Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09478668B2
Опубликовано: 25-10-2016
Автор(ы): Kengo Akimoto, Masahiro Takahashi, Shunpei Yamazaki
Принадлежит: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09893201B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US20240079499A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US11799033B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-24.

Crystal, crystalline oxide semiconductor, semiconductor film containing crystalline oxide semiconductor, semiconductor device including crystal and/or semiconductor film and system including semiconductor device

Номер патента: US20210143251A1. Автор: Takahiro Sasaki,Isao Takahashi,Toshimi Hitora,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2021-05-13.

CRYSTAL, CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR FILM CONTAINING CRYSTALLINE OXIDE SEMICONDUCTOR, SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING CRYSTAL AND/OR SEMICONDUCTOR FILM AND SYSTEM INCLUDING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20210143251A1. Автор: TAKAHASHI Isao,Sasaki Takahiro,Hitora Toshimi,MATSUDA Tokiyoshi. Владелец: . Дата публикации: 2021-05-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09837548B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Transistor with multilayer film including oxide semiconductor layer and oxide layer

Номер патента: US9660093B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Hajime Tokunaga,Kenichi Okazaki,Takuya Handa,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

OXIDE SEMICONDUCTOR FILM ETCHING METHOD AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD

Номер патента: US20180197974A1. Автор: Kanzaki Yohsuke,SAITOH TAKAO,Takamaru Yutaka. Владелец: . Дата публикации: 2018-07-12.

Semiconductor device, method for manufacturing the same, or display device including the same

Номер патента: US12034080B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Iguchi,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device having first and second oxide semiconductors with difference energy level

Номер патента: US09761738B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09728556B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09583634B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09508861B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09865746B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device comprising a transistor and a capacitor

Номер патента: US09831347B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and display device having the same

Номер патента: US09768315B2. Автор: Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09601634B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hironobu Takahashi,Masahiro Katayama,Yuka Yokoyama,Kenichi Okazaki,Chieko MISAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, and an electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240266443A1. Автор: Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130164899A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka,Terumasa Ikeyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20190341502A1. Автор: Hajime Tokunaga,Takahiro Sato,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09876118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09812583B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takahiro Sato,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09595541B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09449819B2. Автор: Hajime Tokunaga,Takahiro Sato,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250184A1. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09997637B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09741860B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09412876B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250183A1. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US12057510B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09478535B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Yukinori Shima,Ami Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20160225796A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-04.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09899423B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09490268B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US09853164B2. Автор: Hirohiko Nishiki,Takeshi Hara,Izumi Ishida,Shogo Murashige. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09853167B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Ryosuke Watanabe,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor film, transistor, semiconductor device, display device, and electronic appliance

Номер патента: US09559174B2. Автор: Yasumasa Yamane,Kenichi Okazaki,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Noritaka ISHIHARA,Takahisa ISHIYAMA,Chiho Kawanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor film, transistor, semiconductor device, display device, and electronic appliance

Номер патента: US09406760B2. Автор: Yasumasa Yamane,Kenichi Okazaki,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Noritaka ISHIHARA,Takahisa ISHIYAMA,Chiho Kawanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09673234B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20210028014A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Semiconductor device, fabrication method for the same, and display apparatus

Номер патента: US20130334528A1. Автор: Mitsunobu Miyamoto. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, and an electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US11942554B2. Автор: Yukinori Shima,Masami Jintyou,Masataka Nakada,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US12072595B2. Автор: Isao Suzumura,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device having specified relative material concentration between In—Ga—Zn—O films

Номер патента: US11843004B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20160035567A1. Автор: Hajime Tokunaga,Takahiro Sato,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor device

Номер патента: US20150270404A1. Автор: Hajime Tokunaga,Takahiro Sato,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20210020785A1. Автор: Hajime Tokunaga,Takahiro Sato,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20180053856A1. Автор: Hajime Tokunaga,Takahiro Sato,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20230317857A1. Автор: Hajime Tokunaga,Takahiro Sato,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20240105734A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20230411526A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20230420570A1. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Semiconductor device

Номер патента: US11791415B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-17.

Oxide material and semiconductor device

Номер патента: US20230335647A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20230387146A1. Автор: Yohei Yamaguchi,Isao Suzumura,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12068329B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Akiharu Miyanaga,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496406B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Akiharu Miyanaga,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing oxide semiconductor device

Номер патента: US09754784B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method for manufacturing thin film semiconductor device

Номер патента: US09627198B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240072172A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor device

Номер патента: US11817505B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240258331A1. Автор: Toshinari Sasaki,Tatsuya TODA,Masayoshi Fuchi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device having an effective use of the conductive layer formed in the same process as one electrode

Номер патента: US09917115B2. Автор: Hideki Matsukura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Liquid crystal display device having a low reflecting layer made of the same material as the source electrode and the oxide semiconductor layer

Номер патента: US09715145B2. Автор: Hiroshi Matsukizono. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09461181B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device having an effective use of the conductive layer formed in the same process as one electrode

Номер патента: US09461178B2. Автор: Hideki Matsukura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09437745B2. Автор: Yuhichi Saitoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Oxide semiconductor and semiconductor device

Номер патента: US20200027955A1. Автор: Naoto Kikuchi,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2020-01-23.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: WO2019134394A1. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device, display device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09583510B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer

Номер патента: US09431427B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hotaka Maruyama,Daisuke Kawae,Yoshiaki Oikawa,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US9490368B2. Автор: Kunio Kimura,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Oxide semiconductor composition, manufacturing method thereof, thin film transistor and display apparatus

Номер патента: US10889504B2. Автор: Wenlin Zhang,Zhengliang Li,ce Ning,Hehe HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-12.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09577113B2. Автор: Yuhichi Saitoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US12085823B2. Автор: Isao Suzumura,Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device with U-shaped active portion

Номер патента: US09754978B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09613990B2. Автор: Seiichi Uchida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09515192B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hideaki Kuwabara,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Display device and semiconductor device

Номер патента: US20230074655A1. Автор: Akihiro Hanada,Hajime Watakabe,Toshihide Jinnai,lsao SUZUMURA,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-03-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991293B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Oxide semiconductor film

Номер патента: US09793414B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20170047354A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Hiroyuki Miyake,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device wherein an oxide semiconductor layer has a degree of crystallization of 80% or more

Номер патента: US09583509B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250091A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240332308A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device comprising a plurality of N-channel transistors wherein the oxide semiconductor layer comprises a portion being in an oxygen-excess state

Номер патента: US09837442B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20130234133A1. Автор: Toshihiko Saito,Yuta Uemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-09-12.

Semiconductor device and display unit

Номер патента: US20200335627A1. Автор: Yasuhiro Terai. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2020-10-22.

Semiconductor device and display unit

Номер патента: US11081591B2. Автор: Yasuhiro Terai. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2021-08-03.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12033867B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09911625B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240379829A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Manufacturing method of semiconductor device with conductive film in opening through multiple insulating films

Номер патента: US9818849B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hiroshi Fujiki,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09748436B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Suzunosuke Hiraishi,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09660101B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20210367082A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor device

Номер патента: US20200227569A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device

Номер патента: US20240194795A1. Автор: Takeshi Sakai,Masahiro Watabe,Yuichiro Hanyu. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09466756B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09842942B2. Автор: Kengo Akimoto,Toshinari Sasaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and liquid crystal display device containing the same

Номер патента: US09494829B2. Автор: Junya Goto,Yasuyuki Arai,Masahiko Hayakawa,Yuta Moriya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Micron scale tin oxide-based semiconductor devices

Номер патента: US20200185529A1. Автор: Jisung Park. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2020-06-11.

Micron scale tin oxide-based semiconductor devices

Номер патента: US20220209015A1. Автор: Jisung Park. Владелец: CORNELL UNIVERSITY. Дата публикации: 2022-06-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US11776967B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Takeshi Osada,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12062663B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Takeshi Osada,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09893089B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Takeshi Osada,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing semiconductor device and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09793410B2. Автор: Yoshiharu Hirakata,Tetsuji Ishitani,Nozomu Sugisawa,Ryo HATSUMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09570619B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Takeshi Osada,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Method for manufacturing semiconductor device and manufacturing apparatus of semiconductor device

Номер патента: US09460940B2. Автор: Yoshiharu Hirakata,Tetsuji Ishitani,Nozomu Sugisawa,Ryo HATSUMI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09548397B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Composite oxide semiconductor, semiconductor device using the composite oxide semiconductor, and display device including the semiconductor device

Номер патента: US11940702B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Method for manufacturing sputtering target, method for forming oxide film, and transistor

Номер патента: US11967505B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Masashi TSUBUKU,Yoichi Kurosawa,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09847396B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Daisuke Kawae. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Oxide semiconductor layer and production method therefor, oxide semiconductor precursor, oxide semiconductor layer, semiconductor element, and electronic device

Номер патента: US09842916B2. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Kiyoshi Nishioka,Tomoki Kawakita. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Oxide semiconductor layer and production method therefor, oxide semiconductor precursor, oxide semiconductor layer, semiconductor element, and electronic device

Номер патента: US09552985B2. Автор: Satoshi Inoue,Tatsuya Shimoda,Nobutaka Fujimoto,Kiyoshi Nishioka,Tomoki Kawakita. Владелец: Sumitomo Seika Chemicals Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09494830B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device, display device and semiconductor integrated circuit

Номер патента: US20240274624A1. Автор: Hirotaka Hayashi. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Sequential circuit and semiconductor device

Номер патента: US09939692B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Masahiko Hayakawa,Daisuke Matsubayashi,Kouhei Toyotaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Oxide semiconductor

Номер патента: US20180305219A1. Автор: Hiroshi Takashima,Ruiping Wang,Naoto Kikuchi,Hirofumi Kawanaka,Shintarou Ikeda,Yoshihiro Aiura,Akane Samizo,Kazuhiko Tonooka. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2018-10-25.

Semiconductor device

Номер патента: US12080717B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama,Hideaki Shishido. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09806099B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama,Hideaki Shishido. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09455280B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama,Hideaki Shishido. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240222510A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device comprising an insulating layer including a void

Номер патента: US09548393B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device

Номер патента: US11437524B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-06.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device

Номер патента: US11869981B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09496404B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideyuki Kishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor film comprising nanocrystal

Номер патента: US11935959B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09853069B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Taiga MURAOKA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09691789B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Taiga MURAOKA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxially formed material

Номер патента: US09864135B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09780201B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09431435B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando,Yasutaka Suzuki,Miki Suzuki,Kosei Nei,Yoshinori IEDA,Naoto Yamade,Asako Higa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for manufacturing oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140235015A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-21.

Semiconductor device including an oxide semiconductor and the display device including the semiconductor device

Номер патента: US09577110B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US20240222515A1. Автор: Yongsung Kim,Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device, or display device including the semiconductor device

Номер патента: US20200111914A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device, or display device including the semiconductor device

Номер патента: US20180331228A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device, manufacturing method of the semiconductor device, or display device including the semiconductor device

Номер патента: US20230268445A1. Автор: Nobuharu Ohsawa,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09911858B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device including transistor and capacitor

Номер патента: US09911755B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Hideaki Shishido. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09608124B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and touch panel

Номер патента: US20240272735A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Iguchi,Hajime Kimura,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Yasuharu Hosaka,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Dc-dc converter and semiconductor device

Номер патента: US20150035514A1. Автор: Kei Takahashi,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-05.

Dc-dc converter and semiconductor device

Номер патента: US20160285369A1. Автор: Kei Takahashi,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

DC-DC converter and semiconductor device

Номер патента: US09412762B2. Автор: Kei Takahashi,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US12107125B2. Автор: Ryohei KANNO. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09472559B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09829533B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Method for manufacturing oxide semiconductor transistor with low-nitrogen, low-defect insulating film

Номер патента: US09748355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09666723B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: US20200279955A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-03.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US20130248857A1. Автор: Seiichi Uchida. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Oxide semiconductor target, oxide semiconductor film and method for producing same, and thin film transistor

Номер патента: US09837543B2. Автор: Hideko Fukushima,Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Oxide semiconductor film and formation method thereof

Номер патента: US09824888B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US09960190B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Haruyuki Baba,Ryunosuke Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US20220059705A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-24.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US12046679B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Haruyuki Baba,Ryunosuke Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and liquid crystal display device

Номер патента: US09989828B2. Автор: Yohsuke Kanzaki,Tadayoshi Miyamoto,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Hiroshi Matsukizono,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device and method of its manufacturing

Номер патента: RU2503085C1. Автор: Масахико СУЗУКИ,Хирохико НИСИКИ,Такеси ХАРА,Юудзи МИДЗУНО,Есимаса ТИКАМА,Есифуми ОХТА,Тецуя АИТА,Митико ТАКЕИ,Окифуми НАКАГАВА,Есиюки ХАРУМОТО. Владелец: Шарп Кабусики Кайся. Дата публикации: 2013-12-27.

Oxide sintered body and method for manufacturing the same, sputtering target, and semiconductor device

Номер патента: US09957604B2. Автор: Kenichi Watatani,Koichi Sogabe,Miki Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US20170194218A1. Автор: Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi,Kazushi HAYASI. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-07-06.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film and laminated body having protective film on surface of oxide semiconductor thin film, and method for managing quality of oxide semiconductor thin film

Номер патента: US09780005B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and touch panel

Номер патента: US20200225785A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Iguchi,Hajime Kimura,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Yasuharu Hosaka,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-16.

Semiconductor device and touch panel

Номер патента: US20190317624A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Iguchi,Hajime Kimura,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Yasuharu Hosaka,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-17.

Semiconductor device and touch panel

Номер патента: US20210278922A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Iguchi,Hajime Kimura,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Yasuharu Hosaka,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-09-09.

Semiconductor device and touch panel

Номер патента: US11954276B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Iguchi,Hajime Kimura,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Yasuharu Hosaka,Naoto GOTO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Semiconductor device

Номер патента: US12094980B2. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09847430B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, measurement apparatus, and measurement method of relative permittivity

Номер патента: US09530893B2. Автор: Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device or display device including the same

Номер патента: US20170338107A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Oxide sintered material and method of manufacturing the same, sputtering target, oxide semiconductor film, and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20200126790A1. Автор: Kenichi Watatani,Hideaki Awata,Kazuya Tokuda,Aiko TOMINAGA,Miki Miyanaga. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2020-04-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20130032795A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-02-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09454923B2. Автор: Kiyoshi Kato,Hidetomo Kobayashi,Wataru Uesugi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US12074224B2. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto,Yutaka Okazaki,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09954112B2. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto,Yutaka Okazaki,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US09741779B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hideaki Kuwabara,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2011055644A1. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kenichi Okazaki,Seiji Yasumoto,Yoshiaki Oikawa,Tetsuhiro Tanaka,Shun Mashiro. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2011-05-12.

Method for evaluating oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and evaluation element and evaluation device used in above evaluation method

Номер патента: US09816944B2. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Nobuyuki Kawakami,Aya Miki. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and display device having semiconductor device

Номер патента: US09735282B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Crystalline oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US11393906B2. Автор: Isao Takahashi,Masaya Oda,Toshimi Hitora,Takashi Shinohe,Rie Tokuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-07-19.

Crystalline oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US11967618B2. Автор: Isao Takahashi,Masaya Oda,Toshimi Hitora,Takashi Shinohe,Rie Tokuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for making oxide semiconductor film

Номер патента: US20170044655A1. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Yao-Wei Wei,Ze-Dong Gao. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-16.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20140113687A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Takashi Shimazu,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for making oxide semiconductor film

Номер патента: US09945022B2. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Yao-Wei Wei,Ze-Dong Gao. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20120268979A1. Автор: Yusuke Sekine. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-25.

Semiconductor device configured for gate dielectric monitoring

Номер патента: US12032014B2. Автор: Edward John Coyne,Colm Patrick Heffernan,Mark Forde,Shane Geary,John P. Meskell. Владелец: Analog Devices International ULC. Дата публикации: 2024-07-09.

Semiconductor device, driving method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US20240298447A1. Автор: Hiromichi Godo,Hitoshi KUNITAKE,Kazuki Tsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US20160163710A1. Автор: Yusuke Sekine. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20140339551A1. Автор: Yusuke Sekine. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09735285B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kazunori Watanabe,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU,Hikaru Harada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09548308B2. Автор: Yusuke Sekine. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09478564B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kazunori Watanabe,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU,Hikaru Harada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210175256A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-10.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240243204A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240321903A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09666678B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09601516B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Masashi TSUBUKU,Yoshiaki Oikawa,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for evaluating quality of oxide semiconductor thin film, method for managing quality of oxide semiconductor thin film, and device for manufacturing semiconductor using said method for managing quality

Номер патента: US20190122941A1. Автор: Kazushi Hayashi,Toshihiro Kugimiya,Mototaka Ochi. Владелец: Kobe Steel Ltd. Дата публикации: 2019-04-25.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US11959165B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tetsunori Maruyama,Masahiro Watanabe,Hitomi Sato,Yuki Imoto,Kenichi Okazaki,Takashi Shimazu,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

P-type oxide semiconductor film and method for forming same

Номер патента: EP3712305A1. Автор: Isao Takahashi,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Semiconductor laminate, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230245883A1. Автор: Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09741867B2. Автор: Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Transistor, circuit, semiconductor device, display device, and electronic device

Номер патента: US09825181B2. Автор: Shinpei Matsuda,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masashi TSUBUKU,Motoki Nakashima,Noritaka ISHIHARA,Toshimitsu Obonai,Tsutomu Murakawa,Hiroshi Kanemura,Kazuya Sugimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device with a small off current and oxide semiconductor layer having a function of a channel formation layer

Номер патента: US09553583B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09991265B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device, memory device, electronic device, and method for driving semiconductor device

Номер патента: US09754657B2. Автор: Yutaka Shionoiri,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09705005B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device comprising transistor including oxide semiconductor

Номер патента: US09685447B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device

Номер патента: US09502133B2. Автор: Naoki Ueda,Sumio Katoh. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer

Номер патента: US11776968B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of production of semiconductor device

Номер патента: US20170186874A1. Автор: Tetsuya Goto,Makoto Takeshita. Владелец: Zeon Corp. Дата публикации: 2017-06-29.

Hydrogenated p-channel metal oxide semiconductor thin film transistors

Номер патента: US09985139B2. Автор: Kenji Nomura. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: EP3712959A1. Автор: Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-09-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09905557B2. Автор: Toshihiko Saito,Kiyoshi Kato,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor devices

Номер патента: US09846277B1. Автор: Raymond G Beausoleil,Di Liang,Yingtao HU. Владелец: HEWLETT PACKARD ENTERPRISE DEVELOPMENT LP. Дата публикации: 2017-12-19.

Oxide semiconductor thin film and thin film transistor

Номер патента: US09768316B2. Автор: Eiichiro Nishimura,Tokuyuki Nakayama,Masashi Iwara. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09653611B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device including write access transistor having channel region including oxide semiconductor

Номер патента: US09589961B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20080298135A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-04.

Metal oxide semiconductor device and method for operating an array structure comprising the same devices

Номер патента: US20100213528A1. Автор: Chia-Hsing Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-26.

Semiconductor device

Номер патента: US12101945B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Yuta Endo,Shuhei Nagatsuka,Tamae Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09806079B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Keitaro Imai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240194769A1. Автор: Yu-Cheng Tung,Chia-Wei Wu. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-13.

Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit

Номер патента: US09887299B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Transistor, clocked inverter circuit, sequential circuit, and semiconductor device including sequential circuit

Номер патента: US09461126B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Oxide semiconductor target, oxide semiconductor film and method for producing same, and thin film transistor

Номер патента: US20160035895A1. Автор: Hideko Fukushima,Hiroyuki Uchiyama. Владелец: Hitachi Metals Ltd. Дата публикации: 2016-02-04.

Sputtering target, oxide semiconducting film, and method for making the same

Номер патента: US9840769B2. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Liang-Qi Ouyang,Ru-Jun Sun. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Sputtering target, oxide semiconducting film, and method for making the same

Номер патента: US9732415B2. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Leng Zhang,Yao-Wei Wei. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Sputtering target, oxide semiconducting film, and method for making the same

Номер патента: US20170037505A1. Автор: Li Guo,Ming Zhao,Da-Ming Zhuang,Ming-Jie Cao,Leng Zhang,Yao-Wei Wei. Владелец: Hon Hai Precision Industry Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-09.

Semiconductor device

Номер патента: US11742014B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Kiyoshi Kato,Atsushi Miyaguchi,Tatsunori Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09698277B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Kazuhiro Tsutsui,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device including oxide semiconductor

Номер патента: US09525073B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Yutaka Shionoiri,Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka,Yuto Yakubo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20230378371A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Haruyuki Baba,Ryunosuke Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20230397447A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230397448A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09726819B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-08.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09590393B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Complementary metal oxide semiconductor device with III-V optical interconnect having III-V epitaxial semiconductor material formed using lateral overgrowth

Номер патента: US09344200B2. Автор: Ning Li,Devendra K. Sadana,Cheng-Wei Cheng,Kuen-Ting Shiu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-05-17.

Formation of cobalt silicide film and manufacture of semiconductor device therewith

Номер патента: CN100392826C. Автор: 朴惠贞,具景谟,具滋钦. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-06-04.

Formation of cobalt silicide film and manufacture of semiconductor device therewith

Номер патента: CN1510726A. Автор: 朴惠贞,具景谟,具滋钦. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2004-07-07.

Method for depositing a thin film and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: KR102457289B1. Автор: 한용규,김영훈,김대연,유태희,임완규,유진근. Владелец: 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이.. Дата публикации: 2022-10-21.

Method of forming a film and manufacturing a semiconductor device

Номер патента: DE112020004152T5. Автор: Tatsuji Nagaoka,Hiroyuki Nishinaka,Masahiro Yoshimoto,Daisuke Tahara. Владелец: Kyoto Institute of Technology NUC. Дата публикации: 2022-05-19.

Method for forming film and manufacture of semiconductor device

Номер патента: TW417172B. Автор: Kazuo Maeda,Noboru Tokumasu. Владелец: Canon Sales Co Inc. Дата публикации: 2001-01-01.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09590111B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09748403B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09905703B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09349593B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09954117B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09722095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09911864B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09761734B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09425217B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09559193B2. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka,Toshinari Sasaki,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20170373196A1. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160254387A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09502434B2. Автор: Masayuki Sakakura,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09768320B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Akihisa Shimomura,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20160284860A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masashi TSUBUKU,Masami Jintyou,Noritaka ISHIHARA,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09893192B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09685561B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Kunihiko Suzuki,Toshiya Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20190103400A1. Автор: Chien-Wei Chiu,Shin-Cheng Lin,Yu-Hao Ho. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2019-04-04.

Structure and formation method of semiconductor device with oxide semiconductor channel

Номер патента: US20210327705A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Chih-Yu Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-10-21.

Method for producing gallium oxide semiconductor film and film formation device

Номер патента: EP4180557A1. Автор: Takenori Watabe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-05-17.

Detection unit, semiconductor film layer inspection apparatus including the same, and semiconductor film layer inspection method using the same

Номер патента: US12032012B1. Автор: Kook Chul Moon. Владелец: En Vigth Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Detection unit, semiconductor film layer inspection apparatus including the same, and semiconductor film layer inspection method using the same

Номер патента: US20240219446A1. Автор: Kook Chul Moon. Владелец: Envigth Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

A method for producing a crystalline oxide semiconductor film and a gallium oxide film, and a method for producing a vertical semiconductor device

Номер патента: US20230089169A1. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Crystalline oxide semiconductor film and gallium oxide film production method, and vertical semiconductor device production method

Номер патента: EP4101952A1. Автор: Takenori Watabe,Hiroshi Hashigami. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2011132591A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2011-10-27.

Semiconductor device including metal-oxide-semiconductor disposed in a column decoder region

Номер патента: US09997223B2. Автор: Duk Su Chun. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and operating method thereof

Номер патента: US09851780B2. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device

Номер патента: US11750194B2. Автор: Kiyoshi Kato,Masashi Fujita,Yutaka Shionoiri,Hidetomo Kobayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09799290B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor device and operation method thereof

Номер патента: US09742362B2. Автор: Atsushi Hirose. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor Device

Номер патента: US20140197873A1. Автор: Tatsuji Nishijima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-17.

Driving method for a semiconductor device with an oxide semiconductor layer between two gate electrodes

Номер патента: US09449706B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20150381169A1. Автор: Hidetomo Kobayashi,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-12-31.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20120230114A1. Автор: Yusuke Sekine. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-09-13.

Silicon nitride film, and semiconductor device

Номер патента: US09847355B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Toru Takayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, method for driving semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09716100B2. Автор: Tomoaki Atsumi,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method for producing a gallium oxide semiconductor film and a film forming apparatus

Номер патента: US20230257880A1. Автор: Takenori Watabe. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09741794B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09947777B2. Автор: Yusuke Nonaka,Hiromi Sawai,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Kazutaka Kuriki,Yuji EGI,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and display device including semiconductor device

Номер патента: US09842938B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09887291B2. Автор: Yukie Suzuki,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09761736B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US09704704B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device comprising oxide conductor and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09837547B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09818880B2. Автор: Satoru Saito,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09773815B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09640669B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09443876B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09711656B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and electronic device including the semiconductor device

Номер патента: US09685563B2. Автор: Yasumasa Yamane,Masashi Oota,Toshihiko Takeuchi,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Oxide semiconductor thin film transistor including oxygen release layer

Номер патента: US09660092B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Takuya Handa,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device

Номер патента: US20140131701A1. Автор: Hirokazu Watanabe,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor Device

Номер патента: US20160181438A1. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09876099B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor device

Номер патента: WO2014077207A1. Автор: Hirokazu Watanabe,Shinji Ohno. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-05-22.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985056B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09847429B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09812533B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device including oxide semiconductor with an insulating film including galliium and oxygen

Номер патента: US09755082B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor

Номер патента: US09634031B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Suzunosuke Hiraishi,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US09627413B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Yukinori Shima,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09601631B2. Автор: Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09530895B2. Автор: Yusuke Nonaka,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US09437741B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Shinpei Matsuda,Kenichi Okazaki,Masahiko Hayakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device including oxide semiconductor film containing indium

Номер патента: US09929280B2. Автор: Noriyoshi Suzuki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device, display device, input/output device, and electronic device

Номер патента: US09859444B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09722088B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Daisuke Matsubayashi,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Method for manufacturing semiconductor device including exposure of oxide semiconductor to reducing atmosphere

Номер патента: US09425322B2. Автор: Noriyoshi Suzuki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170141234A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-18.

Semiconductor device

Номер патента: US11764074B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiko Hayakawa,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09991395B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09911853B2. Автор: Masahiro Takahashi,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Junichi Koezuka,Motoki Nakashima,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai,Shunsuke Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09647128B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiko Hayakawa,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device including oxide semiconductor

Номер патента: US09640555B2. Автор: Takahiro Iguchi,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US09564535B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09502580B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472676B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuki Imoto,Yuta Endo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09437744B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09929010B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09882062B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140246668A1. Автор: Daigo Ito,Akihisa Shimomura,Tomoaki Moriwaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor film

Номер патента: US09905435B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Takuya Handa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device having an oxide semiconductor film and a metal oxide film

Номер патента: US09842937B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09780226B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09768199B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, and method for forming oxide film

Номер патента: US09735280B2. Автор: Kosei Noda,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09640639B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Method for forming multilayer film including oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09595435B2. Автор: Ryosuke Watanabe,Masashi Oota,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09570594B2. Автор: Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and manufacturing method the same

Номер патента: US09379141B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara,Miyuki HOSOBA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09997639B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09876119B2. Автор: Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09831101B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09754971B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Daisuke Matsubayashi,Seiko Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09680028B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda,Takashi Shimazu,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09576795B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09905579B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Takahiro Iguchi,Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09893202B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09793412B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09793295B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshiyuki Miyamoto,Kenichi Okazaki,Masafumi Nomura,Takashi HAMOCHI,Tetsuhiro Tanaka,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09728648B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09472682B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443874B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09437594B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshiyuki Miyamoto,Kenichi Okazaki,Masafumi Nomura,Takashi HAMOCHI,Tetsuhiro Tanaka,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09431545B2. Автор: Toshihiko Saito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Akihiro Ishizuka,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09397153B2. Автор: Yasumasa Yamane,Toshihiko Takeuchi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-19.

Oxide semiconductor element and semiconductor device

Номер патента: US09917206B2. Автор: Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09543145B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yutaka Okazaki,Yuhei Sato,Junichi Koezuka,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: WO2015177685A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2015-11-26.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20170125553A1. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09831326B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Oxide semiconductor film, method for forming oxide semiconductor film, and semiconductor device

Номер патента: US09583632B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09559213B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09515175B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoshi Higano,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09496411B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09496375B2. Автор: Atsuo Isobe,Kunio Hosoya. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US09478664B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Satoshi Toriumi,Toshihiko Takeuchi,Takashi Ohtsuki,Masashi TSUBUKU,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor Device

Номер патента: US20240322018A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Tomonori Nakayama,Junichi Koezuka,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device including first gate oxide semiconductor film, and second gate

Номер патента: US09722090B2. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Hideaki Shishido,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09673305B2. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466725B2. Автор: Akihisa Shimomura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240213356A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180204948A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-07-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09954084B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09929276B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09793383B2. Автор: Toshinari Sasaki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09673336B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09406786B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device

Номер патента: US09923097B2. Автор: Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09711655B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240203794A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210074861A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-11.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09911757B2. Автор: Hiroyuki Miyake,Kenichi Okazaki,Yukinori Shima,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09893195B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yusuke Sekine,Tatsuya Honda,Kosei Noda,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09520503B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-13.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150236138A1. Автор: Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-20.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09997545B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Method for manufacturing a semiconductor device at low temperature

Номер патента: US09831275B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09614062B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2013157619A1. Автор: Atsuo Isobe. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170154789A1. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120252173A1. Автор: Yuki Imoto,Yuhei Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09824898B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing thereof

Номер патента: US09634149B2. Автор: Yuichi Sato,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570622B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09570593B2. Автор: Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09972718B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-15.

Metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09941414B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09425295B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170110588A1. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09837512B2. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09812585B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530892B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and display device including the semiconductor device

Номер патента: US09496412B2. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09450104B2. Автор: Masahiro Takahashi,Yuichi Sato,Hideyuki Kishida,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, module, and electronic device

Номер патента: US09653487B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09871059B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yutaka Okazaki,Atsuo Isobe,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device having circular light-blocking layer

Номер патента: US09449991B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09496138B2. Автор: Toru Hasegawa,Masaki Koyama,Akihisa Shimomura,Kosei Nei,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013150927A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-10-10.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20230006064A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-05.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20200365739A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-11-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09755083B2. Автор: Satoshi Toriumi,Kosei Noda,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160365454A1. Автор: Satoshi Toriumi,Kosei Noda,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20120302004A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-29.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US09570626B2. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09450102B2. Автор: Satoshi Toriumi,Kosei Noda,Kazuki Tanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20150249123A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09947799B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09634082B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tetsunori Maruyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09590112B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US09478603B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-25.

Method for manufacturing a semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09721811B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US09496330B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Masashi Oota,Koji Dairiki,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09490351B2. Автор: Yusuke Nonaka,Tatsuya Honda,Takatsugu Omata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09614100B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device

Номер патента: US12057459B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258119A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09847358B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09805954B2. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09601602B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Oxide semiconductor film and method for forming oxide semiconductor film

Номер патента: US09577107B2. Автор: Masaki Koyama,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Takuya Hirohashi,Takahisa ISHIYAMA,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09530894B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device including oxide semiconductor and manufacturing method thereof

Номер патента: US09425045B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor device

Номер патента: US09773916B2. Автор: Satoru Saito,Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Terumasa Ikeyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, or the display module

Номер патента: US09660087B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150093855A1. Автор: Shinya Sasagawa,Akihiro Ishizuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Oxide semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180331233A1. Автор: Zhibiao Zhou,Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09530856B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20180151604A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09954115B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859441B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09466728B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Oxide semiconductor film, film formation method thereof, and semiconductor device

Номер патента: US20160163542A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947797B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653614B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukie Suzuki,Kosei Noda,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230268349A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12074210B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US09818850B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09419146B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09793416B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Kengo Akimoto,Yasuo Nakamura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12057453B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09754974B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09287407B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-03-15.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US20210280610A1. Автор: Manabu Yamashita. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09837545B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09666724B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yutaka Okazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device

Номер патента: US09991397B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yutaka Okazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09680024B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yutaka Okazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160351694A1. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-01.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09978878B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773915B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Oxide semiconductor film

Номер патента: US09748328B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Masashi Oota,Takuya Hirohashi,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09722055B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419143B2. Автор: Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09331156B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Hiroshi Kanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US12002886B2. Автор: Seiichi Yoneda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20240313117A1. Автор: Seiichi Yoneda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09831351B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240322045A1. Автор: Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita,Kasumi Okabe. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US09412877B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Daisuke Matsubayashi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US12100760B2. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Semiconductor device, method of manufacturing semiconductor device, photodiode array, and imaging apparatus

Номер патента: US09941324B2. Автор: Shuhei NARA. Владелец: NLT Technologeies Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09530806B2. Автор: Takahiro Tsuji,Junichiro Sakata,Masahiko Hayakawa,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Miyuki HOSOBA,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Manufacturing method of semiconductor device with steps of heat treatment in nitrogen containing atmosphere, oxygen doping treatment and heat treatment in oxygen containing atmosphere

Номер патента: US09373707B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20230309294A1. Автор: Keiji Ikeda,Mutsumi Okajima,Kotaro Noda,Nobuyoshi Saito,Takanori Akita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor Device And Method For Manufacturing The Same

Номер патента: US20150311352A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Oxide semiconductor stacked film and semiconductor device

Номер патента: US09583570B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Ryosuke Watanabe,Masashi Oota,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA,Koki Inoue. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09496416B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US11862454B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20170263776A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20200144424A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-05-07.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20240154041A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20210343870A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-04.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: US20170271518A1. Автор: Shinichi Ushikura,Ayumu Sato. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US12062724B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09530897B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Satoshi Shinohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11824105B2. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240079479A1. Автор: Hajime Tokunaga,Toshinari Sasaki,Daisuke Matsubayashi,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9768314B2. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11888071B2. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240113229A1. Автор: Kenichi Okazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Suzunosuke Hiraishi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic appliance including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20170207247A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor device, manufacturing method of semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09768317B2. Автор: Daigo Ito,Kazuya Hanaoka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20210091226A1. Автор: Takashi Okada,Toshiki Kaneko,Michiaki Sakamoto,Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Semiconductor device, display device including the semiconductor device, display module including the display device, and electronic device including the semiconductor device, the display device, and the display module

Номер патента: US20230343875A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20230187558A1. Автор: Takashi Okada,Toshiki Kaneko,Michiaki Sakamoto,Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-06-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140193947A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor device

Номер патента: US11075305B2. Автор: Nobuki KANREI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2021-07-27.

Semiconductor device

Номер патента: US20190088795A1. Автор: Nobuki KANREI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2019-03-21.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, display device, and electronic device

Номер патента: US11842901B2. Автор: Junichi Koezuka,Masami Jintyou,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device comprising stacked transistors

Номер патента: US11961917B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda,Daisuke Matsubayashi,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-16.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180323306A1. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-08.

Method for forming oxide semiconductor film and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150311074A1. Автор: Daigo Ito,Yuichi Sato,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09748400B2. Автор: Tatsuji Nishijima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150162449A1. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647127B2. Автор: XIANG Liu,Woobong Lee. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620650B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09437749B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: WO2012073844A1. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Takatsugu Omata,Hiroki Ohara. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-06-07.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9564457B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Semiconductor device with integrated memory devices and mos devices and process of making the same

Номер патента: US20210233924A1. Автор: Wang Xiang,Weichang Liu,Chia-Ching Hsu,Shen-De Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-07-29.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor

Номер патента: US09812467B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09627545B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09590114B1. Автор: Yu-Cheng Tung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09570625B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: US9035304B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Sachiaki TEZUKA,Shinji Ohno,Tomokazu Yokoi,Yusuke SHINO. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-19.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150279977A1. Автор: Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-10-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20160204268A1. Автор: Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230335646A1. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Hirokazu Watanabe,Daisuke Matsubayashi,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09620649B1. Автор: Shao-Hui Wu,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Zhi-Biao Zhou,hai-biao Yao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device

Номер патента: US09614095B2. Автор: Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2011118509A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2011-09-29.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US20140175438A1. Автор: Kengo Akimoto,Tatsuya Honda,Suzunosuke Hiraishi,Hiroshi Kanemura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20160372492A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshiyuki Miyamoto,Kenichi Okazaki,Masafumi Nomura,Takashi HAMOCHI,Tetsuhiro Tanaka,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and method for producing the same

Номер патента: US20180301561A1. Автор: Seiji Kaneko,Yohsuke Kanzaki,Takao Saitoh,Yutaka Takamaru,Keisuke IDE. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2018-10-18.

Semiconductor device and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US20210119055A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Tatsuya TODA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2021-04-22.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150093854A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-02.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09960278B2. Автор: Keiji Sato,Tetsunori Maruyama,Toshinari Sasaki,Yuhei Sato,Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Tsutomu Murakawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device, manufacturing method of the same, and electronic device

Номер патента: US09911861B2. Автор: Yuichi Sato,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Method of forming semiconductor device with different energy gap oxide semiconductor stacked layers

Номер патента: US09899536B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09722056B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Akihisa Shimomura,Yuhei Sato,Satoshi Toriumi,Toshihiko Takeuchi,Takashi Ohtsuki,Masashi TSUBUKU,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device including oxide semiconductor stack with different ratio of indium and gallium

Номер патента: US09496408B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hajime Tokunaga,Junichi Koezuka,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device

Номер патента: US12002876B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Tomonori Nakayama,Junichi Koezuka,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor device including first and second metal oxide semiconductor transistors

Номер патента: US10636906B2. Автор: Takeshi Imamura,Eiji Yasuda,Ryosuke Okawa,Kazuma Yoshida,Dohwan AHN,Toshikazu Imai,Shigetoshi Sota,Masaaki HIRAKO,Tomonari Ota. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140106502A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-17.

Memory device and semiconductor device including the memory device

Номер патента: US12063770B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274696A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20170263775A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20160111546A1. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09882059B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Yutaka Okazaki,Yuhei Sato,Tetsuhiro Tanaka,Takahisa ISHIYAMA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device including pellet-like particle or flat-plate-like particle

Номер патента: US09666721B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660098B2. Автор: Hideomi Suzawa,Toshihiko Takeuchi,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09601632B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method for manufacturing oxide semiconductor film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: WO2013008419A1. Автор: Toru Hasegawa,Masaki Koyama,Akihisa Shimomura,Kosei Nei,Suguru Hondo. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-01-17.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11876126B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-16.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240105819A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20140332886A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-13.

Single poly plate low on resistance extended drain metal oxide semiconductor device

Номер патента: US20150140764A1. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Manufacturing method of oxide semiconductor device

Номер патента: US10446689B1. Автор: Hui-Ling Chen,Chien-Ming Lai,Sheng-Yao HUANG,Yen-Chen Chen,Han Chuan Fang,Jen-Po Huang,Seng Wah Liau. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-10-15.

Semiconductor device including oxide semiconductor and method for fabricating the same

Номер патента: US20240274722A1. Автор: Jun Hwe CHA. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US09972644B2. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09905657B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Satoru Okamoto,Yuta Endo,Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09859401B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Takuya Hirohashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Oxide semiconductor device with an oxygen-controlling insulating layer

Номер патента: US09859114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US09847428B1. Автор: Zhibiao Zhou,Ding-Lung Chen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device, storage device, resistor circuit, display device, and electronic device

Номер патента: US09847406B2. Автор: Masami Endo,Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09647095B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US20240379865A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-11-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150137121A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yusuke Sekine,Tatsuya Honda,Kosei Noda,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Oxide semiconductor film and semiconductor device

Номер патента: US20130285045A1. Автор: Yusuke Nonaka,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Yasuharu Hosaka,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-10-31.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230307547A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor device comprising silicon and oxide semiconductor in channel formation region

Номер патента: US12080802B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: WO2014178335A1. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2014-11-06.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20220085182A1. Автор: Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda,Junji Kataoka,Nobuyoshi Saito,Shushu ZHENG. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09825060B2. Автор: Toshinari Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09761737B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-12.

Low on resistance semiconductor device

Номер патента: US09653561B2. Автор: Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09391209B2. Автор: Yasuyuki Arai,Junpei Sugao,Hiromichi Godo,Satohiro Okamoto,Mari Terashima,Eriko Nishida. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Oxide semiconductor layer and semiconductor device

Номер патента: US09306072B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Takashi Shimazu,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US11830950B2. Автор: Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-28.

Semiconductor device and display device including the semiconductor device

Номер патента: US20240088303A1. Автор: Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150144947A1. Автор: Akiharu Miyanaga. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-28.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230299207A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-21.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170005182A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-05.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240332427A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332428A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09966475B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshiyuki Miyamoto,Kenichi Okazaki,Masafumi Nomura,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Semiconductor device

Номер патента: US09960280B2. Автор: Yuichi Sato,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09893200B2. Автор: Masahiro Takahashi,Kengo Akimoto,Takuya Hirohashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09887298B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer in which thickness of the oxide semiconductor layer is greater than or equal to width of the oxide semiconductor layer

Номер патента: US09887297B2. Автор: Tetsuhiro Tanaka,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09805952B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09716003B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09711652B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshiyuki Miyamoto,Kenichi Okazaki,Masafumi Nomura,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09449852B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US11923249B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Manufacturing method of semiconductor device comprising oxide semiconductor

Номер патента: US11923204B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Oxide semiconductor film, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US20140097428A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20210020781A1. Автор: Min Hee Cho,Hyun Mog Park,Woo Bin Song,Min Woo Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-01-21.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20130214271A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20160155851A1. Автор: Toshinari Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2016-06-02.

P-Type Semiconductor Material and Semiconductor Device

Номер патента: US20150001535A1. Автор: Yoshinobu Asami,Riho KATAISHI,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20140077208A1. Автор: Hideki Matsukura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-03-20.

Etching method for oxide semiconductor film

Номер патента: US12062548B2. Автор: Tetsuya Tatsumi,Kazuhiro Karahashi,Akiko Hirata,Satoshi Hamaguchi,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-13.

Metal oxide thin film transistor, semiconductor device and display device

Номер патента: US20240332425A1. Автор: Jie Huang,Kun Zhao,Yan Qu,Zhengliang Li,Feifei Li,ce Ning,Hehe HU,Liping LEI,Jiayu HE,Nianqi YAO,Fangqing Wen. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240332429A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12113074B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US20240371859A1. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device for a low-loss antenna switch

Номер патента: US12080706B2. Автор: Jun-De JIN,Tzu-Jin Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991288B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09887293B2. Автор: Zhibiao Zhou,Chi-Fa Ku,Chen-Bin Lin,Chung-Yuan Lee,Ding-Lung Chen,Sanpo Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US09871145B2. Автор: Daigo Ito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshiaki Yamamoto,Takashi Hamada,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki,Masaharu Nagai,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09837551B2. Автор: Shinya Sasagawa,Naoto Kusumoto,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728555B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US09691905B2. Автор: Daigo Ito,Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Yoshiaki Yamamoto,Takashi Hamada,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Okazaki,Masaharu Nagai,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09570484B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09559214B2. Автор: Toshinari Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-01-31.

Method for manufacturing semiconductor device including step of adding cation to oxide semiconductor layer

Номер патента: US09496405B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US9105668B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Takayuki Inoue,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-11.

Semiconductor device and method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20150249156A1. Автор: Hisayo Momose,Tatsuya Ohguro,Tetsu Morooka,Kazuya FUKASE. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: EP2507823A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20150060853A1. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US12034047B2. Автор: Sang Woo Lee,Min Hee Cho,Woo Bin Song. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-09.

Metal oxide semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230170401A1. Автор: He Sun,Jiakun Wang. Владелец: Hangzhou Silicon Magic Semiconductor Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-01.

Semiconductor device

Номер патента: US11764305B2. Автор: Yohei Yamaguchi,Yuichiro Hanyu,Hiroki Hidaka. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09882014B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takahiro Sato,Naoya Sakamoto,Yasutaka Nakazawa,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device including oxide layer surrounding oxide semiconductor layer

Номер патента: US09865743B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and display device comprising an oxide semiconductor channel region having a different crystal orientation than source/drain regions

Номер патента: US09748399B2. Автор: Masahiro Takahashi,Kenichi Okazaki,Shigeyasu Mori,Junichi Koezuka,Takuya Matsuo,Yosuke Kanzaki,Hiroshi Matsukizono. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09653612B2. Автор: Toshinari Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Thin film transistor device (TFT) comprising stacked oxide semiconductor layers and having a surrounded channel structure

Номер патента: US09461179B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09391096B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Hirokazu Watanabe,Daisuke Matsubayashi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-07-12.

Oxide semiconductor transistor having dual gate structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11843057B2. Автор: Jin Jang,Tae Hun Kim. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2023-12-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150340508A1. Автор: Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-26.

Semiconductor device and fabrication method thereof

Номер патента: US09991394B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer

Номер патента: US09954114B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor device having different types of thin film transistors

Номер патента: US09941413B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09899535B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor device having an oxide semiconductor layer

Номер патента: US09837544B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device

Номер патента: US09799775B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Shinpei Matsuda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US09748401B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takayuki Inoue,Akiharu Miyanaga,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Suzunosuke Hiraishi,Hiromichi Godo,Koki Inoue,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09666698B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09608123B2. Автор: Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Yuji EGI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device and method for producing same

Номер патента: US09520476B2. Автор: Makoto Nakazawa,Seiichi Uchida,Yasuyuki Ogawa,Shigeyasu Mori,Tadayoshi Miyamoto,Kazuatsu Ito,Mitsunobu Miyamoto,Takuya Matsuo. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-12-13.

Bottom-gate transistor including an oxide semiconductor layer contacting an oxygen-rich insulating layer

Номер патента: US09502572B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor device

Номер патента: US09472680B2. Автор: Seiichi Yoneda,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09472678B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Yuhei Sato,Sachiaki TEZUKA,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US09472677B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20140239294A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-08-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20150179806A1. Автор: Seiichi Yoneda,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-06-25.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20220376076A1. Автор: Toshiki Kaneko,Fumiya Kimura. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-11-24.

Semiconductor device

Номер патента: US20170033130A1. Автор: Seiichi Yoneda,Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-02.

Semiconductor device

Номер патента: US20240057313A1. Автор: Shosuke Fujii,Kotaro Noda,Taro SHIOKAWA,Takeru MAEDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-02-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20240088302A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Takaya Tamaru. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US12068399B2. Автор: Takashi Okada,Tomoyuki Ito,Toshiki Kaneko,Akihiro Hanada,Takuo Kaitoh,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-20.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150140733A1. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Miki Suzuki,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-05-21.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266444A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09985118B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09917109B2. Автор: Teruyuki Fujii,Ryota Imahayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Method for manufacturing semiconductor device having oxide semiconductor

Номер патента: US09887276B2. Автор: Kenichi Okazaki,Hotaka Maruyama,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09842939B2. Автор: Mitsuhiro Ichijo,Toshiya Endo,Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor device

Номер патента: US09837552B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09768318B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Hideomi Suzawa,Motomu Kurata,Yutaka Okazaki,Kensuke Yoshizumi,Yoshinobu Asami,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor

Номер патента: US09735284B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09722054B2. Автор: Kengo Akimoto,Toshinari Sasaki,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-01.

Semiconductor device, power diode, and rectifier

Номер патента: US09685562B2. Автор: Satoshi Kobayashi,Shunpei Yamazaki,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US09680008B2. Автор: Ashraf W. Lotfi,Jian Tian. Владелец: Empirion Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09583601B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kenichi Okazaki,Takuya Hirohashi,Junichi Koezuka,Yasutaka Nakazawa,Masami Jintyou,Shunsuke Adachi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09484467B2. Автор: Masakazu Murakami,Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09431547B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09412768B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichiro Sakata,Toshinari Sasaki,Hiroki Ohara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: US09356026B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-31.

Semiconductor device

Номер патента: US9660095B2. Автор: Toshinari Sasaki,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, module, and electronic device

Номер патента: US10373981B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Katayama,Kenichi Okazaki,Masataka Nakada. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-06.

Oxide semiconductor, semiconductor device, semiconductor memory device, and solid-state imaging device

Номер патента: US20180076292A1. Автор: Hisayo Momose,Nobuki KANREI. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor devices

Номер патента: US20240243205A1. Автор: Sanghoon Uhm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Semiconductor device and memory device

Номер патента: US12051726B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Daisuke Yamaguchi,Shinobu Kawaguchi,Toshikazu OHNO,Tomosato KANAGAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20150243562A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9082643B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2015-07-14.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US9230865B2. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-01-05.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20160148845A1. Автор: Hiroshi Sunamura,Yoshihiro Hayashi,Naoya Furutake,Shinobu SAITOU,Kishou Kaneko. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230402322A1. Автор: Shosuke Fujii,Tsuyoshi Sugisaki,Shoichi Kabuyanagi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170323976A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Semiconductor device

Номер патента: US10930744B2. Автор: Nobuki KANREI. Владелец: Toshiba Memory Corp. Дата публикации: 2021-02-23.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US20240258434A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US20240363695A1. Автор: Yasushi Higuchi,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa,Koji Amazutsumi,Tokiyoshi Matsuda. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Transistor including oxide semiconductor, semiconductor device including the transistor, and electronic device including the transistor

Номер патента: US09954113B2. Автор: Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Yutaka Okazaki,Hiroaki Honda,Takuya Tsurume,Yoshinobu Asami. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Transistor and semiconductor device

Номер патента: US09947801B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device

Номер патента: US09911856B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Akiharu Miyanaga,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US09853059B2. Автор: Toshinari Sasaki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-12-26.

Manufacturing method for semiconductor device

Номер патента: US09852926B2. Автор: Kengo Akimoto,Yukinori Shima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09728651B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Vertical semiconductor device having frontside interconnections

Номер патента: US09673316B1. Автор: Albert Bergemont,Sudarsan Uppili,Guillaume Bouche,Christopher S. Blair,Fanling H. Yang. Владелец: Maxim Integrated Products Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660104B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09660100B2. Автор: Yutaka Okazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Oxide semiconductor devices, methods of forming oxide semiconductor devices and organic light emitting display devices including oxide semiconductor devices

Номер патента: US09614020B2. Автор: Tae-Young Kim,Hye-Hyang Park,Shin-Hyuk Yang. Владелец: Samsung Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09601636B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Tatsuya Honda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device with oxide semiconductor layer

Номер патента: US09543445B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Kawae,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09543295B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Masayuki Sakakura,Daisuke Matsubayashi,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor Device, Display Device Including The Semiconductor Device, Display Module Including The Display Device, And Electronic Appliance Including The Semiconductor Device, The Display Device, Or The Display Module

Номер патента: US20170256648A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Daisuke Kurosaki,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-07.

Semiconductor Device and Memory Device

Номер патента: US20200212185A1. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Yoshihiro Komatsu,Daisuke Yamaguchi,Shinobu Kawaguchi,Toshikazu OHNO,Tomosato KANAGAWA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-02.

ELECTRONIC SEMICONDUCTOR DEVICE BASED ON COPPER NICKEL AND GALLIUM-TIN-ZINC-COPPER-TITANIUM p AND n-TYPE OXIDES, THEIR APPLICATIONS AND CORRESPONDING MANUFACTURE PROCESS

Номер патента: EP2115770A1. Автор: Rodrigo Ferrao De Paiva Martins,Elvira Maria Correia Fortunato. Владелец: Universidade Nova De Lisboa. Дата публикации: 2009-11-11.

Semiconductor Device And Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20240258431A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device

Номер патента: US09806201B2. Автор: Yusuke Nonaka,Shunpei Yamazaki,Mitsuhiro Ichijo,Yoshinori Yamada,Takashi Hamada,Masashi Oota,Yuji EGI,Yoichi Kurosawa,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09768292B2. Автор: Shu Zhang,Guipeng Sun,Guangtao Han. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor device

Номер патента: US09741866B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masatoshi Yokoyama,Takayuki Cho,Shunsuke Koshioka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09711651B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device having oxide semiconductor layer

Номер патента: US09711610B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Hideomi Suzawa,Hiroshi Fujiki,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09559212B2. Автор: Kengo Akimoto,Toshinari Sasaki,Hideaki Kuwabara. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Method of manufacturing semiconductor device including transistor and resistor incorporating hydrogen in oxide semiconductor

Номер патента: US09443888B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuji Asano,Yuki Imoto,Jun Koyama,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20170125601A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-04.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20190019894A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-17.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20240178323A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-30.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: WO2013094621A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2013-06-27.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20160268311A1. Автор: Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140353663A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-12-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20210217897A1. Автор: Minwoo Song,Minsu Lee,Minhee Cho,Hyunmog Park,Woobin SONG,Hyunsil Oh. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2021-07-15.

Semiconductor device

Номер патента: US20230395688A1. Автор: Masanobu Ikeda,Yoshitaka Ozeki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-12-07.

Semiconductor device

Номер патента: US20230068478A1. Автор: Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20200381557A1. Автор: Shigeki Hattori,Tomomasa Ueda,Keiji Ikeda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2020-12-03.

Semiconductor device, method for manufacturing semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US12087866B2. Автор: Kosei Noda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240324177A1. Автор: Yongjin Lee,Minhee Cho,Younggeun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-09-26.

Method for fabricating semiconductor device

Номер патента: US20130230989A1. Автор: Tzu-Yu Tseng,An-Chi Liu,Chi-Heng Lin,Chih-Wen Teng. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-09-05.

Semiconductor device with transistors including oxide semiconductors and capacitor elements

Номер патента: US12132057B2. Автор: Takayuki Ikeda,Shunpei Yamazaki,Hajime Kimura,Tatsuya Onuki,Hitoshi KUNITAKE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09997638B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-12.

Crystallization method for oxide semiconductor layer, semiconductor device manufactured using the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09960282B2. Автор: Min-Cheol Kim,Ho-Young Jung,Youn-Gyoung Chang,Kwon-Shik Park,So-Hyung LEE,Ha-Jin Yoo,Jeong-Suk Yang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865712B2. Автор: Shinya Sasagawa,Satoru Okamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US09847332B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Crystallization method for oxide semiconductor layer, semiconductor device manufactured using the same, and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09735281B2. Автор: Min-Cheol Kim,Ho-Young Jung,Youn-Gyoung Chang,Kwon-Shik Park,So-Hyung LEE,Ha-Jin Yoo,Jeong-Suk Yang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US09716183B2. Автор: Hirohiko Nishiki,Akira Sasakura,Tohru Okabe. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09673337B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Kei Takahashi,Jun Koyama,Hideaki Kuwabara,Kouhei Toyotaka,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666720B2. Автор: Hitomi Sato,Toshinari Sasaki,Yutaka Okazaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Atsuo Isobe,Keitaro Imai,Mizuho IKARASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09660102B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653613B2. Автор: Yasumasa Yamane,Ryo Tokumaru,Shunpei Yamazaki,Akihisa Shimomura,Naoki Okuno,Yuhei Sato,Motoki Nakashima,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

High voltage metal oxide semiconductor device and method for making same

Номер патента: US09627524B2. Автор: Hung-Der Su,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Huan-Ping Chu. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09530852B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Toshinari Sasaki,Junichi Koezuka,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-12-27.

Oxide, semiconductor device, module, and electronic device

Номер патента: US09508864B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Lateral double diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09484437B2. Автор: Hung-Der Su,Kuo-Cheng Chang,Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang,Wen-Yi Liao. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2016-11-01.

Semiconductor device and fabricating the same

Номер патента: US09443856B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ting-Hung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09419113B2. Автор: Yuji Asano,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Insulating film, method for manufacturing semiconductor device, and semiconductor device

Номер патента: US20150072535A1. Автор: Kenichi Okazaki,Toshinari Sasaki,Takashi HAMOCHI,Shuhei Yokoyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-12.

Oxide semiconductor device

Номер патента: US20130187154A1. Автор: Hiroyuki Uchiyama,Hironori Wakana. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2013-07-25.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240120421A1. Автор: Kwanghee Lee,Jeeeun YANG,Sangwook Kim,Moonil Jung,EunTae KIM. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20160284858A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20200194590A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180331229A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-15.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20020197782A1. Автор: Akio Kitamura. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2002-12-26.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240321995A1. Автор: Shosuke Fujii,Masayuki Tanaka,Kazuhiro Matsuo,Kota Takahashi,Masaya Toda,Wakako Moriyama,Shoichi Kabuyanagi,Kenichiro TORATANI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09929279B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Junichi Koezuka,Yukinori Shima,Masami Jintyou. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09859439B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09837546B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09806198B2. Автор: Hideomi Suzawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device comprising oxide semiconductor layer including regions with different concentrations of resistance-reducing elements

Номер патента: US09786793B2. Автор: Sachiaki TEZUKA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-10.

Method for removing hydrogen from oxide semiconductor layer having insulating layer containing halogen element formed thereover

Номер патента: US09679768B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Kunihiko Suzuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor device, power circuit, and manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09647131B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kei Takahashi,Yoshiaki Ito. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09490265B2. Автор: Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Manufacturing method of the semiconductor device

Номер патента: US20170236922A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-17.

Method for manufacturing laterally diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US9190280B2. Автор: Zhengfeng WEN. Владелец: Founder Microelectronics International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-17.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US20160372604A1. Автор: Hajime Yamaguchi,Shintaro Nakano,Nobuyoshi Saito,Yuya MAEDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2016-12-22.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20180090618A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-29.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US20230093689A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yuta Endo,Yoko Tsukamoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-03-23.

Oxide semiconductor, semiconductor device and method of manufacturing an oxide semiconductor

Номер патента: US20240250179A1. Автор: Hitoshi Takane,Kentaro Kaneko,Toshimi Hitora. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220181493A1. Автор: Kentaro Miura,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2022-06-09.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258323A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09991396B2. Автор: Takuya Hirohashi,Hideyuki Kishida,Junichiro Sakata. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Multi-layered oxide semiconductor transistor

Номер патента: US09905695B2. Автор: Kazuya Hanaoka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09853066B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-26.

Metal oxide semiconductor thin film, thin film transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: US09806097B2. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09780220B2. Автор: Hajime Yamaguchi,Shintaro Nakano,Nobuyoshi Saito,Yuya MAEDA. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US12148840B2. Автор: Kentaro Miura,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-11-19.

Semiconductor device with oxide semiconductor layer

Номер патента: US09537012B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masayuki Sakakura,Junichiro Sakata,Hotaka Maruyama,Kosei Noda,Yoshiaki Oikawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device

Номер патента: US09496413B2. Автор: Yusuke Nonaka,Masashi Oota,Hideyuki Kishida,Masashi TSUBUKU,Noritaka ISHIHARA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US10181545B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Shigeki Komori,Hideki Uochi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2019-01-15.

Metal oxide semiconductor thin film, thin-film-transistor, and their fabricating methods, and display apparatus

Номер патента: EP3317899A1. Автор: Lei Wang,Liangchen YAN,Guangcai Yuan,Xiaoguang XU,Junbiao Peng,Linfeng Lan. Владелец: South China University of Technology SCUT. Дата публикации: 2018-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09865742B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Yasuo Nakamura,Jun Koyama,Akiharu Miyanaga,Hideki Uochi,Hideyuki Kishida,Junpei Sugao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230422484A1. Автор: Shosuke Fujii,Keiko Sakuma,Tatsuki Kikuchi. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170154997A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: EP4006965A1. Автор: Kwanghee Lee,Sangwook Kim,Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Taehwan MOON,Hagyoul BAE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-06-01.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150041802A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-02-12.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20140295616A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-10-02.

Fin field effect transistor complementary metal oxide semiconductor with dual strained channels with solid phase doping

Номер патента: US09947774B2. Автор: Kangguo Cheng,Ruilong Xie,Tenko Yamashita. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09831309B2. Автор: Hidekazu Miyairi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Oxide semiconductor, transistor, and semiconductor device

Номер патента: US09825179B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Masashi Oota,Akihisa Shimomura,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor device

Номер патента: US09666722B2. Автор: Yoshiyuki Kobayashi,Daisuke Matsubayashi,Yutaka Shionoiri,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09653488B2. Автор: Yi-Ting Lee,Chien-Hao Wu,Hsien-Tang Hu. Владелец: Hannstar Display Nanjing Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US09646829B2. Автор: Yuichi Sato,Junichi Koezuka,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US09601591B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595600B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kunihiko Suzuki,Takahiro Tsuji. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device and semiconductor storage device

Номер патента: US20240324163A1. Автор: Takayuki Tsukagoshi,Daichi Sugawara. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09947800B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US09859306B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Thin film transistor, method for manufacturing the same, and semiconductor device

Номер патента: US12136629B2. Автор: Hideyuki Kishida,Toshikazu Kondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-11-05.

Oxide semiconductor device including photodiode

Номер патента: US09748292B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Transistor, method for manufacturing transistor, semiconductor device, and electronic device

Номер патента: US09685560B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-20.

Lateral double diffused metal-oxide-semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09634099B2. Автор: Jui-Chun Chang,Shang-Hui Tu,Tsung-Hsiung LEE. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods of forming low noise semiconductor devices

Номер патента: US09583595B2. Автор: Giovanni Calabrese,Uwe Hodel,Wolfgang Molzer,Domagoj Siprak. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-02-28.

Lateral-diffused metal oxide semiconductor device and fabricating method thereof

Номер патента: US09461166B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Semiconductor device

Номер патента: US8785926B2. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Kenichi Okazaki,Masatoshi Yokoyama,Masayuki Sakakura,Tsutomu Murakawa,Takuya Matsuo,Yosuke Kanzaki,Hiroshi Matsukizono. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-22.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240038899A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masashi TSUBUKU,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

An electrostatic discharge, esd, protection semiconductor device for providing esd protection between a first and a second terminal of another semiconductor device, as well as a corresponding metal oxide semiconductor, mos, field effect transistor, fet, and a related method

Номер патента: US20240120331A1. Автор: Manoj Kumar,Chinmoy Khaund,Kilian ONG. Владелец: Nexperia BV. Дата публикации: 2024-04-11.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20210083105A1. Автор: Yasuyuki Hoshi. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor device

Номер патента: US20170221931A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-03.

Semiconductor device including ferroelectric layer

Номер патента: US20240244848A1. Автор: Yunseong LEE,Seunggeol NAM,Jinseong Heo,Hyunjae Lee,Dukhyun CHOE. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-07-18.

Extended-drain metal-oxide-semiconductor devices with a multiple-thickness buffer dielectric layer

Номер патента: US20220085211A1. Автор: Upinder Singh,Bong Woong Mun,Jeoung Mo KOO. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2022-03-17.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: EP4222781A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2023-08-09.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: WO2022072056A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-04-07.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: EP4404269A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor devices having a multi-oxide semiconductor channel layer and methods of manufacturing the semiconductor devices

Номер патента: US20230127755A1. Автор: Young Gwang YOON. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Circuits employing a back side-front side connection structure for coupling back side routing to front side routing, and related complementary metal oxide semiconductor (cmos) circuits and methods

Номер патента: US20220102266A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Seung Hyuk KANG,Hyeokjin LIM,Foua Vang. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2022-03-31.

Semiconductor device

Номер патента: US12057480B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa,Ryo Arasawa,Erika TAKAHASHI,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US12089395B2. Автор: Tomomasa Ueda,Yuta Sato,Keiji Ikeda,Nobuyoshi Saito. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20240347644A1. Автор: Yuichi Sato,Shun Ohta,Rena WAKASA,Jesper EKLIND. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09917207B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor device having transistor including two oxide semiconductor layers having different lattice constants

Номер патента: US09893204B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor device

Номер патента: US09882058B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Noritaka ISHIHARA,Toshimitsu Obonai. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09865731B2. Автор: I-Chih Chen,Ying-Hao Chen,Ying-Lang Wang,Chih-Mu Huang,Wen-Chang Kuo,Jung-Chi Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09831325B2. Автор: Toshiyuki Miyamoto,Kenichi Okazaki,Masafumi Nomura,Takashi HAMOCHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Fabricating method of lateral-diffused metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09780171B2. Автор: Ming-Shing Chen,Wei-Ting Wu,Ming-Hui Chang,Chao-Chun Ning. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Single spacer for complementary metal oxide semiconductor process flow

Номер патента: US09754942B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Jeffrey C. SHEARER,Jessica Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-05.

Single spacer for complementary metal oxide semiconductor process flow

Номер патента: US09748146B1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Eric R. Miller,Marc A. Bergendahl,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Jeffrey C. SHEARER,Jessica Dechene. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor device

Номер патента: US09647129B2. Автор: Shinya Sasagawa,Motomu Kurata,Ryota Hodo,Yuki HATA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor device

Номер патента: US09627418B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Yoshinori Ando. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Semiconductor device including oxide semiconductor layer and method for driving the same

Номер патента: US09614094B2. Автор: Kazunori Watanabe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor device

Номер патента: US09577108B2. Автор: Toshinari Sasaki,Yuta Endo,Kosei Noda,Mizuho Sato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor device having switching transistor that includes oxide semiconductor material

Номер патента: US09508742B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Analog circuit and semiconductor device

Номер патента: US09419020B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Jun Koyama,Atsushi Hirose,Kosei Noda,Masashi TSUBUKU. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Semiconductor device including oxide semiconductor film

Номер патента: US8975634B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Motoki Nakashima. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-03-10.

Semiconductor device including porous semiconductor material adjacent an isolation structure

Номер патента: US20240250120A1. Автор: Shesh Mani Pandey,Rajendran Krishnasamy. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Method of fabricating multi-fingered semiconductor devices on a common substrate

Номер патента: US20110171801A1. Автор: Akif Sultan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2011-07-14.

Semiconductor device

Номер патента: US20240250181A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Vertical channel oxide semiconductor field effect transistor and method for fabricating the same

Номер патента: US09997627B2. Автор: Su Xing,Wanxun He. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-12.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09704976B2. Автор: Yuji Asano,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09553200B2. Автор: Atsuo Isobe,Sachiaki TEZUKA,Shinji Ohno. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Semiconductor device

Номер патента: US09472679B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Matsubayashi,Keisuke Murayama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: US8889496B2. Автор: Takahiro Tsuji,Junichiro Sakata,Masahiko Hayakawa,Masashi TSUBUKU,Shuhei Yoshitomi,Miyuki HOSOBA,Hiroyuki Tomatsu. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2014-11-18.

Semiconductor device and display device including the same

Номер патента: US20220123139A1. Автор: Seiichi Yoneda. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2022-04-21.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US20220190117A1. Автор: Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2022-06-16.

Semiconductor Device

Номер патента: US20170110585A1. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Methods of manufacturing trench semiconductor devices with edge termination structures

Номер патента: US20160276475A1. Автор: Jingjing Chen,Peilin Wang,Edouard deFresart. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-09-22.

Wide bandgap material in drift well of semiconductor device

Номер патента: US20240363691A1. Автор: Ebenezer Eshun. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device

Номер патента: US09818882B2. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Complementary metal oxide semiconductor device with dual-well and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543303B1. Автор: Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2017-01-10.

Stress-inducing silicon liner in semiconductor devices

Номер патента: US20240379817A1. Автор: Shih-Hao Lin,Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Bwo-Ning Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor device

Номер патента: US09537478B2. Автор: Kei Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09443893B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-13.

Thin-film semiconductor device, organic EL display device, and manufacturing methods thereof

Номер патента: US09431468B2. Автор: Masanori Miura,Takahiro Kawashima. Владелец: Joled Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Multilayer structure and semiconductor device

Номер патента: US20220140145A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Systems and methods for semiconductor devices

Номер патента: US20150155355A1. Автор: Peter Almern Losee,Alexander Viktorovich Bolotnikov. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2015-06-04.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09960155B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09947794B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09929144B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-27.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device integrated with vertical field effect transistor

Номер патента: US09875945B2. Автор: Brent A. Anderson,Alain Loiseau. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-23.

Manufacturing method and structure of oxide semiconductor TFT substrate

Номер патента: US09793411B2. Автор: Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09590109B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kazuya Hanaoka,Suguru Hondo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor device

Номер патента: US09570628B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Daisuke Kawae,Hiromichi Godo. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Manufacturing method of oxide semiconductor device

Номер патента: US09412590B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-09.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US09373723B2. Автор: Tamae Takano,Atsuo Isobe. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-21.

Oxide semiconductor thin film and thin film transistor

Номер патента: US09299791B2. Автор: Tokuyuki Nakayama. Владелец: SUMITOMO METAL MINING CO LTD. Дата публикации: 2016-03-29.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and preparation method therefor

Номер патента: US20240234520A9. Автор: FENG Lin,YU HUANG,Bin Yang,Gang Huang,Shuxian Chen,Huajun JIN,Hongfeng JIN,Chunxu LI. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Double Diffused Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20130307072A1. Автор: Tsung-Yi Huang,Ching-Yao Yang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2013-11-21.

Semiconductor device and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20150011048A1. Автор: Yoshitaka Yamamoto,Hideomi Suzawa,Takayuki Inoue,Tamae Moriwaka,Tetsuhiro Tanaka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2015-01-08.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20190189524A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-06-20.

High voltage semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20150325570A1. Автор: Hsin-Liang Chen,Shyi-Yuan Wu,Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor device

Номер патента: US20240290861A1. Автор: Masahiro Watabe,Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-08-29.

Lateral double-diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method thereof, and electronic apparatus

Номер патента: US20220302305A1. Автор: Nailong He. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2022-09-22.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: CA3232416A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-03-23.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: AU2022344995A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: EP4402722A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-07-24.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: WO2023043687A1. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Kyosan Electric Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2023-03-23.

Schottky diode integrated with a semiconductor device

Номер патента: US12074226B2. Автор: Itsuo Yuzurihara,Yu Hosoyamada,Tetsuya Takata,Leslie Louis Szepesi,Amaury Gendron-Hansen,Tomohiro Yoneyama,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method for manufacturing the semiconductor device

Номер патента: US09911865B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Laterally diffused metal oxide semiconductor device and manufacturing method therefor

Номер патента: US09837532B2. Автор: Sen Zhang,Guangsheng Zhang. Владелец: CSMC Technologies Fab1 Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-05.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09685462B2. Автор: Kiwamu Sakuma,Daisuke Matsushita,Chika Tanaka,Masumi SAITOH,Kensuke Ota. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Semiconductor device and method for manufacturing same

Номер патента: US09508544B2. Автор: Kazuhide Tomiyasu. Владелец: Sharp Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09472656B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Atsuo Isobe,Masaharu Nagai,Yoshinori IEDA. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and semiconductor system including semiconductor device

Номер патента: US20200388684A1. Автор: Isao Takahashi,Masahiro Sugimoto,Takashi Shinohe. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2020-12-10.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20170154825A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-01.

Complementary metal oxide semiconductor replacement gate high-k metal gate devices with work function adjustments

Номер патента: US20200144134A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Vamsi K. Paruchuri,Paul C. Jamison,Lisa F. Edge. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-05-07.

Amorphous oxide semiconductor, semiconductor device, and thin film transistor

Номер патента: EP2150982A1. Автор: Hisato Yabuta,Ryo Hayashi,Nobuyuki Kaji,Ayanori Endo. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-02-10.

Method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20110318896A1. Автор: Hideto Ohnuma. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Double Diffused Drain Metal Oxide Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20140151799A1. Автор: Chien-Hao Huang,Tsung-Yi Huang. Владелец: RICHTEK TECHNOLOGY CORP. Дата публикации: 2014-06-05.

Semiconductor device

Номер патента: US12100769B2. Автор: Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Manufacturing method and structure of oxide semiconductor TFT substrate

Номер патента: US09705008B2. Автор: Wenhui Li. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device including first and second gate electrodes and stack of insulating layers

Номер патента: US09705003B2. Автор: Takayuki Abe,Shunpei Yamazaki,Hideaki Shishido. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor device and electronic device

Номер патента: US09653479B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Tetsunori Maruyama,Yuichi Sato,Yuji Asano,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Semiconductor device

Номер патента: US09601633B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Takayuki Inoue,Akiharu Miyanaga,Junichiro Sakata,Masashi TSUBUKU,Suzunosuke Hiraishi,Hiromichi Godo,Erumu Kikuchi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Metal oxide semiconductor devices and fabrication methods

Номер патента: US09583613B2. Автор: Shom Ponoth,Akira Ito. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Complementary metal oxide semiconductor device having fin field effect transistors with a common metal gate

Номер патента: US20210183710A1. Автор: Takashi Ando,Pouya Hashemi,ChoongHyun Lee,Jingyun Zhang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-06-17.

Display device including dual gate oxide semiconductor transistor

Номер патента: US20190341437A1. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220181491A1. Автор: Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-09.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20180323301A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2018-11-08.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222517A1. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20220352372A1. Автор: Jie Bai,Wenli Zhao. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Method of making a cmos semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (soi) wafer

Номер патента: US20160268433A1. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-09-15.

Semiconductor Device And Method Of Manufacturing The Same

Номер патента: US20070210352A1. Автор: Yasuhiko Akamatsu,Saifon Son,Shinpei Tsujikawa. Владелец: Renesas Technology Corp. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09935203B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US09773919B2. Автор: Shinya Sasagawa,Takashi Hamada,Akihisa Shimomura,Satoru Okamoto,Katsuaki TOCHIBAYASHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-09-26.

Semiconductor device comprising an oxide semiconductor, module, and electronic device

Номер патента: US09698274B2. Автор: Yasumasa Yamane,Shunpei Yamazaki,Akihisa Shimomura,Tetsuhiro Tanaka,Naoto Yamade. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor device

Номер патента: US09673224B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Yutaka Shionoiri,Shuhei Nagatsuka,Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-06.

Method of making a CMOS semiconductor device using a stressed silicon-on-insulator (SOI) wafer

Номер патента: US09466720B2. Автор: Qing Liu,Nicolas Loubet. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2016-10-11.

Coating liquid for forming n-type oxide semiconductor film, method for producing n-type oxide semiconductor film, and method for producing field-effect transistor

Номер патента: US11908945B2. Автор: Shinji Matsumoto,Yuki Nakamura,Yuji Sone,Yukiko Abe,Naoyuki Ueda,Ryoichi SAOTOME,Sadanori ARAE,Minehide KUSAYANAGI. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240145599A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Kengo Akimoto,Akiharu Miyanaga,Kojiro SHIRAISHI. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-02.

Oxide semiconductor transistor

Номер патента: US10403700B2. Автор: SAKAE Tanaka. Владелец: Mikuni Electron Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-03.

Semiconductor device

Номер патента: US20210184041A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor device

Номер патента: US20240097044A1. Автор: Akifumi Gawase,Akihiro Kajita,Shinji Mori,Yusuke KASAHARA,Kappei IMAMURA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100330760A1. Автор: Kao-Way Tu,Yen-Chih Huang. Владелец: Nico Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-12-30.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20110230025A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-09-22.

Fabrication method of trenched metal-oxide-semiconductor device

Номер патента: US20100151642A1. Автор: Chun Ying Yeh. Владелец: Niko Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-17.

Method for fabrication of semiconductor device

Номер патента: US12062722B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Takahashi,Tatsuya Honda,Takehisa Hatano. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-13.

Semiconductor device

Номер патента: US12126344B2. Автор: Seiichi Yoneda,Yusuke Negoro,Takeya HIROSE. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US20240365559A1. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor devices and methods of manufacture

Номер патента: US12069865B2. Автор: Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Chi On Chui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Driver circuit with oxide semiconductor layers having varying hydrogen concentrations

Номер патента: US09941310B2. Автор: Tetsunori Maruyama,Yuji Asano,Yuki Imoto,Jun Koyama,Junichiro Sakata,Junichi Koezuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-10.

Semiconductor device

Номер патента: US09716182B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Hiroyuki Miyake,Daisuke Matsubayashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Thin film transistor with multiple oxide semiconductor layers

Номер патента: US09437747B2. Автор: Shunpei Yamazaki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-06.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US11967648B2. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-23.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230050036A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420568A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230420569A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Method for forming oxide semiconductor film, semiconductor device, and method for manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20170323789A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Masahiro Watanabe,Kenichi Okazaki,Hideyuki Kishida,Motoki Nakashima,Mitsuo Mashiyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-09.

Silicon carbide semiconductor device

Номер патента: US11984499B2. Автор: Lurng-Shehng Lee,Chien-Chung Hung,Kuo-Ting CHU,Chwan-Yin LI. Владелец: Shanghai Hestia Power Inc. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor Device

Номер патента: US20230369342A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Kiyoshi Kato,Masayuki Sakakura. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Semiconductor film production method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: KR100570541B1. Автор: 순페이 야마자키. Владелец: 가부시키가이샤 한도오따이 에네루기 켄큐쇼. Дата публикации: 2006-10-24.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US7113661B2. Автор: Yasuyuki Arai,Mai Akiba. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-09-26.

Anisotropic conductive film and utilize its semiconductor device

Номер патента: CN105706183B. Автор: 朴憬修,金智软,郑光珍,黃慈英. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

Semiconductor device

Номер патента: US20090114975A1. Автор: Cha-Hsin Lin,Lurng-Shehng Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-05-07.

Semiconductor device

Номер патента: US7589373B2. Автор: Cha-Hsin Lin,Lurng-Shehng Lee. Владелец: Industrial Technology Research Institute ITRI. Дата публикации: 2009-09-15.

Organic transistor, compound, organic semiconductor material for non-luminous organic semiconductor device, material for organic transistor, coating solution for non-luminous organic semiconductor device, organic semiconductor film for non-luminous organic semiconductor device

Номер патента: EP3101705A4. Автор: Takafumi Nakayama,Akihiro Kaneko,Kensuke MASUI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-01-11.

Organic transistor, compound, organic semiconductor material for non-luminescent organic semiconductor device, material for organic transistor, coating solution for non-luminescent organic semiconductor device, and organic semiconductor film for non-luminescent organic semiconductor device

Номер патента: EP3104426A4. Автор: Yuki Hirai,Kensuke MASUI. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2017-05-17.

Thin film etching method and semiconductor device fabrication using same

Номер патента: SG153733A1. Автор: Cong Hai,HU Xiang,Zhou Mei Sheng,Pradeep Yelehanka. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2009-07-29.

Etching method of oxide semiconductor film, oxide semiconductor workpiece, and electronic device

Номер патента: US12074030B2. Автор: Akiko Hirata,Masanaga Fukasawa. Владелец: Sony Semiconductor Solutions Corp. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor device and method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20230014283A1. Автор: Tetsuya Shoji,Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor device

Номер патента: US20220320270A1. Автор: Katsunori Danno. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2022-10-06.

Semiconductor device

Номер патента: US12107137B2. Автор: Yasushi Higuchi,Yuji Kato,Hidetaka Shibata,Mitsuru Okigawa,Atsushi Terai,Fujio Okui,Koji Amazutsumi. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290663A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama,Ryota KATAOKA,Noriaki Noji,Shunya HAYASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

High voltage diodes for wafer on wafer packaging of semiconductor device

Номер патента: US20240322049A1. Автор: Haitao Liu,Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor Devices, and Methods of Forming Semiconductor Devices

Номер патента: US20160211324A1. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-07-21.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: WO2012118566A1. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant K. Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: CREE, INC.. Дата публикации: 2012-09-07.

Semiconductor device having high performance channel

Номер патента: US09478616B2. Автор: LIN Cheng,Sei-Hyung Ryu,Anant Agarwal,Sarit Dhar. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor device

Номер патента: US09935099B2. Автор: Su Xing,Zhibiao Zhou,Chen-Bin Lin,Chung-Yuan Lee,Chi-Chang Shuai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor device and semiconductor system

Номер патента: US20220158000A1. Автор: Yasushi Higuchi,Osamu Imafuji,Yusuke Matsubara,Takashi Shinohe,Mitsuru Okigawa. Владелец: Flosfia Inc. Дата публикации: 2022-05-19.

Method of integrating thyristor and metal-oxide semiconductor transistor on a semiconductor substrate

Номер патента: US10134736B2. Автор: Yukihiro Nagai,Le-Tien Jung. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2018-11-20.

High voltage metal oxide semiconductor field effect transistor integrated into extremely thin semiconductor on insulator process

Номер патента: US09559119B2. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Ali Khakifirooz,Ghavam G. Shahidi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor devices

Номер патента: US09530842B2. Автор: SHU QIN,Allen Mcteer,Yongjun Jeff Hu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

P-type gallium oxide semiconductor device with alternating layers

Номер патента: US12132123B2. Автор: Hiroki Miyake. Владелец: Mirise Technologies Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Nitride semiconductor device and method for manufacturing nitride semiconductor device

Номер патента: US09583608B2. Автор: Yasuhiro Yamada,Yoshiharu Anda,Asamira Suzuki. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Compressive strained iii-v complementary metal oxide semiconductor (cmos) device

Номер патента: US20140191286A1. Автор: Kangguo Cheng,Bruce B. Doris,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz,Thomas N. Adam. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-07-10.

Semiconductor device

Номер патента: US20230326963A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Hui-Zhong ZHUANG,Chih-Liang Chen,Ting-Wei Chiang,Jung-Chan YANG,Cheng-I Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Method for etching oxide semiconductor film and plasma processing apparatus

Номер патента: US12068171B2. Автор: Masahiro Yamazaki,Shigeru Tahara. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor device, manufacturing method thereof, and electronic device

Номер патента: US20180076195A1. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-15.

Semiconductor device including insulating film having opening portion and conductive film in the opening portion

Номер патента: US09831238B2. Автор: Hidekazu Miyairi,Shunpei Yamazaki,Shinya Sasagawa. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor device

Номер патента: US20240312999A1. Автор: Toshinari Sasaki,Masashi TSUBUKU,Hajime Watakabe,Ryo ONODERA,Takaya Tamaru,Marina Mochizuki. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US20030100156A1. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-05-29.

Fabrication method of semiconductor device with capacitor

Номер патента: US6624020B2. Автор: Kiyoshi Mori. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2003-09-23.

Semiconductor device and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240306368A1. Автор: Shosuke Fujii,Kotaro Noda,Takeru MAEDA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Metal oxide semiconductor device having a common gate electrode for N and P channel MOS transistors

Номер патента: US5438214A. Автор: Yasuo Sato,Yuichi Egawa. Владелец: Nippon Steel Corp. Дата публикации: 1995-08-01.

Substrate structure, complementary metal oxide semiconductor device, and method of manufacturing complementary metal oxide semiconductor device

Номер патента: US09570359B2. Автор: Mohammad Rakib Uddin,Myoung-Jae Lee,Sang-Moon Lee,Sung-Hun Lee,Seong-Ho Cho,Moon-seung YANG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US12046694B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US20240339557A1. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-10-10.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US09997662B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-06-12.

Light-emitting metal-oxide-semiconductor devices and associated systems, devices, and methods

Номер патента: US09433040B2. Автор: Martin F. Schubert,Vladimir Odnoblyudov. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor device

Номер патента: US20240266352A1. Автор: Ahreum Kim,Sunghoon Kim,Daeseok Byeon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor device, formation method thereof, and package structure

Номер патента: US20130020618A1. Автор: Jiang Yan,Chao Zhao,Huicai Zhong,Qingqing Liang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2013-01-24.

Coating material for forming porous metal oxide semiconductor film for photovoltaic cell

Номер патента: EP2128880A3. Автор: Tsuguo Koyanagi,Takaki Mizuno. Владелец: JGC Catalysts and Chemicals Ltd. Дата публикации: 2012-09-26.

High performance chemical and bio sensors using metal oxide semiconductors

Номер патента: US20200088678A1. Автор: Yang Yang,Jonathan Yang,You Seung RIM. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2020-03-19.

Film forming equipment, film forming substrate manufacturing method, semiconductor film manufacturing equipment and semiconductor film manufacturing method

Номер патента: JP7075525B2. Автор: 武紀 渡部,洋 橋上. Владелец: Shin Etsu Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-25.

Method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20240373621A1. Автор: Ilyoung Yoon,Sangjun Park,Kijong Park,Yongjin Lee,Seungmin SHIN,Younggeun SONG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor device and semiconductor memory device

Номер патента: US20240324180A1. Автор: Ryosuke Yamamoto,Takuya KIKUCHI,Ken SHIMOMORI. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor device

Номер патента: US20240284656A1. Автор: Daichi Sugawara,Kaito ODA. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor device

Номер патента: US20240315007A1. Автор: Mutsumi Okajima,Takahiro Fujii,Kotaro Noda,Takanori Akita. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010045557A1. Автор: Hidetaka Natsume. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2001-11-29.

Semiconductor device

Номер патента: US20240260255A1. Автор: Kotaro Noda. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240276710A1. Автор: Min Hee Cho,Sanghoon Uhm. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device including refresh circuit for memory cell

Номер патента: US09922692B2. Автор: Jun Koyama. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device including a transistor with an oxide semiconductor film channel coupled to a capacitor

Номер патента: US09666271B2. Автор: Tatsuya Onuki. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor device and method of driving semiconductor device

Номер патента: US20120275245A1. Автор: Yusuke Sekine,Kiyoshi Kato. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-11-01.

Semiconductor device including power management unit for refresh operation

Номер патента: US09496022B2. Автор: Takuro Ohmaru. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Memory device and semiconductor device

Номер патента: US09536592B2. Автор: Atsuo Isobe,Takuro Ohmaru,Wataru Uesugi,Naoaki Tsutsui. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor device and driving method thereof

Номер патента: US20120033484A1. Автор: Takanori Matsuzaki,Hiroki Inoue,Shuhei Nagatsuka. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2012-02-09.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001168A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001332A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor film manufacturing method and semiconductor device manufacturing method

Номер патента: JP4711042B2. Автор: 浩行 島田. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-06-29.

Method for forming InSb-based crystal film, and InSb-based semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: JP3458687B2. Автор: 丈士 田中,峰生 和島. Владелец: Hitachi Cable Ltd. Дата публикации: 2003-10-20.

Slective etching method for polycrystalline silicon film and manufacture of semiconductor device using the same

Номер патента: JPH1167724A. Автор: Takafumi Tokunaga,尚文 徳永,Tadashi Umezawa,唯史 梅澤. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-03-09.

Semiconductor thin film and thin-film semiconductor device using it

Номер патента: JPH10261589A. Автор: 舜平 山崎,Shunpei Yamazaki,Naoto Kusumoto,Kouyuu Chiyou,宏勇 張,直人 楠本. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 1998-09-29.

Method for forming silicon nitride film and method for semiconductor device

Номер патента: JP2004335980A. Автор: Yoshihiro Saito,吉広 斎藤,Yasuhiro Tosaka,保弘 登坂. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001170A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND SEMICONDUCTOR DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002090A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001169A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001179A1. Автор: Yamazaki Shunpei,Takahashi Masahiro,TOCHIBAYASHI Katsuaki,HIROHASHI Takuya,NAKAZAWA Yasutaka,YOKOYAMA Masatoshi. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Manufacturing Method Thereof

Номер патента: US20120001335A1. Автор: ENDO Yuta,TANAKA Tetsuhiro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120003797A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MANUFACTURING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003795A1. Автор: . Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001342A1. Автор: . Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of manufacturing semiconductor devices with Si and SiGe epitaxial layers

Номер патента: US20120003799A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device

Номер патента: US20120001269A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001226A1. Автор: . Владелец: Sanken Electric Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001331A1. Автор: . Владелец: KABUSHI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF

Номер патента: US20120001200A1. Автор: Yanagihara Manabu,Uemoto Yasuhiro,IKOSHI Ayanori,MORITA TATSUO. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

FLATBAND VOLTAGE ADJUSTMENT IN A SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001253A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method of Forming Compliant Stress Relief Buffer Around Large Array WLCSP

Номер патента: US20120001325A1. Автор: Shim Il Kwon,Chow Seng Guan,Lin Yaojian. Владелец: STATS CHIPPAC, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001275A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001300A1. Автор: Ito Takayuki,ISHIDA Tatsuya,Yoshino Kenichi,Naito Tatsuya. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

Manufacturing Method of Semiconductor Film, Manufacturing Method of Semiconductor Device, and Manufacturing Method of Photoelectric Conversion Device

Номер патента: US20120003787A1. Автор: TANAKA Tetsuhiro,KATO Erika. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for producing oxide layer on anodes of oxide-semiconductor and electrolytic capacitors

Номер патента: RU2322722C1. Автор: Лев Матвеевич Меринов,Виталий Евгеньевич Александров,Сергей Павлович Прокофьев,Натали Вениаминовна Галашина,Наталия Вениаминовна Галашина. Владелец: Открытое акционерное общество "Завод "Мезон". Дата публикации: 2008-04-20.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.