Method for forming extended gate field effect transistor (egfet) based sensor and the sensor therefrom
Номер патента: US20090278175A1
Опубликовано: 12-11-2009
Автор(ы): Cheng-Wei Chen, Jung-Chuan Chou, Yu-Huei Jiang
Принадлежит: National Yunlin University of Science and Technology
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 12-11-2009
Автор(ы): Cheng-Wei Chen, Jung-Chuan Chou, Yu-Huei Jiang
Принадлежит: National Yunlin University of Science and Technology
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Electrochemically-gated field-effect transistor, methods for its manufacture, its use, and electronics comprising said field-effect transistor
Номер патента: US20140319466A1. Автор: Horst Hahn,Subho Dasgupta,Babak Nasr. Владелец: Karlsruher Institut fuer Technologie KIT. Дата публикации: 2014-10-30.