Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Signal conducting line arrangements in integrated circuits

Signal conducting line arrangements in integrated circuits

Номер патента: US11916017B2
Опубликовано: 27-02-2024
Автор(ы): Chia-Tien Wu, Chih-Liang Chen, Guo-Huei Wu, Wei-Ling Chang
Принадлежит: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Signal conducting line arrangements in integrated circuits

Номер патента: US20230402374A1. Автор: Chia-Tien Wu,Wei-Ling Chang,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Integrated circuit

Номер патента: US20230317730A1. Автор: Ting-Yu Chen,Guo-Huei Wu,Li-Chun Tien,Chi-Yu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Integrated circuit, system and method of forming same

Номер патента: US20220115324A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US12119349B2. Автор: Yasuhiro Nakaoka,Hideyuki Komuro,Tomoya Tsuruta. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

Layout techniques for high-speed and low-power signal paths in integrated circuits with small channel devices

Номер патента: US20190267324A1. Автор: Anirban Banerjee,Marina SALIK,Elizabeth Deleev HYLANDER-PRIEBE. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-08-29.

Layout techniques for high-speed and low-power signal paths in integrated circuits with small channel devices

Номер патента: US10559532B2. Автор: Anirban Banerjee,Marina SALIK,Elizabeth Deleev HYLANDER-PRIEBE. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-11.

Cell row arrangement in regions of integrated circuit layout

Номер патента: US20210240901A1. Автор: Wen-Hao Chen,Ming-Tao Yu,Chun-Yao Ku. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Method of manufacturing integrated circuit

Номер патента: US20230387014A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Integrated circuit conductive line arrangement for circuit structures, and method

Номер патента: US11862562B2. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Integrated circuit including standard cells and method of designing the same

Номер патента: US20240243117A1. Автор: Hayoung Kim,Kibum Kim,Eunhee Choi,Yongeun CHO,Hyunjeong ROH,Seonkyeong KIM,Moogyu Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit including standard cells and method of designing the same

Номер патента: EP4407682A1. Автор: Hayoung Kim,Kibum Kim,Eunhee Choi,Yongeun CHO,Hyunjeong ROH,Seonkyeong KIM,Moogyu Bae. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-31.

Cells including at least one fin field effect transistor and semiconductor integrated circuits including the same

Номер патента: US09576978B2. Автор: Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-21.

Integrated circuit structure

Номер патента: US20240304544A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US09905561B2. Автор: Tae-Joong Song,Ha-young Kim,Sang-hoon BAEK,Sung-We Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-27.

Integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US09583493B2. Автор: Tae-Joong Song,Ha-young Kim,Sang-hoon BAEK,Sung-We Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Integrated circuit with power saving feature

Номер патента: US09806019B2. Автор: Anis M. Jarrar,Jeff L. Warner,David R. Tipple. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Middle-of-line shielded gate for integrated circuits

Номер патента: EP3692575A1. Автор: YE Lu,Bin Yang,Periannan Chidambaram,Lixin Ge,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-08-12.

Middle-of-line shielded gate for integrated circuits

Номер патента: WO2019070346A1. Автор: YE Lu,Bin Yang,Periannan Chidambaram,Lixin Ge,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2019-04-11.

Integrated circuit structure

Номер патента: US12021021B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit and semiconductor device

Номер патента: US20170133380A1. Автор: Tae-Joong Song,Ha-young Kim,Sang-hoon BAEK,Sung-We Cho. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-11.

Integrated circuit with power saving feature

Номер патента: US20170084535A1. Автор: Anis M. Jarrar,Jeff L. Warner,David R. Tipple. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20190164950A1. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2019-05-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09941263B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Integrated circuit and method of designing the same

Номер патента: US20220058331A1. Автор: Sanghoon Baek,Jaewoo SEO,Seungman Lim,Jisu YU,Hyeongyu You,Hakchul JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-02-24.

Via formation in an integrated circuit

Номер патента: US20230197528A1. Автор: Boon Teik CHAN,Dunja RADISIC,Bilal Chehab. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Integrated circuit device

Номер патента: US20220271049A1. Автор: Yih Wang,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09812441B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US09576947B2. Автор: Koichi Taniguchi,Masato Maede. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Deep lines and shallow lines in signal conducting paths

Номер патента: US20220262719A1. Автор: Chia-Tien Wu,Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-18.

Deep lines and shallow lines in signal conducting paths

Номер патента: US11854786B2. Автор: Chia-Tien Wu,Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Deep lines and shallow lines in signal conducting paths

Номер патента: US20240105601A1. Автор: Chia-Tien Wu,Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit device having parallel conductive lines with bulging end portion(s) and method of manufacturing the same

Номер патента: US12021027B2. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-25.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240234312A1. Автор: Wandon Kim,Euibok LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Active atomic reservoir for enhancing electromigration reliability in integrated circuits

Номер патента: US09818694B2. Автор: Ming-Hsien Lin,Anthony Oates. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Active Atomic Reservoir For Enhancing Electromigration Reliability In Integrated Circuits

Номер патента: US20170141033A1. Автор: Ming-Hsien Lin,Anthony Oates. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Integrated circuit devices including vertical field-effect transistors (vfets)

Номер патента: US20200144260A1. Автор: Jung Ho Do. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

Metallization Process for an Integrated Circuit

Номер патента: US20230197514A1. Автор: Naoto Horiguchi,Zsolt Tokei,Serge Biesemans,Julien Ryckaert,Bilal Chehab,Victor Hugo VEGA GONZALEZ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-22.

Using inter-tier vias in integrated circuits

Номер патента: US09929149B2. Автор: Gregory Munson Yeric,Robert Campbell Aitken,Saurabh Pijuskumar Sinha,Brian Tracy CLINE,Kyungwook Chang. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2018-03-27.

Metallization scheme for an integrated circuit

Номер патента: EP4199052A1. Автор: Naoto Horiguchi,Zsolt Tokei,Serge Biesemans,Julien Ryckaert,Bilal Chehab,Victor Hugo VEGA GONZALEZ. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2023-06-21.

Integrated circuit devices having improved contact plug structures therein

Номер патента: US11908798B2. Автор: WooJin Jang,Rakhwan Kim,Won Kyu HAN,Myeongsoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-02-20.

Integrated circuit devices having improved contact plug structures therein

Номер патента: US20240145388A1. Автор: WooJin Jang,Rakhwan Kim,Won Kyu HAN,Myeongsoo Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-05-02.

Iintegrated circuit including backside wiring and method of manufacturing the integrated circuit

Номер патента: US20240290692A1. Автор: Minjae Jeong,Jungho DO,Jisu YU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Integrated circuit structure and method for forming the same

Номер патента: US12094930B2. Автор: Tze-Liang Lee,Su-Jen Sung,Guan-Yao TU,Hong-Wei Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Three-dimensional (3-D) integrated circuits (3DICS) with graphene shield, and related components and methods

Номер патента: US09536840B2. Автор: Yang Du. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Vertically-aligned and conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: US11133272B1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-09-28.

Vertically-aligned and conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: US20210343661A1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2021-11-04.

Vertically-aligned conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: EP4139961A1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-03-01.

Vertically-aligned conductive dummies in integrated circuit layers for capacitance reduction and bias independence and methods of manufacture

Номер патента: WO2021216250A1. Автор: Plamen Vassilev Kolev,Matthew Deig,Anil Kumar Vemulapalli. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-10-28.

Through silicon via design for stacking integrated circuits

Номер патента: US20210343707A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Alexander Kalnitsky,Kong-Beng Thei,Hsiao-Chin Tuan,Fu-Jier Fan,Hsing-Chih LIN,Yi-Sheng Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Integrated circuit structures having airgaps for backside signal routing or power delivery

Номер патента: US20240006305A1. Автор: Tahir Ghani,Anand S. Murthy,Pushkar Ranade,Rishabh Mehandru,Cory Weber,Sagar SUTHRAM,Abhishek Anil Sharma. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-04.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US11764154B2. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20230036522A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Power rail and signal line arrangement in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20230387013A1. Автор: Ching-Wei Tsai,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Shang-Wen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Connection propagation for inter-logical block connections in integrated circuits

Номер патента: US09929733B1. Автор: Yang Du,Jing Xie,Kambiz Samadi,Pratyush Kamal. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated Circuit Having a High Cell Density

Номер патента: US20190096805A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Chung-Hsing Wang,Chun-Chen Chen,Li-Chun Tien,Yen-Pin Chen,Lee-Chung Lu,Shao-Huan Wang,Ting Yu CHEN,Tzu-Hen Lin,Tai-Yu Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Integrated Circuit Having a High Cell Density

Номер патента: US20180158776A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Chung-Hsing Wang,Chun-Chen Chen,Li-Chun Tien,Yen-Pin Chen,Lee-Chung Lu,Shao-Huan Wang,Ting Yu CHEN,Tzu-Hen Lin,Tai-Yu Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-07.

Integrated Circuit Having a High Cell Density

Номер патента: US20220367358A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Chung-Hsing Wang,Chun-Chen Chen,Li-Chun Tien,Yen-Pin Chen,Lee-Chung Lu,Shao-Huan Wang,Ting Yu CHEN,Tzu-Hen Lin,Tai-Yu Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Integrated circuit having a high cell density

Номер патента: US11437319B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Chung-Hsing Wang,Chun-Chen Chen,Li-Chun Tien,Yen-Pin Chen,Lee-Chung Lu,Shao-Huan Wang,Ting Yu CHEN,Tzu-Hen Lin,Tai-Yu Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Integrated circuit having a high cell density

Номер патента: US10804200B2. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Chung-Hsing Wang,Chun-Chen Chen,Li-Chun Tien,Yen-Pin Chen,Lee-Chung Lu,Shao-Huan Wang,Ting Yu CHEN,Tzu-Hen Lin,Tai-Yu Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-10-13.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Integrated circuit including backside wiring pattern

Номер патента: US20240266290A1. Автор: Byounggon Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Integrated Circuit Having a High Cell Density

Номер патента: US20210028108A1. Автор: Sheng-Hsiung Chen,Fong-Yuan Chang,Po-Hsiang Huang,Chung-Hsing Wang,Chun-Chen Chen,Li-Chun Tien,Yen-Pin Chen,Lee-Chung Lu,Shao-Huan Wang,Ting Yu CHEN,Tzu-Hen Lin,Tai-Yu Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Integrated circuit including asymmetric power line and method of designing the same

Номер патента: US11755809B2. Автор: Sanghoon Baek,Jonghoon Jung,Jaewoo SEO,Jisu YU,Hyeongyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-12.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240213249A1. Автор: DOYOUNG CHOI,Kyungho Kim,Kyunghee Cho,Inchan HWANG,Donghoon HWANG,Byungho Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-27.

Integrated circuit in hybrid row height structure

Номер патента: US20230377976A1. Автор: Tzu-Ying LIN,Li-Chung Hsu,Hui-Zhong ZHUANG,Jung-Chan YANG,Yung-Chen CHIEN,Jerry Chang-Jui Kao,Sung-Yen YEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Backside conducting lines in integrated circuits

Номер патента: US20240266345A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Backside conducting lines in integrated circuits

Номер патента: US11942469B2. Автор: Chung-Hsing Wang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Backside conducting lines in integrated circuits

Номер патента: US20220254770A1. Автор: Chung-Hsing Wang,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Te-Hsin Chiu,Wei-An Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-11.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20240234322A1. Автор: Hayato Shinohara. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Ferroelectric gate dielectrics in integrated circuits

Номер патента: US20200235221A1. Автор: Abhishek A. Sharma,Brian S. Doyle,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-07-23.

Integrated Circuit Comprising Conductive Lines and Contact Structures and Method of Manufacturing an Integrated Circuit

Номер патента: US20090184429A1. Автор: Rainer Florian Schnabel,Helmut Schneider,Andreas Thies,Sirko Kramp. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-07-23.

Method of forming integrated circuit with conductive line having line-ends

Номер патента: US09524902B2. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Pei-Wen HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Method of Semiconductor Integrated Circuit Fabrication

Номер патента: US20150170959A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Pei-Wen HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-06-18.

Integrated circuits and devices with interleaved transistor elements, and methods of their fabrication

Номер патента: US09780090B2. Автор: Jason R. Fender,Michael L. Fraser,Frank E. Danaher. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated Circuit with Conductive Line Having Line-Ends

Номер патента: US20190115250A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Pei-Wen HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-04-18.

Integrated Circuit With Conductive Line Having Line-Ends

Номер патента: US20170098574A1. Автор: Jyu-Horng Shieh,Chih-Yuan Ting,Pei-Wen HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09881992B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor integrated circuit device having with a reservoir capacitor

Номер патента: US09741786B2. Автор: Ji Hwan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Nanowire or 2D material strips interconnects in an integrated circuit cell

Номер патента: US09691768B2. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-06-27.

Nanowire or 2d material strips interconnects in an integrated circuit cell

Номер патента: WO2015200317A1. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2015-12-30.

Nanowire or 2d material strips interconnects in an integrated circuit cell

Номер патента: EP3158575A1. Автор: Victor Moroz,Jamil Kawa. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-04-26.

Techniques For Shifting Signal Transmission To Compensate For Defects In Pads In Integrated Circuits

Номер патента: US20240113014A1. Автор: Md Altaf Hossain,Ankireddy Nalamalpu,Atul Maheshwari,Jeffrey Chromczak,Mahesh Kumashikar,Krishna Bharath Kolluru. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Techniques for integrating thermal via structures in integrated circuits

Номер патента: US09659835B1. Автор: Jeffrey P. Gambino,Richard S. Graf,Sundeep Mandal. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Integrated circuits having signal lines formed with double patterning

Номер патента: US12100655B2. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Ching-Ting LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit and low drop-out linear regulator circuit

Номер патента: US20240213242A1. Автор: Tzu-Chieh WEI. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Layouts for conductive layers in integrated circuits

Номер патента: US12107048B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo,Hao-Tien KAN,Jhih-Hong YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Interconnect structure having an etch stop layer over conductive lines

Номер патента: US09685368B2. Автор: Shau-Lin Shue,Tien-I Bao,Cheng-Hsiung Tsai,Chung-Ju Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated circuits having signal lines formed with double patterning

Номер патента: US20230378060A1. Автор: Chung-Chieh Yang,Yung-Chow Peng,Ching-Ting LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Iso-level vias for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4199053A1. Автор: Charles H. Wallace,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu,Seung-June Choi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-06-21.

High-current/low cost read-in integrated circuit

Номер патента: US20110073877A1. Автор: Mark Alan Massie. Владелец: Nova Research Inc. Дата публикации: 2011-03-31.

Conductive line structure having corrugated surface

Номер патента: US20230197610A1. Автор: Juan Boon Tan,Kai Kang,Wanbing YI,Curtis Chun-I HSIEH,Ran Xing Ong. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-06-22.

Interconnect structure having different dimensions for connected circuit blocks in integrated circuit

Номер патента: US20230402375A1. Автор: Kang-ill Seo,Hyoeun Park,Eun Sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-12-14.

Layouts for conductive layers in integrated circuits

Номер патента: US20220406716A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo,Hao-Tien KAN,Jhih-Hong YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-22.

Layouts for conductive layers in integrated circuits

Номер патента: US20230154849A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo,Hao-Tien KAN,Jhih-Hong YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-18.

Layouts for conductive layers in integrated circuits

Номер патента: US11600568B2. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo,Hao-Tien KAN,Jhih-Hong YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-07.

System for controlling leakage current in integrated circuits

Номер патента: US20230361772A1. Автор: Alvin Leng Sun Loke,Sanjay Kumar Wadhwa,Saurabh Goyal,Divya Tripathi,Manish Kumar Upadhyay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-11-09.

System for controlling leakage current in integrated circuits

Номер патента: EP4273930A1. Автор: Alvin Leng Sun Loke,Sanjay Kumar Wadhwa,Saurabh Goyal,Divya Tripathi,Manish Kumar Upadhyay. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-11-08.

Semiconductor structure with via extending across adjacent conductive lines

Номер патента: US20240234301A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Self-aligned airgaps with conductive lines and vias

Номер патента: US09899256B2. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Integrated circuit having slot via and method of forming the same

Номер патента: US09984964B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Charles Chew-Yuen Young,Praneeth NARAYANASETTI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Integrated circuit having slot via and method of forming the same

Номер патента: US09478492B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Charles Chew-Yuen Young,Praneeth NARAYANASETTI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Inductor for semiconductor integrated circuit

Номер патента: US09355956B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Jeng-Shien Hsieh,Hao-Hsiang Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-31.

Self-aligned airgaps with conductive lines and vias

Номер патента: US20180082885A1. Автор: Benjamin D. Briggs,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO,Huai HUANG,Christopher J. Penny,Bartlet H. DeProspo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-22.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: US20240332166A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit structures having air gaps

Номер патента: EP4443483A1. Автор: Mauro J. Kobrinsky,Jeffery Bielefeld,Sudipto NASKAR,Sachin Vaidya,Supanee Sukrittanon,Akshit PEER,Makram Abd El Qader,Seda Cekli,Ananya DUTTA,Navneethakrishnan SALIVATI. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-09.

Super via integration in integrated circuits

Номер патента: WO2021080695A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jun Chen,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2021-04-29.

Super via integration in integrated circuits

Номер патента: EP4049309A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jun Chen,Giridhar Nallapati,Junjing Bao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-08-31.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240321732A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09899323B2. Автор: Jae-Hwang Sim,Ho-Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-02-20.

Power and ground shield mesh to remove both capacitive and inductive signal coupling effects of routing in integrated circuit device

Номер патента: US20090032846A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2009-02-05.

Power and Ground Shield Mesh to Remove Both Capacitive and Inductive Signal Coupling Effects of Routing in Integrated Circuit Device

Номер патента: US20100301397A1. Автор: Iu-Meng Tom Ho. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-12-02.

Variable rotational assignment of interconnect levels in integrated circuit fabrication

Номер патента: US20050079654A1. Автор: Thaddeus Gabara,Tarek Jomaa. Владелец: Lucent Technologies Inc. Дата публикации: 2005-04-14.

Integrated circuit having slot via and method of forming the same

Номер патента: US20160211213A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Charles Chew-Yuen Young,Praneeth NARAYANASETTI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-07-21.

Integrated circuit having slot via and method of forming the same

Номер патента: US9741654B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Charles Chew-Yuen Young,Praneeth NARAYANASETTI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit including supervia and method of making

Номер патента: US20240021516A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Layouts for conductive layers in integrated circuits

Номер патента: US20240379552A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo,Hao-Tien KAN,Jhih-Hong YE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Conductive lines with reduced pitch

Номер патента: WO2002054493A1. Автор: Gerhard Mueller,Young-Jin Park. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-07-11.

Split via structures coupled to conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240113019A1. Автор: Tahir Ghani,Nikhil Mehta,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Split via structures coupled to conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4345870A1. Автор: Tahir Ghani,Nikhil Mehta,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Mohit K. HARAN,Sukru Yemenicioglu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Structure to enable higher current density in integrated circuit resistor

Номер патента: US20190139861A1. Автор: Archana Venugopal,Dhishan Kande. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-05-09.

Integrated circuit with guard ring

Номер патента: US11817385B2. Автор: HO-HSIANG Chen,Tzu-Jin Yeh,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO,Chiao-Han LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Dielectric plugs for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105597A1. Автор: Tahir Ghani,Robert Joachim,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER,Shengsi LIU. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Deep silicon via as a drain sinker in integrated vertical DMOS transistor

Номер патента: US09728632B2. Автор: Zachary K. Lee,Sharon Levin,Shye Shapira. Владелец: Tower Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170309568A1. Автор: Jae-Hwang Sim,Ho-Jun SEONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-10-26.

Integrated circuit

Номер патента: US20020190278A1. Автор: Sabine Kling,Andreas Baenisch. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-12-19.

Integrated circuit read only memory (ROM) structure

Номер патента: US11963348B2. Автор: Yen-Huei Chen,Chia-En HUANG,Meng-Sheng CHANG,Ze-Sian Lu,Geng-Cing Lin,Jung-Ping Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Self-aligned interconnection for integrated circuits

Номер патента: US20180366370A1. Автор: Fabio Pellizzer,Roberto Somaschini,Antonino Rigano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-12-20.

Integrated circuit including super via and method of making

Номер патента: US11735517B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Jiann-Tyng Tzeng,Kam-Tou SIO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Self-aligned interconnection for integrated circuits

Номер патента: US20160181156A1. Автор: Fabio Pellizzer,Roberto Somaschini,Antonino Rigano. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-23.

Self-aligned interconnection for integrated circuits

Номер патента: US10157788B2. Автор: Fabio Pellizzer,Roberto Somaschini,Antonino Rigano. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-18.

Method for making interconnects and diffusion barriers in integrated circuits

Номер патента: US20020094673A1. Автор: Valery Dubin. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2002-07-18.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A3. Автор: Duncan Stewart,Frederick A Perner,R Stanley Williams,Gregory S Snider,Phillip J Kuekes. Владелец: Phillip J Kuekes. Дата публикации: 2007-08-16.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: EP1872398A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2008-01-02.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: WO2006115968A2. Автор: Duncan Stewart,R. Stanley Williams,Frederick A. Perner,Gregory S. Snider,Phillip J. Kuekes. Владелец: Hewlett-Packard Development Company, L.P.. Дата публикации: 2006-11-02.

Integrated circuits having reduced step height by using dummy conductive lines

Номер патента: US20020151166A1. Автор: Kye-Hyun Kyung,Bong-seok Chae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-17.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: EP4345871A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Integrated circuit devices

Номер патента: SG10201803879XA. Автор: KIM Hui-Jung,Hwang Yoo-Sang,Kim Bong-Soo,Kim Eun-Jung,HAN Sung-Hee,Lee Ki-Seok,LEE Myeong-Dong,AHN Jun-Hyeok. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-29.

Inductor shielding structure, integrated circuit including the same and method of forming the integrated circuit

Номер патента: US09484312B2. Автор: HO-HSIANG Chen,Tzu-Jin Yeh,Ying-Ta Lu,Chi-Hsien Lin,Hsien-Yuan LIAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Capacitors in integrated circuits

Номер патента: EP1016132A1. Автор: Hans Norström,Stefan Nygren. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2000-07-05.

Integrated circuit heat dissipation using nanostructures

Номер патента: US09704978B2. Автор: Theodore G. Van Kessel,Randy L. Wolf,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Max L. LIFSON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Integrated circuit heat dissipation using nanostructures

Номер патента: US09601606B2. Автор: Theodore G. Van Kessel,Randy L. Wolf,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Max L. LIFSON. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Integrated circuits including inductors

Номер патента: US09412805B2. Автор: Hsiu-Ying Cho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US20240258187A1. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Chien-Hsun Chen,Yu-Ling Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210057339A1. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-02-25.

Integrated circuit memory and the method of forming the same

Номер патента: US12033942B2. Автор: Yukun LI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20200118920A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-04-16.

Antenna cavity structure for integrated patch antenna in integrated fan-out packaging

Номер патента: US09991216B2. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Substrates, Structures Within A Scribe-Line Area Of A Substrate, And Methods Of Forming A Conductive Line Of A Redistribution Layer Of A Substrate And Of Forming A Structure Within A Scribe-Line Area Of The Substrate

Номер патента: US20200227327A1. Автор: Hiroshi Toyama,Shigeru Sugioka,Kiyonori Oyu,Jung Chul Park,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Interconnect structure for integrated circuits having improved electromigration characteristics

Номер патента: EP2283515A1. Автор: Theodorus Standaert,Sujatha Sankaran,Stephan Grunow,Andrew H. Simon,Chao-Kun Hu,Ronald Filippi,Kaushik Chandra. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-02-16.

Interconnect structure for integrated circuits having improved electromigration characteristics

Номер патента: WO2009148855A1. Автор: Theodorus Standaert,Sujatha Sankaran,Stephan Grunow,Andrew H. Simon,Chao-Kun Hu,Ronald Filippi,Kaushik Chandra. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2009-12-10.

Substrates, Structures Within A Scribe-Line Area Of A Substrate, And Methods Of Forming A Conductive Line Of A Redistribution Layer Of A Substrate And Of Forming A Structure Within A Scribe-Line Area Of The Substrate

Номер патента: US20190355631A1. Автор: Hiroshi Toyama,Shigeru Sugioka,Kiyonori Oyu,Jung Chul Park,Raj K. Bansal. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Multi-layer etch stop layers for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US12119344B2. Автор: Dragos SEGHETE,David J. Towner,Christopher R. Ryder,Anthony V. Mule',Angel Aquino Gonzalez. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Active interconnects and control points in integrated circuits

Номер патента: US20060238217A1. Автор: R. Williams,Duncan Stewart,Philip Kuekes,Frederick Perner,Greg Snider. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-26.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20180145075A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2018-05-24.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20160133625A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20160133626A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-05-12.

Methods, Structures, and Designs for Self-Aligning Local Interconnects Used in Integrated Circuits

Номер патента: US20200381429A1. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2020-12-03.

Methods and apparatus to mitigate electromigration in integrated circuit packages

Номер патента: US20240332134A1. Автор: Gang Duan,Liang He,Jung Kyu HAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Microfluidic cooling in integrated circuit device

Номер патента: US20240312869A1. Автор: Telesphor Kamgaing,Min Suet LIM,Tongyan Zhai. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Power line layout in integrated circuits

Номер патента: US09935052B1. Автор: Hui Liu,Arifur Rahman,Kyung Suk Oh,Kaushik Chanda,Karthik Chandrasekar. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits

Номер патента: US09859277B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2018-01-02.

Self aligned via in integrated circuit

Номер патента: US09768113B2. Автор: Terry A. Spooner,Lars W. Liebmann,Yann Mignot,Yannick Feurprier,Joe Lee,Douglas M. Trickett,Mehmet Yilmaz. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-09-19.

Methods, structures, and designs for self-aligning local interconnects used in integrated circuits

Номер патента: US09741719B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Etch stop layer in integrated circuits

Номер патента: US09437484B2. Автор: Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Tsung-Hsuan Hong,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor integrated circuit patterns

Номер патента: US20010024758A1. Автор: Koji Hashimoto,Satoshi Usui,Tatsuaki Kuji,Shigeki Nojima. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-09-27.

An apparatus for monolithic power gating on an integrated circuit

Номер патента: EP2633552A1. Автор: Bruce Gieseke,Samuel D. Naffziger,Benjamin Beker. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-09-04.

An apparatus for monolithic power gating on an integrated circuit

Номер патента: WO2012058189A1. Автор: Bruce Gieseke,Samuel D. Naffziger,Benjamin Beker. Владелец: Advanced Micro Devices, Inc.. Дата публикации: 2012-05-03.

Differentiated conductive lines for advanced integrated circuit structure fabrication

Номер патента: US20240105598A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20060163615A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Methods of forming air gaps in metallization layers on integrated circuit products

Номер патента: US09768058B2. Автор: Christian Witt,Qiang Fang,Zhiguo Sun. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20190097007A1. Автор: Sung-hee Han,Eun-Jung Kim,Yoo-Sang Hwang,Bong-Soo Kim,Hui-jung Kim,Ki-Seok Lee,Myeong-Dong LEE,Jun-Hyeok Ahn. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-03-28.

Systems and methods for fabrication of superconducting integrated circuits with improved coherence

Номер патента: US20240237555A9. Автор: Colin C. Enderud,Loren J. Swenson,Mohammad H. Amin. Владелец: D Wave Systems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Method for production of an integrated circuit bar arrangement, in particular comprising a capacitor assembly, as well as an integrated circuit arrangement

Номер патента: US20080006905A1. Автор: Hans-Joachim Barth,Jürgen Holz. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2008-01-10.

Semiconductor integrated circuit device having an improved arrangement of power source lines

Номер патента: US5008728A. Автор: Takeshi Yamamura,Seiji Endo,Hiroki Korenaga,Kazuyuki Kawauchi. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1991-04-16.

Capacitor structure for integrated circuit

Номер патента: US7598592B2. Автор: Chun-Sheng Chen,Ying-Che Tseng. Владелец: Via Technologies Inc. Дата публикации: 2009-10-06.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240162088A1. Автор: Wen-Ting Chu,Hsia-Wei CHEN,Yu-Wen LIAO,Fu-Ting Sung,Fa-Shen JIANG,Tzu-Hsuan Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Dummy fill for integrated circuits

Номер патента: US20030228714A1. Автор: David White,Taber Smith,Vikas Mehrotra. Владелец: Praesagus Inc. Дата публикации: 2003-12-11.

Clock distribution networks and conductive lines in semiconductor integrated circuits

Номер патента: US20050051887A1. Автор: Oleg Siniaguine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-03-10.

Signal routing in integrated circuit packaging

Номер патента: US11810850B2. Автор: Jin Young Kim,Zhonghua Wu. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-11-07.

Apparatus and methods for bonding pad redistribution layers in integrated circuits

Номер патента: US20240096826A1. Автор: Fumiaki TOYAMA,Yuji TOTOKI,Guangyuan Li. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-03-21.

Integrated circuit package and method

Номер патента: US11984375B2. Автор: Chung-Shi Liu,Chien-Hsun Lee,Jiun Yi Wu,Chien-Hsun Chen,Yu-Ling Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Signal routing in integrated circuit packaging

Номер патента: US20240105581A1. Автор: Jin Young Kim,Zhonghua Wu. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2024-03-28.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11784122B2. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-10.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US12027459B2. Автор: ChoongHyun Lee,Youngju LEE,Joonyong Choe. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-02.

Integrated circuit devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20190122980A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor integrated circuit device and method for fabricating the same

Номер патента: US20090261315A1. Автор: Haruki Toda,Akiko Nara. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2009-10-22.

Integrated circuit for multiple patterning lithography, a computing system and a computer-implemented method for designing an integrated circuit

Номер патента: US20180173835A1. Автор: Jong-Hoon Jung,Tae-Joong Song,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-06-21.

Integrated circuit transformer with concentric windings and magnetically active material

Номер патента: US20240296990A1. Автор: Wolfgang Frank,Annett Winzer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2024-09-05.

Integrated circuit alignment marks distributed throughout a surface metal line

Номер патента: US5936311A. Автор: Kenneth Watrobski,Ken H. Faulk. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1999-08-10.

Integrated circuits and methods of forming conductive lines and conductive pads therefor

Номер патента: US09425133B2. Автор: Roger W Lindsay. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-23.

Electrical isolation in integrated circuits

Номер патента: US5422507A. Автор: Frank Wanlass. Владелец: Standard Microsystems LLC. Дата публикации: 1995-06-06.

Antenna cavity structure for integrated patch antenna in integrated fan-out packaging

Номер патента: US20170278808A1. Автор: Chewn-Pu Jou,Wen-Shiang Liao,Feng Wei KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

Integrated circuit devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20190123051A1. Автор: Seok-Han Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor integrated circuit and multi-chip module

Номер патента: US8013362B2. Автор: Daisuke Matsuoka. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2011-09-06.

Preformed interlayer connections for integrated circuit devices

Номер патента: US20190295943A1. Автор: Elliot N. Tan. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-09-26.

Etch stop layer in integrated circuits

Номер патента: US11942419B2. Автор: Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Tsung-Hsuan Hong,Chih-Nan Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Middle-of-line (mol) metal resistor temperature sensors for localized temperature sensing of active semiconductor areas in integrated circuits (ics)

Номер патента: WO2018038855A1. Автор: Bo Yu,Stanley Seungchul SONG,Bin Yang,Jun Yuan,Jie Deng,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,Lixin Ge,Jiefeng Jeff Lin. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-03-01.

Heat removal in integrated circuits with transistors and double-sided metal interconnects

Номер патента: US20230395456A1. Автор: Telesphor Kamgaing,Jean-Pierre Njante. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-07.

Integrated circuit in complementary circuit technology comprising a substrate bias voltage generator and a Schottky diode

Номер патента: US4807010A. Автор: Josef Winnerl,Dezso Takacs. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1989-02-21.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US20080149966A1. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-06-26.

Semiconductor integrated circuit having layout in which buffers or protection circuits are arranged in concentrated manner

Номер патента: US7358548B2. Автор: Tadashi Nakamura,Kiyohiko Sakakibara,Yutaka Takikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2008-04-15.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: WO2002049105A3. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: Ibm Uk. Дата публикации: 2002-12-05.

Thermoelectric spot coolers for rf and microwave communication integrated circuits

Номер патента: EP1342267A2. Автор: Uttam Shyamalindu Ghoshal. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-09-10.

Integrated circuit with backside power rails

Номер патента: EP4409625A1. Автор: Somnath Ghosh,Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Kisik Choi,Rishikesh Krishnan,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-08-07.

Electrical fuse bit cell in integrated circuit having backside conducting lines

Номер патента: US12080641B2. Автор: Yen-Jen Chen,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Electrical fuse bit cell in integrated circuit having backside conducting lines

Номер патента: US20240363530A1. Автор: Yen-Jen Chen,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Power rail arrangements in integrated circuits having stacked transistors

Номер патента: US20240355707A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Guo-Huei Wu,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Chi-Yu Lu,Yung-Chin Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Electrical fuse bit cell in integrated circuit having backside conducting lines

Номер патента: US20240047348A1. Автор: Yen-Jen Chen,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Electrical fuse bit cell in integrated circuit having backside conducting lines

Номер патента: US11837539B2. Автор: Yen-Jen Chen,Chia-En HUANG,Chien-Ying Chen,Meng-Sheng CHANG,Yao-Jen Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

Номер патента: US20160133581A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.,Conal E. Murray,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-12.

Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

Номер патента: US09991214B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.,Conal E. Murray,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

Номер патента: US09431354B2. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.,Conal E. Murray,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Magnetic structures in integrated circuit package supports

Номер патента: US11830809B2. Автор: Cheng Xu,YING Wang,Kaladhar Radhakrishnan,Junnan Zhao,Yikang Deng,Andrew James Brown. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Efficient power management method in integrated circuit through a nanotube structure

Номер патента: US8017512B2. Автор: Jonathan Byrn. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-09-13.

Efficient power management method in integrated circuit through a nanotube structure

Номер патента: US20110039398A1. Автор: Jonathan Byrn. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2011-02-17.

Glass-integrated inductors in integrated circuit packages

Номер патента: US20240332100A1. Автор: Srinivas PIETAMBARAM,Pooya Tadayon,Suddhasattwa NAD,Marcel WALL,Benjamin DUONG,Sashi KANDANUR,Pratyush Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Integrated circuit common-mode filters with ESD protection and manufacturing method

Номер патента: US09741655B2. Автор: Shijun Wang,Nan Zhang,Wen-Chin Wu,Albert Z. WANG. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-08-22.

Integrated circuit and method of designing layout of the same

Номер патента: US09734276B2. Автор: Chang-Beom Kim,Jin-Tae Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Glass-integrated inductors in integrated circuit packages

Номер патента: EP4439650A1. Автор: Srinivas PIETAMBARAM,Pooya Tadayon,Suddhasattwa NAD,Marcel WALL,Benjamin DUONG,Sashi KANDANUR,Pratyush Mishra. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-10-02.

Fusible link configuration in integrated circuits

Номер патента: US20010019167A1. Автор: HELMUT Fischer,Jochen Müller. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-09-06.

Integrated circuit having current-sensing coil

Номер патента: US20240321513A1. Автор: Eric Soenen,Alan Roth. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor integrated circuit device and method of laying out clock driver used in the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20020014898A1. Автор: Nobuyuki Ikeda. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2002-02-07.

Device contact sizing in integrated circuit structures

Номер патента: EP3886176A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-29.

Using interrupted through-silicon-vias in integrated circuits adapted for stacking

Номер патента: US09780073B2. Автор: Peter B. Gillingham. Владелец: Conversant Intellectual Property Management Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Integrated circuit having spare circuit cells

Номер патента: US09601477B2. Автор: Carol Pincu,Rami ROZENZVAIG. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2017-03-21.

Activating reactions in integrated circuits through electrical discharge

Номер патента: US20180061782A1. Автор: Kenneth P. Rodbell,Cyril Cabral, Jr.,Conal E. Murray,Gregory M. Fritz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-01.

Method for adjusting circuit characteristics with trimming technology in integrated circuits

Номер патента: US20180145026A1. Автор: Fei Xie,Yuedong Chen. Владелец: Chengdu Monolithic Power Systems Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-24.

Integrated circuit, and apparatus and method for production thereof

Номер патента: US7652521B2. Автор: Yasuhiro Hashimoto. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2010-01-26.

Integrated circuit packaging configuration for rapid customized design and unique test capability

Номер патента: WO1988002553A2. Автор: Robert John Wojnarowski,Charles William Eichelberger,Kenneth Brakeley Ii Welles. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 1988-04-07.

Semiconductor integrated circuit with connecting lines for connecting conductive lines of a memory cell array to a driver

Номер патента: US7721239B2. Автор: Mitsuhiro Noguchi,Toshiki Hisada,Shigeru Ishibashi,Yoshiko Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2010-05-18.

Integrated circuit layout

Номер патента: EP4083847A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Wei-Jen Wang,Chien-Hung Chen,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-11-02.

Integrated circuit layout

Номер патента: US20220344321A1. Автор: Chun-Hsien Lin,Wei-Jen Wang,Chien-Hung Chen,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Bypass capacitor circuit and method of providing a bypass capacitance for an integrated circuit die

Номер патента: US09431338B2. Автор: Michael Priel,Anton Rozen,Leonid Fleshel. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-08-30.

Pattern design for integrated circuits and method for inspecting the pattern design for integrated circuits

Номер патента: US20200335407A1. Автор: Min Soo Kang,Jong Soo Baek,Bo Young LEE,Jin Myoung Lee,Hyun Ah Roh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-10-22.

Integrated Circuit Devices Having High Density Logic Circuits Therein Powered Using Multiple Supply Voltages

Номер патента: US20110233629A1. Автор: SangShin Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-09-29.

Integrated circuit device with high mobility and system of forming the integrated circuit

Номер патента: US12132049B2. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Shang-Wei Fang,Kam-Tou SIO,Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit and method of forming the same

Номер патента: US20230387128A1. Автор: Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Shun Li CHEN,Ting Yu CHEN,Chin-Wei HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8395189B2. Автор: Junichi Yamada. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-03-12.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20100187573A1. Автор: Shusuke Iwata. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-07-29.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20100207169A1. Автор: Junichi Yamada. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-08-19.

Integrated circuit having current-sensing coil

Номер патента: US12009148B2. Автор: Eric Soenen,Alan Roth. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Integrated circuit including switch cell area

Номер патента: US20240234294A1. Автор: Jungho DO,Jisu YU,Sungyup JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor integrated circuit device and method of manufacturing the same, and cell size calculation method for DRAM memory cells

Номер патента: US20020195669A1. Автор: Kazutami Arimoto,Toshinori Morihara,Hiroki Shimano. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Integrated circuit including back-side wiring and a method of designing the same

Номер патента: US20240243038A1. Автор: Jaehyun LIM,Taehyung Kim,Hoyoung Tang,Eojin LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Integrated circuit including switch cell area

Номер патента: EP4401134A1. Автор: Jungho DO,Jisu YU,Sungyup JUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-17.

Integrated circuit including multiple height cell

Номер патента: US12136626B2. Автор: Jung-Ho Do,Ji-Su Yu,Seung-Young Lee,Jae-Boong Lee,Hyeon-gyu You. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-05.

Stack package and semiconductor integrated circuit device including a variable voltage

Номер патента: US09536807B2. Автор: Kyung Whan Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Device and method for limiting the extent to which circuits in integrated circuit dice electrically load bond pads and other circuit nodes in the dice

Номер патента: US20010026185A1. Автор: Joseph Sher. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-10-04.

Integrated circuit structure with multi-row cell for accommodating mixed track height

Номер патента: EP4398299A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Jacob Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-10.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US12080804B2. Автор: Hiroyuki Shimbo. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Integrated circuit structure with multi-row cell for accommodating mixed track height

Номер патента: US20240222356A1. Автор: Jia ZENG,Mahbub Rashed,Xuelian ZHU,James P. Mazza,Navneet K. Jain,Jacob Mazza. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit with leakage current suppressed

Номер патента: US20080087920A1. Автор: Kenichi Yoda. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2008-04-17.

Integrated circuit semiconductor device formed on a wafer

Номер патента: US4721995A. Автор: Tetsu Tanizawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1988-01-26.

Integrated circuit having spare circuit cells

Номер патента: US20170170162A1. Автор: Carol Pincu,Rami ROZENZVAIG. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2017-06-15.

Integrated circuit having spare circuit cells

Номер патента: US20160181235A1. Автор: Carol Pincu,Rami ROZENZVAIG. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2016-06-23.

Integrated Assemblies Comprising Redundant Wiring Routes, and Integrated Circuit Decks Having Openings Extending Therethrough

Номер патента: US20200219795A1. Автор: Werner Juengling. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2020-07-09.

Method for optimising transistor performance in integrated circuits

Номер патента: US20060186478A1. Автор: Peter Hughes,Trevor Monk,Shannon Morton. Владелец: Icera LLC. Дата публикации: 2006-08-24.

Integrated circuit device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230401368A1. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Jiann-Tyng Tzeng,Ching-Yu Huang,Wei-Cheng TZENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Designing method of semiconductor integrated circuit device, semiconductor integrated circuit device, and non-transitory computer-readable recording medium

Номер патента: US20230299070A1. Автор: Yuji Takahashi,Kengo Takahashi. Владелец: Socionext Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit layout including standard cells of different gate line widths and same gate line pitch

Номер патента: US11862622B2. Автор: Chun-Hsien Lin,Wei-Jen Wang,Chien-Hung Chen,Chien-Fu Chen,Chen-Hsien Hsu,Kun-Yuan Wu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-01-02.

Wafer scale integrated circuit and method of forming signal propagation path therein

Номер патента: US5208469A. Автор: Toshiyuki Hodoshima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1993-05-04.

Integrated circuit device with high mobility and system of forming the integrated circuit

Номер патента: US20210210488A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Shang-Wei Fang,Kam-Tou SIO,Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Integrated circuit device with high mobility and system of forming the integrated circuit

Номер патента: US20230253403A1. Автор: Jiann-Tyng Tzeng,Shang-Wei Fang,Kam-Tou SIO,Chew-Yuen Young. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030011004A1. Автор: Kenji Kamei,Shinsuke Anzai,Yasumichi Mori. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-01-16.

Integrated Circuit Layouts with Fill Feature Shapes

Номер патента: US20220277128A1. Автор: Ming-Yi Lin,Yen-Sen Wang,Yu-Cheng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Smoke-free esd protection structure used in integrated circuit devices

Номер патента: US20120007138A1. Автор: James Nguyen. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2012-01-12.

Electro-static discharge protection in integrated circuit based amplifiers

Номер патента: US09589949B1. Автор: Simon J. Mahon,James T. Harvey,Anna Dadello. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Apparatus and methods for bidirectional esd protection in integrated circuit

Номер патента: WO2013181328A1. Автор: Gianluca Boselli,Farzan Farbiz,Ann Margaret Concannon,Akram A. Salman. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2013-12-05.

Electro-static discharge protection for integrated circuits

Номер патента: US09608437B2. Автор: Prasad Srinivasa Siva Gudem,Li-Chung Chang,Ahmed Abdel Monem Youssef,Ehab Ahmed Sobhy Abdel Ghany. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Arrangements for biasing the substrates of integrated circuits

Номер патента: GB1372679A. Автор: . Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 1974-11-06.

Integrated circuit and method for fabricating an integrated circuit

Номер патента: US20040245618A1. Автор: Albrecht Mayer. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-12-09.

Electrostatic discharge protection in integrated circuits, systems and methods

Номер патента: US5591992A. Автор: Jerald G. Leach. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1997-01-07.

Semiconductor integrated circuit device and layout method of patterns for semiconductor integrated circuit device

Номер патента: EP1381085A3. Автор: Hideo c/o NEC Electronics Corporation Sonohara. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2009-09-23.

On-chip variance detection for integrated circuit devices

Номер патента: US5517107A. Автор: Kevin M. Ovens,Alan S. Bass,Jay A. Maxey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-05-14.

Electro-static discharge protection for integrated circuits

Номер патента: WO2015038402A1. Автор: Prasad Srinivasa Siva Gudem,Li-Chung Chang,Ahmed Abdel Monem Youssef,Ehab Ahmed Sobhy Abdel Ghany. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2015-03-19.

Electro-static discharge protection for integrated circuits

Номер патента: EP3044810A1. Автор: Prasad Srinivasa Siva Gudem,Li-Chung Chang,Ahmed Abdel Monem Youssef,Ehab Ahmed Sobhy Abdel Ghany. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-07-20.

Integrated circuit

Номер патента: EP4138129A1. Автор: Yu Tian,Xun Gu,Xi QIN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-22.

Integrated Circuit Having Efficiently Packed Decoupling Capacitors

Номер патента: US20100163948A1. Автор: Patrick W. Bosshart. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-01.

Integrated circuit provided with overvoltage protection and method for manufacture thereof

Номер патента: EP1352429A2. Автор: Henricus A. L. Van Lieverloo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2003-10-15.

Integrated circuit provided with overvoltage protection and method for manufacture thereof

Номер патента: WO2002033753A2. Автор: Henricus A. L. Van Lieverloo. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-04-25.

Fabrication system of semiconductor integrated circuit, fabrication device, fabrication method, integrated circuit and communication system

Номер патента: US20100100219A1. Автор: Takashi Hashimoto,Takahiro Ichinomiya. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-04-22.

Three-dimensional semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20210257412A1. Автор: Jin-Hong Park,Sungjoo Lee,Jae Hyeok JU,Sungpyo BAEK. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-08-19.

Sputter and surface modification etch processing for metal patterning in integrated circuits

Номер патента: US20150243602A1. Автор: Eric A. Joseph,Cyril Cabral, Jr.,Hiroyuki Miyazoe,Benjamin L. Fletcher,Nicholas C.M. Fuller. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Method and apparatus for indicating directionality in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20070194392A1. Автор: Mehul Shroff,Edward Travis,Donald Smeltzer,Traci Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-08-23.

Method and apparatus for indicating directionality in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20100112779A1. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Donald E. Smeltzer,Traci L. Smith. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-05-06.

Method and apparatus for indicating directionality in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US7858487B2. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Donald E. Smeltzer,Traci L. Smith. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2010-12-28.

Method and apparatus for indicating directionality in integrated circuit manufacturing

Номер патента: WO2007100929A2. Автор: Edward O. Travis,Mehul D. Shroff,Donald E. Smeltzer,Traci L. Smith. Владелец: Freescale Semiconductor Inc.. Дата публикации: 2007-09-07.

Structures for improving radiation hardness and eliminating latch-up in integrated circuits

Номер патента: US20210043496A1. Автор: Patrice M. Parris,David R. Gifford. Владелец: Silicon Space Technologies Corp DBA Vorago Technologies Inc. Дата публикации: 2021-02-11.

Structures for improving radiation hardness and eliminating latch-up in integrated circuits

Номер патента: WO2020097003A1. Автор: Patrice M. Parris,David R. Gifford. Владелец: Silicon Space Technologies Corporation D.B.A. Vorago Technologies, Inc.. Дата публикации: 2020-05-14.

Providing a low resistance to integrated circuit devices

Номер патента: WO1995023429A1. Автор: Michael J. Grubisich. Владелец: National Semiconductor Corporation. Дата публикации: 1995-08-31.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200357681A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-11-12.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: US09698780B2. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuit, semiconductor device based on integrated circuit, and standard cell library

Номер патента: US09837437B2. Автор: Sun-Young Park,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Hyo-sig Won,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-05.

Integrated circuit, semiconductor device based on integrated circuit, and standard cell library

Номер патента: US09716106B2. Автор: Sun-Young Park,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Hyo-sig Won,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-07-25.

Integrated circuit, semiconductor device based on integrated circuit, and standard cell library

Номер патента: US09431383B2. Автор: Sun-Young Park,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Hyo-sig Won,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Gate spacing in integrated circuit structures

Номер патента: US20240249946A1. Автор: Gurpreet Singh,Paul A. Nyhus,Eungnak Han,David Nathan Shykind,Mohit K. HARAN,Charles Henry Wallace,Sean Michael Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-25.

Square etch profiles in heterogenous materials of integrated circuit devices

Номер патента: US20240113194A1. Автор: Krishna GANESAN,Kilhyun Bang,Mekha George,Seda Cekli. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-04.

Devices and Methods for Radiation Hardening Integrated Circuits Using Shallow Trench Isolation

Номер патента: US20200090981A1. Автор: Emily Ann Donnelly. Владелец: Tallannquest dba Apogee Semiconductor LLC. Дата публикации: 2020-03-19.

Integrated circuit, semiconductor device based on integrated circuit, and standard cell library

Номер патента: US20170271367A1. Автор: Sun-Young Park,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Hyo-sig Won,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-21.

Integrated circuit, semiconductor device based on intergrated circuit, and standard cell library

Номер патента: US20160351583A1. Автор: Sun-Young Park,Jung-Ho Do,Seung-Young Lee,Hyo-sig Won,Sang-hoon BAEK,Sang-Kyu Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-12-01.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: US20180367142A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-12-20.

Apparatus and methods for leakage current reduction in integrated circuits

Номер патента: WO2015038466A1. Автор: Christophe Vincent Antoine Laurent. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US8445943B2. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20110175197A1. Автор: Hiroshi Furuta. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Processes of forming insulated gate field effect transistors with channel lengths of one micron in integrated circuits with component isolated and product

Номер патента: US3996655A. Автор: James A. Cunningham,James E. Schroeder,Mark Roman Guidry. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1976-12-14.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11804549B2. Автор: Hyun-chul Lee,Yun-Seung Kang,Sang-Gyo Chung,Ji-seung LEE,Soung-hee LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-31.

Isolation in integrated circuit devices

Номер патента: US20200126980A1. Автор: Sang-Won Park,Leonard C. Pipes,Dennis G. Hanken,Sishir Bhowmick. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-04-23.

Device contacts in integrated circuit structures

Номер патента: US11973121B2. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei,Piyush Mohan Sinha,Mwilwa Tambwe. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-30.

Gate spacing in integrated circuit structures

Номер патента: US12002678B2. Автор: Gurpreet Singh,Paul A. Nyhus,Eungnak Han,David Nathan Shykind,Mohit K. HARAN,Charles Henry Wallace,Sean Michael Pursel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-04.

Reducing susceptibility to electrostatic discharge damage during die-to-die bonding for 3-d packaged integrated circuits

Номер патента: EP2539931A1. Автор: Arvind Chandrasekaran,Brian Matthew Henderson. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-01-02.

Reducing susceptibility to electrostatic discharge damage during die-to-die bonding for 3-d packaged integrated circuits

Номер патента: WO2011106346A1. Автор: Arvind Chandrasekaran,Brian Matthew Henderson. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2011-09-01.

Integrated circuit power transistor array

Номер патента: CA1183278A. Автор: James R. Kuo,Maggie Leung. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-02-26.

A 3d integrated circuit

Номер патента: EP4351295A1. Автор: Francky Catthoor,Dawit Burusie Abdi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-10.

Metallization in integrated circuit structures

Номер патента: US11018222B1. Автор: Oleg Golonzka,Christopher J. WIEGAND,Jeffrey S. LEIB,Daniel B. Bergstrom,Daniel B. O'Brien,Dan S. Lavric,Dax M. CRUM,Lukas M. Baumgartel,Timothy Michael Duffy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-05-25.

Circuit And An Integrated Circuit Including A Transistor And Another Component Coupled Thereto

Номер патента: US20170025405A1. Автор: Chun-Li Liu,Woochul Jeon,Joe Fulton. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-01-26.

Circuit and an integrated circuit including a transistor and another component coupled thereto

Номер патента: US09754931B2. Автор: Chun-Li Liu,Woochul Jeon,Joe Fulton. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

3D Integrated Circuit

Номер патента: US20240119998A1. Автор: Francky Catthoor,Dawit Burusie Abdi. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2024-04-11.

Self-aligned integrated circuits

Номер патента: CA1043467A. Автор: Howard L. Kalter,Anatol Furman,Johann W. Nagel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1978-11-28.

Programmable capacitor for an integrated circuit

Номер патента: US6686213B1. Автор: Stephen M. Trimberger. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2004-02-03.

Ball arrangement for integrated circuit package devices

Номер патента: US09431361B2. Автор: Arun Ramakrishnan,Hongyu Li. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

High-current integrated circuit

Номер патента: US5461259A. Автор: Yukio Yano,Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 1995-10-24.

Techniques for attenuating resonance induced impedance in integrated circuits

Номер патента: US20120176185A1. Автор: Hong Shi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-07-12.

Integrated circuit devices

Номер патента: US20240243125A1. Автор: Changhyeon Lee,Seongyul Park,Myoungho Kang,Yeazi HEO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Damping of LC Ringing in IC (Integrated Circuit) Power Distribution Systems

Номер патента: US20050110551A1. Автор: Michael Sorna,Anthony Bonaccio,Stephen Wyatt,Allen Haar,Ivan Wemple. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Reduction of electromagnetic interference in integrated circuit device packages

Номер патента: US20020190389A1. Автор: Steven Koenck. Владелец: INTERMAC TECHNOLOGIES Corp. Дата публикации: 2002-12-19.

Densely packed standard cells for integrated circuit products, and methods of making same

Номер патента: SG10201400703PA. Автор: VENKATESAN Suresh,RASHED Mahbub,Deng Yunfei,KIM JuHan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2014-12-30.

Ratioed capacitances in integrated circuits

Номер патента: US5204546A. Автор: Kenneth W. Moulding. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1993-04-20.

Gate spacing in integrated circuit structures

Номер патента: US20210305244A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20240162289A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US11916106B2. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-27.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20220344459A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-27.

Source/drain regions in integrated circuit structures

Номер патента: US20210305365A1. Автор: Guillaume Bouche,Sean T. MA,Andy Chih-Hung Wei. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

3d integrated circuit

Номер патента: US20220109447A1. Автор: Juergen Boemmels,Francky Catthoor,Julien Ryckaert,Edouard Giacomin. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-04-07.

Systems and methods for reducing simultaneous switching noise in an integrated circuit

Номер патента: US20060231947A1. Автор: Eiichi Hosomi,Paul Harvey. Владелец: Toshiba America Electronic Components Inc. Дата публикации: 2006-10-19.

Circuit configuration for protecting an integrated circuit

Номер патента: US4949212A. Автор: Wolfgang Horchler,Michael Lenz,Frank-Lothar Schwertlein. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1990-08-14.

Integrated circuit including standard cell and method of fabricating the integrated circuit

Номер патента: US20230015367A1. Автор: Sidharth Rastogi,RAHEEL Azmat,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park,Kwan-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-01-19.

Integrated circuit including standard cell and method of fabricating the integrated circuit

Номер патента: US20200057830A1. Автор: Sidharth Rastogi,RAHEEL Azmat,Jae-Seok Yang,Chul-Hong Park,Kwan-Young Chun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-02-20.

Integrated circuit chip package that does not utilize a leadframe

Номер патента: US20230245992A1. Автор: Jing-en Luan. Владелец: STMICROELECTRONICS PTE LTD. Дата публикации: 2023-08-03.

Patterning transition metals in integrated circuits

Номер патента: US20140159227A1. Автор: Eric A. Joseph,Cyril Cabral, Jr.,Sebastian U. Engelmann,Michael S. Gordon,Benjamin L. Fletcher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Patterning transition metals in integrated circuits

Номер патента: US20140159242A1. Автор: Eric A. Joseph,Cyril Cabral, Jr.,Sebastian U. Engelmann,Michael S. Gordon,Benjamin L. Fletcher. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-06-12.

Patterning transition metals in integrated circuits

Номер патента: US9299639B2. Автор: Eric A. Joseph,Cyril Cabral, Jr.,Sebastian U. Engelmann,Michael S. Gordon,Benjamin L. Fletcher. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Integrated circuit packages with silver and silicon nitride multi-layer

Номер патента: US20230420358A1. Автор: Robert L. Sankman,Srinivas V. Pietambaram,Kemal Aygun,Zhiguo Qian,Rengarajan SHANMUGAM,Kristof Kuwawi Darmawikarta,Jung Kyu HAN,Cemil S. Geyik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device with curved conductive lines and method of forming the same

Номер патента: US11749644B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device with curved conductive lines and method of forming the same

Номер патента: US12100664B2. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device with curved conductive lines and method of forming the same

Номер патента: US20240371783A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Methods of forming contacts,methods of contacting lines,methods of operating integrated circuitry , and integrated circuits

Номер патента: US20020016053A1. Автор: Tyler A. Lowrey,Robert Kerr,Luan C. Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-02-07.

Method of forming contacts, methods of contacting lines, methods of operating integrated circuitry, and integrated circuits

Номер патента: US20030075810A1. Автор: Robert Kerr,Tyler Lowrey,Luan Tran,Brian Shirley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Bottom-up curing of dielectric films in integrated circuits

Номер патента: US20200388488A1. Автор: Oleg Gluschenkov,Hosadurga Shobha,Devika Sil,Yasir Sulehria. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-10.

Inorganic redistribution layer on organic substrate in integrated circuit packages

Номер патента: NL2031578B1. Автор: Ganesan Sanka,Francois Brun Xavier,A Sawyer Holly,A Gosselin Timothy. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-05-25.

Metallization in integrated circuits

Номер патента: US20230352311A1. Автор: Frances Ooi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-11-02.

Methods and apparatus to improve signal integrity performance in integrated circuit packages

Номер патента: US20230352416A1. Автор: Zhichao Zhang,Kemal Aygun,Suddhasattwa NAD,Cemil Geyik,Yidnekachew Mekonnen. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-02.

Fabrication of interlayer conductive paths in integrated circuits

Номер патента: CA1286795C. Автор: Glenn H. Chapman,Terry O. Herndon. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 1991-07-23.

Binary germanium-silicon interconnect and electrode structure for integrated circuits

Номер патента: CA1183968A. Автор: William I. Lehrer,Bruce E. Deal. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-03-12.

Integrated circuit insulators and related methods

Номер патента: US20070141832A1. Автор: Paul Farrar. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-06-21.

Semiconductor Device with Curved Conductive Lines and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230361080A1. Автор: Ming-Chih Yew,Shin-puu Jeng,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Chia-Kuei Hsu,Che-Chia Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Integrated circuit stack including a patterned array of electrically conductive pillars

Номер патента: CA2926991C. Автор: James L. Tucker,Eric E. Vogt,Gregor D. Dougal. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2023-01-10.

Integrated circuit stack including a patterned array of electrically conductive pillars

Номер патента: US09997466B2. Автор: James L. Tucker,Eric E. Vogt,Gregor D. Dougal. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Integrated circuit stack including a patterned array of electrically conductive pillars

Номер патента: US09548277B2. Автор: James L. Tucker,Eric E. Vogt,Gregor D. Dougal. Владелец: Honeywell International Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Cavity structures in integrated circuit package supports

Номер патента: US20200066543A1. Автор: Cheng Xu,Ji Yong Park,Rahul Jain,Junnan Zhao,Kyu Oh Lee,Sai Vadlamani. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-27.

Techniques for clock signal transmission in integrated circuits and interposers

Номер патента: US12026008B2. Автор: Chee Hak Teh,Md Altaf Hossain,Dheeraj Subbareddy,Ankireddy Nalamalpu,Chooi Pei Lim,Jeffrey Chromczak,Lai Guan Tang. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Method for creating a plurality of conductive lines in an array region of an integrated circuit

Номер патента: JP5311116B2. Автор: リー，ジョン,トラン，ルアン，シー．,リゥ，ゼンタオ,フリーマン，エリック,ニールセン，ラッセル. Владелец: マイクロン テクノロジー， インク．. Дата публикации: 2013-10-09.

Glue layer for adhesion improvement between conductive line and etch stop layer in an integrated circuit chip

Номер патента: US20060118921A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Keng-Chu Lin,Shwang-Ming Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2006-06-08.

Glue layer for adhesion improvement between conductive line and etch stop layer in an integrated circuit chip

Номер патента: TW200620398A. Автор: Yung-Cheng Lu,Keng-Chu Lin,Shwang-Ming Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg Co Ltd. Дата публикации: 2006-06-16.

Glue layer for adhesion improvement between conductive line and etch stop layer in an integrated circuit chip

Номер патента: TWI306270B. Автор: Yung Cheng Lu,Kengchu Lin,Shwangming Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-02-11.

Magnetic structures in integrated circuit packages

Номер патента: EP3803969A1. Автор: YING Wang,Chong Zhang,Yikang Deng,Andrew James Brown,Lauren Ashley Link. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-04-14.

Magnetic structures in integrated circuit packages

Номер патента: US20190371744A1. Автор: YING Wang,Chong Zhang,Yikang Deng,Andrew James Brown,Lauren Ashley Link. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-12-05.

Methods and apparatus to reduce impedance discontinuities and crosstalk in integrated circuit packages

Номер патента: US20240274521A1. Автор: Lei Wang,Wenzhi WANG,Maoxin YIN,Chenghai YAN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

Copper fill for heat management in integrated circuit device

Номер патента: US20240234234A9. Автор: Telesphor Kamgaing,Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Chu Aun Lim,Chee Kheong Yoon,Kavitha Nagarajan,Jooi Wah WONG,Ilan RONEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Resilient electrical connectors for electromagnetic interference shielding structures in integrated circuit assemblies

Номер патента: WO2020206625A1. Автор: Chen Zhang,Guangying Zhang,Wei Liao,Jun Lu,Michael Leddige,Weimin Shi,Chuansheng Liu,Liguang DU,Eduardo MICHEL,Guillermo RENTERIA ZAMUDIO. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2020-10-15.

Metal layer patterning for minimizing mechanical stress in integrated circuit packages

Номер патента: US20210066221A1. Автор: Alexander Barr,Yaoyu Pang,Marc L. Tarabbia,Kathryn Rose Holland. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2021-03-04.

Metal layer patterning for minimizing mechanical stress in integrated circuit packages

Номер патента: EP4022675A1. Автор: Alexander Barr,Yaoyu Pang,Marc L. Tarabbia,Kathryn Rose Holland. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2022-07-06.

Metal layer patterning for minimizing mechanical stress in integrated circuit packages

Номер патента: WO2021041044A1. Автор: Alexander Barr,Yaoyu Pang,Marc L. Tarabbia,Kathryn Rose Holland. Владелец: Cirrus Logic International Semiconductor Ltd.. Дата публикации: 2021-03-04.

Method making integrated circuit metallization with superconductor BEOL wiring

Номер патента: US5908813A. Автор: John H. Givens. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-06-01.

Method of minimizing package-shift effects in integrated circuits by using a thick metallic overcoat

Номер патента: US20020182780A1. Автор: Gabriel RINCON-MORA,David Briggs,Roy Hastings,Buddhika Abesingha. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-05.

Semiconductor device which minimizes package-shift effects in integrated circuits by using a thick metallic overcoat

Номер патента: US6750553B2. Автор: Roy Alan HASTINGS,Gabriel A. Rincon-Mora,Buddhika J. Abesingha,David D. Briggs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2004-06-15.

Thermal management in integrated circuit packages

Номер патента: US11830787B2. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Johanna M. Swan,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Copper fill for heat management in integrated circuit device

Номер патента: US20240136243A1. Автор: Telesphor Kamgaing,Eng Huat Goh,Min Suet LIM,Chu Aun Lim,Chee Kheong Yoon,Kavitha Nagarajan,Jooi Wah WONG,Ilan RONEN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-25.

Electrostatic discharge protection in integrated circuits using materials with optically controlled electrical conductivity

Номер патента: US20210202403A1. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Adel A. Elsherbini,Johanna M. Swan,Veronica Aleman Strong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-07-01.

Thermal management in integrated circuit packages

Номер патента: US12007170B2. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Johanna M. Swan,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Semiconductor die package with conductive line crack prevention design

Номер патента: US20240096778A1. Автор: Shin-puu Jeng,Kuo-Ching Hsu,Po-Yao Lin,Shu-Shen Yeh,Shyue-Ter Leu,Ya-Huei LEE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Self-aligned trench isolation in integrated circuits

Номер патента: US09437470B2. Автор: Kenichi Ohtsuka,Lei Xue,Rinji Sugino,Ching-Huang Lu,Simon Siu-Sing Chan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Integrated circuit with reduced analog coupling noise

Номер патента: US20060192707A1. Автор: Munehiro Karasudani. Владелец: Nigata Semitsu Co Ltd. Дата публикации: 2006-08-31.

Integrated circuit with reduced analog coupling noise

Номер патента: US7211841B2. Автор: Munehiro Karasudani. Владелец: Nigata Semitsu Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-01.

Deep trench isolation for reducing soft errors in integrated circuits

Номер патента: US20020130384A1. Автор: Thomas Aton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20050263910A1. Автор: Eisaku Maeda,Masahiko Sasada,Hiroki Matsunaga,Jinsaku Kaneda,Akihiro Maejima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-12-01.

Monitoring physical operating parameters of an integrated circuit

Номер патента: US7928882B2. Автор: Marcel Pelgrom,Violeta Petrescu,Hendricus J M Veendrick. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2011-04-19.

Sputter and surface modification etch processing for metal patterning in integrated circuits

Номер патента: US20140124935A1. Автор: Eric A. Joseph,Cyril Cabral, Jr.,Hiroyuki Miyazoe,Benjamin L. Fletcher,Nicholas C.M. Fuller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-08.

Assemblies used for embedding integrated circuit assemblies, and their uses and method of fabrication thereof

Номер патента: EP4315414A2. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terecircuits Corp. Дата публикации: 2024-02-07.

Assemblies used for embedding integrated circuit assemblies, and their uses and method of fabrication thereof

Номер патента: WO2022212492A3. Автор: Jayna Sheats. Владелец: Terecircuits Corporation. Дата публикации: 2022-11-10.

Method for containing a silicided gate within a sidewall spacer in integrated circuit technology

Номер патента: US20100219486A1. Автор: Kelley Kyle Higgins,Ibrahim Khan Burki. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2010-09-02.

Method for reducing underfill filler settling in integrated circuit packages

Номер патента: US9431274B2. Автор: Rajendra C. DIAS,Manish Dubey,Suriyakala Ramalingam,Nisha ANANTHAKRISHNAN,Hitesh Arora,Hsin-Yu Li,Michelle S. Phen,Yiqun Bai,Yonghao Xiu. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Integrated circuit packaging substrate, semiconductor package, and manufacturing method

Номер патента: US20160240502A1. Автор: Chen-Shien Chen,Yu-Wei Lin,Tin-Hao Kuo,Guan-Yu Chen,Yen-Liang Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-08-18.

Integrated circuit package with active warpage control printed circuit board mount

Номер патента: US09679861B1. Автор: Vincent Hool. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Integrated circuit, portable device and method for manufacturing an integrated circuit

Номер патента: WO2003023847A3. Автор: Joachim C Reiner,Paul G M Gradenwitz. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-02.

Lead frame having non-conductive tie-bar for use in integrated circuit packages

Номер патента: US4768077A. Автор: Jeremy D. Scherer. Владелец: Aegis Inc. Дата публикации: 1988-08-30.

Thermal improvement for hotspots on dies in integrated circuit packages

Номер патента: US20150200149A1. Автор: Rezaur Rahman Khan,Sam Ziqun Zhao. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Method for connecting integrated-circuit chip to antenna in radio-frequency device for identifying contactless intelligent card

Номер патента: RU2298254C2. Автор: Кристоф АЛОП,Фабьен ЗЮПАНЕК. Владелец: А.С.К. С.А.. Дата публикации: 2007-04-27.

Thermal management solutions for stacked integrated circuit devices

Номер патента: WO2019240898A1. Автор: Feras Eid,Adel Elsherbini,Johanna Swan. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2019-12-19.

Integrated circuit package structure with conductive stair structure

Номер патента: US20240258220A1. Автор: Chien-Chung Wang,Hsih-Yang Chiu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Thermally enhanced package for an integrated circuit

Номер патента: WO2004062333A1. Автор: Tan Gin Ghee,Koay Hean Tatt. Владелец: AGILENT TECHNOLOGIES, INC.. Дата публикации: 2004-07-22.

Package to mount chip in integrated circuit and process of its assembly

Номер патента: RU2191445C2. Автор: Стефен Уэсли МАККВЭРРИ,Уэйн Расселл СТОРР,Джеймс Уоррен УИЛСОН. Владелец: Интернэшнл Бизнес Машинз Корпорейшн. Дата публикации: 2002-10-20.

Heat dissipation in integrated circuits

Номер патента: US20070064398A1. Автор: Cynthia Lee,Sidhartha Sen. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2007-03-22.

Managing Stray Light Absorption in Integrated Photonics Devices

Номер патента: US20210167230A1. Автор: Francois Pelletier,Yves Painchaud,Sean Sebastian O'Keefe,Christine Latrasse. Владелец: Ciena Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Integrated circuit having mirrored pixel configuration

Номер патента: AU2022255719A1. Автор: XIN Wang,Todd Rearick,Eric A.G. Webster. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of testing a three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US09689914B2. Автор: Ching-Fang Chen,Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsien Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Vertical dmos device in integrated circuit

Номер патента: WO2007081573A2. Автор: Robert Paul Haase. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2007-07-19.

Via adjustment in integrated circuits based on machine learning

Номер патента: EP4394646A1. Автор: Minjung Kim,Dorian Alden,Anjan RAGHUNATHAN,Mark HORSCH,Silvia Liong,Sunita S. THULASI,Cheng-Tsung Lee,Rusty Wayne CONNER,Vipin Agrawal,Anish Shenoy,A S M Jonayat,Prashanth Kumar SIDDHAMSHETTY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-03.

Via adjustment in integrated circuits based on machine learning

Номер патента: US20240220702A1. Автор: Minjung Kim,Dorian Alden,Anjan RAGHUNATHAN,Mark HORSCH,Silvia Liong,Sunita S. THULASI,Cheng-Tsung Lee,Rusty Wayne CONNER,Vipin Agrawal,Anish Shenoy,A S M Jonayat,Prashanth Kumar SIDDHAMSHETTY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Thermally coupling electrically decoupling cooling device for integrated circuits

Номер патента: US6646340B2. Автор: Daniel Murray,Thomas Marieb,Daniel Pantuso,Timothy L. Deeter,Sarangapani Sista. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-11-11.

Tunable capacitor arrangements in integrated circuit package substrates

Номер патента: US20210066265A1. Автор: Feras Eid,Sivakumar Nagarajan,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Johanna M. Swan,Omkar G. Karhade,Nitin A. Deshpande,Georgios Dogiamis,William James Lambert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-03-04.

Integrated circuit nanotube-based substrate

Номер патента: EP1810329A2. Автор: Chris Wyland. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2007-07-25.

Solid-state imaging device and camera system with unit pixels arranged in matrix state

Номер патента: US09699397B2. Автор: Yoshiaki Inada,Masamichi Ito,Tsuyoshi Hara. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Thermal Management in Integrated Circuit Using Phononic Bandgap Structure

Номер патента: US20190122947A1. Автор: Daniel Lee Revier,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-04-25.

Thermal management in integrated circuit using phononic bandgap structure

Номер патента: WO2019084166A1. Автор: Daniel Lee Revier,Benjamin Stassen Cook. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-05-02.

Substrate structure for an integrated circuit package and method for manufacturing the same

Номер патента: US20050012207A1. Автор: Jackson Hsieh,Jichen Wu. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2005-01-20.

Configuration bit architecture for programmable integrated circuit device

Номер патента: US20150214229A1. Автор: Rajiv Kumar. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2015-07-30.

Integrated circuit having mirrored pixel configuration

Номер патента: EP4305671A2. Автор: XIN Wang,Todd Rearick,Eric A.G. Webster. Владелец: Quantum Si Inc. Дата публикации: 2024-01-17.

Integrated circuit and method of manufacturing an integrated circuit

Номер патента: US20090057778A1. Автор: Stefan Slesazeck,Tobias Mono,Jessica Hartwich,Lars Dreeskornfeld,Arnd Scholz. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-03-05.

Stacked capacitors for use in integrated circuit modules and the like

Номер патента: US20200185156A1. Автор: Charles L. Arvin,Sylvain Pharand,Bhupender Singh,Brian W. Quinlan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-11.

Lead frame coated with aluminum as a packaging material in integrated circuits

Номер патента: US4605533A. Автор: Yoshikazu Hashimoto,Kazunao Kudoh. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1986-08-12.

Thermal management in integrated circuit packages

Номер патента: US11784108B2. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Johanna M. Swan,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Heatsink for ring type integrated circuits

Номер патента: US20240105549A1. Автор: Hua Yang,Kai Cao,Vic Hong Chia,Yongguo Chen,Paul TON. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Heatsink for ring type integrated circuits

Номер патента: WO2024073430A1. Автор: Hua Yang,Kai Cao,Vic Hong Chia,Yongguo Chen,Paul TON. Владелец: CISCO TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-04-04.

Thermal management in integrated circuit packages

Номер патента: US20240030098A1. Автор: Feras Eid,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Johanna M. Swan,Georgios Dogiamis. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Vertical dmos device in integrated circuit

Номер патента: WO2007081573B1. Автор: Robert Paul Haase. Владелец: Robert Paul Haase. Дата публикации: 2008-08-14.

High frequency integrated circuit and packaging for same

Номер патента: US20160190075A1. Автор: Rodrigo Carrillo-Ramirez,Andrew Pye. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2016-06-30.

High frequency integrated circuit and packaging for same

Номер патента: US09437558B2. Автор: Rodrigo Carrillo-Ramirez,Andrew Pye. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Microwave hybrid integrated circuit

Номер патента: RU2750860C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Сергей Александрович Самохин,Иван Валентинович Горюнов,Евгений Валентинович Терешкин. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Исток" имени А.И. Шокина" (АО "НПП "Исток" им. Шокина"). Дата публикации: 2021-07-05.

Semiconductor integrated circuit, system device including semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit control method

Номер патента: WO2008029903A1. Автор: Mitsushige Baba. Владелец: RICOH COMPANY, LTD.. Дата публикации: 2008-03-13.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: EP4407679A2. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Jr. John Edward GREGORY,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-07-31.

Integrated circuit package having stacked integrated circuits and method therefor

Номер патента: WO2005001935A2. Автор: Soochok Kee. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2005-01-06.

Integrated circuit device with stacked interface chiplets

Номер патента: US20240258272A1. Автор: Wolfgang Sauter,Aatreya CHAKRAVARTI,Mark William KUEMERLE,Carlos MACIAN RUIZ,Eva Shah HOLMES,Samer Michael AKIKI,John Edward Gregory, JR.. Владелец: Marvell Asia Pte Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Package structure of an integrated circuit

Номер патента: US20020096747A1. Автор: Kuang Fan,Yung Chiu,Fu Huang,C. Chen,Mon Ho,C. Cheng,Nai Yeh. Владелец: Kingpak Technology Inc. Дата публикации: 2002-07-25.

Sputter etch processing for heavy metal patterning in integrated circuits

Номер патента: US09484220B2. Автор: Chun Yan,Eric A. Joseph,Hiroyuki Miyazoe,Mark D. Hoinkis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-01.

Power rail and signal conducting line arrangement

Номер патента: US11967596B2. Автор: Wei-Cheng Lin,Shih-Wei Peng,Guo-Huei Wu,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Li-Chun Tien,Lee-Chung Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11956967B2. Автор: Sunggil Kim,Kyengmun KANG,Hyeeun HONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-09.

Integrated circuits including multi-layer conducting lines

Номер патента: US20210202373A1. Автор: Chan-Ho Lee,Tae-hyung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor method of making electrical connection between an electrically conductive line and a node location, and integrated circuitry

Номер патента: US20010010968A1. Автор: Monte Manning. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-08-02.

Electrical characterization of misalignment in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20240290641A1. Автор: Hao Yang,John K. Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Structure and method to reduce polysilicon loss from flash memory devices during replacement gate (RPG) process in integrated circuits

Номер патента: US09589976B2. Автор: Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing integrated circuit device

Номер патента: US09953985B2. Автор: Seon-Ju Kim,Hye-won Kim,Hyun-Gi Kim,Sang-Moo Jeong. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-04-24.

Source driving integrated circuits including an electrostatic discharge circuit and related layout method

Номер патента: US09735053B2. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Insulation material for integrated circuits and use of said integrated circuits

Номер патента: US20110297869A1. Автор: Ehrenfried Zschech,Helmut Hermann,Gotthart Seifert,Konstyantyn Zagorodniy. Владелец: Leibniz Institut fuer Festkorper und Werkstofforschung Dresden eV. Дата публикации: 2011-12-08.

Gate-All-Around Field-Effect Transistors In Integrated Circuits

Номер патента: US20220384456A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Gate-All-Around Field-Effect Transistors In Integrated Circuits

Номер патента: US20240276697A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Fixture and method for uniform electroless metal deposition on integrated circuit bond pads

Номер патента: US20010047944A1. Автор: Gonzalo Amador,Roger Stierman. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2001-12-06.

Methods of forming fine patterns in integrated circuit devices

Номер патента: US20100096719A1. Автор: Young-Ho Lee,Jae-Hwang Sim,Jae-Kwan Park,Sang-Yong Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-04-22.

Low dielectric constant carbon-containing silicon oxide dielectric material for use in integrated circuit structures

Номер патента: EP1039520A3. Автор: Valeriy Sukharev,Vladimir Zubkov,Sheldon Aronowitz. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2001-08-16.

Deposition of titanium nanolaminates for use in integrated circuit fabrication

Номер патента: US09540729B1. Автор: Hidemi Suemori,Viljami J. Pore,Seiji Okura. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2017-01-10.

Process for deposition of titanium oxynitride for use in integrated circuit fabrication

Номер патента: US09523148B1. Автор: Hidemi Suemori,Viljami J. Pore,Seiji Okura. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2016-12-20.

Direct writing of refractory metal lines for use in integrated circuit devices

Номер патента: CA1249071A. Автор: Christopher P. Yakymyshyn,Yung S. Liu. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1989-01-17.

Structure and fabrication method for integrated circuits with polysilicon lines having low sheet resistance

Номер патента: CA1092726A. Автор: Fritz H. Gaensslen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1980-12-30.

Use of hard masks during etching of openings in integrated circuits for high etch selectivity

Номер патента: US6054384A. Автор: Fei Wang,Susan Chen. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-04-25.

Integrated circuit with constrained metal line arrangement, method of using, and system for using

Номер патента: US20230367949A1. Автор: Yuan Ma,Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Qiquan Wang. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Integrated circuit with constrained metal line arrangement

Номер патента: US20210110000A1. Автор: Yuan Ma,Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Qiquan Wang. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Integrated circuit with constrained metal line arrangement

Номер патента: US11748550B2. Автор: Yuan Ma,Li-Chun Tien,Xinyong Wang,Qiquan Wang. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Integrated circuit device and method of manufacturing the same

Номер патента: US11974434B2. Автор: Sangyong Park,Jaeduk LEE,Hyunseok Na. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-30.

Process for high density VLSI circuits, having self-aligned gates and contacts for FET devices and conducting lines

Номер патента: US4587711A. Автор: Gordon C. Godejahn, Jr.. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1986-05-13.

Method of fabricating a shallow-trench isolation structure in integrated circuit

Номер патента: US5960299A. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Tri-Rung Yew. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-09-28.

Process for and structure of high density VLSI circuits, having self-aligned gates and contacts for FET devices and conducting lines

Номер патента: US4506437A. Автор: Gordon C. Godejahn, Jr.. Владелец: Rockwell International Corp. Дата публикации: 1985-03-26.

Dynamic isolation of conductivity modulation states in integrated circuits

Номер патента: US4224083A. Автор: Michael W. Cresswell. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-09-23.

Method for fabricating minute openings in integrated circuits

Номер патента: CA1048331A. Автор: Ingrid E. Magdo,Steven Magdo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1979-02-13.

Buried Trench Isolation in Integrated Circuits

Номер патента: US20150262838A1. Автор: Simon Chan,Lei Xue,Rinji Sugino,Ching-Huang Lu. Владелец: SPANSION LLC. Дата публикации: 2015-09-17.

Suppression of parasitic acoustic waves in integrated circuit devices

Номер патента: US20230216471A1. Автор: Wayne Mack Struble,Timothy E. Boles,Gabriel R. Cueva. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Buried Trench Isolation in Integrated Circuits

Номер патента: US20160211321A1. Автор: Lei Xue,Rinji Sugino,Ching-Huang Lu,Simon Siu-Sing Chan. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-07-21.

Methods for fabricating high-density integrated circuit devices

Номер патента: US09547740B2. Автор: Xi-Wei Lin,Victor Moroz. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20060292806A1. Автор: Norihito Nakamoto. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2006-12-28.

Source Driving Integrated Circuits Including an Electrostatic Discharge Circuit and Related Layout Method

Номер патента: US20140301001A1. Автор: Young-Jin Cho,Hong-Yeon Kim,Youn-Ho Hwang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-10-09.

Process for forming vias on integrated circuits

Номер патента: CA1249072A. Автор: Michael E. Thomas,Robert L. Brown. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 1989-01-17.

In-situ SiON deposition/bake/TEOS deposition process for reduction of defects in interlevel dielectric for integrated circuit interconnects

Номер патента: US6124217A. Автор: Minh Van Ngo,Sey-Ping Sun,Mark I. Gardner. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-09-26.

Apparatus and method of surface treatment for electrolytic and electroless plating of metals in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US20030034251A1. Автор: Chi-Hwa Tsang,Vinay Chikarmane. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2003-02-20.

Method of fabricating polycrystalline silicon resistors in integrated circuit structures using outdiffusion

Номер патента: US4502894A. Автор: John Y. W. Seto,Ken K. Y. Su. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1985-03-05.

Integrated circuits having stepped dielectric regions

Номер патента: US4676869A. Автор: Kuo-Hua Lee,Samuel E. Polanco. Владелец: AMERICAN TELEPHONE AND TELEGRAPH Co AT&T BELL LABORATORIES. Дата публикации: 1987-06-30.

Integrated circuits having stepped dielectric regions

Номер патента: USRE33622E. Автор: Kuo-Hua Lee,Samuel E. Polanco. Владелец: AT&T Bell Laboratories Inc. Дата публикации: 1991-06-25.

Films doped with carbon for use in integrated circuit technology

Номер патента: US20040164336A1. Автор: John Moore,Ronald Weimer. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2004-08-26.

Diffusion barrier for copper lines in integrated circuits

Номер патента: EP1507289A3. Автор: Stephan Grunow,Satyavolu S. Papa Rao,Noel M. Russell. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2005-03-23.

Dual damascene structure for the wiring-line structures of multi-level interconnects in integrated circuit

Номер патента: US20030189254A1. Автор: Water Lur,Shih-Wei Sun,Yimin Huang,Tri-Rung Yew. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-09.

Gate-all-around field-effect transistors in integrated circuits

Номер патента: US11968819B2. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Gate-All-Around Field Effect Transistors In Integrated Circuits

Номер патента: US20210202498A1. Автор: Jhon Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Method and device for permanent connection of integrated circuit to substrate

Номер патента: RU2381592C2. Автор: Уве АУГСТ. Владелец: Муэлбауэр Аг. Дата публикации: 2010-02-10.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US20190293711A1. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2019-09-26.

Integrated circuit chip and semiconductor device including the same

Номер патента: US10761132B2. Автор: Dong-Uk Lee. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-09-01.

Method and apparatus for sharing internal power supplies in integrated circuit devices

Номер патента: EP2643835A1. Автор: Peter Gillingham. Владелец: Mosaid Technologies Inc. Дата публикации: 2013-10-02.

Touch display substrate, integrated circuit chip and display device

Номер патента: US20240281089A1. Автор: Jiandong Guo,Yan Liu,Zhongshan WU,Xiaoyuan Wang. Владелец: Chongqing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuits, methods of forming the same, and methods of determining gate dielectric layer electrical thickness in integrated circuits

Номер патента: US09911665B2. Автор: Sung Mun Jung,Ling Wu,Yi Tat Lim,Wenhu Liu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2018-03-06.

Systems and methods for providing distributed batteries in integrated circuits

Номер патента: US20240234345A1. Автор: Swarup Bhunia,Peyman Dehghanzadeh. Владелец: University of Florida Research Foundation Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Controlling warping in integrated circuit devices

Номер патента: US20110250742A1. Автор: John W. Osenbach,Weidong Xie,Thomas H. Shilling. Владелец: Agere Systems LLC. Дата публикации: 2011-10-13.

Integrated circuit device

Номер патента: US20240304661A1. Автор: Seil Oh,Changsik YOO,Inseok Baek,Gina Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-12.

Physical unclonable functions in integrated circuit chip packaging for security

Номер патента: CA3038545A1. Автор: James Paul Drummond,Gary A. Denton,Kelly Ann Killeen,Carl E. Sullivan,Stephen P. BUSH. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2020-09-29.

Signal distribution in integrated circuit using optical through silicon via

Номер патента: US09543463B2. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Signal distribution in integrated circuit using optical through silicon via

Номер патента: US09496447B2. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Biasing device for low parasitic capacitance in integrated circuit applications

Номер патента: US20060237820A1. Автор: Chun-Ying Chen. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2006-10-26.

Process for manufacturing devices for power applications in integrated circuits

Номер патента: US20150140767A1. Автор: Giuseppe Croce,Andrea Paleari,Paolo GATTARI,Alessandro DUNDULACHI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2015-05-21.

Integrated circuit assembly preventing intrusions into electronic circuitry

Номер патента: US5761054A. Автор: Harry A. Kuhn. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 1998-06-02.

Memory devices having data lines included in top and bottom conductive lines

Номер патента: US09437253B2. Автор: Toru Tanzawa. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Smart integrated semiconductor light emitting system including nitride based light emitting diodes (led) and application specific integrated circuits (asic)

Номер патента: WO2013078768A1. Автор: Trung Tri Doan,Chen-Fu Chu,Wen-Huang Liu,Yung Wei Chen,Tien Wei Tan. Владелец: SEMILEDS OPTOELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-06.

Method for post decomposition density balancing in integrated circuit layouts, related system and program product

Номер патента: US20140065728A1. Автор: Kanak B. Agarwal,Lars W. Liebmann,Shayak Banerjee. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-06.

Fabrication of phase change memory cell in integrated circuit

Номер патента: US20200295261A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Barry Linder,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Structure and method for determining a defect in integrated circuit manufacturing process

Номер патента: US9035674B2. Автор: HONG Xiao,Jack Y. Jau,CHANG CHUN YEH. Владелец: Hermes Microvision Inc. Дата публикации: 2015-05-19.

Controlling removal rate uniformity of an electropolishing process in integrated circuit fabrication

Номер патента: WO2005059970A3. Автор: HUI Wang,Felix Gutman,Himanshu J Chokshi. Владелец: Himanshu J Chokshi. Дата публикации: 2009-04-02.

Determining intra-die wirebond pad placement locations in integrated circuit

Номер патента: US8448118B2. Автор: Haruo Itoh,Richard S. Graf,Wai Ling Chung-Maloney. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-21.

Energy harvesting in integrated circuit packages

Номер патента: US20130134544A1. Автор: Henry L. Sanchez. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2013-05-30.

Optical interconnects in integrated circuits

Номер патента: US20040217373A1. Автор: Jianping Xu,Tanay Karnik. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Testing multiple levels in integrated circuit technology development

Номер патента: US6875560B1. Автор: Paul J. Steffan,Shivananda S. Shetty,Jeffrey P. Erhardt. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2005-04-05.

Content addressable memory in integrated circuit

Номер патента: US09583190B2. Автор: Marc Miller,Jimmy Lee Reaves. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Layouts for pads and conductive lines of memory devices, and related devices, systems, and methods

Номер патента: US11742306B2. Автор: Takashi Ishihara. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US11909396B2. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Predictive voltage transient reduction in integrated circuits

Номер патента: US20200408832A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2020-12-31.

Group iii nitride-based monolithic microwave integrated circuits including static random access memory blocks with associated addressing and buffering circuits

Номер патента: US20230361059A1. Автор: Jeremy Fisher. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Methods of routing clock trees, integrated circuits and methods of designing integrated circuits

Номер патента: US12056430B2. Автор: Bonghyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-06.

Integrated circuit configuration for testing transistors, and a semiconductor wafer having such a circuit configuration

Номер патента: US20010052789A1. Автор: Valentin Rosskopf,Günter Gerstmeier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2001-12-20.

Misted deposition method of fabricating integrated circuits

Номер патента: US5888583A. Автор: Carlos A. Paz de Araujo,Larry D. McMillan,Tommy L. Roberts. Владелец: Symetrix Corp. Дата публикации: 1999-03-30.

Integrated circuit product and chip floorplan arrangement thereof

Номер патента: US12100687B2. Автор: Kai-Ting Ho,Wen-Hsi Lin. Владелец: ALCHIP TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Integrated circuit with well and substrate contacts

Номер патента: US09679915B2. Автор: Sang Hoo Dhong,Kuo-Feng Tseng,Cheng-Chung Lin,Hui-Zhong ZHUANG,Lee-Chung Lu,Ho-Chieh Hsieh,Ming-Zhang Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Card with built-in integrated circuit and its manufacturing process

Номер патента: RU2170457C2. Автор: Манфред Фрис,Тис Янчек. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2001-07-10.

Integrated circuit with a reduced pad bump area and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20080093737A1. Автор: Ming-Cheng Chiu,Chien-Pin Chen,Chan-Liang Wu. Владелец: Himax Technologies Ltd. Дата публикации: 2008-04-24.

Integrated circuits having magnetic tunnel junctions (MTJ) and methods for fabricating the same

Номер патента: US9299745B2. Автор: Xunyuan Zhang,Kunaljeet Tanwar,Sean Xuan Lin. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-29.

Semiconductor device with a variable integrated circuit chip bump pitch

Номер патента: WO2011096800A3. Автор: Petrus Johannes Gerardus Van Lieshout. Владелец: Polymer Vision B.V.. Дата публикации: 2012-04-26.

Method for testing, burning-in, and manufacturing wafer scale integrated circuits and a packaged wafer assembly produced thereby

Номер патента: US5440241A. Автор: Warren M. Farnworth,Jerry M. Brooks,Jerrold L. King,George P. McGill. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1995-08-08.

Integrated circuit including a capacitor and method

Номер патента: US20090242952A1. Автор: Steffen Meyer,Frank Heinrichsdorff,Jens Schmidt. Владелец: Qimonda AG. Дата публикации: 2009-10-01.

Signal distribution in integrated circuit using optical through silicon via

Номер патента: US20160118528A1. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Method for the mitigation of hot spots in integrated circuits chip

Номер патента: EP1750303A3. Автор: Shih-Chia Chang,Poh-Seng Lee. Владелец: Delphi Technologies Inc. Дата публикации: 2010-03-10.

Methods and apparatus utilizing conjugated polymers in integrated circuit packages with glass substrates

Номер патента: US20240107784A1. Автор: Benjamin DUONG,Shayan Kaviani,Miranda Ngan,Mahdi Mohammadighaleni. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Signal distribution in integrated circuit using optical through silicon via

Номер патента: US20160118529A1. Автор: Effendi Leobandung,Dieter Wendel,James D. Warnock. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-04-28.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240107775A1. Автор: Jihong Kim,Hyunmook Choi,Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Thermocompression bonding in integrated circuit packaging

Номер патента: CA2024012A1. Автор: Sung K. Kang,Michael J. Palmer,Timothy C. Reiley,Robert D. Topa. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1991-02-26.

An integrated circuit chip assembly and a method of mounting an integrated circuit chip to external circuitry

Номер патента: GB2601989A. Автор: Light Roger,KNIGHT Luke,SUMMERLAND David. Владелец: Search For the Next Ltd. Дата публикации: 2022-06-22.

Active bypass for inhibiting high-frequency supply voltage variations in integrated circuits

Номер патента: US5049764A. Автор: Robert G. Meyer. Владелец: North American Philips Corp. Дата публикации: 1991-09-17.

Inkjet printer for forming crisscrossed conductive lines of thin-film solar module and automated metallization system

Номер патента: WO2023141884A1. Автор: Xiaojun Lei,Yilei SHEN,Bala-Krishna GADDIGOPULA,Chenbo Xie. Владелец: CNBM Research Institute for Advanced Glass Materials Group Co., Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Integrated circuit device

Номер патента: IE53793B1. Автор: . Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 1989-02-15.

Integrated circuit device

Номер патента: EP4395496A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-03.

Applying conductive lines to integrated circuits

Номер патента: US5289632A. Автор: Laertis Economikos,James L. Speidell,Pedro A. Chalco,Matthew F. Cali. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1994-03-01.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240107779A1. Автор: Hyunmog Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-03-28.

Method for forming crisscrossed conductive lines of thin-film solar module

Номер патента: EP4295417A1. Автор: Yilei SHEN,Bala-Krishna GADDIGOPULA. Владелец: Triumph Science & Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-27.

Semiconductor integrated circuit device and its manufacturing method

Номер патента: US20060205130A1. Автор: Shoji Shukuri. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Integrated circuit product and chip floorplan arrangement thereof

Номер патента: US20220310562A1. Автор: Kai-Ting Ho,Wen-Hsi Lin. Владелец: ALCHIP TECHNOLOGIES Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Integrated circuit resistors

Номер патента: GB2182488A. Автор: Roger Leslie Baker. Владелец: STC PLC. Дата публикации: 1987-05-13.

Conducting electrode layers for ferroelectric capacitors in integrated circuits and method

Номер патента: US5142437A. Автор: Lee Kammerdiner,Maria Huffman,Manoochehr Golabi-Khoozani. Владелец: Ramtron International Corp. Дата публикации: 1992-08-25.

Gradient-doped sacrificial layers in integrated circuit structures

Номер патента: WO2022108655A1. Автор: Willy Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2022-05-27.

Fabrication of phase change memory cell in integrated circuit

Номер патента: US20210020836A1. Автор: Chih-Chao Yang,Baozhen Li,Barry Linder,Andrew Tae Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240224514A1. Автор: Jiyoung Kim,Junhyoung Kim,Sukkang SUNG,Jimo GU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor integrated circuit and layout designing method of the same

Номер патента: US20070061770A1. Автор: Tsutomu Kobayashi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-03-15.

Interferometer array imaging system using photonic integrated circuit cards

Номер патента: US09754985B1. Автор: Richard L. Kendrick,Alan L. Duncan,David M. Stubbs. Владелец: Lockheed Martin Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Integrated circuit device mountable on both sides of a substrate and electronic apparatus

Номер патента: US20070055812A1. Автор: Naoki Ii,Fumikazu Komatsu. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2007-03-08.

Semiconductor devices including conductive lines and methods of forming the semiconductor devices

Номер патента: US09911693B2. Автор: William R. Brown,David A. Kewley,Tim H. Bossart,Nikolay A. Mirin,Jenna L. Russon,Brian R. Watson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Yield enhancing vertical redundancy method for 3D wafer level packaged (WLP) integrated circuit systems

Номер патента: US09425110B1. Автор: Xianglin Zeng,Jose G. Padilla,Roger S. Tsai,Shih-En Shih,Philip W. HON. Владелец: Northrop Grumman Systems Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Integrated-circuit module and its manufacturing process

Номер патента: RU2165660C2. Автор: Михель Хубер,Петер Штампка,Франк ПЮШНЕР,Юрген ФИШЕР,Йозеф ХАЙТЦЕР. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2001-04-20.

Circuit, structure and method of testing a semiconductor, such as an integrated circuit

Номер патента: US6111269A. Автор: Nathan Y. Moyal. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-08-29.

Semiconductor integrated circuit capable of driving large loads within its internal core area

Номер патента: US6172547B1. Автор: Moto Yokoyama. Владелец: Yamaha Corp. Дата публикации: 2001-01-09.

Integrated circuit and associated design method using spare gate islands

Номер патента: US20020163354A1. Автор: John Schadt,Anthony Myers,Craig Bingert,Christopher Gorsuch,Oscar Mercado,Brian Yeager. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2002-11-07.

Architectures for backside power delivery with stacked integrated circuit devices

Номер патента: US20240213235A1. Автор: Gang Duan,Srinivas PIETAMBARAM,Suddhasattwa NAD,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Terahertz-wave device and terahetz-wave integrated circuits

Номер патента: US20160178843A1. Автор: Masayuki Fujita,Tadao Nagatsuma,Dai Onishi,Kazuisao TSURUDA. Владелец: Osaka University NUC. Дата публикации: 2016-06-23.

Integrated circuit structure, display module, and inspection method thereof

Номер патента: US20180188572A1. Автор: Neng-Yi Lin,Chien-Chih Liu. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2018-07-05.

Integrated circuit for driving semiconductor device and power converter

Номер патента: EP1594164A4. Автор: Yoshimasa Takahashi,Masahiro Iwamura,Mutsuhiro Mori,Masashi Yura,Naoki Sakurai. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2010-08-25.

Through-board decoupling capacitance arrangements for integrated circuit devices

Номер патента: WO2020263422A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Balun circuit and integrated circuit device

Номер патента: US20100117755A1. Автор: Yasuhiro Hamada. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Downhole signal-conducting and power-conducting flexible cable

Номер патента: US20230407710A1. Автор: Sigurd Solem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-21.

Power integrated circuit with autonomous limit checking of ADC channel measurements

Номер патента: US09791482B1. Автор: Hiroshi Watanabe,John H. Carpenter, Jr.,Brett E. Smith. Владелец: Active Semi BVI Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Power integrated circuit with autonomous limit checking of ADC channel measurements

Номер патента: US09721742B1. Автор: Hiroshi Watanabe,John H. Carpenter, Jr.,Brett E. Smith. Владелец: Active Semi BVI Inc. Дата публикации: 2017-08-01.

Spoolable signal conduction and connection line and method

Номер патента: WO2011097445A2. Автор: Luis E. Mendez,Don A. Hopmann,Darin Duphorne,Darin Willauer. Владелец: BAKER HUGHES INCORPORATED. Дата публикации: 2011-08-11.

Magnetically enhanced electrical signal conduction apparatus and methods

Номер патента: US09992869B2. Автор: Ricky David Schultz. Владелец: Magnetic Innovations LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Transformer synthesis and optimization in integrated circuit design

Номер патента: US09824165B2. Автор: Sotirios Bantas,Konstantinos Karouzakis,Stefanos Stefanou,Apostolos Liapis,Labros Kokkalas,Konstantinos Nikellis,Errikos Lourandakis. Владелец: Helic SA. Дата публикации: 2017-11-21.

High-ratio-accuracy capacitor geometries for integrated circuits

Номер патента: CA1121915A. Автор: Michael F. Tompsett,Donald L. Fraser, Jr.. Владелец: Western Electric Co Inc. Дата публикации: 1982-04-13.

Integrated circuit with analog connection matrix

Номер патента: CA2563557A1. Автор: Josep Montanya Silvestre. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-10-27.

Integrated circuit arrangement for current regulation

Номер патента: US20070288188A1. Автор: Manfred Steiner,Harald Panhofer,Victor Kahr. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-12-13.

Integrated circuit with analog connection matrix

Номер патента: WO2005101442A1. Автор: Silvestre Josep Montanyà. Владелец: Baolab Microsystems S.L.. Дата публикации: 2005-10-27.

Integrated circuit package comprising a crossed dipole antenna

Номер патента: US12021297B2. Автор: Imran Aziz,Dragos Dancila,Erik Öjefors,Johanna Hanning. Владелец: Sivers Wireless AB. Дата публикации: 2024-06-25.

Optical integrated circuit device array having bi-directional characteristics and optical system using the same

Номер патента: US20190227150A1. Автор: Dong-sik Shim,Chang-Bum Lee,Kyoung-ho Ha,Dong-Jae Shin,Seong-Gu Kim,Jung-Ho Cha,Chang-Gyun Shin,Yong-Hwack SHIN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-07-25.

Stir device for a base on an integrated circuit chip

Номер патента: US20030124898A1. Автор: Che-Chia Chang. Владелец: Comax Technology Inc. Дата публикации: 2003-07-03.

INTEGRATED CIRCUIT CARD COMPRISING CONDUCTIVE LINES REMOTE FROM THE CORNERS OF THE INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: FR2748589A1. Автор: Michel Gaumet. Владелец: Solaic SA. Дата публикации: 1997-11-14.

Electronic circuit arrangement, in particular for integrated circuits, with at least one bistable multivibrator

Номер патента: AT320022B. Автор: . Владелец: FOERDERUNG FORSCHUNG GmbH. Дата публикации: 1975-01-27.

Special-purpose cryptographic integrated circuit, which includes encoded in the circuit conversion function

Номер патента: RU2708358C1. Автор: ДЕ КАСТРО Эдвард Л. РОДРИГЕС,Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2019-12-05.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP3799384A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-03-31.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US20170103157A1. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-04-13.

Methods and apparatus to mitigate hotspots in integrated circuit packages using gimbaling nozzles and jet vectoring impingement

Номер патента: US20240276675A1. Автор: Patrick L. Connor,Prabhakar SUBRAHMANYAM,Mark Lawrence Bianco,Vishnu Prasadh Sugumar,Ying Feng Pang. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-15.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US09697318B2. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Integrated circuit including back side conductive lines for clock signals

Номер патента: US20210344346A1. Автор: Kam-Tou SIO,Jiun-Wei Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Method and device for loading data in integrated- circuit card

Номер патента: RU2223546C2. Автор: Рудольф Риттер,Эрик ЛАУПЕР. Владелец: Свисском Мобиле Аг. Дата публикации: 2004-02-10.

Circuits And Methods For Controlling Debugging Firmware In Integrated Circuit Devices

Номер патента: US20220318022A1. Автор: Sen Li. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Voltage regulator and image forming apparatus that equalize required voltage of a plurality of cores included in integrated circuit

Номер патента: US09964912B2. Автор: Tetsuo Tomimatsu. Владелец: Kyocera Document Solutions Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Apparatuses and methods to suppress power supply noise harmonics in integrated circuits

Номер патента: US20140021993A1. Автор: Vivek Singhal,Sumanth Reddy PODDUTUR,Prakash Narayanan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Detection and Correction of Single Event Upset (SEU) in Integrated Circuit

Номер патента: US20210091754A1. Автор: Younes Lotfi. Владелец: Cobham Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

High-speed low-power integrated circuit interconnects

Номер патента: WO2007137947A3. Автор: Satyajit Dutta,Zhibin Cheng,Peter Klim. Владелец: Peter Klim. Дата публикации: 2008-02-28.

High-speed low-power integrated circuit interconnects

Номер патента: WO2007137947A2. Автор: Satyajit Dutta,Zhibin Cheng,Peter Klim. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2007-12-06.

High-speed low-power integrated circuit interconnects

Номер патента: EP2022172A2. Автор: Satyajit Dutta,Zhibin Cheng,Peter Klim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-02-11.

Integrated circuit with an input multiplexer system

Номер патента: US20220166395A1. Автор: Ranga Seshu Paladugu,Hanqing Xing,Soon G. Lim,Carmelo Morello. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Extending drive capability in integrated circuits utilizing programmable-voltage output circuits

Номер патента: US20090167357A1. Автор: Po-Shen Lai,Vaibhavi Sabharanjak,Lakhdar Iguelmamene,Ralph Heron. Владелец: SanDisk Corp. Дата публикации: 2009-07-02.

Extending drive capability in integrated circuits utilizing programmable-voltage output circuits

Номер патента: WO2009088695A2. Автор: Po-Shen Lai,Vaibhavi Sabharanjak,Lakhdar Iguelmamene,Ralph Heron. Владелец: SanDisk Corporation. Дата публикации: 2009-07-16.

Reducing leakage currents in integrated circuits

Номер патента: US20020158665A1. Автор: Vivek De,Yibin Ye,James Tschanz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Programmable stream switches and functional safety circuits in integrated circuits

Номер патента: US20240195418A1. Автор: Karl Henrik Goran Bilski. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

MOS Transistor type integrated circuit for the execution of logical operations on a plurality of data signals

Номер патента: US4453096A. Автор: Claude J. P. F. Le Can,Karel Hart. Владелец: US Philips Corp. Дата публикации: 1984-06-05.

Method for reducing non-volatile memory fragmentation in integrated circuit cards, corresponding card and apparatus

Номер патента: US20230019427A1. Автор: Francesco CASERTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-01-19.

Physical Unclonable Functions In Integrated Circuit Chip Packaging For Security

Номер патента: AU2019202239A1. Автор: James Paul Drummond,Gary A. Denton,Kelly Ann Killeen,Carl E. Sullivan,Stephen P. BUSH. Владелец: Lexmark International Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Variable capacitor used in integrated circuit of differential structure

Номер патента: US09685908B1. Автор: Chang Kun Park,Mi Lim LEE,Ga Yeon Ko. Владелец: FOUNDATION OF SOONGSIL UNIVERSITY INDUSTRY COOPERATION. Дата публикации: 2017-06-20.

Integrated circuit, interface circuit and method

Номер патента: US11837281B2. Автор: Mei-Chen Chuang. Владелец: Integrated Circuit Interface Circuit And Method. Дата публикации: 2023-12-05.

Semiconductor wafer and method for auto-calibrating integrated circuit chips using pll at wafer level

Номер патента: US20130278309A1. Автор: Heyung Sub Lee,Hyunseok Kim,Su Na CHOI,Cheol Sig Pyo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor wafer and method for auto-calibrating integrated circuit chips at wafer level

Номер патента: US20130278305A1. Автор: Heyung Sub Lee,Hyunseok Kim,Su Na CHOI,Cheol Sig Pyo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor wafer and method for auto-calibrating integrated circuit chips using PLL at wafer level

Номер патента: US9030217B2. Автор: Heyung Sub Lee,Hyunseok Kim,Su Na CHOI,Cheol Sig Pyo. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2015-05-12.

Integrated circuit device and methods

Номер патента: US20240161797A1. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Voltage control integrated circuit devices

Номер патента: US20150029806A1. Автор: Liang Qiao,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2015-01-29.

Voltage control integrated circuit devices

Номер патента: US09659602B2. Автор: Liang Qiao,Xinwei Guo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-23.

Relatively unique ID in integrated circuit

Номер патента: US20040181303A1. Автор: Simon Walmsley. Владелец: SILVERBROOK RESEARCH PTY LTD. Дата публикации: 2004-09-16.

Method for remote provisioning of software modules in integrated circuit cards, corresponding apparatus and computer program product

Номер патента: US20240214817A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-06-27.

Adaptive silicon carbide gate drivers in integrated circuit form

Номер патента: US20240072637A1. Автор: Xia DU,H. Alan Mantooth,Yuqi Wei,Liyang Du,Andrea Stratta,Asif Faruque. Владелец: Board Oftrustees Of University Of Arkansas. Дата публикации: 2024-02-29.

System and method for testing clocking systems in integrated circuits

Номер патента: US20230251310A1. Автор: Abhishek Mahajan,Nikila Krishnamoorthy,Rishabh Kaistha,Varsha Bansal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-08-10.

Ferroelectrics and ferromagnetics for noise isolation in integrated circuits, packaging, and system architectures

Номер патента: US20100103639A1. Автор: Madhavan Swaminathan,Jin Hyun Hwang,Markondeya Raj Pulugurtha,Rao Tummala,Mahadevan Krishna Iyer,Isaac Robin Abothu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-04-29.

SYSTEMS FOR REDUCING MAGNETIC COUPLING IN INTEGRATED CIRCUITS (ICs), AND RELATED COMPONENTS AND METHODS

Номер патента: WO2014197364A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Daeik D. KIM,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2014-12-11.

Security in integrated circuits

Номер патента: US20240265100A1. Автор: Frode Pedersen. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2024-08-08.

Digitally adjustable amplifier for integrated circuit

Номер патента: US7135916B2. Автор: Albrecht Schmidt. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-11-14.

System and method for managing secure memories in integrated circuits

Номер патента: US12124347B2. Автор: Neha Srivastava,Gautam TIKOO,Harshit Saxena. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-10-22.

Dynamic noise mitigation in integrated circuit devices using local clock buffers

Номер патента: US09712112B1. Автор: II John E. Sheets,Kirk D. Peterson,Andrew A. Turner,Miles C. Pedrone. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-18.

Integrated circuit arrangement, method and system for use in a safety-critical application

Номер патента: US09647449B2. Автор: Markus Zannoth. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-05-09.

Three-dimensional ferroelectric integrated circuit having insulation layer between memory layers

Номер патента: US5487031A. Автор: Bruce E. Gnade,Russell F. Pinizzotto,Christopher L. Littler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1996-01-23.

Integrated circuit device having a switched routing network

Номер патента: US5898677A. Автор: Carlos Dangelo,Richard Deeley. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 1999-04-27.

Component carrier with signal conductive element and shielding conductive structure

Номер патента: EP4312470A1. Автор: Johannes Stahr,Mario SCHOBER. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2024-01-31.

Component carrier with signal conductive element and shielding conductive structure

Номер патента: WO2024022699A1. Автор: Johannes Stahr,Antti LAMMINEN,Mario SCHOBER,Mikko Kaunisto,Vladimir Ermolow. Владелец: AT & S Austria Technologie & Systemtechnik Aktiengesellschaft. Дата публикации: 2024-02-01.

Component carrier with signal conductive element and shielding conductive structure

Номер патента: EP4312471A1. Автор: Johannes Stahr,Antti LAMMINEN,Mario SCHOBER,Mikko Kaunisto,Vladimir Ermolow. Владелец: AT&S Austria Technologie und Systemtechnik AG. Дата публикации: 2024-01-31.

Techniques for reducing uneven aging in integrated circuits

Номер патента: US11799485B2. Автор: Herman Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-24.

State visibility and manipulation in integrated circuits

Номер патента: US20170262563A1. Автор: Michael Hutton,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Circuits And Methods For Accessing Signals In Integrated Circuits

Номер патента: US20220077856A1. Автор: Yi Peng,Mahesh A. Iyer,Krishna Nagar,Brandon Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Noise reduction in integrated circuits and circuit assemblies

Номер патента: WO1996037978A1. Автор: Jean-Yves Michel,Alan G. Corry,Graham Y. Mostyn. Владелец: MICROUNITY SYSTEMS ENGINEERING, INC.. Дата публикации: 1996-11-28.

Techniques For Reducing Uneven Aging In Integrated Circuits

Номер патента: US20190097635A1. Автор: Herman Schmit. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Integrated circuit chip for receiver collecting signals from satellites

Номер патента: US20160036400A1. Автор: Shi-Ming Wu,Meng-Ping Kan. Владелец: Rafael Microelectronics Inc. Дата публикации: 2016-02-04.

Integrated circuit chip for receiver collecting signals from satellites

Номер патента: US09819409B2. Автор: Shi-Ming Wu,Meng-Ping Kan. Владелец: Rafael Microelectronics Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Integrated circuits with clock selection circuitry

Номер патента: US09515880B1. Автор: Andrew Bellis,Ramanand Venkata,David W. Mendel,Victor Maruri,Henry Y. Lui. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Secure feature and key management in integrated circuits

Номер патента: US20230388290A1. Автор: Paul Carl Kocher,Andrew John LEISERSON,Benjamin Chen-Min Jun. Владелец: Cryptography Research Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for preventing transients during switching processes in integrated switching circuits, and an integrated switching circuit

Номер патента: US20050062516A1. Автор: Christian Kranz,Ulrich Boetzel,Michael Warmers,Markus Hammes,Andre Neubauer,Frank Gersemsky,Rüdiger Lorenz,Bernd Schmandt. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-24.

Integrated circuit with distributed clock tampering detectors

Номер патента: US09506981B2. Автор: Fabrice Walter. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2016-11-29.

Time limited signal conduction system

Номер патента: US5282248A. Автор: Victor P. DeJoy. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-01-25.

Low voltage pulser circuit for driving row-column conductor arrays of a gas discharge display capable of being made in integrated circuit form

Номер патента: US3673431A. Автор: Thomas Edward O'Brien. Владелец: Owens Illinois Inc. Дата публикации: 1972-06-27.

Using linked-lists to create feature rich finite-state machines in integrated circuits

Номер патента: US20180314221A1. Автор: Navdeep Singh Dhanjal,Shengbing Zhou. Владелец: Analog Devices Global ULC. Дата публикации: 2018-11-01.

Fault detection in integrated circuits

Номер патента: US20230100245A1. Автор: Kadaba Lakshmikumar,Sanjay Sunder,Alexander C. Kurylak. Владелец: Cisco Technology Inc. Дата публикации: 2023-03-30.

Detection and Correction of Single Event Upset (SEU) in Integrated Circuit

Номер патента: US20220209753A1. Автор: Younes Lotfi. Владелец: CAES Colorado Springs LLC. Дата публикации: 2022-06-30.

Detection and correction of single event upset (SEU) in integrated circuit

Номер патента: US11283431B2. Автор: Younes Lotfi. Владелец: Cobham Colorado Springs Inc. Дата публикации: 2022-03-22.

Image cancelling mixer circuit on an integrated circuit chip

Номер патента: CA2065283C. Автор: Carl R. Battjes,Don H. Atherly. Владелец: Seiko Corp. Дата публикации: 2001-07-10.

Calibrated biasing of sleep transistor in integrated circuits

Номер патента: US20190044512A1. Автор: Charles Augustine,Muhammad Khellah,Suyoung BANG,Pascal MEINERZHAGEN,Minki Cho. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-02-07.

Integrated circuits for AC LED lamps and control methods thereof

Номер патента: US09668311B1. Автор: Wei-Ming Chen. Владелец: Analog Integrations Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Combined memories in integrated circuits

Номер патента: US8347254B2. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-01-01.

Combined memories in integrated circuits

Номер патента: US20080109775A1. Автор: Robert Norman. Владелец: Unity Semiconductor Corp. Дата публикации: 2008-05-08.

Integrated circuit arrangement for a telephone subscriber station

Номер патента: US3955053A. Автор: Peter Picard. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1976-05-04.

Multiplexer structures for use in making controllable interconnections in integrated circuits.

Номер патента: US5486775A. Автор: Kerry Veenstra. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 1996-01-23.

Method for reducing non-volatile memory fragmentation in integrated circuit cards, corresponding card and apparatus

Номер патента: US11995333B2. Автор: Francesco CASERTA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-28.

Adaptive Frequency Control in Integrated Circuits

Номер патента: US20230280816A1. Автор: Derek James Basehore,Nick Sanders. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Integrated circuit device and electronic system including the same

Номер патента: US20240196618A1. Автор: JaeMin JUNG,Byongju Kim,Wonjun PARK,Donghwa LEE,Changheon Cheon,Dongsung Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Mixed-radix and/or mixed-mode switch matrix architecture and integrated circuit, and method of operating same

Номер патента: US09793898B2. Автор: Cheng C. Wang. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Mixed-radix and/or mixed-mode switch matrix architecture and integrated circuit, and method of operating same

Номер патента: US09503092B2. Автор: Cheng C. Wang. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Integrated circuit frequency divider having low power consumption

Номер патента: US3715604A. Автор: W Rapshys. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1973-02-06.

Circuit and technique for adjusting and accurately controlling clock duty cycles in integrated circuit devices

Номер патента: US7518425B2. Автор: John D. Heightley. Владелец: Promos Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2009-04-14.

Self-aligned conductive line for cross-point magnetic memory integrated circuits

Номер патента: WO2002065475A2. Автор: Xian Ning. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-08-22.

Integrated circuit device implementing 90-degree phase shifter capable of generating output signals having phase difference therebetween at improved accuracy

Номер патента: US20030151439A1. Автор: Takeshi Fukuda. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-08-14.

Method and apparatus for multiplexing pins of an integrated circuit

Номер патента: US20140091728A1. Автор: Donald Pannell. Владелец: MARVELL WORLD TRADE LTD. Дата публикации: 2014-04-03.

Semiconductor integrated circuit and layout design method thereof

Номер патента: US20020003243A1. Автор: Hirotaka Shimoshige. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-01-10.

Semiconductor integrated circuit device including a word line with variable widths

Номер патента: US20240215228A1. Автор: Seok Young KANG. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-06-27.

Clock Distribution and Generation Architecture for Logic Tiles of an Integrated Circuit and Method of Operating Same

Номер патента: US20190334526A1. Автор: Cheng C. Wang,Nitish U. Natu. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2019-10-31.

Clock distribution and generation architecture for logic tiles of an integrated circuit and method of operating same

Номер патента: EP3639370A1. Автор: Cheng C. Wang,Nitish U. Natu. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2020-04-22.

Optimal communication path routing in a system employing interconnected integrated circuit technology

Номер патента: US20060018261A1. Автор: Xavier-François Vigouroux,Bernard Tourancheau,Cédric Koch-Hofer. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2006-01-26.

Integrated circuit including an array of logic tiles, each logic tile including a configurable switch interconnect network

Номер патента: US09906225B2. Автор: Cheng C. Wang. Владелец: Flex Logix Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Security in integrated circuits

Номер патента: WO2022248493A1. Автор: Frode Pedersen. Владелец: NORDIC SEMICONDUCTOR ASA. Дата публикации: 2022-12-01.

System and method for testing clocking systems in integrated circuits

Номер патента: US11879939B2. Автор: Abhishek Mahajan,Nikila Krishnamoorthy,Rishabh Kaistha,Varsha Bansal. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-01-23.

Method and system for generating and regulating local magnetic field variations for spin qubit manipulation using micro-structures in integrated circuits

Номер патента: US20220269971A1. Автор: Nagendra Nagaraja,Umang Garg,Pinakin Mansukhlal Padalia,Amlan Mukherjee,Nihal Sanjay Singh. Владелец: Qpiai India Private Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Method for remote provisioning of software modules in integrated circuit cards, corresponding apparatus and computer program product

Номер патента: US11956638B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-04-09.

Methods and circuitry for reducing intermodulation in integrated transceivers

Номер патента: US20030078022A1. Автор: Yijun Cai. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2003-04-24.

System and method for controlling the drive strength of output drivers in integrated circuit devices

Номер патента: US20070103124A1. Автор: John Heightley. Владелец: United Memories Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

System and method for managing secure memories in integrated circuits

Номер патента: US20240160545A1. Автор: Neha Srivastava,Gautam TIKOO,Harshit Saxena. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-16.

System and methods for generating unclonable security keys in integrated circuits

Номер патента: EP2524334A2. Автор: James Plusquellic,Dhura Acharyya,Ryan L. Helinski. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2012-11-21.

System and method for managing secure memories in integrated circuits

Номер патента: EP4372596A1. Автор: Neha Srivastava,Gautam TIKOO,Harshit Saxena. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-22.

SYSTEMS FOR REDUCING MAGNETIC COUPLING IN INTEGRATED CIRCUITS (ICs), AND RELATED COMPONENTS AND METHODS

Номер патента: EP3005562A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Changhan Yun,Chengjie Zuo,Jonghae Kim,Mario Francisco Velez,Daeik D. KIM,Robert P. MIKULKA,Matthew M. Nowak. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-04-13.

Methods and circuitry for reducing intermodulation in integrated transceivers

Номер патента: EP1304805A3. Автор: Yijun Cai. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2003-06-18.

Authorization of a device being equipped with an embedded universal integrated circuit card

Номер патента: US11743712B2. Автор: Jinhua Feng,Beatriz Grafulla-González,Morgan Lindqvist,Rémi ROBERT. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2023-08-29.

Charge pump circuit, phase locked loop apparatus, integrated circuit, and method of manufacture of a charge pump

Номер патента: US09628093B2. Автор: Didier Salle,Birama GOUMBALLA,Gilles Montoriol. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Integrated digital circuit and a method of manufacturing a digital filter arrangement as an integrated circuit

Номер патента: CA1218423A. Автор: Peter Draheim. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1987-02-24.

Improvements in or relating to circuit-arrangements in which a signal is supplied toa control device

Номер патента: GB694835A. Автор: . Владелец: Philips Electrical Industries Ltd. Дата публикации: 1953-07-29.

Calibrating internal pulses in an integrated circuit

Номер патента: US20200169251A1. Автор: Michael V. Koch,Matthias Ringe,Fatih Cilek,Thomas Makowski,Andreas H.A. Arp. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-28.

Sram device and 3d semiconductor integrated circuit thereof

Номер патента: US20230337443A1. Автор: Tae-hyung Kim,Dong-Wook Seo,Sang-Yeop BAECK,Dae Young Moon,Ho Young TANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Methods and Systems for Achieving System-Level Counterfeit Protection in Integrated Chips

Номер патента: US20160072632A1. Автор: Ronald DeShawn Blanton. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-03-10.

Method for performing common mode voltage re-biasing in analog front-end circuit of receiver, associated common mode voltage re-biasing circuit, associated receiver and associated integrated circuit

Номер патента: US20230253939A1. Автор: Bing-Hung Chen. Владелец: Realtek Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-08-10.

Semiconductor integrated circuit device and method of detecting delay error in the same

Номер патента: US20040113670A1. Автор: Minari Arai. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2004-06-17.

Integrated circuit device of remote control type for driving a D.C. motor

Номер патента: US5218276A. Автор: Hee-Chol Yeom,Tae-Seop Shim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1993-06-08.

Power supply semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20220075004A1. Автор: Kohei Sakurai,Shinichiro Maki. Владелец: Mitsumi Electric Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-10.

Circuits for and methods of reducing duty-cycle distortion in an integrated circuit implementing dual-edge clocking

Номер патента: US09577615B1. Автор: Ilya K. Ganusov,Benjamin S. Devlin. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Radiation hardened chip level integrated recovery apparatus, methods, and integrated circuits

Номер патента: US09438025B1. Автор: Stephan P. Athan. Владелец: Defense Electronics Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

PLL-VCO based integrated circuit aging monitor

Номер патента: US09432031B2. Автор: Yuejun Zhang,Pengjun WANG,Zhidi JIANG,Xuelong Zhang. Владелец: Ningbo University. Дата публикации: 2016-08-30.

Special purpose cryptographic integrated circuit comprising conversion function encoded in chain

Номер патента: RU2746014C2. Автор: Эдриан Джордж ПОРТ,Сагар В. РЕДДИ,Эдвард Л. РОДРИГЕС ДЕ КАСТРО. Владелец: БЛОКЧЕЙН АСИКС ЭлЭЛСи. Дата публикации: 2021-04-05.

Driver-Sense Circuit Arrangements in Memory Systems

Номер патента: GB1163789A. Автор: . Владелец: Radio Corporation of America. Дата публикации: 1969-09-10.

Integrated circuit, test method for testing integrated circuit, and electronic device

Номер патента: US20210083672A1. Автор: Shinichi Yasuda,Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor integrated circuit device with a stable operating internal circuit

Номер патента: US6140865A. Автор: Yasunori Kawamura. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2000-10-31.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US20170087831A1. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Liquid discharge apparatus, head unit, capacitive load drive circuit, and integrated circuit device for capacitive load drive

Номер патента: US9550356B2. Автор: Shunichi SHIMA. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2017-01-24.

Integrated circuit arrangement for a microphone, microphone system and method for adjusting one or more circuit parameters of the microphone system

Номер патента: EP3262849A1. Автор: Gino Rocca,Tomasz Hanzlik. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-01-03.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240089622A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor integrated circuit, phase locked loop (PLL) circuit, and system

Номер патента: US12040806B2. Автор: Masatomo Eimitsu. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

Manufacturing method for wireless communications devices employing potentially different versions of integrated circuits

Номер патента: EP1155583A1. Автор: Ronald D. Boesch. Владелец: Ericsson Inc. Дата публикации: 2001-11-21.

Surge protection in semiconductor integrated circuit and semiconductor memory device

Номер патента: US20230198251A1. Автор: Tomohiko Takeuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-06-22.

Circuit for providing resistance to single event upset to pulse width modulator integrated circuit

Номер патента: US20040130368A1. Автор: Steve Baker. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2004-07-08.

Semiconductor integrated circuit, transmitter, and semiconductor device

Номер патента: US20240106348A1. Автор: Toshihiro Yagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Image enhancement using integrated circuit devices having analog inference capability

Номер патента: US11979674B2. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Integrated circuit with logic circuitry and multiple concealing circuits

Номер патента: US20130111224A1. Автор: Kiran Kumar Gunnam,Jay Scott Fuller. Владелец: Certicom Corp. Дата публикации: 2013-05-02.

COUPLING-TYPE SINGLE-POLE DOUBLE-THROW SWITCH ADAPTED fOR RADIO FREQUENCY INTEGRATED CIRCUIT

Номер патента: US20240259019A1. Автор: Yonggang Mao. Владелец: Xian Keruisheng Innovative Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Integrated circuit and electronic device

Номер патента: US20170272078A1. Автор: Masato Oda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-21.

Image Enhancement using Integrated Circuit Devices having Analog Inference Capability

Номер патента: US20240267646A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor integrated circuit that determines power saving mode based on calculated time difference between wakeup signals

Номер патента: US9891689B2. Автор: Yoshihisa KOHARA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor integrated circuit, dll circuit, and duty cycle correction circuit

Номер патента: US20190081631A1. Автор: Masashi Nakata. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-03-14.

Methods and circuits for compensating clock signals having different loads in packaged integrated circuits using phase adjustments

Номер патента: US6175258B1. Автор: Sung-Min Yim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2001-01-16.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20170262331A1. Автор: Takanori Miyoshi,Yoshiyuki Amanuma. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: WO2004059414A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2004-07-15.

One cycle control continuous conduction mode pfc boost converter integrated circuit with integrated power switch and boost converter

Номер патента: EP1576436A1. Автор: Jonathan Adams,Ron Brown,Frank Athari. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2005-09-21.

A communication semiconductor integrated circuit device and a wireless communication system

Номер патента: EP1444778A2. Автор: Akira S.&I. Circuits Hitachi Ltd OKASAKA,Koichi S.&I. Circuits Hitachi Ltd YAHAGI,Masakazu S.&I. Circuits Hitachi Ltd SAKAGAMI,Robert Astle TTPCOM Ltd HENSHAW. Владелец: TTPCom Ltd. Дата публикации: 2004-08-11.

Semiconductor integrated circuit device having pulse generating circuits

Номер патента: US8143924B2. Автор: Hiroyasu Yoshizawa,Toshio Shinomiya,Satoshi Hanazawa. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2012-03-27.

Semiconductor integrated circuit device for converting PECL-signal into TTL-signal

Номер патента: US5448183A. Автор: Toshiyuki Koreeda. Владелец: Kyushu Fujitsu Electronics Ltd. Дата публикации: 1995-09-05.

Testing circuit for semiconductor integrated circuit and testing method using the same

Номер патента: US10083759B2. Автор: Hiroyuki Nakamura. Владелец: MegaChips Corp. Дата публикации: 2018-09-25.

CELL ROW ARRANGEMENT IN REGIONS OF INTEGRATED CIRCUIT LAYOUT

Номер патента: US20210240901A1. Автор: Chen Wen-Hao,KU Chun-Yao,Yu Ming-Tao. Владелец: . Дата публикации: 2021-08-05.

Defect detection system for cavity in integrated circuit

Номер патента: US20240280632A1. Автор: Zhuojie Wu,Yunyao JIANG. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-22.

Integrated circuit

Номер патента: EP4027346A1. Автор: Weibing SHANG,Fengqin Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-07-13.

Conductive line structure

Номер патента: US20090001596A1. Автор: Chin-Lung Lin,Chien-Fu Lee,Yun-Sheng Huang,Hung-Chin Thuang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2009-01-01.

Iterative approach to determine failure threshold associated with desired circuit yield in integrated circuits

Номер патента: US20200379041A1. Автор: TONG Li,David Winston,Richard Daniel Kimmel,Pravin Kamdar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Two-stage signaling for voltage driver coordination in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20210118492A1. Автор: Mingdong Cui,Nathan Joseph Sirocka. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Integrated circuit and method for establishing scan test architecture in integrated circuit

Номер патента: US09535120B2. Автор: Jianguo Ren,Chong Dai,Wen-Hao Hsueh,Fengguo GAO,Shang-Bin HUANG. Владелец: Mediatek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Command signal management in integrated circuit devices

Номер патента: US20160005467A1. Автор: Nicholas Hendrickson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-01-07.

Apparatus and method for flexible visibility in integrated circuits with minimal package impact

Номер патента: US20080170506A1. Автор: William Milton Hurley. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-07-17.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US12093560B2. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-09-17.

Accommodating engineering change orders in integrated circuit design

Номер патента: US09953121B2. Автор: Alok Verma,Saurabh Gupta,Jayaprakash Udhayakumar,Ayan Datta,Rajesh Veerabhadraiah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Autonomous method and apparatus for mitigating soft-errors in integrated circuit memory storage devices at run-time

Номер патента: EP1746505A3. Автор: Robert Morton,David Motz,Toby James Koktan,James Wisener,David Henry Graham,Saida Benlarbi,David Ambrose Stortz. Владелец: Alcatel Lucent SAS. Дата публикации: 2010-02-17.

Path-based congestion reduction in integrated circuit routing

Номер патента: US20160012172A1. Автор: Sourav Saha,Sven Peyer,Harald Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Reliability Screening of Ferroelectric Memories in Integrated Circuits

Номер патента: US20150357050A1. Автор: John A. Rodriguez,Richard Bailey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-12-10.

Method of searching for wiring route in integrated circuit, automatic wiring device for integrated circuit, and program therefor

Номер патента: US20080209384A1. Автор: Ikuo Ohtsuka. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2008-08-28.

Method of Achieving Dense-Pitch Interconnect Patterning in Integrated Circuits

Номер патента: US20090101983A1. Автор: James Walter Blatchford,Steven Lee Prins. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-04-23.

System for providing large rc time constants in integrated circuits

Номер патента: US20100052734A1. Автор: Zhihao Lao,Llchong Zon. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-03-04.

Reliability screening of ferroelectric memories in integrated circuits

Номер патента: US09607717B2. Автор: John A. Rodriguez,Richard Bailey. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Systems and/or methods for anomaly detection and characterization in integrated circuits

Номер патента: CA3137069A1. Автор: Jason Dickens. Владелец: GRAMMATECH Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Systems and/or methods for anomaly detection and characterization in integrated circuits

Номер патента: WO2021002914A2. Автор: Jason Dickens. Владелец: Grammatech, Inc.. Дата публикации: 2021-01-07.

Systems and/or methods for anomaly detection and characterization in integrated circuits

Номер патента: CA3137069C. Автор: Jason Dickens. Владелец: GRAMMATECH Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Apparatus and method for determining process width variations in integrated circuits

Номер патента: US20020060577A1. Автор: Malcolm Smith,John Carelli. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-23.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: WO2021055048A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-03-25.

Methods for forming area-efficient scan chains in integrated circuits, and integrated circuits embodying the same

Номер патента: US7971170B2. Автор: Bruce Eliot Duewer,Richard Dean Putman. Владелец: Cirrus Logic Inc. Дата публикации: 2011-06-28.

Continuous global representation of local data using effective areas in integrated circuit layouts

Номер патента: US20210256189A1. Автор: Ralph Iverson. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-08-19.

Reduction of metal fill insertion time in integrated circuit design process

Номер патента: US20140149953A1. Автор: Fulvio Pugliese,Goran Davidovic,Rupert Kleeberger,Juergen Inderst. Владелец: LSI Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Circuit design visibility in integrated circuit devices

Номер патента: US20240303406A1. Автор: Yi Peng,Brandon Lewis Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Integrated circuit device and signal processing method in integrated circuit device

Номер патента: US09779055B2. Автор: Joon-Ho Lee. Владелец: Samsung SDS Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Apparatus and method for measuring characteristics of dynamic electrical signals in integrated circuits

Номер патента: US20040139406A1. Автор: Steven Kasapi. Владелец: Optonics Inc. Дата публикации: 2004-07-15.

Method of Protecting Sensitive Data in Integrated Circuit and Integrated Circuit Utilizing Same

Номер патента: US20210173793A1. Автор: Alan Maciel Carr. Владелец: Realtek Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Evaluation method, evaluation device, and computer program for evaluating neurotransmitter signals conducted through axon bundles

Номер патента: US20240315631A1. Автор: Shigenori Kinoshita,Yasunari Hosoi,Tomoko Teranishi,Satoshi Ihida,Yuko HIRABE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Protecting hidden content in integrated circuits

Номер патента: US09811690B2. Автор: Alfred L. Crouch,John C. Potter,Jennifer L. Dworak,Adam Zygmontowicz. Владелец: SOUTHERN METHODIST UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-07.

Emulation of synchronous pipeline registers in integrated circuits with asynchronous interconnection resources

Номер патента: US09665670B1. Автор: Bruce B. Pedersen. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Device and method for monitoring functional saffety in integrated circuits (ics)

Номер патента: US20210303379A1. Автор: Radha Krishna Moorthy Sadhu. Владелец: Wipro Ltd. Дата публикации: 2021-09-30.

Reduced power consumption in integrated circuits with fuse controlled redundant circuits

Номер патента: WO2005017913A1. Автор: Wolfgang Hokenmaier. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-02-24.

Integrated Circuit, Memory Cell Array, Memory Module, and Method of Operating an Integrated Circuit

Номер патента: US20090273966A1. Автор: Rainer Leuschner,Ulrich Klostermann,Dietmar Gogl. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-11-05.

Enhanced electron beam (e-beam) apparatus and methodology with nano-scale e-beam probe tips for fault isolation in integrated circuits and other structures

Номер патента: US20240219460A1. Автор: Yunfei WANG,Shuai ZHAO,May Ling Oh,Xianghong Tong,Martin Von Haartman,Hyuk Ju Ryu,Kimberlee CELIO,Prasoon Joshi,Jennifer Huening,Joshua KEVEK,Mitchell SENGER,Tristan DEBORDE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-07-04.

Method to protect program in integrated circuit

Номер патента: US20240211551A1. Автор: David Vigilant,Jean-Roch Coulon,Jerome VASSEUR. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2024-06-27.

Marketing Strategy Processing Method of EDA Tools in the Integrated Circuit Design Industry and System Thereof

Номер патента: NL2032048A. Автор: Chang Chao. Владелец: Chang Chao. Дата публикации: 2023-11-07.

Marketing Strategy Processing Method of EDA Tools in the Integrated Circuit Design Industry and System Thereof

Номер патента: NL2032048B1. Автор: Chang Chao. Владелец: Chang Chao. Дата публикации: 2023-12-08.

Channel less floor-planning in integrated circuits

Номер патента: WO2022093412A1. Автор: Madan Krishnappa,Venugopal Sanaka,Vinod Kumar Lakshmipathi,Babu Suriamoorthy,Pavan Kumar Patibanda. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-05-05.

Channel less floor-planning in integrated circuits

Номер патента: EP4232936A1. Автор: Madan Krishnappa,Venugopal Sanaka,Vinod Kumar Lakshmipathi,Babu Suriamoorthy,Pavan Kumar Patibanda. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-30.

Method to protect program in integrated circuit

Номер патента: EP4327216A1. Автор: David Vigilant,Jean Roch Coulon,Jerome VASSEUR. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2024-02-28.

AC testing of leakage current in integrated circuits using RC time constant

Номер патента: US20040246017A1. Автор: Tawfik Arabi,Gregory Taylor,Dan Murray,Patrick Elwer,Srirama Pedarla. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2004-12-09.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US9910948B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Method to protect program in integrated circuit

Номер патента: WO2022223490A1. Автор: David Vigilant,Jean Roch Coulon,Jerome VASSEUR. Владелец: THALES DIS FRANCE SAS. Дата публикации: 2022-10-27.

Functional circuit block harvesting in integrated circuits

Номер патента: US12061855B2. Автор: Lior Zimet,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-08-13.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10366191B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-30.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10242140B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10417366B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-17.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US10235487B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-19.

Integrated circuit dynamic capacitance matching method, simulation equipment, and storage medium

Номер патента: US20240311539A1. Автор: Zhoujie Wu,Zhong Guan. Владелец: Zhuhai Chipoly Technology Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Accommodating engineering change orders in integrated circuit design

Номер патента: US09965576B2. Автор: Alok Verma,Saurabh Gupta,Jayaprakash Udhayakumar,Ayan Datta,Rajesh Veerabhadraiah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-08.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US09928329B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US09910948B2. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Protecting hidden content in integrated circuits

Номер патента: US09818000B2. Автор: Jennifer L. Dworak. Владелец: SOUTHERN METHODIST UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods and apparatuses including one or more interrupted integrated circuit operations for characterizing radiation effects in integrated circuits

Номер патента: US09620242B1. Автор: Adam Duncan,Matthew Gadlage,Matthew Kay,James David Ingalls,Austin H. Roach. Владелец: US Department of Navy. Дата публикации: 2017-04-11.

Power management circuit, power management method and power management program for controlling power supplied to functional blocks in integrated circuits

Номер патента: US8407507B2. Автор: Hideo Miyake,Takahisa Suzuki. Владелец: Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2013-03-26.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: EP4283508A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-29.

Touch and display sensing integrated circuit and touch display device using the same

Номер патента: US10551954B2. Автор: Pi-Chun Yeh,Ho-Nien Yang,Pei-Hung HSIAO. Владелец: FocalTech Systems Ltd. Дата публикации: 2020-02-04.

Optical mode coupler in integrated photonics

Номер патента: EP4390481A1. Автор: Ruizhi Shi,Alexandre Horth,Jiabao Zheng. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-06-26.

Optical mode coupler in integrated photonics

Номер патента: US20240210620A1. Автор: Ruizhi Shi,Alexandre Horth,Jiabao Zheng. Владелец: NOKIA SOLUTIONS AND NETWORKS OY. Дата публикации: 2024-06-27.

Method for calibrating at least one sensor, in particular a pressure sensor, having at least one signal-conducting connection to at least one signal converter

Номер патента: US20180321106A1. Автор: Heiko Dobrinski,Bastian Kanning,Marc Westrich. Владелец: Hella KGaA Huek and Co. Дата публикации: 2018-11-08.

Method and system for modeling uncertainties in integrated circuits, systems, and fabrication processes

Номер патента: US20060206294A1. Автор: Amith Singhee,James Ma,Rob Rutenbar,Claire Fang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-14.

Programmable circuits for correcting scan-test circuitry defects in integrated circuit designs

Номер патента: US09618579B2. Автор: Kanad Chakraborty. Владелец: Lattice Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Compensating for aging in integrated circuits

Номер патента: US09535473B2. Автор: Michael Frank,Date Jan Willem Noorlag. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Communication system with a signal conduction matrix and surface signal router

Номер патента: GB2384636A. Автор: Zhong-You Shi,Jay D Baker,Lawrence L Kneisel. Владелец: Visteon Global Technologies Inc. Дата публикации: 2003-07-30.

Integrated circuit for memory

Номер патента: US11900991B2. Автор: Weibing SHANG,Fengqin Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-13.

System for optimizing buffers in integrated circuit design timing fixes

Номер патента: US20040261046A1. Автор: Umesh Nair. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2004-12-23.

Circuit and method for specifying performance parameters in integrated circuits

Номер патента: WO1999044752A3. Автор: Troy A Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 1999-10-21.

Circuit and method for specifying performance parameters in integrated circuits

Номер патента: EP1060027A2. Автор: Troy A. Manning. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2000-12-20.

Circuit and method for specifying performance parameters in integrated circuits

Номер патента: US20010002461A1. Автор: Troy Manning. Владелец: Manning Troy A.. Дата публикации: 2001-05-31.

Partial good integrated circuit and method of testing same

Номер патента: US20080010571A1. Автор: Michael Ouellette,Pamela Gillis,Benjamin LYNCH,Carl Barnhart,Leonard Farnsworth,Michael Felske,Thomas St. Pierre,Tad Wilder. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-01-10.

Memory architecture and addressing for optimized density in integrated circuit package or on circuit board

Номер патента: US20010005324A1. Автор: Christophe Chevallier. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2001-06-28.

Characterization of spatial correlation in integrated circuit development

Номер патента: US20200257769A1. Автор: Ning Lu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-13.

Systems And Methods For Thermal Monitoring In Integrated Circuits

Номер патента: US20240027279A1. Автор: Teik Wah Lim,Krishnakumar Varadarajan,Aurelien Mozipo,Juan Cevallos Palomeque,Aanandh Balasubramanian. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-25.

Crossbar Circuits And Methods For External Communication With Logic In Integrated Circuits

Номер патента: US20220334979A1. Автор: Md Altaf Hossain,Ankireddy Nalamalpu,Sreedhar Ravipalli,Mahesh Kumashikar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-10-20.

Method for introducing personalization data in non volatile memories of a plurality of integrated circuits, in particular in integrated circuit cards, corresponding system and computer program product

Номер патента: US20230384969A1. Автор: Marco ALFARANO,Sofia Massascusa. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-11-30.

Method for optimizing light source in integrated circuit manufacturing and electronic device

Номер патента: US20230288816A1. Автор: GE Yan,Ming Ding. Владелец: Shenzhen Jingyuan Information Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Reordering or Removal of Test Patterns for Detecting Faults in Integrated Circuit

Номер патента: US20140289579A1. Автор: Rohit Kapur,Parthajit Bhattacharya,Sushovan Podder. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2014-09-25.

Method and apparatus for providing non-compute unit power control in integrated circuits

Номер патента: US12056535B2. Автор: Indrani Paul,Sonu Arora,Leonardo de Paula Rosa Piga,Mahesh Subramony,Adam N C Clark,Donald Cherepacha. Владелец: ATI TECHNOLOGIES ULC. Дата публикации: 2024-08-06.

Abstraction for Arrays in Integrated Circuit Models

Номер патента: US20130036391A1. Автор: Steven M. German. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-02-07.

Methods and systems for cross-probing in integrated circuit design

Номер патента: WO2005119442A2. Автор: Mark A. Coiley. Владелец: Tera Systems, Inc.. Дата публикации: 2005-12-15.

Integrated circuit defect diagnosis using machine learning

Номер патента: US20210042644A1. Автор: Ronald D. BLANTON,Soumya Mittal. Владелец: CARNEGIE MELLON UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-02-11.

Process sequence for photoresist stripping and/or cleaning of photomasks for integrated circuit manufacturing

Номер патента: EP1649503A2. Автор: Richard Novak,Ismail Kashkoush,Gim-Syang Chen. Владелец: Akrion Inc. Дата публикации: 2006-04-26.

Method of leakage optimization in integrated circuit design

Номер патента: US7448009B2. Автор: Shrikrishna Pundoor. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-11-04.

Power reduction by stage in integrated circuit

Номер патента: US20040217805A1. Автор: Sebastian Ventrone,Kenneth Goodnow,Douglas Stout,John Cohn,Scott Gould. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-11-04.

Apparatus for measuring voltage fluctuation waveform in semiconductor integrated circuit, and semiconductor integrated circuit having function for measuring voltage fluctuation waveform

Номер патента: US20040212387A1. Автор: Keisuke Muraya,Yoshitomo Ozeki. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Methods and devices for regulating the timing of control signals in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20070280033A1. Автор: Chi-wook Kim,Tai-Young Ko. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-12-06.

Selective and Dynamic Deployment of Error Correction Code Techniques in Integrated Circuit Memory Devices

Номер патента: US20240265979A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Dung Viet Nguyen,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Method and system for learning-based shaping flexible blocks on a chip canvas in integrated circuit (ic) design

Номер патента: US20240303408A1. Автор: Te-Wei Chen,Chun-Chih Yang,Tai-Lai Tung,Yi-Ying Liao,Kun-Yu Wang,Bo-Jiun HSU,Sheng-Tai Tseng,Jen-Wei Lee,Ronald Kuo-Hua Ho. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Layout of interconnect lines in integrated circuits

Номер патента: US09904754B2. Автор: Tobias Werner,Silke Penth,Gerhard Hellner,Iris M. Leefken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Layout of interconnect lines in integrated circuits

Номер патента: US09898571B2. Автор: Tobias Werner,Silke Penth,Gerhard Hellner,Iris M. Leefken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Reordering or removal of test patterns for detecting faults in integrated circuit

Номер патента: US09411014B2. Автор: Rohit Kapur,Parthajit Bhattacharya,Sushovan Podder. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2016-08-09.

Buffering systems for accessing multiple layers of memory in integrated circuits

Номер патента: US9715910B2. Автор: Robert Norman. Владелец: III Holdings 1 LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Multiple input signature testing & diagnosis for embedded blocks in integrated circuits

Номер патента: US6158033A. Автор: Kenneth D. Wagner,Mehran Amerian. Владелец: S3 Inc. Дата публикации: 2000-12-05.

Method for manufacture of microneedle in integral version with internal channels

Номер патента: RU2695771C1. Автор: Михаил Ольгердович Рапидов,Олег Вячеславович Панкратов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Игла". Дата публикации: 2019-07-25.

Gear box for power take-off in gas turbine engine consisting of kinematic circuit with engagement lines arranged in non-parallel planes

Номер патента: RU2641777C2. Автор: Беллал ВАИССИ,Стефан ПРЮНЕРА-ЮЗАШ,Жордан ПЕЛЬТЬЕ,Ален Пьер ГАРАССИНО,Франц АРМАНЖ,Ламбер Оливье Мари ДЕМУЛЕН,КАСТРО Нурия ЛЬЯМАС. Владелец: Испано Сюиза. Дата публикации: 2018-01-22.

Integrated circuit for achieving pattern recognition

Номер патента: US5262632A. Автор: William O. Camp, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1993-11-16.

Method and system for fabricating integrated circuit with aid of programmable circuit synthesis

Номер патента: US20200394279A1. Автор: Yun-Ru Chen,Yung-Chow Peng,Yu-tao YANG,Wen-Shen Chou,Yung-Hsu Chuang,Jie-Ren Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated circuit memory device with bit line pre-charging based upon partial address decording

Номер патента: US20060039216A1. Автор: Neal Berger,George Chang,Pearl Cheng,Anne Koh. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-02-23.

Method for manufacturing biomedical signal conductive membrane

Номер патента: US20150157740A1. Автор: Meng-Hsiu Wu,Wei-Te Chen,Wei-Ching Wang,Ping-Yi Hsieh. Владелец: METAL INDUSTRIES RESEARCH AND DEVELOPMENT CENTRE. Дата публикации: 2015-06-11.

Predictive voltage transient reduction in integrated circuits

Номер патента: WO2020263446A1. Автор: William Paul Hovis,Garrett Douglas Blankenburg,Andres Felipe Hernandez Mojica,Gregory M. Daly,Rich Tat An. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2020-12-30.

Threshold voltage variation compensation in integrated circuits

Номер патента: US20230326493A1. Автор: Shang-Chi Yang,Hui-Yao Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Threshold voltage variation compensation in integrated circuits

Номер патента: US11942179B2. Автор: Shang-Chi Yang,Hui-Yao Kao. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Estimating delay deterioration due to device degradation in integrated circuits

Номер патента: US20150154331A1. Автор: Jae-Joon Kim,Aditya Bansal,Rahul M. Rao. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-06-04.

Systems and/or methods for anomaly detection and characterization in integrated circuits

Номер патента: US20200326373A1. Автор: Jason Alvin DICKENS. Владелец: GRAMMATECH Inc. Дата публикации: 2020-10-15.

Semiconductor integrated circuit device and method of designing thereof

Номер патента: US20070240087A1. Автор: Hiroshige Fujii,Fujio Ishihara,Toshihiko Himeno,Ryubi Okuda. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2007-10-11.

Process aware compact representation of integrated circuits

Номер патента: WO2022232680A1. Автор: ASHISH Khandelwal,Nikhil Gupta,Sreenivasan K. Koduri,Timothy W. FISCHER. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2022-11-03.

Long range corrections in integrated circuit layout designs

Номер патента: US7234130B2. Автор: Nicolas B. Cobb,James Word,Yuri Granik. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2007-06-19.

Retroreflective integrated circuit sealed product

Номер патента: MY141672A. Автор: Ikuo Mimura. Владелец: Nippon Carbide Kogyo Kk. Дата публикации: 2010-05-31.

Systems and methods for executing precharge commands using posted precharge in integrated circuit memory devices with memory banks each including local precharge control circuits

Номер патента: US6661721B2. Автор: Gunther Lehmann,Thomas Boehler,Juei Lung Chen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-12-09.

Integrated circuit enclosed retroreflective product

Номер патента: CA2455305C. Автор: Ikuo Mimura. Владелец: Nippon Carbide Industries Co Inc. Дата публикации: 2013-02-19.

Method and apparatus for analyzing errors in integrated circuits

Номер патента: CA1268214A. Автор: Eckhard Wolfgang,Klaus Zibert. Владелец: ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft fuer Halbleiterprueftechnik mbH. Дата публикации: 1990-04-24.

Sub-circuit pattern recognition in integrated circuit design

Номер патента: US20100131908A1. Автор: Sandeep Shylaja Krishnan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-05-27.

Learning-based analyzer for mitigating latch-up in integrated circuits

Номер патента: US11853683B2. Автор: Patrice M. Parris,David R. Gifford,Bernd Lienhard. Владелец: Silicon Space Tech Corp. Дата публикации: 2023-12-26.

Boundary assertion-based power recovery in integrated circuit design

Номер патента: US20200089828A1. Автор: Alexander J. Suess,Cindy S. Washburn. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

System and method for managing faults in integrated circuits

Номер патента: US11797373B2. Автор: Neha Srivastava,Ankur Behl. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-10-24.

Method and apparatus for sensing defects in integrated circuit elements

Номер патента: WO1990002997A1. Автор: Tushar R. Gheewala. Владелец: Cross-Check Technology, Incorporated. Дата публикации: 1990-03-22.

Reducing capacitive interference in integrated circuits

Номер патента: US20020157073A1. Автор: Suresh Krishnamoorthy. Владелец: Sun Microsystems Inc. Дата публикации: 2002-10-24.

Synthesis for random testability using unreachable states in integrated circuits

Номер патента: US20190146031A1. Автор: Haoxing Ren,Spencer K. Millican,Mary P. Kusko,Victor N. Kravets. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-05-16.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: US20210081016A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2021-03-18.

Method and apparatus for isolating defects in an integrated circuit near field scanning photon emission microscopy

Номер патента: US5981967A. Автор: Zhouxing Luo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 1999-11-09.

High accuracy timing model for integrated circuit verification

Номер патента: EP1292906A2. Автор: Jun Li,Hong Zhao,Hsien-Yen Chiu. Владелец: Simplex Solutions Inc. Дата публикации: 2003-03-19.

High accuracy timing model for integrated circuit verification

Номер патента: WO2001088766A3. Автор: Jun Li,Hong Zhao,Hsien-Yen Chiu. Владелец: Simplex Solutions Inc. Дата публикации: 2003-01-09.

Circuit design visibility in integrated circuit devices

Номер патента: US12014129B2. Автор: Yi Peng,Brandon Lewis Gordon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-06-18.

Clock frequency adjustment for workload changes in integrated circuit devices

Номер патента: EP4031955A1. Автор: William Paul Hovis,Andrew Benson Maki,Francine Mary SHAMMAMI. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2022-07-27.

A lining arrangement, and a method for fastening lining elements to a support structure

Номер патента: AU2023200199B2. Автор: Peter Lundberg,Mathias Persson. Владелец: Metso Sweden AB. Дата публикации: 2024-08-29.

Redundant rows in integrated circuit memories

Номер патента: CA1215471A. Автор: Kalyanasundaram Venkateswaran. Владелец: Fairchild Camera and Instrument Corp. Дата публикации: 1986-12-16.

Simultaneous power and timing optimization in integrated circuits by performing discrete actions on circuit components

Номер патента: US7689942B2. Автор: Qian Haifeng,Emrah Acar. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-30.

Method and apparatus for designing a three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US7949984B2. Автор: Shinichi Yasuda,Shinobu Fujita,Tetsufumi Tanamoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-05-24.

Method and apparatus for determining electro-migration in integrated circuit designs

Номер патента: US7752582B2. Автор: Palkesh Jain,Ajoy Mandal. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-07-06.

Method for detecting, sampling, analyzing, and correcting marginal patterns in integrated circuit manufacturing

Номер патента: US7853920B2. Автор: Jun Ye,Shauh-Teh Juang,James N. Wiley,Michael J. Gassner,Moshe E. Preil. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2010-12-14.

Optical measurements of fine line parameters in integrated circuit processes

Номер патента: US4408884A. Автор: Heinrich Meier,William E. Ham,Hans P. Kleinknecht. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1983-10-11.

Signal skew correction in integrated circuit memory devices

Номер патента: US20240055068A1. Автор: Panduka Wijetunga,Srinivas Satish Babu Bamdhamravuri. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2024-02-15.

System for collaborative hardware rtl logic timing debug in integrated circuit designs

Номер патента: US20230214564A1. Автор: Wolfgang Roesner,Matthias Klein,Shashidhar Reddy,Arun Joseph,Anthony Saporito,Sampath Goud Baddam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-07-06.

Idle phase prediction for integrated circuits

Номер патента: EP2936274A1. Автор: Michael J. Schulte,Yasuko ECKERT,Srilatha Manne,William L. Bircher,Mahdu S.S. Govindan. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2015-10-28.

Accommodating engineering change orders in integrated circuit design

Номер патента: US20180181686A1. Автор: Alok Verma,Saurabh Gupta,Jayaprakash Udhayakumar,Ayan Datta,Rajesh Veerabhadraiah. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US20180101626A1. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US20180101625A1. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-12.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US20190065635A1. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-02-28.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US20170212969A1. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Layout of large block synthesis blocks in integrated circuits

Номер патента: US20170212970A1. Автор: Harry Barowski,Sourav Saha,Joachim Keinert,Harald D. Folberth. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-27.

Signal skew correction in integrated circuit memory devices

Номер патента: EP4264298A1. Автор: Panduka Wijetunga,Srinivas Satish Babu Bamdhamravuri. Владелец: RAMBUS INC. Дата публикации: 2023-10-25.

Execution of tasks in integrated circuits

Номер патента: WO2019092441A1. Автор: Ville MERIÖ. Владелец: Samuels, Adrian James. Дата публикации: 2019-05-16.

System and method for managing memory errors in integrated circuits

Номер патента: EP4239480A1. Автор: NIKHIL Sharma,Arvind Kaushik,Rushank Patel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-06.

Functional Circuit Block Harvesting in Integrated Circuits

Номер патента: US20240104280A1. Автор: Lior Zimet,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

System and method for managing memory errors in integrated circuits

Номер патента: US20230280909A1. Автор: NIKHIL Sharma,Arvind Kaushik,Rushank Patel. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2023-09-07.

AC testing of leakage current in integrated circuits using RC time constant

Номер патента: US6967496B2. Автор: Gregory F. Taylor,Dan Murray,Tawfik R. Arabi,Srirama Pedaria,Patrick Elwer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2005-11-22.

Functional circuit block harvesting in integrated circuit

Номер патента: WO2024064263A1. Автор: Lior Zimet,Peter A. Lisherness. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Model-based refinement of the placement process in integrated circuit generation

Номер патента: US20200104453A1. Автор: Gi-Joon Nam,Myung-Chul Kim,Paul G. Villarrubia,Shyam Ramji,Benjamin N. Trombley. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-02.

Method for measuring temperature in integrated circuit, integrated circuit having temperature sensor, and display device

Номер патента: US20230120028A1. Автор: Hyo Joong Kim,Yong Sung Ahn,Jae Sik CHO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Tracking taint propagation in integrated circuit design

Номер патента: WO2023244780A1. Автор: Arturo Salz. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2023-12-21.

Method for measuring temperature in integrated circuit, integrated circuit having temperature sensor, and display device

Номер патента: US11893916B2. Автор: Hyo Joong Kim,Yong Sung Ahn,Jae Sik CHO. Владелец: LX Semicon Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-06.

Stress effect model optimization in integrated circuit spice model

Номер патента: US20140149954A1. Автор: Hua Xiang YIN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2014-05-29.

Packaging design supporting device and packaging design supporting method for semiconductor integrated circuit and recording medium

Номер патента: US8341583B2. Автор: Noriyuki Ito. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2012-12-25.

Integrated circuit using topology configurations

Номер патента: US09589601B2. Автор: Fakhruddin Ali Bohra,Mahmood Khayatzadeh,David Blaauw,Dennis Michael Chen Sylvester,Massimo Bruno Alioto. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2017-03-07.

Method and System for Routing of Integrated Circuit Design

Номер патента: US20080301618A1. Автор: Lukas Daellenbach. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-12-04.

Module for preventing instability in integrated circuit testers

Номер патента: US5006794A. Автор: Laszlo V. Gal,James E. Judy, Jr.,Kenneth C. Prentiss. Владелец: Unisys Corp. Дата публикации: 1991-04-09.

Optical integrated circuit

Номер патента: US20240264373A1. Автор: Jeroen Antonius Maria Duis,Johannes Cornelis VAN KERKHOF. Владелец: Phix BV. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for integrated circuit design using pin direction optimization

Номер патента: US20240249061A1. Автор: Seungju KIM,Wooshik MYUNG,Jiyoon LIM,Wonjun Yoo. Владелец: MakinaRocks Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Masking arrangement and method for producing integrated circuit arrangements

Номер патента: US20060073397A1. Автор: Johannes Freund,Michael Stetter. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-04-06.

Optical integrated circuit

Номер патента: CA3227255A1. Автор: Jeroen Antonius Maria Duis,Johannes Cornelis VAN KERKHOF. Владелец: Phix BV. Дата публикации: 2023-02-02.

Optical integrated circuit

Номер патента: EP4377730A1. Автор: Jeroen Antonius Maria Duis,Johannes Cornelis VAN KERKHOF. Владелец: Phix BV. Дата публикации: 2024-06-05.

Photonic integrated circuit having array of photonic devices

Номер патента: US12055776B2. Автор: Jiashu Chen,Po Dong,Argishti Melikyan. Владелец: II VI Delaware Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Method and system for evaluating timing in an integrated circuit

Номер патента: US7089143B2. Автор: David J. Hathaway,Jerry D. Hayes,Anthony D. Polson,Eric A. Foreman,Peter A. Habitz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-08-08.

Data Compression in Integrated Device Network

Номер патента: US20230037575A1. Автор: Michael Wu,Martin Langhammer,Nihat Engin Tunali. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-09.

Data compression in integrated device network

Номер патента: EP4345637A1. Автор: Michael Wu,Martin Langhammer,Kenneth Daxer,Nihat Engin Tunali. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20030058729A1. Автор: Katsuyoshi Watanabe,Shinya Nagata,Masahiko Ikemoto. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Semiconductor integrated circuit and information processing apparatus

Номер патента: US12057186B2. Автор: Atsushi Kawasumi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

LCD driver IC and method of arranging pads in the driver integrated circuit

Номер патента: US20070008689A1. Автор: Hyun-Sang Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-01-11.

Integrated circuit test device and integrated circuit test equipment

Номер патента: US09726720B2. Автор: Yun-Meng Yeh. Владелец: Cheng Yun Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

System and method of detecting local mechanical stress in integrated devices

Номер патента: RU2466381C2. Автор: Ллойд БАММ,Даминда ДАХАНАЯКА,Филип В. КАШУБА,Леон МОШКОВИЧ,Джеймс А. СЛИНКМАН. Владелец: Дзе Борд Оф Риджентс Оф Дзе Юниверсити Оф Оклахома. Дата публикации: 2012-11-10.

Method of forming interlayer connections in integrated optical circuits, and devices formed using same

Номер патента: US7206480B2. Автор: Thomas J. Mcintyre,John C. Rodgers. Владелец: BAE Systems Information and Electronic Systems Integration Inc. Дата публикации: 2007-04-17.

Imaging of integrated circuit interconnects

Номер патента: US6541286B1. Автор: Minh Quoc Tran,Joffre F. Bernard. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2003-04-01.

Method for recognizing and verifying fifo structures in integrated circuit designs

Номер патента: US20080008021A1. Автор: Jun Yuan,Paras Mal JAIN,Shaker SARWARY,Bernard Murphy,Ashish Hari. Владелец: Atrenta Inc. Дата публикации: 2008-01-10.

Process for etching a pattern of closely spaced conducting lines in an integrated circuit

Номер патента: US3617411A. Автор: William E Wright,John J Lajza Jr,Roger A Couture. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1971-11-02.

Semiconductor memory device having power line arranged in a meshed shape

Номер патента: US5815454A. Автор: Shigeki Tomishima,Hideto Hidaka,Kazutami Arimoto,Mikio Asakura. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1998-09-29.

Layout of interconnect lines in integrated circuits

Номер патента: US20170228489A1. Автор: Tobias Werner,Silke Penth,Gerhard Hellner,Iris M. Leefken. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-10.

Capacitance extraction for floating metal in integrated circuit

Номер патента: US20200134129A1. Автор: Ronald D. Rose,David J. Widiger,Harold E. Reindel,Lewis W. Dewey, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Timing driven routing in integrated circuit design

Номер патента: US20120284683A1. Автор: YING Zhou,ZHUO Li,Charles Jay Alpert,Stephen Thomas Quay. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-11-08.

Method for analyzing electromigration (em) in integrated circuit

Номер патента: US20210209278A1. Автор: Chin-Shen LIN,Ming-Hsien Lin,Meng-Xiang LEE,Wan-Yu Lo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Visualizing sensitivity information in integrated circuit design

Номер патента: US20130158953A1. Автор: Sani Richard Nassif,Anne Elizabeth Gattiker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-20.

Custom compute cores in integrated circuit devices

Номер патента: US11829311B2. Автор: Gavin L Huggins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Visualizing sensitivity information in integrated circuit design

Номер патента: US8914272B2. Автор: Sani Richard Nassif,Anne Elizabeth Gattiker. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-12-16.

Machine-learning driven prediction in integrated circuit design

Номер патента: WO2021050434A1. Автор: Siddhartha Nath,Vishal Khandelwal,Ravi Mamidi,Sudipto Kundu. Владелец: Synopsys, Inc.. Дата публикации: 2021-03-18.

In-situ detection of anomalies in integrated circuits using machine learning models

Номер патента: US20220101625A1. Автор: Farzin G. Guilak,Vivek K. De,Narayan Srinivasa,Miguel Bautista Gabriel,Sriram R. Vangal,Hyochan An,Pratik Dasharathkumar Patel. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Systems and methods for creating block constraints in integrated circuit designs

Номер патента: US20170286587A1. Автор: Ilan Cohen,Alon Dvir,Uzi Magini,Inbar Neeman. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-05.

Methods and systems for cross-probing in integrated circuit design

Номер патента: WO2005119442A3. Автор: Mark A Coiley. Владелец: Tera Systems Inc. Дата публикации: 2006-12-21.

Selective and dynamic deployment of error correction code techniques in integrated circuit memory devices

Номер патента: US11984171B2. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Dung Viet Nguyen,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Selective and dynamic deployment of error correction code techniques in integrated circuit memory devices

Номер патента: EP4371115A1. Автор: Sivagnanam Parthasarathy,James Fitzpatrick,Dung Viet Nguyen,Phong Sy Nguyen. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-22.

Machine-learning driven prediction in integrated circuit design

Номер патента: US20210073456A1. Автор: Siddhartha Nath,Vishal Khandelwal,Ravi Mamidi,Sudipto Kundu. Владелец: Synopsys Inc. Дата публикации: 2021-03-11.

Testing of security systems in integrated circuits

Номер патента: EP4372591A1. Автор: Neha Srivastava,Gautam TIKOO. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-22.

Dynamic frequency boosting exploiting path delay variability in integrated circuits

Номер патента: WO2018007839A1. Автор: Nikolaos ZOMPAKIS. Владелец: Zompakis Nikolaos. Дата публикации: 2018-01-11.

Custom compute cores in integrated circuit devices

Номер патента: US20240095202A1. Автор: Gavin L. Huggins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Custom compute cores in integrated circuit devices

Номер патента: US20220083487A1. Автор: Gavin L. Huggins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-03-17.

Testing of security systems in integrated circuits

Номер патента: US20240160745A1. Автор: Neha Srivastava,Gautam TIKOO. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-05-16.

System for intellectual property reuse in integrated circuit design

Номер патента: EP1295212A1. Автор: Robert E. Garner,Anna Elman,David Ling,Alvaro Eduardo Benavides,David N. Gardner,Jeffrey Jussel,Mark A. Mcadams. Владелец: Mentor Graphics Corp. Дата публикации: 2003-03-26.

Semiconductor integrated circuit, self-luminous display panel module, electronic apparatus, and method for driving power supply line

Номер патента: US20100085341A1. Автор: Hiroshi Hasegawa,Teppei Isobe. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Integrated circuit having memory array including ecc and/or column redundancy, and method of programming, controlling and/or operating same

Номер патента: WO2008002513A2. Автор: Anant Pratap Singh. Владелец: Innovative Silicon S.A.. Дата публикации: 2008-01-03.

Way to improve the accuracy of compensation of parasitic effects in integrated-optical phase modulators of fiber-optic gyroscopes

Номер патента: RU2627015C1. Автор: Александр Михайлович Курбатов,Роман Александрович Курбатов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Центр эксплуатации объектов наземной космической инфраструктуры". Дата публикации: 2017-08-02.

Circuit layer for a card with integrated circuit

Номер патента: RU2725617C2. Автор: Финн Нильсен. Владелец: Кардлаб Апс. Дата публикации: 2020-07-03.

Method for measuring transient thermal characteristics of digital integrated circuits

Номер патента: RU2697028C2. Автор: Вячеслав Андреевич Сергеев,Виктор Васильевич Юдин,Ярослав Геннадьевич Тетенькин. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ульяновский государственный технический университет". Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20040066684A1. Автор: Hiroshi Ito. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-08.

Circuit and method for detecting a fault injection attack in an integrated circuit

Номер патента: EP4328782A1. Автор: Nikita Veshchikov. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-02-28.

Method for producing banknotes including in each case at least one integrated circuit

Номер патента: US20220212492A1. Автор: Aurélie BERTHON,Angèle MONNEY,Robert Stierman. Владелец: Koenig and Bauer AG. Дата публикации: 2022-07-07.

Method for producing banknotes including in each case at least one integrated circuit

Номер патента: US11840111B2. Автор: Aurélie BERTHON,Angèle MONNEY,Robert Stierman. Владелец: Koenig and Bauer AG. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor integrated circuit and design method thereof

Номер патента: US20170293583A1. Автор: Seiji Goto. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2017-10-12.

Circuit and method for detecting a fault injection attack in an integrated circuit

Номер патента: US20240061926A1. Автор: Nikita Veshchikov. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor integrated circuit having different operation modes and design method thereof

Номер патента: US10331602B2. Автор: Seiji Goto. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2019-06-25.

Circuit configured to determine a test voltage suitable for very low voltage (vlv) testing in an integrated circuit

Номер патента: US20220057448A1. Автор: KUMAR ABHISHEK,Srikanth Jagannathan,Gayathri Bhagavatheeswaran. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2022-02-24.

Method of detecting an integrated circuit in failure among integrated circuits, apparatus of doing the same, and recording medium storing program for doing the same

Номер патента: US20030093237A1. Автор: Kazuhiro Sakaguchi. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2003-05-15.

Semiconductor memory integrated circuit

Номер патента: US20080198684A1. Автор: Tatsuya Sakamoto. Владелец: Elpida Memory Inc. Дата публикации: 2008-08-21.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A3. Автор: Neal T Wingen. Владелец: Koninkl Philips Electronics Nv. Дата публикации: 2003-10-23.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20010046156A1. Автор: Koichiro Ishibashi,Masayuki Miyazaki,Goichi Ono. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7343547B2. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2008-03-11.

Integrated circuit internal test circuit and method of testing by using test pattern and signature generations therewith

Номер патента: US7653853B1. Автор: Prabha Jairam,Himanshu J. Verma. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2010-01-26.

Semiconductor memory device with signal lines arranged across memory cell array thereof

Номер патента: US20050259466A1. Автор: Chan-Ho Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-11-24.

Integrated circuit with self-test circuit, method for operating an integrated circuit with self-test circuit, multi-core processor device and method for operating a multi-core processor device

Номер патента: US11619668B2. Автор: Jens Rosenbusch,Heiko Ahrens,Daniel Tille. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2023-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100783A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20150097593A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-04-09.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063920A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20080136438A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2008-06-12.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090063919A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100095176A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-15.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20070257694A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2007-11-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20100100784A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-04-22.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20060017453A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-01-26.

Process of making an integrated circuit using parallel scan paths

Номер патента: US20020039804A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-04-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20040084747A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-05-06.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20090058448A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-03-05.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20020196045A1. Автор: Lee Whetsel. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-12-26.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US20140245090A1. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2014-08-28.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7863913B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7852100B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-14.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7876112B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2011-01-25.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7629808B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2009-12-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7733110B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-06-08.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US7659741B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-02-09.

Semiconductor integrated circuit, and semiconductor system including that semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20060282721A1. Автор: Hisato Yoshida,Kimihiko Aiba,Yoichiro Mae. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-14.

Integrated circuit comprising a test circuit, related method and computer-program product

Номер патента: EP4425196A1. Автор: Mario Barone,Gianluca TORTORA. Владелец: STMicroelectronics International NV. Дата публикации: 2024-09-04.

Systems And Methods For Generating Redacted Circuit Designs For Integrated Circuits

Номер патента: US20240311537A1. Автор: Nij Dorairaj,David Kehlet,Shuanghong SUN. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Circuit design implementations in secure partitions of an integrated circuit

Номер патента: US09946826B1. Автор: Herman Schmit,Ting Lu,Dana How,Sean Atsatt. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Parallel scan distributors and collectors and process of testing integrated circuits

Номер патента: US09494640B2. Автор: Lee D. Whetsel. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US6101146A. Автор: Yoshinori Matsui,Kenichi Sakakibara,Taketo Maesako,Kouki Yamamoto. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2000-08-08.

Semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20030006832A1. Автор: Kenichi Imamiya,Ken Takeuchi,Yoshihisa Iwata,Yoshihisa Sugiura,Tamio Ikehashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2003-01-09.

Process aware compact representation of integrated circuits

Номер патента: US11636242B2. Автор: ASHISH Khandelwal,Nikhil Gupta,Sreenivasan K. Koduri,Timothy W. FISCHER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-04-25.

Process aware compact representation of integrated circuits

Номер патента: US20210390237A1. Автор: ASHISH Khandelwal,Nikhil Gupta,Sreenivasan K. Koduri,Timothy W. FISCHER. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-12-16.

Liquid Discharging Apparatus And Integrated Circuit Device

Номер патента: US20220097362A1. Автор: Tomoko Hara,Kazuhito Fujisawa. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2022-03-31.

Through-silicon via detecting circuit, method and integrated circuit having the same

Номер патента: US20210215755A1. Автор: You-Hsien Lin. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor integrated circuit device and electronic system mounted the semiconductor integrated circuit device

Номер патента: US20130138943A1. Автор: Hiroshi Nakayama,Masahiro Nishio,Jin Takahashi,Junji Ichimiya,Shintaro Itozawa. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-30.

Security system for at least an ic integrated circuit, securely integrated circuit card and method of secure wireless communication

Номер патента: EP2603881A1. Автор: Giovanni Girlando,Alberto Pagani. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-19.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: EP1472552A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property and Standards GmbH. Дата публикации: 2004-11-03.

Integrated circuit with self-testing circuit

Номер патента: WO2003060534A2. Автор: Friedrich Hapke. Владелец: Philips Intellectual Property & Standards Gmbh. Дата публикации: 2003-07-24.

Circuit for detecting pin-to-pin leaks of an integrated circuit package

Номер патента: WO2021242334A1. Автор: Dat Tran,Loc Tu,Kirubakaran Periyannan,Nyi Nyi Thein. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit device, electro optical device and electronic apparatus

Номер патента: US8462143B2. Автор: Akira Morita. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2013-06-11.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: EP1399828A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS NV. Дата публикации: 2004-03-24.

An integrated circuit arrangement with feature control

Номер патента: WO2002097638A2. Автор: Neal T. Wingen. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2002-12-05.

Optical disc recording and reproducing semiconductor integrated circuit and operating method thereof

Номер патента: US20120236699A1. Автор: Tomokazu Yokoyama,Misuzu Mochizuki. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US20120120049A1. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2012-05-17.

Method of generating a floorplan for an integrated circuit

Номер патента: WO2004068373A1. Автор: Adrianus W. P. G. G. Vaassen,Erwin Waterlander. Владелец: KONINKLIJKE PHILIPS ELECTRONICS N.V.. Дата публикации: 2004-08-12.

Circuit for and method of enabling the transfer of data by an integrated circuit

Номер патента: WO2013081683A1. Автор: Sanjay A. KULKARNI. Владелец: XILINX, INC.. Дата публикации: 2013-06-06.

Failure prediction circuit and method, and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US7908538B2. Автор: Masayuki Mizuno,Koichi Nose,Toru Nakura. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2011-03-15.

Integrated circuit with on-board power utilization information

Номер патента: US20050285639A1. Автор: Pieter Vorenkamp,Chun-Ying Chen,Sumant Ranganathan,Neil Kim. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2005-12-29.

Method and apparatus for generating a solid state circuit layout with in-design variability associated to the setting of analog signal processing parameters, and an integrated circuit design and an integrated circuit produced by applying such method

Номер патента: US20040177329A1. Автор: Wolfdietrich Kasperkobitz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-09-09.

Test logic method for an integrated circuit device

Номер патента: EP4256356A1. Автор: Ovidiu SIMA. Владелец: EM Microelectronic Marin SA. Дата публикации: 2023-10-11.

Circuit for detecting pin-to-pin leaks of an integrated circuit package

Номер патента: US20210373085A1. Автор: Dat Tran,Loc Tu,Kirubakaran Periyannan,Nyi Nyi Thein. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-12-02.

Integrated circuit device and electronic instrument

Номер патента: US8081149B2. Автор: Takashi Kumagai,Kanji Natori. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-12-20.

Semiconductor integrated circuit, design method of the semiconductor integrated circuit, design support system of the semiconductor integrated circuit, and non-transitory computer readable medium

Номер патента: US20220246228A1. Автор: Takashi Yamagiwa. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Method for nondestructive check for moisture content in under- package space of integrated circuits

Номер патента: RU2263369C2. Автор: А.В. Андреев,М.И. Горлов,Л.П. Ануфриев,Н.А. Золотарева. Владелец: Воронежский государственный технический университет. Дата публикации: 2005-10-27.

Electrical pin used in integrated circuit test sockets

Номер патента: CA134434S. Автор: . Владелец: Johnstech International Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

GATE ELECTRODE AND GATE CONTACT PLUG LAYOUTS FOR INTEGRATED CIRCUIT FIELD EFFECT TRANSISTORS

Номер патента: US20120001271A1. Автор: YAMADA Satoru,Chae Kyo-Suk,CHOI Young-Jin,Kim Wook-Je,HAN Sang-Yeon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND SYSTEM FOR ALIGNMENT OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001340A1. Автор: . Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

REPRODUCER, INTEGRATED CIRCUIT, REPRODUCTION METHOD, APPLICATION PROGRAM, RECORDING MEDIUM, RECORDER, AND RECORDING METHOD

Номер патента: US20120002949A1. Автор: Sasaki Taiji,Matsuura Yasuyuki,Kiyosawa Yuta,Matsumoto Tomohiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for Packaging Electronic Devices and Integrated Circuits

Номер патента: US20120003791A1. Автор: . Владелец: WAFER-LEVEL PACKAGING PORTFOLIO LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT WAFER DICING METHOD

Номер патента: US20120003817A1. Автор: Lin Ching-San,Wu Kun-Tai,Wang Chih-Chao. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Device and method testing standard functional unit in integrated circuit with use of jag

Номер патента: RU2198411C2. Автор: Рандалл Моут. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2003-02-10.

Bipolar transistor of integrated circuit

Номер патента: RU2108640C1. Автор: А.Н. Сауров. Владелец: Научно-производственный комплекс "Технологический центр" Московского института электронной техники. Дата публикации: 1998-04-10.

METHODS AND ARRANGEMENTS IN A WIRELESS TELECOMMUNICATION SYSTEM

Номер патента: US20120002648A1. Автор: . Владелец: Telefonaktiebolaget lM Ericsson (publ). Дата публикации: 2012-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT DEVICE WITH WELL CONTROLLED SURFACE PROXIMITY AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001238A1. Автор: Ouyang Hui,Fan Wei-Han,Tsai Ming-Huan,Cheng Chun-Fai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

FREQUENCY SPECIFIC CLOSED LOOP FEEDBACK CONTROL OF INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20120001651A1. Автор: Burr James B.,Koniaris Kleanthes G.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for Minimizing Static Leakage of an Integrated Circuit

Номер патента: US20120001684A1. Автор: Caplan Randy J.,Schwake Steven J.. Владелец: MOSAID TECHNOLOGIES INCORPORATED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120001696A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Power control of an integrated circuit memory

Номер патента: US20120002499A1. Автор: Chong Yew Keong,Kinkade Martin Jay,Yeung Gus. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of arranging and connecting light-emitting elements in bunches, arranged in monolithic light-emitting arrays

Номер патента: RU2514055C1. Автор: Вячеслав Николаевич Козубов. Владелец: Вячеслав Николаевич Козубов. Дата публикации: 2014-04-27.

Method for selecting integration circuits of increased reliability

Номер патента: RU2269790C1. Автор: Митрофан Иванович Горлов,нов Антон Викторович Емель,Антон Викторович Емельянов,Николай Николаевич Козьяков,Евгений Николаевич Горлов,ков Николай Николаевич Козь. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Воронежский государственный технический университет". Дата публикации: 2006-02-10.

Method for producing multilevel thin-film integrated circuits

Номер патента: RU2264676C1. Автор: А.А. Штурмин,В.Г. Трудников,М.Б. Караулов,А.Б. Челноков. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Нижегородский Научно-Исследовательский Институт Радиотехники". Дата публикации: 2005-11-20.

Device to remove heat from crystal of semiconductor integrated circuit

Номер патента: RU2440641C1. Автор: Дмитрий Павлович Шматов,Игорь Геннадьевич Дроздов,Валерий Александрович Небольсин,Андрей Юрьевич Савинков,Дмитрий Альбертович Коновалов,Николай Николаевич Кожухов,Сергей Викторович Дахин. Владелец: Закрытое акционерное общество "Кодофон". Дата публикации: 2012-01-20.

Hybrid integrated circuit of shf range

Номер патента: RU2450388C1. Автор: Виктор Анатольевич Иовдальский,Александр Генрихович Далингер,Сергей Владимирович Шацкий. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП "НПП "Исток"). Дата публикации: 2012-05-10.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.