Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20200051984A1
Опубликовано: 13-02-2020
Автор(ы): Babar A. Khan, Effendi Leobandung, Kevin K. Chan, Masaharu Kobayashi, Sivananda K. Kanakasabapathy, Theodorus E. Standaert, Xinhui Wang
Принадлежит: International Business Machines Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20150021610A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-01-22.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20190206871A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-04.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20150135156A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-05-14.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20170117281A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-27.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20170025418A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-01-26.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20190279987A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-12.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20180225405A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20180286866A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-10-04.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US10361207B2. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-07-23.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US10050039B2. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-14.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US10042968B2. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20200051984A1. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-02-13.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US10269806B2. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-04-23.

Semiconductor structures including an integrated finFET with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US9576096B2. Автор: Effendi Leobandung,Theodorus E. Standaert,Masaharu Kobayashi,Xinhui Wang,Kevin K. Chan,Sivananda K. Kanakasabapathy,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Termination structure with multiple embedded potential spreading capacitive for trench MOSFET and method

Номер патента: US9029236B2. Автор: Xiaobin Wang,Hamza Yilmaz,Daniel Ng,Anup Bhalla. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2015-05-12.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09917150B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-03-13.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US09570548B2. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

Deep trench isolation structures and systems and methods including the same

Номер патента: US20160056234A1. Автор: Xu Cheng,Jiang-Kai Zuo,Daniel J. Blomberg. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2016-02-25.

Metal trench capacitor and improved isolation and methods of manufacture

Номер патента: US09899391B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-02-20.

Metal trench capacitor and improved isolation and methods of manufacture

Номер патента: US09583497B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Metal trench capacitor and improved isolation and methods of manufacture

Номер патента: US8846470B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-30.

Power semiconductor device with forced carrier extraction and method of manufacture

Номер патента: US11764209B2. Автор: Dumitru G. Sdrulla. Владелец: MW RF Semiconductors LLC. Дата публикации: 2023-09-19.

Semiconductor device with deep trench isolation and trench capacitor

Номер патента: US20210005760A1. Автор: ABBAS Ali,Binghua Hu,Alexei Sadovnikov,Stefan Herzer,Yanbiao Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-07.

Semiconductor device with deep trench isolation and trench capacitor

Номер патента: EP3903344A1. Автор: ABBAS Ali,Binghua Hu,Alexei Sadovnikov,Stefan Herzer,Yanbiao Pan. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-11-03.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US9305993B2. Автор: Cheng-Chi Lin,Ching-Lin Chan,Shih-Chin Lien,Chen-Yuan Lin. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-05.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11776963B2. Автор: Wei-Lun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-10-03.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US11881480B2. Автор: SHILIANG Ji,HAIYANG Zhang,Jian Chen. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-01-23.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240312997A1. Автор: Chih-Hao Chang,Chun-Sheng Liang,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure with varying doping profile and related ICS and devices

Номер патента: US09627472B2. Автор: Mario Giuseppe Saggio,Angelo Magri',Domenico Murabito. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-04-18.

ESD protection structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09960251B2. Автор: Jean Philippe Laine,Patrice Besse. Владелец: NXP USA Inc. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming semiconductor structure with anti-punch through structure

Номер патента: US09595442B2. Автор: Yen-Ming Chen,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Yao-De Chiou,Jui-Yao Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20160293689A1. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-06.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240363684A1. Автор: Chih-Hao Wang,Huan-Chieh Su,Lo-Heng Chang,Chun-Yuan Chen,Szu-Chien WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor device, layout design and method for manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US09640605B2. Автор: Yi-Ting Wang,Chia-Hui Chen,Wei-Yu MA. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-02.

Shielded gate trench mosfets with hexagonal deep trench layouts and multiple epitaxial layers

Номер патента: US20240186265A1. Автор: Fu-Yuan Hsieh. Владелец: Nami Mos Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure including a nonvolatile memory cell having a charge trapping layer and method for the formation thereof

Номер патента: US09673210B1. Автор: Peter Baars,Joerg Schmid,Hans-Juergen Thees. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-06.

Semiconductor structures including molybdenum nitride, molybdenum oxynitride or molybdenum-based alloy material, and method of making such structures

Номер патента: US09466660B2. Автор: Matthew N. Rocklein,Vishwanath Bhat,Vassil Antonov,Kotha Sai Madhukar Reddy. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-11.

Switches with deep trench depletion and isolation structures

Номер патента: US09922973B1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank,Thai Doan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of fabricating semiconductor structure with heating element

Номер патента: US20240186204A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-06.

Structure with self aligned resist layer on an interconnect surface and method of making same

Номер патента: US20160056106A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Elbert E. Huang,Robert D. Miller. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-02-25.

Structure with self aligned resist layer on an interconnect surface and method of making same

Номер патента: US20120168953A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Elbert E. Huang,Robert D. Miller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Self-aligned gate edge and local interconnect and method to fabricate same

Номер патента: US09831306B2. Автор: Tahir Ghani,Mark Bohr,Szuya S. LIAO,Milton Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-28.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20210183721A1. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Semiconductor structure with dielectric wall structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240355877A1. Автор: Xiaodong Wang,Jhon-Jhy Liaw,Yu-Lung Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor Structure and Method of Fabricating the Same

Номер патента: US20230238430A1. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2023-07-27.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12002851B2. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-06-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240234537A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure with heating element

Номер патента: US11908765B2. Автор: Stefan Rusu,Chih-Tsung Shih,Chewn-Pu Jou,Feng-Wei Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-20.

Method of Fabricating a Semiconductor Structure

Номер патента: US20240113167A1. Автор: TAO Long,Pin-Hao Huang,Ze Rui Chen. Владелец: Diodes Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20160254351A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-01.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20200373389A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-11-26.

Ldd-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20180286949A1. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-10-04.

LDD-free semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US09991343B2. Автор: Chun Hsiung Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Device integrating trench type power device and source capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20230282636A1. Автор: Liang Shi,Yi Zhao. Владелец: Chongqing Alpha And Omega Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

DEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURES AND SYSTEMS AND METHODS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20160056234A1. Автор: ZUO JIANG-KAI,Blomberg Daniel J.,Cheng Xu. Владелец: Freescale Semiconductor, Inc.. Дата публикации: 2016-02-25.

DEEP TRENCH ISOLATION STRUCTURES AND SYSTEMS AND METHODS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20170110537A1. Автор: ZUO JIANG-KAI,Blomberg Daniel J.,Cheng Xu. Владелец: . Дата публикации: 2017-04-20.

Semiconductor structure with deep trench thermal conduction

Номер патента: US20150064856A1. Автор: Shom Ponoth,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Junjun Li,Balasubramanian Pranathari Haran,Theodrus Eduardus Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-03-05.

Semiconductor structure with deep trench thermal conduction

Номер патента: US20140284717A1. Автор: Shom Ponoth,Balasubramanian Pranatharthi Haran,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Junjun Li,Theodorus Eduardus Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-09-25.

Semiconductor structure with deep trench thermal conduction

Номер патента: US20150054082A1. Автор: Shom Ponoth,Balasubramanian Pranatharthi Haran,Kangguo Cheng,Tenko Yamashita,Junjun Li,Theodorus Eduardus Standaert. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-02-26.

Semiconductor structures with stacked non-planar field effect transistors and methods of forming the structures

Номер патента: US09472558B1. Автор: Carl Radens,Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Robert C. Wong. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Deep trench isolation structure and method of making the same

Номер патента: US11031303B1. Автор: Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Po-Wei Liu,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-08.

Silicided semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09437593B2. Автор: Jiang Yan,Henning Haffner,Sun-OO Kim,Frank Huebinger,Klaus Schruefer,Richard Lindsay. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-09-06.

Fin-type field effect transistors with uniform channel lengths and below-channel isolation on bulk semiconductor substrates and methods

Номер патента: US20200044069A1. Автор: Andreas Knorr,Ruilong Xie,Julien Frougier,Srikanth Balaji Samavedam. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-02-06.

Vertical transistor and method of forming the vertical transistor

Номер патента: US12046673B2. Автор: Shogo Mochizuki,Junli Wang,Fee Li LIE. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure including a semiconductor-on-insulator region and a bulk region, and method for the formation thereof

Номер патента: US8963208B2. Автор: Jan Hoentschel,Matthias KESSLER,Stefan Flachowsky. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2015-02-24.

FINFET STRUCTURE WITH DIELECTRIC BAR CONTAINING GATE TO REDUCE EFFECTIVE CAPACITANCE, AND METHOD OF FORMING SAME

Номер патента: US20200135723A1. Автор: Tan Chung Foong,Xie Ruilong,Xu Guowei,WANG Haiting,Zang Hui,JIANG Liu,Beasor Scott H.. Владелец: . Дата публикации: 2020-04-30.

FinFET structure with dielectric bar containing gate to reduce effective capacitance, and method of forming same

Номер патента: US10797049B2. Автор: LIU Jiang,Haiting Wang,Hui Zang,Ruilong Xie,Guowei Xu,Chung Foong Tan,Scott H. Beasor. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-10-06.

Semiconductor structure with enhanced contact and method of manufacture the same

Номер патента: US09647115B1. Автор: Sung-Li Wang,Meng-Chun Chang,Yasutoshi Okuno,Yi-Fang Pai,Cheng-Long Chen,Yusuke Oniki. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Semiconductor structure having deep trench capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240170584A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Chih-Hsuan Tai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09954098B1. Автор: Yu-Jui Chang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-24.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09768028B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure with a dopant implant region having a linearly graded conductivity level and method of forming the structure

Номер патента: US09799652B1. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,Santosh Sharma,Michael J. Zierak,Theodore J. Letavic. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240021738A1. Автор: Chien-Wei Lee,Ching-Hung Kao,Anhao CHENG,Yen-Liang Lin,Meng-I Kang,Kai-Chi WU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240313053A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure with modified spacer and method for forming the same

Номер патента: US20230187535A1. Автор: Cheng-Chung Chang,Kuo-Feng Yu,Shu-Han Chen,Hsiu-Hao Tsao,Ming-Chang Wen,Chang-Jhih Syu,Yu-Jiun PENG,Hsuan-Chih Wu,Min-Chia Lee,Kai-Min Chien. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-15.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US20240355928A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US20240120410A1. Автор: Kuang-Hao Chiang,Yan-Ru Chen,Yu-Tsu Lee,Chao-Yi Chang. Владелец: Hon Young Semiconductor Corp. Дата публикации: 2024-04-11.

Multi-gate field-effect transistors and methods of forming the same

Номер патента: US12087633B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Ping-Wei Wang,Chia-Hao Pao,Kuo-Hsiu Hsu,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Extended drain field effect transistor with trench gate(s) and method

Номер патента: US20230223437A1. Автор: Ketankumar Harishbhai Tailor. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-07-13.

Semiconductor structure with changeable gate length and method for forming the same

Номер патента: US09899490B2. Автор: Jean-Pierre Colinge. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure with dielectric spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240113214A1. Автор: Wei-Yang Lee,Che-Lun Chang,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US12051755B2. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-30.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210242225A1. Автор: Sai-Hooi Yeong,Han-Jong Chia,Mauricio Manfrini,Chenchen Jacob WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-08-05.

Transistor and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240347645A1. Автор: Yu-Chu Lin,Wen-Chih Chiang,Chia-Wei Lee,Chi-Chung JEN,Chia-Ming PAN,Kuan-Wei SU,Ming-Hong Su,Mei-Chen Su. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor device structures and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09761724B2. Автор: Justin K. Brask,Brian S. Doyle,Uday Shah,Robert S. Chau,Suman Datta,Jack Kavalieros,Amlan Majumdar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure with fin structure and wire structure and method for forming the same

Номер патента: US09450046B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20230112037A1. Автор: Chong Chen,Junjun Xing,Peng Sun,Jia Pan,Tongbo Zhang,Jiye Yang,Xuan Huang,Yiping Yao. Владелец: Shanghai Huahong Grace Semiconductor Manufacturing Corp. Дата публикации: 2023-04-13.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US10043868B2. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-08-07.

Spatial semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20150048486A1. Автор: Chih-Chien Liu,Wen-Yi Teng,Hung-Lin Shih,Jei-Ming Chen,Chieh-Wen Lo. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-02-19.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09660020B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-05-23.

Asymmetrical FinFET structure and method of manufacturing same

Номер патента: US09640660B2. Автор: Haizhou Yin,Keke Zhang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor high-voltage termination with deep trench and floating field rings

Номер патента: WO2023287600A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor high-voltage termination with deep trench and floating field rings

Номер патента: EP4371161A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2024-05-22.

Semiconductor high-voltage termination with deep trench and floating field rings

Номер патента: US20230019985A1. Автор: Amaury Gendron-Hansen,Dumitru Gheorge Sdrulla. Владелец: Analog Power Conversion LLC. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure with isolating feature

Номер патента: US12040403B2. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220005949A1. Автор: Zheng-Long Chen. Владелец: TSMC China Co Ltd. Дата публикации: 2022-01-06.

Semiconductor structure with template for transition metal dichalcogenides channel material growth

Номер патента: US09349806B2. Автор: YI Chang,Yen-Teng Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-24.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09608062B1. Автор: Chen-Ming Huang,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Transistor devices, power devices, and method of manufacturing thereof

Номер патента: EP4402723A1. Автор: Gilberto Curatola. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-24.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20180331177A1. Автор: Chun-Hsien Lin,I-Ming Tseng,Wen-An Liang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Semiconductor devices with electrical fuses and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240297115A1. Автор: Yi-Kan Cheng,Chung-Sheng Yuan,Chia-Chung Chen,Meng-Sheng CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-05.

Semiconductor structure with feature spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09716096B1. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Kuo-Cheng Ching,Ying-Keung Leung,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Semiconductor devices including semiconductor structures and methods of fabricating the same

Номер патента: US09576791B2. Автор: Craig J. Atkinson,Alireza Amirrezvani,Nicole C. Skaggs. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2017-02-21.

Reduced area power devices using deep trench isolation

Номер патента: US09525060B2. Автор: Seetharaman Sridhar,Sameer Pendharkar,Yongxi Zhang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-12-20.

Esd protection device with deep trench isolation islands

Номер патента: US20200161292A1. Автор: Binghua Hu,Akram A. Salman,Zaichen Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-05-21.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12046630B2. Автор: Tao Liu,Jun Xia,Penghui Xu,Sen Li,Qiang Wan,Kangshu ZHAN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

ESD protection device with deep trench isolation islands

Номер патента: US10790275B2. Автор: Binghua Hu,Akram A. Salman,Zaichen Chen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2020-09-29.

Gate spacers and methods of forming the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240266224A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Chih-Yung Lin,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Reduced area power devices using deep trench isolation

Номер патента: US09735265B2. Автор: Seetharaman Sridhar,Sameer Pendharkar,Yongxi Zhang. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20130214354A1. Автор: Wing-Chor CHAN. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2013-08-22.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING A HIGH VOLTAGE HOLD WITH AN IMPLANTED PERIPHERAL FUME AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: FR2557367B1. Автор: Gerard Ducreux. Владелец: Thomson CSF SA. Дата публикации: 1986-12-05.

STRUCTURE WITH SELF ALIGNED RESIST LAYER ON AN INTERCONNECT SURFACE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20130193551A1. Автор: EDELSTEIN Daniel C.,Miller Robert D.,Huang Elbert E.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2013-08-01.

STRUCTURE WITH SELF ALIGNED RESIST LAYER ON AN INTERCONNECT SURFACE AND METHOD OF MAKING SAME

Номер патента: US20160056106A1. Автор: EDELSTEIN Daniel C.,Miller Robert D.,Huang Elbert E.. Владелец: . Дата публикации: 2016-02-25.

Deep trench capacitor for soi cmos devices for soft error immunity

Номер патента: US20110177660A1. Автор: Kerry Bernstein,Francis R. White,John E. Barth, Jr.,Ethan H. Cannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-07-21.

Deep trench capacitor for soi cmos devices for soft error immunity

Номер патента: US20100052026A1. Автор: Kerry Bernstein,John Edward Barth, Jr.,Francis Roger White,Ethan Harrison Cannon. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-03-04.

Integrated circuits with deep trench isolations and methods for producing the same

Номер патента: US09831304B1. Автор: Jeoung Mo KOO,Shiang Yang Ong,Raj Verma Purakh,Namchil MUN,Mun Tat Yap,Tat Wei Chua. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-28.

Active and passive components with deep trench isolation structures

Номер патента: US20180166536A1. Автор: Anthony K. Stamper,John J. Ellis-Monaghan,Steven M. Shank. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-06-14.

Method of manufacturing non-classical light source device, non-classical light source device, single-photon source device, and random number generator

Номер патента: US20230085370A1. Автор: Takuya Kadowaki,Tadashi Kawazoe. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-03-16.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US12094874B2. Автор: Ru-Shang Hsiao,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US10084056B1. Автор: Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-25.

Semiconductor structures and methods of manufacturing semiconductor structures

Номер патента: US20240047577A1. Автор: Arash Elhami Khorasani. Владелец: Semiconductor Components Industries LLC. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of manufacturing a reduced free-charge carrier lifetime semiconductor structure

Номер патента: US09543405B2. Автор: Hans-Joachim Schulze,Frank Hille,Frank Pfirsch,Holger Ruething. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor structure with dielectric fin structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230141523A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-05-11.

Gate structure with hard mask structure formed thereon and method for forming the same

Номер патента: US09449963B2. Автор: Huang-Kui CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135722A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Apparatus and circuits including transistors with different threshold voltages and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240274599A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure

Номер патента: US09923101B2. Автор: HO-HSIANG Chen,Yu-Ling Lin,Hsiao-Tsung Yen,Chewn-Pu Jou,Chin-Wei Kuo,Min-Chie Jeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Buried trench capacitor

Номер патента: US20240113102A1. Автор: Tawen Mei,Umamaheswari Aghoram,Guruvayurappan Mathur,Robert Oppen. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-04-04.

Buried trench capacitor

Номер патента: WO2024073632A1. Автор: Tawen Mei,Umamaheswari Aghoram,Guruvayurappan Mathur,Robert Oppen. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-04-04.

Hybrid orientation substrate compatible deep trench capacitor embedded dram

Номер патента: US20090176347A1. Автор: Kangguo Cheng,Ramachandra Divakaruni. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2009-07-09.

Bulk semiconductor structure with a multi-level polycrystalline semiconductor region and method

Номер патента: US20220051929A1. Автор: Mark D. Levy,Siva P. Adusumilli. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-02-17.

Structure and method of latchup robustness with placement of through wafer via within CMOS circuitry

Номер патента: US09842838B2. Автор: David S. Collins,Steven H. Voldman,Phillip F. Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Ultraviolet light emitting diode structures and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09780254B1. Автор: Theodore D. Moustakas,Yitao Liao. Владелец: Boston University. Дата публикации: 2017-10-03.

Lateral heterojunction bipolar transistor with improved breakdown voltage and method

Номер патента: US11777019B2. Автор: Hong Yu,Vibhor Jain,Judson R. Holt. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-03.

Methods of forming microelectronic devices

Номер патента: US20240274562A1. Автор: Kunal R. Parekh,Fatma Arzum Simsek-Ege,Beau D. Barry. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor structure and preparation method therefor, and radio frequency circuit and communication device

Номер патента: EP4425536A1. Автор: Xiaohong Wang,Xiangming Xu,Zhongxiang JIAN. Владелец: Huawei Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-04.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055270A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Eva Henschel,Michael Leidner,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Vertical transistor trench capacitor memory cell and method of making the same

Номер патента: WO2002086904A3. Автор: Carl J Radens,Thomas W Dyer,Stephan P Kudelka,Venkatachaiam C Jaiprakash. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2003-11-06.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240030292A1. Автор: Chia-Cheng Ho,Chan-yu HUNG,Chia-Yu WEI,Yu-Chang Jong,Fei-Yun Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Structures with improved adhesion to Si and C containing dielectrics and method for preparing the same

Номер патента: US20030235710A1. Автор: Alfred Grill,Michael Lane,Vishnubhai Patel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-12-25.

Semiconductor structures employing strained material layers with defined impurity gradients and methods for fabricating same

Номер патента: US09923057B2. Автор: Eugene A. Fitzgerald,Richard Hammond,Anthony J. Lochtefeld,Matthew T. Currie. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Integrated circuit structure with complementary field effect transistor and buried metal interconnect and method

Номер патента: US20200111798A1. Автор: Ruilong Xie,Bipul C. Paul. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2020-04-09.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US09679917B2. Автор: Xinhui Wang,Deepal Wehella-Gamage,Babar A. Khan,Ricardo A. Donaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structures with deep trench capacitor and methods of manufacture

Номер патента: US20160181253A1. Автор: Xinhui Wang,Deepal Wehella-Gamage,Babar A. Khan,Ricardo A. Donaton. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor structure with isolation region including combination of deep and shallow trench isolation structures and method

Номер патента: US20240313113A1. Автор: Hong Yu,James P. Mazza,Anton V. Tokranov,Elizabeth A. Strehlow,Eric Scott Kozarsky,Vitor A. Vulcano Rossi. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Multi-gate semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107162B2. Автор: Hung-Yu Wei,Kai Jen,Pei-Hsiu PENG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-01.

Deep trench varactors

Номер патента: EP2377158A1. Автор: Eric Thompson,David S. Collins,Robert M. Rassel. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-10-19.

Method and semiconductor structure with deep trench isolation structures

Номер патента: EP3022770A1. Автор: Takehito Tamura,Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-25.

Deep trench isolation structures with a substrate connection

Номер патента: US20230335583A1. Автор: Jianbo Zhou,Shiang Yang Ong,Namchil MUN,Hung Chang Liao,Zhongxiu Yang. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2023-10-19.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20220336662A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20230119370A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-04-20.

Semiconductor devices and methods of manufacturing thereof

Номер патента: US20240332422A1. Автор: MING-CHING Chang,Shih-Yao Lin,Chen-Ping CHEN,Hsiao Wen Lee,Li-Jung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structure with a doped region between two deep trench isolation structures

Номер патента: US09608105B2. Автор: Takehito Tamura,Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structures with body contact regions embedded in polycrystalline semiconductor material

Номер патента: US20220093744A1. Автор: Steven M. Shank,Michael Zierak,Siva P. Adusumilli,Yves Ngu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2022-03-24.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12094947B2. Автор: Keng-Chu Lin,Ko-Feng Chen,Hung-Yu Yen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Three dimensional integrated deep trench decoupling capacitors

Номер патента: US20120133023A1. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-31.

Semiconductor structure with low defect and method for forming the same

Номер патента: US09806077B2. Автор: Georgios Vellianitis,Blandine Duriez. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-31.

Semiconductor device including a FinFET structure and method for fabricating the same

Номер патента: US12087636B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Zhi-Chang Lin,Shi Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Gate all around structure with additional silicon layer and method for forming the same

Номер патента: US12119404B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chun-Hsiung Lin,Chen-Han Wang,Pei-Hsun Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure with silicon oxide layer having a top surface in the shape of continuous hills and method of fabricating the same

Номер патента: US20160141359A1. Автор: Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-05-19.

Semiconductor structure with silicon oxide layer having a top surface in the shape of plural hills and method of fabricating the same

Номер патента: US09490316B2. Автор: Shih-Yin Hsiao,Ching-Chung Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-08.

Semiconductor structures with isolated ohmic trenches and stand-alone isolation trenches and related method

Номер патента: US09786606B2. Автор: Yun Shi,Natalie B. Feilchenfeld,BethAnn Lawrence. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-10.

Vertical semiconductor structure with integrated sampling structure and method for manufacturing same

Номер патента: US12046664B2. Автор: Wei Li,Pengfei Jia,Qiang RUI. Владелец: Wuxi China Resources Huajing Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Deep trench varactors

Номер патента: WO2010075052A1. Автор: Eric Thompson,David S. Collins,Robert M. Rassel. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2010-07-01.

Multi-layer channel structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors preliminary class

Номер патента: US12040371B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Semiconductor structure with isolating feature and method for forming the same

Номер патента: US20210202742A1. Автор: Hou-Yu Chen,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-07-01.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US11749677B2. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin,Kuo-Hua Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240313111A1. Автор: Kong-Beng Thei,Chien-Chih Chou,Szu-Hsien Liu,Yi-huan Chen,Jhu-Min Song,Huan-Chih Yuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Multi-layer channel structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240332391A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US12046597B2. Автор: Shih-Yao Lin,Chieh-Ning Feng,Shu-Yuan Ku,Shu-Uei JANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure with dielectric fin in memory cell and method for forming the same

Номер патента: US11171143B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-09.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240347338A1. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12057313B2. Автор: Shin-Hung Li. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure with barrier layer and method for forming the same

Номер патента: US20190157405A1. Автор: Chia-Hui Lin,Chung-Ting Ko,Tai-Chun Huang,Shih-Wen Huang,Hong-Hsien KE. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-23.

Interconnect structures and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20230260900A1. Автор: Mei-Yun Wang,Shih-Hsien Huang,Fu-Kai Yang,Chao-Hsun Wang,Sheng-Hsiung Wang,Wang-Jung HSUEH. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method of analyzing a manufacturing of a semiconductor structure

Номер патента: US20200105558A1. Автор: Chih-Yu Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-02.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US12057477B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structure with hybrid nanostructures

Номер патента: US20240371934A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Shi-Ning Ju,Guan-Lin Chen,Wen-Ting Lan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure with a doped region between two deep trench isolation structures

Номер патента: US20150270391A1. Автор: Takehito Tamura,Sameer Pendharkar,Binghua Hu,Guru Mathur. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2015-09-24.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200135733A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-04-30.

Semiconductor device and method of making the same and seal ring structure

Номер патента: US20230361056A1. Автор: NING Xu,Cheng Liu,Nien-Tze Yeh,Kechuang Lin. Владелец: Hunan Sanan Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Apparatus and circuits with dual threshold voltage transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US20230290782A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-14.

Semiconductor structure with dielectric fin in memory cell and method for forming the same

Номер патента: US12048136B2. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-23.

Gate aligned contact and method to fabricate same

Номер патента: US11756829B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Gate aligned contact and method to fabricate same

Номер патента: US20240282633A1. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Gate aligned contact and method to fabricate same

Номер патента: US12033894B2. Автор: Tahir Ghani,Oleg Golonzka,Charles H. Wallace,Swaminathan Sivakumar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-07-09.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20220130989A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-04-28.

Apparatus and circuits including transistors with different polarizations and methods of fabricating the same

Номер патента: US20200161463A1. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor structure with devices having different effective channels and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240274469A1. Автор: Jhon Jhy Liaw,Ta-Chun Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-15.

Semiconductor device having through via and method of fabricating thereof

Номер патента: US20240363492A1. Автор: Chih-Hsin Yang,Mao-Nan Wang,Yang-Hsin Shih,Liang-Wei WANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Multi-chip package system and methods of forming the same

Номер патента: US09911724B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Yu-feng Chen,Chih-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-06.

CMOS-compatible polycide fuse structure and method of fabricating same

Номер патента: US09881927B2. Автор: Walid M. Hafez,Chia-Hong Jan,Jeng-Ya D. YEH,Joodong Park. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Multi-chip package system and methods of forming the same

Номер патента: US09589941B1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Hao-Yi Tsai,Yu-feng Chen,Chih-Hua Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Apparatus and circuits with dual polarization transistors and methods of fabricating the same

Номер патента: US11990541B2. Автор: Chan-Hong Chern. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Semiconductor device with gate isolation structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371877A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Shi Ning Ju,Guan-Lin Chen,Jung-Chien Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Systems and methods for semiconductor structure sample preparation and analysis

Номер патента: US20210057247A1. Автор: Jang Jung Lee,Shih-Wei Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Structure with self aligned resist layer on an interconnect surface and method of making same

Номер патента: US20120168953A1. Автор: Daniel C. Edelstein,Elbert E. Huang,Robert D. Miller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Structure with self aligned resist layer on an insulating surface and method of making same

Номер патента: US7993817B2. Автор: Daniel C. Edelstein,Elbert E. Huang,Robert D. Miller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-08-09.

Test key and method for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMS

Номер патента: US6825053B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2004-11-30.

Deep trench integration processes and devices

Номер патента: US20220165564A1. Автор: LAN Yu,Tyler Sherwood. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2022-05-26.

Test key and method for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMs

Номер патента: US20050002221A1. Автор: BO Jiang,Yu-Wei Ting,Chien-Chang Huang,Tie Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-01-06.

Fin field-effect transistor and method of forming the same

Номер патента: US20240266227A1. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Wei-liang LU,Jian-Hsuan Zheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240234497A1. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Test key for validating the position of a word line overlaying a trench capacitor in DRAMs

Номер патента: US6946678B2. Автор: Yu-Wei Ting,Tie Jiang Wu,Chien-Chang Huang,Bo Ching Jiang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-09-20.

Semiconductor Structure And Method of Making The Same

Номер патента: US20240234202A1. Автор: Jian Yang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor device structure with source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US20240222434A1. Автор: Feng-Ming Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure with dopants diffuse protection and method for forming the same

Номер патента: US09899273B1. Автор: Chun-Chieh Wang,Shih-Chieh Chang,Yi-Min Huang,Huai-Tei Yang,Zheng-Yang Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure with strained source and drain structures and method for forming the same

Номер патента: US09559165B2. Автор: Che-Cheng Chang,Chang-Yin Chen,Mu-Tsang Lin,Tung-Wen CHENG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Temperature-controlled implanting of a diffusion-suppressing dopant in a semiconductor structure

Номер патента: US09508602B2. Автор: Mitsuhiro Togo. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-29.

Pixel block with thin-film transistor made of low-temperature polycrystalline silicon and method for manufacture thereof

Номер патента: RU2670219C1. Автор: Цзую ЯН. Владелец: Шэньчжэнь Чайна Стар Оптоэлектроникс Текнолоджи Ко., Лтд.. Дата публикации: 2018-10-19.

Method of manufacturing a semiconductor structure having a buried raised portion

Номер патента: US10367059B2. Автор: Kang-Min Kuo,Shi-Min Wu,Cong-Min FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-30.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20170373143A1. Автор: Kang-Min Kuo,Shi-Min Wu,Cong-Min FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Devices and methods for detecting current leakage between deep trench capacitors in DRAM devices

Номер патента: US20070111341A1. Автор: Yu-Chang Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2007-05-17.

Structure and formation method of FinFET device

Номер патента: US09496264B2. Автор: Yimin Huang,Hsiang-Ku Shen,Kai-Hsuan LEE,Han-Ting Tsai,Cheng-Yu Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Ferroelectric memory device and method of making the same

Номер патента: US20230262986A1. Автор: Yi-Ching Liu,Chia-En HUANG,Ya-Yun Cheng,Huan-Sheng WEI,Chung-Wei Wu,Wen-Ling LU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Low power semiconductor transistor structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09865596B2. Автор: Weimin Zhang,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Sachin R. Sonkusale. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Low power semiconductor transistor structure and method of fabrication thereof

Номер патента: US09496261B2. Автор: Weimin Zhang,Pushkar Ranade,Scott E. Thompson,Lucian Shifren,Sachrin R. Sonkusale. Владелец: Mie Fujitsu Semiconductor Ltd. Дата публикации: 2016-11-15.

Integrated device with deep plug under shallow trench

Номер патента: US20210193658A1. Автор: Simone Dario Mariani,Daniela Brazzelli,Andrea Paleari,Alessandra Piera MERLINI,Irene BALDI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2021-06-24.

Asymmetric fet including sloped threshold voltage adjusting material layer and method of fabricating same

Номер патента: US20120171831A1. Автор: Yue Liang,Dureseti Chidambarrao,Xiaojun Yu,Jun Yuan,Sunfei Fang. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-07-05.

Method of Filling Large Deep Trench with High Quality Oxide for Semiconductor Devices

Номер патента: US20110140228A1. Автор: Xiaobin Wang,Anup Bhalla,Yeeheng Lee. Владелец: ALPHA AND OMEGA SEMICONDUCTOR INC. Дата публикации: 2011-06-16.

Silicon-on-nothing transistor semiconductor structure with channel epitaxial silicon-germanium region

Номер патента: US09620507B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor structures and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240096941A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Yun-Chi Wu,Chien Hung Liu,Po-Wei Liu,Shih-Jung Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US09679817B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Bao-Ru Young,Po-Nien Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Semiconductor structure, semiconductor device, and method for producing semiconductor structure

Номер патента: US09496345B2. Автор: Koji Nakayama,Hidekazu Tsuchida,Katsunori Asano,Kazutoshi Kojima,Tetsuya Miyazawa,Shiyang Ji,Tetsuro Hemmi. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2016-11-15.

Semiconductor structure with an epitaxial layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200194252A1. Автор: Chin-Fu Lin,Yu-Cheng Tung,Hsiao-Pang Chou,Ming-Chang Lu,Hon-Huei Liu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2020-06-18.

Semiconductor device with capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240030359A1. Автор: Shu-Hui SU,Yu-Chi Chang,Hsin-Li Cheng,Hsuan-Ning Shih,Yingkit Felix Tsui. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Integrated structure with trap rich regions and low resistivity regions

Номер патента: EP4447124A2. Автор: John J. Pekarik,Vibhor Jain,Crystal R. Kenney. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20110272756A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2011-11-10.

Method of forming an insulator layer in a semiconductor structure and structures resulting therefrom

Номер патента: US20150235968A1. Автор: Michael D. Church. Владелец: INTERSIL AMERICAS LLC. Дата публикации: 2015-08-20.

Trench structure and method of forming the trench structure

Номер патента: US20080258268A1. Автор: Kangguo Cheng. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-10-23.

Semiconductor device including deep trench capacitors and via contacts

Номер патента: US20230387330A1. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Semiconductor structure and method of forming the structure

Номер патента: US20100112766A1. Автор: Kern Rim,Katsunori Onishi,Shreesh Narasimha,Yaocheng Liu. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-05-06.

Deep trench capacitor

Номер патента: US09379177B2. Автор: Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-06-28.

High voltage deep trench capacitor

Номер патента: US20080293211A1. Автор: Amitava Bose,Vishnu Khemka,Ronghua Zhu,Todd C. Roggenbauer. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-11-27.

Semiconductor-on-insulator (soi) deep trench capacitor

Номер патента: US20140084411A1. Автор: Kirk D. Peterson,John E. Barth, Jr.,Herbert L. Ho,Babar A. Khan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-03-27.

Method of manufacturing a semiconductor device having a trench capacitor and a logic device

Номер патента: US20240322001A1. Автор: Jong Hyuk OH. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and forming method thereof

Номер патента: US20240215218A1. Автор: Huang Liu,Liang Li,John H. Zhang,Haijiang YUAN,Yanzun Li,Chunyu WONG,Yuan Lung LIN,Chung-Chiang Lin. Владелец: HeFeChip Corp Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

TSV deep trench capacitor and anti-fuse structure

Номер патента: US09741657B2. Автор: Erdem Kaltalioglu,Ping-Chuan Wang,Lijuan Zhang,Shahab Siddiqui,Ronald G. Filippi. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-08-22.

Semiconductor device including deep trench capacitors and via contacts

Номер патента: US12074227B2. Автор: Stefan Rusu,Po-Chia Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure including optical device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240230996A1. Автор: Stefan Rusu,Tai-Chun Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240088234A1. Автор: Ding-Kang SHIH,Chansyun David Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure(s) with extended source/drain channel interfaces and methods of fabrication

Номер патента: US09679990B2. Автор: Mitsuhiro Togo,Shesh Mani Pandey,Edmund Kenneth Banghart. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-06-13.

Forming channel stop for deep trench isolation prior to deep trench etch

Номер патента: US20060154440A1. Автор: Stephen St. Onge,Louis Lanzerotti. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2006-07-13.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240096806A1. Автор: Chao-Hsuan Chen,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Yih-Ann Lin,Li-Wei Yin,Wei Chen Hung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Split gate flash memory structure and method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09614048B2. Автор: Shih-Chang Liu,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-04.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12040385B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Ching-Wei Tsai,Chi-Yi Chuang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-16.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of manufacturing

Номер патента: US20230361164A1. Автор: Min-Ying Tsai,Chih-Ping Chang,Ching I Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240290663A1. Автор: Tatsuya Hashimoto,Kazuhiro Kitahara,Naoko Kodama,Ryota KATAOKA,Noriaki Noji,Shunya HAYASHIDA. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Field effect transistor and method of manufacture

Номер патента: US09847415B2. Автор: Stephen E. Luce,John J. Pekarik,Yun Shi,Alvin J. Joseph,Alan B. Botula. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

FinFET semiconductor structures and methods of fabricating same

Номер патента: US09812336B2. Автор: Michael Ganz,Sruthi Muralidharan,Bingwu Liu,Johannes Marinus VAN MEER. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-07.

Selectively deposited metal gates and method of manufacturing thereof

Номер патента: US09496361B1. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-15.

Method of forming shallow trench

Номер патента: US6514817B1. Автор: Yung-Ching Wang,Nien-Yu Tsai. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2003-02-04.

Deep trench capacitor including a compact contact region and methods of forming the same

Номер патента: US20240304700A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Confined epitaxial regions for semiconductor devices and methods of fabricating semiconductor devices having confined epitaxial regions

Номер патента: US09882027B2. Автор: Tahir Ghani,Szuya S. LIAO,Michael L. Hattendorf. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor structure with airgap

Номер патента: US09666475B2. Автор: Anthony K. Stamper,Mark D. Jaffe,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

III-Nitride semiconductors with recess regions and methods of manufacture

Номер патента: US09614069B1. Автор: Bin Lu,Ling Xia. Владелец: Cambridge Electronics Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method of manufacturing semiconductor structure having fins

Номер патента: US20240347376A1. Автор: Chen-Tsung LIAO. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure with airgap

Номер патента: US09917005B2. Автор: Anthony K. Stamper,Mark D. Jaffe,Qizhi Liu,Alvin J. Joseph. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Gate contact for a semiconductor device and methods of fabrication thereof

Номер патента: US09343543B2. Автор: Helmut Hagleitner,Fabian Radulescu. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor structure with barrier layer comprising indium aluminium nitride and method of growing thereof

Номер патента: EP4367723A1. Автор: Lucas Petersen Barbosa Lima,Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-05-15.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240063260A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor structure with barrier layer comprising indium aluminium nitride and method of growing thereof

Номер патента: US20240313101A1. Автор: Lucas Petersen Barbosa Lima,Joff Derluyn,Prem Kumar Kandaswamy. Владелец: Soitec Belgium. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing a semiconductor heteroepitaxy structure

Номер патента: US09647094B2. Автор: Zhi David Chen. Владелец: University of Kentucky Research Foundation. Дата публикации: 2017-05-09.

FinFET and method of manufacturing same

Номер патента: US09515169B2. Автор: Haizhou Yin,Yunfei Liu. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2016-12-06.

Split gate flash memory structure with a damage free select gate and a method of making the split gate flash memory structure

Номер патента: US09502515B2. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yuan-Tai Tseng,Chang-Ming Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor fin structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20200212205A1. Автор: Geert Eneman,Geoffrey Pourtois,Liesbeth Witters,Bartlomiej PAWLAK. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2020-07-02.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09922827B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chia-Cheng Chen,Liang-Gi Yao,Ta-Ming Kuan,Jeff J. Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device with an integrated deep trench capacitor having high capacitance density and low equivalent series resistance

Номер патента: US20210028316A1. Автор: Binghua Hu,Yanbiao Pan,Django Trombley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2021-01-28.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220216066A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Semiconductor structure having sets of III-V compound layers and method of forming the same

Номер патента: US09660063B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yi Yu,Chi-Ming Chen,Po-Chun Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-23.

Gate structure with multiple spacer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09653302B2. Автор: Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN,Ping-Pang Hsieh,Pei-Chi Ho. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: EP3940751A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-19.

Semiconductor structures and manufacturing methods thereof

Номер патента: US11978791B2. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-05-07.

Spacer structure for semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20220020644A1. Автор: Gary Chan,Pinyen Lin,Keng-Chu Lin,Tzer-Min Shen,Fu-Ting Yen,Li-Te Lin,Han-Yu Lin,Jhih-Rong Huang,Yen-Tien Tung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-01-20.

Etchant for etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure and method of etching a cobalt-containing member in a semiconductor structure

Номер патента: US20220367206A1. Автор: Ming-Hsi Yeh,Kuo-Bin Huang,Shun Wu Lin,Li-Chen LEE,Ren-Kai Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Semiconductor nanostructures, semiconductor devices, and methods of making same

Номер патента: WO2008088669A1. Автор: Supratik Guha,Joerg Appenzeller,Emanuel Tutuc. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2008-07-24.

Method of manufacturing the trench power semiconductor structure

Номер патента: US20130330895A1. Автор: Hsiu-wen Hsu. Владелец: Super Group Semiconductor Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-12.

Bias-controlled deep trench substrate noise isolation integrated circuit device structures

Номер патента: US20110291238A1. Автор: David Goren,Shlomo Shlafman,Rajendran Krishnasamy,Raminderpal Singh,Benny Sheinman,Wayne H. Woods,Phillip Francis Chapman. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2011-12-01.

Metal gate structures and methods of fabricating the same in field-effect transistors

Номер патента: US20240243190A1. Автор: Pin Chia Su,Ru-Shang Hsiao,I-Shan Huang,Ching-Hwanq Su,Ying Hsin Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Deep trench capacitor and method of fabricating thereof

Номер патента: US20060051916A1. Автор: Chao-Hsi Chung. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2006-03-09.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US20170092771A1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-30.

Semiconductor structure with recessed source/drain structure and method for forming the same

Номер патента: US09922978B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Ying-Keung Leung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Semiconductor device and method of fabricating the same

Номер патента: US09608126B1. Автор: Chun-Yuan Wu,Chia-Fu Hsu,Zhibiao Zhou,Qinggang Xing,Xu Yang Shen. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-03-28.

Semiconductor structure with interfacial layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09595593B2. Автор: Chih-Hsiung Huang,Chee-Wee Liu,Yuh-Ta FAN,Wei-Fan Lee,Chin-Kun Wang,Tzu-Yao Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-14.

Deep trench capacitor manufactured by streamlined process

Номер патента: US09472690B2. Автор: Chen-Chien Chang,Wu-An Weng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method for manufacturing semiconductor structure with source/drain structure having modified shape

Номер патента: US20240234548A1. Автор: Shih-Chieh Chang,Cheng-Han Lee,Shahaji B. More,Huai-Tei Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Deep trench capacitor

Номер патента: US20070090436A1. Автор: Chao-Hsi Chung. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2007-04-26.

Deep-trench capacitor with hemispherical grain silicon surface and method for making the same

Номер патента: US20040079979A1. Автор: Yueh-Chuan Lee,Shih-Lung Chen. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2004-04-29.

Semiconductor structure with enlarged gate electrode structure and method for forming the same

Номер патента: US09748350B2. Автор: Yi-Chun Lo,Wen-Jia HSIEH,Bo-Wen HSIEH,Mi-Hua LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20190341470A1. Автор: Shiang-Bau Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-11-07.

Semiconductor structure with insertion layer and method for manufacturing the same

Номер патента: US09960246B2. Автор: Chih-Wei Lin,Chih-Lin Wang,Kang-Min Kuo,Cheng-Wei LIAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-01.

Method of forming semiconductor structure with horizontal gate all around structure

Номер патента: US09881993B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Ching-Wei Tsai,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-30.

Semiconductor structure and methods of forming the same

Номер патента: US09824969B1. Автор: Ming-Hsing Tsai,Chia-Ching Lee,Chun-Yuan Chou,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Chung-Chiang WU,Hsueh-Wen Tsau. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure with unleveled gate structure and method for forming the same

Номер патента: US09818841B2. Автор: Che-Cheng Chang,Po-Chi WU,Chai-Wei Chang,Yi-Cheng Chao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

Fabricating method of semiconductor structure

Номер патента: US09735015B1. Автор: Chun-Lin Chen,Chun-Tsen Lu,Wei-Chuan Tsai,Jui-Ming Yang,Min-Chuan Tsai,Kuo-Chin Hung,Kun Ju Li,Hsin Jung Liu,Yi Han Liao. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure with a multilayer gate oxide and method of fabricating the same

Номер патента: US09406772B1. Автор: Shao-Wei Wang,Yu-Tung Hsiao,Shu-Ming Yeh. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230021074A1. Автор: Deyuan Xiao,Semyeong Jang,Minki HONG,Joonsuk Moon,Jo-Lan CHIN,Kyongtaek LEE. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Semiconductor structure, HEMT structure and method of forming the same

Номер патента: US12107156B2. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Epitaxial source/drain structure and method

Номер патента: US12125879B2. Автор: PENG Wang,Wei-Yuan Lu,Mei-Yun Wang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,Guan-Ren Wang,I-Wen Wu,Chun-An Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor structure, HEMT structure and method of forming the same

Номер патента: US09812562B1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09748372B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Fu-Chih Yang,King-Yuen Wong,Chih-Wen Hsiung,Fu-Wei YAO,Chen-Ju YU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Semiconductor structure containing low-resistance source and drain contacts

Номер патента: US09406568B2. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Injo OK,Charan Veera Venkata Satya Surisetty. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-02.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US12027625B2. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure, hemt structure and method of forming the same

Номер патента: US20190245074A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-08-08.

Semiconductor structure, hemt structure and method of forming the same

Номер патента: US20180053839A1. Автор: Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Yao-Chung Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-02-22.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US12080780B2. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Jing-Yi Lin,Chong-De LIEN,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structures including dual fins and methods of fabrication

Номер патента: US20120175748A1. Автор: David Hwang,Aaron R. Wilson,Larson Lindholm. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2012-07-12.

Semiconductor Structure and Methods of Forming Same

Номер патента: US20200152792A1. Автор: Kei-Wei Chen,Chun-Hsiung Tsai,Kuo-Feng Yu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-14.

Semiconductor structure and method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230007832A1. Автор: Yutong SHEN. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure with nitrided inner spacers and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240136427A1. Автор: Man-Nung SU,I-Hsuan LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-25.

Semiconductor device having fins and method of fabricating the same

Номер патента: US20240313116A1. Автор: Kuo-Cheng Ching,Li-Te Lin,Jung-Hao CHANG,Chao-Hsien Huang,Shu-Hao KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240371972A1. Автор: Shih-Hao Lin,Chih-Chuan Yang,Hsin-Wen Su,Jing-Yi Lin,Chong-De LIEN,Shang-Rong Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Integrated circuits with laterally diffused metal oxide semiconductor structures and methods for fabricating the same

Номер патента: US09842903B2. Автор: PURAKH Raj Verma,Yi Lu,Dongli Wang,Deyan CHEN. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2017-12-12.

Gate contact structure over active gate and method to fabricate same

Номер патента: US09461143B2. Автор: Tahir Ghani,Abhijit Jayant Pethe,Mark Bohr,Harry Gomez,Annalisa Cappellani,Clair Webb. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Electronic switch utilizing a semiconductor with deep impurity levels

Номер патента: US3654531A. Автор: Robert H Krambeck,Peter T Panousis,Robert J Strain. Владелец: Bell Telephone Laboratories Inc. Дата публикации: 1972-04-04.

Method for manufacturing collars of deep trench capacitors

Номер патента: US20080254589A1. Автор: Chih-Ching Lin,Jen-Jui HUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2008-10-16.

Semiconductor device with an integrated deep trench capacitor having high capacitance density and low equivalent series resistance

Номер патента: US11742436B2. Автор: Binghua Hu,Yanbiao Pan,Django Trombley. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2023-08-29.

Deep trench capacitor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240055470A1. Автор: Yu-Han Chen,Fu-Chiang KUO,Cheng-Wei LO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-15.

Menufacturing method of dynamic random access memory

Номер патента: US20080305592A1. Автор: Jung-Wu Chien. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-12-11.

Three-dimensional nor array and method of making the same

Номер патента: WO2024129195A1. Автор: Yanli Zhang,Satoshi Shimizu,Hiroyuki Kinoshita,Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Methods of manufacturing high electron mobility transistors having a modified interface region

Номер патента: US12015075B2. Автор: Kyle BOTHE,Joshua BISGES. Владелец: MACOM Technology Solutions Holdings Inc. Дата публикации: 2024-06-18.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20210151571A1. Автор: Cheng-Wei Chou,Hsin-Chih Lin,Yu-Chieh Chou,Chang-Xiang HUNG. Владелец: Vanguard International Semiconductor Corp. Дата публикации: 2021-05-20.

Butted contacts and methods of fabricating the same in semiconductor devices

Номер патента: US20240321746A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Jia-Chuan You,Yu-Ming Lin,Tien-Lu Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US09864134B2. Автор: Jens Hofrichter,Lukas Czornomaz,Jean Fompeyrine,Mirja Richter,Bert Jan Offrein. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-01-09.

Gallium arsenide heterojunction semiconductor structure

Номер патента: US09761678B2. Автор: Brian G. Moser,Michael T. Fresina. Владелец: Qorvo US Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Semiconductor structure and fabricating method thereof

Номер патента: US09728543B1. Автор: Kun-Tsang Chuang,Po-Wei Liu,Yong-Shiuan Tsair,Chiang-Ming Chuang,Chia-Ming PAN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-08.

Silicon-on-nothing transistor semiconductor structure with channel epitaxial silicon region

Номер патента: US09620506B2. Автор: Qing Liu,Kangguo Cheng,Nicolas Loubet,Stephane Allegret-Maret,Bruce Doris,Prasanna Khare. Владелец: STMicroelectronics lnc USA. Дата публикации: 2017-04-11.

Method of forming a semiconductor structure

Номер патента: US09570598B2. Автор: Chun-Wei Hsu,Jiun-Lei Jerry Yu,Chun Lin Tsai,Po-Chih Chen,Fu-Chih Yang,Fu-Wei YAO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Capacitor with deep trench ion implantation

Номер патента: US20130099354A1. Автор: Herbert Lei Ho,Chengwen Pei,Roger Allen Booth, Jr.,Naoyoshi Kusaba. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-04-25.

Package structure having trench capacitor

Номер патента: US20230010825A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Fu-Chiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Semiconductor structure having a film containing germanium oxide on a germanium layer and method for manufacturing the same

Номер патента: JP5581464B2. Автор: 明 鳥海,忠賢 李. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2014-08-27.

Trench capacitor DRAM cell and method of making the same

Номер патента: EP0905771A3. Автор: Martin Gall,Gerd Scheller,Reinhard Johannes Stengl. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2001-10-24.

Creating deep trenches on underlying substrate

Номер патента: US20140021585A1. Автор: John B. DeForge,Kirk D. Peterson,Andrew A. Turner,Herbert L. Ho,Babar A. Khan,John E. Barth,Jennifer E. Appleyard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-01-23.

Method of manufacturing a trench capacitor with wafer bow

Номер патента: US20240312725A1. Автор: Seung Mo JO. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Method of manufacturing a trench capacitor with wafer bow

Номер патента: US12033806B2. Автор: Seung Mo JO. Владелец: Sk Keyfoundry Inc. Дата публикации: 2024-07-09.

Photo-mask and method of manufacturing semiconductor structures by using the same

Номер патента: US09448471B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Chun-Chi Yu,Teng-Chin Kuo,Yuan-Chi Pai. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-09-20.

Patterning method and method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230230842A1. Автор: Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240087959A1. Автор: Hou-Yu Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure, memory device, semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210082817A1. Автор: Ling-Yi Chuang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2021-03-18.

Semiconductor structure and method of overlay measurement of semiconductor structure

Номер патента: US20240266234A1. Автор: Chan Hen YANG,Yun Chen WU. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Ultraviolet sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09966490B1. Автор: Chia-Hao Chang,Jinn Chu,Bohr-Ran Huang,You-Syuan Chen. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of manufacturing a trench capacitor with wafer bow

Номер патента: US20230012211A1. Автор: Seung Mo JO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: WO2021028214A1. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: PAUL SCHERRER INSTITUT. Дата публикации: 2021-02-18.

System and method for fabricating photonic device elements

Номер патента: EP4014247A1. Автор: Marco Stampanoni,Matias Kagias,Konstantins Jefimovs,Joan Vila COMAMALA,Lucia ROMANO. Владелец: Scherrer Paul Institut. Дата публикации: 2022-06-22.

Semiconductor structure with self-aligned spacers and method of fabricating the same

Номер патента: US09691665B2. Автор: Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-27.

METHOD OF MANUFACTURING A TRENCH CAPACITOR WITH WAFER BOW

Номер патента: US20230012211A1. Автор: Seung Mo JO. Владелец: Key Foundry Co Ltd. Дата публикации: 2023-01-12.

Method for fabricating semiconductor structures including fin structures with different strain states, and related semiconductor structures

Номер патента: US09818874B2. Автор: Mariam Sadaka,Christophe Maleville,Bich-Yen Nguyen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-11-14.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: EP4049083A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: Smart Photonics Holding BV. Дата публикации: 2022-08-31.

Fabricating a semiconductor structure with multiple quantum wells

Номер патента: WO2021078657A1. Автор: Petrus Johannes Adrianus Thijs,Steven Everard Filippus KLEIJN. Владелец: SMART Photonics Holding B.V.. Дата публикации: 2021-04-29.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210057206A1. Автор: Yung-Yao Lee,Wei-Hsiang Tseng,Chen Yi Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-02-25.

Method of manufacturing semiconductor structure comprising plurality of through holes using metal hard mask

Номер патента: US09793204B2. Автор: Yu-Hung Lin,Chun-Hsien Huang,I-Tseng CHEN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US12068378B2. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371865A1. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Method for manufacturing semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US12107006B2. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor devices with backside via and methods thereof

Номер патента: US20240363705A1. Автор: Mei-Yun Wang,Po-Yu Huang,Fu-Kai Yang,Chen-Ming Lee,I-Wen Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Fin-type field effect transistors with single-diffusion breaks and method

Номер патента: US09935104B1. Автор: Haiting Wang,Hong Yu,Wei Zhao,Hui Zang,Zhenyu Hu,Xusheng Wu. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-03.

Semiconductor structure and method of forming thereof

Номер патента: US12100706B2. Автор: Kong-Beng Thei,Fu-Jier Fan,Chien-Chih Chou,Jhu-Min Song. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of providing a semiconductor structure with forming a sacrificial structure

Номер патента: US20130334624A1. Автор: Stefan Kolb,Thoralf Kautzsch,Marco Mueller,Boris Binder,Bernd Foeste. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2013-12-19.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US11770934B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-26.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US12114506B2. Автор: Yih Wang,Yu-Ming Lin,Sai-Hooi Yeong,Bo-Feng YOUNG,Shih-Lien Linus Lu,Chia-En HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure with dielectric feature

Номер патента: US20240371692A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuo-Cheng Chiang,Jia-Chuan You,Shi-Ning Ju,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure, capacitor, mask and methods of manufacture thereof

Номер патента: US20030039903A1. Автор: Gurtei Sandhu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-02-27.

Method of analyzing semiconductor structure

Номер патента: US20200003825A1. Автор: Chien-Yi Chen,Yian-Liang Kuo,Yi Min LIU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-02.

Three-dimensional memory device containing a pillar contact between channel and source and methods of making the same

Номер патента: US20230284443A1. Автор: Ryo Yoshimoto,Shinsuke YADA,Teruo OKINA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Three-dimensional memory device containing a pillar contact between channel and source and methods of making the same

Номер патента: US12108597B2. Автор: Ryo Yoshimoto,Shinsuke YADA,Teruo OKINA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor device and method for preparing same, and storage apparatus

Номер патента: US20220076994A1. Автор: FANG Rong,Xifei BAO. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-03-10.

Isolation structures in multi-gate semiconductor devices and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240250152A1. Автор: Xusheng Wu,Chang-Miao Liu,Huiling Shang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-25.

Semiconductor structure having source/drain contacts and method of fabricating thereof

Номер патента: US20240363709A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chia-Hao Chang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Li-Zhen YU,Lin-Yu HUANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Memory cell structure with resistance-change material and method for forming the same

Номер патента: US09865655B2. Автор: Jean-Pierre Colinge,Carlos H. Diaz. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method of producing microstructure of nitride semiconductor and photonic crystal prepared according to the method

Номер патента: US09437684B2. Автор: Takeshi Kawashima,Shoichi Kawashima,Yasuhiro Nagatomo,Katsuyuki Hoshino. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Semiconductor structure with overlay mark, method of manufacturing the same, and system for manufacturing the same

Номер патента: US20240071842A1. Автор: Tsai-Wei Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-29.

Image Sensor Structures And Methods For Forming The Same

Номер патента: US20240030262A1. Автор: Kuo-Cheng Lee,Ping-Hao LIN,Po Chun Chang,Kun-Hui Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-25.

Microchannel plate having microchannels with deep funneled and/or step funneled openings and method of manufacturing same

Номер патента: EP1568062A2. Автор: Steven David Rosine,Nelson Christopher Devoe. Владелец: ITT Manufacturing Enterprises LLC. Дата публикации: 2005-08-31.

Microchannel plate having microchannels with deep funneled and/or step funneled openings and method of manufacturing same

Номер патента: WO2004049382A2. Автор: Steven David Rosine,Nelson Christopher Devoe. Владелец: ITT Manufacturing Enterprises, Inc.. Дата публикации: 2004-06-10.

Microchannel plate having microchannels with deep funneled and/or step funneled openings and method of manufacturing same

Номер патента: AU2003295730A8. Автор: Steven David Rosine,Nelson Christopher Devoe. Владелец: ITT Manufacturing Enterprises LLC. Дата публикации: 2004-06-18.

Microchannel plate having microchannels with deep funneled and/or step funneled openings and method of manufacturing same

Номер патента: AU2003295730A1. Автор: Steven David Rosine,Nelson Christopher Devoe. Владелец: ITT Manufacturing Enterprises LLC. Дата публикации: 2004-06-18.

Back-side deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US20240379713A1. Автор: Yu-Hung Cheng,Min-Ying Tsai,Jiech-Fun Lu,Chun-Tsung Kuo,Ching I Li,Chiao-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Back-side deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US20240379712A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Kuo-Hwa Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Pixel device on deep trench isolation (dti) structure for image sensor

Номер патента: US20200395394A1. Автор: JHY-JYI SZE,Seiji Takahashi,Tzu-Hsiang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-12-17.

Multiple deep trench isolation (MDTI) structure for CMOS image sensor

Номер патента: US11984465B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Jen-Cheng Liu,Ching-Chun Wang,Yen-Ting Chiang,Feng-Chi Hung,Chun-Yuan Chen,Wei Chuang Wu,Shen-Hui Hong. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-14.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES INCLUDING MOLYBDENUM NITRIDE, MOLYBDENUM OXYNITRIDE OR MOLYBDENUM-BASED ALLOY MATERIAL, AND METHOD OF MAKING SUCH STRUCTURES

Номер патента: US20150102460A1. Автор: Bhat Vishwanath,Antonov Vassil,Rocklein Matthew N.,Reddy Kotha Sai Madhukar. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2015-04-16.

Back-side deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US20230387170A1. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Kuo-Hwa Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Back-side deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US11869761B2. Автор: Yu-Hung Cheng,Min-Ying Tsai,Jiech-Fun Lu,Chun-Tsung Kuo,Ching I Li,Chiao-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-09.

Back-side deep trench isolation structure for image sensor

Номер патента: US11955496B2. Автор: Yeur-Luen Tu,Cheng-ta Wu,Kuo-Hwa Tzeng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-09.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE INCLUDING A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR REGION AND A BULK REGION, AND METHOD FOR THE FORMATION THEREOF

Номер патента: US20140131771A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Kessler Matthias. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2014-05-15.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20090148998A1. Автор: Michael Albert Tischler. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-06-11.

Image Sensors Having Deep Trenches Including Negative Charge Material and Methods of Fabricating the Same

Номер патента: US20150243694A1. Автор: Ihara Hisanori. Владелец: . Дата публикации: 2015-08-27.

Image sensors having deep trenches including negative charge material and methods of fabricating the same

Номер патента: TW201543659A. Автор: HISANORI Ihara. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2015-11-16.

Bcd device layout area defined by a deep trench isolation structure and methods for forming the same

Номер патента: US20220352142A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-11-03.

BCD device layout area defined by a deep trench isolation structure and methods for forming the same

Номер патента: US11855071B2. Автор: Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-26.

Bcd device layout area defined by a deep trench isolation structure and methods for forming the same

Номер патента: US20240021601A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Bcd device layout area defined by a deep trench isolation structure and methods for forming the same

Номер патента: US20240088125A1. Автор: Tsung-Yu Yang,Po-Wei Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: WO2009076510A2. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi. Владелец: Hvvi Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2009-06-18.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09929085B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: WO2008076651A1. Автор: Michael Albert Tischler. Владелец: Hvvi Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2008-06-26.

Deep trench capacitor fuse structure for high voltage breakdown defense and methods for forming the same

Номер патента: US20240222358A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-04.

Systems and methods for a semiconductor structure having multiple semiconductor-device layers

Номер патента: US12087777B2. Автор: Clement Hsingjen Wann,Chun-Hsiung Tsai,Yi-Tang LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Structure and method for multiple threshold voltage definition in advanced cmos device technology

Номер патента: US20190287970A1. Автор: Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-09-19.

Structure and method for multiple threshold voltage definition in advanced CMOS device technology

Номер патента: US10636792B2. Автор: Vijay Narayanan,Hemanth Jagannathan. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-28.

Semiconductor structure including 3d capacitor and method for forming the same

Номер патента: US20240258304A1. Автор: Yi-Ting Chen,Ling-Sung Wang,Chen-Chieh Chiang,Jung-Chi Jeng,Sung-Hsin Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Method of making a trench capacitor

Номер патента: US20200161416A1. Автор: Yu-Hsiang Tsai,Chia-Ping Lai,Chung-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-05-21.

Semiconductor device incorporating elements formed of refractory metal-silicon-nitrogen and method for fabrication

Номер патента: US20030151116A1. Автор: Louis Hsu,Lawrence Clevenger,Keith Wong,Cyril Cabral. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-08-14.

Semiconductor structures, devices and method of fabrication

Номер патента: WO2003010823A2. Автор: Steven F. Gillig,Barry W. Herold,Keith Warble. Владелец: MOTOROLA, INC.. Дата публикации: 2003-02-06.

Semiconductor structures, devices and method of fabrication

Номер патента: WO2003010823A3. Автор: Steven F Gillig,Keith Warble,Barry W Herold. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2004-03-04.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US12087809B2. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-10.

Semiconductor device having capacitor and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240347579A1. Автор: Wei Cheng Wu,Meng-Han LIN,Te-An Chen,Te-Hsin Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-17.

Systems and methods for aligning and coupling semiconductor structures

Номер патента: US09984943B2. Автор: Donna-Ruth W. Yost,Keith Warner,Richard P. D'Onofrio. Владелец: Massachusetts Institute of Technology. Дата публикации: 2018-05-29.

Deep trench capacitor with metal plate

Номер патента: US09793341B1. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Davood Shahrjerdi,Herbert L. Ho. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2680606C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2019-02-25.

Semiconductor structure

Номер патента: US09601411B2. Автор: Alexander Kalnitsky,Hsiao-Chin Tuan,Felix Ying-Kit Tsui,Hsin-Li Cheng,Shih-Fen Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Method of forming STI oxide regions and alignment marks in a semiconductor structure with one masking step

Номер патента: US20010039099A1. Автор: Philippe Coronel,Renzo MacCagnan,Unreadable. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Method of using process-parameter prognostic system for predicting shape of semiconductor structure

Номер патента: US20110320027A1. Автор: Yong-Jin Kim,Kye-Hyun Baek,Yoon-Jae Kim. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-12-29.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20200402845A1. Автор: LIU JIQUAN. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2020-12-24.

Interconnect structures with intermetallic palladium joints and associated systems and methods

Номер патента: US09905539B2. Автор: Jaspreet S. Gandhi. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE OF THE PHOTODIODE TYPE AT AVALANCHE WITH LOW RESPONSE TIME AND METHOD OF MANUFACTURING SUCH A PHOTODIODE

Номер патента: FR3000610B1. Автор: Johan Rothman. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2015-03-06.

Prognostic System Of Process Parameter Predicting Shape Of Semiconductor Structure, Semiconductor Fabication Equipment Having The Prognostic System Of Process Parameter And Method Of Using The Semiconductor Fabication Equipment Having The Same

Номер патента: KR101286240B1. Автор: 백계현,김용진,김윤재. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-07-15.

Semiconductor structure having an anti-arcing pattern disposed on a passivation layer and method of fabricating the semiconductor structure

Номер патента: US20220165633A1. Автор: Jie Chen,Ming-Fa Chen,Hsien-Wei Chen,Ching-Jung Yang,Sheng-An KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-26.

Semiconductor structure including a zintl material buffer layer, device including the structure, and method of forming the structure and device

Номер патента: US20030034500A1. Автор: Jamal Ramdani,Zhiyi Yu,Alexander Demkov. Владелец: Motorola Inc. Дата публикации: 2003-02-20.

SEMICONDUCTOR STRUCTURES AND DIE ASSEMBLIES INCLUDING CONDUCTIVE VIAS AND THERMALLY CONDUCTIVE ELEMENTS AND METHODS OF FORMING SUCH STRUCTURES

Номер патента: US20150364400A1. Автор: Dando Ross S.. Владелец: . Дата публикации: 2015-12-17.

Semiconductor structures and die assemblies including conductive vias and thermally conductive elements and methods of forming such structures

Номер патента: US9653381B2. Автор: Ross S. Dando. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2017-05-16.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE INCLUDING A SEMICONDUCTOR-ON-INSULATOR REGION AND A BULK REGION, AND METHOD FOR THE FORMATION THEREOF

Номер патента: US20150111349A1. Автор: Flachowsky Stefan,Hoentschel Jan,Kessler Matthias. Владелец: . Дата публикации: 2015-04-23.

Electrically programmable fuse structures with narrowed width regions configured to enhance current crowding and methods of fabrication thereof

Номер патента: TW200746360A. Автор: Jack A Mandelman,William R Tonti,Roger A Booth Jr. Владелец: Ibm. Дата публикации: 2007-12-16.

EPITAXIAL STRUCTURE WITH TUNNEL JUNCTION, P-SIDE UP PROCESSING INTERMEDIATE STRUCTURE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180006189A1. Автор: TSENG WEI-YU,Wang Tzu-Wen. Владелец: . Дата публикации: 2018-01-04.

Vertical type nitride semiconductor light emitting device and method of of manufacturing the same

Номер патента: KR100723150B1. Автор: 김태준,오방원,백두고. Владелец: 삼성전기주식회사. Дата публикации: 2007-05-30.

Method and system of manufacturing slurry for polishing, and method and system of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: TW466128B. Автор: Katsuya Okumura,Yoshinori Yoshida. Владелец: JSR Corp. Дата публикации: 2001-12-01.

Programmable switch circuit and method, method of manufacture, and devices and systems including the same

Номер патента: TW201006131A. Автор: Madhukar B Vora. Владелец: DSM Solutions Inc. Дата публикации: 2010-02-01.

ELECTRICAL COMPONENTS AND METHODS AND SYSTEMS OF MANUFACTURING ELECTRICAL COMPONENTS

Номер патента: US20150126026A1. Автор: Schmidt Helge,Sachs Soenke,Leidner Michael,Henschel Eva,Freckmann Dominique,Myers Marjorie. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

STACKED SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20140284808A1. Автор: HASEBE Kazuhide,KUROKAWA Masaki,OBU Tomoyuki. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2014-09-25.

Capacitors, electrodes, reduced graphene oxide and methods and apparatuses of manufacture

Номер патента: EP3507823A4. Автор: Han Lin,Baohua Jia. Владелец: Swinburne University of Technology. Дата публикации: 2020-04-15.

Stacked semiconductor device, and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US9343292B2. Автор: Kazuhide Hasebe,Masaki Kurokawa,Tomoyuki OBU. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2016-05-17.

Semiconductor integrated circuit, and method and device of manufacture

Номер патента: JPH11186258A. Автор: Yasuhiro Mochizuki,Nobusuke Okada,康弘 望月,亘右 岡田. Владелец: HITACHI LTD. Дата публикации: 1999-07-09.

SUBSTRATE STRUCTURE WITH ARRAY OF MICROMETER SCALE COPPER PILLAR BASED STRUCTURES AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20160343655A1. Автор: Soussan Philippe,Majeed Bivragh. Владелец: . Дата публикации: 2016-11-24.

Chip packaging structure with insulation protection on side wall and back surface and method

Номер патента: CN105304585A. Автор: 曹凯,任超,吴超,方梁洪,谢皆雷,罗立辉. Владелец: NINGBO CHIPEX SEMICONDUCTOR Co Ltd. Дата публикации: 2016-02-03.

First packaged and then etched packaging structure with single chip normally installed and base islands buried and preparation method of structure

Номер патента: CN102856283B. Автор: 李维平,梁志忠,王新潮. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2015-04-29.

Led package structure with standby bonding pads for increasing wire-bonding yield and method for manufacturing the same

Номер патента: US7736920B1. Автор: Chao-Chin Wu,Shen-Ta Yang. Владелец: Paragon Semiconductor Lighting Technology Co Ltd. Дата публикации: 2010-06-15.

First packaged and then etched packaging structure with single chip normally installed and without base islands and preparation method of structure

Номер патента: CN102856286B. Автор: 李维平,梁志忠,王新潮. Владелец: Jiangsu Changjiang Electronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-17.

Mold package structure with adhesive spill stopper for sealing a MEMS device and method for packaging a MEMS device

Номер патента: DE102016110659B4. Автор: Matthias Steiert,Sook Woon Chan,Chau Fatt Chiang,Kok Yau Chua,Swee Kah Lee,Stefan Martens,Hock Siang Chua,Mei Chin Ng,Kian Hong Yeo. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2022-04-21.

Structure with isolated well

Номер патента: US20240258320A1. Автор: Venkatesh P. Gopinath,Siva Kumar Chinthu. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure with shared well

Номер патента: US11798948B2. Автор: George R. Mulfinger,Jianwei PENG,Eric S. Kozarsky,Kaustubh Shanbhag. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-10-24.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20200243565A1. Автор: Te-An Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-07-30.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US12068380B2. Автор: Chien-Hao Huang,Chung-Te Lin,Gao-Ming Wu,Katherine H Chiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Deep trench capacitor and method of making same

Номер патента: US20080315274A1. Автор: Steven M. Shank,Robert Mark Rassel,Timothy Wayne Kemerer,Francis Roger White. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-12-25.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09425079B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09768195B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-09-19.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US09698159B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing same

Номер патента: US20230126794A1. Автор: Chih-Cheng Liu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Semiconductor structure having fin structures and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220115381A1. Автор: Min-Chung Cheng. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-04-14.

Deep trench isolation structure and method for improved product yield

Номер патента: US09997396B2. Автор: Dieter Dornisch,George E. Parker,Lawrence L. Au. Владелец: Newport Fab LLC. Дата публикации: 2018-06-12.

Low impedance high density deep trench capacitor

Номер патента: US09978829B2. Автор: Jyun-Ying LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Magnetoresistive random access memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09570510B2. Автор: Je-min Park,Eun-Jung Kim,Dae-Ik Kim,Yoo-Sang Hwang,Se-Myeong Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-14.

Silicon-germanium thin layer semiconductor structure with variable silicon-germanium composition and method of fabrication

Номер патента: WO2005096352A3. Автор: Pradip K Roy,Anthony Dip,Seungho Oh,Allen J Leith. Владелец: Tokyo Electron America Inc. Дата публикации: 2009-02-26.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20240312980A1. Автор: Yi-Cheng CHIU,Hung-Chou Lin,Chen-Chien Chang,Kang-Tai PENG,Tian Sheng Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09876023B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150221767A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor structures with pair(s) of vertical field effect transistors, each pair having a shared source/drain region and methods of forming the structures

Номер патента: US20150243765A1. Автор: Brent A. Anderson,Edward J. Nowak. Владелец: GlobalFoundries US 2 LLC. Дата публикации: 2015-08-27.

Trench capacitor structure and methods of manufacturing

Номер патента: US20240096930A1. Автор: Yu Jiang,Lee-Chuan Tseng,Ming-Hsun LIN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Deep trench capacitor (dtc) region in semiconductor package

Номер патента: US20230307389A1. Автор: Fu-Chiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-09-28.

Semiconductor structure including gate structure including barrier layer and conductive layer and manufacturing method thereof

Номер патента: US12113111B2. Автор: Chuyu WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190214467A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-07-11.

Semiconductor device and method of forming the same

Номер патента: US20240304681A1. Автор: Chia-Ming Liu,Chi-Ching Liu,Chang-Tsung Pai,Yao-Ting Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240306367A1. Автор: Yi-Hao Chien,Tzu-Hsun HUANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-09-12.

ZnO-containing semiconductor structure and manufacturing thereof

Номер патента: US09947826B2. Автор: Yuka Sato,Michihiro Sano. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230067299A1. Автор: Ming Chyi Liu,Chun-Tsung Kuo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Semiconductor structure with backside through silicon vias and method of obtaining die ids thereof

Номер патента: US20230230930A1. Автор: Kuang-Hui Tang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Three-dimensional memory device including hammerhead-shaped word lines and methods of manufacturing the same

Номер патента: US12094943B2. Автор: Yuki KASAI,Tomohiro Kubo. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-17.

Strain compensated semiconductor structures and methods of fabricating strain compensated semiconductor structures

Номер патента: EP1523766A1. Автор: Adam William Saxler. Владелец: Cree Inc. Дата публикации: 2005-04-20.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US20160111335A1. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-04-21.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US9793168B2. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-10-17.

Semiconductor structure with self-aligned wells and multiple channel materials

Номер патента: US20180012805A1. Автор: David P. Brunco. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-01-11.

Multi-gate devices with improved performance and methods of fabricating the same

Номер патента: US20240339362A1. Автор: Chang-Miao Liu,Huiling Shang,Ko-Cheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure including capacitors having different capacitor dielectrics and method for the formation thereof

Номер патента: US09530833B2. Автор: Johannes Mueller,Dina H. Triyoso,Sanford Chu,Patrick Polakowski. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-12-27.

Cointegrated semiconductor structures for different voltage transistors

Номер патента: US20210202480A1. Автор: Alessio Spessot,Eugenio Dentoni Litta. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2021-07-01.

Method of manufacturing semiconductor structure having air gap

Номер патента: US12132087B2. Автор: Ching-Kai CHUANG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure with a first lower electrode layer and a second lower electrode layer and method for manufacturing same

Номер патента: US12137550B2. Автор: Deyuan Xiao,Lixia Zhang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-11-05.

Semiconductor device including dummy deep trench capacitors and a method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240038654A1. Автор: Fu-Chiang KUO,Yu-Hsin FANG,Ming-Syong Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-01.

Semiconductor structure having metal contact features and method for forming the same

Номер патента: US20200294806A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Ziwei Fang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-17.

Semiconductor structure

Номер патента: US09985045B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structure with integrated passive structures

Номер патента: US9659961B2. Автор: Arvind Kumar,Renee T. Mo,Shreesh Narasimha,Anthony I. Chou. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Memory arrays having substantially vertical, adjacent semiconductor structures and their formation

Номер патента: EP2593966A2. Автор: Zengtao Liu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2013-05-22.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240186396A1. Автор: Kai Jen,Shou-Chi Tsai. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-06.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09824943B2. Автор: Shiu-Ko Jangjian,Chun-Che Lin,Wei-Ken LIN,Jia-Ming Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-21.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09543211B1. Автор: Kun-Yuan Liao,Feng-Yi Chang,Ching-Wen Hung,Chih-Sen Huang,Chun-Lung Chen,Chia-Lin Lu,Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou,Wei-Hao Huang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-10.

Semiconductor structure preparation method, semiconductor structure, and semiconductor memory

Номер патента: EP4177934A1. Автор: Pan Yuan,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-05-10.

Storage cell field and method of producing the same

Номер патента: US6873000B2. Автор: Till Schlosser,Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-03-29.

Storage cell field and method of producing the same

Номер патента: US20030072198A1. Автор: Till Schlosser,Matthias Goldbach. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2003-04-17.

Semiconductor structure including boundary header cell and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230260984A1. Автор: Kuo-Nan Yang,Chung-Hsing Wang,Chin-Shen LIN,Hao-Tien KAN,Yan-Shen You. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Methods of fabricating semiconductor structures or devices using layers of semiconductor material having selected or controlled lattice parameters

Номер патента: US09793360B2. Автор: Chantal Arena. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2017-10-17.

Deep trench capacitors

Номер патента: US20240234487A1. Автор: Chung-Liang Cheng,Wei-Hang Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240063254A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210098514A1. Автор: Chia-Ping Lai,Chung-Chuan Tseng,Chiao-Chi Wang,Zong-Jie Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-01.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240040765A1. Автор: Yue Zhuo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-01.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220139923A1. Автор: Jun Xia,Zhongming Liu,Xinman CAO,Shijie BAI. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-05-05.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230413513A1. Автор: Yi Tang. Владелец: Changxin Memory Technoligies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09508769B1. Автор: Yeur-Luen Tu,Sheng-Chan Li,Cheng-Yuan Tsai,Chih-Hui Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-11-29.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11695027B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-07-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US11676987B2. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2023-06-13.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20210036045A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor structure and the manufacturing method thereof

Номер патента: US20220246667A1. Автор: Zhi Tian,Haoyu Chen,Zhen Gu,Qiwei Wang. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and manufacturing method of the same

Номер патента: US20230017723A1. Автор: Ming-Shiang LIN,Kuo-Yu Wu,Tse-Hua LU,Tzung-Yi Tsai,Wan-Lin Chiang,Hong-Ping Luo. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-01-19.

Radiation-hardened semiconductor structure, a semiconductor device including the radiation-hardened semicoductor structure, and methods of forming the radiation-hardened semiconductor structure and semiconductor device

Номер патента: US20120025311A1. Автор: John S. Canham. Владелец: Alliant Techsystems Inc. Дата публикации: 2012-02-02.

Photodetector-arrays and methods of fabrication thereof

Номер патента: US20170162613A1. Автор: Yoram Karni,Inna Lukomsky,Eran Avnon. Владелец: Semi Conductor Devices - An Elbit Systems-Rafael Partnership. Дата публикации: 2017-06-08.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20210366912A1. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-11-25.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US11594540B2. Автор: Lu-Wei CHUNG. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-02-28.

Charge Storage Cell and Method of Manufacturing a Charge Storage Cell

Номер патента: US20190035830A1. Автор: Laurence Stark. Владелец: STMicroelectronics Research and Development Ltd. Дата публикации: 2019-01-31.

Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices

Номер патента: US09871165B2. Автор: Petar Atanackovic,Matthew GODFREY. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2018-01-16.

Advanced electronic device structures using semiconductor structures and superlattices

Номер патента: US09691938B2. Автор: Petar Atanackovic,Matthew GODFREY. Владелец: Silanna Group Pty Ltd. Дата публикации: 2017-06-27.

Deep trench isolation (dti) structure for cmos image sensor

Номер патента: US20210193702A1. Автор: Gang Chen,Hui Zang. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2021-06-24.

Semiconductor structure having deep trench capacitor and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240047383A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structures and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240312874A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240332347A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240355871A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US12148791B2. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-19.

Method of manufacture of semiconductor structure containing a p-n junction under porous silicon film for implementation of a photoelectric converter

Номер патента: RU2662254C1. Автор: Николай Николаевич Мельник,Вадим Викторович Трегулов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Рязанский государственный университет имени С.А. Есенина". Дата публикации: 2018-07-25.

Method of manufacture of semiconductor structures

Номер патента: RU2654819C1. Автор: Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "ДАГЕСТАНСКИЙ ГОСУДАРСТВЕННЫЙ УНИВЕРСИТЕТ". Дата публикации: 2018-05-22.

Method of forming an isolation layer and method of manufacturing a trench capacitor

Номер патента: US20040198015A1. Автор: Bruno Spuler,Christian Drabe,Barbara Lorenz,Thomas Morgenstern,Anke Krasemann,Torsten Schneider,Jana Haensel. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-07.

Integrated circuit device including through-silicon via structure and decoupling capacitor and method of manufacturing the same

Номер патента: US09691684B2. Автор: Kwang-jin Moon,Byung-lyul Park,Jae-hwa Park,Sung-Hee Kang,Suk-Chul Bang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-06-27.

A multi-layer deep-trench capacitor

Номер патента: WO2024223776A1. Автор: Yasser A.A. Nour,Hoà Lê THANH,Ahmed Morsi AMMAR,Omer ALTAN. Владелец: Lotus Microsystems Aps. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US11756988B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-09-12.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09892970B2. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-13.

Method for manufacturing a semiconductor micro- or nano-wire, semiconductor structure comprising such a micro- or nano-wire, and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US09331233B2. Автор: Francois Martin,Amélie DUSSAIGNE,Philippe Gilet. Владелец: Commissariat a lEnergie Atomique et aux Energies Alternatives CEA. Дата публикации: 2016-05-03.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: EP2210265A1. Автор: Robert Bruce Davies. Владелец: HVVi Semiconductors Inc. Дата публикации: 2010-07-28.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131992B2. Автор: Jian-Hong Lin,Chun-Wei Chang,Mingni Chang,Ming-Yih Wang,Ming-Hong Hsieh,Hsuan-Ming Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US09966310B1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Growth substrate, nitride semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09666759B2. Автор: Minseok Choi,Taehyeong Kim,Jonghyun Rho. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-05-30.

Semiconductor structures having deep trench capacitor and methods for manufacturing the same

Номер патента: US20240063255A1. Автор: Li-Han Lin,Szu-Yu Hou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-22.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US12027575B2. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Package structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220139851A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-05-05.

Semiconductor package structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220359362A1. Автор: wei-wei Liu,Huei-Siang WONG. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2022-11-10.

Semiconductor structure having reliable line pattern designs and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240014037A1. Автор: Chih-Hung Lu,Liang-Shiuan Peng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure and method of manufacturing same

Номер патента: US12074126B2. Автор: QIAN Xu,Liang Wang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-08-27.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240321942A1. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210035933A1. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-02-04.

Semiconductor bonding structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US11031361B2. Автор: Wen-Long Lu. Владелец: Advanced Semiconductor Engineering Inc. Дата публикации: 2021-06-08.

Semiconductor structures with metal lines

Номер патента: US20140291802A1. Автор: Eric J. White,Timothy D. Sullivan,Zhong-Xiang He,David C. Thomas,Matthew D. Moon,Anthony C. Speranza,Daniel A. Delibac,Shawn A. Adderly. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-10-02.

Semiconductor structure and method for manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20240312891A1. Автор: Wei-Chih Chen,Tzu-Wei Chiu,Chun-Wei Chang,Che-Yen Huang. Владелец: Seriphy Technology Corp. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339399A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure having dielectric liner and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339398A1. Автор: Feng-Wen Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240363538A1. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure with two-dimensional conductive structures

Номер патента: US12068253B2. Автор: Ming-Han Lee,Meng-Pei Lu,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan,Shu-Wei LI. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-20.

Vertical memory devices and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09431418B2. Автор: Won-Seok Jung,Chang-seok Kang,Min-Yong Lee,Sang-Woo Jin. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-08-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240047270A1. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee,Meng-Ku Chen,Pei-Yu Chou. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096618B2. Автор: Jingwen Lu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Metal-insulator-metal capacitor and methods of fabrication

Номер патента: US09818689B1. Автор: Min-Hwa Chi,Hui Zang. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-11-14.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20160148891A1. Автор: Pei-Haw Tsao,Kuo-Chin Chang,Huang-Ting Hsiao,An-Tai Xu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-05-26.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240113237A1. Автор: Yun-Wei Cheng,Kuo-Cheng Lee,Cheng-Ming Wu,Feng-Chien Hsieh,Ping Kuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-04.

Electron cyclotron resonance -plasma source to process semiconductor structures, method to process semiconductor structures, process of manufacture of semiconductor devices and integrated circuits ( variants ), semiconductor device or integrated circuit ( variants )

Номер патента: RU2216818C1. Автор: Ю.С. Четверов,В.А. Тулин,С.Ю. Шаповал,ков В.Е. Земл,В.Е. Земляков,В.Л. Гуртовой. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "ЭпиЛаб". Дата публикации: 2003-11-20.

Semiconductor devices including conductive structure and shielding layer and methods of manufacturing semiconductor devices

Номер патента: US20240266299A1. Автор: Takahiro YADA,Tsukasa TAKAIWA. Владелец: Amkor Technology Japan Inc. Дата публикации: 2024-08-08.

Shielded deep trench capacitor structure and methods of forming the same

Номер патента: US12094868B2. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-17.

Deep trench capacitor including stress-relief voids and methods of forming the same

Номер патента: US12113099B2. Автор: Fu-Chiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240347461A1. Автор: Chun-Wei Wang,Jen-I Lai,Rou-Wei Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12125874B2. Автор: Kyoungyoon Baek. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-22.

Semiconductor light-emitting element and method of manufacturing the same

Номер патента: US09601664B2. Автор: Tatsuma Saito,Takanobu Akagi. Владелец: Stanley Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-21.

Semipolar nitride semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09583340B2. Автор: Young-soo Park,Jun-Youn Kim,Young-jo Tak,Jae-Kyun Kim,Joo-sung Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-02-28.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180148317A1. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Chao-Wen Shih,Albert Wan,Yu-Sheng Hsieh,Shou Zen Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-31.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: WO2009076509A2. Автор: Bishnu Prasanna Gogoi,Michael Albert Tischler. Владелец: Hvvi Semiconductors, Inc.. Дата публикации: 2009-06-18.

Semiconductor structure having passive component and method of manufacturing thereof

Номер патента: US20240371797A1. Автор: Hsiang-Tai Lu,Kuan-Lung Wu,Wen-Chien Chang,Yu-Wei Chiu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09741694B2. Автор: Chen-Hua Yu,Ming-Fa Chen,Sung-Feng Yeh. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-08-22.

Network of semiconductor structures with fused insulator coating

Номер патента: US09722147B2. Автор: Juanita N. Kurtin,Weiwen Zhao,Benjamin Daniel Mangum,Kari N. Haley. Владелец: Pacific Light Technologies Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2644627C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2018-02-13.

Semiconductor structure and method of manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US12029123B2. Автор: Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-02.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220216141A1. Автор: Tung-Jiun Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-07-07.

Method of manufacturing semiconductor device array

Номер патента: US09633982B2. Автор: Chun-Yen Chang. Владелец: GlobalWafers Co Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09589924B2. Автор: Jiun Yi Wu,Yu-Min LIANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-03-07.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09515021B1. Автор: Hung-Lung Hu,Yu-Chih Chen,Chia-Ching Tsai,Szu-Hung Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-12-06.

Semiconductor structure with inlaid capping layer and method of manufacturing the same

Номер патента: US09472449B2. Автор: Chih-Chien Chi,Ching-Hua Hsieh,Shing-Chyang Pan,Kuan-Chia Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of manufacturing sensitive elements of gas sensors

Номер патента: RU2650793C1. Автор: Максим Александрович Махиборода,Николай Алексеевич Дюжев,Евгений Эдуардович Гусев,Валерий Юрьевич Киреев. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Сенсор Микрон". Дата публикации: 2018-04-17.

Method of manufacturing semiconductor structure including nitrogen treatment and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347448A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Nitride semiconductor structure, light emitting element, light source device, and method of manufacturing nitride semiconductor structure

Номер патента: US20240322079A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-09-26.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240332455A1. Автор: Min-Hsun Hsieh. Владелец: Epistar Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Nitride semiconductor structure, light emitting element, light source device, and method of manufacturing nitride semiconductor structure

Номер патента: EP4443673A1. Автор: Takeshi Kawashima. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-09.

Semiconductor structures having low resistance paths throughout a wafer

Номер патента: US09620371B2. Автор: Eric J. White,Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,Thomas J. Hartswick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-04-11.

Semiconductor structures having low resistance paths throughout a wafer

Номер патента: US09478427B2. Автор: Eric J. White,Jeffrey P. Gambino,Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He,Thomas J. Hartswick. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-10-25.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240222266A1. Автор: Xiaoling Wang,Luguang WANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200303324A1. Автор: Victor Y. Lu,Pu-Fang Chen,Shi-Chieh Lin. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-09-24.

Method of manufacturing semiconductor structure including a planarization and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347379A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing semiconductor structure including a planarization and semiconductor structure thereof

Номер патента: US20240347378A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Method of manufacturing semiconductor structure including nitrogen treatment

Номер патента: US20240347449A1. Автор: Ying-Cheng Chuang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-17.

Semiconductor structure with air gap in pattern-dense region and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240339325A1. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Semiconductor structure with air gap in pattern-dense region and method of manufacturing the same

Номер патента: US12131908B2. Автор: Jar-Ming Ho. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure with via extending across adjacent conductive lines

Номер патента: US20240234301A1. Автор: Yen-Sen Wang,Shu-Wei Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing semiconductor structure having bonding element

Номер патента: US20240203916A1. Автор: Wu-Der Yang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240266184A1. Автор: Hsuan-Wu Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Controlled metal extrusion opening in semiconductor structure and method of forming

Номер патента: US09484301B2. Автор: Timothy D. Sullivan,Max G. Levy,David C. Thomas,Steven S. Williams,Gary L. Milo,Matthew D. Moon,Anthony C. Speranza. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Deep trench capacitor and methods of forming the same

Номер патента: US20240047513A1. Автор: Shu-Hui SU,Yu-Chi Chang,Felix yingkit Tsui,Hsin-Li Cheng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Fully molded semiconductor structure with face mounted passives and method of making the same

Номер патента: US20220352106A1. Автор: Craig Bishop,Clifford Sandstrom,Timothy L. Olson,Benedict San Jose. Владелец: Deca Technologies USA Inc. Дата публикации: 2022-11-03.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20220051931A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Chung-Lin Huang,Chih-Lin Huang,Hsu Chiang,Lai-Cheng TIEN,zhi-yi Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-02-17.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240266289A1. Автор: JISONG Jin. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

Formation method of semiconductor structure

Номер патента: US12080589B2. Автор: Hong Lin,Weijun Wang. Владелец: Shanghai IC R&D Center Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-03.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09576820B2. Автор: Tsung Jen Liao. Владелец: CHIPMOS TECHNOLOGIES INC. Дата публикации: 2017-02-21.

Semiconductor structure with UBM layer and method of fabricating the same

Номер патента: US09502366B2. Автор: Kai-Kuang Ho,Chen-Hsiao Wang,Yi-Feng Hsu. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2016-11-22.

Semiconductor structure and method of forming a harmonic-effect-suppression structure

Номер патента: US20150001670A1. Автор: Tong-Yu Chen,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-01-01.

Method For Fabricating Semiconductor Structures

Номер патента: US20240172410A1. Автор: Tao DOU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

A method of manufacturing silicon-on-insulator wafers

Номер патента: WO2013134010A2. Автор: Jeffrey L. Libbert,Guoqiang D. Zhang. Владелец: MEMC ELECTRONIC MATERIALS, INC.. Дата публикации: 2013-09-12.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20240266183A1. Автор: Hsuan-Wu Lai. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-08.

A method of forming a bonded semiconductor structure

Номер патента: US20230238353A1. Автор: Jen-Yuan Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-07-27.

Method of manufacturing semiconductor device

Номер патента: US20240355642A1. Автор: Wei-Chuan Fang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure and method of preparing semiconductor structure

Номер патента: US20190157394A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2019-05-23.

Integrated circuit devices having through-silicon vias and methods of manufacturing such devices

Номер патента: US09735090B2. Автор: ATSUSHI Fujisaki,Ji-Soon Park,Ju-Il Choi,Jeong-Gi Jin,Byung-Iyul Park,Joo-Hee Jang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-08-15.

Semiconductor structure and method of forming a harmonic-effect-suppression structure

Номер патента: US20150221543A1. Автор: Tong-Yu Chen,Kuo-Yuh Yang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2015-08-06.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230170301A1. Автор: You-Ming Hsu,Chin-Tang Hsieh,Chih-Ming Kuo,Chun-Ting Kuo,Lung-Hua Ho. Владелец: Chipbond Technology Corp. Дата публикации: 2023-06-01.

Low contact resistance semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US20120241752A1. Автор: Fu-Bang CHEN,Te-Chung Wang,Hsiu-Mu Tang. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2012-09-27.

Semiconductor structure and method of forming the same, memory and method of forming the same

Номер патента: US12101927B2. Автор: Er-Xuan Ping,Yiming Zhu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Light emitting diode package and method of manufacturing the same

Номер патента: US12107195B2. Автор: Sung Hyun Lee,Chang Hoon Kim,Jun Yong Park,Jong Hyeon Chae,Dae Woong SUH,Kyu Ho Lee,Chi Hyun In. Владелец: Seoul Viosys Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Buried bit line structure, manufacturing method thereof, and semiconductor structure

Номер патента: US12114484B2. Автор: Wei Feng,Jingwen Lu,Zhaopei CUI,Bingyu ZHU. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Structure and method of conductive bus bar for resistive seed substrate plating

Номер патента: US09899324B1. Автор: Atsushi Ogino,Shafaat Ahmed,Sadanand Vinayak Despande. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-02-20.

Semiconductor structure and method of making

Номер патента: US09704830B1. Автор: Timothy M. Sullivan,Stephen P. Ayotte,Glen E. Richard. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-07-11.

Semiconductor structure and method of manufacture

Номер патента: US20230263081A1. Автор: Tung Ying Lee,yu chao Lin,Tzu-Chiang CHEN,Wei-Sheng Yun,Shao-Ming Yu,Kerem Akarvardar. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-08-17.

Method for manufacturing semiconductor structure with single side capacitor

Номер патента: US20230402501A1. Автор: Shih-Fan Kuan,Yu-Min Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-14.

Method for manufacturing semiconductor structure with single side capacitor

Номер патента: US12051719B2. Автор: Shih-Fan Kuan,Yu-Min Chou. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-30.

Thermophotovoltaic materials, methods of deposition, and devices

Номер патента: WO2015084810A3. Автор: Patrick John McCann. Владелец: The Board of Regents of the University of Oklahoma. Дата публикации: 2015-11-12.

Semiconductor structures having active regions comprising InGaN and methods of forming such semiconductor structures

Номер патента: US09978905B2. Автор: Chantal Arena,Jean-Philippe Debray,Heather Mcfavilen. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2018-05-22.

Methods of forming silicon nitride by atomic layer deposition and methods of forming semiconductor structures

Номер патента: US09865456B1. Автор: Stefan Uhlenbrock,Timothy A. Quick,John A. Smythe,Sumeet C. Pandey,Brenda D. Kraus. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Semiconductor structure with aligning mark and method of forming the same

Номер патента: US09659873B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Ying-Chiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor devices with close-packed via structures having in-plane routing and method of making same

Номер патента: US09484293B2. Автор: Thorbjörn Ebefors,Daniel Perttu. Владелец: SILEX MICROSYSTEMS AB. Дата публикации: 2016-11-01.

Methods of forming semiconductor structures including tight pitch contacts and lines

Номер патента: US09437480B2. Автор: Luan C. Tran. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-09-06.

Construction of thin-film solar module and method of its manufacture

Номер патента: RU2648341C2. Автор: Евгений Иванович Теруков,Александр Вячеславович Семенов,Алексей Валерьевич Кукин,Дмитрий Александрович Андроников,Алексей Станиславович Абрамов. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике", ООО "НТЦ ТПТ". Дата публикации: 2018-03-23.

Three dimensional semiconductor device containing composite contact via structures and methods of making the same

Номер патента: US20220246517A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Ramy Nashed Bassely SAID,Senaka Kanakamedala,Monica TITUS. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2022-08-04.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US11367774B2. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2022-06-21.

Methods of reducing silicon consumption, methods of forming a semiconductor structure, and methods of forming isolation structures

Номер патента: US20190355578A1. Автор: Gurtej S. Sandhu. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2019-11-21.

Structure and method to prevent charge damage from e-beam curing process

Номер патента: SG133471A1. Автор: Liu Huang,HSIA Liang Choo,Liu Wuping,ZHANG Bei Chao,John Leonard Sudijono. Владелец: Chartered Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2007-07-30.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240243133A1. Автор: Jhon-Jhy Liaw. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Method of manufacturing semiconductor structure using multi-layer hard mask

Номер патента: US20240014040A1. Автор: Ying-Cheng Chuang,Yu-Ting Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

Semiconductor structure and formation method thereof

Номер патента: US20210280669A1. Автор: Fei Zhou. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-09-09.

Deep trench capacitor including self-aligned plate contact via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20220199759A1. Автор: Ming Chyi Liu,Shih-Chang Liu,Yu-Hsing Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-06-23.

Thin film resistors and methods of manufacture

Номер патента: US20120126370A1. Автор: Timothy D. Sullivan,Dustin K. Slisher,Robert R. Robison,David L. Harmon,Kimball M. Watson,Jeffrey H. Sloan,Joseph M. Lukaitis,Stewart E. Rauch, III. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-05-24.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US7391094B2. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2008-06-24.

Semiconductor structure and method of making same

Номер патента: US20060086949A1. Автор: Muriel Martinez,Olivier Rayssac,Sephorah Bisson,Lionel Portigliatti. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2006-04-27.

Method of manufacturing light emitting element and light emitting element

Номер патента: US20240363802A1. Автор: Shun KITAHAMA. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09985006B2. Автор: Shin-puu Jeng,Jui-Pin Hung,Feng-Cheng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09472523B2. Автор: Yen-Ping Wang,Kai-Chiang Wu,Ming-Kai Liu,Shih-Wei Liang,Chia-Chun Miao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor structures including carrier wafers and methods of using such semiconductor structures

Номер патента: US09472518B2. Автор: Sharon N. Farrens,Keith R. Cook. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2016-10-18.

Optical sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220310871A1. Автор: Kuan-Chieh Huang,Yi-Shin Chu,Hsiang-Lin Chen,Yin-Kai Liao,Sin-Yi Jiang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-29.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor package

Номер патента: US20210118795A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Ta-Chih Peng,Ming-Hong Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-22.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240128178A1. Автор: Jih-Churng Twu,Yu-Hung Lin,Kuo-Chung Yee,Su-Chun YANG,Shih-Peng Tai,Wei-Ming Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-04-18.

Method for Manufacturing Semiconductor Structure

Номер патента: US20220319848A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-10-06.

Gan lasers on aln substrates and methods of fabrication

Номер патента: EP2153499A1. Автор: Rajaram Bhat,Jérôme Napierala,Chung-En Zah,Dmitry Sizov. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2010-02-17.

Gan lasers on aln substrates and methods of fabrication

Номер патента: WO2008150401A1. Автор: Rajaram Bhat,Jérôme Napierala,Chung-En Zah,Dmitry Sizov. Владелец: CORNING INCORPORATED. Дата публикации: 2008-12-11.

Method of manufacturing a semiconductor device

Номер патента: US20190172796A1. Автор: Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Jo-Lin Lan,Zi-Jheng Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-06-06.

Method for manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12046472B2. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20230389428A1. Автор: Hui Yu Lee,Jui-Feng Kuan,Yu-Hao Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-30.

Optoelectronic device and method of fabricating the same

Номер патента: US8890275B2. Автор: Wen-Ching Hsu,Miin-Jang Chen,Hsin-Jui Chen. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2014-11-18.

Method of manufacturing semiconductor element

Номер патента: US20240258170A1. Автор: Minoru Yamamoto,Naoto Inoue,Hiroaki Tamemoto,Masayuki Ibaraki. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Structure and method for deep trench capacitor

Номер патента: US20240321944A1. Автор: Hsin-Liang Chen,Fu-Chiang KUO,Po Cheng KUNG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-09-26.

Method of using platinum metallization in system of redistribution of contact pads of crystals of integrated microcircuits and semiconductor devices

Номер патента: RU2717264C1. Автор: Никита Владимирович Рогозин,Виталий Владимирович Побединский. Владелец: Акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники". Дата публикации: 2020-03-19.

Semiconductor structure, device with such structure and method of making semiconductor structure

Номер патента: RU2617281C2. Автор: Оливье ГРАВРАН,Александр ФЕРРОН. Владелец: Коммиссариат А Л'Энержи Атомик Э Оз Энержи Альтернатив. Дата публикации: 2017-04-24.

Method of measuring parameters of semiconductor structures

Номер патента: RU2622600C2. Автор: Дмитрий Александрович Усанов,Александр Владимирович Скрипаль,Денис Викторович Пономарев,Екатерина Викторовна Латышева. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2017-06-16.

Semiconductor structure

Номер патента: US20240234035A1. Автор: Yu-Ting Lin,Mao-Ying Wang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20230411171A1. Автор: Shin-puu Jeng,Hsien-Wei Chen,Jing-Ye Juang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-12-21.

Semiconductor structure and method for forming

Номер патента: US20210020442A1. Автор: BO Su,WEI Shi,YOUCUN Hu,Tao DOU,Xiamei TANG. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2021-01-21.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20170288135A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-05.

Semiconductor structure with semiconductor-on-insulator region and method

Номер патента: US20230125584A1. Автор: Alvin J. Joseph,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Cameron Luce. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2023-04-27.

Light emitting element and method of manufacturing same

Номер патента: US20230231079A1. Автор: Takuya Okada,Koji Asada. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2023-07-20.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20210367145A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Semiconductor structures and methods of forming the same

Номер патента: US20190371751A1. Автор: Chen-Hua Yu,Hung-Jui Kuo,Hui-Jung TSAI,Tsao-Lun Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-12-05.

Semiconductor Assembly and Method of Fabricating a Semiconductor Structure

Номер патента: US20170330842A1. Автор: Hwee Seng Jimmy Chew,Shoa Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-11-16.

Optoelectronic device and method of fabricating the same

Номер патента: US20120199935A1. Автор: Wen-Ching Hsu,Miin-Jang Chen,Hsin-Jui Chen. Владелец: Sino American Silicon Products Inc. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240282700A1. Автор: Li Han Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-08-22.

Semiconductor structure with semiconductor-on-insulator region and method

Номер патента: US12131904B2. Автор: Alvin J. Joseph,Ramsey HAZBUN,Siva P. Adusumilli,Cameron Luce. Владелец: GlobalFoundries US Inc. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240371746A1. Автор: Chih-Kuang Kao,Huei-Wen Yang,Ta-Chih Peng,Ming-Hong Kao. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09799625B2. Автор: Chen-Hua Yu,Chung-Shi Liu,Ching-Hua Hsieh,Alexander Kalnitsky,Kuo-Pin Chang,Chin-Yu Ku,Cheng-Yu Kuo,De-Dui Liao,Kuo-Chio Liu,Yi-Yang Lei,Kai-Di Wu,Sheng-Pin Yang,Hsi-Ching Wang,Tsung Lung Huang,Isaac Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Semiconductor package structure and method for forming the same

Номер патента: US20240379623A1. Автор: Wenliang Chen,Chin-Hung Liu,Kee-Wei Chung,Ru-Yi CAI. Владелец: AP Memory Technology Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US09711713B1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-18.

Method of making semiconductor structures

Номер патента: RU2738772C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Асламбек Идрисович Хасанов,Арслан Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Чеченский государственный университет". Дата публикации: 2020-12-16.

Semiconductor structure with hybrid film and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240071850A1. Автор: Yung-Cheng Lu,Zhen-Cheng Wu,Ming-Jie Huang,Fu-Ming Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US20200035524A1. Автор: Jyh-Shiou Hsu,Chi-Ming Yang,Tzu Jeng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US10991604B2. Автор: Jyh-Shiou Hsu,Chi-Ming Yang,Tzu Jeng Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-04-27.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20210305208A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-30.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20240071916A1. Автор: Shuai Guo. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-29.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240258257A1. Автор: Chien-Chih Chen,Kuo-Hsien Cheng,Mu-Han Cheng,Manikandan Arumugam,Tsung-Yi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-01.

Semiconductor structure with high breakdown voltage and resistance and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080278279A1. Автор: Chih-Feng Huang,Chiu-Chih Chiang. Владелец: System General Corp Taiwan. Дата публикации: 2008-11-13.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20170207385A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Semiconductor detector and method of fabricating same

Номер патента: US20240234620A9. Автор: Stoyan Nihtianov,Kenichi Kanai,Xinqing Liang,Gianpaolo LORITO. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2024-07-11.

Method of manufacturing a semiconductor structure

Номер патента: US20170338138A1. Автор: Su-Horng Lin,Victor Y. Lu,Tsung-Hsi Yang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-11-23.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12119229B2. Автор: Chung-Shi Liu,Ming-Da Cheng,Hung-Jui Kuo,Yu-Hsiang Hu,Wei-Hung Lin,Wei-Yu Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-15.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure, stacked structure, and wafer stacking method

Номер патента: US12100677B2. Автор: HUA Hu. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-24.

Graphene-assisted low-resistance interconnect structures and methods of formation thereof

Номер патента: US12113021B2. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US09842986B2. Автор: Harry-Hak-Lay Chuang,Hung Cho Wang,Hsia-Wei CHEN,Kuei-Hung Shen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-12.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09754899B2. Автор: Hwee Seng Jimmy Chew,Shoa Siong Raymond Lim. Владелец: ADVANPACK SOLUTIONS PTE LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Semiconductor structures having an insulative island structure

Номер патента: US09754817B2. Автор: Se-Woong Park,Ki-Joon Kim,Kil-Ho Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-09-05.

Systems and methods for annealing semiconductor structures

Номер патента: US09698026B2. Автор: Chao-Hsiung Wang,Chun-Hsiung Tsai,Zi-Wei FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-04.

Method of fabricating semiconductor structure with improved critical dimension control

Номер патента: US09653345B1. Автор: En-Chiuan Liou,Yu-Ting Hung,Che-Yi Lin,Chia-Hsun Tseng,Shin-Feng Su,Shang-Nan Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-05-16.

Graphene-assisted low-resistance interconnect structures and methods of formation thereof

Номер патента: US20240379559A1. Автор: Ming-Han Lee,Shau-Lin Shue,Hai-Ching Chen,Shin-Yi Yang,Yu-Chen Chan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-14.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09472508B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Method of forming semiconductor structures with contact holes

Номер патента: US09449822B2. Автор: Joy Cheng,Kuang-Jung Chen,Wu-Song Huang,Wai-Kin Li. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-20.

Method of making semiconductor device

Номер патента: RU2586444C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2016-06-10.

Shielded deep trench capacitor structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230040618A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-02-09.

Deep trench capacitor including stress-relief voids and methods of forming the same

Номер патента: US20230069538A1. Автор: Fu-Chiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-03-02.

Shielded deep trench capacitor structure and methods of forming the same

Номер патента: US20230378154A1. Автор: Jen-Yuan Chang,Chia-Ping Lai,Chien-Chang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-23.

Deep trench capacitor including stress-relief voids and methods of forming the same

Номер патента: US20230369388A1. Автор: Fu-Chiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-16.

Method for fabricating semiconductor structure

Номер патента: US20230326956A1. Автор: Hsih-Yang Chiu,Ting-Cih Kang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-10-12.

Deep trench capacitor including stress-relief voids and methods of forming the same

Номер патента: US12015050B2. Автор: Fu-Chiang KUO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-06-18.

Method of passivating cleaved semiconductor structure

Номер патента: US20240194477A1. Автор: Vicente Calvo Alonso,Jaakko Makela,Jouko LÅNG. Владелец: Comptek Solutions Oy. Дата публикации: 2024-06-13.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20190378846A1. Автор: Chih-Hung Wang,Hung-Wei Lin,Ping-Chia Shih,Chi-Cheng Huang,Chih-Hao Pan,Kuo-Lung Li,Zi-Jun Liu,An-Hsiu Cheng,Cheng-Hua Chou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor device with conductive protrusions and method for fabricating the same

Номер патента: US20210296174A1. Автор: Shing-Yih Shih. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2021-09-23.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220130716A1. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-04-28.

Test key for monitoring gate conductor to deep trench misalignment

Номер патента: US20050269567A1. Автор: Yu-Chang Lin. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-12-08.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240313156A1. Автор: Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-09-19.

Semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20240304579A1. Автор: Dai-Ying LEE,Cheng-Hsien Lu. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-12.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US12112973B2. Автор: Tao Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240379908A1. Автор: Shiou-Yi Kuo,Guo-Yi SHIU. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2024-11-14.

Methods of forming interconnects and semiconductor structures

Номер патента: US09640433B2. Автор: Salman Akram,James M. Wark,William Mark Hiatt. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-02.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US09548253B2. Автор: Kei Yamaguchi,Yuji Ichimura,Daisuke Kimijima. Владелец: Fuji Electric Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-17.

Method of selecting optical modes in microresonators using nanoantibodies

Номер патента: RU2721586C2. Автор: Михаил Викторович Максимов,Алексей Евгеньевич Жуков,Иван Сергеевич Мухин,Наталия Владимировна Крыжановская,Эдуард Ильмирович Моисеев. Владелец: федеральное государственное бюджетное учреждение высшего образования и науки "Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алферова Российской академии наук". Дата публикации: 2020-05-20.

Method of forming semiconductor structures for converting the radio-chemical decay of c-14 into electric energy

Номер патента: RU2714783C2. Автор: Виктор Иванович Чепурнов,Олег Леонидович Сурнин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "БетаВольтаика". Дата публикации: 2020-02-19.

Integrated circuit structure having deep trench capacitor and through-silicon via and method of forming same

Номер патента: US20180108566A1. Автор: Anthony K. Stamper,John A. Fitzsimmons,Mukta G. Farooq. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2018-04-19.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240222191A1. Автор: Chu-Chun HSIEH,Ping-Lung Yu,Po-Chun Shao. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of forming a semiconductor structure including two photoresist exposure processes for providing a gate cut

Номер патента: US20160260607A1. Автор: Thomas Merelle,Rèmi RIVIÈRE. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2016-09-08.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20230215725A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2023-07-06.

Semiconductor Resistor Structure And Method For Making

Номер патента: US20190172901A1. Автор: Mattias Erik Dahlstrom,Li Jen Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2019-06-06.

Semiconductor resistor structure and method for making

Номер патента: US20180190753A1. Автор: Mattias Erik Dahlstrom,Li Jen Choi. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor resistor structure and method for making

Номер патента: WO2018126093A1. Автор: Mattias Erik Dahlstrom,Li Jen Choi. Владелец: Texas Instrumentsk Japan Limited. Дата публикации: 2018-07-05.

Semiconductor device with connection structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20220077118A1. Автор: Tse-Yao Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2022-03-10.

Semiconductor structure manufacturing methods and semiconductor structures

Номер патента: US12057312B2. Автор: Kai Cheng,Liyang Zhang. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-08-06.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20180226570A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2018-08-09.

Semiconductor structures and devices and methods of forming semiconductor structures and magnetic memory cells

Номер патента: US20160181513A1. Автор: Gurtej S. Sandhu,Sumeet C. Pandey. Владелец: US Bank NA. Дата публикации: 2016-06-23.

Semiconductor structure and method for fabricating the same

Номер патента: US20230013215A1. Автор: Meng HUANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-01-19.

Conductive structure in semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266279A1. Автор: Jen-Hung Wang,Chii-Ping Chen,Hsiu-Wen Hsueh,Cai-Ling Wu,An-Jiao FU. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12080758B2. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-03.

Method for industrial manufacturing of a semiconductor structure with reduced bowing

Номер патента: EP3449497A1. Автор: Leonida Miglio. Владелец: PILEGROWTH TECH Srl. Дата публикации: 2019-03-06.

Systems and methods for microwave-radiation annealing

Номер патента: US20150206808A1. Автор: Chao-Hsiung Wang,Chun-Hsiung Tsai,Zi-Wei FANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Manufacturing method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20220302253A1. Автор: Weichao ZHANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2022-09-22.

Conformal and smooth titanium nitride layers and methods of forming the same

Номер патента: US20210104396A1. Автор: Sung-hoon Jung,Niloy Mukherjee,Hae Young Kim,Yoshikazu Okuyama,Nariman Naghibolashrafi,Bunsen B. Nie,Somilkumar J. Rathi. Владелец: Eugenus Inc. Дата публикации: 2021-04-08.

Forming method of semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US20230282537A1. Автор: Huiwen TANG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-07.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20210151349A1. Автор: Nianheng ZHANG. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-20.

Semiconductor structure bonding method, bonding equipment, memory, memory system

Номер патента: US20240170295A1. Автор: Yang Liu,Guoliang Chen,Mengyong Liu,Junqing HE. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-05-23.

Three-dimensional memory device with backside word line contact via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240321742A1. Автор: Li Li,Takashi Inomata. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional memory device with backside word line contact via structures and methods of forming the same

Номер патента: US20240321740A1. Автор: Li Li,Takashi Inomata,Masanori OISUGI. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-09-26.

Three-dimensional memory devices and methods for forming the same

Номер патента: US12113037B2. Автор: LIANG Chen,WEI Liu,Zhiliang Xia,Kun Zhang,Wenxi Zhou,Yuancheng YANG,Yanhong Wang. Владелец: Yangtze Memory Technologies Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-08.

Semiconductor structure, and manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: EP3618123A1. Автор: Peng Xiang,Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2020-03-04.

Method of forming semiconductor structure with aligning mark in dicing region

Номер патента: US09960123B2. Автор: Chao-Hung Lin,Chih-Kai Hsu,Ssu-I Fu,Yu-Hsiang Hung,Jyh-Shyang Jenq,Ying-Chiao Wang. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-05-01.

Resistance variable memory structure and method of forming the same

Номер патента: US09847480B2. Автор: Kuo-Chi Tu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-12-19.

Semiconductor structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09735124B2. Автор: Chien-Hung Wu,Fu-Tang HUANG,Yi-Cheih Chen,Sung-Huan Sun,Cheng-An Chang. Владелец: Siliconware Precision Industries Co Ltd. Дата публикации: 2017-08-15.

Manufacturing method of semiconductor structure

Номер патента: RU2629655C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2017-08-30.

Method of manufacturing a multilayer semiconductor structure with reduced ohmic losses

Номер патента: EP1665367A2. Автор: Dimitri Lederer,Jean-Pierre Raskin. Владелец: Universite Catholique de Louvain UCL. Дата публикации: 2006-06-07.

Electrolytic capacitor, negative electrode body and method for producing electrolytic capacitor

Номер патента: US20240290550A1. Автор: Kazuma Okura,Kazuhiro NAGAHARA,Kazuya Koseki. Владелец: Nippon Chemi Con Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Electrolytic capacitor, negative electrode body, and method for manufacturing electrolytic capacitor

Номер патента: US20240290549A1. Автор: Yuki Osuga. Владелец: Nippon Chemi Con Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Electrolytic capacitor, negative electrode body and method for producing electrolytic capacitor

Номер патента: EP4333004A1. Автор: Kazuma Okura,Kazuhiro NAGAHARA,Kazuya Koseki. Владелец: Nippon Chemi Con Corp. Дата публикации: 2024-03-06.

Electrolytic capacitor, negative electrode body, and method for manufacturing electrolytic capacitor

Номер патента: EP4336527A1. Автор: Yuki Osuga. Владелец: Nippon Chemi Con Corp. Дата публикации: 2024-03-13.

CAPACITORS, ELECTRODES, REDUCED GRAPHENE OXIDE AND METHODS AND APPARATUSES OF MANUFACTURE

Номер патента: US20210065996A1. Автор: JIA Baohua,Lin Han. Владелец: Swinburne University of Technology. Дата публикации: 2021-03-04.

Biaxially oriented polypropylene film, power capacitor, and related methods and systems of manufacture

Номер патента: CN111886664B. Автор: 李南,陈建升,关瑜,漆乐俊. Владелец: Hitachi Energy Switzerland AG. Дата публикации: 2021-12-17.

A kind of thin film capacitor and its manufacturing method of the resistance to high humility of high temperature resistant

Номер патента: CN110289167A. Автор: 尹志华,徐荣,尹超,熊锡浪. Владелец: Huzhou Yili Electronics Co Ltd. Дата публикации: 2019-09-27.

Composite Carbon Electrodes Useful In Electric Double Layer Capacitors And Capacitive Deionization Methods of Making The Same

Номер патента: US20090305138A1. Автор: Roy Joseph Bourcier,Prantik Mazumder,Vitor Marino Schneider,Andrew R. Nadjadi,Todd P. St. Clair,Adra Smith Baca. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2009-12-10.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026397A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Shield structures with reduced spacing between adjacent insulation components and systems and methods for making the same

Номер патента: US20190082565A1. Автор: Wei Lin,John Z. Zhong,Nathan K. Gupta. Владелец: Apple Inc. Дата публикации: 2019-03-14.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: WO2014055271A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics AMP GMBH. Дата публикации: 2014-04-10.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: EP2904883A1. Автор: Helge Schmidt,Marjorie Kay Myers,Soenke Sachs,Michael Leidner,Eva HENSHEL,Dominique Marie M. FRECKMANN. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2015-08-12.

Highly custom and scalable design system and method for articles of manufacture

Номер патента: WO2019067629A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siege Tek Llc. Дата публикации: 2019-04-04.

Structures comprising molecular structures with high aspect ratio, and methods of their manufacturing

Номер патента: RU2526969C2. Автор: Дэвид П. БРАУН,Альберт Г. НАСИБУЛИН,Брэдли Дж. ЭЙТЧИСОН,Эско И. КАУППИНЕН. Владелец: Канату Ой. Дата публикации: 2014-08-27.

Method of manufacturing solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing dispersion containing conjugated electrically conductive polymer

Номер патента: EP3780045A1. Автор: Takashi Ohkubo,Yuta KAWAHARA. Владелец: Showa Denko KK. Дата публикации: 2021-02-17.

Trenched super/ultra capacitors and methods of making thereof

Номер патента: US09536679B2. Автор: Johnny Duc Van Chiem. Владелец: Individual. Дата публикации: 2017-01-03.

Semiconductor laser element and method of manufacturing the same

Номер патента: US20180331505A1. Автор: Masanao Ochiai. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2018-11-15.

Motor control assembly, system and method and means of manufacture, with tachometer integral with rotor

Номер патента: US3916278A. Автор: Richard W Currell,Louis Olah,Charles A Vogel. Владелец: American Videonetics Corp. Дата публикации: 1975-10-28.

METHOD AND APPARATUS OF DETERMINING LAYER DIRECTION OF MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENT AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING SERIES OF MULTILAYER ELECTRONIC COMPONENTS

Номер патента: US20140109389A1. Автор: OKAMURA Kouki. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for measuring a semiconductor structure, which is a solar cell or a precursor of a solar cell

Номер патента: US20120203494A1. Автор: Markus Glatthaar,Jonas Haunschild,Stefan Rein. Владелец: Albert Ludwigs Universitaet Freiburg. Дата публикации: 2012-08-09.

Semiconductor structure with back-gate switching

Номер патента: US09762245B1. Автор: Michael Otto,Nigel Chan. Владелец: Globalfoundries Inc. Дата публикации: 2017-09-12.

Device and method of measuring spectral characteristics of fiber-optic bragg gratings

Номер патента: RU2700736C1. Автор: Азат Маратович Низаметдинов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Институт радиотехники и электроники им. В.А. Котельникова Российской академии наук. Дата публикации: 2019-09-19.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: EP1340254A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-09-03.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A2. Автор: Norbert Arnold,Michel Seitz,V. C. Jaiprakash. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-06-13.

Vertical transistor trench capacitor dram cell and method of making the same

Номер патента: EP1320885A2. Автор: Andreas Knorr,Laertis Economikos,Thomas W. Dyer,Scott Halle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2003-06-25.

Three-dimensional nor array and method of making the same

Номер патента: US20240206170A1. Автор: Yanli Zhang,Satoshi Shimizu,Johann Alsmeier. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional nor array and method of making the same

Номер патента: US20240206169A1. Автор: Hiroyuki Kinoshita,Peter Rabkin,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Three-dimensional nor array and method of making the same

Номер патента: US20240206171A1. Автор: Yanli Zhang,Satoshi Shimizu,Hiroyuki Kinoshita,Peter Rabkin,Johann Alsmeier,Masaaki Higashitani. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-06-20.

Dram with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: WO2002047159A3. Автор: Norbert Arnold,V C Jaiprakash,Michel Seitz. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2003-05-22.

Integrated circuit configuration and method of fabricating a dram structure with buried bit lines or trench capacitors

Номер патента: US6800898B2. Автор: Bernhard Sell,Josef Willer,Annalisa Cappelani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2004-10-05.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US09615017B2. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for producing a dram structure with buried bit lines or trench capacitors

Номер патента: KR20010104378A. Автор: 요제프 뷜러,안날리자 카펠라니,베른하르트 젤. Владелец: 추후제출. Дата публикации: 2001-11-24.

Method for producing a dram structure with buried bit lines or trench capacitors

Номер патента: EP1166350B1. Автор: Bernhard Sell,Josef Willer,Annalisa Cappellani. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2007-01-10.

Method for producing a dram structure with buried bit lines or trench capacitors

Номер патента: KR100438461B1. Автор: 요제프 뷜러,안날리자 카펠라니,베른하르트 젤. Владелец: 인피니언 테크놀로지스 아게. Дата публикации: 2004-07-03.

Vertical transistor trench capacitor dram cell and method of making the same

Номер патента: WO2002029888A2. Автор: Andreas Knorr,Laertis Economikos,Thomas W. Dyer,Scott Halle. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2002-04-11.

ELECTRICAL COMPONENTS AND METHODS AND SYSTEMS OF MANUFACTURING ELECTRICAL COMPONENTS

Номер патента: US20140097002A1. Автор: Schmidt Helge,Sachs Soenke,Leidner Michael,Henschel Eva,Freckmann Dominique,Myers Marjorie. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

ELECTRICAL COMPONENTS AND METHODS AND SYSTEMS OF MANUFACTURING ELECTRICAL COMPONENTS

Номер патента: US20140097003A1. Автор: Schmidt Helge,Sachs Soenke,Leidner Michael,Henschel Eva,Freckmann Dominique,Myers Marjorie. Владелец: . Дата публикации: 2014-04-10.

Electrical components and methods and systems of manufacturing electrical components

Номер патента: US20150319865A1. Автор: Dominique Freckmann,Helge Schmidt,Soenke Sachs,Eva Henschel,Michael Leidner,Marjorie Myers. Владелец: Tyco Electronics Corp. Дата публикации: 2015-11-05.

Electro-optical device, electrode therefore, and method and apparatus of manufacturing an electrode and the electro-optical device provided therewith

Номер патента: EP2510563A2. Автор: Herbert Lifka,Antonius Maria Bernardus Van Mol. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2012-10-17.

Electro-optical device, electrode therefore, and method and apparatus of manufacturing an electrode and the electro-optical device provided therewith

Номер патента: WO2011071372A2. Автор: Herbert Lifka,Antonius Maria Bernardus Van Mol. Владелец: Nederlandse Organisatie voor toegepast-natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2011-06-16.

SHIELD STRUCTURES WITH REDUCED SPACING BETWEEN ADJACENT INSULATION COMPONENTS AND SYSTEMS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20190082565A1. Автор: Lin Wei,Zhong John Z.,Gupta Nathan K.. Владелец: . Дата публикации: 2019-03-14.

Focus detection apparatus and method, method of controlling focus detection apparatus, and image capturing apparatus

Номер патента: US20140362279A1. Автор: Kengo Takeuchi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2014-12-11.

Layered structure with barrier layer, garment with the said layered structure and method of manufacture this layered structure

Номер патента: RU2462966C1. Автор: Александер ЦАГГЛЬ,Хольгер ЦОУДЛИК,Хельмут КЛУГ. Владелец: В.Л. Гор Энд Эсошиейтс Гмбх. Дата публикации: 2012-10-10.

Heating element composition, and method and device of manufacturing eye mask pack

Номер патента: US20230277371A1. Автор: Sung Ryong YU,Ju Taek KIM. Владелец: Hummingavis Co ltd. Дата публикации: 2023-09-07.

Antiretroviral cyclonucleoside compositions and methods and articles of manufacture therewith

Номер патента: WO2012100017A3. Автор: Jia GUO,Yuntao Wu,Todd W. HAWLEY. Владелец: Lentx, Inc.. Дата публикации: 2012-09-27.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: EP2844891A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-03-11.

Variable transmission and method and system of manufacture

Номер патента: US20150126327A1. Автор: Douglas Magyari. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-05-07.

Continuous-cast slab, method and apparatus of manufacturing the same, and method and apparatus of manufacturing thick steel plate

Номер патента: CA2973075C. Автор: Toshiaki Mizoguchi,Hiroaki Uchiyama,Shinji Nagai,Hideaki Sakurai,Daisuke Sakai,Shuntaro Imai,Ryousuke TAKATA. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2018-11-20.

Adhesive compositions and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: US5942330A. Автор: Ronald J. Kelley. Владелец: Bostik Inc. Дата публикации: 1999-08-24.

Fabric for an architectural covering and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2174915C. Автор: Paul G. Swiszcz,Wendell B. Colson,Ricardo Ramirez,Dwight Greenough. Владелец: HUNTER DOUGLAS INC. Дата публикации: 1999-06-15.

Rib structure with fishbone imitation enabling shape change in the wing via the method of the rear spar rotation

Номер патента: WO2024144643A1. Автор: Emre OZBEK,Selcuk EKICI,Tahir Hikmet KARAKOC. Владелец: Eskisehir Teknik Universitesi. Дата публикации: 2024-07-04.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190021426A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siege Sports LLC. Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026393A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026394A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026395A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026396A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026406A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026407A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026809A1. Автор: Christopher Gregory Barnes,Ryan Lynn Belcher,Wayne Alexander McMann. Владелец: Siegetek LLC. Дата публикации: 2019-01-24.

Highly Custom and Scalable Design System and Method for Articles of Manufacture

Номер патента: US20190026810A1. Автор: Barnes Christopher Gregory,Belcher Ryan Lynn,McMann Wayne Alexander. Владелец: . Дата публикации: 2019-01-24.

Copula-based system and method for management of manufacturing test and product specification throughout the product lifecycle for electronic systems or integrated circuits

Номер патента: WO2013112275A1. Автор: W. Robert Daasch,Carvin Glenn SHIRLEY. Владелец: The State Of Oregon Acting By And Through The State Board Of Higher Education On Behalf Of The Portland State University. Дата публикации: 2013-08-01.

System and method and articles of manufacture for automated advisory decision and control services using decision systems with model license protection

Номер патента: AU2493500A. Автор: Mehdi Aftahi,Pierre Boudreault,Perry Drobetsky,Donald J. Lobley,Salim Tharani,Edward S. Robins III. Владелец: TECHNOLOGYEVALUATION COM TEC. Дата публикации: 2000-08-07.

System and method and articles of manufacture for automated advisory decision and control services using decision systems with model license protection

Номер патента: WO2000043935A8. Автор: Mehdi Aftahi,Pierre Boudreault,Perry Drobetsky,Salim Tharani,Donald J Lobley,Edward S Robins. Владелец: Edward S Robins. Дата публикации: 2002-03-14.

Apparatus and method for control of manufacturing cockpit module using rfid signal

Номер патента: KR100783598B1. Автор: 김도현. Владелец: 덕양산업 주식회사. Дата публикации: 2007-12-10.

Device and method of implementing subpass interleaving of tiled image rendering

Номер патента: US20240104685A1. Автор: Michael John Livesley,Mika Tuomi,Ruijin Wu,Kiia Kallio,Jan H. Achrenius. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2024-03-28.

System and method and articles of manufacture for automated advisory decision and control services using decision systems with model license protection

Номер патента: WO2000043935A2. Автор: Edward S. Robins,Mehdi Aftahi,Pierre Boudreault,Perry Drobetsky,Donald J. Lobley,Salim Tharani. Владелец: Technologyevaluation.Com (Tec). Дата публикации: 2000-07-27.

Method of manufacturing semiconductor structure and semiconductor structure

Номер патента: US12096617B2. Автор: Er-Xuan Ping,Jie Bai,Juanjuan Huang. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-09-17.

Method of manufacturing semiconductor structure

Номер патента: US12048145B2. Автор: Er-Xuan Ping,Daejoong Won,Soonbyung Park. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor structure and method of forming semiconductor structure

Номер патента: US20240224490A1. Автор: BO Su,Yijun Zhang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of making a buried strap for a trench capacitor

Номер патента: EP1198832A1. Автор: Alexander Michaelis,Stephan Kudelka. Владелец: Infineon Technologies North America Corp. Дата публикации: 2002-04-24.

Method of making a buried strap for a trench capacitor

Номер патента: WO2001008216A1. Автор: Alexander Michaelis,Stephan Kudelka. Владелец: Infineon Technologies North America Corp.. Дата публикации: 2001-02-01.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240206158A1. Автор: Shou-Te WANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-06-20.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US20240090351A1. Автор: Georgios Vellianitis,Marcus Johannes Henricus Van Dal,Gerben Doornbos. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-03-14.

Vertical DRAM cell with TFT over trench capacitor

Номер патента: US20010021553A1. Автор: David Horak,Rick Mohler,Gorden Starkey. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2001-09-13.

Semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240292626A1. Автор: Tadashi Iguchi,Kazuki Shoji. Владелец: Kioxia Corp. Дата публикации: 2024-08-29.

Memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20240341093A1. Автор: Shun-Li Lan. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-10-10.

Method for fabricating a deep trench capacitor of dram device

Номер патента: US20050277242A1. Автор: Ping Hsu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2005-12-15.

A Semiconductor Structure and Method of Forming the Same

Номер патента: US20240098982A1. Автор: Jia Fang,Zhongming Liu,Yexiao Yu. Владелец: Changxin Memory Technologies, Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240164087A1. Автор: Shu-Ming Li,Tzu-Ming Ou Yang,Wei-Zhi FANG. Владелец: Winbond Electronics Corp. Дата публикации: 2024-05-16.

Semiconductor structure and method of forming the same

Номер патента: US20240357798A1. Автор: Chun-Heng Wu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-24.

Semiconductor structure, electrode structure and method of forming the same

Номер патента: US20230200254A1. Автор: Chung-Yen Chou,Shih-Chang Liu,Yao-Wen Chang,Fu-Ting Sung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-06-22.

Semiconductor structure and method for preparing semiconductor structure, film bulk acoustic resonator and method for preparing film bulk acoustic resonator

Номер патента: US20240223148A1. Автор: Kai Cheng. Владелец: Enkris Semiconductor Inc. Дата публикации: 2024-07-04.

Method of producing biosensor structure

Номер патента: RU2644979C2. Автор: Светлана Викторовна Стецюра,Александр Валерьевич Козловский. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Саратовский национальный исследовательский государственный университет имени Н.Г. Чернышевского". Дата публикации: 2018-02-15.

Method of fabricating trench capacitor of a memory cell

Номер патента: US20020110970A1. Автор: Li-Wu Tsao. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2002-08-15.

Memory cell having a trench capacitor and method for fabricating a memory cell and trench capacitor

Номер патента: US20050260812A1. Автор: Christian Kapteyn,Joern Regul. Владелец: INFINEON TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2005-11-24.

Semiconductor structure including capacitor and method for forming the same

Номер патента: US12133373B2. Автор: Yu-Cheng Tung,Janbo Zhang. Владелец: Fujian Jinhua Integrated Circuit Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Semiconductor structure and method for forming semiconductor structure

Номер патента: US20240049442A1. Автор: Chao Lin,Xiaojie Li. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2024-02-08.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A3. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-08-02.

Semiconductor structures and memory devices and methods for manufacturing the same

Номер патента: WO2024137721A2. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-06-27.

Semiconductor memory device with recessed gate and method for making the same

Номер патента: EP1804288A3. Автор: Pei-Ing Lee. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2009-04-15.

Method of fabricating deep trench capacitor

Номер патента: US20020086481A1. Автор: Hsi-Chuan Chen,Hong-Hsiang Tsai. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-07-04.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: US09753379B2. Автор: Henricus Petrus Maria Pellemans,Patrick Warnaar,Amandev SINGH. Владелец: ASML Netherlands BV. Дата публикации: 2017-09-05.

Quality control system and method for manufactured parts

Номер патента: EP2480383A1. Автор: Ramon Casanelles,Francesc CORTÉS GRAU. Владелец: ABB TECHNOLOGY AG. Дата публикации: 2012-08-01.

Method of measuring flatness of metal article and corresponding device

Номер патента: RU2717741C2. Автор: Доминик ТЕЛЬЕ,Бастьен БУБИ,Флориан ТУРШЕ. Владелец: Прайметалз Текнолоджиз Франс Сас. Дата публикации: 2020-03-25.

Radiation detector, method and apparatus of manufacturing the same, scintillator panel and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US20210190976A1. Автор: Hiroshi Horiuchi,Atsuya Yoshida. Владелец: Canon Electron Tubes and Devices Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

Fusers, printing apparatuses and methods, and methods of fusing toner on media

Номер патента: US20100119267A1. Автор: David P. Van Bortel,Brendan H. Williamson,Brian J. McNamee. Владелец: Xerox Corp. Дата публикации: 2010-05-13.

Inspection Apparatus and Methods, Methods of Manufacturing Devices

Номер патента: US20160011523A1. Автор: WARNAAR Patrick,Pellemans Henricus Petrus Maria,SINGH Amandev. Владелец: ASML Netherlands B.V.. Дата публикации: 2016-01-14.

RADIATION DETECTOR, METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THE SAME, SCINTILLATOR PANEL AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20210190976A1. Автор: Horiuchi Hiroshi,YOSHIDA Atsuya. Владелец: CANON ELECTRON TUBES & DEVICES CO., LTD.. Дата публикации: 2021-06-24.

Inspection apparatus and methods, methods of manufacturing devices

Номер патента: TWI572992B. Автор: 阿曼帝 席恩,漢瑞克 皮杜斯 瑪利亞 皮勒曼,派翠克 華那爾. Владелец: Ａｓｍｌ荷蘭公司. Дата публикации: 2017-03-01.

Manufacturing equipment for substrate for testing, and method and program of manufacturing substrate for testing

Номер патента: KR101185970B1. Автор: 다이스케 와타나베,토시유키 오카야스,마사카즈 수다. Владелец: 가부시키가이샤 어드밴티스트. Дата публикации: 2012-09-26.

Manufacturing equipment for substrate for testing, and method and program of manufacturing substrate for testing

Номер патента: WO2009144806A1. Автор: 俊幸 岡安,大輔 渡邊,昌克 須田. Владелец: 株式会社アドバンテスト. Дата публикации: 2009-12-03.

WIDE FIELD OF VIEW ELECTRO-OPTIC MODULATOR AND METHODS AND SYSTEMS OF MANUFACTURING AND USING SAME

Номер патента: US20190204628A1. Автор: Banks Paul S.,Schmidt Bodo,Tuvey Charles Stewart,Ebbers Christopher Allen. Владелец: . Дата публикации: 2019-07-04.

System and method for identification of manufacturing components

Номер патента: US6259056B1. Автор: Laura Cowden. Владелец: Color Wheel Systems LLC. Дата публикации: 2001-07-10.

Dyed photoresists and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: EP0930543B1. Автор: Roger F. Sinta,Thomas M. Zydowsky. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2007-06-27.

Dyed photoresists and methods and articles of manufacture comprising same

Номер патента: US20060204892A1. Автор: Timothy Adams,Manuel DoCanto,Rosemary Bell,Roger Sinta,Edward Pavelchek,James Mori,James Thackeray,Robin Miller-Fahey,Thomas Zydowsky. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 2006-09-14.

Hook-engageable fastener sheets, and methods and articles of manufacture

Номер патента: US20060102037A1. Автор: George Provost,William Shepard. Владелец: Velcro Industries BV. Дата публикации: 2006-05-18.

Hook-engageable fastener sheets, and methods and articles of manufacture

Номер патента: US8500940B2. Автор: William H. Shepard,George A. Provost. Владелец: Velcro Industries BV. Дата публикации: 2013-08-06.

Plate-shaped peeling member and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CN1621962A. Автор: 福泽觉,广濑和夫,大桥正明,大田幸生. Владелец: Shiizu K K. Дата публикации: 2005-06-01.

Housing structure with a cavity and a sample chamber connected thereto and method for their preparation

Номер патента: DE102016224446A1. Автор: Carlos Morra,Thomas Wiesner. Владелец: SIEMENS AG. Дата публикации: 2018-06-14.

Multi-layer coating structure with anti-reflection, anti-static and anti-smudge functions and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100173149A1. Автор: Hsue-Fu Hung. Владелец: Innovation and Infinity Global Corp. Дата публикации: 2010-07-08.

Lens shape measurement device and method, method of producing eyeglass lens, and method of producing eyeglasses

Номер патента: WO2008016066A1. Автор: Masaaki Inoguchi. Владелец: HOYA CORPORATION. Дата публикации: 2008-02-07.

Antifouling coating film and method of manufacturing same, water contacting structure with antifouling coating film, and antifouling tape and method of manufacturing same

Номер патента: US11993727B2. Автор: Soichiro TANINO. Владелец: Chugoku Marine Paints Ltd. Дата публикации: 2024-05-28.

Truck Body Assembly and Methods of Making and Using Same

Номер патента: US20230356786A1. Автор: Ryan J. McKinney,Kyle E. Hoffmann,Austin Graham. Владелец: Altec Industries Inc. Дата публикации: 2023-11-09.

Truck body assembly and methods of making and using the same

Номер патента: WO2015191814A1. Автор: Ryan J. McKinney,Kyle E. Hoffmann. Владелец: ALTEC INDUSTRIES, INC.. Дата публикации: 2015-12-17.

Truck body assembly and methods of making and using same

Номер патента: US12043320B2. Автор: Ryan J. McKinney,Kyle E. Hoffmann,Austin Graham. Владелец: Altec Industries Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

Truck body assembly and methods of making and using same

Номер патента: US09604677B2. Автор: Ryan J. McKinney,Kyle E. Hoffmann. Владелец: Altec Industries Inc. Дата публикации: 2017-03-28.

Method of extracting a complex of biologically active substances from biomass of root cultures of potentilla alba l_ in vitro

Номер патента: RU2724487C1. Автор: Александр Юрьевич Просеков,Любовь Сергеевна Дышлюк,Ирина Сергеевна Милентьева,Ольга Олеговна Бабич,Людмила Константиновна Асякина,Александра Васильевна Заушинцена. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Кемеровский государственный университет" (КемГУ). Дата публикации: 2020-06-23.

Paved surface configured for reducing tire noise and increasing tire traction and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: US20070025814A1. Автор: Paul Woodruff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2007-02-01.

Cord stopper and methods for using and manufacturing the same

Номер патента: US12117066B2. Автор: David Roberts. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-15.

Engineered t cells conditionally expressing a recombinant receptor, related polynucleotides and methods

Номер патента: US20240216508A1. Автор: Lothar Germeroth,Christian STEMBERGER,Mateusz Pawel POLTORAK. Владелец: Juno Therapeutics GmbH. Дата публикации: 2024-07-04.

Metal packaging liquid or aerosol jet coating compositions, coated substrates, packaging, and methods

Номер патента: US20240287316A1. Автор: Charles I. Skillman,Boxin Tang. Владелец: SWIMC LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Combined heating and hot water supply system with deep waste disposal of boiler combustion products and method for operation thereof

Номер патента: RU2667456C1. Автор: Евгений Глебович Шадек. Владелец: Евгений Глебович Шадек. Дата публикации: 2018-09-19.

Soil Removal System and Method, Method of Manufacture of the System, and Use of a Cleaning Wipe

Номер патента: DE102019006721A1. Автор: Julia Becker,Julia Christina Gwendolin Thomas. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-25.

CONTINUOUS-CAST SLAB, METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING THICK STEEL PLATE

Номер патента: US20180009015A1. Автор: Sakurai Hideaki,SAKAI Daisuke,NAGAI Shinji,Uchiyama Hiroaki,MIZOGUCHI Toshiaki,TAKATA Ryousuke,IMAI Shuntaro. Владелец: NIPPONSTEEL & SUMITOMO METAL CORPORATION. Дата публикации: 2018-01-11.

Paint roller and method and apparatus of manufacturing a paint roller

Номер патента: CA2057392C. Автор: Lawrence J. Bower,Ronald R. Delo,Gerald D. Vanzeeland. Владелец: Newell Operating Co. Дата публикации: 2000-11-14.

Sidepack storage compartment and methods of making and using same

Номер патента: US11834103B2. Автор: Ryan J. McKinney,Kyle E. Hoffmann,Austin Graham. Владелец: Altec Industries Inc. Дата публикации: 2023-12-05.

Sidepack Storage Compartment and Methods of Making and Using Same

Номер патента: US20190248424A1. Автор: Ryan J. McKinney,Kyle E. Hoffmann,Austin Graham. Владелец: Altec Industries Inc. Дата публикации: 2019-08-15.

Sidepack floor and methods of making and using same

Номер патента: US11926366B2. Автор: Ryan J. McKinney,Kyle E. Hoffmann,Austin Graham. Владелец: Altec Industries Inc. Дата публикации: 2024-03-12.

Truck Body Assembly and Methods of Making and Using Same

Номер патента: US20190023330A1. Автор: Ryan J. McKinney,Kyle E. Hoffmann,Austin Graham. Владелец: Altec Industries Inc. Дата публикации: 2019-01-24.

Sidepack storage compartment and methods of making and using same

Номер патента: US20240083516A1. Автор: Ryan J. McKinney,Kyle E. Hoffmann,Austin Graham. Владелец: Altec Industries Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Truck body assembly and methods of making and using same

Номер патента: US20230382470A1. Автор: Ryan J. McKinney,Kyle E. Hoffmann,Austin Graham. Владелец: Altec Industries Inc. Дата публикации: 2023-11-30.

Mortar composition for repairment and reinforcement of concrete structure with improved water resistance, chemical resistance and attachment performance and method of repairing and reinforcing structure using the same

Номер патента: KR102338778B1. Автор: 김중혜. Владелец: 김중혜. Дата публикации: 2021-12-13.

Element for use in making a reinforced concrete structure with cavities, filler body for making such an element, and method of making a reinforced concrete structure with cavities

Номер патента: WO1995024532A1. Автор: Jørgen LASSEN. Владелец: Lassen Joergen. Дата публикации: 1995-09-14.

Method For Dehydration Used In Optical Fiber Preform Menufacturing Process, and Method And Apparatus of Manufacturing Optical Fiber Preform Using The Same

Номер патента: KR100554424B1. Автор: 김재선,이명규,황석우,장기완,피터축신. Владелец: 엘에스전선 주식회사. Дата публикации: 2006-02-22.

Element for use in making a reinforced concrete structure with cavities, filler body for making such an element, and method of making a reinforced concrete structure with cavities

Номер патента: GR3025498T3. Автор: Jørgen LASSEN. Владелец: Jørgen LASSEN. Дата публикации: 1998-02-27.

Method and apparatus of extracting lipid from microalgae and method and apparatus of manufacturing fatty acid ester from microalgae

Номер патента: TWI522459B. Автор: 王信智,談駿嵩. Владелец: 國立清華大學. Дата публикации: 2016-02-21.

Body posture measurement systems and methods

Номер патента: WO2024039725A1. Автор: Tadhg O'GARA,Kerry DANELSON. Владелец: Wake Forest University Health Sciences. Дата публикации: 2024-02-22.

Compositions for pre-treating shoes and methods and articles employing same

Номер патента: AU2002233951A1. Автор: Keith Homer Baker,Mary Vijayarani Barnabas,Donna Jean Haeggberg,Young Zhu. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2002-09-04.

Compositions for pre-treating shoes and methods and articles employing same

Номер патента: EP1360256A2. Автор: Keith Homer Baker,Mary Vijayarani Barnabas,Donna Jean Haeggberg,Young Zhu. Владелец: Procter and Gamble Co. Дата публикации: 2003-11-12.

VARIABLE TRANSMISSION AND METHOD AND SYSTEM OF MANUFACTURE

Номер патента: US20150126327A1. Автор: Magyari Douglas. Владелец: . Дата публикации: 2015-05-07.

CERAMIC MATRIX COMPOSITE AND METHOD AND ARTICLE OF MANUFACTURE

Номер патента: US20140272373A1. Автор: Chamberlain Adam L.,Shinavski Robert J.,Lazur Andrew J.. Владелец: . Дата публикации: 2014-09-18.

Non-woven fabric and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: US20180258565A1. Автор: Cheng-Kun Chu,Victor J. Lin,Chao-Chun Peng,Ming-Chih Kuo,Chia-Kun Wen. Владелец: Chia-Kun Wen. Дата публикации: 2018-09-13.

Brake plate and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2299110C. Автор: Ray Arbesman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-09-05.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: CA2213126A1. Автор: Steven A. Fantl,Robert H. Hanneman,James G. Wagner. Владелец: Individual. Дата публикации: 1996-08-22.

Carbon footprint assessment system and method in components of manufactured goods

Номер патента: KR101068232B1. Автор: 유태연. Владелец: (주)코리아컴퓨터. Дата публикации: 2011-09-28.

High-protein food product made from grain and method and apparatus of manufacture thereof

Номер патента: WO1979000982A1. Автор: J Gannon. Владелец: J Gannon. Дата публикации: 1979-11-29.

Disc brake backing plate and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2262214A1. Автор: Ray Arbesman. Владелец: Ray Arbesman. Дата публикации: 2000-08-18.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: EP0715558A1. Автор: Robert H. Hanneman,James G. Wagner. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1996-06-12.

Improvements in knitted articles and method and means of manufacture thereof

Номер патента: GB553245A. Автор: . Владелец: Individual. Дата публикации: 1943-05-13.

Multilayer substrate structure and method and system of manufacturing the same

Номер патента: EP2862206A2. Автор: Indranil De,Francisco Machuca. Владелец: Tivra Corp. Дата публикации: 2015-04-22.

Paint roller and method and apparatus of manufacturing a paint roller

Номер патента: EP0494729B1. Автор: Lawrence J. Bower,Ronald R. Delo,Gerald D. Vanzeeland. Владелец: Newell Operating Co. Дата публикации: 1996-07-03.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: CA2213126C. Автор: Steven A. Fantl,Robert H. Hanneman,James G. Wagner. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 2002-01-15.

Brake plate and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: CA2299110A1. Автор: Ray Arbesman. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-08-18.

Package with integrated tracking device and method and apparatus of manufacture

Номер патента: WO2007106891A3. Автор: R Charles Murray. Владелец: R Charles Murray. Дата публикации: 2009-01-08.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: AU4971696A. Автор: Robert H Hanneman,Steven A Fantl,James G Wagner. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1996-09-04.

Paved surface configured for reducing tire noise and increasing tire traction and method and apparatus of manufacturing same

Номер патента: US20040240937A1. Автор: Paul Woodruff. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-12-02.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and appts. of manufacture

Номер патента: CN1181798A. Автор: R·H·汉内曼,J·G·瓦格内尔,S·A·凡特尔. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1998-05-13.

Antiretroviral cyclonucleoside compositions and methods and articles of manufacture therewith

Номер патента: WO2012100017A2. Автор: Jia GUO,Yuntao Wu,Todd W. HAWLEY. Владелец: Lentx, Inc.. Дата публикации: 2012-07-26.

Pin tumbler cylinder lock with shearable assembly pins and method and apparatus of manufacture

Номер патента: AU693327B2. Автор: Robert H Hanneman,Steven A Fantl,James G Wagner. Владелец: Master Lock Co LLC. Дата публикации: 1998-06-25.

Slide fastener chain with leg remanents at gap and method and apparatus of manufacture

Номер патента: ZA824828B. Автор: Harry M Fisher,Stuart N Fisher. Владелец: Talon Inc. Дата публикации: 1983-05-25.

Slide fastener chain with leg remanents at gap and method and apparatus of manufacture

Номер патента: IL66163A0. Автор: . Владелец: Talon Inc. Дата публикации: 1982-09-30.

PALLET STRUCTURE WITH AIR BAG STRUCTURE, CABINET DEVICE WITH PALLET STRUCTURE, AND METHOD THEREOF

Номер патента: US20180111717A1. Автор: JIANG Jheng-Ying. Владелец: . Дата публикации: 2018-04-26.

Pallet structure with air bag structure, cabinet device with pallet structure, and method thereof

Номер патента: TWI589492B. Автор: 江政穎. Владелец: 緯創資通股份有限公司. Дата публикации: 2017-07-01.

Waterproof Structure with Insulation Using Wet Material and Exposure Waterproof with Exterior Insulation Method of Rooftop thereby

Номер патента: KR101438166B1. Автор: 이완섭. Владелец: 모전산업 (주). Дата публикации: 2014-09-05.

ELEMENT FOR PRODUCING A REINFORCED CONCRETE STRUCTURE WITH CAVES, FILLING BODIES FOR PRODUCING SUCH A ELEMENT, AND METHOD FOR PRODUCING A CONCRETE STRUCTURE WITH CAVES

Номер патента: DE69406149D1. Автор: Jørgen LASSEN. Владелец: Jørgen LASSEN. Дата публикации: 1997-11-13.

ULTRAHIGH-STRENGTH STEEL FOR WELDING STRUCTURE WITH EXCELLENT TOUGHNESS IN WELDING HEAT-AFFECTED ZONES THEREOF, AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20170002435A1. Автор: JEONG Hong-Chul,KIM Ho-Soo. Владелец: . Дата публикации: 2017-01-05.

INTEGRATED CIRCUIT COMPRISING MULTI-LAYER MICROMECHANICAL STRUCTURES WITH IMPROVED MASS AND RELIABILITY BY USING MODIFIED VIAS AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20180148329A1. Автор: MICHALIK Piotr Jozef,FERNÁNDEZ MARTÍNEZ Daniel,MADRENAS BOADAS Jordi. Владелец: . Дата публикации: 2018-05-31.

Ultra-high strength steel sheet for welding structure with superior haz toughness for high heat input welding and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101536471B1. Автор: 정홍철,김호수. Владелец: 주식회사 포스코. Дата публикации: 2015-07-13.

Fence structure with opening and shutting gate of preventing falling stones and method constructing the fence as above

Номер патента: KR100831568B1. Автор: 장안상. Владелец: 장안상. Дата публикации: 2008-05-22.

Three-dimensional structure with needle-like projection on one surface and device and method for manufacturing the same

Номер патента: WO2006025596A1. Автор: Seijyu Keduka. Владелец: Kawakami Sangyo Co., Ltd.. Дата публикации: 2006-03-09.

Ultrahigh-strength steel for welding structure with excellent toughness in welding heat-affected zones thereof, and method for manufacturing same

Номер патента: US10370736B2. Автор: Hong-Chul Jeong,Ho-Soo Kim. Владелец: Posco Co Ltd. Дата публикации: 2019-08-06.

Structures with circumferentially-extending densified fibrous plant materials, and systems and methods for fabrication and use thereof

Номер патента: WO2023224971A1. Автор: Yu Liu,Teng Li,Liangbing Hu,Qiongyu CHEN. Владелец: University of Maryland, College Park. Дата публикации: 2023-11-23.

A kind of wooden flexible super capacitor and the preparation method of wooden flexible, porous electrode thereof

Номер патента: CN103745832B. Автор: 傅峰,林兰英,陈志林,梁善庆,秦理哲,彭立民,卢克阳,吕少一,吕少. Владелец: Research Institute of Wood Industry of Chinese Academy of Forestry. Дата публикации: 2016-08-17.

Method of manufacturing semiconductor converter of ionizing radiation energy to electricity

Номер патента: RU2668229C1. Автор: Владимир Давыдович Бланк,Сергей Юрьевич Трощиев,Николай Викторович Лупарев,Сергей Александрович Тарелкин,Виталий Сергеевич Бормашов,Антон Владимирович Голованов,Дмитрий Дмитриевич Приходько. Владелец: Федеральное государственное бюджетное научное учреждение "Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов" (ФГБНУ ТИСНУМ). Дата публикации: 2018-09-27.

Trapped sacrificial structures and methods of manufacturing same using thin-film encapsulation

Номер патента: US09988265B2. Автор: Emmanuel P. Quevy,Louis Nervegna,Jeremy R. Hui. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Trapped sacrificial structures and methods of manufacturing same using thin-film encapsulation

Номер патента: US09422149B2. Автор: Emmanuel P. Quevy,Louis Nervegna,Jeremy R. Hui. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

Semiconductor structure, method of reading data from semiconductor structure, and method of writing data into semiconductor structure

Номер патента: US20230410865A1. Автор: WEI CHANG,XIANG Liu,Huihui Li,Jong Sung JEON,Jiefang DENG. Владелец: Changxin Memory Technologies Inc. Дата публикации: 2023-12-21.

Probe for scanning probe microscopy and method of its manufacturing (embodiments)

Номер патента: RU2660418C1. Автор: Сергей Владимирович Макаров,Иван Сергеевич Мухин,Иван Сергеевич Синев,Антон Кириллович Самусев,Филипп Эдуардович Комиссаренко. Владелец: федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Санкт-Петербургский национальный исследовательский университет информационных технологий, механики и оптики" (Университет ИТМО). Дата публикации: 2018-07-06.

Method of obtaining group of electro-technical equipment, uniform in terms of radiation resistance

Номер патента: RU2708815C1. Автор: Владимир Петрович Миронов,Александр Аркадьевич Романов,Анатолий Яковлевич Дубовик,Валерий Анастасович Метлов,Андрей Андреевич Чистилин. Владелец: Акционерное общество "Ангстрем" (АО "Ангстрем"). Дата публикации: 2019-12-11.

Photomask, method of fabricating a photomask, and method of fabricating a semiconductor structure using a photomask

Номер патента: US20220276552A1. Автор: Chung-Hung Lin,Chih-Wei Wen,Tzu Han Liu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-09-01.

Light-induced capacitance spectroscopy and method for obtaining carrier lifetime with micron/nanometer scale

Номер патента: WO2004070775A3. Автор: Gyoung Ho Buh,Joseph J Kopanski,Jay F Marchiando. Владелец: Us Gov Sec Commerce. Дата публикации: 2005-05-12.

Mach-Zehnder modulator, method of making optical waveguide structure

Номер патента: US09753350B2. Автор: Hideki Yagi,Masataka Watanabe,Takamitsu Kitamura. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2017-09-05.

Method of semiconductor phototransformer manufacturing

Номер патента: RU2349002C1. Автор: Владимир Иванович Поляков,Виталий Викторович Заддэ,Дмитрий Семенович Стребков,ков Владимир Иванович Пол. Владелец: Российская Академия Сельскохозяйственных наук Государственное научное учреждение Всероссийский научно-исследовательский институт электрификации сельского хозяйства (ГНУ ВИЭСХ). Дата публикации: 2009-03-10.

Suspension hinge of rotary nozzle made of composite materials and method for its manufacture

Номер патента: RU2632393C1. Автор: Вячеслав Александрович Барынин,Александр Алексеевич Кульков,Николай Степанович Норкин,Вячеслав Викторович Мерзляков,Виктор Иванович Петрусев,Сергей Александрович Бондаренко,Аркадий Витальевич Пашутов,Алексей Майевич Евгеньев. Владелец: Акционерное общество Центральный научно-исследовательский институт специального машиностроения. Дата публикации: 2017-10-04.

Semiconductor structure and manufacturing method thereof

Номер патента: US09975754B2. Автор: Tzu-Heng Wu,Chun-Ren Cheng,Fu-Chun Huang,Li-Chen Yen,Yi-Heng Tsai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-05-22.

Integrated connecting rod and method of its manufacture

Номер патента: RU2653822C2. Автор: Бенуа БОВЕРУ,Даниель ДАРДЕН. Владелец: Бд Инвент Са. Дата публикации: 2018-05-14.

METHOD OF MAKING MULTI-STAGE SOLAR CELLS BASED ON Galnp/Galnas/Ge SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: RU2528277C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Александра Вячеславовна Малевская,Наталья Дмитриевна Ильинская,Николай Александрович Калюжный,Юрий Михайлович Задиранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2014-09-10.

Method of making multilayer photocell chips

Номер патента: RU2492555C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Александра Вячеславовна Малевская,Наталья Дмитриевна Ильинская,Владимир Михайлович Лантратов,Анна Александровна Усикова,Юрий Михайлович Задиранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2013-09-10.

Method of making multistage photocell chips

Номер патента: RU2493634C1. Автор: Вячеслав Михайлович Андреев,Александра Вячеславовна Малевская,Наталья Дмитриевна Ильинская,Владимир Михайлович Лантратов,Анна Александровна Усикова,Юрий Михайлович Задиранов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук. Дата публикации: 2013-09-20.

Honeycomb structure, method of manufacturing honeycomb structure, exhaust gas treating apparatus, and method of manufacturing exhaust gas treating apparatus

Номер патента: EP1975383B1. Автор: Toshihide Ito. Владелец: Ibiden Co Ltd. Дата публикации: 2011-11-09.

Semiconductor structure with etch stop layer and method for making the same

Номер патента: WO2024102501A1. Автор: Peiching Ling,Liang-Gi Yao,Nanray Wu. Владелец: Peiching Ling. Дата публикации: 2024-05-16.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING WIDE AND NARROW DEEP TRENCHES WITH DIFFERENT MATERIALS

Номер патента: US20120122303A1. Автор: Zhang Yanli,Parries Paul C.. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2012-05-17.

Memory device with vertical transistor and trench capacitor memory cells and method of fabrication

Номер патента: TW200632906A. Автор: Neng-Tai Shih,Chien-Chang Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2006-09-16.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE INCORPORATING A CONTACT SIDEWALL SPACER WITH A SELF-ALIGNED AIRGAP AND A METHOD OF FORMING THE SEMICONDUCTOR STRUCTURE

Номер патента: US20140117420A1. Автор: WANG Xin,Gambino Jeffrey P.,Chen Fen,He Zhong-Xiang,Wang Yanfeng. Владелец: INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION. Дата публикации: 2014-05-01.

Heat exchange coil and method and apparatus of manufacture

Номер патента: AU526261A. Автор: Gondek and William O. Mueller Stanley. Владелец: Bundy Tubing Co. Дата публикации: 1963-05-02.

An Improved Safety Explosive, and Method or Process of Manufacturing the same.

Номер патента: GB189319931A. Автор: Wilbraham Evelyn-Liardet. Владелец: Individual. Дата публикации: 1893-12-02.

Bathing pad and method and device of manufacture

Номер патента: IL94569A0. Автор: . Владелец: Amos Shefi. Дата публикации: 1991-03-10.

New or improved compostion of matter to form a buliding material and method and process of manufacturing same

Номер патента: AU785018A. Автор: Edward Todren Francis. Владелец: Individual. Дата публикации: 1919-06-03.

Improvements of and relating to footwear and methods and models of manufacturing same

Номер патента: AU401551A. Автор: . Владелец: Ro Search Inc. Дата публикации: 1951-09-20.

Improvements of and relating to footwear and methods and models of manufacturing same

Номер патента: AU155352B2. Автор: . Владелец: Ro Search Inc. Дата публикации: 1951-09-20.

Method and apparatus for removing bubble in resin, and method and apparatus of manufacturing diamond disk

Номер патента: TW201001509A. Автор: Jiun-Rong Pai. Владелец: Taiwan Semiconductor Mfg. Дата публикации: 2010-01-01.

LOW IGNITION PROPENSITY WRAPPING PAPER AND METHOD AND MACHINE OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120231288A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-09-13.

ELECTRO-OPTICAL DEVICE, ELECTRODE THEREFORE, AND METHOD AND APPARATUS OF MANUFACTURING AN ELECTRODE AND THE ELECTRO-OPTICAL DEVICE PROVIDED THEREWITH

Номер патента: US20120299050A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-11-29.

SIDE WALL SUPPORT PIER AND METHOD FOR FOUNDATION OF MANUFACTURED BUILDING

Номер патента: US20120304555A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-12-06.

Light Guide Plate, and Method and Apparatus of Manufacturing Same

Номер патента: US20130004726A1. Автор: PARK Doo Jin,PARK Ji Hwan. Владелец: . Дата публикации: 2013-01-03.

SYSTEM AND METHOD FOR INTAKE OF MANUFACTURING PATTERNS AND APPLYING THEM TO THE AUTOMATED PRODUCTION OF INTERACTIVE, CUSTOMIZABLE PRODUCT

Номер патента: US20130060654A1. Автор: Beaver,Harvill Young,III Robert I.. Владелец: . Дата публикации: 2013-03-07.

COPULA-BASED SYSTEM AND METHOD FOR MANAGEMENT OF MANUFACTURING TEST AND PRODUCT SPECIFICATION THROUGHOUT THE PRODUCT LIFECYCLE FOR ELECTRONIC SYSTEMS OR INTEGRATED CIRCUITS

Номер патента: US20130197875A1. Автор: Shirley Carvin Glenn,Daasch W. Robert. Владелец: . Дата публикации: 2013-08-01.

Synthetic thermosetting resin tank and method and apparatus of manufacturing the same

Номер патента: JPS54111118A. Автор: Hachiro Sato. Владелец: Kubota Corp. Дата публикации: 1979-08-31.

Fastening element chain and method and apparatus of manufacture

Номер патента: CA1068479A. Автор: John A. Kowalski. Владелец: Textron Inc. Дата публикации: 1979-12-25.

New or improved composition of matter for use in lieu of leather or for other suitable purposes and method or process of manufacturing same

Номер патента: AU560217A. Автор: Stocks William. Владелец: Individual. Дата публикации: 1918-05-21.

The screen printing apparatus of small size capacitor and the manufacture method of small size capacitor

Номер патента: CN104108232B. Автор: 邱宇,宋子峰,陆亨,祝忠勇,彭自冲,张发秀. Владелец: Guangdong Fenghua Advanced Tech Holding Co Ltd. Дата публикации: 2016-04-13.

Semiconductor Structures with Rare-earths

Номер патента: US20120001171A1. Автор: Atanackovic Petar B.. Владелец: TRANSLUCENT INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLEXIBLE SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120001173A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID-STATE IMAGING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, RADIOLOGICAL IMAGING APPARATUS AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD OF TESTING SOLID-STATE IMAGING DEVICE

Номер патента: US20120001081A1. Автор: . Владелец: HAMAMATSU PHOTONICS K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THEREFOR

Номер патента: US20120001244A1. Автор: Yamazaki Shunpei,KOYAMA Jun,MURAKAMI Satoshi,Tanaka Yukio,KITAKADO Hidehito. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESISTIVE RAM DEVICES AND METHODS

Номер патента: US20120001144A1. Автор: . Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHODS OF FORMING NANOSCALE FLOATING GATE

Номер патента: US20120001248A1. Автор: Sandhu Gurtej S.,Ramaswamy D.V. Nirmal. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Spectral Device and Method for Controlling Same

Номер патента: US20120002201A1. Автор: Ishii Hiroyasu,Sawada Kazuaki,Nakazawa Hirokazu. Владелец: National University Corporation TOYOHASHI UNIVERSITY OF TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FORMING STRAINED EPITAXIAL CARBON-DOPED SILICON FILMS

Номер патента: US20120003825A1. Автор: Dip Anthony. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Large Area Nitride Crystal and Method for Making It

Номер патента: US20120000415A1. Автор: Speck James S.,"DEvelyn Mark P.". Владелец: Soraa, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of preparing semiconductor structure

Номер патента: RU2378740C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2010-01-10.

Nozzle plate and method for manufacturing the nozzle plate, and inkjet printer head with the nozzle plate

Номер патента: US20120001986A1. Автор: Kim Young Jae. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEPARATOR FOR AN ELECTRICITY STORAGE DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120003525A1. Автор: . Владелец: TOMOEGAWA CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, CAPACITOR, BATTERY, AND METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120003544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003570A1. Автор: Devoe Alan,Devoe Lambert. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF MAKING A FUEL CELL DEVICE

Номер патента: US20120003571A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CONNECTION AND ALIGNMENT DETECTION SYSTEMS AND METHODS

Номер патента: US20120004602A1. Автор: HANSON Ian B.,Bente,IV Paul F.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

Methods of Forming Nonvolatile Memory Devices Using Nonselective and Selective Etching Techniques to Define Vertically Stacked Word Lines

Номер патента: US20120003831A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE HAVING LOW THERMAL STRESS AND METHOD FOR MANUFACTURING THEREOF

Номер патента: US20120001303A1. Автор: TU PO-MIN,HUANG SHIH-CHENG,YANG SHUN-KUEI,HUANG CHIA-HUNG. Владелец: ADVANCED OPTOELECTRONIC TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002690A1. Автор: Watanabe Hideki,Ikeda Masao,Yokoyama Hiroyuki,Miyajima Takao,Oki Tomoyuki,Kono Shunsuke. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF DRIVING A LASER DIODE

Номер патента: US20120002695A1. Автор: . Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Process of manufacture of semiconductor structures based on compounds aiii bv by method of liquid-phase epitaxy

Номер патента: RU2031477C1. Автор: И.Н. Арсентьев,Л.С. Вавилова. Владелец: Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе РАН. Дата публикации: 1995-03-20.

III-NITRIDE LIGHT-EMITTING DEVICES WITH REFLECTIVE ENGINEERED GROWTH TEMPLATES AND METHODS OF MANUFACTURE

Номер патента: US20120001213A1. Автор: Jorgenson Robbie J.. Владелец: LIGHTWAVE PHOTONICS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD OF FABRICATING AN INTEGRATED CIRCUIT DEVICE

Номер патента: US20120003806A1. Автор: . Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SYSTEM AND METHOD OF ILLUMINATING INTERFEROMETRIC MODULATORS USING BACKLIGHTING

Номер патента: US20120001962A1. Автор: Tung Ming-Hau,Chui Clarence. Владелец: QUALCOMM MEMS Technologies, Inc.. Дата публикации: 2012-01-05.

Method of manufacturing canned food "vegetable soup with deep-sea scallop"

Номер патента: RU2343776C1. Автор: Олег Иванович Квасенков. Владелец: Олег Иванович Квасенков. Дата публикации: 2009-01-20.

Method of measuring temperature, autoelectronic emission thermoelectronic-mechanical transducer and method of making said transducer

Номер патента: RU2447411C1. Автор: Виктор Акиндинович Солдатенков,Юрий Кириллович Грузевич,Владимир Михайлович Ачильдиев. Владелец: Владимир Михайлович Ачильдиев. Дата публикации: 2012-04-10.

Manufacturing method of dielectric film for semiconductor structures of electronic equipment

Номер патента: RU2419176C1. Автор: Владимир Григорьевич Лапин,Константин Игнатьевич Петров,Александр Васильевич Галанихин,Павел Александрович Галанихин. Владелец: Федеральное государственное унитарное предприятие "Научно-производственное предприятие "Исток" (ФГУП НПП "Исток"). Дата публикации: 2011-05-20.

Method of making semiconductor structure

Номер патента: RU2445722C2. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова" (КБГУ). Дата публикации: 2012-03-20.

Manufacturing method of semiconductor device

Номер патента: RU2567118C1. Автор: Гасан Абакарович Мустафаев,Арслан Гасанович Мустафаев,Абдулла Гасанович Мустафаев,Наталья Васильевна Черкесова. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова. Дата публикации: 2015-11-10.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING OF SAME

Номер патента: US20120001321A1. Автор: IMAMURA Tomomi,Natsuda Tetsuo,Nishijo Yoshinosuke. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE GEAR BLANK AND METHOD FOR MANUFACTURING SAME

Номер патента: US20120000307A1. Автор: Oolderink Rob,Nizzoli Ermanno,Vandenbruaene Hendrik. Владелец: QUADRANT EPP AG. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SYNTHETIC RESIN CAP AND METHOD OF MANUFACTURING SYNTHETIC RESIN CAP

Номер патента: US20120000881A1. Автор: SUDO Nobuo. Владелец: DAIKYO SEIKO, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

PIEZORESISTIVE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND PIEZORESISTIVE-TYPE TOUCH PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001870A1. Автор: LEE Kang Won,Lee Seung Seob. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

System For Monitoring Foreign Particles, Process Processing Apparatus And Method Of Electronic Commerce

Номер патента: US20120002196A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLLOW MEMBER AND AN APPARATUS AND METHOD FOR ITS MANUFACTURE

Номер патента: US20120003496A1. Автор: Tomizawa Atsushi,Kubota Hiroaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR FORMING SILICON OXIDE FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120003842A1. Автор: Tanaka Yoshinobu,Ueda Hirokazu,Ohsawa Yusuke. Владелец: TOKYO ELECTRON LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.