Vanadium dioxide heterostructures having an isostructural metal-insulator transition
Номер патента: US20180331188A1
Опубликовано: 15-11-2018
Автор(ы): Chang-Beom Eom, Daesu Lee
Принадлежит: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 15-11-2018
Автор(ы): Chang-Beom Eom, Daesu Lee
Принадлежит: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Vanadium dioxide heterostructures having an isostructural metal-insulator transition
Номер патента: US11335781B2. Автор: Chang-Beom Eom,Daesu Lee. Владелец: WISCONSIN ALUMNI RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2022-05-17.