Two-dimensional semiconductor, p-type doping method therefor, and two-dimensional semiconductor device comprising same
Номер патента: WO2020055013A1
Опубликовано: 19-03-2020
Автор(ы): 서승영, 성지호, 조문호, 허호석
Принадлежит: 기초과학연구원, 포항공과대학교 산학협력단
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
Опубликовано: 19-03-2020
Автор(ы): 서승영, 성지호, 조문호, 허호석
Принадлежит: 기초과학연구원, 포항공과대학교 산학협력단
Получить PDF файл: Открыть в новом окне
2-DIMENSION SEMICONDUCTOR, METHOD OF p-TYPE DOPING THE SAME, AND 2-DIMENSION SEMICONDUCTOR DEVICE COMPRISING THE SAME
Номер патента: KR102080083B1. Автор: 조문호,서승영,허호석,성지호. Владелец: 기초과학연구원. Дата публикации: 2020-02-24.