P-type doping in GaN LEDs for high speed operation at low current densities
Номер патента: US11810995B2
Опубликовано: 07-11-2023
Автор(ы): Bardia Pezeshki, Cameron DANESH
Принадлежит: Avicenatech Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 07-11-2023
Автор(ы): Bardia Pezeshki, Cameron DANESH
Принадлежит: Avicenatech Corp
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
P-type doping in gan leds for high speed operation at low current densities
Номер патента: EP4229685A1. Автор: Bardia Pezeshki,Cameron DANESH. Владелец: Avicenatech Corp. Дата публикации: 2023-08-23.