Enhancement mode field effect device and the method of production thereof
Номер патента: US20130237021A1
Опубликовано: 12-09-2013
Автор(ы): Gustaaf Borghs, Joff Derluyn, Marianne Germain, Steven Boeykens
Принадлежит: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC, Katholieke Universiteit Leuven
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-09-2013
Автор(ы): Gustaaf Borghs, Joff Derluyn, Marianne Germain, Steven Boeykens
Принадлежит: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC, Katholieke Universiteit Leuven
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Structure for a field effect transistor (fet) device and method of processing a fet device
Номер патента: US20220020882A1. Автор: Romain Delhougne,Gouri Sankar Kar,Attilio Belmonte,Nouredine Rassoul. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2022-01-20.