Heusler compounds with non-magnetic spacer layer for formation of synthetic anti-ferromagnets (saf)
Номер патента: US20210167280A1
Опубликовано: 03-06-2021
Автор(ы): Chirag Garg, Jaewoo JEONG, Mahesh G. Samant, Panagiotis Charilaos Filippou, Stuart S.P. Parkin, Yari Ferrante
Принадлежит: International Business Machines Corp, SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 03-06-2021
Автор(ы): Chirag Garg, Jaewoo JEONG, Mahesh G. Samant, Panagiotis Charilaos Filippou, Stuart S.P. Parkin, Yari Ferrante
Принадлежит: International Business Machines Corp, SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Heusler Compounds with Non-Magnetic Spacer Layer for Formation of Synthetic Anti-Ferromagnets (SAF)
Номер патента: US20200259076A1. Автор: Mahesh G. Samant,Jaewoo JEONG,Panagiotis Charilaos Filippou,Yari Ferrante,Chirag Garg,Stuart S.P. Parkin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2020-08-13.