Verfahren zur Integration von zwei Bipolartransistoren in einem Halbleiterkörper, Halbleiteranordnung in einem Halbleiterkörper und Kaskodenschaltung
Номер патента: DE502006000541D1
Опубликовано: 15-05-2008
Автор(ы): Christoph Dipl-Phys Bromberger
Принадлежит: Atmel Germany GmbH
Опубликовано: 15-05-2008
Автор(ы): Christoph Dipl-Phys Bromberger
Принадлежит: Atmel Germany GmbH
Hochspannung PNP mit Verwendung von Isolation für ESD und Verfahren zur Herstellung desselben
Номер патента: DE102018200898A1. Автор: Tsung-Che Tsai,Chai Ean Gill,Rudy Octavius Sihombing,Yohann Frederic Michel Solaro. Владелец: GLOBALFOUNDRIES SINGAPORE PTE LTD. Дата публикации: 2019-02-28.