140245087A1. Автор: Kenichi Anzou,Chikako Tokunaga. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Integrated circuit

Номер патента: US20050218960A1. Автор: Ralf Schneider,Joerg Vollrath,Marcin Gnat,Aurel Campenhausen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-10-06.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US6661692B2. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2003-12-09.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

Integrated circuit, test structure and method for testing integrated circuits

Номер патента: US20020020854A1. Автор: Ralf Schneider,Norbert Wirth,Bernhard Ruf,Arndt Gruber. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-02-21.

Integrated circuit comprising a test circuit, related method and computer-program product

Номер патента: US20240295604A1. Автор: Mario Barone,Gianluca TORTORA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit comprising a test circuit, related method and computer-program product

Номер патента: EP4425196A1. Автор: Mario Barone,Gianluca TORTORA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Integrated circuit and storage device including integrated circuit

Номер патента: US09897650B2. Автор: Hyunjin Kim,Jangwoo Lee,ChaeHoon KIM,Jeongdon Ihm,Daehoon Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor integrated circuit device having delay circuit

Номер патента: US09755626B2. Автор: Jae Hoon Cha,Sung Yub Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuit structure and memory

Номер патента: EP3923285A1. Автор: Liang Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-12-15.

Integrated circuit device including an sram portion having end power select circuits

Номер патента: US20240203489A1. Автор: Darryl G. Walker. Владелец: Mavagail Technology LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor integrated circuit device, redundancy system, and redundancy method thereof

Номер патента: US20090072886A1. Автор: Atsushi Suzuki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Securing An Integrated Circuit

Номер патента: US20080043558A1. Автор: Robert Dixon,Phil Paone,Kirk Morrow. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-02-21.

Semiconductor integrated circuit device incorporating a data memory testing circuit

Номер патента: US20050276113A1. Автор: Atsushi Nakayama,Toshimasa Namekawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-15.

Multilevel ferroelectric memory cell for an integrated circuit

Номер патента: US09830969B2. Автор: Stefan Slesazeck,Halid MULAOSMANOVIC. Владелец: NaMLab GmbH. Дата публикации: 2017-11-28.

Ferroelectric memory device and operation method thereof

Номер патента: US11765907B2. Автор: Masaharu Kobayashi,Toshiro Hiramoto,Fei MO. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2023-09-19.

Ferroelectric memory devices and operating methods thereof

Номер патента: US8385098B2. Автор: Jai-Kwang Shin,Ki-ha Hong,Jeong-Seob Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-02-26.

Ferroelectric memory and formation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4339950A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

1s-1t ferroelectric memory

Номер патента: US20220130443A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-04-28.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: EP4421849A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-28.

Ferroelectric memory device with multi-level bit cell

Номер патента: US20240284680A1. Автор: Zhixing ZHAO,Dominik M. KLEIMAIER,Stefan Duenkel. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Methods for forming ferroelectric memory devices

Номер патента: US20210035994A1. Автор: Zhenyu Lu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Ferroelectric memory and forming method thereof, and electronic device

Номер патента: US20240172450A1. Автор: Zhengbo Wang,Weiliang JING,Kailiang HUANG,Junxiao FENG. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US12041783B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Ferroelectric memory devices and methods for forming the same

Номер патента: EP3966864A1. Автор: Zhenyu Lu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-16.

Security management of ferroelectric memory device

Номер патента: WO2022146959A1. Автор: Danilo Caraccio,Paolo Amato,Federica Cresci,Angelo Alberto Rovelli,Alessandro Orlando,Craig A. Jones,Niccolò Izzo. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2022-07-07.

Ferroelectric memories,and method of activating the same

Номер патента: US3820088A. Автор: R Thomas,A Hadni. Владелец: Agence National de Valorisation de la Recherche ANVAR. Дата публикации: 1974-06-25.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

1s-1t ferroelectric memory

Номер патента: US20200234750A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Stack register having different ferroelectric memory element constructions

Номер патента: US20220350523A1. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Stack register having different ferroelectric memory element constructions

Номер патента: US11922055B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-03-05.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US20170103157A1. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Command signal management in integrated circuit devices

Номер патента: US20160005467A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US09697318B2. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

System and method for managing secure memories in integrated circuits

Номер патента: US12124347B2. Автор: Neha Srivastava,Gautam TIKOO,Harshit Saxena. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-22.

Content addressable memory in integrated circuit

Номер патента: US09583190B2. Автор: Marc Miller,Jimmy Lee Reaves. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Buffering systems for accessing multiple layers of memory in integrated circuits

Номер патента: US9715910B2. Автор: Robert Norman. Владелец: III Holdings 1 LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Electrical fuse bit cell in integrated circuit having backside conducting lines

Номер патента: US12080641B2. Автор: Yen-Jen Chen,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Electrical fuse bit cell in integrated circuit having backside conducting lines

Номер патента: US20240363530A1. Автор: Yen-Jen Chen,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Combined memories in integrated circuits

Номер патента: US8347254B2. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-01-01.

Combined memories in integrated circuits

Номер патента: US20080109775A1. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Voltage control integrated circuit devices

Номер патента: US20150029806A1. Автор: Liang Qiao,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Voltage control integrated circuit devices

Номер патента: US09659602B2. Автор: Liang Qiao,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Prevention of alteration of data stored in secure integrated¹circuit chip memory

Номер патента: IE900004L. Автор: Paul Moroney,William Allen Shumate,Robert C Gilberg. Владелец: David McCoy. Дата публикации: 1990-07-12.

Prevention of alteration of data stored in secure integrated circuit chip memory

Номер патента: IE62794B1. Автор: Paul Moroney,William Allen Shumate,Robert C Gilberg. Владелец: Gen Instrument Corp. Дата публикации: 1995-03-08.

Selective and Dynamic Deployment of Error Correction Code Techniques in Integrated Circuit Memory Devices

Номер патента: US20240265979A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Dung Viet Nguyen,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US12045553B2. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2024-07-23.

Using interrupted through-silicon-vias in integrated circuits adapted for stacking

Номер патента: US09780073B2. Автор: Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US20170262563A1. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Threshold voltage variation compensation in integrated circuits

Номер патента: US20230326493A1. Автор: Shang-Chi Yang,Hui-Yao Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Threshold voltage variation compensation in integrated circuits

Номер патента: US11942179B2. Автор: Shang-Chi Yang,Hui-Yao Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

System and method for managing secure memories in integrated circuits

Номер патента: US20240160545A1. Автор: Neha Srivastava,Gautam TIKOO,Harshit Saxena. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-16.

System and method for managing secure memories in integrated circuits

Номер патента: EP4372596A1. Автор: Neha Srivastava,Gautam TIKOO,Harshit Saxena. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Integrated circuit devices having memory and methods of implementing memory in an integrated circuit device

Номер патента: WO2014138479A1. Автор: Ephrem C. Wu. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2014-09-12.

Electrical fuse bit cell in integrated circuit having backside conducting lines

Номер патента: US20240047348A1. Автор: Yen-Jen Chen,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method and apparatus for mapping design memories to integrated circuit layout

Номер патента: US20070113212A1. Автор: Ranko Scepanovic,Andrey Nikitin,Alexandre Andreev,Ilya Neznanov. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Methods for nondestructive information reading from ferroelectric memory elements

Номер патента: RU2383945C2. Автор: Юрий Генрихович Кригер. Владелец: Юрий Генрихович Кригер. Дата публикации: 2010-03-10.

Memory architecture and addressing for optimized density in integrated circuit package or on circuit board

Номер патента: US20010005324A1. Автор: Christophe Chevallier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-28.

Save-restore in integrated circuits

Номер патента: US20200379649A1. Автор: Indu Prathapan,Puneet Sabbarwal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Save-restore in integrated circuits

Номер патента: EP3903192A1. Автор: Indu Prathapan,Puneet Sabbarwal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Save-restore in integrated circuits

Номер патента: US20200210072A1. Автор: Indu Prathapan,Puneet Sabbarwal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-07-02.

Save-restore in integrated circuits

Номер патента: US11537309B2. Автор: Indu Prathapan,Puneet Sabbarwal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Save-restore in integrated circuits

Номер патента: WO2020139676A1. Автор: Indu Prathapan,Puneet Sabbarwal. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2020-07-02.

Damping of LC Ringing in IC (Integrated Circuit) Power Distribution Systems

Номер патента: US20050110551A1. Автор: Michael Sorna,Anthony Bonaccio,Stephen Wyatt,Allen Haar,Ivan Wemple. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Integration of high value capacitor with ferroelectric memory

Номер патента: US5608246A. Автор: Dennis R. Wilson,Michael W. Yeager. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1997-03-04.

Electrical fuse bit cell in integrated circuit having backside conducting lines

Номер патента: US11837539B2. Автор: Yen-Jen Chen,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Selective and dynamic deployment of error correction code techniques in integrated circuit memory devices

Номер патента: US11984171B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Dung Viet Nguyen,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Selective and dynamic deployment of error correction code techniques in integrated circuit memory devices

Номер патента: EP4371115A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Dung Viet Nguyen,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Prevention of alteration of data stored in secure integrated circuit chip memory

Номер патента: CA2007468C. Автор: Paul Moroney,William Allen Shumate,Robert C. Gilberg. Владелец: General Instrument Corp. Дата публикации: 1993-04-20.

Cross-point array of ferroelectric field effect transistors and method of making the same

Номер патента: US20210217775A1. Автор: Yanli Zhang,Fei Zhou,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Cross-point array of ferroelectric field effect transistors and method of making the same

Номер патента: WO2021141612A1. Автор: Yanli Zhang,Fei Zhou,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-07-15.

Ferroelectric memory chiplet as unified memory in a multi-dimensional packaging

Номер патента: US11844223B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2023-12-12.

Integrated circuits having memory with flexible input-output circuits

Номер патента: US11979152B2. Автор: Chee Hak Teh,Chang Kian TAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-07.

Ferroelectric memory device containing a series connected select gate transistor and method of forming the same

Номер патента: US20200411072A1. Автор: Yanli Zhang,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20230262986A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Huan-Sheng WEI,Chung-Wei Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Programmable word length and self-testing memory in a gate array with bidirectional symmetry

Номер патента: CA1242276A. Автор: Joseph L. Angleton,Jeffery L. Gutgsell. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1988-09-20.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: US20220147683A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2022-05-12.

Method for implementing an integrated circuit comprising a random-access memory-in-logic

Номер патента: WO2020182998A1. Автор: Babak Mohammadi,Hemanth PRABHU. Владелец: Xenergic AB. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20080198684A1. Автор: Tatsuya Sakamoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

Ferroelectric memory and formation method therefor, and electronic device

Номер патента: EP4365901A1. Автор: Jeffrey Junhao XU,Yuxing Li,Hangbing Lv,Jialin CAI,Weigu LI,Wanliang TAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-08.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Integrated circuit

Номер патента: US20230126057A1. Автор: Toshiaki DOZAKA. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2023-04-27.

Ferroelectric memory chiplet in a multi-dimensional packaging with i/o switch embedded in a substrate or interposer

Номер патента: US20240311006A1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Integrated circuits to control access to multiple layers of memory in a solid state drive

Номер патента: US7961510B2. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2011-06-14.

Integrated circuit with adaptive speed selection

Номер патента: RU2381543C2. Автор: Раджеев ПРАБХАКАРАН,Ягрут В. ПАТЕЛ,Санат КАПУР,Грегори БУЛЛАРД. Владелец: Квэлкомм Инкорпорейтед. Дата публикации: 2010-02-10.

Integrated circuit memory having high speed and low power by selectively coupling compensation components to a pulse generator

Номер патента: US5594690A. Автор: Roland D. Rothenberger,Greg T. Sullivan,Kenny Y. Tung. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1997-01-14.

A method of managing memory in an integrated circuit card and corresponding integrated circuit card

Номер патента: EP4261693A1. Автор: Amedeo Veneroso,Carlo Cimino. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-10-18.

Integrated circuit, test method for testing integrated circuit, and electronic device

Номер патента: US20210083672A1. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Integrated circuit and an operation method thereof

Номер патента: US12034297B2. Автор: Kai Zhou,Lei Pan,Ya-Qi Ma,Zhang-Ying YAN. Владелец: TSMC Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Methods and system for an integrated circuit

Номер патента: US20200401552A1. Автор: Tomonori Kamiya,Yukihito Takeda. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2020-12-24.

Integrated circuit integration of t-coils at interfaces to communication links

Номер патента: US20240235188A9. Автор: Patrick Isakanian,Darius VALAEE,Srivatsan Thiruvengadam. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020176292A1. Автор: Kozaburo Kurita,Shuichi Miyaoka,Masatoshi Hasegawa,Hiroshi Akasaki,Yuji Yokoyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-28.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

A method and a system for powering an integrated circuit, and an integrated circuit especially designed to be used therein

Номер патента: EP1678594A1. Автор: Emmanuel Société Civile SPID ALIE. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-07-12.

Method and system for powering an integrated circuit

Номер патента: US7446559B2. Автор: Emmanuel Alie. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2008-11-04.

Semiconductor integrated circuit apparatus

Номер патента: US20100194455A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-05.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP3799384A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-31.

Recording medium where 3d video is recorded, reproducing device for reproducing 3d video and system large-scale integrated circuit

Номер патента: RU2496157C2. Автор: Томоки ОГАВА,Таидзи САСАКИ. Владелец: ПАНАСОНИК КОРПОРЭЙШН. Дата публикации: 2013-10-20.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Photodiode integrated circuit having multiple gain states

Номер патента: US20060170504A1. Автор: Sang Kim,Jung Gong,Hyeon Hwang,Kyoung Kwon. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050102446A1. Автор: Kiyotake Togo. Владелец: Oki Electric Industry Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-12.

Semiconductor integrated circuit, radio frequency identification transponder, and non-cotact IC card

Номер патента: US20030183699A1. Автор: Shoichi Masui. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-10-02.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Intelligent management of ferroelectric memory in a data storage device

Номер патента: US11853213B2. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2023-12-26.

Intelligent management of ferroelectric memory in a data storage device

Номер патента: US20240070070A1. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2024-02-29.

Intelligent management of ferroelectric memory in a data storage device

Номер патента: US20220350739A1. Автор: Mohamad El-Batal,Darshana H. Mehta,Jon D. Trantham,Praveen Viraraghavan,John W. Dykes,Ian J. Gilbert,Sangita Shreedharan Kalarickal,Matthew J. Totin. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY LLC. Дата публикации: 2022-11-03.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Iterative approach to determine failure threshold associated with desired circuit yield in integrated circuits

Номер патента: US20200379041A1. Автор: TONG Li,David Winston,Richard Daniel Kimmel,Pravin Kamdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Integrated circuit and method for establishing scan test architecture in integrated circuit

Номер патента: US09535120B2. Автор: Jianguo Ren,Chong Dai,Wen-Hao Hsueh,Fengguo GAO,Shang-Bin HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Apparatus and method for flexible visibility in integrated circuits with minimal package impact

Номер патента: US20080170506A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US12093560B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-17.

Accommodating engineering change orders in integrated circuit design

Номер патента: US09953121B2. Автор: Alok Verma,Saurabh Gupta,Jayaprakash Udhayakumar,Ayan Datta,Rajesh Veerabhadraiah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Autonomous method and apparatus for mitigating soft-errors in integrated circuit memory storage devices at run-time

Номер патента: EP1746505A3. Автор: Robert Morton,David Motz,Toby James Koktan,James Wisener,David Henry Graham,Saida Benlarbi,David Ambrose Stortz. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2010-02-17.

Path-based congestion reduction in integrated circuit routing

Номер патента: US20160012172A1. Автор: Sourav Saha,Sven Peyer,Harald Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Method of searching for wiring route in integrated circuit, automatic wiring device for integrated circuit, and program therefor

Номер патента: US20080209384A1. Автор: Ikuo Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of Achieving Dense-Pitch Interconnect Patterning in Integrated Circuits

Номер патента: US20090101983A1. Автор: James Walter Blatchford,Steven Lee Prins. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

System for providing large rc time constants in integrated circuits

Номер патента: US20100052734A1. Автор: Zhihao Lao,Llchong Zon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-04.

Methods and apparatus to mitigate hotspots in integrated circuit packages using gimbaling nozzles and jet vectoring impingement

Номер патента: US20240276675A1. Автор: Patrick L. Connor,Prabhakar SUBRAHMANYAM,Mark Lawrence Bianco,Vishnu Prasadh Sugumar,Ying Feng Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Systems and/or methods for anomaly detection and characterization in integrated circuits

Номер патента: CA3137069A1. Автор: Jason Dickens. Владелец: GRAMMATECH Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Systems and/or methods for anomaly detection and characterization in integrated circuits

Номер патента: WO2021002914A2. Автор: Jason Dickens. Владелец: Grammatech, Inc.. Дата публикации: 2021-01-07.

Systems and/or methods for anomaly detection and characterization in integrated circuits

Номер патента: CA3137069C. Автор: Jason Dickens. Владелец: GRAMMATECH Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Apparatus and method for determining process width variations in integrated circuits

Номер патента: US20020060577A1. Автор: Malcolm Smith,John Carelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-23.

Techniques for integrating thermal via structures in integrated circuits

Номер патента: US09659835B1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sundeep Mandal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and device for loading data in integrated- circuit card

Номер патента: RU2223546C2. Автор: Рудольф Риттер,Эрик ЛАУПЕР. Владелец: Свисском Мобиле Аг. Дата публикации: 2004-02-10.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: WO2021055048A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Methods for forming area-efficient scan chains in integrated circuits, and integrated circuits embodying the same

Номер патента: US7971170B2. Автор: Bruce Eliot Duewer,Richard Dean Putman. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Continuous global representation of local data using effective areas in integrated circuit layouts

Номер патента: US20210256189A1. Автор: Ralph Iverson. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Reduction of metal fill insertion time in integrated circuit design process

Номер патента: US20140149953A1. Автор: Fulvio Pugliese,Goran Davidovic,Rupert Kleeberger,Juergen Inderst. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Circuits And Methods For Controlling Debugging Firmware In Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20220318022A1. Автор: Sen Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Circuit design visibility in integrated circuit devices

Номер патента: US20240303406A1. Автор: Yi Peng,Brandon Lewis Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Method of Protecting Sensitive Data in Integrated Circuit and Integrated Circuit Utilizing Same

Номер патента: US20210173793A1. Автор: Alan Maciel Carr. Владелец: Realtek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Voltage regulator and image forming apparatus that equalize required voltage of a plurality of cores included in integrated circuit

Номер патента: US09964912B2. Автор: Tetsuo Tomimatsu. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Connection propagation for inter-logical block connections in integrated circuits

Номер патента: US09929733B1. Автор: Yang Du,Jing Xie,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Power integrated circuit with autonomous limit checking of ADC channel measurements

Номер патента: US09791482B1. Автор: Hiroshi Watanabe,John H. Carpenter, Jr.,Brett E. Smith. Владелец: Active Semi BVI Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Integrated circuit device and signal processing method in integrated circuit device

Номер патента: US09779055B2. Автор: Joon-Ho Lee. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Power integrated circuit with autonomous limit checking of ADC channel measurements

Номер патента: US09721742B1. Автор: Hiroshi Watanabe,John H. Carpenter, Jr.,Brett E. Smith. Владелец: Active Semi BVI Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Emulation of synchronous pipeline registers in integrated circuits with asynchronous interconnection resources

Номер патента: US09665670B1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Apparatus and method for measuring characteristics of dynamic electrical signals in integrated circuits

Номер патента: US20040139406A1. Автор: Steven Kasapi. Владелец: Optonics Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

Apparatuses and methods to suppress power supply noise harmonics in integrated circuits

Номер патента: US20140021993A1. Автор: Vivek Singhal,Sumanth Reddy PODDUTUR,Prakash Narayanan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Protecting hidden content in integrated circuits

Номер патента: US09811690B2. Автор: Alfred L. Crouch,John C. Potter,Jennifer L. Dworak,Adam Zygmontowicz. Владелец: SOUTHERN METHODIST UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-07.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: US09698780B2. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Detection and Correction of Single Event Upset (SEU) in Integrated Circuit

Номер патента: US20210091754A1. Автор: Younes Lotfi. Владелец: Cobham Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Device and method for monitoring functional saffety in integrated circuits (ics)

Номер патента: US20210303379A1. Автор: Radha Krishna Moorthy Sadhu. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Managing Stray Light Absorption in Integrated Photonics Devices

Номер патента: US20210167230A1. Автор: Francois Pelletier,Yves Painchaud,Sean Sebastian O'Keefe,Christine Latrasse. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Method for reducing non-volatile memory fragmentation in integrated circuit cards, corresponding card and apparatus

Номер патента: US20230019427A1. Автор: Francesco CASERTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-19.

Method to protect program in integrated circuit

Номер патента: US20240211551A1. Автор: David Vigilant,Jean-Roch Coulon,Jerome VASSEUR. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2024-06-27.

Marketing Strategy Processing Method of EDA Tools in the Integrated Circuit Design Industry and System Thereof

Номер патента: NL2032048A. Автор: Chang Chao. Владелец: Chang Chao. Дата публикации: 2023-11-07.

Marketing Strategy Processing Method of EDA Tools in the Integrated Circuit Design Industry and System Thereof

Номер патента: NL2032048B1. Автор: Chang Chao. Владелец: Chang Chao. Дата публикации: 2023-12-08.

Channel less floor-planning in integrated circuits

Номер патента: WO2022093412A1. Автор: Madan Krishnappa,Venugopal Sanaka,Vinod Kumar Lakshmipathi,Babu Suriamoorthy,Pavan Kumar Patibanda. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-05.

Channel less floor-planning in integrated circuits

Номер патента: EP4232936A1. Автор: Madan Krishnappa,Venugopal Sanaka,Vinod Kumar Lakshmipathi,Babu Suriamoorthy,Pavan Kumar Patibanda. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Method to protect program in integrated circuit

Номер патента: EP4327216A1. Автор: David Vigilant,Jean Roch Coulon,Jerome VASSEUR. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2024-02-28.

AC testing of leakage current in integrated circuits using RC time constant

Номер патента: US20040246017A1. Автор: Tawfik Arabi,Gregory Taylor,Dan Murray,Patrick Elwer,Srirama Pedarla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US9910948B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Physical Unclonable Functions In Integrated Circuit Chip Packaging For Security

Номер патента: AU2019202239A1. Автор: James Paul Drummond,Gary A. Denton,Kelly Ann Killeen,Carl E. Sullivan,Stephen P. BUSH. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Physical unclonable functions in integrated circuit chip packaging for security

Номер патента: CA3038545A1. Автор: James Paul Drummond,Gary A. Denton,Kelly Ann Killeen,Carl E. Sullivan,Stephen P. BUSH. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2020-09-29.

Method to protect program in integrated circuit

Номер патента: WO2022223490A1. Автор: David Vigilant,Jean Roch Coulon,Jerome VASSEUR. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2022-10-27.

Functional circuit block harvesting in integrated circuits

Номер патента: US12061855B2. Автор: Lior Zimet,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10366191B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10242140B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10417366B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10235487B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Defect detection system for cavity in integrated circuit

Номер патента: US20240280632A1. Автор: Zhuojie Wu,Yunyao JIANG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Enhanced electron beam (e-beam) apparatus and methodology with nano-scale e-beam probe tips for fault isolation in integrated circuits and other structures

Номер патента: US20240219460A1. Автор: Yunfei WANG,Shuai ZHAO,May Ling Oh,Xianghong Tong,Martin Von Haartman,Hyuk Ju Ryu,Kimberlee CELIO,Prasoon Joshi,Jennifer Huening,Joshua KEVEK,Mitchell SENGER,Tristan DEBORDE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

Integrated circuit dynamic capacitance matching method, simulation equipment, and storage medium

Номер патента: US20240311539A1. Автор: Zhoujie Wu,Zhong Guan. Владелец: Zhuhai Chipoly Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Accommodating engineering change orders in integrated circuit design

Номер патента: US09965576B2. Автор: Alok Verma,Saurabh Gupta,Jayaprakash Udhayakumar,Ayan Datta,Rajesh Veerabhadraiah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US09928329B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US09910948B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Transformer synthesis and optimization in integrated circuit design

Номер патента: US09824165B2. Автор: Sotirios Bantas,Konstantinos Karouzakis,Stefanos Stefanou,Apostolos Liapis,Labros Kokkalas,Konstantinos Nikellis,Errikos Lourandakis. Владелец: Helic SA. Дата публикации: 2017-11-21.

Protecting hidden content in integrated circuits

Номер патента: US09818000B2. Автор: Jennifer L. Dworak. Владелец: SOUTHERN METHODIST UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Signal distribution in integrated circuit using optical through silicon via

Номер патента: US09543463B2. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Signal distribution in integrated circuit using optical through silicon via

Номер патента: US09496447B2. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Power management circuit, power management method and power management program for controlling power supplied to functional blocks in integrated circuits

Номер патента: US8407507B2. Автор: Hideo Miyake,Takahisa Suzuki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-03-26.

Method and apparatus for analyzing errors in integrated circuits

Номер патента: CA1268214A. Автор: Eckhard Wolfgang,Klaus Zibert. Владелец: ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH. Дата публикации: 1990-04-24.

Integrated Circuit Layouts with Fill Feature Shapes

Номер патента: US20220277128A1. Автор: Ming-Yi Lin,Yen-Sen Wang,Yu-Cheng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP4283508A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-29.

Method of making a high planarity, low CTE base for semiconductor reliability screening

Номер патента: US6046060A. Автор: John J. Budnaitis. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2000-04-04.

Semiconductor wafer and method for auto-calibrating integrated circuit chips using pll at wafer level

Номер патента: US20130278309A1. Автор: Heyung Sub Lee,Hyunseok Kim,Su Na CHOI,Cheol Sig Pyo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor wafer and method for auto-calibrating integrated circuit chips at wafer level

Номер патента: US20130278305A1. Автор: Heyung Sub Lee,Hyunseok Kim,Su Na CHOI,Cheol Sig Pyo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor wafer and method for auto-calibrating integrated circuit chips using PLL at wafer level

Номер патента: US9030217B2. Автор: Heyung Sub Lee,Hyunseok Kim,Su Na CHOI,Cheol Sig Pyo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-05-12.

Optical mode coupler in integrated photonics

Номер патента: EP4390481A1. Автор: Ruizhi Shi,Alexandre Horth,Jiabao Zheng. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-06-26.

Optical mode coupler in integrated photonics

Номер патента: US20240210620A1. Автор: Ruizhi Shi,Alexandre Horth,Jiabao Zheng. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-06-27.

Method and system for modeling uncertainties in integrated circuits, systems, and fabrication processes

Номер патента: US20060206294A1. Автор: Amith Singhee,James Ma,Rob Rutenbar,Claire Fang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Programmable circuits for correcting scan-test circuitry defects in integrated circuit designs

Номер патента: US09618579B2. Автор: Kanad Chakraborty. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Compensating for aging in integrated circuits

Номер патента: US09535473B2. Автор: Michael Frank,Date Jan Willem Noorlag. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

System for optimizing buffers in integrated circuit design timing fixes

Номер патента: US20040261046A1. Автор: Umesh Nair. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-12-23.

Relatively unique ID in integrated circuit

Номер патента: US20040181303A1. Автор: Simon Walmsley. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2004-09-16.

Characterization of spatial correlation in integrated circuit development

Номер патента: US20200257769A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Synapse array of a neuromorphic device including a synapse array having a plurality of ferroelectricity field effect transistors

Номер патента: US20220058470A1. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Systems And Methods For Thermal Monitoring In Integrated Circuits

Номер патента: US20240027279A1. Автор: Teik Wah Lim,Krishnakumar Varadarajan,Aurelien Mozipo,Juan Cevallos Palomeque,Aanandh Balasubramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Techniques for reducing uneven aging in integrated circuits

Номер патента: US11799485B2. Автор: Herman Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

Crossbar Circuits And Methods For External Communication With Logic In Integrated Circuits

Номер патента: US20220334979A1. Автор: Md Altaf Hossain,Ankireddy Nalamalpu,Sreedhar Ravipalli,Mahesh Kumashikar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US20230384969A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-30.

Via adjustment in integrated circuits based on machine learning

Номер патента: EP4394646A1. Автор: Minjung Kim,Dorian Alden,Anjan RAGHUNATHAN,Mark HORSCH,Silvia Liong,Sunita S. THULASI,Cheng-Tsung Lee,Rusty Wayne CONNER,Vipin Agrawal,Anish Shenoy,A S M Jonayat,Prashanth Kumar SIDDHAMSHETTY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Via adjustment in integrated circuits based on machine learning

Номер патента: US20240220702A1. Автор: Minjung Kim,Dorian Alden,Anjan RAGHUNATHAN,Mark HORSCH,Silvia Liong,Sunita S. THULASI,Cheng-Tsung Lee,Rusty Wayne CONNER,Vipin Agrawal,Anish Shenoy,A S M Jonayat,Prashanth Kumar SIDDHAMSHETTY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for post decomposition density balancing in integrated circuit layouts, related system and program product

Номер патента: US20140065728A1. Автор: Kanak B. Agarwal,Lars W. Liebmann,Shayak Banerjee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Method for remote provisioning of software modules in integrated circuit cards, corresponding apparatus and computer program product

Номер патента: US20240214817A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for optimizing light source in integrated circuit manufacturing and electronic device

Номер патента: US20230288816A1. Автор: GE Yan,Ming Ding. Владелец: Shenzhen Jingyuan Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Reordering or Removal of Test Patterns for Detecting Faults in Integrated Circuit

Номер патента: US20140289579A1. Автор: Rohit Kapur,Parthajit Bhattacharya,Sushovan Podder. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Method and apparatus for providing non-compute unit power control in integrated circuits

Номер патента: US12056535B2. Автор: Indrani Paul,Sonu Arora,Leonardo de Paula Rosa Piga,Mahesh Subramony,Adam N C Clark,Donald Cherepacha. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2024-08-06.

System and method for testing clocking systems in integrated circuits

Номер патента: US20230251310A1. Автор: Abhishek Mahajan,Nikila Krishnamoorthy,Rishabh Kaistha,Varsha Bansal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Abstraction for Arrays in Integrated Circuit Models

Номер патента: US20130036391A1. Автор: Steven M. German. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Methods and systems for cross-probing in integrated circuit design

Номер патента: WO2005119442A2. Автор: Mark A. Coiley. Владелец: Tera Systems, Inc.. Дата публикации: 2005-12-15.

Integrated circuit defect diagnosis using machine learning

Номер патента: US20210042644A1. Автор: Ronald D. BLANTON,Soumya Mittal. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-02-11.

Process sequence for photoresist stripping and/or cleaning of photomasks for integrated circuit manufacturing

Номер патента: EP1649503A2. Автор: Richard Novak,Ismail Kashkoush,Gim-Syang Chen. Владелец: Akrion Inc. Дата публикации: 2006-04-26.

Method of leakage optimization in integrated circuit design

Номер патента: US7448009B2. Автор: Shrikrishna Pundoor. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-11-04.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20180145075A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20160133625A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20160133626A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20200381429A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Power reduction by stage in integrated circuit

Номер патента: US20040217805A1. Автор: Sebastian Ventrone,Kenneth Goodnow,Douglas Stout,John Cohn,Scott Gould. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Security in integrated circuits

Номер патента: US20240265100A1. Автор: Frode Pedersen. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2024-08-08.

Testing multiple levels in integrated circuit technology development

Номер патента: US6875560B1. Автор: Paul J. Steffan,Shivananda S. Shetty,Jeffrey P. Erhardt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-04-05.

Method and system for learning-based shaping flexible blocks on a chip canvas in integrated circuit (ic) design

Номер патента: US20240303408A1. Автор: Te-Wei Chen,Chun-Chih Yang,Tai-Lai Tung,Yi-Ying Liao,Kun-Yu Wang,Bo-Jiun HSU,Sheng-Tai Tseng,Jen-Wei Lee,Ronald Kuo-Hua Ho. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Layout of interconnect lines in integrated circuits

Номер патента: US09904754B2. Автор: Tobias Werner,Silke Penth,Gerhard Hellner,Iris M. Leefken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Layout of interconnect lines in integrated circuits

Номер патента: US09898571B2. Автор: Tobias Werner,Silke Penth,Gerhard Hellner,Iris M. Leefken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits

Номер патента: US09859277B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits

Номер патента: US09741719B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Dynamic noise mitigation in integrated circuit devices using local clock buffers

Номер патента: US09712112B1. Автор: II John E. Sheets,Kirk D. Peterson,Andrew A. Turner,Miles C. Pedrone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Reordering or removal of test patterns for detecting faults in integrated circuit

Номер патента: US09411014B2. Автор: Rohit Kapur,Parthajit Bhattacharya,Sushovan Podder. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Multiple input signature testing & diagnosis for embedded blocks in integrated circuits

Номер патента: US6158033A. Автор: Kenneth D. Wagner,Mehran Amerian. Владелец: S3 Inc. Дата публикации: 2000-12-05.

Arrangements for biasing the substrates of integrated circuits

Номер патента: GB1372679A. Автор: . Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 1974-11-06.

Integrated circuit device having a switched routing network

Номер патента: US5898677A. Автор: Carlos Dangelo,Richard Deeley. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Integrated circuit for achieving pattern recognition

Номер патента: US5262632A. Автор: William O. Camp, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Method for adjusting circuit characteristics with trimming technology in integrated circuits

Номер патента: US20180145026A1. Автор: Fei Xie,Yuedong Chen. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Circuits And Methods For Accessing Signals In Integrated Circuits

Номер патента: US20220077856A1. Автор: Yi Peng,Mahesh A. Iyer,Krishna Nagar,Brandon Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Long range corrections in integrated circuit layout designs

Номер патента: US7234130B2. Автор: Nicolas B. Cobb,James Word,Yuri Granik. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2007-06-19.

Retroreflective integrated circuit sealed product

Номер патента: MY141672A. Автор: Ikuo Mimura. Владелец: Nippon Carbide Kogyo Kk. Дата публикации: 2010-05-31.

Integrated circuit enclosed retroreflective product

Номер патента: CA2455305C. Автор: Ikuo Mimura. Владелец: Nippon Carbide Industries Co Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Predictive voltage transient reduction in integrated circuits

Номер патента: WO2020263446A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Learning-based analyzer for mitigating latch-up in integrated circuits

Номер патента: US11853683B2. Автор: Patrice M. Parris,David R. Gifford,Bernd Lienhard. Владелец: Silicon Space Tech Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Secure feature and key management in integrated circuits

Номер патента: US20230388290A1. Автор: Paul Carl Kocher,Andrew John LEISERSON,Benjamin Chen-Min Jun. Владелец: Cryptography Research Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Boundary assertion-based power recovery in integrated circuit design

Номер патента: US20200089828A1. Автор: Alexander J. Suess,Cindy S. Washburn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Method and apparatus for sensing defects in integrated circuit elements

Номер патента: WO1990002997A1. Автор: Tushar R. Gheewala. Владелец: Cross-Check Technology, Incorporated. Дата публикации: 1990-03-22.

Estimating delay deterioration due to device degradation in integrated circuits

Номер патента: US20150154331A1. Автор: Jae-Joon Kim,Aditya Bansal,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Systems and/or methods for anomaly detection and characterization in integrated circuits

Номер патента: US20200326373A1. Автор: Jason Alvin DICKENS. Владелец: GRAMMATECH Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Predictive voltage transient reduction in integrated circuits

Номер патента: US20200408832A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Synthesis for random testability using unreachable states in integrated circuits

Номер патента: US20190146031A1. Автор: Haoxing Ren,Spencer K. Millican,Mary P. Kusko,Victor N. Kravets. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: US20210081016A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Techniques For Reducing Uneven Aging In Integrated Circuits

Номер патента: US20190097635A1. Автор: Herman Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Method and apparatus for isolating defects in an integrated circuit near field scanning photon emission microscopy

Номер патента: US5981967A. Автор: Zhouxing Luo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-11-09.

High accuracy timing model for integrated circuit verification

Номер патента: EP1292906A2. Автор: Jun Li,Hong Zhao,Hsien-Yen Chiu. Владелец: Simplex Solutions Inc. Дата публикации: 2003-03-19.

High accuracy timing model for integrated circuit verification

Номер патента: WO2001088766A3. Автор: Jun Li,Hong Zhao,Hsien-Yen Chiu. Владелец: Simplex Solutions Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

Circuit design visibility in integrated circuit devices

Номер патента: US12014129B2. Автор: Yi Peng,Brandon Lewis Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor integrated circuit device and microcomputer development supporting device

Номер патента: US20050125214A1. Автор: Kenji Yamada,Naoki Ito,Hideaki Ishihara,Toshihiko Matsuoka,Kyouichi Suzuki,Yoshinori Teshima. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2005-06-09.

Low voltage pulser circuit for driving row-column conductor arrays of a gas discharge display capable of being made in integrated circuit form

Номер патента: US3673431A. Автор: Thomas Edward O'Brien. Владелец: Owens Illinois Inc. Дата публикации: 1972-06-27.

Sub-circuit pattern recognition in integrated circuit design

Номер патента: US20100131908A1. Автор: Sandeep Shylaja Krishnan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-05-27.

Backside conducting lines in integrated circuits

Номер патента: US11942469B2. Автор: Chung-Hsing Wang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Backside conducting lines in integrated circuits

Номер патента: US20220254770A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

System and method for managing faults in integrated circuits

Номер патента: US11797373B2. Автор: Neha Srivastava,Ankur Behl. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-24.

Using linked-lists to create feature rich finite-state machines in integrated circuits

Номер патента: US20180314221A1. Автор: Navdeep Singh Dhanjal,Shengbing Zhou. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2018-11-01.

Reducing capacitive interference in integrated circuits

Номер патента: US20020157073A1. Автор: Suresh Krishnamoorthy. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Detection and Correction of Single Event Upset (SEU) in Integrated Circuit

Номер патента: US20220209753A1. Автор: Younes Lotfi. Владелец: CAES Colorado Springs LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Detection and correction of single event upset (SEU) in integrated circuit

Номер патента: US11283431B2. Автор: Younes Lotfi. Владелец: Cobham Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2022-03-22.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: US20180367142A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: WO2015038466A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: EP4031955A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-07-27.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Card with built-in integrated circuit and its manufacturing process

Номер патента: RU2170457C2. Автор: Манфред Фрис,Тис Янчек. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2001-07-10.

Method and apparatus for determining electro-migration in integrated circuit designs

Номер патента: US7752582B2. Автор: Palkesh Jain,Ajoy Mandal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-06.

Simultaneous power and timing optimization in integrated circuits by performing discrete actions on circuit components

Номер патента: US7689942B2. Автор: Qian Haifeng,Emrah Acar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-30.

Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US7853920B2. Автор: Jun Ye,Shauh-Teh Juang,James N. Wiley,Michael J. Gassner,Moshe E. Preil. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2010-12-14.

Optical measurements of fine line parameters in integrated circuit processes

Номер патента: US4408884A. Автор: Heinrich Meier,William E. Ham,Hans P. Kleinknecht. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1983-10-11.

Method for testing, burning-in, and manufacturing wafer scale integrated circuits and a packaged wafer assembly produced thereby

Номер патента: US5440241A. Автор: Warren M. Farnworth,Jerry M. Brooks,Jerrold L. King,George P. McGill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-08.

Dummy fill for integrated circuits

Номер патента: US20030228714A1. Автор: David White,Taber Smith,Vikas Mehrotra. Владелец: Praesagus Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Signal distribution in integrated circuit using optical through silicon via

Номер патента: US20160118528A1. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

System for collaborative hardware rtl logic timing debug in integrated circuit designs

Номер патента: US20230214564A1. Автор: Wolfgang Roesner,Matthias Klein,Shashidhar Reddy,Arun Joseph,Anthony Saporito,Sampath Goud Baddam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Idle phase prediction for integrated circuits

Номер патента: EP2936274A1. Автор: Michael J. Schulte,Yasuko ECKERT,Srilatha Manne,William L. Bircher,Mahdu S.S. Govindan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-10-28.

Accommodating engineering change orders in integrated circuit design

Номер патента: US20180181686A1. Автор: Alok Verma,Saurabh Gupta,Jayaprakash Udhayakumar,Ayan Datta,Rajesh Veerabhadraiah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US20180101626A1. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US20180101625A1. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US20190065635A1. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US20170212969A1. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US20170212970A1. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Execution of tasks in integrated circuits

Номер патента: WO2019092441A1. Автор: Ville MERIÖ. Владелец: Samuels, Adrian James. Дата публикации: 2019-05-16.

System and method for managing memory errors in integrated circuits

Номер патента: EP4239480A1. Автор: NIKHIL Sharma,Arvind Kaushik,Rushank Patel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-06.

Functional Circuit Block Harvesting in Integrated Circuits

Номер патента: US20240104280A1. Автор: Lior Zimet,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

System and method for managing memory errors in integrated circuits

Номер патента: US20230280909A1. Автор: NIKHIL Sharma,Arvind Kaushik,Rushank Patel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-07.

Thermal Management in Integrated Circuit Using Phononic Bandgap Structure

Номер патента: US20190122947A1. Автор: Daniel Lee Revier,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Thermal management in integrated circuit using phononic bandgap structure

Номер патента: WO2019084166A1. Автор: Daniel Lee Revier,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-05-02.

Methods and apparatus utilizing conjugated polymers in integrated circuit packages with glass substrates

Номер патента: US20240107784A1. Автор: Benjamin DUONG,Shayan Kaviani,Miranda Ngan,Mahdi Mohammadighaleni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for reducing non-volatile memory fragmentation in integrated circuit cards, corresponding card and apparatus

Номер патента: US11995333B2. Автор: Francesco CASERTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-28.

Signal distribution in integrated circuit using optical through silicon via

Номер патента: US20160118529A1. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

AC testing of leakage current in integrated circuits using RC time constant

Номер патента: US6967496B2. Автор: Gregory F. Taylor,Dan Murray,Tawfik R. Arabi,Srirama Pedaria,Patrick Elwer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-11-22.

Adaptive Frequency Control in Integrated Circuits

Номер патента: US20230280816A1. Автор: Derek James Basehore,Nick Sanders. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Functional circuit block harvesting in integrated circuit

Номер патента: WO2024064263A1. Автор: Lior Zimet,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Model-based refinement of the placement process in integrated circuit generation

Номер патента: US20200104453A1. Автор: Gi-Joon Nam,Myung-Chul Kim,Paul G. Villarrubia,Shyam Ramji,Benjamin N. Trombley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for measuring temperature in integrated circuit, integrated circuit having temperature sensor, and display device

Номер патента: US20230120028A1. Автор: Hyo Joong Kim,Yong Sung Ahn,Jae Sik CHO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Tracking taint propagation in integrated circuit design

Номер патента: WO2023244780A1. Автор: Arturo Salz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for measuring temperature in integrated circuit, integrated circuit having temperature sensor, and display device

Номер патента: US11893916B2. Автор: Hyo Joong Kim,Yong Sung Ahn,Jae Sik CHO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Stress effect model optimization in integrated circuit spice model

Номер патента: US20140149954A1. Автор: Hua Xiang YIN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Multiplex addressing of ferroelectric liquid crystal displays

Номер патента: US6127996A. Автор: John C. Jones,Jonathan R. Hughes,Marie H. Anderson. Владелец: UK Secretary of State for Defence. Дата публикации: 2000-10-03.

Active bypass for inhibiting high-frequency supply voltage variations in integrated circuits

Номер патента: US5049764A. Автор: Robert G. Meyer. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1991-09-17.

Method and System for Routing of Integrated Circuit Design

Номер патента: US20080301618A1. Автор: Lukas Daellenbach. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Module for preventing instability in integrated circuit testers

Номер патента: US5006794A. Автор: Laszlo V. Gal,James E. Judy, Jr.,Kenneth C. Prentiss. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1991-04-09.

Data Compression in Integrated Device Network

Номер патента: US20230037575A1. Автор: Michael Wu,Martin Langhammer,Nihat Engin Tunali. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-09.

Data compression in integrated device network

Номер патента: EP4345637A1. Автор: Michael Wu,Martin Langhammer,Kenneth Daxer,Nihat Engin Tunali. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit memory devices with enhanced buffer memory utilization during read and write operations and methods of operating same

Номер патента: US12061817B2. Автор: Eung-jun YOUN,Bum-Jun Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-13.

Systems and methods for management of memory in information delivery environments

Номер патента: WO2002039285A2. Автор: Scott C. Johnson,Chaoxin C. Qiu,Mark J. Conrad,Theodore S. Webb. Владелец: Surgient Networks, Inc.. Дата публикации: 2002-05-16.

System and method of detecting local mechanical stress in integrated devices

Номер патента: RU2466381C2. Автор: Ллойд БАММ,Даминда ДАХАНАЯКА,Филип В. КАШУБА,Леон МОШКОВИЧ,Джеймс А. СЛИНКМАН. Владелец: Дзе Борд Оф Риджентс Оф Дзе Юниверсити Оф Оклахома. Дата публикации: 2012-11-10.

Method and system for evaluating timing in an integrated circuit

Номер патента: US7089143B2. Автор: David J. Hathaway,Jerry D. Hayes,Anthony D. Polson,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Method of forming interlayer connections in integrated optical circuits, and devices formed using same

Номер патента: US7206480B2. Автор: Thomas J. Mcintyre,John C. Rodgers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2007-04-17.

Imaging of integrated circuit interconnects

Номер патента: US6541286B1. Автор: Minh Quoc Tran,Joffre F. Bernard. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

Method for recognizing and verifying fifo structures in integrated circuit designs

Номер патента: US20080008021A1. Автор: Jun Yuan,Paras Mal JAIN,Shaker SARWARY,Bernard Murphy,Ashish Hari. Владелец: Atrenta Inc. Дата публикации: 2008-01-10.

Layout of interconnect lines in integrated circuits

Номер патента: US20170228489A1. Автор: Tobias Werner,Silke Penth,Gerhard Hellner,Iris M. Leefken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Security in integrated circuits

Номер патента: WO2022248493A1. Автор: Frode Pedersen. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2022-12-01.

Capacitance extraction for floating metal in integrated circuit

Номер патента: US20200134129A1. Автор: Ronald D. Rose,David J. Widiger,Harold E. Reindel,Lewis W. Dewey, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Timing driven routing in integrated circuit design

Номер патента: US20120284683A1. Автор: YING Zhou,ZHUO Li,Charles Jay Alpert,Stephen Thomas Quay. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Middle-of-line (mol) metal resistor temperature sensors for localized temperature sensing of active semiconductor areas in integrated circuits (ics)

Номер патента: WO2018038855A1. Автор: Bo Yu,Stanley Seungchul SONG,Bin Yang,Jun Yuan,Jie Deng,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,Lixin Ge,Jiefeng Jeff Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for analyzing electromigration (em) in integrated circuit

Номер патента: US20210209278A1. Автор: Chin-Shen LIN,Ming-Hsien Lin,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

System and method for testing clocking systems in integrated circuits

Номер патента: US11879939B2. Автор: Abhishek Mahajan,Nikila Krishnamoorthy,Rishabh Kaistha,Varsha Bansal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-23.

Method and system for generating and regulating local magnetic field variations for spin qubit manipulation using micro-structures in integrated circuits

Номер патента: US20220269971A1. Автор: Nagendra Nagaraja,Umang Garg,Pinakin Mansukhlal Padalia,Amlan Mukherjee,Nihal Sanjay Singh. Владелец: Qpiai India Private Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Visualizing sensitivity information in integrated circuit design

Номер патента: US20130158953A1. Автор: Sani Richard Nassif,Anne Elizabeth Gattiker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Custom compute cores in integrated circuit devices

Номер патента: US11829311B2. Автор: Gavin L Huggins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Visualizing sensitivity information in integrated circuit design

Номер патента: US8914272B2. Автор: Sani Richard Nassif,Anne Elizabeth Gattiker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-16.

Machine-learning driven prediction in integrated circuit design

Номер патента: WO2021050434A1. Автор: Siddhartha Nath,Vishal Khandelwal,Ravi Mamidi,Sudipto Kundu. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2021-03-18.

Method for remote provisioning of software modules in integrated circuit cards, corresponding apparatus and computer program product

Номер патента: US11956638B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-09.

Systems and methods for creating block constraints in integrated circuit designs

Номер патента: US20170286587A1. Автор: Ilan Cohen,Alon Dvir,Uzi Magini,Inbar Neeman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-05.

Methods and systems for cross-probing in integrated circuit design

Номер патента: WO2005119442A3. Автор: Mark A Coiley. Владелец: Tera Systems Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

Machine-learning driven prediction in integrated circuit design

Номер патента: US20210073456A1. Автор: Siddhartha Nath,Vishal Khandelwal,Ravi Mamidi,Sudipto Kundu. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Testing of security systems in integrated circuits

Номер патента: EP4372591A1. Автор: Neha Srivastava,Gautam TIKOO. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Dynamic frequency boosting exploiting path delay variability in integrated circuits

Номер патента: WO2018007839A1. Автор: Nikolaos ZOMPAKIS. Владелец: Zompakis Nikolaos. Дата публикации: 2018-01-11.

Custom compute cores in integrated circuit devices

Номер патента: US20240095202A1. Автор: Gavin L. Huggins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Custom compute cores in integrated circuit devices

Номер патента: US20220083487A1. Автор: Gavin L. Huggins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

System and methods for generating unclonable security keys in integrated circuits

Номер патента: EP2524334A2. Автор: James Plusquellic,Dhura Acharyya,Ryan L. Helinski. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2012-11-21.

Testing of security systems in integrated circuits

Номер патента: US20240160745A1. Автор: Neha Srivastava,Gautam TIKOO. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-16.

System for intellectual property reuse in integrated circuit design

Номер патента: EP1295212A1. Автор: Robert E. Garner,Anna Elman,David Ling,Alvaro Eduardo Benavides,David N. Gardner,Jeffrey Jussel,Mark A. Mcadams. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2003-03-26.

Way to improve the accuracy of compensation of parasitic effects in integrated-optical phase modulators of fiber-optic gyroscopes

Номер патента: RU2627015C1. Автор: Александр Михайлович Курбатов,Роман Александрович Курбатов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центр эксплуатации объектов наземной космической инфраструктуры". Дата публикации: 2017-08-02.

Synapse array of a neuromorphic device including a synapse array having a plurality of ferroelectricity field effect transistors

Номер патента: US20180349762A1. Автор: Hyung-Dong Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-12-06.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20150097593A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7733110B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Memory access unit and method including generating memory selects to concurrently access a plurality of memories in a multi-dimensional array

Номер патента: US10592406B2. Автор: Matthias Gruenewald. Владелец: Renesas Electronics Europe Ltd. Дата публикации: 2020-03-17.

Chip design method for designing integrated circuit chips with embedded memories

Номер патента: US20030221177A1. Автор: David Morgan,Viswanathan Lakshmanan,Michael Josephides,Tom O'Brien. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2003-11-27.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Methods and Systems for Achieving System-Level Counterfeit Protection in Integrated Chips

Номер патента: US20160072632A1. Автор: Ronald DeShawn Blanton. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-10.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US20210344346A1. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Method for performing common mode voltage re-biasing in analog front-end circuit of receiver, associated common mode voltage re-biasing circuit, associated receiver and associated integrated circuit

Номер патента: US20230253939A1. Автор: Bing-Hung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: EP1472552A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2004-11-03.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Integrated circuit with logic circuitry and multiple concealing circuits

Номер патента: US20130111224A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Jay Scott Fuller. Владелец: Certicom Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

Integrated circuit structure, display module, and inspection method thereof

Номер патента: US20180188572A1. Автор: Neng-Yi Lin,Chien-Chih Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-07-05.

Monitoring physical operating parameters of an integrated circuit

Номер патента: US7928882B2. Автор: Marcel Pelgrom,Violeta Petrescu,Hendricus J M Veendrick. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-04-19.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and apparatus for generating a solid state circuit layout with in-design variability associated to the setting of analog signal processing parameters, and an integrated circuit design and an integrated circuit produced by applying such method

Номер патента: US20040177329A1. Автор: Wolfdietrich Kasperkobitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit internal test circuit and method of testing by using test pattern and signature generations therewith

Номер патента: US7653853B1. Автор: Prabha Jairam,Himanshu J. Verma. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

RFID device having nonvolatile ferroelectric memory device

Номер патента: US20070018821A1. Автор: Hee Kang,Jin Ahn. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-01-25.

Semiconductor integrated circuit and power supply control method therefor

Номер патента: US20160077563A1. Автор: Noboru Sakimura,Ayuka Tada,Ryusuke Nebashi,Yukihide Tsuji. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2016-03-17.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Failure position system and method for integrated circuit based on continuous laser source

Номер патента: IE20220219A1. Автор: Han Yang,QIAN CHEN,XIANG Zhu,Rui Chen,Jianwei Han,Ya'nan Liang,Yingqi Ma,Shipeng Shangguan. Владелец: Nat Science Center The Chinese Academy Of Sciences. Дата публикации: 2023-11-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100783A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063920A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20080136438A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063919A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100095176A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20070257694A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100784A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20060017453A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Process of making an integrated circuit using parallel scan paths

Номер патента: US20020039804A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20040084747A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090058448A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20020196045A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20140245090A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7863913B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7852100B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7876112B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7629808B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7659741B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Photosensitive device including an integrator circuit per group of at least two photosensitive elements

Номер патента: US12028639B2. Автор: Nicolas Moeneclaey,Samuel Foulon. Владелец: STMicroelectronics Alps SAS. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Arbitration circuit to arbitrate conflict between read/write command and scan command and display driver integrated circuit having the same

Номер патента: US20100177106A1. Автор: Chan-Ho Lee,Tae-Hyoung Kim,Wan-Jung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-07-15.

Design system of integrated circuit and its design method and program

Номер патента: US20030061585A1. Автор: Sho Matsumoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-03-27.

Daisy-chain spi integrated circuit and operation method thereof

Номер патента: EP4198756A1. Автор: Chi-Cheng Lin,Shan-Chieh Wen,Ming-Huai Weng,Guei-Lan Lin,Che-Hao Chiang. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-06-21.

Designing method of semiconductor integrated circuit using library storing mask pattern of macro circuit and designing apparatus executing the same

Номер патента: US20010016934A1. Автор: Kouichi Kumagai. Владелец: Praxair Technology Inc. Дата публикации: 2001-08-23.

A method for managing a notification procedure between an integrated circuit card operating in a communication device and a provisioning system, corresponding system and integrated circuit card

Номер патента: EP4422226A1. Автор: Paolo Sepe,Alberto MARZAIOLI. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-08-28.

Ferroelectric memory chiplet in a multi-dimensional packaging with I/O switch embedded in a substrate or interposer

Номер патента: US12086410B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20140122950A1. Автор: Naoki Ito,Yuuki Asada. Владелец: Denso Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Ferroelectric memory chiplet in a multi-dimensional packaging

Номер патента: US12079475B1. Автор: Sasikanth Manipatruni,Rajeev Kumar Dokania,Amrita MATHURIYA,Christopher B. Wilkerson,Debo Olaosebikan. Владелец: Kepler Computing Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Stacked display driver integrated circuit and display device including the same

Номер патента: US12094405B2. Автор: Changju Lee,Kyoungmin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-17.

Peripheral access control for secondary communication channels in power management integrated circuits

Номер патента: EP4292006A1. Автор: Chris Rosolowski,Uma Mahesh Revuri,Aruna Kumar Tripathy. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-12-20.

Systems And Methods For Generating Redacted Circuit Designs For Integrated Circuits

Номер патента: US20240311537A1. Автор: Nij Dorairaj,David Kehlet,Shuanghong SUN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Interface bridge between integrated circuit die

Номер патента: US12135667B2. Автор: Keith Duwel,David W. Mendel,Jeffrey Erik Schulz,Dinesh D. Patil,Gary Brian Wallichs,Jakob Raymond Jones. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-11-05.

Integrated circuit chip with stress compensation circuit

Номер патента: WO2024199882A1. Автор: Marc Ryat. Владелец: LEM INTERNATIONAL SA. Дата публикации: 2024-10-03.

Circuit design implementations in secure partitions of an integrated circuit

Номер патента: US09946826B1. Автор: Herman Schmit,Ting Lu,Dana How,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US09891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Techniques for clock rate changes during data rate changes in an integrated circuit (IC)

Номер патента: US09891653B2. Автор: Keith Duwel,Gary Wallichs,Ru Yin Ng. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit including parametric analog elements

Номер патента: US09858367B1. Автор: Antonio Visconti,David LeHoty. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Integrated circuit calibration system using general purpose processors

Номер патента: US09778312B1. Автор: Edwin Yew Fatt Kok,Wai Tat Wong,Wilfred Wee Kee King,Tee Wee Tan. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

High sensitivity digital voltage droop monitor for integrated circuits

Номер патента: US09772375B2. Автор: Vijay Srinivasan,Sebastian Turullols,Changku Hwang. Владелец: Oracle International Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Efficient integrated circuits configuration data management

Номер патента: US09740809B2. Автор: Junaid Asim Khan,Scott James Brissenden. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Systems and methods for automatic test pattern generation for integrated circuit technologies

Номер патента: US09726722B1. Автор: Yosef Solt. Владелец: Marvell Israel MISL Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Method for controlling an integrated circuit, integrated circuit and computer including an integrated circuit

Номер патента: US09703556B2. Автор: Bertrand Danet,Stéphane Laborie-Fulchic. Владелец: Continental Automotive France SAS. Дата публикации: 2017-07-11.

Method for providing an on-chip variation determination and integrated circuit utilizing the same

Номер патента: US09664737B2. Автор: Yipin WU,Heng-Meng LIU,Kok-Tiong TEE. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Integrated circuit arrangement, method and system for use in a safety-critical application

Номер патента: US09647449B2. Автор: Markus Zannoth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Integrated circuit device, safety circuit, safety-critical system and method of manufacturing an integrated circuit device

Номер патента: US09638744B2. Автор: Yuan Gao,Valérie BERNON-ENJALBERT,Philippe Givelin,Guillaume FOUNAUD. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Donor cores to improve integrated circuit yield

Номер патента: US09612988B2. Автор: Gerald K. Bartley,William P. Hovis,Darryl J. Becker,Philip R. Germann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor integrated circuit for regulator

Номер патента: US09606556B2. Автор: Yoichi Takano,Katsuhiro Yokoyama. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Circuits for and methods of reducing duty-cycle distortion in an integrated circuit implementing dual-edge clocking

Номер патента: US09577615B1. Автор: Ilya K. Ganusov,Benjamin S. Devlin. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor integrated circuit and method of processing in semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09542266B2. Автор: Hiroaki Watanabe,Yoshiki Okumura,Chikahiro Deguchi,Yutaka Sekino,Hideyuki Negi,Naoki Maezawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Integrated circuit chip and a method for testing the same

Номер патента: US09506986B2. Автор: Christian Zoellin,Wilhelm Haller,Ulrich Krauch,Markus Kaltenbach,Nicolas Maeding. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for testing integrated circuit and integrated circuit configured to facilitate performing such a method

Номер патента: US09494646B2. Автор: Divya Pratap,Sung Jin Jo. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-11-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US09494640B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Image forming system, integrated circuit chip, and image forming apparatus

Номер патента: US09454717B2. Автор: Naoki Abe. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Radiation hardened chip level integrated recovery apparatus, methods, and integrated circuits

Номер патента: US09438025B1. Автор: Stephan P. Athan. Владелец: Defense Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Touch panel control circuit and semiconductor integrated circuit using the same

Номер патента: US09437169B2. Автор: Takayuki Noto,Akihito Akai. Владелец: Synpatics Japan Gk. Дата публикации: 2016-09-06.

Device for testing an integrated circuit and method for implementing same

Номер патента: US20120001088A1. Автор: Florent Miller,Cecile Weulersse,Thierry Carriere,Patrick Heins,Antonin Bougerol,Samuel Hazo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-01-05.

Universal system for sample preparing and application in integrated system of analysis

Номер патента: RU2559541C2. Автор: Стивен Б. ДЖОВАНОВИЧ,Уильям Д. НИЛЬСЕН,Дэвид С. КОЭН,Майкл РЕКНОР,Маттиас ВАНГБО,ГЕЛЬДЕР Эзра ВАН,Ларс МАЙЛОФ,Омар ЭЛЬ-СИССИ. Владелец: Интедженкс Инк.. Дата публикации: 2015-08-10.

Voltage regulation circuit for integrated circuits of chip- carrying cards

Номер патента: RU2247465C1. Автор: Уве ВЕДЕР. Владелец: Инфинеон Текнолоджиз Аг. Дата публикации: 2005-02-27.

Integrated circuit chip, information processing device, program module control method, information processing system and method

Номер патента: RU2530353C2. Автор: Хироказу СУГИЯМА. Владелец: Сони Корпорейшн. Дата публикации: 2014-10-10.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: WO2015069490A9. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-07-02.

Methodology for testing integrated circuits

Номер патента: EP3066485A1. Автор: SRIKANTH Srinivasan,Sagar Bhogela,Daisy Cynthia. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-14.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20040245618A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US12033998B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Programmable integrated circuit having different types of configuration memory

Номер патента: EP3170261A1. Автор: James Karp. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-05-24.

Programmable integrated circuit having different types of configuration memory

Номер патента: WO2016010808A1. Автор: James Karp. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2016-01-21.

Asynchronous peak hold circuit on an integrated circuit trace to monitor for voltage spikes caused by an electromagnetic pulse

Номер патента: US20240110954A1. Автор: Attila Zólomy,Clayton Daigle,Jeffrey Tindle,DeWitt C. Seward. Владелец: Silicon Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Adapting the usage configuration of integrated circuit input-output pads

Номер патента: WO2016113530A1. Автор: James Edward Myers,Parameshwarappa Anand Kumar SAVANTH. Владелец: ARM LIMITED. Дата публикации: 2016-07-21.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: EP1476734A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2004-11-17.

Low power integrating circuit for use with a photodetector and optical sensor including such an integrating circuit

Номер патента: WO2003069287A1. Автор: James Harold Lauffenburger,Kevin Scott Buescher. Владелец: EM MICROELECTRONIC-MARIN SA. Дата публикации: 2003-08-21.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Multi-chip module hybrid integrated circuit with multiple power zones that provide cold spare support

Номер патента: EP3977510A1. Автор: Dale A. Rickard,Keith K. Sturcken,Jason F. Ross,Alan F. Dennis,Lori D. Dennis,Jamie A. Bernard,Jane O. Gilliam. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2022-04-06.

Through-silicon via detecting circuit, method and integrated circuit having the same

Номер патента: US20210215755A1. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Heterogeneous integrated circuit for short wavelengths

Номер патента: US20220270977A1. Автор: Daniel N. Carothers. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-08-25.

GNSS and INS integrated navigation positioning method and system thereof

Номер патента: US12019170B1. Автор: Kun Wang,Ying Xu,Yuqing Feng,Jinjie Sun. Владелец: SHANDONG UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY. Дата публикации: 2024-06-25.

Amplifier circuit, integrating circuit, and light-detection device

Номер патента: US20130038393A1. Автор: Shinya Ito,Haruhiro Funakoshi. Владелец: Hamamatsu Photonics KK. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100207662A1. Автор: Mitsuhiro Yamamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Semiconductor integrated circuit device and inspection method for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US11808807B2. Автор: Kazunori Nemoto,Akira Kotabe,Akeo Satoh. Владелец: Hitachi Astemo Ltd. Дата публикации: 2023-11-07.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120019566A1. Автор: Satoru Ito,Takashi Kumagai,Junichi Karasawa,Satoru Kodaira,Noboru Itomi,Kazuhiro Maekawa,Masahiko Moriguchi,Hisanobu Ishiyama,Takashi Fujise. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-01-26.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230411378A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Jung-Chan YANG,Kuang-Ching CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: US20230384363A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: WO2003060534A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2003-07-24.

Stacked superconducting integrated circuits with three dimensional resonant clock networks

Номер патента: EP4268046A1. Автор: Anna Y. Herr,Vladimir V. Talanov. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-11-01.

Circuit for detecting pin-to-pin leaks of an integrated circuit package

Номер патента: WO2021242334A1. Автор: Dat Tran,Loc Tu,Kirubakaran Periyannan,Nyi Nyi Thein. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit tester having pattern generator controlled data bus

Номер патента: EP1149293A4. Автор: John Mark Oonk. Владелец: Credence Systems Corp. Дата публикации: 2004-12-29.

Determining timing associated with an input or output of an embedded circuit in an integrated circuit for testing

Номер патента: US7493543B1. Автор: Arnold Louie,Vickie Wu. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2009-02-17.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060066378A1. Автор: Tadahiro Shimizu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-03-30.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Circuit Synthesis Optimization for Implements on Integrated Circuit

Номер патента: US20240135078A1. Автор: Chih-Sheng Hou,Yi-Lin Chuang,Chao-Chun LO,Boh-Yi HUANG,Chih-Yuan Stephen YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor Integrated Circuit

Номер патента: US20090102531A1. Автор: Hideo Ito,Kazutero Nanba. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-04-23.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120120049A1. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Integrated circuit to waveguide transitional structures and related sensor assemblies

Номер патента: WO2024005880A1. Автор: Scott B. Doyle. Владелец: Veoneer US, LLC. Дата публикации: 2024-01-04.

High speed pin driver integrated circuit architecture for commercial automatic test equipment applications

Номер патента: WO2000039928A1. Автор: Lloyd F. Linder. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2000-07-06.

Method of generating a floorplan for an integrated circuit

Номер патента: WO2004068373A1. Автор: Adrianus W. P. G. G. Vaassen,Erwin Waterlander. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-08-12.

System and method for transferring thermal energy from integrated circuits

Номер патента: US11744039B2. Автор: Adrian Albert Van Wijk,Nikolas Lyman Henderson Radosevic. Владелец: JDi Design Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Method and apparatus for configuring an integrated circuit with a requested feature set

Номер патента: WO2017172322A1. Автор: Ivan McLean,Stuart Moskovics,Bryan Campbell,Mark Dragicevich. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-10-05.

Test mode control circuit for reconfiguring a device pin of an integrated circuit chip

Номер патента: WO2004030034A2. Автор: Colin Price,Colin S. Mcintosh. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2004-04-08.

Integrated circuit package and method of forming same

Номер патента: US20230314702A1. Автор: Chen-Hua Yu,Wen-hao Cheng,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Tung-Liang Shao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor integrated circuit, A/D converter, delta sigma-type A/D converter, incremental delta sigma-type A/D converter, and switched capacitor

Номер патента: US10985772B2. Автор: Naoya Waki. Владелец: Toshiba Electronic Devices and Storage Corp. Дата публикации: 2021-04-20.

System and Method of Multi-Frequency Integrated Circuit Testing

Номер патента: US20080282123A1. Автор: Gerard M. Salem,Pedro Martin-de-Nicolas,Charles L. Meissner. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-11-13.

Method, circuit and integrated circuit for detecting resonance frequency

Номер патента: US20140354261A1. Автор: Lei Huang,NA Meng. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2014-12-04.

Display control integrated circuit applicable to performing real-time video content text detection and speech automatic generation in display device

Номер патента: US20230113757A1. Автор: Chun-Chieh Chan,Sheng-Ju YANG,Kuan-Ting Chiang. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20210224222A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2021-07-22.

Systems and methods for implementing a machine perception and dense algorithm integrated circuit and enabling a flowing propagation of data within the integrated circuit

Номер патента: US20220358081A1. Автор: Veerbhan Kheterpal,Nigel Drego,Ananth Durbha,Aman Sikka,Mrinalini Ravichandran,Robert Daniel FIRU. Владелец: Quadric IO Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Method and system for providing interactive testing of integrated circuits

Номер патента: US20050204237A1. Автор: Peilin Song,Franco Motika,Todd Burdine. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-09-15.

Semiconductor integrated circuit device and IC card using the same

Номер патента: US8301915B2. Автор: Kazuki Watanabe,Nobuaki Yoneya. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

A method for controlling transaction exchanges between two integrated circuits

Номер патента: EP2729863A1. Автор: Abdelaziz Goulahsen,Bipin Balakrishnan. Владелец: ERICSSON MODEMS SA. Дата публикации: 2014-05-14.

Integrated circuits having cascode transistor

Номер патента: US9170596B2. Автор: Yvonne Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-10-27.

Integrated circuits having cascode transistor

Номер патента: US20140285255A1. Автор: Yvonne Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-25.

Integrated circuit with leakage control and method for leakage control

Номер патента: EP1690102A1. Автор: Petri Vaisanen,Teppo Hemia,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2006-08-16.

Digital signal transition counters for digital integrated circuits

Номер патента: US20180088645A1. Автор: Young H. Cho,Siddharth S. Bhargav,Andrew Goodney. Владелец: University of Southern California USC. Дата публикации: 2018-03-29.

A method for making a ferroelectric memory cell in a ferroelectric memory device, and a ferroelectric memory device

Номер патента: EP1550133A1. Автор: Göran Gustafsson,Johan Carlsson,Henrik Ljungcrantz,Niclas Edvardsson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-07-06.

Ferroelectric memory devices including patterned conductive layers

Номер патента: US6359295B2. Автор: Mi-Hyang Lee,Dong-Jin Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-03-19.

NAND ferroelectric memory cell with three-dimensional structure and preparation method thereof

Номер патента: US11917830B2. Автор: Min Liao,Qijun Yang,Yichun ZHOU,Yanwei HUAN,Siwei DAI,Zhaotong LIU. Владелец: XIANGTAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-02-27.

Ferroelectric memory and its manufacturing method

Номер патента: US20070284637A1. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-12-13.

Three-dimensional ferroelectric memory

Номер патента: US11296117B2. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-04-05.

Three-dimensional ferroelectric memory

Номер патента: US20210175254A1. Автор: Jan Van Houdt. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-06-10.

Ferroelectric memory and its manufacturing method

Номер патента: US7977720B2. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-07-12.

Multi-level ferroelectric memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954000B2. Автор: Se Hun Kang,Deok Sin Kil. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-24.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: US20240224534A1. Автор: Woo Cheol LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of making a self-aligned ferroelectric memory transistor

Номер патента: US20030071292A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: SHENG LABORATORIES OF AMERICA Inc. Дата публикации: 2003-04-17.

Enhanced hydrogen barrier encapsulation method for the control of hydrogen induced degradation of ferroelectric capacitors in an F-RAM process

Номер патента: US09595576B2. Автор: Shan Sun,Tom E. Davenport. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Multibit ferroelectric memory cells and methods for forming the same

Номер патента: US11450687B2. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Roshan TIRUKKONDA,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-09-20.

Ferroelectric memory to prevent penetration of hydrogen into a ferroelectric layer of the ferroelectric memory

Номер патента: US7514735B2. Автор: Shinichi Fukada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-04-07.

Ferroelectric memory devices with reduced edge leakage and methods for forming the same

Номер патента: US20220005829A1. Автор: Yushi Hu. Владелец: Wuxi Petabyte Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Fin structure for increasing performance of ferroelectric memory device

Номер патента: US20230345733A1. Автор: Kuo-Ching Huang,Kuen-Yi Chen,Yi Ching Ong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

3d ferroelectric memory device

Номер патента: EP4304315A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Low-temperature passivation of ferroelectric integrated circuits for enhanced polarization performance

Номер патента: WO2016049084A1. Автор: John A. Rodriguez,Scott Robert Summerfelt,Kemal Tamer San,Richard Allen Bailey,Huang-Chun Wen,Antonio Guillermo ACOSTA. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2016-03-31.

3d ferroelectric memory device

Номер патента: US20240008289A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-04.

Low-temperature passivation of ferroelectric integrated circuits for enhanced polarization performance

Номер патента: EP3198647A1. Автор: John A. Rodriguez,Scott Robert Summerfelt,Kemal Tamer San,Richard Allen Bailey,Huang-Chun Wen,Antonio Guillermo ACOSTA. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-02.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: EP4304316A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-10.

Three-dimensional ferroelectric memory device

Номер патента: US20240015983A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Taehwan MOON. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-11.

Package to mount chip in integrated circuit and process of its assembly

Номер патента: RU2191445C2. Автор: Стефен Уэсли МАККВЭРРИ,Уэйн Расселл СТОРР,Джеймс Уоррен УИЛСОН. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2002-10-20.

Ferroelectric memory device and method of forming the same

Номер патента: US11910617B2. Автор: Chun-Chieh Lu,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A3. Автор: Duncan Stewart,Frederick A Perner,R Stanley Williams,Gregory S Snider,Phillip J Kuekes. Владелец: Phillip J Kuekes. Дата публикации: 2007-08-16.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: EP1872398A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-01-02.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2006-11-02.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

3d ferroelectric memory device

Номер патента: US20240172448A1. Автор: Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-23.

Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

Номер патента: US20160133581A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.,Conal E. Murray,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Heat dissipation in integrated circuits

Номер патента: US20070064398A1. Автор: Cynthia Lee,Sidhartha Sen. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-03-22.

Systems and methods for providing distributed batteries in integrated circuits

Номер патента: US20240234345A1. Автор: Swarup Bhunia,Peyman Dehghanzadeh. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Power rail arrangements in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20240355707A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Chi-Yu Lu,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

Номер патента: US09991214B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.,Conal E. Murray,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

Номер патента: US09431354B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.,Conal E. Murray,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Controlling warping in integrated circuit devices

Номер патента: US20110250742A1. Автор: John W. Osenbach,Weidong Xie,Thomas H. Shilling. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-10-13.

Method and apparatus for indicating directionality in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20070194392A1. Автор: Mehul Shroff,Edward Travis,Donald Smeltzer,Traci Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Method and apparatus for indicating directionality in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20100112779A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Donald E. Smeltzer,Traci L. Smith. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-05-06.

Method and apparatus for indicating directionality in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US7858487B2. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Donald E. Smeltzer,Traci L. Smith. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-28.

Method and apparatus for indicating directionality in integrated circuit manufacturing

Номер патента: WO2007100929A2. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Donald E. Smeltzer,Traci L. Smith. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-09-07.

Smoke-free esd protection structure used in integrated circuit devices

Номер патента: US20120007138A1. Автор: James Nguyen. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Vertical bit data paths for integrated circuits

Номер патента: US20230317729A1. Автор: Hai Li,Chia-Ching Lin,Ian Alexander Young,Julien Sebot,Dmitri Evgenievich Nikonov,Punyashloka Debashis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

High-speed low-power integrated circuit interconnects

Номер патента: WO2007137947A3. Автор: Satyajit Dutta,Zhibin Cheng,Peter Klim. Владелец: Peter Klim. Дата публикации: 2008-02-28.

High-speed low-power integrated circuit interconnects

Номер патента: WO2007137947A2. Автор: Satyajit Dutta,Zhibin Cheng,Peter Klim. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-12-06.

High-speed low-power integrated circuit interconnects

Номер патента: EP2022172A2. Автор: Satyajit Dutta,Zhibin Cheng,Peter Klim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-02-11.

Reducing leakage currents in integrated circuits

Номер патента: US20020158665A1. Автор: Vivek De,Yibin Ye,James Tschanz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Programmable stream switches and functional safety circuits in integrated circuits

Номер патента: US20240195418A1. Автор: Karl Henrik Goran Bilski. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Extending drive capability in integrated circuits utilizing programmable-voltage output circuits

Номер патента: US20090167357A1. Автор: Po-Shen Lai,Vaibhavi Sabharanjak,Lakhdar Iguelmamene,Ralph Heron. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Capacitors in integrated circuits

Номер патента: EP1016132A1. Автор: Hans Norström,Stefan Nygren. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-07-05.

Extending drive capability in integrated circuits utilizing programmable-voltage output circuits

Номер патента: WO2009088695A2. Автор: Po-Shen Lai,Vaibhavi Sabharanjak,Lakhdar Iguelmamene,Ralph Heron. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2009-07-16.

Efficient power management method in integrated circuit through a nanotube structure

Номер патента: US8017512B2. Автор: Jonathan Byrn. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Efficient power management method in integrated circuit through a nanotube structure

Номер патента: US20110039398A1. Автор: Jonathan Byrn. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-02-17.

Super via integration in integrated circuits

Номер патента: WO2021080695A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jun Chen,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-04-29.

Super via integration in integrated circuits

Номер патента: EP4049309A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jun Chen,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-31.

Integrated circuit common-mode filters with ESD protection and manufacturing method

Номер патента: US09741655B2. Автор: Shijun Wang,Nan Zhang,Wen-Chin Wu,Albert Z. WANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit heat dissipation using nanostructures

Номер патента: US09704978B2. Автор: Theodore G. Van Kessel,Randy L. Wolf,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Max L. LIFSON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Variable capacitor used in integrated circuit of differential structure

Номер патента: US09685908B1. Автор: Chang Kun Park,Mi Lim LEE,Ga Yeon Ko. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated circuit heat dissipation using nanostructures

Номер патента: US09601606B2. Автор: Theodore G. Van Kessel,Randy L. Wolf,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Max L. LIFSON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Electro-static discharge protection in integrated circuit based amplifiers

Номер патента: US09589949B1. Автор: Simon J. Mahon,James T. Harvey,Anna Dadello. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Self-aligned trench isolation in integrated circuits

Номер патента: US09437470B2. Автор: Kenichi Ohtsuka,Lei Xue,Rinji Sugino,Ching-Huang Lu,Simon Siu-Sing Chan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Process and structure for masking integrated capacitors of particular utility for ferroelectric memory integrated circuits

Номер патента: US20030071294A1. Автор: Masahisa Ueda,Shan Sun,George Hickert,Diana Johnson,John Ortega,Eric Dale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-17.

Process and structure for masking integrated capacitors of particular utility for ferroelectric memory integrated circuits

Номер патента: US20020117701A1. Автор: Masahisa Ueda,Shan Sun,George Hickert,Diana Johnson,John Ortega,Eric Dale. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Biasing device for low parasitic capacitance in integrated circuit applications

Номер патента: US20060237820A1. Автор: Chun-Ying Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Glass-integrated inductors in integrated circuit packages

Номер патента: US20240332100A1. Автор: Srinivas PIETAMBARAM,Pooya Tadayon,Suddhasattwa NAD,Marcel WALL,Benjamin DUONG,Sashi KANDANUR,Pratyush Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Glass-integrated inductors in integrated circuit packages

Номер патента: EP4439650A1. Автор: Srinivas PIETAMBARAM,Pooya Tadayon,Suddhasattwa NAD,Marcel WALL,Benjamin DUONG,Sashi KANDANUR,Pratyush Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Process for manufacturing devices for power applications in integrated circuits

Номер патента: US20150140767A1. Автор: Giuseppe Croce,Andrea Paleari,Paolo GATTARI,Alessandro DUNDULACHI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-05-21.

Power and ground shield mesh to remove both capacitive and inductive signal coupling effects of routing in integrated circuit device

Номер патента: US20090032846A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Power and Ground Shield Mesh to Remove Both Capacitive and Inductive Signal Coupling Effects of Routing in Integrated Circuit Device

Номер патента: US20100301397A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Fusible link configuration in integrated circuits

Номер патента: US20010019167A1. Автор: HELMUT Fischer,Jochen Müller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-09-06.

Variable rotational assignment of interconnect levels in integrated circuit fabrication

Номер патента: US20050079654A1. Автор: Thaddeus Gabara,Tarek Jomaa. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2005-04-14.

Methods and apparatus to reduce impedance discontinuities and crosstalk in integrated circuit packages

Номер патента: US20240274521A1. Автор: Lei Wang,Wenzhi WANG,Maoxin YIN,Chenghai YAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Antenna cavity structure for integrated patch antenna in integrated fan-out packaging

Номер патента: US09991216B2. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits

Номер патента: US09589976B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Localized anneal of ferroelectric dielectric

Номер патента: US20240074207A1. Автор: Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Localized anneal of ferroelectric dielectric

Номер патента: WO2024041048A1. Автор: Takashi Ando,Hiroyuki Miyazoe,Guy M. Cohen,Nanbo Gong. Владелец: Ibm (China) Co., Limited. Дата публикации: 2024-02-29.

Smart integrated semiconductor light emitting system including nitride based light emitting diodes (led) and application specific integrated circuits (asic)

Номер патента: WO2013078768A1. Автор: Trung Tri Doan,Chen-Fu Chu,Wen-Huang Liu,Yung Wei Chen,Tien Wei Tan. Владелец: SEMILEDS OPTOELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-06.

Method for manufacture of microneedle in integral version with internal channels

Номер патента: RU2695771C1. Автор: Михаил Ольгердович Рапидов,Олег Вячеславович Панкратов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Игла". Дата публикации: 2019-07-25.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US11764154B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Insulation material for integrated circuits and use of said integrated circuits

Номер патента: US20110297869A1. Автор: Ehrenfried Zschech,Helmut Hermann,Gotthart Seifert,Konstyantyn Zagorodniy. Владелец: Leibniz Institut fuer Festkorper und Werkstofforschung Dresden eV. Дата публикации: 2011-12-08.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: US20060238217A1. Автор: R. Williams,Duncan Stewart,Philip Kuekes,Frederick Perner,Greg Snider. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20230036522A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Vertical dmos device in integrated circuit

Номер патента: WO2007081573A2. Автор: Robert Paul Haase. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2007-07-19.

Copper fill for heat management in integrated circuit device

Номер патента: US20240234234A9. Автор: Telesphor Kamgaing,Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Chu Aun Lim,Chee Kheong Yoon,Kavitha Nagarajan,Jooi Wah WONG,Ilan RONEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Assemblies used for embedding integrated circuit assemblies, and their uses and method of fabrication thereof

Номер патента: EP4315414A2. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terecircuits Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Apparatus and methods for bidirectional esd protection in integrated circuit

Номер патента: WO2013181328A1. Автор: Gianluca Boselli,Farzan Farbiz,Ann Margaret Concannon,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-12-05.

Structures for improving radiation hardness and eliminating latch-up in integrated circuits

Номер патента: US20210043496A1. Автор: Patrice M. Parris,David R. Gifford. Владелец: Silicon Space Technologies Corp DBA Vorago Technologies Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Fabrication of phase change memory cell in integrated circuit

Номер патента: US20200295261A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Barry Linder,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Assemblies used for embedding integrated circuit assemblies, and their uses and method of fabrication thereof

Номер патента: WO2022212492A3. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terecircuits Corporation. Дата публикации: 2022-11-10.

Middle-of-line shielded gate for integrated circuits

Номер патента: EP3692575A1. Автор: YE Lu,Bin Yang,Periannan Chidambaram,Lixin Ge,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-08-12.

Middle-of-line shielded gate for integrated circuits

Номер патента: WO2019070346A1. Автор: YE Lu,Bin Yang,Periannan Chidambaram,Lixin Ge,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-04-11.

Adaptive silicon carbide gate drivers in integrated circuit form

Номер патента: US20240072637A1. Автор: Xia DU,H. Alan Mantooth,Yuqi Wei,Liyang Du,Andrea Stratta,Asif Faruque. Владелец: Board Oftrustees Of University Of Arkansas. Дата публикации: 2024-02-29.

Gate spacing in integrated circuit structures

Номер патента: US20240249946A1. Автор: Gurpreet Singh,Paul A. Nyhus,Eungnak Han,David Nathan Shykind,Mohit K. HARAN,Charles Henry Wallace,Sean Michael Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Gate-All-Around Field-Effect Transistors In Integrated Circuits

Номер патента: US20220384456A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Method for containing a silicided gate within a sidewall spacer in integrated circuit technology

Номер патента: US20100219486A1. Автор: Kelley Kyle Higgins,Ibrahim Khan Burki. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-09-02.

Bottom-up curing of dielectric films in integrated circuits

Номер патента: US20200388488A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Hosadurga Shobha,Devika Sil,Yasir Sulehria. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Structure and method for determining a defect in integrated circuit manufacturing process

Номер патента: US9035674B2. Автор: HONG Xiao,Jack Y. Jau,CHANG CHUN YEH. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Inorganic redistribution layer on organic substrate in integrated circuit packages

Номер патента: NL2031578B1. Автор: Ganesan Sanka,Francois Brun Xavier,A Sawyer Holly,A Gosselin Timothy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Square etch profiles in heterogenous materials of integrated circuit devices

Номер патента: US20240113194A1. Автор: Krishna GANESAN,Kilhyun Bang,Mekha George,Seda Cekli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Structures for improving radiation hardness and eliminating latch-up in integrated circuits

Номер патента: WO2020097003A1. Автор: Patrice M. Parris,David R. Gifford. Владелец: Silicon Space Technologies Corporation D.B.A. Vorago Technologies, Inc.. Дата публикации: 2020-05-14.

Gate-All-Around Field-Effect Transistors In Integrated Circuits

Номер патента: US20240276697A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Ferroelectrics and ferromagnetics for noise isolation in integrated circuits, packaging, and system architectures

Номер патента: US20100103639A1. Автор: Madhavan Swaminathan,Jin Hyun Hwang,Markondeya Raj Pulugurtha,Rao Tummala,Mahadevan Krishna Iyer,Isaac Robin Abothu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

Metallization in integrated circuit structures

Номер патента: US11018222B1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher J. WIEGAND,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Lukas M. Baumgartel,Timothy Michael Duffy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Fixture and method for uniform electroless metal deposition on integrated circuit bond pads

Номер патента: US20010047944A1. Автор: Gonzalo Amador,Roger Stierman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-12-06.

Device contact sizing in integrated circuit structures

Номер патента: EP3886176A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Controlling removal rate uniformity of an electropolishing process in integrated circuit fabrication

Номер патента: WO2005059970A3. Автор: HUI Wang,Felix Gutman,Himanshu J Chokshi. Владелец: Himanshu J Chokshi. Дата публикации: 2009-04-02.

Methods of forming fine patterns in integrated circuit devices

Номер патента: US20100096719A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Low dielectric constant carbon-containing silicon oxide dielectric material for use in integrated circuit structures

Номер патента: EP1039520A3. Автор: Valeriy Sukharev,Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

SYSTEMS FOR REDUCING MAGNETIC COUPLING IN INTEGRATED CIRCUITS (ICs), AND RELATED COMPONENTS AND METHODS

Номер патента: WO2014197364A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Daeik D. KIM,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-12-11.

Determining intra-die wirebond pad placement locations in integrated circuit

Номер патента: US8448118B2. Автор: Haruo Itoh,Richard S. Graf,Wai Ling Chung-Maloney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Energy harvesting in integrated circuit packages

Номер патента: US20130134544A1. Автор: Henry L. Sanchez. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Optical interconnects in integrated circuits

Номер патента: US20040217373A1. Автор: Jianping Xu,Tanay Karnik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Metallization in integrated circuits

Номер патента: US20230352311A1. Автор: Frances Ooi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Digitally adjustable amplifier for integrated circuit

Номер патента: US7135916B2. Автор: Albrecht Schmidt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-14.

Methods and apparatus to mitigate electromigration in integrated circuit packages

Номер патента: US20240332134A1. Автор: Gang Duan,Liang He,Jung Kyu HAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Microfluidic cooling in integrated circuit device

Номер патента: US20240312869A1. Автор: Telesphor Kamgaing,Min Suet LIM,Tongyan Zhai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Layouts for conductive layers in integrated circuits

Номер патента: US12107048B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo,Hao-Tien KAN,Jhih-Hong YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Power line layout in integrated circuits

Номер патента: US09935052B1. Автор: Hui Liu,Arifur Rahman,Kyung Suk Oh,Kaushik Chanda,Karthik Chandrasekar. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Using inter-tier vias in integrated circuits

Номер патента: US09929149B2. Автор: Gregory Munson Yeric,Robert Campbell Aitken,Saurabh Pijuskumar Sinha,Brian Tracy CLINE,Kyungwook Chang. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Active atomic reservoir for enhancing electromigration reliability in integrated circuits

Номер патента: US09818694B2. Автор: Ming-Hsien Lin,Anthony Oates. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Self aligned via in integrated circuit

Номер патента: US09768113B2. Автор: Terry A. Spooner,Lars W. Liebmann,Yann Mignot,Yannick Feurprier,Joe Lee,Douglas M. Trickett,Mehmet Yilmaz. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-09-19.

Electro-static discharge protection for integrated circuits

Номер патента: US09608437B2. Автор: Prasad Srinivasa Siva Gudem,Li-Chung Chang,Ahmed Abdel Monem Youssef,Ehab Ahmed Sobhy Abdel Ghany. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Deposition of titanium nanolaminates for use in integrated circuit fabrication

Номер патента: US09540729B1. Автор: Hidemi Suemori,Viljami J. Pore,Seiji Okura. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-01-10.

Process for deposition of titanium oxynitride for use in integrated circuit fabrication

Номер патента: US09523148B1. Автор: Hidemi Suemori,Viljami J. Pore,Seiji Okura. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-20.

Sputter etch processing for heavy metal patterning in integrated circuits

Номер патента: US09484220B2. Автор: Chun Yan,Eric A. Joseph,Hiroyuki Miyazoe,Mark D. Hoinkis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Etch stop layer in integrated circuits

Номер патента: US09437484B2. Автор: Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Tsung-Hsuan Hong,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Layouts for conductive layers in integrated circuits

Номер патента: US20240379552A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo,Hao-Tien KAN,Jhih-Hong YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Methods and apparatus to improve signal integrity performance in integrated circuit packages

Номер патента: US20230352416A1. Автор: Zhichao Zhang,Kemal Aygun,Suddhasattwa NAD,Cemil Geyik,Yidnekachew Mekonnen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Resilient electrical connectors for electromagnetic interference shielding structures in integrated circuit assemblies

Номер патента: WO2020206625A1. Автор: Chen Zhang,Guangying Zhang,Wei Liao,Jun Lu,Michael Leddige,Weimin Shi,Chuansheng Liu,Liguang DU,Eduardo MICHEL,Guillermo RENTERIA ZAMUDIO. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-15.

Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

Номер патента: US20180061782A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.,Conal E. Murray,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Integrated circuit ferroelectric memory devices including plate lines directly on ferroelectric capacitors

Номер патента: US6828611B2. Автор: Hyun-Ho Kim,Ki-nam Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-12-07.

Seed layer processes for MOCVD of ferroelectric thin films on high-k gate oxides

Номер патента: US20030109069A1. Автор: Tingkai Li,Sheng Hsu. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2003-06-12.

Improved replacement electrode process for 3d ferroelectric memory

Номер патента: US20240114696A1. Автор: Christopher Neumann,Brian Doyle,Nazila Haratipour,Sou-Chi Chang,Shriram SHIVARAMAN,Uygar Avci,Tristan TRONIC,Cory Weinstein. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Method and device using titanium doped aluminum oxide for passivation of ferroelectric materials

Номер патента: US20040056276A1. Автор: HONG Ying,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-03-25.

Direct writing of refractory metal lines for use in integrated circuit devices

Номер патента: CA1249071A. Автор: Christopher P. Yakymyshyn,Yung S. Liu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1989-01-17.

Electrostatic discharge protection in integrated circuits, systems and methods

Номер патента: US5591992A. Автор: Jerald G. Leach. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-01-07.

Structure and fabrication method for integrated circuits with polysilicon lines having low sheet resistance

Номер патента: CA1092726A. Автор: Fritz H. Gaensslen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-12-30.

Misted deposition method of fabricating integrated circuits

Номер патента: US5888583A. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Larry D. McMillan,Tommy L. Roberts. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

High-ratio-accuracy capacitor geometries for integrated circuits

Номер патента: CA1121915A. Автор: Michael F. Tompsett,Donald L. Fraser, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-04-13.

Patterning transition metals in integrated circuits

Номер патента: US20140159242A1. Автор: Eric A. Joseph,Cyril Cabral, Jr.,Sebastian U. Engelmann,Michael S. Gordon,Benjamin L. Fletcher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Patterning transition metals in integrated circuits

Номер патента: US9299639B2. Автор: Eric A. Joseph,Cyril Cabral, Jr.,Sebastian U. Engelmann,Michael S. Gordon,Benjamin L. Fletcher. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Metal layer patterning for minimizing mechanical stress in integrated circuit packages

Номер патента: US20210066221A1. Автор: Alexander Barr,Yaoyu Pang,Marc L. Tarabbia,Kathryn Rose Holland. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Metal layer patterning for minimizing mechanical stress in integrated circuit packages

Номер патента: EP4022675A1. Автор: Alexander Barr,Yaoyu Pang,Marc L. Tarabbia,Kathryn Rose Holland. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Metal layer patterning for minimizing mechanical stress in integrated circuit packages

Номер патента: WO2021041044A1. Автор: Alexander Barr,Yaoyu Pang,Marc L. Tarabbia,Kathryn Rose Holland. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2021-03-04.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200090981A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Noise reduction in integrated circuits and circuit assemblies

Номер патента: WO1996037978A1. Автор: Jean-Yves Michel,Alan G. Corry,Graham Y. Mostyn. Владелец: MICROUNITY SYSTEMS ENGINEERING, INC.. Дата публикации: 1996-11-28.

Method for preventing transients during switching processes in integrated switching circuits, and an integrated switching circuit

Номер патента: US20050062516A1. Автор: Christian Kranz,Ulrich Boetzel,Michael Warmers,Markus Hammes,Andre Neubauer,Frank Gersemsky,Rüdiger Lorenz,Bernd Schmandt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-24.

Method for preparing a thin layer of ferroelectric material

Номер патента: US20240072753A1. Автор: Morgane Logiou,Alexis Drouin,Isabelle Huyet. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2024-02-29.

Use of hard masks during etching of openings in integrated circuits for high etch selectivity

Номер патента: US6054384A. Автор: Fei Wang,Susan Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Fabrication of interlayer conductive paths in integrated circuits

Номер патента: CA1286795C. Автор: Glenn H. Chapman,Terry O. Herndon. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1991-07-23.

Signal conducting line arrangements in integrated circuits

Номер патента: US11916017B2. Автор: Chia-Tien Wu,Wei-Ling Chang,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-27.

Structure to enable higher current density in integrated circuit resistor

Номер патента: US20190139861A1. Автор: Archana Venugopal,Dhishan Kande. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Patterning transition metals in integrated circuits

Номер патента: US20140159227A1. Автор: Eric A. Joseph,Cyril Cabral, Jr.,Sebastian U. Engelmann,Michael S. Gordon,Benjamin L. Fletcher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Fault detection in integrated circuits

Номер патента: US20230100245A1. Автор: Kadaba Lakshmikumar,Sanjay Sunder,Alexander C. Kurylak. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Deep trench isolation for reducing soft errors in integrated circuits

Номер патента: US20020130384A1. Автор: Thomas Aton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Image cancelling mixer circuit on an integrated circuit chip

Номер патента: CA2065283C. Автор: Carl R. Battjes,Don H. Atherly. Владелец: Seiko Corp. Дата публикации: 2001-07-10.

MOS Transistor type integrated circuit for the execution of logical operations on a plurality of data signals

Номер патента: US4453096A. Автор: Claude J. P. F. Le Can,Karel Hart. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-06-05.

Layout techniques for high-speed and low-power signal paths in integrated circuits with small channel devices

Номер патента: US20190267324A1. Автор: Anirban Banerjee,Marina SALIK,Elizabeth Deleev HYLANDER-PRIEBE. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Layout techniques for high-speed and low-power signal paths in integrated circuits with small channel devices

Номер патента: US10559532B2. Автор: Anirban Banerjee,Marina SALIK,Elizabeth Deleev HYLANDER-PRIEBE. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-11.

Calibrated biasing of sleep transistor in integrated circuits

Номер патента: US20190044512A1. Автор: Charles Augustine,Muhammad Khellah,Suyoung BANG,Pascal MEINERZHAGEN,Minki Cho. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

High-current/low cost read-in integrated circuit

Номер патента: US20110073877A1. Автор: Mark Alan Massie. Владелец: Nova Research Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Deep silicon via as a drain sinker in integrated vertical DMOS transistor

Номер патента: US09728632B2. Автор: Zachary K. Lee,Sharon Levin,Shye Shapira. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Binary germanium-silicon interconnect and electrode structure for integrated circuits

Номер патента: CA1183968A. Автор: William I. Lehrer,Bruce E. Deal. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-03-12.

Method of fabricating a shallow-trench isolation structure in integrated circuit

Номер патента: US5960299A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tri-Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Dynamic isolation of conductivity modulation states in integrated circuits

Номер патента: US4224083A. Автор: Michael W. Cresswell. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-09-23.

Method for fabricating minute openings in integrated circuits

Номер патента: CA1048331A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-02-13.

Integrated circuit arrangement for a telephone subscriber station

Номер патента: US3955053A. Автор: Peter Picard. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-05-04.

Multiplexer structures for use in making controllable interconnections in integrated circuits.

Номер патента: US5486775A. Автор: Kerry Veenstra. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1996-01-23.

Integrated circuit insulators and related methods

Номер патента: US20070141832A1. Автор: Paul Farrar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Signal routing in integrated circuit packaging

Номер патента: US11810850B2. Автор: Jin Young Kim,Zhonghua Wu. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Buried Trench Isolation in Integrated Circuits

Номер патента: US20150262838A1. Автор: Simon Chan,Lei Xue,Rinji Sugino,Ching-Huang Lu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2015-09-17.

Sputter and surface modification etch processing for metal patterning in integrated circuits

Номер патента: US20150243602A1. Автор: Eric A. Joseph,Cyril Cabral, Jr.,Hiroyuki Miyazoe,Benjamin L. Fletcher,Nicholas C.M. Fuller. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Suppression of parasitic acoustic waves in integrated circuit devices

Номер патента: US20230216471A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Techniques for attenuating resonance induced impedance in integrated circuits

Номер патента: US20120176185A1. Автор: Hong Shi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Method for the mitigation of hot spots in integrated circuits chip

Номер патента: EP1750303A3. Автор: Shih-Chia Chang,Poh-Seng Lee. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2010-03-10.

Apparatus and methods for bonding pad redistribution layers in integrated circuits

Номер патента: US20240096826A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuji TOTOKI,Guangyuan Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Signal routing in integrated circuit packaging

Номер патента: US20240105581A1. Автор: Jin Young Kim,Zhonghua Wu. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Sputter and surface modification etch processing for metal patterning in integrated circuits

Номер патента: US20140124935A1. Автор: Eric A. Joseph,Cyril Cabral, Jr.,Hiroyuki Miyazoe,Benjamin L. Fletcher,Nicholas C.M. Fuller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20230387013A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Buried Trench Isolation in Integrated Circuits

Номер патента: US20160211321A1. Автор: Lei Xue,Rinji Sugino,Ching-Huang Lu,Simon Siu-Sing Chan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Thermocompression bonding in integrated circuit packaging

Номер патента: CA2024012A1. Автор: Sung K. Kang,Michael J. Palmer,Timothy C. Reiley,Robert D. Topa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-02-26.

Apparatus and method for controlling hybrid arq memory in broadband wireless access communication system

Номер патента: US20080002629A1. Автор: Jung-Ho Lee,Bong-Gee Song,Ji-Yun Seol,Jong-Han Lim,Jin Woo Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-03.

Apparatus and method for controlling hybrid ARQ memory in broadband wireless access communication system

Номер патента: US7916719B2. Автор: Jung-Ho Lee,Bong-Gee Song,Ji-Yun Seol,Jong-Han Lim,Jin-Woo Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-03-29.

Monolithic semiconductor integrated circuit ferroelectric memory device, and methods of fabricating and utilizing same

Номер патента: US4707897A. Автор: George A. Rohrer,Larry McMillan. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1987-11-24.

Integrated circuit frequency divider having low power consumption

Номер патента: US3715604A. Автор: W Rapshys. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1973-02-06.

Processes of forming insulated gate field effect transistors with channel lengths of one micron in integrated circuits with component isolated and product

Номер патента: US3996655A. Автор: James A. Cunningham,James E. Schroeder,Mark Roman Guidry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-12-14.

Circuit and technique for adjusting and accurately controlling clock duty cycles in integrated circuit devices

Номер патента: US7518425B2. Автор: John D. Heightley. Владелец: Promos Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2009-04-14.

Integrated circuit alignment marks distributed throughout a surface metal line

Номер патента: US5936311A. Автор: Kenneth Watrobski,Ken H. Faulk. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-08-10.

Device and method for limiting the extent to which circuits in integrated circuit dice electrically load bond pads and other circuit nodes in the dice

Номер патента: US20010026185A1. Автор: Joseph Sher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Vertically-aligned and conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: US11133272B1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Vertically-aligned and conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: US20210343661A1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Embedded ferroelectric memory in high-k first technology

Номер патента: US11751400B2. Автор: Wei Cheng Wu,Pai Chi Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit including ferroelectric memory cells and methods for manufacturing

Номер патента: US20180233573A1. Автор: James Lin,Francesco Anthony Annetta. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-08-16.

Method of using titanium doped aluminum oxide for passivation of ferroelectric materials and devices including the same

Номер патента: US20020140011A1. Автор: HONG Ying,Sheng Hsu,Fengyan Zhang. Владелец: Sharp Laboratories of America Inc. Дата публикации: 2002-10-03.

Vertically-aligned conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: EP4139961A1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Vertically-aligned conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: WO2021216250A1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-28.

Electrical isolation in integrated circuits

Номер патента: US5422507A. Автор: Frank Wanlass. Владелец: Standard Microsystems LLC. Дата публикации: 1995-06-06.

Method of minimizing package-shift effects in integrated circuits by using a thick metallic overcoat

Номер патента: US20020182780A1. Автор: Gabriel RINCON-MORA,David Briggs,Roy Hastings,Buddhika Abesingha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Antenna cavity structure for integrated patch antenna in integrated fan-out packaging

Номер патента: US20170278808A1. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Interconnect structure having different dimensions for connected circuit blocks in integrated circuit

Номер патента: US20230402375A1. Автор: Kang-ill Seo,Hyoeun Park,Eun Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device which minimizes package-shift effects in integrated circuits by using a thick metallic overcoat

Номер патента: US6750553B2. Автор: Roy Alan HASTINGS,Gabriel A. Rincon-Mora,Buddhika J. Abesingha,David D. Briggs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-06-15.

Stacked capacitors for use in integrated circuit modules and the like

Номер патента: US20200185156A1. Автор: Charles L. Arvin,Sylvain Pharand,Bhupender Singh,Brian W. Quinlan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Integrated circuit resistors

Номер патента: GB2182488A. Автор: Roger Leslie Baker. Владелец: STC PLC. Дата публикации: 1987-05-13.

Process for forming vias on integrated circuits

Номер патента: CA1249072A. Автор: Michael E. Thomas,Robert L. Brown. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1989-01-17.

On-chip variance detection for integrated circuit devices

Номер патента: US5517107A. Автор: Kevin M. Ovens,Alan S. Bass,Jay A. Maxey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-05-14.

Conducting electrode layers for ferroelectric capacitors in integrated circuits and method

Номер патента: US5142437A. Автор: Lee Kammerdiner,Maria Huffman,Manoochehr Golabi-Khoozani. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1992-08-25.

In-situ SiON deposition/bake/TEOS deposition process for reduction of defects in interlevel dielectric for integrated circuit interconnects

Номер патента: US6124217A. Автор: Minh Van Ngo,Sey-Ping Sun,Mark I. Gardner. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Lead frame having non-conductive tie-bar for use in integrated circuit packages

Номер патента: US4768077A. Автор: Jeremy D. Scherer. Владелец: Aegis Inc. Дата публикации: 1988-08-30.

Apparatus and method of surface treatment for electrolytic and electroless plating of metals in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20030034251A1. Автор: Chi-Hwa Tsang,Vinay Chikarmane. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Method for optimising transistor performance in integrated circuits

Номер патента: US20060186478A1. Автор: Peter Hughes,Trevor Monk,Shannon Morton. Владелец: Icera LLC. Дата публикации: 2006-08-24.

Method of fabricating polycrystalline silicon resistors in integrated circuit structures using outdiffusion

Номер патента: US4502894A. Автор: John Y. W. Seto,Ken K. Y. Su. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-03-05.

Integrated circuits having stepped dielectric regions

Номер патента: US4676869A. Автор: Kuo-Hua Lee,Samuel E. Polanco. Владелец: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH Co AT&T BELL LABORATORIES. Дата публикации: 1987-06-30.

Method for reducing underfill filler settling in integrated circuit packages

Номер патента: US9431274B2. Автор: Rajendra C. DIAS,Manish Dubey,Suriyakala Ramalingam,Nisha ANANTHAKRISHNAN,Hitesh Arora,Hsin-Yu Li,Michelle S. Phen,Yiqun Bai,Yonghao Xiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Reduction of electromagnetic interference in integrated circuit device packages

Номер патента: US20020190389A1. Автор: Steven Koenck. Владелец: INTERMAC TECHNOLOGIES Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Method for making interconnects and diffusion barriers in integrated circuits

Номер патента: US20020094673A1. Автор: Valery Dubin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Integrated circuits having stepped dielectric regions

Номер патента: USRE33622E. Автор: Kuo-Hua Lee,Samuel E. Polanco. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-06-25.

Films doped with carbon for use in integrated circuit technology

Номер патента: US20040164336A1. Автор: John Moore,Ronald Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-26.

Lead frame coated with aluminum as a packaging material in integrated circuits

Номер патента: US4605533A. Автор: Yoshikazu Hashimoto,Kazunao Kudoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-08-12.

Etch stop layer in integrated circuits

Номер патента: US11942419B2. Автор: Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Tsung-Hsuan Hong,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Layouts for conductive layers in integrated circuits

Номер патента: US20220406716A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo,Hao-Tien KAN,Jhih-Hong YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Layouts for conductive layers in integrated circuits

Номер патента: US20230154849A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo,Hao-Tien KAN,Jhih-Hong YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Layouts for conductive layers in integrated circuits

Номер патента: US11600568B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo,Hao-Tien KAN,Jhih-Hong YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

Magnetic structures in integrated circuit packages

Номер патента: EP3803969A1. Автор: YING Wang,Chong Zhang,Yikang Deng,Andrew James Brown,Lauren Ashley Link. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Cavity structures in integrated circuit package supports

Номер патента: US20200066543A1. Автор: Cheng Xu,Ji Yong Park,Rahul Jain,Junnan Zhao,Kyu Oh Lee,Sai Vadlamani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Electro-static discharge protection for integrated circuits

Номер патента: WO2015038402A1. Автор: Prasad Srinivasa Siva Gudem,Li-Chung Chang,Ahmed Abdel Monem Youssef,Ehab Ahmed Sobhy Abdel Ghany. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-19.

Ferroelectric gate dielectrics in integrated circuits

Номер патента: US20200235221A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Integrated circuit packages with silver and silicon nitride multi-layer

Номер патента: US20230420358A1. Автор: Robert L. Sankman,Srinivas V. Pietambaram,Kemal Aygun,Zhiguo Qian,Rengarajan SHANMUGAM,Kristof Kuwawi Darmawikarta,Jung Kyu HAN,Cemil S. Geyik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Magnetic structures in integrated circuit package supports

Номер патента: US11830809B2. Автор: Cheng Xu,YING Wang,Kaladhar Radhakrishnan,Junnan Zhao,Yikang Deng,Andrew James Brown. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

System for controlling leakage current in integrated circuits

Номер патента: US20230361772A1. Автор: Alvin Leng Sun Loke,Sanjay Kumar Wadhwa,Saurabh Goyal,Divya Tripathi,Manish Kumar Upadhyay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-11-09.

Thermal management in integrated circuit packages

Номер патента: US11830787B2. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Johanna M. Swan,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Ratioed capacitances in integrated circuits

Номер патента: US5204546A. Автор: Kenneth W. Moulding. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1993-04-20.

Gate spacing in integrated circuit structures

Номер патента: US20210305244A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Thermal improvement for hotspots on dies in integrated circuit packages

Номер патента: US20150200149A1. Автор: Rezaur Rahman Khan,Sam Ziqun Zhao. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Diffusion barrier for copper lines in integrated circuits

Номер патента: EP1507289A3. Автор: Stephan Grunow,Satyavolu S. Papa Rao,Noel M. Russell. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-03-23.

Isolation in integrated circuit devices

Номер патента: US20200126980A1. Автор: Sang-Won Park,Leonard C. Pipes,Dennis G. Hanken,Sishir Bhowmick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Tunable capacitor arrangements in integrated circuit package substrates

Номер патента: US20210066265A1. Автор: Feras Eid,Sivakumar Nagarajan,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Johanna M. Swan,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Georgios Dogiamis,William James Lambert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Device contacts in integrated circuit structures

Номер патента: US11973121B2. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei,Piyush Mohan Sinha,Mwilwa Tambwe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20240162289A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US11916106B2. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Thermal management in integrated circuit packages

Номер патента: US11784108B2. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Johanna M. Swan,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Dual damascene structure for the wiring-line structures of multi-level interconnects in integrated circuit

Номер патента: US20030189254A1. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Yimin Huang,Tri-Rung Yew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-09.

Heatsink for ring type integrated circuits

Номер патента: US20240105549A1. Автор: Hua Yang,Kai Cao,Vic Hong Chia,Yongguo Chen,Paul TON. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Magnetic structures in integrated circuit packages

Номер патента: US20190371744A1. Автор: YING Wang,Chong Zhang,Yikang Deng,Andrew James Brown,Lauren Ashley Link. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Gate-all-around field-effect transistors in integrated circuits

Номер патента: US11968819B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Copper fill for heat management in integrated circuit device

Номер патента: US20240136243A1. Автор: Telesphor Kamgaing,Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Chu Aun Lim,Chee Kheong Yoon,Kavitha Nagarajan,Jooi Wah WONG,Ilan RONEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Methods and circuitry for reducing intermodulation in integrated transceivers

Номер патента: US20030078022A1. Автор: Yijun Cai. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2003-04-24.

Gate-All-Around Field Effect Transistors In Integrated Circuits

Номер патента: US20210202498A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

System and method for controlling the drive strength of output drivers in integrated circuit devices

Номер патента: US20070103124A1. Автор: John Heightley. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Electro-static discharge protection for integrated circuits

Номер патента: EP3044810A1. Автор: Prasad Srinivasa Siva Gudem,Li-Chung Chang,Ahmed Abdel Monem Youssef,Ehab Ahmed Sobhy Abdel Ghany. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Gate spacing in integrated circuit structures

Номер патента: US12002678B2. Автор: Gurpreet Singh,Paul A. Nyhus,Eungnak Han,David Nathan Shykind,Mohit K. HARAN,Charles Henry Wallace,Sean Michael Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Gradient-doped sacrificial layers in integrated circuit structures

Номер патента: WO2022108655A1. Автор: Willy Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-05-27.

Electrostatic discharge protection in integrated circuits using materials with optically controlled electrical conductivity

Номер патента: US20210202403A1. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Veronica Aleman Strong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Fabrication of phase change memory cell in integrated circuit

Номер патента: US20210020836A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Barry Linder,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Techniques For Shifting Signal Transmission To Compensate For Defects In Pads In Integrated Circuits

Номер патента: US20240113014A1. Автор: Md Altaf Hossain,Ankireddy Nalamalpu,Atul Maheshwari,Jeffrey Chromczak,Mahesh Kumashikar,Krishna Bharath Kolluru. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Heat removal in integrated circuits with transistors and double-sided metal interconnects

Номер патента: US20230395456A1. Автор: Telesphor Kamgaing,Jean-Pierre Njante. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Thermal management in integrated circuit packages

Номер патента: US12007170B2. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Johanna M. Swan,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

System for controlling leakage current in integrated circuits

Номер патента: EP4273930A1. Автор: Alvin Leng Sun Loke,Sanjay Kumar Wadhwa,Saurabh Goyal,Divya Tripathi,Manish Kumar Upadhyay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-11-08.

Active Atomic Reservoir For Enhancing Electromigration Reliability In Integrated Circuits

Номер патента: US20170141033A1. Автор: Ming-Hsien Lin,Anthony Oates. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20220344459A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20210305365A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Heatsink for ring type integrated circuits

Номер патента: WO2024073430A1. Автор: Hua Yang,Kai Cao,Vic Hong Chia,Yongguo Chen,Paul TON. Владелец: CISCO TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-04-04.

Thermal management in integrated circuit packages

Номер патента: US20240030098A1. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Johanna M. Swan,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Vertical dmos device in integrated circuit

Номер патента: WO2007081573B1. Автор: Robert Paul Haase. Владелец: Robert Paul Haase. Дата публикации: 2008-08-14.

SYSTEMS FOR REDUCING MAGNETIC COUPLING IN INTEGRATED CIRCUITS (ICs), AND RELATED COMPONENTS AND METHODS

Номер патента: EP3005562A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Daeik D. KIM,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-04-13.

Methods and circuitry for reducing intermodulation in integrated transceivers

Номер патента: EP1304805A3. Автор: Yijun Cai. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2003-06-18.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20120223737A1. Автор: Toshirou Kitaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-06.

Reconfigurable semiconductor integrated circuit

Номер патента: US8299815B2. Автор: Toshirou Kitaoka. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-10-30.

Preparation of ferroelectric ceramic compositions

Номер патента: US3699044A. Автор: Robert G Dosch,William M O'neill. Владелец: US Atomic Energy Commission (AEC). Дата публикации: 1972-10-17.

Carrier barrier layer for tuning a threshold voltage of a ferroelectric memory device

Номер патента: US11769815B2. Автор: Hai-Ching Chen,Chung-Te Lin,Yu-Ming Lin,Rainer Yen-Chieh Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Three-dimensional ferroelectric memory device containing lattice-matched templates and methods of making the same

Номер патента: WO2022154827A1. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-07-21.

Ferroelectric memory

Номер патента: US20020135068A1. Автор: Toshiyuki Honda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-26.

Thermal treatment for reducing transistor performance variation in ferroelectric memories

Номер патента: US09548377B2. Автор: Kemal Tamer San,Kezhakkedath R. Udayakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

PLL-VCO based integrated circuit aging monitor

Номер патента: US09432031B2. Автор: Yuejun Zhang,Pengjun WANG,Zhidi JIANG,Xuelong Zhang. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2016-08-30.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

COUPLING-TYPE SINGLE-POLE DOUBLE-THROW SWITCH ADAPTED fOR RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20240259019A1. Автор: Yonggang Mao. Владелец: Xian Keruisheng Innovative Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Integrated circuits

Номер патента: EP2119010A1. Автор: Klaus Melakari,Marko Winblad,Pasi Kolinummi. Владелец: Nokia Oyj. Дата публикации: 2009-11-18.

Integrated circuit device and image processing apparatus

Номер патента: US20150288916A1. Автор: Takaaki Yokoi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-10-08.

Freeze And Clear Logic Circuits And Methods For Integrated Circuits

Номер патента: US20220216873A1. Автор: Jeffrey Chromczak,Sadegh Yazdanshenas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-07-07.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367A1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2003-09-24.

A ferroelectric memory circuit and method for its fabrication

Номер патента: EP1346367B1. Автор: Lichun Chen,Nicklas Johansson. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2005-03-09.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20200286882A1. Автор: Takanori Kohama. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-10.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: WO2005117117A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: HONEYWELL INTERNATIONAL INC.. Дата публикации: 2005-12-08.

Integrated circuit and method of designing integrated circuit

Номер патента: US20020031850A1. Автор: Tsutomu Takabayashi,Shizuo Morizane. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-03-14.

High frequency semiconductor integrated circuit capable of switching between characteristics

Номер патента: US20020186089A1. Автор: Ko Kanaya,Shin Chaki. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-12-12.

Television tuner using integrated circuit

Номер патента: US20050110908A1. Автор: Masaki Yamamoto. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2005-05-26.

Electrostatic protection circuit with impedance matching for radio frequency integrated circuits

Номер патента: US20070264957A1. Автор: John Leete. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2007-11-15.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240283440A1. Автор: Kang Min Lee,Young Jin Yoon,Sang Min Jun,Kwang Kyung Lee,Seung Cheol Bae,Sun Byeong Yoon. Владелец: Integrated Silicon Solution Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Thermal management solutions that reduce inductive coupling between stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2020018219A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-01-23.

Driving circuit, integrated circuit, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20200164636A1. Автор: Tetsuo Takagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Method and system for stacking integrated circuits

Номер патента: EP1756867A1. Автор: Ronald J. Jensen,Richard K. Spielberger. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2007-02-28.

Integrated circuit device and liquid droplet ejection device

Номер патента: US10940686B2. Автор: Takashi Nakajima,Kazuhiro Adachi,Katsumi Okina. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2021-03-09.

Integrated circuit stack

Номер патента: US09947609B2. Автор: James Hobbs,Kenneth H. Heffner,James L. Tucker,Gary Roosevelt. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-04-17.

Liquid ejecting apparatus, drive circuit, and integrated circuit

Номер патента: US09849670B2. Автор: Tomokazu Yamada. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Coupling-type single-pole double-throw switch adapted for radio frequency integrated circuit

Номер патента: US12143102B2. Автор: Yonggang Mao. Владелец: Xian Keruisheng Innovative Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Integrated circuit package assembly

Номер патента: US09786635B2. Автор: Hsien-Wei Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Integrated circuit with continuously adaptive equalization circuitry

Номер патента: US09705708B1. Автор: Jihong Ren,Wenyi Jin. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuit with low phase noise clock distribution network

Номер патента: US09531356B1. Автор: Peter L. Delos,Brandon R. Davis,Steven M. Fireman. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Integrated circuit device with on-board calibration of signal generator circuits, and related methods

Номер патента: US09520888B1. Автор: ASHOK KUMAR,Andrew J. Wright,Ramesh Chettuvetty,Sonal Chandrasekharan,Hiromu Takehara,Tushar Kachhdiya. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Yield enhancing vertical redundancy method for 3D wafer level packaged (WLP) integrated circuit systems

Номер патента: US09425110B1. Автор: Xianglin Zeng,Jose G. Padilla,Roger S. Tsai,Shih-En Shih,Philip W. HON. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Protection circuit and input circuit suitable for integrated circuit

Номер патента: US09401603B2. Автор: Chieh-Wei He. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-26.

Microwave integrated circuit housing

Номер патента: RU2690092C1. Автор: Алексей Сергеевич Будяков,Евгений Матвеевич Савченко. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Центр инновационных разработок ВАО". Дата публикации: 2019-05-30.

Case of powerful hybrid ultra-high frequency integrated circuit

Номер патента: RU2659304C1. Автор: Евгений Матвеевич Савченко,Владимир Алексеевич Сидоров,Михаил Сергеевич Попов,Михаил Миронович Крымко,Андрей Анатольевич Пронин,Вадим Владимирович Груздов,Александр Дмитриевич Першин. Владелец: Российская Федерация, от имени которой выступает Министерство промышленности и торговли Российской Федерации. Дата публикации: 2018-06-29.

Semiconductor integrated circuit device with electric power generation function

Номер патента: CA3131406A1. Автор: Hiroshi Goto,Minoru Sakata. Владелец: GCE Institute Co Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Method of adding fabrication monitors to integrated circuit chips

Номер патента: WO2006107356A2. Автор: David P. Vallett,Matthew S. Grady,James W. Adkisson,John M. Cohn,Greg Bazan,Thomas G. Sopchak. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2006-10-12.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Liquid Discharging Apparatus And Integrated Circuit Device

Номер патента: US20220097362A1. Автор: Tomoko Hara,Kazuhito Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Integrated circuit layout and integrated circuit layout method for filter

Номер патента: US20230187426A1. Автор: Chia-Wei Yu,Chao-Yang Chen,Yung-Tai Chen,Sheng-Yang Ho. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-06-15.

Integrated circuit and control method thereof

Номер патента: US9143130B2. Автор: Koji Aoki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-09-22.

Semiconductor integrated circuit and broadcast receiver

Номер патента: US20110188608A1. Автор: Yasuo Oba. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-08-04.

Integrated circuit packages and methods

Номер патента: US20240234210A1. Автор: Ching-Hua Hsieh,Chih-Wei Lin,Yen-Hung Chen,Kung-Chen Yeh,Sung-Yueh Wu,Jen-Chun Liao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Packaged integrated circuit devices

Номер патента: EP1751793A2. Автор: Jian Chen,Appolonius Jacobus Van Der Wiel. Владелец: Melexis NV. Дата публикации: 2007-02-14.

Physically unclonable function for an integrated circuit

Номер патента: WO2024142056A1. Автор: Eyal Fayneh,Evelyn Landman,Yahel DAVID,Nir SEVER,Boaz Katz,Shelley LAN. Владелец: Proteantecs Ltd.. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20230268258A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-08-24.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US11984389B2. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-05-14.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20220375837A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-11-24.

System for accelerated screening of digital images

Номер патента: WO2014160306A1. Автор: Patrick Flaherty,Mitchell Bogart,Vasile DORMAN. Владелец: Rampage Systems Inc.. Дата публикации: 2014-10-02.

System and method for wireless and dynamic intra-process measurement of integrated circuit parameters

Номер патента: US20090240452A1. Автор: Mete Erturk,Sebastian T. Ventrone,Ezra D.B. Hall,Anthony J. Perri,Theodoros E. Anemikos,Phillip L. Corson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-24.

Driving circuit, integrated circuit, and liquid discharge apparatus

Номер патента: US20200164633A1. Автор: Tetsuo Takagi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20160214377A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2016-07-28.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US9550356B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Integrated circuit arrangement for a microphone, microphone system and method for adjusting one or more circuit parameters of the microphone system

Номер патента: EP3262849A1. Автор: Gino Rocca,Tomasz Hanzlik. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-01-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US7888769B2. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-02-15.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: EP1616380A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2006-01-18.

Method and apparatus for integrated circuit protection

Номер патента: WO2004091067A1. Автор: Bernardus H. Krabbenborg. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-10-21.

Semiconductor integrated circuit including internal circuits and electrostatic discharge protection circuits

Номер патента: US20110310515A1. Автор: Hirofumi Hayashi. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-12-22.

Semiconductor integrated circuit, method of controlling semiconductor integrated circuit, and circuit system

Номер патента: US20240097687A1. Автор: Kiyohito Sato. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: EP1568131A2. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-08-31.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A3. Автор: Steve Baker. Владелец: Steve Baker. Дата публикации: 2005-05-26.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: WO2004047289A2. Автор: Steve Baker. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-06-03.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Integrated circuit package architecture

Номер патента: US20120159779A1. Автор: William Y. Hata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-28.

Integrated circuit chip package

Номер патента: US20020014684A1. Автор: Edward Douglas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050040869A1. Автор: Satoshi Ueno,Shinichiro Wada,Shinya Kajiyama. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2005-02-24.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor integrated circuit device including an electro-static discharge protection circuit

Номер патента: US20190379204A1. Автор: Jin Woo Kim,Seung Yeop Lee,Hyun Duck Lee,Ju Hyeong Lee,Chang Hwi LEE. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-12-12.

Integrated circuit and control method thereof

Номер патента: US20140266335A1. Автор: Koji Aoki. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-09-18.

Semiconductor integrated circuit device with enhanced resistance to electrostatic breakdown

Номер патента: US20060061926A1. Автор: Noriaki Hiraga. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2006-03-23.

Addressing for integrated circuits

Номер патента: EP4380071A3. Автор: Mustafa SAYGINER. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-07-31.

Inverter unit, integrated circuit chip, and vehicle drive apparatus

Номер патента: US20130113412A1. Автор: Hitoshi Sumida,Akinobu Teramoto,Toshio Naka,Ken-ichi Nonaka. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-09.

Methods and devices for packaging integrated circuits

Номер патента: US20140291782A1. Автор: Yiyi Ma,Kim-yong Goh,Wei Zhen Goh. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2014-10-02.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Cooling package structure applied to integrated circuit and method of assembly thereof

Номер патента: US20230317555A1. Автор: Li Yuan,Jiang Zhi,ZHOU JIE,Xiao Yangyang. Владелец: Nvidia Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Semiconductor integrated circuit, electronic device, solid-state imaging apparatus, and imaging apparatus

Номер патента: US11362131B2. Автор: Yoshiharu Kudoh. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2022-06-14.

Integrated circuit chip with electrostatic discharge protection device

Номер патента: WO2005074027A3. Автор: Wolfgang Schnitt,Hans-Martin Ritter. Владелец: Hans-Martin Ritter. Дата публикации: 2006-12-07.

Semiconductor integrated circuit and semiconductor integrated circuit manufacturing method

Номер патента: US20060202230A1. Автор: Hidekichi Shimura. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US5134455A. Автор: Shigeo Ohshima,Katsuji Tokonami. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1992-07-28.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure

Номер патента: US20240258220A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Coupling of speakers with integrated circuit

Номер патента: US20100220868A1. Автор: Srinath Sridharan,Lionel Cimaz,Shyam Somayajula,Ramkishore Ganti,Sanjeev Ranganathan,Arnold D'Souza. Владелец: ST Ericsson India Pvt Ltd. Дата публикации: 2010-09-02.

Electrostatic discharge protection for integrated circuit during back end-of-line processing

Номер патента: US11764206B2. Автор: Chih-Wei Hsu,Yu-Lin Chu,Tsung-Yuan Chen,Hsi-Yu Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20170272078A1. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20070278580A1. Автор: Masaki Kondo,Mitsutoshi Nakamura,Ryo Fukuda,Yohji Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-12-06.

Integrated circuit with intra-chip and extra-chip rf communication

Номер патента: US20130029598A1. Автор: Ahmadreza (Reza) Rofougaran. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-01-31.

Circuit configuration for protecting an integrated circuit

Номер патента: US4949212A. Автор: Wolfgang Horchler,Michael Lenz,Frank-Lothar Schwertlein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-14.

Electronic circuit apparatus and integrated circuit device

Номер патента: US20040080341A1. Автор: Teruo Hirayama,Naoto Sasaki. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2004-04-29.

Ferroelectric memory element and electronic apparatus

Номер патента: US20020154532A1. Автор: Setsuya Iwashita,Hiromu Miyazawa,Takamitsu Higuchi. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2002-10-24.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020079958A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-06-27.

Signal processing semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030060183A1. Автор: Kazuaki Hori,Yoshiyasu Tashiro,Nobuhiro Kasa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2003-03-27.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method for nondestructive check for moisture content in under- package space of integrated circuits

Номер патента: RU2263369C2. Автор: А.В. Андреев,М.И. Горлов,Л.П. Ануфриев,Н.А. Золотарева. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-10-27.

Electrical pin used in integrated circuit test sockets

Номер патента: CA134434S. Автор: . Владелец: Johnstech International Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE MANAGEMENT DEVICE, IMAGE MANAGEMENT METHOD, PROGRAM, RECORDING MEDIUM, AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120002881A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device and method testing standard functional unit in integrated circuit with use of jag

Номер патента: RU2198411C2. Автор: Рандалл Моут. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2003-02-10.

IMAGE CODING APPARATUS, IMAGE CODING METHOD, PROGRAM, AND INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20120002022A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Procedure for sedimentation of thin films of ferroelectric on base of complex oxides by method of ion-plasma sputtering

Номер патента: RU2434078C2. Автор: Валерий Александрович Вольпяс,Андрей Борисович Козырев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ". Дата публикации: 2011-11-20.

Preparation method of film-forming solutions for formation of ferroelectric films of barium-strontium titanate

Номер патента: RU2490370C2. Автор: Алексей Сергеевич Вишневский,Константин Анатольевич Воротилов,Нина Михайловна Котова,Александр Сергеевич Сигов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет радиотехники, электроники и автоматики". Дата публикации: 2013-08-20.

MULTI-PARAMETRIC ANALYSIS OF SNORE SOUNDS FOR THE COMMUNITY SCREENING OF SLEEP APNEA WITH NON-GAUSSIANITY INDEX

Номер патента: US20120004749A1. Автор: ABEYRATNE Udantha,KARUNAJEEWA Asela Samantha,GHAEMMAGHAMI Houman. Владелец: The University of Queensland. Дата публикации: 2012-01-05.

Mixture of ferroelectric ceramic material for low frequency condensers

Номер патента: RU2096385C1. Автор: Белла Израилевна Фомина,Владимир Васильевич Самойлов,Иван Григорьевич Бертош,Эдуард Иосифович Мамчиц,Светлана Сергеевна Полякова,Леонид Ильич Егоров,Михаил Федорович Широков,Тамара Григорьевна Вертинская,Валентина Андреевна Дроздова. Владелец: Витебский завод радиодеталей производственного объединения "Монолит". Дата публикации: 1997-11-20.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

Method for selecting integration circuits of increased reliability

Номер патента: RU2269790C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов,Николай Николаевич Козьяков,Евгений Николаевич Горлов,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-02-10.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of integrated circuit division upon reliability criterion

Номер патента: RU2324194C1. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Дмитрий Леонидович Ануфриев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2008-05-10.

Method of selecting highly reliable integrated circuits

Номер патента: RU2365930C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,Екатерина Александровна Золотарева,Николай Николаевич Козьяков. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2009-08-27.

Casing of integral circuit

Номер патента: RU2329568C1. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,В чеслав Сергеевич Серегин,Анатолий Иванович Василевич,Павел Павлович Куцько. Владелец: Закрытое акционерное общество "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ" (ЗАО "НПО "НИИТАЛ"). Дата публикации: 2008-07-20.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

Method for manufacturing microwave integrated circuit

Номер патента: RU2557317C1. Автор: Константин Владимирович Дудинов,Михаил Петрович Духновский,Александр Михайлович Темнов,Александр Юрьевич Городецкий. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И.Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2015-07-20.

Method for comparative evaluation of reliability of integrated circuit lots

Номер патента: RU2467339C2. Автор: Дмитрий Юрьевич Смирнов,Митрофан Иванович Горлов,Роман Михайлович Тихонов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2012-11-20.

Method to make hybrid integral circuit of shf band

Номер патента: RU2537695C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Константин Владимирович Дудинов,Татьяна Сергеевна Кудрова,Александр Генрихович Далингер. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2015-01-10.

Integrated circuit housing

Номер патента: RU2457575C2. Автор: Алексей Викторович Горьков,Вячеслав Сергеевич Серегин,Лариса Владимировна Пилавова,Вячеслав Леонидович Троицкий. Владелец: ЗАО "Научно-производственное объединение "НИИТАЛ". Дата публикации: 2012-07-27.

Method for determining potentially unstable digital integral circuits

Номер патента: RU2257591C1. Автор: М.И. Горлов,И.А. Шишкин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Воронежский научно-исследовательский институт связи". Дата публикации: 2005-07-27.

Method to make hybrid integral circuit of shf band

Номер патента: RU2536771C1. Автор: Юрий Николаевич Калашников,Виктор Анатольевич Иовдальский,Константин Владимирович Дудинов,Татьяна Сергеевна Кудрова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток". Дата публикации: 2014-12-27.

3d integrated circuit package and method of fabrication thereof

Номер патента: SG172704A1. Автор: Subhash Gupta,Sangki Hong. Владелец: Tezzaron Semiconductor S Pte Ltd. Дата публикации: 2011-07-28.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.