Current sensing device based on Metal-Insulator Transition and conductive substrate and current control system for using the same
Номер патента: KR101907605B1
Опубликовано: 05-12-2018
Автор(ы): 김봉준, 박종찬, 이동채
Принадлежит: 주식회사 모브릭
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 05-12-2018
Автор(ы): 김봉준, 박종찬, 이동채
Принадлежит: 주식회사 모브릭
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Semiconductor device including a resistor metallic layer and method of forming the same
Номер патента: US09673192B1. Автор: Douglas Dean Lopata,Jeffrey Demski,Jay Norton,Miguel Rojas-Gonzales. Владелец: Altera Corp. Дата публикации: 2017-06-06.