Magnetoresistive element having spacer layer that includes two layered regions composed of oxide semiconductor and nonmagnetic conductor phase sandwiched therebetween.

Magnetoresistive element having spacer layer that includes two layered regions composed of oxide semiconductor and nonmagnetic conductor phase sandwiched therebetween

Номер патента: US20090040662A1
Опубликовано: 12-02-2009
Автор(ы): Tomohito Mizuno, Tsutomu Chou
Принадлежит: TDK Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Spin valve type magnetoresistive element

Номер патента: US20030174447A1. Автор: Seong-rae Lee,Ho-Gun Cho. Владелец: Korea Chungang Educational Foundation. Дата публикации: 2003-09-18.

Magnetoresistive element incorporating conductive film disposed on peripheral surface of layered structure including spacer layer, free layer and pinned layer, the conductive film allowing conduction between the free layer and the pinned layer

Номер патента: US20080024934A1. Автор: Takeo Kagami,Kei Hirata,Takumi Uesugi,Tetsuro Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2008-01-31.

Spin valve transducer having partly patterned magnetoresistance element

Номер патента: US6754051B2. Автор: Nobuyuki Ishiwata. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-06-22.

Magnetoresistive element having current-perpendicular-to-the-plane structure

Номер патента: US20040130834A1. Автор: Keiichi Nagasaka,Yutaka Shimizu. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2004-07-08.

Cpp giant magnetoresistive element

Номер патента: US20070206336A1. Автор: Naoya Hasegawa,Masamichi Saito. Владелец: Masamichi Saito. Дата публикации: 2007-09-06.

Double pinned magnetoresistance element with temporary ferromagnetic layer to improve annealing

Номер патента: US09741372B1. Автор: Paolo Campiglio. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2017-08-22.

Giant magnetoresistance element and current sensor using the same

Номер патента: US09523746B2. Автор: Yosuke Ide. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Linear sensor with dual spin valve element having reference layers with magnetization directions different from an external magnetic field direction

Номер патента: US11852699B2. Автор: Rémy Lassalle-Balier,Maxime Rioult. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Giant magnetoresistance element and current sensor using the same

Номер патента: US20150377985A1. Автор: Yosuke Ide. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Method and system for providing magnetic tunneling junction elements having improved performance through capping layer induced perpendicular anisotropy and memories using such magnetic elements

Номер патента: US20110032644A1. Автор: Zhitao Diao,Xueti Tang,Steven M. Watts. Владелец: Grandis Inc. Дата публикации: 2011-02-10.

Magnetoresistive element having compensated temperature coefficient of tmr

Номер патента: US20240345182A1. Автор: Jeffrey Childress,Clarisse Ducruet,Andrey Timopheev. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-10-17.

Magnetoresistive element, method of manufacturing magnetoresistive element, magnetic head, and magnetic recording/reproducing device

Номер патента: US09837105B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Satoshi Shirotori,Susumu Hashimoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Magnetoresistive element, method of manufacturing magnetoresistive element, magnetic head, and magnetic recording and reading apparatus

Номер патента: US09437223B2. Автор: Hitoshi Iwasaki,Masayuki Takagishi,Satoshi Shirotori,Yuuzo Kamiguchi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US09859491B2. Автор: Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Shumpei OMINE,Naoki Hase,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Magnetoresistive element, magnetic sensor, and magnetic memory

Номер патента: US20240298548A1. Автор: Masanori Hosomi,Yutaka Higo,Masaki Endo,Tatsuya Yamamoto,Shinji Yuasa,Hiroyuki Ohmori,Takayuki Nozaki,Lui Sakai,Tomohiro Nozaki,Kay Yakushiji,Makoto Konoto. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Bottleneck magnetoresistive element

Номер патента: CA1316596C. Автор: Gregory Stephen Mowry,Peter Kurt George,Charles Henry Tolman,Terry Blake Mitchell. Владелец: SEAGATE TECHNOLOGY INTERNATIONAL. Дата публикации: 1993-04-20.

Magnetoresistive element

Номер патента: US09640752B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-02.

Magnetoresistive element

Номер патента: US20160013398A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Toshihiko Nagase,Kenji Noma,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-01-14.

Magnetic sensor comprising magnetoresistive elements and system for programming such magnetic sensor

Номер патента: US20230292624A1. Автор: Jeffrey Childress,Nikita Strelkov,Andrey Timopheev. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2023-09-14.

Magnetic sensor comprising magnetoresistive elements and system for programming such magnetic sensor

Номер патента: WO2021240432A1. Автор: Jeffrey Childress,Nikita Strelkov,Andrey Timopheev. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2021-12-02.

Magnetic sensor comprising magnetoresistive elements and system for programming such magnetic sensor

Номер патента: US12102011B2. Автор: Jeffrey Childress,Nikita Strelkov,Andrey Timopheev. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Magnetic sensor comprising magnetoresistive elements and system for programming such magnetic sensor

Номер патента: EP3916414A1. Автор: Nikita Strelkov,Andrey Timopheev,Jeff Childress. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2021-12-01.

Magnetoresistive element with free-layer and method of manufacturing same

Номер патента: US12135226B2. Автор: Jochen Schmitt,Jan KUBIK,Enno Lage,Onur Necdet Urs,Md Tarequzzaman,Cian Padraic O Dalaigh. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-11-05.

Tunneling magnetoresistive element, and magnetic sensor using the same

Номер патента: US20020043974A1. Автор: Nobuyuki Inaba,Ryoichi Nakatani,Toshihiko Sato. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-04-18.

Magnetoresistive sensor element having a wide linear response and robust nominal performance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240019509A1. Автор: Jeffrey Childress,Nikita Strelkov,Andrey Timopheev. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Magnetoresistive element and magnetic sensor

Номер патента: US20170288132A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Method of manufacturing magnetoresistance element using laser pinning process

Номер патента: US20240230792A9. Автор: Sundar Chetlur,Paolo Campiglio,Samridh Jaiswal. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Magnetic field sensor with magnetoresistance elements arranged in a bridge and having a common reference direction and opposite bias directions

Номер патента: EP4283321A2. Автор: Jeffrey Eagen,Rémy Lassalle-Balier,Damien Dehu. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2023-11-29.

Magnetic field sensor with magnetoresistance elements arranged in a bridge and having a common reference direction and opposite bias directions

Номер патента: EP4283321A3. Автор: Jeffrey Eagen,Rémy Lassalle-Balier,Damien Dehu. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-03-06.

Magnetic field sensor that corrects for the effect of a stray magnetic field using one or more magnetoresistance elements, each having a reference layer with the same magnetic direction

Номер патента: EP3637123A1. Автор: Rémy Lassalle-Balier,Bryan Cadugan. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Magnetic field sensors and methods using mixing in a magnetoresistance element

Номер патента: EP3347729A1. Автор: Claude Fermon,Myriam Pannetier-Lecoeur,Andreas P. Friedrich,Gerardo A. Monreal. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2018-07-18.

Magnetic Field Sensors and Methods Using Mixing in a Magnetoresistance Element

Номер патента: US20170089987A1. Автор: Claude Fermon,Myriam Pannetier-Lecoeur,Andreas P. Friedrich,Gerardo A. Monreal. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2017-03-30.

Method for producing tunnel magnetoresistive element

Номер патента: US20190393411A1. Автор: Koujirou Sekine,Yasuo Ando,Masaaki Tsuchida,Kosuke Fujiwara,Junichi Jono,Mikihiko Oogane. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2019-12-26.

Magnetoresistive element and magnetic sensor

Номер патента: US20170288133A1. Автор: Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-10-05.

Magnetoresistive element for a 2d magnetic sensor having a reduced hysteresis response

Номер патента: US20230296703A1. Автор: Jeffrey Childress,Nikita Strelkov,Andrey Timopheev. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetoresistive element for a 2d magnetic sensor having a reduced hysteresis response

Номер патента: WO2022058875A1. Автор: Jeffrey Childress,Nikita Strelkov,Andrey Timopheev. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2022-03-24.

Magnetoresistive element having an out-of-plane sensitivity axis and having reduced hysteresis and increased working field range

Номер патента: EP4417989A1. Автор: Nikita Strelkov,Andrey Timopheev,Salim Dounia. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-08-21.

Magnetoresistive element having an out-of-plane sensitivity axis and having reduced hysteresis and increased working field range

Номер патента: WO2024171048A1. Автор: Nikita Strelkov,Andrey Timopheev,Salim Dounia. Владелец: Allegro Microsystems, LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Magnetoresistive element having thermally robust performances after high-field exposure and sensor comprising the magnetoresistive element

Номер патента: EP4231031A1. Автор: Jeffrey Childress,Nikita Strelkov,Clarisse Ducruet,Andrey Timopheev,Léa CUCHET,Salim Dounia. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2023-08-23.

Magnetoresistive element having thermally robust performances after high-field exposure and sensor comprising the magnetoresistive element

Номер патента: WO2023161821A1. Автор: Jeffrey Childress,Nikita Strelkov,Clarisse Ducruet,Andrey Timopheev,Léa CUCHET,Salim Dounia. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2023-08-31.

Magnetic sensor including a magnetoresistance element and sensor system

Номер патента: US12044529B2. Автор: Yoshiyuki Saito,Ryo Osabe,Hideaki Fujiura. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Magnetic field sensor for the detection of at least two magnetic field components including flux concentrators and magnetoresistive elements

Номер патента: US09835696B2. Автор: Bernard Dieny,Helene Joisten,Philippe Sabon. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2017-12-05.

Magnetoresistive element and magnetic sensor device having a high sensitivity and low zero-field offset-shift

Номер патента: US20240168108A1. Автор: Jeffrey Childress,Andrey Timopheev. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Magnetoresistance element

Номер патента: US5432494A. Автор: Takuji Nakagawa,Yoshifumi Ogiso,Masaaki Kanae,Keizou Inoue. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 1995-07-11.

Magnetoresistive element and magnetic sensor device having a high sensitivity and low zero-field offset-shift

Номер патента: WO2022195470A1. Автор: Jeffrey Childress,Andrey Timopheev. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2022-09-22.

Spin-valve magnetoresistive element having fixed magnetic layer of epitaxial laminate including magnetic layer and non-magnetic layer

Номер патента: US20040228044A1. Автор: Naoya Hasegawa,Yosuke Ide,Masamichi Saito,Eiji Umetsu. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-11-18.

Magnetoresistives Element und Herstellungsverfahren dafür, und Positionserfassungsvorrichtung

Номер патента: DE102017114715B4. Автор: Naoki Ohta. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Magnetoresistive element for sensing a magnetic field in a z-axis

Номер патента: US20240027551A1. Автор: Jeffrey Childress,Nikita Strelkov. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

CPP magneto-resistive effect device utilizing an anti-oxidizing layer as part of the spacer layer in a thin-film magnetic head usable in a head gimbal assembly in a hard disk system

Номер патента: US7885042B2. Автор: Kei Hirata,Koji Shimazawa,Yoshihiro Tsuchiya,Tomohito Mizuno. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2011-02-08.

Magnetoresistive element and magnetic sensor device having a high sensitivity and low zero-field offset-shift

Номер патента: EP4308947A1. Автор: Jeffrey Childress,Andrey Timopheev. Владелец: CROCUS TECHNOLOGY SA. Дата публикации: 2024-01-24.

Double Pinned Magnetoresistance Element With Temporary Ferromagnetic Layer To Improve Annealing

Номер патента: US20180062072A1. Автор: Paolo Campiglio. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2018-03-01.

Method and system for providing magnetic tunneling junction elements having improved performance through capping layer induced perpendicular anisotropy and memories using such magnetic elements

Номер патента: US9412787B2. Автор: Zhitao Diao,Xueti Tang,Steven M. Watts. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-09.

Spin current magnetization rotational element, spin current magnetization rotational type magnetoresistive element, magnetic memory, and magnetization rotation method

Номер патента: US20240365684A1. Автор: Tomoyuki Sasaki. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Magnetic tunnel junction, magnetoresistive element and spintronics device in which said magnetic tunnel junction is used, and method of manufacturing magnetic tunnel junction

Номер патента: US20210123991A1. Автор: Seiji Mitani,Kouichiro Inomata,Kazuhiro Hono,Hiroaki Sukegawa,Tadakatsu Ohkubo,Thomas SCHEIKE. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2021-04-29.

Magnetoresistive element, spin MOSFET, magnetic sensor, and magnetic head

Номер патента: US09728713B2. Автор: Tomoyuki Sasaki,Tohru Oikawa,Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Magnetoresistive element

Номер патента: US09780298B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Toshihiko Nagase,Kenji Noma,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of manufacturing magnetoresistive element

Номер патента: US20140116985A1. Автор: Jun Hayakawa,Naohiro Yamamoto,Takeshi Shimada,Atsushi Yoshida,Tsutomu Tetsuka,Makoto Satake. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Reagent for measuring degree of oxidative stress and method of measuring degree of oxidative stress

Номер патента: US9126895B2. Автор: Emi Ashibe,Toshihiro Imai,Kazuhiro Omiya. Владелец: Arkray Inc. Дата публикации: 2015-09-08.

Reagent for Measuring Degree of Oxidative Stress and Method of Measuring Degree of Oxidative Stress

Номер патента: US20140179016A1. Автор: Emi Ashibe,Toshihiro Imai,Kazuhiro Omiya. Владелец: Arkray Inc. Дата публикации: 2014-06-26.

Automated analysis of oxidative metabolites

Номер патента: US3846243A. Автор: J Fletcher,R Furner. Владелец: National Aeronautics and Space Administration NASA. Дата публикации: 1974-11-05.

Estimation and biological consequences of oxidative metabolism

Номер патента: EP2142664A1. Автор: Markku Ahotupa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-01-13.

Estimation and biological consequences of oxidative metabolism

Номер патента: WO2008125724A1. Автор: Markku Ahotupa. Владелец: Markku Ahotupa. Дата публикации: 2008-10-23.

Magneto-resistive effect element having spacer layer including main spacer layer containing gallium oxide and nonmagnetic layer

Номер патента: US20120164484A1. Автор: Yoshihiro Tsuchiya,Tsutomu Chou,Hironobu Matsuzawa,Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-06-28.

Magneto-resistive effect element having spacer layer containing gallium oxide, partially oxidized copper

Номер патента: US20120237796A1. Автор: Yoshihiro Tsuchiya,Tsutomu Chou,Hironobu Matsuzawa,Hayato Koike. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-09-20.

Magnetoresistive element substructure, magnetoresistive element and micro device, and methods of manufacturing same

Номер патента: US20010028068A1. Автор: Kazuki Sato,Koji Shimazawa,Noriaki Kasahara. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2001-10-11.

Current-perpendicular-to-the-plane structure magnetoresistive element and method of making same

Номер патента: US20060191130A1. Автор: Atsushi Tanaka,Shin Eguchi,Junya Ikeda,Chikayoshi Kamata. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-31.

Heater element having targeted decreasing temperature resistance characteristics

Номер патента: WO2017151965A8. Автор: Sanhong Zhang,Jeremy OHSE,Mark D. EVERLY,Patrick MARGAVIO. Владелец: WATLOW ELECTRIC MANUFACTURING COMPANY. Дата публикации: 2018-09-27.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US20170194218A1. Автор: Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi,Kazushi HAYASI. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US09780005B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and device for manufacturing semiconductor using said method for managing quality

Номер патента: US20190122941A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Magnetoresistive element

Номер патента: US5942341A. Автор: Kazuhiko Hayashi,Jun-Ichi Fujikata,Hidefumi Yamamoto,Kunihiko Ishihara. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1999-08-24.

Heterogeneous structures comprising iii-v semiconductors and metal oxide dielectrics, and a method of fabrication thereof

Номер патента: US20210126107A1. Автор: Alexander Gerber,Gregory KOPNOV. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2021-04-29.

Metal-oxide-semiconductor (mos) voltage divider with dynamic impedance control

Номер патента: US20140333367A1. Автор: Ricardo P. Coimbra,Edevaldo Pereira Silva, JR.. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2014-11-13.

Heterogeneous structures comprising III-V semiconductors and metal oxide dielectrics, and a method of fabrication thereof

Номер патента: US11735643B2. Автор: Alexander Gerber,Gregory KOPNOV. Владелец: Ramot at Tel Aviv University Ltd. Дата публикации: 2023-08-22.

Optical recording element having a polymerized crosslinked homopolymer smoothing layer

Номер патента: CA1238781A. Автор: Michel F. Molaire,Mark S. Kaplan. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1988-07-05.

Magnetoresistive element, memory element having the magnetoresistive element, and memory using the memory element

Номер патента: US6829121B2. Автор: Takashi Ikeda,Akio Koganei,Kazuhisa Okano. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2004-12-07.

Magnetoresistive element

Номер патента: US20080131732A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Toshihiko Nagase,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Yoshiaki Fukuzumi. Владелец: Yoshiaki Fukuzumi. Дата публикации: 2008-06-05.

Method for the Fabrication of a Steel Product comprising a step of characterization of a Layer of Oxides on a Running Steel Substrate

Номер патента: US20180283849A1. Автор: David Glijer,Gabriel Fricout. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2018-10-04.

Method for the fabrication of a steel product comprising a step of characterization of a layer of oxides on a running steel substrate

Номер патента: CA2999801C. Автор: David Glijer,Gabriel Fricout. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2021-06-08.

Method for the fabrication of a steel product comprising a step of characterization of a layer of oxides on a running steel substrate

Номер патента: EP3356803A1. Автор: David Glijer,Gabriel Fricout. Владелец: ArcelorMittal SA. Дата публикации: 2018-08-08.

Method for the fabrication of a steel product comprising a step of characterization of a layer of oxides on a running steel substrate

Номер патента: WO2017056061A1. Автор: David Glijer,Gabriel Fricout. Владелец: ArcelorMittal. Дата публикации: 2017-04-06.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US09816944B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US20160282284A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Metal oxide semiconductor gas sensor having nanostructure and method for manufacturing same

Номер патента: US09689785B2. Автор: Jong Kyu Kim,Sun Yong Hwang,Hyun Ah Kwon. Владелец: Academy Industry Foundation of POSTECH. Дата публикации: 2017-06-27.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20200088678A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-03-19.

Determination of oxidizing substances using peptide degradation

Номер патента: US20230213537A1. Автор: Kayce OLBRICH,II Robert W. Garber. Владелец: Baxter International Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Electrophysical control methods for analysis of oxidation of vegetable oil in olifa production

Номер патента: RU2743190C1. Автор: Сергей Антонович Дубовик,Евгений Иванович Козлов,Николай Сергеевич Дубовик,Дарья Сергеевна Матяс,Ирина Николаевна Пичугина. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Спецлак" (ООО "Спецлак"). Дата публикации: 2021-02-16.

Method for complex estimation of the amount of oxidatively modified proteins in biological fluids

Номер патента: RU2770562C1. Автор: Юрий Васильевич Фурман,Елена Борисовна Артюшкова,Николай Иванович Жеребилов,Алексей Анатольевич Крюков,Ангелина Михайловна Смахтина,Александр Михайлович Щербаков,Алексей Геннадьевич Беляев,Станислав Николаевич Чеботарев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Курский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2022-04-18.

Method of determination of oxidant/anti-oxidant activity of solutions

Номер патента: RU2235998C2. Автор: Х.З. Брайнина,А.В. Иванова. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью научно-производственное внедренческое предприятие "ИВА". Дата публикации: 2004-09-10.

Optical scanning device that includes waveguides

Номер патента: US20210033787A1. Автор: Yoshikazu Yamaoka,Akira Hashiya,Yasuhisa Inada,Nobuaki Nagao,Taku Hirasawa. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Analytical method for determining the concentration of oxidized nanofibrillar cellulose in a sample

Номер патента: US10520485B2. Автор: Jaakko Pere,Antti Laukkanen,Atte Mikkelson. Владелец: UPM Kymmene Oy. Дата публикации: 2019-12-31.

Method for quantitative determination of oxidant and apparatus for quantitative determination of oxidant

Номер патента: US09513227B2. Автор: Mari ONODERA,Shin-Ichi Imai,Hironori KUMAGAI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Method for determining rate of dissolution of oxide in oxide-halide melt

Номер патента: RU2750290C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Андрей Викторович Суздальцев,Андрей Юрьевич Николаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2021-06-25.

Two-layer system for measuring tension for compression underwear

Номер патента: RU2597551C2. Автор: Томас РИЧАРДСОН,Моузес ЛИПШО. Владелец: Серкейд Медикал Продактс, Инк.. Дата публикации: 2016-09-10.

Method for determining the degree of oxidative degradation of polysorbate 20 in aqueous formulations

Номер патента: AU2022420630A1. Автор: Felix HALBACH,Aline ZEUN. Владелец: BOEHRINGER INGELHEIM INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2024-05-02.

Nondestructive testing method for oxide semiconductor layer and method for making oxide semiconductor layer

Номер патента: US20100129942A1. Автор: Satoshi Taniguchi,Masao Ikeda,Norihiko Yamaguchi. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2010-05-27.

Method for determining the degree of oxidative degradation of polysorbate 20 in aqueous formulations

Номер патента: CA3236891A1. Автор: Felix HALBACH,Aline ZEUN. Владелец: BOEHRINGER INGELHEIM INTERNATIONAL GMBH. Дата публикации: 2023-06-29.

Biomarkers of oxidative stress

Номер патента: US09638699B2. Автор: Chia-Chi Liu,Gemma Alexandra Figtree,Natasha Alexandria Sarah Fry,Keyvan Karimi Galougahi. Владелец: Northern Sydney Local Health District. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for the determination of oxidatively modified proteins in biological fluids

Номер патента: RU2754434C1. Автор: Юрий Васильевич Фурман,Елена Борисовна Артюшкова,Николай Иванович Жеребилов,Виктор Станиславович Недзведский,Алексей Анатольевич Крюков,Александр Владимирович Файтельсон,Денсинг Самуэль Раджкумар,Ангелина Михайловна Смахтина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Курский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации. Дата публикации: 2021-09-02.

Method for simultaneous determination of degrees of oxidation and alkylation of azoximer bromide - active substance of polyoxidonium - by method 13c nmr spectroscopy

Номер патента: RU2713805C1. Автор: Сергей Владимирович Моисеев,Наталия Евгеньевна Кузьмина,Ирина Вадимовна Хлебопашева,Анна Ивановна Лутцева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение "Научный центр экспертизы средств медицинского применения" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБУ "НЦЭСМП" Минздрава России). Дата публикации: 2020-02-07.

Method of determining the effect of test temperature on properties of oxidation products of lubricating materials

Номер патента: RU2696357C1. Автор: Олег Николаевич Петров,Болеслав Иванович Ковальский,Наталья Николаевна Лысянникова,Вячеслав Геннадьевич Шрам. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2019-08-01.

Method for determining intensity of oxidation processes of lubricating oils

Номер патента: RU2621471C1. Автор: Болеслав Иванович Ковальский,Юрий Николаевич Безбородов,Александр Николаевич Сокольников,Евгений Александрович Ермилов,Валерий Иванович Верещагин. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2017-06-06.

Method for evaluating the degree of oxidative stress according to the content of carboxylated thioredoxin in the cells

Номер патента: RU2652336C1. Автор: Евгения Викторовна Шахристова,Елена Алексеевна Степовая,Евгений Валерьевич Рудиков,Вячеслав Викторович Новицкий. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО СибГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2018-04-25.

Mobile communication terminal including two lamps for incoming call notification and method for providing GPS services using the same

Номер патента: US7212812B2. Автор: Geun-Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-05-01.

Method for quantitative determination of oxidant and appratus for quantitative determination of oxidant

Номер патента: US20160011118A1. Автор: Mari ONODERA,Shin-Ichi Imai,Hironori KUMAGAI. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2016-01-14.

Mobile communication terminal including two lamps for incoming call notification and method for providing GPS services using the same

Номер патента: US20040157587A1. Автор: Geun-Tae Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-08-12.

Method for operating a sensor for determining the concentration of oxidizing gases in gas mixtures

Номер патента: US20020157452A1. Автор: Bernd Schumann,Berndt Cramer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-10-31.

Method for determining thickness of two-layer materials and their constituent layers by means of elastic wave pulses introduced into control object and ultrasonic converter for its implementation

Номер патента: RU2625261C1. Автор: Павел Викторович Пашков,Андрей Васильевич Кириков. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Нординкрафт Санкт-Петербург". Дата публикации: 2017-07-12.

Method of correction of oxidative stress in leber's hereditary optic neuropathy

Номер патента: RU2704013C1. Автор: Наталия Леонидовна Шеремет,Наталья Алексеевна Андреева,Нино Владимировна Жоржоладзе,Мария Сергеевна Шмелькова,Полина Георгиевна Цыганкова,Татьяна Дмитриевна Крылова,Юлия Сергеевна Иткис. Владелец: ФГБНУ "НИИ глазных болезней". Дата публикации: 2019-10-23.

Sensor for analysis of oxidizing gas and process of its manufacture

Номер патента: RU2196322C1. Автор: А.В. Попов. Владелец: Попов Андрей Вениаминович. Дата публикации: 2003-01-10.

Biomarkers of oxidative stress

Номер патента: AU2013251276A1. Автор: Chia-Chi Liu,Gemma Alexandra Figtree,Natasha Alexandria Sarah Fry,Keyvan Karimi Galougahi. Владелец: Northern Sydney Local Health District. Дата публикации: 2015-02-05.

Molecular markers of oxidative stress

Номер патента: WO2005052575A1. Автор: Jeremy Kirk Nicholson,John Christopher Lindon,Claude Charuel,Thomas Andrew Clayton,Jeremy Ramsey Everett. Владелец: PFIZER INC.. Дата публикации: 2005-06-09.

CPP-Type Magnetoresistive Element Including Spacer Layer

Номер патента: US20120002330A1. Автор: Yoshihiro Tsuchiya,Hironobu Matsuzawa. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2012-01-05.

Magnetoresistive head having magnetic yoke and giant magnetoresistive element such that a first electrode is formed on the giant magnetoresistive element which in turn is formed on the magnetic yoke which acts as a second electrode

Номер патента: US6064552A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Hiroaki Yoda,Yuzo Kamiguchi,Masashi Sahashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2000-05-16.

Magnetoresistive head having an antiferromagnetic layer interposed between first and second magnetoresistive elements

Номер патента: US5768066A. Автор: Hitoshi Iwasaki,Junichi Akiyama,Hiroaki Yoda,Yuichi Ohsawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 1998-06-16.

Magnetoresistive element, magnetic head assembly, and magnetic recording/reproducing apparatus

Номер патента: US20110228427A1. Автор: Shuichi Murakami,Hideaki Fukuzawa,Hiromi Yuasa,Yoshihiko Fuji. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-09-22.

Magnetoresistive element

Номер патента: US20020036878A1. Автор: Eiji Umetsu. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-28.

Exchange-coupled film including pinned magnetic layer composed of a plurality of cobalt-iron alloys having different compositions disposed on antiferromagnetic layer, and magnetic sensing element

Номер патента: US20060098355A1. Автор: Naoya Hasegawa,Eiji Umetsu,Kazuaki Ikarashi,Takuya Seino,Kazumi Matsuzaka. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2006-05-11.

Electrophotographic element having charge transport layer

Номер патента: US4245021A. Автор: Kiyoshi Sakai,Takeo Kazami,Mitsuru Hashimoto,Masaomi Sasaki,Kyoji Tsutsui,Masafumi Ohta. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 1981-01-13.

Liquid crystal alignment agent, liquid crystal alignment film and liquid crystal display element having thereof

Номер патента: US09513511B2. Автор: Tsung-Pei Tsai. Владелец: Chi Mei Corp. Дата публикации: 2016-12-06.

Magnetoresistive element, magnetic head using magnetoresistive element, and magnetic reproducing device

Номер патента: US09899044B2. Автор: Takao Furubayashi,Yukiko Takahashi,Ye Du,Kazuhiro Hono. Владелец: NATIONAL INSTITUTE FOR MATERIALS SCIENCE. Дата публикации: 2018-02-20.

Magnetoresistive element having a magnetic layer including O

Номер патента: US09647203B2. Автор: Minoru Amano,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Method and apparatus for manufacturing magnetoresistive element, software and system for controlling manufacturing of magnetoresistive element, software for estimating resistance value of magnetoresistive element, and computer system

Номер патента: US6859678B1. Автор: Masao Yamaguchi,Masahiro Sasaki,Kazuhiro Barada. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2005-02-22.

STT-SOT hybrid magnetoresistive element and manufacture thereof

Номер патента: US11854589B2. Автор: Yimin Guo,Jun Chen,Rongfu Xiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-12-26.

Recording head with a multilayer spin torque element having positive and negative beta materials

Номер патента: US12094498B1. Автор: James Mac Freitag,Susumu Okamura,Alexander Goncharov,Muhammad Asif Bashir. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Magnetoresistive element sandwiched between a sal ferrite substrateand a cover containing an easy axis biasing magnet

Номер патента: US4928188A. Автор: George W. Brock. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1990-05-22.

Magnetic head for perpendicular magnetic recording that includes a sensor for detecting contact with a recording medium

Номер патента: US09773514B2. Автор: Yoshitaka Sasaki,Hiroyuki Ito,Kazuki Sato,Atsushi Iijima. Владелец: SAE Magnetics HK Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Heat-assisted magnetic recording (HAMR) medium including a bi-layer that enables use of lower laser current in write operations

Номер патента: US09697859B1. Автор: Kumar Srinivasan,Antony Ajan,Debashish Tripathy. Владелец: WD Media LLC. Дата публикации: 2017-07-04.

Two-layered optical disk with high recording density

Номер патента: RU2284590C2. Автор: Джин Ёнг КИМ,Кьюнг Чан ПАРК,Сеонг Юн ДЖЕОНГ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2006-09-27.

Magnetoresistive effect device with first and second magnetoresistive effect elements having opposite current flows relative to the ordering of the layers of the elements

Номер патента: US10074688B2. Автор: Tetsuya Shibata,Atsushi Shimura,Tsuyoshi Suzuki,Takekazu Yamane,Junichiro Urabe. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2018-09-11.

Magnetoresistive element having a novel recording multilayer

Номер патента: US09583698B2. Автор: Yimin Guo. Владелец: Shanghai Ciyu Information Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Magnetic memory including a magnetoresistive element

Номер патента: US8530987B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Naoharu Shimomura,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Sumio Ikegawa,Eiji Kitagawa,Hisanori Aikawa,Satoshi Yanagi,Jyunichi OZEKI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-09-10.

Nonvolatile memory with magnetoresistive element and transistor

Номер патента: US09805780B2. Автор: Hiroki Noguchi,Shogo ITAI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing magnetoresistive element(s)

Номер патента: US09666793B2. Автор: Yimin Guo. Владелец: T3memory Usa Inc A California Us Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US09450177B2. Автор: Hideo Ohno,Fumihiro Matsukura,Hiroyuki Yamamoto,Shoji Ikeda,Katsuya Miura,Masaki Endoh,Shun Kanai. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2016-09-20.

Magnetoresistive element and magnetic memory device

Номер патента: US20230147268A1. Автор: Hiroshi Naganuma,Tetsuo Endoh. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2023-05-11.

Magnetoresistive element having an adjacent-bias layer and a toggle writing scheme

Номер патента: US20220278270A1. Автор: Yimin Guo,Jun Chen,Rongfu Xiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-09-01.

Back gate bias voltage control of oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09378777B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US10388343B2. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Daisuke Watanabe,Kenichi Yoshino,Tadaaki Oikawa,Young Min EEH. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2019-08-20.

Structure and method for mram devices having spacer element

Номер патента: US20220165936A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hau Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US09991314B2. Автор: Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Shumpei OMINE,Naoki Hase,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Structure and method for mram devices having spacer element

Номер патента: US20230301197A1. Автор: Hsiang-Ku Shen,Dian-Hao CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Magnetoresistive element having a nano-current-channel structure

Номер патента: US11957063B2. Автор: Yimin Guo,Jun Chen,Rongfu Xiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-04-09.

Magnetoresistive element, magnetic memory, and method of manufacturing magnetoresistive element

Номер патента: WO2013005461A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Kenji Noma,Katsuya Nishiyama,Eiji Kitagawa. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2013-01-10.

Method of manufacturing magnetoresistive element

Номер патента: US20170250221A1. Автор: Masayoshi Ikeda,Kiyotaka Sakamoto,Marie Hayashi. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-08-31.

Magnetoresistive element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170062706A1. Автор: Koji Yamakawa,Shinichi KANOO. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-02.

Magnetoresistive element

Номер патента: US8143684B2. Автор: Toshihiko Nagase,Makoto Nagamine,Masatoshi Yoshikawa,Katsuya Nishiyama,Sumio Ikegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2012-03-27.

Magnetoresistive element

Номер патента: US20090225587A1. Автор: Toshihiko Nagase,Makoto Nagamine,Masatoshi Yoshikawa,Katsuya Nishiyama,Sumio Ikegawa. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-09-10.

Magnetoresistive element comprising discontinuous interconnect segments and magnetic memory comprising a plurality of the magnetoresistive element

Номер патента: EP3882995A1. Автор: Marc Drouard,Sylvain Martin,Julien Louche. Владелец: Antaios SAS. Дата публикации: 2021-09-22.

Perpendicular MTJ element having a cube-textured reference layer and methods of making the same

Номер патента: US11910721B2. Автор: Yimin Guo,Jun Chen,Rongfu Xiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-02-20.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US20140145279A1. Автор: Tadaomi Daibou,Terunobu Miyazaki,Takao Ochiai,Eiji Kitagawa,Yushi Kato,Takahide Kubota,Shigemi Mizukami. Владелец: Tohoku University NUC. Дата публикации: 2014-05-29.

Magnetoresistive element and magnetic memory device

Номер патента: US20200294567A1. Автор: Kazuya Sawada,Kenichi Yoshino,Eiji Kitagawa,Tadaaki Oikawa,Young Min EEH,Taiga ISODA. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2020-09-17.

Methods of forming perpendicular magnetoresistive elements using sacrificial layers

Номер патента: US11805702B2. Автор: Yimin Guo,Jun Chen,Rongfu Xiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-10-31.

Magnetoresistive element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160099406A1. Автор: Katsuya Nishiyama,Koji Yamakawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Heusler compounds with non-magnetic spacer layer for formation of synthetic anti-ferromagnets (saf)

Номер патента: US20210167280A1. Автор: Mahesh G. Samant,Jaewoo JEONG,Panagiotis Charilaos Filippou,Yari Ferrante,Chirag Garg,Stuart S.P. Parkin. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-03.

Magnetoresistive element

Номер патента: US20150179926A1. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-06-25.

Magnetoresistive element and memory device

Номер патента: US20170263676A1. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Makoto Nagamine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-09-14.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US9018719B2. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Katsuya Nishiyama,Hisanori Aikawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-04-28.

Magnetoresistive element and magnetic memory using the same

Номер патента: US20140131823A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Katsuya Nishiyama,Eiji Kitagawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Magnetoresistive element

Номер патента: US7898846B2. Автор: Toshihiko Nagase,Makoto Nagamine,Masatoshi Yoshikawa,Katsuya Nishiyama,Sumio Ikegawa. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

Phase change memory devices including two-dimensional material and methods of operating the same

Номер патента: US20180061490A1. Автор: Changhyun KIM,Hyeonjin Shin,Seongjun Park,Seunggeol NAM,Yeonchoo CHO,Jinseong Heo,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-03-01.

Three-dimensional (3d) ferroelectric dipole metal-oxide semiconductor ferroelectric field-effect transistor (mosfefet) system, and related methods and systems

Номер патента: EP3610499A1. Автор: Xia Li,Seung Hyuk KANG,Bin Yang,Gengming Tao. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2020-02-19.

Automated Generation of Oxide Pillar Slot Shapes in Silicon-On-Insulator Formation Technology

Номер патента: US20100269085A1. Автор: Amit Kumar,Jeanne-Tania Sucharitaves,Michael D. Hulvey,Amanda L. Tessier,William Kirklen Henson. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-21.

Dynamic read amplifier for metal-oxide-semiconductor memories

Номер патента: US4379345A. Автор: Karlheinz Url. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 1983-04-05.

Magnetic Memory Cell Including Two-Terminal Selector Device

Номер патента: US20200185455A1. Автор: Jing Zhang,Bing K. Yen,Hongxin Yang. Владелец: Avalanche Technology Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

DRAM memory device with oxide semiconductor access transistor and method of controlling plate line potential

Номер патента: US11776616B2. Автор: Masaharu Wada. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-10-03.

Multi-level power supply system for a complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20100201403A1. Автор: Rajiv V. Joshi,Louis L. Hsu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-08-12.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Method of oxidating treatment (voloxidiation) of irradiated nuclear fuel

Номер патента: RU2654536C1. Автор: Сергей Иванович Смирнов,Пётр Михайлович Гаврилов,Игорь Александрович Меркулов,Глеб Алексеевич Апальков,Андрей Юрьевич Жабин,Владимир Викторович Бондин,Дмитрий Витальевич Друзь,Павел Викторович Аксютин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Горно-химический комбинат" (ФГУП "ГХК"). Дата публикации: 2018-05-21.

Heusler Compounds with Non-Magnetic Spacer Layer for Formation of Synthetic Anti-Ferromagnets (SAF)

Номер патента: US20200259076A1. Автор: Mahesh G. Samant,Jaewoo JEONG,Panagiotis Charilaos Filippou,Yari Ferrante,Chirag Garg,Stuart S.P. Parkin. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2020-08-13.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer

Номер патента: US11776968B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Magnetic tunnel junction (mtj) having a diffusion blocking spacer layer

Номер патента: US20240268236A1. Автор: Yu-Jen Wang,Kuo-Feng Huang,Kuei-Hung Shen,Bo-Hung Lin,Ding-Shuo WANG,Harry-HakLay Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device comprising a plurality of N-channel transistors wherein the oxide semiconductor layer comprises a portion being in an oxygen-excess state

Номер патента: US09837442B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device comprising transistor including oxide semiconductor

Номер патента: US09685447B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device wherein an oxide semiconductor layer has a degree of crystallization of 80% or more

Номер патента: US09583509B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with a small off current and oxide semiconductor layer having a function of a channel formation layer

Номер патента: US09553583B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US20220020632A1. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Formation method for air spacer layer and semiconductor structure

Номер патента: US12087617B2. Автор: Jie Bai,Kang You. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Portable electronic device having transistor comprising oxide semiconductor

Номер патента: US12001241B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Techniques for forming spin-transfer torque memory (STTM) elements having annular contacts

Номер патента: US09779794B2. Автор: Brian S. Doyle,Robert S. Chau,Kaan OGUZ,Mark L. Doczy,Satyarth Suri,Charles C. Kuo,David L. Kencke,Roksana GOLIZADEH MOJARAD. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09767755B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Portable electronic device having transistor comprising oxide semiconductor

Номер патента: US09740241B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device including write access transistor having channel region including oxide semiconductor

Номер патента: US09589961B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09552790B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US09524689B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Driving method for a semiconductor device with an oxide semiconductor layer between two gate electrodes

Номер патента: US09449706B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Metal-oxide-semiconductor (MOS) transistor structure integrated with a resistance random access memory (RRAM) and the manufacturing methods thereof

Номер патента: US09431506B2. Автор: Wei Zhang,Pengfei Wang,Xi Lin,Qingqing Sun. Владелец: FUDAN UNIVERSITY. Дата публикации: 2016-08-30.

Transparent layered element that includes display area

Номер патента: RU2757015C2. Автор: Патрик Гэйу,Мишель Скьявони,Сесиль ОЗАНАМ. Владелец: СЭН-ГОБЭН ГЛАСС ФРАНС. Дата публикации: 2021-10-08.

Asymmetric photonic crystal waveguide element having symmetric mode fields

Номер патента: EP1784668A1. Автор: Robert O. Miller. Владелец: Energy Conversion Devices Inc. Дата публикации: 2007-05-16.

Hydrogenated p-channel metal oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09985139B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Tin based p-type oxide semiconductor and thin film transistor applications

Номер патента: US09647135B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: SnapTrack Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Thin-film transistor having metal oxide semiconductor layers of heterojunction structure, display device comprising same, and manufacturing method therefor

Номер патента: US20230253504A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Hyeon Joo SEUL. Владелец: Industry University Cooperation Foundation IUCF HYU. Дата публикации: 2023-08-10.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09590393B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09344200B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Method of manufacturing spacer for liquid crystal display device, substrate for liquid crystal display device having spacer manufactured by the method and liquid crystal display device having the same

Номер патента: US8212979B2. Автор: Sung-Hyun Kim,Keon-Woo Lee,Chang-Ho Cho,Dong-Kung Oh,Sang-Kyu Kwak. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2012-07-03.

Method of manufacturing spacer for liquid crystal display device, substrate for liquid crystal display device having spacer manufactured by the method and liquid crystal display device having the same

Номер патента: US20100118244A1. Автор: Sung-Hyun Kim,Keon-Woo Lee,Chang-Ho Cho,Dong-Kung Oh,Sang-Kyu Kwak. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2010-05-13.

Display device including two types of transistors

Номер патента: US11726377B2. Автор: Chandra LIUS,Kuan-Feng Lee,Nai-Fang HSU. Владелец: Innolux Corp. Дата публикации: 2023-08-15.

Multi-active photoconductive element having an aggregate charge generating layer

Номер патента: US4175960A. Автор: Martin A. Berwick,Charles J. Fox,William A. Light. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1979-11-27.

Logical comparison element of complimentary metal-oxide-semiconductor structure of associate selector of memory device

Номер патента: RU2621011C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Артем Владимирович Антонюк. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2017-05-30.

Stereoscopic image display device comprising an eye detection sensor that includes a camera and first and second lattice members

Номер патента: US12044864B2. Автор: Jong Ho Hong,Hyun Jin CHO,Jae Ho YOU. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Thin film transistor substrate having metal oxide semiconductor and manufacturing the same

Номер патента: US09425216B2. Автор: Sul Lee,Hun Jang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Printer for performing printing based on combined object data including two or more object data

Номер патента: US9710732B2. Автор: Satoru Moriyama,Mitsuhiro KANDA. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Light activated optical switch that includes a piezoelectric element with layers of piezoelectric material having different piezoelectric characteristics

Номер патента: US20080226225A1. Автор: Gary N. Poovey. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-09-18.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09893201B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device having first and second oxide semiconductors with difference energy level

Номер патента: US09761738B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Liquid crystal display device having a low reflecting layer made of the same material as the source electrode and the oxide semiconductor layer

Номер патента: US09715145B2. Автор: Hiroshi Matsukizono. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09478668B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer

Номер патента: US09431427B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hotaka Maruyama,Daisuke Kawae,Yoshiaki Oikawa,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Area and power efficient implementation of resistive processing units using complementary metal oxide semiconductor technology

Номер патента: US12026609B2. Автор: Seyoung Kim,Tayfun Gokmen,Dennis M. Newns,Yurii A. Vlasov. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Thin film transistor comprising oxide semiconductor layer and silicon semiconductor layer and display apparatus comprising the same

Номер патента: US11495692B2. Автор: Pilsang YUN,Jiyong NOH,Intak Cho,Jaeman JANG. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-08.

Providing user interface (ui) elements having scrollable content in virtual machine sessions at reduced latency and related methods

Номер патента: EP3948507A1. Автор: Georgy Momchilov. Владелец: Citrix Systems Inc. Дата публикации: 2022-02-09.

Optical elements that include a metasurface

Номер патента: EP4226192A1. Автор: Maksim ZALKOVSKIJ,Mark Allen MOXEY. Владелец: Nilt Switzerland Gmbh. Дата публикации: 2023-08-16.

Light-emitting element having a delayed fluorescence component due to triplet-triplet annihilation

Номер патента: US09985233B2. Автор: Satoshi Seo,Hiromi Seo,Tsunenori Suzuki,Hiromitsu KIDO,Naoaki HASHIMOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Transistor and display device comprising oxide semiconductor layer

Номер патента: US09935202B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Structure of dual gate oxide semiconductor TFT substrate

Номер патента: US09799677B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Shimin Ge,Hejing ZHANG,Chihyuan Tseng,Chihyu SU,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Method for manufacturing oxide semiconductor device

Номер патента: US09754784B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US09741779B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hideaki Kuwabara,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09660101B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Oxide semiconductor, thin film transistor, and display device

Номер патента: US09647137B2. Автор: Shunichi Ito,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Display device using an oxide semiconductor

Номер патента: US09530896B2. Автор: Norihiro Uemura,Yohei Yamaguchi,Hidekazu Miyake,Isao Suzumura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Rapid two-layer neural network synthesis of realistic images of a neural avatar based on a single image

Номер патента: RU2764144C1. Автор: Виктор Сергеевич Лемпицкий,Егор Олегович ЗАХАРОВ,Александра Петровна ШИШЕЯ,Алексей Александрович Ивахненко. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2022-01-13.

COMPOSITE MIXTURE FOR DEPOSITION OF OXIDES OF FISSILE AND FRAGMENTED NUCLIDES FROM MELT OF EUTECTIC LiF-Na.F-KF MIXTURE

Номер патента: RU2637256C1. Автор: Юрий Степанович Федоров,Евгений Корнельевич Легин,Александр Евгеньевич Мирославов,Михаил Львович Хохлов,Екатерина Сергеевна Степанова,Маргарита Юрьевна Тюпина,Владимир Владимирович Кольцов. Владелец: Акционерное общество "Радиевый институт имени В.Г. Хлопина". Дата публикации: 2017-12-01.

Method for treatment of surface of oxide glass with fluorinating agent

Номер патента: EP3225599A1. Автор: Kunio Watanabe,Chikaya Tamitsuji. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-04.

Method of producing a dielectric of two-layer construction

Номер патента: CA1089114A. Автор: Tsutomu Okamoto,Hidemasa Tamura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1980-11-04.

Photographic element having a silver halide overlayer containing tanning-resistant substituted gelatin and an underlayer of tannable colloid

Номер патента: CA1127901A. Автор: Robert L. Rutledge. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1982-07-20.

Display device with surface mount devices that include pixels

Номер патента: US11889732B2. Автор: Norifumi Kikuchi,Hisao Sakurai,Ippei Nishinaka. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-01-30.

Composite oxide semiconductor, semiconductor device using the composite oxide semiconductor, and display device including the semiconductor device

Номер патента: US11940702B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Oxide semiconductor, thin film transistor array substrate and production method thereof, and display device

Номер патента: US20140367683A1. Автор: Masahiko Suzuki,Hirohiko Nishiki,Takeshi Hara,Michiko Takei,Yoshimasa Chikama,Go Mori,Okifumi Nakagawa,Yoshifumi Ohta,Tetsuya Aita,Yoshiyuki Harumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2014-12-18.

Oxide semiconductor, thin film transistor array substrate and production method thereof, and display device

Номер патента: US9076718B2. Автор: Masahiko Suzuki,Hirohiko Nishiki,Takeshi Hara,Michiko Takei,Yoshimasa Chikama,Go Mori,Okifumi Nakagawa,Yoshifumi Ohta,Tetsuya Aita,Yoshiyuki Harumoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2015-07-07.

Learning processor, learning processing method, production method of compound semiconductor, and recording medium

Номер патента: US11054793B2. Автор: Takaaki Furuya,Koichiro Ueno. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2021-07-06.

Metal-oxide-semiconductor transistor and method of forming gate layout

Номер патента: US20170330947A1. Автор: Chih-Chung Wang,Shih-Yin Hsiao,Wen-Fang Lee,Ching-Chung Yang,Nien-Chung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-11-16.

Electrophotographic recording element having photoconductor with quenched luminescence during charging and method of making the photoconductor

Номер патента: US3627528A. Автор: Simon Larach,Edward Charles Giaimo Jr. Владелец: RCA Corp. Дата публикации: 1971-12-14.

Optical metastructures having meta-atoms that include a plurality of sublayers having different respective indices of refraction

Номер патента: EP4392814A1. Автор: Maksim ZALKOVSKIJ,Brian Bilenberg. Владелец: Nilt Switzerland Gmbh. Дата публикации: 2024-07-03.

Display device including an oxide semiconductor which overlaps an opening

Номер патента: US20200096800A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Kazuhide Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2020-03-26.

Display device including an oxide semiconductor which overlaps an opening

Номер патента: US20210055588A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Kazuhide Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-02-25.

Display device including an oxide semiconductor which overlaps an opening

Номер патента: US20200301183A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Kazuhide Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2020-09-24.

Display device including a strip oxide semiconductor overlapping an opening

Номер патента: US20230296951A1. Автор: Hitoshi Tanaka,Kazuhide Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-09-21.

Separate Learning System and Method Using Two-Layered Neural Network Having Target Values for Hidden Nodes

Номер патента: US20070282772A1. Автор: Ju Hong Lee,Bum Ghi Choi,Tae Su Park. Владелец: INHA Industry Partnership Institute. Дата публикации: 2007-12-06.

Display device having an oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20240201550A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Separate learning system and method using two-layered neural network having target values for hidden nodes

Номер патента: US7734555B2. Автор: Ju Hong Lee,Bum Ghi Choi,Tae Su Park. Владелец: INHA Industry Partnership Institute. Дата публикации: 2010-06-08.

Optical metastructures having meta-atoms that include a plurality of sublayers having different respective indices of refraction

Номер патента: US20240361496A1. Автор: Maksim ZALKOVSKIJ,Brian Bilenberg. Владелец: Nilt Switzerland Gmbh. Дата публикации: 2024-10-31.

Two-layer interactive textiles

Номер патента: US09983747B2. Автор: Ivan Poupyrev. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2018-05-29.

Thin film transistor having oxide semiconductor layer

Номер патента: US09966474B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Thin-film transistor array substrate having oxide semiconductor with channel region between conductive regions

Номер патента: US09893092B2. Автор: Sunghwan Kim,Junhyun Park,Chongchul Chai,Kyoungju Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09767754B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Display device having an oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09658506B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Manufacture method of dual gate oxide semiconductor TFT substrate and structure thereof

Номер патента: US09570620B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Shimin Ge,Hejing ZHANG,Chihyuan Tseng,Chihyu SU,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09548036B2. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Manufacture method of dual gate oxide semiconductor TFT substrate and structure thereof

Номер патента: US09543442B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Shimin Ge,Hejing ZHANG,Chihyuan Tseng,Chihyu SU,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Scan driving circuit for oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09501991B1. Автор: Chao Dai. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

P-type oxide semiconductor, composition for producing p-type oxide semiconductor, method for producing r-type oxide semiconductor, semiconductor element, display element, image display device and system

Номер патента: RU2660407C2. Автор: Юкико АБЕ,Наоюки УЕДА,Юки НАКАМУРА,Синдзи МАЦУМОТО,Юдзи СОНЕ,Риоити САОТОМЕ,Саданори АРАЕ. Владелец: РИКОХ КОМПАНИ, ЛТД.. Дата публикации: 2018-07-06.

Two-layer touch tablet

Номер патента: US4587378A. Автор: Cecil A. Moore. Владелец: Koala Technologies Corp. Дата публикации: 1986-05-06.

Wide-band two layer antireflection coating for optical surfaces

Номер патента: CA2230552C. Автор: James Stilburn. Владелец: NATIONAL RESEARCH COUNCIL OF CANADA. Дата публикации: 2002-12-31.

Transistor with multilayer film including oxide semiconductor layer and oxide layer

Номер патента: US9660093B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Hajime Tokunaga,Kenichi Okazaki,Takuya Handa,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Magnetoresistance elements exhibiting thermally stable giant magnetoresistance effect

Номер патента: US5840420A. Автор: Syed A. Hossain,Martin R. Parker. Владелец: University of Alabama UA. Дата публикации: 1998-11-24.

Two-layered optical plate and method for making the same

Номер патента: US20080118711A1. Автор: Tung-Ming Hsu,Shao-Han Chang. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2008-05-22.

Large scale production of oxidized graphene

Номер патента: US09890046B2. Автор: Marie BOZALINA,Philippe Perret,Soroush NAZARPOUR. Владелец: Group Nanoxplore Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Large scale production of oxidized graphene

Номер патента: US09586825B2. Автор: Marie BOZALINA,Philippe Perret,Soroush NAZARPOUR. Владелец: Group Nanoxplore Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Method of manufacturing a stent-graft prosthesis with two layers of expanded polytetrafluoroethylene

Номер патента: WO2014074464A3. Автор: Andrew Banks,Asim Malik,Meghan Pearson,Christyne DAVIDIAN. Владелец: Medtronic Vascular Inc.. Дата публикации: 2014-07-03.

Method of manufacturing a stent-graft prosthesis with two layers of expanded polytetrafluoroethylene

Номер патента: EP2916883A2. Автор: Andrew Banks,Asim Malik,Meghan Pearson,Christyne DAVIDIAN. Владелец: Medtronic Vascular Inc. Дата публикации: 2015-09-16.

Method of manufacturing a stent-graft prosthesis with two layers of expanded polytetrafluoroethylene

Номер патента: WO2014074464A2. Автор: Andrew Banks,Asim Malik,Meghan Pearson,Christyne DAVIDIAN. Владелец: Medtronic Vascular Inc.. Дата публикации: 2014-05-15.

Material composed of superimposed layers which are mutually anchored and separable, particularly for manufacturing, on automated lines, packagings, bags, envelopes, containers or the like

Номер патента: US20140272234A1. Автор: Damiano Chinello,Tiziano Chinello,Michele Chinello,Pierluigi Chinello. Владелец: LINEAPACK Srl. Дата публикации: 2014-09-18.

Two-layer metal-effect coating based on acrylic co-polymers

Номер патента: AU7692481A. Автор: Ulrich Poth,Hermann-Josef Drexier. Владелец: BASF Lacke und Farben AG. Дата публикации: 1982-05-13.

Method for temporarily connecting two parts together, such as two stages of a space launcher, and assembly including two temporarily connected parts

Номер патента: US09624953B2. Автор: Frederic Veilleraud. Владелец: Astrium SAS. Дата публикации: 2017-04-18.

Large scale production of oxidized graphene

Номер патента: US12006220B2. Автор: Marie BOZALINA,Philippe Perret,Soroush NAZARPOUR. Владелец: Nanoxplore Inc. Дата публикации: 2024-06-11.

Lining element having a visible face partly formed with a ligneous material

Номер патента: US09352704B2. Автор: Hugo Piccin,Nathalie Durand. Владелец: Faurecia Interieur Industrie SAS. Дата публикации: 2016-05-31.

System of layers with two-layer metal layer

Номер патента: RU2566693C2. Автор: Георг БОСТАНЙОГЛО,Вернер ШТАММ,Аксель КАЙЗЕР,Ян ШТАЙНБАХ,Димитриос ТОМАИДИС. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2015-10-27.

Control of flow rate and thermal conditions using two-layered thin films separated by flexible seals and rotatable pivot

Номер патента: US8690073B2. Автор: Kambiz Vafai,Abdul-Rahim Assaad Khaled. Владелец: Kambix Innovations LLC. Дата публикации: 2014-04-08.

Hole-saw assembly including two hole-saws

Номер патента: US7097397B2. Автор: Kym John Keightley. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-08-29.

Device to emboss at least two-layer flat articles, for example, toilet paper, handkerchiefs, etc

Номер патента: RU2408463C2. Автор: Юрген ШЮТЦ. Владелец: МЕТСЯ ТИССЬЮ ОЙЙ. Дата публикации: 2011-01-10.

Embossing device for at least two-layered planar products such as toilet paper, tissues, or similar

Номер патента: CA2644534C. Автор: Jürgen Schütz. Владелец: Metsa Tissue Oyj. Дата публикации: 2012-10-30.

Method for producing permanent integral connections of oxide-dispersed (ODS) metallic materials or components of oxide-dispersed (ODS) metallic materials by welding

Номер патента: US20040035855A1. Автор: Stefan Bauer,Manfred Borens,Jorg Witte,Franz-Peter Eckes,Robert Ruehl,Andreas Stolzenberg,Helmut Schoppe,Stefan Melchior. Владелец: Schott Glaswerke AG. Дата публикации: 2004-02-26.

Adhesive tape, preferably self-adhesive tape, comprising of at least two layers A and B laminated directly on one another, with at least one or both layers A or B being an adhesive

Номер патента: US09550920B2. Автор: Hermann Neuhaus-Steinmetz,Arne Koops,Uwe Schümann,Thomas Schubert,Kirstin Weiland,Olga Kirpicenok,Dennis Perlbach,Sarah Reich. Владелец: TESA SE. Дата публикации: 2017-01-24.

Composite two-layer preform, method and device of its fabrication, method of making bad-in-container package by blow moulding and bag-in-container package thus made

Номер патента: RU2470778C2. Автор: ХОВЕ Сара ВАН,Даниэль ПЕИРСМАН,Руди ВЕРПОРТЕН. Владелец: Инбев С.А.. Дата публикации: 2012-12-27.

Two-layer structure for absorbing material

Номер патента: RU2369407C2. Автор: Вилльям А. ДЖЕЙМС,Арчи ДЖОНС,Вилльям Г. Ф. КЕЛЛИ. Владелец: МакНЕЙЛ-ППС, ИНК.. Дата публикации: 2009-10-10.

Panel with direct print, having two-layer structure

Номер патента: RU2637559C2. Автор: Дитер ДЁРИНГ. Владелец: Кроноплюс Техникаль АГ. Дата публикации: 2017-12-05.

Integral two layer preform, process and apparatus for the production thereof, process for producing a blow-moulded bag-in container, and bag-in-container thus produced

Номер патента: CA2681777C. Автор: Daniel Peirsman,Sarah Van Hove,Rudi Verpoorten. Владелец: Anheuser Busch InBev SA. Дата публикации: 2017-09-19.

Method of making a magnetoresistance element

Номер патента: US3584377A. Автор: Toshiyuki Yamada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1971-06-15.

Superconducting thin film formed of oxide superconductor material, superconducting current path and superconducting device utilizing the superconducting thin film

Номер патента: CA2079357A1. Автор: Hiroshi Inada,Michitomo Iiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 1993-03-25.

Superconducting device having a reduced thickness of oxide superconducting layer and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2051048C. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-07-02.

Method for producing thin oxidized carbon film, element having thin oxidized carbon film, and method for producing same

Номер патента: US20140134409A1. Автор: Akihiro Odagawa,Nozomu Matsukawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Superconducting thin film formed of oxide superconductor material, superconducting current path and superconducting device utilizing the superconducting thin film

Номер патента: CA2079357C. Автор: Hiroshi Inada,Michitomo Iiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1996-04-16.

Power metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor

Номер патента: US4206469A. Автор: Earl S. Schlegel,Maurice H. Hanes. Владелец: Westinghouse Electric Corp. Дата публикации: 1980-06-03.

System and method for compression of oxidizer in gas turbine system based on stoichiometric recycling of exhaust gas

Номер патента: RU2655896C2. Автор: Джеймс А. УЭСТ,Ричард Э. Хантингтон,Франклин Ф. Миттрикер,Лорен К. Старчер,Сулабх К. Дханука,Деннис М. О'Ди,Сэмюель Д. ДРЕЙПЕР,Кристиан М. ХАНСЕН,Тодд ДЕНМАН. Владелец: Эксонмобил Апстрим Рисерч Компани. Дата публикации: 2018-05-29.

Method of oxidative dehydration with improved regulatibility for obtaining butadiene

Номер патента: RU2628519C2. Автор: Джозеф Г. ДАФФ,Лиана КАСИУЛА,Элизабет БАЛЛАРД,Сириша ЧАДА,Сесил Дж. МакФАРЛАНД. Владелец: ТиПиСи ГРУП ЭлЭлСи. Дата публикации: 2017-08-17.

Electroluminiscent element having a high effient light output

Номер патента: US09887388B2. Автор: Masayuki Naya. Владелец: UDC Ireland Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Mixed oxide catalysts of oxidative methane condensation

Номер патента: RU2761985C1. Автор: Дэвид Уэст,Гектор ПЕРЕС,Угэн Лян,Луаньи ЛИ,Видя Сагар Редди САРСАНИ. Владелец: Сабик Глоубл Текнолоджиз, Б.В.. Дата публикации: 2021-12-14.

Method for manufacturing superconducting thin film formed of oxide superconductor having non superconducting region in it, method for manufacturing superconducting device utilizing the superconducting thin film and superconducting thin film manufactured thereby

Номер патента: CA2077047C. Автор: Michitomo Iiyama,So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-02-10.

Hemostatic powders of oxided regenerated cellulose and methods of their production

Номер патента: RU2629199C2. Автор: И-Лан ВАН,Гуанхой ЧЖАН. Владелец: Этикон, Инк.. Дата публикации: 2017-08-25.

Method of preparing aqueous dispersion of oxidized sulfurous dye

Номер патента: RU2044751C1. Автор: Аладар Месарош Ласло. Владелец: Сандос АГ. Дата публикации: 1995-09-27.

Integration of oxidative dehydrogenation process with catalytic membrane dehydrogenation reactor process

Номер патента: US20230357108A1. Автор: Vasily Simanzhenkov,Shahin Goodarznia,Bolaji Olayiwola. Владелец: Nova Chemicals International SA. Дата публикации: 2023-11-09.

Chemical regeneration method of oxidized coenzyme NAD (P)+

Номер патента: US9884888B2. Автор: Qing Li,Lingling Pu,Hanjie Ying,Chenjie Zhu,Zhuotao Tan. Владелец: NANJING TECH UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-02-06.

Microbially-mediated method for synthesis of non-oxide semiconductor nanoparticles

Номер патента: US09768333B2. Автор: Robert J. Lauf,Ilia N. Ivanov,Ji-Won Moon,Tommy J. Phelps,Lonnie J. Love,Chad Edward Duty,Yiliang Li,Adam Justin Rondinone,Andrew Stephen Madden,Claudia Jeanette Rawn. Владелец: UT Battelle LLC. Дата публикации: 2017-09-19.

Integration of oxidative combination into methane plants

Номер патента: RU2764097C2. Автор: Гвидо РАДАЭЛЛИ,Джарод МАККОРМИК,Хумера Абдул РАФИК,Джеймс ХИДАДЖАТ,Сринивас Р. ВУДДАГИРИ,Джошуа Райан МАЙЛЗ,Ричард БЛЭК. Владелец: Люммус Текнолоджи Ллс. Дата публикации: 2022-01-13.

Method of manufacture of two-layer laminated element from stainless steel, tw0-layer laminated element, method of protection against corrosion, method of functional restoration of chemical equipment and chemical equipment

Номер патента: RU2215655C2. Автор: Чезаре Миола. Владелец: Снампрогетти С.П.А.. Дата публикации: 2003-11-10.

Improved process for cleaning a surface of thin film of oxide superconductor and utilization thereof

Номер патента: CA2064362C. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama,So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Hiv probes for use in solution phase sandwich hybridization assays

Номер патента: CA2124797C. Автор: Michael S. Urdea,Bruce D. Irvine,Janice A. Kolberg. Владелец: Chiron Corp. Дата публикации: 2004-03-30.

Substrate of single crystal of oxide, device using said substrate and method of producing said superconductive device

Номер патента: US5314871A. Автор: Kozo Nakamura. Владелец: KOMATSU LTD. Дата публикации: 1994-05-24.

Industrial two-layer fabric

Номер патента: CA2872263C. Автор: Teppei Hashiguchi. Владелец: Nippon Filcon Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

Process for cleaning a surface of thin film of oxide superconductor

Номер патента: US5607900A. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama,So Tanaka. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-03-04.

Handle Substrates of Composite Substrates for Semiconductors, and Composite Substrates for Semiconductors

Номер патента: US20150364548A1. Автор: Akiyoshi Ide,Hirokazu Nakanishi,Yasunori Iwasaki,Sugio Miyazawa,Tatsuro Takagaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Handle substrates of composite substrates for semiconductors, and composite substrates for semiconductors

Номер патента: US09673282B2. Автор: Akiyoshi Ide,Hirokazu Nakanishi,Yasunori Iwasaki,Sugio Miyazawa,Tatsuro Takagaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Single-layer or two-layer ammonia slip elimination catalyst

Номер патента: RU2743125C2. Автор: Микаэль ЛАРССОН,Дэвид МИКАЛЛЕФ,Цзин ЛУ. Владелец: Джонсон Мэтти Паблик Лимитед Компани. Дата публикации: 2021-02-15.

Layer applying device for 3d-printer and a method for applying two layers of the structural material in the form of particles

Номер патента: RU2641115C1. Автор: Райнер Хёхсманн,Александер Мюллер,Свен КЛАУА. Владелец: Эксуан Гмбх. Дата публикации: 2018-01-16.

Catalysts of oxidation for diesel engines based on base metals and modified with base metals

Номер патента: RU2506996C2. Автор: Барри У.Л. САУТУОРД,Керт ЭЛЛИС. Владелец: Умикоре Аг Унд Ко. Кг. Дата публикации: 2014-02-20.

Process of oxidative halogenation and optional dehydrogenation of c3-c10-hydrocarbons (options)

Номер патента: RU2284984C2. Автор: Альберт Е. ШВАЙЦЕР,Марк Е. ДЖОУНС,Дэниел А. ХИКМАН. Владелец: Дау Глобал Текнолоджиз Инк.. Дата публикации: 2006-10-10.

Thin film of oxide superconductor possessing locally different crystal orientations and processes for preparing the same

Номер патента: CA2062294A1. Автор: Hiroshi Inada,Michitomo Iiyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 1992-09-05.

Process for preparing thin film of oxide superconductor

Номер патента: CA2045890C. Автор: Hideo Itozaki,Takashi Matsuura,Kenjiro Higaki. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-10-06.

Method for generation of oxide layer on anodes of oxide-semiconductor and electrolytic capacitors

Номер патента: RU2456697C1. Автор: Лев Матвеевич Меринов,Виталий Евгеньевич Александров,Сергей Павлович Прокофьев. Владелец: Открытое акционерное общество "Завод "Мезон". Дата публикации: 2012-07-20.

Porous oxide semiconductor particles

Номер патента: US20230406720A1. Автор: Toshiyuki Suzuki,Kazuhisa Yano,Masanori Inaba,Tomohiro Takeshita,Kensaku Kodama. Владелец: Toyota Central R&D Labs Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Staircase avalanche photodiode with a staircase multiplication region composed of an AIInAsSb alloy

Номер патента: US09748430B2. Автор: Scott Maddox,Joe Campbell,Seth Bank,Wenlu Sun. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2017-08-29.

Method of oxidized nickel ores processing to produce nickel and cobalt

Номер патента: RU2078841C1. Автор: Ю.М. Смирнов,А.Ю. Смирнов,А.А. Пашковский,И.Ю. Рединин. Владелец: Санкт-Петербургский горный институт. Дата публикации: 1997-05-10.

Method of chlorine-ammonium extraction of oxides of copper and nickel of raw materials with its following separation

Номер патента: RU2352651C1. Автор: Александр Николаевич Дьяченко,Роман Иванович Крайденко. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Томский политехнический университет. Дата публикации: 2009-04-20.

Battery system including two or more unit cells electrically connected in series

Номер патента: US8035344B2. Автор: Yoshiaki Inoue,Jusuke Shimura. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2011-10-11.

Use of oxidized lignin as a dispersant

Номер патента: US09676667B2. Автор: Tiina Liitiä,Tarja Tamminen,Anna Kalliola,Tapio Vehmas. Владелец: Valtion teknillinen tutkimuskeskus. Дата публикации: 2017-06-13.

Engine control method for maintaining performance of oxidation catalyst

Номер патента: US09599002B2. Автор: Tae-hyung Kim,Jun-Hee Won,Nam-il Choi,In-hyuk Im. Владелец: Doosan Infracore Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of making a two-layer anode substrate with a thin-film electrolyte for solid oxide fuel cell

Номер патента: RU2735327C1. Автор: Сергей Иванович Бредихин,Ольга Васильевна Тиунова,Ольга Юрьевна Задорожная,Юрий Кондратьевич Непочатов,Илья Николаевич Бурмистров,Дмитрий Александрович Агарков,Екатерина Алексеевна Агаркова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физики твердого тела Российской академии наук (ИФТТ РАН). Дата публикации: 2020-10-30.

Two-layer electrical connector for storage battery outlet

Номер патента: RU2333573C1. Автор: Владимир Феофанович Иванов. Владелец: Владимир Феофанович Иванов. Дата публикации: 2008-09-10.

Monitoring method of oxidation of slag and metal at melting of alloys based on iron in alternating-current electric arc furnaces

Номер патента: RU2485185C2. Автор: Олег Юрьевич Шешуков,Илья Владимирович Некрасов,Андрей Владиславович Сивцов,Михаил Михайлович Цымбалист. Владелец: Учреждение Российской академии наук Институт металлургии Уральского отделения РАН (ИМЕТ УрО РАН). Дата публикации: 2013-06-20.

Method of production of phenol and its derivatives and method of oxidation of benzene and its derivatives

Номер патента: RU2202532C2. Автор: Л.М. Кустов,В.И. Богдан,В.Б. Казанский. Владелец: Институт органической химии им. Зелинского РАН. Дата публикации: 2003-04-20.

Method of production of oxides of refractory metals from loparite concentrate

Номер патента: RU2160787C1. Автор: С.В. Шестаков,Н.В. Зоц. Владелец: Закрытое акционерное общество "Росредмет". Дата публикации: 2000-12-20.

Method of oxidized polymetallic materials processing

Номер патента: RU2079561C1. Автор: Иван Иванович Эннс,Юрий Александрович Чертков,Елена Алексеевна Сычева,Вячеслав Михайлович Комлев,Алимхан Акылбеков,Валентина Иосифовна Палкина,Лариса Борисовна Кушакова,Николай Андреевич Кислицын,Владимир Георгиевич Тимошенко,Татьяна Андреевна Тимошенко. Владелец: Восточный научно-исследовательский горно-металлургический институт цветных металлов. Дата публикации: 1997-05-20.

Method for manufacturing of oxide-nickel electrode

Номер патента: RU2343596C1. Автор: Иршат Атауллович Махмутов,Вадим Владимирович Петров. Владелец: Вадим Владимирович Петров. Дата публикации: 2009-01-10.

Process for preparing nano-porous metal oxide semiconductor layers

Номер патента: WO2004025675A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Joop Van Deelen,Jan Kroon. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

Method of preparing active phase of catalyst for oxidative dehydrogenation of hydrocarbons, catalyst based on it, method of obtaining it and method of oxidative dehydrogenating ethane and its use

Номер патента: RU2358958C1. Автор: Вера Ильинична Исаева,Леонид Модестович Кустов,Алексей Викторович Кучеров,Татьяна Николаевна Кучерова,Елена Дмитриевна Финашина. Владелец: Елена Дмитриевна Финашина. Дата публикации: 2009-06-20.

Process for the production of oxides

Номер патента: US5008414A. Автор: Ramakrishnan Ramachandran,Virginia A. Malik,Donald L. MacLean,Donald P. Satchell, Jr.. Владелец: Boc Group Inc. Дата публикации: 1991-04-16.

Method of oxidative treatment of the slag wastes of the steel work, ld oxide scale produced by this method and the material produced with its utilization

Номер патента: RU2278834C2. Автор: Франсуа СОРРАНТИНО,Ги ШАПЕРОН,Жан-Пьер БЕЙУ. Владелец: Лафарж. Дата публикации: 2006-06-27.

Method for controlling the process of oxidation of sulphides

Номер патента: RU2650378C2. Автор: Лев Владимирович Чугаев,Яков Михайлович Шнеерсон,Михаил Владимирович Клементьев,Александр Владимирович Маркелов,Георгий Альбертович Кропачев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Научно-исследовательский центр "Гидрометаллургия". Дата публикации: 2018-04-11.

Method for pyrometallurgical processing of oxidized nickel ore

Номер патента: RU2639396C1. Автор: Леопольд Игоревич Леонтьев,Александр Семенович Вусихис,Геннадий Станиславович Подгородецкий,Евгений Николаевич Селиванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук (ИМЕТ УрО РАН). Дата публикации: 2017-12-21.

Device to accumulate electric energy comprising battery of oxide-ion accumulator cells and module configurations

Номер патента: RU2528388C2. Автор: Кевин ХУАН,Шайлеш Д. ВОРА,Мердад ТАРТИБИ,Николас ВОРТМЕЙЕР,Кевин П. ЛИТЦИНГЕР,Чун ЛУ,Михаэль Йозеф ЗЮСС. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2014-09-20.

Method of oxidative treatment of steel-casting slag for production of cement materials

Номер патента: RU2261846C2. Автор: ПУПАРДЕН Валери МИШО,Франсуа СОРРЕНТИНО. Владелец: Лафарж. Дата публикации: 2005-10-10.

Method of reduction of oxide-containing material in the form of particles and plant for its embodiment

Номер патента: RU2125612C1. Автор: Вернер Кепплингер Леопольд,Хьюберт Випп Рой (младший),Целлер Зигфрид,Циммербауер Карл-Хайнц. Владелец: Брифер Интернэшнл Лтд.. Дата публикации: 1999-01-27.

Two-layer supercapacitor

Номер патента: RU2707962C1. Автор: Владимир Николаевич Андреев,Татьяна Львовна Кулова,Дмитрий Юрьевич Грызлов,Александр Мордухаевич Скундин,Валерий Павлович Мельников. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт физической химии и электрохимии им. А.Н. Фрумкина РАН (ИФХЭ РАН). Дата публикации: 2019-12-03.

Processing method of scraps of anodes of tantalum oxide-semiconductor capacitors

Номер патента: RU2480529C1. Автор: Вениамин Моисеевич Орлов,Евгений Николаевич Киселев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химии и технологии редких элементов и минерального сырья им. И.В. Тананаева Кольского научного центра Российской академии наук (ИХТРЭМС КНЦ РАН). Дата публикации: 2013-04-27.

Method for evaluating antagonistic activity of lactic-acid bacteria or enterobacteria to pathogenic mycobacteria due to applying a two-layer medium

Номер патента: RU2317332C1. Автор: Алла Леоновна Лазовская,Зоя Глебовна Воробьева,Клавдия Николаевна Слинина,Марина Александровна Кульчицкая. Владелец: Государственное научное учреждение Научно-исследовательский ветеринарный институт Нечерноземной зоны РФ Российской академии сельскохозяйственных наук. Дата публикации: 2008-02-20.

Method for controlling flow rate of oxidizer in fuel cell system

Номер патента: CA2450595C. Автор: Yoshikazu Murakami,Yuji Matsumoto,Masanori Hayashi,Kenichiro Ueda,Junji Uehara,Daishi Igarashi. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2008-01-22.

Bottom-up, scalable synthesis of oxide-based sub-nano and nanofilaments and nanofilament-based two-dimensional flakes and mesoporous powders

Номер патента: EP4291240A1. Автор: Michel W. Barsoum,Hussein O. BADR. Владелец: DREXEL UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-12-20.

Sputtering target, oxide semiconductor, oxynitride semiconductor, and transistor

Номер патента: US20170352763A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-07.

Sputtering target, oxide semiconductor, oxynitride semiconductor, and transistor

Номер патента: US20200013894A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-01-09.

Electrochemical system and method for on-site generation of oxidants at high current density

Номер патента: EP2697730A2. Автор: Prabhu U. Arumugam,Ian W. Wylie,John A. Carlisle,Hongjun ZENG. Владелец: Advanced Diamond Technology Inc. Дата публикации: 2014-02-19.

N-type metal oxide semiconductor spectrally sensitized with a cationic spectral sensitizer

Номер патента: WO2004025674A1. Автор: Hieronymus Andriessen,Paul Callant. Владелец: AGFA-GEVAERT. Дата публикации: 2004-03-25.

Method for producing gallium oxide semiconductor film and film formation device

Номер патента: EP4180557A1. Автор: Takenori Watabe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Coating material for forming porous metal oxide semiconductor film for photovoltaic cell

Номер патента: EP2128880A3. Автор: Tsuguo Koyanagi,Takaki Mizuno. Владелец: JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel die and implementation method thereof

Номер патента: US20230037951A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Metal-oxide semiconductor field-effect transistor with asymmetric parallel dies and method of using the same

Номер патента: US12101026B2. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Hsiang Chi Meng,Chih Ming Yu. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Three dimensional complementary metal oxide semiconductor carbon nanotube thin film transistor circuit

Номер патента: US09966416B2. Автор: Shou-Shan Fan,Qun-Qing Li,Yuan-Hao Jin,Xiao-Yang Xiao,Yu-Dan Zhao,Guan-Hong Li. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Substrate structure, complementary metal oxide semiconductor device, and method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09570359B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,Moon-seung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Flat pad structure for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor processes

Номер патента: US09536810B1. Автор: Ming-Tsong Wang,Dun-Nian Yaung,Ching-Chun Wang,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Shyh-Fann Ting,Hsiao-Hui Tseng,Wei Chuang Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Electrolyte solvent for cathode active material composed of lithium oxo acid salt, electrolyte solution for cathode active material composed of lithium oxo acid salt, and lithium ion secondary battery

Номер патента: US09379413B2. Автор: LI YANG,Shaohua Fang. Владелец: Shoei Chemical Inc . Дата публикации: 2016-06-28.

Combustion method with arrangement of cycles of chemical reactions and removal of ash and fine particles at outlet of oxidation zone and plant using this method

Номер патента: RU2603942C2. Автор: Флоран ГИЛЛУ,Тьери ГОТЬЕ,Али ОТЕИТ,Себастьен Риффлар. Владелец: Тоталь Са. Дата публикации: 2016-12-10.

Method of activating titanium-containing silicate, titanium-containing silicate catalyst, and method of oxidizing organic substrate

Номер патента: RU2159675C1. Автор: Роберто Багатин,Раффаэле Унгарелли,Луиджи Балдуччи,Даниэле БЬЯНКИ,Мария Анджела Мантегацца. Владелец: Эни С.П.А.. Дата публикации: 2000-11-27.

Method for processing of oxide-nickel electrodes

Номер патента: RU2410801C1. Автор: Александр Иванович Демидов,Евгения Николаевна Волкова. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский Государственный политехнический университет" (ГОУ "СПбГПУ"). Дата публикации: 2011-01-27.

3-substituted para-aminophenols as predecessor of oxidizing color at coloring of keratin fibers and coloring composition on their base

Номер патента: RU2146124C1. Автор: Коттере Жан,Лагранж Ален,Ванденбош Жан-Жак,Одуссе Паскаль. Владелец: Л'Ореаль. Дата публикации: 2000-03-10.

Method for c2-oxygenates production by fermentation using sulfur with high degree of oxidation

Номер патента: RU2644239C2. Автор: Ричард Е. ТОУБИ,Тоби Д. АЛЛЕН,Питер Мартин ЛОККЕН,Эндрю Джеймс ХЕЙНЕН,Гэншэн ЧЭНЬ. Владелец: Коската, Инк.. Дата публикации: 2018-02-08.

Method of extraction of oxidized molybdenum at processing of mixed molybdenum ores

Номер патента: RU2234548C2. Автор: Г.В. Секисов,И.В. Костромина,Ю.П. Добромыслов. Владелец: Читинский государственный технический университет. Дата публикации: 2004-08-20.

Method for generating gases for the reduction of oxide ores, particularly iron ores

Номер патента: CA1081464A. Автор: Kurt Tippmer. Владелец: Carl Still GmbH and Co KG. Дата публикации: 1980-07-15.

Dehalogenation of oxidic zinc-bearing materials

Номер патента: CA1200701A. Автор: Kornel R.V. Szarmes,Chuan-Hoe Teh. Владелец: Teck Metals Ltd. Дата публикации: 1986-02-18.

Ceramic electric heating body having two-layer structure, and electric soldering iron

Номер патента: EP4037431A1. Автор: Peter Leigh. Владелец: Chongqing Le Mark Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-08-03.

Ceramic electric heating element having a twolayer structure and electric soldering iron

Номер патента: US20220377849A1. Автор: Peter Leigh. Владелец: Chongqing Le Mark Technology Co Ltd. Дата публикации: 2022-11-24.

Heatable low-e glazing comprising two layers based on titanium nitride

Номер патента: US20230339212A1. Автор: Norbert Huhn,Vincent Reymond,Corentin Monmeyran,Julie RUFF. Владелец: Saint Gobain Glass France SAS. Дата публикации: 2023-10-26.

Method of joining together magnetic and nonmagnetic materials

Номер патента: US7015434B2. Автор: Shigeaki Yamanaka,Masahiro Dohi. Владелец: Kubota Iron and Machinery Works Ltd. Дата публикации: 2006-03-21.

Two Layers Wood Flooring and Processing Method

Номер патента: US20210324637A1. Автор: Wu Tong. Владелец: Fusong Jinlong Wooden Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Oxide semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20200027955A1. Автор: Naoto Kikuchi,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Manufacturing of oxide-dispersion strengthened alloys by liquid metallurgy

Номер патента: US20240218489A1. Автор: Xiaochun Li,Shiqi ZHENG. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2024-07-04.

Capacitive MEMS-sensor element having bond pads for the electrical contacting of the measuring capacitor electrodes

Номер патента: US09725300B2. Автор: Rolf Scheben,Heiko Stahl,Benedikt STEIN,Arnim Hoechst,Bernhard Gehl. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2017-08-08.

Method of joining together magnetic and nonmagnetic materials

Номер патента: US20040211773A1. Автор: Shigeaki Yamanaka,Masahiro Dohi. Владелец: Kubota Iron and Machinery Works Ltd. Дата публикации: 2004-10-28.

Release chemical protection for integrated complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) and micro-electro-mechanical (MEMS) devices

Номер патента: US09487396B2. Автор: Fariborz Assaderaghi,Michael J. Daneman. Владелец: InvenSense Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

A method for producing decorative components having an outer elastomeric layer that is integral with an inner foam layer

Номер патента: CA2328577C. Автор: Richard P. Harrison,L. Patrick Chang,Jon Pavlinac,Joseph Ogonowski. Владелец: BASF Corp. Дата публикации: 2010-04-27.

Manufacture of a security element having color-change properties

Номер патента: CA2935427C. Автор: Winfried HOFFMÜLLER,Christian Fuhse,Theodor Burchard,Patrick Engelmann. Владелец: Giesecke and Devrient Currency Technology GmbH. Дата публикации: 2018-11-27.

Manufacturing of oxide-dispersion strengthened alloys by liquid metallurgy

Номер патента: WO2022225622A3. Автор: Xiaochun Li,Shiqi ZHENG. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2023-03-02.

Method and system for producing an at least two-layer composite serving as a lining for a vehicle interior component

Номер патента: US11865795B2. Автор: Robert Thalhammer. Владелец: Lisa Draexlmaier GmbH. Дата публикации: 2024-01-09.

Controlled manufacturing method of metal oxide semiconductor and metal oxide semiconductor structure having controlled growth crystallographic plane

Номер патента: US09748095B2. Автор: Young-Jun Park,Seung-Nam Cha,Jung-Inn Sohn,Ji-yeon KU. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-29.

Cutting elements having a non-uniform annulus leach depth, earth-boring tools including such cutting elements, and related methods

Номер патента: US09714545B2. Автор: Anthony A. DiGiovanni,David A. Stockey. Владелец: Baker Hughes Inc. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for obtaining a catalyst of oxidative dehydrogenation of ethane

Номер патента: RU2668215C1. Автор: Андрей Леонидович Тарасов,Леонид Модестович Кустов,Елена Дмитриевна Финашина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2018-09-27.

Method of oxidation of hydrocarbons

Номер патента: RU2531285C2. Автор: Франсуаз ИГЕРСХАЙМ,Серж ВЕРАСИНИ,Софи ГАЛИНА. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2014-10-20.

Process of oxidating hydrogen sulfide

Номер патента: RU2632014C1. Автор: Наиля Самильевна Сакаева,Сергей Петрович Кильдяшев. Владелец: Акционерное общество "Специальное конструкторско-технологическое бюро "Катализатор". Дата публикации: 2017-10-02.

Filter element having a conductive edge band and filter assembly having such a filter element

Номер патента: US11684884B2. Автор: Oliver Staudenmayer,Alexander OELSNER,Ulrich Stahl,Peter Capuani,Gennaro De Angelis. Владелец: CARL FREUDENBERG KG. Дата публикации: 2023-06-27.

Stator refiner plate element having curved bars and serrated leading edges

Номер патента: US09604221B2. Автор: Luc Gingras. Владелец: ANDRTIZ Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Homogeneous catalyst of oxidating sodium diethyldithiocarbamate based on tetra-4-(4'-carboxyphenylsulphanium)-5-cobalt nitrophtalocyanine (ii)

Номер патента: RU2640414C9. Автор: Владимир Ефимович Майзлиш,Геннадий Павлович Шапошников,Артур Сергеевич Вашурин,Серафима Андреевна Знойко,Илья Алексеевич Кузьмин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный химико-технологический университет" (ИГХТУ). Дата публикации: 2018-03-22.

Multicomponent two-layer bioactive material with controlled antibacterial effect

Номер патента: RU2697720C1. Автор: Дмитрий Владимирович Штанский,Александр Николаевич Шевейко,Ирина Викторовна Сухорукова,Виктор Андреевич Пономарев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2019-08-19.

Purification method of exhaust gases of oxidation of isopropyl benzene

Номер патента: RU2696444C1. Автор: Дмитрий Владимирович Штатнов,Марат Гусманович Хайруллин,Тимур Талгатович Гараев,Алмаз Тагирзянович Мингазов,Владислав Владимирович Фролов,Ренат Лирамович Шайхов. Владелец: Казанское публичное акционерное общество "Органический синтез". Дата публикации: 2019-08-01.

Method of manufacture of ion exchange two-layer membrane

Номер патента: RU2670300C1. Автор: Андрей Александрович Новиков,Павел Александрович Гущин,Владимир Арнольдович Винокуров,Евгений Владимирович Иванов,Анатолий Николаевич Филиппов,Дарья Андреевна Петрова. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский государственный университет нефти и газа (национальный исследовательский университет) имени И.М. Губкина". Дата публикации: 2018-10-22.

Two-layer thermoplastic elastomer sheet

Номер патента: CA2058285C. Автор: Shunichi Hamada,Katsuyoshi Yonekura. Владелец: Mitsui Chemicals Inc. Дата публикации: 2002-02-05.

Homogeneous catalyst of oxidating sodium diethyldithiocarbamate based on tetra-4-(4'-carboxyphenylsulphanium)-5-cobalt nitrophtalocyanine (ii)

Номер патента: RU2640414C1. Автор: Владимир Ефимович Майзлиш,Геннадий Павлович Шапошников,Артур Сергеевич Вашурин,Серафима Андреевна Знойко,Илья Алексеевич Кузьмин. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ивановский государственный химико-технологический университет" (ИГХТУ). Дата публикации: 2018-01-09.

Method for manufacturing two-layer cylinder cylinder bushing by centrifugal casting method

Номер патента: RU2750302C1. Автор: Владимир Павлович Булгаков,Ирина Николаевна Рубан. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Астраханский государственный технический университет. Дата публикации: 2021-06-25.

Method for producing two-layer powder antifrictional material based on copper

Номер патента: RU2766601C1. Автор: Александр Федорович Ильющенко,Лариса Николаевна Дьячкова. Владелец: ГОСУДАРСТВЕННОЕ НАУЧНОЕ УЧРЕЖДЕНИЕ ИНСТИТУТ ПОРОШКОВОЙ МЕТАЛЛУРГИИ ИМЕНИ АКАДЕМИКА О.В. РОМАНА. Дата публикации: 2022-03-15.

Method for obtaining a two-layer gas-concrete building block

Номер патента: RU2763142C1. Автор: Степан Александрович Серебренников. Владелец: Степан Александрович Серебренников. Дата публикации: 2021-12-27.

Method for increasing luminescence intensity of oxide dielectrics

Номер патента: RU2714811C2. Автор: Сергей Владимирович Никифоров,Сергей Федорович Конев,Анастасия Алексеевна Меньшенина. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Уральский федеральный университет имени первого Президента России Б.Н. Ельцина". Дата публикации: 2020-02-19.

Two layer wound-on-core medium filter element

Номер патента: CA1120867A. Автор: Donald J. Butterworth,Robert E. Loudon,Christopher J. Halbfoster. Владелец: Ecodyne Corp. Дата публикации: 1982-03-30.

Hvac system including two-layer airflow cooling mode

Номер патента: US20210129626A1. Автор: Tom PEARD. Владелец: Denso International America Inc. Дата публикации: 2021-05-06.

Method and structure for forming low contact resistance complementary metal oxide semiconductor

Номер патента: US20230387238A1. Автор: Andrew M. Greene,Ruilong Xie,Julien Frougier,Reinaldo Vega. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-11-30.

Driving distributed mode loudspeaker actuator that includes patterned electrodes

Номер патента: US20190273992A1. Автор: Neil John Harris. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2019-09-05.

Mat with thermostatic layer between two layers of foam to reduce heat accumulation and method for making the same

Номер патента: US20180020842A1. Автор: Wei-Kuan Wang,Jung-Hung SU. Владелец: Seda Chemical Products Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Method of removing sulfur dioxide from flue gases and treatment of oxidized effluent therefrom

Номер патента: WO2011068547A1. Автор: Kevin J. Smith. Владелец: Carmeuse Lime, Inc.. Дата публикации: 2011-06-09.

Stacked nanosheet complementary metal oxide semiconductor field effect transistor devices

Номер патента: US20210249412A1. Автор: Kangguo Cheng,Juntao Li,Zhenxing Bi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-08-12.

Method of oxidative dehydrogenation of hydrocarbon compounds

Номер патента: US20180297914A1. Автор: Isam ALJUNDI. Владелец: KING FAHD UNIVERSITY OF PETROLEUM AND MINERALS. Дата публикации: 2018-10-18.

Oxidation resistant alloy and manufacturing method of oxidation resistant alloy

Номер патента: US20220274168A1. Автор: Shintaro SOBU. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Regeneration of oxidative dehydrogenation catalyst in a reactor

Номер патента: US20170252738A1. Автор: Jillian M. Horn,Joseph G. Duff. Владелец: TPC Group LLC. Дата публикации: 2017-09-07.

Indium-zinc-oxide semiconductor ink composition in which a spontaneous combustion reaction occurs, and inorganic semiconductor thin film produced thereby

Номер патента: US09969896B2. Автор: Chang Jin Lee,Song Yun Cho,Young Hun Kang. Владелец: Korea Research Institute of Chemical Technology KRICT. Дата публикации: 2018-05-15.

Mat with thermostatic layer between two layers of foam to reduce heat accumulation and method for making the same

Номер патента: US09895004B2. Автор: Wei-Kuan Wang,Jung-Hung SU. Владелец: Seda Chemical Products Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Complementary metal-oxide-semiconductor field-effect transistor and method thereof

Номер патента: US09875943B2. Автор: Deyuan Xiao. Владелец: Zing Semiconductor Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Regeneration of oxidative dehydrogenation catalyst in a reactor

Номер патента: US09861976B2. Автор: Jillian M. Horn,Joseph G. Duff. Владелец: TPC Group LLC. Дата публикации: 2018-01-09.

Catalyst of oxidating ammonia for nitric acid production based on yttrium-gadolinium ortocobaltates

Номер патента: RU2637939C2. Автор: Давид ВАЛЛЕР,Марианн Сёбю ГРЁНВОЛЬД,Нибал САЛИ. Владелец: Яра Интернейшнл Аса. Дата публикации: 2017-12-08.

Reactor to run a reaction of oxidation of a liquid by a gas

Номер патента: RU2269376C2. Автор: Франсуа СЕЙДЛИТЦ,Корин МАТЬЕ. Владелец: Родиа Полиамид Интермедиэйтс. Дата публикации: 2006-02-10.

Method of oxidating hydrocarbons with oxygen

Номер патента: RU2540857C2. Автор: ПОР Филипп ЛЕ,Тьерри МАНТ. Владелец: Родиа Операсьон. Дата публикации: 2015-02-10.

Article of footwear including a bladder element having a cushioning component with a single central opening and method of manufacturing

Номер патента: US9775407B2. Автор: Pamela S. Greene. Владелец: Nike Inc. Дата публикации: 2017-10-03.

Method of producing oxide catalysts for process of oxidative conversion of ethane to ethylene

Номер патента: RU2634593C1. Автор: Валентин Николаевич Пармон,Олег Афанасьевич Парахин,Михаил Павлович Чернов,Владимир Иванович Соболев,Валентина Михайловна Бондарева,Евгения Викторовна Ищенко,Любовь Алексеевна Шадрина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт катализа им. Г.К. Борескова Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2017-11-01.

Catalyst of oxidating combustible gases, method of its production and method of synthesis of iridium-containing connection-predecessor

Номер патента: RU2635111C1. Автор: Евгений Евгеньевич Карпов,Кирилл Сергеевич Напольский,Илья Владимирович Росляков,Ирина Валерьевна Колесник,Елена Дмитриевна Игонина. Владелец: Публичное акционерное общество "Нефтяная компания "Роснефть". Дата публикации: 2017-11-09.

Driving apparatus to press-mold including two jointly coupled one to other mold halves

Номер патента: RU2294829C2. Автор: Клод МЮ,Патрик ТРАССАР,Люк ДОРЕН. Владелец: ЭйДиЭс. Дата публикации: 2007-03-10.

Two-layer foam injection molding machine

Номер патента: CA2180126C. Автор: Naoki Takeuchi,Masahiko Kashiwa,Tsutomu Nagaoka. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2000-11-21.

Field effect transistors with a gated oxide semiconductor source/drain spacer

Номер патента: US20210193814A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Van H. Le,Rafael Rios,Gilbert W. DEWEY. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor device structure with inner spacer layer

Номер патента: US20240234549A1. Автор: Pinyen Lin,Fang-Wei Lee,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Chansyun David Yang,Tze-Chung Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Low-frequency complementary metal oxide semiconductor (cmos) ultrasonic transducer

Номер патента: US20230271222A1. Автор: Bichoy BAHR,Swaminathan Sankaran,Yanbo He. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-31.

Gate all around complementary metal-oxide-semiconductor field effect transistors

Номер патента: US20230207563A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Method for transporting goods in containers in two layers and a wagon for transporting the containers

Номер патента: US20230356965A1. Автор: Marcin Witczak. Владелец: LAUDE SMART INTERMODAL Spólka Akcyjna. Дата публикации: 2023-11-09.

Two-layer photo-responsive membranes

Номер патента: US20180133657A1. Автор: Samuel Thomas,Ayse Asatekin ALEXIOU,Papatya Kaner,Xiaoram Hu. Владелец: TUFTS UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-05-17.

Method for integrating complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices with microelectromechanical systems (MEMS) devices using a flat surface above a sacrificial layer

Номер патента: US09796582B1. Автор: Chia-Hua Chu,Chun-Wen Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Two-layered metal cord rubberized in situ by an unsaturated thermoplastic elastomer

Номер патента: US09617662B2. Автор: Sébastien RIGO,Thibaud Pottier,Jeremy Toussain. Владелец: Compagnie Generale des Etablissements Michelin SCA. Дата публикации: 2017-04-11.

Group 3-5 compound semiconductor and light emitting diode

Номер патента: US7205577B2. Автор: Yoshihiko Tsuchida,Masaya Shimizu,Yoshinobu Ono,Yasushi Iyechika. Владелец: Sumitomo Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2007-04-17.

Coaxial two-layered parachute

Номер патента: CA2983044C. Автор: Shueh-Chih Liao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2019-12-31.

Drill string element having improved refill layer

Номер патента: RU2684265C1. Автор: Тома ДИДРИ. Владелец: Валлурек Дриллинг Продактс Франс. Дата публикации: 2019-04-04.

Production of oxidized olefins

Номер патента: CA2839904C. Автор: John F. Szul,Kent E. Newman,Bernie B. Osborne. Владелец: DOW TECHNOLOGY INVESTMENTS LLC. Дата публикации: 2020-09-01.

Aqueous two layer-coated metal plate

Номер патента: MY182210A. Автор: Tadashige Nakamoto,Hang Yu. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2021-01-18.

Semiconductor storage device with magnetoresistive element

Номер патента: US20150171317A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Katsuya Nishiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-06-18.

Magnetoresistive element having a giant interfacial perpendicular magnetic anisotropy and method of making the same

Номер патента: US20220165470A1. Автор: Yimin Guo,Jun Chen,Rongfu Xiao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2022-05-26.

Crystallization process of oxide semiconductor, and method of manufacturing thin film transistor, a thin film transistor, a display panel, and an electronic device

Номер патента: US12062668B2. Автор: Soon Ho Choi,Hyo Min Kim,Chae Yeon HWANG. Владелец: ADRC Co. Дата публикации: 2024-08-13.

Method of manufacturing magnetoresistive element and method of processing magnetoresistive film

Номер патента: US09601688B2. Автор: Masayoshi Ikeda. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2017-03-21.

Magnetic memory having magnetoresistive element and method of manufacturing magnetoresistive element

Номер патента: US09595663B2. Автор: Masatoshi Yoshikawa,Satoshi Seto,Kazuhiro Tomioka,Yasuyuki Sonoda,Shuichi TSUBATA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

METHOD FOR TUNING ELECTRICAL PROPERTIES OF OXIDE SEMICONDUCTORS AND THE DEVELOPMENT OF HIGHLY CONDUCTIVE P-TYPE AND N-TYPE Ga2O3

Номер патента: US20230377903A1. Автор: Farida Selim. Владелец: BOWLING GREEN STATE UNIVERSITY. Дата публикации: 2023-11-23.

Thin film transistor substrate including thin film transistor formed of oxide semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911765B2. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin film transistor substrate including thin film transistor formed of oxide semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716118B2. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Manufacturing method of magnetoresistive element and vacuum processing apparatus

Номер патента: US10243140B2. Автор: Kenetsu Yokogawa,Masaki Yamada,Makoto Satake. Владелец: Hitachi High Technologies Corp. Дата публикации: 2019-03-26.

Display device including dual gate oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20190341437A1. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Oxide semiconductor transistor

Номер патента: US10403700B2. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Manufacturing method and structure of oxide semiconductor TFT substrate

Номер патента: US09793411B2. Автор: Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Magnetoresistive element having a novel cap multilayer

Номер патента: US20200083437A1. Автор: Yimin Guo. Владелец: T3 Memory IncShanghai Ciyu Information Technologies Co Ltd C/o Rongfu Xiao. Дата публикации: 2020-03-12.

Manufacturing method of oxide semiconductor device

Номер патента: US10446689B1. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Sheng-Yao HUANG,Yen-Chen Chen,Han Chuan Fang,Jen-Po Huang,Seng Wah Liau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Manufacturing method and structure of oxide semiconductor TFT substrate

Номер патента: US09705008B2. Автор: Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetoresistive element and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620561B2. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Makoto Nagamine. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Method for manufacturing semiconductor device including exposure of oxide semiconductor to reducing atmosphere

Номер патента: US09425322B2. Автор: Noriyoshi Suzuki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Magnetoresistive element

Номер патента: RU2601360C1. Автор: Иван Евгеньевич Абанин,Владимир Викторович Амеличев,Владислав Викторович Аравин,Петр Алексеевич Беляков,Дмитрий Вячеславович Васильев,Дмитрий Валентинович Костюк,Евгений Павлович Орлов,Алексей Алексеевич Резнев,Александр Николаевич Сауров. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение "Научно-производственный комплекс "Технологический центр" МИЭТ. Дата публикации: 2016-11-10.

Superconducting device having an extremely thin superconducting channel formed of oxide superconductor material and method for manufacturing the same

Номер патента: US5717222A. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1998-02-10.

Alloy for magnetoresistive element and method of manufacturing the same

Номер патента: US4212688A. Автор: Tsutomu Okamoto,Yoshimi Makino. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1980-07-15.

Magnetoresistive element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150069551A1. Автор: Tadashi Kai,Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Yutaka Hashimoto,Masaru Toko,Kuniaki Sugiura. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-12.

A sanitary napkin provided with a protective layer that functions as a protective wrapper

Номер патента: EP1213001A3. Автор: Solgun Drevik. Владелец: SCA HYGIENE PRODUCTS AB. Дата публикации: 2003-12-17.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US09793469B2. Автор: Yuichi Ohsawa,Tadaomi Daibou,Shumpei OMINE,Naoki Hase,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-17.

Magnetoresistive element and manufacturing method of the same

Номер патента: US09705076B2. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Makoto Nagamine,Masahiko Nakayama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US09437810B2. Автор: Hitoshi Kubota,Akio Fukushima,Shinji Yuasa,Takao Ochiai,Eiji Kitagawa,Takayuki Nozaki,Kay Yakushiji,Makoto Konoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device, display device, display module, electronic device, oxide, and manufacturing method of oxide

Номер патента: US9831353B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Takuya Kawata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Magnetoresistive element and manufacturing method of the same

Номер патента: US20130313506A1. Автор: Tatsuya Kishi,Masahiko Nakayama,Akiyuki Murayama,Satoshi Seto,Masaru Toko. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-11-28.

Oxide semiconductor compound, semiconductor element provided with layer of oxide semiconductor compound, and laminated body

Номер патента: US20180374959A1. Автор: Hideo Hosono,Toshio Kamiya,Satoru Watanabe,Nobuhiro Nakamura,Hideya Kumomi,Junghwan Kim,Naomichi Miyakawa. Владелец: Tokyo Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2018-12-27.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US8680632B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Terunobu Miyazaki,Minoru Amano,Hitoshi Kubota,Koji Ando,Akio Fukushima,Shinji Yuasa,Taro Nagahama,Takahide Kubota,Shigemi Mizukami,Kay Yakushiji. Владелец: WPI-AIMR TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-03-25.

Magnetoresistive element and magnetic memory using the same

Номер патента: US20130009259A1. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Katsuya Nishiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2013-01-10.

Magnetoresistive element and magnetic memory using the same

Номер патента: US8659103B2. Автор: Tadashi Kai,Toshihiko Nagase,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Katsuya Nishiyama. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-02-25.

Manufacturing method of magnetoresistive element and manufacturing apparatus of the same

Номер патента: US20150068887A1. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Makoto Nagamine. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-12.

Etching method of oxide semiconductor film, oxide semiconductor workpiece, and electronic device

Номер патента: US12074030B2. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for manufacturing magnetoresistive element

Номер патента: US09865805B2. Автор: Yuichi Otani,Kazumasa Nishimura,Takuya Seino,Yoshimitsu Shimane,Hiroki Okuyama,Yuta Murooka. Владелец: Canon Anelva Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Preparation method of oxide thin-film transistor

Номер патента: US09812472B2. Автор: Qi Yao,Feng Zhang,Bin Zhang,Xiaolong He,Zhengliang Li,Zhanfeng CAO. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Magnetoresistive element and magnetic random access memory

Номер патента: US09741928B2. Автор: Hiroaki Yoda,Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Magnetoresistive element

Номер патента: US09530958B2. Автор: Masanori Hosomi,Kazuhiro Bessho,Yutaka Higo,Hiroyuki Uchida,Hiroyuki Ohmori,Kazutaka Yamane. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2016-12-27.

Magnetoresistive element and method of manufacturing the same

Номер патента: US9190607B2. Автор: Akiko Nomachi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-11-17.

Magnetoresistive element and manufacturing method thereof

Номер патента: WO2014148586A1. Автор: Tadashi Kai,Hiroaki Yoda,Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe. Владелец: Daisuke Watanabe. Дата публикации: 2014-09-25.

Laterally double diffused metal oxide semiconductor (ldmos) device on fully depleted silicon on insulator (fdsoi) enabling high input voltage

Номер патента: US20190157451A1. Автор: El Mehdi Bazizi,Alban Zaka,Ignasi Cortes Mayol,Tom Herrmann. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Oxide semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09917206B2. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Organic electroluminescent element having intermediate electrode including two metal layers

Номер патента: US09843011B2. Автор: Kazuhiro Yoshida,Tomoyuki Nakayama,Hiroshi Ishidai. Владелец: KONICA MINOLTA INC. Дата публикации: 2017-12-12.

Manufacturing method of oxide semiconductor device

Номер патента: US09412590B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Compatible vertical double diffused metal oxide semiconductor transistor and lateral double diffused metal oxide semiconductor transistor and manufacture method thereof

Номер патента: US8530961B2. Автор: Le Wang,Lili He,Zhiyong Zhao,Linchun Gui. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-10.

Magnetoresistance element

Номер патента: US3553498A. Автор: Toshiyuki Yamada. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 1971-01-05.

Oxide semiconductor target and oxide semiconductor material, as well as semiconductor device using the same

Номер патента: US20140042431A1. Автор: Hideko Fukushima,Hiroyuki Uchiyama,Hironori Wakana. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2014-02-13.

Thin film transistor substrate including thin film transistor formed of oxide semiconductor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170278877A1. Автор: Kazunori Inoue,Ken Imamura,Kazushi Yamayoshi. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2017-09-28.

Method for fabricating oxides/semiconductor interfaces

Номер патента: US20130109199A1. Автор: Georgios Vellianitis. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US20140264673A1. Автор: Hitoshi Kubota,Akio Fukushima,Shinji Yuasa,Takao Ochiai,Eiji Kitagawa,Takayuki Nozaki,Kay Yakushiji,Makoto Konoto. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-09-18.

Oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20190006451A1. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-03.

Oxide semiconductor target and oxide semiconductor material, as well as semiconductor device using the same

Номер патента: US9276123B2. Автор: Hideko Fukushima,Hiroyuki Uchiyama,Hironori Wakana. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-03-01.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US20170179374A1. Автор: Junichi Ito,Tadaomi Daibou,Shumpei OMINE,Naoki Hase,Yushi Kato. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Method for improving threshold voltage of oxide semiconductor thin-film transistor

Номер патента: EP3644347A1. Автор: Xuanyun Wang. Владелец: Wuhan China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-29.

Method for Fermentative Production of Oxidized Coenzyme Q10 and High-Content Oxidized Coenzyme Q10 Prepared Therefrom

Номер патента: US20190194704A1. Автор: YONG Li,YI Min,Kai Yu,Hongwei Yu,Yongqiang Zhu,Baishan HU,Guisheng QIU,Zhaofeng Chen,Shenfeng YUAN. Владелец: Shangyu NHU Biological Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-27.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US09954114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Strained silicon complementary metal oxide semiconductor including a silicon containing tensile N-type fin field effect transistor and silicon containing compressive P-type fin field effect transistor formed using a dual relaxed substrate

Номер патента: US09842929B1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Oxide semiconductor layer and production method therefor, oxide semiconductor precursor, oxide semiconductor layer, semiconductor element, and electronic device

Номер патента: US09842916B2. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Kiyoshi Nishioka,Tomoki Kawakita. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device

Номер патента: US09577110B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Drive Circuit And Organic Light-Emitting Diode Display Each Having Switching Transistor Without Etch Stopping Layer On Oxide Semiconductor

Номер патента: US20190229167A1. Автор: Yong Wu,Yingteng ZHAI. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-25.

In-plane magnetized film, in-plane magnetized film multilayer structure, hard bias layer, magnetoresistive element, and sputtering target

Номер патента: US11810700B2. Автор: Masahiro Aono,Yasunobu Watanabe,Ryousuke Kushibiki,Kim Kong THAM. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2023-11-07.

Device including magnetoresistive element and memory chip

Номер патента: US20160276578A1. Автор: Kenji Noma,Yosuke Kobayashi,Takeshi Fujimori. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-09-22.

Metal oxide semiconductor device capable of reducing on-resistance and manufacturing method thereof

Номер патента: US20200066878A1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2020-02-27.

Semiconductor device including active region with variable atomic concentration of oxide semiconductor material and method of forming the same

Номер патента: US20190296018A1. Автор: Ho Lee,Sang Woo Lee,Chankyung Kim,Jaehong MIN,Junsoo Kim,Minhee Cho,Sangwuk PARK,Woo Bin Song,Hei Seung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-09-26.

Method of forming a semiconductor device including an active region with variable atomic concentration of oxide semiconductor material

Номер патента: US11862476B2. Автор: Ho Lee,Sang Woo Lee,Chankyung Kim,Jaehong MIN,Junsoo Kim,Minhee Cho,Sangwuk PARK,Woo Bin Song,Hei Seung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Structure of oxide thin film transistor

Номер патента: US10991827B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Hejing ZHANG,Chihyuan Tseng,Chihyu SU,Wenhui Li,Yutong HU. Владелец: TCL China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US20170054018A1. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-23.

Production method for oxidized carbon thin film, and element having oxidized carbon thin film and production method therefor

Номер патента: US20130023070A1. Автор: Akihiro Odagawa,Nozomu Matsukawa. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2013-01-24.

Magnetoresistive element and magnetic random access memory

Номер патента: WO2015033678A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe. Владелец: Daisuke Watanabe. Дата публикации: 2015-03-12.

In-plane magnetized film, in-plane magnetized film multilayer structure, hard bias layer, magnetoresistive element, and sputtering target

Номер патента: US20210391105A1. Автор: Masahiro Aono,Yasunobu Watanabe,Ryousuke Kushibiki,Kim Kong THAM. Владелец: Tanaka Kikinzoku Kogyo KK. Дата публикации: 2021-12-16.

Drive circuit and organic light-emitting diode display each having switching transistor without etch stopping layer on oxide semiconductor

Номер патента: US10297651B2. Автор: Yong Wu,Yingteng ZHAI. Владелец: Shanghai Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-05-21.

Magnetoresistive element

Номер патента: US20160380182A1. Автор: Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe,Makoto Nagamine,Won Joon Choi,Bo Mi Lee,Guk Cheon Kim,Yang Kon KIM. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-29.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US20140159177A1. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Terunobu Miyazaki,Minoru Amano,Hitoshi Kubota,Koji Ando,Akio Fukushima,Shinji Yuasa,Taro Nagahama,Takahide Kubota,Shigemi Mizukami,Kay Yakushiji. Владелец: WPI-AIMR TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2014-06-12.

Magnetoresistive element and magnetic memory

Номер патента: US9087980B2. Автор: Tadashi Kai,Junichi Ito,Hiroaki Yoda,Tadaomi Daibou,Terunobu Miyazaki,Minoru Amano,Hitoshi Kubota,Koji Ando,Akio Fukushima,Shinji Yuasa,Taro Nagahama,Takahide Kubota,Shigemi Mizukami,Kay Yakushiji. Владелец: WPI-AIMR TOHOKU UNIVERSITY. Дата публикации: 2015-07-21.

Magnetoresistive element and magnetic random access memory

Номер патента: US20160163968A1. Автор: Hiroaki Yoda,Kazuya Sawada,Toshihiko Nagase,Youngmin EEH,Koji Ueda,Daisuke Watanabe. Владелец: Individual. Дата публикации: 2016-06-09.

Manufacturing method of oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150236137A1. Автор: Hsi-Ming Chang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

Oxide semiconductor

Номер патента: US20180305219A1. Автор: Hiroshi Takashima,Ruiping Wang,Naoto Kikuchi,Hirofumi Kawanaka,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo,Kazuhiko Tonooka. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device including oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274722A1. Автор: Jun Hwe CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device with transistors including oxide semiconductors and capacitor elements

Номер патента: US12132057B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film

Номер патента: US09842937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer

Номер патента: US09660092B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Takuya Handa,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Oxide semiconductor layer and production method therefor, oxide semiconductor precursor, oxide semiconductor layer, semiconductor element, and electronic device

Номер патента: US09552985B2. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Kiyoshi Nishioka,Tomoki Kawakita. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Field-effect transistor including oxide semiconductor, and memory and semiconductor circuit including the same

Номер патента: US09548395B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yasuhiko Takemura,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device including oxide semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09425045B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Method of producing coatings from manganese dioxide on tantalum anodes of oxide-semiconductor capacitors

Номер патента: RU2740516C1. Автор: Владимир Зотович Пойлов,Александр Викторович Степанов,Сергей Петрович Старостин,Андрей Георгиевич Старостин,Светлана Николаевна Иванченко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Пермский национальный исследовательский политехнический университет". Дата публикации: 2021-01-15.

Oxide semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20190288115A1. Автор: Tetsuya Goto,Michinobu Mizumura. Владелец: V Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-19.

Interconnection layer structures including two-dimensional (2d) material, electronic devices including interconnection layer structures, and electronic apparatuses including electronic devices

Номер патента: US20240113028A1. Автор: Hongkun Park,Minsu Seol,Yeonchoo CHO,Elise BRUTSCHEA. Владелец: Harvard College. Дата публикации: 2024-04-04.

Oxide semiconductor having ohmic junction structure, thin-film transistor having same, and manufacturing methods therefor

Номер патента: US20240120379A1. Автор: Jae Kyeong Jeong,Ho Jae Lee. Владелец: Iucf Hyu Industry University Cooperation Hanyang Foundation University. Дата публикации: 2024-04-11.

Compressive strained iii-v complementary metal oxide semiconductor (cmos) device

Номер патента: US20140191286A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Hybrid pulsed laser deposition of complex oxide thin films made from elements having a large vapor pressure mismatch

Номер патента: US20240229292A1. Автор: Jieun Kim,Jungwoo Lee,Chang-Beom Eom. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2024-07-11.

Preparation Method Of Oxidized Anticoagulant Starch Adhesive

Номер патента: US20210253916A9. Автор: Zhongda Duan,Runda YAN. Владелец: Hongsheng Technology Beijing Co Ltd. Дата публикации: 2021-08-19.

Adhesive resin compostition for bonding semiconductors and adhesive film for semiconductors

Номер патента: US09953945B2. Автор: Kwang Joo Lee,Se Ra Kim,Hee Jung Kim,Jung Hak Kim. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Fin field effect transistor complementary metal oxide semiconductor with dual strained channels with solid phase doping

Номер патента: US09947774B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device having transistor including two oxide semiconductor layers having different lattice constants

Номер патента: US09893204B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Single spacer for complementary metal oxide semiconductor process flow

Номер патента: US09754942B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Jeffrey C. SHEARER,Jessica Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Thin film transistor substrate having metal oxide semiconductor and manufacturing the same

Номер патента: US09748286B2. Автор: Woocheol Jeong,Imkuk KANG,SungKeun Lee,Yongtae SONG,Sungjun YUN. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Single spacer for complementary metal oxide semiconductor process flow

Номер патента: US09748146B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Jeffrey C. SHEARER,Jessica Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Laterally diffused metal oxide semiconductor and field drift metal oxide semiconductor

Номер патента: US09660072B2. Автор: Tien-Hao Tang,Lu-An CHEN. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Light emitting element having multiple surface areas of a semiconductor layer and method of producing same

Номер патента: US09595810B2. Автор: Masaru Kuramoto,Tatsushi Hamaguchi,Noriyuki Futagawa. Владелец: Sony Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

Oxide semiconductor substrate and schottky barrier diode

Номер патента: US09570631B2. Автор: Masatoshi Shibata,Koki Yano,Shigekazu Tomai,Emi Kawashima,Hiromi HAYASAKA. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method and system for providing magnetic junctions including free layers that are cobalt-free

Номер патента: US09559143B2. Автор: Jang-eun Lee,Xueti Tang,Dustin William Erickson,Gen Feng. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device having switching transistor that includes oxide semiconductor material

Номер патента: US09508742B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Multi die package having a die and a spacer layer in a recess

Номер патента: US09490196B2. Автор: Shan Zhong,John S. Guzek,Weng Hong Teh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Metal oxide semiconductor (MOS) device, metal oxide semiconductor (MOS) memory device, and method of manufacturing the same

Номер патента: US7355248B2. Автор: Tatsushi Kato. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2008-04-08.

FinFET complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices

Номер патента: US11652006B2. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-05-16.

Finfet complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices

Номер патента: US20210327769A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-10-21.

Finfet complementary metal-oxide-semiconductor (cmos) devices

Номер патента: US20220139787A1. Автор: Chen Zhang,Tenko Yamashita,Teresa Jacqueline Wu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-05-05.

Metal-oxide-semiconductor capacitor based passive amplifier

Номер патента: US20240282785A1. Автор: Manuel H. Innocent. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-08-22.

Solution composition for forming oxide semiconductor, and oxide semiconductor and electronic device including the same

Номер патента: US20140291664A1. Автор: Sang-yoon Lee,Myung-kwan Ryu,Jong-baek Seon. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Composite oxide semiconductor and transistor

Номер патента: US12087824B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Composition for treatment of oxidative stress and cardiovascular disease

Номер патента: US20180344794A1. Автор: Eddy Carolina BETANCOURT VILLAMIZAR,Juan Fernando MURCILLO ROJAS,Rubén Dario BETANCOURT CORTÉS. Владелец: Team Foods Colombia SA. Дата публикации: 2018-12-06.

Metal-oxide-semiconductor field-effect transistor with metal-insulator-semiconductor contact structure to reduce schottky barrier

Номер патента: US09536973B2. Автор: Jeffrey Junhao XU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

P-type metal oxide semiconductor material and transistor

Номер патента: US09401433B1. Автор: Shan-Haw Chiou,Tien-Heng Huang,Wen-Hsuan Chao,Tzu-Chi Chou,Mu-Tung Chang,Hsin-Ming Cheng,Ren-Fong Cai. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2016-07-26.

Method of oxidating vegetable oil

Номер патента: RU2632438C1. Автор: Сергей Антонович Дубовик,Евгений Иванович Козлов,Николай Сергеевич Дубовик,Дарья Сергеевна Матяс. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Спецлак" (ООО "Спецлак"). Дата публикации: 2017-10-04.

Method of oil-protection of raw oil by hydrogen peroxide with identification of oxidation products

Номер патента: RU2677462C1. Автор: Антон Львович Максимов,Эдуард Аветисович Караханов,Роман Александрович Федоров,Аргам Виликович Акопян,Полина Димитровна Поликарпова,Александр Владимирович Анисимов,Алла Васильевна Тараканова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный университет имени М.В. Ломоносова" (МГУ). Дата публикации: 2019-01-17.

Semiconductor device including two thin-film transistors and method of fabricating the same

Номер патента: US11908924B2. Автор: Junhyung LIM,Taesang Kim,Seryeong KIM,Jaybum KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Formation of a two-layer via structure to mitigate damage to a display device

Номер патента: US11616209B2. Автор: Ming Chyi Liu,Yung-Chang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-28.

Formation of a two-layer via structure to mitigate damage to a display device

Номер патента: US20210328174A1. Автор: Ming Chyi Liu,Yung-Chang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Strained silicon complementary metal oxide semiconductor including a silicon containing tensile n-type fin field effect transistor and silicon containing compressive p-type fin field effect transistor formed using a dual relaxed substrate

Номер патента: US20170358677A1. Автор: Kangguo Cheng,Alexander Reznicek,Xin Miao,Nicolas J. Loubet. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-14.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Methods of forming bump structures that include a protection layer

Номер патента: SG189636A1. Автор: Kuechenmeister Frank,Lehmann Lothar,Platz Alexander,Jungnickel Gotthard,Kosgalwies Sven. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2013-05-31.

Complementary metal-oxide-semiconductor image sensor sturcture of mixed integration area and potential reading method employing the same

Номер патента: US20030107663A1. Автор: Hsiu-Yu Cheng,Ya-Chin King. Владелец: Twin Han Tech Co Ltd. Дата публикации: 2003-06-12.

Top electrodes and dielectric spacer layers for bulk acoustic wave resonators

Номер патента: US12081194B2. Автор: Robert Aigner,Paul Stokes,Alireza Tajic. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Top electrodes and dielectric spacer layers for bulk acoustic wave resonators

Номер патента: US20240267022A1. Автор: Robert Aigner,Paul Stokes,Alireza Tajic. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Transistor including two-dimensional (2D) channel

Номер патента: US12087818B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-10.

Low pressure plasma etch process for preferential generation of oxide residue and applications for the same

Номер патента: US20240355629A1. Автор: Jih-Jse Lin,Tzu-Ging LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor device including two thin film transistors and method of manufacturing the same

Номер патента: US09466618B2. Автор: Hiroyuki Miyake. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Oxide semiconductor thin film and thin film transistor

Номер патента: US09299791B2. Автор: Tokuyuki Nakayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2016-03-29.

Method for manufacturing metal post with rectangular cross-section having spacer anchor for a fence and use of such post

Номер патента: RU2754402C1. Автор: Николай Леонидович Лапа. Владелец: Николай Леонидович Лапа. Дата публикации: 2021-09-02.

Method of pyrometallurgical processing of oxidated nickel ore

Номер патента: RU2682197C1. Автор: Леопольд Игоревич Леонтьев,Александр Семенович Вусихис,Геннадий Станиславович Подгородецкий,Евгений Николаевич Селиванов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт металлургии Уральского отделения Российской академии наук (ИМЕТ УрО РАН). Дата публикации: 2019-03-15.

Method of oxidation carbon contained in an electrolyte of an aluminum electrolysis cell

Номер патента: RU2697141C1. Автор: Андрей Васильевич Завадяк,Илья Иванович Пузанов,Петр Васильевич Поляков,Сергей Георгиевич Шахрай,Юрий Глебович Михалев,Андрей Александрович Поляков,Андрей Станиславович Ясинский,Александр Иннокентьевич Безруких,Никита Анатольевич Шарыпов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет". Дата публикации: 2019-08-12.

Method for nitriding of oxide compounds in a solid phase

Номер патента: RU2713008C9. Автор: Александр Семенович Тюфтяев,Владимир Михайлович Каневский,Махач Хайрудинович Гаджиев,Андрей Викторович Буташин,Арсен Эмирбегович Муслимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АГНИ-К". Дата публикации: 2020-08-05.

Method for nitriding of oxide compounds in a solid phase

Номер патента: RU2713008C1. Автор: Александр Семенович Тюфтяев,Владимир Михайлович Каневский,Махач Хайрудинович Гаджиев,Андрей Викторович Буташин,Арсен Эмирбегович Муслимов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "АГНИ-К". Дата публикации: 2020-02-03.

Products of oxidative decomposition of atorvastatin calcium

Номер патента: RU2412191C2. Автор: Андрей Бастарда,Рок ГРАНЕК,Дарко КОЦЬАН,Андрей КОЦИЙАН,Матьаз КРАЦУН. Владелец: Лек Фармасьютиклз Д.Д.. Дата публикации: 2011-02-20.

Compound semiconductor and complementary metal oxide semiconductor (cmos) transistor integration

Номер патента: WO2022197390A1. Автор: Je-Hsiung Lan,Jonghae Kim,Ranadeep Dutta. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-09-22.

Indium gallium arsenide metal oxide semiconductor field effect transistor having a low contact resistance to metal electrode

Номер патента: US20200083342A1. Автор: Ning Li,Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza. Владелец: Elpis Technologies Inc. Дата публикации: 2020-03-12.

Orientation engineering in complementary metal oxide semiconductor fin field effect transistor integration for increased mobility and sharper junction

Номер патента: US10734385B2. Автор: Hong He,Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Chia-Yu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-08-04.

Metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) gate termination

Номер патента: US20130334618A1. Автор: Carl J. Radens,Helen Wang,Christopher V. Baiocco,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Metal oxide semiconductor field effect transistor (mosfet) gate termination

Номер патента: US20130337624A1. Автор: Carl J. Radens,Helen Wang,Christopher V. Baiocco,Daniel J. JAEGER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Vertical field effect transistor (vfet) programmable complementary metal oxide semiconductor inverter

Номер патента: US20190206859A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Oxide semiconductor substrate and schottky barrier diode

Номер патента: US11769840B2. Автор: Masatoshi Shibata,Koki Yano,Shigekazu Tomai,Emi Kawashima,Hiromi HAYASAKA. Владелец: Idemitsu Kosan Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Indium gallium arsenide metal oxide semiconductor field effect transistor having a low contact resistance to metal electrode

Номер патента: US20190214475A1. Автор: Ning Li,Yun Seog Lee,Devendra K. Sadana,Joel P. de Souza. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-11.

Orientation engineering in complementary metal oxide semiconductor fin field effect transistor integration for increased mobility and sharper junction

Номер патента: US20190378839A1. Автор: Hong He,Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Chia-Yu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Orientation engineering in complementary metal oxide semiconductor fin field effect transistor integration for increased mobility and sharper junction

Номер патента: US20190378840A1. Автор: Hong He,Rajasekhar Venigalla,Bruce B. Doris,Chia-Yu Chen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Vertical field effect transistor (vfet) programmable complementary metal oxide semiconductor inverter

Номер патента: US20190304968A1. Автор: Karthik Balakrishnan,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Tak H. Ning. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-10-03.

Method of integrating thyristor and metal-oxide semiconductor transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US10134736B2. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240222515A1. Автор: Yongsung Kim,Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: EP3311398A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-04-25.

Magnetoresistance structure including two hard masks

Номер патента: US20200136032A1. Автор: Sundar Chetlur,Paolo Campiglio,Maxim Klebanov,Yen Ting Liu. Владелец: Allegro Microsystems Inc. Дата публикации: 2020-04-30.

Drug-releasing compositions of metal oxide semiconductor nanomaterials and hemostatic polymers

Номер патента: US20210322566A1. Автор: Rajashekharayya A. Sanguramath,Ariel Antonio Franco. Владелец: Nsc Nano Sono Cooperation Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for surface modification of oxide ceramics using glass and surface modifed oxide ceramics thereof

Номер патента: US20050104264A1. Автор: Hyun-Min Park,Kyung-Jin Yoon,Seong-Jai Cho,Min-cheol Chu. Владелец: Korea Research Institute of Standards and Science KRISS. Дата публикации: 2005-05-19.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: EP4006965A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Semiconductor device including first and second metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US10636906B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Dohwan AHN,Toshikazu Imai,Shigetoshi Sota,Masaaki HIRAKO,Tomonari Ota. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: US10889504B2. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2019134394A1. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-07-11.

Mixtures of oxides of nitrogen and oxygen as oxidizers for propulsion, gas generation and power generation applications

Номер патента: EP2084394A2. Автор: Arif Karabeyoglu. Владелец: Space Propulsion Group Inc. Дата публикации: 2009-08-05.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20150249123A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device comprising silicon and oxide semiconductor in channel formation region

Номер патента: US12080802B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Method of Oxidation Utilizing a Gliding Electric Arc

Номер патента: US20130277355A1. Автор: Joseph J. Hartvigsen,Michele Hollist,Piotr Czernichowski,Elangovan. Владелец: Ceramatec Inc. Дата публикации: 2013-10-24.

Sporicidal formulation including amine oxide surfactant and a mixture of oxidants

Номер патента: EP2770835A1. Автор: David William Koenig,Douglas Robert Hoffman,Aimin He,Yang Huang. Владелец: Kimberly Clark Corp. Дата публикации: 2014-09-03.

Sporicidal Formulation Including Amine Oxide Surfactant And A Mixture Of Oxidants

Номер патента: US20150110893A1. Автор: David William Koenig,Douglas Robert Hoffman,Aimin He,Yang Huang. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2015-04-23.

An enzymatic method for rapid quantitation of oxidized reduced glutathione

Номер патента: WO2002103036A1. Автор: Eun-Mi Choi,Sung-Hoon Kim,Jin-Hee Choi,Young-Mee Park,Sun-Hee Baek,Sang-Seop Lee. Владелец: Sang-Seop Lee. Дата публикации: 2002-12-27.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: EP4179575A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-05-17.

Two-layer patterned resistor

Номер патента: US20050133872A1. Автор: Gregory Dunn,Jovica Savic,Scott Carney. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2005-06-23.

metal-oxide-semiconductor transistor and complementary metal-oxide-semiconductor circuit related

Номер патента: US20240304624A1. Автор: Chao-Chun Lu. Владелец: Invention And Collaboration Laboratory Inc. Дата публикации: 2024-09-12.

Apparatus and Method of Oxidation Utilizing a Gliding Electric Arc

Номер патента: US20120118862A1. Автор: Joseph J. Hartvigsen,S. Elangovan. Владелец: Ceramatec Inc. Дата публикации: 2012-05-17.

Apparatus and method of oxidation utilizing a gliding electric arc

Номер патента: WO2008097263A3. Автор: Michele Hollist,Piotr Czernichowski,Joseph J Hartvigsen,S Elangovan. Владелец: S Elangovan. Дата публикации: 2008-10-09.

Apparatus and method of oxidation utilizing a gliding electric arc

Номер патента: WO2008097263A2. Автор: Joseph J. Hartvigsen,S. Elangovan,Michele Hollist,Piotr Czernichowski. Владелец: Ceramatec, Inc.. Дата публикации: 2008-08-14.

Power metal-oxide-semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321973A1. Автор: Jianjun Yang,Yuan-Hsiang Chang,Chih-Chien Chang,Shen-De Wang,Wei Ta,Cheng-Hua Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Process for increasing the amount of oxidized white liquor produced in an air-based oxidation reactor and an oxygen injection system for an air-based oxidation reactor

Номер патента: EP4428298A1. Автор: Bruno Alban,Philippe Campo,Oliveira Araujo. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2024-09-11.

Semiconductor device including oxide semiconductor film containing indium

Номер патента: US09929280B2. Автор: Noriyoshi Suzuki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer

Номер патента: US09887297B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing semiconductor device having oxide semiconductor

Номер патента: US09887276B2. Автор: Kenichi Okazaki,Hotaka Maruyama,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer

Номер патента: US09859114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US09847428B1. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09837544B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor

Номер патента: US09812467B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor (LDMOS) transistor with a vertical channel region

Номер патента: US09768293B1. Автор: Chin-Yi Huang,Wan-Jyun Syue,Kuo-Lung Tzeng,Zhuo-Cang YANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device including oxide semiconductor with an insulating film including galliium and oxygen

Номер патента: US09755082B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Oxide semiconductor film

Номер патента: US09748328B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Masashi Oota,Takuya Hirohashi,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing a semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09721811B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Sporicidal formulation including amine oxide surfactant and a mixture of oxidants

Номер патента: US09648875B2. Автор: David William Koenig,Douglas Robert Hoffman,Aimin He,Yang Huang. Владелец: Kimberly Clark Worldwide Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device including oxide semiconductor

Номер патента: US09640555B2. Автор: Takahiro Iguchi,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Lateral double diffused metal-oxide-semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09634099B2. Автор: Jui-Chun Chang,Shang-Hui Tu,Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor

Номер патента: US09634031B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method of manufacturing display apparatus that includes using an energy beam to form an encapsulation layer

Номер патента: US09614182B2. Автор: Jai-Hyuk Choi. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for forming multilayer film including oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595435B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi Oota,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Oxide semiconductor film, method for forming oxide semiconductor film, and semiconductor device

Номер патента: US09583632B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device

Номер патента: US09583570B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryosuke Watanabe,Masashi Oota,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA,Koki Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film

Номер патента: US09577107B2. Автор: Masaki Koyama,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Takuya Hirohashi,Takahisa ISHIYAMA,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device including oxide semiconductor stack with different ratio of indium and gallium

Номер патента: US09496408B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer

Номер патента: US09496405B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09496138B2. Автор: Toru Hasegawa,Masaki Koyama,Akihisa Shimomura,Kosei Nei,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US09478603B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure

Номер патента: US09461179B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Inverter including two-dimensional material, method of manufacturing the same and logic device including inverter

Номер патента: US09455256B2. Автор: Hyeon-jin SHIN,Seong-Jun Park,Jin-Seong Heo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-09-27.

Method of manufacturing semiconductor device including transistor and resistor incorporating hydrogen in oxide semiconductor

Номер патента: US09443888B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuji Asano,Yuki Imoto,Jun Koyama,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers

Номер патента: US09437747B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Oxide semiconductor layer and semiconductor device

Номер патента: US09306072B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Symmetrical multiplexer on complementary metal-oxide-semiconductor (coms) transistors

Номер патента: RU2689820C1. Автор: Ярослав Ярославович Петричкович,Андрей Вадимович Кобыляцкий,Дмитрий Кириллович Сергеев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр "Электронные вычислительно-информационные системы" (АО НПЦ "ЭЛВИС"). Дата публикации: 2019-05-29.

Method for production of reduced q10 coenzyme and method for production of oxidized q10 coenzyme

Номер патента: RU2298035C2. Автор: Сиро КИТАМУРА,Казуёси ЯДЗИМА,Такахиса КАТО,Акихиса КАНДА,Ясуёси УЕДА,Сиро КИТАМУРА (JP),Казуёси ЯДЗИМА (JP),Такахиса КАТО (JP),Акихиса КАНДА (JP),Ясуёси УЕДА (JP). Владелец: Канека Корпорейшн. Дата публикации: 2007-04-27.

Medicinal substances and pharmaceutical compositions based on thereof for using in cases of oxidative stress

Номер патента: RU2264383C2. Автор: Солдато Пьеро Дел,СОЛДАТО Пьеро ДЕЛ (IT). Владелец: Никокс С.А.. Дата публикации: 2005-11-20.

Two-layer dispensed cathode and method of its manufacturing

Номер патента: RU2724980C1. Автор: Татьяна Михайловна Крачковская,Георгий Владиславович Сахаджи. Владелец: Акционерное общество "Научно-производственное предприятие "Алмаз" (АО "НПП "Алмаз"). Дата публикации: 2020-06-29.

Methods of stabilisation of oxidatively unsatable compositions

Номер патента: RU2462234C2. Автор: Шивкумар МАХАДЕВАН,Фрэнк МОЛОК. Владелец: Джонсон Энд Джонсон Вижн Кэа, Инк.. Дата публикации: 2012-09-27.

Two-layer protective fabric

Номер патента: RU2647807C1. Автор: Олег Николаевич Васильев. Владелец: Жанг Жи. Дата публикации: 2018-03-19.

Stacked josephson junction device composed of oxide superconductor material

Номер патента: CA2037949C. Автор: Hideo Itozaki,Keizo Harada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-03-04.

Liquid product fraction of oxidative cracking of vegetable raw material waste as regulator of plant growth and development, and method of its application

Номер патента: RU2622735C1. Автор: Людмила Магомедовна Апашева,Антон Валерьевич Лобанов,Наталья Анатольевна Рубцова,Елена Николаевна Овчаренко,Геннадий Германович Комиссаров,Ольга Тарасовна Касаикина,Леонид Михайлович Писаренко,Зоя Сергеевна Карташева,Ирина Федоровна Русина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт химической физики им. Н.Н. Семенова Российской академии наук (ИХФ РАН). Дата публикации: 2017-06-19.

Method of forming core and periphery gates including two critical masking steps to form a hard mask in a core region that includes a critical dimension less than achievable at a resolution limit of lithography

Номер патента: US6780708B1. Автор: Yu Sun,Hiroyuki Kinoshita,Cyrus Tabery,Basab Banerjee,Christopher M. Foster,John R. Behnke. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2004-08-24.

Heterojunction FET having barrier layer consisting of two layers between channel and buffer layers

Номер патента: US5550388A. Автор: Junzi Haruyama. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 1996-08-27.

Stacked Josephson junction device composed of oxide superconductor material

Номер патента: US5468973A. Автор: Hideo Itozaki,Keizo Harada. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1995-11-21.

Fluorescent lamp having spacers and a locally thinned fluorescent layer thickness

Номер патента: CA2295161C. Автор: Lothar Hitzschke,Frank Vollkommer. Владелец: Patent Treuhand Gesellschaft fuer Elektrische Gluehlampen mbH. Дата публикации: 2007-07-24.

Power semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9153675B2. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Shin-Chi Lai,Chien-Chung Chu,Chon-Shin Jou,I-Hsien Tang. Владелец: Mosel Vitalec Inc. Дата публикации: 2015-10-06.

Method for fabricating semiconductor device with oxide semiconductor material

Номер патента: US20230371242A1. Автор: Song Yun Kang,Hyuck Soo Yang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Fin field effect transistor complementary metal oxide semiconductor with dual strained channels with solid phase doping

Номер патента: US20180182867A1. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Transistor including two-dimensional (2d) channel

Номер патента: US20230031861A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-02-02.

Transistor including two-dimensional (2D) channel

Номер патента: US11508814B2. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-11-22.

Transistor including two-dimensional (2d) channel

Номер патента: US20210226010A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-22.

Two-layer corsage sleeve

Номер патента: US11864647B1. Автор: Michelle April Molenda-Schroth. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-01-09.

Feminine hygiene pad with foam absorbent and reservoir spacer layer

Номер патента: US20240115436A1. Автор: Amit Kumar KAUSHIK,Digvijay Rawat,Andrea Pfarr Switzer. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2024-04-11.

Feminine hygiene pad with foam absorbent and reservoir spacer layer

Номер патента: WO2024081525A1. Автор: Amit Kumar KAUSHIK,Andrea Pfarr Switzer,Digvijay RAWAY. Владелец: The Procter & Gamble Company. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for fabricating semiconductor device with oxide semiconductor material

Номер патента: WO2022075278A1. Автор: Song Yun Kang,Hyuck Soo Yang. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2022-04-14.

Circuit board and electronic device that includes it

Номер патента: US20210161008A1. Автор: Yuichi Abe. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-05-27.

Planar coil and transformer, wireless electric power transmission device, and electromagnet that include it

Номер патента: US20210407720A1. Автор: Takeshi Muneishi. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2021-12-30.

Brake pad having spacer that protrudes relative to a friction material lining

Номер патента: US20230332655A1. Автор: Hatem Shahin. Владелец: Hl Mand Ocorporation. Дата публикации: 2023-10-19.

Top electrodes and dielectric spacer layers for bulk acoustic wave resonators

Номер патента: US11722119B2. Автор: Robert Aigner,Paul Stokes,Alireza Tajic. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Metal oxide semiconductor field effect transistor with crystalline oxide layer on a III-V material

Номер патента: US11081590B2. Автор: Mark S. Rodder,Wei-E Wang,Robert M. Wallace,Xiaoye Qin. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2021-08-03.

Transistor including two-dimensional (2d) channel

Номер патента: EP3855504A1. Автор: Minsu Seol,Hyeonjin Shin,Minhyun LEE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-28.

Power semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140327038A1. Автор: Chien-Ping Chang,Mao-Song Tseng,Shin-Chi Lai,Chien-Chung Chu,Chon-Shin Jou,I-Hsien Tang. Владелец: Mosel Vitalec Inc. Дата публикации: 2014-11-06.

Top electrodes and dielectric spacer layers for bulk acoustic wave resonators

Номер патента: US20230231535A1. Автор: Robert Aigner,Paul Stokes,Alireza Tajic. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Top electrodes and dielectric spacer layers for bulk acoustic wave resonators

Номер патента: US20220416761A1. Автор: Robert Aigner,Paul Stokes,Alireza Tajic. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2022-12-29.

Techniques for fabricating charge balanced (cb) trench-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices

Номер патента: US20200105925A1. Автор: Stephen Daley Arthur,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,David Alan Lilienfeld,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2020-04-02.

Method of oxidizing an alcohol

Номер патента: WO2000002837A1. Автор: Roger Arthur Sheldon,Isabella Wilhelmina Christina Everdina Arends,Arie Dijksman. Владелец: Technische Universiteit Delft. Дата публикации: 2000-01-20.

Methods for fabricating metal-oxide-semiconductor field effect transistors using gate sidewall spacers

Номер патента: US20040203197A1. Автор: Dong-soo Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-10-14.

Amorphous oxide semiconductor thin film transistor fabrication method

Номер патента: WO2013022643A1. Автор: Yaoling Pan,Cheonhong Kim,Tallis Young CHANG. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2013-02-14.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US12034047B2. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Treatment of oxidative stress disorders including contrast nephropathy, radiation damage and disruptions in the function of red cells

Номер патента: US20210322337A1. Автор: Guy M. Miller. Владелец: PTC Therapeutics Inc. Дата публикации: 2021-10-21.

Oxide semiconductor, semiconductor device, semiconductor memory device, and solid-state imaging device

Номер патента: US20180076292A1. Автор: Hisayo Momose,Nobuki KANREI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device including two-dimensional (2d) material

Номер патента: US20240222432A1. Автор: Joungeun YOO,Minsu Seol,Kyung-Eun Byun,Duseop Yoon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Two-layer adhesion of electronics to a surface

Номер патента: US20220409136A1. Автор: Katsuyuki Sakuma,Leanna Pancoast. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2022-12-29.

Metal oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US20150155389A1. Автор: Jun-Yao Huang,Chien-Pang Tai,Yu-Chin Peng,Ke-Chuan Huang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-06-04.

Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20160163542A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180331233A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210351292A1. Автор: Yung-Chang Chen,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-11.

Medical device that includes coating material

Номер патента: US20240245507A1. Автор: Jason White,Jorge Jimenez,Noah Roth,Jay Yadav,Jordan BAUMAN,S. Beckett Gookin,Md Tausif Salim. Владелец: MIRUS LLC. Дата публикации: 2024-07-25.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Thin Film Transistor Substrate Having High Reliability Metal Oxide Semiconductor Material

Номер патента: US20160343878A1. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Yonsei University. Дата публикации: 2016-11-24.

Semiconductor structure with a spacer layer

Номер патента: US20160351564A1. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2016-12-01.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: EP4222781A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: WO2022072056A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US20170301734A1. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-19.

Complementary metal oxide semiconductor element and manufacture method thereof

Номер патента: US9887242B2. Автор: Mian Zeng,Shengdong Zhang,Xiangzhi XIAO. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Oxide semiconductor, semiconductor device and method of manufacturing an oxide semiconductor

Номер патента: US20240250179A1. Автор: Hitoshi Takane,Kentaro Kaneko,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of producing zinc oxide semiconductor crystal

Номер патента: US20090260563A1. Автор: Akihiko Yoshikawa,Munehisa Fujimaki,Koji Omichi,Yoshikazu Kaifuchi. Владелец: Chiba University NUC. Дата публикации: 2009-10-22.

Treatment of oxidative stress disorders including contrast nephropathy, radiation damage and disruptions in the function of red cells

Номер патента: US20110269776A1. Автор: Guy M. Miller. Владелец: Edison Phamaceuticals Inc. Дата публикации: 2011-11-03.

Semiconductor devices having a multi-oxide semiconductor channel layer and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230127755A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US20220123147A1. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2022-04-21.

Oxide semiconductor thin-film transistor and method of fabricating the same

Номер патента: US11664461B2. Автор: Jin Jang,Md Mobaidul ISLAM,Ravindra Naik BUKKE. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-05-30.

Display apparatus having an oxide semiconductor pattern

Номер патента: US20240298490A1. Автор: Ki-Tae Kim,So-Young Noh,Hyuk JI,Kyeong-Ju MOON. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Laterally diffused metal-oxide-semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20170084739A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Chia-Min Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-23.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US20180175019A1. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2018-06-21.

Bulk complementary metal-oxide semiconductor radio frequency switch with enhanced radio frequency power handling

Номер патента: US20240291446A1. Автор: YING Chen,Che-Chun Kuo,Tienyu Chang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-29.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: US20220102266A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: US20200279955A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Vertical double diffusion metal-oxide-semiconductor power device

Номер патента: US10204896B2. Автор: Jen-Hao Yeh,Chiung-Feng Chou. Владелец: Leadtrend Technology Corp. Дата публикации: 2019-02-12.

A trench gate metal oxide semiconductor field effect transistor, mosfet, as well as a corresponding method of manufacture

Номер патента: EP4170728A1. Автор: Manoj Kumar,Steffen Holland,Chinmoy Khaund,Pei Heng Hung. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-04-26.

P-Type Group III Nitride Semiconductor and Production Method Thereof

Номер патента: US20080246053A1. Автор: Hitoshi Takeda,Hisayuki Miki. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2008-10-09.

Oxide Semiconductor Layer, Thin Film Transistor and Manufacturing Method Therefor, Display Panel, and Display Device

Номер патента: US20240243206A1. Автор: Fei Wang,Guangcai Yuan,Xiaolong Wang,ce Ning,Hehe HU,Fengjuan LIU,Hongtao Cao,Lingyan LIANG. Владелец: Ningbo Institute Of Materials Technology And Engineering. Дата публикации: 2024-07-18.

Metal oxide semiconductor field effect transistor and method of manufacturing

Номер патента: US20230246104A1. Автор: Steven Peake. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2023-08-03.

Complementary metal oxide semiconductor (CMOS) buffer

Номер патента: US8618836B1. Автор: Grigori Temkine,Oleg Drapkin. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2013-12-31.

Selective control of oxidation atmospheres in carbon fiber production

Номер патента: US20210054538A1. Автор: Peter Andrew FERRIN,Devon Cadwaladar Todd THOMAS. Владелец: Hexcel Corp. Дата публикации: 2021-02-25.

Selective control of oxidation atmospheres in carbon fiber production

Номер патента: EP4018022A1. Автор: Peter Andrew FERRIN,Devon Cadwaladar Todd THOMAS. Владелец: Hexcel Corp. Дата публикации: 2022-06-29.

Complementary metal oxide semiconductor (cmos) buffer

Номер патента: US20130342269A1. Автор: Grigori Temkine,Oleg Drapkin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2013-12-26.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US12107125B2. Автор: Ryohei KANNO. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Oxide semiconductor thin film transistor and method of forming the same

Номер патента: US12094978B2. Автор: Jae Hyun Kim,Sun Young Choi,Jin Chae Jeon,Hyuk JI,Mi Jin Jeong. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Vertical channel oxide semiconductor field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09997627B2. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Transistor including oxide semiconductor, semiconductor device including the transistor, and electronic device including the transistor

Номер патента: US09954113B2. Автор: Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Yutaka Okazaki,Hiroaki Honda,Takuya Tsurume,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09941414B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Driver circuit with oxide semiconductor layers having varying hydrogen concentrations

Номер патента: US09941310B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuji Asano,Yuki Imoto,Jun Koyama,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Oxide semiconductor thin film, thin film transistor, manufacturing method and device

Номер патента: US09917205B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-03-13.

Multi-layered oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09905695B2. Автор: Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device including oxide layer surrounding oxide semiconductor layer

Номер патента: US09865743B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Thin film transistor array panel having an oxide semiconductor including silicon

Номер патента: US09828666B2. Автор: Moon Ju Kim,Eun Suk Kim,Hyoung-Rae Lee,Jong-Won CHOO,Seok-Kun Yoon,Kwang Youl LEE. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US09825179B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Vertical transfer gate structure for a back-side illumination (BSI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor using global shutter capture

Номер патента: US09818788B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements

Номер патента: US09786793B2. Автор: Sachiaki TEZUKA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Semiconductor device and display device comprising an oxide semiconductor channel region having a different crystal orientation than source/drain regions

Номер патента: US09748399B2. Автор: Masahiro Takahashi,Kenichi Okazaki,Shigeyasu Mori,Junichi Koezuka,Takuya Matsuo,Yosuke Kanzaki,Hiroshi Matsukizono. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing oxide semiconductor transistor with low-nitrogen, low-defect insulating film

Номер патента: US09748355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Oxide semiconductor device including photodiode

Номер патента: US09748292B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Thin film transistor substrate having high reliability metal oxide semiconductor material

Номер патента: US09735286B2. Автор: Kyung Park,Juheyuck BAECK,JongUk BAE,Jangyeon Kwon. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor

Номер патента: US09735284B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Crystallization method for oxide semiconductor layer, semiconductor device manufactured using the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09735281B2. Автор: Min-Cheol Kim,Ho-Young Jung,Youn-Gyoung Chang,Kwon-Shik Park,So-Hyung LEE,Ha-Jin Yoo,Jeong-Suk Yang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Oxide semiconductor transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722093B1. Автор: Su Xing,Yu-Ming Lin,Cheng-Tung Huang,Yu-Cheng Tung,Hsueh-Wen Wang,Jen-Yu Wang,Chien-Yu Ko. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate

Номер патента: US09722090B2. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Hideaki Shishido,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor field-effect transistor

Номер патента: US09716169B2. Автор: Feng Huang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09711655B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having oxide semiconductor layer

Номер патента: US09711610B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Hiroshi Fujiki,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Display device having vertical oxide semiconductor channel layer on sidewall of insulating spacer

Номер патента: US09679922B2. Автор: Toshinari Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for removing hydrogen from oxide semiconductor layer having insulating layer containing halogen element formed thereover

Номер патента: US09679768B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kunihiko Suzuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Metal-oxide semiconductor field effect transistor, method of fabricating the same, and semiconductor apparatus including the same

Номер патента: US09646891B2. Автор: Xingui ZHANG,Sang-Su Kim,Tae-yong Kwon,Jung-Gil YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-05-09.

Co-planar oxide semiconductor TFT substrate structure and manufacture method thereof

Номер патента: US09614104B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same

Номер патента: US09614094B2. Автор: Kazunori Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device with oxide semiconductor layer

Номер патента: US09543445B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Kawae,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device with oxide semiconductor layer

Номер патента: US09537012B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Kosei Noda,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor structure with a spacer layer

Номер патента: US09536984B2. Автор: Bin Lu,Mohamed AZIZE,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2017-01-03.

Vertical transfer gate structure for a back-side illumination (BSI) complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) image sensor using global shutter capture

Номер патента: US09515116B1. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Bottom-gate transistor including an oxide semiconductor layer contacting an oxygen-rich insulating layer

Номер патента: US09502572B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09496330B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Masashi Oota,Koji Dairiki,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

High voltage metal-oxide-semiconductor transistor device having stepped gate structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09461133B1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Kun-Huang Yu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Thin film transistors with oxide semiconductor having low resistance patterns with oxygen deficiencies

Номер патента: US09406700B2. Автор: Hiroshi Okumura,Je-Hun Lee,Jin-Hyun Park. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Oxide semiconductor thin film, production method thereof, and thin film transistor

Номер патента: US09368639B2. Автор: Tokuyuki Nakayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2016-06-14.

Method of oxidation of ethane to acetic acid

Номер патента: RU2094423C1. Автор: Кристофферсон Бенкаловикс Нэнси,Рае Блум Патриция,Рудольф Вагнер Дэвид. Владелец: Дзе Стандарт Ойл Компани. Дата публикации: 1997-10-27.

Carotinoid-containing anti-atherosclerotic composition and method for inhibition of oxidation of low density lipoprotein (ldl)

Номер патента: RU2288707C2. Автор: Моррис ЗЕЛХА,Тан СЕДЛОВ,Таня СЕДЛОВ,Зохар НИР. Владелец: Лайкорид Нэчрэл Продактс Индастриз Лтд.. Дата публикации: 2006-12-10.

Method of preparing solution for deposition of oxide coating onto solid substrate

Номер патента: RU2288897C2. Автор: Виктор Васильевич Дроботенко,Михаил Игоревич Конев,Алексей Анатольевич Олейник. Владелец: Закрытое акционерное общество "ДОК-Стекло". Дата публикации: 2006-12-10.

Chlorine-containing polymer composition containing a chlorine-containing polymer and wax containing a fraction consisting of oxidized hydrocarbons and a fraction consisting of non-oxidized hydrocarbons, a method for processing the polymer composition and the use of wax as an external lubricant during the polymer processing

Номер патента: RU2747573C2. Автор: Луфуно СИФУМА,РЕНСБУРГ Вернон Янсен ВАН. Владелец: Сэсол Саут Африка (Пти) Лтд.. Дата публикации: 2021-05-07.

HBV capture and amplifiers probes for use in solution phase sandwich hybridization assays

Номер патента: US5736316A. Автор: Michael S. Urdea,Bruce D. Irvine,Janice A. Kolberg,Joyce A. Running. Владелец: Chiron Corp. Дата публикации: 1998-04-07.

CMV probes for use in solution phase sandwich

Номер патента: US5407795A. Автор: Michael S. Urdea,Janice A. Kolberg,Lu-Ping Shen. Владелец: Chiron Corp. Дата публикации: 1995-04-18.

Installation for dual oil production from two layers of one well

Номер патента: RU2673894C1. Автор: Макмун Адгамович Музитов,Салават Самимович Валеев. Владелец: Салават Самимович Валеев. Дата публикации: 2018-12-03.

Construction system for creating a customizable play surface composed of printed adhesive tape and other accessories for autonomously controlled mobile agents

Номер патента: US9895622B2. Автор: Andrew J. Musliner,David Drykerman. Владелец: InRoad Toys LLC. Дата публикации: 2018-02-20.

Two-layer, flat, transparent hydrogel substrate for long-term cell cultivation

Номер патента: RU2614260C1. Автор: Егор Олегович Осидак,Сергей Петрович Домогатский,Мария Сергеевна Осидак,Дмитрий Евгеньевич Сивогривов,Анна Сергеевна Домогатская. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью фирмы "Имтек". Дата публикации: 2017-03-24.

Voltage control unit of ring generators on complete metal-oxide-semiconductor (cmos) transistors

Номер патента: RU2763038C1. Автор: Юрий Михайлович Герасимов,Ярослав Ярославович Петричкович,Валерий Дмитриевич Байков,Николай Юрьевич Раннев. Владелец: Акционерное общество Научно-производственный центр «Электронные вычислительно-информационные системы» (АО НПЦ «ЭЛВИС»). Дата публикации: 2021-12-27.

Asynchronous logic element of a complementary metal-oxide-semiconductor structure

Номер патента: RU2693685C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Юрий Вячеславович Катунин. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2019-07-03.

Process for preparing superconducting junction of oxide superconductor

Номер патента: CA2043545C. Автор: Saburo Tanaka,Hideo Itozaki,Takashi Matsuura,Hidenori Nakanishi. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-03-04.

Crystalline semiconductor and oxide semiconductor thin-film transistor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US10615234B2. Автор: Junhyung LIM,Jihun Lim,Eoksu KIM,Kyoungseok SON,Jaybum KIM. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-07.

Semiconductor device comprising a channel region of a transistor with a crystalline oxide semiconductor and a specific off-state current for the transistor

Номер патента: US9905596B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Apparatus and method for blocking the deposition of oxide on a wafer

Номер патента: US6120607A. Автор: Kunal N. Taravade. Владелец: LSI Logic Corp. Дата публикации: 2000-09-19.

Nonaqueous paint and varnish composition based on alkyd resin drying as result of oxidation and photoinitiating agent

Номер патента: RU2216565C2. Автор: Хейг КЛИНКЕНБЕРГ,ДЕН БЕРГ Кеймпе Ян ВАН,Ари Номен. Владелец: Акцо Нобель Н.В.. Дата публикации: 2003-11-20.

Silicon carbide power metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel and methods of fabricating silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors having a shorting channel

Номер патента: US6956238B2. Автор: Mrinal Kanti Das,Ranbir Singh,John W. Palmour,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Lori A. Lipkin. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-10-18.

Process for the manufacture of oxidized starch, oxidized starch and its use

Номер патента: EP2438091A1. Автор: Pierre Dournel. Владелец: SOLVAY SA. Дата публикации: 2012-04-11.

A method of producing an adhesive surface protective sheet that includes a gripping tab

Номер патента: CA2348854A1. Автор: Ulf Johannison. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-06-15.

Cutting element having enhanced cutting geometry

Номер патента: CA2447747C. Автор: Lance T. Richman. Владелец: Smith International Inc. Дата публикации: 2007-03-27.

Oxide semiconductor

Номер патента: US9771272B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Noboru Kimizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Heterojunction tfets employing an oxide semiconductor

Номер патента: US20180301551A1. Автор: Jack T. Kavalieros,Uday Shah,Ravi Pillarisetty,Elijah V. KARPOV,Prashant Majhi. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Method for evaluating oxide semiconductor and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110111535A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-05-12.

Preparation of oxidized cellulose, and application of oxidized cellulose in washing and drug loading

Номер патента: US20200055961A1. Автор: YUAN Li,Bin Liu. Владелец: CHINA AGRICULTURAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-02-20.

Transition metal dry etch by atomic layer removal of oxide layers for device fabrication

Номер патента: US20180138054A1. Автор: Patricio E. Romero,John J. Plombon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-17.

Piezoelectric element having excellent flexibility and bend resistance

Номер патента: US11925121B2. Автор: Satoshi Shimizu,Ken OGASAHARA,Susumu Kawato,Kousuke NISHIKAWA. Владелец: Toho Kasei Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US11929420B2. Автор: Daniel J. Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

P-type oxide semiconductor and method for manufacturing same

Номер патента: US11916103B2. Автор: Shizuo Fujita,Kentaro Kaneko,Toshimi Hitora,Tomochika TANIKAWA. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-02-27.

High performance laterally-diffused metal-oxide semiconductor structure

Номер патента: US20240030341A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: US20220013650A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2022-01-13.

Power semiconductor devices having multilayer gate dielectric layers that include an etch stop/field control layer and methods of forming such devices

Номер патента: WO2022010824A1. Автор: Daniel Jenner Lichtenwalner. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2022-01-13.

Composite metal oxide semiconductor and thin-film transistor made therefrom and its application

Номер патента: US11984510B2. Автор: Miao Xu,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Weifeng Chen,WEIJING Wu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-05-14.

Metal-oxide-semiconductor capacitor based passive amplifier

Номер патента: US12002822B2. Автор: Manuel H. Innocent. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-06-04.

Printed circuit board device for an image capture module for a camera, image capture module that includes a printed circuit board device, and method for manufacturing a printed circuit board device

Номер патента: US20200053871A1. Автор: Johannes Eschler,Martin Winkler. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2020-02-13.

Process for the detection of oxidative stress and kit for its implementation

Номер патента: EP1423518A2. Автор: Joel Pincemail,Daniel Marechal,Jacques Piette. Владелец: PROBIOX SA. Дата публикации: 2004-06-02.

Process for the detection of oxidative stress and kit for its implementation

Номер патента: EP1423518B1. Автор: Joel Pincemail,Daniel Marechal,Jacques Piette. Владелец: PROBIOX SA. Дата публикации: 2007-11-14.

Techniques for fabricating charge balanced (cb) trench-metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (mosfet) devices

Номер патента: EP3857606A1. Автор: Stephen Daley Arthur,Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov,David Alan Lilienfeld,Reza Ghandi. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2021-08-04.

Heart valve that includes coating material

Номер патента: US20240216588A1. Автор: Jason White,Jorge Jimenez,Noah Roth,Jay Yadav,Jordan BAUMAN,S. Beckett Gookin,Md Tausif Salim. Владелец: MIRUS LLC. Дата публикации: 2024-07-04.

Doped metal oxide semiconductor and thin-film transistor made therefrom and its application

Номер патента: US11894467B2. Автор: Miao Xu,Lei Wang,HUA Xu,Junbiao Peng,Weifeng Chen,WEIJING Wu. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2024-02-06.

Atomic layer deposited (ald) oxide semiconductors for integrated circuits (ics)

Номер патента: US20230178441A1. Автор: Peide Ye,Mengwei Si. Владелец: PURDUE RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2023-06-08.

Metal-Oxide-Semiconductor Capacitor

Номер патента: US20240234591A9. Автор: Marianne Berolini,Cory Nelson,Ronald S. Demcko,Jeff Borgman. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240234520A9. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Bin Yang,Gang Huang,Shuxian Chen,Huajun JIN,Hongfeng JIN,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Etch stop for oxide semiconductor devices

Номер патента: US20240222514A1. Автор: Vladimir Nikitin,Christopher CONNOR,Vishak Venkatraman,Yasin Kaya. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20220285554A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Dissolvable downhole hydraulic fracturing tools composed of bulk metal glass and thermoplastic polymer composites

Номер патента: US12031009B2. Автор: Arpana SINGH,Shashwat Shukla,Sandeep Thatathil. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Oxide semiconductor composition and manufacturing method thereof, oxide thin film transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082862B2. Автор: Jan-Tian Lian,Hung-Yu Wu,Hsin-min FU,Chia-Sheng Hsieh,Jang-Jeng Liang. Владелец: Chunghwa Picture Tubes Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Method for fabricating metal-oxide semiconductor transistor

Номер патента: US6150276A. Автор: Gary Hong,Claymens Lee. Владелец: United Semiconductor Corp. Дата публикации: 2000-11-21.

Trench gate complimentary metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: CA2009067A1. Автор: Allen L. Solomon. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-09-21.

Structure of metal oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US20030189226A1. Автор: Bing-Yue Tsui,Chih-Feng Huang. Владелец: National Chiao Tung University NCTU. Дата публикации: 2003-10-09.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Amorphous oxide semiconductor, semiconductor device, and thin film transistor

Номер патента: EP2150982A1. Автор: Hisato Yabuta,Ryo Hayashi,Nobuyuki Kaji,Ayanori Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Metal oxide semiconductor thin film, thin-film-transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: EP3317899A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-09.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US12057504B2. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Two-layer endotracheal tube cuff for prevention of pneumonia

Номер патента: WO2009058155A3. Автор: Katrina Cornish,Jali L. Williams. Владелец: Yulex Corporation. Дата публикации: 2009-09-03.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062724B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US9647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Metal-oxide semiconductor (mos) standard cells employing electrically coupled source regions and supply rails to relax source-drain tip-to-tip spacing between adjacent mos standard cells

Номер патента: US20180301447A1. Автор: John Jianhong ZHU,Jeffrey Junhao XU,Da YANG. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-10-18.

Vertical metal oxide semiconductor channel selector transistor and methods of forming the same

Номер патента: US12075633B2. Автор: Chung-Te Lin,Mauricio Manfrini,Yong-Jie WU,Yen-Chung Ho,Pin-Cheng HSU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Fluid formulations of oxidation dyes for mineral oil products, fats and waxes

Номер патента: US4378969A. Автор: Guenter Hansen,Georg Zeidler,Rudolf Senninger,Hans J. Kolbinger. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1983-04-05.

Use of edaravone in oral treatment of oxidative-stress mediated neurodegenerative disorders

Номер патента: AU2018298431B2. Автор: Ronald Van Der Geest,Sytske Hyke Moolenaar. Владелец: Treeway TW001 BV. Дата публикации: 2024-03-28.

Method and device for milling the surface of a traffic area in at least two layers

Номер патента: WO2023151729A1. Автор: Vítězslav Obr,Marek Přikryl. Владелец: Exact Control System a.s.. Дата публикации: 2023-08-17.

Inhibition of oxidative stress in atrial fibrillation

Номер патента: US10988767B2. Автор: Rishi Arora. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2021-04-27.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Pipe fitting comprising at least two layers of different material, the innermost layer made of plastic

Номер патента: EP1474629A1. Автор: Jarmo Smahl. Владелец: Uponor Innovation Ab. Дата публикации: 2004-11-10.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US12046694B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Unit dose two-layer liquid detergent packages

Номер патента: EP1831343A1. Автор: Eugene Steven Sadlowski,Vincent John Becks. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2007-09-12.

Unit dose two-layer liquid detergent packages

Номер патента: CA2588928A1. Автор: Eugene Steven Sadlowski,Vincent John Becks. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2006-08-24.

Methods of manufacturing oxide semiconductor thin film transistor

Номер патента: US7799622B2. Автор: Youngsoo Park,Taesang Kim,Jangyeon Kwon,Sangyoon Lee,Kyungseok Son,Jisim Jung,Changjung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-09-21.

Plastic ventilation duct that has at least two layers and is made at least partially antistatic

Номер патента: EP1590592B1. Автор: Rauno Juuti. Владелец: Uponor Innovation Ab. Дата публикации: 2007-10-31.

Complementary metal-oxide semiconductor (cmos) compatible rf switch and high voltage control circuit (hvcc)

Номер патента: US20210050846A1. Автор: Yan Guo,Patrick T. Clancy. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2021-02-18.

Formation of a two-layer via structure to mitigate damage to a display device

Номер патента: US20210111366A1. Автор: Ming Chyi Liu,Yung-Chang Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-15.

Method for fabricating at least three metal-oxide semiconductor transistors having different threshold voltages

Номер патента: US20120080758A1. Автор: Franck Arnaud. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2012-04-05.

Etching method for oxide semiconductor film

Номер патента: US12062548B2. Автор: Tetsuya Tatsumi,Kazuhiro Karahashi,Akiko Hirata,Satoshi Hamaguchi,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

LATERAL EXTENDED DRAIN METAL OXIDE SEMICONDUCTOR FIELD EFFECT TRANSISTOR (LEDMOSFET) HAVING A HIGH DRAIN-TO-BODY BREAKDOWN VOLTAGE (Vb), A METHOD OF FORMING AN LEDMOSFET, AND A SILICON-CONTROLLED RECTIFIER (SCR) INCORPORATING A COMPLEMENTARY PAIR OF LEDMOSFETS

Номер патента: US20120168817A1. Автор: Alvin J. Joseph,James A. Slinkman,Alan B. Botula,Michel J. Abou-Khalil,Theodore J. Letavic. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Monolithic inductance-enhancing integrated circuits, complementary metal oxide semiconductor (cmos) inductance-enhancing integrated circuits, inductor assemblies, and inductance-multiplying methods

Номер патента: US20030075764A1. Автор: Leonard Forbes. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

Spacer layer etch method providing enhanced microelectronic device performance

Номер патента: US20080026518A1. Автор: Ju-Wang Hsu,Yung-Shun Chen,Yuan-Hung Chiu,Jhon Jhy Liaw,Shien-Yang Wu,Jyh-Huei Chen,Yi-Chun Huang,Hung Der Su,Tung-Heng Shie. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2008-01-31.

Hybrid metal-oxide semiconductor field-effect transistor with variable gate impedance and implementation method thereof

Номер патента: US20230039285A1. Автор: Tung Ming Lai,Wen Nan Huang,Ching Kuo CHEN,Shiu Hui Lee,Cho Lan Peng,Chuo Chien TSAO. Владелец: Potens Semiconductor Corp. Дата публикации: 2023-02-09.

Silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method therefor

Номер патента: EP3813127A1. Автор: Song BAI,Tongtong YANG. Владелец: CETC 55 Research Institute. Дата публикации: 2021-04-28.

Use of grape seed extract for reduction of oxidative stress in calves

Номер патента: WO2024172785A1. Автор: Hakan BİRİCİK,Emin ÜRKMEZ. Владелец: Bursa Uludağ Üni̇versi̇tesi̇. Дата публикации: 2024-08-22.

Metal-oxide-semiconductor capacitor and circuit board including the same embedded therein

Номер патента: US12080809B2. Автор: Cory Nelson. Владелец: Kyocera Avx Components Corp. Дата публикации: 2024-09-03.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240339557A1. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Display device having a first transistor including a crystalline silicon semiconductor layer and a second transistor including an oxide semiconductor layer

Номер патента: US12119405B2. Автор: Hiroaki Furukawa,Yuhichi Saitoh,Tomohisa Aoki,Atsushi HACHIYA. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2024-10-15.

Oxide semiconductor, manufacturing method therefor, and semiconductor device comprising same

Номер патента: EP4439679A1. Автор: Hye Mi Kim,Hyunsung Jung,Hyeon Woo KIM,Young Joon Yoon,Jin Seong Park,In Pyo Park,Soo Won Heo,Sung Beom Cho,Bukyeong HWANG. Владелец: Korea Institute of Ceramic Engineering and Technology KICET. Дата публикации: 2024-10-02.

Oxide semiconductor sputtering target and method of fabricating thin-film transistor using same

Номер патента: US12119225B2. Автор: Shinhyuk Kang,Jeonghyun Moon,Kangmin Ok. Владелец: KV Materials Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Method for etching oxide semiconductor film and plasma processing apparatus

Номер патента: US12068171B2. Автор: Masahiro Yamazaki,Shigeru Tahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Oxide semiconductor field effect transistor

Номер патента: US12027629B2. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Sheng-Yao HUANG,Yen-Chen Chen,Jen-Po Huang,Qinggang Xing,Ding-Lung Chen,Li Li Ding,Yao-Hung Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US09997662B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Manufacturing method of dual gate oxide semiconductor TFT substrate and substrate thereof

Номер патента: US09947699B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Shimin Ge,Hejing ZHANG,Chihyuan Tseng,Chihyu SU,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: US09941415B2. Автор: Fumihiko Matsumura,Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2018-04-10.

Inhibition of oxidative stress in atrial fibrillation

Номер патента: US09932588B2. Автор: Rishi Arora. Владелец: Northwestern University. Дата публикации: 2018-04-03.

Two-layer separation-type eye drop containing squalane

Номер патента: US09907750B2. Автор: Shirou Sawa. Владелец: Senju Pharmaceutical Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers

Номер патента: US09887295B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Complementary metal-oxide-semiconductor depth sensor element

Номер патента: US09859313B2. Автор: Tom Chang,Kao-Pin Wu. Владелец: Eminent Electronic Technology Corp. Дата публикации: 2018-01-02.

Complementary metal-oxide semiconductor (CMOS) image sensors with saddle-gate source follower for imaging pixels

Номер патента: US12142620B2. Автор: Jinwen Xiao,Yunfei GAO,Tae Seok Oh. Владелец: Shenzhen Goodix Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-12.

Oxide semiconductor target, oxide semiconductor film and method for producing same, and thin film transistor

Номер патента: US09837543B2. Автор: Hideko Fukushima,Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Metal oxide semiconductor thin film, thin film transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: US09806097B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-10-31.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Co-planar oxide semiconductor TFT substrate structure and manufacture method thereof

Номер патента: US09768324B2. Автор: Xiaowen LV,Chihyuan Tseng. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Manufacture method of dual gate oxide semiconductor TFT substrate and structure thereof

Номер патента: US09768323B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Shimin Ge,Hejing ZHANG,Chihyuan Tseng,Chihyu SU,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: US09732004B2. Автор: Fumihiko Matsumura,Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Method for transferring a layer of a semiconductor and substrate comprising a confinement structure

Номер патента: US09716029B2. Автор: Daniel Delprat,Christophe Figuet,Fabrice Lallement. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-07-25.

Oxide sintered body, sputtering target, and oxide semiconductor thin film obtained using sputtering target

Номер патента: US09688580B2. Автор: Fumihiko Matsumura,Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

Metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09647138B2. Автор: Hsin-Fei Meng,Chuang-Chuang Tsai,Hsiao-Wen Zan,Chun-Cheng Yeh. Владелец: E Ink Holdings Inc. Дата публикации: 2017-05-09.

Oxide semiconductor depositing apparatus and method of manufacturing oxide semiconductor using the same

Номер патента: US09644270B2. Автор: KATSUSHI Kishimoto,Takayuki Fukasawa,Yeon-Keon MOON,Sang-Woo Sohn,Sang-won Shin. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Dual-well metal oxide semiconductor (MOS) device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09634139B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-25.

3D NAND with oxide semiconductor channel

Номер патента: US09634097B2. Автор: Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-04-25.

Manufacture method of dual gate oxide semiconductor TFT substrate and structure thereof

Номер патента: US09634032B2. Автор: Longqiang Shi,Xiaowen LV,Shimin Ge,Hejing ZHANG,Chihyuan Tseng,Chihyu SU,Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

High voltage metal oxide semiconductor device and method for making same

Номер патента: US09627524B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for manufacturing lateral double-diffused metal oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09627513B2. Автор: Meng Wang,Budong You,Zheng Lyu. Владелец: Hangzhou Silergy Semiconductor Technology LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method of manufacturing a two-layer metal cord rubberized in situ using an unsaturated thermoplastic elastomer

Номер патента: US09617661B2. Автор: Emmanuel Custodero,Sébastien RIGO,Jeremy Toussain. Владелец: Compagnie Generale des Etablissements Michelin SCA. Дата публикации: 2017-04-11.

Oxide semiconductor devices, methods of forming oxide semiconductor devices and organic light emitting display devices including oxide semiconductor devices

Номер патента: US09614020B2. Автор: Tae-Young Kim,Hye-Hyang Park,Shin-Hyuk Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Simultaneous formation of a top oxide layer in a silicon-oxide-nitride-oxide-silicon (SONOS) transistor and a gate oxide in a metal oxide semiconductor (MOS)

Номер патента: US09583501B1. Автор: Jeong-Mo Hwang. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Lateral double diffusion metal-oxide-semiconductor (LDMOS) transistors and fabrication method thereof

Номер патента: US09543411B2. Автор: Juilin Lu,Jian Xiang Cai,Ty Chiu. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Complementary metal oxide semiconductor field effect transistor, metal oxide semiconductor field effect transistor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09536792B2. Автор: Chien-Ting Lin,Shih-Hung Tsai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-03.

Junction overlap control in a semiconductor device using a sacrificial spacer layer

Номер патента: US09530864B2. Автор: Chia-Yu Chen,Tenko Yamashita,Michael J. Hargrove,Ryan O. Jung,Steven J. Bentley,Sivanandha K. Kanakasabapathy. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Oxide, semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US09508864B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Minimization of silicon germanium facets in planar metal oxide semiconductor structures

Номер патента: US20240363752A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ching-Hung Kao,Jing-Jyu CHOU,Shan-Yun Cheng,Yi-Sin Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09461166B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Oxide semiconductor thin film transistor with reduced impurity diffusion

Номер патента: US09455349B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US09433040B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Handle substrate, composite substrate for semiconductor, and semiconductor circuit board and method for manufacturing the same

Номер патента: US09425083B2. Автор: Akiyoshi Ide,Hirokazu Nakanishi,Yasunori Iwasaki,Sugio Miyazawa,Tatsuro Takagaki. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Diplexer including two bandpass filters

Номер патента: US09413328B2. Автор: Kazuhiro Tsukamoto,Masanori Tsutsumi. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Two-layer heat resistant coating on articles from carbon-carbon composite materials

Номер патента: RU2662520C1. Автор: Сергей Александрович Еремин,Вячеслав Николаевич Аникин,Дмитрий Юрьевич Синицын,Денис Валерьевич Кузнецов,Анастасия Михайловна Колесникова,Сергей Юрьевич Лукьянычев,Андрей Григорьевич Юдин,Иван Владимирович Малинин,Николай Григорьевич Зайцев,Константин Олегович Чупрунов. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Всероссийский научно-исследовательский и проектный институт тугоплавких металлов и твердых сплавов" (ФГУП "ВНИИТС"). Дата публикации: 2018-07-26.

Method of oxidized compound producing

Номер патента: RU2140897C1. Автор: Марк Джастин Беттс,Марк Эберхард Драй,Эри Гиртсема,Герхардус Иоханн Хендрикус Ролл. Владелец: Сасол Текнолоджи (Проприетари) Лимитед. Дата публикации: 1999-11-10.

Method of synthesis of oxidizers from the water solution of sodium chloride and a device for its realization

Номер патента: RU2241683C2. Автор: В.Г. Габленко. Владелец: Габленко Вячеслав Георгиевич. Дата публикации: 2004-12-10.

Two-layer frozen confectionary product

Номер патента: RU2717715C2. Автор: Анн-Сесиль Анье ЛЕБЛЁ,Пьетро Гофредо КОРСАРО,Лоик ПРЕВО,Массимиллиано РИККО. Владелец: Сосьете де Продюи Нестле С.А.. Дата публикации: 2020-03-25.

Method of oxidative torrefaction of bio-wastes in fluidized bed

Номер патента: RU2718051C1. Автор: Сергей Николаевич Кузьмин,Рафаил Львович Исьёмин,Александр Валерьевич Михалёв,Олег Юрьевич Милованов,Дмитрий Владимирович КЛИМОВ,Валентин Васильевич Коняхин,Леонид Викторович Караханов. Владелец: Акционерное общество «Продмаш». Дата публикации: 2020-03-30.

Type two-layer leak-proof ball and manufacturing method thereof

Номер патента: US10029154B2. Автор: Chun-Nan Lin. Владелец: Russell Brands LLC. Дата публикации: 2018-07-24.

Method for operation of rectangular two-layered plates in annular drilling bits

Номер патента: RU2631513C2. Автор: Сергей Александрович Ермаков,Лазарь Николаевич Федоров. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт горного дела Севера им. Н.В. Черского Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2017-09-25.

Two-layer intellectual cube

Номер патента: US5826871A. Автор: Chen Sen Li. Владелец: Individual. Дата публикации: 1998-10-27.

Two-layer fabric

Номер патента: RU2728044C1. Автор: Евгений Владимирович Махтей. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Обнинская Текстильная Компания". Дата публикации: 2020-07-28.

Method of oxidizing hydrocarbons into acids

Номер патента: RU2248345C2. Автор: Эрик ФАШЕ. Владелец: Родиа Полиамид Интермедиэйтс. Дата публикации: 2005-03-20.

Method for restoration of refractory body on the base of oxide and powdery mixture for restoration

Номер патента: RU2109715C1. Автор: Александр Зивковик,Жан-Пьер Мэйнккан,Бернар Сомерозан. Владелец: Главербель. Дата публикации: 1998-04-27.

Electrochemical reactor and apparatus for electrochemical synthesis of a mixture of oxidants

Номер патента: RU2729184C1. Автор: Юрий Владимирович Смирнов,Алексей Владимирович Смирнов,Сергей Владимирович Силин,Владимир Анатольевич Слепак. Владелец: Сергей Владимирович Силин. Дата публикации: 2020-08-05.

Prevention of oxidative stress as method of physiological quail acceleration

Номер патента: RU2579502C2. Автор: Марк Семенович Найденский,Инесса Сергеевна Луговая,Татьяна Олеговна Азарнова,Иван Иванович Кочиш,Евгения Николаевна Индюхова,Сергей Юрьевич Зайцев,Лючана Юрьевна Азарнова,Анна Евгеньевна Коротченкова,Марина Александровна Радкевич,Надежда Михайловна Ючкина. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московская государственная академия ветеринарной медицины и биотехнологии - МВА имени К.И. Скрябина" (ФГБОУ ВО МГАВМиБ - МВА имени К.И. Скрябина"). Дата публикации: 2016-04-10.

Method of pyrometallurgical processing of oxide materials

Номер патента: RU2640110C1. Автор: Геннадий Станиславович Подгородецкий,Владислав Борисович Горбунов,Александр Николаевич Шаруда,Егор Александрович Агапов. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский технологический университет "МИСиС". Дата публикации: 2017-12-26.

Control of metal-oxide-semiconductor field-effect transistor

Номер патента: RU2754501C1. Автор: Юрген БЕМЕР,Эберхард Ульрих КРАФФТ,Ян ВАЙГЕЛЬ,Марк-Маттиас БАКРАН,Андреас НАГЕЛЬ,Мартин ХЕЛЬСПЕР,Бернд ЛАСКА,Штефан Ханс Вернер ШЕНЕВОЛЬФ. Владелец: СИМЕНС АКЦИЕНГЕЗЕЛЛЬШАФТ. Дата публикации: 2021-09-02.

Oxide semiconductor material, thin-film transistor, and fabrication method thereof

Номер патента: WO2017124672A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: SOUTH CHINA UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2017-07-27.

Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same

Номер патента: US8450732B2. Автор: Chang-Jung Kim,Sang-Wook Kim,Sun-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-28.

Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same

Номер патента: US7935964B2. Автор: Chang-Jung Kim,Young-soo Park,Eun-ha Lee,Jae-Chul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2011-05-03.

Actuator for machine element having shape of rod

Номер патента: RU2494332C2. Автор: Георг БРЮНДЕРМАНН. Владелец: Георг БРЮНДЕРМАНН. Дата публикации: 2013-09-27.

Superconducting device formed of oxide superconductor material

Номер патента: CA2054596C. Автор: Hiroshi Inada,Takao Nakamura,Michitomo Iiyama. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 1997-03-04.

Oxide semiconductor layer and production method therefor, oxide semiconductor precursor, oxide semiconductor layer, semiconductor element, and electronic device

Номер патента: CA2920490C. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Tomoki Kawakita,Kiyoshi NISHIOKA.. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-20.

Oxide semiconductors and thin film transistors comprising the same

Номер патента: WO2008156312A3. Автор: Chang-Jung Kim,Sang-Wook Kim,Sun-Il Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2009-02-12.

Metal oxide semiconductor transistor with reduced gate height, and related fabrication methods

Номер патента: US7960229B2. Автор: Scott Luning,Rohit Pal,Frank Bin YANG. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-06-14.

Malto-dextrins of improved stability prepared by enzymatic hydrolysis of oxidized starch

Номер патента: US3974033A. Автор: Clarence F. Harjes,Vilas L. Wermers. Владелец: Unilever Bestfoods North America. Дата публикации: 1976-08-10.

Method of oxidizing secondary alkyl substituted naphthalenes and a process of producing isopropylnaphthols

Номер патента: CA1291767C. Автор: Hisaya Miki,Masaharu Ishiguro,Nobuya Hirokane. Владелец: Mitsui Petrochemical Industries Ltd. Дата публикации: 1991-11-05.

Oxide semiconductor layer and production method therefor, oxide semiconductor precursor, oxide semiconductor layer, semiconductor element, and electronic device

Номер патента: CA2920490A1. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Tomoki Kawakita,Kiyoshi NISHIOKA.. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Laser cathode composed of oxidized metallic particles

Номер патента: US4910748A. Автор: Carol M. Ford,Theordore J. Podgorski. Владелец: Honeywell Inc. Дата публикации: 1990-03-20.

Method for producing oxide layer on anodes of oxide-semiconductor and electrolytic capacitors

Номер патента: RU2322722C1. Автор: Лев Матвеевич Меринов,Виталий Евгеньевич Александров,Сергей Павлович Прокофьев,Натали Вениаминовна Галашина,Наталия Вениаминовна Галашина. Владелец: Открытое акционерное общество "Завод "Мезон". Дата публикации: 2008-04-20.

Method for producing cathode plate of oxide-semiconductor capacitor

Номер патента: RU2284070C1. Автор: Валерий Николаевич Кыров,Людмила Николаевна Цыплакова,Валентина Ивановна Зирка,Юрий Афанасьевич Калинин,Нина Васильевна Мымрина. Владелец: Открытое акционерное общество "Элеконд". Дата публикации: 2006-09-20.

Method for producing cathode plate of oxide-semiconductor capacitor

Номер патента: RU2284070C9. Автор: Валерий Николаевич Кыров,Людмила Николаевна Цыплакова,Валентина Ивановна Зирка,Юрий Афанасьевич Калинин,Нина Васильевна Мымрина,Юрий Афанасьевич Калинин (RU),Людмила Николаевна Цыплакова (RU),Валентина Ивановна Зирка (RU),Нина Васильевна Мымрина (RU),Валерий Николаевич Кыров (RU). Владелец: Открытое акционерное общество "Элеконд". Дата публикации: 2007-01-10.

METHOD AND SYSTEM FOR FLUORESCENT IMAGING WITH BACKGROUND SURGICAL IMAGE COMPOSED OF SELECTIVE ILLUMINATION SPECTRA

Номер патента: US20120004557A1. Автор: McDowall Ian,Hasser Christopher J.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Tunnel magnetoresistive element

Номер патента: RU2392697C1. Автор: Никита Валентинович Волков,Евгений Владимирович Еремин,Геннадий Семенович Патрин,Петр Дементьевич Ким. Владелец: Институт физики им. Л.В. Киренского Сибирского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2010-06-20.

Techniques for Displaying Numeric Data Sets that Include Multiple Measures

Номер патента: US20120001918A1. Автор: Kumar Naveen,Sankaraswami Sivanandan,Padegal Praveen Kumar,Venkateshaiah Avinash. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method of fabrication of oxide semiconductor capacitors

Номер патента: RU2073278C1. Автор: Л.К. Бедер,Т.В. Бездворных,Н.Ю. Ершова,Л.М. Косюк,Е.А. Чупахина,Н.М. Яковлева. Владелец: Косюк Людмила Михайловна. Дата публикации: 1997-02-10.

Memory unit of complementary metal-oxide-semiconductor structure ram

Номер патента: RU2580072C1. Автор: Владимир Яковлевич Стенин,Павел Викторович Степанов. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научный центр Научно-исследовательский институт системных исследований Российской академии наук" (ФГУ ФНЦ НИИСИ РАН). Дата публикации: 2016-04-10.

Two- layer intellectual cube

Номер патента: MY119517A. Автор: Chen Sen Li. Владелец: Chen Sen Li. Дата публикации: 2005-06-30.

Method of separating mineral products into magnetic and nonmagnetic particles

Номер патента: RU2430785C1. Автор: Дмитрий Рудольфович Ганин,Анатолий Алексеевич Панычев,Алена Петровна Никонова. Владелец: Алена Петровна Никонова. Дата публикации: 2011-10-10.

Two-layered steel flat rolled stock and item made from it

Номер патента: RU2532755C1. Автор: Андрей Борисович Мальцев,Александр Николаевич Григорьев,Александр Васильевич Голованов,Наталия Павловна Шеремет. Владелец: Открытое акционерное общество "Северсталь" (ОАО "Северсталь"). Дата публикации: 2014-11-10.

Method of separating mineral products into magnetic and nonmagnetic particles

Номер патента: RU2430786C1. Автор: Дмитрий Рудольфович Ганин,Анатолий Алексеевич Панычев,Алена Петровна Никонова. Владелец: Алена Петровна Никонова. Дата публикации: 2011-10-10.

Composition of charge for manufacture of oxide-metal inert anode

Номер патента: RU2537622C1. Автор: Юрий Павлович Зайков,Евгений Николаевич Селиванов,Владимир Михайлович Чумарев,Андрей Викторович Суздальцев,Андрей Петрович Храмов,Вадим Анатольевич Ковров,Анастасия Нургаяновна Мансурова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт высокотемпературной электрохимии Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2015-01-10.

Pleated shade having spacer cords

Номер патента: CA152306S. Автор: . Владелец: WHOLE SPACE INDUSTRIES LTD. Дата публикации: 2015-12-03.

Two-Layer Porous Layer System Having a Pyrochlore Phase

Номер патента: US20120003460A1. Автор: Stamm Werner. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Process of manufacture of oxide-semiconductor chip capacitors

Номер патента: RU2013816C1. Автор: В.А. Филиппов. Владелец: Производственное объединение "Оксид". Дата публикации: 1994-05-30.

Procedure for production of ultra-nano-disperse powder of transition metal oxide or mixture of oxides of transition metals

Номер патента: RU2400428C2. Автор: Ирина Владимировна Николаенко,Геннадий Петрович Швейкин. Владелец: Институт химии твердого тела Уральского Отделения Российской Академии наук. Дата публикации: 2010-09-27.

Method of obtaining nanotubular structures of oxides of vanadium or chrome subgroup (versions)

Номер патента: RU2336230C2. Автор: Галина Степановна Захарова,Вен Чен,Цюаньяо Джу,Елена Георгиевна Волкова,Виктор Львович Волков,Цюань о Джу. Владелец: Государственное учреждение "Институт химии твердого тела" Уральского отделения Российской академии наук. Дата публикации: 2008-10-20.

Method of oxidative stabilisation of polyacrylnitrile fibres filled with carbon nanoparticles

Номер патента: RU2535797C1. Автор: Юрий Николаевич Сазанов,Анатолий Алексеевич Якобук,Ольга Владимировна Асташкина,Александр Александрович Лысенко,Дарья Александровна Житенева,Ярослав Олегович Перминов,Андрей Юрьевич Кузнецов,Ольга Игоревна Гладунова,Владимир Александрович Лысенко,Полина Юрьевна Сальникова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Санкт-Петербургский государственный университет технологии и дизайна". Дата публикации: 2014-12-20.

Disinfecting-degassing formula of oxidative-nucleophilic action

Номер патента: RU2324515C1. Автор: Евгений Николаевич Храмов,Валентина Павловна Никольская,нов Василий Васильевич Бу,Василий Васильевич Буянов,Валентина Павловна Никольска,Ольга Борисовна Пудова. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский институт биологического приборостроения". Дата публикации: 2008-05-20.

Method for reduction of oxidation-reduction potential of water

Номер патента: RU2351546C2. Автор: Виталий Сергеевич Андреев. Владелец: Виталий Сергеевич Андреев. Дата публикации: 2009-04-10.

Apparatus for microarc applying of oxide coating on metals and their alloys

Номер патента: RU2190044C2. Автор: Ю.А. Кузнецов,В.Н. Хромов,А.Я. Коровин,Н.Г. Абашев,Э.П. Плетнев. Владелец: Орловский государственный аграрный университет. Дата публикации: 2002-09-27.

Method for generation of oxide film at working surface of dc machine collector

Номер патента: RU2501134C1. Автор: Анатолий Павлович Моргунов,Алексей Аркадьевич Фёдоров,Сергей Валерьевич Петроченко,Александр Александрович Рауба. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет путей сообщения" (ОмГУПС (ОмИИТ)). Дата публикации: 2013-12-10.

Method of oxidative dehydration of methanol

Номер патента: RU2443464C1. Автор: Геннадий Федорович Терещенко,Маргарита Мееровна Ермилова,Владимир Ильич Петьков,Наталья Всеволодовна Орехова,Максим Викторович Суханов. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского" (ННГУ). Дата публикации: 2012-02-27.

Method of obtaining hydrogen and products of oxidation of aluminium and device to this end

Номер патента: RU2342470C2. Автор: Игорь Николаевич Могилевский. Владелец: Игорь Николаевич Могилевский. Дата публикации: 2008-12-27.

Method of surgical simulation of oxidative stress in laboratory animals

Номер патента: RU2455703C1. Автор: Александр Александрович Басов,Илья Михайлович Быков,Сергей Ростиславович Федосов,Вадим Владимирович Малышко. Владелец: Государственное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Кубанский государственный медицинский университет" (ГОУ ВПО КГМУ). Дата публикации: 2012-07-10.

Installation for reduction of oxide-containing ores to particles of, for example ferric oxide

Номер патента: RU2364630C1. Автор: Анатолий Тимофеевич Неклеса,Вадим Владиславович Новинский. Владелец: Анатолий Тимофеевич Неклеса. Дата публикации: 2009-08-20.

Superconducting device having layered structure composed of oxide superconductor thin film and insulator thin film and method for manufacturing the same

Номер патента: CA2047413A1. Автор: Michitomo Iiyama,Sou Tanaka,Mitsuchika Saitoh. Владелец: Mitsuchika Saitoh. Дата публикации: 1992-01-20.