Россия, г. Королев.

eburdiyg@gmail.com

8 (903) 781-84-63

  • Главная
  • High aspect ratio via fill process employing selective metal deposition and structures formed by the same

High aspect ratio via fill process employing selective metal deposition and structures formed by the same

Номер патента: US20230130849A1
Опубликовано: 27-04-2023
Автор(ы): Fumitaka Amano, Takashi Yamaha, Tatsuya Hinoue
Принадлежит: SanDisk Technologies LLC
Получить PDF файл: Открыть в новом окне

Вам могут быть интересны следующие патенты

Рисунок 1. Взаимосвязь патентов (ближайшие 20).

Advanced pitch interconnects with multiple low aspect ratio segments

Номер патента: US20240213087A1. Автор: Chih-Chao Yang,Oscar van der Straten,Koichi Motoyama,Willie Lester Muchrison, JR.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-06-27.

Decoupled via fill

Номер патента: US20190221478A1. Автор: Tejaswi K. Indukuri,Ruth A. BRAIN,Flavio Griggio,Yuriy V. Shusterman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2019-07-18.

Decoupled via fill

Номер патента: US20170338148A1. Автор: Tejaswi K. Indukuri,Ruth A. BRAIN,Flavio Griggio,Yuriy V. Shusterman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-23.

Decoupled via fill

Номер патента: EP3238235A1. Автор: Tejaswi K. Indukuri,Ruth A. BRAIN,Flavio Griggio,Yuriy V. Shusterman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-01.

Decoupled via fill

Номер патента: US20200090992A1. Автор: Tejaswi K. Indukuri,Ruth A. BRAIN,Flavio Griggio,Yuriy V. Shusterman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

Decoupled via fill

Номер патента: US20180350672A1. Автор: Tejaswi K. Indukuri,Ruth A. BRAIN,Flavio Griggio,Yuriy V. Shusterman. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-12-06.

Structure and process for metallization in high aspect ratio features

Номер патента: US8450204B2. Автор: Chih-Chao Yang,Fenton R. McFeely. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-05-28.

Structure and process for metallization in high aspect ratio features

Номер патента: US20130252415A1. Автор: Chih-Chao Yang,Fenton R. McFeely. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2013-09-26.

Structure and process for metallization in high aspect ratio features

Номер патента: US20120208362A1. Автор: Chih-Chao Yang,Fenton R. McFeely. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-08-16.

Controlling grain boundaries in high aspect-ratio conductive regions

Номер патента: US20200135556A1. Автор: Chih-Chao Yang,Conal Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-04-30.

Controlling grain boundaries in high aspect-ratio conductive regions

Номер патента: US20190378755A1. Автор: Chih-Chao Yang,Conal Murray. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-12-12.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09905465B2. Автор: Xianjie Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2018-02-27.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US09431355B2. Автор: Xianjie Ning. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods for filling high aspect ratio features on substrates

Номер патента: WO2013163081A1. Автор: Michael G. Ward,Igor Peidous. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2013-10-31.

Interconnects having sealing structures to enable selective metal capping layers

Номер патента: US09984922B2. Автор: YING Zhou,Jun He,Peter K. Moon,Kevin J. Fischer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-29.

Interconnects having sealing structures to enable selective metal capping layers

Номер патента: US09437545B2. Автор: YING Zhou,Jun He,Peter K. Moon,Kevin J. Fischer. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-09-06.

Interconnect Structures and Methods of Forming the Same

Номер патента: US20190214296A1. Автор: Sung-Li Wang,Shuen-Shin Liang,Chia-Hung Chu,Keng-Chu Lin,Jung-Hao CHANG. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-07-11.

Ruthenium interconnect with high aspect ratio and method of fabrication thereof

Номер патента: US9299643B2. Автор: Wen Yu,Zheng Wang,Connie Wang,Erik Wilson,Robert Chiu. Владелец: Cypress Semiconductor Corp. Дата публикации: 2016-03-29.

Low temperature reflow method for filling high aspect ratio contacts

Номер патента: US20010041439A1. Автор: Gurtej Sandhu,Shubneesh Batra. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-15.

Through silicon via filling using an electrolyte with a dual state inhibitor

Номер патента: US09593426B2. Автор: Steven T. Mayer,Mark J. Willey. Владелец: Novellus Systems Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Standard cell circuits employing high aspect ratio voltage rails for reduced resistance

Номер патента: SG11201810982UA. Автор: Mustafa Badaroglu,Da YANG,Periannan Chidambaram,Jeffrey XU. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-02-27.

Standard cell circuits employing high aspect ratio voltage rails for reduced resistance

Номер патента: US20180033729A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2018-02-01.

Standard cell circuits employing high aspect ratio voltage rails for reduced resistance

Номер патента: EP3491668A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Periannan Chidambaram. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2019-06-05.

Standard cell circuits employing high aspect ratio voltage rails for reduced resistance

Номер патента: WO2018022244A1. Автор: Mustafa Badaroglu,Jeffrey Junhao XU,Da YANG,Periannan Chidambaram. Владелец: QUALCOMM INCORPORATED. Дата публикации: 2018-02-01.

Interconnect arrangement with stress-reducing structure and method of fabricating the same

Номер патента: US09472508B2. Автор: Yi-Ruei Lin,Yen-Ming Peng,Han-Wei Yang,Chen-Chung Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-18.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140110850A1. Автор: Atsunobu Isobayashi. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2014-04-24.

Method for filling trench with metal layer and semiconductor structure formed by using the same

Номер патента: US09558996B2. Автор: Chien-Hao Chen,Chi-Mao Hsu,Chin-Fu Lin,Wei-Yu Chen,Hsin-Fu Huang,Min-Chuan Tsai,Jing-Gang Li,Min-Hsien Chen,Jian-Hong Su. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-01-31.

Semiconductor having a high aspect ratio via

Номер патента: US20120238091A1. Автор: Lan-Lin Chao,Chia-Shiung Tsai,Yuan-Chih Hsieh,Richard Chu,Martin Liu,Ming-Tung Wu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2012-09-20.

Method for preparing fine metal lines with high aspect ratio

Номер патента: US11837499B2. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2023-12-05.

Method for preparing fine metal lines with high aspect ratio

Номер патента: US20240038585A1. Автор: Chih-Wei Huang. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2024-02-01.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200144281A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2020-05-07.

MIM capacitor of embedded structure and method for making the same

Номер патента: US11239153B2. Автор: YU Chen. Владелец: Hua Hong Semiconductor Wuxi Co Ltd. Дата публикации: 2022-02-01.

High aspect ratio vertical interconnect access (via) interconnections in magnetic random access memory (MRAM) bit cells

Номер патента: US09704919B1. Автор: Yu Lu,Wei-Chuan Chen,Seung Hyuk KANG,Jimmy Jianan KAN. Владелец: Qualcomm Inc. Дата публикации: 2017-07-11.

Method of forming high aspect ratio features

Номер патента: US12125700B2. Автор: Hirotsugu Sugiura,Yoshio SUSA,Mitsuya Utsuno. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2024-10-22.

Method of making high aspect ratio openings using multiple cladding masks and apparatus for implementing the same

Номер патента: US20240290622A1. Автор: Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Senaka Kanakamedala,Roshan Jayakhar TIRUKKONDA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-08-29.

Semiconductor device with air gap and method of fabricating the same

Номер патента: US09627252B2. Автор: Myung-Ok Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Technologies for inverting lithographic patterns and semiconductor devices including high aspect ratio structures

Номер патента: US20180247813A1. Автор: Christopher P. Auth,Anthony A. St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-08-30.

Non-volatile memory device and method for fabricating the same

Номер патента: US20190378852A1. Автор: Geun Won Lim,Seok Cheon Baek. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2019-12-12.

Technologies for inverting lithographic patterns and semiconductor devices including high aspect ratio structures

Номер патента: US10553430B2. Автор: Christopher P. Auth,Anthony A. St. Amour. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-02-04.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20100084739A1. Автор: Koujirou Matsui. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2010-04-08.

Method and Structure for Reducing Source/Drain Contact Resistance at Wafer Backside

Номер патента: US20220344496A1. Автор: Chih-Hao Wang,Kuan-Lun Cheng,Cheng-Chi Chuang,Huan-Chieh Su,Li-Zhen YU,Chun-Yuan Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-27.

Tungsten plug structure of semiconductor device and method for forming the same

Номер патента: US20070102824A1. Автор: In Chun. Владелец: DongbuAnam Semiconductor Inc. Дата публикации: 2007-05-10.

Methods for selective reverse mask planarization and interconnect structures formed thereby

Номер патента: US20140131893A1. Автор: Eric J. White,Anthony K. Stamper,Zhong-Xiang He. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-05-15.

Methods for selective reverse mask planarization and interconnect structures formed thereby

Номер патента: WO2010060890A1. Автор: Zhong-Xiang He,Anthony Stamper,Jeffrey Eric White. Владелец: Ibm United Kingdom Limited. Дата публикации: 2010-06-03.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09614076B2. Автор: Yoshitaka Otsu,Katsumi Morii. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-04-04.

Method for filling high aspect ratio openings of an integrated circuit to minimize electromigration failure

Номер патента: US6077780A. Автор: Valery M. Dubin. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-06-20.

Method for forming a tungsten plug and a barrier layer in a contact of high aspect ratio

Номер патента: US5990004A. Автор: Yu-Ru Yang,Horng-Bor Lu,Jenn-Tarng Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 1999-11-23.

High aspect ratio contact structure with reduced silicon consumption

Номер патента: US6908849B2. Автор: Sujit Sharan,Ammar Derraa,Paul Castrovillo. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2005-06-21.

Fabrication of a via plug having high aspect ratio with a diffusion barrier layer effectively surrounding the via plug

Номер патента: US6083842A. Автор: Sergey Lopatin,Robin Cheung. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 2000-07-04.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: US20240203788A1. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A2. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-26.

Method of selectively forming layer using atomic layer deposition and method of forming interconnect of semiconductor device using the same

Номер патента: EP4389930A3. Автор: Jeongyub Lee,Sunghee Lee,Eunhyoung Cho,Hanboram LEE. Владелец: Incheon National University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-08-14.

High aspect ratio contact structure with multiple metal stacks

Номер патента: US20230317802A1. Автор: Shogo Mochizuki,Albert M. Young,Junli Wang,Su Chen Fan,Terence Hook,Indira Seshadri,Brent A Anderson,Stuart Sieg. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2023-10-05.

Semiconductor structure and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130001691A1. Автор: Huilong Zhu,Haizhou Yin,Zhijiong Luo. Владелец: Beijing NMC Co Ltd. Дата публикации: 2013-01-03.

Sensor package with low aspect ratio through silicon via

Номер патента: WO2024118450A1. Автор: Ko Shibata,Daiki Komatsu,Kengo Aoya,Masamitsu Matsuura. Владелец: TEXAS INSTRUMENTS INCORPORATED. Дата публикации: 2024-06-06.

Process for chemical vapor deposition of materials with via filling capability and structure formed thereby

Номер патента: US20080164579A1. Автор: Alejandro G. Schrott,Fenton R. McFeely,John J. Yurkas. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2008-07-10.

High aspect ratio metallization structures

Номер патента: US20030075809A1. Автор: Shane Leiphart,Randle Burton. Владелец: Individual. Дата публикации: 2003-04-24.

High Aspect Ratio Via Etch Using Atomic Layer Deposition Protection Layer

Номер патента: US20190181041A1. Автор: Xinghua Sun,Yen-Tien Lu,Eric Chih-Fang Liu,Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2019-06-13.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: EP1897131A2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: UNIVERSITY OF CALIFORNIA. Дата публикации: 2008-03-12.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: WO2007001296A2. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: The Regents of the University of California. Дата публикации: 2007-01-04.

Processing methods for providing metal-comprising materials within high aspect ratio openings

Номер патента: US20010043985A1. Автор: John Givens. Владелец: Individual. Дата публикации: 2001-11-22.

Centrifugal method for filing high aspect ratio blind mirco vias powdered materials for circuit formation

Номер патента: US7815968B2. Автор: Gareth Hougham,Stephen L. Buchwalter,Jon Casey,Claudius Feger,Matteo Flotta,Kathleen C. Hinge,Anurag Jain,Sung K. Kang,John U. Knickerbocker,Leena Paivikki Buchwalter,Jeffrey D. Gelmore. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2010-10-19.

Deposition of hafnium oxide within a high aspect ratio hole

Номер патента: US11791153B2. Автор: Petri Raisanen,Eric James Shero,Michael Schmotzer,Paul Ma,Sol Kim,Jiyeon Kim,Ying-Shen Kuo. Владелец: ASM IP Holding BV. Дата публикации: 2023-10-17.

Metal-based liner protection for high aspect ratio plasma etch

Номер патента: US20230298896A1. Автор: Qing Xu,Eric A. Hudson,Amit Mukhopadhyay,Merrett Wong,Gregory Clinton Veber,Walter Thomas RALSTON,Taner OZEL,Shuang Pi. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2023-09-21.

Integrated circuit package assemblies with high-aspect ratio metallization features

Номер патента: US20200411317A1. Автор: Hongxia Feng,Leonel Arana,Brandon Marin,Jeremy ECTON. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-12-31.

Two-step process for gapfilling high aspect ratio trenches with amorphous silicon film

Номер патента: US20200051815A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Pramit MANNA,Rui CHENG,Shishi Jiang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-02-13.

Methods of forming high aspect ratio features

Номер патента: US11854869B2. Автор: KEN Tokashiki,Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2023-12-26.

Method for chemical vapor deposition in high aspect ratio spaces

Номер патента: US20060290013A1. Автор: Ya-Hong Xie. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-12-28.

Highly conformal titanium nitride deposition process for high aspect ratio structures

Номер патента: WO2002003455A3. Автор: Kwong Hon Wong,Rajarao Jammy,Uwe Schroeder,Cheryl G Faltermeier. Владелец: Infineon Technologies Corp. Дата публикации: 2002-06-13.

Super-high aspect ratio diffractive optics fabricated by batch-processing

Номер патента: US20190154892A1. Автор: Nicolaie A. Moldovan. Владелец: Alcorix Co. Дата публикации: 2019-05-23.

Differential Layer Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20200035679A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2020-01-30.

Methods of forming high aspect ratio features

Номер патента: US20220344200A1. Автор: KEN Tokashiki,Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2022-10-27.

Methods of manufacturing semiconductor devices having high aspect ratio

Номер патента: US9324609B2. Автор: Jung-Woo Seo,Chan-Won Kim. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-04-26.

Method of depositing conductors in high aspect ratio apertures

Номер патента: CA2061119A1. Автор: Thomas L. McDevitt,James G. Ryan,Pei-Ing P. Lee,Paul C. Parries,Thomas J. Licata,David C. Strippe,Scott L. Pennington. Владелец: Scott L. Pennington. Дата публикации: 1992-10-20.

Method of depositing conductors in high aspect ratio apertures

Номер патента: MY108408A. Автор: Leddy Mcdevitt Thomas,Paul Lee Pei-Ing,John Licata Thomas,Christian Parries Paul,Lewis Pennington Scott,Gardner Ryan James,Craig Strippe David. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1996-09-30.

Microelectronic devices including high aspect ratio features

Номер патента: US20240120237A1. Автор: KEN Tokashiki,Gurtej S. Sandhu,John A. Smythe. Владелец: Lodestar Licensing Group LLC. Дата публикации: 2024-04-11.

Ultra-high aspect ratio dielectric etch

Номер патента: WO2008097920A1. Автор: Kyeong-koo Chi,Erik A. Edelberg. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-08-14.

Field effect transistor high aspect ratio patterning

Номер патента: US20240332295A1. Автор: Wai Kin Li,Domingo Ferrer. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Semiconductor device having opening and method of fabricating the same

Номер патента: US20040048489A1. Автор: Takashi Goto,Yoshinari Ichihashi. Владелец: Sanyo Electric Co Ltd. Дата публикации: 2004-03-11.

High aspect ratio deposition

Номер патента: WO2019060069A1. Автор: Abhijit Basu Mallick,Shaunak Mukherjee. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2019-03-28.

Methods of and apparatus for making high aspect ratio microelectromechanical structures

Номер патента: WO2003071007A1. Автор: Gang Zhang,Adam L. Cohen,Qui T. Le. Владелец: Memgen Corporation. Дата публикации: 2003-08-28.

Method for etching deep, high-aspect ratio features into silicon carbide and gallium nitride

Номер патента: US11984321B1. Автор: Michael Pedersen,Michael A. Huff,Mehmet Ozgur. Владелец: Corp for National Research Initiatives. Дата публикации: 2024-05-14.

Semiconductor structure with source/drain multi-layer structure and method for forming the same

Номер патента: US20240266439A1. Автор: Chun-Chieh Wang,Yu-Ting Lin,Shih-Chieh Chang,Huai-Tei Yang,Yueh-Ching Pai. Владелец: PARABELLUM STRATEGIC OPPORTUNITIES FUND LLC. Дата публикации: 2024-08-08.

Pulsed ultra-high aspect ratio dielectric etch

Номер патента: WO2008097925A1. Автор: Kyeong-koo Chi,Erik A. Edelberg. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2008-08-14.

Method for forming inner capacitor of semiconductor devices using oxide layers formed by the SACVD method

Номер патента: US20020039827A1. Автор: Jai-Sun Roh. Владелец: Hyundai Electronics Industries Co Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US12034062B2. Автор: Chih-Hao Wang,Kuo-Cheng Ching,Shi-Ning Ju,Zhi-Chang Lin,Kuan-Ting Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-09.

Differential Layer Formation Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20190096888A1. Автор: Chung-Ting Ko,Chi On Chui,Jr-Hung Li. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Spacer passivation for high-aspect ratio opening film removal and cleaning

Номер патента: US20160035742A1. Автор: Raghuveer S. Makala,George Matamis,Senaka Krishna Kanakamedala,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2016-02-04.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US10084056B1. Автор: Hung-Wen Hsu,Jiech-Fun Lu,Hung-Ling Shih. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-25.

Pre-deposition treatment and atomic layer deposition (ALD) process and structures formed thereby

Номер патента: US09947540B2. Автор: Weng Chang,Ming-Hsing Tsai,Yi-Hung Lin,Hsueh Wen Tsau,Da-Yuan Lee,Cheng-Yen Tsai,Ying-Chieh Hung,JoJo Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Selective growth for high-aspect ration metal fill

Номер патента: US09466494B2. Автор: Chun Che Lin,Shiu-Ko Jangjian,Chih-Nan Wu,Wen-Cheng HsuKu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-10-11.

Dual damascene with a sacrificial via fill

Номер патента: US5705430A. Автор: Steven Avanzino,Subhash Gupta,Ming-Ren Lin,Rich Klein,Scott D. Luning. Владелец: Advanced Micro Devices Inc. Дата публикации: 1998-01-06.

Semiconductor fabrication method and structure using multiple sacrificial layers to form sidewall spacers

Номер патента: US11742245B2. Автор: Poren Tang. Владелец: Semiconductor Manufacturing International Shanghai Corp. Дата публикации: 2023-08-29.

Display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20100025698A1. Автор: Chih-Hung Shih,Chih-Chun Yang,Ming-Yuang Huang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-02-04.

Display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US8168976B2. Автор: Ming-Yuan Huang,Chih-Hung Shih,Chih-Chun Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-05-01.

Display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US7663145B2. Автор: Ming-Yuan Huang,Chih-Hung Shih,Chih-Chun Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2010-02-16.

Display panel and method for manufacturing the same

Номер патента: US20120086011A1. Автор: Ming-Yuan Huang,Chih-Hung Shih,Chih-Chun Yang. Владелец: AU OPTRONICS CORP. Дата публикации: 2012-04-12.

Selective Capping Processes and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20220328309A1. Автор: Hung-Wen Su,Chih-Chien Chi,Pei-Hsuan Lee,Hsin-Yun Hsu,Jui-Fen CHIEN,Hsiao-Kuan Wei. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-10-13.

Fluorocarbon molecules for high aspect ratio oxide etch

Номер патента: US09514959B2. Автор: Christian Dussarrat,Rahul Gupta,Vincent M. Omarjee,Nathan Stafford,Curtis Anderson. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2016-12-06.

Multi-layer structure for high aspect ratio etch

Номер патента: US09647022B2. Автор: Shih-Chi Kuo,Han-Tang Lo,Tsai-Hao Hung,Tsung-Hsien Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Two layer filling for high aspect ratio trenches

Номер патента: GB2402549A. Автор: John McNeil,Carl David Monnington Brancher. Владелец: Trikon Technologies Ltd. Дата публикации: 2004-12-08.

Circuit Pattern with high aspect ratio and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20140041900A1. Автор: Yi-Fong Lin,Chien-An Yu. Владелец: Nanya Technology Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Process for treating high aspect ratio structures

Номер патента: US20020119655A1. Автор: Yu-Tsai Liu. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-08-29.

Very high aspect ratio contact

Номер патента: US20160149012A1. Автор: ABBAS Ali. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2016-05-26.

Method for forming alignment marks and structure of same

Номер патента: US10074612B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Yeur-Luen Tu,Tzu-Hsuan Hsu,Ching-Chun Wang,Cheng-Hsien Chou,Shyh-Fann Ting,Sheng-Chau Chen,Shih Pei Chou,Wei-Cheng Hsu,Hsiao-Hui Tseng,Chih-Yu Lai,Chun-Wei Chang,Kai-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-09-11.

Method for Forming Alignment Marks and Structure of Same

Номер патента: US20170207176A1. Автор: Dun-Nian Yaung,Yeur-Luen Tu,Tzu-Hsuan Hsu,Ching-Chun Wang,Cheng-Hsien Chou,Shyh-Fann Ting,Sheng-Chau Chen,Shih Pei Chou,Wei-Cheng Hsu,Hsiao-Hui Tseng,Chih-Yu Lai,Chun-Wei Chang,Kai-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-20.

Method for forming alignment marks and structure of same

Номер патента: US09627326B2. Автор: Dun-Nian Yaung,Yeur-Luen Tu,Tzu-Hsuan Hsu,Ching-Chun Wang,Cheng-Hsien Chou,Shyh-Fann Ting,Sheng-Chau Chen,Shih Pei Chou,Wei-Cheng Hsu,Hsiao-Hui Tseng,Chih-Yu Lai,Chun-Wei Chang,Kai-Chun Hsu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-18.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US20240047276A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-02-08.

Method for depositing insulating film on recessed portion having high aspect ratio

Номер патента: US09818604B2. Автор: Hai-Won Kim,Chang-Hun Shin,Seok-Yun Kim,Choon-Sik JEONG. Владелец: Eugene Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-14.

High aspect ratio trapping semiconductor with uniform height and isolated from bulk substrate

Номер патента: US09780173B2. Автор: Kangguo Cheng,Pouya Hashemi,Alexander Reznicek,Ali Khakifirooz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-10-03.

Method and apparatus for modifying the profile of high-aspect-ratio gaps using differential plasma power

Номер патента: EP1071833A2. Автор: Laxman Murugesh,Pravin Narwankar,Turgut Sahin,Sameer Desai,Walter Zygmunt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2001-01-31.

High aspect ratio gap fill using cyclic deposition and etch

Номер патента: WO2024044373A1. Автор: Takashi KURATOMI,Alexia Adilene PORTILLO RIVERA. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-02-29.

Method of filling a high aspect ratio trench isolation region and resulting structure

Номер патента: WO2007089377A3. Автор: Garo J Derderian. Владелец: Garo J Derderian. Дата публикации: 2007-09-20.

Method of filling a high aspect ratio trench isolation region and resulting structure

Номер патента: WO2007089377A2. Автор: Garo J. Derderian. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2007-08-09.

Method of filling a high aspect ratio trench isolation region and resulting structure

Номер патента: EP1984946A2. Автор: Garo J. Derderian. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-10-29.

Method and apparatus for modifying the profile of narrow, high-aspect-ratio gaps using RF power

Номер патента: US20030157812A1. Автор: Laxman Murugesh,Pravin Narwankar,Turgut Sahin,Sameer Desai,Walter Zygmunt. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2003-08-21.

Methods of forming semiconductor structures including iii-v semiconductor material using substrates comprising molybdenum, and structures formed by such methods

Номер патента: US20150144958A1. Автор: Christiaan J. Werkhoven. Владелец: Soitec SA. Дата публикации: 2015-05-28.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US20190164848A1. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-30.

Method for filling gaps of semiconductor device and semiconductor device formed by the same

Номер патента: US09685319B2. Автор: Yu-Ren Wang,Yi-Hui Lin,Ping-Wei Huang,Keng-Jen Lin. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for forming semiconductor structure with high aspect ratio

Номер патента: US11823960B2. Автор: Tien-I Bao,Chih-tang Peng,Han-Pin Chung. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2023-11-21.

Methods of forming a semiconductor device including active patterns on a bonding layer and semiconductor devices formed by the same

Номер патента: US12112952B2. Автор: Sungmin Kim,Daewon HA. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-10-08.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20150207074A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2015-07-23.

Deposition method and a deposition apparatus of fine particles, a forming method and a forming apparatus of carbon nanotubes, and a semiconductor device and a manufacturing method of the same

Номер патента: US20130109170A1. Автор: Noriyoshi Shimizu,Shintaro Sato,Yuji Awano. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-05-02.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20190131297A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Semiconductor Structure Cutting Process and Structures Formed Thereby

Номер патента: US20190131298A1. Автор: MING-CHING Chang,Yi-Chun Chen,Cheng-Chung Chang,Yu-Hsien Lin,Ryan Chia-Jen Chen,Li-Wei Yin,Shao-Hua Hsu,Tzu-Wen Pan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2019-05-02.

Chip package unit, method of manufacturing the same, and package structure formed by stacking the same

Номер патента: US20240021552A1. Автор: Hong-Chi YU,Chun-Jung Lin,Ruei-Ting Gu. Владелец: Walton Advanced Engineering Inc. Дата публикации: 2024-01-18.

Package with interlocking leads and manufacturing the same

Номер патента: US20190067212A1. Автор: Aaron Cadag.,Lester Joseph Belalo.,Ela Mia Cadag.. Владелец: STMicroelectronics Inc Philippines. Дата публикации: 2019-02-28.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US09576918B2. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-02-21.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: WO2016186788A1. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corporation. Дата публикации: 2016-11-24.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US10229858B2. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2019-03-12.

Conductive paths through dielectric with a high aspect ratio for semiconductor devices

Номер патента: US20170148698A1. Автор: Thorsten Meyer,Andreas Wolter. Владелец: Intel IP Corp. Дата публикации: 2017-05-25.

Faceted structure formed by self-limiting etch

Номер патента: US09812394B2. Автор: Kangguo Cheng,Ali Khakifirooz,Juntao Li,Werner A Rausch. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-11-07.

Semiconductor chip including region having integrated circuit transistor gate electrodes formed by various conductive structures of specified shape and position and method for manufacturing the same

Номер патента: US09443947B2. Автор: Michael C. Smayling,Scott T. Becker. Владелец: Tela Innovations Inc. Дата публикации: 2016-09-13.

Etchant solutions and methods of forming semiconductor devices formed by processes including the same

Номер патента: US20060028865A1. Автор: Chang-ki Hong,Yu-Kyung Kim,Sang-jun Choi,Jeong-Nam Han. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-02-09.

Method of forming material using atomic layer deposition and method of forming capacitor of semiconductor device using the same

Номер патента: US20060234517A1. Автор: Sung-Tae Kim,Young-sun Kim,Jae-hyun Yeo,In-sung Park,Gi-Vin Im. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-10-19.

Stack packages having with confined underfill fillet and methods of manufacturing the same

Номер патента: US09966278B1. Автор: Taehoon Kim,Hyun Kyu RYU. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2018-05-08.

Method of forming pattern with high aspect ratio on polycrystalline aluminum nitride substrate

Номер патента: US09814143B1. Автор: Yi-Hsiuan Yu,Lea-Hwung Leu,Chung-Yen Lu,Chia-Ting Lin. Владелец: National Chung Shan Institute of Science and Technology NCSIST. Дата публикации: 2017-11-07.

Physical vapor deposition seeding for high aspect ratio vias in glass core technology

Номер патента: US20220406616A1. Автор: Georgios C. Dogiamis,Aleksandar Aleksov,Telesphor Kamgaing,Veronica Strong,Neelam Prabhu Gaunkar. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2022-12-22.

Steam oxidation initiation for high aspect ratio conformal radical oxidation

Номер патента: US11948791B2. Автор: Christopher S. Olsen,Taewan Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-04-02.

Nitride semiconductor device having aluminum oxide film and a process for producing the same

Номер патента: US20160260828A1. Автор: Chihoko Mizue. Владелец: Sumitomo Electric Industries Ltd. Дата публикации: 2016-09-08.

Methods of forming package structures for enhanced memory capacity and structures formed thereby

Номер патента: US20180182734A1. Автор: Ranjul Balakrishnan,Navneet K. Singh,Shanto A. Thomas. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-06-28.

Engineered dielectric profile for high aspect-ratio 3d nand structures

Номер патента: US20230282578A1. Автор: Randy J. Koval,Henok T. Mebrahtu,Agus Tjandra,Vijay Saradhi Mangu,Ee Ee Eng. Владелец: Intel NDTM US LLC. Дата публикации: 2023-09-07.

Three-dimensional memory device with punch-through-resistant word lines and methods for forming the same

Номер патента: US11778818B2. Автор: Hiroaki Namba,Michiaki Sano,Ryo Mochizuki,Yasuo Kasagi,Junji Oh,Yujin TERASAWA. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2023-10-03.

Method of forming phase change layer using Ge precursor for low temperature deposition and method of manufacturing phase change memory device using the same

Номер патента: KR101275799B1. Автор: 이재호,신웅철,강윤선. Владелец: 삼성전자주식회사. Дата публикации: 2013-06-18.

Metal deposition and etch in high aspect-ratio features

Номер патента: US20230290647A1. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-09-14.

Metal deposition and etch in high aspect-ratio features

Номер патента: US12087595B2. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-09-10.

High conductive passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasma etching

Номер патента: US12106971B2. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Kayla Diemoz. Владелец: American Air Liquide Inc. Дата публикации: 2024-10-01.

Atomic layer deposition device using multiple pulses to fill gap of semiconductor structure with high aspect ratio and atomic layer deposition method using the same

Номер патента: US20240194448A1. Автор: Ji Eun Kang,Jong Woo HONG,Hyun Woo Tak,Geun Young Yeom,Ho Gon Kim. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2024-06-13.

Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates

Номер патента: US9659779B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Ryan O. Jung,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates

Номер патента: US09842739B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Ryan O. Jung,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-12-12.

Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates

Номер патента: US09659779B2. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Ryan O. Jung,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Cleaning high aspect ratio vias

Номер патента: US09576788B2. Автор: Jie Liu,Nitin K. Ingle,Seung Park,Anchuan Wang,Zhenjiang Cui. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-02-21.

Metal deposition and etch in high aspect-ratio features

Номер патента: WO2023172298A1. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-09-14.

IN SITU DAMAGE FREE ETCHING OF Ga2O3 USING Ga FLUX FOR FABRICATING HIGH ASPECT RATIO 3D STRUCTURES

Номер патента: US20240249954A1. Автор: Andreas Fiedler,Siddharth Rajan,Nidhin Kurian KALARICKAL. Владелец: Ohio State Innovation Foundation. Дата публикации: 2024-07-25.

Utilization of angled trench for effective aspect ratio trapping of defects in strain-relaxed heteroepitaxy of semiconductor films

Номер патента: US09799531B2. Автор: Errol Antonio C. Sanchez,Patrick M. Martin,Swaminathan T. Srinivasan,Fareen Adeni Khaja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2017-10-24.

Utilization of angled trench for effective aspect ratio trapping of defects in strain relaxed heteroepitaxy of semiconductor films

Номер патента: US09406507B2. Автор: Errol Antonio C. Sanchez,Patrick M. Martin,Swaminathan T. Srinivasan,Fareen Adeni Khaja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-08-02.

Method for preparing a structure with high aspect ratio

Номер патента: US7344995B2. Автор: Chih Hao Chang,Hung Yueh Lu,Hong Long Chang,Yung Kai Lee. Владелец: Promos Technologies Inc. Дата публикации: 2008-03-18.

High-aspect ratio metallized structures

Номер патента: US20240297048A1. Автор: Matthew David Butts,Shubhodeep Goswami,Gregory Keith Dudoff,David Milford Shaddock. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-09-05.

Dispense pattern for thermal interface material for a high aspect ratio thermal interface

Номер патента: US09839159B1. Автор: Bahareh Banijamali. Владелец: Xilinx Inc. Дата публикации: 2017-12-05.

High conductive passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasna etching

Номер патента: WO2022146697A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Kayla Diemoz. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procededs Georges Claude. Дата публикации: 2022-07-07.

High conductive passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasna etching

Номер патента: EP4267692A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Kayla Diemoz. Владелец: LAir Liquide SA pour lEtude et lExploitation des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-11-01.

Methods to provide uniform wet etching of material within high aspect ratio features provided on a patterned substrate

Номер патента: US20240105455A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter Delia. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-28.

High aspect ratio etch without upper widening

Номер патента: US09944516B2. Автор: Chia-Shiung Tsai,Chung-Yen Chou,Ru-Liang Lee,Lee-Chuan Tseng. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2018-04-17.

Silicon epitaxy for high aspect ratio, substantially perpendicular deep silicon trench

Номер патента: US09905638B1. Автор: Seetharaman Sridhar,Satoshi Suzuki,Christopher Boguslaw Kocon,Hideaki Kawahara,Simon John Molloy,Tatsuya Tominari. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2018-02-27.

Sidewall passivation layers and method of forming the same during high aspect ratio plasma etching

Номер патента: WO2023244214A1. Автор: Xiangyu GUO,Nathan Stafford,Kayla Diemoz. Владелец: L'air Liquide, Societe Anonyme Pour L'etude Et L'exploitation Des Procedes Georges Claude. Дата публикации: 2023-12-21.

Thin film deposition in a high aspect ratio feature

Номер патента: US11139186B2. Автор: Karl A. Littau,Martin E. McBRIARTY. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2021-10-05.

Method for forming high aspect ratio patterning structure

Номер патента: US09991116B1. Автор: Peng Liu,Jun Zhu,Yu Ren,Hsusheng CHANG,Yukun LV,Qiyan Feng. Владелец: Shanghai Huali Microelectronics Corp. Дата публикации: 2018-06-05.

Strip Process for High Aspect Ratio Structure

Номер патента: US20180074409A1. Автор: Shawming Ma,Li Hou,Vijay M. Vaniapura. Владелец: Mattson Technology Inc. Дата публикации: 2018-03-15.

Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates

Номер патента: US20180122643A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Ryan O. Jung,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2018-05-03.

Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates

Номер патента: US20150372113A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Ryan O. Jung,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates

Номер патента: US20160233095A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Ryan O. Jung,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-11.

Method and structure for enabling high aspect ratio sacrificial gates

Номер патента: US20150372127A1. Автор: Kangguo Cheng,John R. Sporre,Fee Li LIE,Sean TEEHAN,Ryan O. Jung,Jeffrey C. SHEARER. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2015-12-24.

Cleaning high aspect ratio vias

Номер патента: WO2016171853A1. Автор: Jie Liu,Nitin K. Ingle,Seung Park,Anchuan Wang,Zhenjiang Cui. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2016-10-27.

Sidewall smoothing in high aspect ratio/deep etching using a discreet gas switching method

Номер патента: EP1543540A2. Автор: David Johnson,Russell Westerman,Shouliang Lai. Владелец: Unaxis USA Inc. Дата публикации: 2005-06-22.

Utilization of angled trench for effective aspect ratio trapping of defects in strain-relaxed heteroepitaxy of semiconductor films

Номер патента: US10026613B2. Автор: Errol Antonio C. Sanchez,Patrick M. Martin,Swaminathan T. Srinivasan,Fareen Adeni Khaja. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-07-17.

Method of etching a wafer layer using multiple layers of the same photoresistant material and structure formed thereby

Номер патента: WO2001011666A8. Автор: Nan Zhang. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2003-10-23.

Block mask litho on high aspect ratio topography with minimal semiconductor material damage

Номер патента: US09425053B2. Автор: Steven J. Holmes,Martin Glodde,Daiji Kawamura. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2016-08-23.

High aspect ratio metal gate cuts

Номер патента: US20240105453A1. Автор: Matthew J. Prince,Manish Sharma,Oleg Golonzka,Reza Bayati,Alison V. DAVIS,Ramy Ghostine,Piyush M. Sinha,Swapnadip Ghosh. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-03-28.

Metal etch in high aspect-ratio features

Номер патента: WO2022235378A1. Автор: Anchuan Wang,Zhenjiang Cui,Baiwei Wang,Rohan Puligoru Reddy,Xiaolin C. Chen,Oliver Jan. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-11-10.

Three or more states for achieving high aspect ratio dielectric etch

Номер патента: US20200090948A1. Автор: Eric Hudson,Alexei Marakhtanov,John Holland,Bradford J. Lyndaker,Takumi Yanagawa,Nikhil Dole,Felix Leib Kozakevich,Ranadeep BHOWMICK. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2020-03-19.

High aspect ratio metal gate cuts

Номер патента: EP4345880A1. Автор: Matthew Prince,Manish Sharma,Oleg Golonzka,Alison Davis,Reza Bayati,Ramy Ghostine,Swapnadip Ghosh,Piyush Sinha. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-04-03.

Method of achieving atomically smooth sidewalls in deep trenches, and high aspect ratio silicon structure containing atomically smooth sidewalls

Номер патента: WO2009042983A2. Автор: Brian Doyle,Jack Kavalieros,Rajwinder Singh,Wily Rachmady. Владелец: Intel Corporation. Дата публикации: 2009-04-02.

Bottom thick oxidation growth in high aspect ratio features

Номер патента: US20240242962A1. Автор: Christopher S. Olsen,Hansel LO,Dimitrios Pavlopoulos. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-18.

Reducing twisting in ultra-high aspect ratio dielectric etch

Номер патента: SG176496A1. Автор: Bing Ji,Takumi Yanagawa,Erik A Edelberg. Владелец: Lam Res Corp. Дата публикации: 2011-12-29.

Apparatus for etching high aspect ratio features

Номер патента: US20140020834A1. Автор: Xiaoping Zhou,Jeffrey W. DIETZ. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2014-01-23.

Bottom thick oxidation growth in high aspect ratio features

Номер патента: WO2024151700A1. Автор: Christopher S. Olsen,Hansel LO,Dimitrios Pavlopoulos. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-18.

Systems and methods for drying high aspect ratio structures without collapse using sacrificial bracing material that is removed using hydrogen-rich plasma

Номер патента: US20160097590A1. Автор: Stephen M. Sirard,Ilia Kalinovski,Jeff Hahn. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-04-07.

Semiconductor light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210384374A1. Автор: Ju Eun Kim,Youn Joon Sung,Dong Woo Kim,Geun Young Yeom,Ye Eun Kim,Doo San KIM,Yun Jong JANG,You Jung GILL. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2021-12-09.

Method for etching high aspect ratio structures

Номер патента: US20240332031A1. Автор: Tong Liu,Qian Fu,FENG Qiao,Sangjun Park,Hailong Zhou,Jayoung Choi,Radhe AGARWAL. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

High aspect ratio contact etching with additive gas

Номер патента: US20240332029A1. Автор: Mingmei Wang,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Method of making silicide in high-aspect ratio structures by hybrid processes

Номер патента: WO2024206260A1. Автор: Mahendra Pakala,Joung Joo Lee,Avgerinos V. Gelatos,Le Zhang,In Seok Hwang,Xianmin Tang,Zhijun CHEN,Ying-Bing JIANG,Fredrick FISHBURN,Wangee Kim. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Method for etching high aspect ratio structures

Номер патента: WO2024205690A1. Автор: Tong Liu,Qian Fu,FENG Qiao,Sangjun Park,Hailong Zhou,Jayoung Choi,Radhe AGARWAL. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

High aspect ratio contact etching with additive gas

Номер патента: WO2024205688A1. Автор: Mingmei Wang,Du Zhang. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-10-03.

Apparatus for etching high aspect ratio features

Номер патента: US09991109B2. Автор: Xiaoping Zhou,Jeffrey William Dietz. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2018-06-05.

Technique for filling high aspect ratio, narrow structures with multiple metal layers and associated configurations

Номер патента: US09972541B2. Автор: Joseph M. Steigerwald,Nick Lindert. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2018-05-15.

Interlayer dielectric structure with high aspect ratio process (HARP)

Номер патента: US09716044B2. Автор: Chun-Li Lin,Ding-I Liu,Po-Hsiung Leu,Kai-Shiung Hsu,Wen-Long Lee,Ming-Shiou Kuo,Jen-Chi Chang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-07-25.

Method of collapse-free drying of high aspect ratio structures

Номер патента: US09666427B2. Автор: Diane Hymes,Stephen M. Sirard,Olivier B. Postel. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-05-30.

Surface modification compositions, methods of modifying silicon-based materials, and methods of forming high aspect ratio structures

Номер патента: US09653307B1. Автор: Michael T. Andreas,Sanjeev Sapra,Prashant Raghu,Jerome A. Imonigie,Ian C. Laboriante. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-05-16.

Method of making silicide in high-aspect ratio structures by hybrid processes

Номер патента: US20240332023A1. Автор: Mahendra Pakala,Joung Joo Lee,Avgerinos V. Gelatos,Le Zhang,In Seok Hwang,Xianmin Tang,Zhijun CHEN,Ying-Bing JIANG,Fredrick FISHBURN,Wangee Kim. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-10-03.

Systems and methods for drying high aspect ratio structures without collapse using stimuli-responsive sacrificial bracing material

Номер патента: US09466511B2. Автор: Stephen Sirard,Ratchana Limary. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2016-10-11.

Composite hard mask etching profile for preventing pattern collapse in high-aspect-ratio trenches

Номер патента: US09449821B2. Автор: An Chyi Wei,Zusing Yang. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Methods for forming high aspect ratio features on a substrate

Номер патента: EP2056341A3. Автор: Subhash Deshmukh,Wonseok Lee,Stephan Wege,Kenny Lihn Doan,Kathryn Keswick. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2010-03-03.

Even tungsten etch for high aspect ratio trenches

Номер патента: WO2015094541A1. Автор: Jie Liu,Xikun Wang,Nitin K. Ingle,Anchuan Wang. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2015-06-25.

Method For Etching High Aspect Ratio Features Within A Dielectric Using A Hard Mask Stack Having Multiple Hard Mask Layers

Номер патента: US20230360925A1. Автор: JinYing Lin. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-11-09.

Systems and methods for preventing stiction of high aspect ratio structures and/or repairing high aspect ratio structures

Номер патента: US11854792B2. Автор: Dries Dictus,Ta-Yu Lo. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2023-12-26.

Method For Improving Etch Rate And Critical Dimension Uniformity When Etching High Aspect Ratio Features Within A Hard Mask Layer

Номер патента: US20230343598A1. Автор: Yun Han,Kai-Hung YU,Shihsheng Chang,Andrew Metz,Eric Chih-Fang Liu,Minjoon PARK. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2023-10-26.

Methods to provide uniform wet etching of material within high aspect ratio features provided on a patterned substrate

Номер патента: WO2024072563A1. Автор: Shan Hu,Henan ZHANG,Sangita Kumari,Peter D'ELIA. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-04-04.

Method of reducing pattern collapse in high aspect ratio nanostructures

Номер патента: WO2011094132A2. Автор: Ji Zhu,Katrina Mikhaylichenko,Amir A. Yasseri,Seokmin Yun,David S.L. Mui. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2011-08-04.

Atomic force microscopy based on nanowire tips for high aspect ratio nanoscale metrology/confocal microscopy

Номер патента: US20200185219A1. Автор: Daniel Feezell,Steven R.J. Brueck,Tito BUSANI,Mahmoud BEHZADIRAD. Владелец: STC UNM. Дата публикации: 2020-06-11.

Multi-loop time varying bosch process for 2-dimensional small cd high aspect ratio deep silicon trench etching

Номер патента: US20240258112A1. Автор: ABBAS Ali,Jing Hu,Chao Zuo,Manoj K Jain,Tian Ping LV. Владелец: Texas Instruments Inc. Дата публикации: 2024-08-01.

Efficient cleaning and etching of high aspect ratio structures

Номер патента: US20240363355A1. Автор: Ji Zhu,Mark Kawaguchi,Nathan MUSSELWHITE. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2024-10-31.

Spacer passivation for high-aspect ratio opening film removal and cleaning

Номер патента: US09570460B2. Автор: Raghuveer S. Makala,George Matamis,Senaka Krishna Kanakamedala,Yao-Sheng Lee. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2017-02-14.

Thin film deposition in a high aspect ratio feature

Номер патента: US20210183674A1. Автор: Karl A. Littau,Martin E. McBRIARTY. Владелец: Intermolecular Inc. Дата публикации: 2021-06-17.

Method of forming high aspect ratio apertures

Номер патента: WO1999056305A2. Автор: Kevin G. Donohoe,David S. Becker. Владелец: MICRON TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 1999-11-04.

Method for high aspect ratio patterning in spin-on layer

Номер патента: WO2012024178A2. Автор: Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2012-02-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US10672772B2. Автор: Hun Lee,Deok-Sin Kil,Beom-Yong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-06-02.

Composition comprising block copolymer, and method for producing siliceous film using the same

Номер патента: US11760842B2. Автор: Takashi Fujiwara,Atsuhiko Sato. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2023-09-19.

High aspect ratio contacts

Номер патента: EP1992009A1. Автор: Aaron R. Wilson. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2008-11-19.

New etch process for forming high aspect ratio trenches in silicon

Номер патента: EP1036410A1. Автор: Shaoher Pan,Maocheng Li,Yiqiong Wang. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2000-09-20.

High aspect ratio etch with combination mask

Номер патента: US09659783B2. Автор: Joydeep Guha,Aaron Eppler,Harmeet Singh,Thorsten Lill,Thomas W. Mountsier,Vahid Vahedi,Sirish K. Reddy,Kaushik Chattopadhyay. Владелец: Lam Research Corp. Дата публикации: 2017-05-23.

Semiconductor structure with fin structure and wire structure and method for forming the same

Номер патента: US09450046B2. Автор: Sheng-Chen Wang,Sai-Hooi Yeong,Tsung-Yao Wen,Bo-Yu Lai. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

High aspect ratio contact (harc) etch

Номер патента: WO2024063871A1. Автор: Andrew Metz,Pingshan Luan,Matthew Ocana. Владелец: Tokyo Electron U.S. Holdings, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

High Aspect Ratio Contact (HARC) Etch

Номер патента: US20240096640A1. Автор: Andrew Metz,Pingshan Luan,Matthew Ocana. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2024-03-21.

Hardmask for high aspect ratio dielectric etch at cryo and elevated temperatures

Номер патента: WO2023224950A1. Автор: HAO Chi,Kapu Sirish Reddy,Meihua Shen,Hui-Jung Wu,Aaron Lynn ROUTZAHN,Thorsten Bernd LILL,Ragesh PUTHENKOVILAKAM,Francis Sloan Roberts,John Hoang,Sonal BHADAURIYA,Anthony Sky YU. Владелец: LAM RESEARCH CORPORATION. Дата публикации: 2023-11-23.

Fabrication of high-aspect ratio nanostructures by localized nanospalling effect

Номер патента: US20220100093A1. Автор: Ricardo JANEIRO,Raquel FLORES,Jaime Viegas. Владелец: Khalifa University of Science, Technology and Research (KUSTAR). Дата публикации: 2022-03-31.

Gas mixture including hydrogen fluoride, alcohol and an additive for preventing stiction of and/or repairing high aspect ratio structures

Номер патента: US11823892B2. Автор: Ji Zhu,David Mui,Rafal Dylewicz,Nathan Lavdovsky,Gerome Michel Dominique MELAET. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2023-11-21.

Sacrificial layer for forming merged high aspect ratio contacts in 3d nand memory device

Номер патента: US20240090213A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Sung-Kwan Kang,Jialiang Wang,Abhijit B. MALLICK,Soonil Lee,Chang Seok Kang,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Srinivas Guggilla,Amy Child,Sanjay G. KAMATH. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-14.

Sacrificial layer for forming merged high aspect ratio contacts in 3d nand memory device

Номер патента: WO2024054369A1. Автор: BALASUBRAMANIAN Pranatharthiharan,Sung-Kwan Kang,Jialiang Wang,Abhijit B. MALLICK,Soonil Lee,Chang Seok Kang,Eswaranand VENKATASUBRAMANIAN,Srinivas Guggilla,Amy Child,Sanjay G. KAMATH. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-14.

High aspect ratio etch using modulation of rf powers of various frequencies

Номер патента: WO2005022623B1. Автор: Lumin Li,Rajinder Dhindsa,Mukund Srinivasan,Camelia Rusu,Eric A Hudson,Felix Kozakevich. Владелец: Felix Kozakevich. Дата публикации: 2005-05-26.

Gas mixture including hydrogen fluoride, alcohol and an additive for preventing stiction of and/or repairing high aspect ratio structures

Номер патента: US20240038526A1. Автор: Ji Zhu,David Mui,Rafal Dylewicz,Nathan Lavdovsky,Gerome Michel Dominique MELAET. Владелец: LAM RESEARCH AG. Дата публикации: 2024-02-01.

Drying high aspect ratio features

Номер патента: SG11201900351XA. Автор: Paul McHugh,John L Klocke,Eric J Bergman,Stuart Crane,Richard W Plavidal. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2019-02-27.

Method of electroplating a workpiece having high-aspect ratio holes

Номер патента: EP1601822A1. Автор: Bert Reents,Tafadzwa Magaya. Владелец: Atotech Deutschland GmbH and Co KG. Дата публикации: 2005-12-07.

High aspect ratio etch using modulation of rf powers of various frequencies

Номер патента: IL173861A0. Автор: . Владелец: Felix Kozakevich. Дата публикации: 2006-07-05.

Apparatus for producing high aspect ratio etch using modulation of rf powers of various frequencies

Номер патента: IL205779A. Автор: Lumin Li,Rajinder Dhindsa,Mukund Srinivasan,Camelia Rusu,Eric A Hudson,Felix Kozakevich. Владелец: Felix Kozakevich. Дата публикации: 2011-08-31.

High aspect ratio etch using modulation of rf powers of various frequencies

Номер патента: IL173861A. Автор: Lumin Li,Rajinder Dhindsa,Mukund Srinivasan,Camelia Rusu,Eric A Hudson,Felix Kozakevich. Владелец: Felix Kozakevich. Дата публикации: 2010-11-30.

Method of achieving atomically smooth sidewalls in deep trenches, and high aspect ratio silicon structure containing atomically smooth sidewalls

Номер патента: WO2009042983A3. Автор: Brian Doyle,Jack Kavalieros,Rajwinder Singh,Wily Rachmady. Владелец: Wily Rachmady. Дата публикации: 2009-05-14.

Transistor with pi-gate structure and method for producing the same

Номер патента: US20020063293A1. Автор: Yeon-Sik Chae,Jin-Koo Rhee,Hyun-Sik Park,Dan An. Владелец: Individual. Дата публикации: 2002-05-30.

Regulation jig and a display substrate conveyer using the same

Номер патента: US09570332B2. Автор: He Zhang,Lei Wang,Rong Zhang,Hongbin Wang,Bingrui WANG,Kai YIN,Tingzhong XIONG. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-14.

Anisotropic and selective nitride etch process for high aspect ratio features in high density plasma

Номер патента: US6051504A. Автор: Michael David Armacost,Richard Stephen Wise. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2000-04-18.

Cleaning agent composition for substrate for semiconductor devices and method for cleaning substrate for semiconductor devices using the same

Номер патента: US20240150681A1. Автор: Myungho Lee,Hye Ji KIM,Young Mee Kang,Yu Jin HEO,Jinho You,Hag Sung LEE,Narae YIM,Keon young KIM,Yun sun CHOI. Владелец: ENF Technology CO Ltd. Дата публикации: 2024-05-09.

Electro-forming master, minute pattern by the master and the same manufacturing method

Номер патента: WO2004055892A1. Автор: Jeong-Sik Kim. Владелец: Graphion Technologies Usa, Llc. Дата публикации: 2004-07-01.

Nitrogen-rich barrier layer and structures formed

Номер патента: US20030190821A1. Автор: Fenton McFeely,Mark Holl,Matthew Copel,Douglas Buchanan,Patrick Varekamp,Kyle Litz. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2003-10-09.

Semiconductor device structure having dislocation stress memorization and methods of forming the same

Номер патента: US12107163B2. Автор: Tsai-Jung Ho,Tze-Liang Lee. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-10-01.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240371864A1. Автор: Chih-Yang Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-11-07.

Device and structure and method for forming the same

Номер патента: US09876066B2. Автор: Qing Zhang,Pingqi Gao. Владелец: NANYANG TECHNOLOGICAL UNIVERSITY. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of removing a photoresist pattern and method of manufacturing a semiconductor device using the same

Номер патента: US20060270241A1. Автор: In-seak Hwang,Keum-Joo Lee,Se-Ho Cha,Kyoung-Chul Kim,Dae-Keun Kang. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2006-11-30.

In-situ carbon liner for high aspect ratio features

Номер патента: US20240096641A1. Автор: YU Wen,Hailong Zhou,Iljo KWAK,Olivier P. Joubert. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-03-21.

Seam removal in high aspect ratio gap-fill

Номер патента: WO2023018623A1. Автор: Rui CHENG,Karthik Janakiraman,Dong Hyung Lee,Ruiyun Huang,Aykut Aydin,Qinghua Zhao. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-02-16.

Method for high aspect ratio patterning in spin-on layer

Номер патента: WO2012024178A3. Автор: Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron America, Inc.. Дата публикации: 2012-04-05.

Imaging bottom of high aspect ratio holes

Номер патента: US9632044B1. Автор: Alon Litman,Konstantin Chirko. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Method for high aspect ratio patterning in a spin-on layer

Номер патента: US20120037592A1. Автор: Andrew W. METZ. Владелец: Tokyo Electron Ltd. Дата публикации: 2012-02-16.

In-situ carbon liner for high aspect ratio features

Номер патента: WO2024064550A1. Автор: YU Wen,Hailong Zhou,Iljo KWAK,Olivier P. Joubert. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Composition comprising block copolymer, and method for producing siliceous film using the same

Номер патента: EP3953416A1. Автор: Takashi Fujiwara,Atsuhiko Sato. Владелец: Merck Patent GmBH. Дата публикации: 2022-02-16.

Method of manufacturing patterned substrate and method of manufacturing semiconductor device using the same

Номер патента: US20190006552A1. Автор: Kei Murakami,Yuki Kanagawa. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2019-01-03.

Semiconductor structure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09876023B2. Автор: Erh-Kun Lai. Владелец: Macronix International Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-23.

Method of etching a wafer layer using multiple layers of the same photoresistant material and structure formed thereby

Номер патента: WO2001011666A3. Автор: Nan Zhang. Владелец: ADC Telecommunications Inc. Дата публикации: 2001-08-16.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US20200258888A1. Автор: Hun Lee,Deok-Sin Kil,Beom-Yong Kim. Владелец: SK hynix Inc. Дата публикации: 2020-08-13.

Method of etching a wafer layer using multiple layers of the same photoresistant material and structure formed thereby

Номер патента: WO2001011666A2. Автор: Nan Zhang. Владелец: ADC TELECOMMUNICATIONS, INC.. Дата публикации: 2001-02-15.

Debris removal from high aspect structures

Номер патента: EP3408707A1. Автор: Tod Robinson. Владелец: Rave LLC. Дата публикации: 2018-12-05.

Epitaxial Growth Process for Semiconductor Device and Semiconductor Device Comprising Epitaxial Layer Formed By Adopting the Same

Номер патента: US20210398805A1. Автор: Qin Deng,Huojin Tu,Zhanyuan Hu,Jueyang Liu. Владелец: Shanghai Huali Integrated Circuit Corp. Дата публикации: 2021-12-23.

HEMT and method of fabricating the same

Номер патента: US12046669B2. Автор: Po-Yu YANG. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2024-07-23.

Semiconductor device and method for fabricating the same

Номер патента: US09583627B2. Автор: Yu-Cheng Tung,En-Chiuan Liou. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2017-02-28.

Structure of stacked gate-all-around nano-sheet cmos device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20220115513A1. Автор: Huaxiang Yin,Tianchun Ye,Qingzhu ZHANG,Jiaxin YAO. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2022-04-14.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20110260255A1. Автор: Shijie Chen,Xiaolei Wang,Dapeng Chen,Kai HAN,Wenwu Wang. Владелец: Institute of Microelectronics of CAS. Дата публикации: 2011-10-27.

Method of fabricating FinFET device and structure thereof

Номер патента: US09653593B2. Автор: Bartlomiej Jan Pawlak. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-05-16.

Sapphire substrate and method for manufacturing the same and nitride semiconductor light emitting element

Номер патента: US09337390B2. Автор: Yoshiki Inoue,Takashi Ohara,Naoya Sako,Yasunori Nagahama,Yuki Shibutani,Yoshihito Kawauchi,Kazuyuki Takeichi. Владелец: Nichia Corp. Дата публикации: 2016-05-10.

Semiconductor device and manufacturing method of the same

Номер патента: US20170040226A1. Автор: Hidekazu Oda. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2017-02-09.

Electrode structure, device comprising the same and method for forming electrode structure

Номер патента: WO2010085081A2. Автор: Sang In LEE. Владелец: SYNOS TECHNOLOGY, INC.. Дата публикации: 2010-07-29.

High frequency integrated circuit (hfic) microsystems assembly and method for fabricating the same

Номер патента: US20060208765A1. Автор: Tarja Juhola. Владелец: LogicaCMG Wireless Networks Inc. Дата публикации: 2006-09-21.

High frequency integrated circuit (hfic) microsystems assembly and method for fabricating the same

Номер патента: EP1374304A1. Автор: Tarja Juhola. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-01-02.

Methods of forming ultra thin package structures including low temperature solder and structures formed therby

Номер патента: US20140175644A1. Автор: Sriram Srinivasan,Ram S. Viswanath,Rajasekaran Swaminathan,Rajen S. Sidhu,Paul R. Start. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2014-06-26.

Methods of forming ultra thin package structures including low temperature solder and structures formed therby

Номер патента: US09461014B2. Автор: Sriram Srinivasan,Ram S. Viswanath,Rajasekaran Swaminathan,Rajen S. Sidhu,Paul R. Start. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-10-04.

Integrated circuits using high aspect ratio vias through a semiconductor wafer and method for forming same

Номер патента: US20020127835A1. Автор: Leonard Forbes,Kie Ahn,Joseph Geusic. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2002-09-12.

Laser-less packaging substrate manufacture method and structures formed by the same

Номер патента: US20240021437A1. Автор: Kuo-Ching Hsu,Shyue-Ter Leu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-01-18.

Methods and structures to facilitate through-silicon vias

Номер патента: US09431320B2. Автор: Rodrigo Carrillo-Ramirez. Владелец: Analog Devices Inc. Дата публикации: 2016-08-30.

Methods and structures to facilitate through-silicon vias

Номер патента: WO2014149274A1. Автор: Rodrigo Carrillo-Ramirez. Владелец: ANALOG DEVICES, INC.. Дата публикации: 2014-09-25.

Chip package unit, method of manufacturing the same, and package structure formed by stacking the same

Номер патента: US20240030124A1. Автор: Hong-Chi YU,Chun-Jung Lin,Ruei-Ting Gu. Владелец: Walton Advanced Engineering Inc. Дата публикации: 2024-01-25.

Nonvolatile memory device and a method for fabricating the same

Номер патента: US09502332B2. Автор: Kyung-hyun Kim,Jong-heun Lim,Hyo-Jung Kim,Ji-Woon Im. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2016-11-22.

Multi-layer ceramic substrate, and method and device for producing the same

Номер патента: EP1471573A1. Автор: Hideaki c/o TDK Corporation NINOMIYA,Haruo c/o TDK Corporation NISHINO,Kiyoshi c/o TDK Corporation HATANAKA. Владелец: TDK Corp. Дата публикации: 2004-10-27.

Silicon microphone with high-aspect-ratio corrugated diaphragm and a package with the same

Номер патента: US09930453B2. Автор: Quanbo Zou,Zhe Wang. Владелец: Goertek Inc. Дата публикации: 2018-03-27.

Method for fabricating high aspect ratio electrodes

Номер патента: US20030134502A1. Автор: Hans Gudesen. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2003-07-17.

Photovoltaic Devices with Enhanced Efficiencies Using High-Aspect Ratio Nanostructures

Номер патента: US20140041718A1. Автор: Oki Gunawan,Supratik Guha. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2014-02-13.

Methods for fabricating high aspect ratio probes and deforming high aspect ratio nanopillars and micropillars

Номер патента: US20150050746A1. Автор: Axel Scherer,Thomas A. Tombrello,Andrew P. Homyk,Michael D. Henry,Sameer WALAVALKAR. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2015-02-19.

Methods for fabricating high aspect ratio probes and deforming high aspect ratio nanopillars and micropillars

Номер патента: US20160280537A1. Автор: Axel Scherer,Thomas A. Tombrello,Andrew P. Homyk,Michael D. Henry,Sameer WALAVALKAR. Владелец: California Institute of Technology CalTech. Дата публикации: 2016-09-29.

Methods for fabricating high aspect ratio probes and deforming high aspect ratio nanopillars and micropillars

Номер патента: WO2010099220A3. Автор: Axel Scherer,Thomas A. Tombrello,Andrew P. Homyk,Michael D. Henry,Sameer WALAVALKAR. Владелец: California Institute of Technology. Дата публикации: 2010-12-29.

Pixel array of image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US09570492B2. Автор: Han-Chi Liu,En-Feng Hsu,Huan-Kun Pan. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2017-02-14.

High-aspect ratio screen printable thick film paste compositions containing wax thixotropes

Номер патента: EP2691963A1. Автор: Philippe Schottland,Diptarka Majumdar,Michael Mcallister,Hsien KER. Владелец: Sun Chemical Corp. Дата публикации: 2014-02-05.

Batch-processing method for super-high aspect ratio diffractive optics

Номер патента: US20170256330A1. Автор: Nicolaie A. Moldovan. Владелец: Alcorix Co. Дата публикации: 2017-09-07.

Photoresist polymer and photoresist composition containing the same

Номер патента: US20060022297A1. Автор: Min Son. Владелец: Hynix Semiconductor Inc. Дата публикации: 2006-02-02.

Cleaning composition for photolithography and method of forming photoresist pattern using the same

Номер патента: US09829797B2. Автор: Seung Hyun Lee,Seung Hun Lee,Sang Woong YOON,Gyeong Guk Ham. Владелец: Youngchang Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-28.

High aspect ratio gratings fabricated by electrodeposition

Номер патента: US11798844B1. Автор: Amber Lynn Dagel,Patrick Sean Finnegan,Andrew E. HOLLOWELL,Travis Ryan Young,Christian Lew Arrington,Kalin Baca. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2023-10-24.

Endpoint detection in low open area and/or high aspect ratio etch applications

Номер патента: US12046522B2. Автор: Lei Lian,Shinichi Koseki,Zefang WANG,Quentin Walker. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-23.

High aspect ratio back side deep trench isolaton structure with substrate-embedded metal grid and no pinch off

Номер патента: US20240243156A1. Автор: Jen-Cheng Liu,Keng-Yu Chou,Shyh-Fann Ting,Cheng Yu Huang,Tsung Hsien Tsai,Ming-En Chen. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-07-18.

Methods of forming stacked integrated circuits using selective thermal atomic layer deposition on conductive contacts and structures formed using the same

Номер патента: US12027488B2. Автор: Victor Wang,Charles H. Winter,Muhannad Bakir,Andrew Kummel,Nyi Myat Khine LINN,Jonathan HOLLIN,Ming-Jui LI,Mike Breeden. Владелец: Georgia Tech Research Corp. Дата публикации: 2024-07-02.

Micro-sensor body and method for manufacturing the same, as well as micro-sensor

Номер патента: US09796577B2. Автор: Tian Yang,Chunyan JI. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-24.

Layer detection for high aspect ratio etch control

Номер патента: US11929291B2. Автор: Yoav ETZIONI,Shay YOGEV,Gil Loewenthal. Владелец: Nova Ltd. Дата публикации: 2024-03-12.

Methods for patterning a silicon oxide-silicon nitride-silicon oxide stack and structures formed by the same

Номер патента: US20210183641A1. Автор: Yuan-Chih Hsieh,Yi-Ren Wang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2021-06-17.

Layer detection for high aspect ratio etch control

Номер патента: US20200194320A1. Автор: Yoav ETZIONI,Shay YOGEV,Gil Loewenthal. Владелец: Nova Measuring Instruments Ltd. Дата публикации: 2020-06-18.

Photodetector structures and manufacturing the same

Номер патента: US09882070B2. Автор: Mikko Juntunen,Päivikki REPO,Hele Savin,Ville VÄHÄNISSI,Antti Haarahiltunen. Владелец: Aalto Korkeakoulusäätiö sr. Дата публикации: 2018-01-30.

High aspect ratio openings

Номер патента: US09595387B2. Автор: Mark W. Kiehlbauch. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Arrays of high-aspect-ratio germanium nanostructures with nanoscale pitch and methods for the fabrication thereof

Номер патента: US20210202240A1. Автор: Max G. Lagally,Francesca Cavallo,Vijay Saradhi Mangu. Владелец: University of New Mexico UNM. Дата публикации: 2021-07-01.

Recess channel semiconductor non-volatile memory device and fabricating the same

Номер патента: US20170033116A1. Автор: Lee Wang. Владелец: FlashSilicon Inc. Дата публикации: 2017-02-02.

High aspect ratio channel semiconductor device and method of manufacturing same

Номер патента: US20180082901A1. Автор: Niamh Waldron,Bernardette Kunert,Weiming Guo. Владелец: Interuniversitair Microelektronica Centrum vzw IMEC. Дата публикации: 2018-03-22.

Pixel array of image sensor and method of fabricating the same

Номер патента: US20160086990A1. Автор: Han-Chi Liu,En-Feng Hsu,Huan-Kun Pan. Владелец: PixArt Imaging Inc. Дата публикации: 2016-03-24.

Composition for forming conductive pattern, method of forming conductive pattern using the same, and resin structure having conductive pattern

Номер патента: US20170096566A1. Автор: Ha Na Lee,Chee-Sung PARK,Han Nah Jeong,Eun Kyu Seong,Su Jeong Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-04-06.

Light-emitting device, light-emitting substrate and method for manufacturing the same, and light-emitting apparatus

Номер патента: US12057532B2. Автор: Yang Li,Qian Jin,Yu Tian,Wei Huang,Qian Sun,Xiaoyun Liu,Dejiang Zhao,Tianhao Lu. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-06.

TFT substrate and method for manufacturing the same

Номер патента: US09645459B2. Автор: YUAN Xiong,Shui-Chih Lien. Владелец: Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-05-09.

Highly solar-energy absorbing device and method of making the same

Номер патента: CA1114484A. Автор: Laurence R. Gilbert,Russell F. Messier,Rustum Roy. Владелец: National Patent Development Corp. Дата публикации: 1981-12-15.

Device applications for voltage switchable dielectric material having high aspect ratio particles

Номер патента: US20080023675A1. Автор: Robert Fleming,Lex Kosowsky. Владелец: Lex Kosowsky. Дата публикации: 2008-01-31.

High aspect ratio non-planar capacitors formed via cavity fill

Номер патента: US20200373381A1. Автор: Sansaptak DASGUPTA,Han Wui Then,Marko Radosavljevic. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2020-11-26.

Measurement of thick films and high aspect ratio structures

Номер патента: US20230341337A1. Автор: David Y. Wang,Shankar Krishnan. Владелец: KLA Corp. Дата публикации: 2023-10-26.

Method and apparatus to develop lithographically defined high aspect ratio interconnects

Номер патента: US11822249B2. Автор: Pooya Tadayon. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Method and apparatus for producing high aspect ratio surface structures

Номер патента: WO2023177289A1. Автор: Rebecca SAIVE,Mathis Alexandre Nathan VAN DE VOORDE,Janis Aivars ANDERSONS. Владелец: UNIVERSITEIT TWENTE. Дата публикации: 2023-09-21.

Measurement of thick films and high aspect ratio structures

Номер патента: WO2023205129A1. Автор: David Y. Wang,Shankar Krishnan. Владелец: KLA Corporation. Дата публикации: 2023-10-26.

Endpoint detection in low open area and/or high aspect ratio etch applications

Номер патента: WO2023158478A1. Автор: Lei Lian,Shinichi Koseki,Zefang WANG,Quentin Walker. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-08-24.

Composite power element and method for manufacturing the same

Номер патента: US20210358907A1. Автор: Shih-Chieh Hung,Hsin-Yu Hsu,Chen-Huang Wang. Владелец: Cystech Electronics Corp. Дата публикации: 2021-11-18.

Low temperature solder column attach by injection molded solder and structure formed

Номер патента: US20020023945A1. Автор: Peter Gruber,James Covell,David Danovitch,Lannie Bolde,Chon Lei,Guy Brouillette. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2002-02-28.

Semiconductor structure and method for forming the same

Номер патента: US20240290863A1. Автор: Chih-Hao Wang,Jin Cai,Kuo-Cheng Chiang,Guan-Lin Chen,Yu-Xuan Huang. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-08-29.

Pixel defining structure, display panel, method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US20200403060A1. Автор: Wenjun HOU,Chunjing HU. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2020-12-24.

Process and structure of an integrated vacuum microelectronic device.

Номер патента: MY106893A. Автор: Michael Zimmerman Steven. Владелец: Ibm. Дата публикации: 1995-08-30.

Image sensor and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230290804A1. Автор: Junghyun Kim,Jonghoon Park,YunKi Lee,Junsik Lee,Gyeongjin Lee,Yoongi Joung. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2023-09-14.

Encapsulation structure of display unit and method of forming the same

Номер патента: US20160322604A1. Автор: Huan JIANG,ChienLin Wu,Hsinju HO. Владелец: EverDisplay Optronics Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-03.

Semiconductor device, light emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: EP2389693A2. Автор: Yong-Jin Kim,Ho-Jun Lee,Doo-Soo Kim,Dong-Kun Lee. Владелец: Siltron Inc. Дата публикации: 2011-11-30.

Substrate for an organic light-emitting device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09905764B2. Автор: Joon Koo Kang,Yeon Keun Lee,Jae Min Moon,Mun Kyu Joo,Kyoung Sik Moon,Seong Su Jang. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-27.

Heat radiation printed circuit board, method of manufacturing the same, backlight unit including the same, and liquid crystal display device

Номер патента: US09504146B2. Автор: Hyun Gyu Park,Hyuk Soo Lee,Min Jae Kim,In Hee Cho,Seung Kwon Hong. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Method for manufacturing substrate, liquid crystal display apparatus and method for manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20090027605A1. Автор: Atsushi Denda. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2009-01-29.

Method for forming pn junction in graphene with application of dna and pn junction structure formed using the same

Номер патента: US20150243917A1. Автор: Seok Lee,Sun Ho Kim,Jae Hun Kim,Young Tae Byun,Min Ah Seo,Chulki Kim,Deok Ha Woo,Yeong Jun KIM,Seong Chan Jun,Taikjin Lee,Jong Chang Yi,Young Mo JUNG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2015-08-27.

Semiconductor device structure and method for forming the same

Номер патента: US20220271148A1. Автор: Chih-Hao Wang,Chung-Wei Hsu,Mao-Lin Huang,Lung-Kun Chu,Jia-Ni YU,Kuo-Cheng Chiang,Kuan-Lun Cheng,Chun-Fu Lu. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2022-08-25.

Semiconductor device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20060255354A1. Автор: Hiroshi Shibata,Yoshifumi Tanada,Tatsuya Arao. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2006-11-16.

Fluoride phosphor, fabricating method thereof, and light-emitting apparatus and backlight module employing the same

Номер патента: US09879178B2. Автор: Ye Jin,Tzong-Liang Tsai,Ru-Shi Liu,Ching-Yi Chen,Yu-Chun Lee. Владелец: Lextar Electronics Corp. Дата публикации: 2018-01-30.

OLED display panel and method of encapsulating the same, and display device

Номер патента: US09865842B2. Автор: Wenfeng Song. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-09.

Method for bonding semiconductor devices on sustrate and bonding structure formed using the same

Номер патента: US09613925B2. Автор: YANG Hu,YU Chen,Qian Wang,Jian Cai,Ziyu Liu,Shuidi WANG. Владелец: TSINGHUA UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-04.

High aspect ratio source or drain structures with abrupt dopant profile

Номер патента: US20240014268A1. Автор: Anand S. Murthy,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Nicholas G. MINUTILLO,Suresh Vishwanath,Ryan KEECH,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2024-01-11.

High aspect ratio source or drain structures with abrupt dopant profile

Номер патента: US11804523B2. Автор: Anand S. Murthy,Mohammad Hasan,Biswajeet Guha,Nicholas G. MINUTILLO,Suresh Vishwanath,Ryan KEECH,Subrina RAFIQUE. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2023-10-31.

Forming implanted plates for high aspect ratio trenches using staged sacrificial layer removal

Номер патента: US20120064694A1. Автор: Yanli Zhang,Kangguo Cheng,Geng Wang,Chengwen Pei,Joseph Ervin,Ravi M. Todi,Roger A. Booth, Jr.. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2012-03-15.

Small aspect ratio mmic power amplifier layout

Номер патента: WO2003005567A1. Автор: Stephen R. Nelson. Владелец: Nanowave, Inc.. Дата публикации: 2003-01-16.

Method for forming PN junction in graphene with application of DNA and PN junction structure formed using the same

Номер патента: US09831452B2. Автор: Seok Lee,Sun Ho Kim,Jae Hun Kim,Young Tae Byun,Min Ah Seo,Chulki Kim,Deok Ha Woo,Yeong Jun KIM,Seong Chan Jun,Taikjin Lee,Jong Chang Yi,Young Mo JUNG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-11-28.

Methods of forming buried vertical capacitors and structures formed thereby

Номер патента: US09818751B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-11-14.

Methods of forming buried vertical capacitors and structures formed thereby

Номер патента: US09646972B2. Автор: Patrick Morrow,Kimin Jun,Rajashree Baskaran. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2017-05-09.

Organic light emitting device having transparent electrode where conducting filaments formed and method of manufacturing the same

Номер патента: US09570699B2. Автор: Tae Geun Kim,Hee-Dong Kim. Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2017-02-14.

Array substrate, method of manufacturing the same and display device

Номер патента: US09553108B2. Автор: Hee Cheol Kim,Young Suk Song,Seong Yeol Yoo,Seung Jin Choi. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-24.

Methods for forming electrically precise capacitors on insulative substrates, and structures formed therefrom

Номер патента: US09552924B2. Автор: JIANG LI,Erik Scher,Patrick Smith,Criswell Choi,Arvind Kamath. Владелец: Thin Film Electronics ASA. Дата публикации: 2017-01-24.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: SG182890A1. Автор: Noda Mitsuhiko,Noguchi Mitsuhiro,KUTSUKAKE Hiroyuki. Владелец: Toshiba Kk. Дата публикации: 2012-08-30.

Semiconductor device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20220093618A1. Автор: Hiroaki Mizushima,Kounosuke TATEISHI. Владелец: Renesas Electronics Corp. Дата публикации: 2022-03-24.

Light extraction substrate of organic light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210193966A1. Автор: Jooyoung Lee. Владелец: Corning Precision Materials Co Ltd. Дата публикации: 2021-06-24.

ReRAM STRUCTURE FORMED BY A SINGLE PROCESS

Номер патента: US20190341546A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli,Adra Carr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2019-11-07.

Pr-doped inorganic compound, luminescent composition and luminescent body containing the same, and light emitting device

Номер патента: US20070138942A1. Автор: Masahiro Takata,Masayuki Suzuki,Tomotake Ikada. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2007-06-21.

Pr-doped inorganic compound, luminescent composition and luminescent body containing the same, and light emitting device

Номер патента: US7785490B2. Автор: Masahiro Takata,Masayuki Suzuki,Tomotake Ikada. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2010-08-31.

Mems package and method of forming the same

Номер патента: WO2007027380A2. Автор: Ronald V. McBean. Владелец: FREESCALE SEMICONDUCTOR. Дата публикации: 2007-03-08.

ReRAM STRUCTURE FORMED BY A SINGLE PROCESS

Номер патента: US20200006648A1. Автор: Oscar van der Straten,Alexander Reznicek,Praneet Adusumilli,Adra Carr. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 2020-01-02.

Piezoelectric vibration device and method for manufacturing the same

Номер патента: US20170373664A1. Автор: Hiroaki Kaida,Keiichi Kami. Владелец: Murata Manufacturing Co Ltd. Дата публикации: 2017-12-28.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20050161730A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2005-07-28.

Non-volatile semiconductor memory and method of manufacturing the same

Номер патента: US20060249771A1. Автор: Hideo Kurihara,Satoshi Shinozaki,Mitsuteru Iijima. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2006-11-09.

Gate structure and method of making the same

Номер патента: US20110012209A1. Автор: Chien-En Hsu,Ching-Hung Kao. Владелец: Individual. Дата публикации: 2011-01-20.

Infrared device and a method of manufacturing the same

Номер патента: US20220209035A1. Автор: Taisei NAGAISHI. Владелец: Asahi Kasei Microdevices Corp. Дата публикации: 2022-06-30.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US20150270433A1. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2015-09-24.

CdTe SOLAR BATTERY AND METHOD OF PREPARING THE SAME

Номер патента: WO2012028090A1. Автор: YONG ZHOU,Rui Deng,Wenyu Cao. Владелец: BYD Company Limited. Дата публикации: 2012-03-08.

Pixel structure, display apparatus comprising the same driving method and manufacturing method for the pixel structure

Номер патента: US09898127B2. Автор: Huichao Gao. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Nitride semiconductor structure and semiconductor light emitting device including the same

Номер патента: US09640712B2. Автор: Yen-Lin LAI,Shen-Jie Wang. Владелец: GENESIS PHOTONICS INC. Дата публикации: 2017-05-02.

Method of determining device type and device properties and system of performing the same

Номер патента: US09632428B2. Автор: Peng-Sheng Chen,Mu-Jen Huang,Ming Feng,Ya-Min ZHANG,Li-Qun SUN. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2017-04-25.

Methods for forming narrow vertical pillars and integrated circuit devices having the same

Номер патента: US09627611B2. Автор: Jun Liu,Kunal Parekh. Владелец: Micron Technology Inc. Дата публикации: 2017-04-18.

Radiation detector with stacked barrier layers and method of forming the same

Номер патента: US09459355B1. Автор: Faisal Saeed,Gregory Scott Zeman. Владелец: General Electric Co. Дата публикации: 2016-10-04.

Nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120193698A1. Автор: Mitsuhiko Noda,Mitsuhiro Noguchi,Hiroyuki Kutsukake. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-08-02.

Methods of fabricating storage elements and structures having edgeless features for programmable layer(s)

Номер патента: US9595671B1. Автор: Pascal Verrier,Jeffrey Allan SHIELDS,Kuei Chang Tsai. Владелец: Adesto Technologies Corp. Дата публикации: 2017-03-14.

A graphene/graphene oxide diode and a method of forming the same

Номер патента: GB2588767A. Автор: WALLIS Rob. Владелец: Paragraf Ltd. Дата публикации: 2021-05-12.

Semiconductor device and method of producing the same

Номер патента: GB9323785D0. Автор: . Владелец: Mitsubishi Electric Corp. Дата публикации: 1994-01-05.

Three-dimensional memory device including ferroelectric-metal-insulator memory cells and methods of making the same

Номер патента: US20210358931A1. Автор: Yanli Zhang,Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Seung-Yeul Yang,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2021-11-18.

Photo-curable electrically conductive composition and plasma display panel having electrode formed by use of the same

Номер патента: KR100614604B1. Автор: 후쿠시마카즈노부,토카이히로유키,타카기고우이치,후루하시타다시. Владелец: 타이요 잉크 메뉴펙츄어링 컴퍼니, 리미티드. Дата публикации: 2006-08-23.

Photocurable composition and plasma display panel having black pattern formed by use of the same

Номер патента: KR100836449B1. Автор: 가즈노부 후꾸시마. Владелец: 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤. Дата публикации: 2008-06-09.

Barbell optical fiber and method of making the same

Номер патента: EP2847628A1. Автор: David A. Rockwell,David J. DiGiovanni,Vladimir Shkunov,Dennis J. Trevor. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2015-03-18.

Structures comprising molecular structures with high aspect ratio, and methods of their manufacturing

Номер патента: RU2526969C2. Автор: Дэвид П. БРАУН,Альберт Г. НАСИБУЛИН,Брэдли Дж. ЭЙТЧИСОН,Эско И. КАУППИНЕН. Владелец: Канату Ой. Дата публикации: 2014-08-27.

High-aspect ratio electroplated structures and anisotropic electroplating processes

Номер патента: WO2024107909A1. Автор: Douglas P. Riemer,Joseph D. Starkey,Gregory D. MACLEOD,Kyle T. TOBIAS,Justin C. NALL. Владелец: HUTCHINSON TECHNOLOGY INCORPORATED. Дата публикации: 2024-05-23.

High-Aspect Ratio Electroplated Structures And Anisotropic Electroplating Processes

Номер патента: US20240170208A1. Автор: Douglas P. Riemer,Joseph D. Starkey,Gregory D. MACLEOD,Kyle T. TOBIAS,Justin C. NALL. Владелец: Hutchinson Technology Inc. Дата публикации: 2024-05-23.

Metal nanowire and method of preparing the same

Номер патента: US20170368609A1. Автор: Byungkwon Lim,Shingyu BOK,Hwansu SIM. Владелец: Sungkyunkwan University Research and Business Foundation. Дата публикации: 2017-12-28.

Three-dimensional high aspect ratio graphene film composites

Номер патента: EP4244184A2. Автор: Eldad GRADY. Владелец: B2d Holding GmbH. Дата публикации: 2023-09-20.

Nano-structured flexible electrodes, and energy storage devices using the same

Номер патента: US09786444B2. Автор: Di Wei,Markku Antti Kyosti Rouvala,Husnu Emrah Unalan,Gehan Amaratunga,Pritesh Hiralal,Haolan Wang. Владелец: NOKIA TECHNOLOGIES OY. Дата публикации: 2017-10-10.

High aspect-ratio filler-containing conductive elastomeric materials and methods of use

Номер патента: WO2023200944A1. Автор: Li Yao,Ziyan Liu,Pinghung WEI,Ning Guo,Fang He,Lichuan Chen,Thomas John Farrell Wallin,Alejandra Alvarez Albarran,Kristopher ERICKSON,Wenyang PAN,Shawn Reese,Ryan HUISZOON,Michael Tawfik Khbeis. Владелец: Meta Platforms Technologies, LLC. Дата публикации: 2023-10-19.

Barbell Optical Fiber And Method Of Making The Same

Номер патента: US20150110452A1. Автор: David A. Rockwell,David J. DiGiovanni,Vladimir Shkunov,Dennis J. Trevor. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2015-04-23.

High aspect boron nitride, methods, and composition containing the same

Номер патента: EP3092207A1. Автор: Chandrashekar Raman,Bei Xiang,Anand Murugaiah,Hao QU,Kang YI-LIN. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2016-11-16.

High-aspect ratio electroplated structures and anisotropic electroplating processes

Номер патента: US20200090852A1. Автор: Paul V. Pesavento,Peter F. Ladwig,Kurt C. Swanson,Douglas P. Riemer,Matthew S. Lang,Joseph D. Starkey. Владелец: Hutchinson Technology Inc. Дата публикации: 2020-03-19.

High-aspect ratio electroplated structures and anisotropic electroplating processes

Номер патента: PH12021551216A1. Автор: Douglas P Riemer,Kurt C Swanson,Peter F Ladwig,Matthew S Lang,Paul V Pesavento,Joseph D Starkey. Владелец: Hutchinson Technology. Дата публикации: 2021-11-08.

Radio wave transmissive metallic member and method for manufacturing the same

Номер патента: EP4261036A1. Автор: Hiroki NISHIJIMA,Daiki KUBOYAMA,Miwako Shionoya,Jyunya Murai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-10-18.

Radio wave transmissive metallic member and method for manufacturing the same

Номер патента: US20230332283A1. Автор: Hiroki NISHIJIMA,Daiki KUBOYAMA,Miwako Shionoya,Jyunya Murai. Владелец: Toyota Motor Corp. Дата публикации: 2023-10-19.

A device and method of manufacturing high aspect ratio structures

Номер патента: EP3323163A1. Автор: Sandeep Unnikrishnan,Lucas A. HAVERKATE. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2018-05-23.

Differential coating of high aspect ratio objects through methods of reduced flow and dosing variations

Номер патента: US11037770B2. Автор: Matthew Breuer. Владелец: Photonis Scientific Inc. Дата публикации: 2021-06-15.

Multicathode pvd system for high aspect ratio barrier seed deposition

Номер патента: WO2024155779A1. Автор: Harish V. PENMETHSA,Ming-Jui LI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-07-25.

High aspect ratio structure analysis

Номер патента: US09741536B2. Автор: Michael Schmidt,Sang Hoon Lee,Stacey Stone,Jeffrey Blackwood. Владелец: FEI Co. Дата публикации: 2017-08-22.

High aspect ratio silicon oxide etch

Номер патента: US20110059617A1. Автор: Glenn Mitchell,Robert Torres, Jr.,Adam Seymour. Владелец: Matheson Tri-Gas Inc. Дата публикации: 2011-03-10.

Post-treatment processes for ion beam etching of magnetic tunnel junction and structures formed by the same

Номер патента: US11991932B2. Автор: Hung-Yu CHANG,Min-Yung KO. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Co TSMC Ltd. Дата публикации: 2024-05-21.

Photonic crystal, method of fabricating the same, optical module, and optical system

Номер патента: US20010026857A1. Автор: Junichi Kinoshita. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2001-10-04.

Patterned conductive structure and method for forming the same

Номер патента: US09595754B2. Автор: Babak Radi,Shih-Hong Chen,Chien-Min HSU,Ming-Chi Chiu,Yong-Jyun LU. Владелец: WISTRON NEWEB CORP. Дата публикации: 2017-03-14.

Multi-tabbed electrodes having high aspect ratios and batteries incorporating the same

Номер патента: US10319978B2. Автор: Xiaochao Que,Haijing Liu,Sherman Zeng. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS LLC. Дата публикации: 2019-06-11.

Detection system for precision measurements and high resolution inspection of high aspect ratio structures using particle beam devices

Номер патента: IL111384A. Автор: . Владелец: Metrologix Inc. Дата публикации: 1998-07-15.

Monolithic signal coupler for high-aspect ratio solid-state gain media

Номер патента: WO2010085639A1. Автор: David Alan Rockwell,Vladimir V. Shkunov. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2010-07-29.

Composite graded-index fiber mode field adaptor for high-aspect-ratio core optical fibers

Номер патента: US10222623B2. Автор: Sean Moore. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2019-03-05.

Differential Coating of High Aspect Ratio Objects Through Methods of Reduced Flow and Dosing Variations

Номер патента: US20200006042A1. Автор: Matthew Breuer. Владелец: Photonis Scientific Inc. Дата публикации: 2020-01-02.

Composite graded-index fiber mode field adaptor for high-aspect-ratio core optical fibers

Номер патента: EP3615969A1. Автор: Sean Moore. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2020-03-04.

Composite graded-index fiber mode field adaptor for high-aspect-ratio core optical fibers

Номер патента: WO2018200255A1. Автор: Sean Moore. Владелец: Raytheon Company. Дата публикации: 2018-11-01.

Composite graded-index fiber mode field adaptor for high-aspect-ratio core optical fibers

Номер патента: US20180314071A1. Автор: Sean Moore. Владелец: Raytheon Co. Дата публикации: 2018-11-01.

Determining a state of a high aspect ratio hole using measurement results from an electrostatic measurement device

Номер патента: US9448253B2. Автор: Alon Litman,Konstantin Chirko. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2016-09-20.

Construction of three-dimensional profiles of high aspect ratio structures using top down imaging

Номер патента: US20200271442A1. Автор: Pradeep Subrahmanyan. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2020-08-27.

Determining a state of a high aspect ratio hole using measurement results from an electrostatic measurement device

Номер патента: US20150362524A1. Автор: Alon Litman,Konstantin Chirko. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2015-12-17.

Proton conducting membrane, method for producing the same and fuel cell using the same

Номер патента: US20060035129A1. Автор: Toshiya Sugimoto,Kenji Yamauchi,Shigeki Nomura,Satoshi Koma,Taira Hasegawa. Владелец: Sekisui Chemical Co Ltd. Дата публикации: 2006-02-16.

Channel electron multiplier having two or more resistive coating layers in different zones along its length and method to produce the same

Номер патента: EP3591687A8. Автор: Matthew Breuer. Владелец: Photonis Scientific Inc. Дата публикации: 2020-04-15.

Reducing aspect ratio dependent etch with direct current bias pulsing

Номер патента: WO2024102146A1. Автор: Shahid Rauf,Chung Liu,Aaron Eppler,Jason A. Kenney,Sunil Srinivasan,Yi-Chuan Chou,Kuan-Ting Liu,Shreeram Jyoti DASH,Michael Thomas NICHOLS,Olivier P. Joubert,Deyang LI. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2024-05-16.

Reducing aspect ratio dependent etch with direct current bias pulsing

Номер патента: US20240162007A1. Автор: Shahid Rauf,Chung Liu,Aaron Eppler,Jason A. Kenney,Sunil Srinivasan,Yi-Chuan Chou,Kuan-Ting Liu,Shreeram Jyoti DASH,Michael Thomas NICHOLS,Olivier P. Joubert,Deyang LI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-05-16.

Method of manufacturing photoelectric conversion element, photoelectric conversion element manufactured by the same, method of manufacturing photoelectric conversion element module, and photoelectric conversion element module manufactured by the same

Номер патента: US20110088773A1. Автор: Hiroki Usui. Владелец: Fujikura Ltd. Дата публикации: 2011-04-21.

Inverter surge-resistant insulated wire and method of producing the same

Номер патента: MY167669A. Автор: Muto Daisuke,AOI Tsuneo,FUKUDA Hideo,TOMIZAWA Keiichi,FUJIWARA Dai. Владелец: Furukawa Magnet Wire Co Ltd. Дата публикации: 2018-09-21.

Coil assembly for a control rod driver having improved thermal resistance, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20130335181A1. Автор: Jae Gon Lee,Young Ho Jang,Yang Jo Choi. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2013-12-19.

Coil assembly for a control rod driver having improved thermal resistance, and method for manufacturing the same

Номер патента: US9564265B2. Автор: Jae Gon Lee,Young Ho Jang,Yang Jo Choi. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Circuit board assembly and method of manufacturing the same

Номер патента: US09979137B2. Автор: Yuichi Toyama. Владелец: JTEKT Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Cable connector and method of assembling the same

Номер патента: US09768561B2. Автор: Chingjen Hsu. Владелец: Yong Tai Electronics(dongguan) Ltd. Дата публикации: 2017-09-19.

Coil assembly for a control rod driver having improved thermal resistance, and method for manufacturing the same

Номер патента: US09564265B2. Автор: Jae Gon Lee,Young Ho Jang,Yang Jo Choi. Владелец: Korea Hydro and Nuclear Power Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-07.

Separator and electrochemical device including the same

Номер патента: US10804519B2. Автор: Min-Ji Kim,Su-Jin Yoon,Hye-Jin KWON,Chan-Jong KIM,Kwan-Woo NAM. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2020-10-13.

Tobacco rod, aerosol generating article including the same, and aerosol generating apparatus used therewith

Номер патента: US20240237706A1. Автор: In Su Park,Chan Min KWON. Владелец: Kt &g Corp. Дата публикации: 2024-07-18.

Adaptive array antenna system and mobile telecommunications system using the same

Номер патента: US20020028666A1. Автор: Makoto Hasegawa,Takashi Fukagawa,Youichi Nakagawa. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2002-03-07.

Electric motor having stacked different rotor segments and method for designing the same

Номер патента: US12132354B2. Автор: Mazharul CHOWDHURY,Mohammad Islam,Md Sariful Islam. Владелец: HL Mando Corp. Дата публикации: 2024-10-29.

Redox active polymer devices and methods of using and manufacturing the same

Номер патента: US09990578B2. Автор: Paul Johnson,Cody Friesen,Elise SWITZER,Jose Antonio BAUTISTA-MARTINEZ. Владелец: Arizona State University ASU. Дата публикации: 2018-06-05.

Power divider and method of fabricating the same

Номер патента: US09685686B2. Автор: Kun Liu,Bo Zhou,Junyou CHEN. Владелец: Telefonaktiebolaget LM Ericsson AB. Дата публикации: 2017-06-20.

Method for filling vias and substrate-via filling vacuum processing system

Номер патента: EP2999805A1. Автор: Jürgen WEICHART,Mohamed Elghazzali. Владелец: OERLIKON ADVANCED TECHNOLOGIES AG. Дата публикации: 2016-03-30.

Field emitting flat light source and method for making the same

Номер патента: US20130119856A1. Автор: Mingjie Zhou,Wenbo Ma,Pengrui Shao. Владелец: Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2013-05-16.

Negative electrode and secondary battery including the same

Номер патента: US20220367862A1. Автор: Yong Ju Lee,Su Min Lee,Dong Hyuk Kim,Se Mi Park. Владелец: LG Energy Solution Ltd. Дата публикации: 2022-11-17.

Pouch type lithium secondary battery sealer, sealing method and pouch type lithium secondary battery manufactured by the same

Номер патента: US20220384884A1. Автор: Ji Eun Lee,Yong Hoon Kim,Jun Ki Rhee,Yoon Sung Lee,Sang Mok Park,Jeong Wan Yoo. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2022-12-01.

Secondary battery and a method for fabricating the same

Номер патента: US20240266592A1. Автор: Shunpei Yamazaki,Minoru Takahashi. Владелец: Semiconductor Energy Laboratory Co Ltd. Дата публикации: 2024-08-08.

Winding device, winding method, inspection device and structure manufacturing method in which a position of stuck together first and second wound sheets are detected via interference light generated using reflected reference light from a reference surface

Номер патента: US09859584B2. Автор: Seiji Hamano,Nobuo Hara,Shohei Aoki,Yasuhiro Kabetani,Tomotaka Furuta. Владелец: Panasonic Intellectual Property Management Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Shield part, method of fabricating the same, and contactless power transmission device having the shield part

Номер патента: US09502173B2. Автор: Chang Bae Lee,Seung Wook Park,No Il PARK,Jang Su Kim,Doo Sung Jung. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-22.

Composite magnetic sheet and process for producing the same

Номер патента: EP1986200B1. Автор: Tsutomu Otsuka,Mitsugu Kawarai,Fumio Uchikiba. Владелец: Sumida Corp. Дата публикации: 2010-08-25.

Electrochemical metal deposition system and method

Номер патента: AU2022286951A1. Автор: Megan O'Connor,Christopher Moore,Chad Vecitis,Emily Jennings. Владелец: Nth Cycle Inc. Дата публикации: 2024-01-04.

Electrochemical metal deposition system and method

Номер патента: EP4347928A1. Автор: Megan O'Connor,Christopher Moore,Chad Vecitis,Emily Jennings. Владелец: Nth Cycle Inc. Дата публикации: 2024-04-10.

Carbon nanotube-coated substrates and methods of making the same

Номер патента: WO2015156894A9. Автор: Matteo Pasquali,Francesca Mirri,Tienyi Theresa WHITING. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2015-11-12.

Carbon nanotube-coated substrates and methods of making the same

Номер патента: EP3096892A2. Автор: Matteo Pasquali,Francesca Mirri,Tienyi Theresa WHITING. Владелец: William Marsh Rice University. Дата публикации: 2016-11-30.

Input/output connector and electronic device including the same

Номер патента: EP3970243A1. Автор: Sunmi Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2022-03-23.

Electrode laminate, all-solid state laminated secondary battery, and method for manufacturing the same

Номер патента: US20200227757A1. Автор: Shinji Imai. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2020-07-16.

Fabrication method for a three-dimensional memory array of thin-film ferroelectric transistors using high-aspect-ratio local word line damascene process

Номер патента: US20240260275A1. Автор: Usha Raghuram,Jie Zhou,Kavita Shah,Eli Harari,Shohei KAMISAKA,Yosuke Nosho,Iting Lin. Владелец: Sunrise Memory Corp. Дата публикации: 2024-08-01.

Software/hardware device with uncertain service function and structural characterization, and scheduling method thereof

Номер патента: US09954885B2. Автор: KE SONG,Fan Zhang,Jianhui Zhang,Zhiming Wang,Yufeng Li,Xingming Zhang,Yuxiang Hu,Junfei Li,Shuai WEI,Jiangxing Wu,Qinrang Liu,Julong Lan. Владелец: China National Digital Switching System Engineering and Technological R&D Center. Дата публикации: 2018-04-24.

Software/Hardware Device with Uncertain Service Function and Structural Characterization, and Scheduling Method for Thereof

Номер патента: US20160352770A1. Автор: KE SONG,Fan Zhang,Jianhui Zhang,Zhiming Wang,Yufeng Li,Xingming Zhang,Yuxiang Hu,Junfei Li,Shuai WEI,Jiangxing Wu,Qinrang Liu,Julong Lan. Владелец: China National Digital Switching System Engineering and Technological R&D Center. Дата публикации: 2016-12-01.

Hollow structure forming substrate, method of producing the same, and method of producing hollow structure using the same

Номер патента: EP2086737A1. Автор: Masahiro Masuzawa,Masaru Ohgaki. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2009-08-12.

Water-soluble composition and structures, and methods of making and using the same

Номер патента: CA2603799A1. Автор: Andrew P. Verrall. Владелец: Andrew P. Verrall. Дата публикации: 2007-03-08.

Dry friction damped mechanical and structural metal components and methods of manufacturing the same

Номер патента: US20180073588A1. Автор: James Maurice Boileau,Yuri Anatoly KARPENKO,Peter KOWALOW,J. Chris OAKWOOD,Laura DAMMEYER,Steven Swisher. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2018-03-15.

Risers including a plurality of high aspect ratio electrical conduits and systems and methods of manufacture and use thereof

Номер патента: WO2013039957A3. Автор: Eric Hill,Kurt Schultz,Mike Jolley,Koby L. Duckworth,Jody CURTIS. Владелец: Cascade Microtech, Inc.. Дата публикации: 2014-05-15.

High aspect ratio traces, circuits, and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US20140262456A1. Автор: Brian Edward Richardson. Владелец: Imagine TF LLC. Дата публикации: 2014-09-18.

High aspect ratio traces, circuits, and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US9510458B2. Автор: Brian Edward Richardson. Владелец: Imagine TF LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Structure formed on substrate, structure manufacturing method and line pattern

Номер патента: US09807887B2. Автор: Jun Akedo,Akito Endo. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2017-10-31.

High aspect ratio traces, circuits, and methods for manufacturing and using the same

Номер патента: US09510458B2. Автор: Brian Edward Richardson. Владелец: Imagine TF LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Method for Forming Ceramic Thick Film Element Arrays with Fine Feature Size, High-Precision Definition, and/or High Aspect Ratios

Номер патента: US20080244884A1. Автор: Baomin Xu,Steven A. Buhler,Stephen D. White. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2008-10-09.

Method for forming ceramic thick film element arrays with fine feature size, high-precision definition, and/or high aspect ratios

Номер патента: US20060130302A1. Автор: Baomin Xu,Stephen White,Steven Buhler. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2006-06-22.

Method for forming ceramic thick film element arrays with fine feature size, high-precision definition, and/or high aspect ratios

Номер патента: US8001666B2. Автор: Baomin Xu,Steven A. Buhler,Stephen D. White. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2011-08-23.

A method for forming ceramic thick film element arrays with fine feature size, high-precision definition, and/or high aspect ratios

Номер патента: EP1672712B1. Автор: Baomin Xu,Steven A. Buhler,Stephen D. White. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2010-02-24.

Risers including a plurality of high aspect ratio electrical conduits and systems and methods of manufacture and use thereof

Номер патента: WO2013039957A2. Автор: Eric Hill,Kurt Schultz,Mike Jolley,Koby L. Duckworth,Jody CURTIS. Владелец: Cascade Microtech, Inc.. Дата публикации: 2013-03-21.

Communication satellite in a satellite communication system with high aspect ratio cell arrangement and shared and allocable bandwidth

Номер патента: US6947740B2. Автор: William L. Snell. Владелец: Spacecode LLC. Дата публикации: 2005-09-20.

Molded metallized plastic articles and processes for making the same

Номер патента: GB2193847B. Автор: David C Frisch,Eric J Cleveland. Владелец: Smith Corona Corp. Дата публикации: 1990-11-07.

Printing high aspect ratio patterns

Номер патента: US09750141B2. Автор: Amir Noy. Владелец: Utilight Ltd. Дата публикации: 2017-08-29.

Display subpixels having multiple emissive areas with high aspect ratios

Номер патента: US11968858B2. Автор: David James Montgomery,Hywel HOPKIN. Владелец: Sharp Display Technology Corp. Дата публикации: 2024-04-23.

Circuitry with high aspect ratio traces

Номер патента: US20140262444A1. Автор: George Gregoire. Владелец: Individual. Дата публикации: 2014-09-18.

Method for depositing high aspect ratio molecular structures

Номер патента: US09776206B2. Автор: David Gonzales,David P. Brown,Albert G. Nasibulin,Esko I. Kauppinen. Владелец: CANATU OY. Дата публикации: 2017-10-03.

Fabrication of high aspect ratio masks

Номер патента: US4018938A. Автор: Ralph Feder,Eberhard A. Spiller. Владелец: International Business Machines Corp. Дата публикации: 1977-04-19.

Molded metalized plastic articles and processes for making the same

Номер патента: CA1284862C. Автор: David C. Frisch,Eric J. Cleveland. Владелец: Smith Corona Corp. Дата публикации: 1991-06-18.

Printing high aspect ratio patterns

Номер патента: EP3119531A1. Автор: Amir Noy. Владелец: Utilight Ltd. Дата публикации: 2017-01-25.

Diaphragm Dome, Method for Manufacturing The Same and Speaker

Номер патента: US20180124518A1. Автор: Bin Zhao,Ping Liang,Xudong Yan,Xun Di,Lipeng Ma. Владелец: AAC Technologies Pte Ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

Printed circuit board and method of manufacturing the same

Номер патента: US20200178390A1. Автор: Sun-a Kim,Mi-Sun Hwang. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Conductive vias and associated methods and structures

Номер патента: WO2005074335A1. Автор: Bruce Pettengill. Владелец: TEXTRON SYSTEMS CORPORATION. Дата публикации: 2005-08-11.

Method for fabrication of industrial parts having high-aspect-ratio-through-hole section

Номер патента: EP1634683A3. Автор: Yukihisa NGK Insulators Ltd. Takeuchi,Hiroyuki NGK Insulators Ltd. Tsuji,Kazumasa NGK Insulators Ltd. Kitamura,Yoshinori NGK Insulators Ltd. Yamaguchi. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2006-03-22.

Process for producing an industrial member having throughholes of high aspect ratio

Номер патента: US20020038507A1. Автор: Yukihisa Takeuchi,Hiroyuki Tsuji,Yoshinori Yamaguchi,Kazumasa Kitamura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2002-04-04.

Method for fabrication of industrial parts having high-aspect-ratio through-hole sections

Номер патента: EP1175978A3. Автор: Yukihisa Takeuchi,Hiroyuki Tsuji,Yoshinori Yamaguchi,Kazumasa Kitamura. Владелец: NGK Insulators Ltd. Дата публикации: 2004-01-02.

Power supply cell and power supply system using the same

Номер патента: EP3857695A1. Автор: Kuenfaat Yuen,Kai Tian,Tinho LI. Владелец: ABB Schweiz AG. Дата публикации: 2021-08-04.

Motor for compressor and reciprocating compressor having the same

Номер патента: US09537381B2. Автор: Hyuk Lee,Jungsik Park,Sangsub Jeong,Jehoon Kim. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-01-03.

Methods and structures for three-dimensional dynamic random-access memory

Номер патента: WO2022187126A1. Автор: Sony Varghese,Tomohiko Kitajima,Arvind Kumar,Sung-Kwan Kang,Chang Seok Kang,Fredrick David Fishburn. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2022-09-09.

Method of manufacturing multi-layer thin film, member including the same and electronic product including the same

Номер патента: US20140355184A1. Автор: Hyun Jun Jung,Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Jin Sub Kim,Hyong Jun YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2014-12-04.

Stretchable electronics for dentistry applications and method of making the same

Номер патента: US20180168033A1. Автор: Marco LETIZIA,Pietro MAODDI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2018-06-14.

Core and motor having the same

Номер патента: US20110309710A1. Автор: Nam Seok Kim,Pyo Kim. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-22.

Level shifter, digital-to-analog converter, and buffer amplifier, and source driver and electronic device including the same

Номер патента: US09991903B2. Автор: Hwi-Cheol KIM. Владелец: Innoaxis Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-05.

Level shifter, digital-to-analog converter, and buffer amplifier, and source driver and electronic device including the same

Номер патента: US09985643B2. Автор: Hwi-Cheol KIM. Владелец: Innoaxis Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-29.

Level shifter, digital-to-analog converter, and buffer amplifier, and source driver and electronic device including the same

Номер патента: US09793916B2. Автор: Hwi-Cheol KIM. Владелец: Innoaxis Co Ltd. Дата публикации: 2017-10-17.

Humidity-sensing structural color emitting laminate and structural color display device self-powered by triboelectricity including the same laminate

Номер патента: US20230184687A1. Автор: Jae Won Lee,Cheolmin Park,Taebin KIM. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-06-15.

Stator for aspiration motor, aspiration motor and in-car sensor using the same

Номер патента: WO2008123736A1. Автор: Byoung Soo Kim,Byoung Kyu Kim. Владелец: AMOTECH CO., LTD.. Дата публикации: 2008-10-16.

Stator for aspiration motor, aspiration motor and in-car sensor using the same

Номер патента: EP2162970A1. Автор: Byoung Soo Kim,Byoung Kyu Kim. Владелец: Amotech Co Ltd. Дата публикации: 2010-03-17.

Image pickup apparatus and method for controlling the same

Номер патента: US20160323493A1. Автор: Ryosuke Mochizuki,Takayuki Matsuhashi,Haruyuki Ishihara,Mika Muto. Владелец: Olympus Corp. Дата публикации: 2016-11-03.

Flexible printed circuit board and process for producing the same

Номер патента: US20050174722A1. Автор: Kouichi Hiranaka,Motohiro Yamashita,Mitsuhiro Fukuoka,Ryuichi Nakagami. Владелец: Matsushita Electric Industrial Co Ltd. Дата публикации: 2005-08-11.

Electronic component mounting system and operation instruction method for use with the same

Номер патента: US20100212151A1. Автор: Yoshiaki Awata,Hideki Sumi,Kenichiro Ishimoto,Kazuhiko Itose. Владелец: Panasonic Corp. Дата публикации: 2010-08-26.

Magneto-impedance effect element and method of manufacturing the same

Номер патента: EP1076243A3. Автор: Ryou c/o Alps Electric Co. Ltd Nakabayashi,Yutaka c/o Alps Electric Co. Ltd Naito,Takashi c/o Alps Electric Co. Ltd Hatanai. Владелец: Alps Electric Co Ltd. Дата публикации: 2003-07-09.

Heat dissipating fan and electronic device having the same

Номер патента: US20190242403A1. Автор: Zheng Luo,Yung-Ping Lin,Xiao-Guang Ma. Владелец: Champ Tech Optical Foshan Corp. Дата публикации: 2019-08-08.

Image output method to displays with different aspect ratios

Номер патента: EP1806730A4. Автор: Sachiyo Aoki. Владелец: Sony Computer Entertainment Inc. Дата публикации: 2009-07-01.

Flexible foil and method for manufacturing the same

Номер патента: US20080135284A1. Автор: Chao-Jen Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-06-12.

Accompanying winding spacer and method for manufacturing strip type materials using the same

Номер патента: US20080251184A1. Автор: Li-Hua Wang. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-10-16.

Foldable electronic device for controlling user interface and method of operating the same

Номер патента: EP4376394A3. Автор: Yong Kwon,Sukjae Lee,Jinkyo CHUNG. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2024-08-14.

Mobile terminal and method for controlling the same

Номер патента: US09841759B2. Автор: Jiho MIN,Jaesik Jung. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-12-12.

Electronic device and a method of operating the same

Номер патента: US09713043B2. Автор: Jihwan Park,Taenyon KIM. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2017-07-18.

A backlight unit, a vehicle display apparatus and a method of controlling the same

Номер патента: GB2629392A. Автор: XIAO Ting,KAYSSER Sascha,Thomas Nowak Martin,Joseph Manrico,Kalender Sait,Jekel Martin. Владелец: Continental Automotive Technologies GmbH. Дата публикации: 2024-10-30.

Molecular sieve material for sound absorption and method for preparing the same

Номер патента: US20240214721A1. Автор: Jie Zhang,Hezhi Wang,Zhongyang Wang. Владелец: AAC Technologies Holdings Nanjing Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-27.

Organic light-emitting display device having an upper substrate formed by a metal and method of fabricating the same

Номер патента: US12022677B2. Автор: Dong-Jin Kim,Jae-Woon BAEK. Владелец: LG Display Co Ltd. Дата публикации: 2024-06-25.

Light extraction substrate of organic light-emitting device and method of manufacturing the same

Номер патента: EP3794653A1. Автор: Jooyoung Lee. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2021-03-24.

Long stroke mems actuator resilient to the pull-in and electronic system including the same

Номер патента: US20230253895A1. Автор: Attilio Frangi,Gabriele Gattere,Valentina ZEGA,Andrea OPRENI,Manuel RIANI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-10.

PTC Heating Device and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20240121864A1. Автор: Patrick Werner,Daniele Dattilo,Timo Kröner,Sascha Herzig. Владелец: Eberspaecher Catem GmbH and Co KG. Дата публикации: 2024-04-11.

Method of reducing alignment error between user device and lenticular lenses to view glass-free stereoscopic image and user device performing the same

Номер патента: US10924725B2. Автор: Chang Bong Shin. Владелец: Mopic Co ltd. Дата публикации: 2021-02-16.

Long stroke mems actuator resilient to the pull-in and electronic system including the same

Номер патента: EP4223691A1. Автор: Attilio Frangi,Gabriele Gattere,Valentina ZEGA,Andrea OPRENI,Manuel RIANI. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2023-08-09.

Disk rotating motor and disk drive device provided with the same

Номер патента: US20140185423A1. Автор: Tsuyoshi Ishida,Toshiyuki Nishikata,Okihisa Tsuchie. Владелец: Minebea Co Ltd. Дата публикации: 2014-07-03.

Loudspeaker device and audio output apparatus having the same

Номер патента: US9872108B2. Автор: Min Kim,Ho-jin Yoon,Liam Joseph KELLY. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Printed circuit board and method for fabricating the same

Номер патента: US20160205782A1. Автор: Cheng-Hung Huang,Chi-Ming Lu,Ching-Ho Su,Chang-Li HO,Willis GAO. Владелец: Nan Ya Printed Circuit Board Corp. Дата публикации: 2016-07-14.

Zoom lens and image capturing apparatus having the same

Номер патента: WO2009044664A1. Автор: Norihiro Nanba,Rei Iwama. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2009-04-09.

Zoom lens and image capturing apparatus having the same

Номер патента: US20100245629A1. Автор: Norihiro Nanba,Rei Iwama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2010-09-30.

Image processing apparatus and television receiver using the same

Номер патента: US20030117526A1. Автор: Kazuhiro Kozai. Владелец: NEC Electronics Corp. Дата публикации: 2003-06-26.

Image processing device, method for operating the same, and endoscope system

Номер патента: US09913568B2. Автор: Masayuki Kuramoto. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2018-03-13.

Loudspeaker device and audio output apparatus having the same

Номер патента: US09872108B2. Автор: Min Kim,Ho-jin Yoon,Liam Joseph KELLY. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-01-16.

Systems and methods for encoding alternative streams of video for playback on playback devices having predetermined display aspect ratios and network connection maximum data rates

Номер патента: US09510031B2. Автор: Kourosh Soroushian,Auke Sjoerd van der Schaar. Владелец: Sonic IP LLC. Дата публикации: 2016-11-29.

Vehicle and method of controlling the same

Номер патента: US20240020868A1. Автор: Jung Hyun Lee. Владелец: Kia Corp. Дата публикации: 2024-01-18.

Three-dimensional memory device with electrically conductive layers containing vertical tubular liners and methods for forming the same

Номер патента: US11877446B2. Автор: Fei Zhou,Raghuveer S. Makala,Rahul Sharangpani,Adarsh RAJASHEKHAR. Владелец: SanDisk Technologies LLC. Дата публикации: 2024-01-16.

Spindle motor and recording disk driving device having the same

Номер патента: US8830622B1. Автор: Tae Young Choi,Il Geun JEON. Владелец: Samsung Electro Mechanics Co Ltd. Дата публикации: 2014-09-09.

Improved loudspeaker cabinet, method for forming the same and a loudspeaker formed using said cabinet

Номер патента: GB2608012A8. Автор: WILSON Cameron,Dilliway Colin,Coeur-De-Lion Chung Kane,Gandy Roy,Links Martin. Владелец: Rega Res Ltd. Дата публикации: 2023-01-18.

Conversion between aspect ratios in camera

Номер патента: US11722631B2. Автор: Scott Patrick Campbell,Sumit Chawla,Nicholas D. Woodman,Loic Segapelli. Владелец: GoPro Inc. Дата публикации: 2023-08-08.

Multi-axial grid or mesh structures with high aspect ratio ribs

Номер патента: US09556580B2. Автор: Anthony T. Walsh. Владелец: Tensar Technologies Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Multi-axial grid or mesh structures with high aspect ratio ribs

Номер патента: US11834795B2. Автор: Anthony T. Walsh. Владелец: Tensar Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-12-05.

3d printing of catalytic formulation for selective metal deposition

Номер патента: US20200331196A1. Автор: Ira Yudovin-Farber,Eynat Matzner,Efraim DVASH. Владелец: Stratasys Ltd. Дата публикации: 2020-10-22.

Spray drying process for low aspect ratio particles comprising poly[(methyl methacrylate)-co-(methacrylic acid)]

Номер патента: CA3094591C. Автор: Michael MORGEN,Kimberly SHEPARD. Владелец: Capsugel Belgium NV. Дата публикации: 2024-03-26.

Self-decontaminating antimicrobial compositions, articles, and structures, and methods of making and using the same

Номер патента: EP4142489A4. Автор: Lawrence H Dubois,Dana Alexa Totir. Владелец: Nanoionix LLC. Дата публикации: 2024-09-18.

Self-decontaminating antimicrobial compositions, articles, and structures, and methods of making and using the same

Номер патента: US12139417B2. Автор: Lawrence H. Dubois,Dana Alexa Totir. Владелец: Nanoionix LLC. Дата публикации: 2024-11-12.

Reinforcement mat of on-site hydration type having textile grid reinforcement and manufacturing method for the same, and structure reinforcing method for accelerated construction using the same

Номер патента: KR102265893B1. Автор: 이대영,김형열,유영준,고경택,류금성,안기홍,이두한. Владелец: 한국건설기술연구원. Дата публикации: 2021-06-17.

Sound deadening and structural reinforcement compositions and methods of using the same

Номер патента: CA2349891C. Автор: Chin-Jui Chang,Gerald Fitzgerald. Владелец: Sika Corp. Дата публикации: 2008-06-10.

Lipid compositions and structured lipids containing phospholipids, oral formulations containing the same and methods of making the same

Номер патента: WO2011143229A2. Автор: John Richardson Palmer,Joseph John Miller. Владелец: J3H, Inc.. Дата публикации: 2011-11-17.

Power transmission shaft, power transmission device incorporating the same and method of forming the same

Номер патента: US20060217209A1. Автор: Isashi Kashiwagi,Hiroyuki Iwashita,Tadashi Naganawa. Владелец: JTEKT Corp. Дата публикации: 2006-09-28.

DRY FRICTION DAMPED MECHANICAL AND STRUCTURAL METAL COMPONENTS AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20180073588A1. Автор: Boileau James Maurice,Karpenko Yuri Anatoly,Swisher Steven,OAKWOOD J. Chris,KOWALOW Peter,DAMMEYER Laura. Владелец: . Дата публикации: 2018-03-15.

SELF-DECONTAMINATING ANTIMICROBIAL COMPOSITIONS, ARTICLES, AND STRUCTURES, AND METHODS OF MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20210331937A1. Автор: DUBOIS Lawrence H.,Totir Dana Alexa. Владелец: . Дата публикации: 2021-10-28.

Mounting clip, and structure for mounting lamps for vehicles utilizing the same

Номер патента: KR100526978B1. Автор: 오영섭. Владелец: 기아자동차주식회사. Дата публикации: 2005-11-09.

Sound deadening and structural reinforcement compositions and methods of using the same

Номер патента: CA2349891A1. Автор: Chin-Jui Chang,Gerald Fitzgerald. Владелец: Individual. Дата публикации: 2000-05-18.

Water-soluble composition and structures, and methods of making and using the same

Номер патента: US20070178299A1. Автор: Andrew Verrall. Владелец: Monosol Llc. Дата публикации: 2007-08-02.

Sound deadening and structural reinforcement compositions and methods of using the same

Номер патента: US20040147642A1. Автор: Chin-Jui Chang,Gerald Fitzgerald. Владелец: Gerald Fitzgerald. Дата публикации: 2004-07-29.

Black Paste Composition and Plasma Display Panel Having Black Pattern Formed by Use of the Same

Номер патента: KR100967978B1. Автор: 노부유끼 스즈끼,히로유끼 도까이. Владелец: 다이요 잉키 세이조 가부시키가이샤. Дата публикации: 2010-07-07.

METHOD FOR MANUFACTURING A SNOW OR ICE GLIDE GEAR AND STRUCTURE OF THE MACHINE OBTAINED BY THE METHOD

Номер патента: FR2873589A1. Автор: Jerome Francois. Владелец: SALOMON SAS. Дата публикации: 2006-02-03.

Mouldings, with carrier, elastomer and structured layers, are formed by applying a rubber layer to a carrier layer, placing a stencil on top, and vulcanization

Номер патента: DE10119917A1. Автор: . Владелец: ContiTech Elastomer Beschichtungen GmbH. Дата публикации: 2002-11-14.

Embedded metal nanostructure using geometrical irreversibility of conformal deposition and uniform growth of metal, and method for manufacturing the same

Номер патента: KR101891440B1. Автор: 이정용,강주훈. Владелец: 한국과학기술원. Дата публикации: 2018-08-23.

High-precision and high-efficiency injection mold for high-aspect-ratio double-layer cylindrical plastic part and molding method using the same

Номер патента: US11745402B2. Автор: Kai Wen,Yaqing Liu,Guizhe Zhao,Ruikui DU. Владелец: Shanxi Zhongbei New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-09-05.

Medical bioabsorbable composite having fibrous ceramic reinforcing agent and method for preparing the same

Номер патента: US20180117222A1. Автор: Ho Jun Lee,Min Su Lee. Владелец: Osteonic Co ltd. Дата публикации: 2018-05-03.

High aspect ratio and multi-curvature separator, and hybrid air cleaner using the same

Номер патента: US20080264006A1. Автор: Masanobu Nakamura. Владелец: Nakamura Medicine and Engineering Research Institute Co Ltd. Дата публикации: 2008-10-30.

Dynamic pulse plating for high aspect ratio features

Номер патента: WO2003010364A3. Автор: Yezdi Dordi,H Peter W Hey. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2004-11-18.

Dynamic pulse plating for high aspect ratio features

Номер патента: WO2003010364A2. Автор: Yezdi Dordi,H. Peter W. Hey. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2003-02-06.

Method and apparatus for producing a high aspect ratio nanostructured foil by extrusion coating or extrusion casting

Номер патента: CA2978364C. Автор: Henrik Pranov,Maria MATSCHUK,Sanne Norup WESTAD,Peter Lass Johansen,Ole Brodsgard. Владелец: Inmold AS. Дата публикации: 2023-01-10.

Multi-axial grid or mesh structures with high aspect ratio ribs

Номер патента: CA2715473A1. Автор: Anthony T. Walsh. Владелец: Tensar Technologies Ltd. Дата публикации: 2009-08-20.

Curved platform wings with a high aspect ratio for aircrafts operating in the transonic regime

Номер патента: WO2010150212A2. Автор: Mario Rosario Chiarelli. Владелец: De Biasio, Marco. Дата публикации: 2010-12-29.

Shell element, shell structure and structure forming set

Номер патента: US20190093375A1. Автор: Keisuke Kitagawa. Владелец: Jinzaikaihatsu-Sienkikou Co Ltd. Дата публикации: 2019-03-28.

Curved platform wings with a high aspect ratio for aircrafts operating in the transonic regime

Номер патента: EP2445787A2. Автор: Mario Rosario Chiarelli. Владелец: Massai Andrea. Дата публикации: 2012-05-02.

Curved platform wings with a high aspect ratio for aircrafts operating in the transonic regime

Номер патента: WO2010150212A3. Автор: Mario Rosario Chiarelli. Владелец: De Biasio, Marco. Дата публикации: 2011-04-21.

Scanning probe microscopy system for mapping high aspect ratio nanostructures on a surface of a sample

Номер патента: EP3322995A1. Автор: William Edward CROWCOMBE,Stefan Kuiper. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2018-05-23.

High aspect ratio microstructures and method for fabricating high aspect ratio microstructures from powder composites

Номер патента: WO2007095241A3. Автор: Guohua Yang,Olga Makarova,Platte Amstutz. Владелец: Platte Amstutz. Дата публикации: 2008-01-17.

High aspect ratio in-plane metal microneedle array, manufacturing method and clamping and inserting auxiliary device thereof

Номер патента: US20210046298A1. Автор: Wei Zhang,Xiao Han,Guojun Ma,Chengwei WU,Yongtao LV,JianLi Ma,Xiaolong AN. Владелец: Dalian University of Technology. Дата публикации: 2021-02-18.

High Aspect Ratio Microstructures

Номер патента: US20100330502A1. Автор: John Christopher Rudin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2010-12-30.

Methods for shaping high aspect ratio articles from metallic glass alloys using rapid capacitive discharge and metallic glass feedstock for use in such methods

Номер патента: US09845523B2. Автор: William L. Johnson,Marios D. Demetriou,Joseph P. Schramm,David S. Lee,Jong Hyun Na. Владелец: Glassimetal Technology Inc. Дата публикации: 2017-12-19.

Heart rate sensor with high-aspect-ratio photodetector element

Номер патента: US09392946B1. Автор: Peter W. Richards,Chris H. Sarantos. Владелец: Fitbit LLC. Дата публикации: 2016-07-19.

Method of producing high-aspect microstructures

Номер патента: RU2702798C1. Автор: Алексей Георгиевич Лемзяков. Владелец: Федеральное государственное бюджетное учреждение науки, Институт Ядерной Физики им. Г.И. Будкера Сибирского отделения (ИЯФ СО РАН). Дата публикации: 2019-10-11.

Solid metal hydroxide solution and solid metal oxide solution with high aspect ratios and methods for preparation thereof

Номер патента: RU2147556C1. Автор: Шигео Мията,Рюиши Ишибаши,Ацуя Кавасе,Ясунори Китано. Владелец: Татехо Кемикал Индастриз Ко., Лтд.. Дата публикации: 2000-04-20.

High aspect ratio solid particulate filtering apparatus

Номер патента: CA1186637A. Автор: Max R. Montierth. Владелец: Corning Glass Works. Дата публикации: 1985-05-07.

Multilayer structure formed by layers of nanoparticles having one-dimensional photonic crystal properties, method of making and using said structure

Номер патента: RU2454688C2. Автор: ПЕРЕС Сильвия КОЛОДРЕРО,ХУРАДО Мануэль ОКАНЬЯ,ГАРСИЯ Эрнан Руй МИГЕС. Владелец: Консехо Супериор Де Инвестигасионес Сьентификас. Дата публикации: 2012-06-27.

High-precision and high-efficiency injection mold for high-aspect-ratio double-layer cylindrical plastic part and molding method using the same

Номер патента: US20230173723A1. Автор: Kai Wen,Yaqing Liu,Guizhe Zhao,Ruikui DU. Владелец: Shanxi Zhongbei New Material Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-06-08.

Headlamp assembly with multiple high aspect ratio lenses

Номер патента: US09587794B2. Автор: Li Yan,Stephen Kenneth Helwig,Ketan K. Desai,David A. Brown,Sleiman N. Abdelnour. Владелец: FORD GLOBAL TECHNOLOGIES LLC. Дата публикации: 2017-03-07.

Self-reinforced silicon nitride ceramic of high fracture toughness and a method of preparing the same

Номер патента: US5118645A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Harold E. Rossow,Douglas B. Schwarz,Donald R. Beaman,Barbara M. Pyzik,William J. Dubensky. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1992-06-02.

Method of heavy metals deposits ore dressing

Номер патента: RU2245740C1. Автор: Б.П. Деркачев. Владелец: Деркачев Борис Павлович. Дата публикации: 2005-02-10.

High aspect ratio vacuum air sampling assembly

Номер патента: US20230194393A1. Автор: Thomas E. Kane,Michael A. Goss,Jason S. HERRINGTON. Владелец: RESTEK CORPORATION. Дата публикации: 2023-06-22.

Masking high-aspect ratio structures

Номер патента: WO2008150930A2. Автор: Florian Solzbacher,Sandeep Negi,Rajmohan Bhandari,Richard Normann. Владелец: UNIVERSITY OF UTAH RESEARCH FOUNDATION. Дата публикации: 2008-12-11.

Optical metasurfaces with high aspect ratio unit cells for large deflection angles

Номер патента: EP4302140A1. Автор: Alexander Yutong Zhu,Cameron Robert Nelson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-01-10.

Scanning probe microscopy system for mapping high aspect ratio nanostructures on a surface of a sample

Номер патента: US20180210008A1. Автор: William Edward CROWCOMBE,Stefan Kuiper. Владелец: Nederlandse Organisatie voor Toegepast Natuurwetenschappelijk Onderzoek TNO. Дата публикации: 2018-07-26.

High aspect ratio devices and methods for vitrification of biological samples by rapid cooling

Номер патента: US20230365914A1. Автор: Mehmet Toner,Saul Tzipori,Derin Sevenler,Rebecca SANDLIN,Giovanni Widmer,Justyna JASKIEWICZ. Владелец: General Hospital Corp. Дата публикации: 2023-11-16.

Process for fabricating high-precision objects by high-resolution lithography and dry deposition and objects thus obtained

Номер патента: US09796581B2. Автор: Roger Valle,Pierre Josso,Stephan Megtert,Stephane Landais,Faycal Bouamrane,Thomas Bouvet,Olivier Dessornes. Владелец: Office National dEtudes et de Recherches Aerospatiales ONERA. Дата публикации: 2017-10-24.

Vacuum insulated glass (VIG) unit including nano-composite pillars, and/or methods of making the same

Номер патента: US09670713B2. Автор: Vijayen S. Veerasamy. Владелец: Guardian Industries Corp. Дата публикации: 2017-06-06.

Installation element and structure of a building wall

Номер патента: RU2763940C2. Автор: Рёхэй ТАЦУКИ. Владелец: НИТИХА КОРПОРЕЙШН. Дата публикации: 2022-01-11.

Self-reinforced silicon nitride ceramic body and a method of preparing the same

Номер патента: CA2049204A1. Автор: Aleksander J. Pyzik,Barbara M. Pyzik. Владелец: Barbara M. Pyzik. Дата публикации: 1992-02-16.

High aspect ratio metal microstructures and method for preparing the same

Номер патента: US5814414A. Автор: Jeffrey M. Calvert,Martin C. Peckerar,Jacque H. Georger, Jr.,James J. Hickman,Milton L. Rebbert. Владелец: Geo Centers Inc. Дата публикации: 1998-09-29.

High aspect-ratio X-ray diffractive structure stabilization methods and systems

Номер патента: US7864426B2. Автор: Yan Feng,Alan Francis Lyon,Wenbing Yun. Владелец: Xradia Inc. Дата публикации: 2011-01-04.

Self-reinforced silicon nitride ceramic body and a method of preparing the same

Номер патента: US5091347A. Автор: Aleksander J. Pyzik,Barbara M. Pyzik. Владелец: Dow Chemical Co. Дата публикации: 1992-02-25.

Finite flow pattern word representation device, word representation method, and program, structure shape learning method, and structure designing method

Номер патента: EP4006918A1. Автор: Takashi SAKAJO,Tomoo YOKOYAMA. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2022-06-01.

Optical metasurfaces with high aspect ratio unit cells for large deflection angles

Номер патента: US20240151876A1. Автор: Alexander Yutong Zhu,Cameron Robert Nelson. Владелец: Corning Inc. Дата публикации: 2024-05-09.

Method and device for generating airy light needle with long depth of focus and high aspect ratio

Номер патента: US20240201484A1. Автор: Ligang Wang,Lai Chen. Владелец: Zhejiang University ZJU. Дата публикации: 2024-06-20.

Method of forming 3D micro structures with high aspect ratios

Номер патента: US20080233522A1. Автор: Wen-Cheng Yang,Chien-Chung Fu,Heng-Chi Huang. Владелец: National Tsing Hua University NTHU. Дата публикации: 2008-09-25.

Inside out molding of high aspect ratio containers

Номер патента: WO1993016859A1. Автор: Paul J. Gelardi. Владелец: Gelardi Paul J. Дата публикации: 1993-09-02.

Atomic force microscope for profiling high aspect ratio samples

Номер патента: WO2000020823A3. Автор: Kamal Youcef-Toumi,Bernardo D Aumond. Владелец: Massachusetts Inst Technology. Дата публикации: 2000-09-21.

Multi-layer high-aspect ratio x-ray grating and method of manufacture

Номер патента: CA3228784A1. Автор: Karim S. Karim,Abdollah PIL-ALI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-02-23.

Multicathode pvd system for high aspect ratio barrier seed deposition

Номер патента: US20240247365A1. Автор: Harish V. PENMETHSA,Ming-Jui LI. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2024-07-25.

Transmission X-ray critical dimension (T-XCD) characterization of shift and tilt of stacks of high-aspect-ratio (HAR) structures

Номер патента: US11761913B2. Автор: Matthew Wormington,Paul Anthony Ryan,Adam Ginsburg,Mark James Vermeulen. Владелец: Bruker Technologies Ltd. Дата публикации: 2023-09-19.

High-aspect-ratio imprinted structure

Номер патента: US20150276988A1. Автор: Ronald Steven Cok. Владелец: Individual. Дата публикации: 2015-10-01.

System for directly measuring the depth of a high aspect ratio etched feature on a wafer

Номер патента: US20140110582A1. Автор: David L. Grant,David S. Marx. Владелец: Rudolph Technologies Inc. Дата публикации: 2014-04-24.

Atomic force microscope for profiling high aspect ratio samples

Номер патента: WO2000020823B1. Автор: Kamal Youcef-Toumi,Bernardo D Aumond. Владелец: Massachusetts Inst Technology. Дата публикации: 2000-11-02.

Multi-layer high-aspect ratio x-ray grating and method of manufacture

Номер патента: US20240353353A1. Автор: Karim S. Karim,Abdollah PIL-ALI. Владелец: Individual. Дата публикации: 2024-10-24.

Hydrodynamic separation using high aspect ratio channels

Номер патента: US09968869B2. Автор: Armin R. Völkel,John S. Paschkewitz,Kai Melde,Huangpin B. Hsieh. Владелец: Palo Alto Research Center Inc. Дата публикации: 2018-05-15.

Method for aligning high aspect ratio materials and compositions therefrom

Номер патента: US09637612B2. Автор: Ehsan Moaseri,Morteza Maghrebi,Majid Baniadam. Владелец: Ferdowsi University of Mashhad. Дата публикации: 2017-05-02.

System for directly measuring the depth of a high aspect ratio etched feature on a wafer

Номер патента: US09587932B2. Автор: David L. Grant,David S. Marx. Владелец: Rudolph Technologies Inc. Дата публикации: 2017-03-07.

High-aspect-ratio imprinted structure

Номер патента: US09519080B2. Автор: Ronald Steven Cok. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 2016-12-13.

Process for the preparation of high aspect ratio silver bromoiodide emulsions

Номер патента: CA1175701A. Автор: Richard L. Daubendiek,Ronald W. Strong. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-10-09.

Sensitized high aspect ratio silver halide emulsions and photographic elements

Номер патента: CA1175695A. Автор: Cynthia G. Jones,James T. Kofron,Robert E. Booms,John A. Haefner,Herbert S. Wilgus, Iii,Francis J. Evans. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-10-09.

High aspect ratio cellulose nanofilaments and method for their production

Номер патента: CA2824191C. Автор: Lahoucine Ettaleb,Xujun Hua,Makhlouf Laleg,Gilles Dorris,Keith Miles,Reza AMIRI. Владелец: FPINNOVATIONS. Дата публикации: 2015-12-08.

Optical fingerprint sensor with high aspect-ratio metal aperture structures

Номер патента: US20230306778A1. Автор: Shih-Hsin Hsu,Jau-Jan Deng. Владелец: Omnivision Technologies Inc. Дата публикации: 2023-09-28.

Nanotubes based on titanium dioxide with a high aspect ratio and a method of their preparation

Номер патента: WO2011137878A3. Автор: Zdenek Krulis,Miroslav Slouf,Daniela Kralova. Владелец: Institute Of Macromolecular Chemistry As Cr, V. V. I.. Дата публикации: 2012-01-12.

Fluidic die with high aspect ratio power bond pads

Номер патента: US11951739B2. Автор: Gary G. Lutnesky,James R. Przybyla,Rogelio Cicili,Eric Thomas Martin. Владелец: Hewlett Packard Development Co LP. Дата публикации: 2024-04-09.

Method for producing a metal component having a section with a high aspect ratio

Номер патента: US20220402028A1. Автор: Moritz STOLPE. Владелец: Heraeus Amloy Technologies GmbH. Дата публикации: 2022-12-22.

High aspect ratio microstructures and method for fabricating high aspect ratio microstructures from powder composites

Номер патента: WO2007095241A9. Автор: Guohua Yang,Olga Makarova,Platte Amstutz. Владелец: Platte Amstutz. Дата публикации: 2007-10-11.

Dual twist structure, object ejecting device including the same, and structure for sealing the same

Номер патента: US11752797B2. Автор: Youb KIM. Владелец: Individual. Дата публикации: 2023-09-12.

Comb structure for a disk drive suspension piezoelectric microactuator operating in the D33 mode, and method of manufacturing the same

Номер патента: US09431041B1. Автор: Kuen Chee Ee,Peter Hahn,Christopher Schreiber,Christopher Dunn. Владелец: Magnecomp Corp. Дата публикации: 2016-08-30.

Method for producing thin graphite flakes with large aspect ratios

Номер патента: US5186919A. Автор: L. Roy Bunnell. Владелец: Battelle Memorial Institute Inc. Дата публикации: 1993-02-16.

Kochetov stand for testing destructive elements of buildings and structures

Номер патента: RU2585794C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов. Владелец: Олег Савельевич Кочетов. Дата публикации: 2016-06-10.

High-aspect-ratio magnesium hydroxide

Номер патента: CA2813682C. Автор: Shigeo Miyata,Hitoshi Manabe,Daisuke Kudo. Владелец: Sea Water Chemical Institute Inc. Дата публикации: 2017-12-12.

Silver bromide emulsions with tabular grains of high aspect ratio

Номер патента: CA1175699A. Автор: Andre G.E. Mignot. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-10-09.

Biocompatible high aspect-ratio porous membrane

Номер патента: US11786869B2. Автор: Douglas Albagli,William A HENNESSY. Владелец: Global Life Sciences Solutions USA LLC. Дата публикации: 2023-10-17.

Biocompatible high aspect-ratio porous membrane

Номер патента: US20230415100A1. Автор: William A. Hennessy,Douglas Albagli. Владелец: Global Life Sciences Solutions USA LLC. Дата публикации: 2023-12-28.

Biocompatible high aspect-ratio porous membrane

Номер патента: EP4132690A1. Автор: Douglas Albagli,William A HENNESSY. Владелец: Global Life Sciences Solutions USA LLC. Дата публикации: 2023-02-15.

Biocompatible high aspect-ratio porous membrane

Номер патента: WO2021204715A1. Автор: Douglas Albagli,William A HENNESSY. Владелец: Cytiva Sweden AB. Дата публикации: 2021-10-14.

Laser devices and methods for laser metal deposition

Номер патента: US20240139878A1. Автор: Lukas Hoppe. Владелец: Directedmetal 3d Sl. Дата публикации: 2024-05-02.

Compound, polymer compound of the same, composition using the polymer compound, recording material, image forming method, and image forming apparatus

Номер патента: WO2005042594A1. Автор: Koichi Sato,Keiichiro Tsubaki,Masayuki Ikegami,Ikuo Nakazawa,Sakae Suda,Keiko Yamagishi,Ryuji Higashi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2005-05-12.

Laser devices and methods for laser metal deposition

Номер патента: WO2024089171A1. Автор: Lukas KENO HOPPE. Владелец: Directedmetal 3D S.L.. Дата публикации: 2024-05-02.

Aligned and stacked high-aspect ratio metallized structures

Номер патента: US12055737B2. Автор: Bruno Kristiaan Bernard De Man,Uwe Wiedmann,Shubhodeep Goswami,Charles Alexander Szymanski. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2024-08-06.

Dry cellulose fibers and the process of making the same

Номер патента: RU2628382C2. Автор: Жилль Марсель ДОРРИС,Юйся БЭНЬ,Томас-Цюсюн ХУ,Патрик НО. Владелец: ЭфПиИННОВЕЙШНЗ. Дата публикации: 2017-08-16.

Photographic image transfer film unit including tabular silver halide grains with high aspect ratio

Номер патента: CA1174885A. Автор: Cynthia G. Jones,Cliff O. Hill. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-09-25.

Production of micromoldings having a high aspect ratio

Номер патента: US5298367A. Автор: Gerhard Hoffmann,Peter Hoessel,Juergen Langen,Thomas Wuensch. Владелец: BASF SE. Дата публикации: 1994-03-29.

Fabrication methods for high aspect ratio microneedles and tools

Номер патента: WO2023225540A2. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Fabrication of multilayer semiconductor devices with high aspect ratio microneedles

Номер патента: WO2023225550A3. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Lauren M. Otto,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2024-04-11.

High Efficiency Swim Fin using Multiple High Aspect Ratio Hydrodynamic Vanes with Pliable Hinges and Rotation Limiters

Номер патента: US20120115377A1. Автор: David Woods. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-05-10.

Fabrication of multilayer semiconductor devices with high aspect ratio microneedles

Номер патента: WO2023225550A2. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Lauren M. Otto,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2023-11-23.

Fabrication methods for high aspect ratio microneedles and tools

Номер патента: WO2023225540A3. Автор: David A. Steele,Mark A. Webb,Marc S. CHOOLJIAN,Charles V. NGUYEN. Владелец: Mekonos Inc.. Дата публикации: 2024-03-28.

Array substrate, method of manufacturing the same, and liquid crystal display panel

Номер патента: US09897865B2. Автор: Peng Jiang,Haipeng Yang,Ke Dai,Yong Jun Yoon,Zhangtao Wang,Bingbing Yan. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2018-02-20.

Cement compositions comprising high aspect ratio materials and methods of use in subterranean formations

Номер патента: US8123852B2. Автор: B. Raghava Reddy,James F. Heathman. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2012-02-28.

Cement compositions comprising high aspect ratio materials and methods of use in subterranean formations

Номер патента: CA2572399C. Автор: B. Raghava Reddy,Krishna M. Ravi,Gunnar Lende. Владелец: Halliburton Energy Services Inc. Дата публикации: 2009-09-15.

High aspect ratio light fixture and film for use therein

Номер патента: CA1316159C. Автор: Sanford Cobb, Jr.,John F. Dreyer, Jr.. Владелец: Minnesota Mining and Manufacturing Co. Дата публикации: 1993-04-13.

High aspect ratio layered double hydroxide materials and methods for preparation thereof

Номер патента: EP3429749A1. Автор: John Adrian Hall,Andrew Whiting,Hugh Christopher Greenwell,Manohara Gudiyor Veerabhadrappa,Gasan Selman Alabedi,Abdullah A. AL-SHAHRANI. Владелец: Saudi Arabian Oil Co. Дата публикации: 2019-01-23.

Masking process for fabricating ultra-high aspect ratio, wafer-free micro-opto-electromechanical structures

Номер патента: WO1996023667A1. Автор: Noel C. MacDonald,Ali Jazairy. Владелец: Cornell Research Foundation, Inc.. Дата публикации: 1996-08-08.

Processes for improving high aspect ratio cellulose filament blends

Номер патента: EP4335900A2. Автор: Tobias Ziegenbein. Владелец: Mercer International Inc. Дата публикации: 2024-03-13.

Diffraction grating for X-ray Talbot interferometer, method of manufacturing the same, and X-ray Talbot interferometer

Номер патента: EP2511912A3. Автор: Atsushi Nagata,Satoshi Nakayama,Takeshi Umemoto,Yoshiharu Shirakawabe,Yoshitomo Nakagawa,Mayu Watanabe. Владелец: Hitachi High Tech Science Corp. Дата публикации: 2013-11-06.

High modulus, toughened one-component epoxy structural adhesives with high aspect ratio fillers

Номер патента: US20240110085A1. Автор: Sergio Grunder,Andreas Lütz,Felix Koch. Владелец: DDP Specialty Electronic Materials US LLC. Дата публикации: 2024-04-04.

Processes for improving high aspect ratio cellulose filament blends

Номер патента: US20190316293A1. Автор: Tobias Ziegenbein. Владелец: Mercer International Inc. Дата публикации: 2019-10-17.

Interfacial Convective Assembly for High Aspect Ratio Structures Without Surface Treatment

Номер патента: US20190389720A1. Автор: Nam-Goo Cha,Taehoon Kim,Ahmed Busnaina,Yolanda Ehegoyen. Владелец: Northeastern University Boston. Дата публикации: 2019-12-26.

Processes for improving high aspect ratio cellulose filament blends

Номер патента: EP4335900A3. Автор: Tobias Ziegenbein. Владелец: Mercer International Inc. Дата публикации: 2024-05-15.

Segmentation or cross sections of high aspect ratio structures

Номер патента: EP4327274A1. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Johannes Persch,Alexander Freytag,Dmitry Klochkov,Abhilash SRIKANTHA,Eno Töppe. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-02-28.

Segmentation or cross sections of high aspect ratio structures

Номер патента: US20240087134A1. Автор: Thomas Korb,Jens Timo NEUMANN,Johannes Persch,Alexander Freytag,Dmitry Klochkov,Abhilash SRIKANTHA,Eno Töppe. Владелец: CARL ZEISS SMT GMBH. Дата публикации: 2024-03-14.

Multi-layer high-aspect ratio x-ray grating and method of manufacture

Номер патента: WO2023019355A1. Автор: Karim S. Karim,Abdollah PIL-ALI. Владелец: Pil Ali Abdollah. Дата публикации: 2023-02-23.

Liquid-crystal apparatus, method for manufacturing the same, and electronic device

Номер патента: US20110194060A1. Автор: Hiroaki Jiroku. Владелец: Seiko Epson Corp. Дата публикации: 2011-08-11.

Floating structure for transport formed by a train arrangement of rotary bodies of revolution which reduces the drag of same during sailing

Номер патента: EP3885248A1. Автор: Carlos Eduardo Arcusin. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-09-29.

Adaptive optics system and control method of the same, testing apparatus and control method of the same, information processing apparatus and control method of the same, and computer-readable storage medium

Номер патента: US20150131052A1. Автор: Kenichi Saito,Kohei Takeno. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2015-05-14.

Metal-plastic composite and method for producing the same

Номер патента: US09999997B2. Автор: Wenhai Luo,Lihong Zhao,Shijin SU. Владелец: BYD Co Ltd. Дата публикации: 2018-06-19.

Touch panel and method for fabricating the same

Номер патента: US09965065B2. Автор: Zhen Liu,Tao Gao,Zhijun LV,Fangzhen Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2018-05-08.

Porous structure for forming anti-fingerprint coating, method of forming anti-fingerprint coating, substrate comprising the anti-finger-print coating formed by the method, and product comprising the substrate

Номер патента: US09556341B2. Автор: Young Jun Hong,Hyeon Choi,Eun Jeong Lee,Taek Ho Yang. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Adaptive optics system and control method of the same, testing apparatus and control method of the same, information processing apparatus and control method of the same, and computer-readable storage medium

Номер патента: US09498119B2. Автор: Kenichi Saito,Kohei Takeno. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2016-11-22.

Method of producing nickel-bearing nanorods with controlled aspect ratio

Номер патента: RU2724264C1. Автор: Дмитрий Львович Загорский,Илья Михайлович Долуденко,Дарья Борисовна Трушина,Иван Андреевич Бурмистров. Владелец: Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук". Дата публикации: 2020-06-22.

Fabrication of high aspect ratio tall free standing posts using carbon-nanotube (cnt) templated microfabrication

Номер патента: WO2017070397A1. Автор: Robert C. Davis,Richard Vanfleet,Guohai Chen. Владелец: BRIGHAM YOUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2017-04-27.

Plate-like alumina particle and a manufacturing method for the same

Номер патента: US11820901B2. Автор: Yuan Jian Jun,Hiroshi Kinoshita. Владелец: DIC Corp. Дата публикации: 2023-11-21.

Word representation device of finite type flow pattern, word representation method, program, learning method of structure shape, and structure designing method

Номер патента: US20220300539A1. Автор: Takashi SAKAJO,Tomoo YOKOYAMA. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2022-09-22.

Transport flooring panel and method of producing the same

Номер патента: FI20186031A1. Автор: Kasperi Sokka,Milla Hintikka,Jussi Ekman. Владелец: Metsaeliitto Osuuskunta. Дата публикации: 2020-05-31.

High aspect agricultural or off-road tire

Номер патента: EP1017574A1. Автор: Steven George Bishel,David Busse Weed,Andrew Caperton Shorter. Владелец: Goodyear Tire and Rubber Co. Дата публикации: 2000-07-12.

Compound for blocking absorption of heavy metals by plants and a composition containing the same

Номер патента: US11001560B2. Автор: Lezhang Chen,Junbo YANG. Владелец: Sichuan Hui Tai Agricultural Technology Co Ltd. Дата публикации: 2021-05-11.

Compound for blocking absorption of heavy metals by plants and a composition containing the same

Номер патента: US20200172490A1. Автор: Lezhang Chen,Junbo YANG. Владелец: Sichuan Hui Tai Agricultural Technology Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-04.

Method and system for predicting a mold filling process of a foam mixture

Номер патента: WO2024089109A1. Автор: Stefan Schmidt,Christian Mueller,Dennis Krause,Achim Wick,Sascha Froebel,Bartosz Stankiewicz,Ikenna IREKA,Luis MEDEIROS DE SOUZA. Владелец: Covestro Deutschland AG. Дата публикации: 2024-05-02.

Multi-domain liquid crystal display panel and method for preparing the same

Номер патента: US09678389B2. Автор: Xiaojuan Wu,Kaixuan Wang. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-06-13.

Polymer dye and method for preparing the same, photoresist composition and display device

Номер патента: US09581903B2. Автор: Wei Deng,Xiaoxiong TIAN,Zhuo Zhang. Владелец: BOE Technology Group Co Ltd. Дата публикации: 2017-02-28.

Transparent resin plate and a method for producing the same

Номер патента: US09533327B2. Автор: Sadao Maeda. Владелец: Renias Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Cutting structures and structures for retaining the same

Номер патента: US09482058B2. Автор: Michael A. Siracki. Владелец: Smith International Inc. Дата публикации: 2016-11-01.

Member with flow passage and method for manufacturing the same

Номер патента: US09453596B2. Автор: Satoshi Hirano,Yuichiro Yamauchi,Hidemitsu Hideshima. Владелец: NHK Spring Co Ltd. Дата публикации: 2016-09-27.

Double-jet precipitation process for preparation of tabular grains of silver chloride with high aspect ratio

Номер патента: CA1175691A. Автор: Jong-Shinn Wey. Владелец: Eastman Kodak Co. Дата публикации: 1984-10-09.

Aligned and stacked high-aspect ratio metallized structures

Номер патента: US20230375759A1. Автор: Bruno Kristiaan Bernard De Man,Uwe Wiedmann,Shubhodeep Goswami,Charles Alexander Szymanski. Владелец: GE Precision Healthcare LLC. Дата публикации: 2023-11-23.

Drug compositions and methods of preparing the same

Номер патента: WO2023215312A1. Автор: Shivkumar Chiruvolu,Fei Wang,Balaji Ganapathy,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Suneel Kumar Rastogi,Miaojun WANG,Shrikant SWAMINATHAN. Владелец: Applied Materials, Inc.. Дата публикации: 2023-11-09.

X-ray based metrology of a high aspect ratio hole

Номер патента: US20210156682A1. Автор: Benzion Sender. Владелец: Applied Materials Israel Ltd. Дата публикации: 2021-05-27.

Drug compositions and methods of preparing the same

Номер патента: US20230364023A1. Автор: Shivkumar Chiruvolu,Fei Wang,Balaji Ganapathy,Pravin K. Narwankar,Jonathan Frankel,Suneel Kumar Rastogi,Miaojun WANG,Shrikant SWAMINATHAN. Владелец: Applied Materials Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

High aspect ratio layered scrub

Номер патента: US20200046194A1. Автор: Timothy Paul Busby. Владелец: Bright Box Lab LLC. Дата публикации: 2020-02-13.

Electroplated Au for Conformal Coating of High Aspect Ratio Silicon Structures

Номер патента: US20190074100A1. Автор: Robert K. Grubbs,Adam M. Rowen,Jonathan Joseph Coleman. Владелец: National Technology and Engineering Solutions of Sandia LLC. Дата публикации: 2019-03-07.

Magnetic disc apparatus and manufacturing method of the same

Номер патента: US20050190490A1. Автор: Shigeki Yanagihara,Hitoshi Naruse. Владелец: Toshiba Corp. Дата публикации: 2005-09-01.

A space curved reticulated shell structure formed by stacking and combining rhombic dodecahedrons and a construction method thereof

Номер патента: US20240229445A1. Автор: YANG Zhao,ZHEN Wang,Zhi Ding,Haochuan Qu,Chongan PANG,Ruhao WANG. Владелец: Zhejiang University City College ZUCC. Дата публикации: 2024-07-11.

Integrated connector and heat exchanger including the same

Номер патента: US20240230251A9. Автор: Jung Hyun Cho,Hyunwoo Cho,Sung Hong Shin,Seung Hark Shin,Jong Du Lee,Woon Sik KIM,Dae Sung NOH,Min Won SEO,Uk HUH. Владелец: Hanon Systems Corp. Дата публикации: 2024-07-11.

Luminescent diamond and method of making the same

Номер патента: WO2023107602A3. Автор: Yahua Bao,J. Daniel Belnap. Владелец: Schlumberger Technology B.V.. Дата публикации: 2023-08-10.

Sliding part and method of manufacturing the same

Номер патента: US20090071290A1. Автор: Teruo Shimizu,Tsuneo Maruyama. Владелец: Individual. Дата публикации: 2009-03-19.

Prefabricated building panels and structures, building, methods and systems relating to same

Номер патента: CA2807390A1. Автор: Arthur George Paetkau,Jake Neufeld. Владелец: EAGLE MOUNTAIN HOMES Inc. Дата публикации: 2010-04-20.

Novel use of lipolytic enzyme for formation of anti-fingerprint coating, method of forming anti-fingerprint coating, substrate comprising the anti-fingerprint coating formed by the method, and product comprising the substrate

Номер патента: US20130302875A1. Автор: Young Jun Hong,Eun Jeong Lee. Владелец: LG Chem Ltd. Дата публикации: 2013-11-14.

Luminescent diamond and method of making the same

Номер патента: WO2023107602A2. Автор: Yahua Bao,J. Daniel Belnap. Владелец: Schlumberger Technology B.V.. Дата публикации: 2023-06-15.

Shearing die and method for manufacturing the same

Номер патента: US20110314991A1. Автор: Kenji Yamamoto,Junji Yoshida,Yasuhiro Hayashida. Владелец: Nippon Koshuha Steel Co Ltd. Дата публикации: 2011-12-29.

Silica crucible and method for fabricating the same

Номер патента: EP2616575A1. Автор: LU Wang,Laurent Molins,Paul Sargood,Leilei SUN. Владелец: Saint Gobain Research Shanghai Co Ltd. Дата публикации: 2013-07-24.

Method of manufacturing tantalum carbide coating layer using chemical vapor deposition and tantalum carbide manufactured using the same

Номер патента: US20190185995A1. Автор: Dong Wan Jo. Владелец: Tokai Carbon Korea Co Ltd. Дата публикации: 2019-06-20.

Liquid crystal aligning agent, film, device having the same, and method for producing the same

Номер патента: US10676672B2. Автор: Jieliang LI,Chikaaki MIZIKUCHI. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2020-06-09.

Liquid crystal aligning agent, film, device having the same, and method for producing the same

Номер патента: US20170327745A1. Автор: Jieliang LI,Chikaaki MIZIKUCHI. Владелец: Xiamen Tianma Microelectronics Co Ltd. Дата публикации: 2017-11-16.

High SAG Optical Lens and Method for Fast Molding the Same

Номер патента: US20110075264A1. Автор: San-Woei Shyu,Chih-Peng Wang,Huang-Chang Chen,Te-Cheng LIN. Владелец: E Pin Optical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2011-03-31.

Electrophotosensitive material and method of producing the same

Номер патента: US20010038960A1. Автор: Jun Azuma,Daisuke Kuboshima,Yukikatsu Imanaka,Maki Uchida,Mitsuo Ihara,Hiromi Nakatsu,Teruyo Taguchi. Владелец: Kyocera Mita Corp. Дата публикации: 2001-11-08.

Polyester-resin-coated seamless can and method for manufacturing the same

Номер патента: CA3183904A1. Автор: Seitaro Kanazawa,Wataru Kurokawa,Noriyoshi OBARA,Shiori Adachi,Shota UCHINO. Владелец: Toyo Seikan Co Ltd. Дата публикации: 2021-11-25.

Biodegradable carrier with adjustable zeta potentials and particle sizes, method for making the same, and pharmaceutical composition comprising the same

Номер патента: US20140193505A1. Автор: Yee-Shin Lin,Yu-Hung Chen. Владелец: National Cheng Kung University NCKU. Дата публикации: 2014-07-10.

Luminescent diamond and method of making the same

Номер патента: US20240326000A1. Автор: Yahua Bao,J. Daniel Belnap. Владелец: Schlumberger Technology Corp. Дата публикации: 2024-10-03.

Exoskeleton robot waist fixing device for rehabilitation therapists and method using the same

Номер патента: LU502628B1. Автор: Ming Zeng. Владелец: The Second Hospital Of Jiaxing The Second Affiliated Hospital Of Jiaxing Univ. Дата публикации: 2023-02-06.

Luminescent diamond and method of making the same

Номер патента: EP4444821A2. Автор: Yahua Bao,J. Daniel Belnap. Владелец: Services Petroliers Schlumberger SA. Дата публикации: 2024-10-16.

Method of manufacturing multi-layer thin film, member including the same and electronic product including the same

Номер патента: US09845535B2. Автор: Hyun Jun Jung,Jin Hyun Cho,Min Chul JUNG,Jin Sub Kim,Hyong Jun YOO. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2017-12-19.

Manufacturing method and structure of carbon fiber rims

Номер патента: US09770939B2. Автор: Wei-Chin Chen. Владелец: Alex Global Technology Inc. Дата публикации: 2017-09-26.

Titanium slab for hot rolling, and method of producing and method of rolling the same

Номер патента: US09719154B2. Автор: Kenichi Mori,Kazuhiro Takahashi,Takashi Oda,Hiroaki Otsuka,Hideki Fujii,Osamu Tada,Hisamune Tanaka,Yoshihiro Fujii,Yoshimasa Miyazaki,Tomonori Kunieda. Владелец: Nippon Steel and Sumitomo Metal Corp. Дата публикации: 2017-08-01.

Multi-arm polyethylene glycol derivatives, conjugates and gels of pharmaceuticals and the same

Номер патента: US09555123B2. Автор: Xuan Zhao,Meina Lin. Владелец: Tianjin Jenkem Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-31.

Filter-pressing device for electrodeposition of metals from solutions, consisting of separate elements formed by ion-exchange membranes, forming a plurality of anolyte and catholyte chambers, in which electrodes are connected in series with automatic separation of metal product

Номер патента: RU2725871C2. Автор: УРСУА Габриэль Анхель РИВЕРОС,КАБЕСАС Магдалена СИФУЭНТЕС. Владелец: Трансдукто С.А.. Дата публикации: 2020-07-07.

Method of locking the hatch of a well installed on aboveground and underground networks and structures

Номер патента: RU2743982C1. Автор: Дмитрий Анатольевич Мишин. Владелец: Дмитрий Анатольевич Мишин. Дата публикации: 2021-03-01.

Rigid foam and process for producing the same

Номер патента: CA2020052A1. Автор: Udo Wenning,Jan Brodsky. Владелец: Individual. Дата публикации: 1990-12-29.

Method for electrodeposition of metal and apparatus for performing the same

Номер патента: RU2241072C2. Автор: Дэвид БЭЙЛИ,Джон КАТМОР. Владелец: Коппер Рефайнериз Пти Лтд.. Дата публикации: 2004-11-27.

Hard metal deposits

Номер патента: GB1014383A. Автор: Jozef Kazimierz Tylko,Robert Arthur Cresswell. Владелец: British Oxigen Ltd. Дата публикации: 1965-12-22.

Manufacturing method of tire having sensor container and tire manufactured by the same

Номер патента: EP4124447A1. Автор: Byung Lip Kim,Kwang Yong Lee. Владелец: Hankook Tire and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-01.

Space- and Structurally-Efficient Recta-Cylinder Molded Liquid Storage Tanks

Номер патента: US20120055921A1. Автор: Brian Eric Lee,Richard Curtis BOURNE. Владелец: Individual. Дата публикации: 2012-03-08.

Optical leakage preventing apparatus and self-light-emitting indicating apparatus using the same.

Номер патента: MY122549A. Автор: Kunio Okamoto,Yoshiharu Matsusaka. Владелец: Sanyo Electric Co. Дата публикации: 2006-04-29.

Chain formed by link elements of identical shape

Номер патента: US5009630A. Автор: Masaaki Ikeda,Toshio Takahashi,Makoto Kanehira,Kouji Tanaka,Yasumasa Tsubakimoto,Takerou Nakagawa. Владелец: Tsubakimoto Chain Co. Дата публикации: 1991-04-23.

Manufacturing method of tire having sensor container and tire manufactured by the same

Номер патента: US20230036044A1. Автор: Byung Lip Kim,Kwang Yong Lee. Владелец: Hankook Tire and Technology Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-02.

Refrigerator evaporator and method of manufacturing the same as

Номер патента: US20010013408A1. Автор: Sang Lee,Tae Lee,Jang Lee,Se Oh. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2001-08-16.

Copper alloy, method of producing the same, and copper tube

Номер патента: US20100276039A1. Автор: Junqi Li,Guowei Liu,Honglin Guo,Daixing Liu,Jinhao Zhao,Zhenguo Feng. Владелец: Golden Dragon Precise Copper Tube Group Inc. Дата публикации: 2010-11-04.

Method of preparing basement membrane, method of constructing basement membrane specimen, reconstituted artificial tissue using the basement membrane specimen and process for producing the same

Номер патента: US7906332B2. Автор: Katsumi Mochitate. Владелец: JAPAN SCIENCE AND TECHNOLOGY AGENCY. Дата публикации: 2011-03-15.

Method of preparing basement membrane, method of constructing basement membrane specimen, reconstituted artificial tissue using the basement membrane specimen and process for producing the same

Номер патента: US20070065940A1. Автор: Katsumi Mochitate. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2007-03-22.

Stoppers and methods of translating the same through a tube

Номер патента: EP4247459A1. Автор: Robert C. BASHAM,Tyler N. Hinkle,David T. Morse. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2023-09-27.

Method for inputting chinese characters using mortise and tenon joint structures for chinese characters formed by building members

Номер патента: US20210209958A1. Автор: Xiaoming Gao,Anlan GAO. Владелец: Chongqing Hanzihui Educational Technology Institute Co Ltd. Дата публикации: 2021-07-08.

Method for inputting Chinese characters using mortise and tenon joint structures for Chinese characters formed by building members

Номер патента: US11521505B2. Автор: Xiaoming Gao,Anlan GAO. Владелец: Chongqing Hanzihui Educational Technology Institute Co Ltd. Дата публикации: 2022-12-06.

Chinese character structuring member, system of mortise and tenon joint structures of chinese characters formed by chinese character structuring member and method for inputting chinese characters

Номер патента: CA3055340C. Автор: Xiaoming Gao. Владелец: Chongqing Hanzihui Educational Technology Institute Co Ltd. Дата публикации: 2023-02-07.

Uniformity testing system and methodology for utilizing the same

Номер патента: WO2014186171A1. Автор: Lawrence J. Lawson,Barry A. Clark,Ramsey Richard Niazy,Donald G. Straitiff. Владелец: Android Industries LLC. Дата публикации: 2014-11-20.

Method of preparing basement membrane, method of constructing basement membrane specimen, reconstituted artificial tissue using the basement membrane specimen and process for producing the same

Номер патента: US20070065807A1. Автор: Katsumi Mochitate. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2007-03-22.

Enclosure and method of manufacturing the same

Номер патента: US20130243983A1. Автор: Koichi Kimura,Koji Omote. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2013-09-19.

Stoppers and methods of translating the same through a tube

Номер патента: AU2021382676A9. Автор: Robert C. BASHAM,Tyler N. Hinkle,David T. Morse. Владелец: WL Gore and Associates Inc. Дата публикации: 2024-09-05.

Compositions of allosteric hemoglobin modifiers and methods of making the same

Номер патента: EP1745012A2. Автор: Chris Murray,Jeffrey B. Etter,Douglas G. Johnson,Al Quick,Antonio M. Santos,Alexandre J. G. G. Carvalho. Владелец: Allos Therapeutics Inc. Дата публикации: 2007-01-24.

Ink-jet recording head and method of producing the same

Номер патента: US20030007036A1. Автор: Toshihiko Osada,Shuji Koike,Yoshiaki Sakamoto,Tomohisa Shingai,Seigen Otani. Владелец: Fujitsu Ltd. Дата публикации: 2003-01-09.

Hybrid seat structure and vehicle comprising the same

Номер патента: US20240278699A1. Автор: Curtis Steven COLLAR,Dhanendra Kumar Nagwanshi,Dinesh MUNJURULIMANA,Ersin KOYUNOGLU,Steve MCCLINTOCK. Владелец: SABIC Global Technologies BV. Дата публикации: 2024-08-22.

Method of forming photomasks and photomasks formed by the same

Номер патента: US20130122404A1. Автор: Sang Hyun Kim,Donggun Lee,Jongju Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2013-05-16.

Multiwall polymer sheet comprising liquid, and methods for making and articles using the same

Номер патента: EP2207940A1. Автор: Michel Van Acht,Chris Maas,Fred Bartelen,Jos Dekkers. Владелец: SABIC INNOVATIVE PLASTICS IP BV. Дата публикации: 2010-07-21.

Heat exchanger and method for manufacturing the same

Номер патента: US20240328716A1. Автор: Tsuneo Endo,Yuta Kurosawa. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-03.

Yarn for cell culture scaffold, ply yarn comprising same and fabric comprising the same

Номер патента: US12129489B2. Автор: Chan Kim,In Yong Seo,Song Hee Koo,Seon Ho Jang,Seoung Hoon Lee. Владелец: Amogreentech Co Ltd. Дата публикации: 2024-10-29.

Nanostructure and method of manufacturing the same

Номер патента: US09975291B2. Автор: Sohmei Endoh. Владелец: Dexerials Corp. Дата публикации: 2018-05-22.

Damping component and structure including the same

Номер патента: US09863496B2. Автор: Shinji Yamamoto,Katsunori Yokoyama,Kazumasa Shibata,Kazuaki Takahata,Rie Endo,Hiroki Kasama. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2018-01-09.

Liquid crystalline polymer film with diffractive optical noise removed and method of manufacturing the same

Номер патента: US09846266B2. Автор: Hak-Rin KIM. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of KNU. Дата публикации: 2017-12-19.

Reveal substrate and methods of using the same

Номер патента: US09757968B1. Автор: John V. Guzzo,Daniel F. Peters,Ricky L. Helton. Владелец: Virtual Graphics LLC. Дата публикации: 2017-09-12.

Cantilever sensor with slit and biosensor having the same

Номер патента: US09753027B2. Автор: Won Woo Cho,Tae Song Kim,Myung Sic Chae,Rhokyun KWAK,Kyoseon HWANG. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-09-05.

Display device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09665194B2. Автор: Ryoichi Ito,Toshihiro Sato. Владелец: Japan Display Inc. Дата публикации: 2017-05-30.

Valve, self-inflating bladder assembly, cushion assembly and method for operating the same

Номер патента: US09510689B2. Автор: Cecil Kearse,Timothy J. Essenmacher,Jeffrey R. Colf, JR.,Rafal J. Ignatowicz. Владелец: Arden Companies LLC. Дата публикации: 2016-12-06.

Arrangement of area wire for unmanned autonomous operating vehicle and control apparatus of the same

Номер патента: US09483053B2. Автор: Makoto Yamamura,Toshiaki Kawakami,Nobuyuki Habuka. Владелец: Honda Motor Co Ltd. Дата публикации: 2016-11-01.

Multilayer tape for creping and structuring in the process of production of cellulose-based product

Номер патента: RU2690889C2. Автор: Йонас КАРЛССОН,Дана ИГЛС,Роберт ХАНСЕН,Мэниш ДЖЕЙН,Друв АГАРВАЛ. Владелец: Олбэни Интернешнл Корп.. Дата публикации: 2019-06-06.

Universal kit for building low-rise buildings and structures

Номер патента: RU2605654C2. Автор: Геннадий Бернардович Вержбовский,Алексей Григорьевич Жданов. Владелец: федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Донской государственный технический университет" (ДГТУ). Дата публикации: 2016-12-27.

Synthesized hybrid rock composition, method, and article formed by the method

Номер патента: CA2611749C. Автор: Ross Guenther,Robert D. Villwock,Carl E. Frahme,James L. Wood,Ian I. Chang. Владелец: Ceramext LLC. Дата публикации: 2014-07-22.

Hydrogen absorbing alloy and process for preparing the same

Номер патента: CA2267090C. Автор: Etsuo Akiba,Hideki Iba. Владелец: Agency of Industrial Science and Technology. Дата публикации: 2002-12-10.

Magnesium hydroxide particles, method of the production thereof, and resin composition containing the same

Номер патента: CA2320133C. Автор: Makoto Yoshii,Wataru Hiraishi,Taro Ando,Shunji Oishi. Владелец: Kyowa Chemical Industry Co Ltd. Дата публикации: 2007-05-22.

Actinic ray-sensitive or radiation-sensitive composition, actinic ray-sensitive or radiation-sensitive film using the same, pattern forming method, manufacturing method of electronic device, electronic device and resin

Номер патента: WO2013081184A1. Автор: Shuji Hirano,Hideaki Tsubaki,Hiroo Takizawa,Natsumi YOKOKAWA. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2013-06-06.

Security element, security arrangement, method for its production and authentication method using the same

Номер патента: EP3390067A1. Автор: Jean-Luc Dorier,Benito Carnero. Владелец: SICPA HOLDING SA. Дата публикации: 2018-10-24.

Stent delivery system and method of manufacturing the same

Номер патента: US20170304096A1. Автор: Teruo Aoki. Владелец: Terumo Corp. Дата публикации: 2017-10-26.

Glass optical element and method for producing the same

Номер патента: US7158309B2. Автор: Kei Yamada. Владелец: Nippon Sheet Glass Co Ltd. Дата публикации: 2007-01-02.

Process and structure for repairing defect of liquid crystal display

Номер патента: US20060164592A1. Автор: Chih-Wei Wang,George Hsu,Hong-Jye Hong. Владелец: Hannstar Display Corp. Дата публикации: 2006-07-27.

Mold, Method Of Manufacturing The Same, Injection Molding Device, And Injection Molding Method

Номер патента: US20080031996A1. Автор: Tsuneo Mamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2008-02-07.

Optical, optoelectronic, and optoelectromechanical systems and method for using the same

Номер патента: AU2023237088A1. Автор: Chih-Chiang Chang,Richard Pfisterer,Haiyong ZHANG,Bhaskar Banerjee,John Jameson. Владелец: Omniscient Imaging Inc. Дата публикации: 2023-10-19.

Optical, optoelectronic, and optoelectromechanical systems and method for using the same

Номер патента: AU2023237088B2. Автор: Chih-Chiang Chang,Richard Pfisterer,Haiyong ZHANG,Bhaskar Banerjee,John Jameson. Владелец: Omniscient Imaging Inc. Дата публикации: 2023-11-16.

Novel asymmetrical bicipital lipid and tubular aggregate formed by using the same

Номер патента: US20040120998A1. Автор: Mitsutoshi Masuda,Toshimi Shimizu. Владелец: National Institute of Advanced Industrial Science and Technology AIST. Дата публикации: 2004-06-24.

Color tone variable film, method of manufacturing the same, and electrochromic element obtained by the manufacturing method

Номер патента: US8351105B2. Автор: Yoshio Inagaki,Shinichi Morishima. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2013-01-08.

Structure forming method, structure forming apparatus, structure forming program and structure forming processing medium

Номер патента: US20200262217A1. Автор: Fusao Nishiura. Владелец: Casio Computer Co Ltd. Дата публикации: 2020-08-20.

Telescope, and electronic eyepiece and eyepiece adapter for the same

Номер патента: US20240118532A1. Автор: Hongyun Qiu. Владелец: Light Speed Vision Beijing Co ltd. Дата публикации: 2024-04-11.

Apparatus and method for measuring a capacitance, and a fingerprint sensor utilizing the same

Номер патента: US20200184175A1. Автор: Thomas Suwald,Milind Phadtare,Dillip Kumar Routray. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2020-06-11.

Glass optical element and method for producing the same

Номер патента: US20060077561A1. Автор: Kei Yamada. Владелец: Individual. Дата публикации: 2006-04-13.

Attenuator for air-conditioning duct and method of manufacturing the same

Номер патента: EP4109008A1. Автор: Jyrki HÄMÄLÄINEN. Владелец: JEVEN OY. Дата публикации: 2022-12-28.

Operation table cover and method of making the same

Номер патента: US4770911A. Автор: Karl H. Sengewald. Владелец: Individual. Дата публикации: 1988-09-13.

Method of preparing basement membrane, method of constructing basement membrane specimen, reconstituted artificial tissue using the basement membrane specimen and process for producing the same

Номер патента: US8765473B2. Автор: Katsumi Mochitate. Владелец: National Institute for Environmental Studies. Дата публикации: 2014-07-01.

Slipsheet, Divider Sheet and Method for Making the Same

Номер патента: US20140144106A1. Автор: John Bazbaz. Владелец: Fresh Pak LLC. Дата публикации: 2014-05-29.

Sheet finisher, image forming apparatus using the same, and sheet finishing method

Номер патента: US7850156B2. Автор: Takahiro Kawaguchi,Hiroyuki Taguchi,Katsuhiko Tsuchiya,Ken Iguchi,Katsuya Sasahara. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2010-12-14.

Nozzle, manufacturing method of the same, and washer nozzle

Номер патента: US20150197218A1. Автор: Hiroshi Yokoyama,Atsushi Otani,Takao Umezawa. Владелец: Mitsuba Corp. Дата публикации: 2015-07-16.

Reflection type liquid crystal display and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20050018112A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Kee-han Uh,Yong-kyu Jang,Bang-Sil Choi. Владелец: Individual. Дата публикации: 2005-01-27.

Top burner and cooker comprising the same

Номер патента: EP2232149A2. Автор: Young-soo Kim,Yang-Ho Kim,Jung-Wan Ryu,Dae-Bong Yang,Yong-Ki Jeong,Dae-Rae Lee,Jae-Bum Lim,Jae-Hyuk Wie. Владелец: LG ELECTRONICS INC. Дата публикации: 2010-09-29.

Vacuum packaged micromirror arrays and methods of manufacturing the same

Номер патента: WO2005045504A1. Автор: Fusao Ishii. Владелец: Fusao Ishii. Дата публикации: 2005-05-19.

Composite particle material for selective laser sintering, preparation method thereof, and three-dimensional printing method for high-density green body by using the same

Номер патента: US20240207928A1. Автор: Jeng-Ywan Jeng,Shu-Cheng Liu,fu-lin Chen,Yu-Deh Chao. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2024-06-27.

Siren for alarm and method of making the same

Номер патента: US3991703A. Автор: James H. Faust,Walter M. Busse. Владелец: Abc Auto Alarms Inc. Дата публикации: 1976-11-16.

Structural fuses configured to yield in tension and compression and structures including the same

Номер патента: CA3183281A1. Автор: Paul Williams RICHARDS. Владелец: Durafuse Frames LLC. Дата публикации: 2023-06-08.

Color tone variable film, method of manufacturing the same, and electrochromic element obtained by the manufacturing method

Номер патента: US20110242637A1. Автор: Yoshio Inagaki,Shinichi Morishima. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2011-10-06.

Lens unit and method for manufacturing the same

Номер патента: US20140204476A1. Автор: Yoshiyuki Takase,Motokazu Shimizu. Владелец: Fujifilm Corp. Дата публикации: 2014-07-24.

Test system for detecting faults in multiple devices of the same type

Номер патента: US20240219453A1. Автор: Jan-Peter Schat,Paul Wielage. Владелец: NXP BV. Дата публикации: 2024-07-04.

Sheet processing device and image forming device provided with the same

Номер патента: US20180039217A1. Автор: Takashi Saito,Isao Kondo,Hisashi Osada. Владелец: Canon Finetech Nisca Inc. Дата публикации: 2018-02-08.

Touch panel, method for manufacturing the same and display device

Номер патента: US10248237B2. Автор: Ming Hu,Hongqiang LUO,Zouming Xu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2019-04-02.

Touch panel, method for manufacturing the same and display device

Номер патента: US20170083138A1. Автор: Ming Hu,Hongqiang LUO,Zouming Xu. Владелец: Hefei Xinsheng Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-03-23.

Friction clutch and vehicle equipped with the same

Номер патента: US20100089681A1. Автор: Yousuke Ishida,Toshinori Inomori. Владелец: Yamaha Motor Co Ltd. Дата публикации: 2010-04-15.

Nonmetallic cutter, a carton having the same cutter attached thereto, a method of and an apparatus for manufacturing the same cutter and attaching the same cutter to the carton

Номер патента: US20020166636A1. Автор: Masataka Okushita,Hiroshi Miyama. Владелец: DAI NIPPON PRINTING CO LTD. Дата публикации: 2002-11-14.

Method of preparing basement membrane, method of constructing basement membrane specimen, reconstituted artificial tissue using the basement membrane specimen and process for producing the same

Номер патента: US20070122796A1. Автор: Katsumi Mochitate. Владелец: National Institute of Japan Science and Technology Agency. Дата публикации: 2007-05-31.

Aluminium alloy material and method of manufacturing the same

Номер патента: US11781201B2. Автор: Sangjun Lee,Kwangmin CHOI,DongHyun BAE,Jonggyu JEON. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-10-10.

Capacitance type displacement detection apparatus and method of manufacturing the same

Номер патента: US20010009373A1. Автор: Kenichi Nakayama,Satoshi Adachi. Владелец: Mitutoyo Corp. Дата публикации: 2001-07-26.

Micromirror unit fabrication method and micromirror unit made by the same

Номер патента: US20040141894A1. Автор: Satoshi Ueda,Fumio Yamagishi,Ippei Sawaki,Yoshihiro Mizuno,Osamu Tsuboi,Norinao Kouma,Hisao Okuda. Владелец: Fujitsu Media Devices Ltd. Дата публикации: 2004-07-22.

Information Display Panel and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20080212164A1. Автор: Ryo Sakurai. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2008-09-04.

Process for producing thermoplastic resin composition, and thermoplastic resin composition produced by the same

Номер патента: US20090131596A1. Автор: Isao Hagiwara,Shunichiro Nishida,Kenichiro Iuchi,Daishi Saiki,Tomomi Tsutsumi. Владелец: Canon Inc. Дата публикации: 2009-05-21.

Leader block, reel hub, and reel using the same

Номер патента: US20100032512A1. Автор: Hiroyuki Shimanuki. Владелец: NEC Embedded Products Ltd. Дата публикации: 2010-02-11.

Porous nanoparticle-based radiative cooling material and radiative cooling device using the same

Номер патента: US20240182771A1. Автор: Sun Kyung Kim,Su Jin Park,Seok Beom SEO,Sun Ho JEONG. Владелец: Industry Academic Cooperation Foundation of Kyung Hee University. Дата публикации: 2024-06-06.

Leader block, reel hub, and reel using the same

Номер патента: US8262012B2. Автор: Hiroyuki Shimanuki. Владелец: NECEmbeddedProducts Ltd. Дата публикации: 2012-09-11.

Aluminium alloy material and method of manufacturing the same

Номер патента: US20230227946A1. Автор: Sangjun Lee,Kwangmin CHOI,DongHyun BAE,Jonggyu JEON. Владелец: University Industry Foundation UIF of Yonsei University. Дата публикации: 2023-07-20.

Fringe information measuring apparatus and substrate treating system including the same

Номер патента: US12097696B2. Автор: Han Lim KANG,Won Yong JIN,Jae Duck Lee,Suk Won Jang. Владелец: Semes Co Ltd. Дата публикации: 2024-09-24.

Method of producing electrophotosensitive material and electrophotosensitive material produced by the method

Номер патента: EP1146396A3. Автор: Jun Azuma,Daisuke Kuboshima,Yukikatsu Imanaka,Maki Uchida,Mitsuo Ihara,Hiromi Nakatsu,Teruyo Taguchi. Владелец: Kyocera Mita Corp. Дата публикации: 2002-05-08.

Layered nonwoven textile and method of forming the same

Номер патента: US12070932B2. Автор: Michael Kauschke,Zdeněk Mečl,Pavlína Kašpárková. Владелец: Pfn Gic AS. Дата публикации: 2024-08-27.

Method for processing input and electronic device for supporting the same

Номер патента: US09965120B2. Автор: Sungchul Park. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2018-05-08.

Camouflage clothing woven using dyed threads and jacquard weaving machine and method of weaving the same

Номер патента: US09920464B2. Автор: Jae Hyuk MOON. Владелец: Dong-A Tol Co Ltd. Дата публикации: 2018-03-20.

Slipsheet, divider sheet and method for making the same

Номер патента: US09919490B2. Автор: John Bazbaz. Владелец: Fresh Pak LLC. Дата публикации: 2018-03-20.

Method of fabricating film of substrate and film, backlight unit and liquid crystal display using the same

Номер патента: US09857502B2. Автор: Myoung Soo Ahn,Myung Jun Kim,Yun Gu Kang. Владелец: LG Innotek Co Ltd. Дата публикации: 2018-01-02.

Fluid retainer cartridge assembly and method for utilizing the same

Номер патента: US09833783B1. Автор: Damon Borich,Frank Eric Klein,Andrew John Wheeler,Andrew John Denhartigh,William Hoerner,Andrea GRBAVAC,Alejandro SILVEYRA,Zwckxally Obregon,Karen Borich. Владелец: Neogen Corp. Дата публикации: 2017-12-05.

Method for fabricating nanoantenna array, nanoantenna array chip and structure for lithography

Номер патента: US09726788B2. Автор: Inho Kim,Taek Sung Lee,Won Mok Kim,Doo Seok Jeong,Kyeong Seok Lee,Wook Seong LEE. Владелец: Korea Advanced Institute of Science and Technology KAIST. Дата публикации: 2017-08-08.

Model dolls and methods for making the same

Номер патента: US09713564B2. Автор: Antonio Hernandez. Владелец: WSM INVESTMENT LLC. Дата публикации: 2017-07-25.

Composite particle material for selective laser sintering, preparation method thereof, and three-dimensional printing method for high-density green body by using the same

Номер патента: US12103072B2. Автор: Jeng-Ywan Jeng,Shu-Cheng Liu,fu-lin Chen,Yu-Deh Chao. Владелец: National Taiwan University of Science and Technology NTUST. Дата публикации: 2024-10-01.

Diagnostic device with integrated photodetector, and diagnostic system including the same

Номер патента: US09658158B2. Автор: Piero Giorgio Fallica,Lucio RENNA,Clelia Carmen GALATI,Natalia Maria Rita SPINELLA. Владелец: STMICROELECTRONICS SRL. Дата публикации: 2017-05-23.

Functionalized metal-containing particles and methods of making the same

Номер патента: US09593257B2. Автор: Antonio De Vera. Владелец: Momentive Performance Materials Inc. Дата публикации: 2017-03-14.

Substrates comprising at least one blocking member wherein an inside of the at least one blocking member is hollow and under negative pressure and liquid crystal panel comprising the same

Номер патента: US09535292B2. Автор: Qian Zhang,Ying Liu,Dongsheng Huang,Tingze Dong,Bingyu Chen. Владелец: Beijing BOE Optoelectronics Technology Co Ltd. Дата публикации: 2017-01-03.

Molten salt bath, deposit, and method of producing metal deposit

Номер патента: US09512530B2. Автор: Shinji Inazawa,Kazunori Okada,Koji Nitta,Toshiyuki Nohira. Владелец: Kyoto University NUC. Дата публикации: 2016-12-06.

Methods of forming sensor integrated packages and structures formed thereby

Номер патента: US09505607B2. Автор: Zheng Zhou,Feras Eid,Javier Soto Gonzalez,Sasha N. OSTER,Islam A. Salama,Kyu Oh Lee,Lay Wai Kong. Владелец: Intel Corp. Дата публикации: 2016-11-29.

Liquid-sealed anti-vibration device and method for manufacturing the same

Номер патента: US09470286B2. Автор: Akihiro Saito,Katsumi Someya. Владелец: Bridgestone Corp. Дата публикации: 2016-10-18.

Microcellular thermoplastic thin films formed by a solid-state foaming process

Номер патента: US09381723B2. Автор: Henry G. Schirmer,Vipin Kumar,Dustin Miller,John Chunpo Lu. Владелец: UNIVERSITY OF WASHINGTON. Дата публикации: 2016-07-05.

Method for manufacture of structural elements of decorative products made of fumed oak and structural element of decorative product manufactured thereby

Номер патента: RU2747239C1. Автор: Николай Алексеевич Козин. Владелец: Общество с ограниченной ответственностью "Ростр". Дата публикации: 2021-04-29.

Method for repair of hydraulic structures and structures in the zone of variable water horizon

Номер патента: RU2766349C1. Автор: Александр Николаевич Бирюков,Юрий Александрович Бирюков,Юрий Вячеславович ПИЩАЛОВ,Евгений Олегович Добрышкин,Анатолий Петрович Лебедкин,Иван Сергеевич Титеев,Антон Алексеевич Гукин. Владелец: Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего образования "Военная академия материально-технического обеспечения имени генерала армии А.В. Хрулёва" Министерства обороны Российской Федерации. Дата публикации: 2022-03-15.

Modular system for creating structure, module connector and structure comprising modular system

Номер патента: RU2766969C2. Автор: Иоахим БИНДЕР. Владелец: Кнауф Гипс КГ. Дата публикации: 2022-03-16.

Selective metallization process

Номер патента: US5468597A. Автор: Jeffrey M. Calvert,Jacque H. Georger, Jr.,Gary S. Calabrese,Mu-San Chen,Walter J. Dressick,Charles S. Dulcey,John F. Bohland, Jr.. Владелец: Shipley Co LLC. Дата публикации: 1995-11-21.

Process for forming a two layer plastic device with textures or drawings thereon and devices made of the same

Номер патента: US20210064150A1. Автор: Jui-Tsai Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2021-03-04.

Process for forming a two layer plastic device with textures or drawings thereon and devices made of the same

Номер патента: US20200257376A1. Автор: Jui-Tsai Chen. Владелец: Individual. Дата публикации: 2020-08-13.

Low-Profile Air Duct Fitting for Passage of Air Through Narrow Openings and Method of Using the Same

Номер патента: US20100018472A1. Автор: Angela L. Porter,David R. Porter. Владелец: Furminator Inc. Дата публикации: 2010-01-28.

Low-profile air duct fitting for passage of air through narrow openings and method of using the same

Номер патента: US8011059B2. Автор: Angela L. Porter,David R. Porter. Владелец: Furminator Inc. Дата публикации: 2011-09-06.

Systems And Methods For Characterizing And Sampling Nucleic Acid Sequences And Structures Of Same

Номер патента: US20190147974A1. Автор: Christopher L. Barrett,Christian Reidys,Qijun He,Wenda Huang. Владелец: Virginia Polytechnic Institute and State University. Дата публикации: 2019-05-16.

Optical fiber coating apparatus for preventing generation of bubble in coating layer of optical fiber and method of coating optical fiber using the same

Номер патента: US7954450B2. Автор: Jong-pil Kim,Dong-Young Kim,Young-Gyu Yang,Sang-Joon Bae,Young-Il Kwon. Владелец: LS Cable Ltd. Дата публикации: 2011-06-07.

Optical fiber coating apparatus for preventing generation of bubble in coating layer of optical fiber and method of coating optical fiber using the same

Номер патента: WO2006031013A1. Автор: Jong-pil Kim,Dong-Young Kim,Young-Gyu Yang,Sang-Joon Bae,Young-Il Kwon. Владелец: LS CABLE LTD.. Дата публикации: 2006-03-23.

Model eye for eye characteristic measuring device and calibration method for the same

Номер патента: EP1336371B1. Автор: Tatsuo c/o K.K. Topcon Yamaguchi,Naoki c/o K.K. Topcon Nakazawa,Toshifumi c/o K.K. Topcon Mihashi,Yoko c/o K.K. Topcon Hirohara. Владелец: Topcon Corp. Дата публикации: 2005-12-07.

Nickel alloy and manufacturing method for the same

Номер патента: US20040156738A1. Автор: Manabu Kanzaki. Владелец: Individual. Дата публикации: 2004-08-12.

Nickel alloy and manufacturing method for the same

Номер патента: EP1433864A3. Автор: Manabu Kanzaki. Владелец: Sumitomo Metal Industries Ltd. Дата публикации: 2004-11-03.

Means for sealing the gap between two axially displaceable sealing surfaces and method for manufacturing the same

Номер патента: AU3106784A. Автор: Per Haaland. Владелец: Mehren Rubber As. Дата публикации: 1985-01-25.

Fishing reel components and method of manufacturing the same

Номер патента: US20210274764A1. Автор: Mamoru Koike,Yutaro Abe,Takeshige Ohara. Владелец: Globeride Inc. Дата публикации: 2021-09-09.

Method for forming a timepiece train wheel support plate and a timepiece comprising a mold structure for forming a timepiece train wheel support plate and a timepiece train wheel support plate formed of the same

Номер патента: US20070237034A1. Автор: Yuichi Shino,Tamotsu Ono. Владелец: Seiko Instruments Inc. Дата публикации: 2007-10-11.

Wheel load adjusting tool of railcar bogie, railcar bogie including the same, and method of manufacturing railcar bogie

Номер патента: US20190009800A1. Автор: Yukihiro Sano,Takaya Ono,Yukitaka Taga,Fumikazu KOUNOIKE. Владелец: Kawasaki Jukogyo KK. Дата публикации: 2019-01-10.

Sheet finisher, image forming apparatus using the same, and sheet finishing method

Номер патента: US8020846B2. Автор: Takahiro Kawaguchi,Hiroyuki Taguchi,Katsuhiko Tsuchiya,Ken Iguchi,Katsuya Sasahara. Владелец: Toshiba TEC Corp. Дата публикации: 2011-09-20.

Learning method and testing method of object detector to be used for surveillance based on r-cnn capable of converting modes according to aspect ratios or scales of objects, and learning device and testing device using the same

Номер патента: EP3686777A1. Автор: Kye-Hyeon Kim,Hak-Kyoung Kim,Sukhoon Boo,Myungchul Sung,Donghun Yeo,Wooju Ryu,Taewoong Jang,Kyungjoong Jeong,Hongmo Je,Hojin Cho,Yongjoong Kim,Insu Kim,Woonhyun Nam. Владелец: Stradvision Inc. Дата публикации: 2020-07-29.

Fixing unit and electrophotographic apparatus having the same

Номер патента: US20120051804A1. Автор: Hiroshi Suzuki,Masami Takeshita,Mamoru Takayama. Владелец: Ricoh Co Ltd. Дата публикации: 2012-03-01.

Door assembly having a soft bottomed door panel and system and method of driving the same

Номер патента: EP3887636A1. Автор: Brian Norbert Drifka,Gabriel John BIETZER,Seth Edward KAMPA. Владелец: Rytec Corp. Дата публикации: 2021-10-06.

Corner compensation method for fabricating MEMS and structure thereof

Номер патента: US7180144B2. Автор: Jerwei Hsieh,Weileun Fang. Владелец: WALSIN LIHWA CORP. Дата публикации: 2007-02-20.

Optical pickup actuator and optical recording and/or reproducing apparatus employing the same

Номер патента: US20050030841A1. Автор: Duk-Young Chong,Young-bin Lee. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2005-02-10.

Reflection type liquid crystal display and a method for manufacturing the same

Номер патента: US20020089628A1. Автор: Jae-Hyun Kim,Kee-han Uh,Yong-kyu Jang,Bang-Sil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2002-07-11.

Reflection type liquid crystal display and a method for manufacturing the same

Номер патента: US7206045B2. Автор: Jae-Hyun Kim,Kee-han Uh,Yong-kyu Jang,Bang-Sil Choi. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD. Дата публикации: 2007-04-17.

Corrosion preventer for articles and structures of steel and method of obtaining the same

Номер патента: PL273714A1. Автор: Włodzimierz Mysłowski,Wieslaw Lukaszyk,Kazimierz Mloczek. Владелец: Kazimierz Mloczek. Дата публикации: 1990-01-22.

MEMORY CELL THAT EMPLOYS A SELECTIVELY FABRICATED CARBON NANO-TUBE REVERSIBLE RESISTANCE-SWITCHING ELEMENT AND METHODS OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001150A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001180A1. Автор: Yoshizumi Kensuke,YOKOI Tomokazu. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

BELTS FOR ELECTROSTATOGRAPHIC APPARATUS AND METHODS FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003415A1. Автор: FROMM Paul M.. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

APPARATUS INTEGRATING MICROELECTROMECHANICAL SYSTEM DEVICE WITH CIRCUIT CHIP AND METHODS FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001276A1. Автор: . Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

Antireflective Coatings for Via Fill and Photolithography Applications and Methods of Preparation Thereof

Номер патента: US20120001135A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GROUP III NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT-EMITTING DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND LAMP

Номер патента: US20120001220A1. Автор: . Владелец: SHOWA DENKO K.K.. Дата публикации: 2012-01-05.

THREE DIMENSIONAL SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001345A1. Автор: Hwang Kihyun,YANG Junkyu,Choi Hanmei,Park ChanJin,Min Gyungjin,Yoo Dongchul,Kong Yoochul. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003808A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

COORDINATE INPUT APPARATUS, LIGHT RECEIVING APPARATUS OF THE COORDINATE INPUT APPARATUS, AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002217A1. Автор: Kobayashi Katsuyuki,Yoshimura Yuichiro. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

METAL PASTE COMPOSITION FOR FORMING ELECTRODE AND SILVER-CARBON COMPOSITE ELECTRODE AND SILICON SOLAR CELL USING THE SAME

Номер патента: US20120000523A1. Автор: KIM Sang-Ho,PARK Jong-Wuk,Kim So-Won. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001333A1. Автор: HWANG Chang Youn. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOVOLTAIC MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000506A1. Автор: Kim Dong-Jin,KANG Ku-Hyun,NAM Yuk-Hyun,Lee Jung-Eun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR ON GLASS SUBSTRATE WITH STIFFENING LAYER AND PROCESS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120001293A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL, AND PHOTOSENSITIVE FILM, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, LOW REFRACTIVE INDEX FILM, OPTICAL DEVICE AND SOLID-STATE IMAGING DEVICE EACH USING THE SAME

Номер патента: US20120003436A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND METHOD OF FORMING THE SAME

Номер патента: US20120003828A1. Автор: Chang Sung-Il,Choe Byeong-In,KANG Changseok. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOTORIZED SHAVING APPARATUS HEAD AND SHAVING APPARATUS IMPLEMENTING THE SAME

Номер патента: US20120000075A1. Автор: Ben-Ari Tsafrir. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000517A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC MATERIAL AND ORGANIC LIGHT EMITTING DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120001157A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Device and Method for Forming the Same

Номер патента: US20120001229A1. Автор: Zhu Huilong,Liang Qingqing. Владелец: INSTITUTE OF MICROELECTRONICS, CHINESE ACADEMY OF SCIENCES. Дата публикации: 2012-01-05.

DUST CORE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001719A1. Автор: Oshima Yasuo,Handa Susumu,Akaiwa Kota. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Switchable 3-Dimensional Conversion Device, Method for Manufacturing the Same and Stereoscopic Image Display Device Using the Same

Номер патента: US20120001890A1. Автор: Im Hee-Jin,Kim Chul-Ho,KOOK Yun-Ho,Yoo Soon-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SOLAR CELL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003781A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Systems and Methods for the Collection, Retention, and Redistribution of Rainwater and Methods of Construction of the Same

Номер патента: US20120000546A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SUSPENSION OF CELLULOSE FIBERS AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000392A1. Автор: Isogai Akira,Mukai Kenta,Kumamoto Yoshiaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Structure of LCD Panel and Method of Manufacturing the Same

Номер патента: US20120002156A1. Автор: Yi Hung Meng,Hung Tsai Chu. Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001544A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC ELECTROLUMINESCENT DISPLAY DEVICE AND MANUFACTURING METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001885A1. Автор: Kim Na-Young,Kang Ki-Nyeng,Park Yong-Sung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR NASAL DILATOR

Номер патента: US20120004683A1. Автор: Gray David,Litman Mark A.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Sophisticated Metallization Systems in Semiconductors Formed by Removing Damaged Dielectric Surface Layers After Forming the Metal Features

Номер патента: US20120001343A1. Автор: Feustel Frank,Huisinga Torsten,Grillberger Michael. Владелец: GLOBALFOUNDRIES INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001346A1. Автор: SEO Dae-Young,KIM Doo-Kang. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DISPLAY SUBSTRATE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND DISPLAY PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120003796A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR STRUCTURE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003815A1. Автор: Lee Sang-yun. Владелец: BESANG INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Field emission electrode, method of manufacturing the same, and field emission device comprising the same

Номер патента: US20120003895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001310A1. Автор: Horiki Hiroshi,NISHINO MASANORI. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC MODUE OF ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE AND ELECTRON CYCLOTRON RESONANCE APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20120001550A1. Автор: Chang Chih-Chen,Huang Kun-Ping,Lee Kang-Feng. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD AND STRUCTURE FOR DISSIPATING HEAT AWAY FROM A RESISTOR HAVING NEIGHBORING DEVICES AND INTERCONNECTS

Номер патента: US20120002375A1. Автор: Lin Jian-Hong,Lee Tzu-Li,TSAI CHIEN SHIH,Lin Bi-Ling,Wei Bor-Jou,PENG Chin Chuan. Владелец: Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Papermakers fabric with flat high aspect ratio yarns

Номер патента: CA2174001C. Автор: Henry J. Lee. Владелец: Asten Inc. Дата публикации: 1999-02-09.

Aromatic amine derivative and organic electroluminescence device using the same

Номер патента: US20120001154A1. Автор: Kato Tomoki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR MODULE AND ELECTRONIC SYSTEM INCLUDING THE SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001272A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MODULE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001308A1. Автор: FUKUTANI Keita,NISHIHATA Masayoshi,Mamitsu Kuniaki,Ookura Yasushi,Wado Hiroyuki,Sugiura Syun. Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001311A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002285A1. Автор: Matsuda Manabu. Владелец: FUJITSU LIMITED. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, AND RESIST FILM AND PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003590A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003801A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

GLOVE AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120000005A1. Автор: KISHIHARA Hidetoshi,II Yasuyuki. Владелец: SHOWA GLOVE CO.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOELECTRIC CONVERSION DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000518A1. Автор: Tokioka Hidetada,ORITA Tae,YAMARIN Hiroya. Владелец: Mitsubishi Electric Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NANOPOROUS FILMS AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000845A1. Автор: Park Han Oh,Kim Jae Ha,JIN Myung Kuk. Владелец: BIONEER CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SUPERHYDROPHILIC AND OLEOPHOBIC POROUS MATERIALS AND METHODS FOR MAKING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120000853A1. Автор: Mabry Joseph M.,TUTEJA Anish,Kota Arun Kumar,Kwon Gibum. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE WIRE FOR WIRE ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND METHOD FOR ELECTRICAL DISCHARGE MACHINING USING THE SAME

Номер патента: US20120000889A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC EL DISPLAY PANEL AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001186A1. Автор: ONO Shinya,KONDOH Tetsuro. Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ISOLATION REGION, SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHODS FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001198A1. Автор: Zhu Huilong,Yin Haizhou,Luo Zhijiong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Semiconductor Light Emitting Device and Method for Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001202A1. Автор: Horng Ray-Hua. Владелец: NATIONAL CHENG KUNG UNIVERSITY. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR FORMING THE SAME

Номер патента: US20120001255A1. Автор: PARK JIN WON. Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRODE STRUCTURE, METHOD OF FABRICATING THE SAME, AND SEMICONDUCTOR DEVICE INCLUDING THE ELECTRODE STRUCTURE

Номер патента: US20120001267A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND SOLID-STATE IMAGE SENSOR

Номер патента: US20120001291A1. Автор: Kokumai Kazuo. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC IMPEDANCE ELEMENT AND MAGNETIC SENSOR USING THE SAME

Номер патента: US20120001626A1. Автор: Hirose Sakyo. Владелец: MURATA MANUFACTURING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFORMER AND FLAT PANEL DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120001886A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

EXPOSURE DEVICE CAPABLE OF STABILIZING DENSITY OF IMAGE FORMED BY MULTIPLE EXPOSURE AND IMAGE FORMING APPARATUS EQUIPPED WITH THE EXPOSURE DEVICE

Номер патента: US20120001995A1. Автор: . Владелец: CANON KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

PLANAR ILLUMINATION DEVICE AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120002136A1. Автор: NAGATA Takayuki,YAMAMOTO Kazuhisa,Itoh Tatsuo. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL IMAGE ACQUISITION APPARATUS HAVING ADAPTIVE OPTICS AND CONTROL METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002165A1. Автор: Saito Kenichi. Владелец: CANON KABUSHIKI KAISH. Дата публикации: 2012-01-05.

HOLOGRAM RECORDING MEDIUM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, HOLOGRAM REPRODUCTION APPARATUS, AND HOLOGRAM REPRODUCTION METHOD

Номер патента: US20120002257A1. Автор: Shirakura Akira,Baba Shigeyuki,Arai Toshiyuki,Higashihara Teruaki. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

OPTICAL FILM AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, ANTIGLARE FILM, POLARIZER WITH OPTICAL LAYER, AND DISPLAY APPARATUS

Номер патента: US20120002282A1. Автор: Suzuki Ryo,Haga Yumi,Nagahama Tsutomu,Matsumura Shinichi. Владелец: SONY CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Perpendicular Magnetic Write head and method of manufacturing the same

Номер патента: US20120002326A1. Автор: Matono Naoto,SASAKI Kenji,Mino Tetsuya,Onodera Ikuhito,Nishiyama Kazushi,Tsuchiya Michitoshi. Владелец: SAE Magnetics (H.K.) Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFORMER AND FLAT PANEL DISPLAY DEVICE INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002387A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAVELENGTH MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002918A1. Автор: . Владелец: FURUKAWA ELECTRIC CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

PHOTOSENSITIVE COMPOSITION, PATTERN FORMING MATERIAL AND PHOTOSENSITIVE FILM USING THE SAME, PATTERN FORMING METHOD, PATTERN FILM, ANTIREFLECTION FILM, INSULATING FILM, OPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120003437A1. Автор: Kodama Kunihiko,WADA Kenji,OHTA Masaki. Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

NITRIDE CRYSTAL AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003446A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC RECORDING MEDIUM AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003503A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ENERGY STORAGE DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003535A1. Автор: Yamazaki Shunpei. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE, POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL OF SECOND BATTERY USING THE METHOD FOR MANUFACTURING ULTRA SMALL PARTICLE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, AND SECONDARY BATTERY USING THE POSITIVE ELECTRODE ACTIVE MATERIAL AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003539A1. Автор: MIKAMI Mayumi,Nara Koji. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ACTINIC RAY-SENSITIVE OR RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION, RESIST FILM USING THE SAME AND PATTERN FORMING METHOD

Номер патента: US20120003586A1. Автор: . Владелец: FUJIFILM Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

STROBO THIN FILM CHEMICAL ANALYSIS APPARATUS AND ASSAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003659A1. Автор: Yoo Jae Chern. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ADHESIVE COMPOSITION AND OPTICAL MEMBER USING THE SAME

Номер патента: US20120004369A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Fullerene Derivatives and Organic Electronic Device Comprising the Same

Номер патента: US20120004476A1. Автор: KIM Dong Wook,LIM Hyun Seok,LEE Jaemin,JUNG Jae Wook,Yoon Sung Cheol,Lim Jongsun,Lee Chang Jin,KANG YONGKU,NAM So Youn. Владелец: KOREA RESEARCH INSTITUTE OF CHEMICAL TECHNOLOGY. Дата публикации: 2012-01-05.

CUFF FOR BLOOD PRESSURE INFORMATION MEASUREMENT DEVICE AND BLOOD PRESSURE INFORMATION MEASUREMENT DEVICE EQUIPPED WITH THE SAME

Номер патента: US20120004560A1. Автор: KAWANO Atsushi,SANO Yoshihiko,FUJITA Reiji,Nishioka Takanori,Tanaka Takahide. Владелец: OMRON HEALTHCARE CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

RESIN COMPOSITION FOR SOLAR CELL ENCAPSULANT, SOLAR CELL ENCAPSULANT AND SOLAR CELL MODULE USING THE SAME

Номер патента: US20120000514A1. Автор: Amamiya Takahiro,Onaka Tamami. Владелец: JAPAN POLYETHYLENE CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

POWER SUPPLYING MEANS HAVING SHIELDING MEANS FOR FEEDING LINE AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120000609A1. Автор: DO Jae-Chul,JEON Bu-Il,SONG Myung-Gon,LEE Jung-Rak. Владелец: JUSUNG ENGINEERING CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LAYER HAVING FUNCTIONALITY, METHOD FOR FORMING FLEXIBLE SUBSTRATE HAVING THE SAME, AND METHOD FOR MANUFACTURING SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001181A1. Автор: AOKI Tomoyuki,Tsurume Takuya. Владелец: SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC LIGHT-EMITTING DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001182A1. Автор: Choi Jong-Hyun,Lee Dae-Woo. Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, LIGHT EMITTING DEVICE PACKAGE, AND LIGHTING SYSTEM

Номер патента: US20120001196A1. Автор: CHOI Kwang Ki,JEONG Hwan Hee,MOON Ji hyung,LEE Sang Youl,SONG June O,JUNG Se Yeon,SEONG Tae Yeon. Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001257A1. Автор: MURAKAWA Kouichi. Владелец: RENESAS ELECTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001260A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ETCHANTS AND METHODS OF FABRICATING SEMICONDUCTOR DEVICES USING THE SAME

Номер патента: US20120001264A1. Автор: YANG Jun-Kyu,Kim Hong-Suk,Hwang Ki-Hyun,Ahn Jae-Young,Lim Hun-Hyeong,KIM Jin-Gyun. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR PACKAGE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001329A1. Автор: Kim Young Lyong,Lee Jongho,AHN EUNCHUL,Kim Hyeongseob. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

STATOR FOR ELECTRIC ROTATING MACHINE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001516A1. Автор: . Владелец: Denso Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE CASE HAVING ANTENNA PATTERN EMBEDDED THEREIN, METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME, MOLD FOR MANUFACTURING ANTENNA PATTERN FRAME, AND ELECTRONIC DEVICE

Номер патента: US20120001807A1. Автор: HONG Ha Ryong,Lee Dae Kyu,An Chan Gwang,Chang Ki Won,Cho Sung Eun,SUNG Jae Suk. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120002142A1. Автор: Fujiwara Sayuri,Satoh Eiji,Asaoka Yasushi,Deguchi Kazuhiro,Tanimoto Kazunori,MATSUDA TAKAFUMI,MIKUMO KATSUHIRO. Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

HEAD SUSPENSION ASSEMBLY AND DISK DEVICE WITH THE SAME

Номер патента: US20120002321A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

HONEYCOMB STRUCTURE BODY AND METHOD OF PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120003420A1. Автор: Betsushiyo Takahiro,Aoki Hiromasa,Sakamoto Kazuhisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROPHOTOGRAPHY PHOTORECEPTOR, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME, AND ELECTROPHOTOGRAPHY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120003574A1. Автор: Tanaka Yasushi,Nakamura Yoichi,Kitagawa Seizo,EMORI Hiroshi,Ichiyanagi Hiroyuki. Владелец: FUJI ELECTRIC SYSTEMS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

SINGLE LAYER PHOTORECEPTOR AND METHODS OF USING THE SAME

Номер патента: US20120003578A1. Автор: HEUFT Matthew A.,Klenkler Richard A.,McGuire Gregory. Владелец: XEROX CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT EMITTING DIODE HAVING A THERMAL CONDUCTIVE SUBSTRATE AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120003766A1. Автор: . Владелец: Seoul Opto Device Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120003805A1. Автор: Lee Tae-Jung,PARK MYOUNG-KYU,Bang Kee-In. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND TERMINAL SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20120004000A1. Автор: CHOI Byungsung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for preparing calcium sulfate whiskers with high aspect ratio

Номер патента: ZA202400285B. Автор: Xiao Wang,Qing LUO,Jianwu ZHANG,Xiaoting Zhang,Biao JIN,Zhuoyue Xu. Владелец: Univ Henan Urban Construction. Дата публикации: 2024-07-31.

PRINTED CIRCUIT BOARD AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120000697A1. Автор: KIM Kwang Soo,Choi Seog Moon,PARK Sung Keun,Lim Chang Hyun,KANG Jung Eun. Владелец: SAMSUNG ELECTRO-MECHANICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Wire harness wiring unit and wire harness wiring assembly having the same

Номер патента: US20120000704A1. Автор: Yamashita Takayuki. Владелец: Yazaki Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

COMPOSITE PRESSURE VESSEL AND METHOD OF ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120000916A1. Автор: Kleber Richard M.,Kia Hamid G.,Wang Chen-Shih,Carsley John E.,Berger Elisabeth J.,SUN Ce,Schultheis Valentin,Fell Stephan. Владелец: GM GLOBAL TECHNOLOGY OPERATIONS, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE SENSOR AND METHOD FOR FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001234A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

WAFER STACKED PACKAGE WAVING BERTICAL HEAT EMISSION PATH AND METHOD OF FABRICATING THE SAME

Номер патента: US20120001348A1. Автор: . Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

FLAT PANEL DISPLAY DEVICE AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001534A1. Автор: KIM Tae-Woong. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TRANSFORMER AND DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001714A1. Автор: LEE Young Min,Kim Jong Hae,Park Geun Young,Seo Sang Joon,Shin Hwi Beom. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTROMAGNETIC WAVE GATHERING DEVICE AND SOLAR CELL MODULE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120002291A1. Автор: Lee Shih-Chang,Hong Kai-Yi,Lo Wu-Tsung. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

HEAD GIMBAL ASSEMBLY AND DISK DRIVE WITH THE SAME

Номер патента: US20120002322A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

OVERVOLTAGE CIRCUIT, AND MOTOR STARTER, OVERLOAD RELAY AND LOW-POWER SYSTEM INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120002332A1. Автор: Riley Joseph D.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ILLUMINATION APPARATUS FOR DISPLAY DEVICE, DISPLAY DEVICE USING THE SAME, AND TELEVISION RECEIVER APPARATUS COMPRISING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120002398A1. Автор: . Владелец: SHARP KABUSHIKI KAISHA. Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT GUIDING OBJECT AND LIGHTING DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120002443A1. Автор: Ye Zhi-Ting,Huang Kuo-Jui. Владелец: WINTEK CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

FIELD-PORTABLE IMPEDANCE READER AND METHODS OF MAKING THE SAME

Номер патента: US20120004851A1. Автор: Potyrailo Radislav Alexandrovich,Morris William Guy,Ashe Jeffrey Michael,Surman Cheryl Margaret. Владелец: GENERAL ELECTRIC COMPANY. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in the Manufacture of Pile Fabrics and in Looms for Weaving the same.

Номер патента: GB190404264A. Автор: William Crawford Gray,William Mc Kenzie. Владелец: Individual. Дата публикации: 1905-02-20.

RRAM structure and method of making the same

Номер патента: US20120001141A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for manufacturing thin film capacitor and thin film capacitor obtained by the same

Номер патента: US20120001298A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PACKAGE FOR SEMICONDUCTOR DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND SEMICONDUCTOR DEVICE

Номер патента: US20120001312A1. Автор: . Владелец: Panasonic Corporation. Дата публикации: 2012-01-05.

INFORMATION STORAGE/READOUT DEVICE FOR USE IN CONTINUOUSLY MANUFACTURING SYSTEM FOR LIQUID-CRYSTAL DISPLAY ELEMENTS, AND METHOD AND SYSTEM FOR PRODUCING THE SAME

Номер патента: US20120002154A1. Автор: Kitada Kazuo,Yura Tomokazu,Koshio Satoru,Nakazono Takuya,KIMURA Kouji,SHIMANOE Fumihito. Владелец: NITTO DENKO CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR WITH SMALL LEAKAGE CURRENT AND METHOD OF MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120002350A1. Автор: Suzuki Satoshi,NOBUTA Tomoki,TAKAHASHI Naoki,Nishiyama Toshihiko,Kobayakawa Ryuta. Владелец: NEC TOKlN CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR MANUFACTURING ELECTRODE HAVING POROUS COATING LAYER, ELECTRODE MANUFACTURED THEREFROM, AND ELECTROCHEMICAL DEVICE COMPRISING THE SAME

Номер патента: US20120003545A1. Автор: Kim Jong-Hun,LEE Joo Sung,Hong Jang-Hyuk,Yoon Su-Jin,PARK Pil-kyu,Shin Byoung-Jin,Cho Byeong-Gyu,Jin Sun-Mi,Kim In-Chul. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Impression pattern forming method in functional layer of article by multi-pass planing in nc machine tools and planing cutter for performing the same

Номер патента: RU2296036C1. Автор: Аркадий Владимирович Трачук,Андрей Валерьевич Чеглаков,Александр Георгиевич Писарев,Александр Игоревич Мочалов,Валерий Анатольевич Чеглаков,Дмитрий Николаевич Грачев,Алексей Владимирович Греков,Владимир Васильевич Павлов,залов Сергей Юрьевич В,Сергей Юрьевич Вязалов,Александр Васильевич Курочкин,Евгений Михайлович Метельский,Виктор Сергеевич Солдатченков,Яков Михайлович Ашкиназий,Виктор Афанасьевич Чекмарев,Алексей Иванович Климов,Сергей Геннадьевич Зарубин. Владелец: Федеральное Государственное Унитарное Предприятие "Гознак" (Фгуп "Гознак"). Дата публикации: 2007-03-27.

Lead Frame and Method For Manufacturing the Same

Номер патента: US20120001307A1. Автор: . Владелец: LG INNOTEK CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

DEVELOPER CONTAINER AND IMAGE FORMING APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20120003013A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CANNULA LINED WITH TISSUE IN-GROWTH MATERIAL AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120004496A1. Автор: . Владелец: CIRCULITE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND INFORMATION DISPLAY METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120003990A1. Автор: LEE Min Ku. Владелец: Pantech Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

The Construction of Sheets or Nets made of Helically Twisted Wire with a Selvedge or Edging to the same, and the Machinery connected therewith.

Номер патента: GB190318650A. Автор: Herbert Grice,Giovanni Giussani,Samuel Shaw Crisp. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-08-11.

Lamp Support Having Film Support and Backlight Module Using the Same

Номер патента: US20120002399A1. Автор: . Владелец: AU OPTRONICS CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

Method to monitor safety of bearing structures, structural elements of buildings and structures and system for its realisation

Номер патента: RU2413193C2. Автор: Олег Сергеевич Волков,Владимир Иванович Клецин. Владелец: Владимир Иванович Клецин. Дата публикации: 2011-02-27.

A New or Improved Apparatus for Extracting Trees from the Ground and for Transporting and Replanting the same.

Номер патента: GB190225590A. Автор: Malcolm Ryder. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-11-12.

Universal Control Scheme For Mobile Hydraulic Equipment And Method For Achieving The Same

Номер патента: US20120000192A1. Автор: Ramun John R.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ORGANIC COMPOUND AND ORGANIC ELECTROLUMINESCENCE DEVICE EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20120001537A1. Автор: LIN Chi-Jen,HUANG Heh-Lung,LIN Jin-Sheng,CHENG Chien-Hong,TSENG Mei-Rurng. Владелец: INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR MEMORY DEVICE AND CONTROL METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120002457A1. Автор: KANDA Kazushige. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POLYAMIDE RESIN COMPOSITION, FILM COMPRISING THE SAME AND POLYAMIDE-BASED LAMINATE FILM

Номер патента: US20120003361A1. Автор: . Владелец: UBE INDUSTRIES, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MICROELECTORODE ARRAY, METHODS FOR PREPARING THE SAME AND USES THEREOF

Номер патента: US20120004716A1. Автор: Langhammer Christopher,Firestein-Miller Bonnie L.,Zahn Jeffrey. Владелец: Rutgers, The State University of New Jersey. Дата публикации: 2012-01-05.

Improvements in Boxes or Tins for Packing Goods and Preventing the Surreptitious Opening of the same.

Номер патента: GB190224351A. Автор: Robert Atkinson Mc Quitty. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-01-22.

Improvements in Cornice Poles, and Fittings for the same to Facilitate the Drawing of Curtains thereon

Номер патента: GB190300041A. Автор: William Alfred Rees. Владелец: Individual. Дата публикации: 1903-11-26.

APPARATUS FOR DRIVING AND SUPPORTING CRADLE AND MR SYSTEM HAVING THE SAME

Номер патента: US20120000016A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

CRYSTALLINE CERIUM OXIDE AND PREPARATION METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120000137A1. Автор: CHOI Sang-Soon,CHO Seung-Beom,HA Hyun-Chul,KWAK Ick-Soon,CHO Jun-Yeon. Владелец: LG CHEM, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Tricalcium Phosphate Coarse Particle Compositions and Methods for Making the Same

Номер патента: US20120000394A1. Автор: Delaney David C.,Jalota Sahil,Yetkinler Duran N.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MILKING PARLOUR AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120000427A1. Автор: . Владелец: DELAVAL HOLDING AB. Дата публикации: 2012-01-05.

INSULATION MATERIAL COMPOSITION FOR DC POWER CABLE AND THE DC POWER CABLE USING THE SAME

Номер патента: US20120000694A1. Автор: . Владелец: LS Cable & System Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

Spraying Apparatus And Agricultural Field Sprayer Having The Same

Номер патента: US20120000991A1. Автор: HLOBEN PETER. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

POSITRON EMISSION IMAGING DEVICE AND METHOD OF USING THE SAME

Номер патента: US20120001064A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MODULATION PROFILE GENERATOR AND SPREAD SPECTRUM CLOCK GENERATOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120001658A1. Автор: . Владелец: KOREA UNIVERSITY RESEARCH AND BUSINESS FOUNDATION. Дата публикации: 2012-01-05.

POWDER MAGNETIC CORE AND MAGNETIC ELEMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120001710A1. Автор: TAKAHASHI Takeshi,MATSUTANI NOBUYA,Wakabayashi Yuya. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

GATE DRIVING CIRCUIT AND LIQUID CRYSTAL DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001894A1. Автор: LEE Hyun-Jeong,Kim Young-Do,Cha Je-Heon. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

LIGHT MODULE AND DISPLAY APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20120001895A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001994A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE PHOTOGRAPHING APPARATUS AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120002065A1. Автор: PARK Wan Je,Seung Jung Ah. Владелец: Samsung Electronics Co., Ltd. Дата публикации: 2012-01-05.

HEAD AND DISK DEVICE WITH THE SAME

Номер патента: US20120002327A1. Автор: Hanyu Mitsunobu. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DATA TEST UNIT, IMAGE APPARATUS HAVING THE SAME, AND METHOD OF TESTING IMAGE DATA USING THE SAME

Номер патента: US20120002886A1. Автор: JUN Hyun-Su. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

Biomarkers for Inflammatory Bowel Disease and Methods Using the Same

Номер патента: US20120003158A1. Автор: Alexander Danny,SHUSTER Jeffrey,KORZENIK Joshua,ZELLA Garrett. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

C1ORF59 PEPTIDES AND VACCINES INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120003253A1. Автор: Tsunoda Takuya,Ohsawa Ryuji,Yoshimura Sachiko,Watanabe Tomohisa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DERMAL MICRO-ORGANS, METHODS AND APPARATUSES FOR PRODUCING AND USING THE SAME

Номер патента: US20120003276A1. Автор: Bellomo Stephen F.,Lippin Itzhak,Piva Guillermo Alberto,Rosenberg Lior,Bukhman Mordechay,Stern Baruch S.,Shalhevet David,Shavitt Menachem D.,Pearlman Andrew L.,Shani Noam,Almon Einat. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Screening method, composition containing substance selected by the screening method, and binding substance

Номер патента: US20120003673A1. Автор: Yodoi Junji,Horibe Tomohisa,KATO Noriko,Kondo Norihiko,Son Aoi,Hara Tomijiro. Владелец: REDOX BIOSCIENCE, INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

NUCLEIC ACID DERIVED FROM HEPATITIS C VIRUS AND EXPRESSION VECTOR, TRANSFORMED CELL, AND HEPATITIS C VIRUS PARTICLES EACH PREPARED BY USING THE SAME

Номер патента: US20120003720A1. Автор: Takahashi Hitoshi,WAKITA Takaji,DATE Tomoko. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

DNA CHIP, KIT FOR DETECTING OR GENOTYPING BACTERIA CAUSING SEXUALLY TRANSMITTED DISEASES, GENOTYPING ANTIBACTERIAL DRUG RESISTANCE AND DETECTING OR GENOTYPING METHOD USING THE SAME

Номер патента: US20120004113A1. Автор: . Владелец: GOODGENE INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

Cooling device for depth temperature stabilisation of soils, foundations of buildings and structures

Номер патента: RU2527969C1. Автор: Владимир Николаевич Тихонов,Илья Александрович Миронов,Энвер Валерьевич Ибрагимов,Ринат Гамидович Гамзаев. Владелец: Открытое Акционерное Общество "Фундаментпроект". Дата публикации: 2014-09-10.

Device to protect buildings and structures by means of damaged elements of structures

Номер патента: RU2517331C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Мария Олеговна Стареева,Мария Михайловна Стареева. Владелец: Мария Михайловна Стареева. Дата публикации: 2014-05-27.

Multielement electrooptic transducer and method for controlling the same

Номер патента: RU2017184C1. Автор: А.В. Шестаков,О.В. Голосной. Владелец: Акционерное общество "Московский научно-исследовательский телевизионный институт". Дата публикации: 1994-07-30.

Automated method of erection of solid foundations and walls of buildings and structures of plastic blocks

Номер патента: RU2532117C2. Автор: Кирилл Константинович Нежданов,Вячеслав Александрович Туманов,Алексей Александрович Игошин,Антон Вячеславович Туманов. Владелец: Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования Пензенский государственный университет архитектуры и строительства. Дата публикации: 2014-10-27.

Method to develop soil-reinforced basements and foundations of buildings and structures and device for its realisation

Номер патента: RU2415229C2. Автор: Владимир Петрович Дыба,Татьяна Петровна Кашарина,Юрий Викторович Галашев,Анна Сергеевна Глаголева. Владелец: Анна Сергеевна Глаголева. Дата публикации: 2011-03-27.

Improvements in Material for Surgical Bandages and Process of Manufacturing the same.

Номер патента: GB190405304A. Автор: Rudolf Robitschek. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-12-15.

An Improved Firelighter and Machine for Manufacturing the same

Номер патента: GB190323334A. Автор: Charles Grenfel Satterthwaite. Владелец: Individual. Дата публикации: 1904-02-25.

Gate structure and method of making the same

Номер патента: SG168426A1. Автор: HSU Chien-En,Kao Chin-Hung. Владелец: United Microelectronics Corp. Дата публикации: 2011-02-28.

An Improvement in Printers' Overlays and in the Process for Making the same.

Номер патента: GB189820845A. Автор: William Llyod Wise. Владелец: Individual. Дата публикации: 1898-12-10.

Electronic governor system and control device of the same

Номер патента: US20120000442A1. Автор: . Владелец: NIKKI CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

THERMAL DEVICE AND PHOTOVOLTAIC MODULE HAVING THE SAME

Номер патента: US20120000508A1. Автор: Yip Chui-Ling. Владелец: Du Pont Apollo Limited. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTIVE COMPOSITION AND THE POWER CABLE USING THE SAME

Номер патента: US20120001128A1. Автор: Kim Yoon-Jin,Kim Ung,Ko Chang-Mo. Владелец: LS Cable & System Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

SEMICONDUCTOR DEVICE AND METHOD FOR MANUFACTURING THE SAME

Номер патента: US20120001324A1. Автор: Watabe Hiroshi,AOKI Hideo,MUKAIDA Hideko,Fukuda Masatoshi,Koshio Yasuhiro. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

ELECTRONIC DEVICE AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120001490A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PIEZORESISTIVE DEVICE, METHOD OF MANUFACTURING THE SAME AND PIEZORESISTIVE-TYPE TOUCH PANEL HAVING THE SAME

Номер патента: US20120001870A1. Автор: LEE Kang Won,Lee Seung Seob. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

PIXEL AND ORGANIC LIGHT EMITTING DISPLAY DEVICE USING THE SAME

Номер патента: US20120001893A1. Автор: . Владелец: Samsung Mobile Display Co., Ltd.. Дата публикации: 2012-01-05.

ADJUSTING SYSTEM, METHOD AND PROJECTOR INCLUDING THE SAME

Номер патента: US20120001931A1. Автор: HSIEH MING-CHIH. Владелец: HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE FORMING APPARATUS AND METHOD OF THE SAME

Номер патента: US20120001997A1. Автор: TAKADA Kazumasa. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IMAGE DISPLAY APPARATUS AND METHOD FOR OPERATING THE SAME

Номер патента: US20120002024A1. Автор: Sung Jaewon,Jeon Byeongmoon,KIM Dongseok,HWANG Junghwan,CHOI Tacksung,YOON Sungyong,LEE HYUNKOOK. Владелец: LG ELECTRONICS INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

MAGNETIC DISK DRIVE AND REFRESH METHOD FOR THE SAME

Номер патента: US20120002315A1. Автор: Inoue Hiroaki. Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

HEAD STACK ASSEMBLY AND DISK DRIVE WITH THE SAME

Номер патента: US20120002328A1. Автор: . Владелец: KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA. Дата публикации: 2012-01-05.

HEAT PIPE TYPE COOLING DEVICE AND RAILCAR CONTROL EQUIPMENT USING THE SAME

Номер патента: US20120002373A1. Автор: KITAJIMA Hironori,SAKAYORI Hitoshi,SHIRAISHI Yuuzou. Владелец: HITACHI CABLE, LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

TEST SIGNAL GENERATING DEVICE, SEMICONDUCTOR MEMORY APPARATUS USING THE SAME AND MULTI-BIT TEST METHOD THEREOF

Номер патента: US20120002491A1. Автор: . Владелец: HYNIX SEMICONDUCTOR INC.. Дата публикации: 2012-01-05.

METHOD FOR SIGNAL SPACE PARTITION AND ASSIGNMENT AND APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20120002622A1. Автор: MAHADEVAPPA Ravishankar H.,ULN Kiran,PARE,JR. Thomas E.. Владелец: Ralink Technology (Singapore) Corporation PTE. LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

ROTOR ASSEMBLY FOR USE IN GAS TURBINE ENGINES AND METHOD FOR ASSEMBLING THE SAME

Номер патента: US20120003091A1. Автор: Segovia Eugenio Yegro. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

TISSUE MARKINGS AND METHODS FOR REVERSIBLY MARKING TISSUE EMPLOYING THE SAME

Номер патента: US20120003301A1. Автор: Agrawal Satish,Boggs Roger. Владелец: PERFORMANCE INDICATOR LLC. Дата публикации: 2012-01-05.

LED CHIP PACKAGE STRUCTURE USING SEDIMENTATION AND METHOD FOR MAKING THE SAME

Номер патента: US20120003765A1. Автор: . Владелец: HARVATEK CORPORATION. Дата публикации: 2012-01-05.

THIN FILM TRANSISTOR SUBSTRATE, DISPLAY DEVICE HAVING THE SAME AND METHOD OF MANUFACTURING THE DISPLAY DEVICE

Номер патента: US20120003769A1. Автор: CHOI Jae-Ho,KIM Sung-Ryul,LEE Czang-Ho,YANG Sung-Hoon,YOON KAP-SOO,Kim Byoung-June,Oh Hwa-Yeul,Choi Yong-Mo. Владелец: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.. Дата публикации: 2012-01-05.

MOBILE TERMINAL AND METHOD OF CONTROLLING THE SAME

Номер патента: US20120003966A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Ophthalmic Compositions and Methods of Using the Same

Номер патента: US20120004265A1. Автор: Green Kenneth E.,CABALLA Susan,MINNO George E.. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Mono- And Bi-Component Formulations In The Form Of A Paint, Varnish And Water-Emulsified Base, Processes For Preparing The Same And Applications Thereof

Номер патента: US20120004346A1. Автор: Rodrigues de Lira Francisco,Santos Hildebrando Lucas. Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

MATERIAL COMPOSITION AND OPTICAL ELEMENTS USING THE SAME

Номер патента: US20120004366A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

IRRADIATING COIL AND MAGNETIC RESONANCE IMAGING APPARATUS USING THE SAME

Номер патента: US20120004532A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

ULTRASOUND IMAGING SYSTEM AND METHODS OF IMAGING USING THE SAME

Номер патента: US20120004539A1. Автор: . Владелец: . Дата публикации: 2012-01-05.

Method for erection of monolithic walls of residential buildings, housings and structures in combined curb

Номер патента: RU2387763C1. Автор: Николай Стефанович Чернов. Владелец: Николай Стефанович Чернов. Дата публикации: 2010-04-27.

Device of opening size selection for relief constructional element and its weight, designed to protect buildings and structures against explosions

Номер патента: RU2520670C1. Автор: Олег Савельевич Кочетов,Мария Олеговна Стареева,Мария Михайловна Стареева. Владелец: Мария Михайловна Стареева. Дата публикации: 2014-06-27.

Бесплатный поиск патентной информации. Построение патентных ландшафтов и отчетов.

Главная
Проекты и услуги
Контакты

© 2021-2022 - All Rights Reserved - разработано Ecoruspace.me.