Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor high-voltage termination with deep trench and floating field rings

Semiconductor high-voltage termination with deep trench and floating field rings

Номер патента: US11901406B2
Опубликовано: 13-02-2024
Автор(ы): Amaury Gendron-Hansen, Dumitru Gheorge Sdrulla
Принадлежит: Analog Power Conversion LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor high-voltage termination with deep trench and floating field rings

Номер патента: WO2023287600A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor high-voltage termination with deep trench and floating field rings

Номер патента: EP4371161A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor high-voltage termination with deep trench and floating field rings

Номер патента: US20230019985A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

SPACE EFFICIENT HIGH-VOLTAGE TERMINATION AND PROCESS FOR FABRICATING SAME

Номер патента: US20200388670A1. Автор: Sdrulla Dumitru,GENDRON-HANSEN Amaury. Владелец: Microchip Technology Inc.. Дата публикации: 2020-12-10.

Space efficient high-voltage termination and process for fabricating the same

Номер патента: WO2020247013A1. Автор: Dumitru Sdrulla,Amaury Gendron-Hansen. Владелец: Microchip Technology Inc.. Дата публикации: 2020-12-10.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: WO2012020290A3. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS S.R.L.. Дата публикации: 2012-05-18.

Process for filling deep trenches in a semiconductor material body, and semiconductor device resulting from the same process

Номер патента: EP2599107A2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Giuseppe Arena,Giuseppe Morale,Domenico Murabito,Letterio Fiore. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2013-06-05.

Combined gate trench and contact etch process and related structure

Номер патента: US10840327B2. Автор: Ling Ma. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2020-11-17.

Combined Gate Trench and Contact Etch Process and Related Structure

Номер патента: US20190355807A1. Автор: Ling Ma. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2019-11-21.

High voltage termination structure of a power semiconductor device

Номер патента: DE102016120300A1. Автор: Frank Wolter,Andreas Moser,Manfred Pfaffenlehner,Erich Griebl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-26.

High voltage termination structure for power semiconductor devices

Номер патента: CN107978639B. Автор: E.格里布尔,A.莫泽尔,M.普法芬莱纳,F.沃尔特. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2021-07-13.

Semiconductor device with deep trench isolation and trench capacitor

Номер патента: US20210005760A1. Автор: ABBAS Ali,Binghua Hu,Alexei Sadovnikov,Stefan Herzer,Yanbiao Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Reduced area power devices using deep trench isolation

Номер патента: US09735265B2. Автор: Seetharaman Sridhar,Sameer Pendharkar,Yongxi Zhang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Reduced area power devices using deep trench isolation

Номер патента: US09525060B2. Автор: Seetharaman Sridhar,Sameer Pendharkar,Yongxi Zhang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Semiconductor power devices having multiple gate trenches and methods of forming such devices

Номер патента: EP4244898A1. Автор: Sei-Hyung Ryu,Daniel Jenner Lichtenwalner,Naeem ISLAM,Woongsun Kim. Владелец: Wolfspeed Inc. Дата публикации: 2023-09-20.

Deep trench with self-aligned sinker

Номер патента: US09431286B1. Автор: ABBAS Ali,Binghua Hu,Henry Litzmann Edwards,John P. Erdeljac,Sameer P Pendharkar,Jarvis Benjamin Jacobs,Britton Robbins. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Deep trench intersections

Номер патента: US20210351269A1. Автор: Binghua Hu,Ye Shao,John K Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-11-11.

Deep trench intersections

Номер патента: US20210249505A1. Автор: Binghua Hu,Ye Shao,John K Arch. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-08-12.

Semiconductor device with deep trench and manufacturing process thereof

Номер патента: WO2023287601A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Esd protection device with deep trench isolation islands

Номер патента: US20200161292A1. Автор: Binghua Hu,Akram A. Salman,Zaichen Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

ESD protection device with deep trench isolation islands

Номер патента: US10790275B2. Автор: Binghua Hu,Akram A. Salman,Zaichen Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-09-29.

Switches with deep trench depletion and isolation structures

Номер патента: US09922973B1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Thai Doan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Esd protection device with deep trench isolation islands

Номер патента: US20210013193A1. Автор: Binghua Hu,Akram A. Salman,Zaichen Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-14.

Method and semiconductor structure with deep trench isolation structures

Номер патента: EP3022770A1. Автор: Takehito Tamura,Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Active and passive components with deep trench isolation structures

Номер патента: US20180166536A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor structure with a doped region between two deep trench isolation structures

Номер патента: US09608105B2. Автор: Takehito Tamura,Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Bipolar-cmos-dmos semiconductor device having a deep trench isolation structure for high isolation breakdown voltage

Номер патента: US20230387104A1. Автор: Young Ju Kim,Yon Sup PANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure with a doped region between two deep trench isolation structures

Номер патента: US20150270391A1. Автор: Takehito Tamura,Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Integrated nanosheet field effect transistors and floating gate memory cells

Номер патента: US12009435B2. Автор: Alexander Reznicek,Ruilong Xie,Veeraraghavan S. Basker,Julien Frougier. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-11.

Methods for forming a high-voltage super junction by trench and epitaxial doping

Номер патента: US09614031B2. Автор: Tai-I Yang,Shao-Chi Yu,Kun-Ming Huang,Hong-Seng Shue,Po-Tao Chu,Shou-Wei Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

SiC power device having a high voltage termination

Номер патента: US09461108B2. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Sic power device having a high voltage termination

Номер патента: US20160049465A1. Автор: Andrei Konstantinov. Владелец: Fairchild Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-02-18.

High Voltage Termination Structure of a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20180114830A1. Автор: PFAFFENLEHNER Manfred,Moser Andreas,Griebl Erich,WOLTER Frank. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Semiconductor device with deep trench isolation and trench capacitor

Номер патента: EP3903344A1. Автор: ABBAS Ali,Binghua Hu,Alexei Sadovnikov,Stefan Herzer,Yanbiao Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Semiconductor device with deep trench isolation and trench capacitor

Номер патента: EP3903344A4. Автор: ABBAS Ali,Binghua Hu,Alexei Sadovnikov,Stefan Herzer,Yanbiao Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2022-02-16.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: WO1993026047A1. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: North Carolina State University. Дата публикации: 1993-12-23.

Silicon carbide power mosfet with floating field ring and floating field plate

Номер патента: AU4528993A. Автор: Bantval Jayant Baliga. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 1994-01-04.

Method for fabricating semiconductor device comprising a deep trench isolation structure and a trap rich isolation structure in a substrate

Номер патента: US20200006117A1. Автор: PURAKH Raj Verma,Chia-Huei Lin,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Deep trench via for three-dimensional integrated circuit

Номер патента: US12100705B2. Автор: Tahir Ghani,Yih Wang,Mauro J. Kobrinsky,Mark Bohr,Rishabh Mehandru,Marni NABORS. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-09-24.

Self-aligned backside contact with deep trench last flow

Номер патента: US20240096751A1. Автор: Tao Li,Brent A. Anderson,Ruilong Xie,Kisik Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure with deep trench thermal conduction

Номер патента: US20140284717A1. Автор: Shom Ponoth,Balasubramanian Pranatharthi Haran,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Junjun Li,Theodorus Eduardus Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Method of Filling Large Deep Trench with High Quality Oxide for Semiconductor Devices

Номер патента: US20110140228A1. Автор: Xiaobin Wang,Anup Bhalla,Yeeheng Lee. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-06-16.

Shielded gate trench mosfets with hexagonal deep trench layouts and multiple epitaxial layers

Номер патента: US20240186265A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Trenched and implanted bipolar junction transistor

Номер патента: US09917180B2. Автор: Anup Bhalla,Leonid Fursin. Владелец: United Silicon Carbide Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Semiconductor power device having wide termination trench and self-aligned source regions for mask saving

Номер патента: US20130168731A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Force Mos Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-04.

High Voltage Termination Structure of a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190109230A1. Автор: Frank Hille,Frank Dieter Pfirsch,Viktoryia Uhnevionak,Philip Christoph Brandt,Alexandra Ludsteck-Pechloff. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2019-04-11.

High Voltage Termination Structure of a Power Semiconductor Device

Номер патента: US20190109230A1. Автор: HILLE Frank,Pfirsch Frank Dieter,Brandt Philip Christoph,Uhnevionak Viktoryia,Ludsteck-Pechloff Alexandra. Владелец: . Дата публикации: 2019-04-11.

Semiconductor device with deep trench structure

Номер патента: KR101035596B1. Автор: 김도형,임용규. Владелец: 매그나칩 반도체 유한회사. Дата публикации: 2011-05-19.

SEMICONDUCTOR HIGH VOLTAGE DEVICE

Номер патента: SE438577B. Автор: A R Hartman,T J Riley,P W Shackle,B T Murphy. Владелец: Western Electric Co. Дата публикации: 1985-04-22.

Integrated circuits with deep trench isolations and methods for producing the same

Номер патента: US09831304B1. Автор: Jeoung Mo KOO,Shiang Yang Ong,Raj Verma Purakh,Namchil MUN,Mun Tat Yap,Tat Wei Chua. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Integrated device with deep plug under shallow trench

Номер патента: US20210193658A1. Автор: Simone Dario Mariani,Daniela Brazzelli,Andrea Paleari,Alessandra Piera MERLINI,Irene BALDI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-24.

Integrated device with deep plug under shallow trench

Номер патента: EP3840031A1. Автор: Simone Dario Mariani,Daniela Brazzelli,Andrea Paleari,Alessandra Piera MERLINI,Irene BALDI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-23.

Semiconductor device with deep trench isolation

Номер патента: US20230317777A1. Автор: Jung Hwan Lee,Min Kuck Cho,Hyun Chul Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Deep trench isolation structure for image sensors

Номер патента: US09768220B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Substrate-transferred, deep trench isolation silicon-on-insulator (soi) semiconductor devices formed from bulk semiconductor wafers

Номер патента: WO2017048531A1. Автор: Matthew Michael Nowak,Jonghae Kim,Daeik Daniel Kim,Changhan Hobie Yun,Je-Hsiung Jeffrey Lan. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2017-03-23.

Dual deep trenches for high voltage isolation

Номер патента: US9786665B1. Автор: Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Alexei Sadovnikov,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09917150B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09570548B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Die size reduction and deep trench density increase using deep trench isolation after shallow trench isolation integration

Номер патента: US20240038579A1. Автор: Hao Yang,ABBAS Ali,Asad Haider,Alexei Sadovnikov,Umamaheswari Aghoram,Guruvayurappan Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of reducing integrated deep trench optically sensitive defectivity

Номер патента: US20230126899A1. Автор: ABBAS Ali,Scott Hiemke. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Forming channel stop for deep trench isolation prior to deep trench etch

Номер патента: US20060154440A1. Автор: Stephen St. Onge,Louis Lanzerotti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Method and composite hard mask for forming deep trenches in a semiconductor substrate

Номер патента: US20050215061A1. Автор: Yinan Chen,Chang-Rong Wu,Tuz-Ching Tsai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-29.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US20160056234A1. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-25.

Deep trench isolation structure layout and method thereof

Номер патента: US20150255537A1. Автор: Randall C. Gray,Brent D. Rogers,John M. Pigott. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-09-10.

Deep trench isolation for power semiconductors

Номер патента: US20080290461A1. Автор: Peter Moens,Bart Desoete. Владелец: AMI Semiconductor Belgium BVBA. Дата публикации: 2008-11-27.

High voltage semiconductor device having a deep trench insulation and manufacturing process

Номер патента: US20240178054A1. Автор: Nunzia Malagnino,Emanuele LAGO,Damiano Riccardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-05-30.

Voltage contrast inspection of deep trench isolation

Номер патента: US20150041809A1. Автор: Jin Liu,Norbert Arnold,Oliver D. Patterson,Brian W. Messenger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Deep trench isolation structures with a substrate connection

Номер патента: US20230335583A1. Автор: Jianbo Zhou,Shiang Yang Ong,Namchil MUN,Hung Chang Liao,Zhongxiu Yang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Locos or siblk to protect deep trench polysilicon in deep trench after sti process

Номер патента: US20240038580A1. Автор: Hao Yang,ABBAS Ali,Asad Haider,Alexei Sadovnikov,Umamaheswari Aghoram,Guruvayurappan Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Integrated Circuit Using Deep Trench Through Silicon (DTS)

Номер патента: US20140246751A1. Автор: Chung-Long Chang,Tsung-Yu Yang,Chih-Ping Chao,Kuan-Chi Tsai,Kuo-Yu Cheng,Wei-Kung Tsai,Chun-Hong Chen,Chen-Yao Tang,Yu Hung Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2014-09-04.

Voltage contrast inspection of deep trench isolation

Номер патента: US9293382B2. Автор: Jin Liu,Norbert Arnold,Oliver D. Patterson,Brian W. Messenger. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-03-22.

Shallow trench isolation trenches and methods for NAND memory

Номер патента: US09673274B2. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-06-06.

Structures with contact trenches and isolation trenches

Номер патента: US09893157B1. Автор: Max G. Levy,Natalie B. Feilchenfeld,Michael J. Zierak,BethAnn Lawrence. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method of fabricating sti trench and sti structure

Номер патента: US20180158903A1. Автор: Tsung-Chieh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-07.

Electronic device including a tapered trench and a conductive structure therein

Номер патента: US20140035052A1. Автор: Gary H. Loechelt. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2014-02-06.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20170278926A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-09-28.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160284798A1. Автор: Yusuke Yoshida. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-09-29.

Semiconductor structures with isolated ohmic trenches and stand-alone isolation trenches and related method

Номер патента: US20150348870A1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,BethAnn Lawrence. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-03.

Semiconductor device having a termination region with deep trench isolation

Номер патента: US20240204043A1. Автор: Ignacio Cortes Mayol. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor device with deep trench isolation mask layout

Номер патента: US20220384595A1. Автор: Sang Uk LEE,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-01.

Improvement of polysilicon/metal contact resistance in deep trench

Номер патента: GB201221408D0. Автор: . Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-01-09.

TSV deep trench capacitor and anti-fuse structure

Номер патента: US09741657B2. Автор: Erdem Kaltalioglu,Ping-Chuan Wang,Lijuan Zhang,Shahab Siddiqui,Ronald G. Filippi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Structure and Method for Deep Trench Capacitor with Reduced Deformation

Номер патента: US20240047552A1. Автор: Hsin-Liang Chen,Ting-Chen Hsu,Hsin-Li Cheng,Fu-Chiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Gas dopant doped deep trench super junction high voltage mosfet

Номер патента: US20220165843A1. Автор: Jian Wang,Wenjun Li,Lingpeng Guan,Lingbing Chen. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Cayman Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Deep trench and junction hybrid isolation

Номер патента: EP3846224A1. Автор: XIN Lin,Zhihong Zhang,Ronghua Zhu. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2021-07-07.

Deep trench capacitors in an inter-layer medium on an interconnect layer of an integrated circuit die and related methods

Номер патента: WO2022246351A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2022-11-24.

Deep trench capacitors in an inter-layer medium on an interconnect layer of an integrated circuit die and related methods

Номер патента: US11973019B2. Автор: Stanley Seungchul SONG,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-04-30.

Deep trench capacitors in an inter-layer medium on an interconnect layer of an integrated circuit die and related methods

Номер патента: EP4342002A1. Автор: Stanley Seungchul SONG,Giridhar Nallapati,Periannan Chidambaram,Jihong Choi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-03-27.

Bias-controlled deep trench substrate noise isolation integrated circuit device structures

Номер патента: US20110291238A1. Автор: David Goren,Shlomo Shlafman,Rajendran Krishnasamy,Raminderpal Singh,Benny Sheinman,Wayne H. Woods,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Soft error protection structure employing a deep trench

Номер патента: US20090224304A1. Автор: Kerry Bernstein,John E. Barth, Jr.,Ethan H. Cannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-09-10.

Semiconductor device with floating field plates

Номер патента: US09818862B2. Автор: Christopher P. Dragon,Zihao M. Gao,David C. Burdeaux,Hernan A. Rueda,Wayne Robert Burger. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

LDMOS transistor having vertical floating field plate and manufacture fhereof

Номер патента: US20220102551A1. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-31.

LDMOS transistor having vertical floating field plate and manufacture thereof

Номер патента: US11462640B2. Автор: Min-Hwa Chi,Min Li. Владелец: SiEn Qingdao Integrated Circuits Co Ltd. Дата публикации: 2022-10-04.

Electronic device including a semiconductor layer within a trench and a semiconductor layer and a process of forming the same

Номер патента: US20230282688A1. Автор: Ralph N. Wall,Raymond LAPPAN. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor device with a gate insulating film formed on an inner wall of a trench, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09991379B1. Автор: Hiroshi Shikauchi,Tomonori Hotate,Ryohei BABA,Satoru Washiya,Youhei Ohno. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Power semiconductor device with source trench and termination trench implants

Номер патента: US09620583B2. Автор: Ling Ma,Robert Haase,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar,Mary Bigglestone,Adam Amali. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor device with a gate insulating film formed on an inner wall of a trench, and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180138310A1. Автор: Hiroshi Shikauchi,Tomonori Hotate,Ryohei BABA,Satoru Washiya,Youhei Ohno. Владелец: Sanken Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-17.

Semiconductor High Voltage Device

Номер патента: SE8106799L. Автор: Thomas Herman,Alexander Lidow. Владелец: Int Rectifier Corp. Дата публикации: 1982-05-18.

Semiconductor device with field threshold MOSFET for high voltage termination

Номер патента: US9548352B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device with field threshold MOSFET for high voltage termination

Номер патента: US09548352B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-01-17.

Semiconductor device with field threshold MOSFET for high voltage termination

Номер патента: US10032861B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2018-07-24.

Semiconductor device with field threshold mosfet for high voltage termination

Номер патента: US20180026094A1. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: Alpha and Omega Semiconductor Incorporated. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor device with threshold MOSFET for high voltage termination

Номер патента: US9793346B2. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor device with thresholdmosfet for high voltage termination

Номер патента: US20170236895A1. Автор: Hamza Yilmaz,Madhur Bobde. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2017-08-17.

Semi conductor device with reduced high voltage termination area and high breakdown voltage

Номер патента: SG44458A1. Автор: Muhammed Ayman Shibib. Владелец: At & T Corp. Дата публикации: 1997-12-19.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH FIELD THRESHOLD MOSFET FOR HIGH VOLTAGE TERMINATION

Номер патента: US20180026094A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-25.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH THRESHOLDMOSFET FOR HIGH VOLTAGE TERMINATION

Номер патента: US20170236895A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-17.

Semiconductor device having a high voltage termination improvement and method of fabrication

Номер патента: EP0657939A2. Автор: Muhammed Ayman Shibib. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1995-06-14.

Semiconductor device having a high voltage termination improvement and method of fabrication.

Номер патента: EP0657939A3. Автор: Muhammed Ayman Shibib. Владелец: AT&T Corp. Дата публикации: 1995-09-13.

Sinker to buried layer connection region for narrow deep trenches

Номер патента: US20190096744A1. Автор: Binghua Hu,Alexei Sadovnikov,Scott Kelly Montgomery. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-03-28.

Semiconductor structure with deep trench thermal conduction

Номер патента: US20150064856A1. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Junjun Li,Balasubramanian Pranathari Haran,Theodrus Eduardus Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor structure with deep trench thermal conduction

Номер патента: US20150054082A1. Автор: Shom Ponoth,Balasubramanian Pranatharthi Haran,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Junjun Li,Theodorus Eduardus Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Deep trench isolation structure and method for improved product yield

Номер патента: US09997396B2. Автор: Dieter Dornisch,George E. Parker,Lawrence L. Au. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Deep Trench Surrounded MOSFET with Planar MOS Gate

Номер патента: US20200373438A1. Автор: Ho-Yuan Yu,Haiping Dun,Hung-Chen Lin. Владелец: Champion Microelectronic Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Semiconductor device comprising a first gate trench and a second gate trench

Номер патента: US09941354B2. Автор: Sylvain Leomant,Britta Wutte. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AUSTRIA AG. Дата публикации: 2018-04-10.

Electronic device including a trench and a conductive structure therein

Номер патента: US09620639B2. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2017-04-11.

Power semiconductor device with contiguous gate trenches and offset source trenches

Номер патента: US09818743B2. Автор: Ling Ma,Niraj Ranjan,Alain Charles,Hugo Burke,Timothy D. Henson,Kapil Kelkar. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Electronic device including a trench and a conductive structure therein

Номер патента: US20150263166A1. Автор: Gordon M. Grivna,Zia Hossain. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2015-09-17.

Controlling epitaxial growth over eDRAM deep trench and eDRAM so formed

Номер патента: US09589965B1. Автор: Herbert L. Ho,Melissa A. Smith,Sunit S. Mahajan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

Poly sandwich for deep trench fill

Номер патента: US09865691B2. Автор: Sameer P. Pendharkar,Binghua Hu,Jarvis Benjamin Jacobs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Poly sandwich for deep trench fill

Номер патента: US09583579B2. Автор: Sameer P. Pendharkar,Binghua Hu,Jarvis Benjamin Jacobs. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor device with active fins separated by shallow and deep trench isolations and method for fabricating the same

Номер патента: US09627376B2. Автор: Tae-Joong Song,Jae-Ho Park,Kang-Hyun Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-04-18.

Method Of Manufacturing A Deep Trench Super Junction MOSFET

Номер патента: US20190326389A1. Автор: Haiping Dun,Hung-Chen Lin,Chi-Wu Yao. Владелец: Champion Microelectronic Corp. Дата публикации: 2019-10-24.

Methods Of Manufacturing A Deep Trench Super Junction MOSFET

Номер патента: US20200335580A1. Автор: Haiping Dun,Hung-Chen Lin,Chi-Wu Yao. Владелец: Champion Microelectronic Corp. Дата публикации: 2020-10-22.

Non-volatile memory cell having a trapping charge layer in a trench and an array and a method of manufacturing therefor

Номер патента: US09548380B2. Автор: Nhan Do. Владелец: Silicon Storage Technology Inc. Дата публикации: 2017-01-17.

Trench-type insulated gate semiconductor device including an emitter trench and an overlapped floating region

Номер патента: US09543421B2. Автор: Akihiro HIKASA. Владелец: ROHM CO LTD. Дата публикации: 2017-01-10.

ESD PROTECTION DEVICE WITH DEEP TRENCH ISOLATION ISLANDS

Номер патента: US20210013193A1. Автор: Salman Akram A.,Hu Binghua,CHEN ZAICHEN. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-14.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FORMING THE SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH DEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURES

Номер патента: US20150021687A1. Автор: Pendharkar Sameer,Hu Binghua,MATHUR Guru,Tamura Takehito. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

ESD PROTECTION DEVICE WITH DEEP TRENCH ISOLATION ISLANDS

Номер патента: US20200161292A1. Автор: Salman Akram A.,Hu Binghua,CHEN ZAICHEN. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

The switch with isolation structure is exhausted with deep trench

Номер патента: CN108987462A. Автор: S·M·尚克,A·K·斯塔珀,J·J·埃利斯-莫纳甘,T·段. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-12-11.

Method and semiconductor structure with deep trench isolation structures

Номер патента: WO2015009891A1. Автор: Takehito Tamura,Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2015-01-22.

Deep trench isolation

Номер патента: US09601564B2. Автор: Xu Cheng,Zhihong Zhang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-03-21.

Deep trench isolation

Номер патента: US09343526B2. Автор: Xu Cheng,Zhihong Zhang,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor high-voltage devices

Номер патента: US7227197B2. Автор: Xingbi Chen. Владелец: Third Dimension 3D Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-06-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH FIELD THRESHOLD MOSFET FOR HIGH VOLTAGE TERMINATION

Номер патента: US20160013265A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur. Владелец: . Дата публикации: 2016-01-14.

TEST STRUCTURE MACRO FOR MONITORING DIMENSIONS OF DEEP TRENCH ISOLATION REGIONS AND LOCAL TRENCH ISOLATION REGIONS

Номер патента: US20170005014A1. Автор: Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

Creating deep trenches on underlying substrate

Номер патента: US20140021585A1. Автор: John B. DeForge,Kirk D. Peterson,Andrew A. Turner,Herbert L. Ho,Babar A. Khan,John E. Barth,Jennifer E. Appleyard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Semiconductor device having an active trench and a body trench

Номер патента: US09680005B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Wolter,Franz-Josef Niedernostheide,Maria Cotorogea,Yvonne Gawlina-Schmidl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-13.

Folded Termination with Internal Field Plate

Номер патента: US20190067415A1. Автор: Bo Zhang,Wei Gao,Min Ren,Jinping Zhang,Zehong LI,Yumeng Zhang,Cong DI,Jingzhi XIONG. Владелец: Institute Of Electronic And Information Engineering Of Uestc In Guangdong. Дата публикации: 2019-02-28.

Semiconductor Device Having an Active Trench and a Body Trench

Номер патента: US20170250271A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Wolter,Franz-Josef Niedernostheide,Maria Cotorogea,Yvonne Gawlina-Schmidl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-08-31.

Semiconductor Device Having an Active Trench and a Body Trench

Номер патента: US20190103480A1. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Wolter,Franz-Josef Niedernostheide,Maria Cotorogea,Yvonne Gawlina-Schmidl. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2019-04-04.

High breakdown voltage semiconductor device with an insulated gate formed in a trench, and manufacturing process thereof

Номер патента: EP2701202A3. Автор: Giacomo Barletta. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2014-05-07.

Method of fabricating semiconductor high-voltage device comprising the steps of using photolithographic processes to form nitride spacer regions and dry etch process to form deep trench regions

Номер патента: US7687388B2. Автор: Seung-chul Ha. Владелец: Dongbu HitekCo Ltd. Дата публикации: 2010-03-30.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20150021610A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20190206871A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20150135156A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20170117281A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20170025418A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20190279987A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20180225405A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20180286866A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US10361207B2. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US10050039B2. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-14.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US10042968B2. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor structures including an integrated finFET with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US9576096B2. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20200051984A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US10269806B2. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Power semiconductor device with floating field ring termination

Номер патента: EP3545557A1. Автор: Friedhelm Bauer,Marco Bellini,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-10-02.

Power semiconductor device with floating field ring termination

Номер патента: WO2018095870A1. Автор: Friedhelm Bauer,Marco Bellini,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2018-05-31.

Power semiconductor device with floating field ring termination

Номер патента: US20190288124A1. Автор: Friedhelm Bauer,Marco Bellini,Umamaheswara VEMULAPATI. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2019-09-19.

Vertical deep trench and deep trench island based deep n-type well diode and diode triggered protection device

Номер патента: US11869986B2. Автор: Binghua Hu,Alexei Sadovnikov,Akram Ali Salman,Umamaheswari Aghoram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-01-09.

Vertical deep trench and deep trench island based deep n-type well diode and diode triggered protection device

Номер патента: US20240088305A1. Автор: Binghua Hu,Alexei Sadovnikov,Akram Ali Salman,Umamaheswari Aghoram. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Spacer isolation in deep trench

Номер патента: US20130328161A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-12-12.

Deep trench based n-type well diode and diode triggered protection device

Номер патента: WO2023028358A1. Автор: Binghua Hu,Alexei Sadovnikov,Akram Ali Salman,Umamaheswari Aghoram. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2023-03-02.

High Voltage Semiconductor Device Utilizing A Deep Trench Structure

Номер патента: US20070187766A1. Автор: You-Kuo Wu,Shun-Liang Hsu,Yu-Chang Jong,Chen-Bau Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2007-08-16.

Schottky Integrated High Voltage Terminations and Related HVIC Applications

Номер патента: US20170365595A1. Автор: Fang Min,Ranjan Niraj,He Donald,Kiyawat Siddharth. Владелец: . Дата публикации: 2017-12-21.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DEEP TRENCH ISOLATION AND TRENCH CAPACITOR

Номер патента: US20210005760A1. Автор: Sadovnikov Alexei,HERZER STEFAN,Hu Binghua,Ali Abbas,Pan Yanbiao. Владелец: . Дата публикации: 2021-01-07.

SEMICONDUCTOR DEVICE WITH DEEP TRENCH ISOLATION AND TRENCH CAPACITOR

Номер патента: US20200212229A1. Автор: Sadovnikov Alexei,HERZER STEFAN,Hu Binghua,Ali Abbas,Pan Yanbiao. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2020-07-02.

Deep trench isolations and methods of forming the same

Номер патента: US12087801B2. Автор: Yen-Ting Chiang,Cheng-Hsien Chou,Min-Ying Tsai,Shih Pei Chou,Hsiao-Hui Tseng,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Deep trench isolations and methods of forming the same

Номер патента: US20240363671A1. Автор: Yen-Ting Chiang,Cheng-Hsien Chou,Min-Ying Tsai,Shih Pei Chou,Hsiao-Hui Tseng,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Deep trench integration processes and devices

Номер патента: US20220165610A1. Автор: LAN Yu,Michael Chudzik,Siddarth Krishnan,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Deep trench integration processes and devices

Номер патента: WO2022109029A1. Автор: LAN Yu,Michael Chudzik,Siddarth Krishnan,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-05-27.

Deep trench integration processes and devices

Номер патента: EP4248496A1. Автор: LAN Yu,Michael Chudzik,Siddarth Krishnan,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

High voltage semiconductor device having a deep trench insulation and manufacturing process

Номер патента: EP4379785A1. Автор: Nunzia Malagnino,Emanuele LAGO,Damiano Riccardi. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2024-06-05.

Deep trench integration processes and devices

Номер патента: US20220165564A1. Автор: LAN Yu,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Self-aligned back side deep trench isolation structure

Номер патента: US09768218B2. Автор: JHY-JYI SZE,Yimin Huang,Alexander Kalnitsky. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Deep trench isolation structure and method of making the same

Номер патента: US11031303B1. Автор: Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Deep trench isolation with field oxide

Номер патента: US12087813B2. Автор: ABBAS Ali,Eugene C. Davis,Rajni J. Aggarwal,Steven J. Adler. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

Isolation of circuit elements using front side deep trench etch

Номер патента: US20210083047A1. Автор: Rajarshi Mukhopadhyay,Dan Carothers,Ricky Jackson,Ben Cook. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

APPARATUS WITH OVERLAPPING DEEP TRENCH AND SHALLOW TRENCH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME WITH LOW DEFECT DENSITY

Номер патента: US20190259651A1. Автор: Lillibridge Thomas Edward. Владелец: . Дата публикации: 2019-08-22.

Integrated circuit and a method using integrated process steps to form deep trench isolation structures and deep trench capacitor structures for the integrated circuit

Номер патента: US20120153431A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,Herbert L. Ho. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-21.

Integrated circuit and a method using integrated process steps to form deep trench isolation structures and deep trench capacitor structures for the integrated circuit

Номер патента: US8193067B2. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,Herbert L. Ho. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-06-05.

integrated circuit and a method using integrated process steps to form deep trench isolation structures and deep trench capacitor structures for the integrated circuit

Номер патента: US20110133310A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak,Herbert L. Ho. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-06-09.

Three Dimensional Three Semiconductor High-Voltage Capacitors

Номер патента: US20150076577A1. Автор: Douglas T. Grider,Xiangzheng Bo. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-03-19.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US09679917B2. Автор: Xinhui Wang,Deepal Wehella-Gamage,Babar A. Khan,Ricardo A. Donaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20160181253A1. Автор: Xinhui Wang,Deepal Wehella-Gamage,Babar A. Khan,Ricardo A. Donaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Method for forming deep trench spacing isolation for CMOS image sensors

Номер патента: US09805970B2. Автор: Chen-Jong Wang,Tai-I Yang,Tien-Lu Lin,Jung-I Lin,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

IC with deep trench polysilicon oxidation

Номер патента: US11756794B2. Автор: Shariq Arshad,James Tyler Overton,Divya Geetha Nair,Helen Elizabeth Melcher. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-09-12.

Method for fabricating deep trench isolation

Номер патента: US8501565B2. Автор: Shang-Hui Tu,Shin-Cheng Lin,Yu-Lung Chin. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2013-08-06.

Method for preparing a deep trench and an etching mixture for the same

Номер патента: US20060057848A1. Автор: MENG Cheng,Ting Sing Wang,Ya Ling Po. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-03-16.

Method of achieving atomically smooth sidewalls in deep trenches, and high aspect ratio silicon structure containing atomically smooth sidewalls

Номер патента: WO2009042983A2. Автор: Brian Doyle,Jack Kavalieros,Rajwinder Singh,Wily Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2009-04-02.

Deep trench isolation structure in image sensor device

Номер патента: US09935147B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Alexander Kalnitsky,Hsin-Hung Chen,Wen-De Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-03.

Method of forming deep trench and deep trench isolation structure

Номер патента: US09659874B2. Автор: Shih-Chi Kuo,Tsung-Hsien Lee,Fu-Chiang KUO,Ying-Hsun CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Method of forming deep trench and deep trench isolation structure

Номер патента: US20170110409A1. Автор: Shih-Chi Kuo,Tsung-Hsien Lee,Fu-Chiang KUO,Ying-Hsun CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-20.

Method for forming trenches and trench isolation on a substrate

Номер патента: US20120190168A1. Автор: Ching-Hung Kao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2012-07-26.

Planarization process for organic filling of deep trenches

Номер патента: US4665007A. Автор: George R. Goth,Nancy R. Cservak,Susan K. Fribley,Mark A. Takacs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1987-05-12.

Planarization process for organic filling of deep trenches

Номер патента: CA1233914A. Автор: George R. Goth,Nancy R. Cservak,Susan K. Fribley,Mark A. Takacs. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1988-03-08.

Method of selectively exposing the sidewalls of a trench and its use to the forming of a metal silicide substrate contact for dielectric filled deep trench isolated devices

Номер патента: US4549927A. Автор: James S. Makris,George R. Goth,Thomas A. Hansen. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1985-10-29.

Method for fabricating a bottle-shaped deep trench

Номер патента: US20050250345A1. Автор: Chang-Rong Wu,Chien-Jung Sun. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-10.

Hybrid orientation substrate compatible deep trench capacitor embedded dram

Номер патента: US20090176347A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Method for making deep trench isolation of cis device, and semiconductor device structure

Номер патента: US20220230909A1. Автор: XIAO FAN,Peng Huang,Jialong Li,Wensheng QIAN. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-07-21.

Method of forming deep trench isolation in radiation sensing substrate and image sensor device

Номер патента: US20190043915A1. Автор: Jung-Chih Tsao,Yao-Hsiang Liang,Chih-Hui Huang,Ching-Ho Hsu,Chi-Ming Lu,Chih-Chang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-02-07.

Method of Forming Deep Trench Isolation in Radiation Sensing Substrate and Image Sensor Device

Номер патента: US20200119081A1. Автор: Jung-Chih Tsao,Yao-Hsiang Liang,Chih-Hui Huang,Ching-Ho Hsu,Chi-Ming Lu,Chih-Chang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-16.

Method of forming deep trench isolation in radiation sensing substrate and image sensor device

Номер патента: US20220359607A1. Автор: Jung-Chih Tsao,Yao-Hsiang Liang,Chih-Hui Huang,Ching-Ho Hsu,Chi-Ming Lu,Chih-Chang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-10.

Method of achieving atomically smooth sidewalls in deep trenches, and high aspect ratio silicon structure containing atomically smooth sidewalls

Номер патента: WO2009042983A3. Автор: Brian Doyle,Jack Kavalieros,Rajwinder Singh,Wily Rachmady. Владелец: Wily Rachmady. Дата публикации: 2009-05-14.

Deep trench capacitor

Номер патента: US09379177B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

Deep Trench Isolation Structures and Methods of Formation Thereof

Номер патента: US20100203703A1. Автор: Laura Pescini,Danny Pak-Chum Shum,Ronald Kakoschke,Armin Tilke,Martin Stiftinger,Karl Robert Strenz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2010-08-12.

Bcd device layout area defined by a deep trench isolation structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220352142A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

BCD device layout area defined by a deep trench isolation structure and methods for forming the same

Номер патента: US11855071B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Bcd device layout area defined by a deep trench isolation structure and methods for forming the same

Номер патента: US20240021601A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Semiconductor device and method having deep trench isolation

Номер патента: US20240112948A1. Автор: Sang Min Han,Seong Hyun Kim,Kwang Il Kim,Yang Beom KANG. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Bcd device layout area defined by a deep trench isolation structure and methods for forming the same

Номер патента: US20240088125A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Three-dimensional memory devices with deep isolation structures

Номер патента: US20210013088A1. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Cheng GAN. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2021-01-14.

Bonding pad architecture using capacitive deep trench isolation (CDTI) structures for electrical connection

Номер патента: US10892291B2. Автор: Sonarith Chhun,Gregory Imbert. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2021-01-12.

Bonding pad architecture using capacitive deep trench isolation (cdti) structures for electrical connection

Номер патента: US20190189654A1. Автор: Sonarith Chhun,Gregory Imbert. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2019-06-20.

Deep trench capacitor for soi cmos devices for soft error immunity

Номер патента: US20110177660A1. Автор: Kerry Bernstein,Francis R. White,John E. Barth, Jr.,Ethan H. Cannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Deep trench capacitor for soi cmos devices for soft error immunity

Номер патента: US20100052026A1. Автор: Kerry Bernstein,John Edward Barth, Jr.,Francis Roger White,Ethan Harrison Cannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Silicon controlled rectifier with integral deep trench capacitor

Номер патента: US20150001580A1. Автор: Theodorus E. Standaert,Robert J. Gauthier, Jr.,Junjun Li,Chengwen Pei,Tom C. Lee,Souvick Mitra,Christopher S. Putnam,James P. Di Sarro. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Semiconductor device including deep trench isolation structure comprising dielectric structure and copper structure and method of making the same

Номер патента: US12046615B2. Автор: Yung-Hsiang Chen,Cheng-Hsien Chen,Yu-Lung Yeh,Bo-Chang Su,Yen-Hsiu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Power semiconductor component with trench-type field ring structure

Номер патента: US20090179224A1. Автор: Bernhard Konig. Владелец: Semikron Elektronik GmbH and Co KG. Дата публикации: 2009-07-16.

Image sensor with hybrid deep trench isolation

Номер патента: US09923009B1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Vincent Venezia,Dyson H. Tai,Chih-Wei Hsiung. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Pre-cleaning for a deep trench isolation structure in a pixel sensor

Номер патента: US20230378215A1. Автор: Yu-Hung Cheng,Ching I Li,Yu-Siang Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Back-side deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US11869761B2. Автор: Yu-Hung Cheng,Min-Ying Tsai,Jiech-Fun Lu,Chun-Tsung Kuo,Ching I Li,Chiao-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Methods of forming combined trench and locos-based electrical isolation regions in semiconductor substrates

Номер патента: US5858842A. Автор: Tai-su Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 1999-01-12.

Method of filling a trench and method of forming an isolating layer structure using the same

Номер патента: US7858492B2. Автор: Young-sun Kim,Eunkee Hong,Jong-Wan Choi,Eun-Kyung Baek,Kyung-Mun Byun. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2010-12-28.

Method of making an isolation trench and resulting isolation trench

Номер патента: US20070212848A1. Автор: Gurtej Sandhu,Sukesh Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2007-09-13.

Semiconductor structure having layers in a trench and method of manufacturing the same

Номер патента: US11784087B2. Автор: Hao Chuan CHANG,Kai Jen. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2023-10-10.

Shallow trench isolation trenches and methods for nand memory

Номер патента: US20160351435A1. Автор: Oshi Wakamatsu,Yasuhiro Domae. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-12-01.

Method for increasing the capacitance in a storage trench and trench capacitor having increased capacitance

Номер патента: US20030073283A1. Автор: Wilhelm Kegel,Alexander Ruf,Wolfram Karcher,Martin Schrems. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-17.

Vertical power transistor with deep trenches and deep regions surrounding cell array

Номер патента: US09941351B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2018-04-10.

Vertical power transistor with deep trenches and deep regions surrounding cell array

Номер патента: US20170250270A1. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2017-08-31.

VERTICAL POWER TRANSISTOR WITH DEEP TRENCHES AND DEEP REGIONS SURROUNDING CELL ARRAY

Номер патента: US20170250270A1. Автор: Yilmaz Hamza. Владелец: . Дата публикации: 2017-08-31.

Improvement of polysilicon/metal contact resistance in deep trench

Номер патента: GB2497200A. Автор: Yanli Zhang,Paul Parries,Geng Wang,Chengwen Pei,Brian Messenger. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-06-05.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: US20230299157A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit structures with deep via structure

Номер патента: EP4246563A1. Автор: Tahir Ghani,Charles H. Wallace,Leonard P. GULER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-20.

Method to fill deep trench structures with void-free polysilicon or silicon

Номер патента: US20040180510A1. Автор: Kevin Chan,Subhash Kulkarni,Rajiv Ranade,Gangadhara Mathad. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2004-09-16.

Test structure macro for monitoring dimensions of deep trench isolation regions and local trench isolation regions

Номер патента: US20170033023A1. Автор: Hui Zang,Tenko Yamashita,Chun-Chen Yeh. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-02.

Vertical power transistor with deep floating termination regions

Номер патента: US09805933B2. Автор: Hamza Yilmaz. Владелец: MaxPower Semiconductor Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Polish stop and sealing layer for manufacture of semiconductor devices with deep trench isolation

Номер патента: US7435661B2. Автор: Eric Brown,Gayle Miller. Владелец: Atmel Corp. Дата публикации: 2008-10-14.

Image sensor and method for manufacturing deep trench and through-silicon via of the image sensor

Номер патента: US20210036048A1. Автор: Hong Lin. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2021-02-04.

Method for passivating full front-side deep trench isolation structure

Номер патента: US11769779B2. Автор: Shiyu Sun. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Double patterning techniques for forming a deep trench isolation structure

Номер патента: US20220285203A1. Автор: Yu-Wen Chen,Ching-Sen Kuo,Feng-Jia Shiu,Chun-Wei Chang,Wei-Chao Chiu,Yong-Jin LIOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-08.

Apparatus with overlapping deep trench and shallow trench and method of fabricating the same with low defect density

Номер патента: WO2019165107A1. Автор: Thomas Edward Lillibridge. Владелец: Texas Instruments Japan Limited. Дата публикации: 2019-08-29.

Contact arrangements for deep trench capacitors

Номер патента: US20230369213A1. Автор: Fu-Chiang KUO,Meei-Shiou Chern,Jyun-Ting Hou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Double patterning techniques for forming a deep trench isolation structure

Номер патента: US20230402315A1. Автор: Yu-Wen Chen,Ching-Sen Kuo,Feng-Jia Shiu,Chun-Wei Chang,Wei-Chao Chiu,Yong-Jin LIOU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Deep trench capacitor and methods of forming the same

Номер патента: US20240047513A1. Автор: Shu-Hui SU,Yu-Chi Chang,Felix yingkit Tsui,Hsin-Li Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Electrical test structure and method for monitoring deep trench impedance to substrate

Номер патента: US11119137B2. Автор: Thomas Edward Lillibridge,Neil L Gardner. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-09-14.

Process for forming an active area and a shallow trench isolation self-aligned to a deep trench

Номер патента: EP1037281B1. Автор: Carl Radens,Jack Mandelman,Larry Nesbit,Rama Divakaruni,Ulrike Gruning,Byeong Y. Kim. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-03.

Deposition tool and method for filling deep trenches

Номер патента: US20230360970A1. Автор: Elijah V. KARPOV,Matthew Metz,Robert WILLONER. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-09.

Method for fabricating a trench contact to a deep trench capacitor having a polysilicon filling

Номер патента: US20020173110A1. Автор: Dietmar Temmler,Martin Schrems,Andreas Wich-Glasen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-21.

Method for fabricating a trench contact to a deep trench capacitor having a polysilicon filling

Номер патента: US6989311B2. Автор: Dietmar Temmler,Martin Schrems,Andreas Wich-Glasen. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2006-01-24.

Deep trench isolation structure of a high-voltage device and method for forming thereof

Номер патента: US20040082140A1. Автор: Chih-Cherng Liao,Jia-Wei Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-04-29.

Backside deep trench capacitor and inductor structures

Номер патента: WO2024137339A1. Автор: Anil Kumar,Sinan Goktepeli,Shishir Ray,Kouassi Sebastien Kouassi. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2024-06-27.

Backside Deep Trench Capacitor and Inductor Structures

Номер патента: US20240213139A1. Автор: Anil Kumar,Sinan Goktepeli,Shishir Ray,Kouassi Sebastien Kouassi. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Deep trench capacitor including self-aligned plate contact via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20220199759A1. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09966310B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09929085B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09892970B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US20180108566A1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Methods and apparatus for a three-dimensional (3d) array having aligned deep-trench contacts

Номер патента: WO2020097098A3. Автор: Fu-Chang Hsu. Владелец: NEO Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2020-07-30.

Barrier layers in trenches and vias

Номер патента: US09984923B2. Автор: Chih-Chao Yang,Benjamin D. Briggs,Cornelius Brown Peethala,Lawrence A. Clevenger,Michael RIZZOLO. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Pitch quartering to create pitch halved trenches and pitch halved air gaps

Номер патента: US20140091466A1. Автор: Marc Van Veenhuizen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-04-03.

Electric connector assembly for a high-voltage terminal and method for assembling

Номер патента: EP4262028A1. Автор: Zelimir Loncar,Zeljko Erdec,Ivana CUKOR,Jurica GALOVIC,Dario KANTOLIC. Владелец: Yazaki Europe Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Electric connector assembly, high-voltage terminal and method for assembling

Номер патента: EP4262026A1. Автор: Ivica Jakoplic,Mario SPRLJAN. Владелец: Yazaki Europe Ltd. Дата публикации: 2023-10-18.

Electric connector assembly, high-voltage terminal and method for assembling

Номер патента: US20230327376A1. Автор: Mario SPRLJAN,Ivica JACOPLIC. Владелец: Yazaki Europe Ltd. Дата публикации: 2023-10-12.

Semiconductor device with an integrated deep trench capacitor having high capacitance density and low equivalent series resistance

Номер патента: US20210028316A1. Автор: Binghua Hu,Yanbiao Pan,Django Trombley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Deep trench capacitor

Номер патента: US20070090436A1. Автор: Chao-Hsi Chung. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Capacitor with deep trench ion implantation

Номер патента: US20130099354A1. Автор: Herbert Lei Ho,Chengwen Pei,Roger Allen Booth, Jr.,Naoyoshi Kusaba. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Deep trench varactors

Номер патента: EP2377158A1. Автор: Eric Thompson,David S. Collins,Robert M. Rassel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Deep trench capacitor including a compact contact region and methods of forming the same

Номер патента: US20240304700A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Deep trench capacitor manufactured by streamlined process

Номер патента: US09472690B2. Автор: Chen-Chien Chang,Wu-An Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Deep-trench capacitor with hemispherical grain silicon surface and method for making the same

Номер патента: US20040079979A1. Автор: Yueh-Chuan Lee,Shih-Lung Chen. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-04-29.

Semiconductor device with an integrated deep trench capacitor having high capacitance density and low equivalent series resistance

Номер патента: US11742436B2. Автор: Binghua Hu,Yanbiao Pan,Django Trombley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Method for manufacturing collars of deep trench capacitors

Номер патента: US20080254589A1. Автор: Chih-Ching Lin,Jen-Jui HUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Deep trench capacitor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240055470A1. Автор: Yu-Han Chen,Fu-Chiang KUO,Cheng-Wei LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Deep trench varactors

Номер патента: WO2010075052A1. Автор: Eric Thompson,David S. Collins,Robert M. Rassel. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-07-01.

Method for forming inside nitride spacer for deep trench device dram cell

Номер патента: US20030062557A1. Автор: Arnd Scholz,Prakash Dev. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Method of fabricating a deep trench (DT) metal-insulator-metal (MIM) capacitor

Номер патента: US8241981B1. Автор: Michael P. Chudzik,Christian Lavoie,Oh-Jung Kwon,Rishikesh Krishnan,Joseph F. Shepard, Jr.,Dong-Ick Lee,Unoh Kwon,Youngjin Choi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-14.

Deep trench capacitor (dtc) region in semiconductor package

Номер патента: US20230307389A1. Автор: Fu-Chiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Deep trench sidewall etch stop

Номер патента: US09748250B2. Автор: Iqbal R. Saraf,Sunit S. Mahajan,Scott R. Stiffler,Diego A. Hoyos,William L. Nicol. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-29.

Deep trench capacitor including a compact contact region and methods of forming the same

Номер патента: US20230069774A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Deep trench capacitor including a compact contact region and methods of forming the same

Номер патента: US12009405B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-11.

Deep trench capacitor and method of fabricating thereof

Номер патента: US20060051916A1. Автор: Chao-Hsi Chung. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-03-09.

High voltage deep trench capacitor

Номер патента: US20080293211A1. Автор: Amitava Bose,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor device including deep trench capacitors and via contacts

Номер патента: US12074227B2. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Three dimensional integrated deep trench decoupling capacitors

Номер патента: US20120133023A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Method for forming deep trench capacitor with liquid phase deposition oxide as collar oxide

Номер патента: US6867091B1. Автор: Shian-Jyh Lin,Chia-Sheng Yu,Sam Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-15.

Method for forming deep trench capacitor with liquid phase deposition oxide as collar oxide

Номер патента: US20050245040A1. Автор: Shian-Jyh Lin,Chia-Sheng Yu,Sam Liao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-11-03.

Deep trench bypass capacitor for electromagnetic interference noise reduction

Номер патента: US20230411302A1. Автор: Archana Venugopal,James Todd. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor device including deep trench capacitors and via contacts

Номер патента: US20230387330A1. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Deep trench semiconductor capacitors having reverse bias diodes for implantable medical devices

Номер патента: US20020008267A1. Автор: Richard Houben,Koen Weijand. Владелец: MEDTRONIC INC. Дата публикации: 2002-01-24.

Spacer formation in a deep trench memory cell

Номер патента: US20030060006A1. Автор: V.C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-03-27.

Deep trench capacitor distibution

Номер патента: US20210272963A1. Автор: Christopher Berry,Timothy A. Schell,Ofer Geva,Asaf Regev,Amit Amos Atias. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2021-09-02.

Semiconductor device with a trench and method for manufacturing the same

Номер патента: US09773681B2. Автор: Manoj Kumar,Jui-Chun Chang,Chia-hao Lee,Tsung-Hsiung LEE,Pei-Heng HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2017-09-26.

Method of fabricating a bottle trench and a bottle trench capacitor

Номер патента: US20060275974A1. Автор: Ravikumar Ramachandran,Min-Soo Kim,Oh-Jung Kwon,Kenneth Settlemyer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-07.

Formation of control and floating gates of semiconductor non-volatile memories

Номер патента: EP1042810A1. Автор: Steven Keetai Park. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-10-11.

TEST STRUCTURE MACRO FOR MONITORING DIMENSIONS OF DEEP TRENCH ISOLATION REGIONS AND LOCAL TRENCH ISOLATION REGIONS

Номер патента: US20170033023A1. Автор: Yamashita Tenko,Yeh Chun-chen,Zang Hui. Владелец: . Дата публикации: 2017-02-02.

MANUFACTURING METHOD FOR DEEP TRENCH CAPACITOR WITH SCALLOPED PROFILE

Номер патента: US20230009146A1. Автор: Seung Mo JO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Manufacturing method for deep trench capacitor with scalloped profile

Номер патента: US11854817B2. Автор: Seung Mo JO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Semiconductor-on-insulator (soi) deep trench capacitor

Номер патента: US20140084411A1. Автор: Kirk D. Peterson,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Polysilicon field ring structure for power IC

Номер патента: US5686754A. Автор: Niraj Ranjan,Chongwook Chris Choi. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 1997-11-11.

Semiconductor device with improved insulating film and floating gate arrangement to decrease memory cell size without reduction of capacitance

Номер патента: US8212305B2. Автор: Yoshihiro Ikeda,Shunichi Narumi,Tatsuya Fukumura,Izumi Takesue. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2012-07-03.

Trench MOSgated device with deep trench between gate trenches

Номер патента: US8125024B2. Автор: Milton J. Boden. Владелец: International Rectifier Corp USA. Дата публикации: 2012-02-28.

Trench mosgated device with deep trench between gate trenches

Номер патента: WO2008106235A1. Автор: Milton J. Boden. Владелец: INTERNATIONAL RECTIFIER CORPORATION. Дата публикации: 2008-09-04.

Super junction device with deep trench and implant

Номер патента: TW201145514A. Автор: Tiesheng Li,Deming Xiao,Michael R Hsing. Владелец: Monolithic Power Systems Inc. Дата публикации: 2011-12-16.

Deep trench insulated gate bipolar transistor

Номер патента: EP2482325A3. Автор: Vijay Parthasarathy,Sujit Banerjee. Владелец: Power Integrations Inc. Дата публикации: 2013-12-04.

Low impedance high density deep trench capacitor

Номер патента: US09978829B2. Автор: Jyun-Ying LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Structure and method for accurate deep trench resistance measurement

Номер патента: US7408229B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-08-05.

Deep trench polysilicon fin first

Номер патента: US09490257B2. Автор: Norbert Arnold. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Structure and method for accurate deep trench resistance measurement

Номер патента: US20070296011A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2007-12-27.

Structure and method for accurate deep trench resistance measurement

Номер патента: US20060102945A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-05-18.

Solid-state image sensing device with electrode implanted into deep trench

Номер патента: US09508871B2. Автор: Hirofumi Watanabe,Kazuhiro Yoneda,Katsuhiko Aisu,Yasukazu Nakatani,Yoshinori Ueda,Takaaki Negoro,Katsuyuki Sakurano. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor device including dummy deep trench capacitors and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240038654A1. Автор: Fu-Chiang KUO,Yu-Hsin FANG,Ming-Syong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Three Dimensional Three Semiconductor High-Voltage Capacitors

Номер патента: US20150076577A1. Автор: Bo Xiangzheng,Grider Douglas T.. Владелец: . Дата публикации: 2015-03-19.

Methods of manufacturing semiconductor high-voltage rectifiers

Номер патента: GB1354369A. Автор: . Владелец: Philips Electronic and Associated Industries Ltd. Дата публикации: 1974-06-05.

Semiconductor high-voltage device chip and manufacture method thereof

Номер патента: CN101866948A. Автор: 王琳,王成森,黎重林,薛治祥,颜呈祥. Владелец: QIDONG JIEJIE MICRO-ELECTRONIC Co Ltd. Дата публикации: 2010-10-20.

Housing for encapsulating a semiconductor high-voltage circuit arrangement and method of producing it

Номер патента: DE3318289A1. Автор: Raymond 92260 Fontenay aux Roses Henry. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1983-12-01.

Method of manufacturing semiconductor high-voltage rectifiers

Номер патента: CA924027A. Автор: Andrae Gunter,Uden Edward. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1973-04-03.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH DEEP TRENCH THERMAL CONDUCTION

Номер патента: US20150054082A1. Автор: Ponoth Shom,Li Junjun,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Standaert Theodorus Eduardus,Haran Balasubramanian Pranatharthi. Владелец: Intemational Business Machines Corporation. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20200051984A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH DEEP TRENCH THERMAL CONDUCTION

Номер патента: US20140284717A1. Автор: Ponoth Shom,Li Junjun,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Standaert Theodorus Eduardus,Haran Balasubramanian Pranatharthi. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-25.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH DEEP TRENCH CAPACITOR AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20190206871A1. Автор: Leobandung Effendi,Kanakasabapathy Sivananda K.,Wang Xinhui,Khan Babar A.,STANDAERT Theodorus E.,Chan Kevin K.,Kobayashi Masaharu. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20180225405A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH DEEP TRENCH CAPACITOR AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20190279987A1. Автор: Leobandung Effendi,Kanakasabapathy Sivananda K.,Wang Xinhui,Khan Babar A.,STANDAERT Theodorus E.,Chan Kevin K.,Kobayashi Masaharu. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor Device with Semiconductor Fins and Floating Gate

Номер патента: US20130285135A1. Автор: Frank Hui,Neal Kistler. Владелец: Broadcom Corp. Дата публикации: 2013-10-31.

Deep trench capacitor including stress-relief voids and methods of forming the same

Номер патента: US12113099B2. Автор: Fu-Chiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Deep trench capacitor including stress-relief voids and methods of forming the same

Номер патента: US20230069538A1. Автор: Fu-Chiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Deep trench capacitor including stress-relief voids and methods of forming the same

Номер патента: US20230369388A1. Автор: Fu-Chiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Deep trench capacitor bridge for multi-chip package

Номер патента: US20240063148A1. Автор: Bok Eng Cheah,Teong Guan Yew,Loke Yip Foo. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Deep trench capacitor including stress-relief voids and methods of forming the same

Номер патента: US12015050B2. Автор: Fu-Chiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method for forming inside nitride spacer for deep trench device DRAM cell

Номер патента: US20030064589A1. Автор: Arnd Scholz. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-03.

Method of forming cavity based on deep trench erosion

Номер патента: US20200243342A1. Автор: Changfeng Xia,Xinwei Zhang,Guoping ZHOU,Jiale SU. Владелец: CSMC Technologies Fab2 Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Deep trench isolation shrinkage method for enhanced device performance

Номер патента: US09653507B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Cheng-Hsien Chou,Sheng-Chau Chen,Shih Pei Chou,Chih-Yu Lai,Chih-Ta Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Deep trench capacitor fuse structure for high voltage breakdown defense and methods for forming the same

Номер патента: US20240222358A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Process for anisotropic deep trench etching in a silicon substrate comprises deep trench etching in the silicon substrate up to a prescribed etching depth so that the re-deposit is replaced by a protective layer for side wall passivation

Номер патента: DE10162065A1. Автор: Matthias Goldbach,Peter Moll. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-06-26.

Pixel device on deep trench isolation (dti) structure for image sensor

Номер патента: US20200395394A1. Автор: JHY-JYI SZE,Seiji Takahashi,Tzu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Deep trench capacitors embedded in package substrate

Номер патента: US20230420494A1. Автор: Nam Hoon Kim,Woon-Seong Kwon,Teckgyu Kang,Scott Lee Kirkman. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Structure And Method To Realize Conformal Doping In Deep Trench Applications

Номер патента: US20140035038A1. Автор: Hemanth Jagannathan,Veeraraghavan S. Basker,Babar A. Khan,Sivananda Kanakasabapathy. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-06.

Pixel device on deep trench isolation (dti) structure for image sensor

Номер патента: US20240282797A1. Автор: JHY-JYI SZE,Seiji Takahashi,Tzu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Deep trench capacitors embedded in package substrate

Номер патента: US11784215B2. Автор: Nam Hoon Kim,Woon-Seong Kwon,Teckgyu Kang,Scott Lee Kirkman. Владелец: Google LLC. Дата публикации: 2023-10-10.

Deep trench capacitor fuse structure for high voltage breakdown defense and methods for forming the same

Номер патента: US11923355B2. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-05.

Pixel device on deep trench isolation (DTI) structure for image sensor

Номер патента: US11996431B2. Автор: JHY-JYI SZE,Seiji Takahashi,Tzu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Method to form a fin structure on deep trenches for a semiconductor device

Номер патента: US20230317771A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,Chunhui Low. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2023-10-05.

Method to form a fin structure on deep trenches for a semiconductor device

Номер патента: US12125873B2. Автор: Huang Liu,Liang Li,Chunhui Low. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Deep trench isolation shrinkage method for enhanced device performance

Номер патента: US20170243915A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Cheng-Hsien Chou,Sheng-Chau Chen,Shih Pei Chou,Chih-Yu Lai,Chih-Ta Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-24.

Deep trench isolation shrinkage method for enhanced device performance

Номер патента: US20190259804A1. Автор: Chia-Shiung Tsai,Yeur-Luen Tu,Cheng-Hsien Chou,Sheng-Chau Chen,Shih Pei Chou,Chih-Yu Lai,Chih-Ta Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-22.

Chip separation supported by back side trench and adhesive therein

Номер патента: US20220328355A1. Автор: Martin Brandl,Gunther Mackh. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-10-13.

Method for resolving defect of surface structure of trench and method for preparing semiconductor structure

Номер патента: US20230055868A1. Автор: Tao Chen. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-02-23.

Metal grid structure integrated with deep trench isolation structure

Номер патента: US20220320163A1. Автор: Keiji Mabuchi,Seong Yeol Mun,Yibo Zhu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Test key for monitoring gate conductor to deep trench misalignment

Номер патента: US20050269567A1. Автор: Yu-Chang Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

High aspect ratio back side deep trench isolaton structure with substrate-embedded metal grid and no pinch off

Номер патента: US20240243156A1. Автор: Jen-Cheng Liu,Keng-Yu Chou,Shyh-Fann Ting,Cheng Yu Huang,Tsung Hsien Tsai,Ming-En Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method for manufacturing deep trench isolation grid structure

Номер патента: US20220037381A1. Автор: Xiang Peng,Xiaofeng XIA. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-02-03.

Method for manufacturing deep trench isolation grid structure

Номер патента: US12040339B2. Автор: Xiang Peng,Xiaofeng XIA. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-16.

String driver with deep trench isolations

Номер патента: US20240274594A1. Автор: Michael A. Smith,Shyam Surthi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Metal shield trenches and metal substrate contacts supported within the premetallization dielectric (PMD) layer of an integrated circuit using a middle end of line (MEOL) process

Номер патента: US09917126B1. Автор: Sebastien Lagrasta,Delia Ristoiu,Jean-Pierre Oddou,Cécile Jenny. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-03-13.

Structure and method for deep trench capacitor

Номер патента: US20240321944A1. Автор: Hsin-Liang Chen,Fu-Chiang KUO,Po Cheng KUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Stepped back side deep trench isolaton structure

Номер патента: US20240266380A1. Автор: Sin-Yao Huang,Shu Yen Kung,Sheng Chieh Chuang,Shin-Sheng Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Methods for manufacturing isolated deep trench and high-voltage LED chip

Номер патента: US9082891B2. Автор: Lujun Yao,Deyuan Xiao,Richard Ru-Gin Chang,Hongbo Yu. Владелец: Enraytek Optoelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-14.

Metal shield trenches and metal substrate contacts supported within the premetallization dielectric (pmd) layer of an integrated circuit using a middle end of line (meol) process

Номер патента: US20180076250A1. Автор: Sebastien Lagrasta,Delia Ristoiu,Jean-Pierre Oddou,Cécile Jenny. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-03-15.

Metal shield trenches and metal substrate contacts supported within the premetallization dielectric (pmd) layer of an integrated circuit using a middle end of line (meol) process

Номер патента: US20180158861A1. Автор: Sebastien Lagrasta,Delia Ristoiu,Jean-Pierre Oddou,Cécile Jenny. Владелец: STMicroelectronics Crolles 2 SAS. Дата публикации: 2018-06-07.

Deep trench and fabricating method thereof, trench capacitor and fabricating method thereof

Номер патента: US20080305604A1. Автор: Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-11.

Deep trench isolation structure for high resolution cis pixel

Номер патента: US20240088187A1. Автор: Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Tsun-Kai Tsao,Wen-Chang Kuo,Chih Cheng Shih,Bing Cheng You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Deep trench structure for a capacitive device

Номер патента: US20230268378A1. Автор: Clark Lee,Chi-Fu Lin,Che-Yi Lin,En-Shuo LIN,Sheng KO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-24.

Deep trench structure for a capacitive device

Номер патента: US20220157929A1. Автор: Clark Lee,Chi-Fu Lin,Che-Yi Lin,En-Shuo LIN,Sheng KO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-19.

Shielded deep trench capacitor structure and methods of forming the same

Номер патента: US12094868B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Deep trench isolation (DTI) structure with a tri-layer passivation layer

Номер патента: US09899441B1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Cheng-Lung Wu,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Method for manufacturing a sensor device with a buried deep trench structure and sensor device

Номер патента: EP3828932A1. Автор: Henning Feick,Dirk Offenberg,Boris Binder,Magali Glemet. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-06-02.

Method for manufacturing a sensor device with a buried deep trench structure and sensor device

Номер патента: US11869919B2. Автор: Henning Feick,Dirk Offenberg,Boris Binder,Magali Glemet. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-01-09.

Devices and methods for detecting current leakage between deep trench capacitors in DRAM devices

Номер патента: US20070111341A1. Автор: Yu-Chang Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Shielded deep trench capacitor structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230378154A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Test key transistor for deep trench isolation depth detection

Номер патента: US20240071846A1. Автор: Jingyi Bai,Bo-Ray LEE. Владелец: Cista System Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Biased deep trench isolation

Номер патента: US09806117B2. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Yi Ma,Dyson H. Tai,Yuanwei Zheng. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-10-31.

Method for Manufacturing a Sensor Device with a Buried Deep Trench Structure and Sensor Device

Номер патента: US20210167117A1. Автор: Henning Feick,Dirk Offenberg,Boris Binder,Magali Glemet. Владелец: Infineon Technologies Dresden GmbH and Co KG. Дата публикации: 2021-06-03.

Shielded deep trench capacitor structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230040618A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Non-volatile memory device employing a deep trench capacitor

Номер патента: US9754945B2. Автор: Eduard A. Cartier,Herbert L. Ho,DongHun Kang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-05.

Deep trench isolation (dti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20210193702A1. Автор: Gang Chen,Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor devices with single-photon avalanche diodes, light scattering structures, and multiple deep trench isolation structures

Номер патента: US11837670B2. Автор: Nader Jedidi,Marc Allen SULFRIDGE,Michael Gerard KEYES,Anne Deignan. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2023-12-05.

Composite deep trench isolation structure in an image sensor

Номер патента: US12027554B2. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,Tsun-Kai Tsao,Chih-Cheng Shih,Che Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Staged biased deep trench isolation (dti) structure for high full well capacity (fwc)

Номер патента: US20240297194A1. Автор: Yu Jin,Qin Wang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Deep trench isolation structures for cmos image sensor and methods thereof

Номер патента: US20240363660A1. Автор: Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-31.

Extra doped region for back-side deep trench isolation

Номер патента: US09954022B2. Автор: JHY-JYI SZE,Dun-Nian Yaung,Yu-Jen Wang,Ching-Chun Wang,Yuichiro Yamashita,Yen-Ting Chiang,Shyh-Fann Ting,Chun-Yuan Chen,Tzu-Jui WANG,Hsiao-Hui Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Deep trench capacitor with metal plate

Номер патента: US09793341B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Herbert L. Ho. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Methods of fabricating image sensors having deep trenches including negative charge material

Номер патента: US09564463B2. Автор: HISANORI Ihara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-07.

POWER TRENCH CAPACITOR COMPATIBLE WITH DEEP TRENCH ISOLATION PROCESS

Номер патента: US20190288057A1. Автор: VERMA Purakh Raj,KOO Jeoung Mo,Si Wei,Wang Zeng. Владелец: . Дата публикации: 2019-09-19.

Biased deep trench isolation

Номер патента: US20180033811A1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Yi Ma,Dyson H. Tai,Yuanwei Zheng. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Biased deep trench isolation

Номер патента: US20170271384A1. Автор: Gang Chen,Duli Mao,Yi Ma,Dyson H. Tai,Yuanwei Zheng. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2017-09-21.

Multiple deep trench isolation (MDTI) structure for CMOS image sensor

Номер патента: US11984465B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Ching-Chun Wang,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Chun-Yuan Chen,Wei Chuang Wu,Shen-Hui Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

Deep trench isolation for cross-talk reduction

Номер патента: KR20220151103A. Автор: 켕-유 초우,웬-하우 우,쳉 유 후앙,춘-하오 추앙,웨이-치에 치앙,치-쿵 창. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2022-11-14.

Central deep trench isolation shift

Номер патента: US20230268357A1. Автор: Hui Zang,Chao Niu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-08-24.

Composite deep trench isolation structure in an image sensor

Номер патента: US20230369368A1. Автор: Sheng-Chan Li,Cheng-Yuan Tsai,Sheng-Chau Chen,Tsun-Kai Tsao,Chih-Cheng Shih,Che Wei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Image sensor with varying depth deep trench isolation structure for reduced crosstalk

Номер патента: US20230067975A1. Автор: Seong Yeol Mun. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-03-02.

Image sensor pixel cell with switched deep trench isolation structure

Номер патента: US20150236058A1. Автор: Gang Chen,Howard E. Rhodes,Sohei Manabe,Rongsheng Yang,Dyson H. Tai,Sing-Chung Hu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2015-08-20.

Defect free deep trench method for semiconductor chip

Номер патента: US20120322259A1. Автор: Kun-Yi Liu. Владелец: WaferTech LLC. Дата публикации: 2012-12-20.

Isolation epitaxial bi-layer for backside deep trench isolation structure in an image sensor

Номер патента: US12074186B2. Автор: Yu-Hung Cheng,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Metal deep trench isolation biasing solution

Номер патента: US20220005849A1. Автор: Gang Chen,Hui Zang,Kenny Geng. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-06.

Isolation epitaxial bi-layer for backside deep trench isolation structure in an image sensor

Номер патента: US20240371902A1. Автор: Yu-Hung Cheng,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Voltage biased metal shielding and deep trench isolation for backside illuminated (BSI) image sensors

Номер патента: US09871070B2. Автор: Chen-Jong Wang,Tzu-Hsuan Hsu,Ching-Chun Wang,Chien-Hsien Tseng,Feng-Chi Hung,Wen-I Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Deep trench isolation structure and method of forming same

Номер патента: US09799702B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Wei-li CHEN,Cheng-Lung Wu,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Back-side deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US20240379713A1. Автор: Yu-Hung Cheng,Min-Ying Tsai,Jiech-Fun Lu,Chun-Tsung Kuo,Ching I Li,Chiao-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Deep trench isolation fabrication for BSI image sensor

Номер патента: US09728570B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Ching-Chun Wang,Sheng-Chan Li,Yen-Ting Chiang,Shyh-Fann Ting,Shih Pei Chou,Chih-Hui Huang,Hsiao-Hui Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Image sensor having pixels each with a deep trench isolation region as a photo gate for outputting image signals in response to control signals from a row driver and method of operating the image sensor

Номер патента: US09549140B2. Автор: Kyung-Ho Lee,Young-Woo Jung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Back-side deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US20240379712A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Kuo-Hwa Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Image sensor pixel cell with switched deep trench isolation structure

Номер патента: US09496304B2. Автор: Gang Chen,Howard E. Rhodes,Sohei Manabe,Rongsheng Yang,Dyson H. Tai,Sing-Chung Hu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2016-11-15.

High quality deep trench oxide

Номер патента: US09825030B2. Автор: HONG Yang,Yunlong Liu,Jianxin Liu,Yufei Xiong. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-11-21.

DEEP TRENCH CAPACITORS (DTCs) EMPLOYING BYPASS METAL TRACE SIGNAL ROUTING, AND RELATED INTEGRATED CIRCUIT (IC) PACKAGES AND FABRICATION METHODS

Номер патента: US20240038753A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Back-side deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US20230387170A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Kuo-Hwa Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Passivation for a deep trench isolation structure in a pixel sensor

Номер патента: US20230369367A1. Автор: Yu-Hung Cheng,Ching I Li,Yu-Siang Fang,Yu-Yao Hsia. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Deep trench isolation structure in a pixel sensor

Номер патента: US20230387171A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Cheng-Ming Wu,Feng-Chien Hsieh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Cell deep trench isolation structure for near infrared improvement

Номер патента: US20220020790A1. Автор: Gang Chen,Hui Zang,Cunyu Yang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-01-20.

Cell deep trench isolation pyramid structures for cmos image sensors

Номер патента: US20220052085A1. Автор: Gang Chen,Hui Zang,Zhiqiang Lin,Chao Niu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Backside deep trench isolation (bdti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20230361149A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Hsin-Hung Chen,Shih-Chang Liu,Feng-Chi Hung,Hung-Wen Hsu,Wen-Chang Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Image sensor pixel cell with switched deep trench isolation structure

Номер патента: US20150048427A1. Автор: Gang Chen,Howard E. Rhodes,Sohei Manabe,Hsin-Chih Tai,Rongsheng Yang,Sing-Chung Hu. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2015-02-19.

Back-side deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US11955496B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Kuo-Hwa Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

Deep trench isolation structure and methods for fabrication thereof

Номер патента: US20230420473A1. Автор: Yu-Jen Wang,Kai-Yun Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-28.

Deep Trench Isolation Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20180047777A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Wei-li CHEN,Cheng-Lung Wu,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-15.

DEEP TRENCH CAPACITORS (DTCs) EMPLOYING BYPASS METAL TRACE SIGNAL ROUTING, AND RELATED INTEGRATED CIRCUIT (IC) PACKAGES AND FABRICATION METHODS

Номер патента: WO2024030802A1. Автор: Aniket Patil,Hong Bok We,Joan Rey Villarba Buot. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2024-02-08.

Deep trench isolation structure and methods for fabrication thereof

Номер патента: US20230402487A1. Автор: Hsun-Chung KUANG,Cheng-Yuan Tsai,Hai-Dang Trinh,Min-Ying Tsai,Bi-Shen LEE,Chia-Wei Hu,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-14.

Deep Trench Isolation Structure and Method of Forming Same

Номер патента: US20170278893A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Yu-Hung Cheng,Wei-li CHEN,Cheng-Lung Wu,Tung-I Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-09-28.

ACTIVE AND PASSIVE COMPONENTS WITH DEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURES

Номер патента: US20180166536A1. Автор: Stamper Anthony K.,Ellis-Monaghan John J.,SHANK Steven M.. Владелец: . Дата публикации: 2018-06-14.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20160181253A1. Автор: Xinhui Wang,Deepal Wehella-Gamage,Babar A. Khan,Ricardo A. Donaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH DEEP TRENCH CAPACITOR AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20170213835A1. Автор: Wehella-Gamage Deepal,DONATON Ricardo A.,Wang Xinhui,Khan Babar A.. Владелец: . Дата публикации: 2017-07-27.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH DEEP TRENCH CAPACITOR AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20180337185A1. Автор: Wehella-Gamage Deepal,DONATON Ricardo A.,Wang Xinhui,Khan Babar A.. Владелец: . Дата публикации: 2018-11-22.

Semiconductor devices with deep trench isolation structures and methods of making same

Номер патента: DE102006021070B4. Автор: Laura Pescini,Danny Pak-Chum Shum,Robert Strenz,Ronald Kakoschke,Armin Tilke,Martin Stiftinger. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-06-22.

Methods for forming shallow trench isolation structures in deep trenches and uses of the same

Номер патента: TW200810026A. Автор: Yung-Yao Lee,Chao-Hsi Chung,Wen-Shuo Kuo,Hui-Min Li. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-02-16.

Deep trench isolation structures and methods of forming same

Номер патента: US09704904B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Yen-Ting Chiang,Cheng-Hsien Chou,Cheng-Yuan Tsai,Chih-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-11.

Product and method for integration of deep trench mesh and structures under a bond pad

Номер патента: US20090127628A1. Автор: Wolfgang Sauter,Ephrem G. Gebreselasie,Steven H. Voldman,William T. Motsiff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-05-21.

Deep trench protection

Номер патента: US20190035736A1. Автор: Shih-Chi Kuo,Tsung-Hsien Lee,Fu-Chiang KUO,Tao-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Deep trench protection

Номер патента: US20210028118A1. Автор: Shih-Chi Kuo,Tsung-Hsien Lee,Fu-Chiang KUO,Tao-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-01-28.

Method for testing laser communication terminal with quantum information reception

Номер патента: RU2758147C1. Автор: Сергей Александрович Магницкий,Павел Павлович Гостев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью «Лазерлаб» (ООО «Лазерлаб»). Дата публикации: 2021-10-26.

Deep trench and shallow trench combination device isolation structure and manufacturing method

Номер патента: KR970053454A. Автор: 안동호. Владелец: 김광호. Дата публикации: 1997-07-31.

Method and resulting structure for deep trench polysilicon hard mask removal

Номер патента: US20120129314A1. Автор: Kuo-Chang Liao,Weijun Song,Dang Quan Liao. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Product and method for integration of deep trench mesh and structures under a bond pad

Номер патента: US8044510B2. Автор: Wolfgang Sauter,Ephrem G. Gebreselasie,Steven H. Voldman,William T. Motsiff. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-25.

Deep trench isolation for reducing soft errors in integrated circuits

Номер патента: US20020130384A1. Автор: Thomas Aton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-09-19.

Frontside deep trench isolation (fdti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20240266375A1. Автор: Chen-Jong Wang,Szu-Ying Chen,Dun-Nian Yaung,Yen-Chen Lin,Chao-Te Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method for preparing a deep trench and an etching mixture for the same

Номер патента: TW200611324A. Автор: Ting-Sing Wang,Meng-Fen Cheng,Ya-Ling Po. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-04-01.

Method of manufacturing a capacitor deep trench and of etching a deep trench opening

Номер патента: US8377829B2. Автор: Yung-Chang Lin,Chien-Kuo Wang,Ta-Chuan Yeh,Kao-Su Huang,Ni-Min Chung,Ruey-Chyr Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2013-02-19.

Method for manufacturing device having a shallow trench isolation and deep trench isolation

Номер патента: KR100417853B1. Автор: 송운영. Владелец: 주식회사 하이닉스반도체. Дата публикации: 2004-02-05.

A self-aligned method for forming deep trenches in shallow trenches for isolation of semiconductor devices

Номер патента: CA2385031A1. Автор: Carl BJÖRMANDER,Ted Johansson,Hans Norström. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-03-22.

Self-aligned deep trench isolation to shallow trench isolation

Номер патента: US6297127B1. Автор: Hsing-Jen Wann,Robert Hannon,Bomy A. Chen,Liang-Kai Han,Jay G. Harrington,Herbert L. Ho. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-10-02.

Method of forming a shallow trench-deep trench isolation region for a BiCMOS/CMOS technology

Номер патента: US20050176214A1. Автор: Tsyr-Shyang Liou,Ruey-Hsin Liu,Kuan-Lun Chang,Chih-Min Chiang,Jun-Lin Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Light emitting diode package employing lead terminal with reflecting surface

Номер патента: US7999280B2. Автор: Tae Kwang Kim,Nam Young Kim,Myung Hee LEE,Hwa Ja KIM,Kyoung Bo HAN,Ji Seop SO. Владелец: Seoul Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2011-08-16.

Metrology method for measuring an etched trench and associated metrology apparatus

Номер патента: EP4016186A1. Автор: Arie Jeffrey Den Boef,Simon Gijsbert Josephus MATHIJSSEN. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2022-06-22.

Metrology method for measuring an etched trench and associated metrology apparatus

Номер патента: US20240012339A1. Автор: Arie Jeffrey Den Boef,Simon Gijsbert Josephus MATHIJSSEN. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-01-11.

Trench and pier architectures for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20230329010A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-10-12.

Deep partition power delivery with deep trench capacitor

Номер патента: US12068295B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Chieh-Yen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Deep partition power delivery with deep trench capacitor

Номер патента: US20240355799A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Chieh-Yen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

POWER TRENCH CAPACITOR COMPATIBLE WITH DEEP TRENCH ISOLATION PROCESS

Номер патента: US20180247996A1. Автор: VERMA Purakh Raj,KOO Jeoung Mo,Si Wei,Wang Zeng. Владелец: . Дата публикации: 2018-08-30.

Deep Partition Power Delivery with Deep Trench Capacitor

Номер патента: US20230369302A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Chieh-Yen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Deep partition power delivery with deep trench capacitor

Номер патента: US11784172B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chuei-Tang Wang,Chung-Hao Tsai,Chieh-Yen Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-10.

Tungsten-filled deep trenches

Номер патента: EP1186025A1. Автор: Marc D. Hoinkis. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-03-13.

Apparatus with overlapping deep trench and shallow trench and method of fabricating the same with low defect density

Номер патента: US20210090941A1. Автор: Thomas Edward Lillibridge. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-03-25.

Deep trench isolation with tank contact grounding

Номер патента: US09553011B2. Автор: Seetharaman Sridhar,Sameer Pendharkar,Yongxi Zhang,Eugen MINDRICELU. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-01-24.

Method for forming shallow trench in deep trench structure

Номер патента: US20050191807A1. Автор: Sweehan Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

SYSTEMS, METHODS, AND APPARATUS FOR COMPLEMENTARY METAL OXIDE (CMOS) SEMICONDUCTOR HIGH-VOLTAGE ANTENNA SWITCHES USING BODY SWITCHING AND EXTERNAL COMPONENT IN MULTI-STACKING STRUCTURE

Номер патента: FR2921213B1. Автор: Joy Laskar,Min Sik Ahn,Chang Ho Lee,Wang Myong Woo,Haksun Kim,Jaejoon Chang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-31.

Locking bar assembly for high voltage terminal blocks

Номер патента: US3963296A. Автор: Douglas Wade Glover,Mervin Amos Gardner. Владелец: AMP Inc. Дата публикации: 1976-06-15.

Method and means for dissipating heat in a high voltage termination

Номер патента: GB2012499A. Автор: . Владелец: G&W Electric Specialty Co. Дата публикации: 1979-07-25.

Method and means for dissipating heat in a high voltage termination

Номер патента: GB2012499B. Автор: . Владелец: G&W Electric Specialty Co. Дата публикации: 1982-09-02.

Battery system with a battery for supplying a high-voltage network and at least one switching unit for limiting a residual current flowing across the battery and the high-voltage terminals of the battery and/or for limiting a voltage applied from the battery across the high-voltage terminals of the battery to the high-voltage network and a corresponding method

Номер патента: KR101768844B1. Автор: 미하엘 슈타일,게르겔리 갈람브,안드레아스 글라이테르. Владелец: 로베르트 보쉬 게엠베하. Дата публикации: 2017-08-17.

High voltage terminal bushing for use in high voltage circuits

Номер патента: US3978277A. Автор: Robert H. Turnier. Владелец: Hughes Aircraft Co. Дата публикации: 1976-08-31.

Plug Connection for Coupling High-Voltage Terminals and a System with Such a Plug Connection

Номер патента: US20180034207A1. Автор: CZECH Marvin,SCHOBERER Stefan,PÖPPEL Armin. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2018-02-01.

Subsea High Voltage Terminal Assembly

Номер патента: US20140315425A1. Автор: Maier William C.,Lardy Pascal,JAMES ANTHONY,Gilarranz Jose L.,Griffin Timothy,Johnson Joel,Battershell John,Pilon Matthew,Brickey Elroy. Владелец: DRESSER-RAND COMPANY. Дата публикации: 2014-10-23.

High voltage terminal block

Номер патента: US3266007A. Автор: Frederick R Sullivan. Владелец: Sanders Associates Inc. Дата публикации: 1966-08-09.

LITHIUM ACCUMULATOR OPERATING UP TO A HIGH VOLTAGE TERMINAL OF 3.5 VOLTS

Номер патента: FR2777388B1. Автор: Didier Bloch,Cras Frederic Le,Franck Rouppert,Carole Bourbon. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique CEA. Дата публикации: 2000-05-12.

Arc gas expansion chamber for high voltage termination bushings

Номер патента: US3513437A. Автор: William A Mcmorris. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 1970-05-19.

Plug connector, for use between secondary coil of ignition coil and spark plug, has contact plate seated at ignition coil side end of secondary spool, and connecting plug unit mating contact plate and high voltage terminal of spark plug

Номер патента: DE102005005057A1. Автор: Siegmund Oberer. Владелец: Beru AG. Дата публикации: 2006-08-17.

A contacting structure of a high voltage terminal in an inverter of a electric compressor

Номер патента: KR102197848B1. Автор: 박성준,김태형. Владелец: 한온시스템 주식회사. Дата публикации: 2021-01-04.

High voltage terminal construction

Номер патента: US1957982A. Автор: Franklin S Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 1934-05-08.

Plug connection for coupling high-voltage terminals and a system with such a plug connection

Номер патента: US10177496B2. Автор: Stefan SCHOBERER,Armin Pöppel,Marvin Czech. Владелец: Audi AG. Дата публикации: 2019-01-08.

Multi-tap high-voltage terminal for transformers suitable for outdoor operation

Номер патента: FR572657A. Автор: . Владелец: CONST ELECTR DE LYON ET DU DAU. Дата публикации: 1924-06-11.

Enhanced high voltage terminal cooling with a high thermal conductivity coating

Номер патента: US20110293984A1. Автор: Taeyoung Han,Kuo-Huey CHEN,Bahram Khalighi,Jan H. Aase. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2011-12-01.

Semiconductor high voltage electrical energy transmission switching system and method

Номер патента: US20030016073A1. Автор: Vitaly Gelman. Владелец: VG CONTROLS. Дата публикации: 2003-01-23.

Implementing semiconductor signal-capable capacitors with deep trench and TSV technologies

Номер патента: US8642456B2. Автор: II John E. Sheets,Gerald K. Bartley,Philip R. Germann. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-04.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE WITH DEEP TRENCH THERMAL CONDUCTION

Номер патента: US20150064856A1. Автор: Ponoth Shom,Li Junjun,Cheng Kangguo,Yamashita Tenko,Haran Balasubramanian Pranathari,Standaert Theodrus Eduardus. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2015-03-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH DEEP TRENCH CAPACITOR AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20170117281A1. Автор: Leobandung Effendi,Kanakasabapathy Sivananda K.,Wang Xinhui,Khan Babar A.,STANDAERT Theodorus E.,Chan Kevin K.,Kobayashi Masaharu. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-27.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH DEEP TRENCH CAPACITOR AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20180286866A1. Автор: Leobandung Effendi,Kanakasabapathy Sivananda K.,Wang Xinhui,Khan Babar A.,STANDAERT Theodorus E.,Chan Kevin K.,Kobayashi Masaharu. Владелец: . Дата публикации: 2018-10-04.

Low-Cost Deep Trench Decoupling Capacitor Device and Process of Manufacture

Номер патента: US20060124982A1. Автор: Brent Anderson,Paul Parries,Herbert Ho,Subramanian Iyer,Johnathan Faltermeier,Ramachandra Divakaruni,Randy Mann,Deok-kee Kim,John Barth,Wayne Ellis. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-06-15.

High-voltage terminal with attached star rail and tolerance compensation

Номер патента: US20240339890A1. Автор: Andreas Ruppert. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2024-10-10.

High-voltage terminal

Номер патента: US20240128825A1. Автор: Andreas Ruppert,Dominik Knopp,Robin BABIAN. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2024-04-18.

High-voltage terminal

Номер патента: US20240063676A1. Автор: Andreas Ruppert,Rebecca Ruppert. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2024-02-22.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH DEEP TRENCH CAPACITOR AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150021610A1. Автор: Leobandung Effendi,Kanakasabapathy Sivananda K.,Wang Xinhui,Khan Babar A.,STANDAERT Theodorus E.,Chan Kevin K.,Kobayashi Masaharu. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

Thermally stable high-k tetragonal hfo2 layer within high aspect ratio deep trenches

Номер патента: US20150044853A1. Автор: Michael P. Chudzik,Hongwen Yan,Oh-Jung Kwon,Rishikesh Krishnan,Siddarth A. Krishnan,Paul C. Parries,Bachir Dirahoui. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-12.

Deep trench capacitor and method of making same

Номер патента: US20080315274A1. Автор: Steven M. Shank,Robert Mark Rassel,Timothy Wayne Kemerer,Francis Roger White. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Deep isolation trench structure and deep trench capacitor on a semiconductor-on-insulator substrate

Номер патента: US20140120688A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-01.

Dual trench deep trench based unreleased mems resonators

Номер патента: US20170170805A1. Автор: Wentao Wang,Dana Weinstein. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2017-06-15.

Blind mating and floating RF connector assembly with low intermodulation

Номер патента: US09793651B2. Автор: Hongjuan An,Yujun Dai,Mulan Huang. Владелец: CommScope Technologies LLC. Дата публикации: 2017-10-17.

Float-type connecting module and float-type docking device having the module

Номер патента: US20200028292A1. Автор: Juei-Chi Chang,Kun-Cheng Lee. Владелец: Getac Technology Corp. Дата публикации: 2020-01-23.

Microstrip radiator for circular polarization free of welds and floating potentials

Номер патента: CA2063713C. Автор: Paloma Del Castillo Cuervo-Arango,Gaspar Lopez Lopez,Carlos Martin Pascual,Carlos Montesano Benito,Juan Vassal'lo Sanz. Владелец: Construcciones Aeronauticas CASA SA. Дата публикации: 1997-01-21.

Circuit design of spark gap triggering circuit in overvoltage protection device terminal with asymmetric element

Номер патента: RU2667895C2. Автор: Яромир СУЧЫ. Владелец: САЛТЕК С.Р.О.. Дата публикации: 2018-09-25.

Supply and control device for an electric appliance having a fluid-tight terminal with pin contacts, in particular a motor for a compressor of a household appliance

Номер патента: US20070237659A1. Автор: Dino Chirumbolo. Владелец: ITW Industrial Components SRL. Дата публикации: 2007-10-11.

Mobile terminal with shock absorber

Номер патента: RU2358351C2. Автор: Дзуне-Воок ДЗЕОНГ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2009-06-10.

Terminal with wire, manufacturing method of terminal with wire, and wire harness

Номер патента: US09954289B2. Автор: Tomonori Kawakami,Daisuke Miyakawa. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2018-04-24.

Mobile terminal with new type of antenna structure

Номер патента: US09947992B2. Автор: Yibo Chen,Xuefei Zhang. Владелец: Huawei Device Dongguan Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Docking station and mobile terminal with the same

Номер патента: US09898044B2. Автор: Ying-Jui Huang. Владелец: Nanning Fugui Precision Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Electricity storing/discharging device having multiple input/output electric conductive interface covered by electrode plate pair with multiple-sided electric conductive terminals with a single layer means

Номер патента: US09659715B2. Автор: Tai-Her Yang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-05-23.

Busbar design that terminates with sealed connector

Номер патента: US20220311177A1. Автор: Michael J. Skrzypczak,Dave G. Kotowski. Владелец: Littelfuse Inc. Дата публикации: 2022-09-29.

Conductor connection terminal with a plurality of spring-loaded clamping connections

Номер патента: US20240332833A1. Автор: Rudolf Mastel,Sergej Zier. Владелец: Wago Verwaltungs GmbH. Дата публикации: 2024-10-03.

Flexible connecting terminal with lever

Номер патента: RU2560088C2. Автор: Даниель ВАНЗЕТТО. Владелец: ШНЕЙДЕР ЭЛЕКТРИК ЭНДЮСТРИ САС. Дата публикации: 2015-08-20.

Portable information terminal with communication capabilities

Номер патента: US20050285804A1. Автор: Hideyuki Usui,Hiroaki Agata. Владелец: Lenovo Singapore Pte Ltd. Дата публикации: 2005-12-29.

Method of crimping terminal with cable and terminal crimping apparatus

Номер патента: US20200021074A1. Автор: Hideki Saito,Kazuhide Takahashi,Kei Sato. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2020-01-16.

Socket-type terminal with minimum insertion force characteristics, and a connector embodying such a terminal

Номер патента: CA1208730A. Автор: Sharanjit S. Aujla. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1986-07-29.

Snap-in terminal with wire guide

Номер патента: US4720272A. Автор: Remie P. Durand. Владелец: Chrysler Motors Corp. Дата публикации: 1988-01-19.

Arm assembly for sweeping neighboring wires of already inserted terminal for inserting a new terminals with wire into a connector cavity

Номер патента: US5697147A. Автор: Fumio Kato,Toshihiro Inoue,Takamichi Maejima,Hiroo Suzuki,Toshinori Igura,Yoshihisa Ohsumi,Takao Nakagame,Osamu Yamashima. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 1997-12-16.

Method of inserting terminal with wire and apparatus therefor

Номер патента: US5459924A. Автор: Fumio Kato,Toshihiro Inoue,Takamichi Maejima,Hiroo Suzuki,Toshinori Igura,Yoshihisa Ohsumi,Takao Nakagame,Osamu Yamashima. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 1995-10-24.

Terminal with ribbed contact spring

Номер патента: US20180294589A1. Автор: David Tracy Humphrey. Владелец: TE Connectivity Services GmbH. Дата публикации: 2018-10-11.

Button unit and mobile terminal with this unit

Номер патента: RU2341032C1. Автор: Санг-Ки ХОНГ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2008-12-10.

Method for manufacturing terminal with electric wire

Номер патента: US20170179663A1. Автор: Tomonori Kawakami,Daisuke Miyakawa. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2017-06-22.

Method of crimping terminal with cable and terminal crimping apparatus

Номер патента: US11152754B2. Автор: Hideki Saito,Kazuhide Takahashi,Kei Sato. Владелец: Yazaki Corp. Дата публикации: 2021-10-19.

Plasma doping for DRAM with deep trenches and hemispherical grains

Номер патента: US6475859B1. Автор: Helmut Horst Tews,Brian S. Lee,Joachim Hoepfner. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2002-11-05.

Integrated circuit device with deep trench isolation regions for all inter-well and intra-well isolation and with a shared contact to a junction between adjacent device diffusion regions andan underlying floating well section

Номер патента: US20100301419A1. Автор: Brent A. Anderson,Andres Bryant,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-12-02.

Integrated circuit device with deep trench isolation regions for all inter-well and intra-well isolation and with shared contact to junction between adjacent device diffusion regions and underlying floating well section

Номер патента: CN102428556B. Автор: B.A.安德森,A.布赖恩特,E.J.诺瓦克. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-12.

Method for forming via and contact holes with deep UV photoresist

Номер патента: US20030124464A1. Автор: Tsung-Chuan Chen,Ching-Tien Ma,Shew-Tsu Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2003-07-03.

Die-group package having a deep trench device

Номер патента: US20220367406A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

METHOD OF FORMING DEEP TRENCH AND DEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURE

Номер патента: US20170110409A1. Автор: KUO Fu-Chiang,KUO Shih-Chi,LEE Tsung-Hsien,CHEN Ying-Hsun. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Floating handling device and floating unit

Номер патента: TWI389834B. Автор: Yoshiyuki Wada,Kensuke Hirata,Kai Tanaka. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2013-03-21.

Transistor with deep Nwell implanted through the gate

Номер патента: US09865599B2. Автор: Mahalingam Nandakumar. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Method and apparatus for etching a deep trench

Номер патента: EP1420438A2. Автор: AJAY Kumar,Padmapani C. Nallan,Shu-Ting S. Hsu. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-05-19.

Mechanisms for forming image-sensor device with deep-trench isolation structure

Номер патента: US09666624B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Feng-Chi Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

Epitaxial semiconductor liner for enhancing uniformity of a charged layer in a deep trench and methods of forming the same

Номер патента: US20210391362A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-12-16.

Epitaxial semiconductor liner for enhancing uniformity of a charged layer in a deep trench and methods of forming the same

Номер патента: US20220328538A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Ru-Liang Lee,Yu-Hung Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Photodiode with deep trench isolation structures

Номер патента: US20240194714A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng,Kiok Boone Elgin Quek,Cancan Wu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-06-13.

Back side illuminated image sensor with deep trench isolation structures and self-aligned color filters

Номер патента: US09799697B2. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US12119364B2. Автор: Gang Chen,Chin Poh Pang. Владелец: Magvision Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2024-10-15.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR WITH DEEP TRENCH (DT) STRUCTURE AND METHOD IN A SILICON-ON-INSULATOR (SOI)

Номер патента: US20150021737A1. Автор: JR. John E.,Khan Babar A.,Barth,Ho Herbert L.,Peterson Kirk D.. Владелец: . Дата публикации: 2015-01-22.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH DEEP TRENCH CAPACITOR AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20170025418A1. Автор: Leobandung Effendi,Kanakasabapathy Sivananda K.,Wang Xinhui,Khan Babar A.,STANDAERT Theodorus E.,Chan Kevin K.,Kobayashi Masaharu. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-26.

BACK SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITH DEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURES AND SELF-ALIGNED COLOR FILTERS

Номер патента: US20180040661A1. Автор: CHEN Hsin-Chi,CHENG Yun-Wei,LEE Kuo-Cheng,Hsu Yung-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2018-02-08.

MECHANISMS FOR FORMING IMAGE-SENSOR DEVICE WITH DEEP-TRENCH ISOLATION STRUCTURE

Номер патента: US20150061062A1. Автор: HUNG FENG-CHI,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Lin Jeng-Shyan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Дата публикации: 2015-03-05.

MECHANISMS FOR FORMING IMAGE-SENSOR DEVICE WITH DEEP-TRENCH ISOLATION STRUCTURE

Номер патента: US20190103424A1. Автор: HUNG FENG-CHI,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Lin Jeng-Shyan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2019-04-04.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH DEEP TRENCH CAPACITOR AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150135156A1. Автор: Leobandung Effendi,Kanakasabapathy Sivananda K.,Wang Xinhui,Khan Babar A.,STANDAERT Theodorus E.,Chan Kevin K.,Kobayashi Masaharu. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-14.

MECHANISMS FOR FORMING IMAGE-SENSOR DEVICE WITH DEEP-TRENCH ISOLATION STRUCTURE

Номер патента: US20220293644A1. Автор: HUNG FENG-CHI,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Lin Jeng-Shyan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2022-09-15.

Microphone assembly having a direct current bias circuit with deep trench isolation

Номер патента: US20210195342A1. Автор: Michael Pedersen,Mohammad Shajaan,Mohsin Nawaz,Jakob Toft. Владелец: Knowles Electronics LLC. Дата публикации: 2021-06-24.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH DEEP TRENCH CAPACITOR AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20140264522A1. Автор: Leobandung Effendi,Kanakasabapathy Sivananda K.,Wang Xinhui,Khan Babar A.,STANDAERT Theodorus E.,Chan Kevin K.,Kobayashi Masaharu. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-09-18.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES WITH DEEP TRENCH CAPACITOR AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20160181249A1. Автор: Wehella-Gamage Deepal,DONATON Ricardo A.,Wang Xinhui,Khan Babar A.,Ho Herbert L.,Kang Donghun,BRIEND Guillaume D.. Владелец: . Дата публикации: 2016-06-23.

MECHANISMS FOR FORMING IMAGE-SENSOR DEVICE WITH DEEP-TRENCH ISOLATION STRUCTURE

Номер патента: US20160225802A1. Автор: HUNG FENG-CHI,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Lin Jeng-Shyan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2016-08-04.

MECHANISMS FOR FORMING IMAGE SENSOR DEVICE WITH DEEP-TRENCH ISOLATION STRUCTURE

Номер патента: US20170263659A1. Автор: HUNG FENG-CHI,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Lin Jeng-Shyan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2017-09-14.

BACK SIDE ILLUMINATED IMAGE SENSOR WITH DEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURES AND SELF-ALIGNED COLOR FILTERS

Номер патента: US20150311248A1. Автор: CHEN Hsin-Chi,CHENG Yun-Wei,LEE Kuo-Cheng,Hsu Yung-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2015-10-29.

Mechanisms for forming image-sensor device with deep-trench isolation structure

Номер патента: US20200303429A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Feng-Chi Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

MECHANISMS FOR FORMING IMAGE-SENSOR DEVICE WITH DEEP-TRENCH ISOLATION STRUCTURE

Номер патента: US20150349020A1. Автор: HUNG FENG-CHI,Yaung Dun-Nian,Liu Jen-Cheng,Lin Jeng-Shyan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd.. Дата публикации: 2015-12-03.

Back Side Illuminated Image Sensor with Deep Trench Isolation Structures and Self-Aligned Color Filters

Номер патента: US20200395395A1. Автор: CHEN Hsin-Chi,CHENG Yun-Wei,LEE Kuo-Cheng,Hsu Yung-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2020-12-17.

Integrated compact MEMS device with deep trench contacts

Номер патента: US8587077B2. Автор: Kun-Lung Chen. Владелец: WindTop Tech Corp. Дата публикации: 2013-11-19.

Mechanisms for forming image-sensor device with deep-trench isolation strucutre

Номер патента: KR101768377B1. Автор: 젠-쳉 리우,던-니안 양,젱-샨 린,펭-치 헝. Владелец: 타이완 세미콘덕터 매뉴팩쳐링 컴퍼니 리미티드. Дата публикации: 2017-08-30.

A microphone assembly incorporating a DC bias circuit with deep trench isolation

Номер патента: DE202020107185U1. Автор: . Владелец: Knowles Electronics LLC. Дата публикации: 2021-01-13.

Image sensor pixel with deep trench isolation structure

Номер патента: CN115692436A. Автор: 陈刚,焉逢运,张宜. Владелец: Beijing Hongtu Semiconductor Co ltd. Дата публикации: 2023-02-03.

Image sensor with deep trench isolation

Номер патента: DE602006003779D1. Автор: Howard E Rhodes. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2009-01-08.

High efficiency image sensor pixels with deep trench isolation structures and embedded reflectors

Номер патента: US9686457B2. Автор: Raminda Madurawe,William George GAZELEY. Владелец: Deutsche Bank AG New York Branch. Дата публикации: 2017-06-20.

Image sensor pixel with deep trench isolation structure

Номер патента: US20230131599A1. Автор: Gang Chen. Владелец: Magvision Semiconductor Beijing Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Mechanisms for forming image-sensor device with deep-trench isolation structure

Номер патента: US9318526B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Feng-Chi Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-04-19.

Mechanisms for forming image-sensor device with deep-trench isolation structure

Номер патента: US11973101B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Jeng-Shyan Lin,Feng-Chi Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-30.

Back Side Illuminated Image Sensor with Deep Trench Isolation Structures and Self-Aligned Color Filters

Номер патента: US20200395395A1. Автор: Hsin-Chi Chen,Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Photodiode with deep trench isolation structures

Номер патента: EP4386849A1. Автор: Eng Huat Toh,Ping Zheng,Kiok Boone Elgin Quek,Cancan Wu. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2024-06-19.

Complementary metal grid and deep trench isolation in CIS application

Номер патента: US09806116B2. Автор: Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu,Bo-Tsung TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Simultaneous formation of deep trench capacitor and resistor

Номер патента: EP1468441A1. Автор: Kwong Hon Wong,Irene Mcstay,Ashima B. Chakravarti,Satya N. Chakravarti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2004-10-20.

Cis structure with complementary metal grid and deep trench isolation and method for manufacturing the same

Номер патента: US20180026061A1. Автор: Tsung-Han Tsai,Yun-Wei Cheng,Chun-Hao Chou,Kuo-Cheng Lee,Yung-Lung Hsu,Bo-Tsung TSAI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-25.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240332347A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355871A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12148791B2. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Avalanche photodetector with deep-level-assisted impact ionization

Номер патента: CA3122673A1. Автор: David Hagan,Andrew Knights. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-24.

Avalanche photodetector with deep-level-assisted impact ionization

Номер патента: US20210408319A1. Автор: Andrew Peter Knights,David E. HAGAN. Владелец: MCMASTER UNIVERSITY. Дата публикации: 2021-12-30.

Deep trench and fabricating method thereof, trench capacitor and fabricating method thereof

Номер патента: TW200849488A. Автор: Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-12-16.

Extra doped region for back-side deep trench isolation

Номер патента: US20230335572A1. Автор: JHY-JYI SZE,Dun-Nian Yaung,Yu-Jen Wang,Ching-Chun Wang,Yuichiro Yamashita,Yen-Ting Chiang,Shyh-Fann Ting,Chun-Yuan Chen,Tzu-Jui WANG,Hsiao-Hui Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240063254A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240063255A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device with integrated deep trench capacitors

Номер патента: US20230260894A1. Автор: Chu-Wei Hu,Chien-Kai Huang,Tien-Yu Lu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-08-17.

Semiconductor device with integrated deep trench capacitors

Номер патента: EP4243066A1. Автор: Chu-Wei Hu,Chien-Kai Huang,Tien-Yu Lu. Владелец: MediaTek Inc. Дата публикации: 2023-09-13.

A multi-layer deep-trench capacitor

Номер патента: WO2024223776A1. Автор: Yasser A.A. Nour,Hoà Lê THANH,Ahmed Morsi AMMAR,Omer ALTAN. Владелец: Lotus Microsystems Aps. Дата публикации: 2024-10-31.

Image sensor including transfer gates in deep trenches

Номер патента: US09935142B2. Автор: Sung-Kun Park,Kwang HWANGBO. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

DEEP TRENCH CAPACITOR WITH A FILLED TRENCH AND A DOPED REGION SERVING AS A CAPACITOR ELECTRODE

Номер патента: US20190148481A1. Автор: TSUI FELIX YING-KIT,Huang Shih-Fen. Владелец: . Дата публикации: 2019-05-16.

DEEP ISOLATION TRENCH STRUCTURE AND DEEP TRENCH CAPACITOR ON A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20140120688A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,BOOTH,JR. ROGER A.,Ervin Joseph,Todi Ravi M.,Wang Geng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

Transmission gate circuitry for high voltage terminal

Номер патента: EP2586127A1. Автор: Wenzhong Zhang,Michael A. Stockinger,Jose A. Camarena. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2013-05-01.

High-voltage terminal with attached star rail and tolerance compensation

Номер патента: DE102021119870A1. Автор: Andreas Ruppert. Владелец: Schaeffler Technologies AG and Co KG. Дата публикации: 2023-02-02.

EXPLOSION PROOF TERMINAL FOR OUTDOOR HIGH VOLTAGE TERMINATION

Номер патента: FR3116957A1. Автор: Guillaume Genin,Volker Aue,Abdellatif Ait Amar,Tom BATTISTOLO,Eric ERNST. Владелец: Nexans SA. Дата публикации: 2022-06-03.

EXPLOSION PROOF TERMINAL FOR OUTDOOR HIGH VOLTAGE TERMINATION

Номер патента: FR3116958A1. Автор: Guillaume Genin,Volker Aue,Abdellatif Ait Amar,Tom BATTISTOLO,Eric ERNST. Владелец: Nexans SA. Дата публикации: 2022-06-03.

Clamp to enable low voltage switching for high voltage terminal applications

Номер патента: US20100327777A1. Автор: Huijuan Li,Abidur Rahman,Chienyu Huang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2010-12-30.

BATTERY SYSTEM HAVING A BATTERY WHICH CAN BE CONNECTED BY AT LEAST ONE OF ITS HIGH-VOLTAGE TERMINALS VIA A CONTACTOR, AND METHOD FOR SWITCHING SUCH A CONTACTOR

Номер патента: US20160332522A1. Автор: Steil Michael,Galamb Gergely. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-17.

High-voltage terminal unit - has combination of dielectric gas-filled breakers and accessible connections

Номер патента: FR2271685A1. Автор: . Владелец: Delle Alsthom SA. Дата публикации: 1975-12-12.

Truss bridge for a high voltage terminal

Номер патента: US3255301A. Автор: Christofferson James. Владелец: High Voltage Engineering Corp. Дата публикации: 1966-06-07.

Explosion-proof high-voltage terminal box

Номер патента: KR101158528B1. Автор: 강용주. Владелец: 강용주. Дата публикации: 2012-06-20.

Connection device and floating connection assembly

Номер патента: US20210376528A1. Автор: Yan Xu,Chung-Nan Pao,heng-shan Cheng,Xuan-Hao Chen. Владелец: Starconn Electronic Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Floating connector and floating connector assembly

Номер патента: EP4195423A1. Автор: Yoshinobu Yamamoto,Yuichi Uchiyama,Shunsuke Tasaka. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2023-06-14.

Floating connector and floating connector assembly

Номер патента: US20230178933A1. Автор: Yoshinobu Yamamoto,Yuichi Uchiyama,Shunsuke Tasaka. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Electrical connection assembly and floating connector

Номер патента: US20210376527A1. Автор: Yan Xu,Chung-Nan Pao,heng-shan Cheng,Xuan-Hao Chen. Владелец: Starconn Electronic Suzhou Co Ltd. Дата публикации: 2021-12-02.

Emitter with deep structuring on front and rear surfaces

Номер патента: US09824843B2. Автор: Christian Riedl. Владелец: Siemens Healthcare GmbH. Дата публикации: 2017-11-21.

Bus bar assembly and floating connector thereof

Номер патента: US20240154375A1. Автор: Guan-Chen Yin,Ching-Tang Chang. Владелец: Delta Electronics Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Coolerless and floating wavelength grid photonic integrated circuits (pics) for wdm transmission networks

Номер патента: CA2562790C. Автор: Masaki Kato,David F. Welch,Fred A. Kish, Jr.,Radhakrishnan L. Nagarajan,Drew D. Perkins. Владелец: Infinera Corp. Дата публикации: 2012-10-02.

Floating connector and floating connector assembly

Номер патента: US20230178934A1. Автор: Yoshinobu Yamamoto,Yuichi Uchiyama,Shunsuke Tasaka. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Floating connector and floating connector assembly

Номер патента: EP4195423B1. Автор: Yoshinobu Yamamoto,Yuichi Uchiyama,Shunsuke Tasaka. Владелец: Japan Aviation Electronics Industry Ltd. Дата публикации: 2024-03-20.

Mobile wireless communications device antenna assembly with antenna element and floating director element on flexible substrate and related methods

Номер патента: US09666935B2. Автор: Yihong Qi,Ying Tong Man,Adrian Cooke. Владелец: BlackBerry Ltd. Дата публикации: 2017-05-30.

DUAL TRENCH DEEP TRENCH BASED UNRELEASED MEMS RESONATORS

Номер патента: US20170170805A1. Автор: Wang Wentao,Weinstein Dana. Владелец: . Дата публикации: 2017-06-15.

Method of fabricating deep trench capacitor

Номер патента: US20020086481A1. Автор: Hsi-Chuan Chen,Hong-Hsiang Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Method for fabricating a deep trench capacitor of dram device

Номер патента: US20050277242A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

Gangway float for loating system for photovoltaic panels and floating system for photovoltaic panels

Номер патента: EP4372982A1. Автор: Emilio Pons Puig,Miguel Redón Santafé,Miguel Ángel DEL VECCHIO,Antonio Gómez González. Владелец: Isigenere SL. Дата публикации: 2024-05-22.

Transmitting communication complex of high-frequency and extremely-frequency ranges with deep-sunk and remote objects

Номер патента: RU2653110C1. Автор: Андрей Андреевич Катанович,Виктор Леонидович Муравченко,Вячеслав Александрович Цыванюк,Рубен Александрович Маркосян. Владелец: Закрытое акционерное общество "Проектно-конструкторское бюро "РИО". Дата публикации: 2018-05-07.

System for communication of the very-low-frequency and ultra-low-frequency range with deep-submerged and remote objects

Номер патента: RU2766153C1. Автор: Виктор Ефимович Пониматкин,Андрей Алексеевич Шпилевой,Александр Александрович Кужелев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" (БФУ им. И. Канта). Дата публикации: 2022-02-08.

Method for making deep trench capacitors for DRAMs with reduced faceting at the substrate edge and providing a more uniform pad Si3N4 layer across the substrate

Номер патента: US20020016035A1. Автор: Sheng-Fen Chiu,Chao-Chueh Wu,Jesse Chung,Hsiao-Lei Wang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2002-02-07.

Method for representing integer and floating point numbers in a binary orderable format

Номер патента: WO2006026318A3. Автор: Mark Warden Hervin,Michael B Early. Владелец: Michael B Early. Дата публикации: 2007-04-12.

Method for representing integer and floating point numbers in a binary orderable format

Номер патента: WO2006026318A2. Автор: Mark Warden Hervin,Michael B. Early. Владелец: Calpont Corporation. Дата публикации: 2006-03-09.

Ultra-low-frequency and extremely low-frequency communication system with deep-loaded and remote objects

Номер патента: RU2736926C1. Автор: Виктор Ефимович Пониматкин,Василий Александрович Майоров,Александр Александрович Кужелев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского Флота "Военно-морская академия имени Адмирала флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова". Дата публикации: 2020-11-23.

Apparatuses and methods to distinguish proprietary, non-floating and floating chargers for regulating charging currents

Номер патента: US9448259B2. Автор: Terrence Brian REMPLE,Devdutt PATNAIK,Jay Yu Jae CHOI,Ameya Kulkarni,Madjid Abdul Hamidi. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Deep trench structure and memory device having the same

Номер патента: US20050110066A1. Автор: Ming-Cheng Chang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-05-26.

Matrix completion and recommendation provision with deep learning

Номер патента: US11770571B2. Автор: Kourosh Modarresi,Jamie Mark Diner. Владелец: Adobe Inc. Дата публикации: 2023-09-26.

Process window enhancement for deep trench spacer conservation

Номер патента: US20030064600A1. Автор: Arnd Scholz. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-04-03.

Mobile communication terminal with improved user interface and method of controlling user interface

Номер патента: RU2363033C2. Автор: Мика РЁЙККЕ,Мерья ХЕЙНО,Ханну КОРХОНЕ. Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2009-07-27.

Terminal with function of token pass using sctp protocol, and token passage method for terminal using sctp protocol

Номер патента: RU2364032C1. Автор: Сеок-Дзоо КОХ,Донг-Пхил КИМ. Владелец: Киунгпоок Нэшнл Юниверсити Индастри-Академик Кооперейшн Фаундейшн. Дата публикации: 2009-08-10.

Device and method for functioning of multiple operating systems in mobile communication terminal with several modems

Номер патента: RU2530332C2. Автор: Канг-Хее КИМ,Хан-Кил ЙООН. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2014-10-10.

Mobile communication terminal with touch screen and method of inputting information using said touch screen

Номер патента: RU2444847C2. Автор: Фил САГОНГ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2012-03-10.

Communication terminal with camera

Номер патента: US20080051063A1. Автор: Takanobu Hisamitsu. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2008-02-28.

Method for registering a user terminal with a network-sliced communication network

Номер патента: US20240236909A1. Автор: Sandrine Lataste,Steve Tsang Kwong U. Владелец: ORANGE SA. Дата публикации: 2024-07-11.

Mobile communication terminal with an acoustic chamber for a hand-free speaker

Номер патента: WO2005120018A1. Автор: Cornelia Schrack. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2005-12-15.

Mobile terminal and method of pairing mobile terminal with hearing apparatus

Номер патента: US20150163585A1. Автор: Dong Wook Kim,Jong Hee Han,Jong Min Choi,See Youn Kwon,Yang Wook KIM,Jun Il Sohn,Jun Whon Uhm,Hee Suk SHIN,Ju Hwan WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-06-11.

Mobile terminal with a built-in voice message searching function and corresponding searching method

Номер патента: US09992321B2. Автор: Zheng DANG. Владелец: ZTE Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Mobile terminal with call function or texting function, or a function as a game terminal, game program and game method executed by mobile terminal

Номер патента: US09925467B2. Автор: Yoshinori Matsumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-03-27.

Mobile terminal with at least two transducers

Номер патента: US09888332B2. Автор: Gerard Douhet,Stephane Dufosse,Alain Guillotin. Владелец: DRNC Holdings Inc. Дата публикации: 2018-02-06.

Mobile terminal with call function or texting function, or a function as a game terminal, game program and game method executed by mobile terminal

Номер патента: US09730181B1. Автор: Yoshinori Matsumoto. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-08-08.

Mobile intelligent terminal with functions of smart phone and personal computer

Номер патента: US09635168B2. Автор: Shicheng Li,BO Yang,Meng SHAO,Guanglei Zhou,Huayang Xu,Ting Pu,Haijie Zhou. Владелец: Beijing Jiatuosi Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Mobile terminal and method of pairing mobile terminal with hearing apparatus

Номер патента: US09549240B2. Автор: Dong Wook Kim,Jong Hee Han,Jong Min Choi,See Youn Kwon,Yang Wook KIM,Jun Il Sohn,Jun Whon Uhm,Hee Suk SHIN,Ju Hwan WOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of creating functional information list in mobile terminal with two working and two standby modes

Номер патента: RU2416173C2. Автор: Яру Уанг,Яру Уанг (CN). Владелец: Зте Корпорейшн. Дата публикации: 2011-04-10.

Arrangement and method of the portable terminal with two subscriber identity module cards

Номер патента: RU2629362C2. Автор: Ин-Хо БАЕК. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2017-08-29.

Method for manufacturing the middle frame of the mobile terminal and the mobile terminal with the middle frame

Номер патента: RU2759285C2. Автор: Юаньцин ЦЗЭН. Владелец: Гуандун Оппо Мобайл Телекоммьюникейшнс Корп., Лтд.. Дата публикации: 2021-11-11.

Method for operation of an access control system comprising a server, at least one access control device and at least one device of a pos terminal, with respect to access rights for a zone covered by an access control system

Номер патента: RU2697734C1. Автор: Андерс МАЛЬМБОРГ,Алоис ХАРАЗЕК,Георг ДАХС,Петер ФЮРХАПТЕР. Владелец: Скидата Аг. Дата публикации: 2019-08-19.

Flexible gaskets for wireless terminals with sliding members

Номер патента: WO2007137627A1. Автор: Carl Magnus Waldt,Nils Gustav Fagrenius,Sven Rune Fredrik Palmqvist,Johan Martin Wedel,Eva Tina Ralin,Sten Ola Hakansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2007-12-06.

Flexible gaskets for wireless terminals with sliding members

Номер патента: US20120149448A1. Автор: Carl Magnus Waldt,Sven Rune Fredrik Palmqvist,Johan Martin Wedel,Eva Tina Ralin,Sten Ola Hakansson,Nils Gustav Fargrenius. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-06-14.

Flexible gaskets for wireless terminals with sliding members

Номер патента: US8145285B2. Автор: Carl Magnus Waldt,Nils Gustav Fagrenius,Sven Rune Fredrik Palmqvist,Johan Martin Wedel,Eva Tina Ralin,Sten Ola Hakansson. Владелец: SONY ERICSSON MOBILE COMMUNICATIONS AB. Дата публикации: 2012-03-27.

Mobile terminal with a built-in anamorphic lens

Номер патента: US20210096340A1. Автор: Wei Wu,Jie Li. Владелец: Guangdong Sirui Optical Co Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Mobile terminal with self performance diagnosis function and method thereof

Номер патента: EP1528763A1. Автор: Young-Ju Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-05-04.

Portable terminal with speaker device

Номер патента: US8351638B2. Автор: Jung-Won Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-01-08.

Computer-Implemented Method for Operating a Terminal with High Availability in a Network

Номер патента: US20240323074A1. Автор: Daniel SCHALL. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2024-09-26.

Trench and multiple pier architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: US20240312521A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Trench and multiple pier architecture for three-dimensional memory arrays

Номер патента: WO2024191628A1. Автор: Fabio Pellizzer,Lorenzo Fratin,Russell L. Meyer,Stephen W. Russell. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2024-09-19.

Method for detecting synchronized terminal with pose similar to reference pose data, method for transmitting message, and computer readable storage medium recorded with program therefor

Номер патента: US09877163B2. Автор: Yong Chang Seo. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-01-23.

Machine arranged for sawing micro trenches and placing ducts/cables in micro trenches

Номер патента: US09876337B2. Автор: Conny Gustavsson,Hasse Hultman. Владелец: DellCron AB. Дата публикации: 2018-01-23.

Method and system for connecting mobile communication terminal with access point

Номер патента: US09467851B2. Автор: Dong-Yun Shin,Du-Seok KIM,Giu-yeol Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-10-11.

Mobile communication terminal with horizontal and vertical display of menu and submenu structure

Номер патента: RU2396727C2. Автор: Нина МЯКИ,Катья КОНККА,Ромель АМИНЕХ,Микко НИРХАМО,Сами ПАЙХОНЕН,Хейкки ХАВЕРИ,Юха ПУСА,Катья ЛЕЙНОНЕН,Нина МЯКИ (FI),Ромель АМИНЕХ (DK),Микко НИРХАМО (FI),Сами ПАЙХОНЕН (FI),Хейкки ХАВЕРИ (FI),Юха ПУСА (FI),Катья ЛЕЙНОНЕН (FI),Катья КОНККА (FI). Владелец: Нокиа Корпорейшн. Дата публикации: 2010-08-10.

Terminal with adjustable screen size

Номер патента: US12028467B2. Автор: Yan Zhu,Shipeng Li,Jianwei Wang,Luqian ZHOU,Shiuanhung Lee,Fuqiang Ye,Tianyuan Shi. Владелец: JRD Communication Shenzhen Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Communication terminal with indirect audio response function

Номер патента: WO2000065733A1. Автор: Chang Rae Kim. Владелец: Idea Park Co., Ltd.. Дата публикации: 2000-11-02.

Correction of image captured by camera of portable terminal with image reading device or image forming apparatus

Номер патента: US10708465B2. Автор: Masaki Takahashi,Nobuaki Takahashi,Hiromasa Tanaka,Akihiro Moro,Takahiro Fuchigami,Sunao Tabata,Naomi Nakane. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2020-07-07.

Methods, mechanisms, and computer-readable storage media for unlocking applications on a mobile terminal with a sliding module

Номер патента: EP3640828A1. Автор: Zhaoqin LIN. Владелец: Beijing Xiaomi Mobile Software Co Ltd. Дата публикации: 2020-04-22.

Communication terminal with TV telephone function

Номер патента: US20040095483A1. Автор: Hiroshi Masuno. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2004-05-20.

Mobile terminal with touch screen and method of processing data using the same

Номер патента: US09973612B2. Автор: Joohee Son,Seunghwan Son,Hyojin Suh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2018-05-15.

Mobile terminal with possibility of conducting operation with screen image and functioning method

Номер патента: RU2635358C2. Автор: Мин Вук НА,Дзонг Воо ШИН,Канг Сик ЧОИ,Мин Соо КВОН,Дзее Йеун ВАНГ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2017-11-13.

Hinged joint and mobile terminal with hinged joint

Номер патента: RU2339163C2. Автор: Чхун-Чэ ЛИ. Владелец: Эл Джи Электроникс Инк.. Дата публикации: 2008-11-20.

Mobile terminal with horizontality display function

Номер патента: US20070193047A1. Автор: Hyun Joon Kim,Kyoung Soo CHAE,Ghun Hahm,Sung Whan CHO. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2007-08-23.

Interactive information terminal with variable form

Номер патента: US11950381B2. Автор: Kesong Zhou,Zhicheng PENG. Владелец: Guangzhou Shirui Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-04-02.

Hinge device of portable terminal with foldable structure

Номер патента: US20240129386A1. Автор: Chang Soo Kim,Sung Chun Hong,Hyun Taek Jung. Владелец: Fine M Tec Co ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Mobile terminal with unlock function

Номер патента: US10834247B2. Автор: Xiaojun Liu,Minsheng Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-11-10.

Mobile terminal with unlock function

Номер патента: US20200204672A1. Автор: Xiaojun Liu,Minsheng Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-06-25.

Mobile terminal with navigation function

Номер патента: US7822545B2. Автор: Ryo Fukazawa,Atsuhiko Kanda. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2010-10-26.

Mobile terminal with at least two transducers

Номер патента: CA2533170C. Автор: Gerard Douhet,Stephane Dufosse,Alain Guillotin. Владелец: DRNC Holdings Inc. Дата публикации: 2015-01-06.

Portable terminal with the function of walking navigation

Номер патента: US20020165662A1. Автор: Shigeru Shimada,Kishiko Maruyama,Toshiichirou Sasaki. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 2002-11-07.

Mobile radio terminal with SMS function for transmitting short message and method for controlling the same

Номер патента: US6161020A. Автор: Jong-Joo Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2000-12-12.

Position estimation of a terminal and another related entity based upon establishment or termination of connections of said terminal with said entity

Номер патента: WO2005027565A1. Автор: Dirk Trossen,Dana Pavel,Ora Lassila. Владелец: Nokia Corporation. Дата публикации: 2005-03-24.

System and method of interlocking vehicle terminal with portable terminal

Номер патента: US9367969B2. Автор: Sung Woo Park. Владелец: Hyundai Motor Co. Дата публикации: 2016-06-14.

Hinge device of portable terminal with foldable structure

Номер патента: US20230393632A1. Автор: Chang Soo Kim,Sung Chun Hong,Hyun Taek Jung. Владелец: Fine M Tec Co ltd. Дата публикации: 2023-12-07.

Fiber optic terminals with wavelength division multiplexing and physical path redundancy

Номер патента: US20230418014A1. Автор: Raman Kumar Selli. Владелец: Corning Research and Development Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

Seal assembly for a port of an enclosure that permits a cable terminated with a connector to be inserted into and removed from the port with the connector attached to the cable

Номер патента: US20240111110A1. Автор: Henry SAUVAIN. Владелец: PPC Broadband Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Communication terminal with camera

Номер патента: US8417281B2. Автор: Takanobu Hisamitsu. Владелец: Kyocera Corp. Дата публикации: 2013-04-09.

Portable terminal with a position automatic informing function

Номер патента: US20130165162A1. Автор: Hiroshi Yasutake. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2013-06-27.

Flexible gaskets for wireless terminals with sliding members

Номер патента: US20090312077A1. Автор: Carl Magnus Waldt,Nils Gustav Fagrenius,Sven Rune Fredrik Palmqvist,Johan Martin Wedel,Eva Tina Ralin,Sten Ola Hakansson. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-12-17.

Seal assembly for a port of an enclosure that permits a cable terminated with a connector to be inserted into and removed from the port with the connector attached to the cable

Номер патента: WO2024076544A1. Автор: Henry SAUVAIN. Владелец: PPC BROADBAND, INC.. Дата публикации: 2024-04-11.

Rotating mechanism, support apparatus, and terminal with foldable screen

Номер патента: US20240218902A1. Автор: Wei Zhang,LEI FENG,Wenxing YAO,Yameng WEI. Владелец: Honor Device Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Method for providing access terminal with access information

Номер патента: RU2447618C2. Автор: Кристофер Франсис МУНИ,Дейвид Алберт РОССЕТТИ,Цзайлинь ЗОУ. Владелец: Лусент Текнолоджиз Инк.. Дата публикации: 2012-04-10.

Terminal with support multiple modes and method of handover for that terminal

Номер патента: RU2614383C2. Автор: Чжэнлинь ЧЖОУ. Владелец: ЗетТиИ Корпорейшн. Дата публикации: 2017-03-24.

Telephone cable entrance terminal with internal fuse link

Номер патента: CA1192980A. Автор: Harold Johnston,Zygmunt S. Lask,Richard E. Benoit. Владелец: Northern Telecom Ltd. Дата публикации: 1985-09-03.

Internet access control method in a mobile communication terminal with a built-in web browser

Номер патента: US7333802B2. Автор: Jeong-Kyu Moon. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-02-19.

Portable terminal with position-variable display and method

Номер патента: EP1542433A1. Автор: KIM Jong-Cheol,Park Hyun-Sook,KIM Jee-Yeon,LEE Seung-Il,Hong Byeong-Sung,Choi Hye-Jeong. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2005-06-15.

Interactive television terminal with programmable audio or video

Номер патента: CA2014796A1. Автор: Lee R. Johnson,Elizabeth A. Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-10-20.

Portable terminal with camera lens assembly

Номер патента: US20080020809A1. Автор: Kwan-Bo PARK. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2008-01-24.

Portable terminal with rfid tag and method for providing local service using rfid tag thereof

Номер патента: US20100156609A1. Автор: Seungmin Park,Jiyong Kim. Владелец: Electronics and Telecommunications Research Institute ETRI. Дата публикации: 2010-06-24.

Telephone terminal with alarm

Номер патента: US7062023B2. Автор: Takeshi Izaki. Владелец: Brother Industries Ltd. Дата публикации: 2006-06-13.

Correction of image captured by camera of portable terminal with image reading device or image forming apparatus

Номер патента: US10491780B2. Автор: Masaki Takahashi,Nobuaki Takahashi,Hiromasa Tanaka,Akihiro Moro,Takahiro Fuchigami,Sunao Tabata,Naomi Nakane. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2019-11-26.

Integrated circuit semiconductor devices including channel trenches and related methods of manufacturing

Номер патента: US8686393B2. Автор: Daewon HA,Jihyung Yu,Song yi Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-04-01.

Machine for sawing trenches and placing ducts/cables

Номер патента: EP2847836A1. Автор: Conny Gustavsson,Hasse Hultman. Владелец: DellCron AB. Дата публикации: 2015-03-18.

Monitoring circuit for battery mounted in motor car, has two terminals through which monitoring circuit is connected with high-voltage terminals of contactor, so as to determine the contact resistance of contactor

Номер патента: DE102012215063A1. Автор: Sven Bergmann,Stefan Butzmann. Владелец: Samsung SDI Co Ltd. Дата публикации: 2014-02-27.

Ignition distributor with integral common electrode, shaft bearing and high voltage terminal connector

Номер патента: CA1149848A. Автор: David H. Fox,Charles C. Kostan. Владелец: Ford Motor Company of Canada Ltd. Дата публикации: 1983-07-12.

Method of hydroponic growing of plants, device for method implementation and floating platform of this device

Номер патента: RU2730648C1. Автор: Николай Иванович Туркин,Алексей Алексеевич Мурашов,Павел Валерьевич Садовников,Павел Павлович Потапов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ПЛАСТОПОНИКА". Дата публикации: 2020-08-24.

Aquafarming system and float therefor

Номер патента: EP3626073A1. Автор: Steen Nicholas Gunderson. Владелец: Bouctouche Bay Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-25.

Aquafarming system and float therefor

Номер патента: CA3055934A1. Автор: Steen Nicholas Gunderson. Владелец: Bouctouche Bay Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-20.

Tube and float systems for density-based fluid separation

Номер патента: WO2012166634A3. Автор: Timothy Alan Abrahamson. Владелец: RareCyte, Inc.. Дата публикации: 2013-03-28.

Pipe for use with deep well

Номер патента: RU2698242C1. Автор: Томас ВИТУЛЬСКИ,Петер Кауфманн,Иоахим БЕККЕР,Райнхарт ДОМКЕ. Владелец: Отто Фукс-Коммандитгезельшафт. Дата публикации: 2019-08-23.

Communication system of ultra-low frequency and ultra-rare-frequency bands with deep-loaded and remote objects -7

Номер патента: RU2692931C1. Автор: Виктор Ефимович Пониматкин,Александр Александрович Кужелев. Владелец: Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Балтийский федеральный университет имени Иммануила Канта" (БФУ им. И. Канта). Дата публикации: 2019-06-28.

Basic element of water transport, floating tow of such elements and floating raft of such tows

Номер патента: RU2551827C2. Автор: Деже Имре ШКРИПЕЦ,Деже ШКРИПЕЦ. Владелец: Деже ШКРИПЕЦ. Дата публикации: 2015-05-27.

Device for transporting a production module and floating it on a stationary marine support base of single-column type

Номер патента: RU2719053C1. Автор: Андрей Владимирович Гуменюк,Сергей Владимирович Вербицкий,Павел Андреевич Лопашев,Александра Валерьевна Ермолина. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Крыловский государственный научный центр" (ФГУП Крыловский государственный научный центр"). Дата публикации: 2020-04-17.

Method for administering medicinal mixture in patients with deep vein thrombosis

Номер патента: RU2719407C1. Автор: Юрий Михайлович Морозов,Борис Семёнович Суковатых,Михаил Борисович Суковатых,Алексей Викторович Середицкий,Мурат Ибрагимович Борлаков,Вадим Феликсович Мурадян,Андрей Михайлович Азаров,Андрей Аркадьевич Лапинас,Артак Рудольфович Хачатрян,Елизавета Михайловна Волчкова. Владелец: Елизавета Михайловна Волчкова. Дата публикации: 2020-04-17.

Storage tank inner wall and floating disc totally enclosed apparatus

Номер патента: US20240262613A1. Автор: Zhixue Wang,Botao Li,Jingyan Li. Владелец: Hebei Everest Instrument Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Programmable Device Implementing Fixed and Floating Point Functionality in a Mixed Architecture

Номер патента: US20220027128A1. Автор: Martin Langhammer,Keone Streicher,Yi-Wen Lin,Hyun Yi. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2022-01-27.

Programmable device implementing fixed and floating point functionality in a mixed architecture

Номер патента: US09507565B1. Автор: Martin Langhammer,Keone Streicher,Yi-Wen Lin,Hyun Yi. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

SUPER-ELASTIC BITE MODULE "NiTi Bite" FOR TREATMENT OF PATIENTS WITH DEEP CUTTING OCCLUSION / DISOCLUSION (DEEP INCISOR OVERBITE)

Номер патента: RU2740700C1. Автор: Гаянэ Дерениковна Майтесян,Максим Андреевич Колесов,Роман Дмитриевич Карелин. Владелец: Роман Дмитриевич Карелин. Дата публикации: 2021-01-19.

Method for temporary minimally invasive fixation of multiple and floating rib fractures

Номер патента: RU2718755C1. Автор: Виталий Юрьевич Маркевич,Василий Вячеславович Суворов,Александр Борисович Вертий,Алексей Викторович Гончаров,Виктор Григорьевич Золотарь,Азамат Александрович Куженьязов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное военное образовательное учреждение высшего образования "Военно-медицинская академия имени С.М. Кирова" Министерства обороны Российской Федерации (ВМедА). Дата публикации: 2020-04-14.

Razor and floating cutting head design

Номер патента: RU2762888C1. Автор: Фаньди МЭН,Юньфэн ЦЮ. Владелец: Шэньчжэнь Сукас Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2021-12-23.

Buffy coat tube and float system and method

Номер патента: CA2500751C. Автор: Thomas Haubert,Stephen Wardlaw. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 2012-01-17.

Method of finally assembling ball cock guide and float subassembly

Номер патента: US3624893A. Автор: Adolf Schoepe,Fredric E Schmuck. Владелец: Individual. Дата публикации: 1971-12-07.

Computer system of unsupervised learning with deep similarity for optical flow estimation and method thereof

Номер патента: US20220366669A1. Автор: Tae Kyun Kim,Sung-Eui YOON,Woobin IM. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2022-11-17.

Controlling multicomputer interaction with deep learning and artificial intelligence

Номер патента: AU2022409327A1. Автор: Kamin L. BOUGUYON,Maria T. JOHNSON,Aaron M. TATE. Владелец: University of Texas System. Дата публикации: 2024-07-25.

Controlling multicomputer interaction with deep learning and artificial intelligence

Номер патента: CA3240973A1. Автор: Kamin L. BOUGUYON,Maria T. JOHNSON,Aaron M. TATE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-06-22.

Method for process fluid purification from mechanical impurities and floating liquid medium

Номер патента: RU2626833C1. Автор: Александр Сергеевич Кондратьев,Павел Петрович Швыдько. Владелец: Александр Сергеевич Кондратьев. Дата публикации: 2017-08-02.

Installation for cleaning technological liquid from mechanical impurities and floating liquid medium

Номер патента: RU2632684C1. Автор: Александр Сергеевич Кондратьев,Павел Петрович Швыдько,Тыонг Линь Ньа. Владелец: Александр Сергеевич Кондратьев. Дата публикации: 2017-10-09.

Desorption unit (evaporation) with deep heat recovery

Номер патента: RU2723874C1. Автор: Сергей Леонидович Терентьев,Дмитрий Викторович Рубцов. Владелец: Дмитрий Викторович Рубцов. Дата публикации: 2020-06-17.

System, method, and apparatus for interchangeably accommodating both fixed and floating takeout inserts

Номер патента: CA2603023C. Автор: David Jack Lang. Владелец: Poco Graphite Inc. Дата публикации: 2013-01-08.

Method of manufacturing sheet and float glass at high production rates

Номер патента: US3833388A. Автор: J Jones,S Ohlberg. Владелец: PPG Industries Inc. Дата публикации: 1974-09-03.

Lateral water intake structure for preventing silting of bed load and floating debris

Номер патента: US11326318B2. Автор: YE Yin,Qin Lu,Xinlei GUO,Cuihua Chen,Tianjie Lei,Dangwei Wang,Anjun Deng,Qingchao Guo,Hantao Wang,Hongling Shi. Владелец: China Yangtze Power Co Ltd. Дата публикации: 2022-05-10.

Oxalic acid vaporizer with integral body tube, detachable proximal end air nozzle, and floating heating element

Номер патента: US20180317458A1. Автор: Edik A. Puzankov,Andrey Puzankov,Daniel Khashchuk. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-11-08.

Unified integer and floating-point compare circuitry

Номер патента: US09846579B1. Автор: Terence M. Potter,Andrew M. Havlir,Liang-Kai Wang. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Cogeneration unit with deep waste energy disposal of thermal engine

Номер патента: RU2630284C1. Автор: Александр Анатольевич Павлов,Александр Викторович Жаров,Леонид Владимирович Смирнов,Иван Владелинович Костылев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Ярославский государственный технический университет" (ФГБОУВО "ЯГТУ"). Дата публикации: 2017-09-06.

Complex for investigation of electrochemical characteristics of ship hull structures and floating technical structures

Номер патента: RU2695961C1. Автор: Анна Владимировна Родькина,Ольга Александровна Иванова,Вероника Ростиславовна Душко,Вадим Александрович Крамарь. Владелец: Вадим Александрович Крамарь. Дата публикации: 2019-07-29.

Improvements relating to sink-and-float coal washing plants

Номер патента: GB667754A. Автор: . Владелец: Carves Simon Ltd. Дата публикации: 1952-03-05.

A method for excavating steep-sided, narrow, deep trenches in the sea-bottom under water by means of an excavator, and apparatus for carrying out the method

Номер патента: GB2172035A. Автор: Paul Martin Hofmeester. Владелец: Individual. Дата публикации: 1986-09-10.

Method and apparatus for performing integer and floating point division using a single SRT divider in a data processor

Номер патента: US5272660A. Автор: Paul C. Rossbach. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 1993-12-21.

Improvements in or relating to sink-and-float separating apparatus

Номер патента: GB741123A. Автор: . Владелец: ROBERT STANLEY BAILEY. Дата публикации: 1955-11-30.

Liquid-gas accumulator and float valve

Номер патента: CA1192117A. Автор: Douwe De Vries. Владелец: Individual. Дата публикации: 1985-08-20.

Instruction set for bi-directional conversion and transfer of integer and floating point data

Номер патента: US20010042194A1. Автор: Timothy Elliott,G. Henry. Владелец: IP First LLC. Дата публикации: 2001-11-15.

Edge preserving image smoothing benchmark system with deep convolutional neural network

Номер патента: AU2020102385A4. Автор: Anand Nayyar,Noor Zaman Jhanjhi,Mahesh Bhimsham Dembrani,Tushar Hrishikesh Jaware,Bandana Mahapatra,Arun Solanki. Владелец: Jhanjhi Noor Zaman Dr. Дата публикации: 2020-11-05.

Method of knee joint arthrodesis with deep periendoprosthetic infection using intramedullary reinforced antibacterial cement implant

Номер патента: RU2711977C1. Автор: Алексей Алексеевич Новиков,Леонид Борисович Резник,Герман Григорьевич Дзюба,Константин Юрьевич Рожков. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Омский государственный медицинский университет" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ФГБОУ ВО ОмГМУ Минздрава России). Дата публикации: 2020-01-23.

Tank with reinforced corrugated membrane and floating structure with such tank

Номер патента: RU2535293C2. Автор: Мокран ЯТАГИН,Бруно ДЕЛЕТР,Гэри КАНЛЕР. Владелец: ГАЗТРАНСПОР э ТЕКНИГАЗ. Дата публикации: 2014-12-10.

Surgical treatment of glaucoma using the method of sinus trabeculectomy with basal iridectomy in combination with deep sclerectomy and activation of uveoscleral tract with autosclera

Номер патента: RU2674088C1. Автор: Александр Михайлович Фролов,Михаил Александрович Фролов,Андрей Васильевич Рябей. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Российский университет дружбы народов" (РУДН). Дата публикации: 2018-12-04.

Method for scalp and dura mater repair with deep burns of cranial vault

Номер патента: RU2720484C1. Автор: Вадим Анатольевич Мануковский,Константин Владимирович Тюликов,Евгений Владимирович Зиновьев,Петр Георгиевич Туниманов,Виталий Викторович Солошенко,Денис Валерьевич Костяков,Павел Валерьевич Чечулов,Дмитрий Алексеевич Беляев,Игорь Владимирович Степанищев,Павел Павлович Карасенко. Владелец: Государственное бюджетное учреждение Санкт-Петербургский научно-исследовательский институт скорой помощи им. И.И. Джанелидзе. Дата публикации: 2020-04-30.

Frc occlusion processing with deep learning

Номер патента: RU2747965C1. Автор: Игорь Миронович Ковлига,Петр ПОГЛ,Сергей Дмитриевич ИЛЬИЧЕВ,Кристина Олеговна РАКОВА. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2021-05-18.

Method of improvement of the human organism with deep liver cleansing

Номер патента: RU2651079C1. Автор: Ольга Ивановна Устинова,Владимир Андреевич Устинов. Владелец: Устинов Сергей Владимирович. Дата публикации: 2018-04-18.

Processor for fine-grain sparse integer and floating-point operations

Номер патента: US11861328B2. Автор: Joseph H. Hassoun,Ali Shafiee Ardestani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Solar powered and floating evaporator

Номер патента: EP2222604A1. Автор: Tom Juul Andersen. Владелец: TJA Holding APS. Дата публикации: 2010-09-01.

Processor for fine-grain sparse integer and floating-point operations

Номер патента: EP4002092A1. Автор: Joseph H. Hassoun,Ali Shafiee Ardestani. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-25.

Pumping and floating pistons coated with a barrier layer

Номер патента: EP1673291A2. Автор: Hans GlaxoSmithKline KRAEMER. Владелец: GlaxoSmithKline Consumer Healthcare GmbH and Co KG. Дата публикации: 2006-06-28.

A device and method used for scoring the conformity of ultrasonography image marked/scored with deep learning, machine learning, artificial intelligence techniques

Номер патента: WO2022220779A1. Автор: Utku KAYA. Владелец: Smart Alfa Teknoloji As. Дата публикации: 2022-10-20.

A method for the model-independent solution of inverse problems with deep learning in image/video processing

Номер патента: EP4272170A1. Автор: Hasan Fehmi ATE,Bahadir Kür at GÜNTÜRK. Владелец: Istanbul Medipol Universitesi Teknoloji Transfer Ofisi AS. Дата публикации: 2023-11-08.

Processor for fine-grain sparse integer and floating-point operations

Номер патента: EP4002093A1. Автор: Ali Shafiee Ardestani,Joseph HASSOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-25.

Processor for fine-grain sparse integer and floating-point operations

Номер патента: US20220147312A1. Автор: Ali Shafiee Ardestani,Joseph HASSOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-05-12.

A method for the model-independent solution of inverse problems with deep learning in image/video processing

Номер патента: WO2022146361A1. Автор: Bahadir Kursat Gunturk,Hasan Fehmi Ates. Владелец: Istanbul Medipol Universitesi Teknoloji Transfer Ofisi Anonim Sirketi. Дата публикации: 2022-07-07.

A method for the model-independent solution of inverse problems with deep learning in image/video processing

Номер патента: US20240320485A1. Автор: Bahadir Kursat Gunturk,Hasan Fehmi Ates. Владелец: Istanbul Medipol Universitesi Teknoloji Transfer Ofisi AS. Дата публикации: 2024-09-26.

Fixed point and floating point computation units using commonly shared control fields

Номер патента: US4476537A. Автор: Jonathan S. Blau,James B. Stein. Владелец: Data General Corp. Дата публикации: 1984-10-09.

Optimized hvac control using domain knowledge combined with deep reinforcement learning (drl)

Номер патента: EP4170439A1. Автор: Supriya Agrawal,Sagar Kumar VERMA,Srinarayana NAGARATHINAM,Rajesh Jayaprakash,Venkatesh Ramanathan,Ulka Shrotri,Aabriti Dutta. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2023-04-26.

Cost-sensitive classification with deep learning using cost-aware pre-training

Номер патента: WO2017044189A1. Автор: Shao-Wen Yang,Guang-He Lee,Yu-An Chung. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2017-03-16.

Optimized hvac control using domain knowledge combined with deep reinforcement learning (drl)

Номер патента: US20230125620A1. Автор: Supriya Agrawal,Sagar Kumar VERMA,Srinarayana NAGARATHINAM,Rajesh Jayaprakash,Venkatesh Ramanathan,Ulka Shrotri,Aabriti Dutta. Владелец: Tata Consultancy Services Ltd. Дата публикации: 2023-04-27.

Tank with reinforced corrugated membrane and floating structure comprising such tank

Номер патента: RU2533271C2. Автор: Мокран ЯТАГИН,Бруно ДЕЛЕТР,Гэри КАНЛЕР. Владелец: ГАЗТРАНСПОР э ТЕКНИГАЗ. Дата публикации: 2014-11-20.

Communication system of ultra-low frequency and extremely-frequency range with deep-seated and remote objects - 6

Номер патента: RU2626070C1. Автор: Виктор Ефимович Пониматкин,Василий Александрович Майоров,Вячеслав Леонидович Евстратов,Александр Александрович Кужелев,Евгений Владимирович Романченко. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского флота "Военно-Морская академия" имени адмирала флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова". Дата публикации: 2017-07-21.

Harvester lift and float mechanism

Номер патента: CA1083833A. Автор: George B. Cicci. Владелец: International Harverster Corp. Дата публикации: 1980-08-19.

Bell chamber and float type flush system

Номер патента: GB2275935A. Автор: James Charles Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 1994-09-14.

Device for discharge limitation and simultaneous temporary storage of waste water and also separation of settleable and floating matter from foul water and such a method

Номер патента: US5597492A. Автор: Anton Felder. Владелец: Individual. Дата публикации: 1997-01-28.

Increasing user interaction with deep learning agent

Номер патента: US11900110B2. Автор: Paul Golding. Владелец: Prosper Funding LLC. Дата публикации: 2024-02-13.

Processor for fine-grain sparse integer and floating-point operations

Номер патента: US11861327B2. Автор: Ali Shafiee Ardestani,Joseph HASSOUN. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-01-02.

Dihedral trapezoidal lifting and floating integrated aircraft

Номер патента: CA3132892C. Автор: Hua Wang,Weiping Zhang. Владелец: Hangzhou Nicewing Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-01-02.

Utility decomposition with deep corrections

Номер патента: US20190310632A1. Автор: Alireza Nakhaei Sarvedani. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2019-10-10.

Simulation learning-based drowsy driving simulation platform system and method for detecting careless driving in conjunction with deep learning

Номер патента: US20230057662A1. Автор: A Ra Choi. Владелец: Hyundai Mobis Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-23.

Numerically Estimating A Pre-stamped Shape Of A Workpiece Used For Manufacturing A Product/Part With Deep Draw Metal Stamping

Номер патента: US20200380087A1. Автор: Xinhai Zhu,Houfu Fan,Jinglin Zheng. Владелец: Livermore Software Technology LLC. Дата публикации: 2020-12-03.

System and method for f0 transfer learning for improving f0 prediction with deep neural network models

Номер патента: US20190392815A1. Автор: Aravind GANAPATHIRAJU,Elluru Veera Raghavendra. Владелец: Bank of America NA. Дата публикации: 2019-12-26.

Embedded display panels and terminals with touch function, and touch detecting method

Номер патента: US09619075B2. Автор: Ruhai Fu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-11.

Apparatus, method, program and interface for emulation system of terminals with control by sensor screen

Номер патента: RU2683161C1. Автор: Ашот Эрнстович Кочарян. Владелец: Ашот Эрнстович Кочарян. Дата публикации: 2019-03-26.

Methods for creating shower pan assemblies with mortar bed or other hand made floors and prefabricated trenches and resulting assemblies

Номер патента: US20140041112A1. Автор: Joseph R. Cook. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-02-13.

Systems and methods for designing foam trench and hog ring window

Номер патента: US20150006116A1. Автор: Umesh Prakash Handigol,Mohammad Asger Ali Shaik. Владелец: Infosys Ltd. Дата публикации: 2015-01-01.

Bracket for terminal with camera module

Номер патента: US09971232B2. Автор: Jaehyun Jeong. Владелец: Mypove Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Multi-electrode conductive probe, manufacturing method of insulating trenches and measurement method using multi-electrode conductive probe

Номер патента: US09739802B2. Автор: Bernard HaoChih LIU,Chun-Chieh TIEN,Jui-Teng Cheng,Yu-Lun Cheng. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2017-08-22.

Portable terminal with music performance function and method for playing musical instruments using portable terminal

Номер патента: US09480927B2. Автор: Tae Yong Kim,Joong Sam Yun,Sung Su Kim,Byung Sung Kim,Myoung Ji NAM,Seung Hye YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-01.

Data terminal with a connection structure of USB interface

Номер патента: US09418036B2. Автор: Bin Zeng,Jian Xiao. Владелец: Huawei Device Co Ltd. Дата публикации: 2016-08-16.

Method and device for display screen of mobile terminal with touch-sensitive screen

Номер патента: RU2595521C2. Автор: Сеунг Миунг ЛИ. Владелец: САМСУНГ ЭЛЕКТРОНИКС КО., ЛТД.. Дата публикации: 2016-08-27.

Display terminal with modularly attachable features

Номер патента: CA1111568A. Автор: William F. Nemecek,Dean A. Stockwell,Harry Cheselka. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1981-10-27.

Interactive display terminal with alternating data processing and text processing sessions with text processing status line operable during data processing session

Номер патента: CA1172374A. Автор: Silous F. Clements,Patrick D. Motola,Robert Amezcua,Richard P. Dachowski. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1984-08-07.

Insulator of railway terminal with two stable positions for position of readiness, initial or previously loaded position and set, loaded or final position

Номер патента: RU2527629C2. Автор: Хосе Рикардо МЕДИАВИЛЛА. Владелец: Амстед Рэйл Ко. Инк. Дата публикации: 2014-09-10.

System and method for gaming terminal with account funding

Номер патента: EP2089862A2. Автор: William J. Huntley,Aman Safaei,Brooks H. Pierce,Louis F Skelton. Владелец: Scientific Games Holdings Ltd. Дата публикации: 2009-08-19.

Terminal with position-measuring functions

Номер патента: US7152015B2. Автор: Yoshihisa Manzen. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-12-19.

Embedded display panels and terminals with touch function, and touch detecting method

Номер патента: US20160162097A1. Автор: Ruhai Fu. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2016-06-09.

Method for configuring pin-out of nondirectional usb terminal assembly for measuring electrocardiogram and electrocardiogram measurement device and electrode device having nondirectional usb terminal with pin-out configured by the method

Номер патента: US20220079489A1. Автор: Tae-Hwan ROH,Young-Ho Choi,Ki-Seok Song. Владелец: Healthrian Co Ltd. Дата публикации: 2022-03-17.

Pressure sensing device, pressure sensing method and electronic terminal with compact structure and high sensitivity

Номер патента: US11940337B2. Автор: HAO LI,Xuepeng LIN. Владелец: Shenzhen New Degree Technology Co Ltd. Дата публикации: 2024-03-26.

Watch-type terminal with optical sensor equipped on side part

Номер патента: US20230333516A1. Автор: Heon Jeong LEE. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2023-10-19.

Terminal with position-measuring functions

Номер патента: EP1491911A3. Автор: Yoshihisa c/o NEC Corporation Manzen. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2006-05-24.

Offshore terminal with underwater foundation

Номер патента: US3800547A. Автор: D Dutta,K Wurker. Владелец: Mannesmannroehren Werke AG. Дата публикации: 1974-04-02.

Low-foaming, biodegradable alkoxylation products terminated with glycerine ether radicals, and a process for their preparation

Номер патента: CA1173861A. Автор: Norbert Greif,Erhard Klahr,Wolfgang Trieselt. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1984-09-04.

Fiber optic closure terminals with increased versatility

Номер патента: US11815726B2. Автор: Qing Xu. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2023-11-14.

Steel installation for core drilling and new environmentally friendly construction method, capable of replacing trench and well survey

Номер патента: RU2693069C1. Автор: Цзюку ШАНЬ,Сянсюй ЛЮ,Ляньго ВАН,Гуанцзе ШАНЬ,Дань Чжоу,Юнбо ПАНЬ,Вэньли ХАО,Цзунминь ЛИ,Чжиюй ПЭЙ,Юнтао ФУ. Владелец: Хэйлунцзян Инститьют Оф Джиолоджикал Сайенсиз. Дата публикации: 2019-07-01.

Soil drainage trenching and aerating apparatus

Номер патента: US3611730A. Автор: Henry Joseph Brettrager. Владелец: Individual. Дата публикации: 1971-10-12.

Pipeline trenching and laying device

Номер патента: CA2271528C. Автор: John Jensen,Eric Jensen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-12-25.

System and method for simulating fire of cable trench and measuring stability of cover plate structure

Номер патента: LU103005B1. Автор: Yuan Zhang,Wei Yu,Fei Gao,Meng Zhou,Xiaofeng Wang,Yue Tu,Defeng Chen,Lai Xu,Shenzhe Wang,Xinqian Xu,Yutao Bai. Владелец: State Grid Nanjing Power Supply Company. Дата публикации: 2023-03-20.

System and method of forming a custom bleaching tray with trench and material reservoirs

Номер патента: US20230144730A1. Автор: Mark Lorich,Amir Gordgi. Владелец: Sprintray Inc. Дата публикации: 2023-05-11.

System and method of forming a custom bleaching tray with trench and material reservoirs

Номер патента: US11998415B2. Автор: Mark Lorich,Amir Gordgi. Владелец: Sprintray Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Floating-point multiplication unit and floating point photonic tensor accelerator

Номер патента: US20240311081A1. Автор: Guifang Li,Sean PANG. Владелец: University of Central Florida Research Foundation Inc UCFRF. Дата публикации: 2024-09-19.

Capacity and automated de-install of linket mobile apps with deep links

Номер патента: US09792101B2. Автор: Wesley John Boudville. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-10-17.

HIGH EFFICIENCY IMAGE SENSOR PIXELS WITH DEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURES AND EMBEDDED REFLECTORS

Номер патента: US20170078539A1. Автор: Madurawe Raminda,GAZELEY William George. Владелец: SEMICONDUCTOR COMPONENTS INDUSTRIES, LLC. Дата публикации: 2017-03-16.

[multi-gate dram with deep-trench capacitor and fabrication thereof]

Номер патента: US20050275006A1. Автор: Ming Tang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2005-12-15.

Multi-gate dram with deep-trench capacitor and fabrication thereof

Номер патента: TWI255546B. Автор: Ming Tang. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-05-21.

Power converter for ground-referenced system and floating system

Номер патента: US09722493B1. Автор: Lukas Mercer Hansen,Wayne Allen SCHULZ,Bennett Steven SHERON. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2017-08-01.

Shallow trench transistor deep trench capacitor memory cell

Номер патента: WO2002027797A2. Автор: Ulrike Gruening,Johann Alsmeier. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-04.

Floating image generation device and floating image touch-control device

Номер патента: US20240069677A1. Автор: Chih-Ping Hsu,Ran-Shiou You,Yu Jen Lai,Ya Han Ko. Владелец: Darwin Precisions Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Floating image generation device and floating image touch-control device

Номер патента: US11829561B2. Автор: Chih-Ping Hsu,Ran-Shiou You,Yu Jen Lai,Ya Han Ko. Владелец: Darwin Precisions Corp. Дата публикации: 2023-11-28.

Electric motor with deep drawn motor housing

Номер патента: US12107478B2. Автор: Matthias Fischer,Jürgen Schmid,Thomas KÜBLER. Владелец: Nidec Motors and Actuators Germany GmbH. Дата публикации: 2024-10-01.

Ear-worn devices with deep breathing assistance

Номер патента: US20200008708A1. Автор: Christine Marie Tan,Christophe Daniel Micheyl. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2020-01-09.

Ear-worn devices with deep breathing assistance

Номер патента: US11826138B2. Автор: Christine Marie Tan,Christophe Daniel Micheyl. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2023-11-28.

Ear-worn devices with deep breathing assistance

Номер патента: US20240000339A1. Автор: Christine Marie Tan,Christophe Daniel Micheyl. Владелец: Starkey Laboratories Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Imaging system with shot-noise-matched and floating-point ramp analog-to-digital converters

Номер патента: US20210058579A1. Автор: Jeffery Beck. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-02-25.

Imaging system with shot-noise-matched and floating-point ramp analog-to-digital converters

Номер патента: US11140350B2. Автор: Jeffery Beck. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2021-10-05.

Floating image-type control device, interactive display system, and floating control method

Номер патента: US11539938B2. Автор: Chueh-Pin Ko. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2022-12-27.

Floating image-type control device, interactive display system, and floating control method

Номер патента: US20210203916A1. Автор: Chueh-Pin Ko. Владелец: Acer Inc. Дата публикации: 2021-07-01.

Edge server with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: EP4133423A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-02-15.

Methods and apparatus for feature generation using improved term frequency-inverse document frequency (TF-IDF) with deep learning for accurate cloud asset tagging

Номер патента: US11748621B2. Автор: Omar ODIBAT,Jean Xu Yu,Emrah Zarifoglu,Ilyas Mohamed Iyoob. Владелец: Kyndryl Inc. Дата публикации: 2023-09-05.

Creating satisficing planners with deep learning

Номер патента: US20230206027A1. Автор: Michael KATZ,Patrick Christoph FERBER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-06-29.

Strengthened glass with deep depth of compression

Номер патента: US09908810B2. Автор: Jonathan David Pesansky,Kevin Barry Reiman,Brian Paul Strines,Jaymin Amin,Benedict Osobomen Egboiyi,Rostislav Vatchev Roussev. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-03-06.

Strengthened glass with deep depth of compression

Номер патента: US09902648B2. Автор: Jonathan David Pesansky,Kevin Barry Reiman,Brian Paul Strines,Jaymin Amin,Benedict Osobomen Egboiyi,Rostislav Vatchev Roussev. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Strengthened glass with deep depth of compression

Номер патента: US09676663B2. Автор: Jonathan David Pesansky,Kevin Barry Reiman,Brian Paul Strines,Jaymin Amin,Benedict Osobomen Egboiyi,Rostislav Vatchev Roussev. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Strengthened glass with deep depth of compression

Номер патента: US09517968B2. Автор: Jonathan David Pesansky,Kevin Barry Reiman,Brian Paul Strines,Jaymin Amin,Benedict Osobomen Egboiyi,Rostislav Vatchev Roussev. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-12-13.

Strengthened glass with deep depth of compression

Номер патента: US09487434B2. Автор: Jonathan David Pesansky,Kevin Barry Reiman,Brian Paul Strines,Jaymin Amin,Benedict Osobomen Egboiyi,Rostislav Vatchev Roussev. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2016-11-08.

Method for forming deep trench capacitor under a shallow trench isolation structure

Номер патента: US6281069B1. Автор: Der-Yuan Wu,Chiu-Te Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2001-08-28.

Eco-friendly marine-farm type anchor module and floating photovoltaic installation structrue using thereof, floating wind power system installation structure using thereof, and floating breakwater installation structrue using thereof

Номер патента: US20230139270A1. Автор: Hyo Lee,Ki Nam CHOI,Noh Joon Park. Владелец: SEMI CO Ltd. Дата публикации: 2023-05-04.

Floating platform and floating offshore wind power equipment comprising same

Номер патента: US20240159222A1. Автор: Kyu-Sik Park,Sanghun SON,Myunghyun NOH,Eungsoo Kim. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-16.

Method for manufacturing float glass, and float glass

Номер патента: US09884781B2. Автор: Shiro Tanii,Takenori MIURA. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-06.

Dehumidifier and float assembly thereof

Номер патента: US09587851B2. Автор: Xiongfeng WU,Xianxiong Zhang. Владелец: TCL Air Conditioner Zhongshan Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Tube and float system and methods of using the same

Номер патента: US09417174B2. Автор: Daniel CAMPTON,Joshua Nordberg,Evan Castiglia. Владелец: Rarecyte Inc. Дата публикации: 2016-08-16.

Measurement system and float

Номер патента: US20240068960A1. Автор: Taichi Tanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of measuring deep trenches with model-based optical spectroscopy

Номер патента: WO2007004177A3. Автор: Carlos Duran,Peter Rosenthal,Alexei Maznev,Alex Mazurenko. Владелец: Alex Mazurenko. Дата публикации: 2007-03-22.

Measurement system and float

Номер патента: AU2023210669B2. Автор: Taichi Tanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Method of Measuring Deep Trenches with Model-Based Optical Spectroscopy

Номер патента: US20090122321A1. Автор: Peter Rosenthal,Alexander Mazurenko,Alexei Maznev,Carlos A. Duran. Владелец: Advanced Metrology Systems Llc. Дата публикации: 2009-05-14.

Self-supervised self supervision by combining probabilistic logic with deep learning

Номер патента: US12056626B2. Автор: Hoifung Poon,Hunter LANG. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Prostate cancer tissue image classification with deep learning

Номер патента: WO2019105976A1. Автор: Ingrid Carlbom,Christophe AVENEL. Владелец: Cadess Medical Ab. Дата публикации: 2019-06-06.

Aquafarming system and float therefor

Номер патента: CA3018010A1. Автор: Steen Nicholas Gunderson. Владелец: Bouctouche Bay Industries Ltd. Дата публикации: 2020-03-20.

Wheel hub with floating brake band and floating axle

Номер патента: US3800919A. Автор: R Leach. Владелец: HILL CITY Mfg Inc. Дата публикации: 1974-04-02.

Integrated Sensor Device with Deep Learning Accelerator and Random Access Memory

Номер патента: US20210397771A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2021-12-23.

Floating image display device and floating image display method

Номер патента: US20240280830A1. Автор: Masahiko Sakai,Hayato Kikuta. Владелец: Mitsubishi Electric Engineering Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-22.

Scroll structure and compressor with back pressure plate and floating plate

Номер патента: US12085076B2. Автор: BO Jiang,Hidenobu Shintaku,Osamu Aiba,Baiying Huang,Xiaolei Li,Canyu QIAN. Владелец: Guangdong Midea Environmental Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Parallel transmit radio frequency pulse design with deep learning

Номер патента: EP4409313A1. Автор: Kamil Ugurbil,Mehmet Akcakaya. Владелец: University of Minnesota. Дата публикации: 2024-08-07.

Integrated sensor device with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021257651A1. Автор: Poorna Kale. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-12-23.

Image analysis method, image analysis apparatus, and image analysis program for analyzing cell with deep learning algorithm

Номер патента: US12056869B2. Автор: Yoshiaki Miyamoto,Yosuke Sekiguchi,Kengo GOTOH,Yoshinori SASAGAWA,Kazumi HAKAMADA. Владелец: Sysmex Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Floating platform and floating offshore wind power equipment comprising same

Номер патента: EP4321423A1. Автор: Kyu-Sik Park,Sanghun SON,Myunghyun NOH,Eungsoo Kim. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-02-14.

Multiplier block for block floating point and floating point values

Номер патента: US20240118868A1. Автор: Eric F DELLINGER,Philip Bryn James-Roxby,Nicholas James Fraser. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2024-04-11.

Process for producing floating constructions and floating elements for the same

Номер патента: WO1988009284A1. Автор: O^/ystein BRÜGGER. Владелец: Bruegger Oeystein. Дата публикации: 1988-12-01.

Dental Images Processed With Deep Learning For National Security

Номер патента: US20210142885A1. Автор: Richard Ricci,Andrea Cambria. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-05-13.

Float glass production device and float glass production method

Номер патента: US11760679B2. Автор: Akira Ueno,Nobuyuki Ban,Takenori MIURA,Haruo Yonemori. Владелец: Asahi Glass Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

Tagging personal photos with deep networks

Номер патента: US09754188B2. Автор: YONG RUI,Tao Mei,Jianlong FU,Kuiyuan Yang. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2017-09-05.

Processing order with integer inputs and floating point inputs

Номер патента: US09430381B2. Автор: Jorn Nystad,Andreas Due Engh-Halstvedt. Владелец: ARM LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Device for collection oil products and floating rubbish from the surface of a reservoir

Номер патента: RU2044827C1. Автор: Иван Иванович Шеховцов,Галина Сергеевна Ожог. Владелец: Галина Сергеевна Ожог. Дата публикации: 1995-09-27.

Switch and float assembly for a pump

Номер патента: CA2708798C. Автор: William J. Watkins,Chih Lin. Владелец: Crane Pumps and Systems Inc. Дата публикации: 2013-04-30.

Floating matter guidance control device, floating matter guidance system, and floating matter guidance control method

Номер патента: GB2596688A. Автор: Imaki Masaharu,MORIMOTO Yasuo,HIRANO Jin,TANAKA Tai. Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 2022-01-05.

System on a chip with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: WO2021207236A1. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2021-10-14.

Systems and methods to improve trust in conversations with deep learning models

Номер патента: US20240005911A1. Автор: Lan GUAN,Jayashree Subrahmonia,Guanglei Xiong,Sukryool Kang,Neeraj D VADHAN,Anwitha Paruchuri,Sujeong Cha,Anupam Anurag TRIPATHI,Thomas Wayne HANCOCK,Jill GENGELBACH-WYLIE. Владелец: Accenture Global Solutions Ltd. Дата публикации: 2024-01-04.

Tube and float system and methods of using the same

Номер патента: US20140219888A1. Автор: Daniel CAMPTON,Joshua Nordberg,Evan Castiglia. Владелец: Rarecyte Inc. Дата публикации: 2014-08-07.

Display System Having Floating Point Rasterization and Floating Point Framebuffering

Номер патента: US20100079471A1. Автор: John Montrym,Robert A. Drebin,David L. Dignam,Christopher J. Migdal,Danny D. Loh,John M. Airey,Mark S. Peercy. Владелец: Graphics Properties Holdings Inc. Дата публикации: 2010-04-01.

Display System Having Floating Point Rasterization and Floating Point Framebuffering

Номер патента: US20080284786A1. Автор: John Montrym,Robert A. Drebin,David L. Dignam,Christopher J. Migdal,Danny D. Loh,John M. Airey,Mark S. Peercy. Владелец: Silicon Graphics Inc. Дата публикации: 2008-11-20.

Method of disassembling offshore structure and floating body apparatus

Номер патента: EP4230798A1. Автор: Makoto Nishigaki,Akihito Suzuki,Masayuki Kanemasu. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2023-08-23.

Self-supervised self supervision by combining probabilistic logic with deep learning

Номер патента: US11755939B2. Автор: Hoifung Poon,Hunter LANG. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2023-09-12.

Submersible pump with float switch and float switch cable clip restrictor

Номер патента: EP3332127A1. Автор: Sebastian Rieth,Johannes Gungl. Владелец: HUSQVARNA AB. Дата публикации: 2018-06-13.

Self-supervised self supervision by combining probabilistic logic with deep learning

Номер патента: WO2021262346A1. Автор: Hoifung Poon,Hunter LANG. Владелец: Microsoft Technology Licensing, LLC. Дата публикации: 2021-12-30.

Self-supervised self supervision by combining probabilistic logic with deep learning

Номер патента: US20240013074A1. Автор: Hoifung Poon,Hunter LANG. Владелец: Microsoft Technology Licensing LLC. Дата публикации: 2024-01-11.

Motion reduction apparatus and floating body therewith

Номер патента: EP1170204B1. Автор: Masami Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Matsuura,Makoto Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Nishigaki,Takahiro Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Hirai,Youichi Mitsubishi Heavy Ind. Ltd. Yamaguchi. Владелец: Mitsubishi Heavy Industries Ltd. Дата публикации: 2005-11-09.

Ride system with vehicle support for suspension and floating operation

Номер патента: CA3175330A1. Автор: Eric Alan VANCE,Sarka HARRINGTON. Владелец: Universal City Studios LLC. Дата публикации: 2021-11-11.

Ride system with vehicle support for suspension and floating operation

Номер патента: EP4146362A1. Автор: Eric Alan VANCE,Sarka HARRINGTON. Владелец: Universal City Studios LLC. Дата публикации: 2023-03-15.

Method for transferring liquefied carbon dioxide, and floating structure

Номер патента: AU2021371586B2. Автор: Kazuya Abe,Shinsuke Morimoto. Владелец: Mitsubishi Shipbuilding Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Refractive optical screen and floating hologram system using same

Номер патента: US20190286054A1. Автор: Sang-Hoon Han,Jong-Heum Kim,Jang-Won Suh,Tae-Gil Yang. Владелец: KT Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Floating offshore structure and floating offshore power generation apparatus having same

Номер патента: EP4238863A1. Автор: Yong Man Park,Seong Hoon Kim,Jong Jin Jung,In Hye Lee,Min Kyeong LEE,Jin Wuk HONG,Joong Soo Moon,Moon Kyu PARK,Sang Min SUK,Dae Ung LIM,Min Han OH,Young Jae SUNG. Владелец: Hyundai Heavy Industries Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-06.

Hybrid fixed-point and floating-point computations for improved neural network accuracy

Номер патента: US20240329927A1. Автор: Nicholas KNIGHT. Владелец: SiFive Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Fixed-point and floating-point optimization

Номер патента: US09696991B1. Автор: Martin Langhammer,Tomasz S. Czajkowski. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Augmenting layer-based object detection with deep convolutional neural networks

Номер патента: US09542626B2. Автор: Eric Martinson,Veeraganesh Yalla. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Float processing of high-temperature complex silicate glasses and float baths used for same

Номер патента: US6065309A. Автор: Reid Franklin Cooper,Glen Bennett Cook. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2000-05-23.

Floating module and floating structure

Номер патента: EP3828073A1. Автор: Matti-Pekka Vähätalo,Olli Heimala. Владелец: A Laiturit Oy. Дата публикации: 2021-06-02.

Christmas tree watering funnel with indicating light and float

Номер патента: US5410839A. Автор: Hugh A. Granger. Владелец: Individual. Дата публикации: 1995-05-02.

Storage tank and floating roof with a gauge well having a floating seal therein

Номер патента: US4260068A. Автор: John J. Lipinski,Robert R. McCarthy. Владелец: Texaco Inc. Дата публикации: 1981-04-07.

Sterilisers and floats therefor

Номер патента: GB2094149A. Автор: . Владелец: MOTHERCARE Ltd. Дата публикации: 1982-09-15.

Floating structure for use in floating swimming pool, has floating bearing infrastructure with assembly composed of caissons apt to float and assembly composed of floats, where caissons and floats are identical

Номер патента: FR2863249A1. Автор: Alain Palacci,Perrine Guignard,Vestele Philippe De. Владелец: SCHEEPSWERF IDP. Дата публикации: 2005-06-10.

Floating module and floating structure

Номер патента: EP4219284A1. Автор: Matti-Pekka Vähätalo,Olli Heimala. Владелец: A Laiturit Oy. Дата публикации: 2023-08-02.

Multi-functional floating pool skimmer and floating weir basket

Номер патента: WO2015130542A1. Автор: Frank Norberto, III,Frank Jr. NORBERTO. Владелец: Norberto Frank Jr. Дата публикации: 2015-09-03.

Semiconductor storage with a floating detection circuitry and floating detection method thereof

Номер патента: US8947960B2. Автор: Chih-Jing LAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2015-02-03.

Integrated circuit device with deep learning accelerator and random access memory

Номер патента: US11874897B2. Автор: Poorna Kale,Jaime Cummins. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-01-16.

Measurement system and float

Номер патента: AU2023210669A1. Автор: Taichi Tanaka. Владелец: NEC Corp. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor storage with a floating detection circuitry and floating detection method thereof

Номер патента: US20140301147A1. Автор: Chih-Jing LAI. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2014-10-09.

Sink-and-float body for purification and purificator

Номер патента: US20010008657A1. Автор: Shiro Ogata. Владелец: Tao Inc. Дата публикации: 2001-07-19.

Image generating module and floating image generation device

Номер патента: US20230418088A1. Автор: Jung-Chih Tsai. Владелец: Darwin Precisions Corp. Дата публикации: 2023-12-28.

FLOAT, FLOAT ASSEMBLY, FLOAT ADAPTER AND INTERFACE, AND FLOAT VIBRATION APPARATUS, AND METHODS

Номер патента: US20210246617A1. Автор: Brening Scott,Baratta Anthony. Владелец: Baron Innovative Technology LP. Дата публикации: 2021-08-12.

FLOATING SEALING METHOD OF FLOATING BUSHING SEALING RECIPROCATING IMPACT APPARATUS AND FLOATING SEALING RECIPROCATING IMPACT APPARATUS OF SEALING FLOATING BUSHING OF MINING LOADER

Номер патента: US20160327162A1. Автор: LIU Suhua. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-10.

FLOAT, FLOAT ASSEMBLY, FLOAT ADAPTER AND INTERFACE, AND FLOAT VIBRATION APPARATUS, AND METHODS

Номер патента: US20180327981A1. Автор: Brening Scott,Baratta Anthony. Владелец: Baron Innovative Technology LP. Дата публикации: 2018-11-15.

Cell cultivation method and floating animal cell culture unit for the same

Номер патента: US4391912A. Автор: Koichi Yoshida,Fusakazu Hayano. Владелец: Asahi Kasei Kogyo KK. Дата публикации: 1983-07-05.

Ram style tensioner with fixed conductor and floating frame

Номер патента: US7632044B2. Автор: Joseph W. Pallini,Edward A. Mendoza. Владелец: Vetco Gray LLC. Дата публикации: 2009-12-15.

Ram style tensioner with fixed conductor and floating frame

Номер патента: US7988385B2. Автор: Joseph W. Pallini,Edward A. Mendoza. Владелец: Vetro Gray Inc. Дата публикации: 2011-08-02.

Folding apparatus with automatic lock-up and float capability for an implement wing frame on a mobile machine, such as an agricultural machine, earthworking machine, or the like

Номер патента: CA1278944C. Автор: Eugen J. Bexten,Kenneth J. Wiebe. Владелец: Individual. Дата публикации: 1991-01-15.

Covering or blanketing liquid surfaces and float members for effecting same

Номер патента: GB1483586A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-08-24.

Ship hull cleaning device and floating dock

Номер патента: WO2000032467A1. Автор: James Jiann-Gwo Ni. Владелец: Orca Marine Company Limited. Дата публикации: 2000-06-08.

Tin alloy float bath, device for manufacturing float glass, method of manufacturing float glass, and float glass

Номер патента: WO2015064595A1. Автор: 丈宜 三浦,史朗 谷井. Владелец: 旭硝子株式会社. Дата публикации: 2015-05-07.

Agricultural implements with hinged and floating wings

Номер патента: US20100282481A1. Автор: Christopher Lee Tamm,Norman George Reichardt. Владелец: Brillion Iron Works Inc. Дата публикации: 2010-11-11.

Ram Style Tensioner with Fixed Conductor and Floating Frame

Номер патента: US20110200397A1. Автор: Joseph W. Pallini,Edward A. Mendoza. Владелец: Vetco Gray LLC. Дата публикации: 2011-08-18.

Floats, float assemblies, float adapters and interfaces, and float vibration apparatus, and methods

Номер патента: US11001976B2. Автор: Anthony Baratta,Scott BRENING. Владелец: Baron Innovative Technologies Lp. Дата публикации: 2021-05-11.

Forecasting with deep state space models

Номер патента: EP3975053A1. Автор: Chen Qiu,Maja Rita Rudolph. Владелец: ROBERT BOSCH GMBH. Дата публикации: 2022-03-30.

Systems and methods for artifact reduction in tomosynthesis with deep learning image processing

Номер патента: US20230110904A1. Автор: Quanzheng Li,Kyungsang Kim,Dufan Wu. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

High-resolution ic net routing system, components and methods with deep neural networks

Номер патента: US20230186058A1. Автор: Inna Partin-Vaisband. Владелец: University of Illinois. Дата публикации: 2023-06-15.

Method of screening for the presence of a genetic defect associated with deep venous thrombosis

Номер патента: EP1866437A2. Автор: Frits R. Rosendaal,Rogier Maria Bertina,Hans Luuk Vos,Shirley Uitte De Willige,Maria Catharina Henrica De Visser- Van Soest. Владелец: Leids Universitair Medisch Centrum LUMC. Дата публикации: 2007-12-19.

Method of Screening for the Presence of a Genetic Defect Associated With Deep Venous Thrombosis

Номер патента: US20090269738A1. Автор: Frits R. Rosendaal,Rogier Maria Bertina,Hans Luuk Vos,Shirley Uitte De Willige,Maria Catharina Henrica de Visser-van Soest. Владелец: Biomerieux BV. Дата публикации: 2009-10-29.

Method of screening for the presence of a genetic defect associated with deep venous thrombosis

Номер патента: US8067209B2. Автор: Frits R. Rosendaal,Rogier Maria Bertina,Hans Luuk Vos,Shirley Uitte De Willige,Maria Catharina Henrica de Visser-van Soest. Владелец: Biomerieux BV. Дата публикации: 2011-11-29.

Method of screening for the presence of a genetic defect associated with deep venous thrombosis

Номер патента: EP1866437B1. Автор: Frits R. Rosendaal,Rogier Maria Bertina,Hans Luuk Vos,Shirley Uitte De Willige,Maria Catharina Henrica De Visser- Van Soest. Владелец: Leids Universitair Medisch Centrum LUMC. Дата публикации: 2010-06-02.

Method of screnning for the presence of a genetic defect associated with deep venous thrombosis

Номер патента: WO2006103113A2. Автор: Frits R. Rosendaal,Rogier Maria Bertina,Hans Luuk Vos,Shirley Uitte De Willige,Maria Catharina Henrica De Visser- Van Soest. Владелец: Leiden University Medical Centre (Lumc) Acting On Behalf Of Academic Hospital Leiden (Azl). Дата публикации: 2006-10-05.

Modifying early-stage parkinson's disease progression with deep brain stimulation

Номер патента: WO2024077043A3. Автор: Philip David CHARLES,Mallory L. HACKER. Владелец: VANDERBILT UNIVERSITY. Дата публикации: 2024-05-16.

Foamed articles with deep undercuts, and method

Номер патента: EP3007877A1. Автор: Gary Stuart HAWKINS. Владелец: Eastman Chemical Co. Дата публикации: 2016-04-20.

Fossil recognition method with deep learning processes

Номер патента: WO2024118027A1. Автор: Tugba Aksel TÜRKECAN,Ezgi Ekiz EMİROĞLU,Ramazan Gökberk CİNBİŞ. Владелец: TURKlYE PETROLLERl ANONlM ORTAKLIGI. Дата публикации: 2024-06-06.

Scraper blade having trip edge and floating edge

Номер патента: US20240229392A9. Автор: John Hageman,Bryson Orr. Владелец: Paladin Brands Group Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Automated mapping method of crystalline structure and orientation of polycrystalline material with deep learning

Номер патента: US20230122101A1. Автор: Young-Min Kim,Young-Hoon Kim,Sang-Hyeok Yang,Eunha Lee,Myoungho JEONG. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2023-04-20.

Method and device for deploying and using an image similarity metric with deep learning

Номер патента: AU2021227009A1. Автор: Guido Bischoff,Matthew Leopold,Donald R. BAUGHMAN,Jessica J. MCGUCKIN,Stuart K. SCOTT. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2022-09-22.

Method and device for deploying and using an image similarity metric with deep learning

Номер патента: EP4111416A1. Автор: Guido Bischoff,Donald R Baughman,Matthew Leopold,Stuart K SCOTT,Jessica J MCGUCKIN. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2023-01-04.

Method and device for deploying and using an image similarity metric with deep learning

Номер патента: CA3168395A1. Автор: Guido Bischoff,Matthew Leopold,Donald R. BAUGHMAN,Jessica J. MCGUCKIN,Stuart K. SCOTT. Владелец: BASF COATINGS GMBH. Дата публикации: 2021-02-26.

Manufacturing process control with deep learning-based predictive model for hot metal temperature of blast furnace

Номер патента: US20200172989A1. Автор: Young Min Lee,Kyong Min Yeo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-06-04.

Manufacturing process control with deep learning-based predictive model for hot metal temperature of blast furnace

Номер патента: US20190093187A1. Автор: Young Min Lee,Kyong Min Yeo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-03-28.

Manufacturing process control with deep learning-based predictive model for hot metal temperature of blast furnace

Номер патента: US10633716B2. Автор: Young Min Lee,Kyong Min Yeo. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-28.

Sea water system and floating vessel comprising such system

Номер патента: WO2010085203A1. Автор: Lars-Olof Liberg. Владелец: GVA Consultants AB. Дата публикации: 2010-07-29.

Sea water system and floating vessel comprising such system

Номер патента: EP2379403A1. Автор: Lars-Olof Liberg. Владелец: GVA Consultants AB. Дата публикации: 2011-10-26.

Non-volatile memory die with deep learning neural network

Номер патента: US20200184335A1. Автор: Rami Rom,Karin Inbar,Ran ZAMIR,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2020-06-11.

Non-volatile memory die with deep learning neural network

Номер патента: US11705191B2. Автор: Rami Rom,Karin Inbar,Ran ZAMIR,Alexander Bazarsky,Ofir Pele,Tomer Tzvi Eliash. Владелец: Western Digital Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-18.

Synthetic dataset creation for object detection and classification with deep learning

Номер патента: US20240296662A1. Автор: Heiko Claussen,Eugen Solowjow,Juan L. Aparicio Ojea,Ines UGALDE DIAZ,Yash SHAHAPURKAR. Владелец: Siemens Corp. Дата публикации: 2024-09-05.

Method and apparatus for sensing area separation during floating control, and floating control remote controller

Номер патента: EP4343505A4. Автор: Jian Shen,Xuewen Zhao,Xiaorui Wang. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-21.

Floor panel and floating floor system incorporating the same

Номер патента: EP2411225A1. Автор: Richard H. Balmer,John R. Eshbach, Jr.,Kean M. Anspach,Michael E. Buckwalter,Brent L. Stoll,Heath Harrington. Владелец: Armstrong World Industries Inc. Дата публикации: 2012-02-01.

Floor panel and floating floor system incorporating the same

Номер патента: WO2010110836A1. Автор: Richard H. Balmer,John R. Eshbach, Jr.,Kean M. Anspach,Michael E. Buckwalter,Brent L. Stoll,Heath Harrington. Владелец: ARMSTRONG WORLD INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2010-09-30.

Floating platform and floating offshore wind power equipment comprising same

Номер патента: EP4321423A4. Автор: Kyu-Sik Park,Sanghun SON,Myunghyun NOH,Eungsoo Kim. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Gas lift valve with mixed bellows and floating constant volume fluid chamber

Номер патента: US09988886B2. Автор: Zlatko Salihbegovic. Владелец: Weatherford Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2018-06-05.

Floor panel and floating floor system incorporating the same

Номер патента: US09611654B2. Автор: Dung V. Dao,Richard H. Balmer. Владелец: AFI Licensing LLC. Дата публикации: 2017-04-04.

Gas lift valve with mixed bellows and floating constant volume fluid chamber

Номер патента: US09605521B2. Автор: Zlatko Salihbegovic. Владелец: Weatherford Technology Holdings LLC. Дата публикации: 2017-03-28.

FLOATING MATTER GUIDANCE CONTROL DEVICE, FLOATING MATTER GUIDANCE SYSTEM, AND FLOATING MATTER GUIDANCE CONTROL METHOD

Номер патента: US20220049445A1. Автор: Imaki Masaharu,MORIMOTO Yasuo,HIRANO Jin,TANAKA Tai. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2022-02-17.

Floating type machining platform, floating type machining system and floating type machining method

Номер патента: US20170165800A1. Автор: Kuo-Kai HUNG,Chun-Neng Chan,Hui-Hung LIN. Владелец: Noporvis Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-15.

Floating Drive System and its Floating Drive Disc and Floating Flywheel

Номер патента: US20200158225A1. Автор: WANG YUNG-SHENG. Владелец: . Дата публикации: 2020-05-21.

Trenching apparatus for digging deep trenches

Номер патента: EP0730064A1. Автор: Pascal Tavernier,Christian Vial,Jean-Claude Riglet. Владелец: Compagnie du Sol SARL. Дата публикации: 1996-09-04.

Axial structure of floating body support shaft and floating power generation apparatus having the axial structure of the floating body support shaft

Номер патента: JP6721886B2. Автор: 安弘 真鍋,輝久 真鍋. Владелец: Taiyo Plant Co Ltd. Дата публикации: 2020-07-15.

Apparatus and method for electrolysis and float

Номер патента: CA1219551A. Автор: Thomas R. Hornack,Robert L. Kozarek,Noel Jarrett. Владелец: Aluminum Company Of America. Дата публикации: 1987-03-24.

Melting pot, and float salvaging apparatus and method for melting pot

Номер патента: CA2972571C. Автор: Xin Yu,Hao Chen,Wei Li,Wenzeng Zhang,Hui Ding,Xuelin Wang,Wenbin Liu,Jun Hu,Jialiang Wang,Aimin Deng,Hongdao PENG,Jianfei HUANG,Xiaoguang SHAO,Yanbing HE,Dongdong WEI,Fangcheng ZENG,Qian LOU,Wenyue LI,Zhaochang DENG. Владелец: Jiangxi Nerin Equipment Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-16.

Floating units and floating structures assembled from floating units

Номер патента: JP6918070B2. Автор: ブーンリキットチェヴァ、ピチット. Владелец: ブーンリキットチェヴァ、ピチット. Дата публикации: 2021-08-11.

Deep-drawing device, packaging machine with deep-drawing device and method for operating deep-drawing device

Номер патента: CN113353311A. Автор: J·施奈德,U·埃格尔克劳特,A·蒂恩斯特. Владелец: HARRO HOFLIGER VERPACKUNGSMASCHINEN GMBH. Дата публикации: 2021-09-07.

Methods and systems for computer-aided diagnosis with deep learning models

Номер патента: EP4022636A1. Автор: Rakesh Mullick,Chandan Kumar Mallappa Aladahalli,James William GUALTIERI. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2022-07-06.

Floating gate transistor programming and manufacturing method, structure including staggered split gate floating gate memory array and floating gate transistor

Номер патента: JP2963708B2. Автор: レザ・カゼロニアン,ボアズ・エイタン. Владелец: UEIFUAA SUKEERU INTEGUREISHON Inc. Дата публикации: 1999-10-18.

Trenching apparatus for digging deep trenches with cutting drums

Номер патента: EP0593355B1. Автор: Jean-Claude Riglet,Philippe Chagnot. Владелец: Compagnie du Sol SARL. Дата публикации: 1997-02-05.

Liquid i.e. water, vaporization device for e.g. humidification of air, has gas inlet tube, float, removable outlet, and slot for heating unit, where float is moved vertically, and float constantly maintains height of liquid in container

Номер патента: FR2966050A1. Автор: Christophe Tardy,David Dieulle. Владелец: HYPNOW. Дата публикации: 2012-04-20.

Floating type machining platform, floating type machining system and floating type machining method

Номер патента: TWI607823B. Автор: 洪國凱,詹畯能,林輝鴻. Владелец: 峰安車業股份有限公司. Дата публикации: 2017-12-11.

A floating, deploy-able, remote, and autonomous water quality monitoring device. The device is placed in waterways or the ocean, and floats on the water giving position and speed, connectivity, and a range of water quality measurements. A camera may also be included to capture an image as the device floats along. The device runs on solar panels and/or batteries.

Номер патента: AU2016100431A4. Автор: Timothy John Neale. Владелец: Neale Projects Pty Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Improvements in coal cleaning by the sink-and-float method

Номер патента: GB559264A. Автор: . Владелец: RICHARD TODD HANCOCK. Дата публикации: 1944-02-11.

Method and apparatus for removing oily materials and floating matters in general from the surface of bodies of water

Номер патента: CA1318260C. Автор: Mirella De'toffoli. Владелец: Mytilus Srl. Дата публикации: 1993-05-25.

Method for measuring gradients of earth magnetic field in components on open sea, involves connecting two floating bodies floating one behind other by short line, and floating bodies are towed behind traveling ship by longer line

Номер патента: DE102006059204A1. Автор: Udo Dr. Barckhausen,Martin Dr. Engels,Bernd Dr. Schreckenberger,Heinz-Peter Kewitsch. Владелец: Bundesanstalt fur Geowissenschaften und Rohstoffe. Дата публикации: 2008-06-26.

Indexing web pages with deep links

Номер патента: WO2016195835A1. Автор: Vipul Ved Prakash,Jason Douglas. Владелец: Apple Inc.. Дата публикации: 2016-12-08.

Position stabilizing method for floating object i.e. ship, involves dumping weights from floating body to seabed, and obtaining traction force in connections between weights and floating body, which is pulled downwards by traction force

Номер патента: DE102006056772A1. Автор: Joachim Falkenhagen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-05.

High voltage transformer liquid dielectric level sensor, uses tube containing contacts and float, magnet in float, magnet between contacts attracts float to close contacts when liquid level falls below safe level

Номер патента: FR2823594A1. Автор: Philippe Folliot,Lebigre. Владелец: Alstom SA. Дата публикации: 2002-10-18.

Float Process For Producing A Float Glass Pane And Float Glass Pane

Номер патента: CN104876425A. Автор: 安德烈斯·兰格斯多弗,克里斯汀·斯托奇,乌尔丽克·斯托尔,托马斯·施密蒂,鲁迪格·迪特里希,安德烈斯·本斯伯格,阿明·沃格,格哈德·劳特恩施拉格. Владелец: SCHOTT AG. Дата публикации: 2015-09-02.

Method of manufacturing semiconductor high-voltage rectifiers

Номер патента: AU3006571A. Автор: ANDRAE and EDWARD ODEN GUNTER. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1972-12-21.

Method of manufacturing semiconductor high-voltage rectifiers

Номер патента: AU464201B2. Автор: ANDRAE and EDWARD ODEN GUNTER. Владелец: Philips Gloeilampenfabrieken NV. Дата публикации: 1972-12-21.

Semiconductor high-voltage rectifying unit

Номер патента: SU930436A1. Автор: Гиви Караманович Почхуа,Демури Клементьевич Кохреидзе,Темури Давидович Тананашвили,Роберт Ноевич Бацикадзе. Владелец: Предприятие П/Я В-2346. Дата публикации: 1982-05-23.

Dehumidification device for semiconductor high-voltage cabinet

Номер патента: CN203645182U. Автор: 石峰. Владелец: Anyang Power Supply Co of State Grid Henan Electric Power Co Ltd. Дата публикации: 2014-06-11.

Semiconductor high-voltage rectifier unit

Номер патента: SU1148521A1. Автор: Г.К. Почхуа,Д.К. Кохреидзе,Т.Д. Тананашвили,Р.Н. Бацикадзе. Владелец: Научно-Исследовательский Институт Электронной Технологии. Дата публикации: 1986-06-30.

HIGH ALTITUDE, HIGH VOLTAGE TERMINAL BLOCK ASSEMBLY

Номер патента: US20120190250A1. Автор: Patel Dhaval,Lemmers,JR. Glenn C.,Allen Edward C.,Vanek Laurence D.,Hanson Alan D.,Wagner Luke,Friske Gordon W.,Berry Nathan A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-07-26.

Semiconductor device with field threshold MOSFET for high voltage termination

Номер патента: US20130020635A1. Автор: Yilmaz Hamza,Bobde Madhur. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-24.

HIGH ALTITUDE, HIGH VOLTAGE TERMINAL BLOCK ASSEMBLY

Номер патента: US20130036602A1. Автор: Patel Dhaval,Lemmers,JR. Glenn C.,Allen Edward C.,Vanek Laurence D.,Hanson Alan D.,Wagner Luke,Friske Gordon W.,Berry Nathan A.. Владелец: HAMILTON SUNDSTRAND CORPORATION. Дата публикации: 2013-02-14.

Device for protection of high-voltage termination against deviation of supply voltage and break-down

Номер патента: SU1330698A1. Автор: Владимир Николаевич Борисов,Александр Григорьевич Арсон,Анна Дмитриевна Пчелинцева,Владимир Леонидович Лупенков. Владелец: Опытно-конструкторское бюро "Горизонт". Дата публикации: 1987-08-15.

Method for making plug-pull high voltage terminal

Номер патента: CN102709865A. Автор: 李�浩,张伟良,蒋浩. Владелец: China MCC17 Group Co Ltd. Дата публикации: 2012-10-03.

Three-dimensional coil iron core dry type transformer with wire being output from lateral side of high-voltage terminal

Номер патента: CN203300406U. Автор: 李涛,孙国平,寻亚,唐思龙,吴扣羊. Владелец: JIANGSU ZHONGRONG TECHNOLOGY Co Ltd. Дата публикации: 2013-11-20.

A kind of high-voltage terminal device

Номер патента: CN209526351U. Автор: 钱忠. Владелец: SHANGHAI SHENKE SLIDE BEARING Corp. Дата публикации: 2019-10-22.

Test type high voltage terminal

Номер патента: CN203707367U. Автор: 王国良,赵建余,郭正强. Владелец: SHANGHAI YOUBANG ELECTRIC (GROUP) CO Ltd. Дата публикации: 2014-07-09.

A kind of dust-proof radiating high-voltage terminal cabinet

Номер патента: CN208707116U. Автор: 刘君. Владелец: People Electrical Appliance Group Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-05.

330KV high-voltage terminal devices

Номер патента: CN206313425U. Автор: 刘晓礌. Владелец: Shenyang Magnificent Transformer Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-07-07.

A kind of protective cover dust-proof for transformer high-voltage terminal

Номер патента: CN204651140U. Автор: 高秀玲,韩士强,韩会娜. Владелец: Xinxiang Xinyuan Anticorrosion Thermal Insulation Products Co Ltd. Дата публикации: 2015-09-16.

A kind of high-voltage terminal minor structure

Номер патента: CN209088094U. Автор: 郑建弟. Владелец: Zhejiang Huanji Power Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-07-09.

New energy automobile drive motor high voltage terminal protection method and system

Номер патента: CN104786847A. Автор: 郭瑶瑶,吴卫楠,谢玉朝. Владелец: Chongqing Changan New Energy Automobile Co Ltd. Дата публикации: 2015-07-22.

High voltage terminal block

Номер патента: CN203503813U. Автор: 王国良,赵建余,王瑶瑶,王靖靖,童旭娜. Владелец: SHANGHAI YOUBANG ELECTRIC (GROUP) CO Ltd. Дата публикации: 2014-03-26.

High voltage terminal load

Номер патента: TWM442644U. Автор: Ying-Chang Liu. Владелец: Prodigit Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2012-12-01.

Method for prediction of risk of developing pulmonary artery thromboembolia in patients with deep venous thrombosis

Номер патента: RU2522398C1. Автор: Оксана Юрьевна Килина,Светлана Николаевна Иванова,Александр Николаевич Солошенко. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Хакасский государственный университет им. Н.Ф. Катанова" (ФГБОУ ВПО "ХГУ им. Н.Ф. Катанова"). Дата публикации: 2014-07-10.

Method for collection and partial processing of drowned, waterlogged and floating wood

Номер патента: RU2402196C1. Автор: Василий Петрович Корпачев,Андрей Александрович Андрияс,Иван Владимирович Губин. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Сибирский государственный технологический университет". Дата публикации: 2010-10-27.

Method of determining level of liquid and float level gauge for realising said method

Номер патента: RU2468340C1. Автор: Евгений Леонидович Пущин,Равиль Рахимович Рахимов,Роман Равилевич Рахимов,Тимур Аркадьевич Саитов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новейшие Информационные Решения". Дата публикации: 2012-11-27.

Thrust bearing with taper rollers and floating side

Номер патента: RU2276292C1. Автор: Николай Александрович Людин. Владелец: Николай Александрович Людин. Дата публикации: 2006-05-10.

Method of sunk ship surfacing and complex for surfacing and floating sunk submarines and other vessels

Номер патента: RU2479460C1. Автор: Владимир Васильевич Чернявец,Владимир Александрович Катенин,Николай Николаевич Жильцов,Владимир Иванович Похабов,Игорь Иванович Гордеев. Владелец: Игорь Иванович Гордеев. Дата публикации: 2013-04-20.

Improvements in or connected with Ball and Float Valves.

Номер патента: GB189827396A. Автор: James Wellard. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-11-11.

Method of manufacturing canned food "vegetable soup with deep-sea scallop"

Номер патента: RU2343776C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2009-01-20.

Heavy medium separator with deep bath for recleaning of rock mass of coal waste dumps

Номер патента: RU2558548C1. Автор: Александр Николаевич Петухов,Василий Юрьевич Каратунов,Татьяна Алексеевна Павлова,Ольга Андреевна Скрынникова. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) имени М.И. Платова". Дата публикации: 2015-08-10.

Method for producing of special canned food "vegetable soup with deep-sea scallop"

Номер патента: RU2305470C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2007-09-10.

Method of determining level of liquid and floating magnetostrictive level gauge for realising said method

Номер патента: RU2463566C1. Автор: Евгений Леонидович Пущин,Равиль Рахимович Рахимов,Роман Равилевич Рахимов,Тимур Аркадьевич Саитов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Новейшие Информационные Решения". Дата публикации: 2012-10-10.

Method for the sheeting of deep trenches

Номер патента: CA2065533C. Автор: Wilhelm Hess. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-10-21.

Improvements in & relating to Ball and Float Valves

Номер патента: GB190614541A. Автор: William Harding. Владелец: Individual. Дата публикации: 1907-01-03.

Method for combined general anaesthesia in combination with deep and superficial cervical plexus blockade in carotide endaterectomy or internal carotid artery resection after pathological deformation thereof

Номер патента: RU2493884C2. Автор: Сергей Александрович Ильин,Анатолий Владимирович Покровский,Валерий Вячеславович Субботин. Владелец: Сергей Александрович Ильин. Дата публикации: 2013-09-27.

Improvements in Ball and Float Valves.

Номер патента: GB189812967A. Автор: John Pendreigh Fullerton. Владелец: KURFU METAL SYNDICATE Ltd. Дата публикации: 1899-06-09.

A Ball and Float Valve for Cisterns and the like.

Номер патента: GB190015267A. Автор: Arthur Hill. Владелец: Individual. Дата публикации: 1901-07-27.

Method of treating multiple unstable and floating fractured ribs

Номер патента: RU2569716C2. Автор: Игорь Игнатьевич Котов. Владелец: государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омская государственная медицинская академия" Министерства здравоохранения Российской Федерации (ГБОУ ВПО ОмГМА Минздрава России). Дата публикации: 2015-11-27.

Ridge bimetal braking clamp with deep ridge section

Номер патента: RU2412842C1. Автор: Федор Серафимович Темников,Юрий Федорович Темников,Владимир Гарольдович Рейнгардт. Владелец: Владимир Гарольдович Рейнгардт. Дата публикации: 2011-02-27.

Communication system of superlow-frequency and very low frequency range with deep-sunk and remote objects

Номер патента: RU2350020C2. Автор: Андрей Андреевич Катанович,Владимир Александрович Лаврухин,Александр Сергеевич Панфилов,Валерий Семенович Акулов,Лев Борисович Песин,Владимир Ильич Конторович,Владимир Иванович Кузеванов,Юрий Дмитриевич Лисицын,Борис Павлович Ивченко. Владелец: Закрытое акционерное общество "Проектно-конструкторское бюро" РИО". Дата публикации: 2009-03-20.

Method of sunken ship surfacing and complex for surfacing and floating sunken submarines and other vessels

Номер патента: RU2564271C1. Автор: Владимир Васильевич Чернявец,Валерий Павлович Леньков,Николай Николаевич Жильцов,Александр Валентинович Воробьев,Андрей Александрович Лобанов,Константин Александрович Рогинский,Александр Львович Лагутин,Анатолий Борисович Сувалов. Владелец: Открытое акционерное общество "Государственный научно-исследовательский навигационно-гидрографический институт" (ОАО "ГНИНГИ"). Дата публикации: 2015-09-27.

Improvements in and connected with Ball and Float Valves for use in Small and Large Cisterns.

Номер патента: GB189728583A. Автор: John Smith. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-10-29.

System for very low-frequency and extremely low-frequency communication with deep-sunk and remote objects - 1

Номер патента: RU2567181C1. Автор: Виктор Ефимович Пониматкин,Олег Романович Кивчун,Сергей Алексеевич Дорофеев,Михаил Борисович Урюпин,Александр Сергеевич Воропаев. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Военный учебно-научный центр Военно-Морского флота "Военно-Морская академия" имени адмирала флота Советского Союза Н.Г. Кузнецова". Дата публикации: 2015-11-10.

Electrolytically coagulating and floating components in used cleaning bath

Номер патента: CA1284124C. Автор: Edgar Renzler. Владелец: Claudius Peters AG. Дата публикации: 1991-05-14.

Method for producing of canned food "boyar's cabbage soup with deep-sea scallop"

Номер патента: RU2278590C2. Автор: Олег Иванович Квасенков,Елена Анатольевна Юшина,нова Светлана Амеровна Кась,Светлана Амеровна Касьянова. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2006-06-27.

Procedure and device (versions) for generation of high-velocity jet streams for perforation of wells with deep unlined channels and of large diametre

Номер патента: RU2412338C1. Автор: Игорь Владиленович Минин,Олег Владиленович Минин,Владилен Федорович Минин. Владелец: Владилен Федорович Минин. Дата публикации: 2011-02-20.

ELECTRICAL TERMINAL WITH COIL SPRING

Номер патента: US20120003882A1. Автор: Brown,Glick Michael,Menzies David,Pavlovic Slobodan,II Cecil Lamar,Stewart Robert A.. Владелец: LEAR CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Payment terminal with monitors for advertising purpose

Номер патента: CA130842S. Автор: . Владелец: POINTPAY INTERNATIONAL Inc. Дата публикации: 2010-06-07.

Mobile information terminal with band

Номер патента: CA154093S. Автор: . Владелец: FILIP TECHNOLOGIES UK Ltd. Дата публикации: 2014-10-01.

Press-fit terminal with spring arm contact for edgecard connector

Номер патента: CA1129514A. Автор: Kenneth J. Keim. Владелец: EI Du Pont de Nemours and Co. Дата публикации: 1982-08-10.

Video computer terminal with detachable intelligent keyboard module

Номер патента: CA1169160A. Автор: Daniel J. Galdun,Odo J. Struger,Ronald A. Brown,Valdis Grants. Владелец: Allen Bradley Co LLC. Дата публикации: 1984-06-12.

Implementing Semiconductor Signal-Capable Capacitors with Deep Trench and TSV Technologies

Номер патента: US20130277798A1. Автор: Bartley Gerald K.,Sheets,II John E.,GERMANN PHILIP R.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-24.

Image Sensor with Deep Trench Isolation Structure

Номер патента: US20120025199A1. Автор: . Владелец: TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD. Дата публикации: 2012-02-02.

CAPACITOR WITH DEEP TRENCH ION IMPLANTATION

Номер патента: US20130099354A1. Автор: Pei Chengwen,BOOTH,Ho Herbert Lei,Kusaba Naoyoshi,JR. Roger Allen. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-04-25.

INTEGRATED COMPACT MEMS DEVICE WITH DEEP TRENCH CONTACTS

Номер патента: US20130168740A1. Автор: CHEN Kun-Lung. Владелец: . Дата публикации: 2013-07-04.

METAL-INSULATOR-METAL (MIM) CAPACITOR WITH DEEP TRENCH (DT) STRUCTURE AND METHOD IN A SILICON-ON-INSULATOR (SOI)

Номер патента: US20130285193A1. Автор: JR. John E.,Khan Babar A.,Barth,Ho Herbert L.,Peterson Kirk D.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-10-31.

Method for forming back-illuminated image sensor with deep trench isolation structure

Номер патента: CN104979370A. Автор: 李�杰,王永刚,赵立新. Владелец: Galaxycore Shanghai Ltd Corp. Дата публикации: 2015-10-14.

Method of manufacturing a capacitor deep trench and of etching a deep trench opening

Номер патента: TW200725800A. Автор: Yung-Chang Lin,Chien Kuo Wang,Ta-Chuan Yeh,Kao-Su Huang,Ni-Min Chung,Ruey-Chyr Lee. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2007-07-01.

Improvements in and connected with Deep-boring Apparatus.

Номер патента: GB190303646A. Автор: George Henry Rayner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-12-10.

Improvements in and connected with Deep-boring Apparatus.

Номер патента: GB190303645A. Автор: George Henry Rayner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-12-10.

Improvements in the Manufacture of Cistern Balls and Floats.

Номер патента: GB189902615A. Автор: Christopher Willis,Alfred Bates. Владелец: Individual. Дата публикации: 1899-08-26.

3-stage method for forming deep trench structure and deep trench capacitor

Номер патента: TWI225681B. Автор: Meng-Hung Chen,Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-21.

Method for forming shallow trench in deep trench structure

Номер патента: TW591745B. Автор: Sweehan J H Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-06-11.

Method of fabricating a bottle shaped deep trench for trench capacitor dram devices

Номер патента: TWI225680B. Автор: Yi-Nan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-12-21.

3-stage method for forming deep trench structure and deep trench capacitor

Номер патента: TW200527584A. Автор: Meng-Hung Chen,Shian-Jyh Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-08-16.

Method of fabricating a bottle shaped deep trench for trench capacitor dram devices

Номер патента: TW200511492A. Автор: Yi-Nan Chen. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-03-16.

Float and float combination

Номер патента: TWM578266U. Автор: 鄒國祥. Владелец: 絃和企業有限公司. Дата публикации: 2019-05-21.

Process for producing tall and staut floats and floats

Номер патента: JPS5298179A. Автор: Manji Minoshima. Владелец: Individual. Дата публикации: 1977-08-17.

Sinking and floating device for float

Номер патента: JPS5387497A. Автор: Heiji Sano. Владелец: Individual. Дата публикации: 1978-08-01.

Floating-type transporting apparatus and floating-type unit

Номер патента: TW201107217A. Автор: Kensuke Hirata,Mami Yokohama. Владелец: IHI Corp. Дата публикации: 2011-03-01.

FLOATING BACTERIA TRAPPING DEVICE, FLOATING BACTERIA COUNTING METHOD AND FLOATING BACTERIA COUNTING SYSTEM

Номер патента: US20120295301A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-22.

DEEP ISOLATION TRENCH STRUCTURE AND DEEP TRENCH CAPACITOR ON A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR SUBSTRATE

Номер патента: US20130147007A1. Автор: Cheng Kangguo,Pei Chengwen,BOOTH,JR. ROGER A.,Ervin Joseph,Todi Ravi M.,Wang Geng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-06-13.

SHALLOW TRENCH ISOLATION FOR DEVICE INCLUDING DEEP TRENCH CAPACITORS

Номер патента: US20130200482A1. Автор: Krishnan Rishikesh,Kim Byeong Y.,Yang Daewon,Fang Sunfei,Gluschenkov Oleg. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-08.

Floating method and floating agent for floating feldspar and quartz from silica sand

Номер патента: CN1147364C. Автор: 张昭珩,鹿少群. Владелец: SHANDONG LANXING GLASS (GROUP) CORP. Дата публикации: 2004-04-28.

The method of depositing polysilicon in the deep trench of deep trench Schottky diode wafer

Номер патента: CN102376568B. Автор: 李天贺. Владелец: Shenzhen Founder Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2015-08-05.

Floating type water floating body and floating body array

Номер патента: CN212473843U. Автор: 张健,高超,周源. Владелец: Suzhou Nuoya Jianzhou Photovoltaic Technology Co ltd. Дата публикации: 2021-02-05.

Float and strip float assembly and floating fence

Номер патента: JP3874289B2. Автор: 五十二 姥,宗之 吉武. Владелец: 中央物産株式会社. Дата публикации: 2007-01-31.

Connection sealing structure of floating head cover and floating tube plate and energy-saving floating heat exchanger

Номер патента: CN215864792U. Автор: 张凯,张登峰,王文山,唐在历. Владелец: SHANXI FENGXI CHEMICAL EQUIPMENT CO Ltd. Дата публикации: 2022-02-18.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.